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JP7694076B2 - Metal-clad laminate, wiring board, and manufacturing method thereof - Google Patents
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JP7694076B2 - Metal-clad laminate, wiring board, and manufacturing method thereof - Google Patents

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JP7694076B2 JP2021041265A JP2021041265A JP7694076B2 JP 7694076 B2 JP7694076 B2 JP 7694076B2 JP 2021041265 A JP2021041265 A JP 2021041265A JP 2021041265 A JP2021041265 A JP 2021041265A JP 7694076 B2 JP7694076 B2 JP 7694076B2
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Description

本開示は、金属張積層板、配線基板、金属張積層板の製造方法及び配線基板の製造方法に関する。 This disclosure relates to a metal-clad laminate, a wiring board, a method for manufacturing a metal-clad laminate, and a method for manufacturing a wiring board.

近年、電子機器の高機能化、電子機器等により処理される信号の高周波化等に伴い、優れた高周波特性を発揮可能なフレキシブル配線基板等や、当該フレキシブル配線基板等を製造可能な金属張積層基板等が求められている。このようなフレキシブル配線基板等において、高周波特性に優れているという観点から、シクロオレフィンポリマーフィルムを基材として用いたフレキシブル配線基板や、シクロオレフィンポリマーフィルムを用いた金属張積層板等が提案されている。 In recent years, with the increasing sophistication of electronic devices and the increasing frequency of signals processed by electronic devices, there is a demand for flexible wiring boards and the like that can exhibit excellent high-frequency characteristics, as well as metal-clad laminates and the like that can be used to manufacture such flexible wiring boards. With regard to such flexible wiring boards and the like, flexible wiring boards that use cycloolefin polymer film as a substrate and metal-clad laminates that use cycloolefin polymer film have been proposed from the viewpoint of excellent high-frequency characteristics.

従来、当該金属張積層板として、シクロオレフィンポリマーフィルム表面に形成されたニッケルやクロム等を含む下地金属層と、下地金属層の表面に形成された銅層とを有するものが知られている(特許文献1参照)。 Conventionally, a metal-clad laminate has been known that has a base metal layer containing nickel, chromium, etc. formed on the surface of a cycloolefin polymer film, and a copper layer formed on the surface of the base metal layer (see Patent Document 1).

特許第6299226号公報Patent No. 6299226

上記特許文献1に記載の金属張積層板は、シクロオレフィンポリマーフィルム表面に接着剤を介することなく金属層(下地金属層及び銅層)が形成されている。金属張積層板において、ポリマーフィルム(樹脂フィルム)と金属層との間の密着性は、金属張積層板から製造されるフレキシブル配線基板の信頼性等にとって重要なファクターの一つである。一方で、ポリマーフィルムと金属層との密着性を向上させることを目的に、それらを接着剤で接着すると、接着剤により構成される接着層の存在により高周波特性が劣化してしまう。上記特許文献1に記載の金属張積層板においては、接着剤を用いることなくシクロオレフィンポリマーフィルム表面に金属層を形成しているため、接着剤により構成される接着層の存在により高周波特性が劣化するのを抑制することができる。しかしながら、シクロオレフィンポリマーフィルムと金属層との密着性が不十分であるという問題がある。 In the metal-clad laminate described in Patent Document 1, a metal layer (base metal layer and copper layer) is formed on the surface of a cycloolefin polymer film without the use of an adhesive. In a metal-clad laminate, the adhesion between the polymer film (resin film) and the metal layer is one of the important factors for the reliability of a flexible wiring board manufactured from the metal-clad laminate. On the other hand, if the polymer film and the metal layer are bonded with an adhesive to improve the adhesion between them, the presence of the adhesive layer will deteriorate the high-frequency characteristics. In the metal-clad laminate described in Patent Document 1, a metal layer is formed on the surface of the cycloolefin polymer film without using an adhesive, so that the deterioration of the high-frequency characteristics due to the presence of the adhesive layer can be suppressed. However, there is a problem in that the adhesion between the cycloolefin polymer film and the metal layer is insufficient.

上記課題に鑑みて、本開示は、樹脂フィルムと金属層との密着性に優れた金属張積層板、配線基板及びそれらの製造方法を提供することを一目的とする。 In view of the above problems, an object of the present disclosure is to provide a metal-clad laminate, a wiring board, and a method for manufacturing the same that have excellent adhesion between a resin film and a metal layer.

上記課題を解決するために、本開示の一実施形態として、樹脂フィルムと、前記樹脂フィルムの少なくとも一方の表面である金属層積層面に接着剤を介することなく積層された金属層とを備える金属張積層板であって、前記金属層と前記樹脂フィルムとの180°剥離強度が、0.6N/mm以上である金属張積層板が提供される。 In order to solve the above problems, one embodiment of the present disclosure provides a metal-clad laminate comprising a resin film and a metal layer laminated without an adhesive on at least one surface of the resin film, that is, the metal layer lamination surface, in which the 180° peel strength between the metal layer and the resin film is 0.6 N/mm or more.

前記金属層を除去した後に露出する前記金属層積層面の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)がいずれも50nm以下であればよく、前記金属層を除去した後の前記樹脂フィルムのヘイズが、1.0以下であればよい。前記金属層と前記金属層積層面との間に形成された下地層をさらに備えていてもよく、前記下地層が、酸化インジウム亜鉛(IZO)薄膜であってもよい。前記金属層と前記金属層積層面との間に形成された、分子接合剤により構成される接合層をさらに備えていてもよい。前記樹脂フィルムが、シクロオレフィンポリマーフィルムであってもよく、前記樹脂フィルムの両方の表面が前記金属層積層面であり、前記金属層は、前記2つの金属層積層面のそれぞれに前記接着剤を介することなく積層されていてもよい。 The root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the metal layer laminated surface exposed after removing the metal layer may both be 50 nm or less, and the haze of the resin film after removing the metal layer may be 1.0 or less. The resin film may further include a base layer formed between the metal layer and the metal layer laminated surface, and the base layer may be an indium zinc oxide (IZO) thin film. The resin film may further include a bonding layer formed between the metal layer and the metal layer laminated surface and composed of a molecular bonding agent. The resin film may be a cycloolefin polymer film, and both surfaces of the resin film may be the metal layer laminated surfaces, and the metal layer may be laminated on each of the two metal layer laminated surfaces without the adhesive.

前記樹脂フィルムの前記金属層積層面に凹部及び凸部を有するパターンが形成されており、前記金属層は、前記凹部を埋め、かつ前記金属層積層面を被覆するように積層されていてもよい。 A pattern having recesses and protrusions may be formed on the metal layer lamination surface of the resin film, and the metal layer may be laminated so as to fill the recesses and cover the metal layer lamination surface.

本開示の一実施形態として、上記金属張積層板の前記金属層をエッチングして形成された配線層を備える配線基板が提供される。 As one embodiment of the present disclosure, a wiring board is provided that includes a wiring layer formed by etching the metal layer of the metal-clad laminate.

本開示の一実施形態として、上記金属張積層板の前記パターンの前記凸部の頂部を露出させるように前記金属層を除去することで、前記凹部に埋設されている部分として形成された配線層を備える配線基板が提供される。 As one embodiment of the present disclosure, a wiring board is provided that includes a wiring layer formed as a portion embedded in the recess by removing the metal layer so as to expose the tops of the protrusions of the pattern of the metal-clad laminate.

本開示の一実施形態として、上記金属張積層板から製造され、配線層を有する配線基板であって、前記配線層は、少なくとも2層の積層構造を有し、前記配線層を構成する前記2層のうちの一方の層は、前記金属張積層板の前記金属層をエッチングすることにより形成された層であり、前記配線層を構成する前記2層のうちの他方の層は、前記金属張積層板の前記金属層をエッチングすることにより形成された層の上に積層された層である配線基板が提供される。 As one embodiment of the present disclosure, a wiring board is provided that is manufactured from the above-mentioned metal-clad laminate and has a wiring layer, the wiring layer having a laminated structure of at least two layers, one of the two layers constituting the wiring layer being a layer formed by etching the metal layer of the metal-clad laminate, and the other of the two layers constituting the wiring layer being a layer laminated on the layer formed by etching the metal layer of the metal-clad laminate.

本開示の一実施形態として、樹脂フィルムの少なくとも一方の表面である金属層積層面に接着剤を介することなく金属層が形成されている金属張積層板を製造する方法であって、前記樹脂フィルムの前記金属層積層面上に接着剤を介することなく前記金属層を形成する工程を含み、前記樹脂フィルムの前記金属層積層面の二乗平均粗さ(RMS)及び算術平均粗さ(Ra)がいずれも50nm以下であり、前記金属層と前記樹脂フィルムとの180°剥離強度が、0.6N/mm以上である金属張積層板の製造方法が提供される。 As one embodiment of the present disclosure, there is provided a method for producing a metal-clad laminate in which a metal layer is formed on at least one surface, that is, a metal layer lamination surface of a resin film, without the use of an adhesive, the method including a step of forming the metal layer on the metal layer lamination surface of the resin film without the use of an adhesive, the root mean square roughness (RMS) and arithmetic mean roughness (Ra) of the metal layer lamination surface of the resin film are both 50 nm or less, and the 180° peel strength between the metal layer and the resin film is 0.6 N/mm or more.

前記金属張積層板から前記金属層を除去した後の前記樹脂フィルムの前記金属層積層面の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)がいずれも50nm以下であればよく、前記金属張積層板から前記金属層を除去した後の前記樹脂フィルムのヘイズが、1.0以下であればよい。前記金属層積層面上に下地層を形成する工程をさらに含み、前記金属層を形成する工程は、前記金属層積層面上に形成された前記下地層上に前記金属層を形成する工程であってもよく、前記下地層として、前記金属層積層面に酸化インジウム亜鉛(IZO)薄膜を形成してもよい。前記金属層積層面上に接合層を形成する工程をさらに含み、前記金属層を形成する工程は、前記金属層積層面上に形成された前記接合層を介して前記樹脂フィルムと前記金属層とを接合する工程であってもよい。前記樹脂フィルムが、シクロオレフィンポリマーフィルムであってもよく、前記樹脂フィルムの両方の表面が前記金属層積層面であり、前記金属層を形成する工程において、前記2つの金属層積層面のそれぞれに前記接着剤を介することなく前記金属層を形成してもよい。 The metal layer lamination surface of the resin film after removing the metal layer from the metal-clad laminate may have a root mean square roughness (Rms) and an arithmetic mean roughness (Ra) of 50 nm or less, and the haze of the resin film after removing the metal layer from the metal-clad laminate may be 1.0 or less. The method further includes a step of forming a base layer on the metal layer lamination surface, and the step of forming the metal layer may be a step of forming the metal layer on the base layer formed on the metal layer lamination surface, and an indium zinc oxide (IZO) thin film may be formed on the metal layer lamination surface as the base layer. The method further includes a step of forming a bonding layer on the metal layer lamination surface, and the step of forming the metal layer may be a step of bonding the resin film and the metal layer via the bonding layer formed on the metal layer lamination surface. The resin film may be a cycloolefin polymer film, and both surfaces of the resin film are the metal layer lamination surfaces, and in the step of forming the metal layer, the metal layer may be formed on each of the two metal layer lamination surfaces without the adhesive.

前記樹脂フィルムの前記金属層積層面に、凹部及び凸部を有するパターンが形成されており、前記金属層を形成する工程において、前記凹部を埋め、かつ前記パターンの前記凸部を被覆するように前記金属層を形成してもよい。 A pattern having recesses and protrusions may be formed on the metal layer lamination surface of the resin film, and in the process of forming the metal layer, the metal layer may be formed so as to fill the recesses and cover the protrusions of the pattern.

本開示の一実施形態として、上記金属張積層板の製造方法により製造された前記金属張積層板の前記金属層をエッチングして配線層を形成する工程を含む配線基板の製造方法が提供される。前記金属層をエッチングした後に露出する前記樹脂フィルムの二乗平均粗さ(RMS)及び算術平均粗さ(Ra)がいずれも50nm以下であればよく、前記金属層をエッチングした後に露出する前記樹脂フィルムのヘイズが、1.0以下であればよい。 As one embodiment of the present disclosure, a method for manufacturing a wiring board is provided, which includes a step of forming a wiring layer by etching the metal layer of the metal-clad laminate manufactured by the above-mentioned method for manufacturing a metal-clad laminate. The root mean square roughness (RMS) and arithmetic mean roughness (Ra) of the resin film exposed after etching the metal layer may both be 50 nm or less, and the haze of the resin film exposed after etching the metal layer may be 1.0 or less.

本開示の一実施形態として、上記金属張積層板の製造方法により製造された前記金属張積層板の前記パターンの前記凸部の頂部を露出させるように前記金属層を化学的機械研磨処理して配線層を形成する工程を含む配線基板の製造方法が提供される。 As one embodiment of the present disclosure, a method for manufacturing a wiring board is provided, which includes a step of forming a wiring layer by chemically and mechanically polishing the metal layer so as to expose the tops of the convex portions of the pattern of the metal-clad laminate manufactured by the above-described method for manufacturing a metal-clad laminate.

本開示の一実施形態として、上記金属張積層板の製造方法により製造された前記金属張積層板の前記金属層上に、開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの前記開口部に金属配線層を形成する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記レジストパターンの除去により露出した前記金属層をエッチングする工程とを含む配線基板の製造方法が提供される。 As one embodiment of the present disclosure, a method for manufacturing a wiring board is provided, which includes the steps of forming a resist pattern having an opening on the metal layer of the metal-clad laminate manufactured by the above-mentioned method for manufacturing a metal-clad laminate, forming a metal wiring layer in the opening of the resist pattern, removing the resist pattern, and etching the metal layer exposed by removing the resist pattern.

本開示によれば、樹脂フィルムと金属層との密着性に優れた金属張積層板、配線基板及びそれらの製造方法を提供することができる。 The present disclosure provides a metal-clad laminate, a wiring board, and a method for manufacturing the same that have excellent adhesion between the resin film and the metal layer.

図1Aは、本開示の一実施形態に係る金属張積層板の概略構成を示す断面図である。FIG. 1A is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a metal-clad laminate according to one embodiment of the present disclosure. 図1Bは、本開示の一実施形態に係る金属張積層板の概略構成を示す断面図である。FIG. 1B is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a metal-clad laminate according to one embodiment of the present disclosure. 図2Aは、本開示の一実施形態に係る金属張積層板の他の態様の概略構成を示す断面図である。FIG. 2A is a cross-sectional view showing a schematic configuration of another aspect of a metal-clad laminate according to an embodiment of the present disclosure. 図2Bは、本開示の一実施形態に係る金属張積層板の他の態様の概略構成を示す断面図である。FIG. 2B is a cross-sectional view showing a schematic configuration of another aspect of a metal-clad laminate according to an embodiment of the present disclosure. 図2Cは、本開示の一実施形態に係る金属張積層板の他の態様の概略構成を示す断面図である。FIG. 2C is a cross-sectional view showing a schematic configuration of another aspect of a metal-clad laminate according to an embodiment of the present disclosure. 図3Aは、本開示の一実施形態に係る金属張積層板の製造方法の一工程を示す断面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing a metal-clad laminate according to an embodiment of the present disclosure. 図3Bは、本開示の一実施形態に係る金属張積層板の製造方法の一工程であって、図3Aに続く工程を示す断面図である。FIG. 3B is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing a metal-clad laminate according to an embodiment of the present disclosure, the step following FIG. 3A. 図3Cは、本開示の一実施形態に係る金属張積層板の他の態様の製造方法の一工程を示す断面図である。FIG. 3C is a cross-sectional view showing a step of a manufacturing method for another aspect of a metal-clad laminate according to an embodiment of the present disclosure. 図3Dは、本開示の一実施形態に係る金属張積層板の他の態様の製造方法の一工程であって、図3Cに続く工程を示す断面図である。FIG. 3D is a cross-sectional view showing a step following FIG. 3C as a step in a manufacturing method of another aspect of a metal-clad laminate according to an embodiment of the present disclosure. 図3Eは、本開示の一実施形態に係る金属張積層板の他の態様の製造方法の一工程であって、図3Dに続く工程を示す断面図である。FIG. 3E is a cross-sectional view showing a step of a manufacturing method of another aspect of a metal-clad laminate according to an embodiment of the present disclosure, the step following FIG. 3D. 図3Fは、本開示の一実施形態に係る金属張積層板の他の態様の製造方法の一工程を示す断面図である。FIG. 3F is a cross-sectional view showing a step of a manufacturing method for another aspect of a metal-clad laminate according to an embodiment of the present disclosure. 図3Gは、本開示の一実施形態に係る金属張積層板の他の態様の製造方法の一工程であって、図3Fに続く工程を示す断面図である。FIG. 3G is a cross-sectional view showing a step of a manufacturing method of another aspect of a metal-clad laminate according to an embodiment of the present disclosure, the step following FIG. 3F. 図3Hは、本開示の一実施形態に係る金属張積層板の他の態様の製造方法の一工程であって、図3Gに続く工程を示す断面図である。FIG. 3H is a cross-sectional view showing a step of a manufacturing method of another aspect of a metal-clad laminate according to an embodiment of the present disclosure, the step following FIG. 3G. 図4Aは、本開示の一実施形態における配線基板の概略構成を示す断面図である。FIG. 4A is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a wiring board according to an embodiment of the present disclosure. 図4Bは、本開示の一実施形態における配線基板の他の態様の概略構成を示す断面図である。FIG. 4B is a cross-sectional view showing a schematic configuration of another aspect of the wiring board according to the embodiment of the present disclosure. 図4Cは、本開示の一実施形態における配線基板の他の態様の概略構成を示す断面図である。FIG. 4C is a cross-sectional view showing a schematic configuration of another aspect of the wiring board according to the embodiment of the present disclosure. 図5Aは、本開示の一実施形態における配線基板の製造方法の一工程を示す切断端面図である。FIG. 5A is a cross-sectional view illustrating a step of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment of the present disclosure. 図5Bは、本開示の一実施形態における配線基板の製造方法の一工程であって、図5Aに続く工程を示す切断端面図である。FIG. 5B is a cross-sectional view showing a step of the method for manufacturing a wiring board according to an embodiment of the present disclosure, the step following FIG. 5A. 図5Cは、本開示の一実施形態における配線基板の製造方法の一工程であって、図5Bに続く工程を示す切断端面図である。FIG. 5C is a cross-sectional view showing a step of the method for manufacturing a wiring board according to an embodiment of the present disclosure, which is a step subsequent to FIG. 5B. 図6Aは、本開示の一実施形態における配線基板の他の態様の製造方法の一工程を示す切断端面図である。FIG. 6A is a cross-sectional view illustrating a step of a manufacturing method for another aspect of a wiring board according to an embodiment of the present disclosure. 図6Bは、本開示の一実施形態における配線基板の他の態様の製造方法の一工程であって、図6Aに続く工程を示す切断端面図である。FIG. 6B is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing another aspect of a wiring board according to an embodiment of the present disclosure, the step following FIG. 6A. 図6Cは、本開示の一実施形態における配線基板の他の態様の製造方法の一工程であって、図6Bに続く工程を示す切断端面図である。FIG. 6C is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing another aspect of a wiring board according to an embodiment of the present disclosure, the step following FIG. 6B. 図7Aは、本開示の一実施形態における配線基板の他の態様の製造方法の一工程を示す切断端面図である。FIG. 7A is a cross-sectional view illustrating a step of a manufacturing method of another aspect of a wiring board according to an embodiment of the present disclosure. 図7Bは、本開示の一実施形態における配線基板の他の態様の製造方法の一工程であって、図7Aに続く工程を示す切断端面図である。FIG. 7B is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing another aspect of a wiring board according to an embodiment of the present disclosure, the step following FIG. 7A. 図7Cは、本開示の一実施形態における配線基板の他の態様の製造方法の一工程であって、図7Bに続く工程を示す切断端面図である。FIG. 7C is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing another aspect of a wiring board according to an embodiment of the present disclosure, the step following FIG. 7B. 図8Aは、本開示の一実施形態における配線基板の他の態様の製造方法の一工程を示す切断端面図である。FIG. 8A is a cross-sectional view illustrating a step of a manufacturing method for another aspect of a wiring board according to an embodiment of the present disclosure. 図8Bは、本開示の一実施形態における配線基板の他の態様の製造方法の一工程であって、図8Aに続く工程を示す切断端面図である。FIG. 8B is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing another aspect of a wiring board according to an embodiment of the present disclosure, the step following FIG. 8A.

本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
当該図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりして示している場合がある。本明細書等において「~」を用いて表される数値範囲は、「~」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。
An embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings.
In the drawings, the shape, scale, aspect ratio, etc. of each part may be shown modified or exaggerated from the actual product in order to facilitate understanding. In this specification, etc., a numerical range expressed using "~" means that the range includes the numerical values written before and after "~" as the lower and upper limits, respectively. In this specification, etc., terms such as "film,""sheet," and "plate" are not distinguished from each other based on differences in names. For example, "plate" is a concept that includes members that can be generally called "sheet" and "film."

図1A及び図1Bは、本実施形態に係る金属張積層板の概略構成を示す断面図であり、図2A~図2Cは、本実施形態に金属張積層板の他の態様の概略構成を示す断面図である。 Figures 1A and 1B are cross-sectional views showing the schematic configuration of a metal-clad laminate according to this embodiment, and Figures 2A to 2C are cross-sectional views showing the schematic configuration of other aspects of the metal-clad laminate according to this embodiment.

本実施形態に係る金属張積層板1は、第1面21及び第1面21の反対側に位置する第2面22を有する樹脂フィルム2と、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22のそれぞれを金属層積層面とし、当該金属層積層面としての第1面21及び第2面22に接着剤を介することなく積層されている金属層3とを備える。すなわち、本実施形態に係る金属張積層板1は、樹脂フィルム2と金属層3との間に、接着剤により構成される接着層を備えない。本実施形態に係る金属張積層板1は、0.6N/mm以上、好ましくは0.7N/mm~3.0N/mm、より好ましくは1.0N/mm~2.5N/mmの180°剥離強度を有する。なお、180°剥離強度は、JIS-K-6854に規定の180°剥離強度試験に準じて測定される値であればよい。本実施形態において、接着剤とは、樹脂フィルム2と金属層3とを接着可能な樹脂系プライマーを意味し、例えば、アクリル樹脂系プライマー、ポリエステル樹脂系プライマー、エポキシ樹脂系プライマー等が挙げられる。 The metal-clad laminate 1 according to this embodiment includes a resin film 2 having a first surface 21 and a second surface 22 located on the opposite side of the first surface 21, and a metal layer 3 laminated on the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 as the metal layer lamination surface without an adhesive. That is, the metal-clad laminate 1 according to this embodiment does not include an adhesive layer between the resin film 2 and the metal layer 3. The metal-clad laminate 1 according to this embodiment has a 180° peel strength of 0.6 N/mm or more, preferably 0.7 N/mm to 3.0 N/mm, and more preferably 1.0 N/mm to 2.5 N/mm. The 180° peel strength may be a value measured in accordance with the 180° peel strength test specified in JIS-K-6854. In this embodiment, the adhesive refers to a resin-based primer capable of bonding the resin film 2 and the metal layer 3, and examples of such primer include an acrylic resin-based primer, a polyester resin-based primer, and an epoxy resin-based primer.

樹脂フィルム2は、配線基板として一般的に用いられるものであればよく、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板等のポリエステル系樹脂基板、ポリイミド基板等のポリイミド系樹脂基板、ポリメチルメタクリレート基板等のアクリル系樹脂基板、ポリカーボネート系樹脂基板、シクロオレフィンコポリマー基板、シクロオレフィンポリマー基板等のポリオレフィン系樹脂基板、パーフルオロアルコキシアルカン(PFA)基板等のフッ素樹脂基板等のフレキシブル基板等であればよい。特に、高周波特性に優れるシクロオレフィンコポリマー基板、シクロオレフィンポリマー基板等のポリオレフィン系樹脂基板、パーフルオロアルコキシアルカン(PFA)基板等のフッ素樹脂基板を樹脂フィルム2として用いるのが好ましい。また、樹脂フィルム2は、上記フレキシブル基板を構成するフレキシブル材料(例えば、シクロオレフィンポリマー等の上記樹脂材料等)からなるフレキシブル部と、リジッド材料(例えば、ガラス等)からなるリジッド部とを有するリジッドフレキシブル基板であってもよい。 The resin film 2 may be any substrate commonly used as a wiring substrate, such as a polyester-based resin substrate such as a polyethylene terephthalate (PET) substrate, a polyimide-based resin substrate such as a polyimide substrate, an acrylic-based resin substrate such as a polymethyl methacrylate substrate, a polycarbonate-based resin substrate, a polyolefin-based resin substrate such as a cycloolefin copolymer substrate or a cycloolefin polymer substrate, or a fluororesin substrate such as a perfluoroalkoxyalkane (PFA) substrate. In particular, it is preferable to use a polyolefin-based resin substrate such as a cycloolefin copolymer substrate or a cycloolefin polymer substrate, or a fluororesin substrate such as a perfluoroalkoxyalkane (PFA) substrate, which has excellent high-frequency characteristics, as the resin film 2. The resin film 2 may also be a rigid-flexible substrate having a flexible portion made of a flexible material (such as the above-mentioned resin material such as cycloolefin polymer) constituting the flexible substrate, and a rigid portion made of a rigid material (such as glass).

樹脂フィルム2の第1面21側又は第2面22側から見たときの平面視形状は、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状、長尺シート形状等であればよい。また、樹脂フィルム2の大きさ及び厚さは、特に限定されるものではない。例えば、本実施形態に係る金属張積層板1が配線基板の製造に用いられるものである場合、樹脂フィルム2の大きさは、当該配線基板が用いられる電子機器等において要求される大きさ以上であればよく、樹脂フィルム2の厚さは、当該配線基板が用いられる電子機器等において要求される厚さに応じて適宜設定されればよい。なお、樹脂フィルム2の大きさとは、樹脂フィルム2の上記平面視形状が略矩形状である場合、一方向(例えば縦方向)及びそれに直交する方向(例えば横方向)のそれぞれの長さを意味する。 The planar shape of the resin film 2 when viewed from the first surface 21 side or the second surface 22 side is not particularly limited, and may be, for example, a substantially rectangular shape, a long sheet shape, or the like. The size and thickness of the resin film 2 are also not particularly limited. For example, when the metal-clad laminate 1 according to this embodiment is used to manufacture a wiring board, the size of the resin film 2 may be equal to or larger than the size required for the electronic device in which the wiring board is used, and the thickness of the resin film 2 may be appropriately set according to the thickness required for the electronic device in which the wiring board is used. Note that the size of the resin film 2 means the length in one direction (e.g., the vertical direction) and the direction perpendicular thereto (e.g., the horizontal direction) when the planar shape of the resin film 2 is substantially rectangular.

樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)は、いずれも50nm以下であればよく、0.5nm~10nmであるのが好ましい。樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)が相対的に小さく(例えば50nm以下)、当該第1面21及び第2面22が高い平坦性を有することで、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22に対向する金属層3の面(樹脂フィルム2に最近接の面)の平坦性が高くなる。その結果、本実施形態に係る金属張積層板1から作製された配線基板の低伝送損失化、当該配線基板における配線の低抵抗化が可能となる。一方で、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)が相対的に小さいと(例えば50nm以下)、樹脂フィルム2と金属層3との密着性が低下する傾向にあるが、本実施形態においては、当該二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)がいずれも相対的に小さくても、樹脂フィルム2と金属層3との密着性を向上させることができる。なお、二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)は、非接触三次元表面形状測定装置(例えば、Zygo社製のNV6300 MICROSCOPE等)を用いて求められる値であればよい。 The root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 may be 50 nm or less, and are preferably 0.5 nm to 10 nm. The root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 are relatively small (for example, 50 nm or less), and the first surface 21 and the second surface 22 have high flatness, so that the flatness of the surface of the metal layer 3 facing the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 (the surface closest to the resin film 2) is high. As a result, it is possible to reduce the transmission loss of the wiring board manufactured from the metal-clad laminate 1 according to this embodiment and to reduce the resistance of the wiring in the wiring board. On the other hand, if the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 are relatively small (for example, 50 nm or less), the adhesion between the resin film 2 and the metal layer 3 tends to decrease. However, in this embodiment, even if the root mean square roughness (Rms) and the arithmetic mean roughness (Ra) are both relatively small, the adhesion between the resin film 2 and the metal layer 3 can be improved. The root mean square roughness (Rms) and the arithmetic mean roughness (Ra) may be values that are obtained using a non-contact three-dimensional surface shape measuring device (for example, NV6300 MICROSCOPE manufactured by Zygo Corporation).

