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JP7647722B2 - Manufacturing method of electrolytic capacitor - Google Patents
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Description

本発明は、電解コンデンサの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an electrolytic capacitor.

特許文献1には、内部に複数のコンデンサ素子が設けられた絶縁性樹脂体と、各コンデンサ素子の陽極部及び陰極部にそれぞれ電気的に接続された一対の端子(リードフレーム)と、を備えた固体電解コンデンサが記載されている。 Patent document 1 describes a solid electrolytic capacitor that includes an insulating resin body with multiple capacitor elements inside, and a pair of terminals (lead frames) that are electrically connected to the anode and cathode of each capacitor element, respectively.

国際公開第2020/179170号International Publication No. 2020/179170

特許文献1に記載された上記固体電解コンデンサは、通常では以下のような工程を経て作製される。まず、複数のコンデンサ素子を作製する。続いて、複数のコンデンサ素子を積層するとともに、各コンデンサ素子の陰極部及び陽極部にそれぞれリードフレームを電気的に接続する。各リードフレームは、例えば、Cuから構成された基材と、基材表面に形成されたNi層と、Ni層表面に形成されたSn層と、を有する。続いて、複数のコンデンサ素子を絶縁性樹脂で封止する。この段階ではまだリードフレームは折り曲げられておらず、絶縁性樹脂体から一方及び他方に向かって真っ直ぐに延在している。その後、一方のリードフレームを上方に、かつ他方のリードフレームを下方にした状態で、Snの融点より高く、かつCuの融点より低い温度で熱処理(エージング処理)を行う。これにより、品質が劣る個体をスクリーニングする。その後、各リードフレームを切断して不要部分を除去する。そして、切断された各リードフレームをそれぞれ折り曲げることによって一対の端子を形成する。 The solid electrolytic capacitor described in Patent Document 1 is usually manufactured through the following process. First, a plurality of capacitor elements are manufactured. Next, the plurality of capacitor elements are stacked, and a lead frame is electrically connected to the cathode and anode of each capacitor element. Each lead frame has, for example, a base material made of Cu, a Ni layer formed on the surface of the base material, and a Sn layer formed on the surface of the Ni layer. Next, the plurality of capacitor elements are sealed with insulating resin. At this stage, the lead frame has not yet been bent, and extends straight from the insulating resin body to one side and the other side. Then, with one lead frame facing up and the other lead frame facing down, a heat treatment (aging treatment) is performed at a temperature higher than the melting point of Sn and lower than the melting point of Cu. This allows screening of individuals with poor quality. Then, each lead frame is cut to remove unnecessary parts. Then, each cut lead frame is bent to form a pair of terminals.

このような製法では、熱処理の温度がSnの融点よりも高いため、熱処理中にSnが溶融し、Snが重力に従って下方に流れる。そのため、熱処理後、上方に位置するリードフレームでは、Snが絶縁性樹脂体付近に集まるため、当該リードフレームから形成された端子が厚くなってしまう。特に、当該端子の折り曲げ部周辺に偏ってSnが固化してしまうと最も悪く、折り曲げ時に製品の端子部分の厚み寸法の限度を超えてしまい、不良品になってしまうおそれがある。 In this type of manufacturing method, the temperature of the heat treatment is higher than the melting point of Sn, so the Sn melts during the heat treatment and flows downward due to gravity. Therefore, after the heat treatment, in the lead frame located at the top, Sn gathers near the insulating resin body, and the terminal formed from the lead frame becomes thick. In particular, it is worst if the Sn solidifies unevenly around the bent part of the terminal, and when bent, the thickness of the terminal part of the product exceeds the limit of the thickness dimension, which may result in a defective product.

本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、端子部分の厚み不良を抑制できる電解コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and aims to provide a manufacturing method for electrolytic capacitors that can suppress thickness defects in the terminal parts.

本発明の電解コンデンサの製造方法は、電解コンデンサ素子が封止された封止体と、上記電解コンデンサ素子の陽極及び陰極の一方と接続された第1リードフレームと、上記陽極及び上記陰極の他方と接続された第2リードフレームと、を備えるワークを準備する工程と、上記第1リードフレームの第1主面及び第2主面の少なくとも一方に、上記第1リードフレームの幅方向に延在する少なくとも1本の段差部を設ける工程と、上記ワークの熱処理を行う工程と、上記熱処理後に上記第1リードフレームを切断する工程と、を含み、上記第1リードフレームは、Cuから構成された基材を有するとともに、Cuより融点が低い低融点金属から構成された低融点金属層を表面に有し、上記熱処理は、上記段差部が設けられた上記第1リードフレームを上方に、かつ上記第2リードフレームを下方にした状態で、上記低融点金属の融点より高く、かつCuの融点より低い温度で行い、上記切断する工程では上記封止体と上記段差部との間で上記第1リードフレームを切断する。 The method for manufacturing an electrolytic capacitor of the present invention includes the steps of preparing a workpiece including a sealing body in which an electrolytic capacitor element is sealed, a first lead frame connected to one of the anode and cathode of the electrolytic capacitor element, and a second lead frame connected to the other of the anode and cathode; providing at least one step extending in the width direction of the first lead frame on at least one of the first and second main surfaces of the first lead frame; heat treating the workpiece; and cutting the first lead frame after the heat treatment. The first lead frame has a base material made of Cu and has a low-melting-point metal layer on its surface made of a low-melting-point metal having a melting point lower than that of Cu. The heat treatment is performed at a temperature higher than the melting point of the low-melting-point metal and lower than the melting point of Cu with the first lead frame with the step portion facing upward and the second lead frame facing downward. In the cutting step, the first lead frame is cut between the sealing body and the step portion.

本発明によれば、端子部分の厚み不良を抑制できる電解コンデンサの製造方法を提供することができる。 The present invention provides a method for manufacturing an electrolytic capacitor that can suppress thickness defects in the terminal portion.

図1は、本発明の実施形態に係るワークの一例を模式的に示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a schematic diagram of an example of a workpiece according to an embodiment of the present invention. 図2は、本発明の実施形態に係る封止体の一例を模式的に示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view that illustrates an example of a sealing body according to an embodiment of the present invention. 図3は、図2に示す封止体のA-A線断面図である。3 is a cross-sectional view of the sealing body shown in FIG. 2 taken along line AA. 図4は、図3に示す固体電解コンデンサ素子のマスク部分を拡大した断面図である。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the masked portion of the solid electrolytic capacitor element shown in FIG. 図5は、図1に示すワークのA-A線断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the workpiece shown in FIG. 1 taken along line AA. 図6は、図1に示すワークのリードフレームに段差部を設ける工程の一例を模式的に示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a schematic example of a process for providing a step portion in the lead frame of the work shown in FIG. 図7は、図1に示すワークのリードフレームに段差部を設ける工程の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a schematic example of a process for providing a step portion in the lead frame of the workpiece shown in FIG. 図8は、Sn層にレーザを照射することによって形成された溝部の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of a groove formed by irradiating a Sn layer with a laser. 図9は、図1に示すワークのリードフレームに段差部を設ける工程の別の例を模式的に示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a schematic example of a process for providing a step portion in the lead frame of the workpiece shown in FIG. 図10は、図6に示すワークの熱処理後の一例を模式的に示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing an example of the workpiece shown in FIG. 6 after the heat treatment. 図11は、図7に示すワークの熱処理後の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of the workpiece shown in FIG. 7 after heat treatment. 図12は、図10に示すワークのリードフレームを切断する工程の一例を模式的に示す平面図である。FIG. 12 is a plan view that illustrates an example of a process for cutting the lead frame of the workpiece illustrated in FIG. 図13は、図11に示すワークのリードフレームを切断する工程の一例を模式的に示す断面図である。13A to 13C are cross-sectional views each showing a schematic example of a process for cutting the lead frame of the workpiece shown in FIG. 図14は、図13に示すワークのリードフレームを折り曲げる工程の一例を模式的に示す断面図である。14A to 14C are cross-sectional views each showing a schematic example of a process for bending the lead frame of the workpiece shown in FIG. 図15は、図1に示すワークのリードフレームに第2溝部を設ける工程の一例を模式的に示す平面図である。FIG. 15 is a plan view that illustrates an example of a step of providing a second groove portion in the lead frame of the workpiece illustrated in FIG. 図16は、図1に示すワークのリードフレームに第2溝部を設ける工程の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view that illustrates an example of a step of providing a second groove portion in the lead frame of the workpiece illustrated in FIG. 図17は、図16に示すワークのリードフレームを切断する工程の一例を模式的に示す断面図である。17A to 17C are cross-sectional views each showing a schematic example of a process for cutting the lead frame of the workpiece shown in FIG. 16. In FIG. 図18は、図17に示すワークのリードフレームを折り曲げる工程の一例を模式的に示す断面図である。18A to 18C are cross-sectional views each showing a schematic example of a process for bending the lead frame of the workpiece shown in FIG. 17. In FIG. 図19は、図1に示すワークのリードフレームに段差部を設ける工程のさらに別の例を模式的に示す断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view showing a schematic diagram of still another example of the step of providing a step portion in the lead frame of the workpiece shown in FIG. 図20は、本発明の比較形態に係るワークの一例を模式的に示す平面図である。FIG. 20 is a plan view showing a schematic example of a workpiece according to a comparative embodiment of the present invention. 図21は、図20に示すワークの熱処理後の一例を模式的に示す平面図である。FIG. 21 is a plan view showing a schematic example of the workpiece shown in FIG. 20 after heat treatment. 図22は、図20に示すワークの熱処理後の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 22 is a cross-sectional view showing a schematic example of the workpiece shown in FIG. 20 after heat treatment. 図23は、図22に示すワークのリードフレームを折り曲げる工程の一例を模式的に示す断面図である。23A to 23C are cross-sectional views each showing a schematic example of a process for bending the lead frame of the workpiece shown in FIG. 22. In FIG. 図24は、実施例1、2及び比較例1の熱処理後の陽極端子部の厚みの分布を示すグラフである。FIG. 24 is a graph showing the distribution of thicknesses of the anode terminals after heat treatment in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1. 図25は、実施例1、2及び比較例1の陽極端子不良品の不良品率を示すグラフである。FIG. 25 is a graph showing the defective product rates of the defective anode terminals in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1. 図26は、実施例1の固体電解コンデンサの側面写真である。FIG. 26 is a side photograph of the solid electrolytic capacitor of Example 1. 図27は、比較例1の固体電解コンデンサの側面写真である。FIG. 27 is a side photograph of the solid electrolytic capacitor of Comparative Example 1.

