JP7710941B2 - 放射線厚さ測定装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、放射線厚さ測定装置に関する。

例えば鋼板の製造ラインにおいて、圧延された鋼板の厚さをＸ線のような放射線により測定する測定装置が知られる。当該測定装置は、例えば、放射線を遮断するシャッタ又はキャリブレーションに用いられるスタンダードプレートを含むアームを、放射線の進路上に進退させる。

特開２０１４－１８５９３９号公報

上記測定装置は、ロータリソレノイドによりアームを放射線の進路上の位置と放射線の進路から離間した位置との間で移動させる。ロータリソレノイドは、アームを所望の位置に保持するために、電流を流され続ける。しかし、ロータリソレノイドは、電流を流され続けることで、発熱してしまう。

本発明が解決する課題の一例は、ロータリソレノイドの発熱を低減可能な放射線厚さ測定装置を提供することである。

一つの実施形態に係る放射線厚さ測定装置は、放射線発生部と、放射線検出部と、アームと、ロータリソレノイドと、電磁石と、制御部とを備える。前記放射線発生部は、放射線を出射する。前記放射線検出部は、前記放射線発生部と対向して前記放射線を受ける。前記アームは、少なくとも部分的に磁力により吸引されることが可能であり、回転軸まわりに回転可能である。前記ロータリソレノイドは、励磁されることで、前記アームを、前記放射線発生部から出射した前記放射線の進路上に前記アームが配置される閉位置と、前記アームが前記放射線の進路から離間した開位置と、のうち一方である第１の位置から、前記閉位置と前記開位置とのうち他方である第２の位置へ、前記回転軸まわりに回転させる。前記電磁石は、励磁されることで前記第２の位置に位置する前記アームを磁力により吸引し、前記アームを前記第２の位置に保持する。前記制御部は、前記ロータリソレノイド及び前記電磁石を励磁させる。前記制御部は、前記アームが前記第１の位置に位置しているときよりも前記第２の位置に位置するときの前記ロータリソレノイドに流す電流を小さくする。

図１は、第１の実施形態に係る放射線厚さ測定装置を模式的に示す図である。 図２は、第１の実施形態のスタンダードチェンジャの一部を概略的に示す平面図である。 図３は、第１の実施形態のスタンダードチェンジャの一部を概略的に示す側面図である。 図４は、第１の実施形態の測定装置を機能的に示すブロック図である。 図５は、第１の実施形態の測定装置によるアームの回転制御の一例を示すタイミングチャートである。 図６は、第２の実施形態に係るスタンダードチェンジャの一部を概略的に示す平面図である。 図７は、第２の実施形態のスタンダードチェンジャの一部を概略的に示す側面図である。 図８は、第３の実施形態に係るスタンダードチェンジャの一部を概略的に示す平面図である。 図９は、第３の実施形態のアームの端部を概略的に示す側面図である。 図１０は、第４の実施形態に係る測定装置によるアームの回転制御の一例を示すタイミングチャートである。 図１１は、第１の実施形態の変形例に係るアーム及び電磁ラッチを模式的に示す側面図である。 図１２は、第２の実施形態の変形例に係るアーム及び電磁ラッチを模式的に示す側面図である。 図１３は、第３の実施形態の変形例に係るアーム及び電磁ラッチを模式的に示す側面図である。

（第１の実施形態）
以下に、第１の実施形態について、図１乃至図５を参照して説明する。なお、本明細書においては基本的に、鉛直上方を上方向、鉛直下方を下方向と定義する。また、本明細書において、実施形態に係る構成要素及び当該要素の説明が、複数の表現で記載されることがある。構成要素及びその説明は、一例であり、本明細書の表現によって限定されない。構成要素は、本明細書におけるものとは異なる名称でも特定され得る。また、構成要素は、本明細書の表現とは異なる表現によっても説明され得る。

図１は、第１の実施形態に係る放射線厚さ測定装置１０を模式的に示す図である。放射線厚さ測定装置（以下、測定装置と称する）１０は、例えば、鋼板Ｓを製造する製造ラインのうち、鋼板Ｓの圧延ラインにおいて、鋼板Ｓの厚さを測定する。なお、測定装置１０は、他の物品の厚さを測定しても良いし、他の用途に用いられても良い。

図１に示すように、測定装置１０は、例えば、検出部１１と、制御盤１２と、放射線制御部１３と、中継部１４と、操作部１５とを有する。なお、測定装置１０は、この例に限られない。

検出部１１は、鋼板Ｓの圧延ラインに配置される。検出部１１は、フレーム２１と、放射線発生部２２と、放射線検出部２３と、スタンダードチェンジャ２４と、回路基板２５とを有する。

フレーム２１は、略Ｃ字状に形成される。フレーム２１は、下側部分３１と、上側部分３２と、柱部３３とを有する。下側部分３１は、略水平方向に延びている。上側部分３２は、下側部分３１から上方向に離間しており、下側部分３１と略平行に延びている。柱部３３は、略鉛直方向に延び、下側部分３１の端部と上側部分３２の端部とを接続する。

放射線発生部２２は、下側部分３１に設けられる。放射線発生部２２は、略上方向にＸ線Ｒを出射する。Ｘ線Ｒは、放射線の一例である。なお、放射線発生部２２は、Ｘ線Ｒに限らず、他の放射線を出射しても良い。

放射線検出部２３は、上側部分３２に設けられる。すなわち、放射線検出部２３は、放射線発生部２２から上方向に離間し、Ｘ線Ｒの進路上に位置している。放射線検出部２３は、放射線発生部２２から出射したＸ線Ｒを受ける。言い換えると、放射線発生部２２は、放射線検出部２３に向かってＸ線Ｒを出射する。なお、放射線発生部２２と放射線検出部２３との間に、Ｘ線Ｒが透過可能な窓のような、他の部品が設けられても良い。

圧延ラインにおいて、放射線発生部２２と放射線検出部２３との間の空間を、鋼板Ｓが通過する。放射線発生部２２から出射されたＸ線Ｒは、放射線発生部２２と放射線検出部２３との間に位置する鋼板Ｓを透過し、放射線検出部２３に入射する。測定装置１０は、当該Ｘ線Ｒに基づき、鋼板Ｓの厚さを測定する。

スタンダードチェンジャ２４は、下側部分３１に設けられる。スタンダードチェンジャ２４は、放射線発生部２２と放射線検出部２３との間に設けられる。スタンダードチェンジャ２４は、例えば、放射線発生部２２が出射したＸ線Ｒを遮断することが可能である。

回路基板２５は、放射線発生部２２、放射線検出部２３、及びスタンダードチェンジャ２４に電気的に接続される。回路基板２５は、例えば、基板と、当該基板に実装される種々の部品とを有する。

