JP7464706B2 - 電子装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、粘着性積層フィルムおよび電子装置の製造方法に関する。

電子装置（例えば、半導体装置）の製造工程では、電子部品（例えば、半導体ウエハ）の非回路形成面（裏面）を保護する観点から、電子部品の非回路形成面に熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程をおこなう場合がある。
このような熱硬化性保護フィルムに関する技術としては、例えば、特許文献１（特開２０１７－１１８８号公報）に記載のものが挙げられる。

特許文献１には、非導電性無機材料で構成された保護層と、上記保護層の一方の面に設けられた接着剤層とを具備する半導体用保護フィルムが記載されている。

特開２０１７－１１８８号公報

近年の傾向として電子部品の厚みが薄くなってきている。本発明者らの検討によれば、電子部品の厚みが薄くなるに従い、従来の電子装置の製造方法において、電子部品の非回路形成面に熱硬化性保護フィルムを貼り付けた後に上記保護フィルムを熱硬化する際や、バックグラインド工程後に電子部品に反りが生じやすくなる傾向にあることが明らかになった。特に、ウエハーレベルＣＳＰの様に封止樹脂と半導体が一体化されており当該封止樹脂の厚みが比較的厚い場合は、反りが生じやすい傾向にある。電子部品に反りが生じると、電子部品のハンドリングが難しくなったり、電極にクラックが発生したりしてしまう。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、電子部品の反りを抑制しつつ当該電子部品や周辺装置への汚染を抑制することが可能な粘着性積層フィルムおよび電子装置の製造方法を提供するものである。

本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、電子部品の回路形成面を保護するための表面保護フィルムとして、基材層、融点が特定の範囲にあるエチレン系共重合体と、架橋剤と、を含む凹凸吸収性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有し、架橋剤の含有量が特定の範囲にある粘着性積層フィルムを使用することにより、電子部品の反りを抑制しつつ、粘着性フィルムに伴う電子部品や周辺装置への汚染（特に粘着性積層フィルムを構成する樹脂の染み出し）が抑制できることを見出して、本発明を完成させた。

本発明によれば、以下に示す粘着性積層フィルムおよび電子装置の製造方法が提供される。

［１］
基材層と、凹凸吸収性樹脂層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備え、電子部品の回路形成面を保護するために用いられる粘着性積層フィルムであって、
上記凹凸吸収性樹脂層は、融点が４０℃以上８０℃以下であるエチレン系共重合体と、架橋剤と、を含み、
上記凹凸吸収性樹脂層中の上記架橋剤の含有量が、上記エチレン系共重合体１００質量部に対して、０．０６質量部以上０．６０質量部以下である粘着性積層フィルム。
［２］
上記［１］に記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記エチレン系共重合体がエチレン・α－オレフィン共重合体およびエチレン・ビニルエステル共重合体からなる群から選択される少なくとも一種を含む粘着性積層フィルム。
［３］
上記［２］に記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記エチレン・ビニルエステル共重合体がエチレン・酢酸ビニル共重合体を含む粘着性積層フィルム。
［４］
上記［１］乃至［３］のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記架橋剤が光架橋開始剤および有機過酸化物からなる群から選択される少なくとも一種を含む粘着性積層フィルム。
［５］
上記［１］乃至［４］のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムにおいて、
バックグラインドテープである粘着性積層フィルム。
［６］
上記［１］乃至［５］のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記凹凸吸収性樹脂層が架橋助剤をさらに含む粘着性積層フィルム。
［７］
上記［６］に記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記架橋助剤が、ジビニル芳香族化合物、シアヌレート化合物、ジアリル化合物、アクリレート化合物、トリアリル化合物、オキシム化合物およびマレイミド化合物からなる群から選択される一種または二種以上を含む粘着性積層フィルム。
［８］
上記［１］乃至［７］のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記基材層を構成する樹脂がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリイミドからなる群から選択される一種または二種以上を含む粘着性積層フィルム。
［９］
上記［１］乃至［７］のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記基材層を構成する樹脂がポリエチレンナフタレートを含む粘着性積層フィルム。
［１０］
上記［１］乃至［９］のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記凹凸吸収性樹脂層の厚みが１０μｍ以上１０００μｍ以下である粘着性積層フィルム。
［１１］
上記［１］乃至［１０］のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムにおいて、
上記粘着性樹脂層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤およびスチレン系粘着剤から選択される一種または二種以上を含む粘着性積層フィルム。
［１２］
回路形成面を有する電子部品と、上記電子部品の上記回路形成面側に貼り付けられた粘着性積層フィルムと、上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面に貼り付けられた熱硬化性保護フィルムと、
を備える構造体を準備する準備工程（Ａ）と、
上記構造体を加熱することにより、上記熱硬化性保護フィルムを熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）と、
を備える電子装置の製造方法であって
上記粘着性積層フィルムが上記［１］乃至［１１］のいずれか一つに記載の粘着性積層フィルムである電子装置の製造方法。
［１３］
上記［１２］に記載の電子装置の製造方法において、
上記準備工程（Ａ）は、
上記電子部品の上記回路形成面に上記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、上記粘着性積層フィルムにおける上記凹凸吸収性樹脂層を熱硬化または紫外線硬化させる硬化工程と、
上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面に上記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程と、
を含む電子装置の製造方法。
［１４］
上記［１３］に記載の電子装置の製造方法において、
上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面に上記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程における加熱温度が５０℃以上９０℃以下である電子装置の製造方法。
［１５］
上記［１３］または［１４］に記載の電子装置の製造方法において、
上記準備工程（Ａ）は、上記硬化工程の前に、上記電子部品の上記回路形成面に上記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面をバックグラインドするバックグラインド工程を含む電子装置の製造方法。
［１６］
上記［１２］乃至［１５］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記熱硬化工程（Ｂ）における加熱温度が１２０℃以上１７０℃以下である電子装置の製造方法。
［１７］
上記［１２］乃至［１６］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記電子部品の上記回路形成面はバンプ電極を含む電子装置の製造方法。
［１８］
上記［１７］に記載の電子装置の製造方法において、
上記バンプ電極の高さをＨ［μｍ］とし、上記凹凸吸収性樹脂層の厚みをｄ［μｍ］としたとき、Ｈ／ｄが０．０１以上１以下である電子装置の製造方法。

