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JP7688566B2 - Wafer Holding Device - Google Patents
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JP7688566B2 - Wafer Holding Device - Google Patents

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JP7688566B2 JP2021201876A JP2021201876A JP7688566B2 JP 7688566 B2 JP7688566 B2 JP 7688566B2 JP 2021201876 A JP2021201876 A JP 2021201876A JP 2021201876 A JP2021201876 A JP 2021201876A JP 7688566 B2 JP7688566 B2 JP 7688566B2
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Description

本発明は、ハンドラー等で運ばれたウエーハ(略円形の薄板)を水平状態で受け取り、所定の姿勢で保持するウエーハ保持装置に関する。例えば、当該ウエーハ保持装置は、ウエーハを加工・処理等する処理装置や、ウエーハ上に形成されたデバイスチップの外観を撮像して検査する外観検査装置等に組み込んで用いられる。 The present invention relates to a wafer holding device that receives a wafer (a roughly circular thin plate) transported by a handler or the like in a horizontal position and holds it in a specified position. For example, the wafer holding device is incorporated into a processing device that processes and treats the wafer, or an appearance inspection device that photographs and inspects the appearance of device chips formed on the wafer.

半導体デバイスは、1枚の半導体ウエーハ上に多数の半導体デバイス回路(つまり、デバイスチップの繰り返し外観パターン)が層状に重なり合って形成された後、個々のチップ部品に個片化され、当該チップ部品がパッケージングされて、電子部品として単体で出荷されたり電気製品に組み込まれたりする。 Semiconductor devices are formed by stacking many semiconductor device circuits (i.e., the repeating external pattern of device chips) in layers on a single semiconductor wafer, which is then singulated into individual chip components, which are then packaged and shipped as individual electronic components or incorporated into electrical products.

そして、個々のチップ部品が個片化される前に、ウエーハ上に形成されたデバイスチップの繰り返し外観パターンを撮像した検査画像と基準画像とを比較して、各チップ部品の良否等に関する検査が行われる(例えば、特許文献1)。 Then, before the individual chip components are separated, an inspection image of the repeating appearance pattern of the device chips formed on the wafer is compared with a reference image to inspect the quality of each chip component (for example, Patent Document 1).

そして、検査対象となるウエーハは、ハンドラーと呼ばれる自動搬送装置によりカセットキャリア等から外観検査装置へと運ばれ、検査済み基板の払い出しや未検査基板の受け渡しが行われる。 Then, the wafer to be inspected is transported from a cassette carrier or the like to the visual inspection device by an automatic transport device called a handler, which dispenses inspected substrates and delivers uninspected substrates.

一般的に、外観検査装置で検査等するウエーハは、上面が平坦なウエーハ保持台で下面側から全面支持されて吸引保持等するなどして、撮像・検査等が行われていた(例えば、特許文献2)。 Generally, wafers to be inspected using visual inspection equipment are supported from the entire bottom side by a wafer holder with a flat top surface and are held by suction or the like to be imaged and inspected (for example, Patent Document 2).

特開2007-155610号公報JP 2007-155610 A 特開2006-269989号公報JP 2006-269989 A

しかし、保持対象となるウエーハの上下面に、配線パターン等の成膜が形成された機能領域がある場合、ウエーハの下面全体を平坦なウエーハ保持台で支持することが禁止される。また、ウエーハの上面側から、押さえ部材を接触させる姿勢矯正や、エアブロー等による加圧・姿勢矯正等が、禁止されていることもある。 However, if the top and bottom surfaces of the wafer to be held have functional areas on which films such as wiring patterns are formed, it is prohibited to support the entire bottom surface of the wafer with a flat wafer holder. In addition, posture correction by contacting the top surface of the wafer with a pressing member, and pressure and posture correction by air blowing, etc. may also be prohibited.

さらに、検査対象のウエーハが薄板であったり残留応力があったりすると、ウエーハの外周を平坦な姿勢で保持しようとしても、反りや変形が生じやすいため、ウエーハ外周の一部が浮いた状態となり、所望の姿勢で保持できないことがあった。 Furthermore, if the wafer being inspected is thin or has residual stress, even if an attempt is made to hold the outer periphery of the wafer in a flat position, warping or deformation is likely to occur, causing part of the wafer's outer periphery to float, making it impossible to hold it in the desired position.

そこで本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、
反りや変形を生じ易いウエーハを保持する際に、当該ウエーハの外周下部の一部しか接触が許されていない場合であっても、所望の姿勢で確実に保持することができるウエーハ保持装置を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention has been made in consideration of the above problems,
To provide a wafer holding device capable of surely holding a wafer which is prone to warping or deformation in a desired posture even when only a part of the lower outer periphery of the wafer is allowed to come into contact with the wafer.

以上の課題を解決するために、本発明に係る一態様は、
ウエーハを水平状態で受け取り、所定の姿勢で保持するウエーハ保持装置であって、
ウエーハの外周下部に設定された接触許容領域のうち、当該ウエーハの中心を取り囲むように少なくとも3ヶ所に振り分けて設定された第1支持部位を、下方から支える第1支持部と、
接触許容領域のうち、第1支持部の間を補う位置に設定された第2支持部位を、下方から支える第2支持部と、
接触許容領域のうち、第1支持部および第2支持部の間を補う位置に設定された第3支持部位を、下方から支える第3支持部と、
第1支持部の上端と第2支持部の上端との相対高さを変更する第1昇降部と、
第2支持部の上端と第3支持部の上端との相対高さを変更する第2昇降部と、
第1支持部位に負圧を生じさせてウエーハを吸引保持する負圧吸引部と、
第1昇降部および第2昇降部における相対高さの変更と、負圧吸引部による吸引保持または解除の切替を制御する制御部を備え、
制御部は、
第2支持部の上端および第3支持部の上端の高さよりも上方に第1支持部の上端を配置させる、第1支持モードと、
第3支持部の上端の高さよりも上方で、第1支持部の上端と第2支持部の上端とを同じ高さに配置させる、第2支持モードと、
第1支持部の上端および第2支持部の上端の高さを、第3支持部の上端の高さと同じ高さに配置させる、第3支持モードとを少なくとも有し、
前記第1支持モードにて受け取った前記ウエーハを吸引保持したまま、当該第1支持モードから前記第2支持モードに切り替えた後、前記第3支持モードに切り替えることを特徴とする。
In order to solve the above problems, one aspect of the present invention is to
A wafer holding device that receives a wafer in a horizontal state and holds it in a predetermined position,
A first support part that supports from below a first support portion that is set in at least three places in a contact allowable region set in a lower part of the outer periphery of the wafer so as to surround the center of the wafer;
a second support portion that supports, from below, a second support region that is set at a position that fills the gap between the first support portions within the contact allowable region;
a third support portion that supports, from below, a third support region that is set at a position that fills the gap between the first support portion and the second support portion within the contact allowable region;
a first lifting unit that changes a relative height between an upper end of the first support unit and an upper end of the second support unit;
a second lifting unit that changes a relative height between an upper end of the second support unit and an upper end of the third support unit;
a negative pressure suction unit that generates a negative pressure in the first support portion to suction and hold the wafer;
A control unit is provided for controlling a change in the relative height of the first lifting unit and the second lifting unit and switching between suction hold and release by the negative pressure suction unit,
The control unit
a first support mode in which the upper end of the first support portion is disposed above a height of an upper end of the second support portion and an upper end of the third support portion;
a second support mode in which the upper end of the first support portion and the upper end of the second support portion are disposed at the same height, above the height of the upper end of the third support portion;
a third support mode in which the height of the upper end of the first support portion and the height of the upper end of the second support portion are disposed at the same height as the height of the upper end of the third support portion;
The wafer received in the first supporting mode is held by suction while the mode is switched from the first supporting mode to the second supporting mode, and then the mode is switched to the third supporting mode.

上記態様によれば、ウエーハを支持する箇所や面積を段階的に増やすことができるので、反りや変形を生じ易いウエーハであっても、部分的な外周部の浮き上がりを防ぎつつ、所望の姿勢で外周部を保持することができる。 According to the above aspect, the locations and areas that support the wafer can be increased in stages, so even for wafers that are prone to warping or deformation, it is possible to hold the outer periphery in the desired position while preventing partial lifting of the outer periphery.

反りや変形を生じ易いウエーハを保持する際に、当該ウエーハの外周下部の一部しか接触が許されていない場合であっても、所望の姿勢で確実に保持することができる。 When holding a wafer that is prone to warping or deformation, even if only a portion of the lower periphery of the wafer is allowed to be in contact, the wafer can be reliably held in the desired position.

本発明を具現化する形態におけるウエーハ保持装置の一例を示す斜視図である。1 is a perspective view showing an example of a wafer holding device in an embodiment of the present invention. 本発明を具現化する形態におけるウエーハ保持装置の一例を示す平面図である。1 is a plan view showing an example of a wafer holding device in an embodiment embodying the present invention. 本発明を具現化する形態におけるウエーハ保持装置の一例を示すブロック図である。1 is a block diagram showing an example of a wafer holding device in an embodiment of the present invention. 本発明を具現化する形態におけるウエーハ保持装置の一例を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing an example of a wafer holding device in an embodiment of the present invention. 本発明を具現化する形態における動作フローの一例を示すフロー図である。FIG. 2 is a flow chart showing an example of an operational flow in an embodiment of the present invention. 本発明を具現化する別の形態におけるウエーハ保持装置の一例を示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing an example of a wafer holding device in another embodiment of the present invention. 本発明を具現化する別の形態におけるウエーハ保持装置の一例を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of a wafer holding device in another embodiment of the present invention. 本発明を具現化する別の形態における動作フローの一例を示すフロー図である。FIG. 11 is a flow chart showing an example of an operational flow in another embodiment of the present invention. 本発明を具現化するさらに別の形態におけるウエーハ保持装置の一例を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of a wafer holding device in still another embodiment of the present invention. 本発明を具現化するさらに別の形態における動作フローの一例を示すフロー図である。FIG. 11 is a flow chart showing an example of an operational flow in yet another embodiment of the present invention.

以下に、本発明を実施するための形態について、図を用いながら説明する。なお、以下の説明では、直交座標系の3軸をX、Y、Zとし、水平方向をX方向、Y方向と表現し、XY平面に垂直な方向(つまり、重力方向)をZ方向と表現する。また、Z方向は、重力に逆らう方向を上、重力がはたらく方向を下と表現する。 Below, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the three axes of the Cartesian coordinate system are designated as X, Y, and Z, the horizontal direction is expressed as the X direction and the Y direction, and the direction perpendicular to the XY plane (i.e., the direction of gravity) is expressed as the Z direction. In addition, the direction against gravity in the Z direction is expressed as up, and the direction in which gravity acts is expressed as down.

図1は、本発明を具現化する形態におけるウエーハ保持装置の一例を示す斜視図である。図2は、本発明を具現化する形態におけるウエーハ保持装置の一例を示す平面図である。図1,2には、本発明に係るウエーハ保持装置1を構成する各部とその配置例が示されている。図3は、本発明を具現化する形態におけるウエーハ保持装置の一例を示すブロック図である。図3には、本発明に係るウエーハ保持装置1を構成する各部と制御部との関わりが例示されている。 Figure 1 is a perspective view showing an example of a wafer holding device in a form embodying the present invention. Figure 2 is a plan view showing an example of a wafer holding device in a form embodying the present invention. Figures 1 and 2 show each part constituting the wafer holding device 1 according to the present invention and an example of its arrangement. Figure 3 is a block diagram showing an example of a wafer holding device in a form embodying the present invention. Figure 3 illustrates an example of the relationship between each part constituting the wafer holding device 1 according to the present invention and the control unit.

ウエーハ保持装置1は、不図示のハンドラー等で運ばれたウエーハWを水平状態で受け取り、所定の姿勢で保持するものである。保持対象となるウエーハWは、回路パターンが形成されている領域や機能性の成膜が施されている領域(概ね外縁とその周辺一部より内側部分)は、汚れや異物等の付着やキズや凹み等が生じることを避けるため、接触が許されていない。一方、これら領域より外側(外縁とその周辺一部)については、接触許容領域Rと呼ばれ、ハンドリング等のために接触が許されている。
具体的には、ウエーハ保持装置1は、第1支持部2、第2支持部3、第3支持部4、第1昇降部5、第2昇降部6、負圧吸引部8、制御部9等を備えている。
The wafer holding device 1 receives the wafer W transported by a handler (not shown) in a horizontal state and holds it in a predetermined position. In the wafer W to be held, contact is not permitted in the area where a circuit pattern is formed or the area where a functional film is formed (generally the inner part of the outer edge and a part of the periphery) to prevent adhesion of dirt or foreign matter, scratches, dents, etc. On the other hand, the area outside these areas (the outer edge and a part of the periphery) is called a contact-permitted area R, and contact is permitted for handling, etc.
Specifically, the wafer holding device 1 includes a first support section 2, a second support section 3, a third support section 4, a first lift section 5, a second lift section 6, a negative pressure suction section 8, a control section 9, and the like.

