JP7650179B2 - 研磨パッド及びウェハ研磨方法 - Google Patents
研磨パッド及びウェハ研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7650179B2 JP7650179B2 JP2021061091A JP2021061091A JP7650179B2 JP 7650179 B2 JP7650179 B2 JP 7650179B2 JP 2021061091 A JP2021061091 A JP 2021061091A JP 2021061091 A JP2021061091 A JP 2021061091A JP 7650179 B2 JP7650179 B2 JP 7650179B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- polished
- binder resin
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
前記バインダ樹脂は、ポリフッ化ビニリデン又はポリエーテルサルフォンであり、
前記繊維は、ポリプロピレン及びポリエチレンテレフタレートの少なくとも一方からなることを特徴とする。
前記被研磨物と前記研磨パッドとの間に前記研磨液を供給しつつ、前記被研磨物を前記研磨パッドの研磨面により研磨する第2工程とを備え、
前記研磨パッドは、前記研磨面を構成し、バインダ樹脂と無数の研磨粒子と繊維とを含む研磨層を有し、
前記バインダ樹脂は、ポリフッ化ビニリデン又はポリエーテルサルフォンであり、
前記繊維は、ポリプロピレン及びポリエチレンテレフタレートの少なくとも一方からなり、
前記第2工程では、前記被研磨物に前記研磨面を所定押圧力で押圧し、かつ前記被研磨物及び前記研磨パッドの少なくとも一方を相対回転させることを特徴とする。
前記繊維ウェブに前記ペーストを含侵させ、含浸体を形成する含浸工程と、
前記含浸体から前記溶剤を除去して前記バインダ樹脂を固化する固化工程とを備えている。
以下、本発明を具体化した実施例1~10と、比較例1、2とを説明する。
(バインダ樹脂)
PVDF(ポリフッ化ビニリデン)
PES(ポリエーテルサルフォン)
(溶剤)
N-メチル-2-ピロリドン
(研磨粒子)
シリカ(SiO2)(平均粒径:0.2μm)
実施例1~10及び比較例1、2の研磨パッドから図6に示す試験片15を切り出した。各試験片15の図示の寸法a~dは以下のとおりである。
a=15(mm)
b=20(mm)
c=60(mm)
d=10(mm)
厚み=2.5(mm)
試験機:万能試験機(インストロン5569)
試験条件:引張速度=5mm/分
ウェハ研磨装置(Engis EJW-380)と、実施例2及び比較例1、3の研磨パッド(直径30cm)と、GaNベアウェハ(2inch)とを用意した。比較例1の研磨パッドは試験1で用いたものと同様のものである。比較例3の研磨パッドは、市販の不織布パッド(ニッタ・ハース製:SUBA600)である。
研磨液の流量:10mL/分
荷重:85kPa
定盤の回転数:60rpm
キャリアの回転数:60rpm
加工時間:60分
研磨液:実施例2及び比較例1においては、過マンガン酸カリウム系水溶液を用いた。比較例3においては、コロイダルシリカスラリーを用いた。
92、94…研磨層(92…下研磨層、94…上研磨層)
13…研磨パッド
Claims (5)
- 研磨粒子を含まない研磨液の存在下において、被研磨物を研磨する研磨面を構成し、バインダ樹脂と無数の研磨粒子と繊維とを含む研磨層を有する研磨パッドであって、
前記バインダ樹脂は、ポリフッ化ビニリデン又はポリエーテルサルフォンであり、
前記繊維は、ポリプロピレン及びポリエチレンテレフタレートの少なくとも一方からなることを特徴とする研磨パッド。 - 前記研磨層は、前記繊維を構成する繊維ウェブと、前記繊維ウェブ内に内包された前記バインダ樹脂及び前記研磨粒子とを含む請求項1記載の研磨パッド。
- 被研磨物と研磨パッドと研磨液とを用意する第1工程と、
前記被研磨物と前記研磨パッドとの間に前記研磨液を供給しつつ、前記被研磨物を前記研磨パッドの研磨面により研磨する第2工程とを備え、
前記研磨パッドは、前記研磨面を構成し、バインダ樹脂と無数の研磨粒子と繊維とを含む研磨層を有し、
前記バインダ樹脂は、ポリフッ化ビニリデン又はポリエーテルサルフォンであり、
前記繊維は、ポリプロピレン及びポリエチレンテレフタレートの少なくとも一方からなり、
前記第2工程では、前記被研磨物に前記研磨面を所定押圧力で押圧し、かつ前記被研磨物及び前記研磨パッドの少なくとも一方を相対回転させることを特徴とするウェハ研磨方法。 - 前記被研磨物は窒化物である請求項3記載のウェハ研磨方法。
- 前記研磨液は、pH1の強酸性又はpH14の強アルカリ性である請求項3又は4記載のウェハ研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021061091A JP7650179B2 (ja) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 研磨パッド及びウェハ研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021061091A JP7650179B2 (ja) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 研磨パッド及びウェハ研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022157069A JP2022157069A (ja) | 2022-10-14 |
| JP7650179B2 true JP7650179B2 (ja) | 2025-03-24 |
Family
ID=83558937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021061091A Active JP7650179B2 (ja) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 研磨パッド及びウェハ研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7650179B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118578276A (zh) * | 2023-03-03 | 2024-09-03 | 株式会社则武 | 抛光垫与晶圆抛光方法 |
| JP7657251B2 (ja) * | 2023-03-06 | 2025-04-04 | ノリタケ株式会社 | 半導体ウエハーの研磨パッド及び研磨方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008068390A (ja) | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Noritake Co Ltd | 結晶材料の研磨加工方法 |
| JP2011049256A (ja) | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Noritake Co Ltd | 研磨体およびその製造方法 |
| JP2011062813A (ja) | 2003-04-25 | 2011-03-31 | Three M Innovative Properties Co | 研磨材料 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2509870B2 (ja) * | 1993-06-30 | 1996-06-26 | 千代田株式会社 | 研磨布 |
-
2021
- 2021-03-31 JP JP2021061091A patent/JP7650179B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011062813A (ja) | 2003-04-25 | 2011-03-31 | Three M Innovative Properties Co | 研磨材料 |
| JP2008068390A (ja) | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Noritake Co Ltd | 結晶材料の研磨加工方法 |
| JP2011049256A (ja) | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Noritake Co Ltd | 研磨体およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022157069A (ja) | 2022-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW486407B (en) | Substrate polishing article | |
| US10213895B2 (en) | Polishing pad and method for manufacturing same | |
| JP5839783B2 (ja) | 半導体ウェーハのエッジを研磨する方法 | |
| TWI464796B (zh) | 雙面拋光半導體晶圓的方法 | |
| JP7650179B2 (ja) | 研磨パッド及びウェハ研磨方法 | |
| CN102245351A (zh) | 刚性或柔性的大孔磨料物品 | |
| JP5602752B2 (ja) | 研磨パッド | |
| JP7409815B2 (ja) | 半導体ウェハの研磨方法 | |
| JP7650180B2 (ja) | 研磨パッド及びウェハ研磨方法 | |
| TW201101386A (en) | Polishing pad and method for polishing a semiconductor wafer | |
| JP6713805B2 (ja) | 研磨パッド | |
| JP7643684B2 (ja) | ウェハ研磨方法 | |
| JP2024125174A (ja) | 研磨パッド及びウェハのノッチ研磨方法 | |
| JP7654217B2 (ja) | ウェハ研磨方法 | |
| JP7738401B2 (ja) | 研磨パッド及びウェハ研磨方法 | |
| JP7731560B2 (ja) | 研磨パッド及びウェハ研磨方法 | |
| JP7808932B2 (ja) | 保持パッド | |
| JP7577288B1 (ja) | 研磨パッド及びウェハのノッチ研磨方法 | |
| JP4356056B2 (ja) | 樹脂含浸体および研磨パッドおよびその研磨パッドを用いた研磨装置と研磨方法 | |
| TW581716B (en) | Material for use in carrier and polishing pads | |
| JP7595498B2 (ja) | 研磨体及びウェハ研磨方法 | |
| CN100418702C (zh) | 一种极细纤维抛光片制造方法 | |
| JP2025154223A (ja) | 研磨パッド | |
| JP4554799B2 (ja) | フッ素樹脂をベースとした研磨工具 | |
| JP2025154202A (ja) | 研磨パッド及びウェハ研磨方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240305 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20241226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20250121 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20250210 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20250225 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20250311 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7650179 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |