JP7658779B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、プラズマ処理装置に関する。

ドライエッチングなどに用いられるプラズマ処理装置においては、プラズマ処理の終点検出が行われている。例えば、プラズマの発光スペクトルの変化に基づいて、プラズマ処理の終点を検出する場合がある（例えば、特許文献１を参照）。
しかしながら、プラズマの発光スペクトルの変化や、処理物の表面に照射された光の散乱強度の変化は、比較的広い範囲における光の変化となる。そのため、終点検出を行うセンサに入射する光の強度は、比較的広い範囲における光の強度の平均値となるので、処理物の表面の僅かな変化を検出するのが困難となる。

また、チャンバの側方にセンサを設け、処理物の表面に対して傾いた方向から検出位置に検出光を入射させる技術が提案されている（例えば、特許文献２を参照）。
しかしながら、チャンバの側方にセンサを設け、処理物の表面に対して傾いた方向から検出位置に検出光を入射させると、検出位置における検出光の照射面積が大きくなる。検出光の照射面積が大きくなると、検出位置の周囲の情報が混入するので、検出位置における僅かな変化を検出するのが困難となる。

また、チャンバの側方にセンサを設ける場合には、検出光を透過させるための窓をチャンバの側壁に設ける必要がある。しかしながら、チャンバの側壁には、チャンバ内にガスを供給するためのノズルや、ロードロックチャンバなどが設けられているので、窓の設置位置が限定される。また、チャンバの気密性を考慮すると、大きな窓を設けることができない。窓の設置位置が限定されたり、大きな窓を設けられなかったりすると、検出位置の変更が困難となる。

そこで、検出位置における変化を精度良く検出することができ、且つ、検出位置の変更が可能なプラズマ処理装置の開発が望まれていた。

特開２００７-６６９３５号公報 特開平７-５８０８１号公報

本発明が解決しようとする課題は、検出位置における変化を精度良く検出することができ、且つ、検出位置の変更が可能なプラズマ処理装置を提供することである。

実施形態に係るプラズマ処理装置は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、前記チャンバの内部にガスを供給可能なガス供給部と、前記チャンバの内部に設けられ、処理物が載置可能な載置台と、前記チャンバの内部を減圧可能な減圧部と、前記チャンバに設けられ、前記載置台と対向する窓と、前記チャンバの外部であって、前記窓の、前記載置台側とは反対側に設けられ、前記チャンバの内部にプラズマを発生可能なプラズマ発生部と、前記窓を介して、前記処理物の表面に光を照射可能な投光部と、前記処理物の表面において反射され、前記窓を介して出射する反射光を受光可能な受光部と、を備えている。前記窓の周縁には、前記窓の中心軸に対して傾いた第１の傾斜面と、前記窓の中心軸に対して傾き、前記第１の傾斜面とは傾き方向が逆の第２の傾斜面と、が設けられている。前記投光部は、前記第１の傾斜面に対峙している。前記受光部は、前記第２の傾斜面に対峙している。

本発明の実施形態によれば、検出位置における変化を精度良く検出することができ、且つ、検出位置の変更が可能なプラズマ処理装置が提供される。

本実施の形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式断面図である。 比較例に係る検出部を例示するための模式断面図である。 他の比較例に係る検出部を例示するための模式断面図である。 投光部、受光部、傾斜面、および傾斜面を例示するための模式断面図である。 投光部、受光部、傾斜面、および傾斜面を例示するための模式平面図である。 検出位置の変更を例示するための模式断面図である。 移動部を例示するための模式図である。 図７における移動部をＸ方向から見た模式図である。 ガイドを例示するための模式図である。 ガイドを例示するための模式図である。 図１０におけるガイドをＺ方向から見た模式図である。 （ａ）～（ｃ）は、ケースを例示するための模式図である。 複数の移動部を例示するための模式図である。 第２のカバーに相当するカバーの構成を例示するための模式図である。 カバー移動部を例示するための模式側面図である。 カバー移動部を例示するための模式斜視図である。 （ａ）、（ｂ）は、窓のメンテナンスに用いる治具を例示するための模式平面図である。 窓の設置を例示するための模式図である。

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。また、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
なお、各図中における矢印Ｘ、矢印Ｙ、および、矢印Ｚは、互いに直交する三方向を表している。例えば、矢印Ｘおよび矢印Ｙは水平方向を表し、矢印Ｚは鉛直方向を表している。

また、以下においては、一例として、上部に誘導結合型電極を有し、下部に容量結合型電極を有する二周波プラズマ処理装置を例示する。
ただし、プラズマの発生方法はこれに限定されるわけではない。例えば、プラズマ処理装置は、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を用いたプラズマ処理装置や、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively Coupled Plasma）を用いたプラズマ処理装置などであってもよい。

また、高周波を用いてプラズマを発生させるプラズマ処理装置に限定されるわけではなく、例えば、マイクロ波を用いてプラズマを発生させるプラズマ処理装置などであってもよい。
すなわち、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１は、処理物を載置する載置台と対向し、電磁場を透過させることができる窓を有するものであればよい。

なお、誘導結合型プラズマ、容量結合プラズマ、およびマイクロ波プラズマを用いるプラズマ処理装置の一般的な構成には、既知の技術を適用することができるので、これらのプラズマ処理装置の詳細な説明は省略する。

また、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１により処理される処理物１００は、例えば、フォトマスク、マスクブランク、ウェーハ、ガラス基板などとすることができる。ただし、処理物１００は、例示をしたものに限定されるわけではなく、後述するガスＧをプラズマにより励起、活性化させて生成したラジカルやイオンにより処理される部分を有するものであればよい。

図１は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１を例示するための模式断面図である。 図１に示すように、プラズマ処理装置１には、チャンバ２、電源ユニット３、電源ユニット４、減圧部５、ガス供給部６、載置台７、検出部８、およびコントローラ９を設けることができる。

コントローラ９は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算部と、メモリなどの記憶部とを有する。コントローラ９は、例えば、コンピュータとすることができる。コントローラ９は、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、プラズマ処理装置１に設けられた各要素の動作を制御する。なお、各要素の動作を制御する制御プログラムには既知の技術を適用することができるので、詳細な説明は省略する。

チャンバ２は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。チャンバ２は、例えば、略円筒形状を呈している。チャンバ２は、例えば、アルミニウム合金などの金属から形成することができる。チャンバ２は、接地することができる。

チャンバ２の側壁には、処理物１００の搬入と搬出を行うための孔２ａを設けることができる。チャンバ２の孔２ａが設けられた部分には、ロードロックチャンバ２１を接続することができる。ロードロックチャンバ２１にはゲートバルブ２２を設けることができる。プラズマ処理を行う際には、ゲートバルブ２２により孔２ａが気密となるように閉鎖される。処理物の搬入と搬出を行う際には、ゲートバルブ２２により孔２ａがロードロックチャンバ２１と連通される。