制御盤１２及び放射線制御部１３は、例えば、コンピュータであり、中継部１４を介して検出部１１の回路基板２５に電気的に接続される。操作部１５は、回路基板２５に電気的に接続される。例えば、ユーザは、制御盤１２又は操作部１５を用いて、測定装置１０を制御することができる。

図２は、第１の実施形態のスタンダードチェンジャ２４の一部を概略的に示す平面図である。図３は、第１の実施形態のスタンダードチェンジャ２４の一部を概略的に示す側面図である。

図２に示すように、スタンダードチェンジャ２４は、取付ボード４１と、複数のアーム４２と、複数のロータリソレノイド４３と、複数の位置センサ４４と、複数の電磁ラッチ４５とを有する。

以下、複数のアーム４２、複数のロータリソレノイド４３、複数の位置センサ４４、及び複数の電磁ラッチ４５が、アーム４２Ａ，４２Ｂ、ロータリソレノイド４３Ａ，４３Ｂ、位置センサ４４Ａ，４４Ｂ、及び電磁ラッチ４５Ａ，４５Ｂと個別に称されることがある。なお、共通する説明については、アーム４２、ロータリソレノイド４３、位置センサ４４、及び電磁ラッチ４５の説明として記載される。

取付ボード４１は、略水平方向に広がる板状に形成される。取付ボード４１は、放射線発生部２２と放射線検出部２３との間に位置する。取付ボード４１は、表面５１を有する。表面５１は、放射線検出部２３に向く。なお、表面５１は、放射線発生部２２に向いても良い。

取付ボード４１に、貫通孔５２が設けられる。貫通孔５２は、取付ボード４１を貫通し、表面５１に開口する。貫通孔５２は、Ｘ線Ｒの進路の中心軸と同心（同軸）状の、略円形の断面を有する。なお、貫通孔５２の形状は、この例に限られない。放射線発生部２２は、貫通孔５２を通じて、放射線検出部２３へＸ線Ｒを出射する。すなわち、取付ボード４１は、Ｘ線Ｒの進路を避けて設けられる。

複数のアーム４２は、互いに略同一の形状を有する。なお、複数のアーム４２が、互いに異なる形状を有しても良い。複数のアーム４２は、鉛直方向において、放射線検出部２３と取付ボード４１との間に位置する。なお、複数のアーム４２の位置は、この例に限られない。

複数のアーム４２のそれぞれは、本体６１と、アーマチュア６２と、遮断突起６３とを有する。アーマチュア６２は、例えば、被吸引部とも称され得る。本体６１は、アーム板７１と、取付突起７２と、プレート７３とを有する。

アーム板７１は、例えば、非磁性体の金属板により作られる。なお、アーム板７１は、他の材料により作られても良い。アーム板７１は、略水平方向に広がる略矩形の板状に形成される。アーム板７１は、下面７１ａと、上面７１ｂと、側面７１ｃとを有する。

下面７１ａは、略平坦に形成され、略下方向に向く。下面７１ａは、間隔を介して取付ボード４１の表面５１に向く。下面７１ａは、貫通孔５２を通じて放射線発生部２２に向いても良い。

上面７１ｂは、下面７１ａの反対側に位置する。上面７１ｂは、略平坦に形成され、略上方向に向く。上面７１ｂは、間隔を介して上側部分３２に向く。上面７１ｂは、放射線検出部２３に向いても良い。

側面７１ｃは、下面７１ａの縁と上面７１ｂの縁との間に設けられる。側面７１ｃは、アーム板７１の縁である。鉛直方向における側面７１ｃの幅（厚さ）は、アーム板７１の長手方向と直交する方向における下面７１ａ及び上面７１ｂの幅よりも、短い。側面７１ｃは、略水平方向に向く。

アーム板７１の長手方向における一方の端部７１ｄは、ロータリソレノイド４３に取り付けられる。アーム板７１の他方の端部７１ｅに、プレート７３が設けられる。なお、端部７１ｄ，７１ｅは、長手方向におけるアーム板７１の端のみならず、当該端の近傍の部分を含む。

取付突起７２は、アーム板７１と一体に形成される。取付突起７２は、アーム板７１の端部７１ｅにおいて、アーム板７１の側面７１ｃから、略鉛直方向に突出している。本実施形態において、取付突起７２は、側面７１ｃから略下方に延びている。取付突起７２は、外面７２ａを有する。外面７２ａは、略平坦に形成され、略水平方向に向く。

プレート７３は、略水平方向に広がる略円盤状に形成される。アーム４２Ａにおいて、プレート７３は、鉛のようなＸ線Ｒを遮断可能な材料により作られたシャッタである。アーム４２Ｂにおいて、プレート７３は、例えば鋼板Ｓと同一の材料により作られたスタンダードプレート（サンプルプレート）である。プレート７３は、アーム板７１よりも厚い。プレート７３は、略円形の下面７３ａ及び上面７３ｂを有する。

下面７３ａは、略平坦に形成され、略下方向に向く。下面７３ａは、間隔を介して取付ボード４１の表面５１に向く。下面７３ａは、貫通孔５２を通じて放射線発生部２２に向いても良い。

上面７３ｂは、下面７３ａの反対側に位置する。上面７３ｂは、略平坦に形成され、略上方向に向く。上面７３ｂは、間隔を介して上側部分３２に向く。上面７３ｂは、放射線検出部２３に向いても良い。

アーマチュア６２は、アーム４２のうち、磁力により吸引されることが可能な部分である。アーマチュア６２は、例えば、永久磁石である。なお、アーマチュア６２は、この例に限られず、例えば軟質磁性体のような、磁石に吸引され得る他の物質であっても良い。また、アーマチュア６２は、電磁石であっても良い。

アーマチュア６２は、取付突起７２の外面７２ａに取り付けられる。言い換えると、本実施形態のアーマチュア６２は、本体６１に設けられる。なお、アーマチュア６２は、アーム４２の他の部分に設けられても良い。また、アーマチュア６２の代わりに、アーム４２の他の部分が磁力により吸引されることが可能であっても良い。

遮断突起６３は、アーム板７１と一体に形成される。遮断突起６３は、アーム板７１の端部７１ｄにおいて、アーム板７１の側面７１ｃから、略鉛直方向に突出している。本実施形態において、遮断突起６３は、アーム板７１の長手方向における端に位置する側面７１ｃから略下方に延びている。

遮断突起６３は、外面６３ａと内面６３ｂとを有する。内面６３ｂは、外面６３ａの反対側に位置する。外面６３ａ及び内面６３ｂは、略水平方向に向く。外面６３ａ及び内面６３ｂは、例えば、アーム板７１の長手方向に向く。アーム板７１の長手方向と直交する方向における外面６３ａ及び内面６３ｂの幅は、アーム板７１の長手方向における遮断突起６３の幅（厚さ）よりも長い。

ロータリソレノイド４３は、貫通孔５２から離間した位置で、取付ボード４１の表面５１に取り付けられる。ロータリソレノイド４３は、励磁されることで、アーム板７１を、対応する回転軸Ａｘまわりに回転させることが可能である。

回転軸Ａｘは、例えば、ロータリソレノイド４３の中心軸としての仮想的な直線である。回転軸Ａｘは、貫通孔５２から離間した位置で、取付ボード４１を貫通するように略鉛直方向に延びている。

本明細書において、便宜上、軸方向、径方向、及び周方向が定義される。軸方向は、回転軸Ａｘに沿う方向である。径方向は、回転軸Ａｘと直交する方向である。周方向は、回転軸Ａｘまわりに回転する方向である。径方向及び周方向は、回転軸Ａｘと交差する方向の一例である。

アーム板７１は、回転軸Ａｘから径方向に延びている。アーム板７１の長手方向における長さは、回転軸Ａｘと貫通孔５２との間の距離よりも長い。このため、アーム板７１の一部は、貫通孔５２を覆うことができる。

取付突起７２の外面７２ａは、例えば、略周方向に向く。なお、取付突起７２は、この例に限られず、外面７２ａがアーム板７１の長手方向に向くように、アーム板７１から突出しても良い。

ロータリソレノイド４３は、アーム板７１を回転させることで、アーム４２の全体を回転軸Ａｘまわりに回転させる。ロータリソレノイド４３は、励磁されることで、アーム４２を、閉位置Ｐｃと開位置Ｐｏとの間で回転させる。

閉位置Ｐｃでは、アーム４２の本体６１のプレート７３は、放射線発生部２２から出射したＸ線Ｒの進路上に配置される。すなわち、閉位置Ｐｃにおいて、プレート７３は、放射線発生部２２と放射線検出部２３との間に位置する。このとき、プレート７３の下面７３ａは放射線発生部２２に向き、上面７３ｂは放射線検出部２３に向く。

アーム４２Ａのプレート７３であるシャッタは、閉位置Ｐｃにおいて、Ｘ線Ｒを遮断する。また、Ｘ線Ｒは、閉位置Ｐｃにおけるアーム４２Ｂのプレート７３であるスタンダードプレートを透過することができる。

開位置Ｐｏでは、アーム４２は、Ｘ線Ｒの進路から離間している。このとき、プレート７３の下面７３ａは取付ボード４１の表面５１に向き、上面７３ｂは上側部分３２に向く。このため、アーム４２が開位置Ｐｏに位置するとき、Ｘ線Ｒは、アーム４２に干渉しない。

ロータリソレノイド４３Ａは、励磁されることで、アーム４２Ａを閉位置Ｐｃから開位置Ｐｏへ回転軸Ａｘまわりに回転させる。閉位置Ｐｃは、第１の位置の一例である。開位置Ｐｏは、第２の位置の一例である。

ロータリソレノイド４３Ｂは、励磁されることで、アーム４２Ｂを開位置Ｐｏから閉位置Ｐｃへ回転軸Ａｘまわりに回転させる。開位置Ｐｏは、第１の位置の一例である。閉位置Ｐｃは、第２の位置の一例である。

ロータリソレノイド４３は、例えば、バネを有する。非励磁状態のロータリソレノイド４３Ａは、当該バネの弾性力により、アーム４２Ａを開位置Ｐｏから閉位置Ｐｃへ回転軸Ａｘまわりに回転させる。また、非励磁状態のロータリソレノイド４３Ｂは、バネの弾性力により、アーム４２Ｂを閉位置Ｐｃから開位置Ｐｏへ回転軸Ａｘまわりに回転させる。

なお、ロータリソレノイド４３Ａは、励磁されることでアーム４２Ａを開位置Ｐｏから閉位置Ｐｃへ回転させても良い。また、ロータリソレノイド４３Ｂは、励磁されることでアーム４２Ｂを閉位置Ｐｃから開位置Ｐｏへ回転軸Ａｘまわりに回転させても良い。

ロータリソレノイド４３は、アーム４２が閉位置Ｐｃと開位置Ｐｏとの間の範囲を越えて回転することを制限するストッパを有する。このため、ロータリソレノイド４３又はバネに回転させられるアーム４２は、閉位置Ｐｃと開位置Ｐｏとの間の範囲内で回転する。

位置センサ４４のそれぞれは、二つのフォトセンサ７５をさらに有する。なお、位置センサ４４は、他のセンサを有しても良い。二つのフォトセンサ７５は、周方向に互いに離間している。二つのフォトセンサ７５のそれぞれは、発光素子７５ａと、受光素子７５ｂとを有する。

発光素子７５ａと受光素子７５ｂとは、略径方向に互いに離間している。このため、発光素子７５ａと受光素子７５ｂとの間に隙間７５ｃが設けられる。隙間７５ｃは、発光素子と受光素子との間の空間の一例である。

発光素子７５ａは、受光素子７５ｂに向かって光を出射する。受光素子７５ｂは、発光素子７５ａから出射した光を受ける。フォトセンサ７５は、発光素子７５ａから出射した光を受光素子７５ｂが受けているか否かを示す信号を出力することができる。

隙間７５ｃと回転軸Ａｘとの間の距離は、遮断突起６３と回転軸Ａｘとの間の距離に略等しい。また、発光素子７５ａと受光素子７５ｂとの間の距離は、遮断突起６３の厚さよりも長い。このため、アーム４２が回転軸Ａｘまわりに回転するとき、遮断突起６３が隙間７５ｃに挿入されることができる。

アーム４２が閉位置Ｐｃに位置するとき、遮断突起６３は、一方のフォトセンサ７５の隙間７５ｃに配置され、他方のフォトセンサ７５の隙間７５ｃの外に位置する。アーム４２が開位置Ｐｏに位置するとき、遮断突起６３は、一方のフォトセンサ７５の隙間７５ｃの外に位置し、他方のフォトセンサ７５の隙間７５ｃに配置される。遮断突起６３は、隙間７５ｃに位置することで、発光素子７５ａから受光素子７５ｂに向かう光を遮る。

発光素子７５ａ及び受光素子７５ｂはそれぞれ、取付部材７６に取り付けられる。取付部材７６は、例えば、取付ボード４１に取り付けられる。なお、取付部材７６は、この例に限られない。

