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JP7721366B2 - Conductive substrate manufacturing method and conductive substrate - Google Patents
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JP7721366B2 - Conductive substrate manufacturing method and conductive substrate - Google Patents

Conductive substrate manufacturing method and conductive substrate

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JP7721366B2 JP2021140159A JP2021140159A JP7721366B2 JP 7721366 B2 JP7721366 B2 JP 7721366B2 JP 2021140159 A JP2021140159 A JP 2021140159A JP 2021140159 A JP2021140159 A JP 2021140159A JP 7721366 B2 JP7721366 B2 JP 7721366B2
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Description

本発明は、タッチセンサー、又はタッチパネル等に利用される導電性基板の製造方法及び導電性基板に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a conductive substrate used in touch sensors, touch panels, etc., and to the conductive substrate.

現在、タブレット型コンピュータ及びスマートフォン等の携帯情報機器を始めとした各種の電子機器において、液晶表示装置等の表示装置と組み合わせて用いられ、指、スタイラスペン等を画面に接触又は近接させることにより電子機器への入力操作を行うタッチパネルがある。タッチパネルは、タッチを検出する検出電極と、検出電極に電気的に接続される接続配線とを備えるタッチセンサーを有する。
ここで、タッチセンサーにおいては、タッチ応答速度、消費電力の見地から電極の低抵抗化が必須であり、この低抵抗化の技術として電極を網目状の導線パターンで形成する方法が知られている。
取出し配線は、検出電極からの電気信号を取り出し、検出電極の周囲を取り回し、外部配線、例えば、FPC(フレキシブルプリント基板)と接続する位置まで配置される。外部配線との接続部分で、外部配線と取出し配線とが電気的に接続され、外部配線を通じてタッチセンサーをコントロールするIC(integrated circuit)に接続される。これにより、タッチセンサーが駆動可能となる。なお、検出電極への電気信号の入出力のために、取出し配線に外部配線との接続部を設ける必要がある。
Currently, in various electronic devices, including portable information devices such as tablet computers and smartphones, there are touch panels that are used in combination with display devices such as liquid crystal display devices, and input operations into the electronic device are performed by touching or bringing a finger, stylus pen, etc. into contact with or close to the screen. The touch panel has a touch sensor that includes detection electrodes that detect touch and connection wiring that is electrically connected to the detection electrodes.
Here, in a touch sensor, low resistance of the electrodes is essential from the standpoint of touch response speed and power consumption, and a method of forming the electrodes with a mesh-like conductor pattern is known as a technique for achieving this low resistance.
The output wiring extracts electrical signals from the detection electrodes, runs around the detection electrodes, and is arranged up to a position where it connects to external wiring, for example, an FPC (flexible printed circuit). The external wiring and the output wiring are electrically connected at the connection portion, and are connected to an IC (integrated circuit) that controls the touch sensor through the external wiring. This enables the touch sensor to be driven. Note that a connection portion with the external wiring is required for the output wiring to input and output electrical signals to the detection electrodes.

上述の検出電極、及び取出し配線は、例えば、特許文献1のように、支持体上に銀塩乳剤を含有する乳剤層を有する感光材料を露光し、現像処理することにより金属銀を形成した後、平滑化処理することにより形成される。
また、検出電極、及び取出し配線は、例えば、1つの露光マスクでパターニングすることにより、位置合わせ精度良く一括形成されている。
The above-mentioned detection electrodes and extraction wiring are formed, for example, as disclosed in Patent Document 1, by exposing a photosensitive material having an emulsion layer containing a silver salt emulsion on a support, developing the material to form metallic silver, and then smoothing the silver.
Furthermore, the detection electrodes and the extraction wiring are formed collectively with high alignment accuracy by, for example, patterning using a single exposure mask.

特開2007-129205号公報JP 2007-129205 A

近年、タッチパネルの高画質化のため、網目状の金属線の細線化が進んでいるが、金属線が細線、特に線幅が3μm以下では、耐傷性の観点から、金属線上に保護層を設置することが好ましい。一方、上述の外部配線との接続部では、接触抵抗を低減する観点から保護層を厚くできない制約がある。このため、耐傷性が必要な金属細線部では、パターン形成後に別途保護層をパターン印刷する等が必要であり、製造工程の工程数が多くなる。現状では、製造工程を簡素化することが課題となっている。 In recent years, mesh-like metal wires have become thinner in order to improve the image quality of touch panels. However, when the metal wires are thin, especially when the wire width is 3 μm or less, it is preferable to place a protective layer on the metal wire from the perspective of scratch resistance. However, at the connection points with the above-mentioned external wiring, there is a restriction that the protective layer cannot be made thick in order to reduce contact resistance. For this reason, in the case of thin metal wire parts that require scratch resistance, it is necessary to print a separate protective layer pattern after pattern formation, which increases the number of steps in the manufacturing process. Currently, simplifying the manufacturing process is an issue.

本発明の目的は、耐傷性に優れる銀配線部と、外部端子との接続性に優れる銀配線部とを有する導電性基板を簡便に製造することができる導電性基板の製造方法及び導電性基板を提供することにある。 The object of the present invention is to provide a method for easily producing a conductive substrate having a silver wiring portion with excellent scratch resistance and a silver wiring portion with excellent connectivity to external terminals, and to provide the conductive substrate.

上述の目的を達成するために、本発明の一態様は、支持体と、ハロゲン化銀を含む第1ハロゲン化銀含有層と、第1ハロゲン化銀含有層よりも感度が低い、ハロゲン化銀を含む第2ハロゲン化銀含有層と、をこの順で有する積層体を作製する工程と、積層体に対して、積算露光量が異なる領域があるように露光して、現像して、銀配線を形成する工程とを有する、導電性基板の製造方法を提供するものである。 In order to achieve the above-mentioned object, one aspect of the present invention provides a method for manufacturing a conductive substrate, comprising the steps of: preparing a laminate having, in this order, a support, a first silver halide-containing layer containing silver halide, and a second silver halide-containing layer having a lower sensitivity than the first silver halide-containing layer; and exposing the laminate so that there are regions with different cumulative exposure amounts, and developing the laminate to form silver wiring.

第2ハロゲン化銀含有層が含有するハロゲン化銀の平均粒子径が、250nm以下であることが好ましい。
第2ハロゲン化銀含有層の厚みは、0.4~3.2μmであることが好ましい。
積層体を作製する工程は、支持体の両面に、それぞれクロスオーバーカット層、第1ハロゲン化銀含有層、及び第2ハロゲン化銀含有層をこの順に形成する工程を有し、銀配線を形成する工程は、積層体に対して、支持体の両面において、積算露光量が異なる領域があるように露光して現像する工程を有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の導電性基板の製造方法ことが好ましい。
The average grain size of the silver halide contained in the second silver halide-containing layer is preferably 250 nm or less.
The thickness of the second silver halide-containing layer is preferably 0.4 to 3.2 μm.
Preferably, the method for producing a conductive substrate according to any one of claims 1 to 3 includes a step of forming a crossover cut layer, a first silver halide-containing layer, and a second silver halide-containing layer in this order on both surfaces of a support, and a step of forming silver wiring includes a step of exposing and developing the laminate so that there are regions with different cumulative exposure amounts on both surfaces of the support.

本発明の一態様は、支持体と、支持体の両面のうち、少なくとも一方の面上に配置された、第1銀線部と、第2銀線部と、第1銀線部及び第2銀線部を覆うように配置された樹脂層と、第1銀線部上の樹脂層の厚みが、第2銀線部上の樹脂層の厚みよりも厚く、第1銀線部の厚みが、第2銀線部の厚みよりも薄い、導電性基板を提供するものである。
支持体の両面に、それぞれ第1銀線部と、第2銀線部とが配置され、第1銀線部及び第2銀線部を覆うように樹脂層が配置されており、第1銀線部上の樹脂層の厚みが、第2銀線部上の樹脂層の厚みよりも厚く、第1銀線部の厚みが、第2銀線部の厚みよりも薄いことが好ましい。
第1銀線部上の樹脂層の厚みは、第2銀線部上の樹脂層の厚みの1.5倍以上であることが好ましい。
第2銀線部上の樹脂層の厚みは、0.2μm以下であることが好ましい。
第1銀線部のシート抵抗が50Ω/sq以下であることが好ましい。
One aspect of the present invention provides a conductive substrate comprising a support, a first silver wire portion and a second silver wire portion arranged on at least one of both surfaces of the support, and a resin layer arranged to cover the first silver wire portion and the second silver wire portion, wherein the thickness of the resin layer on the first silver wire portion is thicker than the thickness of the resin layer on the second silver wire portion, and the thickness of the first silver wire portion is thinner than the thickness of the second silver wire portion.
A first silver wire portion and a second silver wire portion are arranged on both sides of the support, respectively, and a resin layer is arranged to cover the first silver wire portion and the second silver wire portion, and it is preferable that the thickness of the resin layer on the first silver wire portion is thicker than the thickness of the resin layer on the second silver wire portion and the thickness of the first silver wire portion is thinner than the thickness of the second silver wire portion.
The thickness of the resin layer on the first silver wire portion is preferably 1.5 times or more the thickness of the resin layer on the second silver wire portion.
The thickness of the resin layer on the second silver wire portion is preferably 0.2 μm or less.
The sheet resistance of the first silver wire portion is preferably 50 Ω/sq or less.

本発明によれば、耐傷性に優れる銀配線部と、外部端子との接続性に優れる銀配線部とを有する導電性基板を簡便に製造することができる導電性基板の製造方法及び導電性基板を提供できる。 The present invention provides a method for easily producing a conductive substrate having a silver wiring portion with excellent scratch resistance and a silver wiring portion with excellent connectivity to external terminals, as well as a conductive substrate.

本発明の実施形態の導電性基板を有する画像表示装置の第1の例を示す模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a first example of an image display device having a conductive substrate according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の導電性基板をタッチセンサーに用いた一例を示す模式的平面図である。1 is a schematic plan view showing an example in which a conductive substrate according to an embodiment of the present invention is used in a touch sensor. 本発明の実施形態の導電性基板の一例を示す模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a conductive substrate according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の導電性基板をタッチセンサーに用いた際の電極構成を示す模式図である。1 is a schematic diagram showing an electrode configuration when a conductive substrate according to an embodiment of the present invention is used in a touch sensor. 本発明の実施形態の導電性基板のメッシュパターンの形状の一例を示す模式図である。1 is a schematic diagram showing an example of the shape of a mesh pattern of a conductive substrate according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の導電性基板の製造方法の一工程を示す模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing one step of a method for producing a conductive substrate according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の導電性基板の製造方法の一工程を示す模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing one step of a method for producing a conductive substrate according to an embodiment of the present invention.

以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の導電性基板の製造方法及び導電性基板を詳細に説明する。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「~」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値εα~数値εβとは、εの範囲は数値εαと数値εαを含む範囲であり、数学記号で示せばεα≦ε≦εαである。
「平行」、及び「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
Hereinafter, a method for manufacturing a conductive substrate and the conductive substrate of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
It should be noted that the drawings described below are illustrative for explaining the present invention, and the present invention is not limited to the drawings shown below.
In the following, the term "to" indicating a range of values includes the values written on both sides. For example, if ε is a value εα to a value εβ , the range of ε includes values εα and εα , and expressed in mathematical notation as εα ≦ε≦ εα .
Unless otherwise specified, angles such as "parallel" and "perpendicular" include a generally acceptable error range in the relevant technical field.

透明とは、特に断りがなければ、光透過率が、波長380~780nmの可視光波長域において、40%以上のことであり、好ましくは80%以上、より好ましくは90%以上のことである。
光透過率は、JIS(日本産業規格) K 7375:2008に規定される「プラスチック-全光線透過率及び全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。
また、絶縁とは、特に断りがなければ、電気的な絶縁を意味する。絶縁基板は、電気絶縁性を有する基板であり、使用する用途に応じた電気抵抗を有する。例えば、絶縁基板の両面に導電線が形成された場合、両面に形成された導電線同士は導通しない。
Unless otherwise specified, the term "transparent" means that the light transmittance in the visible light wavelength range of 380 to 780 nm is 40% or more, preferably 80% or more, and more preferably 90% or more.
The light transmittance is measured using "Plastics - Determination of total light transmittance and total light reflectance" as defined in JIS (Japanese Industrial Standards) K 7375:2008.
Unless otherwise specified, the term "insulation" refers to electrical insulation. An insulating substrate is a substrate that has electrical insulation properties and has electrical resistance according to the intended use. For example, when conductive lines are formed on both sides of an insulating substrate, the conductive lines formed on both sides are not electrically connected to each other.

(導電性基板)
導電性基板は、例えば、タッチパネルにおいてタッチセンサーとして用いられる。導電性基板をタッチセンサーに用いる場合、導電性基板の構成は、タッチセンサーとして機能するものであれば、その構成は、特に限定されるものではない。例えば、導電性基板は、支持体の少なくとも一方の面に、導電層により構成された検出部と、一端が検出部に電気的に接続され、他端が外部接続端子に接続された周辺配線とを有する。導電性基板では、支持体の表面及び裏面に、それぞれ検出部及び周辺配線が設けられている。なお、周辺配線を取出し配線ともいう。以下、導電性基板が用いられた画像表示装置について説明する。
(Conductive substrate)
Conductive substrates are used, for example, as touch sensors in touch panels. When a conductive substrate is used for a touch sensor, the configuration of the conductive substrate is not particularly limited as long as it functions as a touch sensor. For example, the conductive substrate has, on at least one surface of a support, a detection unit formed of a conductive layer and peripheral wiring, one end of which is electrically connected to the detection unit and the other end of which is connected to an external connection terminal. In the conductive substrate, a detection unit and peripheral wiring are provided on the front and back surfaces of the support, respectively. The peripheral wiring is also referred to as an extraction wiring. Below, an image display device using a conductive substrate will be described.

(画像表示装置)
図1は本発明の実施形態の導電性基板を有する画像表示装置の第1の例を示す模式的断面図である。
図1に示す第1例の画像表示装置10は、タッチパネル12と、画像表示部14とを有し、画像表示部14の表示面14a側にタッチパネル12が積層されたものである。画像表示装置10は、画像表示部14に表示された画像等の領域にタッチしたことを検出することができる。
画像表示装置10では、タッチパネル12と画像表示部14とが積層されている。タッチパネル12は、導電性基板18の保護層28上にカバー層16が設けられている。例えば、カバー層16の表面16a側から見た場合、画像表示部14は導電性基板18よりも小さい。
画像表示装置10では、画像表示部14の表示面14aに表示された表示物(図示せず)が視認できるように画像表示部14の表示面14a側に配置される導電性基板18、及びカバー層16は透明であることが好ましい。
(Image display device)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a first example of an image display device having a conductive substrate according to an embodiment of the present invention.
1 includes a touch panel 12 and an image display unit 14, with the touch panel 12 stacked on the display surface 14a side of the image display unit 14. The image display device 10 can detect a touch on an area of an image or the like displayed on the image display unit 14.
In the image display device 10, a touch panel 12 and an image display unit 14 are stacked. The touch panel 12 has a cover layer 16 provided on a protective layer 28 of a conductive substrate 18. For example, when viewed from the surface 16a side of the cover layer 16, the image display unit 14 is smaller than the conductive substrate 18.
In the image display device 10, it is preferable that the conductive substrate 18 and the cover layer 16, which are arranged on the display surface 14a side of the image display unit 14, are transparent so that the display object (not shown) displayed on the display surface 14a of the image display unit 14 can be seen.

図1に示す画像表示装置10の導電性基板18は、支持体24の両方の面、それぞれに第1検出電極層29Aと第2検出電極層29Bとが設けられている。支持体24の表面24a上と裏面24b上とに、それぞれ下塗り層25aが設けられている。表面24a側の下塗り層25a上にアンチハレーション層25bが設けられている。表面24a側のアンチハレーション層25b上に第2検出電極層29Bが設けられ、裏面24b側のアンチハレーション層25b上に第1検出電極層29Aが設けられている。支持体24は、電気的に絶縁性を有するものであり、支持体24により第1検出電極層29Aと第2検出電極層29Bとが電気的に絶縁される。すなわち、第1検出電極30と第2検出電極32とが、支持体24により電気的に絶縁される。 The conductive substrate 18 of the image display device 10 shown in FIG. 1 has a first detection electrode layer 29A and a second detection electrode layer 29B provided on each of the two surfaces of the support 24. An undercoat layer 25a is provided on each of the front surface 24a and back surface 24b of the support 24. An antihalation layer 25b is provided on the undercoat layer 25a on the front surface 24a side. A second detection electrode layer 29B is provided on the antihalation layer 25b on the front surface 24a side, and a first detection electrode layer 29A is provided on the antihalation layer 25b on the back surface 24b side. The support 24 is electrically insulating, and the first detection electrode layer 29A and the second detection electrode layer 29B are electrically insulated by the support 24. In other words, the first detection electrode 30 and the second detection electrode 32 are electrically insulated by the support 24.

画像表示装置10では、支持体24の表面24a側のアンチハレーション層25b上に第2検出電極層29Bを覆う樹脂層27が設けられており、樹脂層27上に保護層28が設けられている。保護層28上にカバー層16が設けられている。
第1検出電極層29Aを覆う樹脂層27が設けられている。保護層28に表示面14aを向けて画像表示部14が接続されている。樹脂層27及び保護層28は後述する。第1検出電極層29Aを構成する第1の金属細線及び第2検出電極層29Bを構成する第2の金属細線は、いずれも後述の図3の銀配線35で構成される。
In the image display device 10, a resin layer 27 that covers the second detection electrode layer 29B is provided on the antihalation layer 25b on the surface 24a side of the support 24, and a protective layer 28 is provided on the resin layer 27. A cover layer 16 is provided on the protective layer 28.
A resin layer 27 is provided to cover the first detection electrode layer 29A. The image display unit 14 is connected with the display surface 14a facing the protective layer 28. The resin layer 27 and the protective layer 28 will be described later. The first thin metal wires constituting the first detection electrode layer 29A and the second thin metal wires constituting the second detection electrode layer 29B are both formed of silver wiring 35 shown in FIG. 3 to be described later.

カバー層16は、ガラスで構成されていれば、カバーガラスと呼ばれる。
カバー層16の表面16aが、画像表示装置10のタッチ面であり、操作面となる。画像表示装置10は、カバー層16の表面16aを操作面として入力操作される。なお、タッチ面とは、指又はスタイラスペン等が接触する面である。カバー層16の表面16aが、画像表示部14の表示面14aに表示された表示物(図示せず)の視認面となる。
画像表示部14の裏面14bにコントローラ13が設けられている。導電性基板18とコントローラ13とが、例えば、フレキシブル回路基板19等の可撓性を有する配線部材で電気的に接続されている。フレキシブル回路基板19は外部配線である。
If the cover layer 16 is made of glass, it is called a cover glass.
The surface 16a of the cover layer 16 is the touch surface and operation surface of the image display device 10. The image display device 10 is operated by inputting data using the surface 16a of the cover layer 16 as the operation surface. The touch surface is a surface that comes into contact with a finger, a stylus pen, or the like. The surface 16a of the cover layer 16 is the viewing surface for an object (not shown) displayed on the display surface 14a of the image display unit 14.
The controller 13 is provided on the rear surface 14b of the image display unit 14. The conductive substrate 18 and the controller 13 are electrically connected by a flexible wiring member such as a flexible circuit board 19. The flexible circuit board 19 is an external wiring.

カバー層16の裏面16bに、遮光機能を有する加飾層(図示せず)を設けてもよい。加飾層は、例えば、カバー層16の表面16a側から見た場合における、カバー層16の外縁に沿って設けられる。加飾層が設けられている領域は額縁部と呼ばれる。額縁部は加飾層により、その下側にある構成物、例えば、後述する導電性基板18の電極端子及び周辺配線を視認させない。 A decorative layer (not shown) with a light-blocking function may be provided on the back surface 16b of the cover layer 16. The decorative layer is provided, for example, along the outer edge of the cover layer 16 when viewed from the front surface 16a side of the cover layer 16. The area where the decorative layer is provided is called the frame portion. The decorative layer prevents the components below the frame portion, such as the electrode terminals and peripheral wiring of the conductive substrate 18 described below, from being visible.

コントローラ13はタッチ面であるカバー層16の表面16aの指等の接触の検出に利用される公知のものにより構成される。タッチパネル12が静電容量方式の場合、タッチ面であるカバー層16の表面16aの指等の接触により、導電性基板18において静電容量が変化した位置がコントローラ13で検出される。静電容量方式のタッチパネルには、相互容量方式のタッチパネル及び自己容量方式のタッチパネルがあるが、特に限定されるものではない。 The controller 13 is configured using known devices used to detect contact of a finger or the like with the surface 16a of the cover layer 16, which serves as the touch surface. If the touch panel 12 is of the capacitance type, the controller 13 detects the position where the capacitance changes on the conductive substrate 18 due to contact of a finger or the like with the surface 16a of the cover layer 16, which serves as the touch surface. Capacitive touch panels include mutual capacitance touch panels and self-capacitance touch panels, but are not limited to these.

カバー層16は、導電性基板18を保護するものである。カバー層16は、その構成は、特に限定されるものではない。カバー層16は、画像表示部14の表示面14aに表示された表示物(図示せず)が視認できるように透明であることが好ましい。カバー層16は、例えば、ガラス板、化学強化ガラス、及び無アルカリガラス等で構成される。カバー層16の厚みはそれぞれの用途に応じて適宜選択することが好ましい。カバー層16は、ガラス板以外に、プラスチックフィルム及びプラスチック板等が用いられる。
上述のプラスチックフィルム及びプラスチック板の原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル類;ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリスチレン、EVA(酢酸ビニル共重合ポリエチレン)等のポリオレフィン樹脂;ビニル系樹脂;その他、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、(メタ)アクリル樹脂、トリアセチルセルロース(TAC)、シクロオレフィン系樹脂(COP)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリアリレート(PAR)、ポリエーテルサルホン(PES)、フルオレン誘導体、及び、結晶性COP等を用いることができる。
なお、(メタ)アクリル樹脂とは、アクリル樹脂とメタクリル樹脂とを含む総称である。
また、カバー層16は、偏光板、又は円偏光板等を有する構成でもよい。
カバー層16の表面16aは、上述のようにタッチ面となるため、必要に応じて表面16aにハードコート層を設けてもよい。なお、カバー層16の厚みとしては、例えば、0.1~1.3mmであり、特に0.1~0.7mmが好ましい。
The cover layer 16 protects the conductive substrate 18. The configuration of the cover layer 16 is not particularly limited. The cover layer 16 is preferably transparent so that the display (not shown) displayed on the display surface 14a of the image display unit 14 can be seen. The cover layer 16 is made of, for example, a glass plate, chemically strengthened glass, alkali-free glass, or the like. The thickness of the cover layer 16 is preferably selected appropriately depending on the application. In addition to a glass plate, a plastic film, a plastic plate, or the like is used as the cover layer 16.
Examples of raw materials for the above-mentioned plastic films and plastic plates include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN); polyolefin resins such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), polystyrene, and EVA (polyethylene vinyl acetate copolymer); vinyl resins; and others, such as polycarbonate (PC) resin, polyamide resin, polyimide resin, (meth)acrylic resin, triacetyl cellulose (TAC), cycloolefin resin (COP), polyvinylidene fluoride (PVDF), polyarylate (PAR), polyethersulfone (PES), fluorene derivatives, and crystalline COP.
The (meth)acrylic resin is a general term including acrylic resin and methacrylic resin.
The cover layer 16 may also have a polarizing plate or a circular polarizing plate.
Since the surface 16a of the cover layer 16 serves as the touch surface as described above, a hard coat layer may be provided on the surface 16a as needed. The thickness of the cover layer 16 is, for example, 0.1 to 1.3 mm, and preferably 0.1 to 0.7 mm.

画像表示部14は、画像等の表示物を表示する表示面14aを備えるものであり、例えば、液晶表示装置である。画像表示部14は、液晶表示装置に限定されるものではなく、有機EL(Organic electro luminescence)表示装置でもよい。画像表示部14は、上述のもの以外に、陰極線管(CRT)表示装置、真空蛍光ディスプレイ(VFD)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、表面電界ディスプレイ(SED)、電界放出ディスプレイ(FED)、及び電子ペーパー等を利用することができる。
画像表示部14は、その用途に応じたものが適宜利用されるが、画像表示装置10の厚みを薄く構成するために、液晶表示パネル、及び有機ELパネル等のパネルの形態とすることが好ましい。
なお、保護層28と画像表示部14との間に、例えば、光学的に透明な粘着剤(OCA、Optical Clear Adhesive)及びUV(Ultra Violet)硬化樹脂等の光学的に透明な樹脂(OCR、Optical Clear Resin)を配置してもよく、この場合、部分的に中空でもよい。また、画像表示部14の表示面14a上に隙間をあけてタッチパネル12を離間して設ける構成でもよい。この隙間のことをエアギャップともいう。
The image display unit 14 has a display surface 14a for displaying an image or other display object, and is, for example, a liquid crystal display device. The image display unit 14 is not limited to a liquid crystal display device, and may be an organic electroluminescence (EL) display device. In addition to the above, the image display unit 14 may also be a cathode ray tube (CRT) display device, a vacuum fluorescent display (VFD), a plasma display panel (PDP), a surface-emitting display (SED), a field emission display (FED), electronic paper, or the like.
The image display unit 14 is appropriately selected depending on the application, but in order to make the image display device 10 thin, it is preferable that it be in the form of a panel such as a liquid crystal display panel or an organic EL panel.
Note that, for example, an optically clear adhesive (OCA, Optical Clear Adhesive) or an optically clear resin (OCR, Optical Clear Resin) such as a UV (Ultra Violet) curable resin may be disposed between the protective layer 28 and the image display unit 14. In this case, the protective layer 28 may be partially hollow. Also, the touch panel 12 may be spaced apart from the display surface 14a of the image display unit 14 with a gap therebetween. This gap is also called an air gap.

(タッチパネル)
図2は本発明の実施形態の導電性基板をタッチセンサーに用いた一例を示す模式的平面図である。なお、図2において、図1に示す画像表示装置10と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
以下、タッチパネル12について図1及び図2を用いて説明する。
図1に示すタッチパネル12は、コントローラ13と、導電性基板18と、カバー層16とを有する。図2に示す導電性基板18はタッチセンサーとして機能するものである。
(touch panel)
Fig. 2 is a schematic plan view showing an example in which the conductive substrate according to the embodiment of the present invention is used in a touch sensor. In Fig. 2, the same components as those in the image display device 10 shown in Fig. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed descriptions thereof will be omitted.
The touch panel 12 will be described below with reference to FIGS.
The touch panel 12 shown in Fig. 1 includes a controller 13, a conductive substrate 18, and a cover layer 16. The conductive substrate 18 shown in Fig. 2 functions as a touch sensor.

