JP7721366B2 - 導電性基板の製造方法及び導電性基板 - Google Patents

Description

本発明は、タッチセンサー、又はタッチパネル等に利用される導電性基板の製造方法及び導電性基板に関する。

現在、タブレット型コンピュータ及びスマートフォン等の携帯情報機器を始めとした各種の電子機器において、液晶表示装置等の表示装置と組み合わせて用いられ、指、スタイラスペン等を画面に接触又は近接させることにより電子機器への入力操作を行うタッチパネルがある。タッチパネルは、タッチを検出する検出電極と、検出電極に電気的に接続される接続配線とを備えるタッチセンサーを有する。
ここで、タッチセンサーにおいては、タッチ応答速度、消費電力の見地から電極の低抵抗化が必須であり、この低抵抗化の技術として電極を網目状の導線パターンで形成する方法が知られている。
取出し配線は、検出電極からの電気信号を取り出し、検出電極の周囲を取り回し、外部配線、例えば、ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）と接続する位置まで配置される。外部配線との接続部分で、外部配線と取出し配線とが電気的に接続され、外部配線を通じてタッチセンサーをコントロールするＩＣ（integrated circuit）に接続される。これにより、タッチセンサーが駆動可能となる。なお、検出電極への電気信号の入出力のために、取出し配線に外部配線との接続部を設ける必要がある。

上述の検出電極、及び取出し配線は、例えば、特許文献１のように、支持体上に銀塩乳剤を含有する乳剤層を有する感光材料を露光し、現像処理することにより金属銀を形成した後、平滑化処理することにより形成される。
また、検出電極、及び取出し配線は、例えば、１つの露光マスクでパターニングすることにより、位置合わせ精度良く一括形成されている。

特開２００７-１２９２０５号公報

近年、タッチパネルの高画質化のため、網目状の金属線の細線化が進んでいるが、金属線が細線、特に線幅が３μｍ以下では、耐傷性の観点から、金属線上に保護層を設置することが好ましい。一方、上述の外部配線との接続部では、接触抵抗を低減する観点から保護層を厚くできない制約がある。このため、耐傷性が必要な金属細線部では、パターン形成後に別途保護層をパターン印刷する等が必要であり、製造工程の工程数が多くなる。現状では、製造工程を簡素化することが課題となっている。

本発明の目的は、耐傷性に優れる銀配線部と、外部端子との接続性に優れる銀配線部とを有する導電性基板を簡便に製造することができる導電性基板の製造方法及び導電性基板を提供することにある。

上述の目的を達成するために、本発明の一態様は、支持体と、ハロゲン化銀を含む第１ハロゲン化銀含有層と、第１ハロゲン化銀含有層よりも感度が低い、ハロゲン化銀を含む第２ハロゲン化銀含有層と、をこの順で有する積層体を作製する工程と、積層体に対して、積算露光量が異なる領域があるように露光して、現像して、銀配線を形成する工程とを有する、導電性基板の製造方法を提供するものである。

第２ハロゲン化銀含有層が含有するハロゲン化銀の平均粒子径が、２５０ｎｍ以下であることが好ましい。
第２ハロゲン化銀含有層の厚みは、０．４～３．２μｍであることが好ましい。
積層体を作製する工程は、支持体の両面に、それぞれクロスオーバーカット層、第１ハロゲン化銀含有層、及び第２ハロゲン化銀含有層をこの順に形成する工程を有し、銀配線を形成する工程は、積層体に対して、支持体の両面において、積算露光量が異なる領域があるように露光して現像する工程を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法ことが好ましい。

本発明の一態様は、支持体と、支持体の両面のうち、少なくとも一方の面上に配置された、第１銀線部と、第２銀線部と、第１銀線部及び第２銀線部を覆うように配置された樹脂層と、第１銀線部上の樹脂層の厚みが、第２銀線部上の樹脂層の厚みよりも厚く、第１銀線部の厚みが、第２銀線部の厚みよりも薄い、導電性基板を提供するものである。
支持体の両面に、それぞれ第１銀線部と、第２銀線部とが配置され、第１銀線部及び第２銀線部を覆うように樹脂層が配置されており、第１銀線部上の樹脂層の厚みが、第２銀線部上の樹脂層の厚みよりも厚く、第１銀線部の厚みが、第２銀線部の厚みよりも薄いことが好ましい。
第１銀線部上の樹脂層の厚みは、第２銀線部上の樹脂層の厚みの１．５倍以上であることが好ましい。
第２銀線部上の樹脂層の厚みは、０．２μｍ以下であることが好ましい。
第１銀線部のシート抵抗が５０Ω／ｓｑ以下であることが好ましい。

本発明によれば、耐傷性に優れる銀配線部と、外部端子との接続性に優れる銀配線部とを有する導電性基板を簡便に製造することができる導電性基板の製造方法及び導電性基板を提供できる。

本発明の実施形態の導電性基板を有する画像表示装置の第１の例を示す模式的断面図である。 本発明の実施形態の導電性基板をタッチセンサーに用いた一例を示す模式的平面図である。 本発明の実施形態の導電性基板の一例を示す模式的断面図である。 本発明の実施形態の導電性基板をタッチセンサーに用いた際の電極構成を示す模式図である。 本発明の実施形態の導電性基板のメッシュパターンの形状の一例を示す模式図である。 本発明の実施形態の導電性基板の製造方法の一工程を示す模式的断面図である。 本発明の実施形態の導電性基板の製造方法の一工程を示す模式的断面図である。

以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の導電性基板の製造方法及び導電性基板を詳細に説明する。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「～」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値ε_α～数値ε_βとは、εの範囲は数値ε_αと数値ε_αを含む範囲であり、数学記号で示せばε_α≦ε≦ε_αである。
「平行」、及び「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。

透明とは、特に断りがなければ、光透過率が、波長３８０～７８０ｎｍの可視光波長域において、４０％以上のことであり、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上のことである。
光透過率は、ＪＩＳ（日本産業規格） Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率及び全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。
また、絶縁とは、特に断りがなければ、電気的な絶縁を意味する。絶縁基板は、電気絶縁性を有する基板であり、使用する用途に応じた電気抵抗を有する。例えば、絶縁基板の両面に導電線が形成された場合、両面に形成された導電線同士は導通しない。

（導電性基板）
導電性基板は、例えば、タッチパネルにおいてタッチセンサーとして用いられる。導電性基板をタッチセンサーに用いる場合、導電性基板の構成は、タッチセンサーとして機能するものであれば、その構成は、特に限定されるものではない。例えば、導電性基板は、支持体の少なくとも一方の面に、導電層により構成された検出部と、一端が検出部に電気的に接続され、他端が外部接続端子に接続された周辺配線とを有する。導電性基板では、支持体の表面及び裏面に、それぞれ検出部及び周辺配線が設けられている。なお、周辺配線を取出し配線ともいう。以下、導電性基板が用いられた画像表示装置について説明する。

（画像表示装置）
図１は本発明の実施形態の導電性基板を有する画像表示装置の第１の例を示す模式的断面図である。
図１に示す第１例の画像表示装置１０は、タッチパネル１２と、画像表示部１４とを有し、画像表示部１４の表示面１４ａ側にタッチパネル１２が積層されたものである。画像表示装置１０は、画像表示部１４に表示された画像等の領域にタッチしたことを検出することができる。
画像表示装置１０では、タッチパネル１２と画像表示部１４とが積層されている。タッチパネル１２は、導電性基板１８の保護層２８上にカバー層１６が設けられている。例えば、カバー層１６の表面１６ａ側から見た場合、画像表示部１４は導電性基板１８よりも小さい。
画像表示装置１０では、画像表示部１４の表示面１４ａに表示された表示物（図示せず）が視認できるように画像表示部１４の表示面１４ａ側に配置される導電性基板１８、及びカバー層１６は透明であることが好ましい。

図１に示す画像表示装置１０の導電性基板１８は、支持体２４の両方の面、それぞれに第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとが設けられている。支持体２４の表面２４ａ上と裏面２４ｂ上とに、それぞれ下塗り層２５ａが設けられている。表面２４ａ側の下塗り層２５ａ上にアンチハレーション層２５ｂが設けられている。表面２４ａ側のアンチハレーション層２５ｂ上に第２検出電極層２９Ｂが設けられ、裏面２４ｂ側のアンチハレーション層２５ｂ上に第１検出電極層２９Ａが設けられている。支持体２４は、電気的に絶縁性を有するものであり、支持体２４により第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとが電気的に絶縁される。すなわち、第１検出電極３０と第２検出電極３２とが、支持体２４により電気的に絶縁される。

画像表示装置１０では、支持体２４の表面２４ａ側のアンチハレーション層２５ｂ上に第２検出電極層２９Ｂを覆う樹脂層２７が設けられており、樹脂層２７上に保護層２８が設けられている。保護層２８上にカバー層１６が設けられている。
第１検出電極層２９Ａを覆う樹脂層２７が設けられている。保護層２８に表示面１４ａを向けて画像表示部１４が接続されている。樹脂層２７及び保護層２８は後述する。第１検出電極層２９Ａを構成する第１の金属細線及び第２検出電極層２９Ｂを構成する第２の金属細線は、いずれも後述の図３の銀配線３５で構成される。

カバー層１６は、ガラスで構成されていれば、カバーガラスと呼ばれる。
カバー層１６の表面１６ａが、画像表示装置１０のタッチ面であり、操作面となる。画像表示装置１０は、カバー層１６の表面１６ａを操作面として入力操作される。なお、タッチ面とは、指又はスタイラスペン等が接触する面である。カバー層１６の表面１６ａが、画像表示部１４の表示面１４ａに表示された表示物（図示せず）の視認面となる。
画像表示部１４の裏面１４ｂにコントローラ１３が設けられている。導電性基板１８とコントローラ１３とが、例えば、フレキシブル回路基板１９等の可撓性を有する配線部材で電気的に接続されている。フレキシブル回路基板１９は外部配線である。

カバー層１６の裏面１６ｂに、遮光機能を有する加飾層（図示せず）を設けてもよい。加飾層は、例えば、カバー層１６の表面１６ａ側から見た場合における、カバー層１６の外縁に沿って設けられる。加飾層が設けられている領域は額縁部と呼ばれる。額縁部は加飾層により、その下側にある構成物、例えば、後述する導電性基板１８の電極端子及び周辺配線を視認させない。

コントローラ１３はタッチ面であるカバー層１６の表面１６ａの指等の接触の検出に利用される公知のものにより構成される。タッチパネル１２が静電容量方式の場合、タッチ面であるカバー層１６の表面１６ａの指等の接触により、導電性基板１８において静電容量が変化した位置がコントローラ１３で検出される。静電容量方式のタッチパネルには、相互容量方式のタッチパネル及び自己容量方式のタッチパネルがあるが、特に限定されるものではない。

カバー層１６は、導電性基板１８を保護するものである。カバー層１６は、その構成は、特に限定されるものではない。カバー層１６は、画像表示部１４の表示面１４ａに表示された表示物（図示せず）が視認できるように透明であることが好ましい。カバー層１６は、例えば、ガラス板、化学強化ガラス、及び無アルカリガラス等で構成される。カバー層１６の厚みはそれぞれの用途に応じて適宜選択することが好ましい。カバー層１６は、ガラス板以外に、プラスチックフィルム及びプラスチック板等が用いられる。
上述のプラスチックフィルム及びプラスチック板の原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル類；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ＥＶＡ（酢酸ビニル共重合ポリエチレン）等のポリオレフィン樹脂；ビニル系樹脂；その他、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、シクロオレフィン系樹脂（ＣＯＰ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、フルオレン誘導体、及び、結晶性ＣＯＰ等を用いることができる。
なお、（メタ）アクリル樹脂とは、アクリル樹脂とメタクリル樹脂とを含む総称である。
また、カバー層１６は、偏光板、又は円偏光板等を有する構成でもよい。
カバー層１６の表面１６ａは、上述のようにタッチ面となるため、必要に応じて表面１６ａにハードコート層を設けてもよい。なお、カバー層１６の厚みとしては、例えば、０．１～１．３ｍｍであり、特に０．１～０．７ｍｍが好ましい。

画像表示部１４は、画像等の表示物を表示する表示面１４ａを備えるものであり、例えば、液晶表示装置である。画像表示部１４は、液晶表示装置に限定されるものではなく、有機ＥＬ（Organic electro luminescence）表示装置でもよい。画像表示部１４は、上述のもの以外に、陰極線管（ＣＲＴ）表示装置、真空蛍光ディスプレイ（ＶＦＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、表面電界ディスプレイ（ＳＥＤ）、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）、及び電子ペーパー等を利用することができる。
画像表示部１４は、その用途に応じたものが適宜利用されるが、画像表示装置１０の厚みを薄く構成するために、液晶表示パネル、及び有機ＥＬパネル等のパネルの形態とすることが好ましい。
なお、保護層２８と画像表示部１４との間に、例えば、光学的に透明な粘着剤（ＯＣＡ、Optical Clear Adhesive）及びＵＶ（Ultra Violet）硬化樹脂等の光学的に透明な樹脂（ＯＣＲ、Optical Clear Resin）を配置してもよく、この場合、部分的に中空でもよい。また、画像表示部１４の表示面１４ａ上に隙間をあけてタッチパネル１２を離間して設ける構成でもよい。この隙間のことをエアギャップともいう。

（タッチパネル）
図２は本発明の実施形態の導電性基板をタッチセンサーに用いた一例を示す模式的平面図である。なお、図２において、図１に示す画像表示装置１０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
以下、タッチパネル１２について図１及び図２を用いて説明する。
図１に示すタッチパネル１２は、コントローラ１３と、導電性基板１８と、カバー層１６とを有する。図２に示す導電性基板１８はタッチセンサーとして機能するものである。

導電性基板１８は、アンチハレーション層２５ｂ上に、複数の第１検出電極３０を有する第１検出電極層２９Ａと、一端が第１検出電極層２９Ａの第１検出電極３０に電気的に接続され、他端に第１外部接続部２６ａが設けられた複数の第１周辺配線２３ａとを有する第１導電層１１Ａが設けられている。第１導電層１１Ａが樹脂層２７により被覆されている。
第１検出電極３０は銀配線３５（図３参照）により構成される。第１検出電極３０を構成する銀配線３５のことを第１の金属細線ともいう。第１の金属細線は、アンチハレーション層２５ｂ上に配置されている。第１導電層１１Ａが第１銀線部であり、第１外部接続部２６ａが第２銀線部である。

第１外部接続部２６ａは、フレキシブル回路基板１９が、例えば、異方性導電部材３９を用いて電気的に接続されて、コントローラ１３と接続されている。
支持体２４の表面２４ａ側のアンチハレーション層２５ｂ上に、複数の第２検出電極３２を有する第２検出電極層２９Ｂと、一端が第２検出電極３２に電気的に接続され、他端に第２外部接続部２６ｂが設けられた複数の第２周辺配線２３ｂとを有する第２導電層１１Ｂを有する。第１導電層１１Ａと同じく、第２外部接続部２６ｂは、フレキシブル回路基板１９が、例えば、異方性導電部材３９を用いて電気的に接続されて、コントローラ１３と接続されている。異方性導電部材３９は、特に限定されるものではなく、公知のものが適宜利用可能であり、例えば、熱硬化性樹脂に導電粒子が分散したものである。

第２検出電極３２は銀配線３５（図３参照）により構成される。第２検出電極３２を構成する銀配線３５のことを第２の金属細線ともいう。第２の金属細線は、アンチハレーション層２５ｂ上に配置されている。第２導電層１１Ｂが第１銀線部であり、第２外部接続部２６ｂが第２銀線部である。
上述のように、第１検出電極３０では、第１の金属細線といい、第２検出電極３２では第２の金属細線という。第１の金属細線と第２の金属細線とをまとめて、銀配線３５ともいう。特に断りがなければ、銀配線３５は、第１の金属細線と第２の金属細線とを含む。

（導電性基板）
導電性基板１８について、図２及び図３を用いて説明する。図３は本発明の実施形態の導電性基板の一例を示す模式的断面図である。なお、図３において、図１に示す画像表示装置１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
導電性基板１８は、例えば、タッチパネル１２のタッチセンサーと機能する部位であり、使用者によって入力操作が可能な検出領域Ｅ_１である検出部２０と、検出領域Ｅ_１の外側に位置する周辺領域Ｅ_２に周辺配線部２２とを有する。
検出部２０は、例えば、第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとを有する。第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとは、支持体２４を介して配置されている。第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとは支持体２４により電気的に絶縁される。支持体２４は電気的な絶縁基板として機能する。
図２に示すように、第１検出電極層２９Ａは、複数の第１検出電極３０と隣接した第１検出電極３０間に配置され、第１検出電極３０と絶縁された複数の第１ダミー電極３１ａとを有する。

複数の第１検出電極３０は、互いに平行にＸ方向に延びる帯状の電極であり、互いにＸ方向と直交するＹ方向に間隔をあけて、互いにＹ方向において電気的に絶縁された状態でアンチハレーション層２５ｂ（図１参照）の表面上に設けられている。また、複数の第１ダミー電極３１ａは、第１検出電極３０間に配置され、第１検出電極３０と電気的に絶縁された状態でアンチハレーション層２５ｂ（図１参照）の表面上に設けられている。第１検出電極３０は、それぞれＸ方向の少なくとも一端に第１電極端子３３が設けられている。
第２検出電極層２９Ｂは、複数の第２検出電極３２と隣接した第２検出電極３２間に配置され、第２検出電極３２と絶縁された複数の第２ダミー電極３１ｂとを有する。複数の第２検出電極３２は、互いに平行にＹ方向に延びる帯状の電極であり、互いにＸ方向に間隔をあけて、互いにＸ方向において電気的に絶縁された状態でアンチハレーション層２５ｂ（図１参照）の表面上に設けられている。また、複数の第２ダミー電極３１ｂは、第２検出電極３２間に配置され、第２検出電極３２と電気的に絶縁された状態でアンチハレーション層２５ｂ（図１参照）の表面上に設けられている。第２検出電極３２は、それぞれＹ方向の一方の端に第２電極端子３４が設けられている。

複数の第１検出電極３０と複数の第２検出電極３２とは、直交して設けられているが、上述のように支持体２４により互いに電気的に絶縁されている。
なお、第１検出電極３０及び第２検出電極３２における第１ダミー電極３１ａ及び第２ダミー電極３１ｂは、第１検出電極３０又は第２検出電極３２と断線部により分断されており、電気的に接続されていない領域である。このため、上述のように、複数の第１検出電極３０は互いにＹ方向において電気的に絶縁された状態であり、複数の第２検出電極３２は互いにＸ方向において電気的に絶縁された状態である。図２に示すように検出部２０では、第１検出電極３０が６つ、第２検出電極３２が５つ設けられているが、その数は特に限定されるものではなく複数あればよい。
第１検出電極層２９Ａと第２検出電極層２９Ｂとは、上述のように銀配線３５（図３参照）により構成される。第１検出電極３０及び第２検出電極３２が、銀配線３５によるメッシュパターンを有する金属メッシュである場合、第１ダミー電極３１ａ及び第２ダミー電極３１ｂも銀配線３５によるメッシュパターンを有する金属メッシュである。
第１検出電極３０の電極幅及び第２検出電極３２の電極幅は、例えば、１～５ｍｍであり、電極間ピッチは３～６ｍｍである。第１検出電極３０の電極幅はＹ方向の最大長さであり、第２検出電極３２の電極幅はＸ方向の最大長さである。

周辺配線部２２は、第１検出電極３０及び第２検出電極３２にタッチ駆動信号及びタッチ検出信号をコントローラ１３から送信又は伝達するための配線である周辺配線（第１周辺配線２３ａ、第２周辺配線２３ｂ）が配置された領域である。周辺配線部２２は、複数の第１周辺配線２３ａ及び複数の第２周辺配線２３ｂを有する。第１周辺配線２３ａは、一端が第１電極端子３３を介して第１検出電極３０に電気的に接続され、他端が第１外部接続部２６ａに電気的に接続されている。また、第２周辺配線２３ｂは、一端が第２電極端子３４を介して第２検出電極３２に電気的に接続されて、他端が第２外部接続部２６ｂに電気的に接続されている。
なお、第１電極端子３３、及び第２電極端子３４は、ベタ膜形状でもよく、特開２０１３－１２７６５８号公報に示されるようなメッシュ形状でもよい。第１電極端子３３及び第２電極端子３４の幅の好ましい範囲は、それぞれ第１検出電極３０及び第２検出電極３２の電極幅の１/３倍以上１．２倍以下である。

第１導電層１１Ａの第１検出電極３０と第１ダミー電極３１ａと第１電極端子３３と第１周辺配線２３ａとは、電気抵抗、及び断線の発生しにくさ等の観点から一体構成であることが好ましく、さらには同じ金属材料で形成することがより好ましい。この場合、第１導電層１１Ａは、例えば、ハロゲン化銀含有層をパターン露光することにより形成される。
同じく、第２導電層１１Ｂの第２検出電極３２と第２ダミー電極３１ｂと第２電極端子３４と第２周辺配線２３ｂとは、電気抵抗、及び断線の発生しにくさ等の観点から一体構成であることが好ましく、さらには同じ金属材料で形成することがより好ましい。この場合、第２導電層１１Ｂは、後述のように、例えば、ハロゲン化銀含有層をパターン露光することにより形成される。

ここで、図３は導電性基板１８を示す図であるが、一部を省略し、支持体２４と、下塗り層２５ａと、アンチハレーション層２５ｂと、第１検出電極層２９Ａの第１検出電極３０の第１銀線部３７と、樹脂層２７とを示しており、支持体２４の表面２４ａ側の構造を示している。図２を用いて説明したように、支持体２４の両面に導電層等があるが、図３では、その図示は省略している。なお、図３に示されている銀配線３５は第１の金属細線である。複数の銀配線３５により、第１銀線部３７が構成される。第１銀線部３７は、上述のように第１導電層１１Ａ及び第２導電層１１Ｂを構成する。第２銀線部３８は、第１外部接続部２６ａである。第２銀線部３８は、上述のように第２外部接続部２６ｂでもある。

図３では、片面側しか第１銀線部３７及び第２銀線部３８等を図示していないが、導電性基板１８は、支持体２４と、支持体２４の両面上に第１銀線部３７と、第２銀線部３８とが配置されている。第１銀線部及び第２銀線部を覆うように配置された樹脂層２７を有する。第１銀線部３７上の樹脂層２７の厚みｄ_１が、第２銀線部３８上の樹脂層の厚みｄ_２よりも厚い。また、第１銀線部３７の厚みＨ_１が、第２銀線部３８の厚みＨ_２よりも薄い。
また、第２銀線部３８上の樹脂層２７の厚みＨ_２は、０．２μｍ以下であることが好ましい。樹脂層２７の厚みＨ_２が０．２μｍ以下であれば、接触抵抗を十分に低減できる。
導電性基板１８は、支持体２４の表面２４ａ上に下塗り層２５ａが設けられ、下塗り層２５ａ上にアンチハレーション層２５ｂが設けられている。
支持体２４の裏面２４ｂ上に下塗り層２５ａが設けられ、下塗り層２５ａ上にアンチハレーション層２５ｂが設けられている。支持体２４の面上とは、図３では、アンチハレーション層２５ｂ上のことである。

第１銀線部３７上の樹脂層２７の厚みｄ_１は、第２銀線部３８上の樹脂層２７の厚みｄ_２の１．５倍以上であることが好ましい。第１銀線部３７上の樹脂層２７の厚みｄ_１が第２銀線部３８上の樹脂層２７の厚みｄ_２の１．５倍以上であれば、耐傷性が高くなり、第１銀線部３７が十分に保護される。なお、第１銀線部３７上の樹脂層２７の厚みｄ_１は、第２銀線部３８上の樹脂層２７の厚みｄ_２の３～５倍であると、より耐傷性が高くなるため、より好ましい。
上述のように第１銀線部３７上の樹脂層２７の厚みｄ_１と、第２銀線部３８上の樹脂層２７の厚みｄ_２とは異なるが、第１銀線部３７の銀配線３５の間の樹脂層２７の平均厚みと、第２銀線部３８の間の樹脂層２７の平均厚みとは略同じである。
第１銀線部３７の銀配線３５の間の樹脂層２７の平均厚みとは、銀配線３５の間の中間位置における樹脂層２７の厚みの平均した厚みである。
第２銀線部３８の間の樹脂層２７の平均厚みとは、第１外部接続部２６ａの間の中間位置における樹脂層２７の厚みの平均した厚みである。
第１銀線部３７の銀配線３５の間の樹脂層２７の平均厚みは、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて取得した切断断面の断面画像を用いて、銀配線３５の間の中間位置に相当する長さを１０箇所測定し、１０箇所の測定値の平均値を求める。
第２銀線部３８の間の樹脂層２７の平均厚みは、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて取得した切断断面の断面画像を用いて、銀配線３５の間の中間位置に相当する長さを１０箇所測定し、１０箇所の測定値の平均値を求める。

第１銀線部の厚みＨ_１、第２銀線部の厚みＨ_２、第１銀線部３７上の樹脂層２７の厚みｄ_１、及び第２銀線部３８上の樹脂層の厚みｄ_２は、導電性基板１８を切断し、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて取得した切断断面の断面画像を用いて測定する。断面画像において、第１銀線部の厚みＨ_１、第２銀線部の厚みＨ_２、第１銀線部３７上の樹脂層２７の厚みｄ_１、及び第２銀線部３８上の樹脂層の厚みｄ_２に相当する長さを、それぞれ１０箇所測定し、１０箇所の測定値の平均値を求める。第１銀線部の厚みＨ_１、第２銀線部の厚みＨ_２、第１銀線部３７上の樹脂層２７の厚みｄ_１、及び第２銀線部３８上の樹脂層の厚みｄ_２は、それぞれ上述の１０箇所の測定値の平均値である。
なお、導電性基板１８は、支持体２４の両面に、第１銀線部３７と、第２銀線部３８とを設ける構成について説明したが、これに限定されるものではない。導電性基板１８は、支持体２４の両面のうち、一方の面に、第１銀線部３７と、第２銀線部３８とを設ける構成でもよい。さらには、支持体の一方の面に、第１銀線部３７と、第２銀線部３８とを設けたものを、積層してタッチセンサーとすることもできる。
また、後述するが、例えば、第１銀線部３７の銀配線３５によりメッシュパターン（図４参照）が構成される。