本発明によれば、電子部品の反りを抑制しつつ当該電子部品や周辺装置への汚染を抑制することが可能な粘着性積層フィルムおよび電子装置の製造方法を提供することができる。

本発明に係る実施形態の粘着性積層フィルムの一例を模式的に示した断面図である。 本発明に係る実施形態の電子装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。また、数値範囲の「Ａ～Ｂ」は特に断りがなければ、Ａ以上Ｂ以下を表す。また、本実施形態において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル、メタクリルまたはアクリルおよびメタクリルの両方を意味する。

１．粘着性積層フィルム
図１は、本発明に係る実施形態の粘着性積層フィルム５０の一例を模式的に示した断面図である。
本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、基材層２０と、凹凸吸収性樹脂層３０と、粘着性樹脂層４０と、をこの順番に備え、電子部品の回路形成面を保護するために用いられる粘着性積層フィルム５０であって、凹凸吸収性樹脂層３０は、融点が４０℃以上８０℃以下であるエチレン系共重合体と、架橋剤と、を含み、凹凸吸収性樹脂層３０中の架橋剤の含有量が、エチレン系共重合体１００質量部に対して、０．０６質量部以上０．６０質量部以下である。
エチレン系共重合体の融点は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される。

前述したように、本発明者らの検討によれば、電子部品の厚みが薄くなるに従い、従来の電子装置の製造方法において、電子部品の非回路形成面に熱硬化性保護フィルムを貼り付けた後に上記保護フィルムを熱硬化する際や、バックグラインド工程後に電子部品に反りが生じやすくなる傾向にあることが明らかになった。特に、ウエハーレベルＣＳＰの様に樹脂と半導体が一体化されており当該樹脂の厚みが比較的厚い場合には、反りが生じやすい傾向にある。電子部品に反りが生じると、電子部品のハンドリングが難しなったり、電極にクラックが発生したりしてしまう。
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、電子部品の回路形成面を保護するための表面保護フィルムとして、基材層２０、融点が４０℃以上８０℃以下であるエチレン系共重合体と、架橋剤と、を含む凹凸吸収性樹脂層３０および粘着性樹脂層４０をこの順番に有し、架橋剤の含有量が上記範囲にある粘着性積層フィルム５０を使用することにより、電子部品の反りを抑制しつつ、粘着性フィルムに伴う電子部品や周辺装置への汚染（特に粘着性積層フィルムを構成する樹脂の染み出し）が抑制できることを見出した。
以上のように、本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０によれば、電子部品の反りを抑制することが可能となる。

本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、電子装置の製造工程において、電子部品の表面を保護したり、電子部品を固定したりするために用いられ、より具体的には電子装置の製造工程の一つである電子部品を研削する工程（バックグラインド工程とも呼ぶ）において電子部品の回路形成面（すなわち回路パターンを含む回路面）を保護するために使用するバックグラインドテープとして好適に用いられる。具体的には電子部品の回路形成面に粘着性積層フィルム５０を貼付けて保護し、当該回路形成面とは反対側の面を研削する工程に用いられる。回路形成面にバンプ電極を有する場合、凹凸吸収性樹脂層３０を備える本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０を好適に適用することができる。
また、本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、例えば、ダイシング工程や転写工程等において表面凹凸を有する電子部品（例えば、半導体ウエハ、封止ウエハ等）の保護や保持に使用する粘着性フィルム；表面凹凸を有する電子部品（例えば、半導体チップや半導体パッケージ等）を仮固定するための粘着性フィルム；電子部品（例えば、半導体ウエハ等）のドライポリッシュ、電子部品（例えば、半導体ウエハ等）の裏面保護用部材の貼り付け・硬化、電子部品（例えば、半導体パッケージ等）への電磁波シールド膜の形成、電子部品（例えば、半導体ウエハ等）の裏面への金属膜形成等の９０℃以上の加熱工程で使用する粘着性フィルムとしても用いることができる。

＜基材層＞
基材層２０は、粘着性積層フィルム５０の取り扱い性や機械的特性、耐熱性等の特性をより良好にすることを目的として設けられる層である。
基材層２０は特に限定されないが、例えば、樹脂フィルムが挙げられる。
基材層２０を構成する樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリイミド等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。
これらの中でも、耐熱性をより一層良好にする観点から、ポリエチレンナフタレートおよびポリイミドから選択される少なくとも一種が好ましく、ポリエチレンナフタレートがより好ましい。

基材層２０は、単層であっても、二種以上の層であってもよい。
また、基材層２０を形成するために使用する樹脂フィルムの形態としては、延伸フィルムであってもよいし、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであってもよい。

基材層２０の厚さは、良好なフィルム特性を得る観点から、好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上２００μｍ以下、さらに好ましくは２５μｍ以上１００ｍ以下である。
基材層２０は他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。

＜凹凸吸収性樹脂層＞
本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、基材層２０と粘着性樹脂層４０との間に凹凸吸収性樹脂層３０を有する。
凹凸吸収性樹脂層３０は、粘着性積層フィルム５０の回路形成面１０Ａへの追従性を良好にし、回路形成面１０Ａと粘着性積層フィルム５０との密着性を良好にすることを目的として設けられる層である。さらに、凹凸吸収性樹脂層３０は熱硬化または紫外線硬化することで、粘着性積層フィルム５０の耐熱性を高めることを目的として設けられる層である。これによって、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において電子部品の反りを抑制することができる。さらに電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において、凹凸吸収性樹脂層３０が溶融して樹脂の染み出しが起きるのを抑制できる。

凹凸吸収性樹脂層３０はエチレン系共重合体を含む。
本実施形態に係るエチレン系共重合体としてはエチレン・α－オレフィン共重合体およびエチレン・ビニルエステル共重合体からなる群から選択される少なくとも一種を用いることができる。

本実施形態に係るエチレン・α－オレフィン共重合体は、例えば、エチレンと、炭素数３～２０のα－オレフィンとを共重合することによって得られる共重合体である。
α－オレフィンとしては、例えば、炭素数３～２０のα－オレフィンを１種類単独でまたは２種類以上を組み合わせて用いることができる。中でも好ましいのは、炭素数が１０以下であるα－オレフィンであり、特に好ましいのは炭素数が３～８のα－オレフィンである。このようなα－オレフィンの具体例としては、プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、３－メチル－１－ブテン、３，３－ジメチル－１－ブテン、４－メチル－１－ペンテン、１－オクテン、１－デセン、１－ドデセン等を挙げることができる。中でも、入手の容易さからプロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、４－メチル－１－ペンテンおよび１－オクテンが好ましい。エチレン・α－オレフィン共重合体はランダム共重合体であっても、ブロック共重合体であってもよいが、柔軟性の観点からランダム共重合体が好ましい。