樹脂フィルム2のヘイズ(Hz)は、例えば、1.0以下であればよく、0.7以下であるのが好ましく、0.1~0.5であるのがより好ましい。樹脂フィルム2のヘイズ(Hz)が1.0以下であることで、本実施形態に係る金属張積層板1から配線が視認され難い配線基板を製造した際に、当該配線基板の透明性(可視光域(波長380nm~780nm)における透明性)を確保することができる。そのため、本実施形態に係る金属張積層板1は、例えばタッチパネルや面状ヒーター等の透明性が要求される配線基板を作製するのに特に好適に用いられ得る。なお、ヘイズ(Hz)は、ヘーズメーター(例えば、村上色彩技術研究所製のHM-150等)を用いて、JIS-K-7136に則して求められる値であればよい。 The haze (Hz) of the resin film 2 may be, for example, 1.0 or less, preferably 0.7 or less, and more preferably 0.1 to 0.5. When the haze (Hz) of the resin film 2 is 1.0 or less, when a wiring board in which wiring is difficult to see is manufactured from the metal-clad laminate 1 according to this embodiment, the transparency of the wiring board (transparency in the visible light range (wavelength 380 nm to 780 nm)) can be ensured. Therefore, the metal-clad laminate 1 according to this embodiment can be particularly suitably used for manufacturing wiring boards that require transparency, such as touch panels and planar heaters. The haze (Hz) may be a value obtained in accordance with JIS-K-7136 using a haze meter (for example, HM-150 manufactured by Murakami Color Research Laboratory, etc.).

金属層3は、樹脂フィルム2の第1面21上に積層されている第1金属層31と第2面22上に積層されている第2金属層32とを有する。金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)に含まれる金属材料としては、本実施形態に係る金属張積層板1の用途等に応じて適宜設定されればよく、銅、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムから選択される1種又は2種以上等を例示することができる。例えば、本実施形態に係る金属張積層板1が配線基板の製造に用いられるものである場合、金属層3は、優れた導電性を有する銅層等であればよい。また、金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)の厚さも、本実施形態に係る金属張積層板1の用途等に応じて適宜設定されればよい。本実施形態に係る金属張積層板1が配線基板の製造に用いられるものである場合、金属層3の厚さは、当該配線基板の特性インピーダンスに応じて適宜設定されればよいが、例えば、1μm~50μm程度であればよく、12μm~35μm程度であるのが好ましい。本実施形態に係る金属張積層板1を用いて製造される配線基板10における配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)が、金属層3から形成される第2層612,622と第2層612,622上に形成される第3層613,623を含む場合(図4B参照)、金属張積層板1における金属層3の厚さは、当該第3層613,623の厚さを考慮した上で、配線基板10の特性インピーダンスに応じて設定されればよい。なお、金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)は、樹脂フィルム2側に位置する無電解金属めっき層又はスパッタ金属層と当該無電解金属めっき層上又はスパッタ金属層上に位置する電解金属めっき層との積層構造を有していてもよい。無電解金属めっき層又はスパッタ金属層は、電解金属めっき層を電解めっき処理により形成する際のシード層として機能するものである。この場合において、無電解金属めっき層又はスパッタ金属層に含まれる金属材料と電解金属めっき層に含まれる金属材料とは、同種金属材料であってもよいし、異種金属材料であってもよい。 The metal layer 3 has a first metal layer 31 laminated on the first surface 21 of the resin film 2 and a second metal layer 32 laminated on the second surface 22. The metal material contained in the metal layer 3 (the first metal layer 31 and the second metal layer 32) may be appropriately set according to the use of the metal-clad laminate 1 according to this embodiment, and may be one or more selected from copper, iron, nickel, cobalt, molybdenum, tungsten, titanium, and aluminum. For example, when the metal-clad laminate 1 according to this embodiment is used for manufacturing a wiring board, the metal layer 3 may be a copper layer having excellent conductivity. In addition, the thickness of the metal layer 3 (the first metal layer 31 and the second metal layer 32) may be appropriately set according to the use of the metal-clad laminate 1 according to this embodiment. When the metal-clad laminate 1 according to the present embodiment is used for manufacturing a wiring board, the thickness of the metal layer 3 may be appropriately set according to the characteristic impedance of the wiring board, for example, about 1 μm to 50 μm, and preferably about 12 μm to 35 μm. When the wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62) in the wiring board 10 manufactured using the metal-clad laminate 1 according to the present embodiment includes the second layer 612, 622 formed from the metal layer 3 and the third layer 613, 623 formed on the second layer 612, 622 (see FIG. 4B), the thickness of the metal layer 3 in the metal-clad laminate 1 may be set according to the characteristic impedance of the wiring board 10, taking into account the thickness of the third layer 613, 623. The metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32) may have a laminate structure of an electroless metal plating layer or a sputtered metal layer located on the resin film 2 side and an electrolytic metal plating layer located on the electroless metal plating layer or the sputtered metal layer. The electroless metal plating layer or the sputtered metal layer functions as a seed layer when forming the electrolytic metal plating layer by electrolytic plating. In this case, the metal material contained in the electroless metal plating layer or the sputtered metal layer and the metal material contained in the electrolytic metal plating layer may be the same metal material or different metal materials.

本実施形態に係る金属張積層板1において、樹脂フィルム2と金属層3との間には下地層4が設けられていてもよい(図1A参照)。これらの間に下地層4が設けられていることで、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22が高い平坦性を有する(例えば、二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗(Ra)がともに50nm以下)ものであったとしても、樹脂フィルム2と金属層3との密着性を向上させることができる。具体的には、図1Aに示すように、樹脂フィルム2の第1面21と第1金属層31との間に第1下地層41が設けられ、樹脂フィルム2の第2面22と第2金属層32との間に第2下地層42が設けられている。 In the metal-clad laminate 1 according to this embodiment, a base layer 4 may be provided between the resin film 2 and the metal layer 3 (see FIG. 1A). By providing the base layer 4 between them, even if the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 have high flatness (for example, the root mean square roughness (Rms) and the arithmetic mean roughness (Ra) are both 50 nm or less), the adhesion between the resin film 2 and the metal layer 3 can be improved. Specifically, as shown in FIG. 1A, a first base layer 41 is provided between the first surface 21 of the resin film 2 and the first metal layer 31, and a second base layer 42 is provided between the second surface 22 of the resin film 2 and the second metal layer 32.

下地層4(第1下地層41及び第2下地層42)を構成する材料としては、例えば、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)等の金属酸化物、酸化スズ系(SnO系)、酸化チタン系(TiO系)、IGZO等の酸化物半導体材料等が挙げられる。下地層4の膜厚は、特に限定されるものではないが、4nm以上であればよく、8nm~20nm程度であればよい。下地層4の膜厚が4nm未満であると、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22において下地層4の構成材料により覆われていない箇所が海島状に存在してしまい、金属層3と樹脂フィルム2との密着強度(180°剥離強度)が極端に低下するおそれがある。 Examples of materials constituting the underlayer 4 (first underlayer 41 and second underlayer 42) include metal oxides such as indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO), and zinc oxide (ZnO), and oxide semiconductor materials such as tin oxide (SnO2 - based), titanium oxide (TiO2 - based), and IGZO. The thickness of the underlayer 4 is not particularly limited, but may be 4 nm or more, and may be about 8 nm to 20 nm. If the thickness of the underlayer 4 is less than 4 nm, the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 may have portions that are not covered by the material constituting the underlayer 4 in a sea-island shape, and the adhesion strength (180° peel strength) between the metal layer 3 and the resin film 2 may be extremely reduced.

本実施形態に係る金属張積層板1において、下地層4の代わりに、樹脂フィルム2と金属層3とを接合する接合層5(第1接合層51及び第2接合層52)が設けられていてもよい(図1B参照)。接合層5は、樹脂フィルム2の金属層積層面である第1面21及び第2面22に分子接合剤を化学結合させることで形成される。この接合層5を構成する分子接合剤に金属層3を化学結合させることで、金属張積層板1が作製され得る。上記分子接合剤としては、例えば、トリアジンチオール系化合物等が挙げられる。なお、樹脂フィルム2の金属層積層面である第1面21及び第2面22に対し、コロナ放電処理、大気圧プラズマ処理、UV照射処理等の前処理を行ってから、分子接合剤を含む溶液(例えば分子接合剤水溶液等)を前処理後の樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22に接触させることで接合層5を形成し、めっき法等により金属層3を接合層5に接合させればよい。 In the metal-clad laminate 1 according to this embodiment, instead of the base layer 4, a bonding layer 5 (first bonding layer 51 and second bonding layer 52) for bonding the resin film 2 and the metal layer 3 may be provided (see FIG. 1B). The bonding layer 5 is formed by chemically bonding a molecular bonding agent to the first surface 21 and the second surface 22, which are the metal layer lamination surfaces of the resin film 2. The metal-clad laminate 1 can be produced by chemically bonding the metal layer 3 to the molecular bonding agent constituting this bonding layer 5. Examples of the molecular bonding agent include triazine thiol compounds. Note that the first surface 21 and the second surface 22, which are the metal layer lamination surfaces of the resin film 2, are pretreated with corona discharge treatment, atmospheric pressure plasma treatment, UV irradiation treatment, etc., and then a solution containing a molecular bonding agent (e.g., a molecular bonding agent aqueous solution, etc.) is brought into contact with the first surface 21 and the second surface 22 of the pretreated resin film 2 to form the bonding layer 5, and the metal layer 3 is bonded to the bonding layer 5 by plating or the like.

上述したように、本実施形態に係る金属張積層板1は、樹脂フィルム2の両面(第1面21及び第2面22)に下地層4(第1下地層41及び第2下地層42)又は接合層5(第1接合層51及び第2接合層52)を介して金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)が積層された構成を有することで、樹脂フィルム2に対する金属層3の密着性を向上させることができ、0.6N/mm以上の180°剥離強度を示すことができる。また、金属層3が、接着剤を介することなく樹脂フィルム2の両面に積層されていることで、金属張積層板1から製造される配線基板10(図4A~図4C参照)において、優れた高周波特性を発揮することができる。 As described above, the metal-clad laminate 1 according to this embodiment has a configuration in which the metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32) is laminated on both sides (first side 21 and second side 22) of the resin film 2 via the underlayer 4 (first underlayer 41 and second underlayer 42) or the bonding layer 5 (first bonding layer 51 and second bonding layer 52), thereby improving the adhesion of the metal layer 3 to the resin film 2 and exhibiting a 180° peel strength of 0.6 N/mm or more. In addition, since the metal layer 3 is laminated on both sides of the resin film 2 without the use of an adhesive, the wiring board 10 (see Figures 4A to 4C) manufactured from the metal-clad laminate 1 can exhibit excellent high-frequency characteristics.

本実施形態に係る金属張積層板1は、上記態様に限定されるものではない。例えば、金属張積層板1は、樹脂フィルム2の一方面(例えば第1面21)に下地層4(例えば第1下地層41)又は接合層5(例えば第1接合層51)を介して金属層3(例えば第1金属層31)が積層された構成を有していてもよい(図2A参照)。なお、本実施形態に係る金属張積層板1は、樹脂フィルム2の一方面(例えば第1面21)又は両面(第1面21及び第2面22)に下地層4及び接合層5のいずれをも介さずに金属層3が設けられた構成を有していてもよい。この場合の金属層3として銅箔等の金属箔が用いられてもよいが、当該金属箔を樹脂フィルム2の一方面又は両面に貼合すると、樹脂フィルム2の第1面21及び/又は第2面22の表面粗さ(二乗平均粗さRms及び算術平均粗さRa)が、当該第1面21及び/又は第2面22に接する金属箔の表面粗さの影響を受けてしまい、金属張積層板1から金属層3としての金属箔を除去した後の樹脂フィルム2の第1面21及び/又は第2面22の表面粗さ(二乗平均粗さRms及び算術平均粗さRa)が、相対的に大きくなってしまう(例えば、二乗平均粗さRms及び算術平均粗さRaのいずれもが50nm超)。したがって、本実施形態においては、当該金属箔としては、二乗平均粗さRms及び算術平均粗さRaがいずれも50nm以下であるものが用いられ得る。 The metal-clad laminate 1 according to the present embodiment is not limited to the above-mentioned embodiment. For example, the metal-clad laminate 1 may have a configuration in which a metal layer 3 (e.g., a first metal layer 31) is laminated on one side (e.g., a first surface 21) of the resin film 2 via a base layer 4 (e.g., a first base layer 41) or a bonding layer 5 (e.g., a first bonding layer 51) (see FIG. 2A). The metal-clad laminate 1 according to the present embodiment may have a configuration in which a metal layer 3 is provided on one side (e.g., a first surface 21) or both sides (the first surface 21 and the second surface 22) of the resin film 2 without any of the base layer 4 and the bonding layer 5. In this case, a metal foil such as a copper foil may be used as the metal layer 3, but when the metal foil is attached to one or both sides of the resin film 2, the surface roughness (root mean square roughness Rms and arithmetic mean roughness Ra) of the first surface 21 and/or the second surface 22 of the resin film 2 is affected by the surface roughness of the metal foil in contact with the first surface 21 and/or the second surface 22, and the surface roughness (root mean square roughness Rms and arithmetic mean roughness Ra) of the first surface 21 and/or the second surface 22 of the resin film 2 after removing the metal foil as the metal layer 3 from the metal-clad laminate 1 becomes relatively large (for example, both the root mean square roughness Rms and the arithmetic mean roughness Ra are greater than 50 nm). Therefore, in this embodiment, the metal foil may be one having a root mean square roughness Rms and an arithmetic mean roughness Ra of 50 nm or less.

また、本実施形態に係る金属張積層板1は、図2Bに示すように、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22に設けられた第1下地層41及び第2下地層42(又は第1接合層51及び第2接合層52)上に凹部91及び凸部92(図3D参照)を有するパターン9(例えばレジストパターン)と、パターン9の凹部91を埋め、かつパターン9全体を被覆するように積層された金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)とを備えるものであってもよい。この態様の金属張積層板1であれば、パターン9の凸部92の頂部を露出させるように金属層3を除去するとともに下地層41,42(又は接合層51,52)をパターニングすることで、パターン9の凹部91を埋める金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)により構成される配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)が形成された配線基板10(図4A参照)を製造することができる。この態様(図2B参照)の金属張積層板1において、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22に設けられているパターン9の凹部91の幅W91及びパターン9のピッチP(図3D参照)により、当該金属張積層板1から製造される配線基板10における配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)の幅W61,W62及びピッチP61,P62が決定される。したがって、凹部91の幅W91及びピッチPは、当該金属張積層板1から製造される配線基板10において要求される配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)の幅W61,W62及びピッチP61,P62に応じて適宜設定されればよい。 In addition, the metal-clad laminate 1 according to this embodiment may include a pattern 9 (e.g., a resist pattern) having a recess 91 and a protrusion 92 (see FIG. 3D) on the first base layer 41 and the second base layer 42 (or the first bonding layer 51 and the second bonding layer 52) provided on the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2, as shown in FIG. 2B, and a metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32) laminated so as to fill the recess 91 of the pattern 9 and cover the entire pattern 9. With this type of metal-clad laminate 1, the metal layer 3 is removed so as to expose the top of the protrusion 92 of the pattern 9, and the base layers 41, 42 (or the bonding layers 51, 52) are patterned, thereby manufacturing a wiring board 10 (see FIG. 4A) in which a wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62) composed of the metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32) that fills the recess 91 of the pattern 9 is formed. In the metal-clad laminate 1 of this embodiment (see FIG. 2B), the width W61, W62 and pitch P61, P62 of the wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62) in the wiring board 10 manufactured from the metal-clad laminate 1 are determined by the width W91 of the recess 91 of the pattern 9 provided on the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 and the pitch P9 of the pattern 9 (see FIG. 3D). Therefore, the width W91 and pitch P9 of the recess 91 may be appropriately set according to the width W61 , W62 and pitch P61 , P62 of the wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62) required in the wiring board 10 manufactured from the metal-clad laminate 1.

