JP7704566B2 - ドレッサーボード及び切削ブレードのドレッシング方法 - Google Patents

Description

本発明は、被加工物を切削する切削ブレードの形状の修正に用いられるドレッサーボード、及び、該ドレッサーボードを用いた切削ブレードのドレッシング方法に関する。

複数のデバイスが形成されたウェーハを分割して個片化することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが製造される。また、複数のデバイスチップを所定の基板上に実装し、実装されたデバイスチップを樹脂でなる封止材（モールド樹脂）で被覆することにより、パッケージ基板が得られる。このパッケージ基板を分割して個片化することにより、パッケージ化された複数のデバイスチップをそれぞれ備える複数のパッケージデバイスが製造される。デバイスチップやパッケージデバイスは、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の様々な電子機器に組み込まれる。

上記のウェーハ、パッケージ基板等の被加工物の分割には、切削装置が用いられる。切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、被加工物に切削加工を施す切削ユニットとを備えており、切削ユニットには環状の切削ブレードが装着される。切削ブレードを回転させ、チャックテーブルによって保持された被加工物に切り込ませることにより、被加工物が切削、分割される。

切削ブレードによる被加工物の切削を継続すると、切削ブレードの先端部が徐々に摩耗し、切削ブレードの先端面が丸みを帯びた形状（Ｒ形状）に変化する。そして、摩耗した切削ブレードで被加工物を切削して複数のチップに分割すると、切削ブレードのＲ形状がチップに反映されてチップの形状が崩れ、チップの品質が低下するおそれがある。

そこで、切削ブレードによって被加工物を切削する前には、切削ブレードの先端部を意図的に摩耗させて切削ブレードの形状を修正するドレッシングが実施される。ドレッシングは、切削ブレードをドレッシングするための部材（ドレッサーボード）を切削装置のチャックテーブルによって保持し、切削ブレードをドレッサーボードに切り込ませることによって実施される。例えば特許文献１には、ドレッサーボードに形成された凸部に切削ブレードを切り込ませることにより、切削ブレードの先端面をフラットに整形する手法が開示されている。

特開２０１９－１８２５４号公報

上記のように、切削ブレードの先端面をフラットに整形する場合には、例えば凸部を有するドレッサーボードが用いられる。凸部を有するドレッサーボードは、平板状のドレッサーボードを切削ブレードによって切削し、ドレッサーボードの表面側に複数の線状の溝（凹部）を形成することによって製造される。この溝は、ドレッシングの実施時における切削ブレードのドレッサーボードへの切り込み深さよりも深くなるように形成される。

しかしながら、ドレッサーボードに深い溝を形成すると、ドレッサーボードの剛性が低下するとともにドレッサーボードの表面側と裏面側とで応力差が生じ、ドレッサーボードに反りが発生することがある。特に、材料の削減等のために薄いドレッサーボードが用いられる場合には、溝を形成した際に反りがより発生しやすくなる。その結果、ドレッサーボードをチャックテーブルによって平坦に保持できず、切削ブレードをドレッサーボードの凸部に正確に切り込ませることが困難になることがある。

本発明は、かかる問題に鑑みてなされたものであり、切削ブレードの適切なドレッシングを可能とするドレッサーボード、及び、該ドレッサーボードを用いた切削ブレードのドレッシング方法の提供を目的とする。

本発明の一態様によれば、切削ブレードの形状の修正に用いられるドレッサーボードであって、第１の砥粒と、該第１の砥粒を固定する第１の結合材とを含む第１の層と、該第１の層を挟むように該第１の層に積層された複数の第２の層と、を含み、該第１の層の厚さは、該切削ブレードの幅よりも小さく、該第２の層は、該第１の砥粒よりも平均粒径が小さい第２の砥粒と、該第２の砥粒を固定する第２の結合材とを含み、該切削ブレードの下面が該第１の層に接触して該切削ブレードの先端部の両側面が該第２の層に接触することにより、該切削ブレードの下面がフラットな形状に近づくように該切削ブレードの先端部の形状が修正されるドレッサーボードが提供される。

