JP7680242B2 - フレキシブル金属張積層板及びフレキシブル回路基板 - Google Patents
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Description
本発明は、フレキシブル金属張積層板及びフレキシブル回路基板に関する。
近年、銅箔上にポリイミド絶縁層が設けられたフレキシブル金属張積層板の当該銅箔を配線回路に加工して得られるフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）を、その上面側（回路形成側）を１８０度反転させて下面側になるように折り曲げる“はぜ折り”によって折り畳み、その折り畳まれたＦＰＣ（即ち、はぜ折り用途のＦＰＣ）を軽薄小型の電子機器の薄い筐体内に収容する技術が提案されている（特許文献１）。この技術においては、ＦＰＣの配線回路に“はぜ折り”により断線や割れが発生してしまうことを防止するために、ＦＰＣのポリイミド絶縁層を熱膨張係数の異なる２種類のポリイミド層の積層体から構成すると共に、ポリイミド絶縁層全体の厚みと引張弾性率とを特定範囲に設定し、また、銅箔の表面粗さを特定範囲に設定し、更に所定の折れ癖係数を特定範囲に設定することが提案されている。
ところで、ＦＰＣ用フレキシブル金属張積層板を高周波用途に適用する場合、高周波特性の向上のために誘電体であるポリイミド絶縁層を厚化することが広く行われている。このため、特許文献１のはぜ折り用途のＦＰＣについても、高周波用途に適用するためにそのポリイミド絶縁層を厚化することが試みられている。
しかしながら、特許文献１のはぜ折り用途のＦＰＣにおいては、ポリイミド絶縁層の厚み範囲が５～３０μｍという範囲内でしか対応できておらず、５０μｍ以上に厚化したポリイミド絶縁層を有するＦＰＣについて、良好な“耐はぜ折り性”を実現することは全く検討されておらず、むしろ、ポリイミド絶縁層の厚みが３０μｍを超えるＦＰＣを折り曲げた際には耐折り曲げ性が大きく低下してしまうと結論づけている（特許文献1の段落００２０参照）。
本発明の目的は、金属層に誘電体としてポリイミド絶縁層が積層されたフレキシブル金属張積層板において、高周波用途に適用させるためにポリイミド絶縁層厚を５０μｍ以上とした場合でも、そのフレキシブル金属張積層板から作成したＦＰＣに、良好な耐はぜ折り性を付与することである。
本発明者らは、鋭意研究の結果、ＦＰＣを高周波用途に適用させるために、ＦＰＣを製造するための材料であるフレキシブル金属張積層板のポリイミド絶縁層を複数のポリイミド層を積層して厚化した場合に、ポリイミド絶縁層全体の引張弾性率だけでなく、ポリイミド絶縁層の金属層近接領域の引張弾性率が、ＦＰＣの耐はぜ折り性に大きく関係していることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、電子機器の筐体内に上面側が１８０度反転して下面側になるように折り曲げるはぜ折りによって折り畳んで収納されるフレキシブル回路基板に用いられるフレキシブル金属張積層板であって、
厚みが５０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲内、引張弾性率（ＴＭ１）が１ＧＰａ以上７ＧＰａ以下の範囲内の絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の少なくとも一方の面に積層された金属層と、を有しており、
前記絶縁樹脂層における前記金属層との界面から厚み方向に５μｍの範囲内における引張弾性率（ＴＭ２）が２ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下の範囲内であり、前記引張弾性率（ＴＭ２）は前記引張弾性率（ＴＭ１）よりも大きいことを特徴とするフレキシブル金属張積層板を提供する。
厚みが５０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲内、引張弾性率（ＴＭ１）が１ＧＰａ以上７ＧＰａ以下の範囲内の絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の少なくとも一方の面に積層された金属層と、を有しており、
前記絶縁樹脂層における前記金属層との界面から厚み方向に５μｍの範囲内における引張弾性率（ＴＭ２）が２ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下の範囲内であり、前記引張弾性率（ＴＭ２）は前記引張弾性率（ＴＭ１）よりも大きいことを特徴とするフレキシブル金属張積層板を提供する。
本発明のフレキシブル金属張積層板において、フレキシブル金属張積層板における等価曲げ剛性（ＲＦ）［Ｎ／ｍｍ２］を全体の厚み（Ｌ）［ｍｍ］の３乗で除した値（ＲＦ／Ｌ３）が、４００Ｎ／ｍｍ５以上１２００Ｎ／ｍｍ５以下の範囲内であることが好ましい。
また、本発明のフレキシブル金属張積層板において、前記金属層の厚みは６μｍ以上１５μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
更に、本発明のフレキシブル金属張積層板においては、前記絶縁樹脂層が複数のポリイミド層が積層されてなり、複数のポリイミド層の中心層としてポリイミド層（Ａ）を有し、前記ポリイミド層（Ａ）の厚みが前記絶縁樹脂層の全体の厚みに対して０．５以上０．９６以下の範囲内であることが好ましい。
このようなポリイミド層（Ａ）の引張弾性率は、好ましくは１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下である。
本発明は、上述のフレキシブル金属張積層板における前記金属層が配線加工されてなるフレキシブル回路基板を提供する。このフレキシブル回路基板は、好ましくは、前記金属層が内側になるように折り曲げられるようにはぜ折りされる。
本発明のフレキシブル金属張積層板は、厚みが５０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲内、引張弾性率（ＴＭ１）が１ＧＰａ以上７ＧＰａ以下の範囲内の絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の少なくとも一方の面に積層された金属層とを有する。この絶縁樹脂層において、前記金属層との界面から厚み方向に５μｍの範囲内における引張弾性率（ＴＭ２）は２ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下の範囲内であり、しかも前記引張弾性率（ＴＭ２）は前記引張弾性率（ＴＭ１）よりも大きい。よって、金属層に絶縁樹脂層が積層された本発明のフレキシブル金属張積層板は、良好な耐はぜ折り性を示すと共に高周波用途に適したＦＰＣの製造のための材料として有用なものになっている。
本発明の実施の形態について、適宜図面を参照して説明する。
［フレキシブル金属張積層板］
図１は、本発明の一実施の形態のフレキシブル片面金属張積層板の構成を示す概略断面図である。本実施の形態のフレキシブル片面金属張積層板（ＣＡ）は、金属層（ＭＡ）と、この金属層（ＭＡ）の片面に積層された絶縁樹脂層（Ｘ）とを有する。絶縁樹脂層（Ｘ）は、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）と接着層（ＢＡ）とが積層された構造を有し、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）が金属層（ＭＡ）側に配置されている。なお、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）と接着層（ＢＡ）とは、それぞれポリイミド層から構成されることが好ましい。
図１は、本発明の一実施の形態のフレキシブル片面金属張積層板の構成を示す概略断面図である。本実施の形態のフレキシブル片面金属張積層板（ＣＡ）は、金属層（ＭＡ）と、この金属層（ＭＡ）の片面に積層された絶縁樹脂層（Ｘ）とを有する。絶縁樹脂層（Ｘ）は、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）と接着層（ＢＡ）とが積層された構造を有し、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）が金属層（ＭＡ）側に配置されている。なお、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）と接着層（ＢＡ）とは、それぞれポリイミド層から構成されることが好ましい。
図２は、本発明の別の実施の形態のフレキシブル両面金属張積層板の構成を示す概略断面図である。このフレキシブル両面金属張積層板（Ｃ）は、一対の金属層（Ｍ１、Ｍ２）が絶縁樹脂層（Ｘ）を挟持している構造、別の表現をすれば、一対のフレキシブル片面金属張積層板（ＣＡ）を、接着層（Ｂ）で貼り合わせた構造を有している。すなわち、フレキシブル両面金属張積層板（Ｃ）は、第１の片面金属張積層板（Ｃ１）と、第２の片面金属張積層板（Ｃ２）と、これら第１の片面金属張積層板（Ｃ１）及び第２の片面金属張積層板（Ｃ２）の間に積層された接着層（Ｂ）を備えている。ここで、第１の片面金属張積層板（Ｃ１）は、第１の金属層（Ｍ１）と、この第１の金属層（Ｍ１）の少なくとも片側の面に積層された第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）と、を有する。第２の片面金属張積層板（Ｃ２）は、第２の金属層（Ｍ２）と、この第２の金属層（Ｍ２）の少なくとも片側の面に積層された第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）と、を有する。そして、接着層（Ｂ）は、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）に当接するように配置されている。つまり、フレキシブル両面金属張積層板（Ｃ）は、第１の金属層（Ｍ１）／第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）／接着層（Ｂ）／第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）／第２の金属層（Ｍ２）がこの順に積層された構造を有する。第１の金属層（Ｍ１）と第２の金属層（Ｍ２）は、それぞれ最も外側に位置し、それらの内側に第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）が配置され、さらに第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）と第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）の間には、接着層（Ｂ）が介在配置されている。なお、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）と第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）と接着層（Ｂ）とは、それぞれポリイミド層から構成されることが好ましい。
（絶縁樹脂層の層厚）
本発明のフレキシブル金属張積層板を構成する絶縁樹脂層（Ｘ）は、フレキシブル金属張積層板から高周波用途のＦＰＣを製造するために、５０μｍ以上１５０μｍ以下、好ましくは５０μｍ以上１２５μｍ以下の層厚を有する。層厚がこの範囲を下回ると、高周波ＦＰＣ基板にて必須のインピーダンスコントロールの観点から、配線幅が狭くなりサブトラクティブ方法における配線加工時の配線幅のばらつき制御が困難となり、上回ると配線幅が広くなることで他部品との接合部分にてインピーダンス不整合が生じやすくなる傾向がある。
本発明のフレキシブル金属張積層板を構成する絶縁樹脂層（Ｘ）は、フレキシブル金属張積層板から高周波用途のＦＰＣを製造するために、５０μｍ以上１５０μｍ以下、好ましくは５０μｍ以上１２５μｍ以下の層厚を有する。層厚がこの範囲を下回ると、高周波ＦＰＣ基板にて必須のインピーダンスコントロールの観点から、配線幅が狭くなりサブトラクティブ方法における配線加工時の配線幅のばらつき制御が困難となり、上回ると配線幅が広くなることで他部品との接合部分にてインピーダンス不整合が生じやすくなる傾向がある。
（絶縁樹脂層全体の引張弾性率）
また、本発明のフレキシブル金属張積層板においては、絶縁樹脂層（Ｘ）が全体として１ＧＰａ以上７ＧＰａ以下、好ましくは２ＧＰａ以上６ＧＰａ以下の引張弾性率（ＴＭ１）を示す。引張弾性率（ＴＭ１）がこの範囲を下回ると１８０度の厳しい折り曲げにて電子機器へ搭載する際に基板自体の剛性が低いがゆえに、折り曲げ先端部の角度がより鋭くなり屈曲耐性の低下に繋がることとなり、上回ると基板自体の曲げ剛性が高くなることで、電子機器への搭載時のスプリングバック等の問題に発展しやすくなる傾向がある。従って、引張弾性率（ＴＭ１）がこの範囲内であれば、厚絶縁体を用いた基板でも電子機器への搭載時の問題は生じにくくなる。なお、引張弾性率の測定は、金属層をエッチング除去して残りの絶縁樹脂層（Ｘ）を温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で、市販の引張弾性試験機（例えば、（株）東洋精機製作所のストログラフＲ－１）を用いて行うことができる。
また、本発明のフレキシブル金属張積層板においては、絶縁樹脂層（Ｘ）が全体として１ＧＰａ以上７ＧＰａ以下、好ましくは２ＧＰａ以上６ＧＰａ以下の引張弾性率（ＴＭ１）を示す。引張弾性率（ＴＭ１）がこの範囲を下回ると１８０度の厳しい折り曲げにて電子機器へ搭載する際に基板自体の剛性が低いがゆえに、折り曲げ先端部の角度がより鋭くなり屈曲耐性の低下に繋がることとなり、上回ると基板自体の曲げ剛性が高くなることで、電子機器への搭載時のスプリングバック等の問題に発展しやすくなる傾向がある。従って、引張弾性率（ＴＭ１）がこの範囲内であれば、厚絶縁体を用いた基板でも電子機器への搭載時の問題は生じにくくなる。なお、引張弾性率の測定は、金属層をエッチング除去して残りの絶縁樹脂層（Ｘ）を温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で、市販の引張弾性試験機（例えば、（株）東洋精機製作所のストログラフＲ－１）を用いて行うことができる。
（絶縁樹脂層の金属層近傍の引張弾性率）
本発明のフレキシブル金属張積層板においては、絶縁樹脂層（Ｘ）の全体の引張弾性率（ＴＭ１）だけでなく、金属層との界面から厚み方向に５μｍの範囲内における絶縁樹脂層（Ｘ）の引張弾性率（ＴＭ２）に着目する。これは、上記したように基板を１８０度に折るような厳しい折り曲げを行った際、金属配線に近い部分の絶縁樹脂層の剛性が低いと、配線の折り曲げ先端部が鋭角となってしまい、そのため銅配線へのダメージが大きくなるためである。従って、本発明のフレキシブル金属張積層板では、引張弾性率（ＴＭ２）が２ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、好ましくは４ＧＰａ以上７ＧＰａ以下を示す。引張弾性率（ＴＭ２）がこの範囲を下回ると銅箔との界面付近の剛性を発現できず、上回ると剛性が高くなりすぎることで銅箔側にダメージを与える傾向がある。従って、引張弾性率（ＴＭ２）がこの範囲内であれば、折り曲げ先端部の配線形状が鋭角にならず良好な屈曲耐性を維持できる。
本発明のフレキシブル金属張積層板においては、絶縁樹脂層（Ｘ）の全体の引張弾性率（ＴＭ１）だけでなく、金属層との界面から厚み方向に５μｍの範囲内における絶縁樹脂層（Ｘ）の引張弾性率（ＴＭ２）に着目する。これは、上記したように基板を１８０度に折るような厳しい折り曲げを行った際、金属配線に近い部分の絶縁樹脂層の剛性が低いと、配線の折り曲げ先端部が鋭角となってしまい、そのため銅配線へのダメージが大きくなるためである。従って、本発明のフレキシブル金属張積層板では、引張弾性率（ＴＭ２）が２ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、好ましくは４ＧＰａ以上７ＧＰａ以下を示す。引張弾性率（ＴＭ２）がこの範囲を下回ると銅箔との界面付近の剛性を発現できず、上回ると剛性が高くなりすぎることで銅箔側にダメージを与える傾向がある。従って、引張弾性率（ＴＭ２）がこの範囲内であれば、折り曲げ先端部の配線形状が鋭角にならず良好な屈曲耐性を維持できる。
なお、引張弾性率（ＴＭ２）は引張弾性率（ＴＭ１）よりも大きいこと、好ましくは１倍を超え３倍以下であることが必要である。これは、引張弾性率（ＴＭ２）が引張弾性率（ＴＭ１）以下となると、絶縁樹脂層全体の剛性が高くなりすぎることが懸念されるからである。
（等価曲げ剛性）
