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JP7573403B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents
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JP7573403B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD Download PDF

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Description

本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing a predetermined process on a substrate.

液晶表示装置または有機EL(Electro Luminescence)表示装置等に用いられるFPD(Flat Panel Display)用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。 Substrate processing equipment is used to carry out various processes on various substrates, such as substrates for FPDs (Flat Panel Displays) used in liquid crystal displays or organic EL (Electro Luminescence) displays, semiconductor substrates, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for magneto-optical disks, substrates for photomasks, ceramic substrates, or substrates for solar cells.

例えば、特許文献1には、複数の処理ユニットと、第1および第2のハンドを用いて複数の処理ユニット間で基板を搬送する搬送機構とを含む基板処理装置が記載されている。複数の処理ユニットは、基板に熱処理、冷却処理および塗布処理をそれぞれ行う熱処理ユニット、冷却ユニットおよび塗布処理ユニット等を含む。搬送機構は、第1のハンドにより基板を保持しかつ第2のハンドにより基板を保持しない状態で複数の処理ユニット間を移動する。また、搬送機構は、搬送先の処理ユニットから処理後の基板を第2のハンドにより搬出するとともに、第1のハンドにより保持された処理前の基板を当該処理ユニットに搬入する。 For example, Patent Document 1 describes a substrate processing apparatus including multiple processing units and a transport mechanism that transports a substrate between the multiple processing units using first and second hands. The multiple processing units include a heat treatment unit, a cooling unit, and a coating processing unit that perform heat treatment, cooling processing, and coating processing on the substrate, respectively. The transport mechanism moves between the multiple processing units while holding the substrate with the first hand and not holding the substrate with the second hand. The transport mechanism also transports the processed substrate out of the destination processing unit with the second hand, and transports the unprocessed substrate held by the first hand into the processing unit.

特開2013-77639号公報JP 2013-77639 A

特許文献1に記載された基板処理装置においては、処理ユニットからの処理後の基板の搬出と、処理ユニットへの処理前の基板の搬入とが搬送機構の第1および第2のハンドにより連続的に行われる。そのため、スループットが向上すると考えられていた。しかしながら、搬送機構は、搬送先の処理ユニットから処理後の基板を搬出するために、いずれかのハンドに基板を保持しない状態で複数の処理ユニット間を移動する必要がある。この場合、ハンドの数よりも少ない枚数の基板しか一度に搬送できないため、スループットの向上には制限がある。 In the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, the first and second hands of the transport mechanism continuously transport the processed substrate out of the processing unit and the unprocessed substrate into the processing unit. This was thought to improve throughput. However, in order to transport the processed substrate out of the destination processing unit, the transport mechanism needs to move between multiple processing units without holding a substrate in any of the hands. In this case, only a number of substrates less than the number of hands can be transported at one time, so there is a limit to how much throughput can be improved.

本発明の目的は、スループットを向上させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 The object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can improve throughput.

(1)第1の発明に係る基板処理装置は、処理前の基板が搬入される搬入位置と処理後の基板が搬出される搬出位置とを有し、処理前の基板を処理する処理ユニットと、処理前の基板および処理後の基板のいずれをも保持可能に構成された搬送保持部を有する基板搬送部とを備え、搬送保持部は、処理前の基板を保持して処理ユニットに進入して処理前の基板を搬入位置に渡した後、搬出位置から処理後の基板を受け取り、処理後の基板の受け取り後に処理ユニットから退出する。 (1) A substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention has an input position where an unprocessed substrate is loaded and an output position where a processed substrate is loaded, and is equipped with a processing unit that processes the unprocessed substrate , and a substrate transport section having a transport holding section configured to hold both the unprocessed substrate and the processed substrate, and the transport holding section holds the unprocessed substrate while entering the processing unit and delivers the unprocessed substrate to the input position, then receives the processed substrate from the output position and exits the processing unit after receiving the processed substrate.

この基板処理装置においては、基板搬送部の搬送保持部が処理ユニットに進入される。搬送保持部により保持された処理前の基板が処理ユニットの搬入位置に渡される。処理前の基板が搬入位置に渡された後、搬送保持部により処理ユニットの搬出位置から処理後の基板が受け取られる。処理後の基板が搬出位置から受け取られた後、搬送保持部が処理ユニットから退出される。処理ユニットにより処理前の基板に処理が行われる。 In this substrate processing apparatus, the transport holder of the substrate transport section enters the processing unit. The unprocessed substrate held by the transport holder is delivered to the loading position of the processing unit. After the unprocessed substrate has been delivered to the loading position, the transport holder receives the processed substrate from the unloading position of the processing unit. After the processed substrate has been received from the unloading position, the transport holder exits the processing unit. The processing unit processes the unprocessed substrate.

この構成によれば、処理ユニットに処理後の基板が存在する場合でも、処理前の基板を処理ユニットに搬入することができる。そのため、処理ユニットに処理前の基板を渡した後に、当該搬送保持部により処理後の基板を受け取ることが可能となる。したがって、処理後の基板を受け取るために、基板を保持しない搬送保持部を設ける必要がない。これにより、搬送保持部の数当たりのスループットを向上させることができる。 With this configuration, even if a processed substrate is present in the processing unit, the unprocessed substrate can be carried into the processing unit. Therefore, after the unprocessed substrate is delivered to the processing unit, the processed substrate can be received by the transport holder. Therefore, there is no need to provide a transport holder that does not hold a substrate in order to receive the processed substrate. This makes it possible to improve the throughput per number of transport holders.

(2)搬入位置と搬出位置とは、上下方向に並ぶように配置されてもよい。この場合、処理ユニットの設置床面積(フットプリント)を低減することができる。 (2) The loading position and the unloading position may be arranged vertically side by side. In this case, the floor area (footprint) required for installing the processing unit can be reduced.

(3)処理ユニットは複数設けられ、搬送保持部は、複数の処理ユニットにそれぞれ対応するように複数設けられ、複数の基板搬送部の各々は、対応する処理ユニットに進入して処理前の基板を搬入位置に渡した後、搬出位置から処理後の基板を受け取り、処理後の基板の受け取り後に対応する処理ユニットから退出してもよい。この場合、処理前の基板を渡すとともに、処理後の基板を受け取る動作を複数の処理ユニットに対して連続的に行うことが可能となる。これにより、スループットをより向上させることができる。 (3) A plurality of processing units may be provided, and a plurality of transport holders may be provided corresponding to the plurality of processing units, and each of the plurality of substrate transport units may enter a corresponding processing unit to deliver the unprocessed substrate to a carry-in position, receive the processed substrate from a carry-out position, and exit the corresponding processing unit after receiving the processed substrate. In this case, it is possible to continuously perform the operations of delivering the unprocessed substrate and receiving the processed substrate for the plurality of processing units. This can further improve throughput.

(4)処理ユニットは、搬入位置に搬入された基板を保持する第1の基板保持部と、第1の基板保持部により保持された基板に処理を行う第1の処理部と、搬出位置から搬入される基板を保持する第2の基板保持部と、第1の処理部により処理された基板を第1の基板保持部から第2の基板保持部に渡す受渡部と、第2の基板保持部により保持された基板に処理を行う第2の処理部とを含んでもよい。この場合、搬入位置に搬入され、第1および第2の処理部により処理された基板を処理後の基板として搬出位置から搬出することができる。 (4) The processing unit may include a first substrate holding section that holds a substrate brought into the loading position, a first processing section that performs processing on the substrate held by the first substrate holding section, a second substrate holding section that holds a substrate brought into the unloading position, a transfer section that transfers the substrate processed by the first processing section from the first substrate holding section to the second substrate holding section, and a second processing section that performs processing on the substrate held by the second substrate holding section. In this case, the substrate brought into the loading position and processed by the first and second processing sections can be unloaded from the unloading position as a processed substrate.

(5)第1の処理部と第2の処理部とは、基板に互いに異なる処理を行ってもよい。この場合、基板に異なる処理を効率よく行うことができる。 (5) The first processing unit and the second processing unit may perform different processes on the substrate. In this case, different processes can be efficiently performed on the substrate.

(6)第1の処理部は、基板の下面中央領域の洗浄処理を行い、第2の処理部は、基板の下面中央領域を取り囲む下面外側領域の洗浄処理を行ってもよい。この場合、基板の下面全体の洗浄処理を効率よく行うことができる。 (6) The first processing unit may perform a cleaning process on a central region of the underside of the substrate, and the second processing unit may perform a cleaning process on an outer region of the underside that surrounds the central region of the underside of the substrate. In this case, the entire underside of the substrate can be efficiently cleaned.

(7)第2の発明に係る基板処理方法は、基板搬送部の搬送保持部を処理ユニットに進入させるステップと、搬送保持部により保持された処理前の基板を処理ユニットの搬入位置に渡すステップと、処理前の基板が搬入位置に渡された後、搬送保持部により処理ユニットの搬出位置から処理後の基板を受け取るステップと、処理後の基板が搬出位置から受け取られた後、搬送保持部を処理ユニットから退出させるステップと、処理ユニットにより処理前の基板に処理を行うステップとを含む。 (7) The substrate processing method according to the second invention includes the steps of: moving the transport holder of the substrate transport section into the processing unit; transferring the unprocessed substrate held by the transport holder to a loading position of the processing unit; receiving the processed substrate from the unloading position of the processing unit by the transport holder after the unprocessed substrate has been transferred to the loading position; withdrawing the transport holder from the processing unit after the processed substrate has been received from the unloading position; and processing the unprocessed substrate by the processing unit.

この基板処理方法によれば、処理ユニットに処理後の基板が存在する場合でも、処理前の基板を処理ユニットに搬入することができる。そのため、処理ユニットに処理前の基板を渡した後に、当該搬送保持部により処理後の基板を受け取ることが可能となる。したがって、処理後の基板を受け取るために、基板を保持しない搬送保持部を設ける必要がない。これにより、搬送保持部の数当たりのスループットを向上させることができる。 According to this substrate processing method, even if a processed substrate is present in the processing unit, the unprocessed substrate can be transported into the processing unit. Therefore, after the unprocessed substrate is delivered to the processing unit, the processed substrate can be received by the transport holder. Therefore, there is no need to provide a transport holder that does not hold a substrate in order to receive the processed substrate. This makes it possible to improve the throughput per number of transport holders.

本発明によれば、スループットを向上させることができる。 The present invention can improve throughput.

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention; 図1のJ-J線における基板処理装置の模式的断面図である。2 is a schematic cross-sectional view of the substrate processing apparatus taken along line JJ in FIG. 1. 図1の基板洗浄装置の模式的平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1 . 図3の基板洗浄装置の内部構成を示す外観斜視図である。FIG. 4 is an external perspective view showing an internal configuration of the substrate cleaning apparatus of FIG. 3. 基板処理装置の制御系統の構成を示すブロック図である。2 is a block diagram showing a configuration of a control system of the substrate processing apparatus; 図3の基板洗浄装置の動作の一例を説明するための模式図である。4 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 3. 図3の基板洗浄装置の動作の一例を説明するための模式図である。4 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 3. 図3の基板洗浄装置の動作の一例を説明するための模式図である。4 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 3. 図3の基板洗浄装置の動作の一例を説明するための模式図である。4 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 3. 図3の基板洗浄装置の動作の一例を説明するための模式図である。4 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 3. 図3の基板洗浄装置の動作の一例を説明するための模式図である。4 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 3. 図3の基板洗浄装置の動作の一例を説明するための模式図である。4 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 3. 図3の基板洗浄装置の動作の一例を説明するための模式図である。4 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 3. 図3の基板洗浄装置の動作の一例を説明するための模式図である。4 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 3. 図3の基板洗浄装置の動作の一例を説明するための模式図である。4 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 3. 図3の基板洗浄装置の動作の一例を説明するための模式図である。4 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 3. 図3の基板洗浄装置の動作の一例を説明するための模式図である。4 is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the substrate cleaning apparatus of FIG. 3. 図5の制御装置による基板処理を示すフローチャートである。6 is a flowchart showing a substrate processing performed by the control device of FIG. 5 . 図5の制御装置による基板処理を示すフローチャートである。6 is a flowchart showing a substrate processing performed by the control device of FIG. 5 .

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板(ウエハ)、液晶表示装置もしくは有機EL(Electro Luminescence)表示装置等のFPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、本実施の形態では、基板の上面が回路形成面(表面)であり、基板の下面が回路形成面と反対側の面(裏面)である。また、本実施の形態では、基板は、ノッチを除いて円形状を有する。 The following describes a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to an embodiment of the present invention with reference to the drawings. In the following description, the substrate refers to a semiconductor substrate (wafer), a substrate for an FPD (Flat Panel Display) such as a liquid crystal display device or an organic EL (Electro Luminescence) display device, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, a substrate for a photomask, a ceramic substrate, or a substrate for a solar cell. In this embodiment, the upper surface of the substrate is the circuit formation surface (front surface), and the lower surface of the substrate is the surface opposite the circuit formation surface (rear surface). In this embodiment, the substrate has a circular shape excluding the notch.

(1)基板処理装置の構成
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図2は、図1のJ-J線における基板処理装置100の模式的断面図である。図1に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置100は、インデクサブロック110および処理ブロック120を有する。インデクサブロック110および処理ブロック120は、互いに隣り合うように設けられている。
(1) Configuration of the Substrate Processing Apparatus Fig. 1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. Fig. 2 is a schematic cross-sectional view of the substrate processing apparatus 100 taken along line J-J in Fig. 1. As shown in Fig. 1, the substrate processing apparatus 100 according to this embodiment has an indexer block 110 and a processing block 120. The indexer block 110 and the processing block 120 are provided adjacent to each other.

インデクサブロック110は、複数(本例では4つ)のキャリア載置台140および搬送部150を含む。複数のキャリア載置台140は、搬送部150に接続され、間隔をおいて一列に並ぶように配置されている。各キャリア載置台140上には、複数枚の基板Wを収納するキャリアCが載置される。 The indexer block 110 includes multiple (four in this example) carrier mounting tables 140 and a transport section 150. The multiple carrier mounting tables 140 are connected to the transport section 150 and are arranged in a row with spaces between them. A carrier C that stores multiple substrates W is placed on each carrier mounting table 140.

搬送部150には、インデクサロボット200および制御装置170が設けられている。インデクサロボット200は、複数(本例では4つ)のハンドIa,Ib,Ic,Id、ハンド支持部材210および搬送駆動部220を含む。 The transport section 150 is provided with an indexer robot 200 and a control device 170. The indexer robot 200 includes multiple (four in this example) hands Ia, Ib, Ic, and Id, a hand support member 210, and a transport drive section 220.

複数のハンドIa~Idは、複数の基板Wをそれぞれ保持可能に構成され、上下方向に一定間隔で並ぶ状態でハンド支持部材210上に設けられている。ハンド支持部材210は、一方向に延びるように形成され、その一方向に複数のハンドIa~Idを進退可能に支持する。搬送駆動部220は、水平方向(複数のキャリア載置台140が並ぶ方向)に移動可能に構成され、鉛直軸の周りで回転かつ昇降可能にハンド支持部材210を支持する。さらに、搬送駆動部220は、複数のモータおよびエアシリンダ等を含み、複数のハンドIa~Idにより複数の基板Wを搬送するために、ハンド支持部材210を水平方向に移動させ、ハンド支持部材210を鉛直軸の周りで回転させ、昇降させる。また、搬送駆動部220は、複数のハンドIa~Idを水平方向に進退させる。制御装置170は、CPU(中央演算処理装置)、RAM(ランダムアクセスメモリ)およびROM(リードオンリメモリ)および記憶装置を含むコンピュータ等からなり、基板処理装置100内の各構成部を制御する。 The multiple hands Ia to Id are configured to be able to hold multiple substrates W, respectively, and are arranged on the hand support member 210 in a state where they are arranged at regular intervals in the vertical direction. The hand support member 210 is formed to extend in one direction, and supports the multiple hands Ia to Id so that they can move forward and backward in that one direction. The transport drive unit 220 is configured to be able to move in the horizontal direction (the direction in which the multiple carrier mounting tables 140 are arranged), and supports the hand support member 210 so that it can rotate around a vertical axis and rise and fall. Furthermore, the transport drive unit 220 includes multiple motors, air cylinders, etc., and moves the hand support member 210 in the horizontal direction, rotates the hand support member 210 around the vertical axis, and raises and lowers it in order to transport multiple substrates W by the multiple hands Ia to Id. The transport drive unit 220 also moves the multiple hands Ia to Id forward and backward in the horizontal direction. The control device 170 is composed of a computer including a CPU (central processing unit), RAM (random access memory), ROM (read only memory), and a storage device, and controls each component within the substrate processing device 100.

