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JP7564926B2 - Metal Mask - Google Patents
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JP7564926B2 - Metal Mask - Google Patents

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Description

本発明は、所定の配列パターンに対応した通孔に導電性ピラーを落とし込んで、ワーク上の所定位置に導電性ピラーを搭載するためのメタルマスクに関する。 The present invention relates to a metal mask for mounting conductive pillars at predetermined positions on a workpiece by dropping the conductive pillars into through holes corresponding to a predetermined arrangement pattern .

メタルマスクの一例として、ワーク上の所定位置にはんだからなる導電性ボールを搭載するための配列用マスクは、例えば特許文献1に公知である。係る特許文献1の配列用マスクには、導電性ボールを落とし込むための開口部が複数形成されている。開口部は基板(ワーク)の電極パッドの形成パターンに対応するように設けられている。開口部の上端周縁にはスロープ状のボール誘導部が形成されており、ボール誘導部は、開口部に向かってなだらかに下り傾斜する傾斜面で構成されている。落とし込み時には、配列用マスク上に多数個の導電性ボールを供給し、スキージブラシ等で分散させることにより、ボール誘導部で導電性ボールを開口部へ向かって案内して、導電性ボールを円滑に開口部へと落とし込むことができる。 As an example of a metal mask, an array mask for mounting conductive balls made of solder at predetermined positions on a workpiece is known, for example from Patent Document 1. The array mask of Patent Document 1 has a plurality of openings formed therein for dropping the conductive balls. The openings are provided to correspond to the formation pattern of the electrode pads on the substrate (workpiece). A slope-shaped ball guide portion is formed on the upper periphery of the opening, and the ball guide portion is composed of an inclined surface that slopes gently downward toward the opening. When dropping the conductive balls, a large number of conductive balls are supplied onto the array mask and dispersed with a squeegee brush or the like, so that the ball guide portion guides the conductive balls toward the openings, allowing the conductive balls to be smoothly dropped into the openings.

特開2011-44616号公報JP 2011-44616 A

近年、表面実装型のパッケージ化された電子素子などにおいて、回路基板と接続するための電極の形成パターンの高密度化が進んでおり、従来の導電性ボールに替えて、より高アスペクト比(高さ/径の比)で搭載間隔の狭ピッチ化が可能な円柱状の導電性ピラーが採用されつつある。特許文献1の配列用マスクでは、開口部およびボール誘導部の構造を好適化して、導電性ボールを円滑に落とし込めるようにしている。しかし、特許文献1の配列用マスクの構造を円柱状の導電性ピラーの配列用マスクに適用しても、同様の作用は得られない。それは、円柱状の導電性ピラーが開口部(配列通孔)に落ち込むためには、導電性ピラーの一端が開口部に指向していなければならない。さらに、導電性ピラーは一端を開口部に向けた状態でボール誘導部を滑り落ちる必要がある。しかし、なだらかに下り傾斜する傾斜面で形成されるボール誘導部では、導電性ピラーが滑り落ちるのは困難である。また、横臥姿勢の導電性ピラーの周面が開口部に面する状態でボール誘導部を転がり落ちると、開口部に落ち込むことができず導電性ピラーが開口部を塞いでしまい、当該開口部に導電性ピラーを落とし込むことができない。 In recent years, in surface-mount packaged electronic elements and the like, the formation pattern of electrodes for connecting to a circuit board has become increasingly dense, and cylindrical conductive pillars that have a higher aspect ratio (height/diameter ratio) and allow for a narrower mounting pitch are being adopted in place of conventional conductive balls. In the array mask of Patent Document 1, the structure of the opening and ball guide portion is optimized to allow the conductive balls to be smoothly dropped. However, even if the structure of the array mask of Patent Document 1 is applied to an array mask for cylindrical conductive pillars, the same effect cannot be obtained. This is because, in order for the cylindrical conductive pillars to fall into the openings (arrangement through holes), one end of the conductive pillars must be oriented toward the openings. Furthermore, the conductive pillars need to slide down the ball guide portion with one end facing the opening. However, it is difficult for the conductive pillars to slide down the ball guide portion formed with a gently sloping surface. Furthermore, if the conductive pillar rolls down the ball guide section while in a lying position with the circumferential surface facing the opening, it cannot drop into the opening and the conductive pillar blocks the opening, making it impossible to drop into the opening.

本発明の目的は、ワーク上の所定位置に導電性ピラーを精度よく搭載できるメタルマスクを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a metal mask that can mount conductive pillars at predetermined positions on a workpiece with high precision .

本発明は、所定の配列パターンに対応した配列通孔12に円柱状の導電性ピラー2を落とし込んで、ワーク3上の所定位置に導電性ピラー2を搭載する配列用マスクを対象とする。配列通孔12は、マスク本体10の表面で開口して導電性ピラー2を配列通孔12の内部へ導入案内する導入孔部15と、導入孔部15の下側に設けられて導電性ピラー2を位置決めする保持孔部16とを備え、導入孔部15の下端と保持孔部16の上端とは滑らかに連続している。導入孔部15は、マスク本体10の表面側に向かって拡開するベルマウス状に形成されており、保持孔部16は、同孔部16の開口径D1が導電性ピラー2の直径よりも僅かに大きく設定されるストレート孔で形成されていることを特徴とする。 The present invention is directed to an array mask in which cylindrical conductive pillars 2 are dropped into array through holes 12 corresponding to a predetermined array pattern, and the conductive pillars 2 are mounted at predetermined positions on the workpiece 3. The array through holes 12 are provided with an introduction hole portion 15 that opens on the surface of the mask body 10 and guides the conductive pillars 2 into the interior of the array through holes 12, and a holding hole portion 16 that is provided below the introduction hole portion 15 and positions the conductive pillars 2, and the lower end of the introduction hole portion 15 and the upper end of the holding hole portion 16 are smoothly continuous. The introduction hole portion 15 is formed in a bell-mouth shape that expands toward the surface side of the mask body 10, and the holding hole portion 16 is characterized in that the opening diameter D1 of the hole portion 16 is formed as a straight hole that is set slightly larger than the diameter of the conductive pillars 2.

配列通孔12は、保持孔部16の下側に同孔部16の開口径D1よりも大きな開口径D3を有する逃げ孔部17を備えている構成を採ることができる。 The array through-hole 12 can be configured to have an escape hole portion 17 below the retaining hole portion 16, the escape hole portion 17 having an opening diameter D3 larger than the opening diameter D1 of the retaining hole portion 16.

導入孔部15と保持孔部16の合計高さ寸法をH1とし、逃げ孔部17の高さ寸法をH2とするとき、前者の高さ寸法H1を後者の高さ寸法H2と同じか、それよりも大きく設定する。 When the total height dimension of the introduction hole portion 15 and the retention hole portion 16 is H1 and the height dimension of the escape hole portion 17 is H2, the height dimension H1 of the former is set to be equal to or greater than the height dimension H2 of the latter.

導入孔部15の高さ寸法をH3とし、保持孔部16の高さ寸法をH4とするとき、後者の高さ寸法H4を前者の高さ寸法H3と同じか、それよりも大きく設定する。 When the height dimension of the introduction hole portion 15 is H3 and the height dimension of the retention hole portion 16 is H4, the latter height dimension H4 is set to be equal to or greater than the former height dimension H3.

導入孔部15の断面形状の曲率を、導入孔部15の周方向において大小に変化するように形成する。 The curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole 15 is formed so that it varies in the circumferential direction of the introduction hole 15.

導入孔部15の断面形状の曲率を、一側縁から対向する他側縁に向かって大から小に漸次変化するように形成する。 The curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole 15 is formed so that it gradually changes from large to small from one side edge to the opposing other side edge.

本発明は、所定の配列パターンに対応した配列通孔12に円柱状の導電性ピラー2を振り込むことで、ワーク3上の所定位置に導電性ピラー2を搭載する配列用マスクの製造方法を対象とする。配列用マスクの製造方法においては、母型21の表面に、逃げ孔部17に対応する一次レジスト体24を有する一次パターンレジスト25を設ける一次パターンニング工程と、一次パターンレジスト25の表面に、導入孔部15および保持孔部16に対応する二次レジスト体28を有する二次パターンレジスト29を設ける二次パターンニング工程と、母型21上に、電着金属を電着して電鋳層30を形成する電鋳工程とを含む。電鋳工程において、一次レジスト体24の上端縁を乗り越え、二次レジスト体28の上端縁を乗り越えない範囲で電着金属を電着して、ベルマウス状の導入孔部15を形成することを特徴とする。 The present invention is directed to a method for manufacturing an array mask in which cylindrical conductive pillars 2 are inserted into array through holes 12 corresponding to a predetermined array pattern, thereby mounting conductive pillars 2 at predetermined positions on a workpiece 3. The method for manufacturing an array mask includes a primary patterning step of providing a primary pattern resist 25 having a primary resist body 24 corresponding to the escape hole portion 17 on the surface of a mother mold 21, a secondary patterning step of providing a secondary pattern resist 29 having a secondary resist body 28 corresponding to the introduction hole portion 15 and the holding hole portion 16 on the surface of the primary pattern resist 25, and an electroforming step of forming an electroformed layer 30 by electrodepositing an electrodeposited metal on the mother mold 21. In the electroforming step, the electrodeposited metal is electrodeposited in an area that goes over the upper edge of the primary resist body 24 but does not go over the upper edge of the secondary resist body 28, thereby forming a bell-mouth-shaped introduction hole portion 15.