電磁ラッチ４５は、電磁石７７を有する。なお、電磁ラッチ４５は、他の部品をさらに有しても良い。電磁石７７は、例えば、他の部品を介して取付ボード４１に取り付けられる。電磁石７７は、励磁されることで磁力を発生し、アーム４２のアーマチュア６２を当該磁力により吸引し、アーム４２を保持することができる。

電磁ラッチ４５Ａの電磁石７７は、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するとき、アーム４２Ａのアーマチュア６２に隣接する。電磁石７７は、励磁されることで、開位置Ｐｏに位置するアーム４２Ａのアーマチュア６２を磁力により吸引し、アーム４２Ａを開位置Ｐｏに保持する。

電磁ラッチ４５Ｂの電磁石７７は、アーム４２Ｂが閉位置Ｐｃに位置するとき、アーム４２Ｂのアーマチュア６２に隣接する。電磁石７７は、励磁されることで、閉位置Ｐｃに位置するアーム４２Ｂのアーマチュア６２を磁力により吸引し、アーム４２Ｂを閉位置Ｐｃに保持する。

アーム４２Ａのアーマチュア６２と電磁ラッチ４５Ａの電磁石７７とは、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するとき、略周方向に並ぶ。また、アーム４２Ｂのアーマチュア６２と電磁ラッチ４５Ｂの電磁石７７とは、アーム４２Ｂが閉位置Ｐｃに位置するとき、略周方向に並ぶ。略周方向は、回転軸と交差する方向の一例である。

図３に示すように、アーム４２Ａとアーム４２Ｂとは、鉛直方向において互いに離間している。また、ロータリソレノイド４３Ａとロータリソレノイド４３Ｂとは、水平方向において互いに離間している。このため、アーム４２Ａとアーム４２Ｂとは、互いに干渉することを抑制できる。

図４は、第１の実施形態の測定装置１０を機能的に示すブロック図である。図４に示すように、測定装置１０は、制御部８０を有する。制御部８０は、例えば、制御盤１２又は操作部１５により実現される。なお、制御部８０は、この例に限られない。

制御部８０は、開閉制御部８１と、アーム位置取得部８２と、回転指示部８３と、保持指示部８４とを備える。開閉制御部８１は、プログラム又はユーザの操作に基づき、スタンダードチェンジャ２４を制御する。

アーム位置取得部８２は、複数の位置センサ４４から信号を取得する。当該信号に基づき、アーム位置取得部８２は、アーム４２が閉位置Ｐｃと開位置Ｐｏとのいずれに位置するかを検出する。

例えば、アーム４２が閉位置Ｐｃに移動すると、遮断突起６３が、一方のフォトセンサ７５の隙間７５ｃに挿入され、発光素子７５ａから出射した光を遮る。受光素子７５ｂが当該光を受けなくなると、フォトセンサ７５は、アーム位置取得部８２に信号を出力する。当該信号に基づき、アーム位置取得部８２は、アーム４２が閉位置Ｐｃに位置することを検出する。

また、アーム４２が開位置Ｐｏに移動すると、遮断突起６３が、他方のフォトセンサ７５の隙間７５ｃに挿入され、発光素子７５ａから出射した光を遮る。受光素子７５ｂが当該光を受けなくなると、フォトセンサ７５は、アーム位置取得部８２に信号を出力する。当該信号に基づき、アーム位置取得部８２は、アーム４２が開位置Ｐｏに位置することを検出する。

回転指示部８３は、ドライバ８５を制御し、ドライバ８５からロータリソレノイド４３に電流を流す。これにより、ロータリソレノイド４３が励磁される。すなわち、制御部８０の回転指示部８３は、ロータリソレノイド４３を励磁させることができる。

保持指示部８４は、ドライバ８６を制御し、ドライバ８６から電磁石７７に電流を流す。これにより、電磁石７７が励磁される。すなわち、制御部８０の保持指示部８４は、電磁石７７を励磁させることができる。ドライバ８５，８６は、例えば、制御盤１２、操作部１５、又は回路基板２５に設けられる。

図５は、第１の実施形態の測定装置１０によるアーム４２Ａの回転制御の一例を示すタイミングチャートである。図５における一番上のグラフは、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するか否かを検知するフォトセンサ７５の信号（開位置検知信号）を示す。二番目のグラフは、アーム４２Ａが閉位置Ｐｃに位置するか否かを検知するフォトセンサ７５の信号（閉位置検知信号）を示す。

図５における三番目のグラフは、アーム４２Ａを閉位置Ｐｃから開位置Ｐｏへ回転させるために開閉制御部８１が出力する信号（開命令信号）を示す。四番目のグラフは、アーム４２Ａを開位置Ｐｏから閉位置Ｐｃへ回転させるために開閉制御部８１が出力する信号（閉命令信号）を示す。

図５における五番目のグラフは、ロータリソレノイド４３Ａに流される電流（ソレノイド励磁電流）を示す。六番目のグラフは、アーム４２Ａの回転（アーム回転）を示す。七番目のグラフは、電磁石７７に流される電流（電磁石励磁電流）を示す。

以下、図５を参照して、測定装置１０によるアーム４２Ａの閉位置Ｐｃと開位置Ｐｏとの間の回転制御の一例が説明される。なお、アーム４２Ａの回転制御は、以下の例に限られない。

図５に示すように、ロータリソレノイド４３が非励磁状態のとき、アーム４２Ａは閉位置Ｐｃに位置する。まず、開閉制御部８１が開命令信号を出力する。回転指示部８３は、開命令信号に基づき、ドライバ８５からロータリソレノイド４３Ａへ電流を流す。これにより、ロータリソレノイド４３Ａが励磁される。

励磁されたロータリソレノイド４３Ａは、アーム４２Ａを閉位置Ｐｃから開位置Ｐｏへ向かって回転させる。アーム４２Ａが閉位置Ｐｃから離れると、遮断突起６３がフォトセンサ７５の隙間７５ｃから出て、閉位置検知信号がハイからローへ遷移する。

アーム４２Ａが開位置Ｐｏへ到達すると、遮断突起６３がフォトセンサ７５の隙間７５ｃに挿入され、開位置検知信号がローからハイへ遷移する。アーム位置取得部８２が開位置検知信号を取得してから所定の時間が経過すると、保持指示部８４は、ドライバ８６から電磁石７７に電流を流す。これにより、電磁石７７が励磁される。励磁された電磁石７７は、アーマチュア６２を磁力により吸引し、ロータリソレノイド４３Ａを開位置Ｐｏに保持する。

保持指示部８４が電磁石７７を励磁させてから所定の時間が経過すると、回転指示部８３は、ロータリソレノイド４３Ａを非励磁状態にする。すなわち、制御部８０は、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するとき、ロータリソレノイド４３Ａを非励磁状態にし、電磁石７７を励磁する。

開閉制御部８１が閉命令信号を出力すると、保持指示部８４は、閉命令信号に基づき、電磁石７７を非励磁状態にする。これにより、電磁石７７は、アーム４２Ａの保持を解除する。アーム４２Ａは、例えばロータリソレノイド４３Ａのバネにより、開位置Ｐｏから閉位置Ｐｃへ向かって回転する。

アーム４２Ａが開位置Ｐｏから離れると、遮断突起６３がフォトセンサ７５の隙間７５ｃから出て、開位置検知信号がハイからローへ遷移する。アーム４２Ａが閉位置Ｐｃへ到達すると、遮断突起６３がフォトセンサ７５の隙間７５ｃに挿入され、閉位置検知信号がローからハイへ遷移する。これにより、アーム位置取得部８２は、アーム４２Ａが閉位置Ｐｃに戻ったことを検知する。

測定装置１０によるアーム４２Ｂの閉位置Ｐｃと開位置Ｐｏとの間の回転制御では、上述のアーム４２Ａの回転制御における閉位置Ｐｃと開位置Ｐｏとが逆になる。このため、制御部８０は、アーム４２Ｂが閉位置Ｐｃに位置するとき、ロータリソレノイド４３Ｂを非励磁状態にし、電磁石７７を励磁する。

以上説明された第１の実施形態に係る測定装置１０において、電磁石７７は、励磁されることで、開位置Ｐｏに位置するアーム４２Ａを吸引し、アーム４２Ａを開位置Ｐｏに保持する。これにより、測定装置１０は、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに到達した後、ロータリソレノイド４３Ａに流される電流を低減することができる。従って、測定装置１０は、ロータリソレノイド４３Ａの発熱を低減でき、ひいてはロータリソレノイド４３Ａの励磁力低下、ロータリソレノイド４３Ａの寿命の減少、及び測定装置１０の温度上昇を抑制できる。

制御部８０は、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するとき、ロータリソレノイド４３Ａを非励磁状態にし、電磁石７７を励磁する。これにより、測定装置１０は、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに到達した後、ロータリソレノイド４３Ａに流される電流を０にすることができる。従って、測定装置１０は、ロータリソレノイド４３Ａの発熱を抑制できる。

アーム４２Ａと電磁石７７とは、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するとき、回転軸Ａｘと交差する方向（周方向）に並ぶ。例えば、アーム４２と電磁石７７とが周方向に並ぶことで、アーム４２と電磁石７７とが互いに近づくことが可能となる。従って、電磁石７７がより効果的にアーム４２を吸引することができる。

本実施形態の制御部８０は、ＣＰＵなどの制御装置と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などの記憶装置と、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＣＤドライブ装置などの外部記憶装置と、ディスプレイ装置などの表示装置と、キーボードやマウスなどの入力装置を備えており、通常のコンピュータを利用したハードウェア構成となっている。

本実施形態の制御部８０で実行されるプログラムは、インストール可能な形式又は実行可能な形式のファイルでＣＤ－ＲＯＭ、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ－Ｒ、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録されて提供される。

また、本実施形態の制御部８０で実行されるプログラムを、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成しても良い。また、本実施形態の制御部８０で実行されるプログラムをインターネット等のネットワーク経由で提供又は配布するように構成しても良い。

また、本実施形態のプログラムを、ＲＯＭ等に予め組み込んで提供するように構成しても良い。

本実施形態の制御部８０で実行されるプログラムは、上述した各部（開閉制御部８１、アーム位置取得部８２、回転指示部８３、及び保持指示部８４）を含むモジュール構成となっており、実際のハードウェアとしてはＣＰＵ（プロセッサ）が上記記憶媒体からプログラムを読み出して実行することにより上記各部が主記憶装置上にロードされ、開閉制御部８１、アーム位置取得部８２、回転指示部８３、及び保持指示部８４が主記憶装置上に生成されるようになっている。

（第２の実施形態）
以下に、第２の実施形態について、図６及び図７を参照して説明する。なお、以下の複数の実施形態の説明において、既に説明された構成要素と同様の機能を持つ構成要素は、当該既述の構成要素と同じ符号が付され、さらに説明が省略される場合がある。また、同じ符号が付された複数の構成要素は、全ての機能及び性質が共通するとは限らず、各実施形態に応じた異なる機能及び性質を有していても良い。

図６は、第２の実施形態に係るスタンダードチェンジャ２２４の一部を概略的に示す平面図である。図７は、第２の実施形態のスタンダードチェンジャ２２４の一部を概略的に示す側面図である。スタンダードチェンジャ２２４は、以下に記載される点を除き、第１の実施形態のスタンダードチェンジャ２４と同じ構成を有する。

図６に示すように、第２の実施形態のスタンダードチェンジャ２２４において、アーム４２は、取付突起７２の代わりに取付突起２０１を有する。取付突起２０１は、アーム板７１の端部７１ｅにおいて、アーム板７１の側面７１ｃから、略周方向に延びている。

取付突起２０１は、下面２０１ａを有する。下面２０１ａは、略平坦に形成され、略鉛直方向に向く。本実施形態の下面２０１ａは、略下方向に向く。下面２０１ａは、アーム板７１の下面７１ａから連続する。なお、下面２０１ａは、例えば鉛直方向において下面７１ａと異なる位置に配置されても良い。

アーマチュア６２は、取付突起２０１の下面２０１ａに取り付けられる。図７に示すように、アーム４２Ａのアーマチュア６２と電磁ラッチ４５Ａの電磁石７７とは、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するとき、略軸方向に並ぶ。また、アーム４２Ｂのアーマチュア６２と電磁ラッチ４５Ｂの電磁石７７とは、アーム４２Ｂが閉位置Ｐｃに位置するとき、略軸方向に並ぶ。

以上説明された第２の実施形態の測定装置１０において、アーム４２と電磁石７７とは、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するとき、回転軸Ａｘに沿う方向（軸方向）に並ぶ。これにより、測定装置１０は、アーム４２Ａが回転するときにアーマチュア６２が電磁石７７に衝突することを抑制できる。

（第３の実施形態）
以下に、第３の実施形態について、図８及び図９を参照して説明する。図８は、第３の実施形態に係るスタンダードチェンジャ３２４の一部を概略的に示す平面図である。図９は、第３の実施形態のアーム４２Ａの端部７１ｄを概略的に示す側面図である。スタンダードチェンジャ３２４は、以下に記載される点を除き、第１の実施形態のスタンダードチェンジャ２４と同じ構成を有する。

図８に示すように、第３の実施形態のスタンダードチェンジャ３２４において、アーム４２は、遮断突起６３及び取付突起７２の代わりに、突起３０１を有する。図９に示すように、突起３０１は、縦部３０５と、二つの横部３０６とを有する。

縦部３０５は、アーム板７１の端部７１ｄにおいて、アーム板７１の側面７１ｃから、略鉛直方向に延びている。鉛直方向における縦部３０５の長さは、周方向における縦部３０５の幅よりも長い。

横部３０６は、アーム板７１の反対側の縦部３０５の端部から、略周方向に延びている。周方向における横部３０６の長さは、鉛直方向における横部３０６の幅よりも長い。二つの横部３０６は、縦部３０５から互いに反対方向に延びている。

アーマチュア６２は、縦部３０５のうち、略径方向に向く外面３０５ａに取り付けられる。このため、周方向において、アーマチュア６２は、二つの横部３０６の間に位置する。なお、アーマチュア６２の位置は、この例に限られない。

図８に示すように、アーム４２Ａのアーマチュア６２と電磁ラッチ４５Ａの電磁石７７とは、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するとき、アーム板７１の長手方向に並ぶ。また、アーム４２Ｂのアーマチュア６２と電磁石７７とは、アーム４２Ｂが閉位置Ｐｃに位置するとき、アーム板７１の長手方向に並ぶ。アーム板７１の長手方向は、略径方向であり、回転軸と交差する方向の一例である。

アーム４２の回転に伴い、アーマチュア６２は、二つのフォトセンサ７５の間で回転する。アーム４２が閉位置Ｐｃ及び開位置Ｐｏのいずれに位置するときも、アーマチュア６２は、フォトセンサ７５から離間している。

隙間７５ｃと回転軸Ａｘとの間の距離は、横部３０６と回転軸Ａｘとの間の距離に略等しい。また、発光素子７５ａと受光素子７５ｂとの間の距離は、突起３０１の厚さよりも長い。このため、横部３０６は、アーム４２が回転軸Ａｘまわりに回転するとき、フォトセンサ７５の隙間７５ｃに挿入されることができる。

アーム４２が閉位置Ｐｃに位置するとき、一方のフォトセンサ７５の隙間７５ｃに、一方の横部３０６が位置する。当該横部３０６は、当該フォトセンサ７５の発光素子７５ａから受光素子７５ｂに向かう光を遮る。一方、二つの横部３０６のいずれも、他方のフォトセンサ７５の隙間７５ｃから離間している。

アーム４２が開位置Ｐｏに位置するとき、二つの横部３０６のいずれも、一方のフォトセンサ７５の隙間７５ｃから離間している。一方で、他方のフォトセンサ７５の隙間７５ｃに、他方の横部３０６が位置する。当該横部３０６は、当該フォトセンサ７５の発光素子７５ａから受光素子７５ｂに向かう光を遮る。

以上説明された第３の実施形態の測定装置１０において、フォトセンサ７５は、光を出射する発光素子７５ａと、発光素子７５ａから出射した光を受ける受光素子７５ｂと、を有する。アーム４２Ａは、本体６１と、突起３０１とを有する。本体６１は、アーム４２Ａが閉位置Ｐｃに位置するときにＸ線Ｒの進路上に配置されるとともに、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するときにＸ線Ｒの進路から離間する。突起３０１は、アーム４２Ａが閉位置Ｐｃに位置するときに、発光素子７５ａと受光素子７５ｂとの間の隙間７５ｃから離間する。さらに、突起３０１は、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するときに、隙間７５ｃに位置し、発光素子７５ａから受光素子７５ｂに向かう光を遮るとともに、励磁された電磁石７７の磁力により吸引される。すなわち、突起３０１は、電磁石７７の磁力により吸引される部分と、フォトセンサ７５により検知される部分とを兼ねる。これにより、測定装置１０は、電磁石７７の磁力により吸引される部分と、フォトセンサ７５により検知される部分とを別々に設ける必要が無くなり、アーム４２Ａを軽量化できる。

（第４の実施形態）
以下に、第４の実施形態について、図１０を参照して説明する。図１０は、第４の実施形態に係る測定装置１０によるアーム４２Ａの回転制御の一例を示すタイミングチャートである。第４の実施形態の測定装置１０は、アーム４２の回転制御において、第１の実施形態の測定装置１０と異なる。

図１０における一番上のグラフは、開位置検知信号を示す。二番目のグラフは、閉位置検知信号を示す。三番目のグラフは、開命令信号を示す。四番目のグラフは、閉命令信号を示す。五番目のグラフは、ロータリソレノイド４３Ａに流される第１の電流を示す。六番目のグラフは、ロータリソレノイド４３Ａに流される第２の電流（第２の電流）を示す。七番目のグラフは、アーム回転を示す。八番目のグラフは、電磁石励磁電流を示す。

以下、図１０を参照して、測定装置１０によるアーム４２Ａの閉位置Ｐｃと開位置Ｐｏとの間の回転制御の一例が説明される。なお、アーム４２Ａの回転制御は、以下の例に限られない。

まず、開閉制御部８１が開命令信号を出力する。回転指示部８３は、開命令信号に基づき、ドライバ８５からロータリソレノイド４３Ａへ第１の電流を流す。これにより、ロータリソレノイド４３Ａが励磁される。

励磁されたロータリソレノイド４３Ａが、アーム４２Ａを閉位置Ｐｃから開位置Ｐｏへ向かって回転させる。すなわち、制御部８０は、ロータリソレノイド４３Ａへ第１の電流を流すことで、励磁されたロータリソレノイド４３Ａにアーム４２Ａを閉位置Ｐｃから開位置Ｐｏへ回転させる。

アーム４２Ａが閉位置Ｐｃから離れると、遮断突起６３がフォトセンサ７５の隙間７５ｃから出て、閉位置検知信号がハイからローへ遷移する。アーム４２Ａが開位置Ｐｏへ到達すると、遮断突起６３がフォトセンサ７５の隙間７５ｃに挿入され、開位置検知信号がローからハイへ遷移する。

アーム位置取得部８２が開位置検知信号を取得してから所定の時間が経過すると、保持指示部８４は、ドライバ８６から電磁石７７へ電流を流す。これにより、電磁石７７が励磁される。例示された電磁石７７は、アーマチュア６２を磁力により吸引し、ロータリソレノイド４３Ａを開位置Ｐｏに保持する。

保持指示部８４が電磁石７７を励磁させてから所定の時間が経過すると、回転指示部８３は、第１の電流に代わって第２の電流をドライバ８５からロータリソレノイド４３Ａへ流す。すなわち、制御部８０は、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するとき、電磁石７７を励磁するとともに、ロータリソレノイド４３Ａに第２の電流を流すことでロータリソレノイド４３Ａを励磁する。これにより、電磁石７７及びロータリソレノイド４３Ａは、協同して、アーム４２Ａを開位置Ｐｏに保持する。