例えば、意匠性向上のためにディスプレイ周辺の額縁を狭くする狭額縁化のために、導電性基板１８は、図２に示す周辺配線部２２の折曲げ領域Ｂｆで、第１外部接続部２６ａ及び第２外部接続部２６ｂを外側にして折り曲げられる。第１外部接続部２６ａ及び第２外部接続部２６ｂに電気的に接続されたフレキシブル回路基板１９が画像表示部１４の表示面１４ａ側とは反対の裏面１４ｂ側に配置される。

第１銀線部３７の厚みＨ_１は０．０１～２００μｍが好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることがさらに好ましく、０．０１～９μｍであることが特に好ましく、０．０５～５μｍであることが最も好ましい。上述の範囲であれば、低抵抗の電極で、耐久性に優れた電極を比較的容易に形成できる。
第１銀線部３７の銀配線３５の幅Ｗｃは、特に制限されないが、上限は３０μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましく、９μｍ以下が特に好ましく、７μｍ以下が最も好ましく、下限は０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。上述の範囲であれば、低抵抗の電極を比較的容易に形成できる。
第１銀線部３７の銀配線３５が周辺配線として適用される場合には、銀配線３５の幅Ｗｃは５００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましい。上述の範囲であれば、低抵抗のタッチパネル電極を比較的容易に形成できる。
第２銀線部３８の厚みＨ_２は薄型化と導電特性のバランスの点で、２００μｍ以下が好ましく、３０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下が更に好ましく、０．３～５μｍであることが特に好ましく、０．５～５μｍであることが最も好ましい。

第１銀線部３７の厚みＨ_１、第２銀線部３８の厚みＨ_２及び銀配線３５の幅Ｗｃは、導電性基板１８を切断し、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて取得した切断断面の断面画像を用いて測定する。断面画像において、第１銀線部３７に該当する画像領域について、第１銀線部３７の厚みＨ_１及び銀配線３５の幅Ｗｃに相当する長さを１０箇所測定し、１０箇所の測定値の平均値を求める。第１銀線部３７の厚みＨ_１及び銀配線３５の幅Ｗｃは、それぞれ上述の１０箇所の測定値の平均値である。また、第２銀線部３８の厚みに該当する画像領域について、第２銀線部３８の厚みＨ_２に相当する長さを１０箇所測定し、１０箇所の測定値の平均値を求める。

ここで、スマートフォンに対してサイズの大きいタブレット又はノートＰＣ（personal computer）に搭載されるタッチパネルには、指又はスタイラスペン等の接触又は近接によるタッチ操作を検出されるために、第１銀線部３７の電気抵抗として、より低い細線抵抗が求められる。
指又はスタイラスペン等の操作に遅れが生じないためには、第１銀線部のシート抵抗が５０Ω／ｓｑ以下であることが好ましく、２５Ω／ｓｑ以下であることがより好ましい。
シート抵抗の測定方法は、導電性基板に電流を流した際の導電性基板に印加される電圧Ｅ（単位ボルトＶ）、電流Ｉ（単位アンペアＡ）、電極間平均距離Ｌ（単位ミリメートルｍｍ）、シート平均幅Ｗ（単位ミリメートルｍｍ）から以下の式で算出する。なお、電極間平均距離Ｌは導電性基板上で電圧を印加する接続部２ヵ所の平均距離であり、シート平均幅は電極間平均距離Ｌを算出した方向に直交する方向の長さの平均値である。
シート抵抗＝(Ｅ／Ｉ)×（Ｗ／Ｌ）
また、実際に測定する場合の電圧Ｅ_{ｔｏｔａｌ}は導電性基板に印加される電圧Ｅ以外にその接触抵抗Ｒｃに由来する電圧降下分Ｅｃを含むため、その効果は予め接触抵抗を測定しておくことにより以下の式で求める。
Ｅ＝Ｅ_{ｔｏｔａｌ}－Ｒｃ×Ｉ
また、簡易的には、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） Ｋ ７１９４（１９９４）等の表面抵抗率測定により局所的なシート抵抗を測定しそれを平均化することでも、シート抵抗は求められる。

また、第１銀線部３７の反射率を小さくするために、第１銀線部３７の表面を硫化又は酸化処理する黒化処理して黒化層（図示せず）を設ける構成でもよい。黒化層は、例えば、第１銀線部３７の反射率を小さくするものである。黒化層は、窒化銅、酸化銅、酸窒化銅、酸化モリブデン、ＡｇＯ、Ｐｄ、カーボン又はその他の窒化物又は酸化物等により構成することができる。黒化層は金属細線の視認される側、すなわち、第１銀線部３７の下塗り層２５ａの反対側の表面に配置される。なお、黒化層がない構成でもよい。
また、第１銀線部３７と下塗り層２５ａとの界面に密着層（図示せず）を設けてもよい。密着層を設けることにより、第１銀線部３７と下塗り層２５ａとの密着性を向上させ、第１銀線部３７及び第２銀線部３８を下塗り層２５ａ上に安定して配置できる。

なお、樹脂層２７の厚みｔａは、後述のように、第１銀線部３７及び第２銀線部３８を形成するためのハロゲン化銀層の厚みに依存する。樹脂層２７の厚みｔａは、２．０～５．０μｍ程度である。樹脂層２７の厚みｔａが２．０～５．０μｍであれば、耐傷性と、第２銀線部の接触抵抗との両立を図ることができる。
樹脂層２７の厚みｔａは、導電性基板１８を切断し、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて切断断面の断面画像を用いて測定する。断面画像において、樹脂層２７に該当する画像領域について、樹脂層２７の厚みに相当する長さを１０箇所測定し、１０箇所の測定値の平均値を求める。樹脂層２７の厚みｔａは、上述の１０箇所の測定値の平均値である。

以下、導電性基板及びタッチパネルの各部について説明する。
＜支持体＞
支持体は、第１銀線部３７及び第２銀線部３８を支持するものである。また、支持体２４は、第１導電層１１Ａ、第１外部接続部２６ａ、第２導電層１１Ｂ、及び第２外部接続部２６ｂを支持する。また、支持体の両面のうち、一方の面に第１導電層１１Ａ、及び第１外部接続部２６ａが配置され、他方の面に第２導電層１１Ｂ、及び第２外部接続部２６ｂが配置されていれば、これらを電気的に絶縁する。
支持体は、可撓性を有することが好ましい。ここで、可撓性を有するとは、折り曲げることができることを意味し、具体的には、曲率半径１ｍｍで折り曲げても割れを生じないことを指す。
支持体としては、第１銀線部３７及び第２銀線部３８を支持することができ、かつ可撓性を有するものであれば、その種類は限定されるものではないが、透明支持体であることが好ましく、特にプラスチックシートが好ましい。

支持体を構成する材料の具体例としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）（２５８℃）、ポリシクロオレフィン（１３４℃）、ポリカーボネート（２５０℃）、（メタ）アクリル樹脂（１２８℃）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）（２６９℃）、ＰＥ（ポリエチレン）（１３５℃）、ＰＰ（ポリプロピレン）（１６３℃）、ポリスチレン（２３０℃）、ポリ塩化ビニル（１８０℃）、ポリ塩化ビニリデン（２１２℃）、ポリＰＶＤＦ（フッ化ビニリデン）（１７７℃）、ＰＡＲ（ポリアリレート）（２５０℃）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）（２２５℃）、高分子アクリル樹脂、フルオレン誘導体（１４０℃）、結晶性ＣＯＰ（１６５℃）、又は、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）（２９０℃）等の融点が約２９０℃以下であるプラスチックフィルムが好ましく、（メタ）アクリル樹脂、ＰＥＴ、ポリシクロオレフィン、又は、ポリカーボネートがより好ましい。なお、上述の（ ）内の数値は融点、又はガラス転移温度である。
支持体の全光線透過率は、８５～１００％であることが好ましい。
支持体の厚みは特に制限されないが、タッチパネルへの応用の点からは、通常、２５～５００μｍの範囲で任意に選択することができる。なお、支持体の機能の他にタッチ面の機能をも兼ねる場合は、５００μｍを超えた厚みで設計することも可能である。
支持体の好適態様の１つとしては、大気圧プラズマ処理、コロナ放電処理、及び紫外線照射処理からなる群から選択される少なくとも１つの処理が施された処理済支持体が挙げられる。上述の処理が施されることにより、処理済支持体表面にはＯＨ基等の親水性基が導入され、導電線の密着性がより向上する。

＜下塗り層＞
下塗り層は、高分子を含むものであり、第１銀線部３７及び第２銀線部３８、又は第１導電層１１Ａ、第１外部接続部２６ａ、第２導電層１１Ｂ、及び第２外部接続部２６ｂの密着性を、より向上させるものである。
下塗り層の形成方法は特に制限されないが、例えば、高分子を含む下塗り層形成用組成物を基板上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は特に制限されず、公知の溶剤が例示される。また、高分子を含む下塗り層形成用組成物として、高分子の微粒子を含むラテックスを使用してもよい。
下塗り層の厚みは特に制限されないが、第１銀線部３７及び第２銀線部３８、又は第１導電層１１Ａ、第１外部接続部２６ａ、第２導電層１１Ｂ、及び第２外部接続部２６ｂの密着性がより優れる点で、０．０２～０．３μｍが好ましく、０．０３～０．２μｍがより好ましい。

＜アンチハレーション層＞
アンチハレーション層は、例えば、ハロゲン化銀不含有層で構成される。ハロゲン化銀不含有層には、後述のゼラチンと特定高分子とが含まれるが、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。なお、アンチハレーシ層がない構成でもよい。

＜クロスオーバーカット層＞
後述の第１ハロゲン化銀含有層の下にクロスオーバーカット層を設けてもよい。
クロスオーバーカット層は、支持体の両面にハロゲン化銀含有層を有する場合の特有の層である。一方の面からの光が支持体を通して他方の面のハロゲン化銀含有層に影響して画質を劣化させる問題を解決するために用いられる層である。クロスオーバーカット層には、感光波長域に応じた染料を添加する。染料は、現像処理後に有害な吸収を残さないものであればどのようなものでも使用できる。
特に、染料を固体微粒子分散状態で添加するのが好ましい。染料を固体微粒子分散状態で添加する方法は、特開平２－２６４９３６号、特開平３－２１０５５３号、特開平３－２１０５５４号、特開平３－２３８４４７号、特開平４－１４０３８号、特開平４－１４０３９号、特開平４－１２５６３５号、特開平４－３３８７４７号、特開平６－２７５８９号等に記載されている。使用できる染料は、例えば、特開平４－２１１５４２号記載の一般式（Ｉ）～（VII）の染料、化合物例Ｉ－１～Ｉ－３７、II－１～II－６、III－１～III－３６、IV－１～IV－１６、Ｖ－１～Ｖ－６、VI－１～VI－１３、VII－１～VII－５。特開平８－７３７６７号記載の一般式（１）の染料、化合物例１～６。特開平８－８７０９１号記載の一般式（VIII）～（XII）の染料、化合物例VIII－１～VIII－５、IX－１～IX－１０、Ｘ－１～Ｘ－２１、XI－１～XI－６、XII－１～XII－７。

＜銀配線＞
銀配線は、上述のように第１銀線部３７（図３参照）と、第２銀線部３８（図３参照）とを構成する。
第１銀線部３７及び第２銀線部３８の製造方法は、ハロゲン化銀を使用した方法が採用できる。より具体的には、特開２０１４－２０９３３２号公報の段落００５６～０１１４に記載の方法が挙げられる。ハロゲン化銀を使用した方法については、後に詳細に説明する。

銀配線は、金属部に炭素原子、好ましくは、高分子を多く含む方が好ましい。高分子を含むことにより、耐久性、折り曲げ性、及び、ハンドリング適性を向上させることができる。高分子としては、ゼラチン、及び、後述するゼラチンとは異なる高分子等が好ましく、ゼラチン等の水溶性高分子であることがより好ましい。
銀配線中における高分子の含有量は、銀配線の面積当たり、２００ｍｇ／ｍ^２以上であることが好ましく、４００ｍｇ／ｍ^２以上であることがより好ましく、５００ｍｇ／ｍ^２以上であることが更に好ましい。上記高分子の含有量は、高分子が、例えば、ゼラチンであれば、金属ベタ膜が形成された部位のみ、４ｃｍ×４ｃｍ程度の範囲について、ＢＣＡ法（ビシンコニン酸法）で定量することができ、それ以外の高分子であれば、抽出法等適宜公知の方法を選択して定量することができる。
また、銀配線による検出部に対し、周辺配線部に位置するパターン部分（以下、単に「周辺パターン」ともいう。）に高分子を多く含むことが好ましく、周辺パターン内部の金属原子数比率が５０％以上の領域において、炭素原子／金属原子の原子数比率の比が０．２以上であることが好ましい。
原子数比率は、周辺パターンの原子組成を、銀配線の支持体とは反対側の表面から深さ方向にＡｒスパッタ（２ｋＶ、Ａｒイオン、２ｍｍ×２ｍｍ）と、ＸＰＳ（Ｘ線源：Ａｌ Ｋα、アルバック・ファイ株式会社製Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ）によって分析することにより算出できる。
金属原子数比率が５０％以上となった位置より基板側を内部と定義し、内部領域の炭素原子と金属原子との原子数比率（炭素原子／金属原子）を求めることができる。原子組成を求める方法としては、例えば、幅１００μｍ以上の銀配線又はパターンの場合、上述のスパッタとＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy）法を用いることができる。パターンの大きさがより小さく、例えば、１００μｍ以下の場合、パターンの断面を出し、その中心を代表値として、ＳＥＭ－ＥＤＸ（Scanning Electron Microscope-Energy Dispersive X-ray Spectrometry）法によってパターン内部の原子組成を求めることができる。

［メッシュパターン］
第１検出電極３０及び第２検出電極３２は、上述のように銀配線３５により構成される。第１検出電極３０及び第２検出電極３２により、例えば、図４に示すように複数の銀配線３５が交差してなるメッシュパターンが構成される。
第１検出電極３０及び第２検出電極３２において、銀配線３５により構成されるメッシュパターンは、可視光透過率の点から、その開口率は８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることがさらに好ましい。開口率とは、導電層を設けられた領域において銀配線を除いた透過性部分、すなわち、開口部が導電層を設けられた領域全体に占める割合に相当する。
なお、第１周辺配線２３ａ及び第２周辺配線２３ｂについても、第１検出電極３０及び第２検出電極３２と同じ構成とすることができ、銀配線３５で構成することができる。第１周辺配線２３ａ及び第２周辺配線２３ｂは、複数の銀配線３５が交差してなるメッシュパターンを有するものであってもよい。

第１検出電極３０及び第２検出電極３２、並びに第１周辺配線２３ａ及び第２周辺配線２３ｂを、メッシュパターンを有する構成とする場合、メッシュパターンのパターンは特に制限されず、正三角形、二等辺三角形、直角三角形等の三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形等の四角形、（正）六角形、（正）八角形等の（正）ｎ角形、円、楕円、星形等を組み合わせた幾何学図形であることが好ましい。
メッシュパターンのメッシュとは、図５に示すように、交差する銀配線３５により構成される複数の開口部３６を含んでいる形状を意図する。開口部３６は、銀配線３５で囲まれる開口領域である。図５において、開口部３６は、菱形の形状を有しているが、他の形状であってもよい。例えば、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形、及び、ランダムな多角形）としてもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。メッシュパターンとしては、特に限定されるものでなく、ランダムなパターンでも規則的なパターンでもよく、合同な形状が複数繰り返し配置された規則的なメッシュパターンでもよい。

メッシュパターンとしては、同じ菱形格子を有する規則的なメッシュパターンが好ましい。その菱形の一辺の長さ、すなわち、開口部３６の一辺の長さＷは、上限は８００μｍ以下が好ましく、６００μｍ以下がより好ましく、４００μｍ以下がさらに好ましく、下限は５μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、８０μｍ以上がさらに好ましい。開口部の一辺の長さＷが上述の範囲である場合には、さらに透明性も良好に保つことが可能であり、導電性基板１８（図１参照）を画像表示部１４（図１参照）の表示面１４ａ（図１参照）上に取り付けた際に、違和感なく表示を視認することができる。
なお、銀配線のメッシュパターンは光学顕微鏡（株式会社キーエンス製デジタルマイクロスコープＶＨＸ－７０００）を用いて観察及び測定ができる。

＜樹脂層＞
樹脂層２７は、第１の金属細線上を被覆する層であり、透明で電気絶縁性を有する。
樹脂層２７は、導電性基板１８の使用時に、本来電気的に絶縁状態にある第１銀線部３７及び第２銀線部３８を互いに導通させることなく電気絶縁性を維持することができれば、特に限定されるものではない。樹脂層２７は、例えば、銀線を作製する際のゼラチンとは異なる高分子を含有するものである。

（導電性基板の製造方法）
以下、導電性基板１８の製造方法について説明する。
図６は本発明の実施形態の導電性基板の製造方法の一工程を示す模式的断面図であり、図７は本発明の実施形態の導電性基板の製造方法の一工程を示す模式的断面図である。
支持体２４上に下塗り層２５ａを形成する第１の工程と、下塗り層２５ａ上にアンチハレーション層２５ｂを形成する第２の工程と、アンチハレーション層２５ｂ上に第１銀線部３７及び第２銀線部３８を形成する第３の工程とを有する。
例えば、支持体として、例えば、ＰＥＴ基板が用いられる。
第１の工程では、図６に示すように支持体２４の表面２４ａ及び裏面２４ｂに、それぞれ、例えば、ポリマーラテックスを塗布して下塗り層２５ａを形成する。
下塗り層２５ａの形成方法は、特に限定されるものでなく、下塗り層形成用組成物を塗布して、必要に応じて硬化処理を施す方法が挙げられる。塗布方法としては、例えば、スピンコート法、グラビアコート法、リバースコート法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、エアナイフコート法、スクリーンコート法、バーコート法、カーテンコート法等、従来公知のコーティング方法が使用できる。
なお、塗布後、必要に応じて硬化処理を実施してもよい。硬化処理としては、光硬化処理及び加熱処理が挙げられる。

第２の工程では、図６に示すように、各下塗り層２５ａ上に、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物を塗布して、アンチハレーション層２５ｂを形成する。

第３の工程は、アンチハレーション層２５ｂ上に、ハロゲン化銀を含むハロゲン化銀含有層を形成し、露光及び現像を行って、第１銀線部３７（図３参照）及び第２銀線部３８（図３参照）を形成する。なお、第１銀線部３７を構成する銀配線３５によりメッシュパターン（図４参照）を形成するために第３の工程では、第１の金属細線をメッシュパターン状（図４参照）に形成する工程を含むことが好ましい。露光パターンにより、メッシュパターン状に形成する。
第３の工程では、図６に示すように、各アンチハレーション層２５ｂ上に、ハロゲン化銀を含む第１ハロゲン化銀含有層４０を形成する。次に、第１ハロゲン化銀含有層４０よりも感度が低い、ハロゲン化銀を含む第２ハロゲン化銀含有層４２を、第１ハロゲン化銀含有層４０上に形成する。このようにして、支持体２４と、第１ハロゲン化銀含有層４０と、第２ハロゲン化銀含有層４２と、をこの順で有する積層体４３を作製する。
次に、各第２ハロゲン化銀含有層４２上に、例えば、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物を塗布して、保護層２８を形成する。

次に、図７に示すように、積層体４３における保護層２８の支持体２４の表面２４ａ側の保護層２８の面２８ａに、露光マスク４４を配置する。また、支持体２４の裏面２４ｂ側の保護層２８の面２８ｂに、露光マスク４４を配置する。
次に、露光マスク４４に対して、平行光Ｌｖをガラス基板４５側から照射し、平行光Ｌｖを用いて露光する。露光工程では、積層体４３に対して、積算露光量が異なる領域があるように露光する。図７では露光マスク４４を離して配置しているが、実際には露光マスク４４を支持体２４に密着させて配置して、露光する。
なお、支持体２４の両面に、第１銀線部３７等を形成する場合、露光工程では、積層体４３に対して、支持体２４の両面に同時に露光マスク４４を介して露光してもよく、支持体２４の片面ずつ露光マスク４４を介して露光してもよい。
露光マスク４４には、後に説明するが、例えば、透過率が異なる２種以上の開口部を有するマスクが用いられる。

具体的には、露光マスク４４は、ガラス基板４５に、遮光層４６が設けられている。遮光層４６は、光を特定のパターンで透過させる開口部４７、４７ａを有する。遮光層４６の開口部４７、４７ａのうち、第１銀線部を形成する開口部４７ａにハーフトーンフィルター層４８が設けられている。第２銀線部を形成する開口部４７にはハーフトーンフィルター層４８が設けられていない。ハーフトーンフィルター層４８は、透過する光の光量を小さくするものであり、例えば、光透過率調整フィルタが用いられる。ハーフトーンフィルター層４８は、例えば、露光に用いる光の透過率が７０％以下である。この構成により、開口部４７と、開口部４７ａとは透過率が異なり、露光量も異なる。露光マスク４４では、開口部４７の方が開口部４７ａよりも透過率が高く、露光量が多い。このように露光マスク４４は露光量を変えて、ハロゲン化銀含有層に対して、積算露光量が異なる領域があるように露光できる。露光マスク４４は、ハーフトーンマスクとも呼ばれる。
露光マスク４４では、遮光層４６の遮光率、第１ハロゲン化銀含有層４０の感度、及び第２ハロゲン化銀含有層４２の感度は、ハーフトーンフィルター層４８を設けない部分では、第１ハロゲン化銀含有層４０及び第２ハロゲン化銀含有層４２が現像され、ハーフトーンフィルター層４８を設けた部分では、第１ハロゲン化銀含有層４０が現像され、第２ハロゲン化銀含有層４２が現像されないように、透過率が調整されている。
ハーフトーンフィルター層４８の光透過率は、上述のＪＩＳ（日本産業規格） Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率及び全光線反射率の求め方」を用いて測定される。
ハーフトーンフィルター層４８としては、１５％以上の光量を変えるフィルター層であることが好ましく、３０％以上の光量を変えるフィルター層であることがより好ましい。
なお、露光マスク４４を用いて露光する際の光源には、レーザー光を用いることもできる。
また、露光マスク４４を用いて露光したが、これに限定されるものではなく、露光マスク４４を用いることなく、レーザー光を用いた直接描画露光でもよい。この場合、レーザー光の光量を調整して、積算露光量が異なる領域があるように露光する。

上述のように露光マスク４４は、例えば、透過率が異なる２種の開口部４７、４７ａを有するマスクである。開口部４７、４７ａの透過率は、例えば、露光に用いる光の透過率が異なる光透過率調整フィルタを用いることにより調整できる。
第１ハロゲン化銀含有層４０の感度、及び第２ハロゲン化銀含有層４２の感度とは、光を照射した際のハロゲン化銀の銀への変換率に基づく評価指標のことである。感度が低いとは、光を照射した際のハロゲン化銀の銀への変換率が低いことである。

上述の露光マスク４４を用いた露光により、第１ハロゲン化銀含有層４０が現像される部分と、第１ハロゲン化銀含有層４０及び第２ハロゲン化銀含有層４２が現像される部分とに分かれる。開口部４７ａを通過した光で露光される領域では、第１ハロゲン化銀含有層４０が現像され、第２ハロゲン化銀含有層４２は現像されない。このため、薄い第１銀線部３７が形成される。一方、開口部４７を通過した光で露光される領域では、第１ハロゲン化銀含有層４０及び第２ハロゲン化銀含有層４２が現像される。このため、厚い第２銀線部３８が形成される。図３に示すように厚みが異なる第１銀線部３７と、第２銀線部３８とが形成される。
また、露光マスク４４は、１つのマスクで、第１銀線部３７の形成領域及び第２銀線部３８の形成領域を露光できることから、複数のマスクを用いるものに比して、位置合わせ精度良く、第１銀線部３７及び第２銀線部３８を形成できる。
なお、図６及び図７に示す露光マスク４４は、説明のために、便宜的に第１銀線部３７と第２銀線部３８とを形成するパターンを示しており、これに限定されるものではない。露光マスク４４は、例えば、図２に示す導電性基板１８の配線パターンを露光するパターンを有する構成とすることもできる。

以下、ハロゲン化銀を用いて露光及び現像を行う方法について、より具体的に説明する。
工程Ａ：支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層を形成する工程
工程Ｂ：ハロゲン化銀含有感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程
工程Ｃ：工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程
工程Ｄ：工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去して、上記銀配線を形成する工程
以下、各工程の手順について詳述する。

［工程Ａ］
工程Ａは、支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層（以下、「感光性層」ともいう。）を形成する工程である。本工程により、ハロゲン化銀を含む第１ハロゲン化銀含有層と、第１ハロゲン化銀含有層よりも感度が低い、ハロゲン化銀を含む第２ハロゲン化銀含有層とをこの順で有する積層体が作製される。
なお、上述したように、本工程により形成される第１ハロゲン化銀含有層と、第２ハロゲン化銀含有層とは感度が異なるが、感度の調整は各ハロゲン化銀含有層に含まれる成分を調整することにより制御できる。特に、後述するように、ＶＩＩＢ族に属する金属元素を含む化合物の添加量を調整することにより、ハロゲン化銀含有層の感度が容易に調整できる。
まず、工程Ａで使用される材料について詳述し、その後、工程Ａの手順について詳述する。

（ハロゲン化銀）
ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子及びフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀、又は、ヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀又は臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀、又は、ヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオン及び／又はヨウ化物イオンを含んでいてもよい。

ハロゲン化銀は、通常、固体粒子状であり、ハロゲン化銀の平均粒子径は、球相当径で１０～１０００ｎｍが好ましく、１０～２００ｎｍがより好ましく、５０～１５０ｎｍが更に好ましい。
第２ハロゲン化銀含有層が含有するハロゲン化銀は、第１ハロゲン化銀含有層への入射光の散乱の抑制の観点から、平均粒子径が２５０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１５０ｎｍ以下である。
ハロゲン化銀の粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状（六角形平板状、三角形平板状、四角形平板状等）、八面体状、及び、十四面体状等の形状が挙げられる。
なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。また、上記ハロゲン化銀の平均粒子径として用いられる「球相当径」は、平均値であり、１００個の対象物の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。

（ゼラチン）
ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、及び、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基及び／又はカルボキシル基で修飾されたゼラチン（フタル化ゼラチン、及び、アセチル化ゼラチン）等を用いてもよい。

（特定高分子）
感光性層には、ゼラチンと異なる高分子（特定高分子）が含まれる。この特定高分子が感光性層に含まれることにより、感光性層より形成される銀含有層及び銀配線の強度がより優れる。
特定高分子の種類、具体例及び形状等の特徴は、上述した通りである。

なかでも、特定高分子としては、以下の一般式（１）で表される高分子（共重合体）が好ましい。
一般式（１）： －（Ａ）ｘ－（Ｂ）ｙ－（Ｃ）ｚ－（Ｄ）ｗ－
なお、一般式（１）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、及びＤはそれぞれ、下記一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位を表す。

Ｒ¹は、メチル基又はハロゲン原子を表し、メチル基、塩素原子、又は、臭素原子が好ましい。ｐは０～２の整数を表し、０又は１が好ましく、０がより好ましい。
Ｒ²は、メチル基又はエチル基を表し、メチル基が好ましい。
Ｒ³は、水素原子又はメチル基を表し、水素原子が好ましい。Ｌは、２価の連結基を表し、下記一般式（２）で表される基が好ましい。
一般式（２）：－（ＣＯ－Ｘ¹）ｒ－Ｘ²－
一般式（２）中、Ｘ¹は、酸素原子又はＮＲ³⁰－を表す。ここでＲ³⁰は、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アシル基を表し、それぞれ置換基（例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、及び、ヒドロキシル基）を有してもよい。Ｒ³⁰としては、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、及び、ｎ－オクチル基）、又は、アシル基（例えば、アセチル基、及び、ベンゾイル基）が好ましい。Ｘ¹としては、酸素原子又はＮＨ－が好ましい。
Ｘ²は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、又は、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＳＯ₂－、－Ｎ（Ｒ³¹）－、又は、－Ｎ（Ｒ³¹）ＳＯ₂－等が途中に挿入されてもよい。Ｒ³¹は、炭素数１～６の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｘ²としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ｏ－フェニレン基、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＯＣＨ₂ＣＨ₂－、又は、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＯ（Ｃ₆Ｈ₄）－が好ましい。
ｒは０又は１を表す。
ｑは０又は１を表し、０が好ましい。

Ｒ⁴は、アルキル基、アルケニル基、又は、アルキニル基を表し、炭素数５～５０のアルキル基が好ましく、炭素数５～３０のアルキル基がより好ましく、炭素数５～２０のアルキル基が更に好ましい。
Ｒ⁵は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、又は、－ＣＨ₂ＣＯＯＲ⁶を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、又は、－ＣＨ₂ＣＯＯＲ⁶が好ましく、水素原子、メチル基、又は、－ＣＨ₂ＣＯＯＲ⁶がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
Ｒ⁶は、水素原子又は炭素数１～８０のアルキル基を表し、Ｒ⁴と同じでも異なってもよく、Ｒ⁶の炭素数は１～７０が好ましく、１～６０がより好ましい。

一般式（１）中、ｘ、ｙ、ｚ、及びｗは各繰り返し単位のモル比率を表す。
ｘは、３～６０モル％であり、３～５０モル％が好ましく、３～４０モル％がより好ましい。
ｙは、３０～９６モル％であり、３５～９５モル％が好ましく、４０～９０モル％がより好ましい。
ｚは、０．５～２５モル％であり、０．５～２０モル％が好ましく、１～２０モル％がより好ましい。
ｗは、０．５～４０モル％であり、０．５～３０モル％が好ましい。
一般式（１）において、ｘは３～４０モル％、ｙは４０～９０モル％、ｚは０．５～２０モル％、ｗは０．５～１０モル％の場合が好ましい。

一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（２）で表される高分子が好ましい。

一般式（２）中、ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、上記の定義の通りである。

一般式（１）で表される高分子は、上記一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を含んでもよい。
他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、及び、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第３７５４７４５号公報の段落００１０～００２２にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類又はメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレート又はヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
一般式（１）で表される高分子は、一般式（Ｅ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。

上記式中、Ｌ_Eはアルキレン基を表し、炭素数１～１０のアルキレン基が好ましく、炭素数２～６のアルキレン基がより好ましく、炭素数２～４のアルキレン基が更に好ましい。

一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（３）で表される高分子が特に好ましい。

上記式中、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１及びｅ１は各繰り返し単位のモル比率を表し、ａ１は３～６０（モル％）、ｂ１は３０～９５（モル％）、ｃ１は０．５～２５（モル％）、ｄ１は０．５～４０（モル％）、ｅ１は１～１０（モル％）を表す。
ａ１の好ましい範囲は上記ｘの好ましい範囲と同じであり、ｂ１の好ましい範囲は上記ｙの好ましい範囲と同じであり、ｃ１の好ましい範囲は上記ｚの好ましい範囲と同じであり、ｄ１の好ましい範囲は上記ｗの好ましい範囲と同じである。
ｅ１は、１～１０モル％であり、２～９モル％が好ましく、２～８モル％がより好ましい。

特定高分子は、例えば、特許第３３０５４５９号公報及び特許第３７５４７４５号公報等を参照して合成できる。
特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、１０００～１００００００が好ましく、２０００～７５００００がより好ましく、３０００～５０００００が更に好ましい。

（ＶＩＩＢ族に属する金属元素を含む化合物）
感光性層は、ＶＩＩＢ族に属する金属元素を含む化合物（以下、単に「特定化合物」ともいう。）を含んでいてもよい。感光性層中における上記特定化合物の含有量を調整することにより、感度を調整できる。
特定化合物としては、ロジウム化合物、イリジウム化合物、ルテニウム化合物、又は、鉄化合物、オスミウム化合物が好ましい。これら化合物は、各種の配位子を有する化合物であってよく、配位子として、例えば、シアン化物イオン、ハロゲンイオン、チオシアナートイオン、ニトロシルイオン、水、水酸化物イオン、アンモニア、アミン類（メチルアミン、エチレンジアミン等）、ヘテロ環化合物（イミダゾール、チアゾール、５－メチルチアゾール、メルカプトイミダゾールなど）、尿素、及び、チオ尿素が挙げられる。
ロジウム化合物として、水溶性ロジウム化合物を用いることができる。例えば、ハロゲン化ロジウム（ＩＩＩ）化合物が挙げられ、例えば、ヘキサクロロロジウム（ＩＩＩ）錯塩、ペンタクロロアコロジウム錯塩、テトラクロロジアコロジウム錯塩、ヘキサブロモロジウム（ＩＩＩ）錯塩、ヘキサアミンロジウム（ＩＩＩ）錯塩、及び、トリザラトロジウム（ＩＩＩ）錯塩が挙げられる。

感光性層には、必要に応じて、上述した材料以外の他の材料が含まれていてもよい。
また、他の材料としては、特開２００９－００４３４８号公報の段落０２２０～０２４１に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、及び、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。
また、他の材料としては、粘度調整剤（例えば、増粘多糖類、セルロース類、水溶性ポリマー等）、造膜助剤（例えば、グリコール誘導体、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオールモノイソブチレート等のジオール化合物等）、防腐剤、可塑剤、滑り材、有機又は無機又は有機無機の複合素材からなるフィラー類（例えば、ＰＭＭＡ（Poly Methyl Methacrylate）、ポリスチレン、コロイダルシリカ、ジルコニア、セルロースナノファイバー、ＣＮＴ（カーボンナノチューブ）等）、及び、紫外線吸収剤等も挙げられる。
帯電防止剤は、ハロゲン化銀含有感光材料の帯電による異物の付着又は放電発光による意図せぬ感光による故障を防止することができ、好ましい。界面活性剤は、感光性層の塗布性、支持体との密着性、並びに、ハロゲン化銀及びバインダーその他含有成分の分散性を制御できるため好ましい。
また、感光性層には、特開２００９－００４３４８号公報の段落０１４６～０１５８に記載の架橋剤又は硬化剤、段落０１６０～０１７０に記載の染料、段落０２１４～０２１７に記載の水溶性バインダーが含まれていてもよい。また、感光性層には、国際公開第２０２０／１９５６２２号の段落００７９～００８１に記載の金属安定化剤、段落０１０９～０１１８に記載の特定化合物が含まれていてもよい。更には、感光性層には、物理現像核が含まれていてもよい。

また、感光性層には、上記特定高分子同士を架橋するために使用される架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることにより、特定高分子同士間での架橋が進行し、ゼラチンが分解除去された際にも銀配線中の金属銀同士の連結が保たれる。これらゼラチン及び特定高分子以外の材料は、後述のハロゲン化銀不含有層及び／又は保護層に含有させてもよい。

（工程Ａの手順）
工程Ａにおいて上記成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を支持体上に接触させ、支持体上に第１ハロゲン化銀含有層と、第２ハロゲン化銀含有層とを形成する方法が好ましい。
以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。

（感光性層形成用組成物に含まれる材料）
感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。
溶媒としては、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類）、イオン性液体、及び、これらの混合溶媒が挙げられる。

感光性層形成用組成物と支持体とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、感光性層形成用組成物を支持体上に塗布する方法、及び、感光性層形成用組成物中に支持体を浸漬する方法等が挙げられる。
なお、上記処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。

（ハロゲン化銀含有感光性層）
上記手順により形成された感光性層中には、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。
感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点で、銀換算で３．０～２０．０ｇ／ｍ^２が好ましく、５．０～１５．０ｇ／ｍ^２がより好ましい。
銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点で、０．０４～２．０ｇ／ｍ²が好ましく、０．０８～０．４０ｇ／ｍ²がより好ましい。
第１ハロゲン化銀含有層と、第２ハロゲン化銀含有層とは、第２ハロゲン化銀含有層の方が感度が低いが、これは、例えば、乳剤を調整することにより、感度を調整する。より具体的には、上述したように、特定化合物の含有量を調整することにより、感度を調整できる。感度を調整する方法としては、他に、層に固定する光吸収材（例えば、固体染料）を各層に添加する方法があり、感度を下げる層に対して、光吸収材の添加量を多くする。このことから、第２ハロゲン化銀含有層への光吸収材の添加量を多くすることにより、第１ハロゲン化銀含有層よりも感度を低くできる。

［工程Ｂ］
工程Ｂは、感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程である。

感光性層に上述のように、ハーフトーンフィルター層４８（図７参照）を有する露光マスク４４（図７参照）を用いて露光処理を施すことにより、開口部４７、４７ａ（図７参照）に応じた積算露光量にて露光し潜像が形成される。
露光はパターン状に実施してもよく、例えば、後述する銀配線からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法が挙げられる。
露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、及び、Ｘ線が挙げられる。

開口パターンを有する露光マスクを介して露光する場合、マスク開口パターン中の特定の場所のみ露光量を減らして、積算露光量を調整して露光し、潜像形成量を調整してもよい。潜像形成量を調整すると、後段の操作で形成される金属量、厚み（高さ）を調整することができる。特定の場所のみ露光量を減らす手段に特に制限はないが、例えば、特定部分に照射される光源からの露光量を調整する方法が挙げられる。例えば、該当部分の上のランプ、ＬＥＤ（light emitting diode）のみ出力を落として露光量を低くする、あるいは、特定部分の上部に減光フィルタを設置する等の方法が挙げられる。また、特定の場所のみ露光量を減らす別の手段として、マスク開口パターンの特定部分に半透過膜を付与したハーフトーンマスクを用いる方法が挙げられる。生産性の観点で、ハーフトーンマスクを用いることが好ましい。

露光された感光性層に現像処理を施すことにより、露光領域（潜像が形成された領域）では、金属銀が析出する。
現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、及び、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、ＰＱ（phenidone hydroquinone）現像液、ＭＱ（Metol hydroquinone）現像液、及び、ＭＡＡ（メトール・アスコルビン酸）現像液が挙げられる。

本工程は、未露光部分のハロゲン化銀を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を更に有していてもよい。
定着処理は、現像と同時及び／又は現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、及び、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」（笹井著、株式会社写真工業出版社）ｐ３２１記載の定着液が挙げられる。

上記処理を実施することにより、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む、細線状の銀含有層が形成される。
銀含有層の線幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用される露光マスクの開口部の開口幅を調整する方法が挙げられる。
また、露光時に露光マスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、露光マスクの開口部の開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。

なお、上述した、周辺パターン内部の金属原子数比率が５０％以上の領域における、炭素原子／金属原子の原子数比率の比率を調整するためには、検出電極に対する周辺パターンの大きさを調整する方法が挙げられる。検出電極に対する周辺パターンの大きいと、後述する工程Ｄの際に、周辺パターンからゼラチンが除去しづらくなり、結果として、炭素原子の比率が高い周辺パターンを形成できる。

［工程Ｃ］
工程Ｃは、工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層中の特定高分子間での融着が進行し、銀含有層の強度が向上する。

加熱処理の方法は特に制限されず、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法、及び、温調装置（例えば、ヒーター）で銀含有層を加熱する方法が挙げられ、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法が好ましい。

過熱蒸気としては、過熱水蒸気でもよいし、過熱水蒸気に他のガスを混合させたものでもよい。
過熱蒸気と銀含有層との接触時間は特に制限されず、１０～７０秒間が好ましい。
過熱蒸気の供給量は、５００～６００ｇ／ｍ³が好ましく、過熱蒸気の温度は、１気圧で１００～１６０℃（好ましくは１００～１２０℃）が好ましい。

温調装置で銀含有層を加熱する方法における加熱条件としては、１００～２００℃（好ましくは１００～１５０℃）で１～２４０分間（好ましくは６０～１５０分間）加熱する条件が好ましい。

