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JP7679182B2 - metal clad laminate - Google Patents
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Description

本発明は、金属張積層板に関する。 The present invention relates to a metal-clad laminate.

フレキシブルプリント配線板などの製造に際しては、基材の上に銅などの金属からなる金属層が積層された金属張積層板が使用される。 When manufacturing flexible printed wiring boards and the like, metal-clad laminates are used, in which a metal layer made of a metal such as copper is laminated onto a substrate.

このような金属張積層板として、例えば下記特許文献1には、基材と、基材上に設けられる導電膜とを備える導電膜付き基板が開示され、導電膜は、銅微粒子を焼成した皮膜と、皮膜に施しためっき膜とを有している。 As an example of such a metal-clad laminate, the following Patent Document 1 discloses a substrate with a conductive film, which includes a base material and a conductive film provided on the base material, and the conductive film has a coating of fired copper particles and a plating film applied to the coating.

特開2013-135089号公報JP 2013-135089 A

ところで、近年、電子機器の高性能化に伴い、高周波の信号を流すことのできる配線基板が求められている。 In recent years, with the increasing performance of electronic devices, there is a demand for wiring boards that can transmit high-frequency signals.

しかし、信号は、いわゆる表皮効果により、周波数が高くなるにつれて導体の表面にしか電流が流れなくなることが知られており、上述した特許文献1に記載の導電膜では、高周波帯、特に60GHzの超高周波帯の信号を流すと、伝送損失が増加するという問題があった。 However, it is known that as the frequency of a signal increases, the current flows only on the surface of the conductor due to the so-called skin effect, and the conductive film described in Patent Document 1 above has the problem that transmission loss increases when passing high-frequency signals, particularly signals in the ultra-high frequency band of 60 GHz.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高周波信号の伝送損失の増加を抑制できる金属張積層板を提供することを目的とする。 The present invention was made in consideration of the above circumstances, and aims to provide a metal-clad laminate that can suppress an increase in transmission loss of high-frequency signals.

本発明者は、上記特許文献1に記載の導電膜において上記課題が生じる原因について検討した。その結果、本発明者は、上記課題が生じる原因について以下のように考えた。すなわち、銅微粒子を焼成して形成された皮膜は、空隙を有する多孔質構造となり、高周波の信号は表皮効果によりこの多孔質構造の空隙に沿って流れる。このため、信号が最短距離を伝送されなくなり、このことが伝送損失の増加を引き起こすのではないかと本発明者は考えた。そこで、本発明者は、さらに鋭意検討を重ねた結果、以下の発明により上記課題を解決し得ることを見出した。 The present inventors have investigated the causes of the above-mentioned problems in the conductive film described in Patent Document 1. As a result, the present inventors have concluded that the causes of the above-mentioned problems are as follows. That is, the film formed by sintering copper fine particles has a porous structure with voids, and high-frequency signals flow along the voids in this porous structure due to the skin effect. As a result, the signals are no longer transmitted over the shortest distance, which the present inventors believe causes an increase in transmission loss. As a result of further intensive investigations, the present inventors have discovered that the above-mentioned problems can be solved by the following invention.

すなわち、本発明は、基材と、前記基材上に設けられる金属層とを備え、前記金属層が、前記基材上に設けられ、複数の空隙を有する多孔質の第1金属層と、前記第1金属層の上に設けられる第2金属層とを有し、前記第1金属層が12%以下の空隙率を有し、前記第2金属層の空隙率が前記第1金属層の空隙率よりも小さい、金属張積層板である。 That is, the present invention is a metal-clad laminate comprising a substrate and a metal layer provided on the substrate, the metal layer having a porous first metal layer provided on the substrate and having a plurality of voids, and a second metal layer provided on the first metal layer, the first metal layer having a porosity of 12% or less, and the porosity of the second metal layer being smaller than the porosity of the first metal layer.

この金属張積層板によれば、第2金属層の空隙率が第1金属層の空隙率よりも小さいため、高周波の信号の伝送損失は、第2金属層よりも第1金属層でより増加しやすい。このとき、第1金属層の空隙率が12%を超えると、第1金属層において空隙の占める割合が大きくなり、高周波信号が表皮効果により空隙に沿って流れる場合に、高周波信号がよりジグザグに伝送されやすくなり、高周波信号の伝送距離が長くなる。これに対し、本発明では、第1金属層の空隙率が12%以下となっている。すなわち、第1金属層では、空隙の占める割合が十分に小さくなっている。このため、高周波信号が空隙に沿って流れる場合でも、高周波信号がより真っ直ぐに伝送されやすくなり、高周波信号の伝送距離がより短くなる。従って、高周波信号の伝送損失の増加を抑制できる。 In this metal-clad laminate, the porosity of the second metal layer is smaller than that of the first metal layer, so that the transmission loss of the high-frequency signal is more likely to increase in the first metal layer than in the second metal layer. In this case, if the porosity of the first metal layer exceeds 12%, the proportion of voids in the first metal layer increases, and when the high-frequency signal flows along the voids due to the skin effect, the high-frequency signal is more likely to be transmitted in a zigzag manner, and the transmission distance of the high-frequency signal is longer. In contrast, in the present invention, the porosity of the first metal layer is 12% or less. That is, the proportion of voids in the first metal layer is sufficiently small. Therefore, even when the high-frequency signal flows along the voids, the high-frequency signal is more likely to be transmitted in a straight line, and the transmission distance of the high-frequency signal is shorter. Therefore, the increase in the transmission loss of the high-frequency signal can be suppressed.

上記金属張積層板においては、前記第2金属層の空隙率が前記第1金属層の空隙率の0倍であることが好ましい。 In the above metal-clad laminate, it is preferable that the porosity of the second metal layer is 0 times the porosity of the first metal layer.

この場合、第2金属層の空隙率が前記第1金属層の空隙率の0倍より大きくなる場合に比べて、第2金属層において、高周波信号がより真っ直ぐに伝送され、高周波信号の伝送距離がより短くなる。従って、高周波信号の伝送損失の増加をより抑制できる。 In this case, the high-frequency signal is transmitted more directly through the second metal layer, and the transmission distance of the high-frequency signal is shorter, compared to when the porosity of the second metal layer is greater than 0 times the porosity of the first metal layer. Therefore, the increase in transmission loss of the high-frequency signal can be further suppressed.

上記金属張積層板においては、前記第1金属層の前記空隙の平均径が100nm以下であることが好ましい。 In the above metal-clad laminate, it is preferable that the average diameter of the voids in the first metal layer is 100 nm or less.

この場合、第1金属層における空隙の平均径が十分に小さくなる。このため、第1金属層における空隙の平均径が100nmを超える場合に比べて、高周波信号が空隙に沿って流れる場合に、高周波信号がより真っ直ぐに伝送され、高周波信号の伝送距離がより短くなる。従って、高周波信号の伝送損失の増加をより抑制できる。 In this case, the average diameter of the voids in the first metal layer becomes sufficiently small. Therefore, when the high-frequency signal flows along the voids, it is transmitted in a straighter direction and the transmission distance of the high-frequency signal is shorter than when the average diameter of the voids in the first metal layer exceeds 100 nm. Therefore, the increase in the transmission loss of the high-frequency signal can be further suppressed.

なお、本発明において、空隙率は、第1金属層の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した場合に、下記式で算出される値をいう。
空隙率=100×S1/S
(上記式中、Sは、第1金属層の面積を表し、S1は、第1金属層に占める空隙の面積を表す。)
In the present invention, the porosity refers to a value calculated by the following formula when a cross section of the first metal layer is observed with a scanning electron microscope (SEM).
Porosity = 100 x S1/S
(In the above formula, S represents the area of the first metal layer, and S1 represents the area of the voids in the first metal layer.)

また、空隙の平均径dとは、以下のようにして算出される値をいう。
d=2×(S1/(n×π))1/2
(上記式中、S1は、第1金属層に占める空隙の面積を表し、nは空隙の数を表す。)
The average void diameter d is a value calculated as follows.
d=2×(S1/(n×π)) 1/2
(In the above formula, S1 represents the area of the voids in the first metal layer, and n represents the number of voids.)

上記S及びS1は、具体的には画像処理ソフト「イメージJ」で測定される値である。 The above S and S1 are values measured using the image processing software "Image J."

本発明によれば、高周波信号の伝送損失の増加を抑制できる金属張積層板が提供される。 The present invention provides a metal-clad laminate that can suppress an increase in transmission loss of high-frequency signals.

本発明の金属張積層板の一実施形態を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing one embodiment of a metal-clad laminate of the present invention. 図1の二点鎖線Aで囲まれる領域の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of a region surrounded by a two-dot chain line A in FIG. 図2において、第1金属層における空隙率を12%より大きくした状態を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a state in which the porosity in the first metal layer in FIG. 2 is set to be greater than 12%. 本発明の金属張積層板を製造する方法における第1金属層前駆体形成工程を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a first metal layer precursor forming step in the method for producing the metal-clad laminate of the present invention.

以下、本発明の金属張積層板の実施形態について詳細に説明する。 The following describes in detail an embodiment of the metal-clad laminate of the present invention.

まず、本発明の金属張積層板について図1~図3を参照しながら説明する。図1は、本発明の金属張積層板の一実施形態を示す断面図、図2は、図1の二点鎖線Aで囲まれる領域の拡大図、図3は、図2において、第1金属層における空隙率を12%より大きくした状態を示す図である。 First, the metal-clad laminate of the present invention will be described with reference to Figures 1 to 3. Figure 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of the metal-clad laminate of the present invention, Figure 2 is an enlarged view of the area surrounded by the two-dot chain line A in Figure 1, and Figure 3 is a view showing the state in Figure 2 where the porosity in the first metal layer is greater than 12%.

図1及び図2に示すように、金属張積層板100は、基材10と、基材10の主面10a上に設けられる金属層20とを備えている。金属層20は、基材10の上に設けられ、複数の空隙Vを有する多孔質の第1金属層21と、第1金属層21の上に設けられる第2金属層22とを有する。そして、第1金属層21は12%以下の空隙率を有し、第2金属層22の空隙率は第1金属層21の空隙率よりも小さくなっている。 As shown in Figures 1 and 2, the metal-clad laminate 100 includes a substrate 10 and a metal layer 20 provided on the main surface 10a of the substrate 10. The metal layer 20 includes a porous first metal layer 21 provided on the substrate 10 and having a plurality of voids V, and a second metal layer 22 provided on the first metal layer 21. The first metal layer 21 has a porosity of 12% or less, and the porosity of the second metal layer 22 is smaller than the porosity of the first metal layer 21.

この金属張積層板100によれば、第2金属層22の空隙率が第1金属層21の空隙率よりも小さいため、高周波の信号の伝送損失は、第2金属層22よりも第1金属層21でより増加しやすい。このとき、第1金属層21の空隙率が12%より大きくなると、第1金属層21において空隙Vの占める割合が大きくなり、高周波信号が空隙Vに沿って流れる場合に、高周波信号がよりジグザグに伝送されやすくなり、高周波信号の伝送距離が長くなる(図3参照)。これに対し、金属張積層板100では、第1金属層の空隙率が12%以下となっている。すなわち、第1金属層21では、空隙Vの占める割合が十分に小さくなっている。このため、高周波信号が空隙Vに沿って流れる場合に、高周波信号がより真っ直ぐに伝送されやすくなり、高周波信号の伝送距離がより短くなる(図2参照)。従って、高周波信号の伝送損失の増加を抑制できる。なお、図2及び図3において、二点鎖線は第1金属層21と第2金属層22との境界を示している。 According to this metal-clad laminate 100, the porosity of the second metal layer 22 is smaller than that of the first metal layer 21, so that the transmission loss of the high-frequency signal is more likely to increase in the first metal layer 21 than in the second metal layer 22. At this time, when the porosity of the first metal layer 21 is greater than 12%, the proportion of the voids V in the first metal layer 21 becomes larger, and when the high-frequency signal flows along the voids V, the high-frequency signal is more likely to be transmitted in a zigzag manner, and the transmission distance of the high-frequency signal becomes longer (see FIG. 3). In contrast, in the metal-clad laminate 100, the porosity of the first metal layer is 12% or less. That is, the proportion of the voids V in the first metal layer 21 is sufficiently small. Therefore, when the high-frequency signal flows along the voids V, the high-frequency signal is more likely to be transmitted in a straight line, and the transmission distance of the high-frequency signal becomes shorter (see FIG. 2). Therefore, the increase in the transmission loss of the high-frequency signal can be suppressed. In addition, in Figures 2 and 3, the two-dot chain line indicates the boundary between the first metal layer 21 and the second metal layer 22.

次に、基材10、第1金属層21及び第2金属層22について詳細に説明する。 Next, the substrate 10, the first metal layer 21, and the second metal layer 22 will be described in detail.

<基材>
基材10を構成する材料は、特に制限されるものではないが、基材10を構成する材料としては、例えば非熱可塑性のポリイミド樹脂;熱可塑性のポリエチレンテレフタレート(PET)、液晶ポリマー(LCP)、シクロオレフィンポリマー(COP);及び、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、四フッ化エチレン-パーフルオロアルコキシエチレン共重合体(PFA)などのフッ素系樹脂などが挙げられる。
<Base material>
The material constituting the substrate 10 is not particularly limited, but examples of the material constituting the substrate 10 include non-thermoplastic polyimide resins; thermoplastic polyethylene terephthalate (PET), liquid crystal polymer (LCP), cycloolefin polymer (COP); and fluorine-based resins such as polytetrafluoroethylene (PTFE) and tetrafluoroethylene-perfluoroalkoxyethylene copolymer (PFA).

金属張積層体100を高周波用途に使用する場合には、誘電率が小さい樹脂が好ましい。この場合、高周波信号の電気エネルギーの一部が熱になりにくく失われにくくなる。このような誘電率が小さい樹脂としては、LCP、COP及びフッ素系樹脂が挙げられる。 When the metal clad laminate 100 is used for high frequency applications, a resin with a small dielectric constant is preferred. In this case, a portion of the electrical energy of the high frequency signal is less likely to become heat and is less likely to be lost. Examples of such resins with a small dielectric constant include LCP, COP, and fluororesins.

はんだリフロー時を特に重視する場合、基材10を構成する材料としては、連続使用温度が200℃以上である樹脂が好ましい。このような樹脂としては、例えばLCP、COP及びフッ素系樹脂などが挙げられる。 When solder reflow is of particular importance, the material constituting the substrate 10 is preferably a resin with a continuous use temperature of 200°C or higher. Examples of such resins include LCP, COP, and fluorine-based resins.

また、温度変化による反りの抑制を重視する場合には、基材10を構成する材料としては、第1金属層21の線膨張係数に近い線膨張係数を有する樹脂が好ましい。例えば第1金属層21が銅で構成される場合には、銅の線膨張係数(16ppm/K)に近い線膨張係数を有するLCP又はポリイミド樹脂などが好ましく用いられる。 In addition, when emphasis is placed on suppressing warping due to temperature changes, the material constituting the substrate 10 is preferably a resin having a linear expansion coefficient close to that of the first metal layer 21. For example, when the first metal layer 21 is made of copper, it is preferable to use an LCP or polyimide resin having a linear expansion coefficient close to that of copper (16 ppm/K).

基材10の平均厚さは用途によるため一概には言えないが、通常は25~100μmである。基材10の平均厚さは、例えばJISK7130:1999「プラスチック-フィルム及びシート-厚さ測定方法」に記載された方法により測定できる。 The average thickness of the substrate 10 depends on the application and cannot be generally determined, but is usually 25 to 100 μm. The average thickness of the substrate 10 can be measured, for example, by the method described in JIS K7130:1999 "Plastics - Films and sheets - Thickness measurement method."

<第1金属層>
第1金属層21の空隙率は、12%以下であればよいが、10%以下であることが好ましい。
<First metal layer>
The porosity of the first metal layer 21 may be 12% or less, and is preferably 10% or less.

但し、第1金属層21は空隙Vを有するため、第1金属層21の空隙率は0%より大きくなっている。第1金属層21の空隙率は、1%以上であることが好ましい。この場合、基材10に対する第1金属層21の密着性の低下をより十分に抑制することができる。 However, since the first metal layer 21 has voids V, the porosity of the first metal layer 21 is greater than 0%. The porosity of the first metal layer 21 is preferably 1% or greater. In this case, the decrease in adhesion of the first metal layer 21 to the substrate 10 can be more sufficiently suppressed.

第1金属層21の空隙Vの平均径dは特に制限されるものではないが、100nm以下であることが好ましい。この場合、第1金属層21における空隙Vの平均径dが十分に小さくなる。このため、第1金属層21における空隙Vの平均径dが100nmを超える場合に比べて、高周波信号が空隙Vに沿って流れる場合に、高周波信号がより真っ直ぐに伝送され、高周波信号の伝送距離がより短くなる。従って、高周波信号の伝送損失の増加をより抑制できる。 The average diameter d of the voids V in the first metal layer 21 is not particularly limited, but is preferably 100 nm or less. In this case, the average diameter d of the voids V in the first metal layer 21 becomes sufficiently small. Therefore, compared to when the average diameter d of the voids V in the first metal layer 21 exceeds 100 nm, when the high-frequency signal flows along the voids V, the high-frequency signal is transmitted more directly and the transmission distance of the high-frequency signal is shorter. Therefore, the increase in transmission loss of the high-frequency signal can be further suppressed.

第1金属層21の空隙Vの平均径dは、高周波信号の伝送損失の増加をより一層抑制する観点からは、50nm以下であることがより好ましい。 The average diameter d of the voids V in the first metal layer 21 is preferably 50 nm or less in order to further suppress an increase in transmission loss of high-frequency signals.

但し、第1金属層21の空隙Vの平均径dは10nm以上であることが好ましい。この場合、基材10に対する第1金属層21の密着性の低下をより十分に抑制することができる。 However, it is preferable that the average diameter d of the voids V in the first metal layer 21 is 10 nm or more. In this case, the decrease in adhesion of the first metal layer 21 to the substrate 10 can be more sufficiently suppressed.

第1金属層21の平均厚さは、第1金属層21を構成する金属粒子の平均粒径の2倍以上であることが好ましい。この場合、計算上では、基材10上に金属粒子が2個以上存在することになり、基材10に直接密着している金属粒子上に第2金属層22が直接形成されていないことになる。このため、基材10に直接密着している金属粒子に第2金属層22による応力が加わりにくくなり、基材10に対する第1金属層21の密着性の低下を十分に抑制できる。 The average thickness of the first metal layer 21 is preferably at least twice the average particle size of the metal particles that make up the first metal layer 21. In this case, mathematically there will be two or more metal particles on the substrate 10, and the second metal layer 22 will not be formed directly on the metal particles that are in direct contact with the substrate 10. As a result, stress from the second metal layer 22 is less likely to be applied to the metal particles that are in direct contact with the substrate 10, and a decrease in the adhesion of the first metal layer 21 to the substrate 10 can be sufficiently suppressed.

第1金属層21の平均厚さは、例えば第1金属層21の断面を走査電子顕微鏡で観察することで測定することができる。第1金属層21の断面を出す方法としては、金属張積層板100を樹脂に埋め込んでから研磨する方法などがある。 The average thickness of the first metal layer 21 can be measured, for example, by observing a cross section of the first metal layer 21 with a scanning electron microscope. One method for exposing the cross section of the first metal layer 21 is to embed the metal-clad laminate 100 in resin and then polish it.

金属粒子を構成する金属としては、例えば金、銀および銅が挙げられる。中でも、安価であることから銅が好ましい。 Metals that make up the metal particles include, for example, gold, silver, and copper. Among these, copper is preferred because it is inexpensive.

