JP7649201B2

JP7649201B2 - Correction factor calculation method

Info

Publication number: JP7649201B2
Application number: JP2021095836A
Authority: JP
Inventors: 諭村松
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2021-06-08
Filing date: 2021-06-08
Publication date: 2025-03-19
Anticipated expiration: 2041-06-08
Also published as: JP2022187701A

Description

本発明は、補正率算出方法に関する。 The present invention relates to a correction factor calculation method.

チャックテーブルの保持面に保持されたウェーハを環状の研削砥石によって研削する研削装置は、ウェーハの半径部分に研削砥石の下面を接触させ、ウェーハを研削している。例えば、研削されたウェーハの厚みを均一にしたいときには、研削砥石の下面と保持面の半径部分とが平行になるように、チャックテーブルの傾きを調整している。 Grinding machines use an annular grinding wheel to grind a wafer held on the holding surface of a chuck table. The underside of the grinding wheel contacts the radius of the wafer to grind the wafer. For example, when it is desired to make the thickness of the ground wafer uniform, the inclination of the chuck table is adjusted so that the underside of the grinding wheel and the radius of the holding surface are parallel.

そのため、研削装置では、特許文献１および２に開示のように、チャックテーブルを支持する少なくとも３つの支持柱の内の２つの支持柱の長さが伸縮可能に構成され、支持柱の長さを変えることによって保持面の傾きを調整している。 Therefore, in the grinding device, as disclosed in Patent Documents 1 and 2, the length of two of at least three support columns that support the chuck table is configured to be extendable, and the inclination of the holding surface is adjusted by changing the length of the support columns.

特開２００８－２６４９１３号公報JP 2008-264913 A 特許５７８８３０４号公報Patent No. 5788304

しかし、研削砥石自体を変えたり、研削砥石の研削送り速度や回転速度などの研削条件を変えたりすると、保持面の傾きを維持したままでは、ウェーハの厚みが均一にならなくなる。
つまり、同じ種類の研削砥石であっても、ボンドの硬さや砥粒の集中度が僅かに異なる。このため、研削砥石を変えると、ウェーハにかかる垂直荷重も変化する。また、研削条件を変えることによっても、ウェーハにかかる垂直荷重が変化する。このように、所定の厚みにウェーハを研削する際にウェーハにかかる垂直荷重が変化すると、研削砥石の下面と保持面との平行度が変化する。したがって、研削砥石あるいは研削条件を変えた場合、保持面の傾きを維持したままでは、研削したウェーハが均一な厚みになりにくくなる。 However, if the grinding wheel itself is changed or the grinding conditions such as the grinding feed speed and rotation speed of the grinding wheel are changed, the thickness of the wafer will no longer be uniform if the inclination of the holding surface is maintained.
In other words, even if the grinding wheel is the same type, the bond hardness and the concentration of abrasive grains are slightly different. Therefore, when the grinding wheel is changed, the vertical load applied to the wafer also changes. Furthermore, when the grinding conditions are changed, the vertical load applied to the wafer also changes. In this way, when the vertical load applied to the wafer changes when grinding the wafer to a specified thickness, the parallelism between the lower surface of the grinding wheel and the holding surface changes. Therefore, when the grinding wheel or grinding conditions are changed, if the inclination of the holding surface is maintained, it is difficult to obtain a ground wafer of a uniform thickness.

そのため、特許文献１に開示の技術では、研削したウェーハの厚みを測定して保持面の傾きを修正した後、もう一度、ウェーハを研削してウェーハの厚みを測定し、再び保持面の傾きを修正して研削する。このように、この技術では、研削加工とウェーハの厚み測定と保持面の傾き修正とを何度も繰り返して、ウェーハを均一な厚みにしている。そのため、ウェーハを均一な厚みにするために、多くの時間がかかっている。
また、特許文献２に開示の技術では、研削されているウェーハが所定の厚みになる前に、径方向に沿ってウェーハの厚みを測定して、チャックテーブルの傾きを修正する。その後、ウェーハを所定の厚みとするために、残りの研削を行っている。しかし、径方向に沿ってウェーハの厚みを測定する前の研削における支持柱が受ける研削荷重と、傾きを修正した後に所定の厚みになるまでの研削における支持柱が受ける研削荷重とが、互いに異なる。このため、所定の厚みに研削するまでに保持面の傾きを修正して、ウェーハの面内厚みを均一（均一な断面形状）とすることが困難である。そのため、ウェーハを均一な厚みにするために、再びウェーハを研削して保持面の傾きを修正する必要が有り、ウェーハを均一な厚みにするために、多くの時間がかかっている。 Therefore, in the technology disclosed in Patent Document 1, the thickness of the ground wafer is measured and the tilt of the holding surface is corrected, and then the wafer is ground again, the thickness of the wafer is measured, and the tilt of the holding surface is corrected again before grinding. In this way, in this technology, the grinding process, the measurement of the wafer thickness, and the tilt correction of the holding surface are repeated many times to make the wafer have a uniform thickness. Therefore, it takes a lot of time to make the wafer have a uniform thickness.
In addition, in the technology disclosed in Patent Document 2, the thickness of the wafer being ground is measured along the radial direction before the wafer reaches a predetermined thickness, and the inclination of the chuck table is corrected. After that, the remaining grinding is performed to make the wafer have the predetermined thickness. However, the grinding load applied to the support column in the grinding before measuring the wafer thickness along the radial direction is different from the grinding load applied to the support column in the grinding until the wafer reaches the predetermined thickness after the inclination is corrected. For this reason, it is difficult to correct the inclination of the holding surface before grinding to the predetermined thickness and make the in-plane thickness of the wafer uniform (uniform cross-sectional shape). Therefore, in order to make the wafer have a uniform thickness, it is necessary to grind the wafer again to correct the inclination of the holding surface, and it takes a lot of time to make the wafer have a uniform thickness.

したがって、ウェーハを少ない時間で所定の断面形状に研削するという課題がある。 Therefore, there is a challenge to grind the wafer into a specified cross-sectional shape in a short amount of time.

本発明の補正率算出方法は、保持面によってウェーハを保持するチャックテーブルと、スピンドルの先端に配置された環状の研削砥石の下面によってウェーハを研削する研削機構と、該研削砥石の下面に対する該保持面の傾きを変更する傾き変更機構と、を備え、該研削砥石の下面を該保持面に保持されたウェーハの半径部分に接触させウェーハを研削する研削装置を用いたウェーハの研削における補正率算出方法であって、該保持面に保持されたウェーハを該研削砥石によって研削する第１試し研削工程と、該第１試し研削工程にて研削されたウェーハの中心、外周、及び該中心と該外周との中間の三カ所の厚みを測定してウェーハの第１断面形状を認識する第１断面形状認識工程と、該第１断面形状認識工程で認識した該第１断面形状と、仕上げ断面形状との差から、該第１断面形状をもとに第１の値を取得し、該第１の値で該保持面の傾きを変更する傾き変更工程と、該傾き変更工程にて変更された傾きを有する該チャックテーブルの該保持面に保持されたウェーハを該研削砥石によって研削する第２試し研削工程と、該第２試し研削工程にて研削されたウェーハの該三カ所の厚みを測定してウェーハの第２断面形状を認識する第２断面形状認識工程と、該第２断面形状認識工程で認識した該第２断面形状と、該仕上げ断面形状との差から、該第２断面形状をもとに第２の値を取得し、該第２の値と該第１の値とを用いて、以下の式から傾き変更補正率を求める傾き変更補正率算出工程と、傾き変更補正率＝該第１の値／（該第１の値－該第２の値）を備える。
また、本発明のウェーハの研削方法は、上記の補正率算出方法を用い、該研削砥石の下面を該保持面に保持されたウェーハの半径部分に接触させウェーハを研削するウェーハの研削方法であって、該傾き変更工程で求めた該第１の値に該傾き変更補正率算出工程で算出した傾き変更補正率をかけて求めた値に対応する角度分だけ該保持面を傾ける傾け工程と、該傾け工程において傾けた該保持面に保持されたウェーハを該研削砥石によって所定の厚みに研削する研削工程と、を備える。 The correction factor calculation method of the present invention is a method for calculating a correction factor in grinding a wafer using a grinding device comprising a chuck table which holds a wafer by a holding surface, a grinding mechanism which grinds the wafer by the underside of an annular grinding wheel disposed at the tip of a spindle, and an inclination change mechanism which changes the inclination of the holding surface with respect to the underside of the grinding wheel, and which grinds the wafer by bringing the underside of the grinding wheel into contact with a radial portion of the wafer held on the holding surface, the method including: a first test grinding step of grinding the wafer held on the holding surface by the grinding wheel; a first cross-sectional shape recognition step of measuring thicknesses of three locations of the center, outer periphery, and intermediate between the center and the outer periphery of the wafer ground in the first test grinding step to recognize a first cross-sectional shape of the wafer; the tilt changing step of obtaining a first value based on the first cross-sectional shape from a difference between the first cross-sectional shape and a finished cross-sectional shape, and changing the tilt of the holding surface by the first value; a second test grinding step of grinding the wafer held on the holding surface of the chuck table having the tilt changed in the tilt changing step with the grinding wheel; a second cross-sectional shape recognition step of measuring thicknesses of the three locations of the wafer ground in the second test grinding step to recognize a second cross-sectional shape of the wafer; and a tilt change correction factor calculation step of obtaining a second value based on the second cross-sectional shape from a difference between the second cross-sectional shape recognized in the second cross-sectional shape recognition step and the finished cross-sectional shape, and using the second value and the first value to calculate a tilt change correction factor from the following formula: tilt change correction factor=first value/(first value-second value).
Furthermore, the wafer grinding method of the present invention is a wafer grinding method that uses the above-mentioned correction factor calculation method to bring the lower surface of the grinding wheel into contact with a radial portion of the wafer held on the holding surface to grind the wafer, and includes a tilting step of tilting the holding surface by an angle corresponding to a value obtained by multiplying the first value obtained in the tilt changing step by the tilt change correction factor calculated in the tilt change correction factor calculation step, and a grinding step of grinding the wafer held on the holding surface tilted in the tilting step to a predetermined thickness by the grinding wheel.

本発明の補正率算出方法では、研削機構によって、第１試し研削工程、及び、その後に行われる傾き変更後の第２試し研削工程による２回の試し研削を行って、良好な保持面の傾きを得るための傾き変更補正率を算出する。そして、同様のウェーハを同じ研削条件で研削する場合に、この傾き変更補正率を用いて、チャックテーブルの保持面の傾きを変更する。これにより、ウェーハを仕上げ断面形状に研削することができる。
このように、本発明の補正率算出方法では、２回の試し研削を経て、ウェーハを仕上げ断面形状に研削できる。このため、研削加工と保持面の傾き修正とを何度も繰り返していた従来の技術に比べて、少ない合計時間でウェーハを仕上げ断面形状に研削することができる。 In the correction factor calculation method of the present invention, two trial grinding steps, a first trial grinding step and a second trial grinding step performed after the tilt change, are performed by the grinding mechanism to calculate a tilt change correction factor for obtaining a good tilt of the holding surface. Then, when grinding a similar wafer under the same grinding conditions, the tilt change correction factor is used to change the tilt of the holding surface of the chuck table. This makes it possible to grind the wafer into a finished cross-sectional shape.
In this way, the correction factor calculation method of the present invention can grind the wafer to the finished cross-sectional shape through two trial grindings, which makes it possible to grind the wafer to the finished cross-sectional shape in a shorter total time than in the conventional technology in which the grinding process and the tilt correction of the holding surface were repeated many times.

研削装置全体を表す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the entire grinding device. 第１研削機構とチャックテーブルと第３厚み測定ユニットとを表す断面図である。4 is a cross-sectional view showing a first grinding mechanism, a chuck table, and a third thickness measurement unit. FIG. チャックテーブルの断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the chuck table. （ａ）は、チャックテーブルの平面図であり、（ｂ）は、傾き角度の説明図である。FIG. 4A is a plan view of the chuck table, and FIG. 4B is an explanatory diagram of the inclination angle. ウェーハの断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a wafer. 第１研削機構と、チャックテーブルに保持されたウェーハとを表す断面図である。4 is a cross-sectional view showing a first grinding mechanism and a wafer held on a chuck table. FIG. 第３厚み測定ユニットと、ウェーハとを表す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a third thickness measurement unit and a wafer. 第１研削機構と、チャックテーブルに保持されたウェーハとを表す断面図である。4 is a cross-sectional view showing a first grinding mechanism and a wafer held on a chuck table. FIG. 第３厚み測定ユニットと、ウェーハとを表す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a third thickness measurement unit and a wafer. 第１研削機構と、チャックテーブルに保持されたウェーハとを表す断面図である。4 is a cross-sectional view showing a first grinding mechanism and a wafer held on a chuck table. FIG. 第１試し研削後のウェーハの断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a wafer after a first test grinding. 第１試し研削後のウェーハと、仕上げ断面形状を有するウェーハとが重ねられて表された断面図である。1 is a cross-sectional view showing a wafer after a first trial grinding and a wafer having a finished cross-sectional shape superimposed on each other. 第２試し研削後のウェーハの断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of the wafer after the second test grinding. 第２試し研削後のウェーハと、仕上げ断面形状を有するウェーハとが重ねられて表された断面図である。1 is a cross-sectional view showing a wafer after second trial grinding and a wafer having a finished cross-sectional shape superimposed on each other.

図１に示す研削装置１は、複数のチャックテーブル２の保持面２００にウェーハ４１を保持し、第１研削機構３１及び第２研削機構３２によって研削する。ウェーハ４１は、たとえば、円板状の半導体ウェーハである。
研削装置１は、図１に示すようにＹ軸方向に延設されたベース１０を備えている。 1 holds wafers 41 on holding surfaces 200 of a plurality of chuck tables 2, and grinds the wafers 41 by a first grinding mechanism 31 and a second grinding mechanism 32. The wafers 41 are, for example, disk-shaped semiconductor wafers.
As shown in FIG. 1, the grinding apparatus 1 includes a base 10 extending in the Y-axis direction.

ベース１０の－Ｙ方向側かつ＋Ｘ方向側には、第１カセット７０１が配設されている。第１カセット７０１は、ウェーハ４１を収納するための図示しない複数の棚を備えている。第１カセット７０１の各々の棚には、たとえば、加工前のウェーハ４１が収納されている。第１カセット７０１の－Ｘ方向側には、第２カセット７０２が配設されている。第２カセット７０２も、ウェーハ４１を収納するための図示しない複数の棚を備えている。第２カセット７０２には、たとえば、加工後のウェーハ４１が収納される。 A first cassette 701 is disposed on the -Y direction side and +X direction side of the base 10. The first cassette 701 has a plurality of shelves (not shown) for storing wafers 41. Each shelf of the first cassette 701 stores, for example, wafers 41 before processing. A second cassette 702 is disposed on the -X direction side of the first cassette 701. The second cassette 702 also has a plurality of shelves (not shown) for storing wafers 41. The second cassette 702 stores, for example, wafers 41 after processing.

第１カセット７０１の＋Ｙ方向側には、ロボット７１が配設されている。ロボット７１の可動域における＋Ｘ方向側には、加工前のウェーハ４１が仮置きされる仮置き領域７２０が設けられている。ロボット７１の可動域における－Ｘ方向側には、加工後のウェーハ４１を洗浄する洗浄機構７３が配設されている。 A robot 71 is disposed on the +Y side of the first cassette 701. A temporary placement area 720 in which unprocessed wafers 41 are temporarily placed is provided on the +X side of the range of motion of the robot 71. A cleaning mechanism 73 for cleaning the processed wafers 41 is disposed on the -X side of the range of motion of the robot 71.

ロボット７１は、第１カセット７０１に収納されているウェーハ４１を引き出して、仮置き領域７２０に搬送する。また、ロボット７１は、加工後のウェーハ４１を洗浄機構７３から第２カセット７０２に収納する。 The robot 71 pulls out the wafer 41 stored in the first cassette 701 and transports it to the temporary placement area 720. The robot 71 also stores the processed wafer 41 from the cleaning mechanism 73 in the second cassette 702.

仮置き領域７２０には、位置合わせ機構７２が配設されている。位置合わせ機構７２は、第１カセット７０１から搬出されて仮置き領域７２０に載置されたウェーハ４１の位置合わせを行う。 An alignment mechanism 72 is provided in the temporary placement area 720. The alignment mechanism 72 aligns the wafer 41 that is removed from the first cassette 701 and placed in the temporary placement area 720.

仮置き領域７２０の＋Ｙ方向側には、ターンテーブル５が配設されている。ターンテーブル５の上には、３つのチャックテーブル２が周方向にターンテーブル５の中心を中心に１２０度の間隔で配設されている。各々のチャックテーブル２は、ターンテーブル５に公転可能に支持されている。 A turntable 5 is disposed on the +Y direction side of the temporary placement area 720. Three chuck tables 2 are disposed on the turntable 5 at intervals of 120 degrees in the circumferential direction around the center of the turntable 5. Each chuck table 2 is supported by the turntable 5 so that it can revolve.

ターンテーブル５は、図示しないターンテーブル回転機構に接続されており、ターンテーブル５の中心を通るＺ軸方向の回転軸を軸にして回転可能である。ターンテーブル５が回転することにより、各々のチャックテーブル２が、第１搬送機構７４１の下方、第１研削機構３１の下方、及び第２研削機構３２の下方に位置づけられる。 The turntable 5 is connected to a turntable rotation mechanism (not shown) and can rotate about a rotation axis in the Z-axis direction that passes through the center of the turntable 5. By rotating the turntable 5, each chuck table 2 is positioned below the first transport mechanism 741, below the first grinding mechanism 31, and below the second grinding mechanism 32.

各々のチャックテーブル２は、円板状の吸引部２０と吸引部２０を支持する枠体２１とを備えている。チャックテーブル２の保持面２００は、その中心２０１を頂点とした円錐面状に形成されている。吸引部２０の上面は、ウェーハ４１が保持される保持面２００であり、枠体２１の上面２１０は、保持面２００に面一に形成されている。 Each chuck table 2 has a disk-shaped suction portion 20 and a frame 21 that supports the suction portion 20. The holding surface 200 of the chuck table 2 is formed in a conical shape with its center 201 as an apex. The upper surface of the suction portion 20 is the holding surface 200 on which the wafer 41 is held, and the upper surface 210 of the frame 21 is formed flush with the holding surface 200.

保持面２００には、図示しない吸引源が接続されている。保持面２００にウェーハ４１が載置されている状態で、該吸引源を作動させることにより、チャックテーブル２は、保持面２００によってウェーハ４１を吸引保持する。 A suction source (not shown) is connected to the holding surface 200. When the suction source is activated while the wafer 41 is placed on the holding surface 200, the chuck table 2 suction-holds the wafer 41 using the holding surface 200.

仮置き領域７２０に隣接する位置には、第１搬送機構７４１が配設されている。第１搬送機構７４１は、位置合わせ機構７２により所定の位置に位置合わせされたウェーハ４１を位置合わせ機構７２の近傍に配置されているチャックテーブル２の保持面２００に搬送する。 A first transport mechanism 741 is disposed in a position adjacent to the temporary placement area 720. The first transport mechanism 741 transports the wafer 41 aligned to a predetermined position by the alignment mechanism 72 to the holding surface 200 of the chuck table 2 disposed near the alignment mechanism 72.

第１搬送機構７４１の－Ｘ方向側には、第２搬送機構７４２が配設されている。第２搬送機構７４２は、研削後のウェーハ４１をチャックテーブル２の保持面２００から洗浄機構７３に搬送する。 A second transport mechanism 742 is disposed on the -X direction side of the first transport mechanism 741. The second transport mechanism 742 transports the ground wafer 41 from the holding surface 200 of the chuck table 2 to the cleaning mechanism 73.

ベース１０の＋Ｙ方向側かつ＋Ｘ方向側には、第１コラム１１が立設されており、第１コラム１１の－Ｘ方向側には、第２コラム１２が立設されている。 A first column 11 is erected on the +Y and +X direction sides of the base 10, and a second column 12 is erected on the -X direction side of the first column 11.

第１コラム１１の－Ｙ方向側の側面には、第１研削機構３１が配設されており、第２コラム１２の－Ｙ方向側の側面には、第２研削機構３２が配設されている。第１研削機構３１は、たとえばウェーハ４１を粗研削する粗研削機構であり、第２研削機構３２は、たとえばウェーハ４１を仕上げ研削する仕上げ研削機構である。 A first grinding mechanism 31 is disposed on the side surface of the first column 11 facing the -Y direction, and a second grinding mechanism 32 is disposed on the side surface of the second column 12 facing the -Y direction. The first grinding mechanism 31 is, for example, a rough grinding mechanism that roughly grinds the wafer 41, and the second grinding mechanism 32 is, for example, a finish grinding mechanism that finish grinds the wafer 41.

図２に示すように、第１研削機構３１は、Ｚ軸方向の第１回転軸３５１を有するスピンドル３９と、スピンドル３９を回転可能に支持するハウジング３３と、スピンドル３９の上端に連結されスピンドル３９を回転駆動するスピンドルモータ３０と、スピンドル３９の下端に固定されたマウント３８と、スピンドル３９の先端にマウント３８を介して配置された第１研削砥石３４１とを備えている。マウント３８には、研削ホイール３４が装着されている。研削ホイール３４は、基台３７と、基台３７の下面に環状に配置された略直方体状の複数の第１研削砥石３４１とを備えている。第１研削砥石３４１の下面３４３は、ウェーハ４１に接触する研削面である。第１研削砥石３４１は、たとえば、粗研削砥石である。 2, the first grinding mechanism 31 includes a spindle 39 having a first rotating shaft 351 in the Z-axis direction, a housing 33 that rotatably supports the spindle 39, a spindle motor 30 that is connected to the upper end of the spindle 39 and drives the spindle 39 to rotate, a mount 38 fixed to the lower end of the spindle 39, and a first grinding wheel 341 arranged on the tip of the spindle 39 via the mount 38. A grinding wheel 34 is attached to the mount 38. The grinding wheel 34 includes a base 37 and a plurality of first grinding wheels 341 that are substantially rectangular parallelepipeds arranged in a ring shape on the lower surface of the base 37. The lower surface 343 of the first grinding wheel 341 is a grinding surface that contacts the wafer 41. The first grinding wheel 341 is, for example, a rough grinding wheel.

図１に示すように、第１研削機構３１は、研削ホイール３４を昇降させるための昇降機構３６を備えている。昇降機構３６は、Ｚ軸方向の回転軸を有するボールネジ３６０と、ボールネジ３６０と平行に配設されたガイドレール３６１と、ボールネジ３６０に連結されボールネジ３６０を回転させるＺ軸モータ３６２と、内部のナットがボールネジ３６０に螺合し、側部がガイドレール３６１に摺接する昇降板３６３とを備えている。 As shown in FIG. 1, the first grinding mechanism 31 includes a lifting mechanism 36 for raising and lowering the grinding wheel 34. The lifting mechanism 36 includes a ball screw 360 having a rotation axis in the Z-axis direction, a guide rail 361 arranged parallel to the ball screw 360, a Z-axis motor 362 connected to the ball screw 360 and rotating the ball screw 360, and a lifting plate 363 whose internal nut is screwed onto the ball screw 360 and whose side is in sliding contact with the guide rail 361.

第１研削機構３１では、Ｚ軸モータ３６２に駆動されてボールネジ３６０が回転するのに伴い、昇降板３６３がガイドレール３６１にガイドされながらＺ軸方向に昇降する。そして、昇降板３６３がＺ軸方向に昇降すると、ハウジング３３が昇降する。それとともに、ハウジング３３に支持されているスピンドル３９、及び、スピンドル３９の先端にマウント３８を介して取り付けられている研削ホイール３４がＺ軸方向に昇降する。 In the first grinding mechanism 31, as the ball screw 360 rotates driven by the Z-axis motor 362, the lift plate 363 moves up and down in the Z-axis direction while being guided by the guide rail 361. When the lift plate 363 moves up and down in the Z-axis direction, the housing 33 moves up and down. At the same time, the spindle 39 supported by the housing 33 and the grinding wheel 34 attached to the tip of the spindle 39 via a mount 38 move up and down in the Z-axis direction.

第２研削機構３２は、第１研削機構３１と同様の構成を有している。ただし、第２研削機構３２に備えられるスピンドル３９は、第１回転軸３５１とは異なるＺ軸方向の第２回転軸３５２を有している。また、第２研削機構３２は、第１研削機構３１に備えられる第１研削砥石３４１とは異なる第２研削砥石３４２を備えている。第２研削砥石３４２は、たとえば、仕上げ研削砥石である。 The second grinding mechanism 32 has a similar configuration to the first grinding mechanism 31. However, the spindle 39 provided in the second grinding mechanism 32 has a second rotation axis 352 in the Z-axis direction different from the first rotation axis 351. In addition, the second grinding mechanism 32 has a second grinding wheel 342 different from the first grinding wheel 341 provided in the first grinding mechanism 31. The second grinding wheel 342 is, for example, a finish grinding wheel.

研削装置１は、ベース１０の上における＋Ｘ方向側に配設された接触式の第１厚み測定ユニット９１を備えている。第１厚み測定ユニット９１は、第１研削機構３１の近傍に配設されている。第１厚み測定ユニット９１は、チャックテーブル２の保持面２００の高さを計測する保持面ハイトゲージ９８と、ウェーハ４１の上面４１０の高さを計測する上面ハイトゲージ９９とを備えている。 The grinding device 1 is equipped with a contact-type first thickness measurement unit 91 arranged on the +X direction side of the base 10. The first thickness measurement unit 91 is arranged near the first grinding mechanism 31. The first thickness measurement unit 91 is equipped with a holding surface height gauge 98 that measures the height of the holding surface 200 of the chuck table 2, and an upper surface height gauge 99 that measures the height of the upper surface 410 of the wafer 41.

第１厚み測定ユニット９１では、チャックテーブル２の保持面２００に保持されたウェーハ４１が、第１研削機構３１の下方に位置づけられている状態で、保持面ハイトゲージ９８が枠体２１の上面２１０に接触して保持面２００の高さを計測するとともに、上面ハイトゲージ９９がウェーハ４１の上面４１０に接触してウェーハ４１の上面４１０の高さを計測する。そして、第１厚み測定ユニット９１は、保持面ハイトゲージ９８によって計測された保持面２００の高さの計測値と上面ハイトゲージ９９によって計測されたウェーハ４１の上面４１０の高さの計測値との差を、ウェーハ４１の厚みとして測定する。 In the first thickness measurement unit 91, with the wafer 41 held on the holding surface 200 of the chuck table 2 positioned below the first grinding mechanism 31, the holding surface height gauge 98 contacts the upper surface 210 of the frame 21 to measure the height of the holding surface 200, and the upper surface height gauge 99 contacts the upper surface 410 of the wafer 41 to measure the height of the upper surface 410 of the wafer 41. The first thickness measurement unit 91 then measures the difference between the measurement value of the height of the holding surface 200 measured by the holding surface height gauge 98 and the measurement value of the height of the upper surface 410 of the wafer 41 measured by the upper surface height gauge 99 as the thickness of the wafer 41.

研削装置１は、ベース１０の上における－Ｘ方向側に配設された第２厚み測定ユニット９２を備えている。第２厚み測定ユニット９２は、第２研削機構３２の近傍に配設されており、第１厚み測定ユニット９１と同様に構成されている。第２厚み測定ユニット９２は、保持面２００にウェーハ４１が保持されたチャックテーブル２が第２研削機構３２の下方に位置づけられている状態で、ウェーハ４１の厚みを測定する。 The grinding device 1 is equipped with a second thickness measurement unit 92 disposed on the -X direction side on the base 10. The second thickness measurement unit 92 is disposed near the second grinding mechanism 32 and is configured similarly to the first thickness measurement unit 91. The second thickness measurement unit 92 measures the thickness of the wafer 41 when the chuck table 2, with the wafer 41 held on the holding surface 200, is positioned below the second grinding mechanism 32.

第２厚み測定ユニット９２に隣接する位置には、第２研削機構３２の下方に位置づけられたチャックテーブル２の保持面２００に保持されたウェーハ４１の厚みを計測する非接触式の第３厚み測定ユニット９３が配設されている。 A non-contact third thickness measuring unit 93 is disposed adjacent to the second thickness measuring unit 92 to measure the thickness of the wafer 41 held on the holding surface 200 of the chuck table 2 positioned below the second grinding mechanism 32.

図２に示すように、第３厚み測定ユニット９３は、スタンド９５と、スタンド９５から略水平方向に延びるアーム部９４とを備えており、アーム部９４には、測定部９３０が支持されている。測定部９３０は、チャックテーブル２の保持面２００に保持されたウェーハ４１の上方から、ウェーハ４１の複数箇所の厚みを非接触で測定する。 As shown in FIG. 2, the third thickness measurement unit 93 includes a stand 95 and an arm portion 94 extending from the stand 95 in a substantially horizontal direction, and a measurement portion 930 is supported on the arm portion 94. The measurement portion 930 measures the thickness of multiple points of the wafer 41 in a non-contact manner from above the wafer 41 held on the holding surface 200 of the chuck table 2.

測定部９３０は、第１センサ９３１、第２センサ９３２、及び第３センサ９３３を備えている。各々のセンサは、チャックテーブル２の保持面２００に保持されたウェーハ４１に向けて測定光を照射する。そして、ウェーハ４１の上面４１０及び下面４１４にて反射した反射光を受光し、それらを受光したタイミングの差から、ウェーハ４１の厚みを部分ごとに測定する。
第１センサ９３１はウェーハ４１の中心４１１の厚みを測定し、第２センサ９３２はウェーハ４１の中心４１１と外周４１３との中間４１２の厚みを測定し、第３センサ９３３は外周４１３の厚みを測定する。ここで、ウェーハ４１の中心４１１と外周４１３との中間４１２とは、ウェーハ４１の中心４１１と外周４１３とを結ぶ直線上における中心４１１及び外周４１３から等距離にある位置を意味する。中心４１１と中間４１２との距離、及び、中間４１２と外周４１３との距離は、ウェーハ４１の半径の１／２倍に相当する。 The measurement unit 930 includes a first sensor 931, a second sensor 932, and a third sensor 933. Each sensor irradiates measurement light toward the wafer 41 held on the holding surface 200 of the chuck table 2. Then, the sensor receives the light reflected by the upper surface 410 and the lower surface 414 of the wafer 41, and measures the thickness of the wafer 41 for each portion from the difference in timing at which the light is received.
The first sensor 931 measures the thickness of the center 411 of the wafer 41, the second sensor 932 measures the thickness of the middle 412 between the center 411 and the outer periphery 413 of the wafer 41, and the third sensor 933 measures the thickness of the outer periphery 413. Here, the middle 412 between the center 411 and the outer periphery 413 of the wafer 41 means a position equidistant from the center 411 and the outer periphery 413 on a straight line connecting the center 411 and the outer periphery 413 of the wafer 41. The distance between the center 411 and the middle 412, and the distance between the middle 412 and the outer periphery 413 correspond to ½ times the radius of the wafer 41.

つまり、第３厚み測定ユニット９３は、ウェーハ４１の中心４１１、外周４１３、及び中心４１１と外周４１３との中間４１２の少なくとも三カ所の厚みを測定する。 In other words, the third thickness measurement unit 93 measures the thickness of at least three locations on the wafer 41: the center 411, the outer periphery 413, and the intermediate portion 412 between the center 411 and the outer periphery 413.

また、アーム部９４は、スタンド９５を旋回軸にして水平方向に旋回可能である。アーム部９４が保持面２００に保持されたウェーハ４１の上方において旋回することで、各々のセンサがウェーハ４１の上方を移動する。
なお、測定部９３０は、第１センサ９３１のみを備え、スタンド９５を旋回軸としてアーム部９４を旋回させることによって、ウェーハ４１の中心４１１、外周４１３、及び中心４１１と外周４１３との中間４１２の少なくとも三カ所の厚みを測定してもよい。 The arm unit 94 is also capable of rotating in the horizontal direction around the stand 95 as a rotation axis. When the arm unit 94 rotates above the wafer 41 held on the holding surface 200, each sensor moves above the wafer 41.
In addition, the measuring unit 930 may be equipped with only the first sensor 931, and may measure the thickness of at least three locations of the center 411, the outer periphery 413, and the intermediate portion 412 between the center 411 and the outer periphery 413 of the wafer 41 by rotating the arm unit 94 around the stand 95 as a pivot axis.

図３に示すように、ターンテーブル５は、ターンテーブル本体５０と、ターンテーブル本体５０を覆うカバー板５０２とを有している。そして、研削装置１は、ターンテーブル本体５０に、第１研削砥石３４１の下面３４３及び第２研削砥石３４２の下面３４４に対する保持面２００の傾きを変更する傾き変更機構２２を備えている。 As shown in FIG. 3, the turntable 5 has a turntable body 50 and a cover plate 502 that covers the turntable body 50. The grinding device 1 further includes an inclination change mechanism 22 on the turntable body 50 that changes the inclination of the holding surface 200 relative to the lower surface 343 of the first grinding wheel 341 and the lower surface 344 of the second grinding wheel 342.

傾き変更機構２２は支持台２３を備えている。支持台２３は、円筒状に形成された支持筒部２３０と、支持筒部２３０を支持する円板状のフランジ部２３１とを有している。フランジ部２３１の下面２３１１と保持面２００とは平行である。 The tilt change mechanism 22 is equipped with a support base 23. The support base 23 has a cylindrical support tube portion 230 and a disk-shaped flange portion 231 that supports the support tube portion 230. The lower surface 2311 of the flange portion 231 and the holding surface 200 are parallel to each other.

傾き変更機構２２は、フランジ部２３１の中心を中心に１２０度の間隔で配設された、第１調整ユニット２４１、第２調整ユニット２４２、及び固定シャフト２６を備えている。 The tilt change mechanism 22 includes a first adjustment unit 241, a second adjustment unit 242, and a fixed shaft 26, which are arranged at intervals of 120 degrees around the center of the flange portion 231.

第１調整ユニット２４１は、略鉛直方向に延びるシャフト２４３、フランジ部２３１に設けられたナット２４６、および、シャフト２４３を駆動する駆動部２４７を備えている。 The first adjustment unit 241 includes a shaft 243 extending in a substantially vertical direction, a nut 246 provided on the flange portion 231, and a drive portion 247 that drives the shaft 243.

シャフト２４３は、ターンテーブル本体５０の上面５００を貫通するように設けられている。シャフト２４３の上端近傍は、雄ネジが形成され、フランジ部２３１に配置されたナット２４６に螺合されている。シャフト２４３の下端側は、ターンテーブル本体５０の内部に形成された収容空間５９にまで延びている。収容空間５９には、駆動部２４７が設けられており、シャフト２４３の下端は、駆動部２４７に接続されている。 The shaft 243 is arranged to penetrate the upper surface 500 of the turntable body 50. A male thread is formed near the upper end of the shaft 243, and is screwed into a nut 246 arranged on the flange portion 231. The lower end side of the shaft 243 extends to an accommodation space 59 formed inside the turntable body 50. A drive unit 247 is provided in the accommodation space 59, and the lower end of the shaft 243 is connected to the drive unit 247.

また、ターンテーブル本体５０の上面５００には、留め具２４５が設けられている。留め具２４５は、シャフト２４３を回転可能となるように支持している。
駆動部２４７は、シャフト２４３を回転させるモータ２４８と、シャフト２４３の回転速度を下げる減速機２４９とを備えている。 Furthermore, a fastener 245 is provided on the upper surface 500 of the turntable body 50. The fastener 245 supports the shaft 243 so as to be rotatable.
The drive unit 247 includes a motor 248 that rotates the shaft 243 and a reducer 249 that reduces the rotational speed of the shaft 243 .

また、第２調整ユニット２４２は、第１調整ユニット２４１と同様に構成されている。 The second adjustment unit 242 is configured similarly to the first adjustment unit 241.

第１調整ユニット２４１では、モータ２４８によってシャフト２４３が回転することにより、シャフト２４３の上部に螺合しているナット２４６とともに、フランジ部２３１のシャフト２４３が貫通している部分（第１調整ユニット２４１のナット２４６）が上下動する。つまり、図３および図４（ａ）（ｂ）に示すように、第２調整ユニット２４２のナット２４６におけるフランジ部２３１との接点（第２接点）４９と固定シャフト２６の上端２６０とを結ぶ直線２８を軸に、第１調整ユニット２４１のナット２４６が上下動する。これによって、保持面２００の傾きが変化する。 In the first adjustment unit 241, when the motor 248 rotates the shaft 243, the nut 246 screwed onto the top of the shaft 243 moves up and down, along with the portion of the flange portion 231 through which the shaft 243 passes (the nut 246 of the first adjustment unit 241). In other words, as shown in Figures 3 and 4 (a) and (b), the nut 246 of the first adjustment unit 241 moves up and down about the straight line 28 that connects the contact point (second contact point) 49 with the flange portion 231 of the nut 246 of the second adjustment unit 242 and the upper end 260 of the fixed shaft 26. This changes the inclination of the holding surface 200.

なお、図４（ｂ）では、フランジ部２３１の下面２３１１を、示している。直線２８を軸に、第１調整ユニット２４１のナット２４６が上下動することで、第１調整ユニット２４１のナット２４６とターンテーブル本体５０の上面５００との距離Ｌが変化する。これに伴い、保持面２００の傾き角度θが変化する。 Note that FIG. 4(b) shows the underside 2311 of the flange portion 231. The nut 246 of the first adjustment unit 241 moves up and down around the straight line 28, changing the distance L between the nut 246 of the first adjustment unit 241 and the upper surface 500 of the turntable body 50. Accordingly, the inclination angle θ of the holding surface 200 changes.

すなわち、図４（ｂ）に示すように、この距離Ｌと、第２調整ユニット２４２のナット２４６および固定シャフト２６の上端２６０と上面５００との距離Ｌ１（図４（ｂ）においてはＬ＜Ｌ１）との差は、Ｌ１－Ｌとなる。この差（Ｌ１－Ｌ）と、第１調整ユニット２４１のナット２４６におけるフランジ部２３１との接点（第１接点）４８から直線２８に引いた垂線２９の長さＭとを用いて、傾き角度θを、ｓｉｎθ＝（Ｌ１－Ｌ）／Ｍによって算出することができる。また、逆に、傾き角度θから距離Ｌを算出することもできる。
なお、直線２９１も長さＭであり、直線２９の端と直線２９１の端とを結ぶ直線２９２は、僅かに傾くが、上記では、便宜上、傾かないものとして、算出している。 That is, as shown in Fig. 4(b), the difference between this distance L and the distance L1 (L<L1 in Fig. 4(b)) between the nut 246 of the second adjustment unit 242 and the upper end 260 of the fixed shaft 26 and the upper surface 500 is L1-L. Using this difference (L1-L) and the length M of a perpendicular line 29 drawn from the contact point (first contact point) 48 with the flange portion 231 of the nut 246 of the first adjustment unit 241 to the straight line 28, the tilt angle θ can be calculated by sin θ=(L1-L)/M. Conversely, the distance L can also be calculated from the tilt angle θ.
It should be noted that the straight line 291 also has a length M, and a straight line 292 connecting the end of the straight line 29 and the end of the straight line 291 is slightly inclined, but for the sake of convenience, it is assumed in the above calculations that it is not inclined.

また、第２調整ユニット２４２は、第２調整ユニット２４２のナット２４６の上下動によって、チャックテーブル２の保持面２００の傾きを変化させる。
このように、第１調整ユニット２４１のナット２４６の高さ、または第２調整ユニット２４２のナット２４６の高さが変更されることによって、チャックテーブル２の保持面２００の傾きが変更される。
なお、図４（ａ）に示す、固定シャフト２６、第１調整ユニット２４１、第２調整ユニット２４２は、便宜上、チャックテーブル２の内側に配置されているように図示しているが、チャックテーブル２の保持面２００の中心２０１を中心とする正三角形の頂点に配置されていて、保持面２００の外周２０３の直下に配置されていてもよい。
また、図４（ａ）に示すように、直線２８を跨ぐように保持面２００の外周２０３と中心２０１とを結ぶ円弧の研削加工エリア２０２が配置されている。そのため、第１調整ユニット２４１によって距離Ｌを縮めることによって保持面２００の傾きを変更すると、直線２８を境に研削加工エリア２０２の直線２８より保持面２００の中心側の部分２０４が下がり、直線２８より保持面２００の外周側の部分２０５が上がる方向に傾きが変化する。 In addition, the second adjustment unit 242 changes the inclination of the holding surface 200 of the chuck table 2 by vertically moving a nut 246 of the second adjustment unit 242 .
In this manner, by changing the height of the nut 246 of the first adjustment unit 241 or the height of the nut 246 of the second adjustment unit 242, the inclination of the holding surface 200 of the chuck table 2 is changed.
For convenience, the fixed shaft 26, the first adjustment unit 241, and the second adjustment unit 242 shown in Figure 4 (a) are illustrated as being arranged inside the chuck table 2, but they may also be arranged at the vertices of an equilateral triangle centered on the center 201 of the holding surface 200 of the chuck table 2, and directly below the outer periphery 203 of the holding surface 200.
4A, a grinding area 202 of a circular arc connecting the outer periphery 203 and the center 201 of the holding surface 200 is disposed so as to straddle the straight line 28. Therefore, when the inclination of the holding surface 200 is changed by shortening the distance L with the first adjustment unit 241, the inclination changes in a direction such that a portion 204 of the grinding area 202 on the center side of the holding surface 200 is lower than the straight line 28, and a portion 205 of the holding surface 200 on the outer periphery side is raised from the straight line 28.

図３に示すように、チャックテーブル２には、チャックテーブル回転機構２７が接続されている。チャックテーブル回転機構２７により、チャックテーブル２の回転軸２５を軸にして、チャックテーブル２を回転させることができる。 As shown in FIG. 3, a chuck table rotation mechanism 27 is connected to the chuck table 2. The chuck table rotation mechanism 27 allows the chuck table 2 to rotate around the rotation axis 25 of the chuck table 2.

また、ターンテーブル５のカバー板５０２は、円形の開口５０４を有しており、チャックテーブル２の保持面２００は、開口５０４から上方に露出している。カバー板５０２は、傾き変更機構２２を保護する機能を有している。 The cover plate 502 of the turntable 5 has a circular opening 504, and the holding surface 200 of the chuck table 2 is exposed upward from the opening 504. The cover plate 502 has the function of protecting the tilt change mechanism 22.

図１に示すように、研削装置１は、研削装置１の諸々の動作を制御する制御部９７を備えている。 As shown in FIG. 1, the grinding device 1 is equipped with a control unit 97 that controls various operations of the grinding device 1.

制御部９７は、第３厚み測定ユニット９３によって測定されたウェーハ４１の中心４１１の厚み、外周４１３の厚み、及び中心４１１と外周４１３との中間４１２の厚みに基づいて、ウェーハ４１の断面形状を認識する機能を有する。 The control unit 97 has the function of recognizing the cross-sectional shape of the wafer 41 based on the thickness of the center 411 of the wafer 41, the thickness of the outer periphery 413, and the thickness of the intermediate portion 412 between the center 411 and the outer periphery 413 measured by the third thickness measuring unit 93.

ここで、ウェーハ４１の断面形状は、ウェーハ４１の上面４１０の形状に応じて決定される。断面形状は、ウェーハ４１の厚みが最も小さい部分の厚みと、厚みが最も大きい部分の厚みとの差（以下、厚み差と称する）によって特徴づけられる。この厚み差は、ＴＴＶ（ＴｏｔａｌＴｈｉｃｋｎｅｓｓＶａｒｉａｔｉｏｎ）とも称される。ウェーハ４１の断面形状は、ウェーハ４１の中心４１１の厚みと、ウェーハ４１の外周４１３の厚みと、ウェーハ４１の中心４１１と外周４１３との中間４１２の厚みとによって認識される。 Here, the cross-sectional shape of the wafer 41 is determined according to the shape of the upper surface 410 of the wafer 41. The cross-sectional shape is characterized by the difference between the thickness of the thinnest part of the wafer 41 and the thickness of the thickest part (hereinafter referred to as the thickness difference). This thickness difference is also called the total thickness variation (TTV). The cross-sectional shape of the wafer 41 is recognized by the thickness of the center 411 of the wafer 41, the thickness of the outer periphery 413 of the wafer 41, and the thickness of the intermediate portion 412 between the center 411 and the outer periphery 413 of the wafer 41.

さらに、制御部９７は、ウェーハ４１の仕上げ断面形状を記憶する機能を有する。仕上げ断面形状とは、ウェーハ４１の所望の断面形状を意味する。オペレータは、ウェーハ４１の中心４１１の厚みと、外周４１３の厚みと、中心４１１と外周４１３との中間４１２の厚みとを設定することによって、ウェーハ４１の仕上げ断面形状を設定して、制御部９７に記憶させることができる。
なお、仕上げ断面形状が、均一な厚みの場合には、これらの３つの厚みの値に同じ値を設定する。 Furthermore, the control unit 97 has a function of storing the finished cross-sectional shape of the wafer 41. The finished cross-sectional shape means a desired cross-sectional shape of the wafer 41. The operator can set the thickness of the center 411 of the wafer 41, the thickness of the outer periphery 413, and the thickness of the intermediate portion 412 between the center 411 and the outer periphery 413, thereby setting the finished cross-sectional shape of the wafer 41 and storing it in the control unit 97.
When the finished cross-sectional shape has a uniform thickness, the same value is set for these three thickness values.

以下、図１に示した研削装置１による傾き変更補正率算出方法について説明する。本傾き変更補正率算出方法は、研削条件を変更した際に用いられる。
該傾き変更補正率算出方法では、まず、第１試し研削工程にて、ウェーハ４１の１回目の試し研削を行う。 Hereinafter, a method for calculating the inclination change correction rate by the grinding apparatus 1 shown in Fig. 1 will be described. This method for calculating the inclination change correction rate is used when the grinding conditions are changed.
In the inclination change correction factor calculation method, first, in a first test grinding step, a first test grinding of the wafer 41 is performed.

（第１試し研削工程）
第１試し研削工程では、たとえば、オペレータが、予め、ウェーハ４１の仕上げ断面形状を設定して、制御部９７に記憶させる。図５には、仕上げ断面形状を有するウェーハ４１が示されている。ここで、仕上げ断面形状は、厚みが均一な形状であり、仕上げ断面形状を有するウェーハ４１の上面４１０は、平坦面４３０である。
なお、仕上げ断面形状は、ウェーハ４１の中心４１１の厚みが外周４１３より薄い中凹形状であってもよいし、ウェーハ４１の中心４１１の厚みが外周４１３より厚い中凸形状であってもよい。 (First test grinding process)
In the first trial grinding step, for example, an operator sets a finished cross-sectional shape of the wafer 41 in advance and stores it in the control unit 97. Fig. 5 shows a wafer 41 having a finished cross-sectional shape. Here, the finished cross-sectional shape is a shape with a uniform thickness, and the upper surface 410 of the wafer 41 having the finished cross-sectional shape is a flat surface 430.
The finished cross-sectional shape may be a concave shape in which the center 411 of the wafer 41 is thinner than the outer periphery 413 , or a convex shape in which the center 411 of the wafer 41 is thicker than the outer periphery 413 .

図６に示すように、第１試し研削工程の実施時には、第１調整ユニット２４１のナット２４６とターンテーブル本体５０の上面５００との距離（図４（ｂ）に示した距離Ｌ）は、初期値８０である。
第１試し研削工程では、制御部９７が、図１に示したロボット７１により第１カセット７０１に収納されたウェーハ４１を引き出して仮置き領域７２０に載置する。そして、制御部９７は、位置合わせ機構７２によって、仮置き領域７２０に載置されたウェーハ４１の位置合わせを行う。 As shown in FIG. 6, when the first trial grinding process is performed, the distance between the nut 246 of the first adjustment unit 241 and the upper surface 500 of the turntable body 50 (distance L shown in FIG. 4B) is an initial value of 80.
In the first trial grinding process, the control unit 97 causes the robot 71 shown in Fig. 1 to pull out the wafer 41 stored in the first cassette 701 and place it in the temporary placement area 720. Then, the control unit 97 causes the alignment mechanism 72 to align the wafer 41 placed in the temporary placement area 720.

また、制御部９７は、図示しないターンテーブル回転機構により、ターンテーブル５を回転させて、ターンテーブル５に支持された３つのチャックテーブル２のうちの１つを第１搬送機構７４１の近傍に位置づけておく。 The control unit 97 also rotates the turntable 5 using a turntable rotation mechanism (not shown) to position one of the three chuck tables 2 supported by the turntable 5 near the first transport mechanism 741.

そして、制御部９７は、第１搬送機構７４１の近傍に位置づけられたチャックテーブル２の保持面２００に、第１搬送機構７４１によって、ウェーハ４１を載置して、吸引源を作動させる。これにより、チャックテーブル２の保持面２００が、ウェーハ４１を吸引保持する。 Then, the control unit 97 places the wafer 41 on the holding surface 200 of the chuck table 2, which is positioned near the first transport mechanism 741, using the first transport mechanism 741, and activates the suction source. As a result, the holding surface 200 of the chuck table 2 holds the wafer 41 by suction.

次に、制御部９７は、ターンテーブル５を反時計回りに１２０度回転させて、チャックテーブル２の保持面２００に吸引保持されたウェーハ４１を、第１研削機構３１の下方に位置づける。その際、ターンテーブル５の回転によって、第１研削砥石３４１の下面３４３と保持面２００に保持されたウェーハ４１との水平位置の関係を、第１研削砥石３４１の下面３４３が保持面２００に保持されたウェーハ４１の半径部分に重なるような位置関係にする。 Next, the control unit 97 rotates the turntable 5 120 degrees counterclockwise to position the wafer 41, which is suction-held on the holding surface 200 of the chuck table 2, below the first grinding mechanism 31. At this time, the rotation of the turntable 5 brings the horizontal positional relationship between the lower surface 343 of the first grinding wheel 341 and the wafer 41 held on the holding surface 200 into a positional relationship in which the lower surface 343 of the first grinding wheel 341 overlaps the radial portion of the wafer 41 held on the holding surface 200.

このとき、ターンテーブル５に支持された他の２つのチャックテーブル２の各々は、第２研削機構３２の下方、及び第１搬送機構７４１の近傍に位置づけられる。 At this time, each of the other two chuck tables 2 supported by the turntable 5 is positioned below the second grinding mechanism 32 and near the first conveying mechanism 741.

また、制御部９７は、チャックテーブル回転機構２７によってチャックテーブル２を回転させて、チャックテーブル２の保持面２００に保持されたウェーハ４１を回転させるとともに、スピンドルモータ３０によって、第１研削砥石３４１を回転させる。 The control unit 97 also rotates the chuck table 2 using the chuck table rotation mechanism 27 to rotate the wafer 41 held on the holding surface 200 of the chuck table 2, and rotates the first grinding wheel 341 using the spindle motor 30.

そして、保持面２００に保持されたウェーハ４１及び第１研削砥石３４１が回転している状態で、制御部９７は、昇降機構３６によって第１研削砥石３４１を－Ｚ方向に下降させる。これにより、図６に示すように第１研削砥石３４１の下面３４３が保持面２００に保持されたウェーハ４１の半径部分に接触する。
そして、ウェーハ４１の半径部分に第１研削砥石３４１の下面３４３が接触している状態で、さらに制御部９７が第１研削砥石３４１を－Ｚ方向に下降させることにより、保持面２００に保持されたウェーハ４１を第１研削砥石３４１によって粗研削する。 Then, while the wafer 41 and the first grinding wheel 341 held on the holding surface 200 are rotating, the control unit 97 lowers the first grinding wheel 341 in the -Z direction by the lifting mechanism 36. As a result, the lower surface 343 of the first grinding wheel 341 comes into contact with the radial portion of the wafer 41 held on the holding surface 200, as shown in FIG.
Then, with the lower surface 343 of the first grinding wheel 341 in contact with the radial portion of the wafer 41, the control unit 97 further lowers the first grinding wheel 341 in the -Z direction, thereby roughly grinding the wafer 41 held on the holding surface 200 with the first grinding wheel 341.

第１研削砥石３４１によるウェーハ４１の粗研削中には、図１に示した第１厚み測定ユニット９１による厚みの測定が行われる。そして、ウェーハ４１が所定の厚みに粗研削されたら、ウェーハ４１の粗研削を終了する。 While the wafer 41 is being roughly ground by the first grinding wheel 341, the thickness is measured by the first thickness measurement unit 91 shown in FIG. 1. Then, when the wafer 41 is roughly ground to a predetermined thickness, the rough grinding of the wafer 41 is terminated.

その後、制御部９７は、第１研削砥石３４１を＋Ｚ方向に上昇させて、ウェーハ４１から離間させる。そして、ターンテーブル５を反時計回りに１２０度回転させて、チャックテーブル２を公転させることにより、第１研削機構３１の下方に位置づけられている保持面２００に保持されたウェーハ４１を、第２研削機構３２の下方に位置づける。 Then, the control unit 97 raises the first grinding wheel 341 in the +Z direction to separate it from the wafer 41. Then, the turntable 5 rotates 120 degrees counterclockwise to revolve the chuck table 2, thereby positioning the wafer 41 held on the holding surface 200 positioned below the first grinding mechanism 31 below the second grinding mechanism 32.

そして、制御部９７は、第１研削機構３１によるウェーハ４１の粗研削の際と同様に、保持面２００上のウェーハ４１及び第２研削砥石３４２を回転させながら、昇降機構３６によって第２研削砥石３４２を－Ｚ方向に下降させ、第２研削砥石３４２の下面３４４を保持面２００に保持されたウェーハ４１の半径部分に接触させる。
さらに、制御部９７は、第２研削砥石３４２を－Ｚ方向に下降させることにより、保持面２００に保持されたウェーハ４１を第２研削砥石３４２によって仕上げ研削する。 Then, similar to when the first grinding mechanism 31 roughly grinds the wafer 41, the control unit 97 rotates the wafer 41 and the second grinding wheel 342 on the holding surface 200, while lowering the second grinding wheel 342 in the -Z direction using the lifting mechanism 36, so that the lower surface 344 of the second grinding wheel 342 comes into contact with the radial portion of the wafer 41 held on the holding surface 200.
Furthermore, the control unit 97 lowers the second grinding wheel 342 in the −Z direction, thereby finish-grinding the wafer 41 held on the holding surface 200 with the second grinding wheel 342 .

第２研削砥石３４２によるウェーハ４１の仕上げ研削中には、第２厚み測定ユニット９２による厚みの測定が行われる。そして、ウェーハ４１が所定の厚みに仕上げ研削されたら、ウェーハ４１の仕上げ研削を終了する。
なお、第３厚み測定ユニット９３を用いてウェーハ４１の厚みを測定しつつ、ウェーハ４１を所定の厚みに仕上げ研削してもよい。また、第３厚み測定ユニット９３でウェーハ４１の厚みを測定しながら研削する場合、第２厚み測定ユニット９２を備えなくてもよい。 During the finish grinding of the wafer 41 by the second grinding wheel 342, the thickness is measured by the second thickness measuring unit 92. Then, when the wafer 41 is finish ground to a predetermined thickness, the finish grinding of the wafer 41 is terminated.
The wafer 41 may be finish-ground to a predetermined thickness while measuring the thickness of the wafer 41 using the third thickness measuring unit 93. In addition, when grinding the wafer 41 while measuring the thickness of the wafer 41 using the third thickness measuring unit 93, the second thickness measuring unit 92 may not be provided.

（第１断面形状認識工程）
次に、制御部９７は、図７に示すように、第３厚み測定ユニット９３の第１センサ９３１、第２センサ９３２、及び第３センサ９３３によって、研削後のウェーハ４１の中心４１１の厚み、外周４１３の厚み、及び中心４１１と外周４１３との中間４１２の三カ所の厚みを測定する。そして、制御部９７は、測定された該三カ所の厚みから、第１試し研削工程にて研削されたウェーハ４１の断面形状である第１断面形状を認識する。さらに、制御部９７は、認識した第１断面形状と予め設定した仕上げ断面形状とを用いて、第１研削工程にて研削されたウェーハ４１の厚み差である第１厚み差６１を算出する。
なお、第１厚み差６１は、ウェーハ４１の中心４１１、外周４１３、中心４１１と外周４１３との中間４１２の三カ所において各々求める。 (First cross-sectional shape recognition step)
7, the control unit 97 measures the thickness of the wafer 41 after grinding at three locations, namely, the thickness of the center 411, the thickness of the outer periphery 413, and the intermediate thickness 412 between the center 411 and the outer periphery 413, using the first sensor 931, the second sensor 932, and the third sensor 933 of the third thickness measuring unit 93. The control unit 97 then recognizes a first cross-sectional shape, which is the cross-sectional shape of the wafer 41 ground in the first trial grinding process, from the measured thicknesses of the three locations. Furthermore, the control unit 97 calculates a first thickness difference 61, which is the thickness difference of the wafer 41 ground in the first grinding process, using the recognized first cross-sectional shape and a preset finish cross-sectional shape.
The first thickness difference 61 is determined at three locations, ie, the center 411 , the outer periphery 413 , and the intermediate portion 412 between the center 411 and the outer periphery 413 of the wafer 41 .

（傾き変更工程）
その後、制御部９７は、次に研削されるウェーハ４１の断面形状があらかじめ設定された仕上げ断面形状になるよう、第１厚み差６１を基に、第１の値８１を取得し、第１の値８１を用いて、第１調整ユニット２４１のナット２４６の高さを変更することによってチャックテーブル２の保持面２００の傾きを変更する。 (Tilt change process)
Thereafter, the control unit 97 obtains a first value 81 based on the first thickness difference 61 so that the cross-sectional shape of the next wafer 41 to be ground becomes the previously set finished cross-sectional shape, and uses the first value 81 to change the height of the nut 246 of the first adjustment unit 241 to change the inclination of the holding surface 200 of the chuck table 2.

第１の値８１とは、図８に示すように、次に研削されるウェーハ４１の断面形状が仕上げ断面形状になるよう調整された、第１調整ユニット２４１のナット２４６とターンテーブル本体５０の上面５００との距離である。 The first value 81 is the distance between the nut 246 of the first adjustment unit 241 and the top surface 500 of the turntable body 50, which is adjusted so that the cross-sectional shape of the next wafer 41 to be ground becomes the finished cross-sectional shape, as shown in FIG. 8.

第１の値８１は、保持面２００の傾きを決める要素であり、第１の値８１に応じて、チャックテーブル２の傾きが決定される。そして、チャックテーブル２の傾きに応じて、研削後のウェーハ４１の断面形状が定められる。従って、第１の値８１は、研削後のウェーハ４１の断面形状と数学的に関係づけられている。 The first value 81 is a factor that determines the inclination of the holding surface 200, and the inclination of the chuck table 2 is determined according to the first value 81. The cross-sectional shape of the wafer 41 after grinding is then determined according to the inclination of the chuck table 2. Therefore, the first value 81 is mathematically related to the cross-sectional shape of the wafer 41 after grinding.

傾き変更工程においては、制御部９７が、次に保持面２００が保持したウェーハ４１を研削した際に第１厚み差６１が解消される傾き角度θを求める。制御部９７は、たとえば、ウェーハ４１の第１厚み差６１に基づいて、次に保持面２００が保持したウェーハ４１を研削した際に第１厚み差６１が解消される保持面２００の傾き角度θを求める。
さらに、制御部９７は、求めた傾き角度θに応じたナット２４６とターンテーブル本体５０の上面５００との距離である第１の値８１を取得する。 In the inclination changing step, the control unit 97 determines the inclination angle θ at which the first thickness difference 61 is eliminated when the wafer 41 held by the holding surface 200 is next ground. The control unit 97 determines, for example, based on the first thickness difference 61 of the wafer 41, the inclination angle θ of the holding surface 200 at which the first thickness difference 61 is eliminated when the wafer 41 held by the holding surface 200 is next ground.
Furthermore, the control unit 97 acquires a first value 81 which is the distance between the nut 246 and the upper surface 500 of the turntable body 50 according to the obtained tilt angle θ.

そして、制御部９７は、第１調整ユニット２４１のナット２４６の高さを、第１の値８１に変更する。このために、制御部９７は、たとえば、図３に示した第１調整ユニット２４１の駆動部２４７のモータ２４８によって、第１調整ユニット２４１のシャフト２４３を適宜の回転数だけ回転させる。
これにより、図８に示すように、チャックテーブル２の保持面２００の傾きが変更される。 Then, the control unit 97 changes the height of the nut 246 of the first adjustment unit 241 to the first value 81. To achieve this, the control unit 97 rotates the shaft 243 of the first adjustment unit 241 an appropriate number of rotations using the motor 248 of the drive unit 247 of the first adjustment unit 241 shown in FIG.
As a result, the inclination of the holding surface 200 of the chuck table 2 is changed, as shown in FIG.

（第２試し研削工程）
第２試し研削工程では、上記傾き変更工程にて傾きが変更されたチャックテーブル２の保持面２００に、第１試し研削工程にて研削されたウェーハ４１とは異なるウェーハ４１を保持して、２回目の試し研削を行う。 (Second test grinding process)
In the second trial grinding process, a wafer 41 different from the wafer 41 ground in the first trial grinding process is held on the holding surface 200 of the chuck table 2 whose inclination has been changed in the inclination changing process, and a second trial grinding is performed.

第２試し研削工程では、第１試し研削工程と同様に、制御部９７が、図１に示したロボット７１により、第１カセット７０１から加工前のウェーハ４１を引き出して仮置き領域７２０に載置し、位置合わせ機構７２によって位置合わせを行う。そして、制御部９７は、第１搬送機構７４１によって、ウェーハ４１を、第１搬送機構７４１の近傍に位置しているチャックテーブル２の保持面２００に搬送する。そして、制御部９７が吸引源を作動させることにより、傾き変更工程にて傾きが変更されたチャックテーブル２の保持面２００にウェーハ４１を保持する。 In the second trial grinding process, similarly to the first trial grinding process, the control unit 97 causes the robot 71 shown in FIG. 1 to pull out the unprocessed wafer 41 from the first cassette 701 and place it in the temporary placement area 720, and aligns it with the alignment mechanism 72. Then, the control unit 97 causes the first transport mechanism 741 to transport the wafer 41 to the holding surface 200 of the chuck table 2 located near the first transport mechanism 741. Then, the control unit 97 operates the suction source to hold the wafer 41 on the holding surface 200 of the chuck table 2 whose tilt has been changed in the tilt changing process.

なお、第２試し研削工程にて研削されるウェーハ４１のチャックテーブル２の保持面２００への搬送では、上記の第１試し研削工程にて、ウェーハ４１を保持したチャックテーブル２の保持面２００に保持させる。 When the wafer 41 to be ground in the second trial grinding process is transported to the holding surface 200 of the chuck table 2, the wafer 41 is held on the holding surface 200 of the chuck table 2 that held the wafer 41 in the first trial grinding process described above.

チャックテーブル２の保持面２００にウェーハ４１を保持した後、制御部９７は、ターンテーブル５を反時計回りに１２０度回転させて、保持面２００に保持されたウェーハ４１を第１研削機構３１の下方に位置づける。 After holding the wafer 41 on the holding surface 200 of the chuck table 2, the control unit 97 rotates the turntable 5 counterclockwise by 120 degrees to position the wafer 41 held on the holding surface 200 below the first grinding mechanism 31.

その後、制御部９７は、図７に示すように、第１研削機構３１によってウェーハ４１を粗研削する。第１研削砥石３４１によるウェーハ４１の粗研削は、第１試し研削工程における第１研削砥石３４１によるウェーハ４１の粗研削の際と同様にして行われる。 Then, as shown in FIG. 7, the control unit 97 causes the first grinding mechanism 31 to roughly grind the wafer 41. The rough grinding of the wafer 41 by the first grinding wheel 341 is performed in the same manner as the rough grinding of the wafer 41 by the first grinding wheel 341 in the first trial grinding process.

その後、制御部９７は、ターンテーブル５を反時計回りに１２０度回転させて、ウェーハ４１を第２研削機構３２の下方に位置づける。そして、制御部９７は、第２研削砥石３４２によってウェーハ４１を仕上げ研削する。第２研削砥石３４２によるウェーハ４１の仕上げ研削も、第１試し研削工程における第２研削砥石３４２によるウェーハ４１の仕上げ研削と同様にして行われる。 Then, the control unit 97 rotates the turntable 5 120 degrees counterclockwise to position the wafer 41 below the second grinding mechanism 32. Then, the control unit 97 finish-grinds the wafer 41 with the second grinding wheel 342. The finish-grinding of the wafer 41 with the second grinding wheel 342 is performed in the same manner as the finish-grinding of the wafer 41 with the second grinding wheel 342 in the first trial grinding process.

（第２断面形状認識工程）
その後、図９に示すように、制御部９７は、第３厚み測定ユニット９３によって、第２試し研削工程にて研削されたウェーハ４１の中心４１１の厚み、外周４１３の厚み、及び中心４１１と外周４１３との中間４１２の合計三カ所の厚みを測定して、第２試し研削工程にて仕上げ研削されたウェーハ４１の断面形状である第２断面形状を認識する。さらに、制御部９７は、認識した第２断面形状に基づいて、第２研削工程にて研削されたウェーハ４１の厚み差である第２厚み差６２を算出する。
なお、第２厚み差６２は、ウェーハ４１の中心４１１、外周４１３、中心４１１と外周４１３との中間４１２において、算出する。 (Second cross-sectional shape recognition step)
9, the control unit 97 measures the thicknesses of three locations, namely, the thickness of the center 411, the thickness of the outer periphery 413, and the thickness of the intermediate portion 412 between the center 411 and the outer periphery 413, of the wafer 41 ground in the second test grinding process by the third thickness measuring unit 93, and recognizes a second cross-sectional shape which is the cross-sectional shape of the wafer 41 finish-ground in the second test grinding process. Furthermore, the control unit 97 calculates a second thickness difference 62 which is the thickness difference of the wafer 41 ground in the second grinding process based on the recognized second cross-sectional shape.
The second thickness difference 62 is calculated at the center 411 , the outer periphery 413 , and the intermediate portion 412 between the center 411 and the outer periphery 413 of the wafer 41 .

このように、傾き変更工程において第１厚み差６１（図７参照）が解消されるように第１調整ユニット２４１のナット２４６の高さおよび第２調整ユニット２４２のナットの高さを変更したにも関わらず、第２試し研削工程後に、ウェーハ４１の上面４１０が平坦にならず、ウェーハ４１に第２厚み差６２が生じる場合がある。その原因の１つには、研削条件に応じて生じる装置の変形（歪み）が関係している。 Thus, even though the height of the nut 246 of the first adjustment unit 241 and the height of the nut of the second adjustment unit 242 are changed so as to eliminate the first thickness difference 61 (see FIG. 7) in the tilt changing process, the upper surface 410 of the wafer 41 may not be flat after the second trial grinding process, and a second thickness difference 62 may occur in the wafer 41. One of the causes of this is related to deformation (distortion) of the device that occurs depending on the grinding conditions.

（傾き変更補正率算出工程）
そこで、制御部９７は、次に研削されるウェーハ４１の断面形状が仕上げ断面形状になる（ウェーハ４１の上面４１０が平坦になる）よう、第２断面形状をもとに、図１０に示す第２の値８２を取得し、第２の値８２と第１の値８１とを用いて傾き変更補正率Ｒ１を求める。 (Inclination change correction rate calculation process)
Therefore, the control unit 97 obtains the second value 82 shown in FIG. 10 based on the second cross-sectional shape so that the cross-sectional shape of the wafer 41 to be ground next becomes the finished cross-sectional shape (the upper surface 410 of the wafer 41 becomes flat), and calculates the slope change correction rate R1 using the second value 82 and the first value 81.

ここで、図１０に示す第２の値８２とは、次に研削されたウェーハ４１の断面形状が仕上げ断面形状になるようなナット２４６とターンテーブル本体５０の上面５００との距離である調整距離８３と、第２試し研削工程における第１調整ユニット２４１のナット２４６とターンテーブル本体５０の上面５００との距離である第１の値８１との差である。 The second value 82 shown in FIG. 10 is the difference between the adjustment distance 83, which is the distance between the nut 246 and the upper surface 500 of the turntable body 50 such that the cross-sectional shape of the next ground wafer 41 becomes the finished cross-sectional shape, and the first value 81, which is the distance between the nut 246 of the first adjustment unit 241 and the upper surface 500 of the turntable body 50 in the second trial grinding process.

第２の値８２を求めるために、制御部９７は、第２厚み差６２に応じた保持面２００の傾きを求める。つまり、次に保持面２００が保持したウェーハ４１を研削した際に第２厚み差６２が解消されるような保持面２００の傾き角度θを求める。さらに、制御部９７は、その傾き角度θに応じたナット２４６とターンテーブル本体５０の上面５００との距離である調整距離８３を求める。さらに、制御部９７は、その調整距離８３から第１の値８１を差し引くことによって得られる値（第１の値８１に対する高さの不足値）を、第２の値８２として取得する。 To obtain the second value 82, the control unit 97 obtains the inclination of the holding surface 200 according to the second thickness difference 62. In other words, the control unit 97 obtains the inclination angle θ of the holding surface 200 at which the second thickness difference 62 is eliminated the next time the wafer 41 held by the holding surface 200 is ground. Furthermore, the control unit 97 obtains an adjustment distance 83, which is the distance between the nut 246 and the upper surface 500 of the turntable body 50 according to the inclination angle θ. Furthermore, the control unit 97 obtains a value (the height deficiency value relative to the first value 81) obtained by subtracting the first value 81 from the adjustment distance 83 as the second value 82.

さらに、制御部９７は、第２の値８２と第１の値８１とを用いて、傾き変更補正率Ｒ１を、以下の式から求める。
傾き変更補正率Ｒ１＝第１の値８１／（第１の値８１－第２の値８２） Furthermore, the control unit 97 uses the second value 82 and the first value 81 to calculate the inclination change correction rate R1 from the following formula.
Inclination change correction rate R1=first value 81/(first value 81−second value 82)

その後、制御部９７は、試し研削後の本番の研削対象として、次のウェーハ４１を研削する。その際には、まず、上記の式から求められた傾き変更補正率Ｒ１を用いて、保持面２００の傾きの変更量を補正する。 Then, the control unit 97 grinds the next wafer 41 as the actual grinding target after the trial grinding. At that time, first, the amount of change in the tilt of the holding surface 200 is corrected using the tilt change correction rate R1 calculated from the above formula.

保持面２００の傾きの変更量を補正する際には、制御部９７は、たとえば、保持面２００の傾きが変更されていない状態から、上記の傾き変更工程における第１調整ユニット２４１のシャフト２４３の回転量のＲ１倍の回転量だけシャフト２４３を回転させて、第１調整ユニット２４１のナット２４６とターンテーブル本体５０の上面５００との距離を調整距離８３にする。 When correcting the change in the inclination of the holding surface 200, the control unit 97, for example, rotates the shaft 243 of the first adjustment unit 241 by an amount of rotation R1 times the amount of rotation of the shaft 243 in the above-mentioned inclination change process from a state in which the inclination of the holding surface 200 is not changed, to set the distance between the nut 246 of the first adjustment unit 241 and the upper surface 500 of the turntable body 50 to an adjustment distance 83.

そして、制御部９７は、ウェーハ４１をチャックテーブル２の保持面２００に保持して、第１研削機構３１による粗研削および第２研削機構３２による仕上げ研削を行う。これにより、ウェーハ４１の断面形状を、仕上げ断面形状とすることが可能となる。 Then, the control unit 97 holds the wafer 41 on the holding surface 200 of the chuck table 2, and performs rough grinding by the first grinding mechanism 31 and finish grinding by the second grinding mechanism 32. This makes it possible to make the cross-sectional shape of the wafer 41 into the finished cross-sectional shape.

以上のように、制御部９７が、第１試し研削工程、及び、その後に行われる傾き変更後の第２試し研削工程による２回の試し研削を行って、良好な保持面２００の傾きを得るための傾き変更補正率Ｒ１を算出する。そして、制御部９７は、同様のウェーハ４１を同じ研削条件で研削する場合に、この傾き変更補正率Ｒ１を、傾き変更工程における保持面２００の傾きを変更するためのシャフト２４３の回転量にかけた値の回転量だけ回転させて、チャックテーブル２の保持面２００の傾きを変更する。その後、制御部９７が、本番のウェーハ４１を研削することで、そのウェーハ４１を仕上げ断面形状に研削する。
このように、本実施形態では、２回の試し研削を経て、ウェーハ４１を仕上げ断面形状に研削できる。このため、研削加工と保持面２００の傾きの修正とを何度も繰り返していた従来の技術に比べて、少ない合計時間で、ウェーハ４１を仕上げ断面形状に研削することができる。 As described above, the control unit 97 performs two trial grinding processes, the first trial grinding process and the second trial grinding process performed thereafter after the inclination change, to calculate the inclination change correction factor R1 for obtaining a good inclination of the holding surface 200. When grinding a similar wafer 41 under the same grinding conditions, the control unit 97 changes the inclination of the holding surface 200 of the chuck table 2 by rotating the wafer by an amount of rotation that is a value obtained by multiplying the amount of rotation of the shaft 243 for changing the inclination of the holding surface 200 in the inclination change process by the inclination change correction factor R1. Thereafter, the control unit 97 grinds the actual wafer 41 to grind the wafer 41 into a finished cross-sectional shape.
In this manner, in this embodiment, the wafer 41 can be ground to the finished cross-sectional shape through two trial grindings. Therefore, compared to the conventional technology in which the grinding process and the correction of the inclination of the holding surface 200 were repeated many times, the wafer 41 can be ground to the finished cross-sectional shape in a shorter total time.

なお、上記の傾き変更補正率Ｒ１の算出は、研削条件を変更した際だけでなく、研削ホイール３４を交換した際に行われてもよい。 The calculation of the above-mentioned inclination change correction rate R1 may be performed not only when the grinding conditions are changed, but also when the grinding wheel 34 is replaced.

また、ウェーハ４１の断面形状は、ウェーハ４１の中心４１１の厚みを基準として、中心４１１の厚みと外周４１３の厚みとの差によって特徴づけられるものであってもよい。この場合、第１断面形状の認識は、ウェーハ４１の中心４１１の厚みと外周４１３の厚みとの差を算出することによって行われる。 The cross-sectional shape of the wafer 41 may be characterized by the difference between the thickness of the center 411 and the thickness of the outer periphery 413 of the wafer 41, with the thickness of the center 411 being taken as a reference. In this case, the first cross-sectional shape is recognized by calculating the difference between the thickness of the center 411 and the thickness of the outer periphery 413 of the wafer 41.

また、制御部９７は、仕上げ断面形状を中心４１１の付近の厚みが小さいすり鉢状に設定してもよい。また、制御部９７は、仕上げ断面形状を中心４１１の付近の厚みが大きいドーム状に設定してもよい。 The control unit 97 may also set the finished cross-sectional shape to a cone shape with a smaller thickness near the center 411. The control unit 97 may also set the finished cross-sectional shape to a dome shape with a larger thickness near the center 411.

また、第１の値８１は、次に研削されるウェーハ４１の断面形状が仕上げ断面形状になるような第２調整ユニット２４２のナット２４６とターンテーブル本体５０の上面５００との距離であってもよい。そして、第２の値８２は、このように定められた第１の値８１と、ウェーハ４１の断面形状を実際に仕上げ断面形状にすることができる第２調整ユニット２４２のナット２４６とターンテーブル本体５０の上面５００との距離と、の差であってもよい。
この場合、制御部９７は、第１調整ユニット２４１に代えて第２調整ユニット２４２によって第２高さを変更することにより、保持面２００の傾きを変更してもよい。 Also, the first value 81 may be a distance between the nut 246 of the second adjustment unit 242 and the upper surface 500 of the turntable body 50 such that the cross-sectional shape of the wafer 41 to be ground next becomes the finished cross-sectional shape. And the second value 82 may be a difference between the first value 81 thus determined and a distance between the nut 246 of the second adjustment unit 242 and the upper surface 500 of the turntable body 50 such that the cross-sectional shape of the wafer 41 can actually be the finished cross-sectional shape.
In this case, the control unit 97 may change the second height by using the second adjustment unit 242 instead of the first adjustment unit 241 to change the inclination of the holding surface 200 .

また、研削装置１では、以下のように、ウェーハ４１を仕上げ断面形状に仕上げることもできる。まず、制御部９７が、図１に示した第１研削砥石３４１及び第２研削砥石３４２によって、ウェーハ４１を第１試し研削する。これにより、ウェーハ４１の断面形状が、図１１に示すような断面形状になる。そして、制御部９７は、第３厚み測定ユニット９３を用いてウェーハ４１の中心４１１の厚み、外周４１３の厚み、及び中心４１１と外周４１３との中間４１２の厚みを測定し、これに基づいて第１試し研削後のウェーハ４１の断面形状を認識する。 In addition, the grinding device 1 can also finish the wafer 41 into a finished cross-sectional shape as follows. First, the control unit 97 performs a first test grinding of the wafer 41 using the first grinding wheel 341 and the second grinding wheel 342 shown in FIG. 1. This results in the cross-sectional shape of the wafer 41 becoming the cross-sectional shape shown in FIG. 11. The control unit 97 then uses the third thickness measurement unit 93 to measure the thickness of the center 411, the thickness of the outer periphery 413, and the thickness of the intermediate portion 412 between the center 411 and the outer periphery 413 of the wafer 41, and recognizes the cross-sectional shape of the wafer 41 after the first test grinding based on this.

また、予め、オペレータによってウェーハ４１の仕上げ断面形状が設定され、制御部９７に記憶される。 The finished cross-sectional shape of the wafer 41 is also set in advance by the operator and stored in the control unit 97.

そして、制御部９７は、認識されたウェーハ４１の断面形状と、ウェーハ４１の仕上げ断面形状とを比較する。具体的には、制御部９７は、図１２に示すように、第１試し研削後のウェーハ４１の中心４１１の厚みと仕上げ断面形状を有するウェーハ４１の厚みとを比較して、その差である第３厚み差Ｄ１を算出する。ここで、第３厚み差Ｄ１は、１．２μｍであるとする。 Then, the control unit 97 compares the recognized cross-sectional shape of the wafer 41 with the finished cross-sectional shape of the wafer 41. Specifically, as shown in FIG. 12, the control unit 97 compares the thickness of the center 411 of the wafer 41 after the first trial grinding with the thickness of the wafer 41 having the finished cross-sectional shape, and calculates the third thickness difference D1, which is the difference between them. Here, the third thickness difference D1 is assumed to be 1.2 μm.

その後、制御部９７は、次に研削されるウェーハ４２が仕上げ断面形状になるように、チャックテーブル２の保持面２００の傾きを変更する。具体的には、たとえば、制御部９７が、図６に示す第１調整ユニット２４１のモータ２４８によってシャフト２４３を回転させて、第１調整ユニット２４１のナット２４６の高さを上昇させる。 Then, the control unit 97 changes the inclination of the holding surface 200 of the chuck table 2 so that the next wafer 42 to be ground has the finished cross-sectional shape. Specifically, for example, the control unit 97 rotates the shaft 243 by the motor 248 of the first adjustment unit 241 shown in FIG. 6 to raise the height of the nut 246 of the first adjustment unit 241.

次に、制御部９７は、第１研削砥石３４１及び第２研削砥石３４２によって、ウェーハ４１の第２試し研削を行う。これにより、ウェーハ４１が、図１３に示すような断面形状に研削される。その後、制御部９７は、第３厚み測定ユニット９３によってウェーハ４１の中心４１１の厚み、外周４１３の厚み、及び中心４１１と外周４１３との中間４１２の厚みを測定し、これに基づいて第２試し研削後のウェーハ４１の断面形状を認識する。 Next, the control unit 97 performs a second trial grinding of the wafer 41 using the first grinding wheel 341 and the second grinding wheel 342. As a result, the wafer 41 is ground into a cross-sectional shape as shown in FIG. 13. The control unit 97 then uses the third thickness measurement unit 93 to measure the thickness of the center 411, the thickness of the outer periphery 413, and the thickness of the intermediate portion 412 between the center 411 and the outer periphery 413 of the wafer 41, and recognizes the cross-sectional shape of the wafer 41 after the second trial grinding based on this.

その後、制御部９７は、認識された第２試し研削後のウェーハ４１の断面形状と、ウェーハ４１の仕上げ断面形状と比較する。具体的には、制御部９７は、図１４に示すように、第２試し研削後のウェーハ４１の中心４１１の厚みと仕上げ断面形状を有するウェーハ４１の厚みとを比較して、その差である第４厚み差Ｄ２を算出する。ここで、第４厚み差Ｄ２は、０．４μｍであるとする。 Then, the control unit 97 compares the recognized cross-sectional shape of the wafer 41 after the second test grinding with the finished cross-sectional shape of the wafer 41. Specifically, as shown in FIG. 14, the control unit 97 compares the thickness of the center 411 of the wafer 41 after the second test grinding with the thickness of the wafer 41 having the finished cross-sectional shape, and calculates the difference therebetween, the fourth thickness difference D2. Here, the fourth thickness difference D2 is assumed to be 0.4 μm.

次いで、制御部９７は、第３厚み差Ｄ１と第４厚み差Ｄ２とを、補正比率Ｒ２＝（Ｄ１＋Ｄ２）／Ｄ１で表される式に代入して、補正比率Ｒ２を算出する。これにより、補正比率Ｒ２が、Ｒ２＝１．３３と算出される。 Next, the control unit 97 calculates the correction ratio R2 by substituting the third thickness difference D1 and the fourth thickness difference D2 into the formula expressed as the correction ratio R2 = (D1 + D2) / D1. As a result, the correction ratio R2 is calculated as R2 = 1.33.

そして、制御部９７は、再度、保持面２００の傾きを、傾き変更前の状態から変更する。ここでは、制御部９７は、上述の第２試し研削の前に行われた保持面２００の傾き変更時における動作量に、Ｒ２＝１．３３を掛けた動作量を用いて、傾き変更のための動作を行う。
具体的には、たとえば、制御部９７は、第１調整ユニット２４１のモータ２４８の回転量を、上記第２試し研削前の傾き変更時の１．３３倍にして、同変更時に比して、第１調整ユニット２４１のナット２４６の高さを１．３３倍だけ上昇させる。これにより、制御部９７は、チャックテーブル２の保持面２００の傾きを、同変更時の１．３３倍に変更する。 Then, the control unit 97 again changes the inclination of the holding surface 200 from the state before the inclination change. Here, the control unit 97 performs an operation for changing the inclination by using an amount of operation obtained by multiplying the amount of operation when changing the inclination of the holding surface 200 performed before the above-mentioned second test grinding by R2=1.33.
Specifically, for example, the control unit 97 sets the rotation amount of the motor 248 of the first adjustment unit 241 to 1.33 times the amount at the time of changing the inclination before the second test grinding, and raises the height of the nut 246 of the first adjustment unit 241 by 1.33 times compared to the time of the change. As a result, the control unit 97 changes the inclination of the holding surface 200 of the chuck table 2 to 1.33 times the amount at the time of the change.

その後、制御部９７は、第１研削砥石３４１及び第２研削砥石３４２によって、ウェーハ４１を研削する。これにより、ウェーハ４１を仕上げ断面形状に仕上げることができる。 Then, the control unit 97 grinds the wafer 41 using the first grinding wheel 341 and the second grinding wheel 342. This allows the wafer 41 to be finished into a finished cross-sectional shape.

また、補正比率Ｒ２の算出式は、Ｒ２＝１／（第３厚み差Ｄ１／第４厚み差Ｄ２）＋１と表すこともできる。 The calculation formula for the correction ratio R2 can also be expressed as R2 = 1/(third thickness difference D1/fourth thickness difference D2) + 1.

なお、図２に示した第３厚み測定ユニット９３においては、アーム部９４の旋回により、第１センサ９３１、第２センサ９３２、及び第３センサ９３３が、ウェーハ４１の中心４１１の近傍、中間４１２、及び外周４１３以外の位置にも移動して、ウェーハ４１の中心４１１、中間４１２及び外周４１３の以外の位置の厚みを測定することも可能である。したがって、本実施形態では、制御部９７は、第３厚み測定ユニット９３を用いて、ウェーハ４１の中心４１１、外周４１３、及び中心４１１と外周４１３との中間４１２の三カ所に加えて、他の箇所の厚みを測定するように構成されていてもよい。そして、制御部９７は、第３厚み測定ユニット９３を用いて、ウェーハ４１における４箇所以上の位置を測定してもよい。 2, the arm 94 can be rotated to move the first sensor 931, the second sensor 932, and the third sensor 933 to positions other than the vicinity of the center 411, the middle 412, and the outer periphery 413 of the wafer 41, and the thickness of the wafer 41 can be measured at positions other than the center 411, the middle 412, and the outer periphery 413. Therefore, in this embodiment, the control unit 97 may be configured to use the third thickness measurement unit 93 to measure the thickness of other positions in addition to the three positions of the center 411, the outer periphery 413, and the middle 412 between the center 411 and the outer periphery 413 of the wafer 41. The control unit 97 may use the third thickness measurement unit 93 to measure four or more positions on the wafer 41.

１：研削装置２：チャックテーブル
１０：ベース１１：第１コラム１２：第２コラム
２０：吸引部２１：枠体２２：傾き変更機構２３：支持台
２５：回転軸２６：固定シャフト
２７：チャックテーブル回転機構２００：保持面２０１：中心
２０２：研削加工エリア２０３：外周２０４：中心側の部分
２０５：外周側の部分２１０：上面
２３０：支持筒部２３１：フランジ部２４１：第１調整ユニット
２４２：第２調整ユニット２４３：シャフト２４５：留め具２４６：ナット
２４７：駆動部２４８：モータ２４９：減速機
３０：スピンドルモータ３１：第１研削機構３２：第２研削機構３３：ハウジング
３４：研削ホイール３６：昇降機構３７：基台３８：マウント
３９：スピンドル３４１：第１研削砥石３４２：第２研削砥石
３４３：下面３４４：下面３５１：第１回転軸３５２：第２回転軸
３６０：ボールネジ３６１：ガイドレール３６２：Ｚ軸モータ３６３：昇降板
４１：ウェーハ４２：ウェーハ４１０：上面
４１１：中心４１２：中間４１３：外周４３０：平坦面
５：ターンテーブル５０：ターンテーブル本体５０２：カバー板
５９：収容空間５００：上面６１：第１厚み差６２：第２厚み差
７１：ロボット７２：位置合わせ機構７３：洗浄機構
７０１：第１カセット７０２：第２カセット
７２０：仮置き領域７４１：第１搬送機構７４２：第２搬送機構
８０：初期値８１：第１の値８２：第２の値８３：調整距離
９１：第１厚み測定ユニット９２：第２厚み測定ユニット９３：第３厚み測定ユニット９４：アーム部９５：スタンド９７：制御部
９８：保持面ハイトゲージ９９：上面ハイトゲージ
９３０：測定部９３１：第１センサ９３２：第２センサ９３３：第３センサ
Ｄ１：第３厚み差Ｄ２：第４厚み差Ｒ１：傾き変更補正率Ｒ２：補正比率 1: Grinding device 2: Chuck table 10: Base 11: First column 12: Second column 20: Suction section 21: Frame 22: Tilt change mechanism 23: Support base 25: Rotating shaft 26: Fixed shaft 27: Chuck table rotation mechanism 200: Holding surface 201: Center 202: Grinding processing area 203: Outer periphery 204: Center side portion 205: Outer periphery side portion 210: Upper surface 230: Support cylinder portion 231: Flange portion 241: First adjustment unit 242: Second adjustment unit 243: Shaft 245: Fastener 246: Nut 247: Drive section 248: Motor 249: Reducer 30: Spindle motor 31: First grinding mechanism 32: Second grinding mechanism 33: Housing 34: Grinding wheel 36: Lifting mechanism 37: Base 38: Mount 39: Spindle 341: First grinding wheel 342: Second grinding wheel 343: Lower surface 344: Lower surface 351: First rotating shaft 352: Second rotating shaft 360: Ball screw 361: Guide rail 362: Z-axis motor 363: Lift plate 41: Wafer 42: Wafer 410: Upper surface 411: Center 412: Middle 413: Outer periphery 430: Flat surface 5: Turntable 50: Turntable body 502: Cover plate 59: Storage space 500: Upper surface 61: First thickness difference 62: Second thickness difference 71: Robot 72: Alignment mechanism 73: Cleaning mechanism 701: First cassette 702: Second cassette 720: Temporary placement area 741: First transport mechanism 742: Second conveying mechanism 80: Initial value 81: First value 82: Second value 83: Adjustment distance 91: First thickness measurement unit 92: Second thickness measurement unit 93: Third thickness measurement unit 94: Arm section 95: Stand 97: Control section 98: Holding surface height gauge 99: Upper surface height gauge 930: Measurement section 931: First sensor 932: Second sensor 933: Third sensor D1: Third thickness difference D2: Fourth thickness difference R1: Tilt change correction rate R2: Correction ratio

Claims

A method for calculating a correction factor in grinding a wafer using a grinding device comprising: a chuck table that holds a wafer by a holding surface; a grinding mechanism that grinds the wafer by a lower surface of an annular grinding wheel disposed at a tip of a spindle; and an inclination changing mechanism that changes the inclination of the holding surface with respect to the lower surface of the grinding wheel, the method comprising the steps of: bringing the lower surface of the grinding wheel into contact with a radial portion of the wafer held by the holding surface to grind the wafer, the method comprising the steps of:
a first test grinding step of grinding the wafer held on the holding surface with the grinding wheel;
a first cross-sectional shape recognition step of measuring thicknesses of the wafer ground in the first trial grinding step at three locations, i.e., a center, an outer periphery, and an intermediate location between the center and the outer periphery, to recognize a first cross-sectional shape of the wafer;
a tilt changing step of acquiring a first value based on the first cross-sectional shape from a difference between the first cross-sectional shape recognized in the first cross-sectional shape recognition step and a finish cross-sectional shape, and changing a tilt of the holding surface by the first value;
a second test grinding step of grinding the wafer held on the holding surface of the chuck table having the inclination changed in the inclination changing step by the grinding wheel;
a second cross-sectional shape recognition step of measuring the thicknesses of the three locations of the wafer ground in the second trial grinding step to recognize a second cross-sectional shape of the wafer;
a gradient change correction factor calculation step of acquiring a second value based on the second cross-sectional shape from a difference between the second cross-sectional shape recognized in the second cross-sectional shape recognition step and the finished cross-sectional shape, and calculating a gradient change correction factor from the following formula using the second value and the first value;
Tilt change correction rate=the first value/(the first value−the second value)
A correction factor calculation method comprising:

A method for grinding a wafer, comprising the steps of: using the correction factor calculation method according to claim 1; bringing a lower surface of the grinding wheel into contact with a radius portion of the wafer held on the holding surface to grind the wafer;
a tilting step of tilting the holding surface by an angle corresponding to a value obtained by multiplying the first value obtained in the tilt changing step by the tilt change correction factor calculated in the tilt change correction factor calculation step;
a grinding step of grinding the wafer held on the holding surface tilted in the tilting step to a predetermined thickness by the grinding wheel;
A method for grinding a wafer comprising the steps of: