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JP7498680B2 - Wiring Board - Google Patents
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Description

本発明は、表面に金属パッドを備えている配線基板に関する。 The present invention relates to a wiring board having metal pads on its surface.

半導体素子等の電子部品が搭載される配線基板として、非導電性材料であるセラミックで形成されているセラミック基板と、セラミック基板の表面に導電性材料を用いて形成されている金属パッド(メタライズ層とも呼ばれる)とを備えているものがある。金属パッドは、外部の電子部品との接続端子、および、水晶振動子のシールリング用のパッドなどとして利用される。 Some wiring boards on which electronic components such as semiconductor elements are mounted include a ceramic substrate made of ceramic, a non-conductive material, and metal pads (also called metallized layers) formed on the surface of the ceramic substrate using a conductive material. The metal pads are used as connection terminals for connecting to external electronic components and as pads for sealing rings for quartz crystal oscillators.

例えば、特許文献1には、ガラスセラミック焼結体からなる絶縁基板の表面にリード端子と接続するための銅メタライズパッドを具備する配線基板が開示されている。この配線基板においては、銅メタライズパッドの周辺部が絶縁基板内に埋め込まれている。このような構造は、例えば、ガラスセラミック組成物を含むペーストを、銅メタライズパッドのパターンの周辺部を被覆するように印刷することによって形成される。 For example, Patent Document 1 discloses a wiring board having a copper metallized pad for connecting to a lead terminal on the surface of an insulating substrate made of a glass ceramic sintered body. In this wiring board, the peripheral portion of the copper metallized pad is embedded in the insulating substrate. Such a structure is formed, for example, by printing a paste containing a glass ceramic composition so as to cover the peripheral portion of the pattern of the copper metallized pad.

特開平9-293956号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-293956

特許文献1に開示されている配線基板などのように、金属パッドの周辺部を被覆するようにガラスセラミック組成物を含むペーストを設けると、焼成後の配線基板の表面には、ペーストに由来するセラミックの段差が生じる。このような配線基板の金属パッド上にメッキ層を形成すると、金属パッドの全面にメッキ層を形成することができず、メッキ層の端部とセラミック層との間に隙間が形成される可能性がある。 When a paste containing a glass ceramic composition is applied to cover the periphery of a metal pad, such as in the wiring board disclosed in Patent Document 1, ceramic steps resulting from the paste are generated on the surface of the wiring board after firing. When a plating layer is formed on the metal pad of such a wiring board, it is not possible to form the plating layer on the entire surface of the metal pad, and there is a possibility that a gap will be formed between the end of the plating layer and the ceramic layer.

メッキ層とセラミック層との間に隙間が形成されると、メッキ工程後の配線基板表面の洗浄処理などで使用される薬液が、メッキ層の下の金属パッドへと入り込んでしまう。これにより、金属パッドに含まれる金属成分が変性する可能性があり、望ましくない。 If a gap forms between the plating layer and the ceramic layer, the chemicals used in cleaning the surface of the wiring board after the plating process will seep into the metal pads below the plating layer. This can cause the metal components in the metal pads to denature, which is undesirable.

そこで、本発明では、メッキ層の下に設けられている金属パッドをより確実に保護することのできる配線基板を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a wiring board that can more reliably protect the metal pads located under the plating layer.

本発明の一局面にかかる配線基板は、セラミック基板と、前記セラミック基板の表面に設けられている金属パッドと、前記金属パッド上に設けられているメッキ層とを備えている。この配線基板において、前記金属パッドは、その一部が前記セラミック基板に埋設されているとともに、他の一部が前記セラミック基板の表面から突出しており、前記メッキ層は、前記金属パッドの外周縁部に隣接している前記セラミック基板の表面にはみ出て、前記セラミック基板に接触している。 The wiring board according to one aspect of the present invention comprises a ceramic substrate, a metal pad provided on the surface of the ceramic substrate, and a plating layer provided on the metal pad. In this wiring substrate, a portion of the metal pad is embedded in the ceramic substrate, and another portion protrudes from the surface of the ceramic substrate, and the plating layer protrudes onto the surface of the ceramic substrate adjacent to the outer periphery of the metal pad and contacts the ceramic substrate.

上記の構成によれば、メッキ層の外周縁部を、セラミック基板の表面と密着した状態とすることができ、配線基板の製造時に使用される薬液などが、メッキ層の下層の金属パッド側へ入り込む可能性を低減させることができる。したがって、メッキ層の下に設けられている金属パッドをより確実に保護することができる。 The above configuration allows the outer periphery of the plating layer to be in close contact with the surface of the ceramic substrate, reducing the possibility that chemicals used in the manufacture of the wiring substrate will seep into the metal pads underneath the plating layer. This allows the metal pads underneath the plating layer to be more reliably protected.

上記の本発明の一局面にかかる配線基板において、前記金属パッドは、前記セラミック基板の表面に向かって先細りとなる先細部を有していてもよい。 In the wiring board according to one aspect of the present invention described above, the metal pad may have a tapered portion that tapers toward the surface of the ceramic substrate.

上記の構成によれば、金属パッドがセラミック基板から抜けにくい構成とすることができる。 The above configuration makes it possible to make it difficult for the metal pad to come off the ceramic substrate.

上記の本発明の一局面にかかる配線基板は、上面視で、前記メッキ層の配置領域が、前記金属パッドの最大径部の配置領域よりも大きくなっていてもよい。 In the wiring board according to one aspect of the present invention, the area where the plating layer is disposed may be larger than the area where the maximum diameter portion of the metal pad is disposed when viewed from above.

上記の構成によれば、メッキ層の外周縁部において、セラミック基板の表面との接触領域をより大きくすることができる。したがって、セラミック基板に対するメッキ層の密着強度を向上させることができる。 The above configuration allows the contact area between the outer peripheral edge of the plating layer and the surface of the ceramic substrate to be increased. This improves the adhesion strength of the plating layer to the ceramic substrate.

上記の本発明の一局面にかかる配線基板は、前記金属パッド上に配置されている金具をさらに備えていてもよい。 The wiring board according to one aspect of the present invention described above may further include a metal fitting disposed on the metal pad.

ここで、前記金具には、例えば、外部の電子部品との接続端子となるピンおよびスタッド、並びに、水晶振動子のシールリングなどが含まれる。例えば、金属パッド上にピンおよびスタッドなどが設けられていることで、外部の電子部品などとの電気的な接続を容易に実現することができる。 Here, the metal fittings include, for example, pins and studs that serve as connection terminals with external electronic components, as well as a seal ring for a quartz crystal oscillator. For example, by providing pins and studs on a metal pad, electrical connection with external electronic components can be easily achieved.

本発明の一局面にかかる配線基板によれば、メッキ層の下に設けられている金属パッドをより確実に保護することができる。 According to one aspect of the present invention, the wiring board can more reliably protect the metal pads located under the plating layer.