チャンバ２の天井には、窓２３が気密となるように設けられている。窓２３は、処理物１００を載置する載置台７（静電チャック７１）と対向している。窓２３は、板状を呈している。窓２３は、電磁場を透過させることができる。窓２３は、プラズマ処理を行った際にダメージを受けにくい材料から形成することができる。窓２３は、例えば、石英などの誘電体材料から形成することができる。

電源ユニット３は、チャンバ２の内部空間においてプラズマＰを発生させる。電源ユニット３は、チャンバ２の外部であって、窓２３の、載置台７側とは反対側に設けられている。プラズマ処理装置１においては、電源ユニット３が、チャンバ２の内部にプラズマＰを発生可能なプラズマ発生部となる。

電源ユニット３は、例えば、アンテナ３１、整合器３２、および電源３３を有する。
アンテナ３１は、チャンバ２の外部であって、窓２３の上に設けることができる。アンテナ３１は、整合器３２を介して電源３３と電気的に接続されている。アンテナ３１は、例えば、電磁場を発生させる複数のコイルと、複数のコンデンサとを有することができる。また、アンテナ３１と窓２３を覆うカバー３４をさらに設けることができる。カバー３４は、金属から形成され接地することができる。また、アンテナ３１と窓２３との間にファラデーシールドをさらに設けることができる。

整合器３２は、電源３３側のインピーダンスと、プラズマＰ側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合回路などを備えることができる。

電源３３は、高周波電源とすることができる。電源３３は、例えば、１００ＫＨｚ～１００ＭＨｚ程度の周波数を有する高周波電力をアンテナ３１に印加する。この場合、電源３３は、プラズマＰの発生に適した周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）を有する高周波電力をアンテナ３１に印加する。また、電源３３は、出力する高周波電力の周波数を変化させるものとすることもできる。

電源ユニット４は、いわゆるバイアス制御のために設けられている。すなわち、電源ユニット４は、処理物１００に引き込むイオンのエネルギーを制御するために設けられている。この場合、処理物１００に引き込むイオンのエネルギーを大きくすれば、イオンによるスパッタ効果が生じ易くなる。また、処理物１００に引き込むイオンのエネルギーを小さくすれば、ラジカルによる化学的な処理が生じ易くなる。

電源ユニット４は、例えば、ベース４１、整合器４２、および電源４３を有する。
ベース４１は、絶縁部材４１ａを介して、チャンバ２の底部に設けられている。また、絶縁部材４１ａは、ベース４１の側面を覆うことができる。絶縁部材４１ａは、例えば、石英などの誘電体材料から形成することができる。

ベース４１は、整合器４２を介して電源４３と電気的に接続されている。また、ベース４１の上には、静電チャック７１を設けることができる。ベース４１は、電源４３により高周波電力が印加される電極となるとともに、静電チャック７１を支持する支持台となる。この場合、ベース４１は、内部に冷却水を流す流路を有し、静電チャック７１の冷却を行うこともできる。ベース４１は、例えば、アルミニウム合金などの金属から形成することができる。

整合器４２は、ベース４１と電源４３との間に電気的に接続されている。整合器４２は、電源４３側のインピーダンスと、プラズマＰ側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合回路などを備えることができる。

電源４３は、高周波電源とすることができる。電源４３は、イオンを引き込むために適した周波数（例えば、１ＭＨｚ～２７ＭＨｚの周波数）を有する高周波電力をベース４１に印加する。

減圧部５は、チャンバ２の内部を所定の圧力まで減圧する。
減圧部５は、例えば、開閉バルブ５１、ポンプ５２、および圧力コントローラ５３を有する。
開閉バルブ５１は、例えば、チャンバ２の側壁に設けられた孔２ｂに接続することができる。開閉バルブ５１は、チャンバ２とポンプ５２との間の流路の開閉を行う。開閉バルブ５１は、例えば、ポペットバルブとすることができる。

ポンプ５２は、例えば、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ：Turbo Molecular Pump）などとすることができる。

圧力コントローラ５３は、開閉バルブ５１とポンプ５２との間に設けることができる。圧力コントローラ５３は、チャンバ２の内部圧力を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ２の内部圧力が所定の圧力となるように制御する。圧力コントローラ５３は、例えば、ＡＰＣ（Auto Pressure Controller）などとすることができる。

ガス供給部６は、チャンバ２の側壁に設けられたノズル２ｃを介して、チャンバ２の内部空間にガスＧを供給する。この場合、複数のノズル２ｃを、チャンバ２の中心軸周りに略等間隔で設けることもできる。この様にすれば、プラズマＰが発生する領域においてガスＧの濃度がばらつくのを抑制することができる。

ガス供給部６は、例えば、ガス源６１、ガスコントローラ６２、および開閉バルブ６３を有する。
ガス源６１は、ガスコントローラ６２および開閉バルブ６３を介して、チャンバ２の内部にガスＧを供給する。ガス源６１は、例えば、ガスＧを収納した高圧ボンベなどとすることができる。また、ガス源６１は、例えば、工場配管などであってもよい。

ガスＧは、プラズマＰにより励起、活性化された際に、所望のラジカルやイオンが生成されるものとすることができる。例えば、プラズマ処理がエッチング処理である場合には、ガスＧは、処理物１００の露出面をエッチングすることができるラジカルやイオンが生成されるものとすることができる。この場合、ガスＧは、例えば、塩素を含むガス、フッ素を含むガスなどとすることができる。例えば、ガスＧは、塩素ガスと酸素ガスの混合ガス、ＣＨＦ_３、ＣＨＦ_３とＣＦ_４の混合ガス、ＳＦ_６とヘリウムガスの混合ガスなどとすることができる。

ガスコントローラ６２は、ガス源６１とチャンバ２の間に設けることができる。ガスコントローラ６２は、ガス源６１から供給されたガスＧの流量および圧力の少なくともいずれかを制御する。ガスコントローラ６２は、例えば、ＭＦＣ（Mass Flow Controller）などとすることができる。

開閉バルブ６３は、ガスコントローラ６２とチャンバ２の間に設けることができる。開閉バルブ６３は、ガスＧの供給の開始と、供給の停止とを制御する。開閉バルブ６３は、例えば、２ポート電磁弁などとすることができる。なお、開閉バルブ６３の機能をガスコントローラ６２に持たせることもできる。

載置台７は、チャンバ２の内部に設けられ、処理物１００が載置される。
載置台７は、例えば、静電チャック７１、マスクリング７２、電源ユニット７３、温度制御部７４、およびリフトピン７５を有する。

