JP7624837B2 - 研磨用組成物 - Google Patents
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Description
本発明の一実施形態において、砥粒と、ケイ素原子を含む研磨対象物の研磨速度向上剤と、液体キャリアと、を含み、前記砥粒は、その表面がカチオン修飾されており、前記研磨速度向上剤が、αケト酸を含む、研磨用組成物が提供される。かかる実施形態によれば、ケイ素原子を含む材料を高速で研磨することのできる新規な研磨用組成物を提供することができる。
本発明の一実施形態において、研磨用組成物は、砥粒を含み、前記砥粒の表面がカチオン修飾されている。表面がカチオン修飾された砥粒を用いないと本発明の所期の効果が奏されない虞がある。
ρは、シラノール基密度(個/nm2)を表わし;
cは、滴定に用いた水酸化ナトリウム溶液の濃度(mol/L)を表わし;
Vは、pHを4.0から9.0に上げるのに要した水酸化ナトリウム溶液の容量(L)
を表わし;
NAは、アボガドロ定数(個/mol)を表わし;
Cは、砥粒の合計質量(固形分)(g)を表わし;
Sは、砥粒のBET比表面積の加重平均値(nm2/g)を表わす。
本発明の一実施形態において、研磨用組成物は、ケイ素原子を含む研磨対象物の研磨速度向上剤を含み、前記研磨速度向上剤が、αケト酸を含む。よって、本発明では、αケト酸を含む、ケイ素原子含有研磨対象物の研磨速度向上剤が提供される。本発明の一実施形態において、前記αケト酸が、以下:
本発明の一実施形態において、研磨用組成物は、酸化剤を含んでもよい。
本発明の一実施形態において、研磨用組成物は、液体キャリアを含む。液体キャリアは、各成分を分散または溶解させる機能を有する。本発明の一実施形態において、前記液体キャリアが有機溶媒を含む場合、当該有機溶媒の含有量が、7質量%未満、6質量%以下、4質量%以下、2質量%以下、あるいは、1質量%以下である。なお、有機溶媒としては、例えば、モノアルコール、ジアルコール及びセロソルブ類からなる群より選ばれる少なくとも一種等が挙げられる。本発明の一実施形態において、前記液体キャリアは、水のみである。本発明の一実施形態において、水は、研磨対象物の汚染や他の成分の作用を阻害するという観点から、不純物をできる限り含有しない水が好ましい。ここで、水の純度は、例えば、イオン交換樹脂を用いる不純物イオンの除去、フィルタによる異物の除去、蒸留等の操作によって高めることができる。具体的には、水としては、例えば、脱イオン水(イオン交換水)、純水、超純水、蒸留水等を用いることが好ましい。
本発明の一実施形態において、前記研磨用組成物のpHが、2.5超、2.6以上、2.7以上、2.8以上、2.9以上、3.0以上、3.2以上、3.5以上、3.8以上、4.0以上、4.5以上、5.0以上、5.5以上、あるいは、5.8以上である。前記研磨用組成物のpHが、2.5以下であると、本発明の所期の効果を奏しない場合がある。本発明の一実施形態において、前記研磨用組成物のpHが、11以下、9以下、7以下、7未満、6.8以下、6.6以下、6.4以下、6.2以下、6以下、6未満、5.8以下、5.6以下、5.4以下、5.2以下、5.2以下、5以下、4.8以下、4.6以下、4.4以下、4.2以下、4以下、4未満、3.8以下、3.6以下、3.4以下、あるいは、3.2以下である。本明細書において、研磨用組成物のpHは、実施例に記載の方法に従って測定することができる。
本発明の一実施形態において、研磨対象物は、ケイ素原子を含む。ケイ素原子を含む研磨対象物としては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、酸化ケイ素、シリコン窒化物等である。本発明の一実施形態において、ケイ素原子を含む研磨対象物は、例えば、3価の元素(例えば、ホウ素、ガリウム、インジウム)の少なくとも1種がドープされてなる。本発明の一実施形態において、研磨対象物は、チタン原子を含む。チタン原子を含む研磨対象物としては、窒化チタンのほか、チタン、チタン合金等が挙げられる。
本発明の一実施形態において、研磨用組成物は、他の添加剤を含んでも、含まなくてもよい。他の添加剤としては、具体的には、錯化剤、金属防食剤、防腐剤、防カビ剤、還元剤、水溶性高分子、難溶性の有機物を溶解するための有機溶媒等が挙げられる。なお、本明細書中で使用される「含まない」との用語は、該当成分が、研磨用組成物中に全く含まれない他に、0.5質量ppm以下含む場合もその範疇である。
錯化剤は、研磨対象物の表面を化学的にエッチングする作用を有し、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度をより効果的に向上させうる。
金属防食剤は、金属の溶解を防ぐことで研磨表面の面荒れ等の表面状態の悪化を抑えるよう作用する。
さらに、研磨用組成物に必要であれば含まれうる防腐剤および防カビ剤としては、例えば、2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オンや5-クロロ-2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類、およびフェノキシエタノール等が挙げられる。これら防腐剤および防カビ剤は、単独でもまたは2種以上混合して用いてもよい。
本発明の一実施形態によれば、研磨用組成物の電気伝導度(EC)の下限は、0.01mS/cm以上、0.1mS/cm以上、0.2mS/cm以上、0.3mS/cm以上、0.4mS/cm以上、0.5mS/cm以上、0.6mS/cm以上、0.8mS/cm以上、あるいは、1.0mS/cm以上である。本発明の一実施形態によれば、研磨用組成物の電気伝導度(EC)の上限は、10mS/cm以下、5mS/cm以下、3mS/cm以下、2mS/cm以下、1.8mS/cm以下、1.5mS/cm以下、1.2mS/cm以下、1mS/cm以下、0.8mS/cm以下、あるいは、0.6mS/cm以下である。研磨用組成物の電気伝導度は、pH調整剤や研磨速度向上剤等の含有量を適宜変更することにより調整することができる。なお、研磨用組成物の電気伝導度は、卓上型電気伝導度計(株式会社堀場製作所製、型番:DS-71)により測定される値である。