本発明の一実施形態にかかる配線基板の内部構成を示す断面模式図である。1 is a schematic cross-sectional view showing an internal configuration of a wiring board according to an embodiment of the present invention; 図1に示す配線基板に設けられている接続パッドの一つの構成を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing the configuration of one of the connection pads provided on the wiring board shown in FIG. 1 . 図1に示す配線基板に設けられている接続パッドの一つの構成を示す上面図である。2 is a top view showing the configuration of one of the connection pads provided on the wiring board shown in FIG. 1 . 本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造工程を示すフローチャートである。4 is a flowchart showing a manufacturing process of a wiring board according to an embodiment of the present invention. 図4に示す製造工程中の露光工程および現像工程を説明する模式図である。5A to 5C are schematic diagrams illustrating an exposure step and a development step in the manufacturing process shown in FIG. 4. 図4に示す製造工程中の転写工程を説明する模式図である。5 is a schematic diagram illustrating a transfer step in the manufacturing process shown in FIG. 4.

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same parts are given the same reference numerals. Their names and functions are also the same. Therefore, detailed descriptions thereof will not be repeated.

本実施形態では、本発明にかかる配線基板の一例として、配線基板1を例に挙げて説明する。配線基板1は、例えば、半導体素子、および水晶振動子などの電子部品を搭載するための配線基板、あるいは静電チャック用の配線基板などとして利用される。配線基板1には、入出力端子となるピン50が接続される金属パッド(例えば、接続パッド20)が設けられている。なお、水晶振動子が搭載される配線基板1の場合には、金属パッドにはシールリングが接続される。また、配線基板1には、ピン50などの金具が取り付けられていなくてもよい。 In this embodiment, wiring board 1 will be described as an example of a wiring board according to the present invention. Wiring board 1 is used, for example, as a wiring board for mounting electronic components such as semiconductor elements and quartz oscillators, or as a wiring board for an electrostatic chuck. Wiring board 1 is provided with metal pads (e.g., connection pads 20) to which pins 50 serving as input/output terminals are connected. In the case of wiring board 1 on which a quartz oscillator is mounted, a seal ring is connected to the metal pad. Also, metal fittings such as pins 50 do not have to be attached to wiring board 1.

図1には、配線基板1の一部分の断面構成を示す。配線基板1は、主として、セラミック基板11と、複数の導電性パターンとで構成されている。 Figure 1 shows a cross-sectional structure of a portion of wiring board 1. Wiring board 1 is mainly composed of a ceramic substrate 11 and multiple conductive patterns.

セラミック基板11は、配線基板1の土台となる部材である。セラミック基板11は、例えば、アルミナ(Al)を主成分とする高温焼成セラミックで形成することができる。また、別の実施態様では、セラミックシートは、焼結性を向上させたアルミナなどの中温焼成セラミック(MTCC)、または低温焼成セラミック(LTCC)で形成されていてもよい。 The ceramic substrate 11 is a member that serves as the base of the wiring board 1. The ceramic substrate 11 can be formed of, for example, high-temperature fired ceramics containing alumina (Al 2 O 3 ) as a main component. In another embodiment, the ceramic sheet may be formed of medium-temperature fired ceramics (MTCC) such as alumina with improved sinterability, or low-temperature fired ceramics (LTCC).

セラミック基板11は、1つまたは複数のセラミックグリーンシートを焼成して得られる。セラミック基板11が複数のセラミックグリーンシートから形成される場合には、セラミック基板11は、積層された複数のセラミック層を有している。図1には、セラミック基板11が、1つのセラミックグリーンシートで形成されている構成例を示している。 The ceramic substrate 11 is obtained by firing one or more ceramic green sheets. When the ceramic substrate 11 is formed from multiple ceramic green sheets, the ceramic substrate 11 has multiple laminated ceramic layers. Figure 1 shows an example of a configuration in which the ceramic substrate 11 is formed from a single ceramic green sheet.

本実施形態では、便宜上、略平板状のセラミック基板11において接続パッド20が設けられている側の面を表面11aとし、その反対側の面を裏面11bとする。但し、セラミック基板11の表面および裏面の定義はこれに限定はされず、任意に決めることができる。また、本実施形態では、セラミック基板11の面方向をX方向とし、セラミック基板11の厚み方向をY方向とする(図2参照)。 In this embodiment, for convenience, the surface of the substantially flat ceramic substrate 11 on which the connection pads 20 are provided is referred to as the front surface 11a, and the opposite surface is referred to as the back surface 11b. However, the definitions of the front surface and back surface of the ceramic substrate 11 are not limited to this and can be determined arbitrarily. In this embodiment, the surface direction of the ceramic substrate 11 is referred to as the X direction, and the thickness direction of the ceramic substrate 11 is referred to as the Y direction (see FIG. 2).

なお、図1に示す例では、配線基板1の一方の面(すなわち、表面11a)にのみ接続パッド20が設けられているが、別の実施態様では、接続パッド20は、配線基板1の両方の面(すなわち、表面11aおよび裏面11b)に設けられていてもよい。 In the example shown in FIG. 1, the connection pads 20 are provided only on one side of the wiring board 1 (i.e., the front side 11a), but in another embodiment, the connection pads 20 may be provided on both sides of the wiring board 1 (i.e., the front side 11a and the back side 11b).

導電性パターンは、セラミック基板11の表面11a、裏面11b、および内部などに設けられている。各導電性パターンは、それぞれ所定の形状に形成されており、例えば、配線、ビア、接続パッド(具体的には、金属パッド21)、および電極などとして機能する。 The conductive patterns are provided on the front surface 11a, rear surface 11b, and inside of the ceramic substrate 11. Each conductive pattern is formed into a predetermined shape and functions as, for example, wiring, vias, connection pads (specifically, metal pads 21), and electrodes.

導電性パターンは、例えば、銅(Cu)、タングステン(W)、銀(Ag)、またはモリブデン(Mo)などの金属材料、あるいはこれらの金属材料を主成分とする合金材料によって形成することができる。セラミック基板11が高温焼成セラミックで形成されている場合には、導電性パターンは、例えば、タングステン(W)、またはモリブデン(Mo)を主成分とすることが好ましい。セラミック基板11が中温焼成セラミックまたは低温焼成セラミックで形成されている場合には、導電性パターンは、例えば、銅(Cu)、または銀(Ag)を主成分とすることが好ましい。 The conductive pattern can be formed of, for example, a metal material such as copper (Cu), tungsten (W), silver (Ag), or molybdenum (Mo), or an alloy material mainly composed of these metal materials. When the ceramic substrate 11 is formed of high-temperature fired ceramic, it is preferable that the conductive pattern is mainly composed of, for example, tungsten (W) or molybdenum (Mo). When the ceramic substrate 11 is formed of medium-temperature fired ceramic or low-temperature fired ceramic, it is preferable that the conductive pattern is mainly composed of, for example, copper (Cu) or silver (Ag).

図1に示す例では、セラミック基板11の表面11a側に、導電性パターンの一例である接続パッド20が2個設けられている。但し、配線基板1に設けられている接続パッド20の個数はこれに限定はされない。図1では、図示を省略しているが、配線基板1には、配線、ビア、および電極などの導電性パターンも設けられている。 In the example shown in FIG. 1, two connection pads 20, which are an example of a conductive pattern, are provided on the front surface 11a of the ceramic substrate 11. However, the number of connection pads 20 provided on the wiring substrate 1 is not limited to this. Although not shown in FIG. 1, the wiring substrate 1 also has conductive patterns such as wiring, vias, and electrodes.

接続パッド20には、ピン(金具)50が接続される。ピン50は、ろう材55によって接続パッド20上に取り付けられている。 A pin (metal fitting) 50 is connected to the connection pad 20. The pin 50 is attached to the connection pad 20 by solder material 55.

接続パッド20は、主として、金属パッド21と、金属パッド21上に設けられているメッキ層30とで構成されている。 The connection pad 20 is mainly composed of a metal pad 21 and a plating layer 30 provided on the metal pad 21.

金属パッド21は、導電性パターンの一例であり、上述した材料を用いて形成される。金属パッド21は、その一部(例えば、柱状部21bと、柱状部21bに連続する先細部21aの一部)がセラミック基板11に埋設されているとともに、他の一部(例えば、先細部21aの頂部)がセラミック基板11の表面11aから突出している。 The metal pad 21 is an example of a conductive pattern and is formed using the material described above. A part of the metal pad 21 (e.g., the columnar portion 21b and a part of the tapered portion 21a continuing from the columnar portion 21b) is embedded in the ceramic substrate 11, and another part (e.g., the top of the tapered portion 21a) protrudes from the surface 11a of the ceramic substrate 11.

メッキ層30は、金属パッド21における表面11aから突出している部分を覆うように設けられている。メッキ層30は、単層のメッキ層で構成されていてもよいし、複数のメッキ層で構成されていてもよい。メッキ層30が複数のメッキ層で構成されている場合には、メッキ層30には、例えば、Niメッキ層31、およびAuメッキ層32などが含まれる(図2参照)。メッキ層30は、例えば、従来公知の電解めっき法などを用いて形成することができる。電解めっき法を行うことで、セラミック基板11の表面11aから露出している金属パッド21の表面にメッキ被膜を形成することができる。 The plating layer 30 is provided so as to cover the portion of the metal pad 21 protruding from the surface 11a. The plating layer 30 may be composed of a single plating layer, or may be composed of multiple plating layers. When the plating layer 30 is composed of multiple plating layers, the plating layer 30 includes, for example, a Ni plating layer 31 and an Au plating layer 32 (see FIG. 2). The plating layer 30 can be formed, for example, by using a conventionally known electrolytic plating method. By performing the electrolytic plating method, a plating film can be formed on the surface of the metal pad 21 exposed from the surface 11a of the ceramic substrate 11.

図2には、本実施形態にかかる配線基板1に備えられている接続パッド20の一つを拡大して示す。また、図3は、接続パッド20の一つが形成されている箇所を含む配線基板1の一部の上面図である。上述したように、接続パッド20は、金属パッド21と、メッキ層30とを有している。 Figure 2 shows an enlarged view of one of the connection pads 20 provided on the wiring board 1 according to this embodiment. Also, Figure 3 is a top view of a portion of the wiring board 1 including a location where one of the connection pads 20 is formed. As described above, the connection pad 20 has a metal pad 21 and a plating layer 30.

金属パッド21は、上面視で略円形状となっている。図2に示すように、金属パッド21は、先細部21aと、柱状部21bとを有している。図2では、先細部21aと、柱状部21bとの境界に一点鎖線を付している。先細部21aは、セラミック基板11の表面(図2などでは、表面11a)側に位置している。 The metal pad 21 has a generally circular shape when viewed from above. As shown in FIG. 2, the metal pad 21 has a tapered portion 21a and a columnar portion 21b. In FIG. 2, a dashed line is drawn at the boundary between the tapered portion 21a and the columnar portion 21b. The tapered portion 21a is located on the surface side of the ceramic substrate 11 (surface 11a in FIG. 2, etc.).

先細部21aは、セラミック基板11の表面11aへ向かって先細となっている。すなわち、先細部21aは、セラミック基板11の面方向(X方向)における断面積が、セラミック基板11の内部側へ向かうにしたがって大きくなる形状を有している。本実施形態では、先細部21aの面方向(X方向)の断面形状は、略円形となっている。 The tapered portion 21a tapers toward the surface 11a of the ceramic substrate 11. That is, the tapered portion 21a has a shape in which the cross-sectional area in the surface direction (X direction) of the ceramic substrate 11 increases toward the inside of the ceramic substrate 11. In this embodiment, the cross-sectional shape of the tapered portion 21a in the surface direction (X direction) is approximately circular.

柱状部21bは、セラミック基板11の内部側に位置している。図示はされていないが、柱状部21bは、セラミック基板11の内部に配置されているビアまたは配線などと接触した状態となっていてもよい。柱状部21bは、セラミック基板11の面方向(X方向)に沿った断面形状が、セラミック基板11の厚み方向(Y方向)に略一定となっている。本実施形態では、柱状部21bの面方向(X方向)の断面形状は、略円形となっている。 The columnar portion 21b is located on the inside of the ceramic substrate 11. Although not shown, the columnar portion 21b may be in contact with a via or wiring arranged inside the ceramic substrate 11. The cross-sectional shape of the columnar portion 21b along the surface direction (X direction) of the ceramic substrate 11 is approximately constant in the thickness direction (Y direction) of the ceramic substrate 11. In this embodiment, the cross-sectional shape of the columnar portion 21b along the surface direction (X direction) is approximately circular.

本実施形態では、金属パッド21をY方向(厚み方向)の断面視で見たときに、金属パッド21におけるX方向(面方向)における幅が最大となる最大径部(本実施形態では、柱状部21bに相当)は、セラミック基板11の内部に位置している。 In this embodiment, when the metal pad 21 is viewed in cross section in the Y direction (thickness direction), the maximum diameter portion (corresponding to the columnar portion 21b in this embodiment) where the width of the metal pad 21 in the X direction (surface direction) is maximum is located inside the ceramic substrate 11.

金属パッド21がこのような形状を有していることで、金属パッド21がセラミック基板11から抜けにくい構成とすることができる。 The metal pad 21 has such a shape that it is difficult for the metal pad 21 to come off the ceramic substrate 11.