さらに、本実施形態に係る金属張積層板1は、図2Cに示すように、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22のそれぞれに形成された、凹部91及び凸部92(図3F参照)を有するパターン9(例えばレジストパターン)と、パターン9の凹部91から露出する樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22(パターン9の凹部91の底面)上に少なくとも形成された第1下地層41及び第2下地層42(第1接合層51及び第2接合層52)と、パターン9の凹部91を埋め、かつパターン9全体を被覆するように積層された金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)とを備えるものであってもよい。この態様の金属張積層板1であれば、パターン9の凸部92の頂部を露出させるように金属層3を除去することで、パターン9の凹部91を埋める金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)により構成される配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)が形成された配線基板10(図4C参照)を製造することができる。この態様(図2C参照)の金属張積層板1において、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22に設けられているパターン9の凹部91の幅W91及びパターン9のピッチP(図3F参照)により、当該金属張積層板1から製造される配線基板10における配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)の幅W61,W62及びピッチP61,P62が決定される。したがって、凹部91の幅W91及びピッチPは、当該金属張積層板1から製造される配線基板10において要求される配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)の幅W61,W62及びピッチP61,P62に応じて適宜設定されればよい。なお、パターン9を構成する材料としては、特に限定されるものではなく、例えば、公知のレジスト材料等であればよく、好ましくは透明性(可視光(波長380nm~780nmの光)の透過率が90%以上)を有し、ヘイズ(Hz)が1.0以下のレジスト材料等であればよい。 Furthermore, as shown in FIG. 2C, the metal-clad laminate 1 of this embodiment may include a pattern 9 (e.g., a resist pattern) having recesses 91 and protrusions 92 (see FIG. 3F) formed on each of the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2, a first base layer 41 and a second base layer 42 (a first bonding layer 51 and a second bonding layer 52) formed at least on the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 (the bottom surface of the recess 91 of the pattern 9) exposed from the recess 91 of the pattern 9, and a metal layer 3 (a first metal layer 31 and a second metal layer 32) laminated so as to fill the recess 91 of the pattern 9 and cover the entire pattern 9. In the case of the metal-clad laminate 1 of this embodiment, by removing the metal layer 3 so as to expose the tops of the convex portions 92 of the pattern 9, a wiring board 10 (see FIG. 4C) can be manufactured in which a wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62) composed of the metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32) filling the concave portions 91 of the pattern 9 is formed. In the metal-clad laminate 1 of this embodiment (see FIG. 2C), the widths W 61 and W 62 and pitches P 61 and P 62 of the wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62) in the wiring board 10 manufactured from the metal-clad laminate 1 are determined by the width W 91 of the concave portions 91 of the pattern 9 provided on the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 and the pitch P 9 of the pattern 9 (see FIG. 3F ) . Therefore, the width W91 and pitch P9 of the recess 91 may be appropriately set according to the widths W61 , W62 and pitches P61 , P62 of the wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62) required in the wiring board 10 manufactured from the metal-clad laminate 1. The material constituting the pattern 9 is not particularly limited and may be, for example, a known resist material, preferably a resist material having transparency (transmittance of visible light (light with a wavelength of 380 nm to 780 nm) of 90% or more) and a haze (Hz) of 1.0 or less.

本実施形態に係る金属張積層板1は、例えば、以下のようにして製造され得る。図3A及び図3Bは、本実施形態に係る金属張積層板の製造方法の各工程を示す断面図である。 The metal-clad laminate 1 according to this embodiment can be manufactured, for example, as follows. Figures 3A and 3B are cross-sectional views showing each step of the manufacturing method for the metal-clad laminate according to this embodiment.

まず、第1面21及び第1面21の反対側に位置する第2面22を有する樹脂フィルム2を準備し、当該樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22のそれぞれに下地層4(第1下地層41及び第2下地層42)又は接合層5(第1接合層51及び第2接合層52)を形成する(図3A参照)。下地層4(第1下地層41及び第2下地層42)を形成する方法としては、例えば、下地層4の構成材料である金属酸化物をターゲット物質として用いたスパッタリング法等であればよい。また、接合層5(第1接合層51及び第2接合層52)を形成する方法は、接合層5を構成する分子接合剤(例えば、トリアジンチオール系化合物)を含む水溶液を樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22に接触させる方法等であればよい。 First, a resin film 2 having a first surface 21 and a second surface 22 located on the opposite side of the first surface 21 is prepared, and a base layer 4 (first base layer 41 and second base layer 42) or a bonding layer 5 (first bonding layer 51 and second bonding layer 52) is formed on each of the first surface 21 and second surface 22 of the resin film 2 (see FIG. 3A). The method for forming the base layer 4 (first base layer 41 and second base layer 42) may be, for example, a sputtering method using a metal oxide, which is a constituent material of the base layer 4, as a target material. The method for forming the bonding layer 5 (first bonding layer 51 and second bonding layer 52) may be, for example, a method for contacting an aqueous solution containing a molecular bonding agent (e.g., a triazine thiol compound) constituting the bonding layer 5 with the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2.

次に、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22に形成された下地層4(第1下地層41及び第2下地層42)又は接合層5(第1接合層51及び第2接合層52)上に、金属層3の構成材料をターゲット物質として用いたスパッタリング法又は無電解めっき処理によりスパッタ金属層又は無電解めっき層を形成する。なお、接合層5上にスパッタ金属層又は無電解めっき層を形成する場合、接合層5にPd触媒等を析出させるキャタライジング処理を行ってからスパッタ金属層又は無電解めっき層を形成してもよい。そして、当該スパッタ金属層又は無電解めっき層と下地層4(第1下地層41及び第2下地層42)又は接合層5(第1接合層51及び第2接合層52)とをシード層として利用した電解金属めっき処理により電解めっき層を形成することで、第1下地層41又は第1接合層51上に、スパッタ金属層又は無電解めっき層と電解めっき層とからなる第1金属層31を形成するとともに、第2下地層42又は第2接合層52上に、スパッタ金属層又は無電解めっき層と電解めっき層とからなる第2金属層32を形成する(図3B参照)。このようにして、本実施形態に係る金属張積層板1(図1A及び図1B参照)が製造される。 Next, a sputtered metal layer or an electroless plating layer is formed on the underlayer 4 (first underlayer 41 and second underlayer 42) or the bonding layer 5 (first bonding layer 51 and second bonding layer 52) formed on the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 by a sputtering method or an electroless plating process using the constituent material of the metal layer 3 as a target material. When forming a sputtered metal layer or an electroless plating layer on the bonding layer 5, a catalyzing process for precipitating a Pd catalyst or the like on the bonding layer 5 may be performed before forming the sputtered metal layer or the electroless plating layer. Then, the sputtered metal layer or electroless plating layer and the underlayer 4 (first underlayer 41 and second underlayer 42) or the bonding layer 5 (first bonding layer 51 and second bonding layer 52) are used as seed layers to form an electrolytic plating layer by electrolytic metal plating, forming a first metal layer 31 consisting of a sputtered metal layer or electroless plating layer and an electrolytic plating layer on the first underlayer 41 or the first bonding layer 51, and forming a second metal layer 32 consisting of a sputtered metal layer or electroless plating layer and an electrolytic plating layer on the second underlayer 42 or the second bonding layer 52 (see FIG. 3B). In this way, the metal-clad laminate 1 according to this embodiment (see FIGS. 1A and 1B) is manufactured.

本実施形態に係る金属張積層板1の他の態様(図2B参照)は、例えば、以下のようにして製造され得る。図3C~図3Eは、本実施形態に係る金属張積層板の他の態様の製造方法の各工程を示す断面図である。 Another embodiment of the metal-clad laminate 1 according to this embodiment (see FIG. 2B) can be manufactured, for example, as follows. FIGS. 3C to 3E are cross-sectional views showing the steps of a manufacturing method for another embodiment of the metal-clad laminate according to this embodiment.

まず、第1面21及び第1面21の反対側に位置する第2面22を有する樹脂フィルム2を準備し、当該樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22のそれぞれに下地層4(第1下地層41及び第2下地層42)又は接合層5(第1接合層51及び第2接合層52)を形成する(図3C参照)。下地層4(第1下地層41及び第2下地層42)を形成する方法としては、例えば、下地層4の構成材料である金属酸化物をターゲット物質として用いたスパッタリング法等であればよい。また、接合層5(第1接合層51及び第2接合層52)を形成する方法は、接合層5を構成する分子接合剤(例えば、トリアジンチオール系化合物)を含む水溶液を樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22に接触させる方法等であればよい。 First, a resin film 2 having a first surface 21 and a second surface 22 located on the opposite side of the first surface 21 is prepared, and a base layer 4 (first base layer 41 and second base layer 42) or a bonding layer 5 (first bonding layer 51 and second bonding layer 52) is formed on each of the first surface 21 and second surface 22 of the resin film 2 (see FIG. 3C). The method for forming the base layer 4 (first base layer 41 and second base layer 42) may be, for example, a sputtering method using a metal oxide, which is a constituent material of the base layer 4, as a target material. The method for forming the bonding layer 5 (first bonding layer 51 and second bonding layer 52) may be, for example, a method for contacting an aqueous solution containing a molecular bonding agent (e.g., a triazine thiol compound) constituting the bonding layer 5 with the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2.

次に、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22のそれぞれに形成された下地層4又は接合層5上に、凹部91及び凸部92を有するパターン9(例えばレジストパターン)を形成する(図3D参照)。パターン9を形成する方法は特に限定されない。例えば、パターン9がレジストパターンである場合、下地層4又は接合層5上に、従来公知の塗膜形成方法(レジスト材料のダイコート、スピンコート等、ドライフィルムレジストの積層等)によりレジスト層を形成し、当該レジスト層をパターニング(フォトリソグラフィ法、インプリントリソグラフィ法等)する方法や、レジスト材料の印刷等によりパターン9を形成すればよい。 Next, a pattern 9 (e.g., a resist pattern) having recesses 91 and protrusions 92 is formed on the undercoat layer 4 or the bonding layer 5 formed on the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 (see FIG. 3D). The method of forming the pattern 9 is not particularly limited. For example, when the pattern 9 is a resist pattern, a resist layer is formed on the undercoat layer 4 or the bonding layer 5 by a conventionally known coating formation method (die coating or spin coating of a resist material, lamination of a dry film resist, etc.), and the resist layer is patterned (photolithography, imprint lithography, etc.) or the pattern 9 is formed by printing a resist material, etc.

そして、第1面21及び第2面22にパターン9が形成された樹脂フィルム2上に、金属層3の構成材料をターゲット物質として用いたスパッタリング法又は無電解めっき処理によりスパッタ金属層又は無電解めっき層を形成する。その後、パターン9の凹部91を埋め、かつパターン9全体を被覆するように金属めっき層(電解めっき層又は無電解めっき層)を形成することで、下地層4又は接合層5上に、スパッタ金属層及び金属めっき層からなる金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)を形成する(図3E参照)。このようにして、本実施形態に係る金属張積層板1(図2B参照)が製造される。なお、図3Eに示す態様においては、パターン9全体を被覆するように金属めっき層を形成しているが、この態様に限定されるものではなく、例えば、パターン9の凹部91を埋めるが、パターン9全体を被覆せず、パターン9の凸部92の頂部を露出させるように金属めっき層を形成してもよい。この場合において、金属めっき層の膜厚は、パターン9の凸部92の高さと同一であってもよいし、パターン9の凸部92の高さよりも小さくてもよい。 Then, on the resin film 2 on which the pattern 9 is formed on the first surface 21 and the second surface 22, a sputtered metal layer or an electroless plating layer is formed by a sputtering method or an electroless plating process using the constituent material of the metal layer 3 as a target material. After that, a metal plating layer (electrolytic plating layer or electroless plating layer) is formed so as to fill the recesses 91 of the pattern 9 and cover the entire pattern 9, thereby forming a metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32) consisting of a sputtered metal layer and a metal plating layer on the underlayer 4 or the bonding layer 5 (see FIG. 3E). In this way, the metal-clad laminate 1 (see FIG. 2B) according to this embodiment is manufactured. In the embodiment shown in FIG. 3E, the metal plating layer is formed so as to cover the entire pattern 9, but this is not limited to this embodiment. For example, the metal plating layer may be formed so as to fill the recesses 91 of the pattern 9 but not to cover the entire pattern 9, and to expose the tops of the protrusions 92 of the pattern 9. In this case, the thickness of the metal plating layer may be the same as the height of the protrusions 92 of the pattern 9, or may be smaller than the height of the protrusions 92 of the pattern 9.

本実施形態に係る金属張積層板1の他の態様(図2C参照)は、例えば、以下のようにして製造され得る。図3F~図3Hは、本実施形態に係る金属張積層板の他の態様の製造方法の各工程を示す断面図である。 Another embodiment of the metal-clad laminate 1 according to this embodiment (see FIG. 2C) can be manufactured, for example, as follows. FIGS. 3F to 3H are cross-sectional views showing the steps of a manufacturing method for another embodiment of the metal-clad laminate according to this embodiment.

まず、第1面21及び第1面21の反対側に位置する第2面22を有する樹脂フィルム2を準備し、当該樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22のそれぞれに、凹部91及び凸部92を有するパターン9(例えばレジストパターン)を形成する(図3F参照)。パターン9を形成する方法は特に限定されない。例えば、パターン9がレジストパターンである場合、第1面21及び第2面22上に、従来公知の塗膜形成方法(レジスト材料のダイコート、スピンコート等、ドライフィルムレジストの積層等)によりレジスト層を形成し、当該レジスト層をパターニング(フォトリソグラフィ法、インプリントリソグラフィ法等)する方法や、レジスト材料の印刷等によりパターン9を形成すればよい。 First, a resin film 2 having a first surface 21 and a second surface 22 located on the opposite side of the first surface 21 is prepared, and a pattern 9 (e.g., a resist pattern) having a recess 91 and a protrusion 92 is formed on each of the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 (see FIG. 3F). The method of forming the pattern 9 is not particularly limited. For example, when the pattern 9 is a resist pattern, a resist layer is formed on the first surface 21 and the second surface 22 by a conventionally known coating formation method (die coating, spin coating, etc. of a resist material, lamination of a dry film resist, etc.), and the pattern 9 may be formed by patterning the resist layer (photolithography method, imprint lithography method, etc.) or by printing a resist material, etc.

次に、パターン9の凹部91から露出する樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22(パターン9の凹部91の底面)に下地層4(第1下地層41及び第2下地層42)又は接合層5(第1接合層51及び第2接合層52)を形成する(図3G参照)。下地層4(第1下地層41及び第2下地層42)を形成する方法としては、例えば、下地層4の構成材料である金属酸化物をターゲット物質として用いたスパッタリング法等であればよい。また、接合層5(第1接合層51及び第2接合層52)を形成する方法は、接合層5を構成する分子接合剤(例えば、トリアジンチオール系化合物)を含む水溶液を樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22に接触させる方法等であればよい。なお、下地層4又は接合層5は、少なくともパターン9の凹部91の底面に形成されればよいが、パターン9の凸部92の側面や頂部にも形成されてもよい。 Next, the underlayer 4 (first underlayer 41 and second underlayer 42) or the bonding layer 5 (first bonding layer 51 and second bonding layer 52) is formed on the first surface 21 and the second surface 22 (bottom surface of the recess 91 of the pattern 9) of the resin film 2 exposed from the recess 91 of the pattern 9 (see FIG. 3G). The method for forming the underlayer 4 (first underlayer 41 and second underlayer 42) may be, for example, a sputtering method using a metal oxide, which is a constituent material of the underlayer 4, as a target material. The method for forming the bonding layer 5 (first bonding layer 51 and second bonding layer 52) may be, for example, a method for contacting an aqueous solution containing a molecular bonding agent (e.g., a triazine thiol compound) constituting the bonding layer 5 with the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2. The underlayer 4 or the bonding layer 5 may be formed at least on the bottom surface of the recess 91 of the pattern 9, but may also be formed on the side surface or top of the protrusion 92 of the pattern 9.

そして、第1面21及び第2面22にパターン9及び下地層4(又は接合層5)が形成された樹脂フィルム2上に、金属層3の構成材料をターゲット物質として用いたスパッタリング法又は無電解めっき処理によりスパッタ金属層又は無電解めっき層を形成する。その後、パターン9の凹部91を埋め、かつパターン9全体を被覆するように金属めっき層(電解めっき層又は無電解めっき層)を形成することで、下地層4又は接合層5上に、スパッタ金属層及び金属めっき層からなる金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)を形成する(図3H参照)。このようにして、本実施形態に係る金属張積層板1(図2C参照)が製造される。なお、図3Hに示す態様においては、パターン9全体を被覆するように金属めっき層を形成しているが、この態様に限定されるものではなく、例えば、パターン9の凹部91を埋めるが、パターン9全体を被覆せず、パターン9の凸部92の頂部を露出させるように金属めっき層を形成してもよい。この場合において、金属めっき層の膜厚は、パターン9の凸部92の高さと同一であってもよいし、パターン9の凸部92の高さよりも小さくてもよい。 Then, on the resin film 2 on which the pattern 9 and the underlayer 4 (or the bonding layer 5) are formed on the first surface 21 and the second surface 22, a sputtered metal layer or an electroless plating layer is formed by a sputtering method or an electroless plating process using the constituent material of the metal layer 3 as a target material. After that, a metal plating layer (electrolytic plating layer or electroless plating layer) is formed so as to fill the recesses 91 of the pattern 9 and cover the entire pattern 9, thereby forming a metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32) consisting of a sputtered metal layer and a metal plating layer on the underlayer 4 or the bonding layer 5 (see FIG. 3H). In this way, the metal-clad laminate 1 (see FIG. 2C) according to this embodiment is manufactured. In the embodiment shown in FIG. 3H, the metal plating layer is formed so as to cover the entire pattern 9, but this is not limited to this embodiment. For example, the metal plating layer may be formed so as to fill the recesses 91 of the pattern 9 but not to cover the entire pattern 9, and to expose the tops of the protrusions 92 of the pattern 9. In this case, the thickness of the metal plating layer may be the same as the height of the protrusions 92 of the pattern 9, or may be smaller than the height of the protrusions 92 of the pattern 9.

続いて、本実施形態に係る金属張積層板1から製造される配線基板10について説明する。図4A~図4Cは、本実施形態における配線基板10の概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態において、図1A、図2B及び図2Cに示す金属張積層板1から製造される配線基板10を例に挙げて説明するが、図1B及び図2Aに示す金属張積層板1や樹脂フィルム2の第1面21及び/又は第2面22に下地層4(又は接合層5)を介さずに金属層3(金属箔)が設けられた金属張積層板1から製造される配線基板においても、図1Aに示す金属張積層板1から製造される配線基板と同様の構成を有するのは言うまでもない。また、配線基板10において、本実施形態に係る金属張積層板1と同様の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略するものとする。 Next, the wiring board 10 manufactured from the metal-clad laminate 1 according to this embodiment will be described. FIGS. 4A to 4C are cross-sectional views showing a schematic configuration of the wiring board 10 according to this embodiment. In this embodiment, the wiring board 10 manufactured from the metal-clad laminate 1 shown in FIGS. 1A, 2B, and 2C will be described as an example. However, it goes without saying that the wiring board manufactured from the metal-clad laminate 1 shown in FIGS. 1B and 2A and the metal-clad laminate 1 in which the metal layer 3 (metal foil) is provided on the first surface 21 and/or the second surface 22 of the resin film 2 without the base layer 4 (or bonding layer 5) has the same configuration as the wiring board manufactured from the metal-clad laminate 1 shown in FIG. 1A. In addition, in the wiring board 10, the same components as those in the metal-clad laminate 1 according to this embodiment will be denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

本実施形態における配線基板10は、第1面21及び第1面21の反対側に位置する第2面22を有する樹脂フィルム2と、樹脂フィルム2の第1面21に形成されている第1配線層61及び第2面22に形成されている第2配線層62を含む配線層6とを有する。第1配線層61及び第2配線層62は、それぞれ実質的に平坦な第1面21及び第2面22上に形成されていてもよいし(図4A及び図4B参照)、第1面21及び第2面22に形成されているパターン9の凹部91に埋設されていてもよい(図4C参照)。配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)は、下地層4(第1下地層41及び第2下地層42)又は接合層5(第1接合層51及び第2接合層52)をベースとする第1層611,621と金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)をベースとする第2層612,622とが樹脂フィルム2側からこの順に積層された積層構造を有していてもよいし(図4A及び図4C参照)、下地層4(第1下地層41及び第2下地層42)又は接合層5(第1接合層51及び第2接合層52)をベースとする第1層611,621と、金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)をベースとする第2層612,622と、金属配線層8(第1金属配線層81及び第2金属配線層82,図6A参照)をベースとする第3層613,623とが樹脂フィルム2側からこの順に積層された積層構造を有していてもよい(図4B参照)。図4Bに示す態様において、第3層613,623(金属配線層8(第1金属配線層81及び第2金属配線層82),図6A参照)を構成する材料は、例えば、銅、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムから選択される1種又は2種以上等であればよく、第1層611,621(金属層3(第1金属層31及び第2金属層32))を構成する材料と同一材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。本実施形態における配線基板10は、配線基板10が用いられる電子機器の種類に応じた一又は複数の電子部品が搭載されるものであってもよいし、タッチパネル用の配線基板等であってもよいし、面状ヒーターとして用いられるものであってもよい。 The wiring board 10 in this embodiment has a resin film 2 having a first surface 21 and a second surface 22 located on the opposite side of the first surface 21, and a wiring layer 6 including a first wiring layer 61 formed on the first surface 21 of the resin film 2 and a second wiring layer 62 formed on the second surface 22. The first wiring layer 61 and the second wiring layer 62 may be formed on the substantially flat first surface 21 and second surface 22, respectively (see Figures 4A and 4B), or may be embedded in recesses 91 of patterns 9 formed on the first surface 21 and second surface 22 (see Figure 4C). The wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62) may have a laminated structure in which first layers 611, 621 based on the underlayer 4 (first underlayer 41 and second underlayer 42) or the bonding layer 5 (first bonding layer 51 and second bonding layer 52) and second layers 612, 622 based on the metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32) are laminated in this order from the resin film 2 side (see FIGS. 4A and 4C ). and the second base layer 42) or bonding layer 5 (first bonding layer 51 and second bonding layer 52), second layers 612 and 622 based on metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32), and third layers 613 and 623 based on metal wiring layer 8 (first metal wiring layer 81 and second metal wiring layer 82, see FIG. 6A) may have a laminated structure in which they are laminated in this order from the resin film 2 side (see FIG. 4B). In the embodiment shown in FIG. 4B, the material constituting the third layer 613, 623 (metal wiring layer 8 (first metal wiring layer 81 and second metal wiring layer 82), see FIG. 6A) may be, for example, one or more selected from copper, iron, nickel, cobalt, molybdenum, tungsten, titanium, and aluminum, and may be the same material as the material constituting the first layer 611, 621 (metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32)), or may be a different material. The wiring board 10 in this embodiment may be mounted with one or more electronic components according to the type of electronic device in which the wiring board 10 is used, may be a wiring board for a touch panel, or may be used as a surface heater.

なお、配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)における第1層611,621が電気的絶縁性を有する材料により構成される接合層5をベースとするものである場合、当該第1層611,612は樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22上において連続していてもよい。すなわち、この態様の配線基板10は、樹脂フィルム2と、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22上に位置する接合層5と、各接合層5上に位置する、第2層612,622からなる配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)とを備えるものである。この配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)における第2層612,622間には、パターン9(凸部92)が位置していてもよいし、パターン9(凸部92)が位置していなくてもよい。また、配線層6の第2層612,622の頂部は、パターン9の凸部92の頂部と同一平面上に位置していてもよいし、パターン9の凸部92の頂部よりも樹脂フィルム2側に位置していてもよい。 In addition, when the first layers 611, 621 in the wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62) are based on the bonding layer 5 made of an electrically insulating material, the first layers 611, 612 may be continuous on the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2. That is, the wiring board 10 of this embodiment includes the resin film 2, the bonding layer 5 located on the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2, and the wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62) consisting of the second layers 612, 622 located on each bonding layer 5. Between the second layers 612, 622 in this wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62), the pattern 9 (protrusion 92) may be located, or the pattern 9 (protrusion 92) may not be located. In addition, the tops of the second layers 612, 622 of the wiring layer 6 may be located on the same plane as the tops of the convex portions 92 of the pattern 9, or may be located closer to the resin film 2 than the tops of the convex portions 92 of the pattern 9.

第1配線層61における各配線の幅W61及び第2配線層62における各配線の幅W62は、特に限定されるものではないが、例えば、0.1μm~1000μmの範囲内であればよく、1μm~300μmの範囲内であるのが好ましい。また、第1配線層61における各配線のピッチP61(隣接する配線の間隔)及び第2配線層62における各配線のピッチP62(隣接する配線の間隔)は、特に限定されるものではないが、例えば、0.2μm~5000μmの範囲内であればよく、2μm~600μmの範囲内であるのが好ましい。なお、第1配線層61における各配線の幅W61及びピッチP61、並びに第2配線層62における各配線の幅W62及びピッチP62は、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22のそれぞれの面内において均一でなくてもよいし、一定でなくてもよい。例えば、第1配線層61の1つの配線は、その幅W61の異なる部分を含んでいてもよいし、第2配線層62の1つの配線は、その幅W62の異なる部分を含んでいてもよい。また、第1配線層61の一の配線の幅W61と他の配線の幅W61とは互いに異なっていてもよいし、第2配線層62の一の配線の幅W62と他の配線の幅W62とは互いに異なっていてもよい。また、第1配線層61の配線の幅W61及びピッチP61と第2配線層62の配線の幅W62及びピッチP62とは互いに異なっていてもよい。 The width W 61 of each wire in the first wiring layer 61 and the width W 62 of each wire in the second wiring layer 62 are not particularly limited, but may be within a range of, for example, 0.1 μm to 1000 μm, and preferably within a range of 1 μm to 300 μm. The pitch P 61 (the distance between adjacent wires) of each wire in the first wiring layer 61 and the pitch P 62 (the distance between adjacent wires) of each wire in the second wiring layer 62 are not particularly limited, but may be within a range of, for example, 0.2 μm to 5000 μm, and preferably within a range of 2 μm to 600 μm. The width W 61 and pitch P 61 of each wire in the first wiring layer 61 and the width W 62 and pitch P 62 of each wire in the second wiring layer 62 may not be uniform or constant within each of the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2. For example, one wire in the first wiring layer 61 may include a portion having a different width W61 , and one wire in the second wiring layer 62 may include a portion having a different width W62 . Furthermore, the width W61 of one wire in the first wiring layer 61 and the width W61 of the other wires may be different from each other, and the width W62 of one wire in the second wiring layer 62 and the width W62 of the other wires may be different from each other. Furthermore, the width W61 and pitch P61 of the wire in the first wiring layer 61 and the width W62 and pitch P62 of the wire in the second wiring layer 62 may be different from each other.

図4A及び図4Bに示す配線基板10において、第1配線層61の各配線の間に露出する樹脂フィルム2の第1面21及び第2配線層62の各配線の間に露出する樹脂フィルム2の第2面22の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)は、いずれも50nm以下であればよく、0.5nm~10nmであるのが好ましい。図4Cに示す配線基板10において、パターン9の直下に位置する樹脂フィルム2の第1面21及び第2面の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)も同様に、いずれも50nm以下であればよく、0.5nm~10nmであるのが好ましい。当該二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)がいずれも50nm以下であることで、特に図4Cに示す態様においてはパターン9が透明材料(例えば、可視光(波長380nm~780nmの光)の透過率が90%以上、ヘイズ(Hz)が1.0以下の材料)により構成されていることで、配線基板10の透明性(可視光域(波長380nm~780nm)における透明性)を確保することができる。後述するように、本実施形態における配線基板10は、上記金属張積層板1の金属層3のエッチング処理又は化学的機械研磨処理(Chemical Mechanical Polishing,CMP)を介して製造される。上記金属張積層板1における樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)はいずれも50nm以下である。すなわち、金属張積層板1の金属層3をエッチングする前における樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)が50nm以下であるということができる。本実施形態における配線基板10は、当該金属張積層板1の金属層3をエッチングすること又は化学的機械研磨処理(CMP)を行うことにより製造されるものであるため、金属張積層板1において、エッチング又は化学的機械研磨処理(CMP)による金属層3の除去後に露出する第1面21及び第2面22の樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)がいずれも50nm以下であるということができる。 4A and 4B, the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the first surface 21 of the resin film 2 exposed between the wires of the first wiring layer 61 and the second surface 22 of the resin film 2 exposed between the wires of the second wiring layer 62 may be 50 nm or less, and preferably 0.5 nm to 10 nm. In the wiring board 10 shown in FIG. 4C, the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the first surface 21 and the second surface of the resin film 2 located directly below the pattern 9 may be 50 nm or less, and preferably 0.5 nm to 10 nm. The root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) are both 50 nm or less, and particularly in the embodiment shown in FIG. 4C, the pattern 9 is made of a transparent material (for example, a material having a visible light (light with a wavelength of 380 nm to 780 nm) transmittance of 90% or more and a haze (Hz) of 1.0 or less), so that the transparency of the wiring board 10 (transparency in the visible light range (wavelength 380 nm to 780 nm)) can be ensured. As will be described later, the wiring board 10 in this embodiment is manufactured through an etching process or a chemical mechanical polishing process (Chemical Mechanical Polishing, CMP) of the metal layer 3 of the metal-clad laminate 1. The root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 in the metal-clad laminate 1 are both 50 nm or less. That is, it can be said that the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 before etching the metal layer 3 of the metal-clad laminate 1 are 50 nm or less. Since the wiring board 10 in this embodiment is manufactured by etching the metal layer 3 of the metal-clad laminate 1 or performing chemical mechanical polishing (CMP), it can be said that the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2 exposed after removing the metal layer 3 by etching or chemical mechanical polishing (CMP) in the metal-clad laminate 1 are both 50 nm or less.

本実施形態における配線基板10のヘイズ(Hz)は、1.0以下であればよく、0.7以下であるのが好ましく、0.1~0.5であるのがより好ましい。配線基板10のヘイズ(Hz)が1.0以下であることで、配線基板10の透明性(可視光域(波長380nm~780nm)における透明性)を確保することができる。そのため、本実施形態における配線基板10は、例えばタッチパネルや面状ヒーター等の透明性が要求されるデバイスとして好適である。 The haze (Hz) of the wiring board 10 in this embodiment may be 1.0 or less, preferably 0.7 or less, and more preferably 0.1 to 0.5. By ensuring that the haze (Hz) of the wiring board 10 is 1.0 or less, the transparency of the wiring board 10 (transparency in the visible light range (wavelengths 380 nm to 780 nm)) can be ensured. Therefore, the wiring board 10 in this embodiment is suitable for devices that require transparency, such as touch panels and planar heaters.

本実施形態における配線基板10の製造方法の一例について説明する。図5A~図5Cは、本実施形態における配線基板の製造方法の各工程を示す切断端面図である。 An example of a method for manufacturing the wiring board 10 in this embodiment will be described. Figures 5A to 5C are cross-sectional views showing each step of the method for manufacturing the wiring board in this embodiment.

まず、本実施形態に係る金属張積層板1(図1A及び図1B参照)を準備し、当該金属張積層板1の金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)を被覆するレジスト層70を形成する(図5A参照)。 First, a metal-clad laminate 1 according to this embodiment (see Figures 1A and 1B) is prepared, and a resist layer 70 is formed to cover the metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32) of the metal-clad laminate 1 (see Figure 5A).

レジスト層70を構成するレジスト材料は、特に限定されるものではなく、例えば、ネガ型又はポジ型の感光性材料等を用いることができるが、ネガ型の感光性材料を用いるのが好ましい。配線層は、レジスト層70のパターニングによって形成されるマスクパターン71を介した金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)のエッチングにより形成される。そのため、レジスト層70の膜厚は、金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)の構成材料に応じたエッチング選択比等に応じて適宜設定され得る。 The resist material constituting the resist layer 70 is not particularly limited, and may be, for example, a negative or positive photosensitive material, but it is preferable to use a negative photosensitive material. The wiring layer is formed by etching the metal layer 3 (the first metal layer 31 and the second metal layer 32) through a mask pattern 71 formed by patterning the resist layer 70. Therefore, the film thickness of the resist layer 70 can be appropriately set according to the etching selectivity ratio according to the constituent material of the metal layer 3 (the first metal layer 31 and the second metal layer 32).

レジスト層70を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の塗膜形成方法を採用すればよい。例えば、レジスト層70を構成するレジスト材料を、ダイコート法、スピンコート法等により金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)上に塗布する方法等が挙げられる。また、上記レジスト材料からなるドライフィルムレジストを、ラミネーター等を用いて金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)上に積層形成する方法等であってもよい。 The method for forming the resist layer 70 is not particularly limited, and any conventionally known coating method may be used. For example, a method may be used in which the resist material constituting the resist layer 70 is applied onto the metal layer 3 (the first metal layer 31 and the second metal layer 32) by a die coating method, a spin coating method, or the like. Alternatively, a method may be used in which a dry film resist made of the resist material is laminated onto the metal layer 3 (the first metal layer 31 and the second metal layer 32) using a laminator, or the like.

次に、レジスト層70のパターニングにより、第1配線層61及び第2配線層62に対応するマスクパターン71を形成する(図5B参照)。レジスト層70のパターニング方法としては、例えば、マスクパターン71に対応するフォトマスクを介した露光・現像によるフォトリソグラフィ法、マスクパターン71に対応する凹凸構造を有するインプリントモールドを用いたインプリントリソグラフィ法等であればよい。なお、レジスト層70の形成及びそのパターニングに代えて上記レジスト材料の印刷により、第1配線層61及び第2配線層62に対応するマスクパターン71を金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)上に形成してもよい。 Next, the resist layer 70 is patterned to form a mask pattern 71 corresponding to the first wiring layer 61 and the second wiring layer 62 (see FIG. 5B). The resist layer 70 may be patterned, for example, by a photolithography method using exposure and development through a photomask corresponding to the mask pattern 71, or an imprint lithography method using an imprint mold having a concave-convex structure corresponding to the mask pattern 71. Note that instead of forming the resist layer 70 and patterning it, the mask pattern 71 corresponding to the first wiring layer 61 and the second wiring layer 62 may be formed on the metal layer 3 (the first metal layer 31 and the second metal layer 32) by printing the resist material.

そして、マスクパターン71を介して金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)と下地層4(第1下地層41及び第2下地層42)又は接合層5(第1接合層51及び第2接合層52)とをエッチング(ウェットエッチング又はドライエッチング)することにより、樹脂フィルム2の第1面21上に第1配線層61を形成し、第2面22上に第2配線層62を形成する(図5C参照)。金属層3と下地層4又は接合層5とをウェットエッチングするためのエッチング液は、金属層3と下地層4又は接合層5との構成材料に応じて適宜選択されればよい。このようにして、本実施形態における配線基板10(図4A参照)が製造され得る。 Then, the metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32) and the underlayer 4 (first underlayer 41 and second underlayer 42) or the bonding layer 5 (first bonding layer 51 and second bonding layer 52) are etched (wet etching or dry etching) through the mask pattern 71 to form a first wiring layer 61 on the first surface 21 of the resin film 2, and a second wiring layer 62 on the second surface 22 (see FIG. 5C). The etching solution for wet etching the metal layer 3 and the underlayer 4 or the bonding layer 5 may be appropriately selected depending on the constituent materials of the metal layer 3 and the underlayer 4 or the bonding layer 5. In this way, the wiring board 10 (see FIG. 4A) in this embodiment can be manufactured.

本実施形態における配線基板10の製造方法の他の例について説明する。図6A~図6Cは、本実施形態における配線基板10の製造方法の他の態様の各工程を示す切断端面図である。 Another example of the method for manufacturing the wiring board 10 in this embodiment will be described. Figures 6A to 6C are cross-sectional end views showing the steps of another aspect of the method for manufacturing the wiring board 10 in this embodiment.

まず、本実施形態に係る金属張積層板1(図1A及び図1B参照)を準備し、当該金属張積層板1の金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)を被覆するレジスト層70を形成する(図5A参照)。そして、レジスト層70のパターニングにより、金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)上にレジストパターン71を形成する(図5B参照)。後述するように、レジストパターン71の凹部(開口部)に形成される第3層613,623が配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)の一部を構成するため、レジストパターン71の凹部(開口部)の寸法(例えば、凹部(開口部)の短手方向の幅等)や平面視形状(例えば、ラインアンドスペース状、鍵状等)は、製造予定の配線基板10において要求される配線ルール等に従って適宜設定されればよい。 First, a metal-clad laminate 1 according to this embodiment (see FIGS. 1A and 1B) is prepared, and a resist layer 70 is formed to cover the metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32) of the metal-clad laminate 1 (see FIG. 5A). Then, a resist pattern 71 is formed on the metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32) by patterning the resist layer 70 (see FIG. 5B). As described later, the third layers 613 and 623 formed in the recesses (openings) of the resist pattern 71 constitute part of the wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62). Therefore, the dimensions (e.g., the width of the recesses (openings) in the short direction, etc.) and the planar shape (e.g., line-and-space shape, key shape, etc.) of the recesses (openings) of the resist pattern 71 may be appropriately set according to the wiring rules, etc. required for the wiring board 10 to be manufactured.

次に、レジストパターン71の凹部(開口部)を埋めるようにして金属配線層8(第1金属配線層81及び第2金属配線層82)を形成する(図6A参照)。金属配線層8(第1金属配線層81及び第2金属配線層82)は、例えば、それらを構成する材料を用いた無電解めっき処理等により形成され得る。 Next, the metal wiring layer 8 (first metal wiring layer 81 and second metal wiring layer 82) is formed so as to fill the recesses (openings) of the resist pattern 71 (see FIG. 6A). The metal wiring layer 8 (first metal wiring layer 81 and second metal wiring layer 82) can be formed, for example, by electroless plating using the materials that make up the metal wiring layer 8.

続いて、レジストパターン71を除去することで、金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)上に、配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)の一部を構成する第3層613,623を形成する(図6B参照)。その後、金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)と下地層4(第1下地層41及び第2下地層42)又は接合層5(第1接合層51及び第2接合層52)とをエッチングすることで、樹脂フィルム2側から第1層611,621、第2層612,622及び第3層613,623がこの順に積層された積層構造を有する配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)を形成する(図6C参照)。このようにして、本実施形態における配線基板10(図4B参照)が製造され得る。 Next, the resist pattern 71 is removed to form the third layers 613, 623 constituting a part of the wiring layer 6 (the first wiring layer 61 and the second wiring layer 62) on the metal layer 3 (the first metal layer 31 and the second metal layer 32) (see FIG. 6B). Then, the metal layer 3 (the first metal layer 31 and the second metal layer 32) and the underlayer 4 (the first underlayer 41 and the second underlayer 42) or the bonding layer 5 (the first bonding layer 51 and the second bonding layer 52) are etched to form the wiring layer 6 (the first wiring layer 61 and the second wiring layer 62) having a laminated structure in which the first layers 611, 621, the second layers 612, 622, and the third layers 613, 623 are laminated in this order from the resin film 2 side (see FIG. 6C). In this way, the wiring board 10 (see FIG. 4B) in this embodiment can be manufactured.

本実施形態における配線基板10の製造方法の他の例について説明する。図7A~図7Cは、本実施形態における配線基板10の製造方法の他の態様の各工程を示す切断端面図である。 Another example of the method for manufacturing the wiring board 10 in this embodiment will be described. Figures 7A to 7C are cross-sectional end views showing the steps of another aspect of the method for manufacturing the wiring board 10 in this embodiment.

本実施形態に係る金属張積層板1(図2B参照)を準備し(図7A参照)、当該金属張積層板1の金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)に化学的機械研磨処理(CMP)を施すことで、パターン9の凸部92の頂部を露出させる(図7B参照)。これにより、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22に形成されたパターン9の凹部91に埋設された第2層612,622が形成される。 The metal-clad laminate 1 (see FIG. 2B) according to this embodiment is prepared (see FIG. 7A), and the metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32) of the metal-clad laminate 1 is subjected to chemical mechanical polishing (CMP) to expose the tops of the protruding portions 92 of the pattern 9 (see FIG. 7B). This forms second layers 612, 622 embedded in the recesses 91 of the pattern 9 formed on the first surface 21 and second surface 22 of the resin film 2.

次に、パターン9(凸部92)を除去し、パターン9(凸部92)の除去により露出した下地層4(又は接合層5)をエッチング(ウェットエッチング又はドライエッチング)により除去する(図7C参照)。これにより、第2層612,622の樹脂フィルム2側に第1層611,621が形成され、第1層611,621と第2層612,622とが樹脂フィルム2側から順に積層された配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)が形成される。このようにして、本実施形態における配線基板10(図4A参照)が製造され得る。なお、金属張積層板1におけるパターン9(凸部92)が透明材料により構成され、ヘイズが1.0以下であって、接合層5が電気的絶縁性を有する材料により構成されるものである場合、パターン9の凸部92の頂部を露出させた後(図7B参照)、パターン9を除去せずに、パターン9を備える配線基板10を製造してもよい。 Next, the pattern 9 (protrusions 92) is removed, and the base layer 4 (or the bonding layer 5) exposed by removing the pattern 9 (protrusions 92) is removed by etching (wet etching or dry etching) (see FIG. 7C). As a result, the first layers 611, 621 are formed on the resin film 2 side of the second layers 612, 622, and the wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62) in which the first layers 611, 621 and the second layers 612, 622 are laminated in order from the resin film 2 side is formed. In this manner, the wiring board 10 (see FIG. 4A) in this embodiment can be manufactured. Note that, when the pattern 9 (protrusions 92) in the metal-clad laminate 1 is made of a transparent material, has a haze of 1.0 or less, and the bonding layer 5 is made of a material having electrical insulation, after exposing the tops of the protrusions 92 of the pattern 9 (see FIG. 7B), the wiring board 10 including the pattern 9 may be manufactured without removing the pattern 9.

本実施形態における配線基板10の製造方法の他の例について説明する。図8A及び図8Bは、本実施形態における配線基板10の製造方法の他の態様の各工程を示す切断端面図である。 Another example of the method for manufacturing the wiring board 10 in this embodiment will be described. Figures 8A and 8B are cross-sectional end views showing the steps of another aspect of the method for manufacturing the wiring board 10 in this embodiment.

本実施形態に係る金属張積層板1(図2C参照)を準備し(図8A参照)、当該金属張積層板1の金属層3(第1金属層31及び第2金属層32)に、パターン9の凸部92の頂部を露出させるようにして化学的機械研磨処理(CMP)を施す(図8B参照)。これにより、樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22に形成されたパターン9の凹部91に埋設された配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)が形成される。このようにして、本実施形態における配線基板10(図4C参照)が製造され得る。なお、このようにして製造された配線基板10(図4C参照)からパターン9を除去することで、図4Aに示す構成を有する配線基板10を製造してもよい。 The metal-clad laminate 1 (see FIG. 2C) according to this embodiment is prepared (see FIG. 8A), and the metal layer 3 (first metal layer 31 and second metal layer 32) of the metal-clad laminate 1 is subjected to chemical mechanical polishing (CMP) so as to expose the tops of the convex portions 92 of the pattern 9 (see FIG. 8B). This forms the wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62) embedded in the concave portions 91 of the pattern 9 formed on the first surface 21 and the second surface 22 of the resin film 2. In this manner, the wiring board 10 (see FIG. 4C) according to this embodiment can be manufactured. The wiring board 10 having the configuration shown in FIG. 4A may be manufactured by removing the pattern 9 from the wiring board 10 (see FIG. 4C) manufactured in this manner.

本実施形態における配線基板10の製造方法によれば、金属張積層板1における樹脂フィルム2と金属層3との180°剥離強度が0.6N/mm以上であることで、金属層3のパターニングの際に必要とされる十分な密着性を有するということができるため、高い精度で配線層6(第1配線層61及び第2配線層62)を形成することができる。また、金属層3と下地層4又は接合層5とをエッチングした後に露出する樹脂フィルム2の第1面21及び第2面22(金属層積層面)の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)がいずれも50nm以下であり、金属層3と下地層4又は接合層5とをエッチングした後の樹脂フィルム2のヘイズが1.0以下であることで、配線基板10の透明性(可視光域(波長380nm~780nm)における透明性)を確保することができる。 According to the manufacturing method of the wiring board 10 in this embodiment, the 180° peel strength between the resin film 2 and the metal layer 3 in the metal-clad laminate 1 is 0.6 N/mm or more, so that it can be said that the metal layer 3 has sufficient adhesion required for patterning, and therefore the wiring layer 6 (first wiring layer 61 and second wiring layer 62) can be formed with high precision. In addition, the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the first surface 21 and the second surface 22 (metal layer laminate surface) of the resin film 2 exposed after etching the metal layer 3 and the base layer 4 or the bonding layer 5 are both 50 nm or less, and the haze of the resin film 2 after etching the metal layer 3 and the base layer 4 or the bonding layer 5 is 1.0 or less, so that the transparency of the wiring board 10 (transparency in the visible light range (wavelength 380 nm to 780 nm)) can be ensured.

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 The above-described embodiments are described to facilitate understanding of the present invention, and are not described to limit the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiments is intended to include all design modifications and equivalents that fall within the technical scope of the present invention.

以下、実施例等をあげて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。 The present invention will be described in more detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples.

[試験例1]
樹脂フィルム2としてシクロオレフィンポリマーフィルム(日本ゼオン社製,ゼオノアフィルムZF16-100)を準備し、シクロオレフィンポリマーフィルムの両面をプラズマ洗浄(プラズマ処理)した後、当該シクロオレフィンポリマーフィルムの両表面に膜厚15nmのIZO薄膜をスパッタリングにより形成した。次に、IZO薄膜上に膜厚200nmの銅薄膜をスパッタリングにより形成した。続いて、電解めっき処理を施し、銅薄膜上に膜厚12μmの電解銅めっき層を形成することで、銅薄膜及び電解銅めっき層からなる金属層3を有する金属張積層板1(Sample 1)を作製した。
[Test Example 1]
A cycloolefin polymer film (ZEON Corporation, Zeonorfilm ZF16-100) was prepared as the resin film 2, and both sides of the cycloolefin polymer film were plasma cleaned (plasma treated), and then a 15 nm-thick IZO thin film was formed by sputtering on both surfaces of the cycloolefin polymer film. Next, a 200 nm-thick copper thin film was formed by sputtering on the IZO thin film. Subsequently, an electrolytic plating process was performed to form a 12 μm-thick electrolytic copper plating layer on the copper thin film, thereby producing a metal-clad laminate 1 (Sample 1) having a metal layer 3 consisting of a copper thin film and an electrolytic copper plating layer.

上記のようにして作製された金属張積層板1について、以下のようにして180°剥離強度を測定した。まず、金属張積層板1の樹脂フィルム2の一方面側の銅層に10mm幅の切れ目を形成した試験片を準備し、JIS-K-6854に則し、荷重変位測定ユニット(イマダ社製,FSA-1KE-50N)を用いて当該試験片について180°剥離試験を行い、180°剥離強度を測定した。結果を表1に示す。 The 180° peel strength of the metal-clad laminate 1 produced as described above was measured as follows. First, a test specimen was prepared by forming a 10 mm wide cut in the copper layer on one side of the resin film 2 of the metal-clad laminate 1, and a 180° peel test was performed on the test specimen using a load-displacement measuring unit (FSA-1KE-50N, manufactured by Imada Co., Ltd.) in accordance with JIS-K-6854 to measure the 180° peel strength. The results are shown in Table 1.

上記のようにして作製された金属張積層板1を、銅エッチング液(メルテックス社製,メルストリップCu-3931)を用いて電解銅めっき層、銅薄膜及びIZO薄膜をエッチングした。電解銅めっき層、銅薄膜及びIZO薄膜がエッチングされた後の樹脂フィルム2の全光線透過率及びヘイズ(Hz)を、ヘーズメーター(村上色彩技術研究所製,HM-150)を用いて測定した。結果を表1に示す。 The electrolytic copper plating layer, copper thin film, and IZO thin film of the metal-clad laminate 1 prepared as described above were etched using a copper etching solution (Meltex, Melstrip Cu-3931). The total light transmittance and haze (Hz) of the resin film 2 after the electrolytic copper plating layer, copper thin film, and IZO thin film were etched were measured using a haze meter (Murakami Color Research Laboratory, HM-150). The results are shown in Table 1.

また、上記電解銅めっき層、銅薄膜及びIZO薄膜がエッチングされた後の樹脂フィルム2の表面の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)を、非接触三次元表面形状測定機(Zygo社製,NV6300 MICROSCOPE)を用いて測定した。結果を表1に示す。 The root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the resin film 2 after the electrolytic copper plating layer, the thin copper film, and the thin IZO film were etched were measured using a non-contact three-dimensional surface profiler (NV6300 MICROSCOPE, manufactured by Zygo Corporation). The results are shown in Table 1.

[試験例2]
樹脂フィルム2としてシクロオレフィンポリマーフィルム(日本ゼオン社製,ゼオノアフィルムZF16-100)を準備し、シクロオレフィンポリマーフィルムをトリアジンチオール系化合物水溶液に浸漬させた。次に、トリアジンチオール系化合物水溶液に浸漬させてシクロオレフィンポリマーフィルムの両表面に形成したトリアジンチオール系化合物薄膜にPd触媒添加処理(キャタライジング処理)を行った後、当該トリアジンチオール系化合物薄膜上に銅薄膜(膜厚200nm)を無電解銅めっき処理により形成した。続いて、電解めっき処理を施し、銅薄膜上に膜厚12μmの電解銅めっき層を形成することで、金属張積層板1を作製した(Sample 2)。このようにして作製した金属張積層板1の180°剥離強度を試験例1と同様にして測定するとともに、上記金属張積層板1の電解銅めっき層、銅薄膜及びトリアジンチオール系化合物薄膜をエッチングした後の樹脂フィルム2の全光線透過率及びヘイズ(Hz)、並びに当該樹脂フィルム2の表面の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)を、実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。
[Test Example 2]
A cycloolefin polymer film (ZEON Corporation, Zeonorfilm ZF16-100) was prepared as the resin film 2, and the cycloolefin polymer film was immersed in an aqueous solution of a triazine thiol compound. Next, a Pd catalyst addition treatment (catalyzing treatment) was performed on the triazine thiol compound thin film formed on both surfaces of the cycloolefin polymer film by immersion in the aqueous solution of a triazine thiol compound, and then a copper thin film (thickness 200 nm) was formed on the triazine thiol compound thin film by electroless copper plating. Then, an electrolytic plating treatment was performed to form an electrolytic copper plating layer with a thickness of 12 μm on the copper thin film, thereby producing a metal-clad laminate 1 (Sample 2). The 180° peel strength of the metal-clad laminate 1 thus produced was measured in the same manner as in Test Example 1, and the total light transmittance and haze (Hz) of the resin film 2 after etching the electrolytic copper plating layer, the copper thin film, and the triazine thiol compound thin film of the metal-clad laminate 1, as well as the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the resin film 2 were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

[試験例3]
IZO薄膜に代えて膜厚4nmのNiCr合金薄膜をスパッタリングにより形成した以外は、試験例1と同様にして金属張積層板(Sample 3)を作製し、当該金属張積層板の180°剥離強度、金属張積層板の電解銅めっき層、銅薄膜及びNiCr合金薄膜をエッチングした後の樹脂フィルムの全光線透過率及びヘイズ(Hz)、並びに樹脂フィルムの表面の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)を測定した。結果を表1に示す。
[Test Example 3]
A metal-clad laminate (Sample 3) was prepared in the same manner as in Test Example 1, except that a 4 nm-thick NiCr alloy thin film was formed by sputtering instead of the IZO thin film, and the 180° peel strength of the metal-clad laminate, the total light transmittance and haze (Hz) of the resin film after etching the electrolytic copper plating layer of the metal-clad laminate, the copper thin film and the NiCr alloy thin film, and the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the resin film were measured. The results are shown in Table 1.

[試験例4]
NiCr合金薄膜の膜厚を12nmに変更した以外は、試験例3と同様にして金属張積層板(Sample 4)を作製し、当該金属張積層板の180°剥離強度、金属張積層板の電解銅めっき層、銅薄膜及びNiCr合金薄膜をエッチングした後の樹脂フィルムの全光線透過率及びヘイズ(Hz)、並びに樹脂フィルムの表面の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)を測定した。結果を表1に示す。
[Test Example 4]
A metal-clad laminate (Sample 4) was prepared in the same manner as in Test Example 3, except that the thickness of the NiCr alloy thin film was changed to 12 nm, and the 180° peel strength of the metal-clad laminate, the total light transmittance and haze (Hz) of the resin film after etching the electrolytic copper plating layer of the metal-clad laminate, the copper thin film and the NiCr alloy thin film, and the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the resin film were measured. The results are shown in Table 1.

[試験例5]
樹脂フィルムとしてシクロオレフィンポリマーフィルム(日本ゼオン社製,ゼオノアフィルムZF16-100)を準備し、樹脂フィルム表面をプラズマ洗浄した後、220℃の熱プレスで当該樹脂フィルム表面に銅箔(福田金属箔粉工業社製,超低粗度無粗化処理電解銅箔CF-T9DA-SV)を貼合して金属張積層板を作製した(Sample 5)。当該金属張積層板の180°剥離強度、銅箔をエッチングした後の樹脂フィルムの全光線透過率及びヘイズ(Hz)、並びに当該樹脂フィルムの表面の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)を、試験例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。
[Test Example 5]
A cycloolefin polymer film (ZEON Corporation, Zeonorfilm ZF16-100) was prepared as a resin film, and the surface of the resin film was plasma cleaned. Then, a copper foil (Fukuda Metal Foil and Powder Co., Ltd., ultra-low roughness non-roughened electrolytic copper foil CF-T9DA-SV) was laminated to the surface of the resin film by a hot press at 220°C to produce a metal-clad laminate (Sample 5). The 180° peel strength of the metal-clad laminate, the total light transmittance and haze (Hz) of the resin film after etching the copper foil, and the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the resin film were measured in the same manner as in Test Example 1. The results are shown in Table 1.

[試験例6]
樹脂フィルムとしてシクロオレフィンポリマーフィルム(日本ゼオン社製,ゼオノアフィルムZF16-100)を準備し、湿式コーティング方式でポリエステル系プライマーを膜厚100nmで塗工した。プライマー層の乾燥後に膜厚200nmの銅蒸着膜をプライマー層上に成膜した。続いて、電解めっき処理を施し、銅蒸着膜上に膜厚12μmの電解銅めっき層を形成することで、金属張積層板を作製した(Sample 6)。当該金属張積層板の180°剥離強度、電解銅めっき層及び銅蒸着膜をエッチングした後の樹脂フィルムの全光線透過率及びヘイズ(Hz)、並びに当該樹脂フィルムの表面の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)を、試験例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。
[Test Example 6]
A cycloolefin polymer film (ZEON Corporation, Zeonorfilm ZF16-100) was prepared as a resin film, and a polyester primer was applied to a thickness of 100 nm by wet coating. After drying of the primer layer, a copper vapor deposition film with a thickness of 200 nm was formed on the primer layer. Subsequently, electrolytic plating was performed to form an electrolytic copper plating layer with a thickness of 12 μm on the copper vapor deposition film, thereby producing a metal-clad laminate (Sample 6). The 180° peel strength of the metal-clad laminate, the total light transmittance and haze (Hz) of the resin film after etching the electrolytic copper plating layer and the copper vapor deposition film, and the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the resin film were measured in the same manner as in Test Example 1. The results are shown in Table 1.

[試験例7]
樹脂フィルムとしてシクロオレフィンポリマーフィルム(日本ゼオン社製,ゼオノアフィルムZF16-100)を準備し、樹脂フィルム表面をプラズマ洗浄した後、トリアジンチオール系化合物を10nmの膜厚で塗工乾燥させた。その後、真空熱プレスで温度150℃、圧力4MPa、時間10分で樹脂フィルムに銅箔(福田金属箔粉工業社製,超低粗度無粗化処理電解銅箔CF-T9DA-SV)を貼合して金属張積層板を作製した(Sample 7)。当該金属張積層板1の180°剥離強度、銅箔をエッチングした後の樹脂フィルムの全光線透過率及びヘイズ(Hz)、並びに当該樹脂フィルムの表面の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)を、試験例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。
[Test Example 7]
A cycloolefin polymer film (ZEON Corporation, Zeonorfilm ZF16-100) was prepared as a resin film, and the surface of the resin film was plasma cleaned, after which a triazine thiol compound was coated with a film thickness of 10 nm and dried. Then, a copper foil (Fukuda Metal Foil and Powder Co., Ltd., ultra-low roughness non-roughened electrolytic copper foil CF-T9DA-SV) was laminated to the resin film at a temperature of 150 ° C., a pressure of 4 MPa, and a time of 10 minutes in a vacuum hot press to produce a metal-clad laminate (Sample 7). The 180 ° peel strength of the metal-clad laminate 1, the total light transmittance and haze (Hz) of the resin film after etching the copper foil, and the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the resin film were measured in the same manner as in Test Example 1. The results are shown in Table 1.

Figure 0007694076000001
Figure 0007694076000001

表1に示す結果から明らかなように、試験例1及び試験例2の金属張積層板1(Sample 1,Sample 2)においては、180°剥離強度が0.6N/mm以上であり、樹脂フィルム2と金属層3との密着性に優れていた。一方で、下地層としてNiCr薄膜を用いた試験例3及び試験例4(Sample 3,Sample 4)においては、透明性の指標である全光線透過率及びヘイズ、表面粗さの指標である二乗平均粗さRms及び算術平均粗さRaについては優れた結果となっているものの、180°剥離強度が不十分であった。また、ポリエステル系プライマーを用いて樹脂フィルムと金属層とを接着した試験例6(Sample 6)においては、優れた180°剥離強度を示すものの、ヘイズ(Hz)が1.4と高く、また、接着剤により構成される接着層を樹脂フィルムと金属層との間に備えることで、高周波特性に劣るものと考えられる。さらに、樹脂フィルムの表面に金属層を形成した試験例7(Sample 7)においては、良好な180°剥離強度を示すものの、金属層を除去した後の樹脂フィルムの二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)の点で劣る結果となった。 As is clear from the results shown in Table 1, in the metal-clad laminate 1 of Test Example 1 and Test Example 2 (Sample 1, Sample 2), the 180° peel strength was 0.6 N/mm or more, and the adhesion between the resin film 2 and the metal layer 3 was excellent. On the other hand, in Test Example 3 and Test Example 4 (Sample 3, Sample 4), in which a NiCr thin film was used as the underlayer, the total light transmittance and haze, which are indicators of transparency, and the root mean square roughness Rms and arithmetic mean roughness Ra, which are indicators of surface roughness, were excellent, but the 180° peel strength was insufficient. In Test Example 6 (Sample 6), in which the resin film and the metal layer were bonded using a polyester-based primer, the haze (Hz) was high at 1.4, and it is considered that the high-frequency characteristics are inferior due to the adhesive layer composed of an adhesive being provided between the resin film and the metal layer. Furthermore , in Test Example 7 (Sample 7), in which a metal layer was formed on the surface of a resin film, good 180° peel strength was exhibited, but the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the resin film after the metal layer was removed were poor.

また、試験例3及び試験例4(Sample 3,Sample 4)のように下地層としてNiCr薄膜を用い、金属層として銅層を用いた金属張積層板から配線基板を作製すると、NiCr薄膜のエッチング時に、銅層のエッチングにより形成される配線層もエッチングされてしまい、配線層の寸法(例えば幅)や形状(断面形状)の精度が低下してしまうおそれがある。さらに、配線層が磁性材料であるNiを含むことになり、その結果として表皮効果による伝送損失の増大のおそれもある。この点、試験例1及び試験例2(Sample 1,Sample 2)のように下地層4としてのIZO薄膜や接合層5としてのトリアジンチオール系化合物薄膜と金属層3としての銅層を有する金属張積層板1から配線基板を作製することで、配線層の寸法(例えば幅)や形状(断面形状)の精度の低下や伝送損失の増大を抑制することができる。 In addition, when a wiring board is fabricated from a metal-clad laminate using a NiCr thin film as the underlayer and a copper layer as the metal layer as in Test Examples 3 and 4 (Sample 3, Sample 4), the wiring layer formed by etching the copper layer is also etched when the NiCr thin film is etched, and there is a risk of the precision of the dimensions (e.g., width) and shape (cross-sectional shape) of the wiring layer decreasing. Furthermore, the wiring layer contains Ni, which is a magnetic material, and as a result, there is a risk of an increase in transmission loss due to the skin effect. In this regard, by fabricating a wiring board from a metal-clad laminate 1 having an IZO thin film as the underlayer 4, a triazine thiol compound thin film as the bonding layer 5, and a copper layer as the metal layer 3 as in Test Examples 1 and 2 (Sample 1, Sample 2), it is possible to suppress the decrease in the precision of the dimensions (e.g., width) and shape (cross-sectional shape) of the wiring layer and the increase in transmission loss.

1…金属張積層板
2…樹脂フィルム
21…第1面
22…第2面
3…金属層
31…第1金属層
32…第2金属層
4…下地層
41…第1下地層
42…第2下地層
5…接合層
51…第1接合層
52…第2接合層
6…配線層
61…第1配線層
62…第2配線層
9…パターン
91…凹部
92…凸部
10…配線基板
REFERENCE SIGNS LIST 1... Metal-clad laminate 2... Resin film 21... First surface 22... Second surface 3... Metal layer 31... First metal layer 32... Second metal layer 4... Underlayer 41... First underlayer 42... Second underlayer 5... Bonding layer 51... First bonding layer 52... Second bonding layer 6... Wiring layer 61... First wiring layer 62... Second wiring layer 9... Pattern 91... Concave portion 92... Convex portion 10... Wiring board

Claims (15)

樹脂フィルムと、前記樹脂フィルムの少なくとも一方の表面である金属層積層面に接着剤を介することなく積層された金属層とを備える金属張積層板であって、
前記接着剤は、樹脂系プライマーにより構成されるものであり、
前記金属層と前記金属層積層面との間に形成された、酸化インジウム亜鉛(IZO)薄膜により構成される下地層又はトリアジンチオール系化合物により構成される接合層を備え、
前記金属層と前記樹脂フィルムとの180°剥離強度が、1.0N/mm以上であり、
前記樹脂フィルムが、シクロオレフィンポリマーフィルム又はシクロオレフィンコポリマー基板である金属張積層板。
A metal-clad laminate comprising a resin film and a metal layer laminated on at least one surface of the resin film, that is, a metal layer lamination surface, without the use of an adhesive,
The adhesive is composed of a resin-based primer,
a base layer formed between the metal layer and the metal layer stacking surface and made of an indium zinc oxide (IZO) thin film or a bonding layer formed of a triazine thiol compound;
The 180° peel strength between the metal layer and the resin film is 1.0 N/mm or more ;
The metal-clad laminate , wherein the resin film is a cycloolefin polymer film or a cycloolefin copolymer substrate .
前記金属層を除去した後に露出する前記金属層積層面の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)がいずれも50nm以下である請求項1に記載の金属張積層板。 The metal-clad laminate according to claim 1, wherein the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the metal layer laminate surface exposed after removing the metal layer are both 50 nm or less. 前記樹脂フィルムの両方の表面が前記金属層積層面であり、
前記金属層は、2つの前記金属層積層面のそれぞれ位置する前記下地層又は前記接合層上に積層されている請求項1又は2に記載の金属張積層板。
Both surfaces of the resin film are the metal layer lamination surfaces,
The metal-clad laminate according to claim 1 or 2 , wherein the metal layer is laminated on the base layer or the bonding layer located on each of the two metal layer lamination surfaces.
前記樹脂フィルムの前記金属層積層面に凹部及び凸部を有するパターンが形成されており、
前記金属層は、前記凹部を埋め、かつ前記金属層積層面を被覆するように積層されている請求項1~のいずれかに記載の金属張積層板。
a pattern having recesses and protrusions is formed on the metal layer lamination surface of the resin film,
4. The metal-clad laminate according to claim 1 , wherein the metal layer is laminated so as to fill the recess and cover the metal layer lamination surface.
樹脂フィルムと、前記樹脂フィルムの少なくとも一方の表面である金属層積層面に接着剤を介することなく設けられた配線層とを備える配線基板であって、
前記接着剤は、樹脂系プライマーにより構成されるものであり、
前記配線層は、前記金属層積層面上に位置する第1層と、前記第1層上に位置する第2層とを含み、
前記第1層は、酸化インジウム亜鉛(IZO)薄膜又はトリアジンチオール系化合物により構成され、
前記第2層は、前記第1層上に位置する無電解金属めっき層又はスパッタ金属層と、前記無電解金属めっき層又は前記スパッタ金属層上に位置する電解金属めっき層とからなり、
前記配線層と前記樹脂フィルムとの180°剥離強度が、1.0N/mm以上であり、
前記樹脂フィルムが、シクロオレフィンポリマーフィルム又はシクロオレフィンコポリマー基板である配線基板。
A wiring board comprising a resin film and a wiring layer provided on at least one surface of the resin film, which is a metal layer laminated surface, without using an adhesive,
The adhesive is composed of a resin-based primer,
the wiring layer includes a first layer located on the metal layer stacking surface and a second layer located on the first layer,
the first layer is composed of an indium zinc oxide (IZO) thin film or a triazine thiol compound;
the second layer is composed of an electroless metal plating layer or a sputtered metal layer located on the first layer, and an electrolytic metal plating layer located on the electroless metal plating layer or the sputtered metal layer,
The 180° peel strength between the wiring layer and the resin film is 1.0 N/mm or more,
The wiring board , wherein the resin film is a cycloolefin polymer film or a cycloolefin copolymer substrate .
前記配線層は、前記第2層の前記電解金属めっき層上に位置する、無電解金属めっき層からなる第3層を有する請求項5に記載の配線基板。 6. The wiring board according to claim 5, wherein the wiring layer includes a third layer made of an electroless metal plating layer located on the electrolytic metal plating layer of the second layer . 樹脂フィルムの少なくとも一方の表面である金属層積層面に接着剤を介することなく金属層が形成されている金属張積層板を製造する方法であって、
前記接着剤は、樹脂系プライマーにより構成されるものであり、
前記樹脂フィルムの前記金属層積層面上に、酸化インジウム亜鉛(IZO)薄膜により構成される下地層又はトリアジンチオール系化合物により構成される接合層を形成する工程と、
前記下地層又は前記接合層上に前記金属層を形成する工程を含み、
前記金属層を形成する工程は、前記下地層又は前記接合層上に無電解金属めっき層又はスパッタ金属層を形成する工程と、前記無電解金属めっき層又は前記スパッタ金属層上に電解金属めっき層を形成する工程とからなり、
前記樹脂フィルムの前記金属層積層面の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)がいずれも50nm以下であり、
前記金属層と前記樹脂フィルムとの180°剥離強度が、1.0N/mm以上であり、
前記樹脂フィルムが、シクロオレフィンポリマーフィルム又はシクロオレフィンコポリマー基板である金属張積層板の製造方法。
A method for producing a metal-clad laminate in which a metal layer is formed on at least one surface of a resin film, that is, a metal layer lamination surface, without the use of an adhesive, comprising the steps of:
The adhesive is composed of a resin-based primer,
forming an underlayer made of an indium zinc oxide (IZO) thin film or a bonding layer made of a triazine thiol compound on the metal layer laminated surface of the resin film;
forming the metal layer on the underlayer or the bonding layer ;
The step of forming the metal layer includes a step of forming an electroless metal plating layer or a sputtered metal layer on the underlayer or the bonding layer, and a step of forming an electrolytic metal plating layer on the electroless metal plating layer or the sputtered metal layer,
the root mean square roughness (Rms) and the arithmetic mean roughness (Ra) of the metal layer lamination surface of the resin film are both 50 nm or less;
The 180° peel strength between the metal layer and the resin film is 1.0 N/mm or more ;
The method for producing a metal-clad laminate , wherein the resin film is a cycloolefin polymer film or a cycloolefin copolymer substrate .
前記金属張積層板から前記金属層を除去した後の前記樹脂フィルムの前記金属層積層面の二乗平均粗さ(Rms)及び算術平均粗さ(Ra)がいずれも50nm以下である請求項に記載の金属張積層板の製造方法。 The method for producing a metal-clad laminate according to claim 7 , wherein the root mean square roughness (Rms) and arithmetic mean roughness (Ra) of the metal layer laminate surface of the resin film after removing the metal layer from the metal-clad laminate are both 50 nm or less. 前記樹脂フィルムの両方の表面が前記金属層積層面であり、
前記金属層を形成する工程において、前記2つの金属層積層面のそれぞれに前記接着剤を介することなく前記金属層を形成する請求項7又は8に記載の金属張積層板の製造方法。
Both surfaces of the resin film are the metal layer lamination surfaces,
The method for producing a metal-clad laminate according to claim 7 or 8 , wherein in the step of forming the metal layer, the metal layer is formed on each of the two metal layer lamination surfaces without using the adhesive.
前記樹脂フィルムの前記金属層積層面に、凹部及び凸部を有するパターンが形成されており、
前記金属層を形成する工程において、前記凹部を埋め、かつ前記パターンの前記凸部を被覆するように前記金属層を形成する請求項のいずれかに記載の金属張積層板の製造方法。
a pattern having recesses and protrusions is formed on the metal layer lamination surface of the resin film,
The method for producing a metal-clad laminate according to any one of claims 7 to 9 , wherein in the step of forming the metal layer, the metal layer is formed so as to fill the recesses and cover the protrusions of the pattern.
請求項のいずれかに記載の金属張積層板の製造方法により製造された前記金属張積層板の前記金属層をエッチングして配線層を形成する工程を含む配線基板の製造方法。 A method for producing a wiring board, comprising the step of forming a wiring layer by etching the metal layer of the metal-clad laminate produced by the method for producing a metal-clad laminate according to any one of claims 7 to 9 . 前記金属層をエッチングした後に露出する前記樹脂フィルムの二乗平均粗さ(RMS)及び算術平均粗さ(Ra)がいずれも50nm以下である請求項11に記載の配線基板の製造方法。 The method for manufacturing a wiring board according to claim 11 , wherein the resin film exposed after etching the metal layer has a root mean square roughness (RMS) and an arithmetic mean roughness (Ra) of 50 nm or less. 前記金属層をエッチングした後に露出する前記樹脂フィルムのヘイズが、0.1~0.5である請求項11又は12に記載の配線基板の製造方法。 13. The method for manufacturing a wiring board according to claim 11 , wherein the haze of the resin film exposed after etching the metal layer is 0.1 to 0.5. 請求項10に記載の金属張積層板の製造方法により製造された前記金属張積層板の前記パターンの前記凸部の頂部を露出させるように前記金属層を化学的機械研磨処理して配線層を形成する工程を含む配線基板の製造方法。 A method for manufacturing a wiring board, comprising the step of forming a wiring layer by chemically and mechanically polishing the metal layer so as to expose the tops of the convex portions of the pattern of the metal-clad laminate manufactured by the method for manufacturing a metal-clad laminate according to claim 10. 請求項のいずれかに記載の金属張積層板の製造方法により製造された前記金属張積層板の前記金属層上に、開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの前記開口部に金属配線層を形成する工程と
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記レジストパターンの除去により露出した前記金属層をエッチングする工程と
を含む配線基板の製造方法。
A step of forming a resist pattern having an opening on the metal layer of the metal-clad laminate produced by the method for producing a metal-clad laminate according to any one of claims 7 to 9 ;
forming a metal wiring layer in the opening of the resist pattern; and removing the resist pattern.
and etching the metal layer exposed by removing the resist pattern.
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