JP7709036B2 - Metal component fixing method - Google Patents
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Description
本発明は、金属部材固定方法に関する。 The present invention relates to a method for fixing metal members.
例えば、MIセンサを製造する際に、磁性ワイヤを基板上に固定する工程がある。かかる場合に、基板上における磁性ワイヤの位置決めのために、基板上の所定位置にガイドポストを形成する技術が、特許文献1に開示されている。このガイドポストの形成にあたってはフォトリソグラフィを用いること、形成されたガイドポストに沿って基板上に磁性ワイヤが配置されることが、同文献に記載されている。 For example, when manufacturing an MI sensor, there is a process for fixing a magnetic wire onto a substrate. In such a case, Patent Document 1 discloses a technique for forming guide posts at predetermined positions on the substrate in order to position the magnetic wire on the substrate. The document describes that photolithography is used to form the guide posts, and that the magnetic wire is arranged on the substrate along the formed guide posts.
しかしながら、基板上に磁性ワイヤを配置した後に、磁性ワイヤを覆うように樹脂を形成して磁性ワイヤを固定する場合に、以下に示す課題が生じることを、発明者らは見出した。
すなわち、基板上に磁性ワイヤを配置した後、フォトリソグラフィを用いて形成した固定樹脂によって磁性ワイヤを基板に固定しようとすると、樹脂の残渣が残ってしまうことがある。つまり、ネガ型の感光性レジストを露光、加熱、現像して、所定の位置に固定樹脂を形成しようとしたとき、所定の位置以外(すなわち、露光していない箇所)にもレジストの残渣が残ってしまうという事象が生じることがあった。
However, the inventors have found that when a resin is formed to cover the magnetic wires and then the magnetic wires are fixed on a substrate, the following problems arise.
That is, after arranging the magnetic wire on the substrate, when attempting to fix the magnetic wire to the substrate with a fixing resin formed by photolithography, resin residue may remain. That is, when attempting to form a fixing resin at a predetermined position by exposing, heating, and developing a negative photosensitive resist, an event occurred in which resist residue remained in places other than the predetermined positions (i.e., places not exposed to light).
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、樹脂残渣の発生を抑制することができる金属部材固定方法を提供しようとするものである。 The present invention was made in consideration of these problems, and aims to provide a method for fixing metal members that can suppress the generation of resin residue.
本発明の一態様は、基板上に、金属部材における互いに離れた複数個所を固定樹脂にて固定する、金属部材固定方法であって、
上記基板上における所定位置に、上記金属部材を載置し、
希釈溶媒にて希釈したネガ型の感光性レジストを、上記金属部材の少なくとも一部を覆うように、上記基板上に塗布し、
上記感光性レジストの一部を、露光、加熱、現像することで、上記金属部材における互いに離れた複数個所を覆うように所定の位置に上記固定樹脂を形成するとともに、上記金属部材における当該複数個所以外を上記固定樹脂から露出させ、
上記感光性レジストは、SU-8からなり、
上記希釈溶媒は、PGMEAからなる、
金属部材固定方法にある。
One aspect of the present invention is a method for fixing a metal member to a substrate by using a fixing resin to fix a plurality of mutually separated locations of the metal member, the method comprising the steps of:
placing the metal member at a predetermined position on the substrate;
A negative photosensitive resist diluted with a dilution solvent is applied onto the substrate so as to cover at least a portion of the metal member;
a part of the photosensitive resist is exposed to light, heated, and developed to form the fixed resin at a predetermined position so as to cover a plurality of mutually separated portions of the metal member , and to expose the metal member other than the plurality of portions from the fixed resin ;
The photosensitive resist is made of SU-8,
The diluent solvent is PGMEA.
The present invention relates to a method for fixing a metal member.
上記金属部材固定方法においては、上記感光性レジストとして、SU-8を用い、上記希釈溶媒として、PGMEAを用いる。これにより、上記固定樹脂を形成したときの樹脂残渣の発生を抑制することができる。 In the metal member fixing method, SU-8 is used as the photosensitive resist and PGMEA is used as the dilution solvent. This makes it possible to suppress the generation of resin residue when the fixing resin is formed.
以上のように、本発明によれば、樹脂残渣の発生を抑制することができる金属部材固定方法を提供することができる。 As described above, the present invention provides a method for fixing metal members that can suppress the generation of resin residue.
上記金属部材は、アモルファスワイヤであるものとすることができる。この場合には、基板上にアモルファスワイヤを固定する際、樹脂残渣の発生を抑制することができる。 The metal member may be an amorphous wire. In this case, the generation of resin residue can be suppressed when the amorphous wire is fixed onto the substrate.
また、上記金属部材は、マグネトインピーダンスセンサ素子(以下において、適宜MI素子ともいう。)の感磁体であるものとすることができる。この場合には、高品質のマグネトインピーダンスセンサ素子を、容易に製造することができる。 The metal member can also be the magnetic sensitive body of a magneto-impedance sensor element (hereinafter also referred to as an MI element, as appropriate). In this case, a high-quality magneto-impedance sensor element can be easily manufactured.
(実施形態1)
金属部材固定方法に係る実施形態につき、図1~図6を参照して説明する。
本形態の金属部材固定方法は、図1~図5に示すごとく、フォトリソグラフィを用いて、基板2上に、金属部材3を固定樹脂4にて固定する、金属部材固定方法である。
(Embodiment 1)
An embodiment of a metal member fixing method will be described with reference to FIGS.
The metal member fixing method of this embodiment is a metal member fixing method in which a metal member 3 is fixed onto a substrate 2 with a fixing resin 4 by using photolithography, as shown in FIGS.
すなわち、本形態の金属部材固定方法においては、基板2上における所定位置に、金属部材3を載置する(図1、図2参照)。その後、希釈溶媒にて希釈したネガ型の感光性レジスト40を、金属部材3の少なくとも一部を覆うように、基板2上に塗布する(図3参照)。その後、感光性レジスト40の一部を、露光、加熱、現像することで、所定の位置に固定樹脂4を形成する(図4、図5参照)。 That is, in this embodiment of the metal member fixing method, the metal member 3 is placed at a predetermined position on the substrate 2 (see Figs. 1 and 2). Then, a negative photosensitive resist 40 diluted with a dilution solvent is applied onto the substrate 2 so as to cover at least a portion of the metal member 3 (see Fig. 3). Then, a portion of the photosensitive resist 40 is exposed to light, heated, and developed to form a fixing resin 4 at the predetermined position (see Figs. 4 and 5).
感光性レジスト40は、SU-8からなる。希釈溶媒は、PGMEAからなる。
SU-8は、エポキシ樹脂を主成分とし、シクロペンタノンを溶媒として含む、ネガ型フォトレジストである。
PGMEAは、propyleneglycol monomethyl ether acetate(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)の略である。また、PGMEAは、一般に、SU-8の現像液として用いられている。
The photosensitive resist 40 is made of SU-8, and the dilution solvent is made of PGMEA.
SU-8 is a negative photoresist whose main component is epoxy resin and contains cyclopentanone as a solvent.
PGMEA is an abbreviation for propylene glycol monomethyl ether acetate, and is generally used as a developer for SU-8.
本形態において、金属部材3は、アモルファスワイヤである。また、金属部材3は、MI素子の感磁体である。本形態においては、金属部材3を、感磁体3として説明する。
本形態の金属部材固定方法は、MI素子の製造方法の一部の工程において実施される。
In this embodiment, the metal member 3 is an amorphous wire. The metal member 3 is a magnetic sensitive body of the MI element. In this embodiment, the metal member 3 will be described as a magnetic sensitive body 3.
The metal member fixing method of this embodiment is carried out in a part of the steps of the manufacturing method of the MI element.
MI素子1は、例えば、図6に示すごとく、感磁体3とその周りに巻回された検出コイル11と、を有する。この感磁体3と検出コイル11とは、基板2の表面に配置されている。検出コイル11の一部111は、基板2の表面に形成された導体パターンによって形成されている。また、検出コイル11に接続された引出配線121や、感磁体3に接続された引出配線122も、基板2の表面にパターン形成されている。なお、検出コイル11の他の一部112は、感磁体3を配置した後、絶縁層(図示略)を介して感磁体3の外周側に形成される。 As shown in FIG. 6, the MI element 1 has a magnetic sensor 3 and a detection coil 11 wound around it. The magnetic sensor 3 and detection coil 11 are arranged on the surface of the substrate 2. A part 111 of the detection coil 11 is formed by a conductor pattern formed on the surface of the substrate 2. In addition, the lead-out wiring 121 connected to the detection coil 11 and the lead-out wiring 122 connected to the magnetic sensor 3 are also patterned on the surface of the substrate 2. The other part 112 of the detection coil 11 is formed on the outer periphery of the magnetic sensor 3 via an insulating layer (not shown) after the magnetic sensor 3 is arranged.
かかるMI素子1を製造する方法の一例につき、以下に説明する。
例えばアルミナ、半導体シリコン等の非磁性体からなる基板2の表面に、適宜、導体パターンを形成しておく。そして、基板2の表面の所定位置に、感磁体3を載置する。この感磁体3の位置決めのために、図1に示すごとく、基板2には、予め、ガイドパターン5を形成しておく。このガイドパターン5は、例えば、基板2の上に樹脂等の絶縁体を突出形成することによって形成することができる。
An example of a method for manufacturing the MI element 1 will be described below.
A conductor pattern is formed as appropriate on the surface of a substrate 2 made of a non-magnetic material such as alumina or semiconductor silicon. Then, a magnetic sensitive body 3 is placed at a predetermined position on the surface of the substrate 2. In order to position the magnetic sensitive body 3, a guide pattern 5 is formed in advance on the substrate 2, as shown in Fig. 1. This guide pattern 5 can be formed, for example, by forming an insulating material such as resin so as to protrude on the substrate 2.
本形態においては、図2に示すごとく、互いに近接配置されたガイドパターン5同士の間に、線状の感磁体3が挟持されるような状態で、感磁体3が配置される。
次いで、図3に示すごとく、感光性レジスト40を、基板2上に塗布する。このとき、感光性レジスト40は、感磁体3を覆うように、基板2の略全体にわたって塗布する。また、感光性レジスト40は、ネガ型フォトレジストであるSU-8からなる。そして、この感光性レジスト40は、希釈溶媒にて希釈された状態にて、基板2に塗布される。この希釈溶媒として、PGMEAを用いる。
In this embodiment, as shown in FIG. 2, the linear magnetic sensitive body 3 is arranged in a state in which it is sandwiched between the guide patterns 5 arranged close to each other.
3, a photosensitive resist 40 is applied onto the substrate 2. At this time, the photosensitive resist 40 is applied over substantially the entire substrate 2 so as to cover the magnetosensitive body 3. The photosensitive resist 40 is made of SU-8, which is a negative photoresist. The photosensitive resist 40 is applied onto the substrate 2 in a state diluted with a dilution solvent. PGMEA is used as the dilution solvent.
なお、感光性レジスト40であるSU-8は、シクロペンタノンからなる溶媒に、エポキシ樹脂が溶解した状態の液状レジストである。そして、この感光性レジスト40を、PGMEAからなる希釈溶媒にて希釈することで、適切な粘度に調整する。例えば、SU-8とPGMEAとの混合比を1:1~1:5程度とすることができる。そして、粘度調整された感光性レジスト40を、基板2に塗布する。 The photosensitive resist 40, SU-8, is a liquid resist in which epoxy resin is dissolved in a solvent made of cyclopentanone. The photosensitive resist 40 is then diluted with a dilution solvent made of PGMEA to adjust the viscosity to an appropriate level. For example, the mixture ratio of SU-8 to PGMEA can be set to about 1:1 to 1:5. The photosensitive resist 40 with adjusted viscosity is then applied to the substrate 2.
感光性レジスト40が塗布された基板2をプリベークする。このとき、希釈溶媒は揮発する。その後、図4に示すごとく、基板2の上にフォトマスク61を置き、所定の位置における感光性レジスト40を、紫外線にて露光する。次いで、感光性レジスト40を加熱する。すなわち、ポストエクスポージャーベーク(PEB)を行う。これにより、露光された感光性レジスト40のSU-8の鎖状高分子が架橋する。 The substrate 2 coated with the photosensitive resist 40 is pre-baked. At this time, the dilution solvent evaporates. Then, as shown in FIG. 4, a photomask 61 is placed on the substrate 2, and the photosensitive resist 40 at a predetermined position is exposed to ultraviolet light. Next, the photosensitive resist 40 is heated. In other words, a post-exposure bake (PEB) is performed. This causes the chain polymers of SU-8 in the exposed photosensitive resist 40 to crosslink.
次いで、現像液によって、感光性レジスト40を現像する。これにより、感光性レジスト40における未露光部分が溶解して、除去される。その結果、図5に示すごとく、所望の位置に、固定樹脂4が形成される。そして、この固定樹脂4によって、感磁体3が基板2上に固定される。この現像工程にて用いられる現像液は、PGMEAからなる。 The photosensitive resist 40 is then developed with a developer. This dissolves and removes the unexposed portions of the photosensitive resist 40. As a result, as shown in FIG. 5, the fixing resin 4 is formed at the desired position. The magnetic sensor 3 is then fixed onto the substrate 2 by this fixing resin 4. The developer used in this development process is made of PGMEA.
なお、基板2に感磁体3が固定された後、感磁体3の一部のエッチング、絶縁層の形成、感磁体3と引出配線(図6における符号122参照)との電気的接合、検出コイル11の一部(図6における符号112参照)の導体パターンの形成等を行うことで、MI素子1を得る。 After the magnetic sensor 3 is fixed to the substrate 2, the MI element 1 is obtained by etching a part of the magnetic sensor 3, forming an insulating layer, electrically connecting the magnetic sensor 3 to the lead-out wiring (see reference numeral 122 in FIG. 6), and forming a conductor pattern of a part of the detection coil 11 (see reference numeral 112 in FIG. 6).
次に、本形態の作用効果につき説明する。
本形態の金属部材固定方法においては、感光性レジスト40として、SU-8を用い、希釈溶媒として、PGMEAを用いる。これにより、フォトリソグラフィを用いて固定樹脂4を形成したときの、樹脂残渣の発生を、抑制することができる。
Next, the effects of this embodiment will be described.
In the metal member fixing method of this embodiment, SU-8 is used as the photosensitive resist 40, and PGMEA is used as the dilution solvent, thereby making it possible to suppress the generation of resin residue when the fixing resin 4 is formed by photolithography.
本願発明者らは、感光性レジスト40であるSU-8を基板2に塗布する際、感光性レジスト40の希釈溶媒としてシクロペンタノンを用いた場合に、樹脂の残渣が生じることがあるという課題を見出した(後述する実験例1、図7参照)。シクロペンタノンは、SU-8にその溶媒として含まれているものである。それゆえ、SU-8の粘度調整にあたり、シクロペンタノンを希釈溶媒として用いるという手段を採用していた。 The inventors of the present application discovered that when cyclopentanone is used as a diluting solvent for the photosensitive resist 40, SU-8, is applied to the substrate 2, resin residue may be generated (see Experimental Example 1, FIG. 7, described later). Cyclopentanone is contained in SU-8 as a solvent. Therefore, the inventors adopted the method of using cyclopentanone as a diluting solvent to adjust the viscosity of SU-8.
ところが、上記のように、感磁体3を基板2上に固定する固定樹脂4を形成したところ、樹脂残渣が残ってしまうことがあった。この原因として、未露光部分においても、SU-8が一部、架橋反応を起こしている可能性があると考えられる。架橋反応の要因としては、紫外線、熱、酸、が考えられる。ここで、露光を行わずにSU-8を現像してみたところ、上記と同様の樹脂残渣が見られたことから、紫外線が要因ではないと考えられる。また、架橋反応は何らかのトリガーを与えたうえで熱によって促進されるというメカニズムであるので、熱が主要因とは考えにくい。そこで、残る要因として、酸が有力な候補として考えられる。 However, as described above, when the fixing resin 4 was formed to fix the magnetosensitive element 3 on the substrate 2, resin residue was sometimes left behind. The cause of this is thought to be that some of the SU-8 may have undergone a cross-linking reaction even in the unexposed areas. Possible causes of the cross-linking reaction include ultraviolet light, heat, and acid. When the SU-8 was developed without exposure to light, the same resin residue as above was found, so ultraviolet light is thought to be not the cause. Also, since the cross-linking reaction is promoted by heat after some kind of trigger is given, it is unlikely that heat is the main cause. Therefore, the remaining likely cause is acid.
すなわち、仮説として、基板2上に配置される前に、感磁体3の表面に酸が付着していることが考えられる。この仮説を裏付ける実験として、感磁体3を配置せずに、感光性レジスト40を露光、加熱、現像したところ、残渣は残らなかった。したがって、この仮説は有力である。そして、例えば、感磁体3の加工工程等において、酸性薬品等が感磁体3の表面に付着する可能性が考えられる。この酸が、感光性レジスト40に触れることで、架橋反応が僅かながらも進み、その結果、未露光部分であっても、現像後に残渣として残ってしまうということが考えられる。 In other words, the hypothesis is that acid adheres to the surface of the magnetosensitive body 3 before it is placed on the substrate 2. In an experiment to support this hypothesis, the photosensitive resist 40 was exposed to light, heated, and developed without the magnetosensitive body 3 being placed thereon, and no residue was left behind. Therefore, this hypothesis is plausible. It is also possible that, for example, acidic chemicals may adhere to the surface of the magnetosensitive body 3 during the processing step of the magnetosensitive body 3. When this acid comes into contact with the photosensitive resist 40, a cross-linking reaction may progress, even if only slightly, and as a result, even the unexposed parts may remain as residue after development.
対策としては、感磁体3を基板2に配置する前における感磁体3の洗浄を強化して、その表面に酸が残らないようにすることが考えられる。しかしながら、完全に酸を除去することは困難であり、生産性を考慮すると、現実的ではない。 One possible solution would be to thoroughly clean the magnetosensitive element 3 before placing it on the substrate 2, so that no acid remains on its surface. However, it is difficult to completely remove the acid, and considering productivity, this is not realistic.
そこで、本願発明者らは、感光性レジスト40の架橋反応が露光前に生じている可能性を考慮して、塗布時に用いられる希釈溶媒をシクロペンタノンからPGMEAに変更することを、検討した。PGMEAは、上述の通り、SU-8の現像液として用いられる。発明者らは、この現像液として用いられるPGMEAは、僅かな酸による僅かなSU-8の架橋反応であれば、これを阻害する効果があるのではないかと考えたためである。 The inventors of the present application therefore considered changing the dilution solvent used during application from cyclopentanone to PGMEA, taking into consideration the possibility that a crosslinking reaction of the photosensitive resist 40 may have occurred before exposure. As mentioned above, PGMEA is used as a developer for SU-8. The inventors reasoned that the PGMEA used as this developer might have the effect of inhibiting a small crosslinking reaction of SU-8 caused by a small amount of acid.
そこで、実際に、上述のように、希釈溶媒としてPGMEAを用いたところ、現像後の状態において樹脂の残渣が残らないことが確認できた(後述する実験例1、図8参照)。
このように、感光性レジスト40の希釈溶媒をPGMEAとすることにより、樹脂残渣の発生を抑制することができる。
In this regard, when PGMEA was actually used as the dilution solvent as described above, it was confirmed that no resin residue remained after development (see Experimental Example 1, FIG. 8, described later).
In this manner, by using PGMEA as the dilution solvent for the photosensitive resist 40, the generation of resin residues can be suppressed.
一般的に、感光性レジストの希釈液としては、架橋反応に影響しない薬液を用いるところ、上述のように、本願発明者らは、SU-8の架橋反応を抑制する効果のあるPGMEAを希釈溶媒として用いて、上記課題を解決した。 Generally, a chemical solution that does not affect the crosslinking reaction is used as a dilution solution for photosensitive resist, but as described above, the inventors of the present application solved the above problem by using PGMEA, which has the effect of suppressing the crosslinking reaction of SU-8, as a dilution solvent.
