JP7620041B2 - Light-transmitting conductive layer and light-transmitting conductive sheet - Google Patents
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Description
本発明は、光透過性導電層および光透過性導電性シートに関する。 The present invention relates to a light-transmitting conductive layer and a light-transmitting conductive sheet.
従来、基材と光透過性導電層とを順に備える光透過性導電性シートが知られている。このような光透過性導電性シートは、各種デバイス(例えば、タッチセンサ)において、好適に用いられる。 Conventionally, a light-transmitting conductive sheet is known that includes a substrate and a light-transmitting conductive layer in that order. Such light-transmitting conductive sheets are suitable for use in various devices (e.g., touch sensors).
このような光透過性導電性シートとして、例えば、樹脂層と光透過性導電層とを、厚み方向一方側に向かって順に備え、光透過性導電層が、非晶質である第1領域と、結晶質である第2領域とを厚み方向一方側に向かって順に含む光透過性導電性シートが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。 As such a light-transmitting conductive sheet, for example, a light-transmitting conductive sheet has been proposed that includes a resin layer and a light-transmitting conductive layer, in that order, toward one side in the thickness direction, and the light-transmitting conductive layer includes a first region that is amorphous and a second region that is crystalline, in that order, toward one side in the thickness direction (see, for example, Patent Document 1).
一方、光透過性導電層には、より低い比抵抗が求められる。比抵抗を低くする観点から、光透過性導電層の厚みを厚くすることも検討されるが、光透過性導電層の厚みを厚くすると、屈曲性が低下するという不具合がある。 On the other hand, the light-transmitting conductive layer is required to have a lower resistivity. In order to lower the resistivity, it has been considered to increase the thickness of the light-transmitting conductive layer, but this has the disadvantage of reducing the flexibility of the light-transmitting conductive layer.
本発明は、低い比抵抗を有しながら、屈曲性に優れる光透過性導電層、および、その光透過性導電層を備える光透過性導電性シートを提供することにある。 The present invention aims to provide a light-transmitting conductive layer that has low resistivity and excellent flexibility, and a light-transmitting conductive sheet that includes the light-transmitting conductive layer.
本発明[1]は、厚み方向に互いに対向する第1主面および第2主面を備える、光透過性導電層であって、前記第1主面を含む第1領域と、前記第2主面を含む第2領域とを厚み方向一方側に向かって順に備え、前記第1領域の主要な領域が、非晶質であり、前記第2領域の主要な領域が、結晶質であり、前記第1領域は不均一な厚みを有する、光透過性導電層である。 The present invention [1] is a light-transmitting conductive layer having a first main surface and a second main surface that face each other in the thickness direction, and a first region including the first main surface and a second region including the second main surface are sequentially arranged toward one side in the thickness direction, a main region of the first region is amorphous, a main region of the second region is crystalline, and the first region has a non-uniform thickness.
本発明[2]は、前記第2領域の厚みは、前記第1領域の厚みよりも厚い、上記[1]に記載の光透過性導電層を含んでいる。 The present invention [2] includes the optically transparent conductive layer described in [1] above, in which the thickness of the second region is greater than the thickness of the first region.
本発明[3]は、上記[1]または[2]に記載の光透過性導電層と、前記光透過性導電層の前記第1主面側に位置する基材層とを備える、光透過性導電性シートを含んでいる。 The present invention [3] includes a light-transmitting conductive sheet comprising the light-transmitting conductive layer described in [1] or [2] above and a base layer located on the first main surface side of the light-transmitting conductive layer.
本発明の光透過性導電層は、結晶質である第2領域を備える。そのため、低い比抵抗を有する。また、光透過性導電層において、非晶質である第1領域は、不均一な厚みを有する。そのため、屈曲性に優れる。 The light-transmitting conductive layer of the present invention has a second region that is crystalline. Therefore, it has low resistivity. Furthermore, in the light-transmitting conductive layer, the first region that is amorphous has a non-uniform thickness. Therefore, it has excellent flexibility.
本発明の光透過性導電性シートは、本発明の光透過性導電層を備える。そのため、低い比抵抗を有しながら、屈曲性に優れる。 The light-transmitting conductive sheet of the present invention comprises the light-transmitting conductive layer of the present invention. Therefore, it has low resistivity and excellent flexibility.
図1を参照して、本発明の光透過性導電層および光透過性導電性シートの一実施形態を説明する。 With reference to Figure 1, one embodiment of the light-transmitting conductive layer and light-transmitting conductive sheet of the present invention will be described.
図1において、紙面上下方向は、上下方向(厚み方向)である。また、紙面上側が、上側(厚み方向一方側)である。また、紙面下側が、下側(厚み方向他方側)である。また、紙面左右方向および奥行き方向は、上下方向に直交する面方向である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。 In Figure 1, the up-down direction on the paper surface is the up-down direction (thickness direction). The upper side of the paper surface is the top side (one side in the thickness direction). The lower side of the paper surface is the bottom side (the other side in the thickness direction). The left-right direction and depth direction on the paper surface are surface directions that are perpendicular to the up-down direction. Specifically, they follow the directional arrows in each figure.
