JP7584079B2 - Epoxy resin composition and optical semiconductor device - Google Patents
Epoxy resin composition and optical semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP7584079B2 JP7584079B2 JP2020109987A JP2020109987A JP7584079B2 JP 7584079 B2 JP7584079 B2 JP 7584079B2 JP 2020109987 A JP2020109987 A JP 2020109987A JP 2020109987 A JP2020109987 A JP 2020109987A JP 7584079 B2 JP7584079 B2 JP 7584079B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass
- less
- epoxy resin
- composition
- optical semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
本開示は、エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置に関し、詳しくはエポキシ樹脂、硬化剤及び充填材を含有するエポキシ樹脂組成物、並びにこのエポキシ樹脂組成物から作製された封止材を備える光半導体装置に関する。 The present disclosure relates to an epoxy resin composition and an optical semiconductor device, and more particularly to an epoxy resin composition containing an epoxy resin, a curing agent, and a filler, and an optical semiconductor device including an encapsulant made from this epoxy resin composition.
フォトカプラーは、光半導体素子である発光素子から受光素子へ光信号の伝達を行うことによって、電気的な絶縁を図りつつ電気信号の伝達を可能とする光半導体装置である。従来のフォトカプラーは、発光素子と受光素子とが対面構造になっている対向型であり、発光素子及び受光素子を封止する材料には、一般的に、エポキシ樹脂と、充填材としての溶融シリカとを含有する組成物などが用いられている(特許文献1参照)。 A photocoupler is an optical semiconductor device that transmits an optical signal from a light-emitting element, which is an optical semiconductor element, to a light-receiving element, thereby enabling the transmission of an electrical signal while maintaining electrical insulation. Conventional photocouplers are of the opposed type, in which the light-emitting element and the light-receiving element face each other, and the material used to seal the light-emitting element and the light-receiving element is generally a composition containing an epoxy resin and fused silica as a filler (see Patent Document 1).
このような対向型のフォトカプラーは構造が複雑であり、製造コストがかかるため、最近では、発光素子と受光素子とが並列配置になっている側面型のフォトカプラーが検討されている。しかし、前記従来の封止材料を用いたのでは、発光素子から受光素子へ伝達される光に対する透過率のレベルが低いため、光半導体装置の特性を十分に満足させることができないという問題があった。 Since such opposed photocouplers have a complex structure and are costly to manufacture, recently, side-type photocouplers in which the light-emitting element and the light-receiving element are arranged in parallel have been considered. However, when the above-mentioned conventional sealing materials are used, the level of transmittance for the light transmitted from the light-emitting element to the light-receiving element is low, which is problematic in that the characteristics of the optical semiconductor device cannot be fully satisfied.
また、封止材料における充填材の量を下げることにより、透過率を向上させることはできるものの、封止材料と光半導体装置のパッケージの部材との線膨張係数の差が大きくなるため、成形後のパッケージ内部に剥離が発生する場合があり、剥離した箇所は酸化が起こりやすいため、変色によって透過率の低下を招来する。従って、封止材料においては、線膨張係数をパッケージ部材に合わせて低く維持したまま、透過率を向上させることが必要である。 Although it is possible to improve the transmittance by reducing the amount of filler in the encapsulating material, the difference in the linear expansion coefficient between the encapsulating material and the packaging components of the optical semiconductor device becomes large, which can cause peeling inside the package after molding. The peeled areas are prone to oxidation, leading to discoloration and a decrease in transmittance. Therefore, it is necessary to improve the transmittance of the encapsulating material while maintaining a low linear expansion coefficient that matches the packaging components.
本開示の課題は、低い線膨張係数を維持しつつ、硬化物の透過率が高いエポキシ樹脂組成物、及びこのエポキシ樹脂組成物から作製された封止材を備える光半導体装置を提供することにある。 The objective of the present disclosure is to provide an epoxy resin composition that maintains a low linear expansion coefficient while having high transmittance when cured, and an optical semiconductor device that includes an encapsulant made from this epoxy resin composition.
本開示の一態様に係るエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)及び充填材(C)を含有するエポキシ樹脂組成物である。前記充填材(C)は、結晶シリカ(c1)及び酸化チタン(c2)を含む。 The epoxy resin composition according to one embodiment of the present disclosure is an epoxy resin composition containing an epoxy resin (A), a curing agent (B) and a filler (C). The filler (C) contains crystalline silica (c1) and titanium oxide (c2).
本開示の一態様に係る光半導体装置は、光半導体素子と、前記光半導体素子を封止する封止材とを備える。前記封止材は、前記樹脂組成物の硬化物を含む。 The optical semiconductor device according to one aspect of the present disclosure includes an optical semiconductor element and an encapsulant that encapsulates the optical semiconductor element. The encapsulant includes a cured product of the resin composition.
本開示によれば、低い線膨張係数を維持しつつ、硬化物の透過率が高いエポキシ樹脂組成物、及びこのエポキシ樹脂組成物から作製された封止材を備える光半導体装置を提供できる。 According to the present disclosure, it is possible to provide an epoxy resin composition that maintains a low linear expansion coefficient while having high transmittance when cured, and an optical semiconductor device that includes an encapsulant made from this epoxy resin composition.
1. 概要
本実施形態に係るエポキシ樹脂組成物(以下、組成物(X)ともいう)は、エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)及び充填材(C)を含有する。充填材(C)は、結晶シリカ(c1)及び酸化チタン(c2)を含む。
1. Overview The epoxy resin composition according to this embodiment (hereinafter also referred to as composition (X)) contains an epoxy resin (A), a curing agent (B) and a filler (C). The filler (C) contains crystalline silica (c1) and titanium oxide (c2).
本実施形態によると、組成物(X)は線膨張係数を低くすることができ、光半導体装置のパッケージ部材との線膨張係数の差を小さく抑えることができる。このため、光半導体装置の成形時に、パッケージ内部に剥離が生じにくく、剥離によって生じる透過率の低下を抑制することができる。また、組成物(X)は、硬化物の透過率を高くすることができる。このため、この組成物(X)は、例えば側面型のフォトカプラー等における封止材料として用いることができ、光半導体装置の特性を十分満足なものとすることができる。 According to this embodiment, composition (X) can reduce the linear expansion coefficient, and can reduce the difference in linear expansion coefficient between the optical semiconductor device and the package member. Therefore, peeling is unlikely to occur inside the package during molding of the optical semiconductor device, and the decrease in transmittance caused by peeling can be suppressed. Furthermore, composition (X) can increase the transmittance of the cured product. Therefore, this composition (X) can be used as an encapsulating material in, for example, a side-type photocoupler, and the characteristics of the optical semiconductor device can be made fully satisfactory.
