Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP7523737B2 - Light emitting device, manufacturing method thereof and transporting method thereof - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP7523737B2 - Light emitting device, manufacturing method thereof and transporting method thereof - Google Patents

Light emitting device, manufacturing method thereof and transporting method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP7523737B2
JP7523737B2 JP2020125637A JP2020125637A JP7523737B2 JP 7523737 B2 JP7523737 B2 JP 7523737B2 JP 2020125637 A JP2020125637 A JP 2020125637A JP 2020125637 A JP2020125637 A JP 2020125637A JP 7523737 B2 JP7523737 B2 JP 7523737B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting device
resin member
emitting element
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020125637A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2022021814A (en
Inventor
聖人 田邉
忠雄 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2020125637A priority Critical patent/JP7523737B2/en
Publication of JP2022021814A publication Critical patent/JP2022021814A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7523737B2 publication Critical patent/JP7523737B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明の実施形態は、発光装置、発光装置の製造方法及び発光装置の搬送方法に関する。 Embodiments of the present invention relate to a light-emitting device, a method for manufacturing a light-emitting device, and a method for transporting a light-emitting device.

発光素子を樹脂部材で覆った発光装置がある。特許文献1には、発光装置の外面を構成している樹脂部材が開示されている。 There is a light-emitting device in which a light-emitting element is covered with a resin member. Patent Document 1 discloses the resin member that constitutes the outer surface of the light-emitting device.

特開2001-223229号公報JP 2001-223229 A

このような発光装置の製造工程においては、発光素子を樹脂で覆った発光装置が完成した後に、発光装置をレールやステージなどの上を滑らせて搬送し、所定のパッケージなどに収納することがある。また、これらの発光装置を光源装置などに組み込む際にも、パッケージから発光装置を取り出してレールやステージなどの上を滑らせて搬送することがある。しかし、発光装置の外面に位置する樹脂部材の表面の平坦性が高すぎると、樹脂表面の粘着性(タック)により、搬送工程においてレールやステージなどに発光装置が貼り付く懸念がある。 In the manufacturing process of such light-emitting devices, after the light-emitting device is completed with the light-emitting elements covered with resin, the light-emitting device may be transported by sliding it on a rail or stage and stored in a specified package. Furthermore, when incorporating such light-emitting devices into a light source device or the like, the light-emitting device may be removed from the package and transported by sliding it on a rail or stage. However, if the surface of the resin member located on the outer surface of the light-emitting device is too flat, there is a concern that the light-emitting device may stick to the rail or stage during the transport process due to the tackiness (tack) of the resin surface.

本開示に係る実施形態は、樹脂部材の粘着性を低減できる発光装置、発光装置の製造方法及び発光装置の搬送方法を提供することを目的とする。 The embodiment of the present disclosure aims to provide a light-emitting device that can reduce the adhesion of the resin member, a method for manufacturing a light-emitting device, and a method for transporting a light-emitting device.

本開示の実施形態に係る発光装置は、発光素子と、硬化阻害成分と接触することにより表面に形成されるしわ状の凹凸構造を有し、前記発光素子を覆う樹脂部材と、を備えたことを特徴とする。 The light-emitting device according to the embodiment of the present disclosure is characterized by comprising a light-emitting element and a resin member that covers the light-emitting element and has a wrinkled uneven structure formed on its surface upon contact with a curing inhibitor.

本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、硬化阻害成分を含む粘着層に発光素子を固定する工程と、前記粘着層と接して前記発光素子覆う樹脂部材を形成し、前記発光素子と前記樹脂部材とを備える封止体を形成する工程と、前記封止体から前記粘着層を除去する工程と、を備え、前記粘着層と接触していた前記樹脂部材の表面にしわ状の凹凸構造が形成されてなることを特徴とする。 The method for manufacturing a light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure includes the steps of: fixing a light-emitting element to an adhesive layer containing a curing inhibitor; forming a resin member that contacts the adhesive layer and covers the light-emitting element, forming a sealing body that includes the light-emitting element and the resin member; and removing the adhesive layer from the sealing body, and is characterized in that a wrinkled uneven structure is formed on the surface of the resin member that was in contact with the adhesive layer.

本開示の実施形態に係る発光装置の搬送方法は、発光素子と、硬化阻害成分と接触することにより表面に形成されるしわ状の凹凸構造を有し、前記発光素子を覆う樹脂部材と、を備えた発光装置の前記しわ状の凹凸構造が形成された面を搬送支持体に接触させながら前記発光装置を搬送することを特徴とする。 The method for transporting a light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure is characterized in that the light-emitting device includes a light-emitting element and a resin member that has a wrinkled uneven structure formed on the surface by contact with a curing inhibitor and covers the light-emitting element, and the light-emitting device is transported while the surface on which the wrinkled uneven structure is formed is in contact with a transport support.

本開示に係る実施形態によれば、樹脂部材の粘着性を低減できる発光装置、発光装置の製造方法及び発光装置の搬送方法を提供できる。 Embodiments of the present disclosure can provide a light-emitting device that can reduce the adhesion of the resin member, a method for manufacturing a light-emitting device, and a method for transporting a light-emitting device.

実施形態に係る発光装置の模式的上面図である。FIG. 2 is a schematic top view of the light emitting device according to the embodiment. 実施形態に係る発光装置の模式的下面図である。FIG. 2 is a schematic bottom view of the light emitting device according to the embodiment. 図1に示すIII-III線における模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line III-III shown in FIG. しわ状の凹凸構造を示す写真である。1 is a photograph showing a wrinkled uneven structure. しわ状の凹凸構造を示す写真である。1 is a photograph showing a wrinkled uneven structure. 比較例の樹脂部材2の表面の写真である。1 is a photograph of a surface of a resin member 2 of a comparative example. しわ状の凹凸構造の三次元合成画像である。This is a three-dimensional composite image of wrinkled uneven structures. 比較例の樹脂部材の表面の三次元合成画像である。13 is a three-dimensional composite image of the surface of a resin member of a comparative example. 実施形態に係る発光装置の変形例の模式的断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the light emitting device according to the embodiment. 実施形態に係る発光装置の変形例の模式的断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the light emitting device according to the embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す模式的断面図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 実施形態に係る発光装置の搬送方法を示す模式的断面図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views showing a method for transporting the light emitting device according to the embodiment.

以下、発光装置及びその製造方法、搬送方法について、図面を参照して説明する。以下の説明において参照する図面は、本開示の実施形態を概略的に示しているため、図面に示す部材は、大きさや位置関係等を誇張していることがあり、また、形状を単純化していることがある。また、以下の説明において同一の名称、符号は原則として同一または同質の部材や工程を示すものであり、詳細な説明を適宜省略する。
また、特定の方向又は位置を示す用語(例えば、「上」、「下」及びそれらの用語を含む別の用語)を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向又は位置を分かり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向又は位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。また、本願では、断面図として切断面のみを示す端面図を用いることがある。
The light emitting device and its manufacturing method and transport method will be described below with reference to the drawings. The drawings referred to in the following description show the embodiments of the present disclosure in a schematic manner, so that the size and positional relationship of the components shown in the drawings may be exaggerated, and the shapes may be simplified. In the following description, the same names and symbols generally indicate the same or similar components and processes, and detailed descriptions will be omitted as appropriate.
In addition, terms indicating a specific direction or position (e.g., "upper", "lower", and other terms including these terms) may be used. However, these terms are merely used for the purpose of making the relative direction or position in the referenced drawings easier to understand. As long as the relationship of the relative direction or position by terms such as "upper", "lower" in the referenced drawings is the same, the arrangement in drawings other than this disclosure, in actual products, etc. may not be the same as in the referenced drawings. In addition, in this application, an end view showing only a cut surface may be used as a cross-sectional view.

本実施形態の発光装置100を図1から図6Bに基づいて説明する。発光装置100は、発光素子4と、発光素子4の主発光面Aの上に設けられた透光性部材1と、発光素子4の側面と透光性部材1の側面とを覆う樹脂部材2と、を備えている。樹脂部材2は、発光装置100の外面の一部を構成している。 The light emitting device 100 of this embodiment will be described with reference to Figs. 1 to 6B. The light emitting device 100 includes a light emitting element 4, a translucent member 1 provided on the main light emitting surface A of the light emitting element 4, and a resin member 2 that covers the side surface of the light emitting element 4 and the side surface of the translucent member 1. The resin member 2 forms part of the outer surface of the light emitting device 100.

図4A及び図4Bは、金属顕微鏡により観察した樹脂部材2の表面を例示する写真である。樹脂部材2は、その表面に図4A、図4Bに例示されるようなしわ状の凹凸構造2aを有している。このしわ状の凹凸構造2aによって、樹脂部材2が他の部材に接触する際に、樹脂部材2と他の部材との接触面積を減らすことができる。これにより、発光装置100と搬送レール等とが貼り付くことを低減させることができる。また、樹脂部材2の表面がしわ状の凹凸構造2aを有していることにより発光装置100どうしが貼り付くことを低減させることかできる。これにより、発光装置の搬送不良を低減することができる。また、発光装置100と搬送レール等との接触面積が減ることにより、静電気による発光装置100の帯電を抑制できる。 Figures 4A and 4B are photographs showing an example of the surface of the resin member 2 observed by a metal microscope. The resin member 2 has a wrinkled uneven structure 2a on its surface as shown in Figures 4A and 4B. This wrinkled uneven structure 2a can reduce the contact area between the resin member 2 and other members when the resin member 2 comes into contact with the other members. This can reduce the sticking of the light emitting device 100 to the transport rails, etc. In addition, the wrinkled uneven structure 2a on the surface of the resin member 2 can reduce the sticking of the light emitting devices 100 to each other. This can reduce transport failures of the light emitting device. In addition, the reduction in the contact area between the light emitting device 100 and the transport rails, etc. can suppress the charging of the light emitting device 100 due to static electricity.

しわ状の凹凸構造2aは、樹脂部材2の硬化を抑制する硬化阻害成分と樹脂部材2とが接触する状態で樹脂部材2を硬化させることで、硬化阻害成分と接触する樹脂部材2の表面に形成することができる。形成されたしわ状の凹凸構造2aの表面に、樹脂部材2の硬化を抑制する硬化阻害成分が付着していてもよい。このようにすることで、樹脂部材2の硬化を抑制しやすくなりしわ状の凹凸構造2aの形成が容易になる。硬化阻害成分については、後に詳述する。 The wrinkled uneven structure 2a can be formed on the surface of the resin member 2 that comes into contact with the curing inhibitor by curing the resin member 2 in a state where the resin member 2 is in contact with the curing inhibitor that inhibits the curing of the resin member 2. The curing inhibitor that inhibits the curing of the resin member 2 may be attached to the surface of the formed wrinkled uneven structure 2a. In this way, it becomes easier to inhibit the curing of the resin member 2 and to form the wrinkled uneven structure 2a. The curing inhibitor will be described in detail later.

図5は、硬化阻害成分と実質的に接触させずに硬化させた比較例の樹脂部材2の表面を金属顕微鏡により観察した写真である。図5の比較例では、樹脂部材2の表面は略平坦であり、図4A、図4Bに例示したようなしわ状の凹凸構造2aはみられない。 Figure 5 is a photograph of the surface of a comparative resin member 2 that was cured without substantial contact with a curing inhibitor, observed with a metallurgical microscope. In the comparative example of Figure 5, the surface of the resin member 2 is substantially flat, and no wrinkled uneven structure 2a as shown in Figures 4A and 4B is observed.

図6Aは、図4Bに例示したしわ状の凹凸構造2aの三次元合成画像であり、図6Bは、図5に表した比較例における樹脂部材2の表面の三次元合成画像である。
ここで、三次元合成画像は、デジタルマイクロスコープを用いて被写体表面の凹凸の高さ上限から下限にかけて順次オートフォーカスさせ、それぞれの高さでピントが合った部分を合成することにより得られた。また、図6A、図6Bには、X、Y、Zのいずれかの座標軸における座標値を座標軸名(X、Y、Z)とともにマイクロメータ(μm)単位で適宜挿入した。
図6Aをみると、しわ状の凹凸構造2aは、Y方向にそれぞれのびる凸部2a1と凹部2a2とが交互に配置された構造を有することが分かる。隣接する凸部2a1のX方向における間隔は、概ね数10マイクロメータである。凹部2a2の底から凸部2a1の頂上までの高さは、概ね数マイクロメータである。
FIG. 6A is a three-dimensional composite image of the wrinkled uneven structure 2a illustrated in FIG. 4B, and FIG. 6B is a three-dimensional composite image of the surface of the resin member 2 in the comparative example illustrated in FIG.
Here, the three-dimensional composite image was obtained by sequentially autofocusing the heights of the unevenness of the subject surface from the upper limit to the lower limit using a digital microscope, and synthesizing the parts in focus at each height. In addition, in Figures 6A and 6B, the coordinate values on any of the coordinate axes X, Y, and Z are appropriately inserted in micrometer (μm) units along with the coordinate axis names (X, Y, Z).
6A, it can be seen that the wrinkled uneven structure 2a has a structure in which convex portions 2a1 and concave portions 2a2 each extending in the Y direction are alternately arranged. The interval between adjacent convex portions 2a1 in the X direction is approximately several tens of micrometers. The height from the bottom of the concave portion 2a2 to the top of the convex portion 2a1 is approximately several micrometers.

一方、図6Bにはしわ状の凹凸構造2aは観察されず、樹脂部材2の表面はほぼ平坦であることが分かる。このように、ほぼ平坦であると、他の部材に接触したときに接触面積が大きくなるので、他の部材に貼り付きやすくなったり、静電気による帯電が生じやすくなったりする。 On the other hand, in FIG. 6B, no wrinkled uneven structure 2a is observed, and it can be seen that the surface of the resin member 2 is almost flat. When the surface is almost flat, the contact area becomes large when the resin member comes into contact with another member, so the resin member is more likely to stick to the other member or become charged with static electricity.

これに対して、図6Aに表したようにしわ状の凹凸構造2aを設けることにより、他の部材との接触面積を低減させ、搬送レールや他の発光装置などとの貼り付きを抑制し、静電気による帯電も抑制することが可能となる。 In response to this, by providing a wrinkled uneven structure 2a as shown in FIG. 6A, the contact area with other components can be reduced, preventing the device from sticking to the conveyor rail or other light-emitting devices, and preventing static electricity buildup.

なお、本実施形態におけるしわ状の凹凸構造2aは、図4A、図4B、図6Aに例示したものには限定されない。すなわち、しわ状の凹凸構造2aの形状やサイズ(幅や高さなど)は、粘着性の低減や帯電の抑制などの効果が得られる範囲において、様々に選択することが可能であり、そのように選択したものも本実施形態に含まれる。 The wrinkled uneven structure 2a in this embodiment is not limited to those exemplified in Figures 4A, 4B, and 6A. In other words, the shape and size (width, height, etc.) of the wrinkled uneven structure 2a can be selected in various ways within a range that provides effects such as reducing adhesion and suppressing static electricity, and such selections are also included in this embodiment.

図3に示すように、発光素子4は、主発光面Aと、主発光面Aの反対側に第1電極3A及び第2電極3Bが配置された電極配置面Bと、を有する。本明細書において、主発光面Aを発光素子の上面と呼び、電極配置面Bを発光素子の下面と呼び、主発光面Aと電極配置面Bの間に位置する発光素子の面を発光素子4の側面と呼ぶことがある。第1電極3Aと第2電極3Bとの間は、樹脂部材2が形成されるように空間があってもよく、絶縁体性部材で塞がれていてもよい。 As shown in FIG. 3, the light-emitting element 4 has a main light-emitting surface A and an electrode arrangement surface B on which a first electrode 3A and a second electrode 3B are arranged on the opposite side of the main light-emitting surface A. In this specification, the main light-emitting surface A is sometimes referred to as the upper surface of the light-emitting element, the electrode arrangement surface B is sometimes referred to as the lower surface of the light-emitting element, and the surface of the light-emitting element located between the main light-emitting surface A and the electrode arrangement surface B is sometimes referred to as the side surface of the light-emitting element 4. There may be a space between the first electrode 3A and the second electrode 3B so that a resin member 2 can be formed, or it may be filled with an insulating member.

図7は、複数の発光素子4を備える発光装置200を例示する模式断面図である。複数の発光素子4は、樹脂部材2に覆われている。発光装置200が備える複数の発光素子4のそれぞれは、その大きさ、形状及び/又は発光波長等が同じでもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、発光装置200が発光のピーク波長が430nm以上490nm未満の範囲(青色領域の波長範囲)にある発光素子と、発光のピーク波長が490nm以上570nm以下の範囲(緑色領域の波長範囲)にある発光素子と、を備えていてもよい。 Figure 7 is a schematic cross-sectional view illustrating a light emitting device 200 including multiple light emitting elements 4. The multiple light emitting elements 4 are covered with a resin member 2. The multiple light emitting elements 4 included in the light emitting device 200 may have the same size, shape, and/or emission wavelength, etc., or may be different from each other. For example, the light emitting device 200 may include a light emitting element whose emission peak wavelength is in the range of 430 nm or more and less than 490 nm (wavelength range of the blue region) and a light emitting element whose emission peak wavelength is in the range of 490 nm or more and 570 nm or less (wavelength range of the green region).

発光素子4は、一例として、発光ダイオード(LED)である。例えば、半導体積層体として、第1半導体層(例えば、n型半導体層)、発光層、第2半導体層(例えば、p型半導体層)がこの順に積層され、その同一面側(例えば、第2半導体層側)に、第1半導体層と電気的に接続される第1電極3Aと、第2半導体層と電気的に接続される第2電極3Bと、を有するLEDである。半導体積層体は、通常は成長基板上に積層されるが、発光素子4としては成長基板を有していてもよいし、有しないものでもよい。半導体層の材料・形状や積層構造は、特に限定されるものではない。 The light-emitting element 4 is, for example, a light-emitting diode (LED). For example, the semiconductor laminate is an LED in which a first semiconductor layer (e.g., an n-type semiconductor layer), a light-emitting layer, and a second semiconductor layer (e.g., a p-type semiconductor layer) are laminated in this order, and on the same side (e.g., the second semiconductor layer side) there is a first electrode 3A electrically connected to the first semiconductor layer and a second electrode 3B electrically connected to the second semiconductor layer. The semiconductor laminate is usually laminated on a growth substrate, but the light-emitting element 4 may or may not have a growth substrate. The material and shape of the semiconductor layer and the laminate structure are not particularly limited.

第1電極3A、第2電極3Bは、例えば、Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti等の金属又はこれらの合金の単層膜あるいは積層膜によって形成することができる。膜厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚のいずれでもよい。発光装置の下面において、発光素子の第1電極3A及び第2電極3Bは樹脂部材2から露出することが好ましい。このようにすることで、発光装置の下面側に配置した実装基板から発光素子の第1電極3A及び第2電極3Bに電気を供給することができる。 The first electrode 3A and the second electrode 3B can be formed, for example, from a single layer or a laminated film of a metal such as Au, Pt, Pd, Rh, Ni, W, Mo, Cr, Ti, or an alloy thereof. The film thickness may be any film thickness used in the relevant field. On the underside of the light emitting device, the first electrode 3A and the second electrode 3B of the light emitting element are preferably exposed from the resin member 2. In this way, electricity can be supplied to the first electrode 3A and the second electrode 3B of the light emitting element from a mounting board arranged on the underside of the light emitting device.

発光素子4は、半導体積層体の電極配置面Bの側に、電気的な接続を阻害しない範囲で、DBR(分布ブラッグ反射器)層等の光反射部材を有していてもよい。 The light-emitting element 4 may have a light-reflecting member such as a DBR (distributed Bragg reflector) layer on the electrode placement surface B side of the semiconductor laminate to the extent that it does not impede electrical connection.

透光性部材1は、発光素子4上に設けられ発光素子4を保護する透光性の部材である。透光性部材1は発光素子4の少なくとも1つの面と固定されている。透光性部材の材料として、透光性を有する公知の部材を用いることができる。例えば、透光性部材の材料として、樹脂、ガラス、蛍光体の結晶又は焼結体等を用いることができる。透光性部材に用いることができる樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂又はこれらの樹脂を1種以上含むハイブリット樹脂等が挙げられる。なかでもシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂がより好ましい。尚、本明細書において「透光性を有する」とは、発光素子の発光ピーク波長における光の透過率が55%以上のものを指す。発光素子の発光ピーク波長における透光性部材1の透過率は、70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましい。 The light-transmitting member 1 is a light-transmitting member provided on the light-emitting element 4 to protect the light-emitting element 4. The light-transmitting member 1 is fixed to at least one surface of the light-emitting element 4. A known member having light-transmitting properties can be used as the material of the light-transmitting member. For example, resin, glass, phosphor crystals or sintered bodies can be used as the material of the light-transmitting member. Examples of resins that can be used for the light-transmitting member include silicone resin, silicone-modified resin, epoxy resin, phenol resin, polycarbonate resin, acrylic resin, TPX resin, polynorbornene resin, and hybrid resins containing one or more of these resins. Among them, silicone resin or epoxy resin is preferable, and silicone resin, which is particularly excellent in light resistance and heat resistance, is more preferable. In this specification, "having light-transmitting properties" refers to a light transmittance of 55% or more at the emission peak wavelength of the light-emitting element. The transmittance of the light-transmitting member 1 at the emission peak wavelength of the light-emitting element is preferably 70% or more, and more preferably 80% or more.

透光性部材は、波長変換部材を含有していてもよい。波長変換部材は、発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する部材である。波長変換部材としては公知の波長変換部材を用いることができる。波長変換部材としては例えば、以下に示す具体例のうちの1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 The light-transmitting member may contain a wavelength conversion member. The wavelength conversion member is a member that absorbs at least a portion of the primary light emitted by the light-emitting element and emits secondary light of a wavelength different from that of the primary light. A known wavelength conversion member can be used as the wavelength conversion member. For example, one of the specific examples shown below can be used alone, or two or more types can be used in combination as the wavelength conversion member.

