JP7628568B2 - Light-transmitting conductive layer and light-transmitting conductive sheet - Google Patents
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Description
本発明は、光透過性導電層および光透過性導電性シートに関する。 The present invention relates to a light-transmitting conductive layer and a light-transmitting conductive sheet.
従来、透明な基材と透明な導電層とを厚さ方向に順に備える光透過性導電性シートが知られている。インジウムスズ複合酸化物(ITO)からなる光透過性導電層は、液晶ディスプレイ、タッチパネル、および光センサなどの各種デバイスにおける透明電極をパターン形成するための導体膜として用いられる。 Conventionally, a light-transmitting conductive sheet is known that has a transparent substrate and a transparent conductive layer in that order in the thickness direction. The light-transmitting conductive layer made of indium tin oxide (ITO) is used as a conductive film for patterning transparent electrodes in various devices such as liquid crystal displays, touch panels, and optical sensors.
一方、タッチパネルの応答速度向上などの観点から、低抵抗の光透過性導電層(ITO層)を備える、光透過性導電性シートに対する需要が高まっている。そこで、光透過性導電層に含まれる結晶粒の平均結晶粒径を大きくし、低抵抗化させることが提案されている(例えば、下記特許文献1参照。)。 On the other hand, from the viewpoint of improving the response speed of touch panels, there is an increasing demand for light-transmitting conductive sheets that have a low-resistance light-transmitting conductive layer (ITO layer). Therefore, it has been proposed to increase the average crystal grain size of the crystal grains contained in the light-transmitting conductive layer to reduce resistance (for example, see Patent Document 1 below).
一方、透明導電性フィルムには、近年、低抵抗であり、さらに、屈曲性に優れることが要求されている。 On the other hand, in recent years, transparent conductive films are required to have low resistance and excellent flexibility.
しかしながら、特許文献1の光透過性導電層は、含まれる結晶粒の平均結晶粒径が大きいため、光透過性導電層を曲げた場合に、曲げ部分に大きな応力がかかり、クラックが発生する、つまり、屈曲性が低いという不具合がある。 However, the light-transmitting conductive layer of Patent Document 1 contains crystal grains with a large average crystal grain size, so when the light-transmitting conductive layer is bent, a large stress is applied to the bent portion, causing cracks, i.e., the layer has poor flexibility.
本発明は、低抵抗であって、さらに、屈曲性に優れる光透過性導電層および光透過性導電性シートを提供することにある。 The present invention aims to provide a light-transmitting conductive layer and a light-transmitting conductive sheet that have low resistance and excellent flexibility.
本発明[1]は、第1主面と、前記第1主面と厚み方向に対向する第2主面とを備える、光透過性導電層であって、前記光透過性導電層の厚みは、50nm超過であり、前記光透過性導電層は、結晶粒を有し、前記結晶粒の平均結晶粒径は、105nm以下である、光透過性導電層を含んでいる。 The present invention [1] includes a light-transmitting conductive layer having a first main surface and a second main surface opposed to the first main surface in the thickness direction, the thickness of the light-transmitting conductive layer being greater than 50 nm, the light-transmitting conductive layer having crystal grains, and the average crystal grain size of the crystal grains being 105 nm or less.
本発明[2]は、前記結晶粒は、最大結晶粒径が110nm以上の結晶粒を含む、上記[1]に記載の光透過性導電層を含んでいる。 The present invention [2] includes the light-transmitting conductive layer described in [1] above, in which the crystal grains include crystal grains having a maximum crystal grain size of 110 nm or more.
本発明[3]は、前記結晶粒の総数に対する、結晶粒径が100nm以上の結晶粒の含有割合は、70%以下である、上記[1]または[2]に記載の光透過性導電層を含んでいる。 The present invention [3] includes the light-transmitting conductive layer described in [1] or [2] above, in which the content of crystal grains having a crystal grain size of 100 nm or more relative to the total number of the crystal grains is 70% or less.
本発明[4]は、上記[1]~[3]のいずれか一項に記載の光透過性導電層と、前記光透過性導電層の前記第1主面および/または前記第2主面の側に、基材層とを備える、光透過性導電性シートを含んでいる。 The present invention [4] includes a light-transmitting conductive sheet comprising the light-transmitting conductive layer according to any one of [1] to [3] above, and a base layer on the side of the first main surface and/or the second main surface of the light-transmitting conductive layer.
本発明は、第1主面と、第1主面と厚み方向に対向する第2主面とを備える、光透過性導電層であって、光透過性導電層の厚みは、50nm超過であり、光透過性導電層は、結晶粒を有し、結晶粒の平均結晶粒径は、105nm以下である。そのため、低抵抗であり、さらに、屈曲性に優れる。 The present invention provides a light-transmitting conductive layer having a first main surface and a second main surface opposed to the first main surface in the thickness direction, the thickness of the light-transmitting conductive layer being greater than 50 nm, the light-transmitting conductive layer having crystal grains, the average crystal grain size of which is 105 nm or less. Therefore, the light-transmitting conductive layer has low resistance and excellent flexibility.
本発明の光透過性導電性シートは、本発明の光透過性導電層を備える。そのため、低抵抗であり、さらに、屈曲性に優れる。 The light-transmitting conductive sheet of the present invention comprises the light-transmitting conductive layer of the present invention. Therefore, it has low resistance and excellent flexibility.
図1を参照して、本発明の光透過性導電層および光透過性導電性シートの一実施形態を説明する。 With reference to Figure 1, one embodiment of the light-transmitting conductive layer and light-transmitting conductive sheet of the present invention will be described.
図1において、紙面上下方向は、上下方向(厚み方向、第1方向)であって、紙面上側が、上側(厚み方向一方側、第1方向一方側)、紙面下側が、下側(厚み方向他方側、第1方向他方側)である。また、紙面左右方向および奥行き方向は、上下方向に直交する面方向である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。 In FIG. 1, the up-down direction on the paper surface is the up-down direction (thickness direction, first direction), the upper side of the paper surface is the upper side (one side in the thickness direction, one side in the first direction), and the lower side of the paper surface is the lower side (the other side in the thickness direction, the other side in the first direction). In addition, the left-right direction and the depth direction on the paper surface are surface directions that are perpendicular to the up-down direction. Specifically, they follow the directional arrows in each figure.
<光透過性導電性シート>
図1に示すように、光透過性導電性シート1は所定の厚みを有するシート形状(フィルム形状を含む)をなし、上下方向(厚み方向)と直交する所定方向(前後方向および左右方向、すなわち、面方向)に延び、平坦な上面(厚み方向一方面)および平坦な下面(厚み方向他方面)を有する。光透過性導電性シート1は、例えば、光学装置に備えられるタッチパネルおよび調光パネルなどの一部品であり、つまり、光学装置ではない。すなわち、光透過性導電性シート1は、光学装置などを作製するための部品であり、LCDモジュールなどの画像表示素子や、LEDなどの光源を含まず、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
<Light-transmitting conductive sheet>
As shown in Fig. 1, the light-transmitting conductive sheet 1 has a sheet shape (including a film shape) having a predetermined thickness, extends in a predetermined direction (front-rear and left-right directions, i.e., surface direction) perpendicular to the up-down direction (thickness direction), and has a flat upper surface (one side in the thickness direction) and a flat lower surface (the other side in the thickness direction). The light-transmitting conductive sheet 1 is, for example, a part of a touch panel and a light control panel provided in an optical device, that is, it is not an optical device. In other words, the light-transmitting conductive sheet 1 is a part for producing an optical device, etc., does not include an image display element such as an LCD module or a light source such as an LED, is distributed as a part alone, and is an industrially applicable device.
また、光透過性導電性シート1は、光透過性導電層2と、基材層3を備える。なお、光透過性導電層2は、第1主面21と第1主面21に対して厚み方向に対向する第2主面22とを備える。つまり、光透過性導電性シート1は、光透過性導電層2と、光透過性導電層2の第1主面21および/または第2主面22の側に、基材層3とを備える。具体的には、光透過性導電性シート1は、光透過性導電層2と、光透過性導電層2の第2主面22の側(厚み方向他方側)に、基材層3とを備える。 The light-transmitting conductive sheet 1 also includes a light-transmitting conductive layer 2 and a base layer 3. The light-transmitting conductive layer 2 includes a first main surface 21 and a second main surface 22 that faces the first main surface 21 in the thickness direction. That is, the light-transmitting conductive sheet 1 includes a light-transmitting conductive layer 2 and a base layer 3 on the side of the first main surface 21 and/or the second main surface 22 of the light-transmitting conductive layer 2. Specifically, the light-transmitting conductive sheet 1 includes a light-transmitting conductive layer 2 and a base layer 3 on the side of the second main surface 22 of the light-transmitting conductive layer 2 (the other side in the thickness direction).
光透過性導電性シート1の厚みは、例えば、300μm以下、好ましくは、200μm以下、より好ましくは、150μm以下であり、また、例えば、20μm以上、好ましくは、40μm以上、より好ましくは、60μm以上、さらに好ましくは、80μm以上である。 The thickness of the light-transmitting conductive sheet 1 is, for example, 300 μm or less, preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less, and, for example, 20 μm or more, preferably 40 μm or more, more preferably 60 μm or more, and even more preferably 80 μm or more.
<基材層>
基材層3は、光透過性導電性シート1の機械的強度を確保する透明な基材である。
<Base layer>
The substrate layer 3 is a transparent substrate that ensures the mechanical strength of the light-transmitting conductive sheet 1 .
基材層3は、シート形状(フィルム形状を含む)を有する。 The substrate layer 3 has a sheet shape (including a film shape).
基材層3は、光透過性導電層2の第1主面21および/または第2主面22の側に配置される。好ましくは、基材層3は、光透過性導電層2の第2主面22の側(厚み方向他方側)に配置される。具体的には、基材層3は、光透過性導電層2の第2主面22に接触するように、光透過性導電層2の第2主面22全面に配置される。 The substrate layer 3 is disposed on the side of the first main surface 21 and/or the second main surface 22 of the light-transmitting conductive layer 2. Preferably, the substrate layer 3 is disposed on the side of the second main surface 22 of the light-transmitting conductive layer 2 (the other side in the thickness direction). Specifically, the substrate layer 3 is disposed on the entire surface of the second main surface 22 of the light-transmitting conductive layer 2 so as to contact the second main surface 22 of the light-transmitting conductive layer 2.
基材層3は、例えば、透明基材31を備え、必要に応じて、機能層32を備える。好ましくは、基材層3は、透明基材31と、透明基材31の厚み方向一方面および/または厚み方向他方面に、機能層32とを備え、より好ましくは、基材層3は、透明基材31と、透明基材31の厚み方向一方面および厚み方向他方面に、機能層32とを備える。 The substrate layer 3 includes, for example, a transparent substrate 31 and, if necessary, a functional layer 32. Preferably, the substrate layer 3 includes a transparent substrate 31 and a functional layer 32 on one thickness-wise surface and/or the other thickness-wise surface of the transparent substrate 31, and more preferably, the substrate layer 3 includes a transparent substrate 31 and a functional layer 32 on one thickness-wise surface and the other thickness-wise surface of the transparent substrate 31.
基材層3の厚みは、例えば、300μm以下、好ましくは、200μm以下、より好ましくは、150μm以下であり、また、例えば、20μm以上、好ましくは、40μm以上、より好ましくは、60μm以上、さらに好ましくは、80μm以上である。 The thickness of the base layer 3 is, for example, 300 μm or less, preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less, and, for example, 20 μm or more, preferably 40 μm or more, more preferably 60 μm or more, and even more preferably 80 μm or more.
[透明基材]
透明基材31は可撓性を有し、光透過性導電層2を支持する。
[Transparent substrate]
The transparent substrate 31 has flexibility and supports the light-transmitting conductive layer 2 .
透明基材31は、シート形状(フィルム形状を含む)を有する。 The transparent substrate 31 has a sheet shape (including a film shape).
透明基材31は、例えば、高分子フィルムからなる。そのため、可撓性に優れる。また、透明基材31が、高分子フィルムからなれば、光透過性導電性シート1は、製造効率に優れる。 The transparent substrate 31 is made of, for example, a polymer film. Therefore, it has excellent flexibility. Furthermore, if the transparent substrate 31 is made of a polymer film, the light-transmitting conductive sheet 1 has excellent manufacturing efficiency.
また、透明基材31が、高分子フィルムからなると、光透過性導電性シート1の寸法安定性付与などの観点から、光透過性導電性シート1(結晶質の光透過性導電層2)を再加熱する場合があるが、この光透過性導電性シート1は、加熱安定性に優れる。 In addition, when the transparent substrate 31 is made of a polymer film, the light-transmitting conductive sheet 1 (crystalline light-transmitting conductive layer 2) may be reheated from the standpoint of imparting dimensional stability to the light-transmitting conductive sheet 1, but this light-transmitting conductive sheet 1 has excellent heat stability.
高分子フィルムの材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、(メタ)アクリル樹脂、オレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、および、ノルボルネン樹脂が挙げられる。透明基材4は、好ましくは、屈曲性、耐熱性、機械的強度などの観点から、ポリエステル樹脂からなる高分子フィルムが挙げられる。 Examples of materials for the polymer film include polyester resin, (meth)acrylic resin, olefin resin, polycarbonate resin, polyethersulfone resin, polyarylate resin, melamine resin, polyamide resin, polyimide resin, cellulose resin, polystyrene resin, and norbornene resin. From the standpoint of flexibility, heat resistance, mechanical strength, etc., the transparent substrate 4 is preferably a polymer film made of polyester resin.
ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、および、ポリエチレンナフタレートが挙げられ、好ましくは、ポリエチレンテレフタレートが挙げられる。 Examples of polyester resins include polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, with polyethylene terephthalate being preferred.
(メタ)アクリル樹脂としては、例えば、ポリメタクリレートが挙げられる。 An example of a (meth)acrylic resin is polymethacrylate.
オレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマーが挙げられる。 Examples of olefin resins include polyethylene, polypropylene, and cycloolefin polymer.
高分子フィルムは、単独使用または2種以上併用することができる。 The polymer films can be used alone or in combination of two or more types.
透明基材31の全光線透過率(JIS K 7375-2008)は、例えば、60%以上、好ましくは、80%以上、より好ましくは、85%以上である。 The total light transmittance (JIS K 7375-2008) of the transparent substrate 31 is, for example, 60% or more, preferably 80% or more, and more preferably 85% or more.
透明基材31の全光線透過率が、上記下限以上であれば、透明基材31は透明性に優れる。 If the total light transmittance of the transparent substrate 31 is equal to or greater than the lower limit, the transparent substrate 31 has excellent transparency.
透明基材31の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、10μm以上、より好ましくは、50μm以上、さらに好ましくは、80μm以上、とりわけ好ましくは、100μm以上であり、また、例えば、300μm以下、好ましくは、200μm以下、より好ましくは、150μm以下である。 The thickness of the transparent substrate 31 is, for example, 1 μm or more, preferably 10 μm or more, more preferably 50 μm or more, even more preferably 80 μm or more, and particularly preferably 100 μm or more, and is, for example, 300 μm or less, preferably 200 μm or less, and more preferably 150 μm or less.
透明基材31の厚みが、上記範囲内であれば、光透過性導電性シート1は、薄型化でき、さらに、機械的強度に優れる。 If the thickness of the transparent substrate 31 is within the above range, the light-transmitting conductive sheet 1 can be made thin and has excellent mechanical strength.
透明基材31の厚みは、例えば、膜厚計を用いて測定することができる。 The thickness of the transparent substrate 31 can be measured, for example, using a film thickness gauge.
[機能層]
機能層32は、透明基材31の厚み方向一方面および/または厚み方向他方面に配置される。好ましくは、機能層32は、透明基材31の厚み方向一方面および厚み方向他方面に配置される。
[Functional layer]
The functional layer 32 is disposed on one surface and/or the other surface in the thickness direction of the transparent substrate 31. Preferably, the functional layer 32 is disposed on one surface and the other surface in the thickness direction of the transparent substrate 31.
機能層32は、シート形状(フィルム形状を含む)を有する。 The functional layer 32 has a sheet shape (including a film shape).
機能層32としては、例えば、アンチブロッキング層、光学調整層、および、ハードコート層が挙げられ、好ましくは、光学調整層、および、ハードコート層が挙げられる。 Examples of the functional layer 32 include an anti-blocking layer, an optical adjustment layer, and a hard coat layer, and preferably an optical adjustment layer and a hard coat layer.
機能層32が、光学調整層、および、ハードコート層である場合、基材層3は、例えば、透明基材31と、透明基材31の厚み方向他方面にハードコート層33と、透明基材31の厚み方向一方面に光学調整層とを備える。換言すれば、基材層3は、ハードコート層33と、透明基材31と、光学調整層34とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。 When the functional layer 32 is an optical adjustment layer and a hard coat layer, the substrate layer 3 includes, for example, a transparent substrate 31, a hard coat layer 33 on the other thickness-wise surface of the transparent substrate 31, and an optical adjustment layer on one thickness-wise surface of the transparent substrate 31. In other words, the substrate layer 3 includes the hard coat layer 33, the transparent substrate 31, and the optical adjustment layer 34, in that order toward one thickness-wise side.
{ハードコート層}
ハードコート層33は、光透過性導電性シート1に擦り傷を生じ難くするための擦傷保護層である。
{Hard coat layer}
The hard coat layer 33 is an abrasion protection layer for making the light-transmitting conductive sheet 1 less susceptible to abrasions.
ハードコート層33は、透明基材31の厚み方向他方面に配置される。具体的には、ハードコート層33は、透明基材31の厚み方向他方面に接触するように、透明基材31の下面(厚み方向他方面)全面に配置される。なお、ハードコート層33は、光透過性導電性シートの最下層である。 The hard coat layer 33 is disposed on the other surface in the thickness direction of the transparent substrate 31. Specifically, the hard coat layer 33 is disposed on the entire lower surface (other surface in the thickness direction) of the transparent substrate 31 so as to contact the other surface in the thickness direction of the transparent substrate 31. The hard coat layer 33 is the bottom layer of the light-transmitting conductive sheet.
なお、図1において、ハードコート層33は、透明基材31の厚み方向他方面に配置されているが、これに限定されない。つまり、ハードコート層33は、透明基材31の厚み方向一方側に配置されていてもよく、さらに、複数層配置されていてもよい。また、基材層3が、ハードコート層33と、後述する光学調整層34とを、透明基材31の厚み方向一方側または他方側のうち、同じ方向に備える場合、その積層順は、特に限定されない。 In FIG. 1, the hard coat layer 33 is disposed on the other surface in the thickness direction of the transparent substrate 31, but this is not limited thereto. In other words, the hard coat layer 33 may be disposed on one side in the thickness direction of the transparent substrate 31, or may be disposed in multiple layers. In addition, when the substrate layer 3 includes the hard coat layer 33 and the optical adjustment layer 34 described later in the same direction, either on one side or on the other side in the thickness direction of the transparent substrate 31, the order of stacking is not particularly limited.
ハードコート層33は、例えば、ハードコート組成物から形成される。 The hard coat layer 33 is formed, for example, from a hard coat composition.
ハードコート組成物は、例えば、樹脂を含み、必要に応じて、粒子を含有する。つまり、ハードコート層33は、例えば、樹脂を含み、必要に応じて、粒子を含有する。 The hard coat composition contains, for example, a resin and, if necessary, particles. In other words, the hard coat layer 33 contains, for example, a resin and, if necessary, particles.
樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂、および、硬化性樹脂が挙げられる。 Examples of resins include thermoplastic resins and curable resins.
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂が挙げられる。 An example of a thermoplastic resin is polyolefin resin.
硬化性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、アミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、シロキサン系ポリマー、および、有機シラン縮合物が挙げられ、好ましくは、アクリル樹脂が挙げられる。 Examples of curable resins include acrylic resins, urethane resins, amide resins, silicone resins, epoxy resins, melamine resins, alkyd resins, siloxane-based polymers, and organic silane condensates, with acrylic resins being preferred.
また、硬化性樹脂は、例えば、活性エネルギー線(例えば、紫外線、および、電子線)の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂、および、加熱により硬化する熱硬化性樹脂が挙げられる。 Curable resins include, for example, active energy ray curable resins that are cured by irradiation with active energy rays (e.g., ultraviolet rays and electron beams) and thermosetting resins that are cured by heating.
樹脂は、単独使用または2種以上併用できる。 Resins can be used alone or in combination of two or more types.
粒子としては、例えば、金属酸化物微粒子および有機系微粒子が挙げられる。 Examples of particles include metal oxide microparticles and organic microparticles.
金属酸化物微粒子の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化カルシウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化カドミウム、および、酸化アンチモンが挙げられる。 Examples of materials for metal oxide particles include silica, alumina, titania, zirconia, calcium oxide, tin oxide, indium oxide, cadmium oxide, and antimony oxide.
有機系微粒子の材料としては、ポリメチルメタクリレート、シリコーン、ポリスチレン、ポリウレタン、アクリル-スチレン共重合体、ベンゾグアナミン、メラミン、および、ポリカーボネートが挙げられる。 Materials for organic microparticles include polymethyl methacrylate, silicone, polystyrene, polyurethane, acrylic-styrene copolymer, benzoguanamine, melamine, and polycarbonate.
粒子は、単独使用または2種以上併用できる。 The particles can be used alone or in combination of two or more types.
ハードコート組成物は、例えば、樹脂を含み、好ましくは、硬化性樹脂を含み、より好ましくは、活性エネルギー線硬化性樹脂を含む。具体的には、ハードコート組成物は、アクリル樹脂を含む。 The hard coat composition contains, for example, a resin, preferably a curable resin, and more preferably an active energy ray curable resin. Specifically, the hard coat composition contains an acrylic resin.
また、ハードコート組成物は、例えば、チキソトロピー付与剤、光重合開始剤、充填剤(例えば、有機粘土)、および、レベリング剤を適宜の割合で配合することができる。さらに、ハードコート組成物は、公知の溶剤で希釈することができる。 The hard coat composition may also contain, for example, a thixotropy-imparting agent, a photopolymerization initiator, a filler (e.g., organic clay), and a leveling agent in appropriate proportions. Furthermore, the hard coat composition may be diluted with a known solvent.
また、ハードコート層33を形成するには、詳しくは後述するが、ハードコート組成物の希釈液を透明基材31の厚み方向他方面に塗布し、必要により、乾燥させる。乾燥後、例えば、活性エネルギー線照射により、ハードコート組成物を硬化させる。 To form the hard coat layer 33, a diluted solution of the hard coat composition is applied to the other surface in the thickness direction of the transparent substrate 31, and dried as necessary, as described in detail below. After drying, the hard coat composition is cured, for example, by irradiation with active energy rays.
これにより、ハードコート層33を形成する。 This forms the hard coat layer 33.
ハードコート層33の厚みは、例えば、0.1μm以上、好ましくは、0.5μm以上、より好ましくは、1μm以上、また、例えば、10μm以下、好ましくは、5μm以下、より好ましくは、3μm以下である。 The thickness of the hard coat layer 33 is, for example, 0.1 μm or more, preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, and, for example, 10 μm or less, preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less.
ハードコート層33の厚みは、例えば、ハードコート層33の断面を、走査型電子顕微鏡(SEM)で、観察することで特定できる。 The thickness of the hard coat layer 33 can be determined, for example, by observing a cross section of the hard coat layer 33 with a scanning electron microscope (SEM).
{光学調整層}
光学調整層34は、光透過性導電層2のパターン視認を抑制し、さらに、光透過性導電性シート1内の界面での反射を抑制しつつ、光透過性導電性シート1に優れた透明性を確保するために、光透過性導電性シート1の光学物性(例えば、屈折率)を調整する層である。
{Optical Adjustment Layer}
The optical adjustment layer 34 is a layer that adjusts the optical properties (e.g., refractive index) of the light-transmitting conductive sheet 1 in order to suppress the visibility of the pattern of the light-transmitting conductive layer 2 and further suppress reflection at the interfaces within the light-transmitting conductive sheet 1 while ensuring excellent transparency of the light-transmitting conductive sheet 1.
光学調整層34は、透明基材31の厚み方向一方面に配置される。具体的には、光学調整層34は、透明基材31の厚み方向一方面に接触するように、透明基材31の上面(厚み方向一方面)全面に配置される。なお、光学調整層34は、光透過性導電層2の第2主面22と接触する。 The optical adjustment layer 34 is disposed on one surface in the thickness direction of the transparent substrate 31. Specifically, the optical adjustment layer 34 is disposed on the entire upper surface (one surface in the thickness direction) of the transparent substrate 31 so as to contact the one surface in the thickness direction of the transparent substrate 31. The optical adjustment layer 34 contacts the second main surface 22 of the light-transmitting conductive layer 2.
なお、図1において、光学調整層34は、透明基材31の厚み方向一方面に配置されているが、これに限定されない。つまり、光学調整層34は、透明基材31の厚み方向他方側に配置されていてもよく、さらに、複数層配置されていてもよい。また、基材層3が、ハードコート層33と、光学調整層34とを、透明基材31の厚み方向一方側または他方側のうち、同じ方向に備える場合、その積層順は、特に限定されない。 In FIG. 1, the optical adjustment layer 34 is disposed on one surface in the thickness direction of the transparent substrate 31, but this is not limited thereto. In other words, the optical adjustment layer 34 may be disposed on the other side in the thickness direction of the transparent substrate 31, and may further be disposed in multiple layers. Furthermore, when the substrate layer 3 includes the hard coat layer 33 and the optical adjustment layer 34 in the same direction, either on one side or on the other side in the thickness direction of the transparent substrate 31, the order of stacking is not particularly limited.
光学調整層34は、例えば、光学調整組成物から形成される。 The optical adjustment layer 34 is formed, for example, from an optical adjustment composition.
光学調整組成物は、例えば、樹脂を含み、必要に応じて、粒子を含有する。つまり、光学調整層34は、例えば、樹脂を含み、必要に応じて、粒子を含有する。 The optical adjustment composition contains, for example, a resin, and optionally contains particles. That is, the optical adjustment layer 34 contains, for example, a resin, and optionally contains particles.
樹脂としては、例えば、上記ハードコート組成物で挙げた樹脂が挙げられ、好ましくは、メラミン樹脂、アルキド樹脂、および、有機シラン縮合物が挙げられる。 Examples of resins include those listed in the hard coat composition above, and preferred examples include melamine resins, alkyd resins, and organic silane condensates.
粒子としては、上記ハードコート組成物で挙げた粒子が挙げられる。 Examples of particles include the particles listed above for the hard coat composition.
光学調整組成物は、例えば、樹脂を含み、好ましくは、硬化性樹脂を含み、より好ましくは、熱硬化性樹脂を含む。具体的には、光学調整組成物は、メラミン樹脂、アルキド樹脂、および、有機シラン縮合物を含む。 The optical adjustment composition includes, for example, a resin, preferably a curable resin, and more preferably a thermosetting resin. Specifically, the optical adjustment composition includes a melamine resin, an alkyd resin, and an organic silane condensate.
また、光学調整組成物は、例えば、チキソトロピー付与剤、光重合開始剤、充填剤(例えば、有機粘土)、および、レベリング剤を適宜の割合で配合することができる。さらに、光学調整組成物は、公知の溶剤で希釈することができる。 The optical adjustment composition may also contain, for example, a thixotropy-imparting agent, a photopolymerization initiator, a filler (e.g., organic clay), and a leveling agent in appropriate proportions. Furthermore, the optical adjustment composition may be diluted with a known solvent.
また、光学調整層34を形成するには、詳しくは後述するが、光学調整組成物の希釈液を透明基材31の厚み方向一方面に塗布し、必要により、乾燥させる。乾燥後、例えば、加熱することにより、光学調整組成物を硬化させる。 To form the optical adjustment layer 34, a diluted solution of the optical adjustment composition is applied to one surface in the thickness direction of the transparent substrate 31, and dried as necessary, as described in detail below. After drying, the optical adjustment composition is cured, for example, by heating.
これにより、光学調整層34を形成する。 This forms the optical adjustment layer 34.
光学調整層34の厚みは、例えば、1nm以上、好ましくは、5nm以上、より好ましくは、10nm以上、さらに好ましくは、20nm以上、とりわけ好ましくは、30nm以上、また、例えば、1000nm以下、好ましくは、500nm以下、より好ましくは、100nm以下、さらに好ましくは、50nm以下である。 The thickness of the optical adjustment layer 34 is, for example, 1 nm or more, preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, even more preferably 20 nm or more, particularly preferably 30 nm or more, and, for example, 1000 nm or less, preferably 500 nm or less, more preferably 100 nm or less, even more preferably 50 nm or less.
光学調整層34の厚みは、例えば、瞬間マルチ測光システムを用いて観測される干渉スペクトルの波長に基づいて算出することができる。また、光学調整層34の断面を、電界放射型透過電子顕微鏡(FE-TEM)で、観察することで厚みを特定してもよい。 The thickness of the optical adjustment layer 34 can be calculated, for example, based on the wavelength of the interference spectrum observed using an instantaneous multi-photometer system. The thickness can also be determined by observing a cross-section of the optical adjustment layer 34 with a field emission transmission electron microscope (FE-TEM).
<光透過性導電層>
光透過性導電層2は、優れた導電性を有する透明な層である。
<Light-transmitting conductive layer>
The light-transmitting conductive layer 2 is a transparent layer having excellent electrical conductivity.
光透過性導電層2は、第1主面21と第1主面21に対して厚み方向に対向する第2主面22を備える。また、光透過性導電層2の第1主面21および/または第2主面22の側に、基材層3が配置される。好ましくは、光透過性導電層2の第2主面22の側(厚み方向他方側)に、基材層3が配置される。具体的には、光透過性導電層2は、第2主面22の側(厚み方向他方側)に、光学調整層34と、透明基材31と、ハードコート層33とを順に備える。つまり、光透過性導電層2は、光学調整層34の厚み方向一方面に接触するように、光学調整層34の上面(厚み方向一方面)全面に配置される。なお、光透過性導電層2は、光透過性導電性シートの最上層である。 The light-transmitting conductive layer 2 has a first main surface 21 and a second main surface 22 facing the first main surface 21 in the thickness direction. In addition, a base layer 3 is arranged on the first main surface 21 and/or the second main surface 22 side of the light-transmitting conductive layer 2. Preferably, the base layer 3 is arranged on the second main surface 22 side (the other side in the thickness direction) of the light-transmitting conductive layer 2. Specifically, the light-transmitting conductive layer 2 has an optical adjustment layer 34, a transparent base material 31, and a hard coat layer 33 in this order on the second main surface 22 side (the other side in the thickness direction). In other words, the light-transmitting conductive layer 2 is arranged on the entire upper surface (one side in the thickness direction) of the optical adjustment layer 34 so as to contact one side in the thickness direction of the optical adjustment layer 34. The light-transmitting conductive layer 2 is the uppermost layer of the light-transmitting conductive sheet.
第1主面21は、厚み方向一方側に露出する。第1主面21は、平坦面である。 The first main surface 21 is exposed to one side in the thickness direction. The first main surface 21 is a flat surface.
第2主面22は、第1主面21の厚み方向他方側に間隔を隔てて対向配置される。第2主面22は、第1主面21に平行な平坦面である。この一実施形態では、光透過性導電層2は、第2主面22の側(厚み方向他方側)に、光学調整層34と、透明基材31と、ハードコート層33とを順に備える。 The second main surface 22 is disposed opposite the first main surface 21 at a distance from the first main surface 21 on the other side in the thickness direction. The second main surface 22 is a flat surface parallel to the first main surface 21. In this embodiment, the light-transmitting conductive layer 2 is provided with an optical adjustment layer 34, a transparent substrate 31, and a hard coat layer 33, in that order, on the side of the second main surface 22 (the other side in the thickness direction).
なお、平坦面とは、第1主面21と第2主面22とが略平行の平面であることを問わない。例えば、観察できない程度の微細な凹凸、波打ちは、許容される。 Note that a flat surface does not necessarily mean that the first main surface 21 and the second main surface 22 are substantially parallel planes. For example, minute irregularities and waviness that are not observable are permitted.
光透過性導電層2の材料としては、例えば、In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、Wからなる群より選択される少なくとも1種の金属および/または半金属を含む金属酸化物が挙げられる。金属酸化物には、必要に応じて、さらに上記群に示された金属原子をドープしていてもよい。 Examples of materials for the light-transmitting conductive layer 2 include metal oxides containing at least one metal and/or semimetal selected from the group consisting of In, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, and W. If necessary, the metal oxides may be doped with metal atoms shown in the above group.
光透過性導電層2としては、具体的には、例えば、インジウムスズ複合酸化物(ITO)、インジウムガリウム複合酸化物(IGO)、インジウム亜鉛複合酸化物(IZO)、インジウムガリウム亜鉛複合酸化物(IGZO)などのインジウム含有酸化物、例えば、アンチモンスズ複合酸化物(ATO)などのアンチモン含有酸化物などが挙げられ、好ましくは、インジウム含有酸化物、より好ましくは、インジウムスズ複合酸化物(ITO)が挙げられる。 Specific examples of the light-transmitting conductive layer 2 include indium-containing oxides such as indium tin oxide (ITO), indium gallium oxide (IGO), indium zinc oxide (IZO), and indium gallium zinc oxide (IGZO), and antimony-containing oxides such as antimony tin oxide (ATO), and preferably indium-containing oxides, and more preferably indium tin oxide (ITO).
光透過性導電層2が、インジウムスズ複合酸化物を含むと、低抵抗化が可能である。 When the light-transmitting conductive layer 2 contains an indium tin composite oxide, it is possible to reduce the resistance.
光透過性導電層2の材料としてITOを用いる場合、酸化スズの含有割合は、酸化スズおよび酸化インジウムの合計量に対して、例えば、0.5質量%以上、好ましくは、3質量%以上、より好ましくは、5質量%以上、さらに好ましくは、8質量%以上、また、例えば、20質量%以下、好ましくは、15質量%以下、より好ましくは、12質量%以下である。 When ITO is used as the material for the light-transmitting conductive layer 2, the content of tin oxide is, for example, 0.5% by mass or more, preferably 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, even more preferably 8% by mass or more, and for example, 20% by mass or less, preferably 15% by mass or less, more preferably 12% by mass or less, based on the total amount of tin oxide and indium oxide.
酸化スズの含有割合が、上記下限以上であれば、低抵抗化が促進される。酸化スズの含有割合が、上記上限以下であれば、光透過性導電層2は、加熱安定性に優れる。 If the content of tin oxide is equal to or greater than the lower limit, the resistance is reduced. If the content of tin oxide is equal to or less than the upper limit, the light-transmitting conductive layer 2 has excellent heat stability.
光透過性導電層2における酸化スズ濃度は、X線光電子分光法によって、測定され、酸化スズの含有割合が算出できる。また、酸化スズの含有割合は、光透過性導電層2をスパッタリングで形成するときに用いられるターゲットの成分(既知)から推測することもできる。 The tin oxide concentration in the light-transmitting conductive layer 2 is measured by X-ray photoelectron spectroscopy, and the tin oxide content can be calculated. The tin oxide content can also be estimated from the components (known) of the target used when forming the light-transmitting conductive layer 2 by sputtering.
光透過性導電層2は、結晶粒を有し、好ましくは、複数の結晶粒を有する。結晶粒は、グレインと称されることもある。 The light-transmitting conductive layer 2 has crystal grains, and preferably has a plurality of crystal grains. The crystal grains are sometimes called grains.
また、光透過性導電層2は、複数の結晶粒を有するため、粒界を有する。なお、粒界とは、互いに隣接する複数の結晶粒の境界を意味する。 In addition, the light-transmitting conductive layer 2 has multiple crystal grains and therefore has grain boundaries. Note that the grain boundaries refer to the boundaries between multiple adjacent crystal grains.
なお、以下で記載する結晶粒の粒径は、円相当径である。 Note that the grain sizes of the crystal grains described below are equivalent circle diameters.
結晶粒の平均結晶粒径は、105nm以下であり、好ましくは、100nm以下、より好ましくは、95nm以下、また、例えば、20nm以上、好ましくは、40nm以上、より好ましくは、60nm以上、さらに好ましくは、80nm以上である。 The average crystal grain size of the crystal grains is 105 nm or less, preferably 100 nm or less, more preferably 95 nm or less, and for example, 20 nm or more, preferably 40 nm or more, more preferably 60 nm or more, and even more preferably 80 nm or more.
結晶粒の平均結晶粒径が、上記上限以下であれば、結晶粒が小さいため、屈曲性に優れる。また、結晶粒の平均結晶粒径が、上記下限以上であれば、低抵抗化が可能である。 If the average crystal grain size is equal to or less than the upper limit, the crystal grains are small, resulting in excellent flexibility. If the average crystal grain size is equal to or more than the lower limit, low resistance is possible.
なお、結晶粒の平均結晶粒径は、電界放射型透過電子顕微鏡(FE-TEM)を用いて、結晶粒を撮影し、撮影された画像を画像解析処理することにより、求めることができる。詳細は、後述する実施例に記載の方法で測定される。 The average grain size of the crystal grains can be determined by photographing the crystal grains using a field emission transmission electron microscope (FE-TEM) and subjecting the photographed images to image analysis processing. Details are given by the method described in the examples below.
結晶粒は、最大結晶粒径が、例えば、100nm以上、好ましくは、110nm以上、より好ましくは、130nm以上、さらに好ましくは、150nm以上、とりわけ好ましくは、170nm以上の結晶粒を含む。 The crystal grains include crystal grains having a maximum crystal grain size of, for example, 100 nm or more, preferably 110 nm or more, more preferably 130 nm or more, even more preferably 150 nm or more, and particularly preferably 170 nm or more.
最大結晶粒径が上記下限以上の結晶粒を含めば、低抵抗化が可能である。 If the maximum crystal grain size includes crystal grains that are equal to or larger than the lower limit above, low resistance is possible.
また、結晶粒の最大結晶粒径は、例えば、300nm以下、好ましくは、250nm以下、より好ましくは、220nm以下である。 The maximum crystal grain size of the crystal grains is, for example, 300 nm or less, preferably 250 nm or less, and more preferably 220 nm or less.
最大結晶粒径が上記上限以下の結晶粒であれば、過度に粗大な結晶粒が、存在せず、屈曲性に優れる。 If the maximum crystal grain size is below the upper limit, there will be no excessively coarse crystal grains and the flexibility will be excellent.
なお、結晶粒の最大結晶粒径は、電界放射型透過電子顕微鏡(FE-TEM)を用いて、結晶粒を撮影し、撮影された画像を画像解析処理することにより、求めることができる。詳細は、後述する実施例に記載の方法で測定される。 The maximum grain size of the crystal grains can be determined by photographing the crystal grains using a field emission transmission electron microscope (FE-TEM) and subjecting the photographed image to image analysis processing. Details are given by the method described in the examples below.
光透過性導電層2において、結晶粒の総数に対する、結晶粒径が100nm以上の結晶粒の含有割合は、例えば、80%以下、好ましくは、70%以下、より好ましくは、60%以下、さらに好ましくは、50%以下、とりわけ好ましくは、40%以下、また、例えば、0%超過、好ましくは、5%以上、より好ましくは、10%以上、さらに好ましくは、20%以上、とりわけ好ましくは、30%以上である。 In the light-transmitting conductive layer 2, the content of crystal grains with a crystal grain size of 100 nm or more relative to the total number of crystal grains is, for example, 80% or less, preferably 70% or less, more preferably 60% or less, even more preferably 50% or less, particularly preferably 40% or less, and, for example, more than 0%, preferably 5% or more, more preferably 10% or more, even more preferably 20% or more, particularly preferably 30% or more.
結晶粒の総数に対する、結晶粒径が100nm以上の結晶粒の含有割合が、上記上限以下であれば、屈曲性に優れる。また、結晶粒の総数に対する、結晶粒径が100nm以上の結晶粒の含有割合が、上記下限以上であれば、低抵抗化が可能である。 If the ratio of the content of crystal grains with a grain size of 100 nm or more to the total number of crystal grains is equal to or less than the upper limit, the flexibility is excellent. Also, if the ratio of the content of crystal grains with a grain size of 100 nm or more to the total number of crystal grains is equal to or greater than the lower limit, the resistance can be reduced.
光透過性導電層2において、結晶粒の総数に対する、結晶粒径が150nm以上の結晶粒の含有割合が、例えば、50%以下、好ましくは、30%以下、より好ましくは、20%以下、さらに好ましくは、10%以下、とりわけ好ましくは、5%以下である。 In the light-transmitting conductive layer 2, the content of crystal grains with a crystal grain size of 150 nm or more relative to the total number of crystal grains is, for example, 50% or less, preferably 30% or less, more preferably 20% or less, even more preferably 10% or less, and particularly preferably 5% or less.
結晶粒の総数に対する、結晶粒径が150nm以上の結晶粒の含有割合が、上記上限以下であれば、屈曲性に優れる。 If the ratio of crystal grains with a grain size of 150 nm or more to the total number of crystal grains is equal to or less than the above upper limit, the flexibility is excellent.
なお、結晶粒の総数に対する、特定の結晶粒径以上の結晶粒の含有割合は、電界放射型透過電子顕微鏡(FE-TEM)を用いて、結晶粒を撮影し、撮影された画像を画像解析処理することにより、求めることができる。詳細は、後述する実施例に記載の方法で測定される。 The percentage of crystal grains with a specific grain size or larger relative to the total number of crystal grains can be determined by photographing the crystal grains using a field emission transmission electron microscope (FE-TEM) and subjecting the photographed images to image analysis processing. Details are given by the method described in the examples below.
また、光透過性導電層2は、結晶粒を有するため、結晶質である。つまり、光透過性導電層2は、面方向で、非晶質な領域を含まず、結晶質な領域のみを含むことが好ましい。なお、非晶質な領域を含む透明導電層は、例えば、透明導電層の面方向の結晶粒を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察することにより、同定される。 The light-transmitting conductive layer 2 is crystalline because it has crystal grains. In other words, it is preferable that the light-transmitting conductive layer 2 does not include amorphous regions in the surface direction, and includes only crystalline regions. Note that a transparent conductive layer that includes amorphous regions can be identified, for example, by observing the crystal grains in the surface direction of the transparent conductive layer with a transmission electron microscope (TEM).
光透過性導電層2が結晶質である場合には、例えば、光透過性導電層2を、5質量%の塩酸水溶液に15分間浸漬した後、水洗および乾燥し、第1主面21において15mm程度の間の二端子間抵抗を測定し、二端子間抵抗が10kΩ以下である。一方、上記した二端子間抵抗が10kΩ超過であれば、光透過性導電層2は、非晶質である。 When the light-transmitting conductive layer 2 is crystalline, for example, the light-transmitting conductive layer 2 is immersed in a 5% by weight aqueous hydrochloric acid solution for 15 minutes, then washed with water and dried, and the resistance between two terminals is measured over a distance of about 15 mm on the first main surface 21, and the resistance between two terminals is 10 kΩ or less. On the other hand, if the resistance between two terminals exceeds 10 kΩ, the light-transmitting conductive layer 2 is amorphous.
光透過性導電層2の全光線透過率(JIS K 7375-2008)は、例えば、60%以上、好ましくは、80%以上、より好ましくは、85%以上である。 The total light transmittance (JIS K 7375-2008) of the light-transmitting conductive layer 2 is, for example, 60% or more, preferably 80% or more, and more preferably 85% or more.
光透過性導電層2の全光線透過率が、上記下限以上であれば、光透過性導電層2は透明性に優れる。 If the total light transmittance of the light-transmitting conductive layer 2 is equal to or greater than the lower limit, the light-transmitting conductive layer 2 has excellent transparency.
光透過性導電層2の厚みは、50nm超過、好ましくは、55nm以上、より好ましくは、60nm以上、さらに好ましくは、80nm以上、とりわけ好ましくは、100nm以上、最も好ましくは、120nm以上、また、例えば、1000nm以下、好ましくは、300nm以下、より好ましくは、250nm以下、さらに好ましくは、200nm以下、とりわけ好ましくは、150nm以下、最も好ましくは、130nm以下である。 The thickness of the light-transmitting conductive layer 2 is more than 50 nm, preferably 55 nm or more, more preferably 60 nm or more, even more preferably 80 nm or more, particularly preferably 100 nm or more, most preferably 120 nm or more, and for example, 1000 nm or less, preferably 300 nm or less, more preferably 250 nm or less, even more preferably 200 nm or less, particularly preferably 150 nm or less, most preferably 130 nm or less.
光透過性導電層2の厚みが、上記下限以上であれば、低抵抗化が可能である。また、光透過性導電層2の厚みが、上記上限以下であれば、屈曲性に優れる。 If the thickness of the light-transmitting conductive layer 2 is equal to or greater than the lower limit, the resistance can be reduced. If the thickness of the light-transmitting conductive layer 2 is equal to or less than the upper limit, the flexibility is excellent.
なお、光透過性導電層2の厚みは、例えば、電界放射型透過電子顕微鏡(FE-TEM)を用いて、光透過性導電シート10の断面を観察することにより測定することができる。 The thickness of the light-transmitting conductive layer 2 can be measured, for example, by observing a cross section of the light-transmitting conductive sheet 10 using a field emission transmission electron microscope (FE-TEM).
光透過性導電層2の比抵抗は、例えば、5.0×10-4Ω・cm以下、好ましくは、3.0×10-4Ω・cm以下、より好ましくは、2.8×10-4Ω・cm以下、さらに好ましくは、2.6×10-4Ω・cm以下、また、例えば、0.1×10-4Ω・cm以上、好ましくは、0.5×10-4Ω・cm以上、より好ましくは、1.0×10-4Ω・cm以上である。 The resistivity of the light-transmitting conductive layer 2 is, for example, 5.0×10 −4 Ω·cm or less, preferably 3.0×10 −4 Ω·cm or less, more preferably 2.8×10 −4 Ω·cm or less, even more preferably 2.6×10 −4 Ω·cm or less, and for example, 0.1×10 −4 Ω·cm or more, preferably 0.5×10 −4 Ω·cm or more, more preferably 1.0×10 −4 Ω·cm or more.
なお、比抵抗は、JIS K7194に準拠して、4端子法により測定することができる。 The resistivity can be measured using the four-terminal method in accordance with JIS K7194.
光透過性導電層2の表面抵抗値は、例えば、200Ω/□以下、好ましくは、80Ω/□以下、より好ましくは、50Ω/□以下、さらに好ましくは、40Ω/□以下、とりわけ好ましくは、30Ω/□以下、最も好ましくは、25Ω/□以下、また、通常、0Ω/□超過、また、1Ω/□以上である。 The surface resistance of the light-transmitting conductive layer 2 is, for example, 200 Ω/□ or less, preferably 80 Ω/□ or less, more preferably 50 Ω/□ or less, even more preferably 40 Ω/□ or less, particularly preferably 30 Ω/□ or less, most preferably 25 Ω/□ or less, and usually more than 0 Ω/□ or 1 Ω/□ or more.
なお、表面抵抗値は、JIS K7194に準拠して、4端子法により測定することができる。 The surface resistance can be measured using the four-terminal method in accordance with JIS K7194.
なお、光透過性導電性シート10における光透過性導電層2の数は、特に限定されず、例えば、1層である。具体的には、1層の基材層3に対する光透過性導電層2の数は、例えば、1層である。 The number of light-transmitting conductive layers 2 in the light-transmitting conductive sheet 10 is not particularly limited, and may be, for example, one layer. Specifically, the number of light-transmitting conductive layers 2 for one base layer 3 is, for example, one layer.
<光透過性導電性シートの製造方法>
光透過性導電性シート1の製造方法を、図2を参照して説明する。
<Method for producing light-transmitting conductive sheet>
A method for producing the light-transmitting conductive sheet 1 will be described with reference to FIG.
光透過性導電性シート1の製造方法は、基材層3を作製する第1工程と、基材層3の厚み方向一方面に、光透過性導電層2を積層(配置)する第2工程と、光透過性導電層2を加熱し、結晶化する第3工程とを備える。また、この製造方法では、各層を、例えば、ロールトゥロール方式で、順に配置する。 The manufacturing method of the light-transmitting conductive sheet 1 includes a first step of preparing the base layer 3, a second step of stacking (arranging) the light-transmitting conductive layer 2 on one surface in the thickness direction of the base layer 3, and a third step of heating and crystallizing the light-transmitting conductive layer 2. In this manufacturing method, each layer is arranged in order, for example, by a roll-to-roll method.
[第1工程]
第1工程では、基材層3を作製する。
[First step]
In the first step, the base layer 3 is prepared.
基材層3を作製するには、図2Aに示すように、まず、透明基材31を準備する。 To fabricate the substrate layer 3, first prepare a transparent substrate 31 as shown in FIG. 2A.
次いで、図2Bに示すように、透明基材31の厚み方向一方面に、光学調整組成物の希釈液を塗布し、乾燥後、紫外線照射または加熱により、光学調整組成物を硬化させる。これにより、透明基材31の厚み方向一方面に、光学調整層34を形成する。 Next, as shown in FIG. 2B, a diluted solution of the optical adjustment composition is applied to one surface in the thickness direction of the transparent substrate 31, and after drying, the optical adjustment composition is cured by ultraviolet irradiation or heating. This forms an optical adjustment layer 34 on one surface in the thickness direction of the transparent substrate 31.
さらに、図2Cに示すように、透明基材31の厚み方向他方面に、ハードコート組成物の希釈液を塗布し、乾燥後、紫外線照射または加熱により、ハードコート組成物を硬化させる。これにより、透明基材31の厚み方向他方面に、ハードコート層33を形成する。これにより、基材層3を作製する。 Furthermore, as shown in FIG. 2C, a diluted solution of the hard coat composition is applied to the other surface in the thickness direction of the transparent substrate 31, and after drying, the hard coat composition is cured by ultraviolet light irradiation or heating. This forms a hard coat layer 33 on the other surface in the thickness direction of the transparent substrate 31. This produces the substrate layer 3.
[第2工程]
第2工程では、図2Dに示すように、基材層3(光学調整層34)の厚み方向一方面に、光透過性導電層2を積層(配置)する。
[Second step]
In the second step, as shown in FIG. 2D, the light-transmitting conductive layer 2 is laminated (placed) on one surface in the thickness direction of the base layer 3 (optical adjustment layer 34).
光透過性導電層2を積層する方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。好ましくは、スパッタリング法が挙げられる。 Methods for laminating the light-transmitting conductive layer 2 include, for example, vacuum deposition, sputtering, and ion plating. Sputtering is preferred.
スパッタリング法は、真空装置のチャンバー内において、光透過性導電層2の材料からなるターゲットに、被着体(基材層3)の厚み方向一方面を対向させながら、ガスを供給するとともに電圧を印加することによりガスイオンを加速しターゲットに照射させて、ターゲット表面からターゲット材料をはじき出して、そのターゲット材料を被着体表面に積層させる。また、基材層3は、成膜ロールの周方向に沿って、密着している。 In the sputtering method, one surface in the thickness direction of the adherend (substrate layer 3) is placed facing a target made of the material of the light-transmitting conductive layer 2 in a chamber of a vacuum device, and gas is supplied and a voltage is applied to accelerate the gas ions and irradiate the target, ejecting the target material from the target surface and layering the target material on the surface of the adherend. The substrate layer 3 is also in close contact with the circumferential direction of the film-forming roll.
スパッタリング法としては、例えば、2極スパッタリング法、ECR(電子サイクロトロン共鳴)スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリ
ング法などが挙げられる。好ましくは、マグネトロンスパッタリング法が挙げられる。
Examples of the sputtering method include a dipole sputtering method, an ECR (electron cyclotron resonance) sputtering method, a magnetron sputtering method, an ion beam sputtering method, etc. Of these, the magnetron sputtering method is preferable.
スパッタリング法に用いる電源は、例えば、直流(DC)電源、交流中周波(AC/MF)電源、高周波(RF)電源、直流電源を重畳した高周波電源が挙げられ、好ましくは、DC電源が挙げられる。 The power source used in the sputtering method may be, for example, a direct current (DC) power source, an alternating current medium frequency (AC/MF) power source, a radio frequency (RF) power source, or a radio frequency power source superimposed on a DC power source, and preferably a DC power source.
つまり、第2工程において、好ましくは、DCマグネトロンスパッタリング装置が用いられる。 In other words, in the second step, a DC magnetron sputtering device is preferably used.
ターゲットとしては、例えば、光透過性導電層2を構成する上記した金属酸化物が挙げられる。具体的には、光透過性導電層2の材料としてITOを用いる場合、ITOからなるターゲットを用いる。 Examples of targets include the above-mentioned metal oxides that constitute the light-transmitting conductive layer 2. Specifically, when ITO is used as the material for the light-transmitting conductive layer 2, a target made of ITO is used.
ターゲット上の水平磁場強度は、例えば、10mT以上、好ましくは、60mT以上であり、また、例えば、300mT以下である。 The horizontal magnetic field strength on the target is, for example, 10 mT or more, preferably 60 mT or more, and, for example, 300 mT or less.
ターゲット上の水平磁場強度を上記範囲とすることで、光透過性導電層2を低抵抗化することが可能である。 By setting the horizontal magnetic field strength above the target within the above range, it is possible to reduce the resistance of the light-transmitting conductive layer 2.
スパッタリング時の成膜温度(具体的には、基材層3の温度)としては、例えば、100℃以下、好ましくは、50℃以下、より好ましくは、0℃以下、さらに好ましくは、-5℃以下、また、例えば、-20℃以上である。 The film formation temperature during sputtering (specifically, the temperature of the substrate layer 3) is, for example, 100°C or less, preferably 50°C or less, more preferably 0°C or less, even more preferably -5°C or less, and for example, -20°C or more.
スパッタリング時の成膜温度が、上記範囲内であれば、基材層3を十分冷却でき、光透過性導電層2の成膜時の結晶成長(特に、光透過性導電層2の厚み方向の結晶成長)を抑制できるため、後述する第3工程を経た後の光透過性導電層2において、結晶粒を得やすい。 If the deposition temperature during sputtering is within the above range, the base layer 3 can be cooled sufficiently, and crystal growth during deposition of the light-transmitting conductive layer 2 (particularly crystal growth in the thickness direction of the light-transmitting conductive layer 2) can be suppressed, making it easier to obtain crystal grains in the light-transmitting conductive layer 2 after the third step described below.
スパッタリング成膜装置内の気圧としては、例えば、1.0Pa以下、好ましくは、0.5Pa以下であり、また、例えば、0.01Pa以上、好ましくは、0.1Pa以上である。 The air pressure inside the sputtering deposition apparatus is, for example, 1.0 Pa or less, preferably 0.5 Pa or less, and, for example, 0.01 Pa or more, preferably 0.1 Pa or more.
導入されるガス(スパッタリングガス)としては、例えば、不活性ガスが挙げられ、好ましくは、アルゴンガスである。また、反応性ガス(例えば、酸素)を併用することもできる。 The gas introduced (sputtering gas) may be, for example, an inert gas, preferably argon gas. A reactive gas (for example, oxygen) may also be used in combination.
スパッタリングガスおよび反応性ガスの合計導入量に対する、反応性ガスの導入量の割合としては、例えば、0.1流量%以上、好ましくは、1.0流量%以上、より好ましくは、2.0流量%以上、また、例えば、10.0流量%以下、好ましくは、8.0流量%以下、より好ましくは、5.0流量%以下である。 The ratio of the amount of reactive gas introduced to the total amount of sputtering gas and reactive gas introduced is, for example, 0.1 flow% or more, preferably 1.0 flow% or more, more preferably 2.0 flow% or more, and for example, 10.0 flow% or less, preferably 8.0 flow% or less, more preferably 5.0 flow% or less.
スパッタリングガスおよび反応性ガスの合計導入量に対する、反応性ガスの導入量の割合を調整することで、光透過性導電層2において、結晶粒6の粒径を調整することができる。 By adjusting the ratio of the amount of reactive gas introduced to the total amount of sputtering gas and reactive gas introduced, the grain size of the crystal grains 6 in the light-transmitting conductive layer 2 can be adjusted.
これによって、非晶質の光透過性導電層2と、基材層3とを備える、非晶質の光透過性導電性シート1を得る。 This results in an amorphous light-transmitting conductive sheet 1 comprising an amorphous light-transmitting conductive layer 2 and a base layer 3.
<第3工程>
第3工程では、非晶質の光透過性導電層2を加熱する。例えば、加熱装置(例えば、赤外線ヒーター、および、熱風オーブン)によって、非晶質の光透過性導電層2を加熱する。
<Third step>
In the third step, the amorphous light-transmitting conductive layer 2 is heated. For example, the amorphous light-transmitting conductive layer 2 is heated by a heating device (for example, an infrared heater and a hot air oven).
加熱温度は、例えば、80℃以上、好ましくは、110℃以上、また、例えば、200℃未満、好ましくは、180℃以下である。また、加熱時間は、例えば、1分以上、好ましくは、10分間以上、より好ましくは、20分間以上、また、例えば、24時間以下、好ましくは、4時間以下、より好ましくは、1時間以下である。 The heating temperature is, for example, 80°C or higher, preferably 110°C or higher, and, for example, less than 200°C, preferably 180°C or lower. The heating time is, for example, 1 minute or more, preferably 10 minutes or more, more preferably 20 minutes or more, and, for example, 24 hours or less, preferably 4 hours or less, more preferably 1 hour or less.
これにより、図2Eに示すように、非晶質の光透過性導電層2が結晶化され、結晶質の光透過性導電層2が形成される。 As a result, the amorphous light-transmitting conductive layer 2 is crystallized to form a crystalline light-transmitting conductive layer 2, as shown in FIG. 2E.
これにより、光透過性導電層2が得られるとともに、光透過性導電層2と、基材層3とを備える、光透過性導電性シート1が得られる。 This results in a light-transmitting conductive layer 2, and a light-transmitting conductive sheet 1 comprising the light-transmitting conductive layer 2 and the base layer 3.
その後、光透過性導電層2をパターンニングすることもできる。パターンニングは、例えば、エッチングによって実施される。 The light-transmitting conductive layer 2 can then be patterned. The patterning can be performed, for example, by etching.
<作用効果>
本発明は、第1主面と、第1主面と厚み方向に対向する第2主面とを備える、光透過性導電層であって、光透過性導電層の厚みは、50nm超過であり、光透過性導電層は、結晶粒を有し、結晶粒の平均結晶粒径は、105nm以下である。そのため、低抵抗であり、さらに、屈曲性に優れる。
<Action and effect>
The present invention provides a light-transmitting conductive layer having a first main surface and a second main surface opposed to the first main surface in a thickness direction, the light-transmitting conductive layer having a thickness of more than 50 nm and having crystal grains with an average crystal grain size of 105 nm or less, and therefore having low resistance and excellent flexibility.
具体的には、光透過性導電層は、厚みが50nm超過であるため、低抵抗であり、さらに、結晶粒を有し、その平均結晶粒径が105nm以下であるため、屈曲性に優れる。 Specifically, the light-transmitting conductive layer has a thickness of more than 50 nm, so it has low resistance, and furthermore, it has crystal grains with an average crystal grain size of 105 nm or less, so it has excellent flexibility.
また、本発明の光透過性導電層を備える、光透過性導電性シートは、低抵抗であり、さらに、屈曲性に優れる。 In addition, the light-transmitting conductive sheet having the light-transmitting conductive layer of the present invention has low resistance and excellent flexibility.
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなど該当記載の上限(「以下」、「未満」として定義されている数値)または下限(「以上」、「超過」として定義されている数値)に代替することができる。 The present invention will be described in more detail below with reference to examples and comparative examples. Note that the present invention is in no way limited to the examples and comparative examples. Furthermore, the specific numerical values of the blending ratio (content ratio), physical property values, parameters, etc. used in the following description can be replaced with the upper limit (a numerical value defined as "equal to or less than") or lower limit (a numerical value defined as "equal to or more than" or "exceeding") of the corresponding blending ratio (content ratio), physical property value, parameter, etc. described in the above "Form for carrying out the invention."
実施例1
<光透過性導電性シートの製造>
[第1工程]
長尺の透明基材として、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(厚さ100μm、三菱ケミカル社製)のロールを用意し、PETフィルムの厚み方向一方面に、熱硬化型の樹脂組成物C1を塗布し、塗膜を形成した。樹脂組成物C1の塗膜を、185℃で1分間加熱し、硬化させた。これにより、厚さ35nmの光学調整層を形成した。なお、樹脂組成物C1は、メラミン樹脂100質量部と、アルキド樹脂100質量部と、有機シラン縮合物50質量部とを含む樹脂組成物である。次いで、PETフィルムの厚み方向他方面に、紫外線硬化型の樹脂組成物C2を塗布し、塗膜を形成した。樹脂組成物C2の塗膜を、紫外線照射によって、硬化させた。これにより、厚さ2μmのハードコート層を形成した。なお、樹脂組成物C2は、アクリル樹脂を含む樹脂組成物である。
Example 1
<Production of Light-Transmitting Conductive Sheet>
[First step]
A roll of polyethylene terephthalate (PET) film (thickness 100 μm, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was prepared as a long transparent substrate, and a thermosetting resin composition C1 was applied to one surface in the thickness direction of the PET film to form a coating film. The coating film of the resin composition C1 was heated at 185 ° C. for 1 minute to be cured. This formed an optical adjustment layer with a thickness of 35 nm. The resin composition C1 is a resin composition containing 100 parts by mass of melamine resin, 100 parts by mass of alkyd resin, and 50 parts by mass of an organic silane condensate. Next, a UV-curable resin composition C2 was applied to the other surface in the thickness direction of the PET film to form a coating film. The coating film of the resin composition C2 was cured by UV irradiation. This formed a hard coat layer with a thickness of 2 μm. The resin composition C2 is a resin composition containing an acrylic resin.
これにより、基材層(ハードコート層と、透明基材と、光学調整層とを厚み方向一方側に向かって順に備える)を作製した。 This produced a substrate layer (having a hard coat layer, a transparent substrate, and an optical adjustment layer in that order toward one side in the thickness direction).
[第2工程]
基材層(光学調整層)の厚み方向一方面に、反応性スパッタリング法により、厚さ125nmの非晶質光透過性導電層を積層(配置)した。反応性スパッタリング法では、ロールトゥロール方式で成膜プロセスを実施できるスパッタ成膜装置(DCマグネトロンスパッタリング装置)を使用した。
[Second step]
An amorphous light-transmitting conductive layer having a thickness of 125 nm was laminated (disposed) on one surface of the substrate layer (optical adjustment layer) in the thickness direction by a reactive sputtering method. In the reactive sputtering method, a sputtering film formation device (DC magnetron sputtering device) capable of performing a film formation process by a roll-to-roll method was used.
詳しくは、ターゲットとして、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体(酸化スズ濃度は10質量%)を用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、DC電源を用いた。ターゲット上の水平磁場強度は90mTとした。基材層の搬送速度は、2.0m/分とした。成膜温度(基材層の温度)は、-8℃とした。 In detail, a sintered body of indium oxide and tin oxide (tin oxide concentration: 10% by mass) was used as the target. A DC power supply was used as the power supply for applying voltage to the target. The horizontal magnetic field strength above the target was 90 mT. The transport speed of the substrate layer was 2.0 m/min. The film formation temperature (temperature of the substrate layer) was -8°C.
また、スパッタ成膜装置が備える成膜室内の到達真空度が、0.8×10-4Paに至るまでスパッタ成膜装置内を真空排気した後、スパッタ成膜装置内に、スパッタリングガスとしてアルゴンと、反応性ガスとして酸素とを導入し、スパッタ成膜装置内の気圧を0.4Paとした。なお、スパッタ成膜装置に導入されるアルゴンおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は約3.4流量%であった。 The sputtering deposition apparatus was evacuated until the ultimate vacuum in the deposition chamber of the sputtering deposition apparatus reached 0.8×10 −4 Pa, after which argon was introduced as a sputtering gas and oxygen as a reactive gas into the sputtering deposition apparatus, and the pressure in the sputtering deposition apparatus was set to 0.4 Pa. The ratio of the amount of oxygen introduced to the total amount of argon and oxygen introduced into the sputtering deposition apparatus was approximately 3.4 flow %.
これにより、厚さ125nmの非晶質の光透過性導電層を備える、光透過性導電性シートを得た。 This resulted in a light-transmitting conductive sheet with an amorphous light-transmitting conductive layer 125 nm thick.
[第3工程]
非晶質の光透過性導電層を備える、光透過性導電性シートを、熱風オーブンにて、155℃で30分間加熱し、光透過性導電層を結晶化させた。
[Third step]
The light-transmitting conductive sheet having the amorphous light-transmitting conductive layer was heated in a hot air oven at 155° C. for 30 minutes to crystallize the light-transmitting conductive layer.
これにより、光透過性導電層と、光透過性導電層の第2主面の側(厚み方向他方側)に基材層とを備える、実施例1の光透過性導電性シートを得た。 This resulted in the production of the light-transmitting conductive sheet of Example 1, which includes a light-transmitting conductive layer and a base layer on the second main surface side of the light-transmitting conductive layer (the other side in the thickness direction).
比較例1
第2工程において、スパッタリングガスとしてクリプトンを用いたこと以外は、実施例1と同様にして光透過性導電性シートを得た。
Comparative Example 1
A light-transmitting conductive sheet was obtained in the same manner as in Example 1, except that in the second step, krypton was used as the sputtering gas.
比較例2
第3工程において、光透過性導電性シートを、加熱せず、非晶質の光透過性導電層を結晶化させなかったこと以外は、実施例1と同様にして光透過性導電性シートを得た。
Comparative Example 2
A light-transmitting conductive sheet was obtained in the same manner as in Example 1, except that in the third step, the light-transmitting conductive sheet was not heated and the amorphous light-transmitting conductive layer was not crystallized.
<評価>
[光透過性導電層の厚み]
実施例1および各比較例の光透過性導電層の厚みを、電界放射型透過電子顕微鏡(FE-TEM)観察(断面観察)により測定した。具体的には、まず、集束イオンビーム(FIB)マイクロサンプリング法により、実施例1および各比較例の光透過性導電層の断面観察用サンプルを作製した。FIBマイクロサンプリング法では、FIB装置(商品名「FB2200」、Hitachi製)を使用し、加速電圧を10kVとした。次いで、断面観察用サンプルにおける光透過性導電層の厚さを、FE-TEM観察によって測定した。FE-TEM観察では、FE-TEM装置(商品名「JEM-2800」、JEOL製)を使用し、加速電圧を200kVとした。その結果を表1に示す。
<Evaluation>
[Thickness of Light-Transmitting Conductive Layer]
The thickness of the light-transmitting conductive layer of Example 1 and each Comparative Example was measured by field emission transmission electron microscope (FE-TEM) observation (cross-sectional observation). Specifically, first, a cross-sectional observation sample of the light-transmitting conductive layer of Example 1 and each Comparative Example was prepared by a focused ion beam (FIB) microsampling method. In the FIB microsampling method, an FIB device (trade name "FB2200", manufactured by Hitachi) was used, and the acceleration voltage was set to 10 kV. Next, the thickness of the light-transmitting conductive layer in the cross-sectional observation sample was measured by FE-TEM observation. In the FE-TEM observation, an FE-TEM device (trade name "JEM-2800", manufactured by JEOL) was used, and the acceleration voltage was set to 200 kV. The results are shown in Table 1.
[抵抗値]
実施例1および比較例の光透過性導電性シートの抵抗値(R0)を、四端子法にて、測定した。抵抗値に関して、次の基準で評価した。その結果を表1に示す。
[Resistance value]
The resistance values (R0) of the light-transmitting conductive sheets of Example 1 and Comparative Example were measured by a four-terminal method. The resistance values were evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 1.
{基準}
〇:40Ω/□以下
×:40Ω/□超過
{standard}
〇: Below 40Ω/□ ×: Over 40Ω/□
[結晶粒径(平面視)]
実施例1および比較例1の光透過性導電性シートを切り出し、ウルトラミクロトームの試料ホルダに固定した。次いで、光透過性導電層面に対して極鋭角にミクロトームナイフを設置し、切断面が光透過性導電層と略平行となるように切削して観察試料を得た。この観察試料をFE-TEM装置(商品名「JEM-2800」、JEOL製)を使用し、加速電圧;200kVとして、光透過性導電層の平面視における結晶粒を撮影した(直接倍率:100,000倍)。なお、撮影範囲は、約1400nm×1400nmとした。次いで、撮影された画像を画像解析処理することにより、結晶粒界によって規定される領域(各結晶粒界内領域)に存在するピクセルの数から、各結晶粒界内領域の面積を求め、その面積と同じ面積の円の直径を結晶粒径(円相当径)として算出し、平均結晶粒径、最大結晶粒径を求めた。また、FE-TEMにより観察(撮影)した結晶粒における、結晶粒径が100nm以上の結晶粒の数を求め、観察した結晶粒の総数に対する、100nm以上の結晶粒の含有割合を求めた。また、同様にして、150nm以上の結晶粒の含有割合を求めた。その結果を表1に示す。なお、比較例2の光透過性導電性シートは、非晶質であるため、結晶粒を有さない。
[Crystal grain size (planar view)]
The light-transmitting conductive sheets of Example 1 and Comparative Example 1 were cut out and fixed to a sample holder of an ultramicrotome. Next, a microtome knife was placed at an extremely acute angle to the light-transmitting conductive layer surface, and the cut surface was cut so as to be approximately parallel to the light-transmitting conductive layer to obtain an observation sample. This observation sample was photographed using an FE-TEM device (trade name "JEM-2800", manufactured by JEOL) with an acceleration voltage of 200 kV to photograph the crystal grains in a planar view of the light-transmitting conductive layer (direct magnification: 100,000 times). The photographed range was about 1400 nm x 1400 nm. Next, the photographed image was subjected to image analysis processing to determine the area of each crystal grain boundary region from the number of pixels present in the region defined by the crystal grain boundaries (each crystal grain boundary region), and the diameter of a circle having the same area as the area was calculated as the crystal grain size (circle equivalent diameter), and the average crystal grain size and the maximum crystal grain size were obtained. Furthermore, the number of crystal grains with a crystal grain size of 100 nm or more among the crystal grains observed (photographed) by FE-TEM was determined, and the content ratio of crystal grains with a crystal grain size of 100 nm or more to the total number of crystal grains observed was determined. Similarly, the content ratio of crystal grains with a crystal grain size of 150 nm or more was determined. The results are shown in Table 1. Note that the light-transmitting conductive sheet of Comparative Example 2 is amorphous and therefore does not have crystal grains.
[屈曲性]
実施例1および各比較例の光透過性導電性シートを、それぞれ幅10mm、長さ150mmに切断した。この切断した光透過性導電性シートを、光透過性導電層が外側となる状態かつ基材層の厚み方向他方面(ハードコート層)がマンドレルと接触する状態となるように、マンドレルの上に配置した。次いで、光透過性導電性シートの長さ方向の両端をクリップで留め、そのクリップの中央に1000gの重りを取り付けた。すなわち、光透過性導電性シートの幅に対して100g/mmの荷重を、下側に向かって印加して、光透過性導電性シートを折り曲げた。この折り曲げ状態を10秒間持続させた。折り曲げ状態で、屈曲部をマジックで塗った後、折り曲げ状態を開放し、マジック塗り部を顕微鏡にて観察した。マンドレルの直径を大径から小径に1mmごとに変更していき、このマジック塗り部の観察において、クラックが確認できなかった最小の径を表1に示す。クラックが確認できなかった径が小さいほど、耐屈曲性に優れる。なお、マンドレルの直径を変更するごとに、新たな光透過性導電性シートを用いた。
[Flexibility]
The light-transmitting conductive sheets of Example 1 and each of the comparative examples were cut to a width of 10 mm and a length of 150 mm. The cut light-transmitting conductive sheets were placed on the mandrel so that the light-transmitting conductive layer was on the outside and the other surface in the thickness direction of the base layer (hard coat layer) was in contact with the mandrel. Then, both ends of the light-transmitting conductive sheet in the length direction were clipped, and a weight of 1000 g was attached to the center of the clip. That is, a load of 100 g/mm was applied downward with respect to the width of the light-transmitting conductive sheet to fold the light-transmitting conductive sheet. This folded state was maintained for 10 seconds. In the folded state, the bent portion was painted with a marker, and the folded state was released, and the painted portion was observed with a microscope. The diameter of the mandrel was changed from a large diameter to a small diameter every 1 mm, and the smallest diameter at which no cracks were observed in the observation of the painted portion is shown in Table 1. The smaller the diameter at which no cracks were observed, the better the bending resistance. Each time the diameter of the mandrel was changed, a new light-transmitting conductive sheet was used.
1 光透過性透明導電性シート
2 光透過性導電層
3 基材層
21 第1主面
22 第2主面
Reference Signs List 1: Light-transmitting transparent conductive sheet 2: Light-transmitting conductive layer 3: Base layer 21: First main surface 22: Second main surface
Claims (6)
前記光透過性導電層の厚みは、50nm超過であり、
前記光透過性導電層は、結晶粒を有し、
前記結晶粒の平均結晶粒径は、105nm以下であり、
前記結晶粒の総数に対する、結晶粒径が100nm以上の結晶粒の含有割合は、5%以上、80%以下であり、
前記光透過性導電層の比抵抗は、3.0×10 -4 Ω・cm以下である、光透過性導電層。 A light-transmitting conductive layer having a first main surface and a second main surface opposed to the first main surface in a thickness direction,
The thickness of the light-transmitting conductive layer is greater than 50 nm;
the light-transmitting conductive layer has crystal grains,
The average crystal grain size of the crystal grains is 105 nm or less,
The content ratio of crystal grains having a crystal grain size of 100 nm or more to the total number of the crystal grains is 5% or more and 80% or less,
The optically transparent conductive layer has a specific resistance of 3.0×10 −4 Ω·cm or less .
前記光透過性導電層の厚みは、50nm超過であり、
前記光透過性導電層は、インジウムスズ複合酸化物からなり、
前記光透過性導電層は、結晶粒を有し、
前記結晶粒は、最大結晶粒径が110nm以上の結晶粒を含み、
前記結晶粒の平均結晶粒径は、105nm以下であり、
前記光透過性導電層の比抵抗は、3.0×10 -4 Ω・cm以下である、光透過性導電層。 A light-transmitting conductive layer having a first main surface and a second main surface opposed to the first main surface in a thickness direction,
The thickness of the light-transmitting conductive layer is greater than 50 nm;
the light-transmitting conductive layer is made of an indium tin composite oxide;
the light-transmitting conductive layer has crystal grains,
The crystal grains include crystal grains having a maximum crystal grain size of 110 nm or more,
The average crystal grain size of the crystal grains is 105 nm or less,
The optically transparent conductive layer has a specific resistance of 3.0×10 −4 Ω·cm or less .
前記光透過性導電層の前記第1主面および/または前記第2主面の側に、基材層と
を備える、光透過性導電性シート。 The light-transmitting conductive layer according to any one of claims 1 to 5,
A light-transmitting conductive sheet comprising a base material layer on the side of the first main surface and/or the second main surface of the light-transmitting conductive layer.
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