本発明のフレキシブル金属張積層板においては、等価曲げ剛性（ＲＦ）［Ｎ／ｍｍ２］に着目する。等価曲げ剛性の数値が小さくなると、フレキシブル金属張積層板が銅配線基板として最低限必要な剛性を保持できなくなることが懸念され、その数値が大きくなると、フレキシブル金属張積層板の剛性が大きくなりすぎ、電子機器搭載時にその反発力の高さからスプリングバック等の問題に発展することが懸念されるからである。このため、本発明のフレキシブル金属張積層板の等価曲げ剛性（ＲＦ）［Ｎ／ｍｍ２］を好ましくは０．１Ｎ／ｍｍ２以上３．０Ｎ／ｍｍ２以下、より好ましくは０．５Ｎ／ｍｍ２以上２．０Ｎ／ｍｍ２以下とする。なお、等価曲げ剛性の算出は、特開２０１６－１４６４１９号公報の段落００３０～００３８及び００５５～００５８の内容に準じて行うことができる。
本発明のフレキシブル金属張積層板においては、等価曲げ剛性（ＲＦ）［Ｎ／ｍｍ２］に着目する。等価曲げ剛性の数値が小さくなると、フレキシブル金属張積層板が銅配線基板として最低限必要な剛性を保持できなくなることが懸念され、その数値が大きくなると、フレキシブル金属張積層板の剛性が大きくなりすぎ、電子機器搭載時にその反発力の高さからスプリングバック等の問題に発展することが懸念されるからである。このため、本発明のフレキシブル金属張積層板の等価曲げ剛性（ＲＦ）［Ｎ／ｍｍ２］を好ましくは０．１Ｎ／ｍｍ２以上３．０Ｎ／ｍｍ２以下、より好ましくは０．５Ｎ／ｍｍ２以上２．０Ｎ／ｍｍ２以下とする。なお、等価曲げ剛性の算出は、特開２０１６－１４６４１９号公報の段落００３０～００３８及び００５５～００５８の内容に準じて行うことができる。
このように、本発明のフレキシブル金属張積層板は好ましい数値範囲の等価曲げ剛性を有するが、等価曲げ剛性は計算上、トータル厚みが厚くなれば値が大きくなる。そのため、トータル厚みの影響を極力受けない状態でのパラメータとして、等価曲げ剛性の数値をフレキシブル金属張積層板の全体の厚み（Ｌ）［ｍｍ］の３乗で除した数値（ＲＦ／Ｌ３）で評価する。この数値（ＲＦ／Ｌ３）の次元は[Ｎ／ｍｍ５]となる。
本発明のフレキシブル金属張積層板において、このような“ＲＦ／Ｌ３”の数値範囲は、好ましくは４００Ｎ／ｍｍ５以上１２００Ｎ／ｍｍ５以下、より好ましくは４００Ｎ／ｍｍ５以上９００Ｎ／ｍｍ５以下である。“ＲＦ／Ｌ３”の数値範囲が、この範囲を下回ると銅配線基板として最低限必要な剛性を保てなくなり、上回ると反発力が高くなる傾向がある。
（絶縁樹脂層が複数のポリイミド層から構成されている場合）
本発明のフレキシブル金属張積層板において、絶縁樹脂層（Ｘ）は単層のポリイミド層でも良いが、図１、図２のように複数のポリイミド層を積層したものから構成することが好ましい。これにより、絶縁樹脂層（Ｘ）の厚化が容易となり、ＦＰＣを高周波用途へ適用する際のハードルを下げることができる。なお、図１の様に片面金属層タイプの場合、絶縁樹脂層（Ｘ）は２層のポリイミド層が積層されたものであることが好ましく、また、図２のように両面金属層タイプの場合、絶縁樹脂層（Ｘ）は３層のポリイミド層が積層されたものであることが好ましい。
本発明のフレキシブル金属張積層板において、絶縁樹脂層（Ｘ）は単層のポリイミド層でも良いが、図１、図２のように複数のポリイミド層を積層したものから構成することが好ましい。これにより、絶縁樹脂層（Ｘ）の厚化が容易となり、ＦＰＣを高周波用途へ適用する際のハードルを下げることができる。なお、図１の様に片面金属層タイプの場合、絶縁樹脂層（Ｘ）は２層のポリイミド層が積層されたものであることが好ましく、また、図２のように両面金属層タイプの場合、絶縁樹脂層（Ｘ）は３層のポリイミド層が積層されたものであることが好ましい。
本発明のフレキシブル金属張積層板の絶縁樹脂層（Ｘ）が複数のポリイミド層を積層したものから構成されている場合、絶縁樹脂層（Ｘ）の中心層のポリイミド層（Ａ）の厚みは、絶縁樹脂層（Ｘ）の全体の厚みに対して好ましくは０．５以上０．９６以下である。ポリイミド層（Ａ）の厚みの絶縁樹脂層（Ｘ）の全体の厚みに対する割合がこの範囲を下回ると、絶縁樹脂層（Ｘ）の低誘電正接化が不十分となり、十分な誘電特性が得られなくなる傾向があり、上回ると絶縁樹脂層（Ｘ）の寸法安定性が低下するなどの不具合が生じる傾向がある。ここで、絶縁樹脂層（Ｘ）の中心層とは、３以上の奇数のポリイミド層が積層されたものである場合、真ん中に積層されたポリイミド層のことであり、４以上の偶数のポリイミド層が積層されたものである場合、真ん中の隣合った２層のポリイミド層のうちより厚い方のポリイミド層のことである。なお、２層のポリイミド層が積層されたものである場合には、金属層に接触しているポリイミド層に直接積層されているポリイミド層を意味する。従って、図１ではポリイミド層（Ａ）は接着層（ＢＡ）に相当し、図２ではポリイミド層（Ａ）は接着層（Ｂ）に相当する。
本発明のフレキシブル金属張積層板の絶縁樹脂層（Ｘ）が含有するポリイミド層（Ａ）の引張弾性率は、好ましくは０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下、より好ましくは０．２ＧＰａ以上３ＧＰａ以下の範囲内である。ポリイミド層（Ａ）の引張弾性率がこの範囲であれば、しわ発生の低減、積層時の気泡の噛みこみ防止、ハンドリング性などを向上させることができる。また、ポリイミド層（Ａ）については、引張弾性率とは別に、貯蔵弾性率でも規定することが熱圧着時の応力緩和の点から好ましい。具体的には、ポリイミド層（Ａ）の５０℃における貯蔵弾性率は、好ましくは１８００ＭＰａ以下であり、且つ１８０～２６０℃における貯蔵弾性率の最大値が、好ましくは８００ＭＰａ以下、より好ましくは５００ＭＰａ以下である。貯蔵弾性率をこのような範囲内に制御することによって、回路加工後の半田リフロー工程を経由した後においても、反りが生じにくい。なお、貯蔵弾性率は市販の粘弾性測定装置を用いて測定することができる。
＜フレキシブル片面金属張積層板＞
フレキシブル片面金属張積層板（ＣＡ）、一対の片面金属張積層板（Ｃ１，Ｃ２）の構成は、特に限定されず、ＦＰＣ材料として一般的なものを使用可能であり、市販の銅張積層板などであってもよい。なお、第１の片面金属張積層板（Ｃ１）と第２の片面金属張積層板（Ｃ２）の構成は同じであってもよいし、異なっていてもよい。
フレキシブル片面金属張積層板（ＣＡ）、一対の片面金属張積層板（Ｃ１，Ｃ２）の構成は、特に限定されず、ＦＰＣ材料として一般的なものを使用可能であり、市販の銅張積層板などであってもよい。なお、第１の片面金属張積層板（Ｃ１）と第２の片面金属張積層板（Ｃ２）の構成は同じであってもよいし、異なっていてもよい。
（金属層）
金属層（ＭＡ）、第１の金属層（Ｍ１）及び第２の金属層（Ｍ２）の材質としては、特に制限はないが、例えば、銅、ステンレス、鉄、ニッケル、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、銀、金、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉛、マグネシウム、マンガン及びこれらの合金等が挙げられる。この中でも、特に銅又は銅合金が好ましい。なお、後述する本実施の形態の回路基板における配線層の材質も金属層（ＭＡ）、第１の金属層（Ｍ１）及び第２の金属層（Ｍ２）と同様である。
金属層（ＭＡ）、第１の金属層（Ｍ１）及び第２の金属層（Ｍ２）の材質としては、特に制限はないが、例えば、銅、ステンレス、鉄、ニッケル、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、銀、金、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉛、マグネシウム、マンガン及びこれらの合金等が挙げられる。この中でも、特に銅又は銅合金が好ましい。なお、後述する本実施の形態の回路基板における配線層の材質も金属層（ＭＡ）、第１の金属層（Ｍ１）及び第２の金属層（Ｍ２）と同様である。
金属層（ＭＡ）、第１の金属層（Ｍ１）及び第２の金属層（Ｍ２）の厚みは特に限定されるものではなく、生産安定性及びハンドリング性の観点から、好ましくは５μｍ以上３５μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以下である。特に好ましくは６μｍ以上１５μｍ以下である。金属層として銅箔等の金属箔を用いる場合、好ましくは３５μｍ以下であり、より好ましくは５～２５μｍの範囲内がよい。生産安定性及びハンドリング性の観点から金属箔の厚みの下限値は５μｍとすることが好ましい。なお、銅箔を用いる場合は、圧延銅箔でも電解銅箔でもよい。また、銅箔としては、市販されている銅箔を用いることができる。
また、金属箔は、例えば、防錆処理や、接着力の向上を目的として、例えばサイディング、アルミニウムアルコラート、アルミニウムキレート、シランカップリング剤等による表面処理を施してもよい。
（絶縁樹脂層）
絶縁樹脂層（Ｘ）は、図１では、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）と接着層（ＢＡ）とが積層された構造を有し、図２では、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）と第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）とが接着層（Ｂ）を挟持する構造を有する。
絶縁樹脂層（Ｘ）は、図１では、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）と接着層（ＢＡ）とが積層された構造を有し、図２では、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）と第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）とが接着層（Ｂ）を挟持する構造を有する。
（ボトム絶縁樹脂層、第１の絶縁樹脂層、第２の絶縁樹脂層）
ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）としては、電気的絶縁性を有する樹脂により構成されるものであれば特に限定はなく、例えばポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、シリコーン、ＥＴＦＥなどを挙げることができるが、ポリイミドによって構成されることが好ましい。また、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）は、単層に限らず、複数の樹脂層が積層されたものであってもよい。なお、本発明でポリイミドという場合、ポリイミドの他、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリシロキサンイミド、ポリベンズイミダゾールイミドなど、分子構造中にイミド基を有するポリマーからなる樹脂を意味する。
ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）としては、電気的絶縁性を有する樹脂により構成されるものであれば特に限定はなく、例えばポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、シリコーン、ＥＴＦＥなどを挙げることができるが、ポリイミドによって構成されることが好ましい。また、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）は、単層に限らず、複数の樹脂層が積層されたものであってもよい。なお、本発明でポリイミドという場合、ポリイミドの他、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリシロキサンイミド、ポリベンズイミダゾールイミドなど、分子構造中にイミド基を有するポリマーからなる樹脂を意味する。
（接着層）
絶縁樹脂層（Ｘ）を構成する接着層（ＢＡ）、接着層（Ｂ）は、絶縁樹脂層（Ｘ）が複数のポリイミド層を積層してなるものから構成されている場合には、ポリイミド層（Ａ）に相当し、テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基及びジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を含有する熱可塑性ポリイミド（以下、「接着性ポリイミド」と記すことがある）を含む。
絶縁樹脂層（Ｘ）を構成する接着層（ＢＡ）、接着層（Ｂ）は、絶縁樹脂層（Ｘ）が複数のポリイミド層を積層してなるものから構成されている場合には、ポリイミド層（Ａ）に相当し、テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基及びジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を含有する熱可塑性ポリイミド（以下、「接着性ポリイミド」と記すことがある）を含む。
本発明において、「テトラカルボン酸残基」とは、テトラカルボン酸二無水物から誘導された４価の基のことを意味し、「ジアミン残基」とは、ジアミン化合物から誘導された２価の基のことを意味する。また、「熱可塑性ポリイミド」とは、一般にガラス転移温度（Ｔｇ）が明確に確認できるポリイミドのことであるが、本発明では、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）を用いて測定した、３０℃における貯蔵弾性率が１．０×１０８Ｐａ以上であり、３００℃における貯蔵弾性率が３．０×１０７Ｐａ未満であるポリイミドをいう。また、「非熱可塑性ポリイミド」とは、一般に加熱しても軟化、接着性を示さないポリイミドのことであるが、本発明では、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）を用いて測定した、３
０℃における貯蔵弾性率が１．０×１０９Ｐａ以上であり、３００℃における貯蔵弾性率が３．０×１０８Ｐａ以上であるポリイミドをいう。
０℃における貯蔵弾性率が１．０×１０９Ｐａ以上であり、３００℃における貯蔵弾性率が３．０×１０８Ｐａ以上であるポリイミドをいう。
（テトラカルボン酸残基）
接着性ポリイミドは、一般に熱可塑性ポリイミドに使用されるテトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を特に制限なく含むことができるが、テトラカルボン酸残基の１００モル部に対して、下記の一般式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基（以下、「テトラカルボン酸残基（１）と記すことがある）を、合計で９０モル部以上含有することが好ましい。テトラカルボン酸残基（１）を、テトラカルボン酸残基の１００モル部に対して合計で９０モル部以上含有させることによって、接着性ポリイミドの柔軟性と耐熱性の両立が図りやすく好ましい。テトラカルボン酸残基（１）の合計が９０モル部未満では、接着性ポリイミドの溶剤溶解性が低下する傾向になる。
接着性ポリイミドは、一般に熱可塑性ポリイミドに使用されるテトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を特に制限なく含むことができるが、テトラカルボン酸残基の１００モル部に対して、下記の一般式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基（以下、「テトラカルボン酸残基（１）と記すことがある）を、合計で９０モル部以上含有することが好ましい。テトラカルボン酸残基（１）を、テトラカルボン酸残基の１００モル部に対して合計で９０モル部以上含有させることによって、接着性ポリイミドの柔軟性と耐熱性の両立が図りやすく好ましい。テトラカルボン酸残基（１）の合計が９０モル部未満では、接着性ポリイミドの溶剤溶解性が低下する傾向になる。
一般式（１）中、Ｘは、単結合、または、下式から選ばれる２価の基を示す。
上記式において、Ｚは－Ｃ６Ｈ４－、－(ＣＨ２)ｎ－又は－ＣＨ２－ＣＨ(－Ｏ－Ｃ(＝Ｏ)－ＣＨ３)－ＣＨ２－を示すが、ｎは１～２０の整数を示す。
テトラカルボン酸残基（１）を誘導するためのテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、３,３',４,４'－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３,３’,４,４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）、４,４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、４,４’－（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸に無水物（６ＦＤＡ）、２，２－ビス〔４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパン酸二無水物（ＢＰＡＤＡ）、ｐ-フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸二無水物）（ＴＡＨＱ）、エチレングリコール ビスアンヒドロトリメリテート（ＴＭＥＧ）などを挙げることができる。
接着性ポリイミドは、発明の効果を損なわない範囲で、上記一般式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物以外の酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を含有することができる。そのようなテトラカルボン酸残基としては、特に制限はないが、例えば、ピロメリット酸二無水物、１,４-フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル)二無水物、２,３',３,４'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２,２',３,３'-又は２,３,３',４'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２,３',３,４'-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ビス(２,３-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、３,３'',４,４''-、２,３,３'',４''-又は２,２'',３,３''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、２,２-ビス(２,３-又は３,４-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(２,３-又は３.４-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(２,３-又は３,４-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、１,１-ビス(２,３-又は３,４-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、１,２,７,８-、１,２,６,７-又は１,２,９,１０-フェナンスレン-テトラカルボン酸二無水物、２,３,６,７-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、２,２-ビス（３,４-ジカルボキシフェニル）テトラフルオロプロパン二無水物、２,３,５,６-シクロヘキサン二無水物、１,２,５,６-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１,４,５,８-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２,３,６,７－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、４,８-ジメチル-１,２,３,５,６,７-ヘキサヒドロナフタレン-１,２,５,６-テトラカルボン酸二無水物、２,６-又は２,７-ジクロロナフタレン-１,４,５,８-テトラカルボン酸二無水物、２,３,６,７-（又は１,４,５,８-）テトラクロロナフタレン-１,４,５,８-（又は２,３,６,７-）テトラカルボン酸二無水物、２,３,８,９-、３,４,９,１０-、４,５,１０,１１-又は５,６,１１,１２-ペリレン-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-１,２,３,４-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-２,３,５,６-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-２,３,４,５-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-２,３,４,５-テトラカルボン酸二無水物、４,４’-ビス（２,３-ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルメタン二無水物、エチレングリコール ビスアンヒドロトリメリテート等の芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基が挙げられる。
（ジアミン残基）
接着性ポリイミドは、ジアミン残基の１００モル部に対して、ダイマー酸型ジアミンから誘導されるダイマー酸型ジアミン残基を２０モル部以上、好ましくは４０モル部以上、より好ましくは６０モル部以上含有する。ダイマー酸型ジアミン残基を上記の量で含有することによって、接着層（ＢＡ）、（Ｂ）の誘電特性を改善するとともに、接着層（ＢＡ）、（Ｂ）のガラス転移温度を低温化（低Ｔｇ化）させて熱圧着特性を改善し、また、接着層（ＢＡ）、（Ｂ）の低弾性率化により内部応力を緩和することができる。ジアミン残基の１００モル部に対して、ダイマー酸型ジアミン残基が２０モル部未満であると、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）との間に介在する接着層（ＢＡ）、（Ｂ）として十分な接着性が得られないことがあり、また、高熱膨張性である接着層（ＢＡ）、（Ｂ）の弾性率が高くなることで、金属層（ＭＡ）、第１の金属層（Ｍ１）及び第２の金属層（Ｍ２）のエッチング後寸法変化率が悪化する恐れがある。
接着性ポリイミドは、ジアミン残基の１００モル部に対して、ダイマー酸型ジアミンから誘導されるダイマー酸型ジアミン残基を２０モル部以上、好ましくは４０モル部以上、より好ましくは６０モル部以上含有する。ダイマー酸型ジアミン残基を上記の量で含有することによって、接着層（ＢＡ）、（Ｂ）の誘電特性を改善するとともに、接着層（ＢＡ）、（Ｂ）のガラス転移温度を低温化（低Ｔｇ化）させて熱圧着特性を改善し、また、接着層（ＢＡ）、（Ｂ）の低弾性率化により内部応力を緩和することができる。ジアミン残基の１００モル部に対して、ダイマー酸型ジアミン残基が２０モル部未満であると、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）との間に介在する接着層（ＢＡ）、（Ｂ）として十分な接着性が得られないことがあり、また、高熱膨張性である接着層（ＢＡ）、（Ｂ）の弾性率が高くなることで、金属層（ＭＡ）、第１の金属層（Ｍ１）及び第２の金属層（Ｍ２）のエッチング後寸法変化率が悪化する恐れがある。
ここで、ダイマー酸型ジアミンとは、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基（－ＣＯＯＨ）が、１級のアミノメチル基（－ＣＨ２－ＮＨ２）又はアミノ基（－ＮＨ２）に置換されてなるジアミンを意味する。ダイマー酸は、不飽和脂肪酸の分子間重合反応によって得られる既知の二塩基酸であり、その工業的製造プロセスは業界でほぼ標準化されており、炭素数が１１～２２の不飽和脂肪酸を粘土触媒等にて二量化して得られる。工業的に得られるダイマー酸は、オレイン酸やリノール酸などの炭素数１８の不飽和脂肪酸を二量化することによって得られる炭素数３６の二塩基酸が主成分であるが、精製の度合いに応じ、任意量のモノマー酸（炭素数１８）、トリマー酸（炭素数５４）、炭素数２０～５４の他の重合脂肪酸を含有する。本発明では、ダイマー酸は分子蒸留によってダイマー酸含有量を９０重量％以上にまで高めたものを使用することが好ましい。また、ダイマー化反応後には二重結合が残存するが、本発明では、更に水素添加反応して不飽和度を低下させたものもダイマー酸に含めるものとする。
ダイマー酸型ジアミンの特徴として、ダイマー酸の骨格に由来する特性をポリイミドに付与することができる。すなわち、ダイマー酸型ジアミンは、分子量約５６０～６２０の巨大分子の脂肪族であるので、分子のモル体積を大きくし、ポリイミドの極性基を相対的に減らすことができる。このようなダイマー酸型ジアミンの特徴は、ポリイミドの耐熱性の低下を抑制しつつ、誘電率と誘電正接を小さくして誘電特性を向上させることに寄与すると考えられる。また、２つの自由に動く炭素数７～９の疎水鎖と、炭素数１８に近い長さを持つ２つの鎖状の脂肪族アミノ基とを有するので、ポリイミドに柔軟性を与えるのみならず、ポリイミドを非対象的な化学構造や非平面的な化学構造とすることができるので、ポリイミドの低誘電率化及び低誘電正接化を図ることができると考えられる。
ダイマー酸型ジアミンは、市販品が入手可能であり、例えばクローダジャパン社製のＰＲＩＡＭＩＮＥ１０７３（商品名）、同ＰＲＩＡＭＩＮＥ１０７４（商品名）、同ＰＲＩＡＭＩＮＥ１０７５（商品名）、ＢＡＳＦジャパン社製のバーサミン５５１（商品名）、同バーサミン５５２（商品名）等が挙げられる。
また、接着性ポリイミドは、下記の一般式（Ｂ１）～（Ｂ７）で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも１種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を、全ジアミン成分１００モル部に対して、合計で２０モル部以上８０モル部以下の範囲内で含有することが好ましく、２０モル部以上６０モル部以下の範囲内で含有することがより好ましい。一般式（Ｂ１）～（Ｂ７）で表されるジアミン化合物は、屈曲性を有する分子構造を持つため、これらから選ばれる少なくとも一種のジアミン化合物を上記範囲内の量で使用することによって、ポリイミド分子鎖の柔軟性を向上させ、熱可塑性を付与することができる。一般式（Ｂ１）～（Ｂ７）で表されるジアミン化合物の合計量が全ジアミン成分の１００モル部に対して８０モル部を超えると、ポリイミドの柔軟性が不足し、またＴｇが上昇するため、熱圧着による残留応力が増加しエッチング後寸法変化率が悪化する傾向になる。
式（Ｂ１）～（Ｂ７）において、Ｒ１は独立に炭素数１～６の１価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、連結基Ａは独立に－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－、－ＣＯＯ－、－ＣＨ２－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－ＮＨ－若しくは－ＣＯＮＨ－から選ばれる２価の基を示し、ｎ１は独立に０～４の整数を示す。ただし、式（Ｂ３）中から式（Ｂ２）と重複するものは除き、式（Ｂ５）中から式（Ｂ４）と重複するものは除くものとする。
なお、「独立に」とは、上記式（Ｂ１）～（Ｂ７）の内の一つにおいて、または二つ以上において、複数の連結基Ａ、複数のＲ１若しくは複数のｎ１が、同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。また、式（Ｂ１）～（Ｂ７）において、末端の二つのアミノ基における水素原子は置換されていてもよく、例えば－ＮＲ２Ｒ３（ここで、Ｒ２，Ｒ３は、独立してアルキル基などの任意の置換基を意味する）であってもよい。
式（Ｂ１）で表されるジアミン（以下、「ジアミン（Ｂ１）」と記すことがある）は、２つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン（Ｂ１）は、少なくとも１つのベンゼン環に直結したアミノ基と２価の連結基Ａとがメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ１）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｏ－、－ＣＨ２－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－ＣＯ－、－ＳＯ２－、－Ｓ－、－ＣＯＯ－が好ましい。
ジアミン（Ｂ１）としては、例えば、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルプロパン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルプロパン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノベンゾフェノン、(3,3’-ビスアミノ)ジフェニルアミン等を挙げることができる。
式（Ｂ２）で表されるジアミン（以下、「ジアミン（Ｂ２）」と記すことがある）は、３つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン（Ｂ２）は、少なくとも１つのベンゼン環に直結したアミノ基と２価の連結基Ａとがメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ２）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｏ－が好ましい。
ジアミン（Ｂ２）としては、例えば1,4-ビス（3-アミノフェノキシ）ベンゼン、3-[4-（4-アミノフェノキシ）フェノキシ]ベンゼンアミン、3-[3-（4-アミノフェノキシ）フェノキシ]ベンゼンアミン等を挙げることができる。
式（Ｂ３）で表されるジアミン（以下、「ジアミン（Ｂ３）」と記すことがある）は、３つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン（Ｂ３）は、１つのベンゼン環に直結した、２つの２価の連結基Ａが互いにメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ３）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｏ－が好ましい。
ジアミン（Ｂ３）としては、例えば1,3-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ－Ｒ）、1,3-ビス（3-アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）、4,4'-[2-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[4-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[5-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン等を挙げることができる。
式（Ｂ４）で表されるジアミン（以下、「ジアミン（Ｂ４）」と記すことがある）は、４つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン（Ｂ４）は、少なくとも１つのベンゼン環に直結したアミノ基と２価の連結基Ａとがメタ位にあることで高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ４）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｏ－、－ＣＨ２－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－ＳＯ２－、－ＣＯ－、－ＣＯＮＨ－が好ましい。
ジアミン（Ｂ４）としては、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）］ベンゾフェノン、ビス［4,4'-（3-アミノフェノキシ）］ベンズアニリド等を挙げることができる。
式（Ｂ５）で表されるジアミン（以下、「ジアミン（Ｂ５）」と記すことがある）は、４つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン（Ｂ５）は、少なくとも１つのベンゼン環に直結した、２つの２価の連結基Ａが互いにメタ位にあることで、ポリ
イミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ５）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｏ－が好ましい。
イミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ５）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｏ－が好ましい。
ジアミン（Ｂ５）としては、4-[3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]フェノキシ]アニリン、4,4’-[オキシビス（3,1-フェニレンオキシ）]ビスアニリン等を挙げることができる。
式（Ｂ６）で表されるジアミン（以下、「ジアミン（Ｂ６）」と記すことがある）は、４つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン（Ｂ６）は、少なくとも２つのエーテル結合を有することで高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ６）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－Ｏ－、－ＳＯ２－、－ＣＯ－が好ましい。
ジアミン（Ｂ６）としては、例えば、2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］エーテル（ＢＡＰＥ）、ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ）、ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］ケトン（ＢＡＰＫ）等を挙げることができる。
式（Ｂ７）で表されるジアミン（以下、「ジアミン（Ｂ７）」と記すことがある）は、４つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン（Ｂ７）は、ジフェニル骨格の両側に、それぞれ屈曲性の高い２価の連結基Ａを有するため、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ７）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｏ－が好ましい。
ジアミン（Ｂ７）としては、例えば、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）］ビフェニル、ビス［4-（4-アミノフェノキシ）］ビフェニル等を挙げることができる。
接着性ポリイミドは、発明の効果を損なわない範囲で、上記ダイマー酸型ジアミン及びジアミン（Ｂ１）～（Ｂ７）以外のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を含むことができる。上記ダイマー酸型ジアミン及びジアミン（Ｂ１）～（Ｂ７）以外のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基としては、熱可塑性ポリイミドに使用されるジアミン化合物として一般に使用されるものを制限なく用いることができる。
接着性ポリイミドにおいて、上記テトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類や、２種以上のテトラカルボン酸残基又はジアミン残基を適用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張係数、引張弾性率、ガラス転移温度等を制御することができる。また、接着性ポリイミドにおいて、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、ランダムに存在することが好ましい。
接着性ポリイミドのイミド基濃度は、２０重量％以下であることが好ましい。ここで、「イミド基濃度」は、ポリイミド中のイミド基部（－（ＣＯ）２－Ｎ－）の分子量を、ポリイミドの構造全体の分子量で除した値を意味する。イミド基濃度が２０重量％を超えると、樹脂自体の分子量が小さくなるとともに、極性基の増加によって低吸湿性も悪化し、Ｔｇ及び弾性率が上昇する。
接着性ポリイミドの重量平均分子量は、例えば１０,０００～４００,０００の範囲内が好ましく、２０,０００～３５０,０００の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が１０,０００未満であると、接着層（ＢＡ）、（Ｂ）の強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が４００,０００を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際に接着層（ＢＡ）、（Ｂ）の厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。
接着性ポリイミドは、完全にイミド化された構造が最も好ましい。但し、ポリイミドの一部がアミド酸となっていてもよい。そのイミド化率は、フーリエ変換赤外分光光度計（市販品：日本分光（株）製ＦＴ／ＩＲ６２０）を用い、１回反射ＡＴＲ法にてポリイミド薄膜の赤外線吸収スペクトルを測定することによって、１０１５ｃｍ－１付近のベンゼン環吸収体を基準とし、１７８０ｃｍ－１付近のイミド基に由来するＣ＝Ｏ伸縮の吸光度から算出することができる。
（架橋形成）
接着性ポリイミドがケトン基を有する場合に、該ケトン基と、少なくとも２つの第１級のアミノ基を官能基として有するアミノ化合物のアミノ基を反応させてＣ＝Ｎ結合を形成させることによって、架橋構造を形成することができる。架橋構造の形成によって、接着性ポリイミドの耐熱性を向上させることができる。ケトン基を有する接着性ポリイミドを形成するために好ましいテトラカルボン酸二無水物としては、例えば３,３’,４,４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(ＢＴＤＡ)を、ジアミン化合物としては、例えば、４,４’－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゾフェノン（ＢＡＢＰ）、１,３－ビス［４－（３－アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン（ＢＡＢＢ）等の芳香族ジアミンを挙げることができる。
接着性ポリイミドがケトン基を有する場合に、該ケトン基と、少なくとも２つの第１級のアミノ基を官能基として有するアミノ化合物のアミノ基を反応させてＣ＝Ｎ結合を形成させることによって、架橋構造を形成することができる。架橋構造の形成によって、接着性ポリイミドの耐熱性を向上させることができる。ケトン基を有する接着性ポリイミドを形成するために好ましいテトラカルボン酸二無水物としては、例えば３,３’,４,４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(ＢＴＤＡ)を、ジアミン化合物としては、例えば、４,４’－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゾフェノン（ＢＡＢＰ）、１,３－ビス［４－（３－アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン（ＢＡＢＢ）等の芳香族ジアミンを挙げることができる。
接着性ポリイミドの架橋形成に使用可能なアミノ化合物としては、ジヒドラジド化合物、芳香族ジアミン、脂肪族アミン等を例示することができる。これらの中でも、ジヒドラジド化合物が好ましい。ジヒドラジド化合物以外の脂肪族アミンは、室温でも架橋構造を形成しやすいが、ワニスの保存安定性の懸念があり、一方、芳香族ジアミンは、架橋構造の形成のために高温にする必要がある。ジヒドラジド化合物を使用した場合は、ワニスの保存安定性と硬化時間の短縮化を両立させることができる。ジヒドラジド化合物としては、例えば、シュウ酸ジヒドラジド、マロン酸ジヒドラジド、コハク酸ジヒドラジド、グルタル酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、ピメリン酸ジヒドラジド、スベリン酸ジヒドラジド、アゼライン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、ドデカン二酸ジヒドラジド、マレイン酸ジヒドラジド、フマル酸ジヒドラジド、ジグリコール酸ジヒドラジド、酒石酸ジヒドラジド、リンゴ酸ジヒドラジド、フタル酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、テレフタル酸ジヒドラジド、２，６－ナフトエ二酸ジヒドラジド、４，４－ビスベンゼンジヒドラジド、１，４－ナフトエ酸ジヒドラジド、２，６－ピリジン二酸ジヒドラジド、イタコン酸ジヒドラジド等のジヒドラジド化合物が好ましい。以上のジヒドラジド化合物は、単独でもよいし、２種類以上混合して用いることもできる。
接着性ポリイミドは、上記のテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物を溶媒中で反応させ、ポリアミド酸を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物をほぼ等モルで有機溶媒中に溶解させて、０～１００℃の範囲内の温度で３０分～２４時間撹拌し重合反応させることでポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得られる。反応にあたっては、生成する前駆体が有機溶媒中に５～５０重量％の範囲内、好ましくは１０～４０重量％の範囲内となるように反応成分を溶解する。重合反応に用いる有機溶媒としては、例えば、Ｎ,Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ,Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ,Ｎ－ジエチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、２－ブタノン、ジメチルスホキシド（ＤＭＳＯ）、ヘキサメチルホスホルアミド、Ｎ－メチルカプロラクタム、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム、クレゾール等が挙げられる。これらの溶媒を２種以上併用して使用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。また、このような有機溶媒の使用量としては特に制限されるものではないが、重合反応によって得られるポリアミド酸溶液の濃度が５～５０重量％程度になるような使用量に調整して用いることが好ましい。
合成されたポリアミド酸は、通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、ポリアミド酸は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。ポリアミド酸の溶液の粘度は、５００ｃｐｓ～１００,０００ｃｐｓの範囲内であることが好ましい。この範囲を外れると、例えば、コーター等による塗工作業の際にフィルムに厚みムラ、スジ等の不良が発生し易くなる。
ポリアミド酸をイミド化させて接着性ポリイミドを形成させる方法は、特に制限されず、例えば前記溶媒中で、８０～４００℃の範囲内の温度条件で１～２４時間かけて加熱するといった熱処理が好適に採用される。
以上のようにして得られた接着性ポリイミドを架橋形成させる場合は、ケトン基を有する接着性ポリイミドを含む樹脂溶液に、上記アミノ化合物を加えて、接着性ポリイミド中のケトン基とアミノ化合物の第１級アミノ基とを縮合反応させる。この縮合反応により、樹脂溶液は硬化して硬化物となる。この場合、アミノ化合物の添加量は、ケトン基１モルに対し、第１級アミノ基が合計で０．００４モル～１．５モル、好ましくは０．００５モル～１．２モル、より好ましくは０．０３モル～０．９モル、最も好ましくは０．０４モル～０．５モルとなるようにアミノ化合物を添加することができる。ケトン基１モルに対して第１級アミノ基が合計で０．００４モル未満となるようなアミノ化合物の添加量では、アミノ化合物による接着性ポリイミドの架橋が十分ではないため、硬化させた後の接着層（ＢＡ）、（Ｂ）において耐熱性が発現しにくい傾向となり、アミノ化合物の添加量が１．５モルを超えると未反応のアミノ化合物が熱可塑剤として作用し、接着層（ＢＡ）、（Ｂ）の耐熱性を低下させる傾向がある。
架橋形成のための縮合反応の条件は、接着性ポリイミドにおけるケトン基とアミノ化合物の第１級アミノ基が反応してイミン結合（Ｃ＝Ｎ結合）を形成する条件であれば、特に制限されない。加熱縮合の温度は、縮合によって生成する水を系外へ放出させるため、又は接着性ポリイミドの合成後に引き続いて加熱縮合反応を行なう場合に当該縮合工程を簡略化するため等の理由で、例えば１２０～２２０℃の範囲内が好ましく、１４０～２００℃の範囲内がより好ましい。反応時間は、３０分～２４時間程度が好ましく、反応の終点は、例えばフーリエ変換赤外分光光度計（市販品：日本分光製ＦＴ／ＩＲ６２０）を用い、赤外線吸収スペクトルを測定することによって、１６７０ｃｍ－１付近のポリイミド樹脂におけるケトン基に由来する吸収ピークの減少又は消失、及び１６３５ｃｍ－１付近のイミン基に由来する吸収ピークの出現により確認することができる。
接着性ポリイミドのケトン基とアミノ化合物の第１級のアミノ基との加熱縮合は、例えば、（ａ）接着性ポリイミドの合成（イミド化）に引き続き、アミノ化合物を添加して加熱する方法、（ｂ）ジアミン成分として予め過剰量のアミノ化合物を仕込んでおき、接着性ポリイミドの合成（イミド化）に引き続き、イミド化若しくはアミド化に関与しない残りのアミノ化合物とともに接着性ポリイミドを加熱する方法、又は、（ｃ）アミノ化合物を添加した接着性ポリイミドの組成物を所定の形状に加工した後（例えば任意の基材に塗布した後やフィルム状に形成した後）に加熱する方法、等によって行うことができる。
接着性ポリイミドの耐熱性付与のため、架橋構造の形成でイミン結合の形成を説明したが、これに限定されるものではなく、接着性ポリイミドの硬化方法として、例えばエポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤等を配合し硬化することも可能である。
以上のようにして得られる接着性ポリイミドを用いることによって、接着層（ＢＡ）、（Ｂ）、即ちポリイミド層（Ａ）は、優れた柔軟性と誘電特性（低誘電率及び低誘電正接）を有するものとなる。また、後述するように、接着性ポリイミドは、１００℃前後の温度域での貯蔵弾性率が十分に低いため、フッ素系樹脂などの他の接着用樹脂に比べて、接着温度を顕著に低くすることができる。
＜絶縁樹脂層の熱膨張係数＞
本発明のフレキシブル金属張積層板の絶縁樹脂層（Ｘ）を構成するボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）は、熱膨張係数（ＣＴＥ）が１０ｐｐｍ／Ｋ以上がよく、好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、より好ましくは１５ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内である。ＣＴＥが１０ｐｐｍ／Ｋ未満であるか、又は３０ｐｐｍ／Ｋを超えると、反りが発生したり、寸法安定性が低下したりする。使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望のＣＴＥを有するポリイミド層とすることができる。
本発明のフレキシブル金属張積層板の絶縁樹脂層（Ｘ）を構成するボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）は、熱膨張係数（ＣＴＥ）が１０ｐｐｍ／Ｋ以上がよく、好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、より好ましくは１５ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内である。ＣＴＥが１０ｐｐｍ／Ｋ未満であるか、又は３０ｐｐｍ／Ｋを超えると、反りが発生したり、寸法安定性が低下したりする。使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望のＣＴＥを有するポリイミド層とすることができる。
なお、接着層（ＢＡ）、（Ｂ）を構成する接着性ポリイミドは高熱膨張性であるが低弾性であるため、ＣＴＥが３０ｐｐｍ／Ｋを超えても、積層時に発生する内部応力を緩和することができる。
また、図１のフレキシブル片面金属張積層板（ＣＡ）において、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）及び接着層（ＢＡ）からなる絶縁樹脂層（Ｘ）の全体の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、より好ましくは１５ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内である。ＣＴＥが１０ｐｐｍ／Ｋ未満であるか、又は３０ｐｐｍ／Ｋを超えると、反りが発生したり、寸法安定性が低下したりする。
また、図２のフレキシブル両面金属張積層板（Ｃ）において、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）、接着層（Ｂ）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）の全体の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、より好ましくは１５ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内である。ＣＴＥが１０ｐｐｍ／Ｋ未満であるか、又は３０ｐｐｍ／Ｋを超えると、反りが発生したり、寸法安定性が低下したりする。
＜接着層（ＢＡ）、（Ｂ）を構成する接着性ポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）＞
接着性ポリイミドは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃以下であることが好ましく、４０℃以上２００℃以下の範囲内であることがより好ましい。接着性ポリイミドのＴｇが２５０℃以下であることによって、低温での熱圧着が可能になるため、積層時に発生する内部応力を緩和し、回路加工後の寸法変化を抑制できる。接着性ポリイミドのＴｇが２５０℃を超えると、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）に積層する際の温度や、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）と第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）との間に介在させて接着する際の温度が高くなり、回路加工後の寸法安定性を損なう恐れがある。
接着性ポリイミドは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃以下であることが好ましく、４０℃以上２００℃以下の範囲内であることがより好ましい。接着性ポリイミドのＴｇが２５０℃以下であることによって、低温での熱圧着が可能になるため、積層時に発生する内部応力を緩和し、回路加工後の寸法変化を抑制できる。接着性ポリイミドのＴｇが２５０℃を超えると、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）に積層する際の温度や、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）と第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）との間に介在させて接着する際の温度が高くなり、回路加工後の寸法安定性を損なう恐れがある。
＜接着層（ＢＡ）、（Ｂ）を構成する接着性ポリイミドの貯蔵弾性率＞
接着性ポリイミドは、４０～２５０℃の範囲に、温度上昇に伴って貯蔵弾性率が急勾配で減少する温度域が存在することを特徴とする。このような接着性ポリイミドの特性が、熱圧着時の内部応力を緩和し、回路加工後の寸法安定性を保持する要因であると考えられる。接着性ポリイミドは、前記温度域の上限温度での貯蔵弾性率が、５×１０７［Ｐａ］以下であることが好ましく、１×１０５～５×１０７［Ｐａ］の範囲内であることがより好ましい。このような貯蔵弾性率とすることによって、仮に上記温度範囲の上限としても、２５０℃以下での熱圧着が可能となり、密着性を担保し、回路加工後の寸法変化を抑制することができる。
接着性ポリイミドは、４０～２５０℃の範囲に、温度上昇に伴って貯蔵弾性率が急勾配で減少する温度域が存在することを特徴とする。このような接着性ポリイミドの特性が、熱圧着時の内部応力を緩和し、回路加工後の寸法安定性を保持する要因であると考えられる。接着性ポリイミドは、前記温度域の上限温度での貯蔵弾性率が、５×１０７［Ｐａ］以下であることが好ましく、１×１０５～５×１０７［Ｐａ］の範囲内であることがより好ましい。このような貯蔵弾性率とすることによって、仮に上記温度範囲の上限としても、２５０℃以下での熱圧着が可能となり、密着性を担保し、回路加工後の寸法変化を抑制することができる。
＜絶縁樹脂層（Ｘ）の誘電正接＞
ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）は、例えば回路基板に適用する場合において、誘電損失の悪化を抑制するために、１０ＧＨｚにおける誘電正接（Ｔａｎδ）は、好ましくは０．０２以下、より好ましくは０．０００５以上０．０１以下の範囲内、更に好ましくは０．００１以上０．００８以下の範囲内がよい。ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）の１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．０２を超えると、回路基板に適用した際に、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。一方、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）の１０ＧＨｚにおける誘電正接の下限値は特に制限されないが、回路基板の絶縁樹脂層としての物性制御を考慮している。
ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）は、例えば回路基板に適用する場合において、誘電損失の悪化を抑制するために、１０ＧＨｚにおける誘電正接（Ｔａｎδ）は、好ましくは０．０２以下、より好ましくは０．０００５以上０．０１以下の範囲内、更に好ましくは０．００１以上０．００８以下の範囲内がよい。ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）の１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．０２を超えると、回路基板に適用した際に、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。一方、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）の１０ＧＨｚにおける誘電正接の下限値は特に制限されないが、回路基板の絶縁樹脂層としての物性制御を考慮している。
接着層（ＢＡ）、（Ｂ）は、例えば回路基板に適用する場合において、誘電損失の悪化を抑制するために、１０ＧＨｚにおける誘電正接（Ｔａｎδ）は、好ましくは０．００４以下、より好ましくは０．０００５以上０．００４以下の範囲内、更に好ましくは０．００１以上０．００３５以下の範囲内がよい。接着層（ＢＡ）、（Ｂ）の１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００４を超えると、回路基板に適用した際に、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。一方、接着層（ＢＡ）、（Ｂ）の１０ＧＨｚにおける誘電正接の下限値は特に制限されない。
＜絶縁樹脂層（Ｘ）の比誘電率＞
ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）は、例えば回路基板の絶縁層として適用する場合において、絶縁層全体として、１０ＧＨｚにおける比誘電率が４．０以下であることが好ましい。ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）の１０ＧＨｚにおける比誘電率が４．０を超えると、回路基板に適用した際に、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）の誘電損失の悪化に繋がり、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。
ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）は、例えば回路基板の絶縁層として適用する場合において、絶縁層全体として、１０ＧＨｚにおける比誘電率が４．０以下であることが好ましい。ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）の１０ＧＨｚにおける比誘電率が４．０を超えると、回路基板に適用した際に、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）の誘電損失の悪化に繋がり、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。
接着層（ＢＡ）、（Ｂ）は、例えば回路基板に適用する場合において、インピーダンス整合性を確保するために、１０ＧＨｚにおける誘電率が４．０以下であることが好ましい。接着層（ＢＡ）、（Ｂ）の１０ＧＨｚにおける誘電率が４．０を超えると、回路基板に適用した際に、接着層（ＢＡ）、（Ｂ）の誘電損失の悪化に繋がり、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。
［フレキシブル金属張積層板の製造］
本発明のフレキシブル金属張積層板は、常法に従って製造することができる。例えば、接着層を樹脂シートとして剥離フィルム上に作成する。それとは別に、金属層上に単独または複数のポリアミド溶液を塗布・乾燥することで金属層／ポリイミド層からなる片面金属張積層板を作成する。続いて、片面金属張積層板のポリイミド層上に樹脂シートを貼り付け、剥離フィルムを除去することで、図１のフレキシブル片面金属張積層板が得られる。あるいは、一対の片面金属張積層板のポリイミド層を対向させ、その間に剥離フィルムを除去した樹脂シートを挟み全体を接着することで図２のフレキシブル両面金属張積層板が得られる。なお、本発明のフレキシブル金属張積層板は、以上に説明した以外の方法でも製造可能である。
本発明のフレキシブル金属張積層板は、常法に従って製造することができる。例えば、接着層を樹脂シートとして剥離フィルム上に作成する。それとは別に、金属層上に単独または複数のポリアミド溶液を塗布・乾燥することで金属層／ポリイミド層からなる片面金属張積層板を作成する。続いて、片面金属張積層板のポリイミド層上に樹脂シートを貼り付け、剥離フィルムを除去することで、図１のフレキシブル片面金属張積層板が得られる。あるいは、一対の片面金属張積層板のポリイミド層を対向させ、その間に剥離フィルムを除去した樹脂シートを挟み全体を接着することで図２のフレキシブル両面金属張積層板が得られる。なお、本発明のフレキシブル金属張積層板は、以上に説明した以外の方法でも製造可能である。
[フレキシブル回路基板]
以上のようにして得られる図１，図２に示したような本実施の形態のフレキシブル金属張積層板は、金属層（ＭＡ）を配線回路加工することにより、あるいは第１の金属層（Ｍ１）及び／又は第２の金属層（Ｍ２）を配線回路加工することによって、片面ＦＰＣ又は両面ＦＰＣなどの回路基板を製造することができる。
以上のようにして得られる図１，図２に示したような本実施の形態のフレキシブル金属張積層板は、金属層（ＭＡ）を配線回路加工することにより、あるいは第１の金属層（Ｍ１）及び／又は第２の金属層（Ｍ２）を配線回路加工することによって、片面ＦＰＣ又は両面ＦＰＣなどの回路基板を製造することができる。
［フレキシブル金属張積層板の好ましい構成例その１］
次に、図１のフレキシブル片面金属張積層板（ＣＡ）について、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）及び接着層（ＢＡ）が、いずれもポリイミドである場合を例に挙げ図３を参照しつつより具体的に説明する。
次に、図１のフレキシブル片面金属張積層板（ＣＡ）について、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）及び接着層（ＢＡ）が、いずれもポリイミドである場合を例に挙げ図３を参照しつつより具体的に説明する。
図３は、本実施の形態のフレキシブル片面金属張積層板１００Ａの構造を示す模式的断面図である。フレキシブル片面金属張積層板１００Ａは、図３に示すように、金属層（ＭＡ）としての金属層１０１Ａと、ボトム絶縁樹脂層（ＰＡ）としてのボトムポリイミド層１１０Ａと、接着層（ＢＡ）としての接着性ポリイミド層１２０Ａとを備えている。ここで、ボトムポリイミド層１１０Ａと接着性ポリイミド層１２０Ａとが絶縁樹脂層（Ｘ）に相当する。
ボトムポリイミド層１１０Ａは、複数のポリイミド層が積層された構造であってもよい。例えば、図３に示す態様では、ベース層として、非熱可塑性ポリイミドからなる非熱可塑性ポリイミド層１１１Ａと、その両側にそれぞれ設けられた、熱可塑性ポリイミドからなる熱可塑性ポリイミド層１１２Ａとを備えた３層構造を有している。なお、ボトムポリイミド層１１０Ａは、３層構造に限定されるものではない。
図３に示すフレキシブル片面金属張積層板１００Ａにおいて、接着性ポリイミド層１２０Ａは、フレキシブル片面金属張積層板１００Ａを別の部材に貼り合わせるための接着層であり、かつ、寸法安定性を確保しつつ、フレキシブル片面金属張積層板１００Ａの誘電特性を改善する機能を有するものである。接着性ポリイミド層１２０Ａを構成する接着性ポリイミドについては、上記接着層（ＢＡ）について説明したとおりである。
次に、ボトムポリイミド層１１０Ａを構成する非熱可塑性ポリイミド層１１１Ａと、熱可塑性ポリイミド層１１２Ａとについて、簡単に説明する。
非熱可塑性ポリイミド層：
非熱可塑性ポリイミド層１１１Ａに用いるポリイミドは、芳香族テトラカルボン酸二無水物成分を含む酸二無水物成分と、脂肪族ジアミン及び／又は芳香族ジアミン等を含むジアミン成分と、を反応させて得られる非熱可塑性ポリイミドが好ましい。酸二無水物及びジアミンとしては、非熱可塑性ポリイミドの合成に一般的に用いられるモノマーを使用できるため、ここでは記載を省略する。酸無水物及びジアミンの種類や、２種以上の酸無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度等を制御することができる。
非熱可塑性ポリイミド層１１１Ａに用いるポリイミドは、芳香族テトラカルボン酸二無水物成分を含む酸二無水物成分と、脂肪族ジアミン及び／又は芳香族ジアミン等を含むジアミン成分と、を反応させて得られる非熱可塑性ポリイミドが好ましい。酸二無水物及びジアミンとしては、非熱可塑性ポリイミドの合成に一般的に用いられるモノマーを使用できるため、ここでは記載を省略する。酸無水物及びジアミンの種類や、２種以上の酸無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度等を制御することができる。
非熱可塑性ポリイミド層１１１Ａを構成するポリイミドは、イミド基濃度が３３％以下であることが好ましく、３２％以下であることがより好ましい。イミド基濃度が３３％を超えると、ポリイミドの難燃性が低下するとともに、極性基の増加によって誘電特性も悪化する。
非熱可塑性ポリイミド層１１１Ａの厚みは、ベース層としての機能を確保し、且つ製造時および熱可塑性ポリイミド塗工時の搬送性の観点から、６μｍ以上１００μｍ以下の範囲内であることが好ましく、９μｍ以上５０μｍ以下の範囲内がより好ましい。非熱可塑性ポリイミド層１１１Ａの厚みが上記の下限値未満である場合、電気絶縁性やハンドリング性が不十分となり、上限値を超えると、生産性が低下する。
非熱可塑性ポリイミド層１１１Ａは、耐熱性の観点から、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２８０℃以上であることが好ましく、さらに、３００℃以上であることがより好ましい。
また、反りを抑制する観点から、非熱可塑性ポリイミド層１１１Ａの熱膨張係数は、１ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、好ましくは１ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、より好ましくは１５ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内にあることがよい。
また、非熱可塑性ポリイミド層１１１Ａに用いる非熱可塑性ポリイミドには、任意成分として、例えば可塑剤、エポキシ樹脂などの他の硬化樹脂成分、硬化剤、硬化促進剤、カップリング剤、充填剤、溶剤、難燃剤などを適宜配合することができる。ただし、可塑剤には、極性基を多く含有するものがあり、それが銅配線からの銅の拡散を助長する懸念があるため、可塑剤は極力使用しないことが好ましい。
熱可塑性ポリイミド層：
熱可塑性ポリイミド層１１２Ａに用いるポリイミドは、芳香族テトラカルボン酸二無水物成分を含む酸無水物成分と、脂肪族ジアミン成分及び／又は芳香族ジアミン成分を含むジアミン成分とを反応させて得られる熱可塑性ポリイミドが好ましい。酸無水物及びジアミンとしては、熱可塑性ポリイミドの合成に一般的に用いられるモノマーを使用できるため、ここでは記載を省略する。酸無水物及びジアミンの種類や、２種以上の酸無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度等を制御することができる。また、誘電特性を改善する観点から、熱可塑性ポリイミド層１１２Ａに用いるポリイミドとして、接着層（ＢＡ）としての接着性ポリイミド層１２０Ａを形成するための接着性ポリイミドを使用することが好ましい。
熱可塑性ポリイミド層１１２Ａに用いるポリイミドは、芳香族テトラカルボン酸二無水物成分を含む酸無水物成分と、脂肪族ジアミン成分及び／又は芳香族ジアミン成分を含むジアミン成分とを反応させて得られる熱可塑性ポリイミドが好ましい。酸無水物及びジアミンとしては、熱可塑性ポリイミドの合成に一般的に用いられるモノマーを使用できるため、ここでは記載を省略する。酸無水物及びジアミンの種類や、２種以上の酸無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度等を制御することができる。また、誘電特性を改善する観点から、熱可塑性ポリイミド層１１２Ａに用いるポリイミドとして、接着層（ＢＡ）としての接着性ポリイミド層１２０Ａを形成するための接着性ポリイミドを使用することが好ましい。
熱可塑性ポリイミド層１１２Ａを構成するポリイミドは、イミド基濃度が３３％以下であることが好ましく、３２％以下であることがより好ましい。イミド基濃度が３３％を超えると、ポリイミドの難燃性が低下するとともに、極性基の増加によって誘電特性も悪化する。
熱可塑性ポリイミド層１１２Ａの厚みは、接着機能を確保する観点から、１μｍ以上１０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、１μｍ以上５μｍ以下の範囲内がより好ましい。熱可塑性ポリイミド層１１２Ａの厚みが上記の下限値未満である場合、接着性が不十分となり、上限値を超えると、寸法安定性が悪化する傾向となる。
熱可塑性ポリイミド層１１２Ａは、反りを抑制する観点から、熱膨張係数が、３０ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは３０ｐｐｍ／Ｋ以上１００ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、より好ましくは３０ｐｐｍ／Ｋ以上８０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内にあることがよい。
また、熱可塑性ポリイミド層１１２Ａに用いる樹脂には、ポリイミドの他に、任意成分として、例えば可塑剤、エポキシ樹脂などの他の硬化樹脂成分、硬化剤、硬化促進剤、無機フィラー、カップリング剤、充填剤、溶剤、難燃剤などを適宜配合することができる。ただし、可塑剤には、極性基を多く含有するものがあり、それが銅配線からの銅の拡散を助長する懸念があるため、可塑剤は極力使用しないことが好ましい。
フレキシブル片面金属張積層板１００Ａにおいて、回路加工後の寸法安定性を確保するため、ボトムポリイミド層１１０Ａと接着性ポリイミド層１２０Ａの全体の熱膨張係数は、１０ｐｐｍ／Ｋ以上がよく、好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、より好ましくは１５ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内にあることがよい。
なお、フレキシブル片面金属張積層板１００Ａにおいて、ボトムポリイミド層１１０Ａの厚みと接着性ポリイミド層１２０Ａの合計厚みに対する接着性ポリイミド層１２０Ａの厚みの比率については、図１について説明したとおりである。
［回路基板］
本実施の形態のフレキシブル片面金属張積層板１００Ａは、主にＦＰＣ、リジッド・フレックス回路基板などの回路基板材料として有用である。すなわち、本実施の形態のフレキシブル金属張積層板１００Ａの金属層１０１Ａを、常法によってパターン状に加工して配線層を形成することによって、本発明の一実施の形態であるＦＰＣなどの回路基板を製造できる。
本実施の形態のフレキシブル片面金属張積層板１００Ａは、主にＦＰＣ、リジッド・フレックス回路基板などの回路基板材料として有用である。すなわち、本実施の形態のフレキシブル金属張積層板１００Ａの金属層１０１Ａを、常法によってパターン状に加工して配線層を形成することによって、本発明の一実施の形態であるＦＰＣなどの回路基板を製造できる。
［フレキシブル金属張積層板の好ましい構成例その２］
次に、図２のフレキシブル両面金属張積層板（Ｃ）について、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）及び接着層（Ｂ）がいずれもポリイミドである場合を例に挙げ図４を参照しつつより具体的に説明する。
次に、図２のフレキシブル両面金属張積層板（Ｃ）について、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）及び接着層（Ｂ）がいずれもポリイミドである場合を例に挙げ図４を参照しつつより具体的に説明する。
図４は、本実施の形態のフレキシブル両面金属張積層板１００の構造を示す概略断面図である。金属張積層板１００は、図４に示すように、第１の金属層（Ｍ１）及び第２の金属層（Ｍ２）としての金属層１０１，１０１と、第１の絶縁樹脂層（Ｐ１）及び第２の絶縁樹脂層（Ｐ２）としてのポリイミド層１１０，１１０と、接着層（Ｂ）としての接着性ポリイミド層１２０を備えている。ここで、金属層１０１およびポリイミド層１１０によって、第１の片面金属張積層板（Ｃ１）又は第２の片面金属張積層板（Ｃ２）としての片面金属張積層板１３０が形成されている。本態様では、第１の片面金属張積層板（Ｃ１）と第２の片面金属張積層板（Ｃ２）と片面金属張積層板１３０の構成は同じである。ここで、ポリイミド層１１０、１１０と接着性ポリイミド層１２０とが絶縁樹脂層（Ｘ）に相当する。
ポリイミド層１１０，１１０は、いずれも、複数のポリイミド層が積層された構造であってもよい。例えば、図４に示す態様では、ベース層として、非熱可塑性ポリイミドからなる非熱可塑性ポリイミド層１１１，１１１と、その両側にそれぞれ設けられた、熱可塑性ポリイミドからなる熱可塑性ポリイミド層１１２，１１２とを備えた３層構造をなしている。なお、ポリイミド層１１０，１１０は、それぞれ３層構造に限定されるものではない。
図４に示すフレキシブル両面金属張積層板１００において、２つの片面金属張積層板１３０，１３０における内側の熱可塑性ポリイミド層１１２，１１２は、それぞれ接着性ポリイミド層１２０に貼り合わされ、フレキシブル金属張積層板１００を形成している。接着性ポリイミド層１２０は、金属張積層板１００において、２つの片面金属張積層板１３０，１３０を貼り合わせるための接着層であり、かつ、寸法安定性を確保しつつ、フレキシブル金属張積層板１００の誘電特性を改善する機能を有するものである。接着性ポリイミド層１２０を構成する接着性ポリイミドについては、上記接着層（Ｂ）について説明したとおりである。
次に、ポリイミド層１１０，１１０を構成する非熱可塑性ポリイミド層１１１と、熱可塑性ポリイミド層１１２について、簡単に説明する。
非熱可塑性ポリイミド層：
非熱可塑性ポリイミド層１１１に用いるポリイミドは、芳香族テトラカルボン酸二無水物成分を含む酸二無水物成分と、脂肪族ジアミン及び／又は芳香族ジアミン等を含むジアミン成分と、を反応させて得られる非熱可塑性ポリイミドが好ましい。酸二無水物及びジアミンとしては、非熱可塑性ポリイミドの合成に一般的に用いられるモノマーを使用できるため、ここでは記載を省略する。酸無水物及びジアミンの種類や、２種以上の酸二無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度等を制御することができる。
非熱可塑性ポリイミド層１１１に用いるポリイミドは、芳香族テトラカルボン酸二無水物成分を含む酸二無水物成分と、脂肪族ジアミン及び／又は芳香族ジアミン等を含むジアミン成分と、を反応させて得られる非熱可塑性ポリイミドが好ましい。酸二無水物及びジアミンとしては、非熱可塑性ポリイミドの合成に一般的に用いられるモノマーを使用できるため、ここでは記載を省略する。酸無水物及びジアミンの種類や、２種以上の酸二無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度等を制御することができる。
非熱可塑性ポリイミド層１１１を構成するポリイミドは、イミド基濃度が３３％以下であることが好ましく、３２％以下であることがより好ましい。イミド基濃度が３３％を超えると、ポリイミドの難燃性が低下するとともに、極性基の増加によって誘電特性も悪化する。
非熱可塑性ポリイミド層１１１の厚みは、ベース層としての機能を確保し、且つ製造時および熱可塑性ポリイミド塗工時の搬送性の観点から、６μｍ以上１００μｍ以下の範囲内であることが好ましく、９μｍ以上５０μｍ以下の範囲内がより好ましい。非熱可塑性ポリイミド層１１１の厚みが上記の下限値未満である場合、電気絶縁性やハンドリング性が不十分となり、上限値を超えると、生産性が低下する。
非熱可塑性ポリイミド層１１１は、耐熱性の観点から、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２８０℃以上であることが好ましく、さらに、３００℃以上であることがより好ましい。
また、反りを抑制する観点から、非熱可塑性ポリイミド層１１１の熱膨張係数は、１ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、好ましくは１ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、より好ましくは１５ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内にあることがよい。
また、非熱可塑性ポリイミド層１１１に用いる非熱可塑性ポリイミドには、任意成分として、例えば可塑剤、エポキシ樹脂などの他の硬化樹脂成分、硬化剤、硬化促進剤、カップリング剤、充填剤、溶剤、難燃剤などを適宜配合することができる。ただし、可塑剤には、極性基を多く含有するものがあり、それが銅配線からの銅の拡散を助長する懸念があるため、可塑剤は極力使用しないことが好ましい。
熱可塑性ポリイミド層：
熱可塑性ポリイミド層１１２に用いるポリイミドは、芳香族テトラカルボン酸二無水物成分を含む酸二無水物成分と、脂肪族ジアミン成分及び／又は芳香族ジアミン成分を含むジアミン成分とを反応させて得られる熱可塑性ポリイミドが好ましい。酸無水物及びジアミンとしては、熱可塑性ポリイミドの合成に一般的に用いられるモノマーを使用できるため、ここでは記載を省略する。酸無水物及びジアミンの種類や、２種以上の酸無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度等を制御することができる。また、誘電特性を改善する観点から、熱可塑性ポリイミド層１１２に用いるポリイミドとして、接着層（Ｂ）としての接着性ポリイミド層１２０を形成するための接着性ポリイミドを使用することが好ましい。
熱可塑性ポリイミド層１１２に用いるポリイミドは、芳香族テトラカルボン酸二無水物成分を含む酸二無水物成分と、脂肪族ジアミン成分及び／又は芳香族ジアミン成分を含むジアミン成分とを反応させて得られる熱可塑性ポリイミドが好ましい。酸無水物及びジアミンとしては、熱可塑性ポリイミドの合成に一般的に用いられるモノマーを使用できるため、ここでは記載を省略する。酸無水物及びジアミンの種類や、２種以上の酸無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度等を制御することができる。また、誘電特性を改善する観点から、熱可塑性ポリイミド層１１２に用いるポリイミドとして、接着層（Ｂ）としての接着性ポリイミド層１２０を形成するための接着性ポリイミドを使用することが好ましい。
熱可塑性ポリイミド層１１２を構成するポリイミドは、イミド基濃度が３３％以下であることが好ましく、３２％以下であることがより好ましい。イミド基濃度が３３％を超えると、ポリイミドの難燃性が低下するとともに、極性基の増加によって誘電特性も悪化する。
熱可塑性ポリイミド層１１２の厚みは、接着機能を確保する観点から、１μｍ以上１０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、１μｍ以上５μｍ以下の範囲内がより好ましい。熱可塑性ポリイミド層１１２の厚みが上記の下限値未満である場合、接着性が不十分となり、上限値を超えると、寸法安定性が悪化する傾向となる。
熱可塑性ポリイミド層１１２は、反りを抑制する観点から、熱膨張係数が、３０ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは３０ｐｐｍ／Ｋ以上１００ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、より好ましくは３０ｐｐｍ／Ｋ以上８０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内にあることがよい。
また、熱可塑性ポリイミド層１１２に用いる樹脂には、ポリイミドの他に、任意成分として、例えば可塑剤、エポキシ樹脂などの他の硬化樹脂成分、硬化剤、硬化促進剤、無機フィラー、カップリング剤、充填剤、溶剤、難燃剤などを適宜配合することができる。ただし、可塑剤には、極性基を多く含有するものがあり、それが銅配線からの銅の拡散を助長する懸念があるため、可塑剤は極力使用しないことが好ましい。
フレキシブル金属張積層板１００において、回路加工後の寸法安定性を確保するため、２つのポリイミド層１１０と接着性ポリイミド層１２０の全体の熱膨張係数は、１０ｐｐｍ／Ｋ以上がよく、好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、より好ましくは１５ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内にあることがよい。
なお、フレキシブル金属張積層板１００において、２つのポリイミド層１１０と接着性ポリイミド層１２０の合計厚みに対する接着性ポリイミド層１２０の厚み比率については、図２について説明したとおりである。
［回路基板］
本実施の形態のフレキシブル金属張積層板１００は、主にＦＰＣ、リジッド・フレックス回路基板などの回路基板材料として有用である。すなわち、本実施の形態のフレキシブル金属張積層板１００の２つの金属層１０１の片方又は両方を、常法によってパターン状に加工して配線層を形成することによって、本発明の一実施の形態であるＦＰＣなどの回路基板を製造できる。
本実施の形態のフレキシブル金属張積層板１００は、主にＦＰＣ、リジッド・フレックス回路基板などの回路基板材料として有用である。すなわち、本実施の形態のフレキシブル金属張積層板１００の２つの金属層１０１の片方又は両方を、常法によってパターン状に加工して配線層を形成することによって、本発明の一実施の形態であるＦＰＣなどの回路基板を製造できる。
以下に実施例を示し、本発明の特徴をより具体的に説明する。ただし、本発明の範囲は、実施例に限定されない。なお、以下の実施例において、特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。
［引張弾性率の測定］
東洋精機製作所社製ストログラフＲ－１を用いて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で引張弾性率を測定した。測定用のサンプルは、ＭＤ；２５０ｍｍ×ＴＤ；１２．７ｍｍを使用し、ロードセル；５００Ｎ、引張速度；５０ｍｍ／分、チャック間距離；５０ｍｍの条件で測定した。
東洋精機製作所社製ストログラフＲ－１を用いて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で引張弾性率を測定した。測定用のサンプルは、ＭＤ；２５０ｍｍ×ＴＤ；１２．７ｍｍを使用し、ロードセル；５００Ｎ、引張速度；５０ｍｍ／分、チャック間距離；５０ｍｍの条件で測定した。
［平均引張弾性率の測定］
平均引張弾性率とは、絶縁樹脂層における金属層との界面から厚み方向に５μｍの範囲内にある引張弾性率であり、下記式（１）より算出される。
平均引張弾性率とは、絶縁樹脂層における金属層との界面から厚み方向に５μｍの範囲内にある引張弾性率であり、下記式（１）より算出される。
式（１）において、Ｍｉは、金属層の界面から第ｉ層のポリイミド層の引張弾性率（単位；ＧＰａ）であり、Ｔｉは、第ｉ層のポリイミド層の厚み（単位；μｍ）であり、ｎは１以上の整数を示す。
［貯蔵弾性率の測定］
動的粘弾性装置（ＤＭＡ：ユー・ビー・エム社製、商品名；Ｅ４０００Ｆ）を用いて測定した。なお、３０℃における貯蔵弾性率が１．０×１０９Ｐａ以上であり、２８０℃における貯蔵弾性率が３．０×１０８Ｐａ以上であるポリイミドを「非熱可塑性ポリイミド」とし、また、３０℃における貯蔵弾性率が１．０×１０８Ｐａ以上であり、２８０℃における貯蔵弾性率が３．０×１０７Ｐａ未満であるポリイミドを「熱可塑性ポリイミド」とした。
動的粘弾性装置（ＤＭＡ：ユー・ビー・エム社製、商品名；Ｅ４０００Ｆ）を用いて測定した。なお、３０℃における貯蔵弾性率が１．０×１０９Ｐａ以上であり、２８０℃における貯蔵弾性率が３．０×１０８Ｐａ以上であるポリイミドを「非熱可塑性ポリイミド」とし、また、３０℃における貯蔵弾性率が１．０×１０８Ｐａ以上であり、２８０℃における貯蔵弾性率が３．０×１０７Ｐａ未満であるポリイミドを「熱可塑性ポリイミド」とした。
[誘電特性の評価]
ベクトルネットワークアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、商品名；ベクトルネットワークアナライザＥ８３６３Ｃ）およびＳＰＤＲ共振器を用いてポリイミドフィルム（硬化後のポリイミドフィルム）を温度；２３℃、湿度；５０％ＲＨの条件下で、２４時間放置した後、周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率（ε）および誘電正接（Ｔａｎδ）を測定した。
ベクトルネットワークアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、商品名；ベクトルネットワークアナライザＥ８３６３Ｃ）およびＳＰＤＲ共振器を用いてポリイミドフィルム（硬化後のポリイミドフィルム）を温度；２３℃、湿度；５０％ＲＨの条件下で、２４時間放置した後、周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率（ε）および誘電正接（Ｔａｎδ）を測定した。
[ガラス転移温度（Ｔｇ）]
温度；１６０℃、圧力；３．５ＭＰａ、時間；６０分間の条件でプレスした接着剤シートを５ｍｍ×２０ｍｍのサイズの試験片に切り出し、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ：ティー・エイ・インスツルメント社製、商品名；ＲＳＡ―Ｇ２）を用いて、３０℃から２００℃まで昇温速度４℃／分、周波数１１ＧＨｚで測定を行い、弾性率変化（ｔａｎδ）が最大となる温度をガラス転移温度とした。
温度；１６０℃、圧力；３．５ＭＰａ、時間；６０分間の条件でプレスした接着剤シートを５ｍｍ×２０ｍｍのサイズの試験片に切り出し、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ：ティー・エイ・インスツルメント社製、商品名；ＲＳＡ―Ｇ２）を用いて、３０℃から２００℃まで昇温速度４℃／分、周波数１１ＧＨｚで測定を行い、弾性率変化（ｔａｎδ）が最大となる温度をガラス転移温度とした。
［はぜ折りの測定（折り曲げ試験）］
特許第６３２００３１号に記載されているように、フレキシブル金属張積層板の金属箔をエッチング加工し、その長手方向に沿ってライン幅１００μｍ、スペース幅１００μｍにて長さが４０ｍｍの１０列の銅配線を形成した試験片（試験回路基板片）を作製した（図６）。試験片における導体配線のみを表した図６に示したように、その試験片４０における１０列の銅配線５１は、Ｕ字部５２を介して全て連続して繋がっており、その両端には抵抗値測定用の電極部分（図示外）を設けている。その試験片４０を、二つ折りが可能な試料ステージ２０及び２１上に固定し、抵抗値測定用の配線を接続して、抵抗値のモニタリングを開始した（図７）。折り曲げ試験は、１０列の銅配線５１に対して、長手方向のちょうど中央部分にて、ウレタン製のローラー２２を用いて、折り曲げ箇所４０ＣのギャップＧが０．５～１．５ｍｍとなるように制御しながら折り曲げた線と並行にローラーを移動させ１０列の銅配線５１を全て折り曲げた後（図８及び図９）、折り曲げ部分を開いて試験片を平らな状態に戻し（図１０）、折り目がついている部分を再度ローラーにて抑えたまま移動させ（図１１）、この一連の工程をもってはぜ折り回数１回とカウントするようにした。その常時配線の抵抗値をモニタリングしながら、折り曲げ試験を繰り返し、所定の抵抗（３０００Ω）になった時点を配線の破断と判断し、その時までに繰り返した折り曲げ回数をはぜ折り測定値とした。
特許第６３２００３１号に記載されているように、フレキシブル金属張積層板の金属箔をエッチング加工し、その長手方向に沿ってライン幅１００μｍ、スペース幅１００μｍにて長さが４０ｍｍの１０列の銅配線を形成した試験片（試験回路基板片）を作製した（図６）。試験片における導体配線のみを表した図６に示したように、その試験片４０における１０列の銅配線５１は、Ｕ字部５２を介して全て連続して繋がっており、その両端には抵抗値測定用の電極部分（図示外）を設けている。その試験片４０を、二つ折りが可能な試料ステージ２０及び２１上に固定し、抵抗値測定用の配線を接続して、抵抗値のモニタリングを開始した（図７）。折り曲げ試験は、１０列の銅配線５１に対して、長手方向のちょうど中央部分にて、ウレタン製のローラー２２を用いて、折り曲げ箇所４０ＣのギャップＧが０．５～１．５ｍｍとなるように制御しながら折り曲げた線と並行にローラーを移動させ１０列の銅配線５１を全て折り曲げた後（図８及び図９）、折り曲げ部分を開いて試験片を平らな状態に戻し（図１０）、折り目がついている部分を再度ローラーにて抑えたまま移動させ（図１１）、この一連の工程をもってはぜ折り回数１回とカウントするようにした。その常時配線の抵抗値をモニタリングしながら、折り曲げ試験を繰り返し、所定の抵抗（３０００Ω）になった時点を配線の破断と判断し、その時までに繰り返した折り曲げ回数をはぜ折り測定値とした。
［中立面位置の計算］
特許第６３２００３１号に記載されているように、図１２に示される第１層の下面を基準面ＳＰとする。以下、基準面ＳＰが図１２おける下側に凸形状になるように積層体を屈曲させる場合について考える。図１２において、符号ＮＰは積層体の中立面を表している。中立面位置［ＮＰ］(Ｎｅｕｔｒａｌ Ｐｌａｎｅ ｐｏｓｉｔｉｏｎ)は、次の式（２）によって算出される。ここで、Ｅは弾性率、Ｂは奥行き幅 (通常全層単位幅としＢi = １とする)、ｈは層の中央面と基準面との距離、ｔは層厚みである。
特許第６３２００３１号に記載されているように、図１２に示される第１層の下面を基準面ＳＰとする。以下、基準面ＳＰが図１２おける下側に凸形状になるように積層体を屈曲させる場合について考える。図１２において、符号ＮＰは積層体の中立面を表している。中立面位置［ＮＰ］(Ｎｅｕｔｒａｌ Ｐｌａｎｅ ｐｏｓｉｔｉｏｎ)は、次の式（２）によって算出される。ここで、Ｅは弾性率、Ｂは奥行き幅 (通常全層単位幅としＢi = １とする)、ｈは層の中央面と基準面との距離、ｔは層厚みである。
［等価曲げ剛性の計算］
特許第６３２００３１号に記載されているように、フレキシブル回路基板全体の曲げ剛性である等価曲げ剛性［ＢＲ］(Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｂｅｎｄｉｎｇ Ｒｉｇｉｄｉｔｙ)は、次の式（３）によって算出される。
特許第６３２００３１号に記載されているように、フレキシブル回路基板全体の曲げ剛性である等価曲げ剛性［ＢＲ］(Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｂｅｎｄｉｎｇ Ｒｉｇｉｄｉｔｙ)は、次の式（３）によって算出される。
式（２）において、図１２に示したように、ａiは第i層の上面と中立面ＮＰとの距離、ｂｉは第ｉ層の下面と中立面ＮＰとの距離であり、Ｅは引張弾性率，Ｂは奥行き幅 (通常全層単位幅としＢi = １とする)，ｈは層の中央面と基準面との距離，ｔは層厚みである。Σi＝1
ｎＥｉ（ａi３－ｂi３）／３は、Ｅｉ（ａｉ３－ｂｉ３）／３の値の、ｉが１からｎまでの総和である。なお、式（２）に関連するが、第ｉ層に関して、Ｂｉ（ａｉ
３－ｂｉ
３）／３は、一般に断面二次モーメントと呼ばれる断面の幾何学的な特性を表すパラメータである。この第ｉ層の断面二次モーメントに第ｉ層の引張弾性率を掛けた値が第ｉ層の曲げ剛性である。
実施例及び参考例に用いた略号は、以下の化合物を示す。
ＢＰＤＡ：３,３',４,４'‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物
ｍ‐ＴＢ：２,２'‐ジメチル‐４,４'‐ジアミノビフェニル
ＴＰＥ－Ｒ：１,３-ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゼン
ビスアニリン-Ｍ：１,３-ビス[２-(４-アミノフェニル)-２-プロピル]ベンゼン
ＮＭＰ：Ｎ－メチル－２－ピロリドン
ＤＭＡｃ：Ｎ,Ｎ‐ジメチルアセトアミド
ＢＴＤＡ：３,３’,４,４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
ＤＤＡ：炭素数３６の脂肪族ジアミン（クローダジャパン株式会社製、商品名；ＰＲＩＡ
ＭＩＮＥ１０７４、アミン価；２０５ｍｇＫＯＨ／ｇ、環状構造及び鎖状構造のダイマー
ジアミンの混合物、ダイマー成分の含有量；９５重量％以上）
ＢＡＰＰ：２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
Ｎ－１２：ドデカン二酸ジヒドラジド
ＯＰ９３５：有機ホスフィン酸アルミニウム塩（クラリアントジャパン社製、商品名；Ｅ
ｘｏｌｉｔ ＯＰ９３５）
ＢＰＤＡ：３,３',４,４'‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物
ｍ‐ＴＢ：２,２'‐ジメチル‐４,４'‐ジアミノビフェニル
ＴＰＥ－Ｒ：１,３-ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゼン
ビスアニリン-Ｍ：１,３-ビス[２-(４-アミノフェニル)-２-プロピル]ベンゼン
ＮＭＰ：Ｎ－メチル－２－ピロリドン
ＤＭＡｃ：Ｎ,Ｎ‐ジメチルアセトアミド
ＢＴＤＡ：３,３’,４,４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
ＤＤＡ：炭素数３６の脂肪族ジアミン（クローダジャパン株式会社製、商品名；ＰＲＩＡ
ＭＩＮＥ１０７４、アミン価；２０５ｍｇＫＯＨ／ｇ、環状構造及び鎖状構造のダイマー
ジアミンの混合物、ダイマー成分の含有量；９５重量％以上）
ＢＡＰＰ：２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
Ｎ－１２：ドデカン二酸ジヒドラジド
ＯＰ９３５：有機ホスフィン酸アルミニウム塩（クラリアントジャパン社製、商品名；Ｅ
ｘｏｌｉｔ ＯＰ９３５）
[合成例１]
（ポリイミド溶液１の調製）
窒素導入管、攪拌機、熱電対、ディーンスタークトラップ、冷却管を付した５００ｍＬの４ッ口フラスコに、４４．９２ｇのＢＴＤＡ（０．１３９モル）、７５．０８ｇのＤＤＡ（０．１４１モル）、１６８ｇのＮＭＰ及び１１２ｇのキシレンを装入し、４０℃で３０分間混合して、ポリアミド酸溶液を調製した。このポリアミド酸溶液を１９０℃に昇温し、４時間加熱、攪拌し、留出する水及びキシレンを系外に除去した。その後、１００℃まで冷却し、１１２ｇのキシレンを加え撹拌し、更に３０℃まで冷却することでイミド化を完結したポリイミド溶液１（固形分；２９．５重量％、重量平均分子量；７５，７００）を調製した。
（ポリイミド溶液１の調製）
窒素導入管、攪拌機、熱電対、ディーンスタークトラップ、冷却管を付した５００ｍＬの４ッ口フラスコに、４４．９２ｇのＢＴＤＡ（０．１３９モル）、７５．０８ｇのＤＤＡ（０．１４１モル）、１６８ｇのＮＭＰ及び１１２ｇのキシレンを装入し、４０℃で３０分間混合して、ポリアミド酸溶液を調製した。このポリアミド酸溶液を１９０℃に昇温し、４時間加熱、攪拌し、留出する水及びキシレンを系外に除去した。その後、１００℃まで冷却し、１１２ｇのキシレンを加え撹拌し、更に３０℃まで冷却することでイミド化を完結したポリイミド溶液１（固形分；２９．５重量％、重量平均分子量；７５，７００）を調製した。
[合成例２]
（ポリアミド酸溶液１の調製）
窒素気流下で、反応槽に、６４．２０ｇのｍ－ＴＢ（０．３０２モル）及び５．４８ｇのビスアニリン－Ｍ（０．０１６モル）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、３４．２０ｇのＰＭＤＡ（０．１５７モル）及び４６．１３ｇのＢＰＤＡ（０．１５７モル）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液１（粘度；２６，５００ｃｐｓ）を調製した。
（ポリアミド酸溶液１の調製）
窒素気流下で、反応槽に、６４．２０ｇのｍ－ＴＢ（０．３０２モル）及び５．４８ｇのビスアニリン－Ｍ（０．０１６モル）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、３４．２０ｇのＰＭＤＡ（０．１５７モル）及び４６．１３ｇのＢＰＤＡ（０．１５７モル）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液１（粘度；２６，５００ｃｐｓ）を調製した。
[合成例３]
（ポリアミド酸溶液２の調製）
６９．５６ｇのｍ－ＴＢ（０．３２８モル）、５４２．７５ｇのＴＰＥ－Ｒ（１．８５７モル）、重合後の固形分濃度が１２重量％となる量のＤＭＡｃ、１９４．３９ｇのＰＭＤＡ（０．８９１モル）及び３９３．３１ｇのＢＰＤＡ（１．３３７モル）を原料組成とした以外は、合成例２と同様にしてポリアミド酸溶液２（粘度；２,６５０ｃｐｓ）を調製した。
（ポリアミド酸溶液２の調製）
６９．５６ｇのｍ－ＴＢ（０．３２８モル）、５４２．７５ｇのＴＰＥ－Ｒ（１．８５７モル）、重合後の固形分濃度が１２重量％となる量のＤＭＡｃ、１９４．３９ｇのＰＭＤＡ（０．８９１モル）及び３９３．３１ｇのＢＰＤＡ（１．３３７モル）を原料組成とした以外は、合成例２と同様にしてポリアミド酸溶液２（粘度；２,６５０ｃｐｓ）を調製した。
[作製例１]
（ポリイミドワニス１から樹脂シート１の作製）
ポリイミド溶液１の１６９．４９ｇ（固形分として５０ｇ）に１．８ｇのＮ－１２（０．００３６モル）及び１２．５ｇのＯＰ９３５を配合し、６．４８５ｇのＮＭＰと１９．３４５ｇのキシレンを加えて希釈して、ポリイミドワニス１を調製した。
（ポリイミドワニス１から樹脂シート１の作製）
ポリイミド溶液１の１６９．４９ｇ（固形分として５０ｇ）に１．８ｇのＮ－１２（０．００３６モル）及び１２．５ｇのＯＰ９３５を配合し、６．４８５ｇのＮＭＰと１９．３４５ｇのキシレンを加えて希釈して、ポリイミドワニス１を調製した。
ポリイミドワニス１を乾燥後厚みが５０μｍとなるように離型基材（縦×横×厚さ＝３２０ｍｍ×２４０ｍｍ×２５μｍ）のシリコーン処理面に塗工した後、８０℃で１５分間加熱乾燥し、離型基材上から剥離することで樹脂シート１（厚み；５０μｍ）を作製した。樹脂シート１のＴｇは７８℃であり、比誘電率（Ｄｋ）及び誘電正接（Ｄｆ）はそれぞれ、２．６８、０．００２８であった。また、樹脂シート１の貯蔵弾性率の特性は次のとおりであった。
貯蔵弾性率の急勾配温度域；４０～７４℃
貯蔵弾性率（４０℃）；５．０×１０８Ｐａ
貯蔵弾性率（７４℃）；１．１×１０７Ｐａ
貯蔵弾性率（２５０℃）；３．０×１０６Ｐａ
貯蔵弾性率（４０℃）；５．０×１０８Ｐａ
貯蔵弾性率（７４℃）；１．１×１０７Ｐａ
貯蔵弾性率（２５０℃）；３．０×１０６Ｐａ
[作製例２～５]
（ポリイミドワニス１から樹脂シート２～５の作製）
乾燥後厚みを変更したこと以外、作製例１と同様にして、樹脂シート２（厚み；７５μｍ）、樹脂シート３（厚み；２５μｍ）、樹脂シート４（厚み；１９μｍ）及び樹脂シート５（厚み；３８μｍ）を作製した。
（ポリイミドワニス１から樹脂シート２～５の作製）
乾燥後厚みを変更したこと以外、作製例１と同様にして、樹脂シート２（厚み；７５μｍ）、樹脂シート３（厚み；２５μｍ）、樹脂シート４（厚み；１９μｍ）及び樹脂シート５（厚み；３８μｍ）を作製した。
[作製例６]
（片面金属張積層板１の作製）
銅箔１（福田金属社製電解銅箔 ＣＦ―Ｔ４９Ａ―ＤＳ―ＨＤ２、厚さ；１２μｍ、樹脂層側の表面粗度Ｒｚ；０．６μｍ、引張弾性率；３０ＧＰａ）の上に、ポリアミド酸溶液２を硬化後の厚みが約２～３μｍとなるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。次にその上にポリアミド酸溶液１を硬化後の厚みが、約２１μｍとなるように均一に塗布し、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、その上にポリアミド酸溶液３を硬化後の厚みが約２～３μｍとなるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、１２０℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結して、フレキシブル片面金属張積層板１（樹脂層厚み；２５μｍ）を作製した。
（片面金属張積層板１の作製）
銅箔１（福田金属社製電解銅箔 ＣＦ―Ｔ４９Ａ―ＤＳ―ＨＤ２、厚さ；１２μｍ、樹脂層側の表面粗度Ｒｚ；０．６μｍ、引張弾性率；３０ＧＰａ）の上に、ポリアミド酸溶液２を硬化後の厚みが約２～３μｍとなるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。次にその上にポリアミド酸溶液１を硬化後の厚みが、約２１μｍとなるように均一に塗布し、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、その上にポリアミド酸溶液３を硬化後の厚みが約２～３μｍとなるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、１２０℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結して、フレキシブル片面金属張積層板１（樹脂層厚み；２５μｍ）を作製した。
[作製例７]
（片面金属張積層板２の作製）
ポリアミド酸溶液の硬化後の厚みが約８μｍとなるように塗布したこと以外、作製例６と同様にして、片面金属張積層板２（樹脂層厚み；１２μｍ）を作製した。
（片面金属張積層板２の作製）
ポリアミド酸溶液の硬化後の厚みが約８μｍとなるように塗布したこと以外、作製例６と同様にして、片面金属張積層板２（樹脂層厚み；１２μｍ）を作製した。
[作製例８]
（片面金属張積層板３の作製）
ポリアミド酸溶液の硬化後の厚みが約３４μｍとなるように塗布したこと以外、作製例６と同様にして、片面金属張積層板３（樹脂層厚み；３８μｍ）を作製した。
（片面金属張積層板３の作製）
ポリアミド酸溶液の硬化後の厚みが約３４μｍとなるように塗布したこと以外、作製例６と同様にして、片面金属張積層板３（樹脂層厚み；３８μｍ）を作製した。
［実施例１］
（フレキシブル回路基板１の作製）
２枚の片面金属張積層板１を準備し、それぞれの樹脂層側の面を樹脂シート１の両面に重ね合わせ、１８０℃で２時間、３．５ＭＰａの圧力をかけて圧着して、フレキシブル金属張積層板１を作製した。次に、フレキシブル金属張積層板１の片面の金属層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して片面金属張積層板を調製した後、もう一方の金属層に所定の配線加工を施してフレキシブル回路基板１を調製した。フレキシブル回路基板１の評価結果を表１に示す。
（フレキシブル回路基板１の作製）
２枚の片面金属張積層板１を準備し、それぞれの樹脂層側の面を樹脂シート１の両面に重ね合わせ、１８０℃で２時間、３．５ＭＰａの圧力をかけて圧着して、フレキシブル金属張積層板１を作製した。次に、フレキシブル金属張積層板１の片面の金属層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して片面金属張積層板を調製した後、もう一方の金属層に所定の配線加工を施してフレキシブル回路基板１を調製した。フレキシブル回路基板１の評価結果を表１に示す。
［実施例２］
（フレキシブル回路基板２の作製）
２枚の片面金属張積層板２を準備し、それぞれの樹脂層側の面を樹脂シート２の両面に重ね合わせ、実施例１と同様にして、フレキシブル金属張積層板２を作製し、更にフレキシブル回路基板２を作製した。フレキシブル回路基板２の評価結果を表１に示す。
（フレキシブル回路基板２の作製）
２枚の片面金属張積層板２を準備し、それぞれの樹脂層側の面を樹脂シート２の両面に重ね合わせ、実施例１と同様にして、フレキシブル金属張積層板２を作製し、更にフレキシブル回路基板２を作製した。フレキシブル回路基板２の評価結果を表１に示す。
［実施例３］
（フレキシブル回路基板３の作製）
２枚の片面金属張積層板１を準備し、それぞれの樹脂層側の面を樹脂シート１の両面に重ね合わせ、実施例１と同様にして、フレキシブル金属張積層板３を作製し、更にフレキシブル回路基板３を作製した。フレキシブル回路基板３の評価結果を表１に示す。
（フレキシブル回路基板３の作製）
２枚の片面金属張積層板１を準備し、それぞれの樹脂層側の面を樹脂シート１の両面に重ね合わせ、実施例１と同様にして、フレキシブル金属張積層板３を作製し、更にフレキシブル回路基板３を作製した。フレキシブル回路基板３の評価結果を表１に示す。
［実施例４］
（フレキシブル回路基板４の作製）
２枚の片面金属張積層板３を準備し、それぞれの樹脂層側の面を樹脂シート３の両面に重ね合わせ、実施例１と同様にして、フレキシブル金属張積層板４を作製し、更にフレキシブル回路基板４を作製した。フレキシブル回路基板４の評価結果を表１に示す。
（フレキシブル回路基板４の作製）
２枚の片面金属張積層板３を準備し、それぞれの樹脂層側の面を樹脂シート３の両面に重ね合わせ、実施例１と同様にして、フレキシブル金属張積層板４を作製し、更にフレキシブル回路基板４を作製した。フレキシブル回路基板４の評価結果を表１に示す。
［実施例５］
（フレキシブル回路基板５の作製）
２枚の片面金属張積層板１を準備し、それぞれの樹脂層側の面を樹脂シート２の両面に重ね合わせ、実施例１と同様にして、フレキシブル金属張積層板５を作製し、更にフレキシブル回路基板５を作製した。フレキシブル回路基板５の評価結果を表１に示す。
（フレキシブル回路基板５の作製）
２枚の片面金属張積層板１を準備し、それぞれの樹脂層側の面を樹脂シート２の両面に重ね合わせ、実施例１と同様にして、フレキシブル金属張積層板５を作製し、更にフレキシブル回路基板５を作製した。フレキシブル回路基板５の評価結果を表１に示す。
［参考例１］
（参考回路基板１の作製）
銅箔１の上に、樹脂シート１を置き、さらにその上にポリイミドフィルム１（東レデュポン社製、商品名；カプトンＥＮ―Ｓ、厚さ；２５μｍ）を重ねた状態で、温度１７０℃、圧力０．８５ＭＰａ、時間１分の条件で真空ラミネートし、その後オーブンにて温度１６０℃、時間１時間の条件で加熱し、金属張積層板１を作製した。得られた金属張積層板１の金属層に所定の配線加工を施して参考回路基板１を作製した。参考回路基板１の評価結果を表２に示す。
（参考回路基板１の作製）
銅箔１の上に、樹脂シート１を置き、さらにその上にポリイミドフィルム１（東レデュポン社製、商品名；カプトンＥＮ―Ｓ、厚さ；２５μｍ）を重ねた状態で、温度１７０℃、圧力０．８５ＭＰａ、時間１分の条件で真空ラミネートし、その後オーブンにて温度１６０℃、時間１時間の条件で加熱し、金属張積層板１を作製した。得られた金属張積層板１の金属層に所定の配線加工を施して参考回路基板１を作製した。参考回路基板１の評価結果を表２に示す。
［参考例２］
（参考回路基板２の作製）
銅箔１の上に、樹脂シート４、ポリイミドフィルム１、樹脂シート４及び銅箔１をこの順番で重ねた状態で、参考例１と同様にして、金属張積層板２を作製した。得られた金属張積層板２の片面の金属層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して片面金属張積層板を調製した後、もう一方の金属層に所定の配線加工を施して参考回路基板２を作製した。参考回路基板２の評価結果を表２に示す。
（参考回路基板２の作製）
銅箔１の上に、樹脂シート４、ポリイミドフィルム１、樹脂シート４及び銅箔１をこの順番で重ねた状態で、参考例１と同様にして、金属張積層板２を作製した。得られた金属張積層板２の片面の金属層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して片面金属張積層板を調製した後、もう一方の金属層に所定の配線加工を施して参考回路基板２を作製した。参考回路基板２の評価結果を表２に示す。
［参考例３］
（参考回路基板３の作製）
銅箔１の上に、樹脂シート３、ポリイミドフィルム１、樹脂シート３及び銅箔１をこの順番で重ねた状態で、参考例１と同様にして、金属張積層板３を作製した。得られた金属張積層板３の片面の金属層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して片面金属張積層板を作製した後、もう一方の金属層に所定の配線加工を施して参考回路基板３を作製した。参考回路基板３の評価結果を表２に示す。
（参考回路基板３の作製）
銅箔１の上に、樹脂シート３、ポリイミドフィルム１、樹脂シート３及び銅箔１をこの順番で重ねた状態で、参考例１と同様にして、金属張積層板３を作製した。得られた金属張積層板３の片面の金属層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して片面金属張積層板を作製した後、もう一方の金属層に所定の配線加工を施して参考回路基板３を作製した。参考回路基板３の評価結果を表２に示す。
［参考例４］
（参考回路基板４の作製）
銅箔１の上に、樹脂シート５、ポリイミドフィルム１、樹脂シート５及び銅箔１をこの順番で重ねた状態で、参考例１と同様にして、金属張積層板４を作製した。得られた金属張積層板４の片面の金属層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して片面金属張積層板を作製した後、もう一方の金属層に所定の配線加工を施して参考回路基板４を調製した。参考回路基板４の評価結果を表２に示す。
（参考回路基板４の作製）
銅箔１の上に、樹脂シート５、ポリイミドフィルム１、樹脂シート５及び銅箔１をこの順番で重ねた状態で、参考例１と同様にして、金属張積層板４を作製した。得られた金属張積層板４の片面の金属層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して片面金属張積層板を作製した後、もう一方の金属層に所定の配線加工を施して参考回路基板４を調製した。参考回路基板４の評価結果を表２に示す。
［参考例５］
（参考回路基板５の作製）
銅箔１の上に、樹脂シート１、ポリイミドフィルム１、樹脂シート１及び銅箔１をこの順番で重ねた状態で、参考例１と同様にして、金属張積層板５を調製した。得られた金属張積層板５の片面の金属層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して片面金属張積層板を作製した後、もう一方の金属層に所定の配線加工を施して参考回路基板５を調製した。参考回路基板５の評価結果を表２に示す。
（参考回路基板５の作製）
銅箔１の上に、樹脂シート１、ポリイミドフィルム１、樹脂シート１及び銅箔１をこの順番で重ねた状態で、参考例１と同様にして、金属張積層板５を調製した。得られた金属張積層板５の片面の金属層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して片面金属張積層板を作製した後、もう一方の金属層に所定の配線加工を施して参考回路基板５を調製した。参考回路基板５の評価結果を表２に示す。
＜ポリイミド層の引張弾性率の測定用サンプルの作製＞
銅箔１の上に、所定のポリアミド酸溶液を所定の厚みになるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去し、１２０℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結して、片面金属張積層板を調製した。塩化第二鉄水溶液を用いて片面金属張積層板の銅箔層をエッチング除去してポリイミドフィルムを調製した。このポリイミドフィルムの引張弾性率を単層のポリイミド層の引張弾性率とした。
銅箔１の上に、所定のポリアミド酸溶液を所定の厚みになるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去し、１２０℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結して、片面金属張積層板を調製した。塩化第二鉄水溶液を用いて片面金属張積層板の銅箔層をエッチング除去してポリイミドフィルムを調製した。このポリイミドフィルムの引張弾性率を単層のポリイミド層の引張弾性率とした。
＜等価曲げ剛性の算出＞
フレキシブル金属張積層板の等価曲げ剛性の算出において、図１３に示すような積層体を例に説明する。上記はぜ折り試験のサンプルの状態を想定し、絶縁樹脂層の片面側に銅箔を貼り付けた層構造にて、上記式（３）にて算出する。積層体の等価曲げ剛性の計算に用いた数値は、全て単層の絶縁体として測定した数値を用いた。実施例１のケースに当てはめると、銅箔層（引張弾性率Ｍ１：３０．０ＧＰａ、厚みＴ１：１２μｍ）を第１層目とし、その上に順番に、２層目の絶縁体（引張弾性率Ｍ２：３．４ＧＰａ、厚みＴ２：２μｍ）、３層目の絶縁体（引張弾性率Ｍ３：８．０ＧＰａ、厚みＴ３：２１μｍ）、４層目の絶縁体（引張弾性率Ｍ４：３．４ＧＰａ、厚みＴ４：２μｍ）、５層目の絶縁体（引張弾性率Ｍ５：０．８ＧＰａ、厚みＴ５：１２μｍ）の層構成にて、等価曲げ剛性は０．１５Ｎ／ｍｍ２となり、トータル厚み（８７μｍ）の３乗で除した値は、２３４Ｎ／ｍｍ２となる。
フレキシブル金属張積層板の等価曲げ剛性の算出において、図１３に示すような積層体を例に説明する。上記はぜ折り試験のサンプルの状態を想定し、絶縁樹脂層の片面側に銅箔を貼り付けた層構造にて、上記式（３）にて算出する。積層体の等価曲げ剛性の計算に用いた数値は、全て単層の絶縁体として測定した数値を用いた。実施例１のケースに当てはめると、銅箔層（引張弾性率Ｍ１：３０．０ＧＰａ、厚みＴ１：１２μｍ）を第１層目とし、その上に順番に、２層目の絶縁体（引張弾性率Ｍ２：３．４ＧＰａ、厚みＴ２：２μｍ）、３層目の絶縁体（引張弾性率Ｍ３：８．０ＧＰａ、厚みＴ３：２１μｍ）、４層目の絶縁体（引張弾性率Ｍ４：３．４ＧＰａ、厚みＴ４：２μｍ）、５層目の絶縁体（引張弾性率Ｍ５：０．８ＧＰａ、厚みＴ５：１２μｍ）の層構成にて、等価曲げ剛性は０．１５Ｎ／ｍｍ２となり、トータル厚み（８７μｍ）の３乗で除した値は、２３４Ｎ／ｍｍ２となる。
実施例１～実施例５、参考例１～参考例５の評価結果をまとめて表１及び表２に示す。
＜まとめ＞
実施例１と参考例１及び３、実施例２～４と参考例４、並びに実施例５と参考例５とをそれぞれ対比させると、絶縁樹脂層の層厚が同じであっても、実施例の方が、はぜ折り試験回数が大きく増加していることがわかる。なお、参考例２のはぜ折り回数が９４回と比較的多いが、絶縁樹脂層を参考例２と同じ厚さとした本願発明のフレキシブル金属張積層板であれば、実施例１～５の結果（絶縁樹脂層が薄くなるとはぜ折り回数が増加する傾向があること）から、参考例２の結果よりもはぜ折り回数が大きく増加することが確実に気体できる。
実施例１と参考例１及び３、実施例２～４と参考例４、並びに実施例５と参考例５とをそれぞれ対比させると、絶縁樹脂層の層厚が同じであっても、実施例の方が、はぜ折り試験回数が大きく増加していることがわかる。なお、参考例２のはぜ折り回数が９４回と比較的多いが、絶縁樹脂層を参考例２と同じ厚さとした本願発明のフレキシブル金属張積層板であれば、実施例１～５の結果（絶縁樹脂層が薄くなるとはぜ折り回数が増加する傾向があること）から、参考例２の結果よりもはぜ折り回数が大きく増加することが確実に気体できる。
以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。
Ｃ、ＣＡ フレキシブル金属張積層板
Ｃ１ 第１の片面金属張積層板
Ｃ２ 第２の片面金属張積層板
ＭＡ、Ｍ１、Ｍ２ 金属層
ＰＡ ボトム絶縁樹脂層
Ｐ１ 第１の絶縁樹脂層
Ｐ２ 第２の絶縁樹脂層
Ｂ、ＢＡ 接着層
Ｘ 絶縁樹脂層
１００、１００Ａ フレキシブル金属張積層板
１０１、１０１Ａ 金属層
１１０、１１０Ａ ポリイミド層
１１１、１１１Ａ 非熱可塑性ポリイミド層
１１２、１１２Ａ 熱可塑性ポリイミド層
１２０、１２０Ａ 接着性ポリイミド層
１３０、１３０Ａ 片面金属張積層板
Ｃ１ 第１の片面金属張積層板
Ｃ２ 第２の片面金属張積層板
ＭＡ、Ｍ１、Ｍ２ 金属層
ＰＡ ボトム絶縁樹脂層
Ｐ１ 第１の絶縁樹脂層
Ｐ２ 第２の絶縁樹脂層
Ｂ、ＢＡ 接着層
Ｘ 絶縁樹脂層
１００、１００Ａ フレキシブル金属張積層板
１０１、１０１Ａ 金属層
１１０、１１０Ａ ポリイミド層
１１１、１１１Ａ 非熱可塑性ポリイミド層
１１２、１１２Ａ 熱可塑性ポリイミド層
１２０、１２０Ａ 接着性ポリイミド層
１３０、１３０Ａ 片面金属張積層板
Claims (5)
- 電子機器の筐体内に上面側が１８０度反転して下面側になるように折り曲げるはぜ折りによって折り畳んで収納されるフレキシブル回路基板に用いられるフレキシブル金属張積層板であって、
厚みが５０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲内、引張弾性率（ＴＭ１）が１ＧＰａ以上７ＧＰａ以下の範囲内の絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の少なくとも一方の面に積層された金属層と、を有しており、
前記絶縁樹脂層が複数のポリイミド層が積層されてなり、複数のポリイミド層の中心層としてポリイミド層（Ａ）を有し、前記ポリイミド層（Ａ）の厚みが前記絶縁樹脂層の全体の厚みに対して０．５以上０．９６以下の範囲内であり、
前記絶縁樹脂層における前記金属層との界面から厚み方向に５μｍの範囲内における引張弾性率（ＴＭ２）が２ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下の範囲内であり、前記引張弾性率（ＴＭ２）は前記引張弾性率（ＴＭ１）よりも大きいことを特徴とするフレキシブル金属張積層板。 - 前記金属層の厚みが６μｍ以上１５μｍ以下の範囲内である請求項１に記載のフレキシブル金属張積層板。
- 前記ポリイミド層（Ａ）の５０℃における貯蔵弾性率が、１８００ＭＰａ以下であり、１８０～２６０℃における貯蔵弾性率の最大値が、８００ＭＰａ以下である請求項１に記載のフレキシブル金属張積層板。
- 請求項１～３のいずれか１項に記載のフレキシブル金属張積層板における前記金属層が配線加工されてなるフレキシブル回路基板。
- 前記金属層が内側になるように折り曲げられた請求項４に記載のフレキシブル回路基板。
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