JP7679182B2

JP7679182B2 - 金属張積層板

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Publication number: JP7679182B2
Application number: JP2020138306A
Authority: JP
Inventors: 祐太郎中村
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2020-08-19
Filing date: 2020-08-19
Publication date: 2025-05-19
Anticipated expiration: 2040-08-19
Also published as: JP2022034573A

Description

本発明は、金属張積層板に関する。

フレキシブルプリント配線板などの製造に際しては、基材の上に銅などの金属からなる金属層が積層された金属張積層板が使用される。

このような金属張積層板として、例えば下記特許文献１には、基材と、基材上に設けられる導電膜とを備える導電膜付き基板が開示され、導電膜は、銅微粒子を焼成した皮膜と、皮膜に施しためっき膜とを有している。

特開２０１３－１３５０８９号公報

ところで、近年、電子機器の高性能化に伴い、高周波の信号を流すことのできる配線基板が求められている。

しかし、信号は、いわゆる表皮効果により、周波数が高くなるにつれて導体の表面にしか電流が流れなくなることが知られており、上述した特許文献１に記載の導電膜では、高周波帯、特に６０ＧＨｚの超高周波帯の信号を流すと、伝送損失が増加するという問題があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高周波信号の伝送損失の増加を抑制できる金属張積層板を提供することを目的とする。

本発明者は、上記特許文献１に記載の導電膜において上記課題が生じる原因について検討した。その結果、本発明者は、上記課題が生じる原因について以下のように考えた。すなわち、銅微粒子を焼成して形成された皮膜は、空隙を有する多孔質構造となり、高周波の信号は表皮効果によりこの多孔質構造の空隙に沿って流れる。このため、信号が最短距離を伝送されなくなり、このことが伝送損失の増加を引き起こすのではないかと本発明者は考えた。そこで、本発明者は、さらに鋭意検討を重ねた結果、以下の発明により上記課題を解決し得ることを見出した。

すなわち、本発明は、基材と、前記基材上に設けられる金属層とを備え、前記金属層が、前記基材上に設けられ、複数の空隙を有する多孔質の第１金属層と、前記第１金属層の上に設けられる第２金属層とを有し、前記第１金属層が１２％以下の空隙率を有し、前記第２金属層の空隙率が前記第１金属層の空隙率よりも小さい、金属張積層板である。

この金属張積層板によれば、第２金属層の空隙率が第１金属層の空隙率よりも小さいため、高周波の信号の伝送損失は、第２金属層よりも第１金属層でより増加しやすい。このとき、第１金属層の空隙率が１２％を超えると、第１金属層において空隙の占める割合が大きくなり、高周波信号が表皮効果により空隙に沿って流れる場合に、高周波信号がよりジグザグに伝送されやすくなり、高周波信号の伝送距離が長くなる。これに対し、本発明では、第１金属層の空隙率が１２％以下となっている。すなわち、第１金属層では、空隙の占める割合が十分に小さくなっている。このため、高周波信号が空隙に沿って流れる場合でも、高周波信号がより真っ直ぐに伝送されやすくなり、高周波信号の伝送距離がより短くなる。従って、高周波信号の伝送損失の増加を抑制できる。

上記金属張積層板においては、前記第２金属層の空隙率が前記第１金属層の空隙率の０倍であることが好ましい。

この場合、第２金属層の空隙率が前記第１金属層の空隙率の０倍より大きくなる場合に比べて、第２金属層において、高周波信号がより真っ直ぐに伝送され、高周波信号の伝送距離がより短くなる。従って、高周波信号の伝送損失の増加をより抑制できる。

上記金属張積層板においては、前記第１金属層の前記空隙の平均径が１００ｎｍ以下であることが好ましい。

この場合、第１金属層における空隙の平均径が十分に小さくなる。このため、第１金属層における空隙の平均径が１００ｎｍを超える場合に比べて、高周波信号が空隙に沿って流れる場合に、高周波信号がより真っ直ぐに伝送され、高周波信号の伝送距離がより短くなる。従って、高周波信号の伝送損失の増加をより抑制できる。

なお、本発明において、空隙率は、第１金属層の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した場合に、下記式で算出される値をいう。
空隙率＝１００×Ｓ１／Ｓ
（上記式中、Ｓは、第１金属層の面積を表し、Ｓ１は、第１金属層に占める空隙の面積を表す。）

また、空隙の平均径ｄとは、以下のようにして算出される値をいう。
ｄ＝２×（Ｓ１／（ｎ×π））^１／２
（上記式中、Ｓ１は、第１金属層に占める空隙の面積を表し、ｎは空隙の数を表す。）

上記Ｓ及びＳ１は、具体的には画像処理ソフト「イメージＪ」で測定される値である。

本発明によれば、高周波信号の伝送損失の増加を抑制できる金属張積層板が提供される。

本発明の金属張積層板の一実施形態を示す断面図である。図１の二点鎖線Ａで囲まれる領域の拡大図である。図２において、第１金属層における空隙率を１２％より大きくした状態を示す図である。本発明の金属張積層板を製造する方法における第１金属層前駆体形成工程を示す断面図である。

以下、本発明の金属張積層板の実施形態について詳細に説明する。

まず、本発明の金属張積層板について図１～図３を参照しながら説明する。図１は、本発明の金属張積層板の一実施形態を示す断面図、図２は、図１の二点鎖線Ａで囲まれる領域の拡大図、図３は、図２において、第１金属層における空隙率を１２％より大きくした状態を示す図である。

図１及び図２に示すように、金属張積層板１００は、基材１０と、基材１０の主面１０ａ上に設けられる金属層２０とを備えている。金属層２０は、基材１０の上に設けられ、複数の空隙Ｖを有する多孔質の第１金属層２１と、第１金属層２１の上に設けられる第２金属層２２とを有する。そして、第１金属層２１は１２％以下の空隙率を有し、第２金属層２２の空隙率は第１金属層２１の空隙率よりも小さくなっている。

この金属張積層板１００によれば、第２金属層２２の空隙率が第１金属層２１の空隙率よりも小さいため、高周波の信号の伝送損失は、第２金属層２２よりも第１金属層２１でより増加しやすい。このとき、第１金属層２１の空隙率が１２％より大きくなると、第１金属層２１において空隙Ｖの占める割合が大きくなり、高周波信号が空隙Ｖに沿って流れる場合に、高周波信号がよりジグザグに伝送されやすくなり、高周波信号の伝送距離が長くなる（図３参照）。これに対し、金属張積層板１００では、第１金属層の空隙率が１２％以下となっている。すなわち、第１金属層２１では、空隙Ｖの占める割合が十分に小さくなっている。このため、高周波信号が空隙Ｖに沿って流れる場合に、高周波信号がより真っ直ぐに伝送されやすくなり、高周波信号の伝送距離がより短くなる（図２参照）。従って、高周波信号の伝送損失の増加を抑制できる。なお、図２及び図３において、二点鎖線は第１金属層２１と第２金属層２２との境界を示している。

次に、基材１０、第１金属層２１及び第２金属層２２について詳細に説明する。

＜基材＞
基材１０を構成する材料は、特に制限されるものではないが、基材１０を構成する材料としては、例えば非熱可塑性のポリイミド樹脂；熱可塑性のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）；及び、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレン－パーフルオロアルコキシエチレン共重合体（ＰＦＡ）などのフッ素系樹脂などが挙げられる。

金属張積層体１００を高周波用途に使用する場合には、誘電率が小さい樹脂が好ましい。この場合、高周波信号の電気エネルギーの一部が熱になりにくく失われにくくなる。このような誘電率が小さい樹脂としては、ＬＣＰ、ＣＯＰ及びフッ素系樹脂が挙げられる。

はんだリフロー時を特に重視する場合、基材１０を構成する材料としては、連続使用温度が２００℃以上である樹脂が好ましい。このような樹脂としては、例えばＬＣＰ、ＣＯＰ及びフッ素系樹脂などが挙げられる。

また、温度変化による反りの抑制を重視する場合には、基材１０を構成する材料としては、第１金属層２１の線膨張係数に近い線膨張係数を有する樹脂が好ましい。例えば第１金属層２１が銅で構成される場合には、銅の線膨張係数（１６ｐｐｍ／Ｋ）に近い線膨張係数を有するＬＣＰ又はポリイミド樹脂などが好ましく用いられる。