二次パターンニング工程において、二次レジスト体28の中心軸Q2を、一次レジスト体24の中心軸Q1と同一軸上に位置する状態で二次パターンレジスト29を設ける。 In the secondary patterning process, the secondary pattern resist 29 is provided with the central axis Q2 of the secondary resist body 28 aligned coaxially with the central axis Q1 of the primary resist body 24.

二次パターンニング工程において、二次レジスト体28の中心軸Q2を、一次レジスト体24の中心軸Q1に対して偏寄配置した状態で二次パターンレジスト29を設ける。 In the secondary patterning process, the secondary pattern resist 29 is provided with the central axis Q2 of the secondary resist body 28 offset from the central axis Q1 of the primary resist body 24.

本発明の導電性ピラーの配列用マスクにおいては、配列通孔12を構成する導入孔部15と保持孔部16を滑らかに連続させ、導電性ピラー2を導入案内する導入孔部15を、マスク本体10の表面側に向かって拡開するベルマウス状に形成した。このように、ベルマウス状に形成した導入孔部15によれば、導電性ピラー2を配列通孔12へ落とし込む際に、横臥姿勢にある導電性ピラー2を直立姿勢へと姿勢変更させながら、導入孔部15の湾曲面に沿って落下させ、導電性ピラー2を配列通孔12へと導入案内することができる。詳しくは、横臥姿勢にある導電性ピラー2の重心位置が導入孔部15の上端縁を超えて配列通孔12上に位置した時に、配列通孔12上に位置する導電性ピラー2の一端を導入孔部15の上端縁を支点にして下向きに傾動させることができる。これにより、横臥姿勢にある導電性ピラー2を横臥姿勢から直立姿勢へと徐々に姿勢変更できる。さらに、直立姿勢への姿勢変更と同時に、導電性ピラー2を導入孔部15に沿って配列通孔12内へ滑り込ませることができる。従って、本発明の配列用マスクによれば、導電性ピラー2を配列通孔12へと円滑に落とし込むことができるので、ワーク3に対する導電性ピラー2の搭載作業を短時間で終了できる。 In the mask for arranging conductive pillars of the present invention, the introduction hole portion 15 and the holding hole portion 16 constituting the array through hole 12 are smoothly connected, and the introduction hole portion 15 for guiding the conductive pillar 2 is formed in a bell-mouth shape that expands toward the surface side of the mask body 10. In this way, with the introduction hole portion 15 formed in a bell-mouth shape, when the conductive pillar 2 is dropped into the array through hole 12, the conductive pillar 2 in the recumbent position can be dropped along the curved surface of the introduction hole portion 15 while changing its position to an upright position, and the conductive pillar 2 can be introduced and guided into the array through hole 12. In detail, when the center of gravity position of the conductive pillar 2 in the recumbent position exceeds the upper edge of the introduction hole portion 15 and is positioned on the array through hole 12, one end of the conductive pillar 2 positioned on the array through hole 12 can be tilted downward with the upper edge of the introduction hole portion 15 as a fulcrum. As a result, the conductive pillar 2 in the recumbent position can be gradually changed from the recumbent position to the upright position. Furthermore, at the same time as changing the posture to the upright posture, the conductive pillar 2 can be slid into the array through hole 12 along the introduction hole portion 15. Therefore, with the array mask of the present invention, the conductive pillar 2 can be smoothly dropped into the array through hole 12, so that the mounting work of the conductive pillar 2 on the workpiece 3 can be completed in a short time.

また、開口径D1を導電性ピラー2の直径よりも僅かに大きく設定したストレート状の保持孔部16によれば、導入孔部15で導入案内されて配列通孔12へと落とし込まれた導電性ピラー2を、保持孔部16の内面で受止めて位置決めできる。従って、本発明の配列用マスクによれば、導電性ピラー2を保持孔部16で的確に位置決めでき、さらに、配列通孔12内における導電性ピラー2の傾きやずれ動きを阻止できるので、ワーク3上の所定位置に導電性ピラー2を精度よく搭載できる。 In addition, the straight-shaped retaining hole 16, which has an opening diameter D1 set slightly larger than the diameter of the conductive pillar 2, allows the conductive pillar 2 introduced and guided by the introduction hole 15 and dropped into the array through hole 12 to be received and positioned by the inner surface of the retaining hole 16. Therefore, with the array mask of the present invention, the conductive pillar 2 can be accurately positioned by the retaining hole 16, and further, tilting or shifting of the conductive pillar 2 within the array through hole 12 can be prevented, so that the conductive pillar 2 can be mounted accurately at a predetermined position on the workpiece 3.

保持孔部16の下側に、同孔部16の開口径D1よりも大きな開口径D3を有する逃げ孔部17を備える配列通孔12によれば、導電性ピラー2と保持孔部16の軸心方向の係合部分の長さを、逃げ孔部17が設けられていない配列通孔12に比べて小さくすることができる。従って、導電性ピラー2をワーク3に対して搭載した後、より少ない移動量でワーク3から配列用マスクを分離できるので、配列用マスクの分離時に導電性ピラー2が傾いたり位置ずれするのを抑制して、ワーク3上の所定位置に導電性ピラー2をより精度よく搭載できる。また、ワーク3上に配列用マスクを載置した時に、ワーク3と配列用マスクとの接触面積を可及的に小さくできる。これにより、配列用マスクをワーク3上に載置することによる配列用マスクおよびワーク3の傷つき等を抑制することができ、配列用マスクの耐久性の向上を図ることができる。さらに、ワーク3上の導電性ピラー2の搭載位置にはフラックスが塗布される場合があるが、このような場合でも、逃げ孔部17によりフラックスが配列用マスクに付着するのを防止して、配列用マスクの洗浄の手間を省くことができる。 According to the arrangement through hole 12 having the escape hole portion 17 having an opening diameter D3 larger than the opening diameter D1 of the retaining hole portion 16 on the lower side of the retaining hole portion 16, the length of the engagement portion of the conductive pillar 2 and the retaining hole portion 16 in the axial direction can be made smaller than that of the arrangement through hole 12 without the escape hole portion 17. Therefore, after the conductive pillar 2 is mounted on the work 3, the array mask can be separated from the work 3 with a smaller movement amount, so that the conductive pillar 2 can be prevented from tilting or shifting when the array mask is separated, and the conductive pillar 2 can be mounted at a predetermined position on the work 3 with higher accuracy. In addition, when the array mask is placed on the work 3, the contact area between the work 3 and the array mask can be made as small as possible. This makes it possible to prevent the array mask and the work 3 from being damaged by placing the array mask on the work 3, and improve the durability of the array mask. Furthermore, flux may be applied to the mounting positions of the conductive pillars 2 on the workpiece 3. Even in such cases, the escape holes 17 prevent the flux from adhering to the array mask, eliminating the need to clean the array mask.

導入孔部15と保持孔部16の合計高さ寸法H1を、逃げ孔部17の高さ寸法H2と同じか、それよりも大きく設定すると、保持孔部16の下側に逃げ孔部17を設けた場合でも、十分な高さの導入孔部15と保持孔部16を形成することができる。従って、導入孔部15における導電性ピラー2の導入案内作用、および保持孔部16における導電性ピラー2の位置決め作用を的確に発揮させることができる。 When the total height dimension H1 of the introduction hole portion 15 and the retention hole portion 16 is set to be equal to or greater than the height dimension H2 of the escape hole portion 17, the introduction hole portion 15 and the retention hole portion 16 can be formed to a sufficient height even when the escape hole portion 17 is provided below the retention hole portion 16. Therefore, the introduction hole portion 15 can accurately guide the introduction of the conductive pillar 2, and the retention hole portion 16 can accurately position the conductive pillar 2.

