Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP7497724B2 - Charge Transporting Varnish - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP7497724B2 - Charge Transporting Varnish - Google Patents

Charge Transporting Varnish Download PDF

Info

Publication number
JP7497724B2
JP7497724B2 JP2021511473A JP2021511473A JP7497724B2 JP 7497724 B2 JP7497724 B2 JP 7497724B2 JP 2021511473 A JP2021511473 A JP 2021511473A JP 2021511473 A JP2021511473 A JP 2021511473A JP 7497724 B2 JP7497724 B2 JP 7497724B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
carbon atoms
charge
particles
charge transporting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021511473A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2020203407A1 (en
Inventor
知佳 牧島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Publication of JPWO2020203407A1 publication Critical patent/JPWO2020203407A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7497724B2 publication Critical patent/JP7497724B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/12Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/122Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
    • C08G61/123Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
    • C08G61/126Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds with a five-membered ring containing one sulfur atom in the ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22Oxides; Hydroxides of metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/32Phosphorus-containing compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/02Ingredients treated with inorganic substances
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04Ingredients treated with organic substances
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L61/00Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L61/04Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08L61/06Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • C08L61/12Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols with polyhydric phenols
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L65/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D165/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24Electrically-conducting paints
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40Additives
    • C09D7/60Additives non-macromolecular
    • C09D7/61Additives non-macromolecular inorganic
    • C09D7/62Additives non-macromolecular inorganic modified by treatment with other compounds
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Description

本発明は、電荷輸送性ワニスに関する。 The present invention relates to a charge transporting varnish.

有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELという)素子には、発光層や電荷注入層として、有機化合物からなる電荷輸送性薄膜が用いられる。特に、正孔注入層は、陽極と、正孔輸送層あるいは発光層との電荷の授受を担い、有機EL素子の低電圧駆動および高輝度を達成するために重要な機能を果たす。
正孔注入層の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスと、スピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別され、これら各プロセスを比べると、ウェットプロセスの方が大面積に平坦性の高い薄膜を効率的に製造できる。それゆえ、有機ELディスプレイの大面積化が進められている現在、ウェットプロセスで形成可能な正孔注入層が望まれている。
このような事情に鑑み、本発明者は、各種ウェットプロセスに適用可能であるとともに、有機EL素子の正孔注入層に適用した場合に優れたEL素子特性を実現できる薄膜を与える電荷輸送性材料や、それに用いる有機溶媒に対する溶解性の良好な化合物を開発してきている(例えば、特許文献1~3参照)。
In organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) elements, charge transporting thin films made of organic compounds are used as the light emitting layer and charge injection layer. In particular, the hole injection layer is responsible for the transfer of charges between the anode and the hole transport layer or the light emitting layer, and plays an important role in achieving low voltage operation and high brightness of the organic EL element.
The methods for forming the hole injection layer are roughly divided into dry processes, such as vapor deposition, and wet processes, such as spin coating. Comparing these processes, wet processes can efficiently manufacture thin films with high flatness over a large area. Therefore, as organic EL displays are currently being made larger, there is a demand for hole injection layers that can be formed by wet processes.
In view of these circumstances, the present inventors have developed charge transport materials which are applicable to various wet processes and which, when applied to a hole injection layer of an organic EL element, give thin films capable of realizing excellent EL element characteristics, as well as compounds which have good solubility in organic solvents used therein (see, for example, Patent Documents 1 to 3).

一方、これまで、有機EL素子を高性能化するために様々な取り込みがなされてきているが、光取出し効率を向上させる等の目的で、用いる機能膜の屈折率を調整する取り組みがなされている。具体的には、素子の全体構成や隣接する他の部材の屈折率を考慮して、相対的に高いあるいは低い屈折率の正孔注入層や正孔輸送層を用いることで、素子の高効率化を図る試みがなされている(例えば、特許文献4、5参照)。
このように、屈折率は有機EL素子の設計上重要な要素であり、有機EL素子用材料では、屈折率も考慮すべき重要な物性値と考えられている。
Meanwhile, various efforts have been made to improve the performance of organic EL elements, and efforts have been made to adjust the refractive index of the functional film used for the purpose of improving light extraction efficiency, etc. Specifically, attempts have been made to improve the efficiency of the element by using a hole injection layer or hole transport layer with a relatively high or low refractive index, taking into account the overall configuration of the element and the refractive index of other adjacent members (see, for example, Patent Documents 4 and 5).
Thus, the refractive index is an important factor in designing an organic EL device, and is considered to be an important physical property value that should be taken into consideration in materials for organic EL devices.

また、有機EL素子に用いられる電荷輸送性薄膜の着色は、有機EL素子の色純度および色再現性を低下させる等の事情から、近年、有機EL素子用の電荷輸送性薄膜は、可視領域での透過率が高く、高透明性を有することが望まれている(例えば、特許文献6参照)。
この点に鑑み、本出願人は、可視領域での着色が抑制された、透明性に優れた電荷輸送性薄膜を与えるウェットプロセス用材料を既に見出している(例えば、特許文献6、7参照)。
しかしながら、有機ELディスプレイの大面積化が進められている現在、ウェットプロセスを用いた有機ELディスプレイの実用化に向けてその開発が精力的に行われており、高透明性の電荷輸送性薄膜を与えるウェットプロセス用材料は常に求められている。
Furthermore, because coloring of a charge-transporting thin film used in an organic EL element reduces the color purity and color reproducibility of the organic EL element, in recent years, it has been desired that a charge-transporting thin film for an organic EL element has a high transmittance in the visible region and high transparency (see, for example, Patent Document 6).
In view of this, the present applicant has already found a material for wet processing that gives a charge transporting thin film with excellent transparency and suppressed coloration in the visible region (see, for example, Patent Documents 6 and 7).
However, as organic EL displays are currently being made larger in area, vigorous development is being carried out toward the practical application of organic EL displays using wet processes, and there is a constant demand for wet process materials that can provide highly transparent charge-transporting thin films.

国際公開第2008/129947号International Publication No. 2008/129947 国際公開第2015/050253号International Publication No. 2015/050253 国際公開第2017/217457号International Publication No. 2017/217457 特表2007-536718号公報JP 2007-536718 A 特表2017-501585号公報JP 2017-501585 A 国際公開第2013/042623号International Publication No. 2013/042623 国際公開第2008/032616号International Publication No. 2008/032616

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高い屈折率および透明性を有し、電荷輸送性に優れる電荷輸送性薄膜を再現性よく与える電荷輸送性ワニスを提供することを目的とする。The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and aims to provide a charge transport varnish that reproducibly produces a charge transport thin film having a high refractive index and transparency and excellent charge transport properties.

本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、電荷輸送性物質と、表面処理剤で表面修飾された酸化チタン含有粒子と、有機溶媒とを含む電荷輸送性ワニスから、平坦性に優れ、高い屈折率および透明性を有し、電荷輸送性にも優れる電荷輸送性薄膜が再現性よく得られること、並びに当該薄膜を有機EL素子に適用した場合に、優れた輝度特性を実現し得ることを見出し、本発明を完成させた。As a result of extensive research into achieving the above-mentioned object, the inventors have discovered that a charge-transporting thin film having excellent flatness, a high refractive index and transparency, and excellent charge transport properties can be reproducibly obtained from a charge-transporting varnish containing a charge-transporting substance, titanium oxide-containing particles surface-modified with a surface treatment agent, and an organic solvent, and that when the thin film is applied to an organic EL element, excellent brightness characteristics can be achieved, thus completing the present invention.

すなわち、本発明は、以下の電荷輸送性ワニスを提供する。
1. 電荷輸送性物質と、表面処理剤で表面修飾された酸化チタン含有粒子と、有機溶媒とを含むことを特徴とする電荷輸送性ワニス。
2. 上記表面処理剤で表面修飾された酸化チタン含有粒子に含まれる酸化チタン含有粒子が、コロイド粒子である1の電荷輸送性ワニス。
3. 上記表面処理剤で表面修飾された酸化チタン含有粒子が、酸化チタンを含むコロイド粒子(A)を核(核粒子(A))として、その表面が金属酸化物コロイド粒子(B)(被覆物(B))で被覆された変性酸化チタン含有コロイド粒子(C)(変性コロイド粒子(C))の表面が両親媒性の表面処理剤で表面修飾されたコロイド粒子(D)(表面修飾コロイド粒子(D))である2の電荷輸送性ワニス。
4. 上記表面処理剤が、両親媒性の表面処理剤である1または2の電荷輸送性ワニス。
5. 上記両親媒性の表面処理剤が、有機ケイ素化合物、チタネートカップリング剤、アルミネートカップリング剤またはリン系界面活性剤である3または4の電荷輸送性ワニス。
6. 電荷輸送性物質が、式(1)で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体である1~5のいずれかの電荷輸送性ワニス。

Figure 0007497724000001
(式中、R1およびR2は、互いに独立して、水素原子、炭素数1~40のアルキル基、炭素数1~40のフルオロアルキル基、炭素数1~40のアルコキシ基、炭素数1~40のフルオロアルコキシ基、炭素数6~20のアリールオキシ基、-O-[Z-O]p-Re、もしくはスルホン酸基であり、またはR1およびR2が結合して形成される-O-Y-O-であり、Yは、エーテル結合を含んでいてもよく、スルホン酸基で置換されていてもよい炭素数1~40のアルキレン基であり、Zは、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~40のアルキレン基であり、pは、1以上の整数であり、Reは、水素原子、炭素数1~40のアルキル基、炭素数1~40のフルオロアルキル基、または炭素数6~20のアリール基である。)
7. 上記R1が、スルホン酸基であり、上記R2が、炭素数1~40のアルコキシ基もしくは-O-[Z-O]p-Reである、または上記R1およびR2が結合して形成される-O-Y-O-である1~6のいずれかの電荷輸送性ワニス。
8. さらに、ヘテロポリ酸を含む1~7のいずれかの電荷輸送性ワニス。
9. 上記ヘテロポリ酸が、リンタングステン酸である8の電荷輸送性ワニス。
10. 1~9のいずれかの電荷輸送性ワニスから得られる電荷輸送性薄膜。
11. 10の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. 上記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である11の有機エレクトロルミネッセンス素子。
13. 1~9のいずれかの電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法。
14. 13の電荷輸送性薄膜を用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 That is, the present invention provides the following charge-transporting varnish.
1. A charge-transporting varnish comprising a charge-transporting substance, titanium oxide-containing particles whose surfaces have been modified with a surface treatment agent, and an organic solvent.
2. The charge transporting varnish according to 1, wherein the titanium oxide-containing particles that have been surface-modified with the surface treatment agent are colloidal particles.
3. The charge transport varnish of 2, wherein the titanium oxide-containing particles surface-modified with the surface treatment agent are colloid particles (D) (surface-modified colloid particles (D)) formed by coating a titanium oxide-containing colloid particle (A) as a core (core particle (A)) with a metal oxide colloid particle (B) (coating material (B)) as a modified titanium oxide-containing colloid particle (C) (modified colloid particle (C)) with an amphiphilic surface treatment agent.
4. The charge transporting varnish of 1 or 2, wherein the surface treatment agent is an amphiphilic surface treatment agent.
5. The charge-transporting varnish of 3 or 4, wherein the amphiphilic surface treatment agent is an organosilicon compound, a titanate coupling agent, an aluminate coupling agent or a phosphorus-based surfactant.
6. The charge-transporting varnish according to any one of 1 to 5, wherein the charge-transporting substance is a polythiophene derivative containing a repeating unit represented by formula (1) or an amine adduct thereof.
Figure 0007497724000001
(In the formula, R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 40 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 40 carbon atoms, a fluoroalkoxy group having 1 to 40 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, -O-[Z-O] p -R e , or a sulfonic acid group, or R 1 and R 2 are bonded to form -O-Y-O-, Y is an alkylene group having 1 to 40 carbon atoms which may contain an ether bond and which may be substituted with a sulfonic acid group, Z is an alkylene group having 1 to 40 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, p is an integer of 1 or more, and R e is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 40 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.)
7. The charge transporting varnish according to any one of 1 to 6, wherein R 1 is a sulfonic acid group, and R 2 is an alkoxy group having 1 to 40 carbon atoms or -O-[ZO] p -R e , or R 1 and R 2 are bonded to form -O-Y-O-.
8. The charge transporting varnish according to any one of 1 to 7, further comprising a heteropolyacid.
9. The charge transporting varnish according to claim 8, wherein the heteropolyacid is phosphotungstic acid.
10. A charge-transporting thin film obtained from the charge-transporting varnish according to any one of 1 to 9.
11. An organic electroluminescence device having the charge transporting thin film of 10.
12. The organic electroluminescence device of 11, wherein the charge transporting thin film is a hole injection layer or a hole transport layer.
13. A method for producing a charge-transporting thin film, comprising applying the charge-transporting varnish according to any one of 1 to 9 onto a substrate and evaporating the solvent.
14. A method for producing an organic electroluminescence device, comprising using the charge transporting thin film according to 13.

本発明の電荷輸送性ワニスを用いることで、平坦性に優れ、高い屈折率(高いn)および透明性(低い消衰係数k)を有し、電荷輸送性薄膜にも優れる電荷輸送性薄膜が得られる。
このような本発明の電荷輸送性薄膜を、有機EL素子の正孔注入層や正孔輸送層、好ましくは正孔注入層に適用することで、良好な輝度特性を示す有機EL素子を実現し得る。
また、本発明の電荷輸送性ワニスは、スピンコート法やインクジェット法等、大面積に成膜可能な各種ウェットプロセスを用いた場合でも電荷輸送性に優れた薄膜を再現性よく製造できるため、近年の有機EL素子の分野における進展にも十分対応できる。
By using the charge transporting varnish of the present invention, a charge transporting thin film having excellent flatness, a high refractive index (high n) and transparency (low extinction coefficient k), and excellent charge transporting properties can be obtained.
By applying such a charge transporting thin film of the present invention to a hole injection layer or a hole transport layer, preferably to a hole injection layer, of an organic EL element, an organic EL element exhibiting good luminance characteristics can be realized.
Furthermore, the charge transporting varnish of the present invention can reproducibly produce thin films with excellent charge transport properties even when various wet processes capable of forming films over large areas, such as spin coating and inkjet methods, and can therefore fully respond to recent developments in the field of organic EL elements.

以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明の電荷輸送性ワニスは、電荷輸送性物質と、表面処理剤で表面修飾された酸化チタン含有粒子(以下、表面修飾酸化チタン含有粒子と表記することもある。)と、有機溶媒とを含むものである。
なお、本発明においては、本発明の電荷輸送性ワニスに関する「固形分」とは、当該ワニスに含まれる溶媒以外の成分を意味する。また、電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性とも同義である。本発明の電荷輸送性ワニスは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、ワニスを使用して得られる固体膜に電荷輸送性があるものでもよい。
The present invention will be described in further detail below.
The charge-transporting varnish of the present invention contains a charge-transporting substance, titanium oxide-containing particles whose surfaces have been modified with a surface treatment agent (hereinafter, also referred to as surface-modified titanium oxide-containing particles), and an organic solvent.
In the present invention, the "solid content" of the charge-transporting varnish of the present invention means the components other than the solvent contained in the varnish. In addition, the charge transporting property is synonymous with the electrical conductivity and the hole transporting property. The charge-transporting varnish of the present invention may have the charge transporting property by itself, or the solid film obtained by using the varnish may have the charge transporting property.

本発明で用いる電荷輸送性物質としては、特に限定されるものではなく、有機ELの分野等で用いられる電荷輸送性化合物、電荷輸送性オリゴマー、電荷輸送性ポリマー等から適宜選択して用いることができる。
その具体例としては、オリゴアニリン誘導体、N,N’-ジアリールベンジジン誘導体、N,N,N’,N’-テトラアリールベンジジン誘導体等のアリールアミン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、チエノチオフェン誘導体、チエノベンゾチオフェン誘導体等のチオフェン誘導体、オリゴピロール等のピロール誘導体などの各種電荷輸送性化合物や電荷輸送性オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体等の電荷輸送性ポリマー等が挙げられ、特にポリチオフェン誘導体が好ましい。
好ましい一態様においては、上記電荷輸送性物質は、式(1)で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体である。
The charge transporting substance used in the present invention is not particularly limited, and can be appropriately selected from charge transporting compounds, charge transporting oligomers, charge transporting polymers, and the like used in the field of organic electroluminescence.
Specific examples thereof include various charge transporting compounds and charge transporting oligomers such as arylamine derivatives, such as oligoaniline derivatives, N,N'-diarylbenzidine derivatives, and N,N,N',N'-tetraarylbenzidine derivatives; thiophene derivatives, such as thienothiophene derivatives, and thienobenzothiophene derivatives; and pyrrole derivatives, such as oligopyrrole; and charge transporting polymers, such as polythiophene derivatives, polyaniline derivatives, and polypyrrole derivatives. In particular, polythiophene derivatives are preferred.
In a preferred embodiment, the charge transporting substance is a polythiophene derivative containing a repeating unit represented by formula (1) or an amine adduct thereof.

Figure 0007497724000002
Figure 0007497724000002

式中、R1およびR2は、互いに独立して、水素原子、炭素数1~40のアルキル基、炭素数1~40のフルオロアルキル基、炭素数1~40のアルコキシ基、炭素数1~40のフルオロアルコキシ基、炭素数6~20のアリールオキシ基、-O-[Z-O]p-Re、もしくはスルホン酸基であり、またはR1およびR2が結合して形成される-O-Y-O-であり、Yは、エーテル結合を含んでいてもよく、スルホン酸基で置換されていてもよい炭素数1~40のアルキレン基であり、Zは、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~40のアルキレン基であり、pは、1以上の整数であり、Reは、水素原子、炭素数1~40のアルキル基、炭素数1~40のフルオロアルキル基、または炭素数6~20のアリール基である。 In the formula, R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 40 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 40 carbon atoms, a fluoroalkoxy group having 1 to 40 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, -O-[Z-O] p -R e , or a sulfonic acid group, or R 1 and R 2 are bonded to form -O-Y-O-, Y is an alkylene group having 1 to 40 carbon atoms which may contain an ether bond and which may be substituted with a sulfonic acid group, Z is an alkylene group having 1 to 40 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, p is an integer of 1 or more, and R e is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 40 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.

炭素数1~40のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-エイコサニル基、ベヘニル基、トリアコンチル基およびテトラコンチル基が挙げられる。本発明においては、炭素数1~18のアルキル基が好ましく、炭素数1~8のアルキル基がより好ましい。The alkyl group having 1 to 40 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic, and examples thereof include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, n-pentyl, n-hexyl, n-heptyl, n-octyl, n-nonyl, n-decyl, n-undecyl, n-dodecyl, n-tridecyl, n-tetradecyl, n-pentadecyl, n-hexadecyl, n-heptadecyl, n-octadecyl, n-nonadecyl, n-eicosanyl, behenyl, triacontyl, and tetracontyl. In the present invention, alkyl groups having 1 to 18 carbon atoms are preferred, and alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms are more preferred.

炭素数1~40のフルオロアルキル基としては、炭素原子上の少なくとも1個の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~40のアルキル基であれば特に限定されないが、例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、パーフルオロメチル基、1-フルオロエチル基、2-フルオロエチル基、1,2-ジフルオロエチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、1,1,2-トリフルオロエチル基、1,2,2-トリフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロエチル基、1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、1-フルオロプロピル基、2-フルオロプロピル基、3-フルオロプロピル基、1,1-ジフルオロプロピル基、1,2-ジフルオロプロピル基、1,3-ジフルオロプロピル基、2,2-ジフルオロプロピル基、2,3-ジフルオロプロピル基、3,3-ジフルオロプロピル基、1,1,2-トリフルオロプロピル基、1,1,3-トリフルオロプロピル基、1,2,3-トリフルオロプロピル基、1,3,3-トリフルオロプロピル基、2,2,3-トリフルオロプロピル基、2,3,3-トリフルオロプロピル基、3,3,3-トリフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,3-テトラフルオロプロピル基、1,2,2,3-テトラフルオロプロピル基、1,3,3,3-テトラフルオロプロピル基、2,2,3,3-テトラフルオロプロピル基、2,3,3,3-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3-ペンタフルオロプロピル基、1,2,2,3,3-ペンタフルオロプロピル基、1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、1,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロヘプチル基およびパーフルオロオクチル基が挙げられる。The fluoroalkyl group having 1 to 40 carbon atoms is not particularly limited as long as it is an alkyl group having 1 to 40 carbon atoms in which at least one hydrogen atom on a carbon atom is replaced with a fluorine atom, and examples thereof include a fluoromethyl group, a difluoromethyl group, a perfluoromethyl group, a 1-fluoroethyl group, a 2-fluoroethyl group, a 1,2-difluoroethyl group, a 1,1-difluoroethyl group, a 2,2-difluoroethyl group, a 1,1,2-trifluoroethyl group, a 1,2,2-trifluoroethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, a 1,1,2,2-tetrafluoroethyl group, a 1,2,2,2-tetrafluoroethyl group, a perfluoroethyl group, a 1-fluoropropyl group, a 2-fluoropropyl group, a 3-fluoropropyl group, a 1,1-difluoropropyl group, a 1,2-difluoropropyl group, a 1,3-difluoropropyl group, a 2,2-difluoropropyl group, a 2,3-difluoropropyl group, a 3,3-difluoropropyl group, a 1,1,2-trifluoropropyl group, a 1, 1,3-trifluoropropyl group, 1,2,3-trifluoropropyl group, 1,3,3-trifluoropropyl group, 2,2,3-trifluoropropyl group, 2,3,3-trifluoropropyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, 1,1,2,3-tetrafluoropropyl group, 1,2,2,3-tetrafluoropropyl group, 1,3,3,3-tetrafluoropropyl group, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl group, 2, Examples of such groups include a 3,3,3-tetrafluoropropyl group, a 1,1,2,2,3-pentafluoropropyl group, a 1,2,2,3,3-pentafluoropropyl group, a 1,1,3,3,3-pentafluoropropyl group, a 1,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, a 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, a perfluoropropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluoropentyl group, a perfluorohexyl group, a perfluoroheptyl group, and a perfluorooctyl group.

炭素数1~40のアルコキシ基としては、その中のアルキル基が直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、c-プロポキシ基、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、n-ヘキソキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基、n-ウンデシルオキシ基、n-ドデシルオキシ基、n-トリデシルオキシ基、n-テトラデシルオキシ基、n-ペンタデシルオキシ基、n-ヘキサデシルオキシ基、n-ヘプタデシルオキシ基、n-オクタデシルオキシ基、n-ノナデシルオキシ基およびn-エイコサニルオキシ基が挙げられる。The alkoxy group having 1 to 40 carbon atoms may have a linear, branched, or cyclic alkyl group, and examples thereof include methoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, c-propoxy, n-butoxy, i-butoxy, s-butoxy, t-butoxy, n-pentoxy, n-hexoxy, n-heptyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, n-undecyloxy, n-dodecyloxy, n-tridecyloxy, n-tetradecyloxy, n-pentadecyloxy, n-hexadecyloxy, n-heptadecyloxy, n-octadecyloxy, n-nonadecyloxy, and n-eicosanyloxy.

炭素数1~40のフルオロアルコキシ基としては、炭素原子上の少なくとも1個の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~40のアルコキシ基であれば特に限定されないが、例えば、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、パーフルオロメトキシ基、1-フルオロエトキシ基、2-フルオロエトキシ基、1,2-ジフルオロエトキシ基、1,1-ジフルオロエトキシ基、2,2-ジフルオロエトキシ基、1,1,2-トリフルオロエトキシ基、1,2,2-トリフルオロエトキシ基、2,2,2-トリフルオロエトキシ基、1,1,2,2-テトラフルオロエトキシ基、1,2,2,2-テトラフルオロエトキシ基、パーフルオロエトキシ基、1-フルオロプロポキシ基、2-フルオロプロポキシ基、3-フルオロプロポキシ基、1,1-ジフルオロプロポキシ基、1,2-ジフルオロプロポキシ基、1,3-ジフルオロプロポキシ基、2,2-ジフルオロプロポキシ基、2,3-ジフルオロプロポキシ基、3,3-ジフルオロプロポキシ基、1,1,2-トリフルオロプロポキシ基、1,1,3-トリフルオロプロポキシ基、1,2,3-トリフルオロプロポキシ基、1,3,3-トリフルオロプロポキシ基、2,2,3-トリフルオロプロポキシ基、2,3,3-トリフルオロプロポキシ基、3,3,3-トリフルオロプロポキシ基、1,1,2,2-テトラフルオロプロポキシ基、1,1,2,3-テトラフルオロプロポキシ基、1,2,2,3-テトラフルオロプロポキシ基、1,3,3,3-テトラフルオロプロポキシ基、2,2,3,3-テトラフルオロプロポキシ基、2,3,3,3-テトラフルオロプロポキシ基、1,1,2,2,3-ペンタフルオロプロポキシ基、1,2,2,3,3-ペンタフルオロプロポキシ基、1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロポキシ基、1,2,3,3,3-ペンタフルオロプロポキシ基、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロポキシ基およびパーフルオロプロポキシ基が挙げられる。The fluoroalkoxy group having 1 to 40 carbon atoms is not particularly limited as long as it is an alkoxy group having 1 to 40 carbon atoms in which at least one hydrogen atom on a carbon atom is replaced with a fluorine atom, and examples thereof include a fluoromethoxy group, a difluoromethoxy group, a perfluoromethoxy group, a 1-fluoroethoxy group, a 2-fluoroethoxy group, a 1,2-difluoroethoxy group, a 1,1-difluoroethoxy group, a 2,2-difluoroethoxy group, a 1,1,2-trifluoroethoxy group, a 1,2, 2-trifluoroethoxy group, 2,2,2-trifluoroethoxy group, 1,1,2,2-tetrafluoroethoxy group, 1,2,2,2-tetrafluoroethoxy group, perfluoroethoxy group, 1-fluoropropoxy group, 2-fluoropropoxy group, 3-fluoropropoxy group, 1,1-difluoropropoxy group, 1,2-difluoropropoxy group, 1,3-difluoropropoxy group, 2,2-difluoropropoxy group, 2,3-difluoropropoxy group, 3,3- Difluoropropoxy group, 1,1,2-trifluoropropoxy group, 1,1,3-trifluoropropoxy group, 1,2,3-trifluoropropoxy group, 1,3,3-trifluoropropoxy group, 2,2,3-trifluoropropoxy group, 2,3,3-trifluoropropoxy group, 3,3,3-trifluoropropoxy group, 1,1,2,2-tetrafluoropropoxy group, 1,1,2,3-tetrafluoropropoxy group, 1,2,2,3-tetrafluoropropoxy group groups, 1,3,3,3-tetrafluoropropoxy groups, 2,2,3,3-tetrafluoropropoxy groups, 2,3,3,3-tetrafluoropropoxy groups, 1,1,2,2,3-pentafluoropropoxy groups, 1,2,2,3,3-pentafluoropropoxy groups, 1,1,3,3,3-pentafluoropropoxy groups, 1,2,3,3,3-pentafluoropropoxy groups, 2,2,3,3,3-pentafluoropropoxy groups, and perfluoropropoxy groups.