基材１０の平均厚さは用途によるため一概には言えないが、通常は２５～１００μｍである。基材１０の平均厚さは、例えばJISK7130:1999「プラスチック-フィルム及びシート-厚さ測定方法」に記載された方法により測定できる。

＜第１金属層＞
第１金属層２１の空隙率は、１２％以下であればよいが、１０％以下であることが好ましい。

但し、第１金属層２１は空隙Ｖを有するため、第１金属層２１の空隙率は０％より大きくなっている。第１金属層２１の空隙率は、１％以上であることが好ましい。この場合、基材１０に対する第１金属層２１の密着性の低下をより十分に抑制することができる。

第１金属層２１の空隙Ｖの平均径ｄは特に制限されるものではないが、１００ｎｍ以下であることが好ましい。この場合、第１金属層２１における空隙Ｖの平均径ｄが十分に小さくなる。このため、第１金属層２１における空隙Ｖの平均径ｄが１００ｎｍを超える場合に比べて、高周波信号が空隙Ｖに沿って流れる場合に、高周波信号がより真っ直ぐに伝送され、高周波信号の伝送距離がより短くなる。従って、高周波信号の伝送損失の増加をより抑制できる。

第１金属層２１の空隙Ｖの平均径ｄは、高周波信号の伝送損失の増加をより一層抑制する観点からは、５０ｎｍ以下であることがより好ましい。

但し、第１金属層２１の空隙Ｖの平均径ｄは１０ｎｍ以上であることが好ましい。この場合、基材１０に対する第１金属層２１の密着性の低下をより十分に抑制することができる。

第１金属層２１の平均厚さは、第１金属層２１を構成する金属粒子の平均粒径の２倍以上であることが好ましい。この場合、計算上では、基材１０上に金属粒子が２個以上存在することになり、基材１０に直接密着している金属粒子上に第２金属層２２が直接形成されていないことになる。このため、基材１０に直接密着している金属粒子に第２金属層２２による応力が加わりにくくなり、基材１０に対する第１金属層２１の密着性の低下を十分に抑制できる。

第１金属層２１の平均厚さは、例えば第１金属層２１の断面を走査電子顕微鏡で観察することで測定することができる。第１金属層２１の断面を出す方法としては、金属張積層板１００を樹脂に埋め込んでから研磨する方法などがある。

金属粒子を構成する金属としては、例えば金、銀および銅が挙げられる。中でも、安価であることから銅が好ましい。

＜第２金属層＞
第２金属層２２の空隙率は第１金属層２１の空隙率よりも小さくなっていればよいが、第２金属層２２の空隙率は第１金属層２１の空隙率の０．１倍以下であることが好ましい。

第２金属層２２の空隙率は第１金属層２１の空隙率の０倍であること、すなわち第２金属層２２は非多孔質であることがより好ましい。この場合、第２金属層２２が非多孔質でない場合に比べて、第２金属層２２において、高周波信号がより真っ直ぐに伝送されやすくなり、高周波信号の伝送距離がより短くなる。従って、高周波信号の伝送損失の増加をより抑制できる。

第２金属層２２を構成する金属としては、例えば金、銀および銅が挙げられる。中でも、安価であることから銅が好ましい。

第２金属層２２は第１金属層２１と同一金属で構成されることが好ましい。

この場合、第１金属層２１と第２金属層２２とが異なる金属で構成される場合に比べて、多孔質の第１金属層２１中に侵入する水分等により、第２金属層２２から金属が溶け出されにくくなる。すなわち、第２金属層２２の腐食が十分に抑制される。その結果、第２金属層２２の抵抗の増加が抑制されるとともに、第２金属層２２が割れたり、第１金属層２１から剥がれたりすることが十分に抑制される。

第２金属層２２の平均厚さは特に制限されるものではなく、例えば１～２０μｍとすればよい。

第２金属層２２の平均厚さは、第１金属層２１と同様の方法で測定できる。

次に、金属張積層板１００の製造方法について図１及び図４を参照しながら説明する。図４は、本発明の金属張積層板の製造方法における第１金属層前駆体形成工程を示す断面図である。

図１及び図４に示すように、金属張積層板１００の製造方法は、基材１０上に、多孔質の第１金属層前駆体２１Ａを形成する第１金属層前駆体形成工程と、第１金属層前駆体２１Ａに対して電気めっきを行い、複数の空隙Ｖを有する多孔質の第１金属層２１と第２金属層２２とを含む金属層２０を形成する金属層形成工程とを含む。そして、金属層形成工程において、めっきにより成長する金属が第１金属層前駆体２１Ａにおいて金属粒子同士間の隙間に入り込み、第１金属層２１が１２％以下の空隙率を有するように形成され、第２金属層２２の空隙率が第１金属層２１の空隙率よりも小さくなるように第２金属層２２が形成される。

この金属張積層板１００の製造方法によれば、高周波信号の伝送損失の増加を抑制できる金属張積層板１００が製造される。

以下、上述した第１金属層前駆体形成工程及び金属層形成工程について詳細に説明する。

＜第１金属層前駆体形成工程＞
第１金属層前駆体形成工程は、基材１０上に、多孔質の第１金属層前駆体２１Ａを形成する工程である（図４参照）。

（第１金属層前駆体）
第１金属層前駆体２１Ａは、基材１０の主面１０ａ上に、例えば金属粒子及び溶媒を含む第１金属層前駆体形成用ペーストを塗工し、光焼成することによって得ることができる。

ここで、金属粒子は、平均粒径が１～１００ｎｍのナノ粒子を含むことが好ましい。金属粒子はナノ粒子のみで構成されてもよく、ナノ粒子と粗大粒子との混合物で構成されてもよい。粗大粒子としては、例えば直径が１μｍ、厚さが２００ｎｍの円盤粒子を用いることができる。なお、光焼成によって溶解するのは、ナノ粒子のみであり、粗大粒子は溶解しない。

第１金属層２１の体積抵抗率をより小さくする観点からは、金属粒子はナノ粒子のみで構成されることが好ましい。これは、金属粒子がナノ粒子のみで構成されると、すべての金属粒子が光焼成によって溶解して互いに溶着するため、金属粒子同士の接触面積が大きくなるためであると考えられる。

但し、金属粒子は、ナノ粒子と粗大粒子との混合物で構成されてもよい。この場合、粗大粒子が光焼成によって溶解しないため、光焼成時の金属膜の収縮を小さくすることができ、基材１０が反ったり、基材１０から第１金属層２１が剥離したりすることを抑制することができる。

溶媒としては、例えば３－メトキシ－３－メチルブタノール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレンカーボネート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンなどを用いることができる。

第１金属層前駆体形成用ペーストはさらに分散剤を含んでいてもよい。分散剤としては、例えばポリエチレングリコール及びポリビニルピロリドンなどが挙げられる。

第１金属層前駆体形成用ペーストの塗工は、例えばマイクログラビア方式の塗工機やスピンコータを用いて行うことができる。

第１金属層前駆体形成用ペーストは、光焼成の前に、乾燥処理を行うことが好ましい。また第１金属層前駆体形成用ペーストがバインダ等の有機成分を多く含む場合には、有機成分を除去する処理をさらに行うことが好ましい。この場合、光焼成時に有機成分が分解することで発生するガスに起因して空隙が大きくなることを抑制することができる。

乾燥処理方法としては５０～１００℃で熱処理する方法が挙げられる。また有機成分を除去する処理方法としては、例えば１５０℃程度で第１金属層前駆体形成用ペーストを熱処理した後、希硫酸に浸漬して酸化膜を除去し、水洗した後、イソプロピルアルコールに浸漬する方法が挙げられる。

光焼成を行う装置としては、例えばＮｏｖａｃｅｎｔｒｉｘ社製の「Ｐｕｌｓｆｏｒｇｅ１３００」を使用することができる。この装置に使用する光源としては、例えばキセノンランプなどを使用することができる。

