JP7626638B2 - Constant voltage power supply circuit - Google Patents
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Description
本発明は、所定の出力電圧を供給可能な定電圧電源回路に関する。 The present invention relates to a constant voltage power supply circuit capable of supplying a predetermined output voltage.
所定の出力電圧を供給可能な電源回路として、例えばレギュレータ回路等により構成された定電圧電源回路が用いられている。 A constant voltage power supply circuit composed of, for example, a regulator circuit, is used as a power supply circuit capable of supplying a predetermined output voltage.
定電圧電源回路の従来例として、例えば特許文献1には、起動時や過負荷時に内部の消費電流を制限し、オーバシュートの発生を抑制できるようにした定電圧電源回路が開示されている。
As a conventional example of a constant-voltage power supply circuit, for example,
定電圧電源回路では、出力電流に対する出力電圧の変動特性、いわゆるロードレギュレーション特性の改善が課題となっている。最近では、定電圧電源回路を搭載したバッテリー駆動機器等の機器の動作時間を延ばすために、定電圧電源回路の消費電流の低減化が年々進んでいる。このような状況で、特に出力電流の少ない軽負荷時において出力電流に対する出力電圧の低下が大きくなるため、ロードレギュレーション特性の改善が求められている。 In constant-voltage power supply circuits, the issue is how to improve the fluctuation characteristics of the output voltage relative to the output current, known as the load regulation characteristics. Recently, in order to extend the operating time of battery-powered devices and other equipment equipped with constant-voltage power supply circuits, the current consumption of constant-voltage power supply circuits has been reduced year by year. Under these circumstances, there is a large drop in the output voltage relative to the output current, especially when the output current is low and the load is light, so there is a demand for improvements in the load regulation characteristics.
本発明は、出力電流の少ない軽負荷時を含めて、ロードレギュレーション特性を改善することが可能な定電圧電源回路を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a constant voltage power supply circuit that can improve load regulation characteristics, including under light loads with low output current.
本発明は、ソースが第1電源に接続され、ドレインより所定の出力電圧を得る第1導電型の第1トランジスタと、出力端から前記出力電圧と基準電圧との差分に比例する電圧を出力して、前記第1トランジスタのゲートに供給する誤差増幅器と、前記第1トランジスタとソースが相互に接続され、前記第1トランジスタの出力電流に応じたドレイン電流が流れる第1導電型の第2トランジスタを含み、前記誤差増幅器の出力端から前記第2トランジスタの前記ドレイン電流に応じた電流を引き込み、前記誤差増幅器の出力特性を遷移させる正帰還回路と、前記誤差増幅器の出力端と前記正帰還回路との間に設けられ、前記第2トランジスタのゲートに前記第1トランジスタのゲート電圧に対して偏位した電圧であるバイアス電圧を供給して、前記第2トランジスタの前記ドレイン電流を増やすバイアス回路と、を備えた定電圧電源回路を提供する。 The present invention provides a constant voltage power supply circuit comprising: a first transistor of a first conductivity type having a source connected to a first power supply and obtaining a predetermined output voltage from a drain; an error amplifier that outputs a voltage proportional to a difference between the output voltage and a reference voltage from an output terminal and supplies the voltage to a gate of the first transistor; a second transistor of a first conductivity type having a source mutually connected to the first transistor and through which flows a drain current corresponding to the output current of the first transistor, a positive feedback circuit that draws a current corresponding to the drain current of the second transistor from the output terminal of the error amplifier and transitions the output characteristics of the error amplifier; and a bias circuit that is provided between the output terminal of the error amplifier and the positive feedback circuit and supplies a bias voltage, which is a voltage displaced with respect to the gate voltage of the first transistor , to the gate of the second transistor, thereby increasing the drain current of the second transistor .
また、本発明は、上記の定電圧電源回路であって、前記正帰還回路は、前記第2トランジスタと、カレントミラーを構成する第2導電型の第3トランジスタ及び第4トランジスタと、を有し、前記第3トランジスタのドレイン及びゲートが前記第2トランジスタのドレインに接続され、前記第4トランジスタのドレインが前記誤差増幅器の出力端に接続される、定電圧電源回路を提供する。 The present invention also provides the above constant voltage power supply circuit, in which the positive feedback circuit has the second transistor and a third and fourth transistor of a second conductivity type that form a current mirror, the drain and gate of the third transistor are connected to the drain of the second transistor, and the drain of the fourth transistor is connected to the output terminal of the error amplifier.
また、本発明は、上記の定電圧電源回路であって、前記バイアス回路は、前記誤差増幅器の出力端にゲートが接続され、ドレインが前記第1電源に接続された第2導電型の第5トランジスタを含み、前記第2トランジスタのゲートが前記第5トランジスタのソースに接続される、定電圧電源回路を提供する。 The present invention also provides the above constant voltage power supply circuit, in which the bias circuit includes a fifth transistor of a second conductivity type, the gate of which is connected to the output terminal of the error amplifier and the drain of which is connected to the first power supply, and the gate of the second transistor is connected to the source of the fifth transistor.
また、本発明は、上記の定電圧電源回路であって、前記バイアス回路が供給する前記バイアス電圧は、前記第1トランジスタの前記出力電流の増加に応じて増加する、定電圧電源回路を提供する。 The present invention also provides a constant-voltage power supply circuit as described above, in which the bias voltage supplied by the bias circuit increases in response to an increase in the output current of the first transistor.
また、本発明は、上記の定電圧電源回路であって、前記バイアス回路は、前記誤差増幅器の出力端にゲートが接続され、ドレインが前記第1電源に接続された第2導電型の第5トランジスタと、前記第5トランジスタに直列接続され、前記第5トランジスタのドレインに定電流を供給する第1の電流源と、前記第1の電流源と並列接続され、前記第5トランジスタに前記出力電流に比例した電流を供給する第2の電流源と、を含み、前記第2トランジスタのゲートが前記第5トランジスタのソースに接続される、定電圧電源回路を提供する。 The present invention also provides the above constant voltage power supply circuit, in which the bias circuit includes a fifth transistor of a second conductivity type, the gate of which is connected to the output terminal of the error amplifier and the drain of which is connected to the first power supply, a first current source connected in series to the fifth transistor and supplying a constant current to the drain of the fifth transistor, and a second current source connected in parallel to the first current source and supplying a current proportional to the output current to the fifth transistor, and the gate of the second transistor is connected to the source of the fifth transistor.
本発明によれば、出力電流の少ない軽負荷時を含めて、ロードレギュレーション特性を改善することが可能な定電圧電源回路を提供できる。 The present invention provides a constant voltage power supply circuit that can improve load regulation characteristics, including under light loads with low output current.
以下、本発明に係る定電圧電源回路を具体的に開示した実施形態(以下、「本実施形態」という)について、図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, an embodiment of the constant voltage power supply circuit according to the present invention (hereinafter, referred to as the "present embodiment") will be described in detail with reference to the drawings.
(本実施形態に至る背景)
まず、比較例として従来より用いられる定電圧電源回路の一例を説明する。
(Background to the present embodiment)
First, an example of a conventional constant voltage power supply circuit will be described as a comparative example.
図12は、比較例の定電圧電源回路の構成を示す回路図である。定電圧電源回路50は、第1電源端子51、第2電源端子52、出力端子53、電流源54、基準電圧源55、誤差増幅器56を有する。第1電源端子51は、高電位電源としての第1の電源電圧VDDが印加される。第2電源端子52は、低電位電源としての第2の電源電圧VSS(VSS<VDD)が印加される。出力端子53は、電源回路の出力として出力電圧VREGを出力する。
Figure 12 is a circuit diagram showing the configuration of a constant voltage power supply circuit of a comparative example. The constant voltage
定電圧電源回路50は、トランジスタMN4,MN5,MN6,MP3,MP4により構成される誤差増幅器56を有する。誤差増幅器56は、NMOS型のトランジスタMN4,MN5,MN6により構成される差動回路と、カレントミラー接続されたPMOS型のトランジスタMP3,MP4により構成される差動回路の能動負荷とを有する。また、トランジスタMN6とカレントミラー接続されたNMOS型のトランジスタMN7を有する。トランジスタMN7は、ゲートとドレインが電流源54に接続され、電流源54の電流ISをトランジスタMN6にバイアス電流として供給する。
The constant voltage
誤差増幅器56は、反転入力端561に基準電圧VRを供給する基準電圧源55が接続され、非反転入力端562に出力電圧検出回路57が接続される。誤差増幅器56の出力端563には、出力用のPMOS型のトランジスタMP1のゲートが接続される。トランジスタMP1は、ソースが第1電源端子51に接続され、ドレインが出力端子53及び出力電圧検出回路57に接続されている。出力電圧検出回路57は、出力端子53と第2電源端子52との間に直列接続された抵抗R3,R4により構成され、抵抗R3,R4の共通接続点が誤差増幅器56の非反転入力端562に接続され、出力電圧VREGを検出する。定電圧電源回路50は、基準電圧源55の基準電圧VRと、抵抗R3,R4により出力電圧が抵抗分圧されて得られた帰還信号電圧との差が誤差増幅器56により増幅され、出力用のトランジスタMP1へ印加されることで、出力電圧VREGが所定値となるような構成となっている。
The
定電圧電源回路50は、PMOS型のトランジスタMP2と、NMOS型のトランジスタMN1,MN2とを含んで構成される正帰還回路58を有する。トランジスタMP2は、ソースが第1電源端子51に接続され、ゲートが誤差増幅器56の出力端563に接続されている。トランジスタMN1,MN2は、カレントミラーを構成し、トランジスタMN1のゲートとドレインがトランジスタMP2のドレインに接続され、トランジスタMN2のドレインが誤差増幅器56の出力端563に接続され、トランジスタMP2のドレイン電流をトランジスタMN2のドレインにミラーする。
The constant voltage
上記のように構成された定電圧電源回路50において、トランジスタMP1のドレインに流れる出力電流に応じて、正帰還回路58のトランジスタMP2のドレインには、出力電流に比例したドレイン電流が流れる。また、正帰還回路58において、トランジスタMP2のドレイン電流に比例した電流が、トランジスタMN2のドレインにミラーされる。このため、誤差増幅器56の出力端563では、トランジスタMN2によってトランジスタMP1の出力電流に比例する電流が引き込まれ、誤差増幅器56の出力特性が遷移する。正帰還回路58を設けることにより、誤差増幅器56が本来持つ利得に加えて正帰還回路58の利得が加えられ、トランジスタMP1の出力電圧に応じてゲート電圧を変化させることができ、出力電圧のロードレギュレーション特性を改善できる。
In the constant voltage
図12の構成では、出力電流が大きくなる通常負荷時には、トランジスタMP1が強反転領域での動作となり、トランジスタMP2のドレイン電流も十分大きいため、正帰還回路58によりロードレギュレーション特性が大きく改善される。しかし、出力電流が少なくなる軽負荷時には、トランジスタMP1がサブスレッショルド領域(弱反転領域)での動作となり、トランジスタMP2のドレイン電流は微小になるため、正帰還回路58による効果が十分に得られないという課題がある。
In the configuration of FIG. 12, during normal load conditions when the output current is large, transistor MP1 operates in the strong inversion region, and the drain current of transistor MP2 is also sufficiently large, so the
本実施形態では、上記事情に鑑み、出力電流が少ない領域でのロードレギュレーション特性を改善することが可能な定電圧電源回路の構成例を示す。 In this embodiment, in consideration of the above circumstances, an example of the configuration of a constant voltage power supply circuit that can improve the load regulation characteristics in areas with low output current is shown.