保持孔部16の高さ寸法H4を、導入孔部15の高さ寸法H3と同じか、それよりも大きく設定すると、保持孔部16における導電性ピラー2の位置保決め作用を可及的に大きく発揮させることができ、ワーク3上の所定位置に導電性ピラー2を精度よく搭載できる。 By setting the height dimension H4 of the retaining hole 16 to be equal to or greater than the height dimension H3 of the introduction hole 15, the positioning effect of the conductive pillar 2 in the retaining hole 16 can be maximized, and the conductive pillar 2 can be mounted precisely at a predetermined position on the workpiece 3.

導入孔部15の断面形状の曲率を、導入孔部15の周方向において変化するように形成すると、曲率の小さい部分では、導電性ピラー2の導入案内作用を大きく発揮させ、曲率の大きい部分では、保持孔部16の高さ寸法H4を大きくして、保持孔部16における導電性ピラー2の位置決め作用を大きく発揮させることができる。従って、導入孔部15の周方向において部分的に導電性ピラー2を落とし込みやすくすることができ、さらに落とし込んだ導電性ピラー2を的確に位置決めできる配列通孔12とすることができる。 By forming the curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 to change in the circumferential direction of the introduction hole portion 15, the introduction guide function of the conductive pillar 2 can be greatly exerted in the part with small curvature, and the height dimension H4 of the holding hole portion 16 can be increased in the part with large curvature, and the positioning function of the conductive pillar 2 in the holding hole portion 16 can be greatly exerted. Therefore, it is possible to make it easier to partially drop the conductive pillar 2 in the circumferential direction of the introduction hole portion 15, and it is possible to form an array through hole 12 that can accurately position the dropped conductive pillar 2.

導入孔部15の断面形状の曲率を、一側縁から対向する他側縁に向かって大から小に漸次変化するように形成すると、例えば、曲率の小さい側が同一方向に指向するように配列通孔12を形成することにより、導電性ピラー2の落とし込み時に、スキージを曲率の小さい側から大きい側に向かって移動させることにより、より素早く配列通孔12へ導電性ピラー2を落とし込んで、搭載作業をより短時間で終了できる。 If the curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 is formed so that it gradually changes from large to small from one side edge to the opposite side edge, for example, by forming the array through holes 12 so that the side with the smaller curvature faces the same direction, the conductive pillars 2 can be dropped into the array through holes 12 more quickly by moving the squeegee from the side with the smaller curvature to the side with the larger curvature when dropping the conductive pillars 2, and the installation work can be completed in a shorter time.

本発明に係る導電性ピラーの配列用マスクの製造方法によれば、導入孔部15をベルマウス状に形成するための工程を別途行う必要なく、ベルマウス状の導入孔部15を有する配列通孔12を備えた配列用マスクを製造できる。詳しくは、一次レジスト体24の上端縁を乗り越えて成長する、電鋳金属の成長先端の縁部は四半円弧状に成長する。従って、電鋳工程において、一次レジスト体24の上端縁を乗り越え、しかも二次レジスト体28の上端縁を乗り越えない範囲で電着金属を電着するだけで、ベルマウス状の導入孔部15を形成することができる。従って、配列用マスクの製造過程における作業工程を短縮して、配列用マスクの製造コストの低減を図ることができる。 According to the manufacturing method of the conductive pillar array mask of the present invention, an array mask having an array through hole 12 with a bell-mouth-shaped introduction hole portion 15 can be manufactured without the need for a separate process for forming the introduction hole portion 15 into a bell-mouth shape. In detail, the edge portion of the growth tip of the electroformed metal that grows beyond the upper edge of the primary resist body 24 grows in a quarter-circular arc shape. Therefore, in the electroforming process, the bell-mouth-shaped introduction hole portion 15 can be formed simply by electroforming the electrodeposited metal to an extent that overcomes the upper edge of the primary resist body 24 but does not overcome the upper edge of the secondary resist body 28. Therefore, the work steps in the manufacturing process of the array mask can be shortened, and the manufacturing cost of the array mask can be reduced.

二次パターンニング工程において、二次レジスト体28の中心軸Q2を、一次レジスト体24の中心軸Q1と同一軸状に位置する状態にすると、一次レジスト体24の上端縁を乗り越えて成長する距離を周方向で一様にできるので、導入孔部15の断面形状を周方向において同一に形成することができる。従って、導入孔部15における導電性ピラー2の導入案内作用を周方向において一様に発揮でき、いずれの方向からでも円滑に導電性ピラー2を落とし込むことができる配列通孔12を形成できる。 In the secondary patterning process, if the central axis Q2 of the secondary resist body 28 is positioned coaxially with the central axis Q1 of the primary resist body 24, the distance that it grows beyond the upper edge of the primary resist body 24 can be made uniform in the circumferential direction, so that the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 can be made uniform in the circumferential direction. Therefore, the introduction guide action of the conductive pillar 2 in the introduction hole portion 15 can be exerted uniformly in the circumferential direction, and an array through-hole 12 can be formed into which the conductive pillar 2 can be smoothly dropped from any direction.

二次パターンニング工程において、二次レジスト体28の中心軸Q2を、一次レジスト体24の中心軸Q1に対して偏寄配置すると、一次レジスト体24の上端縁を乗り越えて成長する距離を周方向で異ならせることができるので、導入孔部15の断面形状を周方向において曲率が大から小に漸次変化するように形成することができる。このとき、乗り越えて成長する距離が長いほど断面形状の曲率は小さくなる。これにより、曲率の小さい側では、導電性ピラー2の導入案内作用を大きく発揮させ、曲率の大きい側では、保持孔部16の高さ寸法H4を大きくして、保持孔部16における導電性ピラー2の位置決め作用を大きく発揮させることができる。従って、導電性ピラー2を落とし込みやすくしながら、落とし込んだ導電性ピラー2を的確に位置決めできる配列通孔12を、電鋳工程を行うだけで容易に形成できる。 In the secondary patterning process, if the central axis Q2 of the secondary resist body 28 is offset from the central axis Q1 of the primary resist body 24, the distance that the secondary resist body 28 grows beyond the upper edge of the primary resist body 24 can be varied in the circumferential direction, so that the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 can be formed so that the curvature gradually changes from large to small in the circumferential direction. At this time, the longer the distance that the secondary resist body 2 grows beyond, the smaller the curvature of the cross-sectional shape becomes. As a result, the side with the smaller curvature can exhibit a large introduction guide effect for the conductive pillar 2, and the height dimension H4 of the holding hole portion 16 can be increased on the side with the larger curvature, so that the positioning effect of the conductive pillar 2 in the holding hole portion 16 can be exhibited greatly. Therefore, the arrangement through-hole 12 that can accurately position the conductive pillar 2 while making it easy to drop the conductive pillar 2 can be easily formed by simply performing the electroforming process.

本発明の第1実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの要部を示す縦断正面図である。1 is a vertical sectional front view showing a main part of a mask for arranging conductive pillars according to a first embodiment of the present invention; 本発明の第1実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの全体構造を説明するための斜視図である。1 is a perspective view for explaining an overall structure of a mask for arranging conductive pillars according to a first embodiment of the present invention; 本発明の第1実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの縦断正面図である。1 is a vertical sectional front view of a mask for arranging conductive pillars according to a first embodiment of the present invention; 本発明の第1実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの製造方法を示す図である。3A to 3C are diagrams illustrating a method for manufacturing a mask for arranging conductive pillars according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの製造方法を示す図である。3A to 3C are diagrams illustrating a method for manufacturing a mask for arranging conductive pillars according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの要部を示す縦断正面図である。11 is a vertical sectional front view showing a main part of a mask for arranging conductive pillars according to a second embodiment of the present invention. FIG. 本発明の第2実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの要部を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a main part of a mask for arranging conductive pillars according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの製造方法を示す図である。6A to 6C are diagrams illustrating a method for manufacturing a mask for arranging conductive pillars according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第3実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの縦断正面図である。FIG. 11 is a vertical sectional front view of a mask for arranging conductive pillars according to a third embodiment of the present invention.

