JP7611740B2 - 配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板に関する。

従来、ＬＥＤ（発光ダイオード：ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）やパワー半導体などの熱を多く発生する素子が搭載される配線基板としては、高放熱性の配線基板が用いられている。高放熱性の配線基板として、アルミニウム基板にアルマイト被膜を施して電子基板（以下、アルマイト基板とも呼ぶ）として扱う技術が提案されている（例えば、特許文献１～５参照）。アルマイト基板は、絶縁性を備えつつ、アルミニウム基板の熱伝導率、および熱拡散率を維持することができるため、高放熱化を図ることができる。

特開２０１２－１２４３２４号公報 特開２０１２－２０１８９１号公報 特許第６１９０７９１号公報 特許第６２５７９４４号公報 特開昭５９－２２４１９２号公報 国際公開第２０１３／０１８３４４号

次世代自動車においては、多くの車外表示（光)に高輝度ＬＥＤが多用される。車載ＬＥＤの使用数が飛躍的に増えるため高密度化が必要となり、また、昼間点灯のために高出力が必要になる。ＬＥＤ使用数の増加およびＬＥＤの高出力化に伴い、ＬＥＤが搭載される配線基板のさらなる高放熱化が望まれている。

そこで、高放熱性の配線基板として、アルマイト基板が検討されている。しかしながら、アルマイト被膜は耐熱性が低く、加温されるとアルマイト表面にクラックが生じやすいため、絶縁性の保証が難しいという課題があった。特許文献１では、配線電極が形成される部分のアルミニウム基板の厚みを厚くし、当該部分のアルマイト層を薄くすることにより、配線電極形成のプロセス時に発生する熱を、アルミニウム基板に放熱しやすくすることにより、配線電極形成のプロセス時のクラックの発生を抑制する技術が提案されている。特許文献２では、基材として用いるアルミニウム合金における化学成分組成および陽極酸化皮膜中に存在する金属間化合物の大きさや個数を適切に規定すること、陽極酸化皮膜の少なくとも一部を絶縁物で被覆または表面修飾した複合皮膜構造にすることにより、高温耐クラック性を実現する技術が提案されている。特許文献４には、アルミニウム合金の表面に、非晶質アルマイト層と結晶化アルマイト層とをこの順に設けることにより、クラックを抑制する技術が提案されている。

しかしながら、アルマイト被膜は些細な欠陥からでもクラックを生じやすく、上記従来技術によっても、クラックが発生する虞がある。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、アルミニウムを主成分とする金属材料から成る基材と、基材表面上に形成された酸化被膜層を有する配線基板において、酸化被膜層のクラックの発生または進展を抑制する他の技術を提供することを目的とする。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。

（１）本発明の一形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属材料から成る基材と、前記金属材料の陽極酸化被膜であり、前記基材表面上に形成された酸化被膜層と、導電性を有し、前記酸化被膜層の上に形成された配線部と、を備え、前記酸化被膜層は、前記配線部が形成された第１酸化被膜部と、前記第１酸化被膜部と離間して形成され、前記配線部が形成されていない第２酸化被膜部と、を有し、前記第１酸化被膜部と前記第２酸化被膜部との間は、前記基材表面が露出している。

この構成によれば、配線部が形成された第１酸化被膜部と、配線部が形成されていない第２酸化被膜部とが離間して形成され、かつ第１酸化被膜部と第２酸化被膜部との間は、基材表面が露出している。すなわち、第１酸化被膜部と第２酸化被膜部とは繋がっていない。そのため、第２酸化被膜部にクラックが生じ、進展したとしても、酸化被膜層が形成されておらず基材表面が露出している部分でクラックの進展が食い止められ、第１酸化被膜部まではクラックが進展しない。そのため、配線部が形成されており、電子部品が搭載される製品領域である第１酸化被膜部におけるクラックを抑制することができ、配線基板の信頼性を向上させることができる。

（２）本発明の他の形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属材料から成る基材と、前記金属材料の陽極酸化被膜であり、前記基材表面上に形成された酸化被膜層と、導電性を有し、前記酸化被膜層の上に形成された配線部と、を備え、前記酸化被膜層は、前記配線部が形成された第１酸化被膜部と、前記第１酸化被膜部と離間して形成され、前記基材表面が露出した給電部を有する第２酸化被膜部と、を有し、前記第１酸化被膜部と前記第２酸化被膜部との間は、前記基材表面が露出している。

