JP7656686B2 - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本明細書は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。具体的に、画素駆動チップのパッドが損傷しない、かつ、製造工程が単純化し得る表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

現在、広く使用されている平板型表示装置の具体的な例では、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｐｐａｒａｔｕｓ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｐｐａｒａｔｕｓ）、無機発光表示装置（Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｐｐａｒａｔｕｓ）、量子ドット表示装置（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｐｐａｒａｔｕｓ）等がある。

これらの平板型表示装置は、画素駆動のため薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板を具備する。ＴＦＴアレイ基板は、画素駆動のため配置されたＴＦＴ及びその他の要素（例えば、平坦化層）のアレイを含むことができる。近年、表示装置の高解像度の具現のため薄膜トランジスタアレイを画素駆動チップに取り替えた表示装置が開発されている。これらの画素駆動チップは、マイクロドライバチップとも称し、発光ダイオード（ＬＥＤ）を駆動することができる。

本出願の発明者らは、既存の画素駆動チップ技術を改善した表示装置及びその製造方法を考案した。

複数の画素駆動チップは、別途製造工程によって製造された後、転写工程によって表示装置の基板上に取り付けられる。

画素駆動チップは、様々な入力／出力パッドを有するが、これらを保護するために、複数の入力／出力パッドを覆うパッシベーション膜を備える。

画素駆動チップが表示装置の基板上に転写された後、画素駆動チップの複数の側面を囲む平坦化層が形成され、平坦化層上に単層又は多層の複数の配線が形成される。

平坦化層上に複数の配線を形成する工程は、平坦化層上に伝導性物質層を蒸着するステップと、フォトリソグラフィ工程及び乾式エッチング工程を用いて伝導性物質層をパターニングするステップと、フォトリソグラフィ工程及び湿式エッチング工程を用いて画素駆動チップのパッシベーション膜を除去して、複数の入力／出力パッドを露出させるステップと、を含む。

乾式エッチング工程に際して、伝導性物質層とパッシベーション膜との間にエッチング選択比がない場合、乾式エッチング工程のエッチング率がより高い基板内特定の領域、例えば、基板の中央領域におけるパッシベーション膜のみならず、画素駆動チップの入力／出力パッドらまでエッチングされる問題がある。

このため、本明細書の発明者らは、配線を形成するため乾式エッチング工程に際して、伝導性物質層とパッシベーション膜との間にエッチング選択比がない場合も、画素駆動チップの複数の入力／出力パッドが損傷しない表示装置及びその製造方法を考案した。

本明細書の実施形態によって解決しようとする課題は、配線の形成時に画素駆動チップのパッドの損傷を防止し、かつ、製造工程を単純化し得る表示装置を提供することである。

本明細書の実施形態によって解決しようとする課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及していないさらに他の課題は、下記の記載から通常の技術者にとって明確に理解することができる。

本明細書の実施形態による表示装置は、基板、基板上に配置された接着層、接着層上に配置され、上面に複数のパッドを含む画素駆動チップと、画素駆動チップの複数の側面を囲む平坦化層と、画素駆動チップの複数のパッド上に配置された複数のパッド接触層と、前記平坦化層上に配置された複数の第１配線を含む。ここで、複数のパッド接触層及び複数の第１配線は、同じ厚さを有し、同じ伝導性物質層からなってもよい。

本明細書の実施形態による表示装置の製造方法は、基板上に接着層を形成するステップと、接着層上に複数のパッドを含む画素駆動チップを実装するステップと、画素駆動チップの複数の側面を囲む平坦化層を形成するステップと、平坦化層及び画素駆動チップ上に伝導性物質層を蒸着するステップと、伝導性物質層をパターニングして、画素駆動チップの複数のパッド上に配置された複数のパッド接触層と、平坦化層上に配置された複数の第１配線を同時に形成するステップと、を含む。

その他実施形態の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。

本明細書の実施形態によれば、表示装置内の平坦化層上に配線を形成するため乾式エッチング工程に際して、画素駆動チップの複数の入力／出力パッドの損傷を回避することができる。

本明細書の実施形態によれば、画素駆動チップのパッシベーション膜を除去するためのフォトリソグラフィ工程が除去されることから、表示装置の製造工程を単純化し、製造原価を節減することができる。

本明細書の効果は、以上で言及した効果に制限されず、言及していないさらに他の効果は、下記の記載から通常の技術者にとって明確に理解することができる。

本明細書の一実施形態による表示装置を示す断面図である。 本明細書の他の実施形態による表示装置を示す断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す平面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す平面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す平面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す平面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す平面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。

本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達する方法は、添付の図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すれば明確になる。しかし、本発明は、以下で開示の実施形態に限定されるものではなく、相異する様々な形態に具現されるものである。但し、本実施形態は、本発明の開示を完全にして、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範疇によって定義されるだけである。