第1支持部2は、ウエーハWの外周下部Wbに設定された接触許容領域Rのうち、当該ウエーハWの中心Wcを取り囲むように少なくとも3ヶ所に振り分けて設定された第1支持部位S1を、下方から支えるものである。具体的には、第1支持部2は、第1当接支持部21、支柱22、連結部23等を備えている。 The first support portion 2 supports from below the first support portion S1, which is set in at least three locations within the contact-permitted region R set in the lower outer periphery Wb of the wafer W so as to surround the center Wc of the wafer W. Specifically, the first support portion 2 includes a first abutment support portion 21, a support pillar 22, a connecting portion 23, etc.

第1当接支持部21は、ウエーハWの外周下部Wbの第1支持部位S1と当接し、第1支持部位S1を下方から支え保持するものである。
具体的には、平面視してウエーハWの中心Wcを基準にすると、第1支持部位S1は、約120度間隔で振り分けた3ヶ所に設定されており、これら部位S1と位置が対応する様に第1当接支持部21が3ヶ所に配置されている。
より具体的には、第1当接支持部21は、第1支持部2の上端に配置されて、本体が金属や樹脂、ゴム等で構成されており、上端とエアが連通するエア連通口を備えた構造(例えば筒状)をしている。
The first contact support portion 21 comes into contact with a first support portion S1 of the lower outer periphery Wb of the wafer W, and supports and holds the first support portion S1 from below.
Specifically, when viewed in a plan view and based on the center Wc of the wafer W, the first support portions S1 are set at three locations spaced at intervals of approximately 120 degrees, and the first abutment support portions 21 are arranged at three locations so as to correspond in position to these portions S1.
More specifically, the first abutment support portion 21 is disposed at the upper end of the first support portion 2, and its main body is made of metal, resin, rubber, etc., and has a structure (e.g., cylindrical) with an air communication port through which air communicates with the upper end.

支柱22は、第1当接支持部21の上端位置を所定の高さに揃えるものである。具体的には、支柱22は、ウエーハWの厚み方向(Z方向)に所定の長さを有する棒状部材で構成されている。 The support pillar 22 aligns the upper end position of the first contact support portion 21 to a predetermined height. Specifically, the support pillar 22 is composed of a rod-shaped member having a predetermined length in the thickness direction (Z direction) of the wafer W.

連結部23は、支柱22の下部をそれぞれ固定しつつ、第1昇降部5と連結するものである。具体的には、連結部23は、平面視すると略Y字状をしており、中央付近から放射状に伸びた様な形の板状部材で構成されている。 The connecting parts 23 fix the lower parts of the support columns 22 and connect them to the first lifting part 5. Specifically, the connecting parts 23 are roughly Y-shaped in plan view and are made of plate-like members that extend radially from near the center.

第2支持部3は、ウエーハWの外周下部Wbに設定された接触許容領域Rのうち、第1支持部位S1の間を補う位置に設定された第2支持部位S2を、下方から支えるものである。具体的には、第2支持部3は、第2当接支持部31、支柱32、連結部33等を備えている。 The second support portion 3 supports from below the second support portion S2, which is set at a position that fills the gap between the first support portions S1 in the contact-permitted region R set at the lower outer periphery Wb of the wafer W. Specifically, the second support portion 3 includes a second abutment support portion 31, a support pillar 32, a connecting portion 33, etc.

第2当接支持部31は、ウエーハWの外周下部Wbの第1支持部位S1の間を補う位置に設定された第2支持部位S2と当接し、第2支持部位S2を下方から支えるものである。
具体的には、平面視してウエーハWの中心Wcを基準にすると、第2支持部位S2は、第1支持部位S1に対して約60度ずれた位置に振り分けた3ヶ所に設定されており、これら部位S2と位置が対応する様に第2当接支持部31が配置されている。
より具体的には、第2当接支持部31は、第2支持部3の上端に配置されて、本体が金属や樹脂、ゴム等で構成されており、上端とエアが連通するエア連通口を備えた構造(例えば筒状)をしている。
The second abutment support portion 31 abuts against a second support portion S2 set at a position that fills the gap between the first support portions S1 on the lower outer periphery Wb of the wafer W, and supports the second support portion S2 from below.
Specifically, when viewed in a plane and based on the center Wc of the wafer W, the second support portions S2 are set at three locations spaced apart at positions shifted by approximately 60 degrees from the first support portion S1, and the second abutment support portions 31 are arranged so that their positions correspond to those of these portions S2.
More specifically, the second abutment support portion 31 is disposed at the upper end of the second support portion 3, and its main body is made of metal, resin, rubber, etc., and has a structure (e.g., cylindrical) with an air communication port through which air communicates with the upper end.

支柱32は、第2当接支持部31の上端位置を所定の高さに揃えるものである。具体的には、支柱32は、ウエーハWの厚み方向(Z方向)に所定の長さを有する棒状部材で構成されている。 The support pillar 32 aligns the upper end of the second contact support portion 31 to a predetermined height. Specifically, the support pillar 32 is a rod-shaped member having a predetermined length in the thickness direction (Z direction) of the wafer W.

連結部33は、支柱32の下部をそれぞれ固定しつつ、第2昇降部6と連結するものである。具体的には、連結部33は、平面視すると略Y字状をしており、中央付近から放射状に伸びた様な形の板状部材で構成されている。 The connecting parts 33 fix the lower parts of the support columns 32 and connect them to the second lifting part 6. Specifically, the connecting parts 33 are roughly Y-shaped in plan view and are made of plate-like members that extend radially from near the center.

第3支持部4は、ウエーハWの外周下部Wbに設定された接触許容領域Rのうち、第1支持部位S1および第2支持部位S2の間を補う位置に設定された第3支持部位S3を、下方から支えるものである。具体的には、第3支持部4は、第3当接支持部41、支柱42、円弧状当接支持部43等を備えている。 The third support portion 4 supports from below the third support portion S3, which is set at a position that fills the gap between the first support portion S1 and the second support portion S2 in the contact-permitted region R set at the lower outer periphery Wb of the wafer W. Specifically, the third support portion 4 includes a third contact support portion 41, a support pillar 42, an arc-shaped contact support portion 43, etc.

第3当接支持部41は、ウエーハWの外周下部Wbの第1支持部位S1および第2支持部位S2の間を補う位置に設定された第3支持部位S3の少なくとも一部(円状の領域)と当接し、第3支持部位S3を下方から支えるものである。
具体的には、平面視してウエーハWの中心Wcを基準にすると、第3当接支持部41は、第1当接支持部21又は第2当接支持部31に対して約30度ずれた位置に振り分けた6ヶ所に配置されている。
より具体的には、第3当接支持部41は、第3支持部4の上端に配置されて、本体が金属や樹脂、ゴム等で構成されており、上端とエアが連通するエア連通口を備えた構造(例えば筒状)をしている。
The third abutment support portion 41 abuts against at least a portion (circular area) of the third support portion S3 which is set at a position that complements the gap between the first support portion S1 and the second support portion S2 on the lower outer periphery Wb of the wafer W, and supports the third support portion S3 from below.
Specifically, when viewed in a plane, with the center Wc of the wafer W as a reference, the third abutment support portion 41 is arranged in six locations spaced apart from the first abutment support portion 21 or the second abutment support portion 31 at positions shifted by approximately 30 degrees.
More specifically, the third abutment support portion 41 is disposed at the upper end of the third support portion 4, and its main body is made of metal, resin, rubber, etc., and has a structure (e.g., cylindrical) with an air communication port through which air communicates with the upper end.

支柱42は、第2当接支持部31の上端位置を所定の高さに揃えるものである。
具体的には、支柱42は、ウエーハWの厚み方向(Z方向)に所定の長さを有する棒状部材で構成されている。
The support pillar 42 aligns the upper end of the second contact support portion 31 at a predetermined height.
Specifically, the support pillar 42 is configured as a rod-shaped member having a predetermined length in the thickness direction of the wafer W (Z direction).

円弧状当接支持部43は、ウエーハWの外周下部Wbに設定された接触許容領域Rのうち、第1支持部位S1および第2支持部位S2の間を補う位置に設定された第3支持部位S3の円弧状の領域と当接し、当該領域を下方から支えるものである。さらに、円弧状当接支持部43は、その上端が第3当接支持部41の上端と同じ高さに設定して配置されている。
具体的には、平面視してウエーハWの中心Wcを基準にすると、円弧状当接支持部43は、第1当接支持部21、第2当接支持部31および第3当接支持部41の隙間を埋めるような位置(例えば12ヶ所)に、ウエーハWの外縁形状に沿った円弧状の部材が配置されている。
より具体的には、円弧状当接支持部43は、金属や樹脂、ゴム等で構成されており、不図示の連結金具等を介して装置フレーム1fに取り付けられている。
なお、「同じ高さ」とは、ミクロン単位で同じ高さである状態のみならず、ウエーハWを取り扱う上で支障の無い範囲で同じとみなせる状態も含み、上下方向の多少の誤差(例えば、弾性部材の変形で生じるミリ単位の誤差)が含まれていても良い(以下も同じ)。
The arc-shaped contact support portion 43 contacts with the arc-shaped region of the third support portion S3 set at a position that fills the gap between the first support portion S1 and the second support portion S2 in the contact allowance region R set in the outer circumferential lower portion Wb of the wafer W, and supports the region from below. Furthermore, the arc-shaped contact support portion 43 is disposed with its upper end set at the same height as the upper end of the third contact support portion 41.
Specifically, when viewed in a plan view and based on the center Wc of the wafer W, the arc-shaped abutment support portion 43 is an arc-shaped member that follows the outer edge shape of the wafer W and is arranged in a position (e.g., 12 locations) that fills the gaps between the first abutment support portion 21, the second abutment support portion 31, and the third abutment support portion 41.
More specifically, the arc-shaped contact support portion 43 is made of metal, resin, rubber, or the like, and is attached to the device frame 1f via a connecting metal fitting or the like (not shown).
In addition, "the same height" does not only mean a state in which the height is the same in microns, but also includes a state in which the height can be considered the same to the extent that it does not interfere with handling the wafer W, and may include some error in the vertical direction (for example, an error in millimeters caused by deformation of an elastic member) (the same applies below).

第1昇降部5は、第1支持部2の上端と第2支持部3の上端との相対高さを変更するものである。
具体的には、第1昇降部5は、第1支持部2をウエーハWの厚み方向(Z方向)に昇降動作させるものであり、第1支持部2の連結部材23を上下方向(Z方向)に昇降動作させるロッド51と、フレーム1fに取り付けられた本体部52等を備えている。
より具体的には、第1昇降部5は、ラックアンドピニオン機構やカム機構などの回転運動を直線運動に変換する機構(いわゆる、アクチュエータ)で構成されており、回転運動を行うモータ(ステッピングモータやサーボモータ等)を備えている。このモータは、制御部8に接続されており、所定の回転数で回転したり、所定の角度で静止したりする。そのため、第1昇降部5は、制御部8からの制御信号に基づいて、ロッド51を所定の速度で移動させたり、所定の位置で静止させたりすることができる。そのため、第1昇降部5は、第1支持部2を上下方向に移動させたり、所定の高さで静止させたりすることができる。
The first lifting section 5 changes the relative height between the upper end of the first support section 2 and the upper end of the second support section 3 .
Specifically, the first lifting section 5 raises and lowers the first support section 2 in the thickness direction (Z direction) of the wafer W, and includes a rod 51 that raises and lowers the connecting member 23 of the first support section 2 in the vertical direction (Z direction), and a main body section 52 attached to the frame 1f.
More specifically, the first lifting unit 5 is composed of a mechanism (so-called actuator) that converts rotational motion, such as a rack and pinion mechanism or a cam mechanism, into linear motion, and is equipped with a motor (such as a stepping motor or a servo motor) that performs rotational motion. This motor is connected to the control unit 8, and rotates at a predetermined number of rotations and stops at a predetermined angle. Therefore, the first lifting unit 5 can move the rod 51 at a predetermined speed and stop it at a predetermined position based on a control signal from the control unit 8. Therefore, the first lifting unit 5 can move the first support unit 2 in the vertical direction and stop it at a predetermined height.