この構成によれば、配線部が形成された第１酸化被膜部と、基材表面が露出した給電部を有する第２酸化被膜部とが離間して形成され、かつ第１酸化被膜部と第２酸化被膜部との間は、基材表面が露出している。すなわち、第１酸化被膜部と第２酸化被膜部とは繋がっていない。そのため、第２酸化被膜部に給電部を起点としてクラックが生じ、進展したとしても、酸化被膜層が形成されておらず基材表面が露出している部分でクラックの進展が食い止められ、第１酸化被膜部まではクラックが進展しない。そのため、配線部が形成されており、電子部品が搭載される製品領域である第１酸化被膜部におけるクラックを抑制することができ、配線基板の信頼性を向上させることができる。

（３）上記形態の配線基板であって、前記基材は、前記酸化被膜層が形成された第１主面と、前記第１主面の裏面である第２主面と、前記第１主面と前記第２主面とを繋ぎ前記酸化被膜層が形成されていない側面と、を備え、前記配線基板は、前記基材の前記第１主面の周縁部の少なくとも一部に、前記酸化被膜層が形成されておらず、前記基材が露出してもよい。基材の縁、角等に酸化被膜層が形成されると、酸化被膜層の厚さが不均一になり、クラックが発生しやすい。この形態の配線基板によれば、第１主面の周縁部の少なくとも一部に酸化被膜層が形成されていないため、クラックの発生を抑制することができる。

（４）上記形態の配線基板であって、前記基材は、前記第１酸化被膜部が形成された第１主面と、前記第１主面の裏面である第２主面と、前記第１主面と前記第２主面とを繋ぐ側面と、を備え、前記第２酸化被膜部は、前記第２主面、および前記側面の少なくともいずれか一方に形成されていてもよい。このようにすると、配線部が形成された第１酸化被膜部が第２酸化被膜部と異なる面に形成されているため、電子部品を搭載可能な領域を大きくすることができる。

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、配線基板を含む製品、配線基板の製造方法、配線基板を含む製品の製造方法などの形態で実現することができる。

第１実施形態の配線基板の平面構成を概略的に示す説明図である。 第１実施形態の配線基板の断面構成を概略的に示す説明図である。 第２実施形態の配線基板の平面構成を概略的に示す説明図である。 第３実施形態の配線基板の構成を概略的に示す説明図である。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態の配線基板１００の平面構成を概略的に示す説明図であり、図２は、配線基板１００の断面構成を概略的に示す説明図である。図２では、図１におけるＡ－Ａ断面を示している。配線基板１００は、平面形状が略正方形状の平板状の基材１０と、基材１０の表面上に形成された酸化被膜層２０と、酸化被膜層２０の上に形成された配線部３０と、を備える。酸化被膜層２０は、配線部３０が形成された第１酸化被膜部２１と、配線部３０が形成されていない第２酸化被膜部２２と、を有する。第２酸化被膜部２２は、基材１０の表面が露出した給電部２３を有する。

基材１０は、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属材料から成る。基材１０はアルミニウムを主成分とする金属材料から成るため、熱伝導率および熱拡散率が高い。本実施形態において、主成分とは、質量％が最も高い成分である。

基材１０は、図２に示すように、第１主面１１と、第１主面１１の裏面である第２主面１２と、第１主面１１と第２主面１２とを繋ぐ側面１３と、を備える平板状である。本実施形態では、基材１０の第１主面１１に、第１酸化被膜部２１および第２酸化被膜部２２が形成されており、第２主面１２と側面１３には、酸化被膜層２０が形成されていない。

酸化被膜層２０は、アルミニウムを主成分とする金属材料から成る平板（以下、「元板」とも呼ぶ）に陽極酸化処理をして表面を変質させて形成された酸化被膜（アルマイト）である。すなわち、本実施形態において、元板に陽極酸化処理をして形成された酸化被膜部分が酸化被膜層２０であり、変質していない素地の部分が基材１０である。酸化被膜層２０は、絶縁性を有する。

上述の通り、酸化被膜層２０は、配線部３０が形成された１つの第１酸化被膜部２１と、配線部３０が形成されていない２つの第２酸化被膜部２２と、を有する。第１酸化被膜部２１は、図１に示すように、平面形状が角丸長方形状、換言すると、角が丸面取りされた長方形状である。第１酸化被膜部２１の上には配線部３０が形成されており、第１酸化被膜部２１は、電子部品が搭載される領域（以下、製品領域とも呼ぶ）である。

配線部３０は、主成分が互いに異なる３種の金属薄膜が積層されて構成されている。具体的には、チタン（Ｔｉ）を主成分とする金属薄膜と、白金（Ｐｔ）を主成分とする金属薄膜と、金（Ａｕ）を主成分とする金属薄膜と、が酸化被膜層２０側から順に積層されている。チタンは、酸化被膜層２０との密着性が良好であり、白金は金との密着性がチタンよりも良好であり、金は高導電性、抗腐食性でありボンディング性が良好であるため、この構成によれば、配線部３０の剥離が抑制され、高導電性、抗腐食性でありボンディング性が良好な配線層を実現することができる。なお、図２では、各薄膜を区別して図示していない。配線部３０は、蒸着、スパッタリング等の公知の方法により形成することができる。

２つの第２酸化被膜部２２は、略同一の形状に形成されており、図１に示すように、それぞれ、平面形状が角丸長方形状である。第２酸化被膜部２２の上には配線部３０が形成されておらず、電子部品が搭載される領域ではない。第２酸化被膜部２２は、基材１０の表面が露出した給電部２３を有する。給電部２３は、上述の陽極酸化処理を行う際の通電用治具との接点であり、陽極酸化が行われた後も基材１０の表面が露出している。給電部２３は、平面形状が真円状（図１）の貫通孔（図２）である。給電部２３の平面形状は、真円でなくてもよく、略楕円状、略多角形状等、種々の形状であってもよい。給電部は、通電するための電極痕、通電痕、治具痕とも呼ばれる。

図示するように、第１酸化被膜部２１と第２酸化被膜部２２とは離間して形成され、第１酸化被膜部２１と第２酸化被膜部２２との間は、基材１０の表面が露出している。すなわち、第１酸化被膜部２１と第２酸化被膜部２２とは、繋がっていない。換言すると、第１酸化被膜部２１と第２酸化被膜部２２とは、分断されている。

酸化被膜層２０は、アルマイトであり、振動、加熱等によってクラックが生じやすい。特に、第２酸化被膜部２２は給電部２３を有するため、給電部２３を起点としてクラックが生じやすい。本実施形態において、上述の通り、第１酸化被膜部２１と第２酸化被膜部２２とは離間して設けられており、第１酸化被膜部２１と第２酸化被膜部２２との間は、基材１０の表面が露出しているため、第２酸化被膜部２２にクラックが生じ、進展したとしても、酸化被膜層２０が形成されておらず基材１０の表面が露出している部分でクラックの進展が食い止められ、第１酸化被膜部まではクラックが進展しない。そのため、配線が形成されており、製品領域となる第１酸化被膜部２１におけるクラックを抑制することができる。

また、図１に示すように、基材１０の第１主面１１の周縁部には、酸化被膜層２０が形成されておらず、基材１０が露出している。換言すると、酸化被膜層２０は、基材１０の縁から離して形成されている。すなわち、加熱や衝撃によってクラックの起点になる可能性が高い基材１０の端部（縁、角）から離して酸化被膜層２０が形成されているため、酸化被膜層２０のクラックを、抑制することができる。

本実施形態の配線基板１００では、第１酸化被膜部２１と第２酸化被膜部２２とが、離間して形成されている。このように、基材１０の表面に部分的に酸化被膜を形成する方法としては、例えば、元板の表面全面にアルマイトを形成した後に、不要部（基材１０の表面を露出させる部分）を、湿式の化学処理、レーザー加工等により除去する方法(第１の方法)を用いることができる。また、例えば、元板の表面の不要部（基材１０の表面を露出させる部分）に、フォトリソグラフィでマスキングを施した後にアルマイトを形成する方法(第２の方法）を用いることもできる。

第１の方法にて第１酸化被膜層２１および第２酸化被膜部２２を形成した場合、基材１０の厚さは略一様であり、元板の厚さより薄い。一方、第２の方法にて第１酸化被膜層２１および第２酸化被膜部２２を形成した場合、基材１０の第１主面１１が露出している部分（図１において斜線ハッチングを付して表示している部分）の基材１０の厚さは、元板の厚さと略同じであり、第１酸化被膜層２１および第２酸化被膜部２２が形成されている部分の基材１０の厚さは、基材１０の第１主面１１が露出している部分より厚さが薄くなっている。すなわち、第２の方法にて第１酸化被膜層２１および第２酸化被膜部２２を形成した場合は、基材１０の厚みが部分的に異なっている。

一般に、アルマイトは、被膜上に欠陥（微小な傷、凹み）が存在したり、基材１０の角、縁など突出部する部分に形成されている場合、振動や加熱によって容易にクラックを生じる。アルマイトは、一度クラックが生じると激しく進展し、別の欠陥に突き当たるまで止まらないため、基板上をクラックが横断するような事態になる虞がある。本実施形態の配線基板１００において、酸化被膜層２０はアルマイトであり、第２酸化被膜部２２は給電部２３を有するため、給電部２３を起点としてクラックが生じやすい。これに対し、本実施形態の配線基板１００によれば、第１酸化被膜部２１と、第２酸化被膜部２２とは繋がっていないため、第２酸化被膜部２２にクラックが生じ、進展したとしても、基材１０の表面が露出している部分でクラックの進展が食い止められ、第１酸化被膜部２１まではクラックが進展しない。第１酸化被膜部２１の上には配線部３０が形成されており、第１酸化被膜部２１は電子部品が搭載される領域（製品領域)である。すなわち、本実施形態の配線基板１００によれば、製品領域において、クラックの発生を抑制することができ、絶縁性を確保することができるため、配線基板１００の信頼性を向上させることができる。

また、上述の通り、基材１０の縁、角等に酸化被膜層２０が形成されると、酸化被膜層２０の厚さが不均一になり、クラックが発生しやすい。これに対し、本実施形態の配線基板１００によれば、基材１０の第１主面１１の周縁部には酸化被膜層２０が形成されていないため（換言すると、酸化被膜層２０は、基材１０の縁から離して形成されているため）、クラックの発生を抑制することができる。

また、本実施形態の配線基板１００では、基材１０の第１主面１１の周縁部と、側面１３と、第２主面１２には酸化被膜層２０を形成しないため、酸化被膜層２０を上述の第２の方法で形成する場合、酸化被膜層２０を形成しない部分にレジストによりマスキングを施す。マスキング後にアルマイト処理（陽極酸化被膜処理）を施す際、元板の縁や角にレジストの端が配置されると、レジストの剥離が生じる可能性がある。これに対し、本実施形態の配線基板１００では、レジストの端が元板の縁や角に配置されないため、レジストの剥離がより抑制され、酸化被膜層２０の端部の厚さの不均一を抑制することができ、欠陥を抑制することができる。その結果、酸化被膜層２０のクラックの発生を抑制することができる。

さらに、第１酸化被膜部２１の平面形状は、角丸長方形状であり、応力が集中する角が形成されていないため、クラックの発生を抑制することができる。

本実施形態の配線基板１００によれば、製品領域のクラックを抑制することができるため、第１酸化被膜部２１により絶縁性を担保しつつ、熱伝導率が高いアルミニウムを主成分とする基材１０により高放熱性を得ることができる。そのため、例えば、発熱量が大きい高輝度ＬＥＤを高密度化して搭載する配線基板として用いることができる。その他、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、パワーデバイス、太陽電池等の半導体や液晶等に適用することもできる。

＜第２実施形態＞
図３は、第２実施形態の配線基板１００Ａの平面構成を概略的に示す説明図である。本実施形態の配線基板１００Ａが、第１実施形態の配線基板１００と異なる点は、第２酸化被膜部２２Ａの平面形状および配置である。以下に説明する実施形態において、第１実施形態の配線基板１００と同一の構成には同一の符号を付し、先行する説明を参照する。

本実施形態の第２酸化被膜部２２Ａは、図示するように、平面形状が長方形状であり、図３に示す平面視において、第２酸化被膜部２２Ａの長辺の一方が基材１０の第１主面１１の一辺と一致するように配置されている。すなわち、基材１０の第１主面１１の周縁部の一部に、酸化被膜層２０が形成されておらず、基材１０が露出している。このようにしても、第１酸化被膜部２１は、基材１０の縁から離して形成されているため、第１酸化被膜部２１におけるクラックの発生を抑制することができる。また、第１実施形態の配線基板１００と同様に、第１酸化被膜部２１と第２酸化被膜部２２Ａとが繋がっていないため、第２酸化被膜部２２Ａにおいてクラックが発生しても、第１酸化被膜部２１まで進展することを抑制することができる。

＜第３実施形態＞
図４は、第３実施形態の配線基板１００Ｂの構成を概略的に示す説明図である。図４（Ｂ）は基材１０の第１主面１１を示し、図４（Ｂ）に示す平面図の紙面左側の側面１３Ｌを図４（Ａ）、紙面右側の側面１３Ｒを図４（Ｃ）に、それぞれ示す。図４（Ａ）、（Ｃ）において、第１酸化被膜部２１Ｂおよび配線部３０の図示を省略している。本実施形態の配線基板１００Ｂが、第１実施形態の配線基板１００と異なる点は、第１酸化被膜部２１Ｂの平面形状、第２酸化被膜部２２Ｂの平面形状、およびその配置である。

第１酸化被膜部２１Ｂの平面形状は、図４（Ｂ）に示すように、角丸正方形状であり、第１実施形態の第１酸化被膜部２１より、面積が広い。第１酸化被膜部２１Ｂは、第１実施形態と同様に、基材１０の縁から離して形成されている。

第２酸化被膜部２２Ｂの平面形状は、図４（Ａ）、（Ｃ）に示すように、長方形状であり、第２酸化被膜部２２Ｂは、基材１０の側面１３の一部に形成されている。他の実施形態では、第２酸化皮膜部は、基材１０の側面１３の全面に形成されてもよい。

本実施形態の配線基板１００Ｂによれば、第２酸化被膜部２２Ｂが側面１３に形成されており、第１酸化被膜部２１Ｂが形成されている第１主面１１と異なる面に形成されているため、第１酸化被膜部２１Ｂの面積を第１実施形態の第１酸化被膜部２１より大きくすることができる。すなわち、製品領域を大きくすることができる。

＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

・配線部３０の主成分、および構成は、上記実施形態に限定されない。例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｇ等の金属又はこれらの合金の単層又は積層構造で形成することができる。また、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）等の導電性材料を用いてもよい。

・上記実施形態において、１つの第１酸化被膜部２１が形成された配線基板１００を例示したが、第１酸化被膜部２１が２つ以上形成されてもよい。いわゆる、多数個取りの配線基板として、配線基板を形成してもよい。配線基板が、２つ以上の第１酸化被膜部２１を備える場合にも、第１酸化被膜部２１と第２酸化被膜部２２とが離間して形成されており、第１酸化被膜部２１と第２酸化被膜部２２との間は基材１０の表面が露出していればよい。同様に、第２酸化被膜部２２は、１つであってもよいし、３つ以上形成されてもよい。

・上記実施形態において、第１酸化被膜部２１が基材１０の縁から離れて形成されている例を示したが、第１酸化被膜部２１の端（縁）が、基材１０の縁(周縁)と一致するように形成されてもよい。このようにしても、第２酸化被膜部２２が第１酸化被膜部２１と離間して形成されており、第２酸化被膜部２２と第１酸化被膜部２１との間は基材１０の表面が露出していることにより、第２酸化被膜部２２でクラックが発生した場合に、クラックが第１酸化被膜部２１まで進展することを抑制することができる。

・上記実施形態において、基材１０の第２主面１２には酸化被膜層２０が形成されていない例を示したが、第２主面１２にも酸化被膜層２０が形成されていてもよい。このようにすると、基材１０の第２主面１２側にも電子部品を搭載することができる。

・上記実施形態において、第２酸化被膜部２２が１つの給電部２３を備える例を示したが、第２酸化被膜部２２が給電部２３を備えなくてもよいし、２つ以上の給電部２３を備えてもよい。