光の照射エネルギーは、例えば０．１～１００Ｊ／ｃｍ^２とすればよい。光の照射時間は、０．１～１００ｍｓとすればよい。照射回数は１回でも複数回の多段照射でもよい。

第１金属層前駆体２１Ａの平均厚さは５μｍ以下であることが好ましい。この場合、第１金属層前駆体２１Ａの平均厚さが５μｍを超える場合に比べて、第１金属層前駆体形成用ペーストを光焼成した際に第１金属層前駆体形成用ペーストにおいて発生するガスによってボイドが形成されることが十分に抑制される。第１金属層前駆体２１Ａの平均厚さは１μｍ以下であることがより好ましい。

＜金属層形成工程＞
金属層形成工程は、第１金属層前駆体２１Ａに対して電気めっきを行い、複数の空隙Ｖを有する多孔質の第１金属層２１と第２金属層２２とを含む金属層２０を形成する工程である。

めっきに使用するめっき液は、特に制限されるものではないが、第２金属層２２を銅で構成する場合には硫酸銅溶液であることが好ましい。硫酸銅溶液は、主に硫酸銅及び硫酸を含む。この場合、表面が平滑な第２金属層２２が第１金属層２１の表面に均一に付着される。めっき液には、光沢剤を添加してもよい。

めっきは、電気めっきで行われる。この理由は以下の通りである。すなわち、めっきに際しては金属の析出時に水素ガスの発生を伴う。このとき、無電解めっきが行われると、多孔質の第１金属層前駆体２１Ａ内では水素ガスが抜けずにめっきが阻害され、金属粒子同士間の隙間がめっきにより成長する金属によって十分に埋まる前に第１金属層前駆体２１Ａの表面上でめっきが進行してしまう。そして、第１金属層前駆体２１Ａの表面上でめっきが先に進行すると、第１金属層前駆体２１Ａは蓋をされたような状態になり、金属イオンが第１金属層前駆体２１Ａ内に供給されなくなる。このため、めっきによる金属が多孔質の第１金属層前駆体２１Ａ内にそれ以上成長しなくなる。これに対し、電気めっきでは、短時間でめっきを進行させることができる。このため、第１金属層前駆体２１Ａの金属粒子同士間の隙間をめっきにより成長する金属で十分に埋めることができる。すなわち、第１金属層２１の空隙率の調整を容易に行うことができる。

めっきが電気めっきである場合、電流密度は特に制限されないが、２Ａ／ｄｍ^２以下であることが好ましい。この理由は以下の通りである。まず電流密度はめっき時間を短くするために通常はできるだけ大きくすることが好ましい。めっき膜の成長速度は電流密度に比例するからである。しかし、電流密度は、大きすぎると、めっきされやすい第１金属層前駆体２１Ａの表面上でめっきが先に進行してしまう。そして、第１金属層前駆体２１Ａの表面上でめっきが先に進行すると、第１金属層前駆体２１Ａは蓋をされたような状態になり、金属イオンが第１金属層前駆体２１Ａ内に供給されなくなる。このため、めっきによる金属が多孔質の第１金属層前駆体２１Ａ内にそれ以上成長しなくなる。これに対し、電流密度が２Ａ／ｄｍ^２以下であると、第１金属層前駆体２１Ａ内で金属粒子同士間の隙間をめっきにより成長する金属でより十分に埋めることができる。

第１金属層前駆体２１Ａ内で金属粒子同士間の隙間がめっきにより成長する金属でより十分に埋められた後は、電流密度は２Ａ／ｄｍ^２を超えてもよい。例えば、第１金属層前駆体２１Ａの上のめっき膜の厚さが１μｍまでは２Ａ／ｄｍ^２でめっきを行い、それ以降は４Ａ／ｄｍ^２でめっきを行うことも可能である。この場合、めっき時間が短くなり、生産性が向上する。

本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、基材１０の主面１０ａにのみ金属層２０が形成されているが、基材１０の主面１０ａと反対側の主面に金属層２０が形成されてもよい。

また、上記実施形態では、第１金属層前駆体２１Ａが、第１金属層前駆体形成用ペーストの光焼成によって形成されているが、第１金属層前駆体２１Ａは、必ずしも第１金属層前駆体形成用ペーストの光焼成によって形成されていなくてもよい。例えば第１金属層前駆体２１Ａは、熱焼成によって形成することも可能である。

以下、本発明の内容を、実施例を挙げてより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
まず、平均厚さ２５μｍの基材を用意した。基材としては、ＬＣＰフィルム（商品名「ベクスター」、株式会社クラレ製）を用いた。

次に、平均粒径７０ｎｍの銅ナノ粒子のみからなる金属粒子、ヘキシレングリコールからなる溶媒、ポリエチレングリコールからなる分散剤を含むペーストを用意し、スピンコータで基材の主面上にペーストを塗工し、５０℃で１０分間乾燥させた。

次に、キセノンフラッシュランプを光源とした光焼成装置（製品名「ＰｕｌｓＦｏｒｇｅ１３００」、Ｎｏｖａｃｅｎｔｒｉｘ社製）でペーストの光焼成を行い、銅からなる第１金属層前駆体を得た。こうして構造体を得た。光焼成後に得られた第１金属層前駆体の平均厚さは１μｍであった。

次に、上記のようにして得られた構造体を１０質量％硫酸及び蒸留水で順次前処理した後、構造体の第１金属層前駆体に対して銅めっきを行った。銅めっきは、上記構造体をめっき液に浸漬し、電気めっきにて行った。このとき、めっき液の組成は、硫酸銅五水和物１００ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、塩酸０．１２ｍＬ／Ｌ、蒸留水（残余）とした。また、めっき液の液温は２５℃とし、電流密度は２．０Ａ／ｄｍ^２とした。こうして基材上に第１金属層及び第２金属層で構成される金属層を形成し、金属張積層板を作製した。このとき、金属張積層板をエポキシ樹脂(製品名「ＣＹ-２３０」、ナガセケムテックス社製)に埋め込んだ後に切断し、断面を耐水研磨紙（製品名「カーボマックペーパー」、リファインテック社製）、ダイヤモンドペースト研磨剤（製品名「ＤＰ－ペーストＰ」、Ｓｔｒｕｅｒｓ社製）、イオンミリング装置（製品名「ＩＭ４０００ＰＬＵＳ」、日立ハイテクノロジーズ社製）で研磨し、金属張積層板の断面をＳＥＭで観察し、画像処理ソフト「イメージＪ」にて第１金属層及び第２金属層の空隙率を測定したところ、第１金属層の空隙率Ｒ１は１１．１％であり、第２金属層の空隙率Ｒ２は０％であった。また第２金属層の平均厚さは１２μｍであった。

（実施例２）
第２金属層を電気めっきにて形成する際の電流密度を１．５Ａ／ｄｍ^２に変更することにより第１金属層の空隙率Ｒ１を１０％としたこと以外は実施例１と同様にして金属張積層板を作製した。

（実施例３）
第２金属層を電気めっきにて形成する際の電流密度を１．０Ａ／ｄｍ^２に変更することにより第１金属層の空隙率Ｒ１を９．１％としたこと以外は実施例１と同様にして金属張積層板を作製した。

（実施例４）
実施例１と同様にして得られた構造体を１０質量％硫酸及び蒸留水で順次前処理した後、構造体の第１金属層前駆体に対して銅めっきを行い、第１金属層を形成した。銅めっきは、上記構造体を実施例１のめっき液と同一の組成のめっき液に浸漬し、電気めっきにて行った。このとき、めっき液の液温は２５℃とし、電流密度は２．０Ａ／ｄｍ^２とした。また銅めっきは、第１金属層前駆体中の多孔質部分がめっきで埋まるまで行った。

次に、めっき液に臭化水素酸０．５ｍｌ／Ｌ、グリセリン０．３ｍｌ／Ｌを加えて、電流密度２．０Ａ／ｄｍ^２で電気めっきを行い、第２金属層を形成した。このとき、電気めっきは、第２金属層が実施例１の第２金属層と同じ厚さになるまで行った。

こうして基材上に第１金属層及び第２金属層で構成される金属層を形成し、金属張積層板を作製した。

得られた金属張積層板について、実施例１と同様にして第１金属層及び第２金属層の空隙率を測定したところ、第１金属層の空隙率Ｒ１は１１．０％であり、第２金属層の空隙率Ｒ２は１．０％であった。

（実施例５）
めっき液にビアフィル用添加剤（製品名「スルカップＥＶＦ」、上村工業社製）を加えることにより第１金属層の空隙率Ｒ１を２．０％としたこと以外は実施例１と同様にして金属張積層板を作製した。

（比較例１）
第２金属層を電気めっきにて形成する際の電流密度を２．５Ａ／ｄｍ^２に変更することにより第１金属層の空隙率Ｒ１を１２．５％としたこと以外は実施例１と同様にして金属張積層板を作製した。

（比較例２）
第２金属層を電気めっきにて形成する際の電流密度を３．０Ａ／ｄｍ^２に変更することにより第１金属層の空隙率Ｒ１を１４．３％としたこと以外は実施例１と同様にして金属張積層板を作製した。

（比較例３）
第２金属層を電気めっきにて形成する際の電流密度を４．０Ａ／ｄｍ^２に変更することにより第１金属層の空隙率Ｒ１を１６．７％としたこと以外は実施例１と同様にして金属張積層板を作製した。

（比較例４）
第２金属層を電気めっきの代わりに無電解めっきにて行うことにより第１金属層の空隙率Ｒ１を１６．７％としたこと以外は実施例１と同様にして金属張積層板を作製した。

（比較例５）
実施例１と同様にして得られた構造体を１０質量％硫酸及び蒸留水で順次前処理した後、構造体の第１金属層前駆体に対して銅めっきを行い、第１金属層を形成した。銅めっきは、上記構造体を実施例１のめっき液と同一の組成のめっき液に浸漬し、電気めっきにて行った。このとき、めっき液の液温は２５℃とし、電流密度は２．０Ａ／ｄｍ^２とした。また銅めっきは、第１金属層前駆体中の多孔質部分がめっきで埋まるまで行った。

次に、めっき液に臭化水素酸２．０ｍｌ／Ｌ、グリセリン１．０ｍｌ／Ｌを加えて、電流密度２．０Ａ／ｄｍ^２で電気めっきを行い、第２金属層を形成した。このとき、電気めっきは、第２金属層が実施例１の第２金属層と同じ厚さになるまで行った。

得られた金属張積層板について、実施例１と同様にして第１金属層及び第２金属層の空隙率を測定したところ、第１金属層の空隙率Ｒ１は１１．０％であり、第２金属層の空隙率Ｒ２は１１．０％であった。

［伝送損失の評価］
実施例１～５及び比較例１～５で得られた金属張積層板について、高周波における伝送損失の評価を行った。具体的には、１０ＧＨｚ、３０ＧＨｚ、６０ＧＨｚにおける伝送損失の値を測定した。結果を表１に示す。

表１に示す結果より、実施例１～５の金属張積層板の方が、比較例１～５の金属張積層板よりも６０ＧＨｚの高周波における伝送損失の増加が顕著に抑制されることが分かった。

以上のことから、本発明の金属張積層板によれば、高周波信号の伝送損失の増加を抑制できることが確認された。

１０…基材
２０…金属層
２１…第１金属層
２２…第２金属層
１００…金属張積層板
Ｖ…空隙

Claims

基材と、
前記基材上に設けられる金属層とを備え、
前記金属層が、
前記基材上に設けられ、複数の空隙を有する多孔質の第１金属層（ただし、前記空隙の少なくとも一部に、前記基材由来の成分を含む基材由来成分含有領域を有する第１金属層を除く）と、
前記第１金属層の上に設けられる第２金属層とを有し、
前記金属層が、
金属粒子を含むペーストの光焼成物からなる第１金属層前駆体及び前記金属粒子同士間の隙間に埋められる金属で構成される前記第１金属層と、
前記第１金属層上のめっき膜からなる前記第２金属層とを有する金属層であり、
前記金属層が、無電解めっき層を有さない金属層であり、
前記第１金属層及び前記第２金属層が銅で構成され、
前記第１金属層（ただし、２％以下の空隙率を有する第１金属層を除く）が１２％以下の空隙率を有し、
前記第２金属層の空隙率が前記第１金属層の空隙率よりも小さい、金属張積層板。
前記第２金属層の空隙率が前記第１金属層の空隙率の０倍である、請求項１に記載の金属張積層板。
前記第１金属層の前記空隙の平均径が１００ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載の金属張積層板。