ここで、エチレン・α－オレフィン共重合体としては、例えば、三井化学社製のタフマー（商標登録）、ＤＯＷ社製のＥＮＧＡＧＥ（商標登録）、エクソンモービル社製のＥＸＡＣＴ（商標登録）、日本ポリエチレン社製のカーネル（商標登録）等が挙げられる。

ＡＳＴＭ Ｄ１５０５に準拠し測定される、エチレン・α－オレフィン共重合体の密度は、好ましくは８５０～９００ｋｇ/ｍ^３、より好ましくは８５０～８８０ｋｇ/ｍ^３、さらに好ましくは８５０～８７０ｋｇ/ｍ^３である。
密度が上記下限値以上であると、ブロッキングなどのハンドリングトラブルを回避できる。また、密度が上記上限値以下であると、凹凸吸収性に優れる凹凸吸収性樹脂層３０を得ることができる。
ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に準拠し、１９０℃、２．１６ｋｇ荷重の条件で測定される、エチレン・α－オレフィン共重合体のメルトフローレ－ト（ＭＦＲ）は、好ましくは０．１～５０ｇ／１０分であり、より好ましくは１～４０ｇ／１０分、さらに好ましくは３～３５ｇ／１０分である。
ＭＦＲが上記下限値以上であると、エチレン・α－オレフィン共重合体の流動性が向上し、凹凸吸収性樹脂層３０の加工性をより良好にすることができる。
また、ＭＦＲが上記上限値以下であると、より一層均一な厚みの凹凸吸収性樹脂層３０を得ることができ、加熱工程時に凹凸吸収性樹脂層に起因する樹脂の染み出しを抑制できる。

本実施形態に係るエチレン・ビニルエステル共重合体としては、例えば、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・プロピオン酸ビニル共重合体、エチレン・酪酸ビニル共重合体、エチレン・ステアリン酸ビニル共重合体等から選択される一種または二種以上を含むことが好ましく、エチレン・酢酸ビニル共重合体を含むことがより好ましい。

上記エチレン・酢酸ビニル共重合体は、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体であり、例えばランダム共重合体である。
上記エチレン・酢酸ビニル共重合体中の酢酸ビニルに由来する構成単位の含有割合は、好ましくは１５質量％以上５０質量％以下、より好ましくは２０質量％以上４５質量％以下、さらに好ましくは２５質量％以上４０質量％以下である。酢酸ビニルの含有量がこの範囲にあると、凹凸吸収性樹脂層３０の柔軟性、耐熱性、透明性、機械的性質のバランスにより一層優れる。また、凹凸吸収性樹脂層３０を成膜する際にも、成膜性が良好となる。
酢酸ビニル含有量は、ＪＩＳ Ｋ７１９２：１９９９に準拠して測定可能である。

また、エチレン・酢酸ビニル共重合体は、エチレンおよび酢酸ビニルのみからなる二元共重合体が好ましいが、エチレンおよび酢酸ビニルの他に、例えばギ酸ビニル、グリコール酸ビニル、プロピオン酸ビニル、安息香酸ビニル等のビニルエステル系単量体；アクリル酸、メタクリル酸、エタクリル酸、或いはこれらの塩もしくはアルキルエステル等のアクリル系単重体；等から選択される一種または二種以上を共重合成分として含んでもよい。上記エチレンおよび酢酸ビニル以外の共重合成分を含む場合、エチレン・酢酸ビニル共重合体中の上記エチレンおよび酢酸ビニル以外の共重合成分の量を０．５質量％以上５質量％以下とすることが好ましい。

ＪＩＳ Ｋ７２１０：１９９９に準拠し、１９０℃、２．１６ｋｇ荷重の条件で測定される、エチレン・ビニルエステル共重合体のメルトフローレ－ト（ＭＦＲ）は、好ましくは０．１～５０ｇ／１０分であり、より好ましくは１～４０ｇ／１０分、さらに好ましくは３～３５ｇ／１０分である。
ＭＦＲが上記下限値以上であると、エチレン・ビニルエステル共重合体の流動性が向上し、凹凸吸収性樹脂層３０の成形加工性をより良好にすることができる。
また、ＭＦＲが上記上限値以下であると、分子量が高くなるためチルロール等のロール面への付着が起こり難くなり、より一層均一な厚みの凹凸吸収性樹脂層３０を得ることができ、加熱工程時に凹凸吸収性樹脂層に起因する樹脂の染み出しを抑制できる。

凹凸吸収性樹脂層３０は、例えば、各成分をドライブレンドまたは溶融混練した後、押出成形することにより得ることができる。また、必要に応じて、酸化防止剤を添加することができる。

凹凸吸収性樹脂層３０に含まれるエチレン系共重合体および架橋剤の合計含有量は、凹凸吸収性樹脂層３０の全体を１００質量％としたとき、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上、さらにより好ましくは９０質量％以上、特に好ましくは９５質量％以上である。

エチレン系共重合体の融点は４０℃以上であるが、好ましくは４５℃以上、より好ましくは５０℃以上、さらに好ましくは５４℃以上である。
エチレン系共重合体の融点が上記下限値以上であると、粘着性積層フィルム５０を輸送・保管した際の形状変化を抑制することができる。さらに、エチレン系共重合体の融点が上記下限値以上であると、バックグラインド工程での粘着性積層フィルム５０の形状変化を抑制でき、電子部品のバックグラインドをより一層良好に進めることができる。さらに、エチレン系共重合体の融点が上記下限値以上であると、凹凸吸収性樹脂層３０の加工温度を上げることができる。

エチレン系共重合体の融点は８０℃以下であるが、好ましくは７５℃以下、より好ましくは７０℃以下、さらに好ましくは６５℃以下である。
エチレン系共重合体の融点が上記上限値以下であると、粘着性積層フィルム５０を電子部品に貼り付ける際の温度を低くできる。さらに、エチレン系共重合体の融点が上記上限値以下であると、エチレン系共重合体への添加剤の相溶性を向上でき、その結果、凹凸吸収性樹脂層３０に含まれる添加剤のブリードアウトを抑制できる。さらに、エチレン系共重合体の融点が上記上限値以下であると、粘着性積層フィルム５０の厚みを厚くした場合の粘着性積層フィルム５０のハンドリング性や、粘着性積層フィルム５０の応力緩和性をより向上させることができる

エチレン系共重合体を２成分以上含むと、２つ以上の融点が観測されることもあるが、少なくとも一つの融点が上記範囲にあればよい。当該２つ以上の融点がいずれも上記範囲であることが好ましい。

また、凹凸吸収性樹脂層３０は架橋剤を含む。凹凸吸収性樹脂層３０が架橋剤を含むことにより、工程（Ｂ）の前に凹凸吸収性樹脂層３０を効果的に熱硬化または紫外線硬化させることができ、凹凸吸収性樹脂層３０の耐熱性を向上させることが可能となる。これにより、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において電子部品の反りをより一層抑制することができる。さらに電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において、凹凸吸収性樹脂層３０が溶融して樹脂の染み出しが起きるのをより一層抑制できる。
本実施形態に係る架橋剤としては特に限定されないが、例えば、光架橋開始剤および有機過酸化物からなる群から選択される少なくとも一種を用いることができる。
凹凸吸収性樹脂層３０中の架橋剤の含有量は、反り抑制の観点から、エチレン系共重合体１００質量部に対して、０．６０質量部以下であり、０．５５質量部以下であることが好ましく、０．５０質量部以下であることがより好ましい。
また、凹凸吸収性樹脂層３０中の架橋剤の含有量は、加熱時の樹脂の染み出し防止の観点から、エチレン系共重合体１００質量部に対して、０．０６質量部以上であり、０．０７質量部以上であることが好ましく、０．０８質量部以上であることがより好ましい。

有機過酸化物としては、例えば、ジラウロイルパーオキサイド、１，１，３，３－テトラメチルブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ジベンゾイルパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、ジ－ｔ－ブチルパーフタレート、クメンヒドロパーオキシド、ｔ－ブチルヒドロパーオキシド、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキセン、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－アミルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ－ブチルパーオキシマレイン酸、１，１－ジ（ｔ－アミルパーオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ジ（ｔ－アミルパーオキシ）シクロヘキサン、ｔ－アミルパーオキシイソノナノエート、ｔ－アミルパーオキシノルマルオクトエート、１，１－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、ｔ－ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキシルカーボネート、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－アミルパーオキシベンゾエート、ｔ－ブチルパーオキシアセテート、ｔ－ブチルパーオキシイソノナノエート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、２，２－ジ（ブチルパーオキシ）ブタン、ｎ－ブチル－４，４－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）プチレート、メチルエチルケトンパ－オキサイド、エチル－３，３－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ブチレート、ジクミルパーオキサイド、ｔ－ブチルクミルパーオキサイド、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、ジ－ｔ－ブチルパーオキサイド、１，１，３，３－テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド等から選択される一種または二種以上を用いることができる。

これらの中でも、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキセン、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキシルカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエートから選択される一種または二種以上を用いることが好ましい。

光架橋開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン、チオキサントン誘導体、ベンゾイン、ベンゾイン誘導体、α－ヒドロキシアルキルフェノン類、α－アミノアルキルフェノール類、アシルホスフィノキサイド類、アルキルフェニルグルオキシレート類、ジエトキシアセトフェノン、オキシムエステル類、チタノセン化合物、アントラキノン誘導体からなる群より選択される一種または二種以上を用いることができる。中でも、ベンゾフェノン、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾイン、ベンゾイン誘導体、α－ヒドロキシアルキルフェノン類、オキシムエステル類、アントラキノン誘導体が、架橋性がより良好な点で好ましく、ベンゾフェノン、ベンゾフェノン誘導体、アントラキノン誘導体がさらに好ましく、ベンゾフェノン、ベンゾフェノン誘導体が、透明性も良好なため最も好ましい。
ベンゾフェノンおよびベンゾフェノン誘導体の好ましい例として、ベンゾフェノン、４－フェニルベンゾフェノン、４－フェノキシベンゾフェノン、４，４－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ｏ－ベンゾイル安息香酸メチル、４－メチルベンゾフェノン、２，４，６－トリメチルベンゾフェノン等を挙げることができる。
アントラキノン誘導体の好ましい例として、２－メチルアントラキノン、２－エチルアントラキノン、２－ｔ－ブチルアントラキノン、１－クロロアントラキノン等を挙げることができる。

また、凹凸吸収性樹脂層３０は、耐熱性をさらに向上させる観点から、架橋助剤をさらに含むことが好ましい。
架橋助剤としては、例えば、ジビニル芳香族化合物、シアヌレート化合物、ジアリル化合物、アクリレート化合物、トリアリル化合物、オキシム化合物およびマレイミド化合物からなる群より選択される一種または二種以上を用いることができる。
凹凸吸収性樹脂層３０中の架橋助剤の含有量は、エチレン系共重合体１００質量部に対して、５．０質量部以下であることが好ましく、２．０質量部以下であることがより好ましく、１．０質量部以下であることが特に好ましい。
また、凹凸吸収性樹脂層３０中の架橋助剤の含有量は、エチレン系共重合体１００質量部に対して、０．０１質量部以上であることが好ましく、０．０５質量部以上であることがより好ましく、０．１０質量部以上であることがさらに好ましい。

ジビニル芳香族化合物としては、例えば、ジビニルベンゼン、ジ－ｉ－プロペニルベンゼン等が挙げられる。
シアヌレート化合物としては、例えば、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート等が挙げられる。
ジアリル化合物としては、例えば、ジアリルフタレート等が挙げられる。
トリアリル化合物としては、例えば、ペンタエリスリトールトリアリルエーテル等が挙げられる。
アクリレート化合物としては、例えば、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
オキシム化合物としては、例えば、ｐ－キノンジオキシム、ｐ－ｐ'－ジベンゾイルキノンジオキシム等が挙げられる。
マレイミド化合物としては、例えば、ｍ－フェニレンジマレイミド等が挙げられる。
架橋助剤としてはビニル基等の架橋性不飽和結合を１分子中に３官能以上有する化合物が好ましく、中でも、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレートが、架橋性が良好な点で好ましく、トリアリルシアヌレートおよびトリアリルイソシアヌレートが特に好ましい。

凹凸吸収性樹脂層３０の厚さは、電子部品１０の回路形成面１０Ａの凹凸を埋め込むことができる厚さであれば、特に制限されないが、例えば、１０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上９００μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以上８００μｍ以下であることがさらに好ましく、５０μｍ以上７００μｍ以下であることが特に好ましい。

電子部品１０の回路形成面１０Ａに存在するバンプ電極の高さをＨ［μｍ］とし、凹凸吸収性樹脂層３０の厚みをｄ［μｍ］としたとき、Ｈ／ｄが１以下であることが好ましく、０．８５以下であることがより好ましく、０．７以下であることがさらに好ましい。Ｈ／ｄが上記上限値以下であると、粘着性積層フィルム５０の厚みをより薄くしつつ、凹凸吸収性をより良好にすることができる。
Ｈ／ｄの下限は特に限定されないが、例えば、０．０１以上である。バンプ電極の高さは、一般的に２μｍ以上６００μｍ以下である。

＜粘着性樹脂層＞
粘着性樹脂層４０は、凹凸吸収性樹脂層３０の一方の面側に設けられる層であり、粘着性積層フィルム５０を電子部品１０の回路形成面１０Ａに貼り付ける際に、電子部品１０の回路形成面１０Ａに接触して粘着する層である。

粘着性樹脂層４０を構成する粘着剤は、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤、スチレン系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、接着力の調整を容易にできる点等から、（メタ）アクリル系重合体をベースポリマーとする（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。

また、粘着性樹脂層４０を構成する粘着剤としては、放射線により粘着力を低下させる放射線架橋型粘着剤を用いることもできる。放射線架橋型粘着剤により構成された粘着性樹脂層４０は、放射線の照射により架橋して粘着力が著しく減少するため、後述する電子部品１０と粘着性積層フィルム５０とを剥離する工程（Ｃ）において、粘着性樹脂層４０から電子部品１０を剥離し易くなる。放射線としては、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。
放射線架橋型粘着剤としては、紫外線架橋型粘着剤が好ましい。

（メタ）アクリル系粘着剤に含まれる（メタ）アクリル系重合体としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル化合物の単独重合体、（メタ）アクリル酸エステル化合物とコモノマーとの共重合体等が挙げられる。（メタ）アクリル酸エステル化合物としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの（メタ）アクリル酸エステル化合物は一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。
また、（メタ）アクリル系共重合体を構成するコモノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、（メタ）アクリルニトリル、スチレン、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、（メタ）アクリルアマイド、メチロール（メタ）アクリルアマイド、無水マレイン酸等が挙げられる。これらのコモノマーは一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。

放射線架橋型粘着剤は、例えば、上記（メタ）アクリル系重合体と、架橋性化合物（炭素－炭素二重結合を有する成分）と、光重合開始剤または熱重合開始剤と、を含む。

架橋性化合物としては、例えば、分子中に炭素－炭素二重結合を有し、ラジカル重合により架橋可能なモノマー、オリゴマーまたはポリマー等が挙げられる。このような架橋性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル；エステル（メタ）アクリレートオリゴマー；２－プロペニルジ－３－ブテニルシアヌレート、２－ヒドロキシエチルビス（２－（メタ）アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２－メタクリロキシエチル）イソシアヌレート等のイソシアヌレートまたはイソシアヌレート化合物等が挙げられる。
なお、（メタ）アクリル系重合体が、ポリマーの側鎖に炭素－炭素二重結合を有する放射線架橋型ポリマーである場合は、架橋性化合物を加えなくてもよい。

架橋性化合物の含有量は、（メタ）アクリル系重合体１００質量部に対して１～９００質量部が好ましく、２～１００質量部がより好ましく、５～５０質量部がさらに好ましい。架橋性化合物の含有量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも少ない場合に比べて粘着力の調整がし易くなり、上記範囲よりも多い場合に比べて、熱や光に対する感度が高すぎることによる保存安定性の低下が起こりにくい。

光重合開始剤としては、放射線を照射することにより開裂しラジカルを生成する化合物であればよく、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル類；ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等の芳香族ケトン類；ベンジルジメチルケタール等の芳香族ケタール類；ポリビニルベンゾフェノン；クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン類等が挙げられる。

熱重合開始剤としては、例えば、有機過酸化物誘導体やアゾ系重合開始剤等が挙げられる。加熱時に窒素が発生しない点から、好ましくは有機過酸化物誘導体である。熱重合開始剤としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステルおよびパーオキシジカーボネート等が挙げられる。

粘着剤には架橋剤を添加してもよい。架橋剤としては、例えば、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリストールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物；テトラメチロールメタン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ'－ジフェニルメタン－４，４'－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ'－ヘキサメチレン－１，６－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）等のアジリジン系化合物；テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物等が挙げられる。
架橋剤の含有量は、粘着性樹脂層４０の耐熱性や密着力とのバランスを向上させる観点から、（メタ）アクリル系重合体１００質量部に対し、０．１質量部以上１０質量部以下であることが好ましい。

粘着性樹脂層４０の厚みは特に制限されないが、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

粘着性樹脂層４０は、例えば、凹凸吸収性樹脂層３０上に粘着剤塗布液を塗布することにより形成することができる。
粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０～２００℃の温度範囲において、１０秒～１０分間乾燥することが好ましい。更に好ましくは、８０～１７０℃において、１５秒～５分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、４０～８０℃において５～３００時間程度加熱してもよい。

本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、凹凸吸収性樹脂層３０を紫外線硬化させたり、粘着性樹脂層４０を紫外線架橋させたりする場合には、当該硬化や架橋を本発明の目的を妨げない程度に光線透過率を有する必要がある。

本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０全体の厚さは、機械的特性と取扱い性のバランスから、好ましくは２５μｍ以上１１００μｍ以下であり、より好ましくは１００μｍ以上９００μｍ以下であり、さらに好ましくは２００μｍ以上８００μｍ以下である。

本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、各層の間に接着層（図示せず）を設けていてもよい。この接着層によれば、各層の間の接着性を向上させることができる。

次に、本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０の製造方法の一例について説明する。
まず、基材層２０の一方の面に凹凸吸収性樹脂層３０を押出しラミネート法によって形成する。次いで、凹凸吸収性樹脂層３０上に粘着剤塗布液を塗布し乾燥させることによって、粘着性樹脂層４０を形成し、粘着性積層フィルム５０が得られる。
また、基材層２０と凹凸吸収性樹脂層３０とは共押出成形によって形成してもよいし、フィルム状の基材層２０とフィルム状の凹凸吸収性樹脂層３０とをラミネート（積層）して形成してもよい。

２．電子装置の製造方法
次に、本実施形態に係る電子装置の製造方法の各工程について説明する。
図２は、本発明に係る実施形態の電子装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。
本実施形態に係る電子装置の製造方法は、以下の工程（Ａ）および工程（Ｂ）を含む。
（Ａ）回路形成面１０Ａを有する電子部品１０と、電子部品１０の回路形成面１０Ａ側に貼り付けられた粘着性積層フィルム５０と、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに貼り付けられた熱硬化性保護フィルム７０と、を備える構造体６０を準備する準備工程
（Ｂ）構造体６０を加熱することにより、熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程
ここで、電子部品１０の回路形成面１０Ａと粘着性樹脂層４０が接している。

（工程（Ａ））
はじめに、回路形成面１０Ａを有する電子部品１０と、電子部品１０の回路形成面１０Ａ側に貼り付けられた粘着性積層フィルム５０と、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに貼り付けられた熱硬化性保護フィルム７０と、を備える構造体６０を準備する。

このような構造体６０は、例えば、電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０を貼り付ける工程（Ａ１）と、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）とをおこなうことによって作製することができる。

電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０を貼り付ける方法は特に限定されず、一般的に公知の方法で剥がすことができる。例えば、人手により行ってもよいし、ロール状の粘着性積層フィルム５０を取り付けた自動貼り機と称される装置によって行ってもよい。

電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける方法は特に限定されず、一般的に公知の方法で剥がすことができる。例えば、人手により行ってもよいし、ロール状の熱硬化性保護フィルム７０を取り付けた自動貼り機と称される装置によって行ってもよい。

電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）は、例えば、熱硬化性保護フィルム７０を加熱しながら行われる。工程（Ａ２）における加熱温度は熱硬化性保護フィルム７０の種類によって適宜設定されるため特に限定されないが、例えば、５０℃以上９０℃以下であり、好ましくは６０℃以上８０℃以下である。

熱硬化性保護フィルム７０としては特に限定されず、例えば、公知の熱硬化型の半導体裏面保護用フィルムを用いることができる。
熱硬化性保護フィルム７０は、例えば、熱硬化性の接着剤層を備え、必要に応じて保護層をさらに備えてもよい。
接着剤層としては、熱硬化性樹脂により形成されていることが好ましく、熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂により形成されていることがより好ましい。
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、１種または２種以上を用いることができる。これらの中でも、イオン性不純物等の含有量が少ないエポキシ樹脂が好ましい。
熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレンテレフタレート等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、１種または２種以上を用いることができる。これらの中でも、イオン性不純物等の含有量が少ないアクリル樹脂が好ましい。

接着剤層には、必要に応じて他の添加剤を含有させることができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤等が挙げられる。

保護層は、例えば、耐熱性樹脂、金属等で構成されている。
保護層を構成する耐熱性樹脂としては特に限定されないが、例えば、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられる。これらの中でも、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン等が挙げられる。
保護層を構成する金属としては特に限定されないが、例えば、アルミニウム、アルマイト、ステンレス、鉄、チタン、スズ、銅等が挙げられる。

熱硬化性保護フィルム７０は、市販のフィルムを用いてもよい。市販のフィルムとしては、例えば、リンテック社製のチップ裏面保護テープ（製品名：「ＬＣテープ」シリーズ）等が挙げられる。

電子部品１０としては回路形成面１０Ａを有する電子部品１０であれば特に限定されないが、例えば、半導体ウエハ、サファイア基盤、タンタル酸リチウム基板、モールドウエハ、モールドパネル、モールドアレイパッケージ、半導体基板等が挙げられる。
また、半導体基板としては、例えば、シリコン基板、ゲルマニウム基板、ゲルマニウム－ヒ素基板、ガリウム－リン基板、ガリウム－ヒ素－アルミニウム基板、ガリウム－ヒ素基板、等が挙げられる。

また、電子部品１０はどのような用途の電子部品であってもよいが、例えば、ロジック用（例えば、通信用、高周波信号処理用等）、メモリ用、センサー用、電源用の電子部品等が挙げられる。これらは、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。

電子部品１０の回路形成面１０Ａは、例えば、電極１０Ｂを有することにより、凹凸構造となっている。
また、電極１０Ｂは、電子装置を実装面に実装する際に、実装面に形成された電極に対して接合されて、電子装置と実装面（プリント基板等の実装面）との間の電気的接続を形成するものである。
電極１０Ｂとしては、例えば、ボールバンプ、印刷バンプ、スタッドバンプ、めっきバンプ、ピラーバンプ等のバンプ電極が挙げられる。すなわち、電極１０Ｂは、通常凸電極である。これらのバンプ電極は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
また、バンプ電極を構成する金属種は特に限定されず、例えば、銀、金、銅、錫、鉛、ビスマス及びこれらの合金等が挙げられる。これらの金属種は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。

本実施形態に係る電子装置の製造方法において、電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０が貼り付けられた状態で、粘着性積層フィルム５０における凹凸吸収性樹脂層３０を熱硬化または紫外線硬化させる硬化工程（Ａ３）を行うことが好ましい。これにより、粘着性積層フィルム５０の耐熱性を向上させることができる。こうすることで、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において電子部品１０の反りを抑制することができる。さらに電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において、凹凸吸収性樹脂層３０が溶融して樹脂の染み出しが起きるのを抑制できる。硬化工程（Ａ３）は特に限定されないが、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）の前に行うことが好ましい。

凹凸吸収性樹脂層３０の熱硬化方法としてはエチレン系共重合体を熱硬化できる方法であれば特に限定されないが、ラジカル重合開始剤による熱架橋が挙げられる。
ラジカル重合開始剤による熱架橋は、エチレン系共重合体の架橋に用いられているラジカル重合開始剤を用いることができる。ラジカル重合開始剤としては、公知の熱ラジカル重合開始剤を用いることができる。

また、凹凸吸収性樹脂層３０に紫外線を照射することによって、凹凸吸収性樹脂層３０を架橋させて硬化させることができる。
紫外線は、例えば、粘着性積層フィルム５０の基材層２０側の面から照射される。
また、いずれの架橋方法においても凹凸吸収性樹脂層３０に架橋助剤を配合して凹凸吸収性樹脂層３０の架橋をおこなってもよい。

