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JP7658779B2 - Plasma Processing Equipment - Google Patents
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Description

本発明の実施形態は、プラズマ処理装置に関する。 An embodiment of the present invention relates to a plasma processing apparatus.

ドライエッチングなどに用いられるプラズマ処理装置においては、プラズマ処理の終点検出が行われている。例えば、プラズマの発光スペクトルの変化に基づいて、プラズマ処理の終点を検出する場合がある(例えば、特許文献1を参照)。
しかしながら、プラズマの発光スペクトルの変化や、処理物の表面に照射された光の散乱強度の変化は、比較的広い範囲における光の変化となる。そのため、終点検出を行うセンサに入射する光の強度は、比較的広い範囲における光の強度の平均値となるので、処理物の表面の僅かな変化を検出するのが困難となる。
In a plasma processing apparatus used for dry etching, etc., the end point of the plasma processing is detected based on a change in the emission spectrum of the plasma (for example, see Patent Document 1).
However, changes in the emission spectrum of the plasma and changes in the scattering intensity of the light irradiated onto the surface of the workpiece result in changes in light over a relatively wide range, and therefore the intensity of the light incident on the sensor that detects the end point is the average value of the light intensity over a relatively wide range, making it difficult to detect slight changes on the surface of the workpiece.

また、チャンバの側方にセンサを設け、処理物の表面に対して傾いた方向から検出位置に検出光を入射させる技術が提案されている(例えば、特許文献2を参照)。
しかしながら、チャンバの側方にセンサを設け、処理物の表面に対して傾いた方向から検出位置に検出光を入射させると、検出位置における検出光の照射面積が大きくなる。検出光の照射面積が大きくなると、検出位置の周囲の情報が混入するので、検出位置における僅かな変化を検出するのが困難となる。
Also, a technique has been proposed in which a sensor is provided on the side of a chamber and detection light is made incident on a detection position from a direction inclined with respect to the surface of the workpiece (see, for example, Patent Document 2).
However, if a sensor is provided on the side of the chamber and the detection light is incident on the detection position from a direction inclined with respect to the surface of the workpiece, the irradiation area of the detection light at the detection position becomes large, and when the irradiation area of the detection light becomes large, information about the surroundings of the detection position is mixed in, making it difficult to detect slight changes at the detection position.

また、チャンバの側方にセンサを設ける場合には、検出光を透過させるための窓をチャンバの側壁に設ける必要がある。しかしながら、チャンバの側壁には、チャンバ内にガスを供給するためのノズルや、ロードロックチャンバなどが設けられているので、窓の設置位置が限定される。また、チャンバの気密性を考慮すると、大きな窓を設けることができない。窓の設置位置が限定されたり、大きな窓を設けられなかったりすると、検出位置の変更が困難となる。 In addition, when a sensor is provided on the side of the chamber, a window must be provided in the side wall of the chamber to allow the detection light to pass through. However, because the side wall of the chamber is provided with a nozzle for supplying gas into the chamber, a load lock chamber, and the like, the location where the window can be installed is limited. Also, considering the airtightness of the chamber, a large window cannot be installed. If the location where the window can be installed is limited or if a large window cannot be installed, it becomes difficult to change the detection position.

そこで、検出位置における変化を精度良く検出することができ、且つ、検出位置の変更が可能なプラズマ処理装置の開発が望まれていた。 Therefore, there was a need to develop a plasma processing device that could accurately detect changes in the detection position and that could change the detection position.

特開2007-66935号公報JP 2007-66935 A 特開平7-58081号公報Japanese Patent Application Publication No. 7-58081

本発明が解決しようとする課題は、検出位置における変化を精度良く検出することができ、且つ、検出位置の変更が可能なプラズマ処理装置を提供することである。 The problem that the present invention aims to solve is to provide a plasma processing apparatus that can accurately detect changes in the detection position and that allows the detection position to be changed.

実施形態に係るプラズマ処理装置は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、前記チャンバの内部にガスを供給可能なガス供給部と、前記チャンバの内部に設けられ、処理物が載置可能な載置台と、前記チャンバの内部を減圧可能な減圧部と、前記チャンバに設けられ、前記載置台と対向する窓と、前記チャンバの外部であって、前記窓の、前記載置台側とは反対側に設けられ、前記チャンバの内部にプラズマを発生可能なプラズマ発生部と、前記窓を介して、前記処理物の表面に光を照射可能な投光部と、前記処理物の表面において反射され、前記窓を介して出射する反射光を受光可能な受光部と、を備えている。前記窓の周縁には、前記窓の中心軸に対して傾いた第1の傾斜面と、前記窓の中心軸に対して傾き、前記第1の傾斜面とは傾き方向が逆の第2の傾斜面と、が設けられている。前記投光部は、前記第1の傾斜面に対峙している。前記受光部は、前記第2の傾斜面に対峙している。 The plasma processing apparatus according to the embodiment includes a chamber capable of maintaining an atmosphere reduced in pressure below atmospheric pressure, a gas supply unit capable of supplying gas to the inside of the chamber, a mounting table provided inside the chamber on which a workpiece can be placed, a pressure reduction unit capable of reducing the pressure inside the chamber, a window provided in the chamber facing the mounting table, a plasma generation unit provided outside the chamber on the opposite side of the window from the mounting table and capable of generating plasma inside the chamber, a light projection unit capable of irradiating light onto the surface of the workpiece through the window, and a light receiving unit capable of receiving the reflected light reflected by the surface of the workpiece and emitted through the window. The periphery of the window is provided with a first inclined surface inclined with respect to the central axis of the window, and a second inclined surface inclined with respect to the central axis of the window and inclined in the opposite direction to the first inclined surface. The light projection unit faces the first inclined surface. The light receiving unit faces the second inclined surface.

本発明の実施形態によれば、検出位置における変化を精度良く検出することができ、且つ、検出位置の変更が可能なプラズマ処理装置が提供される。 According to an embodiment of the present invention, a plasma processing apparatus is provided that can accurately detect changes in the detection position and can change the detection position.

本実施の形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式断面図である。1 is a schematic cross-sectional view illustrating a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 比較例に係る検出部を例示するための模式断面図である。10A to 10C are schematic cross-sectional views for illustrating a detection unit according to a comparative example. 他の比較例に係る検出部を例示するための模式断面図である。13A and 13B are schematic cross-sectional views for illustrating a detection portion according to another comparative example. 投光部、受光部、傾斜面、および傾斜面を例示するための模式断面図である。4 is a schematic cross-sectional view illustrating a light projecting portion, a light receiving portion, an inclined surface, and an inclined surface. FIG. 投光部、受光部、傾斜面、および傾斜面を例示するための模式平面図である。1 is a schematic plan view illustrating a light projecting portion, a light receiving portion, an inclined surface, and an inclined surface. FIG. 検出位置の変更を例示するための模式断面図である。11A to 11C are schematic cross-sectional views for illustrating a change in the detection position. 移動部を例示するための模式図である。1 is a schematic diagram illustrating a moving portion; 図7における移動部をX方向から見た模式図である。8 is a schematic diagram of the moving part in FIG. 7 as viewed from the X direction. ガイドを例示するための模式図である。11 is a schematic diagram for illustrating a guide. FIG. ガイドを例示するための模式図である。11 is a schematic diagram for illustrating a guide. FIG. 図10におけるガイドをZ方向から見た模式図である。11 is a schematic diagram of the guide in FIG. 10 as viewed from the Z direction. FIG. (a)~(c)は、ケースを例示するための模式図である。1A to 1C are schematic diagrams illustrating the case. 複数の移動部を例示するための模式図である。1 is a schematic diagram illustrating a plurality of moving parts; 第2のカバーに相当するカバーの構成を例示するための模式図である。10A to 10C are schematic diagrams for illustrating the configuration of a cover corresponding to a second cover. カバー移動部を例示するための模式側面図である。13 is a schematic side view illustrating a cover moving portion. FIG. カバー移動部を例示するための模式斜視図である。11 is a schematic perspective view illustrating a cover moving portion. FIG. (a)、(b)は、窓のメンテナンスに用いる治具を例示するための模式平面図である。1A and 1B are schematic plan views illustrating a jig used for window maintenance. 窓の設置を例示するための模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating the installation of windows.

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。また、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
なお、各図中における矢印X、矢印Y、および、矢印Zは、互いに直交する三方向を表している。例えば、矢印Xおよび矢印Yは水平方向を表し、矢印Zは鉛直方向を表している。
Hereinafter, an embodiment will be described with reference to the drawings. In the drawings, like elements are designated by like reference numerals and detailed description thereof will be omitted as appropriate.
In each drawing, the arrows X, Y, and Z represent three directions perpendicular to each other. For example, the arrows X and Y represent the horizontal direction, and the arrow Z represents the vertical direction.

また、以下においては、一例として、上部に誘導結合型電極を有し、下部に容量結合型電極を有する二周波プラズマ処理装置を例示する。
ただし、プラズマの発生方法はこれに限定されるわけではない。例えば、プラズマ処理装置は、誘導結合型プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)を用いたプラズマ処理装置や、容量結合プラズマ(CCP:Capacitively Coupled Plasma)を用いたプラズマ処理装置などであってもよい。
In the following, as an example, a dual frequency plasma processing apparatus having an inductively coupled electrode in the upper part and a capacitively coupled electrode in the lower part will be exemplified.
However, the method of generating plasma is not limited to this. For example, the plasma processing apparatus may be a plasma processing apparatus using inductively coupled plasma (ICP) or a plasma processing apparatus using capacitively coupled plasma (CCP).

また、高周波を用いてプラズマを発生させるプラズマ処理装置に限定されるわけではなく、例えば、マイクロ波を用いてプラズマを発生させるプラズマ処理装置などであってもよい。
すなわち、本実施の形態に係るプラズマ処理装置1は、処理物を載置する載置台と対向し、電磁場を透過させることができる窓を有するものであればよい。
Furthermore, the present invention is not limited to a plasma processing apparatus that generates plasma using high frequency waves, but may be, for example, a plasma processing apparatus that generates plasma using microwaves.
That is, the plasma processing apparatus 1 according to this embodiment may have a window that faces a stage on which an object to be processed is placed and that allows an electromagnetic field to pass through.

なお、誘導結合型プラズマ、容量結合プラズマ、およびマイクロ波プラズマを用いるプラズマ処理装置の一般的な構成には、既知の技術を適用することができるので、これらのプラズマ処理装置の詳細な説明は省略する。 Note that known technology can be applied to the general configuration of plasma processing equipment using inductively coupled plasma, capacitively coupled plasma, and microwave plasma, so detailed descriptions of these plasma processing equipment are omitted.

また、本実施の形態に係るプラズマ処理装置1により処理される処理物100は、例えば、フォトマスク、マスクブランク、ウェーハ、ガラス基板などとすることができる。ただし、処理物100は、例示をしたものに限定されるわけではなく、後述するガスGをプラズマにより励起、活性化させて生成したラジカルやイオンにより処理される部分を有するものであればよい。 The object 100 to be processed by the plasma processing apparatus 1 according to this embodiment can be, for example, a photomask, a mask blank, a wafer, a glass substrate, etc. However, the object 100 to be processed is not limited to the examples given, and may be any object having a portion to be processed by radicals or ions generated by exciting and activating gas G, which will be described later, with plasma.

図1は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置1を例示するための模式断面図である。 図1に示すように、プラズマ処理装置1には、チャンバ2、電源ユニット3、電源ユニット4、減圧部5、ガス供給部6、載置台7、検出部8、およびコントローラ9を設けることができる。 Figure 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a plasma processing apparatus 1 according to the present embodiment. As shown in Figure 1, the plasma processing apparatus 1 can be provided with a chamber 2, a power supply unit 3, a power supply unit 4, a pressure reduction section 5, a gas supply section 6, a mounting table 7, a detection section 8, and a controller 9.

コントローラ9は、例えば、CPU(Central Processing Unit)などの演算部と、メモリなどの記憶部とを有する。コントローラ9は、例えば、コンピュータとすることができる。コントローラ9は、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、プラズマ処理装置1に設けられた各要素の動作を制御する。なお、各要素の動作を制御する制御プログラムには既知の技術を適用することができるので、詳細な説明は省略する。 The controller 9 has, for example, a calculation unit such as a CPU (Central Processing Unit) and a storage unit such as a memory. The controller 9 can be, for example, a computer. The controller 9 controls the operation of each element provided in the plasma processing device 1 based on a control program stored in the storage unit. Note that since known technology can be applied to the control program that controls the operation of each element, a detailed description will be omitted.

チャンバ2は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。チャンバ2は、例えば、略円筒形状を呈している。チャンバ2は、例えば、アルミニウム合金などの金属から形成することができる。チャンバ2は、接地することができる。 The chamber 2 has an airtight structure capable of maintaining an atmosphere at a reduced pressure below atmospheric pressure. The chamber 2 has, for example, a substantially cylindrical shape. The chamber 2 can be made of, for example, a metal such as an aluminum alloy. The chamber 2 can be grounded.

チャンバ2の側壁には、処理物100の搬入と搬出を行うための孔2aを設けることができる。チャンバ2の孔2aが設けられた部分には、ロードロックチャンバ21を接続することができる。ロードロックチャンバ21にはゲートバルブ22を設けることができる。プラズマ処理を行う際には、ゲートバルブ22により孔2aが気密となるように閉鎖される。処理物の搬入と搬出を行う際には、ゲートバルブ22により孔2aがロードロックチャンバ21と連通される。 A hole 2a can be provided in the side wall of the chamber 2 for loading and unloading the workpiece 100. A load lock chamber 21 can be connected to the part of the chamber 2 where the hole 2a is provided. A gate valve 22 can be provided in the load lock chamber 21. When performing plasma processing, the hole 2a is closed airtight by the gate valve 22. When loading and unloading the workpiece, the gate valve 22 connects the hole 2a to the load lock chamber 21.

チャンバ2の天井には、窓23が気密となるように設けられている。窓23は、処理物100を載置する載置台7(静電チャック71)と対向している。窓23は、板状を呈している。窓23は、電磁場を透過させることができる。窓23は、プラズマ処理を行った際にダメージを受けにくい材料から形成することができる。窓23は、例えば、石英などの誘電体材料から形成することができる。 A window 23 is provided in the ceiling of the chamber 2 so as to be airtight. The window 23 faces the mounting table 7 (electrostatic chuck 71) on which the workpiece 100 is placed. The window 23 has a plate shape. The window 23 is capable of transmitting an electromagnetic field. The window 23 can be made of a material that is not easily damaged during plasma processing. The window 23 can be made of a dielectric material such as quartz, for example.

電源ユニット3は、チャンバ2の内部空間においてプラズマPを発生させる。電源ユニット3は、チャンバ2の外部であって、窓23の、載置台7側とは反対側に設けられている。プラズマ処理装置1においては、電源ユニット3が、チャンバ2の内部にプラズマPを発生可能なプラズマ発生部となる。 The power supply unit 3 generates plasma P in the internal space of the chamber 2. The power supply unit 3 is provided outside the chamber 2, on the opposite side of the window 23 from the mounting table 7. In the plasma processing apparatus 1, the power supply unit 3 serves as a plasma generating section capable of generating plasma P inside the chamber 2.

電源ユニット3は、例えば、アンテナ31、整合器32、および電源33を有する。
アンテナ31は、チャンバ2の外部であって、窓23の上に設けることができる。アンテナ31は、整合器32を介して電源33と電気的に接続されている。アンテナ31は、例えば、電磁場を発生させる複数のコイルと、複数のコンデンサとを有することができる。また、アンテナ31と窓23を覆うカバー34をさらに設けることができる。カバー34は、金属から形成され接地することができる。また、アンテナ31と窓23との間にファラデーシールドをさらに設けることができる。
The power supply unit 3 includes, for example, an antenna 31 , a matching box 32 , and a power supply 33 .
The antenna 31 can be provided outside the chamber 2 and on the window 23. The antenna 31 is electrically connected to a power source 33 via a matching unit 32. The antenna 31 can have, for example, a plurality of coils that generate an electromagnetic field and a plurality of capacitors. In addition, a cover 34 that covers the antenna 31 and the window 23 can be further provided. The cover 34 can be made of metal and can be grounded. In addition, a Faraday shield can be further provided between the antenna 31 and the window 23.

整合器32は、電源33側のインピーダンスと、プラズマP側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合回路などを備えることができる。 The matching device 32 may include a matching circuit for matching the impedance on the power supply 33 side with the impedance on the plasma P side.

電源33は、高周波電源とすることができる。電源33は、例えば、100KHz~100MHz程度の周波数を有する高周波電力をアンテナ31に印加する。この場合、電源33は、プラズマPの発生に適した周波数(例えば、13.56MHz)を有する高周波電力をアンテナ31に印加する。また、電源33は、出力する高周波電力の周波数を変化させるものとすることもできる。 The power source 33 can be a high-frequency power source. The power source 33 applies high-frequency power having a frequency of, for example, about 100 KHz to 100 MHz to the antenna 31. In this case, the power source 33 applies high-frequency power having a frequency suitable for generating plasma P (for example, 13.56 MHz) to the antenna 31. The power source 33 can also be one that changes the frequency of the high-frequency power it outputs.

電源ユニット4は、いわゆるバイアス制御のために設けられている。すなわち、電源ユニット4は、処理物100に引き込むイオンのエネルギーを制御するために設けられている。この場合、処理物100に引き込むイオンのエネルギーを大きくすれば、イオンによるスパッタ効果が生じ易くなる。また、処理物100に引き込むイオンのエネルギーを小さくすれば、ラジカルによる化学的な処理が生じ易くなる。 The power supply unit 4 is provided for so-called bias control. That is, the power supply unit 4 is provided to control the energy of the ions drawn into the workpiece 100. In this case, if the energy of the ions drawn into the workpiece 100 is increased, the sputtering effect caused by the ions becomes more likely to occur. Also, if the energy of the ions drawn into the workpiece 100 is decreased, chemical processing by radicals becomes more likely to occur.

電源ユニット4は、例えば、ベース41、整合器42、および電源43を有する。
ベース41は、絶縁部材41aを介して、チャンバ2の底部に設けられている。また、絶縁部材41aは、ベース41の側面を覆うことができる。絶縁部材41aは、例えば、石英などの誘電体材料から形成することができる。
The power supply unit 4 includes, for example, a base 41 , a matching box 42 , and a power supply 43 .
The base 41 is provided on the bottom of the chamber 2 via an insulating member 41a. The insulating member 41a can cover the side surface of the base 41. The insulating member 41a can be made of a dielectric material such as quartz.

ベース41は、整合器42を介して電源43と電気的に接続されている。また、ベース41の上には、静電チャック71を設けることができる。ベース41は、電源43により高周波電力が印加される電極となるとともに、静電チャック71を支持する支持台となる。この場合、ベース41は、内部に冷却水を流す流路を有し、静電チャック71の冷却を行うこともできる。ベース41は、例えば、アルミニウム合金などの金属から形成することができる。 The base 41 is electrically connected to the power source 43 via the matching device 42. An electrostatic chuck 71 can be provided on the base 41. The base 41 serves as an electrode to which high-frequency power is applied from the power source 43, and also serves as a support base for supporting the electrostatic chuck 71. In this case, the base 41 has a flow path therein for flowing cooling water, and can also cool the electrostatic chuck 71. The base 41 can be formed from a metal such as an aluminum alloy, for example.

整合器42は、ベース41と電源43との間に電気的に接続されている。整合器42は、電源43側のインピーダンスと、プラズマP側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合回路などを備えることができる。 The matching device 42 is electrically connected between the base 41 and the power source 43. The matching device 42 may include a matching circuit for matching the impedance of the power source 43 side with the impedance of the plasma P side.

電源43は、高周波電源とすることができる。電源43は、イオンを引き込むために適した周波数(例えば、1MHz~27MHzの周波数)を有する高周波電力をベース41に印加する。 The power source 43 can be a radio frequency power source. The power source 43 applies radio frequency power having a suitable frequency for attracting ions (e.g., a frequency between 1 MHz and 27 MHz) to the base 41.

減圧部5は、チャンバ2の内部を所定の圧力まで減圧する。
減圧部5は、例えば、開閉バルブ51、ポンプ52、および圧力コントローラ53を有する。
開閉バルブ51は、例えば、チャンバ2の側壁に設けられた孔2bに接続することができる。開閉バルブ51は、チャンバ2とポンプ52との間の流路の開閉を行う。開閉バルブ51は、例えば、ポペットバルブとすることができる。
The pressure reducing unit 5 reduces the pressure inside the chamber 2 to a predetermined pressure.
The pressure reducing unit 5 includes, for example, an opening/closing valve 51 , a pump 52 , and a pressure controller 53 .
The on-off valve 51 can be connected to, for example, a hole 2b provided in a side wall of the chamber 2. The on-off valve 51 opens and closes a flow path between the chamber 2 and the pump 52. The on-off valve 51 can be, for example, a poppet valve.

ポンプ52は、例えば、ターボ分子ポンプ(TMP:Turbo Molecular Pump)などとすることができる。 The pump 52 may be, for example, a turbo molecular pump (TMP).

圧力コントローラ53は、開閉バルブ51とポンプ52との間に設けることができる。圧力コントローラ53は、チャンバ2の内部圧力を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ2の内部圧力が所定の圧力となるように制御する。圧力コントローラ53は、例えば、APC(Auto Pressure Controller)などとすることができる。 The pressure controller 53 can be provided between the opening/closing valve 51 and the pump 52. The pressure controller 53 controls the internal pressure of the chamber 2 to a predetermined pressure based on the output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the chamber 2. The pressure controller 53 can be, for example, an APC (Auto Pressure Controller).

ガス供給部6は、チャンバ2の側壁に設けられたノズル2cを介して、チャンバ2の内部空間にガスGを供給する。この場合、複数のノズル2cを、チャンバ2の中心軸周りに略等間隔で設けることもできる。この様にすれば、プラズマPが発生する領域においてガスGの濃度がばらつくのを抑制することができる。 The gas supply unit 6 supplies gas G to the internal space of the chamber 2 through nozzles 2c provided on the side wall of the chamber 2. In this case, multiple nozzles 2c can be provided at approximately equal intervals around the central axis of the chamber 2. In this way, it is possible to suppress variation in the concentration of gas G in the region where plasma P is generated.

ガス供給部6は、例えば、ガス源61、ガスコントローラ62、および開閉バルブ63を有する。
ガス源61は、ガスコントローラ62および開閉バルブ63を介して、チャンバ2の内部にガスGを供給する。ガス源61は、例えば、ガスGを収納した高圧ボンベなどとすることができる。また、ガス源61は、例えば、工場配管などであってもよい。
The gas supply unit 6 includes, for example, a gas source 61 , a gas controller 62 , and an opening/closing valve 63 .
The gas source 61 supplies the gas G to the inside of the chamber 2 via a gas controller 62 and an opening/closing valve 63. The gas source 61 may be, for example, a high-pressure cylinder that stores the gas G. The gas source 61 may also be, for example, factory piping.

ガスGは、プラズマPにより励起、活性化された際に、所望のラジカルやイオンが生成されるものとすることができる。例えば、プラズマ処理がエッチング処理である場合には、ガスGは、処理物100の露出面をエッチングすることができるラジカルやイオンが生成されるものとすることができる。この場合、ガスGは、例えば、塩素を含むガス、フッ素を含むガスなどとすることができる。例えば、ガスGは、塩素ガスと酸素ガスの混合ガス、CHF、CHFとCFの混合ガス、SFとヘリウムガスの混合ガスなどとすることができる。 The gas G may be one that generates desired radicals or ions when excited and activated by the plasma P. For example, when the plasma processing is an etching processing, the gas G may be one that generates radicals or ions that can etch the exposed surface of the processing object 100. In this case, the gas G may be, for example, a gas containing chlorine, a gas containing fluorine, or the like. For example, the gas G may be a mixed gas of chlorine gas and oxygen gas, a mixed gas of CHF 3 , CHF 3 and CF 4 , a mixed gas of SF 6 and helium gas, or the like.

ガスコントローラ62は、ガス源61とチャンバ2の間に設けることができる。ガスコントローラ62は、ガス源61から供給されたガスGの流量および圧力の少なくともいずれかを制御する。ガスコントローラ62は、例えば、MFC(Mass Flow Controller)などとすることができる。 The gas controller 62 can be provided between the gas source 61 and the chamber 2. The gas controller 62 controls at least one of the flow rate and pressure of the gas G supplied from the gas source 61. The gas controller 62 can be, for example, a mass flow controller (MFC).