静電チャック７１は、静電力を発現させて、処理物１００を吸着する。静電チャック７１は、クーロン力を用いるものであってもよいし、ジョンソン・ラーベック力（Johnsen-Rahbek force）を用いるものであってもよい。また、静電チャック７１は、処理を行う際に、処理物１００の温度を制御することもできる。すなわち、静電チャック７１は、少なくとも処理物１００を吸着する機能を有し、さらに処理物１００の温度を制御する機能をも有することができる。

静電チャック７１は、ベース４１の上に設けることができる。静電チャック７１は、例えば、板状の誘電体と、誘電体の内部に設けられた電極を有することができる。誘電体は、例えば、酸化アルミニウムなどのセラミックスから形成することができる。

誘電体の表面には、複数の溝を設けることができる。複数の溝には、温度制御部７４から温度制御ガスが供給される。供給された温度制御ガスは、溝と載置された処理物１００とで画された空間の内部を流通し、温度制御ガスと処理物との間で熱交換が行われる。
また、誘電体には、厚み方向を貫通する複数の孔を設けることができる。複数の孔のそれぞれには、リフトピン７５を設けることができる。

電極は、板状を呈し、例えば、タングステンやモリブデンなどの金属から形成することができる。電極は、単極型であってもよいし、双極型であってもよい。例えば、双極型の場合には、同一平面上に２つの電極を並べて設けることができる。

マスクリング７２は、筒状を呈し、例えば、ベース４１の上面の周縁近傍、あるいは、静電チャック７１の上面の周縁近傍に設けることができる。マスクリング７２は、例えば、石英などの誘電体材料から形成することができる。

電源ユニット７３は、例えば、直流電源７３ａ、および切り替えスイッチ７３ｂを有する。直流電源７３ａは、静電チャック７１の電極と電気的に接続されている。直流電源７３ａにより、電極に電圧が印加されると、電極の、処理物１００側の面に電荷が発生する。そのため、電極と処理物１００との間に静電力が発生し、発生した静電力により、処理物１００が静電チャック７１に吸着される。

切り替えスイッチ７３ｂは、直流電源７３ａと、静電チャック７１の電極との間に電気的に接続され、処理物１００の吸着と、吸着の解除とを切り替える。

温度制御部７４は、静電チャック７１に温度制御ガスを供給する。
温度制御部７４は、例えば、ガス源７４ａ、ガスコントローラ７４ｂ、温調部７４ｃ、および開閉バルブ７４ｄを有する。

ガス源７４ａは、例えば、温度制御ガスを収納した高圧ボンベなどとすることができる。なお、ガス源７４ａは、例えば、工場配管などであってもよい。温度制御ガスは、例えば、ヘリウムガスなどとすることができる。

ガスコントローラ７４ｂは、ガス源７４ａと静電チャック７１との間に設けることができる。ガスコントローラ７４ｂは、例えば、ガス源７４ａから供給された温度制御ガスの流量を制御する。ガスコントローラ７４ｂは、例えば、ＭＦＣなどとすることができる。

温調部７４ｃは、ガスコントローラ７４ｂと静電チャック７１との間に設けることができる。温調部７４ｃは、温度制御ガスの温度を調整することで、処理物１００の温度を調整する。温調部７４ｃは、例えば、ヒータなどの加熱装置、および、熱交換器などを備えた冷却装置の少なくともいずれかとすることができる。

開閉バルブ７４ｄは、温調部７４ｃと静電チャック７１との間に設けることができる。開閉バルブ７４ｄは、温度制御ガスの供給の開始と、供給の停止とを制御する。開閉バルブ７４ｄは、例えば、２ポート電磁弁などとすることができる。なお、開閉バルブ７４ｄの機能をガスコントローラ７４ｂに持たせることもできる。

リフトピン７５は、複数設けることができる。図示しない搬送装置に処理済みの処理物１００を受け渡したり、図示しない搬送装置から処理前の処理物１００を受け取ったりする際には、複数のリフトピン７５を上昇させて、複数のリフトピン７５を静電チャック７１の上面から突出させる。処理物１００に処理を施す際には、複数のリフトピン７５を下降させて、複数のリフトピン７５を静電チャック７１の上面よりも下方に移動させる。複数のリフトピン７５の昇降は、例えば、サーボモータなどの制御モータや、エアシリンダなどにより行うことができる。

ここで、本実施の形態に係る検出部８を説明する前に、比較例に係る検出部１８０と検出部２８０とについて説明する。
図２は、比較例に係る検出部１８０を例示するための模式断面図である。
図２は、本実施の形態に係る検出部８に代えて、検出部１８０と透過窓１２１を設けた場合である。

図２に示すように、比較例に係る検出部１８０は、投光部１８０ａ、および受光部１８０ｂを有する。また、透過窓１２１は、チャンバ２の側壁の、投光部１８０ａと対峙する位置、およびチャンバ２の側壁の、受光部１８０ｂと対峙する位置にそれぞれ設けられている。

投光部１８０ａから出射した検出光は透過窓１２１を透過して、処理物１００の表面の検出位置に入射する。検出光は、処理物１００の表面と、検出光との間の角度が角度θａで処理物１００の表面に対して照射される。検出位置に入射した検出光は反射され、透過窓１２１を透過して受光部１８０ｂに入射する。受光部１８０ｂは、入射した反射光を受光量に応じた電気信号に変換する。コントローラ９は、電気信号に基づいて、処理物１００の状態を検出する。

ここで、処理物１００の表面上にある検出位置に検出光を垂直に照射する場合を想定する。検出光は、投光部１８０ａから出射し処理物１００の表面に届くまでに拡がる。一般的には、検出位置における検出光の照射面積は、投光部１８０ａのアパーチャの径と検出光の拡がりに基づいて予め決められている。この場合、検出位置における検出光の照射面積が大きくなると、検出位置の周囲の情報が検出結果に混入し易くなる。そのため、検出位置における検出光の照射面積は、なるべく小さくすることが好ましい。なお、検出光の拡がりは、図３に示す距離Ｌ１に比例する。

しかしながら、図２に示すように、チャンバ２の側方に投光部１８０ａを設け、処理物１００の表面に対して傾いた方向から処理物１００の表面に検出光を照射すると、検出位置における検出光の照射面積が、前述した予め決められた照射面積よりも大きくなる。例えば、図２では、検出位置における検出光の照射面積は、Ｘ方向に拡がる。そのため、検出位置の周囲の情報が検出結果に混入して、検出位置における僅かな変化を検出するのが困難となる。