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態の定電圧電源回路の構成を示す回路図である。本実施形態の定電圧電源回路10は、第1電源端子(VDD)1、第2電源端子(VSS)2、出力端子(VREG)3、電流源(IS)4、基準電圧源(VR)5、誤差増幅器6を有する。第1電源端子1は、第1電源である高電位電源としての第1の電源電圧VDDが印加される。第2電源端子2は、第2電源である低電位電源としての第2の電源電圧VSS(VSS<VDD)が印加される。出力端子3は、電源回路の出力として出力電圧VREGを出力する。電流源4は、第1電源端子1に接続され、電流ISを供給する電流源である。基準電圧源5は、基準電圧VRを供給する電圧源である。
(First embodiment)
1 is a circuit diagram showing the configuration of a constant voltage power supply circuit according to a first embodiment. The constant voltage
定電圧電源回路10は、NMOS型のトランジスタ(NMOSトランジスタ)MN4,MN5,MN6と、PMOS型のトランジスタ(PMOSトランジスタ)MP3,MP4とを含んで構成される誤差増幅器6を有する。トランジスタMN4,MN5,MN6は、差動回路を構成する。トランジスタMP3,MP4は、カレントミラー接続され、トランジスタMN4~MN6による差動回路の能動負荷を構成する。また、トランジスタMN6とカレントミラー接続されたNMOS型のトランジスタMN7を有する。トランジスタMN7は、ゲートとドレインが電流源4に接続され、電流源4の電流ISをトランジスタMN6にバイアス電流として供給する。
The constant voltage
誤差増幅器6は、反転入力端61に基準電圧源5が接続され、非反転入力端62に出力電圧検出回路7が接続される。誤差増幅器6の出力端63には、出力用のトランジスタであるPMOS型のトランジスタMP1のゲートが接続される。トランジスタMP1は、第1導電型の第1トランジスタに相当し、ソースが第1電源端子1に接続され、ドレインが出力端子3及び出力電圧検出回路7に接続され、ドレインより所定の出力電圧を得る。出力電圧検出回路7は、出力端子3と第2電源端子2との間に直列接続された抵抗R3,R4により構成され、抵抗R3,R4の共通接続点が誤差増幅器6の非反転入力端62に接続され、出力電圧VREGを検出する。誤差増幅器6は、出力電圧VREGと基準電圧VRとの差分に比例する電圧をトランジスタMP1のゲートに供給する。
The
このように、定電圧電源回路10は、基準電圧源5の基準電圧VRと、抵抗R3,R4により出力電圧が抵抗分圧されて得られた帰還信号電圧との差が誤差増幅器6により増幅され、出力用のトランジスタMP1へ印加される。これにより、基準電圧と帰還信号電圧との差が零となるように制御され、出力電圧VREGが所定値の定電圧となるように構成とされる。
In this way, the constant voltage
定電圧電源回路10は、PMOS型のトランジスタMP2と、NMOS型のトランジスタMN1,MN2とを含んで構成される正帰還回路8を有する。トランジスタMP2は、第1導電型の第2トランジスタに相当し、トランジスタMP1とソースが相互に接続され、ゲートが後述するバイアス回路9を介して誤差増幅器6の出力端63に接続されている。トランジスタMN1は、第2導電型の第3トランジスタに相当し、ゲートとドレインがトランジスタMP2のドレインに接続され、ソースが第2電源端子2に接続されている。トランジスタMN2は、第2導電型の第4トランジスタに相当し、ドレインが誤差増幅器6の出力端63に接続され、ゲートがトランジスタMN1のゲートに接続され、ソースが第2電源端子2に接続されている。これらトランジスタMN1,MN2はカレントミラーを構成し、トランジスタMP2のドレイン電流をトランジスタMN2のドレインにミラーする。
The constant voltage
定電圧電源回路10において、トランジスタMP1のドレインに流れる出力電流に応じて、正帰還回路8のトランジスタMP2のドレインには、出力電流に比例したドレイン電流が流れる。また、正帰還回路8において、トランジスタMP2のドレイン電流に比例した電流が、トランジスタMN2のドレインにミラーされる。
In the constant voltage
トランジスタMP2は、トランジスタMP1とゲート長が等しく、トランジスタMP2,MP1のゲート幅の比はMP2:MP1=1:nに設定されている(n>1)。トランジスタMP2にバイアス電圧を印加しない場合、トランジスタMP2,MP1のゲート-ソース間電圧は共通であるため、トランジスタMP2のドレイン電流は、トランジスタMP1のドレイン電流の1/nとなる。 Transistor MP2 has the same gate length as transistor MP1, and the ratio of the gate widths of transistors MP2 and MP1 is set to MP2:MP1 = 1:n (n>1). When no bias voltage is applied to transistor MP2, the gate-source voltage of transistors MP2 and MP1 is common, so the drain current of transistor MP2 is 1/n of the drain current of transistor MP1.
正帰還回路8のトランジスタMN1,MN2は、そのゲート幅比がMN1:MN2=m:1に設定されている(mは正の値)。このため、トランジスタMN2のドレインを誤差増幅器6の出力端63に接続した場合、トランジスタMN2は、誤差増幅器6の出力端63からトランジスタMP1の出力電流量の1/(m×n)の電流を引き込み、誤差増幅器6の出力特性を大きく遷移させることができる。これにより、誤差増幅器6が本来持つ利得に加えて正帰還回路8の利得が加えられるので、トランジスタMP1の出力電圧に応じてゲート電圧を変化させることができ、ロードレギュレーション特性を改善できる。
The gate width ratio of transistors MN1 and MN2 in the
出力電流が全くない無負荷の場合には、トランジスタMP1は抵抗R3,R4に流れる電流のみを供給する。定電圧電源回路に低消費電流化が求められる場合、抵抗R3、R4は数MΩの高い抵抗値のものが用いられる。このとき、負荷を駆動するトランジスタMP1は、サブスレッショルド領域(弱反転領域)で動作するよう誤差増幅器6により制御される。出力電流が徐々に増加すると、トランジスタMP1は強反転領域での動作へ移る。
When there is no load and no output current, transistor MP1 supplies only the current flowing through resistors R3 and R4. When low current consumption is required for the constant voltage power supply circuit, resistors R3 and R4 with a high resistance value of several MΩ are used. At this time, transistor MP1, which drives the load, is controlled by
定電圧電源回路10の出力電圧VREGは、出力電流が少ない軽負荷の領域では、トランジスタMP1がサブスレッショルド領域(弱反転領域)で動作するため、電圧が大きく変動する。出力電流がより増大すると、強反転領域での動作となり出力電圧VREGは出力電流に対して2乗の特性へと移り、電圧が下降する軌跡を辿る。
In the light load region where the output current is small, the output voltage VREG of the constant voltage
定電圧電源回路10の出力電圧特性は、ロードレギュレーション特性として表すことができ、ロードレギュレーション特性は出力電流の任意の2点I1,I2の間での出力電圧VREGの下降傾斜の度合で表され、一般に以下の式(1)で定義される。
The output voltage characteristic of the constant voltage
上記式において、VR1:出力電流がI1のときの出力電圧、VR2:出力電流がI2のときの出力電圧である。ロードレギュレーション特性は、定電圧電源回路の性能指標の1つとして用いられ、この特性の良し悪しが回路選択の重要な要素となる。出力電流の全領域に渡ってロードレギュレーション特性を改善するためには、式(1)のLRの値が小さい方が望ましい。 In the above formula, VR1 is the output voltage when the output current is I1, and VR2 is the output voltage when the output current is I2. The load regulation characteristic is used as one of the performance indicators of a constant voltage power supply circuit, and the quality of this characteristic is an important factor in circuit selection. To improve the load regulation characteristic over the entire range of output current, it is desirable for the value of LR in formula (1) to be small.
本実施形態の定電圧電源回路10は、正帰還回路8におけるトランジスタMP2のゲートと誤差増幅器6の出力端63との間に、バイアス電圧VBを印加するバイアス回路9を有する。バイアス回路9は定電圧源として機能し、バイアス回路9よりトランジスタMP2のゲートにバイアス電圧VBを印加して順方向にバイアスすることによって、トランジスタMP2に所定量以上のドレイン電流を流すことが可能となる。
The constant voltage
図2は、トランジスタMP2におけるバイアス電圧の有無によるドレイン電流特性の変化の一例を示す特性図である。図2において、定電圧電源回路10の出力電流に対するトランジスタMP2のドレイン電流の変化を示している。バイアス電圧を印加しない場合、トランジスタMP2は、破線で示す特性のように出力電流に比例してドレイン電流が流れる。バイアス電圧を印加すると、トランジスタMP2は、実線で示す特性のように出力電流が少ない領域で多くのドレイン電流が流れるようになる。
Figure 2 is a characteristic diagram showing an example of the change in drain current characteristics of transistor MP2 depending on whether or not a bias voltage is applied. Figure 2 shows the change in the drain current of transistor MP2 relative to the output current of the constant-voltage
図3は、第1の実施形態の定電圧電源回路の具体的な構成例を示す回路図である。図3の定電圧電源回路10Aは、バイアス回路9の具体的な回路構成例を示したものである。ここでは、図1に示した定電圧電源回路10の構成と異なる部分を中心に説明し、同様の構成要素については同一符号を付して説明を省略する。
Figure 3 is a circuit diagram showing a specific example of the configuration of the constant-voltage power supply circuit of the first embodiment. The constant-voltage
バイアス回路9は、NMOS型のトランジスタMN8,MN9を有して構成される。トランジスタMN8は、第1の電流源として機能し、トランジスタMN6,MN7とカレントミラー接続され、電流源4の電流IS(定電流)をトランジスタMN9に供給する。トランジスタMN9は、第2導電型の第5トランジスタに相当し、トランジスタMP2のゲートと誤差増幅器6の出力端63との間に設けられる。具体的には、トランジスタMN9のゲートが誤差増幅器6の出力端63に接続され、ドレインが第1電源端子1に接続され、トランジスタMN9のソースとトランジスタMN8のドレインとが相互に接続される。トランジスタMN9のソースとトランジスタMN8のドレインとの接続点に、トランジスタMP2のゲートが接続される。
The
図3の構成において、トランジスタMP1のゲート-ソース間電圧をVgs1、トランジスタMP2のゲート-ソース間電圧をVgs2とする。バイアス回路9のトランジスタMN9のゲート-ソース間電圧は、バイアス電圧VBに相当する。バイアス回路9を設けてバイアス電圧VBを印加することによって、正帰還回路8のトランジスタMP2のゲートの電圧が誤差増幅器6の出力端63の電圧より低くなる。具体的には、トランジスタMP2のゲート-ソース間電圧Vgs2はVgs2=Vgs1+VBとトランジスタMN9のゲート-ソース間電圧分大きくなり、Vgs2>Vgs1となるので、トランジスタMP1のゲート電圧に比べてトランジスタMP2のゲート電圧の方が低くなる。このため、トランジスタMP2のドレイン電流は、バイアス電圧を印加しない場合に比べて増加する。このとき、トランジスタMP2のドレイン電流は、トランジスタMP1のドレイン電流の1/n+α(αはバイアス電圧印加により増加した電流)となる。
In the configuration of FIG. 3, the gate-source voltage of transistor MP1 is Vgs1, and the gate-source voltage of transistor MP2 is Vgs2. The gate-source voltage of transistor MN9 of
図4は、本実施形態における出力電圧特性の一例を示す特性図である。図4において、実線が図1及び図3に示す本実施形態の構成における出力電流に対する出力電圧の変化を、破線が図12に示した比較例の構成における出力電流に対する出力電圧の変化を、それぞれ示している。 Figure 4 is a characteristic diagram showing an example of the output voltage characteristic in this embodiment. In Figure 4, the solid line shows the change in output voltage with respect to the output current in the configuration of this embodiment shown in Figures 1 and 3, and the dashed line shows the change in output voltage with respect to the output current in the configuration of the comparative example shown in Figure 12.
比較例では、出力電流が少ない領域において、トランジスタMP1がサブスレッショルド領域(弱反転領域)で動作するため、出力電圧が大きく低下する。これに対し、本実施形態の構成では、バイアス回路9を設けることによって、出力電流が少ない軽負荷時においても、通常負荷時と同様に誤差増幅器6の利得に加えて正帰還回路8の利得が加えられ、トランジスタMP1のゲート電圧を変化させることができる。このため、出力電流が少ない領域において、トランジスタMP2のドレイン電流を所定量以上流すことができ、出力電流が少ない領域でも誤差増幅器6に補正をかけることができる。よって、出力電圧の電圧降下を大幅に緩やかな特性に改善できる。
In the comparative example, in the region where the output current is small, transistor MP1 operates in the subthreshold region (weak inversion region), so the output voltage drops significantly. In contrast, in the configuration of this embodiment, by providing a
図4の出力電圧特性において、出力電流がI2になる点での出力電圧の値VR2は、比較例のVR2bから本実施形態のVR2aへと増加しており、ロードレギュレーション特性LRは、比較例のLRbから本実施形態のLRaへと改善している。このように、本実施形態によれば、出力電流の全領域においてロードレギュレーション特性をさらに改善することができる。特に、出力電流の少ない軽負荷時の出力電圧変動を抑制でき、出力電流の全領域におけるロードレギュレーション特性を改善可能である。 In the output voltage characteristic of FIG. 4, the output voltage value VR2 at the point where the output current becomes I2 increases from VR2b in the comparative example to VR2a in this embodiment, and the load regulation characteristic LR improves from LRb in the comparative example to LRa in this embodiment. In this way, according to this embodiment, it is possible to further improve the load regulation characteristic over the entire range of the output current. In particular, it is possible to suppress output voltage fluctuations during light loads where the output current is small, and it is possible to improve the load regulation characteristic over the entire range of the output current.
(第2の実施形態)
図5は、第2の実施形態の定電圧電源回路の構成を示す回路図である。第2の実施形態の定電圧電源回路10Bは、第1の実施形態の定電圧電源回路10Aの構成に加えて、正帰還回路8Bにおいて、トランジスタMP2のドレインとトランジスタMN1のドレインとの間に、第1抵抗素子としての抵抗R1が設けられる。ここでは、図3に示した定電圧電源回路10Aの構成と異なる部分を中心に説明し、同様の構成要素については同一符号を付して説明を省略する。
Second Embodiment
5 is a circuit diagram showing the configuration of a constant-voltage power supply circuit according to the second embodiment. In addition to the configuration of the constant-voltage
第1の実施形態の定電圧電源回路10Aでは、誤差増幅器6の出力端63の電圧から生成した電流により、誤差増幅器6の出力端63に正帰還を掛ける構成となっている。このため、帰還量によっては発振のリスクを伴うことも考えられる。
In the first embodiment of the constant voltage
第2の実施形態の定電圧電源回路10Bでは、正帰還回路8Bにおいて、トランジスタMP2のドレインとトランジスタMN1のドレインとの間に抵抗R1を挿入して、正帰還回路8Bの帰還量を制限する。この抵抗R1によって、トランジスタMP1の出力電流が増加し、トランジスタMP2のドレイン電流が大きく増加した場合に、誤差増幅器6の出力端63への帰還量を減少させ、発振のリスクを低減させている。このように、本実施形態によれば、出力電流が少ない領域でのロードレギュレーション特性を改善できるとともに、正帰還を掛けることによる発振を抑制することができる。
In the constant voltage
(第3の実施形態)
図6は、第3の実施形態の定電圧電源回路の構成を示す回路図である。第3の実施形態の定電圧電源回路10Cは、第2の実施形態の定電圧電源回路10Bの抵抗R1を置き換えた他の構成例である。ここでは、図5に示した定電圧電源回路10Bの構成と異なる部分を中心に説明し、同様の構成要素については同一符号を付して説明を省略する。
Third Embodiment
6 is a circuit diagram showing the configuration of a constant-voltage power supply circuit according to the third embodiment. The constant-voltage
定電圧電源回路10Cは、正帰還回路8Cにおいて、トランジスタMP2のドレインとトランジスタMN1のドレインとの間に、ゲートとソースを接続したトランジスタMN3が設けられる。トランジスタMN3は、第2導電型のデプレッション型トランジスタに相当し、NMOS型のデプレッショントランジスタにより構成される。トランジスタMN3は、ドレインがトランジスタMP2のドレインと接続され、ゲート及びソースがトランジスタMN1のドレインに接続され、バックゲートがトランジスタMN1のソース及びバックゲートと接続される。
In the constant voltage
第2の実施形態のように正帰還回路8Bに抵抗R1を挿入接続した構成としても、発振のリスクが低減できない場合には、第3の実施形態の正帰還回路8Cのように、抵抗R1に代えてトランジスタMN3を挿入接続する。トランジスタMP2に流れるドレイン電流が増加すると、トランジスタMN3のドレイン電圧が上昇するため、トランジスタMN3のソース・バックゲート間の電位差が拡大する。この結果、トランジスタMN3のバックゲート効果により、そのスレショルド電圧が高くなり、ドレイン・ソース間の抵抗がより高抵抗化する。これにより、トランジスタMP1が大きな出力電流を流す際には、誤差増幅器6への帰還量をさらに減らすことができる。したがって、本実施形態によれば、出力電流が少ない領域でのロードレギュレーション特性を改善できるとともに、正帰還を掛けることによる発振のリスクをさらに低減できる。
If the risk of oscillation cannot be reduced even if resistor R1 is inserted and connected to
(第4の実施形態)
図7は、第4の実施形態の定電圧電源回路の構成を示す回路図である。第4の実施形態の定電圧電源回路10Dは、第1の実施形態の定電圧電源回路10Aの構成に加えて、正帰還回路8Dにおいて、出力側のトランジスタMN2のソース及びバックゲートと第2電源端子2との間に、第2抵抗素子としての抵抗R2が設けられる。ここでは、図3に示した定電圧電源回路10Aの構成と異なる部分を中心に説明し、同様の構成要素については同一符号を付して説明を省略する。
(Fourth embodiment)
7 is a circuit diagram showing the configuration of a constant-voltage power supply circuit according to the fourth embodiment. In addition to the configuration of the constant-voltage
定電圧電源回路10Dでは、正帰還回路8Dにおいて、トランジスタMN2のソース及びバックゲートと第2電源端子2との間に抵抗R2を挿入して、トランジスタMN2に流れる電流制限を行う構成としている。このような構成においても、第2の実施形態の定電圧電源回路10B、第3の実施形態の定電圧電源回路10Cと同様に、トランジスタMP1が大きな出力電流を流す際には、誤差増幅器6への帰還量を減らすことができる。したがって、本実施形態によれば、出力電流が少ない領域でのロードレギュレーション特性を改善できるとともに、正帰還を掛けることによる発振を抑制することができる。
In the constant voltage
(第5の実施形態)
図8は、第5の実施形態の定電圧電源回路の構成を示す回路図である。第5の実施形態の定電圧電源回路10Eは、第1の実施形態の定電圧電源回路10を構成するバイアス回路9に代えてバイアス回路9Eが設けられている。第5の実施形態のバイアス回路9Eは、出力電流が増加するに従ってバイアス電圧VBも増加するように構成されている。具体的には、トランジスタMP1とカレントミラー接続されるトランジスタMP5を設ける。トランジスタMP5には、トランジスタMP1のドレインに流れる出力電流に比例するドレイン電流が流れる。このトランジスタMP5のドレイン電流の増加に応じてバイアス電圧VBが増加する構成となっている。
Fifth Embodiment
8 is a circuit diagram showing the configuration of a constant voltage power supply circuit of the fifth embodiment. A constant voltage
上述した誤差増幅器6は、出力電流が増加するに従って入力端61、62の電圧差(オフセット)が増加し、これによって出力電圧VREGが減少していた。第5の実施形態によれば、出力電流が増加するに従って、誤差増幅器6の出力端63から正帰還回路8によって引き込まれる電流量(オフセット補正量)を第1の実施形態よりも増加することができるため、出力電流に対する出力電圧の変化量をより一層低減することができる。
In the above-mentioned
図9は、トランジスタMP2におけるバイアス電圧の有無、増加によるドレイン電流特性の変化の一例を示す特性図である。同図に示すように、バイアス電圧を印加しない場合、トランジスタMP2は、一点鎖線で示す特性のように出力電流に比例してドレイン電流が流れる。一定のバイアス電圧を印加すると、トランジスタMP2は、破線で示す特性のように出力電流が少ない領域で多くのドレイン電流が流れるようになるが、出力電流が多い領域ではバイアスを印加しない場合に比べて出力電流の増加に対するドレイン電流の増加量が少なくなる。出力電流の増加に応じてバイアス電圧を増加させると、トランジスタMP2は、実線で示す特性のように、一定のバイアス電圧を印加する場合と同様に出力電流が少ない領域で多くのドレイン電流が流れるようになる。さらに、出力電流が大きい領域ではバイアスを印加しない場合とほぼ同等に出力電流に比例してドレイン電流が流れる。 Figure 9 is a characteristic diagram showing an example of the change in drain current characteristics due to the presence or absence and increase of bias voltage in transistor MP2. As shown in the figure, when no bias voltage is applied, transistor MP2 has a drain current proportional to the output current as shown by the dashed line. When a constant bias voltage is applied, transistor MP2 has a large drain current in the region where the output current is small as shown by the dashed line, but in the region where the output current is large, the increase in drain current with respect to the increase in output current is smaller than when no bias is applied. When the bias voltage is increased in response to the increase in output current, transistor MP2 has a large drain current in the region where the output current is small, as in the case where a constant bias voltage is applied, as shown by the solid line. Furthermore, in the region where the output current is large, the drain current flows in proportion to the output current almost the same as when no bias is applied.