［工程Ｄ］
工程Ｄは、工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去して、上記銀配線を形成する工程である。本工程を実施することにより、銀含有層からゼラチンが除去され、内部に空隙が形成された上記銀配線が形成される。この空隙に後述するめっき液が浸入し、金属めっきが形成される。
なお、ゼラチンを除去する際には、銀含有層中のゼラチンの全てを除去してもよいし、ゼラチンの一部が残るように除去してもよい。中でも、本発明の効果がより優れる点で、ゼラチンの一部が残るように工程Ｄを実施することが好ましい。

ゼラチンを除去する方法は特に制限されず、例えば、タンパク質分解酵素を用いる方法（以下、「方法１」ともいう。）、及び、酸化剤を用いてゼラチンを分解除去する方法（以下、「方法２」ともいう。）が挙げられる。

方法１において用いられるタンパク質分解酵素としては、ゼラチン等のタンパク質を加水分解できる植物性又は動物性酵素で公知の酵素が挙げられる。
タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、及び、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、又は、細菌プロテアーゼが好ましい。
方法１における手順としては、銀含有層と上記タンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層とタンパク質分解酵素を含む処理液（以下、「酵素液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酵素液中に浸漬させる方法、及び、銀含有層上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。
酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、０．０５～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。
酵素液には、上記タンパク質分解酵素に加え、通常、水が含まれる。
酵素液には、必要に応じて、他の添加剤（例えば、ｐＨ（水素イオン指数）緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、及び、保恒剤）が含まれていてもよい。
酵素液のｐＨは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、一般的には、５～９が好ましい。
酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度、具体的には２０～４５℃が好ましい。

なお、必要に応じて、酵素液での処理後に、得られた銀含有層を温水にて洗浄する洗浄処理を実施してもよい。
洗浄方法は特に制限されず、銀含有層と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層を浸漬する方法、及び、銀含有層上に温水を塗布する方法が挙げられる。
温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、２０～８０℃が好ましく、４０～６０℃がより好ましい。
温水と銀含有層との接触時間（洗浄時間）は特に制限されず、生産性の点から、１～６００秒間が好ましく、１０～１８０秒間がより好ましい。

方法２で用いられる酸化剤としては、ゼラチンを分解できる酸化剤であればよく、標準電極電位が＋１．５Ｖ以上である酸化剤が好ましい。なお、ここで標準電極電位とは、酸化剤の水溶液中における標準水素電極に対する標準電極電位（２５℃、Ｅ０）を意図する。
上記酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸又はその塩等が挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水（標準電極電位：１．７６Ｖ）、次亜塩素酸又はその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。

方法２における手順としては、銀含有層と上記酸化剤とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層と酸化剤を含む処理液（以下、「酸化剤液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酸化剤液中に浸漬させる方法、及び、銀含有層上に酸化剤液を塗布する方法が挙げられる。
酸化剤液に含まれる溶媒の種類は特に制限されず、水、及び、有機溶媒が挙げられる。

［工程Ｅ］
工程１は、工程Ａの前に、支持体上にゼラチン及び特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Ｅを有していてもよい。本工程を実施することにより、支持体とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすと共に、銀配線と支持体との密着性向上に寄与する。
ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０．１～５．０が好ましく、１．０～３．０がより好ましい。
ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０．０３ｇ／ｍ²以上の場合が多く、銀配線の密着性がより優れる点で、１．０ｇ／ｍ²以上が好ましい。上限は特に制限されないが、１．６３ｇ／ｍ²以下の場合が多い。

ハロゲン化銀不含有層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含有する層形成用組成物を支持体上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
ハロゲン化銀不含有層の厚みは特に制限されず、０．０５μｍ以上の場合が多く、銀配線の密着性がより優れる点で、１．０μｍ超が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３．０μｍ未満であることが好ましい。なお、第１銀線部及び第２銀線部の厚みに応じて、第１ハロゲン化銀含有層及び第２ハロゲン化銀含有層の厚みが適宜決定される。

［工程Ｆ］
工程１は、工程Ａの後で工程Ｂ（露光現像工程）の前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層を形成する工程Ｆを有していてもよい。保護層を設けることにより、感光性層の擦り傷防止及び力学特性を改良できる。
保護層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０超２．０以下が好ましく、０超１．０以下がより好ましい。
また、保護層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０ｇ／ｍ²超０．３ｇ／ｍ²以下が好ましく、０．００５～０．１ｇ／ｍ²がより好ましい。

保護層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含む保護層形成用組成物をハロゲン化銀含有感光性層上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
保護層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
保護層の厚みは特に制限されず、０．０３～０．３μｍが好ましく、０．０７５～０．２０μｍがより好ましい。

なお、上述した工程Ｅ、工程Ａ及び工程Ｆは、同時重層塗布によって同時に実施してもよい。

［工程２］
工程２は、上記銀配線と有機酸を含む溶液とを接触させる工程である。本工程を実施することにより有機酸が銀配線の表面に付着し、後述する工程３のめっき処理の際に、銀配線表面でのめっき析出を抑制し、銀配線内部にめっき液がより浸透しやすくなる。結果として、銀配線内で金属（金属めっき）が析出しやすくなり、所望の効果が得られる。
以下では、まず、本工程で使用される溶液について詳述し、その後、工程２の手順について詳述する。

（有機酸を含む溶液）
有機酸を含む溶液（以下、単に「第１溶液」ともいう。）に含まれる有機酸の種類は特に制限されず、炭素原子を含む酸であればよく、例えば、カルボン酸（カルボキシ基を有する有機化合物）、スルホン酸（スルホン酸基を有する有機化合物）、及び、ホスホン酸（ホスホン酸基を有する有機化合物）が挙げられる。中でも、本発明の効果がより優れる点で、カルボン酸が好ましい。

有機酸（例えば、カルボン酸）の分子量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、６０～４００が好ましく、９０～３００がより好ましい。

カルボン酸は、１価のカルボン酸であってもよいし、２価以上（多価）のカルボン酸であってもよく、本発明の効果がより優れる点で、多価のカルボン酸が好ましい。２価以上のカルボン酸としては、２～７価のカルボン酸が好ましく、２～４価のカルボン酸がより好ましい。
なお、上記価数は、カルボキシ基が含まれる数を表し、１価のカルボン酸はカルボキシ基を１つ有する化合物である。

カルボン酸は、カルボキシ基以外の他の極性基（例えば、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボニル基、エーテル基）を有していてもよい。

カルボン酸としては、酢酸、乳酸、及び、ヒドロキシ酪酸等の１価のカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、Ｌ－アスパラギン酸、ＤＬ－リンゴ酸、オキサロ酢酸、コハク酸、グルタミン酸、２－オキソグルタル酸、グルタル酸、アジピン酸、及び、ピメリン酸等の２価のカルボン酸、クエン酸、１，２，３－プロパントリカルボン酸、及び、１，３，５－ペンタトリカルボン酸等の３価のカルボン酸、１，２，３，４－ブタンテトラカルボン酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、及び、エチレングリコールビス（β－アミノエチルエーテル）－Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ－四酢酸等の４価のカルボン酸、並びに、ジエチレントリアミンペンタ酢酸等の５価のカルボン酸が挙げられる。

第１溶液には溶媒が含まれる。溶媒の種類は特に制限されず、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類）、イオン性液体、及び、これらの混合溶媒が挙げられる。中でも、水が好ましい。

第１溶液には、上記有機酸及び溶媒以外の他の成分が含まれていてもよい。
他の成分としては、後述する第２溶液に含まれる第４級アンモニウム塩が挙げられる。第４級アンモニウム塩の態様については、後段で詳述する。

第１溶液中における有機酸の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、第１溶液全質量に対して、０．２～５質量％が好ましく、０．５～３質量％がより好ましい。

第１溶液のｐＨ値は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、温度２５℃において１．５～６．０が好ましく、２．０～４．０がより好ましい。
ｐＨの測定方法としては、ｐＨ電極を用いたｐＨメーターで測定することができる。

第１溶液が第４級アンモニウム塩を含む場合、第１溶液中における第４級アンモニウム塩の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、第１溶液全質量に対して、１０^－６～１０^－１質量％が好ましく、１０^－５～１０^－３質量％がより好ましい。

（工程２の手順）
銀配線と第１溶液とを接触させる方法は特に制限されず、銀配線を有する支持体を第１溶液中に浸漬させる方法、及び、銀配線上に第１溶液を塗布する方法が挙げられる。
銀配線と第１溶液との接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点及び生産性の点から、５～１８０秒間が好ましく、２０～１２０秒間が好ましい。
銀配線と第１溶液との接触時の第１溶液の温度は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、３０～１００℃が好ましく、６５～９５℃がより好ましい。

銀配線と第１溶液とを接触させた後、必要に応じて、銀配線を溶媒（例えば、水）で洗浄してもよい。

［工程３］
工程３は、上記銀配線に対してめっき処理を施して、銀配線を形成する工程である。本工程を実施することにより、銀配線中に金属（めっき金属）が充填された銀配線が形成される。特に、上述した工程Ａ～Ｄを実施して得られた銀配線中には、ゼラチンを除去することにより形成された空間があるため、この空間中に金属（めっき金属）が充填される。
なお、工程３の直前に工程２が実施された場合には、工程２で得られた銀配線に対してめっき処理を施す。後述するように、工程２と工程３との間に、工程５が実施された場合には、工程５で得られた銀配線に対してめっき処理を施す。

めっき処理の種類は特に制限されないが、無電解めっき（化学還元めっき、又は、置換めっき）及び電解めっきが挙げられ、無電解めっきが好ましい。無電解めっきとしては、公知の無電解めっき技術が用いられる。
めっき処理としては、例えば、銀めっき処理、銅めっき処理、ニッケルめっき処理、及び、コバルトめっき処理が挙げられ、銀配線の電気抵抗がより小さい点で、銀めっき処理又は銅めっき処理が好ましく、銀めっき処理がより好ましい。

めっき処理で用いられるめっき液に含まれる成分は特に制限されないが、通常、溶媒（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）、４．ｐＨ調整剤が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤等、公知の添加剤が含まれていてもよい。
めっき液に含まれるめっき用の金属イオンの種類は析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、及び、コバルトイオンが挙げられる。
めっき液のｐＨは特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、温度２５℃において、アルカリ性が好ましく、８．５～１１．０がより好ましく、９．０～１０．５が更に好ましい。

上述のめっき処理の手順は特に制限されず、銀配線とめっき液とを接触させる方法であればよく、例えば、めっき液中に銀含有層を浸漬させる方法、及び、銀配線上にめっき液を塗布する方法が挙げられる。
銀配線とめっき液との接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点、及び、生産性の点から、２５秒間～３０分間が好ましい。
めっき液に接触した後に、銀配線を水で洗浄したり、ｐＨ３～７の酸性溶液で中和洗浄してもよく、酸性溶液のｐＨは４～６であることがより好ましい。酸性溶液は、ｐＨ３～７であれば、めっき液由来の亜硫酸から硫黄等が発生することがない。また、めっき液のｐＨの上昇も抑制され、めっき反応を停止できる。酸性溶液は、めっき停止液として機能する。
酸性溶液は、緩衝作用を有することが好ましく、固形分濃度が０．１質量％以上であれば十分な緩衝能力を発揮するため好ましい。
めっき液の温度は、１０～４０℃が好ましく、１５～３０℃がより好ましい。
接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点、及び、生産性の点から、５～６０秒が好ましい。

上記工程２及び工程３は繰り返し実施してもよい。つまり、工程３が終わった後、更に、工程２及び工程３を実施してもよい。
工程２及び工程３の手順を繰り返す回数は特に制限されず、２～４回が好ましい。

［工程４］
導電性基板の製造方法は、工程１と工程２との間に、銀配線に対してめっき処理を施す工程４を更に有していてもよい。工程４を実施することにより、銀配線の導電性がより優れる。
工程４の手順は、上述した工程３の手順と同じであるため、説明を省略する。
なお、工程４と工程２と工程３とは繰り返し実施してもよい。つまり、工程３が終わった後、更に、工程４と工程２と工程３とを実施してもよい。
工程４～工程３までの手順を繰り返す回数は特に制限されず、２～４回が好ましい。
工程４でも、工程３と同様に、めっき液に接触した後に、銀配線を水で洗浄したり、ｐＨ３～７の酸性溶液で中和洗浄してもよく、酸性溶液のｐＨは４～６であることがより好ましい。酸性溶液は、ｐＨ３～７であれば、めっき液由来の亜硫酸から硫黄等が発生することがない。また、めっき液のｐＨの上昇も抑制され、めっき反応を停止できる。
酸性溶液は、緩衝作用を有することが好ましく、固形分濃度が０．１質量％以上であれば十分な緩衝能力を発揮するため好ましい。
上述のように、工程３又は工程４は、銀配線を、ｐＨ３～７の酸性溶液に接触させ、めっき処理によるめっき反応を停止させる中和洗浄工程を有することが好ましい。また、酸性溶液は、上述のように緩衝作用を有することが好ましい。中和洗浄に緩衝液を用いることにより、めっき液が混入したとしてもｐＨ上昇を抑えることができ、一様にめっき反応を停止させることができる。

