JP7718906B2

JP7718906B2 - 基板処理装置

Info

Publication number: JP7718906B2
Application number: JP2021133186A
Authority: JP
Inventors: 公平清原; 直樹藤原; 克栄東
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2021-08-18
Filing date: 2021-08-18
Publication date: 2025-08-05
Anticipated expiration: 2041-08-18
Also published as: JP2023027859A

Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。
処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウェハ、液晶表示装置および有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置等のＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。

下記特許文献１に開示されている基板処理装置は、スピンチャックを取り囲む処理カップを含む。処理カップは、スピンチャックに保持されている基板の周囲に飛散した薬液を受け止める２つのガードを含む。内側の第１のガードは、スピンチャックを取り囲んでおり、外側の第２のガードは、第１のガードの外側において、スピンチャックを取り囲んでいる。

第１のガードは、円筒状の筒状部と、筒状部の上面外周部から上方に延びる円筒状の中段部と、中段部の上端から内方に向かって斜め上に延びる円環状の傾斜部とを含む。

特開２０２０－１９８３５６号公報

特許文献１に開示されている基板処理装置では、チャンバ内で形成される気流（ダウンフロー）が、処理カップ内を通って排気ダクトに排出される。第１のガードの傾斜部の下方の空間は、第１のガードおよび第２のガードの空間と比べて大きい。そのため、第１のガードの傾斜部よりも下方の空間では、排気効率が不充分となり易い。排気効率が不充分となることで、気流の乱れが生じ易く、雰囲気の停滞が起こり易い。雰囲気が停滞すると、雰囲気中に含まれる薬液の蒸気およびミストが基板に付着し、基板上にパーティクルが発生するおそれがある。

そこで、この発明の１つの目的は、第１ガードの環状部よりも下方における雰囲気の停滞を抑制できる基板処理装置を提供することである。

この発明の一実施形態は、基板を水平に保持する基板保持部材と、前記基板保持部材に保持されている基板に薬液を供給する薬液供給ユニットと、前記基板保持部材を取り囲む筒状の第１ガードであって、円筒部、および、前記円筒部よりも内側に向かって前記円筒部から張り出す環状部を有する第１ガードと、前記環状部よりも下方において、前記円筒部よりも内側に向かって前記円筒部から斜め上に張り出す環状部材とを含む、基板処理装置を提供する。前記環状部材が、前記環状部材よりも上方から前記環状部材よりも下方への流体の通過を許容する少なくとも１つの通過許容部を前記環状部材の外周部に有する。

この装置によれば、第１ガードの円筒部よりも内側に向かって円筒部から張り出す環状部材が、第１ガードの環状部よりも下方に設けられている。環状部材の外周部には、環状部材よりも上方から環状部材よりも下方への流体の通過を許容する少なくとも１つの通過許容部が設けられている。そのため、第１ガードの環状部よりも下方において、通過許容部を介して環状部材よりも上方から環状部材よりも下方へ向かう気流を形成することができる。これにより、環状部よりも下方において、雰囲気を整流することができ、雰囲気の停滞を抑制できる。

基板の上面に供給された薬液は基板の外方に飛散して、円筒部および環状部材によって主に受けられる。通過許容部は、環状部材の外周部に設けられている。そのため、円筒部によって受けられた薬液は、円筒部から落下する際に、または、円筒部に沿って下方に流れる際に、通過許容部を介して環状部材を通過することができる。環状部材は、円筒部よりも内側に向かって円筒部から斜め上に張り出している。そのため、環状部材に付着した薬液は、環状部材に沿って環状部材の外周部に向かって流れる。環状部材の外周部まで流れた薬液は、通過許容部を介して環状部材を通過する。これにより、基板の外方に飛散した薬液が環状部材上に溜まることを抑制できる。したがって、雰囲気の整流のために環状部材を設けた場合において、環状部材上に薬液が溜まることを抑制できる。

この発明の一実施形態では、前記環状部材が、前記環状部材の周方向に沿って配置された複数の前記通過許容部を有する。
そのため、環状部材の周方向における整流作用のむらを低減でき、かつ、環状部材に沿って流れて環状部材の外周部に達する薬液を、環状部材よりも下方へ効率良く排出することができる。

この発明の一実施形態では、複数の前記通過許容部が、前記周方向に沿って等間隔に設けられている。
この構成によれば、環状部材の周方向における整流作用のむらを一層低減できる。さらに、環状部材に沿って環状部材上を流れて環状部材の外周部に達した薬液を一層効率良く環状部材よりも下方へ排出することができる。

この発明の一実施形態では、前記通過許容部が、前記環状部材の外周縁を切り欠く切り欠きを含む。
この構成によれば、切り欠きによって環状部材の外周縁が切り欠かれている。そのため、切り欠きよりも外側には、薬液が溜まる部分が存在しない。したがって、環状部材上の薬液を一層効率良く環状部材よりも下方に排出できる。

しかしその一方で、環状部材の外周部を貫通する貫通孔が設けられていてもよい。
この発明の一実施形態では、前記環状部材が、前記環状部と平行に前記円筒部から張り出している。
環状部材と環状部との間には、環状部材の外周部へ向かう放射状気流が形成される。そのため、環状部材が環状部と平行であれば、環状部材の内周部付近における放射状気流の速度と環状部材の外周部付近における放射状気流の速度との差を低減できる。これにより、環状部よりも下方における雰囲気の停滞を一層抑制できる。

この発明の一実施形態では、前記環状部材が、前記第１ガードに対して着脱可能である。そのため、基板処理に適した環状部材に適宜取り換えることができる。
前記基板処理装置が、前記環状部材を前記円筒部に対して固定する締付部材をさらに含んでいてもよい。前記環状部材が、前記締付部材によって前記円筒部に固定される固定部を含んでいてもよい。前記締付部材が、前記環状部材を前記第１ガードに固定可能であり、かつ前記第１ガードに対する前記環状部材の固定を解除可能であってもよい。
この発明の一実施形態では、前記薬液供給ユニットが、前記基板保持部材に保持されている基板の上面に薬液を供給する上面薬液供給部材を含む。前記基板処理装置が、前記環状部の内周縁が前記基板保持部材に保持されている基板の上面よりも下方に位置する下位置、および、前記環状部の内周縁が前記基板保持部材に保持されている基板の上面よりも上方に位置する上位置の間で、前記環状部材とともに前記第１ガードを昇降させるガード駆動機構をさらに含む。前記環状部材の内周縁は、前記第１ガードが前記上位置に位置するときに、前記基板保持部材に保持されている基板の上面よりも下方に位置する。

この構成によれば、基板の上面を、環状部の内周縁よりも下方で、かつ、環状部材の内周縁よりも上方に位置させることができる。そうすることによって、基板の上面から飛散する薬液を環状部材と環状部との間に流入させることができる。これにより、環状部材と環状部との間で円筒部の外側へ向かう、すなわち、通過許容部へ向かう気流の形成を促進できる。さらに、円筒部の外側へ向かう気流の形成を促進することによって、環状部材および第１ガードからの薬液の跳ね返りを抑制できる。

この発明の一実施形態では、前記基板保持部材が、円板状のベースと、前記ベースよりも上方で前記基板の周縁部を把持する複数の把持ピンとを含む。そして、前記環状部材の内周縁は、前記第１ガードが前記上位置に位置するときに、前記ベースに側方から対向する。
この構成によれば、ベースの側方に環状部材の内周縁を対向させることによって、ベースと環状部材との間の隙間を小さくできる。そのため、ベースと環状部材との間を通って下方へ向かう気流を形成することができる。したがって、環状部よりも下方における雰囲気の整流化を補助できる。

この発明の一実施形態では、前記薬液供給ユニットが、前記基板保持部材に保持されている基板の下面にリンス液を供給する下面リンス液供給部材を含む。
そのため、基板保持部材のベースに側方から対向する状態で、すなわち、環状部材が基板よりも充分に低い位置に位置する状態で、下面リンス液供給部材から基板の下面に向けてリンス液を供給することができる。そうであれば、基板の下面から排出されるリンス液によって第１ガードおよび環状部材を洗浄することができる。これにより、第１ガードおよび環状部材に付着している薬液を除去することができる。

なお、基板の下面からの液体の飛散方向は、基板の上面からの液体の飛散方向よりも下方に向いている。そのため、基板の下面から飛散する液体は、基板の上面から飛散する液体よりも、円筒部よりも内側において、環状部材に付着しやすい。
そのため、基板の上面から飛散する薬液よりも、基板の下面から飛散するリンス液は、環状部材の内周縁付近に付着し易い。したがって、環状部材に付着した薬液の残留を抑制することができる。さらに、基板の上面にリンス液を供給して第１ガードおよび環状部材を洗浄する場合と比較して、環状部材の内周縁付近を洗浄し易い。すなわち、基板の上面にリンス液を供給する場合と比較して、環状部材の全体を洗浄し易い。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記環状部、および、前記環状部材の間の空間の雰囲気を、前記通過許容部を介して排出する排出配管をさらに含む。
この構成によれば、通過許容部を介して環状部材よりも上方から環状部材よりも下方へ向かう気流を強制的に形成することができる。そのため、環状部よりも下方において、雰囲気を整流することができ雰囲気の停滞を抑制できる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記第１ガードよりも外側に配置され前記基板保持部材を取り囲む筒状の第２ガードをさらに含んでいてもよい。さらに、前記基板処理装置が、前記第２ガードよりも外側に配置され、前記基板保持部材を取り囲む筒状の第３ガードをさらに含んでいてもよい。このように、ガードが複数設けられている構成においても適用することができる。

図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成例を説明するための平面図である。図２は、前記基板処理装置に備えられる処理ユニットの構成を説明するための模式図である。図３Ａは、前記処理ユニットに備えられる複数のガードおよびその周辺の断面図であり、複数のガードの配置が第１配置であるときの様子を示す図である。図３Ｂは、前記処理ユニットに備えられる複数のガードおよびその周辺の断面図であり、複数のガードの配置が第２配置であるときの様子を示す図である。図４Ａは、前記処理ユニットに備えられる環状部材の斜視図である。図４Ｂは、図２に示すＩＶＢ－ＩＶＢ線に沿う断面図である。図５は、前記基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。図６は、前記基板処理装置による基板処理の一例を説明するためのフローチャートである。図７Ａは、前記基板処理が行われているときの複数のガードの様子を説明するための模式図である。図７Ｂは、前記基板処理が行われているときの複数の前記ガードの様子を説明するための模式図である。図８は、変形例に係る基板処理を説明するためのフローチャートである。図９は、変形例に係る前記基板処理が行われているときの複数の前記ガードの様子を説明するための模式図である。図１０Ａは、第１変形例に係る環状部材の斜視図である。図１０Ｂは、第１変形例に係る前記環状部材の平面図である。図１１は、第２変形例に係る環状部材の平面図である。図１２Ａは、第３変形例に係る環状部材の下面図である。図１２Ｂは、第３変形例に係る前記環状部材の要部の模式図である。図１３は、第２実施形態に係る基板処理装置に備えられる処理ユニットの構成を説明するための模式図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
＜第１実施形態に係る基板処理装置の構成＞
図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の構成例を説明するための平面図である。
基板処理装置１は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状を有する。基板Ｗは、シリコンウエハ等の基板Ｗであり、一対の主面を有する。

基板処理装置１は、基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣ（収容器）が載置されるロードポートＬＰ（収容器保持ユニット）と、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボット（第１搬送ロボットＩＲおよび第２搬送ロボットＣＲ）と、基板処理装置１に備えられる各部材を制御するコントローラ３とを含む。

第１搬送ロボットＩＲは、キャリアＣと第２搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。第２搬送ロボットＣＲは、第１搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。各搬送ロボットは、たとえば、多関節アームロボットである。
複数の処理ユニット２は、第２搬送ロボットＣＲによって基板Ｗが搬送される搬送経路ＴＲに沿って搬送経路ＴＲの両側に配列され、かつ、上下方向に積層されて配列されている。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。

複数の処理ユニット２は、水平に離れた４つの位置にそれぞれ配置された４つの処理タワーＴＷを形成している。各処理タワーＴＷは、上下方向に積層された複数の処理ユニット２を含む。４つの処理タワーＴＷは、ロードポートＬＰから第２搬送ロボットＣＲに向かって延びる搬送経路ＴＲの両側に２つずつ配置されている。
処理ユニット２は、基板処理の際に基板Ｗを収容するチャンバ４を有する。チャンバ４は、第２搬送ロボットＣＲによって、チャンバ４内に基板Ｗを搬入したりチャンバ４から基板Ｗを搬出したりするための出入口（図示せず）と、出入口を開閉するシャッタユニット（図示せず）とを含む。チャンバ４内で基板Ｗに供給される処理液としては、詳しくは後述するが、薬液、リンス液等が挙げられる。

＜第１実施形態に係る処理ユニットの構成＞
図２は、処理ユニット２の構成を説明するための模式図である。
処理ユニット２は、基板Ｗを所定の処理姿勢に基板Ｗを保持しながら、回転軸線Ａ１のまわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック５と、基板Ｗに向けて処理液を吐出する複数の処理液ノズル（薬液ノズル３０、上面リンス液ノズル３１、下面リンス液ノズル３２）と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗから飛散する処理液を受ける処理カップ８とをさらに含む。スピンチャック５、複数の処理液ノズル、および、処理カップ８は、チャンバ４内に配置されている。

回転軸線Ａ１は、基板Ｗの中心部を通り、処理姿勢に保持されている基板Ｗの各主面に対して直交する。処理姿勢は、図２に示す基板Ｗの姿勢であり、基板Ｗの主面が水平面となる水平姿勢である。処理姿勢が水平姿勢である場合、回転軸線Ａ１は、鉛直に延びる。スピンチャック５は、基板Ｗを処理姿勢に保持する基板保持部材の一例であり、基板Ｗを処理姿勢に保持しながら回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる回転保持部材の一例でもある。

スピンチャック５は、水平方向に沿う円板形状を有するスピンベース２１と、スピンベース２１の上方で基板Ｗを把持しスピンベース２１よりも上方で基板Ｗの周縁部を把持する複数の把持ピン２０と、スピンベース２１に連結され鉛直方向に延びる回転軸２２と、回転軸２２をその中心軸線（回転軸線Ａ１）のまわりに回転させる回転駆動機構２３と、回転軸２２および回転駆動機構２３を収容するハウジング２４とを含む。スピンベース２１は、円板状のベースの一例である。

複数の把持ピン２０は、スピンベース２１の周方向に間隔を空けてスピンベース２１の上面に配置されている。回転駆動機構２３は、たとえば、電動モータ等のアクチュエータを含む。回転駆動機構２３は、回転軸２２を回転させることでスピンベース２１および複数の把持ピン２０が回転軸線Ａ１のまわりに回転する。これにより、基板Ｗは、スピンベース２１および複数の把持ピン２０とともに回転軸線Ａ１のまわりに回転される。

複数の把持ピン２０は、基板Ｗの周縁部に接触して基板Ｗを把持する閉位置と、基板Ｗに対する把持を解除する開位置との間で移動可能である。複数の把持ピン２０は、開閉機構（図示せず）によって移動される。
複数の把持ピン２０は、閉位置に位置するとき、基板Ｗの周縁部を把持して基板Ｗを水平に保持する。複数の把持ピン２０は、開位置に位置するとき、基板Ｗに対する把持を解除する一方で、基板Ｗの周縁部を下方から支持する。開閉機構は、たとえば、リンク機構と、リンク機構に駆動力を付与するアクチュエータとを含む。

複数の処理液ノズルは、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（上側の主面）に向けて、薬液の連続流を吐出する薬液ノズル３０と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液の連続流を吐出する上面リンス液ノズル３１と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面（下側の主面）に向けてリンス液の連続流を吐出する下面リンス液ノズル３２とをさらに含む。

薬液ノズル３０は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗに薬液を供給する薬液供給ユニットの一例である。薬液ノズル３０は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に処理液を供給する上面薬液供給部材の一例である。
上面リンス液ノズル３１および下面リンス液ノズル３２は、いずれも、スピンチャック５に保持されている基板Ｗにリンス液を供給するリンス液供給ユニットの一例である。上面リンス液ノズル３１は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面にリンス液を供給する上面リンス液供給部材の一例である。下面リンス液ノズル３２は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面にリンス液を供給する下面リンス液供給部材の一例である。

薬液ノズル３０、および、上面リンス液ノズル３１は、複数のノズル移動機構（第１ノズル移動機構３５および第２ノズル移動機構３６）によって水平方向にそれぞれ移動される。
各ノズル移動機構は、対応するノズルを、中央位置と退避位置との間で移動させることができる。中央位置は、ノズルが基板Ｗの上面の中央領域に対向する位置である。基板Ｗの上面の中央領域とは、基板Ｗの上面において回転中心（中央部）と回転中心の周囲の部分とを含む領域のことである。退避位置は、ノズルが基板Ｗの上面に対向しない位置であり、処理カップ８の外側の位置である。

各ノズル移動機構は、対応するノズルを支持するアーム（図示せず）と、対応するアームを水平方向に移動させるアーム移動機構（図示せず）とを含む。各アーム移動機構は、電動モータ、エアシリンダ等のアクチュエータを含む。
この実施形態とは異なり、薬液ノズル３０および上面リンス液ノズル３１は、共通のノズル移動機構によって一体移動するように構成されていてもよい。薬液ノズル３０および上面リンス液ノズル３１は、所定の回動軸線まわりに回動する回動式ノズルであってもよいし、対応するアームが延びる方向に直線的に移動する直動式ノズルであってもよい。薬液ノズル３０および上面リンス液ノズル３１は、鉛直方向にも移動できるように構成されていてもよい。

下面リンス液ノズル３２は、たとえば、スピンベース２１の中央部に形成された貫通孔と中空の回転軸２２とに挿入されている。下面リンス液ノズル３２の吐出口は、基板Ｗの下面の中央領域に下方から対向する。基板Ｗの下面の中央領域は、基板Ｗの下面において回転中心（中央部）と回転中心の周囲の部分とを含む領域のことである。
薬液ノズル３０から吐出される薬液は、たとえば、過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）、フッ酸（ＨＦ）、希フッ酸（ＤＨＦ）、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、塩酸（ＨＣｌ）、ＨＰＭ液（hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture：塩酸過酸化水素水混合液）、ＳＰＭ液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、アンモニア水、ＴＭＡＨ液（Tetramethylammonium hydroxide solution：水酸化テトラメチルアンモニウム溶液）、または、ＡＰＭ液（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素混合液）を含有する。

薬液は、過酸化水素水、フッ酸、希フッ酸、バッファードフッ酸、塩酸、ＨＰＭ液、ＳＰＭ液をのうちの少なくとも１つを含有する液体であってもよい。また、薬液は、アンモニア水、ＡＰＭ液、ＴＭＡＨ液のうちの少なくとも１つを含有する液体であってもよい。
上面リンス液ノズル３１および下面リンス液ノズル３２から吐出されるリンス液は、たとえば、ＤＩＷ（脱イオン水）等の水である。ただし、リンス液は、ＤＩＷに限られない。リンス液は、ＤＩＷに限られず、ＤＩＷ、炭酸水、電解イオン水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ以上で、かつ、１００ｐｐｍ以下）の塩酸水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ以上で、かつ、１００ｐｐｍ以下）のアンモニア水、還元水（水素水）のうちの少なくとも１つを含有する液体である。

薬液ノズル３０は、薬液ノズル３０に薬液を案内する薬液配管４０に接続されている。薬液配管４０には、薬液配管４０を開閉する薬液バルブ５０が設けられている。薬液バルブ５０が薬液配管４０に設けられるとは、薬液バルブ５０が薬液配管４０に介装されることを意味してもよい。以下で説明する他のバルブにおいても同様である。
上面リンス液ノズル３１は、上面リンス液ノズル３１にリンス液を案内する上面リンス液配管４１に接続されている。上面リンス液配管４１には、上面リンス液配管４１を開閉する上面リンス液バルブ５１が設けられている。

下面リンス液ノズル３２は、下面リンス液ノズル３２にリンス液を案内する下面リンス液配管４２に接続されている。下面リンス液配管４２には、下面リンス液配管４２を開閉する下面リンス液バルブ５２が設けられている。
図示はしないが、薬液バルブ５０は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他のバルブについても同様の構成を有している。

薬液バルブ５０が開かれると、薬液ノズル３０から薬液の連続流が吐出される。上面リンス液バルブ５１が開かれると、上面リンス液ノズル３１からリンス液の連続流が吐出される。下面リンス液バルブ５２が開かれると、下面リンス液ノズル３２からリンス液の連続流が吐出される。
処理カップ８は、スピンチャック５に保持された基板Ｗから外方に飛散する処理液を受け止める複数のガード２５と、複数のガード２５によって下方に案内された処理液をそれぞれ受け止める複数のカップ２６と、複数のガード２５および複数のカップ２６を取り囲む円筒状の外壁部材２７とを含む。

複数のガード２５は、平面視でスピンチャック５を取り囲む筒状の第１ガード２５Ａと、第１ガード２５Ａよりも外側に配置され、平面視でスピンチャック５を取り囲む筒状の第２ガード２５Ｂとを含む。各ガード２５の上端部は、ガード２５よりもガード２５の中心軸線側に向かうように内側に傾斜している。第１ガード２５Ａは、内側ガードともいい、第２ガード２５Ｂは、外側ガードともいう。

複数のカップ２６は、第１ガード２５Ａによって下方に案内される処理液を受ける第１カップ２６Ａと、第２ガード２５Ｂによって下方に案内される処理液を受ける第２カップ２６Ｂとを含む。各カップ２６は、上向きに開放された環状溝の形態を有している。第２カップ２６Ｂは、第１ガード２５Ａと単一材料で一体的に形成されている。
複数のガード２５および複数のカップ２６は、同軸上に配置されている。複数のガード２５および複数のカップ２６の中心軸線は、互いに一致しており、複数のガード２５および複数のカップ２６の中心軸線は、回転軸線Ａ１と一致している。

第１ガード２５Ａは、上下方向に延びスピンチャック５を取り囲む第１円筒部６０と、第１円筒部６０よりも内側に向かって第１円筒部６０から張り出す第１環状部６１と、第１円筒部６０よりも外側に第１円筒部６０から間隔を隔てて配置される第１外側円筒部６２とを含む。第１円筒部６０よりも内側とは、第１円筒部６０の中心軸線側（径方向内方）でもあり、回転軸線Ａ１側でもある。逆に、第１円筒部６０よりも外側とは、第１円筒部６０の中心軸線とは反対側（径方向外方）でもあり、回転軸線Ａ１とは反対側でもある。

第１円筒部６０の上端部は、第１環状部６１の外端部に連結されている。第１外側円筒部６２の上端部は、第１円筒部６０の中心側に向かって延びており、第１円筒部６０の上端部に連結されている。第１円筒部６０、第１環状部６１および第１外側円筒部６２は、単一材料で一体に形成されている。
第２ガード２５Ｂは、上下方向に延びスピンチャック５を取り囲む第２円筒部７０と、第２円筒部７０よりも内側（第２円筒部の中心軸線側）に向かって第２円筒部７０から張り出す第２環状部７１とを含む。

第１カップ２６Ａは、第１底壁６５と、第１底壁６５の内端部から上方に延びる筒状の第１内壁６６と、第１底壁６５の外端部から上方に延びる筒状の第１外壁６７とを含む。第１外壁６７は、第１円筒部６０および第１外側円筒部６２の間に位置する。第１内壁６６は、ハウジング２４と係合している。
第２カップ２６Ｂは、第２底壁７５と、第２底壁７５の内端部から上方に延びる筒状の第２内壁７６と、第２底壁７５の外端部から上方に延びる筒状の第２外壁７７とを含む。第２カップ２６Ｂは、第１ガード２５Ａと単一材料で一体的に形成されている。第２内壁７６は、第１外側円筒部６２に連結されている。

処理ユニット２は、複数のガードを個別に昇降させる複数のガード駆動機構２８（第１ガード駆動機構２８Ａおよび第２ガード駆動機構２８Ｂ）をさらに含む。
各ガード駆動機構２８の構成は特に制限されていないものの、ガード駆動機構２８は、たとえば、シリンダ機構、ボールねじ機構、リニアモータ機構、および、ラックアンドピニオン機構の少なくとも１つを含んでいてもよい。

ガード駆動機構２８は、たとえば、モータ等のアクチュエータ（図示せず）と、対応するガードに結合され、アクチュエータから付与される駆動力をガードに伝達しガードを昇降させる昇降運動伝達機構（図示せず）とを含む。昇降運動伝達機構は、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構を含む。
処理ユニット２は、チャンバ４の外気を清浄しながらチャンバ４内に送るＦＦＵ（ファンフィルタユニット）等の送風ユニット３７と、チャンバ４内の雰囲気を排出、すなわち、排気する排出配管３８とを含む。送風ユニット３７は、チャンバ４の上壁に配置されている。排出配管３８は、外壁部材２７に接続されている。

排出配管３８は、排出配管３８を介してチャンバ４内の雰囲気を排出する排出ダクト（図示せず）に接続されている。排出ダクト内の雰囲気は吸引装置（図示せず）によって吸引される。吸引装置は、排出ダクトの途中または端部に設けられ排出ダクトを吸引する吸引ポンプ等を含む。排出ダクトおよび吸引装置は、基板処理装置１が設置されるクリーンルームまたはクリーンルームに付随する設備内に設けられている。排気ダクトおよび吸引装置は、基板処理装置１の一部であってもよい。

送風ユニット３７および排出配管３８の作用によって、チャンバ４内の空間には、上方から下方に向かう気流Ｆが形成される。気流Ｆは、処理カップ８の内部を通って、排出配管３８に流入する。
基板Ｗに供給された処理液は、基板Ｗの周縁部から飛散していずれかのガード２５によって受けられる。ガード２５によって受けられた処理液は、対応するカップ２６に案内され、各カップ２６に対応する排液配管（図示せず）によって回収または廃棄される。

＜第１実施形態に係る処理カップの構成＞
図３Ａおよび図３Ｂは、複数のガード２５およびその周辺の断面図である。
図３Ａおよび図３Ｂを参照して、第１ガード２５Ａの第１環状部６１は、水平方向に対して傾斜しており、第１円筒部６０の中心軸線側に向かって斜め上に延びる第１傾斜部８０と、第１傾斜部８０の内端部から水平に延びる第１水平部８１と、第１水平部８１の内端部から下方に延びる第１垂下部８２とを含む。

第２ガードの第２環状部７１は、水平方向に対して傾斜し、第２円筒部７０の中心軸線側に向かって斜め上に延びる第２傾斜部９０と、第２傾斜部９０の内端部から水平に延びる第２水平部９１と、第２傾斜部９０の内端部から下方に延びる第２垂下部９２とを含む。
第２環状部７１は、上方から第１環状部６１に対向している。第２環状部７１は、第１環状部６１と平行に延びている。

処理カップ８は、第１環状部６１よりも下方において、第１円筒部６０よりも内側に向かって第１円筒部６０から斜め上に張り出す環状部材１００をさらに含む。環状部材１００は、第１環状部６１よりも下方で第１円筒部６０よりも内側に向かって第１円筒部６０から斜め上に延びる下側傾斜部１０１と、下側傾斜部１０１の内端部から水平に延びる下側水平部１０２と、下側水平部１０２の内端部から下方に延びる下側垂下部１０３とを含む。環状部材１００は、第１環状部６１と平行に第１円筒部６０から張り出している。環状部材１００は、第１円筒部６０の中心軸線側に向かって斜め上に延びる上面１００ａを有する。

図４Ａは、環状部材１００の斜視図である。図４Ｂは、図２に示すＩＶＢ－ＩＶＢ線に沿う断面図である。図４Ａおよび図４Ｂを参照して、環状部材１００は、環状部材１００の周方向ＣＤに沿って環状部材１００の外周部１００ｂ（下側傾斜部１０１の外周部でもある）に設けられた複数の切り欠き１０４を有する。環状部材１００は、切り欠き１０４同士の間を仕切る複数の仕切部１０５を含む。

環状部材１００の外周部１００ｂは、環状部材１００の外周縁と外周縁よりも内側の部分とを含む環状の部分である。逆に、環状部材１００の内周部１００ｃは、環状部材１００の内周縁と内周縁よりも外側の部分とを含む環状の部分である。外周部１００ｂと内周部１００ｃとの間の部分を中間部という。
環状部材１００は、第１ガード２５Ａに対して取り外し不能である。環状部材１００および第１ガード２５Ａは、いかなる手法によって一体化していてもよい。たとえば、環状部材１００は、たとえば、単一材料によって第１ガード２５Ａと一体に成形されていてもよい。あるいは、環状部材１００は、溶接によって第１ガード２５Ａと一体化していてもよいし、ねじ、リベット、圧入等の機械的接合によって第１ガード２５Ａと一体化していてもよい。

環状部材１００の外端部が第１ガード２５Ａの第１円筒部６０に連結されている。複数の切り欠き１０４は、周方向ＣＤに沿って等間隔に設けられている。図４Ａおよび図４Ｂに示す例では、切り欠き１０４は、周方向ＣＤに沿って６箇所に形成されている。図４Ｂに示すように、周方向ＣＤにおける仕切部１０５の幅Ｗ１は、周方向ＣＤにおける切り欠き１０４の幅Ｗ２よりも大きい。

図３Ａを再び参照して、切り欠き１０４は、環状部材１００および第１環状部６１の間の上方空間１１０から、環状部材１００よりも下方の下方空間１１１への流体（処理液、処理液の蒸気、処理液のミスト）の通過を許容する通過許容部の一例である。
各ガード２５は、対応するガード駆動機構２８によって、下位置と上位置との間で昇降される。各ガード２５は、下位置、上位置、および、これらの間の位置に位置することができる。

第１ガード２５Ａの上位置は、図３Ａに示す位置であり、第１ガード２５Ａの下位置は、図３Ｂに示す位置である。図３Ａおよび図３Ｂに示す第２ガード２５Ｂの位置は上位置である。
第１ガード２５Ａおよび第２ガード２５Ｂがともに上位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する処理液は、第１ガード２５Ａによって受けられる。第１ガード２５Ａが下位置に位置し、第２ガード２５Ｂが上位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する処理液は、第２ガード２５Ｂによって受けられる。

各ガード２５の上位置は、処理姿勢でスピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面よりもガード２５の上端（内周縁）が上方に位置する位置である。各ガード２５の下位置は、処理姿勢でスピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面よりもガード２５の上端（内周縁）が下方に位置する位置である。
第１ガード２５Ａおよび第２ガード２５Ｂが上位置に位置するときの複数のガード２５の配置、すなわち、図３Ａに示す複数のガード２５の配置を「第１配置」という。第１ガード２５Ａが下位置に位置し第２ガード２５Ｂが上位置に位置するときの複数のガード２５の配置、すなわち、図３Ｂに示す複数のガード２５の配置を「第２配置」という。

環状部材１００は、第１ガード駆動機構２８Ａによって、第１ガード２５Ａとともに昇降される。第１ガード２５Ａが上位置に位置するとき、環状部材１００の内周縁は、スピンベース２１に側方から対向する。そのため、第１ガード２５Ａが上位置に位置するとき、環状部材１００の内周縁は、処理姿勢でスピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面よりも下方に位置する。

第１ガード２５Ａが上位置に位置するとき、環状部材１００の内周縁は、スピンベース２１の上面２１ａと同じ高さ位置に位置することが一層好ましいが、環状部材１００の内周縁の位置は、スピンベース２１の上面２１ａよりも低くてもよい。具体的には、第１ガード２５Ａが上位置に位置するとき、環状部材１００の内周縁は、スピンベース２１の上面２１ａよりも低くスピンベース２１に側方から対向してもよい。

図３Ａに示すように、環状部材１００と第１環状部６１との間には、環状部材１００の外周部１００ｂへ向かう放射状の気流（放射状気流Ｆ３）が形成される。さらに、第１円筒部６０と第２円筒部７０との間を下方へ向かう外方気流Ｆ１と、環状部材１００の内周縁およびスピンベース２１の間の隙間Ｇ１とを通って、上方空間１１０から下方空間１１１へ向かう内方気流Ｆ２とが形成される。

図３Ｂに示すように、第１環状部６１および第２環状部７１の間には、第１環状部６１へ向かう放射状の気流（放射状気流Ｆ６）が形成される。さらに、上方空間１１０から下方空間１１１へ向かう外方気流Ｆ４と、第１環状部６１の内周縁およびスピンベース２１の間の隙間Ｇ２とを通って、下方へ向かう内方気流Ｆ５とが形成される。
図示しないが、第１ガード２５Ａおよび第２ガード２５Ｂがともに下位置に位置するときには、第２搬送ロボットＣＲが、チャンバ４内に基板Ｗを搬入したりチャンバ４内から基板Ｗを搬出したりすることができる。

＜第１実施形態に係る基板処理の電気的構成＞
図５は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。
コントローラ３は、マイクロコンピュータを備え、所定の制御プログラムに従って基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。
具体的には、コントローラ３は、プロセッサ３Ａ（ＣＰＵ）と、制御プログラムが格納されたメモリ３Ｂとを含む。コントローラ３は、プロセッサ３Ａが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。

とくに、コントローラ３は、第１搬送ロボットＩＲ、第２搬送ロボットＣＲ、回転駆動機構２３、第１ノズル移動機構３５、第２ノズル移動機構３６、ガード駆動機構２８、送風ユニット３７、薬液バルブ５０、上面リンス液バルブ５１、下面リンス液バルブ５２等を制御するようにプログラムされている。
コントローラ３によってバルブが制御されることによって、対応するノズルからの流体の吐出の有無や、対応するノズルからの流体の吐出流量が制御される。

以下に示す各工程は、コントローラ３が基板処理装置１に備えられる各部材を制御することにより実行される。言い換えると、コントローラ３は、以下に示す各工程を実行するようにプログラムされている。
また、図５には、代表的な部材が図示されているが、図示されていない部材についてコントローラ３によって制御されないことを意味するものではなく、コントローラ３は、基板処理装置１に備えられる各部材を適切に制御することができる。図５には、後述する各変形例および第２実施形態で説明する部材についても併記しており、これらの部材もコントローラ３によって制御される。

＜基板処理の一例＞
図６は、基板処理装置１によって実行される基板処理の一例を説明するためのフローチャートである。図７Ａおよび図７Ｂは、基板処理が行われているときの複数のガード２５の様子を説明するための模式図である。図６には、主として、コントローラ３がプログラムを実行することによって実現される処理が示されている。

基板処理装置１による基板処理では、たとえば、図６に示すように、基板搬入工程（ステップＳ１）、薬液供給工程（ステップＳ２）、下面リンス工程（ステップＳ３）、ガード切換工程（ステップＳ４）、上面リンス工程（ステップＳ５）、スピンドライ工程（ステップＳ６）および基板搬出工程（ステップＳ７）がこの順番で実行される。以下では、図２および図６を主に参照し、基板処理の詳細について説明する。図７Ａおよび図７Ｂについては適宜参照する。

まず、未処理の基板Ｗは、第２搬送ロボットＣＲ（図１を参照）によってキャリアＣから処理ユニット２に搬入され、スピンチャック５に渡される（基板搬入工程：ステップＳ１）。これにより、基板Ｗは、スピンチャック５によって水平に保持される（基板保持工程）。スピンチャック５に基板Ｗが保持されている状態で、回転駆動機構２３が基板Ｗの回転を開始する（基板回転工程）。基板Ｗは、スピンドライ工程（ステップＳ６）が終了するまで、スピンチャック５によって保持され続ける。また、基板処理の実行中において、チャンバ４内の空間には、上方から下方に向かう気流Ｆ（図２を参照）が常時形成されており、気流Ｆは、処理カップ８の内部を通って、排出配管３８に流入している。

第２搬送ロボットＣＲが処理ユニット２外に退避した後、基板Ｗの上面に薬液を供給する薬液供給工程（ステップＳ２）が実行される。具体的には、複数のガード駆動機構２８によって、複数のガード２５の配置が第１配置に変更される。第１ノズル移動機構３５が、薬液ノズル３０を処理位置に移動させる。処理位置は、たとえば、中央位置である。
この状態で薬液バルブ５０を開くことで、薬液ノズル３０から基板Ｗの上面に向けて、薬液の連続流が吐出（供給）される（薬液吐出工程、薬液供給工程）。

図７Ａに示すように、基板Ｗの上面に供給された薬液は、基板Ｗの回転の遠心力の作用によって、基板Ｗの上面の周縁部に向かって移動して基板Ｗの上面の全体に広がる。これにより、基板Ｗの上面が薬液によって処理される。基板Ｗの上面の薬液は、基板Ｗの上面の周縁部から基板Ｗ外へ飛散して、第１円筒部６０および環状部材１００によって主に受けられる。

複数の切り欠き１０４は、環状部材１００の外周部１００ｂに設けられている。そのため、第１円筒部６０によって受けられた薬液は、第１円筒部６０から落下する際に、または、第１円筒部６０に沿って下方に流れる際に、複数の切り欠き１０４を介して環状部材１００を通過する。
上述したように、環状部材１００は、第１円筒部６０よりも内側に向かって第１円筒部６０から斜め上に張り出す。そのため、環状部材１００の上面１００ａに付着した薬液は、環状部材１００の外周部１００ｂに向かって流れる。環状部材１００の外周部１００ｂまで流れた薬液は、複数の切り欠き１０４を介して環状部材１００を通過する。これにより、基板Ｗから飛散した薬液が環状部材１００の上面１００ａに溜まることを抑制できる。切り欠き１０４に流入した薬液は、落下し、第１カップ２６Ａ（図２を参照）に受けられる。

図７Ａに示すように、薬液供給工程（ステップＳ２）の実行中、複数のガード２５の配置は、第１配置である。そのため、薬液供給工程（ステップＳ２）の実行中には、外方気流Ｆ１および内方気流Ｆ２が形成される。
薬液供給工程（ステップＳ２）の後、基板Ｗの下面にリンス液を供給して基板Ｗの下面を洗浄する下面リンス工程（ステップＳ３）が実行される。

具体的には、薬液バルブ５０が閉じられて、基板Ｗの上面への薬液の供給が停止される。その代わりに、下面リンス液バルブ５２が開かれる。これにより、下面リンス液ノズル３２から基板Ｗの下面へのリンス液の供給が開始される。薬液ノズル３０は、退避位置に移動される。
図７Ｂに示すように、基板Ｗの下面に供給されたリンス液は、基板Ｗの回転の遠心力の作用によって、基板Ｗの下面の周縁部に向かって移動し基板Ｗの下面の全体に広がる。これにより、基板Ｗの下面が洗浄される。そのため、基板Ｗの周縁部を伝って基板Ｗの下面に付着した薬液を基板Ｗの下面から排除できる。基板Ｗの下面のリンス液は、基板Ｗの上面の周縁部から飛散して、第１円筒部６０および環状部材１００によって主に受けられる。

第１円筒部６０によって受けられたリンス液は、第１円筒部６０から落下する際に、または、第１円筒部６０に沿って下方に流れる際に、複数の切り欠き１０４を介して環状部材１００を通過する。環状部材１００に付着したリンス液は、環状部材１００に沿って環状部材１００の外周部１００ｂに向かって流れる。環状部材１００の外周部１００ｂまで流れたリンス液は、複数の切り欠き１０４を介して環状部材１００を通過する。これにより、基板Ｗから飛散したリンス液が環状部材１００の上面１００ａに溜まることを抑制できる。切り欠き１０４に流入したリンス液は、落下し、第１カップ２６Ａ（図２を参照）で受けられる。

下面リンス工程（ステップＳ３）では、スピンベース２１に側方から対向する状態で、すなわち、環状部材１００が基板Ｗよりも充分に低い位置に位置する状態で、下面リンス液ノズル３２から基板Ｗの下面に向けてリンス液が供給される。そのため、基板Ｗの下面から飛散するリンス液の少なくとも一部は、環状部材１００の上面１００ａに付着する。環状部材１００の上面１００ａに付着したリンス液は、上面１００ａに沿って環状部材１００の外周縁に向かって流れる。これにより、環状部材１００を洗浄し、環状部材１００に付着しているリンス液を除去することができる。

なお、基板Ｗから排出されるリンス液は、複数の把持ピン２０に衝突する。そのため、リンス液は、上下に広がりながら飛散する。基板Ｗの下面から飛散するリンス液は、基板Ｗによって、上方への飛散が抑制される。そのため、基板Ｗの下面からのリンス液の飛散方向は、基板Ｗの上面からの薬液の飛散方向よりも下方に向いている。そのため、基板Ｗの下面から飛散するリンス液は、基板Ｗの上面から飛散する薬液よりも、第１円筒部６０よりも内側において、環状部材１００に付着しやすい。

そのため、基板Ｗの上面から飛散する薬液よりも、基板Ｗの下面から飛散するリンス液は、環状部材１００の内周縁付近（内周部１００ｃ）に付着し易い。したがって、環状部材１００に付着した薬液の残留を抑制することができる。さらに、基板Ｗの上面にリンス液を供給して環状部材１００を洗浄する場合と比較して、環状部材１００の内周部１００ｃを洗浄し易い。すなわち、基板Ｗの上面にリンス液を供給して環状部材１００を洗浄する場合と比較して、環状部材１００の全体を洗浄し易い。

図７Ｂに示すように、下面リンス工程（ステップＳ３）の実行中においても、複数のガード２５の配置は、第１配置である。そのため、下面リンス工程（ステップＳ３）の実行中においても、外方気流Ｆ１および内方気流Ｆ２が形成される。
下面リンス工程（ステップＳ３）の後、複数のガード２５の配置を第１配置から第２配置に切り換えるガード切換工程（ステップＳ４）が実行される。

具体的には、下面リンス液バルブ５２が閉じられて基板Ｗの下面へのリンス液の供給が停止される。その後、第１ガード駆動機構２８Ａによって、第１ガード２５Ａが下位置に移動される。一方、第２ガード２５Ｂは、上位置に維持される。これにより、複数のガード２５の配置が第２配置（図３Ｂに示す配置）に切り換えられる。
ガード切換工程（ステップＳ４）の後、基板Ｗの上面にリンス液を供給し基板Ｗの上面を洗浄する上面リンス工程（ステップＳ５）が実行される。

具体的には、第２ノズル移動機構３６が、上面リンス液ノズル３１を処理位置に移動させる。処理位置は、たとえば、上面リンス液ノズル３１が基板Ｗの上面の中央領域に対向する位置である。この状態で上面リンス液バルブ５１を開くことで、上面リンス液ノズル３１から基板Ｗの上面に向けて、リンス液の連続流が吐出（供給）される（上面リンス液吐出工程、上面リンス液供給工程）。

基板Ｗの上面に供給されたリンス液は、基板Ｗの回転の遠心力の作用によって、基板Ｗの上面の周縁部に向かって移動して基板Ｗの上面の全体に広がる。基板Ｗの上面のリンス液は、基板Ｗの上面の周縁部から基板Ｗ外へ飛散する。基板Ｗの上面から飛散したリンス液は、主に、第２ガード２５Ｂの第２円筒部７０によって受けられる。第２円筒部７０によって受けられたリンス液は、第２円筒部７０によって下方に案内されて第２カップ２６Ｂ（図２を参照）で受けられる。下面リンス工程の後に上面リンス工程を行うことで、上面リンス工程に先立って環状部材１００が洗浄されるため、第２ガード２５Ｂによって受けられる薬液の量を低減することができる。

なお、上面リンス工程（ステップＳ５）では、たとえば、基板Ｗを低速度（たとえば、１０ｒｐｍ）で回転させている状態から、基板Ｗの回転を加速して基板Ｗの回転速度を高速度（たとえば、１５００ｒｐｍ）とし、その後、再び、基板Ｗの回転を低速度（たとえば、１０ｒｐｍ）としてもよい。
次に、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗの上面を乾燥させるスピンドライ工程（ステップＳ６）が実行される。具体的には、上面リンス液バルブ５１を閉じて基板Ｗの上面へのリンス液の供給を停止させる。

そして、回転駆動機構２３が基板Ｗの回転を加速し、基板Ｗを高速回転（たとえば、１５００ｒｐｍ）させる。それによって、大きな遠心力が基板Ｗに付着しているリンス液に作用し、リンス液が基板Ｗの周囲に振り切られる。
スピンドライ工程（ステップＳ６）の後、回転駆動機構２３が基板Ｗの回転を停止させる。その後、第２搬送ロボットＣＲが、処理ユニット２に進入して、スピンチャック５から処理済みの基板Ｗを受け取って、処理ユニット２外へと搬出する（基板搬出工程：ステップＳ７）。その基板Ｗは、第２搬送ロボットＣＲから第１搬送ロボットＩＲへと渡され、第１搬送ロボットＩＲによって、キャリアＣに収納される。

＜第１実施形態のまとめ＞
第１実施形態によれば、第１ガード２５Ａの第１円筒部６０よりも内側に向かって第１円筒部６０から張り出す環状部材１００が、第１ガード２５Ａの第１環状部６１よりも下方に設けられている。環状部材１００の外周部１００ｂには、環状部材１００よりも上方から環状部材１００よりも下方への流体の通過を許容する複数の切り欠き１０４が設けられている。そのため、第１ガード２５Ａの第１環状部６１よりも下方において、複数の切り欠き１０４を介して環状部材１００よりも上方から環状部材１００よりも下方へ向かう外方気流Ｆ１を形成することができる。これにより、第１環状部６１よりも下方において、雰囲気を整流することができ、雰囲気の停滞を抑制できる。

複数の切り欠き１０４、および、環状部材１００の内周縁およびスピンベース２１の間の隙間Ｇ１の断面積は、環状部材１００が設けられていない場合の第１環状部６１よりも下方の空間の断面積よりも小さい。外方気流Ｆ１および内方気流Ｆ２の線速度は、環状部材１００が設けられていない場合において第１環状部６１よりも下方で生じる気流の線速度と比較して高い。線速度は、単位面積当たりの気体の速度である。そのため、第１環状部６１よりも下方において、雰囲気を整流することができ、雰囲気の停滞を抑制できる。

上方空間１１０には、環状部材１００の内周部１００ｃから外周部１００ｂへ向かって雰囲気が流入する。そのため、上方空間１１０では、環状部材１００の外周部１００ｂの近傍において特に雰囲気が停滞し易い。第１実施形態によれば、複数の切り欠き１０４は、環状部材１００の外周部１００ｂに設けられている。そのため、上方空間１１０に雰囲気が停滞することを抑制できる。これにより、雰囲気中に含まれる薬液の蒸気およびミストが基板Ｗに付着することを抑制でき、基板Ｗ上にパーティクルが発生することを抑制できる。

基板Ｗの上面に供給された処理液は基板Ｗから飛散する。複数の切り欠き１０４は、環状部材１００の外周部１００ｂに設けられている。そのため、第１円筒部６０によって受けられた処理液は、第１円筒部６０から落下する際に、または、第１円筒部６０に沿って下方に流れる際に、複数の切り欠き１０４を介して環状部材１００を通過することができる。環状部材１００に付着した処理液は、環状部材１００に沿って環状部材１００の外周部１００ｂに向かって流れる。

環状部材１００の外周部１００ｂまで流れた処理液は、複数の切り欠き１０４を介して環状部材１００を通過する。これにより、基板Ｗから飛散した処理液が環状部材１００の上面１００ａに溜まることを抑制できる。したがって、雰囲気の整流のために環状部材１００を設けることに起因して環状部材１００の上面１００ａに処理液が溜まることを抑制できる。

第１実施形態によれば、環状部材１００が第１ガード２５Ａに取り付けられており、第１ガード２５Ａと一体的に昇降する。そのため、環状部材１００を昇降させるための駆動機構を第１ガード駆動機構２８Ａとは別に設ける必要がない。したがって、複数のガード２５および環状部材１００の昇降に要する部材のコストを削減できる。
基板Ｗへの薬液の再付着がパーティクルの原因となり易いため、上方空間１１０での薬液雰囲気の停滞を抑制することが特に重要である。そのため、環状部材１００による整流作用によるパーティクルの抑制効果は、基板Ｗに対して薬液を供給する際に、より顕著となる。

基板Ｗへの薬液の供給を停止した後においても、上方空間１１０には薬液雰囲気が残存している場合がある。そのため、薬液供給工程（ステップＳ２）の直後に基板Ｗにリンス液を供給する際には、すなわち、下面リンス工程（ステップＳ３）では、複数のガード２５の配置を第１配置としておくことが好ましい。
第１実施形態によれば、環状部材１００には、周方向ＣＤに沿って配置された複数の切り欠き１０４が形成されている。そのため、環状部材１００の周方向ＣＤにおける整流作用のむらを低減でき、かつ、環状部材１００に沿って流れて環状部材１００の外周部１００ｂに達する薬液を、環状部材１００よりも下方へ効率良く排出することができる。

第１実施形態によれば、複数の切り欠き１０４が、周方向ＣＤに沿って等間隔に設けられている。そのため、環状部材１００の周方向ＣＤにおける整流作用のむらを一層低減できる。さらに、環状部材１００の上面１００ａに沿って流れて環状部材１００の外周部１００ｂに達した薬液を一層効率良く環状部材１００よりも下方へ排出することができる。
第１実施形態によれば、環状部材１００の外周縁は、周方向ＣＤに沿う複数箇所において、切り欠かれている。そのため、複数の切り欠き１０４よりも外側には薬液が溜まる部分が存在しない。したがって、環状部材１００上の薬液を一層効率良く環状部材１００よりも下方に排出できる。

第１実施形態によれば、環状部材１００が、第１環状部６１と平行に第１円筒部６０から張り出している。環状部材１００が第１環状部６１と平行であれば、環状部材１００の内周部１００ｃ付近における放射状気流Ｆ３の速度と環状部材１００の外周部１００ｂ付近における放射状気流Ｆ３の速度との差を低減できる。これにより、第１環状部６１よりも下方における雰囲気の停滞を一層抑制できる。

環状部材１００の内周縁は、第１ガード２５Ａが上位置に位置するときに、基板Ｗの上面よりも下方に位置する。そのため、基板Ｗの上面を、第１環状部６１の内周縁よりも下方で、かつ、環状部材１００の内周縁よりも上方に位置させることができる。そうすることによって、基板Ｗの上面から飛散する薬液を環状部材１００と第１環状部６１との間に流入させることができる。これにより、環状部材１００と第１環状部６１との間で第１円筒部６０の外側へ向かう放射状気流Ｆ３の形成を促進できる。さらに、放射状気流Ｆ３の形成を促進することによって、環状部材１００および第１ガード２５Ａからの薬液の跳ね返りを抑制できる。

第１実施形態によれば、環状部材１００の内周縁は、第１ガード２５Ａが上位置に位置するときに、スピンベース２１に側方から対向する。スピンベース２１の側方に環状部材１００の内周縁を対向させることによって、スピンベース２１と環状部材１００との間の隙間Ｇ１を小さくできる。そのため、スピンベース２１と環状部材１００との間を通って下方へ向かう気流（内方気流Ｆ２）を形成することができる。したがって、第１環状部６１よりも下方における雰囲気の整流化を補助できる。

ただし、第１実施形態とは異なり環状部材１００の外周部１００ｂに切り欠き１０４が設けられていなければ、環状部材１００の外周部１００ｂ付近の雰囲気の停滞を解消することが困難である。そのため、内方気流Ｆ２を形成できる場合であっても、環状部材１００には、切り欠き１０４が設けられている必要がある。
第１実施形態によれば、排出配管３８によって、上方空間１１０の雰囲気が複数の切り欠き１０４を介して排出される。そのため、内方気流Ｆ２および外方気流Ｆ１を強制的に形成することができる。そのため、第１環状部６１よりも下方において、雰囲気を整流することができ雰囲気の停滞を抑制できる。

＜変形例に係る基板処理＞
図８は、変形例に係る基板処理を説明するためのフローチャートである。図９は、変形例に係る基板処理が行われているときの複数のガード２５の様子を説明するための模式図である。
変形例に係る基板処理では、薬液供給工程（ステップＳ２）の後に、図９に示すように、複数のガード２５の配置を第１配置に維持しながら、基板Ｗの下面とともに基板Ｗの上面を洗浄するリンス工程（ステップＳ１０）が実行される。具体的には、基板Ｗの上面への薬液の供給が停止された後、上面リンス液ノズル３１からのリンス液の供給および下面リンス液ノズル３２からのリンス液の供給が開始される。基板Ｗから飛散するリンス液は、第１円筒部６０および環状部材１００によって主に受けられる。

リンス工程（ステップＳ１０）では、スピンベース２１に側方から対向する状態で、すなわち、環状部材１００が基板Ｗよりも充分に低い位置に位置する状態で、基板Ｗの上面および下面の両方に向けてリンス液が供給される。そのため、基板Ｗの上面および下面から飛散するリンス液の少なくとも一部は、環状部材１００の上面１００ａに付着する。環状部材１００の上面１００ａに付着したリンス液は、上面１００ａに沿って環状部材１００の外周縁に向かって流れる。これにより、環状部材１００を洗浄し、環状部材１００に付着しているリンス液を除去することができる。

上述したように、基板Ｗの下面から飛散するリンス液は、基板Ｗの上面から飛散するリンス液よりも、第１円筒部６０よりも内側において、環状部材１００に付着しやすい。そのため、基板Ｗの上面にリンス液を供給して環状部材１００を洗浄する場合と比較して、環状部材１００の内周縁を洗浄し易い。すなわち、基板Ｗの上面のみにリンス液を供給して環状部材１００を洗浄する場合と比較して、環状部材１００の全体を洗浄し易い。

その後、ガード切換工程（ステップＳ４）が実行される。ガード切換工程（ステップＳ４）の後、スピンドライ工程（ステップＳ６）が実行される。上面リンス工程（ステップＳ５）が省略される。
変形例に係る基板処理によれば、基板Ｗの上面および下面を同時に洗浄することができる。そのため、薬液供給工程（ステップＳ２）の後に下面リンス工程（ステップＳ３）を実行し、ガード切換工程（ステップＳ４）の後に上面リンス工程（ステップＳ５）を実行する場合と比較して、基板処理に要する時間を短縮できる。

＜変形例に係る環状部材＞
以下では、第１変形例～第３変形例に係る環状部材１００の構成について説明する。
図１０Ａは、第１変形例に係る環状部材１００の斜視図である。図１０Ｂは、第１変形例に係る環状部材１００の平面図である。
第１変形例に係る環状部材１００では、切り欠き１０４が、周方向ＣＤに沿って２４箇所に形成されている。周方向ＣＤにおける仕切部１０５の幅Ｗ１が、周方向ＣＤにおける切り欠き１０４の幅Ｗ２よりも短い。

切り欠き１０４が設けられている箇所は、６箇所または２４箇所に限られず、環状部材１００の外周縁の少なくとも１箇所に切り欠き１０４が設けられていればよい。また、切り欠き１０４が２箇所以上に設けられていれば、周方向ＣＤにおける整流作用のむらを低減でき、かつ、環状部材１００に沿って流れて環状部材１００の外周部１００ｂに達する薬液を、環状部材１００よりも下方へ効率良く排出することができる。

図１０Ａおよび図１０Ｂに示す環状部材１００は、図４Ａおよび図４Ｂに示す環状部材１００と比較して、平面視における切り欠き１０４の面積（開口面積）が大きい。図１０Ａおよび図１０Ｂに示す環状部材１００の排液効率は、図４Ａおよび図４Ｂに示す環状部材１００の排液効率よりも高い。そのため、図４Ａおよび図４Ｂに示す環状部材１００よりも、基板Ｗの周縁部へ跳ね返る処理液の量が少なく、ディフェクト等の基板不良の発生を一層低減できる。また、開口面積が大きいため、環状部材１００の外周部１００ｂに残存する処理液の量が少ない状態を維持できるため、パーティクル源（パーティクル溜まり）になりにくい。

図１１は、第２変形例に係る環状部材１００の平面図である。図１１に示すように、環状部材１００の外周部１００ｂには、複数の切り欠き１０４の代わりに、複数の貫通孔１０６が形成されていてもよい。貫通孔１０６が形成されている場合には、貫通孔１０６よりも外側には、貫通孔１０６の周縁部１０６ａが存在する。そのため、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、切り欠き１０４が設けられている構成の方が、環状部材１００の上面１００ａに薬液が溜まることを抑制できる。

図１２Ａは、第３変形例に係る環状部材１００の下面図である。図１２Ｂは、第３変形例に係る環状部材１００の要部の模式図である。図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、環状部材１００は、第１ガード２５Ａに対して着脱可能であってもよい。
具体的には、処理カップ８は、環状部材１００を第１ガード２５Ａに対して締め付けることで締付部材１２０を含む。複数の締付部材１２０は、周方向ＣＤに等間隔で配置されている。

締付部材１２０は、ボルト１２１と、ボルト軸部１２１ａに取り付けられるナット１２２とを含む。ボルト頭部１２１ｂと第１円筒部６０との間には、ワッシャ（図示せず）が設けられていてもよい。環状部材１００は、下側傾斜部１０１の外周端から下方に向かって延び、締付部材１２０によって第１円筒部６０に固定される複数の固定部１０７を含む。

締付部材１２０は、固定部１０７と同数設けられている。固定部１０７は、仕切部１０５から下方に向かって延びている。固定部１０７は、全ての仕切部１０５に設けられている。固定部１０７は、必ずしも全ての仕切部１０５に設けられている必要はなく、第１ガード２５Ａに対して環状部材１００を固定できるのであれば、固定部１０７の数は任意である。

環状部材１００は、各固定部１０７に設けられ対応するナット１２２を収容する収容凹部１０８と、収容凹部１０８の底面でありナット１２２を載置する載置面１０８ａと、載置面１０８ａを貫通しボルト軸部１２１ａが挿入される第１挿入孔１０８ｂとを有する。固定部１０７は、締付部材１２０と同数設けられる。ナット１２２は、回転しないように収容凹部１０８内に収容されている。

第１円筒部６０は、第１挿入孔１０８ｂと重なる位置に第１挿入孔１０８ｂと同数設けられ、ボルト軸部１２１ａが挿入される第２挿入孔６１ａを有する。
ボルト頭部１２１ｂを締付方向に回転させることで、環状部材１００を第１ガード２５Ａに固定する（取り付ける）ことができる。逆に、ボルト頭部１２１ｂを締付解除方向に回転させることで、第１ガード２５Ａに対する環状部材１００の固定を解除することができる。複数の締付部材１２０による固定を全て解除することで、環状部材１００を第１ガード２５Ａから取り外すことができる。

このように、環状部材１００が第１ガード２５Ａに対して着脱可能であれば、基板処理の内容に応じて、基板処理に適した環状部材１００に適宜取り換えることができる。具体的には、基板処理における排気流量によって、切り欠き１０４の大きさを変更したり、基板処理で用いられる薬液の種類によって、環状部材１００の材質を変更したりすることができる。

＜第２実施形態に係る基板処理装置＞
図１３は、第２実施形態に係る基板処理装置１Ａに備えられている処理ユニット２の構成を説明するための模式図である。図１３において、前述の図１～図１２Ｂに示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
第２実施形態に係る処理ユニット２が第１実施形態に係る処理ユニット２と主に異なる点は、第２実施形態に係る処理カップ８が、第２ガード２５Ｂよりも外側に配置され、スピンチャック５を取り囲む筒状の第３ガード２５Ｃと、第３ガード２５Ｃによって下方に案内される処理液を受ける第３カップ２６Ｃとをさらに含む点である。

第３ガード２５Ｃは、上下方向に延びスピンチャック５を取り囲む第３円筒部１３０と、第３円筒部１３０よりも内側（第３円筒部１３０の中心軸線側）に向かって第３円筒部１３０から張り出す第３環状部１３１とを含む。
第２ガード２５Ｂは、第２円筒部７０よりも外側に第２円筒部７０から間隔を隔てて配置される第２外側円筒部７２をさらに含む。第２円筒部７０の上端部は、第２環状部７１の外端部に連結されている。第２外側円筒部７２の上端部は、第２円筒部７０よりも内側に向かって延びており、第２円筒部７０の上端部に連結されている。

第３カップ２６Ｃは、第３底壁１３５と、第３底壁１３５の内端部から上方に延びる筒状の第３内壁１３６と、第３底壁１３５の外端部から上方に延びる筒状の第３外壁１３７とを含む。第３カップ２６Ｃは、第２ガード２５Ｂと単一材料で一体的に形成されている。第３内壁１３６は、第２外側円筒部７２と連結されている。
第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。第２実施形態においても、上述した各変形例（図８～図１２Ｂ）を適用することができる。

＜その他の実施形態＞
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
（１）たとえば、上述の各実施形態とは異なり、ガード２５が複数設けられておらず、第１ガード２５Ａのみが設けられていてもよい。また、ガード２５が４つ以上設けられていてもよい。カップ２６は、ガード２５と同数設けられる。

（２）各ガード２５の構成は、上述したものに限られない。たとえば、第１ガード２５Ａの第１円筒部６０の直径は均一である必要はなく、上下方向に沿って直径が変化していてもよい。第１ガード２５Ａは、第１円筒部６０よりも外側に向かって第１円筒部６０から斜め上に延びる部分、または、第１円筒部６０よりも内側に向かって第１円筒部６０から斜め上に延びる部分を有していてもよい。また、第１ガード２５Ａには、第１垂下部８２が設けられていなくてもよいし、第１水平部８１が設けられていなくてもよい。他のガード２５についても同様である。環状部材１００にも、下側垂下部１０３が設けられていなくてもよいし、下側水平部１０２が設けられていなくてもよい。

（３）上述の各実施形態では、スピンチャック５は、基板Ｗの周縁を複数の把持ピン２０で把持する把持式のスピンチャック５であるが、スピンチャック５は把持式のスピンチャック５に限られない。たとえば、スピンチャック５は、スピンベース２１に基板Ｗを吸着させる真空吸着式のスピンチャック５であってもよい。また、基板保持部材は、必ずしも基板Ｗを回転させる必要はなく、基板Ｗを処理姿勢（たとえば、水平姿勢）に保持するように構成されていればよい。

（４）上述の各実施形態では、第１ガード２５Ａが上位置に位置するとき、環状部材１００の内周縁は、スピンベース２１に側方から対向する。しかしながら、第１ガード２５Ａが上位置に位置するとき、環状部材１００の内周縁は、スピンベース２１の上面２１ａよりも上方に位置していてもよい。たとえば、第１ガード２５Ａが上位置に位置するとき、環状部材１００の内周縁は、基板Ｗの上面と同じ高さに位置してもよいし、基板Ｗの上面とスピンベース２１との間の高さに位置していてもよい。

（５）上述の各実施形態では、複数のノズルから処理液が吐出されるように構成されている。しかしながら、上述の実施形態とは異なり、水平方向における位置が固定された固定ノズルから基板Ｗの上面に向けて処理液が吐出されてもよいし、単一のノズルから複数の処理液が吐出されるように構成されていてもよい。また、薬液供給部材、上面リンス液供給部材、および、下面リンス液供給部材は、ノズルの形態を有している必要はなく、液体を吐出する吐出口が設けられた部材であれば、ノズルとは異なる形態であってもよい。

（６）また、上述の各実施形態とは異なり、基板Ｗの下面に薬液を供給する下面薬液ノズルが設けられていてもよく、基板処理において基板Ｗの下面が薬液によって処理されてもよい。下面薬液ノズルは薬液供給ユニットの一例である。薬液ノズル３０（上面薬液ノズル）および下面薬液ノズルの両方が設けられていてもよく、この場合、上面薬液ノズルおよび下面薬液ノズルによって薬液供給ユニットが構成される。

（７）また、基板処理は、図６および図８に示したものに限られない。たとえば、図６の基板処理から下面リンス工程が省略されてもよい。薬液ノズル３０の代わりに下面薬液ノズルが設けられている場合には、薬液供給工程において、基板Ｗの下面に薬液が供給される。
（８）上述の各実施形態とは異なり、基板Ｗの上面に上方から対向し、平面視で基板Ｗと同等の大きさの円形状を有する遮断板（図示せず）が設けられていてもよい。遮断板は、基板Ｗの上面に近接する近接位置に配置されることで、基板Ｗの上面と遮断板との間への気流の流入を抑制する。

（９）上述の各実施形態では、コントローラ３が基板処理装置１の全体を制御する。しかしながら、基板処理装置１の各部材を制御するコントローラは、複数箇所に分散されていてもよい。
（１０）また、上述の実施形態では、基板処理装置１，１Ａが、搬送ロボット（第１搬送ロボットＩＲおよび第２搬送ロボットＣＲ）と、複数の処理ユニット２と、コントローラ３とを備えている。しかしながら、基板処理装置１，１Ａは、単一の処理ユニット２とコントローラ３とによって構成されており、搬送ロボットを含んでいなくてもよい。あるいは、基板処理装置１，１Ａは、単一の処理ユニット２のみによって構成されていてもよい。言い換えると、処理ユニット２が基板処理装置の一例であってもよい。

（１１）なお、上述の実施形態では、「沿う」、「水平」、「鉛直」、「円筒」といった表現を用いたが、厳密に「沿う」、「水平」、「鉛直」、「円筒」であることを要しない。すなわち、これらの各表現は、製造精度、設置精度等のずれを許容するものである。
（１２）また、各構成を模式的にブロックで示している場合があるが、各ブロックの形状、大きさおよび位置関係は、各構成の形状、大きさおよび位置関係を示すものではない。

その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。

１：基板処理装置
１Ａ：基板処理装置
５：スピンチャック（基板保持部材）
２０：把持ピン
２１：スピンベース（ベース）
２５Ａ：第１ガード
２５Ｂ：第２ガード
２５Ｃ：第３ガード
２８Ａ：第１ガード駆動機構（ガード駆動機構）
３０：薬液ノズル（薬液供給ユニット、上面薬液供給部材）
３１：上面リンス液ノズル
３２：下面リンス液ノズル（下面リンス液供給部材）
３８：排出配管
６０：第１円筒部（円筒部）
６１：第１環状部（環状部）
１００：環状部材
１００ｂ：外周部
１０４：切り欠き（通過許容部）
１０６：貫通孔（通過許容部）
１１０：上方空間（環状部材および環状部の間の空間）
Ｗ：基板

Claims

基板を水平に保持する基板保持部材と、
前記基板保持部材に保持されている基板に薬液を供給する薬液供給ユニットと、
前記基板保持部材を取り囲む筒状の第１ガードであって、円筒部、および、前記円筒部よりも内側に向かって前記円筒部から張り出す環状部を有する第１ガードと、
前記環状部よりも下方において、前記円筒部よりも内側に向かって前記円筒部から斜め上に張り出す環状部材であって、前記第１ガードに対して着脱可能な環状部材と、
前記環状部材を前記円筒部に対して固定する締付部材とを含み、
前記環状部材は、前記締付部材によって前記円筒部に固定される固定部を含み、
前記環状部材が、前記環状部材よりも上方から前記環状部材よりも下方への流体の通過を許容する少なくとも１つの通過許容部を前記環状部材の外周部に有し、
前記締付部材は、前記環状部材を前記第１ガードに固定可能であり、かつ前記第１ガードに対する前記環状部材の固定を解除可能である、基板処理装置。
前記環状部材が、前記環状部材の周方向に沿って配置された複数の前記通過許容部を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
複数の前記通過許容部が、前記周方向に沿って等間隔に設けられている、請求項２に記載の基板処理装置。
前記通過許容部が、前記環状部材の外周縁を切り欠く切り欠きを含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記通過許容部が、前記環状部材の外周部を貫通する貫通孔を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記環状部材が、前記環状部と平行に前記円筒部から張り出している、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記薬液供給ユニットが、前記基板保持部材に保持されている基板の上面に薬液を供給する上面薬液供給部材を含み、
前記環状部の内周縁が前記基板保持部材に保持されている基板の上面よりも下方に位置する下位置、および、前記環状部の内周縁が前記基板保持部材に保持されている基板の上面よりも上方に位置する上位置の間で、前記環状部材とともに前記第１ガードを昇降させるガード駆動機構をさらに含み、
前記環状部材の内周縁は、前記第１ガードが前記上位置に位置するときに、前記基板保持部材に保持されている基板の上面よりも下方に位置する、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記基板保持部材が、円板状のベースと、前記ベースよりも上方で前記基板の周縁部を把持する複数の把持ピンとを含み、
前記環状部材の内周縁は、前記第１ガードが前記上位置に位置するときに、前記ベースに側方から対向する、請求項７に記載の基板処理装置。
前記基板保持部材に保持されている基板の下面にリンス液を供給する下面リンス液供給部材をさらに含む、請求項８に記載の基板処理装置。
前記環状部、および、前記環状部材の間の空間の雰囲気を、前記通過許容部を介して排出する排出配管をさらに含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記第１ガードよりも外側に配置され前記基板保持部材を取り囲む筒状の第２ガードをさらに含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記第２ガードよりも外側に配置され、前記基板保持部材を取り囲む筒状の第３ガードをさらに含む、請求項１１に記載の基板処理装置。