本発明の実施形態を説明するため図面に開示の形状、大きさ、比率、角度、本数などは、例示的なものであり、本発明は、図示の事項に限定されるものではない。全明細書における同じ参照符号は、同じ構成要素を称する。また、本発明を説明するにあたり、関連する公知の技術に関する具体的な説明が、本発明の要旨を曖昧にすると判断される場合には、それの詳説を省略する。本明細書上に言及されている「含む」、「有する」、「なる」等が使われる場合、「～のみ」が使われていない限り、他部分を加えることができる。構成要素を単数に示した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

構成要素を解釈するにあたり、明示的記載が別途ないとしても、誤差範囲を含むものと解釈する。

位置関係に関する説明の場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～側に」等と、両部分の位置関係を説明する場合、「直ちに」又は「直接」が使われていない限り、両部分の間に一以上の他部分が位置してもよい。

たとえ、第１、第２などは、様々な構成要素を述べるために使われるものの、これら構成要素は、これらの用語によって制限されない。これらの用語は、単に一構成要素を他構成要素と区別するために使うものである。よって、以下で言及する第１構成要素は、本明細書の技術的思想内における第２構成要素であってもよい。

全明細書における同じ参照符号は、同じ構成要素を称する。

図面で示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のため示されたものであり、本発明は、示された構成の大きさ及び厚さに必ずしも限定されるものではない。

本発明の幾つかの実施形態の各々の特徴は、部分的に又は全体的に互いに結合又は組み合わせが可能であり、通常の技術者が十分理解することができるように、技術的に様々な連動及び駆動が可能であり、各実施形態は、互いに独立して実施できることもでき、連関関係で共に実施することもできる。

以下では、添付の図面を参照して、本明細書による実施形態による複数の表示装置を詳説することとする。

図１は、本明細書の一実施形態による表示装置１００を示す断面図である。

図１を参照すると、本明細書の一実施形態による表示装置１００は、基板１１０上に配置された複数のバッファ層１２１，１２３、複数の整列マーク１２５、バッファ層１２１，１２３上に配置された接着層１２８、画素駆動チップ１３０、平坦化層１４０、複数の配線１５１ａ，１５３、平坦化層上に配置された複数の絶縁層１５２，１５４、及び絶縁層１５２，１５４上に配置された複数の発光素子ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３を含むことができる。複数の配線１５１ａ，１５３は、電気伝導／連結を提供する伝導性パターン、伝導性ライン、又はその他の要素であってもよい。

基板１１０は、加撓性（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有するプラスチック又は加撓性物質からなってもよい。例えば、基板１１０は、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンテレフタラート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ）、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）、環状オレフィン共重合体（ｃｙｃｌｉｃ－ｏｌｅｆｉｎ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）などの材質の単一層又は多重層の形態からなってもよく、これに限定されるものではない。基板１１０は、ガラスからなってもよい。

複数のバッファ層１２１，１２３のうち基板１１０上に第１バッファ層１２１が配置されてもよい。例えば、第１バッファ層１２１は、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物などの絶縁物質からなってもよく、これに限定されるものではない。

第１バッファ層１２１上に複数の整列マーク１２５が配置されてもよい。複数の整列マーク１２５は、画素駆動チップ１３０の転写時に装着位置を案内することができる。例えば、複数の整列マーク１２５は、金属物質からなってもよく、これに限定されるものではなく、非伝導性物質からなってもよい。

第１バッファ層１２１及び複数の整列マーク１２５上に第２バッファ層１２３が配置されてもよい。例えば、第２バッファ層１２３は、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物などの絶縁物質からなってもよく、これに限定されるものではない。第２バッファ層１２３は、第１バッファ層１２１よりも厚い厚さを有してもよい。第１及び第２バッファ層１２１，１２３は、同じ物質又は相異する物質からなってもよい。

第２バッファ層１２３上に接着層１２８が配置されてもよい。例えば、接着層１２８は、アクリル樹脂、シリコン樹脂などからなってもよいものの、これに限定されるものではない。

接着層１２８上に画素駆動チップ１３０が配置されてもよい。画素駆動チップ１３０は、表示装置１００の表示領域に位置してもよい。図１には例示として、接着層１２８上に１つの画素駆動チップ１３０が示されているが、表示装置１００は、接着層１２８上に配置された複数の画素駆動チップ１３０を含むことができる。複数の画素駆動チップ１３０は、表示装置１００の表示領域内に複数の行と複数の列からなるマトリックス状に配列することができる。例えば、複数のピクセル駆動チップ１３０は、マトリックス構成又は他の適宜な構成から配列することができる。画素駆動チップ１３０は、表示領域内の少なくとも１つの画素（ＰＸ）に配置された複数の発光素子ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３を駆動して、スイッチングすることができる。一例として、表示装置１００の表示領域は、複数の画素（ＰＸ）を含むことができ、画素駆動チップ１３０は、画素（ＰＸ）のそれぞれに設けるか、画素（ＰＸ）のグループ毎に設けることができ、当該画素（ＰＸ）における１つ以上の発光素子を駆動することができる。例えば、画素駆動チップ１３０は、表示領域内の複数の画素（ＰＸ）のうち１つ以上に配置された複数の発光素子ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３を駆動して、スイッチングすることができる。複数の画素（ＰＸ）は、複数の行と複数の列からなるマトリックス状に表示領域内に配列することができる。例えば、画素駆動チップ１３０は、１６×１６個、つまり２５６個の画素に配置された複数の発光素子を駆動して、スイッチングすることができる。画素駆動チップ１３０は、マイクロドライバチップとも称することができる。例えば、画素駆動チップ１３０は、水平方向における（例えば、Ｘ軸方向又はＹ軸方向における）１～５００μｍ又は１～３００μｍの大きさを有することができる。