本実施形態によれば、充填材(C)として、結晶シリカ(c1)及び酸化チタン(c2)を用いることにより、組成物(X)の線膨張係数を低くしつつ、硬化物の透過率を高くすることができる。その理由は、次の通りであると推察される。線膨張係数を低くするために、エポキシ樹脂組成物に充填材(C)を含有させると、一般的には透過率は低下する。しかし、本発明者らは、充填材(C)として結晶シリカ(c1)を用いると、線膨張係数の低下は小さくなるものの、透過率の低下を小さく抑えることができることを見出した。さらに、結晶シリカ(c1)に加えて酸化チタン(c2)を添加することにより、透過率を高めることができることを見出した。これにより、組成物(X)は、充填材(C)が結晶シリカ(c1)及び酸化チタン(c2)を含むことにより、低い線膨張係数を維持しつつ、硬化物の透過率を高くすることができると考えられる。 According to this embodiment, by using crystalline silica (c1) and titanium oxide (c2) as the filler (C), the linear expansion coefficient of the composition (X) can be reduced while increasing the transmittance of the cured product. The reason for this is presumed to be as follows. When the filler (C) is added to the epoxy resin composition to reduce the linear expansion coefficient, the transmittance generally decreases. However, the present inventors have found that when crystalline silica (c1) is used as the filler (C), the decrease in the linear expansion coefficient is reduced, but the decrease in the transmittance can be suppressed to a small extent. Furthermore, they have found that the transmittance can be increased by adding titanium oxide (c2) in addition to crystalline silica (c1). As a result, it is believed that the composition (X) can increase the transmittance of the cured product while maintaining a low linear expansion coefficient by containing crystalline silica (c1) and titanium oxide (c2) as the filler (C).
2. 詳細
<エポキシ樹脂組成物>
本実施形態に係る組成物(X)は、エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)及び充填材(C)を含有する。組成物(X)は、前記成分以外の添加剤をさらに含有してもよい。
2. Details <Epoxy resin composition>
The composition (X) according to the present embodiment contains an epoxy resin (A), a curing agent (B), and a filler (C). The composition (X) may further contain additives other than the above components.
[エポキシ樹脂(A)]
エポキシ樹脂(A)は、一分子中に2つ以上のエポキシ基を有する化合物であれば、特に限定されない。
[Epoxy resin (A)]
The epoxy resin (A) is not particularly limited as long as it is a compound having two or more epoxy groups in one molecule.
エポキシ樹脂(A)としては、例えばビスフェノール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、グリシジル基含有シリコーン樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げられる。 Examples of epoxy resins (A) include bisphenol-type epoxy resins, hydrogenated bisphenol-type epoxy resins, biphenyl-type epoxy resins, naphthalene ring-containing epoxy resins, alicyclic epoxy resins, dicyclopentadiene-type epoxy resins, phenol novolac-type epoxy resins, cresol novolac-type epoxy resins, triphenylmethane-type epoxy resins, aliphatic epoxy resins, triglycidyl isocyanurate, glycidyl group-containing silicone resins, and glycidylamine-type epoxy resins.
組成物(X)全体に対するエポキシ樹脂(A)の割合は、10質量%以上50質量%以下であることが好ましい。この場合、成形時の組成物(X)の流動性及び作製された封止材の物性を向上させることができる。この割合は、20質量%以上45質量%以下であることがより好ましい。 The ratio of epoxy resin (A) to the entire composition (X) is preferably 10% by mass or more and 50% by mass or less. In this case, the fluidity of composition (X) during molding and the physical properties of the produced encapsulant can be improved. This ratio is more preferably 20% by mass or more and 45% by mass or less.
[硬化剤(B)]
硬化剤(B)は、エポキシ樹脂(A)と硬化反応を生じうる化合物であれば特に限定されない。
[Curing agent (B)]
The curing agent (B) is not particularly limited as long as it is a compound capable of undergoing a curing reaction with the epoxy resin (A).
硬化剤(B)としては、例えばフェノール系硬化剤、酸無水物類、アミン類、イミダゾール類、ヒドラジド類、ポリメルカプタン類、ルイス酸-アミン錯体等が挙げられる。硬化剤(B)は、フェノール系硬化剤を含むことが好ましい。フェノール系硬化剤は、他の硬化剤に比べて硬化性が良好であり、これにより、作製された封止材の強度を高めることができる。 Examples of the curing agent (B) include phenol-based curing agents, acid anhydrides, amines, imidazoles, hydrazides, polymercaptans, Lewis acid-amine complexes, and the like. It is preferable that the curing agent (B) contains a phenol-based curing agent. Phenol-based curing agents have better curing properties than other curing agents, which can increase the strength of the produced sealing material.
フェノール系硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等のノボラック型樹脂;フェニレン骨格又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂;トリフェノールメタン型樹脂等の多官能型フェノール樹脂;ジシクロペンタジエン型フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型ナフトールノボラック樹脂等のジシクロペンタジエン型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノールF等のビスフェノール型樹脂;トリアジン変性ノボラック樹脂などが挙げられる。 Examples of phenol-based hardeners include novolac-type resins such as phenol novolac resin, cresol novolac resin, and naphthol novolac resin; aralkyl-type resins such as phenol aralkyl resins having a phenylene or biphenylene skeleton, and naphthol aralkyl resins having a phenylene or biphenylene skeleton; multifunctional phenol resins such as triphenol methane resin; dicyclopentadiene-type phenol resins such as dicyclopentadiene-type phenol novolac resin and dicyclopentadiene-type naphthol novolac resin; terpene-modified phenol resins; bisphenol-type resins such as bisphenol A and bisphenol F; and triazine-modified novolac resins.
組成物(X)全体に対する硬化剤(B)の割合は、5質量%以上30質量%以下であることが好ましく、10質量%以上25質量%以下であることがより好ましい。 The ratio of the curing agent (B) to the entire composition (X) is preferably 5% by mass or more and 30% by mass or less, and more preferably 10% by mass or more and 25% by mass or less.
エポキシ樹脂(A)1当量に対する硬化剤(B)の当量は、例えば0.6以上1.4以下である。 The equivalent of the curing agent (B) to 1 equivalent of the epoxy resin (A) is, for example, 0.6 or more and 1.4 or less.
[充填材(C)]
充填材(C)は、結晶シリカ(c1)及び酸化チタン(c2)を含む。充填材(C)は、非晶質シリカ(c3)をさらに含むことが好ましい。充填材(C)が非晶質シリカ(c3)を含むことにより、組成物(X)の線膨張係数をより低くすることができる。
[Filler (C)]
The filler (C) contains crystalline silica (c1) and titanium oxide (c2). The filler (C) preferably further contains amorphous silica (c3). By including amorphous silica (c3) in the filler (C), the linear expansion coefficient of the composition (X) can be further reduced.
充填材(C)の平均粒径は、レーザー回折・散乱法による測定結果から得られる粒度分布から求められるメディアン径である。充填材(C)は、組成物(X)の物性等の調整のため、平均粒径の異なる二種以上の成分を含んでいてもよい。 The average particle size of the filler (C) is the median diameter determined from the particle size distribution obtained from the measurement results by the laser diffraction/scattering method. The filler (C) may contain two or more components with different average particle sizes in order to adjust the physical properties of the composition (X).
充填材(C)の短軸に対する長軸の比の平均値(以下、長軸/短軸比ともいう)は、例えば、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて任意の50個の粒子の形状を観察し、これらの粒子の長軸/短軸比を平均した値として求めることができる。充填材(C)は組成物(X)の物性等の調整のため、長軸/短軸比の異なる二種以上の成分を含んでいてもよい。 The average ratio of the major axis to the minor axis of the filler (C) (hereinafter also referred to as the major axis/minor axis ratio) can be determined, for example, by observing the shapes of 50 random particles using a scanning electron microscope (SEM) and averaging the major axis/minor axis ratios of these particles. The filler (C) may contain two or more components with different major axis/minor axis ratios in order to adjust the physical properties of the composition (X).
(結晶シリカ(c1))
結晶シリカ(c1)は、結晶性のSiO2を意味し、XRDパターンにおいて、2θ=30~32°に最大ピーク強度を有するものをいい、市販されている結晶シリカを使用することができる。結晶シリカ(c1)は、通常、粒子状である。
(Crystalline Silica (c1))
The crystalline silica (c1) means crystalline SiO2 , which has a maximum peak intensity at 2θ=30 to 32° in the XRD pattern, and commercially available crystalline silica can be used. The crystalline silica (c1) is usually in the form of particles.
結晶シリカ(c1)の平均粒径は、5μm以上40μm以下であることが好ましく、15μm以上20μm以下であることがより好ましい。 The average particle size of the crystalline silica (c1) is preferably 5 μm or more and 40 μm or less, and more preferably 15 μm or more and 20 μm or less.
結晶シリカ(c1)の長軸/短軸比は、1.6以下であることが好ましく、1.5であることがより好ましく、1.4以下であることがさらに好ましい。また、長軸/短軸比は、例えば1.0以上であってもよく、1.1以上であってもよく、1.2以上であってもよく、1.3以上であってもよい。結晶シリカ(c1)は、長軸/短軸比を前記範囲とすることで、組成物(X)中での充填度合いをより高めることができると考えられる。それにより、組成物(X)の硬化物の透過率をさらに高めることができる。 The long axis/short axis ratio of the crystalline silica (c1) is preferably 1.6 or less, more preferably 1.5, and even more preferably 1.4 or less. The long axis/short axis ratio may be, for example, 1.0 or more, 1.1 or more, 1.2 or more, or 1.3 or more. It is believed that by setting the long axis/short axis ratio of the crystalline silica (c1) within the above range, the degree of filling in the composition (X) can be further increased. This can further increase the transmittance of the cured product of the composition (X).
組成物(X)全体に対する結晶シリカ(c1)の割合は、5質量%以上40質量%以下であることが好ましい。この場合、組成物(X)の硬化物の透過率をより高めることができる。結晶シリカ(c1)の割合は、6質量%以上30質量%以下であることがより好ましく、7質量%以上26質量%以下であることがさらに好ましく、8質量%以上24質量%以下であることが特に好ましい。 The proportion of crystalline silica (c1) in the entire composition (X) is preferably 5% by mass or more and 40% by mass or less. In this case, the transmittance of the cured product of composition (X) can be further increased. The proportion of crystalline silica (c1) is more preferably 6% by mass or more and 30% by mass or less, even more preferably 7% by mass or more and 26% by mass or less, and particularly preferably 8% by mass or more and 24% by mass or less.
(酸化チタン(c2))
酸化チタン(c2)は、チタンの酸化物をいい、一般式TiOx(x=1.0~2.0)で表されるものを意味する。酸化チタン(c2)は、通常、粒子状である。
(Titanium oxide (c2))
Titanium oxide (c2) refers to an oxide of titanium and is represented by the general formula TiOx (x = 1.0 to 2.0). Titanium oxide (c2) is usually in the form of particles.
酸化チタン(c2)の平均粒径は、2μm以下であることが好ましく、1μm以下であることがより好ましく、0.7μm以下であることがさらに好ましく、0.4μm以下であることが特に好ましい。酸化チタン(c2)の平均粒径が1μm以下である場合、組成物(X)の硬化物の透過率を特に高めることができる。酸化チタン(c2)の平均粒径の下限値は、特に限定されないが、例えば0.1μmである。 The average particle size of titanium oxide (c2) is preferably 2 μm or less, more preferably 1 μm or less, even more preferably 0.7 μm or less, and particularly preferably 0.4 μm or less. When the average particle size of titanium oxide (c2) is 1 μm or less, the transmittance of the cured product of composition (X) can be particularly increased. The lower limit of the average particle size of titanium oxide (c2) is not particularly limited, but is, for example, 0.1 μm.
組成物(X)全体に対する酸化チタン(c2)の割合は、1質量%以下であることが好ましく、0.2質量%以下であることがより好ましく、0.1質量%以下であることがさらに好ましく、0.01質量%以下であることが特に好ましい。酸化チタン(c2)の割合が0.1質量%以下である場合、組成物(X)の硬化物の透過率を特に高めることができる。酸化チタン(c2)の割合は、0.001質量%以上であることが好ましく、0.005質量%以上であることがより好ましい。 The proportion of titanium oxide (c2) in the entire composition (X) is preferably 1 mass% or less, more preferably 0.2 mass% or less, even more preferably 0.1 mass% or less, and particularly preferably 0.01 mass% or less. When the proportion of titanium oxide (c2) is 0.1 mass% or less, the transmittance of the cured product of composition (X) can be particularly increased. The proportion of titanium oxide (c2) is preferably 0.001 mass% or more, and more preferably 0.005 mass% or more.
(非晶質シリカ(c3))
非晶質シリカ(c3)は、Si-Oの網目状構造からなり、一定の結晶構造を有さないものをいい、市販されている非晶質シリカを使用することができる。非晶質シリカ(c3)は、通常、粒子状である。非晶質シリカ(c3)としては、例えば溶融シリカ、球状シリカ、球状溶融シリカ等が挙げられる。非晶質シリカ(c3)は、溶融シリカを含むことが好ましい。
(Amorphous Silica (c3))
Amorphous silica (c3) is composed of a network structure of Si-O and does not have a fixed crystal structure, and commercially available amorphous silica can be used. Amorphous silica (c3) is usually in the form of particles. Examples of amorphous silica (c3) include fused silica, spherical silica, and spherical fused silica. It is preferable that amorphous silica (c3) contains fused silica.
非晶質シリカ(c3)の平均粒径は、0.1μm以上30μm以下であることが好ましく、20μm以上30μm以下であることがより好ましい。 The average particle size of the amorphous silica (c3) is preferably 0.1 μm or more and 30 μm or less, and more preferably 20 μm or more and 30 μm or less.
非晶質シリカ(c3)の長軸/短軸比は、1.6以下であることが好ましく、1.5以下であることがより好ましく、1.4以下であることがさらに好ましい。また、長軸/短軸比は、例えば1.0以上であってもよく、1.1以上であってもよく、1.2以上であってもよく、1.3以上であってもよい。非晶質シリカ(c3)の長軸/短軸比を前記範囲とすることにより、組成物(X)の硬化物の透過率をより高めることができる。 The long axis/short axis ratio of amorphous silica (c3) is preferably 1.6 or less, more preferably 1.5 or less, and even more preferably 1.4 or less. The long axis/short axis ratio may be, for example, 1.0 or more, 1.1 or more, 1.2 or more, or 1.3 or more. By setting the long axis/short axis ratio of amorphous silica (c3) within the above range, the transmittance of the cured product of composition (X) can be further increased.
結晶シリカ(c1)と非晶質シリカ(c3)との長軸/短軸比の値の差は、0.4以下であることが好ましく、0.2以下であることがより好ましく、0.1以下であることがさらに好ましく、0であることが特に好ましい。この場合、組成物(X)の硬化物の透過率をより高めることができる。 The difference in the long axis/short axis ratio between crystalline silica (c1) and amorphous silica (c3) is preferably 0.4 or less, more preferably 0.2 or less, even more preferably 0.1 or less, and particularly preferably 0. In this case, the transmittance of the cured product of composition (X) can be further increased.
組成物(X)全体に対する非晶質シリカ(c3)の割合は、10質量%以上60質量%以下であることが好ましい。この場合、組成物(X)の線膨張係数をより低くすることができる。非晶質シリカ(c3)の割合は、15質量%以上50質量%以下であることがより好ましく、28質量%以上48質量%以下であることがさらに好ましく、35質量%以上45質量%以下であることが特に好ましい。 The proportion of amorphous silica (c3) in the entire composition (X) is preferably 10% by mass or more and 60% by mass or less. In this case, the linear expansion coefficient of composition (X) can be further reduced. The proportion of amorphous silica (c3) is more preferably 15% by mass or more and 50% by mass or less, even more preferably 28% by mass or more and 48% by mass or less, and particularly preferably 35% by mass or more and 45% by mass or less.
結晶シリカ(c1)及び非晶質シリカ(c3)の総和に対する結晶シリカ(c1)の割合は、10質量%以上であることが好ましく、20質量%以上であることがより好ましく、30質量%以上であることがさらに好ましく、35質量%以上であることが特に好ましい。この割合は、70質量%以下であることが好ましく、60質量%以下であることがより好ましく、50質量%以下であることがさらに好ましく、45質量%以下であることが特に好ましい。結晶シリカ(c1)の割合を前記範囲とすることで、組成物(X)の硬化物の透過率をより高めることができる。 The proportion of crystalline silica (c1) relative to the total of crystalline silica (c1) and amorphous silica (c3) is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, even more preferably 30% by mass or more, and particularly preferably 35% by mass or more. This proportion is preferably 70% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, even more preferably 50% by mass or less, and particularly preferably 45% by mass or less. By setting the proportion of crystalline silica (c1) within the above range, the transmittance of the cured product of composition (X) can be further increased.
組成物(X)全体に対する結晶シリカ(c1)及び非晶質シリカ(c3)の総和の割合は、30質量%以上80質量%以下であることが好ましい。この場合、組成物(X)の硬化物の透過性をより高めることができる。この割合は、35質量%以上70質量%以下であることがより好ましく、35質量%以上60質量%以下であることがさらに好ましく、35質量%以上45質量%以下であることが特に好ましい。 The total ratio of crystalline silica (c1) and amorphous silica (c3) to the entire composition (X) is preferably 30% by mass or more and 80% by mass or less. In this case, the permeability of the cured product of composition (X) can be further increased. This ratio is more preferably 35% by mass or more and 70% by mass or less, even more preferably 35% by mass or more and 60% by mass or less, and particularly preferably 35% by mass or more and 45% by mass or less.
充填材(C)は、前記以外の成分を含んでいてもよい。前記以外の充填材(C)としては、例えば破砕シリカ、球状アルミナ、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、タルク、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、雲母粉等が挙げられる。組成物(X)全体に対する前記以外の充填材(C)の割合は、例えば0.01質量%以上10質量%以下である。 The filler (C) may contain components other than those mentioned above. Examples of the filler (C) other than those mentioned above include crushed silica, spherical alumina, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, talc, barium sulfate, calcium carbonate, mica powder, etc. The ratio of the filler (C) other than those mentioned above to the entire composition (X) is, for example, 0.01% by mass or more and 10% by mass or less.
