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JP7662410B2 - Electronic Components - Google Patents
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Description

本発明は、電子部品に関する。 The present invention relates to electronic components.

機能素子を空隙内に封止することが知られている(例えば特許文献1から特許文献3)。機能素子を囲む枠体上にリッドを設け、リッドと基板との間の空隙内に機能素子を封止する電子部品が知られている(例えば特許文献4)。リッドに圧力が加わった場合でも、リッドが撓むことを抑制するために、空隙内で基板とリッドとの間に柱状体を設けることが知られている(例えば特許文献5)。 It is known to seal a functional element in a gap (for example, see Patent Documents 1 to 3). Electronic components are known in which a lid is provided on a frame that surrounds the functional element, and the functional element is sealed in the gap between the lid and the substrate (for example, Patent Document 4). It is known to provide a columnar body between the substrate and the lid in the gap to prevent the lid from bending even when pressure is applied to the lid (for example, Patent Document 5).

特開2001-102894号公報JP 2001-102894 A 特開2006-196799号公報JP 2006-196799 A 特開2018-160829号公報JP 2018-160829 A 特開2016-152612号公報JP 2016-152612 A 特開2021-52359号公報JP 2021-52359 A

しかしながら、特許文献5に記載のように基板とリッドとの間に柱状体を設けた場合でも、リッドの撓みを低減する点において改善の余地が残されている。 However, even when a columnar body is provided between the substrate and the lid as described in Patent Document 5, there is still room for improvement in terms of reducing the deflection of the lid.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、リッドの撓みを低減することを目的とする。 The present invention was developed in consideration of the above problems, and aims to reduce lid deflection.

本発明は、基板と、前記基板上に設けられる機能素子と、平面視して前記機能素子を囲んで前記基板上に設けられる枠体と、前記基板とで空隙を挟んで前記枠体上に設けられ、前記空隙内に前記機能素子を封止するリッドと、前記空隙内において前記基板と前記リッドとの間に設けられ、前記基板に対して前記リッドを支持する柱状体と、前記リッドの前記空隙側の面に設けられ、平面視して細長形状をしていて、平面視における長手方向の長さが前記柱状体の長さよりも長く、かつ、高さが前記柱状体の高さよりも低い第1補強部と、前記リッドの前記空隙側の面に前記第1補強部に交差して設けられ、平面視して細長形状をしていて、平面視における長手方向の長さが前記柱状体の長さよりも長く、かつ、高さが前記柱状体の高さよりも低い第2補強部と、を備える電子部品である。 The present invention is an electronic component comprising: a substrate; a functional element provided on the substrate; a frame body provided on the substrate surrounding the functional element in a planar view; a lid provided on the frame body across a gap between the substrate and the lid, sealing the functional element within the gap; a pillar body provided within the gap between the substrate and the lid, supporting the lid against the substrate; a first reinforcing portion provided on the surface of the lid facing the gap, having an elongated shape in a planar view, a longitudinal length in a planar view longer than the length of the pillar body and a height shorter than the height of the pillar body ; and a second reinforcing portion provided on the surface of the lid facing the gap, intersecting the first reinforcing portion, having an elongated shape in a planar view, a longitudinal length in a planar view longer than the length of the pillar body and a height shorter than the height of the pillar body .

上記構成において、前記第1補強部および前記第2補強部の少なくとも一方は、平面視して前記柱状体と重なって設けられ、前記柱状体は、前記第1補強部および前記第2補強部の少なくとも一方を介して前記リッドを支持する構成とすることができる。 In the above configuration, at least one of the first reinforcement portion and the second reinforcement portion is arranged to overlap the columnar body when viewed in a planar view, and the columnar body can be configured to support the lid via at least one of the first reinforcement portion and the second reinforcement portion .

上記構成において、前記リッドは、平面視して略矩形状であり、前記第1補強部および前記第2補強部の長手方向の長さは前記長手方向と同じ方向における前記リッドの長さに対して1/2以上である構成とすることができる。 In the above configuration, the lid can be configured to be approximately rectangular in a planar view, and the longitudinal length of the first reinforcement portion and the second reinforcement portion can be more than half the length of the lid in the same direction as the longitudinal direction.

上記構成において、前記枠体は、四辺を有する略矩形の環状であり、前記第1補強部は、前記枠体の対向する2つの辺の両方に接し、前記第2補強部は、前記枠体の対向する他の2つの辺の両方に接している構成とすることができる。 In the above configuration, the frame body can be configured as an approximately rectangular ring having four sides, the first reinforcing portion contacting both of two opposing sides of the frame body , and the second reinforcing portion contacting both of the other two opposing sides of the frame body .

上記構成において、前記第1補強部および前記第2補強部は、平面視における前記リッドの中心を通って設けられている構成とすることができる。 In the above configuration, the first reinforcing portion and the second reinforcing portion may be configured to pass through a center of the lid in a plan view.

上記構成において、前記第1補強部および前記第2補強部の幅は、前記柱状体の長さの0.5倍以上3倍以下である構成とすることができる。 In the above configuration, the width of the first reinforcing portion and the second reinforcing portion may be 0.5 to 3 times the length of the columnar body.

上記構成において、前記柱状体は、前記第1補強部と前記第2補強部が交差する部分と、前記基板と、の間に設けられている構成とすることができる。 In the above configuration, the columnar body may be provided between the substrate and a portion where the first reinforcing portion and the second reinforcing portion intersect .

上記構成において、前記機能素子は弾性波素子である構成とすることができる。 In the above configuration, the functional element can be an elastic wave element.

上記構成において、前記弾性波素子によりフィルタが形成されている構成とすることができる。 In the above configuration, a filter may be formed by the acoustic wave element.

上記構成において、前記フィルタによりマルチプレクサが形成されている構成とすることができる。 In the above configuration, the filter may form a multiplexer.

本発明によれば、リッドの撓みを低減することができる。 The present invention can reduce lid deflection.

図1(a)は、実施例1に係る弾性波デバイスの平面図、図1(b)は、実施例1におけるリッドの平面図である。FIG. 1A is a plan view of an acoustic wave device in accordance with a first embodiment, and FIG. 1B is a plan view of a lid in the first embodiment. 図2(a)は、図1(a)のA-A断面図、図2(b)は、図1(a)のB-B断面図である。2A is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1A, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 図3は、実施例1における弾性波素子の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the acoustic wave element in the first embodiment. 図4(a)はフィルタの回路図、図4(b)はディプレクサのブロック図である。FIG. 4(a) is a circuit diagram of a filter, and FIG. 4(b) is a block diagram of a diplexer. 図5(a)から図5(c)は、実施例1に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図(その1)である。5A to 5C are cross-sectional views (part 1) illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device in accordance with the first embodiment. 図6(a)および図6(b)は、実施例1に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図(その2)である。6A and 6B are cross-sectional views (part 2) illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device in accordance with the first embodiment. 図7(a)から図7(c)は、実施例1の変形例1から変形例3に係る弾性波デバイスの断面図である。7A to 7C are cross-sectional views of acoustic wave devices according to first to third modified examples of the first embodiment. 図8(a)から図8(c)は、比較例1から比較例3に係る弾性波デバイスの断面図である。8A to 8C are cross-sectional views of acoustic wave devices according to Comparative Examples 1 to 3. FIG. 図9は、シミュレーションに用いたモデルの平面図である。FIG. 9 is a plan view of the model used in the simulation. 図10(a)から図10(g)は、モデルAからモデルGにおける図9のA-A断面図である。10A to 10G are cross-sectional views of models A to G taken along line AA in FIG. 図11(a)から図11(c)は、シミュレーションしたリッドのモデルH、I、Jの平面図である。11(a) to 11(c) are plan views of simulated lid models H, I, and J. 図12(a)から図12(h)は、柱状体および補強部の他の例を示す平面図である。12(a) to 12(h) are plan views showing other examples of the columns and reinforcing portions. 図13(a)は、実施例2に係る弾性波デバイスの断面図、図13(b)は、実施例2における弾性波素子の断面図である。FIG. 13A is a cross-sectional view of an acoustic wave device in accordance with a second embodiment, and FIG. 13B is a cross-sectional view of an acoustic wave element in the second embodiment.

以下、図面を参照し、本発明の実施例について、電子部品として弾性波デバイスの場合を例に説明する。 Below, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings, using an acoustic wave device as an example of an electronic component.

図1(a)は、実施例1に係る弾性波デバイス100の平面図、図1(b)は、実施例1におけるリッド30の平面図である。図2(a)は、図1(a)のA-A断面図、図2(b)は、図1(a)のB-B断面図である。図1(a)は、リッド30を透視して、支持基板10、圧電層12、ビア配線16、枠体18、配線20、柱状体26、補強部32、および弾性波素子50を主に示している。図1(b)は、リッド30を透視して補強部32を図示している。図1(a)では、図の明瞭化のために、枠体18、配線20、補強部32、および弾性波素子50にハッチングを付している。図1(a)、図1(b)、図2(a)、および図2(b)に示すように、実施例1の弾性波デバイス100は、支持基板10の上面に圧電層12が接合されている。 1(a) is a plan view of an acoustic wave device 100 according to a first embodiment, and FIG. 1(b) is a plan view of a lid 30 in the first embodiment. FIG. 2(a) is a cross-sectional view taken along line A-A in FIG. 1(a), and FIG. 2(b) is a cross-sectional view taken along line B-B in FIG. 1(a). FIG. 1(a) mainly shows a support substrate 10, a piezoelectric layer 12, a via wiring 16, a frame body 18, wiring 20, a columnar body 26, a reinforcing portion 32, and an acoustic wave element 50, as seen through the lid 30. FIG. 1(b) illustrates the reinforcing portion 32, as seen through the lid 30. In FIG. 1(a), the frame body 18, wiring 20, reinforcing portion 32, and acoustic wave element 50 are hatched for clarity. As shown in Figures 1(a), 1(b), 2(a), and 2(b), the acoustic wave device 100 of Example 1 has a piezoelectric layer 12 bonded to the upper surface of a support substrate 10.

支持基板10は、例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、石英基板、水晶基板、炭化シリコン基板、またはシリコン基板であり、その厚さは50μm~300μmである。サファイア基板は単結晶のAl基板であり、アルミナ基板は多結晶のAl基板であり、スピネル基板は単結晶または多結晶のMgAl基板である。石英基板はアモルファスSiO基板であり、水晶基板は単結晶SiO基板である。炭化シリコン基板は多結晶または単結晶のSiC基板であり、シリコン基板は単結晶または多結晶のSi基板である。支持基板10の線膨張係数は圧電層12の線膨張係数より小さい。これにより、弾性波素子50の周波数温度依存性を小さくできる。 The support substrate 10 is, for example, a sapphire substrate, an alumina substrate, a spinel substrate, a quartz substrate, a crystal substrate, a silicon carbide substrate, or a silicon substrate, and has a thickness of 50 μm to 300 μm. The sapphire substrate is a single crystal Al 2 O 3 substrate, the alumina substrate is a polycrystalline Al 2 O 3 substrate, and the spinel substrate is a single crystal or polycrystalline MgAl 2 O 4 substrate. The quartz substrate is an amorphous SiO 2 substrate, and the crystal substrate is a single crystal SiO 2 substrate. The silicon carbide substrate is a polycrystalline or single crystal SiC substrate, and the silicon substrate is a single crystal or polycrystalline Si substrate. The linear expansion coefficient of the support substrate 10 is smaller than that of the piezoelectric layer 12. This allows the frequency temperature dependency of the acoustic wave element 50 to be reduced.

圧電層12は、例えば単結晶タンタル酸リチウム層または単結晶ニオブ酸リチウム層であり、その厚さは0.5μm~30μmである。圧電層12の厚さは、例えば弾性波素子50が励振する主モードの弾性波(例えば弾性表面波)の波長より小さい。支持基板10と圧電層12との間に酸化シリコン、酸化アルミニウム、および/または窒化アルミニウム等の絶縁層を設けてもよい。このように、圧電層12は支持基板10に直接または間接的に接合されている。 The piezoelectric layer 12 is, for example, a single crystal lithium tantalate layer or a single crystal lithium niobate layer, and has a thickness of 0.5 μm to 30 μm. The thickness of the piezoelectric layer 12 is, for example, smaller than the wavelength of the main mode acoustic wave (for example, surface acoustic wave) excited by the acoustic wave element 50. An insulating layer such as silicon oxide, aluminum oxide, and/or aluminum nitride may be provided between the support substrate 10 and the piezoelectric layer 12. In this way, the piezoelectric layer 12 is directly or indirectly bonded to the support substrate 10.

圧電層12の上面に、1または複数の弾性波素子50が設けられている。支持基板10の下面に端子14が設けられている。端子14は、弾性波素子50を外部と電気的に接続するためのフットパッドである。支持基板10を貫通するビア配線16が設けられている。ビア配線16の一端は端子14に接続されている。ビア配線16の他端は圧電層12の上面から支持基板10の上面に延在する配線20に接続されている。これにより、弾性波素子50は配線20およびビア配線16を介して端子14に電気的に接続される。端子14、ビア配線16、および配線20は、例えばチタン、銅、アルミニウム、白金、ニッケル、および/または金等を含む金属層である。端子14、ビア配線16、および配線20は、単層の金属層の場合でもよいし、複数層が積層された積層金属層の場合でもよい。 One or more acoustic wave elements 50 are provided on the upper surface of the piezoelectric layer 12. A terminal 14 is provided on the lower surface of the support substrate 10. The terminal 14 is a foot pad for electrically connecting the acoustic wave element 50 to the outside. A via wiring 16 is provided that penetrates the support substrate 10. One end of the via wiring 16 is connected to the terminal 14. The other end of the via wiring 16 is connected to the wiring 20 that extends from the upper surface of the piezoelectric layer 12 to the upper surface of the support substrate 10. As a result, the acoustic wave element 50 is electrically connected to the terminal 14 through the wiring 20 and the via wiring 16. The terminal 14, the via wiring 16, and the wiring 20 are metal layers containing, for example, titanium, copper, aluminum, platinum, nickel, and/or gold. The terminal 14, the via wiring 16, and the wiring 20 may be a single metal layer or a laminated metal layer in which multiple layers are laminated.

支持基板10の周縁領域には圧電層12は設けられていない。平面視において、圧電層12および弾性波素子50を囲むように支持基板10上に枠体18が設けられている。枠体18は圧電層12から離れて支持基板10上に設けられている。枠体18は、例えば銅、コバール、金、アルミニウム、および/またはタングステンを含む金属層、若しくはシリコン層、或いは樹脂層である。コバールは、鉄にニッケルとコバルトを配合した合金である。枠体18は、単層の場合でもよいし、複数層が積層されている場合でもよい。枠体18の高さは例えば15μm~30μm程度であり、幅は例えば10μm~40μm程度である。 The piezoelectric layer 12 is not provided in the peripheral region of the support substrate 10. In a plan view, a frame 18 is provided on the support substrate 10 so as to surround the piezoelectric layer 12 and the acoustic wave element 50. The frame 18 is provided on the support substrate 10 away from the piezoelectric layer 12. The frame 18 is, for example, a metal layer containing copper, kovar, gold, aluminum, and/or tungsten, or a silicon layer, or a resin layer. Kovar is an alloy of iron, nickel, and cobalt. The frame 18 may be a single layer, or multiple layers may be laminated. The height of the frame 18 is, for example, about 15 μm to 30 μm, and the width is, for example, about 10 μm to 40 μm.

枠体18上に、支持基板10との間に空隙22が形成されるようにリッド30が設けられている。枠体18とリッド30は、はんだ等の接合層により接合されている。弾性波素子50は、枠体18とリッド30により空隙22内に封止されている。リッド30は、例えばコバール、銅、金、アルミニウム、および/またはタングステン等の金属、若しくはシリコンにより形成されている。コバールは、上述したように、鉄にニッケルとコバルトを配合した合金である。リッド30は、単層の場合でもよいし、複数層が積層されている場合でもよい。リッド30の厚さは例えば20μm~50μm程度である。 The lid 30 is provided on the frame 18 so that a gap 22 is formed between the frame 18 and the support substrate 10. The frame 18 and the lid 30 are joined by a bonding layer such as solder. The acoustic wave element 50 is sealed in the gap 22 by the frame 18 and the lid 30. The lid 30 is made of a metal such as kovar, copper, gold, aluminum, and/or tungsten, or silicon. As mentioned above, kovar is an alloy of iron, nickel, and cobalt. The lid 30 may be a single layer, or multiple layers may be laminated. The thickness of the lid 30 is, for example, about 20 μm to 50 μm.

枠体18およびリッド30が金属で形成されている場合、枠体18は、支持基板10の下面に設けられたグランド端子に支持基板10を貫通するビア配線を介して電気的に接続されていてもよい。これにより、枠体18にグランド電位を供給することで、枠体18およびリッド30にシールド効果を付与することができる。また、枠体18およびリッド30が金属で形成されている場合、弾性波素子50を空隙22内に気密性良く封止することができる。なお、枠体18およびリッド30は支持基板10上では弾性波素子50に電気的に接続されていない。 When the frame body 18 and the lid 30 are made of metal, the frame body 18 may be electrically connected to a ground terminal provided on the underside of the support substrate 10 through a via wiring that penetrates the support substrate 10. This allows a ground potential to be supplied to the frame body 18, thereby providing a shielding effect to the frame body 18 and the lid 30. Furthermore, when the frame body 18 and the lid 30 are made of metal, the acoustic wave element 50 can be hermetically sealed within the gap 22. Note that the frame body 18 and the lid 30 are not electrically connected to the acoustic wave element 50 on the support substrate 10.

