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JP7569680B2 - Thermal printhead and method for manufacturing the same - Google Patents
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Description

本開示は、サーマルプリントヘッドおよびその製造方法に関する。 This disclosure relates to a thermal printhead and a method for manufacturing the same.

特許文献1には、ケイ素(シリコン)を含む材料からなる基板を備えるサーマルプリントヘッドが開示されている。当該サーマルプリントヘッドの基板は、主面と、主走査方向に延び、かつ主面から突出する凸部とを有する。特許文献1の図6などに示すように、複数の発熱部は、凸部の上において主走査方向に配列されている。このような構成によれば、複数の発熱部が配置された凸部に印刷媒体を的確に接触させることができるため、印字品質の向上が期待できる。さらに、当該サーマルプリントヘッドの基板は、比較的熱伝導率が高く、かつ窒化アルミニウムを含む材料からなる基板よりもコストが安いという利点を有する。しかし、当該サーマルプリントヘッドの製造において、基板を切断する際に当該基板の主面の周縁に欠損が発生すると、当該基板の結晶構造の影響により欠損が主面に拡がるおそれがある。これにより、基板の主面の上に形成された配線層の損傷を招くことが懸念される。 Patent document 1 discloses a thermal printhead having a substrate made of a material containing silicon. The substrate of the thermal printhead has a main surface and a convex portion extending in the main scanning direction and protruding from the main surface. As shown in FIG. 6 of Patent document 1, the multiple heat generating portions are arranged in the main scanning direction on the convex portion. With this configuration, the print medium can be accurately brought into contact with the convex portion on which the multiple heat generating portions are arranged, and therefore improvement in print quality can be expected. Furthermore, the substrate of the thermal printhead has the advantage that it has a relatively high thermal conductivity and is less expensive than a substrate made of a material containing aluminum nitride. However, in the manufacture of the thermal printhead, if a defect occurs on the periphery of the main surface of the substrate when the substrate is cut, the defect may spread to the main surface due to the influence of the crystal structure of the substrate. This may cause damage to the wiring layer formed on the main surface of the substrate.

特開2019-166824号公報JP 2019-166824 A

本開示は上述の事情に鑑み、製造時に発生する基板の欠損に起因した配線層の損傷を防ぐことが可能なサーマルプリントヘッドおよびその製造方法を提供することをその課題とする。 In view of the above circumstances, the present disclosure aims to provide a thermal printhead and a method for manufacturing the same that can prevent damage to the wiring layer caused by defects in the substrate that occur during manufacturing.

本開示の第1の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記主面につながる第1端面と、を有する基板と、主走査方向に配列された複数の発熱部を含むとともに、前記主面の上に少なくとも一部が形成された抵抗体層と、前記複数の発熱部に導通し、かつ前記抵抗体層に接して形成された配線層と、を備え、前記第1端面は、前記厚さ方向に沿って視て前記裏面に重なり、かつ前記厚さ方向において前記裏面が位置する側に前記主面に対して傾斜しており、前記抵抗体層および前記配線層から前記第1端面が露出している。 The thermal printhead provided by the first aspect of the present disclosure comprises a substrate having a main surface and a back surface facing opposite each other in the thickness direction and a first end surface connected to the main surface, a resistor layer including a plurality of heating portions arranged in the main scanning direction and at least a portion of which is formed on the main surface, and a wiring layer that is conductive to the plurality of heating portions and is formed in contact with the resistor layer, the first end surface overlapping the back surface when viewed along the thickness direction and inclined with respect to the main surface toward the side where the back surface is located in the thickness direction, and the first end surface is exposed from the resistor layer and the wiring layer.

本開示の第2の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、厚さ方向を向く主面を有する基材において、前記主面の上に主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層を形成する工程と、前記複数の発熱部に導通する配線層を前記抵抗体層に接して形成する工程と、前記基材を前記厚さ方向に切断する工程と、を備え、前記配線層を形成する工程と、前記基材を切断する工程と、の間に、前記主面から凹み、かつ前記厚さ方向に対して直交する方向に沿って延びる溝部を前記基材に形成する工程をさらに備え、前記溝部は、前記主面につながり、かつ前記主面に対して傾斜した傾斜面を有し、前記基材を切断する工程では、前記基材の切断線が前記溝部を通過する。 A method for manufacturing a thermal printhead provided by a second aspect of the present disclosure includes the steps of forming a resistor layer including a plurality of heating elements arranged in a main scanning direction on a substrate having a main surface facing a thickness direction, forming a wiring layer in contact with the resistor layer and electrically connected to the plurality of heating elements, and cutting the substrate in the thickness direction, and further includes, between the steps of forming the wiring layer and cutting the substrate, a step of forming a groove portion in the substrate that is recessed from the main surface and extends along a direction perpendicular to the thickness direction, the groove portion being connected to the main surface and having an inclined surface inclined relative to the main surface, and in the step of cutting the substrate, a cutting line of the substrate passes through the groove portion.

本開示にかかるサーマルプリントヘッドおよびその製造方法によれば、製造時に発生する基板の欠損に起因した配線層の損傷を防ぐことが可能となる。 The thermal printhead and manufacturing method thereof disclosed herein make it possible to prevent damage to the wiring layer caused by defects in the substrate that occur during manufacturing.

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。 Other features and advantages of the present disclosure will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings.

本開示の第1実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの平面図であり、保護層を透過している。1 is a plan view of a thermal printhead according to a first embodiment of the present disclosure, seen through a protective layer. 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a main portion of the thermal printhead shown in FIG. 1 . 図2の部分拡大図である。FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 2 . 図1のIV-IV線に沿う断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part of the thermal printhead shown in FIG. 図5の部分拡大図である。FIG. 6 is a partially enlarged view of FIG. 5 . 図5の部分拡大図である。FIG. 6 is a partially enlarged view of FIG. 5 . 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の製造工程を説明する断面図である。2A to 2C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process for the main part of the thermal printhead shown in FIG. 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の製造工程を説明する断面図である。2A to 2C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process for the main part of the thermal printhead shown in FIG. 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の製造工程を説明する断面図である。2A to 2C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process for the main part of the thermal printhead shown in FIG. 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の製造工程を説明する断面図である。2A to 2C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process for the main part of the thermal printhead shown in FIG. 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の製造工程を説明する断面図である。2A to 2C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process for the main part of the thermal printhead shown in FIG. 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の製造工程を説明する断面図である。2A to 2C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process for the main part of the thermal printhead shown in FIG. 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の製造工程を説明する断面図である。2A to 2C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process for the main part of the thermal printhead shown in FIG. 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の製造工程を説明する断面図である。2A to 2C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process for the main part of the thermal printhead shown in FIG. 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の製造工程を説明する断面図である。2A to 2C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process for the main part of the thermal printhead shown in FIG. 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の製造工程を説明する部分拡大断面図である。2A to 2C are partially enlarged cross-sectional views illustrating a manufacturing process for a main part of the thermal printhead shown in FIG. 1 . 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の製造工程を説明する部分拡大断面図である。2A to 2C are partially enlarged cross-sectional views illustrating a manufacturing process for a main part of the thermal printhead shown in FIG. 1 . 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の製造工程を説明する断面図である。2A to 2C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process for the main part of the thermal printhead shown in FIG. 図1に示すサーマルプリントヘッドの要部の製造工程を説明する部分拡大断面図である。2A to 2C are partially enlarged cross-sectional views illustrating a manufacturing process for a main part of the thermal printhead shown in FIG. 1 . 図1に示すサーマルプリントヘッドの第1変形例の部分拡大断面図である。FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of a first modified example of the thermal printhead shown in FIG. 図1に示すサーマルプリントヘッドの第2変形例の部分拡大断面図である。FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of a second modified example of the thermal printhead shown in FIG. 図1に示すサーマルプリントヘッドの第2変形例の部分拡大断面図である。FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of a second modified example of the thermal printhead shown in FIG. 本開示の第2実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの要部の部分拡大平面図であり、保護層を透過している。FIG. 11 is a partially enlarged plan view of a main portion of a thermal printhead according to a second embodiment of the present disclosure, seen through a protective layer. 図24のXXV-XXV線に沿う断面図である。A cross-sectional view taken along line XXV-XXV in Figure 24. 図24のXXVI-XXVI線に沿う断面図である。A cross-sectional view taken along line XXVI-XXVI in Figure 24. 図24のXXVII-XXVII線に沿う断面図である。A cross-sectional view taken along line XXVII-XXVII in Figure 24.

本開示を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。 The form for implementing this disclosure will be described with reference to the attached drawings.

〔第1実施形態〕
図1~図7に基づき、本開示の第1実施形態にかかるサーマルプリントヘッドA10について説明する。サーマルプリントヘッドA10は、後述するサーマルプリンタB10の主要部をなす。サーマルプリントヘッドA10は、要部および付随部により構成される。サーマルプリントヘッドA10の要部は、基板1、絶縁層2、抵抗体層3、配線層4および保護層5を備える。サーマルプリントヘッドA10の付随部は、配線基板71、放熱部材72、複数の駆動素子73、複数の第1ワイヤ74、複数の第2ワイヤ75、封止樹脂76およびコネクタ77を備える。ここで、図1においては、理解の便宜上、保護層5を透過し、かつ複数の第1ワイヤ74、複数の第2ワイヤ75、および封止樹脂76の図示を省略している。図2および図3においては、理解の便宜上、保護層5を透過している。
First Embodiment
A thermal printhead A10 according to a first embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 1 to 7. The thermal printhead A10 constitutes a main part of a thermal printer B10 described later. The thermal printhead A10 is composed of a main part and an associated part. The main part of the thermal printhead A10 includes a substrate 1, an insulating layer 2, a resistor layer 3, a wiring layer 4, and a protective layer 5. The associated part of the thermal printhead A10 includes a wiring substrate 71, a heat dissipation member 72, a plurality of driving elements 73, a plurality of first wires 74, a plurality of second wires 75, a sealing resin 76, and a connector 77. Here, in FIG. 1, for ease of understanding, the protective layer 5 is shown through, and the first wires 74, the second wires 75, and the sealing resin 76 are omitted. In FIGS. 2 and 3, the protective layer 5 is shown through for ease of understanding.

ここで、説明の便宜上、サーマルプリントヘッドA10の主走査方向を「x方向」と呼ぶ。サーマルプリントヘッドA10の副走査方向を「y方向」と呼ぶ。基板1の厚さ方向を「z方向」と呼ぶ。z方向は、x方向およびy方向の双方に対して直交している。以下の説明において、「z方向に沿って視て」とは、「厚さ方向に沿って視て」を指す。 For ease of explanation, the main scanning direction of the thermal printhead A10 is referred to as the "x direction". The sub-scanning direction of the thermal printhead A10 is referred to as the "y direction". The thickness direction of the substrate 1 is referred to as the "z direction". The z direction is perpendicular to both the x direction and the y direction. In the following explanation, "viewed along the z direction" refers to "viewed along the thickness direction".

サーマルプリントヘッドA10においては、図4に示すように、サーマルプリントヘッドA10の要部をなす基板1は、放熱部材72に接合されている。さらに、配線基板71は、y方向において基板1の隣に位置する。配線基板71は、基板1と同じく放熱部材72に固定されている。基板1の上には、抵抗体層3の一部をなし、かつx方向に配列された複数の発熱部31(詳細は後述)が形成されている。複数の発熱部31は、配線基板71に搭載された複数の駆動素子73により選択的に発熱する。複数の駆動素子73は、コネクタ77を介して外部から送信される印字信号にしたがって駆動する。 As shown in FIG. 4, in the thermal printhead A10, the substrate 1, which is the main part of the thermal printhead A10, is joined to a heat dissipation member 72. Furthermore, the wiring board 71 is located next to the substrate 1 in the y direction. The wiring board 71 is fixed to the heat dissipation member 72, just like the substrate 1. On the substrate 1, a plurality of heat generating portions 31 (described in detail later) are formed, which form part of the resistor layer 3 and are arranged in the x direction. The plurality of heat generating portions 31 are selectively heated by a plurality of drive elements 73 mounted on the wiring board 71. The plurality of drive elements 73 are driven according to a print signal transmitted from the outside via a connector 77.