炭素数1~40のアルキレン基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン基、トリデシレン基、テトラデシレン基、ペンタデシレン基、ヘキサデシレン基、ヘプタデシレン基、オクタデシレン基、ノナデシレン基およびエイコサニレン基が挙げられる。The alkylene group having 1 to 40 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic, and examples include methylene, ethylene, propylene, trimethylene, tetramethylene, pentylene, hexylene, heptylene, octylene, nonylene, decylene, undecylene, dodecylene, tridecylene, tetradecylene, pentadecylene, hexadecylene, heptadecylene, octadecylene, nonadecylene, and eicosanylene.

炭素数6~20のアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基、および9-フェナントリル基が挙げられ、フェニル基、トリル基およびナフチル基が好ましい。Examples of aryl groups having 6 to 20 carbon atoms include phenyl, tolyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 1-anthryl, 2-anthryl, 9-anthryl, 1-phenanthryl, 2-phenanthryl, 3-phenanthryl, 4-phenanthryl, and 9-phenanthryl groups, with phenyl, tolyl, and naphthyl groups being preferred.

炭素数6~20のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、アントラセノキシ基、ナフトキシ基、フェナントレノキシ基およびフルオレノキシ基が挙げられる。Examples of aryloxy groups having 6 to 20 carbon atoms include phenoxy groups, anthracenoxy groups, naphthoxy groups, phenanthrenoxy groups, and fluorenoxy groups.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。 Halogen atoms include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.

上記式(1)中、R1およびR2は、互いに独立して、水素原子、炭素数1~40のフルオロアルキル基、炭素数1~40のアルコキシ基、-O[C(Rab)-C(Rcd)-O]p-Re、-ORf、もしくはスルホン酸基であるか、またはR1およびR2が結合して形成される-O-Y-O-が好ましい。
a~Rdは、互いに独立して、水素原子、炭素数1~40のアルキル基、炭素数1~40のフルオロアルキル基、または炭素数6~20のアリール基を表し、これらの基の具体例としては上記で挙げたものと同じである。
中でも、Ra~Rdは、互いに独立して、水素原子、炭素数1~8のアルキル基、炭素数1~8のフルオロアルキル基、またはフェニル基が好ましい。
eは、水素原子、炭素数1~8のアルキル基、炭素数1~8のフルオロアルキル基、またはフェニル基であるが、水素原子、メチル基、プロピル基、またはブチル基が好ましい。
また、pは、1~5が好ましく、1、2または3がより好ましい。
In the above formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a fluoroalkyl group having 1 to 40 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 40 carbon atoms, -O[C(R a R b )-C(R c R d )-O] p -R e , -OR f , or a sulfonic acid group, or R 1 and R 2 are preferably bonded to form -O-Y-O-.
R a to R d each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 40 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and specific examples of these groups are the same as those listed above.
Among these, R a to R d are preferably each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a phenyl group.
R e is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a phenyl group, and is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a propyl group, or a butyl group.
Furthermore, p is preferably 1 to 5, and more preferably 1, 2 or 3.

fは、水素原子、炭素数1~40のアルキル基、炭素数1~40のフルオロアルキル基または炭素数6~20のアリール基であるが、水素原子、炭素数1~8のアルキル基、炭素数1~8のフルオロアルキル基、またはフェニル基が好ましく、-CH2CF3がより好ましい。 Rf is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 40 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a phenyl group , more preferably --CH2CF3 .

本発明においては、R1は、好ましくは水素原子またはスルホン酸基、より好ましくはスルホン酸基であり、かつ、R2は、好ましくは炭素数1~40のアルコキシ基または-O-[Z-O]p-Re、より好ましくは-O[C(Rab)-C(Rcd)-O]p-Reまたは-ORf、より一層好ましくは-O[C(Rab)-C(Rcd)-O]p-Re、-O-CH2CH2-O-CH2CH2-O-CH3、-O-CH2CH2-O-CH2CH2-OHまたは-O-CH2CH2-OHであるか、または、R1およびR2が互いに結合して形成される-O-Y-O-である。 In the present invention, R 1 is preferably a hydrogen atom or a sulfonic acid group, more preferably a sulfonic acid group, and R 2 is preferably an alkoxy group having 1 to 40 carbon atoms or -O-[Z-O] p -R e , more preferably -O[C(R a R b )-C(R c R d )-O] p -R e or -OR f , even more preferably -O[C(R a R b )-C(R c R d )-O] p -R e , -O-CH 2 CH 2 -O-CH 2 CH 2 -O-CH 3 , -O-CH 2 CH 2 -O-CH 2 CH 2 -OH or -O-CH 2 CH 2 -OH, or -O-Y-O- formed by R 1 and R 2 bonding to each other.

例えば、本発明の好ましい態様に係る上記ポリチオフェン誘導体は、R1が、スルホン酸基であり、R2が、スルホン酸基以外である繰り返し単位を含むか、またはR1およびR2が結合して形成される-O-Y-O-である繰り返し単位を含む。
好ましくは、上記ポリチオフェン誘導体は、R1が、スルホン酸基であり、R2が、炭素数1~40のアルコキシ基もしくは-O-[Z-O]p-Reである繰り返し単位を含むか、またはR1およびR2が結合して形成される-O-Y-O-である繰り返し単位を含む。
より好ましくは、上記ポリチオフェン誘導体は、R1が、スルホン酸基であり、R2が、-O[C(Rab)-C(Rcd)-O]p-Reまたは-ORfである繰り返し単位を含む。
より一層好ましくは、上記ポリチオフェン誘導体は、R1が、スルホン酸基であり、R2が、-O[C(Rab)-C(Rcd)-O]p-Reである繰り返し単位を含むか、またはR1およびR2が結合して形成される-O-Y-O-である繰り返し単位を含む。
更に好ましくは、上記ポリチオフェン誘導体は、R1が、スルホン酸基であり、R2が、-O-CH2CH2-O-CH2CH2-O-CH3、-O-CH2CH2-O-CH2CH2-OH、もしくは-O-CH2CH2-OHである繰り返し単位を含むか、またはR1およびR2が互いに結合して、下記式(Y1)および(Y2)で表される基である繰り返し単位を含む。
For example, the polythiophene derivative according to a preferred embodiment of the present invention includes a repeating unit in which R 1 is a sulfonic acid group and R 2 is other than a sulfonic acid group, or includes a repeating unit in which R 1 and R 2 are bonded to form -O-Y-O-.
Preferably, the polythiophene derivative contains a repeating unit in which R 1 is a sulfonic acid group and R 2 is an alkoxy group having 1 to 40 carbon atoms or -O-[Z-O] p -R e , or contains a repeating unit in which R 1 and R 2 are bonded to form -O-Y-O-.
More preferably, the polythiophene derivative contains a repeating unit in which R 1 is a sulfonic acid group and R 2 is --O[C( R.sup.aR.sup.b )--C( R.sup.cR.sup.d ) --O] .sup.pR.sup.e or --OR.sup.f .
Even more preferably, the polythiophene derivative contains a repeating unit in which R 1 is a sulfonic acid group and R 2 is -O[C(R a R b )-C(R c R d )-O] p -R e , or contains a repeating unit in which R 1 and R 2 are bonded to form -O-Y-O-.
More preferably, the polythiophene derivative contains a repeating unit in which R 1 is a sulfonic acid group and R 2 is -O-CH 2 CH 2 -O-CH 2 CH 2 -O-CH 3 , -O-CH 2 CH 2 -O-CH 2 CH 2 -OH or -O-CH 2 CH 2 -OH, or contains a repeating unit in which R 1 and R 2 are bonded to each other to form groups represented by the following formulae (Y1) and (Y2).

Figure 0007497724000003
Figure 0007497724000003

上記ポリチオフェン誘導体の好ましい具体例としては、例えば、下記式(1-1)~(1-5)で表される繰り返し単位を少なくとも1種含むポリチオフェンを挙げることができる。Preferred examples of the polythiophene derivatives include polythiophenes containing at least one repeating unit represented by the following formulas (1-1) to (1-5).

Figure 0007497724000004
Figure 0007497724000004

また、上記ポリチオフェン誘導体の好適な構造としては、例えば、下記式(1a)で表される構造を有するポリチオフェン誘導体を挙げることができる。なお、下記式において、各単位はランダムに結合していても、ブロック重合体として結合していてもよい。In addition, a suitable structure of the polythiophene derivative is, for example, a polythiophene derivative having a structure represented by the following formula (1a). In the following formula, each unit may be bonded randomly or as a block polymer.

Figure 0007497724000005
Figure 0007497724000005

式中、a~dは、各単位のモル比を表し、0≦a≦1、0≦b≦1、0<a+b≦1、0≦c<1、0≦d<1、a+b+c+d=1を満足する。In the formula, a to d represent the molar ratios of each unit and satisfy 0≦a≦1, 0≦b≦1, 0<a+b≦1, 0≦c<1, 0≦d<1, and a+b+c+d=1.

さらに、上記ポリチオフェン誘導体は、ホモポリマーまたはコポリマー(統計的、ランダム、勾配、およびブロックコポリマーを含む)であってよい。モノマーAおよびモノマーBを含むポリマーとしては、ブロックコポリマーは、例えば、A-Bジブロックコポリマー、A-B-Aトリブロックコポリマー、および(AB)m-マルチブロックコポリマーを含む。ポリチオフェンは、他のタイプのモノマー(例えば、チエノチオフェン、セレノフェン、ピロール、フラン、テルロフェン、アニリン、アリールアミン、およびアリーレン(例えば、フェニレン、フェニレンビニレン、およびフルオレン等)等)から誘導される繰り返し単位を含んでいてもよい。 Furthermore, the polythiophene derivatives can be homopolymers or copolymers (including statistical, random, gradient, and block copolymers). For polymers containing monomer A and monomer B, block copolymers include, for example, A-B diblock copolymers, A-B-A triblock copolymers, and (AB) m -multiblock copolymers. Polythiophenes can also contain repeat units derived from other types of monomers, such as thienothiophenes, selenophenes, pyrroles, furans, tellurophenes, anilines, arylamines, and arylenes (e.g., phenylene, phenylenevinylene, and fluorene, etc.).

本発明において、ポリチオフェン誘導体における式(1)で表される繰り返し単位の含有量は、ポリチオフェン誘導体に含まれる全繰り返し単位中、50モル%超が好ましく、80モル%以上がより好ましく、90モル%以上がより一層好ましく、95モル%以上がさらに好ましく、100モル%が最も好ましい。In the present invention, the content of the repeating unit represented by formula (1) in the polythiophene derivative is preferably more than 50 mol % of all repeating units contained in the polythiophene derivative, more preferably 80 mol % or more, even more preferably 90 mol % or more, even more preferably 95 mol % or more, and most preferably 100 mol %.

本発明において、重合に使用される出発モノマーの純度に応じて、形成されるポリマーは、不純物から誘導される繰り返し単位を含有してもよい。本発明において、上記の「ホモポリマー」という用語は、1つのタイプのモノマーから誘導される繰り返し単位を含むポリマーを意味するものであるが、不純物から誘導される繰り返し単位を含んでいてもよい。本発明において、上記ポリチオフェン誘導体は、基本的に全ての繰り返し単位が、上記式(1)で表される繰り返し単位であるポリマーであることが好ましく、上記式(1-1)~(1-5)で表される繰り返し単位の少なくとも1つを含むポリマーであることがより好ましい。In the present invention, depending on the purity of the starting monomers used in the polymerization, the polymer formed may contain repeat units derived from impurities. In the present invention, the term "homopolymer" means a polymer containing repeat units derived from one type of monomer, but may contain repeat units derived from impurities. In the present invention, the polythiophene derivative is preferably a polymer in which essentially all repeat units are repeat units represented by the above formula (1), and more preferably a polymer containing at least one of the repeat units represented by the above formulas (1-1) to (1-5).

本発明において、上記ポリチオフェン誘導体が、スルホン酸基を有する繰り返し単位を含む場合、有機溶媒に対する溶解性や分散性をより向上させる観点から、ポリチオフェン誘導体に含まれるスルホン酸基の少なくとも一部にアミン化合物が付加したアミン付加体とすることが好ましい。In the present invention, when the above polythiophene derivative contains a repeating unit having a sulfonic acid group, from the viewpoint of further improving the solubility and dispersibility in organic solvents, it is preferable to form an amine adduct in which an amine compound is added to at least a portion of the sulfonic acid groups contained in the polythiophene derivative.

アミン付加体の形成に使用できるアミン化合物としては、メチルアミン、エチルアミン、n-プロピルアミン、イソプロピルアミン、n-ブチルアミン、イソブチルアミン、s-ブチルアミン、t-ブチルアミン、n-ペンチルアミン、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、2-エチルヘキシルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン、n-ウンデシルアミン、n-ドデシルアミン、n-トリデシルアミン、n-テトラデシルアミン、n-ペンタデシルアミン、n-ヘキサデシルアミン、n-ヘプタデシルアミン、n-オクタデシルアミン、n-ノナデシルアミン、n-エイコサニルアミン等のモノアルキルアミン化合物;アニリン、トリルアミン、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、1-アントリルアミン、2-アントリルアミン、9-アントリルアミン、1-フェナントリルアミン、2-フェナントリルアミン、3-フェナントリルアミン、4-フェナントリルアミン、9-フェナントリルアミン等のモノアリールアミン化合物等の一級アミン化合物;N-エチルメチルアミン、N-メチル-n-プロピルアミン、N-メチルイソプロピルアミン、N-メチル-n-ブチルアミン、N-メチル-s-ブチルアミン、N-メチル-t-ブチルアミン、N-メチルイソブチルアミン、ジエチルアミン、N-エチル-n-プロピルアミン、N-エチルイソプロピルアミン、N-エチル-n-ブチルアミン、N-エチル-s-ブチルアミン、N-エチル-t-ブチルアミン、ジプロピルアミン、N-n-プロピルイソプロピルアミン、N-n-プロピル-n-ブチルアミン、N-n-ブロピル-s-ブチルアミン、ジイソプロピルアミン、N-n-ブチルイソプロピルアミン、N-t-ブチルイソプロピルアミン、ジ(n-ブチル)アミン、ジ(s-ブチル)アミン、ジイソブチルアミン、アジリジン(エチレンイミン)、2-メチルアジリジン(プロピレンイミン)、2,2-ジメチルアジリジン、アゼチジン(トリメチレンイミン)、2-メチルアゼチジン、ピロリジン、2-メチルピロリジン、3-メチルピロリジン、2,5-ジメチルピロリジン、ピペリジン、2,6-ジメチルピペリジン、3,5-ジメチルピペリジン,2,2,6,6-テトラメチルピペリジン、ヘキサメチレンイミン、ヘプタメチレンイミン、オクタメチレンイミン等のジアルキルアミン化合物;ジフェニルアミン、N-フェニル-1-ナフチルアミン、N-フェニル-2-ナフチルアミン、1,1’-ジナフチルアミン、2,2’-ジナフチルアミン、1,2’-ジナフチルアミン、カルバゾール、7H-ベンゾ[c]カルバゾール、11H-ベンゾ[a]カルバゾール、7H-ジベンゾ[c,g]カルバゾール、13H-ジベンゾ[a,i]カルバゾール等のジアリールアミン化合物;N-メチルアニリン、N-エチルアニリン、N-n-プロピルアニリン、N-イソプロピルアニリン、N-n-ブチルアニリン、N-s-ブチルアニリン、N-イソブチルアニリン、N-メチル-1-ナフチルアミン、N-エチル-1-ナフチルアミン、N-n-プロピル-1-ナフチルアミン、インドリン、イソインドリン、1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、1,2,3,4-テトラヒドロイソキノリン等のアルキルアリールアミン化合物等の二級アミン化合物;N,N-ジメチルエチルアミン、N,N-ジメチル-n-プロピルアミン、N,N-ジメチルイソプロピルアミン、N,N-ジメチル-n-ブチルアミン、N,N-ジメチル-s-ブチルアミン、N,N-ジメチル-t-ブチルアミン、N,N-ジメチルイソブチルアミン、N,N-ジエチルメチルアミン、N-メチルジ(n-プロピル)アミン、N-メチルジイソプロピルアミン、N-メチルジ(n-ブチル)アミン、N-メチルジイソブチルアミン、トリエチルアミン、N,N-ジエチル-n-ブチルアミン、N,N-ジイソプロピルエチルアミン、N,N-ジ(n-ブチル)エチルアミン、トリ(n-プロピル)アミン、トリ(i-プロピル)アミン、トリ(n-ブチル)アミン、トリ(i-ブチル)アミン、1-メチルアセチジン、1-メチルピロリジン、1-メチルピペリジン等のトリアルキルアミン化合物;トリフェニルアミン等のトリアリールアミン化合物;N-メチルジフェニルアミン、N-エチルジフェニルアミン、9-メチルカルバゾール、9-エチルカルバゾール等のアルキルジアリールアミン化合物;N,N-ジエチルアニリン、N,N-ジ(n-プロピル)アニリン、N,N-ジ(i-プロピル)アニリン、N,N-ジ(n-ブチル)アニリン等のジアルキルアリールアミン化合物等の三級アミン化合物が挙げられるが、アミン付加体の溶解性、得られる電荷輸送性薄膜の電荷輸送性等のバランスを考慮すると、三級アミン化合物が好ましく、トリアルキルアミン化合物がより好ましく、トリエチルアミンがより一層好ましい。
アミン付加体は、アミン自体またはその溶液にポリチオフェン誘導体を投入し、よく撹拌することで得ることができる。
Examples of amine compounds that can be used to form the amine adduct include methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine, isobutylamine, s-butylamine, t-butylamine, n-pentylamine, n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, 2-ethylhexylamine, n-nonylamine, n-decylamine, n-undecylamine, n-dodecylamine, n-tridecylamine, n-tetradecylamine, n-pentadecylamine, n-hexadecylamine, n-heptadecylamine, and n-octadecylamine. monoalkylamine compounds such as amine, n-nonadecylamine, and n-eicosanylamine; primary amine compounds such as monoarylamine compounds such as aniline, tolylamine, 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, 1-anthrylamine, 2-anthrylamine, 9-anthrylamine, 1-phenanthrylamine, 2-phenanthrylamine, 3-phenanthrylamine, 4-phenanthrylamine, and 9-phenanthrylamine; N-ethylmethylamine, N-methyl-n-propylamine, N-methylisopropylamine, N-methyl-n-butylamine, N- Methyl-s-butylamine, N-methyl-t-butylamine, N-methylisobutylamine, diethylamine, N-ethyl-n-propylamine, N-ethylisopropylamine, N-ethyl-n-butylamine, N-ethyl-s-butylamine, N-ethyl-t-butylamine, dipropylamine, N-n-propylisopropylamine, N-n-propyl-n-butylamine, N-n-propyl-s-butylamine, diisopropylamine, N-n-butylisopropylamine, N-t-butylisopropylamine, di(n-butyl)amine, di(s-butyl)amine dialkylamine compounds such as amine, diisobutylamine, aziridine (ethyleneimine), 2-methylaziridine (propyleneimine), 2,2-dimethylaziridine, azetidine (trimethyleneimine), 2-methylazetidine, pyrrolidine, 2-methylpyrrolidine, 3-methylpyrrolidine, 2,5-dimethylpyrrolidine, piperidine, 2,6-dimethylpiperidine, 3,5-dimethylpiperidine, 2,2,6,6-tetramethylpiperidine, hexamethyleneimine, heptamethyleneimine, and octamethyleneimine; diphenylamine, N-phenyl-1-naphthylamine, diarylamine compounds such as N-phenyl-2-naphthylamine, 1,1'-dinaphthylamine, 2,2'-dinaphthylamine, 1,2'-dinaphthylamine, carbazole, 7H-benzo[c]carbazole, 11H-benzo[a]carbazole, 7H-dibenzo[c,g]carbazole, and 13H-dibenzo[a,i]carbazole; N-methylaniline, N-ethylaniline, N-n-propylaniline, N-isopropylaniline, N-n-butylaniline, N-s-butylaniline, N-isobutylaniline, N-methyl-1-naphthylamine ...isobutylaniline, N-methyl-2-naphthylamine, N-n-butylaniline, N-n-butylaniline, N-isobutylaniline, N-methyl-1-naphthylamine, N-n-butylaniline, N-n-butylaniline, N-n-butylaniline, N-n-butylaniline, N-n-butylaniline, N-n-butylaniline, N-n-butyl-1-naphthylamine, N-n-n-butyl-1-naphthylamine, N-n-n-butyl-1-naphthylamine, N-n-n-butyl-1-naphthylamine, N-n-n-butyl-1-naphthylamine, N-n-n-n-butyl-1-naph secondary amine compounds such as alkylarylamine compounds, such as N-n-naphthylamine, N-n-propyl-1-naphthylamine, indoline, isoindoline, 1,2,3,4-tetrahydroquinoline, and 1,2,3,4-tetrahydroisoquinoline; trialkylamine compounds such as (n-propyl)amine, N-methyldiisopropylamine, N-methyldi(n-butyl)amine, N-methyldiisobutylamine, triethylamine, N,N-diethyl-n-butylamine, N,N-diisopropylethylamine, N,N-di(n-butyl)ethylamine, tri(n-propyl)amine, tri(i-propyl)amine, tri(n-butyl)amine, tri(i-butyl)amine, 1-methylacetidine, 1-methylpyrrolidine, and 1-methylpiperidine; triarylamine compounds such as triphenylamine; Examples of tertiary amine compounds include alkyldiarylamine compounds such as N,N-phenylamine, N-ethyldiphenylamine, 9-methylcarbazole, and 9-ethylcarbazole; and dialkylarylamine compounds such as N,N-diethylaniline, N,N-di(n-propyl)aniline, N,N-di(i-propyl)aniline, and N,N-di(n-butyl)aniline. In consideration of the balance between the solubility of the amine adduct, the charge transport property of the resulting charge transporting thin film, and the like, tertiary amine compounds are preferred, trialkylamine compounds are more preferred, and triethylamine is even more preferred.
The amine adduct can be obtained by adding the polythiophene derivative to an amine itself or a solution of the amine and thoroughly stirring the mixture.

本発明においては、上記のポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体は、還元剤で処理したものを用いてもよい。
ポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体では、それらを構成する繰り返し単位の一部において、その化学構造が「キノイド構造」と呼ばれる酸化型の構造となっている場合がある。用語「キノイド構造」は、用語「ベンゼノイド構造」に対して用いられるもので、芳香環を含む構造である後者に対し、前者は、その芳香環内の二重結合が環外に移動し(その結果、芳香環は消失する)、環内に残る他の二重結合と共役する2つの環外二重結合が形成された構造を意味する。当業者にとって、これらの両構造の関係は、ベンゾキノンとヒドロキノンの構造の関係から容易に理解できるものである。種々の共役ポリマーの繰り返し単位についてのキノイド構造は、当業者にとって周知である。一例として、上記式(1)で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン誘導体の繰り返し単位に対応するキノイド構造を、下記式(1’)に示す。
In the present invention, the above polythiophene derivative or its amine adduct may be treated with a reducing agent.
In polythiophene derivatives or their amine adducts, some of the repeating units constituting them may have an oxidized structure called a "quinoid structure". The term "quinoid structure" is used in contrast to the term "benzenoid structure", and the former refers to a structure in which a double bond in the aromatic ring moves outside the ring (as a result, the aromatic ring disappears), while the latter is a structure containing an aromatic ring, and two exocyclic double bonds are formed that are conjugated with other double bonds remaining in the ring. Those skilled in the art can easily understand the relationship between these two structures from the relationship between the structures of benzoquinone and hydroquinone. Quinoid structures for the repeating units of various conjugated polymers are well known to those skilled in the art. As an example, a quinoid structure corresponding to the repeating unit of a polythiophene derivative containing the repeating unit represented by the above formula (1) is shown in the following formula (1').

Figure 0007497724000006
(式中、R1およびR2は、上記式(1)において定義されたとおりである。)
Figure 0007497724000006
(In the formula, R 1 and R 2 are as defined in formula (1) above.)

このキノイド構造は、上記式(1)で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン誘導体がドーパントにより酸化反応を受けるプロセス、いわゆるドーピング反応によって生じ、ポリチオフェン誘導体に電荷輸送性を付与する「ポーラロン構造」および「バイポーラロン構造」と称される構造の一部を成すものである。これらの構造は公知である。有機EL素子の作製において、「ポーラロン構造」および/または「バイポーラロン構造」の導入は必須であり、実際、有機EL素子作成時、電荷輸送性ワニスから形成された薄膜を焼成処理するときに、上記のドーピング反応を意図的に起こさせて、これを達成している。このドーピング反応を起こさせる前のポリチオフェン誘導体にキノイド構造が含まれているのは、ポリチオフェン誘導体が、その製造過程(特に、その中のスルホン化工程)において、ドーピング反応と同等の、意図しない酸化反応を起こしたためと考えられる。This quinoid structure is a part of the structure called "polaron structure" and "bipolaron structure" that is generated by the process in which the polythiophene derivative containing the repeating unit represented by the above formula (1) is oxidized by a dopant, that is, by a doping reaction, and imparts charge transport properties to the polythiophene derivative. These structures are publicly known. In the production of an organic EL element, the introduction of a "polaron structure" and/or a "bipolaron structure" is essential, and in fact, when the thin film formed from the charge transport varnish is baked during the production of the organic EL element, the above-mentioned doping reaction is intentionally caused to occur, thereby achieving this. The reason why the polythiophene derivative contains a quinoid structure before the doping reaction is thought to be that the polythiophene derivative underwent an unintended oxidation reaction equivalent to the doping reaction during the production process (particularly the sulfonation process therein).