光透過性導電性シート1は、所定の厚みを有するフィルム形状(シート形状を含む。)を有する。光透過性導電性シート1は、厚み方向と直交する面方向に延びる。光透過性導電性シート1は、平坦な上面および平坦な下面を有する。光透過性導電性シート1は、好ましくは、可撓性を有する。
The light-transmitting
図1に示すように、光透過性導電性シート1は、基材層2と、基材層2の厚み方向一方側に配置される光透過性導電層3とを備える。換言すれば、光透過性導電性シート1は、光透過性導電層3と、光透過性導電層3の第1主面11(後述)側に位置する基材層2とを備える。また、具体的には、光透過性導電性シート1は、基材層2と、基材層2の上面(厚み方向一方側)に直接配置される光透過性導電層3とを備える。光透過性導電性シート1は、好ましくは、基材層2と光透過性導電層3とからなる。
As shown in FIG. 1, the light-transmitting
光透過性導電性シート1の厚みは、例えば、400μm以下、好ましくは、200μm以下、また、例えば、1μm以上、好ましくは、5μm以上である。
The thickness of the light-transmitting
<基材層>
基材層2は、フィルム形状を有する。基材層2は、好ましくは、可撓性を有する。基材層2は、光透過性導電層3の下面に接触するように、光透過性導電層3の下面全面に、配置されている。基材層2は、光透過性導電性シート1の最下層である。
<Base layer>
The
基材層2は、基材10を備える。基材層2は、基材10からなる。
The
[基材]
基材10としては、例えば、高分子フィルム、ガラスが挙げられる。基材2として、好ましくは、屈曲性の観点から、高分子フィルムが挙げられる。
[Substrate]
Examples of the
高分子フィルムの材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、(メタ)アクリル樹脂、オレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、および、ポリスチレン樹脂が挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、および、ポリエチレンナフタレートが挙げられる。(メタ)アクリル樹脂としては、例えば、ポリメチルメタクリレートが挙げられる。オレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、および、シクロオレフィンポリマーが挙げられる。セルロース樹脂としては、例えば、トリアセチルセルロースが挙げられる。 Examples of materials for the polymer film include polyester resin, (meth)acrylic resin, olefin resin, polycarbonate resin, polyethersulfone resin, polyarylate resin, melamine resin, polyamide resin, polyimide resin, cellulose resin, and polystyrene resin. Examples of polyester resin include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate. Examples of (meth)acrylic resin include polymethyl methacrylate. Examples of olefin resin include polyethylene, polypropylene, and cycloolefin polymer. Examples of cellulose resin include triacetyl cellulose.
高分子フィルムの材料として、好ましくは、ポリエステル樹脂が挙げられる。高分子フィルムの材料として、より好ましくは、ポリエチレンテレフタレートが挙げられる。 The polymer film is preferably made of polyester resin. The polymer film is more preferably made of polyethylene terephthalate.
基材10の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、5μm以上、より好ましくは、10μm以上、また、例えば、200μm以下、好ましくは、150μm以下、より好ましくは、130μm以下である。
The thickness of the
基材10の厚みは、ダイヤルゲージ(PEACOCK社製、「DG-205」)を用いて測定できる。
The thickness of the
また、基材10は、好ましくは、透明性を有する。具体的には、基材層2の全光線透過率(JIS K 7375-2008)は、例えば、50%以上、好ましくは、70%以上、より好ましくは、80%以上、好ましくは、85%以上である。
The
<光透過性導電層>
光透過性導電層3は、フィルム形状を有する。光透過性導電層3は、基材層2の上面に接触するように、基材層2の上面全面に、配置されている。光透過性導電層3は、光透過性導電性シート1の最上層である。
<Light-transmitting conductive layer>
The light-transmitting
光透過性導電層3は、厚み方向に互いに対向する第1主面11および第2主面12を備える。
The light-transmitting
第1主面11は、平坦面である。第1主面11は、基材層2の厚み方向一方面に接触する。
The first
第2主面12は、厚み方向一方側に露出する。第2主面12は、第1主面11に略平行な平坦面である。
The second
光透過性導電層3の材料としては、例えば、導電性酸化物が挙げられる。導電性酸化物としては、例えば、In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、および、Wからなる群より選択される少なくとも1種の金属または半金属を含む金属酸化物が挙げられる。金属酸化物には、必要に応じて、さらに上記群に示された金属原子または半金属原子をドープしていてもよい。
Examples of the material of the light-transmitting
導電性酸化物としては、例えば、金属酸化物が挙げられる。金属酸化物として、例えば、インジウム亜鉛複合酸化物(IZO)、インジウムガリウム亜鉛複合酸化物(IGZO)、インジウムガリウム複合酸化物(IGO)、インジウムスズ複合酸化物(ITO)、および、アンチモンスズ複合酸化物(ATO)が挙げられる。 Examples of conductive oxides include metal oxides. Examples of metal oxides include indium zinc oxide (IZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium oxide (IGO), indium tin oxide (ITO), and antimony tin oxide (ATO).
導電性酸化物として、透明性および電気伝導性を向上する観点から、好ましくは、インジウムスズ複合酸化物(ITO)が挙げられる。以下の説明では、光透過性導電層3の材料が、インジウムスズ複合酸化物(ITO)である場合について、詳述する。
From the viewpoint of improving transparency and electrical conductivity, the conductive oxide is preferably indium tin oxide (ITO). In the following description, a detailed description will be given of the case where the material of the light-transmitting
インジウムスズ複合酸化物(ITO)において、酸化スズの濃度は、例えば、0.1質量%以上、好ましくは、1質量%以上、好ましくは、5質量%以上、より好ましくは、10質量%以上、例えば、30質量%以下、好ましくは、15質量%以下である。 In indium tin oxide (ITO), the concentration of tin oxide is, for example, 0.1% by mass or more, preferably 1% by mass or more, preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, for example, 30% by mass or less, preferably 15% by mass or less.
光透過性導電層3は、第1領域21と、第2領域22とを厚み方向一方側に向かって順に備える。
The light-transmitting
[第1領域]
第1領域21は、第1主面11を含む。第1領域21は、光透過性導電層3における厚み方向他方側部分である。第1領域21は、光透過性導電層3の厚み方向他方面を含む。また、第1領域21は、光透過性導電層3における面方向すべてに渡って形成されている。第1主面11は、第1領域21の厚み方向他方面である。
[First Region]
The
第1領域21の主要な領域は、非晶質(非晶性)である。詳しくは、第1領域21は、断面視において、主要な領域として、非晶質である領域を含む。具体的には、このような第1領域21の態様として、例えば、断面視において、第1領域21におけるすべての領域が非晶質である態様、例えば、断面視において、第1領域21において主要な領域が非晶質であり、残りわずかな領域が、結晶質である態様が挙げられる。
The main region of the
第1領域21における非晶性は、断面TEM画像の観察によって確認される。また、高倍率の断面TEM観察にて、格子縞の有無および格子縞が確認される領域の割合を観察することにより、第1領域21が非晶質であること、および/または、非晶質が主要な領域であることを同定することができる。
The amorphous nature of the
また、断面視において、第1領域21における主要な領域の面積比(非晶質の面積比)は、例えば、0.6以上、好ましくは、0.8以上、より好ましくは、0.9以上であり、また、例えば、1以下である。 In addition, in a cross-sectional view, the area ratio of the main region in the first region 21 (amorphous area ratio) is, for example, 0.6 or more, preferably 0.8 or more, more preferably 0.9 or more, and is, for example, 1 or less.
また、第1領域21は、不均一な厚みを有する。具体的には、第1領域21における第1主面11と反対側の第1表面13は、不均一な表面を有する。
The
より具体的には、第1領域21が、不均一な厚みが有するとは、光透過性導電層3の断面像において、第1領域21が最も厚い位置における厚さと、第1領域21が最も薄い位置における厚さとの差分が5nm以上であることを言う。第1領域21の厚さは、第1表面13と、第1主面11の差分から求める。詳しくは、後述する実施例において詳述する。
More specifically, the
また、このような第1領域21は、例えば、後述するスパッタリングにおける水分圧を所定の範囲とすることで形成することができる。
Furthermore, such a
第1領域21の最低厚みは、好ましくは、後述する第2領域22の厚み(最低厚み)よりも薄く、例えば、1nm以上、好ましくは、3nm以上、より好ましくは、5nm以上、また、例えば、50nm以下、好ましくは、30nm以下、より好ましくは、20nm以下である。
The minimum thickness of the
また、光透過性導電層3の厚み(最低厚み)に対する第1領域21の厚み(最低厚み)の比は、例えば、0.02以上、好ましくは、0.04以上、また、例えば、0.10以下、好ましくは、0.08以下、より好ましくは、0.05以下である。
The ratio of the thickness (minimum thickness) of the
上記比が、上記の範囲内であれば、低い比抵抗を有しながら、屈曲性を向上させることができる。 If the above ratio is within the above range, it is possible to improve flexibility while maintaining low resistivity.
また、第1領域21の厚み(最低厚み)の測定方法は、後述する実施例において詳述する。
The method for measuring the thickness (minimum thickness) of the
[第2領域]
第2領域22は、第2主面12を含む。第2領域22は、光透過性導電層3における厚み方向一方側部分である。第2領域22は、光透過性導電層3の厚み方向一方面を含む。また、第2領域22は、第1領域21の厚み方向一方側に連続する。また、第2領域22は、光透過性導電層3における面方向すべてに渡って形成されている。第2主面12は、第2領域22の厚み方向一方面である。
[Second Region]
The
第2領域22の主要な領域は、結晶質(結晶性)である。詳しくは、第2領域22は、断面視において、主要な領域として、結晶質である領域を含む。具体的には、このような第2領域22の態様として、例えば、断面視において、第2領域22におけるすべての領域が結晶質である態様、例えば、断面視において、第2領域22において主要な領域が結晶質であり、残りわずかな領域が、非晶質である態様が挙げられる。
The main region of the
第2領域22における結晶性は、断面TEM画像の観察によって確認される。また、高倍率の断面TEM観察にて、格子縞の有無および格子縞が確認される領域の割合を観察することにより、第2領域22が結晶質であること、および/または、結晶質が主要な領域であることを同定することができる。また、第2領域22が結晶質である場合には、例えば、第2領域22を、5質量%の塩酸水溶液に15分間浸漬した後、水洗および乾燥し、第2領域22の表面において15mm程度の間の二端子間抵抗を測定し、二端子間抵抗が10kΩ以下である。
The crystallinity of the
また、断面視において、第2領域22における主要な領域の面積比(結晶質の面積比)は、例えば、0.7以上、好ましくは、0.8以上、より好ましくは、0.9以上であり、また、例えば、1以下である。 In addition, in a cross-sectional view, the area ratio of the main region in the second region 22 (the area ratio of the crystalline material) is, for example, 0.7 or more, preferably 0.8 or more, more preferably 0.9 or more, and is, for example, 1 or less.
第2領域22は、不均一な厚みを有する。具体的には、第2領域22における第2主面12と反対側の第2表面14は、上記第1表面13と対応する不均一な表面を有する。
The
第2領域22は、第1領域21の厚み方向一方面に配置されるため、第1領域21が不均一な厚みを有すれば、第2領域22も不均一な厚みを有する。
The
第2領域22の厚み(最低厚み)は、低比抵抗および屈曲性の観点から、好ましくは、第1領域21の厚み(最低厚み)よりも厚く、例えば、70nm超過、好ましくは、80nm以上、より好ましくは、90nm以上、また、例えば、150nm以下、好ましくは、120nm以下、より好ましくは、110nm以下である。
From the viewpoint of low resistivity and flexibility, the thickness (minimum thickness) of the
また、光透過性導電層3の厚み(最低厚み)に対する第2領域22の厚み(最低厚み)の比は、例えば、0.90以上、好ましくは、0.92以上、より好ましくは、0.95以上、また、例えば、0.98以下、好ましくは、0.96以下である。
The ratio of the thickness (minimum thickness) of the
上記比が、上記の範囲内であれば、低い比抵抗を有しながら、屈曲性を向上させることができる。 If the above ratio is within the above range, it is possible to improve flexibility while maintaining low resistivity.
第2領域22の厚み(最低厚み)の測定方法は、後述する実施例において詳述する。
The method for measuring the thickness (minimum thickness) of the
第2領域22の厚み(最低厚み)が、第1領域の厚み(最低厚み)よりも厚ければ、屈曲性をより一層向上することができる。
If the thickness (minimum thickness) of the
そして、第1領域21の厚み(最低厚み)に対する第2領域22の厚み(最低厚み)の比は、例えば、1超過、好ましくは、2.0以上、より好ましくは、4.0以上、さらに好ましくは、7以上、とりわけ好ましくは、15以上、また、例えば、50以下、好ましくは、25以下である。
The ratio of the thickness (minimum thickness) of the
上記比が、上記の範囲内であれば、低い比抵抗を有しながら、屈曲性を向上させることができる。 If the above ratio is within the above range, it is possible to improve flexibility while maintaining low resistivity.
[光透過性導電層の物性]
光透過性導電層3の厚み(最低厚み)は、第1領域21の厚みおよび第2領域22の厚みの総和であって、低抵抗の観点から、例えば、80nm以上、好ましくは、100nm以上、また、例えば、200nm以下、好ましくは、150nm以下、より好ましくは、120nm以下である。
[Physical Properties of Light-Transmitting Conductive Layer]
The thickness (minimum thickness) of the light-transmitting
光透過性導電層3の全光線透過率(JIS K 7375-2008)は、例えば、60%以上、好ましくは、80%以上、より好ましくは、85%以上、また、例えば、100%以下である。
The total light transmittance (JIS K 7375-2008) of the light-transmitting
光透過性導電層3の表面抵抗は、例えば、40Ω/□以下、好ましくは、35Ω/□以下、また、例えば、0Ω/□超過である。表面抵抗は、JIS K7194に準拠して、4端子法により測定できる。
The surface resistance of the light-transmitting
光透過性導電層3の比抵抗は、例えば、2.8×10-4Ωcm以下、より好ましくは、2.5×10-4Ωcm以下、また、例えば、0Ωcm超過、好ましくは、0.1×10-4Ωcm以上、より好ましくは、1.0×10-4Ωcm以上である。比抵抗は、表面抵抗に厚みを乗じて得られる。
The resistivity of the light-transmitting
<光透過性導電性シートの製造方法>
図2A~図2Cを参照して、光透過性導電性シート1の製造方法を説明する。
<Method for producing light-transmitting conductive sheet>
A method for producing the light-transmitting
光透過性導電性シート1の製造方法は、基材層2を準備する第1工程と、スパッタリング法によって、基材層2の厚み方向一方面に、光透過性導電層3を配置する第2工程とを備える。また、この方法では、各層を、例えば、ロールトゥロール方式で、順に配置する。このような場合には、搬送速度は、例えば、1.0m/分以上、また、例えば、20.0m/分以下である。
The method for manufacturing the light-transmitting
[第1工程]
第1工程では、基材層2を準備する。
[First step]
In the first step, the
基材層2を準備するには、図2Aに示すように、基材10を準備する。
To prepare the
[第2工程]
第2工程では、スパッタリング法によって、基材層2の厚み方向一方面に、光透過性導電層3を配置する。
[Second step]
In the second step, the light-transmitting
詳しくは、第2工程は、基材層2の厚み方向一方面に、第1領域21を配置する第3工程と、第1領域21の厚み方向一方面に、第2領域22を配置する第4工程と、加熱により、第2領域22を結晶化させる第5工程とを備える。
In detail, the second step includes a third step of arranging a
(第3工程)
第3工程では、図2Bに示すように、スパッタリング法によって、基材層2の厚み方向一方面に、第1領域21を配置する。
(Third process)
In the third step, as shown in FIG. 2B, a
スパッタリング法によって、基材層2の厚み方向一方面に、第1領域21を配置するには、必要により、基材層2の厚み方向一方面に表面処理を施す。
To place the
表面処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、フレーム処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、および、ケン化処理が挙げられる。 Surface treatments include, for example, corona treatment, plasma treatment, flame treatment, ozone treatment, primer treatment, glow treatment, and saponification treatment.
次いで、スパッタリング法では、真空チャンバー内にターゲット(第1領域21の材料)および基材層2を対向配置する。また、スパッタリングにおいて、基材層2は、成膜ロールの周方向に沿って、密着している。
Next, in the sputtering method, the target (the material of the first region 21) and the
次いで、スパッタリングガスを供給するとともに電源から電圧を印加することによりガスイオンを加速しターゲットに照射させて、ターゲット表面からターゲット材料をはじき出す。そして、そのターゲット材料を基材層2の表面(厚み方向一方面)に堆積させて、第1領域21を配置する。
Next, sputtering gas is supplied and a voltage is applied from a power source to accelerate the gas ions and irradiate the target, ejecting the target material from the target surface. The target material is then deposited on the surface (one side in the thickness direction) of the
スパッタリングガスとしては、例えば、不活性ガス(例えば、クリプトンガス、アルゴンガス)および酸素ガスが挙げられる。スパッタリングガスとして、好ましくは、不活性ガスおよび酸素ガスを併用する。不活性ガスとして、好ましくは、アルゴンガスが挙げられる。不活性ガスとして、アルゴンガスを用いる場合には、第1領域21は、アルゴン原子を含む。
Examples of the sputtering gas include an inert gas (e.g., krypton gas, argon gas) and oxygen gas. As the sputtering gas, preferably, an inert gas and oxygen gas are used in combination. As the inert gas, preferably, argon gas is used. When argon gas is used as the inert gas, the
酸素ガスの導入量は、不活性ガスおよび酸素ガスの総量に対して、例えば、1.0流量%以上、好ましくは、2.0流量%以上、また、例えば、5.0流量%以下、好ましくは、3.0流量%以下である。 The amount of oxygen gas introduced is, for example, 1.0 flow% or more, preferably 2.0 flow% or more, and, for example, 5.0 flow% or less, preferably 3.0 flow% or less, relative to the total amount of inert gas and oxygen gas.
スパッタリング時の気圧は、例えば、0.1Pa以上、好ましくは、0.2Pa以上、また、例えば、2.0Pa以下、好ましくは、1.0Pa以下である。 The air pressure during sputtering is, for example, 0.1 Pa or more, preferably 0.2 Pa or more, and, for example, 2.0 Pa or less, preferably 1.0 Pa or less.
スパッタリング時の水分圧は、例えば、0.5×10-4Pa超過、好ましくは、0.6×10-4Pa以上、より好ましくは、0.6×10-4Pa以上、また、例えば、1.8×10-4Pa以下、好ましくは、1.5×10-4Pa以下、より好ましくは、1.0×10-4Pa以下である。 The water pressure during sputtering is, for example, more than 0.5×10 −4 Pa, preferably 0.6×10 −4 Pa or more, more preferably 0.6×10 −4 Pa or more, and for example, 1.8×10 −4 Pa or less, preferably 1.5×10 −4 Pa or less, more preferably 1.0×10 −4 Pa or less.
スパッタリング時の水分圧が、上記範囲内であれば、不均一な厚みを有する第1領域21を確実に形成することができる。
If the water pressure during sputtering is within the above range, the
また、スパッタリング時の水分圧が、上記範囲内であれば、第5工程において、第1領域21を非晶質に維持することができる。
In addition, if the water pressure during sputtering is within the above range, the
電源は、例えば、DC電源、AC電源、MF電源、および、RF電源のいずれであってもよい。また、これらの組み合わせであってもよい。 The power source may be, for example, a DC power source, an AC power source, an MF power source, or an RF power source. It may also be a combination of these.
放電出力は、例えば、1.0kW以上、好ましくは、10.0kW以上、また、例えば、20kW以下である。 The discharge output is, for example, 1.0 kW or more, preferably 10.0 kW or more, and, for example, 20 kW or less.
ターゲットの水平磁場強度は、例えば、10mT以上、好ましくは、20mT以上、また、例えば、100mT以下、好ましくは、50mT以下である。 The horizontal magnetic field strength of the target is, for example, 10 mT or more, preferably 20 mT or more, and, for example, 100 mT or less, preferably 50 mT or less.
また、成膜ロールの温度は、例えば、20℃以下、好ましくは、10℃以下、より好ましくは、0℃以下、また、例えば、-50℃以上、好ましくは、-25℃以上である。 The temperature of the film-forming roll is, for example, 20°C or lower, preferably 10°C or lower, more preferably 0°C or lower, and, for example, -50°C or higher, preferably -25°C or higher.
(第4工程)
第4工程では、図2Cに示すように、スパッタリング法によって、第1領域21の厚み方向一方面に、第2領域22を配置する。
(Fourth step)
In the fourth step, as shown in FIG. 2C, the
次いで、スパッタリング法では、真空チャンバー内にターゲット(第2領域22の材料)および第1領域21を対向配置する。次いで、スパッタリングガスを供給するとともに電源から電圧を印加することによりガスイオンを加速しターゲットに照射させて、ターゲット表面からターゲット材料をはじき出す。そして、そのターゲット材料を第1領域21の表面(厚み方向一方面)に堆積させて、第2領域22を形成する。また、スパッタリングにおいて、基材層2は、成膜ロールの周方向に沿って、密着している。
In the sputtering method, the target (material of the second region 22) and the
また、スパッタリングガスとしては、例えば、不活性ガス(例えば、クリプトンガス、アルゴンガス)および酸素ガスが挙げられる。不活性ガスとして、好ましくは、アルゴンガスが挙げられる。不活性ガスとして、アルゴンガスを用いる場合には、第2領域22は、アルゴン原子を含む。
The sputtering gas may be, for example, an inert gas (e.g., krypton gas, argon gas) or oxygen gas. The inert gas may preferably be argon gas. When argon gas is used as the inert gas, the
酸素ガスの導入量は、不活性ガスおよび酸素ガスの総量に対して、例えば、0.05流量%以上、好ましくは、0.1流量%以上、また、例えば、5.0流量%以下、好ましくは、3.0流量%以下である。 The amount of oxygen gas introduced is, for example, 0.05 flow% or more, preferably 0.1 flow% or more, and, for example, 5.0 flow% or less, preferably 3.0 flow% or less, relative to the total amount of inert gas and oxygen gas.
スパッタリング時の気圧は、例えば、0.1Pa以上、好ましくは、0.2Pa以上、また、例えば、2.0Pa以下、好ましくは、1.0Pa以下である。 The air pressure during sputtering is, for example, 0.1 Pa or more, preferably 0.2 Pa or more, and, for example, 2.0 Pa or less, preferably 1.0 Pa or less.
スパッタリング時の水分圧は、好ましくは、第3工程における水分圧よりも高く、例えば、1.8×10-4Pa超過、好ましくは、2.0×10-4Pa以上、また、例えば、4.0×10-4Pa以下、好ましくは、3.0×10-4Pa以下、より好ましくは、2.5×10-4Pa以下である。 The water pressure during sputtering is preferably higher than the water pressure in the third step, and is, for example, more than 1.8×10 −4 Pa, preferably 2.0×10 −4 Pa or more, and for example, 4.0×10 −4 Pa or less, preferably 3.0×10 −4 Pa or less, more preferably 2.5×10 −4 Pa or less.
スパッタリング時の水分圧が、上記範囲内であれば、第5工程において、第2領域22を確実に結晶化させることができる。
If the water pressure during sputtering is within the above range, the
電源は、例えば、DC電源、AC電源、MF電源、および、RF電源のいずれであってもよい。また、これらの組み合わせであってもよい。 The power source may be, for example, a DC power source, an AC power source, an MF power source, or an RF power source. It may also be a combination of these.
放電出力は、例えば、1.0kW以上、好ましくは、10.0kW以上、また、例えば、20kW以下である。 The discharge output is, for example, 1.0 kW or more, preferably 10.0 kW or more, and, for example, 20 kW or less.
ターゲットの水平磁場強度は、例えば、10mT以上、また、例えば、200mT以下、好ましくは、100mT以下、より好ましくは、40mT以下である。 The horizontal magnetic field strength of the target is, for example, 10 mT or more, and, for example, 200 mT or less, preferably 100 mT or less, and more preferably 40 mT or less.
また、成膜ロールの温度は、例えば、20℃以下、好ましくは、10℃以下、より好ましくは、0℃以下、また、例えば、-50℃以上、好ましくは、-25℃以上である。 The temperature of the film-forming roll is, for example, 20°C or lower, preferably 10°C or lower, more preferably 0°C or lower, and, for example, -50°C or higher, preferably -25°C or higher.
(第5工程)
第5工程では、加熱により、第2領域22を結晶化させる。
(Fifth step)
In the fifth step, the
第2領域22を結晶化させるには、第2領域22を加熱する。具体的には、スパッタリング後に、加熱ロールを用いて、第2領域22を加熱する。
To crystallize the
加熱条件として、加熱温度は、例えば、100℃以上、好ましくは、120℃以上、また、例えば、250℃以下、好ましくは、200℃以下である、また、加熱時間は、10分以上、また、例えば、120分以下である。 Heating conditions include a heating temperature of, for example, 100°C or higher, preferably 120°C or higher, and for example, 250°C or lower, preferably 200°C or lower, and a heating time of, for example, 10 minutes or longer, and for example, 120 minutes or shorter.
これにより、第2領域22が結晶化する。一方、第1領域21が結晶化せず、非晶質を維持する。詳しくは、第3工程における水分圧が、上記範囲内であれば、希ガス由来の不純ガスと水の合算量が非晶質を維持するのに好適な水準となり、第1領域21が結晶化せず、非晶質を維持し、また、第4工程における水分圧が、上記範囲内であれば、結晶性を得るのに工程な不純物の量となり、第2領域22が結晶化する。
As a result, the
以上により、光透過性導電性シート1が得られる。
By the above steps, the light-transmitting
<作用効果>
光透過性導電層3は、結晶質である第2領域22を備える。そのため、低い比抵抗を有する。また、光透過性導電層3において、非晶質である第1領域21は、不均一な厚みを有する。そのため、屈曲性に優れる。
<Action and effect>
The light-transmitting
詳しくは、光透過性導電層3において、非晶質である第1領域21は、不均一な厚みを有すると、第1領域21によって、屈曲による応力が緩和される。その結果、屈曲性を向上できる。
In more detail, when the amorphous
光透過性導電性シート1は、光透過性導電層3を備える。そのため、低い比抵抗を有しながら、屈曲性に優れる。
The light-transmitting
<変形例>
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、第一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
<Modification>
In the modified example, the same reference numerals are used for the same components and steps as those in the first embodiment, and detailed descriptions thereof will be omitted. In addition, the modified example can achieve the same effects as those in the first embodiment, unless otherwise specified. Furthermore, the first embodiment and its modified example can be appropriately combined.
上記した説明では、基材層2は、基材10からなるが、基材層2は、さらに、硬化樹脂層を備えることもできる。このような場合には、基材層2は、基材10と硬化樹脂層とを厚み方向一方側に向かって順に備える。
In the above description, the
硬化樹脂層としては、誘電体層およびハードコート層が挙げられる。 Cured resin layers include dielectric layers and hard coat layers.
また、上記した説明では、第3工程および第4工程における水分圧を所定の範囲に調整することによって、第1領域21および第2領域22の結晶状態を調整するが、例えば、第3工程および第4工程における電力密度を所定の範囲に調整することによって、第1領域21および第2領域22の結晶状態を調整することもできる。
In the above description, the crystalline state of the
また、上記した説明では、第1領域21における第1主面11と反対側の第1表面13は、不均一な表面を有するが、第1表面13が、不均一な表面を有さず(つまり、平坦面を有する)、第1主面11が不均一な表面を有してもよい。このような場合であっても、第1領域21は、不均一な厚みを有する。また、このような場合には、第2領域22における第2表面14は、平坦面を有する。
In the above description, the
また、第1領域21において、第1主面11および第1表面13が不均一な表面を有してもよい。このような場合であっても、第1領域21は、不均一な厚みを有する。また、このような場合には、第2領域22における第2表面14は、不均一な表面を有する。
In addition, in the
好ましくは、屈曲性を向上させる観点から、第1領域21において、第1表面13が、不均一な表面を有し、かつ、第1主面11が平坦面を有する。また、このような場合には、第2領域22において、第2領域22における第2表面14は、不均一な表面を有する。
Preferably, from the viewpoint of improving flexibility, in the
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値)または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値)に代替できる。 The present invention will be described in more detail below with reference to examples and comparative examples. Note that the present invention is in no way limited to the examples and comparative examples. Furthermore, the specific numerical values of the blending ratio (content ratio), physical property values, parameters, etc. used in the following description can be replaced with the upper limit values (numerical values defined as "equal to or less than") or lower limit values (numerical values defined as "equal to or more than" or "exceeding") of the corresponding blending ratio (content ratio), physical property values, parameters, etc. described in the above "Form for carrying out the invention."
<光透過性導電層および光透過性導電性シートの製造>
実施例1
[第1工程]
基材としての長尺のPETフィルム(厚さ125μm、三菱ケミカル社製)を準備した。これにより、基材層を準備した。
<Production of Light-Transmitting Conductive Layer and Light-Transmitting Conductive Sheet>
Example 1
[First step]
A long PET film (thickness: 125 μm, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was prepared as a substrate, thereby preparing a substrate layer.
[第2工程]
基材層の厚み方向一方面に、反応性スパッタリング法により、光透過性導電層を配置した。反応性スパッタリング法では、ロールトゥロール方式で成膜プロセスを実施できるスパッタ成膜装置(DCマグネトロンスパッタリング装置)を使用した。
(第3工程)
具体的には、まず、基材層の厚み方向一方面に、第1領域を配置した。
[Second step]
A light-transmitting conductive layer was disposed on one surface of the base layer in the thickness direction by a reactive sputtering method. In the reactive sputtering method, a sputtering deposition apparatus (DC magnetron sputtering apparatus) capable of performing a film formation process by a roll-to-roll method was used.
(Third process)
Specifically, first, the first region was disposed on one surface in the thickness direction of the base layer.