さらに、本開示にかかるサーマルプリンタB10は、図4に示すように、サーマルプリントヘッドA10と、プラテンローラ79とを備える。サーマルプリンタB10において、プラテンローラ79は、感熱紙などの記録媒体を送り出すローラ状の機構である。プラテンローラ79が記録媒体を複数の発熱部31に押し当てることにより、当該複数の発熱部31が当該記録媒体に印字を行う。サーマルプリンタB10においては、プラテンローラ79に代えて、ローラ状ではない機構を採用できる。当該機構は、平坦な面を有する。ここで、平坦な面には、小さい曲率を有する曲面が含まれる。サーマルプリンタB10においては、プラテンローラ79のようなローラ状の機構と、当該機構とを含めて「プラテン」と呼ぶ。ここで、説明の便宜上、図4において記録媒体の供給元の側(図4における右側)を「上流側」と呼ぶ。図4において記録媒体の排出先の側(図4における左側)を「下流側」と呼ぶ。 Furthermore, the thermal printer B10 according to the present disclosure includes a thermal printhead A10 and a platen roller 79, as shown in FIG. 4. In the thermal printer B10, the platen roller 79 is a roller-shaped mechanism that feeds a recording medium such as thermal paper. The platen roller 79 presses the recording medium against a plurality of heat generating parts 31, which then print on the recording medium. In the thermal printer B10, a mechanism that is not roller-shaped can be used instead of the platen roller 79. The mechanism has a flat surface. Here, the flat surface includes a curved surface having a small curvature. In the thermal printer B10, the roller-shaped mechanism such as the platen roller 79 and the mechanism are collectively called the "platen". Here, for convenience of explanation, the side of the supply source of the recording medium in FIG. 4 (the right side in FIG. 4) is called the "upstream side". In FIG. 4, the side of the destination of the recording medium (the left side in FIG. 4) is called the "downstream side".

基板1は、図1に示すように、z方向に沿って視てx方向に延びる矩形状である。したがって、x方向が基板1の長辺方向に相当する。y方向が基板1の短辺方向に相当する。基板1は、半導体材料からなる。当該半導体材料は、ケイ素(Si)を組成とする単結晶材料を含む。 As shown in FIG. 1, the substrate 1 has a rectangular shape extending in the x direction when viewed along the z direction. Therefore, the x direction corresponds to the long side direction of the substrate 1. The y direction corresponds to the short side direction of the substrate 1. The substrate 1 is made of a semiconductor material. The semiconductor material includes a single crystal material containing silicon (Si).

図5に示すように、基板1は、z方向において互いに反対側を向く主面11および裏面12を有する。基板1の結晶構造に基づく主面11および裏面12の面方位は、ともに(100)面である。図4に示すように、サーマルプリントヘッドA10においては、主面11がプラテンローラ79に対向し、かつ裏面12が配線基板71に対向する。主面11は、第1縁11Aおよび第2縁11Bを含む。第1縁11Aおよび第2縁11Bは、主面11の周縁に相当する。第1縁11Aは、x方向に延び、かつ抵抗体層3から最も近くに位置する。第2縁11Bは、y方向に延びている。サーマルプリントヘッドA10においては、第2縁11Bは、第1縁11Aにつながり、かつx方向において互いに離れて位置する2つの区間を含む。 5, the substrate 1 has a main surface 11 and a back surface 12 that face in opposite directions in the z direction. The plane orientations of the main surface 11 and the back surface 12 based on the crystal structure of the substrate 1 are both (100) planes. As shown in FIG. 4, in the thermal printhead A10, the main surface 11 faces the platen roller 79, and the back surface 12 faces the wiring board 71. The main surface 11 includes a first edge 11A and a second edge 11B. The first edge 11A and the second edge 11B correspond to the periphery of the main surface 11. The first edge 11A extends in the x direction and is located closest to the resistor layer 3. The second edge 11B extends in the y direction. In the thermal printhead A10, the second edge 11B includes two sections that are connected to the first edge 11A and are located apart from each other in the x direction.

図5に示すように、基板1は、凸部19を有する。凸部19は、主面11からz方向に突出している。図1および図2に示すように、凸部19は、x方向に延びている。 As shown in FIG. 5, the substrate 1 has a protrusion 19. The protrusion 19 protrudes from the main surface 11 in the z direction. As shown in FIGS. 1 and 2, the protrusion 19 extends in the x direction.

図5および図6に示すように、凸部19は、頂面191、および一対の傾斜面192を有する。頂面191は、z方向において主面11から離れて位置し、かつ主面11に対して平行である。一対の傾斜面192は、y方向において互いに離れて位置する。一対の傾斜面192は、頂面191および主面11につながっている。一対の傾斜面192は、主面11から頂面191にかけて互いに近づくように主面11に対して傾斜している。主面11に対する一対の傾斜面192の各々の傾斜角αは、互いに等しい。 As shown in Figures 5 and 6, the protrusion 19 has a top surface 191 and a pair of inclined surfaces 192. The top surface 191 is located away from the main surface 11 in the z direction and is parallel to the main surface 11. The pair of inclined surfaces 192 are located away from each other in the y direction. The pair of inclined surfaces 192 are connected to the top surface 191 and the main surface 11. The pair of inclined surfaces 192 are inclined with respect to the main surface 11 so as to approach each other from the main surface 11 to the top surface 191. The inclination angles α of the pair of inclined surfaces 192 with respect to the main surface 11 are equal to each other.

図2、図5および図7に示すように、基板1は、第1端面13、第2端面14および中間面15を有する。第1端面13は、主面11につながっている。サーマルプリントヘッドA10においては、第1端面13は、主面11の第1縁11Aにつながっている。第1端面13は、z方向に沿って視て裏面12に重なり、かつz方向において裏面12が位置する側に主面11に対して傾斜角β1で傾斜している。第2端面14は、裏面12につながっている。第2端面14は、z方向に対して直交する方向(サーマルプリントヘッドA10ではy方向)において第1端面13に対して主面11とは反対側に位置する。第2端面14は、第2端面14に対して傾斜角β2で傾斜している。傾斜角β1は、傾斜角β2よりも小である。中間面15は、z方向を向き、かつ第1端面13および第2端面14につながっている。z方向において、中間面15は、主面11と裏面12との間に位置する。抵抗体層3および配線層4から、第1端面13、第2端面14および中間面15が露出している。 2, 5 and 7, the substrate 1 has a first end surface 13, a second end surface 14 and an intermediate surface 15. The first end surface 13 is connected to the main surface 11. In the thermal printhead A10, the first end surface 13 is connected to a first edge 11A of the main surface 11. The first end surface 13 overlaps the back surface 12 when viewed along the z direction, and is inclined at an inclination angle β1 with respect to the main surface 11 in the z direction toward the side where the back surface 12 is located. The second end surface 14 is connected to the back surface 12. The second end surface 14 is located on the opposite side of the main surface 11 from the first end surface 13 in a direction perpendicular to the z direction (the y direction in the thermal printhead A10). The second end surface 14 is inclined at an inclination angle β2 with respect to the second end surface 14. The inclination angle β1 is smaller than the inclination angle β2. The intermediate surface 15 faces the z direction and is connected to the first end surface 13 and the second end surface 14. In the z direction, the intermediate surface 15 is located between the main surface 11 and the back surface 12. The first end surface 13, the second end surface 14, and the intermediate surface 15 are exposed from the resistor layer 3 and the wiring layer 4.

絶縁層2は、図5および図6に示すように、基板1の主面11および凸部19を覆っている。絶縁層2により、基板1は、抵抗体層3および配線層4に対して電気絶縁されている。絶縁層2は、たとえば、オルトケイ酸テトラエチル(TEOS)を原材料とした二酸化ケイ素(SiO2)からなる。絶縁層2の厚さの例は、1μm以上15μm以下である。 5 and 6, the insulating layer 2 covers the main surface 11 and the protrusions 19 of the substrate 1. The insulating layer 2 electrically insulates the substrate 1 from the resistor layer 3 and the wiring layer 4. The insulating layer 2 is made of silicon dioxide (SiO 2 ) using tetraethyl orthosilicate (TEOS) as a raw material, for example. An example thickness of the insulating layer 2 is 1 μm or more and 15 μm or less.

抵抗体層3は、図5および図6に示すように、基板1の主面11および凸部19の上に形成されている。抵抗体層3は、絶縁層2に接している。これにより、サーマルプリントヘッドA10において、絶縁層2は、基板1と抵抗体層3との間に挟まれた構成となっている。抵抗体層3は、たとえば窒化タンタル(TaN)からなる。抵抗体層3の厚さの例は、0.02μm以上0.1μm以下である。 As shown in Figures 5 and 6, the resistor layer 3 is formed on the main surface 11 and the protrusions 19 of the substrate 1. The resistor layer 3 is in contact with the insulating layer 2. As a result, in the thermal printhead A10, the insulating layer 2 is sandwiched between the substrate 1 and the resistor layer 3. The resistor layer 3 is made of, for example, tantalum nitride (TaN). An example thickness of the resistor layer 3 is 0.02 μm or more and 0.1 μm or less.

図2、図3および図6に示すように、抵抗体層3は、複数の発熱部31を含む。抵抗体層3において、複数の発熱部31は、配線層4から露出する部分である。複数の発熱部31に対して配線層4から選択的に通電されることによって、複数の発熱部31は、記録媒体を局所的に加熱する。複数の発熱部31は、x方向に配列されている。複数の発熱部31のうち、x方向において隣り合う2つの当該発熱部31は、互いに離れて位置する。複数の発熱部31は、絶縁層2に接して形成されている。サーマルプリントヘッドA10においては、複数の発熱部31は、基板1の凸部19の頂面191の上に形成されている。複数の発熱部31は、頂面191のy方向の中央に位置する。図4に示すように、サーマルプリンタB10において、複数の発熱部31は、プラテンローラ79に対向している。 2, 3 and 6, the resistor layer 3 includes a plurality of heat generating portions 31. In the resistor layer 3, the plurality of heat generating portions 31 are exposed from the wiring layer 4. The plurality of heat generating portions 31 are selectively energized from the wiring layer 4, so that the plurality of heat generating portions 31 locally heat the recording medium. The plurality of heat generating portions 31 are arranged in the x direction. Among the plurality of heat generating portions 31, two adjacent heat generating portions 31 in the x direction are located apart from each other. The plurality of heat generating portions 31 are formed in contact with the insulating layer 2. In the thermal printhead A10, the plurality of heat generating portions 31 are formed on the top surface 191 of the convex portion 19 of the substrate 1. The plurality of heat generating portions 31 are located at the center of the top surface 191 in the y direction. As shown in FIG. 4, in the thermal printer B10, the plurality of heat generating portions 31 face the platen roller 79.

配線層4は、図5および図6に示すように、抵抗体層3に接して形成されている。配線層4は、抵抗体層3の複数の発熱部31に通電するための導電経路をなしている。配線層4の電気抵抗率は、抵抗体層3の電気抵抗率よりも小である。配線層4は、たとえば銅(Cu)からなる金属層である。配線層4の厚さの例は、0.3μm以上2.0μm以下である。この他、配線層4は、抵抗体層3の上に積層されたチタン(Ti)層と、当該チタン層の上に積層された銅層との2つの金属層からなる構成でもよい。この場合のチタン層の厚さの例は、0.1μm以上0.2μm以下である。図1に示すように、配線層4は、基板1の主面11の第1縁11Aおよび第2縁11Bから離れて位置する。 As shown in Figs. 5 and 6, the wiring layer 4 is formed in contact with the resistor layer 3. The wiring layer 4 forms a conductive path for passing electricity through the multiple heating parts 31 of the resistor layer 3. The electrical resistivity of the wiring layer 4 is smaller than that of the resistor layer 3. The wiring layer 4 is a metal layer made of, for example, copper (Cu). An example of the thickness of the wiring layer 4 is 0.3 μm or more and 2.0 μm or less. In addition, the wiring layer 4 may be configured to be made of two metal layers, a titanium (Ti) layer laminated on the resistor layer 3 and a copper layer laminated on the titanium layer. In this case, an example of the thickness of the titanium layer is 0.1 μm or more and 0.2 μm or less. As shown in Fig. 1, the wiring layer 4 is located away from the first edge 11A and the second edge 11B of the main surface 11 of the substrate 1.

図2に示すように、配線層4は、共通配線41、および複数の個別配線42を含む。共通配線41は、抵抗体層3の複数の発熱部31に対してy方向の一方側に位置する。複数の個別配線42は、複数の発熱部31に対してy方向の他方側に位置する。図3に示すように、z方向に沿って視て、共通配線41と複数の個別配線42とに挟まれた抵抗体層3の複数の領域が、複数の発熱部31である。 As shown in FIG. 2, the wiring layer 4 includes a common wiring 41 and a plurality of individual wirings 42. The common wiring 41 is located on one side in the y direction of the plurality of heat generating portions 31 of the resistor layer 3. The plurality of individual wirings 42 are located on the other side in the y direction of the plurality of heat generating portions 31. As shown in FIG. 3, when viewed along the z direction, the plurality of regions of the resistor layer 3 sandwiched between the common wiring 41 and the plurality of individual wirings 42 are the plurality of heat generating portions 31.

図2および図3に示すように、共通配線41は、基部411、および複数の延出部412を有する。y方向において、基部411は、抵抗体層3の複数の発熱部31から最も離れて位置する。基部411は、z方向に沿って視てx方向に延びる帯状である。複数の延出部412は、y方向において基板1の凸部19に対向する基部411の端部から、複数の発熱部31に向けて延びる帯状である。複数の延出部412は、x方向に沿って配列されている。複数の延出部412の各々の一部は、凸部19の一対の傾斜面192のうち、基部411に対向する傾斜面192の上に形成されている。したがって、共通配線41の一部は、一対の傾斜面192のいずれかの上に形成されている。共通配線41においては、基部411から複数の延出部412を介して複数の発熱部31に電流が流れる。 2 and 3, the common wiring 41 has a base 411 and a plurality of extensions 412. In the y direction, the base 411 is located farthest from the plurality of heat generating parts 31 of the resistor layer 3. The base 411 is a strip extending in the x direction when viewed along the z direction. The plurality of extensions 412 are strips extending from an end of the base 411 facing the convex part 19 of the substrate 1 in the y direction toward the plurality of heat generating parts 31. The plurality of extensions 412 are arranged along the x direction. A portion of each of the plurality of extensions 412 is formed on the inclined surface 192 facing the base 411, of the pair of inclined surfaces 192 of the convex part 19. Therefore, a portion of the common wiring 41 is formed on one of the pair of inclined surfaces 192. In the common wiring 41, a current flows from the base 411 to the plurality of heat generating parts 31 through the plurality of extensions 412.

図2および図3に示すように、複数の個別配線42の各々は、基部421および延出部422を有する。y方向において、基部421は、抵抗体層3の複数の発熱部31から最も離れて位置する。複数の個別配線42の基部421は、x方向に対して千鳥配置となるように等間隔で配列されている。 2 and 3, each of the multiple individual wirings 42 has a base 421 and an extension 422. In the y direction, the base 421 is located farthest from the multiple heat generating portions 31 of the resistor layer 3. The bases 421 of the multiple individual wirings 42 are arranged at equal intervals in a staggered arrangement in the x direction.

図2および図3に示すように、延出部422は、y方向において基板1の凸部19に対向する基部421の端部から、複数の発熱部31に向けて延びる帯状である。複数の個別配線42の延出部422は、x方向に沿って配列されている。複数の個別配線42の各々の延出部422は、基板1の一対の傾斜面192のうち、複数の個別配線42の基部421に対向する傾斜面192の上に形成されている。したがって、複数の個別配線42の各々の一部は、一対の傾斜面192のいずれかの上に形成されている。複数の個別配線42の各々においては、複数の発熱部31のいずれかから延出部422を介して基部421に電流が流れる。z方向に沿って視て、複数の発熱部31の各々は、複数の個別配線42の延出部422のいずれかと、共通配線41の複数の延出部412のいずれかとに挟まれている。図2および図3に示す配線層4、および複数の発熱部31の構成は一例である。本開示における配線層4、および複数の発熱部31の構成は、図2および図3に示す構成に限定されない。 2 and 3, the extension 422 is a strip extending from an end of the base 421 facing the convex portion 19 of the substrate 1 in the y direction toward the heat generating portions 31. The extensions 422 of the individual wirings 42 are arranged along the x direction. The extensions 422 of the individual wirings 42 are formed on the inclined surface 192 facing the base 421 of the individual wirings 42, among the pair of inclined surfaces 192 of the substrate 1. Therefore, a part of each of the individual wirings 42 is formed on one of the pair of inclined surfaces 192. In each of the individual wirings 42, a current flows from one of the heat generating portions 31 to the base 421 through the extension 422. When viewed along the z direction, each of the heat generating portions 31 is sandwiched between one of the extensions 422 of the individual wirings 42 and one of the extensions 412 of the common wiring 41. The configurations of the wiring layer 4 and the multiple heat generating parts 31 shown in Figures 2 and 3 are examples. The configurations of the wiring layer 4 and the multiple heat generating parts 31 in this disclosure are not limited to the configurations shown in Figures 2 and 3.

保護層5は、図5に示すように、基板1の主面11の一部と、抵抗体層3の複数の発熱部31、および配線層4とを覆っている。保護層5は、電気絶縁性を有する。保護層5は、ケイ素をその組成に含む。保護層5は、たとえば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素(Si34)および炭化ケイ素(SiC)のいずれからなる。あるいは、保護層5は、これらの物質のうち複数種類からなる積層体でもよい。保護層5の厚さの例は、1.0μm以上10μm以下である。サーマルプリンタB10において、記録媒体は、図4に示すプラテンローラ79により複数の発熱部31を覆う保護層5の領域に押し当てられる。 As shown in FIG. 5, the protective layer 5 covers a part of the main surface 11 of the substrate 1, the plurality of heat generating parts 31 of the resistor layer 3, and the wiring layer 4. The protective layer 5 has electrical insulation properties. The protective layer 5 contains silicon in its composition. The protective layer 5 is made of, for example, silicon dioxide, silicon nitride ( Si3N4 ) , or silicon carbide (SiC). Alternatively, the protective layer 5 may be a laminate made of a plurality of types of these materials. An example of the thickness of the protective layer 5 is 1.0 μm or more and 10 μm or less. In the thermal printer B10, the recording medium is pressed against the area of the protective layer 5 that covers the plurality of heat generating parts 31 by the platen roller 79 shown in FIG. 4.

図5に示すように、保護層5は、配線開口51および端面52を有する。配線開口51は、z方向に保護層5を貫通している。配線開口51から、複数の個別配線42の基部421と、複数の個別配線42の延出部422の各々の一部とが露出している。図5および図7に示すように、端面52は、基板1の第1端面13と同じ向きを向く。端面52は、基板1の主面11に対して傾斜している。主面11に対する端面52の傾斜方向は、主面11に対する第1端面13の傾斜方向に等しい。 As shown in FIG. 5, the protective layer 5 has a wiring opening 51 and an end face 52. The wiring opening 51 penetrates the protective layer 5 in the z-direction. From the wiring opening 51, the bases 421 of the multiple individual wirings 42 and a portion of each of the extensions 422 of the multiple individual wirings 42 are exposed. As shown in FIG. 5 and FIG. 7, the end face 52 faces in the same direction as the first end face 13 of the substrate 1. The end face 52 is inclined with respect to the main surface 11 of the substrate 1. The inclination direction of the end face 52 with respect to the main surface 11 is equal to the inclination direction of the first end face 13 with respect to the main surface 11.

配線基板71は、図4に示すように、y方向において基板1の隣に位置する。図1に示すように、z方向に沿って視て、複数の個別配線42は、y方向において抵抗体層3の複数の発熱部31と、配線基板71との間に位置する。z方向に沿って視て、配線基板71の面積は、基板1の面積よりも大である。さらに、z方向に沿って視て、配線基板71は、x方向を長手方向とする矩形状である。配線基板71は、たとえばPCB基板である。配線基板71には、複数の駆動素子73、およびコネクタ77が搭載されている。 As shown in FIG. 4, the wiring board 71 is located next to the substrate 1 in the y direction. As shown in FIG. 1, when viewed along the z direction, the multiple individual wirings 42 are located between the multiple heating portions 31 of the resistor layer 3 and the wiring board 71 in the y direction. When viewed along the z direction, the area of the wiring board 71 is larger than the area of the substrate 1. Furthermore, when viewed along the z direction, the wiring board 71 is rectangular with the x direction as the longitudinal direction. The wiring board 71 is, for example, a PCB substrate. The wiring board 71 is equipped with multiple driving elements 73 and a connector 77.

放熱部材72は、図4に示すように、基板1の裏面12と対向している。裏面12は、放熱部材72に接合されている。配線基板71は、ねじなどの締結部材により放熱部材72に固定されている。サーマルプリントヘッドA10の使用時において、抵抗体層3の複数の発熱部31から発生した熱の一部は、基板1を介して放熱部材72に伝導される。放熱部材72に伝導された熱は、外部へと放熱される。放熱部材72は、たとえばアルミニウム(Al)からなる。 As shown in FIG. 4, the heat dissipation member 72 faces the rear surface 12 of the substrate 1. The rear surface 12 is joined to the heat dissipation member 72. The wiring board 71 is fixed to the heat dissipation member 72 by a fastening member such as a screw. When the thermal printhead A10 is in use, a portion of the heat generated from the multiple heat generating portions 31 of the resistor layer 3 is conducted to the heat dissipation member 72 via the substrate 1. The heat conducted to the heat dissipation member 72 is dissipated to the outside. The heat dissipation member 72 is made of, for example, aluminum (Al).

複数の駆動素子73は、図1および図4に示すように、電気絶縁性を有するダイボンディング材(図示略)を介して配線基板71の上に搭載されている。複数の駆動素子73の各々は、種々の回路が構成された半導体素子である。複数の駆動素子73の各々には、複数の第1ワイヤ74の各々の一端と、複数の第2ワイヤ75の各々の一端とが接合されている。複数の第1ワイヤ74の他端は、複数の個別配線42の基部421に対して個別に接合されている。複数の第2ワイヤ75の各々の他端は、配線基板71に設けられ、かつコネクタ77に導通する配線(図示略)に接合されている。これにより、印字信号、制御信号、および抵抗体層3の複数の発熱部31に供給される電圧が、外部からコネクタ77を介して複数の駆動素子73に入力される。複数の駆動素子73は、これらの電気信号に基づき、複数の個別配線42に電圧を選択的に印加させる。これにより、複数の発熱部31が選択的に発熱する。 1 and 4, the driving elements 73 are mounted on the wiring board 71 via an electrically insulating die bonding material (not shown). Each of the driving elements 73 is a semiconductor element in which various circuits are configured. Each of the driving elements 73 is joined to one end of each of the first wires 74 and one end of each of the second wires 75. The other ends of the first wires 74 are individually joined to the bases 421 of the individual wirings 42. The other ends of the second wires 75 are joined to wiring (not shown) provided on the wiring board 71 and conductive to the connector 77. As a result, the print signal, the control signal, and the voltage supplied to the heating parts 31 of the resistor layer 3 are input from the outside to the driving elements 73 via the connector 77. The driving elements 73 selectively apply voltage to the individual wirings 42 based on these electrical signals. As a result, the heating parts 31 selectively generate heat.

封止樹脂76は、図4に示すように、複数の駆動素子73、複数の第1ワイヤ74、および複数の第2ワイヤ75と、基板1および配線基板71の各々の一部とを覆っている。封止樹脂76は、電気絶縁性を有する。封止樹脂76は、たとえばアンダーフィルに用いられる黒色かつ軟質の合成樹脂である。この他、封止樹脂76は、黒色かつ硬質の合成樹脂でもよい。 As shown in FIG. 4, the sealing resin 76 covers the multiple driving elements 73, the multiple first wires 74, and the multiple second wires 75, as well as parts of the substrate 1 and the wiring substrate 71. The sealing resin 76 has electrical insulation properties. The sealing resin 76 is, for example, a black, soft synthetic resin used for underfill. Alternatively, the sealing resin 76 may be a black, hard synthetic resin.

コネクタ77は、図1および図4に示すように、配線基板71のy方向の一端に搭載されている。コネクタ77は、サーマルプリンタB10に接続される。コネクタ77は、複数のピン(図示略)を有する。当該複数のピンの一部は、配線基板71において、複数の第2ワイヤ75が接合された配線(図示略)に導通している。さらに、当該複数のピンの別の一部は、配線基板71において、共通配線41の基部411に導通する配線(図示略)に導通している。 As shown in Figures 1 and 4, the connector 77 is mounted on one end of the wiring board 71 in the y direction. The connector 77 is connected to the thermal printer B10. The connector 77 has a plurality of pins (not shown). Some of the plurality of pins are electrically connected to wiring (not shown) on the wiring board 71 to which the plurality of second wires 75 are joined. Furthermore, another portion of the plurality of pins are electrically connected to wiring (not shown) on the wiring board 71 that is electrically connected to the base 411 of the common wiring 41.

次に、図8~図20に基づき、サーマルプリントヘッドA10の製造方法の一例について説明する。ここで、図8~図16、および図19の断面位置は、サーマルプリントヘッドA10の要部を示す図5の断面位置と同一である。 Next, an example of a method for manufacturing the thermal printhead A10 will be described with reference to Figures 8 to 20. Here, the cross-sectional positions of Figures 8 to 16 and Figure 19 are the same as the cross-sectional position of Figure 5, which shows the main part of the thermal printhead A10.

最初に、図8および図9に示すように、基材81に凸部19を形成する。 First, as shown in Figures 8 and 9, a protrusion 19 is formed on a substrate 81.

まず、図8に示すように、基材81を覆う第1マスク層891と、第1マスク層891の一部を覆う第2マスク層892とを形成する。基材81は、半導体材料からなる。当該半導体材料は、ケイ素を組成とする単結晶材料を含む。基材81は、シリコンウエハである。z方向に対して直交する方向において、複数の基板1にそれぞれ相当する領域が複数個連なったものが、基材81に相当する。基材81は、第1面81Aおよび第2面81Bを有する。第1面81Aおよび第2面81Bは、z方向において互いに反対側を向く。基材81の結晶構造に基づく第1面81Aおよび第2面81Bの面方位は、ともに(100)面である。第1マスク層891は、第1面81Aおよび第2面81Bを覆うように形成される。第1マスク層891は、二酸化ケイ素からなる。第2マスク層892は、第1面81Aを覆う第1マスク層891の領域を覆うように形成される。第2マスク層892は、窒化ケイ素からなる。第1面81Aを覆う第1マスク層891と、当該第1マスク層891を覆う第2マスク層892から、第1面81Aの一部が露出している。 8, a first mask layer 891 that covers the substrate 81 and a second mask layer 892 that covers a part of the first mask layer 891 are formed. The substrate 81 is made of a semiconductor material. The semiconductor material includes a single crystal material composed of silicon. The substrate 81 is a silicon wafer. In a direction perpendicular to the z direction, a plurality of regions corresponding to the plurality of substrates 1 are connected together to form the substrate 81. The substrate 81 has a first surface 81A and a second surface 81B. The first surface 81A and the second surface 81B face in opposite directions in the z direction. The surface orientations of the first surface 81A and the second surface 81B based on the crystal structure of the substrate 81 are both (100) surfaces. The first mask layer 891 is formed so as to cover the first surface 81A and the second surface 81B. The first mask layer 891 is made of silicon dioxide. The second mask layer 892 is formed to cover the area of the first mask layer 891 that covers the first surface 81A. The second mask layer 892 is made of silicon nitride. A portion of the first surface 81A is exposed from the first mask layer 891 that covers the first surface 81A and the second mask layer 892 that covers the first mask layer 891.

第1マスク層891および第2マスク層892の形成にあたっては、まず、熱酸化法により第1面81Aおよび第2面81Bを覆う二酸化ケイ素の薄膜を形成する。次いで、熱CVD(Chemical Vapor Deposition)により、第1面81Aを覆う第1マスク層891の領域を覆う窒化ケイ素の薄膜を形成する。最後に、リソグラフィパターニングと、反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)とにより、第1面81Aを覆う二酸化ケイ素の薄膜の領域の一部と、当該領域を覆う窒化ケイ素の薄膜の一部とを除去する。これにより、第1マスク層891および第2マスク層892が形成される。 When forming the first mask layer 891 and the second mask layer 892, first, a thin film of silicon dioxide is formed by thermal oxidation to cover the first surface 81A and the second surface 81B. Next, a thin film of silicon nitride is formed by thermal CVD (Chemical Vapor Deposition) to cover the region of the first mask layer 891 that covers the first surface 81A. Finally, a part of the region of the thin film of silicon dioxide that covers the first surface 81A and a part of the thin film of silicon nitride that covers the region are removed by lithography patterning and reactive ion etching (RIE). This forms the first mask layer 891 and the second mask layer 892.

次いで、図9に示すように、基材81に主面11および凸部19を形成する。主面11および凸部19は、図8に示す第1マスク層891および第2マスク層892から露出した第1面81Aの領域に対して、水酸化カリウム(KOH)水溶液を用いたウエットエッチングにより形成される。当該エッチングは、異方性である。最後に、フッ化水素酸(HF)を用いたウエットエッチングにより第1マスク層891および第2マスク層892を除去する。以上により、主面11および凸部19が基材81に形成される。さらに、基材81の第2面81Bは、裏面12となる。凸部19は、主面11につながり、かつ主面11からz方向に膨出している。凸部19は、主面11からz方向に膨出し、かつx方向に沿って延びている。凸部19は、凸部19を含む。第1マスク層891および第2マスク層892に覆われていた第1面81Aの領域が、凸部19の頂面191となる。さらに、主面11に対する凸部19の一対の傾斜面192の各々の傾斜角αは、ともに同一である。これは、凸部19が異方性エッチングにより形成されることに起因している。 9, the main surface 11 and the protrusions 19 are formed on the substrate 81. The main surface 11 and the protrusions 19 are formed by wet etching the area of the first surface 81A exposed from the first mask layer 891 and the second mask layer 892 shown in FIG. 8 using an aqueous potassium hydroxide (KOH) solution. The etching is anisotropic. Finally, the first mask layer 891 and the second mask layer 892 are removed by wet etching using hydrofluoric acid (HF). As a result, the main surface 11 and the protrusions 19 are formed on the substrate 81. Furthermore, the second surface 81B of the substrate 81 becomes the back surface 12. The protrusions 19 are connected to the main surface 11 and bulge from the main surface 11 in the z direction. The protrusions 19 bulge from the main surface 11 in the z direction and extend along the x direction. The protrusions 19 include the protrusions 19. The area of the first surface 81A that was covered by the first mask layer 891 and the second mask layer 892 becomes the top surface 191 of the protrusion 19. Furthermore, the inclination angle α of each of the pair of inclined surfaces 192 of the protrusion 19 relative to the main surface 11 is the same. This is because the protrusion 19 is formed by anisotropic etching.

図9に示す工程では、基材81に主面11および凸部19を形成した後、主面11を覆う二酸化ケイ素の薄膜を熱酸化法により形成してもよい。複数の第1ワイヤ74が個別に接合される複数の個別配線42の基部421には、金属層がめっきにより積層されることがある。当該二酸化ケイ素の薄膜は、めっきにより金属層を積層する際、当該金属層の異常成長を抑制する効果がある。 In the process shown in FIG. 9, after the main surface 11 and the protrusions 19 are formed on the substrate 81, a thin film of silicon dioxide covering the main surface 11 may be formed by thermal oxidation. A metal layer may be laminated by plating on the bases 421 of the multiple individual wirings 42 to which the multiple first wires 74 are individually joined. The thin film of silicon dioxide has the effect of suppressing abnormal growth of the metal layer when the metal layer is laminated by plating.

次いで、図10に示すように、基材81の主面11および凸部19を覆う絶縁層2を形成する。絶縁層2は、プラズマCVDによりオルトケイ酸テトラエチル(TEOS)を原料ガスとして形成された二酸化ケイ素の薄膜を複数回にわたって積層させることによって形成される。 Next, as shown in FIG. 10, an insulating layer 2 is formed to cover the main surface 11 and the protrusions 19 of the substrate 81. The insulating layer 2 is formed by laminating thin films of silicon dioxide formed by plasma CVD using tetraethyl orthosilicate (TEOS) as a raw material gas multiple times.

次いで、図11~図13に示すように、抵抗体層3および配線層4を形成する。抵抗体層3は、x方向に配列された複数の発熱部31を含む。配線層4は、複数の発熱部31に導通する。さらに、配線層4を形成する工程では、共通配線41、および複数の個別配線42を形成する工程を含む。基材81において、共通配線41は、図13に示す抵抗体層3の複数の発熱部31に対してy方向の一方側に位置する。基材81において、複数の個別配線42は、図13に示す複数の発熱部31に対してy方向の他方側に位置する。 Next, as shown in Figures 11 to 13, the resistor layer 3 and the wiring layer 4 are formed. The resistor layer 3 includes a plurality of heat generating portions 31 arranged in the x direction. The wiring layer 4 is electrically connected to the plurality of heat generating portions 31. Furthermore, the process of forming the wiring layer 4 includes a process of forming a common wiring 41 and a plurality of individual wirings 42. In the substrate 81, the common wiring 41 is located on one side in the y direction relative to the plurality of heat generating portions 31 of the resistor layer 3 shown in Figure 13. In the substrate 81, the plurality of individual wirings 42 are located on the other side in the y direction relative to the plurality of heat generating portions 31 shown in Figure 13.

まず、図11に示すように、基材81の主面11および凸部19の上に抵抗体膜82を形成する。抵抗体膜82は、絶縁層2の全面を覆うように形成される。抵抗体膜82は、スパッタリング法により窒化タンタルの薄膜を絶縁層2に積層させることによって形成される。 First, as shown in FIG. 11, a resistor film 82 is formed on the main surface 11 and the protrusions 19 of the substrate 81. The resistor film 82 is formed so as to cover the entire surface of the insulating layer 2. The resistor film 82 is formed by laminating a thin film of tantalum nitride on the insulating layer 2 by a sputtering method.

次いで、図12に示すように、抵抗体膜82の全面を覆う導電層83を形成する。導電層83は、スパッタリング法により銅の薄膜を複数回にわたって抵抗体膜82に積層させることによって形成される。この他、導電層83の形成にあたっては、スパッタリング法によりチタンの薄膜を抵抗体膜82に積層させた後、当該チタンの薄膜に対してスパッタリング法により銅の薄膜を複数回にわたって積層させる手法を採ってもよい。 Next, as shown in FIG. 12, a conductive layer 83 is formed to cover the entire surface of the resistor film 82. The conductive layer 83 is formed by laminating a thin copper film on the resistor film 82 multiple times by a sputtering method. Alternatively, the conductive layer 83 may be formed by laminating a thin titanium film on the resistor film 82 by a sputtering method, and then laminating a thin copper film multiple times on the thin titanium film by a sputtering method.

次いで、図13に示すように、導電層83に対してリソグラフィパターニングを施した後、導電層83の一部を除去する。当該除去は、硫酸(H2SO4)および過酸化水素(H22)の混合溶液を用いたウエットエッチングにより行われる。これにより、共通配線41、および複数の個別配線42が、抵抗体膜82に接して形成される。あわせて、基材81の凸部19の頂面191の上に形成された抵抗体膜82の領域が配線層4から露出する。その後、抵抗体膜82および配線層4に対してリソグラフィパターニングを施した後、抵抗体膜82の一部を除去する。当該除去は、反応性イオンエッチングにより行われる。これにより、抵抗体層3が、基材81の主面11および凸部19の上に形成される。基材81の頂面191の上には、複数の発熱部31が現れる。 13, the conductive layer 83 is lithographically patterned, and then a portion of the conductive layer 83 is removed. The removal is performed by wet etching using a mixed solution of sulfuric acid ( H2SO4 ) and hydrogen peroxide ( H2O2 ). As a result, the common wiring 41 and a plurality of individual wirings 42 are formed in contact with the resistor film 82. In addition, the region of the resistor film 82 formed on the top surface 191 of the protrusion 19 of the substrate 81 is exposed from the wiring layer 4. Thereafter, the resistor film 82 and the wiring layer 4 are lithographically patterned, and then a portion of the resistor film 82 is removed. The removal is performed by reactive ion etching. As a result, the resistor layer 3 is formed on the main surface 11 and the protrusion 19 of the substrate 81. A plurality of heating portions 31 appear on the top surface 191 of the substrate 81.

次いで、図14に示すように、基材81の主面11の一部と、抵抗体層3の複数の発熱部31、および配線層4を覆う保護層5を形成する。保護層5は、プラズマCVDにより窒化ケイ素の薄膜を積層させることによって形成される。 Next, as shown in FIG. 14, a protective layer 5 is formed to cover a portion of the main surface 11 of the substrate 81, the multiple heating portions 31 of the resistor layer 3, and the wiring layer 4. The protective layer 5 is formed by laminating a thin film of silicon nitride by plasma CVD.

次いで、図15に示すように、z方向に貫通する配線開口51を保護層5に形成する。配線開口51は、保護層5に対してリソグラフィパターニングを施した後、保護層5の一部を除去することにより形成される。当該除去は、反応性イオンエッチングにより行われる。これにより、配線開口51から複数の個別配線42の一部(図5に示す複数の個別配線42の基部421、および複数の個別配線42の延出部422の各々の一部)が露出する。複数の個別配線42の各々の一部であり、かつ配線開口51から露出する部分は、たとえばワイヤボンディングにより複数の第1ワイヤ74が個別に接合される基部421をなす。配線開口51から露出する複数の個別配線42の各々の部分(基部421を含む)には、めっきにより金などの金属層を積層してもよい。 15, a wiring opening 51 penetrating in the z-direction is formed in the protective layer 5. The wiring opening 51 is formed by removing a part of the protective layer 5 after lithographic patterning of the protective layer 5. The removal is performed by reactive ion etching. As a result, a part of the multiple individual wirings 42 (the base 421 of the multiple individual wirings 42 shown in FIG. 5 and a part of each of the extensions 422 of the multiple individual wirings 42) is exposed from the wiring opening 51. The part of each of the multiple individual wirings 42 exposed from the wiring opening 51 forms the base 421 to which the multiple first wires 74 are individually bonded by, for example, wire bonding. A metal layer such as gold may be laminated by plating on each part of the multiple individual wirings 42 exposed from the wiring opening 51 (including the base 421).

次いで、図16に示すように、主面11から凹み、かつz方向に対して直交する方向(サーマルプリントヘッドA10ではx方向)に延びる溝部811を基材81に形成する。溝部811は、底面811A、および一対の傾斜面811Bを有する。底面811Aは、z方向において主面11と裏面12との間に位置する。一対の傾斜面811Bは、サーマルプリントヘッドA10においてはy方向に互いに離れて位置し、かつ底面811Aおよび主面11につながっている。一対の傾斜面811Bは、z方向において主面11から底面811Aに向かうほど互いに近づくように傾斜している。 Next, as shown in FIG. 16, a groove 811 is formed in the substrate 81, recessed from the main surface 11 and extending in a direction perpendicular to the z direction (x direction in the case of the thermal printhead A10). The groove 811 has a bottom surface 811A and a pair of inclined surfaces 811B. The bottom surface 811A is located between the main surface 11 and the back surface 12 in the z direction. The pair of inclined surfaces 811B are located apart from each other in the y direction in the thermal printhead A10, and are connected to the bottom surface 811A and the main surface 11. The pair of inclined surfaces 811B are inclined so as to approach each other in the z direction from the main surface 11 toward the bottom surface 811A.

図16に示すように、基材81の溝部811は、第1ブレード87を用いて形成される。図17に示すように、第1ブレード87は、基部871および刃先部872を有する。刃先部872は、基部871から第1ブレード87の径方向に延び、かつ第1ブレード87の周方向において基部871を囲んでいる。第1ブレード87をy方向の周りに回転させ、かつ刃先部872を基材81に接触させることによって、基材81に溝部811が形成される。刃先部872の厚さt2は、基部871から第1ブレード87の径方向に離れるほど徐々に小である。したがって、刃先部872には、テーパが付されている。 As shown in FIG. 16, the groove 811 of the substrate 81 is formed using the first blade 87. As shown in FIG. 17, the first blade 87 has a base 871 and a cutting edge 872. The cutting edge 872 extends from the base 871 in the radial direction of the first blade 87 and surrounds the base 871 in the circumferential direction of the first blade 87. The groove 811 is formed in the substrate 81 by rotating the first blade 87 in the y direction and bringing the cutting edge 872 into contact with the substrate 81. The thickness t2 of the cutting edge 872 gradually decreases the farther away from the base 871 in the radial direction of the first blade 87. Thus, the cutting edge 872 is tapered.

図17に示すように、第1ブレード87の周方向に対する刃先部872の横断面形状は、台形状である。この他、図18に示すように、刃先部872の当該横断面形状は、三角形状でもよい。 As shown in FIG. 17, the cross-sectional shape of the cutting edge 872 in the circumferential direction of the first blade 87 is trapezoidal. Alternatively, as shown in FIG. 18, the cross-sectional shape of the cutting edge 872 may be triangular.

図16に示す基材81に溝部811を形成する工程では、第1ブレード87を用いる方法の他に、絶縁層2および保護層5の一部を除去した後に、図9に示す異方性エッチングにより溝部811を形成してもよい。 In the process of forming the groove portion 811 in the substrate 81 shown in FIG. 16, in addition to the method using the first blade 87, the groove portion 811 may be formed by removing a portion of the insulating layer 2 and the protective layer 5 and then performing anisotropic etching as shown in FIG. 9.

次いで、図19に示すように、x方向およびy方向に沿って基材81を厚さ方向に切断する。これにより得られた個片が、基板1を含むサーマルプリントヘッドA10の要部となる。本工程では、第2ブレード88を用いて基材81が切断される。図20に示すように、第2ブレード88の厚さt3は、図17および図18に示す第1ブレード87の基部871の厚さt1よりも小である。本工程のうち基材81をx方向に沿って切断する工程では、図20に示すように、基材81の切断線CLが溝部811を通過するように設定する。さらに基材81をx方向に沿って切断する工程では、溝部811の底面811Aに第2ブレード88を接触させ、かつ溝部811の傾斜面811Bから第2ブレード88を離すようにする。 Next, as shown in FIG. 19, the substrate 81 is cut in the thickness direction along the x and y directions. The pieces thus obtained become the main parts of the thermal printhead A10 including the substrate 1. In this process, the substrate 81 is cut using the second blade 88. As shown in FIG. 20, the thickness t3 of the second blade 88 is smaller than the thickness t1 of the base 871 of the first blade 87 shown in FIG. 17 and FIG. 18. In this process, the cutting line CL of the substrate 81 is set to pass through the groove 811 as shown in FIG. 20. Furthermore, in the process of cutting the substrate 81 along the x direction, the second blade 88 is brought into contact with the bottom surface 811A of the groove 811 and is separated from the inclined surface 811B of the groove 811.

次いで、配線基板71に複数の駆動素子73、およびコネクタ77を搭載する。次いで、基板1の裏面12、および配線基板71を放熱部材72に接合させる。次いで、配線基板71に対して複数の第1ワイヤ74、および複数の第2ワイヤ75の接合を行う。最後に、基板1および配線基板71に対して、駆動素子73、複数の第1ワイヤ74、および複数の第2ワイヤ75を覆う封止樹脂76の形成を行う。以上の工程を経ることによって、サーマルプリントヘッドA10が得られる。 Next, a plurality of driving elements 73 and a connector 77 are mounted on the wiring board 71. Next, the rear surface 12 of the substrate 1 and the wiring board 71 are bonded to the heat dissipation member 72. Next, a plurality of first wires 74 and a plurality of second wires 75 are bonded to the wiring board 71. Finally, a sealing resin 76 is formed on the substrate 1 and the wiring board 71 to cover the driving elements 73, the plurality of first wires 74, and the plurality of second wires 75. Through the above steps, the thermal printhead A10 is obtained.

<第1変形例>
次に、図21に基づき、サーマルプリントヘッドA10の変形例であるサーマルプリントヘッドA11について説明する。ここで、図21の断面位置は、図7の断面位置と同一である。
<First Modification>
Next, a thermal printhead A11, which is a modification of the thermal printhead A10, will be described with reference to Fig. 21. The cross-sectional position of Fig. 21 is the same as that of Fig. 7.

図21に示すように、サーマルプリントヘッドA11においては、基板1の構成がサーマルプリントヘッドA10の当該構成と異なる。基板1の第2端面14は、基板1の第1端面13につながっている。したがって、サーマルプリントヘッドA11の基板1は、中間面15を有さない構成となっている。本構成は、図19に示すサーマルプリントヘッドA10の製造工程において、第2ブレード88が溝部811の底面811Aおよび傾斜面811Bに接触するように、第2ブレード88の厚さt3を設定することにより得られる。 As shown in FIG. 21, in thermal printhead A11, the configuration of substrate 1 is different from that of thermal printhead A10. The second end surface 14 of substrate 1 is connected to the first end surface 13 of substrate 1. Therefore, substrate 1 of thermal printhead A11 does not have an intermediate surface 15. This configuration is obtained by setting thickness t3 of second blade 88 so that second blade 88 contacts bottom surface 811A and inclined surface 811B of groove portion 811 in the manufacturing process of thermal printhead A10 shown in FIG. 19.

<第2変形例>
次に、図22に基づき、サーマルプリントヘッドA10の変形例であるサーマルプリントヘッドA12について説明する。ここで、図22の断面位置は、図7の断面位置と同一である。
<Second Modification>
Next, a thermal printhead A12, which is a modification of the thermal printhead A10, will be described with reference to Fig. 22. The cross-sectional position of Fig. 22 is the same as that of Fig. 7.

図22に示すように、サーマルプリントヘッドA12においては、基板1の構成がサーマルプリントヘッドA10の当該構成と異なる。基板1の第1端面13は、基板1の裏面12につながっている。したがって、サーマルプリントヘッドA12の基板1は、第2端面14および中間面15を有さない構成となっている。本構成は、図16に示すサーマルプリントヘッドA10の製造工程において、第1ブレード87を用いてz方向に貫通する溝部811を基材81に形成することにより得られる。 As shown in FIG. 22, in thermal printhead A12, the configuration of substrate 1 differs from that of thermal printhead A10. The first end surface 13 of substrate 1 is connected to the rear surface 12 of substrate 1. Therefore, substrate 1 of thermal printhead A12 does not have a second end surface 14 or an intermediate surface 15. This configuration is obtained by forming a groove portion 811 penetrating in the z direction in substrate 81 using a first blade 87 in the manufacturing process of thermal printhead A10 shown in FIG. 16.

<第3変形例>
次に、図23に基づき、サーマルプリントヘッドA10の変形例であるサーマルプリントヘッドA13について説明する。ここで、図23の断面位置は、図7の断面位置と同一である。
<Third Modification>
Next, a thermal printhead A13, which is a modification of the thermal printhead A10, will be described with reference to Fig. 23. The cross-sectional position of Fig. 23 is the same as that of Fig. 7.

図23に示すように、サーマルプリントヘッドA13においては、保護層5の構成がサーマルプリントヘッドA10の当該構成と異なる。保護層5の端面52は、基板1の主面11に対して直交している。z方向に沿って視て、端面52は、絶縁層2の周縁よりも配線層4が位置する側に寄って位置する。本構成は、図15に示すサーマルプリントヘッドA10の製造工程において、z方向に沿って視て図16に示す基材81の溝部811に重なる開口を保護層5に形成することにより得られる。当該開口は、配線開口51と同時に形成される。 As shown in FIG. 23, in the thermal printhead A13, the configuration of the protective layer 5 differs from that of the thermal printhead A10. The end face 52 of the protective layer 5 is perpendicular to the main surface 11 of the substrate 1. When viewed along the z direction, the end face 52 is located closer to the side where the wiring layer 4 is located than the periphery of the insulating layer 2. This configuration is obtained in the manufacturing process of the thermal printhead A10 shown in FIG. 15 by forming an opening in the protective layer 5 that overlaps with the groove portion 811 of the base material 81 shown in FIG. 16 when viewed along the z direction. The opening is formed at the same time as the wiring opening 51.

次に、サーマルプリントヘッドA10の作用効果について説明する。 Next, we will explain the effects of the thermal printhead A10.

サーマルプリントヘッドA10は、z方向において互いに反対側を向く主面11および裏面12と、主面11につながる第1端面13とを有する基板1を備える。第1端面13は、z方向に沿って視て裏面12に重なり、かつz方向において裏面12が位置する側に主面11に対して傾斜している。抵抗体層3および配線層4から第1端面13が露出している。これにより、サーマルプリントヘッドA10の製造工程のうち基材81(基板1)をz方向に切断する工程(図19参照)では、基材81は、少なくとも主面11から離れた位置で切断されることとなる。このため、主面11の周縁(サーマルプリントヘッドA10では第1縁11A)に欠損が発生しなくなる。したがって、サーマルプリントヘッドA10によれば、サーマルプリントヘッドA10の製造時に発生する基板1の欠損に起因した配線層4の損傷を防ぐことが可能となる。 The thermal printhead A10 includes a substrate 1 having a main surface 11 and a back surface 12 facing opposite sides in the z direction, and a first end surface 13 connected to the main surface 11. The first end surface 13 overlaps the back surface 12 when viewed along the z direction, and is inclined in the z direction with respect to the main surface 11 toward the side where the back surface 12 is located. The first end surface 13 is exposed from the resistor layer 3 and the wiring layer 4. As a result, in the step of cutting the substrate 81 (substrate 1) in the z direction (see FIG. 19) in the manufacturing process of the thermal printhead A10, the substrate 81 is cut at a position at least away from the main surface 11. Therefore, defects do not occur on the periphery of the main surface 11 (first edge 11A in the thermal printhead A10). Therefore, according to the thermal printhead A10, it is possible to prevent damage to the wiring layer 4 caused by defects in the substrate 1 that occur during the manufacturing of the thermal printhead A10.

サーマルプリントヘッドA10の製造においては、図16に示す基材81に溝部811を形成する工程を経た後に、図19に示す基材81をz方向に切断する工程がなされる。溝部811は、主面11に対して傾斜した傾斜面811Bを有する。これにより、溝部811を形成する際に主面11の周縁に作用するz方向の外力が低減されるため、欠損が発生することなく基材81に溝部811を形成することができる。さらに基材81をz方向に切断する工程において、図20に示すように溝部811を通過するように基材81の切断線CLを設定することによって、主面11の周縁に欠損が発生することなく基材81を切断することができる。 In the manufacture of the thermal printhead A10, after the step of forming the grooves 811 in the substrate 81 shown in FIG. 16, the step of cutting the substrate 81 in the z direction shown in FIG. 19 is performed. The grooves 811 have an inclined surface 811B inclined with respect to the main surface 11. This reduces the external force in the z direction acting on the periphery of the main surface 11 when forming the grooves 811, so that the grooves 811 can be formed in the substrate 81 without causing defects. Furthermore, in the step of cutting the substrate 81 in the z direction, by setting the cutting line CL of the substrate 81 to pass through the grooves 811 as shown in FIG. 20, the substrate 81 can be cut without causing defects on the periphery of the main surface 11.

サーマルプリントヘッドA10の製造工程のうち基材81に溝部811を形成する工程(図16参照)では、第1ブレード87を用いて溝部811が形成される。第1ブレード87は、基部871および刃先部872を有する。刃先部872の厚さt2は、基部871から第1ブレード87の径方向に離れるほど徐々に小である。これにより、傾斜面811Bを有する溝部811を基材81に形成することができる。 In the process of forming grooves 811 in substrate 81 (see FIG. 16) during the manufacturing process of thermal printhead A10, grooves 811 are formed using a first blade 87. First blade 87 has a base 871 and a cutting edge 872. The thickness t2 of cutting edge 872 gradually decreases the farther away from base 871 in the radial direction of first blade 87. This allows grooves 811 with inclined surfaces 811B to be formed in substrate 81.

サーマルプリントヘッドA10の製造工程のうち基材81をz方向に切断する工程(図19参照)では、第2ブレード88を用いて基材81が切断される。第2ブレード88の厚さt3は、第1ブレード87の基部871の厚さt1よりも小である。これにより、基材81の主面11の周縁に第2ブレード88が接触することなく、基材81を切断することができる。 In the process of cutting the substrate 81 in the z direction (see FIG. 19) during the manufacturing process of the thermal printhead A10, the substrate 81 is cut using a second blade 88. The thickness t3 of the second blade 88 is smaller than the thickness t1 of the base 871 of the first blade 87. This allows the substrate 81 to be cut without the second blade 88 coming into contact with the periphery of the main surface 11 of the substrate 81.

基板1は、裏面12につながる第2端面14を有する。第2端面14は、z方向に対して直交する方向において第1端面13に対して主面11とは反対側に位置する。抵抗体層3および配線層4から第2端面14が露出している。さらに主面11に対する第1端面13の傾斜角β1は、裏面12に対する第2端面14の傾斜角β2よりも小である。これにより、第1端面13を有する基板1の寸法の拡大を抑制することができる。 The substrate 1 has a second end surface 14 connected to the back surface 12. The second end surface 14 is located on the opposite side of the first end surface 13 to the main surface 11 in a direction perpendicular to the z direction. The second end surface 14 is exposed from the resistor layer 3 and the wiring layer 4. Furthermore, the inclination angle β1 of the first end surface 13 with respect to the main surface 11 is smaller than the inclination angle β2 of the second end surface 14 with respect to the back surface 12. This makes it possible to suppress the expansion of the dimensions of the substrate 1 having the first end surface 13.

基板1は、z方向を向き、かつ第1端面13および第2端面14につながる中間面15を有する。抵抗体層3および配線層4から中間面15が露出している。これにより、サーマルプリントヘッドA10の製造工程のうち基材81をz方向に切断する工程(図19参照)では、基材81は、主面11および第1端面13から離れた位置で切断されることとなる。したがって、主面11の周縁に欠損が発生することを、より確実に防止できる。 The substrate 1 has an intermediate surface 15 that faces the z direction and is connected to the first end surface 13 and the second end surface 14. The intermediate surface 15 is exposed from the resistor layer 3 and the wiring layer 4. As a result, in the process of cutting the substrate 81 in the z direction (see FIG. 19) during the manufacturing process of the thermal printhead A10, the substrate 81 is cut at a position away from the main surface 11 and the first end surface 13. This makes it possible to more reliably prevent defects from occurring around the periphery of the main surface 11.

基板1は、半導体材料からなる。当該半導体材料は、ケイ素を組成とする単結晶材料を含む。これにより、基板1の熱伝導率を比較的大(約170W/(m・K))としつつ、基板1のコストを縮減することができる。第1端面13を有する基板1は、特にこのような材料からなる基板1の欠損を防ぐ上で有益な構成である。 The substrate 1 is made of a semiconductor material. The semiconductor material includes a single crystal material composed of silicon. This allows the cost of the substrate 1 to be reduced while still providing a relatively high thermal conductivity (approximately 170 W/(m·K)). The substrate 1 having the first end surface 13 is particularly useful for preventing damage to the substrate 1 made of such a material.

基板1は、主面11からz方向に突出する凸部19を有する。抵抗体層3の複数の発熱部31は、凸部19の上に形成されている。これにより、図4に示す記録媒体78への印字の際、サーマルプリントヘッドA10に対する記録媒体78の接触面積を最小限に抑えつつ、複数の発熱部31からの熱を記録媒体78に伝えることができる。これにより、記録媒体78への印字の品質の向上が図られる。 The substrate 1 has a protrusion 19 that protrudes from the main surface 11 in the z direction. The multiple heat generating portions 31 of the resistor layer 3 are formed on the protrusions 19. This allows heat from the multiple heat generating portions 31 to be transferred to the recording medium 78 while minimizing the contact area of the recording medium 78 with the thermal print head A10 when printing on the recording medium 78 shown in FIG. 4. This improves the quality of printing on the recording medium 78.

サーマルプリントヘッドA10は、抵抗体層3の複数の発熱部31、および配線層4を覆う保護層5をさらに備える。これにより、複数の発熱部31、および配線層4が保護層5により保護されるとともに、サーマルプリントヘッドA10の使用の際、サーマルプリントヘッドA10に対する記録媒体78の接触がより円滑になる。 The thermal printhead A10 further includes a protective layer 5 that covers the multiple heat generating portions 31 of the resistor layer 3 and the wiring layer 4. This allows the multiple heat generating portions 31 and the wiring layer 4 to be protected by the protective layer 5, and also allows the recording medium 78 to come into contact with the thermal printhead A10 more smoothly when the thermal printhead A10 is in use.

サーマルプリントヘッドA10は、放熱部材72をさらに備える。基板1の裏面12は、放熱部材72に接合されている。これにより、サーマルプリントヘッドA10の使用時において、複数の発熱部31から発した熱の一部を、基板1および放熱部材72を介して速やかに外部に放出させることができる。 The thermal printhead A10 further includes a heat dissipation member 72. The rear surface 12 of the substrate 1 is joined to the heat dissipation member 72. This allows a portion of the heat generated by the multiple heat generating parts 31 to be quickly dissipated to the outside via the substrate 1 and the heat dissipation member 72 when the thermal printhead A10 is in use.

〔第2実施形態〕
図24~図27に基づき、本開示の第2実施形態にかかるサーマルプリントヘッドA20について説明する。これらの図において、先述したサーマルプリントヘッドA10と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図24は、理解の便宜上、保護層5を透過している。
Second Embodiment
A thermal printhead A20 according to a second embodiment of the present disclosure will be described with reference to Figures 24 to 27. In these figures, elements that are the same as or similar to those of the thermal printhead A10 described above are given the same reference numerals, and duplicated explanations will be omitted. Here, for ease of understanding, Figure 24 shows the protective layer 5 through which the image is viewed.

サーマルプリントヘッドA20においては、基板1の構成が先述したサーマルプリントヘッドA10の当該構成と異なる。 In thermal printhead A20, the configuration of substrate 1 differs from that of thermal printhead A10 described above.

図24に示すように、基板1の第1端面13は、第1領域131および第2領域132を含む。第1領域131は、基板1の主面11の第1縁11Aにつながっている。第2領域132は、主面11の第2縁11Bと、第1領域131とにつながっている。さらに基板1の第2端面14は、第3領域141および第4領域142を含む。第3領域141は、x方向に延びている。第4領域142は、y方向に延び、かつ第3領域141につながっている。 As shown in FIG. 24, the first end surface 13 of the substrate 1 includes a first region 131 and a second region 132. The first region 131 is connected to a first edge 11A of the main surface 11 of the substrate 1. The second region 132 is connected to a second edge 11B of the main surface 11 and to the first region 131. Furthermore, the second end surface 14 of the substrate 1 includes a third region 141 and a fourth region 142. The third region 141 extends in the x direction. The fourth region 142 extends in the y direction and is connected to the third region 141.

図24に示すように、第1領域131は、主面11に対して傾斜角β1で傾斜している。図25に示すように、第2領域132は、主面11に対して傾斜角β1で傾斜している。したがって、サーマルプリントヘッドA20においては、主面11に対する第2領域132の傾斜角は、主面11に対する第1領域131の傾斜角に等しい。ただし、主面11に対する第2領域132の傾斜角は、主面11に対する第1領域131の傾斜角と異なる場合でもよい。 As shown in FIG. 24, the first region 131 is inclined at an inclination angle β1 with respect to the main surface 11. As shown in FIG. 25, the second region 132 is inclined at an inclination angle β1 with respect to the main surface 11. Therefore, in the thermal printhead A20, the inclination angle of the second region 132 with respect to the main surface 11 is equal to the inclination angle of the first region 131 with respect to the main surface 11. However, the inclination angle of the second region 132 with respect to the main surface 11 may be different from the inclination angle of the first region 131 with respect to the main surface 11.

図24に示すように、基板1は、稜線16を有する。稜線16は、第1領域131と第2領域132との境界をなす。図27に示すように、稜線16は、主面11に対して傾斜角γで傾斜している。傾斜角γは、図25および図26に示す主面11に対する第1端面13の傾斜角β1よりも小である。 As shown in FIG. 24, the substrate 1 has a ridge 16. The ridge 16 forms a boundary between a first region 131 and a second region 132. As shown in FIG. 27, the ridge 16 is inclined at an inclination angle γ with respect to the main surface 11. The inclination angle γ is smaller than the inclination angle β1 of the first end surface 13 with respect to the main surface 11 shown in FIG. 25 and FIG. 26.

サーマルプリントヘッドA20においても、先述のサーマルプリントヘッドA11と同様に、基板1が中間面15を有さない構成(図21参照)としてもよい。サーマルプリントヘッドA20においても、先述のサーマルプリントヘッドA12と同様に、基板1が第2端面14および中間面15を有さない構成(図22参照)としてもよい。さらにサーマルプリントヘッドA20においても、先述のサーマルプリントヘッドA13と同様な保護層5の端面52の構成(図23参照)としてもよい。 Thermal printhead A20 may have a configuration in which the substrate 1 does not have an intermediate surface 15 (see FIG. 21), similar to the thermal printhead A11 described above. Thermal printhead A20 may have a configuration in which the substrate 1 does not have a second end surface 14 and an intermediate surface 15 (see FIG. 22), similar to the thermal printhead A12 described above. Furthermore, thermal printhead A20 may have an end surface 52 of the protective layer 5 similar to the thermal printhead A13 described above (see FIG. 23).

次に、サーマルプリントヘッドA20の作用効果について説明する。 Next, we will explain the effects of the thermal printhead A20.

サーマルプリントヘッドA20は、z方向において互いに反対側を向く主面11および裏面12と、主面11につながる第1端面13とを有する基板1を備える。第1端面13は、z方向に沿って視て裏面12に重なり、かつz方向において裏面12が位置する側に主面11に対して傾斜している。抵抗体層3および配線層4から第1端面13が露出している。したがって、サーマルプリントヘッドA20によっても、サーマルプリントヘッドA20の製造時に発生する基板1の欠損に起因した配線層4の損傷を防ぐことが可能となる。 The thermal printhead A20 includes a substrate 1 having a main surface 11 and a back surface 12 facing opposite each other in the z direction, and a first end surface 13 connected to the main surface 11. The first end surface 13 overlaps the back surface 12 when viewed along the z direction, and is inclined relative to the main surface 11 in the z direction toward the side where the back surface 12 is located. The first end surface 13 is exposed from the resistor layer 3 and the wiring layer 4. Therefore, the thermal printhead A20 also makes it possible to prevent damage to the wiring layer 4 caused by defects in the substrate 1 that occur during the manufacture of the thermal printhead A20.

基板1の主面11は、x方向に延び、かつ抵抗体層3から最も近くに位置する第1縁11Aと、y方向に延びる第2縁11Bとを含む。サーマルプリントヘッドA20においては、基板1の第1端面13は、第1縁11Aにつながる第1領域131と、第2縁11Bにつながる第2領域132とを含む。これにより、サーマルプリントヘッドA20の製造工程のうち基材81(基板1)をz方向に切断する工程(図19参照)では、x方向に延びる第1縁11Aと、y方向に延びる第2縁11Bとの双方に欠損が発生することを防止できる。 The main surface 11 of the substrate 1 includes a first edge 11A that extends in the x direction and is located closest to the resistor layer 3, and a second edge 11B that extends in the y direction. In the thermal printhead A20, the first end face 13 of the substrate 1 includes a first region 131 that is connected to the first edge 11A, and a second region 132 that is connected to the second edge 11B. This makes it possible to prevent defects from occurring on both the first edge 11A that extends in the x direction and the second edge 11B that extends in the y direction in the process of cutting the base material 81 (substrate 1) in the z direction (see FIG. 19) during the manufacturing process of the thermal printhead A20.

基板1は、第1領域131と第2領域132の境界をなす稜線16を有する。稜線16は、基板1の主面11に対して傾斜している。これにより、主面11の隅に位置する周縁に欠損が発生することを防止できる。この場合において、主面11に対する稜線16の傾斜角γは、主面11に対する第1端面13の傾斜角β1よりも小であることが、当該欠損の発生をより効果的に防止できる。したがって、基板1に欠損が発生することを防止する上で、本構成は最も適したものとなる。 The substrate 1 has a ridge 16 that forms the boundary between the first region 131 and the second region 132. The ridge 16 is inclined with respect to the main surface 11 of the substrate 1. This makes it possible to prevent defects from occurring on the periphery located at the corners of the main surface 11. In this case, the inclination angle γ of the ridge 16 with respect to the main surface 11 is smaller than the inclination angle β1 of the first end face 13 with respect to the main surface 11, which makes it possible to more effectively prevent the occurrence of such defects. Therefore, this configuration is most suitable for preventing defects from occurring in the substrate 1.

本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。 This disclosure is not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of this disclosure can be freely designed in various ways.

本開示によって提供されるサーマルプリントヘッドおよびその製造方法の技術的構成について、以下に付記する。
[付記1]
厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記主面につながる第1端面と、を有する基板と、
主走査方向に配列された複数の発熱部を含むとともに、前記主面の上に少なくとも一部が形成された抵抗体層と、
前記複数の発熱部に導通し、かつ前記抵抗体層に接して形成された配線層と、を備え、
前記第1端面は、前記厚さ方向に沿って視て前記裏面に重なり、かつ前記厚さ方向において前記裏面が位置する側に前記主面に対して傾斜しており、
前記抵抗体層および前記配線層から前記第1端面が露出している、サーマルプリントヘッド。
[付記2]
前記主面は、前記主走査方向に延び、かつ前記抵抗体層から最も近くに位置する第1縁と、副走査方向に延びる第2縁と、を含み、
前記第1端面は、前記第1縁につながる第1領域と、前記第2縁につながる第2領域と、
を含む、付記1に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記3]
前記基板は、前記第1領域と前記第2領域との境界をなす稜線を有し、
前記稜線は、前記主面に対して傾斜している、付記2に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記4]
前記主面に対する前記稜線の傾斜角は、前記主面に対する前記第1端面の傾斜角よりも小である、付記3に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記5]
前記基板は、前記裏面につながる第2端面を有し、
前記第2端面は、前記厚さ方向に対して直交する方向において前記第1端面に対して前記主面とは反対側に位置しており、
前記抵抗体層および前記配線層から前記第2端面が露出している、付記1ないし4のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記6]
前記主面に対する前記第1端面の傾斜角は、前記裏面に対する前記第2端面の傾斜角よりも小である、付記5に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記7]
前記基板は、前記厚さ方向を向き、かつ前記第1端面および前記第2端面につながる中間面を有し、
前記抵抗体層および前記配線層から前記中間面が露出している、付記6に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記8]
前記第2端面は、前記第1端面につながっている、付記6に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記9]
前記基板は、半導体材料からなり、
前記半導体材料は、ケイ素を組成とする単結晶材料を含む、付記1ないし8のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記10]
前記基板は、前記主面から前記厚さ方向に突出する凸部を有し、
前記複数の発熱部は、前記凸部の上に形成されている、付記9に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記11]
前記主面を覆う絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層は、前記基板と前記抵抗体層との間に位置しており、
前記絶縁層から前記第1端面が露出している、付記9または10に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記12]
前記配線層は、共通配線と、複数の個別配線と、を含み、
前記共通配線は、前記複数の発熱部に導通しており、
前記複数の個別配線は、前記複数の発熱部に個別に導通している、付記1ないし11のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記13]
前記複数の発熱部、および前記配線層を覆う保護層をさらに備え、
前記保護層から前記第1端面が露出している、付記1ないし12のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記14]
放熱部材をさらに備え、
前記裏面は、前記放熱部材に接合されている、付記1ないし13のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記15]
厚さ方向を向く主面を有する基材において、前記主面の上に主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層を形成する工程と、
前記複数の発熱部に導通する配線層を前記抵抗体層に接して形成する工程と、
前記基材を前記厚さ方向に切断する工程と、を備え、
前記配線層を形成する工程と、前記基材を切断する工程と、の間に、
前記主面から凹み、かつ前記厚さ方向に対して直交する方向に沿って延びる溝部を前記基材に形成する工程をさらに備え、
前記溝部は、前記主面につながり、かつ前記主面に対して傾斜した傾斜面を有し、
前記基材を切断する工程では、前記基材の切断線が前記溝部を通過する、サーマルプリントヘッドの製造方法。
[付記16]
前記溝部を形成する工程では、第1ブレードを用いて前記溝部が形成され、
前記第1ブレードは、基部と、前記基部から前記第1ブレードの径方向に延び、かつ前記第1ブレードの周方向において前記基部を囲む刃先部と、を有し、
前記刃先部の厚さは、前記基部から前記径方向に離れるほど徐々に小である、付記15に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
[付記17]
前記基材を切断する工程では、第2ブレードを用いて前記基材が切断され、
前記第2ブレードの厚さは、前記基部の厚さよりも小である、付記16に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
The technical configurations of the thermal printhead and the manufacturing method thereof provided by the present disclosure are described below.
[Appendix 1]
a substrate having a main surface and a back surface facing in opposite directions in a thickness direction, and a first end surface connected to the main surface;
a resistor layer including a plurality of heat generating portions arranged in a main scanning direction and at least a portion of which is formed on the main surface;
a wiring layer that is electrically connected to the plurality of heat generating portions and is formed in contact with the resistor layer,
the first end surface overlaps the back surface when viewed along the thickness direction and is inclined with respect to the main surface toward a side where the back surface is located in the thickness direction,
the first end surface is exposed from the resistor layer and the wiring layer.
[Appendix 2]
the main surface includes a first edge extending in the main scanning direction and located closest to the resistor layer, and a second edge extending in a sub-scanning direction;
The first end surface has a first region connected to the first edge and a second region connected to the second edge,
2. The thermal printhead of claim 1, comprising:
[Appendix 3]
the substrate has a ridge that defines a boundary between the first region and the second region;
3. The thermal printhead of claim 2, wherein the ridge line is inclined with respect to the main surface.
[Appendix 4]
4. The thermal printhead of claim 3, wherein an inclination angle of the ridge line relative to the main surface is smaller than an inclination angle of the first end surface relative to the main surface.
[Appendix 5]
the substrate has a second end surface connected to the back surface,
the second end surface is located on an opposite side of the first end surface from the main surface in a direction perpendicular to the thickness direction,
5. The thermal printhead according to claim 1, wherein the second end surface is exposed from the resistor layer and the wiring layer.
[Appendix 6]
6. The thermal printhead of claim 5, wherein an inclination angle of the first end surface with respect to the main surface is smaller than an inclination angle of the second end surface with respect to the back surface.
[Appendix 7]
the substrate has an intermediate surface that faces the thickness direction and is connected to the first end surface and the second end surface;
7. The thermal printhead of claim 6, wherein the intermediate surface is exposed from the resistor layer and the wiring layer.
[Appendix 8]
7. The thermal printhead of claim 6, wherein the second end surface is connected to the first end surface.
[Appendix 9]
the substrate is made of a semiconductor material;
A thermal printhead as described in any one of appendix 1 to 8, wherein the semiconductor material includes a single crystal material composed of silicon.
[Appendix 10]
the substrate has a protrusion protruding from the main surface in the thickness direction,
10. The thermal printhead of claim 9, wherein the plurality of heat generating portions are formed on the convex portion.
[Appendix 11]
Further comprising an insulating layer covering the main surface,
the insulating layer is located between the substrate and the resistor layer;
11. The thermal printhead of claim 9, wherein the first end surface is exposed from the insulating layer.
[Appendix 12]
the wiring layer includes a common wiring and a plurality of individual wirings;
the common wiring is electrically connected to the plurality of heat generating portions,
12. The thermal printhead according to claim 1, wherein the individual wirings are individually connected to the heat generating portions.
[Appendix 13]
a protective layer covering the plurality of heat generating portions and the wiring layer;
13. The thermal printhead according to claim 1, wherein the first end surface is exposed from the protective layer.
[Appendix 14]
Further comprising a heat dissipation member,
14. The thermal printhead according to claim 1, wherein the rear surface is joined to the heat dissipation member.
[Appendix 15]
A step of forming a resistor layer including a plurality of heating portions arranged in a main scanning direction on a substrate having a main surface facing a thickness direction;
forming a wiring layer that is electrically connected to the plurality of heat generating portions in contact with the resistor layer;
cutting the base material in the thickness direction;
Between the step of forming the wiring layer and the step of cutting the base material,
The method further includes a step of forming a groove portion in the base material, the groove portion being recessed from the main surface and extending along a direction perpendicular to the thickness direction,
the groove portion has an inclined surface that is connected to the main surface and is inclined with respect to the main surface,
In the step of cutting the substrate, a cutting line of the substrate passes through the groove.
[Appendix 16]
In the step of forming the groove portion, the groove portion is formed using a first blade,
The first blade has a base portion and a cutting edge portion extending from the base portion in a radial direction of the first blade and surrounding the base portion in a circumferential direction of the first blade,
16. The method for manufacturing a thermal printhead according to claim 15, wherein the thickness of the cutting edge portion gradually decreases as the cutting edge portion moves away from the base portion in the radial direction.
[Appendix 17]
In the step of cutting the base material, the base material is cut using a second blade,
17. The method of claim 16, wherein the thickness of the second blade is less than the thickness of the base.

A10,A20,A30:サーマルプリントヘッド
B10:サーマルプリンタ
1:基板
11:主面
11A:第1縁
11B:第2縁
12:裏面
13:第1端面
131:第1領域
132:第2領域
14:第2端面
141:第3領域
142:第4領域
15:中間面
16:稜線
19:凸部
191:頂面
192:傾斜面
2:絶縁層
3:抵抗体層
31:発熱部
4:配線層
41:共通配線
411:基部
412:延出部
42:個別配線
421:基部
422:延出部
5:保護層
51:配線開口
52:端面
71:配線基板
72:放熱部材
73:駆動素子
74:第1ワイヤ
75:第2ワイヤ
76:封止樹脂
77:コネクタ
79:プラテンローラ
81:基材
81A:第1面
81B:第2面
811:溝部
811A:底面
811B:傾斜面
82:抵抗体膜
83:導電層
87:第1ブレード
871:基部
872:刃先部
88:第2ブレード
891:第1マスク層
892:第2マスク層
α,β1,β2,γ:傾斜角
t1,t2,t3:厚さ
A10, A20, A30: Thermal print head B10: Thermal printer 1: Substrate 11: Main surface 11A: First edge 11B: Second edge 12: Back surface 13: First end surface 131: First region 132: Second region 14: Second end surface 141: Third region 142: Fourth region 15: Intermediate surface 16: Ridge line 19: Convex portion 191: Top surface 192: Inclined surface 2: Insulating layer 3: Resistor layer 31: Heat generating portion 4: Wiring layer 41: Common wiring 411: Base 412: Extension portion 42: Individual wiring 421: Base 422: Extension portion 5: Protective layer 51: Wiring opening 52: End surface 71: Wiring substrate 72: Heat dissipation member 73: Driving element 74: First wire 75: Second wire 76: Sealing resin 77: Connector 79: Platen roller 81: Base material 81A: First surface 81B: Second surface 811: Groove portion 811A: Bottom surface 811B: Inclined surface 82: Resistor film 83: Conductive layer 87: First blade 871: Base portion 872: Blade tip portion 88: Second blade 891: First mask layer 892: Second mask layer α, β1, β2, γ: Inclined angles t1, t2, t3: Thickness

Claims (12)

厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記主面につながる第1端面と、前記裏面につながる第2端面と、を有する基板と、
主走査方向に配列された複数の発熱部を含むとともに、前記主面の上に少なくとも一部が形成された抵抗体層と、
前記複数の発熱部に導通し、かつ前記抵抗体層に接して形成された配線層と、を備え、
前記第1端面および前記第2端面の各々は、前記厚さ方向において前記主面と前記裏面との間に位置しており、
前記第1端面は、前記厚さ方向視て前記裏面に重なっており、
前記第2端面は、前記厚さ方向に対して直交する方向において前記第1端面に対して前記主面とは反対側に位置しており、
前記第1端面は、前記厚さ方向に対して直交する方向において前記第2端面が位置する側に前記主面に対して傾斜しており、
前記主面に対する前記第1端面の傾斜角は、前記裏面に対する前記第2端面の傾斜角よりも小であり、
前記基板は、前記厚さ方向を向き、かつ前記第1端面および前記第2端面につながる中間面を有し、
前記厚さ方向に視て、前記第1端面、前記第2端面および前記中間面の各々は、前記抵抗体層および前記配線層から離れている、サーマルプリントヘッド。
a substrate having a main surface and a back surface facing in opposite directions in a thickness direction, a first end surface connected to the main surface, and a second end surface connected to the back surface ;
a resistor layer including a plurality of heat generating portions arranged in a main scanning direction and at least a portion of which is formed on the main surface;
a wiring layer that is electrically connected to the plurality of heat generating portions and is formed in contact with the resistor layer,
each of the first end surface and the second end surface is located between the main surface and the back surface in the thickness direction;
The first end surface overlaps the back surface when viewed in the thickness direction,
the second end surface is located on an opposite side of the first end surface from the main surface in a direction perpendicular to the thickness direction,
the first end surface is inclined with respect to the main surface toward a side on which the second end surface is located in a direction perpendicular to the thickness direction ,
an inclination angle of the first end surface with respect to the main surface is smaller than an inclination angle of the second end surface with respect to the back surface;
the substrate has an intermediate surface that faces the thickness direction and is connected to the first end surface and the second end surface;
A thermal printhead, wherein, when viewed in the thickness direction, each of the first end surface, the second end surface and the intermediate surface is spaced apart from the resistor layer and the wiring layer .
前記主面は、前記主走査方向に延び、かつ前記抵抗体層から最も近くに位置する第1縁と、副走査方向に延びる第2縁と、を含み、
前記第1端面は、前記第1縁につながる第1領域と、前記第2縁につながる第2領域と、を含む、請求項1に記載のサーマルプリントヘッド。
the main surface includes a first edge extending in the main scanning direction and located closest to the resistor layer, and a second edge extending in a sub-scanning direction;
The thermal printhead of claim 1 , wherein the first end surface includes a first region connected to the first edge and a second region connected to the second edge.
前記基板は、前記第1領域と前記第2領域との境界をなす稜線を有し、
前記稜線は、前記主面に対して傾斜している、請求項2に記載のサーマルプリントヘッド。
the substrate has a ridge that defines a boundary between the first region and the second region;
The thermal printhead of claim 2 , wherein the ridge is inclined with respect to the main surface.
前記主面に対する前記稜線の傾斜角は、前記主面に対する前記第1端面の傾斜角よりも小である、請求項3に記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal printhead of claim 3, wherein the inclination angle of the ridge line relative to the main surface is smaller than the inclination angle of the first end surface relative to the main surface. 前記基板は、半導体材料からなり、
前記半導体材料は、ケイ素を組成とする単結晶材料を含む、請求項1ないし4のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
the substrate is made of a semiconductor material;
5. A thermal printhead according to claim 1 , wherein the semiconductor material comprises a single crystal material having a composition of silicon .
前記基板は、前記主面から前記厚さ方向に突出する凸部を有し、
前記複数の発熱部は、前記凸部の上に形成されている、請求項5に記載のサーマルプリントヘッド。
the substrate has a protrusion protruding from the main surface in the thickness direction,
The thermal printhead according to claim 5 , wherein the plurality of heat generating portions are formed on the convex portion .
前記主面を覆う絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層は、前記基板と前記抵抗体層との間に位置しており、
前記厚さ方向に視て、前記絶縁層の全体は、前記主面に重なっている、請求項5または6に記載のサーマルプリントヘッド。
Further comprising an insulating layer covering the main surface,
the insulating layer is located between the substrate and the resistor layer;
The thermal printhead according to claim 5 , wherein the insulating layer entirely overlaps the main surface when viewed in the thickness direction .
前記配線層は、共通配線と、複数の個別配線と、を含み、
前記共通配線は、前記複数の発熱部に導通しており、
前記複数の個別配線は、前記複数の発熱部に個別に導通している、請求項に記載のサーマルプリントヘッド。
the wiring layer includes a common wiring and a plurality of individual wirings;
the common wiring is electrically connected to the plurality of heat generating portions,
The thermal printhead according to claim 7 , wherein the plurality of individual wirings are individually connected to the plurality of heat generating portions .
前記複数の発熱部、および前記配線層を覆う保護層をさらに備え、
前記厚さ方向に視て、前記保護層の全体は、前記主面に重なっている、請求項7または8に記載のサーマルプリントヘッド。
a protective layer covering the plurality of heat generating portions and the wiring layer;
The thermal printhead according to claim 7 , wherein the entire protective layer overlaps the main surface when viewed in the thickness direction .
前記保護層は、前記厚さ方向において直交する方向を向く端面を有し、
前記厚さ方向に視て、前記端面は、前記絶縁層の周縁から前記配線層が位置する側に離れている、請求項9に記載のサーマルプリントヘッド。
the protective layer has an end surface facing a direction perpendicular to the thickness direction,
The thermal printhead according to claim 9 , wherein, when viewed in the thickness direction, the end face is spaced from a periphery of the insulating layer toward a side where the wiring layer is located .
放熱部材をさらに備え、
前記裏面は、前記放熱部材に接合されている、請求項1ないし10のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
Further comprising a heat dissipation member,
11. The thermal printhead according to claim 1 , wherein the rear surface is joined to the heat dissipation member .
厚さ方向の一方側を向く主面を有する基材において、前記主面の上に主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層を形成する工程と、A step of forming a resistor layer including a plurality of heating portions arranged in a main scanning direction on a substrate having a main surface facing one side in a thickness direction;
前記複数の発熱部に導通する配線層を前記抵抗体層に接して形成する工程と、forming a wiring layer that is electrically connected to the plurality of heat generating portions in contact with the resistor layer;
前記主面から凹み、かつ前記厚さ方向に対して直交する方向に沿って延びるとともに、前記抵抗体層および前記配線層の各々から離れた溝部を前記基材に形成する工程と、forming a groove in the base material, the groove being recessed from the main surface, extending along a direction perpendicular to the thickness direction, and spaced apart from the resistor layer and the wiring layer;
前記基材を前記厚さ方向に切断する工程と、を備え、cutting the base material in the thickness direction;
前記溝部は、前記主面につながり、かつ前記主面に対して傾斜した傾斜面と、前記厚さ方向において前記主面と同じ側を向き、かつ前記厚さ方向に対して直交する方向において前記傾斜面に対して前記主面とは反対側に位置する底面と、を有し、the groove portion has an inclined surface connected to the main surface and inclined with respect to the main surface, and a bottom surface facing the same side as the main surface in the thickness direction and located on the opposite side to the main surface with respect to the inclined surface in a direction perpendicular to the thickness direction,
前記溝部を形成する工程では、第1ブレードを用いて前記溝部が形成され、In the step of forming the groove portion, the groove portion is formed using a first blade,
前記第1ブレードは、基部と、前記基部から前記第1ブレードの径方向に延び、かつ前記第1ブレードの周方向において前記基部を囲む刃先部と、を有し、The first blade has a base portion and a cutting edge portion extending from the base portion in a radial direction of the first blade and surrounding the base portion in a circumferential direction of the first blade,
前記刃先部の厚さは、前記基部から前記径方向に離れるほど小となり、The thickness of the cutting edge portion decreases as it moves away from the base portion in the radial direction,
前記刃先部は、前記径方向を向く端面を有し、The cutting edge portion has an end surface facing the radial direction,
前記基材を切断する工程では、第2ブレードを用いて前記基材が切断され、In the step of cutting the base material, the base material is cut using a second blade,
前記第2ブレードの厚さは、前記径方向に対して直交する方向における前記端面の寸法よりも小であり、a thickness of the second blade is smaller than a dimension of the end surface in a direction perpendicular to the radial direction;
前記基材を切断する工程では、前記第2ブレードを前記傾斜面から離しつつ、前記底面に前記第2ブレードを接触させる、サーマルプリントヘッドの製造方法。In the step of cutting the base material, the second blade is brought into contact with the bottom surface while moving the second blade away from the inclined surface.
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