なお、好ましくは、該第１の砥粒及び該第２の砥粒は、グリーンカーボランダム又はホワイトアランダムであり、該第１の結合材及び該第２の結合材は、レジンボンドである。また、好ましくは、該第１の砥粒の平均粒径は、１μｍ以上２００μｍ以下であり、該第２の砥粒の平均粒径は、０．１μｍ以上２０μｍ以下である。

また、本発明の他の一態様によれば、切削ブレードの形状の修正に用いられるドレッサーボードであって、砥粒と、該砥粒を固定する結合材とを含む第１の層と、該第１の層を挟むように該第１の層に積層された複数の第２の層と、を含み、該第１の層の厚さは、該切削ブレードの幅よりも小さく、該第２の層は、砥粒を含まず、該切削ブレードの下面が該第１の層に接触して該切削ブレードの先端部の両側面が該第２の層に接触することにより、該切削ブレードの下面がフラットな形状に近づくように該切削ブレードの先端部の形状が修正されるドレッサーボードが提供される。

さらに、本発明の他の一態様によれば、ドレッサーボードを使用して切削ブレードの形状を修正する切削ブレードのドレッシング方法であって、該ドレッサーボードは、第１の砥粒と該第１の砥粒を固定する第１の結合材とを含む第１の層と、該第１の層を挟むように該第１の層に積層された複数の第２の層と、を含み、該第１の層の厚さは、該切削ブレードの幅よりも小さく、該第２の層は、該第１の砥粒よりも平均粒径が小さい第２の砥粒と、該第２の砥粒を固定する第２の結合材とを含み、該第１の層及び該第２の層が露出する面が上面となるように、該ドレッサーボードをチャックテーブルによって保持する工程と、該切削ブレードと該ドレッサーボードとを相対的に移動させて該切削ブレードの先端部を該第１の層に沿って該ドレッサーボードの上面側に切り込ませることにより、該切削ブレードの下面を該第１の層に接触させるとともに該切削ブレードの先端部の両側面を該第２の層に接触させ、該切削ブレードの下面がフラットな形状に近づくように該切削ブレードの先端部の形状を修正する工程と、を含む切削ブレードのドレッシング方法が提供される。

さらに、本発明の他の一態様によれば、ドレッサーボードを使用して切削ブレードの形状を修正する切削ブレードのドレッシング方法であって、該ドレッサーボードは、砥粒と該砥粒を固定する結合材とを含む第１の層と、該第１の層を挟むように該第１の層に積層された複数の第２の層と、を含み、該第１の層の厚さは、該切削ブレードの幅よりも小さく、該第２の層は、砥粒を含まず、該第１の層及び該第２の層が露出する面が上面となるように、該ドレッサーボードをチャックテーブルによって保持する工程と、該切削ブレードと該ドレッサーボードとを相対的に移動させて該切削ブレードの先端部を該第１の層に沿って該ドレッサーボードの上面側に切り込ませることにより、該切削ブレードの下面を該第１の層に接触させるとともに該切削ブレードの先端部の両側面を該第２の層に接触させ、該切削ブレードの下面がフラットな形状に近づくように該切削ブレードの先端部の形状を修正する工程と、を含む切削ブレードのドレッシング方法が提供される。

本発明の一態様に係るドレッサーボードは、砥粒を含む第１の層と、第１の層を挟むように第１の層に積層された複数の第２の層とを含んで構成される。これにより、ドレッサーボードに予め深い溝を形成することなく切削ブレードのドレッシングを実施することが可能となり、ドレッサーボードの反りの発生が抑制される。その結果、ドレッサーボードがチャックテーブルによって適切に保持され、切削ブレードの形状の修正を適切に実施できる。

ドレッサーボードを示す斜視図である。 図２（Ａ）は第１の層及び第２の層を示す斜視図であり、図２（Ｂ）は交互に積層された第１の層及び第２の層を示す斜視図である。 環状のフレームによって支持されたドレッサーボードを示す斜視図である。 切削装置を示す斜視図である。 チャックテーブルによって保持されたドレッサーボードを示す一部断面正面図である。 図６（Ａ）はドレッシング工程におけるドレッサーボードと切削ブレードとを示す一部断面正面図であり、図６（Ｂ）はドレッシング工程後の切削ブレードを示す正面図である。

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るドレッサーボードの構成例について説明する。本実施形態に係るドレッサーボードは、切削ブレードの整形（ドレッシング）に用いられる。切削ブレードは、被加工物に切り込んで被加工物を切削する環状の加工工具である。

切削ブレードによって切削可能な被加工物の例としては、円盤状のシリコンウェーハが挙げられる。例えばシリコンウェーハは、互いに交差するように格子状に配列された複数のストリート（分割予定ライン）によって、複数の矩形状の領域に区画されている。また、ストリートによって区画された領域にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイス等のデバイスが形成されている。このシリコンウェーハを切削ブレードで切削してストリートに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが製造される。

ただし、被加工物の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば被加工物は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等でなるウェーハであってもよい。また、被加工物に形成されるデバイスの種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はなく、被加工物にはデバイスが形成されていなくてもよい。さらに、被加工物は、ＣＳＰ（Chip Size Package）基板、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）基板等のパッケージ基板であってもよい。

切削ブレードで被加工物を加工する際には、まず、切削ブレードのドレッシングが実施される。ドレッシングは、切削ブレードを回転させ、切削ブレードの先端部をドレッサーボードに切り込ませることによって行われる。これにより、切削ブレードの先端部がドレッサーボードと接触して摩耗し、切削ブレードの先端面の形状が修正される。

図１は、ドレッサーボード１１を示す斜視図である。ドレッサーボード１１は、切削ブレードのドレッシングに用いられる直方体状の部材であり、複数の第１の層１３と複数の第２の層１５とを含む。第１の層１３及び第２の層１５は、矩形状に形成された板状の部材であり、ドレッサーボード１１の厚さ方向（第１の層１３及び第２の層１５の厚さ方向）において交互に積層されている。

第１の層１３は、砥粒（第１の砥粒）と、砥粒を固定する結合材（第１の結合材）とを含む。また、第２の層１５は、砥粒（第２の砥粒）と、砥粒を固定する結合材（第２の結合材）とを含む。第１の砥粒及び第２の砥粒としては、グリーンカーボランダム（ＧＣ）、ホワイトアランダム（ＷＡ）等を用いることができる。

なお、第２の層１５に含まれる砥粒（第２の砥粒）の平均粒径は、第１の層１３に含まれる砥粒（第１の砥粒）の平均粒径よりも小さい。例えば、第１の砥粒の平均粒径は１μｍ以上２００μｍ以下であり、第２の砥粒の平均粒径は０．１μｍ以上２０μｍ以下である。

第１の結合材及び第２の結合材としては、樹脂でなるレジンボンドや、セラミックスでなるビトリファイドボンドを用いることができる。特に、第１の結合材及び第２の結合材としてレジンボンドを用いると、切削ブレードをドレッサーボード１１に切り込ませた際における切削ブレードのダメージが抑制されるため、好ましい。

例えば、砥粒をフェノール樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂に含浸させた後、樹脂を板状に成形して所定の温度（例えば１５０℃以上約２００℃以下）で焼成することにより、板状の第１の層１３及び第２の層１５が形成される。なお、第１の層１３及び第２の層１５に砥粒が含まれていると、レジンボンドの流動性が低下し、第１の層１３及び第２の層１５の形状が維持されやすくなる。

図２（Ａ）は、第１の層１３及び第２の層１５を示す斜視図である。例えばドレッサーボード１１は、大型の第１の層１３及び第２の層１５を交互に積層した後、第１の層１３及び第２の層１５を同時に切断することによって製造される。

第１の層１３は、互いに概ね平行な矩形状の第１面（表面）１３ａ及び第２面（裏面）１３ｂを含む。同様に、第２の層１５は、互いに概ね平行な矩形状の第１面（表面）１５ａ及び第２面（裏面）１５ｂを含む。そして、第２の層１５は、第１の層１３を挟むように第１の層１３に積層される。具体的には、第１の層１３の第１面１３ａ側には第２の層１５の第２面１５ｂ側が固定され、第１の層１３の第２面１３ｂ側には第２の層１５の第１面１５ａ側が固定される。例えば、第１の層１３と第２の層１５とは接着剤を介して貼り合わされる。

図２（Ｂ）は、交互に積層された第１の層１３及び第２の層１５を示す斜視図である。積層された第１の層１３及び第２の層１５を切削ブレード等によって同時に切断することにより、所望の形状及び寸法のドレッサーボード１１が得られる。

なお、積層される第１の層１３及び第２の層１５の層数に制限はない。ただし、ドレッサーボード１１の最上層と最下層は第２の層１５とする。これにより、全ての第１の層１３が第２の層１５によって挟まれた構造となる。また、後述の通り、第１の層１３は切削ブレードの先端面の整形に利用される。そのため、第１の層１３の層数は２以上であることが好ましい。これにより、１枚のドレッサーボード１１を用いて切削ブレードの先端面の整形を複数回実施することが可能になる。

図１に示すように、ドレッサーボード１１は、互いに概ね平行な第１面（表面）１１ａと第２面（裏面）１１ｂとを含む。第１面１１ａは最上層の第２の層１５の第１面１５ａに相当し、第２面１１ｂは最下層の第２の層１５の第２面１５ｂに相当する。

また、ドレッサーボード１１は、第１面１１ａ及び第２面１１ｂの長辺に接続された一対の第３面（側面）１１ｃと、第１面１１ａ及び第２面１１ｂの短辺に接続された一対の第４面（側面）１１ｄとを含む。一対の第３面１１ｃは、ドレッサーボード１１の長さ方向（第１の層１３及び第２の層１５の長さ方向）及びドレッサーボード１１の厚さ方向と概ね平行な矩形状の平坦面である。また、一対の第４面は、ドレッサーボード１１の幅方向（第１の層１３及び第２の層１５の幅方向）及びドレッサーボード１１の厚さ方向と概ね平行な矩形状の平坦面である。

第３面１１ｃ及び第４面１１ｄでは、第１の層１３の側面及び第２の層１５の側面が露出している。そのため、第３面１１ｃ及び第４面１１ｄには、第１の層１３の側面及び第２の層１５の側面が交互に配列されることによって形成された周期的な縞模様（横縞模様）が表れている。

上記のドレッサーボード１１を用いて、切削ブレードのドレッシングが行われる。切削ブレードのドレッシングを行う際は、まず、ドレッサーボード１１を環状のフレームによって支持する。図３は、環状のフレーム１７によって支持されたドレッサーボード１１を示す斜視図である。

フレーム１７は、例えばＳＵＳ（ステンレス鋼）等の金属でなる。フレーム１７の中央部には、フレーム１７を厚さ方向に貫通する円形の開口１７ａが設けられている。なお、開口１７ａの直径は、ドレッサーボード１１の各辺の長さよりも大きい。そして、ドレッサーボード１１は開口１７ａの内側に配置される。

ドレッサーボード１１及びフレーム１７には、テープ１９が貼付される。具体的には、テープ１９の中央部がドレッサーボード１１に貼付され、テープ１９の外周部がフレーム１７に貼付される。その結果、ドレッサーボード１１がテープ１９を介してフレーム１７によって支持される。

テープ１９は、円形に形成されたフィルム状の基材と、基材上に設けられた粘着層（糊層）とを含む。例えば、基材はポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなり、粘着層はエポキシ系、アクリル系、又はゴム系の接着剤等でなる。また、粘着層は紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型の樹脂であってもよい。

なお、ドレッサーボード１１は、一対の第３面１１ｃの一方にテープ１９が貼付されるように配置される。そのため、ドレッサーボード１１は、縞模様を呈する一対の第３面１１ｃの他方が上方に露出し、第１面１１ａ、第２面１１ｂ、及び縞模様を呈する一対の第４面１１ｄが側方に露出した状態で、フレーム１７によって支持される。

