JP7703617B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本明細書は、表示装置に関する。詳細は、配線の側面を保護することができ、発光素子の出光効率が改善し得る表示装置に関する。

平板型表示装置として、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｐｐｒａｔｕｓ）と、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｐｐｒａｔｕｓ）が活用されている。

有機発光表示装置は、液晶表示装置に比べて改善した発光効率、早い応答速度、広い視野角などの長所を有する。しかしながら、有機発光表示装置は、依然として低い発光効率を有し、有機物を含むことから、水分に弱くて、信頼性及び寿命が低下し得る。

近年、無機発光表示装置（Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｐｐｒａｔｕｓ）であるマイクロ発光ダイオード（ｍｉｃｒｏ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）表示装置が提案されている。

マイクロ発光ダイオード表示装置は、大きさが１００マイクロメートル（μｍ）以下である無機発光ダイオードを各画素に配置させて、映像を具現する。マイクロ発光ダイオード表示装置では、単結晶基板から成長したマイクロ発光ダイオードをスタンプ（ｓｔａｍｐ）などを用いて表示装置のアレイ基板に転写（ｔｒａｎｓｆｅｒ）させる工程が行われる。

マイクロ発光ダイオードを転写する前に、表示装置の基板に予め画素駆動回路及び配線層を形成することにより、アレイ基板が設けられる。

表示装置のアレイ基板の最上部に形成された配線層は、マイクロ発光ダイオードが転写される前まで、様々な製造工程に露出し得るところ、様々な製造工程に使用される溶液により配線層側面の一部が腐食するか損傷する問題がある。

このため、本明細書の発明者らは、アレイ基板の最上部に形成された配線層の側面が保護できる表示装置を発明した。

本明細書の実施形態による解決すべき課題は、アレイ基板の最上部配線の側面を保護することができ、発光素子の出光効率が改善し得る表示装置に関する。

本明細書の実施形態による解決すべき課題は、以上で言及した課題に限らず、言及していないさらに他の課題は、下記の記載から通常の技術者にとって明確に理解することができる。

本明細書の実施形態による表示装置は、基板、基板上に配置された絶縁層、前記絶縁層上に配置された配線層、及び配線層の側面に配置されて且つ電気絶縁性を有する側面保護層を含む。ここで、配線層は、複数の層が積層した構造であり、側面保護層は、複数の層のうち少なくとも一部の層の側面を覆っていてもよい。

本明細書の実施形態による表示装置は、基板、基板上に配置された絶縁層、絶縁層上に配置されたバンク、バンク上に配置された配線層、及び配線層の側面とバンクの側面に配置されて且つ電気絶縁性を有する側面保護層を含む。ここで、配線層は、複数の層が積層した構造であり、側面保護層は、複数の層のうち少なくとも一部の層の側面を覆っていてもよい。

他の実施形態において、表示装置は、基板、前記基板上に配置される絶縁層、前記絶縁層上に配置される第１配線層、前記第１配線層に実装されて且つ電気的に連結される発光ダイオード、及び前記第１配線層の側面のうち少なくとも一部に直接配置されて電気絶縁性を有する側面保護層を含む。

その他実施形態の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。

本明細書の実施形態によれば、発光素子の下に配置される接触配線層に反射性金属が露出するように、反射用開口を配置することにより、発光素子の出光効率を向上させることができる。これによって、低電力でも表示装置を駆動することができる。

本明細書の実施形態によれば、接触配線層の側面には側面保護層が配置されることにより、接触配線層の一部の層が、後続する製造工程に使用される溶液に露出して腐食するか損傷することを防止することができる。

本明細書の実施形態によれば、発光素子の下に可視光反射率の高いアルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）からなる反射層をさらに配置することにより、発光素子の出光効率を向上させることができる。これによって、低電力でも表示装置を駆動することができる。そして、接触配線層に反射用開口を形成するためフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程が不要であるため、製造工程が単純化し、製造コストが節減し得る。

本明細書の効果は、以上で言及した効果に限らず、言及していないさらに他の効果は、下記の記載から当業者にとって明確に理解することができる。

本明細書の一実施形態による表示装置を示す平面図である。 図１の２－２線に沿って切断した断面図である。 図１の３－３線に沿って切断した断面図である。 本明細書の一実施形態による表示装置を示す平面図である。 図４の５－５線に沿って切断した断面図である。 図４の６－６線に沿って切断した断面図である。 本明細書の一実施形態による表示装置を示す平面図である。 図７の８－８線に沿って切断した断面図である。 図７の９－９線に沿って切断した断面図である。

本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すれば明確になる。しかし、本発明は、以下で開示の実施形態に限定されるものではなく、相異する様々な形態に具現されるものである。但し、本実施形態は、本発明の開示を完全なものにして、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範疇によって定義されるだけである。

本発明の実施形態を説明するため図面に開示の形状、大きさ、割合、角度、個数などは、例示的なものであり、本発明は、図示の事項に限定されるものではない。全明細書における同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。また、本発明を説明するにあたり、関連する公知の技術に関する具体的な説明が、本発明の要旨を曖昧にすると判断される場合には、その詳説を省略する。本明細書上に言及されている「含む」、「有する」、「なる」等が使われる場合、「～のみ」が使われていない限り、他部分を加えることができる。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

構成要素を解釈するにあたり、別途明示的記載がなくても、誤差範囲を含むものと解釈する。

位置関係に関する説明の場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～側に」等と、両部分の位置関係を説明する場合、「直ちに」又は「直接」が使われていない限り、両部分の間に一以上の他部分が位置していてもよい。

たとえ、第１、第２などは、様々な構成要素を述べるために使われるものの、これら構成要素は、これらの用語によって制限されない。これらの用語は、単に一構成要素を他構成要素と区別するために使うものである。よって、以下で言及する第１構成要素は、本明細書の技術思想内における第２構成要素であってもよい。

全明細書における同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。

図面で示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために示したものであり、本発明は、示された構成の大きさ及び厚さに必ずしも限定されるものではない。

本発明の様々な実施形態のそれぞれの特徴は、部分的に又は全体的に互いに結合するか組み合わせ可能であり、通常の技術者が十分理解できるように、技術的に様々な連動及び駆動が可能であり、各実施形態は、互いに独立して実施することもでき、連関関係で共に実施することもできる。

以下、添付の図面を参照して、本明細書による実施形態に従う表示装置を詳説することとする。

図１は、本明細書の一実施形態による表示装置１００を示す平面図である。図２は、図１の２－２線に沿って切断した断面図である。図３は、図１の３－３線に沿って切断した断面図である。図１～図３には、表示装置１００の表示領域に配置された１つの画素が示されている。

図１～図３を参照すると、表示装置１００は、基板１１０上に配置された画素駆動回路１２０、第１平坦化層１３０、連結配線層１４１、絶縁層１４２、バンク１５１、第１接触配線層１６０ａ、第２接触配線層１６０ｂ、側面保護層１５５、 ソルダー１７０、発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）、拡散絶縁層１７２、第２平坦化層１７４、共通電極１７６、及びブラックマトリックス（ＢＭ）を含んでいてもよい。

基板１１０は、可撓性（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有するプラスチックからなっていてもよい。例えば、基板１１０は、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンテレフタラート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンナフタラート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｌａｔｅ）、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）、環状オレフィン共重合体（ｃｙｃｌｉｃ－ｏｌｅｆｉｎ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）等からなる、単層又は多層の形に構成することができ、これに限定されるものではない。基板１１０は、ガラスからなっていてもよい。

基板１１０上には画素駆動回路１２０が配置されていてもよい。

画素駆動回路１２０は、非晶質シリコン半導体、多結晶質シリコン半導体又は酸化物半導体を用いる複数の薄膜トランジスタを含んでいてもよい。複数の薄膜トランジスタは、少なくとも１つの駆動薄膜トランジスタ、少なくとも１つのスイッチング薄膜トランジスタ、及び少なくとも１つの貯蔵キャパシタを含んでいてもよい。画素駆動回路１２０が複数の薄膜トランジスタを含む場合、基板１１０上にＴＦＴ製造工程によって形成することができる。

画素駆動回路１２０は、単結晶半導体基板上にＭＯＳＦＥＴ製造工程を用いて製造された画素駆動チップであってもよい。画素駆動チップは、複数の回路ユニットを含んでいてもよく、個々の回路ユニットは、少なくとも１つの駆動トランジスタ、少なくとも１つのスイッチングトランジスタ、及び少なくとも１つの貯蔵キャパシタを含んでいてもよい。画素駆動回路１２０が画素駆動チップである場合、接着層が基板１１０上に配置された後、転写工程によって接着層上に画素駆動回路１２０を実装することができる。接着層は、アクリル樹脂、シリコン樹脂などからなっていてもよいものの、これに限定されるものではない。

基板１１０上には、画素駆動回路１２０を覆う第１平坦化層１３０が配置されていてもよい。第１平坦化層１３０は、有機絶縁物質、例えば、感光性フォトアクリル（ｐｈｏｔｐ ａｃｒｙｌ）又は感光性ポリイミドからなっていてもよいものの、これに限定されるものではない。

第１平坦化層１３０上には少なくとも１つの連結配線層１４１と、少なくとも１つの絶縁層１４２が配置されていてもよい。図１に例示として、１つの連結配線層１４１及び１つの絶縁層１４２が示されているものの、第１平坦化層１３０上には、複数の連結配線層及び複数の絶縁層が積層されていてもよい。

連結配線層１４１は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン窒化物（Ｔｉｎ）、タンタル窒化物（ＴａＮ）等からなる、単層又は多層構造から構成することができる。例えば、連結配線層１４１は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ又はＭｏ／Ａｌ／Ｍｏのように、積層した３層構造からなっていてもよい。

絶縁層１４２は、有機絶縁物質、例えば、感光性フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）又は感光性ポリイミドからなっていてもよいものの、これに限定されるものではない。絶縁層１４２は、無機絶縁物質、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物又はアルミニウム酸化物などからなる、単層又は多層から構成することができるものの、これに限定されるものではない。

絶縁層１４２上には複数のバンク１５１が配置されていてもよい。

１つの画素が３個の副画素、例えば、赤色副画素、緑色副画素及び青色副画素を含む場合、３個のバンク１５１が１つの画素内に配置されていてもよい。１つの画素内に含まれた副画素の個数だけバンク１５１が配置されていてもよい。バンク１５１は、有機絶縁物質、例えば、感光性フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）又は感光性ポリイミドからなっていてもよいものの、これに限定されるものではない。

バンク１５１上には、少なくとも１つの第１接触配線層１６０ａが配置されていてもよい。例えば、１つのバンク１５１上には、２つの第１接触配線層１６０ａが配置されていてもよい。例えば、１つの副画素ごとに２つの第１接触配線層１６０ａが配置されていてもよい。

第１接触配線層１６０ａは、一方向（例えば、Ｘ軸方向）にバンク１５１の側面及び絶縁層１４２の上面に沿って予め定めた長さに延在していてもよい。

第１接触配線層１６０ａは、第１層１６１、第２層１６２、第３層１６３、及び第４層１６４を含む多層構造で形成することができる。第１層１６１及び第３層１６３は、チタン（Ｔｉ）又はモリブデン（Ｍｏ）を含んでいてもよい。第２層１６２は、アルミニウム（Ａｌ）を含んでいてもよい。第４層１６４は、ソルダー１７０との接着性が良く、耐食性及び耐酸性を有するインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）といった透明な導電性酸化物層を含んでいてもよい。

第１接触配線層１６０ａは、第１層１６１、第２層１６２、第３層１６３、及び第４層１６４が順次蒸着した後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことで、バンク１５１上に形成することができる。

第１接触配線層１６０ａは、可視光反射率の高いアルミニウム（Ａｌ）からなる第２層１６２を露出させるため反射用開口１６７を含んでいてもよい。反射用開口１６７は、平面図におけるリング状を有していてもよい。第１接触配線層１６０ａがバンク１５１上に形成された後、さらにフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によってリング状に第４層１６４及び第３層１６３を除去することにより、反射用開口１６７を形成することができる。反射用開口１６７によって、第４層１６４及び第３層１６３は、２つの領域に分離することができる。第４層１６４及び第３層１６３は、ソルダー１７０が配置される中央領域と、これを囲む外郭領域とに分離することができる。

発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）が第１接触配線層１６０ａ上に配置されるところ、発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）の下に反射用開口１６７を配置することにより、発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）の出光効率を向上させることができる。

バンク１５１が配置されていない絶縁層１４２上に第２接触配線層１６０ｂが配置されていてもよい。例えば、画素の両側にはそれぞれ第２接触配線層１６０ｂが配置されていてもよい。

第２接触配線層１６０ｂは、第１接触配線層１６０ａを形成する工程によって同時に形成することができる。第２接触配線層１６０ｂは、第１接触配線層１６０ａと同様、第１層１６１、第２層１６２、第３層１６３、及び第４層１６４を含む多層構造で形成することができる。第１層１６１及び第３層１６３は、チタン（Ｔｉ）又はモリブデン（Ｍｏ）を含んでいてもよい。第２層１６２は、アルミニウム（Ａｌ）を含んでいてもよい。第４層１６４は、耐食性及び耐酸性を有するインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）といった透明な導電性酸化物層を含んでいてもよい。

第１接触配線層１６０ａ及び第２接触配線層１６０ｂの側面には、いずれも側面保護層１５５が配置されていてもよい。一部の実施形態における側面保護層１５５は、第１接触配線層１６０ａ及び第２接触配線層１６０ｂの全層の側面を覆っていてもよい。他の実施形態における側面保護層１５５は、第１接触配線層１６０ａ及び第２接触配線層１６０ｂの少なくとも一部の層の側面を覆っていてもよい。例えば、側面保護層１５５は第１接触配線層１６０ａ及び第２接触配線層１６０ｂの第１層１６１及び第２層１６２の側面を覆っていてもよい。

このように、第１接触配線層１６０ａ及び第２接触配線層１６０ｂの側面に、いずれも側面保護層１５５が配置されることにより、第１接触配線層１６０ａ及び第２接触配線層１６０ｂの第２層１６２は、反射用開口１６７を形成する工程などを含む、後続する製造工程に使用される溶液に露出して腐食するか損傷することを防止することができる。

側面保護層１５５は、第１接触配線層１６０ａの側面のみならず、バンク１５１の側面にも配置されていてもよい。

側面保護層１５５は、無機絶縁物質からなっていてもよい。側面保護層１５５は、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物又はアルミニウム酸化物などからなる単層又は多層を含むことができるものの、これに限定されるものではない。

側面保護層１５５は、第１接触配線層１６０ａ及び第２接触配線層１６０ｂを形成した後、かつ、反射用開口１６７を形成する前に、バンク１５１、第１接触配線層１６０ａ及び第２接触配線層１６０ｂを覆う無機絶縁物質を蒸着した後、エッチバック（ｅｔｃｈ ｂａｃｋ）工程を行うことで形成することができる。

第１接触配線層１６０ａ上にソルダー１７０が配置されていてもよい。ソルダー１７０は、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、又はこれらの合金からなっていてもよい。

第１接触配線層１６０ａ上には、ソルダー１７０によって発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）を実装することができる。例えば、１つの画素は、それぞれ３種の色相のうち１つの光を放出する発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）を含んでいてもよい。第１発光素子（ＥＤ１）は、赤色発光素子であり、第２発光素子（ＥＤ２）は、緑色発光素子であり、第３発光素子（ＥＤ３）は、青色発光素子であってもよい。一実施形態において、個々のバンク１５１上に２つの発光素子が実装されていてもよい。バンク１５１上に配置された１つの発光素子は、主な発光素子であり、他の１つの発光素子は、補助発光素子（余分の発光素子）であってもよい。

発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）は、無機発光ダイオードであってもよい。無機発光ダイオードは、水平方向に（Ｘ軸方向又はＹ軸方向に）１～１００μｍ、１～５０μｍ又は１～２０μｍの大きさを有していてもよい。無機発光ダイオードは、マイクロ発光ダイオードと称し得る。無機発光ダイオードは、ｐ－ドープした半導体層、ｎ－ドープした半導体層、及びこれらの間の活性層（例えば、１つ以上の量子井戸層を含む。）を含んでいてもよい。そして、無機発光ダイオードは、ｐ－ドープした半導体層に連結された第１電極と、ｎ－ドープした半導体層に連結された第２電極とを含んでいてもよい。無機発光ダイオードは、ＩＩ－ＶＩ族又はＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を用いて製造することができる。無機発光ダイオードは、別途製造工程によって製造することができ、転写（ｔｒａｎｓｆｅｒ）工程によって接着層１２８上に配置されていてもよい。

バンク１５１及び発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）の周囲を囲む拡散絶縁層１７２が配置されていてもよい。拡散絶縁層１７２は、二酸化チタンなどの散乱粒子が分散した有機絶縁物質からなっていてもよい。発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）の周囲を囲む拡散絶縁層１７２を配置することにより、発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）の出光効率を向上させることができる。

そして、拡散絶縁層１７２の周囲を囲む第２平坦化層１７４が配置されていてもよい。第２平坦化層１７４は、有機絶縁物質からなっていてもよい。

第２平坦化層１７４は、貫通孔１７４ｈを含んでいてもよい。貫通孔１７４ｈは、第２接触配線層１６０ｂを露出させることができる。貫通孔１７４ｈは、バンク１５１を囲む形に画素の外郭部に形成することができる。

発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）に連結された共通電極１７６は、拡散絶縁層１７２及び第２平坦化層１７４上に配置されていてもよい。そして、共通電極１７６は、第２平坦化層１７４の貫通孔１７４ｈ内にも配置されて、第２接触配線層１６０ｂと接触していてもよい。

ブラックマトリックス（ＢＭ）は、貫通孔１７４ｈを満たして、画素の外郭部に配置されていてもよい。そして、ブラックマトリックス（ＢＭ）は、バンク１５１の間で拡散絶縁層１７２上にも配置されていてもよい。

図４は、本明細書の一実施形態による表示装置１００－１を示す平面図である。図５は、図４の５－５線に沿って切断した断面図である。図６は、図４の６－６線に沿って切断した断面図である。

図４～図６に示された表示装置１００－１は、図１～図３に示された表示装置１００と類似であるものの、反射用開口１６７’を含む点で、図１～図３に示された表示装置１００と異なる。

図４～図６を参照すると、第１接触配線層１６０ａは、可視光反射率の高いアルミニウム（Ａｌ）からなる第２層１６２を露出させるため反射用開口１６７’を含んでいてもよい。反射用開口１６７’は、平面図におけるリング状を有していてもよい。第１接触配線層１６０ａがバンク１５１上に形成された後、さらにフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によって、リング状に第４層１６４及び第３層１６３を除去することにより、反射用開口１６７’を形成することができる。反射用開口１６７’は、図１～図３の反射用開口１６７よりもさらに広い面積で、第２層１６２を露出させることができる。反射用開口１６７’は、側面保護層１５５の内側面まで拡張することができる。

発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）は、第１接触配線層１６０ａ上に配置されるところ、発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）の下に反射用開口１６７’を配置することにより、発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）の出光効率を向上させることができる。

第１接触配線層１６０ａ及び第２接触配線層１６０ｂの側面には、いずれも側面保護層１５５が配置されることにより、第１接触配線層１６０ａ及び第２接触配線層１６０ｂの第２層１６２が反射用開口１６７’を形成する工程などを含む、後続する製造工程に使用される溶液に露出して腐食するか損傷することを防止することができる。

図７は、本明細書の一実施形態による表示装置１００－２を示す平面図である。図８は、図７の８－８線に沿って切断した断面図である。図９は、図７の９－９線に沿って切断した断面図である。

図７～図９に示された表示装置１００－２は、図１～図３に示された表示装置１００と類似であるものの、第１接触配線層１６０ａ’及び第２接触配線層１６０ｂ’を含む点、かつ、第１接触配線層１６０ａ’が反射用開口を含んでいない点で、図１～図３に示された表示装置１００と異なる。

図７～図９を参照すると、バンク１５１上に配置された第１接触配線層１６０ａ’は、第１層１６１、第２層１６２、第３層１６３、第４層１６５、及び第５層１６６を含む多層構造から形成することができる。第１層１６１及び第３層１６３は、チタン（Ｔｉ）又はモリブデン（Ｍｏ）を含んでいてもよい。第２層１６２は、アルミニウム（Ａｌ）を含んでいてもよい。第４層１６５は、可視光反射率の高いアルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）を含んでいてもよい。第５層１６６は、ソルダー１７０との接着性が良く、耐食性及び耐酸性を有するインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）といった透明な導電性酸化物層を含んでいてもよい。

発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）は、第１接触配線層１６０ａ’上に配置されるところ、発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）の下に可視光反射率の高いアルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）からなる第４層１６５をさらに配置することにより、発光素子（ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３）の出光効率を向上させることができる。

第１接触配線層１６０ａ’に反射用開口を形成するためフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程が不要であることから、製造工程が単純化し、製造コストが節減し得る。

第１接触配線層１６０ａ’は、第１層１６１、第２層１６２、第３層１６３、第４層１６５、及び第５層１６６が順次蒸着した後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことで、バンク１５１上に形成することができる。

第２接触配線層１６０ｂ'は、第１接触配線層１６０ａ’を形成する工程によって同時に形成することができる。第２接触配線層１６０ｂ'は、第１接触配線層１６０ａ’と同様、第１層１６１、第２層１６２、第３層１６３、第４層１６５、及び第５層１６６を含む多層構造で形成することができる。第１層１６１及び第３層１６３は、チタン（Ｔｉ）又はモリブデン（Ｍｏ）を含んでいてもよい。第２層１６２は、アルミニウム（Ａｌ）を含んでいてもよい。第４層１６５は、可視光反射率の高いアルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）を含んでいてもよい。第５層１６６は、ソルダー１７０との接着性が良く、耐食性及び耐酸性を有するインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）といった透明な導電性酸化物層を含んでいてもよい。

第１接触配線層１６０ａ’及び第２接触配線層１６０ｂ'の側面には、いずれも側面保護層１５５が配置されていてもよい。一部の実施形態において、側面保護層１５５は、第１接触配線層１６０ａ’及び第２接触配線層１６０ｂ’の全層の側面を覆っていてもよい。他の実施形態において、側面保護層１５５は、第１接触配線層１６０ａ’及び第２接触配線層１６０ｂ’の少なくとも一部の層の側面を覆っていてもよい。例えば、第１接触配線層１６０ａ’及び第２接触配線層１６０ｂ’の第１層１６１及び第２層１６２の側面を覆っていてもよい。

このように、第１接触配線層１６０ａ及び第２接触配線層１６０ｂの側面に、いずれも側面保護層１５５が配置されることにより、第１接触配線層１６０ａ’及び第２接触配線層１６０ｂ’の第２層１６２は、後続する工程に使用される溶液に露出して腐食するか損傷することを防止することができる。

側面保護層１５５は、第１接触配線層１６０ａの側面のみならず、バンク１５１の側面にも配置されていてもよい。

本明細書の実施形態による表示装置は、次のように説明することができる。

本明細書の実施形態による表示装置は、基板、基板上に配置された絶縁層、前記絶縁層上に配置された配線層、及び配線層の側面に配置されて且つ電気絶縁性を有する側面保護層を含む。ここで、配線層は、複数の層が積層した構造であり、側面保護層は、複数の層のうち少なくとも一部の層の側面を覆っていてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、側面保護層は、無機絶縁物質を含んでいてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、側面保護層は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物又はアルミニウム酸化物からなる単層又は多層を含むことができる。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、配線層は、第１層、第２層、第３層、及び第４層を含み、第１層及び第３層は、チタン又はモリブデンを含み、第２層は、アルミニウムを含み、第４層は、透明な導電性酸化物を含んでいてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、側面保護層は、少なくとも第１層及び第２層の側面を覆っていてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、側面保護層は、第１層～第４層の側面を覆っていてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、配線層は、第３層及び第４層が部分的に除去されて、第２層を露出させる反射用開口を含んでいてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、表示装置は、配線層の反射用開口によって囲まれた領域に配置された半田と、半田によって配線層に実装された発光素子とをさらに含んでいてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、表示装置は、絶縁層上に配置され、絶縁物質からなるバンクをさらに含み、配線層は、バンク上に配置され、バンクの側面にも側面保護層が配置されていてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、配線層は、第１層、第２層、第３層、第４層、及び第５層を含み、第１層及び第３層は、チタン又はモリブデンを含み、第２層は、アルミニウムを含み、第４層は、アルミニウム又は銀を含み、第５層は、透明な導電性酸化物を含んでいてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、表示装置は、配線層の第５層上に配置された半田と、半田によって配線層に実装された発光素子とをさらに含んでいてもよい。

本明細書の実施形態による表示装置は、基板、基板上に配置された絶縁層、絶縁層上に配置されたバンク、バンク上に配置された配線層、及び配線層の側面とバンクの側面に配置されて且つ電気絶縁性を有する側面保護層を含む。ここで、配線層は、複数の層が積層した構造であり、側面保護層は、複数の層のうち少なくとも一部の層の側面を覆っていてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、側面保護層は、無機絶縁物質を含む。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、配線層は、第１層、第２層、第３層、及び第４層を含み、第１層及び第３層は、チタン又はモリブデンを含み、第２層は、アルミニウムを含み、第４層は、透明な導電性酸化物を含んでいてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、側面保護層は、少なくとも第１層及び第２層の側面を覆っていてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、側面保護層は、第１層～第４層の側面を覆っていてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、配線層は、第３層及び第４層が部分的に除去されて、第２層を露出させる反射用開口を含んでいてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、表示装置は、配線層の反射用開口によって囲まれた領域に配置された半田と、半田によって配線層に実装された発光素子とをさらに含んでいてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、配線層は、第１層、第２層、第３層、第４層、及び第５層を含み、第１層及び第３層は、チタン又はモリブデンを含み、第２層は、アルミニウムを含み、第４層は、アルミニウム又は銀を含み、第５層は、透明な導電性酸化物を含んでいてもよい。

本明細書の幾つかの実施形態によれば、表示装置は、配線層の第５層上に配置された半田と、半田によって配線層に実装された発光素子とをさらに含んでいてもよい。

他の実施形態において、表示装置は、基板、前記基板上に配置される絶縁層、前記絶縁層上に配置される第１配線層、前記第１配線層に実装されて且つ電気的に連結される発光ダイオード、及び前記第１配線層の側面のうち少なくとも一部に直接配置されて電気絶縁性を有する側面保護層を含む。

以上、添付の図面を参照して、本明細書の実施形態を詳細に説明したが、本明細書は、必ずしもこれらの実施形態に限るものではなく、その技術思想を逸脱しない範囲内における様々な変形実施が可能である。よって、本明細書で開示の実施形態は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、これらの実施形態によって、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。本明細書の保護範囲は、下記の請求範囲によって解釈されなければならないし、それと同等な範囲内にあるすべての技術思想は、本明細書の権利範囲に含まれると解釈しなければならない。

１００ 表示装置
１２０ 画素駆動回路
１３０ 第１平坦化層
１４１ 連結配線層
１４２ 絶縁層
１５１ バンク
１５５ 側面保護層
１６０ａ 第１接触配線層
１６０ｂ 第２接触配線層
１７０ ソルダー
１７２ 拡散絶縁層
１７４ 第２平坦化層
１７６ 共通電極
ＢＭ ブラックマットリックス
ＥＤ１，ＥＤ２，ＥＤ３ 発光素子

Claims (17)

1. 基板、
   前記基板上に配置された絶縁層、
   前記絶縁層上に配置された第１配線層、
   前記第１配線層に実装されて且つ電気的に連結された発光ダイオード、及び
   前記第１配線層の側面の少なくとも一部に直接配置されて且つ電気絶縁性を有する側面保護層を含み、
   前記側面保護層は、前記第１配線層の上面を覆っておらず、
   前記第１配線層は、複数の導電性層を含み、
   前記側面保護層は、前記複数の導電性層のうち２つ以上の側面を直接覆う、
   表示装置。
2. 前記第１配線層は、前記絶縁層上に順次積層した第１導電性層、第２導電性層、第３導電性層、及び第４導電性層を含み、
   前記第１導電性層及び前記第３導電性層は、それぞれチタン又はモリブデンを含み、前記第２導電性層は、アルミニウムを含み、前記第４導電性層は、透明な導電性酸化物を含む、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記側面保護層は、前記第１配線層の前記第１導電性層及び前記第２導電性層の側面上に直接配置される、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記側面保護層は、前記第１配線層の前記第１導電性層、前記第２導電性層、前記第３導電性層、及び前記第４導電性層のそれぞれの側面を直接覆う、
   請求項２に記載の表示装置。
5. 表示装置であって、
   基板、
   前記基板上に配置された絶縁層、
   前記絶縁層上に配置された第１配線層、
   前記第１配線層に実装されて且つ電気的に連結された発光ダイオード、及び
   前記第１配線層の側面の少なくとも一部に直接配置されて且つ電気絶縁性を有する側面保護層を含み、
   前記側面保護層は、前記第１配線層の上面を覆っておらず、
   前記第１配線層は、前記絶縁層上に順次積層した第１導電性層、第２導電性層、第３導電性層、及び第４導電性層を含み、
   前記第１導電性層及び前記第３導電性層は、それぞれチタン又はモリブデンを含み、前記第２導電性層は、アルミニウムを含み、前記第４導電性層は、透明な導電性酸化物を含み、
   前記第１配線層は、前記表示装置の平面図におけるリング状に定義した反射用開口を有し、
   前記第１配線層の前記第３導電性層及び前記第４導電性層は、前記反射用開口において部分的に除去されて、前記第２導電性層の上面を露出させる、
   表示装置。
6. 前記側面保護層は、前記第１配線層の前記第１導電性層及び前記第２導電性層の側面上に直接配置されるが、前記第１配線層の前記第３導電性層及び前記第４導電性層の側面から前記反射用開口によって分離された、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第１配線層の上部及び前記第１配線層に定義した前記反射用開口によって囲まれた領域に配置された半田層をさらに含み、
   前記発光ダイオードは、前記第１配線層と、前記発光ダイオードとの間に配置された前記半田層を介して前記第１配線層と電気的に連結される、
   請求項５に記載の表示装置。
8. 基板、
   前記基板上に配置された絶縁層、
   前記絶縁層上に配置された第１配線層、
   前記第１配線層に実装されて且つ電気的に連結された発光ダイオード、及び
   前記第１配線層の側面の少なくとも一部に直接配置されて且つ電気絶縁性を有する側面保護層を含み、
   前記側面保護層は、前記第１配線層の上面を覆っておらず、
   前記絶縁層と前記第１配線層との間に配置されて、絶縁物質からなるバンクをさらに含み、
   前記第１配線層は、前記バンクの上面に配置され、前記側面保護層は、前記バンクの側面に直接配置された、
   表示装置。
9. 基板、
   前記基板上に配置された絶縁層、
   前記絶縁層上に配置された第１配線層、
   前記第１配線層に実装されて且つ電気的に連結された発光ダイオード、及び
   前記第１配線層の側面の少なくとも一部に直接配置されて且つ電気絶縁性を有する側面保護層を含み、
   前記側面保護層は、前記第１配線層の上面を覆っておらず、
   前記第１配線層は、前記絶縁層上に順次積層した第１導電性層、第２導電性層、第３導電性層、第４導電性層、及び第５導電性層を含み、
   前記第１導電性層及び前記第３導電性層は、それぞれチタン又はモリブデンを含み、前記第２導電性層は、アルミニウムを含み、前記第４導電性層は、アルミニウム又は銀を含み、前記第５導電性層は、透明な導電性酸化物を含む、
   表示装置。
10. 前記側面保護層は、前記第１配線層の第１導電性層、第２導電性層、第３導電性層、第４導電性層、及び第５導電性層のそれぞれの側面上に直接配置される、
    請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第１配線層の前記第５導電性層の上面上に配置された半田層をさらに含み、
    前記発光ダイオードは、前記第５導電性層と、前記発光ダイオードとの間に配置された前記半田層を介して前記第１配線層と電気的に連結される、
    請求項９に記載の表示装置。
12. 基板、
    前記基板上に配置された絶縁層、
    前記絶縁層上に配置された第１配線層、
    前記第１配線層に実装されて且つ電気的に連結された発光ダイオード、及び
    前記第１配線層の側面の少なくとも一部に直接配置されて且つ電気絶縁性を有する側面保護層を含み、
    前記側面保護層は、前記第１配線層の上面を覆っておらず、
    前記絶縁層上に配置された第２配線層と、
    前記第２配線層の側面上に直接配置されて電気絶縁性を有する他の側面保護層と、
    前記第１配線層を覆う拡散絶縁層と、
    前記第２配線層を覆い、前記第２配線層の上面の一部を露出させる開口部を含む平坦化層と、
    前記発光ダイオード、前記平坦化層、及び前記第２配線層の上面の露出した部分上に配置されて、前記第２配線層と前記発光ダイオードを電気的に連結する共通電極と、をさらに含む、
    表示装置。
13. 表示装置であって、
    基板、
    前記基板上に配置された絶縁層、
    前記絶縁層上に配置された第１配線層、
    前記第１配線層に実装されて且つ電気的に連結された発光ダイオード、及び
    前記第１配線層の側面の少なくとも一部に直接配置されて且つ電気絶縁性を有する側面保護層を含み、
    前記側面保護層は、前記第１配線層の上面を覆っておらず、
    前記側面保護層は、前記表示装置の平面図におけるブラックマトリックスと重畳しない、
    表示装置。
14. 表示装置であって、
    基板、
    前記基板上に配置された絶縁層、
    前記絶縁層上に配置された第１配線層、
    前記第１配線層に実装されて且つ電気的に連結された発光ダイオード、及び
    前記第１配線層の側面の少なくとも一部に直接配置されて且つ電気絶縁性を有する側面保護層を含み、
    前記側面保護層は、前記第１配線層の上面を覆っておらず、
    前記絶縁層上に配置された第２配線層と、
    前記第２配線層の側面上に直接配置されて電気絶縁性を有する他の側面保護層と、をさらに含み、
    前記側面保護層は、前記表示装置の平面図におけるブラックマトリックスと重畳せず、
    前記他の側面保護層は、前記表示装置の平面図におけるブラックマトリックスと重畳する、
    表示装置。
15. 前記第１配線層は、複数の導電性層を含み、
    前記側面保護層は、前記複数の導電性層のうち１つ以上の側面を覆う、
    請求項８及び請求項１２から１４のいずれか１項に記載の表示装置。
16. 前記側面保護層は、無機絶縁物質を含む、
    請求項１から１４のいずれか１項に記載の表示装置。
17. 前記側面保護層は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物又はアルミニウム酸化物からなる単層又は多層を含む、
    請求項１から１４のいずれか１項に記載の表示装置。

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