導電性基板18は、アンチハレーション層25b上に、複数の第1検出電極30を有する第1検出電極層29Aと、一端が第1検出電極層29Aの第1検出電極30に電気的に接続され、他端に第1外部接続部26aが設けられた複数の第1周辺配線23aとを有する第1導電層11Aが設けられている。第1導電層11Aが樹脂層27により被覆されている。
第1検出電極30は銀配線35(図3参照)により構成される。第1検出電極30を構成する銀配線35のことを第1の金属細線ともいう。第1の金属細線は、アンチハレーション層25b上に配置されている。第1導電層11Aが第1銀線部であり、第1外部接続部26aが第2銀線部である。
The conductive substrate 18 has a first conductive layer 11A provided on the antihalation layer 25b. The first conductive layer 11A has a first detection electrode layer 29A having a plurality of first detection electrodes 30 and a plurality of first peripheral wirings 23a, one end of which is electrically connected to the first detection electrodes 30 of the first detection electrode layer 29A and the other end of which is provided with first external connection portions 26a. The first conductive layer 11A is covered with a resin layer 27.
The first detection electrode 30 is composed of silver wiring 35 (see FIG. 3). The silver wiring 35 constituting the first detection electrode 30 is also referred to as a first thin metal wire. The first thin metal wire is disposed on the antihalation layer 25b. The first conductive layer 11A is the first silver wire portion, and the first external connection portion 26a is the second silver wire portion.

第1外部接続部26aは、フレキシブル回路基板19が、例えば、異方性導電部材39を用いて電気的に接続されて、コントローラ13と接続されている。
支持体24の表面24a側のアンチハレーション層25b上に、複数の第2検出電極32を有する第2検出電極層29Bと、一端が第2検出電極32に電気的に接続され、他端に第2外部接続部26bが設けられた複数の第2周辺配線23bとを有する第2導電層11Bを有する。第1導電層11Aと同じく、第2外部接続部26bは、フレキシブル回路基板19が、例えば、異方性導電部材39を用いて電気的に接続されて、コントローラ13と接続されている。異方性導電部材39は、特に限定されるものではなく、公知のものが適宜利用可能であり、例えば、熱硬化性樹脂に導電粒子が分散したものである。
The first external connection portion 26 a is electrically connected to the flexible circuit board 19 using, for example, an anisotropic conductive member 39 , and is connected to the controller 13 .
A second conductive layer 11B is provided on the antihalation layer 25b on the surface 24a side of the support 24. The second conductive layer 11B includes a second detection electrode layer 29B having a plurality of second detection electrodes 32 and a plurality of second peripheral wirings 23b, one end of which is electrically connected to the second detection electrodes 32 and the other end of which is provided with second external connection portions 26b. As with the first conductive layer 11A, the second external connection portions 26b are electrically connected to the flexible circuit board 19 using, for example, an anisotropic conductive member 39, and are connected to the controller 13. The anisotropic conductive member 39 is not particularly limited, and a known anisotropic conductive member can be used as appropriate, such as a thermosetting resin with conductive particles dispersed therein.

第2検出電極32は銀配線35(図3参照)により構成される。第2検出電極32を構成する銀配線35のことを第2の金属細線ともいう。第2の金属細線は、アンチハレーション層25b上に配置されている。第2導電層11Bが第1銀線部であり、第2外部接続部26bが第2銀線部である。
上述のように、第1検出電極30では、第1の金属細線といい、第2検出電極32では第2の金属細線という。第1の金属細線と第2の金属細線とをまとめて、銀配線35ともいう。特に断りがなければ、銀配線35は、第1の金属細線と第2の金属細線とを含む。
The second detection electrode 32 is composed of silver wiring 35 (see FIG. 3). The silver wiring 35 constituting the second detection electrode 32 is also referred to as a second thin metal wire. The second thin metal wire is disposed on the antihalation layer 25b. The second conductive layer 11B is the first silver wire portion, and the second external connection portion 26b is the second silver wire portion.
As described above, the first detection electrode 30 is referred to as the first thin metal wire, and the second detection electrode 32 is referred to as the second thin metal wire. The first thin metal wire and the second thin metal wire are collectively referred to as the silver wiring 35. Unless otherwise specified, the silver wiring 35 includes the first thin metal wire and the second thin metal wire.

(導電性基板)
導電性基板18について、図2及び図3を用いて説明する。図3は本発明の実施形態の導電性基板の一例を示す模式的断面図である。なお、図3において、図1に示す画像表示装置10と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
導電性基板18は、例えば、タッチパネル12のタッチセンサーと機能する部位であり、使用者によって入力操作が可能な検出領域Eである検出部20と、検出領域Eの外側に位置する周辺領域Eに周辺配線部22とを有する。
検出部20は、例えば、第1検出電極層29Aと第2検出電極層29Bとを有する。第1検出電極層29Aと第2検出電極層29Bとは、支持体24を介して配置されている。第1検出電極層29Aと第2検出電極層29Bとは支持体24により電気的に絶縁される。支持体24は電気的な絶縁基板として機能する。
図2に示すように、第1検出電極層29Aは、複数の第1検出電極30と隣接した第1検出電極30間に配置され、第1検出電極30と絶縁された複数の第1ダミー電極31aとを有する。
(Conductive substrate)
The conductive substrate 18 will be described with reference to Fig. 2 and Fig. 3. Fig. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conductive substrate according to an embodiment of the present invention. In Fig. 3, the same components as those in the image display device 10 shown in Fig. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
The conductive substrate 18 is, for example, a part that functions as a touch sensor of the touch panel 12, and has a detection section 20 which is a detection area E1 where a user can perform input operations, and a peripheral wiring section 22 in a peripheral area E2 located outside the detection area E1 .
The detection unit 20 has, for example, a first detection electrode layer 29A and a second detection electrode layer 29B. The first detection electrode layer 29A and the second detection electrode layer 29B are arranged via a support 24. The first detection electrode layer 29A and the second detection electrode layer 29B are electrically insulated from each other by the support 24. The support 24 functions as an electrically insulating substrate.
As shown in FIG. 2, the first detection electrode layer 29A has a plurality of first detection electrodes 30 and a plurality of first dummy electrodes 31a arranged between adjacent first detection electrodes 30 and insulated from the first detection electrodes 30.

複数の第1検出電極30は、互いに平行にX方向に延びる帯状の電極であり、互いにX方向と直交するY方向に間隔をあけて、互いにY方向において電気的に絶縁された状態でアンチハレーション層25b(図1参照)の表面上に設けられている。また、複数の第1ダミー電極31aは、第1検出電極30間に配置され、第1検出電極30と電気的に絶縁された状態でアンチハレーション層25b(図1参照)の表面上に設けられている。第1検出電極30は、それぞれX方向の少なくとも一端に第1電極端子33が設けられている。
第2検出電極層29Bは、複数の第2検出電極32と隣接した第2検出電極32間に配置され、第2検出電極32と絶縁された複数の第2ダミー電極31bとを有する。複数の第2検出電極32は、互いに平行にY方向に延びる帯状の電極であり、互いにX方向に間隔をあけて、互いにX方向において電気的に絶縁された状態でアンチハレーション層25b(図1参照)の表面上に設けられている。また、複数の第2ダミー電極31bは、第2検出電極32間に配置され、第2検出電極32と電気的に絶縁された状態でアンチハレーション層25b(図1参照)の表面上に設けられている。第2検出電極32は、それぞれY方向の一方の端に第2電極端子34が設けられている。
The multiple first detection electrodes 30 are strip-shaped electrodes extending parallel to each other in the X direction, and are provided on the surface of the antihalation layer 25b (see FIG. 1 ) at intervals in the Y direction, which is perpendicular to the X direction, and are electrically insulated from each other in the Y direction. Furthermore, the multiple first dummy electrodes 31a are arranged between the first detection electrodes 30 and are provided on the surface of the antihalation layer 25b (see FIG. 1 ) and are electrically insulated from the first detection electrodes 30. Each of the first detection electrodes 30 has a first electrode terminal 33 provided at at least one end in the X direction.
The second detection electrode layer 29B includes a plurality of second detection electrodes 32 and a plurality of second dummy electrodes 31b disposed between adjacent second detection electrodes 32 and insulated from the second detection electrodes 32. The second detection electrodes 32 are strip-shaped electrodes extending parallel to one another in the Y direction and are provided on the surface of the antihalation layer 25b (see FIG. 1) at intervals in the X direction and electrically insulated from one another in the X direction. The second dummy electrodes 31b are also disposed between the second detection electrodes 32 and are provided on the surface of the antihalation layer 25b (see FIG. 1) and electrically insulated from the second detection electrodes 32. Each second detection electrode 32 has a second electrode terminal 34 at one end in the Y direction.

複数の第1検出電極30と複数の第2検出電極32とは、直交して設けられているが、上述のように支持体24により互いに電気的に絶縁されている。
なお、第1検出電極30及び第2検出電極32における第1ダミー電極31a及び第2ダミー電極31bは、第1検出電極30又は第2検出電極32と断線部により分断されており、電気的に接続されていない領域である。このため、上述のように、複数の第1検出電極30は互いにY方向において電気的に絶縁された状態であり、複数の第2検出電極32は互いにX方向において電気的に絶縁された状態である。図2に示すように検出部20では、第1検出電極30が6つ、第2検出電極32が5つ設けられているが、その数は特に限定されるものではなく複数あればよい。
第1検出電極層29Aと第2検出電極層29Bとは、上述のように銀配線35(図3参照)により構成される。第1検出電極30及び第2検出電極32が、銀配線35によるメッシュパターンを有する金属メッシュである場合、第1ダミー電極31a及び第2ダミー電極31bも銀配線35によるメッシュパターンを有する金属メッシュである。
第1検出電極30の電極幅及び第2検出電極32の電極幅は、例えば、1~5mmであり、電極間ピッチは3~6mmである。第1検出電極30の電極幅はY方向の最大長さであり、第2検出電極32の電極幅はX方向の最大長さである。
The plurality of first detection electrodes 30 and the plurality of second detection electrodes 32 are provided orthogonal to each other, but are electrically insulated from each other by the support 24 as described above.
The first dummy electrodes 31 a and the second dummy electrodes 31 b in the first detection electrodes 30 and the second detection electrodes 32 are regions that are separated from the first detection electrodes 30 or the second detection electrodes 32 by disconnections and are not electrically connected. Therefore, as described above, the multiple first detection electrodes 30 are electrically insulated from each other in the Y direction, and the multiple second detection electrodes 32 are electrically insulated from each other in the X direction. As shown in FIG. 2 , the detection unit 20 is provided with six first detection electrodes 30 and five second detection electrodes 32, but the number is not particularly limited as long as there is more than one.
As described above, the first detection electrode layer 29A and the second detection electrode layer 29B are configured with the silver wiring 35 (see FIG. 3). When the first detection electrode 30 and the second detection electrode 32 are metal meshes having a mesh pattern with the silver wiring 35, the first dummy electrode 31a and the second dummy electrode 31b are also metal meshes having a mesh pattern with the silver wiring 35.
The electrode width of the first detection electrode 30 and the electrode width of the second detection electrode 32 are, for example, 1 to 5 mm, and the inter-electrode pitch is 3 to 6 mm. The electrode width of the first detection electrode 30 is the maximum length in the Y direction, and the electrode width of the second detection electrode 32 is the maximum length in the X direction.

周辺配線部22は、第1検出電極30及び第2検出電極32にタッチ駆動信号及びタッチ検出信号をコントローラ13から送信又は伝達するための配線である周辺配線(第1周辺配線23a、第2周辺配線23b)が配置された領域である。周辺配線部22は、複数の第1周辺配線23a及び複数の第2周辺配線23bを有する。第1周辺配線23aは、一端が第1電極端子33を介して第1検出電極30に電気的に接続され、他端が第1外部接続部26aに電気的に接続されている。また、第2周辺配線23bは、一端が第2電極端子34を介して第2検出電極32に電気的に接続されて、他端が第2外部接続部26bに電気的に接続されている。
なお、第1電極端子33、及び第2電極端子34は、ベタ膜形状でもよく、特開2013-127658号公報に示されるようなメッシュ形状でもよい。第1電極端子33及び第2電極端子34の幅の好ましい範囲は、それぞれ第1検出電極30及び第2検出電極32の電極幅の1/3倍以上1.2倍以下である。
The peripheral wiring section 22 is an area where peripheral wirings (first peripheral wirings 23 a, second peripheral wirings 23 b) are arranged, which are wirings for transmitting or transmitting touch drive signals and touch detection signals from the controller 13 to the first detection electrodes 30 and the second detection electrodes 32. The peripheral wiring section 22 has a plurality of first peripheral wirings 23 a and a plurality of second peripheral wirings 23 b. One end of the first peripheral wirings 23 a is electrically connected to the first detection electrodes 30 via first electrode terminals 33, and the other end is electrically connected to the first external connection portions 26 a. Furthermore, one end of the second peripheral wirings 23 b is electrically connected to the second detection electrodes 32 via second electrode terminals 34, and the other end is electrically connected to the second external connection portions 26 b.
The first electrode terminal 33 and the second electrode terminal 34 may have a solid film shape or a mesh shape as disclosed in JP 2013-127658 A. The preferred range of the width of the first electrode terminal 33 and the second electrode terminal 34 is 1/3 to 1.2 times the electrode width of the first detection electrode 30 and the second detection electrode 32, respectively.

第1導電層11Aの第1検出電極30と第1ダミー電極31aと第1電極端子33と第1周辺配線23aとは、電気抵抗、及び断線の発生しにくさ等の観点から一体構成であることが好ましく、さらには同じ金属材料で形成することがより好ましい。この場合、第1導電層11Aは、例えば、ハロゲン化銀含有層をパターン露光することにより形成される。
同じく、第2導電層11Bの第2検出電極32と第2ダミー電極31bと第2電極端子34と第2周辺配線23bとは、電気抵抗、及び断線の発生しにくさ等の観点から一体構成であることが好ましく、さらには同じ金属材料で形成することがより好ましい。この場合、第2導電層11Bは、後述のように、例えば、ハロゲン化銀含有層をパターン露光することにより形成される。
The first detecting electrode 30, the first dummy electrode 31 a, the first electrode terminal 33, and the first peripheral wiring 23 a of the first conductive layer 11A are preferably integrally configured from the viewpoints of electrical resistance, resistance to disconnection, etc., and more preferably formed of the same metal material. In this case, the first conductive layer 11A is formed, for example, by pattern-exposing a silver halide-containing layer.
Similarly, the second detecting electrode 32, the second dummy electrode 31b, the second electrode terminal 34, and the second peripheral wiring 23b of the second conductive layer 11B are preferably integrally configured from the viewpoints of electrical resistance, resistance to disconnection, etc., and more preferably formed of the same metal material. In this case, the second conductive layer 11B is formed, for example, by pattern-exposing a silver halide-containing layer, as described below.

ここで、図3は導電性基板18を示す図であるが、一部を省略し、支持体24と、下塗り層25aと、アンチハレーション層25bと、第1検出電極層29Aの第1検出電極30の第1銀線部37と、樹脂層27とを示しており、支持体24の表面24a側の構造を示している。図2を用いて説明したように、支持体24の両面に導電層等があるが、図3では、その図示は省略している。なお、図3に示されている銀配線35は第1の金属細線である。複数の銀配線35により、第1銀線部37が構成される。第1銀線部37は、上述のように第1導電層11A及び第2導電層11Bを構成する。第2銀線部38は、第1外部接続部26aである。第2銀線部38は、上述のように第2外部接続部26bでもある。 Figure 3 is a diagram of the conductive substrate 18, partially omitted to show the support 24, undercoat layer 25a, antihalation layer 25b, first silver wire portion 37 of the first detection electrode 30 of the first detection electrode layer 29A, and resin layer 27, illustrating the structure of the surface 24a of the support 24. As explained using Figure 2, conductive layers and the like are present on both sides of the support 24, but these are not shown in Figure 3. The silver wires 35 shown in Figure 3 are first thin metal wires. Multiple silver wires 35 form the first silver wire portion 37. As described above, the first silver wire portion 37 forms the first conductive layer 11A and the second conductive layer 11B. The second silver wire portion 38 is the first external connection portion 26a. As described above, the second silver wire portion 38 also serves as the second external connection portion 26b.

図3では、片面側しか第1銀線部37及び第2銀線部38等を図示していないが、導電性基板18は、支持体24と、支持体24の両面上に第1銀線部37と、第2銀線部38とが配置されている。第1銀線部及び第2銀線部を覆うように配置された樹脂層27を有する。第1銀線部37上の樹脂層27の厚みdが、第2銀線部38上の樹脂層の厚みdよりも厚い。また、第1銀線部37の厚みHが、第2銀線部38の厚みHよりも薄い。
また、第2銀線部38上の樹脂層27の厚みHは、0.2μm以下であることが好ましい。樹脂層27の厚みHが0.2μm以下であれば、接触抵抗を十分に低減できる。
導電性基板18は、支持体24の表面24a上に下塗り層25aが設けられ、下塗り層25a上にアンチハレーション層25bが設けられている。
支持体24の裏面24b上に下塗り層25aが設けられ、下塗り層25a上にアンチハレーション層25bが設けられている。支持体24の面上とは、図3では、アンチハレーション層25b上のことである。
3 shows the first silver wire portion 37, the second silver wire portion 38, etc. on only one side, but the conductive substrate 18 has a support 24, and the first silver wire portion 37 and the second silver wire portion 38 arranged on both sides of the support 24. Also, a resin layer 27 is arranged to cover the first silver wire portion and the second silver wire portion. The thickness d1 of the resin layer 27 on the first silver wire portion 37 is thicker than the thickness d2 of the resin layer on the second silver wire portion 38. Furthermore, the thickness H1 of the first silver wire portion 37 is thinner than the thickness H2 of the second silver wire portion 38.
The thickness H2 of the resin layer 27 on the second silver wire portion 38 is preferably 0.2 μm or less. If the thickness H2 of the resin layer 27 is 0.2 μm or less, the contact resistance can be sufficiently reduced.
The conductive substrate 18 has an undercoat layer 25a provided on the surface 24a of a support 24, and an antihalation layer 25b provided on the undercoat layer 25a.
An undercoat layer 25a is provided on the back surface 24b of the support 24, and an antihalation layer 25b is provided on the undercoat layer 25a. In FIG. 3, the surface of the support 24 refers to the antihalation layer 25b.

第1銀線部37上の樹脂層27の厚みdは、第2銀線部38上の樹脂層27の厚みdの1.5倍以上であることが好ましい。第1銀線部37上の樹脂層27の厚みdが第2銀線部38上の樹脂層27の厚みdの1.5倍以上であれば、耐傷性が高くなり、第1銀線部37が十分に保護される。なお、第1銀線部37上の樹脂層27の厚みdは、第2銀線部38上の樹脂層27の厚みdの3~5倍であると、より耐傷性が高くなるため、より好ましい。
上述のように第1銀線部37上の樹脂層27の厚みdと、第2銀線部38上の樹脂層27の厚みdとは異なるが、第1銀線部37の銀配線35の間の樹脂層27の平均厚みと、第2銀線部38の間の樹脂層27の平均厚みとは略同じである。
第1銀線部37の銀配線35の間の樹脂層27の平均厚みとは、銀配線35の間の中間位置における樹脂層27の厚みの平均した厚みである。
第2銀線部38の間の樹脂層27の平均厚みとは、第1外部接続部26aの間の中間位置における樹脂層27の厚みの平均した厚みである。
第1銀線部37の銀配線35の間の樹脂層27の平均厚みは、走査電子顕微鏡(SEM)を用いて取得した切断断面の断面画像を用いて、銀配線35の間の中間位置に相当する長さを10箇所測定し、10箇所の測定値の平均値を求める。
第2銀線部38の間の樹脂層27の平均厚みは、走査電子顕微鏡(SEM)を用いて取得した切断断面の断面画像を用いて、銀配線35の間の中間位置に相当する長さを10箇所測定し、10箇所の測定値の平均値を求める。
The thickness d1 of the resin layer 27 on the first silver wire portion 37 is preferably 1.5 times or more the thickness d2 of the resin layer 27 on the second silver wire portion 38. If the thickness d1 of the resin layer 27 on the first silver wire portion 37 is 1.5 times or more the thickness d2 of the resin layer 27 on the second silver wire portion 38, scratch resistance is increased and the first silver wire portion 37 is sufficiently protected. Note that it is more preferable for the thickness d1 of the resin layer 27 on the first silver wire portion 37 to be 3 to 5 times the thickness d2 of the resin layer 27 on the second silver wire portion 38, as this will result in even higher scratch resistance.
As described above, the thickness d1 of the resin layer 27 on the first silver wire portion 37 is different from the thickness d2 of the resin layer 27 on the second silver wire portion 38, but the average thickness of the resin layer 27 between the silver wirings 35 of the first silver wire portion 37 is approximately the same as the average thickness of the resin layer 27 between the second silver wire portions 38.
The average thickness of the resin layer 27 between the silver wires 35 of the first silver wire portion 37 is the average thickness of the resin layer 27 at the intermediate positions between the silver wires 35 .
The average thickness of the resin layer 27 between the second silver wire portions 38 is the average thickness of the resin layer 27 at the intermediate positions between the first external connection portions 26a.
The average thickness of the resin layer 27 between the silver wirings 35 of the first silver wire portion 37 is determined by measuring the length corresponding to the midpoint between the silver wirings 35 at 10 points using a cross-sectional image of the cut cross section obtained using a scanning electron microscope (SEM), and calculating the average value of the measured values at 10 points.
The average thickness of the resin layer 27 between the second silver wire portions 38 is determined by measuring the length corresponding to the midpoint between the silver wirings 35 at 10 points using a cross-sectional image of the cut cross section obtained using a scanning electron microscope (SEM), and calculating the average value of the measured values at 10 points.

第1銀線部の厚みH、第2銀線部の厚みH、第1銀線部37上の樹脂層27の厚みd、及び第2銀線部38上の樹脂層の厚みdは、導電性基板18を切断し、走査電子顕微鏡(SEM)を用いて取得した切断断面の断面画像を用いて測定する。断面画像において、第1銀線部の厚みH、第2銀線部の厚みH、第1銀線部37上の樹脂層27の厚みd、及び第2銀線部38上の樹脂層の厚みdに相当する長さを、それぞれ10箇所測定し、10箇所の測定値の平均値を求める。第1銀線部の厚みH、第2銀線部の厚みH、第1銀線部37上の樹脂層27の厚みd、及び第2銀線部38上の樹脂層の厚みdは、それぞれ上述の10箇所の測定値の平均値である。
なお、導電性基板18は、支持体24の両面に、第1銀線部37と、第2銀線部38とを設ける構成について説明したが、これに限定されるものではない。導電性基板18は、支持体24の両面のうち、一方の面に、第1銀線部37と、第2銀線部38とを設ける構成でもよい。さらには、支持体の一方の面に、第1銀線部37と、第2銀線部38とを設けたものを、積層してタッチセンサーとすることもできる。
また、後述するが、例えば、第1銀線部37の銀配線35によりメッシュパターン(図4参照)が構成される。
The thickness H 1 of the first silver wire portion, the thickness H 2 of the second silver wire portion, the thickness d 1 of the resin layer 27 on the first silver wire portion 37, and the thickness d 2 of the resin layer on the second silver wire portion 38 are measured using cross-sectional images of the cut surface obtained by cutting the conductive substrate 18 and using a scanning electron microscope (SEM). In the cross-sectional image, lengths corresponding to the thickness H 1 of the first silver wire portion, the thickness H 2 of the second silver wire portion, the thickness d 1 of the resin layer 27 on the first silver wire portion 37, and the thickness d 2 of the resin layer on the second silver wire portion 38 are measured at 10 locations, and the average values of the measurements at the 10 locations are calculated. The thickness H 1 of the first silver wire portion, the thickness H 2 of the second silver wire portion, the thickness d 1 of the resin layer 27 on the first silver wire portion 37, and the thickness d 2 of the resin layer on the second silver wire portion 38 are each the average values of the measurements at the 10 locations.
Although the conductive substrate 18 has been described as having the first silver wire portion 37 and the second silver wire portion 38 provided on both sides of the support body 24, the present invention is not limited to this. The conductive substrate 18 may have the first silver wire portion 37 and the second silver wire portion 38 provided on one of the two sides of the support body 24. Furthermore, a touch sensor can be formed by stacking substrates each having the first silver wire portion 37 and the second silver wire portion 38 provided on one side of the support body.
As will be described later, for example, the silver wiring 35 of the first silver wire portion 37 forms a mesh pattern (see FIG. 4).

例えば、意匠性向上のためにディスプレイ周辺の額縁を狭くする狭額縁化のために、導電性基板18は、図2に示す周辺配線部22の折曲げ領域Bfで、第1外部接続部26a及び第2外部接続部26bを外側にして折り曲げられる。第1外部接続部26a及び第2外部接続部26bに電気的に接続されたフレキシブル回路基板19が画像表示部14の表示面14a側とは反対の裏面14b側に配置される。 For example, to narrow the frame around the display to improve design, the conductive substrate 18 is folded in the folding region Bf of the peripheral wiring portion 22 shown in FIG. 2 with the first external connection portion 26a and the second external connection portion 26b facing outward. A flexible circuit board 19 electrically connected to the first external connection portion 26a and the second external connection portion 26b is disposed on the back surface 14b side of the image display unit 14, opposite the display surface 14a side.

第1銀線部37の厚みHは0.01~200μmが好ましく、30μm以下であることがより好ましく、20μm以下であることがさらに好ましく、0.01~9μmであることが特に好ましく、0.05~5μmであることが最も好ましい。上述の範囲であれば、低抵抗の電極で、耐久性に優れた電極を比較的容易に形成できる。
第1銀線部37の銀配線35の幅Wcは、特に制限されないが、上限は30μm以下が好ましく、15μm以下がより好ましく、10μm以下がさらに好ましく、9μm以下が特に好ましく、7μm以下が最も好ましく、下限は0.5μm以上が好ましく、1.0μm以上がより好ましい。上述の範囲であれば、低抵抗の電極を比較的容易に形成できる。
第1銀線部37の銀配線35が周辺配線として適用される場合には、銀配線35の幅Wcは500μm以下が好ましく、50μm以下がより好ましく、30μm以下がさらに好ましい。上述の範囲であれば、低抵抗のタッチパネル電極を比較的容易に形成できる。
第2銀線部38の厚みHは薄型化と導電特性のバランスの点で、200μm以下が好ましく、30μm以下がより好ましく、10μm以下が更に好ましく、0.3~5μmであることが特に好ましく、0.5~5μmであることが最も好ましい。
The thickness H1 of the first silver wire portion 37 is preferably 0.01 to 200 μm, more preferably 30 μm or less, even more preferably 20 μm or less, particularly preferably 0.01 to 9 μm, and most preferably 0.05 to 5 μm. Within the above range, a low-resistance electrode with excellent durability can be formed relatively easily.
The width Wc of the silver wiring 35 of the first silver wire portion 37 is not particularly limited, but the upper limit is preferably 30 μm or less, more preferably 15 μm or less, even more preferably 10 μm or less, particularly preferably 9 μm or less, and most preferably 7 μm or less, and the lower limit is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1.0 μm or more. Within the above range, a low-resistance electrode can be formed relatively easily.
When the silver wiring 35 of the first silver wire portion 37 is used as a peripheral wiring, the width Wc of the silver wiring 35 is preferably 500 μm or less, more preferably 50 μm or less, and even more preferably 30 μm or less. Within the above range, a low-resistance touch panel electrode can be formed relatively easily.
From the viewpoint of a balance between thinning and conductive properties, the thickness H2 of the second silver wire portion 38 is preferably 200 μm or less, more preferably 30 μm or less, even more preferably 10 μm or less, particularly preferably 0.3 to 5 μm, and most preferably 0.5 to 5 μm.

第1銀線部37の厚みH、第2銀線部38の厚みH及び銀配線35の幅Wcは、導電性基板18を切断し、走査電子顕微鏡(SEM)を用いて取得した切断断面の断面画像を用いて測定する。断面画像において、第1銀線部37に該当する画像領域について、第1銀線部37の厚みH及び銀配線35の幅Wcに相当する長さを10箇所測定し、10箇所の測定値の平均値を求める。第1銀線部37の厚みH及び銀配線35の幅Wcは、それぞれ上述の10箇所の測定値の平均値である。また、第2銀線部38の厚みに該当する画像領域について、第2銀線部38の厚みHに相当する長さを10箇所測定し、10箇所の測定値の平均値を求める。 The thickness H1 of the first silver wire portion 37, the thickness H2 of the second silver wire portion 38, and the width Wc of the silver wiring 35 are measured using a cross-sectional image of the cut surface obtained by cutting the conductive substrate 18 and using a scanning electron microscope (SEM). In the cross-sectional image, for the image area corresponding to the first silver wire portion 37, lengths corresponding to the thickness H1 of the first silver wire portion 37 and the width Wc of the silver wiring 35 are measured at 10 locations, and the average values of the measurements at the 10 locations are calculated. The thickness H1 of the first silver wire portion 37 and the width Wc of the silver wiring 35 are each the average values of the measurements at the 10 locations. Furthermore, for the image area corresponding to the thickness of the second silver wire portion 38, the length corresponding to the thickness H2 of the second silver wire portion 38 is measured at 10 locations, and the average values of the measurements at the 10 locations are calculated.

ここで、スマートフォンに対してサイズの大きいタブレット又はノートPC(personal computer)に搭載されるタッチパネルには、指又はスタイラスペン等の接触又は近接によるタッチ操作を検出されるために、第1銀線部37の電気抵抗として、より低い細線抵抗が求められる。
指又はスタイラスペン等の操作に遅れが生じないためには、第1銀線部のシート抵抗が50Ω/sq以下であることが好ましく、25Ω/sq以下であることがより好ましい。
シート抵抗の測定方法は、導電性基板に電流を流した際の導電性基板に印加される電圧E(単位ボルトV)、電流I(単位アンペアA)、電極間平均距離L(単位ミリメートルmm)、シート平均幅W(単位ミリメートルmm)から以下の式で算出する。なお、電極間平均距離Lは導電性基板上で電圧を印加する接続部2ヵ所の平均距離であり、シート平均幅は電極間平均距離Lを算出した方向に直交する方向の長さの平均値である。
シート抵抗=(E/I)×(W/L)
また、実際に測定する場合の電圧Etotalは導電性基板に印加される電圧E以外にその接触抵抗Rcに由来する電圧降下分Ecを含むため、その効果は予め接触抵抗を測定しておくことにより以下の式で求める。
E=Etotal-Rc×I
また、簡易的には、JIS(Japanese Industrial Standards) K 7194(1994)等の表面抵抗率測定により局所的なシート抵抗を測定しそれを平均化することでも、シート抵抗は求められる。
Here, for touch panels installed on tablets or notebook PCs (personal computers), which are larger in size than smartphones, a lower fine wire resistance is required as the electrical resistance of the first silver wire portion 37 in order to detect touch operations caused by contact or proximity of a finger or stylus pen, etc.
To prevent delays in operations with a finger or a stylus pen, the sheet resistance of the first silver wire portion is preferably 50 Ω/sq or less, and more preferably 25 Ω/sq or less.
The sheet resistance is measured by calculating from the voltage E (unit: volts V) applied to the conductive substrate when a current is passed through the conductive substrate, the current I (unit: amperes A), the average inter-electrode distance L (unit: millimeters mm), and the average sheet width W (unit: millimeters mm) using the following formula: The average inter-electrode distance L is the average distance between two connection points on the conductive substrate where a voltage is applied, and the average sheet width is the average length in the direction perpendicular to the direction in which the average inter-electrode distance L is calculated.
Sheet resistance = (E/I) x (W/L)
Furthermore, when actually measuring, the voltage E total includes not only the voltage E applied to the conductive substrate but also the voltage drop Ec resulting from the contact resistance Rc. Therefore, the effect can be calculated using the following formula by measuring the contact resistance in advance.
E=E total -Rc×I
Alternatively, the sheet resistance can be simply determined by measuring local sheet resistances by surface resistivity measurement such as JIS (Japanese Industrial Standards) K 7194 (1994) and averaging the measured values.

また、第1銀線部37の反射率を小さくするために、第1銀線部37の表面を硫化又は酸化処理する黒化処理して黒化層(図示せず)を設ける構成でもよい。黒化層は、例えば、第1銀線部37の反射率を小さくするものである。黒化層は、窒化銅、酸化銅、酸窒化銅、酸化モリブデン、AgO、Pd、カーボン又はその他の窒化物又は酸化物等により構成することができる。黒化層は金属細線の視認される側、すなわち、第1銀線部37の下塗り層25aの反対側の表面に配置される。なお、黒化層がない構成でもよい。
また、第1銀線部37と下塗り層25aとの界面に密着層(図示せず)を設けてもよい。密着層を設けることにより、第1銀線部37と下塗り層25aとの密着性を向上させ、第1銀線部37及び第2銀線部38を下塗り層25a上に安定して配置できる。
Furthermore, in order to reduce the reflectance of the first silver wire portion 37, the surface of the first silver wire portion 37 may be subjected to a blackening treatment, such as sulfurization or oxidation, to provide a blackening layer (not shown). The blackening layer reduces the reflectance of the first silver wire portion 37. The blackening layer may be made of, for example, copper nitride, copper oxide, copper oxynitride, molybdenum oxide, AgO, Pd, carbon, or other nitrides or oxides. The blackening layer is disposed on the visible side of the thin metal wires, i.e., the surface of the first silver wire portion 37 opposite the undercoat layer 25a. Note that a configuration without a blackening layer is also possible.
An adhesive layer (not shown) may be provided at the interface between the first silver wire portion 37 and the undercoat layer 25a. By providing the adhesive layer, the adhesiveness between the first silver wire portion 37 and the undercoat layer 25a is improved, and the first silver wire portion 37 and the second silver wire portion 38 can be stably disposed on the undercoat layer 25a.

なお、樹脂層27の厚みtaは、後述のように、第1銀線部37及び第2銀線部38を形成するためのハロゲン化銀層の厚みに依存する。樹脂層27の厚みtaは、2.0~5.0μm程度である。樹脂層27の厚みtaが2.0~5.0μmであれば、耐傷性と、第2銀線部の接触抵抗との両立を図ることができる。
樹脂層27の厚みtaは、導電性基板18を切断し、走査電子顕微鏡(SEM)を用いて切断断面の断面画像を用いて測定する。断面画像において、樹脂層27に該当する画像領域について、樹脂層27の厚みに相当する長さを10箇所測定し、10箇所の測定値の平均値を求める。樹脂層27の厚みtaは、上述の10箇所の測定値の平均値である。
As will be described later, the thickness ta of the resin layer 27 depends on the thickness of the silver halide layer for forming the first silver wire portion 37 and the second silver wire portion 38. The thickness ta of the resin layer 27 is approximately 2.0 to 5.0 μm. If the thickness ta of the resin layer 27 is 2.0 to 5.0 μm, it is possible to achieve both scratch resistance and contact resistance of the second silver wire portion.
The thickness ta of the resin layer 27 is measured by cutting the conductive substrate 18 and using a cross-sectional image of the cut surface taken with a scanning electron microscope (SEM). In the cross-sectional image, a length corresponding to the thickness of the resin layer 27 is measured at 10 locations in the image area corresponding to the resin layer 27, and the average value of the measured values at the 10 locations is calculated. The thickness ta of the resin layer 27 is the average value of the measured values at the 10 locations.

以下、導電性基板及びタッチパネルの各部について説明する。
<支持体>
支持体は、第1銀線部37及び第2銀線部38を支持するものである。また、支持体24は、第1導電層11A、第1外部接続部26a、第2導電層11B、及び第2外部接続部26bを支持する。また、支持体の両面のうち、一方の面に第1導電層11A、及び第1外部接続部26aが配置され、他方の面に第2導電層11B、及び第2外部接続部26bが配置されていれば、これらを電気的に絶縁する。
支持体は、可撓性を有することが好ましい。ここで、可撓性を有するとは、折り曲げることができることを意味し、具体的には、曲率半径1mmで折り曲げても割れを生じないことを指す。
支持体としては、第1銀線部37及び第2銀線部38を支持することができ、かつ可撓性を有するものであれば、その種類は限定されるものではないが、透明支持体であることが好ましく、特にプラスチックシートが好ましい。
Each part of the conductive substrate and the touch panel will be described below.
<Support>
The support 24 supports the first silver wire portion 37 and the second silver wire portion 38. The support 24 also supports the first conductive layer 11A, the first external connection portion 26a, the second conductive layer 11B, and the second external connection portion 26b. If the first conductive layer 11A and the first external connection portion 26a are arranged on one surface of the support and the second conductive layer 11B and the second external connection portion 26b are arranged on the other surface, they are electrically insulated from each other.
The support preferably has flexibility. Here, having flexibility means that it can be bent, specifically, that it does not crack even when bent with a curvature radius of 1 mm.
The type of support is not limited as long as it can support the first silver wire portion 37 and the second silver wire portion 38 and is flexible, but a transparent support is preferable, and a plastic sheet is particularly preferable.

支持体を構成する材料の具体例としては、例えば、PET(ポリエチレンテレフタレート)(258℃)、ポリシクロオレフィン(134℃)、ポリカーボネート(250℃)、(メタ)アクリル樹脂(128℃)、PEN(ポリエチレンナフタレート)(269℃)、PE(ポリエチレン)(135℃)、PP(ポリプロピレン)(163℃)、ポリスチレン(230℃)、ポリ塩化ビニル(180℃)、ポリ塩化ビニリデン(212℃)、ポリPVDF(フッ化ビニリデン)(177℃)、PAR(ポリアリレート)(250℃)、PES(ポリエーテルサルホン)(225℃)、高分子アクリル樹脂、フルオレン誘導体(140℃)、結晶性COP(165℃)、又は、TAC(トリアセチルセルロース)(290℃)等の融点が約290℃以下であるプラスチックフィルムが好ましく、(メタ)アクリル樹脂、PET、ポリシクロオレフィン、又は、ポリカーボネートがより好ましい。なお、上述の( )内の数値は融点、又はガラス転移温度である。
支持体の全光線透過率は、85~100%であることが好ましい。
支持体の厚みは特に制限されないが、タッチパネルへの応用の点からは、通常、25~500μmの範囲で任意に選択することができる。なお、支持体の機能の他にタッチ面の機能をも兼ねる場合は、500μmを超えた厚みで設計することも可能である。
支持体の好適態様の1つとしては、大気圧プラズマ処理、コロナ放電処理、及び紫外線照射処理からなる群から選択される少なくとも1つの処理が施された処理済支持体が挙げられる。上述の処理が施されることにより、処理済支持体表面にはOH基等の親水性基が導入され、導電線の密着性がより向上する。
Specific examples of materials constituting the support include, for example, PET (polyethylene terephthalate) (258°C), polycycloolefin (134°C), polycarbonate (250°C), (meth)acrylic resin (128°C), PEN (polyethylene naphthalate) (269°C), PE (polyethylene) (135°C), PP (polypropylene) (163°C), polystyrene (230°C), polyvinyl chloride (180°C), polyvinylidene chloride (212°C), polyPVDF (vinylidene fluoride) (177°C), PAR (polyarylate) (250°C), PES (polyethersulfone) (225°C), polymeric acrylic resin, fluorene derivative (140°C), crystalline COP (165°C), or TAC (triacetylcellulose) (290°C), and other plastic films having a melting point of about 290°C or less are preferred, with (meth)acrylic resin, PET, polycycloolefin, or polycarbonate being more preferred. The values in parentheses above are melting points or glass transition temperatures.
The total light transmittance of the support is preferably from 85 to 100%.
The thickness of the support is not particularly limited, but from the viewpoint of application to a touch panel, it can usually be selected arbitrarily in the range of 25 to 500 μm. Note that, when the support also functions as a touch surface in addition to its function as a support, it can also be designed to have a thickness exceeding 500 μm.
One preferred embodiment of the support is a support that has been treated by at least one treatment selected from the group consisting of atmospheric pressure plasma treatment, corona discharge treatment, and ultraviolet irradiation treatment. By performing the above-mentioned treatment, hydrophilic groups such as OH groups are introduced into the surface of the treated support, thereby further improving the adhesion of the conductive wire.

<下塗り層>
下塗り層は、高分子を含むものであり、第1銀線部37及び第2銀線部38、又は第1導電層11A、第1外部接続部26a、第2導電層11B、及び第2外部接続部26bの密着性を、より向上させるものである。
下塗り層の形成方法は特に制限されないが、例えば、高分子を含む下塗り層形成用組成物を基板上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は特に制限されず、公知の溶剤が例示される。また、高分子を含む下塗り層形成用組成物として、高分子の微粒子を含むラテックスを使用してもよい。
下塗り層の厚みは特に制限されないが、第1銀線部37及び第2銀線部38、又は第1導電層11A、第1外部接続部26a、第2導電層11B、及び第2外部接続部26bの密着性がより優れる点で、0.02~0.3μmが好ましく、0.03~0.2μmがより好ましい。
<Undercoat layer>
The undercoat layer contains a polymer and further improves the adhesion between the first silver wire portion 37 and the second silver wire portion 38, or the first conductive layer 11A, the first external connection portion 26a, the second conductive layer 11B, and the second external connection portion 26b.
The method for forming the undercoat layer is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a composition for forming an undercoat layer containing a polymer is applied to a substrate and, if necessary, a heat treatment is performed. The composition for forming an undercoat layer may contain a solvent, if necessary. The type of solvent is not particularly limited, and known solvents are exemplified. Furthermore, a latex containing fine polymer particles may be used as the composition for forming an undercoat layer containing a polymer.
The thickness of the undercoat layer is not particularly limited, but is preferably 0.02 to 0.3 μm, and more preferably 0.03 to 0.2 μm, in order to provide better adhesion between the first silver wire portion 37 and the second silver wire portion 38, or between the first conductive layer 11A, the first external connection portion 26 a, the second conductive layer 11B, and the second external connection portion 26 b.

<アンチハレーション層>
アンチハレーション層は、例えば、ハロゲン化銀不含有層で構成される。ハロゲン化銀不含有層には、後述のゼラチンと特定高分子とが含まれるが、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。なお、アンチハレーシ層がない構成でもよい。
<Anti-halation layer>
The antihalation layer is, for example, a silver halide-free layer. The silver halide-free layer contains gelatin and a specific polymer, which will be described later, but does not contain silver halide. Note that the antihalation layer may not be included.

<クロスオーバーカット層>
後述の第1ハロゲン化銀含有層の下にクロスオーバーカット層を設けてもよい。
クロスオーバーカット層は、支持体の両面にハロゲン化銀含有層を有する場合の特有の層である。一方の面からの光が支持体を通して他方の面のハロゲン化銀含有層に影響して画質を劣化させる問題を解決するために用いられる層である。クロスオーバーカット層には、感光波長域に応じた染料を添加する。染料は、現像処理後に有害な吸収を残さないものであればどのようなものでも使用できる。
特に、染料を固体微粒子分散状態で添加するのが好ましい。染料を固体微粒子分散状態で添加する方法は、特開平2-264936号、特開平3-210553号、特開平3-210554号、特開平3-238447号、特開平4-14038号、特開平4-14039号、特開平4-125635号、特開平4-338747号、特開平6-27589号等に記載されている。使用できる染料は、例えば、特開平4-211542号記載の一般式(I)~(VII)の染料、化合物例I-1~I-37、II-1~II-6、III-1~III-36、IV-1~IV-16、V-1~V-6、VI-1~VI-13、VII-1~VII-5。特開平8-73767号記載の一般式(1)の染料、化合物例1~6。特開平8-87091号記載の一般式(VIII)~(XII)の染料、化合物例VIII-1~VIII-5、IX-1~IX-10、X-1~X-21、XI-1~XI-6、XII-1~XII-7。
<Crossover cut layer>
A crossover cut layer may be provided below the first silver halide-containing layer described below.
The crossover cut layer is a specific layer used when a support has silver halide-containing layers on both sides. It is used to solve the problem of image degradation caused by light passing through the support from one side affecting the silver halide-containing layer on the other side. A dye corresponding to the photosensitive wavelength range is added to the crossover cut layer. Any dye can be used as long as it does not leave harmful absorption after development.
It is particularly preferred to add the dye in the form of a solid fine particle dispersion. Methods of adding the dye in the form of a solid fine particle dispersion are described in JP-A Nos. 2-264936, 3-210553, 3-210554, 3-238447, 4-14038, 4-14039, 4-125635, 4-338747, and 6-27589. Usable dyes include, for example, dyes of formulas (I) to (VII) described in JP-A No. 4-211542, and exemplary compounds I-1 to I-37, II-1 to II-6, III-1 to III-36, IV-1 to IV-16, V-1 to V-6, VI-1 to VI-13, and VII-1 to VII-5. Dyes of formula (1) described in JP-A-8-73767, and example compounds 1 to 6. Dyes of formulas (VIII) to (XII), and example compounds VIII-1 to VIII-5, IX-1 to IX-10, X-1 to X-21, XI-1 to XI-6, and XII-1 to XII-7 described in JP-A-8-87091.

<銀配線>
銀配線は、上述のように第1銀線部37(図3参照)と、第2銀線部38(図3参照)とを構成する。
第1銀線部37及び第2銀線部38の製造方法は、ハロゲン化銀を使用した方法が採用できる。より具体的には、特開2014-209332号公報の段落0056~0114に記載の方法が挙げられる。ハロゲン化銀を使用した方法については、後に詳細に説明する。
<Silver wiring>
As described above, the silver wiring comprises the first silver wire portion 37 (see FIG. 3) and the second silver wire portion 38 (see FIG. 3).
A method using silver halide can be used to manufacture the first silver wire portion 37 and the second silver wire portion 38. More specifically, the method described in paragraphs 0056 to 0114 of JP-A 2014-209332 can be mentioned. The method using silver halide will be described in detail later.

銀配線は、金属部に炭素原子、好ましくは、高分子を多く含む方が好ましい。高分子を含むことにより、耐久性、折り曲げ性、及び、ハンドリング適性を向上させることができる。高分子としては、ゼラチン、及び、後述するゼラチンとは異なる高分子等が好ましく、ゼラチン等の水溶性高分子であることがより好ましい。
銀配線中における高分子の含有量は、銀配線の面積当たり、200mg/m以上であることが好ましく、400mg/m以上であることがより好ましく、500mg/m以上であることが更に好ましい。上記高分子の含有量は、高分子が、例えば、ゼラチンであれば、金属ベタ膜が形成された部位のみ、4cm×4cm程度の範囲について、BCA法(ビシンコニン酸法)で定量することができ、それ以外の高分子であれば、抽出法等適宜公知の方法を選択して定量することができる。
また、銀配線による検出部に対し、周辺配線部に位置するパターン部分(以下、単に「周辺パターン」ともいう。)に高分子を多く含むことが好ましく、周辺パターン内部の金属原子数比率が50%以上の領域において、炭素原子/金属原子の原子数比率の比が0.2以上であることが好ましい。
原子数比率は、周辺パターンの原子組成を、銀配線の支持体とは反対側の表面から深さ方向にArスパッタ(2kV、Arイオン、2mm×2mm)と、XPS(X線源:Al Kα、アルバック・ファイ株式会社製Quantera SXM)によって分析することにより算出できる。
金属原子数比率が50%以上となった位置より基板側を内部と定義し、内部領域の炭素原子と金属原子との原子数比率(炭素原子/金属原子)を求めることができる。原子組成を求める方法としては、例えば、幅100μm以上の銀配線又はパターンの場合、上述のスパッタとXPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)法を用いることができる。パターンの大きさがより小さく、例えば、100μm以下の場合、パターンの断面を出し、その中心を代表値として、SEM-EDX(Scanning Electron Microscope-Energy Dispersive X-ray Spectrometry)法によってパターン内部の原子組成を求めることができる。
The silver wiring preferably contains a large amount of carbon atoms, preferably a large amount of polymer, in the metal portion. By including a polymer, durability, bendability, and handling suitability can be improved. As the polymer, gelatin and polymers other than gelatin described below are preferred, and water-soluble polymers such as gelatin are more preferred.
The content of the polymer in the silver wiring is preferably 200 mg/m 2 or more per area of the silver wiring, more preferably 400 mg/m 2 or more, and even more preferably 500 mg/m 2 or more. If the polymer is, for example, gelatin, the content of the polymer can be quantified by the BCA method (bicinchoninic acid method) in an area of about 4 cm x 4 cm only where the solid metal film is formed. If the polymer is other than gelatin, the content can be quantified by selecting an appropriate known method such as an extraction method.
Furthermore, it is preferable that the pattern portion located in the peripheral wiring portion (hereinafter simply referred to as the "peripheral pattern") contains a large amount of polymer relative to the detection portion made of silver wiring, and that in the region within the peripheral pattern where the metal atom number ratio is 50% or more, the ratio of the atomic number ratio of carbon atoms to metal atoms is 0.2 or more.
The atomic number ratio can be calculated by analyzing the atomic composition of the peripheral pattern from the surface of the silver wiring opposite the support in the depth direction using Ar sputtering (2 kV, Ar ions, 2 mm × 2 mm) and XPS (X-ray source: Al Kα, Quantera SXM manufactured by ULVAC-PHI, Inc.).
The substrate side of the position where the metal atom number ratio is 50% or more is defined as the interior, and the atomic number ratio of carbon atoms to metal atoms (carbon atoms/metal atoms) in the interior region can be determined. For example, in the case of a silver wiring or pattern with a width of 100 μm or more, the above-mentioned sputtering and XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) method can be used to determine the atomic composition. For smaller patterns, such as those with a width of 100 μm or less, a cross section of the pattern can be extracted, and the center of the pattern can be used as a representative value to determine the atomic composition within the pattern using SEM-EDX (Scanning Electron Microscope-Energy Dispersive X-ray Spectrometry).

[メッシュパターン]
第1検出電極30及び第2検出電極32は、上述のように銀配線35により構成される。第1検出電極30及び第2検出電極32により、例えば、図4に示すように複数の銀配線35が交差してなるメッシュパターンが構成される。
第1検出電極30及び第2検出電極32において、銀配線35により構成されるメッシュパターンは、可視光透過率の点から、その開口率は85%以上であることが好ましく、90%以上であることがより好ましく、95%以上であることがさらに好ましい。開口率とは、導電層を設けられた領域において銀配線を除いた透過性部分、すなわち、開口部が導電層を設けられた領域全体に占める割合に相当する。
なお、第1周辺配線23a及び第2周辺配線23bについても、第1検出電極30及び第2検出電極32と同じ構成とすることができ、銀配線35で構成することができる。第1周辺配線23a及び第2周辺配線23bは、複数の銀配線35が交差してなるメッシュパターンを有するものであってもよい。
[Mesh pattern]
As described above, the first detection electrode 30 and the second detection electrode 32 are configured by the silver wiring 35. The first detection electrode 30 and the second detection electrode 32 configure a mesh pattern in which a plurality of silver wirings 35 intersect, as shown in FIG.
In the first detection electrode 30 and the second detection electrode 32, the mesh pattern formed by the silver wiring 35 preferably has an aperture ratio of 85% or more, more preferably 90% or more, and even more preferably 95% or more, from the viewpoint of visible light transmittance. The aperture ratio corresponds to the percentage of the transparent portion excluding the silver wiring in the region where the conductive layer is provided, i.e., the percentage of the openings in the entire region where the conductive layer is provided.
The first peripheral wiring 23a and the second peripheral wiring 23b may also have the same configuration as the first detection electrode 30 and the second detection electrode 32, and may be made of silver wiring 35. The first peripheral wiring 23a and the second peripheral wiring 23b may have a mesh pattern in which a plurality of silver wirings 35 intersect.

第1検出電極30及び第2検出電極32、並びに第1周辺配線23a及び第2周辺配線23bを、メッシュパターンを有する構成とする場合、メッシュパターンのパターンは特に制限されず、正三角形、二等辺三角形、直角三角形等の三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形等の四角形、(正)六角形、(正)八角形等の(正)n角形、円、楕円、星形等を組み合わせた幾何学図形であることが好ましい。
メッシュパターンのメッシュとは、図5に示すように、交差する銀配線35により構成される複数の開口部36を含んでいる形状を意図する。開口部36は、銀配線35で囲まれる開口領域である。図5において、開口部36は、菱形の形状を有しているが、他の形状であってもよい。例えば、多角形状(例えば、三角形、四角形、六角形、及び、ランダムな多角形)としてもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。メッシュパターンとしては、特に限定されるものでなく、ランダムなパターンでも規則的なパターンでもよく、合同な形状が複数繰り返し配置された規則的なメッシュパターンでもよい。
When the first detection electrode 30 and the second detection electrode 32, and the first peripheral wiring 23a and the second peripheral wiring 23b are configured to have a mesh pattern, the pattern of the mesh pattern is not particularly limited, and is preferably a geometric figure that combines a triangle such as an equilateral triangle, an isosceles triangle, or a right-angled triangle, a quadrangle such as a square, a rectangle, a rhombus, a parallelogram, or a trapezoid, a (regular) n-gon such as a (regular) hexagon or a (regular) octagon, a circle, an ellipse, a star, or the like.
The term "mesh" in the mesh pattern refers to a shape including a plurality of openings 36 formed by intersecting silver wiring 35, as shown in FIG. 5 . The openings 36 are open regions surrounded by the silver wiring 35. In FIG. 5 , the openings 36 are rhombic, but other shapes are also possible. For example, they may be polygonal (e.g., triangular, rectangular, hexagonal, and random polygonal). Furthermore, the shape of one side may be straight, curved, or arc-shaped. In the case of arc-shaped openings, for example, two opposing sides may be arc-shaped outwardly convex, and the other two opposing sides may be arc-shaped inwardly convex. Furthermore, each side may be wavy, consisting of a series of outwardly convex and inwardly convex arcs. Of course, each side may be a sine curve. The mesh pattern is not particularly limited and may be a random pattern or a regular pattern, or may be a regular mesh pattern in which multiple congruent shapes are repeatedly arranged.

メッシュパターンとしては、同じ菱形格子を有する規則的なメッシュパターンが好ましい。その菱形の一辺の長さ、すなわち、開口部36の一辺の長さWは、上限は800μm以下が好ましく、600μm以下がより好ましく、400μm以下がさらに好ましく、下限は5μm以上が好ましく、30μm以上がより好ましく、80μm以上がさらに好ましい。開口部の一辺の長さWが上述の範囲である場合には、さらに透明性も良好に保つことが可能であり、導電性基板18(図1参照)を画像表示部14(図1参照)の表示面14a(図1参照)上に取り付けた際に、違和感なく表示を視認することができる。
なお、銀配線のメッシュパターンは光学顕微鏡(株式会社キーエンス製デジタルマイクロスコープVHX-7000)を用いて観察及び測定ができる。
The mesh pattern is preferably a regular mesh pattern having identical diamond lattices. The length of one side of the diamond, i.e., the length W of one side of the opening 36, is preferably 800 μm or less, more preferably 600 μm or less, and even more preferably 400 μm or less, and the lower limit is preferably 5 μm or more, more preferably 30 μm or more, and even more preferably 80 μm or more. When the length W of one side of the opening is within the above-mentioned range, it is possible to maintain good transparency, and when the conductive substrate 18 (see FIG. 1) is attached to the display surface 14a (see FIG. 1) of the image display unit 14 (see FIG. 1), the display can be viewed without any discomfort.
The mesh pattern of the silver wiring can be observed and measured using an optical microscope (Keyence Corporation Digital Microscope VHX-7000).

<樹脂層>
樹脂層27は、第1の金属細線上を被覆する層であり、透明で電気絶縁性を有する。
樹脂層27は、導電性基板18の使用時に、本来電気的に絶縁状態にある第1銀線部37及び第2銀線部38を互いに導通させることなく電気絶縁性を維持することができれば、特に限定されるものではない。樹脂層27は、例えば、銀線を作製する際のゼラチンとは異なる高分子を含有するものである。
<Resin layer>
The resin layer 27 is a layer that covers the first thin metal wires, and is transparent and electrically insulating.
The resin layer 27 is not particularly limited as long as it can maintain electrical insulation without causing electrical conduction between the first silver wire portion 37 and the second silver wire portion 38, which are originally electrically insulated, when the conductive substrate 18 is in use. The resin layer 27 contains, for example, a polymer different from the gelatin used to produce the silver wires.

(導電性基板の製造方法)
以下、導電性基板18の製造方法について説明する。
図6は本発明の実施形態の導電性基板の製造方法の一工程を示す模式的断面図であり、図7は本発明の実施形態の導電性基板の製造方法の一工程を示す模式的断面図である。
支持体24上に下塗り層25aを形成する第1の工程と、下塗り層25a上にアンチハレーション層25bを形成する第2の工程と、アンチハレーション層25b上に第1銀線部37及び第2銀線部38を形成する第3の工程とを有する。
例えば、支持体として、例えば、PET基板が用いられる。
第1の工程では、図6に示すように支持体24の表面24a及び裏面24bに、それぞれ、例えば、ポリマーラテックスを塗布して下塗り層25aを形成する。
下塗り層25aの形成方法は、特に限定されるものでなく、下塗り層形成用組成物を塗布して、必要に応じて硬化処理を施す方法が挙げられる。塗布方法としては、例えば、スピンコート法、グラビアコート法、リバースコート法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、エアナイフコート法、スクリーンコート法、バーコート法、カーテンコート法等、従来公知のコーティング方法が使用できる。
なお、塗布後、必要に応じて硬化処理を実施してもよい。硬化処理としては、光硬化処理及び加熱処理が挙げられる。
(Method for manufacturing conductive substrate)
A method for manufacturing the conductive substrate 18 will now be described.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing one step of the method for manufacturing a conductive substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing one step of the method for manufacturing a conductive substrate according to an embodiment of the present invention.
The method includes a first step of forming an undercoat layer 25 a on a support 24, a second step of forming an antihalation layer 25 b on the undercoat layer 25 a, and a third step of forming a first silver line portion 37 and a second silver line portion 38 on the antihalation layer 25 b.
For example, a PET substrate is used as the support.
In the first step, as shown in FIG. 6, a polymer latex is applied to each of the front surface 24a and the back surface 24b of the support 24 to form an undercoat layer 25a.
The method for forming the undercoat layer 25 a is not particularly limited, and examples thereof include a method of applying a composition for forming an undercoat layer and, if necessary, performing a curing treatment. Examples of the application method include conventionally known coating methods such as spin coating, gravure coating, reverse coating, die coating, blade coating, roll coating, air knife coating, screen coating, bar coating, and curtain coating.
After application, a curing treatment may be carried out as necessary, such as a photocuring treatment or a heat treatment.

第2の工程では、図6に示すように、各下塗り層25a上に、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物を塗布して、アンチハレーション層25bを形成する。 In the second step, as shown in Figure 6, a silver halide-free layer-forming composition, which is a mixture of polymer latex and gelatin, is applied onto each undercoat layer 25a to form an antihalation layer 25b.

第3の工程は、アンチハレーション層25b上に、ハロゲン化銀を含むハロゲン化銀含有層を形成し、露光及び現像を行って、第1銀線部37(図3参照)及び第2銀線部38(図3参照)を形成する。なお、第1銀線部37を構成する銀配線35によりメッシュパターン(図4参照)を形成するために第3の工程では、第1の金属細線をメッシュパターン状(図4参照)に形成する工程を含むことが好ましい。露光パターンにより、メッシュパターン状に形成する。
第3の工程では、図6に示すように、各アンチハレーション層25b上に、ハロゲン化銀を含む第1ハロゲン化銀含有層40を形成する。次に、第1ハロゲン化銀含有層40よりも感度が低い、ハロゲン化銀を含む第2ハロゲン化銀含有層42を、第1ハロゲン化銀含有層40上に形成する。このようにして、支持体24と、第1ハロゲン化銀含有層40と、第2ハロゲン化銀含有層42と、をこの順で有する積層体43を作製する。
次に、各第2ハロゲン化銀含有層42上に、例えば、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物を塗布して、保護層28を形成する。
In the third step, a silver halide-containing layer containing silver halide is formed on the antihalation layer 25b, and exposure and development are performed to form first silver wire portions 37 (see FIG. 3) and second silver wire portions 38 (see FIG. 3). In order to form a mesh pattern (see FIG. 4) using the silver wiring 35 that constitutes the first silver wire portions 37, the third step preferably includes a step of forming the first thin metal wires into a mesh pattern (see FIG. 4). The mesh pattern is formed by the exposure pattern.
6, a first silver halide-containing layer 40 containing silver halide is formed on each antihalation layer 25b. Next, a second silver halide-containing layer 42 containing silver halide and having a lower sensitivity than the first silver halide-containing layer 40 is formed on the first silver halide-containing layer 40. In this manner, a laminate 43 having the support 24, the first silver halide-containing layer 40, and the second silver halide-containing layer 42 in this order is produced.
Next, a protective layer-forming composition, for example, a mixture of polymer latex and gelatin, is applied onto each second silver halide-containing layer 42 to form a protective layer 28 .

次に、図7に示すように、積層体43における保護層28の支持体24の表面24a側の保護層28の面28aに、露光マスク44を配置する。また、支持体24の裏面24b側の保護層28の面28bに、露光マスク44を配置する。
次に、露光マスク44に対して、平行光Lvをガラス基板45側から照射し、平行光Lvを用いて露光する。露光工程では、積層体43に対して、積算露光量が異なる領域があるように露光する。図7では露光マスク44を離して配置しているが、実際には露光マスク44を支持体24に密着させて配置して、露光する。
なお、支持体24の両面に、第1銀線部37等を形成する場合、露光工程では、積層体43に対して、支持体24の両面に同時に露光マスク44を介して露光してもよく、支持体24の片面ずつ露光マスク44を介して露光してもよい。
露光マスク44には、後に説明するが、例えば、透過率が異なる2種以上の開口部を有するマスクが用いられる。
7 , an exposure mask 44 is placed on the surface 28a of the protective layer 28 in the laminate 43, which is on the front surface 24a side of the support 24. In addition, an exposure mask 44 is placed on the surface 28b of the protective layer 28 on the back surface 24b side of the support 24.
Next, the exposure mask 44 is irradiated with parallel light Lv from the glass substrate 45 side, and exposed using the parallel light Lv. In the exposure process, the laminate 43 is exposed so that there are regions with different cumulative exposure amounts. Although the exposure mask 44 is placed at a distance in FIG. 7 , in reality, the exposure mask 44 is placed in close contact with the support 24 and exposed.
In addition, when forming the first silver line portion 37 etc. on both sides of the support 24, in the exposure process, the laminate 43 may be exposed to light through the exposure mask 44 on both sides of the support 24 at the same time, or each side of the support 24 may be exposed through the exposure mask 44.
As will be described later, the exposure mask 44 is, for example, a mask having two or more types of openings with different transmittances.

具体的には、露光マスク44は、ガラス基板45に、遮光層46が設けられている。遮光層46は、光を特定のパターンで透過させる開口部47、47aを有する。遮光層46の開口部47、47aのうち、第1銀線部を形成する開口部47aにハーフトーンフィルター層48が設けられている。第2銀線部を形成する開口部47にはハーフトーンフィルター層48が設けられていない。ハーフトーンフィルター層48は、透過する光の光量を小さくするものであり、例えば、光透過率調整フィルタが用いられる。ハーフトーンフィルター層48は、例えば、露光に用いる光の透過率が70%以下である。この構成により、開口部47と、開口部47aとは透過率が異なり、露光量も異なる。露光マスク44では、開口部47の方が開口部47aよりも透過率が高く、露光量が多い。このように露光マスク44は露光量を変えて、ハロゲン化銀含有層に対して、積算露光量が異なる領域があるように露光できる。露光マスク44は、ハーフトーンマスクとも呼ばれる。
露光マスク44では、遮光層46の遮光率、第1ハロゲン化銀含有層40の感度、及び第2ハロゲン化銀含有層42の感度は、ハーフトーンフィルター層48を設けない部分では、第1ハロゲン化銀含有層40及び第2ハロゲン化銀含有層42が現像され、ハーフトーンフィルター層48を設けた部分では、第1ハロゲン化銀含有層40が現像され、第2ハロゲン化銀含有層42が現像されないように、透過率が調整されている。
ハーフトーンフィルター層48の光透過率は、上述のJIS(日本産業規格) K 7375:2008に規定される「プラスチック-全光線透過率及び全光線反射率の求め方」を用いて測定される。
ハーフトーンフィルター層48としては、15%以上の光量を変えるフィルター層であることが好ましく、30%以上の光量を変えるフィルター層であることがより好ましい。
なお、露光マスク44を用いて露光する際の光源には、レーザー光を用いることもできる。
また、露光マスク44を用いて露光したが、これに限定されるものではなく、露光マスク44を用いることなく、レーザー光を用いた直接描画露光でもよい。この場合、レーザー光の光量を調整して、積算露光量が異なる領域があるように露光する。
Specifically, the exposure mask 44 includes a glass substrate 45 and a light-shielding layer 46. The light-shielding layer 46 has openings 47, 47a that transmit light in a specific pattern. Of the openings 47, 47a in the light-shielding layer 46, a halftone filter layer 48 is provided in the opening 47a that forms the first silver line portion. The halftone filter layer 48 is not provided in the opening 47 that forms the second silver line portion. The halftone filter layer 48 reduces the amount of light that passes through, and for example, a light transmittance adjustment filter is used. The halftone filter layer 48 has, for example, a transmittance of 70% or less for the light used for exposure. With this configuration, the openings 47 and the openings 47a have different transmittances and different exposure amounts. In the exposure mask 44, the openings 47 have a higher transmittance and a higher exposure amount than the openings 47a. In this way, the exposure mask 44 can change the exposure amount to expose the silver halide-containing layer to regions with different cumulative exposure amounts. The exposure mask 44 is also called a halftone mask.
In the exposure mask 44, the light-shielding rate of the light-shielding layer 46, the sensitivity of the first silver halide-containing layer 40, and the sensitivity of the second silver halide-containing layer 42 are adjusted in transmittance so that the first silver halide-containing layer 40 and the second silver halide-containing layer 42 are developed in the areas where the halftone filter layer 48 is not provided, and the first silver halide-containing layer 40 is developed but the second silver halide-containing layer 42 is not developed in the areas where the halftone filter layer 48 is provided.
The light transmittance of the halftone filter layer 48 is measured using the "Plastics - Determination of total light transmittance and total light reflectance" defined in the above-mentioned JIS (Japanese Industrial Standards) K 7375:2008.
The halftone filter layer 48 is preferably a filter layer that changes the amount of light by 15% or more, and more preferably a filter layer that changes the amount of light by 30% or more.
It should be noted that a laser beam may also be used as the light source when exposing using the exposure mask 44 .
Furthermore, although the exposure mask 44 is used for exposure, the present invention is not limited to this, and direct writing exposure using laser light may be used without using the exposure mask 44. In this case, the amount of laser light is adjusted so that there are regions with different cumulative exposure amounts.

上述のように露光マスク44は、例えば、透過率が異なる2種の開口部47、47aを有するマスクである。開口部47、47aの透過率は、例えば、露光に用いる光の透過率が異なる光透過率調整フィルタを用いることにより調整できる。
第1ハロゲン化銀含有層40の感度、及び第2ハロゲン化銀含有層42の感度とは、光を照射した際のハロゲン化銀の銀への変換率に基づく評価指標のことである。感度が低いとは、光を照射した際のハロゲン化銀の銀への変換率が低いことである。
As described above, the exposure mask 44 is a mask having, for example, two types of openings 47, 47a with different transmittances. The transmittance of the openings 47, 47a can be adjusted, for example, by using light transmittance adjusting filters with different transmittances of light used for exposure.
The sensitivity of the first silver halide-containing layer 40 and the sensitivity of the second silver halide-containing layer 42 are evaluation indexes based on the conversion rate of silver halide to silver when irradiated with light. Low sensitivity means that the conversion rate of silver halide to silver when irradiated with light is low.

上述の露光マスク44を用いた露光により、第1ハロゲン化銀含有層40が現像される部分と、第1ハロゲン化銀含有層40及び第2ハロゲン化銀含有層42が現像される部分とに分かれる。開口部47aを通過した光で露光される領域では、第1ハロゲン化銀含有層40が現像され、第2ハロゲン化銀含有層42は現像されない。このため、薄い第1銀線部37が形成される。一方、開口部47を通過した光で露光される領域では、第1ハロゲン化銀含有層40及び第2ハロゲン化銀含有層42が現像される。このため、厚い第2銀線部38が形成される。図3に示すように厚みが異なる第1銀線部37と、第2銀線部38とが形成される。
また、露光マスク44は、1つのマスクで、第1銀線部37の形成領域及び第2銀線部38の形成領域を露光できることから、複数のマスクを用いるものに比して、位置合わせ精度良く、第1銀線部37及び第2銀線部38を形成できる。
なお、図6及び図7に示す露光マスク44は、説明のために、便宜的に第1銀線部37と第2銀線部38とを形成するパターンを示しており、これに限定されるものではない。露光マスク44は、例えば、図2に示す導電性基板18の配線パターンを露光するパターンを有する構成とすることもできる。
Exposure using the above-described exposure mask 44 separates the first silver halide-containing layer 40 into a developed portion and the first silver halide-containing layer 40 and the second silver halide-containing layer 42 into a developed portion. In the region exposed to light passing through the opening 47a, the first silver halide-containing layer 40 is developed, but the second silver halide-containing layer 42 is not developed. As a result, a thin first silver line portion 37 is formed. On the other hand, in the region exposed to light passing through the opening 47, the first silver halide-containing layer 40 and the second silver halide-containing layer 42 are developed. As a result, a thick second silver line portion 38 is formed. As shown in FIG. 3 , the first silver line portion 37 and the second silver line portion 38 have different thicknesses.
Furthermore, since the exposure mask 44 can expose the formation area of the first silver wire portion 37 and the formation area of the second silver wire portion 38 with a single mask, the first silver wire portion 37 and the second silver wire portion 38 can be formed with better alignment accuracy than when multiple masks are used.
6 and 7 show a pattern for forming the first silver wire portion 37 and the second silver wire portion 38 for the sake of convenience, but the exposure mask 44 is not limited to this. The exposure mask 44 may also be configured to have a pattern for exposing the wiring pattern of the conductive substrate 18 shown in FIG. 2, for example.

以下、ハロゲン化銀を用いて露光及び現像を行う方法について、より具体的に説明する。
工程A:支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層を形成する工程
工程B:ハロゲン化銀含有感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程
工程C:工程Bで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程
工程D:工程Cで得られた銀含有層中のゼラチンを除去して、上記銀配線を形成する工程
以下、各工程の手順について詳述する。
The method of exposure and development using silver halide will be explained in more detail below.
Step A: A step of forming a silver halide-containing photosensitive layer containing silver halide, gelatin, and a specific polymer on a support. Step B: A step of exposing the silver halide-containing photosensitive layer and then developing it to form a fine-line silver-containing layer containing metallic silver, gelatin, and a polymer different from gelatin. Step C: A step of subjecting the silver-containing layer obtained in Step B to a heat treatment. Step D: A step of removing the gelatin from the silver-containing layer obtained in Step C to form the above-mentioned silver wiring. The procedure of each step is described in detail below.

[工程A]
工程Aは、支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層(以下、「感光性層」ともいう。)を形成する工程である。本工程により、ハロゲン化銀を含む第1ハロゲン化銀含有層と、第1ハロゲン化銀含有層よりも感度が低い、ハロゲン化銀を含む第2ハロゲン化銀含有層とをこの順で有する積層体が作製される。
なお、上述したように、本工程により形成される第1ハロゲン化銀含有層と、第2ハロゲン化銀含有層とは感度が異なるが、感度の調整は各ハロゲン化銀含有層に含まれる成分を調整することにより制御できる。特に、後述するように、VIIB族に属する金属元素を含む化合物の添加量を調整することにより、ハロゲン化銀含有層の感度が容易に調整できる。
まず、工程Aで使用される材料について詳述し、その後、工程Aの手順について詳述する。
[Process A]
In step A, a silver halide-containing photosensitive layer (hereinafter also referred to as "photosensitive layer") containing silver halide, gelatin, and a specific polymer is formed on a support. This step produces a laminate having, in this order, a first silver halide-containing layer containing silver halide and a second silver halide-containing layer containing silver halide and having a lower sensitivity than the first silver halide-containing layer.
As described above, the first silver halide-containing layer and the second silver halide-containing layer formed by this process have different sensitivities, but the sensitivities can be controlled by adjusting the components contained in each silver halide-containing layer. In particular, as described below, the sensitivity of the silver halide-containing layer can be easily adjusted by adjusting the amount of a compound containing a metal element belonging to Group VIIB added.
First, the materials used in step A will be described in detail, and then the procedure for step A will be described in detail.

(ハロゲン化銀)
ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子及びフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀、又は、ヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀又は臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀、又は、ヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が50%以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオン及び/又はヨウ化物イオンを含んでいてもよい。
(silver halide)
The halogen atom contained in the silver halide may be any of chlorine atom, bromine atom, iodine atom, and fluorine atom, or a combination thereof.For example, silver halide mainly composed of silver chloride, silver bromide, or silver iodide is preferred, and silver halide mainly composed of silver chloride or silver bromide is more preferred.In addition, silver chlorobromide, silver iodochlorobromide, or silver iodobromide is also preferably used.
Here, for example, "silver halide mainly composed of silver chloride" refers to a silver halide in which the molar fraction of chloride ions in the total halide ions in the silver halide composition is 50% or more. This silver halide mainly composed of silver chloride may contain bromide ions and/or iodide ions in addition to chloride ions.

ハロゲン化銀は、通常、固体粒子状であり、ハロゲン化銀の平均粒子径は、球相当径で10~1000nmが好ましく、10~200nmがより好ましく、50~150nmが更に好ましい。
第2ハロゲン化銀含有層が含有するハロゲン化銀は、第1ハロゲン化銀含有層への入射光の散乱の抑制の観点から、平均粒子径が250nm以下であることが好ましく、より好ましくは150nm以下である。
ハロゲン化銀の粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状(六角形平板状、三角形平板状、四角形平板状等)、八面体状、及び、十四面体状等の形状が挙げられる。
なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。また、上記ハロゲン化銀の平均粒子径として用いられる「球相当径」は、平均値であり、100個の対象物の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。
The silver halide is usually in the form of solid particles, and the average particle size of the silver halide is preferably from 10 to 1,000 nm, more preferably from 10 to 200 nm, and even more preferably from 50 to 150 nm, in terms of equivalent spherical diameter.
The silver halide contained in the second silver halide-containing layer preferably has an average particle size of 250 nm or less, more preferably 150 nm or less, from the viewpoint of suppressing scattering of incident light into the first silver halide-containing layer.
The shape of the silver halide grains is not particularly limited, and examples thereof include spherical, cubic, tabular (hexagonal tabular, triangular tabular, quadrangular tabular, etc.), octahedral, and tetradecahedral shapes.
The "equivalent sphere diameter" is the diameter of a spherical particle having the same volume. The "equivalent sphere diameter" used as the average particle diameter of the silver halide is an average value, which is obtained by measuring the equivalent sphere diameters of 100 objects and calculating the arithmetic mean thereof.

(ゼラチン)
ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、及び、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基及び/又はカルボキシル基で修飾されたゼラチン(フタル化ゼラチン、及び、アセチル化ゼラチン)等を用いてもよい。
(gelatin)
The type of gelatin is not particularly limited, and examples thereof include lime-processed gelatin and acid-processed gelatin. In addition, gelatin hydrolysates, enzymatic decomposition products, and gelatin modified with amino groups and/or carboxyl groups (phthalated gelatin and acetylated gelatin) may also be used.

(特定高分子)
感光性層には、ゼラチンと異なる高分子(特定高分子)が含まれる。この特定高分子が感光性層に含まれることにより、感光性層より形成される銀含有層及び銀配線の強度がより優れる。
特定高分子の種類、具体例及び形状等の特徴は、上述した通りである。
(Specified polymer)
The photosensitive layer contains a polymer (specific polymer) different from gelatin. By including this specific polymer in the photosensitive layer, the strength of the silver-containing layer and silver wiring formed from the photosensitive layer is improved.
The type, specific examples, shape, and other characteristics of the specific polymer are as described above.

なかでも、特定高分子としては、以下の一般式(1)で表される高分子(共重合体)が好ましい。
一般式(1): -(A)x-(B)y-(C)z-(D)w-
なお、一般式(1)中、A、B、C、及びDはそれぞれ、下記一般式(A)~(D)で表される繰り返し単位を表す。
Among these, the specific polymer is preferably a polymer (copolymer) represented by the following general formula (1).
General formula (1): -(A)x-(B)y-(C)z-(D)w-
In the general formula (1), A, B, C, and D represent repeating units represented by the following general formulae (A) to (D), respectively.

1は、メチル基又はハロゲン原子を表し、メチル基、塩素原子、又は、臭素原子が好ましい。pは0~2の整数を表し、0又は1が好ましく、0がより好ましい。
2は、メチル基又はエチル基を表し、メチル基が好ましい。
3は、水素原子又はメチル基を表し、水素原子が好ましい。Lは、2価の連結基を表し、下記一般式(2)で表される基が好ましい。
一般式(2):-(CO-X1)r-X2
一般式(2)中、X1は、酸素原子又はNR30-を表す。ここでR30は、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アシル基を表し、それぞれ置換基(例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、及び、ヒドロキシル基)を有してもよい。R30としては、水素原子、炭素数1~10のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、n-ブチル基、及び、n-オクチル基)、又は、アシル基(例えば、アセチル基、及び、ベンゾイル基)が好ましい。X1としては、酸素原子又はNH-が好ましい。
2は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、又は、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には-O-、-S-、-CO-、-COO-、-NH-、-SO2-、-N(R31)-、又は、-N(R31)SO2-等が途中に挿入されてもよい。R31は、炭素数1~6の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表す。X2としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、o-フェニレン基、m-フェニレン基、p-フェニレン基、-CH2CH2OCOCH2CH2-、又は、-CH2CH2OCO(C64)-が好ましい。
rは0又は1を表す。
qは0又は1を表し、0が好ましい。
R1 represents a methyl group or a halogen atom, and is preferably a methyl group, a chlorine atom, or a bromine atom. p represents an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1, and more preferably 0.
R2 represents a methyl group or an ethyl group, with a methyl group being preferred.
R3 represents a hydrogen atom or a methyl group, preferably a hydrogen atom. L represents a divalent linking group, preferably a group represented by the following general formula (2).
General formula (2): -(CO-X 1 )r-X 2 -
In general formula (2), X 1 represents an oxygen atom or NR 30 -. Here, R 30 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or an acyl group, each of which may have a substituent (e.g., a halogen atom, a nitro group, or a hydroxyl group). R 30 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, or an n-octyl group), or an acyl group (e.g., an acetyl group or a benzoyl group). X 1 is preferably an oxygen atom or NH-.
X2 represents an alkylene group, an arylene group, an alkylenearylene group, an arylenealkylene group, or an alkylenearylenealkylene group, and these groups may have -O-, -S-, -CO-, -COO-, -NH- , -SO2-, -N( R31 )-, or -N( R31 ) SO2- , etc. inserted therein. R31 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. X2 is preferably a dimethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, an o - phenylene group, an m-phenylene group, a p - phenylene group, -CH2CH2OCOCH2CH2- , or -CH2CH2OCO ( C6H4 ) - .
r represents 0 or 1.
q represents 0 or 1, with 0 being preferred.

4は、アルキル基、アルケニル基、又は、アルキニル基を表し、炭素数5~50のアルキル基が好ましく、炭素数5~30のアルキル基がより好ましく、炭素数5~20のアルキル基が更に好ましい。
5は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、又は、-CH2COOR6を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、又は、-CH2COOR6が好ましく、水素原子、メチル基、又は、-CH2COOR6がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
6は、水素原子又は炭素数1~80のアルキル基を表し、R4と同じでも異なってもよく、R6の炭素数は1~70が好ましく、1~60がより好ましい。
R 4 represents an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group, and is preferably an alkyl group having 5 to 50 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 5 to 30 carbon atoms, and even more preferably an alkyl group having 5 to 20 carbon atoms.
R5 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a halogen atom, or —CH2COOR6 , preferably a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom, or —CH2COOR6 , more preferably a hydrogen atom, a methyl group , or —CH2COOR6 , and even more preferably a hydrogen atom.
R6 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 80 carbon atoms, and may be the same as or different from R4 . R6 preferably has 1 to 70 carbon atoms, and more preferably has 1 to 60 carbon atoms.

一般式(1)中、x、y、z、及びwは各繰り返し単位のモル比率を表す。
xは、3~60モル%であり、3~50モル%が好ましく、3~40モル%がより好ましい。
yは、30~96モル%であり、35~95モル%が好ましく、40~90モル%がより好ましい。
zは、0.5~25モル%であり、0.5~20モル%が好ましく、1~20モル%がより好ましい。
wは、0.5~40モル%であり、0.5~30モル%が好ましい。
一般式(1)において、xは3~40モル%、yは40~90モル%、zは0.5~20モル%、wは0.5~10モル%の場合が好ましい。
In the general formula (1), x, y, z, and w represent the molar ratio of each repeating unit.
x is 3 to 60 mol %, preferably 3 to 50 mol %, and more preferably 3 to 40 mol %.
y is 30 to 96 mol %, preferably 35 to 95 mol %, and more preferably 40 to 90 mol %.
z is 0.5 to 25 mol %, preferably 0.5 to 20 mol %, and more preferably 1 to 20 mol %.
w is 0.5 to 40 mol %, preferably 0.5 to 30 mol %.
In the general formula (1), it is preferable that x is 3 to 40 mol %, y is 40 to 90 mol %, z is 0.5 to 20 mol %, and w is 0.5 to 10 mol %.

一般式(1)で表される高分子としては、下記一般式(2)で表される高分子が好ましい。 The polymer represented by general formula (1) is preferably a polymer represented by the following general formula (2):

一般式(2)中、x、y、z及びwは、上記の定義の通りである。 In general formula (2), x, y, z, and w are as defined above.

一般式(1)で表される高分子は、上記一般式(A)~(D)で表される繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を含んでもよい。
他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、及び、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第3754745号公報の段落0010~0022にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類又はメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレート又はヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
一般式(1)で表される高分子は、一般式(E)で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
The polymer represented by general formula (1) may contain repeating units other than the repeating units represented by the above general formulae (A) to (D).
Examples of monomers for forming other repeating units include acrylic acid esters, methacrylic acid esters, vinyl esters, olefins, crotonates, itaconic acid diesters, maleic acid diesters, fumaric acid diesters, acrylamides, unsaturated carboxylic acids, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl ketones, heterocyclic vinyl compounds, glycidyl esters, and unsaturated nitriles. These monomers are also described in paragraphs 0010 to 0022 of Japanese Patent No. 3754745. From the viewpoint of hydrophobicity, acrylic acid esters or methacrylic acid esters are preferred, and hydroxyalkyl methacrylates or hydroxyalkyl acrylates are more preferred.
The polymer represented by general formula (1) preferably contains a repeating unit represented by general formula (E).

上記式中、LEはアルキレン基を表し、炭素数1~10のアルキレン基が好ましく、炭素数2~6のアルキレン基がより好ましく、炭素数2~4のアルキレン基が更に好ましい。 In the above formula, L E represents an alkylene group, preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, and even more preferably an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms.

一般式(1)で表される高分子としては、下記一般式(3)で表される高分子が特に好ましい。 A polymer represented by general formula (1) is particularly preferably a polymer represented by the following general formula (3):

上記式中、a1、b1、c1、d1及びe1は各繰り返し単位のモル比率を表し、a1は3~60(モル%)、b1は30~95(モル%)、c1は0.5~25(モル%)、d1は0.5~40(モル%)、e1は1~10(モル%)を表す。
a1の好ましい範囲は上記xの好ましい範囲と同じであり、b1の好ましい範囲は上記yの好ましい範囲と同じであり、c1の好ましい範囲は上記zの好ましい範囲と同じであり、d1の好ましい範囲は上記wの好ましい範囲と同じである。
e1は、1~10モル%であり、2~9モル%が好ましく、2~8モル%がより好ましい。
In the above formula, a1, b1, c1, d1, and e1 represent the molar ratio of each repeating unit, where a1 represents 3 to 60 (mol%), b1 represents 30 to 95 (mol%), c1 represents 0.5 to 25 (mol%), d1 represents 0.5 to 40 (mol%), and e1 represents 1 to 10 (mol%).
The preferred range of a1 is the same as the preferred range of x, the preferred range of b1 is the same as the preferred range of y, the preferred range of c1 is the same as the preferred range of z, and the preferred range of d1 is the same as the preferred range of w.
e1 is 1 to 10 mol %, preferably 2 to 9 mol %, and more preferably 2 to 8 mol %.

特定高分子は、例えば、特許第3305459号公報及び特許第3754745号公報等を参照して合成できる。
特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、1000~1000000が好ましく、2000~750000がより好ましく、3000~500000が更に好ましい。
The specific polymer can be synthesized by referring to, for example, Japanese Patent No. 3305459 and Japanese Patent No. 3754745.
The weight average molecular weight of the specific polymer is not particularly limited, but is preferably from 1,000 to 1,000,000, more preferably from 2,000 to 750,000, and even more preferably from 3,000 to 500,000.

(VIIB族に属する金属元素を含む化合物)
感光性層は、VIIB族に属する金属元素を含む化合物(以下、単に「特定化合物」ともいう。)を含んでいてもよい。感光性層中における上記特定化合物の含有量を調整することにより、感度を調整できる。
特定化合物としては、ロジウム化合物、イリジウム化合物、ルテニウム化合物、又は、鉄化合物、オスミウム化合物が好ましい。これら化合物は、各種の配位子を有する化合物であってよく、配位子として、例えば、シアン化物イオン、ハロゲンイオン、チオシアナートイオン、ニトロシルイオン、水、水酸化物イオン、アンモニア、アミン類(メチルアミン、エチレンジアミン等)、ヘテロ環化合物(イミダゾール、チアゾール、5-メチルチアゾール、メルカプトイミダゾールなど)、尿素、及び、チオ尿素が挙げられる。
ロジウム化合物として、水溶性ロジウム化合物を用いることができる。例えば、ハロゲン化ロジウム(III)化合物が挙げられ、例えば、ヘキサクロロロジウム(III)錯塩、ペンタクロロアコロジウム錯塩、テトラクロロジアコロジウム錯塩、ヘキサブロモロジウム(III)錯塩、ヘキサアミンロジウム(III)錯塩、及び、トリザラトロジウム(III)錯塩が挙げられる。
(Compounds containing metal elements belonging to Group VIIB)
The photosensitive layer may contain a compound containing a metal element belonging to Group VIIB (hereinafter, also simply referred to as a "specific compound"). The sensitivity can be adjusted by adjusting the content of the specific compound in the photosensitive layer.
The specific compound is preferably a rhodium compound, an iridium compound, a ruthenium compound, an iron compound, or an osmium compound. These compounds may have various ligands, and examples of the ligands include cyanide ions, halogen ions, thiocyanate ions, nitrosyl ions, water, hydroxide ions, ammonia, amines (methylamine, ethylenediamine, etc.), heterocyclic compounds (imidazole, thiazole, 5-methylthiazole, mercaptoimidazole, etc.), urea, and thiourea.
The rhodium compound may be a water-soluble rhodium compound, such as a rhodium(III) halide compound, for example, a hexachlororhodium(III) complex salt, a pentachloroacollodium complex salt, a tetrachlorodiacollodium complex salt, a hexabromorhodium(III) complex salt, a hexaaminerhodium(III) complex salt, or a trisalarhodium(III) complex salt.

感光性層には、必要に応じて、上述した材料以外の他の材料が含まれていてもよい。
また、他の材料としては、特開2009-004348号公報の段落0220~0241に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、及び、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。
また、他の材料としては、粘度調整剤(例えば、増粘多糖類、セルロース類、水溶性ポリマー等)、造膜助剤(例えば、グリコール誘導体、2,2,4-トリメチル-1,3-ペンタンジオールモノイソブチレート等のジオール化合物等)、防腐剤、可塑剤、滑り材、有機又は無機又は有機無機の複合素材からなるフィラー類(例えば、PMMA(Poly Methyl Methacrylate)、ポリスチレン、コロイダルシリカ、ジルコニア、セルロースナノファイバー、CNT(カーボンナノチューブ)等)、及び、紫外線吸収剤等も挙げられる。
帯電防止剤は、ハロゲン化銀含有感光材料の帯電による異物の付着又は放電発光による意図せぬ感光による故障を防止することができ、好ましい。界面活性剤は、感光性層の塗布性、支持体との密着性、並びに、ハロゲン化銀及びバインダーその他含有成分の分散性を制御できるため好ましい。
また、感光性層には、特開2009-004348号公報の段落0146~0158に記載の架橋剤又は硬化剤、段落0160~0170に記載の染料、段落0214~0217に記載の水溶性バインダーが含まれていてもよい。また、感光性層には、国際公開第2020/195622号の段落0079~0081に記載の金属安定化剤、段落0109~0118に記載の特定化合物が含まれていてもよい。更には、感光性層には、物理現像核が含まれていてもよい。
The photosensitive layer may contain materials other than the above-mentioned materials, if necessary.
Other materials include antistatic agents, nucleation accelerators, spectral sensitizing dyes, surfactants, antifoggants, hardeners, anti-black spot agents, redox compounds, monomethine compounds, and dihydroxybenzenes, as described in paragraphs 0220 to 0241 of JP-A-2009-004348.
Other materials include viscosity modifiers (for example, thickening polysaccharides, celluloses, water-soluble polymers, etc.), film-forming aids (for example, glycol derivatives, diol compounds such as 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate, etc.), preservatives, plasticizers, slipping agents, fillers made of organic, inorganic, or organic-inorganic composite materials (for example, PMMA (Poly Methyl Methacrylate), polystyrene, colloidal silica, zirconia, cellulose nanofibers, CNT (carbon nanotubes), etc.), and ultraviolet absorbers.
The antistatic agent is preferred because it can prevent adhesion of foreign matter due to charging of the silver halide-containing photosensitive material or failure due to unintended photosensitivity caused by discharge light emission. The surfactant is preferred because it can control the coatability of the photosensitive layer, adhesion to the support, and dispersibility of the silver halide, binder, and other components contained therein.
The photosensitive layer may also contain a crosslinking agent or curing agent described in paragraphs 0146 to 0158 of JP-A 2009-004348, a dye described in paragraphs 0160 to 0170, or a water-soluble binder described in paragraphs 0214 to 0217. The photosensitive layer may also contain a metal stabilizer described in paragraphs 0079 to 0081 of WO 2020/195622, or a specific compound described in paragraphs 0109 to 0118. Furthermore, the photosensitive layer may also contain physical development nuclei.

また、感光性層には、上記特定高分子同士を架橋するために使用される架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることにより、特定高分子同士間での架橋が進行し、ゼラチンが分解除去された際にも銀配線中の金属銀同士の連結が保たれる。これらゼラチン及び特定高分子以外の材料は、後述のハロゲン化銀不含有層及び/又は保護層に含有させてもよい。 The photosensitive layer may also contain a crosslinking agent used to crosslink the specific polymers. The inclusion of a crosslinking agent promotes crosslinking between the specific polymers, maintaining the connection between the metallic silver particles in the silver wiring even when the gelatin is decomposed and removed. Materials other than gelatin and the specific polymer may also be contained in the silver halide-free layer and/or protective layer, which will be described later.

(工程Aの手順)
工程Aにおいて上記成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を支持体上に接触させ、支持体上に第1ハロゲン化銀含有層と、第2ハロゲン化銀含有層とを形成する方法が好ましい。
以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
(Procedure of Step A)
The method for forming the photosensitive layer containing the above components in step A is not particularly limited, but from the viewpoint of productivity, a method in which a photosensitive layer-forming composition containing silver halide, gelatin, and a specific polymer is brought into contact with a support, and a first silver halide-containing layer and a second silver halide-containing layer are formed on the support is preferred.
The form of the photosensitive layer-forming composition used in this method will be described in detail below, and then the steps will be described in detail.

(感光性層形成用組成物に含まれる材料)
感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。
溶媒としては、水、有機溶媒(例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類)、イオン性液体、及び、これらの混合溶媒が挙げられる。
(Materials contained in the composition for forming the photosensitive layer)
The photosensitive layer-forming composition contains the above-mentioned silver halide, gelatin, and specific polymer. If necessary, the specific polymer may be contained in the photosensitive layer-forming composition in the form of particles.
The photosensitive layer-forming composition may contain a solvent, if necessary.
Examples of the solvent include water, organic solvents (for example, alcohols, ketones, amides, sulfoxides, esters, and ethers), ionic liquids, and mixed solvents thereof.

感光性層形成用組成物と支持体とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、感光性層形成用組成物を支持体上に塗布する方法、及び、感光性層形成用組成物中に支持体を浸漬する方法等が挙げられる。
なお、上記処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
The method for contacting the photosensitive layer-forming composition with the support is not particularly limited, and examples thereof include a method of applying the photosensitive layer-forming composition onto the support, and a method of immersing the support in the photosensitive layer-forming composition.
After the above treatment, a drying treatment may be carried out as necessary.

(ハロゲン化銀含有感光性層)
上記手順により形成された感光性層中には、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。
感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点で、銀換算で3.0~20.0g/mが好ましく、5.0~15.0g/mがより好ましい。
銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点で、0.04~2.0g/m2が好ましく、0.08~0.40g/m2がより好ましい。
第1ハロゲン化銀含有層と、第2ハロゲン化銀含有層とは、第2ハロゲン化銀含有層の方が感度が低いが、これは、例えば、乳剤を調整することにより、感度を調整する。より具体的には、上述したように、特定化合物の含有量を調整することにより、感度を調整できる。感度を調整する方法としては、他に、層に固定する光吸収材(例えば、固体染料)を各層に添加する方法があり、感度を下げる層に対して、光吸収材の添加量を多くする。このことから、第2ハロゲン化銀含有層への光吸収材の添加量を多くすることにより、第1ハロゲン化銀含有層よりも感度を低くできる。
(Silver halide-containing photosensitive layer)
The photosensitive layer formed by the above procedure contains silver halide, gelatin, and a specific polymer.
The content of silver halide in the photosensitive layer is not particularly limited, but is preferably 3.0 to 20.0 g/m 2 in terms of silver, and more preferably 5.0 to 15.0 g/m 2 in terms of silver, in terms of obtaining better effects of the present invention.
The term "silver equivalent" means that the silver halide is converted into the mass of silver produced by reduction.
The content of the specific polymer in the photosensitive layer is not particularly limited, but is preferably 0.04 to 2.0 g/m 2 , and more preferably 0.08 to 0.40 g/m 2 , in terms of achieving better effects of the present invention.
The sensitivity of the second silver halide-containing layer is lower than that of the first silver halide-containing layer, and this can be achieved by adjusting the emulsion, for example. More specifically, as described above, the sensitivity can be adjusted by adjusting the content of a specific compound. Another method for adjusting the sensitivity is to add a light-absorbing material (e.g., a solid dye) fixed to each layer, and the amount of light-absorbing material added is increased relative to the layer that reduces the sensitivity. Therefore, by increasing the amount of light-absorbing material added to the second silver halide-containing layer, the sensitivity can be lowered compared to the first silver halide-containing layer.

[工程B]
工程Bは、感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程である。
[Process B]
In step B, the photosensitive layer is exposed to light and then developed to form a fine line-shaped silver-containing layer containing metallic silver, gelatin, and a specific polymer.

感光性層に上述のように、ハーフトーンフィルター層48(図7参照)を有する露光マスク44(図7参照)を用いて露光処理を施すことにより、開口部47、47a(図7参照)に応じた積算露光量にて露光し潜像が形成される。
露光はパターン状に実施してもよく、例えば、後述する銀配線からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法が挙げられる。
露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、及び、X線が挙げられる。
As described above, the photosensitive layer is subjected to an exposure process using an exposure mask 44 (see FIG. 7) having a halftone filter layer 48 (see FIG. 7), whereby a latent image is formed by exposure with an integrated exposure amount according to the openings 47, 47a (see FIG. 7).
The exposure may be carried out in a pattern. For example, to obtain a mesh pattern consisting of silver wiring as described below, exposure may be carried out through a mask having a mesh-like opening pattern.
The type of light used for exposure is not particularly limited as long as it can form a latent image on the silver halide, and examples thereof include visible light, ultraviolet light, and X-rays.

開口パターンを有する露光マスクを介して露光する場合、マスク開口パターン中の特定の場所のみ露光量を減らして、積算露光量を調整して露光し、潜像形成量を調整してもよい。潜像形成量を調整すると、後段の操作で形成される金属量、厚み(高さ)を調整することができる。特定の場所のみ露光量を減らす手段に特に制限はないが、例えば、特定部分に照射される光源からの露光量を調整する方法が挙げられる。例えば、該当部分の上のランプ、LED(light emitting diode)のみ出力を落として露光量を低くする、あるいは、特定部分の上部に減光フィルタを設置する等の方法が挙げられる。また、特定の場所のみ露光量を減らす別の手段として、マスク開口パターンの特定部分に半透過膜を付与したハーフトーンマスクを用いる方法が挙げられる。生産性の観点で、ハーフトーンマスクを用いることが好ましい。 When exposing through an exposure mask having an aperture pattern, the amount of exposure can be adjusted by reducing the exposure dose only in specific locations within the mask aperture pattern and adjusting the cumulative exposure dose before exposure, thereby adjusting the amount of latent image formation. Adjusting the amount of latent image formation makes it possible to adjust the amount of metal formed in subsequent operations and its thickness (height). There are no particular limitations on the means for reducing the exposure dose only in specific locations, but examples include adjusting the exposure dose from the light source irradiating the specific area. Examples include reducing the output of only the lamp or LED (light emitting diode) above the relevant area to lower the exposure dose, or installing a neutral density filter above the specific area. Another method for reducing the exposure dose only in specific areas is to use a half-tone mask, in which a semi-transparent film is applied to specific areas of the mask aperture pattern. From the perspective of productivity, using a half-tone mask is preferable.

露光された感光性層に現像処理を施すことにより、露光領域(潜像が形成された領域)では、金属銀が析出する。
現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、及び、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、PQ(phenidone hydroquinone)現像液、MQ(Metol hydroquinone)現像液、及び、MAA(メトール・アスコルビン酸)現像液が挙げられる。
By subjecting the exposed photosensitive layer to a development process, metallic silver is precipitated in the exposed areas (areas where a latent image is formed).
The method of development is not particularly limited, and examples thereof include known methods used for silver halide photographic films, photographic paper, films for printing plate making, and emulsion masks for photomasks.
In the development process, a developer is usually used. The type of developer is not particularly limited, and examples thereof include a PQ (phenidone hydroquinone) developer, an MQ (metol hydroquinone) developer, and an MAA (metol ascorbic acid) developer.

本工程は、未露光部分のハロゲン化銀を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を更に有していてもよい。
定着処理は、現像と同時及び/又は現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、及び、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」(笹井著、株式会社写真工業出版社)p321記載の定着液が挙げられる。
This step may further include a fixing treatment for the purpose of removing and stabilizing the silver halide in the unexposed areas.
Fixing treatment is carried out simultaneously with and/or after development. The method of fixing treatment is not particularly limited, and examples thereof include methods used for silver halide photographic film, photographic paper, film for printing plate making, and emulsion masks for photomasks.
In the fixing process, a fixing solution is usually used. The type of fixing solution is not particularly limited, and examples thereof include the fixing solutions described on page 321 of "Chemistry of Photography" (by Sasai, published by Shashin Kogyo Shuppansha Co., Ltd.).

上記処理を実施することにより、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む、細線状の銀含有層が形成される。
銀含有層の線幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用される露光マスクの開口部の開口幅を調整する方法が挙げられる。
また、露光時に露光マスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、露光マスクの開口部の開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。
By carrying out the above treatment, a thin line-shaped silver-containing layer containing metallic silver, gelatin, and a specific polymer is formed.
An example of a method for adjusting the line width of the silver-containing layer is to adjust the opening width of an exposure mask used during exposure.
In addition, when an exposure mask is used during exposure, the width of the silver-containing layer to be formed can be adjusted by adjusting the exposure dose. For example, when the opening width of the exposure mask is narrower than the target width of the silver-containing layer, the width of the region where the latent image is formed can be adjusted by increasing the exposure dose more than usual.

なお、上述した、周辺パターン内部の金属原子数比率が50%以上の領域における、炭素原子/金属原子の原子数比率の比率を調整するためには、検出電極に対する周辺パターンの大きさを調整する方法が挙げられる。検出電極に対する周辺パターンの大きいと、後述する工程Dの際に、周辺パターンからゼラチンが除去しづらくなり、結果として、炭素原子の比率が高い周辺パターンを形成できる。 In addition, one way to adjust the atomic ratio of carbon atoms to metal atoms in the region within the peripheral pattern where the metal atom ratio is 50% or more is to adjust the size of the peripheral pattern relative to the detection electrode. If the peripheral pattern is large relative to the detection electrode, it becomes difficult to remove gelatin from the peripheral pattern in step D, which will be described later. As a result, a peripheral pattern with a high carbon atom ratio can be formed.

[工程C]
工程Cは、工程Bで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層中の特定高分子間での融着が進行し、銀含有層の強度が向上する。
[Process C]
Step C is a step of subjecting the silver-containing layer obtained in Step B to a heat treatment. By carrying out this step, fusion between specific polymers in the silver-containing layer progresses, and the strength of the silver-containing layer is improved.

加熱処理の方法は特に制限されず、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法、及び、温調装置(例えば、ヒーター)で銀含有層を加熱する方法が挙げられ、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法が好ましい。 The heat treatment method is not particularly limited, and examples include a method in which the silver-containing layer is brought into contact with superheated steam, and a method in which the silver-containing layer is heated using a temperature control device (e.g., a heater), with the method in which the silver-containing layer is brought into contact with superheated steam being preferred.

過熱蒸気としては、過熱水蒸気でもよいし、過熱水蒸気に他のガスを混合させたものでもよい。
過熱蒸気と銀含有層との接触時間は特に制限されず、10~70秒間が好ましい。
過熱蒸気の供給量は、500~600g/m3が好ましく、過熱蒸気の温度は、1気圧で100~160℃(好ましくは100~120℃)が好ましい。
The superheated steam may be superheated steam or a mixture of superheated steam and other gases.
The contact time between the superheated vapor and the silver-containing layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 70 seconds.
The amount of superheated steam supplied is preferably 500 to 600 g/m 3 , and the temperature of the superheated steam is preferably 100 to 160°C (preferably 100 to 120°C) at 1 atmosphere.

温調装置で銀含有層を加熱する方法における加熱条件としては、100~200℃(好ましくは100~150℃)で1~240分間(好ましくは60~150分間)加熱する条件が好ましい。 When heating the silver-containing layer using a temperature control device, the heating conditions are preferably 100 to 200°C (preferably 100 to 150°C) for 1 to 240 minutes (preferably 60 to 150 minutes).

[工程D]
工程Dは、工程Cで得られた銀含有層中のゼラチンを除去して、上記銀配線を形成する工程である。本工程を実施することにより、銀含有層からゼラチンが除去され、内部に空隙が形成された上記銀配線が形成される。この空隙に後述するめっき液が浸入し、金属めっきが形成される。
なお、ゼラチンを除去する際には、銀含有層中のゼラチンの全てを除去してもよいし、ゼラチンの一部が残るように除去してもよい。中でも、本発明の効果がより優れる点で、ゼラチンの一部が残るように工程Dを実施することが好ましい。
[Process D]
Step D is a step of forming the silver wiring by removing gelatin from the silver-containing layer obtained in step C. By carrying out this step, gelatin is removed from the silver-containing layer, and the silver wiring having voids formed therein is formed. A plating solution, which will be described later, penetrates into these voids, forming metal plating.
When removing gelatin, all of the gelatin in the silver-containing layer may be removed, or a portion of the gelatin may be removed so as to remain. In particular, it is preferable to carry out step D so that a portion of the gelatin remains, in terms of achieving a more excellent effect of the present invention.

ゼラチンを除去する方法は特に制限されず、例えば、タンパク質分解酵素を用いる方法(以下、「方法1」ともいう。)、及び、酸化剤を用いてゼラチンを分解除去する方法(以下、「方法2」ともいう。)が挙げられる。 The method for removing gelatin is not particularly limited, and examples include a method using a protease (hereinafter also referred to as "Method 1") and a method using an oxidizing agent to decompose and remove gelatin (hereinafter also referred to as "Method 2").

方法1において用いられるタンパク質分解酵素としては、ゼラチン等のタンパク質を加水分解できる植物性又は動物性酵素で公知の酵素が挙げられる。
タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、及び、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、又は、細菌プロテアーゼが好ましい。
方法1における手順としては、銀含有層と上記タンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層とタンパク質分解酵素を含む処理液(以下、「酵素液」ともいう。)とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酵素液中に浸漬させる方法、及び、銀含有層上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。
酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、0.05~20質量%が好ましく、0.5~10質量%がより好ましい。
酵素液には、上記タンパク質分解酵素に加え、通常、水が含まれる。
酵素液には、必要に応じて、他の添加剤(例えば、pH(水素イオン指数)緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、及び、保恒剤)が含まれていてもよい。
酵素液のpHは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、一般的には、5~9が好ましい。
酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度、具体的には20~45℃が好ましい。
The proteolytic enzyme used in Method 1 includes known plant or animal enzymes that can hydrolyze proteins such as gelatin.
Examples of proteolytic enzymes include pepsin, rennin, trypsin, chymotrypsin, cathepsin, papain, ficin, thrombin, renin, collagenase, bromelain, and bacterial proteases, with trypsin, papain, ficin, and bacterial proteases being preferred.
The procedure for Method 1 may be any method that brings the silver-containing layer into contact with the protease, such as bringing the silver-containing layer into contact with a treatment liquid containing a protease (hereinafter also referred to as "enzyme liquid"). Examples of contacting methods include immersing the silver-containing layer in the enzyme liquid and applying the enzyme liquid onto the silver-containing layer.
The content of the protease in the enzyme solution is not particularly limited, and is preferably 0.05 to 20% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass, based on the total amount of the enzyme solution, in that the degree of decomposition and removal of gelatin can be easily controlled.
The enzyme solution usually contains water in addition to the protease.
The enzyme solution may contain other additives (for example, pH (hydrogen ion index) buffers, antibacterial compounds, humectants, and preservatives) as needed.
The pH of the enzyme solution is selected so as to maximize the activity of the enzyme, and generally, a pH of 5 to 9 is preferred.
The temperature of the enzyme solution is preferably a temperature at which the activity of the enzyme is enhanced, specifically 20 to 45°C.

なお、必要に応じて、酵素液での処理後に、得られた銀含有層を温水にて洗浄する洗浄処理を実施してもよい。
洗浄方法は特に制限されず、銀含有層と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層を浸漬する方法、及び、銀含有層上に温水を塗布する方法が挙げられる。
温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、20~80℃が好ましく、40~60℃がより好ましい。
温水と銀含有層との接触時間(洗浄時間)は特に制限されず、生産性の点から、1~600秒間が好ましく、10~180秒間がより好ましい。
If necessary, after the treatment with the enzyme solution, the resulting silver-containing layer may be washed with warm water.
The washing method is not particularly limited, and a method of bringing the silver-containing layer into contact with warm water is preferred. Examples include a method of immersing the silver-containing layer in warm water and a method of applying warm water onto the silver-containing layer.
The optimum temperature of the hot water is selected depending on the type of protease used, and from the viewpoint of productivity, a temperature of 20 to 80°C is preferred, and a temperature of 40 to 60°C is more preferred.
The contact time (washing time) between the hot water and the silver-containing layer is not particularly limited, but from the viewpoint of productivity, it is preferably from 1 to 600 seconds, more preferably from 10 to 180 seconds.

方法2で用いられる酸化剤としては、ゼラチンを分解できる酸化剤であればよく、標準電極電位が+1.5V以上である酸化剤が好ましい。なお、ここで標準電極電位とは、酸化剤の水溶液中における標準水素電極に対する標準電極電位(25℃、E0)を意図する。
上記酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸又はその塩等が挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水(標準電極電位:1.76V)、次亜塩素酸又はその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。
The oxidizing agent used in Method 2 may be any oxidizing agent capable of decomposing gelatin, and is preferably an oxidizing agent having a standard electrode potential of +1.5 V or higher. The standard electrode potential here refers to the standard electrode potential (25° C., E0) of the oxidizing agent in an aqueous solution relative to a standard hydrogen electrode.
Examples of the oxidizing agent include persulfuric acid, percarbonate, perphosphoric acid, hypoperchloric acid, peracetic acid, metachloroperbenzoic acid, hydrogen peroxide, perchloric acid, periodic acid, potassium permanganate, ammonium persulfate, ozone, hypochlorous acid, or a salt thereof. From the viewpoints of productivity and economy, however, hydrogen peroxide (standard electrode potential: 1.76 V), hypochlorous acid, or a salt thereof is preferred, and sodium hypochlorite is more preferred.

方法2における手順としては、銀含有層と上記酸化剤とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層と酸化剤を含む処理液(以下、「酸化剤液」ともいう。)とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酸化剤液中に浸漬させる方法、及び、銀含有層上に酸化剤液を塗布する方法が挙げられる。
酸化剤液に含まれる溶媒の種類は特に制限されず、水、及び、有機溶媒が挙げられる。
The procedure for Method 2 may be any method that brings the silver-containing layer into contact with the oxidizing agent, such as a method of bringing the silver-containing layer into contact with a treatment liquid containing an oxidizing agent (hereinafter also referred to as an "oxidizing agent liquid"). Examples of the contact method include a method of immersing the silver-containing layer in the oxidizing agent liquid and a method of applying the oxidizing agent liquid onto the silver-containing layer.
The type of solvent contained in the oxidizing agent liquid is not particularly limited, and examples thereof include water and organic solvents.

[工程E]
工程1は、工程Aの前に、支持体上にゼラチン及び特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Eを有していてもよい。本工程を実施することにより、支持体とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすと共に、銀配線と支持体との密着性向上に寄与する。
ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比(特定高分子の質量/ゼラチンの質量)は特に制限されず、0.1~5.0が好ましく、1.0~3.0がより好ましい。
ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、0.03g/m2以上の場合が多く、銀配線の密着性がより優れる点で、1.0g/m2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、1.63g/m2以下の場合が多い。
[Process E]
Step 1 may include, before step A, step E of forming a silver halide-free layer containing gelatin and a specific polymer on the support. By carrying out this step, a silver halide-free layer is formed between the support and the silver halide-containing photosensitive layer. This silver halide-free layer plays the role of a so-called antihalation layer and also contributes to improving adhesion between the silver wiring and the support.
The silver halide-free layer contains the above-mentioned gelatin and specific polymer, while the silver halide-free layer does not contain any silver halide.
The ratio of the mass of the specific polymer to the mass of gelatin in the silver halide-free layer (mass of specific polymer/mass of gelatin) is not particularly limited, but is preferably from 0.1 to 5.0, more preferably from 1.0 to 3.0.
The content of the specific polymer in the silver halide-free layer is not particularly limited, but is often 0.03 g/m or more , and is preferably 1.0 g/m or more in terms of better adhesion of silver wiring. There is no particular upper limit, but it is often 1.63 g/m or less .

ハロゲン化銀不含有層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含有する層形成用組成物を支持体上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
ハロゲン化銀不含有層の厚みは特に制限されず、0.05μm以上の場合が多く、銀配線の密着性がより優れる点で、1.0μm超が好ましく、1.5μm以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、3.0μm未満であることが好ましい。なお、第1銀線部及び第2銀線部の厚みに応じて、第1ハロゲン化銀含有層及び第2ハロゲン化銀含有層の厚みが適宜決定される。
The method for forming the silver halide-free layer is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a layer-forming composition containing gelatin and a specific polymer is applied to a support, and if necessary, a heat treatment is carried out.
The layer-forming composition may contain a solvent, if necessary. Examples of the solvent include the solvents used in the photosensitive layer-forming composition described above.
The thickness of the silver halide-free layer is not particularly limited, and is often 0.05 μm or more. In order to obtain better adhesion of the silver wiring, the thickness is preferably more than 1.0 μm, and more preferably 1.5 μm or more. The upper limit is not particularly limited, but it is preferably less than 3.0 μm. The thicknesses of the first silver halide-containing layer and the second silver halide-containing layer are appropriately determined depending on the thicknesses of the first silver wire portion and the second silver wire portion.

[工程F]
工程1は、工程Aの後で工程B(露光現像工程)の前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層を形成する工程Fを有していてもよい。保護層を設けることにより、感光性層の擦り傷防止及び力学特性を改良できる。
保護層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比(特定高分子の質量/ゼラチンの質量)は特に制限されず、0超2.0以下が好ましく、0超1.0以下がより好ましい。
また、保護層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、0g/m2超0.3g/m2以下が好ましく、0.005~0.1g/m2がより好ましい。
[Process F]
Step 1 may include step F, which is performed after step A and before step B (exposure and development step), to form a protective layer containing gelatin and a specific polymer on the silver halide-containing photosensitive layer. By providing the protective layer, the scratch resistance and mechanical properties of the photosensitive layer can be improved.
The ratio of the mass of the specific polymer to the mass of gelatin in the protective layer (mass of specific polymer/mass of gelatin) is not particularly limited, but is preferably more than 0 and not more than 2.0, more preferably more than 0 and not more than 1.0.
The content of the specific polymer in the protective layer is not particularly limited, but is preferably more than 0 g/m 2 and not more than 0.3 g/m 2 , and more preferably 0.005 to 0.1 g/m 2 .

保護層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含む保護層形成用組成物をハロゲン化銀含有感光性層上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
保護層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
保護層の厚みは特に制限されず、0.03~0.3μmが好ましく、0.075~0.20μmがより好ましい。
The method for forming the protective layer is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a composition for forming a protective layer containing gelatin and a specific polymer is applied onto a silver halide-containing photosensitive layer, and if necessary, a heat treatment is carried out.
The composition for forming a protective layer may contain a solvent, if necessary. Examples of the type of solvent include the solvents used in the composition for forming a photosensitive layer described above.
The thickness of the protective layer is not particularly limited, but is preferably 0.03 to 0.3 μm, and more preferably 0.075 to 0.20 μm.

なお、上述した工程E、工程A及び工程Fは、同時重層塗布によって同時に実施してもよい。 The above-mentioned steps E, A, and F may be carried out simultaneously by simultaneous multi-layer coating.

[工程2]
工程2は、上記銀配線と有機酸を含む溶液とを接触させる工程である。本工程を実施することにより有機酸が銀配線の表面に付着し、後述する工程3のめっき処理の際に、銀配線表面でのめっき析出を抑制し、銀配線内部にめっき液がより浸透しやすくなる。結果として、銀配線内で金属(金属めっき)が析出しやすくなり、所望の効果が得られる。
以下では、まず、本工程で使用される溶液について詳述し、その後、工程2の手順について詳述する。
[Step 2]
Step 2 is a step of contacting the silver wiring with a solution containing an organic acid. By carrying out this step, the organic acid adheres to the surface of the silver wiring, which suppresses plating deposition on the surface of the silver wiring during the plating treatment in Step 3 described below, and makes it easier for the plating solution to penetrate into the silver wiring. As a result, metal (metal plating) is more likely to deposit within the silver wiring, achieving the desired effect.
Below, first, the solution used in this step will be described in detail, and then the procedure of step 2 will be described in detail.

(有機酸を含む溶液)
有機酸を含む溶液(以下、単に「第1溶液」ともいう。)に含まれる有機酸の種類は特に制限されず、炭素原子を含む酸であればよく、例えば、カルボン酸(カルボキシ基を有する有機化合物)、スルホン酸(スルホン酸基を有する有機化合物)、及び、ホスホン酸(ホスホン酸基を有する有機化合物)が挙げられる。中でも、本発明の効果がより優れる点で、カルボン酸が好ましい。
(Solution containing organic acid)
The type of organic acid contained in the solution containing an organic acid (hereinafter also simply referred to as "first solution") is not particularly limited, and may be any acid containing a carbon atom, such as carboxylic acid (an organic compound having a carboxy group), sulfonic acid (an organic compound having a sulfonic acid group), and phosphonic acid (an organic compound having a phosphonic acid group). Of these, carboxylic acid is preferred because it provides better effects of the present invention.

有機酸(例えば、カルボン酸)の分子量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、60~400が好ましく、90~300がより好ましい。 There are no particular restrictions on the molecular weight of the organic acid (e.g., carboxylic acid), but in terms of achieving better effects of the present invention, a molecular weight of 60 to 400 is preferred, and 90 to 300 is even more preferred.

カルボン酸は、1価のカルボン酸であってもよいし、2価以上(多価)のカルボン酸であってもよく、本発明の効果がより優れる点で、多価のカルボン酸が好ましい。2価以上のカルボン酸としては、2~7価のカルボン酸が好ましく、2~4価のカルボン酸がより好ましい。
なお、上記価数は、カルボキシ基が含まれる数を表し、1価のカルボン酸はカルボキシ基を1つ有する化合物である。
The carboxylic acid may be a monovalent carboxylic acid or a divalent or higher (polyvalent) carboxylic acid, and polyvalent carboxylic acids are preferred in terms of achieving better effects of the present invention. As the divalent or higher carboxylic acid, divalent to heptavalent carboxylic acids are preferred, and divalent to tetravalent carboxylic acids are more preferred.
The above valence indicates the number of carboxy groups contained, and a monovalent carboxylic acid is a compound having one carboxy group.

カルボン酸は、カルボキシ基以外の他の極性基(例えば、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボニル基、エーテル基)を有していてもよい。 The carboxylic acid may have a polar group other than the carboxy group (e.g., a hydroxy group, an amino group, a carbonyl group, or an ether group).

カルボン酸としては、酢酸、乳酸、及び、ヒドロキシ酪酸等の1価のカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、L-アスパラギン酸、DL-リンゴ酸、オキサロ酢酸、コハク酸、グルタミン酸、2-オキソグルタル酸、グルタル酸、アジピン酸、及び、ピメリン酸等の2価のカルボン酸、クエン酸、1,2,3-プロパントリカルボン酸、及び、1,3,5-ペンタトリカルボン酸等の3価のカルボン酸、1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、及び、エチレングリコールビス(β-アミノエチルエーテル)-N,N,N,N-四酢酸等の4価のカルボン酸、並びに、ジエチレントリアミンペンタ酢酸等の5価のカルボン酸が挙げられる。 Examples of carboxylic acids include monocarboxylic acids such as acetic acid, lactic acid, and hydroxybutyric acid; dicarboxylic acids such as oxalic acid, malonic acid, tartaric acid, L-aspartic acid, DL-malic acid, oxaloacetic acid, succinic acid, glutamic acid, 2-oxoglutaric acid, glutaric acid, adipic acid, and pimelic acid; tricarboxylic acids such as citric acid, 1,2,3-propanetricarboxylic acid, and 1,3,5-pentatricarboxylic acid; tetracarboxylic acids such as 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, and ethylene glycol bis(β-aminoethyl ether)-N,N,N,N-tetraacetic acid; and pentacarboxylic acids such as diethylenetriaminepentaacetic acid.

第1溶液には溶媒が含まれる。溶媒の種類は特に制限されず、水、有機溶媒(例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類)、イオン性液体、及び、これらの混合溶媒が挙げられる。中でも、水が好ましい。 The first solution contains a solvent. The type of solvent is not particularly limited, and examples include water, organic solvents (e.g., alcohols, ketones, amides, sulfoxides, esters, and ethers), ionic liquids, and mixed solvents thereof. Of these, water is preferred.

第1溶液には、上記有機酸及び溶媒以外の他の成分が含まれていてもよい。
他の成分としては、後述する第2溶液に含まれる第4級アンモニウム塩が挙げられる。第4級アンモニウム塩の態様については、後段で詳述する。
The first solution may contain components other than the organic acid and solvent.
The other component may be a quaternary ammonium salt contained in the second solution, which will be described later. The form of the quaternary ammonium salt will be described in detail later.

第1溶液中における有機酸の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、第1溶液全質量に対して、0.2~5質量%が好ましく、0.5~3質量%がより好ましい。 The content of organic acid in the first solution is not particularly limited, but in terms of achieving better effects of the present invention, a content of 0.2 to 5% by mass, and more preferably 0.5 to 3% by mass, relative to the total mass of the first solution is preferred.

第1溶液のpH値は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、温度25℃において1.5~6.0が好ましく、2.0~4.0がより好ましい。
pHの測定方法としては、pH電極を用いたpHメーターで測定することができる。
The pH value of the first solution is not particularly limited, but is preferably 1.5 to 6.0, more preferably 2.0 to 4.0 at a temperature of 25° C., in terms of providing a better effect of the present invention.
The pH can be measured using a pH meter with a pH electrode.

第1溶液が第4級アンモニウム塩を含む場合、第1溶液中における第4級アンモニウム塩の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、第1溶液全質量に対して、10-6~10-1質量%が好ましく、10-5~10-3質量%がより好ましい。 When the first solution contains a quaternary ammonium salt, the content of the quaternary ammonium salt in the first solution is not particularly limited, but in terms of better effects of the present invention, the content is preferably 10 −6 to 10 −1 mass %, and more preferably 10 −5 to 10 −3 mass %, relative to the total mass of the first solution.

(工程2の手順)
銀配線と第1溶液とを接触させる方法は特に制限されず、銀配線を有する支持体を第1溶液中に浸漬させる方法、及び、銀配線上に第1溶液を塗布する方法が挙げられる。
銀配線と第1溶液との接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点及び生産性の点から、5~180秒間が好ましく、20~120秒間が好ましい。
銀配線と第1溶液との接触時の第1溶液の温度は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、30~100℃が好ましく、65~95℃がより好ましい。
(Procedure of Step 2)
The method for contacting the silver wiring with the first solution is not particularly limited, and examples thereof include a method of immersing a support having silver wiring in the first solution and a method of applying the first solution onto the silver wiring.
The contact time between the silver wiring and the first solution is not particularly limited, but is preferably 5 to 180 seconds, more preferably 20 to 120 seconds, from the viewpoint of achieving better effects of the present invention and productivity.
The temperature of the first solution when it comes into contact with the silver wiring is not particularly limited, but is preferably 30 to 100°C, more preferably 65 to 95°C, in terms of achieving better effects of the present invention.

銀配線と第1溶液とを接触させた後、必要に応じて、銀配線を溶媒(例えば、水)で洗浄してもよい。 After contacting the silver wiring with the first solution, the silver wiring may be washed with a solvent (e.g., water) if necessary.

[工程3]
工程3は、上記銀配線に対してめっき処理を施して、銀配線を形成する工程である。本工程を実施することにより、銀配線中に金属(めっき金属)が充填された銀配線が形成される。特に、上述した工程A~Dを実施して得られた銀配線中には、ゼラチンを除去することにより形成された空間があるため、この空間中に金属(めっき金属)が充填される。
なお、工程3の直前に工程2が実施された場合には、工程2で得られた銀配線に対してめっき処理を施す。後述するように、工程2と工程3との間に、工程5が実施された場合には、工程5で得られた銀配線に対してめっき処理を施す。
[Step 3]
Step 3 is a step of forming a silver wiring by plating the silver wiring. By carrying out this step, a silver wiring is formed in which a metal (plating metal) is filled in the silver wiring. In particular, since the silver wiring obtained by carrying out the above-mentioned steps A to D has spaces formed by removing the gelatin, the metal (plating metal) fills these spaces.
When step 2 is performed immediately before step 3, the silver wiring obtained in step 2 is plated. When step 5 is performed between step 2 and step 3, as described below, the silver wiring obtained in step 5 is plated.

めっき処理の種類は特に制限されないが、無電解めっき(化学還元めっき、又は、置換めっき)及び電解めっきが挙げられ、無電解めっきが好ましい。無電解めっきとしては、公知の無電解めっき技術が用いられる。
めっき処理としては、例えば、銀めっき処理、銅めっき処理、ニッケルめっき処理、及び、コバルトめっき処理が挙げられ、銀配線の電気抵抗がより小さい点で、銀めっき処理又は銅めっき処理が好ましく、銀めっき処理がより好ましい。
The type of plating treatment is not particularly limited, but examples include electroless plating (chemical reduction plating or displacement plating) and electrolytic plating, with electroless plating being preferred. As the electroless plating, a known electroless plating technique is used.
Examples of plating treatments include silver plating treatment, copper plating treatment, nickel plating treatment, and cobalt plating treatment. Silver plating treatment or copper plating treatment is preferred, with silver plating treatment being more preferred, since the electrical resistance of the silver wiring is lower.

めっき処理で用いられるめっき液に含まれる成分は特に制限されないが、通常、溶媒(例えば、水)の他に、1.めっき用の金属イオン、2.還元剤、3.金属イオンの安定性を向上させる添加剤(安定剤)、4.pH調整剤が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤等、公知の添加剤が含まれていてもよい。
めっき液に含まれるめっき用の金属イオンの種類は析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、及び、コバルトイオンが挙げられる。
めっき液のpHは特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、温度25℃において、アルカリ性が好ましく、8.5~11.0がより好ましく、9.0~10.5が更に好ましい。
The components contained in the plating solution used in the plating process are not particularly limited, but typically contain, in addition to a solvent (e.g., water), 1. metal ions for plating, 2. a reducing agent, 3. an additive (stabilizer) that improves the stability of the metal ions, and 4. a pH adjuster. In addition to these, the plating bath may also contain known additives such as a plating bath stabilizer.
The type of metal ions contained in the plating solution for plating can be appropriately selected depending on the type of metal to be deposited, and examples thereof include silver ions, copper ions, nickel ions, and cobalt ions.
The pH of the plating solution is not particularly limited, but in terms of achieving better effects of the present invention, it is preferably alkaline, more preferably 8.5 to 11.0, and even more preferably 9.0 to 10.5 at a temperature of 25°C.

上述のめっき処理の手順は特に制限されず、銀配線とめっき液とを接触させる方法であればよく、例えば、めっき液中に銀含有層を浸漬させる方法、及び、銀配線上にめっき液を塗布する方法が挙げられる。
銀配線とめっき液との接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点、及び、生産性の点から、25秒間~30分間が好ましい。
めっき液に接触した後に、銀配線を水で洗浄したり、pH3~7の酸性溶液で中和洗浄してもよく、酸性溶液のpHは4~6であることがより好ましい。酸性溶液は、pH3~7であれば、めっき液由来の亜硫酸から硫黄等が発生することがない。また、めっき液のpHの上昇も抑制され、めっき反応を停止できる。酸性溶液は、めっき停止液として機能する。
酸性溶液は、緩衝作用を有することが好ましく、固形分濃度が0.1質量%以上であれば十分な緩衝能力を発揮するため好ましい。
めっき液の温度は、10~40℃が好ましく、15~30℃がより好ましい。
接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点、及び、生産性の点から、5~60秒が好ましい。
The procedure for the above-mentioned plating treatment is not particularly limited, and any method can be used as long as it brings the silver wiring into contact with a plating solution. Examples of the method include a method of immersing a silver-containing layer in a plating solution and a method of applying a plating solution onto the silver wiring.
There are no particular restrictions on the contact time between the silver wiring and the plating solution, but from the viewpoint of the superior effect of the present invention and productivity, a contact time of 25 seconds to 30 minutes is preferred.
After contact with the plating solution, the silver wiring may be washed with water or neutralized with an acidic solution having a pH of 3 to 7, and the pH of the acidic solution is preferably 4 to 6. If the acidic solution has a pH of 3 to 7, sulfur and the like are not generated from sulfurous acid derived from the plating solution. In addition, an increase in the pH of the plating solution is suppressed, and the plating reaction can be stopped. The acidic solution functions as a plating stop solution.
The acidic solution preferably has a buffering effect, and a solids concentration of 0.1% by mass or more is preferred since it exhibits sufficient buffering ability.
The temperature of the plating solution is preferably 10 to 40°C, more preferably 15 to 30°C.
The contact time is not particularly limited, but is preferably 5 to 60 seconds in terms of the effects of the present invention being more excellent and productivity.

上記工程2及び工程3は繰り返し実施してもよい。つまり、工程3が終わった後、更に、工程2及び工程3を実施してもよい。
工程2及び工程3の手順を繰り返す回数は特に制限されず、2~4回が好ましい。
The above steps 2 and 3 may be repeatedly performed. That is, after step 3 is completed, steps 2 and 3 may be further performed.
The number of times that steps 2 and 3 are repeated is not particularly limited, but is preferably 2 to 4 times.

[工程4]
導電性基板の製造方法は、工程1と工程2との間に、銀配線に対してめっき処理を施す工程4を更に有していてもよい。工程4を実施することにより、銀配線の導電性がより優れる。
工程4の手順は、上述した工程3の手順と同じであるため、説明を省略する。
なお、工程4と工程2と工程3とは繰り返し実施してもよい。つまり、工程3が終わった後、更に、工程4と工程2と工程3とを実施してもよい。
工程4~工程3までの手順を繰り返す回数は特に制限されず、2~4回が好ましい。
工程4でも、工程3と同様に、めっき液に接触した後に、銀配線を水で洗浄したり、pH3~7の酸性溶液で中和洗浄してもよく、酸性溶液のpHは4~6であることがより好ましい。酸性溶液は、pH3~7であれば、めっき液由来の亜硫酸から硫黄等が発生することがない。また、めっき液のpHの上昇も抑制され、めっき反応を停止できる。
酸性溶液は、緩衝作用を有することが好ましく、固形分濃度が0.1質量%以上であれば十分な緩衝能力を発揮するため好ましい。
上述のように、工程3又は工程4は、銀配線を、pH3~7の酸性溶液に接触させ、めっき処理によるめっき反応を停止させる中和洗浄工程を有することが好ましい。また、酸性溶液は、上述のように緩衝作用を有することが好ましい。中和洗浄に緩衝液を用いることにより、めっき液が混入したとしてもpH上昇を抑えることができ、一様にめっき反応を停止させることができる。
[Step 4]
The method for producing a conductive substrate may further include step 4 of plating the silver wiring between step 1 and step 2. By performing step 4, the conductivity of the silver wiring becomes more excellent.
The procedure of step 4 is the same as the procedure of step 3 described above, and therefore a description thereof will be omitted.
It should be noted that steps 4, 2, and 3 may be repeatedly performed. That is, after step 3 is completed, steps 4, 2, and 3 may be further performed.
The number of times that steps 4 to 3 are repeated is not particularly limited, but is preferably 2 to 4 times.
In step 4, as in step 3, after contact with the plating solution, the silver wiring may be washed with water or neutralized with an acidic solution having a pH of 3 to 7, and the pH of the acidic solution is preferably 4 to 6. If the acidic solution has a pH of 3 to 7, sulfur and the like are not generated from sulfurous acid derived from the plating solution. In addition, an increase in the pH of the plating solution is suppressed, and the plating reaction can be stopped.
The acidic solution preferably has a buffering effect, and a solids concentration of 0.1% by mass or more is preferred since it exhibits sufficient buffering ability.
As described above, step 3 or step 4 preferably includes a neutralization washing step in which the silver wiring is brought into contact with an acidic solution having a pH of 3 to 7 to stop the plating reaction during the plating process. Furthermore, as described above, the acidic solution preferably has a buffering effect. By using a buffer solution in the neutralization washing step, it is possible to prevent the pH from rising even if the plating solution is contaminated, and to uniformly stop the plating reaction.

[工程5]
導電性基板の製造方法は、工程1と工程2との間、又は、工程2と工程3との間に、銀配線に対して、第4級アンモニウム塩を含む溶液を接触させる工程5を更に有していてもよい。本工程を実施することにより第4級アンモニウム塩のイオンが銀配線の表面に付着し、後述する工程3のめっき処理の際に、銀配線表面でのめっき析出を抑制し、銀配線内部にめっき液がより浸透しやすくなる。結果として、銀配線内で金属(金属めっき)が析出しやすくなり、所望の効果が得られる。
以下では、まず、本工程5で使用される溶液について詳述し、その後、工程5の手順について詳述する。
[Step 5]
The method for producing a conductive substrate may further include step 5, between steps 1 and 2, or between steps 2 and 3, of contacting the silver wiring with a solution containing a quaternary ammonium salt. By carrying out this step, ions of the quaternary ammonium salt adhere to the surface of the silver wiring, which suppresses plating deposition on the surface of the silver wiring during the plating treatment in step 3 described below and makes it easier for the plating solution to penetrate into the silver wiring. As a result, metal (metal plating) is more likely to deposit within the silver wiring, achieving the desired effect.
Below, first, the solution used in step 5 will be described in detail, and then the procedure of step 5 will be described in detail.

(第4級アンモニウム塩を含む溶液)
第4級アンモニウム塩を含む溶液(以下、単に「第2溶液」ともいう。)に含まれる第4級アンモニウム塩の種類は特に制限されず、第4級窒素を有する化合物である。
第4級アンモニウム塩の分子量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、100~700が好ましく、200~650がより好ましい。
(Solution containing quaternary ammonium salt)
The type of quaternary ammonium salt contained in the solution containing a quaternary ammonium salt (hereinafter also simply referred to as the "second solution") is not particularly limited, and is a compound having quaternary nitrogen.
The molecular weight of the quaternary ammonium salt is not particularly limited, but is preferably from 100 to 700, more preferably from 200 to 650, in terms of achieving better effects of the present invention.

第4級アンモニウム塩としては、一般式(I)で表される化合物、又は、一般式(II)で表される化合物が好ましい。
一般式(I) (R
The quaternary ammonium salt is preferably a compound represented by general formula (I) or a compound represented by general formula (II).
General formula (I) (R 1 ) 4 N + A

一般式(I)中、Rは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。4つのRは同一の基であってもよいし、互いに異なる基であってもよい。
上記アルキル基の炭素数は特に制限されないが、1~30が好ましく、1~20がより好ましい。
アルキル基が有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、アリール基(例えば、フェニル基)、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基(例えば、アセチル基)、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、モノアリールアミノ基、及び、ジアリールアミノ基が挙げられる。
In formula (I), R1 's each independently represent an alkyl group which may have a substituent. The four R1 's may be the same group or different groups.
The number of carbon atoms in the alkyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 30, and more preferably 1 to 20.
The type of substituent that the alkyl group may have is not particularly limited, and examples thereof include a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a cyano group, an aryl group (e.g., a phenyl group), an alkoxy group, an aryloxy group, an acyl group (e.g., an acetyl group), an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an acyloxy group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group, a monoarylamino group, and a diarylamino group.

一般式(II)中、Rは、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
で表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲は、上述したRで表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲が挙げられる。
In formula (II), R2 represents an alkyl group which may have a substituent.
Examples and suitable ranges of the alkyl group which may have a substituent and is represented by R2 include the examples and suitable ranges of the alkyl group which may have a substituent and is represented by R1 described above.

一般式(I)及び(II)中のAは、アニオンを表す。アニオンの種類は特に制限されず、例えば、ハロゲンイオン(例えば、F、Cl、Br、及び、I)、HSO 、OH、CHCOO、PF 、RCO 、ClO 、BF 、SbF 、及び、AsF が挙げられる。なお、Rは、水素原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
で表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲は、上述したRで表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲が挙げられる。
A - in general formulas (I) and (II) represents an anion. The type of anion is not particularly limited, and examples thereof include halogen ions (e.g., F - , Cl - , Br - , and I - ), HSO 4 - , OH - , CH 3 COO - , PF 6 - , R 3 CO 3 - , ClO 4 - , BF 4 - , SbF 6 - , and AsF 6 - . R 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent.
Examples and suitable ranges of the alkyl group which may have a substituent and is represented by R3 include the examples and suitable ranges of the alkyl group which may have a substituent and is represented by R1 described above.

第4級アンモニウム塩としては、本発明の効果がより優れる点で、一般式(X)で表される化合物、一般式(Y)で表される化合物、又は、一般式(Z)で表される化合物が好ましい。 As the quaternary ammonium salt, a compound represented by general formula (X), a compound represented by general formula (Y), or a compound represented by general formula (Z) is preferred, as they provide better effects of the present invention.

一般式(X)中、Ra1及びRa2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数4以下のアルキル基を表し、Ra3及びRa4は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数8以上のアルキル基を表す。
a1及びRa2で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は4以下であり、本発明の効果がより優れる点で、1又は2が好ましい。
a3及びRa4で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は8以上であり、本発明の効果がより優れる点で、8~30が好ましく、10~20がより好ましい。
a1及びRa2で表されるアルキル基、並びに、Ra3及びRa4で表されるアルキル基がそれぞれ有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、モノアリールアミノ基、及び、ジアリールアミノ基が挙げられる。
In general formula (X), R a1 and R a2 each independently represent an alkyl group having 4 or less carbon atoms which may have a substituent, and R a3 and R a4 each independently represent an alkyl group having 8 or more carbon atoms which may have a substituent.
The alkyl group represented by R a1 and R a2 , which may have a substituent, has 4 or less carbon atoms, and preferably 1 or 2 carbon atoms in terms of achieving better effects of the present invention.
The alkyl group represented by R a3 and R a4 , which may have a substituent, has 8 or more carbon atoms, preferably 8 to 30 carbon atoms, and more preferably 10 to 20 carbon atoms, in terms of achieving better effects of the present invention.
The types of substituents that the alkyl groups represented by R a1 and R a2 and the alkyl groups represented by R a3 and R a4 may have are not particularly limited, and examples thereof include a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a cyano group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an acyloxy group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group, a monoarylamino group, and a diarylamino group.

一般式(Y)中、Rb1~Rb3は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数4以下のアルキル基を表し、Rb4は、置換基を有していてもよい炭素数10以上のアルキル基を表す。
b1~Rb3で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は4以下であり、本発明の効果がより優れる点で、1又は2が好ましい。
b4で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は8以上であり、本発明の効果がより優れる点で、8~30が好ましく、10~20がより好ましい。
b1~Rb3で表されるアルキル基、並びに、Rb4で表されるアルキル基がそれぞれ有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、上述したRa1で表されるアルキル基が有していてもよい置換基として例示した基が挙げられる。
In general formula (Y), R b1 to R b3 each independently represent an alkyl group having 4 or less carbon atoms which may have a substituent, and R b4 represents an alkyl group having 10 or more carbon atoms which may have a substituent.
The alkyl group represented by R b1 to R b3 , which may have a substituent, has 4 or less carbon atoms, and preferably 1 or 2 carbon atoms in terms of achieving better effects of the present invention.
The alkyl group represented by R b4 , which may have a substituent, has 8 or more carbon atoms, preferably 8 to 30 carbon atoms, and more preferably 10 to 20 carbon atoms, in terms of achieving better effects of the present invention.
The types of substituents that the alkyl groups represented by R b1 to R b3 and the alkyl group represented by R b4 may have are not particularly limited, and examples thereof include the groups exemplified above as the substituents that the alkyl group represented by R a1 may have.

一般式(Z)中、Rc1は、置換基を有していてもよい炭素数10以上のアルキル基を表す。
c1で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は10以下であり、本発明の効果がより優れる点で、10~30が好ましく、10~20がより好ましい。
c1で表されるアルキル基が有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、上述したRa1で表されるアルキル基が有していてもよい置換基として例示した基が挙げられる。
In formula (Z), R c1 represents an alkyl group having 10 or more carbon atoms which may have a substituent.
The alkyl group represented by R c1 , which may have a substituent, has 10 or less carbon atoms, preferably 10 to 30 carbon atoms, and more preferably 10 to 20 carbon atoms, in that the effects of the present invention are more excellent.
The type of substituent that the alkyl group represented by R c1 may have is not particularly limited, and examples thereof include the groups exemplified above as the substituent that the alkyl group represented by R a1 may have.

一般式(X)~(Z)中のAは、アニオンを表す。
一般式(X)~(Z)中のAで表されるアニオンとしては、上述した一般式(I)及び(II)中のAのアニオンとして例示されたアニオンが挙げられる。
A 1 in the general formulae (X) to (Z) represents an anion.
Examples of the anion represented by A 1 - in the general formulae (X) to (Z) include the anions exemplified as the anion of A 1 - in the general formulae (I) and (II) described above.

第2溶液には溶媒が含まれる。溶媒の種類は特に制限されず、水、有機溶媒(例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類)、イオン性液体、及び、これらの混合溶媒が挙げられる。中でも、水が好ましい。 The second solution contains a solvent. The type of solvent is not particularly limited, and examples include water, organic solvents (e.g., alcohols, ketones, amides, sulfoxides, esters, and ethers), ionic liquids, and mixed solvents thereof. Of these, water is preferred.

第2溶液には、上記第4級アンモニウム塩及び溶媒以外の他の成分(例えば、上述した有機酸)が含まれていてもよい。 The second solution may contain components other than the quaternary ammonium salt and solvent (e.g., the organic acid described above).

第2溶液中における第4級アンモニウム塩の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、第2溶液全質量に対して、10-6~1質量%が好ましく、10-6~0.1質量%がより好ましい。 The content of the quaternary ammonium salt in the second solution is not particularly limited, but in terms of achieving better effects of the present invention, it is preferably 10 −6 to 1 mass %, and more preferably 10 −6 to 0.1 mass %, relative to the total mass of the second solution.

第2溶液のpH値は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、温度25℃において3~7が好ましく、4~6がより好ましい。 The pH value of the second solution is not particularly limited, but a pH of 3 to 7 at 25°C is preferred, and a pH of 4 to 6 is even more preferred, as this provides a more effective effect of the present invention.

(工程5の手順)
銀配線と第2溶液とを接触させる方法は特に制限されず、銀配線を有する基板を第2溶液中に浸漬させる方法、及び、銀配線上に第2溶液を塗布する方法が挙げられる。
銀配線と第2溶液との接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点及び生産性の点から、5~180秒間が好ましく、20~120秒間が好ましい。
銀配線と第2溶液との接触時の第2溶液の温度は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、20~80℃が好ましく、30~70℃がより好ましい。
(Procedure of step 5)
The method for contacting the silver wiring with the second solution is not particularly limited, and examples thereof include a method of immersing a substrate having silver wiring in the second solution and a method of applying the second solution onto the silver wiring.
The contact time between the silver wiring and the second solution is not particularly limited, but is preferably 5 to 180 seconds, more preferably 20 to 120 seconds, from the viewpoint of achieving better effects of the present invention and productivity.
The temperature of the second solution when it comes into contact with the silver wiring is not particularly limited, but is preferably 20 to 80°C, more preferably 30 to 70°C, in terms of achieving better effects of the present invention.

銀配線と第2溶液とを接触させた後、必要に応じて、銀配線を溶媒(例えば、水)で洗浄してもよい。 After contacting the silver wiring with the second solution, the silver wiring may be washed with a solvent (e.g., water) if necessary.

工程1と工程2との間で工程5を実施する場合、工程5と工程2と工程3とは繰り返し実施してもよい。つまり、工程3が終わった後、更に、工程5と工程2と工程3とを実施してもよい。
工程5~工程3までの手順を繰り返す回数は特に制限されず、2~4回が好ましい。
When step 5 is performed between step 1 and step 2, step 5, step 2, and step 3 may be repeatedly performed. That is, after step 3 is completed, step 5, step 2, and step 3 may be further performed.
The number of times that steps 5 to 3 are repeated is not particularly limited, but is preferably 2 to 4 times.

また、工程2と工程3との間で工程5を実施する場合、工程2と工程5と工程3とは繰り返し実施してもよい。つまり、工程3が終わった後、更に、工程2と工程5と工程3とを実施してもよい。
工程2~工程5までの手順を繰り返す回数は特に制限されず、2~4回が好ましい。
Furthermore, when step 5 is performed between step 2 and step 3, step 2, step 5, and step 3 may be repeatedly performed. In other words, after step 3 is completed, step 2, step 5, and step 3 may be further performed.
The number of times steps 2 to 5 are repeated is not particularly limited, but is preferably 2 to 4 times.

[工程6]
導電性基板の製造方法は、工程3の後に、工程3で得られた銀配線に対して加熱処理を施す工程6を有していてもよい。本工程を実施することにより、銀配線の強度が向上する。
工程6で実施する加熱処理としては、上述した工程Cで実施する加熱処理が挙げられる。
[Step 6]
The method for producing a conductive substrate may include, after step 3, step 6 of subjecting the silver wiring obtained in step 3 to a heat treatment. By carrying out this step, the strength of the silver wiring is improved.
The heat treatment carried out in step 6 may be the heat treatment carried out in step C described above.

[工程7]
導電性基板の製造方法は、工程3の後、又は、工程6の後に、銀配線を溶媒で洗浄してもよい。使用される溶媒としては、水、有機溶媒(例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類)、イオン性液体、及び、これらの混合溶媒が挙げられる。
洗浄に用いられる溶媒は数種類使用してもよい。例えば、有機溶剤で洗浄した後に、さらに水で洗浄してもよい。
溶媒としては、混合溶媒を用いてもよく、例えば、アルコール類又はエーテル類と、水との混合溶媒が好ましい。アルコール類としては、エタノールが好ましく、エーテル類としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル又はジエチレングリコールモノメチルエーテルが好ましい。
[Step 7]
In the method for producing a conductive substrate, the silver wiring may be washed with a solvent after step 3 or after step 6. Examples of the solvent that can be used include water, organic solvents (e.g., alcohols, ketones, amides, sulfoxides, esters, and ethers), ionic liquids, and mixed solvents thereof.
Several types of solvents may be used for washing. For example, washing with an organic solvent may be followed by further washing with water.
As the solvent, a mixed solvent may be used, for example, a mixed solvent of an alcohol or an ether with water is preferred. As the alcohol, ethanol is preferred, and as the ether, diethylene glycol monoethyl ether or diethylene glycol monomethyl ether is preferred.

<用途>
導電性基板は、種々の用途に適用でき、上述のタッチパネル又は、タッチセンサー以外に、半導体チップ、各種電気配線板、FPC(Flexible Printed Circuits)、COF(Chip on Film)、TAB(Tape Automated Bonding)、アンテナ、多層配線基板、及び、マザーボード等の種々の用途に適用できる。なかでも、導電性基板は、タッチパネルのうち、静電容量式タッチパネルに用いることが好ましい。
導電性基板をタッチパネルに用いる場合、上述のように銀配線は検出電極として有効に機能し得る。なお、導電性基板をタッチパネルに用いる場合、上述した所定の特性を有する銀配線とは別に、銀配線とは構成が異なる導電部を有していてもよい。この導電部は、上述した銀配線と電気的に接続して、導通していてもよい。
<Application>
The conductive substrate can be used in a variety of applications, including the above-mentioned touch panel or touch sensor, as well as semiconductor chips, various electric wiring boards, FPCs (Flexible Printed Circuits), COFs (Chip on Film), TABs (Tape Automated Bonding), antennas, multilayer wiring boards, and motherboards. In particular, the conductive substrate is preferably used in a capacitive touch panel among other touch panels.
When the conductive substrate is used in a touch panel, the silver wiring can effectively function as a detection electrode as described above. When the conductive substrate is used in a touch panel, in addition to the silver wiring having the predetermined properties described above, a conductive part having a different configuration from the silver wiring may be provided. This conductive part may be electrically connected to the silver wiring described above and be conductive.

本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の導電性基板の製造方法及び導電性基板について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良又は変更をしてもよいのはもちろんである。 The present invention is basically configured as described above. The conductive substrate and the method for manufacturing the conductive substrate of the present invention have been described in detail above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various improvements and modifications may of course be made without departing from the spirit and scope of the present invention.

以下に実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、及び、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の実施例に限定されるものではない。 The following examples further illustrate the features of the present invention. The materials, reagents, amounts and proportions of substances, and procedures shown in the following examples can be modified as appropriate without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the following examples.

以下、実施例1~6及び比較例1の導電性基板について説明する。
〔実施例1〕
(ハロゲン化銀乳剤aの調製)
温度38℃、pH(水素イオン指数)4.5に保たれた下記1液に、下記の2液及び3液の各々90%に相当する量を攪拌しながら同時に20分間にわたって加え、0.07μmの核粒子を形成した。続いて下記4液及び5液を8分間にわたって加え、更に、下記の2液及び3液の残りの10%の量を2分間にわたって加え、0.09μmまで成長させた。更に、ヨウ化カリウム0.15gを加え、5分間熟成し粒子形成を終了した。
The conductive substrates of Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 will be described below.
Example 1
(Preparation of Silver Halide Emulsion a)
To the following solution 1, maintained at a temperature of 38°C and a pH (hydrogen ion exponent) of 4.5, were added 90% of each of the following solutions 2 and 3 simultaneously over 20 minutes with stirring to form 0.07 µm grain nuclei. Subsequently, the following solutions 4 and 5 were added over 8 minutes, and then the remaining 10% of the following solutions 2 and 3 were added over 2 minutes to grow the grains to 0.09 µm. Furthermore, 0.15 g of potassium iodide was added, and the mixture was ripened for 5 minutes to complete grain formation.

1液:
水 750ml
ゼラチン 8.6g
塩化ナトリウム 3g
1,3-ジメチルイミダゾリジン-2-チオン 20mg
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム 10mg
クエン酸 0.7g
2液:
水 300ml
硝酸銀 150g
3液:
水 300ml
塩化ナトリウム 38g
臭化カリウム 32g
ヘキサクロロイリジウム(III)酸カリウム
(0.005%KCl 20%水溶液) 5ml
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
(0.001%NaCl 20%水溶液) 7ml
4液:
水 100ml
硝酸銀 50g
5液:
水 100ml
塩化ナトリウム 13g
臭化カリウム 11g
黄血塩 5mg
1 liquid:
750ml water
Gelatin 8.6g
3g sodium chloride
1,3-dimethylimidazolidine-2-thione 20 mg
Sodium benzenethiosulfonate 10mg
Citric acid 0.7g
2 liquid:
300ml water
Silver nitrate 150g
3 liquid:
300ml water
38g sodium chloride
32g potassium bromide
Potassium hexachloroiridate (III) (0.005% KCl 20% aqueous solution) 5 ml
Ammonium hexachlororhodate
(0.001% NaCl 20% aqueous solution) 7ml
4 liquid:
100ml water
Silver nitrate 50g
5 liquid:
100ml water
13g sodium chloride
11g potassium bromide
Yellow prussiate 5mg

その後、常法に従ってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、温度を35℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでpHを下げた(pH3.6±0.2の範囲であった)。次に、上澄み液を約3リットル除去した(第一水洗)。更に3リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、上澄み液を3リットル除去した(第二水洗)。第二水洗と同じ操作を更に1回繰り返して(第三水洗)、水洗・脱塩工程を終了した。水洗・脱塩後の乳剤をpH6.4、pAg7.5に調整し、ゼラチン2.5g、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム10mg、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム3mg、チオ硫酸ナトリウム15mgと塩化金酸10mgを加え55℃にて最適感度を得るように化学増感を施し、安定剤として1,3,3a,7-テトラアザインデン100mg、防腐剤としてプロキセル(商品名、ICI Co.,Ltd.製)100mgを加えた。最終的に得られた乳剤は、沃化銀を0.08モル%含み、塩臭化銀の比率を塩化銀70モル%、臭化銀30モル%とする、平均粒子径0.10μm(100nm)、変動係数9%のヨウ塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。 The mixture was then washed using the standard flocculation method. Specifically, the temperature was lowered to 35°C, and the pH was lowered using sulfuric acid until the silver halide precipitated (pH was in the range of 3.6 ± 0.2). Next, approximately 3 liters of the supernatant liquid was removed (first wash). Another 3 liters of distilled water was added, followed by sulfuric acid until the silver halide precipitated. Another 3 liters of the supernatant liquid was removed (second wash). The same operation as the second wash was repeated once more (third wash), completing the washing and desalting process. After washing and desalting, the emulsion was adjusted to pH 6.4 and pAg 7.5, and then chemically sensitized to optimal sensitivity at 55°C with 2.5 g of gelatin, 10 mg of sodium benzenethiosulfonate, 3 mg of sodium benzenethiosulfinate, 15 mg of sodium thiosulfate, and 10 mg of chloroauric acid. 100 mg of 1,3,3a,7-tetraazaindene was added as a stabilizer, and 100 mg of Proxel (trade name, manufactured by ICI Co., Ltd.) was added as a preservative. The final emulsion was a silver iodochlorobromide cubic grain emulsion containing 0.08 mol% silver iodide and a silver chlorobromide ratio of 70 mol% silver chloride and 30 mol% silver bromide, with an average grain size of 0.10 μm (100 nm) and a coefficient of variation of 9%.

(ハロゲン化銀乳剤bの調製)
ハロゲン化銀乳剤aに対して、ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム(0.001%NaCl 20%水溶液)を増量したものをハロゲン化銀乳剤bとした。
(Preparation of Silver Halide Emulsion b)
Silver halide emulsion b was prepared by increasing the amount of ammonium hexachlororhodate (0.001% NaCl 20% aqueous solution) relative to silver halide emulsion a.

(感光性層形成用組成物Aの調製)
上述のハロゲン化銀乳剤aに1,3,3a,7-テトラアザインデン1.2×10-4モル/モルAg、ハイドロキノン1.2×10-2モル/モルAg、クエン酸3.0×10-4モル/モルAg、2,4-ジクロロ-6-ヒドロキシ-1,3,5-トリアジンナトリウム塩0.90g/モルAg、微量の硬膜剤を添加し、クエン酸を用いて塗布液pHを5.6に調整した。
上述の塗布液に、含有するゼラチンに対して、下記式(P-1)で表されるポリマーとジアルキルフェニルPEO硫酸エステルからなる分散剤を含有するポリマーラテックス(分散剤/ポリマーの質量比が2.0/100=0.02)とをポリマー/ゼラチン(質量比)=0.5/1になるように添加した。
さらに、架橋剤としてEPOXY RESIN DY 022(商品名:ナガセケムテックス株式会社製)を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が0.09g/m2となるように調整した。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、下記式(P-1)で表されるポリマーは、特許第3305459号及び特許第3754745号を参照して合成した。
(Preparation of Photosensitive Layer-Forming Composition A)
To the above-mentioned silver halide emulsion a, 1.2× 10 mol/mol Ag of 1,3,3a,7-tetraazaindene, 1.2× 10 mol/mol Ag of hydroquinone, 3.0× 10 mol/mol Ag of citric acid, 0.90 g/mol Ag of 2,4-dichloro-6-hydroxy-1,3,5-triazine sodium salt, and a trace amount of hardener were added, and the pH of the coating solution was adjusted to 5.6 using citric acid.
To the above-mentioned coating solution, a polymer latex containing a polymer represented by the following formula (P-1) and a dispersant composed of a dialkylphenyl PEO sulfate (the mass ratio of dispersant/polymer was 2.0/100=0.02) was added so that the polymer/gelatin (mass ratio) became 0.5/1 relative to the gelatin contained therein.
Furthermore, EPOXY RESIN DY 022 (trade name: manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was added as a crosslinking agent, and the amount of the crosslinking agent added was adjusted so that the amount of the crosslinking agent in the silver halide-containing photosensitive layer described below was 0.09 g/ m2 .
In this manner, a composition for forming a photosensitive layer was prepared.
The polymer represented by the following formula (P-1) was synthesized with reference to Japanese Patent Nos. 3,305,459 and 3,754,745.

(感光性層形成用組成物Bの調製)
ハロゲン化銀乳剤bを使用した以外は、感光性層形成用組成物Aと同様に調製し、感光性層形成用組成物Bとした。
(Preparation of Photosensitive Layer-Forming Composition B)
Photosensitive layer forming composition B was prepared in the same manner as photosensitive layer forming composition A, except that silver halide emulsion b was used.

(感光性層形成工程)
厚み40μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムの両面に上述のポリマーラテックスを塗布して、厚み0.05μmの下塗り層を設けた。
次に、下塗り層上に、上述のポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物を塗布して、厚み1.0μmのハロゲン化銀不含有層を設けた。なお、ポリマーとゼラチンとの混合質量比(ポリマー/ゼラチン)は2/1であり、ポリマーの含有量は0.65g/m2であった。
次に、ハロゲン化銀不含有層上に、上述の感光性層形成用組成物Aを塗布し、厚み1.6μmのハロゲン化銀含有感光性層を設けた(第1ハロゲン化銀含有層)。なお、ハロゲン化銀含有感光性層中のポリマーとゼラチンとの混合質量比(ポリマー/ゼラチン)は0.5/1であり、ポリマーの含有量は0.16g/m2であった。
次に、第1ハロゲン化銀含有層上に、上述の感光性層形成用組成物Bを塗布し、厚み0.4μmのハロゲン化銀含有感光性層を設けた(第2ハロゲン化銀含有層)。なお、ハロゲン化銀含有感光性層中のポリマーとゼラチンとの混合質量比(ポリマー/ゼラチン)は0.5/1であり、ポリマーの含有量は0.04g/m2であった。
次に、ハロゲン化銀含有感光性層上に、上述のポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物を塗布して、厚み0.15μmの保護層を設けた。なお、ポリマーとゼラチンとの混合質量比(ポリマー/ゼラチン)は1/1であり、ポリマーの含有量は0.08g/m2であった。
(Photosensitive layer forming process)
The above-mentioned polymer latex was applied to both sides of a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 40 μm to provide an undercoat layer having a thickness of 0.05 μm.
Next, a silver halide-free layer having a thickness of 1.0 μm was formed on the undercoat layer by coating the composition for forming the silver halide-free layer, which was a mixture of the above-mentioned polymer latex and gelatin. The mixture mass ratio of the polymer to the gelatin (polymer/gelatin) was 2/1, and the polymer content was 0.65 g/ m2 .
Next, the above-described photosensitive layer-forming composition A was applied onto the silver halide-free layer to form a 1.6 μm-thick silver halide-containing photosensitive layer (first silver halide-containing layer). The mixture mass ratio of polymer to gelatin (polymer/gelatin) in the silver halide-containing photosensitive layer was 0.5/1, and the polymer content was 0.16 g/ .
Next, the above-described photosensitive layer-forming composition B was applied onto the first silver halide-containing layer to form a 0.4 μm-thick silver halide-containing photosensitive layer (second silver halide-containing layer). The mixture mass ratio of polymer to gelatin (polymer/gelatin) in the silver halide-containing photosensitive layer was 0.5/1, and the polymer content was 0.04 g/ .
Next, a protective layer having a thickness of 0.15 μm was formed on the silver halide-containing photosensitive layer by coating the protective layer-forming composition prepared by mixing the above-mentioned polymer latex and gelatin. The mixture mass ratio of the polymer to the gelatin (polymer/gelatin) was 1/1, and the polymer content was 0.08 g/ m2 .

(露光処理)
作製した感光性層に、図に示す検出部(第1検出電極、第2検出電極)と取出し配線部を配した露光マスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した。
露光マスクには、図7に示す構成のものを用いた。銀線部及び接続部に対応した開口部を設け、銀線部では、遮光層にハーフトーンフィルター層を設けた構成となっている。
なお、感光材料の現像性は、光源波長と光量、露光マスクの遮光率、感光材料の感度特性から決まるが、遮光層の遮光率、及びハロゲン化銀乳剤bの感度は、遮光層を設けない部分で、乳剤層A、Bとも現像され、遮光層を設けた部分で、乳剤層Aが現像され、乳剤層Bが現像されないように、適宜調整を行った。
(Exposure processing)
The prepared photosensitive layer was exposed to parallel light emitted from a high-pressure mercury lamp as a light source through an exposure mask having the detection parts (first detection electrode, second detection electrode) and extraction wiring parts shown in the figure.
The exposure mask used had the structure shown in Fig. 7. It had openings corresponding to the silver wire portions and the connection portions, and a halftone filter layer was provided on the light-shielding layer in the silver wire portions.
The developability of the photosensitive material is determined by the wavelength and light intensity of the light source, the light-shielding rate of the exposure mask, and the sensitivity characteristics of the photosensitive material. The light-shielding rate of the light-shielding layer and the sensitivity of silver halide emulsion b were appropriately adjusted so that both emulsion layers A and B were developed in areas where no light-shielding layer was provided, and emulsion layer A was developed but emulsion layer B was not developed in areas where a light-shielding layer was provided.

(現像処理)
露光後、下記の現像液で現像し、さらに定着液(商品名:CN16X用N3X-R:富士フイルム社製)を用いて現像処理を行った後、純水でリンスし、その後乾燥した。
(Development processing)
After exposure, the film was developed with the following developer, and then developed with a fixer (product name: N3X-R for CN16X: manufactured by Fujifilm Corporation), rinsed with pure water, and then dried.

現像液の組成:
現像液1リットル(L)中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン 0.037mol/L
N-メチルアミノフェノール 0.016mol/L
メタホウ酸ナトリウム 0.140mol/L
水酸化ナトリウム 0.360mol/L
臭化ナトリウム 0.031mol/L
メタ重亜硫酸カリウム 0.187mol/L
Developer composition:
The following compounds are contained in 1 liter (L) of the developer.
Hydroquinone 0.037 mol/L
N-methylaminophenol 0.016 mol/L
Sodium metaborate 0.140 mol/L
Sodium hydroxide 0.360 mol/L
Sodium bromide 0.031 mol/L
Potassium metabisulfite 0.187 mol/L

(加熱処理)
さらに、120℃の過熱蒸気槽に130秒間静置して、加熱処理を行った。
(Heat treatment)
Furthermore, the sample was left standing in a superheated steam bath at 120° C. for 130 seconds to carry out a heat treatment.

(ゼラチン分解処理)
さらに、下記のとおり調製したゼラチン分解液(40℃)に120秒浸漬し、その後、温水(液温:50℃)に120秒間浸漬して洗浄した。
(Gelatin decomposition treatment)
The film was then immersed in a gelatin decomposition solution (40°C) prepared as follows for 120 seconds, and then washed by immersing in warm water (liquid temperature: 50°C) for 120 seconds.

ゼラチン分解液の調製:
タンパク質分解酵素(ナガセケムテックス株式会社製ビオプラーゼ30L)の水溶液(タンパク質分解酵素の濃度:0.5質量%)に、トリエタノールアミン、硫酸を加えてpHを8.5に調製した。
Preparation of gelatin degradation solution:
Triethanolamine and sulfuric acid were added to an aqueous solution of a protease (Biophrase 30L, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) (protease concentration: 0.5% by mass) to adjust the pH to 8.5.

(高分子架橋処理)
さらに、カルボジライトV-02-L2(商品名:日清紡社製)1%水溶液に30秒浸漬し、水溶液から取り出し、純水(室温)に60秒間浸漬し、洗浄した。
このようにして、PETフィルムの両面に検出電極及び周辺配線を形成したフィルムAを得た。
(polymer cross-linking treatment)
The substrate was then immersed in a 1% aqueous solution of Carbodilite V-02-L2 (trade name: manufactured by Nisshinbo) for 30 seconds, removed from the aqueous solution, and immersed in pure water (room temperature) for 60 seconds to be washed.
In this way, a film A was obtained in which the detection electrodes and peripheral wiring were formed on both sides of the PET film.

〔実施例2〕
実施例2は、実施例1に比して、感光性層形成工程における、第2ハロゲン化銀含有層の厚みが異なり、それ以外の構成は実施例1と同じとした。実施例2は、第2ハロゲン化銀含有層の厚みを0.8μmとした。
〔実施例3〕
実施例3は、実施例1に比して、感光性層形成工程における、第2ハロゲン化銀含有層の厚みが異なり、それ以外の構成は実施例1と同じとした。実施例3は、第2ハロゲン化銀含有層の厚みを1.6μmとした。
〔実施例4〕
実施例4は、実施例1に比して、感光性層形成工程における、第2ハロゲン化銀含有層の厚みが異なり、それ以外の構成は実施例1と同じとした。実施例4は、第2ハロゲン化銀含有層の厚みを2.4μmとした。
〔実施例5〕
実施例5は、実施例1に比して、感光性層形成工程における、第2ハロゲン化銀含有層の厚みが異なり、それ以外の構成は実施例1と同じとした。実施例5は、第2ハロゲン化銀含有層の厚みを3.2μmとした。
Example 2
Example 2 differs from Example 1 in the thickness of the second silver halide-containing layer in the photosensitive layer forming step, but the other configurations were the same as Example 1. In Example 2, the thickness of the second silver halide-containing layer was 0.8 μm.
Example 3
Example 3 differs from Example 1 in the thickness of the second silver halide-containing layer in the photosensitive layer forming step, but the other configurations were the same as Example 1. In Example 3, the thickness of the second silver halide-containing layer was 1.6 μm.
Example 4
Example 4 differs from Example 1 in the thickness of the second silver halide-containing layer in the photosensitive layer forming step, but the other configurations were the same as Example 1. In Example 4, the thickness of the second silver halide-containing layer was 2.4 μm.
Example 5
Example 5 differs from Example 1 in the thickness of the second silver halide-containing layer in the photosensitive layer forming step, but the other configurations were the same as Example 1. In Example 5, the thickness of the second silver halide-containing layer was 3.2 μm.

〔実施例6〕
実施例6は、実施例2に比して、感光性層形成工程における、第2ハロゲン化銀含有層の乳剤が異なり、それ以外の構成は実施例2と同じとした。
(ハロゲン化銀乳剤cの調製)
ハロゲン化銀乳剤bの調製温度を上げ、平均粒子径300nmの粒子とした。
(感光性層形成用組成物Cの調製)
ハロゲン化銀乳剤cを使用した以外は、感光性層形成用組成物Bと同様に調製し、感光性層形成用組成物Cとした実施例6は、第2ハロゲン化銀含有層として、感光性層形成用組成物Cを厚み0.8μmで塗布した。
Example 6
Example 6 differs from Example 2 in that the emulsion of the second silver halide-containing layer in the photosensitive layer forming step was different, but the other constitutions were the same as Example 2.
(Preparation of Silver Halide Emulsion c)
The preparation temperature of silver halide emulsion b was increased to give grains with an average grain size of 300 nm.
(Preparation of Photosensitive Layer-Forming Composition C)
In Example 6, which was prepared in the same manner as photosensitive layer-forming composition B except that silver halide emulsion c was used, photosensitive layer-forming composition C was applied to a thickness of 0.8 μm as the second silver halide-containing layer.

〔比較例1〕
比較例1は、実施例2に比して、以下に示す点が異なり、それ以外の構成は実施例2と同じとした。比較例1では、露光処理で、ハーフトーンフィルター層を設けない露光マスクで露光した。
Comparative Example 1
Comparative Example 1 differed from Example 2 in the following respects, with the remaining configuration being the same as Example 2. In Comparative Example 1, exposure was performed using an exposure mask without a halftone filter layer.

耐傷性試験、接続部導通信頼性、パターンずれ、及び細線描画性を評価した。その結果を下記表2に示す。
また、以下、耐傷性試験、接続部導通信頼性、パターンずれ、及び細線描画性について説明する。
The scratch resistance test, the electrical continuity reliability of the connection, the pattern misalignment, and the fine line drawing property were evaluated. The results are shown in Table 2 below.
The scratch resistance test, the electrical continuity reliability of the connection, the pattern misalignment, and the fine line drawing property will be described below.

[耐傷性試験]
作製した導電性基板の表面全体に対し、擦傷付与のための試験装置を用いて摩擦部材を10回往復させる圧力耐性に関する耐久試験を行ったあと、電極の端子間の抵抗値をデジタルマルチメーター34410A(Agilent製)を用いて評価し、抵抗値が1MΩ以上となった電極の本数を評価した。評価基準は、以下のとおりである。
評価基準
A:1MΩ以上の電極数が5%未満
B:1MΩ以上の電極数が5%以上10%未満
C:1MΩ以上の電極数が10%以上50%未満
D:1MΩ以上の電極数が50%以上
[Scratch resistance test]
A durability test for pressure resistance was conducted by moving a friction member back and forth 10 times on the entire surface of the prepared conductive substrate using a test device for scratching, and then the resistance value between the terminals of the electrodes was evaluated using a digital multimeter 34410A (manufactured by Agilent), and the number of electrodes with a resistance value of 1 MΩ or more was evaluated. The evaluation criteria were as follows.
Evaluation criteria A: The number of electrodes with a 1 MΩ or larger is less than 5%. B: The number of electrodes with a 1 MΩ or larger is 5% or more but less than 10%. C: The number of electrodes with a 1 MΩ or larger is 10% or more but less than 50%. D: The number of electrodes with a 1 MΩ or larger is 50% or more.

[接続部導通信頼性]
接続部導通信頼性では、CP920CM-25AC(デクセリアルズ株式会社製のACF(異方性導電部材))を用いて、
CP920CM-25AC(デクセリアルズ株式会社製のACF(異方性導電部材))を介して、太陽工業株式会社製プリント配線基板と、フィルムD(フレッシュ)の接続部とを圧着接合して積層物を得た。ただし、接続部導通信頼性を強制評価するために、圧着接合条件をメーカー推奨条件よりも圧着の弱い、温度100℃、圧力0.5MPa、10秒間に設定した。圧着接合直後のプリント配線基板とフィルムD(又はこれに相当する比較例の導電性基板)の接続部との間の電気抵抗値を測定した。次に、上記積層物について、湿熱信頼性試験(温度60℃、相対湿度90%10日間)を実施し、その後、プリント配線基板とフィルムD(又はこれに相当する比較例の導電性基板)の接続部との間の電気抵抗値を測定した。この湿熱信頼性試験前後の電気抵抗値の上昇率によって、接続部導通信頼性を評価した。評価基準は、以下のとおりである。
評価基準
A:電気抵抗値の上昇率が5%未満であった。
B:電気抵抗値の上昇率が5%以上10%未満であった。
C:電気抵抗値の上昇率が10%以上であった。
なお、湿熱信頼性試験後に電気抵抗値が上昇するのは、導電性基板の接続部とACFの密着信頼性が低いこと、すなわち、湿熱信頼性試験後に導電性基板の接続部とACFの剥離が起こることを表している。
[Connection reliability]
For the connection reliability, CP920CM-25AC (ACF (anisotropic conductive material) manufactured by Dexerials Corporation) was used.
A laminate was obtained by pressure-bonding a printed wiring board manufactured by Taiyo Kogyo Co., Ltd. and a connection portion of Film D (fresh) via CP920CM-25AC (ACF (anisotropic conductive material) manufactured by Dexerials Corporation). However, in order to forcibly evaluate the electrical continuity reliability of the connection portion, the pressure-bonding conditions were set to a temperature of 100°C, a pressure of 0.5 MPa, and 10 seconds, which were weaker than the manufacturer's recommended conditions. The electrical resistance value between the connection portion of the printed wiring board and Film D (or a comparable conductive substrate) immediately after pressure-bonding was measured. Next, a moist heat reliability test (temperature 60°C, relative humidity 90% for 10 days) was performed on the laminate, and then the electrical resistance value between the connection portion of the printed wiring board and Film D (or a comparable conductive substrate) was measured. The electrical continuity reliability of the connection portion was evaluated based on the rate of increase in electrical resistance before and after this moist heat reliability test. The evaluation criteria are as follows.
Evaluation Criteria A: The rate of increase in electrical resistance was less than 5%.
B: The rate of increase in electrical resistance was 5% or more and less than 10%.
C: The rate of increase in electrical resistance was 10% or more.
The increase in electrical resistance value after the moist heat reliability test indicates low adhesion reliability between the connection part of the conductive substrate and the ACF, i.e., peeling of the connection part of the conductive substrate and the ACF occurs after the moist heat reliability test.

[パターンずれ]
導電性基板について、第1銀線部と第2銀線部を含む両面の画像を取得した。取得した各面の画像における第1銀線部及び第2銀線部の面内の位置を計測し、設計値からのずれを評価した。
なお、実施例1~6及び比較例1は、設計値からのずれが小さく、いずれも評価をAとした。
[Pattern deviation]
Images of both sides of the conductive substrate, including the first and second silver wire portions, were obtained. The in-plane positions of the first and second silver wire portions in the images of each side were measured, and deviations from the design values were evaluated.
In Examples 1 to 6 and Comparative Example 1, the deviation from the design value was small, and all were evaluated as A.

[細線描画性]
露光の際、ハロゲン化銀に入射する光が平行光からずれ、散乱性が強くなると、線が太くなり、銀配線を描画するには露光量を下げる必要があり、深さ方向の光量が下がり、線幅当たりの銀量が低下する。以上をもとに、露光量を変えて、線幅と現像銀率との関係を調べ、細線描画性を評価した。現像銀率(%)は、以下で表される。
現像銀率=((現像された線幅あたりの銀量)/(塗布ハロゲン化銀の銀量))×100(%)である。なお、評価基準は、以下のとおりである。
評価基準
A:現像銀率が85%以上100%未満
B:現像銀率が70%以上85%未満
C:現像銀率が60%以上70%未満
D:現像銀率が60%未満
[Fine line drawing performance]
During exposure, if the light incident on the silver halide deviates from parallel light and becomes more scattered, the lines will become thicker, and the exposure dose must be reduced to draw silver wiring, which reduces the amount of light in the depth direction and the amount of silver per line width. Based on the above, the exposure dose was changed to examine the relationship between line width and developed silver rate, and the fine line drawability was evaluated. The developed silver rate (%) is expressed as follows:
Developed silver rate = ((amount of silver per developed line width)/(amount of silver in coated silver halide)) x 100 (%). The evaluation criteria are as follows:
Evaluation criteria A: Developed silver ratio is 85% or more and less than 100% B: Developed silver ratio is 70% or more and less than 85% C: Developed silver ratio is 60% or more and less than 70% D: Developed silver ratio is less than 60%

表2に示すように、実施例1~6は、比較例1に比して、耐傷性試験、接続部導通信頼性、パターンずれ、及び細線描画性が優れていた。
耐傷性については、実施例1~6から、第1銀線部上の樹脂層の厚みが厚くなると、耐傷性が良化した。
接続部導通信頼性では、第2銀線部上の樹脂層の厚みが厚くなると、接続部の導通信頼性が悪化した。
パターンずれでは、第1銀線部と第2銀線部とを同一の露光マスクにより一括露光しないと、パターンずれが生じた。
細線描画性では、露光マスクとハロゲン化銀層のギャップが大きくなると、開口部を透過した光の回折により光が広がり細線描画性が劣った。また、露光波長が長波化すると回析が大きくなり、細線描画性が劣った。また、第2ハロゲン化銀含有層のハロゲン化銀の平均粒子径が大きくなると、ハロゲン化銀粒子による光の散乱により光にじみが生じ、第1ハロゲン化銀含有層のハロゲン化銀の細線描画性が劣った。
As shown in Table 2, Examples 1 to 6 were superior to Comparative Example 1 in the scratch resistance test, the electrical connection reliability of the connection, the pattern misalignment, and the fine line drawing property.
As for the scratch resistance, it was found from Examples 1 to 6 that the scratch resistance improved as the thickness of the resin layer on the first silver wire portion increased.
Regarding the electrical continuity reliability of the connection, as the thickness of the resin layer on the second silver wire portion increased, the electrical continuity reliability of the connection deteriorated.
In the case of pattern misalignment, if the first silver line portion and the second silver line portion were not simultaneously exposed using the same exposure mask, pattern misalignment occurred.
In terms of fine-line printability, when the gap between the exposure mask and the silver halide layer was large, the light transmitted through the openings was diffracted, causing the light to spread, resulting in poor fine-line printability. Furthermore, when the exposure wavelength was increased, the diffraction increased, resulting in poor fine-line printability. Furthermore, when the average particle size of the silver halide in the second silver halide-containing layer was large, light scattering by the silver halide particles caused light bleeding, resulting in poor fine-line printability of the silver halide in the first silver halide-containing layer.

10 画像表示装置
11A 第1導電層
11B 第2導電層
12 タッチパネル
13 コントローラ
14 画像表示部
14a 表示面
14b 裏面
16 カバー層
16a 表面
16b 裏面
18 導電性基板
19 フレキシブル回路基板
20 検出部
22 周辺配線部
23a 第1周辺配線
23b 第2周辺配線
24 支持体
24a 表面
24b 裏面
25a 下塗り層
25b アンチハレーション層
26a 第1外部接続部
26b 第2外部接続部
27 樹脂層
28 保護層
28a、28b 面
29A 第1検出電極層
29B 第2検出電極層
30 第1検出電極
31a 第1ダミー電極
31b 第2ダミー電極
32 第2検出電極
33 第1電極端子
34 第2電極端子
35 銀配線
36 開口部
37 第1銀線部
38 第2銀線部
39 異方性導電部材
40 第1ハロゲン化銀含有層
42 第2ハロゲン化銀含有層
43 積層体
44 露光マスク
45 ガラス基板
46 遮光層
47、47a 開口部
48 ハーフトーンフィルター層
検出領域
周辺領域
厚み
厚み
Lv 平行光
、d、ta 厚み
Wc 幅
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Image display device 11A First conductive layer 11B Second conductive layer 12 Touch panel 13 Controller 14 Image display unit 14a Display surface 14b Back surface 16 Cover layer 16a Front surface 16b Back surface 18 Conductive substrate 19 Flexible circuit board 20 Detection unit 22 Peripheral wiring unit 23a First peripheral wiring 23b Second peripheral wiring 24 Support 24a Front surface 24b Back surface 25a Undercoat layer 25b Antihalation layer 26a First external connection portion 26b Second external connection portion 27 Resin layer 28 Protective layer 28a, 28b Surface 29A First detection electrode layer 29B Second detection electrode layer 30 First detection electrode 31a First dummy electrode 31b Second dummy electrode 32 Second detection electrode 33 First electrode terminal 34 Second electrode terminal 35 Silver wiring 36 Opening 37 First silver wire portion 38 Second silver wire portion 39 Anisotropic conductive member 40 First silver halide-containing layer 42 Second silver halide-containing layer 43 Laminate 44 Exposure mask 45 Glass substrate 46 Light-shielding layer 47, 47a Opening 48 Halftone filter layer E1 Detection area E2 Peripheral area H1 Thickness H2 Thickness Lv Parallel light d1 , d2 , ta Thickness Wc Width

Claims (9)

支持体と、ハロゲン化銀を含む第1ハロゲン化銀含有層と、前記第1ハロゲン化銀含有層よりも感度が低い、ハロゲン化銀を含む第2ハロゲン化銀含有層と、をこの順で有する積層体を作製する工程と、
前記積層体に対して、ハーフトーンマスクを用いて厚みが異なる第1銀線部と、第2銀線部とが形成されるように前記第1ハロゲン化銀含有層及び前記第2ハロゲン化銀含有層に対して積算露光量が異なる領域があるように露光して、現像して、銀配線を形成する工程とを有し、
前記第1銀線部は導電層を構成し、前記第2銀線部が外部接続部を構成し、前記第1銀線部の厚みが、前記第2銀線部の厚みよりも薄い、導電性基板の製造方法。
a step of preparing a laminate having, in this order, a support, a first silver halide-containing layer containing silver halide, and a second silver halide-containing layer containing silver halide and having a lower sensitivity than the first silver halide-containing layer;
a step of exposing the laminate using a halftone mask so that there are regions with different cumulative exposure amounts in the first silver halide-containing layer and the second silver halide-containing layer, so that first silver line portions and second silver line portions having different thicknesses are formed, and developing the exposed silver layer to form silver wiring;
A method for manufacturing a conductive substrate, wherein the first silver wire portion constitutes a conductive layer, the second silver wire portion constitutes an external connection portion, and the thickness of the first silver wire portion is thinner than the thickness of the second silver wire portion .
前記第2ハロゲン化銀含有層が含有するハロゲン化銀の平均粒子径が、250nm以下である、請求項1に記載の導電性基板の製造方法。 The method for producing a conductive substrate according to claim 1, wherein the average particle size of the silver halide contained in the second silver halide-containing layer is 250 nm or less. 前記第2ハロゲン化銀含有層の厚みは、0.4~3.2μmである、請求項1又は2に記載の導電性基板の製造方法。 The method for producing a conductive substrate according to claim 1 or 2, wherein the second silver halide-containing layer has a thickness of 0.4 to 3.2 μm. 前記積層体を作製する工程は、前記支持体の両面に、それぞれクロスオーバーカット層、前記第1ハロゲン化銀含有層、及び前記第2ハロゲン化銀含有層をこの順に形成する工程を有し、
前記銀配線を形成する工程は、前記積層体に対して、前記支持体の前記両面において、前記積算露光量が異なる領域があるように露光して現像する工程を有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の導電性基板の製造方法。
the step of preparing the laminate includes a step of forming a crossover cut layer, the first silver halide-containing layer, and the second silver halide-containing layer in this order on both sides of the support,
The method for manufacturing a conductive substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the step of forming the silver wiring includes a step of exposing and developing the laminate so that there are regions on both surfaces of the support where the integrated exposure amount is different.
支持体と、
支持体の両面のうち、少なくとも一方の面上に配置された、第1銀線部と、第2銀線部と、
前記第1銀線部及び前記第2銀線部を覆うように配置された樹脂層とを有し
前記第1銀線部は導電層を構成し、前記第2銀線部が外部接続部を構成し、
前記第1銀線部上の前記樹脂層の厚みが、前記第2銀線部上の前記樹脂層の厚みよりも厚く、
前記第1銀線部の厚みが、前記第2銀線部の厚みよりも薄い、導電性基板。
A support;
a first silver wire portion and a second silver wire portion disposed on at least one of both surfaces of the support;
a resin layer disposed so as to cover the first silver wire portion and the second silver wire portion,
the first silver wire portion constitutes a conductive layer, and the second silver wire portion constitutes an external connection portion;
the thickness of the resin layer on the first silver wire portion is greater than the thickness of the resin layer on the second silver wire portion;
A conductive substrate, wherein the thickness of the first silver wire portion is thinner than the thickness of the second silver wire portion.
前記支持体の両面に、それぞれ前記第1銀線部と、前記第2銀線部とが配置され、
前記第1銀線部及び前記第2銀線部を覆うように前記樹脂層が配置されており、
前記第1銀線部上の前記樹脂層の厚みが、前記第2銀線部上の前記樹脂層の厚みよりも厚く、
前記第1銀線部の厚みが、前記第2銀線部の厚みよりも薄い、請求項5に記載の導電性基板。
the first silver wire portion and the second silver wire portion are disposed on both surfaces of the support,
the resin layer is disposed so as to cover the first silver wire portion and the second silver wire portion,
the thickness of the resin layer on the first silver wire portion is greater than the thickness of the resin layer on the second silver wire portion;
The conductive substrate according to claim 5 , wherein the thickness of the first silver wire portion is thinner than the thickness of the second silver wire portion.
前記第1銀線部上の前記樹脂層の厚みは、前記第2銀線部上の前記樹脂層の厚みの1.5倍以上である、請求項5又は6に記載の導電性基板。 The conductive substrate described in claim 5 or 6, wherein the thickness of the resin layer on the first silver wire portion is at least 1.5 times the thickness of the resin layer on the second silver wire portion. 前記第2銀線部上の前記樹脂層の厚みは、0.2μm以下である、請求項5~7のいずれか1項に記載の導電性基板。 The conductive substrate described in any one of claims 5 to 7, wherein the thickness of the resin layer on the second silver wire portion is 0.2 μm or less. 前記第1銀線部のシート抵抗が50Ω/sq以下である、請求項5~8のいずれか1項に記載の導電性基板。 The conductive substrate described in any one of claims 5 to 8, wherein the sheet resistance of the first silver wire portion is 50 Ω/sq or less.
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