JP7630452B2 - 固体撮像素子、および、撮像装置 - Google Patents
固体撮像素子、および、撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7630452B2 JP7630452B2 JP2021575615A JP2021575615A JP7630452B2 JP 7630452 B2 JP7630452 B2 JP 7630452B2 JP 2021575615 A JP2021575615 A JP 2021575615A JP 2021575615 A JP2021575615 A JP 2021575615A JP 7630452 B2 JP7630452 B2 JP 7630452B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- transistor
- input
- node
- current source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
1.第1の実施の形態(入力トランジスタおよび帰還回路を設けた例)
2.第2の実施の形態(カスコードトランジスタ、入力トランジスタおよび帰還回路を設けた例)
3.第3の実施の形態(入力トランジスタおよび帰還回路を設け、フォールデッド段を追加した例)
4.第4の実施の形態(入力トランジスタ、帰還回路およびフォールデッド段を設け、個別に初期化した例)
5.第5の実施の形態(入力トランジスタおよび帰還回路を設け、ブースト回路を追加した例)
6.移動体への応用例
[撮像装置の構成例]
図1は、本技術の第1の実施の形態における撮像装置100の一構成例を示すブロック図である。この撮像装置100は、画像データ(フレーム)を撮像するための装置であり、光学部110、固体撮像素子200およびDSP(Digital Signal Processing)回路120を備える。さらに撮像装置100は、表示部130、操作部140、バス150、フレームメモリ160、記憶部170および電源部180を備える。撮像装置100としては、例えば、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラの他、撮像機能を持つスマートフォンやパーソナルコンピュータ、車載カメラ等が想定される。
図2は、本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子200の積層構造の一例を示す図である。この固体撮像素子200は、回路チップ202と、その回路チップ202に積層された画素チップ201とを備える。これらのチップは、ビアなどの接続部を介して電気的に接続される。なお、ビアの他、Cu-Cu接合やバンプにより接続することもできる。
図4は、本技術の第1の実施の形態における画素回路250の一構成例を示す回路図である。この画素回路250は、光電変換素子251、転送トランジスタ252、リセットトランジスタ253、浮遊拡散層254、増幅トランジスタ255および選択トランジスタ256を備える。
図5は、本技術の第1の実施の形態における定電流源部300の一構成例を示すブロック図である。この定電流源部300には、カラムごとにカラムアンプ310が配置される。列数をNとすると、N個のカラムアンプ310が配置される。
図6は、本技術の第1の実施の形態におけるカラムアンプ310の一構成例を示す回路図である。このカラムアンプ310には、電流リユースカラムアンプ320が設けられる。以下、電流リユースカラムアンプ320を「CRCA(Current Reuse Column Amp)」と称する。このCRCAは、入力トランジスタ322、帰還回路323、および、基準側電流源トランジスタ327を備える。この帰還回路323は、入力側オートゼロスイッチ324、帰還容量325および基準側容量326を備える。また、同図において、垂直信号線259-nに接続されたVSL容量400は、垂直信号線259-nと基準電圧(接地電圧など)との間の配線容量を示す。
図7は、本技術の第1の実施の形態におけるアナログデジタル変換部260の一構成例を示すブロック図である。このアナログデジタル変換部260には、カラムごとにADC261およびラッチ回路266が配置される。列数をNとすると、ADC261およびラッチ回路264はN個ずつ配置される。
図9は、本技術の第1の実施の形態におけるカラムアンプ310の動作の一例を示すタイミングチャートである。垂直信号線259-nの電圧が初期化されたタイミングT0において、タイミング制御回路230は、オートゼロ信号AZにより入力側オートゼロスイッチ324を閉状態に制御する。これにより、帰還容量325および基準側容量326のそれぞれに蓄積される初期電圧が決定される。
g=(CF+CS)/CF
上式において、CFは、帰還容量325の容量値を示し、CSは、基準側容量326の容量値を示す。
増幅トランジスタ255の相互コンダクタンス:25マイクロジーメンス(μS)
バイアス電流:4マイクロアンペア(μA)
VSL容量:2ピコファラッド(pF)
基準側容量の値:1.05ピコファラッド(pF)
帰還容量の値:150フェムトファラッド(fF)
負荷容量の値:300フェムトファラッド(fF)
入力トランジスタのサイズ:32u/1u(LVT:Low Threshold Voltage)
(1/gmp)+(1/gmx) ・・・式1
上述の第1の実施の形態では、帰還回路323により負帰還を形成していたが、この構成では、帰還率が小さいため十分なループゲインが得られず、リニアリティが悪化するおそれがある。第2の実施の形態の電流リユースカラムアンプ320は、カスコードトランジスタの追加によりリニアリティを改善する点において第1の実施の形態と異なる。
上述の第2の実施の形態では、入力トランジスタ322のドレインと、基準側電流源トランジスタ327(負荷MOS)との間にカスコードトランジスタ332を挿入していた。しかし、このC-CRCAでは、出力レンジが狭くなり、問題となる。第3の実施の形態の電流リユースカラムアンプ320は、フォールデッド段により出力レンジを拡大する点において、第2の実施の形態と異なる。
上述の第3の実施の形態では、カスコードトランジスタ343および345を追加していたが、この構成では、出力レンジが不足するおそれがある。この第3の実施の形態の変形例の電流リユースカラムアンプ320は、オートゼロの際に、帰還容量325に参照電圧を印加して出力レンジを広くした点において第1の実施の形態と異なる。
上述の第3の実施の形態では、入力側オートゼロスイッチ324は、入力トランジスタ322と出力ノード328との間の経路を開閉していたが、この構成では、オートゼロの際に、出力のゼロ電圧が垂直信号線より1VGS降下してしまう。この第4の実施の形態の電流リユースカラムアンプ320は、入力段321とフォールデッド段340とで個別にオートゼロを行い、それらの間にスイッチを挿入してゼロ電圧の低下を抑制した点において第3の実施の形態と異なる。
後段のノイズ抑制効果がなくなるおそれがある。
上述の第1の実施の形態では、負荷MOSのみの場合よりもゲインが高いため、画素アンプから見た実質的な負荷容量が増加し、セトリングが悪化していた。この第5の実施の形態のカラムアンプ310は、ブースト回路350を追加して負荷容量を削減した点において第1の実施の形態と異なる。
CL+CS//CF ・・・式2
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
(1)光電変換により入力電圧を生成する画素回路と、
前記入力電圧が入力されるソースとゲートとの間の電圧に応じた出力電圧をドレインから出力する入力トランジスタと、
所定の基準電圧の基準ノードに接続されて所定の電流を供給する基準側電流源と、
前記電流の一部を前記入力トランジスタのゲートに帰還させる帰還回路と
を具備する固体撮像素子。
(2)前記帰還回路は、
前記出力電圧が出力される出力ノードと前記ゲートとの間に挿入された帰還容量と、
前記ゲートと前記基準電圧の基準ノードとの間に挿入された基準側容量と、
前記ゲートと前記出力ノードとの間の経路を開閉する入力側オートゼロスイッチと
を備える
前記(1)記載の固体撮像素子。
(3)前記基準側電流源と前記ドレインとの間に挿入されたカスコードトランジスタと、
前記入力トランジスタの前記ソースと前記カスコードトランジスタのゲートとの間に挿入されたカスコード容量と
をさらに具備し、
前記出力ノードは、前記カスコードトランジスタと前記基準側電流源との間のノードである
前記(2)記載の固体撮像素子。
(4)所定の電源電圧の電源ノードに接続された電源側電流源と、
前記電源側電流源と前記基準側電流源との間に挿入された一対のカスコードトランジスタと
をさらに具備し、
前記出力ノードは、前記一対のカスコードトランジスタの間のノードである
前記(2)記載の固体撮像素子。
(5)前記帰還容量と前記出力ノードとの間の経路を開閉する中間スイッチと、
前記帰還容量と所定の参照電圧のノードとの間の経路を開閉する参照スイッチと
をさらに具備する
前記(4)記載の固体撮像素子。
(6)前記電源電圧の電源ノードに接続されたカスコード容量と、
前記カスコード容量と前記出力ノードと間の経路を開閉する出力側オートゼロスイッチと、
中間スイッチと
をさらに具備し、
前記基準側電流源は、第1基準側電流源トランジスタおよび第2基準側電流源トランジスタを含み、
前記第1基準側電流源トランジスタは、前記入力トランジスタと前記基準ノードとの間に挿入され、
前記第2基準側電流源トランジスタは、前記一対のカスコードトランジスタの一方と前記基準電圧の基準ノードとの間に挿入され、
前記中間スイッチは、前記入力トランジスタおよび前記第1基準側電流源トランジスタの間のノードと前記一対のカスコードトランジスタの一方および前記第2基準側電流源トランジスタの間のノードとの間の経路を開閉する
前記(4)記載の固体撮像素子。
(7)所定の電源電圧の電源ノードに接続されたブースト側電流源と、
前記ブースト側電流源と前記基準電圧の基準ノードとの間に挿入され、前記出力電圧が出力される出力ノードにゲートが接続されたブーストトランジスタと、
前記ブースト側電流源および前記ブーストトランジスタの間のノードと前記ソースとの間に挿入されたブースト側容量と
をさらに具備する
前記(1)乃至(6)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(8)光電変換により入力電圧を生成する画素回路と、
前記入力電圧が入力されるソースとゲートとの間の電圧に応じた出力電圧をドレインから出力する入力トランジスタと、
所定の基準電圧のノードに接続されて所定の電流を供給する基準側電流源と、
前記電流の一部を前記入力トランジスタのゲートに帰還させる帰還回路と、
前記出力電圧をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器と
を具備する撮像装置。
110 光学部
120 DSP回路
130 表示部
140 操作部
150 バス
160 フレームメモリ
170 記憶部
180 電源部
200 固体撮像素子
201 画素チップ
202 回路チップ
210 行選択部
220 DAC
230 タイミング制御回路
240 画素アレイ部
250 画素回路
251 光電変換素子
252 転送トランジスタ
253 リセットトランジスタ
254 浮遊拡散層
255 増幅トランジスタ
256 選択トランジスタ
260 アナログデジタル変換部
261 ADC
262、263、503 容量
264 コンパレータ
265 カウンタ
266 ラッチ回路
270 水平転送走査部
280 画像処理部
300 定電流源部
310、500 カラムアンプ
320 電源リユースカラムアンプ
321 入力段
322、505 入力トランジスタ
323 帰還回路
324 入力側オートゼロスイッチ
325、504 帰還容量
326 基準側容量
327、347 基準側電流源トランジスタ
330、346 中間スイッチ
330-1 参照スイッチ
331、341 カスコード容量
332、343、345、353 カスコードトランジスタ
333 カスコード側オートゼロスイッチ
340 フォールデッド段
342 電源側電流源トランジスタ
344 出力側オートゼロスイッチ
350 ブースト回路
351 ブースト側容量
352 ブースト側電流源トランジスタ
354 ブーストトランジスタ
400 VSL容量
401 負荷容量
501 電流源
502 オートゼロスイッチ
12031 撮像部
Claims (8)
- 光電変換により入力電圧を生成する画素回路と、
前記入力電圧が入力されるソースとゲートとの間の電圧に応じた出力電圧をドレインから出力する入力トランジスタと、
前記ドレインと所定の基準電圧の基準ノードとの間に挿入されて所定の電流を供給する基準側電流源と、
前記電流の一部を前記入力トランジスタのゲートに帰還させる帰還回路と
を具備する固体撮像素子。 - 前記帰還回路は、
前記出力電圧が出力される出力ノードと前記ゲートとの間に挿入された帰還容量と、
前記ゲートと前記基準電圧の基準ノードとの間に挿入された基準側容量と、
前記ゲートと前記出力ノードとの間の経路を開閉する入力側オートゼロスイッチと
を備える
請求項1記載の固体撮像素子。 - 光電変換により入力電圧を生成する画素回路と、
前記入力電圧が入力されるソースとゲートとの間の電圧に応じた電圧をドレインから出力する入力トランジスタと、
出力ノードと所定の基準電圧の基準ノードとの間に挿入されて所定の電流を供給する基準側電流源と、
前記電流の一部を前記入力トランジスタのゲートに帰還させる帰還回路と、
前記基準側電流源と前記ドレインとの間に挿入されたカスコードトランジスタと、
前記入力トランジスタの前記ソースと前記カスコードトランジスタのゲートとの間に挿入されたカスコード容量と
を具備し、
前記出力ノードは、前記カスコードトランジスタと前記基準側電流源との間のノードである
固体撮像素子。 - 光電変換により入力電圧を生成する画素回路と、
前記入力電圧が入力されるソースとゲートとの間の電圧に応じた電圧をドレインから出力する入力トランジスタと、
前記ドレインと所定の基準電圧の基準ノードとの間に挿入されて所定の電流を供給する基準側電流源と、
前記電流の一部を前記入力トランジスタのゲートに帰還させる帰還回路と、
所定の電源電圧の電源ノードに接続された電源側電流源と、
前記電源側電流源と前記基準側電流源との間に挿入された一対のカスコードトランジスタと
を具備し、
前記帰還回路は、
出力電圧が出力される出力ノードと前記ゲートとの間に挿入された帰還容量と、
前記ゲートと前記基準電圧の基準ノードとの間に挿入された基準側容量と、
前記ゲートと前記出力ノードとの間の経路を開閉する入力側オートゼロスイッチと
を備え、
前記出力ノードは、前記一対のカスコードトランジスタの間のノードである
固体撮像素子。 - 前記帰還容量と前記出力ノードとの間の経路を開閉する中間スイッチと、
前記帰還容量と所定の参照電圧のノードとの間の経路を開閉する参照スイッチと
をさらに具備する
請求項4記載の固体撮像素子。 - 前記電源電圧の電源ノードに接続されたカスコード容量と、
前記カスコード容量と前記出力ノードと間の経路を開閉する出力側オートゼロスイッチと、
中間スイッチと
をさらに具備し、
前記基準側電流源は、第1基準側電流源トランジスタおよび第2基準側電流源トランジスタを含み、
前記第1基準側電流源トランジスタは、前記入力トランジスタと前記基準ノードとの間に挿入され、
前記第2基準側電流源トランジスタは、前記一対のカスコードトランジスタの一方と前記基準電圧の基準ノードとの間に挿入され、
前記中間スイッチは、前記入力トランジスタおよび前記第1基準側電流源トランジスタの間のノードと前記一対のカスコードトランジスタの一方および前記第2基準側電流源トランジスタの間のノードとの間の経路を開閉する
請求項4記載の固体撮像素子。 - 所定の電源電圧の電源ノードに接続されたブースト側電流源と、
前記ブースト側電流源と前記基準電圧の基準ノードとの間に挿入され、前記出力電圧が出力される出力ノードにゲートが接続されたブーストトランジスタと、
前記ブースト側電流源および前記ブーストトランジスタの間のノードと前記ソースとの間に挿入されたブースト側容量と
をさらに具備する
請求項1記載の固体撮像素子。 - 光電変換により入力電圧を生成する画素回路と、
前記入力電圧が入力されるソースとゲートとの間の電圧に応じた出力電圧をドレインから出力する入力トランジスタと、
前記ドレインと所定の基準電圧のノードとの間に挿入されて所定の電流を供給する基準側電流源と、
前記電流の一部を前記入力トランジスタのゲートに帰還させる帰還回路と、
前記出力電圧をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器と
を具備する撮像装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020016078 | 2020-02-03 | ||
| JP2020016078 | 2020-02-03 | ||
| PCT/JP2020/041097 WO2021157148A1 (ja) | 2020-02-03 | 2020-11-02 | 固体撮像素子、および、撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021157148A1 JPWO2021157148A1 (ja) | 2021-08-12 |
| JP7630452B2 true JP7630452B2 (ja) | 2025-02-17 |
Family
ID=77200082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021575615A Active JP7630452B2 (ja) | 2020-02-03 | 2020-11-02 | 固体撮像素子、および、撮像装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12155956B2 (ja) |
| EP (1) | EP4120673A4 (ja) |
| JP (1) | JP7630452B2 (ja) |
| KR (1) | KR20220137638A (ja) |
| CN (1) | CN114946173B (ja) |
| TW (1) | TWI891703B (ja) |
| WO (1) | WO2021157148A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12356100B2 (en) * | 2020-10-08 | 2025-07-08 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging element and imaging apparatus |
| TW202320535A (zh) | 2021-10-08 | 2023-05-16 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像裝置 |
| WO2023089958A1 (ja) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
| US20250193553A1 (en) * | 2023-12-07 | 2025-06-12 | Semiconductor Components Industries, Llc | Charge-to-voltage conversion circuit with inline amplification |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010147614A (ja) | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法、撮像装置 |
| US20110109392A1 (en) | 2009-11-09 | 2011-05-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Low noise amplifier |
| US20130169364A1 (en) | 2010-05-25 | 2013-07-04 | Agency For Science, Technology And Research | Amplifier and Transceiver Including the Amplifier |
| JP2016005054A (ja) | 2014-06-16 | 2016-01-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2016181884A (ja) | 2015-03-25 | 2016-10-13 | 住友電気工業株式会社 | 電子回路 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4735684B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2011-07-27 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| JP6029352B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2016-11-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| WO2014083730A1 (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-05 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
| JP6480768B2 (ja) * | 2015-03-17 | 2019-03-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| US9936150B2 (en) * | 2016-03-17 | 2018-04-03 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with a rolling shutter scanning mode and high dynamic range |
| US9967489B2 (en) * | 2016-10-06 | 2018-05-08 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image pixels with in-column comparators |
| JP7227709B2 (ja) * | 2017-08-02 | 2023-02-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および、撮像装置 |
| JP6953263B2 (ja) * | 2017-10-05 | 2021-10-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| CN111434106B (zh) * | 2017-11-29 | 2023-03-03 | 新唐科技日本株式会社 | 固体摄像装置和ab级超源跟随器 |
| JP7148269B2 (ja) * | 2018-05-02 | 2022-10-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
-
2020
- 2020-11-02 WO PCT/JP2020/041097 patent/WO2021157148A1/ja not_active Ceased
- 2020-11-02 EP EP20917486.1A patent/EP4120673A4/en active Pending
- 2020-11-02 CN CN202080091998.4A patent/CN114946173B/zh active Active
- 2020-11-02 US US17/795,119 patent/US12155956B2/en active Active
- 2020-11-02 KR KR1020227025876A patent/KR20220137638A/ko active Pending
- 2020-11-02 JP JP2021575615A patent/JP7630452B2/ja active Active
-
2021
- 2021-01-08 TW TW110100722A patent/TWI891703B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010147614A (ja) | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法、撮像装置 |
| US20110109392A1 (en) | 2009-11-09 | 2011-05-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Low noise amplifier |
| US20130169364A1 (en) | 2010-05-25 | 2013-07-04 | Agency For Science, Technology And Research | Amplifier and Transceiver Including the Amplifier |
| JP2016005054A (ja) | 2014-06-16 | 2016-01-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2016181884A (ja) | 2015-03-25 | 2016-10-13 | 住友電気工業株式会社 | 電子回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114946173B (zh) | 2026-04-17 |
| JPWO2021157148A1 (ja) | 2021-08-12 |
| CN114946173A (zh) | 2022-08-26 |
| EP4120673A4 (en) | 2023-07-12 |
| KR20220137638A (ko) | 2022-10-12 |
| US12155956B2 (en) | 2024-11-26 |
| WO2021157148A1 (ja) | 2021-08-12 |
| TW202133602A (zh) | 2021-09-01 |
| EP4120673A1 (en) | 2023-01-18 |
| TWI891703B (zh) | 2025-08-01 |
| US20230066061A1 (en) | 2023-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7630452B2 (ja) | 固体撮像素子、および、撮像装置 | |
| US11962927B2 (en) | Solid-state image sensor | |
| EP3664440B1 (en) | Solid-state imaging element and imaging device | |
| JP7579902B2 (ja) | 固体撮像素子、および、撮像装置 | |
| JP7386163B2 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法 | |
| US12356100B2 (en) | Solid-state imaging element and imaging apparatus | |
| US12177591B2 (en) | Solid-state imaging element and imaging device | |
| US11283417B2 (en) | Amplification circuit, imaging device, and control method of amplification circuit | |
| US12407936B2 (en) | Solid state imaging element, imaging apparatus, and method for controlling solid state imaging element | |
| CN116034588A (zh) | 固态成像元件 | |
| US12126925B2 (en) | Solid-state imaging element and imaging device | |
| WO2024157599A1 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230920 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240723 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240819 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20241008 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20241113 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20250107 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20250204 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7630452 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |