JP7697776B2 - ポジ型感光性樹脂組成物、及びそれから調製される硬化膜 - Google Patents
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Description
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、バインダとしてアクリルコポリマー(A)を含み得る。
構造単位(a-1)は、エチレン性不飽和カルボン酸、エチレン性不飽和カルボン酸無水物、又はそれらの組合せから誘導することができる。
構造単位(a-2)は、少なくとも1つのエポキシ基を含有する不飽和モノマーから誘導することができる。
構造単位(a-3)は、構造単位(a-1)及び(a-2)とは異なるエチレン性不飽和化合物から誘導することができる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、バインダとしてシロキサンコポリマーを含み得る。
- Q型シロキサン構造単位:例えば、4つの加水分解性基を有する四官能性シラン化合物又はシラン化合物の加水分解産物に由来し得る、ケイ素原子及び4つの隣接する酸素原子を含むシロキサン構造単位。
- T型シロキサン構造単位:例えば、3つの加水分解性基を有する三官能性シラン化合物又はシラン化合物の加水分解産物に由来し得る、ケイ素原子及び3つの隣接する酸素原子を含むシロキサン構造単位。
- D型シロキサン構造単位:例えば、2つの加水分解性基を有する二官能性シラン化合物又はシラン化合物の加水分解産物に由来し得る、ケイ素原子及び2つの隣接する酸素原子を含むシロキサン構造単位(すなわち直鎖状シロキサン構造単位)。
- M型シロキサン構造単位:例えば、1つの加水分解性基を有する単官能性シラン化合物又はシラン化合物の加水分解産物に由来し得る、ケイ素原子及び1つの隣接する酸素原子を含むシロキサン構造単位。
[式3]
(R4)nSi(OR5)4-n
本発明によるポジ型感光性樹脂組成物は、1,2-キノンジアジドをベースとする化合物(C)を含み得る。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、多官能性モノマー(D)を含み得る。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、上記の成分が溶媒と混合される液体組成物の形態で調製され得る。溶媒は、例えば、有機溶媒であり得る。
本発明によるポジ型感光性樹脂組成物は、エポキシ化合物を更に含み得る。エポキシ化合物は、バインダ、具体的にはシロキサンコポリマーの内部密度を増加させることができ、それによってそれから形成される硬化膜の耐化学性を増進することができる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、その被覆性を増進させる界面活性剤を必要に応じて更に含み得る。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、基板への密着性を増進させる密着補助剤を更に含み得る。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、少なくとも1種の下記の式4によって表されるシラン化合物、特にT型及び/又はQ型のシランモノマーを含み、それにより、エポキシ化合物、例えばエポキシオリゴマーと共同してシロキサンコポリマー中の高反応性シラノール基(Si-OH)を低減させることにより、後加工における処理中に耐化学性を増進し得、
[式4]
(R6)nSi(OR7)4-n
上記の式4において、nは、0~3の整数であり、R6は、それぞれ独立して、C1~12アルキル、C2~10アルケニル、C6~15アリール、C3~12ヘテロアルキル、C4~10ヘテロアルケニル、又はC6~15ヘテロアリールであり、及びR7は、それぞれ独立して、水素、C1~6アルキル、C2~6アシル、又はC6~15アリールであり、ヘテロアルキル、ヘテロアルケニル、及びヘテロアリール基は、それぞれ独立して、O、N及びSからなる群から選択される少なくとも1つのヘテロ原子を有する。
本発明の形態
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに溶媒として200重量部のメチル3-メトキシプロピオネート(MMP)を投入し、溶媒をゆっくりと攪拌する一方、溶媒の温度を70℃に上昇させた。それに続いて、19.8重量部のスチレン(Sty)、25.7重量部のメチルメタクリレート(MMA)、27.1重量部のグリシジルメタクリレート(GMA)、15.6重量部のメタクリル酸(MAA)及び11.7重量部のメチルアクリレート(MA)をそれに加えた。次に、ラジカル重合開始剤として3重量部の2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)を、そこに5時間にわたり滴下で添加し、重合反応を行った。このように得られたコポリマー(固体含量:32重量%)の重量平均分子量は、9,000~11,000Daであった。
アクリルコポリマー(A-2~A-4)を調製実施例1と同様に調製したが、ただしモノマーの種類及び/又は含有量を以下の表1に示すように変更した。
還流冷却器を備えた反応器に、20重量%のフェニルトリメトキシシラン(PhTMOS)、30重量%のメチルトリメトキシシラン(MTMOS)、20重量%のテトラエトキシシラン(TEOS)、及び15重量%の脱イオン水(DI水)を添加し、続いてそこに15重量%のPGMEAを添加した。続いて、混合物を、0.1重量%のシュウ酸触媒の存在下で還流させながら6時間激しく撹拌した。続いて、混合物を冷却し、固体含量が30重量%となるようにPGMEAで希釈し、それによりシロキサンコポリマー(B-1)を得た。このように得られたコポリマー(固体含量:30重量%)の重量平均分子量は、6,000~11,000Daであった。
シロキサンコポリマー(B-2~B-5)を調製実施例1と同様に調製したが、ただしモノマーの種類及び/又は含有量を以下の表2に示すように変更した。
三つ口フラスコは冷却管を備えており、サーモスタットを備えた攪拌機上に配置した。フラスコに、100モル%のシクロヘキシルメチルメタクリレート、10重量部の2,2’-アゾビス(2-メチルブチロニトリル)及び100重量部のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)からなるモノマー100重量部を投入し、それに続いてそれに窒素を投入した。その後、溶液をゆっくりと攪拌しながら溶液の温度を80℃まで上げ、温度を5時間維持した。続いて、固体含量が20重量%となるようにPGMEAを加え、それにより3,000~6,000Daの重量平均分子量を有するエポキシ化合物を得た。
以下の実施例及び比較例の感光性樹脂組成物は、上の調製実施例で調製した化合物を使用してそれぞれ調製した。
反応器に、残部の溶媒を除く感光性樹脂組成物の全重量を基準に22.50重量%及び28.32重量%の調製実施例1及び2のアクリルコポリマー(A-1)及び(A-2)をそれぞれ投入した。更に、そこに、アクリルコポリマー(A)の100重量部を基準にして(固体含量に基づく)、57.33重量部の調製実施例5のシロキサンコポリマー(B-1)、6.53重量部の調製実施例10のエポキシ化合物(F)、5.90重量部の多官能性モノマー(D-1)、並びにそれぞれ15.30重量部及び11.36重量部の1,2-キノンジアジド化合物(C-1)及び(C-2)を投入した。更に、組成物の全重量を基準に0.23重量%の界面活性剤を添加した。続いて、固体含量が22重量%となるように、45.24重量%の溶媒(E-1)、24.96重量%の溶媒(E-2)、及び7.80重量%の溶媒(E-3)をそれと混合した。3時間後、混合溶液を、0.2μmの孔径を有するメンブランフィルターを通して濾過し、22重量%の固体含量を有する組成物溶液を得た。
感光性樹脂組成物溶液を、それぞれの成分の種類及び/又は含量を下記の表4及び5に示すように変更したことを除き、それぞれ実施例1と同じ方法で調製した。
評価実施例1:膜保持率
実施例及び比較例において調製した組成物をスピンコーティングによってそれぞれガラス基板上にコーティングした。その後、コーティングされた基板を105℃で105秒間保ったホットプレート上でプリベークすることで乾燥膜を形成した。これを、続いて23℃で85秒間、パドルノズルを介した2.38重量%の水酸化テトラメチルアンモニウムの水性現像剤で現像した。その後、現像した膜を、200nm~450nmの波長を有する光を放射するアライナー(モデル名:MA6)を用いて、365nmの波長を基準にして200mJ/cm2の照射線量率で一定時間露光させることによってフォトブリーチングにかけた。このように得られた露光した膜を対流式オーブンで240℃で20分間加熱することで厚さ2.1μmの硬化膜を調製した。膜保持率(%)を、下記の数式に従い、測定器(SNU Precision)を使用して、ポストベークした膜の厚さ対プリベークした膜の厚さの比率(百分率)を計算することにより得た。膜保持率は、70%以上で優れていると評価され、60%~70%未満で良好であると評価された。
[式]
膜保持率(%)=(ポストベークした際の膜の厚さ/プリベークした際の膜の厚さ)×100
実施例及び比較例において調製した組成物をスピンコーティングによってそれぞれガラス基板上にコーティングした。続いて、コーティングされた基板を105℃に保ったホットプレート上で105秒間プリベークすることで乾燥膜を形成した。1μm~30μm範囲の寸法の角穴のパターンを有するマスクを、乾燥した膜上に配置した。続いて、膜を、200nm~450nmの波長の光を放出するアライナー(モデル名:MA6)を使用して、一定時間、365nmの波長に基づいて0~200mJ/cm2の露光率で露光した。本明細書では、iライン光学フィルタを適用し、露光基準ランプ(exposure reference lamp)と基板との間の間隔を20μmに維持した。続いて、水酸化テトラメチルアンモニウムの2.38重量%水溶液である現像剤を用いて、パドルノズルを介し、23℃で85秒これを現像した。
評価実施例2と同様の方法で硬化膜を得た。
- 0.1μm以下:熱流動性なし(優れた)
- 0.1μm超~0.3μm:僅かな熱流動性(良好)
- 0.3μm超:高い熱流動性(劣った)
評価実施例2と同様の方法で硬化膜を得た。これを、11μmのマスク寸法ごとに形成された穴パターンの限界寸法が10μmとなるように露光させた。続いて、スカムの存在を確認するためにSEMによって穴パターンの断面を観察した。スカムが少ないほどより良好である。スカムが存在しなかった場合は“×”であった。スカムが存在した場合は“○”であった。多量のスカムが存在した場合は
評価実施例2と同様の方法で硬化膜を得た。調製された硬化膜の表面をSEMによって観察し、表面上の不規則さ及び亀裂などの欠陥の程度を数値的に1~5で評価した。1に近いほど、より表面粗度は良好である。
Claims (8)
- (A)アクリルコポリマー;
(B)シロキサンコポリマー;
(C)1,2-キノンジアジド化合物;
(D)多官能性モノマー;及び
(E)溶媒を含み、
前記アクリルコポリマー(A)の100重量部を基準にして、前記多官能性モノマー(D)を1~30重量部の量で含み、
前記多官能性モノマー(D)がエチレン性不飽和二重結合を有する三官能~八官能性エステル化合物であり、
前記アクリルコポリマー(A)が、(a-1)エチレン性不飽和カルボン酸、エチレン性不飽和カルボン酸無水物、又はそれらの組合せから誘導される構造単位;(a-2)エポキシ基を含む不飽和化合物から誘導される構造単位;並びに(a-3)前記構造単位(a-1)及び(a-2)とは異なるエチレン性不飽和化合物から誘導される構造単位を含む、ポジ型感光性樹脂組成物。 - 前記構造単位(a-3-1)及び前記構造単位(a-3-2)は、1:99~80:20の含量比を有する、請求項3に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記シロキサンコポリマー(B)が、以下の式3:
[式3]
(R4)nSi(OR5)4-n
により表されるシラン化合物から誘導される構造単位を含み、上記の式3において、
nは、0~3の整数であり、
R4は、それぞれ独立して、C1~12アルキル、C2~10アルケニル、C6~15アリール、C3~12ヘテロアルキル、C4~10ヘテロアルケニル、又はC6~15ヘテロアリールであり、
R5は、それぞれ独立して、水素、C1~6アルキル、C2~6アシル又はC6~15アリールであり、
前記ヘテロアルキル、前記ヘテロアルケニル、及び前記ヘテロアリール基は、それぞれ独立して、O、N及びSからなる群から選択される少なくとも1つのヘテロ原子を有する、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。 - 前記アクリルコポリマー(A)の100重量部を基準にして、前記シロキサンコポリマー(B)を20~80重量部の量で含む、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- エポキシ化合物を更に含む、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物から調製される硬化膜。
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| CN113549962B (zh) * | 2021-07-28 | 2022-06-07 | 广东工业大学 | 一种填孔镀铜整平剂分子及其应用 |
| JP7397419B1 (ja) | 2023-06-02 | 2023-12-13 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物、硬化膜及びその製造方法、半導体素子並びに表示素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010139802A (ja) | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Toray Ind Inc | 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5003081B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2012-08-15 | 東レ株式会社 | 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
| JP5056260B2 (ja) * | 2006-12-14 | 2012-10-24 | 東レ株式会社 | 感光性シロキサン組成物およびその製造方法、並びにそれから形成された硬化膜および硬化膜を有する素子 |
| TWI425315B (zh) * | 2007-01-18 | 2014-02-01 | Jsr Corp | Sensitive radiation linear resin composition, interlayer insulating film and microlens, and the like |
| JP4321637B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2009-08-26 | セイコーエプソン株式会社 | 歯科用インプラントの製造方法 |
| JP5099140B2 (ja) | 2007-08-24 | 2012-12-12 | 東レ株式会社 | 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
| KR20100063540A (ko) * | 2008-12-03 | 2010-06-11 | 주식회사 동진쎄미켐 | 네가티브 감광성 수지 조성물 |
| JP5356603B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2013-12-04 | コーロン インダストリーズ インク | ドライフィルムフォトレジスト |
| JP5617476B2 (ja) * | 2010-09-22 | 2014-11-05 | Jsr株式会社 | シロキサンポリマー組成物、硬化膜及び硬化膜の形成方法 |
| KR20160044334A (ko) * | 2014-10-15 | 2016-04-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 스페이서 형성용 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조되는 스페이서 |
| WO2019102655A1 (ja) * | 2017-11-21 | 2019-05-31 | 東レ株式会社 | シロキサン樹脂組成物、硬化膜および表示装置 |
-
2019
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Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2010139802A (ja) | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Toray Ind Inc | 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
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