処理ブロック120は、洗浄部161,162および搬送部163を含む。洗浄部161、搬送部163および洗浄部162は、搬送部150に隣り合うとともにこの順で並ぶように配置されている。洗浄部161,162においては、複数(例えば4つ)の基板洗浄装置1が上下に積層配置されている。各基板洗浄装置1は、処理前の基板Wが搬入される搬入位置と、処理後の基板Wが搬出される搬出位置とを有する。基板洗浄装置1の構成および動作の詳細については後述する。 The processing block 120 includes cleaning units 161 and 162 and a transport unit 163. The cleaning unit 161, the transport unit 163, and the cleaning unit 162 are arranged adjacent to the transport unit 150 and aligned in that order. In the cleaning units 161 and 162, multiple (e.g., four) substrate cleaning apparatuses 1 are stacked vertically. Each substrate cleaning apparatus 1 has a load position where the unprocessed substrate W is loaded and an unload position where the processed substrate W is unloaded. The configuration and operation of the substrate cleaning apparatus 1 will be described in detail later.

搬送部163には、メインロボット300が設けられている。メインロボット300は、複数(本例では4つ)のハンドMa,Mb,Mc,Md、ハンド支持部材310および搬送駆動部320を含む。複数のハンドMa~Mdは、複数の基板Wをそれぞれ保持可能に構成され、上下方向に並ぶ状態でハンド支持部材310上に設けられている。 The transport section 163 is provided with a main robot 300. The main robot 300 includes multiple (four in this example) hands Ma, Mb, Mc, Md, a hand support member 310, and a transport drive section 320. The multiple hands Ma to Md are configured to be capable of holding multiple substrates W, respectively, and are provided on the hand support member 310 in a vertically aligned state.

ハンド支持部材310は、一方向に延びるように形成され、その一方向に複数のハンドMa~Mdをそれぞれ独立して進退可能に支持する。搬送駆動部320は、鉛直軸の周りで回転かつ昇降可能にハンド支持部材310を支持する。さらに、搬送駆動部320は、複数のモータおよびエアシリンダ等を含み、複数のハンドMa~Mdにより複数の基板Wを搬送するために、ハンド支持部材310を鉛直軸の周りで回転させ、昇降させる。また、搬送駆動部320は、複数のハンドMa~Mdを水平方向に進退させる。 The hand support member 310 is formed to extend in one direction, and supports the multiple hands Ma to Md in that direction so that they can each move forward and backward independently. The transport drive unit 320 supports the hand support member 310 so that it can rotate around a vertical axis and move up and down. Furthermore, the transport drive unit 320 includes multiple motors, air cylinders, etc., and rotates the hand support member 310 around the vertical axis and moves it up and down in order to transport multiple substrates W using the multiple hands Ma to Md. The transport drive unit 320 also moves the multiple hands Ma to Md forward and backward in the horizontal direction.

インデクサブロック110と処理ブロック120との間には、インデクサロボット200とメインロボット300との間で基板Wの受け渡しを行うための複数(本例では4つ)の基板載置部PASS1および複数の基板載置部PASS2が上下に積層配置されている。複数の基板載置部PASS1は複数(本例では4つ)の基板載置部PASS2よりも上方に位置する。 Between the indexer block 110 and the processing block 120, multiple (four in this example) substrate placement parts PASS1 and multiple substrate placement parts PASS2 are stacked vertically to transfer substrates W between the indexer robot 200 and the main robot 300. The multiple substrate placement parts PASS1 are located above the multiple (four in this example) substrate placement parts PASS2.

複数の基板載置部PASS2は、インデクサロボット200からメインロボット300に基板Wを渡すために用いられる。複数の基板載置部PASS1は、メインロボット300からインデクサロボット200に基板Wを渡すために用いられる。複数の基板載置部PASS1間の間隔は、メインロボット300の複数のハンドMa~Mdの間の間隔と略等しくてもよい。同様に、複数の基板載置部PASS2間の間隔は、メインロボット300の複数のハンドMa~Mdの間の間隔と略等しくてもよい。 The multiple substrate placement parts PASS2 are used to transfer substrates W from the indexer robot 200 to the main robot 300. The multiple substrate placement parts PASS1 are used to transfer substrates W from the main robot 300 to the indexer robot 200. The spacing between the multiple substrate placement parts PASS1 may be approximately equal to the spacing between the multiple hands Ma-Md of the main robot 300. Similarly, the spacing between the multiple substrate placement parts PASS2 may be approximately equal to the spacing between the multiple hands Ma-Md of the main robot 300.

インデクサロボット200は、複数のキャリア載置台140上に載置された複数のキャリアCのいずれかのキャリアCから処理前の基板Wを取り出す。また、インデクサロボット200は、取り出した処理前の基板Wを複数の基板載置部PASS2のいずれかに載置する。さらに、インデクサロボット200は、複数の基板載置部PASS1のいずれかに載置されている処理後の基板Wを受け取り、空のキャリアC内に収容する。 The indexer robot 200 removes an unprocessed substrate W from one of the multiple carriers C placed on the multiple carrier placement stages 140. The indexer robot 200 also places the removed unprocessed substrate W on one of the multiple substrate placement parts PASS2. The indexer robot 200 then receives a processed substrate W placed on one of the multiple substrate placement parts PASS1 and stores it in an empty carrier C.

メインロボット300は、複数の基板載置部PASS2に載置されている複数の処理前の基板Wを複数のハンドMa~Mdによりそれぞれ受け取る。このとき、メインロボット300は、複数のハンドMa~Mdにより複数の基板Wを順次受け取ってもよい。複数の基板載置部PASS2間の間隔が複数のハンドMa~Mdの間の間隔と略等しい場合には、メインロボット300は、複数のハンドMa~Mdにより複数の基板Wを同時に受け取ってもよい。 The main robot 300 receives the multiple unprocessed substrates W placed on the multiple substrate placement parts PASS2 with the multiple hands Ma to Md, respectively. At this time, the main robot 300 may receive the multiple substrates W sequentially with the multiple hands Ma to Md. If the spacing between the multiple substrate placement parts PASS2 is approximately equal to the spacing between the multiple hands Ma to Md, the main robot 300 may receive the multiple substrates W simultaneously with the multiple hands Ma to Md.

次に、メインロボット300は、基板載置部PASS2から複数のハンドMa~Mdにより受け取った複数の処理前の基板Wを洗浄部161または洗浄部162の複数の基板洗浄装置1における搬入位置にそれぞれ渡す。続いて、メインロボット300は、複数の基板洗浄装置1における搬出位置に載置されている複数の処理後の基板Wを複数のハンドMa~Mdによりそれぞれ受け取る。 Next, the main robot 300 transfers the multiple unprocessed substrates W received by the multiple hands Ma to Md from the substrate placement unit PASS2 to the loading positions of the multiple substrate cleaning devices 1 in the cleaning unit 161 or cleaning unit 162, respectively. Next, the main robot 300 receives the multiple processed substrates W placed at the unloading positions of the multiple substrate cleaning devices 1, respectively, with the multiple hands Ma to Md.

その後、メインロボット300は、基板洗浄装置1から複数のハンドMa~Mdにより受け取られた複数の処理後の基板Wを複数の基板載置部PASS1にそれぞれ載置する。このとき、メインロボット300は、複数の処理後の基板Wを複数の基板載置部PASS1に順次載置してもよい。複数の基板載置部PASS1間の間隔が複数のハンドMa~Mdの間の間隔と略等しい場合には、メインロボット300は、複数のハンドMa~Mdにより複数の基板Wを複数の基板載置部PASS1に同時に載置してもよい。 The main robot 300 then places the multiple processed substrates W received by the multiple hands Ma to Md from the substrate cleaning apparatus 1 onto the multiple substrate placement parts PASS1, respectively. At this time, the main robot 300 may sequentially place the multiple processed substrates W onto the multiple substrate placement parts PASS1. If the spacing between the multiple substrate placement parts PASS1 is approximately equal to the spacing between the multiple hands Ma to Md, the main robot 300 may simultaneously place the multiple substrates W onto the multiple substrate placement parts PASS1 by the multiple hands Ma to Md.

(2)基板洗浄装置の構成
図3は、図1の基板洗浄装置1の模式的平面図である。図4は、図3の基板洗浄装置1の内部構成を示す外観斜視図である。基板洗浄装置1においては、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を定義する。図3および図4以降の所定の図では、X方向、Y方向およびZ方向が適宜矢印で示される。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。
(2) Configuration of the Substrate Cleaning Apparatus Fig. 3 is a schematic plan view of the substrate cleaning apparatus 1 of Fig. 1. Fig. 4 is an external perspective view showing the internal configuration of the substrate cleaning apparatus 1 of Fig. 3. In the substrate cleaning apparatus 1, mutually orthogonal X-, Y-, and Z-directions are defined to clarify the positional relationship. In Fig. 3 and certain figures following Fig. 4, the X-, Y-, and Z-directions are appropriately indicated by arrows. The X- and Y-directions are mutually orthogonal in a horizontal plane, and the Z-direction corresponds to the vertical direction.

図3に示すように、基板洗浄装置1は、上側保持装置10A,10B、下側保持装置20、台座装置30、受渡装置40、下面洗浄装置50、カップ装置60、上面洗浄装置70、端部洗浄装置80および開閉装置90を備える。これらの構成要素は、ユニット筐体2内に設けられる。図3では、ユニット筐体2が点線で示される。 As shown in FIG. 3, the substrate cleaning apparatus 1 includes upper holding devices 10A and 10B, a lower holding device 20, a pedestal device 30, a transfer device 40, a lower surface cleaning device 50, a cup device 60, an upper surface cleaning device 70, an edge cleaning device 80, and an opening/closing device 90. These components are provided in a unit housing 2. In FIG. 3, the unit housing 2 is indicated by a dotted line.

ユニット筐体2は、矩形の底面部2aと、底面部2aの4辺から上方に延びる4つの側壁部2b,2c,2d,2eとを有する。側壁部2b,2cが互いに対向し、側壁部2d,2eが互いに対向する。側壁部2bの中央部には、矩形の開口が形成されている。この開口は、基板Wの搬入搬出口2xであり、ユニット筐体2に対する基板Wの搬入時および搬出時に用いられる。図4では、搬入搬出口2xが太い点線で示される。以下の説明においては、Y方向のうちユニット筐体2の内部から搬入搬出口2xを通してユニット筐体2の外方に向く方向(側壁部2cから側壁部2bを向く方向)を前方と呼び、その逆の方向(側壁部2bから側壁部2cを向く方向)を後方と呼ぶ。 The unit housing 2 has a rectangular bottom surface 2a and four side walls 2b, 2c, 2d, and 2e extending upward from the four sides of the bottom surface 2a. The side walls 2b and 2c face each other, and the side walls 2d and 2e face each other. A rectangular opening is formed in the center of the side wall 2b. This opening is an entrance 2x for the substrate W, and is used when the substrate W is loaded into and unloaded from the unit housing 2. In FIG. 4, the entrance 2x is indicated by a thick dotted line. In the following description, the direction in the Y direction from inside the unit housing 2 through the entrance 2x to the outside of the unit housing 2 (the direction from the side wall 2c to the side wall 2b) is referred to as the front, and the opposite direction (the direction from the side wall 2b to the side wall 2c) is referred to as the rear.

側壁部2bにおける搬入搬出口2xの形成部分およびその近傍の領域には、開閉装置90が設けられている。開閉装置90は、搬入搬出口2xを開閉可能に構成されたシャッタ91と、シャッタ91を駆動するシャッタ駆動部92とを含む。図4では、シャッタ91が太い二点鎖線で示される。シャッタ駆動部92は、基板洗浄装置1に対する基板Wの搬入時および搬出時に搬入搬出口2xを開放するようにシャッタ91を駆動する。また、シャッタ駆動部92は、基板洗浄装置1における基板Wの洗浄処理時に搬入搬出口2xを閉塞するようにシャッタ91を駆動する。 An opening/closing device 90 is provided in the portion of the side wall 2b where the loading/unloading opening 2x is formed and in the area nearby. The opening/closing device 90 includes a shutter 91 configured to be able to open and close the loading/unloading opening 2x, and a shutter driver 92 that drives the shutter 91. In FIG. 4, the shutter 91 is indicated by a thick two-dot chain line. The shutter driver 92 drives the shutter 91 to open the loading/unloading opening 2x when the substrate W is loaded into and unloaded from the substrate cleaning apparatus 1. The shutter driver 92 also drives the shutter 91 to close the loading/unloading opening 2x when the substrate W is cleaned in the substrate cleaning apparatus 1.

底面部2aの中央部には、台座装置30が設けられている。台座装置30は、リニアガイド31、可動台座32および台座駆動部33を含む。リニアガイド31は、2本のレールを含み、平面視で側壁部2bの近傍から側壁部2cの近傍までY方向に延びるように設けられている。可動台座32は、リニアガイド31の2本のレール上でY方向に移動可能に設けられている。台座駆動部33は、例えばパルスモータを含み、リニアガイド31上で可動台座32をY方向に移動させる。 A pedestal device 30 is provided in the center of the bottom surface portion 2a. The pedestal device 30 includes a linear guide 31, a movable pedestal 32, and a pedestal drive unit 33. The linear guide 31 includes two rails and is provided so as to extend in the Y direction from the vicinity of the side wall portion 2b to the vicinity of the side wall portion 2c in a plan view. The movable pedestal 32 is provided so as to be movable in the Y direction on the two rails of the linear guide 31. The pedestal drive unit 33 includes, for example, a pulse motor, and moves the movable pedestal 32 in the Y direction on the linear guide 31.

可動台座32上には、下側保持装置20および下面洗浄装置50がY方向に並ぶように設けられている。下側保持装置20は、吸着保持部21および吸着保持駆動部22を含む。吸着保持部21は、いわゆるスピンチャックであり、基板Wの下面を吸着保持可能な円形の吸着面を有し、上下方向に延びる軸(Z方向の軸)の周りで回転可能に構成される。図3では、下側保持装置20により吸着保持された基板Wの外形が二点鎖線で示される。以下の説明では、吸着保持部21により基板Wが吸着保持される際に、基板Wの下面のうち吸着保持部21の吸着面が吸着すべき領域を下面中央領域と呼ぶ。一方、基板Wの下面のうち下面中央領域を取り囲む領域を下面外側領域と呼ぶ。 The lower holding device 20 and the lower surface cleaning device 50 are arranged on the movable base 32 in the Y direction. The lower holding device 20 includes an adsorption holding unit 21 and an adsorption holding drive unit 22. The adsorption holding unit 21 is a so-called spin chuck, and has a circular adsorption surface capable of adsorbing and holding the lower surface of the substrate W, and is configured to be rotatable around an axis extending in the vertical direction (axis in the Z direction). In FIG. 3, the outline of the substrate W adsorbed and held by the lower holding device 20 is indicated by a two-dot chain line. In the following description, when the substrate W is adsorbed and held by the adsorption holding unit 21, the area of the lower surface of the substrate W to be adsorbed by the adsorption surface of the adsorption holding unit 21 is referred to as the lower surface central area. On the other hand, the area of the lower surface of the substrate W that surrounds the lower surface central area is referred to as the lower surface outer area.