また、処理物１００を載置する載置台７と、載置台７の上方に設けられた窓２３と、の間の距離Ｌが長くなると、窓２３の直下において発生したプラズマＰにより生成されたラジカルが、載置台７に載置された処理物１００に到達する前に失活し易くなる。そのため、載置台７と窓２３との間の距離Ｌは短くなる傾向にある。載置台７と窓２３との間の距離Ｌが短くなると、処理物１００の表面と、検出光との間の角度θａが小さくなる。照射面積のＸ方向への拡がりは、角度θａが小さいほど大きくなる。したがって、検出位置における検出光の照射面積がさらに大きくなる。

またさらに、近年においては、処理部分の微細化が進み、例えば、形成される凹凸や孔などの開口率が１％以下となる場合もある。この様な場合には、除去される物質の量が少なくなるため、検出光の変化量がさらに微小となり、検出位置における光学的な変化を検出するのがさらに困難となる。
この様に、チャンバ２の側方に検出部１８０を設けると、検出位置における光学的な変化を精度良く検出するのが困難となってきている。

また、前述したように、チャンバ２の側壁には、チャンバ２の内部にガスＧを供給するためのノズル２ｃや、ロードロックチャンバ２１などが設けられているので、窓２３の設置位置が限定される。また、チャンバ２は気密構造とする必要があるので、大きな窓２３を設けることが難しい。窓２３の設置位置が限定されたり、大きな窓２３が設けられなかったりすると、投光部１８０ａおよび受光部１８０ｂの配置が限定されることになる。投光部１８０ａおよび受光部１８０ｂの配置が限定されると、検出位置が限定されるので、検出位置の変更が困難となる。

以上に説明した様に、チャンバ２の側方に検出部１８０を設けると、検出精度の向上と、検出位置の変更が困難となる。

図３は、他の比較例に係る検出部２８０を例示するための模式断面図である。
図３は、本実施の形態に係る検出部８に代えて、検出部２８０を設けた場合である。
図３に示すように、検出部２８０は、投光部と受光部が一体化された、いわゆる投受光センサとすることができる。検出部２８０は、チャンバ２の外部であって、窓２３の、載置台７側とは反対側に設けられている。検出部２８０は、処理物１００の表面に対して略垂直な方向から検出位置に検出光を入射させ、検出位置において反射した反射光を受光する。この様にすれば、検出位置における検出光の照射面積が、前述した予め決められた照射面積とほぼ同じとなる。そのため、検出位置における変化を精度良く検出するのが容易となる。

ところが、前述したように、窓２３の上にはアンテナ３１やファラデーシールドなどが設けられている。そのため、検出部２８０の配置が、アンテナ３１やファラデーシールドなどにより制限される。
そのため、窓２３の上方に検出部２８０を設けると、検出精度の向上が図れたとしても、検出位置の変更が困難となる。

次に、図１に戻って、本実施の形態に係る検出部８について説明する。
検出部８は、プラズマ処理の最中に生じる光学的な変化に基づいて、処理物１００の状態を検出する。例えば、検出部８は、プラズマ処理の終点検出に用いることができる。

図１に示すように、検出部８は、例えば、投光部８１、および受光部８２を有する。
投光部８１は、例えば、発光ダイオードやレーザダイオードなどとすることができる。投光部８１は、窓２３を介して、処理物１００の表面に検出光を照射することができる。投光部８１は、後述する傾斜面２３ａ１と対峙させて設けることができる。

受光部８２は、処理物１００の表面において反射され、窓２３を介して出射する反射光を受光することができる。例えば、受光部８２は、検出光が処理物１００の検出位置に入射した際に生じた干渉光を受光し、電気信号に変換することができる。受光部８２は、例えば、フォトダイオードとすることができる。なお、受光部８２は、フォトダイオードに限定されるわけではなく、光学的な変化を検出可能なものであればよい。受光部８２は、後述する傾斜面２３ａ２と対峙させて設けることができる。

また、受光部８２は、分光器をさらに有していてもよい。分光器が設けられていれば、所定の波長を有する光を抽出することができるので、検出精度の向上を図ることができる。
コントローラ９は、受光部８２からの信号に基づいて、処理物の状態（例えば、プラズマ処理の終点）を検出することができる。

また、図１に示すように、窓２３の周縁の一部には、傾斜面２３ａ１（第１の傾斜面の一例に相当する）と傾斜面２３ａ２（第２の傾斜面の一例に相当する）が設けられている。傾斜面２３ａ１および傾斜面２３ａ２に凹凸があると、凹凸によって光が散乱してしまうので、傾斜面２３ａ１および傾斜面２３ａ２の平面度を高くすることが好ましい。例えば、光学研磨によって、傾斜面２３ａ１および傾斜面２３ａ２の表面粗さをＲａ０．０２以下にすることができる。

図４は、投光部８１、受光部８２、傾斜面２３ａ１、および傾斜面２３ａ２を例示するための模式断面図である。
図５は、投光部８１、受光部８２、傾斜面２３ａ１、および傾斜面２３ａ２を例示するための模式平面図である。

図４および図５に示すように、例えば、傾斜面２３ａ１の一方の端部は、窓２３の、載置台７側とは反対側の面に接続することができる。例えば、傾斜面２３ａ１の他方の端部は、窓２３の側面と接続することができる。例えば、傾斜面２３ａ２の一方の端部は、窓２３の、載置台７側とは反対側の面に接続することができる。例えば、傾斜面２３ａ２の他方の端部は、窓２３の側面と接続することができる。

図５に示すように、平面視において、傾斜面２３ａ２は、窓２３の中心軸２３ｂを挟んで、傾斜面２３ａ１と対峙する位置に設けることができる。
図４に示すように、傾斜面２３ａ１は、窓２３の中心軸２３ｂに対して傾いている。傾斜面２３ａ２は、窓２３の中心軸２３ｂに対して傾いている。傾斜面２３ａ２の傾き方向は、傾斜面２３ａ１の傾き方向とは逆となっている。

例えば、窓２３が石英から形成され、チャンバ２の内圧が０．１Ｐａ～１００Ｐａ程度の場合には、図４に示すように、傾斜面２３ａ１と、窓２３の、載置台７側とは反対側の面との間の角度θ１は、「θ１≦４３°」とすることができる。この様にすれば、投光部８１から出射し、傾斜面２３ａ１を介して窓２３の内部に導入された検出光が、窓２３の、載置台７側の面において全反射されるのを抑制することができる。

傾斜面２３ａ２と、窓２３の、載置台７側とは反対側の面との間の角度θ２は、「θ２≦４３°」とすることができる。この様にすれば、処理物１００の検出位置において反射され、窓２３の、載置台７側の面に入射した反射光が、窓２３の、載置台７側の面において全反射されるのを抑制することができる。