画素駆動チップ１３０は、素子層１３１、複数のパッド１３３、及びパッシベーション膜１３５を含むことができる。素子層１３１は、１つ以上の発光素子を駆動させて、スイッチングするための回路を含むことができる。素子層１３１は、デジタル回路、アナログ回路などを含むことができる。素子層１３１は、複数の駆動トランジスタ、複数のスイッチングトランジスタ、及び複数のストレージキャパシタを含むことができる。素子層１３１は、複数の回路ユニットを含むことができる。各々の回路ユニットは、少なくとも１つの駆動トランジスタ、少なくとも１つのスイッチングトランジスタ、及び少なくとも１つのストレージキャパシタを含むことができる。素子層１３１は、例えば、単結晶半導体基板上に複数のＭＯＳＦＥＴ製造工程を用いて製造することができる。

複数のパッド１３３は、様々な入力パッド及び出力パッドを含むことができる。複数のパッド１３３は、発光素子に連結されるパッド、高電位電圧ラインに連結されるパッド、低電位電圧ラインに連結されるパッド、データ信号ラインに連結されるパッド、スキャン信号ラインに連結されるパッド、基準電圧ラインに連結されるパッドなどを含むものの、これに限定されるものではない。

複数のパッド１３３は、伝導性物質層の単層又は多層構造からなってもよい。複数のパッド１３３は、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、ＴｉＮ、ＴａＮ等、又はこれらの組み合わせを含む単層又は多層構造からなってもよい。複数のパッド１３３は、例えば、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｔｉ構造からなってもよい。

パッシベーション膜１３５は、素子層１３１の複数の側面を覆うことができる。パッシベーション膜１３５は、複数のパッド１３３が配置された素子層１３１の上面の縁領域を覆うことができる。しかし、パッシベーション膜１３５は、素子層１３１の他の上面（内部の上面）は露出させることができる。一実施形態において、パッシベーション膜１３５は、素子層１３１の上面は覆わずに、素子層１３１の複数の側面のみを覆うことができる。一実施形態において、パッシベーション膜１３５は、素子層１３１の上面の縁領域のみを覆い、素子層１３１の他の上面と複数の側面を覆っていなくてもよい。一実施形態において、パッシベーション膜１３５は、素子層１３１の上面及び素子層１３１の複数の側面を覆っていなくてもよい。パッシベーション膜１３５は、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなっていてもよいものの、これに限定されるものではない。

画素駆動チップ１３０は、別途製造工程によって製造することができ、転写（ｔｒａｎｓｆｅｒ）工程によって接着層１２８上に配置されてもよい。画素駆動チップ１３０が表示装置１００の接着層１２８上に配置されるか移動される前は、複数のパッド１３３を保護するために、パッシベーション膜１３５は、素子層１３１の複数の側面のみならず、複数のパッド１３３及び素子層１３１の上面全体を覆っている状態であってもよい（図３及び図４参照）。一例では、画素駆動チップ１３０が表示装置１００の接着層１２８上に配置されるか移動される前は、複数のパッド１３３を保護するために、パッシベーション膜１３５は、複数のパッド１３３及び素子層１３１の上面を覆い、素子層１３１の複数の側面は覆っていない状態であってもよい。

画素駆動チップ１３０の複数の側面を囲む平坦化層１４０は、接着層１２８上に配置されてもよく、素子層１３１の上面（全体又は縁領域を除く全領域）を露出させることができる。平坦化層１４０は、複数のパッド１３３を覆っていなくてもよい。平坦化層１４０は、保護膜１３５によって覆われている素子層１３１の上面の縁領域のみを覆うように、保護膜１３５上に配置することができる。一実施形態において、平坦化層１４０は、素子層１３１の上面及び複数のパッド１３３を覆っていなくてもよい。平坦化層１４０は、有機物質からなっていてもよい。平坦化層１４０は、例えば、感光性フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）又は感光性ポリイミドからなってもよいものの、これに限定されるものではない。

平坦化層１４０上には、複数の第１配線（又は第１伝導性パターンら）１５１ａが配置されてもよい。画素駆動チップ１３０の複数のパッド１３３上に複数のパッド接触層１５１ｂが配置されてもよい。複数のパッド１３３上に直接配置された複数のパッド接触層１５１ｂは、複数のパッド１３３の側面を覆っていなくてもよい。複数のパッド１３３上に直接配置された複数のパッド接触層１５１ｂは、複数のパッド１３３の大きさと同じ大きさ又は実際に同じ大きさを有することができる。複数の第１配線１５１ａ及び複数のパッド接触層１５１ｂ、同じ厚さを有し、同じ伝導性物質層からなってもよい。複数の第１配線１５１ａ及び複数のパッド接触層１５１ｂは、それぞれＴｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、ＴｉＮ、ＴａＮ等、又はこれらの組み合わせの単層又は多層構造からなってもよい。複数の第１配線１５１ａ及び複数のパッド接触層１５１ｂは、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造からなってもよい。複数のパッド接触層１５１ｂは、５００ｎｍ～９００ｎｍの厚さで形成することができる。

平坦化層１４０及び画素駆動チップ１３０上には、複数の第１配線１５１ａ及び複数のパッド接触層１５１ｂを覆う第１絶縁層１５２が配置されてもよい。第１絶縁層１５２は、例えば、感光性フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）又は感光性ポリイミドからなってもよいものの、これに限定されるものではない。

第１絶縁層１５２上に複数の第２配線（又は複数の第２伝導性パターン）１５３が配置されてもよい。複数の第２配線１５３は、第１絶縁層１５２を貫通して、複数の第１配線１５１ａ及び複数のパッド接触層１５１ｂに連結することができる。複数の第２配線１５３は、複数の第１配線１５１ａ及び複数のパッド接触層１５１ｂと直接接触することができる。複数の第２配線１５３のうち一部は、複数のパッド接触層１５１ｂを介して画素駆動チップ１３０の複数のパッド１３３に連結することができる。複数の第２配線１５３は、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、ＴｉＮ、ＴａＮ等、又はこれらの組み合わせの単層又は多層構造からなってもよい。複数の第２配線１５３は、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造からなってもよい。複数の第２配線１５３は、５００ｎｍ～９００ｎｍの厚さで形成することができる。これにより、各々のパッド１３３上に配置されたパッド接触層１５１ｂと第２配線１５３との厚さの和は、１，０００ｎｍ～１，８００ｎｍの厚さで形成することができる。同様、平坦化層１４０上に配置される第１配線１５１ａと第２配線１５３の厚さの和は、１，０００ｎｍ～１，８００ｎｍであってもよい。

第１絶縁層１３０上には、複数の第２配線１５３を覆う第２絶縁層１５４が配置されてもよい。第２絶縁層１５４は、例えば、感光性フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）又は感光性ポリイミドからなってもよいものの、これに限定されるものではない。

第２絶縁層１５４上には、複数の発光素子ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３が配置されてもよい。一実施形態において、第２絶縁層１５４と複数の発光素子ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３との間に、少なくとも１つの配線及び少なくとも１つの絶縁層がさらに配置されてもよい。（例えば、パッド１３３、パッド接触層１５１ｂ及び第２配線１５３を介して素子層１３１に電気的に連結されることにより）複数の発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）は、画素駆動チップ１３０によって駆動（例えば、オン／オフ）することができる。

表示装置１００の表示領域には複数の行と複数の列からなる、マトリックス状に配列された複数の画素（ＰＸ）が配置されてもよい。各々の画素（ＰＸ）は、相異するカラーの光を放出する複数の発光素子ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３を含むことができる。しかし、各画素（ＰＸ）毎に異なる数の発光素子が配置されてもよい。複数の発光素子ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３は、画素駆動チップ１３０に連結することができる。各々の発光素子ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３は、画素駆動チップ１３０の複数のパッド１３３のいずれかに連結することができる。例えば、画素に３つの発光素子がある場合、３つの発光素子にそれぞれ対応するように、３つのパッド１３３を提供することができる。しかし、他の変形も可能である。

複数の発光素子ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３は、例えば、赤色光、緑色光、及び青色光をそれぞれ放出する３個の発光素子を含むことができるものの、これに限定されない。一実施形態において、複数の発光素子は、赤色光、緑色光、青色光、及び白色光をそれぞれ放出する４個の発光素子を含むことができる。一実施形態において、複数の発光素子は、赤色光、緑色光、青色光、及び黄色光をそれぞれ放出する４個の発光素子を含むことができる。一実施形態において、複数の発光素子は、赤色光、緑色光、青色光、及び黄色光をそれぞれ放出する４個の発光素子を含むことができる。

複数の発光素子ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３は、複数の無機発光ダイオード又は複数の有機発光ダイオードであってもよい。

発光素子ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３として、複数の無機発光ダイオードは、水平方向における（Ｘ軸方向又はＹ軸方向における）１～１００μｍ、１～５０μｍ、又は１～２０μｍの大きさを有することができる。無機発光ダイオードは、マイクロ発光ダイオードと称することができる。無機発光ダイオードは、ｐ－ドープされた半導体層、ｎ－ドープされた半導体層、及びこれらの間の活性層（例えば、１つ以上の量子井戸層を含み）を含むことができる。そして、無機発光ダイオードは、ｐ－ドープされた半導体層に連結された第１電極と、ｎ－ドープされた半導体層に連結された第２電極とを含むことができる。複数の無機発光ダイオードは、ＩＩ－ＶＩ族又はＩＩＩ－Ｖ族の複数の化合物半導体を用いて製造することができる。無機発光ダイオードは、別途製造工程によって製造することができ、転写（ｔｒａｎｓｆｅｒ）工程によって接着層１２８上に配置されてもよい。

変形例における発光素子ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３として、有機発光ダイオードは、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、及び電子注入層を含むことができる。そして、有機発光ダイオードは、正孔注入層に連結される第１電極と、電子注入層に連結される第２電極とを含むことができる。

有機発光ダイオードは、蒸着工程、フォトリソグラフィ工程、及びエッチング工程などによって第２絶縁層１５４上に直接形成することができる。

表示装置１００は、映像表示のため他の構成要素をさらに含むことができる。例えば、第２絶縁層１５４及び／又は発光素子上に（複数の）追加層を配置することができる。

図２は、本明細書の他の実施形態による表示装置１００－１を示す断面図である。図２に示された表示装置１００－１は、図１に示された表示装置１００と類似であり、画素駆動チップ１３０の複数のパッド１３３上に配置された複数のパッド接触層１５１ｂ’を含む点で相異する。図２の表示装置１００－１の構成は、パッド接触層１５１ｂ’の構成を除いては、図１の表示装置１００の構成と同一又は類似であってもよいため、表示装置１００－１では、パッド接触層１５１ｂ’を中心に説明する。

図２を参照すると、平坦化層１４０上には複数の第１配線１５１ａが配置されてもよい。画素駆動チップ１３０の複数のパッド１３３上に複数のパッド接触層１５１ｂ’が配置されてもよい。複数のパッド１３３上に直接配置された複数のパッド接触層１５１ｂ’は、複数のパッド１３３の上面及び複数の側面を覆うことができる。例えば、複数のパッド接触層１５１ｂ’は、複数のパッド１３３の上面及び側面を覆い、素子層１３１の上面と直接接触する。複数のパッド１３３上に直接配置された複数のパッド接触層１５１ｂ’は、複数のパッド１３３の大きさよりも大きい大きさを有することができる。パッド接触層１５１ｂ’上に複数の第２配線１５３を配置することができる。例えば、パッド接触層１５１ｂ’の上部幅は、第２配線の下部幅及び／又はパッド１３３の上部幅よりも大きくてもよい。複数の第１配線１５１ａ及び複数のパッド接触層１５１ｂ’は、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、ＴｉＮ、ＴａＮ等、又はこれらの組み合わせの単層又は多層構造からなってもよい。複数の第１配線１５１ａ及び複数のパッド接触層１５１ｂ’は、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造からなってもよい。

図３～図１２は、本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す複数の平面図及び断面図である。図３、図５、図７、図９、及び図１１は、本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す平面図であり、図４、図６、図８、図１０、及び図１２は、本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。

特に、図４は、図３の４－４線に沿って切断した断面図であり、図６は、図５の６－６線に沿って切断した断面図であり、図８は、図７の８－８線に沿って切断した断面図であり、図１０は、図９の１０－１０線に沿って切断した断面図であり、図１２は、図１１の１２－１２線に沿って切断した断面図である。図９～１２は、図１の表示装置に関するものの、その段階は、図２の表示装置を形成するように修正することができる。

図３及び図４を参照すると、キャリア基板１０１上に犠牲層１０５が配置され、犠牲層１０５上に基板１１０が配置されてもよい。基板１１０上に第１バッファ層１２１、複数の整列マーク１２５、及び第２バッファ層１２３が形成されてもよい。例えば、第１バッファ層１２１及び第２バッファ層１２３は、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物などの絶縁物質からなってもよく、これに限定されるものではない。例えば、複数の整列マーク１２５は、金属物質からなってもよく、これに限定されるものではない。

そして、第２バッファ層１２３上に接着層１２８が形成されてもよい。例えば、接着層１２８は、アクリル樹脂、シリコン樹脂などからなってもよいものの、これに限定されるものではない。

別途製造工程によって製造された画素駆動チップ１３０は、転写工程によって接着層１２８上に配置されてもよい。複数の整列マーク１２５によって画素駆動チップ１３０が、予め設計された位置に配置されてもよい。画素駆動チップ１３０は、素子層１３１、複数のパッド１３３、及びパッシベーション膜１３５を含むことができる。パッシベーション膜１３５は、素子層１３１の複数の側面及び上面、そして複数のパッド１３３を覆うことができる。複数のパッド１３３は、例えば、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｔｉ構造からなってもよい。パッシベーション膜１３５は、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなってもよいものの、これに限定されるものではない。

平坦化層１４０は、画素駆動チップ１３０の複数の側面を囲むように形成することができ、接着層１２８上に配置することができる。平坦化層１４０は、画素駆動チップ１３０の上面の縁領域を覆うことができる。平坦化層１４０は、有機物質からなってもよい。平坦化層１４０は、例えば、感光性フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）又は感光性ポリイミドからなってもよいものの、これに限定されるものではない。

図５及び図６を参照すると、パッシベーション膜１３５の一部が除去されて、複数のパッド１３３が露出してもよい。パッシベーション膜１３５は、リン酸溶液を用いた湿式エッチング工程によって除去することができる。例えば、複数のパッド１３３及び素子層の上面の一部が露出し得る。複数のパッド１３３は、マトリックス構成から配列することができるものの、他の構成から配列することもできる。複数のパッド１３３は、他の形状を有することもできる。

図７及び図８を参照すると、平坦化層１４０及び画素駆動チップ１３０を覆う伝導性物質層１５１ｄが蒸着され、平坦化層１４０及び複数のパッド１３３上の伝導性物質層１５１ｄ上に複数のフォトレジストパターン１５１ｐが形成されてもよい。複数のパッド１３３上に形成された複数のフォトレジストパターン１５１ｐの大きさは、複数のパッド１３３の大きさと同一であってもよい。一実施形態において、複数のパッド１３３上に形成された複数のフォトレジストパターン１５１ｐの大きさは、複数のパッド１３３の大きさよりもさらに大きくてもよい。伝導性物質層１５１ｄは、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、ＴｉＮ、ＴａＮ等、及びこれらの組み合わせの単層又は多層構造からなってもよい。伝導性物質層１５１ｄは、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造からなってもよい。複数のフォトレジストパターン１５１ｐは、図１０で形成される第１配線１５１ａを形成するための第１フォトレジストパターン１５１ｂと、パッド接触層１５１ｂ（又は１５１ｂ’）を形成するための第２フォトレジストパターン１５１ｐと、を含むことができる。第１フォトレジストパターンと第２フォトレジストパターンは、互いに同一であってもよく、異なってもよい。例えば、第１フォトレジストパターン１５１ｐの底部の幅は、第２フォトレジストパターン１５１ｐの底部の幅よりも大きくてもよい。

図９及び図１０を参照すると、第１フォトレジストパターン１５１ｐを用いた乾式エッチング工程によって伝導性物質層１５１ｄをエッチングすることで、平坦化層１４０上に複数の第１配線１５１ａが形成され、複数のパッド１３３上に複数のパッド接触層１５１ｂが形成もよい。例えば、伝導性物質層１５１ｄを乾式エッチングして、第１配線１５１ａとパッド接触層１５１ｂ（又は１５１ｂ’）を同時に形成することができる。

図７及び図８において、（例えば、複数のパッド１３３を完全に覆うために）予め複数のパッド１３３上に複数のパッド１３３と同じ大きさ又はさらに大きい大きさの複数のフォトレジストパターン１５１ｐと伝導性物質層１５１ｄが形成されることで、複数の第１配線１５１ａを形成するための乾式エッチング工程に複数のパッド１３３が直接露出していなくてもよい。よって、複数の第１配線１５１ａを形成する乾式エッチング工程による複数のパッド１３３の損傷を防止することができる。

乾式エッチング工程は、ＢＣｌ_３ガス及びＣｌ_２ガスを含むエッチングガスのプラズマを用いて行うことができる。

図１１及び図１２を参照すると、平坦化層１４０、画素駆動チップ１３０、及び複数の第１配線１５１ａを覆う第１絶縁層１５２が形成されてもよい。例えば、第１絶縁層１５２は、平坦化層１４０上に、かつ、複数の第１配線１５１ａと複数のパッド接触層１５１ｂとの間に形成することができる。第１絶縁層１５２は、例えば、感光性フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）又は感光性ポリイミドからなってもよいものの、これに限定されるものではない。

第１絶縁層１５２上には、第１絶縁層１５２を貫通して、複数の第１配線１５１ａに連結される複数の第２配線１５３が形成されてもよい。例えば、複数の第２配線１５３は、複数の第１配線１５１ａ及び複数のパッド接触層１５１ｂ（又は１５１ｂ’）と直接接触することができる。複数の第２配線１５３は、伝導性物質層の蒸着工程、フォトリソグラフィ工程、及びエッチング工程によって形成することができる。複数の第２配線１５３は、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、ＴｉＮ、ＴａＮ等、又はこれらの組み合わせの単層又は多層構造からなってもよい。複数の第２配線１５３は、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造からなってもよい。第２配線１５３は、必要に応じて、電気接続を提供するため任意の適宜な形状又は構成を有することができる。

図１を参照すると、複数の第２配線１５３を覆う第２絶縁層１５４が形成され、第２絶縁層１５４上に発光素子ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３が配置されるか形成されてもよい。

それから、キャリア基板１０１及び犠牲層１０５を除去することができる。例えば、キャリア基板１０１及び犠牲層１０５は、発光素子が形成される前又は後に除去することができる。

本発明の実施形態によれば、少なくとも次のような利点を得ることができる。

一側面において、表示装置の平坦化層上に配線を形成するため乾式エッチング工程において、画素駆動チップの入出力パッドの損傷を防止し得る。

他の側面において、画素駆動チップの保護膜を除去するフォトリソグラフィ工程を省略することができ、表示装置の製造工程を単純化して、製造コストを節減することができる。

本明細書の実施形態による表示装置及び表示装置の製造方法は、次のように説明することができる。

本明細書の実施形態による表示装置は、基板、基板上に配置された接着層、接着層上に配置され、上面に複数のパッドを含む画素駆動チップ、画素駆動チップの複数の側面を囲む平坦化層、画素駆動チップの複数のパッド上に配置された複数のパッド接触層、及び前記平坦化層上に配置された複数の第１配線を含む。ここで、複数のパッド接触層及び複数の第１配線は、同じ厚さを有し、同じ伝導性物質層からなってもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、複数のパッド接触層及び第１配線は、それぞれＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ積層構造からなってもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、複数のパッド接触層は、複数のパッドと同じ大きさ（例えば、同じ幅）を有することができる。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、複数のパッド接触層は、複数のパッドよりも大きい大きさ（例えば、同じ幅）を有することができる。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、表示装置は、複数のパッド接触層及び複数の第１配線を覆う絶縁層と、絶縁層を貫通して、複数のパッド接触層及び複数の第１配線にそれぞれ連結された複数の第２配線とをさらに含むことができる。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、各々のパッド上に配置されたパッド接触層と第２配線との厚さの和は、１，０００ｎｍ～１，８００ｎｍであってもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、表示装置は、画素駆動チップに連結された複数の発光素子をさらに含むことができる。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、複数の発光素子は、複数の無機発光ダイオードであってもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、複数の発光素子は、複数の有機発光ダイオードであってもよい。

本明細書の実施形態による表示装置の製造方法は、基板上に接着層を形成するステップと、接着層上に複数のパッドを含む画素駆動チップを実装するステップと、画素駆動チップの複数の側面を囲む平坦化層を形成するステップと、平坦化層及び画素駆動チップ上に伝導性物質層を蒸着するステップと、伝導性物質層をパターニングして、画素駆動チップの複数のパッド上に配置された複数のパッド接触層と、平坦化層上に配置された複数の第１配線を同時に形成するステップと、を含む。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、伝導性物質層は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ積層構造からなってもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、複数のパッド接触層と複数の第１配線は、それぞれ５００ｎｍ～９００ｎｍの厚さで形成することができる。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、複数のパッド接触層は、複数のパッドと同じ大きさを有するように形成することができる。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、複数のパッド接触層は、複数のパッドよりも大きい大きさを有するように形成することができる。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、表示装置の製造方法は、複数のパッド接触層及び複数の第１配線を覆う絶縁層を形成するステップと、絶縁層を貫通して、複数のパッド接触層及び複数の第１配線にそれぞれ連結された複数の第２配線を形成するステップとをさらに含むことができる。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、各々のパッド上に配置されたパッド接触層と第２配線との厚さの和は、１，０００ｎｍ～１，８００ｎｍに形成することができる。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、表示装置の製造方法は、画素駆動チップに連結された複数の発光素子を形成するステップをさらに含むことができる。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、複数の発光素子は、複数の無機発光ダイオードであってもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、複数の発光素子は、複数の有機発光ダイオードであってもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、表示装置は、基板上に配置された複数の発光素子を含む少なくとも１つの画素と、前記基板上に配置されて、前記複数の発光素子を駆動する画素駆動チップであって、前記基板上に配置され、前記複数の発光素子のうち少なくとも１つを駆動するために使用される少なくとも１つの回路素子を含む素子層、及び前記素子層上に配置される複数のパッドを含む画素駆動チップと、前記複数のパッド上に配置され、前記複数のパッドに対応する複数のパッド接触層と、前記複数のパッド接触層に隣接して配置され、前記複数のパッド接触層と同じ物質からなる複数の第１伝導性パターンと、前記画素駆動チップと前記複数の発光素子との間に電気的連結を提供するために、前記複数の第１伝導性パターン及び前記複数のパッド接触層と連結される複数の第２伝導性パターンとを含む。

以上では、添付の図面を参照して、本明細書の実施形態を詳説したが、本明細書は、必ずしもこれらの実施形態に限るものではなく、本発明の技術思想を外れない範囲内における様々な変形実施が可能である。よって、本明細書で開示の実施形態は、本発明の技術思想を限定するためではない、説明するためのものであり、これらの実施形態によって本明細書の技術思想の範囲が限定されるものではない。本明細書の保護範囲は、下記の請求の範囲によって解釈すべきであり、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は、本明細書の権利範囲に属するものであると解釈しなければならない。

１００ 表示装置
１１０ 基板
１２１ 第１バッファ層
１２３ 第２バッファ層
１３０ 画素駆動チップ
１３１ 素子層
１３３ パッド
１３５ パッシベーション膜
１４０ 平坦化層
１５１ａ 第１配線
１５１ｂ パッド接触層
１５２ 第１絶縁層
１５３ 第２配線
１５４ 第２絶縁層
ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３ 発光素子
ＰＸ 画素

Claims (21)

1. 基板上に配置された接着層と、
   前記接着層上に配置され、上面に複数のパッドを含む画素駆動チップと、
   前記画素駆動チップの複数の側面を囲む平坦化層と、
   前記画素駆動チップの複数のパッド上に配置された複数のパッド接触層と、
   前記平坦化層上に配置された複数の第１配線とを含み、
   前記複数のパッド接触層及び前記複数の第１配線は、同じ厚さを有し、同じ伝導性物質層からなる、
   表示装置。
2. 前記複数のパッド接触層及び前記複数の第１配線のうち少なくとも１つのそれぞれは、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ積層構造からなる、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記複数のパッド接触層のうち少なくとも１つは、前記複数のパッドのうち少なくとも１つと同じ大きさを有する、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記複数のパッド接触層のうち少なくとも１つは、前記複数のパッドのうち少なくとも１つよりも大きい大きさを有する、
   請求項１に記載の表示装置。
5. 前記複数のパッド接触層及び前記複数の第１配線の一部を覆う絶縁層と、
   前記複数のパッド接触層及び前記複数の第１配線にそれぞれ連結された複数の第２配線とをさらに含む、
   請求項１に記載の表示装置。
6. 各々のパッド上に配置されたパッド接触層と第２配線との厚さの和は、１，０００ｎｍ～１，８００ｎｍである、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記画素駆動チップに電気的に連結された複数の発光素子をさらに含む、
   請求項１に記載の表示装置。
8. 前記複数の発光素子は、複数の無機発光ダイオードである、
   請求項７に記載の表示装置。
9. 前記複数の発光素子は、複数の有機発光ダイオードである、
   請求項７に記載の表示装置。
10. 基板上に接着層を形成するステップと、
    前記接着層上に複数のパッドを含む画素駆動チップを形成するステップと、
    前記画素駆動チップの複数の側面を囲む平坦化層を形成するステップと、
    前記平坦化層及び前記画素駆動チップ上に伝導性物質層を蒸着するステップと、
    前記伝導性物質層をパターニングして、前記複数のパッド上に複数のパッド接触層と、前記平坦化層上に複数の第１配線を同時に形成するステップとを含む、
    表示装置の製造方法。
11. 前記伝導性物質層は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ積層構造からなる、
    請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
12. 前記複数のパッド接触層のうち少なくとも１つは、前記複数のパッドのうち少なくとも１つと同じ大きさを有するように形成される、
    請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
13. 前記複数のパッド接触層のうち少なくとも１つは、前記複数のパッドのうち少なくとも１つよりも大きい大きさを有するように形成される、
    請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
14. 前記複数のパッド接触層及び前記複数の第１配線の一部を覆う絶縁層を形成するステップと、
    前記複数のパッド接触層及び前記複数の第１配線にそれぞれ連結された複数の第２配線を形成するステップとをさらに含む、
    請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
15. 前記画素駆動チップに電気的に連結された複数の発光素子を形成するステップをさらに含む、
    請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
16. 前記複数の発光素子は、複数の無機発光ダイオードである、
    請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
17. 前記複数の発光素子は、複数の有機発光ダイオードである、
    請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
18. 各々のパッド上に形成されたパッド接触層と第２配線との厚さの和は、１，０００ｎｍ～１，８００ｎｍに形成される、
    請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
19. 基板上に配置された複数の発光素子を含む少なくとも１つの画素と、
    前記基板上に配置され、前記複数の発光素子を駆動する画素駆動チップであって、前記基板上に配置され、前記複数の発光素子のうち少なくとも１つを駆動するために使用される少なくとも１つの回路素子を含む素子層、及び前記素子層上に配置された複数のパッドを含む画素駆動チップと、
    前記複数のパッド上に配置され、前記複数のパッドに対応する複数のパッド接触層と、
    前記複数のパッド接触層に隣接して配置され、前記複数のパッド接触層と同じ物質からなる複数の第１伝導性パターンと、
    前記画素駆動チップと複数の発光素子との間に電気的連結を提供するために、前記複数の第１伝導性パターン及び前記複数のパッド接触層と連結される複数の第２伝導性パターンとを含む、
    表示装置。
20. 前記複数のパッド接触層のうち少なくとも１つの幅は、前記複数のパッドのうち少なくとも１つの幅及び／又は前記複数の第２伝導性パターンのうち少なくとも１つの底部の幅と同じである、
    請求項１９に記載の表示装置。
21. 前記複数のパッド接触層のうち少なくとも１つの幅は、前記複数のパッドのうち少なくとも１つの幅よりも大きい、
    請求項１９に記載の表示装置。