<第2金属層>
第2金属層22の空隙率は第1金属層21の空隙率よりも小さくなっていればよいが、第2金属層22の空隙率は第1金属層21の空隙率の0.1倍以下であることが好ましい。
<Second metal layer>
The porosity of the second metal layer 22 may be smaller than the porosity of the first metal layer 21 , but it is preferable that the porosity of the second metal layer 22 is 0.1 times or less the porosity of the first metal layer 21 .

第2金属層22の空隙率は第1金属層21の空隙率の0倍であること、すなわち第2金属層22は非多孔質であることがより好ましい。この場合、第2金属層22が非多孔質でない場合に比べて、第2金属層22において、高周波信号がより真っ直ぐに伝送されやすくなり、高周波信号の伝送距離がより短くなる。従って、高周波信号の伝送損失の増加をより抑制できる。 It is more preferable that the porosity of the second metal layer 22 is 0 times the porosity of the first metal layer 21, i.e., the second metal layer 22 is non-porous. In this case, the high-frequency signal is more likely to be transmitted straighter in the second metal layer 22 than when the second metal layer 22 is not non-porous, and the transmission distance of the high-frequency signal is shorter. Therefore, the increase in transmission loss of the high-frequency signal can be further suppressed.

第2金属層22を構成する金属としては、例えば金、銀および銅が挙げられる。中でも、安価であることから銅が好ましい。 Examples of metals that can be used to form the second metal layer 22 include gold, silver, and copper. Of these, copper is preferred because it is inexpensive.

第2金属層22は第1金属層21と同一金属で構成されることが好ましい。 It is preferable that the second metal layer 22 is made of the same metal as the first metal layer 21.

この場合、第1金属層21と第2金属層22とが異なる金属で構成される場合に比べて、多孔質の第1金属層21中に侵入する水分等により、第2金属層22から金属が溶け出されにくくなる。すなわち、第2金属層22の腐食が十分に抑制される。その結果、第2金属層22の抵抗の増加が抑制されるとともに、第2金属層22が割れたり、第1金属層21から剥がれたりすることが十分に抑制される。 In this case, metal is less likely to be dissolved from the second metal layer 22 by moisture or the like that penetrates into the porous first metal layer 21, compared to when the first metal layer 21 and the second metal layer 22 are made of different metals. In other words, corrosion of the second metal layer 22 is sufficiently suppressed. As a result, an increase in the resistance of the second metal layer 22 is suppressed, and cracking or peeling of the second metal layer 22 from the first metal layer 21 is sufficiently suppressed.

第2金属層22の平均厚さは特に制限されるものではなく、例えば1~20μmとすればよい。 The average thickness of the second metal layer 22 is not particularly limited and may be, for example, 1 to 20 μm.

第2金属層22の平均厚さは、第1金属層21と同様の方法で測定できる。 The average thickness of the second metal layer 22 can be measured in the same manner as the first metal layer 21.

次に、金属張積層板100の製造方法について図1及び図4を参照しながら説明する。図4は、本発明の金属張積層板の製造方法における第1金属層前駆体形成工程を示す断面図である。 Next, the manufacturing method of the metal-clad laminate 100 will be described with reference to Figures 1 and 4. Figure 4 is a cross-sectional view showing the first metal layer precursor formation step in the manufacturing method of the metal-clad laminate of the present invention.

図1及び図4に示すように、金属張積層板100の製造方法は、基材10上に、多孔質の第1金属層前駆体21Aを形成する第1金属層前駆体形成工程と、第1金属層前駆体21Aに対して電気めっきを行い、複数の空隙Vを有する多孔質の第1金属層21と第2金属層22とを含む金属層20を形成する金属層形成工程とを含む。そして、金属層形成工程において、めっきにより成長する金属が第1金属層前駆体21Aにおいて金属粒子同士間の隙間に入り込み、第1金属層21が12%以下の空隙率を有するように形成され、第2金属層22の空隙率が第1金属層21の空隙率よりも小さくなるように第2金属層22が形成される。 1 and 4, the manufacturing method of the metal-clad laminate 100 includes a first metal layer precursor forming step of forming a porous first metal layer precursor 21A on the substrate 10, and a metal layer forming step of electroplating the first metal layer precursor 21A to form a metal layer 20 including a porous first metal layer 21 having a plurality of voids V and a second metal layer 22. In the metal layer forming step, the metal grown by plating penetrates into the gaps between the metal particles in the first metal layer precursor 21A, and the first metal layer 21 is formed to have a porosity of 12% or less, and the second metal layer 22 is formed so that the porosity of the second metal layer 22 is smaller than the porosity of the first metal layer 21.

この金属張積層板100の製造方法によれば、高周波信号の伝送損失の増加を抑制できる金属張積層板100が製造される。 This manufacturing method for the metal-clad laminate 100 produces a metal-clad laminate 100 that can suppress an increase in transmission loss of high-frequency signals.

以下、上述した第1金属層前駆体形成工程及び金属層形成工程について詳細に説明する。 The first metal layer precursor forming process and the metal layer forming process are described in detail below.

<第1金属層前駆体形成工程>
第1金属層前駆体形成工程は、基材10上に、多孔質の第1金属層前駆体21Aを形成する工程である(図4参照)。
<First metal layer precursor formation step>
The first metal layer precursor forming step is a step of forming a porous first metal layer precursor 21A on the substrate 10 (see FIG. 4).

(第1金属層前駆体)
第1金属層前駆体21Aは、基材10の主面10a上に、例えば金属粒子及び溶媒を含む第1金属層前駆体形成用ペーストを塗工し、光焼成することによって得ることができる。
(First metal layer precursor)
The first metal layer precursor 21A can be obtained by applying a paste for forming a first metal layer precursor, which contains, for example, metal particles and a solvent, onto the main surface 10a of the substrate 10, and then baking it with light.

ここで、金属粒子は、平均粒径が1~100nmのナノ粒子を含むことが好ましい。金属粒子はナノ粒子のみで構成されてもよく、ナノ粒子と粗大粒子との混合物で構成されてもよい。粗大粒子としては、例えば直径が1μm、厚さが200nmの円盤粒子を用いることができる。なお、光焼成によって溶解するのは、ナノ粒子のみであり、粗大粒子は溶解しない。 Here, the metal particles preferably include nanoparticles with an average particle size of 1 to 100 nm. The metal particles may be composed of only nanoparticles, or may be composed of a mixture of nanoparticles and coarse particles. As the coarse particles, for example, disk particles with a diameter of 1 μm and a thickness of 200 nm can be used. Note that only the nanoparticles are dissolved by light sintering, and the coarse particles are not dissolved.