［工程５］
導電性基板の製造方法は、工程１と工程２との間、又は、工程２と工程３との間に、銀配線に対して、第４級アンモニウム塩を含む溶液を接触させる工程５を更に有していてもよい。本工程を実施することにより第４級アンモニウム塩のイオンが銀配線の表面に付着し、後述する工程３のめっき処理の際に、銀配線表面でのめっき析出を抑制し、銀配線内部にめっき液がより浸透しやすくなる。結果として、銀配線内で金属（金属めっき）が析出しやすくなり、所望の効果が得られる。
以下では、まず、本工程５で使用される溶液について詳述し、その後、工程５の手順について詳述する。

（第４級アンモニウム塩を含む溶液）
第４級アンモニウム塩を含む溶液（以下、単に「第２溶液」ともいう。）に含まれる第４級アンモニウム塩の種類は特に制限されず、第４級窒素を有する化合物である。
第４級アンモニウム塩の分子量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１００～７００が好ましく、２００～６５０がより好ましい。

第４級アンモニウム塩としては、一般式（Ｉ）で表される化合物、又は、一般式（ＩＩ）で表される化合物が好ましい。
一般式（Ｉ） （Ｒ^１）_４Ｎ^＋Ａ^－

一般式（Ｉ）中、Ｒ^１は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。４つのＲ^１は同一の基であってもよいし、互いに異なる基であってもよい。
上記アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。
アルキル基が有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、アリール基（例えば、フェニル基）、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基（例えば、アセチル基）、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、モノアリールアミノ基、及び、ジアリールアミノ基が挙げられる。

一般式（ＩＩ）中、Ｒ^２は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｒ^２で表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲は、上述したＲ^１で表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲が挙げられる。

一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中のＡ^－は、アニオンを表す。アニオンの種類は特に制限されず、例えば、ハロゲンイオン（例えば、Ｆ^－、Ｃｌ^－、Ｂｒ^－、及び、Ｉ^－）、ＨＳＯ_４ ^－、ＯＨ^－、ＣＨ_３ＣＯＯ^－、ＰＦ_６ ^－、Ｒ^３ＣＯ_３ ^－、ＣｌＯ_４ ^－、ＢＦ_４ ^－、ＳｂＦ_６ ^－、及び、ＡｓＦ_６ ^－が挙げられる。なお、Ｒ^３は、水素原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｒ^３で表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲は、上述したＲ^１で表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲が挙げられる。

第４級アンモニウム塩としては、本発明の効果がより優れる点で、一般式（Ｘ）で表される化合物、一般式（Ｙ）で表される化合物、又は、一般式（Ｚ）で表される化合物が好ましい。

一般式（Ｘ）中、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒ^ａ３及びＲ^ａ４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は４以下であり、本発明の効果がより優れる点で、１又は２が好ましい。
Ｒ^ａ３及びＲ^ａ４で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は８以上であり、本発明の効果がより優れる点で、８～３０が好ましく、１０～２０がより好ましい。
Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２で表されるアルキル基、並びに、Ｒ^ａ３及びＲ^ａ４で表されるアルキル基がそれぞれ有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、モノアリールアミノ基、及び、ジアリールアミノ基が挙げられる。

一般式（Ｙ）中、Ｒ^ｂ１～Ｒ^ｂ３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒ^ｂ４は、置換基を有していてもよい炭素数１０以上のアルキル基を表す。
Ｒ^ｂ１～Ｒ^ｂ３で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は４以下であり、本発明の効果がより優れる点で、１又は２が好ましい。
Ｒ^ｂ４で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は８以上であり、本発明の効果がより優れる点で、８～３０が好ましく、１０～２０がより好ましい。
Ｒ^ｂ１～Ｒ^ｂ３で表されるアルキル基、並びに、Ｒ^ｂ４で表されるアルキル基がそれぞれ有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、上述したＲ^ａ１で表されるアルキル基が有していてもよい置換基として例示した基が挙げられる。

一般式（Ｚ）中、Ｒ^ｃ１は、置換基を有していてもよい炭素数１０以上のアルキル基を表す。
Ｒ^ｃ１で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は１０以下であり、本発明の効果がより優れる点で、１０～３０が好ましく、１０～２０がより好ましい。
Ｒ^ｃ１で表されるアルキル基が有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、上述したＲ^ａ１で表されるアルキル基が有していてもよい置換基として例示した基が挙げられる。

一般式（Ｘ）～（Ｚ）中のＡ^－は、アニオンを表す。
一般式（Ｘ）～（Ｚ）中のＡ^－で表されるアニオンとしては、上述した一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中のＡ^－のアニオンとして例示されたアニオンが挙げられる。

第２溶液には溶媒が含まれる。溶媒の種類は特に制限されず、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類）、イオン性液体、及び、これらの混合溶媒が挙げられる。中でも、水が好ましい。

第２溶液には、上記第４級アンモニウム塩及び溶媒以外の他の成分（例えば、上述した有機酸）が含まれていてもよい。

第２溶液中における第４級アンモニウム塩の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、第２溶液全質量に対して、１０^－６～１質量％が好ましく、１０^－６～０．１質量％がより好ましい。

第２溶液のｐＨ値は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、温度２５℃において３～７が好ましく、４～６がより好ましい。

（工程５の手順）
銀配線と第２溶液とを接触させる方法は特に制限されず、銀配線を有する基板を第２溶液中に浸漬させる方法、及び、銀配線上に第２溶液を塗布する方法が挙げられる。
銀配線と第２溶液との接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点及び生産性の点から、５～１８０秒間が好ましく、２０～１２０秒間が好ましい。
銀配線と第２溶液との接触時の第２溶液の温度は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、２０～８０℃が好ましく、３０～７０℃がより好ましい。

銀配線と第２溶液とを接触させた後、必要に応じて、銀配線を溶媒（例えば、水）で洗浄してもよい。

工程１と工程２との間で工程５を実施する場合、工程５と工程２と工程３とは繰り返し実施してもよい。つまり、工程３が終わった後、更に、工程５と工程２と工程３とを実施してもよい。
工程５～工程３までの手順を繰り返す回数は特に制限されず、２～４回が好ましい。

また、工程２と工程３との間で工程５を実施する場合、工程２と工程５と工程３とは繰り返し実施してもよい。つまり、工程３が終わった後、更に、工程２と工程５と工程３とを実施してもよい。
工程２～工程５までの手順を繰り返す回数は特に制限されず、２～４回が好ましい。

［工程６］
導電性基板の製造方法は、工程３の後に、工程３で得られた銀配線に対して加熱処理を施す工程６を有していてもよい。本工程を実施することにより、銀配線の強度が向上する。
工程６で実施する加熱処理としては、上述した工程Ｃで実施する加熱処理が挙げられる。

［工程７］
導電性基板の製造方法は、工程３の後、又は、工程６の後に、銀配線を溶媒で洗浄してもよい。使用される溶媒としては、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類）、イオン性液体、及び、これらの混合溶媒が挙げられる。
洗浄に用いられる溶媒は数種類使用してもよい。例えば、有機溶剤で洗浄した後に、さらに水で洗浄してもよい。
溶媒としては、混合溶媒を用いてもよく、例えば、アルコール類又はエーテル類と、水との混合溶媒が好ましい。アルコール類としては、エタノールが好ましく、エーテル類としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル又はジエチレングリコールモノメチルエーテルが好ましい。

＜用途＞
導電性基板は、種々の用途に適用でき、上述のタッチパネル又は、タッチセンサー以外に、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、及び、マザーボード等の種々の用途に適用できる。なかでも、導電性基板は、タッチパネルのうち、静電容量式タッチパネルに用いることが好ましい。
導電性基板をタッチパネルに用いる場合、上述のように銀配線は検出電極として有効に機能し得る。なお、導電性基板をタッチパネルに用いる場合、上述した所定の特性を有する銀配線とは別に、銀配線とは構成が異なる導電部を有していてもよい。この導電部は、上述した銀配線と電気的に接続して、導通していてもよい。

本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の導電性基板の製造方法及び導電性基板について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良又は変更をしてもよいのはもちろんである。

以下に実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、及び、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の実施例に限定されるものではない。

以下、実施例１～６及び比較例１の導電性基板について説明する。
〔実施例１〕
（ハロゲン化銀乳剤ａの調製）
温度３８℃、ｐＨ（水素イオン指数）４．５に保たれた下記１液に、下記の２液及び３液の各々９０％に相当する量を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．０７μｍの核粒子を形成した。続いて下記４液及び５液を８分間にわたって加え、更に、下記の２液及び３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、０．０９μｍまで成長させた。更に、ヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し粒子形成を終了した。

１液：
水 ７５０ｍｌ
ゼラチン ８．６ｇ
塩化ナトリウム ３ｇ
１，３－ジメチルイミダゾリジン－２－チオン ２０ｍｇ
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム １０ｍｇ
クエン酸 ０．７ｇ
２液：
水 ３００ｍｌ
硝酸銀 １５０ｇ
３液：
水 ３００ｍｌ
塩化ナトリウム ３８ｇ
臭化カリウム ３２ｇ
ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
（０．００５％ＫＣｌ ２０％水溶液） ５ｍｌ
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液） ７ｍｌ
４液：
水 １００ｍｌ
硝酸銀 ５０ｇ
５液：
水 １００ｍｌ
塩化ナトリウム １３ｇ
臭化カリウム １１ｇ
黄血塩 ５ｍｇ

その後、常法に従ってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、温度を３５℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでｐＨを下げた（ｐＨ３．６±０．２の範囲であった）。次に、上澄み液を約３リットル除去した（第一水洗）。更に３リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、上澄み液を３リットル除去した（第二水洗）。第二水洗と同じ操作を更に１回繰り返して（第三水洗）、水洗・脱塩工程を終了した。水洗・脱塩後の乳剤をｐＨ６．４、ｐＡｇ７．５に調整し、ゼラチン２．５g、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム１０ｍｇ、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム３ｍｇ、チオ硫酸ナトリウム１５ｍｇと塩化金酸１０ｍｇを加え５５℃にて最適感度を得るように化学増感を施し、安定剤として１，３，３ａ，７－テトラアザインデン１００ｍｇ、防腐剤としてプロキセル（商品名、ＩＣＩ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）１００ｍｇを加えた。最終的に得られた乳剤は、沃化銀を０．０８モル％含み、塩臭化銀の比率を塩化銀７０モル％、臭化銀３０モル％とする、平均粒子径０．１０μｍ（１００ｎｍ）、変動係数９％のヨウ塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。

（ハロゲン化銀乳剤ｂの調製）
ハロゲン化銀乳剤ａに対して、ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液）を増量したものをハロゲン化銀乳剤ｂとした。

（感光性層形成用組成物Ａの調製）
上述のハロゲン化銀乳剤ａに１，３，３ａ，７－テトラアザインデン１．２×１０^-4モル／モルＡｇ、ハイドロキノン１．２×１０^-2モル／モルＡｇ、クエン酸３．０×１０^-4モル／モルＡｇ、２，４－ジクロロ－６－ヒドロキシ－１，３，５－トリアジンナトリウム塩０．９０ｇ／モルＡｇ、微量の硬膜剤を添加し、クエン酸を用いて塗布液ｐＨを５．６に調整した。
上述の塗布液に、含有するゼラチンに対して、下記式（Ｐ－１）で表されるポリマーとジアルキルフェニルＰＥＯ硫酸エステルからなる分散剤を含有するポリマーラテックス（分散剤／ポリマーの質量比が２．０／１００＝０．０２）とをポリマー／ゼラチン（質量比）＝０．５／１になるように添加した。
さらに、架橋剤としてＥＰＯＸＹ ＲＥＳＩＮ ＤＹ ０２２（商品名：ナガセケムテックス株式会社製）を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が０．０９ｇ／ｍ²となるように調整した。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、下記式（Ｐ－１）で表されるポリマーは、特許第３３０５４５９号及び特許第３７５４７４５号を参照して合成した。

（感光性層形成用組成物Ｂの調製）
ハロゲン化銀乳剤ｂを使用した以外は、感光性層形成用組成物Ａと同様に調製し、感光性層形成用組成物Ｂとした。

（感光性層形成工程）
厚み４０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの両面に上述のポリマーラテックスを塗布して、厚み０．０５μｍの下塗り層を設けた。
次に、下塗り層上に、上述のポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物を塗布して、厚み１．０μｍのハロゲン化銀不含有層を設けた。なお、ポリマーとゼラチンとの混合質量比（ポリマー／ゼラチン）は２／１であり、ポリマーの含有量は０．６５ｇ／ｍ²であった。
次に、ハロゲン化銀不含有層上に、上述の感光性層形成用組成物Ａを塗布し、厚み１．６μｍのハロゲン化銀含有感光性層を設けた(第１ハロゲン化銀含有層)。なお、ハロゲン化銀含有感光性層中のポリマーとゼラチンとの混合質量比（ポリマー／ゼラチン）は０．５／１であり、ポリマーの含有量は０．１６ｇ／ｍ²であった。
次に、第１ハロゲン化銀含有層上に、上述の感光性層形成用組成物Ｂを塗布し、厚み０．４μｍのハロゲン化銀含有感光性層を設けた(第２ハロゲン化銀含有層)。なお、ハロゲン化銀含有感光性層中のポリマーとゼラチンとの混合質量比（ポリマー／ゼラチン）は０．５／１であり、ポリマーの含有量は０．０４ｇ／ｍ²であった。
次に、ハロゲン化銀含有感光性層上に、上述のポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物を塗布して、厚み０．１５μｍの保護層を設けた。なお、ポリマーとゼラチンとの混合質量比（ポリマー／ゼラチン）は１／１であり、ポリマーの含有量は０．０８ｇ／ｍ²であった。

（露光処理）
作製した感光性層に、図に示す検出部（第１検出電極、第２検出電極）と取出し配線部を配した露光マスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した。
露光マスクには、図７に示す構成のものを用いた。銀線部及び接続部に対応した開口部を設け、銀線部では、遮光層にハーフトーンフィルター層を設けた構成となっている。
なお、感光材料の現像性は、光源波長と光量、露光マスクの遮光率、感光材料の感度特性から決まるが、遮光層の遮光率、及びハロゲン化銀乳剤ｂの感度は、遮光層を設けない部分で、乳剤層Ａ、Ｂとも現像され、遮光層を設けた部分で、乳剤層Ａが現像され、乳剤層Ｂが現像されないように、適宜調整を行った。

（現像処理）
露光後、下記の現像液で現像し、さらに定着液（商品名：ＣＮ１６Ｘ用Ｎ３Ｘ－Ｒ：富士フイルム社製）を用いて現像処理を行った後、純水でリンスし、その後乾燥した。

現像液の組成：
現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ－メチルアミノフェノール ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ

（加熱処理）
さらに、１２０℃の過熱蒸気槽に１３０秒間静置して、加熱処理を行った。

（ゼラチン分解処理）
さらに、下記のとおり調製したゼラチン分解液（４０℃）に１２０秒浸漬し、その後、温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して洗浄した。

ゼラチン分解液の調製：
タンパク質分解酵素（ナガセケムテックス株式会社製ビオプラーゼ３０Ｌ）の水溶液（タンパク質分解酵素の濃度：０．５質量％）に、トリエタノールアミン、硫酸を加えてｐＨを８．５に調製した。

（高分子架橋処理）
さらに、カルボジライトＶ－０２－Ｌ２（商品名：日清紡社製）１％水溶液に３０秒浸漬し、水溶液から取り出し、純水（室温）に６０秒間浸漬し、洗浄した。
このようにして、ＰＥＴフィルムの両面に検出電極及び周辺配線を形成したフィルムＡを得た。

〔実施例２〕
実施例２は、実施例１に比して、感光性層形成工程における、第２ハロゲン化銀含有層の厚みが異なり、それ以外の構成は実施例１と同じとした。実施例２は、第２ハロゲン化銀含有層の厚みを０．８μｍとした。
〔実施例３〕
実施例３は、実施例１に比して、感光性層形成工程における、第２ハロゲン化銀含有層の厚みが異なり、それ以外の構成は実施例１と同じとした。実施例３は、第２ハロゲン化銀含有層の厚みを１．６μｍとした。
〔実施例４〕
実施例４は、実施例１に比して、感光性層形成工程における、第２ハロゲン化銀含有層の厚みが異なり、それ以外の構成は実施例１と同じとした。実施例４は、第２ハロゲン化銀含有層の厚みを２．４μｍとした。
〔実施例５〕
実施例５は、実施例１に比して、感光性層形成工程における、第２ハロゲン化銀含有層の厚みが異なり、それ以外の構成は実施例１と同じとした。実施例５は、第２ハロゲン化銀含有層の厚みを３．２μｍとした。

〔実施例６〕
実施例６は、実施例２に比して、感光性層形成工程における、第２ハロゲン化銀含有層の乳剤が異なり、それ以外の構成は実施例２と同じとした。
（ハロゲン化銀乳剤ｃの調製）
ハロゲン化銀乳剤ｂの調製温度を上げ、平均粒子径３００ｎｍの粒子とした。
（感光性層形成用組成物Ｃの調製）
ハロゲン化銀乳剤ｃを使用した以外は、感光性層形成用組成物Ｂと同様に調製し、感光性層形成用組成物Ｃとした実施例６は、第２ハロゲン化銀含有層として、感光性層形成用組成物Ｃを厚み０．８μｍで塗布した。

〔比較例１〕
比較例１は、実施例２に比して、以下に示す点が異なり、それ以外の構成は実施例２と同じとした。比較例１では、露光処理で、ハーフトーンフィルター層を設けない露光マスクで露光した。

耐傷性試験、接続部導通信頼性、パターンずれ、及び細線描画性を評価した。その結果を下記表２に示す。
また、以下、耐傷性試験、接続部導通信頼性、パターンずれ、及び細線描画性について説明する。

［耐傷性試験］
作製した導電性基板の表面全体に対し、擦傷付与のための試験装置を用いて摩擦部材を１０回往復させる圧力耐性に関する耐久試験を行ったあと、電極の端子間の抵抗値をデジタルマルチメーター３４４１０Ａ(Ａｇｉｌｅｎｔ製)を用いて評価し、抵抗値が１ＭΩ以上となった電極の本数を評価した。評価基準は、以下のとおりである。
評価基準
Ａ：１ＭΩ以上の電極数が５％未満
Ｂ：１ＭΩ以上の電極数が５％以上１０％未満
Ｃ：１ＭΩ以上の電極数が１０％以上５０％未満
Ｄ：１ＭΩ以上の電極数が５０％以上

［接続部導通信頼性］
接続部導通信頼性では、ＣＰ９２０ＣＭ－２５ＡＣ（デクセリアルズ株式会社製のＡＣＦ（異方性導電部材））を用いて、
ＣＰ９２０ＣＭ－２５ＡＣ（デクセリアルズ株式会社製のＡＣＦ（異方性導電部材））を介して、太陽工業株式会社製プリント配線基板と、フィルムＤ（フレッシュ）の接続部とを圧着接合して積層物を得た。ただし、接続部導通信頼性を強制評価するために、圧着接合条件をメーカー推奨条件よりも圧着の弱い、温度１００℃、圧力０．５ＭＰａ、１０秒間に設定した。圧着接合直後のプリント配線基板とフィルムＤ（又はこれに相当する比較例の導電性基板）の接続部との間の電気抵抗値を測定した。次に、上記積層物について、湿熱信頼性試験（温度６０℃、相対湿度９０％１０日間）を実施し、その後、プリント配線基板とフィルムＤ（又はこれに相当する比較例の導電性基板）の接続部との間の電気抵抗値を測定した。この湿熱信頼性試験前後の電気抵抗値の上昇率によって、接続部導通信頼性を評価した。評価基準は、以下のとおりである。
評価基準
Ａ：電気抵抗値の上昇率が５％未満であった。
Ｂ：電気抵抗値の上昇率が５％以上１０％未満であった。
Ｃ：電気抵抗値の上昇率が１０％以上であった。
なお、湿熱信頼性試験後に電気抵抗値が上昇するのは、導電性基板の接続部とＡＣＦの密着信頼性が低いこと、すなわち、湿熱信頼性試験後に導電性基板の接続部とＡＣＦの剥離が起こることを表している。

［パターンずれ］
導電性基板について、第１銀線部と第２銀線部を含む両面の画像を取得した。取得した各面の画像における第１銀線部及び第２銀線部の面内の位置を計測し、設計値からのずれを評価した。
なお、実施例１～６及び比較例１は、設計値からのずれが小さく、いずれも評価をＡとした。

［細線描画性］
露光の際、ハロゲン化銀に入射する光が平行光からずれ、散乱性が強くなると、線が太くなり、銀配線を描画するには露光量を下げる必要があり、深さ方向の光量が下がり、線幅当たりの銀量が低下する。以上をもとに、露光量を変えて、線幅と現像銀率との関係を調べ、細線描画性を評価した。現像銀率（％）は、以下で表される。
現像銀率＝（（現像された線幅あたりの銀量）／（塗布ハロゲン化銀の銀量））×１００（％）である。なお、評価基準は、以下のとおりである。
評価基準
Ａ：現像銀率が８５％以上１００％未満
Ｂ：現像銀率が７０％以上８５％未満
Ｃ：現像銀率が６０％以上７０％未満
Ｄ：現像銀率が６０％未満

表２に示すように、実施例１～６は、比較例１に比して、耐傷性試験、接続部導通信頼性、パターンずれ、及び細線描画性が優れていた。
耐傷性については、実施例１～６から、第１銀線部上の樹脂層の厚みが厚くなると、耐傷性が良化した。
接続部導通信頼性では、第２銀線部上の樹脂層の厚みが厚くなると、接続部の導通信頼性が悪化した。
パターンずれでは、第１銀線部と第２銀線部とを同一の露光マスクにより一括露光しないと、パターンずれが生じた。
細線描画性では、露光マスクとハロゲン化銀層のギャップが大きくなると、開口部を透過した光の回折により光が広がり細線描画性が劣った。また、露光波長が長波化すると回析が大きくなり、細線描画性が劣った。また、第２ハロゲン化銀含有層のハロゲン化銀の平均粒子径が大きくなると、ハロゲン化銀粒子による光の散乱により光にじみが生じ、第１ハロゲン化銀含有層のハロゲン化銀の細線描画性が劣った。

１０ 画像表示装置
１１Ａ 第１導電層
１１Ｂ 第２導電層
１２ タッチパネル
１３ コントローラ
１４ 画像表示部
１４ａ 表示面
１４ｂ 裏面
１６ カバー層
１６ａ 表面
１６ｂ 裏面
１８ 導電性基板
１９ フレキシブル回路基板
２０ 検出部
２２ 周辺配線部
２３ａ 第１周辺配線
２３ｂ 第２周辺配線
２４ 支持体
２４ａ 表面
２４ｂ 裏面
２５ａ 下塗り層
２５ｂ アンチハレーション層
２６ａ 第１外部接続部
２６ｂ 第２外部接続部
２７ 樹脂層
２８ 保護層
２８ａ、２８ｂ 面
２９Ａ 第１検出電極層
２９Ｂ 第２検出電極層
３０ 第１検出電極
３１ａ 第１ダミー電極
３１ｂ 第２ダミー電極
３２ 第２検出電極
３３ 第１電極端子
３４ 第２電極端子
３５ 銀配線
３６ 開口部
３７ 第１銀線部
３８ 第２銀線部
３９ 異方性導電部材
４０ 第１ハロゲン化銀含有層
４２ 第２ハロゲン化銀含有層
４３ 積層体
４４ 露光マスク
４５ ガラス基板
４６ 遮光層
４７、４７ａ 開口部
４８ ハーフトーンフィルター層
Ｅ_１ 検出領域
Ｅ_２ 周辺領域
Ｈ_１ 厚み
Ｈ_２ 厚み
Ｌｖ 平行光
ｄ_１、ｄ_２、ｔａ 厚み
Ｗｃ 幅

Claims (9)

1. 支持体と、ハロゲン化銀を含む第１ハロゲン化銀含有層と、前記第１ハロゲン化銀含有層よりも感度が低い、ハロゲン化銀を含む第２ハロゲン化銀含有層と、をこの順で有する積層体を作製する工程と、
   前記積層体に対して、ハーフトーンマスクを用いて厚みが異なる第１銀線部と、第２銀線部とが形成されるように前記第１ハロゲン化銀含有層及び前記第２ハロゲン化銀含有層に対して積算露光量が異なる領域があるように露光して、現像して、銀配線を形成する工程とを有し、
   前記第１銀線部は導電層を構成し、前記第２銀線部が外部接続部を構成し、前記第１銀線部の厚みが、前記第２銀線部の厚みよりも薄い、導電性基板の製造方法。
2. 前記第２ハロゲン化銀含有層が含有するハロゲン化銀の平均粒子径が、２５０ｎｍ以下である、請求項１に記載の導電性基板の製造方法。
3. 前記第２ハロゲン化銀含有層の厚みは、０．４～３．２μｍである、請求項１又は２に記載の導電性基板の製造方法。
4. 前記積層体を作製する工程は、前記支持体の両面に、それぞれクロスオーバーカット層、前記第１ハロゲン化銀含有層、及び前記第２ハロゲン化銀含有層をこの順に形成する工程を有し、
   前記銀配線を形成する工程は、前記積層体に対して、前記支持体の前記両面において、前記積算露光量が異なる領域があるように露光して現像する工程を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。
5. 支持体と、
   支持体の両面のうち、少なくとも一方の面上に配置された、第１銀線部と、第２銀線部と、
   前記第１銀線部及び前記第２銀線部を覆うように配置された樹脂層とを有し、
   前記第１銀線部は導電層を構成し、前記第２銀線部が外部接続部を構成し、
   前記第１銀線部上の前記樹脂層の厚みが、前記第２銀線部上の前記樹脂層の厚みよりも厚く、
   前記第１銀線部の厚みが、前記第２銀線部の厚みよりも薄い、導電性基板。
6. 前記支持体の両面に、それぞれ前記第１銀線部と、前記第２銀線部とが配置され、
   前記第１銀線部及び前記第２銀線部を覆うように前記樹脂層が配置されており、
   前記第１銀線部上の前記樹脂層の厚みが、前記第２銀線部上の前記樹脂層の厚みよりも厚く、
   前記第１銀線部の厚みが、前記第２銀線部の厚みよりも薄い、請求項５に記載の導電性基板。
7. 前記第１銀線部上の前記樹脂層の厚みは、前記第２銀線部上の前記樹脂層の厚みの１．５倍以上である、請求項５又は６に記載の導電性基板。
8. 前記第２銀線部上の前記樹脂層の厚みは、０．２μｍ以下である、請求項５～７のいずれか１項に記載の導電性基板。
9. 前記第１銀線部のシート抵抗が５０Ω／ｓｑ以下である、請求項５～８のいずれか１項に記載の導電性基板。