上記ポリチオフェン誘導体に含まれるキノイド構造の量と、ポリチオフェン誘導体の有機溶媒に対する溶解性や分散性の間には相関があり、キノイド構造の量が多くなると、その溶解性や分散性は低下する傾向にある。このため、電荷輸送性ワニスから薄膜が形成された後でのキノイド構造の導入は問題を生じないが、上記の意図しない酸化反応により、ポリチオフェン誘導体にキノイド構造が過剰に導入されていると、電荷輸送性ワニスの製造に支障をきたす場合がある。ポリチオフェン誘導体においては、有機溶媒に対する溶解性や分散性にばらつきがあることが知られているが、その原因の1つは、上記の意図しない酸化反応によりポリチオフェンに導入されたキノイド構造の量が、各々のポリチオフェン誘導体の製造条件の差に応じて変動することであると考えられる。
そこで、上記ポリチオフェン誘導体を、還元剤を用いる還元処理に付すと、ポリチオフェン誘導体にキノイド構造が過剰に導入されていても、還元によりキノイド構造が減少し、ポリチオフェン誘導体の有機溶媒に対する溶解性や分散性が向上するため、均質性に優れた薄膜を与える良好な電荷輸送性ワニスを、安定的に製造することが可能になる。
There is a correlation between the amount of quinoid structure contained in the polythiophene derivative and the solubility and dispersibility of the polythiophene derivative in organic solvent, and the more the amount of quinoid structure, the lower the solubility and dispersibility.Therefore, the introduction of the quinoid structure after the thin film is formed from the charge transport varnish does not cause any problems, but if the quinoid structure is excessively introduced into the polythiophene derivative due to the above-mentioned unintended oxidation reaction, it may cause problems in the production of the charge transport varnish.It is known that the solubility and dispersibility of polythiophene derivatives in organic solvents varies, and one of the causes is thought to be that the amount of the quinoid structure introduced into the polythiophene due to the above-mentioned unintended oxidation reaction varies depending on the difference in the production conditions of each polythiophene derivative.
Therefore, when the above-mentioned polythiophene derivative is subjected to a reduction treatment using a reducing agent, even if an excessive amount of quinoid structures has been introduced into the polythiophene derivative, the quinoid structures are reduced by the reduction, and the solubility and dispersibility of the polythiophene derivative in organic solvents are improved, making it possible to stably produce a good charge-transporting varnish that gives a thin film with excellent homogeneity.

還元処理の条件は、上記キノイド構造を還元して非酸化型の構造、すなわち、上記ベンゼノイド構造に適切に変換する(例えば、上記式(1)で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン誘導体においては、上記式(1’)で表されるキノイド構造を、上記式(1)で表される構造に変換する)ことができるものである限り特に制限はないが、例えば、適当な溶媒の存在下または非存在下、単にポリチオフェン誘導体やアミン付加体を還元剤と接触させることにより、この処理を行うことができる。
このような還元剤も還元が適切にされる限り特に制限はないが、例えば、市販品で入手が容易であるアンモニア水、ヒドラジン等が適当である。
また、還元剤の量は、用いる還元剤の量に応じて異なるため一概に規定できないが、処理すべきポリチオフェン誘導体やアミン付加体100質量部に対し、通常、還元が適切にされる観点から、0.1質量部以上であり、過剰な還元剤が残存しないようにする観点から、10質量部以下である。
The conditions for the reduction treatment are not particularly limited as long as the quinoid structure can be reduced and appropriately converted into a non-oxidized structure, i.e., the benzenoid structure (for example, in a polythiophene derivative containing a repeating unit represented by formula (1) above, the quinoid structure represented by formula (1') above is converted into a structure represented by formula (1) above). For example, this treatment can be carried out by simply contacting the polythiophene derivative or the amine adduct with a reducing agent in the presence or absence of a suitable solvent.
There are no particular limitations on the reducing agent as long as the reduction is carried out appropriately, and suitable examples of the reducing agent include aqueous ammonia and hydrazine, which are readily available commercially.
The amount of the reducing agent cannot be generally specified since it varies depending on the amount of the reducing agent used. However, the amount is usually 0.1 part by mass or more per 100 parts by mass of the polythiophene derivative or amine adduct to be treated in order to ensure that the reduction is performed appropriately, and is 10 parts by mass or less in order to prevent excess reducing agent from remaining.

還元処理の具体的な方法の一例としては、ポリチオフェン誘導体やアミン付加体を28%アンモニア水中で、室温にて終夜撹拌する。このような比較的温和な条件下での還元処理により、ポリチオフェン誘導体やアミン付加体の有機溶媒に対する溶解性や分散性は十分に向上する。As an example of a specific method of reduction treatment, the polythiophene derivative or the amine adduct is stirred overnight at room temperature in 28% ammonia water. By carrying out reduction treatment under such relatively mild conditions, the solubility and dispersibility of the polythiophene derivative or the amine adduct in organic solvents is sufficiently improved.

本発明の電荷輸送性ワニスにおいて、ポリチオフェン誘導体のアミン付加体を使用する場合、上記還元処理は、アミン付加体を形成する前に行っても、アミン付加体を形成した後に行ってもよい。When an amine adduct of a polythiophene derivative is used in the charge-transporting varnish of the present invention, the above-mentioned reduction treatment may be carried out either before or after the formation of the amine adduct.

なお、この還元処理によりポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体の溶媒に対する溶解性や分散性が変化する結果、処理の開始時には反応系に溶解していなかったポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体が、処理の完了時には溶解している場合がある。そのような場合には、ポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体と非相溶性の有機溶媒(スルホン化ポリチオフェンの場合、アセトン、イソプロピルアルコール等)を反応系に添加して、ポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体の沈殿を生じさせ、ろ過する等の方法により、ポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体を回収することができる。 Note that this reduction treatment changes the solubility and dispersibility of the polythiophene derivative or its amine adduct in the solvent, and as a result, the polythiophene derivative or its amine adduct that was not dissolved in the reaction system at the start of the treatment may be dissolved by the end of the treatment. In such cases, the polythiophene derivative or its amine adduct can be recovered by adding an organic solvent that is incompatible with the polythiophene derivative or its amine adduct (acetone, isopropyl alcohol, etc. in the case of sulfonated polythiophene) to the reaction system to cause precipitation of the polythiophene derivative or its amine adduct, and then filtering the precipitate.

式(1)で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体の重量平均分子量は、約1,000~1,000,000が好ましく、約5,000~100,000がより好ましく、約10,000~約50,000がより一層好ましい。重量平均分子量を下限以上とすることで、良好な導電性が再現性よく得られ、上限以下とすることで、溶媒に対する溶解性が向上する。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算値である。The weight average molecular weight of the polythiophene derivative or its amine adduct containing the repeating unit represented by formula (1) is preferably about 1,000 to 1,000,000, more preferably about 5,000 to 100,000, and even more preferably about 10,000 to about 50,000. By setting the weight average molecular weight at or above the lower limit, good electrical conductivity can be reproducibly obtained, and by setting it at or below the upper limit, solubility in solvents is improved. The weight average molecular weight is a polystyrene equivalent value measured by gel permeation chromatography.

本発明の電荷輸送性ワニスに含まれるポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体は、式(1)で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体1種のみであってもよく、2種以上であってもよい。
また、式(1)で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン誘導体は、市販品を用いても、チオフェン誘導体などを出発原料とした公知の方法によって重合したものを用いてもよいが、いずれの場合も再沈殿やイオン交換等の方法により精製されたものを用いることが好ましい。精製したものを用いることで、本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜を備えた有機EL素子の特性をより高めることができる。
The polythiophene derivative or its amine adduct contained in the charge transporting varnish of the present invention may be a polythiophene derivative having a repeating unit represented by formula (1) or an amine adduct thereof, either alone or in combination.
The polythiophene derivative containing the repeating unit represented by formula (1) may be a commercially available product or may be polymerized by a known method using a thiophene derivative or the like as a starting material, but in either case, it is preferable to use a product purified by a method such as reprecipitation or ion exchange. By using a purified product, the characteristics of an organic EL device having a thin film obtained from the charge transporting varnish of the present invention can be further improved.

なお、共役ポリマーのスルホン化およびスルホン化共役ポリマー(スルホン化ポリチオフェンを含む)は、Seshadriらの米国特許第8,017,241号に記載されている。また、スルホン化ポリチオフェンについては、国際公開第2008/073149号および国際公開第2016/171935号に記載されている。Sulfonation of conjugated polymers and sulfonated conjugated polymers (including sulfonated polythiophenes) are described in U.S. Patent No. 8,017,241 to Seshadri et al. Sulfonated polythiophenes are described in WO 2008/073149 and WO 2016/171935.

本発明においては、電荷輸送性ワニスに含まれる式(1)で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体の少なくとも一部は、有機溶媒に溶解している。In the present invention, at least a portion of the polythiophene derivative or its amine adduct containing a repeating unit represented by formula (1) contained in the charge transport varnish is dissolved in an organic solvent.

本発明においては、電荷輸送性物質として、式(1)で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体と、それ以外の電荷輸送性化合物からなる電荷輸送性物質を併用してよいが、式(1)で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体のみが含まれることが好ましい。In the present invention, as the charge transport substance, a polythiophene derivative containing a repeating unit represented by formula (1) or its amine adduct may be used in combination with a charge transport substance consisting of another charge transport compound, but it is preferable that only a polythiophene derivative containing a repeating unit represented by formula (1) or its amine adduct is used.

本発明の電荷輸送性ワニス中の電荷輸送性物質の含有量は、通常、所望の膜厚やワニスの粘度等を勘案し、固形分中、0.05~40質量%、好ましくは0.1~35質量%の範囲で適宜決定される。The content of the charge transport substance in the charge transport varnish of the present invention is usually appropriately determined in the range of 0.05 to 40% by mass, preferably 0.1 to 35% by mass, of the solid content, taking into consideration the desired film thickness and the viscosity of the varnish, etc.

本発明の電荷輸送性ワニスは、表面修飾酸化チタン含有粒子を含む。当該粒子に含まれる酸化チタンとしては、アナタース型、ルチル型、アナタース・ルチル混合型、ブルッカイト型のいずれの結晶構造を有するものであってもよいが、これらの中でも、得られる薄膜の屈折率および透明性を考慮すると、ルチル型を含むものが好ましい。The charge-transporting varnish of the present invention contains surface-modified titanium oxide-containing particles. The titanium oxide contained in the particles may have any of the crystal structures of anatase type, rutile type, mixed anatase-rutile type, and brookite type. Among these, those containing the rutile type are preferred in consideration of the refractive index and transparency of the resulting thin film.

本発明において、上記表面修飾酸化チタン含有粒子に含まれる酸化チタン含有粒子は、コロイド粒子であることが好ましく、酸化チタンを含むコロイド粒子(A)を核として(以下、核粒子(A)と表記する)、その表面が金属酸化物コロイド粒子(B)(以下、被覆物(B)と表記する)で被覆された変性酸化チタン含有コロイド粒子(C)(以下、変性コロイド粒子(C)と表記する)の表面が両親媒性の表面処理剤で表面修飾されたコロイド粒子(D)(以下、表面修飾コロイド粒子(D)と表記する)がより好ましい。In the present invention, the titanium oxide-containing particles contained in the above-mentioned surface-modified titanium oxide-containing particles are preferably colloidal particles, and more preferably colloidal particles (D) (hereinafter referred to as surface-modified colloidal particles (D)) in which a titanium oxide-containing colloidal particle (A) serves as a nucleus (hereinafter referred to as core particle (A)), the surface of which is coated with a metal oxide colloidal particle (B) (hereinafter referred to as coating material (B)), and the surface of which is modified with an amphiphilic surface treatment agent.

上記核粒子(A)は、公知の方法、例えば、イオン交換法、解膠法、加水分解法、反応法により製造することができる。イオン交換法の例としては、Tiの酸性塩を水素型イオン交換樹脂で処理する方法、または、その塩基性塩を水酸基型陰イオン交換樹脂で処理する方法が挙げられる。解膠法の例としては、上記Tiの酸性塩を塩基で中和する方法、または、その塩基性塩を酸で中和させることによって得られるゲルを洗浄した後、酸または塩基で解膠する方法が挙げられる。加水分解法の例としては、Tiのアルコキシドを加水分解する方法、またはその塩基性塩を加熱下加水分解した後、不要の酸を除去する方法が挙げられる。反応法の例としては、Tiの粉末と酸とを反応させる方法が挙げられる。The core particles (A) can be produced by known methods, such as ion exchange, peptization, hydrolysis, and reaction. Examples of ion exchange include a method of treating an acidic salt of Ti with a hydrogen-type ion exchange resin, or a method of treating a basic salt of Ti with a hydroxide-type anion exchange resin. Examples of peptization include a method of neutralizing the acidic salt of Ti with a base, or a method of washing the gel obtained by neutralizing the basic salt with an acid and then peptizing it with an acid or base. Examples of hydrolysis include a method of hydrolyzing an alkoxide of Ti, or a method of hydrolyzing the basic salt under heating and then removing unnecessary acid. Examples of reaction methods include a method of reacting Ti powder with an acid.

上記核粒子(A)は、本発明の効果を損なわない範囲において、Ti以外の金属の酸化物を含んでもよい。このような金属酸化物としては、例えば、Al、Fe、Cu、Zn、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Ba、Hf、Ta、W、Pb、BiおよびCeからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物を挙げることができる。これらの金属の酸化物の中では、酸化スズ(SnO2)が好ましい。 The core particles (A) may contain an oxide of a metal other than Ti, as long as the effect of the present invention is not impaired. Examples of such metal oxides include oxides of at least one metal selected from the group consisting of Al, Fe, Cu, Zn, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, In, Sn, Sb, Ba, Hf, Ta, W, Pb, Bi, and Ce. Among these metal oxides, tin oxide ( SnO2 ) is preferred.

核粒子(A)におけるTi以外の金属の酸化物の含有量(金属酸化物換算値)は、得られる薄膜の屈折率および透明性を考慮すると、金属酸化物中25質量%以下が好ましく、20質量%以下がより好ましい。下限は特に限定されるものでなく、0質量%であってもよいが、ルチル型構造の酸化チタンの得やすさを考慮すると、0.1質量%以上が好ましく、5質量%以上がより好ましい。The content (metal oxide equivalent value) of metal oxides other than Ti in the core particles (A) is preferably 25% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, in the metal oxide, taking into consideration the refractive index and transparency of the resulting thin film. The lower limit is not particularly limited and may be 0% by mass, but taking into consideration the ease of obtaining titanium oxide with a rutile structure, it is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more.

なお、核粒子(A)は、例えば、国際公開第2013/081136号に記載の方法に従って合成することができる。The core particle (A) can be synthesized, for example, according to the method described in International Publication No. 2013/081136.

被覆物(B)は、金属酸化物コロイド粒子であるが、金属酸化物として酸化チタン(TiO2)を含まない点において上記核粒子(A)と異なるものである。ただし、この場合における「酸化チタン(TiO2)を含まない」とは、例えば、不純物として含まれ得る酸化チタンの存在をも否定するものではない。
被覆物(B)に用いられる金属酸化物は、Si、Al、Sn、Zr、Mo、SbおよびWからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物のコロイド粒子であることが好ましい。上記被覆物(B)は、金属酸化物の形態として、例えば、SiO2、Al23、SnO2、ZrO2、MoO3、Sb25、WO3等を例示することができる。そして、これらの金属酸化物は単独で用いることも組み合わせて用いることもできる。組み合わせる方法としては、上記金属酸化物を数種類混合する方法や、上記金属酸化物を複合化させる方法、または上記金属酸化物を原子レベルで固溶体化する方法が挙げられる。
The coating material (B) is a metal oxide colloid particle, but differs from the core particle (A) in that it does not contain titanium oxide ( TiO2 ) as a metal oxide. However, in this case, "not containing titanium oxide ( TiO2 )" does not deny the presence of titanium oxide that may be contained as an impurity, for example.
The metal oxide used in the coating (B) is preferably a colloidal particle of at least one metal oxide selected from the group consisting of Si, Al, Sn, Zr, Mo, Sb and W. The coating (B) may be, for example, in the form of a metal oxide, such as SiO 2 , Al 2 O 3 , SnO 2 , ZrO 2 , MoO 3 , Sb 2 O 5 , WO 3 and the like. These metal oxides may be used alone or in combination. Examples of the combination method include a method of mixing several kinds of the above metal oxides, a method of compounding the above metal oxides, or a method of forming a solid solution of the above metal oxides at the atomic level.

例えば、SnO2粒子とWO3粒子とがその界面で化学的な結合を生じて複合化されたSnO2-WO3複合コロイド粒子、SnO2粒子とSiO2粒子とがその界面で化学的な結合を生じて複合化されたSnO2-SiO2複合コロイド粒子、SnO2粒子とWO3粒子とSiO2粒子とがその界面で化学的な結合を生じて複合化されたSnO2-WO3-SiO2複合コロイド粒子、SnO2粒子とMoO3粒子とSiO2粒子とがその界面で化学的な結合を生じて複合化されたSnO2-MoO3-SiO2複合コロイド粒子、Sb25粒子とSiO2粒子とがその界面で化学的な結合を生じて複合化されたSb25-SiO2複合コロイド粒子が挙げられる。 For example, there may be mentioned SnO 2 -WO 3 composite colloid particles in which SnO 2 particles and WO 3 particles are composited by chemical bonding at their interfaces, SnO 2 -SiO 2 composite colloid particles in which SnO 2 particles and SiO 2 particles are composited by chemical bonding at their interfaces, SnO 2 -WO 3 -SiO 2 composite colloid particles in which SnO 2 particles, WO 3 particles, and SiO 2 particles are composited by chemical bonding at their interfaces, SnO 2 -MoO 3 -SiO 2 composite colloid particles in which SnO 2 particles, MoO 3 particles, and SiO 2 particles are composited by chemical bonding at their interfaces, and Sb 2 O 5 -SiO 2 composite colloid particles in which Sb 2 O 5 particles and SiO 2 particles are composited by chemical bonding at their interfaces.

被覆物(B)として複数種の金属酸化物を含むコロイド粒子を使用する場合、含有する金属酸化物の割合(質量比)は特に制限されるものではないが、例えば、SnO2-SiO2複合コロイド粒子では、SiO2/SnO2の質量比は0.1~5が好ましく、Sb25-SiO2複合コロイド粒子では、Sb25/SiO2の質量比は0.1~5が好ましい。 When colloidal particles containing multiple types of metal oxides are used as the coating material (B), the proportions (mass ratios) of the metal oxides contained are not particularly limited. For example, in the case of SnO2 -SiO2 composite colloidal particles, the mass ratio of SiO2 / SnO2 is preferably 0.1 to 5, and in the case of Sb2O5 - SiO2 composite colloidal particles, the mass ratio of Sb2O5 / SiO2 is preferably 0.1 to 5.

被覆物(B)は、公知の方法、例えば、イオン交換法、酸化法により製造することができる。イオン交換法の例としては、上記金属の酸性塩を水素型イオン交換樹脂で処理する方法で処理する方法が挙げられる。酸化法の例としては、上記金属または上記金属の酸化物の粉末と過酸化水素とを反応させる方法が挙げられる。The coating (B) can be produced by known methods, such as the ion exchange method and the oxidation method. An example of the ion exchange method is a method in which an acid salt of the above metal is treated with a hydrogen ion exchange resin. An example of the oxidation method is a method in which a powder of the above metal or an oxide of the above metal is reacted with hydrogen peroxide.

変性コロイド粒子(C)は、上記核粒子(A)と上記被覆物(B)とを適宜な割合で混合し、所定時間加熱することにより得ることができる。核粒子(A)と上記被覆物(B)との混合比は、(B)/(A)で表される質量比(金属酸化物換算値)で0.05~0.5とすることが好ましい。
核粒子(A)と上記被覆物(B)とを混合する際の加熱温度は、通常1~100℃であり、20~60℃が好ましい。そして、混合後の加熱温度は、70~350℃が好ましく、70~150℃がより好ましい。また、混合後の加熱時間は、通常10分間~5時間であり、30分間~4時間が好ましい。
The modified colloidal particles (C) can be obtained by mixing the core particles (A) and the coating material (B) in an appropriate ratio and heating for a predetermined time. The mixing ratio of the core particles (A) to the coating material (B) is preferably 0.05 to 0.5 in terms of mass ratio (B)/(A) (metal oxide equivalent).
The heating temperature when mixing the core particles (A) and the coating material (B) is usually 1 to 100° C., and preferably 20 to 60° C. The heating temperature after mixing is preferably 70 to 350° C., and more preferably 70 to 150° C. The heating time after mixing is usually 10 minutes to 5 hours, and preferably 30 minutes to 4 hours.

変性コロイド粒子(C)は、通常、水分散液として調製することができ、当該水分散液は、例えば、国際公開第2017/170275号に記載されている第1および第2の方法に従って調製することができる。The modified colloidal particles (C) can usually be prepared as an aqueous dispersion, and the aqueous dispersion can be prepared, for example, according to the first and second methods described in WO 2017/170275.

変性コロイド粒子(C)の水分散液は、本発明の効果を損なわない範囲で、他の任意成分を含有してもよい。特に、オキシカルボン酸類を含有させることにより、変性コロイド粒子(C)の分散性等の性能を更に向上させることができる。上記オキシカルボン酸としては、例えば、乳酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸、リンゴ酸およびグリコール酸等が挙げられる。上記オキシカルボン酸類の含有量は、変性コロイド粒子(C)の全金属酸化物に対して、約30質量%以下とすることが好ましい。The aqueous dispersion of the modified colloidal particles (C) may contain other optional components as long as the effects of the present invention are not impaired. In particular, by adding oxycarboxylic acids, the performance of the modified colloidal particles (C), such as dispersibility, can be further improved. Examples of the oxycarboxylic acids include lactic acid, tartaric acid, citric acid, gluconic acid, malic acid, and glycolic acid. The content of the oxycarboxylic acids is preferably about 30% by mass or less based on the total metal oxides of the modified colloidal particles (C).

また、変性コロイド粒子(C)の分散液は、アルカリ成分を含有してもよい。上記アルカリ成分としては、例えば、Li、Na、K、Rb、Cs等のアルカリ金属水酸化物;アンモニア、エチルアミン、イソプロピルアミン、n-プロピルアミン、n-ブチルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ-n-ブチルアミン、ジイソブチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリアミルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-オクチルアミン、ジメチルプロピルアミン、ジメチルブチルアミン、ジメチルヘキシルアミン等の1~3級アルキルアミン;ベンジルアミン、ジメチルベンジルアミン等のアラルキルアミン;ピペリジン等の脂環式アミン;モノエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩を挙げることができる。これらは1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記アルカリ成分の含有量は、変性コロイド粒子(C)の全金属酸化物に対して、約30質量%以下とすることが好ましい。また、これらのアルカリ成分は、上記オキシカルボン酸と併用することができる。 The dispersion of modified colloidal particles (C) may also contain an alkaline component. Examples of the alkaline component include alkali metal hydroxides such as Li, Na, K, Rb, and Cs; primary to tertiary alkylamines such as ammonia, ethylamine, isopropylamine, n-propylamine, n-butylamine, diethylamine, di-n-propylamine, diisopropylamine, di-n-butylamine, diisobutylamine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, triisobutylamine, triamylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-octylamine, dimethylpropylamine, dimethylbutylamine, and dimethylhexylamine; aralkylamines such as benzylamine and dimethylbenzylamine; alicyclic amines such as piperidine; alkanolamines such as monoethanolamine and triethanolamine; and quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and tetrapropylammonium hydroxide. These may be used alone or in combination of two or more. The content of the alkaline component is preferably about 30% by mass or less based on the total metal oxides in the modified colloidal particles (C). Moreover, these alkaline components can be used in combination with the oxycarboxylic acid.

変性コロイド粒子(C)の水分散液の濃度を更に高めたいときは、最大約65質量%まで常法により濃縮することができる。その方法としては、例えば、蒸発法、限外ろ過法が挙げられる。また、この水分散液のpHを調整したいときには、上記アルカリ金属水酸化物、アミン、第4級アンモニウム塩、オキシカルボン酸等を加えればよい。
本発明において、上記変性コロイド粒子(C)の溶媒分散液の全金属酸化物濃度は、10~60質量%が好ましく、20~50質量%がより好ましい。
When the concentration of the aqueous dispersion of the modified colloidal particles (C) is to be further increased, it can be concentrated to a maximum of about 65% by mass by a conventional method. Examples of the method include evaporation and ultrafiltration. When the pH of the aqueous dispersion is to be adjusted, the above-mentioned alkali metal hydroxide, amine, quaternary ammonium salt, oxycarboxylic acid, etc. can be added.
In the present invention, the total metal oxide concentration in the solvent dispersion of the modified colloidal particles (C) is preferably from 10 to 60% by mass, more preferably from 20 to 50% by mass.

変性コロイド粒子(C)の水分散液は、その水媒体を親水性有機溶媒で置換することにより有機溶媒分散液が得られる。この置換は、蒸留法、限外ろ過法等の通常の方法により行うことができる。上記親水性有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、1-プロパノール等の低級アルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類、ジメチルホルムアミド、N,N’-ジメチルアセトアミド等の直鎖アミド類、N-メチル-2-ピロリドン等の環状アミド類、エチルセロソルブ、エチレングリコール等のグリコール類が挙げられる。The aqueous dispersion of the modified colloidal particles (C) is obtained by replacing the aqueous medium with a hydrophilic organic solvent to obtain an organic solvent dispersion. This replacement can be carried out by a conventional method such as distillation or ultrafiltration. Examples of the hydrophilic organic solvent include lower alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, and 1-propanol, ethers such as propylene glycol monomethyl ether, linear amides such as dimethylformamide and N,N'-dimethylacetamide, cyclic amides such as N-methyl-2-pyrrolidone, and glycols such as ethyl cellosolve and ethylene glycol.

表面修飾コロイド粒子(D)は、好ましくは変性コロイド粒子(C)の表面が両親媒性の表面処理剤で表面修飾されたものであり、より好ましくは変性コロイド粒子(C)の表面が親水性基としてポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基またはポリオキシブチレン基から選択される1種以上を有し、疎水性基として炭素数1~18のアルキレン基またはビニレン基から選択される1種以上を有する両親媒性の表面処理剤で表面修飾されたものであり、さらに好ましくは変性コロイド粒子(C)の表面に親水性基としてポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基またはポリオキシブチレン基から選択される1種以上を有し、疎水性基として炭素数1~18のアルキレン基またはビニレン基から選択される1種以上を有する両親媒性の有機ケイ素化合物が結合したものである。The surface-modified colloid particles (D) are preferably modified colloid particles (C) whose surfaces have been surface-modified with an amphiphilic surface treatment agent, more preferably modified colloid particles (C) whose surfaces have been surface-modified with an amphiphilic surface treatment agent having one or more hydrophilic groups selected from polyoxyethylene groups, polyoxypropylene groups, and polyoxybutylene groups, and one or more hydrophobic groups selected from alkylene groups or vinylene groups having 1 to 18 carbon atoms, and even more preferably modified colloid particles (C) whose surfaces have been surface-modified with an amphiphilic organosilicon compound having one or more hydrophilic groups selected from polyoxyethylene groups, polyoxypropylene groups, and polyoxybutylene groups, and one or more hydrophobic groups selected from alkylene groups or vinylene groups having 1 to 18 carbon atoms, bonded thereto.

上記表面修飾酸化チタン含有粒子の別の好ましい態様としては、例えば、上記核粒子(A)の表面が両親媒性の表面処理剤で表面修飾されたコロイド粒子を挙げることができる。Another preferred embodiment of the surface-modified titanium oxide-containing particles is, for example, a colloidal particle in which the surface of the core particle (A) is surface-modified with an amphiphilic surface treatment agent.

表面処理剤としては、粒子のワニス中での分散性を向上させることを考慮すると、両親媒性の表面処理剤が好ましい。本発明において、両親媒性の表面処理剤としては、例えば、有機ケイ素化合物、チタネートカップリング剤、アルミネートカップリング剤およびリン系界面活性剤を好適に用いることができ、有機ケイ素化合物がより好ましい。さらに、これらの中でも、親水性基としてポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基またはポリオキシブチレン基から選択される1種以上を有し、疎水性基として炭素数1~18のアルキレン基またはビニレン基から選択される1種以上を有する両親媒性の表面処理剤がより好ましい。As the surface treatment agent, an amphiphilic surface treatment agent is preferred in consideration of improving the dispersibility of the particles in the varnish. In the present invention, for example, an organosilicon compound, a titanate coupling agent, an aluminate coupling agent, and a phosphorus-based surfactant can be suitably used as the amphiphilic surface treatment agent, and an organosilicon compound is more preferred. Furthermore, among these, an amphiphilic surface treatment agent having one or more hydrophilic groups selected from a polyoxyethylene group, a polyoxypropylene group, or a polyoxybutylene group, and having one or more hydrophobic groups selected from an alkylene group or a vinylene group having 1 to 18 carbon atoms is more preferred.

上記親水性基であるポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基またはポリオキシブチレン基は、両親媒性の有機ケイ素化合物1分子中に3~40モル含まれるものであることが好ましい。It is preferable that the above-mentioned hydrophilic groups, i.e., polyoxyethylene groups, polyoxypropylene groups or polyoxybutylene groups, are contained in an amount of 3 to 40 moles per molecule of the amphiphilic organosilicon compound.

炭素数1~18のアルキレン基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基、シクロプロピレン基、n-ブチレン基、イソブチレン基、s-ブチレン基、t-ブチレン基、シクロブチレン基、1-メチル-シクロプロピレン基、2-メチル-シクロプロピレン基、n-ペンチレン基、1-メチル-n-ブチレン基、2-メチル-n-ブチレン基、3-メチル-n-ブチレン基、1,1-ジメチル-n-プロピレン基、1,2-ジメチル-n-プロピレン基、2,2-ジメチル-n-プロピレン基、1-エチル-n-プロピレン基、シクロペンチレン基、1-メチル-シクロブチレン基、2-メチル-シクロブチレン基、3-メチル-シクロブチレン基、1,2-ジメチル-シクロプロピレン基、2,3-ジメチル-シクロプロピレン基、1-エチル-シクロプロピレン基、2-エチル-シクロプロピレン基、n-ヘキシレン基、1-メチル-n-ペンチレン基、2-メチル-n-ペンチレン基、3-メチル-n-ペンチレン基、4-メチル-n-ペンチレン基、1,1-ジメチル-n-ブチレン基、1,2-ジメチル-n-ブチレン基、1,3-ジメチル-n-ブチレン基、2,2-ジメチル-n-ブチレン基、2,3-ジメチル-n-ブチレン基、3,3-ジメチル-n-ブチレン基、1-エチル-n-ブチレン基、2-エチル-n-ブチレン基、1,1,2-トリメチル-n-プロピレン基、1,2,2-トリメチル-n-プロピレン基、1-エチル-1-メチル-n-プロピレン基、1-エチル-2-メチル-n-プロピレン基、n-へプチレン基、n-オクチレン基、n-ノニレン基、シクロヘキシレン基、1-メチル-シクロペンチレン基、2-メチル-シクロペンチレン基、3-メチル-シクロペンチレン基、1-エチル-シクロブチレン基、2-エチル-シクロブチレン基、3-エチル-シクロブチレン基、1,2-ジメチル-シクロブチレン基、1,3-ジメチル-シクロブチレン基、2,2-ジメチル-シクロブチレン基、2,3-ジメチル-シクロブチレン基、2,4-ジメチル-シクロブチレン基、3,3-ジメチル-シクロブチレン基、1-n-プロピル-シクロプロピレン基、2-n-プロピル-シクロプロピレン基、1-イソプロピル-シクロプロピレン基、2-イソプロピル-シクロプロピレン基、1,2,2-トリメチル-シクロプロピレン基、1,2,3-トリメチル-シクロプロピレン基、2,2,3-トリメチル-シクロプロピレン基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピレン基および2-エチル-3-メチル-シクロプロピレン基が挙げられる。The alkylene group having 1 to 18 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic, and examples thereof include methylene, ethylene, n-propylene, isopropylene, cyclopropylene, n-butylene, isobutylene, s-butylene, t-butylene, cyclobutylene, 1-methylcyclopropylene, 2-methylcyclopropylene, n-pentylene, 1-methyl-n-butylene, 2-methyl-n-butylene, 3-methyl-n-butylene, 1,1-dimethyl-n-propylene, 1,2-dimethyl-n-propylene, 2,2-dimethyl-n-propylene, 1-ethyl-n-propylene, cyclopentylene, 1-methyl cyclobutylene, 2-methylcyclobutylene, 3-methylcyclobutylene, 1,2-dimethylcyclopropylene, 2,3-dimethylcyclopropylene, 1-ethylcyclopropylene, 2-ethylcyclopropylene, n-hexylene, 1-methyl-n-pentylene, 2-methyl-n-pentylene, 3-methyl-n-pentylene, 4-methyl-n-pentylene, 1,1-dimethyl-n-butylene, 1,2-dimethyl-n-butylene, 1,3-dimethyl-n-butylene, 2,2-dimethyl-n-butylene, 2,3-dimethyl-n-butylene, 3,3-dimethyl-n-butylene, 1-ethyl-n -butylene group, 2-ethyl-n-butylene group, 1,1,2-trimethyl-n-propylene group, 1,2,2-trimethyl-n-propylene group, 1-ethyl-1-methyl-n-propylene group, 1-ethyl-2-methyl-n-propylene group, n-heptylene group, n-octylene group, n-nonylene group, cyclohexylene group, 1-methyl-cyclopentylene group, 2-methyl-cyclopentylene group, 3-methyl-cyclopentylene group, 1-ethyl-cyclobutylene group, 2-ethyl-cyclobutylene group, 3-ethyl-cyclobutylene group, 1,2-dimethyl-cyclobutylene group, 1,3-dimethyl-cyclobutylene group, 2,2-dimethyl-cyclobutylene group, 2, Examples of such cyclopropylene groups include 3-dimethyl-cyclobutylene, 2,4-dimethyl-cyclobutylene, 3,3-dimethyl-cyclobutylene, 1-n-propyl-cyclopropylene, 2-n-propyl-cyclopropylene, 1-isopropyl-cyclopropylene, 2-isopropyl-cyclopropylene, 1,2,2-trimethyl-cyclopropylene, 1,2,3-trimethyl-cyclopropylene, 2,2,3-trimethyl-cyclopropylene, 1-ethyl-2-methyl-cyclopropylene, 2-ethyl-1-methyl-cyclopropylene, 2-ethyl-2-methyl-cyclopropylene and 2-ethyl-3-methyl-cyclopropylene groups.

両親媒性の有機ケイ素化合物としては、例えば、メトキシトリエチレンオキシプロピルトリメトキシシラン、メトキシトリエチレンオキシオクチルトリメトキシシラン、メトキシトリエチレンオキシプロピルトリエトキシシラン、メトキシトリエチレンオキシプロピルトリプロポキシシラン、メトキシトリエチレンオキシプロピルトリアセトキシシラン、メトキシトリプロピレンオキシプロピルトリメトキシシラン、メトキシトリプロピレンオキシオクチルトリメトキシシラン、メトキシトリプロピレンオキシプロピルトリエトキシシラン、メトキシトリプロピレンオキシプロピルトリプロポキシシラン、メトキシトリプロピレンオキシプロピルトリアセトキシシラン、メトキシトリブチレンオキシプロピルトリメトキシシラン、メトキシトリブチレンオキシオクチルトリメトキシシラン、メトキシトリブチレンオキシプロピルトリエトキシシラン、メトキシトリブチレンオキシプロピルトリプロポキシシラン、メトキシトリブチレンオキシプロピルトリアセトキシシラン、メトキシトリエチレンプロピルジメトキシメチルシラン、メトキシトリプロピレンオキシジメトキシメチルシラン、メトキシトリブチレンオキシジメトキシメチルシラン、メトキシトリエチレンプロピルジエトキシメチルシラン、メトキシトリプロピレンオキシジエトキシメチルシラン、メトキシトリブチレンオキシジエトキシメチルシラン、メトキシトリエチレンプロピルジメチルメトキシシラン、メトキシトリプロピレンプロピルジメチルメトキシシラン、メトキシトリブチレンプロピルジメチルメトキシシラン、メトキシトリエチレンプロピルジメチルエトキシシラン、メトキシトリプロピレンプロピルジメチルエトキシシラン、メトキシトリブチレンプロピルジメチルエトキシシラン、ビス-(メトキシトリエチレンプロピル)ジメトキシシラン、ビス-(メトキシトリプロピレンプロピル)ジメトキシシラン、ビス-(メトキシトリブチレンプロピル)ジメトキシシラン、[メトキシ(ポリエチレンオキシ)nプロピル]トリメトキシシラン、[メトキシ(ポリエチレンオキシ)nプロピル]トリエトキシシラン、[メトキシ(ポリエチレンオキシ)nプロピル]トリプロポキシシラン、[メトキシ(ポリエチレンオキシ)nプロピル]トリアセトキシシラン、[メトキシ(ポリプロピレンオキシ)nプロピル]トリメトキシシラン、[メトキシ(ポリプロピレンオキシ)nプロピル]トリエトキシシラン、[メトキシ(ポリプロピレンオキシ)nプロピル]トリプロポキシシラン、「メトキシ(ポリプロピレンオキシ)nプロピル」トリアセトキシシラン、[メトキシ(ポリブチレンオキシ)nプロピル]トリメトキシシラン、[メトキシ(ポリブチレンオキシ)nプロピル]トリプロポキシシラン、[メトキシ(ポリブチレンオキシ)nプロピル]トリアセトキシシラン、[メトキシ(ポリエチレンオキシ)nプロピル]ジメトキシメチルシラン、[メトキシ(ポリエチレンオキシ)nプロピル]ジエトキシメチルシラン、[メトキシ(ポリエチレンオキシ)nプロピル]ジプロポキシメチルシラン、[メトキシ(ポリエチレンオキシ)nプロピル]ジアセトキシメチルシラン、[メトキシ(ポリプロピレンオキシ)nプロピル]ジメトキシメチルシラン、[メトキシ(ポリプロピレンオキシ)nプロピル]ジエトキシメチルシラン、[メトキシ(ポリプロピレンオキシ)nプロピル]ジプロポキシメチルシラン、[メトキシ(ポリプロピレンオキシ)nプロピル]ジアセトキシメチルシラン、[メトキシ(ポリブチレンオキシ)nプロピル]ジメトキシメチルシラン、[メトキシ(ポリブチレンオキシ)nプロピル]ジエトキシメチルシラン、[メトキシ(ポリブチレンオキシ)nプロピル]ジプロポキシメチルシラン、[メトキシ(ポリブチレンオキシ)nプロピル]ジアセトキシメチルシランが挙げられる。Examples of amphiphilic organosilicon compounds include methoxytriethyleneoxypropyl trimethoxysilane, methoxytriethyleneoxyoctyl trimethoxysilane, methoxytriethyleneoxypropyl triethoxysilane, methoxytriethyleneoxypropyl tripropoxysilane, methoxytriethyleneoxypropyl triacetoxysilane, methoxytripropyleneoxypropyl trimethoxysilane, methoxytripropyleneoxyoctyl trimethoxysilane, methoxytripropyleneoxypropyl triethoxysilane, methoxytripropyleneoxypropyl tripropoxysilane, methoxytripropyleneoxypropyl triacetoxysilane, methoxytributyleneoxypropyl trimethoxysilane, methoxytributyleneoxyoctyl trimethoxysilane, methoxytributyleneoxypropyl triethoxysilane, methoxytributyleneoxypropyl tripropoxysilane, methoxytripropyleneoxypropyl triacetoxysilane, methoxytributyleneoxypropyl trimethoxysilane, methoxytributyleneoxyoctyl trimethoxysilane, methoxytributyleneoxypropyl triethoxysilane, methoxytributyleneoxypropyl tripropoxy Silane, methoxytribuyleneoxypropyl triacetoxysilane, methoxytriethylenepropyl dimethoxymethylsilane, methoxytripropyleneoxydimethoxymethylsilane, methoxytribuyleneoxydimethoxymethylsilane, methoxytriethylenepropyl diethoxymethylsilane, methoxytripropyleneoxydiethoxymethylsilane, methoxytribuyleneoxydiethoxymethylsilane, methoxytriethylenepropyl dimethyl methoxysilane, methoxytripropylenepropyl dimethyl methoxysilane, methoxytribuylenepropyl dimethyl methoxysilane, methoxytriethylenepropyl dimethyl ethoxysilane, methoxytripropylenepropyl dimethyl ethoxysilane, methoxytribuylenepropyl dimethyl ethoxysilane, bis-(methoxytriethylenepropyl)dimethoxysilane, bis-(methoxytripropylenepropyl)dimethoxysilane, bis- (Methoxytributylenepropyl)dimethoxysilane, [methoxy(polyethyleneoxy)npropyl]trimethoxysilane, [methoxy(polyethyleneoxy)npropyl]triethoxysilane, [methoxy(polyethyleneoxy)npropyl]tripropoxysilane, [methoxy(polyethyleneoxy)npropyl]triacetoxysilane, [methoxy(polypropyleneoxy)npropyl]trimethoxysilane, [methoxy(polypropyleneoxy)npropyl]triethoxysilane, [methoxy(polypropyleneoxy)npropyl]tripropoxysilane, "methoxy(polypropyleneoxy)npropyl"triacetoxysilane, [methoxy(polybutyleneoxy)npropyl]trimethoxysilane, [methoxy(polybutyleneoxy)npropyl]tripropoxysilane, [methoxy(polybutyleneoxy)npropyl]triacetoxysilane, [methoxy(polyethyleneoxy)npropyl propyl]dimethoxymethylsilane, [methoxy(polyethyleneoxy)n propyl]diethoxymethylsilane, [methoxy(polyethyleneoxy)n propyl]dipropoxymethylsilane, [methoxy(polyethyleneoxy)n propyl]diacetoxymethylsilane, [methoxy(polypropyleneoxy)n propyl]dimethoxymethylsilane, [methoxy(polypropyleneoxy)n propyl]diethoxymethylsilane, [methoxy(polypropyleneoxy)n propyl]dipropoxymethylsilane, [methoxy(polypropyleneoxy)n propyl]diacetoxymethylsilane, [methoxy(polybutyleneoxy)n propyl]dimethoxymethylsilane, [methoxy(polybutyleneoxy)n propyl]diethoxymethylsilane, [methoxy(polybutyleneoxy)n propyl]dipropoxymethylsilane, [methoxy(polybutyleneoxy)n propyl]diacetoxymethylsilane.

両親媒性のチタネートカップリング剤および両親媒性のアルミネートカップリング剤の具体例としては、味の素ファインテクノ(株)製のプレンアクト等が、両親媒性のリン系界面活性剤の具体例としては、ビックケミー社製のDisperbyk、東邦化学工業(株)製のフォスファノール等がそれぞれ挙げられるが、これらに限定されない。 Specific examples of amphiphilic titanate coupling agents and amphiphilic aluminate coupling agents include PLENACT manufactured by Ajinomoto Fine-Techno Co., Ltd., and specific examples of amphiphilic phosphorus-based surfactants include Disperbyk manufactured by BYK-Chemie and Phosphanol manufactured by Toho Chemical Industry Co., Ltd., but are not limited to these.

変性コロイド粒子(C)の表面への両親媒性の表面修飾剤の結合量は、変性コロイド粒子(C)の全金属酸化物に対して0.1~30質量%が好ましく、1~15質量%が好ましく、1~10質量%がより一層好ましい。The amount of amphiphilic surface modifier bound to the surface of the modified colloidal particles (C) is preferably 0.1 to 30 mass %, more preferably 1 to 15 mass %, and even more preferably 1 to 10 mass %, relative to the total metal oxide of the modified colloidal particles (C).

本発明において、例えば、表面修飾コロイド粒子(D)は、変性コロイド粒子(C)の水分散液または親水性有機溶媒分散液に上記両親媒性の表面修飾剤であって加水分解性基を有するものを所定量添加し、希塩酸等の触媒により該表面修飾剤を加水分解させて、変性コロイド粒子(C)の表面に結合させることにより得ることができる。In the present invention, for example, the surface-modified colloid particles (D) can be obtained by adding a predetermined amount of the above-mentioned amphiphilic surface modifier having a hydrolyzable group to an aqueous dispersion or a hydrophilic organic solvent dispersion of the modified colloid particles (C), hydrolyzing the surface modifier with a catalyst such as dilute hydrochloric acid, and bonding it to the surface of the modified colloid particles (C).

本発明の表面修飾酸化チタン含有粒子の水分散液または親水性有機溶媒分散液は、更に疎水性有機溶媒へ置換することができる。この置換方法は、蒸留法、限外ろ過法等の通常の方法により行なうことができる。疎水性溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等の環状ケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類が挙げられる。The aqueous dispersion or hydrophilic organic solvent dispersion of the surface-modified titanium oxide-containing particles of the present invention can be further replaced with a hydrophobic organic solvent. This replacement method can be performed by a conventional method such as distillation or ultrafiltration. Examples of hydrophobic solvents include ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, cyclic ketones such as cyclopentanone and cyclohexanone, and esters such as ethyl acetate and butyl acetate.

本発明の表面修飾酸化チタン含有粒子の有機溶媒分散液は、本発明の効果を損なわない範囲において、他の任意成分を含有してもよい。特に、リン酸、リン酸誘導体、リン酸系界面活性剤、オキシカルボン酸等を含有させることにより、表面修飾酸化チタン含有粒子の分散性等を更に向上させることができる。リン酸系誘導体としては、フェニルホスホン酸およびその金属塩が挙げられる。リン酸系界面活性剤としては、Disperbyk(ビックケミー社製)、フォスファノール(東邦化学工業(株)製)、ニッコール(日光ケミカルズ(株)製)等が挙げられる。オキシカルボン酸としては、乳酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸、リンゴ酸、グリコール酸等が挙げられる。これら任意成分の含有量は、表面修飾酸化チタン含有粒子の全金属酸化物に対して、約30質量%以下とすることが好ましい。The organic solvent dispersion of the surface-modified titanium oxide-containing particles of the present invention may contain other optional components within a range that does not impair the effects of the present invention. In particular, by adding phosphoric acid, phosphoric acid derivatives, phosphoric acid surfactants, oxycarboxylic acids, etc., the dispersibility of the surface-modified titanium oxide-containing particles can be further improved. Examples of phosphoric acid derivatives include phenylphosphonic acid and its metal salts. Examples of phosphoric acid surfactants include Disperbyk (manufactured by BYK-Chemie), Phosphanol (manufactured by Toho Chemical Industry Co., Ltd.), and Nikkol (manufactured by Nikko Chemicals Co., Ltd.). Examples of oxycarboxylic acids include lactic acid, tartaric acid, citric acid, gluconic acid, malic acid, and glycolic acid. The content of these optional components is preferably about 30% by mass or less based on the total metal oxide of the surface-modified titanium oxide-containing particles.

上記表面修飾酸化チタン含有粒子の有機溶媒分散液の全金属酸化物濃度は、表面修飾酸化チタン含有粒子の分散安定性を考慮すると、10~60質量%が好ましく、30~50質量%がより好ましい。The total metal oxide concentration of the organic solvent dispersion of the above surface-modified titanium oxide-containing particles is preferably 10 to 60 mass%, more preferably 30 to 50 mass%, taking into consideration the dispersion stability of the surface-modified titanium oxide-containing particles.

核粒子(A)、被覆物(B)、変性コロイド粒子(C)および表面修飾コロイド粒子(D)の一次粒子径は、分散安定性、得られる薄膜の屈折率および透明性を考慮すると、以下の範囲とすることが好ましい。
核粒子(A)の一次粒子径は、1~60nmが好ましく、2~30nmが好ましく、2~20nmがより一層好ましい。
被覆物(B)の一次粒子径は、5nm以下が好ましく、1~5nmがより好ましく、1~4nmがより一層好ましい。
変性コロイド粒子(C)の一次粒子径は、2~100nmが好ましい。
表面修飾コロイド粒子(D)の一次粒子径は、2~100nmが好ましく、5~50nmがより好ましく、5~20nmがより一層好ましい。
本発明において、上記の一次粒子径は、透過型電子顕微鏡観察によって測定することができる。
The primary particle diameters of the core particles (A), the coating material (B), the modified colloidal particles (C) and the surface-modified colloidal particles (D) are preferably within the following ranges, taking into consideration the dispersion stability, and the refractive index and transparency of the resulting thin film.
The primary particle size of the core particles (A) is preferably from 1 to 60 nm, more preferably from 2 to 30 nm, and even more preferably from 2 to 20 nm.
The primary particle size of the coating (B) is preferably 5 nm or less, more preferably 1 to 5 nm, and even more preferably 1 to 4 nm.
The primary particle size of the modified colloidal particles (C) is preferably from 2 to 100 nm.
The primary particle size of the surface-modified colloidal particles (D) is preferably from 2 to 100 nm, more preferably from 5 to 50 nm, and even more preferably from 5 to 20 nm.
In the present invention, the primary particle size can be measured by observation using a transmission electron microscope.

本発明の電荷輸送性ワニスに含まれる表面修飾酸化チタン含有粒子は、ワニス中に均一に分散していることが好ましい。It is preferable that the surface-modified titanium oxide-containing particles contained in the charge-transporting varnish of the present invention are uniformly dispersed in the varnish.

本発明の電荷輸送性ワニスにおいて、表面修飾酸化チタン含有粒子の含有量は、特に限定されるものではないが、電荷輸送性物中での粒子の凝集を抑制する、再現性よく平坦性に優れた薄膜を得る等の観点から、固形分中30~65質量%が好ましく、40~60質量%がより好ましく、50~60質量%が最も好ましい。In the charge-transporting varnish of the present invention, the content of the surface-modified titanium oxide-containing particles is not particularly limited, but from the viewpoints of suppressing particle aggregation in the charge-transporting material and obtaining a thin film with good reproducibility and excellent flatness, it is preferably 30 to 65 mass % of the solid content, more preferably 40 to 60 mass %, and most preferably 50 to 60 mass %.

本発明の電荷輸送性ワニスは、有機溶媒を含む。このような有機溶媒としては、本発明の電荷輸送性ワニスに用いられる有機溶媒以外の成分を分散または溶解するものであれば特に限定されるものではない。その具体例としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロロベンゼン等の芳香族またはハロゲン化芳香族炭化水素溶媒;n-ヘプタン、n-ヘキサン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素類;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2-ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒;酢酸エチル、酢酸ノルマルヘキシル、乳酸エチル、γ-ブチロラクトン、プロピレンカーボネート、マロン酸ジイソプロピル等のエステル系溶媒;塩化メチレン、ジクロロメタン、1,2-ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素溶媒;N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等のアミド系溶媒;メタノール、エタノール、イソプロパノール、n-プロパノール、シクロヘキサノール、ジアセトンアルコール、2-ベンゾオキシエタノール等のアルコール系溶媒;エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテル系溶媒;エチレングリコール、プロピレングリコール、へキシレングリコール、1,3-オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、1,3-ブタンジオール、2,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール等のグリコール系溶媒などの中から適宜選択して用いればよい。
なお、これらの有機溶媒は、それぞれ単独で、または2種以上混合して用いることができる。
The charge-transporting varnish of the present invention contains an organic solvent. There are no particular limitations on the organic solvent as long as it disperses or dissolves components other than the organic solvent used in the charge-transporting varnish of the present invention. Specific examples of such solvents include aromatic or halogenated aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, and chlorobenzene; aliphatic hydrocarbons such as n-heptane, n-hexane, and cyclohexane; ether solvents such as diethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, and 1,2-dimethoxyethane; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; ester solvents such as ethyl acetate, normal hexyl acetate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, propylene carbonate, and diisopropyl malonate; halogenated hydrocarbon solvents such as methylene chloride, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, and chloroform; amide solvents such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone; alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropanol, n-propanol, cyclohexanol, diacetone alcohol, and 2-benzooxyethanol; The solvent may be appropriately selected from glycol ether solvents such as glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol diglycidyl ether, propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether, and propylene glycol monomethyl ether acetate; and glycol solvents such as ethylene glycol, propylene glycol, hexylene glycol, 1,3-octylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol, 1,3-butanediol, 2,3-butanediol, and 1,4-butanediol.
These organic solvents may be used alone or in combination of two or more.

本発明の電荷輸送性ワニスには、溶媒として水も含まれ得るが、水の含有量は、耐久性に優れる有機EL素子を再現性よく得る観点から、溶媒全体の10質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましく、溶媒として有機溶媒のみを用いることが最適である。なお、この場合における「有機溶媒のみ」とは、溶媒として用いるものが有機溶媒だけであることを意味し、使用する有機溶媒や固形分等に微量に含まれる「水」の存在までをも否定するものではない。The charge transport varnish of the present invention may contain water as a solvent, but from the viewpoint of reproducibly obtaining an organic EL element having excellent durability, the water content is preferably 10% by mass or less of the total solvent, more preferably 5% by mass or less, and it is optimal to use only an organic solvent as the solvent. In this case, "only organic solvent" means that only an organic solvent is used as the solvent, and does not deny the presence of "water" contained in trace amounts in the organic solvent or solid content used.

本発明の電荷輸送性ワニスは、有機EL素子の正孔注入層として用いた場合において低駆動電圧を実現する観点等から、ヘテロポリ酸を含有することが好ましい。ヘテロポリ酸とは、代表的に式(A)で示されるKeggin型あるいは式(B)で示されるDawson型の化学構造で示される、ヘテロ原子が分子の中心に位置する構造を有し、バナジウム(V)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)等の酸素酸であるイソポリ酸と、異種元素の酸素酸とが縮合してなるポリ酸である。このような異種元素の酸素酸としては、主にケイ素(Si)、リン(P)、ヒ素(As)の酸素酸が挙げられる。The charge transport varnish of the present invention preferably contains a heteropolyacid from the viewpoint of realizing a low driving voltage when used as a hole injection layer of an organic EL element. A heteropolyacid is a polyacid formed by condensing an isopolyacid, which is an oxyacid of vanadium (V), molybdenum (Mo), tungsten (W), etc., with an oxyacid of a different element, and has a structure in which a heteroatom is located at the center of the molecule, typically represented by a Keggin type chemical structure represented by formula (A) or a Dawson type chemical structure represented by formula (B). Such oxyacids of different elements mainly include oxyacids of silicon (Si), phosphorus (P), and arsenic (As).

Figure 0007497724000007
Figure 0007497724000007

ヘテロポリ酸の具体例としては、リンモリブデン酸、ケイモリブデン酸、リンタングステン酸、ケイタングステン酸、リンタングストモリブデン酸等が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、2種以上組み合わせて用いてもよい。なお、本発明で用いるヘテロポリ酸は、市販品として入手可能であり、また、公知の方法により合成することもできる。
特に、1種類のヘテロポリ酸のみを含む場合、その1種類のヘテロポリ酸は、タングステンを含むことが好ましい。すなわち、リンタングステン酸、ケイタングステン酸、リンタングストモリブデン酸等が好ましく、リンタングステン酸、ケイタングステン酸がより好ましい。
Specific examples of heteropolyacids include phosphomolybdic acid, silicomolybdic acid, phosphotungstic acid, silicotungstic acid, phosphotungstomolybdic acid, etc., which may be used alone or in combination of two or more. The heteropolyacids used in the present invention are commercially available, or may be synthesized by known methods.
In particular, when only one type of heteropolyacid is contained, the one type of heteropolyacid preferably contains tungsten, i.e., phosphotungstic acid, silicotungstic acid, phosphotungstomolybdic acid, etc. are preferred, and phosphotungstic acid and silicotungstic acid are more preferred.

なお、ヘテロポリ酸は、元素分析等の定量分析において、一般式で示される構造から元素の数が多くまたは少ないものであっても、それが市販品として入手し、あるいは、公知の合成方法に従い適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。
すなわち、例えば、一般的には、リンタングステン酸は化学式H3(PW1240)・nH2Oで示されるが、定量分析において、この式中のP(リン)、O(酸素)またはW(タングステン)の数が多く、または少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは、公知の合成方法に従い適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。この場合、本発明に規定されるヘテロポリ酸の質量とは、合成物や市販品中における純粋なリンタングステン酸の質量(リンタングステン酸含量)ではなく、市販品として入手可能な形態および公知の合成法にて単離可能な形態において、水和水やその他の不純物等を含んだ状態での全質量を意味する。
In addition, even if a heteropolyacid has a large or small number of elements in the structure represented by the general formula in a quantitative analysis such as elemental analysis, it can be used in the present invention as long as it is available as a commercial product or appropriately synthesized according to a known synthesis method.
That is, for example, phosphotungstic acid is generally represented by the chemical formula H3 ( PW12O40 ) nH2O , but even if the number of P (phosphorus), O (oxygen) or W (tungsten) in this formula is large or small in quantitative analysis, it can be used in the present invention as long as it is obtained as a commercial product or appropriately synthesized according to a known synthesis method. In this case, the mass of the heteropolyacid specified in the present invention does not mean the mass of pure phosphotungstic acid (phosphotungstic acid content) in a synthesized product or a commercial product, but the total mass including water of hydration and other impurities in a form available as a commercial product or in a form that can be isolated by a known synthesis method.

本発明の電荷輸送性ワニスが、ヘテロポリ酸を含む場合、その含有量は、質量比で電荷輸送性物質1に対して1.0~11.0程度、好ましくは1.1~10.0程度、より好ましくは1.2~9.5程度、より一層好ましくは1.3~9.0程度、さらに好ましくは1.4~8.5程度とすることで、有機EL素子に用いた場合に高輝度を与える電荷輸送性薄膜を再現性よく得ることができる。When the charge-transporting varnish of the present invention contains a heteropolyacid, the content thereof is set to a mass ratio of about 1.0 to 11.0 per 1 unit of charge-transporting substance, preferably about 1.1 to 10.0, more preferably about 1.2 to 9.5, even more preferably about 1.3 to 9.0, and even more preferably about 1.4 to 8.5, so that a charge-transporting thin film that provides high brightness when used in an organic EL element can be reproducibly obtained.

本発明の電荷輸送性ワニスでは、得られる薄膜の用途に応じ、その電荷輸送能の向上等を目的としてドーパント物質を含んでいてもよい。ドーパント物質としては、ワニスに使用する少なくとも一種の溶媒に溶解するものであれば特に限定されず、無機系のドーパント物質、有機系のドーパント物質のいずれも使用できる。The charge-transporting varnish of the present invention may contain a dopant substance for the purpose of improving the charge transporting ability, etc., depending on the application of the thin film obtained. There are no particular limitations on the dopant substance, so long as it dissolves in at least one solvent used in the varnish, and both inorganic and organic dopant substances can be used.

無機系のドーパント物質としては、塩化水素、硫酸、硝酸、リン酸等の無機強酸;塩化アルミニウム(III)(AlCl3)、四塩化チタン(IV)(TiCl4)、三臭化ホウ素(BBr3)、三フッ化ホウ素エーテル錯体(BF3・OEt2)、塩化鉄(III)(FeCl3)、塩化銅(II)(CuCl2)、五塩化アンチモン(V)(SbCl5)、五フッ化砒素(V)(AsF5)、五フッ化リン(PF5)等の金属ハロゲン化物、Cl2、Br2、I2、ICl、ICl3、IBr、IF4等のハロゲンなどが挙げられる。 Inorganic dopant substances include strong inorganic acids such as hydrogen chloride, sulfuric acid, nitric acid, and phosphoric acid; metal halides such as aluminum (III) chloride ( AlCl3 ), titanium (IV) tetrachloride ( TiCl4 ), boron tribromide ( BBr3 ), boron trifluoride ether complex ( BF3.OEt2 ), iron (III) chloride ( FeCl3 ), copper (II) chloride ( CuCl2 ), antimony (V) pentachloride ( SbCl5 ), arsenic (V) pentafluoride ( AsF5 ), and phosphorus pentafluoride ( PF5 ); and halogens such as Cl2 , Br2 , I2 , ICl, ICl3 , IBr, and IF4 .

また、有機系のドーパント物質としては、7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン(TCNQ)、2,5-ジフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン等のテトラシアノキノジメタン類;テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)、テトラクロロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン、2-フルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン、2-クロロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン、2,5-ジフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン、2,5-ジクロロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン等のハロテトラシアノキノジメタン(ハロTCNQ)類;テトラクロロ-1,4-ベンゾキノン(クロラニル)、2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノ-1,4-ベンゾキノン(DDQ)等のベンゾキノン誘導体;ベンゼンスルホン酸、トシル酸、p-スチレンスルホン酸、2-ナフタレンスルホン酸、4-ヒドロキシベンゼンスルホン酸、5-スルホサリチル酸、p-ドデシルベンゼンスルホン酸、ジヘキシルベンゼンスルホン酸、2,5-ジヘキシルベンゼンスルホン酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、6,7-ジブチル-2-ナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスルホン酸、3-ドデシル-2-ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、4-ヘキシル-1-ナフタレンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、2-オクチル-1-ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、7-へキシル-1-ナフタレンスルホン酸、6-ヘキシル-2-ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、2,7-ジノニル-4-ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンジスルホン酸、2,7-ジノニル-4,5-ナフタレンジスルホン酸、国際公開第2005/000832号記載の1,4-ベンゾジオキサンジスルホン酸誘導体、国際公開第2006/025342号記載のアリールスルホン酸誘導体、特開2005-108828号公報記載のジノニルナフタレンスルホン酸誘導体等のアリールスルホン酸化合物や、ポリスチレンスルホン酸等の芳香族スルホン化合物;10-カンファースルホン酸等の非芳香族スルホン化合物などが挙げられる。
これら無機系および有機系のドーパント物質は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上組み合わせて用いてもよい。
In addition, examples of organic dopant substances include tetracyanoquinodimethanes such as 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (TCNQ) and 2,5-difluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane; tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ), tetrachloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2-fluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2-chloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,5-difluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, halotetracyanoquinodimethanes (haloTCNQs) such as quinodimethane and 2,5-dichloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane; benzoquinone derivatives such as tetrachloro-1,4-benzoquinone (chloranil) and 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone (DDQ); benzenesulfonic acid, tosylic acid, p-styrenesulfonic acid, 2-naphthalenesulfonic acid, 4-hydroxybenzenesulfonic acid, 5-sulfosalicylic acid, p-dodecylbenzenesulfonic acid, dihexylbenzenesulfonic acid, 2,5-dihexylbenzenesulfonic acid, xylbenzenesulfonic acid, dibutylnaphthalenesulfonic acid, 6,7-dibutyl-2-naphthalenesulfonic acid, dodecylnaphthalenesulfonic acid, 3-dodecyl-2-naphthalenesulfonic acid, hexylnaphthalenesulfonic acid, 4-hexyl-1-naphthalenesulfonic acid, octylnaphthalenesulfonic acid, 2-octyl-1-naphthalenesulfonic acid, hexylnaphthalenesulfonic acid, 7-hexyl-1-naphthalenesulfonic acid, 6-hexyl-2-naphthalenesulfonic acid, dinonylnaphthalenesulfonic acid, 2,7-dinonyl-4-naphthalenesulfonic acid Examples of the sulfonic acid include aryl sulfonic acid compounds such as phthalenesulfonic acid, dinonylnaphthalene disulfonic acid, 2,7-dinonyl-4,5-naphthalene disulfonic acid, 1,4-benzodioxane disulfonic acid derivatives described in WO 2005/000832, aryl sulfonic acid derivatives described in WO 2006/025342, and dinonylnaphthalenesulfonic acid derivatives described in JP-A 2005-108828; aromatic sulfone compounds such as polystyrene sulfonic acid; and non-aromatic sulfone compounds such as 10-camphorsulfonic acid.
These inorganic and organic dopant substances may be used alone or in combination of two or more.

本発明におけるドーパント物質として好ましいアリールスルホン酸化合物の例としては、式(H1)または(H2)で表されるアリールスルホン酸化合物が挙げられる。Examples of arylsulfonic acid compounds preferred as dopant substances in the present invention include arylsulfonic acid compounds represented by formula (H1) or (H2).

Figure 0007497724000008
Figure 0007497724000008

1は、OまたはSを表すが、Oが好ましい。
2は、ナフタレン環またはアントラセン環を表すが、ナフタレン環が好ましい。
3は、2~4価のパーフルオロビフェニル基を表し、sは、A1とA3との結合数を示し、2≦s≦4を満たす整数であるが、A3がパーフルオロビフェニルジイル基、好ましくはパーフルオロビフェニル-4,4’-ジイル基であり、かつ、sが2であることが好ましい。
qは、A2に結合するスルホン酸基数を表し、1≦q≦4を満たす整数であるが、2が最適である。
A 1 represents O or S, with O being preferred.
A2 represents a naphthalene ring or an anthracene ring, with a naphthalene ring being preferred.
A3 represents a divalent to tetravalent perfluorobiphenyl group, s represents the number of bonds between A1 and A3 and is an integer satisfying 2≦s≦4, but it is preferable that A3 is a perfluorobiphenyldiyl group, preferably a perfluorobiphenyl-4,4′-diyl group, and s is 2.
q represents the number of sulfonic acid groups bonded to A2 and is an integer satisfying 1≦q≦4, with 2 being optimal.

4~A8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のハロゲン化アルキル基、または炭素数2~20のハロゲン化アルケニル基を表すが、A4~A8のうち少なくとも3つは、ハロゲン原子である。 A 4 to A 8 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, provided that at least three of A 4 to A 8 are halogen atoms.

炭素数1~20のハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、1,1,2,2,2-ペンタフルオロエチル基、3,3,3-トリフルオロプロピル基、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3,3-ヘプタフルオロプロピル基、4,4,4-トリフルオロブチル基、3,3,4,4,4-ペンタフルオロブチル基、2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,4-ノナフルオロブチル基等が挙げられる。Examples of halogenated alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms include trifluoromethyl, 2,2,2-trifluoroethyl, 1,1,2,2,2-pentafluoroethyl, 3,3,3-trifluoropropyl, 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl, 1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropyl, 4,4,4-trifluorobutyl, 3,3,4,4,4-pentafluorobutyl, 2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl, and 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutyl.

炭素数2~20のハロゲン化アルケニル基としては、パーフルオロビニル基、パーフルオロプロペニル基(アリル基)、パーフルオロブテニル基等が挙げられる。
その他、ハロゲン原子、炭素数1~20のアルキル基の例としては上記と同様のものが挙げられるが、ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
Examples of the halogenated alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms include a perfluorovinyl group, a perfluoropropenyl group (allyl group), and a perfluorobutenyl group.
Other examples of the halogen atom and the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include those similar to those mentioned above, with the halogen atom being preferably a fluorine atom.

これらの中でも、A4~A8は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のハロゲン化アルキル基、または炭素数2~10のハロゲン化アルケニル基であり、かつ、A4~A8のうち少なくとも3つは、フッ素原子であることが好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のフッ化アルキル基、または炭素数2~5のフッ化アルケニル基であり、かつ、A4~A8のうち少なくとも3つはフッ素原子であることがより好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数1~5のパーフルオロアルキル基、または炭素数1~5のパーフルオロアルケニル基であり、かつ、A4、A5およびA8がフッ素原子であることがより一層好ましい。
なお、パーフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基であり、パーフルオロアルケニル基とは、アルケニル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基である。
Among these, it is preferable that A 4 to A 8 are a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a halogenated alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, and at least three of A 4 to A 8 are fluorine atoms, and it is more preferable that A 4 to A 8 are a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkenyl group having 2 to 5 carbon atoms, and at least three of A 4 to A 8 are fluorine atoms, and it is even more preferable that A 4 , A 5 and A 8 are fluorine atoms.
The perfluoroalkyl group is an alkyl group in which all hydrogen atoms have been substituted with fluorine atoms, and the perfluoroalkenyl group is an alkenyl group in which all hydrogen atoms have been substituted with fluorine atoms.

rは、ナフタレン環に結合するスルホン酸基数を表し、1≦r≦4を満たす整数であるが、2~4が好ましく、2が最適である。 r represents the number of sulfonic acid groups bonded to the naphthalene ring and is an integer satisfying 1≦r≦4, with 2 to 4 being preferred and 2 being optimal.

ドーパント物質として有機化合物を用いる場合、その分子量は、有機溶媒への溶解性を考慮すると、好ましくは3,000以下、より好ましくは2,500以下である。
特に、ドーパント物質として用いるアリールスルホン酸化合物の分子量は、特に限定されるものではないが、有機溶媒への溶解性を考慮すると、好ましくは2,000以下、より好ましくは1,500以下である。
When an organic compound is used as a dopant substance, the molecular weight thereof is preferably 3,000 or less, more preferably 2,500 or less, taking into consideration the solubility in organic solvents.
In particular, the molecular weight of the arylsulfonic acid compound used as the dopant material is not particularly limited, but is preferably 2,000 or less, more preferably 1,500 or less, taking into consideration the solubility in organic solvents.

本発明において、好適に用いることができるアリールスルホン酸化合物の例としては、以下の化合物が挙げられるが、これらに限定されない。Examples of arylsulfonic acid compounds that can be suitably used in the present invention include, but are not limited to, the following compounds:

Figure 0007497724000009
Figure 0007497724000009

本発明の電荷輸送性ワニスが、ドーパント物質を含む場合、その含有量は、電荷輸送性物質の種類や量等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、質量比で、電荷輸送性物質1に対して0.1~10程度である。When the charge-transporting varnish of the present invention contains a dopant substance, its content is appropriately set taking into consideration the type and amount of the charge-transporting substance, but is usually about 0.1 to 10 parts by mass per 1 part of the charge-transporting substance.

本発明の電荷輸送性ワニスでは、ポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体の分散性や溶解性を向上させる等の目的で、アミン化合物を含んでもよい。
このようなアミン化合物は、ワニスに使用する少なくとも一種の溶媒に溶解するものであれば特に限定されず、1種単独であっても、2種以上であってもよい。
The charge transporting varnish of the present invention may contain an amine compound for the purpose of improving the dispersibility or solubility of the polythiophene derivative or its amine adduct.
Such an amine compound is not particularly limited as long as it is soluble in at least one solvent used in the varnish, and one type may be used alone, or two or more types may be used.

一級アミン化合物の具体例としては、メチルアミン、エチルアミン、n-プロピルアミン、イソプロピルアミン、n-ブチルアミン、イソブチルアミン、s-ブチルアミン、t-ブチルアミン、n-ペンチルアミン、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、2-エチルヘキシルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン、n-ウンデシルアミン、n-ドデシルアミン、n-トリデシルアミン、n-テトラデシルアミン、n-ペンタデシルアミン、n-ヘキサデシルアミン、n-ヘプタデシルアミン、n-オクタデシルアミン、n-ノナデシルアミン、n-エイコサニルアミン等のモノアルキルアミン化合物;アニリン、トリルアミン、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、1-アントリルアミン、2-アントリルアミン、9-アントリルアミン、1-フェナントリルアミン、2-フェナントリルアミン、3-フェナントリルアミン、4-フェナントリルアミン、9-フェナントリルアミン等のモノアリールアミン化合物等が挙げられる。 Specific examples of primary amine compounds include methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine, isobutylamine, s-butylamine, t-butylamine, n-pentylamine, n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, 2-ethylhexylamine, n-nonylamine, n-decylamine, n-undecylamine, n-dodecylamine, n-tridecylamine, n-tetradecylamine, n-pentadecylamine, and n-hexadecylamine. Examples of monoalkylamine compounds include decylamine, n-heptadecylamine, n-octadecylamine, n-nonadecylamine, and n-eicosanylamine; and monoarylamine compounds such as aniline, tolylamine, 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, 1-anthrylamine, 2-anthrylamine, 9-anthrylamine, 1-phenanthrylamine, 2-phenanthrylamine, 3-phenanthrylamine, 4-phenanthrylamine, and 9-phenanthrylamine.

二級アミン化合物の具体例としては、N-エチルメチルアミン、N-メチル-n-プロピルアミン、N-メチルイソプロピルアミン、N-メチル-n-ブチルアミン、N-メチル-s-ブチルアミン、N-メチル-t-ブチルアミン、N-メチルイソブチルアミン、ジエチルアミン、N-エチル-n-プロピルアミン、N-エチルイソプロピルアミン、N-エチル-n-ブチルアミン、N-エチル-s-ブチルアミン、N-エチル-t-ブチルアミン、ジプロピルアミン、N-n-プロピルイソプロピルアミン、N-n-プロピル-n-ブチルアミン、N-n-ブロピル-s-ブチルアミン、ジイソプロピルアミン、N-n-ブチルイソプロピルアミン、N-t-ブチルイソプロピルアミン、ジ(n-ブチル)アミン、ジ(s-ブチル)アミン、ジイソブチルアミン、アジリジン(エチレンイミン)、2-メチルアジリジン(プロピレンイミン)、2,2-ジメチルアジリジン、アゼチジン(トリメチレンイミン)、2-メチルアゼチジン、ピロリジン、2-メチルピロリジン、3-メチルピロリジン、2,5-ジメチルピロリジン、ピペリジン、2,6-ジメチルピペリジン、3,5-ジメチルピペリジン,2,2,6,6-テトラメチルピペリジン、ヘキサメチレンイミン、ヘプタメチレンイミン、オクタメチレンイミン等のジアルキルアミン化合物;ジフェニルアミン、N-フェニル-1-ナフチルアミン、N-フェニル-2-ナフチルアミン、1,1’-ジナフチルアミン、2,2’-ジナフチルアミン、1,2’-ジナフチルアミン、カルバゾール、7H-ベンゾ[c]カルバゾール、11H-ベンゾ[a]カルバゾール、7H-ジベンゾ[c,g]カルバゾール、13H-ジベンゾ[a,i]カルバゾール等のジアリールアミン化合物;N-メチルアニリン、N-エチルアニリン、N-n-プロピルアニリン、N-イソプロピルアニリン、N-n-ブチルアニリン、N-s-ブチルアニリン、N-イソブチルアニリン、N-メチル-1-ナフチルアミン、N-エチル-1-ナフチルアミン、N-n-プロピル-1-ナフチルアミン、インドリン、イソインドリン、1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、1,2,3,4-テトラヒドロイソキノリン等のアルキルアリールアミン化合物等が挙げられる。 Specific examples of secondary amine compounds include N-ethylmethylamine, N-methyl-n-propylamine, N-methylisopropylamine, N-methyl-n-butylamine, N-methyl-s-butylamine, N-methyl-t-butylamine, N-methylisobutylamine, diethylamine, N-ethyl-n-propylamine, N-ethylisopropylamine, N-ethyl-n-butylamine, N-ethyl-s-butylamine, N-ethyl-t-butylamine, dipropylamine, N-n-propylisopropylamine, and N-n-propyl N-n-butylamine, N-n-propyl-s-butylamine, diisopropylamine, N-n-butylisopropylamine, N-t-butylisopropylamine, di(n-butyl)amine, di(s-butyl)amine, diisobutylamine, aziridine (ethyleneimine), 2-methylaziridine (propyleneimine), 2,2-dimethylaziridine, azetidine (trimethyleneimine), 2-methylazetidine, pyrrolidine, 2-methylpyrrolidine, 3-methylpyrrolidine, 2,5-dimethylpyrrolidine, piperidine, 2,6-di Dialkylamine compounds such as methylpiperidine, 3,5-dimethylpiperidine, 2,2,6,6-tetramethylpiperidine, hexamethyleneimine, heptamethyleneimine, and octamethyleneimine; diphenylamine, N-phenyl-1-naphthylamine, N-phenyl-2-naphthylamine, 1,1'-dinaphthylamine, 2,2'-dinaphthylamine, 1,2'-dinaphthylamine, carbazole, 7H-benzo[c]carbazole, 11H-benzo[a]carbazole, 7H-dibenzo[c,g]carbazole, 13H-di Examples of the alkyl amine compounds include diarylamine compounds such as benzo[a,i]carbazole; and alkylarylamine compounds such as N-methylaniline, N-ethylaniline, N-n-propylaniline, N-isopropylaniline, N-n-butylaniline, N-s-butylaniline, N-isobutylaniline, N-methyl-1-naphthylamine, N-ethyl-1-naphthylamine, N-n-propyl-1-naphthylamine, indoline, isoindoline, 1,2,3,4-tetrahydroquinoline, and 1,2,3,4-tetrahydroisoquinoline.

三級アミン化合物の具体例としては、N,N-ジメチルエチルアミン、N,N-ジメチル-n-プロピルアミン、N,N-ジメチルイソプロピルアミン、N,N-ジメチル-n-ブチルアミン、N,N-ジメチル-s-ブチルアミン、N,N-ジメチル-t-ブチルアミン、N,N-ジメチルイソブチルアミン、N,N-ジエチルメチルアミン、N-メチルジ(n-プロピル)アミン、N-メチルジイソプロピルアミン、N-メチルジ(n-ブチル)アミン、N-メチルジイソブチルアミン、トリエチルアミン、N,N-ジエチル-n-ブチルアミン、N,N-ジイソプロピルエチルアミン、N,N-ジ(n-ブチル)エチルアミン、トリ(n-プロピル)アミン、トリ(i-プロピル)アミン、トリ(n-ブチル)アミン、トリ(i-ブチル)アミン、1-メチルアセチジン、1-メチルピロリジン、1-メチルピペリジン等のトリアルキルアミン化合物;トリフェニルアミン等のトリアリールアミン化合物;N-メチルジフェニルアミン、N-エチルジフェニルアミン、9-メチルカルバゾール、9-エチルカルバゾール等のアルキルジアリールアミン化合物;N,N-ジエチルアニリン、N,N-ジ(n-プロピル)アニリン、N,N-ジ(i-プロピル)アニリン、N,N-ジ(n-ブチル)アニリン等のジアルキルアリールアミン化合物等が挙げられる。 Specific examples of tertiary amine compounds include N,N-dimethylethylamine, N,N-dimethyl-n-propylamine, N,N-dimethylisopropylamine, N,N-dimethyl-n-butylamine, N,N-dimethyl-s-butylamine, N,N-dimethyl-t-butylamine, N,N-dimethylisobutylamine, N,N-diethylmethylamine, N-methyldi(n-propyl)amine, N-methyldiisopropylamine, N-methyldi(n-butyl)amine, N-methyldiisobutylamine, triethylamine, N,N-diethyl-n-butylamine, N,N-diisopropylethylamine, and N,N-di(n-butyl)ethylamine. trialkylamine compounds such as tri(n-propyl)amine, tri(i-propyl)amine, tri(n-butyl)amine, tri(i-butyl)amine, 1-methylacetidine, 1-methylpyrrolidine, and 1-methylpiperidine; triarylamine compounds such as triphenylamine; alkyldiarylamine compounds such as N-methyldiphenylamine, N-ethyldiphenylamine, 9-methylcarbazole, and 9-ethylcarbazole; and dialkylarylamine compounds such as N,N-diethylaniline, N,N-di(n-propyl)aniline, N,N-di(i-propyl)aniline, and N,N-di(n-butyl)aniline.