第2昇降部6は、第2支持部3の上端と第3支持部4の上端との相対高さを変更するものである。
具体的には、第2昇降部6は、第2支持部4をウエーハWの厚み方向(Z方向)に昇降動作させるものであり、第2支持部3の連結部材33を上下方向(Z方向)に昇降動作させるロッド61と、フレーム1fに取り付けられた本体部62等を備えている。
より具体的には、第2昇降部6は、第1昇降部5と同様の構成をしており、制御部8からの制御信号に基づいて、ロッド61を所定の速度で移動させたり、所定の位置で静止させたりすることができる。そのため、第2昇降部6は、第2支持部3を上下方向に移動させたり、所定の高さで静止させたりすることができる。
The second lifting section 6 changes the relative height between the upper end of the second support section 3 and the upper end of the third support section 4 .
Specifically, the second lifting section 6 raises and lowers the second support section 4 in the thickness direction (Z direction) of the wafer W, and includes a rod 61 that raises and lowers the connecting member 33 of the second support section 3 in the vertical direction (Z direction), and a main body section 62 attached to the frame 1f.
More specifically, the second lifting unit 6 has a similar configuration to the first lifting unit 5, and can move the rod 61 at a predetermined speed and stop it at a predetermined position based on a control signal from the control unit 8. Therefore, the second lifting unit 6 can move the second support unit 3 in the vertical direction and stop it at a predetermined height.

負圧吸引部8は、第1支持部位S1、第2支持部位S2および第3支持部位S3に負圧を生じさせてウエーハWを吸引保持するものである。
具体的には、負圧吸引部8は、ウエーハWの外周下部Wbと当接する第1支持部2、第2支持部3および第3支持部4の上端に負圧を生じさせることで、ウエーハWを吸引保持するものである。
より具体的には、負圧吸引部8は、第1当接支持部21、第2当接支持部31および第3当接支持部41のエア連通口に接続されたエア配管、切替バルブ、負圧発生手段等で構成されている。
The negative pressure suction unit 8 generates a negative pressure at the first supporting portion S1, the second supporting portion S2 and the third supporting portion S3 to suction and hold the wafer W.
Specifically, the negative pressure suction section 8 suction-holds the wafer W by generating negative pressure at the upper ends of the first support section 2, the second support section 3, and the third support section 4, which abut against the lower outer periphery Wb of the wafer W.
More specifically, the negative pressure suction section 8 is composed of air piping connected to the air communication ports of the first abutment support section 21, the second abutment support section 31 and the third abutment support section 41, a switching valve, a negative pressure generating means, etc.

切替バルブは、第1当接支持部21、第2当接支持部31および第3当接支持部41のエア連通口それぞれと、負圧発生手段とを連通(つまり、吸引保持)させるか、大気と連通(つまり、吸引解除)させるかを個別に切り替えるものであり、制御部8と接続されている。 The switching valves individually switch between connecting each of the air communication ports of the first contact support part 21, the second contact support part 31, and the third contact support part 41 to the negative pressure generating means (i.e., suction holding) or to the atmosphere (i.e., suction release), and are connected to the control part 8.

負圧発生手段としては、真空ポンプやエジェクタ、それらに接続された圧力タンクや接続用配管等が例示できる。 Examples of negative pressure generating means include a vacuum pump, an ejector, a pressure tank connected to them, and connecting piping.

そして、第1当接支持部21、第2当接支持部31、第3当接支持部41は、切替バルブなどを介して真空ポンプなどの負圧発生手段と接続されている。そして、第1当接支持部21、第2当接支持部31、第3当接支持部41は、制御部8にて切替バルブ等を制御して、負圧状態若しくは大気解放状態に切り替えることで、ウエーハWを保持したり保持解除したりすることができる。 The first contact support portion 21, the second contact support portion 31, and the third contact support portion 41 are connected to a negative pressure generating means such as a vacuum pump via a switching valve or the like. The first contact support portion 21, the second contact support portion 31, and the third contact support portion 41 can hold or release the wafer W by switching between a negative pressure state or an open-to-atmosphere state by controlling the switching valve or the like by the control portion 8.

制御部9は、第1昇降部5および第2昇降部6における相対高さの変更を制御するものである。さらに、制御部9は、負圧吸引部8による吸引保持または解除の切替を制御するものである。
具体的には、制御部9は、第1昇降部5のモータと第2昇降部6のモータを制御して、ウエーハWを支え保持する高さを、上段位置H/中段位置M/下段位置Lに変更するものである。制御部9は、上段位置Hに切り替える第1支持モード、中段位置Mに切り替える第2支持モード、下段位置Lに切り替える第3支持モードを有しており、これら支持モードに切り替えることができる。なお、ここで言う上段位置H/中段位置M/下段位置Lとは、ウエーハWを支持する高さの違いに依らず、第1支持部2の上端、第2支持部3の上端および第3支持部4の上端の互いの位置関係に基づいて定義づけられた呼称である。
The control unit 9 controls the change in the relative height of the first lifting unit 5 and the second lifting unit 6. Furthermore, the control unit 9 controls the switching of the negative pressure suction unit 8 between suction hold and release.
Specifically, the control unit 9 controls the motor of the first lifting unit 5 and the motor of the second lifting unit 6 to change the height at which the wafer W is supported and held to an upper position H/middle position M/lower position L. The control unit 9 has a first support mode for switching to the upper position H, a second support mode for switching to the middle position M, and a third support mode for switching to the lower position L, and can switch between these support modes. Note that the upper position H/middle position M/lower position L referred to here are names defined based on the relative positions of the upper ends of the first support unit 2, the second support unit 3, and the third support unit 4, regardless of the difference in the height at which the wafer W is supported.

より具体的には、制御部9は、コンピュータやプログラマブルロジックコントローラ等(つまり、ハードウェア)と、その実行プログラム等(つまり、ソフトウェア)で構成されており、制御対象となる各部(第1昇降部5や第2昇降部5のモータ、負圧吸引部8の切替バルブ等)と制御信号を入出力し、所定の制御処理を行うよう構成されている。 More specifically, the control unit 9 is composed of a computer, a programmable logic controller, etc. (i.e., hardware) and its execution program, etc. (i.e., software), and is configured to input and output control signals to and from each part to be controlled (the motors of the first lifting unit 5 and the second lifting unit 5, the switching valve of the negative pressure suction unit 8, etc.) and perform predetermined control processing.

図4は、本発明を具現化する形態におけるウエーハ保持装置の一例を示す断面図である。図4(a)には、上段位置HにてウエーハWを支持している様子が示されている。
図4(b)には、を中段位置MにてウエーハW支持している様子が示されている。
図4(c)には、下段位置LにてウエーハWを支持している様子が示されている。
4A and 4B are cross-sectional views showing an example of a wafer holding device according to an embodiment of the present invention, in which a wafer W is supported at an upper position H. FIG.
FIG. 4(b) shows a state in which the wafer W is supported at the middle position M.
FIG. 4(c) shows a state in which the wafer W is supported at the lower position L.

上段位置は、第2支持部3の上端および第3支持部4の上端の高さよりも上方に第1支持部2の上端を配置させる位置関係を言う。そして、このような状態に移行して当該状態に保つモードを「第1支持モード」と呼ぶ。
具体的には、第1支持モードでは、第2当接保持部31および第3当接保持部41の上端の高さよりも上方に、第1当接保持部21の上端を配置させる。
The upper position refers to a positional relationship in which the upper end of the first support part 2 is located higher than the upper ends of the second support part 3 and the third support part 4. A mode in which the device transitions to this state and maintains this state is called a "first support mode."
Specifically, in the first support mode, the upper end of the first abutment holder 21 is disposed above the height of the upper ends of the second abutment holder 31 and the third abutment holder 41 .

第1支持モード(上段位置)にてウエーハWを上方から下降させて受渡動作を行えば、ウエーハWの第1支持部位S1に第1当接保持部21が当接するが、第2支持部位S2と第2当接保持部31や、第3支持部位S3と第3当接保持部41とは離隔した状態となる。このとき、外周下部を3ヶ所で支持されているウエーハWはたわみ易く、ウエーハWの第1支持部位S1ではない部位(例えば、第2支持部位S2)は、垂れ下がった状態になることが多い。 When the wafer W is lowered from above in the first support mode (upper position) to perform the transfer operation, the first abutment holder 21 abuts against the first support portion S1 of the wafer W, but the second support portion S2 and the second abutment holder 31, and the third support portion S3 and the third abutment holder 41 are separated. At this time, the wafer W, which is supported at three points on the lower periphery, is prone to bending, and the portions of the wafer W other than the first support portion S1 (for example, the second support portion S2) often become droopy.

中段位置は、第3支持部4の上端の高さよりも上方で、第1支持部2の上端と第2支持部3の上端とを同じ高さに配置させる位置関係を言う。そして、このような状態に移行して当該状態に保つモードを「第2支持モード」と呼ぶ。
具体的には、第2支持モードでは、第3当接保持部41の上端の高さよりも上方で、第1支持部2の上端と第2支持部3の上端とを同じ高さに配置させる。
The middle position refers to a positional relationship in which the upper ends of the first support part 2 and the second support part 3 are located at the same height, above the height of the upper end of the third support part 4. The mode in which the state is transitioned to and maintained in this state is called the "second support mode."
Specifically, in the second support mode, the upper ends of the first support portion 2 and the second support portion 3 are positioned at the same height, above the height of the upper end of the third abutment holding portion 41 .

第1支持モード(上段位置)でウエーハWを保持した状態から第2支持モード(中段位置)に切り替えれば、ウエーハWの第1支持部位S1と第1当接保持部21とが当接したまま、さらに第2支持部位S2と第2当接保持部31とが当接する。つまり、ウエーハWの外周下部Wbを支持する場所が増えると共に支持する間隔が狭くなる。
このとき、外周下部を6ヶ所で支持されているウエーハWのたわみが改善され、ウエーハWの第1支持部位S1および第2支持部位S2ではない部位(例えば、第3支持部位S3等)の垂れ下がりが減少する。
When the state in which the wafer W is held in the first support mode (upper stage position) is switched to the second support mode (middle stage position), the first support portion S1 of the wafer W remains in contact with the first contact holding portion 21, and the second support portion S2 also comes into contact with the second contact holding portion 31. That is, the number of places supporting the outer circumferential lower portion Wb of the wafer W increases and the supporting interval becomes narrower.
At this time, the deflection of the wafer W, which is supported at six points on the lower outer periphery, is improved, and sagging of the wafer W at portions other than the first support portion S1 and the second support portion S2 (e.g., the third support portion S3, etc.) is reduced.

下段位置は、第1支持部2の上端および第2支持部3の上端の高さを、第3支持部4の上端の高さと同じ高さに配置させる位置関係を言う。そして、このような状態に移行して当該状態に保つモードを「第3支持モード」と呼ぶ。
具体的には、第3支持モードでは、第1当接保持部21の上端および第2当接保持部31の上端の高さを、第3当接保持部41の上端の高さと同じ高さに配置させる。
The lower position refers to a positional relationship in which the height of the upper ends of the first support portion 2 and the second support portion 3 is the same as the height of the upper end of the third support portion 4. A mode in which the device transitions to this state and maintains this state is called a "third support mode."
Specifically, in the third support mode, the height of the upper end of the first abutment holder 21 and the upper end of the second abutment holder 31 are positioned at the same height as the upper end of the third abutment holder 41 .

第2支持モード(中段位置)でウエーハWを保持した状態から第3支持モード(下段位置)に切り替えれば、ウエーハWの第1支持部位S1と第1当接保持部21とが当接し、第2支持部位S2と第2当接保持部31とが当接したまま、さらに第3支持部位S3と第3当接保持部41とが当接する。
このとき、ウエーハWは、外周下部を外周全域に亘って支持されるため、中心部Wcは自重による凹みが生じるものの、外周のみに着目すれば垂れ下がりが改善され、平坦な状態で支持されることとなる。
When the wafer W is held in the second support mode (middle position) and then switched to the third support mode (lower position), the first support portion S1 of the wafer W abuts against the first abutment holding portion 21, the second support portion S2 remains in abutment against the second abutment holding portion 31, and then the third support portion S3 abuts against the third abutment holding portion 41.
At this time, since the lower periphery of the wafer W is supported around the entire periphery, the center Wc becomes indented due to its own weight, but if one focuses only on the periphery, the sagging is improved and the wafer W is supported in a flat state.

<動作フロー>
図5は、本発明を具現化する形態における動作フローの一例を示すフロー図である。
<Operation flow>
FIG. 5 is a flow diagram showing an example of an operational flow in an embodiment embodying the present invention.

先ず、ウエーハ保持装置1は、ウエーハWの受け取りが可能であれば、制御部9を第1支持モード(上段位置)に切り替え、待機する(ステップs1)。 First, if the wafer W can be received by the wafer holding device 1, the control unit 9 switches to the first support mode (upper stage position) and waits (step s1).

その後、ウエーハWを載置し(ステップs2)、ウエーハWの第1支持部位S1を吸引保持させる(ステップs3)。 Then, the wafer W is placed (step s2), and the first support portion S1 of the wafer W is held by suction (step s3).

そして、第1昇降部5や第2昇降部6を制御して、第2支持モード(中段位置)へ切り替え(ステップs4)した後、第3支持モード(下段位置)へ切り替える(ステップs5)。なお、第1支持モード(上段位置)から第2支持モード(中段位置)へ切り替えたときに、第2支持部位S2に負圧を生じさせてウエーハWを吸引保持し、第2支持モード(中段位置)から第3支持モード(下段位置)へ切り替えたときに、第3支持部位S3に負圧を生じさせてウエーハWを吸引保持させる。 Then, the first lifting unit 5 and the second lifting unit 6 are controlled to switch to the second support mode (middle position) (step s4), and then to the third support mode (lower position) (step s5). When switching from the first support mode (upper position) to the second support mode (middle position), negative pressure is generated at the second support site S2 to suction and hold the wafer W, and when switching from the second support mode (middle position) to the third support mode (lower position), negative pressure is generated at the third support site S3 to suction and hold the wafer W.

その後、所望の処理や検査等を実行し(ステップs6)、処理等が終了したかどうかを判定する(ステップs7)。そして、処理等が終了していなければ、上述のステップs6を継続し、処理等が終了していれば一連のフローを終了する。 Then, the desired processing, inspection, etc. is executed (step s6), and it is determined whether the processing, etc. is completed (step s7). If the processing, etc. is not completed, the above-mentioned step s6 is continued, and if the processing, etc. is completed, the series of flows is terminated.

この様な構成をしているため、本発明に係るウエーハ保持装置1は、ウエーハWを支持する箇所や面積を段階的に増やすことができるので、反りや変形を生じ易いウエーハWであっても、部分的な外周部の浮き上がりを防ぎつつ、所望の姿勢で外周部を保持することができる。そのため、反りや変形を生じ易いウエーハを保持する際に、当該ウエーハの外周下部の一部しか接触が許されていない場合であっても、所望の姿勢で確実に保持することができる。 Because of this configuration, the wafer holding device 1 of the present invention can gradually increase the locations and areas that support the wafer W, so that even for wafers W that are prone to warping or deformation, it is possible to hold the outer periphery in a desired position while preventing partial lifting of the outer periphery. Therefore, when holding a wafer that is prone to warping or deformation, even if only a portion of the lower periphery of the wafer is allowed to be in contact, it is possible to reliably hold the wafer in a desired position.

[変形例]
(第3支持部4について)
なお上述では、第3支持部4として、第3当接支持部41と円弧状当接支持部43を備えた構成を例示した。この場合、第3支持部位S3として、保持対象であるウエーハWの外縁形状に沿った円弧状に設定しておく。
この様な構成であれば、ウエーハWの外周下部Wbに設定された接触許容領域Rの大部分を支持することができ、極めて平坦な状態で支持できるため、より好ましい。
[Modification]
(Regarding the third support portion 4)
In the above description, the third support portion 4 is exemplified by a configuration including the third contact support portion 41 and the arc-shaped contact support portion 43. In this case, the third support portion S3 is set to have an arc shape that follows the outer edge shape of the wafer W to be held.
Such a configuration is more preferable because it is possible to support most of the contact allowable region R set in the outer circumferential lower portion Wb of the wafer W and to support the wafer W in an extremely flat state.

しかし、第3支持部4は、この様な構成に限定されず、他の構成であっても本発明を具現化することができる。
例えば、第3当接支持部41を省き、円弧状当接支持部43複数箇所に離隔配置させる構成としても良い。或いは、円弧状当接支持部43を省き、第3当接支持部41を複数箇所に離隔配置させる構成としても良い。この様な構成でも、ウエーハWの外周下部Wbに設定された接触許容領域Rを全周に亘って複数箇所で支えるので、ウエーハWを所望の姿勢で確実に保持することができる。
However, the third support portion 4 is not limited to this configuration, and the present invention can be realized even with other configurations.
For example, the third contact support portion 41 may be omitted, and the arc-shaped contact support portion 43 may be arranged at a distance in a plurality of locations. Alternatively, the arc-shaped contact support portion 43 may be omitted, and the third contact support portion 41 may be arranged at a distance in a plurality of locations. Even with such a configuration, the contact allowable region R set in the outer circumferential lower portion Wb of the wafer W is supported at a plurality of locations all around the circumference, so that the wafer W can be reliably held in a desired posture.

なお上述では、平面視してウエーハWの中心Wcを基準にすると、第1支持部位S1と第2支持部位S2が互いに60度間隔で振り分け配置された位置に設定され、これらの間を補う位置に第3支持部位S3が設定されており、これら部位S1~S3に対応する位置に、第1当接支持部21や第2当接支持部31、第3当接支持部41、円弧状当接支持部43が配置されている構成を例示した。この様な構成であれば、ウエーハWの外周を均等に振り分けて下方から支持し、上段位置から中段位置、下段位置へと支持状態を切り替える際に、ウエーハ外周の反りを改善しやすいため、好ましい。しかし、第1支持部位S1と第2支持部位S2は、この様な均等配置に限らず、適宜変更しても良い。また、第1支持部位S1は、4箇所以上に設定されていても良いし、第2支持部位S2は、4箇所以上に設定されていても良い。これら支持点数は、ウエーハWの厚みや変形量、残留応力等に応じて適宜決定すれば良い。 In the above description, the first support portion S1 and the second support portion S2 are set at positions that are arranged at 60 degree intervals from each other when viewed in a plan view and the center Wc of the wafer W is used as a reference, and the third support portion S3 is set at a position that complements the gap between them, and the first abutment support portion 21, the second abutment support portion 31, the third abutment support portion 41, and the arc-shaped abutment support portion 43 are arranged at positions corresponding to these portions S1 to S3. This configuration is preferable because it is easy to improve the warping of the wafer outer periphery when the outer periphery of the wafer W is evenly distributed and supported from below, and the support state is switched from the upper position to the middle position to the lower position. However, the first support portion S1 and the second support portion S2 are not limited to such an even arrangement and may be changed as appropriate. In addition, the first support portion S1 may be set at four or more locations, and the second support portion S2 may be set at four or more locations. The number of these support points can be determined appropriately depending on the thickness, deformation, residual stress, etc. of the wafer W.

(負圧吸引部8について)
なお上述では、負圧吸引部8として、第1支持部位S1、第2支持部位S2および第3支持部位S3に負圧を生じさせてウエーハWを吸引保持する構成を例示した。さらに、制御部9は、第2支持モード(中段位置)へ切り替えたときに、第2支持部位S2に負圧を生じさせてウエーハWを吸引保持し、第3支持モード(下段位置)へ切り替えたときに、第3支持部位S3に負圧を生じさせてウエーハWを吸引保持させるフローを例示した。
この様な構成であれば、ウエーハWの外周下部Wbに設定された接触許容領域Rの幅(つまり、径方向の長さ)が短くても、負圧吸引する箇所および面積を増やすことができる。そのため、ウエーハWを吸引保持する圧力を低めに設定しても、全体として保持力を高めることができ、保持中に外力が加わっても外れにくくなるので、好ましい。
(Regarding negative pressure suction unit 8)
In the above description, a configuration has been exemplified in which negative pressure is generated at the first supporting portion S1, the second supporting portion S2, and the third supporting portion S3 to suction and hold the wafer W as the negative pressure suction portion 8. Furthermore, a flow has been exemplified in which the control portion 9 generates a negative pressure at the second supporting portion S2 to suction and hold the wafer W when switching to the second supporting mode (middle position), and generates a negative pressure at the third supporting portion S3 to suction and hold the wafer W when switching to the third supporting mode (lower position).
With this configuration, the number of locations and areas to be subjected to negative pressure suction can be increased even if the width (i.e., the radial length) of the contact allowance region R set in the outer circumferential lower portion Wb of the wafer W is short. Therefore, even if the pressure for suction-holding the wafer W is set low, the overall holding force can be increased, and the wafer W is less likely to come off even if an external force is applied while being held, which is preferable.

しかし、負圧吸引部8は、この様な構成に限定されず、他の構成であっても本発明を具現化することができる。例えば、円弧状当接支持部43を多孔質材料で構成したり、円弧状当接支持部43の上面に溝や細孔を設けてエアが連通する構成にしたりして、第3当接支持部41と同様に負圧発生手段と接続しても良い。そうすることで、負圧吸引する箇所および面積を一層増やすことができる。そのため、ウエーハWを吸引保持する圧力を低めに設定しても、全体として保持力を高めることができ、保持中に外力が加わっても外れにくくなるので、より好ましい。 However, the negative pressure suction section 8 is not limited to this configuration, and the present invention can be realized with other configurations. For example, the arc-shaped contact support section 43 can be made of a porous material, or grooves or pores can be provided on the upper surface of the arc-shaped contact support section 43 to allow air to pass through, and it can be connected to a negative pressure generating means in the same way as the third contact support section 41. This can further increase the number of locations and areas that are subjected to negative pressure suction. Therefore, even if the pressure for suctioning and holding the wafer W is set low, the overall holding force can be increased, and it is more preferable because it is less likely to come off even if an external force is applied while holding it.

或いは、第1支持部位S1のみに負圧を生じさせる構成や、第1支持部位S1と第2支持部位S2に負圧を生じさせる構成としても良い。この様な構成でも、ウエーハWの外周下部Wbに設定された接触許容領域Rには負圧吸引力がはたらいているので、ウエーハWを所望の姿勢で確実に保持することができる。 Alternatively, negative pressure may be generated only at the first support portion S1, or at the first support portion S1 and the second support portion S2. Even with such a configuration, a negative pressure suction force acts on the contact allowance region R set at the lower outer periphery Wb of the wafer W, so the wafer W can be reliably held in the desired position.

(第1支持部2と第2支持部3について)
なお上述では、第1支持部2の支柱22よりも第2支持部3の支柱32の方が長く、第1支持部2の連結部材23が、第2支持部3の連結部材33よりも上方に配置されている構成を例示した。しかし、第1支持部2と第2支持部3は、この様な構成に限定されず、他の構成であっても本発明を具現化することができる。例えば、第1支持部2の連結部材23を第2支持部3の連結部材33よりも下方に配置し、第1支持部2の支柱22を第2支持部3の支柱32よりも長い構成としても良い。このとき、上段位置と中段位置との変更により連結部材23と連結部材33とが干渉しないようなクリアランスを考慮して、第1支持部2の支柱22の長さを設定する。
(Regarding the first support portion 2 and the second support portion 3)
In the above description, the pillars 32 of the second support section 3 are longer than the pillars 22 of the first support section 2, and the connecting members 23 of the first support section 2 are disposed above the connecting members 33 of the second support section 3. However, the first support section 2 and the second support section 3 are not limited to such a configuration, and the present invention can be realized with other configurations. For example, the connecting members 23 of the first support section 2 may be disposed below the connecting members 33 of the second support section 3, and the pillars 22 of the first support section 2 may be longer than the supporting members 32 of the second support section 3. In this case, the length of the pillars 22 of the first support section 2 is set in consideration of a clearance that prevents the connecting members 23 and 33 from interfering with each other due to the change between the upper stage position and the middle stage position.

