JP7574580B2 - 材料試験機、及び材料試験機の制御方法 - Google Patents
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Description
例えば、特許文献1に記載の材料試験機の恒温槽は、下記の構成を有する。すなわち、恒温槽には、主室と副室が設けられる。主室には、試験治具又は試験片を貫通させるための第1貫通孔が設けられると共に、前面に第1扉が配設され、内部に試験空間が形成される。そして、第1扉の上側の領域には、副室が配設される。副室には、試験片を貫通させるための第2貫通孔が設けられると共に、前面に第2扉が配設され、内部に試験空間が形成される。副室の第2扉とは逆側の背面は主室の試験空間に向けて開放されており、副室の試験空間と主室の試験空間とは連通する。
図1は、本実施形態に係る引張試験機1の構成の一例を示す図である。
本実施形態の引張試験機1は、試験片TPに試験力Fを与えて、試料の引張強度、降伏点、伸び、絞りなどの機械的性質を測定する引張試験を行う。試験力Fは、引張力である。
引張試験機1は、試験対象の材料である試験片TPに試験力Fを与えて引張試験を行う引張試験機本体2と、恒温槽6と、引張試験機本体2及び恒温槽6を制御する制御ユニット4と、を備える。
なお、引張試験機1は、「材料試験機」の一例に対応する。また、引張試験機本体2は、「材料試験機本体」の一例に対応する。
ロードセル14は、「第1センサ」の一例に対応する。
そして負荷機構12は、ウォーム減速機16、17を介して、一対のねじ棹28、29にサーボモータ18の回転を伝達し、各ねじ棹28、29が同期して回転することによって、ねじ棹28、29に沿ってクロスヘッド10が昇降する。
変位センサ15は、「第1センサ」の一例に対応する。
恒温槽6は、試験片TPの温度を調整する。恒温槽本体60は、内部空間を有する箱状に構成され、試験片TP、ヒータ61、及び温度センサ62を収納する。
ヒータ61は、恒温槽本体60の内部空間の温度を上昇することによって、試験片TPの温度を上昇する。ヒータ61は、例えば、電熱ヒータ等で構成される。
温度センサ62は、恒温槽本体60の内部空間の温度を検出し、温度検出信号SG4を出力する。温度センサ62は、例えば、熱電対、サーミスタ等で構成される。試験片TPは、恒温槽本体60の内部空間に配置されるため、温度センサ62は、間接的に試験片TPを検出する。
温度センサ62は、「第2センサ」の一例に対応する。
統括制御装置30は、引張試験機本体2及び恒温槽6を中枢的に制御する装置であり、引張試験機本体2及び恒温槽6との間で信号を送受信可能に接続される。
引張試験機本体2から受信する信号は、ロードセル14が出力する試験力測定信号SG1、ロータリエンコーダ20が出力する回転測定信号SG2、変位センサ15が出力する伸び測定信号SG3、及び制御や試験に要する適宜の信号等である。
恒温槽6から受信する信号は、温度センサ62が出力する温度検出信号SG4及び制御や試験に要する適宜の信号等である。
例えば、統括制御装置30は、引張試験の間、伸び測定信号SG3に基づいて試験片TPの伸びの測定値である伸び計測値EDを表示装置32に表示する。また、例えば、統括制御装置30は、引張試験の間、回転測定信号SG2に基づくクロスヘッド10の変位を示す変位計測値XDを表示装置32に表示する。更に、例えば、統括制御装置30は、引張試験の間、温度検出信号SG4に基づいて、試験片TPの温度の検出値である温度検出値TDを表示装置32に表示する。
また、表示装置32は、制御条件を設定する制御条件設定画面700、及び、試験結果を表示する試験結果表示画面800を表示する。
制御条件設定画面700については、後述にて図3を参照して説明し、試験結果表示画面800については、後述にて図4を参照して説明する。
表示装置32は、「ディスプレイ」の一例に対応する。
信号入出力ユニット40は、引張試験機本体2との間で信号を送受信する入出力インターフェース回路を構成するものであり、本実施形態では、第1センサアンプ42と、第2センサアンプ45と、第3センサアンプ46と、カウンタ回路43と、サーボアンプ44と、を有する。
第2センサアンプ45は、変位センサ15が出力する伸び測定信号SG3を増幅して制御回路ユニット50に伸び計測値EDを出力する増幅器である。
第3センサアンプ46は、温度センサ62が出力する温度検出信号SG4を増幅して制御回路ユニット50に温度検出値TDを出力する増幅器である。
カウンタ回路43は、ロータリエンコーダ20が出力する回転測定信号SG2のパルス数を計数し、サーボモータ18の回転量、すなわちサーボモータ18の回転によって昇降するクロスヘッド10の変位計測値XDを示す変位測定信号A3を制御回路ユニット50にデジタル信号で出力する。
サーボアンプ44は、制御回路ユニット50の制御に従って、サーボモータ18を制御する装置である。
制御部53は、プロセッサ54と、メモリ55と、を備える。
制御部53、プロセッサ54、及びメモリ55については、後述にて図2を参照して説明する。
また、制御回路ユニット50の制御部53のプロセッサ54がメモリ55又はストレージ装置に記憶された制御プログラムを実行することで、図1に示す通信部51を実現する。
また、信号入出力ユニット40とのインターフェース回路にはA/D変換器が設けられており、アナログ信号の試験力測定信号SG1、伸び測定信号SG3及び温度検出信号SG4の各々がA/D変換器によってデジタル信号に変換される。
なお、制御回路ユニット50は、コンピュータに限らず、ICチップやLSIなどの集積回路といった1つ又は複数の適宜の回路によって構成されてもよい。
フィードバック制御部52が位置制御を実行する場合には、フィードバック制御部52は、例えば、ロードセル14が出力する試験力計測値FDについて位置制御を実行する。この場合には、フィードバック制御部52は、試験力計測値FDを試験力目標値FTに一致させるように変位計測値XDの指令値dXを演算し、当該指令値dXを示す指令信号A4をサーボアンプ44に出力する。なお、試験力目標値FTは、試験力計測値FDの目標値を示す。
なお、「位置制御」とは、センサ等によって測定された検出値を、その目標値に一致させるように制御することを示す。
図2は、本実施形態に係る制御回路ユニット50の構成の一例を示す図である。
制御部53は、例えば、パーソナルコンピュータで構成され、制御回路ユニット50の動作を制御する。制御部53は、プロセッサ54と、メモリ55と、を備える。
プロセッサ54は、CPU(Central Processing Unit)やMPU(Micro-Processing Unit)などで構成される。
メモリ55は、ROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)などで構成される。
また、制御部53は、DSP(Digital Signal Processor)やFPGA(Field Programmable Gate Array)等、プログラムされたハードウェアを備えてもよい。また、制御部53は、SoC(System-on-a-Chip)-FPGAを備えてもよい。
制御部53は、引張試験機本体2と恒温槽6とを同期して制御する。
図2に示すように、制御部53は、制御条件受付部541と、切替判定部542と、温度制御部543と、本体制御部544と、表示制御部545と、制御条件記憶部551と、を備える。
具体的には、制御部53のプロセッサ54が、メモリ55又はストレージ装置に記憶された制御プログラムを実行することによって、制御条件受付部541、切替判定部542、温度制御部543、本体制御部544、及び表示制御部545、として機能する。また、制御部53のプロセッサ54が、メモリ55又はストレージ装置に記憶された制御プログラムを実行することによって、メモリ55を、制御条件記憶部551として機能させる。
具体的には、制御条件記憶部551は、切替点PTによって分割される複数の領域ARの各々に対応付けて、引張試験の試験条件TC1と、温度制御の条件TC2とを記憶する。切替点PTは、引張試験の試験条件TC1、及び温度制御の条件TC2の少なくとも一方を変更するタイミングを示す。
領域AR及び切替点PTについては、図3を参照して詳細に説明する。
具体的には、制御条件受付部541は、表示装置32に表示された制御条件設定画面700に対するユーザの操作入力に基づいて、引張試験の試験条件TC1と温度制御の条件TC2とを対応付けて受け付ける。また、制御条件受付部541は、切替点PTを受け付け、切替点PTによって分割される複数の領域ARの各々に対応付けて、引張試験の試験条件TC1と、温度制御の条件TC2とを受け付ける。
また、制御条件受付部541は、受け付けた切替点PTを制御条件記憶部551に記憶させ、複数の領域ARの各々に対応付けて、引張試験の試験条件TC1と温度制御の条件TC2とを、制御条件記憶部551に記憶させる。
制御条件設定画面700については、図3を参照して詳細に説明する。
温度制御部543は、例えば、引張試験機本体2の動作と同期して、恒温槽6の温度目標値TAを設定する。温度制御部543は、例えば、試験力計測値FDが試験力目標値FTに到達したときに、恒温槽6の温度目標値TAを設定する。温度目標値TAが設定された場合には、温度制御部543は、温度検出値TDが温度目標値TAと一致するようにヒータ61を制御する。
温度目標値TAは、温度制御の条件TC2の一例に対応する。
本体制御部544は、例えば、温度検出値TDが温度目標値TAに到達するまでは、クロスヘッド10の変位計測値XDを保持するように、すなわち、変位一定制御を実行するように、サーボモータ18を制御する。
変位計測値XDは、引張試験の試験条件TC1の一例に対応する。
表示制御部545は、例えば、試験結果表示画面800を表示装置32に表示する。
試験結果表示画面800については、後述にて図4を参照して説明する。
図3は、表示装置32に表示される制御条件設定画面700の一例を示す画面図である。
制御条件設定画面700は、表示制御部545によって表示装置32に表示される。また、制御条件受付部541は、制御条件設定画面700を介して、引張試験の試験条件TC1と、恒温槽6によって実行される温度制御の条件TC2とを受け付ける。
なお、図3では、試験片TPの材質が、例えば鉄、アルミニウム等の金属である場合について説明する。
第4領域AR4の引張試験の試験条件TC1には、「OFF」と表示され、試験が終了することを示している。
第1領域AR1~第3領域AR3の各々を区別しない場合には、以下の説明において、領域ARと記載する場合がある。
切替点PTは、次の領域に進める条件を示す。例えば、第1領域AR1に記載された切替点PTは、第2領域AR2に進める条件を示す。また、例えば、第2領域AR2に記載された切替点PTは、第3領域AR3に進める条件を示す。また、例えば、第3領域AR3に記載された切替点PTは、試験を終了する条件を示す。
なお、第1領域AR1には、温度制御の条件TC2が表示されていないため、温度制御部543は、温度制御を実行しない。すなわち、ヒータ61がオフにされる。
第2領域AR2に記載された切替点PTは、温度制御の条件TC2の一例に対応する。
また、材料試験機1によって実行される材料試験の制御と、恒温槽6の制御とを同期して行うことによって、試験片TPを構成する材料の新たな機械的な特性の評価が可能になり、その評価結果に基づいて、新たな材料の開発が可能になる。例えば、試験片TPに試験力Fを作用させて試験片TPが変形しているときに、試験片TPの温度を変えることによって、試験片TPを構成する材料の物性が変化する場合がある。
換言すれば、制御条件設定画面700では、第1領域AR1及び第3領域AR3には、温度制御の条件TC2が表示さていないが、第1領域AR1及び第3領域AR3の各々における温度制御の条件TC2を表示することによって、温度制御の条件TC2をより明確に規定できる。
図4は、表示装置32に表示される試験結果表示画面800の一例を示す画面図である。試験結果表示画面800は、表示制御部545によって表示装置32に表示される。
なお、試験結果表示画面800と、図4に示す制御条件設定画面700とは対応していない。換言すれば、試験結果表示画面800に示す試験結果は、制御条件設定画面700が示す試験条件によって実行された試験の結果ではない。
また、図4では、試験片TPの材質が、例えば、ポリエチレン等の樹脂である場合について説明する。
グラフG1は、変位計測値XDに対応するクロスヘッド10の変位と、試験力計測値FDに対応する試験力との関係を示す。グラフG2は、変位計測値XDに対応するクロスヘッド10の変位と、温度検出値TDに対応する槽温度との関係を示す。
横軸は、変位計測値XDに対応するクロスヘッド10の変位を示し、左側の縦軸は、試験力計測値FDに対応する試験力を示し、右側の縦軸は、温度検出値TDに対応する槽温度を示す。
また、試験結果表示画面800には、変位計測値XDに対応するクロスヘッド10の変位の範囲として、第1領域PAと、第2領域PBと、第3領域PCとが設定されている。第1領域PA~第3領域PCの各々を区別しない場合には、以下の説明において、領域ARと記載する場合がある。
また、試験力計測値FDに対応する試験力の変化を示すグラフG1と、恒温槽6の温度検出値TDに対応する槽温度の変化を示すグラフG2とを、対応付けて表示することによって、試験片TPを構成する材料の新たな機械的な特性の評価が可能になり、その評価結果に基づいて、新たな材料の開発が可能になる。
次に、図5を参照して、制御部53の処理について説明する。
図5は、本実施形態に係る制御部53の処理の一例を示すフローチャートである。なお、図5では、制御条件記憶部551が、第1領域AR1を含む複数の領域ARの各々について、引張試験の試験条件TC1と、恒温槽6によって実行される温度制御の条件TC2と、切替点PTとを、予め対応付けて記憶している場合について説明する。
まず、ステップS101において、制御部53は、第1領域AR1における引張試験の試験条件TC1と、恒温槽6によって実行される温度制御の条件TC2と、切替点PTの条件とを制御条件記憶部551から読み出すことによって取得する。
次に、ステップS103において、本体制御部544は、第1領域AR1における引張試験の試験条件TC1に基づいて、引張試験機本体2を制御する。
次に、ステップS105において、温度制御部543は、第1領域AR1における温度制御の条件TC2に基づいて、恒温槽6を制御する。
第1領域AR1における切替点PTに到達していないと制御部53が判定した場合(ステップS107;NO)には、処理がステップS103に戻る。第1領域AR1における切替点PTに到達したと制御部53が判定した場合(ステップS107;YES)には、処理がステップS109に進む。
そして、ステップS109において、次の領域ARにおける引張試験の試験条件TC1と、恒温槽6によって実行される温度制御の条件TC2と、切替点PTの条件とを制御条件記憶部551から読み出すことによって取得する。
次に、ステップS111において、本体制御部544は、ステップS109で取得された引張試験の試験条件TC1に基づいて、引張試験機本体2を制御する。
次に、ステップS113において、温度制御部543は、ステップS109で取得された温度制御の条件TC2に基づいて、恒温槽6を制御する。
ステップS109で取得された切替点PTに到達していないと制御部53が判定した場合(ステップS115;NO)には、処理がステップS111に戻る。ステップS109で取得された切替点PTに到達したと制御部53が判定した場合(ステップS115;YES)には、処理がステップS117に進む。
そして、ステップS117において、制御部53は、制御条件記憶部551に記憶された情報に基づき、試験を終了するかを判定する。
試験を終了しないと制御部53が判定した場合(ステップS117;NO)には、処理がステップS109に戻る。試験を終了すると制御部53が判定した場合(ステップS117;YES)には、試験が終了される。
上述した実施形態及び変形例は、以下の態様の具体例であることが当業者により理解される。
第1態様に関わる材料試験機は、試験片に対して材料試験を実行する材料試験機本体と、前記試験片の温度を調整する恒温槽と、前記材料試験機本体と前記恒温槽とを同期して制御する制御部と、を備える。
したがって、材料試験機本体によって実行される材料試験の制御と、恒温槽の制御とを同期できる。
第1項に記載の材料試験機において、前記制御部は、前記材料試験機本体の動作と同期して、前記恒温槽を制御する。
したがって、材料試験機本体の動作と同期して、恒温槽を制御できる。
第1項又は第2項に記載の材料試験機において、前記材料試験機本体は、第1センサを備え、前記制御部は、前記第1センサの検出信号に基づいて、前記恒温槽を制御する。
よって、材料試験機本体が備える第1センサの検出信号に基づいて、恒温槽を制御できる。したがって、材料試験機本体が備える第1センサの検出信号と同期して、恒温槽を制御できる。
第3項に記載の材料試験機において、前記材料試験は、引張試験であり、前記第1センサは、前記試験片に付与される引張力を検出するロードセルを含む。
したがって、引張試験において、ロードセルの検出する引張力と同期して、恒温槽を制御できる。
第1項から第4項のいずれか1項に記載の材料試験機において、前記制御部は、前記材料試験機本体と同期して、前記恒温槽の温度目標値を設定する。
したがって、前記材料試験機本体と同期して、前記恒温槽の温度目標値を設定できる。
第1項から第5項のいずれか1項に記載の材料試験機において、前記恒温槽は、前記恒温槽内の温度を検出する第2センサを備え、前記制御部は、前記第2センサの検出信号に基づいて、前記材料試験機本体を制御する。
したがって、前記恒温槽内の温度を検出する第2センサの検出信号と同期して、前記材料試験機本体を制御できる。
第3項又は第4項に記載の材料試験機において、前記恒温槽は、前記恒温槽内の温度を検出する第2センサを備え、前記制御部は、前記第1センサの検出信号と前記第2センサの検出信号とを対応付けて、ディスプレイに表示する。
したがって、材料試験機本体によって実行される材料試験の制御と、恒温槽の制御とが同期していることを、ユーザが視認できる。また、試験片を構成する材料の新たな機械的な特性の評価が可能になり、その評価結果に基づいて、新たな材料の開発が可能になる。
第2態様に関わる材料試験機の制御方法は、試験片に対して材料試験を実行する材料試験機本体と、前記試験片の温度を調整する恒温槽と、を備える材料試験機の制御方法であって、前記材料試験機本体と前記恒温槽とを同期して制御する。
なお、本実施形態に係る引張試験機1は、あくまでも本発明に係る材料試験機の態様の例示であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲において任意に変形および応用が可能である。
例えば、本実施形態では、材料試験機が引張試験機1である場合について説明したが、本実施形態はこれに限定されない。材料試験機が試験片TPに試験力を付与し、試験片TPを変形させて材料試験を行えばよい。例えば、材料試験機が、圧縮試験機、曲げ試験機、又はねじり試験機でもよい。また、例えば、材料試験機が、疲労試験機でもよい。
2 引張試験機本体(材料試験機本体)
4 制御ユニット
6 恒温槽
10 クロスヘッド
12 負荷機構
14 ロードセル(第1センサ)
15 変位センサ(第1センサ)
20 ロータリエンコーダ
21 上つかみ具
22 下つかみ具
26 テーブル
28、29 ねじ棹
30 統括制御装置
32 表示装置(ディスプレイ)
34 試験プログラム実行装置
40 信号入出力ユニット
42 第1センサアンプ
43 カウンタ回路
44 サーボアンプ
45 第2センサアンプ
46 第3センサアンプ
50 制御回路ユニット
51 通信部
52 フィードバック制御部
53 制御部
54 プロセッサ
541 制御条件受付部
542 切替判定部
543 温度制御部
544 本体制御部
545 表示制御部
55 メモリ
551 制御条件記憶部
60 恒温槽本体
61 ヒータ
62 温度センサ(第2センサ)
ED 伸び計測値
FD 試験力計測値
PT 切替点
RA 領域
RA1、PA 第1領域
RA2、PB 第2領域
RA3、PC 第3領域
SG1 試験力測定信号
SG2 回転測定信号
SG3 伸び測定信号
TA 温度目標値
TC1 引張試験の試験条件
TC2 温度制御の条件
TD 温度検出値
TP 試験片
XD 変位計測値
Claims (8)
- 試験片に対して材料試験を実行する材料試験機本体と、
前記試験片の温度を調整する恒温槽と、
前記材料試験機本体と前記恒温槽とを同期して制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記材料試験機本体の計測値が目標値に到達したときに、前記恒温槽の温度目標値を設定し、
前記温度目標値が設定された場合には、前記制御部は、温度検出値が前記温度目標値と一致するように前記恒温槽を制御し、
前記材料試験は、引張試験、又は圧縮試験であり、
前記材料試験機本体の計測値は、試験力計測値、又は、伸び計測値である、
材料試験機。 - 前記制御部は、前記材料試験機本体の動作と同期して、前記恒温槽を制御する、
請求項1に記載の材料試験機。 - 前記材料試験機本体は、第1センサを備え、
前記制御部は、前記第1センサの検出信号に基づいて、前記恒温槽を制御する、
請求項1又は請求項2に記載の材料試験機。 - 前記第1センサは、前記試験片に付与される引張力を検出するロードセルを含む、
請求項3に記載の材料試験機。 - 前記制御部は、前記材料試験機本体と同期して、前記恒温槽の温度目標値を設定する、
請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の材料試験機。 - 前記恒温槽は、前記恒温槽内の温度を検出する第2センサを備え、
前記制御部は、前記第2センサの検出信号に基づいて、前記材料試験機本体を制御する、
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の材料試験機。 - 前記恒温槽は、前記恒温槽内の温度を検出する第2センサを備え、
前記制御部は、前記第1センサの検出信号と前記第2センサの検出信号とを対応付けて、ディスプレイに表示する、
請求項3又は請求項4に記載の材料試験機。 - 試験片に対して材料試験を実行する材料試験機本体と、前記試験片の温度を調整する恒温槽と、を備える材料試験機の制御方法であって、
前記材料試験機本体と前記恒温槽とを同期して制御し、
前記材料試験機本体の計測値が目標値に到達したときに、前記恒温槽の温度目標値を設定し、
前記温度目標値が設定された場合には、温度検出値が前記温度目標値と一致するように前記恒温槽を制御し、
前記材料試験は、引張試験、又は圧縮試験であり、
前記材料試験機本体の計測値は、試験力計測値、又は、伸び計測値である、
材料試験機の制御方法。
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