圧電層12は、リッド30の中央付近に位置し、上面から下面にかけて貫通する開口24を有する。開口24では例えば支持基板10の上面が露出している。開口24において、支持基板10とリッド30との間でリッド30の中央付近に位置し、支持基板10に対してリッド30を支持する柱状体26が設けられている。柱状体26は、空隙22内に位置し、圧電層12から離れて設けられ、例えば支持基板10の上面に接している。柱状体26は、例えば銅、コバール、金、アルミニウム、および/またはタングステンを含む金属層、若しくはシリコン層、或いは樹脂層である。柱状体26は、単層の場合でもよいし、複数層が積層されている場合でもよい。実施例1においては、柱状体26の高さは枠体18の高さより低く、例えば10μm~25μm程度であり、柱状体26の幅は枠体18の幅より大きく、例えば30μm~60μm程度である。なお、柱状体26は、支持基板10とリッド30との間に1つ設けられる場合に限られず、2つ以上設けられていてもよい。 The piezoelectric layer 12 has an opening 24 located near the center of the lid 30 and penetrating from the upper surface to the lower surface. In the opening 24, for example, the upper surface of the support substrate 10 is exposed. In the opening 24, a columnar body 26 is located near the center of the lid 30 between the support substrate 10 and the lid 30 and supports the lid 30 relative to the support substrate 10. The columnar body 26 is located in the gap 22, is provided away from the piezoelectric layer 12, and is in contact with the upper surface of the support substrate 10, for example. The columnar body 26 is, for example, a metal layer containing copper, kovar, gold, aluminum, and/or tungsten, or a silicon layer, or a resin layer. The columnar body 26 may be a single layer, or may be a laminate of multiple layers. In the first embodiment, the height of the columnar body 26 is lower than the height of the frame body 18, for example, about 10 μm to 25 μm, and the width of the columnar body 26 is larger than the width of the frame body 18, for example, about 30 μm to 60 μm. The number of pillars 26 provided between the support substrate 10 and the lid 30 is not limited to one, and two or more pillars may be provided.

リッド30の下面に、細長形状をした補強部32が設けられている。補強部32は、例えばリッド30の下面に接合されている、或いは、リッド30と一体成型により形成されている。実施例1においては、補強部32は、平面視して略矩形状をしたリッド30の長手方向および短手方向に直線状に延び、リッド30の対向する辺それぞれの中央を結ぶ直線上に位置して設けられ、四辺を有する略矩形の環状をした枠体18の対向する辺の両方の側面に接している。したがって、2つの補強部32は、平面視におけるリッド30の中心34を通り、中心34において交差している。2つの補強部32が交差した箇所に柱状体26が配置されている。よって、補強部32は平面視にて柱状体26と重なっていて、柱状体26は補強部32を介してリッド30を支持している。補強部32と柱状体26は、はんだ等の接合層により接合されていてもよいし、接合されずに接触していてもよい。補強部32は、細長形状における長手方向を長さとし、短手方向を幅とする。 A reinforcing portion 32 having an elongated shape is provided on the underside of the lid 30. The reinforcing portion 32 is, for example, bonded to the underside of the lid 30, or is formed by integral molding with the lid 30. In the first embodiment, the reinforcing portion 32 extends linearly in the longitudinal and lateral directions of the lid 30, which is substantially rectangular in plan view, and is provided on a line connecting the centers of the opposing sides of the lid 30, and is in contact with both side surfaces of the opposing sides of the frame body 18, which is substantially rectangular and annular and has four sides. Therefore, the two reinforcing portions 32 pass through the center 34 of the lid 30 in plan view and intersect at the center 34. A columnar body 26 is disposed at the point where the two reinforcing portions 32 intersect. Therefore, the reinforcing portion 32 overlaps with the columnar body 26 in plan view, and the columnar body 26 supports the lid 30 via the reinforcing portion 32. The reinforcing portion 32 and the columnar body 26 may be bonded by a bonding layer such as solder, or may be in contact without being bonded. The reinforcement section 32 has an elongated shape with its length measured along its longitudinal direction and its width measured along its lateral direction.

補強部32は、例えば銅、コバール、金、アルミニウム、および/またはタングステンを含む金属層、若しくはシリコン層、或いは樹脂層である。補強部32は、リッド30と同じ材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。リッド30と補強部32が同じ材料で形成される場合、一体成型による製造が可能となる。リッド30と補強部32が異なる材料で形成される場合、使用状況および/または使用用途等に応じた適切な材料をそれぞれ選択することができる。補強部32の高さは、柱状体26の高さより低く、例えば2μm~5μm程度である。補強部32の幅は、例えば柱状体26の幅と略同じであり、例えば30μm~60μmである。ここで言う略同じとは、製造誤差程度の違いを許容するものである。 The reinforcing portion 32 is, for example, a metal layer containing copper, kovar, gold, aluminum, and/or tungsten, or a silicon layer, or a resin layer. The reinforcing portion 32 may be made of the same material as the lid 30, or may be made of a different material. When the lid 30 and the reinforcing portion 32 are made of the same material, they can be manufactured by integral molding. When the lid 30 and the reinforcing portion 32 are made of different materials, appropriate materials can be selected according to the usage situation and/or usage purpose. The height of the reinforcing portion 32 is lower than the height of the columnar body 26, for example, about 2 μm to 5 μm. The width of the reinforcing portion 32 is, for example, approximately the same as the width of the columnar body 26, for example, 30 μm to 60 μm. The term "approximately the same" here means that differences of the order of manufacturing error are allowed.

図3は、実施例1における弾性波素子50の平面図である。図3に示すように、弾性波素子50は弾性表面波共振子である。圧電層12の上面にIDT(Interdigital Transducer)51と反射器52が設けられている。IDT51は、対向する一対の櫛型電極53を有する。櫛型電極53は、複数の電極指54と、複数の電極指54が接続するバスバー55と、を有する。反射器52は、IDT51の両側に設けられている。IDT51が圧電層12に弾性表面波を励振する。一対の櫛型電極53のうち一方の櫛型電極53の電極指54のピッチがほぼ弾性波の波長λとなる。複数の電極指54のピッチDの2倍が、一方の櫛型電極53のピッチとなる。IDT51および反射器52は、例えばアルミニウム、銅、またはモリブデン等の金属膜により形成される。圧電層12の上面にIDT51および反射器52を覆う保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。櫛型電極53はダミー電極指を有していてもよい。 3 is a plan view of the acoustic wave element 50 in the first embodiment. As shown in FIG. 3, the acoustic wave element 50 is a surface acoustic wave resonator. An IDT (Interdigital Transducer) 51 and a reflector 52 are provided on the upper surface of the piezoelectric layer 12. The IDT 51 has a pair of opposing comb electrodes 53. The comb electrode 53 has a plurality of electrode fingers 54 and a bus bar 55 to which the plurality of electrode fingers 54 are connected. The reflectors 52 are provided on both sides of the IDT 51. The IDT 51 excites a surface acoustic wave in the piezoelectric layer 12. The pitch of the electrode fingers 54 of one of the pair of comb electrodes 53 is approximately the wavelength λ of the acoustic wave. The pitch D of the plurality of electrode fingers 54 is twice the pitch of one of the comb electrodes 53. The IDT 51 and the reflector 52 are formed of a metal film such as aluminum, copper, or molybdenum. A protective film or a temperature compensation film covering the IDT 51 and the reflector 52 may be provided on the upper surface of the piezoelectric layer 12. The comb electrode 53 may have dummy electrode fingers.

圧電層12の上面に形成された複数の弾性波素子50によってフィルタが形成されてもよいし、デュプレクサが形成されてもよい。図4(a)はフィルタの回路図、図4(b)はディプレクサのブロック図である。 A filter or a duplexer may be formed by a plurality of acoustic wave elements 50 formed on the upper surface of the piezoelectric layer 12. FIG. 4(a) is a circuit diagram of a filter, and FIG. 4(b) is a block diagram of a diplexer.

図4(a)に示すように、入力端子Tinと出力端子Toutとの間に1または複数の直列共振器S1からS4が直列に接続されている。入力端子Tinと出力端子Toutとの間に1または複数の並列共振器P1およびP2が並列に接続されている。直列共振器S1からS4および並列共振器P1、P2が弾性波素子50である。直列共振器および並列共振器の個数等は適宜設定できる。フィルタとしてラダー型フィルタを例に説明したが、フィルタは多重モード型フィルタであってもよい。 As shown in FIG. 4(a), one or more series resonators S1 to S4 are connected in series between the input terminal Tin and the output terminal Tout. One or more parallel resonators P1 and P2 are connected in parallel between the input terminal Tin and the output terminal Tout. The series resonators S1 to S4 and the parallel resonators P1 and P2 form the acoustic wave element 50. The number of series resonators and parallel resonators can be set as appropriate. Although a ladder-type filter has been described as an example of the filter, the filter may also be a multimode filter.

図4(b)に示すように、共通端子Antと送信端子Txとの間に送信フィルタ60が接続されている。共通端子Antと受信端子Rxとの間に受信フィルタ62が接続されている。送信フィルタ60は、送信端子Txから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Antに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ62は、共通端子Antから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Rxに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。なお、マルチプレクサとしてデュプレクサを例に示したがトリプレクサまたはクワッドプレクサであってもよい。 As shown in FIG. 4(b), a transmission filter 60 is connected between the common terminal Ant and the transmission terminal Tx. A reception filter 62 is connected between the common terminal Ant and the reception terminal Rx. The transmission filter 60 passes the transmission band signal among the high frequency signals input from the transmission terminal Tx to the common terminal Ant as a transmission signal, and suppresses signals of other frequencies. The reception filter 62 passes the reception band signal among the high frequency signals input from the common terminal Ant to the reception terminal Rx as a reception signal, and suppresses signals of other frequencies. Note that although a duplexer is shown as an example of a multiplexer, a triplexer or a quadplexer may also be used.

図1においては、複数の弾性波素子50により2つのラダー型フィルタ64が形成されている場合を示している。2つのラダー型フィルタ64の一方は送信フィルタ60であり、他方は受信フィルタ62である場合を示している。 In FIG. 1, two ladder-type filters 64 are formed by multiple acoustic wave elements 50. One of the two ladder-type filters 64 is a transmit filter 60, and the other is a receive filter 62.

[製造方法]
図5(a)から図6(b)は、実施例1に係る弾性波デバイス100の製造方法を示す断面図である。図5(a)に示すように、支持基板10の上面に例えばレーザ光を照射してビアホールを形成し、ビアホール内に銅等の金属層を例えば電解めっき法を用い形成する。その後、支持基板10の上面が露出するように金属層の上面を例えばCMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用い平坦化する。これにより、支持基板10にビア配線16が形成される。次いで、支持基板10の上面に圧電基板を例えば表面活性化法を用い常温接合する。支持基板10と圧電基板とは数nmのアモルファス層を介し直接接合されてもよいし、絶縁層を介し間接的に接合されてもよい。その後、圧電基板の上面を例えばCMP法を用い研磨する。これにより、支持基板10の上面に直接または間接的に接合された圧電層12が形成される。
[Production method]
5(a) to 6(b) are cross-sectional views showing a method for manufacturing the acoustic wave device 100 according to the first embodiment. As shown in FIG. 5(a), a via hole is formed on the upper surface of the support substrate 10 by irradiating the upper surface with, for example, a laser beam, and a metal layer such as copper is formed in the via hole by, for example, electrolytic plating. Then, the upper surface of the metal layer is planarized by, for example, CMP (Chemical Mechanical Polishing) so that the upper surface of the support substrate 10 is exposed. As a result, a via wiring 16 is formed in the support substrate 10. Next, a piezoelectric substrate is bonded to the upper surface of the support substrate 10 at room temperature by, for example, a surface activation method. The support substrate 10 and the piezoelectric substrate may be directly bonded via an amorphous layer of several nm, or may be indirectly bonded via an insulating layer. Then, the upper surface of the piezoelectric substrate is polished by, for example, CMP. As a result, a piezoelectric layer 12 is formed that is directly or indirectly bonded to the upper surface of the support substrate 10.

図5(b)に示すように、圧電層12の一部を例えばエッチング法を用いて除去する。これにより、支持基板10の周縁領域の圧電層12が除去され、ビア配線16が露出する。また、圧電層12に開口24が形成される。開口24では例えば支持基板10の上面が露出している。次いで、圧電層12の上面に弾性波素子50を形成する。圧電層12の上面からビア配線16まで延在し、弾性波素子50とビア配線16とを電気的に接続する配線20を形成する。 As shown in FIG. 5(b), a portion of the piezoelectric layer 12 is removed, for example, by etching. This removes the piezoelectric layer 12 from the peripheral region of the support substrate 10, exposing the via wiring 16. An opening 24 is also formed in the piezoelectric layer 12. For example, the upper surface of the support substrate 10 is exposed in the opening 24. Next, an acoustic wave element 50 is formed on the upper surface of the piezoelectric layer 12. A wiring 20 is formed that extends from the upper surface of the piezoelectric layer 12 to the via wiring 16 and electrically connects the acoustic wave element 50 and the via wiring 16.

図5(c)に示すように、弾性波素子50および圧電層12を囲む枠体18と、圧電層12に形成した開口24内の柱状体26と、を支持基板10上に形成する。枠体18と柱状体26は、例えば電解めっき法により形成する。 As shown in FIG. 5(c), a frame 18 that surrounds the acoustic wave element 50 and the piezoelectric layer 12, and a columnar body 26 in an opening 24 formed in the piezoelectric layer 12 are formed on the support substrate 10. The frame 18 and the columnar body 26 are formed, for example, by electrolytic plating.

図6(a)に示すように、補強部32が設けられたリッド30を準備し、補強部32が柱状体26と重なるように位置合わせをして、リッド30をはんだ等の接合層により枠体18に接合する。補強部32と柱状体26ははんだ等の接合層で接合してもよいし、接合せずに接触した状態にしてもよい。 As shown in FIG. 6(a), a lid 30 provided with a reinforcing portion 32 is prepared, the reinforcing portion 32 is aligned so as to overlap with the columnar body 26, and the lid 30 is joined to the frame body 18 with a bonding layer such as solder. The reinforcing portion 32 and the columnar body 26 may be joined with a bonding layer such as solder, or may be in contact without being joined.

図6(b)に示すように、支持基板10の下面を例えばCMP法を用い研磨する。これにより、ビア配線16が支持基板10の下面から露出する。次いで、支持基板10の下面にビア配線16に接続する端子14を形成する。以上により、実施例1に係る弾性波デバイス100が製造される。 As shown in FIG. 6B, the bottom surface of the support substrate 10 is polished, for example, by CMP. This exposes the via wiring 16 from the bottom surface of the support substrate 10. Next, terminals 14 that connect to the via wiring 16 are formed on the bottom surface of the support substrate 10. In this manner, the acoustic wave device 100 according to the first embodiment is manufactured.

[変形例]
図7(a)から図7(c)は、実施例1の変形例1から変形例3に係る弾性波デバイス110から130の断面図である。図7(a)から図7(c)は、図1(a)のB-B間に相当する箇所の断面図である。図7(a)に示すように、変形例1の弾性波デバイス110では、補強部32がリッド30と枠体18の間に挿入されていて、補強部32の延伸方向に垂直な補強部32の側面がリッド30の側面および枠体18の外側面と同一面となっている。なお、補強部32の側面は、枠体18の内側面と外側面の間に位置していてもよいし、枠体18の外側面よりも外側に位置していてもよい。その他の構成は実施例1の弾性波デバイス100と同じであるため説明を省略する。
[Modification]
7(a) to 7(c) are cross-sectional views of acoustic wave devices 110 to 130 according to Modifications 1 to 3 of the first embodiment. FIGS. 7(a) to 7(c) are cross-sectional views of a portion corresponding to the B-B portion of FIG. 1(a). As shown in FIG. 7(a), in the acoustic wave device 110 according to Modification 1, the reinforcing portion 32 is inserted between the lid 30 and the frame 18, and the side surface of the reinforcing portion 32 perpendicular to the extension direction of the reinforcing portion 32 is flush with the side surface of the lid 30 and the outer surface of the frame 18. The side surface of the reinforcing portion 32 may be located between the inner surface and the outer surface of the frame 18, or may be located outside the outer surface of the frame 18. The other configurations are the same as those of the acoustic wave device 100 according to the first embodiment, and therefore will not be described.

図7(b)に示すように、変形例2の弾性波デバイス120では、補強部32は枠体18に接してなく、補強部32の延伸方向に垂直な補強部32の側面は、柱状体26と枠体18との間隔の半分よりも枠体18側に位置している。したがって、補強部32は、リッド30の対向する辺の間の長さが当該対向する辺の間隔の1/2以上の長さとなっている。その他の構成は実施例1の弾性波デバイス100と同じであるため説明を省略する。 As shown in FIG. 7(b), in the acoustic wave device 120 of the second modified example, the reinforcing portion 32 is not in contact with the frame body 18, and the side surface of the reinforcing portion 32 perpendicular to the extension direction of the reinforcing portion 32 is located closer to the frame body 18 than half the distance between the columnar body 26 and the frame body 18. Therefore, the length between the opposing sides of the lid 30 of the reinforcing portion 32 is at least half the distance between the opposing sides. The rest of the configuration is the same as that of the acoustic wave device 100 of the first embodiment, so a description thereof will be omitted.

図7(c)に示すように、変形例3の弾性波デバイス130では、補強部32の延伸方向に垂直な補強部32の側面は、柱状体26と枠体18との間隔の半分よりも柱状体26側に位置している。その他の構成は実施例1の弾性波デバイス100と同じであるため説明を省略する。 As shown in FIG. 7(c), in the acoustic wave device 130 of the third modification, the side surface of the reinforcing portion 32 perpendicular to the extension direction of the reinforcing portion 32 is located closer to the columnar body 26 than half the distance between the columnar body 26 and the frame body 18. The rest of the configuration is the same as that of the acoustic wave device 100 of the first embodiment, so a description thereof will be omitted.

[比較例]
図8(a)から図8(c)は、比較例1から比較例3に係る弾性波デバイス500から520の断面図である。図8(a)から図8(c)は、図1(a)のB-B間に相当する箇所の断面図である。図8(a)に示すように、比較例1の弾性波デバイス500では、リッド30に補強部32が設けられてなく、かつ、空隙22内で支持基板10とリッド30との間に柱状体26が設けられていない。その他の構成は実施例1の弾性波デバイス100と同じであるため説明を省略する。
[Comparative Example]
8(a) to 8(c) are cross-sectional views of acoustic wave devices 500 to 520 according to Comparative Examples 1 to 3. FIGS. 8(a) to 8(c) are cross-sectional views of a portion corresponding to B-B in FIG. 1(a). As shown in FIG. 8(a), in the acoustic wave device 500 according to Comparative Example 1, the lid 30 is not provided with a reinforcing portion 32, and the pillar-shaped body 26 is not provided between the support substrate 10 and the lid 30 within the gap 22. The other configurations are the same as those of the acoustic wave device 100 according to Example 1, and therefore description thereof will be omitted.

図8(b)に示すように、比較例2の弾性波デバイス510では、空隙22内で支持基板10とリッド30との間に柱状体26が設けられていない。リッド30に設けられた補強部32は、変形例1の弾性波デバイス110と同じく、リッド30と枠体18との間に挿入されている。その他の構成は実施例1の弾性波デバイス100と同じであるため説明を省略する。 As shown in FIG. 8(b), in the acoustic wave device 510 of Comparative Example 2, no pillars 26 are provided between the support substrate 10 and the lid 30 within the gap 22. The reinforcing portion 32 provided on the lid 30 is inserted between the lid 30 and the frame 18, as in the acoustic wave device 110 of Modification Example 1. The rest of the configuration is the same as that of the acoustic wave device 100 of Example 1, so a description thereof will be omitted.

図8(c)に示すように、比較例3の弾性波デバイス520では、リッド30に補強部32が設けられていない。柱状体26は、枠体18と略同じ高さとなって、空隙22内で支持基板10とリッド30との間に設けられている。その他の構成は実施例1の弾性波デバイスと同じであるため説明を省略する。 As shown in FIG. 8(c), in the acoustic wave device 520 of Comparative Example 3, the reinforcing portion 32 is not provided on the lid 30. The pillars 26 are approximately the same height as the frame 18 and are provided between the support substrate 10 and the lid 30 within the gap 22. The rest of the configuration is the same as that of the acoustic wave device of Example 1, so a description thereof will be omitted.

[シミュレーション1]
リッド30の上面に一様に外部から力が加わったときのリッド30の変形量をシミュレーションした。図9は、シミュレーションに用いたモデルの平面図である。図10(a)から図10(g)は、モデルAからモデルGにおける図9のA-A断面図である。なお、図9では図10(a)のモデルAを例に図示しているが、図10(b)から図10(g)のモデルBからモデルGでは補強部32の有無や形状が異なる点および柱状体26の有無の点以外は同じである。リッド30の法線方向をZ方向、リッド30の辺方向をX方向及びY方向とする。
[Simulation 1]
The deformation amount of the lid 30 when a uniform external force is applied to the upper surface of the lid 30 was simulated. Fig. 9 is a plan view of a model used in the simulation. Figs. 10(a) to 10(g) are cross-sectional views of models A to G taken along the line A-A in Fig. 9. Note that Fig. 9 illustrates model A in Fig. 10(a) as an example, but models B to G in Figs. 10(b) to 10(g) are the same except for the presence or absence and shape of the reinforcing portion 32 and the presence or absence of the columnar body 26. The normal direction of the lid 30 is the Z direction, and the side directions of the lid 30 are the X direction and the Y direction.

図9に示すように、シミュレーションはリッド30の1/4対称モデルを用いて行った。すなわち、リッド30の+X側の面および-Y側の面に枠体18が設けられてなく、これらの面の境界条件を鏡面条件とした。リッド30のX方向およびY方向の長さをD1およびD2とする。枠体18の幅をD3とする。柱状体26の長さおよび補強部32の幅をD4とする。図10(a)から図10(g)に示すように、リッド30の厚さをT1とし、補強部32の厚さをT2とする。図10(a)、図10(c)、図10(d)、図10(e)、および図10(g)のモデルA、C、D、E、Gにおいて、枠体18の厚さをT3とする。図10(b)および図10(f)のモデルB、Fにおいて、枠体18の厚さをT3´とする。図10(a)、図10(b)、図10(c)、図10(d)のモデルA、B、C、Dにおいて、柱状体26の厚さをT4とする。図10(g)のモデルGにおいて、柱状体26の厚さをT4´とする。図10(c)のモデルCにおいて、補強部32と枠体18との間隔をW1とする。図10(d)のモデルDにおいて、補強部32と枠体18との間隔をW2とする。 As shown in FIG. 9, the simulation was performed using a 1/4 symmetrical model of the lid 30. That is, the frame 18 is not provided on the +X side surface and the -Y side surface of the lid 30, and the boundary conditions of these surfaces are mirror conditions. The lengths of the lid 30 in the X direction and the Y direction are D1 and D2. The width of the frame 18 is D3. The length of the columnar body 26 and the width of the reinforcing part 32 are D4. As shown in FIG. 10(a) to FIG. 10(g), the thickness of the lid 30 is T1, and the thickness of the reinforcing part 32 is T2. In the models A, C, D, E, and G of FIG. 10(a), FIG. 10(c), FIG. 10(d), FIG. 10(e), and FIG. 10(g), the thickness of the frame 18 is T3. In the models B and F of FIG. 10(b) and FIG. 10(f), the thickness of the frame 18 is T3'. In models A, B, C, and D of Figures 10(a), 10(b), 10(c), and 10(d), the thickness of the columnar body 26 is T4. In model G of Figure 10(g), the thickness of the columnar body 26 is T4'. In model C of Figure 10(c), the distance between the reinforcing portion 32 and the frame body 18 is W1. In model D of Figure 10(d), the distance between the reinforcing portion 32 and the frame body 18 is W2.

図10(a)のモデルAは実施例1に相当し、図10(b)のモデルBは実施例1の変形例1に相当し、図10(c)のモデルCは実施例1の変形例2に相当し、図10(d)のモデルDは実施例1の変形例3に相当する。図10(e)のモデルEは比較例1に相当し、図10(f)のモデルFは比較例2に相当し、図10(g)のモデルGは比較例3に相当する。 Model A in FIG. 10(a) corresponds to Example 1, Model B in FIG. 10(b) corresponds to Variation 1 of Example 1, Model C in FIG. 10(c) corresponds to Variation 2 of Example 1, and Model D in FIG. 10(d) corresponds to Variation 3 of Example 1. Model E in FIG. 10(e) corresponds to Comparative Example 1, Model F in FIG. 10(f) corresponds to Comparative Example 2, and Model G in FIG. 10(g) corresponds to Comparative Example 3.

シミュレーション条件は以下である。
リッド30:コバール
枠体18:銅(Cu)
柱状体26:銅(Cu)
補強部32:コバール
D1:442μm
D2:542μm
D3:23μm
D4:23μm
T1:30μm
T2:4μm
T3:20.5μm
T3´:16.5μm
T4:16.5μm
T4´:20.5μm
W1:5μm
W2:390μm
The simulation conditions are as follows.
Lid 30: Kovar Frame 18: Copper (Cu)
Column 26: Copper (Cu)
Reinforcement portion 32: Kovar D1: 442 μm
D2: 542 μm
D3: 23 μm
D4: 23 μm
T1: 30 μm
T2: 4 μm
T3: 20.5 μm
T3': 16.5 μm
T4: 16.5 μm
T4': 20.5 μm
W1: 5 μm
W2: 390 μm

表1は、シミュレーションに用いた材料のヤング率、ポアソン比、体積弾性率、およびせん断弾性係数を示す表である。

Figure 0007662410000001
Table 1 shows the Young's modulus, Poisson's ratio, bulk modulus, and shear modulus of the materials used in the simulation.
Figure 0007662410000001

リッド30の変形量として、枠体18および柱状体26の下面が不動の固定物に固定されているとし、この状態でリッド30の上面全体に一様に6MPaの力が加わったときのリッド30の下面の最大変位量をシミュレーションした。 To estimate the deformation of the lid 30, we assumed that the bottom surfaces of the frame 18 and the columnar body 26 were fixed to immovable objects, and simulated the maximum displacement of the bottom surface of the lid 30 when a force of 6 MPa was applied uniformly to the entire top surface of the lid 30 in this state.

表2にシミュレーション結果を示す。表2に示すように、比較例3に相当するモデルGは、柱状体26を設けたことにより、比較例1に相当するモデルEに比べて、リッド30の最大変位量が大きく低減された。しかしながら、柱状体26に加えて補強部32を設けた実施例1から実施例1の変形例3に相当するモデルA~Dは、リッド30の最大変位量がモデルGよりも更に低減された結果となった。なお、柱状体26を設けずに、補強部32だけを設けた比較例2に相当するモデルFでは、リッド30の最大変位量がほとんど低減されなかった。このことから、柱状体26と補強部32の両方を設けることでリッド30の最大変位量を低減できることが分かる。

Figure 0007662410000002
Table 2 shows the simulation results. As shown in Table 2, in model G corresponding to comparative example 3, the maximum displacement of the lid 30 was significantly reduced compared to model E corresponding to comparative example 1 due to the provision of the pillars 26. However, in models A to D corresponding to example 1 to modified example 3 of example 1 in which the reinforcing portion 32 was provided in addition to the pillars 26, the maximum displacement of the lid 30 was further reduced compared to model G. Note that in model F corresponding to comparative example 2 in which only the reinforcing portion 32 was provided without the pillars 26, the maximum displacement of the lid 30 was hardly reduced. From this, it can be seen that the maximum displacement of the lid 30 can be reduced by providing both the pillars 26 and the reinforcing portion 32.
Figure 0007662410000002

[シミュレーション2]
図11(a)から図11(c)は、シミュレーションしたリッド30のモデルH、I、Jの平面図である。図11(a)から図11(c)では、リッド30の全体の平面図を図示しているが、シミュレーションは、図9のシミュレーション1と同じく、リッド30の1/4対称モデルを用いて行った。
[Simulation 2]
11(a) to 11(c) are plan views of simulated models H, I, and J of the lid 30. Although Fig. 11(a) to 11(c) show plan views of the entire lid 30, the simulation was performed using a 1/4 symmetrical model of the lid 30, as in simulation 1 in Fig. 9.

図11(a)に示すように、モデルHは、補強部32が3本設けられた、実施例1の変形例に相当するモデルである。3本の補強部32のうちの1本は、リッド30の長手方向で対向する辺の間をそれぞれの辺の2等分点を結んだ線上に位置して延在し、柱状体26と重なって設けられている。3本の補強部32のうちの残りの2本は、リッド30の短手方向で対向する辺の間をそれぞれの辺の3等分点を結んだ線上に位置して延在している。 As shown in FIG. 11(a), model H is a model corresponding to a modified example of Example 1 in which three reinforcing parts 32 are provided. One of the three reinforcing parts 32 extends between opposing sides in the longitudinal direction of the lid 30, positioned on a line connecting the bisecting points of each side, and is provided so as to overlap with the columnar body 26. The remaining two of the three reinforcing parts 32 extend between opposing sides in the lateral direction of the lid 30, positioned on a line connecting the trisecting points of each side.

図11(b)に示すように、モデルIは、補強部32が4本設けられた、実施例1の変形例に相当するモデルである。4本の補強部32のうちの2本は、リッド30の長手方向で対向する辺の間をそれぞれの辺の3等分点を結んだ線上に位置して延在している。4本の補強部32のうちの残りの2本は、リッド30の短手方向で対向する辺の間をそれぞれの辺の3等分点を結んだ線上に位置して延在している。4本の補強部32は全て柱状体26と重ならずに設けられている。 As shown in FIG. 11(b), model I is a model corresponding to a modified example of example 1 in which four reinforcing parts 32 are provided. Two of the four reinforcing parts 32 extend between opposing sides in the longitudinal direction of the lid 30, positioned on a line connecting the third dividing point of each side. The remaining two of the four reinforcing parts 32 extend between opposing sides in the lateral direction of the lid 30, positioned on a line connecting the third dividing point of each side. All four reinforcing parts 32 are provided without overlapping with the columnar body 26.

図11(c)に示すように、モデルJは、補強部32が設けられていない、比較例3に相当するモデルである。 As shown in FIG. 11(c), model J is a model that does not have a reinforcing portion 32 and corresponds to comparative example 3.

シミュレーション条件は、柱状体26の長さおよび補強部32の幅D4が12.5μmの点以外は、上記シミュレーション1と同じである。また、シミュレーションに用いた材料のヤング率、ポアソン比、体積弾性率、およびせん断弾性係数は表1の値を用いた。リッド30の変形量として、上記シミュレーション1と同じく、枠体18および柱状体26の下面が不動の固定物に固定されているとし、この状態でリッド30の上面全体に一様に6MPaの力が加わったときのリッド30の下面の最大変位量をシミュレーションした。 The simulation conditions were the same as in Simulation 1 above, except that the length of the pillars 26 and the width D4 of the reinforcing portion 32 were 12.5 μm. The Young's modulus, Poisson's ratio, bulk modulus, and shear modulus of elasticity of the materials used in the simulation were the values in Table 1. As with Simulation 1 above, the deformation amount of the lid 30 was simulated by assuming that the bottom surfaces of the frame 18 and pillars 26 were fixed to immovable fixed objects, and the maximum displacement of the bottom surface of the lid 30 when a force of 6 MPa was applied uniformly to the entire top surface of the lid 30 in this state.

表3にシミュレーション結果を示す。表3に示すように、補強部32と柱状体26を設けたモデルHおよびモデルIは、柱状体26が補強部32を介してリッド30を支持している場合(モデルH)でも、補強部32を介さずにリッド30を支持している場合(モデルI)でも、柱状体26のみが設けられているモデルJに比べて、リッド30の最大変位量が低減された。リッド30の最大変位量を低減する点からは、補強部32が柱状体26と重なって設けられ、柱状体26は補強部32を介してリッド30を支持する場合が好ましい結果となった。

Figure 0007662410000003
The simulation results are shown in Table 3. As shown in Table 3, in models H and I provided with reinforcing parts 32 and columns 26, the maximum displacement of the lid 30 was reduced compared to model J provided with columns 26 alone, both in the case where the columns 26 supported the lid 30 via the reinforcing parts 32 (model H) and in the case where the columns 26 supported the lid 30 without the reinforcing parts 32 (model I). From the viewpoint of reducing the maximum displacement of the lid 30, the results showed that it was preferable for the reinforcing parts 32 to be provided overlapping the columns 26, and for the columns 26 to support the lid 30 via the reinforcing parts 32.
Figure 0007662410000003

実施例1およびその変形例によれば、空隙22内において支持基板10とリッド30との間に、支持基板10に対してリッド30を支持する柱状体26が設けられている。リッド30の空隙22側の面に、平面視して細長形状をしていて、長さが柱状体26の長さよりも長い補強部32が設けられている。これにより、上記のシミュレーション1、2の結果のように、リッド30に外部から力が加わった場合でも、リッド30の撓みを低減することができる。 According to Example 1 and its modified example, a pillar 26 is provided between the support substrate 10 and the lid 30 in the gap 22 to support the lid 30 relative to the support substrate 10. A reinforcing portion 32 having an elongated shape in a plan view and a length longer than the length of the pillar 26 is provided on the surface of the lid 30 facing the gap 22. As a result, as shown in the results of Simulations 1 and 2 above, even if an external force is applied to the lid 30, the deflection of the lid 30 can be reduced.

リッド30の撓みを低減しようとしてリッド30全体の厚みを厚くする場合では、リッド30と弾性波素子50との間の距離が近づくため、電気的な結合が生じて特性が劣化してしまうことがある。しかしながら、実施例1およびその変形例では、リッド30に細長形状の補強部32を設けているだけであるため、リッド30および補強部32と弾性波素子50との間の距離が近づくことが抑制され、特性の劣化を抑制することができる。 When the overall thickness of the lid 30 is increased in an attempt to reduce the bending of the lid 30, the distance between the lid 30 and the acoustic wave element 50 is reduced, which may result in electrical coupling and degradation of the characteristics. However, in the first embodiment and its modified example, the lid 30 is simply provided with an elongated reinforcing portion 32, which prevents the distance between the lid 30 and the reinforcing portion 32 and the acoustic wave element 50 from being reduced, thereby preventing degradation of the characteristics.

補強部32は平面視にて柱状体26と重なり、柱状体26は補強部32を介してリッド30を支持する場合が好ましい。これにより、上記のシミュレーション2の結果のように、リッド30の撓みを効果的に低減することができる。 It is preferable that the reinforcing portion 32 overlaps with the columnar body 26 in a plan view, and the columnar body 26 supports the lid 30 via the reinforcing portion 32. This makes it possible to effectively reduce the deflection of the lid 30, as shown in the results of Simulation 2 above.

補強部32は、平面視して略矩形状をしたリッド30の対向する辺の間の長さが、当該対向する辺の間隔の1/2以上となる細長形状である場合が好ましい。言い換えると、補強部32の長手方向の長さは、当該長手方向と同じ方向におけるリッド30の長さに対して1/2以上である場合が好ましい。これにより、上記のシミュレーション1の結果のように、リッド30の撓みを効果的に低減できる。リッド30の撓みを低減する点から、補強部32の長手方向の長さは、当該長手方向と同じ方向におけるリッド30の長さに対して2/3以上である場合が好ましく、3/4以上である場合がより好ましい。 It is preferable that the reinforcing portion 32 has an elongated shape in which the length between the opposing sides of the lid 30, which is approximately rectangular in plan view, is at least half the distance between the opposing sides. In other words, it is preferable that the longitudinal length of the reinforcing portion 32 is at least half the length of the lid 30 in the same direction as the longitudinal direction. This makes it possible to effectively reduce the deflection of the lid 30, as shown in the results of Simulation 1 above. In terms of reducing the deflection of the lid 30, it is preferable that the longitudinal length of the reinforcing portion 32 is at least 2/3 the length of the lid 30 in the same direction as the longitudinal direction, and more preferably at least 3/4.

また、リッド30の撓みを低減する点から、補強部32は、略矩形の環状である枠体18の対向する辺の両方に接している場合が好ましく、枠体18とリッド30との間に挿入されていてもよい。 In order to reduce the deflection of the lid 30, the reinforcing portion 32 is preferably in contact with both opposing sides of the frame 18, which is an approximately rectangular ring-shaped frame, and may be inserted between the frame 18 and the lid 30.

補強部32は、平面視におけるリッド30の中心を通って設けられている場合が好ましい。これにより、リッド30の撓みを効果的に低減することができる。ここで、リッド30の中心は、リッド30を平面で観察したときにおける重心に対応する。 It is preferable that the reinforcing portion 32 is provided through the center of the lid 30 in a plan view. This makes it possible to effectively reduce the deflection of the lid 30. Here, the center of the lid 30 corresponds to the center of gravity when the lid 30 is observed in a plan view.

補強部32の幅は、リッド30の撓みを低減する点から、柱状体26の長さの0.5倍以上が好ましく、1倍以上がより好ましく、1.5倍以上が更に好ましい。補強部32の幅は、リッド30の2組の対向する辺のうち狭い方の間隔の1/30以上が好ましく、1/20以上がより好ましく、1/15以上が更に好ましい。一方、補強部32の幅が大きくなると、補強部32と弾性波素子50との間の距離が近づきやすくなるため、補強部32の幅は、柱状体26の長さの3倍以下が好ましく、2.5倍以下がより好ましく、2倍以下が更に好ましい。補強部32の幅は、リッド30の2組の対向する辺のうち狭い方の間隔の1/6以下が好ましく、1/8以下がより好ましく、1/10以下が更に好ましい。補強部32の幅は柱状体26の長さと略同じである場合が好ましい。略同じとは、製造誤差程度の差を許容するものである。柱状体26の長さとは、柱状体26が平面視にて短手方向と長手方向を有する場合は長手方向の長さである。 In order to reduce the deflection of the lid 30, the width of the reinforcing portion 32 is preferably 0.5 times or more, more preferably 1 time or more, and even more preferably 1.5 times or more, the length of the columnar body 26. The width of the reinforcing portion 32 is preferably 1/30 or more, more preferably 1/20 or more, and even more preferably 1/15 or more of the narrower distance between the two pairs of opposing sides of the lid 30. On the other hand, as the width of the reinforcing portion 32 increases, the distance between the reinforcing portion 32 and the elastic wave element 50 tends to become closer, so the width of the reinforcing portion 32 is preferably 3 times or less, more preferably 2.5 times or less, and even more preferably 2 times or less, the length of the columnar body 26. The width of the reinforcing portion 32 is preferably 1/6 or less, more preferably 1/8 or less, and even more preferably 1/10 or less, the narrower distance between the two pairs of opposing sides of the lid 30. It is preferable that the width of the reinforcing portion 32 is approximately the same as the length of the columnar body 26. "Approximately the same" means that a difference of the order of manufacturing error is allowed. The length of the columnar body 26 refers to the length in the longitudinal direction when the columnar body 26 has a short side direction and a long side direction in a plan view.

補強部32と弾性波素子50との間の距離が近づくことを抑制するために、補強部32の高さは、リッド30と圧電層12との間の距離の1/2以下が好ましく、1/3以下がより好ましく、1/4以下が更に好ましい。リッド30の撓みを低減する点から、補強部32の高さは、リッド30と圧電層12との間の距離の1/10以上が好ましく、1/8以上がより好ましく、1/5以上が更に好ましい。 To prevent the distance between the reinforcing portion 32 and the elastic wave element 50 from becoming too close, the height of the reinforcing portion 32 is preferably 1/2 or less of the distance between the lid 30 and the piezoelectric layer 12, more preferably 1/3 or less, and even more preferably 1/4 or less. In order to reduce the deflection of the lid 30, the height of the reinforcing portion 32 is preferably 1/10 or more of the distance between the lid 30 and the piezoelectric layer 12, more preferably 1/8 or more, and even more preferably 1/5 or more.

リッド30、柱状体26、および補強部32は、金属またはシリコンを主成分として形成されている場合が好ましい。これにより、リッド30が撓むことを抑制できる。主成分とするとは、リッド30、柱状体26、および補強部32に含まれる元素の合計に対する金属またはシリコンの割合が50at%(原子%)以上のことであり、80at%以上でもよい。 It is preferable that the lid 30, the columns 26, and the reinforcing portion 32 are formed mainly from metal or silicon. This can prevent the lid 30 from bending. Being mainly composed means that the ratio of metal or silicon to the total of the elements contained in the lid 30, the columns 26, and the reinforcing portion 32 is 50 at% (atomic percent) or more, and may be 80 at% or more.

実施例1では、柱状体26はリッド30の中心34に設けられ、補強部32はリッド30の対向する辺の中央部間を、リッド30の長手方向および短手方向に直線状に延びて設けられている場合を例に示したが、この場合に限られない。図12(a)から図12(h)は、柱状体26および補強部32の他の例を示す平面図である。図12(a)に示すように、補強部32は、リッド30の長手方向にのみ延びて設けられていてもよい。図12(b)に示すように、補強部32は、上記シミュレーション2のモデルHのように、リッド30の長手方向に1本延びて設けられ、短手方向に2本延びて設けられていてもよい。図12(c)に示すように、補強部32は、上記シミュレーション2のモデルIのように、リッド30の長手方向および短手方向にそれぞれ2本ずつ延びて設けられていてもよい。 In the first embodiment, the pillar 26 is provided at the center 34 of the lid 30, and the reinforcing portion 32 is provided between the central portions of the opposing sides of the lid 30, extending linearly in the longitudinal and lateral directions of the lid 30, but this is not limited to the above case. FIGS. 12(a) to 12(h) are plan views showing other examples of the pillar 26 and the reinforcing portion 32. As shown in FIG. 12(a), the reinforcing portion 32 may be provided extending only in the longitudinal direction of the lid 30. As shown in FIG. 12(b), the reinforcing portion 32 may be provided with one extending in the longitudinal direction of the lid 30 and two extending in the lateral direction, as in model H of the above simulation 2. As shown in FIG. 12(c), the reinforcing portion 32 may be provided with two extending in each of the longitudinal and lateral directions of the lid 30, as in model I of the above simulation 2.

図12(d)に示すように、補強部32は、リッド30の長手方向にのみ延びて設けられ、柱状体26は、リッド30の長手方向で対向する辺それぞれの中央を結ぶ線上にリッド30の中心34に対して点対称に2つ設けられていてもよい。柱状体26がリッド30の中心34に対して点対称に2つ設けられている場合でも、図12(e)に示すように、補強部32は、リッド30の長手方向および短手方向にそれぞれ1本ずつ延びて設けられていてもよい。図12(f)に示すように、補強部32は、リッド30の長手方向に1本延びて設けられ、短手方向に2本延びて設けられていてもよい。図12(g)に示すように、補強部32は、リッド30の長手方向および短手方向にそれぞれ2本ずつ延びて設けられていてもよい。また、図12(h)に示すように、補強部32は、リッド30の対角線上に延びて設けられていてもよい。なお、補強部32は、延在方向の途中で途切れている場合でもよい。 As shown in FIG. 12(d), the reinforcing portion 32 may be provided only in the longitudinal direction of the lid 30, and two pillars 26 may be provided point-symmetrically with respect to the center 34 of the lid 30 on a line connecting the centers of the sides facing each other in the longitudinal direction of the lid 30. Even if two pillars 26 are provided point-symmetrically with respect to the center 34 of the lid 30, as shown in FIG. 12(e), the reinforcing portion 32 may be provided so that one extends in each of the longitudinal and lateral directions of the lid 30. As shown in FIG. 12(f), the reinforcing portion 32 may be provided so that one extends in the longitudinal direction of the lid 30 and two extend in the lateral direction. As shown in FIG. 12(g), the reinforcing portion 32 may be provided so that two extend in each of the longitudinal and lateral directions of the lid 30. Also, as shown in FIG. 12(h), the reinforcing portion 32 may be provided so that it extends on the diagonal line of the lid 30. The reinforcing portion 32 may be interrupted midway along the extension direction.

柱状体26は、リッド30の長手方向で対向する辺それぞれの中央を結ぶ線上、短手方向で対向する辺それぞれの中央を結ぶ線上、または対角線上に位置することが好ましい。柱状体26が1つだけ設けられる場合は、リッド30の中心34に設けられる場合が好ましく、柱状体26が複数設けられる場合は、リッド30の中心34に対して略点対称に設けられる場合が好ましい。補強部32は、平面視におけるリッド30の中心34を通って線状に設けられる場合、および/または、リッド30の中心34に対して略点対称に設けられる場合が好ましい。補強部32は直線状に設けられる場合に限られず、曲線状に設けられていてもよい。略点対称とは、完全な点対称の位置に限られず、リッド30の撓みを効果的に低減できる程度に点対称の位置からずれている場合を許容するものである。 The pillars 26 are preferably located on a line connecting the centers of the opposing sides in the longitudinal direction of the lid 30, on a line connecting the centers of the opposing sides in the lateral direction, or on a diagonal line. When only one pillar 26 is provided, it is preferably provided at the center 34 of the lid 30, and when multiple pillars 26 are provided, it is preferably provided approximately point-symmetrically with respect to the center 34 of the lid 30. The reinforcing portion 32 is preferably provided linearly through the center 34 of the lid 30 in a plan view and/or approximately point-symmetrically with respect to the center 34 of the lid 30. The reinforcing portion 32 is not limited to being provided in a straight line, and may be provided in a curved line. Approximately point-symmetrical is not limited to being in a completely point-symmetrical position, but allows for a deviation from the point-symmetrical position to an extent that the deflection of the lid 30 can be effectively reduced.

実施例1では、支持基板10上に圧電層12が設けられている場合を例に示したが、支持基板10が設けられずに、圧電層12が厚い圧電基板となっている場合でもよい。 In the first embodiment, the piezoelectric layer 12 is provided on the support substrate 10, but the piezoelectric layer 12 may be a thick piezoelectric substrate without the support substrate 10.

図13(a)は、実施例2に係る弾性波デバイス200の断面図、図13(b)は、実施例2における弾性波素子50aの断面図である。図13(a)および図13(b)に示すように、実施例2の弾性波デバイス200では、支持基板10上に弾性波素子50の代わりに弾性波素子50aが設けられている。弾性波素子50aは圧電薄膜共振子である。弾性波素子50aは、支持基板10上に設けられた圧電層72と、圧電層72を挟む下部電極70および上部電極74と、を備える。下部電極70と支持基板10との間に空隙76が形成されている。圧電層72の少なくとも一部を挟み下部電極70と上部電極74とが対向する領域が共振領域78である。共振領域78において、下部電極70および上部電極74は圧電層72内に厚み縦振動モードの弾性波を励振する。なお、圧電層72の共振領域78の外周領域にQ値を高めるため、または、温度補償のための挿入膜が挿入されていてもよい。 13(a) is a cross-sectional view of an acoustic wave device 200 according to a second embodiment, and FIG. 13(b) is a cross-sectional view of an acoustic wave element 50a in the second embodiment. As shown in FIG. 13(a) and FIG. 13(b), in the acoustic wave device 200 of the second embodiment, an acoustic wave element 50a is provided on a support substrate 10 instead of an acoustic wave element 50. The acoustic wave element 50a is a piezoelectric thin film resonator. The acoustic wave element 50a includes a piezoelectric layer 72 provided on the support substrate 10, and a lower electrode 70 and an upper electrode 74 sandwiching the piezoelectric layer 72. A gap 76 is formed between the lower electrode 70 and the support substrate 10. The region where the lower electrode 70 and the upper electrode 74 face each other, sandwiching at least a portion of the piezoelectric layer 72, is a resonance region 78. In the resonance region 78, the lower electrode 70 and the upper electrode 74 excite an acoustic wave in a thickness longitudinal vibration mode in the piezoelectric layer 72. In addition, an insertion film may be inserted in the outer peripheral region of the resonance region 78 of the piezoelectric layer 72 to increase the Q value or for temperature compensation.

下部電極70および上部電極74は例えばルテニウム膜等を含む金属膜である。圧電層72は例えば窒化アルミニウム層または酸化亜鉛層である。空隙76の代わりに弾性波を反射する音響反射膜が設けられてもよい。弾性波素子50aは一般的に知られた方法により製造される。 The lower electrode 70 and the upper electrode 74 are metal films, for example, including a ruthenium film. The piezoelectric layer 72 is, for example, an aluminum nitride layer or a zinc oxide layer. An acoustic reflection film that reflects elastic waves may be provided instead of the gap 76. The elastic wave element 50a is manufactured by a commonly known method.

実施例1のように、支持基板10上に設けられた機能素子は、単結晶タンタル酸リチウム層または単結晶ニオブ酸リチウム層である圧電層12上に設けられた櫛型電極53を含む弾性波素子50の場合でもよい。実施例2のように、機能素子は、圧電層72を挟んで下部電極70と上部電極74が設けられた圧電薄膜共振子である弾性波素子50aの場合でもよい。また、機能素子は、弾性波素子以外の場合でもよく、MEMS(Micro Electro Mechanical System)素子等の圧電素子の場合や、その他の場合でもよい。 As in Example 1, the functional element provided on the support substrate 10 may be an elastic wave element 50 including a comb-shaped electrode 53 provided on a piezoelectric layer 12 that is a single crystal lithium tantalate layer or a single crystal lithium niobate layer. As in Example 2, the functional element may be an elastic wave element 50a that is a piezoelectric thin film resonator in which a lower electrode 70 and an upper electrode 74 are provided with a piezoelectric layer 72 sandwiched therebetween. The functional element may also be something other than an elastic wave element, such as a piezoelectric element such as a MEMS (Micro Electro Mechanical System) element, or something else.

以上、本願発明の実施形態について詳述したが、本願発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the embodiment of the present invention has been described in detail above, the present invention is not limited to such a specific embodiment, and various modifications and variations are possible within the scope of the gist of the present invention as described in the claims.

10 支持基板
12 圧電層
14 端子
16 ビア配線
18 枠体
20 配線
22 空隙
24 開口
26 柱状体
30 リッド
32 補強部
34 中心
50、50a 弾性波共振子
51 IDT
52 反射器
53 櫛型電極
54 電極指
55 バスバー
60 送信フィルタ
62 受信フィルタ
64 ラダー型フィルタ
70 下部電極
72 圧電層
74 上部電極
76 空隙
78 共振領域
100、110、120、130、200、500、510、520 弾性波デバイス
REFERENCE SIGNS LIST 10 Support substrate 12 Piezoelectric layer 14 Terminal 16 Via wiring 18 Frame body 20 Wiring 22 Air gap 24 Opening 26 Column body 30 Lid 32 Reinforcement portion 34 Center 50, 50a Elastic wave resonator 51 IDT
52 reflector 53 comb-shaped electrode 54 electrode finger 55 bus bar 60 transmission filter 62 reception filter 64 ladder filter 70 lower electrode 72 piezoelectric layer 74 upper electrode 76 gap 78 resonance region 100, 110, 120, 130, 200, 500, 510, 520 acoustic wave device

Claims (10)

基板と、
前記基板上に設けられる機能素子と、
平面視して前記機能素子を囲んで前記基板上に設けられる枠体と、
前記基板とで空隙を挟んで前記枠体上に設けられ、前記空隙内に前記機能素子を封止するリッドと、
前記空隙内において前記基板と前記リッドとの間に設けられ、前記基板に対して前記リッドを支持する柱状体と、
前記リッドの前記空隙側の面に設けられ、平面視して細長形状をしていて、平面視における長手方向の長さが前記柱状体の長さよりも長く、かつ、高さが前記柱状体の高さよりも低い第1補強部と、
前記リッドの前記空隙側の面に前記第1補強部に交差して設けられ、平面視して細長形状をしていて、平面視における長手方向の長さが前記柱状体の長さよりも長く、かつ、高さが前記柱状体の高さよりも低い第2補強部と、を備える電子部品。
A substrate;
A functional element provided on the substrate;
a frame provided on the substrate so as to surround the functional element in a plan view;
a lid that is provided on the frame with a gap between the substrate and the lid and seals the functional element in the gap;
a pillar-shaped member provided in the gap between the substrate and the lid, the pillar-shaped member supporting the lid relative to the substrate;
a first reinforcing part provided on a surface of the lid facing the gap, the first reinforcing part having an elongated shape in a plan view, the length of the first reinforcing part in a longitudinal direction in a plan view being longer than the length of the columnar body and the height of the first reinforcing part being shorter than the height of the columnar body ;
an electronic component comprising: a second reinforcing portion that is provided on the gap-side surface of the lid so as to intersect with the first reinforcing portion, has an elongated shape in a planar view, has a longitudinal length in a planar view that is longer than the length of the columnar body, and has a height that is shorter than the height of the columnar body .
前記第1補強部および前記第2補強部の少なくとも一方は、平面視して前記柱状体と重なって設けられ、
前記柱状体は、前記第1補強部および前記第2補強部の少なくとも一方を介して前記リッドを支持する、請求項1に記載の電子部品。
At least one of the first reinforcing portion and the second reinforcing portion is provided so as to overlap with the columnar body in a plan view,
The electronic component according to claim 1 , wherein the columnar body supports the lid via at least one of the first reinforcing portion and the second reinforcing portion .
前記リッドは、平面視して略矩形状であり、
前記第1補強部および前記第2補強部の長手方向の長さは前記長手方向と同じ方向における前記リッドの長さに対して1/2以上である、請求項1または2に記載の電子部品。
The lid has a substantially rectangular shape in a plan view,
3 . The electronic component according to claim 1 , wherein a length in a longitudinal direction of the first reinforcing portion and the second reinforcing portion is equal to or greater than half a length of the lid in the same direction as the longitudinal direction.
前記枠体は、四辺を有する略矩形の環状であり、
前記第1補強部は、前記枠体の対向する2つの辺の両方に接し
前記第2補強部は、前記枠体の対向する他の2つの辺の両方に接している、請求項1から3のいずれか一項に記載の電子部品。
The frame is annular and has a substantially rectangular shape having four sides,
The first reinforcing portion is in contact with both of two opposing sides of the frame body ,
The electronic component according to claim 1 , wherein the second reinforcing portion is in contact with both of the other two opposing sides of the frame .
前記第1補強部および前記第2補強部は、平面視における前記リッドの中心を通って設けられている、請求項1から4のいずれか一項に記載の電子部品。 The electronic component according to claim 1 , wherein the first reinforcing portion and the second reinforcing portion are provided passing through a center of the lid in a plan view. 前記第1補強部および前記第2補強部の幅は、前記柱状体の長さの0.5倍以上3倍以下である、請求項1から5のいずれか一項に記載の電子部品。 The electronic component according to claim 1 , wherein a width of the first reinforcing portion and the second reinforcing portion is 0.5 to 3 times a length of the columnar body. 前記柱状体は、前記第1補強部と前記第2補強部が交差する部分と、前記基板と、の間に設けられている、請求項1から6のいずれか一項に記載の電子部品。 The electronic component according to claim 1 , wherein the columnar body is provided between the substrate and a portion where the first reinforcing portion and the second reinforcing portion intersect . 前記機能素子は弾性波素子である、請求項1から7のいずれか一項に記載の電子部品。 The electronic component according to any one of claims 1 to 7, wherein the functional element is an acoustic wave element. 前記弾性波素子によりフィルタが形成されている、請求項8に記載の電子部品。 The electronic component according to claim 8, wherein the acoustic wave element forms a filter. 前記フィルタによりマルチプレクサが形成されている、請求項9に記載の電子部品。 The electronic component according to claim 9, wherein the filter forms a multiplexer.
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