第1金属層21の体積抵抗率をより小さくする観点からは、金属粒子はナノ粒子のみで構成されることが好ましい。これは、金属粒子がナノ粒子のみで構成されると、すべての金属粒子が光焼成によって溶解して互いに溶着するため、金属粒子同士の接触面積が大きくなるためであると考えられる。 From the viewpoint of reducing the volume resistivity of the first metal layer 21, it is preferable that the metal particles are composed of nanoparticles only. This is because, if the metal particles are composed of nanoparticles only, all the metal particles melt and are fused together by light sintering, which increases the contact area between the metal particles.

但し、金属粒子は、ナノ粒子と粗大粒子との混合物で構成されてもよい。この場合、粗大粒子が光焼成によって溶解しないため、光焼成時の金属膜の収縮を小さくすることができ、基材10が反ったり、基材10から第1金属層21が剥離したりすることを抑制することができる。 However, the metal particles may be composed of a mixture of nanoparticles and coarse particles. In this case, since the coarse particles do not dissolve by light sintering, the shrinkage of the metal film during light sintering can be reduced, and warping of the substrate 10 and peeling of the first metal layer 21 from the substrate 10 can be suppressed.

溶媒としては、例えば3-メトキシ-3-メチルブタノール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレンカーボネート、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノンなどを用いることができる。 Examples of solvents that can be used include 3-methoxy-3-methylbutanol, triethylene glycol monomethyl ether, propylene carbonate, and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone.

第1金属層前駆体形成用ペーストはさらに分散剤を含んでいてもよい。分散剤としては、例えばポリエチレングリコール及びポリビニルピロリドンなどが挙げられる。 The paste for forming the first metal layer precursor may further contain a dispersant. Examples of dispersants include polyethylene glycol and polyvinylpyrrolidone.

第1金属層前駆体形成用ペーストの塗工は、例えばマイクログラビア方式の塗工機やスピンコータを用いて行うことができる。 The paste for forming the first metal layer precursor can be applied using, for example, a microgravure coater or a spin coater.

第1金属層前駆体形成用ペーストは、光焼成の前に、乾燥処理を行うことが好ましい。また第1金属層前駆体形成用ペーストがバインダ等の有機成分を多く含む場合には、有機成分を除去する処理をさらに行うことが好ましい。この場合、光焼成時に有機成分が分解することで発生するガスに起因して空隙が大きくなることを抑制することができる。 It is preferable to perform a drying process on the paste for forming the first metal layer precursor before light sintering. Furthermore, if the paste for forming the first metal layer precursor contains a large amount of organic components such as binders, it is preferable to further perform a process to remove the organic components. In this case, it is possible to prevent the voids from becoming larger due to gas generated by decomposition of the organic components during light sintering.

乾燥処理方法としては50~100℃で熱処理する方法が挙げられる。また有機成分を除去する処理方法としては、例えば150℃程度で第1金属層前駆体形成用ペーストを熱処理した後、希硫酸に浸漬して酸化膜を除去し、水洗した後、イソプロピルアルコールに浸漬する方法が挙げられる。 As a drying method, a method of heat treatment at 50 to 100°C can be mentioned. As a method of removing organic components, for example, a method of heat treating the paste for forming the first metal layer precursor at about 150°C, immersing it in dilute sulfuric acid to remove the oxide film, rinsing with water, and then immersing it in isopropyl alcohol can be mentioned.

光焼成を行う装置としては、例えばNovacentrix社製の「Pulsforge1300」を使用することができる。この装置に使用する光源としては、例えばキセノンランプなどを使用することができる。 As an apparatus for performing light sintering, for example, the "Pulsforge 1300" manufactured by Novacentrix can be used. As a light source for this apparatus, for example, a xenon lamp can be used.

光の照射エネルギーは、例えば0.1~100J/cmとすればよい。光の照射時間は、0.1~100msとすればよい。照射回数は1回でも複数回の多段照射でもよい。 The light irradiation energy may be, for example, 0.1 to 100 J/cm 2. The light irradiation time may be 0.1 to 100 ms. The number of irradiations may be one or multiple.

第1金属層前駆体21Aの平均厚さは5μm以下であることが好ましい。この場合、第1金属層前駆体21Aの平均厚さが5μmを超える場合に比べて、第1金属層前駆体形成用ペーストを光焼成した際に第1金属層前駆体形成用ペーストにおいて発生するガスによってボイドが形成されることが十分に抑制される。第1金属層前駆体21Aの平均厚さは1μm以下であることがより好ましい。 The average thickness of the first metal layer precursor 21A is preferably 5 μm or less. In this case, compared to when the average thickness of the first metal layer precursor 21A exceeds 5 μm, the formation of voids due to gas generated in the paste for forming the first metal layer precursor when the paste for forming the first metal layer precursor is optically fired is sufficiently suppressed. It is more preferable that the average thickness of the first metal layer precursor 21A is 1 μm or less.

<金属層形成工程>
金属層形成工程は、第1金属層前駆体21Aに対して電気めっきを行い、複数の空隙Vを有する多孔質の第1金属層21と第2金属層22とを含む金属層20を形成する工程である。
<Metal layer formation process>
The metal layer forming step is a step of electroplating the first metal layer precursor 21A to form the metal layer 20 including the porous first metal layer 21 having a plurality of voids V and the second metal layer 22 .

めっきに使用するめっき液は、特に制限されるものではないが、第2金属層22を銅で構成する場合には硫酸銅溶液であることが好ましい。硫酸銅溶液は、主に硫酸銅及び硫酸を含む。この場合、表面が平滑な第2金属層22が第1金属層21の表面に均一に付着される。めっき液には、光沢剤を添加してもよい。 The plating solution used for plating is not particularly limited, but if the second metal layer 22 is made of copper, it is preferably a copper sulfate solution. The copper sulfate solution mainly contains copper sulfate and sulfuric acid. In this case, the second metal layer 22, which has a smooth surface, is uniformly attached to the surface of the first metal layer 21. A brightener may be added to the plating solution.

めっきは、電気めっきで行われる。この理由は以下の通りである。すなわち、めっきに際しては金属の析出時に水素ガスの発生を伴う。このとき、無電解めっきが行われると、多孔質の第1金属層前駆体21A内では水素ガスが抜けずにめっきが阻害され、金属粒子同士間の隙間がめっきにより成長する金属によって十分に埋まる前に第1金属層前駆体21Aの表面上でめっきが進行してしまう。そして、第1金属層前駆体21Aの表面上でめっきが先に進行すると、第1金属層前駆体21Aは蓋をされたような状態になり、金属イオンが第1金属層前駆体21A内に供給されなくなる。このため、めっきによる金属が多孔質の第1金属層前駆体21A内にそれ以上成長しなくなる。これに対し、電気めっきでは、短時間でめっきを進行させることができる。このため、第1金属層前駆体21Aの金属粒子同士間の隙間をめっきにより成長する金属で十分に埋めることができる。すなわち、第1金属層21の空隙率の調整を容易に行うことができる。 Plating is performed by electroplating. The reason is as follows. That is, during plating, hydrogen gas is generated when metal is deposited. If electroless plating is performed at this time, hydrogen gas does not escape from the porous first metal layer precursor 21A, hindering plating, and plating proceeds on the surface of the first metal layer precursor 21A before the gaps between the metal particles are sufficiently filled with the metal grown by plating. If plating proceeds first on the surface of the first metal layer precursor 21A, the first metal layer precursor 21A becomes in a state in which it is capped, and metal ions are not supplied into the first metal layer precursor 21A. Therefore, the metal by plating does not grow any further in the porous first metal layer precursor 21A. In contrast, electroplating allows plating to proceed in a short time. Therefore, the gaps between the metal particles of the first metal layer precursor 21A can be sufficiently filled with the metal grown by plating. That is, the porosity of the first metal layer 21 can be easily adjusted.

めっきが電気めっきである場合、電流密度は特に制限されないが、2A/dm以下であることが好ましい。この理由は以下の通りである。まず電流密度はめっき時間を短くするために通常はできるだけ大きくすることが好ましい。めっき膜の成長速度は電流密度に比例するからである。しかし、電流密度は、大きすぎると、めっきされやすい第1金属層前駆体21Aの表面上でめっきが先に進行してしまう。そして、第1金属層前駆体21Aの表面上でめっきが先に進行すると、第1金属層前駆体21Aは蓋をされたような状態になり、金属イオンが第1金属層前駆体21A内に供給されなくなる。このため、めっきによる金属が多孔質の第1金属層前駆体21A内にそれ以上成長しなくなる。これに対し、電流密度が2A/dm以下であると、第1金属層前駆体21A内で金属粒子同士間の隙間をめっきにより成長する金属でより十分に埋めることができる。 When the plating is electroplating, the current density is not particularly limited, but is preferably 2 A/dm 2 or less. The reason is as follows. First, it is usually preferable to make the current density as large as possible in order to shorten the plating time. This is because the growth rate of the plating film is proportional to the current density. However, if the current density is too large, plating will proceed first on the surface of the first metal layer precursor 21A, which is easily plated. Then, if plating proceeds first on the surface of the first metal layer precursor 21A, the first metal layer precursor 21A will be in a state where it is capped, and metal ions will not be supplied into the first metal layer precursor 21A. For this reason, the metal by plating will not grow any more in the porous first metal layer precursor 21A. On the other hand, if the current density is 2 A/dm 2 or less, the gaps between the metal particles in the first metal layer precursor 21A can be more sufficiently filled with the metal grown by plating.

第1金属層前駆体21A内で金属粒子同士間の隙間がめっきにより成長する金属でより十分に埋められた後は、電流密度は2A/dmを超えてもよい。例えば、第1金属層前駆体21Aの上のめっき膜の厚さが1μmまでは2A/dmでめっきを行い、それ以降は4A/dmでめっきを行うことも可能である。この場合、めっき時間が短くなり、生産性が向上する。 After the gaps between the metal particles in the first metal layer precursor 21A are more sufficiently filled with the metal grown by plating, the current density may exceed 2 A/dm 2. For example, plating can be performed at 2 A/dm 2 until the thickness of the plating film on the first metal layer precursor 21A reaches 1 μm, and thereafter at 4 A/dm 2. In this case, the plating time is shortened, and productivity is improved.

本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、基材10の主面10aにのみ金属層20が形成されているが、基材10の主面10aと反対側の主面に金属層20が形成されてもよい。 The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the metal layer 20 is formed only on the main surface 10a of the substrate 10, but the metal layer 20 may be formed on the main surface opposite to the main surface 10a of the substrate 10.

また、上記実施形態では、第1金属層前駆体21Aが、第1金属層前駆体形成用ペーストの光焼成によって形成されているが、第1金属層前駆体21Aは、必ずしも第1金属層前駆体形成用ペーストの光焼成によって形成されていなくてもよい。例えば第1金属層前駆体21Aは、熱焼成によって形成することも可能である。 In addition, in the above embodiment, the first metal layer precursor 21A is formed by light-firing the paste for forming the first metal layer precursor, but the first metal layer precursor 21A does not necessarily have to be formed by light-firing the paste for forming the first metal layer precursor. For example, the first metal layer precursor 21A can also be formed by thermal firing.

以下、本発明の内容を、実施例を挙げてより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。 The present invention will be described in more detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples.

(実施例1)
まず、平均厚さ25μmの基材を用意した。基材としては、LCPフィルム(商品名「ベクスター」、株式会社クラレ製)を用いた。
Example 1
First, a substrate having an average thickness of 25 μm was prepared. As the substrate, an LCP film (product name "Vextar", manufactured by Kuraray Co., Ltd.) was used.

次に、平均粒径70nmの銅ナノ粒子のみからなる金属粒子、ヘキシレングリコールからなる溶媒、ポリエチレングリコールからなる分散剤を含むペーストを用意し、スピンコータで基材の主面上にペーストを塗工し、50℃で10分間乾燥させた。 Next, a paste containing metal particles consisting only of copper nanoparticles with an average particle size of 70 nm, a solvent consisting of hexylene glycol, and a dispersant consisting of polyethylene glycol was prepared, and the paste was applied onto the main surface of the substrate using a spin coater and dried at 50°C for 10 minutes.

次に、キセノンフラッシュランプを光源とした光焼成装置(製品名「PulsForge1300」、Novacentrix社製)でペーストの光焼成を行い、銅からなる第1金属層前駆体を得た。こうして構造体を得た。光焼成後に得られた第1金属層前駆体の平均厚さは1μmであった。 The paste was then photo-fired using a photo-firing device (product name "PulsForge 1300", manufactured by Novacentrix) with a xenon flash lamp as the light source to obtain a first metal layer precursor made of copper. In this way, a structure was obtained. The average thickness of the first metal layer precursor obtained after photo-firing was 1 μm.

次に、上記のようにして得られた構造体を10質量%硫酸及び蒸留水で順次前処理した後、構造体の第1金属層前駆体に対して銅めっきを行った。銅めっきは、上記構造体をめっき液に浸漬し、電気めっきにて行った。このとき、めっき液の組成は、硫酸銅五水和物100g/L、硫酸180g/L、塩酸0.12mL/L、蒸留水(残余)とした。また、めっき液の液温は25℃とし、電流密度は2.0A/dmとした。こうして基材上に第1金属層及び第2金属層で構成される金属層を形成し、金属張積層板を作製した。このとき、金属張積層板をエポキシ樹脂(製品名「CY-230」、ナガセケムテックス社製)に埋め込んだ後に切断し、断面を耐水研磨紙(製品名「カーボマックペーパー」、リファインテック社製)、ダイヤモンドペースト研磨剤(製品名「DP-ペーストP」、Struers社製)、イオンミリング装置(製品名「IM4000PLUS」、日立ハイテクノロジーズ社製)で研磨し、金属張積層板の断面をSEMで観察し、画像処理ソフト「イメージJ」にて第1金属層及び第2金属層の空隙率を測定したところ、第1金属層の空隙率R1は11.1%であり、第2金属層の空隙率R2は0%であった。また第2金属層の平均厚さは12μmであった。 Next, the structure obtained as described above was pretreated with 10% by mass sulfuric acid and distilled water in sequence, and then copper plating was performed on the first metal layer precursor of the structure. Copper plating was performed by immersing the structure in a plating solution and electroplating. At this time, the composition of the plating solution was 100 g/L copper sulfate pentahydrate, 180 g/L sulfuric acid, 0.12 mL/L hydrochloric acid, and distilled water (remainder). The liquid temperature of the plating solution was 25°C, and the current density was 2.0 A/ dm2 . In this way, a metal layer composed of a first metal layer and a second metal layer was formed on the substrate, and a metal-clad laminate was produced. At this time, the metal-clad laminate was embedded in an epoxy resin (product name "CY-230", manufactured by Nagase Chemtex Corporation) and then cut, and the cross section was polished with waterproof abrasive paper (product name "Carbomac Paper", manufactured by Refine Tech Co., Ltd.), diamond paste abrasive (product name "DP-Paste P", manufactured by Struers Co., Ltd.), and an ion milling device (product name "IM4000PLUS", manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). The cross section of the metal-clad laminate was observed with an SEM, and the porosity of the first metal layer and the second metal layer was measured using the image processing software "Image J". The porosity R1 of the first metal layer was 11.1%, and the porosity R2 of the second metal layer was 0%. The average thickness of the second metal layer was 12 μm.

(実施例2)
第2金属層を電気めっきにて形成する際の電流密度を1.5A/dmに変更することにより第1金属層の空隙率R1を10%としたこと以外は実施例1と同様にして金属張積層板を作製した。
Example 2
A metal-clad laminate was produced in the same manner as in Example 1, except that the current density when forming the second metal layer by electroplating was changed to 1.5 A/ dm2 , thereby making the porosity R1 of the first metal layer 10%.

(実施例3)
第2金属層を電気めっきにて形成する際の電流密度を1.0A/dmに変更することにより第1金属層の空隙率R1を9.1%としたこと以外は実施例1と同様にして金属張積層板を作製した。
Example 3
A metal-clad laminate was produced in the same manner as in Example 1, except that the current density when forming the second metal layer by electroplating was changed to 1.0 A/ dm2 , thereby making the porosity R1 of the first metal layer 9.1%.

(実施例4)
実施例1と同様にして得られた構造体を10質量%硫酸及び蒸留水で順次前処理した後、構造体の第1金属層前駆体に対して銅めっきを行い、第1金属層を形成した。銅めっきは、上記構造体を実施例1のめっき液と同一の組成のめっき液に浸漬し、電気めっきにて行った。このとき、めっき液の液温は25℃とし、電流密度は2.0A/dmとした。また銅めっきは、第1金属層前駆体中の多孔質部分がめっきで埋まるまで行った。
Example 4
The structure obtained in the same manner as in Example 1 was pretreated with 10% by mass sulfuric acid and distilled water in sequence, and then the first metal layer precursor of the structure was copper plated to form a first metal layer. The copper plating was performed by immersing the structure in a plating solution having the same composition as the plating solution in Example 1 and electroplating. At this time, the temperature of the plating solution was 25°C, and the current density was 2.0 A/ dm2 . The copper plating was performed until the porous portion in the first metal layer precursor was filled with plating.

次に、めっき液に臭化水素酸0.5ml/L、グリセリン0.3ml/Lを加えて、電流密度2.0A/dmで電気めっきを行い、第2金属層を形成した。このとき、電気めっきは、第2金属層が実施例1の第2金属層と同じ厚さになるまで行った。 Next, 0.5 ml/L of hydrobromic acid and 0.3 ml/L of glycerin were added to the plating solution, and electroplating was performed at a current density of 2.0 A/ dm2 to form a second metal layer. At this time, electroplating was performed until the second metal layer had the same thickness as the second metal layer in Example 1.

こうして基材上に第1金属層及び第2金属層で構成される金属層を形成し、金属張積層板を作製した。 In this way, a metal layer consisting of a first metal layer and a second metal layer was formed on the substrate, and a metal-clad laminate was produced.

得られた金属張積層板について、実施例1と同様にして第1金属層及び第2金属層の空隙率を測定したところ、第1金属層の空隙率R1は11.0%であり、第2金属層の空隙率R2は1.0%であった。 When the porosity of the first metal layer and the second metal layer of the obtained metal-clad laminate was measured in the same manner as in Example 1, the porosity R1 of the first metal layer was 11.0%, and the porosity R2 of the second metal layer was 1.0%.

(実施例5)
めっき液にビアフィル用添加剤(製品名「スルカップEVF」、上村工業社製)を加えることにより第1金属層の空隙率R1を2.0%としたこと以外は実施例1と同様にして金属張積層板を作製した。
Example 5
A metal-clad laminate was produced in the same manner as in Example 1, except that the porosity R1 of the first metal layer was set to 2.0% by adding a via-fill additive (product name "Thru-Cup EVF", manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) to the plating solution.

(比較例1)
第2金属層を電気めっきにて形成する際の電流密度を2.5A/dmに変更することにより第1金属層の空隙率R1を12.5%としたこと以外は実施例1と同様にして金属張積層板を作製した。
(Comparative Example 1)
A metal-clad laminate was produced in the same manner as in Example 1, except that the current density when forming the second metal layer by electroplating was changed to 2.5 A/ dm2 , thereby making the porosity R1 of the first metal layer 12.5%.

(比較例2)
第2金属層を電気めっきにて形成する際の電流密度を3.0A/dmに変更することにより第1金属層の空隙率R1を14.3%としたこと以外は実施例1と同様にして金属張積層板を作製した。
(Comparative Example 2)
A metal-clad laminate was produced in the same manner as in Example 1, except that the current density when forming the second metal layer by electroplating was changed to 3.0 A/ dm2 , thereby making the porosity R1 of the first metal layer 14.3%.

(比較例3)
第2金属層を電気めっきにて形成する際の電流密度を4.0A/dmに変更することにより第1金属層の空隙率R1を16.7%としたこと以外は実施例1と同様にして金属張積層板を作製した。
(Comparative Example 3)
A metal-clad laminate was produced in the same manner as in Example 1, except that the current density when forming the second metal layer by electroplating was changed to 4.0 A/ dm2 , thereby making the porosity R1 of the first metal layer 16.7%.

(比較例4)
第2金属層を電気めっきの代わりに無電解めっきにて行うことにより第1金属層の空隙率R1を16.7%としたこと以外は実施例1と同様にして金属張積層板を作製した。
(Comparative Example 4)
A metal-clad laminate was produced in the same manner as in Example 1, except that the second metal layer was formed by electroless plating instead of electroplating, thereby making the porosity R1 of the first metal layer 16.7%.

(比較例5)
実施例1と同様にして得られた構造体を10質量%硫酸及び蒸留水で順次前処理した後、構造体の第1金属層前駆体に対して銅めっきを行い、第1金属層を形成した。銅めっきは、上記構造体を実施例1のめっき液と同一の組成のめっき液に浸漬し、電気めっきにて行った。このとき、めっき液の液温は25℃とし、電流密度は2.0A/dmとした。また銅めっきは、第1金属層前駆体中の多孔質部分がめっきで埋まるまで行った。
(Comparative Example 5)
The structure obtained in the same manner as in Example 1 was pretreated with 10% by mass sulfuric acid and distilled water in sequence, and then the first metal layer precursor of the structure was copper plated to form a first metal layer. The copper plating was performed by immersing the structure in a plating solution having the same composition as the plating solution in Example 1 and electroplating. At this time, the temperature of the plating solution was 25°C, and the current density was 2.0 A/ dm2 . The copper plating was performed until the porous portion in the first metal layer precursor was filled with plating.

次に、めっき液に臭化水素酸2.0ml/L、グリセリン1.0ml/Lを加えて、電流密度2.0A/dmで電気めっきを行い、第2金属層を形成した。このとき、電気めっきは、第2金属層が実施例1の第2金属層と同じ厚さになるまで行った。 Next, 2.0 ml/L of hydrobromic acid and 1.0 ml/L of glycerin were added to the plating solution, and electroplating was performed at a current density of 2.0 A/ dm2 to form a second metal layer. At this time, electroplating was performed until the second metal layer had the same thickness as the second metal layer in Example 1.

こうして基材上に第1金属層及び第2金属層で構成される金属層を形成し、金属張積層板を作製した。 In this way, a metal layer consisting of a first metal layer and a second metal layer was formed on the substrate, and a metal-clad laminate was produced.

得られた金属張積層板について、実施例1と同様にして第1金属層及び第2金属層の空隙率を測定したところ、第1金属層の空隙率R1は11.0%であり、第2金属層の空隙率R2は11.0%であった。 When the porosity of the first metal layer and the second metal layer of the obtained metal-clad laminate was measured in the same manner as in Example 1, the porosity R1 of the first metal layer was 11.0%, and the porosity R2 of the second metal layer was 11.0%.

[伝送損失の評価]
実施例1~5及び比較例1~5で得られた金属張積層板について、高周波における伝送損失の評価を行った。具体的には、10GHz、30GHz、60GHzにおける伝送損失の値を測定した。結果を表1に示す。

Figure 0007679182000001
[Evaluation of Transmission Loss]
The metal-clad laminates obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5 were evaluated for transmission loss at high frequencies. Specifically, the transmission loss values were measured at 10 GHz, 30 GHz, and 60 GHz. The results are shown in Table 1.

Figure 0007679182000001

表1に示す結果より、実施例1~5の金属張積層板の方が、比較例1~5の金属張積層板よりも60GHzの高周波における伝送損失の増加が顕著に抑制されることが分かった。 The results shown in Table 1 show that the metal-clad laminates of Examples 1 to 5 significantly suppress the increase in transmission loss at a high frequency of 60 GHz compared to the metal-clad laminates of Comparative Examples 1 to 5.

以上のことから、本発明の金属張積層板によれば、高周波信号の伝送損失の増加を抑制できることが確認された。 From the above, it has been confirmed that the metal-clad laminate of the present invention can suppress an increase in transmission loss of high-frequency signals.

10…基材
20…金属層
21…第1金属層
22…第2金属層
100…金属張積層板
V…空隙
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Base material 20... Metal layer 21... First metal layer 22... Second metal layer 100... Metal-clad laminate V... Void

Claims (3)

基材と、
前記基材上に設けられる金属層とを備え、
前記金属層が、
前記基材上に設けられ、複数の空隙を有する多孔質の第1金属層(ただし、前記空隙の少なくとも一部に、前記基材由来の成分を含む基材由来成分含有領域を有する第1金属層を除く)と、
前記第1金属層の上に設けられる第2金属層とを有し、
前記金属層が、
金属粒子を含むペースト光焼成物からなる第1金属層前駆体及び前記金属粒子同士間の隙間に埋められる金属で構成される前記第1金属層と、
前記第1金属層上のめっき膜からなる前記第2金属層とを有する金属層であり、
前記金属層が、無電解めっき層を有さない金属層であり、
前記第1金属層及び前記第2金属層が銅で構成され、
前記第1金属層(ただし、2%以下の空隙率を有する第1金属層を除く)が12%以下の空隙率を有し、
前記第2金属層の空隙率が前記第1金属層の空隙率よりも小さい、金属張積層板。
A substrate;
A metal layer provided on the substrate,
The metal layer is
A porous first metal layer provided on the substrate and having a plurality of voids (excluding a first metal layer having a substrate-derived component-containing region that contains a component derived from the substrate in at least a portion of the voids);
a second metal layer provided on the first metal layer;
The metal layer is
a first metal layer precursor formed by light- sintering a paste containing metal particles , and a first metal layer formed by a metal filling gaps between the metal particles;
the second metal layer being a plating film on the first metal layer ;
the metal layer is a metal layer having no electroless plating layer,
the first metal layer and the second metal layer are made of copper;
the first metal layer (excluding the first metal layer having a porosity of 2% or less) has a porosity of 12% or less;
A metal-clad laminate, wherein the second metal layer has a porosity smaller than the porosity of the first metal layer.
前記第2金属層の空隙率が前記第1金属層の空隙率の0倍である、請求項1に記載の金属張積層板。 The metal-clad laminate according to claim 1, wherein the porosity of the second metal layer is 0 times the porosity of the first metal layer. 前記第1金属層の前記空隙の平均径が100nm以下である、請求項1又は2に記載の金属張積層板。 The metal-clad laminate according to claim 1 or 2, wherein the average diameter of the voids in the first metal layer is 100 nm or less.
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