とりわけ、本発明の電荷輸送性ワニスがアミン化合物を含む場合、本発明で用いるポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体の分散性や溶解性を向上させる能力に優れることから、当該アミン化合物は、一級アミン化合物を含むことが好ましく、モノアルキルアミン、特に炭素数2以上20以下のモノアルキルアミンを含むことが好ましい。In particular, when the charge-transporting varnish of the present invention contains an amine compound, the amine compound has an excellent ability to improve the dispersibility and solubility of the polythiophene derivative or its amine adduct used in the present invention, and therefore it is preferable that the amine compound contains a primary amine compound, and it is preferable that the amine compound contains a monoalkylamine, particularly a monoalkylamine having 2 to 20 carbon atoms.

本発明の電荷輸送性ワニスがアミン化合物を含む場合、その含有量は、本発明で用いるポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体に対して、通常200質量%以下であり、当該アミン化合物による上記効果を得るためには50質量%以上が好ましい。When the charge-transporting varnish of the present invention contains an amine compound, the content thereof is usually 200% by mass or less relative to the polythiophene derivative or its amine adduct used in the present invention, and preferably 50% by mass or more in order to obtain the above-mentioned effects of the amine compound.

本発明の電荷輸送性ワニスは、公知の有機シラン化合物を含んでいてもよい。このような有機シラン化合物を電荷輸送性ワニスに含めることで、当該ワニスから得られる電荷輸送性薄膜を有機EL素子の正孔注入層として用いる場合にそれに接するように設けられる正孔輸送層への正孔注入性を向上させることができる。
有機シラン化合物としては、アルコキシシランが好ましく、トリアルコキシシランおよびテトラアルコキシシランがより好ましい。上記アルコキシシランとしては、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン等を挙げることができる。本発明では、これらの中でも、TEOS(テトラエトキシシラン)、テトラメトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、を好適に使用し得る。これらの有機シラン化合物は、1種単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。
The charge-transporting varnish of the present invention may contain a known organosilane compound. By including such an organosilane compound in the charge-transporting varnish, when the charge-transporting thin film obtained from the varnish is used as a hole-injection layer of an organic EL device, the hole-injection property into the hole-transporting layer provided in contact with the charge-transporting thin film can be improved.
As the organic silane compound, alkoxysilane is preferable, and trialkoxysilane and tetraalkoxysilane are more preferable. As the alkoxysilane, tetraethoxysilane, tetramethoxysilane, tetraisopropoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltrimethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, etc. can be mentioned. Among these, TEOS (tetraethoxysilane), tetramethoxysilane, and tetraisopropoxysilane can be preferably used in the present invention. These organic silane compounds can be used alone or in combination of two or more.

本発明の電荷輸送性ワニスが、有機シラン化合物を含む場合、その含有量は、固形分中、通常0.1~50質量%程度であるが、得られる薄膜の平坦性の向上や電荷輸送性の低下の抑制等のバランスを考慮すると、好ましくは0.5~40質量%程度、より好ましくは0.8~30質量%程度、より一層好ましくは1~20質量%程度である。When the charge-transporting varnish of the present invention contains an organic silane compound, its content is usually about 0.1 to 50 mass% of the solids, but taking into consideration the balance between improving the flatness of the resulting thin film and suppressing a decrease in charge transport properties, the content is preferably about 0.5 to 40 mass%, more preferably about 0.8 to 30 mass%, and even more preferably about 1 to 20 mass%.

本発明の電荷輸送性ワニスの粘度は、通常、25℃で1~50mPa・sであり、表面張力は、通常、25℃で20~50mN/mである。本発明の電荷輸送性ワニスの粘度と表面張力は、用いる塗布方法、所望の膜厚等の各種要素を考慮して、用いる有機溶媒の種類やそれらの比率、固形分濃度等を変更することで調整可能である。The viscosity of the charge-transporting varnish of the present invention is typically 1 to 50 mPa·s at 25° C., and the surface tension is typically 20 to 50 mN/m at 25° C. The viscosity and surface tension of the charge-transporting varnish of the present invention can be adjusted by changing the types of organic solvents used, their ratios, solids concentration, etc., taking into consideration various factors such as the coating method used and the desired film thickness.

また、本発明における電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度および表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常0.1~15質量%程度であり、ワニス中の電荷輸送性物質や表面修飾酸化チタン含有粒子の凝集を抑制する等の観点から、好ましくは10質量%以下、より好ましくは8質量%以下、より一層好ましくは6質量%以下である。In addition, the solids concentration of the charge-transporting varnish in the present invention is appropriately set taking into consideration the viscosity and surface tension of the varnish and the thickness of the thin film to be produced, but is usually about 0.1 to 15% by mass, and from the viewpoint of suppressing aggregation of the charge-transporting substance and surface-modified titanium oxide-containing particles in the varnish, it is preferably 10% by mass or less, more preferably 8% by mass or less, and even more preferably 6% by mass or less.

本発明の電荷輸送性ワニスは、電荷輸送性物質と、表面修飾酸化チタン含有粒子と、有機溶媒と、必要に応じて他の成分とを混合することで製造できる。その混合順序は特に限定されるものではないが、容易にかつ再現性よく、本発明の電荷輸送性ワニスを製造できる方法としては、例えば、電荷輸送性物質を有機溶媒に溶解し、その溶液に、予め準備した他の成分またはその溶液と表面修飾酸化チタン含有粒子の水分散液または有機溶媒分散液とを加える方法や、表面修飾酸化チタン含有粒子の水分散液または有機溶媒分散液に、予め準備した電荷輸送性物質の溶液と他の成分またはその溶液とを加える方法が挙げられる。この場合において、必要であれば、最後に更に有機溶媒を追加で加えたり、溶媒に比較的溶けやすい一部の成分を混合物中に含めないでそれを最後に加えたりしてもよいが、構成成分の凝集や分離を抑制し、均一性に優れる電荷輸送性ワニスを再現性よく調製する観点から、良好な分散状態の表面修飾酸化チタン含有粒子の水分散液または有機溶媒分散液およびその他の成分を含む混合物を各別に準備し、両者を混ぜ、その後に良く撹拌することが好ましい。なお、電荷輸送性物質や表面修飾酸化チタン含有粒子は、共に混ぜられる溶媒の種類や量によっては、混ぜられた際に凝集または沈殿する可能性がある点を留意する。また、上記表面修飾コロイド粒子(D)を用いてワニスを調製する場合、最終的に得られるワニス中の金属酸化物が所望の量となるように、表面修飾コロイド粒子(D)の濃度やその使用量を決める必要がある点も留意する。
ワニスの調製では、成分が分解したり変質したりしない範囲で、適宜加熱してもよい。
The charge transport varnish of the present invention can be produced by mixing a charge transporting material, surface-modified titanium oxide-containing particles, an organic solvent, and other components as necessary. The order of mixing is not particularly limited, but examples of a method for easily and reproducibly producing the charge transporting varnish of the present invention include a method of dissolving a charge transporting material in an organic solvent, and adding other components or their solutions prepared in advance and an aqueous dispersion or organic solvent dispersion of surface-modified titanium oxide-containing particles to the solution, and a method of adding a solution of a charge transporting material and other components or their solutions to an aqueous dispersion or organic solvent dispersion of surface-modified titanium oxide-containing particles. In this case, if necessary, an additional organic solvent may be added at the end, or some components that are relatively soluble in the solvent may be added at the end without being included in the mixture, but from the viewpoint of suppressing aggregation and separation of the components and reproducibly preparing a charge transporting varnish with excellent uniformity, it is preferable to separately prepare a mixture containing an aqueous dispersion or organic solvent dispersion of surface-modified titanium oxide-containing particles in a well-dispersed state and other components, mix the two, and then stir well. It should be noted that the charge transporting material and the surface-modified titanium oxide-containing particles may aggregate or precipitate when mixed depending on the type and amount of the solvent they are mixed in. It should also be noted that when preparing a varnish using the above-mentioned surface-modified colloidal particles (D), it is necessary to determine the concentration and amount of the surface-modified colloidal particles (D) used so that the metal oxide in the final varnish is in the desired amount.
In preparing the varnish, heating may be carried out appropriately within a range in which the components are not decomposed or deteriorated.

本発明においては、電荷輸送性ワニスは、より平坦性の高い薄膜を再現性よく得る目的で、ワニスを製造する途中段階でまたは全ての成分を混合した後に、サブマイクロメートルオーダーのフィルター等を用いてろ過してもよい。In the present invention, the charge-transporting varnish may be filtered using a sub-micrometer filter during the course of producing the varnish or after all of the components have been mixed, in order to reproducibly obtain a thin film with higher flatness.

以上で説明した電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して焼成することで、基材上に電荷輸送性薄膜を形成することができる。 By applying the charge-transporting varnish described above onto a substrate and baking it, a charge-transporting thin film can be formed on the substrate.

ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法、スリットコート法等が挙げられ、塗布方法に応じてワニスの粘度および表面張力を調節することが好ましい。 The method for applying the varnish is not particularly limited, and examples include dipping, spin coating, transfer printing, roll coating, brushing, inkjet, spraying, and slit coating. It is preferable to adjust the viscosity and surface tension of the varnish depending on the application method.

また、本発明の電荷輸送性ワニスを用いる場合、焼成雰囲気も特に限定されるものではなく、大気雰囲気だけでなく、窒素等の不活性ガスや真空中でも均一な成膜面および高い電荷輸送性を有する薄膜を得ることができる。焼成温度は、得られる薄膜の用途、得られる薄膜に付与する電荷輸送性の程度、溶媒の種類や沸点等を勘案して、100~260℃程度の範囲内で適宜設定されるものではあるが、得られる薄膜を有機EL素子の正孔注入層として用いる場合、140~250℃程度が好ましく、145~240℃程度がより好ましい。なお、焼成の際、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、2段階以上の温度変化をつけてもよく、加熱は、例えば、ホットプレートやオーブン等、適当な機器を用いて行えばよい。In addition, when the charge transport varnish of the present invention is used, the baking atmosphere is not particularly limited, and a thin film having a uniform film surface and high charge transportability can be obtained not only in the air atmosphere but also in an inert gas such as nitrogen or in a vacuum. The baking temperature is appropriately set within the range of about 100 to 260°C, taking into consideration the use of the obtained thin film, the degree of charge transportability to be imparted to the obtained thin film, the type and boiling point of the solvent, etc., but when the obtained thin film is used as a hole injection layer of an organic EL device, about 140 to 250°C is preferable, and about 145 to 240°C is more preferable. In addition, during baking, two or more stages of temperature change may be applied for the purpose of expressing a more uniform film formation property or proceeding with a reaction on the substrate, and heating may be performed using an appropriate device such as a hot plate or oven.

電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機EL素子の正孔注入層、正孔輸送層あるいは正孔注入輸送層として用いる場合、5~300nmが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。There are no particular limitations on the thickness of the charge transport thin film, but when used as a hole injection layer, hole transport layer, or hole injection transport layer of an organic EL element, a thickness of 5 to 300 nm is preferred. Methods for changing the film thickness include changing the solids concentration in the varnish or changing the amount of solution on the substrate during application.

以上説明した本発明の電荷輸送性薄膜は、400~800nmの波長領域の平均値で、通常、1.50以上の屈折率(n)と0.500以下の消衰係数(k)を示すが、ある態様においては1.60以上の屈折率(n)を、その他のある態様においては1.70以上の屈折率(n)を示し、更にその他のある態様においては1.75以上の屈折率(n)を示し、また、ある態様においては0.100以下の消衰係数(k)を、その他のある態様においては0.070以下の消衰係数(k)を、更にその他のある態様においては0.050以下の消衰係数(k)を示す。The charge transport thin film of the present invention described above typically exhibits a refractive index (n) of 1.50 or more and an extinction coefficient (k) of 0.500 or less, averaged over the wavelength region of 400 to 800 nm, but in some embodiments exhibits a refractive index (n) of 1.60 or more, in some other embodiments exhibits a refractive index (n) of 1.70 or more, and in some other embodiments exhibits a refractive index (n) of 1.75 or more, and in some embodiments exhibits an extinction coefficient (k) of 0.100 or less, in some other embodiments exhibits an extinction coefficient (k) of 0.070 or less, and in some other embodiments exhibits an extinction coefficient (k) of 0.050 or less.

本発明の有機EL素子は、一対の電極を有し、これら電極の間に、上述の本発明の電荷輸送性薄膜からなる電荷輸送層を有するものである。
有機EL素子の代表的な構成としては、以下(a)~(f)が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。なお、下記構成において、必要に応じて、発光層と陽極の間に電子ブロック層等を、発光層と陰極の間にホール(正孔)ブロック層等を設けることもできる。また、正孔注入層、正孔輸送層あるいは正孔注入輸送層が電子ブロック層等としての機能を兼ね備えていてもよく、電子注入層、電子輸送層あるいは電子注入輸送層がホール(正孔)ブロック層等としての機能を兼ね備えていてもよい。更に、必要に応じて各層の間に任意の機能層を設けることも可能である。
(a)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(b)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極
(c)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(d)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極
(e)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
(f)陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極
The organic EL element of the present invention has a pair of electrodes and a charge transport layer made of the above-mentioned charge transport thin film of the present invention between the electrodes.
Representative configurations of the organic EL element include, but are not limited to, the following (a) to (f). In the following configurations, an electron blocking layer or the like can be provided between the light-emitting layer and the anode, and a hole blocking layer or the like can be provided between the light-emitting layer and the cathode, if necessary. In addition, the hole injection layer, the hole transport layer, or the hole injection transport layer may also function as an electron blocking layer, etc., and the electron injection layer, the electron transport layer, or the electron injection transport layer may also function as a hole blocking layer, etc. Furthermore, an arbitrary functional layer can be provided between each layer, if necessary.
(a) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode (b) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron injection transport layer/cathode (c) anode/hole injection transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode (d) anode/hole injection transport layer/light emitting layer/electron injection transport layer/cathode (e) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode (f) anode/hole injection transport layer/light emitting layer/cathode

「正孔注入層」、「正孔輸送層」および「正孔注入輸送層」とは、発光層と陽極との間に形成される層であって、正孔を陽極から発光層へ輸送する機能を有するものであり、発光層と陽極の間に、正孔輸送性材料の層が1層のみ設けられる場合、それが「正孔注入輸送層」であり、発光層と陽極の間に、正孔輸送性材料の層が2層以上設けられる場合、陽極に近い層が「正孔注入層」であり、それ以外の層が「正孔輸送層」である。特に、正孔注入(輸送)層は、陽極からの正孔受容性だけでなく、正孔輸送(発光)層への正孔注入性にも優れる薄膜が用いられる。
「電子注入層」、「電子輸送層」および「電子注入輸送層」とは、発光層と陰極との間に形成される層であって、電子を陰極から発光層へ輸送する機能を有するものであり、発光層と陰極の間に、電子輸送性材料の層が1層のみ設けられる場合、それが「電子注入輸送層」であり、発光層と陰極の間に、電子輸送性材料の層が2層以上設けられる場合、陰極に近い層が「電子注入層」であり、それ以外の層が「電子輸送層」である。
「発光層」とは、発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントで生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
The "hole injection layer", "hole transport layer" and "hole injection transport layer" are layers formed between the light emitting layer and the anode, and have the function of transporting holes from the anode to the light emitting layer. When only one layer of a hole transport material is provided between the light emitting layer and the anode, it is the "hole injection transport layer". When two or more layers of a hole transport material are provided between the light emitting layer and the anode, the layer closest to the anode is the "hole injection layer" and the other layers are the "hole transport layers". In particular, for the hole injection (transport) layer, a thin film is used that is excellent not only in the ability to accept holes from the anode but also in the ability to inject holes into the hole transport (light emitting) layer.
The terms "electron injection layer", "electron transport layer" and "electron injection transport layer" refer to a layer formed between a light-emitting layer and a cathode, and having the function of transporting electrons from the cathode to the light-emitting layer. When only one layer of an electron transporting material is provided between the light-emitting layer and the cathode, it is the "electron injection transport layer". When two or more layers of an electron transporting material are provided between the light-emitting layer and the cathode, the layer closest to the cathode is the "electron injection layer" and the other layers are "electron transport layers".
The "light-emitting layer" is an organic layer having a light-emitting function, and contains a host material and a dopant material when a doping system is adopted. In this case, the host material mainly has a function of promoting the recombination of electrons and holes and confining the excitons in the light-emitting layer, and the dopant material has a function of efficiently emitting the excitons obtained by the recombination. In the case of a phosphorescent element, the host material mainly has a function of confining the excitons generated by the dopant in the light-emitting layer.

本発明の電荷輸送性ワニスから作製された電荷輸送性薄膜は、有機EL素子において、陽極と発光層との間に形成される機能層として用い得るが、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層として好適であり、正孔注入層、正孔輸送層としてより好適であり、正孔注入層としてより一層好適である。The charge transport thin film produced from the charge transport varnish of the present invention can be used as a functional layer formed between the anode and the light emitting layer in an organic EL element, but is suitable as a hole injection layer, a hole transport layer, or a hole injection transport layer, more suitable as a hole injection layer or a hole transport layer, and even more suitable as a hole injection layer.

本発明の電荷輸送性ワニスを用いてEL素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。 When producing an EL element using the charge transport varnish of the present invention, the materials used and the production method include, but are not limited to, the following:

本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有するOLED素子の作製方法の一例は、以下のとおりである。なお、電極は、電極に悪影響を与えない範囲で、アルコール、純水等による洗浄や、UVオゾン処理、酸素-プラズマ処理等による表面処理を予め行うことが好ましい。
陽極基板上に、上記の方法により、上記電荷輸送性ワニスを用いて正孔注入層を形成する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層/ホールブロック層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着する。あるいは、当該方法において蒸着で正孔輸送層と発光層を形成する代わりに、正孔輸送性高分子を含む正孔輸送層形成用組成物と発光性高分子を含む発光層形成用組成物を用いてウェットプロセスによってこれらの層を形成する。なお、必要に応じて、発光層と正孔輸送層との間に電子ブロック層を設けてよい。
An example of a method for producing an OLED element having a hole injection layer made of a thin film obtained from the charge transport varnish of the present invention is as follows. It is preferable to previously perform a surface treatment on the electrodes, such as cleaning with alcohol, pure water, or the like, or a UV ozone treatment or oxygen plasma treatment, within a range that does not adversely affect the electrodes.
A hole injection layer is formed on an anode substrate by the above-mentioned method using the charge transport varnish. This is introduced into a vacuum deposition apparatus, and a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer/hole blocking layer, an electron injection layer, and a cathode metal are sequentially deposited. Alternatively, instead of forming the hole transport layer and the light emitting layer by deposition in this method, these layers are formed by a wet process using a hole transport layer forming composition containing a hole transport polymer and a light emitting layer forming composition containing a light emitting polymer. If necessary, an electron blocking layer may be provided between the light emitting layer and the hole transport layer.

陽極材料としては、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)に代表される透明電極や、アルミニウムに代表される金属、またはこれらの合金等から構成される金属陽極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
なお、金属陽極を構成するその他の金属としては、金、銀、銅、インジウムやこれらの合金等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
Examples of anode materials include transparent electrodes such as indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), metals such as aluminum, and metal anodes made of alloys thereof, and it is preferable to use those that have been subjected to planarization treatment. Polythiophene derivatives and polyaniline derivatives having high charge transport properties can also be used.
Other metals constituting the metal anode include, but are not limited to, gold, silver, copper, indium, and alloys thereof.

正孔輸送層を形成する材料としては、(トリフェニルアミン)ダイマー誘導体、[(トリフェニルアミン)ダイマー]スピロダイマー、N,N’-ビス(ナフタレン-1-イル)-N,N’-ビス(フェニル)-ベンジジン(α-NPD)、4,4’,4”-トリス[3-メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(m-MTDATA)、4,4’,4”-トリス[1-ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(1-TNATA)等のトリアリールアミン類、5,5”-ビス-{4-[ビス(4-メチルフェニル)アミノ]フェニル}-2,2’:5’,2”-ターチオフェン(BMA-3T)等のオリゴチオフェン類などが挙げられる。Materials for forming the hole transport layer include triarylamines such as (triphenylamine) dimer derivatives, [(triphenylamine) dimer] spiro dimer, N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine (α-NPD), 4,4',4"-tris[3-methylphenyl(phenyl)amino]triphenylamine (m-MTDATA), and 4,4',4"-tris[1-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine (1-TNATA), and oligothiophenes such as 5,5"-bis-{4-[bis(4-methylphenyl)amino]phenyl}-2,2':5',2"-terthiophene (BMA-3T).

発光層を形成する材料としては、8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体等の金属錯体、10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、ビススチリルベンゼン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾールの金属錯体、シロール誘導体等の低分子発光材料;ポリ(p-フェニレンビニレン)、ポリ[2-メトキシ-5-(2-エチルヘキシルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン]、ポリ(3-アルキルチオフェン)、ポリビニルカルバゾール等の高分子化合物に発光材料と電子移動材料を混合した系等が挙げられるが、これらに限定されない。
また、蒸着で発光層を形成する場合、発光性ドーパントと共蒸着してもよく、発光性ドーパントとしては、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウム(III)(Ir(ppy)3)等の金属錯体や、ルブレン等のナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、ペリレン等の縮合多環芳香族環等が挙げられるが、これらに限定されない。
Examples of materials for forming the light-emitting layer include, but are not limited to, low-molecular-weight light-emitting materials such as metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline, metal complexes of 10-hydroxybenzo[h]quinoline, bisstyrylbenzene derivatives, bisstyrylarylene derivatives, metal complexes of (2-hydroxyphenyl)benzothiazole, and silole derivatives; and systems in which a light-emitting material and an electron transfer material are mixed into a polymer compound such as poly(p-phenylenevinylene), poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene], poly(3-alkylthiophene), or polyvinylcarbazole.
In addition, when forming a light-emitting layer by vapor deposition, it may be co-deposited with a light-emitting dopant. Examples of the light-emitting dopant include, but are not limited to, metal complexes such as tris(2-phenylpyridine)iridium(III) (Ir(ppy)), naphthacene derivatives such as rubrene, quinacridone derivatives, and condensed polycyclic aromatic rings such as perylene.

電子輸送層/ホールブロック層を形成する材料としては、オキシジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ピリミジン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されない。Materials for forming the electron transport layer/hole blocking layer include, but are not limited to, oxydiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, phenylquinoxaline derivatives, benzimidazole derivatives, pyrimidine derivatives, etc.

電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム(Li2O)、酸化マグネシウム(MgO)、アルミナ(Al23)等の金属酸化物、フッ化リチウム(LiF)、フッ化ナトリウム(NaF)の金属フッ化物等が挙げられるが、これらに限定されない。
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム-銀合金、アルミニウム-リチウム合金等が挙げられるが、これらに限定されない。
電子ブロック層を形成する材料としては、トリス(フェニルピラゾール)イリジウム等が挙げられるが、これに限定されない。
Materials for forming the electron injection layer include, but are not limited to, metal oxides such as lithium oxide ( Li2O ), magnesium oxide ( MgO ), and alumina ( Al2O3 ), and metal fluorides such as lithium fluoride (LiF) and sodium fluoride (NaF).
Cathode materials include, but are not limited to, aluminum, magnesium-silver alloy, aluminum-lithium alloy, and the like.
Examples of materials for forming the electron blocking layer include, but are not limited to, tris(phenylpyrazole)iridium.

正孔輸送性高分子としては、ポリ[(9,9-ジヘキシルフルオレニル-2,7-ジイル)-co-(N,N’-ビス{p-ブチルフェニル}-1,4-ジアミノフェニレン)]、ポリ[(9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル)-co-(N,N’-ビス{p-ブチルフェニル}-1,1’-ビフェニレン-4,4-ジアミン)]、ポリ[(9,9-ビス{1’-ペンテン-5’-イル}フルオレニル-2,7-ジイル)-co-(N,N’-ビス{p-ブチルフェニル}-1,4-ジアミノフェニレン)]、ポリ[N,N’-ビス(4-ブチルフェニル)-N,N’-ビス(フェニル)-ベンジジン]-エンドキャップド ウィズ ポリシルシスキノキサン、ポリ[(9,9-ジジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル)-co-(4,4’-(N-(p-ブチルフェニル))ジフェニルアミン)]等が挙げられる。Hole transport polymers include poly[(9,9-dihexylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl}-1,4-diaminophenylene)], poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl}-1,1'-biphenylene-4,4-diamine)], poly[(9,9-bis{1'-penten-5'-yl}fluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl}-1,4-diaminophenylene)], and poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine]-endcapped with Examples of the polysiloxane include poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(p-butylphenyl))diphenylamine)].

発光性高分子としては、ポリ(9,9-ジアルキルフルオレン)(PDAF)等のポリフルオレン誘導体、ポリ(2-メトキシ-5-(2’-エチルヘキソキシ)-1,4-フェニレンビニレン)(MEH-PPV)等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ(3-アルキルチオフェン)(PAT)等のポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVCz)等が挙げられる。Examples of luminescent polymers include polyfluorene derivatives such as poly(9,9-dialkylfluorene) (PDAF), polyphenylenevinylene derivatives such as poly(2-methoxy-5-(2'-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene) (MEH-PPV), polythiophene derivatives such as poly(3-alkylthiophene) (PAT), and polyvinylcarbazole (PVCz).

陽極と陰極およびこれらの間に形成される層を構成する材料は、ボトムエミッション構造、トップエミッション構造のいずれを備える素子を製造するかで異なるため、その点を考慮して、適宜材料選択する。
通常、ボトムエミッション構造の素子では、基板側に透明陽極が用いられ、基板側から光が取り出されるのに対し、トップエミッション構造の素子では、金属からなる反射陽極が用いられ、基板と反対方向にある透明電極(陰極)側から光が取り出されることから、例えば陽極材料について言えば、ボトムエミッション構造の素子を製造する際はITO等の透明陽極を、トップエミッション構造の素子を製造する際はAl/Nd等の反射陽極を、それぞれ用いる。
The materials constituting the anode, cathode and layers formed therebetween differ depending on whether an element having a bottom emission structure or a top emission structure is manufactured, and therefore, the materials are appropriately selected taking this into consideration.
Typically, in an element with a bottom emission structure, a transparent anode is used on the substrate side and light is extracted from the substrate side, whereas in an element with a top emission structure, a reflective anode made of metal is used and light is extracted from the transparent electrode (cathode) side opposite the substrate. Therefore, for example, in terms of anode material, when manufacturing an element with a bottom emission structure, a transparent anode such as ITO is used, and when manufacturing an element with a top emission structure, a reflective anode such as Al/Nd is used.

本発明の有機EL素子は、特性悪化を防ぐため、定法に従い、必要に応じて捕水剤などとともに封止してもよい。 In order to prevent deterioration of the characteristics of the organic EL element of the present invention, it may be sealed, if necessary, with a moisture scavenger or the like, in accordance with standard procedures.