なお上述では、第1昇降部5と第2昇降部6がそれぞれ独立して、装置フレーム1fに取り付けられており、第1昇降部5と第2昇降部6には各々モータを備えた構成を例示した。この様な構成であれば、モータの回転角度や回転速度等を制御して、第1支持部2や第2支持部3の上端の位置や移動速度等をきめ細かく制御できるため好ましい。 In the above description, the first lifting unit 5 and the second lifting unit 6 are independently attached to the device frame 1f, and the first lifting unit 5 and the second lifting unit 6 are each equipped with a motor. This configuration is preferable because it allows for precise control of the position and movement speed of the upper ends of the first support unit 2 and the second support unit 3 by controlling the rotation angle and rotation speed of the motor.

しかし、第1昇降部5と第2昇降部6は、この様な構成に限定されず、他の構成であっても本発明を具現化することができる。例えば、第1昇降部5が、第2支持部3の連結部材33に取り付けられた構成(いわゆる、2段重ね構造)としても良い。この場合、第1昇降部5と第2昇降部6は、モータの回転による昇降機構であってもよいし、エアシリンダー等のアクチュエータを用いても良い。 However, the first lifting/lowering section 5 and the second lifting/lowering section 6 are not limited to this configuration, and the present invention can be realized with other configurations. For example, the first lifting/lowering section 5 may be attached to the connecting member 33 of the second support section 3 (a so-called two-tiered structure). In this case, the first lifting/lowering section 5 and the second lifting/lowering section 6 may be a lifting mechanism that uses the rotation of a motor, or may use an actuator such as an air cylinder.

なお上述では、第1昇降部5として、第1支持部2をウエーハWの厚み方向(Z方向)に昇降動作させる構成を例示し、第2昇降部6として、第2支持部3をウエーハWの厚み方向(Z方向)に昇降動作させる構成を例示した。この様な構成であれば、上段位置Hから中段位置MにウエーハWを下降させ、中段位置Mから下段位置LにウエーハWを下降させるため、下段位置での重心を下方に下げることができる。また、部品点数が比較的少なく、重量の軽いユニットを昇降動作させるため、第1昇降部6や第2昇降部7のアクチュエータを小型化することができる。そのため、ウエーハ保持装置1を検査装置やプロセス機器等に組み込んで運用するのに好ましい。 In the above description, the first lifting unit 5 is exemplified as a configuration in which the first support unit 2 is raised and lowered in the thickness direction (Z direction) of the wafer W, and the second lifting unit 6 is exemplified as a configuration in which the second support unit 3 is raised and lowered in the thickness direction (Z direction) of the wafer W. With such a configuration, the wafer W is lowered from the upper position H to the middle position M, and then from the middle position M to the lower position L, so that the center of gravity at the lower position can be lowered downward. In addition, the number of parts is relatively small, and the actuators of the first lifting unit 6 and the second lifting unit 7 can be made smaller in size to raise and lower a light-weight unit. Therefore, it is preferable to incorporate the wafer holding device 1 into an inspection device, process equipment, etc. for use.

しかし、第1昇降部5と第2昇降部6は、この様な構成に限定されず、下述の様な構成としても良い。例えば、第1支持部3を固定しておき、第2支持部3を第1昇降部5にて昇降動作させ、第3支持部4を第2昇降部6にて昇降動作させる構成(いわゆる、せり上がり構造)としても良い。
この場合、第2支持部3と第3支持部4を下降させ、第1支持部3の上端が最も上方にある状態を上段位置Hと定義する。また、第3支持部4が下降したままで、第2支持部3を上昇させて、第1支持部3と第2支持部4の上端が第3支持部4の上端よりも上方にある状態を中段位置と定義する。また、第2支持部3と第3支持部4を上昇させ、第1支持部3と第2支持部4と第3支持部4の上端が同じ高さにある状態を下段位置と定義する。
However, the first lifting/lowering unit 5 and the second lifting/lowering unit 6 are not limited to this configuration, and may be configured as described below. For example, the first support unit 3 may be fixed, the second support unit 3 is lifted/lowered by the first lifting/lowering unit 5, and the third support unit 4 is lifted/lowered by the second lifting/lowering unit 6 (so-called rise structure).
In this case, the state in which the second support portion 3 and the third support portion 4 are lowered and the upper end of the first support portion 3 is at the uppermost position is defined as the upper stage position H. Also, the state in which the second support portion 3 is raised while the third support portion 4 remains lowered and the upper ends of the first support portion 3 and the second support portion 4 are higher than the upper end of the third support portion 4 is defined as the middle stage position. Also, the state in which the second support portion 3 and the third support portion 4 are raised and the upper ends of the first support portion 3, the second support portion 4, and the third support portion 4 are at the same height is defined as the lower stage position.

また上述では、第1昇降部5として、1つのアクチュエータで第1支持部2の連結部材23を上下方向に昇降させる構成を例示した。この様な構成であれば、複数組ある第1当接支持部21と支柱22を一体的に昇降させることができる。しかし、第1昇降部5は、この様な構成に限らず、複数組ある第1当接支持部21と支柱22を、それぞれ独立して昇降させる構成であっても良い。この構成の場合、第1支持部2において連結部材23を備える必要がなく、第2支持部3の連結部材33との干渉を気にせずに設計することができる。 Also, in the above description, a configuration has been given as an example of the first lifting unit 5 in which a single actuator lifts and lowers the connecting member 23 of the first support unit 2 in the vertical direction. With this configuration, the multiple sets of first abutment support units 21 and pillars 22 can be raised and lowered as a unit. However, the first lifting unit 5 is not limited to this configuration, and may be configured to lift and lower the multiple sets of first abutment support units 21 and pillars 22 independently. With this configuration, there is no need to provide a connecting member 23 in the first support unit 2, and it can be designed without worrying about interference with the connecting member 33 of the second support unit 3.

また上述では、第2昇降部6として、1つのアクチュエータで第2支持部3の連結部材33を上下方向に昇降させる構成を例示した。この様な構成であれば、複数組ある第2当接支持部31と支柱32を一体的に昇降させることができる。しかし、第2昇降部6は、この様な構成に限らず、複数組ある第2当接支持部31と支柱32を、それぞれ独立して昇降させる構成であっても良い。この構成の場合、第2支持部3において連結部材33を備える必要がなく、第1支持部2の連結部材23との干渉を気にせずに設計することができる。 Also, in the above description, the second lifting unit 6 is exemplified as being configured to use one actuator to lift the connecting member 33 of the second support unit 3 in the vertical direction. With this configuration, the multiple sets of second abutment support units 31 and pillars 32 can be lifted and lowered as a unit. However, the second lifting unit 6 is not limited to this configuration, and may be configured to lift and lower the multiple sets of second abutment support units 31 and pillars 32 independently. With this configuration, there is no need to provide a connecting member 33 in the second support unit 3, and it can be designed without worrying about interference with the connecting member 23 of the first support unit 2.

なお上述では、第1支持部2、第2支持部3、第3支持部4を備え、制御部9が第1支持モードから第2支持モードに切り替えた後、第3支持モードに切り替える構成を例示した。しかし、本発明を適用する上で、さらに細かなピッチで複数の支持部やそれらの上端の相対高さ変更する昇降部を備え、制御部にてより多段階で支持点数を増やしながらウエーハを支持させる構成としても良い。 In the above description, a configuration is exemplified in which the first support section 2, the second support section 3, and the third support section 4 are provided, and the control section 9 switches from the first support mode to the second support mode, and then switches to the third support mode. However, in applying the present invention, a configuration may be used in which multiple support sections are provided at finer pitches, and a lifting section that changes the relative heights of their upper ends is provided, and the control section supports the wafer while increasing the number of support points in more stages.

(以下、国優で追加)
なお、この様な3段階以上の多段階で支持点数を増やしながらウエーハWを支え保持する高さを変更するモードを「第1昇降モード」と呼ぶ。
(The following is added by Kunio)
Incidentally, such a mode in which the height at which the wafer W is supported and held is changed while increasing the number of supporting points in multiple stages of three or more stages is called a "first lifting mode."

[第2の形態]
そして、本発明を具現化する上で、ウエーハ保持装置1の制御部9は、この第1昇降モードのほかに、詳細を下述する「第2昇降モード」を有し、第1昇降モードと第2昇降モードのいずれかを選択して実行する形態であっても良い。
[Second embodiment]
In realizing the present invention, the control unit 9 of the wafer holding device 1 may have, in addition to this first lifting/lowering mode, a "second lifting/lowering mode" which will be described in detail below, and may be configured to select and execute either the first lifting/lowering mode or the second lifting/lowering mode.

図6は、本発明を具現化する別の形態におけるウエーハ保持装置の一例を示す斜視図である。図6には、破線で示す位置に取り付けられていた第2支持部3の連結部33等が取り外されている状態が示されている。 Figure 6 is a perspective view showing an example of a wafer holding device in another embodiment of the present invention. Figure 6 shows the state in which the connecting portion 33 of the second support portion 3, which was attached at the position indicated by the dashed line, has been removed.

具体的には、ウエーハ保持装置1は、第2支持部3を着脱可能な構造とし、第2支持部3の取り付け状態に応じて、制御部9は第1昇降モードと第2昇降モードのいずれかを選択して実行する。より具体的には、制御部9は、第2支持部3が取り付けられているときは、第1昇降モードを実行し、第2支持部3が取り外されているときは、第2昇降モードを実行する
第2昇降モードは、第4支持モードと第5支持モードとを有し、第4支持モードにて受け取ったウエーハWを吸引保持したまま、第4支持モードから第5支持モードに切り替えるものである。
Specifically, the wafer holding device 1 has a structure in which the second support part 3 is detachable, and the control part 9 selects and executes either the first lifting mode or the second lifting mode depending on the attachment state of the second support part 3. More specifically, the control part 9 executes the first lifting mode when the second support part 3 is attached, and executes the second lifting mode when the second support part 3 is detached. The second lifting mode has a fourth support mode and a fifth support mode, and switches from the fourth support mode to the fifth support mode while suction-holding the wafer W received in the fourth support mode.

第4支持モードは、第3支持部4の上端の高さよりも上方に第1支持部2の上端を配置させるものである。
具体的には、第4支持モードでは、第1当接保持部21の上端の高さが、第3当接保持部41の上端の高さ(つまり、下段位置)よりも上方にある上段位置Hに配置するよう、第1昇降部5のアクチュエータを制御して、ウエーハWを支え保持する高さを変更する。
In the fourth support mode, the upper end of the first support portion 2 is disposed at a height higher than the upper end of the third support portion 4 .
Specifically, in the fourth support mode, the actuator of the first lifting section 5 is controlled to change the height at which the wafer W is supported and held so that the height of the upper end of the first abutment holding section 21 is positioned at an upper position H that is higher than the height of the upper end of the third abutment holding section 41 (i.e., the lower position).

第5支持モードは、第1支持部2の上端の高さを、第3支持部4の上端の高さと同じ高さに配置させるものである。
具体的には、第5支持モードでは、第1当接保持部21の上端の高さが、第3当接保持部41の上端の高さと同じ高さ(つまり、下段位置)に配置するよう、第1昇降部5のアクチュエータを制御して、ウエーハWを支え保持する高さを変更する。
In the fifth support mode, the height of the upper end of the first support portion 2 is set to the same height as the height of the upper end of the third support portion 4 .
Specifically, in the fifth support mode, the actuator of the first lifting section 5 is controlled to change the height at which the wafer W is supported and held so that the height of the upper end of the first abutment holding section 21 is positioned at the same height as the upper end of the third abutment holding section 41 (i.e., the lower position).

図7は、本発明を具現化する別の形態におけるウエーハ保持装置の一例を示す断面図である。図7(a)には、第2昇降モードで、上段位置HにてウエーハWを支持している様子が示されている。図7(b)には、第2昇降モードで、下段位置LにてウエーハWを支持している様子が示されている。 Figure 7 is a cross-sectional view showing an example of a wafer holding device in another embodiment of the present invention. Figure 7(a) shows the state in which the wafer W is supported at the upper position H in the second lifting mode. Figure 7(b) shows the state in which the wafer W is supported at the lower position L in the second lifting mode.

具体的には、第2昇降モードに切り替える場合、作業者は、第2支持部3の第2当接支持部31ないし連結部33を第2昇降部6のロッド61から取り外し、制御部9に対して第2昇降モードを実行させる操作(例えば、スイッチ操作等)を行う。一方、第1昇降モードに切り替える場合は、作業者は、第2支持部3の第2当接支持部31ないし連結部33を第2昇降部6のロッド61に取り付け、制御部9に対して第1昇降モードを実行させる操作(例えば、スイッチ操作等)を行う。 Specifically, when switching to the second lifting mode, the worker removes the second abutment support part 31 or the connecting part 33 of the second support part 3 from the rod 61 of the second lifting part 6, and performs an operation (e.g., a switch operation, etc.) to cause the control part 9 to execute the second lifting mode. On the other hand, when switching to the first lifting mode, the worker attaches the second abutment support part 31 or the connecting part 33 of the second support part 3 to the rod 61 of the second lifting part 6, and performs an operation (e.g., a switch operation, etc.) to cause the control part 9 to execute the first lifting mode.

(変形例)
なお上述では、作業者が第2支持部3の連結部33を着脱し、手動で第1昇降モードと第2昇降モードの切り替えを行う構成を例示した。
(Modification)
In the above description, a configuration has been exemplified in which an operator manually switches between the first lifting mode and the second lifting mode by attaching and detaching the connecting portion 33 of the second support portion 3 .

しかし、本発明を具現化する上で、作業者が第2支持部3の連結部33を着脱しつつ、自動的に第1昇降モードと第2昇降モードの切り替えを行う構成であっても良い。
具体的には、ウエーハ保持装置1は、第2支持部3を着脱可能な構造をしており、在席検出部7を備え、第2支持部を取り外し可能な構成とする。
However, in realizing the present invention, a configuration may be used in which the first lifting mode and the second lifting mode are automatically switched between while an operator attaches and detaches the connecting portion 33 of the second support portion 3 .
Specifically, the wafer holding device 1 has a structure in which the second support portion 3 is detachable, and includes a seating detection portion 7, and the second support portion is detachable.

在席検出部7は、第2支持部3の取付け状態を検出するものである。
具体的には、在席検出部7は、第2支持部3の第2当接部31や支柱32が取り付けられている連結部33が、所定の位置に取り付けられているかどうかを検出するものである。
より具体的には、在席検出部7は、図1,3,6中の破線で示す様に、識別マーク71、撮像カメラ72、画像処理装置73等で構成されており、制御部9と接続されている。
The seat occupancy detector 7 detects the attachment state of the second support portion 3 .
Specifically, the occupancy detection unit 7 detects whether the second abutment portion 31 of the second support portion 3 and the connecting portion 33 to which the support pillar 32 are attached are attached at a predetermined position.
More specifically, as shown by dashed lines in FIGS. 1, 3 and 6 , the seat occupancy detection unit 7 is composed of an identification mark 71 , an image pickup camera 72 , an image processing device 73 , etc., and is connected to the control unit 9 .

識別マーク71は、第2支持部3が所定の位置に取り付けられているかどうかを判別するためのものである。具体的には、識別マーク71は、第2支持部3の連結部33に付されている。より具体的には、識別マーク71は、2次元コードや所定の模様(ケガキや打刻したものでも良い)等が例示できる。
撮像カメラ72は、識別マーク71を撮像し、撮像した画像を外部に出力するものである。
画像処理装置73は、撮像カメラ72で撮像した画像を処理し、当該画像内に識別マーク71が含まれているかどうかを判別するものである。
The identification mark 71 is for determining whether the second support part 3 is attached at a predetermined position. Specifically, the identification mark 71 is provided on the connecting part 33 of the second support part 3. More specifically, the identification mark 71 can be, for example, a two-dimensional code or a predetermined pattern (which may be a marking or stamping).
The imaging camera 72 captures an image of the identification mark 71 and outputs the captured image to the outside.
The image processing device 73 processes the image captured by the imaging camera 72 and determines whether or not the identification mark 71 is included in the image.

在席検出部7は、このような構成をしているため、識別マーク71が検出されれば、第2支持部3が取り付けられていると判別する。一方、識別マーク71が検出されなければ、第2支持部3が取り外されていると判別する。 Since the seat occupancy detection unit 7 is configured in this way, if the identification mark 71 is detected, it determines that the second support unit 3 is attached. On the other hand, if the identification mark 71 is not detected, it determines that the second support unit 3 is removed.

そして、制御部9は、在席検出部7で検出した第2支持部3の取付け状態に応じて、第1昇降モードと第2昇降モードのいずれかを選択して実行する構成とする。
具体的には、制御部9は、在席検出部7で第2支持部3が取り付けられていると判別すれば、第1昇降モードを実行し、在席検出部7で第2支持部3が取り外されていると判別されれば、第2昇降モードを実行する。
The control unit 9 is configured to select and execute either the first lifting mode or the second lifting mode depending on the attachment state of the second support unit 3 detected by the seat occupancy detection unit 7 .
Specifically, if the seat occupancy detection unit 7 determines that the second support unit 3 is attached, the control unit 9 executes the first lifting/lowering mode, and if the seat occupancy detection unit 7 determines that the second support unit 3 is detached, the control unit 9 executes the second lifting/lowering mode.

<動作フロー>
図8は、本発明を具現化する別の形態における動作フローの一例を示すフロー図である。
<Operation flow>
FIG. 8 is a flow diagram showing an example of an operational flow in another embodiment of the present invention.

先ず作業者は、第2支持部3の連結部33を取り付け又は取り外し、取付け状態を確認する(ステップs10)。そして、第2支持部3が取り付けられていれば、制御部9は、上述の第1昇降モード(ステップs1~s5)を実行する。一方、第2支持部3が取り外されていれば、制御部9は、以下に示す第2昇降モード(ステップs21~s24)を実行する。 First, the worker attaches or detaches the connecting portion 33 of the second support portion 3 and checks the attachment state (step s10). Then, if the second support portion 3 is attached, the control unit 9 executes the first lifting mode (steps s1 to s5) described above. On the other hand, if the second support portion 3 is detached, the control unit 9 executes the second lifting mode (steps s21 to s24) described below.

第2昇降モードでは、ウエーハ保持装置1は、ウエーハWの受け取りが可能であれば、制御部9を第4支持モード(上段位置)に切り替え、待機する(ステップs21)。 In the second lifting mode, if the wafer W can be received, the wafer holding device 1 switches the control unit 9 to the fourth support mode (upper stage position) and waits (step s21).

その後、ウエーハWを載置し(ステップs22)、ウエーハWの第1支持部位S1を吸引保持させる(ステップs23)。 Then, the wafer W is placed (step s22) and the first support portion S1 of the wafer W is held by suction (step s23).

そして、第1昇降部5を制御して、第5支持モード(下段位置)へ切り替える(ステップs24)。なお、第4支持モード(上段位置)から第5支持モード(下段位置Lへ切り替えたときに、第3支持部位S3に負圧を生じさせてウエーハWを吸引保持させる。 Then, the first lifting unit 5 is controlled to switch to the fifth support mode (lower position) (step s24). When switching from the fourth support mode (upper position) to the fifth support mode (lower position L), negative pressure is generated in the third support portion S3 to suction and hold the wafer W.

その後、所望の処理や検査等を実行し(ステップs6)、処理等が終了したかどうかを判定する(ステップs7)。そして、処理等が終了していなければ、上述のステップs6を継続し、処理等が終了していれば一連のフローを終了する。 Then, the desired processing, inspection, etc. is executed (step s6), and it is determined whether the processing, etc. is completed (step s7). If the processing, etc. is not completed, the above-mentioned step s6 is continued, and if the processing, etc. is completed, the series of flows is terminated.

この様な形態であれば、反りや変形を生じ易いウエーハを保持する際は、第1昇降モードを実行して確実に保持することができる。さらに、反りや変形の生じていないウエーハを保持する際は、第2昇降モードを実行して迅速に保持できるため、単位時間あたりのウエーハの処理枚数を増やすことができるので好ましい。 In this configuration, when holding a wafer that is prone to warping or deformation, the first lifting mode can be executed to hold the wafer securely. Furthermore, when holding a wafer that is not warped or deformed, the second lifting mode can be executed to hold the wafer quickly, which is preferable because it increases the number of wafers that can be processed per unit time.

なお上述のフローでは、ステップs10において、作業者が第2支持部3の取付け状態を判別(手動判別)する構成を例示した。しかし、ステップs10において、ウエーハ保持装置1は、在席検出部7を用いて識別マーク71を撮像カメラ72で撮像し、識別マーク71の有無を画像処理装置73で判別することで第2支持部3の取付け状態を判別(自動判別)する構成であっても良い。 In the above flow, a configuration in which an operator determines (manually determines) the installation state of the second support part 3 in step s10 has been exemplified. However, in step s10, the wafer holding device 1 may be configured to use the seating detection unit 7 to capture an image of the identification mark 71 with the imaging camera 72, and determine the presence or absence of the identification mark 71 with the image processing device 73 to determine (automatically determine) the installation state of the second support part 3.

なお上述では、在席検出部7が識別マーク71や撮像カメラ72、画像処理装置73を備え、識別マーク71の有無で第2支持部3の取付け状態を判別する構成を例示した。
しかし、在席検出部7は、このような構成に限らず、センサ等により連結部33の着脱状体を検出し、着脱状態に応じてON/OFF信号を切り替えて出力する構成であっても良い。
In the above description, the seat occupancy detection unit 7 includes the identification mark 71, the imaging camera 72, and the image processing device 73, and the attachment state of the second support unit 3 is determined based on the presence or absence of the identification mark 71.
However, the seat occupancy detection unit 7 is not limited to this configuration, and may be configured to detect the attached/detached state of the connecting portion 33 by a sensor or the like, and switch between outputting an ON/OFF signal depending on the attached/detached state.

なお上述では、ステップs24において、第4支持モード(上段位置)から第5支持モード(下段位置)へ切り替えたときに、第3支持部位S3に負圧を生じさせてウエーハWを吸引保持させる構成を例示した。このような構成であれば、ウエーハの保持が確実になるため好ましい。しかし、ウエーハWの反りや変形等が少なく、保持が確実にできる場合は、第1支持部位S1による吸引保持だけでも良い。 In the above, when switching from the fourth support mode (upper stage position) to the fifth support mode (lower stage position) in step s24, a configuration is exemplified in which a negative pressure is generated in the third support portion S3 to suction-hold the wafer W. This configuration is preferable because it ensures reliable holding of the wafer. However, if there is little warping or deformation of the wafer W and it can be reliably held, suction-holding by the first support portion S1 alone may be sufficient.

[第3の形態]
なお上述では、第2支持部3を着脱し、第1昇降モードと第2昇降モードとを選択して切り替える形態を例示した。
しかし、本発明を具現化する上で、第2支持部3の着脱および第2昇降モードの具備は、必須の構成ではなく、第2支持部3を下段位置Lに固定した状態で、第1支持部2を上段位置H/下段位置Lの2段階に切り替えてウエーハWを昇降させる「第3昇降モード」を有し、第1昇降モードと第3昇降モードのいずれかを選択して実行する形態であっても良い。
[Third embodiment]
In the above description, the embodiment in which the second support portion 3 is detached and the first lifting mode and the second lifting mode are selected and switched is shown as an example.
However, in realizing the present invention, the attachment and detachment of the second support part 3 and the provision of the second lifting and lowering mode are not essential configurations, and the present invention may have a "third lifting and lowering mode" in which the first support part 2 is switched between two positions, upper position H/lower position L, to lift and lower the wafer W while the second support part 3 is fixed at the lower position L, and the present invention may be configured to select and execute either the first lifting and lowering mode or the third lifting and lowering mode.

第3昇降モードは、第6支持モードと第7支持モードとを有し、第6支持モードにて受け取ったウエーハWを吸引保持したまま、第6支持モードから第7支持モードに切り替えるものである。なお、第3昇降モードは、第1昇降モードと同様に、(図2に示すように)第2支持部3が取り付けられた状態で実行する。 The third lifting mode has a sixth support mode and a seventh support mode, and switches from the sixth support mode to the seventh support mode while the wafer W received in the sixth support mode is held by suction. Note that the third lifting mode is performed with the second support part 3 attached (as shown in FIG. 2), similar to the first lifting mode.