以上のように、本形態によれば、樹脂残渣の発生を抑制することができる金属部材固定方法を提供することができる。 As described above, this embodiment provides a method for fixing metal members that can suppress the generation of resin residue.
(参考形態)
本形態は、SU-8の希釈溶媒としてPGMEAに代えて、4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン、又は、乳酸エチルを用いる形態である。
4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン、及び、乳酸エチルは、一般に、SU-8の現像液として用いられている。そのため、これらをSU-8の希釈溶媒として用いることで、実施形態1と同様に、樹脂残渣の発生を抑制する効果が期待できる。
その他は、実施形態1と同様である。
(Reference form)
In this embodiment, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone or ethyl lactate is used as a dilution solvent for SU-8 instead of PGMEA.
4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone and ethyl lactate are generally used as developers for SU-8, and therefore, by using these as dilution solvents for SU-8, it is expected that the effect of suppressing the generation of resin residues can be achieved, similarly to the first embodiment.
The rest is the same as in the first embodiment.
(実験例1)
本例は、図7、図8に示すごとく、上記実施形態1に示した金属部材固定方法による、樹脂残渣発生の抑制効果を確認した例である。
すなわち、感光性レジスト40の希釈溶媒として、シクロペンタノンを用いた場合と、PGMEAを用いた場合とで、得られたMI素子の外観を比較した。
(Experimental Example 1)
This example is an example in which the effect of suppressing the generation of resin residue by the metal member fixing method shown in the first embodiment was confirmed, as shown in Figs.
That is, the appearance of the MI element obtained when cyclopentanone was used as the dilution solvent for the photosensitive resist 40 and when PGMEA was used were compared.
希釈溶媒をシクロペンタノンとした場合に得られるMI素子を、試料1とする。希釈溶媒をPGMEAとした場合に得られるMI素子を、試料2とする。試料2の作製方法は、実施形態1と同様である。試料1の作製も、感光性レジストであるSU-8の希釈溶媒としてシクロペンタノンを用いる以外は、実施形態1と同様である。また、試料1及び試料2のいずれにおいても、SU-8と希釈溶媒との混合比を、1:5とした。なお、試料1及び試料2は、それぞれ複数個作製した。 The MI element obtained when the dilution solvent was cyclopentanone was designated as sample 1. The MI element obtained when the dilution solvent was PGMEA was designated as sample 2. The method of producing sample 2 was the same as that of embodiment 1. Sample 1 was also produced in the same manner as embodiment 1, except that cyclopentanone was used as the dilution solvent for SU-8, which is a photosensitive resist. In both samples 1 and 2, the mixture ratio of SU-8 to the dilution solvent was 1:5. Note that multiple samples 1 and 2 were produced.
得られた試料1のうち特に残渣が顕著に表れたものの外観を、図7(a)、(b)に示す。また、得られた試料2の外観を図8に示す。
図7(a)、(b)に示すごとく、試料1においては、樹脂の残渣が発生しているものがあった。試料1において、特に感磁体から残渣が広がっているように見える。
一方、図8に示すごとく、試料2においては、特に樹脂の残渣が見られなかった。
7(a) and (b) show the appearance of the obtained sample 1 in which the residue was particularly noticeable, and FIG. 8 shows the appearance of the obtained sample 2.
7A and 7B, resin residue was found in some samples of Sample 1. In Sample 1, the residue appears to be spreading especially from the magnetosensitive element.
On the other hand, as shown in FIG. 8, in Sample 2, no particular resin residue was observed.
本例の結果から、感光性レジスト40の希釈溶媒としてPGMEAを用いることにより、樹脂残渣の発生を抑制することができることが確認された。 The results of this example confirmed that the generation of resin residues can be suppressed by using PGMEA as a dilution solvent for the photosensitive resist 40.
(実験例2)
本例は、図9に示すごとく、SU-8の希釈溶媒としてPGMEAを用いたことによる背反がないことを確認した例である。
(Experimental Example 2)
As shown in FIG. 9, this example is an example in which it was confirmed that there was no trade-off caused by using PGMEA as a dilution solvent for SU-8.
すなわち、実施形態1に示した方法によって形成された固定樹脂4の、耐薬品性を確認した。上述のように、PGMEAは、SU-8の現像液として一般に用いられ、SU-8の架橋を抑制する効果があると考えられる。それゆえ、SU-8の希釈溶媒としてPGMEAを用いた場合の背反としては、現像後における固定樹脂の耐薬品性が、懸念される。そこで、本例においては、固定樹脂の耐薬品性に問題がないことを確認する試験を行った。 That is, the chemical resistance of the fixed resin 4 formed by the method shown in embodiment 1 was confirmed. As described above, PGMEA is generally used as a developer for SU-8, and is thought to have the effect of suppressing crosslinking of SU-8. Therefore, the tradeoff when using PGMEA as a dilution solvent for SU-8 is that the chemical resistance of the fixed resin after development is a concern. Therefore, in this example, a test was conducted to confirm that there was no problem with the chemical resistance of the fixed resin.
ここでは、MI素子の製造過程における、固定樹脂4に接触する可能性のある薬品に対する耐性を確認した。
固定樹脂4を形成した後の工程においては、例えば、感磁体3の一部をエッチングする工程、感磁体3の両端部を基板2上の導体パターンに接続する接続パターンを形成する工程等がある。いずれの工程においても、それぞれ、エッチング液、レジスト剥離液等が用いられる。前者の工程においては、これらの薬品が固定樹脂4に接触し、また後者の工程においては、これらの薬品が間接的に固定樹脂4に接触する可能性がある。
Here, the resistance to chemicals that may come into contact with the fixing resin 4 during the manufacturing process of the MI element was confirmed.
The steps after forming the fixing resin 4 include, for example, a step of etching a part of the magnetosensitive body 3, and a step of forming a connection pattern that connects both ends of the magnetosensitive body 3 to the conductor pattern on the substrate 2. In each step, an etching solution, a resist stripping solution, etc. are used. In the former step, these chemicals may come into contact with the fixing resin 4, and in the latter step, these chemicals may come into indirect contact with the fixing resin 4.
具体的には、前者の工程においては、エッチング液として過酸化水素が用いられ、レジスト剥離液としてクリーンストリップHP-2(東京応化工業株式会社製の商品名)が用いられ、剥離後のリンスとしてエタノールが用いられる。また、後者の工程においては、エッチング液として硫酸が用いられ、レジスト現像液としてPGMEAが用いられ、レジスト剥離液としてアセトンが用いられる。 Specifically, in the former process, hydrogen peroxide is used as the etching solution, Clean Strip HP-2 (a product name manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is used as the resist stripper, and ethanol is used as a rinse after stripping. In the latter process, sulfuric acid is used as the etching solution, PGMEA is used as the resist developer, and acetone is used as the resist stripper.
そこで、これらの薬品、すなわち、PGMEA、エタノール、硫酸、過酸化水素、アセトン、クリーンストリップHP-2のそれぞれに対する固定樹脂の耐性を試験にて評価した。 Therefore, the resistance of the fixing resin to each of these chemicals, namely PGMEA, ethanol, sulfuric acid, hydrogen peroxide, acetone, and Clean Strip HP-2, was evaluated through testing.
具体的には、PGMEAにて希釈したSU-8を基板上に塗布した後、露光、PEB、現像を経て、実施形態1に示した固定樹脂4に相当する樹脂パターン(テストパターン)を形成した。ただし、このテストパターンは、薬品耐性の試験用であるため、感磁体等は配置せずに、基板上に形成した。 Specifically, SU-8 diluted with PGMEA was applied onto a substrate, and then exposed to light, PEB, and developed to form a resin pattern (test pattern) equivalent to the fixed resin 4 shown in embodiment 1. However, since this test pattern was for testing chemical resistance, it was formed on the substrate without any magnetic sensitive material or the like.
そして、形成したテストパターンを、それぞれ各薬品に所定時間浸漬した後、外観を観察した。その結果を、図9に示す。また、試験条件は、下記の表1に示す通りである。この試験条件は、実際のMI素子の製造工程において想定される条件を基に、設定したものである。表1には、評価結果も併せて示す。評価は、試験後のテストパターンに、膨潤、剥離、溶解等が発生しているか否かによって行った。また、表1及び図9において、「OK」は、膨潤、剥離、溶解等の問題が発生していないことを示す。 The test patterns thus formed were then immersed in each of the chemicals for a specified period of time, after which their appearance was observed. The results are shown in Figure 9. The test conditions were as shown in Table 1 below. These test conditions were set based on the conditions expected in the actual manufacturing process of MI elements. Table 1 also shows the evaluation results. The evaluation was based on whether swelling, peeling, dissolution, etc. occurred in the test patterns after the test. In Table 1 and Figure 9, "OK" indicates that no problems such as swelling, peeling, or dissolution occurred.
図9及び表1に示すように、いずれの試料においても、膨潤、剥離、溶解等の発生はなく、いずれの薬品に対しても充分な耐性を有することが確認された。
なお、実際に、実施形態1に示す方法にてMI素子を製造した後(すなわち、実験例1における試料2の作製後)においても、特に、固定樹脂4の膨潤、剥離、溶解等は発生せず、感磁体3が外れる等の不具合も生じなかった。
As shown in FIG. 9 and Table 1, none of the samples showed any swelling, peeling, dissolution, or the like, and it was confirmed that the samples had sufficient resistance to all of the chemicals.
In fact, even after the MI element was manufactured by the method shown in embodiment 1 (i.e., after the sample 2 in experimental example 1 was produced), no swelling, peeling, dissolution, etc. of the fixing resin 4 occurred, and no defects such as the magnetic sensitive body 3 coming off occurred.
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の実施形態に適用することが可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be applied to various embodiments without departing from the spirit of the present invention.
1 マグネトインピーダンスセンサ素子
2 基板
3 金属部材(感磁体)
4 固定樹脂
1 magneto-impedance sensor element 2 substrate 3 metal member (magnetic sensitive body)
4 Fixing resin
Claims (4)
上記基板上における所定位置に、上記金属部材を載置し、
希釈溶媒にて希釈したネガ型の感光性レジストを、上記金属部材の少なくとも一部を覆うように、上記基板上に塗布し、
上記感光性レジストの一部を、露光、加熱、現像することで、上記金属部材における互いに離れた複数個所を覆うように所定の位置に上記固定樹脂を形成するとともに、上記金属部材における当該複数個所以外を上記固定樹脂から露出させ、
上記感光性レジストは、SU-8からなり、
上記希釈溶媒は、PGMEAからなる、
金属部材固定方法。 A method for fixing a metal member, comprising the steps of: fixing a metal member to a substrate at a plurality of mutually separated locations with a fixing resin, the method comprising the steps of:
placing the metal member at a predetermined position on the substrate;
A negative photosensitive resist diluted with a dilution solvent is applied onto the substrate so as to cover at least a portion of the metal member;
a part of the photosensitive resist is exposed to light, heated, and developed to form the fixed resin at a predetermined position so as to cover a plurality of mutually separated portions of the metal member , and to expose the metal member other than the plurality of portions from the fixed resin ;
The photosensitive resist is made of SU-8,
The diluent solvent is PGMEA.
Method for fixing metal parts.
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001296127A (en) | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Aichi Steel Works Ltd | Magnetic field detector |
| JP2004279325A (en) | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Denso Corp | Semiconductor magnetic sensor device and method of manufacturing semiconductor magnetic sensor device |
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| JP2001004726A (en) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Tdk Corp | Magnetic field sensor |
| JP6388385B2 (en) * | 2014-08-20 | 2018-09-12 | キヤノン株式会社 | Liquid discharge head and method of manufacturing liquid discharge head |
| JP7262885B2 (en) * | 2017-06-16 | 2023-04-24 | 朝日インテック株式会社 | Ultra-sensitive micro magnetic sensor |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001296127A (en) | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Aichi Steel Works Ltd | Magnetic field detector |
| JP2004279325A (en) | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Denso Corp | Semiconductor magnetic sensor device and method of manufacturing semiconductor magnetic sensor device |
| US20170074951A1 (en) | 2015-09-10 | 2017-03-16 | Prolific Technology Inc. | Magneto-impedance sensing device method and manufacturing method thereof |
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