上述のとおり全ての実施形態の組み合わせが本願では開示されていると理解されなければならないが以下では研磨用組成物の実施形態の特に好ましい組み合わせ等について説明を行う。
本発明の一実施形態によれば、研磨用組成物の製造方法は、特に制限されない。研磨用組成物の製造方法は、例えば、砥粒と、ケイ素原子を含む研磨対象物の研磨速度向上剤と、液体キャリアと、を混合することを含み、前記砥粒は、その表面がカチオン修飾されており、前記研磨速度向上剤が、αケト酸を含む。各成分を混合する際の温度は特に制限されないが、10~40℃が好ましく、溶解速度を上げるために加熱してもよい。また、混合時間も特に制限されない。
本発明においては、上記の研磨用組成物を用いて、研磨対象物の研磨を行うことを有する、研磨対象物の研磨方法が提供される。また、本発明においては、当該研磨方法を用いて、研磨前基板を研磨することを有する、基板の製造方法が提供される。本発明の一実施形態において、基板としては、上記の[研磨対象物]で列挙した対象が好適である。
研磨用組成物を、表1に示される組成の、表面にアミノ基が固定化された砥粒と、研磨速度向上剤(比較例は、その類似物質)と、pH調整剤と、さらに、酸化剤(31%H2O2)3.0g/kgとを水中で攪拌混合することによって調製した(混合温度:約25℃、混合時間:約10分)。なお、表1中の「-」は、その成分を添加しなかったことを意味する。
砥粒の平均一次粒子径は、マイクロメリテックス社製の“Flow SorbII 2300”を用いて測定されたBET法による砥粒の比表面積と、砥粒の密度とから算出した。
砥粒の平均二次粒子径は、Microtrac社製の“UPA-UT151”を用いて測定された動的光散乱法により算出した。
研磨用組成物のpHは、ガラス電極式水素イオン濃度指示計(株式会社堀場製作所製 型番:F-23)を使用し、標準緩衝液(フタル酸塩pH緩衝液pH:4.01(25℃)、中性リン酸塩pH緩衝液pH:6.86(25℃)、炭酸塩pH緩衝液pH:10.01(25℃))を用いて3点校正した後で、ガラス電極を研磨用組成物に入れて、2分以上経過して安定した後の値を測定することにより決定した。
研磨用組成物を大塚電子株式会社製ELS-Z2に供し、測定温度25℃でフローセルを用い、レーザードップラー法(電気泳動光散乱測定法)により測定を行った。得られたデータをSmoluchowskiの式で解析することにより、研磨用組成物中の砥粒のゼータ電位を算出した。
研磨対象物として、
・200mmウェハ(TEOS(酸化ケイ素膜))、
・200mmウェハ(SiN(窒化ケイ素膜))、
・200mmウェハ(TiN(窒化チタン膜))、
を準備した。
研磨機:片面CMP研磨機(ENGIS)
研磨パッド:ポリウレタン製パッド(IC1010:ロームアンドハース社製)
圧力:3.4psi
プラテン(定盤)回転数:100rpm
ヘッド(キャリア)回転数:100rpm
研磨用組成物の流量:100ml/min
ドレス:Diamond Disk(in-situ condition)。
Claims (11)
- 砥粒と、
ケイ素原子を含む研磨対象物の研磨速度向上剤と、
液体キャリアと、
を含み、
前記砥粒は、その表面がカチオン修飾されており、
前記研磨速度向上剤が、αケト酸を含む、ケイ素原子を含む研磨対象物を研磨するための研磨用組成物。 - pHが2.5超である、請求項1に記載の研磨用組成物。
- さらにチタン原子を含む研磨対象物を研磨するための、請求項1または2に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒の単位表面積あたりのシラノール基数が、2.0個/nm2超である、請求項1~3のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記液体キャリアが有機溶媒を含む場合、当該有機溶媒の含有量が、7質量%未満である、請求項1~4のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒の会合度が、1.8超である、請求項1~5のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒のゼータ電位が、正である、請求項1~6のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒が、セリアを除く砥粒である、請求項1~7のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒が、シリカである、請求項8に記載の研磨用組成物。
- 前記αケト酸が、以下:
の一般式で示され、R1が、アルキル基、カルボキシルアルキル基またはアルコキシカルボニルアルキル基である、請求項1~9のいずれか1項に記載の研磨用組成物。 - 前記αケト酸が、ピルビン酸、2-オキソグルタル酸およびオキサル酢酸からなる群から選択される少なくとも1種である、請求項10に記載の研磨用組成物。
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| JP2017110177A (ja) | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 日立化成株式会社 | 研磨液、研磨液セット及び基体の研磨方法 |
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