組成物(X)全体に対する充填材(C)の割合は、30質量%以上85質量%以下であることが好ましい。この場合、組成物(X)の硬化物の透過率をより高めることができる。充填材(C)の割合は、35質量%以上70質量%以下であることがより好ましい。 The proportion of filler (C) in the entire composition (X) is preferably 30% by mass or more and 85% by mass or less. In this case, the transmittance of the cured product of composition (X) can be further increased. The proportion of filler (C) is more preferably 35% by mass or more and 70% by mass or less.
[添加剤]
組成物(X)は、本実施形態の効果を損なわない範囲内において、前記成分以外の添加剤を含有してもよい。添加剤としては、例えば硬化促進剤、カップリング剤、離型剤、難燃剤、難燃助剤、イオントラップ剤、カーボンブラック等の顔料、着色剤、低応力化剤、粘着付与剤、シリコーン可撓剤などが挙げられる。
[Additives]
Composition (X) may contain additives other than the above components within the range that does not impair the effects of this embodiment. Examples of additives include a curing accelerator, a coupling agent, a release agent, a flame retardant, a flame retardant assistant, an ion trapping agent, a pigment such as carbon black, a colorant, a stress reducing agent, a tackifier, and a silicone flexibilizer.
硬化促進剤としては、例えば2-メチルイミダゾール、2-エチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール等のイミダゾール類;1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン-5、5,6-ジブチルアミノ-1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7等のシクロアミジン類;2-(ジメルアミノメチル)フェノール、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の第3級アミン類;トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス(4-メチルフェニル)ホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンとパラベンゾキノンの付加反応物、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン類;テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・エチルトリフェニルボレート、テトラブチルホスホニウム・テトラブチルボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート;ボレート以外の対アニオンを持つ4級ホスホニウム塩;2-エチル-4-メチルイミダゾール・テトラフェニルボレート、N-メチルモルホリン・テトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。組成物(X)全体に対する硬化促進剤の割合は、例えば0.1質量%以上2質量%以下である。 Examples of the curing accelerator include imidazoles such as 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-phenylimidazole, and 2-ethyl-4-methylimidazole; cycloamidines such as 1,8-diazabicyclo[5.4.0]undecene-7, 1,5-diazabicyclo[4.3.0]nonene-5, and 5,6-dibutylamino-1,8-diazabicyclo[5.4.0]undecene-7; tertiary amines such as 2-(dimethylaminomethyl)phenol, triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, and tris(dimethylaminomethyl)phenol; tributylphosphine, methyldiphenylphosphine, and the like. Examples of the curing accelerator include organic phosphines such as phenylphosphine, triphenylphosphine, tris(4-methylphenyl)phosphine, diphenylphosphine, an addition reaction product of triphenylphosphine and parabenzoquinone, and phenylphosphine; tetra-substituted phosphonium and tetra-substituted borates such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium ethyltriphenylborate, and tetrabutylphosphonium tetrabutylborate; quaternary phosphonium salts having a counter anion other than borate; and tetraphenylboron salts such as 2-ethyl-4-methylimidazole tetraphenylborate and N-methylmorpholine tetraphenylborate. The ratio of the curing accelerator to the entire composition (X) is, for example, 0.1% by mass or more and 2% by mass or less.
カップリング剤は、充填材(C)と、エポキシ樹脂(A)及び硬化剤(B)との親和性を向上させうる。カップリング剤としては、例えばシランカップリング剤、チタネートカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、アルミニウム/ジルコニウムカップリング剤等が挙げられる。シランカップリングとしては、例えばγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のグリシドキシシラン;N-β(アミノエチル)-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン;アルキルシラン;ウレイドシラン;ビニルシランなどが挙げられる。充填材(C)及びカップリング剤の合計量に対するカップリング剤の割合は、例えば0.01質量%以上1質量%以下である。 The coupling agent can improve the affinity of the filler (C) with the epoxy resin (A) and the curing agent (B). Examples of the coupling agent include silane coupling agents, titanate coupling agents, aluminum coupling agents, and aluminum/zirconium coupling agents. Examples of the silane coupling agent include glycidoxysilanes such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane; aminosilanes such as N-β(aminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, and N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane; alkylsilanes; ureidosilanes; and vinylsilanes. The ratio of the coupling agent to the total amount of the filler (C) and the coupling agent is, for example, 0.01% by mass or more and 1% by mass or less.
離型剤としては、例えばカルナバワックス、ステアリン酸、モンタン酸、カルボキシル基含有ポリオレフィン、エステルワックス、酸化ポリエチレン、金属石鹸等が挙げられる。組成物(X)全体に対する離型剤の割合は、例えば0.01質量%以上1質量%以下である。 Examples of the release agent include carnauba wax, stearic acid, montanic acid, carboxyl group-containing polyolefin, ester wax, polyethylene oxide, metal soap, etc. The ratio of the release agent to the entire composition (X) is, for example, 0.01% by mass or more and 1% by mass or less.
難燃剤としては、例えば水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、赤リン等が挙げられる。 Examples of flame retardants include magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, red phosphorus, etc.
着色剤としては、例えばカーボンブラック、ベンガラ、酸化チタン、フタロシアニン、ペリレンブラック等が挙げられる。 Colorants include, for example, carbon black, red iron oxide, titanium oxide, phthalocyanine, perylene black, etc.
低応力化剤としては、例えばシリコーンエラストマー、シリコーンレジン、シリコーンオイル、ブタジエン系ゴム等が挙げられる。ブタジエン系ゴムとしては、例えばアクリル酸メチル-ブタジエン-スチレン共重合体、メタクリル酸メチル-ブタジエン-スチレン共重合体等が挙げられる。 Examples of stress reducing agents include silicone elastomers, silicone resins, silicone oils, butadiene-based rubbers, etc. Examples of butadiene-based rubbers include methyl acrylate-butadiene-styrene copolymers, methyl methacrylate-butadiene-styrene copolymers, etc.
組成物(X)は、半導体装置の封止用に好適に用いることができ、特に光半導体装置における光半導体素子の封止用に好適である。 Composition (X) can be suitably used for sealing semiconductor devices, and is particularly suitable for sealing optical semiconductor elements in optical semiconductor devices.