本実施形態に係る電子装置の製造方法において、電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０が貼り付けられた状態で、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃをバックグラインドするバックグラインド工程（Ａ４）をおこなってもよい。すなわち、本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０をバックグラインドテープとして使用してもよい。ここで、バックグラインド工程（Ａ４）の前に硬化工程（Ａ３）をおこなうと、粘着性積層フィルム５０の粘着力が低下するため、バックグラインド工程（Ａ４）において、粘着性積層フィルム５０が剥れてしまう懸念がある。そのため、硬化工程（Ａ３）の前にバックグラインド工程（Ａ４）を行うことが好ましい。

バックグラインド工程（Ａ４）では、粘着性積層フィルム５０に貼り付けられた状態で、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃをバックグラインドする。
ここで、バックグラインドするとは、電子部品１０を割ったり、破損したりすることなく、所定の厚みまで薄化加工することを意味する。
電子部品１０のバックグラインドは、公知の方法で行うことができる。例えば、研削機のチャックテーブル等に電子部品１０を固定し、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃを研削する方法が挙げられる。

裏面研削方式としては特に限定されないが、例えば、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式を採用することができる。それぞれ研削は、水を電子部品１０と砥石にかけて冷却しながら行うことができる。

（工程（Ｂ））
つぎに、構造体６０を加熱することにより、熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる。

熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる工程（Ｂ）における加熱温度は熱硬化性保護フィルム７０の種類によって適宜設定されるため特に限定されないが、例えば、１２０℃以上１７０℃以下であり、好ましくは１３０℃以上１６０℃以下である。

（工程（Ｃ））
また、本実施形態に係る電子装置の製造方法において、工程（Ｂ）の後に電子部品１０と粘着性積層フィルム５０とを剥離する工程（Ｃ）をさらにおこなってもよい。この工程（Ｃ）をおこなうことで、粘着性積層フィルム５０から電子部品１０を剥離することができる。剥離温度は、例えば２０～１００℃である。
電子部品１０と粘着性積層フィルム５０との剥離は、公知の方法で行うことができる。

（その他の工程）
本実施形態に係る電子装置の製造方法は、上記以外のその他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、電子装置の製造方法において公知の工程を用いることができる。

例えば、金属膜形成工程、アニール処理、ダイシング工程、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、フリップチップ接続工程、キュア加温テスト工程、封止工程、リフロー工程等の電子部品の製造工程において一般的におこなわれている任意の工程等をさらに行ってもよい。

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

以下、実施例および比較例により本発明を具体的に説明するが本発明はこれに限定されるものではない。
粘着性フィルムの作製に関する詳細は以下の通りである。

＜基材層＞
基材層１：ポリエチレンナフタレートフィルム（製品名：テオネックスＱ８１、東洋紡フィルムソリューション社製、厚み：５０μｍ）
基材層２：ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡社製、製品名：Ｅ７１８０、厚み：５０μｍ）

＜凹凸吸収性樹脂層形成用の樹脂＞
樹脂１：エチレン・酢酸ビニル共重合体（製品名：エバフレックスＥＶ１５０、三井・ダウ・ポリケミカル社製、融点：６１℃）
樹脂２：エチレン・プロピレン共重合体（製品名：タフマーＡ３５０７０Ｓ、三井化学社製、融点：５５℃）
樹脂３：エチレン・プロピレン共重合体（製品名：タフマーＡ４０７０、三井化学社製、融点：５５℃）

＜粘着剤ポリマー（アクリル系樹脂）＞
アクリル酸ｎ－ブチル７７質量部、メタクリル酸メチル１６質量部、アクリル酸２－ヒドロキシエチル１６質量部、および重合開始剤としてｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート０．３質量部をトルエン２０質量部、酢酸エチル８０質量部で１０時間反応させた。反応終了後、この溶液を冷却し、これにトルエン３０質量部、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工（株）製、製品名：カレンズＭＯＩ）７質量部、およびジラウリル酸ジブチル錫０．０５質量部を加え、空気を吹き込みながら８５℃で１２時間反応させ、粘着剤ポリマー溶液を得た。

＜粘着性樹脂層用の粘着剤塗布液＞
粘着剤ポリマー（固形分）１００質量部に対して、光開始剤としてベンジルジメチルケタール（ＢＡＳＦ社製、商品名：イルガキュア６５１）８質量部、イソシアネート系架橋剤（三井化学社製、商品名：オレスターＰ４９－７５Ｓ）２．３３質量部、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート（新中村化学工業社製、商品名：ＡＤ－ＴＭＰ）６質量部を添加し、粘着剤塗布液を得た。

［実施例１］
樹脂１（１００質量部）、架橋助剤であるトリアリルイソシアヌレート（三菱化学社製、商品名：タイク）０．４４質量部および架橋剤であるｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキシルカーボネート（アルケマ吉富社製、商品名：ルペロックスＴＢＥＣ）０．３２質量部をドライブレンドした組成物を得た。次いで、ラボプラストミルで溶融混錬して得られた組成物を熱プレス機で厚さ５００μｍに成形し、凹凸吸収樹脂層を得た。次いで、基材層１を凹凸吸収樹脂層に貼り合わせることで、積層フィルムを作製した。

次いで、粘着性樹脂層用の粘着剤塗布液をシリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム（３８μｍ）に塗布し、乾燥させて、厚み２０μｍの粘着性樹脂層を形成した。次いで、得られた粘着性樹脂層を上述の積層フィルムの凹凸吸収性樹脂層側に貼り合わせることで、粘着性フィルムを得た。得られた粘着性フィルムについて、以下の各評価を行った。得られた結果を表１に示す。

＜評価＞
（１）エチレン系共重合体の融点
エチレン系共重合体の融点は、示差走査型熱量測定法（ＤＳＣ）に従い、示差走査型熱量計（ＳＩＩ社製、製品名：Ｘ-ＤＳＣ７０００）によって測定した。試料約１０ｍｇをアルミパンの中に入れ、３０℃から２３０℃まで１０℃／分で昇温した後（１ｓｔ加熱）、５分間保持した。次いで、－１００℃まで１０℃／分で冷却し、５分間保持した後、再度２３０℃まで１０℃／分で昇温した（２ｎｄ加熱）。横軸に温度、縦軸にＤＳＣをとった際の２ｎｄ加熱時のグラフにおいて、吸熱ピークから融点を求めた。