以下、電解コンデンサの製造方法について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の望ましい構成を2つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
A method for manufacturing an electrolytic capacitor will now be described.
However, the present invention is not limited to the following configurations, and can be modified and applied as appropriate within the scope of the present invention. Note that the present invention also includes a combination of two or more of the individual desirable configurations described below.

(ワーク準備工程)
図1は、本発明の実施形態に係るワークの一例を模式的に示す平面図である。
(Work preparation process)
FIG. 1 is a plan view showing a schematic diagram of an example of a workpiece according to an embodiment of the present invention.

図1に示すように、まず、ワーク100を準備する。ワーク100は、複数の封止体110と、第1リードフレームとしてのリードフレーム120と、第2リードフレームとしてのリードフレーム130と、を備えている。 As shown in FIG. 1, first, a workpiece 100 is prepared. The workpiece 100 includes a plurality of sealing bodies 110, a lead frame 120 as a first lead frame, and a lead frame 130 as a second lead frame.

図2は、本発明の実施形態に係る封止体の一例を模式的に示す斜視図である。 Figure 2 is a perspective view showing a schematic example of a sealing body according to an embodiment of the present invention.

図2に示ように、各封止体110には電解コンデンサ素子としての固体電解コンデンサ素子1が複数封止されている。各固体電解コンデンサ素子1は、封止材111によって覆われている。 As shown in FIG. 2, multiple solid electrolytic capacitor elements 1 are sealed in each sealing body 110 as electrolytic capacitor elements. Each solid electrolytic capacitor element 1 is covered with a sealing material 111.

図3は、図2に示す封止体のA-A線断面図である。図2及び図3には、封止体110の長さ方向(長手方向)をL、幅方向をW、高さ方向をTで示している。ここで、長さ方向Lと幅方向Wと高さ方向Tとは互いに直交している。 Figure 3 is a cross-sectional view of the sealing body shown in Figure 2 taken along line A-A. In Figures 2 and 3, the length direction (longitudinal direction) of the sealing body 110 is indicated by L, the width direction by W, and the height direction by T. Here, the length direction L, the width direction W, and the height direction T are mutually perpendicular.

封止体110は、複数の固体電解コンデンサ素子1が封止材111で封止されることによって形成されている。封止材111は、各固体電解コンデンサ素子1の全体とリードフレーム120の一部とリードフレーム130の一部とを覆うように形成されている。封止材111としては、例えば、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂が挙げられる。 The sealing body 110 is formed by sealing a plurality of solid electrolytic capacitor elements 1 with a sealing material 111. The sealing material 111 is formed so as to cover the entirety of each solid electrolytic capacitor element 1, a part of the lead frame 120, and a part of the lead frame 130. Examples of the sealing material 111 include insulating resins such as epoxy resins.

なお、封止体110に含まれる固体電解コンデンサ素子1の数は、1以上であれば特に限定されず、適宜設定可能である。 The number of solid electrolytic capacitor elements 1 included in the sealing body 110 is not particularly limited as long as it is one or more, and can be set appropriately.

封止体110は、略直方体状の外形を有している。封止体110は、高さ方向Tにおいて相対する第1主面110a及び第2主面110b、幅方向Wにおいて相対する第1側面110c及び第2側面110d、並びに、長さ方向Lにおいて相対する第1端面110e及び第2端面110fを有している。 The sealing body 110 has a generally rectangular parallelepiped shape. The sealing body 110 has a first main surface 110a and a second main surface 110b that face each other in the height direction T, a first side surface 110c and a second side surface 110d that face each other in the width direction W, and a first end surface 110e and a second end surface 110f that face each other in the length direction L.

なお、第1端面110e及び第2端面110fは、図2及び図3に示したように断面視V字状に外側に少し突出していてもよい。 The first end surface 110e and the second end surface 110f may protrude slightly outward in a V-shape in cross section as shown in Figures 2 and 3.

固体電解コンデンサ素子1は、金属基体層11と金属基体層11上の多孔質層12とを有し、陽極引き出し領域13と陰極形成領域14とを有する弁作用金属基体10と、陰極形成領域14において多孔質層12の表面上に設けられた誘電体層(図3では図示せず)と、陰極形成領域14において誘電体層を介して多孔質層12上に設けられた固体電解質層30と、固体電解質層30上に形成された導電層40と、陽極引き出し領域13と陰極形成領域14とを区画し、誘電体層を介して多孔質層12上に設けられたマスク50と、を備えている。 The solid electrolytic capacitor element 1 includes a valve metal substrate 10 having a metal substrate layer 11 and a porous layer 12 on the metal substrate layer 11, and having an anode lead-out region 13 and a cathode formation region 14, a dielectric layer (not shown in FIG. 3) provided on the surface of the porous layer 12 in the cathode formation region 14, a solid electrolyte layer 30 provided on the porous layer 12 via the dielectric layer in the cathode formation region 14, a conductive layer 40 formed on the solid electrolyte layer 30, and a mask 50 provided on the porous layer 12 via the dielectric layer, which separates the anode lead-out region 13 from the cathode formation region 14.

陽極引き出し領域13側において、各固体電解コンデンサ素子1の弁作用金属基体10がリードフレーム120によってまとめられて、封止材111(封止体110)の外に引き出される。 On the anode pull-out region 13 side, the valve metal substrate 10 of each solid electrolytic capacitor element 1 is held together by a lead frame 120 and pulled out to the outside of the sealing material 111 (sealing body 110).

陰極形成領域14側において、各固体電解コンデンサ素子1の導電層40が電気的に接続されて、さらにリードフレーム130と電気的に接続されて、封止材111(封止体110)の外に引き出される。 On the cathode formation region 14 side, the conductive layer 40 of each solid electrolytic capacitor element 1 is electrically connected, and further electrically connected to the lead frame 130, and is extended outside the sealing material 111 (sealing body 110).

固体電解コンデンサ素子1における各構成について以下に詳しく説明する。 Each component of the solid electrolytic capacitor element 1 is described in detail below.

弁作用金属基体10は、平面視四角形状の薄膜(箔)であり、好ましくは、一対の長辺及び一対の短辺を有する平面視矩形状(短冊状)である。弁作用金属基体10は、固体電解コンデンサ素子1の陽極60として機能する。 The valve metal substrate 10 is a thin film (foil) having a quadrangular shape in plan view, and is preferably rectangular (strip-like) in plan view having a pair of long sides and a pair of short sides. The valve metal substrate 10 functions as the anode 60 of the solid electrolytic capacitor element 1.

図4は、図3に示す固体電解コンデンサ素子のマスク部分を拡大した断面図である。 Figure 4 is an enlarged cross-sectional view of the masked portion of the solid electrolytic capacitor element shown in Figure 3.

弁作用金属基体10は、図4に示したように、金属基体層11と、複数の凹部が設けられた多孔質層12とを有している。そのため、弁作用金属基体10の各主面は、多孔質状になっている。これにより、弁作用金属基体10の表面積が大きくなっている。なお、弁作用金属基体10の両主面が多孔質状(多孔質層12)である場合に限られず、弁作用金属基体10の両主面の一方のみが多孔質状(多孔質層12)であってもよい。 As shown in FIG. 4, the valve metal substrate 10 has a metal substrate layer 11 and a porous layer 12 having a plurality of recesses. Therefore, each main surface of the valve metal substrate 10 is porous. This increases the surface area of the valve metal substrate 10. Note that both main surfaces of the valve metal substrate 10 are not limited to being porous (porous layer 12), and only one of the main surfaces of the valve metal substrate 10 may be porous (porous layer 12).

金属基体層11は、弁作用金属基体10の芯金部であり、図3に示したように、その厚みは略一定である。 The metal substrate layer 11 is the core metal portion of the valve metal substrate 10, and as shown in FIG. 3, its thickness is approximately constant.

弁作用金属基体10は、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム等の金属単体、又は、これらの金属を含む合金等の弁作用金属によって構成されている。弁作用金属の表面には、酸化被膜を形成することができる。 The valve metal substrate 10 is composed of a valve metal, such as a metal element such as aluminum, tantalum, niobium, titanium, or zirconium, or an alloy containing these metals. An oxide film can be formed on the surface of the valve metal.

なお、弁作用金属基体10は、金属基体層と当該金属基体層の少なくとも一方の主面に設けられた多孔質層とによって構成されていればよく、金属箔の表面をエッチングしたもの、金属箔の表面に多孔質状の微粉焼結体を形成したもの等を適宜採用することができる。 The valve metal substrate 10 may be composed of a metal substrate layer and a porous layer provided on at least one of the main surfaces of the metal substrate layer, and may be formed from a metal foil having an etched surface, a porous sintered powder body formed on the surface of the metal foil, or the like.

誘電体層20は、ここでは、弁作用金属基体10の多孔質層12の表面上に設けられている(図4参照)。ただし、誘電体層20は、弁作用金属基体10の両主面の少なくとも一方上に設けられていればよい。 Here, the dielectric layer 20 is provided on the surface of the porous layer 12 of the valve metal substrate 10 (see FIG. 4). However, it is sufficient that the dielectric layer 20 is provided on at least one of the two main surfaces of the valve metal substrate 10.

誘電体層20は、弁作用金属基体10の多孔質層12の表面に設けられた酸化被膜によって構成されていることが好ましい。例えば、誘電体層20は、アルミニウムの酸化物で構成されている。アルミニウムの酸化物は、弁作用金属基体の表面が陽極酸化処理されることにより形成される。 The dielectric layer 20 is preferably composed of an oxide film provided on the surface of the porous layer 12 of the valve metal substrate 10. For example, the dielectric layer 20 is composed of an oxide of aluminum. The oxide of aluminum is formed by anodizing the surface of the valve metal substrate.

マスク50は、弁作用金属基体10の1つの辺(好ましくは短辺)に沿って設けられた絶縁部材であり、固体電解コンデンサ素子1の陽極60と陰極70とを隔て、固体電解コンデンサ素子1の陽極60及び陰極70間の絶縁を確保している。マスク50によって、弁作用金属基体10は、陽極引き出し領域13と陰極形成領域14とに区画されている。 The mask 50 is an insulating member provided along one side (preferably the short side) of the valve metal substrate 10, separating the anode 60 and the cathode 70 of the solid electrolytic capacitor element 1, and ensuring insulation between the anode 60 and the cathode 70 of the solid electrolytic capacitor element 1. The mask 50 divides the valve metal substrate 10 into an anode extraction region 13 and a cathode formation region 14.

図4に示すように、マスク50は、弁作用金属基体10(多孔質層12)の複数の細孔(凹部)を充填するように設けられていることが好ましい。ただし、マスク50によって誘電体層20の外表面の一部が覆われていればよく、マスク50によって充填されていない多孔質層12の細孔(凹部)が存在していてもよい。 As shown in FIG. 4, the mask 50 is preferably provided so as to fill a plurality of pores (recesses) in the valve metal substrate 10 (porous layer 12). However, it is sufficient that the mask 50 covers a portion of the outer surface of the dielectric layer 20, and there may be pores (recesses) in the porous layer 12 that are not filled by the mask 50.

マスク50は、絶縁材料から構成されている。マスク50は、例えば、絶縁性樹脂を含む組成物等のマスク材を塗布して形成される。絶縁性樹脂としては、例えば、ポリフェニルスルホン(PPS)、ポリエーテルスルホン(PES)、シアン酸エステル樹脂、フッ素樹脂(テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等)、可溶性ポリイミドシロキサンとエポキシ樹脂からなる組成物、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、及び、それらの誘導体又は前駆体等が挙げられる。 The mask 50 is made of an insulating material. The mask 50 is formed by applying a mask material such as a composition containing an insulating resin. Examples of insulating resins include polyphenylsulfone (PPS), polyethersulfone (PES), cyanate ester resin, fluororesin (tetrafluoroethylene, tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinylether copolymer, etc.), a composition consisting of soluble polyimidesiloxane and epoxy resin, polyimide resin, polyamideimide resin, and derivatives or precursors thereof.

マスク材の塗布は、例えば、スクリーン印刷、ローラー転写、ディスペンサ、インクジェット印刷等により行うことができる。 The masking material can be applied by, for example, screen printing, roller transfer, dispenser, inkjet printing, etc.

固体電解コンデンサ素子1は、誘電体層20上に設けられた固体電解質層30と、固体電解質層30上に設けられた導電層40と、を有しており、これらは、固体電解コンデンサ素子1の陰極70として機能する。また、陰極70は、マスク50によって区画された弁作用金属基体10の陰極形成領域14において誘電体層20上に設けられている。 The solid electrolytic capacitor element 1 has a solid electrolyte layer 30 provided on a dielectric layer 20 and a conductive layer 40 provided on the solid electrolyte layer 30, which function as a cathode 70 of the solid electrolytic capacitor element 1. The cathode 70 is provided on the dielectric layer 20 in a cathode formation region 14 of the valve metal substrate 10 defined by a mask 50.

固体電解質層30は、マスク50によって区画された弁作用金属基体10の陰極形成領域14において誘電体層20上に設けられている。図4に示すように、固体電解質層30は、弁作用金属基体10(多孔質層12)の複数の細孔(凹部)を充填するように設けられていることが好ましい。ただし、固体電解質層30によって誘電体層20の外表面の一部が覆われていればよく、固体電解質層30によって充填されていない多孔質層12の細孔(凹部)が存在していてもよい。 The solid electrolyte layer 30 is provided on the dielectric layer 20 in the cathode formation region 14 of the valve metal substrate 10, which is partitioned by the mask 50. As shown in FIG. 4, the solid electrolyte layer 30 is preferably provided so as to fill a plurality of pores (recesses) of the valve metal substrate 10 (porous layer 12). However, it is sufficient that the solid electrolyte layer 30 covers a portion of the outer surface of the dielectric layer 20, and there may be pores (recesses) of the porous layer 12 that are not filled with the solid electrolyte layer 30.

固体電解質層30を構成する材料としては、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類等の導電性高分子等が用いられる。これらの中では、ポリチオフェン類が好ましく、PEDOTと呼ばれるポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)が特に好ましい。また、上記導電性高分子は、ポリスチレンスルホン酸(PSS)等のドーパントを含んでいてもよい。 The material constituting the solid electrolyte layer 30 may be, for example, a conductive polymer such as polypyrroles, polythiophenes, or polyanilines. Of these, polythiophenes are preferred, and poly(3,4-ethylenedioxythiophene), also known as PEDOT, is particularly preferred. The conductive polymer may also contain a dopant such as polystyrene sulfonate (PSS).

固体電解質層30は、例えば、3,4-エチレンジオキシチオフェン等の重合性モノマーの含有液を用いて、誘電体層20の表面にポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)等の導電性高分子の重合膜を形成する方法や、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)等の導電性高分子の分散液を誘電体層20の表面に塗布して乾燥させる方法等によって形成される。 The solid electrolyte layer 30 is formed, for example, by a method of forming a polymerized film of a conductive polymer such as poly(3,4-ethylenedioxythiophene) on the surface of the dielectric layer 20 using a liquid containing a polymerizable monomer such as 3,4-ethylenedioxythiophene, or by applying a dispersion liquid of a conductive polymer such as poly(3,4-ethylenedioxythiophene) to the surface of the dielectric layer 20 and drying it.

なお、弁作用金属基体10の細孔(凹部)を充填する内層を形成した後、誘電体層20全体を被覆する外層を形成することが好ましい。内層の形成は、例えば、浸漬法、電解重合、スポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ、インクジェット印刷等により行うことができる。同様に、外層の形成は、例えば、浸漬法、電解重合、スポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ、インクジェット印刷等により行うことができる。 After forming the inner layer that fills the pores (recesses) of the valve metal substrate 10, it is preferable to form an outer layer that covers the entire dielectric layer 20. The inner layer can be formed by, for example, a dipping method, electrolytic polymerization, sponge transfer, screen printing, a dispenser, inkjet printing, etc. Similarly, the outer layer can be formed by, for example, a dipping method, electrolytic polymerization, sponge transfer, screen printing, a dispenser, inkjet printing, etc.

導電層40は、固体電解質層30上に設けられている。導電層40は、固体電解質層30の略全域を覆っており、マスク50に接触している。なお、導電層40は、マスク50の少なくとも一部を覆うように配置されてもよいし、マスク50に接触せずにマスク50の手前まで配置されていてもよい。導電層40は、略一定の厚さを有している。 The conductive layer 40 is provided on the solid electrolyte layer 30. The conductive layer 40 covers substantially the entire area of the solid electrolyte layer 30 and is in contact with the mask 50. The conductive layer 40 may be disposed so as to cover at least a portion of the mask 50, or may be disposed up to the front of the mask 50 without contacting the mask 50. The conductive layer 40 has a substantially constant thickness.

導電層40は、例えば、カーボン層又は陰極導体層を含む。また、導電層40は、カーボン層の外表面に陰極導体層が設けられた複合層や、カーボン及び陰極導体層材料を含む混合層であってもよい。 The conductive layer 40 includes, for example, a carbon layer or a cathode conductor layer. The conductive layer 40 may also be a composite layer in which a cathode conductor layer is provided on the outer surface of a carbon layer, or a mixed layer that includes carbon and a cathode conductor layer material.

カーボン層は、例えば、カーボン粒子と樹脂とを含むカーボンペーストを固体電解質層30の表面に塗布して乾燥させる方法等によって形成される。 The carbon layer is formed, for example, by applying a carbon paste containing carbon particles and resin to the surface of the solid electrolyte layer 30 and drying it.

カーボンペーストの塗布は、例えば、浸漬法、スポンジ転写、スクリーン印刷、スプレー塗布、ディスペンサ、インクジェット印刷等により行うことができる。 The carbon paste can be applied by, for example, the immersion method, sponge transfer, screen printing, spray application, dispenser, inkjet printing, etc.

陰極導体層は、例えば、金、銀、銅、白金等の金属粒子と樹脂とを含む導電性ペーストを固体電解質層又はカーボン層の表面に塗布して乾燥させる方法等によって形成される。陰極導体層は、銀層であることが好ましい。 The cathode conductor layer is formed, for example, by applying a conductive paste containing metal particles such as gold, silver, copper, platinum, etc. and a resin to the surface of the solid electrolyte layer or the carbon layer and drying it. The cathode conductor layer is preferably a silver layer.

導電性ペーストの塗布は、例えば、浸漬法、スポンジ転写、スクリーン印刷、スプレー塗布、ディスペンサ、インクジェット印刷等により行うことができる。 The conductive paste can be applied by, for example, the dipping method, sponge transfer, screen printing, spray application, dispenser, inkjet printing, etc.

続いて、リードフレーム120及び130について以下に詳しく説明する。 Next, the lead frames 120 and 130 will be described in detail below.

リードフレーム120及び130は、複数の封止体110を支持固定する金属薄板であり、各封止体110を実装する際の接続端子となる部品である。リードフレーム120及び130は、封止体110の第1主面110a及び第2主面110bと平行に設けられている。図3に示すように、リードフレーム120は、封止体110の第1主面110a側に第1主面120aを、封止体110の第2主面110b側に第2主面120bをそれぞれ有している。リードフレーム130も同様に、封止体110の第1主面110a側に第1主面130aを、封止体110の第2主面110b側に第2主面130bをそれぞれ有している。 The lead frames 120 and 130 are thin metal plates that support and fix the multiple sealing bodies 110, and are components that serve as connection terminals when mounting each sealing body 110. The lead frames 120 and 130 are arranged parallel to the first main surface 110a and the second main surface 110b of the sealing body 110. As shown in FIG. 3, the lead frame 120 has a first main surface 120a on the first main surface 110a side of the sealing body 110, and a second main surface 120b on the second main surface 110b side of the sealing body 110. Similarly, the lead frame 130 has a first main surface 130a on the first main surface 110a side of the sealing body 110, and a second main surface 130b on the second main surface 110b side of the sealing body 110.

リードフレーム120は、各固体電解コンデンサ素子1の弁作用金属基体10、すなわち陽極60と接続されている。より詳細には、図1に示すように、リードフレーム120は、複数の封止体110に対応して設けられた複数の陽極端子部121と、複数の陽極端子部121を支持する連結部122と、を有している。各陽極端子部121は、固体電解コンデンサの陽極端子を形成するための部分であり、対応する封止体110に含まれる固体電解コンデンサ素子1の陽極60と接続されている。また、各陽極端子部121は、例えば平面視矩形状に形成されており、対応する封止体110(第1端面110e)から一方に向かって真っ直ぐに延在している。連結部122は、複数の陽極端子部121に接続されており、リードフレーム120の幅方向w1に延在している。リードフレーム120の幅方向w1とは、複数の陽極端子部121の幅方向であり、陽極端子部121の幅方向とは、陽極端子部121の延在方向(封止体110から離れる方向)に直交する方向である。 The lead frame 120 is connected to the valve metal base 10, i.e., the anode 60, of each solid electrolytic capacitor element 1. More specifically, as shown in FIG. 1, the lead frame 120 has a plurality of anode terminals 121 provided corresponding to the plurality of sealing bodies 110, and a connecting portion 122 supporting the plurality of anode terminals 121. Each anode terminal 121 is a portion for forming an anode terminal of the solid electrolytic capacitor, and is connected to the anode 60 of the solid electrolytic capacitor element 1 included in the corresponding sealing body 110. Each anode terminal 121 is formed, for example, in a rectangular shape in a plan view, and extends straight from the corresponding sealing body 110 (first end surface 110e) toward one side. The connecting portion 122 is connected to the plurality of anode terminals 121 and extends in the width direction w1 of the lead frame 120. The width direction w1 of the lead frame 120 is the width direction of the multiple anode terminals 121, and the width direction of the anode terminals 121 is the direction perpendicular to the extension direction of the anode terminals 121 (the direction away from the sealing body 110).

リードフレーム130は、各固体電解コンデンサ素子1の導電層40、すなわち陰極70と接続されている。より詳細には、図1に示すように、リードフレーム130は、複数の封止体110に対応して設けられた複数の陰極端子部131と、複数の陰極端子部131を支持する連結部132と、を有している。各陰極端子部131は、固体電解コンデンサの陰極端子を形成するための部分であり、対応する封止体110に含まれる固体電解コンデンサ素子1の陰極70と接続されている。また、各陰極端子部131は、例えば平面視矩形状に形成されており、対応する封止体110(第2端面110f)から他方に向かって真っ直ぐに延在している。連結部132は、複数の陰極端子部131に接続されており、リードフレーム130の幅方向w2に延在している。リードフレーム130の幅方向w2とは、複数の陰極端子部131の幅方向であり、陰極端子部131の幅方向とは、陰極端子部131の延在方向(封止体110から離れる方向)に直交する方向である。 The lead frame 130 is connected to the conductive layer 40, i.e., the cathode 70, of each solid electrolytic capacitor element 1. More specifically, as shown in FIG. 1, the lead frame 130 has a plurality of cathode terminals 131 provided corresponding to the plurality of sealing bodies 110, and a connecting portion 132 supporting the plurality of cathode terminals 131. Each cathode terminal 131 is a portion for forming a cathode terminal of the solid electrolytic capacitor, and is connected to the cathode 70 of the solid electrolytic capacitor element 1 included in the corresponding sealing body 110. In addition, each cathode terminal 131 is formed, for example, in a rectangular shape in a plan view, and extends straight from the corresponding sealing body 110 (second end surface 110f) to the other side. The connecting portion 132 is connected to the plurality of cathode terminals 131 and extends in the width direction w2 of the lead frame 130. The width direction w2 of the lead frame 130 is the width direction of the multiple cathode terminals 131, and the width direction of the cathode terminals 131 is the direction perpendicular to the extension direction of the cathode terminals 131 (the direction away from the sealing body 110).

図5は、図1に示すワークのA-A線断面図である。なお、図5では封止体110の内部構造の図示は省略している。また、リードフレーム130は、図5に示すリードフレーム120の断面構造と同様の断面構造を有しているため、その図面を省略する。 Figure 5 is a cross-sectional view of the workpiece shown in Figure 1 taken along line A-A. Note that the internal structure of the sealing body 110 is omitted from Figure 5. Also, the lead frame 130 has a cross-sectional structure similar to that of the lead frame 120 shown in Figure 5, and therefore is not shown in the drawing.

図5に示すように、リードフレーム120及び130は、各々、Cu(銅)から構成された基材(以下、Cu基材という)140を有するとともに、低融点金属層としてのSn層141を表面に有している。Sn層141は、Cuより融点が低い低融点金属としてのSn(すず)から構成されている。 As shown in FIG. 5, each of the lead frames 120 and 130 has a base material (hereinafter referred to as a Cu base material) 140 made of Cu (copper), and has a Sn layer 141 on the surface as a low melting point metal layer. The Sn layer 141 is made of Sn (tin), a low melting point metal that has a lower melting point than Cu.

このように、低融点金属層としては、Sn層141が好適であり、リードフレーム120及び130は、Cu基材140とSn層141との間にNi(ニッケル)から構成されたNi層142を有することが好ましい。すなわち、リードフレーム120及び130は、各々、Cu基材140と、Cu基材140の表面に形成されたNi層142と、Ni層142の表面に形成されたSn層141と、を有することが好ましい。これにより、後述するように、段差部としての機能を効果的に発揮する溝部をレーザ照射によって形成することができる。また、Sn層141は、はんだに対する濡れ性を向上することができる。さらに、Ni層142は、Cu基材140とSn層141との反応を防止するバリアー層として機能する。 As described above, the Sn layer 141 is suitable as the low melting point metal layer, and the lead frames 120 and 130 preferably have a Ni layer 142 made of Ni (nickel) between the Cu base material 140 and the Sn layer 141. That is, the lead frames 120 and 130 each preferably have a Cu base material 140, a Ni layer 142 formed on the surface of the Cu base material 140, and a Sn layer 141 formed on the surface of the Ni layer 142. As a result, as described later, a groove that effectively functions as a step portion can be formed by laser irradiation. In addition, the Sn layer 141 can improve the wettability with solder. Furthermore, the Ni layer 142 functions as a barrier layer that prevents the reaction between the Cu base material 140 and the Sn layer 141.

Cu基材140は、例えば、Cu薄板をレーザ加工又は打ち抜き加工することによって形成することができる。Sn層141及びNi層142は、それぞれ、例えば、めっき法により形成可能である。 The Cu base material 140 can be formed, for example, by laser processing or punching a thin Cu plate. The Sn layer 141 and the Ni layer 142 can each be formed, for example, by a plating method.

Cu基材140の厚みは、90μm以上、110μm以下であることが好ましい。 The thickness of the Cu base material 140 is preferably 90 μm or more and 110 μm or less.

Sn層141の厚みは、5.0μm以上、7.0μm以下であることが好ましい。 The thickness of the Sn layer 141 is preferably 5.0 μm or more and 7.0 μm or less.

Ni層142の厚みは、0.5μm以上、2.0μm以下であることが好ましい。 The thickness of the Ni layer 142 is preferably 0.5 μm or more and 2.0 μm or less.

(段差部形成工程)
図6は、図1に示すワークのリードフレームに段差部を設ける工程の一例を模式的に示す平面図である。図7は、図1に示すワークのリードフレームに段差部を設ける工程の一例を模式的に示す断面図である。なお、図7は、図1に示すワークのB-B線断面図に相当する。また、図7では封止体110の内部構造の図示は省略している。
(Step forming process)
Fig. 6 is a plan view showing a schematic example of a process for providing a step portion in the lead frame of the work shown in Fig. 1. Fig. 7 is a cross-sectional view showing a schematic example of a process for providing a step portion in the lead frame of the work shown in Fig. 1. Fig. 7 corresponds to the cross-sectional view of the work taken along line B-B in Fig. 1. Also, the internal structure of the sealing body 110 is not shown in Fig. 7.

図6及び図7に示すように、続いて、リードフレーム120の第2主面120bに、リードフレーム120の幅方向w1に延在する段差部150を設ける。より詳細には、各陽極端子部121においてリードフレーム120の第2主面120bに、リードフレーム120の幅方向w1、すなわち陽極端子部121の幅方向に延在する段差部150を設ける。段差部150は、幅方向w1において陽極端子部121の一端から他端まで形成されている。リードフレーム120の幅方向w1は、封止体110の幅方向Wと平行であってもよい。 6 and 7, a step portion 150 is then provided on the second main surface 120b of the lead frame 120, extending in the width direction w1 of the lead frame 120. More specifically, a step portion 150 is provided on the second main surface 120b of the lead frame 120 in each anode terminal portion 121, extending in the width direction w1 of the lead frame 120, i.e., in the width direction of the anode terminal portion 121. The step portion 150 is formed from one end to the other end of the anode terminal portion 121 in the width direction w1. The width direction w1 of the lead frame 120 may be parallel to the width direction W of the sealing body 110.

段差部150としては溝部(第1溝部)151を形成することが好ましい。すなわち、リードフレーム120の表面に線状の凹条部を形成することが好ましい。 It is preferable to form a groove portion (first groove portion) 151 as the step portion 150. In other words, it is preferable to form a linear recessed portion on the surface of the lead frame 120.

図8は、Sn層にレーザを照射することによって形成された溝部の一例を模式的に示す断面図である。 Figure 8 is a cross-sectional view showing an example of a groove formed by irradiating a Sn layer with a laser.

溝部151は、リードフレーム120に形成されたスクラッチ部であってもよい。具体的には、溝部151は、例えば、リードフレーム120の表面を機械的に削ることによって形成してもよいが、図8に示すように、Sn層141に、すなわち低融点金属層にレーザを照射して溶融することにより形成することが好ましい。これにより、後述する熱処理工程においてSnが溶融して流動してもSnを溝部151にて効果的にせき止めることができる。これは、レーザ照射によって新たに形成されたSn層141及びNi層142の表面が酸化して酸化物層(例えばSnO層とNi層)が形成されるが、通常は異なる酸化物同士の濡れ性が小さいためであると考えられる。 The groove 151 may be a scratch portion formed on the lead frame 120. Specifically, the groove 151 may be formed, for example, by mechanically scraping the surface of the lead frame 120, but is preferably formed by irradiating the Sn layer 141, i.e., the low melting point metal layer, with a laser to melt it, as shown in FIG. 8. This allows the Sn to be effectively blocked by the groove 151 even if the Sn melts and flows in the heat treatment process described later. This is thought to be because the surfaces of the Sn layer 141 and Ni layer 142 newly formed by the laser irradiation are oxidized to form oxide layers (e.g., SnO layer and Ni2O3 layer), but the wettability between different oxides is usually low.

このような観点から、Ni層142の表面が露出するようにSn層141を線状に除去することにより、溝部151を形成することが好ましい。これにより、図8に示すように、底面がNi層142から構成され、側面がSn層141から構成された溝部151が形成されることになるため、上述のようにSn層141及びNi層142の酸化物層によってSnの流動を効果的にせき止めることができる。 From this perspective, it is preferable to form the groove 151 by linearly removing the Sn layer 141 so that the surface of the Ni layer 142 is exposed. This results in the formation of the groove 151, as shown in FIG. 8, whose bottom surface is made of the Ni layer 142 and whose side surface is made of the Sn layer 141, so that the flow of Sn can be effectively blocked by the oxide layers of the Sn layer 141 and the Ni layer 142, as described above.

レーザとしては、例えば、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)レーザ等の固体レーザを用いることができる。
レーザの照射条件は、特に限定されず、適宜設定可能であるが、Sn層141のみが溶融し、Ni層142及びCu基材140は溶融しない条件であることが好ましい。ここで、Snの融点は、231℃であり、Niの融点は、1455℃であり、Cuの融点は、1085℃であるため、上記レーザ照射により、リードフレーム120の表面温度を231℃より高く、1085℃より低い温度に加熱することが好ましい。
As the laser, for example, a solid-state laser such as a YAG (yttrium aluminum garnet) laser can be used.
The laser irradiation conditions are not particularly limited and can be set appropriately, but are preferably such that only the Sn layer 141 melts and the Ni layer 142 and the Cu base material 140 do not melt. Since the melting point of Sn is 231° C., the melting point of Ni is 1455° C., and the melting point of Cu is 1085° C., it is preferable to heat the surface temperature of the lead frame 120 to a temperature higher than 231° C. and lower than 1085° C. by the above-mentioned laser irradiation.

具体的には、レーザの出力は、4.5W以上、6.5W以下であることが好ましい。 Specifically, the laser output is preferably 4.5 W or more and 6.5 W or less.

レーザのスキャン速度は、300mm/sとした。 The laser scanning speed was 300 mm/s.

レーザの周波数は、20kHzとした。 The laser frequency was set to 20 kHz.

図9は、図1に示すワークのリードフレームに段差部を設ける工程の別の例を模式的に示す断面図である。なお、図9は、図1に示すワークのB-B線断面図に相当する。また、図9では封止体110の内部構造の図示は省略している。 Figure 9 is a cross-sectional view that shows a schematic example of another process for providing a step portion in the lead frame of the workpiece shown in Figure 1. Note that Figure 9 corresponds to the cross-sectional view of the workpiece shown in Figure 1 taken along line B-B. Also, the internal structure of the sealing body 110 is not shown in Figure 9.

段差部150が形成される面は、リードフレーム120の第1主面120a及び/又は第2主面120bであれば特に限定されず、例えば、図9に示すように、リードフレーム120の第1主面120a及び第2主面120bにそれぞれ段差部150を形成してもよい。この場合、第1主面120a側の段差部150と第2主面120b側の段差部150とは、実質的に同じ場所に形成してもよいし、互いに異なる場所に形成してもよい。 The surface on which the step portion 150 is formed is not particularly limited as long as it is the first main surface 120a and/or the second main surface 120b of the lead frame 120. For example, as shown in FIG. 9, the step portion 150 may be formed on each of the first main surface 120a and the second main surface 120b of the lead frame 120. In this case, the step portion 150 on the first main surface 120a side and the step portion 150 on the second main surface 120b side may be formed in substantially the same location or in different locations.

なお、ここでは、各陽極端子部121の1つの主面当たり1本の段差部150を設ける場合について説明したが、各陽極端子部121の1つの主面当たり2本以上の段差部150を設けてもよい。 Here, we have described a case where one step portion 150 is provided on each main surface of each anode terminal portion 121, but two or more step portions 150 may be provided on each main surface of each anode terminal portion 121.

また、ここでは、段差部150が直線状である場合について説明したが、段差部150の平面形状は特に限定されず、例えば、円弧状や波線状等の曲線状であってもよいし、ジグザグ線状等の折れ線状であってもよい。 Although the above description has been given of the case where the step portion 150 is linear, the planar shape of the step portion 150 is not particularly limited, and may be, for example, a curved shape such as an arc or a wavy line, or a broken line shape such as a zigzag line.

(熱処理工程)
続いて、ワーク100の熱処理(エージング処理)を行う。詳細には、図6に示したように、段差部150が設けられたリードフレーム120を上方に、かつリードフレーム130を下方にした状態で、Snの融点、すなわち低融点金属の融点より高く、かつCuの融点より低い温度で、ワーク100の熱処理を行う。すなわち、熱処理中、リードフレーム120、封止体110及びリードフレーム120は、鉛直方向にこの順に配置される。これにより、品質が劣る個体をスクリーニングする。
(Heat treatment process)
Next, the work 100 is subjected to a heat treatment (aging treatment). In detail, as shown in Fig. 6, the lead frame 120 provided with the step portion 150 is placed on the upper side and the lead frame 130 is placed on the lower side, and the work 100 is subjected to a heat treatment at a temperature higher than the melting point of Sn, i.e., the melting point of the low melting point metal, and lower than the melting point of Cu. That is, during the heat treatment, the lead frame 120, the sealing body 110, and the lead frame 120 are arranged in this order in the vertical direction. This allows screening of individuals with poor quality.

熱処理のピーク温度は、260℃以上、270℃以下であることが好ましい。 The peak temperature of the heat treatment is preferably 260°C or higher and 270°C or lower.

熱処理の時間は、150℃以上、200℃以下の時間が60秒以上、120秒以下であることが好ましく、217℃以上の時間が60秒以上、150秒以下であることが好ましい。 The heat treatment time is preferably 150°C or more and 200°C or less for 60 seconds or more and 120 seconds or less, and 217°C or more for 60 seconds or more and 150 seconds or less.

図10は、図6に示すワークの熱処理後の一例を模式的に示す平面図である。図11は、図7に示すワークの熱処理後の一例を模式的に示す断面図である。 Figure 10 is a plan view showing an example of the workpiece shown in Figure 6 after heat treatment. Figure 11 is a cross-sectional view showing an example of the workpiece shown in Figure 7 after heat treatment.

図10及び図11に示すように、熱処理工程では、熱処理の温度が低融点金属であるSnの融点よりも高いため、熱処理中にSnが溶融し、Sn層141を構成するSnが重力に従って下方に流れる。しかしながら、リードフレーム120には段差部150が設けられているため、当該段差部150にてSnの流れをせき止めることができる(図10及び図11中のSn141a参照)。すなわち、上方に位置するリードフレーム120では、封止体110付近に集まるSn(低融点金属)の量を段差部150がない場合に比べて少なくすることができる(図10及び図11中のSn141b参照)。その結果、リードフレーム120から形成される端子、ここでは陽極端子の厚みを低減でき、作製される固体電解コンデンサの陽極端子部分の厚み不良を抑制することができる。 10 and 11, in the heat treatment process, the temperature of the heat treatment is higher than the melting point of Sn, which is a low-melting point metal, so that Sn melts during the heat treatment, and the Sn constituting the Sn layer 141 flows downward due to gravity. However, since the lead frame 120 has a step portion 150, the flow of Sn can be blocked at the step portion 150 (see Sn141a in Figs. 10 and 11). That is, in the lead frame 120 located at the top, the amount of Sn (low-melting point metal) that gathers near the sealing body 110 can be reduced compared to the case where the step portion 150 is not present (see Sn141b in Figs. 10 and 11). As a result, the thickness of the terminal formed from the lead frame 120, here the anode terminal, can be reduced, and the thickness defect of the anode terminal portion of the solid electrolytic capacitor to be manufactured can be suppressed.

なお、リードフレーム130については、熱処理工程において封止体110の下方に位置することから、Sn層141を構成するSnが重力に従って下方に流れても、そのSnが封止体110付近に集まらない。したがって、リードフレーム130にはリードフレーム120のように段差部を設けなくてもよい。 In addition, since the lead frame 130 is located below the sealing body 110 during the heat treatment process, even if the Sn constituting the Sn layer 141 flows downward due to gravity, the Sn does not gather near the sealing body 110. Therefore, there is no need to provide a step portion on the lead frame 130 as there is on the lead frame 120.

(切断工程)
図12は、図10に示すワークのリードフレームを切断する工程の一例を模式的に示す平面図である。図13は、図11に示すワークのリードフレームを切断する工程の一例を模式的に示す断面図である。
(Cutting process)
Fig. 12 is a plan view showing a schematic example of a process for cutting the lead frame of the workpiece shown in Fig. 10. Fig. 13 is a cross-sectional view showing a schematic example of a process for cutting the lead frame of the workpiece shown in Fig. 11.

続いて、図12及び図13に示すように、熱処理後にリードフレーム120及び130を切断する。より詳細には、リードフレーム120を、各封止体110と各段差部150との間で切断する。すなわち、各陽極端子部121を、対応する封止体110と、その陽極端子部121に設けられた段差部150との間で切断する。また、各陰極端子部131を、対応する陽極端子部121と同じ長さになるように切断する。これにより、リードフレーム120及び130の連結部122及び連結部132(図1参照)等の不要部分を除去する。 Next, as shown in FIG. 12 and FIG. 13, the lead frames 120 and 130 are cut after the heat treatment. More specifically, the lead frame 120 is cut between each sealing body 110 and each step portion 150. That is, each anode terminal portion 121 is cut between the corresponding sealing body 110 and the step portion 150 provided on the anode terminal portion 121. Also, each cathode terminal portion 131 is cut to have the same length as the corresponding anode terminal portion 121. This removes unnecessary portions of the lead frames 120 and 130, such as the connecting portion 122 and the connecting portion 132 (see FIG. 1).

(端子形成工程)
図14は、図13に示すワークのリードフレームを折り曲げる工程の一例を模式的に示す断面図である。
(Terminal formation process)
14A to 14C are cross-sectional views each showing a schematic example of a process for bending the lead frame of the workpiece shown in FIG.

最後に、図14に示すように、切断されたリードフレーム120及び130をそれぞれ折り曲げる。より詳細には、各封止体110について、陽極端子部121を略中央部にて略90°折り曲げ、その後、陽極端子部121を根元部にて略90°折り曲げる。これにより、封止体110に沿って陽極端子123が形成される。陰極端子部131についても同様に折り曲げることによって陰極端子133が形成される。この結果、固体電解コンデンサ160が完成する。 Finally, as shown in FIG. 14, the cut lead frames 120 and 130 are each folded. More specifically, for each sealing body 110, the anode terminal portion 121 is folded approximately 90 degrees at the approximate center, and then the anode terminal portion 121 is folded approximately 90 degrees at the base portion. This forms the anode terminal 123 along the sealing body 110. The cathode terminal portion 131 is also folded in the same manner to form the cathode terminal 133. As a result, the solid electrolytic capacitor 160 is completed.

本実施形態では、溶融したSn(低融点金属)に起因する陽極端子123の厚みの増加を抑制できることから、陽極端子123が存在する領域における固体電解コンデンサ160の厚み不良を抑制することができる。 In this embodiment, the increase in thickness of the anode terminal 123 caused by molten Sn (a low melting point metal) can be suppressed, thereby suppressing thickness defects of the solid electrolytic capacitor 160 in the area where the anode terminal 123 is present.

以下、本実施形態の他の変形例について説明する。 Other variations of this embodiment are described below.

図15は、図1に示すワークのリードフレームに第2溝部を設ける工程の一例を模式的に示す平面図である。図16は、図1に示すワークのリードフレームに第2溝部を設ける工程の一例を模式的に示す断面図である。なお、図16は、図1に示すワークのB-B線断面図に相当する。また、図16では封止体110の内部構造の図示は省略している。 Figure 15 is a plan view that shows a schematic example of a process for providing a second groove portion in the lead frame of the workpiece shown in Figure 1. Figure 16 is a cross-sectional view that shows a schematic example of a process for providing a second groove portion in the lead frame of the workpiece shown in Figure 1. Note that Figure 16 corresponds to the cross-sectional view of the workpiece taken along line B-B in Figure 1. Also, the internal structure of the sealing body 110 is not shown in Figure 16.

図15及び図16に示すように、段差部形成工程において、段差部150と封止体110との間においてリードフレーム120の幅方向w1に第2溝部152(線状の凹条部)を形成してもよい。より詳細には、各陽極端子部121においてリードフレーム120の第1主面120aに、リードフレーム120の幅方向w1、すなわち陽極端子部121の幅方向に延在する直線状の第2溝部152を設ける。これにより、第2溝部152が、封止体110の幅方向Wと平行に形成される。また、第2溝部152は、幅方向w1において陽極端子部121の一端から他端まで形成されている。第2溝部152は、リードフレーム120を折り曲げたときに封止体110の第2主面110bと第1端面110eとが交わる稜線部に沿う位置に形成されている。 15 and 16, in the step forming process, a second groove 152 (linear concave portion) may be formed in the width direction w1 of the lead frame 120 between the step 150 and the sealing body 110. More specifically, in each anode terminal 121, a linear second groove 152 extending in the width direction w1 of the lead frame 120, i.e., in the width direction of the anode terminal 121, is provided on the first main surface 120a of the lead frame 120. As a result, the second groove 152 is formed parallel to the width direction W of the sealing body 110. In addition, the second groove 152 is formed from one end to the other end of the anode terminal 121 in the width direction w1. The second groove 152 is formed at a position along the ridge where the second main surface 110b and the first end surface 110e of the sealing body 110 intersect when the lead frame 120 is folded.

第2溝部152は、例えば、リードフレーム120の表面を機械的に削ることによって形成してもよいが、溝部(第1溝部)151と同様にして、Sn層141に、すなわち低融点金属層にレーザを照射して溶融することにより形成することが好ましい。より詳細には、Ni層142の表面が露出するようにSn層141を線状に除去することにより、第2溝部152を形成することが好ましい。 The second groove 152 may be formed, for example, by mechanically scraping the surface of the lead frame 120, but is preferably formed in the same manner as the groove (first groove) 151, by irradiating the Sn layer 141, i.e., the low melting point metal layer, with a laser to melt it. More specifically, the second groove 152 is preferably formed by linearly removing the Sn layer 141 so that the surface of the Ni layer 142 is exposed.

図17は、図16に示すワークのリードフレームを切断する工程の一例を模式的に示す断面図である。 Figure 17 is a cross-sectional view that shows a schematic example of a process for cutting the lead frame of the workpiece shown in Figure 16.

その後、図17に示すように、熱処理工程を経た切断工程において、段差部150と第2溝部152との間でリードフレーム120を切断してもよい。より詳細には、各陽極端子部121を、その陽極端子部121に設けられた段差部150と第2溝部152との間で切断する。 After that, as shown in FIG. 17, in a cutting process following a heat treatment process, the lead frame 120 may be cut between the step 150 and the second groove 152. More specifically, each anode terminal 121 is cut between the step 150 and the second groove 152 provided in that anode terminal 121.

なお、第2溝部152は、熱処理工程において、段差部150と同様に、低融点金属であるSnの流れをせき止める作用も有している(図17中のSn141c参照)。 In addition, the second groove portion 152, like the step portion 150, also has the effect of blocking the flow of Sn, a low-melting point metal, during the heat treatment process (see Sn141c in Figure 17).

図18は、図17に示すワークのリードフレームを折り曲げる工程の一例を模式的に示す断面図である。 Figure 18 is a cross-sectional view that shows a schematic example of a process for bending the lead frame of the workpiece shown in Figure 17.

そして、図18に示すように、端子形成工程において、切断されたリードフレーム120を第2溝部152に沿って折り曲げてもよい。第2溝部152ではリードフレーム120が薄いため、容易に曲げ加工を実施することができる。より詳細には、各封止体110について、陽極端子部121を第2溝部152(通常、陽極端子部121の略中央部)にて略90°折り曲げ、その後、陽極端子部121を根元部にて略90°折り曲げる。 Then, as shown in FIG. 18, in the terminal forming process, the cut lead frame 120 may be bent along the second groove 152. Because the lead frame 120 is thin in the second groove 152, the bending process can be easily performed. More specifically, for each sealing body 110, the anode terminal 121 is bent at approximately 90° at the second groove 152 (usually approximately the center of the anode terminal 121), and then the anode terminal 121 is bent at approximately 90° at the base.

なお、ここでは、リードフレーム120の第1主面120aに、すなわちリードフレーム120の折り曲げる方向と反対側に位置する主面に第2溝部152を設ける場合について説明したが、第2溝部152は、リードフレーム120の折り曲げる方の主面、すなわち第2主面120bに設けてもよい。 Note that, although the above description has been given of the case where the second groove portion 152 is provided on the first main surface 120a of the lead frame 120, i.e., on the main surface located opposite the direction in which the lead frame 120 is bent, the second groove portion 152 may also be provided on the main surface of the lead frame 120 that is bent, i.e., the second main surface 120b.

また、リードフレーム130にも同様に折り曲げ用の溝部を設けてもよい。 The lead frame 130 may also be provided with a similar groove for bending.

図19は、図1に示すワークのリードフレームに段差部を設ける工程のさらに別の例を模式的に示す断面図である。なお、図19は、図1に示すワークのB-B線断面図に相当する。また、図19では封止体110の内部構造の図示は省略している。 Figure 19 is a cross-sectional view that shows a schematic diagram of yet another example of a process for providing a step portion in the lead frame of the workpiece shown in Figure 1. Note that Figure 19 corresponds to the cross-sectional view of the workpiece shown in Figure 1 taken along line B-B. Also, the internal structure of the sealing body 110 is not shown in Figure 19.

図19に示すように、段差部150として、突起部153を形成してもよい。例えば、リードフレーム120の表面に線状の凸条部を形成してもよい。これによっても、熱処理工程において、突起部153によって、低融点金属であるSnの流れをせき止めることができる。 As shown in FIG. 19, a protrusion 153 may be formed as the step 150. For example, a linear convex portion may be formed on the surface of the lead frame 120. This also allows the protrusion 153 to block the flow of Sn, a low-melting point metal, during the heat treatment process.

突起部153は、例えば、Cu基材140の厚みを局所的に厚くすることによって形成してもよい。また、は、Cu基材140を一方からプレスして他方に突出させることによって、突起部153とともにその反対側に溝部を同時に形成してもよい。この場合、突起部153と溝部がともに段差部150として機能する。 The protrusion 153 may be formed, for example, by locally increasing the thickness of the Cu base material 140. Alternatively, the Cu base material 140 may be pressed from one side to protrude to the other side, thereby simultaneously forming the protrusion 153 and a groove on the opposite side. In this case, both the protrusion 153 and the groove function as the step portion 150.

このように、段差部150として、1本以上の溝部と、1本以上の突起部とを併用してもよい。 In this way, one or more grooves and one or more protrusions may be used together as the step portion 150.

上記実施形態では、固体電解コンデンサ素子1の陽極60に接続されたリードフレーム120に段差部150を設け、リードフレーム120を上方に、かつ固体電解コンデンサ素子1の陰極70に接続されたリードフレーム130を下方にした状態で、ワーク100の熱処理を行う場合について説明したが、ワーク100を上下反転した状態で、すなわち固体電解コンデンサ素子1の陰極70に接続されたリードフレーム130を上方に、かつ固体電解コンデンサ素子1の陽極60に接続されたリードフレーム120を下方にした状態で、ワーク100の熱処理を行ってもよい。この場合は、リードフレーム130に段差部150を設ければよい。 In the above embodiment, a step portion 150 is provided on the lead frame 120 connected to the anode 60 of the solid electrolytic capacitor element 1, and the heat treatment of the workpiece 100 is performed with the lead frame 120 facing upward and the lead frame 130 connected to the cathode 70 of the solid electrolytic capacitor element 1 facing downward. However, the heat treatment of the workpiece 100 may be performed with the workpiece 100 turned upside down, i.e., with the lead frame 130 connected to the cathode 70 of the solid electrolytic capacitor element 1 facing upward and the lead frame 120 connected to the anode 60 of the solid electrolytic capacitor element 1 facing downward. In this case, the step portion 150 may be provided on the lead frame 130.

また、上記実施形態では、電解コンデンサ素子として、電解質材料として導電性高分子を用いた固体電解コンデンサである場合について説明したが、本発明における電解コンデンサ素子は、電解質材料として電解液を用いる電解コンデンサ素子であってもよいし、電解質材料として、導電性高分子等の固体電解質とともに電解液を用いる、いわゆるハイブリッド型の電解コンデンサ素子であってもよい。 In the above embodiment, the electrolytic capacitor element is described as a solid electrolytic capacitor using a conductive polymer as the electrolyte material, but the electrolytic capacitor element in the present invention may be an electrolytic capacitor element that uses an electrolyte solution as the electrolyte material, or may be a so-called hybrid type electrolytic capacitor element that uses an electrolyte solution together with a solid electrolyte such as a conductive polymer as the electrolyte material.

(比較形態)
図20は、本発明の比較形態に係るワークの一例を模式的に示す平面図である。
(Comparative form)
FIG. 20 is a plan view showing a schematic example of a workpiece according to a comparative embodiment of the present invention.

図20に示すワーク100Aは、段差部150が設けられていないことを除いて、図6に示したワーク100と実質的に同じものである。 The workpiece 100A shown in FIG. 20 is substantially the same as the workpiece 100 shown in FIG. 6, except that the step portion 150 is not provided.

続いて、上記実施形態と同様に、ワーク100Aの熱処理(エージング処理)を行う。 Next, the workpiece 100A is subjected to heat treatment (aging treatment) as in the above embodiment.

図21は、図20に示すワークの熱処理後の一例を模式的に示す平面図である。図22は、図20に示すワークの熱処理後の一例を模式的に示す断面図である。図23は、図22に示すワークのリードフレームを折り曲げる工程の一例を模式的に示す断面図である。 Figure 21 is a plan view showing an example of the workpiece shown in Figure 20 after heat treatment. Figure 22 is a cross-sectional view showing an example of the workpiece shown in Figure 20 after heat treatment. Figure 23 is a cross-sectional view showing an example of a process for bending the lead frame of the workpiece shown in Figure 22.

本比較形態では、段差部150が設けられていないワーク100Aをそのまま熱処理するため、熱処理中にSnが溶融し、Snが重力に従って下方に流れる。そのため、熱処理後、上方に位置するリードフレーム120では、Snが封止体110付近に多く集まる(図21及び図22中のSn141d参照)。その結果、図23に示すように、リードフレーム120から形成される端子、ここでは陽極端子123の厚みが大きくなり、作製される固体電解コンデンサ160Aの陽極端子部分の厚み不良が発生するおそれがある。 In this comparative embodiment, the workpiece 100A, which does not have the step portion 150, is heat-treated as is, so that Sn melts during the heat treatment and flows downward due to gravity. Therefore, after the heat treatment, in the lead frame 120 located at the top, a large amount of Sn gathers near the sealing body 110 (see Sn 141d in Figures 21 and 22). As a result, as shown in Figure 23, the thickness of the terminal formed from the lead frame 120, here the anode terminal 123, becomes large, and there is a risk of a thickness defect occurring in the anode terminal portion of the solid electrolytic capacitor 160A to be manufactured.

本明細書には、以下の内容が開示されている。 This specification discloses the following:

<1>
電解コンデンサ素子が封止された封止体と、前記電解コンデンサ素子の陽極及び陰極の一方と接続された第1リードフレームと、前記陽極及び前記陰極の他方と接続された第2リードフレームと、を備えるワークを準備する工程と、
前記第1リードフレームの第1主面及び第2主面の少なくとも一方に、前記第1リードフレームの幅方向に延在する少なくとも1本の段差部を設ける工程と、
前記ワークの熱処理を行う工程と、
前記熱処理後に前記第1リードフレームを切断する工程と、を含み、
前記第1リードフレームは、Cuから構成された基材を有するとともに、Cuより融点が低い低融点金属から構成された低融点金属層を表面に有し、
前記熱処理は、前記段差部が設けられた前記第1リードフレームを上方に、かつ前記第2リードフレームを下方にした状態で、前記低融点金属の融点より高く、かつCuの融点より低い温度で行い、
前記切断する工程では前記封止体と前記段差部との間で前記第1リードフレームを切断する、電解コンデンサの製造方法。
<1>
A step of preparing a work including a sealing body in which an electrolytic capacitor element is sealed, a first lead frame connected to one of an anode and a cathode of the electrolytic capacitor element, and a second lead frame connected to the other of the anode and the cathode;
providing at least one step portion extending in a width direction of the first lead frame on at least one of a first main surface and a second main surface of the first lead frame;
A step of performing heat treatment on the workpiece;
cutting the first lead frame after the heat treatment;
the first lead frame has a base material made of Cu and a low-melting-point metal layer on a surface thereof made of a low-melting-point metal having a melting point lower than that of Cu;
the heat treatment is performed at a temperature higher than the melting point of the low-melting point metal and lower than the melting point of Cu in a state in which the first lead frame having the stepped portion is placed above and the second lead frame is placed below;
The method for manufacturing an electrolytic capacitor, wherein in the cutting step, the first lead frame is cut between the sealing body and the step portion.

<2>
前記段差部として第1溝部を形成する、<1>に記載の電解コンデンサの製造方法。
<2>
The method for manufacturing an electrolytic capacitor according to <1>, further comprising forming a first groove portion as the step portion.

<3>
前記低融点金属層にレーザを照射して溶融することにより、前記第1溝部を形成する、<2>に記載の電解コンデンサの製造方法。
<3>
The method for manufacturing an electrolytic capacitor according to <2>, wherein the first groove portion is formed by irradiating the low-melting point metal layer with a laser to melt the low-melting point metal layer.

<4>
前記低融点金属層は、前記低融点金属としてのSnから構成されたSn層であり、
前記第1リードフレームは、前記基材と前記Sn層との間にNiから構成されたNi層を有し、
前記Ni層の表面が露出するように前記Sn層を線状に除去することにより、前記第1溝部を形成する、<2>又は<3>に記載の電解コンデンサの製造方法。
<4>
The low-melting-point metal layer is a Sn layer made of Sn as the low-melting-point metal,
the first lead frame has a Ni layer made of Ni between the base material and the Sn layer,
The method for manufacturing an electrolytic capacitor according to <2> or <3>, wherein the first groove portion is formed by removing the Sn layer in a linear shape so as to expose a surface of the Ni layer.

<5>
前記段差部として突起部を形成する、<1>から<4>のいずれか1つに記載の電解コンデンサの製造方法。
<5>
The method for manufacturing an electrolytic capacitor according to any one of <1> to <4>, wherein a protrusion is formed as the step portion.

<6>
前記第1リードフレームの前記第1主面及び前記第2主面に、それぞれ前記段差部を設ける、<1>から<5>のいずれか1つに記載の電解コンデンサの製造方法。
<6>
The method for manufacturing an electrolytic capacitor according to any one of <1> to <5>, wherein the step portion is provided on each of the first main surface and the second main surface of the first lead frame.

<7>
前記段差部と前記封止体との間において前記第1リードフレームの前記幅方向に第2溝部を形成し、
前記切断する工程では前記段差部と前記第2溝部との間で前記第1リードフレームを切断し、
切断された前記第1リードフレームを前記第2溝部に沿って折り曲げる工程をさらに含む、<1>から<6>のいずれか1つに記載の電解コンデンサの製造方法。
<7>
a second groove portion is formed in the width direction of the first lead frame between the step portion and the sealing body;
In the cutting step, the first lead frame is cut between the step portion and the second groove portion,
The method for manufacturing an electrolytic capacitor according to any one of <1> to <6>, further comprising a step of bending the cut first lead frame along the second groove portion.

以下、本発明の電解コンデンサの製造方法をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。 The following are examples that more specifically disclose the manufacturing method of the electrolytic capacitor of the present invention. Note that the present invention is not limited to these examples.

(実施例1)
実施例1では、図1に示した上記実施形態に係るワーク100と同様のワークを準備した。すなわち、このワークは、複数の封止体と、第1リードフレームと、第2リードフレームと、を備え、各封止体には複数の固体電解コンデンサ素子が封止され、各第1リードフレームは、対応する封止体の各固体電解コンデンサ素子の陽極に接続され、各第2リードフレームは、対応する封止体の各固体電解コンデンサ素子の陰極に接続されていた。第1リードフレーム及び第2リードフレームは、各々、Cu基材と、Cu基材の表面に形成されたNi層と、Ni層の表面に形成されたSn層と、を有していた。
Example 1
In Example 1, a workpiece similar to the workpiece 100 according to the embodiment shown in Fig. 1 was prepared. That is, this workpiece had a plurality of sealing bodies, a first lead frame, and a second lead frame, and a plurality of solid electrolytic capacitor elements were sealed in each sealing body, and each of the first lead frames was connected to the anode of each solid electrolytic capacitor element of the corresponding sealing body, and each of the second lead frames was connected to the cathode of each solid electrolytic capacitor element of the corresponding sealing body. The first lead frame and the second lead frame each had a Cu base material, a Ni layer formed on the surface of the Cu base material, and a Sn layer formed on the surface of the Ni layer.

そして、第1リードフレームの各陽極端子部の一方の主面にレーザを照射して、陽極端子部の幅方向に直線状に溝部を形成した。レーザの照射条件は、出力:5.5±0.1W、スキャン速度:300mm/s、周波数:20kHzとした。この結果、図8に示したように、Sn層を溶融除去してNi層の表面を露出させ、直線状の溝部を形成した。このとき、Ni層とCu基材とはレーザ照射による影響を受けなかった。 Then, one main surface of each anode terminal of the first lead frame was irradiated with a laser to form a linear groove in the width direction of the anode terminal. The laser irradiation conditions were: output: 5.5±0.1 W, scan speed: 300 mm/s, frequency: 20 kHz. As a result, as shown in FIG. 8, the Sn layer was melted and removed to expose the surface of the Ni layer, forming a linear groove. At this time, the Ni layer and the Cu base material were not affected by the laser irradiation.

続いて、第1リードフレームを上方に、かつ第2リードフレームを下方にした状態で、ピーク温度を260℃以上、270℃以下とし、150℃以上、200℃以下の時間を60秒以上、120秒以下、217℃以上の時間を60秒以上、120秒以下として、ワークの熱処理を行った。 Next, with the first lead frame facing up and the second lead frame facing down, the workpiece was heat-treated at a peak temperature of 260°C or more and 270°C or less, with a time of 150°C or more and 200°C or less of 60 seconds or more and 120 seconds or less, and a time of 217°C or more of 60 seconds or more and 120 seconds or less.

その後、第1リードフレーム及び第2リードフレームを切断した。より詳細には、各陽極端子部を、対応する封止体と、その陽極端子部に設けられた段差部との間で切断した。また、各陰極端子部を、対応する陽極端子部と同じ長さになるように切断した。 Then, the first lead frame and the second lead frame were cut. More specifically, each anode terminal was cut between the corresponding sealing body and the step provided on the anode terminal. Also, each cathode terminal was cut to have the same length as the corresponding anode terminal.

そして、切断された第1リードフレーム及び第2リードフレームをそれぞれ折り曲げることによって陽極端子及び陰極端子を形成し、実施例1の固体電解コンデンサを作製した。 Then, the cut first lead frame and the cut second lead frame were folded to form an anode terminal and a cathode terminal, respectively, to produce the solid electrolytic capacitor of Example 1.

(実施例2)
第1リードフレームの各陽極端子部の2つの主面にレーザをそれぞれ照射して、各主面に直線状に溝部を形成したことを除いて、実施例1と同様にして、実施例2の固体電解コンデンサを作製した。溝部は、各主面上の同じ場所に形成した。
Example 2
The solid electrolytic capacitor of Example 2 was produced in the same manner as Example 1, except that a laser was irradiated onto each of the two main surfaces of each anode terminal portion of the first lead frame to form linear grooves on each of the main surfaces. The grooves were formed in the same location on each of the main surfaces.

(比較例1)
第1リードフレームの各陽極端子部に溝部を形成しなかったことを除いて、実施例1と同様にして、比較例1の固体電解コンデンサを作製した。
(Comparative Example 1)
A solid electrolytic capacitor of Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 1, except that no grooves were formed in the anode terminal portions of the first lead frame.

(陽極端子部の厚み測定)
実施例1、2及び比較例1に係る固体電解コンデンサについて、熱処理後の複数(具体的には32個)の陽極端子部について、封止体近傍(図10中のP点)において、その厚みを測定した。結果を下記表1及び図24に示す。
(Measurement of thickness of anode terminal)
For the solid electrolytic capacitors according to Examples 1 and 2 and Comparative Example 1, the thicknesses of a plurality of anode terminals (specifically, 32 anode terminals) after the heat treatment were measured near the sealing body (point P in FIG. 10 ). The results are shown in Table 1 below and FIG. 24 .

図24は、実施例1、2及び比較例1の熱処理後の陽極端子部の厚みの分布を示すグラフである。 Figure 24 is a graph showing the distribution of thickness of the anode terminal portion after heat treatment in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1.

Figure 0007647722000001
Figure 0007647722000001

ここでの陽極端子部の厚みターゲットは170μm以下であったが、第1リードフレームの片面又は両面に溝部を形成した実施例1、2では、厚みターゲットを達成することができた。一方、溝部を形成しなかった比較例1では、厚みターゲットを達成できなかった。 The target thickness for the anode terminal here was 170 μm or less, but in Examples 1 and 2, in which grooves were formed on one or both sides of the first lead frame, the target thickness was achieved. On the other hand, in Comparative Example 1, in which no grooves were formed, the target thickness was not achieved.

(不良品率の算出)
実施例1、2及び比較例1に係る固体電解コンデンサについて、陽極端子不良品の不良品率を算出した。なお、陽極端子不良品とは、陽極端子部分での固体電解コンデンサの厚み方向の寸法がターゲットを超過した寸法不良となったものである。ここでは、各実施例及び比較例について、160個の固体電解コンデンサを作製し、そのうちの陽極端子不良品の割合を算出した。
(Calculation of defective product rate)
The defective rate of anode terminals was calculated for the solid electrolytic capacitors according to Examples 1 and 2 and Comparative Example 1. A defective anode terminal is a dimensional defect in which the dimension in the thickness direction of the solid electrolytic capacitor at the anode terminal portion exceeds the target. Here, 160 solid electrolytic capacitors were produced for each Example and Comparative Example, and the proportion of defective anode terminals among them was calculated.

図25は、実施例1、2及び比較例1の陽極端子不良品の不良品率を示すグラフである。 Figure 25 is a graph showing the defective rate of defective anode terminals for Examples 1 and 2 and Comparative Example 1.

図25に示すように、実施例1、2では、不良品率を低くでき、特に第1リードフレームの両面に溝部を形成した実施例2では、不良品率を0%とすることができた。一方、溝部を形成しなかった比較例1では、30%を超える大きな不良品率となった。 As shown in Figure 25, in Examples 1 and 2, the defective rate was low, and in particular in Example 2, in which grooves were formed on both sides of the first lead frame, the defective rate was reduced to 0%. On the other hand, in Comparative Example 1, in which no grooves were formed, a large defective rate of over 30% was observed.

(固体電解コンデンサの側面観察)
図26は、実施例1の固体電解コンデンサの側面写真である。図27は、比較例1の固体電解コンデンサの側面写真である。
(Side view of solid electrolytic capacitor)
Fig. 26 is a side view photograph of the solid electrolytic capacitor of Example 1. Fig. 27 is a side view photograph of the solid electrolytic capacitor of Comparative Example 1.

図26に示すように、実施例1では、陽極端子の厚みが薄く、その結果、陽極端子部分で固体電解コンデンサの厚みが増加するのを防止することができている。対して、比較例1では、図27に示すように、陽極端子の厚みが厚く、その結果、陽極端子部分で固体電解コンデンサの厚みが増加していることが分かる。 As shown in Figure 26, in Example 1, the thickness of the anode terminal is thin, and as a result, it is possible to prevent the thickness of the solid electrolytic capacitor from increasing at the anode terminal. In contrast, in Comparative Example 1, as shown in Figure 27, the thickness of the anode terminal is thick, and as a result, it is clear that the thickness of the solid electrolytic capacitor increases at the anode terminal.

1 固体電解コンデンサ素子
10 弁作用金属基体
11 金属基体層
12 多孔質層
13 陽極引き出し領域
14 陰極形成領域
20 誘電体層
30 固体電解質層
40 導電層
50 マスク
60 陽極
70 陰極
100 ワーク
110 封止体
110a 封止体の第1主面
110b 封止体の第2主面
110c 封止体の第1側面
110d 封止体の第2側面
110e 封止体の第1端面
110f 封止体の第2端面
111 封止材
120、130 リードフレーム
120a、130a リードフレームの第1主面
120b、130b リードフレームの第2主面
121 陽極端子部
122、132 連結部
123 陽極端子
131 陰極端子部
133 陰極端子
140 基材(Cu基材)
141 Sn層
141a、141b、141c Sn
142 Ni層
150 段差部
151 溝部(第1溝部)
152 第2溝部
153 突起部
160、160A 固体電解コンデンサ

LIST OF SYMBOLS 1 Solid electrolytic capacitor element 10 Valve action metal substrate 11 Metal substrate layer 12 Porous layer 13 Anode lead-out region 14 Cathode formation region 20 Dielectric layer 30 Solid electrolyte layer 40 Conductive layer 50 Mask 60 Anode 70 Cathode 100 Workpiece 110 Sealing body 110a First main surface of sealing body 110b Second main surface of sealing body 110c First side surface of sealing body 110d Second side surface of sealing body 110e First end surface of sealing body 110f Second end surface of sealing body 111 Sealing material 120, 130 Lead frame 120a, 130a First main surface of lead frame 120b, 130b Second main surface of lead frame 121 Anode terminal portion 122, 132 Connection portion 123 Anode terminal 131 Cathode terminal portion 133 Cathode terminal 140 Base material (Cu base material)
141 Sn layer 141a, 141b, 141c Sn
142 Ni layer 150 Step portion 151 Groove portion (first groove portion)
152 Second groove portion 153 Projection portion 160, 160A Solid electrolytic capacitor

Claims (7)

電解コンデンサ素子が封止された封止体と、前記電解コンデンサ素子の陽極及び陰極の一方と接続された第1リードフレームと、前記陽極及び前記陰極の他方と接続された第2リードフレームと、を備えるワークを準備する工程と、
前記第1リードフレームの第1主面及び第2主面の少なくとも一方に、前記第1リードフレームの幅方向に延在する少なくとも1本の段差部を設ける工程と、
前記ワークの熱処理を行う工程と、
前記熱処理後に前記第1リードフレームを切断する工程と、を含み、
前記第1リードフレームは、Cuから構成された基材を有するとともに、Cuより融点が低い低融点金属から構成された低融点金属層を表面に有し、
前記熱処理は、前記段差部が設けられた前記第1リードフレームを上方に、かつ前記第2リードフレームを下方にした状態で、前記低融点金属の融点より高く、かつCuの融点より低い温度で行い、
前記切断する工程では前記封止体と前記段差部との間で前記第1リードフレームを切断する、電解コンデンサの製造方法。
A step of preparing a work including a sealing body in which an electrolytic capacitor element is sealed, a first lead frame connected to one of an anode and a cathode of the electrolytic capacitor element, and a second lead frame connected to the other of the anode and the cathode;
providing at least one step portion extending in a width direction of the first lead frame on at least one of a first main surface and a second main surface of the first lead frame;
A step of performing heat treatment on the workpiece;
cutting the first lead frame after the heat treatment;
the first lead frame has a base material made of Cu and a low-melting-point metal layer on a surface thereof made of a low-melting-point metal having a melting point lower than that of Cu;
the heat treatment is performed at a temperature higher than the melting point of the low-melting point metal and lower than the melting point of Cu in a state in which the first lead frame having the stepped portion is placed above and the second lead frame is placed below;
The method for manufacturing an electrolytic capacitor, wherein in the cutting step, the first lead frame is cut between the sealing body and the step portion.
前記段差部として第1溝部を形成する、請求項1に記載の電解コンデンサの製造方法。 The method for manufacturing an electrolytic capacitor according to claim 1, in which a first groove portion is formed as the step portion. 前記低融点金属層にレーザを照射して溶融することにより、前記第1溝部を形成する、請求項2に記載の電解コンデンサの製造方法。 The method for manufacturing an electrolytic capacitor according to claim 2, wherein the first groove portion is formed by irradiating the low melting point metal layer with a laser to melt it. 前記低融点金属層は、前記低融点金属としてのSnから構成されたSn層であり、
前記第1リードフレームは、前記基材と前記Sn層との間にNiから構成されたNi層を有し、
前記Ni層の表面が露出するように前記Sn層を線状に除去することにより、前記第1溝部を形成する、請求項2又は3に記載の電解コンデンサの製造方法。
The low-melting-point metal layer is a Sn layer made of Sn as the low-melting-point metal,
the first lead frame has a Ni layer made of Ni between the base material and the Sn layer,
4. The method for manufacturing an electrolytic capacitor according to claim 2, wherein the first groove portion is formed by removing the Sn layer linearly so as to expose a surface of the Ni layer.
前記段差部として突起部を形成する、請求項1又は2に記載の電解コンデンサの製造方法。 The method for manufacturing an electrolytic capacitor according to claim 1 or 2, in which a protrusion is formed as the step portion. 前記第1リードフレームの前記第1主面及び前記第2主面に、それぞれ前記段差部を設ける、請求項1又は2に記載の電解コンデンサの製造方法。 The method for manufacturing an electrolytic capacitor according to claim 1 or 2, wherein the step portion is provided on each of the first main surface and the second main surface of the first lead frame. 前記段差部と前記封止体との間において前記第1リードフレームの前記幅方向に第2溝部を形成し、
前記切断する工程では前記段差部と前記第2溝部との間で前記第1リードフレームを切断し、
切断された前記第1リードフレームを前記第2溝部に沿って折り曲げる工程をさらに含む、請求項1又は2に記載の電解コンデンサの製造方法。

a second groove portion is formed in the width direction of the first lead frame between the step portion and the sealing body;
In the cutting step, the first lead frame is cut between the step portion and the second groove portion,
3. The method for manufacturing an electrolytic capacitor according to claim 1, further comprising the step of bending the cut first lead frame along the second groove portion.

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