また、角度θ２は、角度θ１と同じとすることができる。ただし、角度θ１と角度θ２とを同じとする場合に、製造誤差程度の違いは許容することができる。すなわち、角度θ２は、角度θ１と略同じとすることができる。

図５に示す傾斜面２３ａ１の平面寸法Ｌ２と傾斜面２３ａ２の平面寸法Ｌ３には特に限定はない。例えば、図５に示すように、傾斜面２３ａ１の平面寸法Ｌ２は投光部８１の平面寸法Ｌ４以上とすることができる。例えば、傾斜面２３ａ２の平面寸法Ｌ３は受光部８２の平面寸法Ｌ５以上とすることができる。この場合、傾斜面２３ａ２の平面寸法Ｌ３は、傾斜面２３ａ１の平面寸法Ｌ２と同じであってもよいし、異なっていてもよい。

投光部８１の投光側の端部と傾斜面２３ａ１との間には、隙間を設けることもできるし、図４に示すように、投光部８１の投光側の端部と傾斜面２３ａ１とを接触させることもできる。
ただし、投光部８１の投光側の端部と傾斜面２３ａ１との間に隙間が設けられていると、プラズマ処理装置１に震動が加えられた場合に、投光部８１と傾斜面２３ａ１とが別々に振動するので、ノイズが発生するおそれがある。また、外部の光が、隙間を介して傾斜面２３ａ１に入射するとノイズが発生するおそれがある。そのため、投光部８１の投光側の端部と傾斜面２３ａ１とを接触させることが好ましい。なお、投光部８１の投光側の端部と傾斜面２３ａ１との間に、光ファイバなどを有する導光部を設けることもできる。導光部が設けられていれば、投光部８１を任意の位置に配置するのが容易となる。

受光部８２の受光側の端部と傾斜面２３ａ２との間には、隙間を設けることもできるし、図４に示すように、受光部８２の受光側の端部と傾斜面２３ａ２とを接触させることもできる。
ただし、受光部８２の受光側の端部と傾斜面２３ａ２との間に隙間が設けられていると、プラズマ処理装置１に震動が加えられた場合に、受光部８２と傾斜面２３ａ２とが別々に振動するので、ノイズが発生するおそれがある。また、外部の光が、隙間を介して受光部８２に入射するとノイズが発生するおそれがある。そのため、受光部８２の受光側の端部と傾斜面２３ａ２とを接触させることが好ましい。なお、受光部８２の受光側の端部と傾斜面２３ａ２との間に、光ファイバなどを有する導光部を設けることもできる。導光部が設けられていれば、受光部８２を任意の位置に配置するのが容易となる。

窓２３の周縁には、アンテナ３１やファラデーシールドなどが設けられていない。そのため、傾斜面２３ａ１および傾斜面２３ａ２を任意の位置に設けることができるので、処理物１００の表面の所望の位置を検出するのが容易となる。前述の通り、角度θａが小さいほど照射面積が大きくなる。窓２３の傾斜面２３ａ１から検出光を照射することで、検出部１８０と比べて角度θａを大きくすることができる。したがって、検出部１８０と比べて照射面積を小さくすることができる。

また、傾斜面２３ａ１および傾斜面２３ａ２が１組設けられる場合を例示したが、傾斜面２３ａ１および傾斜面２３ａ２を複数組設けることもできる。傾斜面２３ａ１および傾斜面２３ａ２が複数組設けられていれば、所望の検出位置に応じて、傾斜面２３ａ１および傾斜面２３ａ２を選択することができる。

次に、検出位置の変更について説明する。
傾斜面２３ａ１および傾斜面２３ａ２が複数組設けられていれば、傾斜面２３ａ１および傾斜面２３ａ２を選択することで検出位置の変更を行うことができる。
また、傾斜面２３ａ１および傾斜面２３ａ２が１組設けられている場合にも、検出位置の変更を行うことができる。以下においては、傾斜面２３ａ１および傾斜面２３ａ２が１組設けられている場合を説明する。

図６は、検出位置の変更を例示するための模式断面図である。
図６に示すように、投光部８１を傾斜面２３ａ１の傾斜方向に沿って移動させれば、処理物１００の表面における検出光の入射位置（検出位置）を変更することができる。検出光の入射位置が変われば、傾斜面２３ａ２における反射光の入射位置が変わるので、傾斜面２３ａ２における反射光の入射位置に応じて受光部８２を移動させる。
この様にすれば、処理物１００の表面における検出位置を容易に変更することができる。そのため、処理物１００の表面における複数の箇所の処理状態を検出することが可能となる。

なお、図６に例示をしたものは、投光部８１を傾斜面２３ａ１の傾斜方向に沿って移動させたが、図５に示すように、投光部８１を傾斜面２３ａ１に沿って、Ｙ方向に移動させてもよい。また、投光部８１を傾斜面２３ａ１の傾斜方向およびＹ方向に移動させてもよい。
すなわち、投光部８１が傾斜面２３ａ１に沿って移動可能に設けられ、受光部８２が傾斜面２３ａ２に沿って移動可能に設けられていれば、検出位置の変更が可能となる。

また、傾斜面２３ａ１および傾斜面２３ａ２が複数組設けられている場合には、傾斜面の選択と、傾斜面に沿った、投光部８１および受光部８２の移動を組み合わせることもできる。

投光部８１および受光部８２の移動は、例えば、操作者が投光部８１および受光部８２の取り付け位置を変更することで行うことができる。
また、図１に示すように、投光部８１を移動させる移動部８１ａ（第１の移動部の一例に相当する）と、受光部８２を移動させる移動部８２ａ（第２の移動部の一例に相当する）をさらに設けることができる。移動部８１ａ、８２ａは、例えば、一軸制御が可能な一軸テーブルや、二軸制御が可能な二軸テーブルなどとすることができる。また、一軸テーブルを複数組み合わせたものや、一軸テーブルと２軸テーブルを組み合わせたものとすることもできる。移動部８１ａ、８２ａが設けられていれば、コントローラ９により検出位置を逐次変更することが可能となる。そのため、処理物１００の表面の複数の箇所の処理状態をリアルタイムで検出することが可能となる。

また、図１に示すように、投光部８１および受光部８２を覆うカバー８３をさらに設けることができる。カバー８３は、金属から形成され、接地することができる。投光部８１および受光部８２を配置する際に、前述したカバー３４に孔が設けられる場合がある。カバー３４に孔が設けられると、アンテナ３１において発生した電磁場が、プラズマ処理装置１の外部に漏れるおそれがある。カバー８３が設けられていれば、カバー３４から漏れた電磁場が、プラズマ処理装置１の外部に漏れるのを抑制することができる。なお、カバー３４が、アンテナ３１、投光部８１、受光部８２、および移動部８１ａ、８２ａを覆うようにしてもよい。

次に、移動部８１ａ、８２ａの具体的な構成の一例を説明する。
図７は、移動部１８１、１８２を例示するための模式図である。
移動部１８１は、投光部８１を移動させる移動部８１ａの具体的な構成の一例である。
移動部１８２は、受光部８２を移動させる移動部８２ａの具体的な構成の一例である。
図７に示すように、移動部１８１には、投光部８１を取り付けることができる。移動部１８２には、受光部８２を取り付けることができる。移動部１８１は、窓２３を挟んで、移動部１８２と対向する位置に設けられている。
なお、移動部１８１の構成は、移動部１８２の構成と同様とすることができる。そのため、以下においては、主に、移動部１８２の構成について説明する。

図８は、図７における移動部１８２をＸ方向から見た模式図である。
図７および図８に示すように、移動部１８２（１８１）は、ガイド１８２ａ（１８１ａ）、ガイド１８２ｂ（１８１ｂ）、およびケース１８２ｃ（１８１ｃ）を有する。
ガイド１８２ａ（１８１ａ）は、カバー３４の外側面に設けられている。

図９は、ガイド１８２ａ（１８１ａ）を例示するための模式図である。
図１０は、ガイド１８２ｂ（１８１ｂ）を例示するための模式図である。
図１１は、図１０におけるガイド１８２ｂ（１８１ｂ）をＺ方向から見た模式図である。

図８および図９に示すように、ガイド１８２ａ（１８１ａ）は、一対のレール１８２ａ１（１８１ａ１）と、台座１８２ａ２（１８１ａ２）を有する。
一対のレール１８２ａ１（１８１ａ１）は、カバー３４に設けられた孔３４ａの周囲に設けられている。一対のレール１８２ａ１（１８１ａ１）は、孔３４ａを挟んで対向している。例えば、一対のレール１８２ａ１（１８１ａ１）は、長方形の孔３４ａの長辺に沿って延びている。

台座１８２ａ２（１８１ａ２）は、一対のレール１８２ａ１（１８１ａ１）の上に設けられている。台座１８２ａ２（１８１ａ２）は、一対のレール１８２ａ１（１８１ａ１）に沿って移動可能に設けられている。台座１８２ａ２（１８１ａ２）のカバー３４と対向する面には、長方形の孔１８２ａ３（１８１ａ３）が設けられている。また、台座１８２ａ２（１８１ａ２）の位置を保持する図示しない保持装置を設けることができる。

なお、ガイド１８２ａ（１８１ａ）は、例示をした構成に限定されるわけではなく、直線移動が可能なガイド機構であればよい。例えば、ガイド１８２ａ（１８１ａ）は、直動軸受けを有するガイド機構などであってもよい。

図８、図１０、および図１１に示すように、ガイド１８２ｂ（１８１ｂ）は、台座１８２ａ２（１８１ａ２）の上に設けられている。
ガイド１８２ｂ（１８１ｂ）は、一対のレール１８２ｂ１（１８１ｂ１）と、台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）を有する。
一対のレール１８２ｂ１（１８１ｂ１）は、台座１８２ａ２（１８１ａ２）に設けられた孔１８２ａ３（１８１ａ３）の周囲に設けられている。一対のレール１８２ｂ１（１８１ｂ１）は、孔１８２ａ３（１８１ａ３）を挟んで対向している。例えば、一対のレール１８２ｂ１（１８１ｂ１）は、長方形の孔１８２ａ３（１８１ａ３）の長辺に沿って延びている。

台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）は、一対のレール１８２ｂ１（１８１ｂ１）の上に設けられている。台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）は、一対のレール１８２ｂ１（１８１ｂ１）に沿って移動可能に設けられている。台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）のカバー３４と対向する面には、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）が挿入される孔１８２ｂ４（１８１ｂ４）が設けられている。また、台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）の向かい合う側面には、ホーローセット（イモネジ）１８２ｂ３（１８１ｂ３）がねじ込まれるネジ孔１８２ｂ５（１８１ｂ５）が設けられている。また、台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）の位置を保持する図示しない保持装置を設けることができる。

なお、ガイド１８２ｂ（１８１ｂ）は、例示をした構成に限定されるわけではなく、直線移動が可能なガイド機構であればよい。例えば、ガイド１８２ｂ（１８１ｂ）は、直動軸受けを有するガイド機構などであってもよい。

図７に示すように、ケース１８１ｃの内部には、投光部８１が設けられ、ケース１８２ｃの内部には、受光部８２が設けられている。
図１２（ａ）～（ｃ）は、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）を例示するための模式図である。
図１２（ａ）に示すように、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）は、略直方体状の箱とすることができる。ケース１８２ｃ（１８１ｃ）の、短手方向における互いに対向する側面には、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）の長手方向に延びる掘り込み溝１８２ｃ１（１８１ｃ１）が設けられている。ケース１８２ｃ（１８１ｃ）の長手方向における一方の側面には、受光部８２（投光部８１）の受光面（投光面）が露出し、他方の側面からは配線が引き出されている。

ケース１８２ｃ（１８１ｃ）の掘り込み溝１８２ｃ１（１８１ｃ１）が設けられていない側面には、不図示のネジ孔が設けられている。受光部８２（投光部８１）の側面にも不図示の溝が設けられている。ケース１８２ｃ（１８１ｃ）の側面に設けられたネジ孔にホーローセット（イモネジ）をねじ込み、受光部８２（投光部８１）の側面に設けられた溝にホーローセット（イモネジ）を挿入する。受光部８２（投光部８１）は、挿入されたホーローセットによって押圧されることで、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）に固定される。

受光部８２（投光部８１）をケース１８２ｃ（１８１ｃ）に固定する方法は、上記に限定されない。例えば、受光部８２（投光部８１）の側面に複数の凹部を設け、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）の掘り込み溝１８２ｃ１（１８１ｃ１）が設けられていない側面には、孔を設ける。そして、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）の側面に設けられた孔を介してピンが、受光部８２（投光部８１）に設けられた複数の凹部のうちの一つに挿入されることで、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）に受光部８２（投光部８１）を固定してもよい。また、受光部８２（投光部８１）の外周をオネジとし、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）の長手方向に貫通する孔をメネジとする。そして、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）に受光部８２（投光部８１）をねじ込むことで、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）に受光部８２（投光部８１）を固定してもよい。

図１２（ｂ）、（ｃ）に示すように、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）は、台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）の孔１８２ｂ４（１８１ｂ４）に挿入される。また、ホーローセット（イモネジ）１８２ｂ３（１８１ｂ３）が台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）のネジ孔１８２ｂ５（１８１ｂ５）にねじ込まれる。ホーローセット（イモネジ）１８２ｂ３（１８１ｂ３）は、孔１８２ｂ４（１８１ｂ４）の内部に突出し、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）の掘り込み溝１８２ｃ１（１８１ｃ１）に挿入されている。
そのため、台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）に対するケース１８２ｃ（１８１ｃ）の位置、ひいては、窓２３の傾斜面２３ａ２に対する受光部８２（投光部８１）の位置を調整することができる。また、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）は、台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）を介してカバー３４に接続される。したがって、受光部８２（投光部８１）をカバー３４に接続することができる。
なお、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）の位置を保持する図示しない保持装置を設けることもできる。

なお、台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）とケース１８２ｃ（１８１ｃ）を接続する方法は、例示をした構成に限定されるわけではない。例えば、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）の側面に掘り込み溝１８２ｃ１（１８１ｃ１）に代わって複数の凹部を設け、台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）のネジ孔１８２ｂ５（１８１ｂ５）に代わって孔を設ける。そして、台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）に設けられた孔を介して、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）に設けられた複数の凹部のうちの一つにピンが挿入されることで、台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）とケース１８２ｃ（１８１ｃ）を接続してもよい。また、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）を万力で挟んで固定してもよい。この場合、万力の挟む部分が台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）の孔に挿入され、孔１８２ｂ４（１８１ｂ４）の内部に突出する。

複数の投光部８１（受光部８２）が設けられる場合には、移動部１８１（１８２）を複数設けることができる。
図１３は、複数の移動部を例示するための模式図である。
図１３に示すように、移動部１８１（１８２）を複数設ける場合には、ガイド１８２ａ（１８１ａ）を兼用としてもよい。
この様にすれば、移動部の構成の簡易化を図ることができる。

図１４は、第２のカバーに相当するカバー８３の構成を例示するための模式図である。 前述の通り、カバー８３は、カバー３４に設けることができる。カバー８３は、本体８３ｂと扉８３ａからなる。
本体８３ｂは、例えば、金属の筒である。本体８３ｂの一端は、カバー３４に接続される。なお、カバー８３とチャンバ２の天井とでカバー３４の孔３４ａを密閉できる場合、本体８３ｂのチャンバ２と接する面は、省略することができる。つまり、本体８３ｂは、断面がｎ字形状の金属の板であってもよい。
扉８３ａは、例えば、金属の板である。扉８３ａは、本体８３ｂの他端に開閉可能に設けられる。例えば、扉８３ａは、ヒンジを介して本体８３ｂの他端と接続される。
図１４に示すように、扉８３ａが閉じた状態のとき、扉８３ａは、カバー８３の外側面となる。また、扉８３ａには、扉８３ａが開いた状態を維持するための不図示のストッパを設けることができる。

ここで、図１に示すように、カバー８３は、投光部８１、受光部８２、および移動部８１ａ、８２ａ（１８１、１８２）を覆っている。また、投光部８１、受光部８２、および移動部８１ａ、８２ａ（１８１、１８２）は、作業者によるメンテナンスや調整などが必要となる場合もある。
カバー８３に扉８３ａが設けられていれば、作業者によるメンテナンスや調整などが容易となる。

また、カバー８３は、前述の通り、カバー３４から漏れた電磁場が、プラズマ処理装置１の外部に漏れるのを抑制することができる。また、投光部８１および受光部８２に外乱光が入らないようにすることもできる。

次に、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１のメンテナンスについて説明する。
図１に示すように、チャンバ２の天井側には、窓２３、電源ユニット３、および検出部８が設けられている。そして、これらの要素は、メンテナンスが必要となる。例えば、プラズマ処理を行うことで、経時的に、窓２３に損傷が発生する。そのため、窓２３の交換や修理が必要となる。また、電源ユニット３や検出部８の部品を交換したり、調整したりする場合がある。

ところが、窓２３、電源ユニット３、および検出部８は、アンテナ３１において発生した電磁場を遮蔽するためのカバー３４で覆われている。そのため、メンテナンスを行う際のカバー３４の取り外しと、メンテナンス後のカバー３４の再設置が必要となる。
また、前述したように、カバー３４には、投光部８１が取り付けられた移動部と、受光部８２が取り付けられた移動部とが設けられている。そのため、カバー３４を再設置する際には、カバー３４を元の位置に設置する必要がある。

そこで、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１には、カバー３４を昇降可能なカバー移動部１０が設けられている。
図１５は、カバー移動部１０を例示するための模式側面図である。
図１６は、カバー移動部１０を例示するための模式斜視図である。
図１５および図１６に示すように、カバー移動部１０は、例えば、保持部１１、駆動部１２、および、複数の位置決めピン１３を有する。

保持部１１は、カバー３４を保持する。
駆動部１２は、保持部１１を昇降させる。駆動部１２により保持部１１が上昇すると、保持部１１に保持されたカバー３４がチャンバ２の上方に移動する。そのため、チャンバ２の天井側に設けられた窓２３と電源ユニット３を露出させることができるので、窓２３と電源ユニット３のメンテナンスが容易となる。
また、図１６に示すように、駆動部１２は、保持部１１を旋回させることもできる。例えば、駆動部１２は、保持部１１を上昇させる際や上昇端において、保持部１１を旋回させることができる。この様にすれば、カバー３４をチャンバ２の側方に移動させることができるので、窓２３と電源ユニット３のメンテナンスがさらに容易となる。
また、投光部８１および受光部８２をカバー３４と共に移動させることができるので、メンテナンスがさらに容易となる。投光部８１および受光部８２の取り外し作業を省略することができる。また、投光部８１および受光部８２がカバー３４に固定されている。そのため、カバー３４の再設置の際に元の位置戻すと、投光部８１および受光部８２も元の位置に戻る。したがって、投光部８１および受光部８２の光軸の再調整も容易となる。

図１６に示すように、複数の位置決めピン１３は、チャンバ２の天井に設けることができる。また、保持部１１またはカバー３４には、位置決めピン１３が挿入される孔を設けることができる。駆動部１２により保持部１１が下降した際には、位置決めピン１３が保持部１１またはカバー３４に設けられた孔に挿入される。そのため、カバー３４を、元の位置に設置することができる。

図１７（ａ）、（ｂ）は、窓２３のメンテナンスに用いる治具１２３を例示するための模式平面図である。
図１７（ｂ）は、図１７（ａ）における治具１２３のＡ部の模式拡大図である。
図１８は、窓２３の設置を例示するための模式図である。
図１７（ａ）および図１８に示すように、治具１２３は略円環状を呈している。治具１２３には、位置決めピン１３を挿入するための孔１２３ｂが複数設けられている。メンテナンスの度に治具１２３が所定の位置に所定の向きで必ず配置されるように、位置決めピン１３の配置は、円環状の治具１２３に対して非対称の配置とすることが好ましい。このようにすることで、所定の位置で所定の向き以外では位置決めピン１３が孔１２３ｂに嵌らない配置となる。
また、図１７（ａ）、（ｂ）に示すように、治具１２３の内壁には、凸部１２３ａが設けられている。凸部１２３ａの先端は、窓２３の周縁に設けられた平坦面２３ａ３と接触可能となっている。すなわち、窓２３の周縁には、略円環状の治具１２３の内壁に設けられた凸部１２３ａと接触する平坦面２３ａ３が設けられている。

窓２３の設置を行う際には、図１８に示すように、まず、治具１２３をチャンバ２の天井に設置する。この際、位置決めピン１３を孔１２３ｂに挿入することで、治具１２３が所定の位置に所定の向きで設置される。
次に、窓２３を治具１２３の内部に挿入し、治具１２３の凸部１２３ａに、窓２３の平坦面２３ａ３を接触させる。この様にすれば、チャンバ２に対する窓２３の位置を決めることができる。
次に、窓２３をチャンバ２に固定した後に、治具１２３をチャンバ２から取り外す。
治具１２３を用いれば、窓２３を所定の位置に設置するのが容易となる。

以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。

例えば、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）の長手方向における一方の側面に弾性体を設けてもよい。ケース１８２ｃ（１８１ｃ）の長手方向における一方の側面は、窓２３と接触する面である。そのため、弾性体は、窓２３よりも硬度の小さい材料であることが好ましい。弾性体は、例えば、ゴムやスポンジとすることができる。弾性体を設けることで、カバー移動部１０によってカバー３４が元の位置に戻される際に、窓２３を傷つけることを防止することができる。なお、光が受光部８２（投光部８１）の受光面（投光面）を通過するのを妨げることが無い場合、弾性体は、受光部８２（投光部８１）の受光面（投光面）にも設けることができる。

例えば、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）を図１２（ｂ）のように、窓２３から遠ざかる位置に移動させてからカバー３４を元の位置に戻してもよい。このようにすることで、カバー移動部１０によってカバー３４が元の位置に戻される際に、窓２３を傷つけることを防止することができる。なお、上記の弾性体を設ける場合と比べると、投光部８１および受光部８２の光軸を再調整する必要がある。そのため、作業者の作業量は、増加する。したがって、メンテナンスにかかる時間が増加する。しかし、台座１８２ｂ２（１８１ｂ２）が一対のレール１８２ｂ１（１８１ｂ１）の上にて保持されていれば、ケース１８２ｃ（１８１ｃ）のＹ方向の位置は、元の位置と同じである。そのため、投光部８１および受光部８２がカバー３４と別体である場合と比べ、投光部８１および受光部８２の光軸を再調整することは、容易である。したがって、作業者の作業量は、減少する。その結果、メンテナンスにかかる時間は、減少する。

１ プラズマ処理装置、２ チャンバ、３ 電源ユニット、４ 電源ユニット、５ 減圧部、６ ガス供給部、７ 載置台、８ 検出部、９ コントローラ、１０ カバー移動部、２３ 窓、２３ａ１ 傾斜面、２３ａ２ 傾斜面、２３ａ３ 平坦面、２３ｂ 中心軸、３１ アンテナ、３４ カバー、８１ 投光部、８１ａ 移動部、８２ 受光部、８２ａ 移動部、１００ 処理物、１２３ 治具、１２３ａ 凸部、Ｇ ガス

Claims (11)

1. 大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、
   前記チャンバの内部にガスを供給可能なガス供給部と、
   前記チャンバの内部に設けられ、処理物が載置可能な載置台と、
   前記チャンバの内部を減圧可能な減圧部と、
   前記チャンバに設けられ、前記載置台と対向する窓と、
   前記チャンバの外部であって、前記窓の、前記載置台側とは反対側に設けられ、前記チャンバの内部にプラズマを発生可能なプラズマ発生部と、
   前記窓を介して、前記処理物の表面に光を照射可能な投光部と、
   前記処理物の表面において反射され、前記窓を介して出射する反射光を受光可能な受光部と、
   を備え、
   前記窓の周縁には、
   前記窓の中心軸に対して傾いた第１の傾斜面と、
   前記窓の中心軸に対して傾き、前記第１の傾斜面とは傾き方向が逆の第２の傾斜面と、
   が設けられ、
   前記投光部は、前記第１の傾斜面に対峙し、
   前記受光部は、前記第２の傾斜面に対峙しているプラズマ処理装置。
2. 平面視において、前記第２の傾斜面は、前記窓の中心軸を挟んで、前記第１の傾斜面と対峙している請求項１記載のプラズマ処理装置。
3. 前記第１の傾斜面と、前記窓の、前記載置台側とは反対側の面との間の角度をθ１とした場合に、以下の式を満足する請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
   θ１≦４３°
4. 前記第２の傾斜面と、前記窓の、前記載置台側とは反対側の面との間の角度をθ２とした場合に、以下の式を満足する請求項１～３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
   θ２≦４３°
5. 前記第１の傾斜面と、前記窓の、前記載置台側とは反対側の面との間の角度をθ１とし、
   前記第２の傾斜面と、前記窓の、前記載置台側とは反対側の面との間の角度をθ２とした場合に、角度θ２は、角度θ１と略同じである請求項１～４のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
6. 前記投光部は、前記第１の傾斜面に沿って移動可能に設けられ、
   前記受光部は、前記第２の傾斜面に沿って移動可能に設けられている請求項１～５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
7. 前記投光部を移動可能な第１の移動部と、
   前記受光部を移動可能な第２の移動部と、
   をさらに備えた請求項６記載のプラズマ処理装置。
8. 前記プラズマ発生部に設けられたアンテナと、前記窓と、を覆うカバーと、
   前記カバーを昇降可能なカバー移動部と、
   をさらに備えた請求項１～７のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
9. 前記プラズマ発生部に設けられたアンテナと、前記窓と、を覆うカバーをさらに備え、
   前記第１の移動部および前記第２の移動部は、前記カバーに取り付けられる請求項７に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記窓の周縁には、略円環状の治具の内壁に設けられた凸部と接触する平坦面が設けられている請求項１～９のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
11. 前記投光部および前記受光部を覆う第２のカバーを有し、
    前記第２のカバーの外側面は、開閉可能である請求項１～１０のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。

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