吸着保持駆動部22は、モータを含む。吸着保持駆動部22のモータは、回転軸が上方に向かって突出するように可動台座32上に設けられている。吸着保持部21は、吸着保持駆動部22の回転軸の上端部に取り付けられる。また、吸着保持駆動部22の回転軸には、吸着保持部21において基板Wを吸着保持するための吸引経路が形成されている。その吸引経路は、図示しない吸気装置に接続されている。吸着保持駆動部22は、吸着保持部21を上記の回転軸の周りで回転させる。 The suction-holding drive unit 22 includes a motor. The motor of the suction-holding drive unit 22 is provided on the movable base 32 so that the rotation shaft protrudes upward. The suction-holding unit 21 is attached to the upper end of the rotation shaft of the suction-holding drive unit 22. A suction path is formed on the rotation shaft of the suction-holding drive unit 22 for suctioning and holding the substrate W in the suction-holding unit 21. The suction path is connected to an air suction device (not shown). The suction-holding drive unit 22 rotates the suction-holding unit 21 around the rotation shaft.

可動台座32上には、下側保持装置20の近傍にさらに受渡装置40が設けられている。受渡装置40は、複数(本例では3本)の支持ピン41、ピン連結部材42およびピン昇降駆動部43を含む。ピン連結部材42は、平面視で吸着保持部21を取り囲むように形成され、複数の支持ピン41を連結する。複数の支持ピン41は、ピン連結部材42により互いに連結された状態で、ピン連結部材42から一定長さ上方に延びる。ピン昇降駆動部43は、可動台座32上でピン連結部材42を昇降させる。これにより、複数の支持ピン41が吸着保持部21に対して相対的に昇降する。 A transfer device 40 is further provided on the movable base 32 near the lower holding device 20. The transfer device 40 includes a plurality of support pins 41 (three in this example), a pin connecting member 42, and a pin lifting and lowering drive unit 43. The pin connecting member 42 is formed to surround the suction holding unit 21 in a plan view, and connects the plurality of support pins 41. The plurality of support pins 41 extend upward a certain length from the pin connecting member 42 while being connected to each other by the pin connecting member 42. The pin lifting and lowering drive unit 43 raises and lowers the pin connecting member 42 on the movable base 32. As a result, the plurality of support pins 41 rise and lower relative to the suction holding unit 21.

下面洗浄装置50は、下面ブラシ51、2つの液ノズル52、気体噴出部53、昇降支持部54、移動支持部55、下面ブラシ回転駆動部55a、下面ブラシ昇降駆動部55bおよび下面ブラシ移動駆動部55cを含む。移動支持部55は、可動台座32上の一定領域内で下側保持装置20に対してY方向に移動可能に設けられている。図4に示すように、移動支持部55上に、昇降支持部54が昇降可能に設けられている。昇降支持部54は、吸着保持部21から遠ざかる方向(本例では後方)において斜め下方に傾斜する上面54uを有する。 The underside cleaning device 50 includes a underside brush 51, two liquid nozzles 52, a gas ejection unit 53, a lifting support unit 54, a moving support unit 55, a underside brush rotation drive unit 55a, a underside brush lifting drive unit 55b, and a underside brush moving drive unit 55c. The moving support unit 55 is provided so as to be movable in the Y direction relative to the lower holding device 20 within a certain area on the movable base 32. As shown in FIG. 4, the lifting support unit 54 is provided so as to be liftable on the moving support unit 55. The lifting support unit 54 has an upper surface 54u that slopes diagonally downward in the direction away from the suction holding unit 21 (rearward in this example).

図3に示すように、下面ブラシ51は、例えばPVA(ポリビニールアルコール)スポンジまたは砥粒が分散されたPVAスポンジにより形成され、基板Wの下面に接触可能な円形の洗浄面を有する。また、下面ブラシ51は、洗浄面が上方を向くようにかつ洗浄面が当該洗浄面の中心を通って上下方向に延びる軸の周りで回転可能となるように、昇降支持部54の上面54uに取り付けられている。下面ブラシ51の洗浄面の面積は、吸着保持部21の吸着面の面積よりも大きい。 As shown in FIG. 3, the lower brush 51 is formed, for example, from a PVA (polyvinyl alcohol) sponge or a PVA sponge with dispersed abrasive grains, and has a circular cleaning surface that can contact the lower surface of the substrate W. The lower brush 51 is attached to the upper surface 54u of the lifting support part 54 so that the cleaning surface faces upward and can rotate around an axis that passes through the center of the cleaning surface and extends in the vertical direction. The area of the cleaning surface of the lower brush 51 is larger than the area of the suction surface of the suction holding part 21.

2つの液ノズル52の各々は、下面ブラシ51の近傍に位置しかつ液体吐出口が上方を向くように、昇降支持部54の上面54u上に取り付けられている。液ノズル52には、下面洗浄液供給部56(図5)が接続されている。下面洗浄液供給部56は、液ノズル52に洗浄液を供給する。液ノズル52は、下面ブラシ51による基板Wの洗浄時に、下面洗浄液供給部56から供給される洗浄液を基板Wの下面に供給する。本実施の形態では、液ノズル52に供給される洗浄液として純水(脱イオン水)が用いられる。なお、液ノズル52に供給される洗浄液としては、純水に代えて、炭酸水、オゾン水、水素水、電解イオン水、SC1(アンモニアと過酸化水素水との混合溶液)またはTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)等を用いることもできる。 Each of the two liquid nozzles 52 is attached to the upper surface 54u of the lift support 54 so that it is located near the lower brush 51 and the liquid outlet faces upward. A lower cleaning liquid supply unit 56 (FIG. 5) is connected to the liquid nozzle 52. The lower cleaning liquid supply unit 56 supplies cleaning liquid to the liquid nozzle 52. When the lower brush 51 cleans the substrate W, the liquid nozzle 52 supplies the cleaning liquid supplied from the lower cleaning liquid supply unit 56 to the lower surface of the substrate W. In this embodiment, pure water (deionized water) is used as the cleaning liquid supplied to the liquid nozzle 52. Note that, instead of pure water, carbonated water, ozone water, hydrogen water, electrolytic ionized water, SC1 (a mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide), TMAH (tetramethylammonium hydroxide), or the like can also be used as the cleaning liquid supplied to the liquid nozzle 52.

気体噴出部53は、一方向に延びる気体噴出口を有するスリット状の気体噴射ノズルである。気体噴出部53は、平面視で下面ブラシ51と吸着保持部21との間に位置しかつ気体噴射口が上方を向くように、昇降支持部54の上面54uに取り付けられている。気体噴出部53には、噴出気体供給部57(図5)が接続されている。噴出気体供給部57は、気体噴出部53に気体を供給する。本実施の形態では、気体噴出部53に供給される気体として窒素ガスが用いられる。気体噴出部53は、下面ブラシ51による基板Wの洗浄時および後述する基板Wの下面の乾燥時に、噴出気体供給部57から供給される気体を基板Wの下面に噴射する。この場合、下面ブラシ51と吸着保持部21との間に、X方向に延びる帯状の気体カーテンが形成される。気体噴出部53に供給される気体としては、窒素ガスに代えて、アルゴンガスまたはヘリウムガス等の不活性ガスを用いることもできる。 The gas ejection unit 53 is a slit-shaped gas injection nozzle having a gas ejection port extending in one direction. The gas ejection unit 53 is attached to the upper surface 54u of the lift support unit 54 so that it is located between the lower surface brush 51 and the suction holding unit 21 in a plan view and the gas ejection port faces upward. The gas ejection unit 53 is connected to an ejection gas supply unit 57 (FIG. 5). The ejection gas supply unit 57 supplies gas to the gas ejection unit 53. In this embodiment, nitrogen gas is used as the gas supplied to the gas ejection unit 53. The gas ejection unit 53 ejects the gas supplied from the ejection gas supply unit 57 onto the lower surface of the substrate W when the substrate W is cleaned by the lower surface brush 51 and when the lower surface of the substrate W is dried, as described later. In this case, a band-shaped gas curtain extending in the X direction is formed between the lower surface brush 51 and the suction holding unit 21. Instead of nitrogen gas, an inert gas such as argon gas or helium gas can be used as the gas supplied to the gas outlet 53.

下面ブラシ回転駆動部55aは、モータを含み、下面ブラシ51による基板Wの洗浄時に下面ブラシ51を回転させる。下面ブラシ昇降駆動部55bは、ステッピングモータまたはエアシリンダを含み、移動支持部55に対して昇降支持部54を昇降させる。下面ブラシ移動駆動部55cは、モータを含み、可動台座32上で移動支持部55をY方向に移動させる。ここで、可動台座32における下側保持装置20の位置は固定されている。そのため、下面ブラシ移動駆動部55cによる移動支持部55のY方向の移動時には、移動支持部55が下側保持装置20に対して相対的に移動する。以下の説明では、可動台座32上で下側保持装置20に最も近づくときの下面洗浄装置50の位置を接近位置と呼び、可動台座32上で下側保持装置20から最も離れたときの下面洗浄装置50の位置を離間位置と呼ぶ。 The lower brush rotation drive unit 55a includes a motor and rotates the lower brush 51 when the lower brush 51 cleans the substrate W. The lower brush lift drive unit 55b includes a stepping motor or an air cylinder and lifts and lowers the lift support unit 54 relative to the moving support unit 55. The lower brush movement drive unit 55c includes a motor and moves the moving support unit 55 in the Y direction on the movable base 32. Here, the position of the lower holding device 20 on the movable base 32 is fixed. Therefore, when the moving support unit 55 moves in the Y direction by the lower brush movement drive unit 55c, the moving support unit 55 moves relative to the lower holding device 20. In the following description, the position of the lower cleaning device 50 when it is closest to the lower holding device 20 on the movable base 32 is called the approach position, and the position of the lower cleaning device 50 when it is farthest from the lower holding device 20 on the movable base 32 is called the separation position.

底面部2aの中央部には、さらにカップ装置60が設けられている。カップ装置60は、処理カップ61およびカップ駆動部62を含む。処理カップ61は、平面視で下側保持装置20および台座装置30を取り囲むようにかつ昇降可能に設けられている。図4においては、処理カップ61が点線で示される。カップ駆動部62は、下面ブラシ51が基板Wの下面におけるどの部分を洗浄するのかに応じて処理カップ61を下カップ位置と上カップ位置との間で移動させる。下カップ位置は処理カップ61の上端部が吸着保持部21により吸着保持される基板Wよりも下方に位置する高さ位置である。また、上カップ位置は処理カップ61の上端部が吸着保持部21よりも上方に位置する高さ位置である。 A cup device 60 is further provided in the center of the bottom surface portion 2a. The cup device 60 includes a processing cup 61 and a cup drive unit 62. The processing cup 61 is provided so as to surround the lower holding device 20 and the base device 30 in a plan view and is movable up and down. In FIG. 4, the processing cup 61 is indicated by a dotted line. The cup drive unit 62 moves the processing cup 61 between a lower cup position and an upper cup position depending on which part of the lower surface of the substrate W is to be cleaned by the lower surface brush 51. The lower cup position is a height position where the upper end of the processing cup 61 is located below the substrate W adsorbed and held by the suction holding unit 21. The upper cup position is a height position where the upper end of the processing cup 61 is located above the suction holding unit 21.

処理カップ61よりも上方の高さ位置には、平面視で台座装置30を挟んで対向するように一対の上側保持装置10A,10Bが設けられている。上側保持装置10Aは、下チャック11A、上チャック12A、下チャック駆動部13Aおよび上チャック駆動部14Aを含む。上側保持装置10Bは、下チャック11B、上チャック12B、下チャック駆動部13Bおよび上チャック駆動部14Bを含む。 A pair of upper holding devices 10A, 10B are provided at a height position above the processing cup 61, facing each other across the base device 30 in a plan view. The upper holding device 10A includes a lower chuck 11A, an upper chuck 12A, a lower chuck drive unit 13A, and an upper chuck drive unit 14A. The upper holding device 10B includes a lower chuck 11B, an upper chuck 12B, a lower chuck drive unit 13B, and an upper chuck drive unit 14B.

下チャック11A,11Bは、平面視で吸着保持部21の中心を通ってY方向(前後方向)に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でX方向に移動可能に設けられている。下チャック11A,11Bの各々は、基板Wの下面周縁部を基板Wの下方から支持可能な2本の支持片を有する。下チャック駆動部13A,13Bは、下チャック11A,11Bが互いに近づくように、または下チャック11A,11Bが互いに遠ざかるように、下チャック11A,11Bを移動させる。 The lower chucks 11A, 11B are disposed symmetrically with respect to a vertical plane that extends in the Y direction (front-to-back direction) through the center of the suction holding unit 21 in a plan view, and are provided so as to be movable in the X direction within a common horizontal plane. Each of the lower chucks 11A, 11B has two support pieces that can support the peripheral portion of the lower surface of the substrate W from below the substrate W. The lower chuck driving units 13A, 13B move the lower chucks 11A, 11B so that the lower chucks 11A, 11B approach each other, or so that the lower chucks 11A, 11B move away from each other.

上チャック12A,12Bは、下チャック11A,11Bと同様に、平面視で吸着保持部21の中心を通ってY方向(前後方向)に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でX方向に移動可能に設けられている。上チャック12A,12Bの各々は、基板Wの外周端部の2つの部分に当接して基板Wの外周端部を保持可能に構成された2本の保持片を有する。上チャック駆動部14A,14Bは、上チャック12A,12Bが互いに近づくように、または上チャック12A,12Bが互いに遠ざかるように、上チャック12A,12Bを移動させる。 The upper chucks 12A, 12B, like the lower chucks 11A, 11B, are arranged symmetrically with respect to a vertical plane that passes through the center of the suction holding unit 21 in the Y direction (front-rear direction) in a plan view, and are provided so as to be movable in the X direction within a common horizontal plane. Each of the upper chucks 12A, 12B has two holding pieces that are configured to abut against two parts of the outer periphery of the substrate W and to be able to hold the outer periphery of the substrate W. The upper chuck driving units 14A, 14B move the upper chucks 12A, 12B so that the upper chucks 12A, 12B approach each other, or so that the upper chucks 12A, 12B move away from each other.

図3に示すように、処理カップ61の一側方においては、平面視で上側保持装置10Bの近傍に位置するように、上面洗浄装置70が設けられている。上面洗浄装置70は、回転支持軸71、アーム72、スプレーノズル73および上面洗浄駆動部74を含む。 As shown in FIG. 3, an upper surface cleaning device 70 is provided on one side of the processing cup 61 so as to be located near the upper holding device 10B in a plan view. The upper surface cleaning device 70 includes a rotating support shaft 71, an arm 72, a spray nozzle 73, and an upper surface cleaning drive unit 74.

回転支持軸71は、底面部2a上で、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能に上面洗浄駆動部74により支持される。アーム72は、図4に示すように、上側保持装置10Bよりも上方の位置で、回転支持軸71の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム72の先端部には、スプレーノズル73が取り付けられている。 The rotating support shaft 71 is supported by the upper surface cleaning drive unit 74 so as to extend vertically on the bottom surface portion 2a and to be movable up and down and rotatable. As shown in FIG. 4, the arm 72 is provided at a position above the upper holding device 10B and extends horizontally from the upper end of the rotating support shaft 71. A spray nozzle 73 is attached to the tip of the arm 72.

スプレーノズル73には、上面洗浄流体供給部75(図5)が接続される。上面洗浄流体供給部75は、スプレーノズル73に洗浄液および気体を供給する。本実施の形態では、スプレーノズル73に供給される洗浄液として純水が用いられ、スプレーノズル73に供給される気体として窒素ガスが用いられる。スプレーノズル73は、基板Wの上面の洗浄時に、上面洗浄流体供給部75から供給される洗浄液と気体とを混合して混合流体を生成し、生成された混合流体を下方に噴射する。 An upper surface cleaning fluid supply unit 75 (Figure 5) is connected to the spray nozzle 73. The upper surface cleaning fluid supply unit 75 supplies cleaning liquid and gas to the spray nozzle 73. In this embodiment, pure water is used as the cleaning liquid supplied to the spray nozzle 73, and nitrogen gas is used as the gas supplied to the spray nozzle 73. When cleaning the upper surface of the substrate W, the spray nozzle 73 mixes the cleaning liquid and gas supplied from the upper surface cleaning fluid supply unit 75 to generate a mixed fluid, and sprays the generated mixed fluid downward.

なお、スプレーノズル73に供給される洗浄液としては、純水に代えて、炭酸水、オゾン水、水素水、電解イオン水、SC1(アンモニアと過酸化水素水との混合溶液)またはTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)等を用いることもできる。また、スプレーノズル73に供給される気体としては、窒素ガスに代えてアルゴンガスまたはヘリウムガス等の不活性ガスを用いることもできる。 In addition, the cleaning liquid supplied to the spray nozzle 73 may be carbonated water, ozone water, hydrogen water, electrolytic ion water, SC1 (a mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide), or TMAH (tetramethylammonium hydroxide), instead of pure water. Also, the gas supplied to the spray nozzle 73 may be an inert gas such as argon gas or helium gas, instead of nitrogen gas.

上面洗浄駆動部74は、1または複数のパルスモータおよびエアシリンダ等を含み、回転支持軸71を昇降させるとともに、回転支持軸71を回転させる。上記の構成によれば、吸着保持部21により吸着保持されて回転される基板Wの上面上で、スプレーノズル73を円弧状に移動させることにより、基板Wの上面全体を洗浄することができる。 The upper surface cleaning drive unit 74 includes one or more pulse motors and air cylinders, etc., and raises and lowers the rotating support shaft 71 and rotates the rotating support shaft 71. With the above configuration, the spray nozzle 73 is moved in an arc over the upper surface of the substrate W that is attracted and held by the suction holding unit 21 and rotated, thereby cleaning the entire upper surface of the substrate W.

図3に示すように、処理カップ61の他側方においては、平面視で上側保持装置10Aの近傍に位置するように、端部洗浄装置80が設けられている。端部洗浄装置80は、回転支持軸81、アーム82、ベベルブラシ83およびベベルブラシ駆動部84を含む。 As shown in FIG. 3, an edge cleaning device 80 is provided on the other side of the processing cup 61 so as to be located near the upper holding device 10A in a plan view. The edge cleaning device 80 includes a rotating support shaft 81, an arm 82, a bevel brush 83, and a bevel brush drive unit 84.

回転支持軸81は、底面部2a上で、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能にベベルブラシ駆動部84により支持される。アーム82は、図4に示すように、上側保持装置10Aよりも上方の位置で、回転支持軸81の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム82の先端部には、下方に向かって突出するようにかつ上下方向の軸の周りで回転可能となるようにベベルブラシ83が設けられている。 The rotating support shaft 81 is supported by a bevel brush drive unit 84 on the bottom surface portion 2a so as to extend in the vertical direction and to be movable up and down and rotatable. As shown in FIG. 4, the arm 82 is provided at a position above the upper holding device 10A and extends horizontally from the upper end of the rotating support shaft 81. A bevel brush 83 is provided at the tip of the arm 82 so as to protrude downward and to be rotatable around a vertical axis.

ベベルブラシ83は、例えばPVAスポンジまたは砥粒が分散されたPVAスポンジにより形成され、上半部が逆円錐台形状を有するとともに下半部が円錐台形状を有する。このベベルブラシ83によれば、外周面の上下方向における中央部分で基板Wの外周端部を洗浄することができる。 The bevel brush 83 is formed, for example, from a PVA sponge or a PVA sponge with dispersed abrasive grains, and has an inverted truncated cone shape in the upper half and a truncated cone shape in the lower half. With this bevel brush 83, the outer peripheral edge of the substrate W can be cleaned at the central portion in the vertical direction of the outer peripheral surface.

ベベルブラシ駆動部84は、1または複数のパルスモータおよびエアシリンダ等を含み、回転支持軸81を昇降させるとともに、回転支持軸81を回転させる。上記の構成によれば、吸着保持部21により吸着保持されて回転される基板Wの外周端部にベベルブラシ83の外周面の中央部分を接触させることにより、基板Wの外周端部全体を洗浄することができる。 The bevel brush driving unit 84 includes one or more pulse motors and air cylinders, and raises and lowers the rotating support shaft 81 and rotates the rotating support shaft 81. With the above configuration, the entire outer periphery of the substrate W can be cleaned by contacting the central portion of the outer periphery of the bevel brush 83 with the outer periphery of the substrate W that is rotated while being attracted and held by the attracting and holding unit 21.

ここで、ベベルブラシ駆動部84は、さらにアーム82に内蔵されるモータを含む。そのモータは、アーム82の先端部に設けられるベベルブラシ83を上下方向の軸の周りで回転させる。したがって、基板Wの外周端部の洗浄時に、ベベルブラシ83が回転することにより、基板Wの外周端部におけるベベルブラシ83の洗浄力が向上する。 Here, the bevel brush driving unit 84 further includes a motor built into the arm 82. The motor rotates the bevel brush 83 provided at the tip of the arm 82 around an axis extending in the vertical direction. Therefore, when cleaning the outer circumferential edge of the substrate W, the rotation of the bevel brush 83 improves the cleaning power of the bevel brush 83 at the outer circumferential edge of the substrate W.

(3)基板処理装置の制御系
図5は、基板処理装置100の制御系統の構成を示すブロック図である。上記のように、図1の制御装置170は、CPU、RAM、ROMおよび記憶装置を含む。RAMは、CPUの作業領域として用いられる。ROMは、システムプログラムを記憶する。記憶装置は、基板処理プログラムを記憶する。
(3) Control System of Substrate Processing Apparatus Fig. 5 is a block diagram showing the configuration of the control system of the substrate processing apparatus 100. As described above, the control device 170 in Fig. 1 includes a CPU, a RAM, a ROM, and a storage device. The RAM is used as a working area for the CPU. The ROM stores a system program. The storage device stores a substrate processing program.

図5に示すように、制御装置170は、機能部として、チャック制御部171、吸着制御部172、台座制御部173、受渡制御部174、下面洗浄制御部175、カップ制御部176、上面洗浄制御部177、ベベル洗浄制御部178、搬入搬出制御部179および搬送制御部180,181を含む。CPUが記憶装置に記憶された基板処理プログラムをRAM上で実行することにより制御装置170の機能部が実現される。制御装置170の機能部の一部または全部が電子回路等のハードウエアにより実現されてもよい。 As shown in FIG. 5, the control device 170 includes, as functional parts, a chuck control part 171, an adsorption control part 172, a base control part 173, a delivery control part 174, a lower surface cleaning control part 175, a cup control part 176, an upper surface cleaning control part 177, a bevel cleaning control part 178, a loading/unloading control part 179, and transport control parts 180 and 181. The functional parts of the control device 170 are realized by the CPU executing, on the RAM, a substrate processing program stored in the storage device. Some or all of the functional parts of the control device 170 may be realized by hardware such as electronic circuits.

チャック制御部171、吸着制御部172、台座制御部173、受渡制御部174、下面洗浄制御部175、カップ制御部176、上面洗浄制御部177、ベベル洗浄制御部178および搬入搬出制御部179は、各基板洗浄装置1の動作を制御する。具体的には、チャック制御部171は、各基板洗浄装置1に搬入される基板Wを受け取り、吸着保持部21の上方の位置で保持するために、下チャック駆動部13A,13Bおよび上チャック駆動部14A,14Bを制御する。 The chuck control unit 171, the suction control unit 172, the base control unit 173, the delivery control unit 174, the lower surface cleaning control unit 175, the cup control unit 176, the upper surface cleaning control unit 177, the bevel cleaning control unit 178, and the loading/unloading control unit 179 control the operation of each substrate cleaning apparatus 1. Specifically, the chuck control unit 171 receives the substrate W that is loaded into each substrate cleaning apparatus 1, and controls the lower chuck driving units 13A, 13B and the upper chuck driving units 14A, 14B to hold the substrate W at a position above the suction holding unit 21.

吸着制御部172は、吸着保持部21により基板Wを吸着保持するとともに吸着保持された基板Wを回転させるために、吸着保持駆動部22を制御する。台座制御部173は、上側保持装置10A,10Bにより保持される基板Wに対して可動台座32を移動させるために、台座駆動部33を制御する。受渡制御部174は、上側保持装置10A,10Bにより保持される基板Wの高さ位置と、吸着保持部21により保持される基板Wの高さ位置との間で基板Wを移動させるために、ピン昇降駆動部43を制御する。 The suction control unit 172 controls the suction holding drive unit 22 to suction and hold the substrate W by the suction holding unit 21 and rotate the suction-held substrate W. The pedestal control unit 173 controls the pedestal drive unit 33 to move the movable pedestal 32 relative to the substrate W held by the upper holding devices 10A and 10B. The transfer control unit 174 controls the pin lift drive unit 43 to move the substrate W between the height position of the substrate W held by the upper holding devices 10A and 10B and the height position of the substrate W held by the suction holding unit 21.

下面洗浄制御部175は、基板Wの下面を洗浄するために、下面ブラシ回転駆動部55a、下面ブラシ昇降駆動部55b、下面ブラシ移動駆動部55c、下面洗浄液供給部56および噴出気体供給部57を制御する。カップ制御部176は、吸着保持部21により吸着保持された基板Wの洗浄時に基板Wから飛散する洗浄液を処理カップ61で受け止めるために、カップ駆動部62を制御する。 The bottom cleaning control unit 175 controls the bottom brush rotation drive unit 55a, the bottom brush lift drive unit 55b, the bottom brush movement drive unit 55c, the bottom cleaning liquid supply unit 56 and the jet gas supply unit 57 to clean the bottom surface of the substrate W. The cup control unit 176 controls the cup drive unit 62 to allow the processing cup 61 to receive the cleaning liquid that splashes from the substrate W when cleaning the substrate W adsorbed and held by the adsorption holding unit 21.

上面洗浄制御部177は、吸着保持部21により吸着保持された基板Wの上面を洗浄するために、上面洗浄駆動部74および上面洗浄流体供給部75を制御する。ベベル洗浄制御部178は、吸着保持部21により吸着保持された基板Wの外周端部を洗浄するために、ベベルブラシ駆動部84を制御する。搬入搬出制御部179は、各基板洗浄装置1における基板Wの搬入時および搬出時にユニット筐体2の搬入搬出口2xを開閉するために、シャッタ駆動部92を制御する。 The top surface cleaning control unit 177 controls the top surface cleaning drive unit 74 and the top surface cleaning fluid supply unit 75 to clean the top surface of the substrate W adsorbed and held by the adsorption holding unit 21. The bevel cleaning control unit 178 controls the bevel brush drive unit 84 to clean the outer peripheral edge of the substrate W adsorbed and held by the adsorption holding unit 21. The loading/unloading control unit 179 controls the shutter drive unit 92 to open and close the loading/unloading opening 2x of the unit housing 2 when loading and unloading the substrate W in each substrate cleaning device 1.

搬送制御部180は、複数のキャリアCと複数の基板載置部PASS1,PASS2との間で基板Wを搬送するため、搬送駆動部220を制御する。搬送制御部181は、複数の基板載置部PASS1,PASS2と複数の基板洗浄装置1との間で基板Wを搬送するために、搬送駆動部320を制御する。 The transport control unit 180 controls the transport drive unit 220 to transport substrates W between the multiple carriers C and the multiple substrate placement units PASS1, PASS2. The transport control unit 181 controls the transport drive unit 320 to transport substrates W between the multiple substrate placement units PASS1, PASS2 and the multiple substrate cleaning devices 1.

なお、図5の例では、制御装置170は、インデクサロボット200およびメインロボット300の動作に加えて、複数の基板洗浄装置1の動作を制御するが、実施の形態はこれに限定されない。各基板洗浄装置1は、当該基板洗浄装置1の動作を制御するための制御装置を有してもよい。この場合、制御装置170はチャック制御部171、吸着制御部172、台座制御部173、受渡制御部174、下面洗浄制御部175、カップ制御部176、上面洗浄制御部177、ベベル洗浄制御部178および搬入搬出制御部179を含まなくてもよい。 5, the control device 170 controls the operation of the indexer robot 200 and the main robot 300 as well as the operation of the multiple substrate cleaning devices 1, but the embodiment is not limited to this. Each substrate cleaning device 1 may have a control device for controlling the operation of the substrate cleaning device 1. In this case, the control device 170 may not include the chuck control device 171, the suction control device 172, the pedestal control device 173, the transfer control device 174, the lower surface cleaning control device 175, the cup control device 176, the upper surface cleaning control device 177, the bevel cleaning control device 178, and the loading/unloading control device 179.

(4)基板洗浄装置の動作
複数の基板洗浄装置1において、図1のメインロボット300のハンドMa~Mdによりそれぞれ搬送された複数の基板Wについて洗浄処理が順次行われる。以下、ハンドMaにより搬送された基板Wについての基板洗浄装置1の動作を説明するが、ハンドMb~Mdにより搬送された基板Wについての基板洗浄装置1の動作もハンドMaにより搬送された基板Wについての基板洗浄装置1の動作と同様である。
(4) Operation of the Substrate Cleaning Apparatus In the plurality of substrate cleaning apparatuses 1, cleaning processing is sequentially performed on the plurality of substrates W transported by the hands Ma to Md of the main robot 300 in Fig. 1. Below, the operation of the substrate cleaning apparatus 1 for the substrate W transported by the hand Ma will be described, but the operation of the substrate cleaning apparatus 1 for the substrate W transported by the hands Mb to Md is similar to the operation of the substrate cleaning apparatus 1 for the substrate W transported by the hand Ma.

図6~図17は、図3の基板洗浄装置1の動作の一例を説明するための模式図である。図6~図17の各々においては、上段に基板洗浄装置1の平面図が示される。また、中段にY方向に沿って見た下側保持装置20およびその周辺部の側面図が示され、下段にX方向に沿って見た下側保持装置20およびその周辺部の側面図が示される。中段の側面図は図3のA-A線側面図に対応し、下段の側面図は図3のB-B線側面図に対応する。なお、基板洗浄装置1における各構成要素の形状および動作状態の理解を容易にするために、上段の平面図と中段および下段の側面図との間では、一部の構成要素の拡縮率が異なる。また、図6~図17では、処理カップ61が二点鎖線で示されるとともに、基板Wの外形が太い一点鎖線で示される。 Figures 6 to 17 are schematic diagrams for explaining an example of the operation of the substrate cleaning apparatus 1 of Figure 3. In each of Figures 6 to 17, a plan view of the substrate cleaning apparatus 1 is shown in the upper part. A side view of the lower holding device 20 and its surroundings as viewed along the Y direction is shown in the middle part, and a side view of the lower holding device 20 and its surroundings as viewed along the X direction is shown in the lower part. The side view in the middle part corresponds to the side view of line A-A in Figure 3, and the side view in the lower part corresponds to the side view of line B-B in Figure 3. Note that in order to facilitate understanding of the shape and operating state of each component in the substrate cleaning apparatus 1, the enlargement and reduction ratios of some components are different between the plan view in the upper part and the side views in the middle and lower parts. In addition, in Figures 6 to 17, the processing cup 61 is shown by a two-dot chain line, and the outer shape of the substrate W is shown by a thick dashed line.

基板洗浄装置1に基板Wが搬入される前の初期状態においては、開閉装置90のシャッタ91が搬入搬出口2xを閉塞している。また、図3に示されるように、下チャック11A,11Bは、下チャック11A,11B間の距離が基板Wの直径よりも十分に大きくなる状態で維持されている。また、上チャック12A,12Bも、上チャック12A,12B間の距離が基板Wの直径よりも十分に大きくなる状態で維持されている。また、台座装置30の可動台座32は、平面視で吸着保持部21の中心が処理カップ61の中心に位置するように配置されている。また、可動台座32上で下面洗浄装置50は、接近位置に配置されている。また、下面洗浄装置50の昇降支持部54は、下面ブラシ51の洗浄面(上端部)が吸着保持部21よりも下方に位置する状態にある。また、受渡装置40は、複数の支持ピン41が吸着保持部21よりも下方に位置する状態にある。さらに、カップ装置60においては、処理カップ61は下カップ位置にある。以下の説明では、平面視における処理カップ61の中心位置を平面基準位置rpと呼ぶ。また、平面視で吸着保持部21の中心が平面基準位置rpにあるときの底面部2a上の可動台座32の位置を第1の水平位置と呼ぶ。 In the initial state before the substrate W is loaded into the substrate cleaning device 1, the shutter 91 of the opening/closing device 90 closes the loading/unloading port 2x. As shown in FIG. 3, the lower chucks 11A and 11B are maintained in a state in which the distance between the lower chucks 11A and 11B is sufficiently larger than the diameter of the substrate W. The upper chucks 12A and 12B are also maintained in a state in which the distance between the upper chucks 12A and 12B is sufficiently larger than the diameter of the substrate W. The movable base 32 of the base device 30 is arranged so that the center of the suction holder 21 is located at the center of the processing cup 61 in a plan view. The lower surface cleaning device 50 is arranged at a close position on the movable base 32. The lifting support part 54 of the lower surface cleaning device 50 is in a state in which the cleaning surface (upper end) of the lower surface brush 51 is located below the suction holder 21. The transfer device 40 is in a state in which the multiple support pins 41 are located below the suction holder 21. Furthermore, in the cup device 60, the processing cup 61 is in the lower cup position. In the following description, the center position of the processing cup 61 in a planar view is referred to as the planar reference position rp. In addition, the position of the movable base 32 on the bottom surface portion 2a when the center of the suction holding portion 21 is at the planar reference position rp in a planar view is referred to as the first horizontal position.

基板洗浄装置1のユニット筐体2内に処理前の基板Wが搬入される。具体的には、基板Wの搬入の直前にシャッタ91が搬入搬出口2xを開放する。その後、図6に太い実線の矢印a1で示すように、図1のメインロボット300のハンドMaが搬入搬出口2xを通してユニット筐体2に進入し、ユニット筐体2内の略中央の位置に基板Wを渡す。このとき、ハンドMaにより保持される基板Wは、図6に示すように、下チャック11Aおよび上チャック12Aと下チャック11Bおよび上チャック12Bとの間に位置する。 An unprocessed substrate W is loaded into the unit housing 2 of the substrate cleaning apparatus 1. Specifically, the shutter 91 opens the loading/unloading opening 2x immediately before the substrate W is loaded. Thereafter, as indicated by the thick solid arrow a1 in FIG. 6, the hand Ma of the main robot 300 in FIG. 1 enters the unit housing 2 through the loading/unloading opening 2x and delivers the substrate W to a position approximately in the center of the unit housing 2. At this time, the substrate W held by the hand Ma is positioned between the lower chuck 11A and upper chuck 12A and the lower chuck 11B and upper chuck 12B, as shown in FIG. 6.

次に、図7に太い実線の矢印a2で示すように、下チャック11A,11Bの複数の支持片が基板Wの下面周縁部の下方に位置するように、下チャック11A,11Bが互いに近づく。この状態で、ハンドMaが下降する。それにより、ハンドMaに保持された基板Wの下面周縁部の複数の部分が、下チャック11A,11Bの複数の支持片により支持される。このときの基板Wの位置が搬入位置である。この時点において、搬出位置には、ユニット筐体2に前回搬入されかつ処理が終了した基板Wが存在する。そこで、ハンドMaは、上記のように搬入位置で下チャック11A,11Bに基板Wを渡した後、搬出位置の処理後の基板Wを受け取り、ユニット筐体2から退出する。ハンドMaの退出後、シャッタ91は搬入搬出口2xを閉塞する。 Next, as shown by the thick solid arrow a2 in FIG. 7, the lower chucks 11A and 11B approach each other so that the multiple support pieces of the lower chucks 11A and 11B are positioned below the lower peripheral edge of the substrate W. In this state, the hand Ma descends. As a result, multiple portions of the lower peripheral edge of the substrate W held by the hand Ma are supported by the multiple support pieces of the lower chucks 11A and 11B. The position of the substrate W at this time is the loading position. At this point, the substrate W that was previously loaded into the unit housing 2 and has been processed is present at the unloading position. Therefore, the hand Ma passes the substrate W to the lower chucks 11A and 11B at the loading position as described above, and then receives the processed substrate W at the unloading position and exits the unit housing 2. After the hand Ma exits, the shutter 91 closes the loading/unloading opening 2x.

次に、図8に太い実線の矢印a3で示すように、上チャック12A,12Bの複数の保持片が基板Wの外周端部に当接するように、上チャック12A,12Bが互いに近づく。上チャック12A,12Bの複数の保持片が基板Wの外周端部の複数の部分に当接することにより、下チャック11A,11Bにより支持された基板Wが上チャック12A,12Bによりさらに保持される。このようにして、上側保持装置10A,10Bにより保持される基板Wの中心は、平面視で平面基準位置rpに重なるかほぼ重なる。また、図8に太い実線の矢印a4で示すように、吸着保持部21が平面基準位置rpから所定距離ずれるとともに下面ブラシ51の中心が平面基準位置rpに位置するように、可動台座32が第1の水平位置から前方に移動する。このとき、底面部2a上に位置する可動台座32の位置を第2の水平位置と呼ぶ。 8, the upper chucks 12A and 12B approach each other so that the multiple holding pieces of the upper chucks 12A and 12B abut against the outer peripheral edge of the substrate W. The multiple holding pieces of the upper chucks 12A and 12B abut against multiple parts of the outer peripheral edge of the substrate W, and the substrate W supported by the lower chucks 11A and 11B is further held by the upper chucks 12A and 12B. In this way, the center of the substrate W held by the upper holding devices 10A and 10B overlaps or nearly overlaps with the planar reference position rp in a planar view. Also, as shown by the thick solid arrow a4 in FIG. 8, the suction holding unit 21 is shifted a predetermined distance from the planar reference position rp and the movable base 32 moves forward from the first horizontal position so that the center of the lower brush 51 is located at the planar reference position rp. At this time, the position of the movable base 32 located on the bottom surface portion 2a is called the second horizontal position.

次に、図9に太い実線の矢印a5で示すように、下面ブラシ51の洗浄面が基板Wの下面中央領域に接触するように、昇降支持部54が上昇する。また、図9に太い実線の矢印a6で示すように、下面ブラシ51が上下方向の軸の周りで回転(自転)する。それにより、基板Wの下面中央領域に付着する汚染物質が下面ブラシ51により物理的に剥離される。 9, the lifting support 54 rises so that the cleaning surface of the lower brush 51 comes into contact with the central region of the lower surface of the substrate W. Also, as shown by the thick solid arrow a6 in FIG. 9, the lower brush 51 rotates (spins) around an axis in the vertical direction. As a result, contaminants adhering to the central region of the lower surface of the substrate W are physically peeled off by the lower brush 51.

図9の下段には、下面ブラシ51が基板Wの下面に接触する部分の拡大側面図が吹き出し内に示される。その吹き出し内に示されるように、下面ブラシ51が基板Wに接触する状態で、液ノズル52および気体噴出部53は、基板Wの下面に近接する位置に保持される。このとき、液ノズル52は、白抜きの矢印a51で示すように、下面ブラシ51の近傍の位置で基板Wの下面に向かって洗浄液を吐出する。これにより、液ノズル52から基板Wの下面に供給された洗浄液が下面ブラシ51と基板Wとの接触部に導かれることにより、下面ブラシ51により基板Wの裏面から除去された汚染物質が洗浄液により洗い流される。このように、下面洗浄装置50においては、液ノズル52が下面ブラシ51とともに昇降支持部54に取り付けられている。それにより、下面ブラシ51による基板Wの下面の洗浄部分に効率よく洗浄液を供給することができる。したがって、洗浄液の消費量が低減されるとともに洗浄液の過剰な飛散が抑制される。 9, an enlarged side view of the portion where the lower brush 51 contacts the lower surface of the substrate W is shown in a bubble. As shown in the bubble, when the lower brush 51 contacts the substrate W, the liquid nozzle 52 and the gas ejection part 53 are held in a position close to the lower surface of the substrate W. At this time, the liquid nozzle 52 ejects the cleaning liquid toward the lower surface of the substrate W at a position close to the lower brush 51, as shown by the outlined arrow a51. As a result, the cleaning liquid supplied to the lower surface of the substrate W from the liquid nozzle 52 is guided to the contact part between the lower brush 51 and the substrate W, and the contaminants removed from the rear surface of the substrate W by the lower brush 51 are washed away by the cleaning liquid. In this way, in the lower surface cleaning device 50, the liquid nozzle 52 is attached to the lift support part 54 together with the lower brush 51. As a result, the cleaning liquid can be efficiently supplied to the portion of the lower surface of the substrate W cleaned by the lower brush 51. Therefore, the consumption of the cleaning liquid is reduced and excessive scattering of the cleaning liquid is suppressed.

なお、基板Wの下面を洗浄する際の下面ブラシ51の回転速度は、液ノズル52から基板Wの下面に供給される洗浄液が下面ブラシ51の側方に飛散しない程度の速度に維持される。 The rotational speed of the lower surface brush 51 when cleaning the underside of the substrate W is maintained at a speed that prevents the cleaning liquid supplied from the liquid nozzle 52 to the underside of the substrate W from splashing to the sides of the lower surface brush 51.

ここで、昇降支持部54の上面54uは、吸着保持部21から遠ざかる方向において斜め下方に傾斜している。この場合、基板Wの下面から汚染物質を含む洗浄液が昇降支持部54上に落下する場合に、上面54uによって受け止められた洗浄液が吸着保持部21から遠ざかる方向に導かれる。 Here, the upper surface 54u of the lifting support 54 is inclined obliquely downward in a direction away from the suction holder 21. In this case, when cleaning liquid containing contaminants falls from the underside of the substrate W onto the lifting support 54, the cleaning liquid received by the upper surface 54u is guided in a direction away from the suction holder 21.

また、下面ブラシ51による基板Wの下面の洗浄時には、気体噴出部53が、図9の吹き出し内に白抜きの矢印a52で示すように、下面ブラシ51と吸着保持部21との間の位置で基板Wの下面に向かって気体を噴射する。本実施の形態においては、気体噴出部53は、気体噴射口がX方向に延びるように昇降支持部54上に取り付けられている。この場合、気体噴出部53から基板Wの下面に気体が噴射される際には、下面ブラシ51と吸着保持部21との間でX方向に延びる帯状の気体カーテンが形成される。それにより、下面ブラシ51による基板Wの下面の洗浄時に、汚染物質を含む洗浄液が吸着保持部21に向かって飛散することが防止される。したがって、下面ブラシ51による基板Wの下面の洗浄時に、汚染物質を含む洗浄液が吸着保持部21に付着することが防止され、吸着保持部21の吸着面が清浄に保たれる。 When the lower surface of the substrate W is cleaned by the lower brush 51, the gas ejection unit 53 ejects gas toward the lower surface of the substrate W at a position between the lower brush 51 and the suction holder 21, as shown by the white arrow a52 in the blowout in FIG. 9. In this embodiment, the gas ejection unit 53 is attached to the lift support unit 54 so that the gas ejection port extends in the X direction. In this case, when gas is ejected from the gas ejection unit 53 toward the lower surface of the substrate W, a band-shaped gas curtain extending in the X direction is formed between the lower brush 51 and the suction holder 21. This prevents the cleaning liquid containing contaminants from scattering toward the suction holder 21 when the lower surface of the substrate W is cleaned by the lower brush 51. Therefore, when the lower surface of the substrate W is cleaned by the lower brush 51, the cleaning liquid containing contaminants is prevented from adhering to the suction holder 21, and the suction surface of the suction holder 21 is kept clean.

なお、図9の例においては、気体噴出部53は、白抜きの矢印a52で示すように、気体噴出部53から下面ブラシ51に向かって斜め上方に気体を噴射するが、実施の形態はこれに限定されない。気体噴出部53は、気体噴出部53から基板Wの下面に向かってZ方向に沿うように気体を噴射してもよい。 In the example of FIG. 9, the gas ejection part 53 ejects gas obliquely upward from the gas ejection part 53 toward the lower surface brush 51, as shown by the white arrow a52, but the embodiment is not limited to this. The gas ejection part 53 may eject gas from the gas ejection part 53 toward the lower surface of the substrate W along the Z direction.

次に、図9の状態で、基板Wの下面中央領域の洗浄が完了すると、下面ブラシ51の回転が停止され、下面ブラシ51の洗浄面が基板Wから所定距離離間するように、昇降支持部54が下降する。また、液ノズル52から基板Wへの洗浄液の吐出が停止される。このとき、気体噴出部53から基板Wへの気体の噴射は継続される。 Next, when cleaning of the central region of the underside of the substrate W is completed in the state shown in FIG. 9, the rotation of the lower surface brush 51 is stopped and the lifting support part 54 is lowered so that the cleaning surface of the lower surface brush 51 is spaced a predetermined distance from the substrate W. In addition, the ejection of cleaning liquid from the liquid nozzle 52 onto the substrate W is stopped. At this time, the injection of gas from the gas ejection part 53 onto the substrate W continues.

その後、図10に太い実線の矢印a7で示すように、吸着保持部21が平面基準位置rpに位置するように、可動台座32が後方に移動する。すなわち、可動台座32は、第2の水平位置から第1の水平位置に移動する。このとき、気体噴出部53から基板Wへの気体の噴射が継続されることにより、基板Wの下面中央領域が気体カーテンにより順次乾燥される。 Then, as shown by the thick solid arrow a7 in FIG. 10, the movable base 32 moves backward so that the suction holder 21 is positioned at the planar reference position rp. That is, the movable base 32 moves from the second horizontal position to the first horizontal position. At this time, gas continues to be sprayed from the gas outlet 53 onto the substrate W, so that the central region of the underside of the substrate W is sequentially dried by the gas curtain.

次に、図11に太い実線の矢印a8で示すように、下面ブラシ51の洗浄面が吸着保持部21の吸着面(上端部)よりも下方に位置するように、昇降支持部54が下降する。また、図11に太い実線の矢印a9で示すように、上チャック12A,12Bの複数の保持片が基板Wの外周端部から離間するように、上チャック12A,12Bが互いに遠ざかる。このとき、基板Wは、下チャック11A,11Bにより支持された状態となる。 Next, as shown by the thick solid arrow a8 in Fig. 11, the lifting support part 54 descends so that the cleaning surface of the lower surface brush 51 is positioned below the suction surface (upper end) of the suction holding part 21. Also, as shown by the thick solid arrow a9 in Fig. 11, the upper chucks 12A, 12B move away from each other so that the multiple holding pieces of the upper chucks 12A, 12B are separated from the outer peripheral end of the substrate W. At this time, the substrate W is supported by the lower chucks 11A, 11B.

その後、図11に太い実線の矢印a10で示すように、複数の支持ピン41の上端部が下チャック11A,11Bよりもわずかに上方に位置するように、ピン連結部材42が上昇する。それにより、下チャック11A,11Bにより支持された基板Wが、複数の支持ピン41により受け取られる。 Then, as shown by the thick solid arrow a10 in FIG. 11, the pin connecting member 42 rises so that the upper ends of the multiple support pins 41 are positioned slightly above the lower chucks 11A and 11B. As a result, the substrate W supported by the lower chucks 11A and 11B is received by the multiple support pins 41.

次に、図12に太い実線の矢印a11で示すように、下チャック11A,11Bが互いに遠ざかる。このとき、下チャック11A,11Bは、平面視で複数の支持ピン41により支持される基板Wに重ならない位置まで移動する。それにより、上側保持装置10A,10Bは、ともに初期状態に戻る。 Next, as shown by the thick solid arrow a11 in FIG. 12, the lower chucks 11A and 11B move away from each other. At this time, the lower chucks 11A and 11B move to positions where they do not overlap the substrate W supported by the multiple support pins 41 in a plan view. As a result, both upper holding devices 10A and 10B return to their initial states.

次に、図13に太い実線の矢印a12で示すように、複数の支持ピン41の上端部が吸着保持部21よりも下方に位置するように、ピン連結部材42が下降する。それにより、複数の支持ピン41上に支持された基板Wが、吸着保持部21により受け取られる。この状態で、吸着保持部21は、基板Wの下面中央領域を吸着保持する。このようにして、下側保持装置20により吸着保持される基板Wの中心は、平面視で平面基準位置rpに重なるかほぼ重なる。このときの基板Wの位置が搬出位置である。したがって、本例では、搬出位置は、搬入位置の下方にある。ピン連結部材42の下降と同時かまたはピン連結部材42の下降完了後、図13に太い実線の矢印a13で示すように、処理カップ61が下カップ位置から上カップ位置まで上昇する。それにより、搬出位置にある基板Wは、処理カップ61の上端部よりも下方に位置する。 13, the pin connecting member 42 is lowered so that the upper ends of the multiple support pins 41 are positioned below the suction holding unit 21. As a result, the substrate W supported on the multiple support pins 41 is received by the suction holding unit 21. In this state, the suction holding unit 21 suctions and holds the central region of the lower surface of the substrate W. In this way, the center of the substrate W suction-held by the lower holding device 20 overlaps or nearly overlaps with the planar reference position rp in a planar view. The position of the substrate W at this time is the unloading position. Therefore, in this example, the unloading position is below the loading position. Simultaneously with the descent of the pin connecting member 42 or after the descent of the pin connecting member 42 is completed, the processing cup 61 is raised from the lower cup position to the upper cup position as shown by the thick solid arrow a13 in FIG. 13. As a result, the substrate W at the unloading position is positioned below the upper end of the processing cup 61.

次に、図14に太い実線の矢印a14で示すように、吸着保持部21が上下方向の軸(吸着保持駆動部22の回転軸の軸心)の周りで回転する。それにより、吸着保持部21に吸着保持された基板Wが水平姿勢で回転する。 Next, as shown by the thick solid arrow a14 in FIG. 14, the suction holder 21 rotates around the vertical axis (the axis of the rotation axis of the suction holder drive unit 22). As a result, the substrate W suction-held by the suction holder 21 rotates in a horizontal position.

次に、上面洗浄装置70の回転支持軸71が回転し、下降する。それにより、図14に太い実線の矢印a15で示すように、スプレーノズル73が基板Wの上方の位置まで移動し、スプレーノズル73と基板Wとの間の距離が予め定められた距離となるように下降する。この状態で、スプレーノズル73は、基板Wの上面に洗浄液と気体との混合流体を噴射する。また、回転支持軸71が回転する。それにより、図14に太い実線の矢印a16で示すように、スプレーノズル73が回転する基板Wの上方の位置で移動する。基板Wの上面全体に混合流体が噴射されることにより、基板Wの上面全体が洗浄される。 Next, the rotary support shaft 71 of the upper surface cleaning device 70 rotates and descends. As a result, as shown by the thick solid arrow a15 in FIG. 14, the spray nozzle 73 moves to a position above the substrate W, and descends so that the distance between the spray nozzle 73 and the substrate W becomes a predetermined distance. In this state, the spray nozzle 73 sprays a mixed fluid of cleaning liquid and gas onto the upper surface of the substrate W. The rotary support shaft 71 also rotates. As a result, as shown by the thick solid arrow a16 in FIG. 14, the spray nozzle 73 moves to a position above the rotating substrate W. The mixed fluid is sprayed onto the entire upper surface of the substrate W, so that the entire upper surface of the substrate W is cleaned.

また、スプレーノズル73による基板Wの上面の洗浄時には、端部洗浄装置80の回転支持軸81も回転し、下降する。それにより、図14に太い実線の矢印a17で示すように、ベベルブラシ83が基板Wの外周端部の上方の位置まで移動する。また、ベベルブラシ83の外周面の中央部分が基板Wの外周端部に接触するように下降する。この状態で、ベベルブラシ83が上下方向の軸の周りで回転(自転)する。それにより、基板Wの外周端部に付着する汚染物質がベベルブラシ83により物理的に剥離される。基板Wの外周端部から剥離された汚染物質は、スプレーノズル73から基板Wに噴射される混合流体の洗浄液により洗い流される。 When the upper surface of the substrate W is cleaned by the spray nozzle 73, the rotary support shaft 81 of the edge cleaning device 80 also rotates and descends. As a result, the bevel brush 83 moves to a position above the outer circumferential edge of the substrate W, as shown by the thick solid arrow a17 in FIG. 14. The central portion of the outer circumferential surface of the bevel brush 83 also descends so as to contact the outer circumferential edge of the substrate W. In this state, the bevel brush 83 rotates (spins) around an axis extending in the vertical direction. As a result, contaminants adhering to the outer circumferential edge of the substrate W are physically peeled off by the bevel brush 83. The contaminants peeled off from the outer circumferential edge of the substrate W are washed away by the cleaning liquid of the mixed fluid sprayed from the spray nozzle 73 onto the substrate W.

さらに、スプレーノズル73による基板Wの上面の洗浄時には、下面ブラシ51の洗浄面が基板Wの下面外側領域に接触するように、昇降支持部54が上昇する。また、図14に太い実線の矢印a18で示すように、下面ブラシ51が上下方向の軸の周りで回転(自転)する。さらに、液ノズル52は基板Wの下面に向かって洗浄液を吐出し、気体噴出部53は基板Wの下面に向かって気体を噴射する。この状態で、さらに図14に太い実線の矢印a19で示すように、移動支持部55が可動台座32上で接近位置と離間位置との間を進退動作する。このように、移動支持部55により下面ブラシ51が基板Wの下面に接触する状態で水平方向に移動することにより、基板Wの下面における下面ブラシ51による洗浄可能な範囲が拡大される。それにより、吸着保持部21により吸着保持されて回転される基板Wの下面外側領域が全体に渡って下面ブラシ51により洗浄される。 When the upper surface of the substrate W is cleaned by the spray nozzle 73, the lifting support 54 is raised so that the cleaning surface of the lower brush 51 comes into contact with the outer region of the lower surface of the substrate W. As shown by the thick solid arrow a18 in FIG. 14, the lower brush 51 rotates (spins) around an axis in the vertical direction. Furthermore, the liquid nozzle 52 ejects cleaning liquid toward the lower surface of the substrate W, and the gas ejection unit 53 ejects gas toward the lower surface of the substrate W. In this state, as shown by the thick solid arrow a19 in FIG. 14, the moving support 55 moves back and forth between the approach position and the separated position on the movable base 32. In this way, the moving support 55 moves the lower brush 51 in the horizontal direction while contacting the lower surface of the substrate W, thereby expanding the range of the lower surface of the substrate W that can be cleaned by the lower brush 51. As a result, the entire outer region of the lower surface of the substrate W that is adsorbed and held by the adsorption holding unit 21 and rotated is cleaned by the lower brush 51.

次に、基板Wの上面、外周端部および下面外側領域の洗浄が完了すると、スプレーノズル73から基板Wへの混合流体の噴射が停止される。また、図15に太い実線の矢印a20で示すように、スプレーノズル73が処理カップ61の一側方の位置(初期状態の位置)まで移動する。また、図15に太い実線の矢印a21で示すように、ベベルブラシ83が処理カップ61の他側方の位置(初期状態の位置)まで移動する。さらに、下面ブラシ51の回転が停止され、下面ブラシ51の洗浄面が基板Wから所定距離離間するように、昇降支持部54が下降する。また、液ノズル52から基板Wへの洗浄液の吐出、および気体噴出部53から基板Wへの気体の噴射が停止される。この状態で、吸着保持部21が高速で回転することにより、基板Wに付着する洗浄液が振り切られ、基板Wの全体が乾燥する。 Next, when cleaning of the upper surface, outer peripheral edge, and lower outer region of the substrate W is completed, the spray nozzle 73 stops spraying the mixed fluid onto the substrate W. Also, as shown by the thick solid arrow a20 in FIG. 15, the spray nozzle 73 moves to a position on one side of the processing cup 61 (initial state position). Also, as shown by the thick solid arrow a21 in FIG. 15, the bevel brush 83 moves to a position on the other side of the processing cup 61 (initial state position). Furthermore, the rotation of the lower brush 51 is stopped, and the lift support part 54 is lowered so that the cleaning surface of the lower brush 51 is separated from the substrate W by a predetermined distance. Also, the discharge of the cleaning liquid from the liquid nozzle 52 onto the substrate W and the spray of gas from the gas blowing part 53 onto the substrate W are stopped. In this state, the suction holding part 21 rotates at high speed, so that the cleaning liquid adhering to the substrate W is shaken off, and the entire substrate W is dried.

次に、図16に太い実線の矢印a22で示すように、処理カップ61が上カップ位置から下カップ位置まで下降する。それにより、搬出位置にある基板Wは、処理カップ61の上端部よりも上方に位置する。また、新たな基板Wがユニット筐体2内に搬入されることに備えて、図16に太い実線の矢印a23で示すように、新たな基板Wを支持可能な位置まで下チャック11A,11Bが互いに近づく。 16, the processing cup 61 is lowered from the upper cup position to the lower cup position. As a result, the substrate W in the unloading position is positioned above the upper end of the processing cup 61. In addition, in preparation for a new substrate W being loaded into the unit housing 2, the lower chucks 11A and 11B approach each other to positions where they can support the new substrate W, as shown by the thick solid arrow a23 in FIG. 16.

最後に、基板洗浄装置1のユニット筐体2内から基板Wが搬出される。具体的には、基板Wの搬出の直前にシャッタ91が搬入搬出口2xを開放する。この時点において、搬入位置には基板Wが存在しない。そこで、図1のメインロボット300のハンドMaは、次の処理前の基板Wを保持した状態で、搬入搬出口2xを通してユニット筐体2内に進入し、処理前の基板Wを搬入位置に渡す。その後、図17に太い実線の矢印a24で示すように、ハンドMaは、搬出位置の処理後の基板Wを受け取り、ユニット筐体2から退出する。ハンドMaの退出後、シャッタ91は搬入搬出口2xを閉塞する。 Finally, the substrate W is unloaded from the unit housing 2 of the substrate cleaning apparatus 1. Specifically, the shutter 91 opens the loading/unloading opening 2x just before the substrate W is unloaded. At this point, there is no substrate W at the loading position. Therefore, the hand Ma of the main robot 300 in FIG. 1 enters the unit housing 2 through the loading/unloading opening 2x while holding the next unprocessed substrate W, and delivers the unprocessed substrate W to the loading position. Thereafter, as shown by the thick solid arrow a24 in FIG. 17, the hand Ma receives the processed substrate W at the unloading position and exits the unit housing 2. After the hand Ma exits, the shutter 91 closes the loading/unloading opening 2x.

(5)基板処理
図18および図19は、図5の制御装置170による基板処理を示すフローチャートである。図18および図19の基板処理は、制御装置170のCPUが記憶装置に記憶された基板処理プログラムをRAM上で実行することにより行われる。以下、図18および図19のフローチャートを用いて基板処理を説明する。
(5) Substrate Processing Figures 18 and 19 are flow charts showing substrate processing by the control device 170 of Figure 5. The substrate processing of Figures 18 and 19 is performed by the CPU of the control device 170 executing a substrate processing program stored in the storage device on the RAM. The substrate processing will be described below with reference to the flow charts of Figures 18 and 19.

なお、図18および図19のフローチャートでは、主としてメインロボット300のハンドMaの動作が記載されるが、ハンドMb~Mdの動作もハンドMaの動作と同様である。また、図18および図19のフローチャートでは、インデクサロボット200の動作の説明については省略する。 Note that the flowcharts in Figures 18 and 19 mainly describe the operation of hand Ma of the main robot 300, but the operations of hands Mb to Md are similar to the operation of hand Ma. Also, the explanation of the operation of the indexer robot 200 is omitted in the flowcharts in Figures 18 and 19.

まず、メインロボット300は、処理前の基板Wを各ハンドMa~Mdにより基板載置部PASS2から搬出する(ステップS1)。次に、メインロボット300は、ハンドMaを対応する基板洗浄装置1のユニット筐体2に進入させる(ステップS2)。 First, the main robot 300 removes the unprocessed substrate W from the substrate placement part PASS2 using each of the hands Ma to Md (step S1). Next, the main robot 300 moves the hand Ma into the unit housing 2 of the corresponding substrate cleaning apparatus 1 (step S2).

続いて、メインロボット300は、ステップS1で基板載置部PASS2から搬出された処理前の基板WをハンドMaにより搬入位置に渡す(ステップS3)。このとき、搬出位置には基板Wが存在しない。そのため、メインロボット300は、ハンドMaを対応する基板洗浄装置1のユニット筐体2から退出させる(ステップS4)。また、メインロボット300は、ハンドMb~Mcを用いて、対応する基板洗浄装置1に対してステップS2~S4と同様の処理を順次実行する。 Then, the main robot 300 uses the hand Ma to deliver the unprocessed substrate W that was unloaded from the substrate placement unit PASS2 in step S1 to the load position (step S3). At this time, there is no substrate W at the unload position. Therefore, the main robot 300 causes the hand Ma to retreat from the unit housing 2 of the corresponding substrate cleaning apparatus 1 (step S4). The main robot 300 also uses the hands Mb to Mc to sequentially perform processes similar to steps S2 to S4 on the corresponding substrate cleaning apparatus 1.

次に、各基板洗浄装置1は、図6~図17の洗浄処理を実行する(ステップS5)。また、メインロボット300は、処理前の基板Wを各ハンドMa~Mdにより基板載置部PASS2から搬出する(ステップS6)。ステップS5とステップS6とは、並列的に実行されてもよい。 Next, each substrate cleaning apparatus 1 performs the cleaning process shown in FIG. 6 to FIG. 17 (step S5). The main robot 300 then removes the unprocessed substrate W from the substrate placement part PASS2 using each of the hands Ma to Md (step S6). Steps S5 and S6 may be performed in parallel.

洗浄処理の終了後、メインロボット300は、ハンドMaを対応する基板洗浄装置1のユニット筐体2に進入させる(ステップS7)。その後、メインロボット300は、ステップS6で基板載置部PASS2から搬出された処理前の基板WをハンドMaにより搬入位置に渡す(ステップS8)。このとき、搬出位置には、ステップS5または後述するステップS11で洗浄処理された基板Wが存在する。 After the cleaning process is completed, the main robot 300 causes the hand Ma to enter the unit housing 2 of the corresponding substrate cleaning apparatus 1 (step S7). The main robot 300 then transfers the unprocessed substrate W, which was unloaded from the substrate placement part PASS2 in step S6, to the load position by the hand Ma (step S8). At this time, the substrate W that has been subjected to the cleaning process in step S5 or in step S11 described later is present at the unload position.

そこで、メインロボット300は、処理後の基板WをハンドMaにより搬出位置から受け取る(ステップS9)。その後、メインロボット300は、ハンドMaを対応する基板洗浄装置1のユニット筐体2から退出させる(ステップS10)。また、メインロボット300は、ハンドMb~Mcを用いて、対応する基板洗浄装置1に対してステップS7~S10と同様の処理を順次実行する。 Then, the main robot 300 receives the processed substrate W from the unloading position using the hand Ma (step S9). The main robot 300 then causes the hand Ma to retreat from the unit housing 2 of the corresponding substrate cleaning apparatus 1 (step S10). The main robot 300 also uses the hands Mb to Mc to sequentially perform the same processes as steps S7 to S10 on the corresponding substrate cleaning apparatus 1.

次に、各基板洗浄装置1は、図6~図17の洗浄処理を実行する(ステップS11)。また、メインロボット300は、ステップS9で搬出位置から受け取られた処理後の各基板WをハンドMa~Mdにより基板載置部PASS1に搬入する(ステップS12)。ステップS11とステップS12とは、並列的に実行されてもよい。 Next, each substrate cleaning apparatus 1 performs the cleaning process of Figures 6 to 17 (step S11). The main robot 300 also transfers each processed substrate W received from the unloading position in step S9 into the substrate placement part PASS1 using the hands Ma to Md (step S12). Steps S11 and S12 may be performed in parallel.

続いて、制御装置170は、基板処理を終了するか否かを判定する(ステップS13)。制御装置170は、使用者により終了指令が与えられた場合に、基板処理を終了すると判定してもよい。あるいは、制御装置170は、所定枚数の基板Wの洗浄処理を実行した場合に、基板処理を終了すると判定してもよい。基板処理を終了すると判定された場合、制御装置170は、ステップS6に戻る。この場合、基板処理を終了すると判定されるまで、ステップS6~S13が繰り返される。 The controller 170 then determines whether or not to terminate the substrate processing (step S13). The controller 170 may determine to terminate the substrate processing when a termination command is given by the user. Alternatively, the controller 170 may determine to terminate the substrate processing when cleaning processing has been performed on a predetermined number of substrates W. If it is determined to terminate the substrate processing, the controller 170 returns to step S6. In this case, steps S6 to S13 are repeated until it is determined to terminate the substrate processing.

基板処理を終了すると判定された場合、メインロボット300は、ハンドMaを対応する基板洗浄装置1のユニット筐体2に進入させる(ステップS14)。このとき、搬出位置には、ステップS11で洗浄処理された基板Wが存在する。そこで、メインロボット300は、処理後の基板WをハンドMaにより搬出位置から受け取る(ステップS15)。その後、メインロボット300は、ハンドMaを対応する基板洗浄装置1のユニット筐体2から退出させる(ステップS16)。また、メインロボット300は、ハンドMb~Mcを用いて、対応する基板洗浄装置1に対してステップS14~S16と同様の処理を順次実行する。 If it is determined that the substrate processing is to be terminated, the main robot 300 causes the hand Ma to enter the unit housing 2 of the corresponding substrate cleaning apparatus 1 (step S14). At this time, the substrate W that has been cleaned in step S11 is present at the unloading position. The main robot 300 then receives the processed substrate W from the unloading position using the hand Ma (step S15). The main robot 300 then causes the hand Ma to exit the unit housing 2 of the corresponding substrate cleaning apparatus 1 (step S16). The main robot 300 also uses the hands Mb to Mc to sequentially perform the same processes as steps S14 to S16 on the corresponding substrate cleaning apparatus 1.

最後に、メインロボット300は、ステップS15で搬出位置から受け取られた処理後の各基板WをハンドMa~Mdにより基板載置部PASS1に搬入する(ステップS17)。これにより、基板処理が終了する。 Finally, the main robot 300 transfers each processed substrate W received from the unloading position in step S15 into the substrate placement part PASS1 using the hands Ma to Md (step S17). This completes the substrate processing.

(6)効果
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、メインロボット300のハンドMa~Mdが対応する基板洗浄装置1に進入される。各ハンドMa~Mdにより保持された処理前の基板Wが対応する基板洗浄装置1の搬入位置に渡される。処理前の基板Wが搬入位置に渡された後、各ハンドMa~Mdにより対応する基板洗浄装置1の搬出位置から処理後の基板Wが受け取られる。処理後の基板Wが搬出位置から受け取られた後、各ハンドMa~Mdが対応する基板洗浄装置1から退出される。各基板洗浄装置1により処理前の基板Wに処理が行われる。
(6) Effects In the substrate processing apparatus 100 according to this embodiment, the hands Ma to Md of the main robot 300 enter the corresponding substrate cleaning apparatus 1. The unprocessed substrate W held by each of the hands Ma to Md is delivered to the load position of the corresponding substrate cleaning apparatus 1. After the unprocessed substrate W is delivered to the load position, each of the hands Ma to Md receives the processed substrate W from the unload position of the corresponding substrate cleaning apparatus 1. After the processed substrate W is received from the unload position, each of the hands Ma to Md exits the corresponding substrate cleaning apparatus 1. The unprocessed substrate W is processed by each substrate cleaning apparatus 1.

この構成によれば、各基板洗浄装置1に処理後の基板Wが存在する場合でも、処理前の基板Wを基板洗浄装置1に搬入することができる。そのため、ハンドMa~Mdにより対応する基板洗浄装置1に処理前の基板Wを渡した後に、同一のハンドMa~Mdにより処理後の基板Wを受け取ることが可能となる。したがって、処理後の基板Wを受け取るために、基板Wを保持しないハンドを設ける必要がない。また、複数のハンドMa~Mdにより、処理前の基板Wを渡すとともに、処理後の基板Wを受け取る動作を複数の基板洗浄装置1に対して連続的に行うことが可能となる。これにより、スループットをより向上させることができる。 With this configuration, even if a processed substrate W is present in each substrate cleaning apparatus 1, an unprocessed substrate W can be loaded into the substrate cleaning apparatus 1. Therefore, after the unprocessed substrate W is delivered to the corresponding substrate cleaning apparatus 1 by the hands Ma to Md, the processed substrate W can be received by the same hands Ma to Md. Therefore, there is no need to provide a hand that does not hold a substrate W in order to receive the processed substrate W. Furthermore, the operations of delivering the unprocessed substrate W and receiving the processed substrate W by the multiple hands Ma to Md can be performed continuously for multiple substrate cleaning apparatuses 1. This can further improve throughput.

また、各基板洗浄装置1において、搬入位置に搬入された基板Wが上側保持装置10A,10Bにより保持された状態で、下面洗浄装置50により下面中央領域の洗浄処理が行われる。次に、受渡装置40により基板Wは下側保持装置20により渡される。続いて、基板Wが下側保持装置20により保持された状態で、下面洗浄装置50により下面外側領域の洗浄処理が行われる。これにより、基板Wの下面全体を効率よく洗浄しつつ、洗浄後の基板Wを搬出位置から搬出することができる。搬入位置と搬出位置とは、上下方向に並ぶように配置されるので、基板洗浄装置1の設置床面積(フットプリント)を低減することができる。 In each substrate cleaning apparatus 1, the substrate W loaded into the loading position is held by the upper holding devices 10A, 10B, and the central region of the lower surface is cleaned by the lower surface cleaning device 50. Next, the substrate W is transferred to the lower holding device 20 by the transfer device 40. Then, the outer region of the lower surface is cleaned by the lower surface cleaning device 50, while the substrate W is held by the lower holding device 20. This allows the entire lower surface of the substrate W to be efficiently cleaned, while the cleaned substrate W is unloaded from the unloading position. The loading position and unloading position are arranged vertically side by side, and therefore the installation floor area (footprint) of the substrate cleaning apparatus 1 can be reduced.

また、上記のように、1つの基板洗浄装置1に対して1つのハンドにより基板の渡しおよび受け取りが行われるので、ハンドの不良により基板Wの割れ等の搬送不良が発生した場合に、問題が発生しているハンドを容易に特定することができる。さらに、スループットが向上されるので、メインロボット300の搬送速度を大きくする必要がない。これにより、搬送の安定性を向上させることができる。 As described above, since one hand is used to transfer and receive substrates to and from one substrate cleaning apparatus 1, if a transport error such as cracking of the substrate W occurs due to a fault in the hand, the hand in question can be easily identified. Furthermore, since throughput is improved, there is no need to increase the transport speed of the main robot 300. This can improve transport stability.

(7)他の実施の形態
(a)上記実施の形態において、搬出位置は搬入位置の下方に設けられるが、実施の形態はこれに限定されない。搬出位置は、搬入位置の上方に設けられてもよい。例えば、下側保持装置20の吸着保持部21の中心に搬入位置が設けられ、上側保持装置10A,10B間に搬出位置が設けられてもよい。
(7) Other embodiments (a) In the above embodiment, the unloading position is provided below the loading position, but the embodiment is not limited to this. The unloading position may be provided above the loading position. For example, the loading position may be provided at the center of the suction holding portion 21 of the lower holding device 20, and the unloading position may be provided between the upper holding devices 10A and 10B.

この構成においては、基板Wは搬入位置に渡され、最初に下側保持装置20により吸着保持された状態で、その下面中央領域、外周端部および上面が洗浄される。その後、下側保持装置20により保持された基板Wが上側保持装置10A,10Bにより受け取られ、搬出位置で保持される。この状態で、基板Wの下面中央領域が洗浄される。洗浄後の基板Wは、上側保持装置10A,10Bからユニット筐体2の外部に搬出される。 In this configuration, the substrate W is delivered to the loading position, and while initially held by suction by the lower holding device 20, the central region of its lower surface, its outer peripheral edge and its upper surface are cleaned. The substrate W held by the lower holding device 20 is then received by the upper holding devices 10A, 10B and held at the unloading position. In this state, the central region of the lower surface of the substrate W is cleaned. After cleaning, the substrate W is unloaded from the upper holding devices 10A, 10B to the outside of the unit housing 2.

あるいは、搬入位置と搬出位置とは上下方向に並ぶように配置されなくてもよい。搬入位置と搬出位置とは、例えば水平方向に並ぶように配置されてもよい。 Alternatively, the loading position and the unloading position do not have to be arranged so as to be aligned vertically. The loading position and the unloading position may be arranged so as to be aligned horizontally, for example.

(b)上記実施の形態において、受渡装置40が受渡部であり、上側保持装置10A,10Bと下側保持装置20との間で基板Wを受け渡すが、実施の形態はこれに限定されない。上側保持装置10A,10Bおよび下側保持装置20のうち少なくとも一方が昇降可能に構成される場合には、受渡装置40は設けられなくてもよい。この場合、上側保持装置10A,10Bおよび下側保持装置20のうち少なくとも一方が受渡部であり、当該受渡部が昇降することにより、上側保持装置10A,10Bと下側保持装置20との間で基板Wが受け渡される。 (b) In the above embodiment, the transfer device 40 is the transfer section, and the substrate W is transferred between the upper holding device 10A, 10B and the lower holding device 20, but the embodiment is not limited to this. If at least one of the upper holding device 10A, 10B and the lower holding device 20 is configured to be able to rise and fall, the transfer device 40 does not need to be provided. In this case, at least one of the upper holding device 10A, 10B and the lower holding device 20 is the transfer section, and the substrate W is transferred between the upper holding device 10A, 10B and the lower holding device 20 by raising and lowering the transfer section.

(c)上記実施の形態において、メインロボット300は4つのハンドMa~Mdを有するが、実施の形態はこれに限定されない。メインロボット300は、2つ、3つまたは5つ以上のハンドを有してもよい。また、基板処理装置100には、メインロボット300のハンドに対応するように基板洗浄装置1が設けられることが好ましい。あるいは、メインロボット300は、1つのハンドを有してもよい。この場合でも、ハンドの数当たりのスループットを向上させることができる。 (c) In the above embodiment, the main robot 300 has four hands Ma to Md, but the embodiment is not limited to this. The main robot 300 may have two, three, or five or more hands. Also, it is preferable that the substrate processing apparatus 100 is provided with a substrate cleaning apparatus 1 corresponding to the hands of the main robot 300. Alternatively, the main robot 300 may have one hand. Even in this case, the throughput per number of hands can be improved.

(d)上記実施の形態において、処理ユニットとして洗浄処理を行う基板洗浄装置1が設けられるが、実施の形態はこれに限定されない。処理ユニットとして熱処理を行う熱処理装置、現像処理を行う現像装置または塗布処理を行う塗布装置等が設けられてもよい。また、熱処理装置は、基板に互いに異なる処理として、加熱処理と冷却処理とを実行可能に構成されてもよい。現像装置は、基板に互いに異なる処理として、ポジティブ現像とネガティブ現像とを実行可能に構成されてもよい。 (d) In the above embodiment, a substrate cleaning apparatus 1 that performs a cleaning process is provided as a processing unit, but the embodiment is not limited to this. A heat treatment apparatus that performs a heat treatment, a developing apparatus that performs a developing process, or a coating apparatus that performs a coating process may be provided as a processing unit. In addition, the heat treatment apparatus may be configured to be capable of performing a heating process and a cooling process as different processes on the substrate. The developing apparatus may be configured to be capable of performing positive development and negative development as different processes on the substrate.

(e)上記実施の形態において、上側保持装置10A,10Bにより保持された基板Wと、下側保持装置20により保持された基板Wとに互いに異なる処理が行われるが、実施の形態はこれに限定されない。上側保持装置10A,10Bにより保持された基板Wと、下側保持装置20により保持された基板Wとに同じ処理が行われてもよい。あるいは、上側保持装置10A,10Bにより保持された基板W、または下側保持装置20により保持された基板Wには処理が行われなくてもよい。 (e) In the above embodiment, different processes are performed on the substrate W held by the upper holding devices 10A, 10B and the substrate W held by the lower holding device 20, but the embodiment is not limited to this. The same process may be performed on the substrate W held by the upper holding devices 10A, 10B and the substrate W held by the lower holding device 20. Alternatively, no process may be performed on the substrate W held by the upper holding devices 10A, 10B or the substrate W held by the lower holding device 20.

(f)上記実施の形態において、基板処理装置100は基板洗浄装置1およびメインロボット300等を制御する制御装置170を含むが、実施の形態はこれに限定されない。基板洗浄装置1およびメインロボット300が基板処理装置100の外部の情報処理装置により制御可能に構成されている場合には、基板処理装置100は制御装置170を含まなくてもよい。 (f) In the above embodiment, the substrate processing apparatus 100 includes a control device 170 that controls the substrate cleaning apparatus 1 and the main robot 300, etc., but the embodiment is not limited to this. If the substrate cleaning apparatus 1 and the main robot 300 are configured to be controllable by an information processing device external to the substrate processing apparatus 100, the substrate processing apparatus 100 does not need to include the control device 170.

(8)請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
(8) Correspondence between each component of the claims and each part of the embodiment The following describes examples of the correspondence between each component of the claims and each element of the embodiment, but the present invention is not limited to the following examples. Various other elements having the configuration or function described in the claims can also be used as each component of the claims.

上記実施の形態においては、基板Wが基板の例であり、基板洗浄装置1が処理ユニットの例であり、ハンドMa~Mdが搬送保持部の例であり、メインロボット300が基板搬送部の例であり、基板処理装置100が基板処理装置の例である。上側保持装置10A,10Bが第1の基板保持部の例であり、下面洗浄装置50が第1および第2の処理部の例であり、下側保持装置20が第2の基板保持部の例であり、受渡装置40が受渡部の例である。
(9)参考形態
(9-1)第1の参考形態に係る基板処理装置は、処理前の基板が搬入される搬入位置と処理後の基板が搬出される搬出位置とを有し、処理前の基板を処理する処理ユニットと、処理前および処理後の基板を選択的に保持可能に構成された搬送保持部を有する基板搬送部とを備え、搬送保持部は、処理前の基板を保持して処理ユニットに進入して処理前の基板を搬入位置に渡した後、搬出位置から処理後の基板を受け取り、処理後の基板の受け取り後に処理ユニットから退出する。
この基板処理装置においては、基板搬送部の搬送保持部が処理ユニットに進入される。搬送保持部により保持された処理前の基板が処理ユニットの搬入位置に渡される。処理前の基板が搬入位置に渡された後、搬送保持部により処理ユニットの搬出位置から処理後の基板が受け取られる。処理後の基板が搬出位置から受け取られた後、搬送保持部が処理ユニットから退出される。処理ユニットにより処理前の基板に処理が行われる。
この構成によれば、処理ユニットに処理後の基板が存在する場合でも、処理前の基板を処理ユニットに搬入することができる。そのため、処理ユニットに処理前の基板を渡した後に、当該搬送保持部により処理後の基板を受け取ることが可能となる。したがって、処理後の基板を受け取るために、基板を保持しない搬送保持部を設ける必要がない。これにより、搬送保持部の数当たりのスループットを向上させることができる。
(9-2)搬入位置と搬出位置とは、上下方向に並ぶように配置されてもよい。この場合、処理ユニットの設置床面積(フットプリント)を低減することができる。
(9-3)処理ユニットは複数設けられ、搬送保持部は、複数の処理ユニットにそれぞれ対応するように複数設けられ、複数の基板搬送部の各々は、対応する処理ユニットに進入して処理前の基板を搬入位置に渡した後、搬出位置から処理後の基板を受け取り、処理後の基板の受け取り後に対応する処理ユニットから退出してもよい。この場合、処理前の基板を渡すとともに、処理後の基板を受け取る動作を複数の処理ユニットに対して連続的に行うことが可能となる。これにより、スループットをより向上させることができる。
(9-4)処理ユニットは、搬入位置に搬入された基板を保持する第1の基板保持部と、第1の基板保持部により保持された基板に処理を行う第1の処理部と、搬出位置から搬入される基板を保持する第2の基板保持部と、第1の処理部により処理された基板を第1の基板保持部から第2の基板保持部に渡す受渡部と、第2の基板保持部により保持された基板に処理を行う第2の処理部とを含んでもよい。この場合、搬入位置に搬入され、第1および第2の処理部により処理された基板を処理後の基板として搬出位置から搬出することができる。
(9-5)第1の処理部と第2の処理部とは、基板に互いに異なる処理を行ってもよい。この場合、基板に異なる処理を効率よく行うことができる。
(9-6)第1の処理部は、基板の下面中央領域の洗浄処理を行い、第2の処理部は、基板の下面中央領域を取り囲む下面外側領域の洗浄処理を行ってもよい。この場合、基板の下面全体の洗浄処理を効率よく行うことができる。
(9-7)第2の参考形態に係る基板処理方法は、基板搬送部の搬送保持部を処理ユニットに進入させるステップと、搬送保持部により保持された処理前の基板を処理ユニットの搬入位置に渡すステップと、処理前の基板が搬入位置に渡された後、搬送保持部により処理ユニットの搬出位置から処理後の基板を受け取るステップと、処理後の基板が搬出位置から受け取られた後、搬送保持部を処理ユニットから退出させるステップと、処理ユニットにより処理前の基板に処理を行うステップとを含む。
この基板処理方法によれば、処理ユニットに処理後の基板が存在する場合でも、処理前の基板を処理ユニットに搬入することができる。そのため、処理ユニットに処理前の基板を渡した後に、当該搬送保持部により処理後の基板を受け取ることが可能となる。したがって、処理後の基板を受け取るために、基板を保持しない搬送保持部を設ける必要がない。これにより、搬送保持部の数当たりのスループットを向上させることができる。
In the above-described embodiment, the substrate W is an example of a substrate, the substrate cleaning apparatus 1 is an example of a processing unit, the hands Ma to Md are an example of a transport/holding section, the main robot 300 is an example of a substrate transport section, and the substrate processing apparatus 100 is an example of a substrate processing apparatus. The upper holding devices 10A and 10B are examples of a first substrate holding section, the lower surface cleaning device 50 is an example of a first and second processing section, the lower holding device 20 is an example of a second substrate holding section, and the delivery device 40 is an example of a delivery section.
(9) Reference form
(9-1) A substrate processing apparatus according to a first reference embodiment has an entrance position where an unprocessed substrate is loaded and an exit position where a processed substrate is loaded, and is equipped with a processing unit that processes the unprocessed substrate, and a substrate transport section having a transport holding section configured to selectively hold the unprocessed and processed substrate, the transport holding section holding the unprocessed substrate while entering the processing unit and transferring the unprocessed substrate to the entrance position, then receiving the processed substrate from the exit position and exiting the processing unit after receiving the processed substrate.
In this substrate processing apparatus, the transport holder of the substrate transport section enters the processing unit. The unprocessed substrate held by the transport holder is delivered to the load position of the processing unit. After the unprocessed substrate has been delivered to the load position, the transport holder receives the processed substrate from the unload position of the processing unit. After the processed substrate has been received from the unload position, the transport holder exits the processing unit. The processing unit processes the unprocessed substrate.
According to this configuration, even if a processed substrate is present in the processing unit, an unprocessed substrate can be carried into the processing unit. Therefore, after the unprocessed substrate is delivered to the processing unit, the processed substrate can be received by the transport holder. Therefore, there is no need to provide a transport holder that does not hold a substrate in order to receive the processed substrate. This makes it possible to improve the throughput per number of transport holders.
(9-2) The loading position and the unloading position may be arranged vertically side by side, which can reduce the installation floor area (footprint) of the processing unit.
(9-3) A plurality of processing units may be provided, and a plurality of transport holders may be provided corresponding to the plurality of processing units, and each of the plurality of substrate transport units may enter the corresponding processing unit to deliver the unprocessed substrate to the carry-in position, receive the processed substrate from the carry-out position, and exit the corresponding processing unit after receiving the processed substrate. In this case, the operations of delivering the unprocessed substrate and receiving the processed substrate can be performed continuously for the plurality of processing units. This can further improve throughput.
(9-4) The processing unit may include a first substrate holding part that holds a substrate carried in to the carry-in position, a first processing part that performs processing on the substrate held by the first substrate holding part, a second substrate holding part that holds a substrate carried in from the unloading position, a transfer part that transfers the substrate processed by the first processing part from the first substrate holding part to the second substrate holding part, and a second processing part that performs processing on the substrate held by the second substrate holding part. In this case, the substrate carried in to the carry-in position and processed by the first and second processing parts can be unloaded from the unloading position as a processed substrate.
(9-5) The first and second processing sections may perform different processes on the substrate. In this case, the different processes can be efficiently performed on the substrate.
(9-6) The first processing unit may perform a cleaning process on a central region of the underside of the substrate, and the second processing unit may perform a cleaning process on an outer region of the underside surrounding the central region of the underside of the substrate. In this case, the entire underside of the substrate can be efficiently cleaned.
(9-7) A substrate processing method according to a second reference embodiment includes the steps of: entering a transport holding part of a substrate transport part into a processing unit; transferring an unprocessed substrate held by the transport holding part to a load position of the processing unit; receiving the processed substrate from an unloading position of the processing unit by the transport holding part after the unprocessed substrate has been transferred to the load position; withdrawing the transport holding part from the processing unit after the processed substrate has been received from the unloading position; and processing the unprocessed substrate by the processing unit.
According to this substrate processing method, even if a processed substrate is present in the processing unit, an unprocessed substrate can be carried into the processing unit. Therefore, after the unprocessed substrate is delivered to the processing unit, the processed substrate can be received by the transport holder. Therefore, there is no need to provide a transport holder that does not hold a substrate in order to receive the processed substrate. This makes it possible to improve the throughput per number of transport holders.

1…基板洗浄装置,2…ユニット筐体,2a…底面部,2b~2e…側壁部,2x…搬入搬出口,10A,10B…上側保持装置,11A,11B…下チャック,12A,12B…上チャック,13A,13B…下チャック駆動部,14A,14B…上チャック駆動部,20…下側保持装置,21…吸着保持部,22…吸着保持駆動部,30…台座装置,31…リニアガイド,32…可動台座,33…台座駆動部,40…受渡装置,41…支持ピン,42…ピン連結部材,43…ピン昇降駆動部,50…下面洗浄装置,51…下面ブラシ,52…液ノズル,53…気体噴出部,54…昇降支持部,54u…上面,55…移動支持部,55a…下面ブラシ回転駆動部,55b…下面ブラシ昇降駆動部,55c…下面ブラシ移動駆動部,56…下面洗浄液供給部,57…噴出気体供給部,60…カップ装置,61…処理カップ,62…カップ駆動部,70…上面洗浄装置,71,81…回転支持軸,72,82…アーム,73…スプレーノズル,74…上面洗浄駆動部,75…上面洗浄流体供給部,80…端部洗浄装置,83…ベベルブラシ,84…ベベルブラシ駆動部,90…開閉装置,91…シャッタ,92…シャッタ駆動部,100…基板処理装置,110…インデクサブロック,120…処理ブロック,140…キャリア載置台,150,163…搬送部,161,162…洗浄部,170…制御装置,171…チャック制御部,172…吸着制御部,173…台座制御部,174…受渡制御部,175…下面洗浄制御部,176…カップ制御部,177…上面洗浄制御部,178…ベベル洗浄制御部,179…搬入搬出制御部,180,181…搬送制御部,200…インデクサロボット,210,310…ハンド支持部材,220,320…搬送駆動部,300…メインロボット,C…キャリア,Ia~Id,Ma~Md…ハンド,PASS1,PASS2…基板載置部,rp…平面基準位置,W…基板 1...substrate cleaning device, 2...unit housing, 2a...bottom surface portion, 2b to 2e...side wall portion, 2x...loading/unloading port, 10A, 10B...upper holding device, 11A, 11B...lower chuck, 12A, 12B...upper chuck, 13A, 13B...lower chuck drive unit, 14A, 14B...upper chuck drive unit, 20...lower holding device, 21...suction holding unit, 22...suction holding drive unit, 30...pedestal device, 31...linear guide, 32...movable pedestal, 33...pedestal drive unit, 40...transfer device, 41...support pin, 42 ...Pin connecting member, 43...Pin lifting drive unit, 50...Undersurface cleaning device, 51...Undersurface brush, 52...Liquid nozzle, 53...Gas ejection unit, 54...Lifting support unit, 54u...Upper surface, 55...Movement support unit, 55a...Undersurface brush rotation drive unit, 55b...Undersurface brush lifting drive unit, 55c...Undersurface brush movement drive unit, 56...Undersurface cleaning liquid supply unit, 57...Ejected gas supply unit, 60...Cup device, 61...Processing cup, 62...Cup drive unit, 70...Upper surface cleaning device, 71, 81...Rotary support shaft, 72, 82... Arm, 73... spray nozzle, 74... upper surface cleaning drive unit, 75... upper surface cleaning fluid supply unit, 80... edge cleaning device, 83... bevel brush, 84... bevel brush drive unit, 90... opening/closing device, 91... shutter, 92... shutter drive unit, 100... substrate processing device, 110... indexer block, 120... processing block, 140... carrier placement table, 150, 163... transport unit, 161, 162... cleaning unit, 170... control device, 171... chuck control unit, 172... suction control unit, 17 3...Pedestal control unit, 174...Delivery control unit, 175...Lower surface cleaning control unit, 176...Cup control unit, 177...Upper surface cleaning control unit, 178...Bevel cleaning control unit, 179...Loading and unloading control unit, 180, 181...Transport control unit, 200...Indexer robot, 210, 310...Hand support member, 220, 320...Transport drive unit, 300...Main robot, C...Carrier, Ia-Id, Ma-Md...Hand, PASS1, PASS2...Substrate placement unit, rp...Plane reference position, W...Substrate

Claims (7)

処理前の基板が搬入される搬入位置と処理後の基板が搬出される搬出位置とを有し、前記処理前の基板を処理する処理ユニットと、
前記処理前の基板および処理後の基板のいずれをも保持可能に構成された搬送保持部を有する基板搬送部とを備え、
前記搬送保持部は、前記処理前の基板を保持して前記処理ユニットに進入して前記処理前の基板を前記搬入位置に渡した後、前記搬出位置から前記処理後の基板を受け取り、前記処理後の基板の受け取り後に前記処理ユニットから退出する、基板処理装置。
a processing unit having an input position into which an unprocessed substrate is loaded and an output position into which a processed substrate is unloaded, the processing unit processing the unprocessed substrate;
a substrate transport unit having a transport holder configured to be able to hold both the unprocessed substrate and the processed substrate,
A substrate processing apparatus, wherein the transport holding section holds the unprocessed substrate, enters the processing unit, delivers the unprocessed substrate to the loading position, receives the processed substrate from the unloading position, and exits the processing unit after receiving the processed substrate.
前記搬入位置と前記搬出位置とは、上下方向に並ぶように配置される、請求項1記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the loading position and the unloading position are arranged vertically side by side. 前記処理ユニットは複数設けられ、
前記搬送保持部は、複数の処理ユニットにそれぞれ対応するように複数設けられ、
複数の基板搬送部の各々は、対応する処理ユニットに進入して前記処理前の基板を前記搬入位置に渡した後、前記搬出位置から前記処理後の基板を受け取り、前記処理後の基板の受け取り後に前記対応する処理ユニットから退出する、請求項1または2記載の基板処理装置。
A plurality of the processing units are provided,
a plurality of the transfer holders are provided corresponding to the plurality of processing units,
3. The substrate processing apparatus of claim 1, wherein each of a plurality of substrate transport parts enters a corresponding processing unit, delivers the unprocessed substrate to the loading position, receives the processed substrate from the unloading position, and exits the corresponding processing unit after receiving the processed substrate.
前記処理ユニットは、
前記搬入位置に搬入された基板を保持する第1の基板保持部と、
前記第1の基板保持部により保持された基板に処理を行う第1の処理部と、
前記搬出位置から搬入される基板を保持する第2の基板保持部と、
前記第1の処理部により処理された基板を前記第1の基板保持部から前記第2の基板保持部に渡す受渡部と、
前記第2の基板保持部により保持された基板に処理を行う第2の処理部とを含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
The processing unit includes:
a first substrate holding unit that holds the substrate carried into the carrying-in position;
a first processing unit that performs processing on the substrate held by the first substrate holding unit;
a second substrate holding section that holds the substrate carried in from the unloading position;
a transfer section that transfers the substrate processed by the first processing section from the first substrate holding section to the second substrate holding section;
4. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a second processing section that performs processing on the substrate held by the second substrate holding section.
前記第1の処理部と前記第2の処理部とは、基板に互いに異なる処理を行う、請求項4記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the first processing section and the second processing section perform different processes on the substrate. 前記第1の処理部は、基板の下面中央領域の洗浄処理を行い、
前記第2の処理部は、基板の前記下面中央領域を取り囲む下面外側領域の洗浄処理を行う、請求項5記載の基板処理装置。
The first processing unit performs a cleaning process on a central region of a lower surface of a substrate,
The substrate processing apparatus according to claim 5 , wherein the second processing section performs cleaning processing on an outer region of a lower surface surrounding the central region of the lower surface of the substrate.
基板搬送部の搬送保持部を処理ユニットに進入させるステップと、
前記搬送保持部により保持された処理前の基板を前記処理ユニットの搬入位置に渡すステップと、
前記処理前の基板が前記搬入位置に渡された後、前記搬送保持部により前記処理ユニットの搬出位置から処理後の基板を受け取るステップと、
前記処理後の基板が前記搬出位置から受け取られた後、前記搬送保持部を前記処理ユニットから退出させるステップと、
前記処理ユニットにより前記処理前の基板に処理を行うステップとを含む、基板処理方法。
Entering a transport holder of the substrate transport part into a processing unit;
transferring the unprocessed substrate held by the transport holder to a carry-in position of the processing unit;
receiving the processed substrate from an unloading position of the processing unit by the transport holder after the unprocessed substrate is delivered to the loading position;
after the processed substrate is received from the unloading position, moving the transport holder away from the processing unit;
and performing a process on the unprocessed substrate by the processing unit.
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