JP7726798B2 - 基板搬送方法、基板処理装置、および記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、基板搬送方法と、基板処理装置と、基板処理装置の構成要件を動作させるためのプログラムを記録した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体と、に関する。

ウェハなどの基板を処理する基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このような基板処理装置では、ウェハは、様々なモジュールに搬送され、各モジュールで処理される。

基板処理装置は、その搬送ステージ上にウェハが存在しているか否かを検出する光センサを備えている。ウェハを各モジュールに搬送するとき、ウェハは、その存在が光センサによって検出された後に、次のモジュールに搬送される。

特開２０１０－０５０４３６号公報

近年、半導体デバイスの高集積化・高密度化に伴い、回路の配線がますます微細化し、多層配線の層数も増加している。したがって、光センサから発せられた光がウェハに照射されると、ウェハの表面（より具体的には、デバイス面）に形成された金属が光の影響を受けてしまい、金属が腐食してしまう。言い換えれば、ウェハの表面には、フォトコロージョンが発生してしまう。

そこで、本発明は、フォトコロージョンの、基板（例えば、ウェハ）の表面への発生を防止することができる基板搬送方法、基板処理装置、および記録媒体を提供することを目的とする。

一態様では、基板を、前記基板の受け入れユニットに搬入し、前記受け入れユニットに搬送された前記基板によって光センサから照射された光が遮断されたことを検出して、前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認し、前記基板を前記受け入れユニットから搬出する前に、前記光センサからの光の照射を停止する、基板処理装置における基板搬送方法が提供される。

一態様では、前記基板の搬送方向において、前記受け入れユニットの前段側に配置された、前記基板を湿式処理する湿式処理モジュールで、前記基板を湿式処理し、前記光センサによって、前記湿式処理モジュールで湿式処理された前記基板に対して光を照射する。
一態様では、前記光センサから照射された光が前記受け入れユニットに搬入された前記基板によって遮断された後、前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されてから予め決められた所定時間が経過するまでの間に前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認し、前記所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止する。
一態様では、前記光センサから照射された光が前記受け入れユニットに搬入された前記基板によって遮断されてから予め決められた所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止する。

一態様では、前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されたときに、前記光センサからの光の照射を開始し、前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されてから予め決められた所定時間が経過するまでの間に前記基板が受け入れユニットに存在することを確認し、前記所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止する。
一態様では、前記基板が前記受け入れユニットに搬送される前に前記光センサからの光の照射を開始して前記受け入れユニットに前記基板が存在しないことを確認した後に、前記光センサからの光の照射を停止する。

一態様では、基板の受け入れユニットと、前記受け入れユニットに搬送された前記基板の有無を検出する光センサと、前記光センサの投光動作を制御する制御装置と、を備える基板処理装置が提供される。前記制御装置は、前記基板を前記受け入れユニットに搬入し、前記受け入れユニットに搬送された前記基板によって前記光センサから照射された光が遮断されたことを検出して前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認し、前記基板を前記受け入れユニットから搬出する前に、前記光センサからの光の照射を停止する。

一態様では、前記基板処理装置は、前記基板の搬送方向において、前記受け入れユニットの前段側に配置された、前記基板を湿式処理する湿式処理モジュールを備えており、前記光センサは、前記湿式処理モジュールで湿式処理された前記基板に対して光を照射する。
一態様では、前記制御装置は、前記光センサから照射された光が前記受け入れユニットに搬入された前記基板によって遮断された後、前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されてから予め決められた所定時間が経過するまでの間に前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認し、前記所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止する。
一態様では、前記制御装置は、前記光センサから照射された光が前記受け入れユニットに搬入された前記基板によって遮断されてから予め決められた所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止する。

一態様では、前記制御装置は、前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されたときに、前記光センサからの光の照射を開始し、前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されてから予め決められた所定時間が経過するまでの間に前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認し、前記所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止する。
一態様では、前記制御装置は、前記基板が前記受け入れユニットに搬送される前に前記光センサからの光の照射を開始して前記受け入れユニットに前記基板が存在しないことを確認した後に前記光センサからの光の照射を停止する。
一態様では、前記光センサは、光を発する投光部と、前記投光部から発せられた光を受ける受光部と、を備えており、前記投光部は、前記受け入れユニットに搬送された前記基板の裏面側に配置されており、前記受光部は、前記受け入れユニットに搬送された前記基板の表面側に配置されている。

一態様では、前記投光部および前記受光部は、前記基板の搬送方向に対して、垂直に配置されている。
一態様では、前記投光部および前記受光部は、前記基板の搬送方向に対して、斜めに配置されている。

一態様では、基板を、前記基板の受け入れユニットに搬入し、前記受け入れユニットに搬送された前記基板によって光センサから照射された光が遮断されたことを検出して前記基板が受け入れユニットに存在することを確認するステップと、前記基板を前記受け入れユニットから搬出する前に、前記光センサからの光の照射を停止するステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

一態様では、前記基板の搬送方向において、前記受け入れユニットの前段側に配置された、前記基板を湿式処理する湿式処理モジュールで、前記基板を湿式処理するステップと、前記光センサによって、前記湿式処理モジュールで湿式処理された前記基板に対して光を照射するステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラムが記録される。
一態様では、前記光センサから照射された光が前記受け入れユニットに搬入された前記基板によって遮断された後、前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されてから予め決められた所定時間が経過するまでの間に前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認するステップと、前記所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止するステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラムが記録される。
一態様では、前記光センサから照射された光が前記受け入れユニットに搬入された前記基板によって遮断されてから予め決められた所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止するステップをコンピュータに実行させるためのプログラムが記録される。
一態様では、前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されたときに、前記光センサからの光の照射を開始するステップと、前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されてから予め決められた所定時間が経過するまでの間に前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認するステップと、前記所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止するステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラムが記録される。