図10は、第5の実施形態の定電圧電源回路の具体的な構成例を示す回路図である。図10の定電圧電源回路10Fは、バイアス回路9Eの具体的な回路例を示したものである。ここでは、図8に示した定電圧電源回路10Eの構成と異なる部分を中心に説明し、同様の構成要素については同一符号を付して説明を省略する。
Figure 10 is a circuit diagram showing a specific example of the configuration of the constant-voltage power supply circuit of the fifth embodiment. The constant-voltage
バイアス回路9Eは、NMOS型のトランジスタMN8,MN9,MN10,MN11と、PMOS型のトランジスタMP5と、を有して構成される。トランジスタMN8,MN9の接続については、上述した図3に示す実施形態と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
The
トランジスタMP5,MN10,MN11は、トランジスタMN9のドレインに出力電流に比例した電流を供給する第2の電流源として機能する。トランジスタMP5は、トランジスタMP1とソース、ゲートが相互に接続され、トランジスタMP1のドレインに流れる出力電流に比例したドレイン電流が流れる。トランジスタMN10,MN11は、カレントミラー接続されている。トランジスタMN10は、ゲートとドレインがトランジスタMP5のドレインに接続され、ソースが第2の電源電圧VSSに接続されている。トランジスタMN11は、トランジスタMN10とゲートが相互に接続され、ソースが第2の電源電圧VSSに接続され、ドレインがトランジスタMN9のソースとトランジスタMN8のドレインとに接続される。このように、図10の定電圧電源回路10Fでは第2の電流源が第1の電流源と並列接続されている。
Transistors MP5, MN10, and MN11 function as a second current source that supplies a current proportional to the output current to the drain of transistor MN9. The source and gate of transistor MP5 are connected to those of transistor MP1, and a drain current proportional to the output current flowing to the drain of transistor MP1 flows through the transistors. Transistors MN10 and MN11 are connected in a current mirror configuration. The gate and drain of transistor MN10 are connected to the drain of transistor MP5, and the source is connected to the second power supply voltage VSS. The gate of transistor MN11 is connected to that of transistor MN10, and the source is connected to the second power supply voltage VSS, and the drain is connected to the source of transistor MN9 and the drain of transistor MN8. In this way, in the constant voltage
以上の構成により、トランジスタMP5の出力電流に比例したドレイン電流をトランジスタMN11のドレインにミラーする。そして、トランジスタMN9のドレイン電流は、トランジスタMN8にミラーされた定電流ISと、トランジスタMN11にミラーされた出力電流に比例した電流とを合わせた電流となる。結果、バイアス電圧VBであるトランジスタMN9のゲート-ソース間電圧は、定電流ISと出力電流との双方に比例した電圧となり、出力電流の増加に応じてバイアス電圧VBも増加することができる。 With the above configuration, a drain current proportional to the output current of transistor MP5 is mirrored to the drain of transistor MN11. The drain current of transistor MN9 is the sum of the constant current IS mirrored to transistor MN8 and the current proportional to the output current mirrored to transistor MN11. As a result, the gate-source voltage of transistor MN9, which is the bias voltage VB, is a voltage proportional to both the constant current IS and the output current, and the bias voltage VB can also increase in accordance with an increase in the output current.
図11は、第5の実施形態における出力電圧特性の一例を示す特性図である。図11において、実線が図8及び図10に示す第5の実施形態の構成における出力電流に対する出力電圧の変化を、破線が図1及び図3に示す第1の実施形態の構成における出力電流に対する出力電圧の変化を、それぞれ示している。 Figure 11 is a characteristic diagram showing an example of the output voltage characteristic in the fifth embodiment. In Figure 11, the solid line shows the change in output voltage with respect to the output current in the configuration of the fifth embodiment shown in Figures 8 and 10, and the dashed line shows the change in output voltage with respect to the output current in the configuration of the first embodiment shown in Figures 1 and 3.
第1の実施形態の構成では、バイアス電圧VBが一定であるため、出力電流が大きい領域では、出力電流の増加に応じて多少、出力電圧が低下してしまう。これに対して、第5の実施形態の構成によれば、出力電流の増加に応じてバイアス電圧VBを増加することにより、出力電流が多い領域において出力電圧の電圧降下をより一層緩やかな特性に改善できる。 In the configuration of the first embodiment, the bias voltage VB is constant, so in areas where the output current is large, the output voltage drops somewhat as the output current increases. In contrast, in the configuration of the fifth embodiment, the bias voltage VB is increased as the output current increases, making it possible to improve the voltage drop of the output voltage in areas where the output current is large, to an even more gradual characteristic.
以上説明したように、本実施形態によれば、定電圧電源回路の出力電流が小さい領域においても、出力電圧の変動を抑制でき、出力電流の全領域においてロードレギュレーション特性を改善することができる。このため、全電流領域での高精度動作が可能になり、ユーザの利便性を向上できる。 As described above, according to this embodiment, even in regions where the output current of the constant voltage power supply circuit is small, the output voltage fluctuation can be suppressed, and the load regulation characteristics can be improved over the entire range of output current. This enables high-precision operation over the entire current range, improving user convenience.
本実施形態の定電圧電源回路において、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタの一方を第1導電型のトランジスタ、反対極性となる他方を第2導電型のトランジスタとも称する。上述した実施形態の構成例では、PMOSトランジスタを第1導電型、NMOSトランジスタを第2導電型としている。 In the constant voltage power supply circuit of this embodiment, one of the PMOS transistor and the NMOS transistor is also referred to as a transistor of the first conductivity type, and the other, which has the opposite polarity, is also referred to as a transistor of the second conductivity type. In the configuration example of the above-mentioned embodiment, the PMOS transistor is the first conductivity type, and the NMOS transistor is the second conductivity type.
なお、上述した実施形態では、電源電圧がVDD>VSSの条件の場合で説明したが、電源電圧の高低関係が逆になる場合は、PMOSトランジスタをNMOSトランジスタに置き換え、NMOSトランジスタをPMOSトランジスタに置き換えればよい。この場合、NMOSトランジスタが第1導電型、PMOSトランジスタが第2導電型となる。 In the above embodiment, the power supply voltage is VDD>VSS. However, if the power supply voltage relationship is reversed, the PMOS transistors can be replaced with NMOS transistors, and the NMOS transistors can be replaced with PMOS transistors. In this case, the NMOS transistors are the first conductivity type, and the PMOS transistors are the second conductivity type.
以上、図面を参照しながら各種の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上記実施形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。 Although various embodiments have been described above with reference to the drawings, it goes without saying that the present invention is not limited to such examples. It is clear that a person skilled in the art can come up with various modified or revised examples within the scope of the claims, and it is understood that these also naturally fall within the technical scope of the present invention. Furthermore, the components in the above embodiments may be combined in any manner as long as it does not deviate from the spirit of the present invention.
本発明は、出力電流の少ない軽負荷時を含めて、ロードレギュレーション特性を改善することができる効果を有し、所定の出力電圧を供給可能な定電圧電源回路に有用である。 The present invention has the effect of improving the load regulation characteristics, including under light loads with low output current, and is useful for constant voltage power supply circuits capable of supplying a specified output voltage.
1:第1電源端子(高電位電源VDD)
2:第2電源端子(低電位電源VSS)
3:出力端子(VREG)
4:電流源(IS)
5:基準電圧源(VR)
6:誤差増幅器
7:出力電圧検出回路
8:正帰還回路
9:バイアス回路
10,10A~10F:定電圧電源回路
61:反転入力端、62:非反転入力端、63:出力端
MP1,MP2,MP3,MP4,MP5:トランジスタ(PMOSトランジスタ)
1: First power supply terminal (high potential power supply VDD)
2: Second power supply terminal (low potential power supply VSS)
3: Output terminal (VREG)
4: Current source (IS)
5: Reference voltage source (VR)
6: Error amplifier 7: Output voltage detection circuit 8: Positive feedback circuit 9:
MN1,MN2,MN3,MN4,MN5,MN6,MN7,MN8,MN9,MN10,MN11:トランジスタ(NMOSトランジスタ) MN1, MN2, MN3, MN4, MN5, MN6, MN7, MN8, MN9, MN10, MN11: Transistor (NMOS transistor)
Claims (5)
出力端から前記出力電圧と基準電圧との差分に比例する電圧を出力して、前記第1トランジスタのゲートに供給する誤差増幅器と、
前記第1トランジスタとソースが相互に接続され、前記第1トランジスタの出力電流に応じたドレイン電流が流れる第1導電型の第2トランジスタを含み、前記誤差増幅器の出力端から前記第2トランジスタの前記ドレイン電流に応じた電流を引き込み、前記誤差増幅器の出力特性を遷移させる正帰還回路と、
前記誤差増幅器の出力端と前記正帰還回路との間に設けられ、前記第2トランジスタのゲートに前記第1トランジスタのゲート電圧に対して偏位した電圧であるバイアス電圧を供給して、前記第2トランジスタの前記ドレイン電流を増やすバイアス回路と、
を備えた定電圧電源回路。 a first transistor of a first conductivity type having a source connected to a first power supply and having a drain from which a predetermined output voltage is obtained;
an error amplifier that outputs a voltage proportional to a difference between the output voltage and a reference voltage from an output terminal and supplies the voltage to a gate of the first transistor;
a positive feedback circuit including a second transistor of a first conductivity type , the source of which is connected to the first transistor and through which a drain current corresponding to an output current of the first transistor flows , the positive feedback circuit drawing a current corresponding to the drain current of the second transistor from an output terminal of the error amplifier and shifting an output characteristic of the error amplifier ;
a bias circuit provided between an output terminal of the error amplifier and the positive feedback circuit, the bias circuit supplying a bias voltage, which is a voltage offset with respect to a gate voltage of the first transistor , to a gate of the second transistor to increase the drain current of the second transistor ;
A constant voltage power supply circuit comprising:
前記正帰還回路は、
前記第2トランジスタと、カレントミラーを構成する第2導電型の第3トランジスタ及び第4トランジスタと、を有し、前記第3トランジスタのドレイン及びゲートが前記第2トランジスタのドレインに接続され、前記第4トランジスタのドレインが前記誤差増幅器の出力端に接続される、
定電圧電源回路。 2. The constant voltage power supply circuit according to claim 1,
The positive feedback circuit includes:
a third transistor and a fourth transistor of a second conductivity type which constitute a current mirror with the second transistor, the drain and gate of the third transistor being connected to the drain of the second transistor, and the drain of the fourth transistor being connected to an output terminal of the error amplifier;
Constant voltage power supply circuit.
前記バイアス回路は、
前記誤差増幅器の出力端にゲートが接続され、ドレインが前記第1電源に接続された第2導電型の第5トランジスタを含み、前記第2トランジスタのゲートが前記第5トランジスタのソースに接続される、
定電圧電源回路。 3. The constant voltage power supply circuit according to claim 1,
The bias circuit includes:
a fifth transistor of a second conductivity type having a gate connected to an output terminal of the error amplifier and a drain connected to the first power supply, the gate of the second transistor being connected to a source of the fifth transistor;
Constant voltage power supply circuit.
前記バイアス回路が供給する前記バイアス電圧は、前記第1トランジスタの前記出力電流の増加に応じて増加する、
定電圧電源回路。 3. The constant voltage power supply circuit according to claim 1,
the bias voltage supplied by the bias circuit increases in accordance with an increase in the output current of the first transistor;
Constant voltage power supply circuit.
前記バイアス回路は、
前記誤差増幅器の出力端にゲートが接続され、ドレインが前記第1電源に接続された第2導電型の第5トランジスタと、前記第5トランジスタに直列接続され、前記第5トランジスタのドレインに定電流を供給する第1の電流源と、前記第1の電流源と並列接続され、前記第5トランジスタに前記出力電流に比例した電流を供給する第2の電流源と、を含み、前記第2トランジスタのゲートが前記第5トランジスタのソースに接続される、
定電圧電源回路。 5. The constant voltage power supply circuit according to claim 4,
The bias circuit includes:
a fifth transistor of a second conductivity type, the gate of which is connected to an output terminal of the error amplifier and the drain of which is connected to the first power supply; a first current source connected in series to the fifth transistor and supplying a constant current to the drain of the fifth transistor; and a second current source connected in parallel to the first current source and supplying a current proportional to the output current to the fifth transistor, wherein the gate of the second transistor is connected to the source of the fifth transistor.
Constant voltage power supply circuit.
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