本発明の電荷輸送性ワニスは、上述した通り有機EL素子の陽極と発光層との間に形成される機能層の形成に好適に用いられるが、その他にも有機光電変換素子、有機薄膜太陽電池、有機ペロブスカイト光電変換素子、有機集積回路、有機電界効果トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、有機発光トランジスタ、有機光学検査器、有機光受容器、有機電場消光素子、発光電子化学電池、量子ドット発光ダイオード、量子レーザー、有機レーザーダイオードおよび有機プラスモン発光素子等の電子素子における電荷輸送性薄膜の形成にも利用することができる。As described above, the charge transport varnish of the present invention is suitable for use in forming a functional layer formed between the anode and light-emitting layer of an organic EL element, but can also be used to form charge transport thin films in electronic elements such as organic photoelectric conversion elements, organic thin-film solar cells, organic perovskite photoelectric conversion elements, organic integrated circuits, organic field-effect transistors, organic thin-film transistors, organic light-emitting transistors, organic optical inspectors, organic photoreceptors, organic field quenching elements, light-emitting electrochemical cells, quantum dot light-emitting diodes, quantum lasers, organic laser diodes and organic plasmon light-emitting elements.

以下、実施例および比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、物性の測定方法および使用した装置は以下のとおりである。The present invention will be described in more detail below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples. The methods for measuring physical properties and the devices used are as follows.

[表面修飾酸化チタン含有粒子の物性の測定]
(1)水分量:カールフィッシャー滴定法にて求めた。
(2)一次粒子径:分散液を銅メッシュ上で乾燥させ、透過型電子顕微鏡にて観察し、100個の粒子径を測定し、その平均値を一次粒子径として求めた。
(3)比重:浮き秤法にて求めた(50℃)。
(4)粘度:オストワルド粘度計にて求めた(50℃)。
(5)動的光散乱法による粒子径:Malvern製、Zetasizer Nanoで測定して求めた。
(6)固形分濃度:600℃で焼成した際の残存固形物より求めた。
(7)有機シラン化合物の結合量:変性金属酸化物コロイド粒子に結合した有機シラン化合物の量は、元素分析により求めた。
装置:PerkinElmer製、SeriesII CHNS/O Analyzer 2400
[Measurement of physical properties of surface-modified titanium oxide-containing particles]
(1) Water content: Measured by Karl Fischer titration.
(2) Primary particle size: The dispersion was dried on a copper mesh and observed under a transmission electron microscope to measure the sizes of 100 particles, and the average value was calculated as the primary particle size.
(3) Specific gravity: Measured by a float balance method (50°C).
(4) Viscosity: Measured with an Ostwald viscometer (50° C.).
(5) Particle size measured by dynamic light scattering: measured using a Zetasizer Nano manufactured by Malvern.
(6) Solid content: Measured from the residual solid matter after firing at 600° C.
(7) Amount of organosilane compound bound: The amount of organosilane compound bound to the modified metal oxide colloidal particles was determined by elemental analysis.
Apparatus: PerkinElmer, Series II CHNS/O Analyzer 2400

[電荷輸送性ワニスの調製および評価]
(1)基板洗浄:長州産業(株)製、基板洗浄装置(減圧プラズマ方式)
(2)ワニスの塗布:ミカサ(株)製、スピンコーターMS-A100
(3)膜厚の測定:(株)小坂研究所製、微細形状測定機サーフコーダET-4000
(4)膜の光学特性の測定:J.A.Woollam社製、多入射角回転補償子型高速分光エリプソメーターM-2000UI
(5)EL素子の作製:長州産業(株)製、多機能蒸着装置システムC-E2L1G1-N
(6)EL素子の輝度等の測定:(有)テック・ワールド製、I-V-L測定システム
[Preparation and Evaluation of Charge-Transporting Varnish]
(1) Substrate cleaning: Substrate cleaning equipment (low pressure plasma method) manufactured by Choshu Sangyo Co., Ltd.
(2) Coating of varnish: Spin coater MS-A100, manufactured by Mikasa Co., Ltd.
(3) Film thickness measurement: Microscopic shape measuring instrument Surfcorder ET-4000, manufactured by Kosaka Laboratory Co., Ltd.
(4) Measurement of optical properties of film: J. A. Woollam Co., Ltd., multi-angle rotating compensator type high-speed spectroscopic ellipsometer M-2000UI
(5) Preparation of EL element: Multi-function deposition system C-E2L1G1-N manufactured by Choshu Sangyo Co., Ltd.
(6) Measurement of luminance of EL elements: IVL measurement system manufactured by Tech World Co., Ltd.

[1]表面修飾酸化チタン含有コロイド粒子の製造
[製造例1-1] 核粒子(A)の製造
1リットルの容器に純水126.2gを入れ、メタスズ酸17.8g(SnO2換算で15g含有、昭和化工(株)製)、チタンテトライソプロポキシド284g(TiO2換算で80g含有、日本曹達(株)製A-1)、シュウ酸二水和物98g(シュウ酸換算で70g含有、宇部興産(株)製)、35質量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液438g(セイケムジャパン製)を攪拌下に添加した。得られた混合溶液は、シュウ酸/チタン原子のモル比0.78、水酸化テトラエチルアンモニウム/チタン原子のモル比1.04であった。該混合溶液950gを、80℃で2時間保持し、更に580Torrまで減圧して2時間保持し、チタン混合溶液を調製した。調製後のチタン混合溶液のpHは4.7、電導度は27.2mS/cm、金属酸化物濃度10.0質量%であった。3リットルのガラスライニングされたオートクレーブ容器に上記チタン混合溶液950g、純水950gを投入し、140℃で5時間水熱処理を行った。室温に冷却後、取り出された水熱処理後の溶液は淡い乳白色の酸化チタン含有コロイド粒子の水分散液であった。得られた分散液は、pH3.9、電導度19.7mS/cm、TiO2濃度4.2質量%、水酸化テトラエチルアンモニウム濃度8.0質量%、シュウ酸濃度3.7質量%、動的光散乱法粒子径16nm、透過型電子顕微鏡観察では、一次粒子径5~15nmの楕円粒子が観察された。得られた分散液を110℃で乾燥させた粉末のX線回折分析を行い、ルチル型結晶であることが確認された。得られた酸化チタン含有コロイド粒子を核粒子(A)とした。
[1] Production of surface-modified titanium oxide-containing colloidal particles [Production Example 1-1] Production of core particles (A) 126.2 g of pure water was placed in a 1-liter container, and 17.8 g of metastannic acid (containing 15 g in terms of SnO 2 , manufactured by Showa Kako Co., Ltd.), 284 g of titanium tetraisopropoxide (containing 80 g in terms of TiO 2 , manufactured by Nippon Soda Co., Ltd. A-1), 98 g of oxalic acid dihydrate (containing 70 g in terms of oxalic acid , manufactured by Ube Industries, Ltd.), and 438 g of 35% by mass tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (manufactured by Seychem Japan) were added under stirring. The resulting mixed solution had a molar ratio of oxalic acid/titanium atom of 0.78 and a molar ratio of tetraethylammonium hydroxide/titanium atom of 1.04. 950 g of the mixed solution was kept at 80° C. for 2 hours, and further reduced to 580 Torr and kept for 2 hours to prepare a titanium mixed solution. The prepared titanium mixed solution had a pH of 4.7, an electrical conductivity of 27.2 mS/cm, and a metal oxide concentration of 10.0% by mass. 950 g of the titanium mixed solution and 950 g of pure water were charged into a 3-liter glass-lined autoclave vessel, and hydrothermal treatment was performed at 140°C for 5 hours. After cooling to room temperature, the solution after hydrothermal treatment was taken out and was a pale milky white aqueous dispersion of titanium oxide-containing colloidal particles. The obtained dispersion had a pH of 3.9, an electrical conductivity of 19.7 mS/cm, a TiO2 concentration of 4.2% by mass, a tetraethylammonium hydroxide concentration of 8.0% by mass, an oxalic acid concentration of 3.7% by mass, a dynamic light scattering particle diameter of 16 nm, and elliptical particles with a primary particle diameter of 5 to 15 nm were observed by transmission electron microscopy. The obtained dispersion was dried at 110°C, and the powder was subjected to X-ray diffraction analysis, and it was confirmed that the particles were rutile crystals. The obtained titanium oxide-containing colloidal particles were designated as core particles (A).

[製造例1-2] 被覆物(B)の製造
珪酸ナトリウム水溶液(JIS3号珪酸ソーダ、SiO2として34質量%含有、富士化学(株)製)27.9gを純水27.9gにて希釈した後、スズ酸ナトリウム・3水和物(SnO2として55質量%含有、昭和化工(株)製)8.6gを添加し、攪拌下で溶解し、珪酸-スズ酸ナトリウム水溶液を得た。得られた珪酸-スズ酸ナトリウム水溶液64.4gを純水411gで希釈し、水素型陽イオン交換樹脂(アンバーライト(登録商標)IR-120B)を充填したカラムに通液することにより、二酸化ケイ素-二酸化スズ複合酸化物コロイド粒子の水分散液(pH2.7、SnO2として0.83質量%、SiO2として1.67質量%を含有、SiO2/SnO2質量比2.0)570gを得た。
[Production Example 1-2] Production of coating material (B) 27.9 g of sodium silicate aqueous solution (JIS No. 3 sodium silicate, containing 34% by mass as SiO2 , manufactured by Fuji Chemical Co., Ltd.) was diluted with 27.9 g of pure water, and then 8.6 g of sodium stannate trihydrate (containing 55% by mass as SnO2 , manufactured by Showa Kako Co., Ltd.) was added and dissolved under stirring to obtain a silicate-sodium stannate aqueous solution. 64.4 g of the obtained silicate-sodium stannate aqueous solution was diluted with 411 g of pure water and passed through a column filled with a hydrogen cation exchange resin (Amberlite (registered trademark) IR-120B) to obtain 570 g of an aqueous dispersion of silicon dioxide-tin dioxide composite oxide colloidal particles (pH 2.7, containing 0.83% by mass as SnO2 and 1.67% by mass as SiO2 , SiO2 / SnO2 mass ratio 2.0).

次いで、得られた二酸化ケイ素-二酸化スズ複合酸化物コロイド粒子の水分散液にジイソプロピルアミンを2.9g添加した。得られた分散液はアルカリ性の二酸化ケイ素-二酸化スズ複合酸化物コロイド粒子の水分散液であり、pH8.2、一次粒子径5nm以下のコロイド粒子であった。得られたアルカリ性の二酸化ケイ素-二酸化スズ複合酸化物コロイド粒子を被覆物(B)とした。Next, 2.9 g of diisopropylamine was added to the obtained aqueous dispersion of silicon dioxide-tin dioxide composite oxide colloidal particles. The obtained dispersion was an aqueous dispersion of alkaline silicon dioxide-tin dioxide composite oxide colloidal particles, with a pH of 8.2 and colloidal particles with a primary particle diameter of 5 nm or less. The obtained alkaline silicon dioxide-tin dioxide composite oxide colloidal particles were used as coating material (B).

[製造例1-3] 変性コロイド粒子(C)の製造
撹拌下、25℃で上記核粒子(A)の水分散液1,900gに上記被覆物(B)570gを添加した後、温度95℃で3時間保持し、変性コロイド粒子(C)の水分散液を得た。その後、得られた水分散液を、水素型陽イオン交換樹脂(アンバーライトIR-120B)を充填したカラムに通し、酸性の変性酸化チタン複合コロイド粒子の水分散液2,730gを得た。得られた分散液はpH2.7、全金属酸化物濃度は4.0質量%、(B)/(A)で表される質量比(金属酸化物換算値)は0.15であった。得られた分散液にジイソブチルアミンを2.2g添加した。得られた分散液のpHは4.5であった。次いで、この分散液をナス型フラスコ付きエバポレータに投入して濃縮し、メタノールを添加しながら600Torrで水を留去することにより、変性コロイド粒子(C)のメタノール分散液533gを得た。得られたメタノール分散液は、比重0.949、粘度1.2mPa・s、pH4.8(分散液と同質量の水で希釈)、全金属酸化物濃度20.5質量%、水分量3.1質量%であった。
[Production Example 1-3] Production of modified colloidal particles (C) 570 g of the above-mentioned coating material (B) was added to 1,900 g of the aqueous dispersion of the above-mentioned core particles (A) at 25° C. under stirring, and then the mixture was held at a temperature of 95° C. for 3 hours to obtain an aqueous dispersion of modified colloidal particles (C). The aqueous dispersion obtained was then passed through a column filled with a hydrogen cation exchange resin (Amberlite IR-120B) to obtain 2,730 g of an aqueous dispersion of acidic modified titanium oxide composite colloidal particles. The resulting dispersion had a pH of 2.7, a total metal oxide concentration of 4.0 mass%, and a mass ratio (metal oxide equivalent value) represented by (B)/(A) of 0.15. 2.2 g of diisobutylamine was added to the resulting dispersion. The pH of the resulting dispersion was 4.5. Next, this dispersion was placed in an evaporator equipped with a pear-shaped flask to concentrate it, and water was distilled off at 600 Torr while adding methanol to obtain 533 g of a methanol dispersion of modified colloidal particles (C). The resulting methanol dispersion had a specific gravity of 0.949, a viscosity of 1.2 mPa·s, a pH of 4.8 (diluted with the same mass of water as the dispersion), a total metal oxide concentration of 20.5 mass %, and a water content of 3.1 mass %.

[製造例1-4] 表面修飾コロイド粒子(D)の製造
製造例1-3で得られた変性コロイド粒子(C)のメタノール分散液533gにポリエーテル変性シラン(信越化学工業(株)製、商品名:X-12-641)を5.5g添加し、70℃で還留加熱を5時間行い、ポリエーテル基を表面に結合させた変性コロイド粒子(C)のメタノール分散液を得た。次いで、エバポレータを用いて80Torrでプロピレングリコールモノメチルエーテルを添加しながらメタノールを留去することによりメタノールをプロピレングリコールモノメチルエーテルに置換して、ポリエーテル変性シランが表面に結合した表面修飾コロイド粒子(D)のプロピレングリコールモノメチルエーテル分散液(以下、分散液Xという)が270g得られた。得られた分散液Xは比重1.353、粘度7.0mPa・s、全金属酸化物濃度40.3質量%、透過型電子顕微鏡観察による一次粒子径は5~10nm、動的光散乱法粒子径は9nmであった。得られた表面修飾コロイド粒子(D)において、変性コロイド粒子(C)の表面に結合したポリエーテル変性シランは、変性コロイド粒子(C)の全金属酸化物に対して4.0質量%であった。
[Production Example 1-4] Production of Surface-Modified Colloid Particles (D) 5.5 g of polyether-modified silane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., product name: X-12-641) was added to 533 g of the methanol dispersion of the modified colloid particles (C) obtained in Production Example 1-3, and reflux heating was performed at 70° C. for 5 hours to obtain a methanol dispersion of modified colloid particles (C) having polyether groups bonded to the surface. Next, using an evaporator, methanol was distilled off while adding propylene glycol monomethyl ether at 80 Torr to replace the methanol with propylene glycol monomethyl ether, and 270 g of a propylene glycol monomethyl ether dispersion of surface-modified colloid particles (D) having polyether-modified silane bonded to the surface (hereinafter referred to as dispersion X) was obtained. The obtained dispersion X had a specific gravity of 1.353, a viscosity of 7.0 mPa·s, a total metal oxide concentration of 40.3 mass%, a primary particle diameter of 5 to 10 nm as determined by transmission electron microscopy, and a particle diameter of 9 nm as determined by dynamic light scattering. In the obtained surface-modified colloidal particles (D), the amount of the polyether-modified silane bonded to the surface of the modified colloidal particles (C) was 4.0 mass % based on the total metal oxides of the modified colloidal particles (C).

[2]化合物の合成
[製造例2-1]
繰り返し単位が式(1a)で表される繰り返し単位を含むポリマーであるポリチオフェン誘導体の水分散液(固形分濃度0.6質量%)500gをトリエチルアミン0.9gと混合し、得られた混合物を回転蒸発により乾固した。そして、得られた乾燥物を真空オーブン中、50℃で一晩更に乾燥し、スルホン酸基にアミンが付加したポリチオフェン誘導体Aを4g得た。
[2] Synthesis of compound [Production Example 2-1]
500 g of an aqueous dispersion (solid content concentration 0.6% by mass) of a polythiophene derivative, which is a polymer containing a repeating unit represented by formula (1a), was mixed with 0.9 g of triethylamine, and the resulting mixture was dried by rotary evaporation. The resulting dried product was further dried overnight at 50° C. in a vacuum oven to obtain 4 g of polythiophene derivative A in which an amine was added to a sulfonic acid group.

[製造例2-2]
ポリチオフェン誘導体A2.00gを、28%アンモニア水(純正化学(株)製)100mLに溶解させ、得られた溶液を室温にて終夜撹拌した。得られた反応混合物を、アセトン1,500mLによる再沈殿処理に付し、析出物をろ過にて回収した。得られた析出物を、水20mLおよびトリエチルアミン(東京化成工業(株)製)7.59gに再度溶解させ、60℃で1時間撹拌した。得られた反応混合物を冷却後、イソプロピルアルコール1,000mLとアセトン500mLの混合溶媒による再沈殿処理を行い、析出物をろ過にて回収した。得られた析出物を、減圧下、50℃にて1時間真空乾燥し、アミン処理がされたポリチオフェン誘導体アミン付加体1.30gを得た。
[Production Example 2-2]
2.00 g of polythiophene derivative A was dissolved in 100 mL of 28% aqueous ammonia (manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.), and the resulting solution was stirred overnight at room temperature. The resulting reaction mixture was subjected to reprecipitation treatment with 1,500 mL of acetone, and the precipitate was collected by filtration. The resulting precipitate was dissolved again in 20 mL of water and 7.59 g of triethylamine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and stirred at 60 ° C. for 1 hour. After cooling the resulting reaction mixture, reprecipitation treatment was performed with a mixed solvent of 1,000 mL of isopropyl alcohol and 500 mL of acetone, and the precipitate was collected by filtration. The resulting precipitate was vacuum-dried at 50 ° C. under reduced pressure for 1 hour, and 1.30 g of an amine-treated polythiophene derivative amine adduct was obtained.

[製造例2-3]
国際公開第2006/025342号の記載の方法に従って、式(b-1)で表されるアリールスルホン酸化合物Bを合成した。

Figure 0007497724000010
[Production Example 2-3]
According to the method described in WO 2006/025342, an arylsulfonic acid compound B represented by formula (b-1) was synthesized.
Figure 0007497724000010

[3]ワニス調製用組成物の調製
[調製例1-1]
アリールスルホン酸化合物Bが10質量%含まれるジプロピレングリコール溶液を調製した。上記溶液は、ホットスターラーを用い、400rpm、50℃で1時間撹拌することで調製した。
[3] Preparation of composition for preparing varnish [Preparation Example 1-1]
A dipropylene glycol solution containing 10% by mass of the arylsulfonic acid compound B was prepared by stirring the solution at 400 rpm and 50° C. for 1 hour using a hot stirrer.

[調製例1-2]
リンタングステン酸(日本新金属(株)製、PWA)が10質量%含まれるプロピレンカーボネート溶液を調製した。上記溶液は、スターラーを用い、400rpm、室温で10分間撹拌することで調製した。
[Preparation Example 1-2]
A propylene carbonate solution containing 10% by mass of phosphotungstic acid (PWA, manufactured by Nippon Shinkinzoku Co., Ltd.) was prepared by stirring the solution at 400 rpm for 10 minutes at room temperature using a stirrer.

[調製例1-3]
アリールスルホン酸化合物Bが10質量%含まれる1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン溶液を調製した。上記溶液は、ホットスターラーを用い、400rpm、50℃で1時間撹拌することで調製した。
[Preparation Example 1-3]
A 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone solution containing 10% by mass of arylsulfonic acid compound B was prepared by stirring the solution at 400 rpm and 50° C. for 1 hour using a hot stirrer.

[調製例1-4]
アリールスルホン酸化合物Bが10質量%含まれるプロピレングリコール溶液を調製した。上記溶液は、ホットスターラーを用い、400rpm、50℃で1時間撹拌することで調製した。
[Preparation Example 1-4]
A propylene glycol solution containing 10% by mass of the arylsulfonic acid compound B was prepared by stirring the solution at 400 rpm and 50° C. for 1 hour using a hot stirrer.

[4]電荷輸送性ワニスの調製
[実施例1-1]
アミン処理がされたポリチオフェン誘導体アミン付加体0.050gを、ジプロピレングリコール(純正化学(株)製)0.49gおよび2-エチルヘキシルアミン(東京化成工業(株)製)0.080gに入れ、ホットスターラーを用いて80℃で3時間撹拌した。得られた混合物に、トリプロピレングリコール(東京化成工業(株)製)1.88g、プロピレンカーボネート(東京化成工業(株)製)0.51g、トリエチレングリコールモノブチルエーテル(東京化成工業(株)製)1.88g、およびマロン酸ジイソプロピル(東京化成工業(株)製)2.83gを加え、スターラーを用いて400rpm、室温で10分間撹拌した。次いで、得られた混合物に、アリールスルホン酸化合物Bの10質量%ジプロピレングリコール溶液0.50g、リンタングステン酸の10質量%プロピレンカーボネート溶液1.25g、製造例1-4で得られた分散液X0.50g、および3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM-7103)0.025gを加え撹拌した。最後に、得られた混合物を孔径0.2μmのPPシリンジフィルターでろ過して、電荷輸送性ワニスを得た。
[4] Preparation of charge-transporting varnish [Example 1-1]
0.050 g of the amine-treated polythiophene derivative amine adduct was added to 0.49 g of dipropylene glycol (manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.) and 0.080 g of 2-ethylhexylamine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and the mixture was stirred for 3 hours at 80° C. using a hot stirrer. To the resulting mixture, 1.88 g of tripropylene glycol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 0.51 g of propylene carbonate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 1.88 g of triethylene glycol monobutyl ether (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and 2.83 g of diisopropyl malonate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) were added, and the mixture was stirred for 10 minutes at 400 rpm at room temperature using a stirrer. Next, 0.50 g of a 10% by mass dipropylene glycol solution of arylsulfonic acid compound B, 1.25 g of a 10% by mass propylene carbonate solution of phosphotungstic acid, 0.50 g of the dispersion X obtained in Production Example 1-4, and 0.025 g of 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane (KBM-7103, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) were added to the obtained mixture and stirred. Finally, the obtained mixture was filtered through a PP syringe filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a charge-transporting varnish.

[実施例1-2]
アミン処理がされたポリチオフェン誘導体アミン付加体0.050gを、ジプロピレングリコール(純正化学(株)製)0.49gおよび2-エチルヘキシルアミン(東京化成工業(株)製)0.080gに入れ、ホットスターラーを用い、80℃で3時間撹拌した。得られた混合物に、トリプロピレングリコール(東京化成工業(株)製)1.88g、プロピレンカーボネート(東京化成工業(株)製)0.92g、トリエチレングリコールモノブチルエーテル(東京化成工業(株)製)1.88g、およびマロン酸ジイソプロピル(東京化成工業(株)製)2.83gを加え、スターラーを用いて400rpm、室温で10分間撹拌した。次いで、得られた混合物に、アリールスルホン酸化合物Bの10質量%ジプロピレングリコール溶液0.50g、リンタングステン酸の10質量%プロピレンカーボネート溶液0.75g、製造例1-4で得られた分散液X0.59g、および3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM-7103)0.025gを加え撹拌した。得られた混合物を孔径0.2μmのPPシリンジフィルターでろ過して、電荷輸送性ワニスを得た。
[Example 1-2]
0.050 g of the amine-treated polythiophene derivative amine adduct was added to 0.49 g of dipropylene glycol (manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.) and 0.080 g of 2-ethylhexylamine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and the mixture was stirred for 3 hours at 80° C. using a hot stirrer. To the resulting mixture, 1.88 g of tripropylene glycol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 0.92 g of propylene carbonate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 1.88 g of triethylene glycol monobutyl ether (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and 2.83 g of diisopropyl malonate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) were added, and the mixture was stirred for 10 minutes at 400 rpm at room temperature using a stirrer. Next, 0.50 g of a 10% by mass dipropylene glycol solution of arylsulfonic acid compound B, 0.75 g of a 10% by mass propylene carbonate solution of phosphotungstic acid, 0.59 g of the dispersion X obtained in Production Example 1-4, and 0.025 g of 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane (KBM-7103, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) were added to the obtained mixture and stirred. The obtained mixture was filtered through a PP syringe filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a charge-transporting varnish.

[実施例1-3]
アミン処理がされたポリチオフェン誘導体アミン付加体0.050gを、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン(関東化学(株)製)0.83g、ジプロピレングリコール(関東化学(株)製)1.28g、および2-エチルヘキシルアミン(東京化成工業(株)製)0.080gに入れ、ホットスターラーを用いて80℃で3時間撹拌した。得られた混合物に、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル(関東化学(株)製)1.89gを加え、スターラーを用いて400rpm、室温で10分間撹拌した。次いで、得られた混合物に、アリールスルホン酸化合物Bの1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン10質量%溶液0.63g、製造例1-4で得られた分散液X0.25g、および3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM-7103)0.013gを加え撹拌した。得られた混合物を孔径0.2μmのPPシリンジフィルターでろ過して、電荷輸送性ワニスを得た。
[Examples 1-3]
0.050 g of the amine-treated polythiophene derivative amine adduct was added to 0.83 g of 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (Kanto Chemical Co., Ltd.), 1.28 g of dipropylene glycol (Kanto Chemical Co., Ltd.), and 0.080 g of 2-ethylhexylamine (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and the mixture was stirred at 80° C. for 3 hours using a hot stirrer. 1.89 g of dipropylene glycol monomethyl ether (Kanto Chemical Co., Ltd.) was added to the resulting mixture, and the mixture was stirred at 400 rpm at room temperature for 10 minutes using a stirrer. Next, 0.63 g of a 10% by mass solution of arylsulfonic acid compound B in 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 0.25 g of the dispersion X obtained in Production Example 1-4, and 0.013 g of 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-7103) were added to the resulting mixture, and the mixture was stirred. The resulting mixture was filtered through a PP syringe filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a charge transporting varnish.

[実施例1-4]
アミン処理がされたポリチオフェン誘導体アミン付加体0.050gを、プロピレングリコール(純正化学(株)製)0.49gおよび2-エチルヘキシルアミン(東京化成工業(株)製)0.080gに入れ、ホットスターラーを用いて80℃で3時間撹拌した。得られた混合物に、トリプロピレングリコール(東京化成工業(株)製)2.83g、プロピレンカーボネート(東京化成工業(株)製)2.46g、トリエチレングリコールモノブチルエーテル(東京化成工業(株)製)0.94g、およびマロン酸ジイソプロピル(東京化成工業(株)製)1.88gを入れ、スターラーを用いて400rpm、室温で10分間撹拌した。次いで、得られた混合物に、アリールスルホン酸化合物Bの10質量%プロピレングリコール溶液0.50g、製造例1-4で得られた分散液X0.74g、および3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM-7103)0.025gを加え撹拌した。得られた混合物を孔径0.2μmのPPシリンジフィルターでろ過して、電荷輸送性ワニスを得た。
[Examples 1 to 4]
0.050 g of the amine-treated polythiophene derivative amine adduct was added to 0.49 g of propylene glycol (manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.) and 0.080 g of 2-ethylhexylamine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and the mixture was stirred for 3 hours at 80° C. using a hot stirrer. 2.83 g of tripropylene glycol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 2.46 g of propylene carbonate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 0.94 g of triethylene glycol monobutyl ether (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and 1.88 g of diisopropyl malonate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) were added to the resulting mixture, and the mixture was stirred at 400 rpm at room temperature for 10 minutes using a stirrer. Next, 0.50 g of a 10% by mass propylene glycol solution of arylsulfonic acid compound B, 0.74 g of the dispersion X obtained in Production Example 1-4, and 0.025 g of 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane (KBM-7103, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) were added to the obtained mixture and stirred. The obtained mixture was filtered through a PP syringe filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a charge-transporting varnish.

[比較例1-1]
アミン処理がされたポリチオフェン誘導体アミン付加体0.050gを、プロピレングリコール(純正化学(株)製)0.66gおよび2-エチルヘキシルアミン(東京化成工業(株)製)0.080gに入れ、ホットスターラーを用いて80℃で3時間撹拌した。得られた混合物に、トリプロピレングリコール(東京化成工業(株)製)1.26g、プロピレンカーボネート(東京化成工業(株)製)2.83g、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル(関東化学(株)製)0.27g、およびマロン酸ジイソプロピル(東京化成工業(株)製)1.88gを加え、スターラーを用いて400rpm、室温で10分間撹拌した。次いで、得られた混合物に、アリールスルホン酸化合物Bの10質量%プロピレングリコール溶液0.33g、リンタングステン酸の10質量%ジプロピレングリコールモノブチルエーテル溶液0.75gを入れ、撹拌した。次に、製造例1-3で得られた変性コロイド粒子(C)を10質量%トリプロピレングリコール分散液とし、3.0gを添加したところ、溶液が白濁し、電荷輸送性薄膜の形成に用い得るほど十分に均一な電荷輸送性ワニスを得られなかった。
[Comparative Example 1-1]
0.050 g of the amine-treated polythiophene derivative amine adduct was added to 0.66 g of propylene glycol (manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.) and 0.080 g of 2-ethylhexylamine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and the mixture was stirred at 80° C. for 3 hours using a hot stirrer. To the resulting mixture, 1.26 g of tripropylene glycol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 2.83 g of propylene carbonate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 0.27 g of dipropylene glycol monobutyl ether (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.), and 1.88 g of diisopropyl malonate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) were added, and the mixture was stirred at 400 rpm at room temperature for 10 minutes using a stirrer. Next, 0.33 g of a 10% by mass propylene glycol solution of arylsulfonic acid compound B and 0.75 g of a 10% by mass dipropylene glycol monobutyl ether solution of phosphotungstic acid were added to the resulting mixture, and the mixture was stirred. Next, the modified colloidal particles (C) obtained in Production Example 1-3 were dispersed in 10% by mass of tripropylene glycol, and 3.0 g of the resulting solution was added. However, the solution became cloudy, and a charge-transporting varnish that was sufficiently uniform to be used for forming a charge-transporting thin film could not be obtained.

[5]膜物性の評価
実施例1-1および1-2で得られたワニスを、各々スピンコーターを用いて石英基板に塗布した後、120℃で1分間焼成した。次いで、230℃で15分間焼成し、基板上に膜厚35nmの薄膜を形成した。
得られた薄膜付き石英基板を用いて、多入射角回転補償子型高速分光エリプソメーターにて屈折率nおよび消衰係数kの測定を行った。結果を表1に示す。なお、表1には、波長400~800nmの範囲で測定されたn値およびk値の平均値を示した。
[5] Evaluation of Film Properties The varnishes obtained in Examples 1-1 and 1-2 were each applied to a quartz substrate using a spin coater, and then baked at 120° C. for 1 minute, and then baked at 230° C. for 15 minutes to form a thin film with a thickness of 35 nm on the substrate.
The refractive index n and extinction coefficient k of the obtained quartz substrate with the thin film were measured using a multi-angle rotating compensator type high-speed spectroscopic ellipsometer. The results are shown in Table 1. Table 1 also shows the average values of n and k measured in the wavelength range of 400 to 800 nm.

Figure 0007497724000011
Figure 0007497724000011

表1の結果より、本発明の電荷輸送性ワニスから得られた薄膜は、高い屈折率および透明性を有することが確認された。 The results in Table 1 confirm that the thin film obtained from the charge transport varnish of the present invention has a high refractive index and transparency.

[6]素子の作製および特性評価
以下の実施例において、ITO基板としては、ITOが表面上に膜厚50nmでパターニングされた25mm×25mm×0.7tのガラス基板を用い、使用前にO2プラズマ洗浄装置(150W、30秒間)によって表面上の不純物を除去したものを使用した。
[6] Fabrication and Characteristic Evaluation of Elements In the following examples, a 25 mm × 25 mm × 0.7 mm glass substrate with a 50 nm thick ITO pattern on its surface was used as the ITO substrate. Prior to use, impurities on the surface were removed using an O2 plasma cleaning device (150 W, 30 seconds).

[6-1]ホールオンリーデバイス(HOD)の作製および特性評価
[実施例2-1]
実施例1-1で得られたワニスを、スピンコーターを用いてITO基板に塗布した後、120℃で1分間焼成した。次いで、230℃で15分間焼成し、基板上に35nmの薄膜を形成した。上記薄膜を形成したITO基板に対し、蒸着装置(真空度1.0×10-5Pa)を用いて、α-NPDを0.2nm/秒にて30nm成膜した。その上に、蒸着装置(真空度4.0×10-5Pa)を用いてアルミニウム薄膜を形成してHODを得た。蒸着は、蒸着レート0.2nm/秒の条件で行った。アルミニウム薄膜の膜厚は80nmとした。なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、HODは封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。酸素濃度2ppm以下、露点-76℃以下の窒素雰囲気中で、HODを封止基板の間に収め、封止基板を接着剤((株)MORESCO製、モレスコモイスチャーカット WB90US(P))により貼り合わせた。この際、捕水剤(ダイニック(株)製、HD-071010W-40)を有機EL素子と共に封止基板内に収めた。貼り合わせた封止基板に対し、UV光を照射(波長:365nm、照射量:6,000mJ/cm2)した後、80℃で1時間、アニーリング処理して接着剤を硬化させた。
[6-1] Fabrication and Characterization of Hole-Only Device (HOD) [Example 2-1]
The varnish obtained in Example 1-1 was applied to an ITO substrate using a spin coater, and then baked at 120° C. for 1 minute. Then, the substrate was baked at 230° C. for 15 minutes to form a 35 nm thin film on the substrate. On the ITO substrate on which the thin film was formed, a 30 nm film of α-NPD was formed at 0.2 nm/sec using a vapor deposition apparatus (vacuum degree 1.0×10 −5 Pa). An aluminum thin film was formed thereon using a vapor deposition apparatus (vacuum degree 4.0×10 −5 Pa) to obtain an HOD. The vapor deposition was performed under the condition of a vapor deposition rate of 0.2 nm/sec. The thickness of the aluminum thin film was set to 80 nm. In order to prevent deterioration of characteristics due to the influence of oxygen, water, etc. in the air, the HOD was sealed with a sealing substrate, and then its characteristics were evaluated. Sealing was performed according to the following procedure. In a nitrogen atmosphere with an oxygen concentration of 2 ppm or less and a dew point of -76°C or less, the HOD was placed between the sealing substrates, and the sealing substrates were bonded together with an adhesive (Moresco Moisture Cut WB90US(P) manufactured by MORESCO Corp.). At this time, a moisture scavenger (HD-071010W-40 manufactured by DYNIC Corp.) was placed inside the sealing substrate together with the organic EL element. The bonded sealing substrates were irradiated with UV light (wavelength: 365 nm, irradiation amount: 6,000 mJ/ cm2 ), and then annealed at 80°C for 1 hour to harden the adhesive.

[実施例2-2、2-4]
実施例1-1で得られたワニスの代わりに、それぞれ実施例1-2、1-4で得られたワニスを用いた以外は、実施例2-1と同様の方法でHODを作製した。
[Examples 2-2 and 2-4]
HOD was prepared in the same manner as in Example 2-1, except that the varnishes obtained in Examples 1-2 and 1-4 were used instead of the varnish obtained in Example 1-1.

[実施例2-3]
実施例1-1で得られたワニスの代わりに、実施例1-3で得られたワニスを用い、200℃で1分間の焼成に変更した以外は、実施例2-1と同様の方法でHODを作製した。
[Example 2-3]
An HOD was produced in the same manner as in Example 2-1, except that the varnish obtained in Example 1-3 was used instead of the varnish obtained in Example 1-1, and the baking time was changed to 200° C. for 1 minute.

得られたHODを5Vで駆動した場合の電流密度を測定した。結果を表2に示す。The current density of the obtained HOD was measured when it was driven at 5 V. The results are shown in Table 2.

Figure 0007497724000012
Figure 0007497724000012

表2に示される通り、本発明の電荷輸送性ワニスから得られた電荷輸送性薄膜は、正孔輸送層に相当するα-NPDからなる膜に良好なホール注入性を示した。As shown in Table 2, the charge transporting thin film obtained from the charge transporting varnish of the present invention showed good hole injection properties in a film consisting of α-NPD, which corresponds to the hole transporting layer.

[6-2]有機EL素子の作製および特性評価
[実施例3-1]
実施例1-1で得られたワニスを、スピンコーターを用いてITO基板に塗布した後、120℃で1分間焼成した。次いで、230℃で15分間焼成し、基板上に35nmの薄膜を形成した。次いで、薄膜を形成したITO基板に対し、蒸着装置(真空度1.0×10-5Pa)を用いて、α-NPDを0.2nm/秒にて30nm成膜した。次に、関東化学(株)製の電子ブロック材料HTEB-01を10nm成膜した。次いで、新日鉄住金化学(株)製の発光層ホスト材料NS60と発光層ドーパント材料Ir(PPy)3を共蒸着した。共蒸着は、Ir(PPy)3の濃度が6%になるように蒸着レートをコントロールし、40nm積層させた。次いで、Alq3、フッ化リチウムおよびアルミニウムの薄膜を順次積層して、有機EL素子を得た。この際、蒸着レートは、Alq3およびアルミニウムについては0.2nm/秒、フッ化リチウムについては0.02nm/秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ20nm、0.5nmおよび80nmとした。なお、実施例2-1と同様の方法で素子を封止した後、特性を評価した。
[6-2] Preparation of organic EL element and evaluation of its characteristics [Example 3-1]
The varnish obtained in Example 1-1 was applied to an ITO substrate using a spin coater, and then baked at 120°C for 1 minute. Then, the substrate was baked at 230°C for 15 minutes to form a 35 nm thin film on the substrate. Then, a 30 nm film of α-NPD was formed at 0.2 nm/sec on the ITO substrate on which the thin film was formed, using a vapor deposition apparatus (vacuum degree 1.0×10 −5 Pa). Next, a 10 nm film of an electron block material HTEB-01 manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd. was formed. Next, an emission layer host material NS60 manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. and an emission layer dopant material Ir(PPy) 3 were co-deposited. The vapor deposition rate was controlled so that the concentration of Ir(PPy) 3 was 6%, and 40 nm was laminated. Next, thin films of Alq 3 , lithium fluoride, and aluminum were sequentially laminated to obtain an organic EL device. At this time, the deposition rates were 0.2 nm/sec for Alq3 and aluminum, and 0.02 nm/sec for lithium fluoride, and the film thicknesses were 20 nm, 0.5 nm, and 80 nm, respectively. The elements were sealed in the same manner as in Example 2-1, and then the characteristics were evaluated.

[実施例3-2]
実施例1-1で得られたワニスの代わりに、実施例1-2で得られたワニスを用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
[Example 3-2]
An organic EL element was produced in the same manner as in Example 3-1, except that the varnish obtained in Example 1-2 was used instead of the varnish obtained in Example 1-1.

[実施例3-3、3-4]
それぞれ、実施例1-1で得られたワニスの代わりに、実施例1-3、1-4で得られたワニスを用い、120℃で1分間焼成する代わりに、200℃で1分間焼成した以外は、実施例3-1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
[Examples 3-3 and 3-4]
Organic EL elements were prepared in the same manner as in Example 3-1, except that the varnishes obtained in Examples 1-3 and 1-4 were used instead of the varnish obtained in Example 1-1, and baking was performed at 200°C for 1 minute instead of at 120°C for 1 minute.

得られた有機EL素子を輝度10,000cd/m2で駆動した場合の駆動電圧、電流密度および電流効率を測定した。結果を表3に示す。 The driving voltage, current density and current efficiency of the obtained organic EL element were measured when the element was driven at a luminance of 10,000 cd/ m2 . The results are shown in Table 3.

Figure 0007497724000013
Figure 0007497724000013

表3に示される通り、本発明の電荷輸送性ワニスから得られた電荷輸送性薄膜を備える有機EL素子は、良好に駆動した。As shown in Table 3, the organic EL element having the charge transporting thin film obtained from the charge transporting varnish of the present invention operated well.

Claims (16)

電荷輸送性物質と、表面処理剤で表面修飾された酸化チタン含有粒子と、有機溶媒と、ドーパント物質とを含み、
上記電荷輸送性物質が、式(1)で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン誘導体またはそのアミン付加体である電荷輸送性ワニス。
Figure 0007497724000014
(式中、R 1 は、スルホン酸基であり、
2 は、-O[C(R a b )-C(R c d )-O] p -R e または-OR f であり、
a ~R d は、互いに独立して、水素原子、炭素数1~8のアルキル基、炭素数1~8のフルオロアルキル基、またはフェニル基であり、
e は、水素原子、炭素数1~8のアルキル基、炭素数1~8のフルオロアルキル基、またはフェニル基であり、
pは、1~5であり、
f は、水素原子、炭素数1~8のアルキル基、炭素数1~8のフルオロアルキル基、またはフェニル基である、
またはR 1 およびR 2 が結合して形成される下記式(Y1)および(Y2)で表される基である。)
Figure 0007497724000015
[ただし、上記ドーパント物質は、下記式(a1)で表されるアニオンおよび下記式(a2)で表される1価または2価のアニオンからなる群より選択される少なくとも1種のアニオンと、対カチオンとからなるオニウムボレート塩(ただし、電気的中性な塩である)を含まない。
Figure 0007497724000016
(式中、Arは、それぞれ独立して、置換基を有してもよいアリール基または置換基を有してもよいヘテロアリール基であり、Rは、炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数1~10のフルオロアルキル基、炭素数7~10のアラルキル基または炭素数7~10のフルオロアラルキル基であり、Lは、アルキレン基、-NH-、酸素原子、硫黄原子または-CN+-である。)]
The method includes the steps of: a charge transporting substance; a titanium oxide-containing particle whose surface is modified with a surface treatment agent; an organic solvent; and a dopant substance;
The charge transporting varnish , wherein the charge transporting substance is a polythiophene derivative containing a repeating unit represented by formula (1) or an amine adduct thereof .
Figure 0007497724000014
(Wherein, R1 is a sulfonic acid group,
R2 is -O [ C(R a R b )-C(R c R d )-O] p -R e or -OR f ;
R a to R d are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a phenyl group;
R e is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a phenyl group;
p is 1 to 5;
Rf is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a phenyl group;
Or R 1 and R 2 are bonded to form groups represented by the following formulae (Y1) and (Y2).
Figure 0007497724000015
[However, the dopant substance does not include an onium borate salt (which is an electrically neutral salt) consisting of at least one anion selected from the group consisting of an anion represented by the following formula (a1) and a monovalent or divalent anion represented by the following formula (a2), and a counter cation.
Figure 0007497724000016
(In the formula, each Ar is independently an aryl group which may have a substituent or a heteroaryl group which may have a substituent; R is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms, or a fluoroaralkyl group having 7 to 10 carbon atoms; and L is an alkylene group, -NH-, an oxygen atom, a sulfur atom, or -CN + -.)
上記表面処理剤で表面修飾された酸化チタン含有粒子に含まれる酸化チタン含有粒子が、コロイド粒子である請求項1記載の電荷輸送性ワニス。 The charge transport varnish according to claim 1, wherein the titanium oxide-containing particles contained in the titanium oxide-containing particles surface-modified with the surface treatment agent are colloidal particles. 上記表面処理剤で表面修飾された酸化チタン含有粒子が、酸化チタンを含むコロイド粒子(A)を核(核粒子(A))として、その表面が金属酸化物コロイド粒子(B)(被覆物(B))で被覆された変性酸化チタン含有コロイド粒子(C)(変性コロイド粒子(C))の表面が両親媒性の表面処理剤で表面修飾されたコロイド粒子(D)(表面修飾コロイド粒子(D))である請求項2記載の電荷輸送性ワニス。 The charge transport varnish according to claim 2, wherein the titanium oxide-containing particles surface-modified with the surface treatment agent are colloid particles (D) (surface-modified colloid particles (D)) in which the surface of modified titanium oxide-containing colloid particles (C) (modified colloid particles (C)) is coated with metal oxide colloid particles (B) (coating material (B)) using titanium oxide-containing colloid particles (A) as a core (core particle (A)). 上記表面処理剤が、両親媒性の表面処理剤である請求項1または2記載の電荷輸送性ワニス。 The charge transport varnish according to claim 1 or 2, wherein the surface treatment agent is an amphiphilic surface treatment agent. 上記両親媒性の表面処理剤が、有機ケイ素化合物、チタネートカップリング剤、アルミネートカップリング剤またはリン系界面活性剤である請求項3または4記載の電荷輸送性ワニス。 The charge transport varnish according to claim 3 or 4, wherein the amphiphilic surface treatment agent is an organosilicon compound, a titanate coupling agent, an aluminate coupling agent, or a phosphorus-based surfactant. さらに、ヘテロポリ酸を含む請求項1~のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニス。 The charge transporting varnish according to any one of claims 1 to 5 , further comprising a heteropolyacid. 上記ヘテロポリ酸が、リンタングステン酸である請求項記載の電荷輸送性ワニス。 7. The charge transporting varnish according to claim 6 , wherein said heteropolyacid is phosphotungstic acid. 上記ドーパント物質が、アリールスルホン酸化合物を含む請求項1~のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニス。 The charge transporting varnish according to any one of claims 1 to 7 , wherein the dopant substance comprises an arylsulfonic acid compound. 上記アリールスルホン化合物が、下記式(H1)または(H2)で表されるアリールスルホン酸化合物である請求項記載の電荷輸送性ワニス。
Figure 0007497724000017
(式(1)中、A1は、OまたはSを表し、A2は、ナフタレン環またはアントラセン環を表し、A3は、2~4価のパーフルオロビフェニル基を表し、sは、2≦s≦4を満たす整数を表し、qは、1≦q≦4を満たす整数を表す。
式(2)中、A4~A8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のハロゲン化アルキル基、または炭素数2~20のハロゲン化アルケニル基を表し、A4~A8のうち少なくとも3つは、ハロゲン原子であり、rは、1≦r≦4を満たす整数を表す。)
9. The charge transporting varnish according to claim 8 , wherein the aryl sulfone compound is an aryl sulfonic acid compound represented by the following formula (H1) or (H2):
Figure 0007497724000017
(In formula (1), A 1 represents O or S, A 2 represents a naphthalene ring or an anthracene ring, A 3 represents a divalent to tetravalent perfluorobiphenyl group, s represents an integer satisfying 2≦s≦4, and q represents an integer satisfying 1≦q≦4.
In formula (2), A 4 to A 8 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, at least three of A 4 to A 8 are halogen atoms, and r represents an integer satisfying 1≦r≦4.
さらに、有機シラン化合物を含む請求項1~のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニス。 The charge transporting varnish according to any one of claims 1 to 9 , further comprising an organosilane compound. 上記有機シラン化合物が、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシランである請求項10記載の電荷輸送性ワニス。 The charge transport varnish according to claim 10, wherein the organosilane compound is 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane. 請求項1~11のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニスから得られる電荷輸送性薄膜。 A charge transporting thin film obtained from the charge transporting varnish according to any one of claims 1 to 11 . 請求項12記載の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 An organic electroluminescence device having the charge transport thin film according to claim 12. 上記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である請求項13記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 14. The organic electroluminescence device according to claim 13 , wherein the charge transporting thin film is a hole injection layer or a hole transport layer. 請求項1~11のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法。 A method for producing a charge-transporting thin film, comprising applying the charge-transporting varnish according to any one of claims 1 to 11 onto a substrate and evaporating the solvent. 請求項15記載の電荷輸送性薄膜を用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 A method for producing an organic electroluminescence device, comprising using the charge transporting thin film according to claim 15 .
JP2021511473A 2019-03-29 2020-03-23 Charge Transporting Varnish Active JP7497724B2 (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019066695 2019-03-29
JP2019066695 2019-03-29
JP2019172421 2019-09-24
JP2019172421 2019-09-24
PCT/JP2020/012688 WO2020203407A1 (en) 2019-03-29 2020-03-23 Charge-transporting varnish

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020203407A1 JPWO2020203407A1 (en) 2020-10-08
JP7497724B2 true JP7497724B2 (en) 2024-06-11

Family

ID=72667736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021511473A Active JP7497724B2 (en) 2019-03-29 2020-03-23 Charge Transporting Varnish

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7497724B2 (en)
KR (1) KR102836344B1 (en)
CN (1) CN113646376B (en)
TW (1) TWI853011B (en)
WO (1) WO2020203407A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240172550A1 (en) * 2021-03-26 2024-05-23 Nissan Chemical Corporation Charge-transporting composition
KR20260051035A (en) * 2023-08-10 2026-04-15 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 Charge-transporting varnish and method for manufacturing the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017170275A1 (en) 2016-03-31 2017-10-05 日産化学工業株式会社 Inorganic oxide microparticles having amphiphilic organic silane compound bonded thereto, organic solvent dispersion thereof, and composition for film formation
WO2018135582A1 (en) 2017-01-18 2018-07-26 日産化学工業株式会社 Ink composition
WO2018147204A1 (en) 2017-02-07 2018-08-16 日産化学工業株式会社 Charge transporting varnish
WO2019049867A1 (en) 2017-09-06 2019-03-14 日産化学株式会社 Ink composition

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004021567A1 (en) 2004-05-03 2005-12-08 Covion Organic Semiconductors Gmbh Electronic devices containing organic semiconductors
TW200602376A (en) * 2004-05-21 2006-01-16 Showa Denko Kk Electroconductive composition and application thereof
EP2062870B1 (en) 2006-09-13 2016-11-09 Nissan Chemical Industries, Ltd. Oligoaniline compounds
CN101679206B (en) 2007-04-12 2016-05-11 日产化学工业株式会社 oligoaniline compound
WO2013042623A1 (en) 2011-09-21 2013-03-28 日産化学工業株式会社 Charge-transporting varnish
WO2015050253A1 (en) 2013-10-04 2015-04-09 日産化学工業株式会社 Aniline derivatives and uses thereof
JP6488616B2 (en) * 2013-10-04 2019-03-27 日産化学株式会社 Charge transporting thin film forming varnish, charge transporting thin film and organic electroluminescent device
JP6503675B2 (en) * 2013-10-04 2019-04-24 日産化学株式会社 Charge transporting varnish, charge transporting thin film and organic electroluminescent device
JP6475251B2 (en) 2013-12-31 2019-02-27 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. Organic light-emitting display device and top emission type OLED device with improved viewing angle characteristics
WO2015125721A1 (en) * 2014-02-18 2015-08-27 日産化学工業株式会社 Charge-transporting varnish
KR102656454B1 (en) * 2016-03-03 2024-04-12 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 Charge-transporting varnish
JP6443588B2 (en) 2016-06-16 2018-12-26 日産化学株式会社 Sulfonic acid ester compounds and use thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017170275A1 (en) 2016-03-31 2017-10-05 日産化学工業株式会社 Inorganic oxide microparticles having amphiphilic organic silane compound bonded thereto, organic solvent dispersion thereof, and composition for film formation
WO2018135582A1 (en) 2017-01-18 2018-07-26 日産化学工業株式会社 Ink composition
WO2018147204A1 (en) 2017-02-07 2018-08-16 日産化学工業株式会社 Charge transporting varnish
US20200020860A1 (en) 2017-02-07 2020-01-16 Nissan Chemical Corporation Charge transporting varnish
WO2019049867A1 (en) 2017-09-06 2019-03-14 日産化学株式会社 Ink composition

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2020203407A1 (en) 2020-10-08
TWI853011B (en) 2024-08-21
CN113646376B (en) 2023-09-26
TW202104476A (en) 2021-02-01
KR20210151082A (en) 2021-12-13
WO2020203407A1 (en) 2020-10-08
KR102836344B1 (en) 2025-07-22
CN113646376A (en) 2021-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7392644B2 (en) Charge transporting composition
JP7497724B2 (en) Charge Transporting Varnish
JP2023171836A (en) Charge-transporting composition
JP7823652B2 (en) Charge-transporting varnish
JP6424835B2 (en) Aryl sulfonic acid compound and use thereof
US20240172550A1 (en) Charge-transporting composition
JP7736057B2 (en) Charge transport ink composition
WO2023008176A1 (en) Fluorinated arylsulfonate polymer compound and use thereof
TWI894324B (en) Method for manufacturing substrate with functional film, method for manufacturing electronic component, and inkjet ink
JP7491311B2 (en) Charge Transporting Varnish
TWI837158B (en) charge transport composition
WO2024241889A1 (en) Charge-transporting varnish

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230310

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231024

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240313

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240430

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240513

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7497724

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150