第6支持モードは、第2支持部3の上端および第3支持部4の上端の高さよりも上方に第1支持部の上端を配置させるものである。
具体的には、第6支持モードでは、第2当接保持部31の上端の高さと第3当接保持部41の上端の高さを同じ高さ(つまり、下段位置L)に配置しておき、これらよりも上方にある上段位置Hに、第1当接保持部21の上端の高さが配置されるよう、第1昇降部5のアクチュエータを制御して、ウエーハWを支え保持する高さを変更する。
In the sixth support mode, the upper end of the first support part is disposed at a height higher than the upper ends of the second support part 3 and the third support part 4 .
Specifically, in the sixth support mode, the height of the upper end of the second abutment holding portion 31 and the height of the upper end of the third abutment holding portion 41 are positioned at the same height (i.e., lower position L), and the actuator of the first lifting unit 5 is controlled to change the height at which the wafer W is supported and held so that the height of the upper end of the first abutment holding portion 21 is positioned at upper position H, which is higher than these.

第7支持モードは、第1支持部3の上端の高さを、第2支持部4の上端および第3支持部4の上端の高さと同じ高さ(つまり、下段位置L)に配置させるものである。
具体的には、第7支持モードでは、第1当接保持部21の上端の高さが、第2当接保持部31の上端および第3当接保持部41の上端の高さと同じ高さ(つまり、下段位置L)に配置するよう、第1昇降部5のアクチュエータを制御して、ウエーハWを支え保持する高さを変更する。
The seventh support mode is a mode in which the upper end of the first support portion 3 is positioned at the same height as the upper ends of the second support portion 4 and the third support portion 4 (i.e., lower position L).
Specifically, in the seventh support mode, the actuator of the first lifting unit 5 is controlled to change the height at which the wafer W is supported and held so that the height of the upper end of the first abutment holding portion 21 is positioned at the same height as the upper ends of the second abutment holding portion 31 and the third abutment holding portion 41 (i.e., lower position L).

図9は、本発明を具現化するさらに別の形態におけるウエーハ保持装置の一例を示す断面図である。図9(a)には、第3昇降モードで、上段位置HにてウエーハWを支持している様子が示されている。図9(b)には、第3昇降モードで、下段位置LにてウエーハWを支持している様子が示されている。 Figure 9 is a cross-sectional view showing an example of a wafer holding device in yet another embodiment of the present invention. Figure 9(a) shows the state in which the wafer W is supported at the upper position H in the third lifting mode. Figure 9(b) shows the state in which the wafer W is supported at the lower position L in the third lifting mode.

<動作フロー>
図10は、本発明を具現化するさらに別の形態における動作フローの一例を示すフロー図である。
<Operation flow>
FIG. 10 is a flow diagram showing an example of an operational flow in yet another embodiment of the present invention.

先ず作業者は、第2支持部3の連結部33が取り付いている状態において、第1昇降モードと第3昇降モードのいずれでウエーハWを昇降させるかを選択する(ステップs15)。そして、制御部9は、いずれの昇降モードが選択されているかを判別し(ステップs16)、第1昇降モードが選択されていれば、上述と同様にステップs1~s5を実行する。一方、第3昇降モードが選択されていれば、以下に示す第3昇降モード(ステップs31~s34)を実行する。 First, with the connecting portion 33 of the second support portion 3 attached, the operator selects whether to use the first lifting mode or the third lifting mode to lift and lower the wafer W (step s15). The control portion 9 then determines which lifting mode has been selected (step s16), and if the first lifting mode has been selected, executes steps s1 to s5 as described above. On the other hand, if the third lifting mode has been selected, executes the third lifting mode (steps s31 to s34) described below.

第3昇降モードでは、ウエーハ保持装置1は、ウエーハWの受け取りが可能であれば、制御部9を第6支持モード(上段位置)に切り替え、待機する(ステップs31)。 In the third lifting mode, if the wafer W can be received, the wafer holding device 1 switches the control unit 9 to the sixth support mode (upper stage position) and waits (step s31).

その後、ウエーハWを載置し(ステップs32)、ウエーハWの第1支持部位S1を吸引保持させる(ステップs33)。 Then, the wafer W is placed (step s32), and the first support portion S1 of the wafer W is held by suction (step s33).

そして、第1昇降部5を制御して、第7支持モード(下段位置)へ切り替える(ステップs34)。なお、第6支持モード(上段位置)から第7支持モード(下段位置)へ切り替えたときに、第2支持部位S2や第3支持部位S3に負圧を生じさせてウエーハWを吸引保持させる。 Then, the first lifting unit 5 is controlled to switch to the seventh support mode (lower position) (step s34). When switching from the sixth support mode (upper position) to the seventh support mode (lower position), negative pressure is generated in the second support portion S2 and the third support portion S3 to suction and hold the wafer W.

その後、所望の処理や検査等を実行し(ステップs6)、処理等が終了したかどうかを判定する(ステップs7)。そして、処理等が終了していなければ、上述のステップs6を継続し、処理等が終了していれば一連のフローを終了する。 Then, the desired processing, inspection, etc. is executed (step s6), and it is determined whether the processing, etc. is completed (step s7). If the processing, etc. is not completed, the above-mentioned step s6 is continued, and if the processing, etc. is completed, the series of flows is terminated.

この様な形態であれば、反りや変形を生じ易いウエーハを保持する際は、第1昇降モードを実行して確実に保持することができる。さらに、反りや変形の生じていないウエーハを保持する際は、第3昇降モードを実行して迅速に保持できるため、単位時間あたりのウエーハの処理枚数を増やすことができるので好ましい。 In this configuration, when holding a wafer that is prone to warping or deformation, the first lifting mode can be executed to hold the wafer securely. Furthermore, when holding a wafer that is not warped or deformed, the third lifting mode can be executed to hold the wafer quickly, which is preferable because it increases the number of wafers that can be processed per unit time.

なお上述のフローでは、ステップs15にて作業者が第1昇降モードと第3昇降モードのいずれでウエーハWを昇降させるかを選択し、ステップs16にていずれの昇降モードが選択されているかを判別する構成を例示した。
しかし、第1昇降モードを実行するか、第3実行モードを実行するかは、作業者の操作等により選択する構成であっても良いが、ハンドリングするウエーハWの品種情報(いわゆる、レシピファイル等)と紐付けて登録しておき、制御部9がステップs15にてレシピ情報を受け取り、ステップs16にて昇降モードを判別する構成であっても良い。つまり、保持するウエーハWの種類(つまり、変形しやすいかどうか)により、第1昇降モードを用いるか、第3昇降モードを用いるか作業者が判断しても良いし、予め登録したレシピファイルに基づいて自動的に切り替えする構成であっても良い。
In the above flow, an example is given of a configuration in which in step s15 the operator selects whether to lift or lower the wafer W in the first lifting mode or the third lifting mode, and in step s16 it is determined which lifting mode has been selected.
However, whether to execute the first lifting/lowering mode or the third execution mode may be selected by an operator's operation, or may be registered in association with type information (so-called recipe file, etc.) of the wafer W to be handled, and the control unit 9 may receive the recipe information in step s15 and determine the lifting/lowering mode in step s16. In other words, the operator may determine whether to use the first lifting/lowering mode or the third lifting/lowering mode depending on the type of the wafer W to be held (i.e., whether it is easily deformed), or the lifting/lowering mode may be automatically switched based on a recipe file registered in advance.

制御部9が、自動的に昇降モードを切り替える構成であれば、作業者が第2支持部3を着脱する手間が省けるので好ましい。さらに、作業者による昇降モードの設定間違いを防ぐことができるので、より好ましい。 If the control unit 9 is configured to automatically switch the lifting mode, this is preferable because it saves the worker the trouble of attaching and detaching the second support unit 3. Furthermore, this is even more preferable because it prevents the worker from setting the lifting mode incorrectly.

なお上述では、ステップs34において、第6支持モード(上段位置)から第7支持モード(下段位置)へ切り替えたときに、第2支持部位S2や第3支持部位S3に負圧を生じさせてウエーハWを吸引保持させる構成を例示した。このような構成であれば、ウエーハの保持が確実になるため好ましい。しかし、ウエーハWの反りや変形等が少なく、保持が確実にできる場合は、第1支持部位S1による吸引保持だけでも良い。 In the above, when switching from the sixth support mode (upper stage position) to the seventh support mode (lower stage position) in step s34, a configuration has been exemplified in which negative pressure is generated in the second support portion S2 and the third support portion S3 to suction-hold the wafer W. This configuration is preferable because it ensures reliable holding of the wafer. However, if there is little warping or deformation of the wafer W and it can be reliably held, suction-holding by the first support portion S1 alone may be sufficient.

なお上述では、第2支持部3を下段位置Lに固定しておく構成を例示したが、この様な構成に限らず、第1支持部2と第2支持部3とを連動させて昇降させ、第1当接保持部21と第3当接保持部41とを共に、上段位置H/下段位置Lに切り替える構成であっても良い。
なお上述では、制御部9は、第1昇降モードと、第2昇降モードまたは第3昇降モードを有する構成を例示したが、第1昇降モードと第2昇降モードと第3昇降モードとを有し、作業者による段取り替えや操作により第2昇降モードを実行したり、作業者の操作により第3昇降モードを実行したり、ウエーハWの品種情報に基づいて自動的に第3昇降モードを実行したりする構成であっても良い。具体的には、図8に示した動作フローのステップs11において、第2支持部3が取り付けられていると判別した後、図10に示した動作フロー(ステップs15以降)を実行する構成が例示できる。
In the above, an example has been given of a configuration in which the second support portion 3 is fixed in the lower position L, but the present invention is not limited to this configuration. A configuration in which the first support portion 2 and the second support portion 3 are raised and lowered in conjunction with each other, and both the first abutment holding portion 21 and the third abutment holding portion 41 are switched between the upper position H and the lower position L, may also be used.
In the above description, the control unit 9 has been exemplified as having the first lifting mode, and the second or third lifting mode, but the control unit 9 may have the first lifting mode, the second lifting mode, and the third lifting mode, and may execute the second lifting mode by a change of setup or operation by an operator, execute the third lifting mode by an operation by an operator, or automatically execute the third lifting mode based on the type information of the wafer W. Specifically, a configuration can be exemplified in which, after it is determined that the second support unit 3 is attached in step s11 of the operation flow shown in Fig. 8, the operation flow shown in Fig. 10 (steps s15 and thereafter) is executed.

1 ウエーハ保持装置
2 第1支持部
3 第2支持部
4 第3支持部
5 第1昇降部
6 第2昇降部
7 在席検出部
8 負圧吸引部
9 制御部
21 第1当接保持部
22 支柱
23 連結部材
31 第2当接保持部
32 支柱
33 連結部材
41 第3当接保持部
42 支柱
43 連結部材
51 ロッド
52 本体
61 ロッド
62 本体
71 識別マーク
72 撮像カメラ
73 画像処理装置
W ウエーハ
R 接触許容領域
S1 第1支持部位
S2 第2支持部位
S3 第3支持部位
REFERENCE SIGNS LIST 1 wafer holding device 2 first support section 3 second support section 4 third support section 5 first lift section 6 second lift section 7 occupancy detection section 8 negative pressure suction section 9 control section 21 first contact holding section 22 support column 23 connecting member 31 second contact holding section 32 support column 33 connecting member 41 third contact holding section 42 support column 43 connecting member 51 rod 52 main body 61 rod 62 main body 71 identification mark 72 imaging camera 73 image processing device W wafer R contact allowable area S1 first support portion S2 second support portion S3 third support portion

Claims (8)

ウエーハを水平状態で受け取り、所定の姿勢で保持するウエーハ保持装置であって、
前記ウエーハの外周下部に設定された接触許容領域のうち、当該ウエーハの中心を取り囲むように少なくとも3ヶ所に振り分けて設定された第1支持部位を、下方から支える第1支持部と、
前記接触許容領域のうち、前記第1支持部の間を補う位置に設定された第2支持部位を、下方から支える第2支持部と、
前記接触許容領域のうち、前記第1支持部および前記第2支持部の間を補う位置に設定された第3支持部位を、下方から支える第3支持部と、
前記第1支持部の上端と前記第2支持部の上端との相対高さを変更する第1昇降部と、
前記第2支持部の上端と前記第3支持部の上端との相対高さを変更する第2昇降部と、
前記第1支持部位に負圧を生じさせて前記ウエーハを吸引保持する負圧吸引部と、
前記第1昇降部および前記第2昇降部における前記相対高さの変更と、前記負圧吸引部による吸引保持または解除の切替を制御する制御部を備え、
前記制御部は、
前記第2支持部の上端および前記第3支持部の上端の高さよりも上方に前記第1支持部の上端を配置させる、第1支持モードと、
前記第3支持部の上端の高さよりも上方で、前記第1支持部の上端と前記第2支持部の上端とを同じ高さに配置させる、第2支持モードと、
前記第1支持部の上端および前記第2支持部の上端の高さを、前記第3支持部の上端の高さと同じ高さに配置させる、第3支持モードとを少なくとも有し、
前記第1支持モードにて受け取った前記ウエーハを吸引保持したまま、当該第1支持モードから前記第2支持モードに切り替えた後、前記第3支持モードに切り替える
ことを特徴とする、ウエーハ保持装置。
A wafer holding device that receives a wafer in a horizontal state and holds it in a predetermined position,
A first support part that supports from below a first support portion that is set in at least three places in a contact allowable region set in a lower part of the outer periphery of the wafer so as to surround the center of the wafer;
a second support portion that supports, from below, a second support portion that is set at a position that fills the gap between the first support portions in the contact allowable region;
a third support portion that supports, from below, a third support region that is set at a position that fills the gap between the first support portion and the second support portion in the contact allowable region;
a first lifting unit that changes a relative height between an upper end of the first support unit and an upper end of the second support unit;
a second lifting unit that changes a relative height between an upper end of the second support unit and an upper end of the third support unit;
a negative pressure suction unit that generates a negative pressure in the first support portion to suction and hold the wafer;
a control unit that controls a change in the relative height of the first lifting unit and the second lifting unit and a switching between suction hold and release by the negative pressure suction unit,
The control unit is
a first support mode in which an upper end of the first support portion is disposed above a height of an upper end of the second support portion and an upper end of the third support portion;
a second support mode in which an upper end of the first support portion and an upper end of the second support portion are disposed at the same height above an upper end of the third support portion;
a third support mode in which the height of an upper end of the first support portion and the height of an upper end of the second support portion are disposed at the same height as the height of an upper end of the third support portion;
a wafer holding device which switches from the first support mode to the second support mode while suction-holding the wafer received in the first support mode, and then switches to the third support mode.
前記第3支持部位は、保持対象である前記ウエーハの外縁形状に沿った円弧状に設定されていることを特徴とする、請求項1に記載のウエーハ保持装置。 The wafer holding device according to claim 1, characterized in that the third support portion is set in an arc shape that follows the outer edge shape of the wafer to be held. 前記負圧吸引部は、前記第2支持部位にも負圧を生じさせて前記ウエーハを吸引保持することを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載のウエーハ保持装置。 The wafer holding device according to claim 1 or 2, characterized in that the negative pressure suction unit also generates a negative pressure in the second support portion to suction and hold the wafer. 前記負圧吸引部は、前記第3支持部位にも負圧を生じさせて前記ウエーハを吸引保持することを特徴とする、請求項3に記載のウエーハ保持装置。 The wafer holding device according to claim 3, characterized in that the negative pressure suction unit also generates a negative pressure in the third support portion to suction and hold the wafer. ウエーハを水平状態で受け取り、所定の姿勢で保持するウエーハ保持装置であって、
前記ウエーハの外周下部に設定された接触許容領域のうち、当該ウエーハの中心を取り囲むように少なくとも3ヶ所に振り分けて設定された第1支持部位を、下方から支える第1支持部と、
前記接触許容領域のうち、前記第1支持部の間を補う位置に設定された第2支持部位を、下方から支える第2支持部と、
前記接触許容領域のうち、前記第1支持部および前記第2支持部の間を補う位置に設定された第3支持部位を、下方から支える第3支持部と、
前記第1支持部の上端と前記第2支持部の上端との相対高さを変更する第1昇降部と、
前記第2支持部の上端と前記第3支持部の上端との相対高さを変更する第2昇降部と、
前記第1支持部位に負圧を生じさせて前記ウエーハを吸引保持する負圧吸引部と、
前記第1昇降部および前記第2昇降部における前記相対高さの変更と、前記負圧吸引部による吸引保持または解除の切替を制御する制御部を備え、
前記制御部は、第1昇降モードと、第2昇降モードとを少なくとも有し、
前記第1昇降モードは、
前記第2支持部の上端および前記第3支持部の上端の高さよりも上方に前記第1支持部の上端を配置させる、第1支持モードと、
前記第3支持部の上端の高さよりも上方で、前記第1支持部の上端と前記第2支持部の上端とを同じ高さに配置させる、第2支持モードと、
前記第1支持部の上端および前記第2支持部の上端の高さを、前記第3支持部の上端の高さと同じ高さに配置させる、第3支持モードとを少なくとも有し、
前記第1支持モードにて受け取った前記ウエーハを吸引保持したまま、当該第1支持モードから前記第2支持モードに切り替えた後、前記第3支持モードに切り替え、
前記第2昇降モードは、
前記第3支持部の上端の高さよりも上方に前記第1支持部の上端を配置させる、第4支持モードと、
前記第1支持部の上端の高さを、前記第3支持部の上端の高さと同じ高さに配置させる、第5支持モードとを有し、
前記第4支持モードにて受け取った前記ウエーハを吸引保持したまま、当該第4支持モードから前記第5支持モードに切り替え、
前記制御部は、前記第1昇降モードと前記第2昇降モードのいずれかを選択して実行する
ことを特徴とする、ウエーハ保持装置。
A wafer holding device that receives a wafer in a horizontal state and holds it in a predetermined position,
A first support part that supports from below a first support portion that is set in at least three places in a contact allowable region set in a lower part of the outer periphery of the wafer so as to surround the center of the wafer;
a second support portion that supports, from below, a second support portion that is set at a position that fills the gap between the first support portions in the contact allowable region;
a third support portion that supports, from below, a third support region that is set at a position that fills the gap between the first support portion and the second support portion in the contact allowable region;
a first lifting unit that changes a relative height between an upper end of the first support unit and an upper end of the second support unit;
a second lifting unit that changes a relative height between an upper end of the second support unit and an upper end of the third support unit;
a negative pressure suction unit that generates a negative pressure in the first support portion to suction and hold the wafer;
a control unit that controls a change in the relative height of the first lifting unit and the second lifting unit and a switching between suction hold and release by the negative pressure suction unit,
The control unit has at least a first lifting mode and a second lifting mode,
The first lifting mode is
a first support mode in which an upper end of the first support portion is disposed above a height of an upper end of the second support portion and an upper end of the third support portion;
a second support mode in which an upper end of the first support portion and an upper end of the second support portion are disposed at the same height above an upper end of the third support portion;
a third support mode in which the height of an upper end of the first support portion and the height of an upper end of the second support portion are disposed at the same height as the height of an upper end of the third support portion;
While holding the wafer received in the first support mode by suction, the first support mode is switched to the second support mode, and then the third support mode is switched to;
The second lifting mode is
a fourth support mode in which an upper end of the first support portion is disposed above a height of an upper end of the third support portion;
a fifth support mode in which a height of an upper end of the first support portion is the same as a height of an upper end of the third support portion;
switching from the fourth support mode to the fifth support mode while suction-holding the wafer received in the fourth support mode;
The wafer holding device, wherein the control unit selects and executes either the first lifting mode or the second lifting mode.
前記第2支持部は、着脱可能な構造をしており、
前記第2支持部の取付け状態を検出する在席検出部を備え、
前記制御部は、
前記在席検出部で前記第2支持部の取付けが検出されれば、前記第1昇降モードを実行し、
前記在席検出部で前記第2支持部の取外しが検出されれば、前記第2昇降モードを実行することを特徴とする、請求項5に記載のウエーハ保持装置。
The second support portion has a detachable structure,
an occupancy detection unit that detects an attachment state of the second support unit;
The control unit is
When the seat occupancy detection unit detects that the second support unit is attached, the first lifting mode is executed;
6. The wafer holding device according to claim 5, wherein the second lifting mode is executed when the presence detector detects that the second support part has been removed.
ウエーハを水平状態で受け取り、所定の姿勢で保持するウエーハ保持装置であって、
前記ウエーハの外周下部に設定された接触許容領域のうち、当該ウエーハの中心を取り囲むように少なくとも3ヶ所に振り分けて設定された第1支持部位を、下方から支える第1支持部と、
前記接触許容領域のうち、前記第1支持部の間を補う位置に設定された第2支持部位を、下方から支える第2支持部と、
前記接触許容領域のうち、前記第1支持部および前記第2支持部の間を補う位置に設定された第3支持部位を、下方から支える第3支持部と、
前記第1支持部の上端と前記第2支持部の上端との相対高さを変更する第1昇降部と、
前記第2支持部の上端と前記第3支持部の上端との相対高さを変更する第2昇降部と、
前記第1支持部位に負圧を生じさせて前記ウエーハを吸引保持する負圧吸引部と、
前記第1昇降部および前記第2昇降部における前記相対高さの変更と、前記負圧吸引部による吸引保持または解除の切替を制御する制御部を備え、
前記制御部は、1昇降モードと、第3昇降モードとを少なくとも有し、
前記第1昇降モードは、
前記第2支持部の上端および前記第3支持部の上端の高さよりも上方に前記第1支持部の上端を配置させる、第1支持モードと、
前記第3支持部の上端の高さよりも上方で、前記第1支持部の上端と前記第2支持部の上端とを同じ高さに配置させる、第2支持モードと、
前記第1支持部の上端および前記第2支持部の上端の高さを、前記第3支持部の上端の高さと同じ高さに配置させる、第3支持モードとを少なくとも有し、
前記第1支持モードにて受け取った前記ウエーハを吸引保持したまま、当該第1支持モードから前記第2支持モードに切り替えた後、前記第3支持モードに切り替え、
前記第3昇降モードは、
前記第2支持部の上端および前記第3支持部の上端の高さよりも上方に前記第1支持部の上端を配置させる、第6支持モードと、
前記第1支持部の上端の高さを、前記第2支持部の上端および前記第3支持部の上端の高さと同じ高さに配置させる、第7支持モードとを有し、
前記第6支持モードにて受け取った前記ウエーハを吸引保持したまま、当該第6支持モードから前記第7支持モードに切り替え、
前記制御部は、前記第1昇降モードと前記第3昇降モードのいずれかを選択して実行することを特徴とする、請求項5に記載のウエーハ保持装置。
A wafer holding device that receives a wafer in a horizontal state and holds it in a predetermined position,
A first support part that supports from below a first support portion that is set in at least three places in a contact allowable region set in a lower part of the outer periphery of the wafer so as to surround the center of the wafer;
a second support portion that supports, from below, a second support portion that is set at a position that fills the gap between the first support portions in the contact allowable region;
a third support portion that supports, from below, a third support region that is set at a position that fills the gap between the first support portion and the second support portion in the contact allowable region;
a first lifting unit that changes a relative height between an upper end of the first support unit and an upper end of the second support unit;
a second lifting unit that changes a relative height between an upper end of the second support unit and an upper end of the third support unit;
a negative pressure suction unit that generates a negative pressure in the first support portion to suction and hold the wafer;
a control unit that controls a change in the relative height of the first lifting unit and the second lifting unit and a switching between suction hold and release by the negative pressure suction unit,
The control unit has at least one lifting mode and a third lifting mode,
The first lifting mode is
a first support mode in which an upper end of the first support portion is disposed above a height of an upper end of the second support portion and an upper end of the third support portion;
a second support mode in which an upper end of the first support portion and an upper end of the second support portion are disposed at the same height above an upper end of the third support portion;
a third support mode in which the height of an upper end of the first support portion and the height of an upper end of the second support portion are disposed at the same height as the height of an upper end of the third support portion;
While holding the wafer received in the first support mode by suction, the first support mode is switched to the second support mode, and then the third support mode is switched to;
The third lifting mode is
a sixth support mode in which the upper end of the first support portion is disposed above a height higher than an upper end of the second support portion and an upper end of the third support portion;
a seventh support mode in which the height of an upper end of the first support portion is the same as the height of an upper end of the second support portion and an upper end of the third support portion;
switching from the sixth support mode to the seventh support mode while suction-holding the wafer received in the sixth support mode;
6. The wafer holding device according to claim 5, wherein the control unit selects and executes either the first lifting mode or the third lifting mode.
前記負圧吸引部は、前記第3支持部位にも負圧を生じさせて前記ウエーハを吸引保持することを特徴とする、請求項5~7のいずれかに記載のウエーハ保持装置。 The wafer holding device according to any one of claims 5 to 7, characterized in that the negative pressure suction unit also generates a negative pressure in the third support portion to suction and hold the wafer.
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