図2に示すように、金属パッド21は、その少なくとも一部がセラミック基板11内に埋まった状態となっている。そして、金属パッド21の他の一部(具体的には、頂部)は、セラミック基板11の表面11aから突出している。 As shown in FIG. 2, at least a portion of the metal pad 21 is embedded in the ceramic substrate 11. Another portion of the metal pad 21 (specifically, the top) protrudes from the surface 11a of the ceramic substrate 11.

具体的には、金属パッド21は、セラミック基板11の表面11aと直交する厚み方向の寸法の半分よりも多くの部分がセラミック基板11内に埋まっている。すなわち、図2に示すように、金属パッド21の厚み方向の寸法をHとし、金属パッド21におけるセラミック基板11内に埋まっている部分(セラミック基板11の表面11aの仮想延長面(破線で示す)よりも下方の部分)の厚み方向の寸法H1とすると、H1>1/2×Hとなっている。 Specifically, more than half of the dimension of the metal pad 21 in the thickness direction perpendicular to the surface 11a of the ceramic substrate 11 is embedded in the ceramic substrate 11. In other words, as shown in FIG. 2, if the dimension of the metal pad 21 in the thickness direction is H and the dimension of the part of the metal pad 21 embedded in the ceramic substrate 11 (the part below the imaginary extension plane (shown by the dashed line) of the surface 11a of the ceramic substrate 11) in the thickness direction is H1, then H1>1/2×H.

また、金属パッド21は、その全表面積の50%よりも多くの部分がセラミック基板11内に埋まっているということもできる。この構成によれば、金属パッド21は、セラミック基板11の表面11aから突出している部分の表面積よりも、セラミック基板11内に埋め込まれている部分(セラミック基板11の表面11aよりも下方の部分)の表面積の方が大きくなる。このように、金属パッド21においてセラミック基板11に埋め込まれている部分の表面積がより大きくなることで、金属パッド21からセラミック基板11への熱伝達性を向上させることができる。 It can also be said that more than 50% of the total surface area of the metal pad 21 is embedded in the ceramic substrate 11. With this configuration, the surface area of the portion of the metal pad 21 embedded in the ceramic substrate 11 (the portion below the surface 11a of the ceramic substrate 11) is larger than the surface area of the portion protruding from the surface 11a of the ceramic substrate 11. In this way, by increasing the surface area of the portion of the metal pad 21 embedded in the ceramic substrate 11, the heat transfer from the metal pad 21 to the ceramic substrate 11 can be improved.

なお、金属パッド21において、セラミック基板11内に埋まっている部分の割合は、金属パッド21の厚み方向の寸法Hの60%以上であることが好ましく、70%以上であることがより好ましい。 In addition, the proportion of the metal pad 21 that is buried in the ceramic substrate 11 is preferably 60% or more of the thickness dimension H of the metal pad 21, and more preferably 70% or more.

また、金属パッド21の一部(具体的には、頂部)が、セラミック基板11の表面11aから突出していることで、金属パッド21を覆うように設けられるメッキ層30において、ピン50などの金具との接合に寄与する領域を増やすことができる。これにより、接続パッド20上に配置されるピン50などの金具をより安定した状態で固定することができる。この点を踏まえると、金属パッド21の頂部の表面11aからの突出量は、金属パッド21の厚み方向の寸法Hの割合で5%以上であることが好ましい。 In addition, by having a portion of the metal pad 21 (specifically, the top) protruding from the surface 11a of the ceramic substrate 11, the area of the plating layer 30 provided to cover the metal pad 21 that contributes to bonding with metal fittings such as the pin 50 can be increased. This allows metal fittings such as the pin 50 placed on the connection pad 20 to be fixed in a more stable state. In light of this, it is preferable that the amount by which the top of the metal pad 21 protrudes from the surface 11a is 5% or more of the dimension H in the thickness direction of the metal pad 21.

メッキ層30は、セラミック基板11の表面11aから突出した金属パッド21の表面を覆うように設けられている。本実施形態では、メッキ層30は、Niメッキ層31とAuメッキ層32とが積層された積層構造を有している。具体的には、金属パッド21の表面を覆うようにNiメッキ層31が設けられ、Niメッキ層31を覆うようにAuメッキ層32が設けられていることが好ましい。これにより、接続パッド20の表面を、化学的により安定したAuメッキ層32で覆うことができる。 The plating layer 30 is provided so as to cover the surface of the metal pad 21 protruding from the surface 11a of the ceramic substrate 11. In this embodiment, the plating layer 30 has a laminated structure in which a Ni plating layer 31 and an Au plating layer 32 are laminated. Specifically, it is preferable that the Ni plating layer 31 is provided so as to cover the surface of the metal pad 21, and the Au plating layer 32 is provided so as to cover the Ni plating layer 31. This allows the surface of the connection pad 20 to be covered with the chemically more stable Au plating layer 32.

図2などに示すように、メッキ層30は、金属パッド21の外周縁部に隣接しているセラミック基板11の表面11aにはみ出ており、セラミック基板11の表面11aに接触している。 As shown in FIG. 2, the plating layer 30 extends onto the surface 11a of the ceramic substrate 11 adjacent to the outer periphery of the metal pad 21 and is in contact with the surface 11a of the ceramic substrate 11.

これにより、メッキ層30の外周縁部は、セラミック基板11の表面11aと密着された状態となる。そのため、配線基板1の製造時に使用される薬液(例えば、メッキ工程などの後に配線基板1の表面を洗浄処理する際に使用する薬液)が、メッキ層30の下層の金属パッド21側へ入り込む可能性を低減させることができる。したがって、メッキ層30の下に設けられている金属パッド21をより確実に保護することができる。 This allows the outer periphery of the plating layer 30 to be in close contact with the surface 11a of the ceramic substrate 11. This reduces the possibility that the chemicals used in manufacturing the wiring substrate 1 (e.g., the chemicals used to clean the surface of the wiring substrate 1 after a plating process, etc.) will seep into the metal pads 21 underneath the plating layer 30. This allows the metal pads 21 underneath the plating layer 30 to be more reliably protected.

なお、本実施形態では、配線基板1の上面視で、メッキ層30の配置領域は、金属パッド21の最大径部(本実施形態では、柱状部21b)の配置領域よりも大きくなっている(図3参照)。すなわち、メッキ層30のX方向(面方向)の大きさ(本実施形態では、メッキ層30の径D2に相当)は、金属パッド21の最大径部のX方向(面方向)の大きさ(本実施形態では、柱状部21bの径D1に相当)よりも大きくなっている(図2および図3参照)。また、配線基板1の上面視で、金属パッド21の最大径部の配置領域は、メッキ層30の配置領域内に存在する(図3参照)。 In this embodiment, the arrangement area of the plating layer 30 is larger than the arrangement area of the maximum diameter portion of the metal pad 21 (in this embodiment, the columnar portion 21b) when viewed from above the wiring board 1 (see FIG. 3). That is, the size of the plating layer 30 in the X direction (plane direction) (corresponding to the diameter D2 of the plating layer 30 in this embodiment) is larger than the size of the maximum diameter portion of the metal pad 21 in the X direction (plane direction) (corresponding to the diameter D1 of the columnar portion 21b in this embodiment) (see FIGS. 2 and 3). In addition, when viewed from above the wiring board 1, the arrangement area of the maximum diameter portion of the metal pad 21 exists within the arrangement area of the plating layer 30 (see FIG. 3).

この構成によれば、上面視で金属パッド21の配置領域の外側に位置するメッキ層30の外周縁部において、セラミック基板11の表面11aとの接触領域をより大きくすることができる。したがって、セラミック基板11に対するメッキ層30の密着強度を向上させることができる。これにより、基板からより剥がれにくい接続パッド20が得られる。 This configuration makes it possible to increase the contact area with the surface 11a of the ceramic substrate 11 at the outer periphery of the plating layer 30 located outside the area where the metal pad 21 is arranged when viewed from above. This improves the adhesion strength of the plating layer 30 to the ceramic substrate 11. This results in a connection pad 20 that is less likely to peel off from the substrate.

続いて、配線基板1の製造方法について説明する。ここでは、セラミック基板11に接続パッド20を形成する工程を中心に説明する。この工程以外の配線基板1の製造方法については、従来公知の配線基板の製造方法が適用できる。 Next, a method for manufacturing the wiring board 1 will be described. Here, the process for forming the connection pads 20 on the ceramic substrate 11 will be mainly described. For the manufacturing method of the wiring board 1 other than this process, a conventionally known method for manufacturing wiring boards can be applied.

図4には、配線基板1の製造工程の一部を工程順に示す。図4では、主に、パターン形成工程(S10)からメッキ工程(S40)までの各工程を示している。 Figure 4 shows part of the manufacturing process for wiring board 1 in the order of steps. Figure 4 mainly shows each step from the pattern formation step (S10) to the plating step (S40).

図5には、金属パッド21用の導電性パターンを形成するためのパターン形成工程(S10)が行われる様子を工程順に示す。図6には、金属パッド21用の導電性パターンをセラミックシート10に転写する転写工程(S30)が行われる様子を工程順に模式的に示す。 Figure 5 shows the process of forming a pattern (S10) for forming a conductive pattern for the metal pad 21 in the order of steps. Figure 6 shows the process of transferring the conductive pattern for the metal pad 21 to the ceramic sheet 10 in the order of steps.

図4に示す各工程を行うにあたって、先ず、セラミックシート10を準備する。セラミックシート10は、例えば、アルミナ(Al)などを含有するセラミック材料の粉末を、有機溶剤およびバインダなどとともに混練してスラリーを作製した後、シート状に成形することで得られる。 4, first, a ceramic sheet 10 is prepared. The ceramic sheet 10 is obtained by kneading a powder of a ceramic material containing, for example, alumina (Al 2 O 3 ) or the like with an organic solvent and a binder to prepare a slurry, and then forming the slurry into a sheet.

セラミックシート10を準備した後、必要に応じて、セラミックシート10内の所定の箇所にビア用の導電性パターンを形成する。ビア用の導電性パターンを形成する工程では、セラミックシート10内の所定の位置(ビアが形成される位置)に貫通孔を形成し、貫通孔内に導電性ペーストを埋め込む。これにより、セラミックシート10内の所定位置にビアとなる領域が形成される。 After preparing the ceramic sheet 10, a conductive pattern for vias is formed at a predetermined location in the ceramic sheet 10 as necessary. In the process of forming the conductive pattern for vias, through holes are formed at predetermined positions in the ceramic sheet 10 (positions where vias will be formed) and conductive paste is embedded in the through holes. This forms areas that will become vias at predetermined positions in the ceramic sheet 10.

続いて、パターン形成工程(S10)を行う。図5には、パターン形成工程(S10)が行われる様子を模式的に示す。パターン形成工程(S10)には、露光工程(S11)および現像工程(S12)が含まれる。図5には、露光工程(S11)、および、その後に行われる現像工程(S12)の様子を、工程Aから工程Cの順に示す。 Next, the pattern formation process (S10) is performed. Figure 5 shows a schematic diagram of how the pattern formation process (S10) is performed. The pattern formation process (S10) includes an exposure process (S11) and a development process (S12). Figure 5 shows the exposure process (S11) and the subsequent development process (S12) in the order of steps A to C.

露光工程(S11)を行うにあたって、先ず、キャリアフィルム61と、感光性の導電性ペースト62を準備する。キャリアフィルム61としては、例えば、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PET(ポリエチレンテレフタレート)などの樹脂製の透明フィルムを用いることができる。 When performing the exposure process (S11), first prepare a carrier film 61 and a photosensitive conductive paste 62. As the carrier film 61, for example, a transparent film made of a resin such as PEN (polyethylene naphthalate) or PET (polyethylene terephthalate) can be used.

導電性ペースト62は、例えば、銅(Cu)、タングステン(W)、銀(Ag)、またはモリブデン(Mo)などを含有する金属粉末と、感光性樹脂とを含む。感光性樹脂としては、紫外光が照射されると光硬化するネガ型感光材が用いられる。導電性ペーストに感光性樹脂が含まれることで、フォトリソグラフィによって所定形状の導電性パターンを形成することができる。そのため、例えば、スクリーン印刷法で導電性パターンを形成する場合と比較して、より高精細なパターン形状を有する導電性パターンを形成することができる。 The conductive paste 62 contains a metal powder containing, for example, copper (Cu), tungsten (W), silver (Ag), or molybdenum (Mo), and a photosensitive resin. The photosensitive resin used is a negative photosensitive material that is photocured when irradiated with ultraviolet light. By including a photosensitive resin in the conductive paste, a conductive pattern of a predetermined shape can be formed by photolithography. Therefore, a conductive pattern having a more precise pattern shape can be formed, compared to, for example, forming a conductive pattern by screen printing.

導電性ペースト62は、キャリアフィルム61上に塗布される。導電性ペースト62の塗布は、従来公知のスクリーン印刷装置などを用いて行うことができる。これにより、導電性ペースト付着フィルム体(以下、フィルム体と呼ぶ)が得られる。 The conductive paste 62 is applied onto the carrier film 61. The conductive paste 62 can be applied using a conventionally known screen printing device or the like. This results in a conductive paste-adhered film body (hereinafter referred to as the film body).

露光工程(S11)では、例えば、UV光源などを備えている露光装置を用いてキャリアフィルム61上に塗布された導電性ペースト62に光Lを照射する。 In the exposure process (S11), light L is irradiated onto the conductive paste 62 applied to the carrier film 61 using an exposure device equipped with, for example, a UV light source.

露光工程(S11)では、ガラスマスク70を用いてキャリアフィルム61上の導電性ペースト62に光Lを照射し、配線基板1に形成される金属パッド21のパターン形状に合わせて、導電性ペースト62内の感光性樹脂を光硬化させる。図5では、導電性ペースト62のキャリアフィルム61から遠い側の面を第1面62aとし、キャリアフィルム61との接触面を第2面62bとする。 In the exposure process (S11), light L is irradiated onto the conductive paste 62 on the carrier film 61 using a glass mask 70, and the photosensitive resin in the conductive paste 62 is photocured according to the pattern shape of the metal pads 21 formed on the wiring board 1. In FIG. 5, the surface of the conductive paste 62 farther from the carrier film 61 is the first surface 62a, and the surface in contact with the carrier film 61 is the second surface 62b.

露光工程(S11)では、導電性ペースト62の上方に、ガラスマスク70が配置される。ガラスマスク70には、平板状のガラス71に、形成予定の導電性パターン25の形状にあわせて遮光膜72が設けられている。露光工程では、キャリアフィルム61上の導電性ペースト62に対して、ガラスマスク70を介して、導電性ペースト62に含まれる感光性樹脂が光硬化する光L(例えば、紫外光)が照射される。 In the exposure process (S11), a glass mask 70 is placed above the conductive paste 62. The glass mask 70 has a flat glass 71 on which a light-shielding film 72 is provided in accordance with the shape of the conductive pattern 25 to be formed. In the exposure process, the conductive paste 62 on the carrier film 61 is irradiated through the glass mask 70 with light L (e.g., ultraviolet light) that photocures the photosensitive resin contained in the conductive paste 62.

これにより、遮光膜72が設けられていない領域の導電性ペースト62には光Lが照射される一方、遮光膜72が設けられている領域の導電性ペースト62には光Lが照射されない。その結果、キャリアフィルム61上の導電性ペースト62では、光Lが照射された領域に存在する感光性樹脂のみが光硬化し、遮光膜72によって光が遮られる領域に存在する感光性樹脂は光硬化することなくキャリアフィルム61上に残る。 Thereby, the light L is irradiated onto the conductive paste 62 in the area where the light-shielding film 72 is not provided, while the light L is not irradiated onto the conductive paste 62 in the area where the light-shielding film 72 is provided. As a result, in the conductive paste 62 on the carrier film 61, only the photosensitive resin present in the area irradiated with the light L is photocured, and the photosensitive resin present in the area where the light is blocked by the light-shielding film 72 remains on the carrier film 61 without being photocured.

なお、このようにして光Lを照射すると、導電性ペースト62内に含まれる金属粉末によって光が散乱されるため、照射された光Lの一部は、キャリアフィルム61に近い側(すなわち、第2面62b側)の導電性ペースト62にまで到達しない。そのため、キャリアフィルム61に近い側(すなわち、第2面62b側)の導電性ペースト62内の感光性樹脂は光硬化が阻害される傾向にある。 When light L is irradiated in this manner, the light is scattered by the metal powder contained in the conductive paste 62, and therefore some of the irradiated light L does not reach the conductive paste 62 on the side closer to the carrier film 61 (i.e., the second surface 62b side). As a result, the photocuring of the photosensitive resin in the conductive paste 62 on the side closer to the carrier film 61 (i.e., the second surface 62b side) tends to be inhibited.

すなわち、導電性ペースト62において光硬化される領域は、光Lが入射する側(すなわち、第1面62a側)から離れるにしたがって狭くなる。これにより、導電性ペースト62には、キャリアフィルム61との接触面へ向かって先細となる形状を有する光硬化領域25Aが形成される。 That is, the area of the conductive paste 62 that is photocured becomes narrower as it moves away from the side where the light L is incident (i.e., the first surface 62a side). As a result, a photocured area 25A is formed in the conductive paste 62 that has a shape that tapers toward the contact surface with the carrier film 61.

その後、現像工程(S12)を行う。現像工程(S12)では、キャリアフィルム61上に、導電性パターン25を形成する。具体的には、導電性ペースト62を現像液で処理し、導電性ペースト62の未感光部分を除去する。これにより、導電性ペースト62の光硬化した領域のみがキャリアフィルム61上に残り、キャリアフィルム61上に導電性パターン25が形成される(図5の工程C参照)。導電性パターン25は、キャリアフィルム61側に位置する先細部21aと、キャリアフィルム61から遠い側に位置する柱状部21bとを有する。 Then, a development process (S12) is performed. In the development process (S12), a conductive pattern 25 is formed on the carrier film 61. Specifically, the conductive paste 62 is treated with a developer to remove the unexposed portions of the conductive paste 62. As a result, only the photocured areas of the conductive paste 62 remain on the carrier film 61, and the conductive pattern 25 is formed on the carrier film 61 (see process C in FIG. 5). The conductive pattern 25 has a tapered portion 21a located on the carrier film 61 side and a columnar portion 21b located on the side farther from the carrier film 61.

以上のようにして、パターン形成工程(S10)が行われる。これにより、キャリアフィルム61上に所定形状の導電性パターン25が形成される。 The pattern formation process (S10) is carried out in this manner. This results in the formation of a conductive pattern 25 of a predetermined shape on the carrier film 61.

続いて、転写工程(S20)を行う。図6には、転写工程(S20)が行われる様子を模式的に示す。転写工程(S20)では、準備しておいたセラミックシート10に対して、パターン形成工程(S10)で形成された導電性パターン25を転写し、セラミックシート10上に導電性パターン25を配置する。 Then, the transfer step (S20) is performed. FIG. 6 shows a schematic diagram of the transfer step (S20). In the transfer step (S20), the conductive pattern 25 formed in the pattern formation step (S10) is transferred to the prepared ceramic sheet 10, and the conductive pattern 25 is arranged on the ceramic sheet 10.

具体的には、図6の工程Aに示すように、セラミックシート10の表面に接着溶剤75(例えば、アルコール系溶剤)を塗布し、セラミックシート10の一部をペースト化する。ここでは、セラミックシート10の表面10a(セラミック基板11の表面11aに相当する)側から接着用材を塗布し、セラミックシートの一部をペースト化する。図6では、セラミックシート10において、ペースト化されたセラミック部分を10cで示す。 Specifically, as shown in step A of FIG. 6, an adhesive solvent 75 (e.g., an alcohol-based solvent) is applied to the surface of the ceramic sheet 10, and a portion of the ceramic sheet 10 is turned into a paste. Here, the adhesive material is applied to the surface 10a (corresponding to the surface 11a of the ceramic substrate 11) side of the ceramic sheet 10, and a portion of the ceramic sheet is turned into a paste. In FIG. 6, the pasted ceramic portion of the ceramic sheet 10 is indicated as 10c.

次に、図6の工程Bに示すように、キャリアフィルム61の導電性パターン25が形成された面をセラミックシート10側にして、キャリアフィルム61をセラミックシート10の表面10a上に載せて、熱プレス装置76を用いて加圧および加熱する。 Next, as shown in step B of FIG. 6, the carrier film 61 is placed on the surface 10a of the ceramic sheet 10 with the surface on which the conductive pattern 25 is formed facing the ceramic sheet 10, and pressure and heat are applied using a heat press device 76.

その後、図6の工程Cに示すように、キャリアフィルム61を剥がすことにより、導電性パターン25がセラミックシート10に転写される。ここで、導電性パターン25の少なくとも一部は、セラミックシート10内に埋め込まれた状態となっている。 Then, as shown in step C of FIG. 6, the carrier film 61 is peeled off, and the conductive pattern 25 is transferred to the ceramic sheet 10. Here, at least a portion of the conductive pattern 25 is embedded in the ceramic sheet 10.

このようにして、セラミックシート10には、金属パッド21用の導電性パターン25が形成される。 In this way, a conductive pattern 25 for the metal pad 21 is formed on the ceramic sheet 10.

複数のセラミック層を有する配線基板1の場合には、上記の方法で、複数のセラミックシート10を形成した後、各シートを決められた順序で積層する。 In the case of a wiring board 1 having multiple ceramic layers, multiple ceramic sheets 10 are formed using the method described above, and then the sheets are stacked in a predetermined order.

その後、焼成工程(S30)を行う。焼成工程(S30)では、導電性パターン25が形成されたセラミックシート10、またはその積層体をコファイヤ焼成(同時焼成)する。これにより、セラミックシート10はセラミック基板11となる。なお、焼成工程(S30)を行うことによって、導電性パターン25内に含まれている感光性樹脂は焼失する。 Then, a firing step (S30) is performed. In the firing step (S30), the ceramic sheet 10 on which the conductive pattern 25 is formed, or the laminate thereof, is co-fired (co-fired). As a result, the ceramic sheet 10 becomes the ceramic substrate 11. Note that by performing the firing step (S30), the photosensitive resin contained in the conductive pattern 25 is burned away.

焼成工程(S30)が終了すると、メッキ工程(S40)が行われる。メッキ工程(S40)は、例えば、従来公知の電解めっき法によって実施される。電解めっき法を行うことで、セラミック基板11から露出している金属パッド21の表面にメッキ被膜を形成することができる。 After the firing step (S30) is completed, the plating step (S40) is performed. The plating step (S40) is performed, for example, by a conventionally known electrolytic plating method. By performing the electrolytic plating method, a plating film can be formed on the surface of the metal pad 21 exposed from the ceramic substrate 11.

このメッキ工程(S40)では、使用するメッキ液の成分を変更してメッキ処理を複数回繰り返してもよい。これにより、金属パッド21の表面に、複数のメッキ層(例えば、Niメッキ層31、およびAuメッキ層32など)を有するメッキ層30を形成することができる。 In this plating step (S40), the plating process may be repeated multiple times by changing the components of the plating solution used. This allows a plating layer 30 having multiple plating layers (e.g., Ni plating layer 31 and Au plating layer 32, etc.) to be formed on the surface of the metal pad 21.

メッキ工程(S40)が終了すると、洗浄などの後処理の工程が行われる。以上のようにして、接続パッド20を備えている配線基板1が製造される。 After the plating process (S40) is completed, post-processing steps such as cleaning are performed. In this manner, the wiring board 1 having the connection pads 20 is manufactured.

なお、図1に示す配線基板1のように、接続パッド20上にピン50などの金具が取り付けられている場合には、メッキ工程(S40)が終了した後に、ろう付けによってピン50を接続パッド20上に取り付ける。これにより、ろう材55によって固定されたピン50を有する配線基板1が得られる。 When metal fittings such as pins 50 are attached to the connection pads 20 as in the wiring board 1 shown in FIG. 1, the pins 50 are attached to the connection pads 20 by brazing after the plating step (S40) is completed. This results in a wiring board 1 having pins 50 fixed by the brazing material 55.

以上のように、本実施形態にかかる配線基板1の製造方法では、感光性の導電性ペースト62が塗布されたキャリアフィルム61を露光および現像することによって、キャリアフィルム61との接触面へ向かって先細となる形状を有する導電性パターン25を形成する。この導電性パターン25を、セラミックシート10に転写して金属パッド21を形成する。 As described above, in the method for manufacturing the wiring board 1 according to this embodiment, the carrier film 61 coated with the photosensitive conductive paste 62 is exposed to light and developed to form the conductive pattern 25 having a shape that tapers toward the contact surface with the carrier film 61. This conductive pattern 25 is transferred to the ceramic sheet 10 to form the metal pad 21.

このような製造方法を用いて金属パッド21を形成することで、より微細な金属パッド21を形成することができる。例えば、本実施形態にかかる製造方法によれば、金属パッド21の径D1が約30μm程度であり、隣接する金属パッド21同士の間隔が約60μm程度の高精細な金属パッド21を備えた配線基板1を得ることができる。 By forming the metal pads 21 using such a manufacturing method, it is possible to form finer metal pads 21. For example, according to the manufacturing method of this embodiment, it is possible to obtain a wiring board 1 equipped with highly fine metal pads 21 in which the diameter D1 of the metal pads 21 is about 30 μm and the spacing between adjacent metal pads 21 is about 60 μm.

また、上述のパターン形成工程(S10)の露光工程(S11)では、導電性ペースト62の光硬化される領域が、光Lが入射する側から離れるにしたがって狭くなるという特性を利用して、導電性パターン25に先細部21aを形成することができる。この先細部21aは、金属パッド21の先細部21aとなる。金属パッド21において、セラミック基板11の表面11a側に先細部21aが形成されていることで、金属パッド21をセラミック基板11から抜けにくくすることができる。 In addition, in the exposure step (S11) of the above-mentioned pattern formation step (S10), a tapered portion 21a can be formed in the conductive pattern 25 by utilizing the characteristic that the photocured area of the conductive paste 62 becomes narrower as it moves away from the side where the light L is incident. This tapered portion 21a becomes the tapered portion 21a of the metal pad 21. By forming the tapered portion 21a of the metal pad 21 on the surface 11a side of the ceramic substrate 11, it is possible to make it difficult for the metal pad 21 to come off the ceramic substrate 11.

(実施形態のまとめ)
以上のように、本実施形態にかかる配線基板1は、セラミック基板11と、セラミック基板11の表面11aに設けられている金属パッド21と、金属パッド21上に設けられているメッキ層30とを備えている。金属パッド21およびメッキ層30は、外部の電子部品などとの電気接続を行う接続パッド20を構成している。金属パッド21は、その一部がセラミック基板11に埋設されているとともに、他の一部がセラミック基板11の表面11aから突出している。メッキ層30は、金属パッド21の外周縁部に隣接しているセラミック基板11の表面11aにはみ出ており、セラミック基板11に接触している。
(Summary of the embodiment)
As described above, the wiring board 1 according to this embodiment includes the ceramic substrate 11, the metal pad 21 provided on the surface 11a of the ceramic substrate 11, and the plating layer 30 provided on the metal pad 21. The metal pad 21 and the plating layer 30 form the connection pad 20 for electrical connection to an external electronic component or the like. A part of the metal pad 21 is embedded in the ceramic substrate 11, and another part of the metal pad 21 protrudes from the surface 11a of the ceramic substrate 11. The plating layer 30 protrudes onto the surface 11a of the ceramic substrate 11 adjacent to the outer periphery of the metal pad 21, and is in contact with the ceramic substrate 11.

上記の構成では、金属パッド21におけるセラミック基板表面からの突出部分の全体が、メッキ層30によって覆われた状態となる。すなわち、メッキ層30が、金属パッド21の外周端部を覆うように、金属パッド21の突出部に回り込むように設けられた状態となる。 In the above configuration, the entire protruding portion of the metal pad 21 from the surface of the ceramic substrate is covered with the plating layer 30. In other words, the plating layer 30 is provided so as to wrap around the protruding portion of the metal pad 21 and cover the outer peripheral end of the metal pad 21.

これにより、メッキ層30の外周縁部が、セラミック基板11の表面11aと密着された状態となるため、配線基板1の製造時に使用される薬液が、メッキ層30の下層の金属パッド21側へ入り込む可能性を低減させることができる。したがって、メッキ層30の下に設けられている金属パッド21をより確実に保護することができ、金属パッド21に含まれるタングステンやモリブデンなどの金属の変性を抑制することができる。 This allows the outer periphery of the plating layer 30 to be in close contact with the surface 11a of the ceramic substrate 11, reducing the possibility that the chemicals used in manufacturing the wiring substrate 1 will seep into the metal pads 21 underneath the plating layer 30. This allows the metal pads 21 underneath the plating layer 30 to be more reliably protected, and prevents the alteration of metals such as tungsten and molybdenum contained in the metal pads 21.

また、本実施形態にかかる配線基板1では、転写法を用いて金属パッド21を形成している。これにより、金属パッド21の少なくとも一部がセラミック基板11に埋設された状態とすることができる。これにより、セラミック基板11に対する金属パッド21の密着強度を向上させることができる。そのため、セラミック基板11上に金属パッド21を形成した後に、金属パッド21の外周を、例えば、アルミナコートなどを用いて被覆する必要性を低減させることができる。 In addition, in the wiring board 1 according to this embodiment, the metal pad 21 is formed using a transfer method. This allows at least a portion of the metal pad 21 to be embedded in the ceramic substrate 11. This improves the adhesion strength of the metal pad 21 to the ceramic substrate 11. Therefore, after the metal pad 21 is formed on the ceramic substrate 11, it is possible to reduce the need to coat the outer periphery of the metal pad 21 with, for example, an alumina coat.

転写法を用いて金属パッド21を形成すると、スクリーン印刷法を用いて金属パッド21を形成した場合と比較して、金属パッド21表面の平坦性を向上させることができる。そのため、本実施形態にかかる配線基板1において、転写法を用いて形成された金属パッド21を接続パッド20として利用すると、接続パッド20上に配置されるピン50などの金具との接続信頼性を向上させることができる。 When the metal pad 21 is formed using the transfer method, the flatness of the surface of the metal pad 21 can be improved compared to when the metal pad 21 is formed using the screen printing method. Therefore, in the wiring board 1 according to this embodiment, when the metal pad 21 formed using the transfer method is used as the connection pad 20, the connection reliability with metal fittings such as the pin 50 arranged on the connection pad 20 can be improved.

なお、本実施形態では、金属パッドおよびメッキ層を有するパッドとして、電気接続用のピンパッド(すなわち、接続パッド20)を例示して説明したが、パッドの用途は電気接続用のものに限定はされない。別の実施態様では、金属パッドおよびメッキ層を有するパッドは、水晶振動子などを搭載する配線基板におけるシールリング用のパッドとして利用され得る。 In this embodiment, a pin pad for electrical connection (i.e., connection pad 20) is used as an example of a pad having a metal pad and a plating layer, but the use of the pad is not limited to electrical connection. In another embodiment, the pad having a metal pad and a plating layer can be used as a pad for a seal ring in a wiring board on which a quartz crystal oscillator or the like is mounted.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、本明細書で説明した種々の実施形態の構成を互いに組み合わせて得られる構成についても、本発明の範疇に含まれる。 The embodiments disclosed herein should be considered to be illustrative and not restrictive in all respects. The scope of the present invention is indicated by the claims, not by the above description, and is intended to include all modifications within the meaning and scope of the claims. Furthermore, configurations obtained by combining the configurations of the various embodiments described in this specification are also included in the scope of the present invention.

1 :配線基板
11 :セラミック基板
11a :(セラミック基板の)表面
20 :接続パッド
21 :金属パッド
21a :(金属パッドの)先細部
21b :(金属パッドの)柱状部(金属パッドの最大径部)
30 :メッキ層
50 :ピン(金具)
1: Wiring board 11: Ceramic board 11a: Surface (of ceramic board) 20: Connection pad 21: Metal pad 21a: Tapered portion (of metal pad) 21b: Columnar portion (maximum diameter portion of metal pad)
30: plating layer 50: pin (metal fitting)

Claims (2)

セラミック基板と、
前記セラミック基板の表面に設けられている金属パッドと、
前記金属パッド上に設けられているメッキ層と
を備えている配線基板であって、
前記金属パッドは、その一部が前記セラミック基板に埋設されているとともに、他の一部が前記セラミック基板の表面から突出しており、かつ、前記金属パッドは、前記セラミック基板の表面に向かって先細りとなる先細部を有しており、
前記メッキ層は、前記金属パッドの外周縁部に隣接している前記セラミック基板の表面にはみ出て、前記セラミック基板に接触しており、
上面視で、前記メッキ層の配置領域は、前記金属パッドの最大径部の配置領域よりも大きくなっている、
配線基板。
A ceramic substrate;
a metal pad provided on a surface of the ceramic substrate;
A wiring board including a plating layer provided on the metal pad,
a portion of the metal pad is embedded in the ceramic substrate and another portion of the metal pad protrudes from the surface of the ceramic substrate, and the metal pad has a tapered portion that tapers toward the surface of the ceramic substrate;
the plating layer extends onto a surface of the ceramic substrate adjacent to an outer periphery of the metal pad and contacts the ceramic substrate;
When viewed from above, an area where the plating layer is disposed is larger than an area where a maximum diameter portion of the metal pad is disposed.
Wiring board.
前記金属パッド上に配置されている金具をさらに備えている、請求項1に記載の配線基板。 The wiring board according to claim 1 , further comprising a metal fitting disposed on the metal pad .
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