JP7718906B2 - Substrate Processing Equipment - Google Patents
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Description
この発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。
処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウェハ、液晶表示装置および有機EL(Electroluminescence)表示装置等のFPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。
The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.
Substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, substrates for FPDs (Flat Panel Displays) such as liquid crystal displays and organic EL (Electroluminescence) displays, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for magneto-optical disks, substrates for photomasks, ceramic substrates, and substrates for solar cells.
下記特許文献1に開示されている基板処理装置は、スピンチャックを取り囲む処理カップを含む。処理カップは、スピンチャックに保持されている基板の周囲に飛散した薬液を受け止める2つのガードを含む。内側の第1のガードは、スピンチャックを取り囲んでおり、外側の第2のガードは、第1のガードの外側において、スピンチャックを取り囲んでいる。 The substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1 below includes a processing cup that surrounds a spin chuck. The processing cup includes two guards that catch chemicals that splash around the substrate held by the spin chuck. The first guard, on the inside, surrounds the spin chuck, and the second guard, on the outside of the first guard, surrounds the spin chuck.
第1のガードは、円筒状の筒状部と、筒状部の上面外周部から上方に延びる円筒状の中段部と、中段部の上端から内方に向かって斜め上に延びる円環状の傾斜部とを含む。 The first guard includes a cylindrical tubular portion, a cylindrical middle portion extending upward from the outer periphery of the top surface of the tubular portion, and an annular inclined portion extending diagonally upward and inward from the upper end of the middle portion.
特許文献1に開示されている基板処理装置では、チャンバ内で形成される気流(ダウンフロー)が、処理カップ内を通って排気ダクトに排出される。第1のガードの傾斜部の下方の空間は、第1のガードおよび第2のガードの空間と比べて大きい。そのため、第1のガードの傾斜部よりも下方の空間では、排気効率が不充分となり易い。排気効率が不充分となることで、気流の乱れが生じ易く、雰囲気の停滞が起こり易い。雰囲気が停滞すると、雰囲気中に含まれる薬液の蒸気およびミストが基板に付着し、基板上にパーティクルが発生するおそれがある。 In the substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1, the airflow (downflow) formed within the chamber passes through the processing cup and is discharged to the exhaust duct. The space below the inclined portion of the first guard is larger than the spaces between the first and second guards. As a result, exhaust efficiency is likely to be insufficient in the space below the inclined portion of the first guard. Insufficient exhaust efficiency is likely to cause turbulence in the airflow, leading to stagnation of the atmosphere. When the atmosphere stagnates, vapor and mist from the chemical liquid contained in the atmosphere may adhere to the substrate, potentially generating particles on the substrate.
そこで、この発明の1つの目的は、第1ガードの環状部よりも下方における雰囲気の停滞を抑制できる基板処理装置を提供することである。 Therefore, one object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can prevent stagnation of the atmosphere below the annular portion of the first guard.
この発明の一実施形態は、基板を水平に保持する基板保持部材と、前記基板保持部材に保持されている基板に薬液を供給する薬液供給ユニットと、前記基板保持部材を取り囲む筒状の第1ガードであって、円筒部、および、前記円筒部よりも内側に向かって前記円筒部から張り出す環状部を有する第1ガードと、前記環状部よりも下方において、前記円筒部よりも内側に向かって前記円筒部から斜め上に張り出す環状部材とを含む、基板処理装置を提供する。前記環状部材が、前記環状部材よりも上方から前記環状部材よりも下方への流体の通過を許容する少なくとも1つの通過許容部を前記環状部材の外周部に有する。 One embodiment of the present invention provides a substrate processing apparatus including: a substrate holding member that holds a substrate horizontally; a chemical solution supply unit that supplies a chemical solution to the substrate held by the substrate holding member; a cylindrical first guard that surrounds the substrate holding member and has a cylindrical portion and an annular portion that extends from the cylindrical portion inward beyond the cylindrical portion; and an annular member that extends obliquely upward from the cylindrical portion inward beyond the cylindrical portion below the annular portion. The annular member has at least one passage permitting portion on the outer periphery of the annular member that allows fluid to pass from above the annular member to below the annular member.
この装置によれば、第1ガードの円筒部よりも内側に向かって円筒部から張り出す環状部材が、第1ガードの環状部よりも下方に設けられている。環状部材の外周部には、環状部材よりも上方から環状部材よりも下方への流体の通過を許容する少なくとも1つの通過許容部が設けられている。そのため、第1ガードの環状部よりも下方において、通過許容部を介して環状部材よりも上方から環状部材よりも下方へ向かう気流を形成することができる。これにより、環状部よりも下方において、雰囲気を整流することができ、雰囲気の停滞を抑制できる。 According to this device, an annular member that extends inward from the cylindrical portion of the first guard is provided below the annular portion of the first guard. The outer periphery of the annular member is provided with at least one passage-permitting portion that allows fluid to pass from above the annular member to below the annular member. Therefore, below the annular portion of the first guard, an airflow can be created that flows from above the annular member to below the annular member via the passage-permitting portion. This allows the atmosphere below the annular portion to be rectified, preventing stagnation of the atmosphere.
基板の上面に供給された薬液は基板の外方に飛散して、円筒部および環状部材によって主に受けられる。通過許容部は、環状部材の外周部に設けられている。そのため、円筒部によって受けられた薬液は、円筒部から落下する際に、または、円筒部に沿って下方に流れる際に、通過許容部を介して環状部材を通過することができる。環状部材は、円筒部よりも内側に向かって円筒部から斜め上に張り出している。そのため、環状部材に付着した薬液は、環状部材に沿って環状部材の外周部に向かって流れる。環状部材の外周部まで流れた薬液は、通過許容部を介して環状部材を通過する。これにより、基板の外方に飛散した薬液が環状部材上に溜まることを抑制できる。したがって、雰囲気の整流のために環状部材を設けた場合において、環状部材上に薬液が溜まることを抑制できる。 The chemical solution supplied to the upper surface of the substrate splashes outward from the substrate and is primarily received by the cylindrical portion and the annular member. The passage allowance portion is provided on the outer periphery of the annular member. Therefore, the chemical solution received by the cylindrical portion can pass through the annular member via the passage allowance portion as it falls from the cylindrical portion or flows downward along the cylindrical portion. The annular member protrudes diagonally upward from the cylindrical portion, toward the inside of the cylindrical portion. Therefore, the chemical solution that adheres to the annular member flows along the annular member toward the outer periphery of the annular member. The chemical solution that has flowed to the outer periphery of the annular member passes through the annular member via the passage allowance portion. This prevents the chemical solution that splashes outward from the substrate from accumulating on the annular member. Therefore, when an annular member is provided to rectify the atmosphere, the chemical solution can be prevented from accumulating on the annular member.
この発明の一実施形態では、前記環状部材が、前記環状部材の周方向に沿って配置された複数の前記通過許容部を有する。
そのため、環状部材の周方向における整流作用のむらを低減でき、かつ、環状部材に沿って流れて環状部材の外周部に達する薬液を、環状部材よりも下方へ効率良く排出することができる。
In one embodiment of the present invention, the annular member has a plurality of the passage allowing portions arranged along the circumferential direction of the annular member.
Therefore, unevenness in the flow straightening effect in the circumferential direction of the annular member can be reduced, and the chemical liquid that flows along the annular member and reaches the outer periphery of the annular member can be efficiently discharged below the annular member.
この発明の一実施形態では、複数の前記通過許容部が、前記周方向に沿って等間隔に設けられている。
この構成によれば、環状部材の周方向における整流作用のむらを一層低減できる。さらに、環状部材に沿って環状部材上を流れて環状部材の外周部に達した薬液を一層効率良く環状部材よりも下方へ排出することができる。
In one embodiment of the present invention, the plurality of passage allowance portions are provided at equal intervals along the circumferential direction.
This configuration further reduces unevenness in the circumferential direction of the annular member, and also more efficiently discharges the chemical solution that flows along and on the annular member and reaches the outer periphery of the annular member below the annular member.
この発明の一実施形態では、前記通過許容部が、前記環状部材の外周縁を切り欠く切り欠きを含む。
この構成によれば、切り欠きによって環状部材の外周縁が切り欠かれている。そのため、切り欠きよりも外側には、薬液が溜まる部分が存在しない。したがって、環状部材上の薬液を一層効率良く環状部材よりも下方に排出できる。
In one embodiment of the present invention, the passage allowing portion includes a notch that cuts out an outer circumferential edge of the annular member.
According to this configuration, the outer peripheral edge of the annular member is cut out by the cutout, so that there is no area outside the cutout where the chemical solution can accumulate, and therefore the chemical solution on the annular member can be more efficiently discharged below the annular member.
しかしその一方で、環状部材の外周部を貫通する貫通孔が設けられていてもよい。
この発明の一実施形態では、前記環状部材が、前記環状部と平行に前記円筒部から張り出している。
環状部材と環状部との間には、環状部材の外周部へ向かう放射状気流が形成される。そのため、環状部材が環状部と平行であれば、環状部材の内周部付近における放射状気流の速度と環状部材の外周部付近における放射状気流の速度との差を低減できる。これにより、環状部よりも下方における雰囲気の停滞を一層抑制できる。
However, on the other hand, a through hole may be provided that penetrates the outer periphery of the annular member.
In one embodiment of the present invention, the annular member projects from the cylindrical portion parallel to the annular portion.
A radial airflow is formed between the annular member and the annular portion, and flows toward the outer periphery of the annular member. Therefore, if the annular member is parallel to the annular portion, the difference in speed between the radial airflow near the inner periphery of the annular member and the radial airflow near the outer periphery of the annular member can be reduced. This further reduces stagnation of the atmosphere below the annular portion.
この発明の一実施形態では、前記環状部材が、前記第1ガードに対して着脱可能である。そのため、基板処理に適した環状部材に適宜取り換えることができる。
前記基板処理装置が、前記環状部材を前記円筒部に対して固定する締付部材をさらに含んでいてもよい。前記環状部材が、前記締付部材によって前記円筒部に固定される固定部を含んでいてもよい。前記締付部材が、前記環状部材を前記第1ガードに固定可能であり、かつ前記第1ガードに対する前記環状部材の固定を解除可能であってもよい。
この発明の一実施形態では、前記薬液供給ユニットが、前記基板保持部材に保持されている基板の上面に薬液を供給する上面薬液供給部材を含む。前記基板処理装置が、前記環状部の内周縁が前記基板保持部材に保持されている基板の上面よりも下方に位置する下位置、および、前記環状部の内周縁が前記基板保持部材に保持されている基板の上面よりも上方に位置する上位置の間で、前記環状部材とともに前記第1ガードを昇降させるガード駆動機構をさらに含む。前記環状部材の内周縁は、前記第1ガードが前記上位置に位置するときに、前記基板保持部材に保持されている基板の上面よりも下方に位置する。
In one embodiment of the present invention, the annular member is detachable from the first guard, so that it can be replaced with an annular member suitable for substrate processing as needed.
The substrate processing apparatus may further include a fastening member that fastens the annular member to the cylindrical portion. The annular member may include a fixing portion that is fixed to the cylindrical portion by the fastening member. The fastening member may be capable of fixing the annular member to the first guard and releasing the fixation of the annular member to the first guard.
In one embodiment of the present invention, the chemical solution supply unit includes an upper chemical solution supply member that supplies a chemical solution to an upper surface of the substrate held by the substrate holding member. The substrate processing apparatus further includes a guard drive mechanism that raises and lowers the first guard together with the annular member between a lower position where an inner peripheral edge of the annular member is positioned below an upper surface of the substrate held by the substrate holding member and an upper position where the inner peripheral edge of the annular member is positioned above the upper surface of the substrate held by the substrate holding member. When the first guard is positioned at the upper position, the inner peripheral edge of the annular member is positioned below an upper surface of the substrate held by the substrate holding member.
この構成によれば、基板の上面を、環状部の内周縁よりも下方で、かつ、環状部材の内周縁よりも上方に位置させることができる。そうすることによって、基板の上面から飛散する薬液を環状部材と環状部との間に流入させることができる。これにより、環状部材と環状部との間で円筒部の外側へ向かう、すなわち、通過許容部へ向かう気流の形成を促進できる。さらに、円筒部の外側へ向かう気流の形成を促進することによって、環状部材および第1ガードからの薬液の跳ね返りを抑制できる。 With this configuration, the top surface of the substrate can be positioned below the inner circumferential edge of the annular portion and above the inner circumferential edge of the annular member. This allows chemical solution that splashes from the top surface of the substrate to flow between the annular member and the annular portion. This promotes the formation of an airflow that flows toward the outside of the cylindrical portion, i.e., toward the passage allowance portion, between the annular member and the annular portion. Furthermore, promoting the formation of an airflow that flows toward the outside of the cylindrical portion reduces the rebound of chemical solution from the annular member and the first guard.
この発明の一実施形態では、前記基板保持部材が、円板状のベースと、前記ベースよりも上方で前記基板の周縁部を把持する複数の把持ピンとを含む。そして、前記環状部材の内周縁は、前記第1ガードが前記上位置に位置するときに、前記ベースに側方から対向する。
この構成によれば、ベースの側方に環状部材の内周縁を対向させることによって、ベースと環状部材との間の隙間を小さくできる。そのため、ベースと環状部材との間を通って下方へ向かう気流を形成することができる。したがって、環状部よりも下方における雰囲気の整流化を補助できる。
In one embodiment of the present invention, the substrate holding member includes a disk-shaped base and a plurality of gripping pins that grip a peripheral edge of the substrate above the base, and an inner peripheral edge of the annular member laterally faces the base when the first guard is located at the upper position.
With this configuration, the inner peripheral edge of the annular member faces the side of the base, thereby reducing the gap between the base and the annular member. This allows an airflow to flow downward through the gap between the base and the annular member, thereby helping to streamline the atmosphere below the annular portion.
この発明の一実施形態では、前記薬液供給ユニットが、前記基板保持部材に保持されている基板の下面にリンス液を供給する下面リンス液供給部材を含む。
そのため、基板保持部材のベースに側方から対向する状態で、すなわち、環状部材が基板よりも充分に低い位置に位置する状態で、下面リンス液供給部材から基板の下面に向けてリンス液を供給することができる。そうであれば、基板の下面から排出されるリンス液によって第1ガードおよび環状部材を洗浄することができる。これにより、第1ガードおよび環状部材に付着している薬液を除去することができる。
In one embodiment of the present invention, the chemical liquid supply unit includes a lower surface rinse liquid supply member that supplies a rinse liquid to the lower surface of the substrate held by the substrate holding member.
Therefore, with the annular member laterally facing the base of the substrate holding member, i.e., positioned sufficiently lower than the substrate, the rinse liquid can be supplied from the underside rinse liquid supply member to the underside of the substrate. In this case, the first guard and the annular member can be cleaned with the rinse liquid discharged from the underside of the substrate. This allows the chemical liquid adhering to the first guard and the annular member to be removed.
なお、基板の下面からの液体の飛散方向は、基板の上面からの液体の飛散方向よりも下方に向いている。そのため、基板の下面から飛散する液体は、基板の上面から飛散する液体よりも、円筒部よりも内側において、環状部材に付着しやすい。
そのため、基板の上面から飛散する薬液よりも、基板の下面から飛散するリンス液は、環状部材の内周縁付近に付着し易い。したがって、環状部材に付着した薬液の残留を抑制することができる。さらに、基板の上面にリンス液を供給して第1ガードおよび環状部材を洗浄する場合と比較して、環状部材の内周縁付近を洗浄し易い。すなわち、基板の上面にリンス液を供給する場合と比較して、環状部材の全体を洗浄し易い。
The direction in which the liquid splashes from the lower surface of the substrate is more downward than the direction in which the liquid splashes from the upper surface of the substrate, and therefore the liquid splashing from the lower surface of the substrate is more likely to adhere to the annular member inside the cylindrical portion than the liquid splashing from the upper surface of the substrate.
Therefore, the rinse liquid splashed from the underside of the substrate is more likely to adhere to the inner periphery of the annular member than the chemical liquid splashed from the upper surface of the substrate. This makes it possible to prevent the chemical liquid from remaining on the annular member. Furthermore, compared to when the rinse liquid is supplied to the upper surface of the substrate to clean the first guard and the annular member, it is easier to clean the inner periphery of the annular member. In other words, compared to when the rinse liquid is supplied to the upper surface of the substrate, it is easier to clean the entire annular member.
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記環状部、および、前記環状部材の間の空間の雰囲気を、前記通過許容部を介して排出する排出配管をさらに含む。
この構成によれば、通過許容部を介して環状部材よりも上方から環状部材よりも下方へ向かう気流を強制的に形成することができる。そのため、環状部よりも下方において、雰囲気を整流することができ雰囲気の停滞を抑制できる。
In a preferred embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a discharge pipe that discharges the atmosphere in the annular portion and the space between the annular members via the passage permitting portion.
According to this configuration, an airflow can be forcibly formed from above the annular member to below the annular member via the passage permitting portion, thereby rectifying the atmosphere below the annular member and preventing stagnation of the atmosphere.
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記第1ガードよりも外側に配置され前記基板保持部材を取り囲む筒状の第2ガードをさらに含んでいてもよい。さらに、前記基板処理装置が、前記第2ガードよりも外側に配置され、前記基板保持部材を取り囲む筒状の第3ガードをさらに含んでいてもよい。このように、ガードが複数設けられている構成においても適用することができる。 In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus may further include a cylindrical second guard that is positioned outside the first guard and surrounds the substrate holding member. Furthermore, the substrate processing apparatus may further include a cylindrical third guard that is positioned outside the second guard and surrounds the substrate holding member. In this way, the present invention can also be applied to configurations where multiple guards are provided.
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
<第1実施形態に係る基板処理装置の構成>
図1は、この発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の構成例を説明するための平面図である。
基板処理装置1は、基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Wは、円板状を有する。基板Wは、シリコンウエハ等の基板Wであり、一対の主面を有する。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
<Configuration of Substrate Processing Apparatus According to First Embodiment>
FIG. 1 is a plan view for explaining an example of the configuration of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention.
The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer processing apparatus that processes a single substrate W. In this embodiment, the substrate W has a disk shape. The substrate W is a substrate W such as a silicon wafer, and has a pair of main surfaces.
基板処理装置1は、基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリアC(収容器)が載置されるロードポートLP(収容器保持ユニット)と、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボット(第1搬送ロボットIRおよび第2搬送ロボットCR)と、基板処理装置1に備えられる各部材を制御するコントローラ3とを含む。 The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing units 2 that process substrates W, a load port LP (container holding unit) on which carriers C (containers) that accommodate a plurality of substrates W to be processed in the processing units 2 are placed, transport robots (first transport robot IR and second transport robot CR) that transport substrates W between the load port LP and the processing units 2, and a controller 3 that controls each component included in the substrate processing apparatus 1.
第1搬送ロボットIRは、キャリアCと第2搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。第2搬送ロボットCRは、第1搬送ロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。各搬送ロボットは、たとえば、多関節アームロボットである。
複数の処理ユニット2は、第2搬送ロボットCRによって基板Wが搬送される搬送経路TRに沿って搬送経路TRの両側に配列され、かつ、上下方向に積層されて配列されている。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
The first transport robot IR transports substrates W between the carrier C and the second transport robot CR. The second transport robot CR transports substrates W between the first transport robot IR and the processing unit 2. Each transport robot is, for example, an articulated arm robot.
The processing units 2 are arranged on both sides of the transport path TR along which the substrates W are transported by the second transport robot CR, and are stacked in the vertical direction. The processing units 2 have, for example, the same configuration.
複数の処理ユニット2は、水平に離れた4つの位置にそれぞれ配置された4つの処理タワーTWを形成している。各処理タワーTWは、上下方向に積層された複数の処理ユニット2を含む。4つの処理タワーTWは、ロードポートLPから第2搬送ロボットCRに向かって延びる搬送経路TRの両側に2つずつ配置されている。
処理ユニット2は、基板処理の際に基板Wを収容するチャンバ4を有する。チャンバ4は、第2搬送ロボットCRによって、チャンバ4内に基板Wを搬入したりチャンバ4から基板Wを搬出したりするための出入口(図示せず)と、出入口を開閉するシャッタユニット(図示せず)とを含む。チャンバ4内で基板Wに供給される処理液としては、詳しくは後述するが、薬液、リンス液等が挙げられる。
The processing units 2 form four processing towers TW arranged at four horizontally spaced positions. Each processing tower TW includes multiple processing units 2 stacked vertically. The four processing towers TW are arranged two on each side of a transport path TR extending from the load port LP toward the second transport robot CR.
The processing unit 2 has a chamber 4 that accommodates a substrate W during substrate processing. The chamber 4 includes an entrance/exit (not shown) through which the second transport robot CR loads the substrate W into the chamber 4 and unloads the substrate W from the chamber 4, and a shutter unit (not shown) that opens and closes the entrance. The processing liquid supplied to the substrate W in the chamber 4 includes a chemical liquid, a rinse liquid, etc., which will be described in detail later.
<第1実施形態に係る処理ユニットの構成>
図2は、処理ユニット2の構成を説明するための模式図である。
処理ユニット2は、基板Wを所定の処理姿勢に基板Wを保持しながら、回転軸線A1のまわりに基板Wを回転させるスピンチャック5と、基板Wに向けて処理液を吐出する複数の処理液ノズル(薬液ノズル30、上面リンス液ノズル31、下面リンス液ノズル32)と、スピンチャック5に保持されている基板Wから飛散する処理液を受ける処理カップ8とをさらに含む。スピンチャック5、複数の処理液ノズル、および、処理カップ8は、チャンバ4内に配置されている。
<Configuration of processing unit according to first embodiment>
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the configuration of the processing unit 2. As shown in FIG.
The processing unit 2 further includes a spin chuck 5 that rotates the substrate W about a rotation axis A1 while holding the substrate W in a predetermined processing posture, a plurality of processing liquid nozzles (a chemical liquid nozzle 30, an upper surface rinse liquid nozzle 31, and a lower surface rinse liquid nozzle 32) that discharge processing liquid toward the substrate W, and a processing cup 8 that receives processing liquid splashed from the substrate W held on the spin chuck 5. The spin chuck 5, the plurality of processing liquid nozzles, and the processing cup 8 are disposed in the chamber 4.
回転軸線A1は、基板Wの中心部を通り、処理姿勢に保持されている基板Wの各主面に対して直交する。処理姿勢は、図2に示す基板Wの姿勢であり、基板Wの主面が水平面となる水平姿勢である。処理姿勢が水平姿勢である場合、回転軸線A1は、鉛直に延びる。スピンチャック5は、基板Wを処理姿勢に保持する基板保持部材の一例であり、基板Wを処理姿勢に保持しながら回転軸線A1まわりに基板Wを回転させる回転保持部材の一例でもある。 The rotation axis A1 passes through the center of the substrate W and is perpendicular to each main surface of the substrate W held in the processing position. The processing position is the position of the substrate W shown in FIG. 2, which is a horizontal position in which the main surface of the substrate W is a horizontal plane. When the processing position is horizontal, the rotation axis A1 extends vertically. The spin chuck 5 is an example of a substrate holding member that holds the substrate W in the processing position, and is also an example of a rotary holding member that rotates the substrate W around the rotation axis A1 while holding the substrate W in the processing position.
スピンチャック5は、水平方向に沿う円板形状を有するスピンベース21と、スピンベース21の上方で基板Wを把持しスピンベース21よりも上方で基板Wの周縁部を把持する複数の把持ピン20と、スピンベース21に連結され鉛直方向に延びる回転軸22と、回転軸22をその中心軸線(回転軸線A1)のまわりに回転させる回転駆動機構23と、回転軸22および回転駆動機構23を収容するハウジング24とを含む。スピンベース21は、円板状のベースの一例である。 The spin chuck 5 includes a spin base 21 having a horizontally extending disk shape, a plurality of gripping pins 20 that grip the substrate W above the spin base 21 and grip the peripheral edge of the substrate W above the spin base 21, a rotation shaft 22 that is connected to the spin base 21 and extends vertically, a rotation drive mechanism 23 that rotates the rotation shaft 22 around its central axis (rotation axis A1), and a housing 24 that accommodates the rotation shaft 22 and the rotation drive mechanism 23. The spin base 21 is an example of a disk-shaped base.
複数の把持ピン20は、スピンベース21の周方向に間隔を空けてスピンベース21の上面に配置されている。回転駆動機構23は、たとえば、電動モータ等のアクチュエータを含む。回転駆動機構23は、回転軸22を回転させることでスピンベース21および複数の把持ピン20が回転軸線A1のまわりに回転する。これにより、基板Wは、スピンベース21および複数の把持ピン20とともに回転軸線A1のまわりに回転される。 The multiple gripping pins 20 are arranged on the upper surface of the spin base 21 at intervals around the circumference of the spin base 21. The rotation drive mechanism 23 includes an actuator such as an electric motor. The rotation drive mechanism 23 rotates the rotation shaft 22, causing the spin base 21 and the multiple gripping pins 20 to rotate around the rotation axis A1. As a result, the substrate W is rotated around the rotation axis A1 together with the spin base 21 and the multiple gripping pins 20.
複数の把持ピン20は、基板Wの周縁部に接触して基板Wを把持する閉位置と、基板Wに対する把持を解除する開位置との間で移動可能である。複数の把持ピン20は、開閉機構(図示せず)によって移動される。
複数の把持ピン20は、閉位置に位置するとき、基板Wの周縁部を把持して基板Wを水平に保持する。複数の把持ピン20は、開位置に位置するとき、基板Wに対する把持を解除する一方で、基板Wの周縁部を下方から支持する。開閉機構は、たとえば、リンク機構と、リンク機構に駆動力を付与するアクチュエータとを含む。
The multiple gripping pins 20 are movable between a closed position in which they contact the peripheral edge of the substrate W to grip the substrate W, and an open position in which they release the grip on the substrate W. The multiple gripping pins 20 are moved by an opening/closing mechanism (not shown).
When positioned at the closed position, the multiple gripping pins 20 grip the peripheral edge of the substrate W to hold the substrate W horizontally. When positioned at the open position, the multiple gripping pins 20 release their grip on the substrate W while supporting the peripheral edge of the substrate W from below. The opening/closing mechanism includes, for example, a link mechanism and an actuator that applies a driving force to the link mechanism.
複数の処理液ノズルは、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面(上側の主面)に向けて、薬液の連続流を吐出する薬液ノズル30と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に向けてリンス液の連続流を吐出する上面リンス液ノズル31と、スピンチャック5に保持されている基板Wの下面(下側の主面)に向けてリンス液の連続流を吐出する下面リンス液ノズル32とをさらに含む。 The multiple processing liquid nozzles further include a chemical liquid nozzle 30 that ejects a continuous flow of chemical liquid toward the upper surface (upper main surface) of the substrate W held on the spin chuck 5, an upper rinse liquid nozzle 31 that ejects a continuous flow of rinse liquid toward the upper surface of the substrate W held on the spin chuck 5, and a lower rinse liquid nozzle 32 that ejects a continuous flow of rinse liquid toward the lower surface (lower main surface) of the substrate W held on the spin chuck 5.
薬液ノズル30は、スピンチャック5に保持されている基板Wに薬液を供給する薬液供給ユニットの一例である。薬液ノズル30は、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に処理液を供給する上面薬液供給部材の一例である。
上面リンス液ノズル31および下面リンス液ノズル32は、いずれも、スピンチャック5に保持されている基板Wにリンス液を供給するリンス液供給ユニットの一例である。上面リンス液ノズル31は、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面にリンス液を供給する上面リンス液供給部材の一例である。下面リンス液ノズル32は、スピンチャック5に保持されている基板Wの下面にリンス液を供給する下面リンス液供給部材の一例である。
The chemical nozzle 30 is an example of a chemical supply unit that supplies a chemical to the substrate W held on the spin chuck 5. The chemical nozzle 30 is an example of an upper surface chemical supply member that supplies a processing liquid to the upper surface of the substrate W held on the spin chuck 5.
The upper rinse liquid nozzle 31 and the lower rinse liquid nozzle 32 are both examples of rinse liquid supply units that supply rinse liquid to the substrate W held on the spin chuck 5. The upper rinse liquid nozzle 31 is an example of an upper rinse liquid supply member that supplies rinse liquid to the upper surface of the substrate W held on the spin chuck 5. The lower rinse liquid nozzle 32 is an example of a lower rinse liquid supply member that supplies rinse liquid to the lower surface of the substrate W held on the spin chuck 5.
薬液ノズル30、および、上面リンス液ノズル31は、複数のノズル移動機構(第1ノズル移動機構35および第2ノズル移動機構36)によって水平方向にそれぞれ移動される。
各ノズル移動機構は、対応するノズルを、中央位置と退避位置との間で移動させることができる。中央位置は、ノズルが基板Wの上面の中央領域に対向する位置である。基板Wの上面の中央領域とは、基板Wの上面において回転中心(中央部)と回転中心の周囲の部分とを含む領域のことである。退避位置は、ノズルが基板Wの上面に対向しない位置であり、処理カップ8の外側の位置である。
The chemical liquid nozzle 30 and the upper rinse liquid nozzle 31 are each moved in the horizontal direction by a plurality of nozzle moving mechanisms (a first nozzle moving mechanism 35 and a second nozzle moving mechanism 36).
Each nozzle moving mechanism can move the corresponding nozzle between a central position and a retracted position. The central position is a position where the nozzle faces a central region of the upper surface of the substrate W. The central region of the upper surface of the substrate W is a region on the upper surface of the substrate W that includes the center of rotation (central portion) and a portion surrounding the center of rotation. The retracted position is a position where the nozzle does not face the upper surface of the substrate W and is outside the processing cup 8.
各ノズル移動機構は、対応するノズルを支持するアーム(図示せず)と、対応するアームを水平方向に移動させるアーム移動機構(図示せず)とを含む。各アーム移動機構は、電動モータ、エアシリンダ等のアクチュエータを含む。
この実施形態とは異なり、薬液ノズル30および上面リンス液ノズル31は、共通のノズル移動機構によって一体移動するように構成されていてもよい。薬液ノズル30および上面リンス液ノズル31は、所定の回動軸線まわりに回動する回動式ノズルであってもよいし、対応するアームが延びる方向に直線的に移動する直動式ノズルであってもよい。薬液ノズル30および上面リンス液ノズル31は、鉛直方向にも移動できるように構成されていてもよい。
Each nozzle movement mechanism includes an arm (not shown) that supports the corresponding nozzle, and an arm movement mechanism (not shown) that moves the corresponding arm in the horizontal direction. Each arm movement mechanism includes an actuator such as an electric motor or an air cylinder.
Unlike this embodiment, the chemical solution nozzle 30 and the upper surface rinse solution nozzle 31 may be configured to move integrally by a common nozzle movement mechanism. The chemical solution nozzle 30 and the upper surface rinse solution nozzle 31 may be rotary nozzles that rotate about a predetermined rotation axis, or may be linear nozzles that move linearly in the direction in which the corresponding arms extend. The chemical solution nozzle 30 and the upper surface rinse solution nozzle 31 may also be configured to be movable in the vertical direction.
下面リンス液ノズル32は、たとえば、スピンベース21の中央部に形成された貫通孔と中空の回転軸22とに挿入されている。下面リンス液ノズル32の吐出口は、基板Wの下面の中央領域に下方から対向する。基板Wの下面の中央領域は、基板Wの下面において回転中心(中央部)と回転中心の周囲の部分とを含む領域のことである。
薬液ノズル30から吐出される薬液は、たとえば、過酸化水素水(H2O2)、フッ酸(HF)、希フッ酸(DHF)、バッファードフッ酸(BHF)、塩酸(HCl)、HPM液(hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture:塩酸過酸化水素水混合液)、SPM液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水混合液)、アンモニア水、TMAH液(Tetramethylammonium hydroxide solution:水酸化テトラメチルアンモニウム溶液)、または、APM液(ammonia-hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素混合液)を含有する。
The lower surface rinse liquid nozzle 32 is inserted, for example, into a through-hole formed in the center of the spin base 21 and into the hollow rotation shaft 22. The discharge port of the lower surface rinse liquid nozzle 32 faces, from below, a central region of the lower surface of the substrate W. The central region of the lower surface of the substrate W refers to a region on the lower surface of the substrate W that includes the rotation center (central portion) and a portion surrounding the rotation center.
The chemical solution discharged from the chemical solution nozzle 30 contains, for example, hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), hydrofluoric acid (HF), dilute hydrofluoric acid (DHF), buffered hydrofluoric acid (BHF), hydrochloric acid (HCl), HPM solution (hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture), SPM solution (sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture), ammonia water, TMAH solution (tetramethylammonium hydroxide solution), or APM solution (ammonia-hydrogen peroxide mixture).
薬液は、過酸化水素水、フッ酸、希フッ酸、バッファードフッ酸、塩酸、HPM液、SPM液をのうちの少なくとも1つを含有する液体であってもよい。また、薬液は、アンモニア水、APM液、TMAH液のうちの少なくとも1つを含有する液体であってもよい。
上面リンス液ノズル31および下面リンス液ノズル32から吐出されるリンス液は、たとえば、DIW(脱イオン水)等の水である。ただし、リンス液は、DIWに限られない。リンス液は、DIWに限られず、DIW、炭酸水、電解イオン水、希釈濃度(たとえば、1ppm以上で、かつ、100ppm以下)の塩酸水、希釈濃度(たとえば、1ppm以上で、かつ、100ppm以下)のアンモニア水、還元水(水素水)のうちの少なくとも1つを含有する液体である。
The chemical liquid may be a liquid containing at least one of hydrogen peroxide solution, hydrofluoric acid, dilute hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid, hydrochloric acid, HPM liquid, and SPM liquid. The chemical liquid may also be a liquid containing at least one of ammonia water, APM liquid, and TMAH liquid.
The rinse liquid discharged from the upper rinse liquid nozzle 31 and the lower rinse liquid nozzle 32 is, for example, water such as deionized water (DIW). However, the rinse liquid is not limited to DIW. The rinse liquid is not limited to DIW, and may be a liquid containing at least one of DIW, carbonated water, electrolytic ionized water, diluted hydrochloric acid water (for example, 1 ppm or more and 100 ppm or less), diluted ammonia water (for example, 1 ppm or more and 100 ppm or less), and reduced water (hydrogen water).
薬液ノズル30は、薬液ノズル30に薬液を案内する薬液配管40に接続されている。薬液配管40には、薬液配管40を開閉する薬液バルブ50が設けられている。薬液バルブ50が薬液配管40に設けられるとは、薬液バルブ50が薬液配管40に介装されることを意味してもよい。以下で説明する他のバルブにおいても同様である。
上面リンス液ノズル31は、上面リンス液ノズル31にリンス液を案内する上面リンス液配管41に接続されている。上面リンス液配管41には、上面リンス液配管41を開閉する上面リンス液バルブ51が設けられている。
The chemical solution nozzle 30 is connected to a chemical solution pipe 40 that guides the chemical solution to the chemical solution nozzle 30. The chemical solution pipe 40 is provided with a chemical solution valve 50 that opens and closes the chemical solution pipe 40. "The chemical solution valve 50 is provided in the chemical solution pipe 40" may also mean that the chemical solution valve 50 is interposed in the chemical solution pipe 40. The same applies to the other valves described below.
The upper rinse liquid nozzle 31 is connected to an upper rinse liquid pipe 41 that guides the rinse liquid to the upper rinse liquid nozzle 31. The upper rinse liquid pipe 41 is provided with an upper rinse liquid valve 51 that opens and closes the upper rinse liquid pipe 41.
下面リンス液ノズル32は、下面リンス液ノズル32にリンス液を案内する下面リンス液配管42に接続されている。下面リンス液配管42には、下面リンス液配管42を開閉する下面リンス液バルブ52が設けられている。
図示はしないが、薬液バルブ50は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他のバルブについても同様の構成を有している。
The lower rinse liquid nozzle 32 is connected to a lower rinse liquid pipe 42 that guides the rinse liquid to the lower rinse liquid nozzle 32. A lower rinse liquid valve 52 that opens and closes the lower rinse liquid pipe 42 is provided in the lower rinse liquid pipe 42.
Although not shown, chemical liquid valve 50 includes a valve body with a valve seat provided therein, a valve element that opens and closes the valve seat, and an actuator that moves the valve element between an open position and a closed position. Other valves have a similar configuration.
薬液バルブ50が開かれると、薬液ノズル30から薬液の連続流が吐出される。上面リンス液バルブ51が開かれると、上面リンス液ノズル31からリンス液の連続流が吐出される。下面リンス液バルブ52が開かれると、下面リンス液ノズル32からリンス液の連続流が吐出される。
処理カップ8は、スピンチャック5に保持された基板Wから外方に飛散する処理液を受け止める複数のガード25と、複数のガード25によって下方に案内された処理液をそれぞれ受け止める複数のカップ26と、複数のガード25および複数のカップ26を取り囲む円筒状の外壁部材27とを含む。
When the chemical liquid valve 50 is opened, a continuous flow of the chemical liquid is discharged from the chemical liquid nozzle 30. When the upper rinse liquid valve 51 is opened, a continuous flow of the rinse liquid is discharged from the upper rinse liquid nozzle 31. When the lower rinse liquid valve 52 is opened, a continuous flow of the rinse liquid is discharged from the lower rinse liquid nozzle 32.
The processing cup 8 includes a plurality of guards 25 that catch processing liquid splashed outward from the substrate W held on the spin chuck 5, a plurality of cups 26 that each catch the processing liquid guided downward by the plurality of guards 25, and a cylindrical outer wall member 27 that surrounds the plurality of guards 25 and the plurality of cups 26.
複数のガード25は、平面視でスピンチャック5を取り囲む筒状の第1ガード25Aと、第1ガード25Aよりも外側に配置され、平面視でスピンチャック5を取り囲む筒状の第2ガード25Bとを含む。各ガード25の上端部は、ガード25よりもガード25の中心軸線側に向かうように内側に傾斜している。第1ガード25Aは、内側ガードともいい、第2ガード25Bは、外側ガードともいう。 The multiple guards 25 include a cylindrical first guard 25A that surrounds the spin chuck 5 in a plan view, and a cylindrical second guard 25B that is positioned outside the first guard 25A and surrounds the spin chuck 5 in a plan view. The upper end of each guard 25 is inclined inward so as to be closer to the central axis of the guard 25 than the guard 25 itself. The first guard 25A is also referred to as the inner guard, and the second guard 25B is also referred to as the outer guard.
複数のカップ26は、第1ガード25Aによって下方に案内される処理液を受ける第1カップ26Aと、第2ガード25Bによって下方に案内される処理液を受ける第2カップ26Bとを含む。各カップ26は、上向きに開放された環状溝の形態を有している。第2カップ26Bは、第1ガード25Aと単一材料で一体的に形成されている。
複数のガード25および複数のカップ26は、同軸上に配置されている。複数のガード25および複数のカップ26の中心軸線は、互いに一致しており、複数のガード25および複数のカップ26の中心軸線は、回転軸線A1と一致している。
The cups 26 include a first cup 26A that receives the processing liquid guided downward by the first guard 25A and a second cup 26B that receives the processing liquid guided downward by the second guard 25B. Each cup 26 has the form of an annular groove that opens upward. The second cup 26B is integrally formed with the first guard 25A from a single material.
The guards 25 and the cups 26 are arranged coaxially. The central axes of the guards 25 and the cups 26 coincide with one another and with the rotation axis A1.
第1ガード25Aは、上下方向に延びスピンチャック5を取り囲む第1円筒部60と、第1円筒部60よりも内側に向かって第1円筒部60から張り出す第1環状部61と、第1円筒部60よりも外側に第1円筒部60から間隔を隔てて配置される第1外側円筒部62とを含む。第1円筒部60よりも内側とは、第1円筒部60の中心軸線側(径方向内方)でもあり、回転軸線A1側でもある。逆に、第1円筒部60よりも外側とは、第1円筒部60の中心軸線とは反対側(径方向外方)でもあり、回転軸線A1とは反対側でもある。 The first guard 25A includes a first cylindrical portion 60 that extends in the vertical direction and surrounds the spin chuck 5, a first annular portion 61 that extends from the first cylindrical portion 60 inward, and a first outer cylindrical portion 62 that is positioned outward from the first cylindrical portion 60 at a distance. "Inward of the first cylindrical portion 60" refers to both the central axis side of the first cylindrical portion 60 (radially inward) and the rotation axis A1 side. Conversely, "outward of the first cylindrical portion 60" refers to the opposite side of the central axis of the first cylindrical portion 60 (radially outward) and the opposite side of the rotation axis A1.
第1円筒部60の上端部は、第1環状部61の外端部に連結されている。第1外側円筒部62の上端部は、第1円筒部60の中心側に向かって延びており、第1円筒部60の上端部に連結されている。第1円筒部60、第1環状部61および第1外側円筒部62は、単一材料で一体に形成されている。
第2ガード25Bは、上下方向に延びスピンチャック5を取り囲む第2円筒部70と、第2円筒部70よりも内側(第2円筒部の中心軸線側)に向かって第2円筒部70から張り出す第2環状部71とを含む。
The upper end of the first cylindrical portion 60 is connected to the outer end of the first annular portion 61. The upper end of the first outer cylindrical portion 62 extends toward the center of the first cylindrical portion 60 and is connected to the upper end of the first cylindrical portion 60. The first cylindrical portion 60, the first annular portion 61, and the first outer cylindrical portion 62 are integrally formed from a single material.
The second guard 25B includes a second cylindrical portion 70 that extends in the vertical direction and surrounds the spin chuck 5, and a second annular portion 71 that extends from the second cylindrical portion 70 toward the inside of the second cylindrical portion 70 (toward the central axis of the second cylindrical portion).
第1カップ26Aは、第1底壁65と、第1底壁65の内端部から上方に延びる筒状の第1内壁66と、第1底壁65の外端部から上方に延びる筒状の第1外壁67とを含む。第1外壁67は、第1円筒部60および第1外側円筒部62の間に位置する。第1内壁66は、ハウジング24と係合している。
第2カップ26Bは、第2底壁75と、第2底壁75の内端部から上方に延びる筒状の第2内壁76と、第2底壁75の外端部から上方に延びる筒状の第2外壁77とを含む。第2カップ26Bは、第1ガード25Aと単一材料で一体的に形成されている。第2内壁76は、第1外側円筒部62に連結されている。
The first cup 26A includes a first bottom wall 65, a cylindrical first inner wall 66 extending upward from the inner end of the first bottom wall 65, and a cylindrical first outer wall 67 extending upward from the outer end of the first bottom wall 65. The first outer wall 67 is located between the first cylindrical portion 60 and the first outer cylindrical portion 62. The first inner wall 66 engages with the housing 24.
The second cup 26B includes a second bottom wall 75, a cylindrical second inner wall 76 extending upward from the inner end of the second bottom wall 75, and a cylindrical second outer wall 77 extending upward from the outer end of the second bottom wall 75. The second cup 26B is integrally formed with the first guard 25A from a single material. The second inner wall 76 is connected to the first outer cylindrical portion 62.
処理ユニット2は、複数のガードを個別に昇降させる複数のガード駆動機構28(第1ガード駆動機構28Aおよび第2ガード駆動機構28B)をさらに含む。
各ガード駆動機構28の構成は特に制限されていないものの、ガード駆動機構28は、たとえば、シリンダ機構、ボールねじ機構、リニアモータ機構、および、ラックアンドピニオン機構の少なくとも1つを含んでいてもよい。
The processing unit 2 further includes a plurality of guard drive mechanisms 28 (first guard drive mechanism 28A and second guard drive mechanism 28B) that individually raise and lower the plurality of guards.
Although the configuration of each guard drive mechanism 28 is not particularly limited, the guard drive mechanism 28 may include, for example, at least one of a cylinder mechanism, a ball screw mechanism, a linear motor mechanism, and a rack and pinion mechanism.
ガード駆動機構28は、たとえば、モータ等のアクチュエータ(図示せず)と、対応するガードに結合され、アクチュエータから付与される駆動力をガードに伝達しガードを昇降させる昇降運動伝達機構(図示せず)とを含む。昇降運動伝達機構は、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構を含む。
処理ユニット2は、チャンバ4の外気を清浄しながらチャンバ4内に送るFFU(ファンフィルタユニット)等の送風ユニット37と、チャンバ4内の雰囲気を排出、すなわち、排気する排出配管38とを含む。送風ユニット37は、チャンバ4の上壁に配置されている。排出配管38は、外壁部材27に接続されている。
The guard drive mechanism 28 includes, for example, an actuator (not shown) such as a motor, and a lifting motion transmission mechanism (not shown) that is coupled to the corresponding guard and transmits the driving force applied from the actuator to the guard to lift and lower the guard. The lifting motion transmission mechanism includes, for example, a ball screw mechanism or a rack and pinion mechanism.
The processing unit 2 includes an air blowing unit 37 such as an FFU (fan filter unit) that cleans the outside air of the chamber 4 and sends it into the chamber 4, and an exhaust pipe 38 that exhausts, i.e., discharges, the atmosphere inside the chamber 4. The air blowing unit 37 is disposed on the upper wall of the chamber 4. The exhaust pipe 38 is connected to the outer wall member 27.
排出配管38は、排出配管38を介してチャンバ4内の雰囲気を排出する排出ダクト(図示せず)に接続されている。排出ダクト内の雰囲気は吸引装置(図示せず)によって吸引される。吸引装置は、排出ダクトの途中または端部に設けられ排出ダクトを吸引する吸引ポンプ等を含む。排出ダクトおよび吸引装置は、基板処理装置1が設置されるクリーンルームまたはクリーンルームに付随する設備内に設けられている。排気ダクトおよび吸引装置は、基板処理装置1の一部であってもよい。 The exhaust pipe 38 is connected to an exhaust duct (not shown) that exhausts the atmosphere inside the chamber 4 via the exhaust pipe 38. The atmosphere inside the exhaust duct is sucked in by a suction device (not shown). The suction device includes a suction pump or the like that is provided midway or at the end of the exhaust duct and sucks the exhaust duct. The exhaust duct and suction device are provided in a clean room in which the substrate processing apparatus 1 is installed or in equipment associated with the clean room. The exhaust duct and suction device may be part of the substrate processing apparatus 1.
送風ユニット37および排出配管38の作用によって、チャンバ4内の空間には、上方から下方に向かう気流Fが形成される。気流Fは、処理カップ8の内部を通って、排出配管38に流入する。
基板Wに供給された処理液は、基板Wの周縁部から飛散していずれかのガード25によって受けられる。ガード25によって受けられた処理液は、対応するカップ26に案内され、各カップ26に対応する排液配管(図示せず)によって回収または廃棄される。
By the action of the blower unit 37 and the exhaust pipe 38, an air current F directed downward is formed in the space within the chamber 4. The air current F passes through the inside of the processing cup 8 and flows into the exhaust pipe 38.
The processing liquid supplied to the substrate W splashes from the peripheral edge of the substrate W and is received by one of the guards 25. The processing liquid received by the guard 25 is guided to the corresponding cup 26 and is collected or discarded by a drainage pipe (not shown) corresponding to each cup 26.
<第1実施形態に係る処理カップの構成>
図3Aおよび図3Bは、複数のガード25およびその周辺の断面図である。
図3Aおよび図3Bを参照して、第1ガード25Aの第1環状部61は、水平方向に対して傾斜しており、第1円筒部60の中心軸線側に向かって斜め上に延びる第1傾斜部80と、第1傾斜部80の内端部から水平に延びる第1水平部81と、第1水平部81の内端部から下方に延びる第1垂下部82とを含む。
<Configuration of processing cup according to first embodiment>
3A and 3B are cross-sectional views of multiple guards 25 and their surroundings.
Referring to Figures 3A and 3B, the first annular portion 61 of the first guard 25A is inclined relative to the horizontal direction and includes a first inclined portion 80 extending diagonally upward toward the central axis of the first cylindrical portion 60, a first horizontal portion 81 extending horizontally from the inner end of the first inclined portion 80, and a first hanging portion 82 extending downward from the inner end of the first horizontal portion 81.
第2ガードの第2環状部71は、水平方向に対して傾斜し、第2円筒部70の中心軸線側に向かって斜め上に延びる第2傾斜部90と、第2傾斜部90の内端部から水平に延びる第2水平部91と、第2傾斜部90の内端部から下方に延びる第2垂下部92とを含む。
第2環状部71は、上方から第1環状部61に対向している。第2環状部71は、第1環状部61と平行に延びている。
The second annular portion 71 of the second guard includes a second inclined portion 90 that is inclined relative to the horizontal direction and extends diagonally upward toward the central axis of the second cylindrical portion 70, a second horizontal portion 91 that extends horizontally from the inner end of the second inclined portion 90, and a second hanging portion 92 that extends downward from the inner end of the second inclined portion 90.
The second annular portion 71 faces the first annular portion 61 from above. The second annular portion 71 extends in parallel with the first annular portion 61.
処理カップ8は、第1環状部61よりも下方において、第1円筒部60よりも内側に向かって第1円筒部60から斜め上に張り出す環状部材100をさらに含む。環状部材100は、第1環状部61よりも下方で第1円筒部60よりも内側に向かって第1円筒部60から斜め上に延びる下側傾斜部101と、下側傾斜部101の内端部から水平に延びる下側水平部102と、下側水平部102の内端部から下方に延びる下側垂下部103とを含む。環状部材100は、第1環状部61と平行に第1円筒部60から張り出している。環状部材100は、第1円筒部60の中心軸線側に向かって斜め上に延びる上面100aを有する。 The processing cup 8 further includes an annular member 100 that extends diagonally upward from the first cylindrical portion 60 below the first annular portion 61 and toward the inside of the first cylindrical portion 60. The annular member 100 includes a lower inclined portion 101 that extends diagonally upward from the first cylindrical portion 60 below the first annular portion 61 and toward the inside of the first cylindrical portion 60, a lower horizontal portion 102 that extends horizontally from the inner end of the lower inclined portion 101, and a lower hanging portion 103 that extends downward from the inner end of the lower horizontal portion 102. The annular member 100 extends from the first cylindrical portion 60 parallel to the first annular portion 61. The annular member 100 has an upper surface 100a that extends diagonally upward toward the central axis of the first cylindrical portion 60.
図4Aは、環状部材100の斜視図である。図4Bは、図2に示すIVB-IVB線に沿う断面図である。図4Aおよび図4Bを参照して、環状部材100は、環状部材100の周方向CDに沿って環状部材100の外周部100b(下側傾斜部101の外周部でもある)に設けられた複数の切り欠き104を有する。環状部材100は、切り欠き104同士の間を仕切る複数の仕切部105を含む。 Figure 4A is a perspective view of the annular member 100. Figure 4B is a cross-sectional view taken along line IVB-IVB in Figure 2. Referring to Figures 4A and 4B, the annular member 100 has a plurality of notches 104 provided in the outer circumferential portion 100b of the annular member 100 (which is also the outer circumferential portion of the lower inclined portion 101) along the circumferential direction CD of the annular member 100. The annular member 100 includes a plurality of partitions 105 that separate the notches 104 from one another.
環状部材100の外周部100bは、環状部材100の外周縁と外周縁よりも内側の部分とを含む環状の部分である。逆に、環状部材100の内周部100cは、環状部材100の内周縁と内周縁よりも外側の部分とを含む環状の部分である。外周部100bと内周部100cとの間の部分を中間部という。
環状部材100は、第1ガード25Aに対して取り外し不能である。環状部材100および第1ガード25Aは、いかなる手法によって一体化していてもよい。たとえば、環状部材100は、たとえば、単一材料によって第1ガード25Aと一体に成形されていてもよい。あるいは、環状部材100は、溶接によって第1ガード25Aと一体化していてもよいし、ねじ、リベット、圧入等の機械的接合によって第1ガード25Aと一体化していてもよい。
The outer peripheral portion 100b of the annular member 100 is an annular portion that includes the outer peripheral edge of the annular member 100 and a portion that is further inward than the outer peripheral edge. Conversely, the inner peripheral portion 100c of the annular member 100 is an annular portion that includes the inner peripheral edge of the annular member 100 and a portion that is further outward than the inner peripheral edge. The portion between the outer peripheral portion 100b and the inner peripheral portion 100c is called an intermediate portion.
The annular member 100 is not removable from the first guard 25A. The annular member 100 and the first guard 25A may be integrated together by any method. For example, the annular member 100 may be integrally molded with the first guard 25A using a single material. Alternatively, the annular member 100 may be integrated with the first guard 25A by welding, or by a mechanical connection such as screws, rivets, or press fit.
環状部材100の外端部が第1ガード25Aの第1円筒部60に連結されている。複数の切り欠き104は、周方向CDに沿って等間隔に設けられている。図4Aおよび図4Bに示す例では、切り欠き104は、周方向CDに沿って6箇所に形成されている。図4Bに示すように、周方向CDにおける仕切部105の幅W1は、周方向CDにおける切り欠き104の幅W2よりも大きい。 The outer end of the annular member 100 is connected to the first cylindrical portion 60 of the first guard 25A. Multiple notches 104 are provided at equal intervals along the circumferential direction CD. In the example shown in Figures 4A and 4B, the notches 104 are formed at six locations along the circumferential direction CD. As shown in Figure 4B, the width W1 of the partition portion 105 in the circumferential direction CD is greater than the width W2 of the notch 104 in the circumferential direction CD.
図3Aを再び参照して、切り欠き104は、環状部材100および第1環状部61の間の上方空間110から、環状部材100よりも下方の下方空間111への流体(処理液、処理液の蒸気、処理液のミスト)の通過を許容する通過許容部の一例である。
各ガード25は、対応するガード駆動機構28によって、下位置と上位置との間で昇降される。各ガード25は、下位置、上位置、および、これらの間の位置に位置することができる。
Referring again to Figure 3A, the notch 104 is an example of a passage-permitting portion that allows fluid (treatment liquid, vapor of the treatment liquid, mist of the treatment liquid) to pass from the upper space 110 between the annular member 100 and the first annular portion 61 to the lower space 111 below the annular member 100.
Each guard 25 is raised and lowered between a lower position and an upper position by a corresponding guard drive mechanism 28. Each guard 25 can be positioned in the lower position, the upper position, and positions between them.
第1ガード25Aの上位置は、図3Aに示す位置であり、第1ガード25Aの下位置は、図3Bに示す位置である。図3Aおよび図3Bに示す第2ガード25Bの位置は上位置である。
第1ガード25Aおよび第2ガード25Bがともに上位置に位置するとき、基板Wから飛散する処理液は、第1ガード25Aによって受けられる。第1ガード25Aが下位置に位置し、第2ガード25Bが上位置に位置するとき、基板Wから飛散する処理液は、第2ガード25Bによって受けられる。
The upper position of the first guard 25A is the position shown in Figure 3A, and the lower position of the first guard 25A is the position shown in Figure 3B. The position of the second guard 25B shown in Figures 3A and 3B is the upper position.
When the first guard 25A and the second guard 25B are both in the upper position, the processing liquid splashed from the substrate W is received by the first guard 25A. When the first guard 25A is in the lower position and the second guard 25B is in the upper position, the processing liquid splashed from the substrate W is received by the second guard 25B.
各ガード25の上位置は、処理姿勢でスピンチャック5に保持されている基板Wの上面よりもガード25の上端(内周縁)が上方に位置する位置である。各ガード25の下位置は、処理姿勢でスピンチャック5に保持されている基板Wの上面よりもガード25の上端(内周縁)が下方に位置する位置である。
第1ガード25Aおよび第2ガード25Bが上位置に位置するときの複数のガード25の配置、すなわち、図3Aに示す複数のガード25の配置を「第1配置」という。第1ガード25Aが下位置に位置し第2ガード25Bが上位置に位置するときの複数のガード25の配置、すなわち、図3Bに示す複数のガード25の配置を「第2配置」という。
The upper position of each guard 25 is a position where the upper end (inner peripheral edge) of the guard 25 is located above the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5 in the processing attitude. The lower position of each guard 25 is a position where the upper end (inner peripheral edge) of the guard 25 is located below the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5 in the processing attitude.
The arrangement of the multiple guards 25 when the first guard 25A and the second guard 25B are in the upper position, i.e., the arrangement of the multiple guards 25 shown in Fig. 3A, is referred to as the "first arrangement." The arrangement of the multiple guards 25 when the first guard 25A is in the lower position and the second guard 25B is in the upper position, i.e., the arrangement of the multiple guards 25 shown in Fig. 3B, is referred to as the "second arrangement."
環状部材100は、第1ガード駆動機構28Aによって、第1ガード25Aとともに昇降される。第1ガード25Aが上位置に位置するとき、環状部材100の内周縁は、スピンベース21に側方から対向する。そのため、第1ガード25Aが上位置に位置するとき、環状部材100の内周縁は、処理姿勢でスピンチャック5に保持されている基板Wの上面よりも下方に位置する。 The annular member 100 is raised and lowered together with the first guard 25A by the first guard drive mechanism 28A. When the first guard 25A is in the upper position, the inner peripheral edge of the annular member 100 faces the spin base 21 from the side. Therefore, when the first guard 25A is in the upper position, the inner peripheral edge of the annular member 100 is located below the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5 in the processing position.
第1ガード25Aが上位置に位置するとき、環状部材100の内周縁は、スピンベース21の上面21aと同じ高さ位置に位置することが一層好ましいが、環状部材100の内周縁の位置は、スピンベース21の上面21aよりも低くてもよい。具体的には、第1ガード25Aが上位置に位置するとき、環状部材100の内周縁は、スピンベース21の上面21aよりも低くスピンベース21に側方から対向してもよい。 When the first guard 25A is in the upper position, it is more preferable that the inner peripheral edge of the annular member 100 be located at the same height as the upper surface 21a of the spin base 21, but the position of the inner peripheral edge of the annular member 100 may be lower than the upper surface 21a of the spin base 21. Specifically, when the first guard 25A is in the upper position, the inner peripheral edge of the annular member 100 may be lower than the upper surface 21a of the spin base 21 and face the spin base 21 from the side.
図3Aに示すように、環状部材100と第1環状部61との間には、環状部材100の外周部100bへ向かう放射状の気流(放射状気流F3)が形成される。さらに、第1円筒部60と第2円筒部70との間を下方へ向かう外方気流F1と、環状部材100の内周縁およびスピンベース21の間の隙間G1とを通って、上方空間110から下方空間111へ向かう内方気流F2とが形成される。 As shown in FIG. 3A, a radial airflow (radial airflow F3) is formed between the annular member 100 and the first annular portion 61, flowing toward the outer periphery 100b of the annular member 100. Furthermore, an outward airflow F1 flows downward between the first cylindrical portion 60 and the second cylindrical portion 70, and an inward airflow F2 flows from the upper space 110 to the lower space 111 through the gap G1 between the inner periphery of the annular member 100 and the spin base 21.
図3Bに示すように、第1環状部61および第2環状部71の間には、第1環状部61へ向かう放射状の気流(放射状気流F6)が形成される。さらに、上方空間110から下方空間111へ向かう外方気流F4と、第1環状部61の内周縁およびスピンベース21の間の隙間G2とを通って、下方へ向かう内方気流F5とが形成される。
図示しないが、第1ガード25Aおよび第2ガード25Bがともに下位置に位置するときには、第2搬送ロボットCRが、チャンバ4内に基板Wを搬入したりチャンバ4内から基板Wを搬出したりすることができる。
3B , a radial airflow (radial airflow F6) directed toward the first annular portion 61 is formed between the first annular portion 61 and the second annular portion 71. Furthermore, an outward airflow F4 directed from the upper space 110 toward the lower space 111 and an inward airflow F5 directed downward through the gap G2 between the inner peripheral edge of the first annular portion 61 and the spin base 21 are also formed.
Although not shown, when the first guard 25A and the second guard 25B are both in the lower position, the second transport robot CR can load and unload substrates W into and from the chamber 4.
<第1実施形態に係る基板処理の電気的構成>
図5は、基板処理装置1の電気的構成を説明するためのブロック図である。
コントローラ3は、マイクロコンピュータを備え、所定の制御プログラムに従って基板処理装置1に備えられた制御対象を制御する。
具体的には、コントローラ3は、プロセッサ3A(CPU)と、制御プログラムが格納されたメモリ3Bとを含む。コントローラ3は、プロセッサ3Aが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。
<Electrical Configuration of Substrate Processing According to First Embodiment>
FIG. 5 is a block diagram for explaining the electrical configuration of the substrate processing apparatus 1. As shown in FIG.
The controller 3 includes a microcomputer and controls the control objects provided in the substrate processing apparatus 1 according to a predetermined control program.
Specifically, the controller 3 includes a processor 3A (CPU) and a memory 3B that stores a control program. The controller 3 is configured to perform various controls for substrate processing by the processor 3A executing the control program.
とくに、コントローラ3は、第1搬送ロボットIR、第2搬送ロボットCR、回転駆動機構23、第1ノズル移動機構35、第2ノズル移動機構36、ガード駆動機構28、送風ユニット37、薬液バルブ50、上面リンス液バルブ51、下面リンス液バルブ52等を制御するようにプログラムされている。
コントローラ3によってバルブが制御されることによって、対応するノズルからの流体の吐出の有無や、対応するノズルからの流体の吐出流量が制御される。
In particular, the controller 3 is programmed to control the first transport robot IR, the second transport robot CR, the rotation drive mechanism 23, the first nozzle moving mechanism 35, the second nozzle moving mechanism 36, the guard drive mechanism 28, the air blowing unit 37, the chemical liquid valve 50, the upper surface rinse liquid valve 51, the lower surface rinse liquid valve 52, etc.
The controller 3 controls the valves to control whether or not the fluid is discharged from the corresponding nozzle, and the flow rate of the fluid discharged from the corresponding nozzle.
以下に示す各工程は、コントローラ3が基板処理装置1に備えられる各部材を制御することにより実行される。言い換えると、コントローラ3は、以下に示す各工程を実行するようにプログラムされている。
また、図5には、代表的な部材が図示されているが、図示されていない部材についてコントローラ3によって制御されないことを意味するものではなく、コントローラ3は、基板処理装置1に備えられる各部材を適切に制御することができる。図5には、後述する各変形例および第2実施形態で説明する部材についても併記しており、これらの部材もコントローラ3によって制御される。
The following steps are performed by the controller 3 controlling the components of the substrate processing apparatus 1. In other words, the controller 3 is programmed to perform the following steps.
5 illustrates representative components, but this does not mean that components not illustrated are not controlled by the controller 3, and the controller 3 can appropriately control each component included in the substrate processing apparatus 1. In FIG. 5, components described in each of the modified examples and the second embodiment, which will be described later, are also controlled by the controller 3.
<基板処理の一例>
図6は、基板処理装置1によって実行される基板処理の一例を説明するためのフローチャートである。図7Aおよび図7Bは、基板処理が行われているときの複数のガード25の様子を説明するための模式図である。図6には、主として、コントローラ3がプログラムを実行することによって実現される処理が示されている。
<Example of substrate processing>
Fig. 6 is a flowchart illustrating an example of substrate processing performed by the substrate processing apparatus 1. Figs. 7A and 7B are schematic views illustrating the state of the multiple guards 25 when substrate processing is being performed. Fig. 6 mainly illustrates processing that is realized by the controller 3 executing a program.
基板処理装置1による基板処理では、たとえば、図6に示すように、基板搬入工程(ステップS1)、薬液供給工程(ステップS2)、下面リンス工程(ステップS3)、ガード切換工程(ステップS4)、上面リンス工程(ステップS5)、スピンドライ工程(ステップS6)および基板搬出工程(ステップS7)がこの順番で実行される。以下では、図2および図6を主に参照し、基板処理の詳細について説明する。図7Aおよび図7Bについては適宜参照する。 In substrate processing using the substrate processing apparatus 1, for example, as shown in FIG. 6, the substrate loading step (step S1), chemical solution supply step (step S2), lower surface rinsing step (step S3), guard switching step (step S4), upper surface rinsing step (step S5), spin drying step (step S6), and substrate unloading step (step S7) are performed in this order. Below, details of the substrate processing will be described, primarily with reference to FIGS. 2 and 6. Reference will also be made to FIGS. 7A and 7B as appropriate.
まず、未処理の基板Wは、第2搬送ロボットCR(図1を参照)によってキャリアCから処理ユニット2に搬入され、スピンチャック5に渡される(基板搬入工程:ステップS1)。これにより、基板Wは、スピンチャック5によって水平に保持される(基板保持工程)。スピンチャック5に基板Wが保持されている状態で、回転駆動機構23が基板Wの回転を開始する(基板回転工程)。基板Wは、スピンドライ工程(ステップS6)が終了するまで、スピンチャック5によって保持され続ける。また、基板処理の実行中において、チャンバ4内の空間には、上方から下方に向かう気流F(図2を参照)が常時形成されており、気流Fは、処理カップ8の内部を通って、排出配管38に流入している。 First, an unprocessed substrate W is loaded from the carrier C into the processing unit 2 by the second transport robot CR (see Figure 1) and transferred to the spin chuck 5 (substrate loading process: step S1). This causes the substrate W to be held horizontally by the spin chuck 5 (substrate holding process). With the substrate W held by the spin chuck 5, the rotation drive mechanism 23 begins to rotate the substrate W (substrate rotation process). The substrate W continues to be held by the spin chuck 5 until the spin dry process (step S6) is completed. During substrate processing, an airflow F (see Figure 2) flowing from above to below is constantly generated within the chamber 4, and the airflow F passes through the inside of the processing cup 8 and flows into the exhaust pipe 38.
第2搬送ロボットCRが処理ユニット2外に退避した後、基板Wの上面に薬液を供給する薬液供給工程(ステップS2)が実行される。具体的には、複数のガード駆動機構28によって、複数のガード25の配置が第1配置に変更される。第1ノズル移動機構35が、薬液ノズル30を処理位置に移動させる。処理位置は、たとえば、中央位置である。
この状態で薬液バルブ50を開くことで、薬液ノズル30から基板Wの上面に向けて、薬液の連続流が吐出(供給)される(薬液吐出工程、薬液供給工程)。
After the second transport robot CR retreats to the outside of the processing unit 2, a chemical supplying step (step S2) is performed to supply a chemical to the upper surface of the substrate W. Specifically, the guard drive mechanisms 28 change the arrangement of the guards 25 to the first arrangement. The first nozzle moving mechanism 35 moves the chemical nozzle 30 to the processing position. The processing position is, for example, the central position.
In this state, by opening the chemical valve 50, a continuous flow of the chemical is discharged (supplied) from the chemical nozzle 30 toward the upper surface of the substrate W (chemical discharge step, chemical supply step).
図7Aに示すように、基板Wの上面に供給された薬液は、基板Wの回転の遠心力の作用によって、基板Wの上面の周縁部に向かって移動して基板Wの上面の全体に広がる。これにより、基板Wの上面が薬液によって処理される。基板Wの上面の薬液は、基板Wの上面の周縁部から基板W外へ飛散して、第1円筒部60および環状部材100によって主に受けられる。 As shown in FIG. 7A, the chemical solution supplied to the upper surface of the substrate W moves toward the peripheral edge of the upper surface of the substrate W due to the centrifugal force of the rotation of the substrate W and spreads over the entire upper surface of the substrate W. This causes the upper surface of the substrate W to be treated with the chemical solution. The chemical solution on the upper surface of the substrate W splashes from the peripheral edge of the upper surface of the substrate W to outside the substrate W and is mainly received by the first cylindrical portion 60 and the annular member 100.
複数の切り欠き104は、環状部材100の外周部100bに設けられている。そのため、第1円筒部60によって受けられた薬液は、第1円筒部60から落下する際に、または、第1円筒部60に沿って下方に流れる際に、複数の切り欠き104を介して環状部材100を通過する。
上述したように、環状部材100は、第1円筒部60よりも内側に向かって第1円筒部60から斜め上に張り出す。そのため、環状部材100の上面100aに付着した薬液は、環状部材100の外周部100bに向かって流れる。環状部材100の外周部100bまで流れた薬液は、複数の切り欠き104を介して環状部材100を通過する。これにより、基板Wから飛散した薬液が環状部材100の上面100aに溜まることを抑制できる。切り欠き104に流入した薬液は、落下し、第1カップ26A(図2を参照)に受けられる。
The plurality of notches 104 are provided on the outer circumferential portion 100b of the annular member 100. Therefore, the chemical solution received by the first cylindrical portion 60 passes through the annular member 100 via the plurality of notches 104 when it falls from the first cylindrical portion 60 or when it flows downward along the first cylindrical portion 60.
As described above, the annular member 100 extends obliquely upward from the first cylindrical portion 60 toward the inside of the first cylindrical portion 60. Therefore, the chemical solution adhering to the upper surface 100a of the annular member 100 flows toward the outer circumferential portion 100b of the annular member 100. The chemical solution that has flowed to the outer circumferential portion 100b of the annular member 100 passes through the annular member 100 via the plurality of cutouts 104. This prevents the chemical solution splashed from the substrate W from accumulating on the upper surface 100a of the annular member 100. The chemical solution that flows into the cutouts 104 falls and is received in the first cup 26A (see FIG. 2 ).
図7Aに示すように、薬液供給工程(ステップS2)の実行中、複数のガード25の配置は、第1配置である。そのため、薬液供給工程(ステップS2)の実行中には、外方気流F1および内方気流F2が形成される。
薬液供給工程(ステップS2)の後、基板Wの下面にリンス液を供給して基板Wの下面を洗浄する下面リンス工程(ステップS3)が実行される。
7A, during the chemical solution supplying step (step S2), the arrangement of the guards 25 is the first arrangement, so that an outward airflow F1 and an inward airflow F2 are formed.
After the chemical liquid supplying step (step S2), a lower surface rinsing step (step S3) is performed in which a rinsing liquid is supplied to the lower surface of the substrate W to clean the lower surface of the substrate W.
具体的には、薬液バルブ50が閉じられて、基板Wの上面への薬液の供給が停止される。その代わりに、下面リンス液バルブ52が開かれる。これにより、下面リンス液ノズル32から基板Wの下面へのリンス液の供給が開始される。薬液ノズル30は、退避位置に移動される。
図7Bに示すように、基板Wの下面に供給されたリンス液は、基板Wの回転の遠心力の作用によって、基板Wの下面の周縁部に向かって移動し基板Wの下面の全体に広がる。これにより、基板Wの下面が洗浄される。そのため、基板Wの周縁部を伝って基板Wの下面に付着した薬液を基板Wの下面から排除できる。基板Wの下面のリンス液は、基板Wの上面の周縁部から飛散して、第1円筒部60および環状部材100によって主に受けられる。
Specifically, the chemical liquid valve 50 is closed to stop the supply of the chemical liquid to the upper surface of the substrate W. Instead, the lower surface rinse liquid valve 52 is opened. This starts the supply of the rinse liquid from the lower surface rinse liquid nozzle 32 to the lower surface of the substrate W. The chemical liquid nozzle 30 is moved to the retracted position.
7B , the rinse liquid supplied to the lower surface of the substrate W moves toward the peripheral edge of the lower surface of the substrate W and spreads over the entire lower surface of the substrate W due to the centrifugal force of the rotation of the substrate W. This cleans the lower surface of the substrate W. Therefore, the chemical liquid that has adhered to the lower surface of the substrate W along the peripheral edge of the substrate W can be removed from the lower surface of the substrate W. The rinse liquid on the lower surface of the substrate W splashes from the peripheral edge of the upper surface of the substrate W and is mainly received by the first cylindrical portion 60 and the annular member 100.
第1円筒部60によって受けられたリンス液は、第1円筒部60から落下する際に、または、第1円筒部60に沿って下方に流れる際に、複数の切り欠き104を介して環状部材100を通過する。環状部材100に付着したリンス液は、環状部材100に沿って環状部材100の外周部100bに向かって流れる。環状部材100の外周部100bまで流れたリンス液は、複数の切り欠き104を介して環状部材100を通過する。これにより、基板Wから飛散したリンス液が環状部材100の上面100aに溜まることを抑制できる。切り欠き104に流入したリンス液は、落下し、第1カップ26A(図2を参照)で受けられる。 The rinse liquid received by the first cylindrical portion 60 passes through the annular member 100 via the multiple notches 104 as it falls from the first cylindrical portion 60 or flows downward along the first cylindrical portion 60. The rinse liquid adhering to the annular member 100 flows along the annular member 100 toward the outer periphery 100b of the annular member 100. The rinse liquid that has flowed to the outer periphery 100b of the annular member 100 passes through the annular member 100 via the multiple notches 104. This prevents rinse liquid scattered from the substrate W from accumulating on the upper surface 100a of the annular member 100. The rinse liquid that flows into the notches 104 falls and is received in the first cup 26A (see Figure 2).
下面リンス工程(ステップS3)では、スピンベース21に側方から対向する状態で、すなわち、環状部材100が基板Wよりも充分に低い位置に位置する状態で、下面リンス液ノズル32から基板Wの下面に向けてリンス液が供給される。そのため、基板Wの下面から飛散するリンス液の少なくとも一部は、環状部材100の上面100aに付着する。環状部材100の上面100aに付着したリンス液は、上面100aに沿って環状部材100の外周縁に向かって流れる。これにより、環状部材100を洗浄し、環状部材100に付着しているリンス液を除去することができる。 In the lower surface rinsing process (step S3), rinsing liquid is supplied from the lower surface rinsing liquid nozzle 32 toward the underside of the substrate W while the annular member 100 is laterally facing the spin base 21, i.e., while the annular member 100 is positioned sufficiently lower than the substrate W. As a result, at least a portion of the rinsing liquid splashed from the underside of the substrate W adheres to the upper surface 100a of the annular member 100. The rinsing liquid that has adhered to the upper surface 100a of the annular member 100 flows along the upper surface 100a toward the outer periphery of the annular member 100. This allows the annular member 100 to be cleaned and the rinsing liquid adhering to the annular member 100 to be removed.
なお、基板Wから排出されるリンス液は、複数の把持ピン20に衝突する。そのため、リンス液は、上下に広がりながら飛散する。基板Wの下面から飛散するリンス液は、基板Wによって、上方への飛散が抑制される。そのため、基板Wの下面からのリンス液の飛散方向は、基板Wの上面からの薬液の飛散方向よりも下方に向いている。そのため、基板Wの下面から飛散するリンス液は、基板Wの上面から飛散する薬液よりも、第1円筒部60よりも内側において、環状部材100に付着しやすい。 The rinse liquid discharged from the substrate W collides with the multiple gripping pins 20. As a result, the rinse liquid spreads out in both the vertical and horizontal directions as it splashes. The rinse liquid splashing from the underside of the substrate W is prevented from splashing upward by the substrate W. Therefore, the direction in which the rinse liquid splashes from the underside of the substrate W is more downward than the direction in which the chemical liquid splashes from the top surface of the substrate W. Therefore, the rinse liquid splashing from the underside of the substrate W is more likely to adhere to the annular member 100, inside the first cylindrical portion 60, than the chemical liquid splashing from the top surface of the substrate W.
そのため、基板Wの上面から飛散する薬液よりも、基板Wの下面から飛散するリンス液は、環状部材100の内周縁付近(内周部100c)に付着し易い。したがって、環状部材100に付着した薬液の残留を抑制することができる。さらに、基板Wの上面にリンス液を供給して環状部材100を洗浄する場合と比較して、環状部材100の内周部100cを洗浄し易い。すなわち、基板Wの上面にリンス液を供給して環状部材100を洗浄する場合と比較して、環状部材100の全体を洗浄し易い。 For this reason, the rinse liquid splashed from the underside of the substrate W is more likely to adhere to the inner periphery of the annular member 100 (inner peripheral portion 100c) than the chemical liquid splashed from the upper surface of the substrate W. This makes it possible to prevent the chemical liquid from remaining on the annular member 100. Furthermore, it is easier to clean the inner peripheral portion 100c of the annular member 100 than when a rinse liquid is supplied to the upper surface of the substrate W to clean the annular member 100. In other words, it is easier to clean the entire annular member 100 than when a rinse liquid is supplied to the upper surface of the substrate W to clean the annular member 100.
図7Bに示すように、下面リンス工程(ステップS3)の実行中においても、複数のガード25の配置は、第1配置である。そのため、下面リンス工程(ステップS3)の実行中においても、外方気流F1および内方気流F2が形成される。
下面リンス工程(ステップS3)の後、複数のガード25の配置を第1配置から第2配置に切り換えるガード切換工程(ステップS4)が実行される。
7B , even during the lower surface rinsing step (step S3), the arrangement of the multiple guards 25 is the first arrangement, so that the outer airflow F1 and the inner airflow F2 are formed even during the lower surface rinsing step (step S3).
After the lower surface rinsing step (step S3), a guard switching step (step S4) is performed in which the arrangement of the multiple guards 25 is switched from the first arrangement to the second arrangement.
具体的には、下面リンス液バルブ52が閉じられて基板Wの下面へのリンス液の供給が停止される。その後、第1ガード駆動機構28Aによって、第1ガード25Aが下位置に移動される。一方、第2ガード25Bは、上位置に維持される。これにより、複数のガード25の配置が第2配置(図3Bに示す配置)に切り換えられる。
ガード切換工程(ステップS4)の後、基板Wの上面にリンス液を供給し基板Wの上面を洗浄する上面リンス工程(ステップS5)が実行される。
Specifically, the lower surface rinse liquid valve 52 is closed to stop the supply of rinse liquid to the lower surface of the substrate W. Thereafter, the first guard 25A is moved to the lower position by the first guard drive mechanism 28A. Meanwhile, the second guard 25B is maintained in the upper position. This switches the arrangement of the multiple guards 25 to the second arrangement (the arrangement shown in FIG. 3B ).
After the guard switching step (step S4), an upper surface rinsing step (step S5) is performed in which a rinsing liquid is supplied to the upper surface of the substrate W to clean the upper surface of the substrate W.
具体的には、第2ノズル移動機構36が、上面リンス液ノズル31を処理位置に移動させる。処理位置は、たとえば、上面リンス液ノズル31が基板Wの上面の中央領域に対向する位置である。この状態で上面リンス液バルブ51を開くことで、上面リンス液ノズル31から基板Wの上面に向けて、リンス液の連続流が吐出(供給)される(上面リンス液吐出工程、上面リンス液供給工程)。 Specifically, the second nozzle movement mechanism 36 moves the upper rinse liquid nozzle 31 to the processing position. The processing position is, for example, a position where the upper rinse liquid nozzle 31 faces the central region of the upper surface of the substrate W. By opening the upper rinse liquid valve 51 in this state, a continuous flow of rinse liquid is discharged (supplied) from the upper rinse liquid nozzle 31 toward the upper surface of the substrate W (upper rinse liquid discharge process, upper rinse liquid supply process).
基板Wの上面に供給されたリンス液は、基板Wの回転の遠心力の作用によって、基板Wの上面の周縁部に向かって移動して基板Wの上面の全体に広がる。基板Wの上面のリンス液は、基板Wの上面の周縁部から基板W外へ飛散する。基板Wの上面から飛散したリンス液は、主に、第2ガード25Bの第2円筒部70によって受けられる。第2円筒部70によって受けられたリンス液は、第2円筒部70によって下方に案内されて第2カップ26B(図2を参照)で受けられる。下面リンス工程の後に上面リンス工程を行うことで、上面リンス工程に先立って環状部材100が洗浄されるため、第2ガード25Bによって受けられる薬液の量を低減することができる。 The rinse liquid supplied to the upper surface of the substrate W moves toward the peripheral edge of the upper surface of the substrate W due to the centrifugal force of the rotation of the substrate W and spreads over the entire upper surface of the substrate W. The rinse liquid on the upper surface of the substrate W splashes from the peripheral edge of the upper surface of the substrate W to the outside of the substrate W. The rinse liquid splashed from the upper surface of the substrate W is mainly received by the second cylindrical portion 70 of the second guard 25B. The rinse liquid received by the second cylindrical portion 70 is guided downward by the second cylindrical portion 70 and received in the second cup 26B (see Figure 2). By performing the upper surface rinse process after the lower surface rinse process, the annular member 100 is cleaned prior to the upper surface rinse process, thereby reducing the amount of chemical liquid received by the second guard 25B.
なお、上面リンス工程(ステップS5)では、たとえば、基板Wを低速度(たとえば、10rpm)で回転させている状態から、基板Wの回転を加速して基板Wの回転速度を高速度(たとえば、1500rpm)とし、その後、再び、基板Wの回転を低速度(たとえば、10rpm)としてもよい。
次に、基板Wを高速回転させて基板Wの上面を乾燥させるスピンドライ工程(ステップS6)が実行される。具体的には、上面リンス液バルブ51を閉じて基板Wの上面へのリンス液の供給を停止させる。
In the upper surface rinsing process (step S5), for example, the rotation of the substrate W may be accelerated from a state in which the substrate W is rotated at a low speed (e.g., 10 rpm) to a high rotation speed (e.g., 1500 rpm), and then the rotation of the substrate W may be again reduced to a low rotation speed (e.g., 10 rpm).
Next, a spin dry process (step S6) is performed in which the substrate W is rotated at high speed to dry the upper surface of the substrate W. Specifically, the upper surface rinse liquid valve 51 is closed to stop the supply of the rinse liquid to the upper surface of the substrate W.
そして、回転駆動機構23が基板Wの回転を加速し、基板Wを高速回転(たとえば、1500rpm)させる。それによって、大きな遠心力が基板Wに付着しているリンス液に作用し、リンス液が基板Wの周囲に振り切られる。
スピンドライ工程(ステップS6)の後、回転駆動機構23が基板Wの回転を停止させる。その後、第2搬送ロボットCRが、処理ユニット2に進入して、スピンチャック5から処理済みの基板Wを受け取って、処理ユニット2外へと搬出する(基板搬出工程:ステップS7)。その基板Wは、第2搬送ロボットCRから第1搬送ロボットIRへと渡され、第1搬送ロボットIRによって、キャリアCに収納される。
Then, the rotation drive mechanism 23 accelerates the rotation of the substrate W, rotating the substrate W at high speed (for example, 1500 rpm). As a result, a large centrifugal force acts on the rinse liquid adhering to the substrate W, causing the rinse liquid to be thrown off around the substrate W.
After the spin dry step (step S6), the rotation drive mechanism 23 stops the rotation of the substrate W. Thereafter, the second transport robot CR enters the processing unit 2, receives the processed substrate W from the spin chuck 5, and unloads it from the processing unit 2 (substrate unloading step: step S7). The substrate W is handed over from the second transport robot CR to the first transport robot IR, and is stored in the carrier C by the first transport robot IR.
<第1実施形態のまとめ>
第1実施形態によれば、第1ガード25Aの第1円筒部60よりも内側に向かって第1円筒部60から張り出す環状部材100が、第1ガード25Aの第1環状部61よりも下方に設けられている。環状部材100の外周部100bには、環状部材100よりも上方から環状部材100よりも下方への流体の通過を許容する複数の切り欠き104が設けられている。そのため、第1ガード25Aの第1環状部61よりも下方において、複数の切り欠き104を介して環状部材100よりも上方から環状部材100よりも下方へ向かう外方気流F1を形成することができる。これにより、第1環状部61よりも下方において、雰囲気を整流することができ、雰囲気の停滞を抑制できる。
<Summary of First Embodiment>
According to the first embodiment, the annular member 100, which protrudes inward from the first cylindrical portion 60 of the first guard 25A, is provided below the first annular portion 61 of the first guard 25A. The outer peripheral portion 100b of the annular member 100 is provided with a plurality of notches 104 that allow fluid to pass from above the annular member 100 to below the annular member 100. Therefore, below the first annular portion 61 of the first guard 25A, an outward airflow F1 can be formed via the plurality of notches 104, flowing from above the annular member 100 to below the annular member 100. This allows the atmosphere below the first annular portion 61 to be rectified, preventing stagnation of the atmosphere.
複数の切り欠き104、および、環状部材100の内周縁およびスピンベース21の間の隙間G1の断面積は、環状部材100が設けられていない場合の第1環状部61よりも下方の空間の断面積よりも小さい。外方気流F1および内方気流F2の線速度は、環状部材100が設けられていない場合において第1環状部61よりも下方で生じる気流の線速度と比較して高い。線速度は、単位面積当たりの気体の速度である。そのため、第1環状部61よりも下方において、雰囲気を整流することができ、雰囲気の停滞を抑制できる。 The cross-sectional area of the gap G1 between the multiple cutouts 104 and the inner peripheral edge of the annular member 100 and the spin base 21 is smaller than the cross-sectional area of the space below the first annular portion 61 when the annular member 100 is not provided. The linear velocity of the outer airflow F1 and the inner airflow F2 is higher than the linear velocity of the airflow generated below the first annular portion 61 when the annular member 100 is not provided. Linear velocity is the speed of gas per unit area. Therefore, the atmosphere below the first annular portion 61 can be rectified, preventing atmospheric stagnation.
上方空間110には、環状部材100の内周部100cから外周部100bへ向かって雰囲気が流入する。そのため、上方空間110では、環状部材100の外周部100bの近傍において特に雰囲気が停滞し易い。第1実施形態によれば、複数の切り欠き104は、環状部材100の外周部100bに設けられている。そのため、上方空間110に雰囲気が停滞することを抑制できる。これにより、雰囲気中に含まれる薬液の蒸気およびミストが基板Wに付着することを抑制でき、基板W上にパーティクルが発生することを抑制できる。 The atmosphere flows into the upper space 110 from the inner peripheral portion 100c of the annular member 100 toward the outer peripheral portion 100b. Therefore, in the upper space 110, the atmosphere is particularly likely to stagnate near the outer peripheral portion 100b of the annular member 100. According to the first embodiment, the multiple cutouts 104 are provided on the outer peripheral portion 100b of the annular member 100. Therefore, stagnation of the atmosphere in the upper space 110 can be suppressed. This prevents chemical vapor and mist contained in the atmosphere from adhering to the substrate W, and suppresses the generation of particles on the substrate W.
基板Wの上面に供給された処理液は基板Wから飛散する。複数の切り欠き104は、環状部材100の外周部100bに設けられている。そのため、第1円筒部60によって受けられた処理液は、第1円筒部60から落下する際に、または、第1円筒部60に沿って下方に流れる際に、複数の切り欠き104を介して環状部材100を通過することができる。環状部材100に付着した処理液は、環状部材100に沿って環状部材100の外周部100bに向かって流れる。 The processing liquid supplied to the upper surface of the substrate W splashes off the substrate W. Multiple notches 104 are provided on the outer circumferential portion 100b of the annular member 100. Therefore, the processing liquid received by the first cylindrical portion 60 can pass through the annular member 100 via the multiple notches 104 as it falls from the first cylindrical portion 60 or as it flows downward along the first cylindrical portion 60. The processing liquid adhering to the annular member 100 flows along the annular member 100 toward the outer circumferential portion 100b of the annular member 100.
環状部材100の外周部100bまで流れた処理液は、複数の切り欠き104を介して環状部材100を通過する。これにより、基板Wから飛散した処理液が環状部材100の上面100aに溜まることを抑制できる。したがって、雰囲気の整流のために環状部材100を設けることに起因して環状部材100の上面100aに処理液が溜まることを抑制できる。 The processing liquid that has flowed to the outer periphery 100b of the annular member 100 passes through the annular member 100 via the multiple notches 104. This prevents processing liquid that has splashed from the substrate W from accumulating on the upper surface 100a of the annular member 100. Therefore, it is possible to prevent processing liquid from accumulating on the upper surface 100a of the annular member 100 due to the provision of the annular member 100 for rectifying the atmosphere.
第1実施形態によれば、環状部材100が第1ガード25Aに取り付けられており、第1ガード25Aと一体的に昇降する。そのため、環状部材100を昇降させるための駆動機構を第1ガード駆動機構28Aとは別に設ける必要がない。したがって、複数のガード25および環状部材100の昇降に要する部材のコストを削減できる。
基板Wへの薬液の再付着がパーティクルの原因となり易いため、上方空間110での薬液雰囲気の停滞を抑制することが特に重要である。そのため、環状部材100による整流作用によるパーティクルの抑制効果は、基板Wに対して薬液を供給する際に、より顕著となる。
According to the first embodiment, the annular member 100 is attached to the first guard 25A and moves up and down integrally with the first guard 25A. Therefore, there is no need to provide a drive mechanism for moving the annular member 100 up and down separately from the first guard drive mechanism 28A. This reduces the cost of the components required to move the multiple guards 25 and the annular member 100 up and down.
Because redeposition of the chemical onto the substrate W is likely to cause particles, it is particularly important to prevent stagnation of the chemical atmosphere in the upper space 110. Therefore, the particle prevention effect of the flow rectification action of the annular member 100 becomes more pronounced when the chemical is supplied to the substrate W.
基板Wへの薬液の供給を停止した後においても、上方空間110には薬液雰囲気が残存している場合がある。そのため、薬液供給工程(ステップS2)の直後に基板Wにリンス液を供給する際には、すなわち、下面リンス工程(ステップS3)では、複数のガード25の配置を第1配置としておくことが好ましい。
第1実施形態によれば、環状部材100には、周方向CDに沿って配置された複数の切り欠き104が形成されている。そのため、環状部材100の周方向CDにおける整流作用のむらを低減でき、かつ、環状部材100に沿って流れて環状部材100の外周部100bに達する薬液を、環状部材100よりも下方へ効率良く排出することができる。
Even after the supply of the chemical liquid to the substrate W is stopped, the chemical liquid atmosphere may remain in the upper space 110. Therefore, when a rinse liquid is supplied to the substrate W immediately after the chemical liquid supply step (step S2), i.e., in the lower surface rinse step (step S3), it is preferable to keep the arrangement of the multiple guards 25 in the first arrangement.
According to the first embodiment, the annular member 100 is formed with a plurality of notches 104 arranged along the circumferential direction CD. This reduces unevenness in the flow straightening action of the annular member 100 in the circumferential direction CD, and allows the chemical solution that flows along the annular member 100 and reaches the outer circumferential portion 100b of the annular member 100 to be efficiently discharged below the annular member 100.
第1実施形態によれば、複数の切り欠き104が、周方向CDに沿って等間隔に設けられている。そのため、環状部材100の周方向CDにおける整流作用のむらを一層低減できる。さらに、環状部材100の上面100aに沿って流れて環状部材100の外周部100bに達した薬液を一層効率良く環状部材100よりも下方へ排出することができる。
第1実施形態によれば、環状部材100の外周縁は、周方向CDに沿う複数箇所において、切り欠かれている。そのため、複数の切り欠き104よりも外側には薬液が溜まる部分が存在しない。したがって、環状部材100上の薬液を一層効率良く環状部材100よりも下方に排出できる。
According to the first embodiment, the plurality of notches 104 are provided at equal intervals along the circumferential direction CD. This further reduces unevenness in the flow straightening action of the annular member 100 in the circumferential direction CD. Furthermore, the chemical solution that flows along the upper surface 100a of the annular member 100 and reaches the outer circumferential portion 100b of the annular member 100 can be more efficiently discharged below the annular member 100.
According to the first embodiment, the outer peripheral edge of the annular member 100 is cut out at multiple locations along the circumferential direction CD. Therefore, there is no portion where the chemical solution can accumulate outside the multiple cutouts 104. Therefore, the chemical solution on the annular member 100 can be more efficiently discharged below the annular member 100.
第1実施形態によれば、環状部材100が、第1環状部61と平行に第1円筒部60から張り出している。環状部材100が第1環状部61と平行であれば、環状部材100の内周部100c付近における放射状気流F3の速度と環状部材100の外周部100b付近における放射状気流F3の速度との差を低減できる。これにより、第1環状部61よりも下方における雰囲気の停滞を一層抑制できる。 According to the first embodiment, the annular member 100 protrudes from the first cylindrical portion 60 parallel to the first annular portion 61. If the annular member 100 is parallel to the first annular portion 61, the difference in speed between the radial airflow F3 near the inner peripheral portion 100c of the annular member 100 and the radial airflow F3 near the outer peripheral portion 100b of the annular member 100 can be reduced. This further reduces stagnation of the atmosphere below the first annular portion 61.
環状部材100の内周縁は、第1ガード25Aが上位置に位置するときに、基板Wの上面よりも下方に位置する。そのため、基板Wの上面を、第1環状部61の内周縁よりも下方で、かつ、環状部材100の内周縁よりも上方に位置させることができる。そうすることによって、基板Wの上面から飛散する薬液を環状部材100と第1環状部61との間に流入させることができる。これにより、環状部材100と第1環状部61との間で第1円筒部60の外側へ向かう放射状気流F3の形成を促進できる。さらに、放射状気流F3の形成を促進することによって、環状部材100および第1ガード25Aからの薬液の跳ね返りを抑制できる。 When the first guard 25A is in the upper position, the inner peripheral edge of the annular member 100 is located below the upper surface of the substrate W. Therefore, the upper surface of the substrate W can be located below the inner peripheral edge of the first annular portion 61 and above the inner peripheral edge of the annular member 100. This allows chemical liquid splashed from the upper surface of the substrate W to flow between the annular member 100 and the first annular portion 61. This promotes the formation of a radial airflow F3 that flows outward from the first cylindrical portion 60 between the annular member 100 and the first annular portion 61. Furthermore, promoting the formation of the radial airflow F3 reduces the splashing of chemical liquid from the annular member 100 and the first guard 25A.
第1実施形態によれば、環状部材100の内周縁は、第1ガード25Aが上位置に位置するときに、スピンベース21に側方から対向する。スピンベース21の側方に環状部材100の内周縁を対向させることによって、スピンベース21と環状部材100との間の隙間G1を小さくできる。そのため、スピンベース21と環状部材100との間を通って下方へ向かう気流(内方気流F2)を形成することができる。したがって、第1環状部61よりも下方における雰囲気の整流化を補助できる。 According to the first embodiment, the inner peripheral edge of the annular member 100 faces the spin base 21 from the side when the first guard 25A is in the upper position. By facing the inner peripheral edge of the annular member 100 to the side of the spin base 21, the gap G1 between the spin base 21 and the annular member 100 can be reduced. This makes it possible to form an airflow (inner airflow F2) that flows downward through the gap between the spin base 21 and the annular member 100. This helps to streamline the atmosphere below the first annular portion 61.
ただし、第1実施形態とは異なり環状部材100の外周部100bに切り欠き104が設けられていなければ、環状部材100の外周部100b付近の雰囲気の停滞を解消することが困難である。そのため、内方気流F2を形成できる場合であっても、環状部材100には、切り欠き104が設けられている必要がある。
第1実施形態によれば、排出配管38によって、上方空間110の雰囲気が複数の切り欠き104を介して排出される。そのため、内方気流F2および外方気流F1を強制的に形成することができる。そのため、第1環状部61よりも下方において、雰囲気を整流することができ雰囲気の停滞を抑制できる。
However, unlike the first embodiment, if the cutout 104 is not provided in the outer circumferential portion 100b of the annular member 100, it is difficult to eliminate stagnation of the atmosphere near the outer circumferential portion 100b of the annular member 100. Therefore, even if the inward airflow F2 can be formed, the annular member 100 needs to be provided with the cutout 104.
According to the first embodiment, the exhaust pipe 38 exhausts the atmosphere in the upper space 110 through the plurality of cutouts 104. This forcibly forms the inward airflow F2 and the outward airflow F1. This allows the atmosphere to be rectified below the first annular portion 61, thereby preventing the atmosphere from stagnating.
<変形例に係る基板処理>
図8は、変形例に係る基板処理を説明するためのフローチャートである。図9は、変形例に係る基板処理が行われているときの複数のガード25の様子を説明するための模式図である。
変形例に係る基板処理では、薬液供給工程(ステップS2)の後に、図9に示すように、複数のガード25の配置を第1配置に維持しながら、基板Wの下面とともに基板Wの上面を洗浄するリンス工程(ステップS10)が実行される。具体的には、基板Wの上面への薬液の供給が停止された後、上面リンス液ノズル31からのリンス液の供給および下面リンス液ノズル32からのリンス液の供給が開始される。基板Wから飛散するリンス液は、第1円筒部60および環状部材100によって主に受けられる。
<Substrate Processing According to Modification>
Fig. 8 is a flowchart illustrating the substrate processing according to the modified example. Fig. 9 is a schematic diagram illustrating the state of the plurality of guards 25 when the substrate processing according to the modified example is being performed.
In the substrate processing according to the modified example, after the chemical liquid supply step (step S2), a rinsing step (step S10) is performed to clean the upper surface of the substrate W as well as the lower surface of the substrate W while maintaining the arrangement of the multiple guards 25 in the first arrangement, as shown in Fig. 9. Specifically, after the supply of the chemical liquid to the upper surface of the substrate W is stopped, the supply of the rinsing liquid from the upper rinse liquid nozzle 31 and the supply of the rinsing liquid from the lower rinse liquid nozzle 32 are started. The rinsing liquid splashed from the substrate W is mainly received by the first cylindrical portion 60 and the annular member 100.
第1円筒部60によって受けられたリンス液は、第1円筒部60から落下する際に、または、第1円筒部60に沿って下方に流れる際に、複数の切り欠き104を介して環状部材100を通過する。環状部材100に付着したリンス液は、環状部材100に沿って環状部材100の外周部100bに向かって流れる。環状部材100の外周部100bまで流れたリンス液は、複数の切り欠き104を介して環状部材100を通過する。これにより、基板Wから飛散したリンス液が環状部材100の上面100aに溜まることを抑制できる。切り欠き104に流入したリンス液は、落下し、第1カップ26A(図2を参照)で受けられる。 The rinse liquid received by the first cylindrical portion 60 passes through the annular member 100 via the multiple notches 104 as it falls from the first cylindrical portion 60 or flows downward along the first cylindrical portion 60. The rinse liquid adhering to the annular member 100 flows along the annular member 100 toward the outer periphery 100b of the annular member 100. The rinse liquid that has flowed to the outer periphery 100b of the annular member 100 passes through the annular member 100 via the multiple notches 104. This prevents rinse liquid scattered from the substrate W from accumulating on the upper surface 100a of the annular member 100. The rinse liquid that flows into the notches 104 falls and is received in the first cup 26A (see Figure 2).
リンス工程(ステップS10)では、スピンベース21に側方から対向する状態で、すなわち、環状部材100が基板Wよりも充分に低い位置に位置する状態で、基板Wの上面および下面の両方に向けてリンス液が供給される。そのため、基板Wの上面および下面から飛散するリンス液の少なくとも一部は、環状部材100の上面100aに付着する。環状部材100の上面100aに付着したリンス液は、上面100aに沿って環状部材100の外周縁に向かって流れる。これにより、環状部材100を洗浄し、環状部材100に付着しているリンス液を除去することができる。 In the rinsing process (step S10), rinse liquid is supplied to both the upper and lower surfaces of the substrate W while the annular member 100 is laterally facing the spin base 21, i.e., while the annular member 100 is positioned sufficiently lower than the substrate W. As a result, at least a portion of the rinse liquid splashing from the upper and lower surfaces of the substrate W adheres to the upper surface 100a of the annular member 100. The rinse liquid adhering to the upper surface 100a of the annular member 100 flows along the upper surface 100a toward the outer periphery of the annular member 100. This allows the annular member 100 to be cleaned and the rinse liquid adhering to the annular member 100 to be removed.
上述したように、基板Wの下面から飛散するリンス液は、基板Wの上面から飛散するリンス液よりも、第1円筒部60よりも内側において、環状部材100に付着しやすい。そのため、基板Wの上面にリンス液を供給して環状部材100を洗浄する場合と比較して、環状部材100の内周縁を洗浄し易い。すなわち、基板Wの上面のみにリンス液を供給して環状部材100を洗浄する場合と比較して、環状部材100の全体を洗浄し易い。 As described above, the rinse liquid splashed from the underside of the substrate W is more likely to adhere to the annular member 100 inside the first cylindrical portion 60 than the rinse liquid splashed from the upper surface of the substrate W. Therefore, it is easier to clean the inner peripheral edge of the annular member 100 compared to when the rinse liquid is supplied to the upper surface of the substrate W to clean the annular member 100. In other words, it is easier to clean the entire annular member 100 compared to when the rinse liquid is supplied only to the upper surface of the substrate W to clean the annular member 100.
その後、ガード切換工程(ステップS4)が実行される。ガード切換工程(ステップS4)の後、スピンドライ工程(ステップS6)が実行される。上面リンス工程(ステップS5)が省略される。
変形例に係る基板処理によれば、基板Wの上面および下面を同時に洗浄することができる。そのため、薬液供給工程(ステップS2)の後に下面リンス工程(ステップS3)を実行し、ガード切換工程(ステップS4)の後に上面リンス工程(ステップS5)を実行する場合と比較して、基板処理に要する時間を短縮できる。
Thereafter, the guard switching step (step S4) is performed. After the guard switching step (step S4), the spin drying step (step S6) is performed. The upper surface rinsing step (step S5) is omitted.
According to the substrate processing of the modified example, it is possible to simultaneously clean the upper and lower surfaces of the substrate W. Therefore, the time required for substrate processing can be shortened compared to the case where the lower surface rinsing step (step S3) is performed after the chemical liquid supplying step (step S2) and the upper surface rinsing step (step S5) is performed after the guard switching step (step S4).
<変形例に係る環状部材>
以下では、第1変形例~第3変形例に係る環状部材100の構成について説明する。
図10Aは、第1変形例に係る環状部材100の斜視図である。図10Bは、第1変形例に係る環状部材100の平面図である。
第1変形例に係る環状部材100では、切り欠き104が、周方向CDに沿って24箇所に形成されている。周方向CDにおける仕切部105の幅W1が、周方向CDにおける切り欠き104の幅W2よりも短い。
<Annular member according to modified example>
The configurations of the annular member 100 according to the first to third modified examples will be described below.
Fig. 10A is a perspective view of an annular member 100 according to a first modified example. Fig. 10B is a plan view of the annular member 100 according to the first modified example.
In the annular member 100 according to the first modification, the notches 104 are formed at 24 locations along the circumferential direction CD. The width W1 of the partition portion 105 in the circumferential direction CD is smaller than the width W2 of the notch 104 in the circumferential direction CD.
切り欠き104が設けられている箇所は、6箇所または24箇所に限られず、環状部材100の外周縁の少なくとも1箇所に切り欠き104が設けられていればよい。また、切り欠き104が2箇所以上に設けられていれば、周方向CDにおける整流作用のむらを低減でき、かつ、環状部材100に沿って流れて環状部材100の外周部100bに達する薬液を、環状部材100よりも下方へ効率良く排出することができる。 The number of locations where the notches 104 are provided is not limited to six or 24; it is sufficient that the notches 104 are provided in at least one location on the outer periphery of the annular member 100. Furthermore, if the notches 104 are provided in two or more locations, unevenness in the flow regulation in the circumferential direction CD can be reduced, and the chemical liquid that flows along the annular member 100 and reaches the outer periphery 100b of the annular member 100 can be efficiently discharged below the annular member 100.
図10Aおよび図10Bに示す環状部材100は、図4Aおよび図4Bに示す環状部材100と比較して、平面視における切り欠き104の面積(開口面積)が大きい。図10Aおよび図10Bに示す環状部材100の排液効率は、図4Aおよび図4Bに示す環状部材100の排液効率よりも高い。そのため、図4Aおよび図4Bに示す環状部材100よりも、基板Wの周縁部へ跳ね返る処理液の量が少なく、ディフェクト等の基板不良の発生を一層低減できる。また、開口面積が大きいため、環状部材100の外周部100bに残存する処理液の量が少ない状態を維持できるため、パーティクル源(パーティクル溜まり)になりにくい。 The annular member 100 shown in Figures 10A and 10B has a larger area (opening area) of the notch 104 in plan view than the annular member 100 shown in Figures 4A and 4B. The drainage efficiency of the annular member 100 shown in Figures 10A and 10B is higher than that of the annular member 100 shown in Figures 4A and 4B. Therefore, less processing liquid splashes onto the peripheral edge of the substrate W than with the annular member 100 shown in Figures 4A and 4B, further reducing the occurrence of substrate defects and other problems. Furthermore, because the opening area is large, the amount of processing liquid remaining on the outer periphery 100b of the annular member 100 can be kept low, making it less likely to become a particle source (particle accumulation).
図11は、第2変形例に係る環状部材100の平面図である。図11に示すように、環状部材100の外周部100bには、複数の切り欠き104の代わりに、複数の貫通孔106が形成されていてもよい。貫通孔106が形成されている場合には、貫通孔106よりも外側には、貫通孔106の周縁部106aが存在する。そのため、図4Aおよび図4Bに示すように、切り欠き104が設けられている構成の方が、環状部材100の上面100aに薬液が溜まることを抑制できる。 Figure 11 is a plan view of an annular member 100 according to a second modified example. As shown in Figure 11, a plurality of through holes 106 may be formed in the outer peripheral portion 100b of the annular member 100 instead of a plurality of cutouts 104. When through holes 106 are formed, the peripheral portion 106a of the through holes 106 is located outside the through holes 106. Therefore, as shown in Figures 4A and 4B, a configuration with cutouts 104 can prevent the accumulation of chemical solution on the upper surface 100a of the annular member 100.
図12Aは、第3変形例に係る環状部材100の下面図である。図12Bは、第3変形例に係る環状部材100の要部の模式図である。図12Aおよび図12Bに示すように、環状部材100は、第1ガード25Aに対して着脱可能であってもよい。
具体的には、処理カップ8は、環状部材100を第1ガード25Aに対して締め付けることで締付部材120を含む。複数の締付部材120は、周方向CDに等間隔で配置されている。
Fig. 12A is a bottom view of the annular member 100 according to the third modified example. Fig. 12B is a schematic view of a main part of the annular member 100 according to the third modified example. As shown in Figs. 12A and 12B, the annular member 100 may be detachable from the first guard 25A.
Specifically, the processing cup 8 includes the fastening members 120 by fastening the annular member 100 to the first guard 25A. The multiple fastening members 120 are arranged at equal intervals in the circumferential direction CD.
締付部材120は、ボルト121と、ボルト軸部121aに取り付けられるナット122とを含む。ボルト頭部121bと第1円筒部60との間には、ワッシャ(図示せず)が設けられていてもよい。環状部材100は、下側傾斜部101の外周端から下方に向かって延び、締付部材120によって第1円筒部60に固定される複数の固定部107を含む。 The fastening member 120 includes a bolt 121 and a nut 122 attached to the bolt shank 121a. A washer (not shown) may be provided between the bolt head 121b and the first cylindrical portion 60. The annular member 100 includes a plurality of fixing portions 107 that extend downward from the outer circumferential end of the lower inclined portion 101 and are fixed to the first cylindrical portion 60 by the fastening member 120.
締付部材120は、固定部107と同数設けられている。固定部107は、仕切部105から下方に向かって延びている。固定部107は、全ての仕切部105に設けられている。固定部107は、必ずしも全ての仕切部105に設けられている必要はなく、第1ガード25Aに対して環状部材100を固定できるのであれば、固定部107の数は任意である。 The number of fastening members 120 provided is the same as the number of fixing portions 107. The fixing portions 107 extend downward from the partition portions 105. Fixing portions 107 are provided on all partition portions 105. Fixing portions 107 do not necessarily have to be provided on all partition portions 105; the number of fixing portions 107 can be any number as long as they can fix the annular member 100 to the first guard 25A.
環状部材100は、各固定部107に設けられ対応するナット122を収容する収容凹部108と、収容凹部108の底面でありナット122を載置する載置面108aと、載置面108aを貫通しボルト軸部121aが挿入される第1挿入孔108bとを有する。固定部107は、締付部材120と同数設けられる。ナット122は、回転しないように収容凹部108内に収容されている。 The annular member 100 has an accommodating recess 108 provided in each fixing portion 107 and accommodating a corresponding nut 122, a mounting surface 108a which forms the bottom of the accommodating recess 108 and on which the nut 122 is placed, and a first insertion hole 108b which passes through the mounting surface 108a and into which the bolt shank 121a is inserted. The number of fixing portions 107 is the same as the number of fastening members 120. The nuts 122 are accommodated in the accommodating recess 108 so as not to rotate.
第1円筒部60は、第1挿入孔108bと重なる位置に第1挿入孔108bと同数設けられ、ボルト軸部121aが挿入される第2挿入孔61aを有する。
ボルト頭部121bを締付方向に回転させることで、環状部材100を第1ガード25Aに固定する(取り付ける)ことができる。逆に、ボルト頭部121bを締付解除方向に回転させることで、第1ガード25Aに対する環状部材100の固定を解除することができる。複数の締付部材120による固定を全て解除することで、環状部材100を第1ガード25Aから取り外すことができる。
The first cylindrical portion 60 has second insertion holes 61a, the number of which is the same as that of the first insertion holes 108b, provided at positions overlapping with the first insertion holes 108b, and into which the bolt shanks 121a are inserted.
By rotating the bolt head 121b in the tightening direction, the annular member 100 can be fixed (attached) to the first guard 25A. Conversely, by rotating the bolt head 121b in the loosening direction, the annular member 100 can be released from the first guard 25A. By releasing all of the fastening members 120, the annular member 100 can be removed from the first guard 25A.
このように、環状部材100が第1ガード25Aに対して着脱可能であれば、基板処理の内容に応じて、基板処理に適した環状部材100に適宜取り換えることができる。具体的には、基板処理における排気流量によって、切り欠き104の大きさを変更したり、基板処理で用いられる薬液の種類によって、環状部材100の材質を変更したりすることができる。 In this way, if the annular member 100 is detachable from the first guard 25A, it can be replaced with an annular member 100 that is suitable for the substrate processing being performed. Specifically, the size of the notch 104 can be changed depending on the exhaust flow rate during substrate processing, and the material of the annular member 100 can be changed depending on the type of chemical used in substrate processing.
<第2実施形態に係る基板処理装置>
図13は、第2実施形態に係る基板処理装置1Aに備えられている処理ユニット2の構成を説明するための模式図である。図13において、前述の図1~図12Bに示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
第2実施形態に係る処理ユニット2が第1実施形態に係る処理ユニット2と主に異なる点は、第2実施形態に係る処理カップ8が、第2ガード25Bよりも外側に配置され、スピンチャック5を取り囲む筒状の第3ガード25Cと、第3ガード25Cによって下方に案内される処理液を受ける第3カップ26Cとをさらに含む点である。
<Substrate Processing Apparatus According to Second Embodiment>
13 is a schematic diagram for explaining the configuration of a processing unit 2 provided in a substrate processing apparatus 1A according to the second embodiment. In FIG. 13, components equivalent to those shown in the aforementioned FIGS. 1 to 12B are given the same reference numerals as in FIG. 1, and their description will be omitted.
The main difference between the processing unit 2 of the second embodiment and the processing unit 2 of the first embodiment is that the processing cup 8 of the second embodiment further includes a cylindrical third guard 25C that is positioned outside the second guard 25B and surrounds the spin chuck 5, and a third cup 26C that receives the processing liquid guided downward by the third guard 25C.
第3ガード25Cは、上下方向に延びスピンチャック5を取り囲む第3円筒部130と、第3円筒部130よりも内側(第3円筒部130の中心軸線側)に向かって第3円筒部130から張り出す第3環状部131とを含む。
第2ガード25Bは、第2円筒部70よりも外側に第2円筒部70から間隔を隔てて配置される第2外側円筒部72をさらに含む。第2円筒部70の上端部は、第2環状部71の外端部に連結されている。第2外側円筒部72の上端部は、第2円筒部70よりも内側に向かって延びており、第2円筒部70の上端部に連結されている。
The third guard 25C includes a third cylindrical portion 130 that extends in the vertical direction and surrounds the spin chuck 5, and a third annular portion 131 that extends from the third cylindrical portion 130 toward the inside of the third cylindrical portion 130 (toward the central axis of the third cylindrical portion 130).
The second guard 25B further includes a second outer cylindrical portion 72 disposed outwardly of and spaced apart from the second cylindrical portion 70. The upper end of the second cylindrical portion 70 is connected to the outer end of the second annular portion 71. The upper end of the second outer cylindrical portion 72 extends inwardly of the second cylindrical portion 70 and is connected to the upper end of the second cylindrical portion 70.
第3カップ26Cは、第3底壁135と、第3底壁135の内端部から上方に延びる筒状の第3内壁136と、第3底壁135の外端部から上方に延びる筒状の第3外壁137とを含む。第3カップ26Cは、第2ガード25Bと単一材料で一体的に形成されている。第3内壁136は、第2外側円筒部72と連結されている。
第2実施形態によれば、第1実施形態と同様の効果を奏する。第2実施形態においても、上述した各変形例(図8~図12B)を適用することができる。
The third cup 26C includes a third bottom wall 135, a cylindrical third inner wall 136 extending upward from the inner end of the third bottom wall 135, and a cylindrical third outer wall 137 extending upward from the outer end of the third bottom wall 135. The third cup 26C is integrally formed with the second guard 25B from a single material. The third inner wall 136 is connected to the second outer cylindrical portion 72.
According to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be achieved. The above-described modifications (FIGS. 8 to 12B) can also be applied to the second embodiment.
<その他の実施形態>
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
(1)たとえば、上述の各実施形態とは異なり、ガード25が複数設けられておらず、第1ガード25Aのみが設けられていてもよい。また、ガード25が4つ以上設けられていてもよい。カップ26は、ガード25と同数設けられる。
<Other embodiments>
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be embodied in other forms.
(1) For example, unlike the above-described embodiments, only the first guard 25A may be provided, instead of multiple guards 25. Furthermore, four or more guards 25 may be provided. The same number of cups 26 as the number of guards 25 may be provided.
(2)各ガード25の構成は、上述したものに限られない。たとえば、第1ガード25Aの第1円筒部60の直径は均一である必要はなく、上下方向に沿って直径が変化していてもよい。第1ガード25Aは、第1円筒部60よりも外側に向かって第1円筒部60から斜め上に延びる部分、または、第1円筒部60よりも内側に向かって第1円筒部60から斜め上に延びる部分を有していてもよい。また、第1ガード25Aには、第1垂下部82が設けられていなくてもよいし、第1水平部81が設けられていなくてもよい。他のガード25についても同様である。環状部材100にも、下側垂下部103が設けられていなくてもよいし、下側水平部102が設けられていなくてもよい。 (2) The configuration of each guard 25 is not limited to that described above. For example, the diameter of the first cylindrical portion 60 of the first guard 25A does not need to be uniform, and may vary in the vertical direction. The first guard 25A may have a portion that extends diagonally upward from the first cylindrical portion 60 toward the outside of the first cylindrical portion 60, or a portion that extends diagonally upward from the first cylindrical portion 60 toward the inside of the first cylindrical portion 60. Furthermore, the first guard 25A may not be provided with the first hanging portion 82 or the first horizontal portion 81. The same applies to the other guards 25. The annular member 100 may also not be provided with the lower hanging portion 103 or the lower horizontal portion 102.
(3)上述の各実施形態では、スピンチャック5は、基板Wの周縁を複数の把持ピン20で把持する把持式のスピンチャック5であるが、スピンチャック5は把持式のスピンチャック5に限られない。たとえば、スピンチャック5は、スピンベース21に基板Wを吸着させる真空吸着式のスピンチャック5であってもよい。また、基板保持部材は、必ずしも基板Wを回転させる必要はなく、基板Wを処理姿勢(たとえば、水平姿勢)に保持するように構成されていればよい。 (3) In each of the above-described embodiments, the spin chuck 5 is a gripping-type spin chuck 5 that grips the periphery of the substrate W with multiple gripping pins 20, but the spin chuck 5 is not limited to a gripping-type spin chuck 5. For example, the spin chuck 5 may be a vacuum suction-type spin chuck 5 that adsorbs the substrate W to the spin base 21. Furthermore, the substrate holding member does not necessarily need to rotate the substrate W, as long as it is configured to hold the substrate W in a processing position (for example, a horizontal position).
(4)上述の各実施形態では、第1ガード25Aが上位置に位置するとき、環状部材100の内周縁は、スピンベース21に側方から対向する。しかしながら、第1ガード25Aが上位置に位置するとき、環状部材100の内周縁は、スピンベース21の上面21aよりも上方に位置していてもよい。たとえば、第1ガード25Aが上位置に位置するとき、環状部材100の内周縁は、基板Wの上面と同じ高さに位置してもよいし、基板Wの上面とスピンベース21との間の高さに位置していてもよい。 (4) In each of the above-described embodiments, when the first guard 25A is in the upper position, the inner peripheral edge of the annular member 100 faces the spin base 21 from the side. However, when the first guard 25A is in the upper position, the inner peripheral edge of the annular member 100 may be located higher than the upper surface 21a of the spin base 21. For example, when the first guard 25A is in the upper position, the inner peripheral edge of the annular member 100 may be located at the same height as the upper surface of the substrate W, or at a height between the upper surface of the substrate W and the spin base 21.
(5)上述の各実施形態では、複数のノズルから処理液が吐出されるように構成されている。しかしながら、上述の実施形態とは異なり、水平方向における位置が固定された固定ノズルから基板Wの上面に向けて処理液が吐出されてもよいし、単一のノズルから複数の処理液が吐出されるように構成されていてもよい。また、薬液供給部材、上面リンス液供給部材、および、下面リンス液供給部材は、ノズルの形態を有している必要はなく、液体を吐出する吐出口が設けられた部材であれば、ノズルとは異なる形態であってもよい。 (5) In each of the above-described embodiments, the processing liquid is configured to be ejected from multiple nozzles. However, unlike the above-described embodiments, the processing liquid may be ejected toward the upper surface of the substrate W from a fixed nozzle whose position in the horizontal direction is fixed, or multiple processing liquids may be ejected from a single nozzle. Furthermore, the chemical liquid supply member, upper surface rinse liquid supply member, and lower surface rinse liquid supply member do not need to have the form of a nozzle, and may be configured in a form other than a nozzle as long as they are members provided with an ejection port for ejecting liquid.
(6)また、上述の各実施形態とは異なり、基板Wの下面に薬液を供給する下面薬液ノズルが設けられていてもよく、基板処理において基板Wの下面が薬液によって処理されてもよい。下面薬液ノズルは薬液供給ユニットの一例である。薬液ノズル30(上面薬液ノズル)および下面薬液ノズルの両方が設けられていてもよく、この場合、上面薬液ノズルおよび下面薬液ノズルによって薬液供給ユニットが構成される。 (6) Also, unlike the above-described embodiments, a lower chemical nozzle may be provided to supply chemical liquid to the lower surface of the substrate W, and the lower surface of the substrate W may be treated with chemical liquid during substrate processing. The lower chemical nozzle is an example of a chemical liquid supply unit. Both the chemical liquid nozzle 30 (upper chemical liquid nozzle) and the lower chemical liquid nozzle may be provided, in which case the upper chemical liquid nozzle and the lower chemical liquid nozzle constitute a chemical liquid supply unit.
(7)また、基板処理は、図6および図8に示したものに限られない。たとえば、図6の基板処理から下面リンス工程が省略されてもよい。薬液ノズル30の代わりに下面薬液ノズルが設けられている場合には、薬液供給工程において、基板Wの下面に薬液が供給される。
(8)上述の各実施形態とは異なり、基板Wの上面に上方から対向し、平面視で基板Wと同等の大きさの円形状を有する遮断板(図示せず)が設けられていてもよい。遮断板は、基板Wの上面に近接する近接位置に配置されることで、基板Wの上面と遮断板との間への気流の流入を抑制する。
(7) Furthermore, the substrate processing is not limited to those shown in Figures 6 and 8. For example, the lower surface rinsing step may be omitted from the substrate processing of Figure 6. If a lower surface chemical nozzle is provided instead of the chemical nozzle 30, the chemical solution is supplied to the lower surface of the substrate W in the chemical solution supplying step.
(8) Unlike the above-described embodiments, a shielding plate (not shown) may be provided that faces the upper surface of the substrate W from above and has a circular shape that is the same size as the substrate W in a plan view. The shielding plate is disposed in a position close to the upper surface of the substrate W, thereby suppressing the inflow of airflow between the upper surface of the substrate W and the shielding plate.
(9)上述の各実施形態では、コントローラ3が基板処理装置1の全体を制御する。しかしながら、基板処理装置1の各部材を制御するコントローラは、複数箇所に分散されていてもよい。
(10)また、上述の実施形態では、基板処理装置1,1Aが、搬送ロボット(第1搬送ロボットIRおよび第2搬送ロボットCR)と、複数の処理ユニット2と、コントローラ3とを備えている。しかしながら、基板処理装置1,1Aは、単一の処理ユニット2とコントローラ3とによって構成されており、搬送ロボットを含んでいなくてもよい。あるいは、基板処理装置1,1Aは、単一の処理ユニット2のみによって構成されていてもよい。言い換えると、処理ユニット2が基板処理装置の一例であってもよい。
(9) In each of the above-described embodiments, the controller 3 controls the entire substrate processing apparatus 1. However, the controllers that control the components of the substrate processing apparatus 1 may be distributed across multiple locations.
(10) In the above-described embodiments, the substrate processing apparatus 1, 1A includes transport robots (first transport robot IR and second transport robot CR), multiple processing units 2, and a controller 3. However, the substrate processing apparatus 1, 1A may be configured with a single processing unit 2 and a controller 3 and may not include a transport robot. Alternatively, the substrate processing apparatus 1, 1A may be configured with only a single processing unit 2. In other words, the processing unit 2 may be an example of the substrate processing apparatus.
(11)なお、上述の実施形態では、「沿う」、「水平」、「鉛直」、「円筒」といった表現を用いたが、厳密に「沿う」、「水平」、「鉛直」、「円筒」であることを要しない。すなわち、これらの各表現は、製造精度、設置精度等のずれを許容するものである。
(12)また、各構成を模式的にブロックで示している場合があるが、各ブロックの形状、大きさおよび位置関係は、各構成の形状、大きさおよび位置関係を示すものではない。
(11) In the above embodiment, expressions such as "along,""horizontal,""vertical," and "cylindrical" are used, but they do not necessarily have to be "along,""horizontal,""vertical," and "cylindrical" in a strict sense. In other words, these expressions allow for deviations in manufacturing precision, installation precision, and the like.
(12) Although each component may be shown as a schematic block, the shape, size, and positional relationship of each block do not represent the shape, size, and positional relationship of each component.
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。 Various other modifications may be made within the scope of the claims.
1 :基板処理装置
1A :基板処理装置
5 :スピンチャック(基板保持部材)
20 :把持ピン
21 :スピンベース(ベース)
25A :第1ガード
25B :第2ガード
25C :第3ガード
28A :第1ガード駆動機構(ガード駆動機構)
30 :薬液ノズル(薬液供給ユニット、上面薬液供給部材)
31 :上面リンス液ノズル
32 :下面リンス液ノズル(下面リンス液供給部材)
38 :排出配管
60 :第1円筒部(円筒部)
61 :第1環状部(環状部)
100 :環状部材
100b :外周部
104 :切り欠き(通過許容部)
106 :貫通孔(通過許容部)
110 :上方空間(環状部材および環状部の間の空間)
W :基板
1: Substrate processing apparatus 1A: Substrate processing apparatus 5: Spin chuck (substrate holding member)
20: Grip pin 21: Spin base (base)
25A: First guard 25B: Second guard 25C: Third guard 28A: First guard drive mechanism (guard drive mechanism)
30: Chemical nozzle (chemical supply unit, upper chemical supply member)
31: Upper surface rinse liquid nozzle 32: Lower surface rinse liquid nozzle (lower surface rinse liquid supply member)
38: Discharge pipe 60: First cylindrical portion (cylindrical portion)
61: First annular portion (annular portion)
100: Annular member 100b: Outer periphery 104: Notch (passage permitting portion)
106: Through hole (passage allowance portion)
110: Upper space (space between the annular member and the annular portion)
W: substrate
Claims (12)
前記基板保持部材に保持されている基板に薬液を供給する薬液供給ユニットと、
前記基板保持部材を取り囲む筒状の第1ガードであって、円筒部、および、前記円筒部よりも内側に向かって前記円筒部から張り出す環状部を有する第1ガードと、
前記環状部よりも下方において、前記円筒部よりも内側に向かって前記円筒部から斜め上に張り出す環状部材であって、前記第1ガードに対して着脱可能な環状部材と、
前記環状部材を前記円筒部に対して固定する締付部材とを含み、
前記環状部材は、前記締付部材によって前記円筒部に固定される固定部を含み、
前記環状部材が、前記環状部材よりも上方から前記環状部材よりも下方への流体の通過を許容する少なくとも1つの通過許容部を前記環状部材の外周部に有し、
前記締付部材は、前記環状部材を前記第1ガードに固定可能であり、かつ前記第1ガードに対する前記環状部材の固定を解除可能である、基板処理装置。 a substrate holding member that holds the substrate horizontally;
a chemical liquid supply unit that supplies a chemical liquid to the substrate held by the substrate holding member;
a cylindrical first guard surrounding the substrate holding member, the first guard having a cylindrical portion and an annular portion extending inward from the cylindrical portion;
an annular member that is below the annular portion and extends obliquely upward from the cylindrical portion toward the inside of the cylindrical portion , the annular member being detachable from the first guard ;
a fastening member that fixes the annular member to the cylindrical portion ,
the annular member includes a fixing portion fixed to the cylindrical portion by the fastening member,
the annular member has at least one passage allowing portion on an outer circumferential portion of the annular member that allows a fluid to pass from above the annular member to below the annular member,
The fastening member is capable of fixing the annular member to the first guard and releasing the fixing of the annular member to the first guard .
前記環状部の内周縁が前記基板保持部材に保持されている基板の上面よりも下方に位置する下位置、および、前記環状部の内周縁が前記基板保持部材に保持されている基板の上面よりも上方に位置する上位置の間で、前記環状部材とともに前記第1ガードを昇降させるガード駆動機構をさらに含み、
前記環状部材の内周縁は、前記第1ガードが前記上位置に位置するときに、前記基板保持部材に保持されている基板の上面よりも下方に位置する、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 the chemical solution supply unit includes an upper surface chemical solution supply member that supplies a chemical solution to an upper surface of the substrate held by the substrate holding member,
a guard drive mechanism that raises and lowers the first guard together with the annular member between a lower position where an inner peripheral edge of the annular portion is positioned below an upper surface of the substrate held by the substrate holding member and an upper position where the inner peripheral edge of the annular portion is positioned above an upper surface of the substrate held by the substrate holding member,
7. The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein an inner peripheral edge of the annular member is positioned below an upper surface of the substrate held by the substrate holding member when the first guard is positioned at the upper position.
前記環状部材の内周縁は、前記第1ガードが前記上位置に位置するときに、前記ベースに側方から対向する、請求項7に記載の基板処理装置。 the substrate holding member includes a disk-shaped base and a plurality of gripping pins that grip a peripheral edge portion of the substrate above the base,
The substrate processing apparatus according to claim 7 , wherein an inner peripheral edge of the annular member laterally faces the base when the first guard is located at the upper position.
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| JP2020061405A (en) | 2018-10-05 | 2020-04-16 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
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