詳しくは、ターゲットとして、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体(酸化スズ濃度は12.5質量%)を用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、DC電源を用いた。ターゲット上の水平磁場強度は30mTとした。スパッタリング装置において、基材層を、成膜ロールの周方向に沿って、密着させた。成膜ロールの温度は、-5℃とした。スパッタ成膜装置が備える成膜室内の到達真空度が0.9×10-4Paに至るまでスパッタ成膜装置内を真空排気した後、スパッタ成膜装置内に、スパッタリングガスとしてのアルゴンと、反応性ガスとしての酸素とを導入し、スパッタ成膜装置内の気圧を0.2Paとした。また、スパッタ時の水分圧が、0.8×10-4Paとなる環境で、スパッタを実施した。スパッタ成膜装置に導入されるアルゴンおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は約2.4流量%であった。これにより、基材層の厚み方向一方面に、第1領域(厚み5~20nm(最低厚み5nm))を配置した。 Specifically, a sintered body of indium oxide and tin oxide (tin oxide concentration was 12.5% by mass) was used as the target. A DC power source was used as the power source for applying a voltage to the target. The horizontal magnetic field strength on the target was 30 mT. In the sputtering device, the base material layer was attached to the film-forming roll along the circumferential direction. The temperature of the film-forming roll was set to -5°C. After the sputtering device was evacuated until the ultimate vacuum in the film-forming chamber of the sputtering device reached 0.9 x 10 -4 Pa, argon as a sputtering gas and oxygen as a reactive gas were introduced into the sputtering device, and the air pressure in the sputtering device was set to 0.2 Pa. In addition, sputtering was performed in an environment where the water pressure during sputtering was 0.8 x 10 -4 Pa. The ratio of the amount of oxygen introduced to the total amount of argon and oxygen introduced into the sputtering device was about 2.4 flow%. As a result, a first region (thickness: 5 to 20 nm (minimum thickness: 5 nm)) was disposed on one surface in the thickness direction of the base layer.
(第4工程)
第1領域の厚み方向一方面に、第2領域を配置した。
(Fourth step)
The second region was disposed on one surface in the thickness direction of the first region.
詳しくは、ターゲットとして、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体(酸化スズ濃度は12.5質量%)を用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、DC電源を用いた。ターゲット上の水平磁場強度は30mTとした。スパッタリング装置において、基材層を、成膜ロールの周方向に沿って、密着させた。成膜ロールの温度は、-5℃とした。スパッタ成膜装置が備える成膜室内の到達真空度が0.9×10-4Paに至るまでスパッタ成膜装置内を真空排気した後、スパッタ成膜装置内に、スパッタリングガスとしてのアルゴンと、反応性ガスとしての酸素とを導入し、スパッタ成膜装置内の気圧を0.2Paとした。また、スパッタ時の水分圧が、2.1×10-4Paとなる環境で、スパッタを実施した。スパッタ成膜装置に導入されるアルゴンおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は約2.3流量%であった。これにより、第1領域の厚み方向一方面に、第2領域(厚み100~120nm(最低厚み100nm))を配置した。 Specifically, a sintered body of indium oxide and tin oxide (tin oxide concentration was 12.5% by mass) was used as the target. A DC power source was used as the power source for applying a voltage to the target. The horizontal magnetic field strength on the target was 30 mT. In the sputtering device, the base material layer was adhered to the film-forming roll along the circumferential direction. The temperature of the film-forming roll was set to -5°C. After the sputtering device was evacuated until the ultimate vacuum in the film-forming chamber of the sputtering device reached 0.9 x 10 -4 Pa, argon as a sputtering gas and oxygen as a reactive gas were introduced into the sputtering device, and the air pressure in the sputtering device was set to 0.2 Pa. In addition, sputtering was performed in an environment where the water pressure during sputtering was 2.1 x 10 -4 Pa. The ratio of the amount of oxygen introduced to the total amount of argon and oxygen introduced into the sputtering device was about 2.3 flow%. As a result, a second region (thickness: 100 to 120 nm (minimum thickness: 100 nm)) was disposed on one surface in the thickness direction of the first region.
(第5工程)
加熱により、第2領域を結晶化させた。具体的には、熱風オーブンにて加熱した。加熱温度は140℃とし、加熱時間は30分とした。これにより、第2領域を結晶化した。一方、第1領域は、結晶化されず、非晶質を維持した。以上により、光透過性導電層および光透過性導電性シート1を製造した。
(Fifth step)
The second region was crystallized by heating. Specifically, the second region was heated in a hot air oven. The heating temperature was 140° C., and the heating time was 30 minutes. This caused the second region to crystallize. Meanwhile, the first region was not crystallized and maintained an amorphous state. In this manner, a light-transmitting conductive layer and a light-transmitting
比較例1
実施例1と同様の手順に基づいて、光透過性導電層および光透過性導電性シートを製造した。但し、第3工程における水分圧を、0.5×10-4Paに変更した。
Comparative Example 1
A light-transmitting conductive layer and a light-transmitting conductive sheet were produced according to the same procedure as in Example 1. However, the water pressure in the third step was changed to 0.5×10 −4 Pa.
比較例2
実施例1と同様の手順に基づいて、光透過性導電層および光透過性導電性シートを製造した。但し、第3工程を実施しなかった。
Comparative Example 2
A light-transmitting conductive layer and a light-transmitting conductive sheet were produced according to the same procedure as in Example 1, except that the third step was not carried out.
比較例3
実施例1と同様の手順に基づいて、光透過性導電層および光透過性導電性シートを製造した。但し、第5工程を実施しなかった。
Comparative Example 3
A light-transmitting conductive layer and a light-transmitting conductive sheet were produced according to the same procedure as in Example 1, except that the fifth step was not carried out.
<評価>
[光透過性導電層の厚み]
各実施例および各比較例の光透過性導電層(各領域)の厚みを、FE-TEM観察により測定した。具体的には、まず、FIBマイクロサンプリング法により、各実施例および各比較例の光透過性導電層の断面観察用サンプルを作製した。FIBマイクロサンプリング法では、FIB装置(商品名「FB2200」、Hitachi製)を使用し、加速電圧を10kVとした。次に、断面観察用サンプルにおける光透過性導電層の厚さを、FE-TEM観察によって測定した。FE-TEM観察では、FE-TEM装置(商品名「JEM-2800」、JEOL製)を使用し、加速電圧を200kVとした。
<Evaluation>
[Thickness of Light-Transmitting Conductive Layer]
The thickness of the light-transmitting conductive layer (each region) of each Example and Comparative Example was measured by FE-TEM observation. Specifically, first, a cross-sectional observation sample of the light-transmitting conductive layer of each Example and Comparative Example was prepared by FIB microsampling. In the FIB microsampling method, an FIB device (trade name "FB2200", manufactured by Hitachi) was used, and the acceleration voltage was set to 10 kV. Next, the thickness of the light-transmitting conductive layer in the cross-sectional observation sample was measured by FE-TEM observation. In the FE-TEM observation, an FE-TEM device (trade name "JEM-2800", manufactured by JEOL) was used, and the acceleration voltage was set to 200 kV.