緑色発光する波長変換部材としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばY(Al,Ga)12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばLu(Al,Ga)12:Ce)、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばTb(Al,Ga)12:Ce)系蛍光体、シリケート系蛍光体(例えば(Ba,Sr)SiO:Eu)、クロロシリケート系蛍光体(例えばCaMg(SiOCl:Eu)、βサイアロン系蛍光体(例えばSi6-zAl8-z:Eu(0<z<4.2))、SGS系蛍光体(例えばSrGa:Eu)、アルカリ土類アルミネート系蛍光体(例えば(Ba,Sr,Ca)MgAl1016+x:Eu,Mn(但し、0≦X≦1))などが挙げられる。 Examples of wavelength conversion members that emit green light include yttrium aluminum garnet phosphors (e.g., Y 3 (Al,Ga) 5 O 12 :Ce), lutetium aluminum garnet phosphors (e.g., Lu 3 (Al,Ga) 5 O 12 :Ce), terbium aluminum garnet phosphors (e.g., Tb 3 (Al,Ga) 5 O 12 :Ce) phosphors, silicate phosphors (e.g., (Ba,Sr) 2 SiO 4 :Eu), chlorosilicate phosphors (e.g., Ca 8 Mg (SiO 4 ) 4 Cl 2 :Eu), β-sialon phosphors (e.g., Si 6-z Al z O z N 8-z :Eu (0<z<4.2)), SGS phosphors (e.g., SrGa 2 S 4 :Eu), alkaline earth aluminate phosphors (for example , (Ba,Sr,Ca) MgxAl10O16 +x :Eu,Mn (where 0≦x≦1)), and the like.

黄色発光の波長変換部材としては、αサイアロン系蛍光体(例えばMz(Si,Al)1(O,N)16(但し、0<z≦2であり、MはLi、Mg、Ca、Y、及びLaとCeを除くランタニド元素)などが挙げられる。このほか、上記緑色発光する波長変換部材の中には黄色発光の波長変換部材もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Yの一部をGdで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な波長変換部材もある。 Examples of wavelength conversion materials that emit yellow light include α-sialon phosphors (for example, Mz(Si,Al) 12 (O,N) 16 (where 0<z≦2, and M is Li, Mg, Ca, Y, and lanthanide elements excluding La and Ce). In addition, some of the above-mentioned wavelength conversion materials that emit green light also emit yellow light. For example, the emission peak wavelength of an yttrium aluminum garnet phosphor can be shifted to the long wavelength side by substituting part of the Y with Gd, making it possible to emit yellow light. Some of these wavelength conversion materials also emit orange light.

赤色発光する波長変換部材としては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CASN又はSCASN)系蛍光体(例えば(Sr,Ca)AlSiN:Eu)、SLAN蛍光体(SrLiAl:Eu)などが挙げられる。このほか、マンガン賦活フッ化物系蛍光体(一般式(I)A[M1-aMn]で表される蛍光体である(但し、上記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNHからなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす))が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体(例えばKSiF:Mn)がある。 Examples of wavelength conversion members that emit red light include nitrogen-containing calcium aluminosilicate (CASN or SCASN) phosphors (e.g., (Sr,Ca)AlSiN 3 :Eu), SLAN phosphors (SrLiAl 3 N 4 :Eu), etc. In addition, there is manganese-activated fluoride phosphors (phosphors represented by the general formula (I) A 2 [M 1-a Mn a F 6 ] (wherein, in the general formula (I), A is at least one element selected from the group consisting of K, Li, Na, Rb, Cs, and NH 4 , M is at least one element selected from the group consisting of Group 4 elements and Group 14 elements, and a satisfies 0<a<0.2)). A representative example of this manganese-activated fluoride phosphor is manganese-activated potassium fluorosilicate phosphor (e.g., K 2 SiF 6 :Mn).

透光性部材1は、拡散材、着色剤等の添加剤を含んでもよい。添加剤としては、例えば、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン等が挙げられる。 The light-transmitting member 1 may contain additives such as a diffusing material and a colorant. Examples of additives include silica, titanium oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium carbonate, magnesium hydroxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicate, zinc oxide, barium titanate, aluminum oxide, iron oxide, chromium oxide, and manganese oxide.

透光性部材1は、単層であってもよいし、複数の層が積層された構造でもよい。複数の層が積層されている場合には、波長変換粒子を含有する層が波長変換部材を実質的に含有しない層に覆われていることが好ましい。このようにすることで波長変換粒子を含有する層が外部に露出しないようにしやすくなる。これにより、波長変換部材を実質的に含有しない層が保護層の機能を果たすので波長変換部材が水分等で劣化することを抑制できる。水分に弱い波長変換部材としては、例えばマンガン賦活フッ化物蛍光体が挙げられる。「波長変換部材を実質的に含有しない」とは、不可避的に混入する波長変換部材を排除しないことを意味し、波長変換部材の含有率が0.05重量%以下であることが好ましい。 The light-transmitting member 1 may be a single layer, or may have a structure in which multiple layers are laminated. When multiple layers are laminated, it is preferable that the layer containing the wavelength conversion particles is covered with a layer that does not substantially contain the wavelength conversion material. In this way, it becomes easier to prevent the layer containing the wavelength conversion particles from being exposed to the outside. As a result, the layer that does not substantially contain the wavelength conversion material functions as a protective layer, so that the wavelength conversion material can be prevented from deteriorating due to moisture, etc. An example of a wavelength conversion material that is sensitive to moisture is manganese-activated fluoride phosphor. "Substantially does not contain a wavelength conversion material" means that the wavelength conversion material that is inevitably mixed in is not excluded, and it is preferable that the content of the wavelength conversion material is 0.05% by weight or less.

発光素子4の主発光面A上に配置される透光性部材1は、図3に示すように発光素子4の主発光面Aに直接接して固定されていてもよく、図8に示すように透光性の接合部材5を介して発光素子4に固定されていてもよい。接合部材5は発光素子4の主発光面Aと透光性部材1の間のみに位置して発光素子と透光性部材を固定してもよいし、発光素子の主発光面Aから発光素子の側面まで被覆して発光素子と透光性部材を固定してもよい。接合部材5が樹脂部材2よりも発光素子からの光の透過率が高い場合には、接合部材5が発光素子の側面を被覆することで、発光素子からの光が透光性部材1に導光しやすくなる。これにより、発光装置の光取り出し効率が向上する。接合部材5の側面は透光性部材1に向かって広がるように傾斜していることが好ましい。このようにすることで、更に発光装置の光取り出し効率が向上する。接合部材5の材料は、光又は熱等によって硬化することが好ましい。特に、接合部材5の材料としてシリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。 The translucent member 1 arranged on the main light-emitting surface A of the light-emitting element 4 may be fixed in direct contact with the main light-emitting surface A of the light-emitting element 4 as shown in FIG. 3, or may be fixed to the light-emitting element 4 via a translucent joining member 5 as shown in FIG. 8. The joining member 5 may be located only between the main light-emitting surface A of the light-emitting element 4 and the translucent member 1 to fix the light-emitting element and the translucent member, or may cover from the main light-emitting surface A of the light-emitting element to the side of the light-emitting element to fix the light-emitting element and the translucent member. When the joining member 5 has a higher transmittance of light from the light-emitting element than the resin member 2, the joining member 5 covers the side of the light-emitting element, making it easier for the light from the light-emitting element to be guided to the translucent member 1. This improves the light extraction efficiency of the light-emitting device. It is preferable that the side of the joining member 5 is inclined so as to widen toward the translucent member 1. In this way, the light extraction efficiency of the light-emitting device is further improved. It is preferable that the material of the joining member 5 is hardened by light or heat. In particular, it is preferable to use a thermosetting resin such as a silicone resin, a silicone-modified resin, an epoxy resin, or a phenolic resin as the material of the joining member 5.

樹脂部材2は、発光素子4を覆い発光素子4を保護する部材である。樹脂部材2は、光反射性を有していてもよく、透光性あるいは光吸収性を有してしてもよい。樹脂部材2は、光反射性を有することが好ましい。このようにすることで、発光領域と非発光領域とのコントラストが高い、「見切り性」の良好な発光装置とすることができる。尚、本明細書において「光反射性を有する」とは、発光素子の発光ピーク波長における光反射率が50%以上のものを指す。発光素子の発光ピーク波長における樹脂部材2の光反射率は、70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましい。樹脂成形体は、白色であることが好ましい。光反射性を有する樹脂部材2は、例えば、透光性部材と同様の樹脂材料に、光反射性物質を含有させることにより形成することができる。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム酸化イットリウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛等が挙げられる。また、樹脂部材2が透光性を有する場合には、蛍光体などの波長変換部材を含有していてもよい。 The resin member 2 is a member that covers the light-emitting element 4 and protects the light-emitting element 4. The resin member 2 may have light reflectivity, translucency, or light absorption. The resin member 2 is preferably light reflective. In this way, a light-emitting device with high contrast between the light-emitting region and the non-light-emitting region and good "parting" can be obtained. In this specification, "having light reflectivity" refers to a light reflectivity of 50% or more at the emission peak wavelength of the light-emitting element. The light reflectivity of the resin member 2 at the emission peak wavelength of the light-emitting element is preferably 70% or more, and more preferably 80% or more. The resin molded body is preferably white. The resin member 2 having light reflectivity can be formed, for example, by adding a light-reflecting substance to a resin material similar to the translucent member. Examples of light-reflecting substances include titanium oxide, silicon oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, yttrium oxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicate, zinc oxide, etc. In addition, when the resin member 2 has light transmittance, it may contain a wavelength conversion material such as a phosphor.

樹脂部材2は、図3に示すように発光素子4の側面及び下面を覆っていることが好ましい。このようにすることで、発光素子に対して横方向及び下方から係る外力から発光素子を保護することができる。樹脂部材2は、発光素子4の側面の全面を覆っていることが好ましい。このようにすることで、更に発光素子に対して横方向から係る外力から発光素子を保護することができる。発光装置が接合部材5を備える場合には、樹脂部材2は接合部材5を介して発光素子4の側面を覆ってもよい。樹脂部材2は、透光性部材1の側面を覆ってもよい。樹脂部材2が光反射性を有する場合には、樹脂部材2が透光性部材1の側面を覆うことにより発光領域と非発光領域とのコントラストが高い発光装置とすることができる。 The resin member 2 preferably covers the side and bottom of the light-emitting element 4 as shown in FIG. 3. In this way, the light-emitting element can be protected from external forces acting laterally and below. The resin member 2 preferably covers the entire side of the light-emitting element 4. In this way, the light-emitting element can be further protected from external forces acting laterally. If the light-emitting device includes a joining member 5, the resin member 2 may cover the side of the light-emitting element 4 via the joining member 5. The resin member 2 may cover the side of the translucent member 1. If the resin member 2 is light-reflective, the resin member 2 covers the side of the translucent member 1, thereby providing a light-emitting device with high contrast between the light-emitting region and the non-light-emitting region.

図3に示すように発光装置100の下面には、樹脂部材2の表面に形成されるしわ状の凹凸構造2aと、発光素子の第1電極3A及び第2電極3Bと、が位置している。しわ状の凹凸構造2aは、発光装置100の下面に形成されることが好ましい。図3に示す発光装置100は透光性部材1の上面から発光素子の光を取り出すことができる。透光性部材1の上面に傷がつくと発光装置の配光が変化する恐れがあるので、透光性部材1の上面は他の部材と接触しないことが好ましい。このため、レールを用いて発光装置を搬送する場合には、一般的に透光性部材1の上面と反対側に位置する樹脂部材2の下面がレールと接触するように搬送される。このため、しわ状の凹凸構造2aは、透光性部材1が位置する上面と反対側の発光装置100の下面に形成されることが好ましい。発光装置100の下面にしわ状の凹凸構造2aが形成されるとは、発光素子の電極配置面B側に位置する樹脂部材2の表面にしわ状の凹凸構造2aが形成されると言い換えることもできる。なお、しわ状の凹凸構造2aは、発光装置100の上面及び/又は側面に形成されていてもよい。 As shown in FIG. 3, the wrinkled uneven structure 2a formed on the surface of the resin member 2 and the first electrode 3A and the second electrode 3B of the light-emitting element are located on the lower surface of the light-emitting device 100. The wrinkled uneven structure 2a is preferably formed on the lower surface of the light-emitting device 100. The light-emitting device 100 shown in FIG. 3 can extract light from the light-emitting element from the upper surface of the translucent member 1. If the upper surface of the translucent member 1 is scratched, the light distribution of the light-emitting device may change, so it is preferable that the upper surface of the translucent member 1 does not come into contact with other members. For this reason, when the light-emitting device is transported using a rail, it is generally transported so that the lower surface of the resin member 2 located opposite the upper surface of the translucent member 1 comes into contact with the rail. For this reason, the wrinkled uneven structure 2a is preferably formed on the lower surface of the light-emitting device 100 opposite the upper surface on which the translucent member 1 is located. The formation of the wrinkled uneven structure 2a on the lower surface of the light-emitting device 100 can also be rephrased as the formation of the wrinkled uneven structure 2a on the surface of the resin member 2 located on the electrode arrangement surface B side of the light-emitting element. The wrinkled uneven structure 2a may be formed on the top surface and/or side surface of the light emitting device 100.

図6Aに示すしわ状の凹凸構造2aの凹部2a2の底から隣接する凸部2a1の頂上までのZ方向における高さは、1μm以上20μm以下であることが好ましい。凹部2a2の底から隣接する凸部2a1の頂上までの高さが1μm以上であることで粘着性を低減しやすくなる。また、凹部2a2の底から隣接する凸部2a1の頂上までの高さが20μm以下であることにより樹脂部材2が欠けることを抑制しやすくなる。また、隣接する凸部2a1どうしのX方向における間隔は凹部2a2の底から凸部2a1の頂上までの高さよりも離れていることが好ましい。このようにすることで、凸部2a1の数を少なくすることができる。これにより、樹脂部材2の表面が滑らかになるので樹脂部材2が欠けることを抑制しやすくなる。例えば、隣接する凸部2a1どうしの間隔は、10μm以上100μm以下であることが好ましい。このようにすることで、樹脂部材2が欠けにくくなり、樹脂部材2の表面の粘着性を低減しやすくできる。なお、隣接する凸部2a1どうしの間隔とは、図6AにおいてX方向における隣接する凸部2a1の頂上どうしの間の距離を意味する。 The height in the Z direction from the bottom of the recess 2a2 of the wrinkled uneven structure 2a shown in FIG. 6A to the top of the adjacent protrusion 2a1 is preferably 1 μm or more and 20 μm or less. When the height from the bottom of the recess 2a2 to the top of the adjacent protrusion 2a1 is 1 μm or more, the adhesiveness is easily reduced. Also, when the height from the bottom of the recess 2a2 to the top of the adjacent protrusion 2a1 is 20 μm or less, chipping of the resin member 2 is easily suppressed. Also, it is preferable that the distance between adjacent protrusions 2a1 in the X direction is greater than the height from the bottom of the recess 2a2 to the top of the protrusion 2a1. In this way, the number of protrusions 2a1 can be reduced. As a result, the surface of the resin member 2 becomes smooth, making it easier to suppress chipping of the resin member 2. For example, the distance between adjacent protrusions 2a1 is preferably 10 μm or more and 100 μm or less. In this way, the resin member 2 is less likely to chip, and the adhesiveness of the surface of the resin member 2 can be easily reduced. Note that the distance between adjacent protrusions 2a1 means the distance between the tops of adjacent protrusions 2a1 in the X direction in FIG. 6A.

図9A~図21は、本実施形態の発光装置の製造方法を例示する工程図である。 Figures 9A to 21 are process diagrams illustrating the manufacturing method of the light emitting device of this embodiment.

まず、図9Aに示すように、硬化阻害成分を備える粘着層26を支持部材27に貼り付けて支持体20を準備する。粘着層26は、硬化阻害成分を備えた粘着物質を表面に有していればよい。例えば、粘着層26として硬化阻害成分を含む材料が塗布されたテープやフィルムなどを用いることができる。硬化阻害成分としては、例えば、窒素、硫黄、錫、りん、砒素、アンチモン、セレニウム、テルルのいずれかを含有する化合物が挙げられる。支持部材27としては、図9Aに示すように枠体を用いることができる。枠体の平面形状は、リング状でも中空の多角形状でもよい。このような枠体状の支持部材27に粘着層26の周囲を貼り付けることにより、粘着層26を略平坦な状態に支持することができる。あるいは、図9Bに示すように、粘着層26の略全体を板状の支持部材27’に貼り付けることにより、粘着層26を支持してもよい。また、板状の支持部材27’の表面に硬化阻害成分を含む材料を塗布した支持体20を用いてもよい。 First, as shown in FIG. 9A, an adhesive layer 26 containing a curing inhibitor is attached to a support member 27 to prepare a support 20. The adhesive layer 26 may have an adhesive substance containing a curing inhibitor on its surface. For example, a tape or film coated with a material containing a curing inhibitor may be used as the adhesive layer 26. Examples of the curing inhibitor include compounds containing nitrogen, sulfur, tin, phosphorus, arsenic, antimony, selenium, and tellurium. As the support member 27, a frame may be used as shown in FIG. 9A. The planar shape of the frame may be a ring or a hollow polygon. By attaching the periphery of the adhesive layer 26 to such a frame-shaped support member 27, the adhesive layer 26 can be supported in a substantially flat state. Alternatively, as shown in FIG. 9B, the adhesive layer 26 may be supported by attaching substantially the entire adhesive layer 26 to a plate-shaped support member 27'. Alternatively, a support 20 in which a material containing a curing inhibitor is applied to the surface of a plate-shaped support member 27' may be used.

図10に示すように、発光素子4と透光性部材1とを有する積層体30を準備する。発光素子4と透光性部材1とは固定されている。 As shown in FIG. 10, a laminate 30 having a light-emitting element 4 and a translucent member 1 is prepared. The light-emitting element 4 and the translucent member 1 are fixed.

図11に示すように、支持体20の硬化阻害成分を備える粘着層26の上面に、発光素子の電極配置面Bを対向させ、第1電極3A及び第2電極3Bが粘着層26に接するように複数の積層体30を載置する。この際に、積層体30は規則的に配置することが好ましい。これにより、後述する切断をより発光装置を個片化した場合に発光装置の形状バラつきを抑制することができる。 As shown in FIG. 11, the electrode arrangement surface B of the light-emitting element is placed against the upper surface of the adhesive layer 26 containing the curing inhibitor component of the support 20, and multiple laminates 30 are placed so that the first electrode 3A and the second electrode 3B are in contact with the adhesive layer 26. At this time, it is preferable to arrange the laminates 30 in a regular pattern. This makes it possible to suppress variation in the shape of the light-emitting device when the light-emitting device is divided into individual pieces by cutting, as described below.

図12に示すように、積層体30を載置した支持体20を、上金型8と下金型9との間に配置する。そして、上金型8と下金型9との間に形成された空間に樹脂を注入し樹脂部材2を硬化させる。このようにすることで、積層体30が樹脂部材2により覆われた封止体40を形成することができる。封止体40は、積層体30と樹脂部材2を備えている。金型8と下金型9との間に形成された空間に形成された樹脂部材2は硬化阻害成分を備える粘着層と接触している。樹脂部材2は、圧縮成形、トランスファー成形、射出成形等の公知の方法によって形成することができる。 As shown in FIG. 12, the support 20 on which the laminate 30 is placed is placed between the upper mold 8 and the lower mold 9. Then, resin is injected into the space formed between the upper mold 8 and the lower mold 9 to harden the resin member 2. In this way, a sealed body 40 in which the laminate 30 is covered with the resin member 2 can be formed. The sealed body 40 includes the laminate 30 and the resin member 2. The resin member 2 formed in the space formed between the mold 8 and the lower mold 9 is in contact with an adhesive layer containing a hardening inhibitor. The resin member 2 can be formed by a known method such as compression molding, transfer molding, or injection molding.

図13、図14に示すように、封止体40を上金型8及び下金型9から取り出す。 As shown in Figures 13 and 14, the sealing body 40 is removed from the upper mold 8 and the lower mold 9.

図15に示すように、封止体40から支持体20を除去する。このとき、支持体20の粘着層26と接していた樹脂部材2の表面には、しわ状の凹凸構造2a(図4A、4B参照)が形成されている。硬化阻害成分を備える粘着層26の上で樹脂部材を硬化することで、粘着層26と接触する部分とその他の部分において樹脂部材の硬化しやすさを変えることができる。これにより、粘着層26と接触していた樹脂部材2の表面は硬化しにくいため、しわ状の凹凸構造2aが形成される。しわ状の凹凸構造2aは、電極配置面B側に位置する樹脂部材2の表面の全面に形成されていてもよく、電極配置面B側に位置する樹脂部材2の表面の一部のみに形成されていてもよい。樹脂部材2の一部がゲル化し、封止体40の形成時に樹脂部材2が硬化しきっていない場合は、再度熱硬化を行ってもよい。また、樹脂部材2の表面に硬化阻害成分が付着していてもよい。 As shown in FIG. 15, the support 20 is removed from the sealing body 40. At this time, a wrinkled uneven structure 2a (see FIGS. 4A and 4B) is formed on the surface of the resin member 2 that was in contact with the adhesive layer 26 of the support 20. By curing the resin member on the adhesive layer 26 containing the curing inhibitor, the ease of curing of the resin member can be changed between the part in contact with the adhesive layer 26 and the other parts. As a result, the surface of the resin member 2 that was in contact with the adhesive layer 26 is difficult to cure, so the wrinkled uneven structure 2a is formed. The wrinkled uneven structure 2a may be formed on the entire surface of the resin member 2 located on the electrode placement surface B side, or may be formed only on a part of the surface of the resin member 2 located on the electrode placement surface B side. If a part of the resin member 2 gels and the resin member 2 is not completely cured when the sealing body 40 is formed, heat curing may be performed again. In addition, a curing inhibitor may be attached to the surface of the resin member 2.

図16に示すように、支持部材27に保持テープ10を貼った支持体20を準備する。上述したように枠体状の支持部材27に保持テープ10の周囲を貼り付けることにより、保持テープ10を略平坦な状態に支持させてもよい。また、支持体は保持テープの略全体を板状の支持部材に貼り付けることにより、保持テープ10を支持してもよい。図16に示すように、封止体40を保持テープ10上に配置する。 As shown in FIG. 16, a support 20 is prepared in which the retention tape 10 is attached to a support member 27. As described above, the retention tape 10 may be supported in a substantially flat state by attaching the periphery of the retention tape 10 to a frame-shaped support member 27. The support may also support the retention tape 10 by attaching substantially the entire retention tape to a plate-shaped support member. As shown in FIG. 16, a sealant 40 is placed on the retention tape 10.

図17に示すように、主発光面A側の樹脂部材2を除去して、透光性部材1を樹脂部材2から露出させる。樹脂部材2を除去する場合に、透光性部材1の上面の一部を除去してもよい。このようにすることで、透光性部材1の上面に樹脂部材2が位置することを抑制しやすくなる。主発光面A側の樹脂部材2を除去する方法としては、研削等の公知の方法を用いることができる。主発光面A側の樹脂部材2を除去する時には、封止体40を保持テープ10に固定して加工することが好ましい。封止体40を保持テープ10に固定する方法としては、真空チャックなどにより封止体40を直接吸着する方法等が挙げられる。尚、封止体40の形成時に透光性部材1が樹脂部材2から露出している場合は、主発光面A側の樹脂部材2を除去する工程を省略してもよい。 As shown in FIG. 17, the resin member 2 on the main light-emitting surface A side is removed to expose the translucent member 1 from the resin member 2. When removing the resin member 2, a part of the upper surface of the translucent member 1 may be removed. In this way, it is easier to prevent the resin member 2 from being located on the upper surface of the translucent member 1. A known method such as grinding can be used to remove the resin member 2 on the main light-emitting surface A side. When removing the resin member 2 on the main light-emitting surface A side, it is preferable to fix the sealing body 40 to the holding tape 10 and process it. As a method of fixing the sealing body 40 to the holding tape 10, a method of directly adsorbing the sealing body 40 using a vacuum chuck or the like can be mentioned. Note that if the translucent member 1 is exposed from the resin member 2 when the sealing body 40 is formed, the process of removing the resin member 2 on the main light-emitting surface A side may be omitted.

図18に示すように、封止体40の樹脂部材2を切断線2cの位置で切断する。これにより、図19に示すように、複数の発光装置100に個片化することができる。図3に示すように1つの発光装置が1つの発光素子を備えるように切断してもよいし、図7に示すように1つの発光装置が複数の発光素子を備えるように切断してもよい。切断方法としては、ダイシング、トムソン加工、超音波加工、レーザ加工等の方法を用いることができる。そして、図20に示すように、個片化した発光装置100を保持テープ10から剥離する。封止体40を保持テープ10等で固定している場合、切断はテープを完全に切断しない方法が好ましい。このようにすることで、保持テープ10が複数に分割されないので、保持テープ10を一度に発光装置から剥がすことにより除去できる。 As shown in FIG. 18, the resin member 2 of the sealing body 40 is cut at the position of the cutting line 2c. As a result, as shown in FIG. 19, it is possible to separate into a plurality of light emitting devices 100. As shown in FIG. 3, it is possible to cut so that one light emitting device has one light emitting element, or as shown in FIG. 7, it is possible to cut so that one light emitting device has multiple light emitting elements. As a cutting method, dicing, Thomson processing, ultrasonic processing, laser processing, etc. can be used. Then, as shown in FIG. 20, the separated light emitting devices 100 are peeled off from the holding tape 10. When the sealing body 40 is fixed with the holding tape 10, etc., it is preferable to cut it by a method that does not completely cut the tape. In this way, the holding tape 10 is not divided into a plurality of pieces, so that the holding tape 10 can be removed by peeling it off from the light emitting device at once.

図21は、本実施形態の発光装置100の搬送工程を例示する模式断面図である。図21に示すように、個片化後の発光装置100は、レール等の搬送支持体11の上を搬送し、さらなる仕分けや梱包、あるいは実装基板などへのマウントの工程に進むことができる。搬送支持体11は、例えば、レールでもよく、上面が平坦なステージでもよい。搬送支持体11に傾斜面を設け、例えば超音波振動などを付与することで、その上に載置した発光装置100を傾斜面に沿って重力下方に向けて矢印11aの方向に搬送してもよい。また、搬送方向に対して搬送支持体11自体が進行して発光装置100を搬送してもよい。 Figure 21 is a schematic cross-sectional view illustrating the transport process of the light-emitting device 100 of this embodiment. As shown in Figure 21, the light-emitting device 100 after singulation can be transported on a transport support 11 such as a rail, and can proceed to a process of further sorting and packaging, or mounting on a mounting board, etc. The transport support 11 may be, for example, a rail, or a stage with a flat upper surface. By providing an inclined surface on the transport support 11 and applying, for example, ultrasonic vibration, the light-emitting device 100 placed on it may be transported along the inclined surface toward the downward direction of gravity in the direction of arrow 11a. In addition, the transport support 11 itself may move in the transport direction to transport the light-emitting device 100.

発光装置100を搬送する時に、しわ状の凹凸構造2aが搬送支持体11に接触した状態で搬送することで発光装置100が搬送支持体11に貼り付くことを抑制できる。また、しわ状の凹凸構造2aを設けることにより、発光装置100どうしが貼り付いてしまうことも抑制できる。更に、しわ状の凹凸構造2aを設けることにより、搬送支持体11との接触面積を低減させ、静電気による発光装置100の帯電も抑制することができる。 When the light-emitting device 100 is transported, the wrinkled uneven structure 2a is in contact with the transport support 11, thereby preventing the light-emitting device 100 from sticking to the transport support 11. Furthermore, by providing the wrinkled uneven structure 2a, the light-emitting devices 100 can be prevented from sticking to each other. Furthermore, by providing the wrinkled uneven structure 2a, the contact area with the transport support 11 can be reduced, and charging of the light-emitting device 100 due to static electricity can be prevented.

以上、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、発光装置やその製造方法が備える各要素・工程の内容、形状、寸法、材質、配置、条件などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。 The above describes the embodiments of the present invention. However, the present invention is not limited to these descriptions. Any design modifications made by a person skilled in the art to the above-described embodiments are also included within the scope of the present invention as long as they have the characteristics of the present invention. For example, the content, shape, dimensions, materials, arrangement, conditions, etc. of each element and step of the light-emitting device and its manufacturing method are not limited to those exemplified, and can be modified as appropriate.

また、前述した各実施の形態が備える各要素・工程は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。 Furthermore, the elements and steps of each of the above-mentioned embodiments can be combined to the extent technically possible, and such combinations are also included within the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.