(第1実施形態) 図1から図3に、本発明に係るメタルマスクの第1実施形態を示す。本実施形態では、メタルマスクの厚み方向を上下方向と規定する。なお、本実施形態の図1から図3における厚みや幅などの寸法は実際の様子を示したものではなく、それぞれ模式的に示したものである。他の図においても同様である。導電性ピラーの配列用マスクとして適用されたメタルマスク(以下、単にマスクという)1は、LSIチップの電極ポスト形成における導電性ピラー2の搭載作業において使用される。図3に示すように、導電性ピラー2は銅からなる円柱状のブロックであり、その直径寸法は80μmであり、高さ寸法は85μmである。図2において、符号3は、マスク1による導電性ピラー2の搭載対象となるワークであり、このワーク3は、ガラスエポキシ基板のベース4に複数個の半導体チップ5を搭載したのちモールド封止して形成されている。ワーク3の上面には、半導体チップ5を囲むように入出力端子である電極6が所定のパターンで形成されている。なお、ワーク3は、電極ポストの形成後に図2に一点鎖線で示すダイシングラインに沿ってダイシングされ個々のLSIチップに分割される。 (First embodiment) FIGS. 1 to 3 show a first embodiment of the metal mask according to the present invention. In this embodiment, the thickness direction of the metal mask is defined as the up-down direction. The dimensions of the thickness, width, and the like in FIGS. 1 to 3 of this embodiment are not shown in actual conditions, but are shown in schematic form. The same applies to the other figures. A metal mask (hereinafter simply referred to as a mask) 1 applied as a mask for arranging conductive pillars is used in the mounting work of conductive pillars 2 in forming electrode posts of an LSI chip. As shown in FIG. 3, the conductive pillar 2 is a cylindrical block made of copper, and has a diameter dimension of 80 μm and a height dimension of 85 μm. In FIG. 2, reference numeral 3 denotes a workpiece on which the conductive pillar 2 is to be mounted by the mask 1, and this workpiece 3 is formed by mounting a plurality of semiconductor chips 5 on a base 4 of a glass epoxy substrate and then molding and sealing it. On the upper surface of the workpiece 3, electrodes 6 as input/output terminals are formed in a predetermined pattern so as to surround the semiconductor chips 5. After the electrode posts are formed, the work 3 is diced along dicing lines shown by dashed lines in FIG. 2 and divided into individual LSI chips.

マスク1は、ニッケルからなる電着金属を素材として電鋳法によって形成されたマスク本体10と、マスク本体10を囲むように装着された額縁状の枠体11とからなる。マスク本体10の盤面には、電極6の形成パターンに合致する配列パターンに対応する多数独立の配列通孔(通孔)12が形成されている。この配列通孔12に導電性ピラー2を落とし込むことで、ワーク3上の所定位置に導電性ピラー2を搭載できる。枠体11はマスク本体10を補強しており、マスク本体10よりも肉厚の42アロイ、インバー材、スーパーインバー材、SUS430等の低熱線膨張係数の材質からなる。マスク本体10の外周縁に枠体11を接着剤等で接着することにより両者10・11は不離一体的に接合されている。なお、マスク本体10は、ニッケルコバルト等のニッケル合金、銅、その他の電着金属を素材として形成することができる。 The mask 1 is composed of a mask body 10 formed by electroforming using nickel-based electrodeposited metal as a material, and a frame-shaped frame 11 attached to surround the mask body 10. A large number of independent array through-holes (through-holes) 12 corresponding to an array pattern that matches the formation pattern of the electrodes 6 are formed on the surface of the mask body 10. The conductive pillars 2 can be mounted at predetermined positions on the workpiece 3 by dropping the conductive pillars 2 into the array through-holes 12. The frame 11 reinforces the mask body 10 and is made of a material with a low thermal expansion coefficient, such as 42 alloy, Invar material, Super Invar material, or SUS430, which is thicker than the mask body 10. The frame 11 is bonded to the outer periphery of the mask body 10 with an adhesive or the like, so that the two are inseparably joined together. The mask body 10 can be formed using nickel alloys such as nickel-cobalt, copper, or other electrodeposited metals as materials.

図1に示すように、配列通孔12は、マスク本体10の表面(上面)で開口する導入孔部15と、導入孔部15の下側に設けられる保持孔部16とを備えており、導入孔部15の下端と保持孔部16の上端とは滑らかに連続させている。また、配列通孔12は、保持孔部16の下側に逃げ孔部17を備えている。 1, the array through-holes 12 include an introduction hole portion 15 that opens on the surface (upper surface) of the mask body 10 and a retention hole portion 16 provided below the introduction hole portion 15, and the lower end of the introduction hole portion 15 smoothly connects to the upper end of the retention hole portion 16. In addition, the array through-holes 12 include an escape hole portion 17 below the retention hole portion 16.

導入孔部15は、マスク本体10の表面側に向かって拡開するベルマウス状に形成されており、配列通孔12に導電性ピラー2を落とし込む際に、導電性ピラー2を配列通孔12内へ導入案内する作用を有する。導入孔部15の断面形状は周方向において同一であり、導入孔部15における導電性ピラー2の導入案内作用を周方向において一様に発揮できる。本実施形態における導入孔部15の断面形状は、真円の四半円弧状に形成されている。 The introduction hole portion 15 is formed in a bell-mouth shape that widens toward the surface side of the mask body 10, and has the function of guiding the conductive pillar 2 into the arrangement through-hole 12 when the conductive pillar 2 is dropped into the arrangement through-hole 12. The cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 is the same in the circumferential direction, and the introduction and guiding function of the conductive pillar 2 in the introduction hole portion 15 can be uniformly exerted in the circumferential direction. In this embodiment, the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 is formed in a quarter arc of a perfect circle.

保持孔部16は、開口径D1が導電性ピラー2の直径よりも僅かに大きく設定されるストレート孔状に形成されており、配列通孔12に落とし込まれた導電性ピラー2を位置決めする作用を有する。導電性ピラー2の外周面が保持孔部16の内周面と接触することにより傾きやずれ動きが阻止され、導電性ピラー2は位置決めされる。 The retaining hole portion 16 is formed as a straight hole with an opening diameter D1 set slightly larger than the diameter of the conductive pillar 2, and serves to position the conductive pillar 2 dropped into the array through-hole 12. The outer peripheral surface of the conductive pillar 2 comes into contact with the inner peripheral surface of the retaining hole portion 16, thereby preventing tilting or shifting, and positioning the conductive pillar 2.

逃げ孔部17は、保持孔部16の開口径D1よりも大きな開口径D3を有するストレート孔状に形成されており、逃げ孔部17の中心軸P2は、保持孔部16の中心軸P1と同一軸上に位置している。本実施形態では、保持孔部16の開口径D1は85μmに設定し、導入孔部15上端の開口径D2は125μmに設定し、逃げ孔部17の開口径D3は145μmに設定した。 The escape hole portion 17 is formed as a straight hole having an opening diameter D3 larger than the opening diameter D1 of the retaining hole portion 16, and the central axis P2 of the escape hole portion 17 is located on the same axis as the central axis P1 of the retaining hole portion 16. In this embodiment, the opening diameter D1 of the retaining hole portion 16 is set to 85 μm, the opening diameter D2 of the upper end of the introduction hole portion 15 is set to 125 μm, and the opening diameter D3 of the escape hole portion 17 is set to 145 μm.

導入孔部15と保持孔部16の合計高さ寸法H1は、逃げ孔部17の高さ寸法H2よりも大きく設定されており、前者の高さ寸法H1は50μmであり、後者の高さ寸法H2は40μmである。このように、配列通孔12の高さ寸法H1を、逃げ孔部17の高さ寸法H2より大きく設定すると、保持孔部16の下側に逃げ孔部17を設けた場合でも、十分な高さの導入孔部15と保持孔部16を形成することができる。従って、導入孔部15における導電性ピラー2の導入案内作用、および保持孔部16における導電性ピラー2の位置決め作用を的確に発揮させることができる。 The total height dimension H1 of the introduction hole portion 15 and the retention hole portion 16 is set to be larger than the height dimension H2 of the escape hole portion 17, with the former height dimension H1 being 50 μm and the latter height dimension H2 being 40 μm. In this way, by setting the height dimension H1 of the array through holes 12 to be larger than the height dimension H2 of the escape hole portion 17, it is possible to form introduction hole portion 15 and retention hole portion 16 of sufficient height even when the escape hole portion 17 is provided below the retention hole portion 16. Therefore, the introduction hole portion 15 can accurately guide the introduction of the conductive pillar 2, and the retention hole portion 16 can accurately position the conductive pillar 2.

保持孔部16の高さ寸法H4は、導入孔部15の高さ寸法H3よりも大きく設定されており、後者の高さ寸法H3は20μmであり、前者の高さ寸法H4は30μmである。このように、保持孔部16の高さ寸法H4を、導入孔部15の高さ寸法H3よりも大きく設定すると、保持孔部16における導電性ピラー2の位置決め作用をさらに確実に発揮させることができる。 The height dimension H4 of the retaining hole 16 is set to be larger than the height dimension H3 of the introduction hole 15, the latter being 20 μm and the former being 30 μm. In this way, by setting the height dimension H4 of the retaining hole 16 to be larger than the height dimension H3 of the introduction hole 15, the positioning effect of the conductive pillar 2 in the retaining hole 16 can be more reliably exerted.

マスク1を用いた導電性ピラー2のワーク3に対する搭載作業は、次のような手順で行われる。なお、この搭載作業は、ピラー供給装置、余剰ピラー回収装置、スキージブラシなどを備えた専用の配列装置によって行われる。ます、ワーク3の電極6の表面にフラックスをスクリーン印刷法により印刷塗布する。フラックスは、電極6の表面を活性化させ、リフロー後の電極6と導電性ピラー2との接合強度の向上を図る目的と、導電性ピラー2の搭載時にフラックスが持つ粘着性により導電性ピラー2を仮固定する目的のために塗布される。 The mounting operation of the conductive pillars 2 on the workpiece 3 using the mask 1 is performed in the following procedure. This mounting operation is performed using a dedicated arrangement device equipped with a pillar supply device, an excess pillar recovery device, a squeegee brush, etc. First, flux is printed and applied to the surface of the electrode 6 of the workpiece 3 using a screen printing method. The flux is applied to activate the surface of the electrode 6, improving the bonding strength between the electrode 6 and the conductive pillar 2 after reflow, and to temporarily fix the conductive pillar 2 using the adhesiveness of the flux when the conductive pillar 2 is mounted.

次いで、配列通孔12が電極6と一致するように、ワーク3上にマスク1を位置合わせしたうえで、マスク1を載置し固定する。このとき、逃げ孔部17によりワーク3とマスク1との接触面積を可及的に小さくできるので、マスク1をワーク3上に載置することによるマスク1およびワーク3の傷つき等を抑制することができ、マスク1の耐久性の向上を図ることができる。また、逃げ孔部17によりフラックスがマスク1に付着するのを防止して、マスク1の洗浄の手間を省くことができる。 Then, the mask 1 is aligned on the workpiece 3 so that the array through holes 12 coincide with the electrodes 6, and then the mask 1 is placed and fixed. At this time, the escape hole portion 17 allows the contact area between the workpiece 3 and the mask 1 to be as small as possible, so that damage to the mask 1 and the workpiece 3 caused by placing the mask 1 on the workpiece 3 can be suppressed, and the durability of the mask 1 can be improved. In addition, the escape hole portion 17 prevents flux from adhering to the mask 1, eliminating the need to clean the mask 1.

次いで、マスク1上に多数個の導電性ピラー2を供給し、スキージブラシを用いてマスク1上で導電性ピラー2を分散させて、それぞれの配列通孔12内に一つずつ導電性ピラー2を落とし込む。配列通孔12への導電性ピラー2を落とし込みは、以下のように行われる。スキージブラシにより分散された横臥姿勢にある導電性ピラー2の重心位置が、導入孔部15の上端縁を超えて配列通孔12上に位置すると、配列通孔12上に位置する導電性ピラー2の一端は、導入孔部15の上端縁を支点にして下向きに傾動する。これにより、横臥姿勢にある導電性ピラー2は横臥姿勢から直立姿勢へと徐々に姿勢変更される。さらに、直立姿勢への姿勢変更と同時に、導電性ピラー2は導入孔部15に沿って配列通孔12内へ滑り込む。これにて、導電性ピラー2は導入孔部15で導入案内されて配列通孔12へと円滑に落とし込まれる。配列通孔12へ落とし込まれた導電性ピラー2は、フラックスによる仮固定に加え、保持孔部16の内面で的確に位置決めされる。 Next, a large number of conductive pillars 2 are supplied onto the mask 1, and the conductive pillars 2 are distributed on the mask 1 using a squeegee brush, and the conductive pillars 2 are dropped into each of the array through holes 12 one by one. The conductive pillars 2 are dropped into the array through holes 12 as follows. When the center of gravity of the conductive pillars 2 in a recumbent position dispersed by the squeegee brush exceeds the upper edge of the introduction hole portion 15 and is positioned on the array through hole 12, one end of the conductive pillar 2 positioned on the array through hole 12 tilts downward with the upper edge of the introduction hole portion 15 as a fulcrum. As a result, the conductive pillars 2 in a recumbent position are gradually changed in position from the recumbent position to an upright position. Furthermore, at the same time as the position is changed to the upright position, the conductive pillars 2 slide into the array through holes 12 along the introduction hole portion 15. As a result, the conductive pillars 2 are introduced and guided by the introduction hole portion 15 and smoothly dropped into the array through holes 12. The conductive pillar 2 dropped into the array through-hole 12 is temporarily fixed in place with flux, and is precisely positioned by the inner surface of the retaining hole 16.

導電性ピラー2の落とし込みが終了したら、マスク1上に残存している余剰な導電性ピラー2を回収する。最後に、ワーク3とマスク1の固定を解除し、マスク1を持ち上げて分離することにより、ワーク3への導電性ピラー2の搭載作業が完了する。このとき、逃げ孔部17によって、導電性ピラー2と保持孔部16との係合部分の軸心方向の係合部分の長さを小さくしてあるので、少ない移動量でワーク3からマスク1を分離でき、マスク1の分離時に導電性ピラー2が傾いたり位置ずれするのを抑制できる。 After the conductive pillars 2 have been dropped in, any excess conductive pillars 2 remaining on the mask 1 are collected. Finally, the workpiece 3 and mask 1 are released from their fixed positions, and the mask 1 is lifted up and separated, completing the work of mounting the conductive pillars 2 on the workpiece 3. At this time, the escape hole 17 reduces the length of the axial engagement portion of the engagement portion between the conductive pillars 2 and the retaining hole 16, so that the mask 1 can be separated from the workpiece 3 with a small amount of movement, and the conductive pillars 2 can be prevented from tilting or becoming misaligned when the mask 1 is separated.

図4および図5は、第1実施形態に係る配列用マスクの製造方法を示す。
(一次パターンニング工程)
図4(a)に示すように、導電性を有する例えばステンレスや真ちゅう製の母型21の表面全体にフォトレジスト層22を形成してから、逃げ孔部17に対応する円状の透光孔を有するガラスマスクからなるパターンフィルム23を密着させる。この状態で、紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行う。ここでのフォトレジスト層22は、ネガタイプのシート状感光性ドライフィルムレジストの一枚ないし数枚をラミネートして熱圧着により形成して、所定の厚みになるようにする。次いで、未露光部分のフォトレジスト層22を溶解除去することにより、図4(b)に示すように、逃げ孔部17に対応する円盤状の一次レジスト体24を有する一次パターンレジスト25を得る。
4 and 5 show a method for manufacturing an array mask according to the first embodiment.
(Primary patterning process)
As shown in Fig. 4(a), a photoresist layer 22 is formed on the entire surface of a conductive matrix 21 made of, for example, stainless steel or brass, and then a pattern film 23 made of a glass mask having circular light-transmitting holes corresponding to the relief hole portions 17 is adhered to the matrix. In this state, ultraviolet light is irradiated to perform exposure, and then development and drying processes are performed. The photoresist layer 22 here is formed by laminating one or several sheets of negative type sheet-shaped photosensitive dry film resist and thermocompression bonding to a predetermined thickness. Next, the photoresist layer 22 in the unexposed portion is dissolved and removed to obtain a primary pattern resist 25 having a disk-shaped primary resist body 24 corresponding to the relief hole portion 17, as shown in Fig. 4(b).

(二次パターンニング工程)
図4(c)に示すように、一次パターンレジスト25の形成部分を含む母型21の表面全体にフォトレジスト層26を形成し、その上面に保持孔部16に対応する円状の透光孔を有するガラスマスクからなるパターンフィルム27を密着させる。このとき、透光孔の中心と一次レジスト体24の中心軸Q1とが一致するように、パターンフィルム27を密着させる。この状態で、紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行う。ここでのフォトレジスト層26は、先に説明したフォトレジスト層22の形成手法と同様である。次いで、未露光部分のフォトレジスト層26を溶解除去することにより、図4(d)に示すように、導入孔部15および保持孔部16に対応する円柱状の二次レジスト体28を有する二次パターンレジスト29を得る。なお、パターンフィルム27の透光孔の中心と一次レジスト体24の中心軸Q1とを一致させたので、円柱状の二次レジスト体28の中心軸Q2は、円盤状の一次レジスト体24の中心軸Q1と同一軸状に位置している。
(Secondary Patterning Process)
As shown in FIG. 4(c), a photoresist layer 26 is formed on the entire surface of the mother mold 21 including the portion where the primary pattern resist 25 is formed, and a pattern film 27 made of a glass mask having a circular light-transmitting hole corresponding to the holding hole portion 16 is adhered to the upper surface of the photoresist layer 26. At this time, the pattern film 27 is adhered so that the center of the light-transmitting hole coincides with the central axis Q1 of the primary resist body 24. In this state, ultraviolet light is irradiated to perform exposure, and the processes of development and drying are performed. The photoresist layer 26 here is formed in the same manner as the photoresist layer 22 described above. Next, the photoresist layer 26 in the unexposed portion is dissolved and removed to obtain a secondary pattern resist 29 having a cylindrical secondary resist body 28 corresponding to the introduction hole portion 15 and the holding hole portion 16, as shown in FIG. 4(d). Since the center of the light-transmitting hole of the pattern film 27 coincides with the central axis Q1 of the primary resist body 24, the central axis Q2 of the cylindrical secondary resist body 28 is positioned coaxially with the central axis Q1 of the disk-shaped primary resist body 24.

(電鋳工程)
上記母型21を建浴された電鋳槽に入れ、図5(a)に示すように、一次レジスト体24の上端縁を乗り越え、しかも二次レジスト体28の上端縁を乗り越えない範囲で電着金属を電着して、電鋳層30、すなわちマスク本体10となる層を形成する。このとき、一次レジスト体24の上端縁を乗り越え成長する、電鋳金属の成長先端の縁部は四半円弧状に成長するので、母型21上に電着金属を電着するだけで、ベルマウス状の導入孔部15を形成することができる。以上より、導入孔部15をベルマウス状に形成するための工程を別途行う必要なく、ベルマウス状の導入孔部15を有する配列通孔12を備えた配列用マスクを製造できるので、配列用マスクの製造過程における作業工程を短縮して、配列用マスクの製造コストを低減できる。また、二次レジスト体28の中心軸Q2を、一次レジスト体24の中心軸Q1と同一軸状に位置する状態にしたので、導入孔部15の断面形状が周方向において同一な導入孔部15を形成できる。
(Electroforming process)
The above-mentioned mother mold 21 is placed in a prepared electroforming tank, and as shown in FIG. 5(a), the electroformed metal is electrodeposited in an area that goes over the upper edge of the primary resist body 24 but does not go over the upper edge of the secondary resist body 28, to form an electroformed layer 30, i.e., a layer that becomes the mask body 10. At this time, the edge of the growth tip of the electroformed metal that grows over the upper edge of the primary resist body 24 grows in a quarter-circular arc shape, so that the bell-mouth-shaped introduction hole portion 15 can be formed simply by electrodepositing the electrodeposited metal on the mother mold 21. As described above, it is possible to manufacture an array mask having an array through hole 12 with a bell-mouth-shaped introduction hole portion 15 without the need to perform a separate process for forming the introduction hole portion 15 into a bell-mouth shape, so that the number of work steps in the manufacturing process of the array mask can be shortened, and the manufacturing cost of the array mask can be reduced. In addition, since the central axis Q2 of the secondary resist body 28 is positioned coaxially with the central axis Q1 of the primary resist body 24, the introduction hole portion 15 can be formed with the same cross-sectional shape in the circumferential direction.

(剥離工程)
図5(b)に示すように、母型21から電鋳層30と、一次および二次パターンレジスト25・29とを剥離したうえで、一次および二次パターンレジスト25・29を溶解除去することにより、図3に示すマスク本体10を得る。得られたマスク本体10の外周縁に枠体11を接着剤で接着して、両者10・11を不離一体的に接合することにより、配列用マスク1を得る。
(Peeling process)
As shown in Fig. 5(b), the electroforming layer 30 and the primary and secondary pattern resists 25, 29 are peeled off from the matrix 21, and then the primary and secondary pattern resists 25, 29 are dissolved and removed to obtain the mask body 10 shown in Fig. 3. The frame 11 is adhered to the outer periphery of the obtained mask body 10 with an adhesive, and the two 10, 11 are inseparably joined to obtain the array mask 1.

(第2実施形態) 図6および図7は、本発明に係る導電性ピラーの配列用マスクの第2実施形態を示す。本実施形態においては、図6に示すように、逃げ孔部17の中心軸P2に対して、保持孔部16の中心軸P1を偏寄配置し、これに伴い導入孔部15の断面形状の曲率が、一側縁から対向する他側縁に向かって大から小に漸次変化するように形成されている。より詳しくは、導入孔部15の断面形状が周方向において相似状に形成されており、導入孔部15の断面形状の曲率は、図6に向かって右側の曲率が最も大きく、左側の曲率が最も小さくなっており、導入孔部15の右側から左側に至る中途部は、曲率が大から小へと漸次変化している。導入孔部15の断面形状は、真円の四半円弧状に形成されている。本実施形態における導入孔部15の高さ寸法H3は、最も曲率が小さい位置での寸法とする。他は第1実施形態と同じであるので、同じ部材に同じ符号を付してその説明を省略する。以下の実施形態においても同じとする。 (Second embodiment) Figures 6 and 7 show a second embodiment of the mask for arranging conductive pillars according to the present invention. In this embodiment, as shown in Figure 6, the central axis P1 of the holding hole portion 16 is offset relative to the central axis P2 of the escape hole portion 17, and the curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 is formed so as to gradually change from large to small from one side edge to the opposite other side edge. More specifically, the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 is formed similarly in the circumferential direction, and the curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 is the largest on the right side in Figure 6 and the smallest on the left side, and the curvature gradually changes from large to small in the middle part from the right side to the left side of the introduction hole portion 15. The cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 is formed in a quarter-circular arc shape of a perfect circle. The height dimension H3 of the introduction hole portion 15 in this embodiment is the dimension at the position where the curvature is smallest. Since the rest is the same as in the first embodiment, the same members are given the same symbols and their description is omitted. The same applies to the following embodiments.

図8は、第2実施形態に係る配列用マスクの製造方法を示す。本実施形態の製造方法における一次パターンニング工程は、第1実施形態で説明した図4(a)、(b)に示す方法と同様である。 Figure 8 shows a method for manufacturing an array mask according to the second embodiment. The primary patterning process in the manufacturing method of this embodiment is similar to the method shown in Figures 4(a) and (b) described in the first embodiment.

(二次パターンニング工程)
図8(a)に示すように、一次パターンレジスト25の形成部分を含む母型21の表面全体にフォトレジスト層26を形成し、その上面に保持孔部16に対応する円状の透光孔を有するガラスマスクからなるパターンフィルム27を密着させる。このとき、透光孔の中心と一次レジスト体24の中心軸Q1とが異なる位置になるように、パターンフィルム27の全体を図8(a)に向かって右側にずらした状態で密着させる。この状態で、紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行う。ここでのフォトレジスト層26は、先に説明したフォトレジスト層22の形成手法と同様である。次いで、未露光部分のフォトレジスト層26を溶解除去することにより、図8(b)に示すように、導入孔部15および保持孔部16に対応する円柱状の二次レジスト体28を有する二次パターンレジスト29を得る。なお、パターンフィルム27の透光孔の中心と一次レジスト体24の中心軸Q1とが異なる位置になるようにしたので、二次レジスト体28の中心軸Q2は、一次レジスト体24の中心軸Q1に対して偏寄している。
(Secondary Patterning Process)
As shown in FIG. 8(a), a photoresist layer 26 is formed on the entire surface of the mother mold 21 including the portion where the primary pattern resist 25 is formed, and a pattern film 27 made of a glass mask having a circular light-transmitting hole corresponding to the holding hole portion 16 is attached to the upper surface of the photoresist layer 26. At this time, the entire pattern film 27 is attached in a state shifted to the right side in FIG. 8(a) so that the center of the light-transmitting hole and the central axis Q1 of the primary resist body 24 are in different positions. In this state, exposure is performed by irradiating ultraviolet light, and each process of development and drying is performed. The photoresist layer 26 here is formed in the same manner as the photoresist layer 22 described above. Next, the photoresist layer 26 in the unexposed portion is dissolved and removed to obtain a secondary pattern resist 29 having a cylindrical secondary resist body 28 corresponding to the introduction hole portion 15 and the holding hole portion 16 as shown in FIG. 8(b). Note that since the center of the light-transmitting hole of the pattern film 27 and the central axis Q1 of the primary resist body 24 are in different positions, the central axis Q2 of the secondary resist body 28 is biased with respect to the central axis Q1 of the primary resist body 24.

(電鋳工程)
上記母型21を建浴された電鋳槽に入れ、図8(c)に示すように、一次レジスト体24の上端縁を乗り越え、しかも二次レジスト体28の上端縁を乗り越えない範囲で電着金属を電着して、電鋳層30、すなわちマスク本体10となる層を形成する。このとき、一次レジスト体24の上端縁を乗り越えて成長する、電鋳金属の成長先端の縁部は四半円弧状に成長するので、母型21上に電着金属を電着するだけで、ベルマウス状の導入孔部15を形成することができる。また、母型21の表面から二次レジスト体28までの距離が長いほど、四半円弧の曲率は小さくなるため、図8(c)に向かって右側に成長する電鋳金属の成長先端の縁部の曲率が小さく、左側に成長する電鋳金属の成長先端の縁部の曲率が大きく形成される。これにより、導入孔部15の断面形状の曲率が周方向において大から小に漸次変化する配列通孔12を、電鋳工程を行うだけで容易に形成できる。また、二次レジスト体28の中心軸Q2を、一次レジスト体24の中心軸Q1に対して偏寄させたので、保持孔部16の中心軸P1を逃げ孔部17の中心軸P2に対して偏寄配置した状態で形成できる。
(Electroforming process)
The above-mentioned mother mold 21 is placed in a prepared electroforming tank, and as shown in Fig. 8(c), the electroformed metal is electrodeposited in an area that goes over the upper edge of the primary resist body 24 but does not go over the upper edge of the secondary resist body 28, to form an electroformed layer 30, i.e., a layer that becomes the mask body 10. At this time, the edge of the growth tip of the electroformed metal that grows over the upper edge of the primary resist body 24 grows in a quarter-circular arc shape, so that the bell-mouth-shaped introduction hole 15 can be formed simply by electrodepositing the electrodeposited metal on the mother mold 21. Furthermore, the longer the distance from the surface of the mother mold 21 to the secondary resist body 28, the smaller the curvature of the quarter-circular arc becomes, so that the curvature of the edge of the growth tip of the electroformed metal growing on the right side in Fig. 8(c) is small, and the curvature of the edge of the growth tip of the electroformed metal growing on the left side is large. As a result, the arrayed through holes 12 in which the curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole 15 gradually changes from large to small in the circumferential direction can be easily formed simply by performing the electroforming process. Furthermore, since the central axis Q2 of the secondary resist body 28 is offset from the central axis Q1 of the primary resist body 24, the central axis P1 of the retaining hole portion 16 can be formed in an offset position relative to the central axis P2 of the escape hole portion 17.

(剥離工程)
図8(d)に示すように、母型21から電鋳層30と、一次および二次パターンレジスト25・29とを剥離したうえで、一次および二次パターンレジスト25・29を溶解除去することにより、図6に示すマスク本体10を得る。得られたマスク本体10の外周縁に枠体11を接着剤で接着して、両者10・11を不離一体的に接合することにより、配列用マスク1を得る。
(Peeling process)
As shown in Fig. 8(d), the electroforming layer 30 and the primary and secondary pattern resists 25, 29 are peeled off from the matrix 21, and then the primary and secondary pattern resists 25, 29 are dissolved and removed to obtain the mask body 10 shown in Fig. 6. The frame 11 is adhered to the outer periphery of the obtained mask body 10 with an adhesive, and the two 10, 11 are inseparably joined to obtain the array mask 1.

上記のように、導入孔部15の断面形状を周方向において一側縁から対向する他側縁に向かって大から小に漸次変化するように形成すると、曲率の小さい側では、導電性ピラー2の導入案内作用を大きく発揮させ、曲率の大きい側では、保持孔部16の高さ寸法H4を大きくして、保持孔部16における導電性ピラー2の位置決め作用を大きく発揮させることができる。従って、導入孔部15の周方向において部分的に導電性ピラー2を落とし込みやすくすることができ、さらに落とし込んだ導電性ピラー2を的確に位置決めできる配列通孔12とすることができる。また、曲率の小さい側が同一方向に指向するように配列通孔12を形成することにより、導電性ピラー2の落とし込み時に、スキージを曲率の小さい側から大きい側に向かって移動させることにより、より素早く配列通孔12へ導電性ピラー2を落とし込んで、搭載作業をより短時間で終了できる。 As described above, when the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 is formed so that it gradually changes from large to small from one side edge to the opposite other side edge in the circumferential direction, the introduction guide function of the conductive pillar 2 can be greatly exerted on the side with the small curvature, and the height dimension H4 of the holding hole portion 16 can be increased on the side with the large curvature, so that the positioning function of the conductive pillar 2 in the holding hole portion 16 can be greatly exerted. Therefore, it is possible to make it easier to partially drop the conductive pillar 2 in the circumferential direction of the introduction hole portion 15, and it is possible to make the arrangement through hole 12 capable of accurately positioning the dropped conductive pillar 2. In addition, by forming the arrangement through hole 12 so that the side with the small curvature is oriented in the same direction, when dropping the conductive pillar 2, the squeegee can be moved from the side with the small curvature to the side with the large curvature, so that the conductive pillar 2 can be dropped into the arrangement through hole 12 more quickly, and the installation work can be completed in a shorter time.

本実施形態においては、曲率が一側縁から対向する他側縁に向かって大から小に漸次変化するように形成したが、導入孔部15の周方向において曲率が大きい部分と、曲率が小さい部分とが滑らかに交互に形成されていてもよい。なお、曲率が大きい部分と小さい部分との間は、曲率が大から小へ、あるいは小から大へ漸次変化するように形成するとよい。この場合には、一次パターンニング工程において、逃げ孔部17に対応する透光孔を花弁状に形成したガラスマスクからなるパターンフィルム23を用いて、逃げ孔部17に対応する一次レジスト体24を有する一次パターンレジスト25を形成する。その後の工程は、第1実施形態と同一である。このように、花弁状の一次レジスト体24を形成することで、電鋳工程時に電着金属が一次レジスト体24の上端縁を乗り越え、二次レジスト体28に接触するタイミングを部分的に異ならせることができる。これにより、二次レジスト体28に先に接触した電鋳金属の成長先端の縁部の曲率を大きくでき、その他の部分の成長先端の縁部の曲率を小さくできる。 In this embodiment, the curvature is formed so as to gradually change from large to small from one side edge to the opposite other side edge, but the introduction hole portion 15 may have a large curvature portion and a small curvature portion formed smoothly and alternately in the circumferential direction. It is preferable to form the curvature between the large curvature portion and the small curvature portion so that the curvature gradually changes from large to small or from small to large. In this case, in the primary patterning process, a pattern film 23 made of a glass mask in which light-transmitting holes corresponding to the escape hole portion 17 are formed in a petal shape is used to form a primary pattern resist 25 having a primary resist body 24 corresponding to the escape hole portion 17. The subsequent process is the same as in the first embodiment. In this way, by forming the petal-shaped primary resist body 24, the timing at which the electrodeposited metal overcomes the upper edge of the primary resist body 24 and contacts the secondary resist body 28 during the electroforming process can be partially different. This makes it possible to increase the curvature of the edge of the growth tip of the electroformed metal that first contacted the secondary resist body 28, and to reduce the curvature of the edge of the growth tip of the other parts.

なお、本実施形態の配列用マスク(メタルマスク)は、例えば導電性ボールの配列用マスク、導電性ペーストの印刷層を形成するスクリーン印刷用マスクなどのメタルマスクにも適用することができる。なお、他の各実施形態においても同様であることを補足する。 The array mask (metal mask) of this embodiment can also be used as a metal mask, such as an array mask for conductive balls, or a screen printing mask for forming a printed layer of conductive paste. Note that the same is true for the other embodiments.

(第3実施形態)図9は、本発明に係る導電性ピラーの配列用マスクの第3実施形態を示す。本実施形態においては、図9に示すように、マスク本体10の下面に柱状に形成した複数の支持突起35を、逃げ孔部17を避けるように一体に設けた点が先の第1実施形態と異なる。支持突起35はマスク本体10と同一の金属からなる素材で形成してもよいし、他の金属からなる素材で形成してもよい。また、銅や樹脂などの非磁性体で形成することもできる。このように、マスク本体10の下面に支持突起35を設けたので、ワーク3とマスク1とが接触するのを極力避けることができ、マスク1をワーク3上に載置することによるマスク1およびワーク3の傷つき等をより抑制することができる。また、マスク1の耐久性のより一層の向上を図ることができる。 (Third embodiment) FIG. 9 shows a third embodiment of the mask for arranging conductive pillars according to the present invention. In this embodiment, as shown in FIG. 9, a plurality of support protrusions 35 formed in a columnar shape on the underside of the mask body 10 are integrally provided so as to avoid the escape hole portion 17, which is different from the first embodiment. The support protrusions 35 may be formed of the same metal material as the mask body 10, or may be formed of a material made of another metal. They may also be formed of a non-magnetic material such as copper or resin. In this way, since the support protrusions 35 are provided on the underside of the mask body 10, contact between the workpiece 3 and the mask 1 can be avoided as much as possible, and damage to the mask 1 and the workpiece 3 caused by placing the mask 1 on the workpiece 3 can be further suppressed. In addition, the durability of the mask 1 can be further improved.

上記の実施形態では、支持突起35は逃げ孔部17を避けるように設けたが、図2の一点鎖線で示すワーク3のダイシングラインに対応する位置に等間隔おきに設けてもよく、また、ダイシングラインの交点に対応する位置にのみ設けてもよい。支持突起35は柱状に限らず、リブ状に形成することができる。リブ状に形成する場合には、平行に配置される支持突起35の一群を形成してもよいし、支持突起35を格子状に形成してもよい。 In the above embodiment, the support protrusions 35 are provided to avoid the escape hole portion 17, but they may be provided at equal intervals at positions corresponding to the dicing lines of the workpiece 3 shown by the dashed lines in FIG. 2, or may be provided only at positions corresponding to the intersections of the dicing lines. The support protrusions 35 are not limited to being columnar, but may be formed in a rib shape. When formed in a rib shape, a group of support protrusions 35 arranged in parallel may be formed, or the support protrusions 35 may be formed in a lattice shape.

以上のように、上記各実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクによれば、ベルマウス状に形成した導入孔部15で導電性ピラー2を導入案内して、導電性ピラー2を配列通孔12へと円滑に落とし込むことができるので、ワーク3に対する導電性ピラー2の搭載作業を短時間で終了できる。また、ストレート孔状の保持孔部16で配列通孔12へ落とし込まれた導電性ピラー2を位置決めして、配列通孔12内における導電性ピラー2の傾きやずれ動きを阻止できるので、ワーク3上の所定位置に導電性ピラー2を精度よく搭載できる。 As described above, according to the conductive pillar array mask of each of the above embodiments, the conductive pillar 2 can be introduced and guided by the introduction hole portion 15 formed in a bell-mouth shape, and the conductive pillar 2 can be smoothly dropped into the array through hole 12, so that the mounting work of the conductive pillar 2 on the workpiece 3 can be completed in a short time. In addition, the conductive pillar 2 dropped into the array through hole 12 can be positioned by the straight hole-shaped holding hole portion 16, and the conductive pillar 2 can be prevented from tilting or shifting within the array through hole 12, so that the conductive pillar 2 can be mounted accurately at a predetermined position on the workpiece 3.

上記の各実施形態では、導入孔部15の断面形状は四半円弧状に形成したが、楕円の四半円弧状、あるいは部分外突円弧状であってもよい。逃げ孔部17は、ストレート孔状に限らず、円錐台孔状、段付き孔状に形成することができる。段付き孔状に形成する場合には、一次レジスト体24を2度に分けて階段状に形成すればよい。 In each of the above embodiments, the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 is formed in a quarter-circular arc shape, but it may be an elliptical quarter-circular arc shape or a partially protruding circular arc shape. The escape hole portion 17 is not limited to a straight hole shape, and can be formed in a truncated cone hole shape or a stepped hole shape. When forming a stepped hole shape, the primary resist body 24 can be formed in two stages in a stepped shape.

2 導電性ピラー(対象物)
3 ワーク
10 マスク本体
12 通孔(配列通孔)
15 導入孔部
16 保持孔部
17 逃げ孔部
21 母型
24 一次レジスト体
25 一次パターンレジスト
28 二次レジスト体
29 二次パターンレジスト
30 電鋳層
D1 開口径
D3 開口径
H1 導入孔部と保持孔部の合計高さ寸法
H2 逃げ孔部の高さ寸法
H3 導入孔部の高さ寸法
H4 保持孔部の高さ寸法
Q1 一次レジスト体の中心軸
Q2 二次レジスト体の中心軸
2 Conductive pillar (target object)
3 Workpiece 10 Mask body 12 Through hole (arranged through hole)
15 Introduction hole 16 Holding hole 17 Relief hole 21 Mother mold 24 Primary resist body 25 Primary pattern resist 28 Secondary resist body 29 Secondary pattern resist 30 Electroformed layer D1 Opening diameter D3 Opening diameter H1 Total height dimension H2 of introduction hole and holding hole Height dimension H3 of relief hole Height dimension H4 of introduction hole Height dimension Q1 of holding hole Central axis Q2 of primary resist body Central axis of secondary resist body

Claims (3)

マスク本体(10)に所定のパターンに対応した通孔(12)が設けられ、ワーク(3)上の所定位置に柱状の導電性ピラー(2)を搭載するメタルマスクであって、
前記通孔(12)は、前記マスク本体(10)の上面で開口して前記導電性ピラー(2)を前記通孔(12)の内部へ導入案内する導入孔部(15)と、該導入孔部(15)の下側に設けられて前記導電性ピラー(2)を位置決めする保持孔部(16)とを備えており、
前記導入孔部(15)の高さ寸法をH3とし、前記保持孔部(16)の高さ寸法をH4とするとき、前記保持孔部(16)の高さ寸法(H4)が前記導入孔部(15)の高さ寸法(H3)と同じか、それよりも大きく設定されており、
前記マスク本体(10)の下面に、柱状或いはリブ状に形成された支持突起(35)が設けられており、
前記導入孔部(15)と前記保持孔部(16)の合計高さ寸法(H1)が、前記支持突起(35)の高さ寸法よりも大きく設定されていることを特徴とするメタルマスク。
A metal mask having a mask body (10) provided with through holes (12) corresponding to a predetermined pattern, and having columnar conductive pillars (2) mounted at predetermined positions on a workpiece (3),
the through hole (12) includes an introduction hole portion (15) that opens on the upper surface of the mask body (10) and guides the conductive pillar (2) into the through hole (12), and a holding hole portion (16) that is provided below the introduction hole portion (15) and positions the conductive pillar (2);
When the height dimension of the introduction hole portion (15) is H3 and the height dimension of the holding hole portion (16) is H4 , the height dimension (H4) of the holding hole portion (16) is set to be equal to or larger than the height dimension (H3) of the introduction hole portion (15),
A support protrusion (35) formed in a columnar or rib shape is provided on the lower surface of the mask body (10),
A metal mask characterized in that a total height dimension (H1) of the introduction hole portion (15) and the holding hole portion (16) is set to be larger than a height dimension of the support protrusion (35) .
前記導入孔部(15)の高さ寸法(H3)と前記保持孔部(16)の高さ寸法(H4)の寸法比率が、(H3):(H4)=1:1~1:1.5の範囲内に設定されている請求項1に記載のメタルマスク。 The metal mask according to claim 1, wherein the dimensional ratio of the height dimension (H3) of the introduction hole portion (15) to the height dimension (H4) of the retention hole portion (16) is set within the range of (H3):(H4) = 1:1 to 1:1.5. 前記保持孔部(16)は、ストレート孔で形成されており、
前記保持孔部(16)の開口径をD1とし、マスク本体(10)の上面における前記導入孔部(15)の開口径をD2とするとき、該保持孔部(16)の開口径(D1)は、前記導電性ピラー(2)の直径よりも大きく設定され、前記導入孔部(15)の上端の開口径(D2)は、保持孔部(16)の開口径(D1)よりも大きく設定されている請求項1に記載のメタルマスク
The retaining hole portion (16) is formed as a straight hole,
2. The metal mask of claim 1, wherein when the opening diameter of the retaining hole portion (16) is D1 and the opening diameter of the introduction hole portion (15) on the upper surface of the mask body (10) is D2 , the opening diameter (D1) of the retaining hole portion (16) is set to be larger than the diameter of the conductive pillar (2), and the opening diameter (D2) of the upper end of the introduction hole portion (15) is set to be larger than the opening diameter (D1) of the retaining hole portion (16) .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164369A (en) 2000-11-28 2002-06-07 Sony Corp Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20080142969A1 (en) 2006-12-15 2008-06-19 Texas Instruments Incorporated Microball mounting method and mounting device
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Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09262722A (en) * 1996-03-27 1997-10-07 Taiyo Yuden Co Ltd Jig and method for arranging part
JP2004253770A (en) 2003-01-31 2004-09-09 Hitachi Metals Ltd Method and device for arranging conductive balls
JP2005166893A (en) 2003-12-02 2005-06-23 Hitachi Metals Ltd Mask for arranging minute ball and its manufacturing method
JP2006147697A (en) * 2004-11-17 2006-06-08 Hitachi Metals Ltd Mask for arranging conductive balls and method of manufacturing the same
JP5279529B2 (en) 2009-01-28 2013-09-04 株式会社ボンマーク Ball mounting mask and manufacturing method thereof
JP5491797B2 (en) 2009-08-21 2014-05-14 日立マクセル株式会社 Method for manufacturing conductive ball array mask
JP2012227466A (en) 2011-04-22 2012-11-15 Bonmaaku:Kk Ball mounting mask

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164369A (en) 2000-11-28 2002-06-07 Sony Corp Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20080142969A1 (en) 2006-12-15 2008-06-19 Texas Instruments Incorporated Microball mounting method and mounting device
JP2015173157A (en) 2014-03-11 2015-10-01 イビデン株式会社 Method for mounting metal post and mask for mounting metal post
JP2015173156A (en) 2014-03-11 2015-10-01 イビデン株式会社 Manufacturing method of printed wiring board and mask for mounting metal posts

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