フレーム１７によって支持されたドレッサーボード１１に切削ブレードを切り込ませることにより、切削ブレードのドレッシングが行われる。切削ブレードのドレッシングには、切削装置が用いられる。図４は、切削装置２を示す斜視図である。なお図４において、Ｘ軸方向（加工送り方向、第１水平方向）とＹ軸方向（割り出し送り方向、第２水平方向）とは、互いに垂直な方向である。また、Ｚ軸方向（鉛直方向、上下方向、高さ方向）は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と垂直な方向である。

切削装置２は、被加工物及びドレッサーボード１１を保持可能なチャックテーブル（保持テーブル）４を備える。チャックテーブル４の上面は、水平方向（ＸＹ平面方向）と概ね平行な平坦面であり、被加工物又はドレッサーボード１１を保持する保持面４ａ（図５参照）を構成している。保持面４ａは、チャックテーブル４の内部に形成された流路（不図示）、バルブ（不図示）等を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。

チャックテーブル４には、チャックテーブル４をＸ軸方向に沿って移動させるボールねじ式の移動機構（不図示）と、チャックテーブル４をＺ軸方向と概ね平行な回転軸の周りで回転させるモータ等の回転駆動源（不図示）とが接続されている。また、チャックテーブル４の周囲には、フレーム１７を把持して固定する複数のクランプ６（図５参照）が設けられている。

チャックテーブル４の上方には、被加工物及びドレッサーボード１１を切削可能な切削ユニット８が設けられている。切削ユニット８は円柱状のハウジング１０を備え、ハウジング１０にはＹ軸方向に沿って配置された円柱状のスピンドル１２（図５参照）が収容されている。スピンドル１２の先端部（一端部）はハウジング１０の外部に露出しており、スピンドル１２の基端部（他端部）にはモータ等の回転駆動源が接続されている。

スピンドル１２の先端部には、被加工物を切削する環状の切削ブレード１４が装着される。切削ブレード１４は、回転駆動源からスピンドル１２を介して伝達される動力によって、Ｙ軸方向と概ね平行な回転軸の周りを回転する。

切削ブレード１４としては、例えばハブタイプの切削ブレード（ハブブレード）が用いられる。ハブブレードは、金属等でなる環状の基台と、基台の外周縁に沿って形成された環状の切刃とが一体化した切削ブレードである。ハブブレードの切刃は、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ：cubic Boron Nitride）等でなる砥粒と、砥粒を固定するニッケルめっき層等の結合材とを含む電鋳砥石によって構成できる。

ただし、切削ブレード１４としてワッシャータイプの切削ブレード（ワッシャーブレード）を用いることもできる。ワッシャーブレードは、砥粒と、砥粒を固定する結合材（メタルボンド、レジンボンド、ビトリファイドボンド等）とを含む環状の切刃のみによって構成される。

切削ユニット８に切削ブレード１４が装着されると、切削ブレード１４はハウジング１０に固定されたブレードカバー１６に覆われる。ブレードカバー１６は、純水等の切削液が供給されるチューブ（不図示）に接続される一対の接続部１８と、一対の接続部１８に接続された一対のノズル２０とを備える。一対のノズル２０は、切削ブレード１４の下端部を挟むように切削ブレード１４の両側面側（表裏面側）に配置される。また、一対のノズル２０にはそれぞれ、切削ブレード１４に向かって開口する供給口（不図示）が設けられている。

一対の接続部１８に切削液が供給されると、一対のノズル２０に切削液が流入し、一対のノズル２０の噴射口から切削ブレード１４の両側面（表裏面）に向かって切削液が供給される。この切削液によって、切削ブレード１４と、チャックテーブル４によって保持された被加工物又はドレッサーボード１１とが冷却されるとともに、切削加工によって生じた屑（切削屑）が洗い流される。

切削ユニット８には、切削ユニット８を移動させるボールねじ式の移動機構（不図示）が接続されている。移動機構は、切削ユニット８をＹ軸方向に沿って移動させるとともに、Ｚ軸方向に沿って昇降させる。移動機構により、切削ブレード１４の割り出し送り方向における位置や、切削ブレード１４の被加工物又はドレッサーボード１１への切り込み深さが調節される。

上記の切削装置２によって、シリコンウェーハ等の被加工物が切削される。例えば切削ブレード１４は、シリコンウェーハをストリートに沿って切削して複数のデバイスチップに分割する。

なお、切削ブレード１４による被加工物の切削を継続すると、切削ブレード１４の先端部が摩耗し、切削ブレード１４の先端面が丸みを帯びた形状（Ｒ形状）に変化する（図５参照）。そして、摩耗した切削ブレード１４で被加工物を切削して複数のチップに分割すると、切削ブレード１４のＲ形状がチップに反映されてチップの形状が崩れ、チップの品質が低下するおそれがある。

そこで、切削ブレード１４によって被加工物を加工する前には、切削ブレード１４の先端部を意図的に摩耗させて切削ブレード１４の形状を修正するドレッシングが実施される。ドレッシングは、切削ブレード１４をドレッサーボード１１に切り込ませることによって行われる。以下、ドレッサーボード１１を使用して切削ブレード１４の形状を修正する切削ブレードのドレッシング方法の具体例について説明する。

まず、ドレッサーボード１１をチャックテーブル４によって保持する（保持工程）。図５は、チャックテーブル４によって保持されたドレッサーボード１１を示す一部断面正面図である。

保持工程では、フレーム１７によって支持されたドレッサーボード１１が、テープ１９を介してチャックテーブル４の保持面４ａ上に配置される。また、フレーム１７が複数のクランプ６によって固定される。この状態で保持面４ａに吸引源の吸引力（負圧）を作用させると、ドレッサーボード１１がテープ１９を介してチャックテーブル４によって吸引保持される。これにより、ドレッサーボード１１は、第１の層１３及び第２の層１５の側面が露出して縞模様を呈する第３面１１ｃ（図１等参照）が上面となるように、チャックテーブル４によって保持される。

次に、切削ブレード１４をドレッサーボード１１の上面側に切り込ませることにより、切削ブレード１４の先端部の形状を修正する（ドレッシング工程）。図６（Ａ）は、ドレッシング工程におけるドレッサーボード１１と切削ブレード１４とを示す一部断面正面図である。

ドレッシング工程では、まず、チャックテーブル４を回転させ、ドレッサーボード１１の長さ方向（第３面１１ｃの長手方向）をＸ軸方向に合わせる。これにより、ドレッサーボード１１は、長さ方向がＸ軸方向に沿い、厚さ方向がＹ軸方向に沿い、幅方向がＺ軸方向に沿うように配置される。

また、切削ユニット８（図４及び図５参照）をＹ軸方向に沿って移動させ、ドレッサーボード１１の第１の層１３と切削ブレード１４とのＹ軸方向における位置を合わせる。例えば切削ブレード１４は、第１の層１３の厚さ方向（図６（Ａ）における紙面左右方向）における中心と切削ブレード１４の幅方向（図６（Ａ）における紙面左右方向）の中心とのＹ軸方向における位置が一致するように位置付けられる。さらに、切削ユニット８（図４及び図５参照）をＺ軸方向に沿って移動させ、切削ブレード１４の下端をドレッサーボード１１の上面（第３面１１ｃ）よりも下方に位置付ける。

その後、切削ブレード１４を回転させつつ、チャックテーブル４をＸ軸方向に沿って移動させる。これにより、ドレッサーボード１１と切削ブレード１４とが加工送り方向に沿って相対的に移動し、切削ブレード１４の先端部が第１の層１３に沿ってドレッサーボード１１の上面側に切り込む。その結果、ドレッサーボード１１の上面側が切削ブレード１４によって切削され、ドレッサーボード１１の上面側に直線状の溝が第１の層１３に沿って形成される。また、切削ブレード１４の先端部がドレッサーボード１１との接触によって摩耗し、切削ブレード１４の下面（先端面）１４ａの形状が修正される。

ここで、第１の層１３の厚さｄ_１は、切削ブレード１４の幅Ｄよりも小さい。そのため、切削ブレード１４の下面１４ａは粒径の大きい砥粒（第１の砥粒）を含む第１の層１３に接触し、切削ブレード１４の先端部の両側面は粒径の小さい砥粒（第２の砥粒）を含む第２の層１５に接触する。そのため、切削ブレード１４の下面１４ａにおいては摩耗が進行しやすく、切削ブレード１４の先端部の両側面においては摩耗が進行しにくい。

なお、第１の層１３及び第２の層１５の厚さは、切削ブレード１４の幅Ｄに応じて適宜設定できる。また、第２の層１５の厚さｄ_２と、その第２の層１５を挟む２枚の第１の層の厚さｄ_１と総和（ｄ_２＋２ｄ_１）が、切削ブレード１４の幅Ｄよりも小さくてもよい。この場合、切削ブレード１４をドレッサーボード１１に切り込ませると、切削ブレード１４の下面１４ａが２層以上の第１の層１３に接触する。

図６（Ｂ）は、ドレッシング工程後の切削ブレード１４を示す正面図である。上記のように切削ブレード１４を第１の層１３に沿ってドレッサーボード１１に切り込ませると、切削ブレード１４の先端部のうち第１の層１３に接触した領域が優先的に摩耗し、切削ブレード１４の下面１４ａの丸みが徐々に解消される。そして、切削ブレード１４の下面１４ａがフラットな形状になると、切削ブレード１４のドレッシングが完了する。

なお、切削ブレード１４をドレッサーボード１１に切り込ませる回数は、切削ブレード１４の形状、材質、サイズ等に応じて適宜設定される。切削ブレード１４をドレッサーボード１１に複数回切り込ませる場合には、切削ブレード１４を１層目の第１の層１３に沿ってドレッサーボード１１に切り込ませた後、切削ブレード１４をＹ軸方向に移動させ、２層目の第１の層１３に沿ってドレッサーボード１１に切り込ませる。この作業を繰り返すことにより、切削ブレード１４を所望の回数ドレッサーボード１１に切り込ませることができる。そして、全ての第１の層１３に沿って溝が形成されると、使用済みのドレッサーボード１１が新品のドレッサーボード１１（未使用のドレッサーボード１１）に交換される。

以上の通り、本実施形態に係るドレッサーボード１１は、砥粒を含む第１の層１３と、第１の層１３を挟むように第１の層１３に積層された複数の第２の層１５とを含んで構成される。これにより、ドレッサーボード１１に予め深い溝を形成することなく切削ブレード１４のドレッシングを実施することが可能となり、ドレッサーボード１１の反りの発生が抑制される。その結果、ドレッサーボード１１がチャックテーブル４によって適切に保持され、切削ブレード１４の形状の修正を適切に実施できる。

なお、上記の実施形態では、第２の層１５が第１の層１３よりも平均粒径が小さい砥粒（第２の砥粒）を含んでいる場合について説明した。ただし、第２の層１５として、砥粒を含まない層を用いることもできる。この場合、第２の層１５に接触する切削ブレード１４の先端部の両側面で摩耗が生じにくくなり、切削ブレード１４の下面１４ａがフラットな形状に修正されやすくなる。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１１ ドレッサーボード
１１ａ 第１面（表面）
１１ｂ 第２面（裏面）
１１ｃ 第３面（側面）
１１ｄ 第４面（側面）
１３ 第１の層
１３ａ 第１面（表面）
１３ｂ 第２面（裏面）
１５ 第２の層
１５ａ 第１面（表面）
１５ｂ 第２面（裏面）
１７ フレーム
１７ａ 開口
１９ テープ
２ 切削装置
４ チャックテーブル（保持テーブル）
４ａ 保持面
６ クランプ
８ 切削ユニット
１０ ハウジング
１２ スピンドル
１４ 切削ブレード
１４ａ 下面（先端面）
１６ ブレードカバー
１８ 接続部
２０ ノズル

Claims (6)

1. 切削ブレードの形状の修正に用いられるドレッサーボードであって、
   第１の砥粒と、該第１の砥粒を固定する第１の結合材とを含む第１の層と、
   該第１の層を挟むように該第１の層に積層された複数の第２の層と、を含み、
   該第１の層の厚さは、該切削ブレードの幅よりも小さく、
   該第２の層は、該第１の砥粒よりも平均粒径が小さい第２の砥粒と、該第２の砥粒を固定する第２の結合材とを含み、
   該切削ブレードの下面が該第１の層に接触して該切削ブレードの先端部の両側面が該第２の層に接触することにより、該切削ブレードの下面がフラットな形状に近づくように該切削ブレードの先端部の形状が修正されることを特徴とするドレッサーボード。
2. 該第１の砥粒及び該第２の砥粒は、グリーンカーボランダム又はホワイトアランダムであり、
   該第１の結合材及び該第２の結合材は、レジンボンドであることを特徴とする、請求項１に記載のドレッサーボード。
3. 該第１の砥粒の平均粒径は、１μｍ以上２００μｍ以下であり、
   該第２の砥粒の平均粒径は、０．１μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のドレッサーボード。
4. 切削ブレードの形状の修正に用いられるドレッサーボードであって、
   砥粒と、該砥粒を固定する結合材とを含む第１の層と、
   該第１の層を挟むように該第１の層に積層された複数の第２の層と、を含み、
   該第１の層の厚さは、該切削ブレードの幅よりも小さく、
   該第２の層は、砥粒を含まず、
   該切削ブレードの下面が該第１の層に接触して該切削ブレードの先端部の両側面が該第２の層に接触することにより、該切削ブレードの下面がフラットな形状に近づくように該切削ブレードの先端部の形状が修正されることを特徴とするドレッサーボード。
5. ドレッサーボードを使用して切削ブレードの形状を修正する切削ブレードのドレッシング方法であって、
   該ドレッサーボードは、第１の砥粒と該第１の砥粒を固定する第１の結合材とを含む第１の層と、該第１の層を挟むように該第１の層に積層された複数の第２の層と、を含み、
   該第１の層の厚さは、該切削ブレードの幅よりも小さく、
   該第２の層は、該第１の砥粒よりも平均粒径が小さい第２の砥粒と、該第２の砥粒を固定する第２の結合材とを含み、
   該第１の層及び該第２の層が露出する面が上面となるように、該ドレッサーボードをチャックテーブルによって保持する工程と、
   該切削ブレードと該ドレッサーボードとを相対的に移動させて該切削ブレードの先端部を該第１の層に沿って該ドレッサーボードの上面側に切り込ませることにより、該切削ブレードの下面を該第１の層に接触させるとともに該切削ブレードの先端部の両側面を該第２の層に接触させ、該切削ブレードの下面がフラットな形状に近づくように該切削ブレードの先端部の形状を修正する工程と、を含むことを特徴とする切削ブレードのドレッシング方法。
6. ドレッサーボードを使用して切削ブレードの形状を修正する切削ブレードのドレッシング方法であって、
   該ドレッサーボードは、砥粒と該砥粒を固定する結合材とを含む第１の層と、該第１の層を挟むように該第１の層に積層された複数の第２の層と、を含み、
   該第１の層の厚さは、該切削ブレードの幅よりも小さく、
   該第２の層は、砥粒を含まず、
   該第１の層及び該第２の層が露出する面が上面となるように、該ドレッサーボードをチャックテーブルによって保持する工程と、
   該切削ブレードと該ドレッサーボードとを相対的に移動させて該切削ブレードの先端部を該第１の層に沿って該ドレッサーボードの上面側に切り込ませることにより、該切削ブレードの下面を該第１の層に接触させるとともに該切削ブレードの先端部の両側面を該第２の層に接触させ、該切削ブレードの下面がフラットな形状に近づくように該切削ブレードの先端部の形状を修正する工程と、を含むことを特徴とする切削ブレードのドレッシング方法。

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