JP7626637B2 - Stabilized Power Supply Circuit - Google Patents
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Description
本発明は、安定化された出力電圧を供給可能な安定化電源回路に関する。 The present invention relates to a stabilized power supply circuit capable of supplying a stabilized output voltage.
レギュレータ回路等により構成された安定化電源回路の従来例として、例えば特許文献1には、出力トランジスタの出力端と安定化電源回路の出力端との間に位相補償用抵抗を設けた安定化電源回路が開示されている。この安定化電源回路では、位相補償用抵抗にて生成した位相補償用信号を比較増幅手段に帰還することにより、ESRと等価的な抵抗を挿入することなく、低ESRコンデンサを出力安定化コンデンサに使用できるようになっている。
As a conventional example of a stabilized power supply circuit composed of a regulator circuit, etc., for example,
安定化電源回路では、出力の安定化を図るため位相補償回路を有しているが、特に、出力電流が少ない領域でも安定した出力電圧を得ることが課題となっている。最近では、安定化電源回路を搭載したバッテリー駆動機器等の機器の動作時間を延ばすために、安定化電源回路の消費電流の低減化が年々進んでいる。このような状況で、特に出力電流の少ない軽負荷時において、位相補償特性の改善が求められている。 Stabilized power supply circuits have a phase compensation circuit to stabilize the output, but a particular challenge is obtaining a stable output voltage even in areas where the output current is low. Recently, efforts have been made to reduce the current consumption of stabilized power supply circuits year by year in order to extend the operating time of battery-powered devices and other equipment equipped with stabilized power supply circuits. Under these circumstances, there is a demand for improved phase compensation characteristics, especially when the output current is low under light loads.
本発明は、出力電流の少ない軽負荷時を含めて、位相補償特性を改善することが可能な安定化電源回路を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a stabilized power supply circuit that can improve phase compensation characteristics, including under light load conditions with low output current.
本発明は、基準電圧と出力電圧を分圧して得られた電圧との差が零となるようにして安定化された出力電圧を出力する安定化電源回路であって、ソースが第1電源に接続され、ドレインより前記出力電圧を得る第1導電型の第1トランジスタと、前記第1トランジスタとソースが相互に接続された第1導電型の第2トランジスタと、前記第2トランジスタのドレインとグランド又は第2電源との間に設けられた位相補償用抵抗素子と、前記位相補償用抵抗素子の前記第2トランジスタ側に接続された位相補償用キャパシタと、前記第2トランジスタのゲートに、前記第1トランジスタのゲート電圧に対して偏位した電圧であるバイアス電圧を供給するバイアス回路と、を備え、前記位相補償用抵抗素子の電圧が前記位相補償用キャパシタを介して、前記出力電圧を分圧した電圧に重畳され、前記バイアス回路は、第2導電型の第3トランジスタと、定電流源とを有し、前記第3トランジスタは、ゲートが前記第1トランジスタのゲートに接続され、ドレインが前記第1トランジスタのソースに接続され、ソースが前記第2トランジスタのゲートと前記定電流源とに接続される、
安定化電源回路を提供する。
The present invention provides a stabilized power supply circuit that outputs an output voltage stabilized such that a difference between a reference voltage and a voltage obtained by dividing an output voltage becomes zero, the stabilized output voltage comprising: a first transistor of a first conductivity type having a source connected to a first power supply and obtaining the output voltage from a drain; a second transistor of a first conductivity type having a source connected to the first transistor; a phase compensation resistor provided between the drain of the second transistor and ground or a second power supply; a phase compensation capacitor connected to the second transistor side of the phase compensation resistor; and a bias circuit that supplies a bias voltage to the gate of the second transistor , the bias voltage being a voltage shifted with respect to the gate voltage of the first transistor , the voltage of the phase compensation resistor being superimposed on a voltage obtained by dividing the output voltage via the phase compensation capacitor ; the bias circuit has a third transistor of a second conductivity type and a constant current source, the gate of the third transistor being connected to the gate of the first transistor, the drain being connected to the source of the first transistor, and the source being connected to the gate of the second transistor and the constant current source.
Provide a stabilized power supply circuit.
また、本発明は、上記の安定化電源回路であって、前記第1トランジスタのドレインに一端が接続され、前記出力電圧を分圧する分圧回路と、前記出力電圧を分圧した電圧と前記基準電圧との差に比例する電圧を前記第1トランジスタのゲートに供給する誤差増幅器と、を有し、前記位相補償用キャパシタは、一端が前記第2トランジスタのドレインと前記位相補償用抵抗素子に接続され、他端が前記分圧回路の共通接続点に接続される、安定化電源回路を提供する。 The present invention also provides the above-mentioned stabilized power supply circuit, which includes a voltage divider circuit having one end connected to the drain of the first transistor and dividing the output voltage, and an error amplifier supplying a voltage proportional to the difference between the voltage obtained by dividing the output voltage and the reference voltage to the gate of the first transistor, and the phase compensation capacitor has one end connected to the drain of the second transistor and the phase compensation resistor element, and the other end connected to a common connection point of the voltage divider circuit.
また、本発明は、基準電圧と出力電圧を分圧して得られた電圧との差が零となるようにして安定化された出力電圧を出力する安定化電源回路であって、ソースが第1電源に接続され、ドレインより前記出力電圧を得る第1導電型の第1トランジスタと、前記第1トランジスタとソースが相互に接続された第1導電型の第2トランジスタと、前記第2トランジスタのドレインとグランド又は第2電源との間に設けられた位相補償用抵抗素子と、前記位相補償用抵抗素子の前記第2トランジスタ側に接続された位相補償用キャパシタと、前記第2トランジスタのゲートに、前記第1トランジスタのゲート電圧に対して偏位した電圧であるバイアス電圧を供給するバイアス回路と、を備え、前記位相補償用抵抗素子の電圧が前記位相補償用キャパシタを介して、前記出力電圧を分圧した電圧に重畳され、前記バイアス回路が供給する前記バイアス電圧は、前記第1トランジスタの出力電流の増加に応じて増加する、安定化電源回路を提供する。 The present invention also provides a stabilized power supply circuit that outputs an output voltage stabilized such that a difference between a reference voltage and a voltage obtained by dividing an output voltage becomes zero, the stabilized power supply circuit comprising: a first transistor of a first conductivity type having a source connected to a first power supply and obtaining the output voltage from a drain; a second transistor of the first conductivity type having a source connected to the first transistor; a phase compensation resistor element provided between the drain of the second transistor and ground or a second power supply; a phase compensation capacitor connected to the second transistor side of the phase compensation resistor element; and a bias circuit that supplies a bias voltage, which is a voltage displaced with respect to the gate voltage of the first transistor, to the gate of the second transistor, wherein a voltage of the phase compensation resistor element is superimposed on a voltage obtained by dividing the output voltage via the phase compensation capacitor, and the bias voltage supplied by the bias circuit increases in accordance with an increase in the output current of the first transistor.
また、本発明は、上記の安定化電源回路であって、前記バイアス回路は、第2導電型の第3トランジスタと、定電流源と、前記定電流源に並列接続され、前記出力電流に比例した電流を供給する電流源と、を有し、前記第3トランジスタは、ゲートが前記第1トランジスタのゲートに接続され、ドレインが前記第1トランジスタのソースに接続され、ソースが前記第2トランジスタのゲートと、前記定電流源及び前記電流源とに接続される、安定化電源回路を提供する。 The present invention also provides the above-mentioned stabilized power supply circuit, in which the bias circuit includes a third transistor of the second conductivity type, a constant current source, and a current source connected in parallel to the constant current source and supplying a current proportional to the output current, and the third transistor has a gate connected to the gate of the first transistor, a drain connected to the source of the first transistor, and a source connected to the gate of the second transistor, the constant current source, and the current source.
本発明によれば、出力電流の少ない軽負荷時を含めて、位相補償特性を改善することが可能な安定化電源回路を提供できる。 The present invention provides a stabilized power supply circuit that can improve phase compensation characteristics, even under light loads with low output current.
以下、本発明に係る安定化電源回路を具体的に開示した実施形態(以下、「本実施形態」という)について、図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, an embodiment of the stabilized power supply circuit according to the present invention (hereinafter, referred to as the "present embodiment") will be described in detail with reference to the drawings.
(本実施形態に至る背景)
まず、比較例として従来より用いられる安定化電源回路の一例を説明する。
(Background to the present embodiment)
First, an example of a conventional stabilized power supply circuit will be described as a comparative example.
図10は、比較例の安定化電源回路の構成を示す回路図である。図6では、低飽和動作(LDO(Low Drop-Out))が可能で安定化電圧を出力するよう構成された電源回路(以下「LDOレギュレータ回路」という)の構成例を示している。 Figure 10 is a circuit diagram showing the configuration of a stabilized power supply circuit of a comparative example. Figure 6 shows an example of the configuration of a power supply circuit (hereinafter referred to as an "LDO regulator circuit") that is capable of low saturation operation (LDO (Low Drop-Out)) and is configured to output a stabilized voltage.
安定化電源回路50は、電源端子51、出力端子53、基準電圧源55、誤差増幅器56を有する。電源端子51には電源電圧VDDが印加され、出力端子53より電源回路の出力として出力電圧VOUTを出力する。誤差増幅器56は、反転入力端に基準電圧VREFを供給する基準電圧源55が接続され、出力端に出力用のPMOS型のトランジスタTr1のゲートが接続される。トランジスタTr1は、ソースが電源端子51に接続され、ドレインが出力端子53及び分圧回路57に接続されている。分圧回路57は、出力端子53とグランドとの間に直列接続された分圧抵抗R1,R2により構成され、分圧抵抗R1,R2の共通接続点が誤差増幅器56の非反転入力端に接続される。
The stabilized
安定化電源回路50は、基準電圧源55の基準電圧VREFと、出力電圧VOUTが分圧抵抗R1,R2により抵抗分圧されて得られた帰還信号電圧との差が誤差増幅器56により増幅され、出力用のトランジスタTr1へ印加されることで、出力電圧VOUTが所定値となるような構成となっている。
The stabilized
誤差増幅器56の出力端は、出力用のトランジスタTr1及び位相補償用のトランジスタTr2のゲートに接続されている。トランジスタTr2のドレインは、位相補償用の抵抗R3を介してグランドに接続される。位相補償用のトランジスタTr2は、出力用のトランジスタTr1のドレイン電流をミラーする。トランジスタTr2のドレインと抵抗R3との接続点と、分圧抵抗R1,R2の接続点との間に、位相補償用のコンデンサC1が接続されている。そして、分圧抵抗R1,R2とコンデンサC1との接続点は、誤差増幅器56の非反転入力端に接続されている。出力端子53とグランドとの間には、等価直列抵抗ESRを有する安定化用コンデンサCLが接続される。また、出力端子53には、安定化電源回路50の回路負荷としての負荷抵抗RLが接続される。
The output terminal of the
安定化電源回路50において、位相補償用のコンデンサC1の容量を安定化用コンデンサCLに比して充分小さな値とすることにより、高い周波数まで位相遅れの発生が回避される。また、誤差増幅器56の非反転入力端には、出力電圧VOUTを分圧した帰還信号電圧とともに、位相補償用の抵抗R3により発生された位相補償信号がコンデンサC1を介して印加される。これにより、誤差増幅器56の非反転入力端における周波数特性により位相の遅れを打ち消し、出力端子53に接続された安定化用コンデンサCLによって発生する極を打ち消すよう作用する。このため、安定化用コンデンサCLの等価直列抵抗ESRが小さくて安定化用コンデンサCLの容量値と等価直列抵抗ESRの抵抗値により決まるゼロ点周波数が高い周波数となっても、安定化電源回路の出力電圧VOUTが不安定になることが抑止される。
In the stabilized
上記比較例の構成では、通常負荷時には出力電圧の安定化用コンデンサCLとして低い等価直列抵抗ESRをもつセラミックコンデンサを用いることができる。しかし、出力電流が少ない軽負荷時には、出力用のトランジスタTr1のドレイン電流が少なくなり、位相補償用のトランジスタTr2はトランジスタTr1よりも小さなアスペクト比を有するため、トランジスタTr2はサブスレッショルド領域での動作となる。位相補償用のトランジスタTr2がサブスレッショルド動作中は、位相補償用の抵抗R3に電流を供給できず十分な位相補償信号が加えられないため、位相補償の効果が不十分となり発振する場合が生じ得るという課題がある。 In the configuration of the above comparative example, under normal load conditions, a ceramic capacitor with a low equivalent series resistance ESR can be used as the output voltage stabilization capacitor CL. However, under light load conditions with a small output current, the drain current of the output transistor Tr1 is small and the phase compensation transistor Tr2 has a smaller aspect ratio than the transistor Tr1, so that the transistor Tr2 operates in the subthreshold region. During subthreshold operation, the phase compensation transistor Tr2 cannot supply current to the phase compensation resistor R3 and therefore cannot apply a sufficient phase compensation signal, resulting in an insufficient phase compensation effect and possible oscillation.
本実施形態では、上記事情に鑑み、出力電流が少ない軽負荷時においても十分な位相補償を行うことが可能な安定化電源回路の構成例を示す。 In this embodiment, in consideration of the above circumstances, an example of the configuration of a stabilized power supply circuit that can perform sufficient phase compensation even when the output current is low and the load is light is shown.
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態の安定化電源回路の構成を示す回路図である。本実施形態では、安定化された電圧を出力するよう構成された電源回路において、出力電圧安定化用のコンデンサとして低い等価直列抵抗のコンデンサの使用を可能とした構成を示す。
First Embodiment
1 is a circuit diagram showing the configuration of a stabilized power supply circuit according to a first embodiment. In this embodiment, a power supply circuit configured to output a stabilized voltage is shown having a configuration that enables the use of a capacitor with a low equivalent series resistance as a capacitor for stabilizing the output voltage.
安定化電源回路10は、第1電源端子(VDD)1、出力端子(VOUT)3、基準電圧源(VREF)5、誤差増幅器(OP)6を有する。第1電源端子1は、第1電源である高電位電源としての電源電圧VDDが印加される。出力端子3は、電源回路の出力として出力電圧VOUTを出力する。誤差増幅器6は、反転入力端に基準電圧VREFを供給する基準電圧源5が接続され、出力端に出力用のトランジスタであるPMOS型のトランジスタMP1のゲートが接続される。トランジスタMP1は、第1導電型の第1トランジスタに相当し、ソースが第1電源端子1に接続され、ドレインが出力端子3及び分圧回路7に接続され、ドレインより所定の出力電圧を得る。分圧回路7は、出力端子3とグランドとの間に直列接続された分圧抵抗R1,R2により構成され、分圧抵抗R1,R2の共通接続点が誤差増幅器6の非反転入力端に接続され、出力電圧VOUTを分圧する。
The stabilized
安定化電源回路10では、出力電圧VOUTが分圧抵抗R1,R2により抵抗分圧されて帰還信号電圧として誤差増幅器6の非反転入力端へ印加される。そして、誤差増幅器6により反転入力端の基準電圧VREFと帰還信号電圧との差が増幅出力され、出力用のトランジスタMP1のゲートへ印加される。これにより、基準電圧と帰還信号電圧との差が零となるように制御され、出力電圧VOUTが安定化された所定値となるように構成される。
In the stabilized
安定化電源回路10は、出力用のトランジスタMP1とソースが相互に接続された位相補償用のPMOS型のトランジスタMP2が設けられ、トランジスタMP2がトランジスタMP1のドレイン電流をミラーするような構成となっている。トランジスタMP2は、第1導電型の第2トランジスタに相当する。誤差増幅器6の出力端は、出力用のトランジスタMP1のゲートと、後述するバイアス回路9を介して位相補償用のトランジスタMP2のゲートとに接続される。位相補償用のトランジスタMP2は、出力用のトランジスタMP1よりも小さなアスペクト比を有し、例えばトランジスタMP1,MP2のゲート長が等しく、ゲート幅の比はMP1:MP2=n:1に設定されている(n>1)。トランジスタMP2にバイアス電圧を印加しない場合、トランジスタMP1,MP2のゲート-ソース間電圧は共通であるため、トランジスタMP2のドレイン電流は、トランジスタMP1のドレイン電流の1/nとなる。
The stabilized
トランジスタMP2のドレインは、位相補償用抵抗素子としての抵抗R3を介してグランドに接続される。トランジスタMP2のドレインと抵抗R3との接続点と、分圧抵抗R1,R2の接続点との間に、位相補償用キャパシタとしてのコンデンサC1が接続されている。そして、分圧抵抗R1,R2とコンデンサC1との接続点は、誤差増幅器6の非反転入力端に接続されている。出力端子3とグランドとの間には、等価直列抵抗ESRを有する安定化用コンデンサCLが接続される。また、出力端子3には、安定化電源回路10の回路負荷としての負荷抵抗RLが接続される。
The drain of the transistor MP2 is connected to ground via resistor R3, which serves as a phase compensation resistor element. A capacitor C1, which serves as a phase compensation capacitor, is connected between the connection point between the drain of the transistor MP2 and resistor R3 and the connection point between the voltage-dividing resistors R1 and R2. The connection point between the voltage-dividing resistors R1 and R2 and capacitor C1 is connected to the non-inverting input terminal of the
LDOレギュレータ回路を構成する安定化電源回路10では、出力端子において発生する極の周波数fp1、ゼロ点の周波数fz1は、以下の式で表される。
fp1=1/(2π×CL×RL) …(1)
fz1=1/(2π×CL×ESR) …(2)
In the stabilized
fp1=1/(2π×CL×RL)…(1)
fz1=1/(2π×CL×ESR)…(2)
上記式において、CL:安定化用コンデンサCLの容量値、RL:負荷抵抗RLの抵抗値、ESR:安定化用コンデンサCLの等価直列抵抗値である。 In the above formula, CL is the capacitance value of the stabilization capacitor CL, RL is the resistance value of the load resistor RL, and ESR is the equivalent series resistance value of the stabilization capacitor CL.
式(1)に示す通り、出力端子において発生する極の周波数fp1は、負荷抵抗RLの値により変化し、負荷抵抗RLの抵抗値が大きい場合には低い周波数に移動する。一方で、誤差増幅器6と出力用のトランジスタMP1とにおいて発生する極があるため、これら二つの極が近くなった場合、帰還電圧の位相が180°遅れて発振する場合がある。この現象は、二つの極が低い周波数帯であり、かつ安定化用コンデンサCLとして等価直列抵抗ESRが小さいセラミックコンデンサを使用した場合に、ゼロ点の周波数fz1が高周波帯となることによって生じる傾向にある。
As shown in equation (1), the frequency fp1 of the pole generated at the output terminal changes depending on the value of the load resistor RL, and moves to a lower frequency when the resistance value of the load resistor RL is large. On the other hand, since a pole is generated in the
第1の実施形態の安定化電源回路10では、位相補償用のトランジスタMP2のドレイン電流に応じて、抵抗R3の両端に発生する電圧が位相補償信号として作用し、位相補償が行われる。位相補償用の抵抗R3による位相補償信号は、コンデンサC1を介して、出力電圧VOUTを分圧抵抗R1,R2で分圧した帰還信号電圧に重畳され、誤差増幅器6の非反転入力端へ印加される。
In the first embodiment of the stabilized
第1の実施形態の安定化電源回路10は、位相補償用のトランジスタMP2のゲートと誤差増幅器6の出力端との間に、バイアス電圧VBを印加するバイアス回路9を有する。バイアス回路9は定電圧源として機能し、バイアス回路9より位相補償用のトランジスタMP2のゲートにバイアス電圧VBを印加して順方向にバイアスすることによって、トランジスタMP2に所定量以上のドレイン電流を流すことが可能となる。
The stabilized
図2は、トランジスタMP2におけるバイアス電圧の有無によるドレイン電流特性の変化の一例を示す特性図である。図2において、安定化電源回路10の出力電流に対するトランジスタMP2のドレイン電流の変化を示している。バイアス電圧を印加しない場合、トランジスタMP2は、破線で示す特性のように出力電流に比例してドレイン電流が流れる。バイアス電圧を印加すると、トランジスタMP2は、実線で示す特性のように出力電流が少ない領域で多くのドレイン電流が流れるようになる。
Figure 2 is a characteristic diagram showing an example of the change in drain current characteristics of transistor MP2 depending on whether or not a bias voltage is applied. Figure 2 shows the change in the drain current of transistor MP2 relative to the output current of the stabilized
図1の構成において、トランジスタMP1のゲート-ソース間電圧をVgs1、トランジスタMP2のゲート-ソース間電圧をVgs2とする。バイアス回路9を設けてバイアス電圧VBを印加することによって、位相補償用のトランジスタMP2のゲートの電圧が誤差増幅器6の出力端の電圧より低くなる。具体的には、トランジスタMP2のゲート-ソース間電圧Vgs2はVgs2=Vgs1+VBとバイアス電圧VB分大きくなり、Vgs2>Vgs1となるので、トランジスタMP1のゲート電圧に比べてトランジスタMP2のゲート電圧の方が低くなる。このため、位相補償用のトランジスタMP2のドレイン電流は、バイアス電圧を印加しない場合に比べて増加する。
In the configuration of FIG. 1, the gate-source voltage of transistor MP1 is Vgs1, and the gate-source voltage of transistor MP2 is Vgs2. By providing a
位相補償用の抵抗R3における電圧は、位相補償用のトランジスタMP2のドレイン電流と抵抗R3の抵抗値により設定される。トランジスタMP2のゲート-ソース間電圧Vgs2がトランジスタMP1のゲート-ソース間電圧Vgs1より大きくなるようにバイアス電圧VBを印加することで、トランジスタMP1のドレイン電流が少ない領域においても、トランジスタMP2は十分なゲート-ソース間電圧が確保され、サブスレッショルド動作にならない。 The voltage at resistor R3 for phase compensation is set by the drain current of transistor MP2 for phase compensation and the resistance value of resistor R3. By applying bias voltage VB so that the gate-source voltage Vgs2 of transistor MP2 is greater than the gate-source voltage Vgs1 of transistor MP1, even in the region where the drain current of transistor MP1 is small, transistor MP2 is ensured to have a sufficient gate-source voltage and does not enter subthreshold operation.
本実施形態では、バイアス電圧を印加しない場合に比べて、位相補償用の抵抗R3における電圧が増加することになり、出力端子で発生する極(上記式(1))を打ち消すように作用する。このとき、出力電流が少ない領域でも位相補償用のコンデンサC1によるゼロ点を生成することが可能になり、位相の遅れを打ち消すことができる。これにより、出力用のトランジスタMP1のドレイン電流が少ない軽負荷時においても、誤差増幅器6の非反転入力端→誤差増幅器6の出力端→出力用のトランジスタMP1→出力端子3→抵抗R1→誤差増幅器6の非反転入力端のループにおける周波数特性が改善する。この場合、バイアス電圧を印加しない場合と異なり、低い周波数において位相が180°遅れることが抑止され、安定化用コンデンサCLの等価直列抵抗ESRが小さいものであっても、出力電圧VOUTが安定して出力される。
In this embodiment, the voltage at the resistor R3 for phase compensation increases compared to when the bias voltage is not applied, and acts to cancel the pole (the above formula (1)) generated at the output terminal. At this time, it is possible to generate a zero point by the capacitor C1 for phase compensation even in an area where the output current is small, and the phase delay can be canceled. As a result, even when the drain current of the output transistor MP1 is low and the load is light, the frequency characteristics in the loop from the non-inverting input terminal of the
なお、位相補償用のコンデンサC1、抵抗R3、分圧回路7の分圧抵抗R1,R2の値は、安定した出力電圧が得られるように適切な値に設定する。
The values of the phase compensation capacitor C1, resistor R3, and voltage divider resistors R1 and R2 of the
図3は、第1の実施形態の安定化電源回路の具体的な構成例を示す回路図である。図3の安定化電源回路10Aは、安定化電源回路10及びバイアス回路9の具体的な回路構成例を示したものである。ここでは、図1に示した安定化電源回路10の構成と異なる部分を中心に説明し、同様の構成要素については同一符号を付して説明を省略する。
Figure 3 is a circuit diagram showing a specific example of the configuration of the stabilized power supply circuit of the first embodiment. The stabilized
安定化電源回路10Aは、第1電源端子(VDD)1、第2電源端子(VSS)2、出力端子(VOUT)3、電流源(IS)4、基準電圧源(VREF)5、誤差増幅器(OP)6を有する。第1電源端子1は、第1電源である高電位電源としての第1の電源電圧VDDが印加される。第2電源端子2は、第2電源である低電位電源としての第2の電源電圧VSS(VSS<VDD)が印加される。電流源4は、第1電源端子1に接続され、電流ISを供給する電流源である。
The stabilized
安定化電源回路10Aは、NMOS型のトランジスタ(NMOSトランジスタ)MN2,MN3,MN5と、PMOS型のトランジスタ(PMOSトランジスタ)MP3,MP4とを含んで構成される誤差増幅器6を有する。トランジスタMN2,MN3,MN5は、差動回路を構成する。トランジスタMP3,MP4は、カレントミラー接続され、トランジスタMN2,MN3,MN5による差動回路の能動負荷を構成する。また、トランジスタMN5とカレントミラー接続されたNMOS型のトランジスタMN4を有する。トランジスタMN4は、ゲートとドレインが電流源4に接続され、電流源4の電流ISをトランジスタMN5にバイアス電流として供給する。
The stabilized
誤差増幅器6は、反転入力端61(トランジスタMN2のゲート)に基準電圧源5が接続され、非反転入力端62(トランジスタMN3のゲート)に分圧回路7の分圧抵抗R1,R2の共通接続点が接続される。誤差増幅器6の出力端63(トランジスタMN2とトランジスタMP3のドレインの共通接続点)には、出力用のPMOS型のトランジスタMP1のゲートが接続される。トランジスタMP1は、ソースが第1電源端子1に接続され、ドレインが出力端子3及び分圧回路7に接続されている。分圧回路7は、出力端子3と第2電源端子2との間に接続されている。
The
安定化電源回路10Aは、出力用のトランジスタMP1とソースが相互に接続された位相補償用のPMOS型のトランジスタMP2を有する。トランジスタMP2は、ソースが第1電源端子1に接続され、ゲートがバイアス回路9を介して誤差増幅器6の出力端63に接続される。トランジスタMP2のドレインは、位相補償用の抵抗R3を介して第2電源端子2に接続されるとともに、位相補償用のコンデンサC1の一端に接続される。コンデンサC1の他端は誤差増幅器6の非反転入力端62に接続される。
The stabilized
バイアス回路9は、NMOS型のトランジスタMN1,MN6を有して構成される。トランジスタMN6は、定電流源として機能し、トランジスタMN4,MN5とカレントミラー接続され、電流源4の電流ISをトランジスタMN1に供給する。トランジスタMN1は、第2導電型の第3トランジスタに相当し、トランジスタMP2のゲートと誤差増幅器6の出力端63との間に設けられる。具体的には、トランジスタMN1のゲートが誤差増幅器6の出力端63に接続され、ドレインが第1電源端子1に接続され、トランジスタMN1のソースとトランジスタMN6のドレインとが相互に接続される。トランジスタMN1のソースとトランジスタMN6のドレインとの接続点に、位相補償用のトランジスタMP2のゲートが接続される。
The
図3の構成において、バイアス回路9のトランジスタMN1のゲート-ソース間電圧が図1のバイアス電圧VBに相当する。上述したように、位相補償用のトランジスタMP2のゲート-ソース間電圧Vgs2は、出力用のトランジスタMP1のゲート-ソース間電圧Vgs1よりもトランジスタMN1のゲート-ソース間電圧VB分大きくなる。このとき、トランジスタMP2のドレイン電流は、トランジスタMP1のドレイン電流の1/n+αとなる。このため、出力用のトランジスタMP1のドレイン電流が少なくなる軽負荷時においても、位相補償用のトランジスタMP2のドレイン電流は所定量以上の電流が確保され、位相補償用の抵抗R3において発生する電圧により、出力端子3で発生する極を打ち消して出力電圧VOUTが安定して出力される。
In the configuration of FIG. 3, the gate-source voltage of transistor MN1 of
図4は、第1の実施形態の安定化電源回路におけるゲイン及び位相特性の一例を示す特性図である。図4において、図1及び図3に示す第1の実施形態の構成における位相特性を実線、ゲイン特性を一点鎖線で示し、図10に示した比較例の構成における位相特性を破線、ゲイン特性を二点鎖線で示している。 Figure 4 is a characteristic diagram showing an example of gain and phase characteristics in the stabilized power supply circuit of the first embodiment. In Figure 4, the phase characteristics in the configuration of the first embodiment shown in Figures 1 and 3 are shown by solid lines, the gain characteristics are shown by dashed lines, and the phase characteristics in the configuration of the comparative example shown in Figure 10 are shown by dashed lines, and the gain characteristics are shown by two-dot chain lines.
図示例において、実施形態の構成では、ゲイン0dBのときの位相余裕は96degであり、比較例の位相余裕3.6degと比べて大きく改善できている。位相補償用のトランジスタMP2のゲートにバイアス電圧を印加することにより、出力電流が少ない領域においても、位相補償用のコンデンサC1により生成されたゼロ点によって位相の遅れを打ち消すことができ、位相余裕を確保することができる。 In the illustrated example, in the configuration of the embodiment, the phase margin at a gain of 0 dB is 96 deg, which is a significant improvement over the phase margin of 3.6 deg in the comparative example. By applying a bias voltage to the gate of the phase compensation transistor MP2, even in areas where the output current is low, the phase delay can be cancelled out by the zero point generated by the phase compensation capacitor C1, and the phase margin can be secured.
図5は、第1の実施形態の安定化電源回路における出力電流に対する位相余裕特性の一例を示す特性図である。実施形態の構成では、出力用のトランジスタMP1のドレイン電流が少ない領域において、位相余裕を大きく確保できている。本実施形態では、出力電流が少ない領域においても、位相補償用抵抗に十分な電流を流して位相遅れを打ち消し、位相補償の効果を得ることができる。このため、軽負荷時においても位相余裕を確保し、位相補償効果を高めることができ、電源回路の安定性向上を図ることができる。 Figure 5 is a characteristic diagram showing an example of the phase margin characteristic with respect to the output current in the stabilized power supply circuit of the first embodiment. In the configuration of the embodiment, a large phase margin can be secured in the region where the drain current of the output transistor MP1 is small. In this embodiment, even in the region where the output current is small, a sufficient current is passed through the phase compensation resistor to cancel out the phase delay and obtain the effect of phase compensation. Therefore, even under light load, a phase margin can be secured, the phase compensation effect can be enhanced, and the stability of the power supply circuit can be improved.
(第2の実施形態)
図6は、第2の実施形態の安定化電源回路の構成を示す回路図である。第2の実施形態の安定化電源回路10Bは、第1の実施形態の安定化電源回路10を構成するバイアス回路9に代えてバイアス回路9Bが設けられている。第2の実施形態のバイアス回路9Bは、出力電流が増加するに従ってバイアス電圧VBも増加するように構成されている。具体的には、トランジスタMP1とソース、ゲートが相互に接続され、ドレインがカレントミラー回路11に接続されるトランジスタMP5を設ける。トランジスタMP5には、トランジスタMP1のドレインに流れる出力電流に比例するドレイン電流が流れる。このトランジスタMP5のドレイン電流の増加に応じてバイアス電圧VBが増加する構成となっている。
Second Embodiment
6 is a circuit diagram showing the configuration of a stabilized power supply circuit of the second embodiment. The stabilized
上述した第1の実施形態の安定化電源回路10は、出力電流が増加するに従って位相遅れが増加し、これによって出力電圧VOUTが不安定となっていた。第2の実施形態によれば、出力電流が増加するに従って、第1の実施形態よりも位相補償信号を増加することができるため、出力電流VOUTをより一層安定化することができる。
In the stabilized
図7は、トランジスタMP2におけるバイアス電圧の有無、増加によるドレイン電流特性の変化の一例を示す特性図である。同図に示すように、バイアス電圧を印加しない場合、トランジスタMP2は、一点鎖線で示す特性のように出力電流に比例してドレイン電流が流れる。一定のバイアス電圧を印加すると、トランジスタMP2は、破線で示す特性のように出力電流が少ない領域で多くのドレイン電流が流れるようになるが、出力電流が多い領域ではバイアスを印加しない場合に比べて出力電流の増加に対するドレイン電流の増加量が少なくなる。出力電流の増加に応じてバイアス電圧を増加させると、トランジスタMP2は、実線で示す特性のように、一定のバイアス電圧を印加する場合と同様に出力電流が少ない領域で多くのドレイン電流が流れるようになる。さらに、出力電流が大きい領域ではバイアスを印加しない場合とほぼ同等に出力電流に比例してドレイン電流が流れる。 Figure 7 is a characteristic diagram showing an example of the change in drain current characteristics due to the presence or absence and increase of bias voltage in transistor MP2. As shown in the figure, when no bias voltage is applied, transistor MP2 has a drain current proportional to the output current as shown by the dashed line. When a constant bias voltage is applied, transistor MP2 has a large drain current in the region where the output current is small as shown by the dashed line, but in the region where the output current is large, the increase in drain current with respect to the increase in output current is smaller than when no bias is applied. When the bias voltage is increased in response to the increase in output current, transistor MP2 has a large drain current in the region where the output current is small, as in the case where a constant bias voltage is applied, as shown by the solid line. Furthermore, in the region where the output current is large, the drain current flows in proportion to the output current almost the same as when no bias is applied.
図8は、第2の実施形態の安定化電源回路の具体的な構成例を示す回路図である。図8の安定化電源回路10Cは、バイアス回路9Bの具体的な回路例を示したものである。ここでは、図6に示した安定化電源回路10Bと異なる部分を中心に説明し、同様の構成要素については同一符号を付して説明を省略する。
Figure 8 is a circuit diagram showing a specific example of the configuration of a stabilized power supply circuit of the second embodiment. The stabilized
バイアス回路9Bは、NMOS型のトランジスタMN1,MN6と、PMOS型のトランジスタMP5と、カレントミラー回路11とを有して構成される。トランジスタMN1,MN6の接続については、上述した図3に示す実施形態と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
The
トランジスタMP5とカレントミラー回路11は、トランジスタMN1のドレインに出力電流に比例した電流を供給する電流源として機能する。トランジスタMP5は、トランジスタMP1とソース、ゲートが相互に接続され、トランジスタMP1のドレインに流れる出力電流に比例したドレイン電流が流れる。カレントミラー回路11は、NMOS型のトランジスタMN7,MN8を含んで構成される。トランジスタMN7は、ゲートとドレインがトランジスタMP5のドレインに接続され、ソースが第2の電源電圧VSSに接続されている。トランジスタMN8は、トランジスタMN7とゲートが相互に接続され、ソースが第2の電源電圧VSSに接続され、ドレインがトランジスタMN1のソースとトランジスタMN6のドレインとに接続される。このように、図9のバイアス回路9Bではカレントミラー回路11は定電流源であるトランジスタMN6と並列接続されている。
The transistor MP5 and the
以上の構成により、トランジスタMP5の出力電流に比例したドレイン電流をトランジスタMN8のドレインにミラーする。そして、トランジスタMN1のドレイン電流は、トランジスタMN6にミラーされた電流ISと、トランジスタMN8にミラーされた出力電流に比例した電流とを合わせた電流となる。結果、バイアス電圧VBであるトランジスタMN1のゲート-ソース間電圧は、電流ISと出力電流との双方に比例した電圧となり、出力電流の増加に応じてバイアス電圧VBも増加することができる。 With the above configuration, the drain current proportional to the output current of transistor MP5 is mirrored to the drain of transistor MN8. The drain current of transistor MN1 is the sum of the current IS mirrored to transistor MN6 and the current proportional to the output current mirrored to transistor MN8. As a result, the gate-source voltage of transistor MN1, which is the bias voltage VB, is a voltage proportional to both the current IS and the output current, and the bias voltage VB can also increase in accordance with an increase in the output current.
図9は、第2の実施形態の安定化電源回路における出力電流に対する位相余裕特性の一例を示す特性図である。第1の実施形態及び第2の実施形態の構成では、出力用のトランジスタMP1のドレイン電流が少ない領域において、位相余裕を大きく確保できている。また、第2の実施形態の構成では、出力用のトランジスタMP1のドレイン電流が多い領域において、第1の実施形態よりも、位相余裕を大きく確保できている。 Figure 9 is a characteristic diagram showing an example of the phase margin characteristic with respect to the output current in the stabilized power supply circuit of the second embodiment. In the configurations of the first and second embodiments, a large phase margin can be ensured in the region where the drain current of the output transistor MP1 is small. In addition, in the configuration of the second embodiment, a larger phase margin can be ensured than in the first embodiment in the region where the drain current of the output transistor MP1 is large.
以上説明したように、本実施形態によれば、位相補償用トランジスタのゲートにバイアス電圧を印加することにより、出力用トランジスタのドレイン電流が少ない軽負荷時においても十分な位相補償が可能となる。すなわち、安定化電源回路の出力電流が小さい領域においても、位相余裕を確保して十分な位相補償効果を得ることができ、出力電流の全領域において位相補償特性を改善することができる。このため、全電流領域において安定した出力電圧を得ることができる。したがって、全電流領域において安定性の向上を図りつつ、出力電圧の安定化用コンデンサCLとして低い等価直列抵抗ESRをもつセラミックコンデンサを用いることが可能となる。本実施形態は、低い周波数にゼロ点を生成することが難しい低電圧出力のLDOレギュレータ回路、ボルテージトラッカーなどに有用である。 As described above, according to this embodiment, by applying a bias voltage to the gate of the phase compensation transistor, sufficient phase compensation is possible even when the drain current of the output transistor is small and the load is light. In other words, even in the region where the output current of the stabilized power supply circuit is small, a phase margin can be secured and a sufficient phase compensation effect can be obtained, and the phase compensation characteristics can be improved in the entire range of the output current. Therefore, a stable output voltage can be obtained in the entire current range. Therefore, it is possible to use a ceramic capacitor with a low equivalent series resistance ESR as the output voltage stabilization capacitor CL while improving stability in the entire current range. This embodiment is useful for low-voltage output LDO regulator circuits and voltage trackers, where it is difficult to generate a zero point at a low frequency.
本実施形態の安定化電源回路において、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタの一方を第1導電型のトランジスタ、反対極性となる他方を第2導電型のトランジスタとも称する。上述した実施形態の構成例では、PMOSトランジスタを第1導電型、NMOSトランジスタを第2導電型としている。 In the stabilized power supply circuit of this embodiment, one of the PMOS transistor and the NMOS transistor is also referred to as a transistor of a first conductivity type, and the other, which has the opposite polarity, is also referred to as a transistor of a second conductivity type. In the configuration example of the above-mentioned embodiment, the PMOS transistor is the first conductivity type, and the NMOS transistor is the second conductivity type.
なお、上述した実施形態では、電源電圧がVDD>VSSの条件の場合で説明したが、電源電圧の高低関係が逆になる場合は、PMOSトランジスタをNMOSトランジスタに置き換え、NMOSトランジスタをPMOSトランジスタに置き換えればよい。この場合、NMOSトランジスタが第1導電型、PMOSトランジスタが第2導電型となる。 In the above embodiment, the power supply voltage is VDD>VSS. However, if the power supply voltage relationship is reversed, the PMOS transistors can be replaced with NMOS transistors, and the NMOS transistors can be replaced with PMOS transistors. In this case, the NMOS transistors are the first conductivity type, and the PMOS transistors are the second conductivity type.
以上、図面を参照しながら各種の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上記実施形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。 Although various embodiments have been described above with reference to the drawings, it goes without saying that the present invention is not limited to such examples. It is clear that a person skilled in the art can come up with various modified or revised examples within the scope of the claims, and it is understood that these also naturally fall within the technical scope of the present invention. Furthermore, the components in the above embodiments may be combined in any manner as long as it does not deviate from the spirit of the present invention.
本発明は、出力電流の少ない軽負荷時を含めて、位相補償特性を改善することができる効果を有し、LDOレギュレータ回路等の安定化電源回路に有用である。 The present invention has the effect of improving phase compensation characteristics, including under light loads with low output current, and is useful for stabilized power supply circuits such as LDO regulator circuits.
10,10A~10C:安定化電源回路
1:第1電源端子(VDD)
2:第2電源端子(VSS)
3:出力端子(VOUT)
4:電流源(IS)
5:基準電圧源(VREF)
6:誤差増幅器
61:反転入力端、62:非反転入力端、63:出力端
7:分圧回路
9,9B:バイアス回路
Tr1,MP1:出力用のトランジスタ(PMOSトランジスタ)
Tr2、MP2:位相補償用のトランジスタ(PMOSトランジスタ)
MP3,MP4,MP5:トランジスタ(PMOSトランジスタ)
10, 10A to 10C: Stabilized power supply circuit 1: First power supply terminal (VDD)
2: Second power supply terminal (VSS)
3: Output terminal (VOUT)
4: Current source (IS)
5: Reference voltage source (VREF)
6: Error amplifier 61: Inverting input terminal, 62: Non-inverting input terminal, 63: Output terminal 7:
Tr2, MP2: Phase compensation transistors (PMOS transistors)
MP3, MP4, MP5: Transistors (PMOS transistors)
MN1,MN2,MN3,MN4,MN5,MN6,MN7,MN8:トランジスタ(NMOSトランジスタ)
R3:位相補償用の抵抗
C1:位相補償用のコンデンサ
CL:安定化用コンデンサ
ESR:安定化用コンデンサCLの等価直列抵抗
RL:負荷抵抗
MN1, MN2, MN3, MN4, MN5, MN6, MN7, MN8: transistors (NMOS transistors)
R3: Resistor for phase compensation C1: Capacitor for phase compensation CL: Capacitor for stabilization ESR: Equivalent series resistance of the stabilization capacitor CL RL: Load resistance
Claims (4)
ソースが第1電源に接続され、ドレインより前記出力電圧を得る第1導電型の第1トランジスタと、
前記第1トランジスタとソースが相互に接続された第1導電型の第2トランジスタと、
前記第2トランジスタのドレインとグランド又は第2電源との間に設けられた位相補償用抵抗素子と、
前記位相補償用抵抗素子の前記第2トランジスタ側に接続された位相補償用キャパシタと、
前記第2トランジスタのゲートに、前記第1トランジスタのゲート電圧に対して偏位した電圧であるバイアス電圧を供給するバイアス回路と、を備え、
前記位相補償用抵抗素子の電圧が前記位相補償用キャパシタを介して、前記出力電圧を分圧した電圧に重畳され、
前記バイアス回路は、第2導電型の第3トランジスタと、定電流源とを有し、
前記第3トランジスタは、ゲートが前記第1トランジスタのゲートに接続され、ドレインが前記第1トランジスタのソースに接続され、ソースが前記第2トランジスタのゲートと前記定電流源とに接続される、
安定化電源回路。 A stabilized power supply circuit that outputs a stabilized output voltage so that the difference between a reference voltage and a voltage obtained by dividing an output voltage is zero,
a first transistor of a first conductivity type having a source connected to a first power supply and having a drain from which the output voltage is obtained;
a second transistor of a first conductivity type having a source connected to that of the first transistor;
a phase compensation resistor element provided between the drain of the second transistor and a ground or a second power supply;
a phase compensation capacitor connected to the second transistor side of the phase compensation resistor;
a bias circuit that supplies a bias voltage to a gate of the second transistor, the bias voltage being a voltage offset with respect to a gate voltage of the first transistor ;
a voltage of the phase compensation resistor is superimposed on a voltage obtained by dividing the output voltage via the phase compensation capacitor ;
the bias circuit includes a third transistor of a second conductivity type and a constant current source;
the third transistor has a gate connected to the gate of the first transistor, a drain connected to the source of the first transistor, and a source connected to the gate of the second transistor and the constant current source;
Stabilized power supply circuit.
前記第1トランジスタのドレインに一端が接続され、前記出力電圧を分圧する分圧回路と、
前記出力電圧を分圧した電圧と前記基準電圧との差に比例する電圧を前記第1トランジスタのゲートに供給する誤差増幅器と、を有し、
前記位相補償用キャパシタは、一端が前記第2トランジスタのドレインと前記位相補償用抵抗素子に接続され、他端が前記分圧回路の共通接続点に接続される、
安定化電源回路。 2. The stabilized power supply circuit according to claim 1,
a voltage divider circuit having one end connected to the drain of the first transistor and dividing the output voltage;
an error amplifier that supplies a voltage proportional to a difference between a voltage obtained by dividing the output voltage and the reference voltage to a gate of the first transistor;
one end of the phase compensation capacitor is connected to the drain of the second transistor and the phase compensation resistor element, and the other end is connected to a common connection point of the voltage divider circuit;
Stabilized power supply circuit.
ソースが第1電源に接続され、ドレインより前記出力電圧を得る第1導電型の第1トランジスタと、
前記第1トランジスタとソースが相互に接続された第1導電型の第2トランジスタと、
前記第2トランジスタのドレインとグランド又は第2電源との間に設けられた位相補償用抵抗素子と、
前記位相補償用抵抗素子の前記第2トランジスタ側に接続された位相補償用キャパシタと、
前記第2トランジスタのゲートに、前記第1トランジスタのゲート電圧に対して偏位した電圧であるバイアス電圧を供給するバイアス回路と、を備え、
前記位相補償用抵抗素子の電圧が前記位相補償用キャパシタを介して、前記出力電圧を分圧した電圧に重畳され、
前記バイアス回路が供給する前記バイアス電圧は、前記第1トランジスタの出力電流の増加に応じて増加する、
安定化電源回路。 A stabilized power supply circuit that outputs a stabilized output voltage so that the difference between a reference voltage and a voltage obtained by dividing an output voltage is zero,
a first transistor of a first conductivity type having a source connected to a first power supply and having a drain from which the output voltage is obtained;
a second transistor of a first conductivity type having a source connected to that of the first transistor;
a phase compensation resistor element provided between the drain of the second transistor and a ground or a second power supply;
a phase compensation capacitor connected to the second transistor side of the phase compensation resistor;
a bias circuit that supplies a bias voltage to a gate of the second transistor, the bias voltage being a voltage offset with respect to a gate voltage of the first transistor;
a voltage of the phase compensation resistor is superimposed on a voltage obtained by dividing the output voltage via the phase compensation capacitor;
the bias voltage supplied by the bias circuit increases in accordance with an increase in the output current of the first transistor;
Stabilized power supply circuit.
前記バイアス回路は、
第2導電型の第3トランジスタと、定電流源と、前記定電流源に並列接続され、前記出力電流に比例した電流を供給する電流源と、を有し、
前記第3トランジスタは、ゲートが前記第1トランジスタのゲートに接続され、ドレインが前記第1トランジスタのソースに接続され、ソースが前記第2トランジスタのゲートと、前記定電流源及び前記電流源とに接続される、
安定化電源回路。 4. The stabilized power supply circuit according to claim 3 ,
The bias circuit includes:
a third transistor of a second conductivity type; a constant current source; and a current source connected in parallel to the constant current source and supplying a current proportional to the output current;
the third transistor has a gate connected to the gate of the first transistor, a drain connected to the source of the first transistor, and a source connected to the gate of the second transistor, the constant current source, and the current source;
Stabilized power supply circuit.
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