1 透光性部材
2 樹脂部材
2a しわ状の凹凸構造
3A 第1電極
3B 第2電極
4 発光素子
5 透光性の接合部材
6 硬化阻害成分を備える粘着層
7 支持体
8 上金型
9 下金型
10 保持テープ
A 主発光面
B 電極配置面
REFERENCE SIGNS LIST 1 Light-transmitting member 2 Resin member 2a Wrinkled uneven structure 3A First electrode 3B Second electrode 4 Light-emitting element 5 Light-transmitting joining member 6 Adhesive layer containing a curing inhibitor 7 Support 8 Upper mold 9 Lower mold 10 Holding tape A Main light-emitting surface B Electrode arrangement surface

Claims (10)

発光素子と、
硬化阻害成分と接触することにより表面に形成されるしわ状の凹凸構造を有し、前記発光素子を覆う樹脂からなる樹脂部材と、
を備えたことを特徴とする発光装置。
A light-emitting element;
a resin member having a wrinkled uneven structure formed on a surface thereof by contact with a curing inhibitor and covering the light emitting element;
A light emitting device comprising:
前記発光素子の少なくとも1つの面と透光性部材とが固定されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。 The light-emitting device according to claim 1, characterized in that at least one surface of the light-emitting element and the translucent member are fixed. 前記発光素子は、電極を有し、
前記発光装置の下面に、前記電極と、前記しわ状の凹凸構造と、が位置することを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
The light-emitting element has an electrode,
3. The light-emitting device according to claim 1, wherein the electrode and the wrinkled uneven structure are located on a lower surface of the light-emitting device.
複数の前記発光素子を備え、
前記複数の発光素子は、前記樹脂部材に覆われていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の発光装置。
A plurality of the light emitting elements are provided,
4. The light emitting device according to claim 1, wherein the plurality of light emitting elements are covered with the resin member.
前記樹脂部材は、前記発光素子の側面及び下面を覆っていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the resin member covers the side and bottom surfaces of the light-emitting element. 前記しわ状の凹凸構造に前記硬化阻害成分が付着していることを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the curing inhibitor adheres to the wrinkled uneven structure. 硬化阻害成分を含む粘着層に発光素子を固定する工程と、
前記粘着層と接触して前記発光素子を覆う樹脂部材を形成し、前記発光素子と前記樹脂部材とを備える封止体を形成する工程と、
前記封止体から前記粘着層を除去する工程と、
を備え、
前記粘着層と接触していた前記樹脂部材の表面にしわ状の凹凸構造が形成されていることを特徴とする発光装置の製造方法。
A step of fixing a light emitting element to an adhesive layer containing a curing inhibitor;
forming a resin member that is in contact with the adhesive layer and covers the light emitting element, thereby forming a sealing body including the light emitting element and the resin member;
removing the adhesive layer from the sealing body;
Equipped with
A method for manufacturing a light emitting device, comprising the steps of: forming a wrinkled uneven structure on the surface of the resin member that has been in contact with the adhesive layer;
前記粘着層に発光素子を固定する工程において、前記発光素子と透光性部材とが固定していることを特徴とする請求項7記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 7, characterized in that in the process of fixing the light-emitting element to the adhesive layer, the light-emitting element and the translucent member are fixed. 前記封止体から前記粘着層を除去する工程の後に、前記樹脂部材を研削し、前記透光性部材を前記樹脂部材から露出させる工程を有することを特徴とする請求項8記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 8, further comprising the step of grinding the resin member to expose the translucent member from the resin member after the step of removing the adhesive layer from the sealing body. 発光素子と、硬化阻害成分と接触することにより表面に形成されるしわ状の凹凸構造を有し、前記発光素子を覆う樹脂部材と、を備えた発光装置の前記しわ状の凹凸構造が形成された面を搬送支持体に接触させながら前記発光装置を搬送する発光装置の搬送方法。 A method for transporting a light-emitting device comprising: a light-emitting element; and a resin member covering the light-emitting element, the resin member having a wrinkled uneven structure formed on the surface thereof by contact with a curing inhibitor, the method transporting the light-emitting device while bringing the surface on which the wrinkled uneven structure is formed into contact with a transport support.
JP2020125637A 2020-07-22 2020-07-22 Light emitting device, manufacturing method thereof and transporting method thereof Active JP7523737B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020125637A JP7523737B2 (en) 2020-07-22 2020-07-22 Light emitting device, manufacturing method thereof and transporting method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020125637A JP7523737B2 (en) 2020-07-22 2020-07-22 Light emitting device, manufacturing method thereof and transporting method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022021814A JP2022021814A (en) 2022-02-03
JP7523737B2 true JP7523737B2 (en) 2024-07-29

Family

ID=80220914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020125637A Active JP7523737B2 (en) 2020-07-22 2020-07-22 Light emitting device, manufacturing method thereof and transporting method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7523737B2 (en)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000015994A (en) 1998-06-30 2000-01-18 Dainippon Printing Co Ltd Wrapping transfer method
JP2002170999A (en) 2000-12-04 2002-06-14 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2007210650A (en) 2006-02-10 2007-08-23 Renesas Technology Corp Manufacturing method for semiconductor device and chip storage tray
JP2011159768A (en) 2010-01-29 2011-08-18 Toshiba Corp Led package and method for manufacturing the led package
US20120248469A1 (en) 2011-03-30 2012-10-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting apparatus
CN104518064A (en) 2013-10-02 2015-04-15 Lg伊诺特有限公司 Light emitting diode and light emitting diode packaging having same light emitting diode
JP2017168808A (en) 2015-11-06 2017-09-21 株式会社カネカ Thermosetting white ink for CSP-LED
JP2019125632A (en) 2018-01-15 2019-07-25 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2020107727A (en) 2018-12-27 2020-07-09 日亜化学工業株式会社 Manufacturing method of light emitting device and light emitting device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01234241A (en) * 1988-03-14 1989-09-19 Toppan Printing Co Ltd Transfer sheet and preparation of thermosetting resin decorative board using said sheet
JPH06182957A (en) * 1992-12-15 1994-07-05 Dainippon Printing Co Ltd Decorative sheet and method for producing the decorative sheet
JP2939123B2 (en) * 1993-09-10 1999-08-25 日東電工株式会社 Drug-containing adhesive sheet and its packaging structure

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000015994A (en) 1998-06-30 2000-01-18 Dainippon Printing Co Ltd Wrapping transfer method
JP2002170999A (en) 2000-12-04 2002-06-14 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2007210650A (en) 2006-02-10 2007-08-23 Renesas Technology Corp Manufacturing method for semiconductor device and chip storage tray
JP2011159768A (en) 2010-01-29 2011-08-18 Toshiba Corp Led package and method for manufacturing the led package
US20120248469A1 (en) 2011-03-30 2012-10-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting apparatus
CN104518064A (en) 2013-10-02 2015-04-15 Lg伊诺特有限公司 Light emitting diode and light emitting diode packaging having same light emitting diode
JP2017168808A (en) 2015-11-06 2017-09-21 株式会社カネカ Thermosetting white ink for CSP-LED
JP2019125632A (en) 2018-01-15 2019-07-25 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2020107727A (en) 2018-12-27 2020-07-09 日亜化学工業株式会社 Manufacturing method of light emitting device and light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022021814A (en) 2022-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI766841B (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
JP6519311B2 (en) Light emitting device
US9954153B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing same
JP6554914B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
JP6304297B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP6515940B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
KR102541533B1 (en) Manufacturing method of an optical semiconductor element with a light reflection layer and an optical semiconductor element with a light reflection layer and a phosphor layer
US9190579B2 (en) Method for manufacturing light emitting device and light emitting device
JP2018022844A (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP2019176081A (en) Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP2018129424A (en) Light emitting device
KR102447343B1 (en) light emitting device
JP6582827B2 (en) Substrate, light emitting device, and method of manufacturing light emitting device
JP6776764B2 (en) Manufacturing method of light emitting device
CN108630795B (en) Method for manufacturing light-transmitting member and method for manufacturing light-emitting device
JP2019212699A (en) Light-emitting device
JP6354809B2 (en) Method for manufacturing light emitting device and composite substrate
US10439097B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP7523737B2 (en) Light emitting device, manufacturing method thereof and transporting method thereof
JP7219407B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
US10840420B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP6822526B2 (en) Light emitting device and its manufacturing method
JP6528872B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
JP2019057627A (en) Method for manufacturing light emitting device
US9997503B2 (en) Composite substrate and light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230621

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240318

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240329

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20240528

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240613

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20240606

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240626

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7523737

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150