（２）シリコンテストピース反り評価
７５ｕｍに研削したシリコンウェハを５ｃｍ×２．５ｃｍに個片化したテストピースを用意した。粘着性フィルムの粘着性樹脂層側のシリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムをはがし、７０℃に加熱したホットプレート上で貼りつけてから、当該粘着性フィルムをテストピースのサイズに沿ってカットし、粘着性フィルム／シリコンテストピース積層体を作製した。その後、積層体のシリコンテストピース側を下にして、シリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートの離型面に載せた状態で加熱オーブンに入れ、１５０℃で２時間３０分間加熱した。その後、取り出した積層体を１０分間静置・放冷してから、積層サンプルのシリコンテストピース側を下にして、積層サンプルの片方の短辺（２．５ｃｍ幅）中央部を上から指で押さえ、その際に持ちあがったもう片方のサンプル短辺の中点の底面からの高さを定規にて測定し、その値を反りとした。
反りは以下の基準で評価した。
◎：≦２ｍｍ
〇：２ｍｍ＜反り＜４ｍｍ
×：≧４ｍｍ

（３）凹凸吸収性樹脂層の染み出し評価
反り評価後のテストピース端部から凹凸吸収性樹脂層が染み出していないかを目視にて確認した。また、染み出していた場合には染み出した樹脂層がポリエチレンテレフタレートフィルムに貼りついていないかを確認した。
染み出しは以下の基準で評価した。
◎：染み出し無し
〇：染み出しはあるが、シリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートに貼り付いていない
×：染み出しがあり、シリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートと貼りついている

［実施例２～４および比較例１、２］
基材層および凹凸吸収性樹脂層の種類を表１に示すものに変更した以外は実施例１と同様にして、粘着性フィルムをそれぞれ作製した。また、実施例１と同様に各評価をそれぞれ行った。得られた結果を表１にそれぞれ示す。

［実施例５］
基材層および凹凸吸収性樹脂層の種類を表１に示すものに変更した以外は実施例１と同様にして、粘着性フィルムをそれぞれ作製した。また、反り評価において、粘着性フィルム／シリコンテストピース積層体を加熱オーブンに入れる前に室温において粘着性フィルム側から高圧水銀ランプで 照射強度１００ｍＷ／ｃｍ^２で３２４０ｍＪ／ｃｍ^２のＵＶ照射を実施した以外は、実施例１と同様に各評価をそれぞれ行った。得られた結果を表１にそれぞれ示す。ここで、光開始剤としては、４－メチルベンゾフェノン（ＳＨＵＡＮＧ－ＢＡＮＧ ＩＮＤＵＳＴＲＩＡＬ社製、商品名：ＳＢ－ＰＩ７１２）を用いた。

この出願は、２０２０年５月２２日に出願された日本出願特願２０２０－０８９６１０号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

１０ 電子部品
１０Ａ 回路形成面
１０Ｂ 電極
１０Ｃ 回路形成面とは反対側の表面
２０ 基材層
３０ 凹凸吸収性樹脂層
４０ 粘着性樹脂層
５０ 粘着性積層フィルム
６０ 構造体
７０ 熱硬化性保護フィルム

Claims (17)

1. 回路形成面を有する電子部品と、前記電子部品の前記回路形成面側に貼り付けられた粘着性積層フィルムと、前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面に貼り付けられた熱硬化性保護フィルムと、
   を備える構造体を準備する準備工程（Ａ）と、
   前記構造体を加熱することにより、前記熱硬化性保護フィルムを熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）と、
   を備える電子装置の製造方法であって、
   前記粘着性積層フィルムが基材層と、凹凸吸収性樹脂層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備え、電子部品の回路形成面を保護するために用いられる粘着性積層フィルムであって、
   前記凹凸吸収性樹脂層は、融点が４０℃以上８０℃以下であるエチレン系共重合体と、架橋剤と、を含み、
   前記凹凸吸収性樹脂層中の前記架橋剤の含有量が、前記エチレン系共重合体１００質量部に対して、０．０６質量部以上０．６０質量部以下である電子装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の電子装置の製造方法において、
   前記エチレン系共重合体がエチレン・α－オレフィン共重合体およびエチレン・ビニルエステル共重合体からなる群から選択される少なくとも一種を含む電子装置の製造方法。
3. 請求項２に記載の電子装置の製造方法において、
   前記エチレン・ビニルエステル共重合体がエチレン・酢酸ビニル共重合体を含む電子装置の製造方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
   前記架橋剤が光架橋開始剤および有機過酸化物からなる群から選択される少なくとも一種を含む電子装置の製造方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
   前記粘着性積層フィルムがバックグラインドテープである電子装置の製造方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
   前記凹凸吸収性樹脂層が架橋助剤をさらに含む電子装置の製造方法。
7. 請求項６に記載の電子装置の製造方法において、
   前記架橋助剤が、ジビニル芳香族化合物、シアヌレート化合物、ジアリル化合物、アクリレート化合物、トリアリル化合物、オキシム化合物およびマレイミド化合物からなる群から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
   前記基材層を構成する樹脂がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリイミドからなる群から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。
9. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
   前記基材層を構成する樹脂がポリエチレンナフタレートを含む電子装置の製造方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
    前記凹凸吸収性樹脂層の厚みが１０μｍ以上１０００μｍ以下である電子装置の製造方法。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
    前記粘着性樹脂層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤およびスチレン系粘着剤から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
    前記準備工程（Ａ）は、
    前記電子部品の前記回路形成面に前記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、前記粘着性積層フィルムにおける前記凹凸吸収性樹脂層を熱硬化または紫外線硬化させる硬化工程と、
    前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面に前記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程と、
    を含む電子装置の製造方法。
13. 請求項１２に記載の電子装置の製造方法において、
    前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面に前記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程における加熱温度が５０℃以上９０℃以下である電子装置の製造方法。
14. 請求項１２または１３に記載の電子装置の製造方法において、
    前記準備工程（Ａ）は、前記硬化工程の前に、前記電子部品の前記回路形成面に前記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面をバックグラインドするバックグラインド工程を含む電子装置の製造方法。
15. 請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
    前記熱硬化工程（Ｂ）における加熱温度が１２０℃以上１７０℃以下である電子装置の製造方法。
16. 請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
    前記電子部品の前記回路形成面はバンプ電極を含む電子装置の製造方法。
17. 請求項１６に記載の電子装置の製造方法において、
    前記バンプ電極の高さをＨ［μｍ］とし、前記凹凸吸収性樹脂層の厚みをｄ［μｍ］としたとき、Ｈ／ｄが０．０１以上１以下である電子装置の製造方法。

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