<組成物の製造方法>
組成物(X)は、例えば組成物(X)の構成成分を混合することで調製できる。より具体的には、例えばエポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)及び充填材(C)を含む原料を、ミキサー、ブレンダー等で十分均一になるまで混合し、続いて、熱ロール、ニーダー等の混錬機により加熱されている状態で溶融混合してから、室温に冷却する。これにより得られた混合物を公知の手段で粉砕することで、粉体状の組成物(X)を製造できる。組成物(X)は粉体状でなくてもよく、例えばタブレット状であってもよい。タブレット状である場合の組成物(X)は成形条件に適した寸法と質量とを有することが好ましい。
<Production method of composition>
The composition (X) can be prepared, for example, by mixing the components of the composition (X). More specifically, for example, raw materials including the epoxy resin (A), the curing agent (B) and the filler (C) are mixed in a mixer, blender or the like until they are sufficiently uniform, and then melt-mixed in a heated state using a kneading machine such as a heat roll or a kneader, and then cooled to room temperature. The mixture thus obtained is pulverized by a known means to produce the powdered composition (X). The composition (X) does not have to be in a powder form, and may be, for example, in a tablet form. When the composition (X) is in a tablet form, it is preferable that the size and mass of the composition (X) are suitable for the molding conditions.
<特性>
組成物(X)は、25℃で固体であることが好ましい。この場合、組成物(X)を射出成形法、トランスファ成形法、圧縮成形法等の加圧成形法で成形することで、封止材を作製できる。組成物(X)が15℃以上25℃以下の範囲内のいずれの温度でも固体であることがより好ましく、5℃以上35℃以下の範囲内のいずれの温度でも固体であることがさらに好ましい。
<Characteristics>
The composition (X) is preferably solid at 25° C. In this case, the composition (X) can be molded by a pressure molding method such as injection molding, transfer molding, or compression molding to produce an encapsulant. It is more preferable that the composition (X) is solid at any temperature in the range of 15° C. to 25° C., and further more preferable that the composition (X) is solid at any temperature in the range of 5° C. to 35° C.
組成物(X)の硬化物における波長800nm以上980nm以下の光の透過率は、20%以上であることが好ましい。この場合、組成物(X)の硬化物を側面型のフォトカプラー等の封止材に用いた場合でも、光半導体装置の特性を十分に満足なものにすることができる。透過率は、30%以上であることがより好ましく、35%以上であることがさらに好ましく、40%以上であることが特に好ましく、45%以上であることが最も好ましい。透過率の上限値は、特に限定されないが、例えば60%である。なお、組成物(X)の透過率は、硬化することで得られる硬化物の厚みが1mmである場合の値である。 The transmittance of light having a wavelength of 800 nm or more and 980 nm or less in the cured product of composition (X) is preferably 20% or more. In this case, even if the cured product of composition (X) is used as an encapsulant for a side-type photocoupler or the like, the characteristics of the optical semiconductor device can be fully satisfactory. The transmittance is more preferably 30% or more, even more preferably 35% or more, particularly preferably 40% or more, and most preferably 45% or more. The upper limit of the transmittance is not particularly limited, but is, for example, 60%. The transmittance of composition (X) is the value when the thickness of the cured product obtained by curing is 1 mm.
組成物(X)の硬化物の線膨張係数は、40ppm/℃以下であることが好ましい。この場合、線膨張係数が通常15~20ppm/℃である光半導体装置のリードフレーム部材と、硬化物との線膨張係数の差をより小さくすることができる。そのため、光半導体装置の成形時に、パッケージ内部の剥離の発生を抑えることができ、剥離によって起こる酸化による変色を抑制することができるので、透過率を高くすることができる。線膨張係数は、30ppm/℃以下であることがより好ましく、25ppm/℃以下であることがさらに好ましい。また、線膨張係数は15ppm/℃以上であることが好ましい。 The linear expansion coefficient of the cured product of composition (X) is preferably 40 ppm/°C or less. In this case, the difference in linear expansion coefficient between the lead frame member of the optical semiconductor device, which usually has a linear expansion coefficient of 15 to 20 ppm/°C, and the cured product can be made smaller. This makes it possible to suppress the occurrence of peeling inside the package during molding of the optical semiconductor device, and to suppress discoloration due to oxidation caused by peeling, thereby increasing the transmittance. The linear expansion coefficient is more preferably 30 ppm/°C or less, and even more preferably 25 ppm/°C or less. In addition, the linear expansion coefficient is preferably 15 ppm/°C or more.
組成物(X)のスパイラルフロー長さは、90cm以上であることが好ましい。この場合、組成物(X)は特に良好な成形性を有しやすい。スパイラルフロー長さは、100cm以上であることがより好ましく、120cm以上であることがさらに好ましい。スパイラルフロー長さの上限値は、特に限定されないが、例えば200cmである。 The spiral flow length of composition (X) is preferably 90 cm or more. In this case, composition (X) is likely to have particularly good moldability. The spiral flow length is more preferably 100 cm or more, and even more preferably 120 cm or more. The upper limit of the spiral flow length is not particularly limited, but is, for example, 200 cm.
組成物(X)のゲルタイムは、40秒以下であることが好ましい。この場合、封止材を作製する場合の成形サイクルをより短くすることができ、光半導体装置の生産性をより高くすることができる。ゲルタイムの下限値は特に限定されないが、例えば20秒である。 The gel time of composition (X) is preferably 40 seconds or less. In this case, the molding cycle for producing the encapsulant can be shortened, and the productivity of the optical semiconductor device can be increased. The lower limit of the gel time is not particularly limited, but is, for example, 20 seconds.
なお、透過率、線膨張係数、スパイラルフロー長さ及びゲルタイムの測定方法の詳細は、後掲の実施例の欄で説明する。 Details of the methods for measuring the transmittance, linear expansion coefficient, spiral flow length, and gel time will be explained in the Examples section below.
<光半導体装置>
本実施形態に係る光半導体装置は、光半導体素子と、前記光半導体素子を封止する封止材とを備える。前記封止材は、組成物(X)の硬化物を含む。
<Optical semiconductor device>
The optical semiconductor device according to the present embodiment includes an optical semiconductor element and an encapsulant that encapsulates the optical semiconductor element. The encapsulant includes a cured product of a composition (X).