第２の電流は、第１の電流よりも小さい。例えば、第２の電流は、第１の電流の５０％である。また、第４の実施形態において電磁石７７に流される電流は、第１の実施形態において電磁石７７に流される電流よりも小さい。なお、ロータリソレノイド４３Ａに流される電流と、電磁石７７に流される電流とは、この例に限られない。

開閉制御部８１が閉命令信号を出力すると、保持指示部８４は、閉命令信号に基づき、電磁石７７を非励磁状態にする。また、回転指示部８３も、ロータリソレノイド４３Ａを非励磁状態にする。これにより、電磁石７７及びロータリソレノイド４３Ａは、アーム４２Ａの保持を解除する。アーム４２Ａは、例えばロータリソレノイド４３Ａのバネにより、開位置Ｐｏから閉位置Ｐｃへ向かって回転する。

アーム４２Ａが開位置Ｐｏから離れると、遮断突起６３がフォトセンサ７５の隙間７５ｃから出て、開位置検知信号がハイからローへ遷移する。アーム４２Ａが閉位置Ｐｃへ到達すると、遮断突起６３がフォトセンサ７５の隙間７５ｃに挿入され、閉位置検知信号がローからハイへ遷移する。これにより、アーム位置取得部８２は、アーム４２Ａが閉位置Ｐｃに戻ったことを検知する。

測定装置１０によるアーム４２Ｂの閉位置Ｐｃと開位置Ｐｏとの間の回転制御では、上述のアーム４２Ａの回転制御における閉位置Ｐｃと開位置Ｐｏとが逆になる。このため、制御部８０は、ロータリソレノイド４３Ｂに第１の電流を流すことで、励磁されたロータリソレノイド４３Ｂにアーム４２Ｂを開位置Ｐｏから閉位置Ｐｃへ回転させる。また、制御部８０は、アーム４２Ｂが閉位置Ｐｃに位置するとき、電磁石７７を励磁するとともに、ロータリソレノイド４３Ｂに第２の電流を流すことでロータリソレノイド４３Ｂを励磁する。これにより、電磁石７７及びロータリソレノイド４３Ｂが、アーム４２Ｂを閉位置Ｐｃに保持する。

以上説明された第４の実施形態の測定装置１０において、制御部８０は、ロータリソレノイド４３Ａに第１の電流を流すことで、励磁されたロータリソレノイド４３Ａにアーム４２Ａを閉位置Ｐｃから開位置Ｐｏへ回転させる。制御部８０は、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するとき、電磁石７７を励磁するとともに、ロータリソレノイド４３Ａに第１の電流より小さい第２の電流を流すことで当該ロータリソレノイド４３Ａを励磁し、電磁石７７及びロータリソレノイド４３Ａにアーム４２Ａを開位置Ｐｏに保持させる。これにより、測定装置１０は、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに到達した後、ロータリソレノイド４３Ａに流される電流を低減することができる。さらに、測定装置１０は、電磁石７７に流される電流が大きくなることを抑制でき、ひいては電磁石７７の励磁力低下、電磁石７７の寿命の減少、及び測定装置１０の温度上昇を抑制できる。なお、第４の実施形態におけるアーム４２の回転制御は、第１乃至第３の実施形態のいずれの測定装置１０にも適用可能である。

（変形例）
以下に、第１乃至第３の実施形態の変形例について、図１１乃至図１３を参照して説明する。図１１は、第１の実施形態の変形例に係るアーム４２及び電磁ラッチ４５を模式的に示す側面図である。図１２は、第２の実施形態の変形例に係るアーム４２及び電磁ラッチ４５を模式的に示す側面図である。図１３は、第３の実施形態の変形例に係るアーム４２及び電磁ラッチ４５を模式的に示す側面図である。

図１１乃至図１３に示すように、第１乃至第３の実施形態において、アーマチュア６２の表面に第１の電極４０１が設けられ、電磁石７７の表面に第２の電極４０２が設けられても良い。この場合、位置センサ４４は、例えば通電センサ４０５をさらに有する。通電センサ４０５は、第２の電極４０２に電気的に接続される。

アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するとき、第１の電極４０１と第２の電極４０２とは向かい合う。励磁された電磁石７７の磁力がアーマチュア６２を吸引すると、アーム４２の弾性変形を伴って、アーマチュア６２が電磁石７７に近づく。これにより、第１の電極４０１と第２の電極４０２とが互いに接触し、第１の電極４０１と第２の電極４０２とが互いに通電する。

通電センサ４０５は、例えば、第１の電極４０１と第２の電極４０２とを通じた信号の送受信、電流の変化、又は電圧の変化を利用し、第１の電極４０１と第２の電極４０２とが通電しているか否かを示す信号を出力することができる。制御部８０は、通電センサ４０５により、第１の電極４０１が第２の電極４０２に通電したことを検知する。

制御部８０は、フォトセンサ７５を用いることなく、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置することを検知することができる。なお、制御部８０は、フォトセンサ７５により、アーム４２Ａが閉位置Ｐｃに位置することを検知する。また、制御部８０は、フォトセンサ７５を用いることなく、アーム４２Ｂが閉位置Ｐｃに位置することを検知することができる。

以上説明された変形例の測定装置１０において、第１の電極４０１は、アーム４２に設けられる。第２の電極４０２は、電磁石７７に設けられる。第１の電極４０１と第２の電極４０２とは、アーム４２Ａが開位置Ｐｏに位置するとき、励磁された電磁石７７の磁力がアーマチュア６２を吸引することで、互いに接触する。制御部８０は、第１の電極４０１が第２の電極４０２に通電したことを検知する。これにより、制御部８０は、電磁石７７によりアーム４２Ａが開位置Ｐｏに保持されていることを検知することができる。

以上の説明において、抑制は、例えば、事象、作用、若しくは影響の発生を防ぐこと、又は事象、作用、若しくは影響の度合いを低減させること、として定義される。また、以上の説明において、制限は、例えば、移動若しくは回転を防ぐこと、又は移動若しくは回転を所定の範囲内で許容するとともに当該所定の範囲を超えた移動若しくは回転を防ぐこと、として定義される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
以下に、出願当初の特許請求の範囲の内容を付記する。
［１］
放射線を出射する放射線発生部と、
少なくとも部分的に磁力により吸引されることが可能であり、回転軸まわりに回転可能な、アームと、
励磁されることで、前記アームを、前記放射線発生部から出射した前記放射線の進路上に前記アームが配置される閉位置と、前記アームが前記放射線の進路から離間した開位置と、のうち一方である第１の位置から、前記閉位置と前記開位置とのうち他方である第２の位置へ、前記回転軸まわりに回転させるロータリソレノイドと、
励磁されることで前記第２の位置に位置する前記アームを磁力により吸引し、前記アームを前記第２の位置に保持する、電磁石と、
を具備する放射線厚さ測定装置。
［２］
前記ロータリソレノイド及び前記電磁石を励磁させる制御部、
をさらに具備し、
前記制御部は、前記アームが前記第２の位置に位置するとき、前記ロータリソレノイドを非励磁状態にし、前記電磁石を励磁する、
［１］の放射線厚さ測定装置。
［３］
前記ロータリソレノイド及び前記電磁石を励磁させる制御部、
をさらに具備し、
前記制御部は、前記ロータリソレノイドに第１の電流を流すことで、励磁された前記ロータリソレノイドに前記アームを前記第１の位置から前記第２の位置へ回転させ、
前記制御部は、前記アームが前記第２の位置に位置するとき、前記電磁石を励磁するとともに、前記ロータリソレノイドに前記第１の電流より小さい第２の電流を流すことで前記ロータリソレノイドを励磁し、前記電磁石及び前記ロータリソレノイドに前記アームを前記第２の位置に保持させる、
［１］の放射線厚さ測定装置。
［４］
前記アームに設けられた第１の電極と、
前記電磁石に設けられた第２の電極と、
をさらに具備し、
前記第１の電極と前記第２の電極とは、前記アームが前記第２の位置に位置するとき、励磁された前記電磁石の磁力が前記アームを吸引することで、互いに接触し、
前記制御部は、前記第１の電極が前記第２の電極に通電したことを検知する、
［２］又は［３］の放射線厚さ測定装置。
［５］
光を出射する発光素子と、前記発光素子から出射した光を受ける受光素子と、を有するフォトセンサ、
をさらに具備し、
前記アームは、当該アームが前記閉位置に位置するときに前記放射線の進路上に配置されるとともに前記アームが前記開位置に位置するときに前記放射線の進路から離間する本体と、前記本体から突出する突起と、を有し、
前記突起は、前記アームが前記第１の位置に位置するときに前記発光素子と前記受光素子との間の空間から離間し、前記アームが前記第２の位置に位置するときに前記発光素子と前記受光素子との間に位置して前記発光素子から前記受光素子に向かう前記光を遮るとともに励磁された前記電磁石の磁力により吸引される、
［１］乃至［３］のいずれか一つの放射線厚さ測定装置。
［６］
前記アームと前記電磁石とは、前記アームが前記第２の位置に位置するとき、前記回転軸と交差する方向又は前記回転軸に沿う方向に並ぶ、［１］乃至［５］のいずれか一つの放射線厚さ測定装置。

１０…放射線厚さ測定装置、２２…放射線発生部、４２，４２Ａ，４２Ｂ…アーム、４３，４３Ａ，４３Ｂ…ロータリソレノイド、６１…本体、７５…フォトセンサ、７５ａ…発光素子、７５ｂ…受光素子、７５ｃ…隙間、７７…電磁石、８０…制御部、３０１…突起、４０１…第１の電極、４０２…第２の電極、Ｒ…Ｘ線、Ａｘ…回転軸、Ｐｃ…閉位置、Ｐｏ…開位置。

Claims (6)

1. 放射線を出射する放射線発生部と、
   前記放射線発生部と対向して前記放射線を受ける放射線検出部と、
   少なくとも部分的に磁力により吸引されることが可能であり、回転軸まわりに回転可能な、アームと、
   励磁されることで、前記アームを、前記放射線発生部から出射した前記放射線の進路上に前記アームが配置される閉位置と、前記アームが前記放射線の進路から離間した開位置と、のうち一方である第１の位置から、前記閉位置と前記開位置とのうち他方である第２の位置へ、前記回転軸まわりに回転させるロータリソレノイドと、
   励磁されることで前記第２の位置に位置する前記アームを磁力により吸引し、前記アームを前記第２の位置に保持する、電磁石と、
   前記ロータリソレノイド及び前記電磁石を励磁させる制御部と、
   を具備し、
   前記制御部は、前記アームが前記第１の位置に位置しているときよりも前記第２の位置に位置するときの前記ロータリソレノイドに流す電流を小さくする、
   放射線厚さ測定装置。
2. 前記制御部は、前記アームが前記第２の位置に位置するとき、前記ロータリソレノイドを非励磁状態にし、前記電磁石を励磁する、
   請求項１の放射線厚さ測定装置。
3. 前記制御部は、前記ロータリソレノイドに第１の電流を流すことで、励磁された前記ロータリソレノイドに前記アームを前記第１の位置から前記第２の位置へ回転させ、
   前記制御部は、前記アームが前記第２の位置に位置するとき、前記電磁石を励磁するとともに、前記ロータリソレノイドに前記第１の電流より小さい第２の電流を流すことで前記ロータリソレノイドを励磁し、前記電磁石及び前記ロータリソレノイドに前記アームを前記第２の位置に保持させる、
   請求項１の放射線厚さ測定装置。
4. 前記アームに設けられた第１の電極と、
   前記電磁石に設けられた第２の電極と、
   をさらに具備し、
   前記第１の電極と前記第２の電極とは、前記アームが前記第２の位置に位置するとき、励磁された前記電磁石の磁力が前記アームを吸引することで、互いに接触し、
   前記制御部は、前記第１の電極が前記第２の電極に通電したことを検知する、
   請求項２又は請求項３の放射線厚さ測定装置。
5. 光を出射する発光素子と、前記発光素子から出射した光を受ける受光素子と、を有するフォトセンサ、
   をさらに具備し、
   前記アームは、当該アームが前記閉位置に位置するときに前記放射線の進路上に配置されるとともに前記アームが前記開位置に位置するときに前記放射線の進路から離間する本体と、前記本体から突出する突起と、を有し、
   前記突起は、前記アームが前記第１の位置に位置するときに前記発光素子と前記受光素子との間の空間から離間し、前記アームが前記第２の位置に位置するときに前記発光素子と前記受光素子との間に位置して前記発光素子から前記受光素子に向かう前記光を遮るとともに励磁された前記電磁石の磁力により吸引される、
   請求項１乃至請求項３のいずれか一つの放射線厚さ測定装置。
6. 前記アームと前記電磁石とは、前記アームが前記第２の位置に位置するとき、前記回転軸と交差する方向又は前記回転軸に沿う方向に並ぶ、請求項１乃至請求項５のいずれか一つの放射線厚さ測定装置。