・上記実施形態において、第２酸化被膜部２２に配線部３０が形成されていない例を示したが、配線部３０が形成されていてもよい。このようにしても、給電部２３を有する第２酸化被膜部２２においてクラックが発生した場合に、第２酸化被膜部２２と離間して形成された第１酸化被膜部２１にクラックが進展することを抑制することができる。

・第１酸化被膜部２１が基材１０の第１主面１１に形成され、第２酸化被膜部２２が第２主面１２に形成されてもよい。また、第１酸化被膜部２１が基材１０の第１主面１１に形成され、第２酸化被膜部２２が第２主面１２および側面１３に形成されてもよい。

・酸化被膜層２０の平面形状は、上記実施形態に限定されない。例えば、第１酸化被膜部２１が角が面取りされていない四角形状であってもよい。また、酸化被膜層２０の平面形状は、三角形、五角形、六角形等の多角形状であってもよいし、円形状、楕円形状等の多角形以外の形状であってもよい。多角形状の場合には、角が面取りされていてもされていなくてもよい。

・上記実施形態において、給電部２３が第２酸化被膜部２２の中心に形成されている例を示したが、給電部２３の配置は上記実施形態に限定されず、例えば、第２酸化被膜部２２の端（基材１０の端を含む）に配置されてもよい。

以上、実施形態、変形例に基づき本発明について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。

１０…基材
１１…第１主面
１２…第２主面
１３、１３Ｌ、１３Ｒ…側面
２０…酸化被膜層
２１…第１酸化被膜部
２１、２１Ｂ…第１酸化被膜部
２２、２２Ａ、２２Ｂ…第２酸化被膜部
２３…給電部
３０…配線部
１００、１００Ａ、１００Ｂ…配線基板

Claims (4)

1. 配線基板であって、
   アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属材料から成る基材と、
   前記金属材料の陽極酸化被膜であり、前記基材表面上に形成された酸化被膜層と、
   導電性を有し、前記酸化被膜層の上に形成された配線部と、
   を備え、
   前記酸化被膜層は、
   前記配線部が形成された第１酸化被膜部と、
   前記第１酸化被膜部と離間して形成され、前記配線部が形成されていない第２酸化被膜部と、
   を有し、
   前記第１酸化被膜部と前記第２酸化被膜部との間は、前記基材表面が露出しており、
   前記基材は、前記酸化皮膜層が形成された第１主面と、前記第１主面の裏側である第２主面と、前記第１主面と前記第２主面とを繋ぐ側面と、を備え、前記第１主面の周縁部は前記基材表面が露出しており、
   前記第２酸化被膜部は、前記側面に形成されていることを特徴とする、
   配線基板。
2. 配線基板であって、
   アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属材料から成る基材と、
   前記金属材料の陽極酸化被膜であり、前記基材表面上に形成された酸化被膜層と、
   導電性を有し、前記酸化被膜層の上に形成された配線部と、
   を備え、
   前記酸化被膜層は、
   前記配線部が形成された第１酸化被膜部と、
   前記第１酸化被膜部と離間して形成され、前記基材表面が露出した給電部を有する第２酸化被膜部と、
   を有し、
   前記第１酸化被膜部と前記第２酸化被膜部との間は、前記基材表面が露出していることを特徴とする、
   配線基板。
3. 請求項２に記載の配線基板であって、
   前記基材は、
   前記酸化被膜層が形成された第１主面と、前記第１主面の裏面である第２主面と、前記第１主面と前記第２主面とを繋ぎ前記酸化被膜層が形成されていない側面と、を備え、
   前記配線基板は、
   前記基材の前記第１主面の周縁部の少なくとも一部に、前記酸化被膜層が形成されておらず、前記基材が露出することを特徴とする、
   配線基板。
4. 請求項２に記載の配線基板であって、
   前記基材は、
   前記第１酸化被膜部が形成された第１主面と、前記第１主面の裏面である第２主面と、前記第１主面と前記第２主面とを繋ぐ側面と、を備え、
   前記第２酸化被膜部は、前記第２主面、および前記側面の少なくともいずれか一方に形成されていることを特徴とする、
   配線基板。
   

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