また、第2領域の厚みは、光透過性導電層全体の厚みから、第1領域の厚みを差し引くことにより算出した。その結果を表1に示す。 The thickness of the second region was calculated by subtracting the thickness of the first region from the thickness of the entire light-transmitting conductive layer. The results are shown in Table 1.
[第1領域2が不均一な厚みが有する否かの確認]
上記光透過性導電層の厚みの評価と同様にして、FE-TEMの断面像を確認した。観察倍率を50万倍(撮影範囲 横長さ275nm)とし、第1領域2が最も厚い位置における厚さと、第1領域21が最も薄い位置における厚さとの差分が5nm以上であることを確認できた実施例1は、第1領域2が不均一な厚みを有すると判定した。
[Checking whether the
In the same manner as in the evaluation of the thickness of the light-transmitting conductive layer, the cross-sectional image of the FE-TEM was confirmed. At an observation magnification of 500,000 times (photographed area: horizontal length 275 nm), it was confirmed that the difference in thickness between the position where the
[抵抗値]
各実施例および各比較例の光透過性導電層の抵抗値(R0)を、四端子法にて、測定した。以下の基準に基づいて、抵抗値を評価した。その結果を表1に示す。
{基準}
〇:抵抗値が40Ω/□以下であった。
×:抵抗値が40Ω/□超過した。
[Resistance value]
The resistance value (R0) of the light-transmitting conductive layer of each Example and Comparative Example was measured by a four-terminal method. The resistance value was evaluated based on the following criteria. The results are shown in Table 1.
{standard}
A: The resistance value was 40 Ω/□ or less.
×: The resistance value exceeded 40 Ω/□.
[屈曲性]
各実施例および各比較例の光透過性導電性シートについて、屈曲性を評価した。具体的には、各実施例および各比較例の光透過性導電性シートを、それぞれ幅10mm、長さ150mmに切断して、サンプルを調製した。次いで、このサンプルを、光透過性導電層が外側となる状態かつ基材の厚み方向他方面がマンドレルと接触する状態となるように、マンドレルの上に配置した。続いて、光透過性導電性シートの長手方向の両端をクリップで留め、そのクリップの中央に1000gの重りを取り付けた。すなわち、光透過性導電性シートの幅に対して100g/mmの荷重を、下側に向かって印加して、光透過性導電性シートを折り曲げた。この折り曲げ状態を10秒間持続させた。
[Flexibility]
The light-transmitting conductive sheets of each Example and Comparative Example were evaluated for their flexibility. Specifically, the light-transmitting conductive sheets of each Example and Comparative Example were cut to a width of 10 mm and a length of 150 mm to prepare samples. Then, the samples were placed on the mandrel so that the light-transmitting conductive layer was on the outside and the other surface of the substrate in the thickness direction was in contact with the mandrel. Then, both ends of the light-transmitting conductive sheet in the longitudinal direction were clipped, and a weight of 1000 g was attached to the center of the clip. That is, a load of 100 g/mm was applied downward relative to the width of the light-transmitting conductive sheet to fold the light-transmitting conductive sheet. This folded state was maintained for 10 seconds.
この折り曲げ状態で、屈曲部にマジック塗りを実施した後、折り曲げ状態を開放し、該マジック部を顕微鏡にて観察した。本試験方法にて、マンドレルの直径を大径から小径に1mmごとに変更していき、このマジック塗り部の顕微鏡において、クラックが確認できなかった最小の径を表1に記載した。本数値が小さいほど、耐屈曲性に優れると評価できる。その結果を表1に示す。 In this bent state, a marker was applied to the bent portion, and then the bent portion was released and the marker was observed under a microscope. In this test method, the diameter of the mandrel was changed from large to small in 1 mm increments, and the smallest diameter at which no cracks were observed under the microscope in the marker-painted portion is listed in Table 1. The smaller this value, the better the bending resistance can be evaluated. The results are shown in Table 1.
なお、上記試験では、マンドレルの直径を大径から小径に1mmごとに変更するが、その変更ごとに、サンプルを変更した。つまり、上記試験では、1つのサンプルについての、折り曲げ回数は1回であり、折り曲げるごとに、別のサンプル(同一条件で製造した別のサンプル)に変更した。 In the above test, the mandrel diameter was changed from large to small in increments of 1 mm, and the sample was changed each time the diameter was changed. In other words, in the above test, each sample was bent once, and each time it was bent, it was changed to a different sample (a different sample manufactured under the same conditions).
1 光透過性導電性シート
2 基材層
3 光透過性導電層
11 第1主面
12 第2主面
21 第1領域
22 第2領域
Claims (2)
前記光透過性導電層は、
厚み方向に互いに対向する第1主面および第2主面を備え、
前記第1主面を含む第1領域と、前記第2主面を含む第2領域とを厚み方向一方側に向かって順に備え、
前記第1領域の主要な領域が、非晶質の導電性酸化物であり、
前記第2領域の主要な領域が、結晶質の導電性酸化物であり、
前記第1領域は不均一な厚みを有し、
前記高分子フィルム基材層は、前記光透過性導電層の前記第1主面側に位置する、光透過性導電性シート。
A light-transmitting conductive sheet comprising a light-transmitting conductive layer and a polymer film substrate layer,
The light-transmitting conductive layer is
The substrate has a first main surface and a second main surface opposed to each other in a thickness direction ,
A first region including the first main surface and a second region including the second main surface are provided in this order toward one side in a thickness direction,
a major portion of the first region is an amorphous conductive oxide;
a major portion of the second region is a crystalline conductive oxide;
the first region has a non-uniform thickness;
The polymer film substrate layer is located on the first main surface side of the light-transmitting conductive layer.
The optically transparent conductive sheet according to claim 1 , wherein the second region has a thickness greater than a thickness of the first region.
Priority Applications (3)
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| JP2023056263A JP7620041B2 (en) | 2023-03-30 | 2023-03-30 | Light-transmitting conductive layer and light-transmitting conductive sheet |
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