開閉バルブ63は、ガスコントローラ62とチャンバ2の間に設けることができる。開閉バルブ63は、ガスGの供給の開始と、供給の停止とを制御する。開閉バルブ63は、例えば、2ポート電磁弁などとすることができる。なお、開閉バルブ63の機能をガスコントローラ62に持たせることもできる。 The on-off valve 63 can be provided between the gas controller 62 and the chamber 2. The on-off valve 63 controls the start and stop of the supply of gas G. The on-off valve 63 can be, for example, a two-port solenoid valve. The function of the on-off valve 63 can also be imparted to the gas controller 62.

載置台7は、チャンバ2の内部に設けられ、処理物100が載置される。
載置台7は、例えば、静電チャック71、マスクリング72、電源ユニット73、温度制御部74、およびリフトピン75を有する。
The mounting table 7 is provided inside the chamber 2, and the processing object 100 is placed thereon.
The mounting table 7 includes, for example, an electrostatic chuck 71 , a mask ring 72 , a power supply unit 73 , a temperature control unit 74 , and lift pins 75 .

静電チャック71は、静電力を発現させて、処理物100を吸着する。静電チャック71は、クーロン力を用いるものであってもよいし、ジョンソン・ラーベック力(Johnsen-Rahbek force)を用いるものであってもよい。また、静電チャック71は、処理を行う際に、処理物100の温度を制御することもできる。すなわち、静電チャック71は、少なくとも処理物100を吸着する機能を有し、さらに処理物100の温度を制御する機能をも有することができる。 The electrostatic chuck 71 exerts an electrostatic force to adsorb the workpiece 100. The electrostatic chuck 71 may be one that uses Coulomb force or one that uses Johnsen-Rahbek force. The electrostatic chuck 71 can also control the temperature of the workpiece 100 during processing. That is, the electrostatic chuck 71 has at least the function of adsorbing the workpiece 100, and can also have the function of controlling the temperature of the workpiece 100.

静電チャック71は、ベース41の上に設けることができる。静電チャック71は、例えば、板状の誘電体と、誘電体の内部に設けられた電極を有することができる。誘電体は、例えば、酸化アルミニウムなどのセラミックスから形成することができる。 The electrostatic chuck 71 can be provided on the base 41. The electrostatic chuck 71 can have, for example, a plate-shaped dielectric and an electrode provided inside the dielectric. The dielectric can be formed, for example, from a ceramic such as aluminum oxide.

誘電体の表面には、複数の溝を設けることができる。複数の溝には、温度制御部74から温度制御ガスが供給される。供給された温度制御ガスは、溝と載置された処理物100とで画された空間の内部を流通し、温度制御ガスと処理物との間で熱交換が行われる。
また、誘電体には、厚み方向を貫通する複数の孔を設けることができる。複数の孔のそれぞれには、リフトピン75を設けることができる。
A plurality of grooves can be provided on the surface of the dielectric material. A temperature control gas is supplied to the plurality of grooves from a temperature control unit 74. The supplied temperature control gas flows through the inside of a space defined by the grooves and the placed workpiece 100, and heat exchange occurs between the temperature control gas and the workpiece.
The dielectric may have a plurality of holes penetrating the thickness direction. A lift pin 75 may be provided in each of the plurality of holes.

電極は、板状を呈し、例えば、タングステンやモリブデンなどの金属から形成することができる。電極は、単極型であってもよいし、双極型であってもよい。例えば、双極型の場合には、同一平面上に2つの電極を並べて設けることができる。 The electrodes are plate-shaped and can be made of a metal such as tungsten or molybdenum. The electrodes can be either unipolar or bipolar. For example, in the case of a bipolar electrode, two electrodes can be arranged side-by-side on the same plane.

マスクリング72は、筒状を呈し、例えば、ベース41の上面の周縁近傍、あるいは、静電チャック71の上面の周縁近傍に設けることができる。マスクリング72は、例えば、石英などの誘電体材料から形成することができる。 The mask ring 72 has a cylindrical shape and can be provided, for example, near the periphery of the upper surface of the base 41 or near the periphery of the upper surface of the electrostatic chuck 71. The mask ring 72 can be made of a dielectric material such as quartz.

電源ユニット73は、例えば、直流電源73a、および切り替えスイッチ73bを有する。直流電源73aは、静電チャック71の電極と電気的に接続されている。直流電源73aにより、電極に電圧が印加されると、電極の、処理物100側の面に電荷が発生する。そのため、電極と処理物100との間に静電力が発生し、発生した静電力により、処理物100が静電チャック71に吸着される。 The power supply unit 73 has, for example, a DC power supply 73a and a changeover switch 73b. The DC power supply 73a is electrically connected to the electrode of the electrostatic chuck 71. When a voltage is applied to the electrode by the DC power supply 73a, an electric charge is generated on the surface of the electrode facing the workpiece 100. As a result, an electrostatic force is generated between the electrode and the workpiece 100, and the workpiece 100 is attracted to the electrostatic chuck 71 by the generated electrostatic force.

切り替えスイッチ73bは、直流電源73aと、静電チャック71の電極との間に電気的に接続され、処理物100の吸着と、吸着の解除とを切り替える。 The changeover switch 73b is electrically connected between the DC power supply 73a and the electrode of the electrostatic chuck 71, and switches between adsorption of the workpiece 100 and release of adsorption.

温度制御部74は、静電チャック71に温度制御ガスを供給する。
温度制御部74は、例えば、ガス源74a、ガスコントローラ74b、温調部74c、および開閉バルブ74dを有する。
The temperature control unit 74 supplies a temperature control gas to the electrostatic chuck 71 .
The temperature control unit 74 includes, for example, a gas source 74a, a gas controller 74b, a temperature adjustment unit 74c, and an opening/closing valve 74d.

ガス源74aは、例えば、温度制御ガスを収納した高圧ボンベなどとすることができる。なお、ガス源74aは、例えば、工場配管などであってもよい。温度制御ガスは、例えば、ヘリウムガスなどとすることができる。 The gas source 74a may be, for example, a high-pressure cylinder containing a temperature-controlled gas. The gas source 74a may also be, for example, factory piping. The temperature-controlled gas may be, for example, helium gas.

ガスコントローラ74bは、ガス源74aと静電チャック71との間に設けることができる。ガスコントローラ74bは、例えば、ガス源74aから供給された温度制御ガスの流量を制御する。ガスコントローラ74bは、例えば、MFCなどとすることができる。 The gas controller 74b may be provided between the gas source 74a and the electrostatic chuck 71. The gas controller 74b controls, for example, the flow rate of the temperature control gas supplied from the gas source 74a. The gas controller 74b may be, for example, an MFC.

温調部74cは、ガスコントローラ74bと静電チャック71との間に設けることができる。温調部74cは、温度制御ガスの温度を調整することで、処理物100の温度を調整する。温調部74cは、例えば、ヒータなどの加熱装置、および、熱交換器などを備えた冷却装置の少なくともいずれかとすることができる。 The temperature adjustment unit 74c can be provided between the gas controller 74b and the electrostatic chuck 71. The temperature adjustment unit 74c adjusts the temperature of the processing object 100 by adjusting the temperature of the temperature control gas. The temperature adjustment unit 74c can be, for example, at least one of a heating device such as a heater and a cooling device equipped with a heat exchanger or the like.

開閉バルブ74dは、温調部74cと静電チャック71との間に設けることができる。開閉バルブ74dは、温度制御ガスの供給の開始と、供給の停止とを制御する。開閉バルブ74dは、例えば、2ポート電磁弁などとすることができる。なお、開閉バルブ74dの機能をガスコントローラ74bに持たせることもできる。 The opening and closing valve 74d can be provided between the temperature adjustment unit 74c and the electrostatic chuck 71. The opening and closing valve 74d controls the start and stop of the supply of the temperature control gas. The opening and closing valve 74d can be, for example, a two-port solenoid valve. The function of the opening and closing valve 74d can also be imparted to the gas controller 74b.

リフトピン75は、複数設けることができる。図示しない搬送装置に処理済みの処理物100を受け渡したり、図示しない搬送装置から処理前の処理物100を受け取ったりする際には、複数のリフトピン75を上昇させて、複数のリフトピン75を静電チャック71の上面から突出させる。処理物100に処理を施す際には、複数のリフトピン75を下降させて、複数のリフトピン75を静電チャック71の上面よりも下方に移動させる。複数のリフトピン75の昇降は、例えば、サーボモータなどの制御モータや、エアシリンダなどにより行うことができる。 A plurality of lift pins 75 may be provided. When transferring the processed workpiece 100 to a transport device (not shown) or receiving the unprocessed workpiece 100 from a transport device (not shown), the plurality of lift pins 75 are raised to protrude from the upper surface of the electrostatic chuck 71. When processing the workpiece 100, the plurality of lift pins 75 are lowered to move the plurality of lift pins 75 below the upper surface of the electrostatic chuck 71. The lift pins 75 can be raised and lowered by, for example, a control motor such as a servo motor or an air cylinder.

ここで、本実施の形態に係る検出部8を説明する前に、比較例に係る検出部180と検出部280とについて説明する。
図2は、比較例に係る検出部180を例示するための模式断面図である。
図2は、本実施の形態に係る検出部8に代えて、検出部180と透過窓121を設けた場合である。
Before describing the detector 8 according to the present embodiment, a detector 180 and a detector 280 according to comparative examples will be described.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a detection unit 180 according to a comparative example.
FIG. 2 shows a case where a detection unit 180 and a transmission window 121 are provided instead of the detection unit 8 according to the present embodiment.

図2に示すように、比較例に係る検出部180は、投光部180a、および受光部180bを有する。また、透過窓121は、チャンバ2の側壁の、投光部180aと対峙する位置、およびチャンバ2の側壁の、受光部180bと対峙する位置にそれぞれ設けられている。 As shown in FIG. 2, the detection unit 180 according to the comparative example has a light-projecting unit 180a and a light-receiving unit 180b. In addition, the transmission window 121 is provided on the side wall of the chamber 2 at a position facing the light-projecting unit 180a and at a position facing the light-receiving unit 180b on the side wall of the chamber 2.

投光部180aから出射した検出光は透過窓121を透過して、処理物100の表面の検出位置に入射する。検出光は、処理物100の表面と、検出光との間の角度が角度θaで処理物100の表面に対して照射される。検出位置に入射した検出光は反射され、透過窓121を透過して受光部180bに入射する。受光部180bは、入射した反射光を受光量に応じた電気信号に変換する。コントローラ9は、電気信号に基づいて、処理物100の状態を検出する。 The detection light emitted from the light-emitting unit 180a passes through the transmission window 121 and enters the detection position on the surface of the workpiece 100. The detection light is irradiated onto the surface of the workpiece 100 at an angle θa between the surface of the workpiece 100 and the detection light. The detection light that enters the detection position is reflected, passes through the transmission window 121, and enters the light-receiving unit 180b. The light-receiving unit 180b converts the reflected light into an electrical signal that corresponds to the amount of light received. The controller 9 detects the state of the workpiece 100 based on the electrical signal.

ここで、処理物100の表面上にある検出位置に検出光を垂直に照射する場合を想定する。検出光は、投光部180aから出射し処理物100の表面に届くまでに拡がる。一般的には、検出位置における検出光の照射面積は、投光部180aのアパーチャの径と検出光の拡がりに基づいて予め決められている。この場合、検出位置における検出光の照射面積が大きくなると、検出位置の周囲の情報が検出結果に混入し易くなる。そのため、検出位置における検出光の照射面積は、なるべく小さくすることが好ましい。なお、検出光の拡がりは、図3に示す距離L1に比例する。 Here, assume that the detection light is irradiated vertically to a detection position on the surface of the workpiece 100. The detection light is emitted from the light-projecting unit 180a and spreads before reaching the surface of the workpiece 100. In general, the irradiation area of the detection light at the detection position is determined in advance based on the diameter of the aperture of the light-projecting unit 180a and the spread of the detection light. In this case, if the irradiation area of the detection light at the detection position becomes large, information from the surroundings of the detection position is more likely to be mixed into the detection result. For this reason, it is preferable to make the irradiation area of the detection light at the detection position as small as possible. The spread of the detection light is proportional to the distance L1 shown in FIG. 3.

しかしながら、図2に示すように、チャンバ2の側方に投光部180aを設け、処理物100の表面に対して傾いた方向から処理物100の表面に検出光を照射すると、検出位置における検出光の照射面積が、前述した予め決められた照射面積よりも大きくなる。例えば、図2では、検出位置における検出光の照射面積は、X方向に拡がる。そのため、検出位置の周囲の情報が検出結果に混入して、検出位置における僅かな変化を検出するのが困難となる。 However, as shown in FIG. 2, when a light projecting unit 180a is provided on the side of the chamber 2 and detection light is irradiated onto the surface of the workpiece 100 from a direction inclined relative to the surface of the workpiece 100, the irradiation area of the detection light at the detection position becomes larger than the predetermined irradiation area described above. For example, in FIG. 2, the irradiation area of the detection light at the detection position expands in the X direction. Therefore, information about the surrounding area of the detection position is mixed into the detection result, making it difficult to detect slight changes at the detection position.

また、処理物100を載置する載置台7と、載置台7の上方に設けられた窓23と、の間の距離Lが長くなると、窓23の直下において発生したプラズマPにより生成されたラジカルが、載置台7に載置された処理物100に到達する前に失活し易くなる。そのため、載置台7と窓23との間の距離Lは短くなる傾向にある。載置台7と窓23との間の距離Lが短くなると、処理物100の表面と、検出光との間の角度θaが小さくなる。照射面積のX方向への拡がりは、角度θaが小さいほど大きくなる。したがって、検出位置における検出光の照射面積がさらに大きくなる。 Furthermore, when the distance L between the mounting table 7 on which the workpiece 100 is placed and the window 23 provided above the mounting table 7 becomes longer, the radicals generated by the plasma P generated directly below the window 23 are more likely to be deactivated before reaching the workpiece 100 placed on the mounting table 7. Therefore, the distance L between the mounting table 7 and the window 23 tends to become shorter. When the distance L between the mounting table 7 and the window 23 becomes shorter, the angle θa between the surface of the workpiece 100 and the detection light becomes smaller. The smaller the angle θa, the larger the spread of the irradiation area in the X direction becomes. Therefore, the irradiation area of the detection light at the detection position becomes even larger.

またさらに、近年においては、処理部分の微細化が進み、例えば、形成される凹凸や孔などの開口率が1%以下となる場合もある。この様な場合には、除去される物質の量が少なくなるため、検出光の変化量がさらに微小となり、検出位置における光学的な変化を検出するのがさらに困難となる。
この様に、チャンバ2の側方に検出部180を設けると、検出位置における光学的な変化を精度良く検出するのが困難となってきている。
Furthermore, in recent years, the processed parts have become finer, and for example, the opening ratio of the formed irregularities, holes, etc. may be 1% or less. In such cases, the amount of material removed is reduced, so that the change in the detection light becomes even more minute, making it more difficult to detect the optical change at the detection position.
In this way, when the detection unit 180 is provided on the side of the chamber 2, it becomes difficult to detect optical changes at the detection position with good accuracy.

また、前述したように、チャンバ2の側壁には、チャンバ2の内部にガスGを供給するためのノズル2cや、ロードロックチャンバ21などが設けられているので、窓23の設置位置が限定される。また、チャンバ2は気密構造とする必要があるので、大きな窓23を設けることが難しい。窓23の設置位置が限定されたり、大きな窓23が設けられなかったりすると、投光部180aおよび受光部180bの配置が限定されることになる。投光部180aおよび受光部180bの配置が限定されると、検出位置が限定されるので、検出位置の変更が困難となる。 As described above, the sidewall of the chamber 2 is provided with the nozzle 2c for supplying gas G into the chamber 2, the load lock chamber 21, and the like, so the location of the window 23 is limited. In addition, the chamber 2 needs to have an airtight structure, so it is difficult to provide a large window 23. If the location of the window 23 is limited or if a large window 23 is not provided, the arrangement of the light-projecting unit 180a and the light-receiving unit 180b will be limited. If the arrangement of the light-projecting unit 180a and the light-receiving unit 180b is limited, the detection position will be limited, making it difficult to change the detection position.

以上に説明した様に、チャンバ2の側方に検出部180を設けると、検出精度の向上と、検出位置の変更が困難となる。 As explained above, if the detection unit 180 is provided on the side of the chamber 2, it becomes difficult to improve the detection accuracy and change the detection position.

図3は、他の比較例に係る検出部280を例示するための模式断面図である。
図3は、本実施の形態に係る検出部8に代えて、検出部280を設けた場合である。
図3に示すように、検出部280は、投光部と受光部が一体化された、いわゆる投受光センサとすることができる。検出部280は、チャンバ2の外部であって、窓23の、載置台7側とは反対側に設けられている。検出部280は、処理物100の表面に対して略垂直な方向から検出位置に検出光を入射させ、検出位置において反射した反射光を受光する。この様にすれば、検出位置における検出光の照射面積が、前述した予め決められた照射面積とほぼ同じとなる。そのため、検出位置における変化を精度良く検出するのが容易となる。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a detection unit 280 according to another comparative example.
FIG. 3 shows a case where a detector 280 is provided in place of the detector 8 according to the present embodiment.
As shown in Fig. 3, the detection unit 280 can be a so-called light-emitting/receiving sensor in which a light-emitting unit and a light-receiving unit are integrated. The detection unit 280 is provided outside the chamber 2, on the opposite side of the window 23 from the mounting table 7 side. The detection unit 280 causes detection light to be incident on the detection position from a direction approximately perpendicular to the surface of the workpiece 100, and receives the reflected light reflected at the detection position. In this way, the irradiation area of the detection light at the detection position becomes approximately the same as the above-mentioned predetermined irradiation area. This makes it easy to detect changes at the detection position with high accuracy.

ところが、前述したように、窓23の上にはアンテナ31やファラデーシールドなどが設けられている。そのため、検出部280の配置が、アンテナ31やファラデーシールドなどにより制限される。
そのため、窓23の上方に検出部280を設けると、検出精度の向上が図れたとしても、検出位置の変更が困難となる。
However, as described above, the antenna 31, the Faraday shield, and the like are provided above the window 23. Therefore, the arrangement of the detection unit 280 is limited by the antenna 31, the Faraday shield, and the like.
Therefore, if the detection unit 280 is provided above the window 23, even if the detection accuracy is improved, it becomes difficult to change the detection position.

次に、図1に戻って、本実施の形態に係る検出部8について説明する。
検出部8は、プラズマ処理の最中に生じる光学的な変化に基づいて、処理物100の状態を検出する。例えば、検出部8は、プラズマ処理の終点検出に用いることができる。
Next, returning to FIG. 1, the detection unit 8 according to this embodiment will be described.
The detector 8 detects the state of the workpiece 100 based on an optical change that occurs during the plasma processing. For example, the detector 8 can be used to detect the end point of the plasma processing.

図1に示すように、検出部8は、例えば、投光部81、および受光部82を有する。
投光部81は、例えば、発光ダイオードやレーザダイオードなどとすることができる。投光部81は、窓23を介して、処理物100の表面に検出光を照射することができる。投光部81は、後述する傾斜面23a1と対峙させて設けることができる。
As shown in FIG. 1 , the detection unit 8 includes, for example, a light projecting unit 81 and a light receiving unit 82 .
The light-projecting unit 81 may be, for example, a light-emitting diode or a laser diode. The light-projecting unit 81 may irradiate detection light onto the surface of the object 100 to be treated through the window 23. The light-projecting unit 81 may be provided opposite an inclined surface 23a1 to be described later.

受光部82は、処理物100の表面において反射され、窓23を介して出射する反射光を受光することができる。例えば、受光部82は、検出光が処理物100の検出位置に入射した際に生じた干渉光を受光し、電気信号に変換することができる。受光部82は、例えば、フォトダイオードとすることができる。なお、受光部82は、フォトダイオードに限定されるわけではなく、光学的な変化を検出可能なものであればよい。受光部82は、後述する傾斜面23a2と対峙させて設けることができる。 The light receiving unit 82 can receive reflected light that is reflected on the surface of the workpiece 100 and exits through the window 23. For example, the light receiving unit 82 can receive interference light that occurs when the detection light is incident on the detection position of the workpiece 100 and convert it into an electrical signal. The light receiving unit 82 can be, for example, a photodiode. Note that the light receiving unit 82 is not limited to a photodiode, and can be anything that can detect optical changes. The light receiving unit 82 can be provided facing the inclined surface 23a2 described below.

また、受光部82は、分光器をさらに有していてもよい。分光器が設けられていれば、所定の波長を有する光を抽出することができるので、検出精度の向上を図ることができる。
コントローラ9は、受光部82からの信号に基づいて、処理物の状態(例えば、プラズマ処理の終点)を検出することができる。
The light receiving unit 82 may further include a spectroscope. If a spectroscope is provided, light having a predetermined wavelength can be extracted, thereby improving the detection accuracy.
The controller 9 can detect the state of the workpiece (for example, the end point of the plasma processing) based on the signal from the light receiving unit 82 .

また、図1に示すように、窓23の周縁の一部には、傾斜面23a1(第1の傾斜面の一例に相当する)と傾斜面23a2(第2の傾斜面の一例に相当する)が設けられている。傾斜面23a1および傾斜面23a2に凹凸があると、凹凸によって光が散乱してしまうので、傾斜面23a1および傾斜面23a2の平面度を高くすることが好ましい。例えば、光学研磨によって、傾斜面23a1および傾斜面23a2の表面粗さをRa0.02以下にすることができる。 As shown in FIG. 1, a portion of the periphery of the window 23 is provided with an inclined surface 23a1 (corresponding to an example of a first inclined surface) and an inclined surface 23a2 (corresponding to an example of a second inclined surface). If the inclined surfaces 23a1 and 23a2 are uneven, the unevenness will cause light to be scattered, so it is preferable to increase the flatness of the inclined surfaces 23a1 and 23a2. For example, the surface roughness of the inclined surfaces 23a1 and 23a2 can be reduced to Ra 0.02 or less by optical polishing.

図4は、投光部81、受光部82、傾斜面23a1、および傾斜面23a2を例示するための模式断面図である。
図5は、投光部81、受光部82、傾斜面23a1、および傾斜面23a2を例示するための模式平面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating the light projecting portion 81, the light receiving portion 82, the inclined surface 23a1, and the inclined surface 23a2.
FIG. 5 is a schematic plan view illustrating the light-projecting portion 81, the light-receiving portion 82, the inclined surface 23a1, and the inclined surface 23a2.

図4および図5に示すように、例えば、傾斜面23a1の一方の端部は、窓23の、載置台7側とは反対側の面に接続することができる。例えば、傾斜面23a1の他方の端部は、窓23の側面と接続することができる。例えば、傾斜面23a2の一方の端部は、窓23の、載置台7側とは反対側の面に接続することができる。例えば、傾斜面23a2の他方の端部は、窓23の側面と接続することができる。 As shown in Figures 4 and 5, for example, one end of the inclined surface 23a1 can be connected to the surface of the window 23 opposite the mounting base 7 side. For example, the other end of the inclined surface 23a1 can be connected to a side surface of the window 23. For example, one end of the inclined surface 23a2 can be connected to the surface of the window 23 opposite the mounting base 7 side. For example, the other end of the inclined surface 23a2 can be connected to a side surface of the window 23.

図5に示すように、平面視において、傾斜面23a2は、窓23の中心軸23bを挟んで、傾斜面23a1と対峙する位置に設けることができる。
図4に示すように、傾斜面23a1は、窓23の中心軸23bに対して傾いている。傾斜面23a2は、窓23の中心軸23bに対して傾いている。傾斜面23a2の傾き方向は、傾斜面23a1の傾き方向とは逆となっている。
As shown in FIG. 5, in a plan view, the inclined surface 23a2 can be provided at a position facing the inclined surface 23a1 across the central axis 23b of the window 23.
4, the inclined surface 23a1 is inclined with respect to the central axis 23b of the window 23. The inclined surface 23a2 is inclined with respect to the central axis 23b of the window 23. The inclination direction of the inclined surface 23a2 is opposite to the inclination direction of the inclined surface 23a1.

例えば、窓23が石英から形成され、チャンバ2の内圧が0.1Pa~100Pa程度の場合には、図4に示すように、傾斜面23a1と、窓23の、載置台7側とは反対側の面との間の角度θ1は、「θ1≦43°」とすることができる。この様にすれば、投光部81から出射し、傾斜面23a1を介して窓23の内部に導入された検出光が、窓23の、載置台7側の面において全反射されるのを抑制することができる。 For example, when the window 23 is made of quartz and the internal pressure of the chamber 2 is about 0.1 Pa to 100 Pa, the angle θ1 between the inclined surface 23a1 and the surface of the window 23 opposite the mounting table 7 can be set to "θ1≦43°", as shown in FIG. 4. In this way, it is possible to prevent the detection light emitted from the light projector 81 and introduced into the window 23 via the inclined surface 23a1 from being totally reflected by the surface of the window 23 facing the mounting table 7.

傾斜面23a2と、窓23の、載置台7側とは反対側の面との間の角度θ2は、「θ2≦43°」とすることができる。この様にすれば、処理物100の検出位置において反射され、窓23の、載置台7側の面に入射した反射光が、窓23の、載置台7側の面において全反射されるのを抑制することができる。 The angle θ2 between the inclined surface 23a2 and the surface of the window 23 opposite the mounting table 7 side can be set to "θ2≦43°". In this way, the reflected light that is reflected at the detection position of the workpiece 100 and enters the surface of the window 23 on the mounting table 7 side can be prevented from being totally reflected on the surface of the window 23 on the mounting table 7 side.

また、角度θ2は、角度θ1と同じとすることができる。ただし、角度θ1と角度θ2とを同じとする場合に、製造誤差程度の違いは許容することができる。すなわち、角度θ2は、角度θ1と略同じとすることができる。 Also, angle θ2 can be the same as angle θ1. However, when angles θ1 and θ2 are the same, differences on the order of manufacturing error can be tolerated. In other words, angle θ2 can be approximately the same as angle θ1.

図5に示す傾斜面23a1の平面寸法L2と傾斜面23a2の平面寸法L3には特に限定はない。例えば、図5に示すように、傾斜面23a1の平面寸法L2は投光部81の平面寸法L4以上とすることができる。例えば、傾斜面23a2の平面寸法L3は受光部82の平面寸法L5以上とすることができる。この場合、傾斜面23a2の平面寸法L3は、傾斜面23a1の平面寸法L2と同じであってもよいし、異なっていてもよい。 There are no particular limitations on the planar dimension L2 of inclined surface 23a1 and the planar dimension L3 of inclined surface 23a2 shown in FIG. 5. For example, as shown in FIG. 5, the planar dimension L2 of inclined surface 23a1 can be equal to or greater than the planar dimension L4 of light-projecting portion 81. For example, the planar dimension L3 of inclined surface 23a2 can be equal to or greater than the planar dimension L5 of light-receiving portion 82. In this case, the planar dimension L3 of inclined surface 23a2 may be the same as or different from the planar dimension L2 of inclined surface 23a1.

投光部81の投光側の端部と傾斜面23a1との間には、隙間を設けることもできるし、図4に示すように、投光部81の投光側の端部と傾斜面23a1とを接触させることもできる。
ただし、投光部81の投光側の端部と傾斜面23a1との間に隙間が設けられていると、プラズマ処理装置1に震動が加えられた場合に、投光部81と傾斜面23a1とが別々に振動するので、ノイズが発生するおそれがある。また、外部の光が、隙間を介して傾斜面23a1に入射するとノイズが発生するおそれがある。そのため、投光部81の投光側の端部と傾斜面23a1とを接触させることが好ましい。なお、投光部81の投光側の端部と傾斜面23a1との間に、光ファイバなどを有する導光部を設けることもできる。導光部が設けられていれば、投光部81を任意の位置に配置するのが容易となる。
A gap may be provided between the light-projecting end of the light-projecting unit 81 and the inclined surface 23a1, or, as shown in Figure 4, the light-projecting end of the light-projecting unit 81 and the inclined surface 23a1 may be brought into contact with each other.
However, if a gap is provided between the end of the light-projecting unit 81 on the light-projecting side and the inclined surface 23a1, when vibration is applied to the plasma processing apparatus 1, the light-projecting unit 81 and the inclined surface 23a1 will vibrate separately, which may cause noise. In addition, noise may be generated when external light is incident on the inclined surface 23a1 through the gap. Therefore, it is preferable to bring the end of the light-projecting unit 81 on the light-projecting side into contact with the inclined surface 23a1. Note that a light guide having an optical fiber or the like may be provided between the end of the light-projecting unit 81 on the light-projecting side and the inclined surface 23a1. If a light guide is provided, it becomes easy to arrange the light-projecting unit 81 at any position.

受光部82の受光側の端部と傾斜面23a2との間には、隙間を設けることもできるし、図4に示すように、受光部82の受光側の端部と傾斜面23a2とを接触させることもできる。
ただし、受光部82の受光側の端部と傾斜面23a2との間に隙間が設けられていると、プラズマ処理装置1に震動が加えられた場合に、受光部82と傾斜面23a2とが別々に振動するので、ノイズが発生するおそれがある。また、外部の光が、隙間を介して受光部82に入射するとノイズが発生するおそれがある。そのため、受光部82の受光側の端部と傾斜面23a2とを接触させることが好ましい。なお、受光部82の受光側の端部と傾斜面23a2との間に、光ファイバなどを有する導光部を設けることもできる。導光部が設けられていれば、受光部82を任意の位置に配置するのが容易となる。
A gap may be provided between the light-receiving end of the light-receiving portion 82 and the inclined surface 23a2, or the light-receiving end of the light-receiving portion 82 may be in contact with the inclined surface 23a2 as shown in FIG. 4.
However, if a gap is provided between the end of the light receiving part 82 on the light receiving side and the inclined surface 23a2, when vibration is applied to the plasma processing apparatus 1, the light receiving part 82 and the inclined surface 23a2 will vibrate separately, which may cause noise. In addition, when external light enters the light receiving part 82 through the gap, noise may be generated. Therefore, it is preferable to bring the end of the light receiving part 82 on the light receiving side into contact with the inclined surface 23a2. Note that a light guide having an optical fiber or the like may be provided between the end of the light receiving part 82 on the light receiving side and the inclined surface 23a2. If a light guide is provided, it becomes easy to arrange the light receiving part 82 at any position.

窓23の周縁には、アンテナ31やファラデーシールドなどが設けられていない。そのため、傾斜面23a1および傾斜面23a2を任意の位置に設けることができるので、処理物100の表面の所望の位置を検出するのが容易となる。前述の通り、角度θaが小さいほど照射面積が大きくなる。窓23の傾斜面23a1から検出光を照射することで、検出部180と比べて角度θaを大きくすることができる。したがって、検出部180と比べて照射面積を小さくすることができる。 No antenna 31 or Faraday shield is provided on the periphery of window 23. Therefore, inclined surface 23a1 and inclined surface 23a2 can be provided at any position, making it easier to detect the desired position on the surface of the workpiece 100. As described above, the smaller the angle θa, the larger the irradiation area. By irradiating detection light from inclined surface 23a1 of window 23, the angle θa can be made larger than that of detection unit 180. Therefore, the irradiation area can be made smaller than that of detection unit 180.

また、傾斜面23a1および傾斜面23a2が1組設けられる場合を例示したが、傾斜面23a1および傾斜面23a2を複数組設けることもできる。傾斜面23a1および傾斜面23a2が複数組設けられていれば、所望の検出位置に応じて、傾斜面23a1および傾斜面23a2を選択することができる。 In addition, although an example has been given in which one set of inclined surfaces 23a1 and 23a2 is provided, multiple sets of inclined surfaces 23a1 and 23a2 can also be provided. If multiple sets of inclined surfaces 23a1 and 23a2 are provided, the inclined surfaces 23a1 and 23a2 can be selected according to the desired detection position.

次に、検出位置の変更について説明する。
傾斜面23a1および傾斜面23a2が複数組設けられていれば、傾斜面23a1および傾斜面23a2を選択することで検出位置の変更を行うことができる。
また、傾斜面23a1および傾斜面23a2が1組設けられている場合にも、検出位置の変更を行うことができる。以下においては、傾斜面23a1および傾斜面23a2が1組設けられている場合を説明する。
Next, the change of the detection position will be described.
If a plurality of pairs of inclined surfaces 23a1 and 23a2 are provided, the detection position can be changed by selecting inclined surface 23a1 and inclined surface 23a2.
The detection position can also be changed when a pair of inclined surfaces 23a1 and 23a2 is provided. In the following, a case where a pair of inclined surfaces 23a1 and 23a2 is provided will be described.

図6は、検出位置の変更を例示するための模式断面図である。
図6に示すように、投光部81を傾斜面23a1の傾斜方向に沿って移動させれば、処理物100の表面における検出光の入射位置(検出位置)を変更することができる。検出光の入射位置が変われば、傾斜面23a2における反射光の入射位置が変わるので、傾斜面23a2における反射光の入射位置に応じて受光部82を移動させる。
この様にすれば、処理物100の表面における検出位置を容易に変更することができる。そのため、処理物100の表面における複数の箇所の処理状態を検出することが可能となる。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for illustrating the change of the detection position.
6, by moving light-projecting unit 81 along the inclination direction of inclined surface 23a1, it is possible to change the incident position (detection position) of the detection light on the surface of object 100. If the incident position of the detection light changes, the incident position of the reflected light on inclined surface 23a2 changes, so light-receiving unit 82 is moved according to the incident position of the reflected light on inclined surface 23a2.
In this way, it is possible to easily change the detection position on the surface of the processing object 100. Therefore, it is possible to detect the processing state at a plurality of points on the surface of the processing object 100.

なお、図6に例示をしたものは、投光部81を傾斜面23a1の傾斜方向に沿って移動させたが、図5に示すように、投光部81を傾斜面23a1に沿って、Y方向に移動させてもよい。また、投光部81を傾斜面23a1の傾斜方向およびY方向に移動させてもよい。
すなわち、投光部81が傾斜面23a1に沿って移動可能に設けられ、受光部82が傾斜面23a2に沿って移動可能に設けられていれば、検出位置の変更が可能となる。
6, the light-projecting unit 81 is moved along the inclination direction of the inclined surface 23a1, but as shown in Fig. 5, the light-projecting unit 81 may be moved in the Y direction along the inclined surface 23a1. Also, the light-projecting unit 81 may be moved in the inclination direction of the inclined surface 23a1 and in the Y direction.
That is, if light projecting portion 81 is provided so as to be movable along inclined surface 23a1 and light receiving portion 82 is provided so as to be movable along inclined surface 23a2, the detection position can be changed.

また、傾斜面23a1および傾斜面23a2が複数組設けられている場合には、傾斜面の選択と、傾斜面に沿った、投光部81および受光部82の移動を組み合わせることもできる。 In addition, when multiple sets of inclined surfaces 23a1 and 23a2 are provided, the selection of the inclined surfaces can be combined with the movement of the light-emitting unit 81 and the light-receiving unit 82 along the inclined surfaces.

投光部81および受光部82の移動は、例えば、操作者が投光部81および受光部82の取り付け位置を変更することで行うことができる。
また、図1に示すように、投光部81を移動させる移動部81a(第1の移動部の一例に相当する)と、受光部82を移動させる移動部82a(第2の移動部の一例に相当する)をさらに設けることができる。移動部81a、82aは、例えば、一軸制御が可能な一軸テーブルや、二軸制御が可能な二軸テーブルなどとすることができる。また、一軸テーブルを複数組み合わせたものや、一軸テーブルと2軸テーブルを組み合わせたものとすることもできる。移動部81a、82aが設けられていれば、コントローラ9により検出位置を逐次変更することが可能となる。そのため、処理物100の表面の複数の箇所の処理状態をリアルタイムで検出することが可能となる。
The light-projecting unit 81 and the light-receiving unit 82 can be moved, for example, by an operator changing the mounting positions of the light-projecting unit 81 and the light-receiving unit 82 .
As shown in FIG. 1, a moving unit 81a (corresponding to an example of a first moving unit) for moving the light projecting unit 81 and a moving unit 82a (corresponding to an example of a second moving unit) for moving the light receiving unit 82 can be further provided. The moving units 81a and 82a can be, for example, a single-axis table capable of single-axis control or a double-axis table capable of double-axis control. In addition, a combination of multiple single-axis tables or a combination of a single-axis table and a double-axis table can also be used. If the moving units 81a and 82a are provided, it becomes possible to sequentially change the detection position by the controller 9. Therefore, it becomes possible to detect the processing state of multiple points on the surface of the processing object 100 in real time.

また、図1に示すように、投光部81および受光部82を覆うカバー83をさらに設けることができる。カバー83は、金属から形成され、接地することができる。投光部81および受光部82を配置する際に、前述したカバー34に孔が設けられる場合がある。カバー34に孔が設けられると、アンテナ31において発生した電磁場が、プラズマ処理装置1の外部に漏れるおそれがある。カバー83が設けられていれば、カバー34から漏れた電磁場が、プラズマ処理装置1の外部に漏れるのを抑制することができる。なお、カバー34が、アンテナ31、投光部81、受光部82、および移動部81a、82aを覆うようにしてもよい。 As shown in FIG. 1, a cover 83 can be further provided to cover the light-projecting unit 81 and the light-receiving unit 82. The cover 83 is made of metal and can be grounded. When arranging the light-projecting unit 81 and the light-receiving unit 82, a hole may be provided in the cover 34 described above. If a hole is provided in the cover 34, the electromagnetic field generated in the antenna 31 may leak outside the plasma processing device 1. If the cover 83 is provided, the electromagnetic field leaking from the cover 34 can be prevented from leaking outside the plasma processing device 1. The cover 34 may cover the antenna 31, the light-projecting unit 81, the light-receiving unit 82, and the moving units 81a and 82a.

次に、移動部81a、82aの具体的な構成の一例を説明する。
図7は、移動部181、182を例示するための模式図である。
移動部181は、投光部81を移動させる移動部81aの具体的な構成の一例である。
移動部182は、受光部82を移動させる移動部82aの具体的な構成の一例である。
図7に示すように、移動部181には、投光部81を取り付けることができる。移動部182には、受光部82を取り付けることができる。移動部181は、窓23を挟んで、移動部182と対向する位置に設けられている。
なお、移動部181の構成は、移動部182の構成と同様とすることができる。そのため、以下においては、主に、移動部182の構成について説明する。
Next, an example of a specific configuration of the moving parts 81a and 82a will be described.
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating the moving units 181 and 182. As shown in FIG.
The moving unit 181 is an example of a specific configuration of the moving unit 81 a that moves the light projecting unit 81 .
The moving unit 182 is an example of a specific configuration of the moving unit 82 a that moves the light receiving unit 82 .
7, a light projecting unit 81 can be attached to the moving unit 181. A light receiving unit 82 can be attached to the moving unit 182. The moving unit 181 is provided at a position facing the moving unit 182 with the window 23 therebetween.
The configuration of the moving unit 181 can be similar to the configuration of the moving unit 182. Therefore, hereinafter, the configuration of the moving unit 182 will be mainly described.

図8は、図7における移動部182をX方向から見た模式図である。
図7および図8に示すように、移動部182(181)は、ガイド182a(181a)、ガイド182b(181b)、およびケース182c(181c)を有する。
ガイド182a(181a)は、カバー34の外側面に設けられている。
FIG. 8 is a schematic diagram of the moving portion 182 in FIG. 7 as viewed from the X direction.
As shown in FIGS. 7 and 8, the moving portion 182 (181) has a guide 182a (181a), a guide 182b (181b), and a case 182c (181c).
The guide 182 a ( 181 a ) is provided on the outer surface of the cover 34 .

図9は、ガイド182a(181a)を例示するための模式図である。
図10は、ガイド182b(181b)を例示するための模式図である。
図11は、図10におけるガイド182b(181b)をZ方向から見た模式図である。
FIG. 9 is a schematic diagram illustrating the guide 182a (181a).
FIG. 10 is a schematic diagram illustrating the guide 182b (181b).
FIG. 11 is a schematic diagram of the guide 182b (181b) in FIG. 10 as viewed from the Z direction.

図8および図9に示すように、ガイド182a(181a)は、一対のレール182a1(181a1)と、台座182a2(181a2)を有する。
一対のレール182a1(181a1)は、カバー34に設けられた孔34aの周囲に設けられている。一対のレール182a1(181a1)は、孔34aを挟んで対向している。例えば、一対のレール182a1(181a1)は、長方形の孔34aの長辺に沿って延びている。
As shown in FIGS. 8 and 9, the guide 182a (181a) has a pair of rails 182a1 (181a1) and a base 182a2 (181a2).
The pair of rails 182a1 (181a1) are provided around a hole 34a provided in the cover 34. The pair of rails 182a1 (181a1) face each other across the hole 34a. For example, the pair of rails 182a1 (181a1) extend along the long sides of the rectangular hole 34a.

台座182a2(181a2)は、一対のレール182a1(181a1)の上に設けられている。台座182a2(181a2)は、一対のレール182a1(181a1)に沿って移動可能に設けられている。台座182a2(181a2)のカバー34と対向する面には、長方形の孔182a3(181a3)が設けられている。また、台座182a2(181a2)の位置を保持する図示しない保持装置を設けることができる。 The base 182a2 (181a2) is provided on a pair of rails 182a1 (181a1). The base 182a2 (181a2) is provided so as to be movable along the pair of rails 182a1 (181a1). A rectangular hole 182a3 (181a3) is provided on the surface of the base 182a2 (181a2) facing the cover 34. In addition, a holding device (not shown) can be provided to hold the position of the base 182a2 (181a2).

なお、ガイド182a(181a)は、例示をした構成に限定されるわけではなく、直線移動が可能なガイド機構であればよい。例えば、ガイド182a(181a)は、直動軸受けを有するガイド機構などであってもよい。 The guide 182a (181a) is not limited to the configuration shown in the example, and may be any guide mechanism capable of linear movement. For example, the guide 182a (181a) may be a guide mechanism having a linear bearing.

図8、図10、および図11に示すように、ガイド182b(181b)は、台座182a2(181a2)の上に設けられている。
ガイド182b(181b)は、一対のレール182b1(181b1)と、台座182b2(181b2)を有する。
一対のレール182b1(181b1)は、台座182a2(181a2)に設けられた孔182a3(181a3)の周囲に設けられている。一対のレール182b1(181b1)は、孔182a3(181a3)を挟んで対向している。例えば、一対のレール182b1(181b1)は、長方形の孔182a3(181a3)の長辺に沿って延びている。
As shown in FIGS. 8, 10, and 11, the guide 182b (181b) is provided on a base 182a2 (181a2).
The guide 182b (181b) has a pair of rails 182b1 (181b1) and a base 182b2 (181b2).
The pair of rails 182b1 (181b1) are provided around the hole 182a3 (181a3) provided in the base 182a2 (181a2). The pair of rails 182b1 (181b1) face each other across the hole 182a3 (181a3). For example, the pair of rails 182b1 (181b1) extend along the long sides of the rectangular hole 182a3 (181a3).

台座182b2(181b2)は、一対のレール182b1(181b1)の上に設けられている。台座182b2(181b2)は、一対のレール182b1(181b1)に沿って移動可能に設けられている。台座182b2(181b2)のカバー34と対向する面には、ケース182c(181c)が挿入される孔182b4(181b4)が設けられている。また、台座182b2(181b2)の向かい合う側面には、ホーローセット(イモネジ)182b3(181b3)がねじ込まれるネジ孔182b5(181b5)が設けられている。また、台座182b2(181b2)の位置を保持する図示しない保持装置を設けることができる。 The base 182b2 (181b2) is provided on a pair of rails 182b1 (181b1). The base 182b2 (181b2) is provided so as to be movable along the pair of rails 182b1 (181b1). The surface of the base 182b2 (181b2) facing the cover 34 is provided with a hole 182b4 (181b4) into which the case 182c (181c) is inserted. In addition, the opposing side surface of the base 182b2 (181b2) is provided with a screw hole 182b5 (181b5) into which the enamel set (set screw) 182b3 (181b3) is screwed. In addition, a holding device (not shown) for holding the position of the base 182b2 (181b2) can be provided.

なお、ガイド182b(181b)は、例示をした構成に限定されるわけではなく、直線移動が可能なガイド機構であればよい。例えば、ガイド182b(181b)は、直動軸受けを有するガイド機構などであってもよい。 The guide 182b (181b) is not limited to the illustrated configuration, and may be any guide mechanism capable of linear movement. For example, the guide 182b (181b) may be a guide mechanism having a linear bearing.

図7に示すように、ケース181cの内部には、投光部81が設けられ、ケース182cの内部には、受光部82が設けられている。
図12(a)~(c)は、ケース182c(181c)を例示するための模式図である。
図12(a)に示すように、ケース182c(181c)は、略直方体状の箱とすることができる。ケース182c(181c)の、短手方向における互いに対向する側面には、ケース182c(181c)の長手方向に延びる掘り込み溝182c1(181c1)が設けられている。ケース182c(181c)の長手方向における一方の側面には、受光部82(投光部81)の受光面(投光面)が露出し、他方の側面からは配線が引き出されている。
As shown in FIG. 7, a light projecting unit 81 is provided inside the case 181c, and a light receiving unit 82 is provided inside the case 182c.
12A to 12C are schematic diagrams illustrating the case 182c (181c).
As shown in Fig. 12(a), the case 182c (181c) may be a substantially rectangular box. On the opposing short side surfaces of the case 182c (181c), a recessed groove 182c1 (181c1) is provided extending in the longitudinal direction of the case 182c (181c). On one side surface of the case 182c (181c) in the longitudinal direction, the light receiving surface (light projecting surface) of the light receiving unit 82 (light projecting unit 81) is exposed, and wiring is drawn out from the other side surface.

ケース182c(181c)の掘り込み溝182c1(181c1)が設けられていない側面には、不図示のネジ孔が設けられている。受光部82(投光部81)の側面にも不図示の溝が設けられている。ケース182c(181c)の側面に設けられたネジ孔にホーローセット(イモネジ)をねじ込み、受光部82(投光部81)の側面に設けられた溝にホーローセット(イモネジ)を挿入する。受光部82(投光部81)は、挿入されたホーローセットによって押圧されることで、ケース182c(181c)に固定される。 A screw hole (not shown) is provided on the side of the case 182c (181c) where the recessed groove 182c1 (181c1) is not provided. A groove (not shown) is also provided on the side of the light receiving unit 82 (light projecting unit 81). An enamel set (set screw) is screwed into the screw hole provided on the side of the case 182c (181c), and the enamel set (set screw) is inserted into the groove provided on the side of the light receiving unit 82 (light projecting unit 81). The light receiving unit 82 (light projecting unit 81) is fixed to the case 182c (181c) by being pressed by the inserted enamel set.

受光部82(投光部81)をケース182c(181c)に固定する方法は、上記に限定されない。例えば、受光部82(投光部81)の側面に複数の凹部を設け、ケース182c(181c)の掘り込み溝182c1(181c1)が設けられていない側面には、孔を設ける。そして、ケース182c(181c)の側面に設けられた孔を介してピンが、受光部82(投光部81)に設けられた複数の凹部のうちの一つに挿入されることで、ケース182c(181c)に受光部82(投光部81)を固定してもよい。また、受光部82(投光部81)の外周をオネジとし、ケース182c(181c)の長手方向に貫通する孔をメネジとする。そして、ケース182c(181c)に受光部82(投光部81)をねじ込むことで、ケース182c(181c)に受光部82(投光部81)を固定してもよい。 The method of fixing the light receiving unit 82 (light projecting unit 81) to the case 182c (181c) is not limited to the above. For example, a plurality of recesses are provided on the side of the light receiving unit 82 (light projecting unit 81), and a hole is provided on the side of the case 182c (181c) where the recess 182c1 (181c1) is not provided. Then, a pin may be inserted into one of the plurality of recesses provided in the light receiving unit 82 (light projecting unit 81) through a hole provided on the side of the case 182c (181c), thereby fixing the light receiving unit 82 (light projecting unit 81) to the case 182c (181c). In addition, the outer periphery of the light receiving unit 82 (light projecting unit 81) is male threaded, and the hole penetrating the longitudinal direction of the case 182c (181c) is female threaded. The light receiving unit 82 (light projecting unit 81) may then be fixed to the case 182c (181c) by screwing the light receiving unit 82 (light projecting unit 81) into the case 182c (181c).

図12(b)、(c)に示すように、ケース182c(181c)は、台座182b2(181b2)の孔182b4(181b4)に挿入される。また、ホーローセット(イモネジ)182b3(181b3)が台座182b2(181b2)のネジ孔182b5(181b5)にねじ込まれる。ホーローセット(イモネジ)182b3(181b3)は、孔182b4(181b4)の内部に突出し、ケース182c(181c)の掘り込み溝182c1(181c1)に挿入されている。
そのため、台座182b2(181b2)に対するケース182c(181c)の位置、ひいては、窓23の傾斜面23a2に対する受光部82(投光部81)の位置を調整することができる。また、ケース182c(181c)は、台座182b2(181b2)を介してカバー34に接続される。したがって、受光部82(投光部81)をカバー34に接続することができる。
なお、ケース182c(181c)の位置を保持する図示しない保持装置を設けることもできる。
12B and 12C, the case 182c (181c) is inserted into the hole 182b4 (181b4) of the base 182b2 (181b2). The enamel set (set screw) 182b3 (181b3) is screwed into the screw hole 182b5 (181b5) of the base 182b2 (181b2). The enamel set (set screw) 182b3 (181b3) protrudes into the hole 182b4 (181b4) and is inserted into the recessed groove 182c1 (181c1) of the case 182c (181c).
Therefore, it is possible to adjust the position of the case 182c (181c) relative to the base 182b2 (181b2), and therefore the position of the light receiving unit 82 (light projecting unit 81) relative to the inclined surface 23a2 of the window 23. In addition, the case 182c (181c) is connected to the cover 34 via the base 182b2 (181b2). Therefore, the light receiving unit 82 (light projecting unit 81) can be connected to the cover 34.
It is also possible to provide a holding device (not shown) for holding the position of the case 182c (181c).

なお、台座182b2(181b2)とケース182c(181c)を接続する方法は、例示をした構成に限定されるわけではない。例えば、ケース182c(181c)の側面に掘り込み溝182c1(181c1)に代わって複数の凹部を設け、台座182b2(181b2)のネジ孔182b5(181b5)に代わって孔を設ける。そして、台座182b2(181b2)に設けられた孔を介して、ケース182c(181c)に設けられた複数の凹部のうちの一つにピンが挿入されることで、台座182b2(181b2)とケース182c(181c)を接続してもよい。また、ケース182c(181c)を万力で挟んで固定してもよい。この場合、万力の挟む部分が台座182b2(181b2)の孔に挿入され、孔182b4(181b4)の内部に突出する。 The method of connecting the base 182b2 (181b2) and the case 182c (181c) is not limited to the illustrated configuration. For example, a plurality of recesses may be provided on the side of the case 182c (181c) instead of the groove 182c1 (181c1), and a hole may be provided instead of the screw hole 182b5 (181b5) of the base 182b2 (181b2). Then, the base 182b2 (181b2) and the case 182c (181c) may be connected by inserting a pin into one of the plurality of recesses provided in the case 182c (181c) through the hole provided in the base 182b2 (181b2). The case 182c (181c) may also be clamped and fixed in a vice. In this case, the clamping part of the vice is inserted into the hole in the base 182b2 (181b2) and protrudes into the hole 182b4 (181b4).

複数の投光部81(受光部82)が設けられる場合には、移動部181(182)を複数設けることができる。
図13は、複数の移動部を例示するための模式図である。
図13に示すように、移動部181(182)を複数設ける場合には、ガイド182a(181a)を兼用としてもよい。
この様にすれば、移動部の構成の簡易化を図ることができる。
When a plurality of light projecting units 81 (light receiving units 82) are provided, a plurality of moving units 181 (182) can be provided.
FIG. 13 is a schematic diagram illustrating a plurality of moving parts.
As shown in FIG. 13, when a plurality of moving parts 181 (182) are provided, a guide 182a (181a) may be used for both.
In this way, the structure of the moving part can be simplified.

図14は、第2のカバーに相当するカバー83の構成を例示するための模式図である。 前述の通り、カバー83は、カバー34に設けることができる。カバー83は、本体83bと扉83aからなる。
本体83bは、例えば、金属の筒である。本体83bの一端は、カバー34に接続される。なお、カバー83とチャンバ2の天井とでカバー34の孔34aを密閉できる場合、本体83bのチャンバ2と接する面は、省略することができる。つまり、本体83bは、断面がn字形状の金属の板であってもよい。
扉83aは、例えば、金属の板である。扉83aは、本体83bの他端に開閉可能に設けられる。例えば、扉83aは、ヒンジを介して本体83bの他端と接続される。
図14に示すように、扉83aが閉じた状態のとき、扉83aは、カバー83の外側面となる。また、扉83aには、扉83aが開いた状態を維持するための不図示のストッパを設けることができる。
14 is a schematic diagram illustrating the configuration of the cover 83, which corresponds to the second cover. As described above, the cover 83 can be provided on the cover 34. The cover 83 is composed of a main body 83b and a door 83a.
The main body 83b is, for example, a metal tube. One end of the main body 83b is connected to the cover 34. Note that, if the hole 34a of the cover 34 can be sealed between the cover 83 and the ceiling of the chamber 2, the surface of the main body 83b that contacts the chamber 2 can be omitted. In other words, the main body 83b may be a metal plate having an n-shaped cross section.
The door 83a is, for example, a metal plate. The door 83a is provided at the other end of the main body 83b in an openable and closable manner. For example, the door 83a is connected to the other end of the main body 83b via a hinge.
14, when the door 83a is in a closed state, the door 83a forms an outer surface of the cover 83. In addition, the door 83a may be provided with a stopper (not shown) for maintaining the door 83a in an open state.

ここで、図1に示すように、カバー83は、投光部81、受光部82、および移動部81a、82a(181、182)を覆っている。また、投光部81、受光部82、および移動部81a、82a(181、182)は、作業者によるメンテナンスや調整などが必要となる場合もある。
カバー83に扉83aが設けられていれば、作業者によるメンテナンスや調整などが容易となる。
1, the cover 83 covers the light projecting unit 81, the light receiving unit 82, and the moving units 81a, 82a (181, 182). Furthermore, the light projecting unit 81, the light receiving unit 82, and the moving units 81a, 82a (181, 182) may require maintenance or adjustment by an operator.
If the cover 83 is provided with the door 83a, maintenance and adjustment can be easily performed by an operator.

また、カバー83は、前述の通り、カバー34から漏れた電磁場が、プラズマ処理装置1の外部に漏れるのを抑制することができる。また、投光部81および受光部82に外乱光が入らないようにすることもできる。 As described above, the cover 83 can prevent the electromagnetic field leaking from the cover 34 from leaking outside the plasma processing device 1. It can also prevent ambient light from entering the light-projecting unit 81 and the light-receiving unit 82.

次に、本実施の形態に係るプラズマ処理装置1のメンテナンスについて説明する。
図1に示すように、チャンバ2の天井側には、窓23、電源ユニット3、および検出部8が設けられている。そして、これらの要素は、メンテナンスが必要となる。例えば、プラズマ処理を行うことで、経時的に、窓23に損傷が発生する。そのため、窓23の交換や修理が必要となる。また、電源ユニット3や検出部8の部品を交換したり、調整したりする場合がある。
Next, maintenance of the plasma processing apparatus 1 according to this embodiment will be described.
1, a window 23, a power supply unit 3, and a detection unit 8 are provided on the ceiling side of the chamber 2. These elements require maintenance. For example, the window 23 is damaged over time as a result of plasma processing. This makes it necessary to replace or repair the window 23. Also, there are cases where parts of the power supply unit 3 and the detection unit 8 need to be replaced or adjusted.

ところが、窓23、電源ユニット3、および検出部8は、アンテナ31において発生した電磁場を遮蔽するためのカバー34で覆われている。そのため、メンテナンスを行う際のカバー34の取り外しと、メンテナンス後のカバー34の再設置が必要となる。
また、前述したように、カバー34には、投光部81が取り付けられた移動部と、受光部82が取り付けられた移動部とが設けられている。そのため、カバー34を再設置する際には、カバー34を元の位置に設置する必要がある。
However, the window 23, the power supply unit 3, and the detection unit 8 are covered with a cover 34 for blocking the electromagnetic field generated by the antenna 31. Therefore, it is necessary to remove the cover 34 when performing maintenance and to reinstall the cover 34 after maintenance.
As described above, the cover 34 is provided with a moving section to which the light projecting section 81 is attached and a moving section to which the light receiving section 82 is attached. Therefore, when reinstalling the cover 34, it is necessary to place the cover 34 in the original position.

そこで、本実施の形態に係るプラズマ処理装置1には、カバー34を昇降可能なカバー移動部10が設けられている。
図15は、カバー移動部10を例示するための模式側面図である。
図16は、カバー移動部10を例示するための模式斜視図である。
図15および図16に示すように、カバー移動部10は、例えば、保持部11、駆動部12、および、複数の位置決めピン13を有する。
Therefore, the plasma processing apparatus 1 according to the present embodiment is provided with a cover moving unit 10 capable of lifting and lowering the cover 34 .
FIG. 15 is a schematic side view illustrating the cover moving part 10. As shown in FIG.
FIG. 16 is a schematic perspective view illustrating the cover moving part 10. As shown in FIG.
As shown in FIGS. 15 and 16 , the cover moving unit 10 has, for example, a holding unit 11, a driving unit 12, and a plurality of positioning pins 13.

保持部11は、カバー34を保持する。
駆動部12は、保持部11を昇降させる。駆動部12により保持部11が上昇すると、保持部11に保持されたカバー34がチャンバ2の上方に移動する。そのため、チャンバ2の天井側に設けられた窓23と電源ユニット3を露出させることができるので、窓23と電源ユニット3のメンテナンスが容易となる。
また、図16に示すように、駆動部12は、保持部11を旋回させることもできる。例えば、駆動部12は、保持部11を上昇させる際や上昇端において、保持部11を旋回させることができる。この様にすれば、カバー34をチャンバ2の側方に移動させることができるので、窓23と電源ユニット3のメンテナンスがさらに容易となる。
また、投光部81および受光部82をカバー34と共に移動させることができるので、メンテナンスがさらに容易となる。投光部81および受光部82の取り外し作業を省略することができる。また、投光部81および受光部82がカバー34に固定されている。そのため、カバー34の再設置の際に元の位置戻すと、投光部81および受光部82も元の位置に戻る。したがって、投光部81および受光部82の光軸の再調整も容易となる。
The holding portion 11 holds the cover 34 .
The drive unit 12 raises and lowers the holder 11. When the holder 11 is raised by the drive unit 12, the cover 34 held by the holder 11 moves above the chamber 2. This allows the window 23 and the power supply unit 3 provided on the ceiling side of the chamber 2 to be exposed, facilitating maintenance of the window 23 and the power supply unit 3.
16, the driving unit 12 can also rotate the holding unit 11. For example, the driving unit 12 can rotate the holding unit 11 when raising the holding unit 11 or at the raised end. In this way, the cover 34 can be moved to the side of the chamber 2, making maintenance of the window 23 and the power supply unit 3 even easier.
Furthermore, since the light-projecting unit 81 and the light-receiving unit 82 can be moved together with the cover 34, maintenance is made even easier. The work of removing the light-projecting unit 81 and the light-receiving unit 82 can be omitted. Furthermore, the light-projecting unit 81 and the light-receiving unit 82 are fixed to the cover 34. Therefore, when the cover 34 is returned to its original position for reinstallation, the light-projecting unit 81 and the light-receiving unit 82 also return to their original positions. Therefore, readjustment of the optical axes of the light-projecting unit 81 and the light-receiving unit 82 can also be made easy.

図16に示すように、複数の位置決めピン13は、チャンバ2の天井に設けることができる。また、保持部11またはカバー34には、位置決めピン13が挿入される孔を設けることができる。駆動部12により保持部11が下降した際には、位置決めピン13が保持部11またはカバー34に設けられた孔に挿入される。そのため、カバー34を、元の位置に設置することができる。 As shown in FIG. 16, multiple positioning pins 13 can be provided on the ceiling of the chamber 2. In addition, holes into which the positioning pins 13 are inserted can be provided in the holding part 11 or the cover 34. When the holding part 11 is lowered by the driving part 12, the positioning pins 13 are inserted into the holes provided in the holding part 11 or the cover 34. Therefore, the cover 34 can be placed back in its original position.

図17(a)、(b)は、窓23のメンテナンスに用いる治具123を例示するための模式平面図である。
図17(b)は、図17(a)における治具123のA部の模式拡大図である。
図18は、窓23の設置を例示するための模式図である。
図17(a)および図18に示すように、治具123は略円環状を呈している。治具123には、位置決めピン13を挿入するための孔123bが複数設けられている。メンテナンスの度に治具123が所定の位置に所定の向きで必ず配置されるように、位置決めピン13の配置は、円環状の治具123に対して非対称の配置とすることが好ましい。このようにすることで、所定の位置で所定の向き以外では位置決めピン13が孔123bに嵌らない配置となる。
また、図17(a)、(b)に示すように、治具123の内壁には、凸部123aが設けられている。凸部123aの先端は、窓23の周縁に設けられた平坦面23a3と接触可能となっている。すなわち、窓23の周縁には、略円環状の治具123の内壁に設けられた凸部123aと接触する平坦面23a3が設けられている。
17A and 17B are schematic plan views illustrating a jig 123 used for the maintenance of the window 23.
FIG. 17B is a schematic enlarged view of a portion A of the jig 123 in FIG.
FIG. 18 is a schematic diagram illustrating the installation of the window 23.
17(a) and 18, the jig 123 has a substantially circular ring shape. The jig 123 has a plurality of holes 123b for inserting the positioning pins 13. It is preferable that the positioning pins 13 are arranged asymmetrically with respect to the circular jig 123 so that the jig 123 is always arranged at a predetermined position and in a predetermined orientation every time maintenance is performed. In this way, the positioning pins 13 are arranged so that they will not fit into the holes 123b in any orientation other than the predetermined position and orientation.
17(a) and 17(b), a convex portion 123a is provided on the inner wall of the jig 123. The tip of the convex portion 123a is capable of contacting a flat surface 23a3 provided on the periphery of the window 23. That is, the periphery of the window 23 is provided with the flat surface 23a3 that comes into contact with the convex portion 123a provided on the inner wall of the approximately annular jig 123.

窓23の設置を行う際には、図18に示すように、まず、治具123をチャンバ2の天井に設置する。この際、位置決めピン13を孔123bに挿入することで、治具123が所定の位置に所定の向きで設置される。
次に、窓23を治具123の内部に挿入し、治具123の凸部123aに、窓23の平坦面23a3を接触させる。この様にすれば、チャンバ2に対する窓23の位置を決めることができる。
次に、窓23をチャンバ2に固定した後に、治具123をチャンバ2から取り外す。
治具123を用いれば、窓23を所定の位置に設置するのが容易となる。
18, when installing the window 23, first, a jig 123 is installed on the ceiling of the chamber 2. At this time, the positioning pin 13 is inserted into the hole 123b, so that the jig 123 is installed at a predetermined position in a predetermined orientation.
Next, the window 23 is inserted into the jig 123, and the flat surface 23a3 of the window 23 is brought into contact with the protrusion 123a of the jig 123. In this manner, the position of the window 23 relative to the chamber 2 can be determined.
Next, after the window 23 is fixed to the chamber 2 , the jig 123 is removed from the chamber 2 .
Using the jig 123 makes it easier to place the window 23 in the desired position.

以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
Although the embodiments have been described above, the present invention is not limited to these descriptions.
With respect to the above-described embodiments, those skilled in the art may add or remove components or modify the design, or add or omit steps or change conditions, as appropriate, and these are also included within the scope of the present invention as long as they incorporate the characteristics of the present invention.
Furthermore, the elements of each of the above-described embodiments can be combined to the greatest extent possible, and combinations of these are also included within the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.

例えば、ケース182c(181c)の長手方向における一方の側面に弾性体を設けてもよい。ケース182c(181c)の長手方向における一方の側面は、窓23と接触する面である。そのため、弾性体は、窓23よりも硬度の小さい材料であることが好ましい。弾性体は、例えば、ゴムやスポンジとすることができる。弾性体を設けることで、カバー移動部10によってカバー34が元の位置に戻される際に、窓23を傷つけることを防止することができる。なお、光が受光部82(投光部81)の受光面(投光面)を通過するのを妨げることが無い場合、弾性体は、受光部82(投光部81)の受光面(投光面)にも設けることができる。 For example, an elastic body may be provided on one side surface in the longitudinal direction of the case 182c (181c). One side surface in the longitudinal direction of the case 182c (181c) is the surface that comes into contact with the window 23. Therefore, it is preferable that the elastic body is made of a material that is less hard than the window 23. The elastic body may be, for example, rubber or sponge. By providing the elastic body, it is possible to prevent the window 23 from being damaged when the cover moving unit 10 returns the cover 34 to its original position. Note that, if the elastic body does not prevent light from passing through the light receiving surface (light projecting surface) of the light receiving unit 82 (light projecting unit 81), the elastic body may also be provided on the light receiving surface (light projecting surface) of the light receiving unit 82 (light projecting unit 81).

例えば、ケース182c(181c)を図12(b)のように、窓23から遠ざかる位置に移動させてからカバー34を元の位置に戻してもよい。このようにすることで、カバー移動部10によってカバー34が元の位置に戻される際に、窓23を傷つけることを防止することができる。なお、上記の弾性体を設ける場合と比べると、投光部81および受光部82の光軸を再調整する必要がある。そのため、作業者の作業量は、増加する。したがって、メンテナンスにかかる時間が増加する。しかし、台座182b2(181b2)が一対のレール182b1(181b1)の上にて保持されていれば、ケース182c(181c)のY方向の位置は、元の位置と同じである。そのため、投光部81および受光部82がカバー34と別体である場合と比べ、投光部81および受光部82の光軸を再調整することは、容易である。したがって、作業者の作業量は、減少する。その結果、メンテナンスにかかる時間は、減少する。 For example, the case 182c (181c) may be moved to a position away from the window 23 as shown in FIG. 12(b) before the cover 34 is returned to its original position. In this way, the window 23 can be prevented from being damaged when the cover moving unit 10 returns the cover 34 to its original position. Compared to the case where the elastic body is provided, the optical axes of the light projecting unit 81 and the light receiving unit 82 need to be readjusted. Therefore, the amount of work required by the worker increases. Therefore, the time required for maintenance increases. However, if the base 182b2 (181b2) is held on the pair of rails 182b1 (181b1), the position of the case 182c (181c) in the Y direction is the same as the original position. Therefore, it is easier to readjust the optical axes of the light projecting unit 81 and the light receiving unit 82 than when the light projecting unit 81 and the light receiving unit 82 are separate from the cover 34. Therefore, the amount of work required by the worker decreases. As a result, the time required for maintenance decreases.

1 プラズマ処理装置、2 チャンバ、3 電源ユニット、4 電源ユニット、5 減圧部、6 ガス供給部、7 載置台、8 検出部、9 コントローラ、10 カバー移動部、23 窓、23a1 傾斜面、23a2 傾斜面、23a3 平坦面、23b 中心軸、31 アンテナ、34 カバー、81 投光部、81a 移動部、82 受光部、82a 移動部、100 処理物、123 治具、123a 凸部、G ガス 1 Plasma processing device, 2 Chamber, 3 Power supply unit, 4 Power supply unit, 5 Pressure reduction unit, 6 Gas supply unit, 7 Placement table, 8 Detection unit, 9 Controller, 10 Cover movement unit, 23 Window, 23a1 Inclined surface, 23a2 Inclined surface, 23a3 Flat surface, 23b Central axis, 31 Antenna, 34 Cover, 81 Light projection unit, 81a Movement unit, 82 Light receiving unit, 82a Movement unit, 100 Processing object, 123 Jig, 123a Convex portion, G Gas

Claims (11)

大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、
前記チャンバの内部にガスを供給可能なガス供給部と、
前記チャンバの内部に設けられ、処理物が載置可能な載置台と、
前記チャンバの内部を減圧可能な減圧部と、
前記チャンバに設けられ、前記載置台と対向する窓と、
前記チャンバの外部であって、前記窓の、前記載置台側とは反対側に設けられ、前記チャンバの内部にプラズマを発生可能なプラズマ発生部と、
前記窓を介して、前記処理物の表面に光を照射可能な投光部と、
前記処理物の表面において反射され、前記窓を介して出射する反射光を受光可能な受光部と、
を備え、
前記窓の周縁には、
前記窓の中心軸に対して傾いた第1の傾斜面と、
前記窓の中心軸に対して傾き、前記第1の傾斜面とは傾き方向が逆の第2の傾斜面と、
が設けられ、
前記投光部は、前記第1の傾斜面に対峙し、
前記受光部は、前記第2の傾斜面に対峙しているプラズマ処理装置。
A chamber capable of maintaining an atmosphere reduced in pressure below atmospheric pressure;
a gas supply unit capable of supplying a gas into the chamber;
a stage provided inside the chamber and capable of supporting an object to be treated;
a pressure reducing unit capable of reducing the pressure inside the chamber;
a window provided in the chamber and facing the stage;
a plasma generating unit that is provided outside the chamber, on a side opposite to the side of the window from the mounting table, and that is capable of generating plasma inside the chamber;
a light projection unit capable of irradiating light onto a surface of the workpiece through the window;
a light receiving unit capable of receiving reflected light that is reflected by a surface of the object to be processed and exits through the window;
Equipped with
The periphery of the window is
a first inclined surface inclined with respect to a central axis of the window;
a second inclined surface inclined relative to a central axis of the window and having an inclination direction opposite to that of the first inclined surface;
is established,
The light projecting unit faces the first inclined surface,
The light receiving unit faces the second inclined surface.
平面視において、前記第2の傾斜面は、前記窓の中心軸を挟んで、前記第1の傾斜面と対峙している請求項1記載のプラズマ処理装置。 2 . The plasma processing apparatus according to claim 1 , wherein, in a plan view, the second inclined surface faces the first inclined surface across a central axis of the window . 前記第1の傾斜面と、前記窓の、前記載置台側とは反対側の面との間の角度をθ1とした場合に、以下の式を満足する請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
θ1≦43°
3. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the following formula is satisfied, where θ1 is an angle between the first inclined surface and a surface of the window opposite to the mounting table side: θ1=θ2/θ3.
θ1≦43°
前記第2の傾斜面と、前記窓の、前記載置台側とは反対側の面との間の角度をθ2とした場合に、以下の式を満足する請求項1~3のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
θ2≦43°
4. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the following formula is satisfied, when an angle between the second inclined surface and a surface of the window opposite to the mounting table side is θ2:
θ2≦43°
前記第1の傾斜面と、前記窓の、前記載置台側とは反対側の面との間の角度をθ1とし、
前記第2の傾斜面と、前記窓の、前記載置台側とは反対側の面との間の角度をθ2とした場合に、角度θ2は、角度θ1と略同じである請求項1~4のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
an angle between the first inclined surface and a surface of the window opposite to the mounting table side is θ1;
5. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein when the angle between the second inclined surface and the surface of the window opposite the mounting table side is θ2, the angle θ2 is approximately the same as the angle θ1.
前記投光部は、前記第1の傾斜面に沿って移動可能に設けられ、
前記受光部は、前記第2の傾斜面に沿って移動可能に設けられている請求項1~5のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
the light projecting unit is provided to be movable along the first inclined surface,
6. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the light receiving section is provided so as to be movable along the second inclined surface.
前記投光部を移動可能な第1の移動部と、
前記受光部を移動可能な第2の移動部と、
をさらに備えた請求項6記載のプラズマ処理装置。
A first moving unit capable of moving the light projecting unit;
A second moving unit capable of moving the light receiving unit;
The plasma processing apparatus according to claim 6, further comprising:
前記プラズマ発生部に設けられたアンテナと、前記窓と、を覆うカバーと、
前記カバーを昇降可能なカバー移動部と、
をさらに備えた請求項1~7のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
a cover that covers an antenna provided in the plasma generating unit and the window;
A cover moving unit capable of raising and lowering the cover;
8. The plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising:
前記プラズマ発生部に設けられたアンテナと、前記窓と、を覆うカバーをさらに備え、
前記第1の移動部および前記第2の移動部は、前記カバーに取り付けられる請求項7に記載のプラズマ処理装置。
The plasma generating unit further includes a cover for covering an antenna provided in the plasma generating unit and the window.
The plasma processing apparatus according to claim 7 , wherein the first moving part and the second moving part are attached to the cover.
前記窓の周縁には、略円環状の治具の内壁に設けられた凸部と接触する平坦面が設けられている請求項1~のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 10. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the window has a periphery provided with a flat surface that comes into contact with a protrusion provided on an inner wall of a substantially annular jig. 記投光部および前記受光部を覆う第2のカバーを有し、
前記第2のカバーの外側面は、開閉可能である請求項1~10のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
a second cover that covers the light projecting unit and the light receiving unit;
11. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein an outer surface of the second cover is openable and closable.
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