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JP7499571B2 - Film forming apparatus, electronic device manufacturing apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method - Google Patents
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Film forming apparatus, electronic device manufacturing apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method Download PDF

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Description

本発明は、成膜装置、電子デバイスの製造装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a film forming apparatus, an electronic device manufacturing apparatus, a film forming method, and a method for manufacturing an electronic device.

有機EL表示装置(有機ELディスプレイ)は、スマートフォン、テレビ、自動車用ディスプレイだけでなく、VR-HMD(Virtual Reality Head Mount Display)などにその応用分野が広がっており、特に、VR-HMDに用いられるディスプレイは、ユーザーのめまいを低減するために画素パターンを高精度で形成することが求められる。 Organic EL display devices (OLED displays) are finding a wide range of applications, including not only smartphones, televisions, and automotive displays, but also VR-HMDs (Virtual Reality Head Mount Displays) and other devices. Displays used in VR-HMDs in particular require highly accurate pixel patterns to be formed in order to reduce dizziness in users.

有機EL表示装置の製造においては、有機EL表示装置を構成する有機発光素子(有機EL素子:OLED)を形成する際に、成膜装置の成膜源から放出された成膜材料を、画素パターンが形成されたマスクを介して、基板に成膜することで、有機物層や金属層を形成する。 In the manufacture of organic EL displays, when forming the organic light-emitting elements (organic EL elements: OLEDs) that make up the organic EL display, a film-forming material is discharged from a film-forming source in a film-forming device and deposited on a substrate through a mask on which a pixel pattern is formed, forming an organic layer and a metal layer.

このような成膜装置においては、成膜精度を高めるために、成膜工程の前に、基板とマスクの相対位置を測定し、相対位置がずれている場合には、基板および/またはマスクを相対的に移動させて位置を調整(アライメント)する。 In such a film formation apparatus, in order to improve the film formation accuracy, the relative positions of the substrate and mask are measured before the film formation process, and if the relative positions are misaligned, the substrate and/or mask are moved relatively to adjust the positions (alignment).

このため、従来の成膜装置は、基板支持ユニットおよび/またはマスク支持ユニットに連結されたアライメントステージ機構を含む。アライメントステージ機構は、複数のモータ(例えば、2つのX方向のモータ及び1つのY方向のモータ)と、これらのモータからの回転駆動力を直線駆動力に変換してアライメントステージに伝達するボールねじ、リニアガイド等とを含む。 For this reason, conventional film formation apparatuses include an alignment stage mechanism connected to the substrate support unit and/or the mask support unit. The alignment stage mechanism includes multiple motors (e.g., two X-direction motors and one Y-direction motor) and ball screws, linear guides, etc. that convert the rotational driving force from these motors into a linear driving force and transmit it to the alignment stage.

特開2012-72478号公報JP 2012-72478 A

このように、従来の成膜装置では、アライメントステージ機構として、機械的な動力源と動力変換手段が用いられており、アライメントステージの位置決めの精度をさらに高めることが容易ではなかった。 As such, in conventional film formation devices, a mechanical power source and power conversion means were used as the alignment stage mechanism, making it difficult to further improve the positioning accuracy of the alignment stage.

また、従来のアライメントステージ機構は、機械的な動力源と動力変換手段からのパーティクルや潤滑剤による汚染を低減するために、成膜装置の真空容器の外側(大気側)に設置されるが、これによって、アライメントステージと基板支持ユニット/マスク支持ユニットとの間の距離が長くなり、アライメントステージの機械的駆動時の揺動が基板支持ユニット/マスク支持ユニットに増幅して伝わり、アライメント精度が低下していた。 In addition, conventional alignment stage mechanisms are installed outside the vacuum vessel of the film formation device (on the atmospheric side) to reduce contamination by particles and lubricants from the mechanical power source and power conversion means. However, this increases the distance between the alignment stage and the substrate support unit/mask support unit, and the oscillations caused by the mechanical drive of the alignment stage are amplified and transmitted to the substrate support unit/mask support unit, reducing alignment accuracy.

本発明は、パーティクルや潤滑剤による汚染を低減しつつ、基板とマスクとの間の位置調整の精度をさらに改善するための技術を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a technique for further improving the accuracy of alignment between the substrate and the mask while reducing contamination by particles and lubricants.

本発明の第1態様による成膜装置は、基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を支持するための基板支持手段と、前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するためのマスク支持ユニットと、前記真空容器内に設けられ、前記基板支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記基板支持手段の位置を調整することができる磁気浮上ステージ機構と、前記真空容器内に設けられ、成膜材料を収納し、前記成膜材料を粒子化して放出するための成膜源と、を含み、前記磁気浮上ステージ機構は、前記真空容器に対して位置が固定され、前記第1の方向及び前記第2の方向と平行に設置される第1のプレート部と、前記第1のプレート部に対して相対的に移動可能な第2のプレート部と、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニットとを含み、前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の原点位置を決めるための原点位置決め手段をさらに含み、前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部にかかる重力を補償するための自重補償手段であって、前記第1のプレート部に設置される第1の磁石部と、前記第2のプレート部に設置される第2の磁石部とを含む自重補償手段をさらに含むことを特徴とする。
さらに、成膜装置は、基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、
真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、基板を支持するための基板支持手段と、前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するためのマスク支持手段と、前記真空容器内に設けられ、前記基板支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記基板支持手段の位置を調整することができる磁気浮上ステージ機構と、前記真空容器内に設けられ、成膜材料を収納し、前記成膜材料を粒子化して放出するための成膜源と、を含み、前記磁気浮上ステージ機構は、前記真空容器に対して位置が固定され、前記第1の方向及び前記第2の方向と平行に設置される第1のプレート部と、前記第1のプレート部に対して相対的に移動可能な第2のプレート部と、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニットとを含み、前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の原点位置を決めるための原点位置決め手段をさらに含み、前記原点位置決め手段は、少なくとも3つのキネマティックカップリングを含むことを特徴とする。

A film formation apparatus according to a first aspect of the present invention is a film formation apparatus for forming a film formation material on a substrate via a mask, the film formation apparatus including: a vacuum vessel; a substrate supporting means provided within the vacuum vessel for supporting a substrate; a mask supporting unit provided within the vacuum vessel for supporting a mask; a magnetic levitation stage mechanism provided within the vacuum vessel for adjusting a position of the substrate supporting means in a rotational direction centered on a first direction parallel to a supporting surface of the substrate supporting means, a second direction intersecting the first direction and parallel to a supporting surface of the substrate supporting means, and a third direction intersecting both the first direction and the second direction; and a film formation source provided within the vacuum vessel for storing a film formation material and for granulating and discharging the film formation material. The magnetic levitation stage mechanism includes a first plate portion whose position is fixed with respect to the vacuum vessel and which is installed parallel to the first direction and the second direction, a second plate portion which is movable relative to the first plate portion, and a magnetic levitation unit for magnetically levitating and moving the second plate portion relative to the first plate portion, the magnetic levitation unit further including an origin positioning means for determining an origin position of the second plate portion, and the magnetic levitation unit further includes a weight compensation means for compensating for gravity acting on the second plate portion, the weight compensation means including a first magnet portion installed on the first plate portion and a second magnet portion installed on the second plate portion.
Furthermore, the film forming apparatus is a film forming apparatus for forming a film of a film forming material on a substrate through a mask,
A vacuum vessel;
a substrate supporting means provided within the vacuum vessel for supporting a substrate; a mask supporting means provided within the vacuum vessel for supporting a mask; a magnetic levitation stage mechanism provided within the vacuum vessel for adjusting a position of the substrate supporting means in a first direction parallel to a supporting surface of the substrate supporting means, a second direction intersecting the first direction and parallel to a supporting surface of the substrate supporting means, and a third direction intersecting both the first direction and the second direction; and a magnetic levitation stage mechanism provided within the vacuum vessel for storing a film forming material and for granulating the film forming material and discharging the film forming material. and a film formation source, the magnetic levitation stage mechanism including a first plate portion whose position is fixed with respect to the vacuum vessel and which is installed parallel to the first direction and the second direction, a second plate portion which is movable relatively to the first plate portion, and a magnetic levitation unit for magnetically levitating and moving the second plate portion with respect to the first plate portion, the magnetic levitation unit further including an origin positioning means for determining an origin position of the second plate portion, and the origin positioning means including at least three kinematic couplings.

本発明の第2態様による成膜装置は、基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を支持するための基板支持手段と、前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するためのマスク支持手段と、前
記真空容器内に設けられ、前記マスク支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記マスク支持手段の位置を調整することができる磁気浮上ステージ機構と、前記真空容器内に設けられ、成膜材料を収納し、前記成膜材料を粒子化して放出するための成膜源と、を含み、前記磁気浮上ステージ機構は、前記真空容器に対して位置が固定され、前記第1の方向及び前記第2の方向と平行に設置される第1のプレート部と、前記第1のプレート部に対して相対的に移動可能な第2のプレート部と、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニットとを含み、前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の原点位置を決めるための原点位置決め手段をさらに含み、前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部にかかる重力を補償するための自重補償手段であって、前記第1のプレート部に設置される第1の磁石部と、前記第2のプレート部に設置される第2の磁石部とを含む自重補償手段をさらに含むことを特徴とする。
さらに、成膜装置は、基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を支持するための基板支持手段と、前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するためのマスク支持手段と、前記真空容器内に設けられ、前記マスク支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記マスク支持手段の位置を調整することができる磁気浮上ステージ機構と、前記真空容器内に設けられ、成膜材料を収納し、前記成膜材料を粒子化して放出するための成膜源と、を含み、前記磁気浮上ステージ機構は、前記真空容器に対して位置が固定され、前記第1の方向及び前記第2の方向と平行に設置される第1のプレート部と、前記第1のプレート部に対して相対的に移動可能な第2のプレート部と、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニットとを含み、前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の原点位置を決めるための原点位置決め手段をさらに含み、前記原点位置決め手段は、少なくとも3つのキネマティックカップリングを含むことを特徴とする。

A film formation apparatus according to a second aspect of the present invention is a film formation apparatus for forming a film formation material on a substrate via a mask, the film formation apparatus including: a vacuum vessel; a substrate support means provided within the vacuum vessel for supporting a substrate; a mask support means provided within the vacuum vessel for supporting a mask; a magnetic levitation stage mechanism provided within the vacuum vessel for adjusting a position of the mask support means in a first direction parallel to a support surface of the mask support means, a second direction intersecting the first direction and parallel to a support surface of the substrate support means, and a third direction intersecting both the first direction and the second direction; and a film formation source provided within the vacuum vessel for storing a film formation material and for granulating and discharging the film formation material. The magnetic levitation stage mechanism includes a first plate portion whose position is fixed with respect to the vacuum vessel and which is installed parallel to the first direction and the second direction, a second plate portion which is movable relative to the first plate portion, and a magnetic levitation unit for magnetically levitating and moving the second plate portion relative to the first plate portion, the magnetic levitation unit further including an origin positioning means for determining an origin position of the second plate portion, and the magnetic levitation unit further includes a weight compensation means for compensating for gravity acting on the second plate portion, the weight compensation means including a first magnet portion installed on the first plate portion and a second magnet portion installed on the second plate portion.
Further, the film formation apparatus is a film formation apparatus for forming a film of a film formation material on a substrate via a mask, the film formation apparatus comprising: a vacuum vessel; a substrate support means provided within the vacuum vessel for supporting a substrate; a mask support means provided within the vacuum vessel for supporting a mask; a magnetic levitation stage mechanism provided within the vacuum vessel for adjusting a position of the mask support means in a rotation direction centered on a first direction parallel to a support surface of the mask support means, a second direction intersecting the first direction and parallel to a support surface of the substrate support means, and a third direction intersecting both the first direction and the second direction; and a film forming source for storing a film forming material and granulating and releasing the film forming material, the magnetic levitation stage mechanism including a first plate portion whose position is fixed with respect to the vacuum vessel and which is installed parallel to the first direction and the second direction, a second plate portion which is movable relatively to the first plate portion, and a magnetic levitation unit for magnetically levitating and moving the second plate portion with respect to the first plate portion, the magnetic levitation unit further including an origin positioning means for determining an origin position of the second plate portion, and the origin positioning means including at least three kinematic couplings.

本発明の第3態様による電子デバイスの製造装置は、本発明の第1態様による成膜装置と、マスクを収納するためのマスクストック装置と、基板又はマスクを搬送するための搬送装置とを含むことを特徴とする。 The electronic device manufacturing apparatus according to the third aspect of the present invention is characterized by including a film forming apparatus according to the first aspect of the present invention, a mask stock device for storing masks, and a transport device for transporting substrates or masks.

本発明の第4態様による成膜方法は、基板上にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜方法であって、マスクを成膜装置の真空容器内に搬入するステップと、基板を前記真空容器内に搬入するステップと、前記基板を、前記真空容器内の基板支持手段によって支持するステップと、前記真空容器内に設けられた磁気浮上ステージ機構によって前記基板支持手段を移動させることで、前記基板と前記マスクの相対的位置を調整するステップであって、前記磁気浮上ステージ機構は、前記基板支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記基板支持手段の位置を調整することができるものである、調整するステップと、前記マスクを前記基板の被成膜面に密着させるステップと、前記真空容器内の成膜源によって粒子化された成膜材料を前記マスクを介して前記基板に成膜するステップと、を含み、前記磁気浮上ステージ機構は、前記真空容器に対して位置が固定され、前記第1の方向及び前記第2の方向と平行に設置される第1のプレート部と、前記第1のプレート部に
対して相対的に移動可能な第2のプレート部と、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニットとを含み、前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の原点位置を決めるための原点位置決め手段をさらに含み、前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部にかかる重力を補償するための自重補償手段であって、前記第1のプレート部に設置される第1の磁石部と、前記第2のプレート部に設置される第2の磁石部とを含む自重補償手段をさらに含むことを特徴とする。
さらに、成膜方法は、基板上にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜方法であって、マスクを成膜装置の真空容器内に搬入するステップと、基板を前記真空容器内に搬入するステップと、前記基板を、前記真空容器内の基板支持手段によって支持するステップと、前記真空容器内に設けられた磁気浮上ステージ機構によって前記基板支持手段を移動させることで、前記基板と前記マスクの相対的位置を調整するステップであって、前記磁気浮上ステージ機構は、前記基板支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記基板支持手段の位置を調整することができるものである、調整するステップと、前記マスクを前記基板の被成膜面に密着させるステップと、前記真空容器内の成膜源によって粒子化された成膜材料を前記マスクを介して前記基板に成膜するステップと、を含み、前記磁気浮上ステージ機構は、前記真空容器に対して位置が固定され、前記第1の方向及び前記第2の方向と平行に設置される第1のプレート部と、前記第1のプレート部に対して相対的に移動可能な第2のプレート部と、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニットとを含み、前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の原点位置を決めるための原点位置決め手段をさらに含み、前記原点位置決め手段は、少なくとも3つのキネマティックカップリングを含むことを特徴とする。
A film formation method according to a fourth aspect of the present invention is a film formation method for forming a film of a film formation material on a substrate via a mask, the film formation method comprising the steps of: carrying a mask into a vacuum chamber of a film formation apparatus; carrying a substrate into the vacuum chamber; supporting the substrate by a substrate support means in the vacuum chamber; and adjusting a relative position of the substrate and the mask by moving the substrate support means by a magnetic levitation stage mechanism provided in the vacuum chamber, the magnetic levitation stage mechanism being capable of adjusting a position of the substrate support means in a first direction parallel to a support surface of the substrate support means, a second direction intersecting the first direction and parallel to a support surface of the substrate support means, and a third direction intersecting both the first direction and the second direction. The film formation method further comprises the steps of: bringing the mask into close contact with a film formation surface of the substrate; and depositing a film on the substrate through the mask using a film forming material granulated by a film forming source in the vacuum vessel, wherein the magnetic levitation stage mechanism includes a first plate portion whose position is fixed with respect to the vacuum vessel and which is installed parallel to the first direction and the second direction, a second plate portion which is movable relatively to the first plate portion, and a magnetic levitation unit for magnetically levitating and moving the second plate portion with respect to the first plate portion, wherein the magnetic levitation unit further includes an origin positioning means for determining an origin position of the second plate portion, and the magnetic levitation unit further includes a gravity compensation means for compensating for gravity acting on the second plate portion, the gravity compensation means including a first magnet portion installed on the first plate portion and a second magnet portion installed on the second plate portion .
Further, a film formation method is a film formation method for forming a film formation material on a substrate through a mask, comprising the steps of: carrying a mask into a vacuum chamber of a film formation apparatus; carrying a substrate into the vacuum chamber; supporting the substrate by a substrate support means in the vacuum chamber; and adjusting a relative position between the substrate and the mask by moving the substrate support means by a magnetic levitation stage mechanism provided in the vacuum chamber, wherein the magnetic levitation stage mechanism can adjust a position of the substrate support means in a first direction parallel to a support surface of the substrate support means, a second direction intersecting the first direction and parallel to a support surface of the substrate support means, and a rotational direction centered on a third direction intersecting both the first direction and the second direction. and a step of forming a film on the substrate through the mask using a film forming material granulated by a film forming source in the vacuum vessel, wherein the magnetic levitation stage mechanism includes a first plate portion whose position is fixed with respect to the vacuum vessel and which is installed parallel to the first direction and the second direction, a second plate portion which is movable relatively to the first plate portion, and a magnetic levitation unit for magnetically levitating and moving the second plate portion with respect to the first plate portion, wherein the magnetic levitation unit further includes an origin positioning means for determining an origin position of the second plate portion, and the origin positioning means includes at least three kinematic couplings.

本発明の第5態様による電子デバイスの製造方法は、本発明の第3態様による成膜方法を使用して電子デバイスを製造することを特徴とする。 The method for manufacturing an electronic device according to the fifth aspect of the present invention is characterized in that the electronic device is manufactured using the film formation method according to the third aspect of the present invention.

本発明によれば、パーティクルや潤滑剤による汚染を低減しつつ、基板とマスクとの間の位置調整の精度をさらに改善するための技術を提供することができる。 The present invention provides a technique for further improving the accuracy of alignment between the substrate and the mask while reducing contamination by particles and lubricants.

図1は、電子デバイスの製造装置の一部の模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a portion of an electronic device manufacturing apparatus. 図2は、本発明の一実施形態による成膜装置の模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention. 図3Aは、本発明の一実施形態による磁気浮上ステージ機構の模式平面図である。FIG. 3A is a schematic plan view of a magnetic levitation stage mechanism according to one embodiment of the present invention. 図3Bは、本発明の一実施形態による磁気浮上ステージ機構の模式断面図であり、位置測定手段を説明する。FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of a magnetic levitation stage mechanism according to one embodiment of the present invention, illustrating a position measuring means. 図3Cは、本発明の一実施形態による磁気浮上ステージ機構の模式断面図であり、原点位置決め手段を説明する。FIG. 3C is a schematic cross-sectional view of a magnetic levitation stage mechanism according to one embodiment of the present invention, illustrating an origin positioning means. 図3Dは、本発明の一実施形態による磁気浮上ステージ機構の模式断面図であり、自重補償手段を説明する。FIG. 3D is a schematic cross-sectional view of a magnetic levitation stage mechanism according to one embodiment of the present invention illustrating a gravity compensation means. 図4Aは、本発明の一実施形態による磁気浮上リニアモータの構造を示す模式図である。FIG. 4A is a schematic diagram showing the structure of a magnetically levitated linear motor according to one embodiment of the present invention. 図4Bは、本発明の一実施形態による磁気浮上リニアモータの構造を示す模式図である。FIG. 4B is a schematic diagram showing the structure of a magnetically levitated linear motor according to one embodiment of the present invention. 図5は、本発明の一実施形態による自重補償手段の構造を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing the structure of the weight compensation means according to one embodiment of the present invention. 図6は、本発明の一実施形態による成膜方法により製造される電子デバイスを示す模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing an electronic device manufactured by the film forming method according to one embodiment of the present invention. 図7は、本発明の一実施形態によるアライメント及び成膜工程を説明するフロー図である。FIG. 7 is a flow diagram illustrating an alignment and deposition process according to one embodiment of the present invention.

以下、図面を参照しつつ本発明の好ましい実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は、本発明の好ましい構成を例示的に表すものであり、本発明の範囲は、これらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に限定的な記載がない限り、本発明の範囲をこれらのみに限定する趣旨のものではない。 Below, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples are illustrative of preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these configurations. Furthermore, unless otherwise specified, the hardware and software configurations, processing flow, manufacturing conditions, dimensions, materials, shapes, etc. of the device in the following description are not intended to limit the scope of the present invention to these alone.

本発明は、基板の表面に各種材料を堆積させて成膜を行う装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜(材料層)を形成する装置に好適に適用することができる。
基板の材料としては、半導体(例えば、シリコン)、ガラス、樹脂、高分子材料のフィルム、金属などの任意の材料を選ぶことができ、基板は、例えば、シリコンウエハ、又はガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが積層された基板であってもよい。また、成膜材料としても、有機材料、金属性材料(金属、金属酸化物など)などの任意の材料を選ぶことができる。
The present invention can be applied to an apparatus for depositing various materials on the surface of a substrate to form a film, and can be suitably applied to an apparatus for forming a thin film (material layer) in a desired pattern by vacuum deposition.
The substrate may be made of any material such as a semiconductor (e.g., silicon), glass, resin, a polymeric film, or metal, and may be made of, for example, a silicon wafer or a glass substrate on which a film such as polyimide is laminated. The film may be made of any material such as an organic material or a metallic material (e.g., metal, metal oxide, etc.).

なお、本発明は、加熱蒸発による真空蒸着装置の以外にも、スパッタ装置やCVD(Chemical Vapor Deposition)装置を含む成膜装置にも、適用することができる。本発明の技術は、具体的には、半導体デバイス、磁気デバイス、電子部品などの各種電子デバイスや、光学部品などの製造装置に適用可能である。電子デバイスの具体例としては、発光素子や光電変換素子、タッチパネルなどが挙げられる。本発明は、中でも、OLEDなどの有機発光素子や、有機薄膜太陽電池などの有機光電変換素子の製造装置に好ましく適用可能である。なお、本発明における電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置(例えば有機EL表示装置)や照明装置(例えば有機EL照明装置)、光電変換素子を備えたセンサ(例えば有機CMOSイメージセンサ)も含むものである。 In addition to vacuum deposition apparatuses using thermal evaporation, the present invention can also be applied to film formation apparatuses including sputtering apparatuses and CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatuses. Specifically, the technology of the present invention can be applied to various electronic devices such as semiconductor devices, magnetic devices, and electronic components, and to manufacturing apparatuses for optical components. Specific examples of electronic devices include light-emitting elements, photoelectric conversion elements, and touch panels. The present invention is particularly applicable to manufacturing apparatuses for organic light-emitting elements such as OLEDs and organic photoelectric conversion elements such as organic thin-film solar cells. The electronic devices in the present invention also include display devices (e.g., organic EL display devices) and lighting devices (e.g., organic EL lighting devices) equipped with light-emitting elements, and sensors (e.g., organic CMOS image sensors) equipped with photoelectric conversion elements.

<電子デバイスの製造装置>
図1は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。
図1の製造装置は、例えば、VR-HMD用の有機EL表示装置の表示パネルの製造に用いられる。VR-HMD用の表示パネルの場合、例えば、所定のサイズのシリコンウエハに有機EL素子の形成のための成膜を行った後、素子形成領域の間の領域(スクライブ領域)に沿って該シリコンウエハを切り出して、複数の小さなサイズのパネルに製作する。
<Electronic device manufacturing equipment>
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a portion of an electronic device manufacturing apparatus.
1 is used, for example, to manufacture a display panel for an organic EL display device for a VR-HMD. In the case of a display panel for a VR-HMD, for example, after forming a film for forming an organic EL element on a silicon wafer of a predetermined size, the silicon wafer is cut along the area between the element formation areas (scribe area) to manufacture a number of smaller panels.

本実施形態に係る電子デバイスの製造装置は、一般的に、複数のクラスタ装置1と、クラスタ装置の間を繋ぐ中継装置とを含む。
クラスタ装置1は、基板Wに対する処理(例えば、成膜)を行う成膜装置11と、使用前後のマスクを収納するマスクストック装置12と、その中央に配置される搬送室13(搬送装置)と、を備える。搬送室13は、図1に示したように、成膜装置11およびマス
クストック装置12のそれぞれと接続される。
The electronic device manufacturing apparatus according to this embodiment generally includes a plurality of cluster apparatuses 1 and relay apparatuses connecting the cluster apparatuses.
The cluster apparatus 1 includes a film forming apparatus 11 that performs processing (e.g., film formation) on a substrate W, a mask stock apparatus 12 that stores masks before and after use, and a transport chamber 13 (transport apparatus) disposed in the center thereof. As shown in FIG. 1, the transport chamber 13 is connected to each of the film forming apparatus 11 and the mask stock apparatus 12.

搬送室13内には、基板Wおよびマスクを搬送する搬送ロボット14が配置される。搬送ロボット14は、例えば、多関節アームに、基板W又はマスクを保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。 A transport robot 14 that transports the substrate W and the mask is disposed in the transport chamber 13. The transport robot 14 is, for example, a robot having a structure in which a robot hand that holds the substrate W or the mask is attached to an articulated arm.

成膜装置11では、成膜源から放出された成膜材料がマスクを介して基板W上に成膜される。搬送ロボット14との基板W/マスクの受け渡し、基板Wとマスクの相対的位置の調整(アライメント)、マスク上への基板Wの固定、成膜などの一連の成膜プロセスは、成膜装置11によって行われる。
有機EL表示装置を製造するための製造装置において、成膜装置11は、成膜される材料の種類によって、有機膜の成膜装置と金属性膜の成膜装置に分けることができ、有機膜の成膜装置は、有機物の成膜材料を蒸着又はスパッタリングによって基板Wに成膜し、金属性膜の成膜装置は、金属性の成膜材料を蒸着またはスパッタリングにより基板Wに成膜する。
In the film forming apparatus 11, a film forming material discharged from a film forming source is formed through a mask onto the substrate W. A series of film forming processes, such as delivery of the substrate W/mask to and from the transfer robot 14, adjustment of the relative positions of the substrate W and the mask (alignment), fixing of the substrate W on the mask, and film formation, are performed by the film forming apparatus 11.
In a manufacturing apparatus for producing an organic EL display device, the film forming apparatus 11 can be divided into an organic film forming apparatus and a metallic film forming apparatus depending on the type of material to be formed. The organic film forming apparatus forms a film on the substrate W by vapor deposition or sputtering of an organic film forming material, and the metallic film forming apparatus forms a film on the substrate W by vapor deposition or sputtering of a metallic film forming material.

有機EL表示装置を製造するための製造装置において、どの成膜装置をどの位置に配置するかは、製造される有機EL素子の積層構造によって異なり、有機EL素子の積層構造に応じてこれを成膜するための複数の成膜装置が配置される。 In a manufacturing apparatus for producing an organic EL display device, the position of each film-forming device depends on the layered structure of the organic EL element being manufactured, and multiple film-forming devices are arranged to form films on the organic EL element according to its layered structure.

有機EL素子の場合、通常、アノードが形成されている基板W上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、カソードがこの順に積層される構造を有し、これらの層を順次成膜できるように基板の流れ方向に沿って適切な成膜装置が配置される。
例えば、図1において、成膜装置11aは、正孔注入層HILおよび/または正孔輸送層HTLを成膜し、成膜装置11b、11fは、青色の発光層を、成膜装置11cは、赤色の発光層を、成膜装置11d、11eは、緑色の発光層を、成膜装置11gは、電子輸送層ETLおよび/または電子注入層EILを、成膜装置11hは、カソード金属膜を成膜するように配置される。図1に示した実施例では、素材の特性上、青色の発光層と緑色の発光層の成膜速度が赤色の発光層の成膜速度より遅いので、処理速度のバランスを取るために青色の発光層と緑色の発光層とをそれぞれ2つの成膜装置で成膜するようにしているが、本発明はこれに限定されず、他の配置構造を有しても良い。
In the case of an organic EL element, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode are usually laminated in this order on a substrate W on which an anode is formed, and an appropriate film forming apparatus is arranged along the flow direction of the substrate so that these layers can be formed in sequence.
For example, in Fig. 1, the film forming apparatus 11a forms a hole injection layer HIL and/or a hole transport layer HTL, the film forming apparatuses 11b and 11f form a blue light emitting layer, the film forming apparatus 11c forms a red light emitting layer, the film forming apparatuses 11d and 11e form a green light emitting layer, the film forming apparatus 11g forms an electron transport layer ETL and/or an electron injection layer EIL, and the film forming apparatus 11h forms a cathode metal film. In the embodiment shown in Fig. 1, the film forming speed of the blue light emitting layer and the green light emitting layer is slower than that of the red light emitting layer due to the characteristics of the material, so that the blue light emitting layer and the green light emitting layer are formed by two film forming apparatuses respectively in order to balance the processing speed, but the present invention is not limited to this, and other arrangement structures may be used.

マスクストック装置12には、成膜装置11での成膜工程に使われる新しいマスクと、使用済みのマスクとが、複数のカセットに分けて収納される。搬送ロボット14は、使用済みのマスクを成膜装置11からマスクストック装置12のカセットに搬送し、マスクストック装置12の他のカセットに収納されている新しいマスクを成膜装置11に搬送する。 In the mask stock device 12, new masks to be used in the film formation process in the film formation device 11 and used masks are stored in multiple cassettes. The transfer robot 14 transfers used masks from the film formation device 11 to a cassette in the mask stock device 12, and transfers new masks stored in other cassettes in the mask stock device 12 to the film formation device 11.

複数のクラスタ装置1の間を連結する中継装置は、クラスタ装置1の間で基板Wを搬送するパス室15を含む。
搬送室13の搬送ロボット14は、上流側のパス室15から基板Wを受け取って、当該クラスタ装置1内の成膜装置11の一つ(例えば、成膜装置11a)に搬送する。また、搬送ロボット14は、当該クラスタ装置1での成膜処理が完了した基板Wを複数の成膜装置11の一つ(例えば、成膜装置11e)から受け取って、下流側に連結されたパス室15に搬送する。
The relay apparatus connecting the plurality of cluster apparatuses 1 includes a pass chamber 15 for transporting substrates W between the cluster apparatuses 1 .
The transfer robot 14 in the transfer chamber 13 receives the substrate W from the upstream pass chamber 15 and transfers it to one (e.g., the film formation apparatus 11a) of the film formation apparatuses 11 in the cluster apparatus 1. The transfer robot 14 also receives the substrate W for which film formation processing in the cluster apparatus 1 has been completed from one (e.g., the film formation apparatus 11e) of the plurality of film formation apparatuses 11 and transfers it to the pass chamber 15 connected downstream.

中継装置は、パス室15の他に、上下流側のクラスタ装置1での基板Wの処理速度の差を吸収するためのバッファ室(不図示)、及び基板Wの方向を変えるための旋回室(不図示)をさらに含むことができる。例えば、バッファ室は、複数の基板Wを一時的に収納する基板積載部を含み、旋回室は、基板Wを180度回転させるための基板回転機構(例え
ば、回転ステージまたは搬送ロボット)を含む。これにより、上流側のクラスタ装置と下流側のクラスタ装置で基板Wの向きが同じくなり、基板処理が容易になる。
本発明の一実施形態によるパス室15は、複数の基板Wを一時的に収納するための基板積載部(不図示)や基板回転機構を含んでもよい。つまり、パス室15が、バッファ室や旋回室の機能を兼ねても良い。
In addition to the pass chamber 15, the relay apparatus may further include a buffer chamber (not shown) for absorbing the difference in processing speed of the substrate W in the upstream and downstream cluster apparatuses 1, and a turning chamber (not shown) for changing the direction of the substrate W. For example, the buffer chamber includes a substrate loading section for temporarily storing a plurality of substrates W, and the turning chamber includes a substrate rotating mechanism (e.g., a rotating stage or a transport robot) for rotating the substrate W by 180 degrees. This ensures that the orientation of the substrate W is the same in the upstream cluster apparatus and the downstream cluster apparatus, facilitating substrate processing.
The pass chamber 15 according to an embodiment of the present invention may include a substrate rotating mechanism and a substrate loading unit (not shown) for temporarily storing a plurality of substrates W. In other words, the pass chamber 15 may also function as a buffer chamber and a turning chamber.

クラスタ装置1を構成する成膜装置11、マスクストック装置12、搬送室13などは、有機発光素子の製造過程で、高真空状態に維持される。中継装置のパス室15は、通常、低真空状態に維持されるが、必要に応じて高真空状態に維持されても良い。 The film forming device 11, mask stock device 12, transfer chamber 13, and other components of the cluster device 1 are maintained in a high vacuum state during the manufacturing process of the organic light-emitting device. The pass chamber 15 of the relay device is usually maintained in a low vacuum state, but may be maintained in a high vacuum state if necessary.

有機EL素子を構成する複数の層の成膜が完了した基板Wは、有機EL素子を封止するための封止装置(不図示)や基板を所定のパネルサイズに切断するための切断装置(不図示)などに搬送される。 After the deposition of the multiple layers that make up the organic EL element is completed, the substrate W is transported to a sealing device (not shown) for sealing the organic EL element, a cutting device (not shown) for cutting the substrate to a specified panel size, etc.

本実施例では、図1を参照し電子デバイスの製造装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、他の種類の装置やチャンバを有してもよく、これらの装置やチャンバ間の配置が変わっても良い。 In this embodiment, the configuration of the electronic device manufacturing apparatus has been described with reference to FIG. 1, but the present invention is not limited to this and may have other types of apparatus and chambers, and the arrangement of these apparatus and chambers may be changed.

例えば、本発明の一実施形態による電子デバイス製造装置は、図1に示したクラスタタイプではなく、インラインタイプであっても良い。つまり、基板WとマスクMをキャリアに搭載して、一列に並んだ複数の成膜装置内を搬送させながら成膜を行う構成を有してもよい。また、クラスタタイプとインラインタイプを組み合わせたタイプの構造を有しても良い。例えば、有機層の成膜まではクラスタタイプの製造装置で行い、電極層(カソード層)の成膜工程から封止工程及び切断工程などは、インラインタイプの製造装置で行ってよい。 For example, an electronic device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention may be an in-line type rather than the cluster type shown in FIG. 1. In other words, the apparatus may have a configuration in which the substrate W and mask M are mounted on a carrier and film formation is performed while being transported through a row of multiple film formation apparatuses. The apparatus may also have a structure that combines the cluster type and in-line types. For example, the process up to the formation of the organic layer may be performed in a cluster type manufacturing apparatus, and the process of forming the electrode layer (cathode layer) through the sealing process and cutting process may be performed in an in-line type manufacturing apparatus.

以下、成膜装置11の具体的な構成について説明する。
<成膜装置>
図2は、本発明の一実施形態による成膜装置11の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をZ方向とし、水平面をXY平面とするXYZ直交座標系を用いる。また、X軸まわりの回転角をθ、Y軸まわりの回転角をθ、Z軸まわりの回転角をθで表す。
図2は、成膜材料を加熱することによって蒸発または昇華させ、マスクMを介して基板Wに成膜する成膜装置11の一例を示している。
The specific configuration of the film forming apparatus 11 will be described below.
<Film forming equipment>
2 is a schematic diagram showing the configuration of a film forming apparatus 11 according to an embodiment of the present invention. In the following description, an XYZ Cartesian coordinate system is used in which the vertical direction is the Z direction and the horizontal plane is the XY plane. The rotation angle around the X axis is represented by θX , the rotation angle around the Y axis by θY , and the rotation angle around the Z axis by θZ .
FIG. 2 shows an example of a film forming apparatus 11 that heats and evaporates or sublimes a film forming material to form a film on a substrate W through a mask M.

成膜装置11は、真空雰囲気又は窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される真空容器21と、真空容器21内に設けられ、基板Wの位置を少なくともX方向、Y方向、及びθ方向に調整するための磁気浮上ステージ機構22と、真空容器21内に設けられ、マスクMを支持するマスク支持ユニット23と、真空容器21内に設けられ、基板Wを吸着して保持する基板吸着手段24と、真空容器内に設けられ、成膜材料を収納し、成膜時にこれを粒子化して放出する成膜源25とを含む。
本発明の一実施形態による成膜装置11は、磁気力によってマスクMを基板W側に密着させるための磁力印加手段26をさらに含むことができる。
The film forming apparatus 11 includes a vacuum vessel 21 maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas, a magnetic levitation stage mechanism 22 provided in the vacuum vessel 21 for adjusting the position of the substrate W at least in the X direction, Y direction, and θZ direction, a mask support unit 23 provided in the vacuum vessel 21 for supporting a mask M, a substrate attracting means 24 provided in the vacuum vessel 21 for attracting and holding the substrate W, and a film forming source 25 provided in the vacuum vessel for storing a film forming material and for granulating and releasing the same during film formation.
The film forming apparatus 11 according to an embodiment of the present invention may further include a magnetic force applying unit 26 for closely contacting the mask M to the substrate W side by magnetic force.

本発明の一実施形態による成膜装置10の真空容器21は、磁気浮上ステージ機構22が配置される第1真空容器部211と、成膜源25が配置される第2真空容器部212とを含み、例えば、第2真空容器部212に接続された真空ポンプ(不図示)によって真空容器21全体の内部空間が高真空状態に維持される。 The vacuum vessel 21 of the film forming apparatus 10 according to one embodiment of the present invention includes a first vacuum vessel section 211 in which the magnetic levitation stage mechanism 22 is disposed, and a second vacuum vessel section 212 in which the film forming source 25 is disposed, and the entire internal space of the vacuum vessel 21 is maintained in a high vacuum state by, for example, a vacuum pump (not shown) connected to the second vacuum vessel section 212.

また、少なくとも第1真空容器部211と第2真空容器部212との間には、伸縮可能
部材213が設置される。伸縮可能部材213は、第2真空容器部212に連結される真空ポンプからの振動や、成膜装置11が設けられた床又はフロアからの振動が、第2真空容器部212を通して第1真空容器部211に伝わることを低減する。伸縮可能部材213は、例えば、ベローズであり得るが、本発明はこれに限定されず、第1真空容器部211と第2真空容器部212との間で振動の伝達を低減することができる限り、他の部材を使用してもよい。
Further, an expandable member 213 is installed at least between the first vacuum container part 211 and the second vacuum container part 212. The expandable member 213 reduces the transmission of vibrations from a vacuum pump connected to the second vacuum container part 212 and vibrations from a floor on which the film forming apparatus 11 is installed to the first vacuum container part 211 through the second vacuum container part 212. The expandable member 213 may be, for example, a bellows, but the present invention is not limited thereto, and other members may be used as long as they can reduce the transmission of vibrations between the first vacuum container part 211 and the second vacuum container part 212.

このように、本発明の一実施形態による成膜装置11は、真空容器21を複数の容器部(例えば、第1真空容器部211と第2真空容器部212)に分け、その間に伸縮可能部材213を設けることによって、磁気浮上ステージ機構22が設置される第1真空容器部211に外部振動が伝わることを低減することができる。 In this way, the film forming apparatus 11 according to one embodiment of the present invention divides the vacuum vessel 21 into multiple vessel sections (e.g., a first vacuum vessel section 211 and a second vacuum vessel section 212) and provides an expandable member 213 between them, thereby reducing the transmission of external vibrations to the first vacuum vessel section 211 in which the magnetic levitation stage mechanism 22 is installed.

真空容器21は、磁気浮上ステージ機構22が固定連結される基準プレート214と、基準プレート214を所定の高さに支持するための基準プレート支持部215とをさらに含む。本発明の一実施例においては、図2に示したように、基準プレート214と第1真空容器部211との間にも伸縮可能部材213をさらに設置してもよい。これにより、基準プレート214を介して磁気浮上ステージ機構22に外部振動が伝わることをさらに低減することができる。 The vacuum vessel 21 further includes a reference plate 214 to which the magnetic levitation stage mechanism 22 is fixedly connected, and a reference plate support part 215 for supporting the reference plate 214 at a predetermined height. In one embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2, an expandable member 213 may be further installed between the reference plate 214 and the first vacuum vessel part 211. This can further reduce the transmission of external vibrations to the magnetic levitation stage mechanism 22 via the reference plate 214.

基準プレート支持部215と成膜装置11の設置架台217との間には、床又はフロアから成膜装置11の設置架台217を通して基準プレート支持部215に振動が伝わることを低減するための除振ユニット216が設置される。 A vibration isolation unit 216 is installed between the reference plate support 215 and the installation stand 217 of the film forming apparatus 11 to reduce the transmission of vibrations from the floor to the reference plate support 215 through the installation stand 217 of the film forming apparatus 11.

磁気浮上ステージ機構22は、磁気浮上リニアモータによって基板Wまたは基板吸着手段24の位置を調整するためのステージ機構であって、少なくともX方向、Y方向、及びθ方向、好ましくは、X方向、Y方向、Z方向、θ方向、θ方向、θ方向の6つの方向における基板Wまたは基板吸着手段24の位置を調整する。
X方向およびY方向は、基板吸着手段24の吸着面に平行な方向であり、X方向およびY方向の一方が第1の方向に対応し、他方が第1の方向と交差する第2の方向に当たる。Z方向はX方向およびY方向の両方と交差する方向であり、第3の方向に当たる。θ方向は、Z方向を中心とした回転方向に当たる。例えばX方向が第1の方向のとき、θ方向は第1の方向を中心とした回転方向に当たり、θ方向は第2の方向を中心とした回転方向に当たる。
磁気浮上ステージ機構22は、固定台として機能するステージ基準プレート部221(第1のプレート部)と、可動台として機能する微動ステージプレート部222(第2のプレート部)と、微動ステージプレート部222をステージ基準プレート部221に対し磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニット223とを含む。磁気浮上ステージ機構22の具体的な構成については、図3A~図3Dを参照して、後述する。
The magnetic levitation stage mechanism 22 is a stage mechanism for adjusting the position of the substrate W or the substrate adsorption means 24 by a magnetic levitation linear motor, and adjusts the position of the substrate W or the substrate adsorption means 24 in at least the X direction, the Y direction, and the θZ direction, and preferably in six directions, namely the X direction, the Y direction, the Z direction, the θX direction, the θY direction, and the θZ direction.
The X direction and the Y direction are parallel to the suction surface of the substrate suction means 24, one of the X direction and the Y direction corresponds to a first direction, and the other corresponds to a second direction intersecting with the first direction. The Z direction is a direction intersecting with both the X direction and the Y direction and corresponds to a third direction. The θZ direction corresponds to a rotation direction centered on the Z direction. For example, when the X direction is the first direction, the θX direction corresponds to a rotation direction centered on the first direction, and the θY direction corresponds to a rotation direction centered on the second direction.
The magnetic levitation stage mechanism 22 includes a stage reference plate portion 221 (first plate portion) that functions as a fixed base, a fine movement stage plate portion 222 (second plate portion) that functions as a movable base, and a magnetic levitation unit 223 for magnetically levitating and moving the fine movement stage plate portion 222 relative to the stage reference plate portion 221. A specific configuration of the magnetic levitation stage mechanism 22 will be described later with reference to Figures 3A to 3D.

マスク支持ユニット23は、搬送室13に設けられた搬送ロボット14が搬送してくるマスクMを受け取って保持する手段であり、マスクホルダとも呼ばれる。
マスク支持ユニット23は、少なくとも鉛直方向に昇降可能に設置される。これにより、基板WとマスクMとの間の鉛直方向における間隔を容易に調節することができる。本発明の一実施例のように、基板Wの位置を磁気浮上ステージ機構22によって調整する場合は、マスクMを支持するマスク支持ユニット23は、モータ(不図示)及びボールねじ/ガイド(不図示)によって機械的に昇降駆動することが好ましい。
The mask supporting unit 23 is a means for receiving and holding the mask M transported by the transport robot 14 provided in the transport chamber 13, and is also called a mask holder.
The mask support unit 23 is installed so as to be able to rise and fall at least in the vertical direction. This allows easy adjustment of the vertical distance between the substrate W and the mask M. When the position of the substrate W is adjusted by the magnetic levitation stage mechanism 22 as in one embodiment of the present invention, it is preferable that the mask support unit 23 supporting the mask M is mechanically driven to rise and fall by a motor (not shown) and a ball screw/guide (not shown).

また、本発明の一実施例によれば、マスク支持ユニット23は、水平方向(つまり、XYθ方向)に移動可能に設置してもよい。これにより、マスクMがアライメント用カメラの視野から外れた場合にも、迅速にこれを視野内に移動させることができる。 According to one embodiment of the present invention, the mask support unit 23 may be installed so as to be movable in horizontal directions (i.e., in the X, Y, θ and Z directions), so that even if the mask M falls out of the field of view of the alignment camera, it can be quickly moved into the field of view.

また、本発明の一実施例によれば、アライメント工程でマスクMと基板Wを相対的に位置合わせする際に、マスクMをマスク支持ユニットごと、基板Mに対して移動可能としても良い。あるいは、マスクMを支持するマスク支持ユニットと、基板Wを支持する基板支持ユニットの両方を、互いに対して移動可能としても良い。このようにマスク支持ユニットを移動可能とする場合、その駆動源として、上述の磁気浮上ステージ機構22と同様の磁気浮上機構を採用しても良い。マスク用の磁気浮上機構は、例えば、マスク面に平行な面内における第1の方向(X方向)および第1の方向と交差する第2の方向(Y方向)と、マスク面に交差する方向(第1の方向および第2の方向の両方と交差する第3の方向)を中心とした回転方向(θ方向)にマスク支持ユニットを移動させるものである。マスク用の磁気浮上機構は、より好ましくは、Z方向、θ方向、およびθ方向に、マスク支持ユニットを駆動させる。 According to an embodiment of the present invention, when the mask M and the substrate W are aligned relative to each other in the alignment process, the mask M may be movable with the mask support unit relative to the substrate M. Alternatively, both the mask support unit supporting the mask M and the substrate support unit supporting the substrate W may be movable relative to each other. When the mask support unit is made movable in this way, a magnetic levitation mechanism similar to the magnetic levitation stage mechanism 22 described above may be adopted as its driving source. The magnetic levitation mechanism for the mask moves the mask support unit in, for example, a first direction (X direction) in a plane parallel to the mask surface, a second direction (Y direction) intersecting the first direction, and a rotation direction (θ Z direction) centered on a direction intersecting the mask surface (a third direction intersecting both the first direction and the second direction). More preferably, the magnetic levitation mechanism for the mask drives the mask support unit in the Z direction, the θ X direction, and the θ Y direction.

マスク支持ユニット23は、搬送ロボット14によって真空容器21内に搬入されたマスクMを一時的に受け取るためのマスクピックアップ231をさらに含む。
マスクピックアップ231は、マスク支持ユニット23のマスク支持面に対して相対的に昇降できるように構成される。例えば、図2に示したように、マスクピックアップ昇降機構232によって、マスクピックアップ231がマスク支持ユニット23のマスク支持面に対して相対的に昇降可能に構成することができる。ただし、本発明はこれに限定されず、マスクピックアップ231とマスク支持ユニット23のマスク支持面とが相対的に昇降可能な限り、他の構成を有しても良い。例えば、マスクピックアップ231が基準プレート214又は磁気浮上ステージ機構22のステージ基準プレート部221に固定され、マスク支持ユニット23が昇降可能に構成してもよい。あるいは、マスクピックアップ231及びマスク支持ユニット23の両方が昇降可能に構成してもよい。
The mask supporting unit 23 further includes a mask pickup 231 for temporarily receiving the mask M carried into the vacuum vessel 21 by the transfer robot 14 .
The mask pickup 231 is configured to be able to rise and fall relative to the mask support surface of the mask support unit 23. For example, as shown in FIG. 2, the mask pickup 231 can be configured to be able to rise and fall relative to the mask support surface of the mask support unit 23 by a mask pickup lifting mechanism 232. However, the present invention is not limited to this, and other configurations may be used as long as the mask pickup 231 and the mask support surface of the mask support unit 23 can rise and fall relatively. For example, the mask pickup 231 may be fixed to the reference plate 214 or the stage reference plate portion 221 of the magnetic levitation stage mechanism 22, and the mask support unit 23 may be configured to be able to rise and fall. Alternatively, both the mask pickup 231 and the mask support unit 23 may be configured to be able to rise and fall.

搬送ロボット14のハンドからマスクMを受け取ったマスクピックアップ231は、マスク支持ユニット23のマスク支持面に対し相対的に下降し、マスクMをマスク支持ユニット23に載置する。逆に、使用済みのマスクMを搬出する場合には、マスクMをマスク支持ユニット23のマスク支持面から持ち上げ、搬送ロボット14のハンドがマスクMを受け取ることができるようにする。 The mask pickup 231, which receives the mask M from the hand of the transport robot 14, descends relative to the mask support surface of the mask support unit 23 and places the mask M on the mask support unit 23. Conversely, when a used mask M is to be removed, the mask M is lifted from the mask support surface of the mask support unit 23 so that the hand of the transport robot 14 can receive the mask M.

マスクMは、基板W上に形成される薄膜パターンに対応する開口パターンを有し、マスク支持ユニット23によって支持される。例えば、VR-HMD用の有機EL表示パネルを製造するのに使われるマスクMは、有機EL素子の発光層のRGB画素パターンに対応する微細な開口パターンが形成された金属製マスクであるファインメタルマスク(Fine Metal Mask)と、有機EL素子の共通層(正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層など)を形成するのに使われるオープンマスク(open mask)とを含む。
マスクMの開口パターンは、成膜材料の粒子を通過させない遮断パターンによって定義される。
The mask M has an opening pattern corresponding to the thin film pattern formed on the substrate W, and is supported by a mask supporting unit 23. For example, the mask M used to manufacture an organic EL display panel for a VR-HMD includes a fine metal mask, which is a metallic mask in which a fine opening pattern corresponding to the RGB pixel pattern of the light-emitting layer of the organic EL element is formed, and an open mask used to form common layers (such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer) of the organic EL element.
The opening pattern of the mask M is defined by a blocking pattern that does not allow particles of the deposition material to pass through.

基板吸着手段24は、搬送室13に設置された搬送ロボット14が搬送してきた、被成膜体としての基板Wを吸着して保持する手段である。基板吸着手段24は、磁気浮上ステージ機構22の可動台である微動ステージプレート部222に設置される。
基板吸着手段24は、例えば、誘電体/絶縁体(例えば、セラミック材質)マトリックス内に金属電極などの電気回路が埋設された構造を有する静電チャックである。
The substrate suction means 24 is a means for suctioning and holding the substrate W as a film-formed object transported by the transport robot 14 installed in the transport chamber 13. The substrate suction means 24 is installed on the fine movement stage plate portion 222 which is a movable base of the magnetic levitation stage mechanism 22.
The substrate attracting means 24 is, for example, an electrostatic chuck having a structure in which an electric circuit such as a metal electrode is embedded in a dielectric/insulating (for example, ceramic material) matrix.

基板吸着手段24としての静電チャックは、電極と吸着面との間に相対的に抵抗が高い誘電体が介在して、電極と被吸着体との間のクーロン力によって吸着が行われるクーロン力タイプの静電チャックであってもよいし、電極と吸着面との間に相対的に抵抗が低い誘
電体が介在して、誘電体の吸着面と被吸着体との間に発生するジョンソン・ラーベック力によって吸着が行われるジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックであってもよいし、不均一電界によって被吸着体を吸着するグラジエント力タイプの静電チャックであってもよい。
The electrostatic chuck serving as substrate attracting means 24 may be a Coulomb force type electrostatic chuck in which a dielectric having a relatively high resistance is interposed between the electrode and the attracting surface, and attraction is achieved by the Coulomb force between the electrode and the object to be attracted, a Johnsen-Rahbek force type electrostatic chuck in which a dielectric having a relatively low resistance is interposed between the electrode and the attracting surface, and attraction is achieved by the Johnsen-Rahbek force generated between the attracting surface of the dielectric and the object to be attracted, or a gradient force type electrostatic chuck in which the object to be attracted is attracted by a non-uniform electric field.

被吸着体が導体または半導体(シリコンウエハ)である場合には、クーロン力タイプの静電チャックまたはジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックを用いることが好ましく、被吸着体がガラスのような絶縁体である場合には、グラジエント力タイプの静電チャックを用いることが好ましい。
静電チャックは、一つのプレートで形成されてもよく、複数のサブプレートを有するように形成されても良い。また、一つのプレートで形成される場合にも、その内部に複数の電気回路を有し、一つのプレート内で位置によって静電引力が異なるように制御しても良い。
When the object to be attracted is a conductor or a semiconductor (silicon wafer), it is preferable to use a Coulomb force type electrostatic chuck or a Johnsen-Rahbek force type electrostatic chuck, and when the object to be attracted is an insulator such as glass, it is preferable to use a gradient force type electrostatic chuck.
The electrostatic chuck may be formed of one plate or may be formed to have multiple sub-plates. Even if it is formed of one plate, it may have multiple electric circuits therein and control the electrostatic attractive force to be different depending on the position within the plate.

また、本発明の一実施例によれば、基板を支持面において支持する基板支持手段として、基板吸着手段24に代えて、クランプ機構による挟持や受け爪への載置などの吸着以外の方法で基板を支持する基板支持手段を用いることもできる。 In addition, according to one embodiment of the present invention, instead of the substrate suction means 24, substrate support means that supports the substrate on the support surface can be used that supports the substrate by a method other than suction, such as clamping with a clamping mechanism or placing on a receiving claw.

図2には図示しなかったが、成膜装置11は、搬送ロボット14によって真空容器21内に搬入された基板Wを基板吸着手段24が吸着して保持する前に、一時的に基板Wを保持する基板支持ユニットをさらに含んでもよい。例えば、基板支持ユニットは、マスク支持ユニット23に別途の基板支持面を有するように設置され、マスク支持ユニット23の昇降によって昇降するように設置されても良い。 Although not shown in FIG. 2, the film forming apparatus 11 may further include a substrate supporting unit that temporarily holds the substrate W that has been brought into the vacuum chamber 21 by the transport robot 14 before the substrate suction means 24 suctions and holds the substrate W. For example, the substrate supporting unit may be installed so as to have a separate substrate supporting surface on the mask supporting unit 23, and may be installed so as to rise and fall as the mask supporting unit 23 rises and falls.

また、図2には図示しなかったが、基板吸着手段24の吸着面とは反対側に基板Wの温度上昇を抑制するための冷却手段(例えば、冷却板)を設けて、基板W上に堆積された有機材料の変質や劣化を抑制する構成にしてもよい。 Although not shown in FIG. 2, a cooling means (e.g., a cooling plate) for suppressing a rise in temperature of the substrate W may be provided on the side opposite the suction surface of the substrate suction means 24, thereby suppressing alteration or deterioration of the organic material deposited on the substrate W.

成膜源25は、基板Wに成膜される成膜材料が収納されるるつぼ(不図示)、るつぼを加熱するためのヒータ(不図示)、成膜源25からの蒸発レートが一定になるまで成膜材料が基板に飛散することを阻むシャッタ(不図示)などを含む。成膜源25は、点(point)成膜源や線状(linear)成膜源など、用途に従って多様な構成を有することができる。
成膜源25は、互いに異なる成膜材料を収納する複数のるつぼを含んでもよい。このような構成においては、真空容器21を大気開放せずに成膜材料を変更できるように、異なる成膜材料を収納する複数のるつぼを成膜位置に移動可能に設置してもよい。
The film formation source 25 includes a crucible (not shown) for storing a film formation material to be formed on the substrate W, a heater (not shown) for heating the crucible, and a shutter (not shown) for preventing the film formation material from scattering onto the substrate until the evaporation rate from the film formation source 25 becomes constant. The film formation source 25 can have various configurations according to the application, such as a point film formation source or a linear film formation source.
The film formation source 25 may include a plurality of crucibles each containing a different film formation material. In such a configuration, the plurality of crucibles each containing a different film formation material may be installed so as to be movable to a film formation position so that the film formation material can be changed without opening the vacuum vessel 21 to the atmosphere.

磁力印加手段26は、成膜工程時に磁力によってマスクMを基板W側に引き寄せて密着させるための手段であって、鉛直方向に昇降可能に設置される。例えば、磁力印加手段26は、電磁石および/または永久磁石で構成される。なお、基板吸着手段24が、基板WだけでなくマスクMも吸着する構成としても良い。例えば、基板吸着手段24としてグラジエント力タイプの静電チャックを用いる場合、静電チャックに印加する電圧を制御することで、基板WとマスクMの吸着/非吸着を制御できる。 The magnetic force application means 26 is a means for attracting and closely adhering the mask M to the substrate W side by magnetic force during the film formation process, and is installed so that it can be raised and lowered vertically. For example, the magnetic force application means 26 is composed of an electromagnet and/or a permanent magnet. The substrate attraction means 24 may be configured to attract not only the substrate W but also the mask M. For example, when a gradient force type electrostatic chuck is used as the substrate attraction means 24, the attraction/non-attraction of the substrate W and mask M can be controlled by controlling the voltage applied to the electrostatic chuck.

成膜装置11は、基板に蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ(不図示)及び膜厚算出ユニット(不図示)を含んでも良い。 The film forming apparatus 11 may include a film thickness monitor (not shown) and a film thickness calculation unit (not shown) for measuring the thickness of the film deposited on the substrate.

真空容器21の上部外側(大気側)、すなわち、基準プレート214上には、マスクピックアップ231を昇降させるためのマスクピックアップ昇降機構232、磁力印加手段26を昇降させるための磁力印加手段昇降機構261などが設置される。マスク支持ユニ
ット23を昇降させるためのマスク支持ユニット昇降機構(不図示)を基準プレート214上に設置してもよいが、本発明はこれに限定されず、例えば、マスク支持ユニット昇降機構(不図示)を、第1真空容器(211)の下部の大気側に設置してもよい。
A mask pickup lifting mechanism 232 for lifting and lowering the mask pickup 231, a magnetic force application means lifting mechanism 261 for lifting and lowering the magnetic force application means 26, etc. are installed on the upper outside (atmosphere side) of the vacuum vessel 21, i.e., on the reference plate 214. A mask support unit lifting mechanism (not shown) for lifting and lowering the mask support unit 23 may be installed on the reference plate 214, but the present invention is not limited to this. For example, the mask support unit lifting mechanism (not shown) may be installed on the atmosphere side of the lower part of the first vacuum vessel (211).

本発明の一実施形態による成膜装置11は、真空容器21の上部外側(大気側)に設置され、基板W及びマスクMに形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラユニット27をさらに含む。
本実施例において、アライメント用カメラユニット27は、基板WとマスクMの相対的位置を大まかに調整するのに用いられるラフアライメント用カメラと、基板WとマスクMの相対的位置を高精度に調整するのに用いられるファインアライメント用カメラとを含むことができる。ラフアライメント用カメラは、相対的に視野角が広く、低解像度であり、ファインアライメント用カメラは、相対的に視野角は狭いが、高解像度を有するカメラである。
The film forming apparatus 11 according to one embodiment of the present invention further includes an alignment camera unit 27 that is installed on the upper outside (atmosphere side) of the vacuum vessel 21 and that photographs alignment marks formed on the substrate W and mask M.
In this embodiment, the alignment camera unit 27 can include a rough alignment camera used to roughly adjust the relative positions of the substrate W and the mask M, and a fine alignment camera used to highly accurately adjust the relative positions of the substrate W and the mask M. The rough alignment camera has a relatively wide viewing angle and low resolution, while the fine alignment camera has a relatively narrow viewing angle but high resolution.

ラフアライメント用カメラとファインアライメント用カメラは、基板W及びマスクMに形成されたアライメントマークに対応する位置に設置される。例えば、ファインアライメント用カメラは、4つのカメラが矩形の4つのコーナー部をなすように設置され、ラフアライメント用カメラは、該矩形の対向する二つの辺の中央に設置される。ただし、本発明はこれに限定されず、基板W及びマスクMのアライメントマークの位置に応じて他の配置を有しても良い。 The rough alignment camera and the fine alignment camera are installed at positions corresponding to the alignment marks formed on the substrate W and the mask M. For example, the fine alignment cameras are installed so that four cameras form the four corners of a rectangle, and the rough alignment cameras are installed at the center of two opposing sides of the rectangle. However, the present invention is not limited to this, and other arrangements may be used depending on the positions of the alignment marks on the substrate W and the mask M.

図2に示したように、本発明の一実施形態による成膜装置11のアライメント用カメラユニット27は、真空容器21の上部大気側から基準プレート214を通して真空容器21の内側に入り込むように設置される。このため、アライメント用カメラユニット27は、大気側に配置されるアライメント用カメラを囲んで密封する真空対応筒(不図示)を含む。
このように、アライメント用カメラが真空対応筒を介して真空容器21の内側に入り込むように設置することによって、磁気浮上ステージ機構22の動作によって基板WとマスクMが基準プレート214から比較的遠く離れて支持されても、基板WとマスクMに形成されたアライメントマークに焦点を合わせることができる。真空対応筒の下端の位置は、アライメント用カメラの焦点深度と、基板W/マスクMが基準プレート214から離れたときの距離に応じて、適切に決めることができる。
図2には図示しなかったが、成膜工程中に密閉される真空容器21の内部は暗いので、真空容器21の内側に入り込んでいるアライメント用カメラによりアライメントマークを撮影するために、アライメントマークを照らす照明光源を設置してもよい。
2, the alignment camera unit 27 of the film forming apparatus 11 according to one embodiment of the present invention is installed so as to enter the inside of the vacuum vessel 21 from the upper atmosphere side of the vacuum vessel 21 through the reference plate 214. For this reason, the alignment camera unit 27 includes a vacuum compatible cylinder (not shown) that surrounds and seals the alignment camera arranged on the atmosphere side.
In this way, by installing the alignment camera so as to enter inside the vacuum vessel 21 via the vacuum compatible cylinder, it is possible to focus on the alignment marks formed on the substrate W and mask M even if the substrate W and mask M are supported relatively far away from the reference plate 214 by the operation of the magnetic levitation stage mechanism 22. The position of the bottom end of the vacuum compatible cylinder can be appropriately determined according to the focal depth of the alignment camera and the distance at which the substrate W/mask M are separated from the reference plate 214.
Although not shown in Figure 2, since the inside of the vacuum container 21 which is sealed during the film formation process is dark, an illumination light source may be installed to illuminate the alignment mark so that the alignment mark can be photographed by an alignment camera inserted inside the vacuum container 21.

成膜装置11は、制御部100を備える。制御部は、基板W/マスクMの搬送及びアライメントの制御、成膜の制御などの機能を有する。また、制御部は、静電チャックへの電圧印加を制御する機能を有しても良い。
制御部は、例えば、プロセッサ、メモリー、ストレージ、I/Oなどを持つコンピューターによって構成することができる。この場合、制御部の機能は、メモリーまたはストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピューターとしては、汎用のパーソナルコンピューターを使用してもよく、組込み型のコンピューターまたはPLC(programmable logic controller)を使用してもよい。または、制御部の機能の一部または全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。また、成膜装置ごとに制御部が設置されていてもよく、一つの制御部が複数の成膜装置を制御するように構成してもよい。
The film forming apparatus 11 includes a control unit 100. The control unit has functions of controlling the transportation and alignment of the substrate W/mask M, controlling film formation, etc. The control unit may also have a function of controlling the application of a voltage to an electrostatic chuck.
The control unit can be configured, for example, by a computer having a processor, memory, storage, I/O, etc. In this case, the function of the control unit is realized by the processor executing a program stored in the memory or storage. As the computer, a general-purpose personal computer may be used, or an embedded computer or a PLC (programmable logic controller) may be used. Alternatively, some or all of the functions of the control unit may be configured with a circuit such as an ASIC or FPGA. In addition, a control unit may be installed for each film forming apparatus, or one control unit may be configured to control multiple film forming apparatuses.

<磁気浮上ステージ機構>
以下、図3A-図3D、図4A、図4B、図5を参照して、本発明の一実施形態による
磁気浮上ステージ機構22について説明する。
図3Aは、本発明の一実施形態による磁気浮上ステージ機構22の模式的平面図であり、図3B~図3Dは模式的断面図である。
<Magnetic levitation stage mechanism>
A magnetic levitation stage mechanism 22 according to one embodiment of the present invention will now be described with reference to Figures 3A-3D, 4A, 4B and 5.
FIG. 3A is a schematic plan view of magnetic levitation stage mechanism 22 according to one embodiment of the present invention, and FIGS. 3B-3D are schematic cross-sectional views.

磁気浮上ステージ機構22は、前述したように、固定台として機能するステージ基準プレート部221と、可動台として機能する微動ステージプレート部222と、微動ステージプレート部222をステージ基準プレート部221に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニット223とを含む。 As described above, the magnetic levitation stage mechanism 22 includes a stage reference plate portion 221 that functions as a fixed base, a fine movement stage plate portion 222 that functions as a movable base, and a magnetic levitation unit 223 for magnetically levitating and moving the fine movement stage plate portion 222 relative to the stage reference plate portion 221.

ステージ基準プレート部221は、微動ステージプレート部222の移動の基準となる部材であって、その位置が固定されるように設置される。例えば、図2に示したように、ステージ基準プレート部221は、XY平面に平行に、真空容器21の基準プレート214に固定されるように設置される。ただし、本発明はこれに限定されず、ステージ基準プレート部221は、その位置が固定できる限り、基準プレート214に直接固定されず、他の部材(例えば、別の基準フレーム)に固定されてもよい。
ステージ基準プレート部221は、微動ステージプレート部222の移動の基準となる部材であるため、伸縮可能部材213及び除振ユニット216などにより、真空ポンプまたは床からの振動のような外乱から影響を受けないように設置されるのが好ましい。
The stage reference plate part 221 is a member that serves as a reference for the movement of the fine movement stage plate part 222, and is installed so that its position is fixed. For example, as shown in Fig. 2, the stage reference plate part 221 is installed so as to be fixed to the reference plate 214 of the vacuum vessel 21 in parallel to the XY plane. However, the present invention is not limited to this, and the stage reference plate part 221 may be fixed to another member (for example, another reference frame) instead of being directly fixed to the reference plate 214, as long as its position can be fixed.
Since the stage reference plate portion 221 is a member that serves as the reference for the movement of the fine-motion stage plate portion 222, it is preferable that it be installed using the expandable member 213 and the vibration isolation unit 216, etc., so that it is not affected by external disturbances such as vibrations from the vacuum pump or the floor.

微動ステージプレート部222は、ステージ基準プレート部221に対して移動可能に設置され、微動ステージプレート部222の一主面(例えば、下面)には、静電チャックのような基板吸着手段24が設置される。したがって、微動ステージプレート部222の移動により、基板吸着手段24及びこれに吸着された基板Wの位置を調整することができる。 The fine movement stage plate portion 222 is movably installed relative to the stage reference plate portion 221, and a substrate adsorption means 24 such as an electrostatic chuck is installed on one main surface (e.g., the lower surface) of the fine movement stage plate portion 222. Therefore, by moving the fine movement stage plate portion 222, the positions of the substrate adsorption means 24 and the substrate W adsorbed thereto can be adjusted.

本発明の一実施形態による磁気浮上ユニット223は、可動台である微動ステージプレート部222を固定台であるステージ基準プレート部221に対して移動させる駆動力を発生させるための磁気浮上リニアモータ31と、微動ステージプレート部222の位置を測定するための位置測定手段と、微動ステージプレート部222をステージ基準プレート部221に対して浮上させる浮上力を提供することで微動ステージプレート部222にかかる重力を補償する自重補償手段33と、微動ステージプレート部222の原点位置を決める原点位置決め手段34とを含む。 The magnetic levitation unit 223 according to one embodiment of the present invention includes a magnetic levitation linear motor 31 for generating a driving force to move the fine-motion stage plate portion 222, which is a movable base, relative to the stage reference plate portion 221, which is a fixed base, a position measuring means for measuring the position of the fine-motion stage plate portion 222, a weight compensation means 33 for compensating for gravity acting on the fine-motion stage plate portion 222 by providing a levitation force that levitates the fine-motion stage plate portion 222 relative to the stage reference plate portion 221, and an origin positioning means 34 for determining the origin position of the fine-motion stage plate portion 222.

磁気浮上リニアモータ31は、微動ステージプレート部222を移動させるための駆動力を発生させる駆動源であって、例えば、図3Aに示したように、微動ステージプレート部222をX方向に移動させるための駆動力を発生させる2つのX方向磁気浮上リニアモータ311と、微動ステージプレート部222をY方向に移動させるための駆動力を発生させる2つのY方向磁気浮上リニアモータ312と、微動ステージプレート部222をZ方向に移動させるための駆動力を発生させる3つのZ方向磁気浮上リニアモータ313とを含む。 The magnetically levitated linear motor 31 is a driving source that generates a driving force for moving the fine-motion stage plate portion 222, and includes, for example, as shown in FIG. 3A, two X-direction magnetically levitated linear motors 311 that generate a driving force for moving the fine-motion stage plate portion 222 in the X-direction, two Y-direction magnetically levitated linear motors 312 that generate a driving force for moving the fine-motion stage plate portion 222 in the Y-direction, and three Z-direction magnetically levitated linear motors 313 that generate a driving force for moving the fine-motion stage plate portion 222 in the Z-direction.

これらの複数の磁気浮上リニアモータ31を用いて、微動ステージプレート部222を6つの自由度に(X方向、Y方向、Z方向、θ方向、θ方向、θ方向に)移動させることができる。
例えば、X方向、Y方向、Z方向への並進移動は、X方向磁気浮上リニアモータ311、Y方向磁気浮上リニアモータ312、およびZ方向磁気浮上リニアモータ313のそれぞれを同じ方向に駆動することによって具現できる。
Using these multiple magnetically levitated linear motors 31, the fine movement stage plate portion 222 can be moved in six degrees of freedom (X direction, Y direction, Z direction, θX direction, θY direction, and θZ direction).
For example, translational movements in the X, Y, and Z directions can be realized by driving the X-direction magnetically levitated linear motor 311, the Y-direction magnetically levitated linear motor 312, and the Z-direction magnetically levitated linear motor 313 in the same direction.

θ方向への回転移動は、2つのX方向磁気浮上リニアモータ311と2つのY方向磁気浮上リニアモータ312の駆動方向を調整することによって具現できる。例えば、X方
向磁気浮上リニアモータ311aは+X方向に、X方向磁気浮上リニアモータ311bは-X方向に、Y方向磁気浮上リニアモータ312aは+Y方向に、Y方向磁気浮上リニアモータ312bは-Y方向に駆動することにより、微動ステージプレート部222をZ軸を中心に反時計まわりに回転移動させることができる。
同様に、θ方向、θ方向への移動は、3つのZ方向磁気浮上リニアモータ313のそれぞれの駆動方向を調整することによって具現できる。
図3Aに示した磁気浮上リニアモータ31の数や配置は、例示的なものであり、本発明はこれに限定されず、微動ステージプレート部222を所望の方向に移動させることができる限り、他の数や配置を有しても良い。
The rotational movement in the θZ direction can be realized by adjusting the driving directions of the two X-direction magnetically levitated linear motors 311 and the two Y-direction magnetically levitated linear motors 312. For example, the fine movement stage plate unit 222 can be rotated counterclockwise around the Z axis by driving the X-direction magnetically levitated linear motor 311a in the +X direction, the X-direction magnetically levitated linear motor 311b in the -X direction, the Y-direction magnetically levitated linear motor 312a in the +Y direction, and the Y-direction magnetically levitated linear motor 312b in the -Y direction.
Similarly, movements in the θ X direction and the θ Y direction can be realized by adjusting the driving directions of the three Z direction magnetic levitation linear motors 313 .
The number and arrangement of magnetic levitation linear motors 31 shown in FIG. 3A are exemplary, and the present invention is not limited thereto, and other numbers and arrangements may be used as long as the fine movement stage plate portion 222 can be moved in the desired direction.

本発明においては、機械的モータとボールねじ/リニアガイドを使うアライメントステージの代わりに、磁気浮上ステージ機構22を採用することによって、基板Wの位置調整の精度をさらに向上させることができる。
また、機械的ステージ機構とは違って、磁気浮上ステージ機構22は、パーティクルによる汚染や潤滑剤の蒸発による汚染の恐れが少なく、磁気浮上ステージ機構22を真空容器21内に設置することが可能となる。これにより、基板Wの保持手段(基板吸着手段24)とステージ機構との間の距離が小さくなるので、ステージ機構の駆動時の揺動や外乱が基板吸着手段24に及ぼす影響が増幅することを抑制することができる。
In the present invention, by employing a magnetic levitation stage mechanism 22 instead of an alignment stage using a mechanical motor and ball screw/linear guide, the accuracy of position adjustment of the substrate W can be further improved.
Furthermore, unlike mechanical stage mechanisms, the magnetic levitation stage mechanism 22 is less susceptible to contamination by particles or evaporation of a lubricant, and it becomes possible to install the magnetic levitation stage mechanism 22 inside the vacuum vessel 21. This reduces the distance between the means for holding the substrate W (substrate attracting means 24) and the stage mechanism, making it possible to suppress amplification of the effect on the substrate attracting means 24 of oscillations and disturbances caused when the stage mechanism is driven.

図4Aは、Z方向磁気浮上リニアモータ313の構造を示す模式図であり、図4bは、X方向磁気浮上リニアモータ311またはY方向磁気浮上リニアモータ312の構造を示す模式図である。 Figure 4A is a schematic diagram showing the structure of the Z-direction magnetically levitated linear motor 313, and Figure 4b is a schematic diagram showing the structure of the X-direction magnetically levitated linear motor 311 or the Y-direction magnetically levitated linear motor 312.

磁気浮上リニアモータ31は、ステージ基準プレート部221に設置される固定子314と、微動ステージプレート部222に設置される可動子315とを含む。なお、ステージ基準プレート部221および微動ステージプレート部222の一方に固定子314を設置し、他方に可動子315を設置すれば良い。
図4Aおよび図4Bに示すように、磁気浮上リニアモータ31の固定子314は、磁界発生手段、例えば、電流が流れるコイル3141を含み、可動子315は、磁性体、例えば、永久磁石3151を含む。
The magnetic levitation linear motor 31 includes a stator 314 installed on the stage reference plate portion 221, and a mover 315 installed on the fine movement stage plate portion 222. The stator 314 may be installed on one of the stage reference plate portion 221 and the fine movement stage plate portion 222, and the mover 315 may be installed on the other.
As shown in FIGS. 4A and 4B, the stator 314 of the magnetic levitation linear motor 31 includes a magnetic field generating means, for example, a coil 3141 through which a current flows, and the mover 315 includes a magnetic material, for example, a permanent magnet 3151.

磁気浮上リニアモータ31は、固定子314のコイル3141に電流を流すことで発生した磁界によって、可動子315の永久磁石3151に駆動力を加える。磁気浮上リニアモータ31は、固定子314に流れる電流の方向を調整することによって、可動子315である永久磁石3151に加えられる力の方向を調整することができる。
例えば、図4Aの(b)に示したように、固定子314のコイル3141に流れる電流の方向を、紙面上で反時計回りにすると、図4Aの(a)において、コイル3141の左側(-X側)にN極が誘導され、右側(+X側)にはS極が誘導されるので、可動子315は、下方(-Z)方向に力を受ける。逆に、コイル3141に流れる電流の方向を時計回りにすると、可動子315を上方(+Z)方向に移動させることができる。
The magnetically levitated linear motor 31 applies a driving force to the permanent magnet 3151 of the mover 315 by a magnetic field generated by passing a current through the coil 3141 of the stator 314. The magnetically levitated linear motor 31 can adjust the direction of the force applied to the permanent magnet 3151, which is the mover 315, by adjusting the direction of the current flowing through the stator 314.
For example, as shown in (b) of Fig. 4A, when the direction of the current flowing through the coil 3141 of the stator 314 is made counterclockwise on the paper, an N pole is induced on the left side (-X side) of the coil 3141 in (a) of Fig. 4A, and an S pole is induced on the right side (+X side), so that the mover 315 receives a force in the downward (-Z) direction. Conversely, when the direction of the current flowing through the coil 3141 is made clockwise, the mover 315 can be moved in the upward (+Z) direction.

同様に、図4Bに示したX方向磁気浮上リニアモータ311、又はY方向磁気浮上リニアモータ312も、固定子314のコイル3141に流れる電流の方向を制御することによって、可動子315をそれぞれX方向、Y方向に移動させることができる。 Similarly, the X-direction magnetically levitated linear motor 311 and the Y-direction magnetically levitated linear motor 312 shown in FIG. 4B can also move the mover 315 in the X-direction and Y-direction, respectively, by controlling the direction of the current flowing through the coil 3141 of the stator 314.

本発明の一実施形態による磁気浮上ユニット223の位置測定手段は、微動ステージプレート部222の位置を測定するための手段であって、レーザー干渉計32と、これと対向するように微動ステージプレート部222に設置された反射部324とを含む。反射部324は、例えば、平面鏡であり得る。
レーザー干渉計32は、測定ビームを微動ステージプレート部222に設置された反射
部324に照射し、その反射ビームを検出することで、反射部324の位置(微動ステージプレート部222の位置)を測定する。より具体的には、レーザー干渉計32は、測定ビームの反射光と参照ビームの反射光との干渉光に基づいて、微動ステージプレート部222の位置を測定することができる。
The position measuring means of the magnetic levitation unit 223 according to an embodiment of the present invention is a means for measuring the position of the fine movement stage plate part 222, and includes a laser interferometer 32 and a reflecting part 324 installed on the fine movement stage plate part 222 to face the laser interferometer 32. The reflecting part 324 may be, for example, a plane mirror.
The laser interferometer 32 irradiates a measurement beam onto a reflector 324 provided on the fine movement stage plate section 222, and detects the reflected beam to measure the position of the reflector 324 (the position of the fine movement stage plate section 222). More specifically, the laser interferometer 32 can measure the position of the fine movement stage plate section 222 based on the interference light between the reflected light of the measurement beam and the reflected light of the reference beam.

本発明の一実施形態による磁気浮上ユニット223の位置測定手段は、微動ステージプレート部222のX方向における位置を測定するためのX方向位置測定部と、Y方向における位置を測定するためのY方向位置測定部と、Z方向における位置を測定するためのZ方向位置測定部とを含む。 The position measurement means of the magnetic levitation unit 223 according to one embodiment of the present invention includes an X-direction position measurement section for measuring the position of the fine movement stage plate section 222 in the X-direction, a Y-direction position measurement section for measuring the position in the Y-direction, and a Z-direction position measurement section for measuring the position in the Z-direction.

図3Aに示したように、本発明の一実施形態による位置測定手段のレーザー干渉計32は、微動ステージプレート部222のX軸方向の位置を検出するための二つのX方向レーザー干渉計321と、微動ステージプレート部222のY軸方向の位置を検出するための一つのY方向レーザー干渉計322と、微動ステージプレート部222のZ軸方向の位置を検出するための3つのZ方向レーザー干渉計323とを含む。 As shown in FIG. 3A, the laser interferometer 32 of the position measuring means according to one embodiment of the present invention includes two X-direction laser interferometers 321 for detecting the position of the fine movement stage plate part 222 in the X-axis direction, one Y-direction laser interferometer 322 for detecting the position of the fine movement stage plate part 222 in the Y-axis direction, and three Z-direction laser interferometers 323 for detecting the position of the fine movement stage plate part 222 in the Z-axis direction.

微動ステージプレート部222には、これらのレーザー干渉計32からの測定ビームを反射させる反射部324が、レーザー干渉計32に対向するように設置される。例えば、反射部324は、X方向レーザー干渉計321に対向するように設置されたX方向反射部3241と、Y方向レーザー干渉計322に対向するように設置されたY方向反射部3242と、Z方向レーザー干渉計323に対向するように設置されたZ方向反射部3243とを含む。 The fine movement stage plate section 222 has a reflector 324 that reflects the measurement beams from these laser interferometers 32, and the reflector 32 is installed facing the laser interferometer 32. For example, the reflector 324 includes an X-direction reflector 3241 installed facing the X-direction laser interferometer 321, a Y-direction reflector 3242 installed facing the Y-direction laser interferometer 322, and a Z-direction reflector 3243 installed facing the Z-direction laser interferometer 323.

X方向位置測定部は、X方向レーザー干渉計321とX方向反射部3241とを含み、Y方向位置測定部は、Y方向レーザー干渉計322とY方向反射部3242とを含み、Z方向位置測定部は、Z方向レーザー干渉計323とZ方向反射部3243とを含む。
図3Aに示した実施例では、X方向反射部3241とZ方向反射部3243は、一つの部材の側面と上面に設置された平面鏡であるが、本発明はこれに限定されず、それぞれの反射部324が、これに対向するレーザー干渉計32からの測定ビームを反射してレーザー干渉計32に戻すことができる限り、他の構造及び配置であっても良い。
The X-direction position measurement unit includes an X-direction laser interferometer 321 and an X-direction reflector 3241, the Y-direction position measurement unit includes a Y-direction laser interferometer 322 and a Y-direction reflector 3242, and the Z-direction position measurement unit includes a Z-direction laser interferometer 323 and a Z-direction reflector 3243.
In the embodiment shown in FIG. 3A, the X-direction reflecting portion 3241 and the Z-direction reflecting portion 3243 are plane mirrors installed on the side and top surfaces of a single member, but the present invention is not limited to this, and other structures and arrangements may be used as long as each reflecting portion 324 can reflect the measurement beam from the laser interferometer 32 facing it back to the laser interferometer 32.

このような位置測定手段の構成により、6つの自由度(degree of freedom)で、微動ステージプレート部222の位置を精密に測定することができる。つまり、X方向レーザー干渉計321、Y方向レーザー干渉計322、及びZ方向レーザー干渉計323によって、微動ステージプレート部222のX方向位置、Y方向位置、及びZ方向位置を測定することができる。また、X方向レーザー干渉計321を複数設置することによって、Z軸を中心とした回転(θ)方向の位置も測定することができる。また、Z方向レーザー干渉計323を複数設置することによって、X軸および/またはY軸を中心とした回転方向(θまたはθ)の位置(つまり、微動ステージプレート部222の傾斜角度)も測定することができる。 With such a configuration of the position measuring means, the position of the fine movement stage plate unit 222 can be precisely measured with six degrees of freedom. That is, the X-direction laser interferometer 321, the Y-direction laser interferometer 322, and the Z-direction laser interferometer 323 can measure the X-direction position, the Y-direction position, and the Z-direction position of the fine movement stage plate unit 222. Moreover, by installing a plurality of X-direction laser interferometers 321, the position in the rotational direction (θ Z ) about the Z axis can also be measured. Moreover, by installing a plurality of Z-direction laser interferometers 323, the position in the rotational direction (θ X or θ Y ) about the X-axis and/or the Y-axis (that is, the tilt angle of the fine movement stage plate unit 222) can also be measured.

ただし、本発明は、図3A及び図3Bに示したレーザー干渉計32と反射部324の数や配置に限定されず、微動ステージプレート部222の6つの自由度(X、Y、Z、θ、θ、θ)における位置を測定することができる限り、他の数や配置を有しても良い。例えば、X方向レーザー干渉計の設置数を2つから1つだけにするとともに、Y方向レーザー干渉計の設置数を1つから2つにしてもよい。 3A and 3B, other numbers and arrangements may be used as long as the position of the fine movement stage plate section 222 in six degrees of freedom (X, Y, Z, θX , θY , θZ ) can be measured. For example, the number of X-direction laser interferometers may be reduced from two to only one, and the number of Y-direction laser interferometers may be reduced from one to two.

本発明の一実施形態による成膜装置11の制御部は、レーザー干渉計32によって測定された微動ステージプレート部222(またはこれに設置された基板吸着手段24)の位置情報に基づいて、磁気浮上リニアモータ31を制御する。例えば、成膜装置11の制御
部は、微動ステージプレート部222または基板吸着手段24を、レーザー干渉計32で測定された微動ステージプレート部222または基板吸着手段24の位置と、アライメント用カメラユニット27で測定された基板WとマスクM間の相対的位置ずれ量とによって決められる位置決め目標位置に移動させる。これにより、微動ステージプレート部222または基板吸着手段24の位置をナノメートル単位で高精度に制御することができる。
The control unit of the film forming apparatus 11 according to one embodiment of the present invention controls the magnetic levitation linear motor 31 based on position information of the fine movement stage plate unit 222 (or the substrate suction means 24 installed thereon) measured by the laser interferometer 32. For example, the control unit of the film forming apparatus 11 moves the fine movement stage plate unit 222 or the substrate suction means 24 to a positioning target position determined by the position of the fine movement stage plate unit 222 or the substrate suction means 24 measured by the laser interferometer 32 and the relative positional deviation between the substrate W and the mask M measured by the alignment camera unit 27. This allows the position of the fine movement stage plate unit 222 or the substrate suction means 24 to be controlled with high precision in nanometer units.

本実施例では、微動ステージプレート部222の位置を測定するための手段であって、レーザー干渉計を用いる構成を説明したが、本発明はこれに限定されず、微動ステージプレート部222の位置が測定できる限り、他の位置測定手段を用いても良い。 In this embodiment, a configuration using a laser interferometer as a means for measuring the position of the fine movement stage plate portion 222 has been described, but the present invention is not limited to this, and other position measurement means may be used as long as they are capable of measuring the position of the fine movement stage plate portion 222.

自重補償手段33は、微動ステージプレート部222の重量を補償するための手段である。例えば、本発明の一実施形態による自重補償手段33は、図3D及び図5に示したように、ステージ基準プレート部221側に設けられた第1の磁石部331と、微動ステージプレート部222側に設けられた第2の磁石部332との間の反発力または吸引力を利用して、微動ステージプレート部222にかかる重力に相応する大きさの浮上力を、重力と反対方向に、発生させる。
第1の磁石部331と第2の磁石部332は、電磁石または永久磁石で構成することができる。図3Dおよび図5に示された第1の磁石部331と第2の磁石部332において、右下がりの線でハッチングされた部分と、右上がり線でハッチングされた部分は、それぞれ別の磁極(S極またはN極)を示している。
The weight compensation means 33 is a means for compensating for the weight of the fine movement stage plate part 222. For example, as shown in Fig. 3D and Fig. 5, the weight compensation means 33 according to an embodiment of the present invention generates a levitation force corresponding to the gravity acting on the fine movement stage plate part 222 in the opposite direction to gravity by using a repulsive force or an attractive force between a first magnet part 331 provided on the stage reference plate part 221 side and a second magnet part 332 provided on the fine movement stage plate part 222 side.
The first magnet section 331 and the second magnet section 332 may be composed of electromagnets or permanent magnets. In the first magnet section 331 and the second magnet section 332 shown in Fig. 3D and Fig. 5, the parts hatched with lines slanting downward to the right and the parts hatched with lines slanting upward to the right indicate different magnetic poles (S poles or N poles), respectively.

例えば、図3Dに示したように、ステージ基準プレート部221側に設けられた第1の磁石部331と微動ステージプレート部222側に設けられた第2の磁石部332を、逆極性の磁極が対向するように配置することによって、ステージ基準プレート部221側に設けられた第1の磁石部331が微動ステージプレート部222側に設けられた第2の磁石部332を上方に吸引し、微動ステージプレート部222にかかる重力を相殺することができる。 For example, as shown in FIG. 3D, by arranging the first magnet section 331 provided on the stage reference plate section 221 side and the second magnet section 332 provided on the fine movement stage plate section 222 side so that their magnetic poles of opposite polarity face each other, the first magnet section 331 provided on the stage reference plate section 221 side can attract the second magnet section 332 provided on the fine movement stage plate section 222 side upward, thereby offsetting the gravity acting on the fine movement stage plate section 222.

または、ステージ基準プレート部221側に設けられた第1の磁石部331と微動ステージプレート部222側に設けられた第2の磁石部332との間の反発力によって、微動ステージプレート部222の重力を相殺することもできる。
例えば、図5に示したように、第1の磁石部331と第2の磁石部332を同じ極性の磁極が対向するように配置するとともに、微動ステージプレート部222と第2の磁石部332との間にZ方向に延びるスペーサー333を介在させ、第2の磁石部332の下端(端部)が第1の磁石部331の下端(端部)よりも高くなるように設置してもよい。つまり、スペーサー333のZ方向の長さを、微動ステージプレート部222側に設けられた第2の磁石部332の下端がステージ基準プレート部221側に設けられた第1の磁石部331の下端よりも高くなるように(つまり、微動ステージプレート部222から、より遠くなるように)する。
図5のような構成によって、微動ステージプレート部222側に設けられた第2の磁石部332は、ステージ基準プレート部221側に設けられた第1の磁石部331により上方に反発力を受け、微動ステージプレート部222にかかる重力を相殺することができる。
Alternatively, the gravity of the fine-motion stage plate portion 222 can be offset by the repulsive force between the first magnet portion 331 provided on the stage reference plate portion 221 side and the second magnet portion 332 provided on the fine-motion stage plate portion 222 side.
5, the first magnet section 331 and the second magnet section 332 may be arranged so that their magnetic poles of the same polarity face each other, and a spacer 333 extending in the Z direction may be interposed between the fine movement stage plate section 222 and the second magnet section 332, so that the lower end (end) of the second magnet section 332 is higher than the lower end (end) of the first magnet section 331. In other words, the length of the spacer 333 in the Z direction is set so that the lower end of the second magnet section 332 provided on the fine movement stage plate section 222 side is higher than the lower end of the first magnet section 331 provided on the stage reference plate section 221 side (i.e., farther from the fine movement stage plate section 222).
With the configuration shown in Figure 5, the second magnet section 332 provided on the fine movement stage plate section 222 side receives an upward repulsive force from the first magnet section 331 provided on the stage reference plate section 221 side, thereby offsetting the gravity acting on the fine movement stage plate section 222.

微動ステージプレート部222をより安定的に支持することができるように、図3Aに示したように、自重補償手段33を、XY平面内で少なくとも3つの位置に設置することが好ましい。例えば、微動ステージプレート部222の重心の周りに対称になるように設置することが好ましい。 In order to more stably support the fine movement stage plate portion 222, it is preferable to install the weight compensation means 33 at at least three positions in the XY plane, as shown in FIG. 3A. For example, it is preferable to install them symmetrically around the center of gravity of the fine movement stage plate portion 222.

このように、本発明の一実施形態による成膜装置11においては、自重補償手段33を
採用することによって、磁気浮上リニアモータ31の負荷を低減させ、磁気浮上リニアモータ31から発生する熱を低減することができる。これにより基板Wに成膜された有機材料が熱変性することを抑制することができる。
In this way, in the film forming apparatus 11 according to one embodiment of the present invention, by employing the weight compensation means 33, it is possible to reduce the load on the magnetically levitated linear motor 31 and reduce the heat generated by the magnetically levitated linear motor 31. This makes it possible to suppress thermal denaturation of the organic material formed on the substrate W.

つまり、自重補償手段33を使わず、Z方向磁気浮上リニアモータ313のみで微動ステージプレート部222の重量を支持しようとすると、Z方向磁気浮上リニアモータ313に過度な負荷がかかり、相当な熱が発生し、これが基板W上に成膜された有機材料の変性をもたらす恐れがある。本実施例では、微動ステージプレート部222にかかる重力は自重補償手段33によって相殺されるので、Z方向磁気浮上リニアモータ313は、自重補償手段33によって浮上された微動ステージプレート部222にZ方向の微動のための駆動力のみを提供すれば良く、よって、負荷が低減される。 In other words, if the weight of the fine movement stage plate portion 222 were to be supported only by the Z-direction magnetically levitated linear motor 313 without using the weight compensation means 33, an excessive load would be placed on the Z-direction magnetically levitated linear motor 313, generating considerable heat, which could result in denaturation of the organic material deposited on the substrate W. In this embodiment, the gravity acting on the fine movement stage plate portion 222 is offset by the weight compensation means 33, so the Z-direction magnetically levitated linear motor 313 only needs to provide a driving force for fine movement in the Z direction to the fine movement stage plate portion 222 levitated by the weight compensation means 33, thereby reducing the load.

本発明の一実施例においては、自重補償手段33を磁石で具現したが、本発明はこれに限定されず、微動ステージプレート部222の重力を相殺して浮上させることができる限り、他の構成を有しても良い。 In one embodiment of the present invention, the weight compensation means 33 is embodied as a magnet, but the present invention is not limited to this and may have other configurations as long as it can offset the gravity of the fine movement stage plate portion 222 and lift it.

本発明の一実施形態による磁気浮上ユニット223の原点位置決め手段34は、微動ステージプレート部222の原点位置を決める手段であって、三角錐状の凹部341と半球状の凸部342とを含むキネマティックカップリング(kinematic coupling)で構成することができる。
例えば、図3Cに示したように、ステージ基準プレート部221側に三角錐状の凹部341を設置し、微動ステージプレート部222側に半球状の凸部342を設置する。半球状の凸部342が三角錐状の凹部341に挿入されると、半球状の凸部342が3つの支点で三角錐状の凹部341の内面に接触し、微動ステージプレート部222の位置が決められる。
The origin positioning means 34 of the magnetic levitation unit 223 according to one embodiment of the present invention is a means for determining the origin position of the fine movement stage plate part 222, and may be composed of a kinematic coupling including a triangular pyramidal recess 341 and a hemispherical protrusion 342.
3C, a triangular pyramidal recess 341 is provided on the side of the stage reference plate portion 221, and a hemispherical protrusion 342 is provided on the side of the fine movement stage plate portion 222. When the hemispherical protrusion 342 is inserted into the triangular pyramidal recess 341, the hemispherical protrusion 342 comes into contact with the inner surface of the triangular pyramidal recess 341 at three fulcrums, and the position of the fine movement stage plate portion 222 is determined.

このようなキネマティックカップリングタイプの原点位置決め手段34を、図3Aに示したように、微動ステージプレート部222の中心の周りに、X方向とY方向を含む平面上で、3つを等間隔(例えば、120°間隔)に設置することで、微動ステージプレート部222の中心の位置を一定に決めることができる。つまり、微動ステージプレート部222をステージ基準プレート部221に接近させて3つの原点位置決め手段の凸部342が凹部341内に着座したときの、微動ステージプレート部222の位置を、レーザー干渉計32により測定し、これを原点位置とする。
本発明の一実施形態による成膜装置11によると、3つのキネマティックカップリングを原点位置決め手段34として採用することで、微動ステージプレート部222の原点位置を一定に決めることができ、微動ステージプレート222の位置制御をより精密に行うことができる。
3A, three such kinematic coupling type origin positioning means 34 are installed at equal intervals (for example, 120° intervals) around the center of the fine movement stage plate section 222 on a plane including the X and Y directions, thereby making it possible to determine a constant position of the center of the fine movement stage plate section 222. In other words, when the fine movement stage plate section 222 is brought close to the stage reference plate section 221 and the convex portions 342 of the three origin positioning means are seated in the concave portions 341, the position of the fine movement stage plate section 222 is measured by the laser interferometer 32, and this is set as the origin position.
In the film forming apparatus 11 according to one embodiment of the present invention, by adopting three kinematic couplings as the origin positioning means 34, the origin position of the fine-motion stage plate portion 222 can be determined to be constant, and the position control of the fine-motion stage plate 222 can be performed more precisely.

このように、本発明の一実施形態による成膜装置11によれば、機械的な駆動機構を使わずに、磁気浮上駆動機構(磁気浮上リニアモータ)を使うことによって、ステージ及びその駆動機構を成膜装置11の真空容器21内に配置することができ、外乱による振動の影響を効果的に低減することができる。また、機械的駆動による揺動を低減することができ、その結果、基板の位置調整の精度を向上させることができる。さらに、レーザー干渉計32を含む位置測定手段、自重補償手段33、及びキネマティックカップリングからなる原点位置決め手段34を採用することによって、基板の位置調整の精度をさらに向上させることができる。 Thus, according to the film formation apparatus 11 according to one embodiment of the present invention, by using a magnetic levitation drive mechanism (magnetic levitation linear motor) instead of a mechanical drive mechanism, the stage and its drive mechanism can be placed inside the vacuum vessel 21 of the film formation apparatus 11, and the effects of vibration due to disturbances can be effectively reduced. In addition, the oscillation due to mechanical drive can be reduced, and as a result, the accuracy of substrate position adjustment can be improved. Furthermore, by employing a position measurement means including a laser interferometer 32, a weight compensation means 33, and an origin positioning means 34 consisting of a kinematic coupling, the accuracy of substrate position adjustment can be further improved.

<アライメント方法>
以下、図7のフローチャートを参照しつつ、本発明の磁気浮上ステージ機構22を用いて、基板WとマスクMの相対的位置の調整を行うアライメント方法を説明する。
<Alignment method>
An alignment method for adjusting the relative positions of the substrate W and mask M using the magnetic levitation stage mechanism 22 of the present invention will now be described with reference to the flow chart of FIG.

まず、マスクMと基板Wが真空容器21内に搬入され、各々マスク支持ユニット23と基板支持ユニットによって支持される(ステップS101)。 First, the mask M and the substrate W are loaded into the vacuum vessel 21 and supported by the mask support unit 23 and the substrate support unit, respectively (step S101).

基板支持ユニットによって支持された基板Wを磁気浮上ステージ機構22の微動ステージプレート部222に設置された基板吸着手段24に向かって移動させる。
基板Wが基板吸着手段24に十分に近づくと、基板吸着手段24に基板吸着電圧を印加し、静電引力により基板Wを基板吸着手段24に吸着させる。基板Wを基板吸着手段24に吸着させる際に、基板吸着手段24の吸着面全体に基板Wの全面を同時に吸着させてもよく、基板吸着手段24の複数の領域のうち一領域から他の領域に向かって順次に基板Wを吸着させてもよい(ステップS102)。
The substrate W supported by the substrate supporting unit is moved towards the substrate attracting means 24 installed on the fine movement stage plate portion 222 of the magnetic levitation stage mechanism 22 .
When the substrate W approaches sufficiently close to the substrate attracting means 24, a substrate attracting voltage is applied to the substrate attracting means 24, and the substrate W is attracted to the substrate attracting means 24 by electrostatic attraction. When attracting the substrate W to the substrate attracting means 24, the entire surface of the substrate W may be attracted simultaneously to the entire attracting surface of the substrate attracting means 24, or the substrate W may be attracted sequentially from one region to another among the multiple regions of the substrate attracting means 24 (step S102).

次いで、成膜装置11の制御部は、マスク支持ユニット昇降機構を駆動して、基板吸着手段24とマスク支持ユニット23を相対的に接近させる。この際、制御部は、基板吸着手段24に吸着された基板Wとマスク支持ユニット23によって支持されたマスクMとの間の距離が、予め設定されたラフアライメント計測距離になるまで、基板吸着手段24とマスク支持ユニット23を相対的に接近(例えば、マスク支持ユニット23を上昇)させる。
基板WとマスクMとの間の距離がラフアライメント計測距離になると、ラフアライメント用カメラにより、基板W及びマスクMのアライメントマークを撮像して、XYθ方向における基板WとマスクMの相対位置を測定し、これに基づき、これらの相対的位置ずれ量を算出する(ステップS103)。
Next, the control unit of the film forming apparatus 11 drives the mask support unit lifting mechanism to bring the substrate adsorption means 24 and the mask support unit 23 relatively closer to each other. At this time, the control unit brings the substrate adsorption means 24 and the mask support unit 23 relatively closer to each other (e.g., lifts the mask support unit 23) until the distance between the substrate W adsorbed to the substrate adsorption means 24 and the mask M supported by the mask support unit 23 becomes a preset rough alignment measurement distance.
When the distance between the substrate W and the mask M reaches the rough alignment measurement distance, the alignment marks of the substrate W and the mask M are imaged by a rough alignment camera to measure the relative positions of the substrate W and the mask M in the X, Y, θ, and Z directions, and based on this, the amount of relative positional deviation between them is calculated (step S103).

制御部は、レーザー干渉計32によって測定された微動ステージプレート部222(または基板吸着手段24)の位置と、ラフアライメント用カメラによって算出された位置ずれ量とに基づいて、微動ステージプレート部222(または基板吸着手段24)の移動目標位置の座標を算出する。
移動目標位置の座標に基づいて、微動ステージプレート部222の位置をレーザー干渉計32で測定しながら、磁気浮上リニアモータ31によってXYθ方向に微動ステージプレート部222(または基板吸着手段24)を移動目標位置まで駆動することによって、基板WとマスクMの相対位置を調整する。ラフアライメントでは、微動ステージプレート部222を磁気浮上リニアモータ31によって移動させると説明したが、基板WとマスクMの位置ずれ量の大きさに応じてマスク支持ユニット23をXYθ方向に移動させ、ラフアライメントを行ってもよい(ステップS104)。
The control unit calculates the coordinates of the target movement position of the fine-motion stage plate portion 222 (or the substrate suction means 24) based on the position of the fine-motion stage plate portion 222 (or the substrate suction means 24) measured by the laser interferometer 32 and the amount of positional deviation calculated by the rough alignment camera.
Based on the coordinates of the target movement position, the position of the fine movement stage plate part 222 is measured by the laser interferometer 32, while the fine movement stage plate part 222 (or the substrate attracting means 24) is driven in the X, Y, θ, and Z directions by the magnetic levitation linear motor 31 to the target movement position, thereby adjusting the relative positions of the substrate W and mask M. In the rough alignment, the fine movement stage plate part 222 is moved by the magnetic levitation linear motor 31 as described above, but rough alignment may also be performed by moving the mask support unit 23 in the X, Y, θ, and Z directions depending on the amount of positional deviation between the substrate W and mask M (step S104).

ラフアライメントが完了すると、マスク支持ユニット昇降機構によってマスク支持ユニット23をさらに上昇させ、マスクMが基板Wに対してファインアライメント計測位置まで来るようにする。
マスクMが基板Wに対してファインアライメント計測位置に来ると、ファインアライメント用カメラで基板W及びマスクMのアライメントマークを撮像し、XYθ方向における基板WとマスクMの相対的位置ずれ量を測定する(ステップS105)。
When the rough alignment is completed, the mask support unit 23 is further raised by the mask support unit lifting mechanism until the mask M reaches a fine alignment measurement position relative to the substrate W.
When the mask M reaches the fine alignment measurement position relative to the substrate W, the alignment marks of the substrate W and mask M are imaged by a fine alignment camera, and the relative positional deviations between the substrate W and mask M in the X, Y, θ and Z directions are measured (step S105).

ファインアライメント計測位置における基板WとマスクMとの間の相対的位置ずれ量が所定の閾値より大きければ、マスクMを再度下降させ、基板WとマスクMを離間させた後、レーザー干渉計32によって測定された微動ステージプレート部222の位置と、基板WとマスクMの相対的位置ずれ量に基づいて、微動ステージプレート部222の移動目標位置を算出する。
算出された移動目標位置に基づいて、微動ステージプレート部222の位置をレーザー干渉計32で測定しながら、磁気浮上リニアモータ31によってXYθ方向に微動ステージプレート部222を移動目標位置まで駆動することによって、基板WとマスクMの相
対位置を調整する(ステップS106)。
If the amount of relative positional deviation between the substrate W and mask M at the fine alignment measurement position is greater than a predetermined threshold value, the mask M is lowered again to separate the substrate W and mask M, and then a target movement position for the fine movement stage plate portion 222 is calculated based on the position of the fine movement stage plate portion 222 measured by the laser interferometer 32 and the amount of relative positional deviation between the substrate W and mask M.
Based on the calculated target movement position, the position of the fine movement stage plate part 222 is measured by the laser interferometer 32, while the magnetically levitated linear motor 31 drives the fine movement stage plate part 222 in the XYθZ directions to the target movement position, thereby adjusting the relative positions of the substrate W and mask M (step S106).

このような過程を、基板WとマスクMの相対的位置ずれ量が所定の閾値より小さくなるまで繰り返す。
基板WとマスクMの相対的位置ずれ量が所定の閾値より小さくなると、基板吸着手段24に吸着された基板Wの被成膜面がマスクMの上面と接触する蒸着位置になるように、マスク支持ユニット23を上昇させる。
基板WとマスクMが接触した蒸着位置に達すると、磁力印加手段261を下降させ、基板W越しにマスクMを引き寄せることで、基板WとマスクMを密着させる(ステップS107)。
This process is repeated until the amount of relative positional deviation between the substrate W and the mask M becomes smaller than a predetermined threshold value.
When the amount of relative positional deviation between the substrate W and the mask M becomes smaller than a predetermined threshold value, the mask support unit 23 is raised so that the deposition surface of the substrate W adsorbed to the substrate adsorption means 24 is in a deposition position where it comes into contact with the upper surface of the mask M.
When the deposition position where the substrate W and the mask M come into contact with each other is reached, the magnetic force application means 261 is lowered to attract the mask M over the substrate W, thereby bringing the substrate W and the mask M into close contact with each other (step S107).

この過程で、基板WとマスクMのXYθ方向における位置ずれが生じたかを確認するために、ファインアライメント用カメラを用いて、基板WとマスクMの相対的位置の計測を行い、計測された相対的位置のずれ量が所定の閾値の以上である場合、基板WとマスクMを所定の距離まで再び離間(例えば、マスク支持ユニット23を下降)させた後、基板WとマスクMとの間の相対位置を調整し、同じ過程を繰り返す(ステップS108)。 In this process, in order to check whether any positional deviation has occurred between the substrate W and the mask M in the X, Y, θ, and Z directions, the relative positions of the substrate W and the mask M are measured using a fine alignment camera. If the amount of deviation in the measured relative position is equal to or greater than a predetermined threshold, the substrate W and the mask M are again separated to a predetermined distance (for example, by lowering the mask support unit 23), and then the relative position between the substrate W and the mask M is adjusted, and the same process is repeated (step S108).

基板WとマスクMが蒸着位置に位置する状態で、基板WマスクMとの間の相対的位置ずれ量が所定の閾値より小さくなると、アライメント工程を完了し、成膜工程を開始する(ステップS109)。 When the substrate W and mask M are positioned at the deposition position and the relative positional deviation between the substrate W and mask M becomes smaller than a predetermined threshold, the alignment process is completed and the film formation process is started (step S109).

<成膜プロセス>
以下、本実施形態によるアライメント方法を採用した成膜方法について説明する。
前述の本実施形態によるアライメント方法に従ってアライメントを行い、基板WとマスクMとの間の相対位置のずれ量が所定の閾値より小さくなると、制御部は、成膜源25のシャッタを開け、成膜材料をマスクを介して基板Sに成膜する。
<Film formation process>
A film forming method employing the alignment method according to this embodiment will be described below.
Alignment is performed according to the alignment method of this embodiment described above, and when the amount of deviation in the relative position between the substrate W and the mask M becomes smaller than a predetermined threshold value, the control unit opens the shutter of the film formation source 25 and deposits the film formation material on the substrate S through the mask.

膜が所望の厚さになるよう蒸着した後、磁力印加手段26を上昇させてマスクMを分離してマスク支持ユニット23に支持させたのち、マスク支持ユニット23を下降させる。
次いで、搬送ロボット14のハンドが成膜装置11の真空容器21内に進入し、基板吸着手段24の電極部にゼロ(0)または逆極性の基板分離電圧が印加し、基板Wを基板吸着手段24から分離する。分離された基板を搬送ロボット14によって真空容器21から搬出する。
After deposition to a desired thickness, the magnetic force applying means 26 is raised to separate the mask M and make it supported by the mask supporting unit 23, and then the mask supporting unit 23 is lowered.
Next, the hand of the transport robot 14 enters the vacuum chamber 21 of the film forming apparatus 11, and a substrate separation voltage of zero (0) or reverse polarity is applied to the electrode portion of the substrate adsorption means 24 to separate the substrate W from the substrate adsorption means 24. The separated substrate is carried out of the vacuum chamber 21 by the transport robot 14.

なお、上述の説明では、成膜装置11は、基板Wの被成膜面が鉛直方向下方を向いた状態で成膜が行われる、いわゆる上向蒸着方式(デポアップ)の構成としたが、本発明はこれに限定はされず、基板Wが真空容器21の側面側に垂直に立てられた状態で配置され、基板Wの被成膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。 In the above description, the film forming apparatus 11 is configured in a so-called upward deposition (deposit up) manner, in which film formation is performed with the film-forming surface of the substrate W facing vertically downward. However, the present invention is not limited to this configuration, and the substrate W may be arranged vertically on the side of the vacuum vessel 21, and film formation may be performed with the film-forming surface of the substrate W parallel to the direction of gravity.

<電子デバイスの製造方法>
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。
<Method of Manufacturing Electronic Device>
Next, an example of a method for manufacturing an electronic device using the film forming apparatus of this embodiment will be described below. As an example of the electronic device, the configuration of an organic EL display device and a method for manufacturing the same will be described.

まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図6(a)は有機EL表示装置60の全体図、図6(b)は1画素の断面構造を表している。 First, the organic EL display device to be manufactured will be described. Figure 6(a) shows an overall view of the organic EL display device 60, and Figure 6(b) shows the cross-sectional structure of one pixel.

図6(a)に示すように、有機EL表示装置60の表示領域61には、発光素子を複数備える画素62がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域61において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。
本実施例にかかる有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子62R、第2発光素子62G、第3発光素子62Bの組合せにより画素62が構成されている。画素62は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。
6A, a plurality of pixels 62 each including a plurality of light-emitting elements are arranged in a matrix in a display area 61 of an organic EL display device 60. As will be described in detail later, each of the light-emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes. Note that the pixel referred to here refers to the smallest unit that allows a desired color to be displayed in the display area 61.
In the case of the organic EL display device according to the present embodiment, a pixel 62 is formed by a combination of a first light-emitting element 62R, a second light-emitting element 62G, and a third light-emitting element 62B which emit light different from one another. The pixel 62 is often formed by a combination of a red light-emitting element, a green light-emitting element, and a blue light-emitting element, but may be a combination of a yellow light-emitting element, a cyan light-emitting element, and a white light-emitting element, and is not particularly limited as long as it is at least one color.

図6(b)は、図6(a)のA-B線における部分断面模式図である。画素62は、基板63上に、陽極64と、正孔輸送層65と、発光層66R、66G、66Bのいずれかと、電子輸送層67と、陰極68と、を備える有機EL素子を有している。これらのうち、正孔輸送層65、発光層66R、66G、66B、電子輸送層67が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層66Rは赤色を発する有機EL層、発光層66Gは緑色を発する有機EL層、発光層66Bは青色を発する有機EL層である。発光層66R、66G、66Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、陽極64は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層65と電子輸送層67と陰極68は、複数の発光素子62R、62G、62Bと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、陽極64と陰極68とが異物によってショートするのを防ぐために、陽極64間に絶縁層69が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層70が設けられている。 Figure 6 (b) is a partial cross-sectional schematic diagram taken along line A-B in Figure 6 (a). The pixel 62 has an organic EL element on a substrate 63, which includes an anode 64, a hole transport layer 65, one of the light-emitting layers 66R, 66G, and 66B, an electron transport layer 67, and a cathode 68. Of these, the hole transport layer 65, the light-emitting layers 66R, 66G, and 66B, and the electron transport layer 67 correspond to organic layers. In this embodiment, the light-emitting layer 66R is an organic EL layer that emits red light, the light-emitting layer 66G is an organic EL layer that emits green light, and the light-emitting layer 66B is an organic EL layer that emits blue light. The light-emitting layers 66R, 66G, and 66B are formed in patterns corresponding to the light-emitting elements (sometimes referred to as organic EL elements) that emit red, green, and blue light, respectively. The anode 64 is formed separately for each light-emitting element. The hole transport layer 65, the electron transport layer 67, and the cathode 68 may be formed in common with the multiple light emitting elements 62R, 62G, and 62B, or may be formed for each light emitting element. In order to prevent the anode 64 and the cathode 68 from shorting due to foreign matter, an insulating layer 69 is provided between the anodes 64. Furthermore, since the organic EL layer deteriorates due to moisture and oxygen, a protective layer 70 is provided to protect the organic EL element from moisture and oxygen.

図6(b)では正孔輸送層65や電子輸送層67が一つの層で示されているが、有機EL表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を含む複数の層で形成されてもよい。また、陽極64と正孔輸送層65との間には陽極64から正孔輸送層65への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、陰極68と電子輸送層67の間にも電子注入層が形成されことができる。 In FIG. 6(b), the hole transport layer 65 and the electron transport layer 67 are shown as a single layer, but depending on the structure of the organic EL display element, they may be formed of multiple layers including a hole blocking layer and an electron blocking layer. In addition, a hole injection layer having an energy band structure that can smoothly inject holes from the anode 64 to the hole transport layer 65 can be formed between the anode 64 and the hole transport layer 65. Similarly, an electron injection layer can be formed between the cathode 68 and the electron transport layer 67.

次に、有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)および陽極64が形成された基板63を準備する。
Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device will be specifically described.
First, a substrate 63 on which a circuit (not shown) for driving the organic EL display device and an anode 64 are formed is prepared.

陽極64が形成された基板63の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、陽極64が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層69を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。 An acrylic resin is formed by spin coating on the substrate 63 on which the anode 64 is formed, and the acrylic resin is patterned by lithography so that an opening is formed in the area where the anode 64 is formed, forming an insulating layer 69. This opening corresponds to the light-emitting area where the light-emitting element actually emits light.

絶縁層69がパターニングされた基板63を第1の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて基板を保持し、正孔輸送層65を、表示領域の陽極64の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層65は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層65は表示領域61よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。 The substrate 63 with the patterned insulating layer 69 is carried into a first organic material deposition apparatus, the substrate is held by an electrostatic chuck, and a hole transport layer 65 is deposited as a common layer on the anode 64 of the display area. The hole transport layer 65 is deposited by vacuum deposition. In practice, the hole transport layer 65 is formed to be larger than the display area 61, so a high-definition mask is not required.

次に、正孔輸送層65までが形成された基板63を第2の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板63の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層66Rを成膜する。
発光層66Rの成膜と同様に、第3の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層66Gを成膜し、さらに第4の有機材料成膜装置により青色を発する発光層66Bを成膜する。発光層66R、66G、66Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域61の全体に電子輸送層67を成膜する。電子輸送層67は、3色の発光層66R、66G、66Bに共通の層として形成される。
Next, the substrate 63 on which the hole transport layer 65 has been formed is carried into a second organic material deposition apparatus and held by an electrostatic chuck. The substrate and a mask are aligned, and a red light emitting layer 66R is deposited on the portion of the substrate 63 where the red light emitting element is to be disposed.
Similar to the formation of the light-emitting layer 66R, a light-emitting layer 66G that emits green light is formed by a third organic material film formation apparatus, and further a light-emitting layer 66B that emits blue light is formed by a fourth organic material film formation apparatus. After the formation of the light-emitting layers 66R, 66G, and 66B is completed, an electron transport layer 67 is formed over the entire display area 61 by a fifth film formation apparatus. The electron transport layer 67 is formed as a layer common to the three light-emitting layers 66R, 66G, and 66B.

電子輸送層67まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて陰極68を成膜する。金属性蒸着材料成膜装置は、蒸発加熱方式の成膜装置であってもよく、スパッタリング方式の成膜装置であっても良い。 The substrate on which the electron transport layer 67 has been formed is moved by a metallic deposition material deposition device to deposit the cathode 68. The metallic deposition material deposition device may be a deposition device using an evaporation heating method or a deposition device using a sputtering method.

本発明によると、機械的なステージ機構の代わりに磁気浮上ステージ機構を用いることで、基板とマスクとの間のアライメントの精度をさらに向上させることができる。
その後、プラズマCVD装置に移動して保護層70を成膜して、有機EL表示装置60が完成する。
According to the present invention, the accuracy of alignment between the substrate and the mask can be further improved by using a magnetic levitation stage mechanism instead of a mechanical stage mechanism.
Thereafter, the substrate is transferred to a plasma CVD device, where a protective layer 70 is formed, and the organic EL display device 60 is completed.

絶縁層69がパターニングされた基板63を成膜装置に搬入してから保護層70の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機EL材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。 If the substrate 63 on which the insulating layer 69 is patterned is exposed to an atmosphere containing moisture or oxygen from the time it is carried into the film-forming apparatus until the formation of the protective layer 70 is completed, the light-emitting layer made of the organic EL material may be deteriorated by moisture or oxygen. Therefore, in this example, the substrate is carried in and out of the film-forming apparatus in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.

前記実施例は本発明の一例を現わしたものであり、本発明は前記実施例の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適切に変形しても良い。 The above embodiment represents one example of the present invention, and the present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and may be modified appropriately within the scope of its technical concept.

11:成膜装置
21:真空容器
22:磁気浮上ステージ機構
23:マスク支持ユニット
24:基板吸着手段
11: Film forming apparatus 21: Vacuum vessel 22: Magnetic levitation stage mechanism 23: Mask support unit 24: Substrate adsorption means

Claims (26)

基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、
真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、基板を支持するための基板支持手段と、
前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するためのマスク支持手段と、
前記真空容器内に設けられ、前記基板支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記基板支持手段の位置を調整することができる磁気浮上ステージ機構と、
前記真空容器内に設けられ、成膜材料を収納し、前記成膜材料を粒子化して放出するための成膜源と、
を含み、
前記磁気浮上ステージ機構は、前記真空容器に対して位置が固定され、前記第1の方向及び前記第2の方向と平行に設置される第1のプレート部と、前記第1のプレート部に対して相対的に移動可能な第2のプレート部と、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニットとを含み、
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の原点位置を決めるための原点位置決め手段をさらに含み、
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部にかかる重力を補償するための自重補償手段であって、前記第1のプレート部に設置される第1の磁石部と、前記第2のプレート部に設置される第2の磁石部とを含む自重補償手段をさらに含む
ことを特徴とする成膜装置。
A film forming apparatus for forming a film of a film forming material on a substrate through a mask, comprising:
A vacuum vessel;
a substrate support means provided within the vacuum vessel for supporting a substrate;
a mask support means provided within the vacuum vessel for supporting a mask;
a magnetic levitation stage mechanism that is provided within the vacuum vessel and that can adjust a position of the substrate support means in a first direction parallel to a support surface of the substrate support means, a second direction that intersects with the first direction and is parallel to a support surface of the substrate support means, and a rotational direction about a third direction that intersects with both the first direction and the second direction;
a film formation source provided in the vacuum vessel for storing a film formation material and for granulating the film formation material and discharging the film formation material;
Including,
the magnetic levitation stage mechanism includes a first plate portion whose position is fixed with respect to the vacuum vessel and which is installed parallel to the first direction and the second direction, a second plate portion which is movable relatively to the first plate portion, and a magnetic levitation unit for magnetically levitating and moving the second plate portion with respect to the first plate portion,
the magnetic levitation unit further includes an origin positioning means for determining an origin position of the second plate portion,
The magnetic levitation unit further includes a weight compensation means for compensating for gravity acting on the second plate portion, the weight compensation means including a first magnet portion installed on the first plate portion and a second magnet portion installed on the second plate portion.
A film forming apparatus comprising:
基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、A film forming apparatus for forming a film of a film forming material on a substrate through a mask, comprising:
真空容器と、A vacuum vessel;
前記真空容器内に設けられ、基板を支持するための基板支持手段と、a substrate support means provided within the vacuum vessel for supporting a substrate;
前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するためのマスク支持手段と、a mask support means provided within the vacuum vessel for supporting a mask;
前記真空容器内に設けられ、前記基板支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第A first direction parallel to a support surface of the substrate support means provided in the vacuum vessel and a second direction
1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記基板支持手段の位置を調整することができる磁気浮上ステージ機構と、a magnetic levitation stage mechanism capable of adjusting a position of the substrate support means in a second direction intersecting with a first direction and parallel to a support surface of the substrate support means, and in a rotational direction centered on a third direction intersecting with both the first direction and the second direction;
前記真空容器内に設けられ、成膜材料を収納し、前記成膜材料を粒子化して放出するための成膜源と、a film formation source provided in the vacuum vessel for storing a film formation material and for granulating the film formation material and discharging the film formation material;
を含み、Including,
前記磁気浮上ステージ機構は、前記真空容器に対して位置が固定され、前記第1の方向及び前記第2の方向と平行に設置される第1のプレート部と、前記第1のプレート部に対して相対的に移動可能な第2のプレート部と、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニットとを含み、the magnetic levitation stage mechanism includes a first plate portion whose position is fixed with respect to the vacuum vessel and which is installed parallel to the first direction and the second direction, a second plate portion which is movable relatively to the first plate portion, and a magnetic levitation unit for magnetically levitating and moving the second plate portion with respect to the first plate portion,
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の原点位置を決めるための原点位置決め手段をさらに含み、the magnetic levitation unit further includes an origin positioning means for determining an origin position of the second plate portion,
前記原点位置決め手段は、少なくとも3つのキネマティックカップリングを含むThe origin positioning means includes at least three kinematic couplings.
ことを特徴とする成膜装置。A film forming apparatus comprising:
前記磁気浮上ステージ機構は、前記第3の方向、前記第1の方向を中心とした回転方向、及び前記第2の方向を中心とした回転方向における、前記基板支持手段の位置を調整することができる
ことを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
3. The film formation apparatus according to claim 1, wherein the magnetic levitation stage mechanism is capable of adjusting the position of the substrate support means in the third direction, a rotational direction centered on the first direction, and a rotational direction centered on the second direction.
前記基板支持手段は、前記第2のプレート部に設置される
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の成膜装置。
4. The film forming apparatus according to claim 1 , wherein the substrate support means is disposed on the second plate portion.
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して駆動することができる磁気浮上リニアモータを含む
ことを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
3. The film deposition apparatus according to claim 1 , wherein the magnetic levitation unit includes a magnetic levitation linear motor capable of driving the second plate portion relative to the first plate portion.
前記磁気浮上リニアモータは、前記第2のプレート部を前記第1の方向に駆動することができる第1の磁気浮上リニアモータと、前記第2のプレート部を前記第2の方向に駆動することができる第2の磁気浮上リニアモータと、前記第2のプレート部を前記第3の方向に駆動することができる第3の磁気浮上リニアモータとを含む
ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
The film forming apparatus of claim 5, characterized in that the magnetically levitated linear motor includes a first magnetically levitated linear motor capable of driving the second plate portion in the first direction, a second magnetically levitated linear motor capable of driving the second plate portion in the second direction, and a third magnetically levitated linear motor capable of driving the second plate portion in the third direction.
前記磁気浮上リニアモータは、前記第1のプレート部および前記第2のプレート部の一方に設置された固定子と、他方に設置された可動子とを含み、
前記固定子は、前記可動子を駆動するための磁界発生手段を含み、
前記可動子は、磁性体を含む
ことを特徴とする請求項またはに記載の成膜装置。
the magnetic levitation linear motor includes a stator disposed on one of the first plate portion and the second plate portion, and a mover disposed on the other of the first plate portion and the second plate portion;
the stator includes a magnetic field generating means for driving the mover,
7. The film deposition apparatus according to claim 5 , wherein the mover includes a magnetic material.
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の位置を測定するための位置測定手段をさらに含む
ことを特徴とする請求項1、2および5のいずれか1項に記載の成膜装置。
6. The film deposition apparatus according to claim 1, wherein the magnetic levitation unit further includes a position measuring means for measuring a position of the second plate portion.
前記位置測定手段は、前記第1のプレート部に対して固定されるレーザー干渉計と、前記レーザー干渉計と対向するように前記第2のプレート部に設けられる反射部とを含む
ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
9. The film forming apparatus according to claim 8, wherein the position measuring means includes a laser interferometer fixed to the first plate portion, and a reflecting portion provided on the second plate portion so as to face the laser interferometer.
前記位置測定手段は、前記第1の方向における前記第2のプレート部の位置を測定するための第1の位置測定部と、前記第2の方向における前記第2のプレート部の位置を測定するための第2の位置測定部と、前記第3の方向における前記第2のプレート部の位置を
測定するための第3の位置測定部とを含む
ことを特徴とする請求項またはに記載の成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 8 or 9, characterized in that the position measurement means includes a first position measurement unit for measuring the position of the second plate portion in the first direction, a second position measurement unit for measuring the position of the second plate portion in the second direction, and a third position measurement unit for measuring the position of the second plate portion in the third direction.
前記第1の位置測定部は、前記第1の方向に測定ビームを照射するように設置される第1のレーザー干渉計と、前記第1のレーザー干渉計と対向するように前記第2のプレート部に設けられる第1の反射部とを含み、
前記第2の位置測定部は、前記第2の方向に測定ビームを照射するように設置される第2のレーザー干渉計と、前記第2のレーザー干渉計と対向するように前記第2のプレート部に設けられる第2の反射部とを含み、
前記第3の位置測定部は、前記第3の方向に測定ビームを照射するように設置される複数の第3のレーザー干渉計と、前記第3のレーザー干渉計と対向するように前記第2のプレート部に設けられる複数の第3の反射部とを含み、
前記第1のレーザー干渉計または前記第2のレーザー干渉計のうちの少なくとも一つは、複数である
ことを特徴とする請求項10に記載の成膜装置。
the first position measurement unit includes a first laser interferometer installed to irradiate a measurement beam in the first direction, and a first reflecting unit provided on the second plate unit to face the first laser interferometer;
the second position measurement unit includes a second laser interferometer installed to irradiate a measurement beam in the second direction, and a second reflecting unit provided on the second plate unit to face the second laser interferometer;
the third position measurement unit includes a plurality of third laser interferometers installed to irradiate a measurement beam in the third direction, and a plurality of third reflecting units provided on the second plate unit to face the third laser interferometers,
11. The film forming apparatus according to claim 10 , wherein at least one of the first laser interferometer and the second laser interferometer is a plurality of interferometers.
前記第1の磁石部と前記第2の磁石部は、前記第2のプレート部にかかる重力の方向と反対方向に浮上力を発生させるように配置される
ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
2. The film forming apparatus according to claim 1 , wherein the first magnet portion and the second magnet portion are arranged so as to generate a levitation force in a direction opposite to a direction of gravity acting on the second plate portion.
前記第2の磁石部は、前記第3の方向に延びるスペーサーを介して前記第2のプレート部に設置され、
前記スペーサーは、前記第3の方向において、前記第2の磁石部の前記第2のプレート部に近い端部が前記第1の磁石部の前記第2のプレート部に近い端部よりも前記第2のプレート部からより遠くなる長さを有する
ことを特徴とする請求項12記載の成膜装置。
the second magnet portion is installed on the second plate portion via a spacer extending in the third direction,
The film forming apparatus of claim 12, characterized in that the spacer has a length in the third direction such that an end of the second magnet portion closer to the second plate portion is farther from the second plate portion than an end of the first magnet portion closer to the second plate portion.
前記自重補償手段は、前記第1の方向と前記第2の方向を含む平面内で少なくとも3つの位置に設けられる
ことを特徴とする請求項に記載の成膜装置。
2. The film forming apparatus according to claim 1 , wherein the gravity compensation means is provided at least at three positions within a plane including the first direction and the second direction.
前記原点位置決め手段は、つのキネマティックカップリングを含む
ことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
2. The film deposition apparatus according to claim 1, wherein the origin positioning means includes three kinematic couplings.
前記キネマティックカップリングは、前記第1の方向及び前記第2の方向を含む平面上での前記第2のプレート部の中心の周りに等間隔で配置される
ことを特徴とする請求項2または15に記載の成膜装置。
16. The film deposition apparatus according to claim 2 or 15, wherein the kinematic couplings are disposed at equal intervals around a center of the second plate portion on a plane including the first direction and the second direction.
前記基板は、シリコンウエハ、ガラス、樹脂、高分子材料のフィルム、もしくは、金属、または、これらの材料にフィルムが積層されたものである
ことを特徴とする請求項1から16のいずれか1項に記載の成膜装置。
17. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a silicon wafer, glass, resin, a film of a polymeric material, or a metal, or a film laminated on any of these materials.
前記基板支持手段は、前記基板を吸着して支持する
ことを特徴とする請求項1から17のいずれか1項に記載の成膜装置。
18. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the substrate support means supports the substrate by suction.
基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、
真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、基板を支持するための基板支持手段と、
前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するためのマスク支持手段と、
前記真空容器内に設けられ、前記マスク支持手段による支持面に平行な第1の方向と、
第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記マスク支持手段の位置を調整することができる磁気浮上ステージ機構と、
前記真空容器内に設けられ、成膜材料を収納し、前記成膜材料を粒子化して放出するための成膜源と、
を含み、
前記磁気浮上ステージ機構は、前記真空容器に対して位置が固定され、前記第1の方向及び前記第2の方向と平行に設置される第1のプレート部と、前記第1のプレート部に対して相対的に移動可能な第2のプレート部と、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニットとを含み、
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の原点位置を決めるための原点位置決め手段をさらに含み、
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部にかかる重力を補償するための自重補償手段であって、前記第1のプレート部に設置される第1の磁石部と、前記第2のプレート部に設置される第2の磁石部とを含む自重補償手段をさらに含む
ことを特徴とする成膜装置。
A film forming apparatus for forming a film of a film forming material on a substrate through a mask, comprising:
A vacuum vessel;
a substrate support means provided within the vacuum vessel for supporting a substrate;
a mask support means provided within the vacuum vessel for supporting a mask;
a first direction parallel to a support surface of the mask support means provided in the vacuum vessel;
a magnetic levitation stage mechanism capable of adjusting a position of the mask support means in a second direction intersecting a first direction and parallel to a support surface of the substrate support means, and in a rotational direction centered on a third direction intersecting both the first direction and the second direction;
a film formation source provided in the vacuum vessel for storing a film formation material and for granulating the film formation material and discharging the film formation material;
Including,
the magnetic levitation stage mechanism includes a first plate portion whose position is fixed with respect to the vacuum vessel and which is installed parallel to the first direction and the second direction, a second plate portion which is movable relatively to the first plate portion, and a magnetic levitation unit for magnetically levitating and moving the second plate portion with respect to the first plate portion,
the magnetic levitation unit further includes an origin positioning means for determining an origin position of the second plate portion,
The magnetic levitation unit further includes a weight compensation means for compensating for gravity acting on the second plate portion, the weight compensation means including a first magnet portion installed on the first plate portion and a second magnet portion installed on the second plate portion.
A film forming apparatus comprising:
基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、A film forming apparatus for forming a film of a film forming material on a substrate through a mask, comprising:
真空容器と、A vacuum vessel;
前記真空容器内に設けられ、基板を支持するための基板支持手段と、a substrate support means provided within the vacuum vessel for supporting a substrate;
前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するためのマスク支持手段と、a mask support means provided within the vacuum vessel for supporting a mask;
前記真空容器内に設けられ、前記マスク支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記マスク支持手段の位置を調整することができる磁気浮上ステージ機構と、a magnetic levitation stage mechanism that is provided within the vacuum vessel and that can adjust a position of the mask support means in a first direction parallel to a support surface of the mask support means, a second direction that intersects with the first direction and is parallel to a support surface of the substrate support means, and a rotational direction about a third direction that intersects with both the first direction and the second direction;
前記真空容器内に設けられ、成膜材料を収納し、前記成膜材料を粒子化して放出するための成膜源と、a film formation source provided in the vacuum vessel for storing a film formation material and granulating the film formation material and discharging the film formation material;
を含み、Including,
前記磁気浮上ステージ機構は、前記真空容器に対して位置が固定され、前記第1の方向及び前記第2の方向と平行に設置される第1のプレート部と、前記第1のプレート部に対して相対的に移動可能な第2のプレート部と、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニットとを含み、the magnetic levitation stage mechanism includes a first plate portion whose position is fixed with respect to the vacuum vessel and which is installed parallel to the first direction and the second direction, a second plate portion which is movable relatively with respect to the first plate portion, and a magnetic levitation unit for magnetically levitating and moving the second plate portion with respect to the first plate portion,
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の原点位置を決めるための原点位置決め手段をさらに含み、the magnetic levitation unit further includes an origin positioning means for determining an origin position of the second plate portion,
前記原点位置決め手段は、少なくとも3つのキネマティックカップリングを含むThe origin positioning means includes at least three kinematic couplings.
ことを特徴とする成膜装置。A film forming apparatus comprising:
前記原点位置決め手段は、3つのキネマティックカップリングを含むThe origin positioning means includes three kinematic couplings.
ことを特徴とする請求項19に記載の成膜装置。20. The film forming apparatus according to claim 19.
請求項1から21のいずれか1項に記載の成膜装置と、
マスクを収納するためのマスクストック装置と、
基板またはマスクを搬送するための搬送装置と、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造装置。
The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 21 ,
A mask storage device for storing masks;
and a transport device for transporting a substrate or a mask.
基板上にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜方法であって、
マスクを成膜装置の真空容器内に搬入するステップと、
基板を前記真空容器内に搬入するステップと、
前記基板を、前記真空容器内の基板支持手段によって支持するステップと、
前記真空容器内に設けられた磁気浮上ステージ機構によって前記基板支持手段を移動さ
せることで、前記基板と前記マスクの相対的位置を調整するステップであって、前記磁気浮上ステージ機構は、前記基板支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記基板支持手段の位置を調整することができるものである、調整するステップと、
前記マスクを前記基板の被成膜面に密着させるステップと、
前記真空容器内の成膜源によって粒子化された成膜材料を前記マスクを介して前記基板に成膜するステップと、
を含み、
前記磁気浮上ステージ機構は、前記真空容器に対して位置が固定され、前記第1の方向及び前記第2の方向と平行に設置される第1のプレート部と、前記第1のプレート部に対して相対的に移動可能な第2のプレート部と、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニットとを含み、
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の原点位置を決めるための原点位置決め手段をさらに含み、
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部にかかる重力を補償するための自重補償手段であって、前記第1のプレート部に設置される第1の磁石部と、前記第2のプレート部に設置される第2の磁石部とを含む自重補償手段をさらに含む
ことを特徴とする成膜方法。
1. A method for depositing a deposition material onto a substrate through a mask, comprising:
Carrying the mask into a vacuum chamber of a film forming apparatus;
Loading a substrate into the vacuum vessel;
supporting the substrate by a substrate support within the vacuum vessel;
a step of adjusting the relative positions of the substrate and the mask by moving the substrate support means by a magnetic levitation stage mechanism provided in the vacuum vessel, the magnetic levitation stage mechanism being capable of adjusting the position of the substrate support means in a first direction parallel to a support surface of the substrate support means, a second direction intersecting the first direction and parallel to a support surface of the substrate support means, and a rotational direction centered on a third direction intersecting both the first direction and the second direction;
a step of closely contacting the mask with a surface of the substrate on which a film is to be formed;
depositing a film on the substrate through the mask using a film-forming material granulated by a film-forming source in the vacuum chamber;
Including,
the magnetic levitation stage mechanism includes a first plate portion whose position is fixed with respect to the vacuum vessel and which is installed parallel to the first direction and the second direction, a second plate portion which is movable relatively to the first plate portion, and a magnetic levitation unit for magnetically levitating and moving the second plate portion with respect to the first plate portion,
the magnetic levitation unit further includes an origin positioning means for determining an origin position of the second plate portion,
The magnetic levitation unit further includes a weight compensation means for compensating for gravity acting on the second plate portion, the weight compensation means including a first magnet portion installed on the first plate portion and a second magnet portion installed on the second plate portion.
A film forming method comprising:
基板上にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜方法であって、1. A method for depositing a deposition material onto a substrate through a mask, comprising:
マスクを成膜装置の真空容器内に搬入するステップと、Carrying the mask into a vacuum chamber of a film forming apparatus;
基板を前記真空容器内に搬入するステップと、Loading a substrate into the vacuum vessel;
前記基板を、前記真空容器内の基板支持手段によって支持するステップと、supporting the substrate by a substrate support within the vacuum vessel;
前記真空容器内に設けられた磁気浮上ステージ機構によって前記基板支持手段を移動させることで、前記基板と前記マスクの相対的位置を調整するステップであって、前記磁気浮上ステージ機構は、前記基板支持手段による支持面に平行な第1の方向と、第1の方向と交差し、前記基板支持手段による支持面と平行な第2の方向と、前記第1の方向及び前記第2の方向の両方と交差する第3の方向を中心とした回転方向における、前記基板支持手段の位置を調整することができるものである、調整するステップと、a step of adjusting the relative positions of the substrate and the mask by moving the substrate support means by a magnetic levitation stage mechanism provided in the vacuum vessel, the magnetic levitation stage mechanism being capable of adjusting the position of the substrate support means in a first direction parallel to a support surface of the substrate support means, a second direction intersecting the first direction and parallel to a support surface of the substrate support means, and a rotational direction centered on a third direction intersecting both the first direction and the second direction;
前記マスクを前記基板の被成膜面に密着させるステップと、a step of closely contacting the mask with a surface of the substrate on which a film is to be formed;
前記真空容器内の成膜源によって粒子化された成膜材料を前記マスクを介して前記基板に成膜するステップと、depositing a film on the substrate through the mask using a film-forming material granulated by a film-forming source in the vacuum chamber;
を含み、Including,
前記磁気浮上ステージ機構は、前記真空容器に対して位置が固定され、前記第1の方向及び前記第2の方向と平行に設置される第1のプレート部と、前記第1のプレート部に対して相対的に移動可能な第2のプレート部と、前記第2のプレート部を前記第1のプレート部に対して磁気浮上及び移動させるための磁気浮上ユニットとを含み、the magnetic levitation stage mechanism includes a first plate portion whose position is fixed with respect to the vacuum vessel and which is installed parallel to the first direction and the second direction, a second plate portion which is movable relatively to the first plate portion, and a magnetic levitation unit for magnetically levitating and moving the second plate portion with respect to the first plate portion,
前記磁気浮上ユニットは、前記第2のプレート部の原点位置を決めるための原点位置決め手段をさらに含み、the magnetic levitation unit further includes an origin positioning means for determining an origin position of the second plate portion,
前記原点位置決め手段は、少なくとも3つのキネマティックカップリングを含むThe origin positioning means includes at least three kinematic couplings.
ことを特徴とする成膜方法。A film forming method comprising:
前記原点位置決め手段は、3つのキネマティックカップリングを含むThe origin positioning means includes three kinematic couplings.
ことを特徴とする請求項23に記載の成膜方法。The film forming method according to claim 23 .
請求項23から25のいずれか1項に記載の成膜方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
A method for producing an electronic device, comprising the steps of: producing an electronic device by using the film forming method according to any one of claims 23 to 25 .
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