図1に、光半導体装置1である側面型フォトカプラーの一例の断面図を示す。この光半導体装置1は、光半導体素子3,3としての発光素子4及び受光素子5と、この光半導体素子3,3を封止する封止材2と、この光半導体素子3,3に接続する導体である2本のリードフレーム6,6と、封止材2を覆う高反射樹脂層7とを備える。
Figure 1 shows a cross-sectional view of an example of a side-type photocoupler, which is an
封止材2は、組成物(X)の硬化物を含む。発光素子4としては、例えば発光ダイオード等が挙げられる。受光素子5としては、例えばフォトダイオード等が挙げられる。高反射樹脂層7は、例えば70%以上の反射率を有する樹脂から形成される。光半導体装置1における光半導体素子3,3の封止は、例えば組成物(X)を所定の成形型内に注入し、所定の条件で加熱硬化して行うことができる。これにより、組成物(X)の硬化物により光半導体素子3,3が封止された光半導体装置1が得られる。
The
光半導体装置1の構造は、図1に示すものに限られず、光半導体装置1は、光半導体素子3と、光半導体素子3を封止する封止材2とを備えればよい。光半導体装置1は、例えば高反射樹脂層7を備えていなくてもよい。また、発光素子4と受光素子5とは並列配置でなくてもよく、例えば対面構造であってもよい。
The structure of the
以下、本開示を実施例によってさらに詳しく説明するが、本開示はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。 The present disclosure will be explained in more detail below with reference to examples, but the present disclosure is not limited to these examples.
1.組成物の調製
表1に示す原料を配合し、ミキサーで均一に混合分散してから、2軸混錬機を使って、材料温度120℃で加熱混錬することで、混合物を得た。続いて、混合物を冷却してから粉砕した。次に、得られた粉体を打錠することで、タブレット状の組成物を得た。なお、原料の詳細は下記の通りである。
-エポキシ樹脂:クレゾールノボラック型エポキシ樹脂。エポキシ当量195g/eq
-硬化剤:フェノール系硬化剤。フェノールノボラック樹脂。OH当量105g/eq。
-充填材:
・結晶シリカ1(長軸/短軸比=1.3):平均粒径18μm。
・結晶シリカ2(長軸/短軸比=1.5):平均粒径15μm。
・非晶質シリカ1(長軸/短軸比=1.1):平均粒径20μm。
・非晶質シリカ2(長軸/短軸比=1.3):平均粒径20μm。
・非晶質シリカ3(長軸/短軸比=1.5):平均粒径30μm。
・酸化チタン:平均粒径0.3μm。
-硬化促進剤:トリフェニルホスフィン。
-離型剤:天然カルナバ。
-カップリング剤:シランカップリング剤。3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン。
1. Preparation of Composition The raw materials shown in Table 1 were mixed and uniformly dispersed in a mixer, and then heated and kneaded at a material temperature of 120°C using a twin-screw kneader to obtain a mixture. The mixture was then cooled and pulverized. The obtained powder was then tableted to obtain a tablet-shaped composition. The details of the raw materials are as follows.
- Epoxy resin: cresol novolac type epoxy resin. Epoxy equivalent: 195 g/eq.
- Hardener: Phenol-based hardener. Phenol novolac resin. OH equivalent: 105 g/eq.
- Filling material:
- Crystalline silica 1 (major axis/minor axis ratio = 1.3): average particle size 18 μm.
- Crystalline silica 2 (major axis/minor axis ratio = 1.5): average particle size 15 μm.
- Amorphous silica 1 (major axis/minor axis ratio = 1.1): average particle size 20 μm.
- Amorphous silica 2 (major axis/minor axis ratio = 1.3): average particle size 20 μm.
- Amorphous silica 3 (major axis/minor axis ratio = 1.5): average particle size 30 μm.
Titanium oxide: average particle size 0.3 μm.
- Curing accelerator: triphenylphosphine.
- Release agent: natural carnauba.
Coupling agent: Silane coupling agent. 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane.
2.評価
(1)透過率
トランスファ成型機(神藤金属工業所社製)を用い、組成物をトランスファ成形法で、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間180秒の条件で成形してから、175℃で6時間加熱することでポストキュアし、直径50mm、厚み1mmの円盤状の硬化物を作製した。この硬化物について、分光光度計(島津製作所社製のMPC-3100)により波長940nmにおける光透過率を測定した。
2. Evaluation (1) Transmittance Using a transfer molding machine (manufactured by Shinto Metal Industries Co., Ltd.), the composition was molded by transfer molding under the conditions of a mold temperature of 175°C, an injection pressure of 6.9 MPa, and a curing time of 180 seconds, and then post-cured by heating at 175°C for 6 hours to produce a disk-shaped cured product with a diameter of 50 mm and a thickness of 1 mm. The light transmittance of this cured product at a wavelength of 940 nm was measured using a spectrophotometer (MPC-3100 manufactured by Shimadzu Corporation).
(2)線膨張係数
トランスファ成型機(神藤金属工業所社製)を用い、組成物をトランスファ成形法で、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間180秒の条件で成形してから、175℃で6時間加熱することでポストキュアし、5mmΦ×30mmの寸法の試験片を作製した。横型熱膨張計(アドバンス理工社製のDLY-9000)を用いて試験片を20℃から280℃まで毎分5℃で昇温し、この試験片の80℃から100℃での長さ方向の平均線膨張係数を測定した。
(2) Linear expansion coefficient Using a transfer molding machine (manufactured by Shinto Metal Industries Co., Ltd.), the composition was molded by transfer molding under the conditions of a mold temperature of 175°C, an injection pressure of 6.9 MPa, and a curing time of 180 seconds, and then post-cured by heating at 175°C for 6 hours to prepare a test piece having a dimension of 5 mmΦ x 30 mm. Using a horizontal thermal dilatometer (DLY-9000 manufactured by Advance Riko Co., Ltd.), the test piece was heated from 20°C to 280°C at a rate of 5°C per minute, and the average linear expansion coefficient of the test piece in the length direction from 80°C to 100°C was measured.
(3)スパイラルフロー長さ
トランスファ成型機(神藤金属工業所社製)を用いて、ASRM D 3123に基づいて作製されたスパイラルフロー専用金型に金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間180秒の条件で組成物を注入し、組成物が流動した長さを測定した。
(3) Spiral Flow Length Using a transfer molding machine (manufactured by Shinto Metal Works, Ltd.), the composition was injected into a dedicated spiral flow mold produced based on ASRM D 3123 under conditions of a mold temperature of 175° C., an injection pressure of 6.9 MPa, and a curing time of 180 seconds, and the length of the composition that flowed was measured.
(4)ゲルタイム
キュラストメータ(JSR社製のキュラストメータIII PS型)を用いて、組成物を175℃で加熱しながらトルク値を測定した。このトルク値が4.9N/m(0.5kgf・cm)に達するまでの時間をゲルタイムとした。
(4) Gel Time Using a Curastometer (Curastometer III PS type manufactured by JSR Corporation), the torque value of the composition was measured while heating it at 175° C. The time until the torque value reached 4.9 N/m (0.5 kgf cm) was defined as the gel time.
以上の評価の結果を、表1に示す。 The results of the above evaluation are shown in Table 1.
Claims (7)
前記充填材(C)が、結晶シリカ(c1)及び酸化チタン(c2)を含み、
前記酸化チタン(c2)の平均粒径が、1μm以下であり、
前記酸化チタン(c2)の割合が、0.1質量%以下であり、
前記結晶シリカ(c1)の短軸に対する長軸の比の平均値が、1.2以上1.6以下であり、
前記充填材(C)の割合が、35質量%以上70質量%以下である、エポキシ樹脂組成物。 An epoxy resin composition comprising an epoxy resin (A), a curing agent (B) and a filler (C),
The filler (C) contains crystalline silica (c1) and titanium oxide (c2),
The average particle size of the titanium oxide (c2) is 1 μm or less,
The ratio of the titanium oxide (c2) is 0.1 mass% or less,
The average ratio of the major axis to the minor axis of the crystalline silica (c1) is 1.2 or more and 1.6 or less;
The epoxy resin composition, wherein the proportion of the filler (C) is 35% by mass or more and 70% by mass or less.
前記光半導体素子を封止する封止材と
を備え、
前記封止材が、請求項1から6のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物を含む光半導体装置。 An optical semiconductor element;
and a sealing material that seals the optical semiconductor element,
An optical semiconductor device, wherein the encapsulant comprises a cured product of the epoxy resin composition according to claim 1 .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020109987A JP7584079B2 (en) | 2020-06-25 | 2020-06-25 | Epoxy resin composition and optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020109987A JP7584079B2 (en) | 2020-06-25 | 2020-06-25 | Epoxy resin composition and optical semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022007193A JP2022007193A (en) | 2022-01-13 |
| JP7584079B2 true JP7584079B2 (en) | 2024-11-15 |
Family
ID=80111113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020109987A Active JP7584079B2 (en) | 2020-06-25 | 2020-06-25 | Epoxy resin composition and optical semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7584079B2 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005089645A (en) | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Kyocera Chemical Corp | Sealing resin composition and semiconductor device using the same |
| JP2010001350A (en) | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Kyocera Chemical Corp | Epoxy resin molding material and molded product |
| JP2013035978A (en) | 2011-07-14 | 2013-02-21 | Sekisui Chem Co Ltd | White curable composition for optical semiconductor device and molded product for optical semiconductor device |
| JP2013053299A (en) | 2011-07-14 | 2013-03-21 | Sekisui Chem Co Ltd | White curable composition for optical semiconductor device, molded object for optical semiconductor device, and optical semiconductor device |
| JP2013076049A (en) | 2011-09-16 | 2013-04-25 | Sekisui Chem Co Ltd | White curing composition for optical semiconductor device, and molding for optical semiconductor device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5480691A (en) * | 1977-12-12 | 1979-06-27 | Toshiba Corp | Photo coupling semiconductor device |
| JPH0725987A (en) * | 1993-07-14 | 1995-01-27 | Nitto Denko Corp | Epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation |
| JPH08245755A (en) * | 1995-03-13 | 1996-09-24 | Toshiba Chem Corp | Epoxy resin composition and sealed device of electronic part |
-
2020
- 2020-06-25 JP JP2020109987A patent/JP7584079B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005089645A (en) | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Kyocera Chemical Corp | Sealing resin composition and semiconductor device using the same |
| JP2010001350A (en) | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Kyocera Chemical Corp | Epoxy resin molding material and molded product |
| JP2013035978A (en) | 2011-07-14 | 2013-02-21 | Sekisui Chem Co Ltd | White curable composition for optical semiconductor device and molded product for optical semiconductor device |
| JP2013053299A (en) | 2011-07-14 | 2013-03-21 | Sekisui Chem Co Ltd | White curable composition for optical semiconductor device, molded object for optical semiconductor device, and optical semiconductor device |
| JP2013076049A (en) | 2011-09-16 | 2013-04-25 | Sekisui Chem Co Ltd | White curing composition for optical semiconductor device, and molding for optical semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022007193A (en) | 2022-01-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3029083B1 (en) | Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor encapsulation method using same | |
| JP7571815B2 (en) | Encapsulating composition and semiconductor device | |
| US9633922B2 (en) | Sealing epoxy resin composition, hardened product, and semiconductor device | |
| JP6300744B2 (en) | Semiconductor sealing resin composition and semiconductor device | |
| TW202142622A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device encapsulated using the same | |
| JP5899498B2 (en) | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, method for producing the same, and semiconductor device | |
| JP2006193619A (en) | Epoxy resin composition for sealing and electronic part device | |
| JP2025032016A (en) | Encapsulating composition and semiconductor device | |
| CN102468192B (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| CN104194276A (en) | Manufacturing method of epoxy resin molding material for sealing with improved black degree | |
| JP7571810B2 (en) | Encapsulating composition and semiconductor device | |
| CN108699423B (en) | Epoxy resin composition for sealing semiconductor device and semiconductor device sealed using the same | |
| JP2018016760A (en) | Epoxy resin composition for sealing, and method for producing semiconductor device | |
| JP2013216871A (en) | Epoxy resin curing accelerator | |
| JP7584079B2 (en) | Epoxy resin composition and optical semiconductor device | |
| JP6307352B2 (en) | Resin composition for optical semiconductor encapsulation and optical semiconductor device | |
| JP7764695B2 (en) | Encapsulating resin composition and semiconductor device | |
| JP7718054B2 (en) | Method for producing thermosetting resin composition and method for producing electronic component device | |
| JP2019065224A (en) | Curable resin composition, electronic part device and method for manufacturing electronic part device | |
| JP3871025B2 (en) | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device | |
| JP6857836B2 (en) | Epoxy resin composition for encapsulation, cured product, and semiconductor device | |
| JP7800009B2 (en) | Encapsulating resin composition and semiconductor device | |
| JP2006213849A (en) | Sealing resin composition and semiconductor sealing apparatus | |
| JP2002284859A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| KR101922295B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semicomductor device and semiconductor device encapsulated using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230202 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231030 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231107 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240109 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240423 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240617 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20241001 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20241025 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7584079 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |