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JP7649248B2 - Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board - Google Patents
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JP7649248B2 - Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board - Google Patents

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Description

本開示は、キャビティを有する印刷配線板および印刷配線板の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a printed wiring board having a cavity and a method for manufacturing a printed wiring board.

近年、基板および配線の高集積化および高密度化に伴い、多層基板に大きな容積でキャビティを設けて、そこに電子部品を実装するケースがある。In recent years, with the increasing integration and density of boards and wiring, there are cases where large cavities are created in multilayer boards and electronic components are mounted therein.

特開2016‐122728号公報JP 2016-122728 A

本開示の印刷配線板は、多層基板を有する。多層基板は、第1の面および第2の面を有するコア基板と、該コア基板における前記第1の面に位置する第1のビルドアップ層と、前記コア基板における前記第2の面に位置する第2のビルドアップ層とを有する。また、前記多層基板は、キャビティと、第1の導体層と、第2の導体層とを有する。前記キャビティは、前記第1のビルドアップ層および前記コア基板を貫き、底面が前記第2のビルドアップ層の表面であり、前記第1の導体層は、前記キャビティの前記底面に位置し、前記第2の導体層は、前記第2のビルドアップ層内に位置するとともに、平面透視で前記キャビティの前記底面の周縁部の少なくとも一部に重なって位置する。The printed wiring board of the present disclosure has a multilayer substrate. The multilayer substrate has a core substrate having a first surface and a second surface, a first build-up layer located on the first surface of the core substrate, and a second build-up layer located on the second surface of the core substrate. The multilayer substrate also has a cavity, a first conductor layer, and a second conductor layer. The cavity penetrates the first build-up layer and the core substrate, and the bottom surface is the surface of the second build-up layer, the first conductor layer is located on the bottom surface of the cavity, and the second conductor layer is located within the second build-up layer and overlaps at least a portion of the periphery of the bottom surface of the cavity in a planar perspective.

本開示の印刷配線板の製造方法は、第1の面および第2の面を有し、前記第2の面にシード層が設けられたコア基板を用意する第1の工程と、前記コア基板に設けられた前記シード層にパターンメッキを行って第1の導体層を形成する第2の工程と、前記コア基板の前記第1の導体層を含む前記シード層の表面に、キャビティが形成される領域である前記コア基板の中央部に前記シード層が残るように前記シード層の一部を除く第3の工程と、前記コア基板の前記第1の面に、第1の絶縁樹脂層を有する第1のビルドアップ層を形成するとともに、前記コア基板の前記第2の面に、第2の絶縁樹脂層を有する第2のビルドアップ層を形成する第4の工程と、前記第2のビルドアップ層の表面にパターンメッキを行い、平面透視で前記形成されるキャビティの底面の周縁部の少なくとも一部に重なる位置に第2の導体層を形成する第5の工程と、前記コア基板を前記第1のビルドアップ層側から加工して該第1のビルドアップ層および前記コア基板を貫き、前記底面が前記第2のビルドアップ層の表面となる前記キャビティを形成する第6の工程と、を具備する。The method for manufacturing a printed wiring board of the present disclosure includes a first step of preparing a core substrate having a first surface and a second surface, the second step of performing pattern plating on the seed layer provided on the core substrate to form a first conductor layer, a third step of removing a portion of the seed layer from the surface of the seed layer including the first conductor layer of the core substrate such that the seed layer remains in the central portion of the core substrate, which is an area where a cavity is to be formed, and a fourth step of forming a first build-up layer having a first insulating resin layer on the first surface of the core substrate. and a fourth step of forming a second buildup layer having a second insulating resin layer on the second surface of the core substrate. A fifth step of pattern plating the surface of the second buildup layer to form a second conductor layer at a position overlapping at least a portion of the periphery of the bottom surface of the cavity formed in a planar perspective. A sixth step of processing the core substrate from the side of the first buildup layer to penetrate the first buildup layer and the core substrate and form the cavity whose bottom surface is the surface of the second buildup layer.

実施形態の印刷配線板の構成を説明する断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a printed wiring board according to an embodiment. 図1のII-II線断面図である。2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1. 実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment. 実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment. 実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment. 実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment. 実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment. 実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment. 実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment. 実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment. 実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment. 実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment. 実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment. 実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment. 実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment. 実施形態の印刷配線板に係る効果を説明する断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating an effect of a printed wiring board according to an embodiment. 実施形態の印刷配線板に係る効果を説明する断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating an effect of a printed wiring board according to an embodiment.

以下、図面を参照して実施の形態を説明する。図1は、開示した一つの実施の形態の印刷配線板の構成を示す図である。図1に示す印刷配線板は、一例である。Hereinafter, an embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a printed wiring board according to one disclosed embodiment. The printed wiring board shown in FIG. 1 is an example.

実施形態として示した印刷配線板は、以下に示す多層基板54を有する。多層基板54は、コア基板51、第1のビルドアップ層61および第2のビルドアップ層62を有する。コア基板51は、第1の面51aおよび第2の面51bを有する。コア基板51には第1のビルドアップ層61および第2のビルドアップ層62が積層されている。第1のビルドアップ層61は、絶縁樹脂層61aと、絶縁樹脂層61bとを有している。第2のビルドアップ層62は、絶縁樹脂層62aと、絶縁樹脂層62bとを有している。The printed wiring board shown as an embodiment has a multilayer substrate 54 as shown below. The multilayer substrate 54 has a core substrate 51, a first buildup layer 61, and a second buildup layer 62. The core substrate 51 has a first surface 51a and a second surface 51b. The first buildup layer 61 and the second buildup layer 62 are laminated on the core substrate 51. The first buildup layer 61 has an insulating resin layer 61a and an insulating resin layer 61b. The second buildup layer 62 has an insulating resin layer 62a and an insulating resin layer 62b.

第1のビルドアップ層61は、コア基板51の第1の面51aに面するように配置されている。第2のビルドアップ層62は、コア基板51の第2の面51bに面するように配置されている。また、多層基板54は、キャビティ20と、第1の導体層17と、第2の導体層12aとを有する。The first buildup layer 61 is arranged to face the first surface 51a of the core substrate 51. The second buildup layer 62 is arranged to face the second surface 51b of the core substrate 51. The multilayer substrate 54 also has a cavity 20, a first conductor layer 17, and a second conductor layer 12a.

キャビティ20は、多層基板54に、第1のビルドアップ層61側からコア基板51まで開口している。キャビティ20は、第2のビルドアップ層62の表面62aaが底面79となるように設けられている。The cavity 20 is open in the multilayer substrate 54 from the first buildup layer 61 side to the core substrate 51. The cavity 20 is provided so that the surface 62aa of the second buildup layer 62 becomes the bottom surface 79.

第1の導体層17は、キャビティ20の底面79に露出するように配置されている。第2の導体層12aは、絶縁樹脂層62aのコア基板51とは反対の面62abに設けられている。The first conductor layer 17 is arranged so as to be exposed on the bottom surface 79 of the cavity 20. The second conductor layer 12a is provided on the surface 62ab of the insulating resin layer 62a opposite the core substrate 51.

第2の導体層12aは、第2のビルドアップ層62内に位置する。また、多層基板54を平面透視したときに、キャビティ20の底面79の周縁部79tの少なくとも一部に重なって位置している。言い換えると、第2の導体層12aは、多層基板54を平面透視したときに、キャビティ20の底面79の周縁部79tに対応する位置に設けられている。このような構成によれば、印刷配線板に容積の大きいキャビティ20が設けられても印刷配線板を曲がりにくくすることができる。The second conductor layer 12a is located within the second build-up layer 62. Also, when the multilayer substrate 54 is viewed from above, the second conductor layer 12a is located so as to overlap at least a portion of the peripheral portion 79t of the bottom surface 79 of the cavity 20. In other words, when the multilayer substrate 54 is viewed from above, the second conductor layer 12a is provided at a position corresponding to the peripheral portion 79t of the bottom surface 79 of the cavity 20. With this configuration, even if a cavity 20 with a large volume is provided in the printed wiring board, the printed wiring board can be made less likely to bend.

多層基板54に、容積が大きく底面側の厚みが薄くなるようなキャビティ20が形成されると、底面79側で曲がりやすい。その曲がりやすいキャビティ20の底面79の周縁部79tの部分に金属部材を挿入することで機械的強度を高められる。これは金属部材の高い弾性率に因るものである。この場合、第2の導体層12aの位置は、キャビティ20の底面79に露出した第1の導体層17、シード層12とは絶縁樹脂層62aの厚み分ほど距離を隔てた下層の位置に配置されている。When a cavity 20 having a large volume and a thin bottom side is formed in the multilayer substrate 54, it is prone to bending at the bottom side 79. The mechanical strength can be increased by inserting a metal member into the peripheral portion 79t of the bottom side 79 of the cavity 20, which is prone to bending. This is due to the high elasticity of the metal member. In this case, the second conductor layer 12a is positioned in a lower layer, separated from the first conductor layer 17 and seed layer 12 exposed at the bottom side 79 of the cavity 20 by a distance of about the thickness of the insulating resin layer 62a.

多層基板54を平面視したときに、第1の導体層17はキャビティ20の底面79の中央に位置し、第2の導体層12aがキャビティ20の底面79の周縁部79tに位置している。また、第1の導体層17と第2の導体層12aとは、多層基板54の厚み(積層)方向において絶縁樹脂層を1層分ほど隔てるように配置されている。When the multilayer substrate 54 is viewed in plan, the first conductor layer 17 is located at the center of the bottom surface 79 of the cavity 20, and the second conductor layer 12a is located at the peripheral portion 79t of the bottom surface 79 of the cavity 20. The first conductor layer 17 and the second conductor layer 12a are arranged so as to be separated by about one insulating resin layer in the thickness (stacking) direction of the multilayer substrate 54.

このことで、キャビティ20の容積が大きく、キャビティ20の下側の絶縁樹脂層(62a、62b)の厚みが薄い場合にも、多層基板54を曲がりにくくすることができる。仮に、第2の導体層12aをキャビティ20の底面79に露出するように配置させた場合には、多層基板54が曲がりやすくなるとともに、キャビティ20内において、元々配置されている第1の導体層17との間で電気的な絶縁性を確保しにくくなることが懸念される。This makes it possible to make the multilayer substrate 54 less likely to bend even when the volume of the cavity 20 is large and the insulating resin layer (62a, 62b) below the cavity 20 is thin. If the second conductor layer 12a were arranged so as to be exposed on the bottom surface 79 of the cavity 20, there is a concern that the multilayer substrate 54 would be more likely to bend and that it would be difficult to ensure electrical insulation between the first conductor layer 17 originally arranged within the cavity 20.

以下、多層基板54を詳細に説明する。図1に示すように、この実施の形態の印刷配線板は、多層基板54を有する。多層基板54は、コア基板51と、第1のビルドアップ層61と、第2のビルドアップ層62とを有している。The multilayer substrate 54 will now be described in detail. As shown in FIG. 1, the printed wiring board of this embodiment has a multilayer substrate 54. The multilayer substrate 54 has a core substrate 51, a first buildup layer 61, and a second buildup layer 62.

コア基板51は、例えば、基材11の両面にシード層12を有する基板である。基材11はいわゆる絶縁樹脂製のシート状成形体である。コア基板51の一方の面(上面)には、電気回路をなす導体層16が形成されている。The core substrate 51 is, for example, a substrate having a seed layer 12 on both sides of a base material 11. The base material 11 is a sheet-shaped molded body made of insulating resin. A conductor layer 16 forming an electrical circuit is formed on one side (top surface) of the core substrate 51.

コア基板51の他方の面(下面)には、電気回路をなす導体層17が形成されている。コア基板51は、導体層16および導体層17を接続するビア15を有している。A conductor layer 17 forming an electrical circuit is formed on the other surface (lower surface) of the core substrate 51. The core substrate 51 has a via 15 connecting the conductor layer 16 and the conductor layer 17.

すなわち、多層基板54は、導体層16および導体層17、ビア15を有している。ビア15は、絶縁樹脂層11の厚み方向に貫通している。ビア15は、導体層16および導体層17の間に配置されている。導体層16は、基材11の一方の面(上面)に形成されたシード層12に、その一部が重なるように配置されている。また、導体層17は、基材11の他方の面(下面)に形成されたシード層12に、その一部が重なるように配置されている。That is, the multilayer substrate 54 has conductor layers 16 and 17, and a via 15. The via 15 penetrates the insulating resin layer 11 in the thickness direction. The via 15 is disposed between the conductor layers 16 and 17. The conductor layer 16 is disposed so that a portion of it overlaps the seed layer 12 formed on one surface (upper surface) of the substrate 11. The conductor layer 17 is disposed so that a portion of it overlaps the seed layer 12 formed on the other surface (lower surface) of the substrate 11.

第1のビルドアップ層61は、コア基板51の上面に配設され、下記に示す絶縁樹脂層61aおよび導体層を有する。図1に示す例では、第1のビルドアップ層61は、一方の面(下面)がコア基板51と接する絶縁樹脂層61aと、一方の面(下面)が絶縁樹脂層61aの他方の面(上面)と接する絶縁樹脂層61bとを有している。The first buildup layer 61 is disposed on the upper surface of the core substrate 51 and has an insulating resin layer 61a and a conductor layer as described below. In the example shown in FIG. 1, the first buildup layer 61 has an insulating resin layer 61a having one surface (lower surface) in contact with the core substrate 51, and an insulating resin layer 61b having one surface (lower surface) in contact with the other surface (upper surface) of the insulating resin layer 61a.

絶縁樹脂層61aの上面には、電気回路をなす導電層が形成されている。絶縁樹脂層61aは、その上面に形成された導体層とコア基板51の上面に形成された導体層16とを接続するビア15を有している。ビア15は、絶縁樹脂層61aを厚み方向に貫通するように形成されている。A conductive layer forming an electrical circuit is formed on the upper surface of the insulating resin layer 61a. The insulating resin layer 61a has vias 15 that connect the conductor layer formed on its upper surface to the conductor layer 16 formed on the upper surface of the core substrate 51. The vias 15 are formed so as to penetrate the insulating resin layer 61a in the thickness direction.

絶縁樹脂層61bの他方の面(上面)には、導体層63が形成されている。絶縁樹脂層61bは、その上面に形成された導体層63と絶縁樹脂層61aの上面に形成された導体層とを接続するビア15を有している。ビア15は、絶縁樹脂層61bを厚み方向に貫通するように形成されている。A conductor layer 63 is formed on the other surface (top surface) of the insulating resin layer 61b. The insulating resin layer 61b has a via 15 that connects the conductor layer 63 formed on its top surface to the conductor layer formed on the top surface of the insulating resin layer 61a. The via 15 is formed so as to penetrate the insulating resin layer 61b in the thickness direction.

すなわち、ビア15は、コア基板15の上面側に配置されている2層の第1のビルドアップ層61にそれぞれ設けられている。That is, the vias 15 are provided in each of the two first build-up layers 61 arranged on the upper surface side of the core substrate 15.

第2のビルドアップ層62は、コア基板51の他方の面(下面)に配設され、下記に示す絶縁樹脂層62aおよび導体層を有する。図1に示す例では、第2のビルドアップ層62は、一方の面(上面)がコア基板51と接する絶縁樹脂層62aと、一方の面(上面)が絶縁樹脂層62aの他方の面(下面)と接する絶縁樹脂層62bとを有している。以下、絶縁樹脂層62aを第1の絶縁樹脂層62aと表記する場合がある。同様に、絶縁樹脂層62bを第2の絶縁樹脂層62bと表記する場合がある。The second buildup layer 62 is disposed on the other surface (lower surface) of the core substrate 51, and has an insulating resin layer 62a and a conductor layer as described below. In the example shown in FIG. 1, the second buildup layer 62 has an insulating resin layer 62a, one surface (upper surface) of which contacts the core substrate 51, and an insulating resin layer 62b, one surface (upper surface) of which contacts the other surface (lower surface) of the insulating resin layer 62a. Hereinafter, the insulating resin layer 62a may be referred to as the first insulating resin layer 62a. Similarly, the insulating resin layer 62b may be referred to as the second insulating resin layer 62b.

絶縁樹脂層62aの上面には、電気回路をなす第1の導体層17が形成されている。絶縁樹脂層62aの他方の面(下面)には、電気回路をなす導電層が形成されている。絶縁樹脂層62aは、上面に形成された第1の導体層17と下面に形成された導電層とを接続するビア15を有している。ビア15は、絶縁樹脂層62aを厚み方向に貫通するように形成されている。また、ビア15は、絶縁樹脂層62aの中で第1の導体層17に面の平行方向について重なるように形成されている。A first conductor layer 17 forming an electric circuit is formed on the upper surface of the insulating resin layer 62a. A conductive layer forming an electric circuit is formed on the other surface (lower surface) of the insulating resin layer 62a. The insulating resin layer 62a has a via 15 that connects the first conductor layer 17 formed on the upper surface and the conductive layer formed on the lower surface. The via 15 is formed so as to penetrate the insulating resin layer 62a in the thickness direction. The via 15 is also formed so as to overlap the first conductor layer 17 in the insulating resin layer 62a in the direction parallel to the surface.

絶縁樹脂層62bの他方の面(下面)には、導体層64が形成されている。絶縁樹脂層62bは、下面に形成された導体層64と絶縁樹脂層62aの下面に形成された導電層とを接続するビア15を有している。すなわち、多層基板54の最下層に位置する絶縁樹脂層62bは、ビア15を有している。ビア15は、絶縁樹脂層62bを厚み方向に貫通するように形成されている。A conductor layer 64 is formed on the other surface (lower surface) of the insulating resin layer 62b. The insulating resin layer 62b has a via 15 that connects the conductor layer 64 formed on the lower surface and the conductive layer formed on the lower surface of the insulating resin layer 62a. That is, the insulating resin layer 62b located at the bottom layer of the multilayer substrate 54 has a via 15. The via 15 is formed so as to penetrate the insulating resin layer 62b in the thickness direction.

図1においては、絶縁樹脂層62aに設けられたビア15と絶縁樹脂層62bに設けられたビア15とは重なった状態にある。図1に示す例では、第2のビルドアップ層62に形成されたビア15は、キャビティ形成領域65の範囲内で、かつキャビティ20直下に形成されている。絶縁樹脂層62aと絶縁樹脂層62bとは、重なった状態にある。1, the via 15 provided in the insulating resin layer 62a and the via 15 provided in the insulating resin layer 62b are in an overlapping state. In the example shown in FIG. 1, the via 15 formed in the second buildup layer 62 is formed within the cavity forming region 65 and directly below the cavity 20. The insulating resin layer 62a and the insulating resin layer 62b are in an overlapping state.

繰り返しになるが、多層基板54は、キャビティ20を有している。キャビティ20は、多層基板54の導体層63側から第1のビルドアップ層61およびコア基板51を貫通している。すなわち、キャビティ20は、第2のビルドアップ層62の上面を底面とする空間を形成している。キャビティ20は、多層基板54の導体層63の形成面における一部領域(キャビティ形成領域65)を占めるように開口している。To repeat, the multilayer substrate 54 has a cavity 20. The cavity 20 penetrates the first buildup layer 61 and the core substrate 51 from the conductor layer 63 side of the multilayer substrate 54. In other words, the cavity 20 forms a space whose bottom surface is the upper surface of the second buildup layer 62. The cavity 20 opens to occupy a partial area (cavity formation area 65) on the formation surface of the conductor layer 63 of the multilayer substrate 54.

キャビティ20は、断面が凹形状を有している。キャビティ20には、第2のビルドアップ層62の一部の領域の絶縁樹脂の面(底面79)と、第2のビルドアップ層62の上面に形成された第1の導体層17とが、同等の高さの底面(平坦な状態で)として露出するように形成されている。すなわち、キャビティ20内における第1の導体層17は、キャビティ20の底面となっている絶縁樹脂層62aの表面に露出するように配置されている。The cavity 20 has a concave cross section. In the cavity 20, the insulating resin surface (bottom surface 79) of a portion of the second buildup layer 62 and the first conductor layer 17 formed on the upper surface of the second buildup layer 62 are exposed as bottom surfaces (in a flat state) of equal height. In other words, the first conductor layer 17 in the cavity 20 is arranged so as to be exposed on the surface of the insulating resin layer 62a that forms the bottom surface of the cavity 20.

また、キャビティ20内における第1の導体層17は、絶縁樹脂層62aにその一部が埋設された状態となっている。そして、キャビティ20の底面においては、絶縁樹脂層62a上の面79(底面79)と第1の導体層17とがほぼ面一に配置されているのがよい。なお「ほぼ」と記載しているのは、エッチング処理により第1の導体層17を露出させるため、若干(2μm~3μm)の凹凸(段差)を生じる場合があるからである。キャビティ20の底面に形成された第1の導体層17は、その一部が電子部品との接続パッドとして機能する。 In addition, the first conductor layer 17 in the cavity 20 is partially embedded in the insulating resin layer 62a. At the bottom of the cavity 20, it is preferable that the surface 79 (bottom surface 79) on the insulating resin layer 62a and the first conductor layer 17 are disposed so as to be substantially flush with each other. The word "substantially" is used because the first conductor layer 17 is exposed by etching, which may result in slight unevenness (steps) of 2 μm to 3 μm. A portion of the first conductor layer 17 formed on the bottom of the cavity 20 functions as a connection pad for connecting to electronic components.

多層基板54は、キャビティ20の周囲において、前述した導体層16および第1の導体層17、ビア15に加えて、シード層12a(以下、第2の導体層12aとする。)を有している。The multilayer substrate 54 has, around the cavity 20, in addition to the aforementioned conductor layer 16, first conductor layer 17, and via 15, a seed layer 12a (hereinafter referred to as the second conductor layer 12a).

第2のビルドアップ層62は、厚さ方向の略中央部でキャビティ形成領域65に対応する位置に第2の導体層12aを有している。第2の導体層12aは、少なくともキャビティ20の深さ方向に対する側壁面に対応する位置に形成されている。すなわち、第2の導体層12aは、キャビティ20の側壁面(図1中符号20a)を第1の絶縁樹脂層62aおよび第2の絶縁樹脂層62b側へ延長した部分に位置する。第2の導体層12aを多層基板54について厚み方向に見たときの位置は、コア基板51の下層側に配置された第2のビルドアップ層62の中で、キャビティ20の側壁面20aを第1絶縁樹脂層62aの方向へ垂下させた位置となる。The second buildup layer 62 has a second conductor layer 12a at a position corresponding to the cavity forming region 65 at approximately the center in the thickness direction. The second conductor layer 12a is formed at a position corresponding to at least the side wall surface in the depth direction of the cavity 20. That is, the second conductor layer 12a is located in a portion where the side wall surface (20a in FIG. 1) of the cavity 20 is extended toward the first insulating resin layer 62a and the second insulating resin layer 62b. The position of the second conductor layer 12a when viewed in the thickness direction of the multilayer substrate 54 is the position where the side wall surface 20a of the cavity 20 is suspended toward the first insulating resin layer 62a in the second buildup layer 62 arranged on the lower layer side of the core substrate 51.

第2の導体層12aの多層基板54における平面方向の位置は、キャビティ20の壁面20aの真下が中央となる位置になる。なお、キャビティ20の壁面20aの位置、並びにキャビティ20の壁面20aの位置から第1の絶縁樹脂層62aの方向へ垂下させた位置のことを、キャビティ20の輪郭部ということもできる。第2の導体層12aは、キャビティ20の輪郭部の真下に配置されているのがよい。The planar position of the second conductor layer 12a in the multilayer substrate 54 is a central position directly below the wall surface 20a of the cavity 20. The position of the wall surface 20a of the cavity 20 and the position hanging down from the position of the wall surface 20a of the cavity 20 toward the first insulating resin layer 62a can also be referred to as the contour portion of the cavity 20. It is preferable that the second conductor layer 12a is disposed directly below the contour portion of the cavity 20.

第2の導体層12aは、例えば絶縁樹脂層62aおよび絶縁樹脂層62bの層間(接合面上)に形成することができる。第2の導体層12aは、他の導体層および導電層と接続されていない状態であってもよい。つまり、第2の導体層12aは、他の導体層および導電層から電気的に孤立していてもよい。The second conductor layer 12a can be formed, for example, between the insulating resin layer 62a and the insulating resin layer 62b (on the joint surface). The second conductor layer 12a may be in a state where it is not connected to other conductor layers and conductive layers. In other words, the second conductor layer 12a may be electrically isolated from other conductor layers and conductive layers.

導体層63および導体層64は、キャビティ形成領域65以外の領域において、第1のビルドアップ層61、コア基板51、第2のビルドアップ層62を貫通するスルーホール10を介して相互に接続されている。なお、スルーホール10の上下に、必要に応じて後工程で導体層73、74(図14参照)やソルダーレジスト71、72(図13参照)が形成されてもよい。ソルダーレジスト71、72は、多層基板54の最上層および/または最下層の表面に形成される。導体層73、74は、ソルダーレジスト71、72によりその周囲が絶縁被膜されて接続パッドとして機能する。The conductor layers 63 and 64 are connected to each other via through holes 10 that penetrate the first buildup layer 61, the core substrate 51, and the second buildup layer 62 in areas other than the cavity formation area 65. Note that conductor layers 73 and 74 (see FIG. 14) and solder resists 71 and 72 (see FIG. 13) may be formed above and below the through holes 10 in a later process as necessary. The solder resists 71 and 72 are formed on the surfaces of the top and/or bottom layers of the multilayer substrate 54. The conductor layers 73 and 74 are surrounded by an insulating coating of the solder resists 71 and 72 to function as connection pads.

導体層16と導体層17は、電気的には同じものではあるが、ビア15と一体的に形成される導体層を導体層16といい、後述するシード層12に積層される導体層を第1の導体層17という。Although conductor layer 16 and conductor layer 17 are electrically the same, the conductor layer formed integrally with via 15 is referred to as conductor layer 16, and the conductor layer laminated on seed layer 12, described later, is referred to as first conductor layer 17.

このように、実施形態の印刷配線板は、絶縁樹脂層11を有する基板としてのコア基板51の上面(第1の面)に第1のビルドアップ層61を積層し、コア基板51の下面(第2の面)に第2のビルドアップ層62を積層した多層基板54のキャビティ形成領域65に、第1のビルドアップ層61の上からのザグリ加工でコア基板51内を貫通して第2のビルドアップ層62の絶縁樹脂層62aの面79を底面として形成したキャビティ20と、第2のビルドアップ層62の絶縁樹脂層62aの面79と同等の高さの面を有しその面がキャビティ20の底面の一部を形成するように第2のビルドアップ層62の絶縁樹脂層62aに埋め込まれた導体層17とを備える。Thus, the printed wiring board of the embodiment is provided with a cavity forming region 65 of a multilayer substrate 54 in which a first buildup layer 61 is laminated on the upper surface (first surface) of a core substrate 51 as a substrate having an insulating resin layer 11 and a second buildup layer 62 is laminated on the lower surface (second surface) of the core substrate 51, the cavity 20 being formed by countersinking from above the first buildup layer 61 through the core substrate 51 and using a surface 79 of the insulating resin layer 62a of the second buildup layer 62 as a bottom surface, and a conductor layer 17 having a surface at the same height as the surface 79 of the insulating resin layer 62a of the second buildup layer 62 and embedded in the insulating resin layer 62a of the second buildup layer 62 so that the surface forms part of the bottom surface of the cavity 20.

なお、図1に示す例では、コア基板51の下面には予めキャビティ形成領域65を含む範囲にシード層12が形成されており、キャビティ形成時のザグリ加工によりコア基板51の絶縁樹脂層11が除去されて導体層17のみが残った状態になっている。In the example shown in Figure 1, a seed layer 12 is formed in advance on the underside of the core substrate 51 in an area including the cavity formation region 65, and the insulating resin layer 11 of the core substrate 51 is removed by the recess processing during cavity formation, leaving only the conductor layer 17.

実施形態の印刷配線板は、キャビティ20の下層側に配置された第2のビルドアップ層62内に第2の導体層12aを有している。この印刷配線板(多層基板54)では、キャビティ20が第1のビルドアップ層61からコア基板51までを貫通し、多層基板54の厚みの1/2を超える範囲、特には、3/5を超える範囲に至るように形成されている。キャビティ20は、多層基板54の厚み方向の深い位置まで形成されている。キャビティ20が多層基板54の厚み方向の深い位置まで形成されているので、多層基板54は、キャビティ20の辺りで曲がりやすくなる。すなわち、キャビティ20が多層基板54の厚み方向の1/2以下の位置まで形成されている印刷配線板と比較すると、曲がりやすくなる。The printed wiring board of the embodiment has a second conductor layer 12a in the second buildup layer 62 arranged on the lower layer side of the cavity 20. In this printed wiring board (multilayer substrate 54), the cavity 20 penetrates from the first buildup layer 61 to the core substrate 51 and is formed to reach a range exceeding 1/2 of the thickness of the multilayer substrate 54, particularly to a range exceeding 3/5. The cavity 20 is formed to a deep position in the thickness direction of the multilayer substrate 54. Since the cavity 20 is formed to a deep position in the thickness direction of the multilayer substrate 54, the multilayer substrate 54 is easily bent around the cavity 20. In other words, it is easier to bend compared to a printed wiring board in which the cavity 20 is formed to a position 1/2 or less in the thickness direction of the multilayer substrate 54.

実施形態の印刷配線板では、多層基板54の厚み方向の中央部分に位置するコア基板51の部分まで除かれた状態にある。すなわち、通常ガラスクロスを有しているコア基板51の部材が、キャビティ20の形成位置において存在しない状態となっている。このように、コア基板51が部分的に除かれているために、この印刷配線板は機械的強度が弱くなるおそれがある。In the printed wiring board of the embodiment, even the portion of the core substrate 51 located in the center of the thickness direction of the multilayer substrate 54 has been removed. In other words, the core substrate 51 member, which normally has glass cloth, is not present where the cavity 20 is formed. As such, because the core substrate 51 has been partially removed, the mechanical strength of this printed wiring board may be weakened.

この印刷配線板を、例えば電気接続のコネクター部として用いる場合においては、キャビティ20にソケットなどが挿入されることになる。通常では、コネクターをキャビティ20に挿入したときに、印刷配線板が変形しやすくなってしまう。When this printed wiring board is used, for example, as a connector for electrical connection, a socket or the like is inserted into the cavity 20. Normally, when a connector is inserted into the cavity 20, the printed wiring board is prone to deformation.

しかし、実施形態の印刷配線板では、第2の導体層12aがキャビティ20の壁面20aの下側に設けられているため、印刷配線板はキャビティ20の存在する位置においても曲がりにくくなる。この印刷配線板では、コア基板51を貫通したキャビティ20が形成されていても、キャビティ20の底面側に位置する第2のビルドアップ層62の機械的強度を高めることが可能になる。However, in the printed wiring board of the embodiment, the second conductor layer 12a is provided below the wall surface 20a of the cavity 20, so that the printed wiring board is less likely to bend even at the position where the cavity 20 exists. In this printed wiring board, even if a cavity 20 is formed penetrating the core substrate 51, it is possible to increase the mechanical strength of the second build-up layer 62 located on the bottom side of the cavity 20.

この場合、第2の導体層12aは、キャビティ20の輪郭部から広がるように形成されていてもよい。第2の導体層12aは、キャビティ20の壁面20aの垂下の位置を中央にしてキャビティ20側とキャビティ20の外側の位置を跨ぐように配置されているのがよい。In this case, the second conductor layer 12a may be formed to extend from the contour of the cavity 20. The second conductor layer 12a is preferably arranged to straddle the cavity 20 side and the outside of the cavity 20 with the hanging position of the wall surface 20a of the cavity 20 at the center.

第2の導体層12aは、その形状が帯状であってもよい。ここで、帯状とは、所定の幅で長尺状を成す形状のことである。第2の導体層12aの場合、所定の幅とは、キャビティ20の壁面20aの位置を中央としたときに、その中央から両方向へ広がった領域のことである。広がった領域とは、隣接する他の導体(図1ではビア15を含む導体層)との間に絶縁部が設けられる範囲である。具体的な所定の幅としては、5μm以上500μm以下を目安とすることができる。The second conductor layer 12a may have a strip shape. Here, strip shape refers to a shape that is elongated with a predetermined width. In the case of the second conductor layer 12a, the predetermined width refers to a region that spreads in both directions from the center when the wall surface 20a of the cavity 20 is the center. The spread region is a range in which an insulating portion is provided between the other adjacent conductors (the conductor layer including the via 15 in FIG. 1). A specific predetermined width can be set to be 5 μm or more and 500 μm or less.

また、第2の導体層12aは、図2に示すように、多層基板54に設けられたキャビティ20の底面79と壁面20aとが交わる位置の真下付近を周回する配置でもよい。図2は、絶縁樹脂層62aと絶縁樹脂層62bとの間の界面を平面視した様子を示す図であり、第2の導体層12aが帯状となってキャビティ20の周縁部79tを周回するように配置した状態が示されている。つまり、第2の導体層12aがリング状を成した状態で第2のビルドアップ層62内に配置されると、さらに多層基板54を曲がりにくくすることができる。 As shown in Fig. 2, the second conductor layer 12a may be arranged to go around the vicinity of the position where the bottom surface 79 and the wall surface 20a of the cavity 20 provided in the multilayer substrate 54 intersect. Fig. 2 is a diagram showing a plan view of the interface between the insulating resin layer 62a and the insulating resin layer 62b, and shows a state in which the second conductor layer 12a is arranged in a band shape to go around the peripheral portion 79t of the cavity 20. In other words, when the second conductor layer 12a is arranged in the second build-up layer 62 in a ring shape, the multilayer substrate 54 can be made even more difficult to bend.

キャビティ20は、多層基板54の所定の層の一部の領域(コア基板51上に形成されたシード層12の範囲及びシード層12が形成されていないキャビティ部と非キャビティ部の境界部の遮蔽導体禁止エリアを含むキャビティ形成領域65(図7参照))を所定の深さ(コア基板51の内部の板厚中心以上を除去したシード層12の近傍位置)までドリル加工および/またはレーザ加工でザグリ加工し、この加工で残った残部をレーザ加工で除去してシード層12を露出させ、その後、シード層12をフラッシュ・エッチングにより除去した断面凹形状部である。板厚中心以上とは、コア基板51の板厚の1/2以上でかつシード層12に到達しない深さまでをいう。The cavity 20 is a cross-sectional concave portion formed by drilling and/or laser processing a portion of a predetermined layer of the multilayer substrate 54 (a cavity forming region 65 (see FIG. 7) including the range of the seed layer 12 formed on the core substrate 51 and the shielding conductor prohibited area at the boundary between the cavity portion and the non-cavity portion where the seed layer 12 is not formed) to a predetermined depth (a position near the seed layer 12 from which the center of the thickness of the core substrate 51 or above has been removed), removing the remaining portion by laser processing to expose the seed layer 12, and then removing the seed layer 12 by flash etching. "Above the center of the thickness" refers to a depth that is at least half the thickness of the core substrate 51 and does not reach the seed layer 12.

すなわち、キャビティ20は、キャビティ形成領域65を電子部品が収容可能な面積でザグリ加工してコア基板51の下面に形成したシード層12を露出させた後、露出したシード層12をフラッシュ・エッチングにより除去してその下の絶縁樹脂層62aおよび導体層17をほぼ平坦に露出させたキャビティ底部(底面)を有する。また、上記したキャビティ形成領域65のうち、シード層12が形成されていないキャビティ部と非キャビティ部の境界部の直下には、キャビティ20の底面より一層下層(絶縁樹脂層62aと、絶縁樹脂層62bとの間)に、第2の導体層12aが形成されている。この第2の導体層12aは、キャビティ20の底面の真下より周囲に広がっている。また、本実施形態では、第2の導体層12aは、キャビティ20の底面のキャビティ輪郭部の真下の周囲と内側に、帯状に広がっている。第2の導体層12aは、例えば厚さが12μm以上の銅等から構成され、ダミーパターン又はグラウンド層、電源層等からなる。That is, the cavity 20 has a cavity bottom (bottom surface) in which the seed layer 12 formed on the lower surface of the core substrate 51 is exposed by countersinking the cavity forming region 65 with an area capable of accommodating electronic components, and then the exposed seed layer 12 is removed by flash etching to expose the insulating resin layer 62a and the conductor layer 17 thereunder in a substantially flat manner. In addition, in the above-mentioned cavity forming region 65, directly below the boundary between the cavity portion and the non-cavity portion where the seed layer 12 is not formed, a second conductor layer 12a is formed in a layer lower than the bottom surface of the cavity 20 (between the insulating resin layer 62a and the insulating resin layer 62b). This second conductor layer 12a spreads from directly below the bottom surface of the cavity 20 to the periphery. In addition, in this embodiment, the second conductor layer 12a spreads in a strip shape around and inwardly from directly below the cavity contour portion of the bottom surface of the cavity 20. The second conductor layer 12a is made of copper having a thickness of, for example, 12 μm or more, and is made up of a dummy pattern or a ground layer, a power supply layer, or the like.

キャビティ20に収容される電子部品は、例えばベアチップ(パッケージ化されていない端子なしのIC)などであり、底部に多層基板54との接続用の電極を備える。電子部品底部の電極は、キャビティ底部に平坦に露出した導体層17の面を部品実装ランドとして接続してもよく、導体層17の上にめっきを施して形成した金属めっき層80(図14参照)を介して接続してもよい。この場合の金属めっき層80は、ニッケルめっき、金めっきなどのめっき層を積層して形成するものとする。The electronic component housed in the cavity 20 is, for example, a bare chip (an unpackaged IC without terminals) and has an electrode on the bottom for connection to the multilayer substrate 54. The electrode on the bottom of the electronic component may be connected to the surface of the conductor layer 17 exposed flatly on the bottom of the cavity as a component mounting land, or may be connected via a metal plating layer 80 (see FIG. 14) formed by plating the conductor layer 17. In this case, the metal plating layer 80 is formed by stacking plating layers such as nickel plating and gold plating.

導体層63、64は、この多層基板54(コア基板51とその上下の第1および第2のビルドアップ層61、62)の表面に形成されるものであり、後のエッチングで回路配線の一部(導体層63a)として形成される。導体層63、64は、銅ベタパターンであり、例えば銅箔(厚み9μm程度)に銅めっき(厚み15μm程度)を施して形成したものである。The conductor layers 63 and 64 are formed on the surface of the multilayer substrate 54 (the core substrate 51 and the first and second build-up layers 61 and 62 above and below it), and are formed as part of the circuit wiring (conductor layer 63a) by subsequent etching. The conductor layers 63 and 64 are copper solid patterns, formed by, for example, copper plating (about 15 μm thick) on copper foil (about 9 μm thick).

導体層63、64の延伸先(面に沿う方向)にはビア15が接続されている。ビア15は、多層基板54の任意の層に設けられる導体(導体層16、17、63、64など)を層間接続する。Vias 15 are connected to the ends (direction along the surface) of conductor layers 63 and 64. Vias 15 provide interlayer connections between conductors (conductor layers 16, 17, 63, 64, etc.) provided on any layer of multilayer substrate 54.

コア基板51は、上下の面にシード層12を形成した絶縁樹脂層11(図3-7参照)を加工しビア15を形成したものである。The core substrate 51 is made by processing an insulating resin layer 11 (see Figure 3-7) having seed layers 12 formed on the top and bottom surfaces to form vias 15.

絶縁樹脂層11を形成する絶縁樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミド-トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル(PPE)樹脂、フェノール樹脂、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)樹脂、ケイ素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)樹脂、ポリフェニレンオキシド(PPO)樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は2種以上を混合してもよい。 Examples of insulating resins that form the insulating resin layer 11 include epoxy resin, bismaleimide-triazine resin, polyimide resin, polyphenylene ether (PPE) resin, phenolic resin, polytetrafluoroethylene (PTFE) resin, silicon resin, polybutadiene resin, polyester resin, melamine resin, urea resin, polyphenylene sulfide (PPS) resin, polyphenylene oxide (PPO) resin, etc. Two or more of these resins may be mixed.

ビア15は、めっき処理によりビアホール下穴14(図4参照)に金属めっきが充填されたものである。ビア15は、多層基板54(図8参照)の各層(内層、外層を含む)に設けられる導体(導体層63、64、16、17など)を層間接続するものである。図8では、上面の導体層63はビア15を通じて導体層17に接続され、また下面の導体層64はビア15を通じて導体層17に接続されていることがわかる。Vias 15 are formed by filling via hole pilot holes 14 (see FIG. 4) with metal plating through a plating process. Vias 15 connect conductors (conductor layers 63, 64, 16, 17, etc.) provided on each layer (including inner and outer layers) of multilayer board 54 (see FIG. 8). In FIG. 8, it can be seen that conductor layer 63 on the upper surface is connected to conductor layer 17 through via 15, and conductor layer 64 on the lower surface is connected to conductor layer 17 through via 15.

シード層12は、例えば1μm~10μm(1μm以上10μm以下)の厚みの銅であり、一部が導体層17の下に残った状態で配置されている。シード層12としては、電気的に接続され、かつレーザを遮蔽できるならば特に制限されないが、例えば薄銅箔または無電解銅めっきなどを用いる。金属組成が緻密な薄銅箔の方が、より適している。The seed layer 12 is, for example, copper with a thickness of 1 μm to 10 μm (1 μm or more and 10 μm or less), and is arranged with a portion remaining under the conductor layer 17. There are no particular limitations on the seed layer 12 as long as it is electrically connected and can shield the laser, but for example, thin copper foil or electroless copper plating is used. Thin copper foil, which has a dense metal composition, is more suitable.

コア基板51は、絶縁樹脂層11の上面および下面をモディファイド・セミアディティブ・プロセス(M-SAP)またはセミアディティブプロセス(SAP)などの手法で形成し、シード層12の一部領域に設けた接続パッドや回路配線となる導体層17(図5のコア基板51下面の中央部分)を、エッチングレジストでフラッシュ・エッチングから保護しつつ露出させたものである。The core substrate 51 is formed by forming the upper and lower surfaces of the insulating resin layer 11 using a method such as modified semi-additive process (M-SAP) or semi-additive process (SAP), and exposing the connection pads provided in a portion of the seed layer 12 and the conductor layer 17 (the central part of the lower surface of the core substrate 51 in Figure 5) that will become the circuit wiring while protecting them from flash etching with an etching resist.

本開示の印刷配線板は、基本的に、上記した第1の工程から第6の工程を経ることによって得ることができる。以下、図3乃至図15を参照して実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する。The printed wiring board of the present disclosure can basically be obtained by going through the first to sixth steps described above. Below, the manufacturing method of the printed wiring board of the embodiment will be described with reference to Figures 3 to 15.

図3に示すように、コア基板用基材11Aは、絶縁樹脂製の基材11の上面(第1の面11a)および下面(第2の面11b)にシード層12(例えば薄銅箔などの導電性金属箔)を積層して形成される。この場合、シード層12の厚みは、例えば1μm~10μm程度であるのがよい。また、コア基板用基材11Aとして、基材11の上面、下面のうち少なくとも下面にシード層12を有するものを用いてもよい。 As shown in Figure 3, the core substrate base material 11A is formed by laminating a seed layer 12 (e.g., a conductive metal foil such as thin copper foil) on the upper surface (first surface 11a) and lower surface (second surface 11b) of a base material 11 made of insulating resin. In this case, the thickness of the seed layer 12 is preferably, for example, about 1 µm to 10 µm. Alternatively, the core substrate base material 11A may have a seed layer 12 on at least the lower surface of the upper and lower surfaces of the base material 11.

続いて、図4に示すように、コア基板用基材11Aにレーザ加工を行ってビアホール下穴14を形成する。Next, as shown in Figure 4, laser processing is performed on the core substrate base material 11A to form via hole pilot holes 14.

レーザ加工によってビアホール下穴14を形成すると、ビアホール下穴14の底部に薄い樹脂膜が残存する場合がある。この場合、デスミア処理が行われる。デスミア処理は、強アルカリによって樹脂を膨潤させ、次いで酸化剤(例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など)を用いて樹脂を分解除去する。When the via hole pilot hole 14 is formed by laser processing, a thin resin film may remain at the bottom of the via hole pilot hole 14. In this case, a desmear process is performed. In the desmear process, the resin is swelled with a strong alkali, and then an oxidizing agent (e.g., chromic acid, a permanganate aqueous solution, etc.) is used to decompose and remove the resin.

この他、例えば研磨材によるウェットブラスト処理やプラズマ処理によって、樹脂膜を除去してもよい。さらに、めっき処理のためにビアホール下穴14の内壁面を粗面化処理してもよい。粗面化処理としては、例えば、酸化剤(例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など)によるウェットプロセス、プラズマ処理やアッシング処理などのドライプロセスなどが挙げられる。In addition, the resin film may be removed by, for example, wet blasting with an abrasive or plasma treatment. Furthermore, the inner wall surface of the via hole pilot hole 14 may be roughened for plating. Examples of roughening include wet processes using an oxidizing agent (e.g., chromic acid, permanganate aqueous solution, etc.) and dry processes such as plasma treatment and ashing treatment.

(パターンめっき処理工程)
この工程は、図5に示すように、絶縁樹脂製の基材11の上面、下面に設けたシード層12の一部領域の上およびビアホール下穴14にパターンめっきを施して導体層16、第1の導体層17およびビア15を形成する工程である。具体的には、シード層12上にドライフィルム13(めっきレジスト)をラミネート加工で貼り付けた上で、露光および現像して、上面の導体層16、ビア15などの回路部および下面の導電回路である第1の導体層17を形成したい箇所のドライフィルム13を除去する。
(Pattern plating process)
5, this process is a process of forming a conductor layer 16, a first conductor layer 17, and vias 15 by pattern plating on a partial region of a seed layer 12 provided on the upper and lower surfaces of an insulating resin substrate 11 and on via hole pilot holes 14. Specifically, a dry film 13 (plating resist) is attached onto the seed layer 12 by lamination, and then exposed to light and developed to remove the dry film 13 from the areas where it is desired to form circuit parts such as the conductor layer 16 and vias 15 on the upper surface and the first conductor layer 17, which is a conductive circuit on the lower surface.

続いて、ドライフィルム13の一部を除去した絶縁樹脂製の基材11の回路部形成用のビアホール下穴14とその周囲のシード層12にパターンめっき処理を施して絶縁樹脂製の基材11の上面の導体層16と基材11の内部のビア15および基材11の下面の導電層(シード層12、第1の導体層17を含む)を形成する。Next, a pattern plating process is performed on the via hole pilot holes 14 for forming the circuit section of the insulating resin substrate 11 from which a portion of the dry film 13 has been removed, and on the seed layer 12 surrounding the via hole pilot holes 14, to form a conductor layer 16 on the upper surface of the insulating resin substrate 11, vias 15 inside the substrate 11, and a conductive layer (including the seed layer 12 and the first conductor layer 17) on the lower surface of the substrate 11.

ここで、パターンめっきとしては、銅めっきのみ行う場合と、銅めっきにニッケルめっきを組み合わせる場合がある。銅めっきとニッケルめっきとの組合せを用いるのは、後工程でシード層12を除去する際に、シード層12以外のパターンめっき部分もややエッチングされてしまうことに懸念があるためである。ニッケルめっきはシード層12の除去に対するバリアとして機能する。ニッケルめっきと銅めっきは連続して行う。この場合、ニッケルめっきの厚みは、2μm以上であるのがよい。Here, the pattern plating may be copper plating alone or copper plating combined with nickel plating. The combination of copper plating and nickel plating is used because there is a concern that when the seed layer 12 is removed in a later process, the pattern plated parts other than the seed layer 12 may also be slightly etched. The nickel plating functions as a barrier against the removal of the seed layer 12. Nickel plating and copper plating are performed continuously. In this case, the thickness of the nickel plating should be 2 μm or more.

このニッケルめっき処理のことを「バリアめっき」という場合がある。この工程において形成されるめっき膜が部品実装の表面処理用のめっき膜も兼ねる場合には、ニッケル、金、ニッケル、銅めっきの連続めっきを行うこともある。この場合もニッケルめっきの厚みは、1回目を2μm以上、2回目を3μm以上とし、金めっきは、部品の実装方法によるが、ワイヤボンディングの場合は0.3μm以上とするのがよい。This nickel plating process is sometimes called "barrier plating." When the plating film formed in this process also serves as a plating film for surface treatment of component mounting, successive plating of nickel, gold, nickel, and copper may be performed. In this case, too, the thickness of the nickel plating should be 2 μm or more for the first plating and 3 μm or more for the second plating, and the gold plating depends on the component mounting method, but in the case of wire bonding, it is recommended that it be 0.3 μm or more.

回路幅の補正は、本技術だからといって、通常のM-SAPやセミアディティブ法と違うことはなく、設計値+6μm程度太く補正して露光すればよい。 The correction of circuit width is no different from that of conventional M-SAP or semi-additive methods, just by correcting it to about 6 μm thicker than the design value before exposure.

(ドライフィルム剥離工程)
次に、パターンめっきを行った後、残ったドライフィルム13を剥離してシード層12を露出させる。
(Dry film peeling process)
Next, after pattern plating, the remaining dry film 13 is peeled off to expose the seed layer 12.

(キャビティ形成領域の加工工程)
次に、図6に示すように、基材11の下面(第2の面11b)のシード層12および第1の導体層17にドライフィルム18(感光性エッチングレジスト)をラミネート加工で貼り付ける。この後、露光および現像し、キャビティ形成領域65(キャビティ部と非キャビティ部の境界部の遮蔽導体禁止エリアを除く)にドライフィルム18を残し、それ以外の箇所のドライフィルム18を除去する。露出させたシード層12のうちドライフィルム18が覆われていない部分で導電回路として不要な箇所をフラッシュ・エッチングにより除去する。この後、ドライフィルム18はシード層12および第1の導体層17の表面から除去される。
(Processing of cavity forming area)
Next, as shown in Fig. 6, a dry film 18 (photosensitive etching resist) is laminated on the seed layer 12 and the first conductor layer 17 on the lower surface (second surface 11b) of the substrate 11. After this, exposure and development are performed, and the dry film 18 is left in the cavity forming region 65 (excluding the shielding conductor prohibited area at the boundary between the cavity portion and the non-cavity portion) and the dry film 18 is removed from other portions. Parts of the exposed seed layer 12 that are not covered by the dry film 18 and are not required as conductive circuits are removed by flash etching. After this, the dry film 18 is removed from the surfaces of the seed layer 12 and the first conductor layer 17.

つまり、この工程では、基材11の面(この場合、第2の面11b)側のシード層12が形成されたエリア内のうち、キャビティ形成領域65にドライフィルム18を貼り付けて状態とし、続いて、ドライフィルム18外のシード層12をフラッシュ・エッチングにより除去する。その後、シード層12の上のドライフィルム18を剥離する。この場合、基材11の上面(第1の面11a)側に形成されたシード層12も除去される。That is, in this process, the dry film 18 is attached to the cavity formation region 65 within the area where the seed layer 12 is formed on the surface (second surface 11b in this case) of the substrate 11, and then the seed layer 12 outside the dry film 18 is removed by flash etching. After that, the dry film 18 on the seed layer 12 is peeled off. In this case, the seed layer 12 formed on the upper surface (first surface 11a) of the substrate 11 is also removed.

このようにして、図7に示すようなコア基板51が完成する。このコア基板51の基材11の上面(第1の面11a)には、ビア15に電気的に接続される回路の一部としての導体層16が形成される。この他、コア基板51の下面(第2の面11b)のキャビティ形成領域65(キャビティ部と非キャビティ部の境界部の遮蔽導体禁止エリアを除く)には、シード層12が残った状態となる。シード層12のうちキャビティ形成領域65の範囲の部分は、後述するレーザ加工の際のレーザの受け(遮蔽部材)となる。In this way, the core substrate 51 shown in Figure 7 is completed. A conductor layer 16 is formed on the upper surface (first surface 11a) of the base material 11 of this core substrate 51 as part of a circuit electrically connected to the via 15. In addition, the seed layer 12 remains in the cavity formation region 65 (excluding the no-shielding-conductor area at the boundary between the cavity portion and the non-cavity portion) on the lower surface (second surface 11b) of the core substrate 51. The portion of the seed layer 12 within the cavity formation region 65 serves as a laser receiver (shielding member) during laser processing, which will be described later.

また、基材11の下面には、導電回路としての第1の導体層17が形成される。この例では、M‐SAPを例にして回路を形成したが、無電解銅めっきをシード層に用いるSAPでも回路(この場合、第1の導体層17)の形成は可能である。In addition, a first conductor layer 17 is formed as a conductive circuit on the lower surface of the substrate 11. In this example, the circuit is formed using M-SAP as an example, but the circuit (in this case, the first conductor layer 17) can also be formed using SAP that uses electroless copper plating as a seed layer.

(ビルドアップ層形成工程)
この工程では、コア基板51となるコア基板用基材11Aの上層(上面)および下層(下面)のうち少なくとも下層(下面)に、任意回数のビルドアップを行ない、積層基板54Aを作製する。つまり、この工程では、キャビティ形成領域65にシード層12を部分的に残したまま、コア基板51となるコア基板用基材11Aに第1のビルドアップ層61および第2のビルドアップ層62を形成する。このことで、シード層12の一部が内部のコア基板51(絶縁樹脂基板)と第2のビルドアップ層62(下部構造体)との間に埋め込まれた積層基板54Aが形成される。
(Build-up layer formation process)
In this step, build-up is performed an arbitrary number of times on at least the lower layer (lower surface) of the upper layer (upper surface) and lower layer (lower surface) of the core substrate base material 11A that will become the core substrate 51, to produce the laminated substrate 54A. That is, in this step, the first build-up layer 61 and the second build-up layer 62 are formed on the core substrate base material 11A that will become the core substrate 51, while leaving the seed layer 12 partially in the cavity formation region 65. This forms the laminated substrate 54A in which a part of the seed layer 12 is embedded between the internal core substrate 51 (insulating resin substrate) and the second build-up layer 62 (lower structure).

ここで、第1のビルドアップ層61、第2のビルドアップ層62を形成するビルドアップの工程としては、慣用的な方法を用いてもよい。例えば、まず、コア基板51となるコア基板用基材11Aに絶縁樹脂層61aを貼り付けた後、レーザを用いてビアホールを形成する方法を挙げることができる。この後、絶縁樹脂層61aのビアホールを含む表面にめっき処理を行い、ビア15、導体層17を形成する。第1のビルドアップ層61を図7に示すように多層化する場合は同様の工程を繰り返す。Here, a conventional method may be used as the build-up process for forming the first build-up layer 61 and the second build-up layer 62. For example, a method may be used in which an insulating resin layer 61a is first attached to the core substrate base material 11A that will become the core substrate 51, and then via holes are formed using a laser. After this, a plating process is performed on the surface of the insulating resin layer 61a including the via holes, to form the vias 15 and the conductor layer 17. When the first build-up layer 61 is to be multi-layered as shown in FIG. 7, the same process is repeated.

第1のビルドアップ層61および第2のビルドアップ層62の回路形成には、例えば回路として不要な導体をエッチングで除去するサブトラクティブ法のみならず、コア基板51の場合と同様に、M-SAP、SAPなどが適用できる。第1および第2のビルドアップ層61、62の積層には、多段プレスまたは樹脂ラミネートなどの技術が利用される。 For circuit formation of the first buildup layer 61 and the second buildup layer 62, not only the subtractive method in which conductors unnecessary for the circuit are removed by etching, but also M-SAP, SAP, etc. can be applied as in the case of the core substrate 51. For laminating the first and second buildup layers 61, 62, techniques such as multi-stage pressing or resin lamination are used.

この例では、上層の第1のビルドアップ層61には、絶縁樹脂層61a、絶縁樹脂層61b、導体層17(第1の導体層17)が形成される。最も上の層(表層)の第1のビルドアップ層61の上面には、ビア15と接続された導体層63が形成される。多層基板54の最上層(絶縁樹脂層61b)の上面に導体層63を形成する際に、キャビティ形成領域65の範囲を除去しておく。これは後述のキャビティ形成工程でのザグリ加工をし易くするためである。In this example, insulating resin layer 61a, insulating resin layer 61b, and conductor layer 17 (first conductor layer 17) are formed on the upper first buildup layer 61. A conductor layer 63 connected to via 15 is formed on the upper surface of the first buildup layer 61, which is the uppermost layer (surface layer). When forming the conductor layer 63 on the upper surface of the uppermost layer (insulating resin layer 61b) of the multilayer substrate 54, the range of cavity formation region 65 is removed. This is to facilitate countersinking in the cavity formation process described below.

第2のビルドアップ層62は、絶縁樹脂層62a、絶縁樹脂層62b、導体層17を有する。コア基板51となるコア基板用基材11Aの直下の絶縁樹脂層62aには、キャビティ形成領域65の範囲内にビア15が形成される。このビア15は、上部ではコア基板51の第1の導体層17と接続され、下部では下層の絶縁樹脂層62bのビア15と接続される。絶縁樹脂層62a、絶縁樹脂層62bの左右の下面には、第1の導体層17が形成される。この第1の導体層17をスルーホール10が貫通して形成されることで、他層の第1の導体層17、最上層の導体層63および最下層の導体層64と層間接続される。The second build-up layer 62 has an insulating resin layer 62a, an insulating resin layer 62b, and a conductor layer 17. A via 15 is formed within a cavity forming region 65 in the insulating resin layer 62a directly below the core substrate base material 11A that becomes the core substrate 51. The via 15 is connected to the first conductor layer 17 of the core substrate 51 at the top and to the via 15 of the insulating resin layer 62b at the bottom. The first conductor layer 17 is formed on the left and right undersides of the insulating resin layer 62a and the insulating resin layer 62b. A through hole 10 is formed through the first conductor layer 17 to connect the first conductor layer 17 of the other layers, the conductor layer 63 of the top layer, and the conductor layer 64 of the bottom layer.

さらに、キャビティ形成領域65のうち、キャビティ部と非キャビティ部の境界部の直下(キャビティ形成領域65およびその境界部に対応する位置)には、キャビティ20の底面より一層下層(絶縁樹脂層62aと、絶縁樹脂層62bとの間)に、前述した第2の導体層12aが形成される。この第2の導体層12aは、後述するレーザ加工の際のレーザの受け(遮蔽部材)となり、レーザの下層への貫通を防止する。この第2の導体層12aの形成方法は、どのような方法でもよく、サブトラクティブ法、M-SAP、セミアディティブ法等でよい。 Furthermore, in the cavity forming region 65, directly below the boundary between the cavity portion and the non-cavity portion (at a position corresponding to the cavity forming region 65 and its boundary), the aforementioned second conductor layer 12a is formed one layer below the bottom surface of the cavity 20 (between the insulating resin layer 62a and the insulating resin layer 62b). This second conductor layer 12a serves as a laser receiver (shielding member) during the laser processing described below, and prevents the laser from penetrating into the lower layer. Any method may be used to form this second conductor layer 12a, and may be a subtractive method, M-SAP, semi-additive method, or the like.

(キャビティ形成工程)
この工程では、図9に示すように、積層基板54Aの第1のビルドアップ層61の側からコア基板51に残したシード層12の方向にドリルを向けて加工する。言い換えると、積層基板54Aに予め設けたキャビティ形成領域65をドリルで抉るように加工する。
(Cavity forming process)
9, in this step, a drill is directed from the side of the first buildup layer 61 of the laminated substrate 54A toward the seed layer 12 left on the core substrate 51. In other words, a cavity forming region 65 previously provided in the laminated substrate 54A is processed as if it were carved out with a drill.

この場合、ドリルがキャビティ形成領域65を積層方向(厚み方向)に刺さるようにして第1のビルドアップ層61を貫通し、コア基板51の内部のシード層12上に基材11の一部を残して絶縁樹脂層61aおよび絶縁樹脂層61bを部分的に除去してキャビティ20を形成する工程(ザグリ加工1)と、シード層12及び一層下の層の第2の導体層12aをレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ20に残した絶縁樹脂68をレーザ加工により除去し、シード層12をキャビティ20の底部に露出させる工程(ザグリ加工2)の2つの工程を有する。In this case, there are two steps: a step (sinking process 1) of penetrating the first build-up layer 61 by inserting a drill into the cavity formation region 65 in the stacking direction (thickness direction), and partially removing the insulating resin layer 61a and the insulating resin layer 61b while leaving a part of the base material 11 on the seed layer 12 inside the core substrate 51 to form the cavity 20; and a step (sinking process 2) of removing the insulating resin 68 remaining in the cavity 20 by laser processing, using the seed layer 12 and the second conductor layer 12a, one layer below, as shielding members for the laser light, to expose the seed layer 12 at the bottom of the cavity 20.

(ザグリ加工1(ドリル加工))
この工程では、積層基板54Aの上方から、キャビティ形成領域65の第1のビルドアップ層61を貫通してコア基板用基材11A内の基材11までザグリ加工(ドリル加工とレーザ加工を併用した切削加工も可)して、コア基板用基材11Aの下面のシード層12上に基材11の一部を残して大半の絶縁樹脂を除去してキャビティ20を形成する。
(Counterboring 1 (Drilling))
In this process, a recess is formed (cutting process using a combination of drilling and laser processing is also possible) from above the laminated substrate 54A, penetrating through the first build-up layer 61 in the cavity formation region 65 to the substrate 11 in the core substrate substrate 11A, and most of the insulating resin is removed except for a part of the substrate 11 on the seed layer 12 on the underside of the core substrate substrate 11A, to form a cavity 20.

具体的には、図9に示すように、キャビティ形成領域65の一端(例えば図に向かって左端)に、ビット先端にセンサーを有するドリル66を配置し、コア基板用基材11Aの表面のシード層12の手前の位置(キャビティ20の底部に至る手前の位置)まで削り込み、ドリル66をその位置から横方向Aへ移動させてドリル66による絶縁樹脂層11の除去を実施する。Specifically, as shown in FIG. 9, a drill 66 having a sensor at the bit tip is placed at one end of the cavity formation region 65 (e.g., the left end as viewed in the figure), and drilled down to a position just before the seed layer 12 on the surface of the core board base material 11A (a position just before reaching the bottom of the cavity 20), and the drill 66 is moved from that position in the lateral direction A to remove the insulating resin layer 11 with the drill 66.

なお、この例では、キャビティ20の底部の上に基材11の一部を残しているが、ドリル加工精度が高い場合は、シード層12の面ぎりぎりまで削り込んでもよい。In this example, a portion of the substrate 11 is left on the bottom of the cavity 20, but if the drilling precision is high, it may be drilled right up to the surface of the seed layer 12.

ザグリ加工を後述するレーザ加工のみではなく、ドリル加工を加えた2段階にしている理由は、後述するレーザ加工のレーザの受け導体(遮蔽部材)として、シード層12等を使い、基材11の残部である絶縁樹脂68を除去するからである。The reason why the recessing process is performed in two stages, including drilling and not just laser processing as described below, is that a seed layer 12, etc. is used as a receiving conductor (shielding member) for the laser in the laser processing described below, and the insulating resin 68, which is the remaining part of the substrate 11, is removed.

(ザグリ加工2(レーザ加工))
この工程では、図10に示すように、キャビティ20の開口上方から矢印B方向にレーザ光を照射して、図8のドリル加工でキャビティ20底部に残した絶縁樹脂68を除去する。レーザ加工には、例えば炭酸ガスレーザ(COレーザ)やYAGレーザなどの加工用レーザが適用可能である。
(Counterboring 2 (Laser processing))
In this step, as shown in Fig. 10, a laser beam is applied from above the opening of the cavity 20 in the direction of arrow B to remove the insulating resin 68 left on the bottom of the cavity 20 by the drilling process in Fig. 8. A processing laser such as a carbon dioxide laser ( CO2 laser) or a YAG laser can be used for the laser processing.

従来の技術では、レーザアブレーションの条件が適切でないような場合、キャビティ部と非キャビティ部の境界部の遮蔽導体禁止エリアにおいて、レーザが下層に貫通する箇所が発生し、基材を破損する可能性があるという課題がある。 With conventional technology, if the laser ablation conditions are not appropriate, there is a problem that the laser can penetrate to the lower layer in the no-shielding-conductor area at the boundary between the cavity and non-cavity sections, potentially damaging the substrate.

本開示の印刷配線板の製造方法では、シード層12及び一層下層の第2の導体層12aをレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ20の底部に残した上層部分の残部をレーザ加工により除去し、図11に示すように、平坦な面のシード層12をキャビティ20の底部に露出させる。この時、第2の導体層12aをレーザ光の遮蔽部材として用いることにより、レーザ照射の条件が適切でないような場合においても、キャビティ部と非キャビティ部の境界部の遮蔽導体禁止エリアにおいて、レーザが下層に貫通して基材(この場合絶縁樹脂層62a)が破損することを防止することができる。In the method for manufacturing a printed wiring board disclosed herein, the seed layer 12 and the second conductor layer 12a, which is one layer below, are used as shielding members for laser light, and the remaining portion of the upper layer portion left at the bottom of the cavity 20 is removed by laser processing, exposing the flat surface of the seed layer 12 at the bottom of the cavity 20, as shown in Figure 11. At this time, by using the second conductor layer 12a as a shielding member for laser light, even when the conditions for laser irradiation are not appropriate, it is possible to prevent the laser from penetrating into the lower layer and damaging the substrate (in this case, the insulating resin layer 62a) in the shielding conductor prohibited area at the boundary between the cavity portion and the non-cavity portion.

レーザ加工によってキャビティ20の底部の絶縁樹脂68を加工すると、その部分に薄い樹脂膜(微細樹脂クズ)が残存する場合がある。このように残った微細樹脂クズを除去するには、レーザによって炭化した部分をクリーニングする。このために、高圧水洗などの水洗処理またはプラズマ処理、過マンガン処理などによるデスミア処理を行う。これらの処理は2重3重に行っても構わない。When the insulating resin 68 at the bottom of the cavity 20 is processed by laser processing, a thin resin film (fine resin debris) may remain in that area. To remove such remaining fine resin debris, the area carbonized by the laser is cleaned. For this purpose, a water washing process such as high-pressure water washing or a desmear process using plasma processing or permanganate processing is performed. These processes may be performed twice or three times.

デスミア処理は、強アルカリによって樹脂を膨潤させ、次いで酸化剤(例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など)を用いて樹脂を分解除去する処理である。また、研磨材によるウェットブラスト処理やプラズマ処理によって樹脂膜を除去してもよい。プラズマ処理をする際には、表面基材を保護するために、ドライフィルムでマスキングを実施してもよい。Desmearing is a process in which the resin is swelled with a strong alkali and then decomposed and removed using an oxidizing agent (e.g., chromic acid, aqueous permanganate solution, etc.). The resin film may also be removed by wet blasting with an abrasive or by plasma treatment. When performing plasma treatment, masking with a dry film may be performed to protect the surface substrate.

また、デスミア処理をする際には、最外層基材及び最外層回路を保護するために、工程を入れ替えて、キャビティ20を形成してから最外層の回路形成を実施しても構わない。その場合は、キャビティ20を保護するために、ドライフィルムなどで保護することが必要である。電着レジスト(EDなど)も使用できる。 When performing the desmear process, in order to protect the outermost layer substrate and the outermost layer circuit, the process may be reversed and the cavity 20 may be formed before the outermost layer circuit is formed. In that case, in order to protect the cavity 20, it is necessary to protect it with a dry film or the like. Electrodeposition resist (ED, etc.) may also be used.

なお、レーザ光の受け導体(レーザ光の遮蔽部材)として使用する第2の導体層12aは、キャビティ20により上部構造体がないことで低下する多層基板54の剛性を向上させることができる。この場合、第2の導体層12aは、レーザ光の遮蔽部材としては、キャビティ輪郭部にのみ設ければ十分であるが、キャビティ底面全面に配置すると更に剛性を強化することができる。さらに、配線のみではばらつきやすかったキャビティ部の板厚を安定させることができる。なお、キャビティ輪郭部のみに第2の導体層12aを配置する場合、レーザの照射径、層間位置ずれを考慮し、シード層12の端部を基準に外側へ200μm幅で第2の導体層12aを配置すれば、レーザを十分に遮蔽できる。 The second conductor layer 12a used as a laser light receiving conductor (laser light shielding member) can improve the rigidity of the multilayer substrate 54, which is reduced by the absence of an upper structure due to the cavity 20. In this case, the second conductor layer 12a is sufficient to be provided only on the cavity outline as a laser light shielding member, but if it is placed on the entire bottom surface of the cavity, the rigidity can be further strengthened. Furthermore, the plate thickness of the cavity portion, which is prone to variation when only wiring is used, can be stabilized. When the second conductor layer 12a is placed only on the cavity outline, the laser irradiation diameter and interlayer positional deviation are taken into consideration, and the second conductor layer 12a is placed 200 μm wide outward from the end of the seed layer 12 as a reference, so that the laser can be sufficiently shielded.

また、基材11にシード層12が入り込んでいることで、第1の導体層17からキャビティ外に複数の回路を延ばそうとすると、複数の回路同士がシード層12でショートしてしまうことになるが、シード層12をキャビティ20よりやや狭く形成することによって、シード層12が基材11に入り込まなくなり、キャビティ外に複数の回路を延ばすことができるIn addition, because the seed layer 12 penetrates the substrate 11, if multiple circuits are to be extended from the first conductor layer 17 outside the cavity, the multiple circuits will short out at the seed layer 12. However, by forming the seed layer 12 slightly narrower than the cavity 20, the seed layer 12 will not penetrate the substrate 11, and multiple circuits can be extended outside the cavity.

キャビティ20の底部のシード層12の銅箔(バリア層)は、プロファイルフリー箔、またはロープロファイル箔、スタンダード箔等、色々使用できる。The copper foil (barrier layer) of the seed layer 12 at the bottom of the cavity 20 can be of various types, such as profile-free foil, low-profile foil, or standard foil.

ここで、図16および図17を参照して、第2の導体層12aを形成する効果について説明する。図16はキャビティ20の概略を示す図、図17は図16中破線Aにて示したキャビティ20の輪郭部周辺を拡大した図である。第2の導体層12aは、絶縁樹脂層62aの下側の表面に配置されているが、上述のように、レーザ光Lの遮蔽部材としての機能を果たす。この場合、本実施形態では、絶縁樹脂層62aはその表面付近が局部的にレーザ光の影響を受けるように加工するようにしてもよい。16 and 17, the effect of forming the second conductor layer 12a will be described. FIG. 16 is a diagram showing an outline of the cavity 20, and FIG. 17 is an enlarged view of the periphery of the contour of the cavity 20 shown by the dashed line A in FIG. 16. The second conductor layer 12a is disposed on the lower surface of the insulating resin layer 62a, and as described above, it functions as a shielding member for the laser light L. In this case, in this embodiment, the insulating resin layer 62a may be processed so that the vicinity of its surface is locally affected by the laser light.

キャビティ20の輪郭部下の絶縁樹脂層62aに第2の導体層12aが設けられると、レーザ光によって輪郭部のところを加工したときに、第2の導体層12aの上側は、わずかに抉られる。これは、第2の導体層12aが設けられていない場合に比較してその体積は小さくなる。When the second conductor layer 12a is provided on the insulating resin layer 62a below the contour of the cavity 20, the upper side of the second conductor layer 12a is slightly hollowed out when the contour is processed with laser light. This results in a smaller volume than when the second conductor layer 12a is not provided.

抉られた部分の形状は、キャビティ20の壁面20a側(図中62aL)は段差が付いた状態となるが、その反対側のキャビティ20の内部側(符号62aR)は、絶縁樹脂層62aの表面(底面79)に対して垂直な形状となる。The shape of the hollowed-out portion is such that there is a step on the wall surface 20a side of the cavity 20 (62aL in the figure), but the opposite side, the inside of the cavity 20 (symbol 62aR), has a shape that is perpendicular to the surface (bottom surface 79) of the insulating resin layer 62a.

キャビティ20の底面79側にソルダーレジストRが形成されるときに、壁面20aを這い上がることを抑制することができると同時に、キャビティ20の底面に均一な厚みでソルダーレジストを形成することができる。これは、キャビティ20の壁面20a側(62aL)は階段状になっているためにソルダーレジストが這い上がりやすいが、内部側(62aR)は垂直な面であるためにソルダーレジストが這い上がりにくいためである。When the solder resist R is formed on the bottom surface 79 side of the cavity 20, it is possible to prevent the solder resist R from creeping up the wall surface 20a, and at the same time, the solder resist can be formed with a uniform thickness on the bottom surface of the cavity 20. This is because the wall surface 20a side (62aL) of the cavity 20 is stepped, making it easy for the solder resist to creep up, but the inner side (62aR) is a vertical surface, making it difficult for the solder resist to creep up.

抉れ部分の内部側62aRと底面79との交点Xにおいては、ソルダーレジストが底面79の他の部分と同じ厚みにすることができる。すなわち、図17において、抉れた箇所の角のところのソルダーレジストの厚みtC1と、底面79上のソルダーレジストの厚みt79は同じとすることができる。ここで、「同じ」とは、おおむね次式を満たす関係を意味する。
C1-t79≦1μm
At the intersection X between the inner side 62aR of the hollowed-out portion and the bottom surface 79, the solder resist can be made to have the same thickness as other portions of the bottom surface 79. That is, in Fig. 17, the thickness tC1 of the solder resist at the corner of the hollowed-out portion and the thickness t79 of the solder resist on the bottom surface 79 can be made the same. Here, "the same" means that the relationship roughly satisfies the following formula.
t C1 - t 79 ≦1μm

本実施形態では、最外層回路の形成を行った後、キャビティ20を形成するという順序であるが、キャビティ20をレーザ処理後に過マンガン酸処理等のデスミア処理をする場合には、表面の基材を保護、及び回路ピール強度劣化を防ぐために、最外層の回路を形成する前にキャビティ20を形成してもよい。また、最外層の回路をM-SAPなどのパターンめっきで形成する場合、後述のシード層除去工程と兼ねることで、工程を削減できる。In this embodiment, the cavity 20 is formed after the outermost circuit is formed, but if the cavity 20 is subjected to a desmear treatment such as permanganate treatment after the laser treatment, the cavity 20 may be formed before the outermost circuit is formed in order to protect the surface substrate and prevent deterioration of the circuit peel strength. In addition, if the outermost circuit is formed by pattern plating such as M-SAP, the process can be combined with the seed layer removal process described below to reduce the number of processes.

(シード層除去工程)
この工程は、図12に示すように、キャビティ20の底部に露出したシード層12をフラッシュ・エッチングにより除去して、第2のビルドアップ層62の絶縁樹脂層62aの面79と絶縁樹脂に埋め込まれた導体層17の面とを露出させる工程である。
(Seed layer removal process)
In this process, as shown in FIG. 12, the seed layer 12 exposed at the bottom of the cavity 20 is removed by flash etching to expose the surface 79 of the insulating resin layer 62a of the second build-up layer 62 and the surface of the conductor layer 17 embedded in the insulating resin.

詳述すると、この工程では、キャビティ形成領域65の底部をフラッシュ・エッチングすることにより、バリア層であるシード層12(銅箔)を除去する。こうして多層基板54が得られる。コア基板51の下層の絶縁樹脂層62aの面(底面79)と、この底面79と同等な高さ(位置)に表面が露出して絶縁樹脂層62aに埋め込まれた第1の導体層17がキャビティ20の底面79の一部を形成する。このようにキャビティ20の底面に平坦に露出した第1の導体層17が部品実装ランドとして機能し、この多層基板54内の回路配線とキャビティ20に収容される電子部品とを接続できるようになる。In more detail, in this process, the seed layer 12 (copper foil), which is a barrier layer, is removed by flash etching the bottom of the cavity forming region 65. In this way, the multilayer substrate 54 is obtained. The surface (bottom surface 79) of the insulating resin layer 62a under the core substrate 51 and the first conductor layer 17, whose surface is exposed at the same height (position) as the bottom surface 79 and embedded in the insulating resin layer 62a, form part of the bottom surface 79 of the cavity 20. In this way, the first conductor layer 17 exposed flatly on the bottom surface of the cavity 20 functions as a component mounting land, making it possible to connect the circuit wiring in this multilayer substrate 54 and the electronic components housed in the cavity 20.

フラッシュ・エッチングによって、最外層の導体厚みを減らしたくない場合には、ソルダーレジスト後に実施する。またはソルダーレジスト後にドライフィルムによるマスキングを実施し、任意的にエッチング処理される箇所を選択してもよい。 If it is not desired to reduce the thickness of the outermost conductor layer by flash etching, this can be done after the solder resist. Alternatively, masking with a dry film can be done after the solder resist, and the areas to be etched can be selected arbitrarily.

なお、前段で、シード層以外にパターンめっき部分もややエッチングされてしまうことが懸念されることについて説明したが、エッチング量は2μm程度で、フラッシュ・エッチング液は縦方向に均一にエッチングして行く性質があるため、導体厚に悪影響ができるようなことはない。 In the previous section, we explained that there is a concern that the pattern plating portion may also be slightly etched in addition to the seed layer, but the amount of etching is about 2 μm, and since the flash etching solution has the property of etching uniformly in the vertical direction, there is no adverse effect on the conductor thickness.

バリアめっきとしてニッケルめっきした場合は、さらにニッケルをエッチングする。ニッケルのエッチングは、ニッケル除去剤NH-1860シリーズ(メック株式会社製)などが適している。 If nickel plating is used as a barrier plating, the nickel must also be etched. Nickel removers such as the NH-1860 series (manufactured by MEC Co., Ltd.) are suitable for etching nickel.

ワイヤボンディング用途でバリアめっきのニッケルめっきの下に金めっきをしている場合、サブトラクティブ法の代表的なエッチング液である塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液は金を溶かさないので原理的には可能だが、界面への浸透力が強いために、金めっきと絶縁材料の界面に浸透し、金めっきの更に下のニッケルめっき、銅めっきを溶かすサイドエッチングが起きるため、不適である。 For wire bonding applications where gold plating is applied under nickel barrier plating, it is in principle possible to use ferric chloride and cupric chloride solutions, which are typical etching solutions for the subtractive method, as they do not dissolve gold. However, they are unsuitable because they have a strong penetrating power into the interface and will penetrate into the interface between the gold plating and the insulating material, causing side etching that dissolves the nickel and copper plating below the gold plating.

(外層回路形成工程)
この工程では、図12のように形成した多層基板54の下部の第2のビルドアップ層62の導体層64に対して、エッチングを行い一部領域を除去することで、図13に示すように、回路として導体層64aを形成する。また、基板上部の第1のビルドアップ層61の導体層63に対してエッチングを行うことで一部領域を除去して回路配線または配線パターンとしての導体層63aを形成する。なお、外層回路の形成は、凹みや貫通孔の壁面への追従性が優れた電着レジストをエッチングレジストに用いたサブトラクティブ法を適用してもよい。なお電着レジストは、電着塗装の性質を応用したエッチングレジストである。
(Outer layer circuit formation process)
In this process, the conductor layer 64 of the second buildup layer 62 at the bottom of the multilayer substrate 54 formed as shown in Fig. 12 is etched to remove a portion of the conductor layer 64a as a circuit as shown in Fig. 13. Also, the conductor layer 63 of the first buildup layer 61 at the top of the substrate is etched to remove a portion of the conductor layer 63a as a circuit wiring or wiring pattern. The outer layer circuit may be formed by a subtractive method using an electrodeposited resist as an etching resist, which has excellent conformability to the wall surfaces of recesses and through holes. The electrodeposited resist is an etching resist that utilizes the properties of electrodeposition coating.

(ソルダーレジスト工程)
この工程では、図13に示した第1および第2のビルドアップ層61、62に対して導体層63a、64aの一部を含めて絶縁被膜し、図14に示すように、ソルダーレジスト71、72を形成する。ソルダーレジストは、ドライフィルムタイプ、液状タイプが使用可能である。
(Solder resist process)
In this process, the first and second buildup layers 61, 62 shown in Fig. 13 are coated with an insulating film including parts of the conductor layers 63a, 64a, and solder resists 71, 72 are formed as shown in Fig. 14. The solder resist may be of a dry film type or a liquid type.

(電子部品装着場所形成工程)
この工程以降は、部品実装ランドに段差が必要な場合に行うものとする。この工程では、図15に示すように、キャビティ20の底部に露出した導体層17の上にめっきを施して金属めっき層80を形成し、底面から段差を持たせた部品実装ランドである接続パッドを形成する。
(Electronic component mounting location forming process)
The steps after this are performed when a step is required for the component mounting land. In this step, as shown in Fig. 15, plating is applied to the conductor layer 17 exposed at the bottom of the cavity 20 to form a metal plating layer 80, and a connection pad, which is a component mounting land with a step from the bottom surface, is formed.

多層基板54の上部の第1のビルドアップ層61の導体層63aの上にも同様にめっきを施して回路パターンを形成してもよい。この際、スルーホール10が樹脂または金属で充填されていれば、ソルダーレジスト71のないスルーホール10の上下の部分にもめっきが施されるので、ここにも導体層73、74が形成される。A circuit pattern may also be formed by plating the conductor layer 63a of the first build-up layer 61 on the upper part of the multilayer board 54. In this case, if the through-hole 10 is filled with resin or metal, the upper and lower parts of the through-hole 10 that do not have the solder resist 71 are also plated, so that conductor layers 73 and 74 are also formed here.

必要に応じて電子部品を実装する工程を以下のように追加してもよい。この工程では、キャビティ20に電子部品を収容し、電子部品の底部に設けた電極と金属めっき層80(接続パッド)とを当接させて互いの回路を接続する。なお、ここでは電子部品を実装せず、他で実装する場合は電子部品実装工程以下の工程は不要である。If necessary, a process for mounting electronic components may be added as follows. In this process, an electronic component is accommodated in cavity 20, and electrodes provided on the bottom of the electronic component are brought into contact with metal plating layer 80 (connection pads) to connect the circuits to each other. Note that if electronic components are not mounted here but are instead mounted elsewhere, the processes following the electronic component mounting process are not necessary.

このように、この実施形態の印刷配線板を形成するためのコア基板用基材11Aは、第1の面(上面)11aと、この第1の面(上面)11aと対向する第2の面(下面)11bとを有する絶縁樹脂製の基材11を有している。絶縁樹脂製の基材11の第2の面(下面)11bにはシード層12が形成される。シード層12の一部領域には、第1の導体層17がパターンめっきにより形成される。コア基板51は、絶縁樹脂製の基材11、シード層12、第1の導体層17を有している。コア基板51の少なくとも下面には、絶縁樹脂でビルドアップした第2のビルドアップ層62が形成され、複数層の基板(積層基板54A)をなしている。積層基板54に対して、第1のビルドアップ層61の側からコア基板51の一部領域(キャビティ形成領域65)をザグリ加工して、コア基板51の第2の面(下面)51bのシード層12が底部に露出するように加工することで、キャビティ20が形成される。このキャビティ20の底部に露出したシード層12をフラッシュ・エッチングにより除去すると、コア基板51の下に位置する第2のビルドアップ層62の絶縁樹脂層62aの面(底面79)が残る。底面79には、上面がほぼ面一に並ぶように第1の導体層17が埋め込まれる。このような構成により、キャビティ20内に収容した電子部品と基板側との回路接続を電子部品の底部で行うことができるようになる。Thus, the core substrate base material 11A for forming the printed wiring board of this embodiment has an insulating resin base material 11 having a first surface (upper surface) 11a and a second surface (lower surface) 11b opposite the first surface (upper surface) 11a. A seed layer 12 is formed on the second surface (lower surface) 11b of the insulating resin base material 11. A first conductor layer 17 is formed by pattern plating in a partial area of the seed layer 12. The core substrate 51 has an insulating resin base material 11, a seed layer 12, and a first conductor layer 17. A second build-up layer 62 built up with insulating resin is formed on at least the lower surface of the core substrate 51, forming a multi-layer substrate (laminated substrate 54A). A cavity 20 is formed by processing the laminated substrate 54 such that a portion of the core substrate 51 (cavity forming region 65) is recessed from the side of the first buildup layer 61 so that the seed layer 12 of the second surface (lower surface) 51b of the core substrate 51 is exposed at the bottom. When the seed layer 12 exposed at the bottom of the cavity 20 is removed by flash etching, the surface (bottom surface 79) of the insulating resin layer 62a of the second buildup layer 62 located below the core substrate 51 remains. The first conductor layer 17 is embedded in the bottom surface 79 so that the top surface is aligned almost flush. With this configuration, the circuit connection between the electronic component accommodated in the cavity 20 and the substrate side can be made at the bottom of the electronic component.

このようにキャビティ20の底面79とほぼ面一の第1の導体層17を接続パッド(部品実装ランド)として形成して電子部品の底部の電極と接続することで、キャビティ20の底部の配線パターンとしての部品実装ランドのピール強度を向上することができる。In this way, by forming the first conductor layer 17, which is almost flush with the bottom surface 79 of the cavity 20, as a connection pad (component mounting land) and connecting it to an electrode at the bottom of the electronic component, the peel strength of the component mounting land as a wiring pattern at the bottom of the cavity 20 can be improved.

上記各実施形態における印刷配線板の製造手順の例は一例であり、各処理工程を入れ替え、また新たな処理工程を追加し、一部の処理工程を削除することで、処理工程をさまざまに変えることも可能である。The examples of the manufacturing procedures for printed wiring boards in each of the above embodiments are merely examples, and it is possible to vary the processing steps in various ways by interchanging the processing steps, adding new processing steps, and deleting some processing steps.

本発明の実施の形態を説明したが、この実施の形態は、例として示したものであり、この他の様々な形態で実施が可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の省略、置き換え、変更を行うことができる。 Although an embodiment of the present invention has been described, this embodiment is shown by way of example only, and the invention can be embodied in a variety of other forms, and components can be omitted, substituted, or modified without departing from the spirit and scope of the invention.

10…スルーホール、11…絶縁樹脂製の基材、12…シード層、12a…第2の導体層、13,18…ドライフィルム、14…ビアホール下穴、15…ビア、16,63.64…導体層、17…第1の導体層、20…キャビティ、51…コア基板、54…多層基板、61、62…ビルドアップ層、61a,61b,62a,62b…絶縁樹脂層、66…ドリル、68…絶縁樹脂、71、72…ソルダーレジスト、79…底面、80…金属めっき層。 10...through hole, 11...insulating resin substrate, 12...seed layer, 12a...second conductor layer, 13, 18...dry film, 14...via hole pilot hole, 15...via, 16, 63, 64...conductor layer, 17...first conductor layer, 20...cavity, 51...core substrate, 54...multilayer substrate, 61, 62...build-up layer, 61a, 61b, 62a, 62b...insulating resin layer, 66...drill, 68...insulating resin, 71, 72...solder resist, 79...bottom surface, 80...metal plating layer.

Claims (2)

第1の面および第2の面を有し、前記第2の面にシード層が設けられたコア基板を用意する第1の工程と、
前記コア基板に設けられた前記シード層にパターンメッキを行って第1の導体層を形成する第2の工程と、
前記コア基板の前記第1の導体層を含む前記シード層の表面に、キャビティが形成される領域である前記コア基板の中央部に前記シード層が残るように前記シード層の一部を除く第3の工程と、
前記コア基板の前記第1の面に、第1の絶縁樹脂層を有する第1のビルドアップ層を形成するとともに、前記コア基板の前記第2の面に、第2の絶縁樹脂層を有する第2のビルドアップ層を形成する第4の工程と、
前記第2のビルドアップ層の表面に、ニッケル、金、ニッケル、銅の順に連続してパターンメッキを行い、平面透視で前記形成されるキャビティの底面の周縁部の少なくとも一部に重なる位置に第2の導体層を形成する第5の工程と、
前記コア基板を前記第1のビルドアップ層側からレーザ加工によって該第1のビルドアップ層および前記コア基板を貫く際、前記シード層および前記第2の導体層をレーザ光の遮蔽部材として用い、前記底面が前記第2のビルドアップ層の表面となる前記キャビティを形成する第6の工程と、
を具備する、印刷配線板の製造方法。
A first step of preparing a core substrate having a first surface and a second surface, the second surface being provided with a seed layer;
a second step of forming a first conductor layer by pattern plating the seed layer provided on the core substrate;
a third step of removing a portion of the seed layer on a surface of the seed layer including the first conductor layer of the core substrate such that the seed layer remains in a central portion of the core substrate, which is a region in which a cavity is to be formed;
a fourth step of forming a first buildup layer having a first insulating resin layer on the first surface of the core substrate and forming a second buildup layer having a second insulating resin layer on the second surface of the core substrate;
a fifth step of pattern-plating the surface of the second buildup layer with nickel, gold, nickel, and copper in that order to form a second conductor layer at a position that overlaps at least a portion of a periphery of a bottom surface of the cavity to be formed in a plan view;
a sixth step of forming the cavity, the bottom surface of which is a surface of the second buildup layer, by using the seed layer and the second conductor layer as a shielding member for a laser beam when penetrating the first buildup layer and the core substrate by laser processing from the first buildup layer side of the core substrate;
A method for manufacturing a printed wiring board comprising the steps of:
前記第2の導体層は、前記キャビティの前記底面の周縁部を周回するように形成される、請求項に記載の印刷配線板の製造方法。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1 , wherein the second conductor layer is formed so as to go around a peripheral portion of the bottom surface of the cavity.
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