基板搬送方法は、基板を受け渡しステーションに搬入し、光センサからの光を照射し、基板を受け渡しステーションから搬出する前に、光の照射を停止する。したがって、光センサからの光がウェハＷに照射され続けるという問題は生じない。結果として、フォトコロージョンの、基板の表面への発生を防止することができる。

基板処理装置の一実施形態を示す平面図である。 図２（ａ）は洗浄部を示す平面図であり、図２（ｂ）は洗浄部を示す側面図である。 ウェハの搬送経路に配置された受け渡しステーションを示す図である。 投光部および受光部の他の実施形態を示す図である。 図５（ａ）乃至図５（ｃ）は、受け渡しステーションに搬入されるウェハを示す図である。 ウェハを受け渡しステーションに搬入するときの制御装置による光センサの投光動作の制御フローを示す図である。 ウェハを受け渡しステーションに搬入し、ウェハを受け渡しステーションから搬出する制御装置の動作の一実施形態を示す図である。 図８（ａ）および図８（ｂ）は、受け渡しステーションから搬出されるウェハを示す図である。 ウェハを受け渡しステーションから搬出するときの制御装置による光センサの投光動作の制御フローを示す図である。 ウェハを受け渡しステーションから搬出する前に、ウェハの存在確認が行われる様子を示す図である。 ウェハを受け渡しステーションから搬出する前の制御装置による光センサの投光動作の制御フローを示す図である。 ウェハを受け渡しステーションに搬入するときの制御装置による光センサの投光動作の制御フローを示す図である。 ウェハを受け渡しステーションに搬入し、ウェハを受け渡しステーションから搬出する制御装置の動作の他の実施形態を示す図である。 ウェハを受け渡しステーションに搬入するときの制御装置による光センサの投光動作の制御フローを示す図である。 ウェハを受け渡しステーションに搬入し、ウェハを受け渡しステーションから搬出する制御装置の動作の他の実施形態を示す図である。

以下、本発明に係る基板処理装置の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

図１は、基板処理装置の一実施形態を示す平面図である。図１に示すように、基板処理装置は、略矩形状のハウジング１を備えている。ハウジング１の内部は、隔壁１ａ，１ｂによってロード／アンロード部２と、研磨部３と、洗浄部４と、に区画されている。

ロード／アンロード部２、研磨部３、および洗浄部４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。基板処理装置は、基板処理動作を制御する制御装置５を備えている。ロード／アンロード部２は、多数のウェハ（基板）をストックするウェハカセットが載置される２つ以上（本実施形態では、４つ）のフロントロード部２０を備えている。

フロントロード部２０は、ハウジング１に隣接して配置されており、基板処理装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列されている。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができる。ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。

ロード／アンロード部２には、フロントロード部２０の配列方向に沿って走行機構２１が敷設されており、この走行機構２１上にウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な２台の搬送ロボット（ローダー）２２が設置されている。搬送ロボット２２は走行機構２１上を移動することによってフロントロード部２０に搭載されたウェハカセットにアクセスすることができる。

研磨部３は、ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域であり、第１研磨モジュール３Ａ、第２研磨モジュール３Ｂ、第３研磨モジュール３Ｃ、および第４研磨モジュール３Ｄを備えている。第１研磨モジュール３Ａ、第２研磨モジュール３Ｂ、第３研磨モジュール３Ｃ、および第４研磨モジュール３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。

図１に示すように、第１研磨モジュール３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持しかつウェハを研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ３４Ａと、を備えている。

同様に、第２研磨モジュール３Ｂは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂと、を備えている。第３研磨モジュール３Ｃは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃと、を備えている。第４研磨モジュール３Ｄは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄと、を備えている。

ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、基板処理装置は、第１研磨モジュール３Ａおよび第２研磨モジュール３Ｂに隣接して配置された第１リニアトランスポータ６を備えている。第１リニアトランスポータ６は、研磨モジュール３Ａ，３Ｂの配列方向に沿った４つの搬送位置（第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４）の間でウェハを搬送する機構である。

基板処理装置は、第３研磨モジュール３Ｃおよび第４研磨モジュール３Ｄに隣接して配置された第２リニアトランスポータ７を備えている。第２リニアトランスポータ７は、研磨モジュール３Ｃ，３Ｄの配列方向に沿った３つの搬送位置（第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７）の間でウェハを搬送する機構である。

ウェハは、第１リニアトランスポータ６によって研磨モジュール３Ａ，３Ｂに搬送される。第１研磨モジュール３Ａのトップリング３１Ａは、そのスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウェハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。

同様に、第２研磨モジュール３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウェハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨モジュール３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウェハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨モジュール３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウェハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。

第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウェハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウェハは、リフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。

基板処理装置は、隔壁１ａに設けられたシャッタ（図示せず）を備えている。シャッタは、リフタ１１と搬送ロボット２２との間に配置されている。ウェハの搬送時には、シャッタが開かれて、ウェハが搬送ロボット２２からリフタ１１に渡される。第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄部４との間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。

スイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有している。第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウェハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨モジュール３Ｃおよび／または第４研磨モジュール３Ｄに搬送される。研磨部３で研磨されたウェハはスイングトランスポータ１２によって仮置き台１８０を経由して洗浄部４に搬送される。すなわち、スイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４あるいは第５搬送位置ＴＰ５に位置するウェハを保持して、ウェハの表裏を反転させた後、仮置き台１８０に搬送する。これにより、ウェハは、そのデバイス面が上を向いた状態で、仮置き台１８０に載置される。

図２（ａ）は洗浄部を示す平面図であり、図２（ｂ）は洗浄部を示す側面図である。図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、洗浄部４は、第１洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、第２洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４と、に区画されている。第１洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された上側一次洗浄モジュール２０１Ａおよび下側一次洗浄モジュール２０１Ｂが配置されている。

上側一次洗浄モジュール２０１Ａは、下側一次洗浄モジュール２０１Ｂの上方に配置されている。同様に、第２洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された上側二次洗浄モジュール２０２Ａおよび下側二次洗浄モジュール２０２Ｂが配置されている。上側二次洗浄モジュール２０２Ａは下側二次洗浄モジュール２０２Ｂの上方に配置されている。一次および二次洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂは、洗浄液を用いてウェハを洗浄する洗浄機である。

上側二次洗浄モジュール２０２Ａと下側二次洗浄モジュール２０２Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０３が設けられている。乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂが配置されている。上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂは、互いに隔離されている。

上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂ内にそれぞれ供給するフィルタファン装置２０７，２０７が設けられている。

第１搬送室１９１には、上下動可能な第１搬送ロボット２０９が配置され、第２搬送室１９３には、上下動可能な第２搬送ロボット２１０が配置されている。第１搬送ロボット２０９および第２搬送ロボット２１０は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２にそれぞれ移動自在に支持されている。

第１搬送ロボット２０９および第２搬送ロボット２１０は、支持軸２１１，２１２に沿って上下に移動自在である。第１搬送ロボット２０９は、図２（ａ）の点線に示すように、仮置き台１８０にアクセス可能な位置に配置されている。第１搬送ロボット２０９が仮置き台１８０にアクセスするときには、隔壁１ｂに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

第１搬送ロボット２０９は、仮置き台１８０、上側一次洗浄モジュール２０１Ａ、下側一次洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０３、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、および下側二次洗浄モジュール２０２Ｂの間でウェハＷを搬送するように動作する。

第２搬送ロボット２１０は、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、下側乾燥モジュール２０５Ｂの間でウェハＷを搬送するように動作する。

図１に示す搬送ロボット２２は、上側乾燥モジュール２０５Ａまたは下側乾燥モジュール２０５Ｂからウェハを取り出し、そのウェハをウェハカセットに戻す。搬送ロボット２２が乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂにアクセスするときには、隔壁１ａに設けられているシャッタ（図示せず）が開かれる。

上述したように、ウェハは、ロード／アンロード部２、研磨部３、および洗浄部４をこの順に搬送される。ウェハを各モジュールに搬送するとき、ウェハは、その存在が光センサによって検出された後に、次のモジュールに搬送される。本実施形態では、研磨部３の研磨モジュール３Ａ乃至３Ｄ、洗浄部４の洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂなどのモジュールにウェハを搬送するときに、第１搬送位置ＴＰ１乃至第７搬送位置ＴＰ７で、ウェハは、その存在が検出される。

光センサは、ウェハＷに接触することなく、ウェハＷの存在を検出することができる。しかしながら、光センサから発せられた光が長時間、ウェハＷに照射されると、ウェハＷの表面（より具体的には、デバイス面）には、フォトコロージョンが発生してしまう。そこで、基板処理装置は、フォトコロージョンの、ウェハＷの表面への発生を防止する構成を有している。

図３は、ウェハの搬送経路に配置された受け渡しステーションを示す図である。図３に示すように、基板処理装置は、ウェハＷの搬送経路に配置された受け渡しステーション３０１を備えている。ウェハＷの搬送経路は、１枚のウェハＷがロード／アンロード部２、研磨部３、および洗浄部４に搬送されるときの、ウェハＷの移動経路に相当する。受け渡しステーション３０１は、ウェハＷを、各モジュールに受け渡すときの搬送位置（例えば、各搬送位置ＴＰ２，ＴＰ３，ＴＰ６，ＴＰ７、各仮置き台１８０，２０３が配置された空間）に相当する。

図３に示すように、基板処理装置は、受け渡しステーション３０１に搬送されたウェハＷの有無を検出する光センサ３０２と、ウェハＷを載置するための載置ステージ３００と、を備えている。載置ステージ３００は、例えば、各仮置き台１８０，２０３に相当する。

光センサ３０２は、光を発する投光部３０２ａと、投光部３０２ａから発せられた光を受ける受光部３０２ｂと、を備えている。投光部３０２ａは、載置ステージ３００上に載置されたウェハＷの裏面側に位置するように、載置ステージ３００の上端（すなわち、ウェハＷの載置面）よりも下方に配置されている。受光部３０２ｂは、載置ステージ３００上に載置されたウェハＷの表面側に位置するように、載置ステージ３００の上端よりも上方に配置されている。図３に示す実施形態では、投光部３０２ａおよび受光部３０２ｂは、ウェハＷの搬送方向（すなわち、水平方向）に対して、垂直に配置されている。

図４は、投光部および受光部の他の実施形態を示す図である。図４に示すように、投光部３０２ａおよび受光部３０２ｂは、ウェハＷの搬送方向（すなわち、水平方向）に対して、斜めに配置されている。図４に示す実施形態においても、投光部３０２ａは、載置ステージ３００上に載置されたウェハＷの下方に配置されており、受光部３０２ｂは、載置ステージ３００上に載置されたウェハＷの上方に配置されている。

図３および図４に示す実施形態では、ウェハＷは、その上面（すなわち、デバイス面）が上方を向いた状態で、載置ステージ３００上に載置される。したがって、投光部３０２ａから発せられた光は、ウェハＷの裏面に照射される。ウェハＷの裏面に投光することにより、光は、ウェハＷのデバイス面には直接照射されないため、ウェハＷのデバイス面に対する光の影響を軽減することができる。結果として、フォトコロージョンのウェハのデバイス面への発生を抑制することができる。

投光部３０２ａから発せられた光の光量（強さ）は、その距離に応じて、減衰する。図４に示す実施形態では、斜めに照射された光は、その光量（強さ）が減衰された状態でウェハＷの裏面に照射される。したがって、ウェハＷのデバイス面に対する光の影響をより軽減することができ、結果として、フォトコロージョンのウェハのデバイス面への発生をより抑制することができる。

さらに、光を斜めに照射することにより、光の、ウェハＷの裏面への照射面積を大きくすることができるため、ウェハＷの裏面に対する、光の、局所的な照射を防止することができる。結果として、フォトコロージョンのウェハのデバイス面への発生をより抑制することができる。

図３および図４に示すように、光センサ３０２は、制御装置５に電気的に接続されている。制御装置５は、光センサ３０２（より具体的には、投光部３０２ａ）の投光動作（すなわち、光の照射の開始および停止）を制御するように構成されている。

投光部３０２ａから発せられた光を受光部３０２ｂが受けると、受光部３０２ｂは、制御装置５に対して、検出信号を送るように構成されている。制御装置５が受光部３０２ｂからの検出信号を受けると、制御装置５は、ウェハＷが載置ステージ３００上に存在していないことを決定する。投光部３０２ａから発せられた光がウェハＷによって遮られると、受光部３０２ｂは投光部３０２ａから発せられた光を検出せず、制御装置５に対する検出信号の送信は停止される。制御装置５は、検出信号の送信の停止に基づいて、ウェハＷが載置ステージ３００上に載置されたことを決定する。

制御装置５は、プログラムを格納した記憶装置５ａと、プログラムに従って演算を実行する処理装置５ｂと、を備えている。コンピュータから構成された制御装置５は、記憶装置５ａに電気的に格納されたプログラムに従って動作する。プログラムは、光センサ３０２の投光動作を処理装置５ｂに実行させる。

投光動作を処理装置５ｂに実行させるためのプログラムは、非一時的な有形物であるコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶され、記録媒体を介して制御装置５に提供される。または、プログラムは、インターネットまたはローカルエリアネットワークなどの通信ネットワークを介して通信装置（図示しない）から制御装置５に入力されてもよい。記録媒体は、投光動作を処理装置５ｂに実行させるためのプログラムのみならず、フォトコロージョンの、ウェハＷの表面への発生を防止するためのプログラム（後述する）をも記録している。

図５（ａ）乃至図５（ｃ）は、受け渡しステーションに搬入されるウェハを示す図である。図６は、ウェハを受け渡しステーションに搬入するときの制御装置による光センサの投光動作の制御フローを示す図である。図７は、ウェハを受け渡しステーションに搬入し、ウェハを受け渡しステーションから搬出する制御装置の動作の一実施形態を示す図である。

以下に示す実施形態では、研磨部３で研磨処理されたウェハＷを洗浄部４に搬送する例について、説明する。したがって、受け渡しステーション３０１内に配置された載置ステージ３００は仮置き台１８０（図１参照）に相当する。受け渡しステーション３０１の仮置き台１８０には、スイングトランスポータ１２および第１搬送ロボット２０９（図１参照）がアクセス可能である。

制御装置５は、ウェハＷを受け渡しステーション３０１に搬入し、光センサ３０２を操作することにより、光センサ３０２からの光を照射し、ウェハＷを受け渡しステーション３０１から搬出する前に、光センサ３０２を操作することにより、光センサ３０２からの光の照射を停止するように構成されている。

より具体的には、図５（ａ）および図６のステップＳ１０１に示すように、制御装置５は、投光部３０２ａからの光の照射を開始し（投光ＯＮ）、ウェハＷの搬入動作を開始する。一実施形態では、制御装置５は、前のウェハＷが受け渡しステーション３０１から搬出された後、次のウェハＷが受け渡しステーション３０１に搬入されるまでの間、投光部３０２ａからの光の照射を継続してもよい。このような構成により、次のウェハＷが受け渡しステーション３０１に搬入される前に投光部３０２ａからの光の照射を開始するためのトリガを決定する必要はない。

一実施形態では、制御装置５は、前のウェハＷが受け渡しステーション３０１から搬出された後、投光部３０２ａからの光の照射を停止し（投光ＯＦＦ）、次のウェハＷが受け渡しステーション３０１に搬入されるときに、投光部３０２ａからの光の照射を開始してもよい（投光ＯＮ）。制御装置５は、例えば、スイングトランスポータ１２がウェハＷの搬入動作を開始したタイミング（より具体的には、ウェハＷを保持したスイングトランスポータ１２が受け渡しステーション３０１に方向転換したタイミング）で光の照射を開始してもよい。このような構成により、光センサ３０２からの光は断続的に照射されるため、光センサ３０２の長寿命化を実現することができる。

図５（ｂ）に示すように、ウェハＷがスイングトランスポータ１２によって受け渡しステーション３０１内に搬入されると、投光部３０２ａから照射された光はウェハＷによって遮断される。図７に示す実施形態では、制御装置５は、光センサ３０２から照射された光が受け渡しステーション３０１に搬入されたウェハＷによって遮断された後、ウェハＷが載置ステージ３００上に載置されたときに、ウェハＷの存在確認を開始する。言い換えれば、制御装置５は、ウェハＷの搬入動作の完了時に、ウェハＷの存在確認を開始する。このような構成により、制御装置５は、ウェハＷが載置ステージ３００上に確実に載置されたことを決定することができる。

載置ステージ３００がウェハＷを保持するチャックを有している場合には、制御装置５は、載置ステージ３００のチャックの閉止をトリガとして、ウェハＷの存在確認を開始する。載置ステージ３００がチャックを有していない場合には、制御装置５は、スイングトランスポータ１２がウェハＷの搬入動作完了を示す信号を発したときに、ウェハＷの存在確認を開始する。例えば、上記信号は、スイングトランスポータ１２が最下降位置まで下降したときに、発せられる。

制御装置５は、ウェハＷの搬入動作が完了し（図６のステップＳ１０２参照）、ウェハＷの存在確認を開始した後、所定時間が経過するまでの間、受光部３０２ｂの受光が遮断されたか否かを判断し（図６のステップＳ１０３参照）、所定時間が経過するまでの間、受光が遮断された場合（図６のステップＳ１０３の「ＹＥＳ」参照）、制御装置５は、投光部３０２ａからの光の照射を停止すると同時に（図５（ｃ）および図６のステップＳ１０４参照）、ウェハＷの存在確認を終了する（図７参照）。

本実施形態では、所定時間は、０．３秒以下であるが、光センサ３０２の分解能に応じて、所定時間を設定してもよい。光センサ３０２が比較的高い分解能を有している場合、所定時間は、２０ミリ秒以下であってもよい。

従来では、ウェハＷを受け渡しステーション３０１に搬入する前から、受け渡しステーション３０１から搬出するまでの間、光センサ３０２からの光は常に照射され続けられているため、ウェハＷが受け渡しステーション３０１に滞在している間、ウェハＷの外表面には、光が照射され続ける。したがって、ウェハＷの外表面および内部にフォトコロージョンが発生する可能性が大きい。

本実施形態によれば、制御装置５は、ウェハＷを受け渡しステーション３０１に搬入し、光センサ３０２からの光の照射を開始し、ウェハＷを受け渡しステーション３０１から搬出する前に、光センサ３０２からの光の照射を停止するように構成されている。したがって、光センサ３０２からの光がウェハＷに照射され続けるという問題は生じない。結果として、制御装置５は、フォトコロージョンの、ウェハＷの外表面および内部への発生を防止することができる。

図６に示すように、所定時間が経過するまでの間、受光が遮断されない場合（図６のステップＳ１０３の「ＮＯ」参照）、制御装置５は、光センサ３０２やスイングトランスポータ１２などの装置やウェハＷに異常が発生していると決定し、異常アラームを発報する（図６のステップＳ１０５参照）。その後、制御装置５は、投光部３０２ａからの光の照射を停止する（図６のステップＳ１０６参照）。

なお、図６のステップＳ１０３において、所定時間が経過するまでの間に受光が遮断され続けているかを判定するようにしてもよい。それによって水など環境による外乱によってごく短時間に光が遮断された場合の誤検知を防いだり、スイングトランスポータ１２のハンド上でウェハＷが割れていることを検出することができる。

図８（ａ）および図８（ｂ）は、受け渡しステーションから搬出されるウェハを示す図である。図９は、ウェハを受け渡しステーションから搬出するときの制御装置による光センサの投光動作の制御フローを示す図である。図７および図８（ａ）に示すように、載置ステージ３００上に載置されたウェハＷを受け渡しステーション３０１から搬出する場合には、制御装置５は、受け渡しステーション３０１に設けられたシャッタ３０５を開き、ウェハＷの搬出動作を開始する。

制御装置５は、シャッタ３０５を開いた後、第１搬送ロボット２０９を載置ステージ３００上のウェハＷにアクセスさせる。ウェハＷは、第１搬送ロボット２０９に保持された状態で、受け渡しステーション３０１から搬出され、制御装置５は、シャッタ３０５を閉じるとともに、ウェハＷの搬出動作を完了する（図８（ｂ）および図９のステップＳ２０１参照）。

図７および図８（ｂ）に示すように、制御装置５は、シャッタ３０５の閉止をトリガとして、投光部３０２ａからの光の照射を開始し、ウェハＷの存在確認を開始する（図９のステップＳ２０２参照）。図９のステップＳ２０３に示すように、制御装置５は、ウェハＷの存在確認の開始から所定時間が経過するまでの間、受光が遮断されるか否かを判断する。この場合においても、所定時間は、光センサ３０２の分解能に応じて、極めて短時間に決定される（例えば、０．３秒以下、２０ミリ秒以下）。

受光が所定時間、遮断されない場合（図９のステップＳ２０３の「ＮＯ」参照）、制御装置５は、載置ステージ３００上にウェハＷが存在していないことを決定し、ウェハＷの存在確認を終了するとともに、投光部３０２ａからの光の照射を停止する（図９のステップＳ２０４参照）。この動作により、制御装置５は、ウェハＷの載置ステージ３００からの取りこぼしを防止することができる。

受光が遮断された場合（図９のステップＳ２０３の「ＹＥＳ」参照）、例えば、第１搬送ロボット２０９がウェハＷを取りこぼした場合、制御装置５は、載置ステージ３００上にウェハＷが存在していることを決定し、異常アラームを発報する（図９のステップＳ２０５参照）。その後、投光部３０２ａからの光の照射を停止する（図９のステップＳ２０６参照）。

図１０は、ウェハを受け渡しステーションから搬出する前に、ウェハの存在確認が行われる様子を示す図である。図１１は、ウェハを受け渡しステーションから搬出する前の制御装置による光センサの投光動作の制御フローを示す図である。図１０および図１１に示すように、制御装置５は、載置ステージ３００上に載置されたウェハＷを受け渡しステーション３０１から搬出するときに、ウェハＷの存在確認を行ってもよい。

より具体的には、制御装置５は、シャッタ３０５の開放をトリガとして、投光部３０２ａからの光の照射を開始し（図１０および図１１のステップＳ３０１参照）、ウェハＷの存在確認を開始する。制御装置５は、ウェハＷの存在確認の開始から所定時間が経過するまでの間、受光部３０２ｂの受光が遮断されるか否かを判断する（図１１のステップＳ３０２参照）。受光が遮断される場合には（図１１のステップＳ３０２の「ＹＥＳ」参照）、制御装置５は、ウェハＷが載置ステージ３００上に載置されていることを決定し、ウェハＷの存在確認を終了する。このとき、制御装置５は、投光部３０２ａからの光の照射を終了する（図１１のステップＳ３０３参照）。その後、制御装置５は、図９のステップＳ２０１乃至ステップＳ２０３と同様の動作を行う。

所定時間が経過するまでの間、受光が遮断されない場合（図１１のステップＳ３０２の「ＮＯ」参照）、制御装置５は、光センサ３０２などの装置やウェハＷに異常が発生していると決定し、異常アラームを発報する（図１１のステップＳ３０４参照）。その後、制御装置５は、投光部３０２ａからの光の照射を終了する（図１１のステップＳ３０５参照）。

図１０に示す実施形態では、制御装置５は、ウェハＷを受け渡しステーション３０１から搬出する前に、ウェハＷが載置ステージ３００上に存在しているか否かを確認する。制御装置５は、載置ステージ３００上に載置されたウェハＷの存在を決定した後、ウェハＷは第１搬送ロボット２０９によって受け渡しステーション３０１から搬出される。このような構成により、第１搬送ロボット２０９によるウェハＷの搬出時に、載置ステージ３００上にウェハＷが存在していないという事態を避けることができる。

図１２は、ウェハを受け渡しステーションに搬入するときの制御装置による光センサの投光動作の制御フローを示す図である。図１３は、ウェハを受け渡しステーションに搬入し、ウェハを受け渡しステーションから搬出する制御装置の動作の他の実施形態を示す図である。

図１２のステップＳ４０１および図１３に示すように、制御装置５は、投光部３０２ａからの光の照射を開始し、ウェハＷの搬入動作が開始する。その後、制御装置５は、ウェハＷによる光の遮断を検出した後、それをトリガとして、所定時間が経過した後、投光部３０２ａからの光の照射を停止する（図１３参照）。

制御装置５は、投光部３０２ａから光を照射した状態で（ステップＳ４０１参照）、ウェハＷの存在確認を開始し、受光部３０２ｂの受光が遮断されたか否かを判断する（図１２のステップＳ４０２参照）。

スイングトランスポータ１２がウェハＷを受け渡しステーション３０１に搬入すると、ウェハＷのエッジによって光が遮断され、受光部３０２ｂの受光が遮断される（ステップＳ４０２の「ＹＥＳ参照」）。受光部３０２ｂの受光が遮断されたことを検出した後（すなわち、ステップＳ４０２の「ＹＥＳ」の後）、制御装置５は、所定時間が経過したか否かを判断する（ステップＳ４０３参照）。この判断は、所定時間が経過するまで継続される（ステップＳ４０３の「ＮＯ」参照）。所定時間が経過した場合（ステップＳ４０３の「ＹＥＳ」参照）、制御装置５は、投光部３０２ａからの光の照射を停止する（ステップＳ４０４参照）。

スイングトランスポータ１２のハンドが載置ステージ３００に向かって伸びているにもかかわらず、受光部３０２ｂの受光が遮断されない場合（ステップＳ４０２の「ＮＯ」参照）、制御装置５は、異常アラームを発報し（ステップＳ４０５参照）、投光部３０２ａからの光の照射を停止する（ステップＳ４０６参照）。なお、所定時間が経過する前に、受光部３０２ｂが再び受光した場合には、制御装置５は、異常アラームを発報してもよく、再び、ステップＳ４０２に戻ってもよい。

なお、図１３においては、ウェハの存在確認の開始と受光遮断の開始が同じタイミングになっているが、ウェハの存在確認の開始を、実際にウェハによって受光が遮断される少し手前から行っても良い。

このような構成により、光センサ３０２からの光がウェハＷに照射される時間をさらに短縮することができるため、制御装置５は、フォトコロージョンの、ウェハＷの表面への発生をより確実に防止することができる。

図１０に示す実施形態は図１３に示す実施形態にも適用可能である。より具体的には、図１３に示す実施形態においても、制御装置５は、ウェハＷを受け渡しステーション３０１から搬出する前に、ウェハＷが載置ステージ３００上に存在しているか否かを確認してもよい。

図１４は、ウェハを受け渡しステーションに搬入するときの制御装置による光センサの投光動作の制御フローを示す図である。図１５は、ウェハを受け渡しステーションに搬入し、ウェハを受け渡しステーションから搬出する制御装置の動作の他の実施形態を示す図である。

図１４のステップＳ５０１，Ｓ５０２および図１５に示すように、制御装置５は、スイングトランスポータ１２がウェハＷの搬入動作を開始したタイミングで光の照射を開始するとともに、ウェハＷの存在確認を開始する。

制御装置５は、ウェハＷの存在確認を開始した後、所定時間が経過するまでの間、受光部３０２ｂの受光が遮断されたか否かを判断し（図１４のステップＳ５０３参照）、所定時間が経過するまでの間、受光が遮断されない場合（図１４のステップＳ５０３の「ＮＯ」参照）、制御装置５は、投光部３０２ａからの光の照射を停止すると同時に（図１４のステップＳ５０４参照）、ウェハＷが載置ステージ３００上に存在しないことを確認する（図１５参照）。

所定時間が経過するまでの間、受光が遮断される場合（図１４のステップＳ５０３の「ＹＥＳ」参照）、制御装置５は、載置ステージ３００上に前のウェハＷが存在していると決定し、異常アラームを発報する（図１４のステップＳ５０５参照）。その後、制御装置５は、投光部３０２ａからの光の照射を終了する（図１４のステップＳ５０６参照）。

図１４のステップＳ５０４の後、制御装置５は、ウェハＷの搬入動作が完了したタイミングで（図１４のステップＳ５０７参照）、言い換えれば、ウェハＷが載置ステージ３００上に載置されたときに、光センサ３０２からの光の照射を開始する（図１４のステップＳ５０８参照）。制御装置５は、光センサ３０２から照射された光が載置ステージ３００上に載置されたウェハＷによって遮断されたときに、ウェハＷの存在確認を開始する（図１５参照）。このような構成により、制御装置５は、ウェハＷが載置ステージ３００上に確実に載置されたことを決定し、かつ光センサ３０２からの光がウェハＷに照射される時間をさらに短縮することができる。

制御装置５は、ウェハＷの存在確認を開始した後、所定時間が経過するまでの間、受光部３０２ｂの受光が遮断されたか否かを判断し（図１４のステップＳ５０９参照）、所定時間が経過するまでの間、受光が遮断された場合（図１４のステップＳ５０９の「ＹＥＳ」参照）、制御装置５は、投光部３０２ａからの光の照射を停止すると同時に（図１４のステップＳ５１０参照）、ウェハＷの存在確認を終了する（図１５参照）。

所定時間が経過するまでの間、受光が遮断されない場合（図１４のステップＳ５０９の「ＮＯ」参照）、制御装置５は、異常アラームを発報し（図１４のステップＳ５１１参照）、投光部３０２ａからの光の照射を停止する（図１４のステップＳ５１２参照）。

その後、制御装置５は、ウェハＷを受け渡しステーション３０１から搬出するときの動作フロー（図９参照）と同様の動作フローを行って、ウェハＷを受け渡しステーション３０１から搬出する。

図１０に示す実施形態は図１５に示す実施形態にも適用可能である。より具体的には、図１５に示す実施形態においても、制御装置５は、ウェハＷを受け渡しステーション３０１から搬出する前に、ウェハＷが載置ステージ３００上に存在しているか否かを確認してもよい。図５から図１０に示す実施形態の場合、ウェハＷの存在確認において、制御装置５は、ウェハＷにより受光部３０２ｂの受光が遮断されれば、ウェハＷは存在する、遮断されなければウェハＷは存在しないとの決定をする。

上述した実施形態では、受け渡しステーション３０１を介して、ウェハＷを研磨部３から洗浄部４に搬送するときの、制御装置５による光センサ３０２の投光動作の制御について説明したが、光センサ３０２の投光動作の制御は、上述した実施形態には限定されない。

一実施形態では、制御装置５による光センサ３０２の投光動作の制御は、ウェハＷをロード／アンロード部２から研磨部３に搬送するときに行われてもよい。より具体的には、ウェハＷの存在の有無は、各搬送位置ＴＰ１乃至搬送位置ＴＰ７におけるリニアトランスポータ上で、確認される。

一実施形態では、光センサ３０２の投光動作の制御は、ウェハＷを第１洗浄室１９０（洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ）または第２洗浄室１９２（洗浄モジュール２０２Ａ，２０２Ｂ）または乾燥室１９４（乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂ）に搬送するときに行われてもよい。

上述した実施形態では、ウェハＷを各モジュールに受け渡すときの搬送位置に相当する受け渡しステーション３０１における光センサ３０２の投光動作の制御について、説明したが、光センサ３０２の投光動作の制御は、リフタ１１、第１搬送位置ＴＰ１乃至第４搬送位置ＴＰ４における第１リニアトランスポータ６上で行われてもよい。

光センサ３０２の投光動作の制御は、第５搬送位置ＴＰ５乃至第７搬送位置ＴＰ７における第２リニアトランスポータ７上で行われてもよく、仮置き台１８０、仮置き台２０３、洗浄部４の各モジュール（一次洗浄モジュール２０１、二次洗浄モジュール２０２、乾燥モジュール２０５）で行われてもよい。このように、光センサ３０２の投光動作の制御は、必ずしも、受け渡しステーション３００で行われる必要はなく、各モジュールで行われてもよい。光センサ３０２の投光動作の制御が行われる受け渡しステーション３００および各モジュールは、総称して、受け入れユニットと呼ばれる。

フォトコロージョンは、特にウェハＷが濡れている場合に発生しやすい。したがって、光センサ３０２の投光動作の制御による効果は、ウェハＷが湿式処理された後の工程において、特に発揮される。ウェハＷを湿式処理する湿式処理モジュールとして、研磨モジュール３Ａ乃至３Ｄおよび洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂを挙げることができる。

湿式処理モジュールは、ウェハＷの搬送方向において、受け渡しステーション３０１の前段側に配置されており、光センサ３０２は、湿式処理モジュールで湿式処理されたウェハＷに対して光を照射するように構成されている。このような構成により、基板処理装置は、フォトコロージョンの、ウェハＷの表面への発生をより効果的に防止することができる。

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲とすべきである。

１ ハウジング
１ａ，１ｂ 隔壁
２ ロード／アンロード部
３ 研磨部
３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ 研磨モジュール
４ 洗浄部
５ 制御装置
６ 第１リニアトランスポータ
７ 第２リニアトランスポータ
１０ 研磨パッド
１１ リフタ
１２ スイングトランスポータ
２０ フロントロード部
２１ 走行機構
２２ 搬送ロボット
３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ 研磨テーブル
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ トップリング
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ 研磨液供給ノズル
３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ ドレッサ
３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ アトマイザ
ＴＰ１，ＴＰ２，ＴＰ３，ＴＰ４，ＴＰ５，ＴＰ６，ＴＰ７ 搬送位置
１９０ 第１洗浄室
１９１ 第１搬送室
１９２ 第２洗浄室
１９３ 第２搬送室
１９４ 乾燥室
２０１Ａ 上側一次洗浄モジュール
２０１Ｂ 下側一次洗浄モジュール
２０２Ａ 上側二次洗浄モジュール
２０２Ｂ 下側二次洗浄モジュール
２０３ 仮置き台
２０５Ａ 上側乾燥モジュール
２０５Ｂ 下側乾燥モジュール
２０７ フィルタファン装置
２０９ 第１搬送ロボット
２１０ 第２搬送ロボット
２１１，２１２ 支持軸
３００ 載置ステージ
３０１ 受け渡しステーション
３０２ 光センサ
３０２ａ 投光部
３０２ｂ 受光部
３０５ シャッタ

Claims (14)

1. 基板を、前記基板の受け入れユニットに搬入し、前記受け入れユニットに搬送された前記基板によって光センサから照射された光が遮断されたことを検出して、前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認し、
   前記基板を前記受け入れユニットから搬出する前に、前記光センサからの光の照射を停止し、
   前記光センサから照射された光が前記受け入れユニットに搬入された前記基板によって遮断された後、前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されてから予め決められた所定時間が経過するまでの間に前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認し、
   前記所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止する、基板処理装置における基板搬送方法。
2. 前記基板の搬送方向において、前記受け入れユニットの前段側に配置された、前記基板を湿式処理する湿式処理モジュールで、前記基板を湿式処理し、
   前記光センサによって、前記湿式処理モジュールで湿式処理された前記基板に対して光を照射する、請求項１に記載の基板搬送方法。
3. 基板を、前記基板の受け入れユニットに搬入し、前記受け入れユニットに搬送された前記基板によって光センサから照射された光が遮断されたことを検出して、前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認し、
   前記基板を前記受け入れユニットから搬出する前に、前記光センサからの光の照射を停止し、
   前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されたときに、前記光センサからの光の照射を開始し、
   前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されてから予め決められた所定時間が経過するまでの間に前記基板が受け入れユニットに存在することを確認し、
   前記所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止する、基板処理装置における基板搬送方法。
4. 前記基板が前記受け入れユニットに搬送される前に前記光センサからの光の照射を開始して前記受け入れユニットに前記基板が存在しないことを確認した後に、前記光センサからの光の照射を停止する、請求項１～請求項３のいずれか一項に記載の基板搬送方法。
5. 基板の受け入れユニットと、
   前記受け入れユニットに搬送された前記基板の有無を検出する光センサと、
   前記光センサの投光動作を制御する制御装置と、を備え、
   前記制御装置は、
   前記基板を前記受け入れユニットに搬入し、前記受け入れユニットに搬送された前記基板によって前記光センサから照射された光が遮断されたことを検出して前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認し、
   前記基板を前記受け入れユニットから搬出する前に、前記光センサからの光の照射を停止し、
   前記制御装置は、
   前記光センサから照射された光が前記受け入れユニットに搬入された前記基板によって遮断された後、前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されてから予め決められた所定時間が経過するまでの間に前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認し、
   前記所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止する、基板処理装置。
6. 前記基板処理装置は、前記基板の搬送方向において、前記受け入れユニットの前段側に配置された、前記基板を湿式処理する湿式処理モジュールを備えており、
   前記光センサは、前記湿式処理モジュールで湿式処理された前記基板に対して光を照射する、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 基板の受け入れユニットと、
   前記受け入れユニットに搬送された前記基板の有無を検出する光センサと、
   前記光センサの投光動作を制御する制御装置と、を備え、
   前記制御装置は、
   前記基板を前記受け入れユニットに搬入し、前記受け入れユニットに搬送された前記基板によって前記光センサから照射された光が遮断されたことを検出して前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認し、
   前記基板を前記受け入れユニットから搬出する前に、前記光センサからの光の照射を停止し、
   前記制御装置は、
   前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されたときに、前記光センサからの光の照射を開始し、
   前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されてから予め決められた所定時間が経過するまでの間に前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認し、
   前記所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止する、基板処理装置。
8. 前記制御装置は、前記基板が前記受け入れユニットに搬送される前に前記光センサからの光の照射を開始して前記受け入れユニットに前記基板が存在しないことを確認した後に前記光センサからの光の照射を停止する、請求項５～請求項７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記光センサは、
   光を発する投光部と、
   前記投光部から発せられた光を受ける受光部と、を備えており、
   前記投光部は、前記受け入れユニットに搬送された前記基板の裏面側に配置されており、
   前記受光部は、前記受け入れユニットに搬送された前記基板の表面側に配置されている、請求項５～請求項８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記投光部および前記受光部は、前記基板の搬送方向に対して、垂直に配置されている、請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記投光部および前記受光部は、前記基板の搬送方向に対して、斜めに配置されている、請求項９に記載の基板処理装置。
12. 基板を、前記基板の受け入れユニットに搬入し、前記受け入れユニットに搬送された前記基板によって光センサから照射された光が遮断されたことを検出して前記基板が受け入れユニットに存在することを確認するステップと、
    前記基板を前記受け入れユニットから搬出する前に、前記光センサからの光の照射を停止するステップと、
    前記光センサから照射された光が前記受け入れユニットに搬入された前記基板によって遮断された後、前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されてから予め決められた所定時間が経過するまでの間に前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認するステップと、
    前記所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止するステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
13. 前記基板の搬送方向において、前記受け入れユニットの前段側に配置された、前記基板を湿式処理する湿式処理モジュールで、前記基板を湿式処理するステップと、
    前記光センサによって、前記湿式処理モジュールで湿式処理された前記基板に対して光を照射するステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した、請求項１２に記載の記録媒体。
14. 基板を、前記基板の受け入れユニットに搬入し、前記受け入れユニットに搬送された前記基板によって光センサから照射された光が遮断されたことを検出して前記基板が受け入れユニットに存在することを確認するステップと、
    前記基板を前記受け入れユニットから搬出する前に、前記光センサからの光の照射を停止するステップと、
    前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されたときに、前記光センサからの光の照射を開始するステップと、
    前記基板が前記受け入れユニットの載置ステージ上に載置されてから予め決められた所定時間が経過するまでの間に前記基板が前記受け入れユニットに存在することを確認するステップと、
    前記所定時間が経過した後に、前記光センサからの光の照射を停止するステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体。