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JP7732564B2 - Transparent Conductive Film - Google Patents
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JP7732564B2 - Transparent Conductive Film - Google Patents

Transparent Conductive Film

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JP7732564B2 JP2024177087A JP2024177087A JP7732564B2 JP 7732564 B2 JP7732564 B2 JP 7732564B2 JP 2024177087 A JP2024177087 A JP 2024177087A JP 2024177087 A JP2024177087 A JP 2024177087A JP 7732564 B2 JP7732564 B2 JP 7732564B2
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Description

本発明は、透明プラスチックフィルム基材上に結晶性のインジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜を積層した透明導電性フィルム、特に、抵抗膜式タッチパネルに用いた際のペン摺動耐久性、ペン重加圧耐久性、高精細性に優れる透明導電性フィルムに関するものである。 The present invention relates to a transparent conductive film in which a transparent conductive layer of crystalline indium-tin composite oxide is laminated onto a transparent plastic film substrate, and in particular to a transparent conductive film that exhibits excellent pen sliding durability, pen heavy pressure durability, and high definition when used in a resistive touch panel.

透明プラスチック基材上に、透明でかつ抵抗の小さい薄膜を積層した透明導電性フィルムは、その導電性を利用した用途、例えば、液晶ディスプレイやエレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイ等のようなフラットパネルディスプレイや、タッチパネルの透明電極等として、電気・電子分野の用途に広く使用されている。 Transparent conductive films, which are made by laminating a transparent, low-resistance thin film onto a transparent plastic substrate, are widely used in electrical and electronic applications that utilize their conductivity, such as flat panel displays such as liquid crystal displays and electroluminescence (EL) displays, and as transparent electrodes in touch panels.

抵抗膜式タッチパネルは、ガラスやプラスチックの基板に透明導電性薄膜をコーティングした固定電極と、プラスチックフィルムに透明導電性薄膜をコーティングした可動電極(=フィルム電極)を組み合わせたものであり、表示体の上側に重ね合わせて使用されている。指やペンでフィルム電極を押して、固定電極とフィルム電極の透明導性薄膜同士を接触させることが、タッチパネルの位置認識のための入力となる。指と比較して、ペンはタッチパネルにかかる力が強くなることが多い。タッチパネルにペンで入力し続けると、フィルム電極側の透明導電性薄膜にクラック、剥離、摩耗等の破壊が生じることがある。また、タッチパネルをペンで激しく叩いたり、非常に強い力でペン入力するなど、通常使用想定以上の強い力をタッチパネルに加えると、透明導電性薄膜にクラック、剥離等の破壊が生じることがある。これらの問題を解決するために、優れたペン摺動耐久性と優れたペン重加圧耐久性を両立する透明導電性フィルムが要望されている。さらに、タッチパネルの映像について高精細であることも求められている。 Resistive touch panels combine a fixed electrode, made of a glass or plastic substrate coated with a transparent conductive thin film, with a movable electrode (film electrode), made of a plastic film coated with a transparent conductive thin film. These electrodes are layered on top of a display. Pressing the film electrode with a finger or pen, bringing the fixed electrode and the film electrode's transparent conductive thin film into contact, provides input for the touch panel's position recognition. Compared to a finger, a pen often exerts a stronger force on the touch panel. Continuous pen input on a touch panel can cause damage such as cracking, peeling, or wear to the transparent conductive thin film on the film electrode side. Furthermore, applying a force greater than that expected for normal use, such as hitting the touch panel hard with a pen or using very strong pen input force, can cause damage such as cracking or peeling to the transparent conductive thin film. To address these issues, there is a demand for transparent conductive films that combine excellent pen sliding durability with excellent pen heavy pressure durability. Furthermore, high-definition images on touch panels are also required.

ペン摺動耐久性を向上させる手段として、フィルム電極側の透明導電性薄膜を結晶性にする方法がある(例えば、特許文献1参照)。しかしながら、従来の透明導電性フィルムは、インジウム-スズ複合酸化物の結晶性を制御することでペン摺動耐久性に優れた透明導電性フィルムを実現している。しかし、従来の透明導電性フィルムは、後述のペン重加圧耐久性試験を実施すると、不十分であった。 One method for improving pen sliding durability is to make the transparent conductive thin film on the film electrode side crystalline (see, for example, Patent Document 1). However, conventional transparent conductive films have achieved excellent pen sliding durability by controlling the crystallinity of indium-tin composite oxide. However, conventional transparent conductive films perform poorly when subjected to the pen heavy pressure durability test described below.

特開2004-071171号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-071171

本発明の目的は、上記の従来の問題点に鑑み、タッチパネルに用いた際のペン摺動耐久性に優れるとともにペン重加圧耐久性にも優れ、さらに高精細な映像を提供可能とする透明導電性フィルムを提供することにある。 In view of the above-mentioned conventional problems, the object of the present invention is to provide a transparent conductive film that, when used in a touch panel, has excellent pen sliding durability and pen heavy pressure resistance, and is capable of providing high-definition images.

本発明は、上記のような状況に鑑みなされたものであって、上記の課題を解決することができた本発明の透明導電性フィルムとは、以下の構成よりなる。
1. 透明プラスチックフィルム基材上の一方の面にインジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、以下のペン摺動耐久性試験による透明導電フィルムの透明導電膜のON抵抗が10kΩ以下であり、さらに以下のペン重加圧試験による透明導電フィルムの透明導電膜の表面抵抗値の増加率が1.5以下であり、さらにクシ幅0.125mm、0.25mm、0.5mm、1.0mm、2.0mmでの透明導電性フィルムの透過像鮮明度の総和が250%以上500%未満である透明導電性フィルム。
(ペン摺動耐久性試験方法)
本発明に係る透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にスパッタリング法で厚みが20nmのインジウム-スズ複合酸化物薄膜(酸化スズ含有量:10質量%)からなる透明導電性薄膜を用いる。前記2枚のパネル板を透明導電性薄膜が対向するように、直径30μmのエポキシビーズを介して配置し、厚みが170μmの両面テープでフィルム側のパネル板とガラス側のパネル板を貼り付けて、タッチパネルを作製する。次にポリアセタール製のペン(先端の形状:0.8mmR)に2.5Nの荷重をかけ、18万往復の直線摺動試験をタッチパネルに行う。この試験において、本発明に係る透明導電性フィルム面に対してペンの荷重を印加する。
この時の摺動距離は30mm、摺動速度は180mm/秒とする。この摺動耐久性試験後に、ペン荷重0.8Nで摺動部を押さえた際の、ON抵抗(可動電極(フィルム電極)と固定電極とが接触した時の抵抗値)を測定する。
(ペン重加圧試験方法)
50mm×50mmにカットした、本発明に係る透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にスパッタリング法で厚みが20nmのインジウム-スズ複合酸化物薄膜(酸化スズ含有量:10質量%)からなる透明導電性薄膜を用いる。この2枚のパネル板を透明導電性薄膜が対向するように、直径30μmのエポキシビーズを介して配置し、厚みが120μmとなるように調整した両面テープでフィルム側のパネル板とガラス側のパネル板を貼り付けて、タッチパネルを作製した。両面テープの端から2.0mmの位置をポリアセタール製のペン(先端の形状0.8mmR)で35Nの荷重をかけ、両面テープと平行に10回(往復5回)の直線摺動を実施する。この試験において、本発明に係る透明導電性フィルム面に対してペンの荷重を印加する。このときの摺動距離は30mm、摺動速度は20mm/秒とする。エポキシビーズがない位置で摺動を行う。摺動後に、透明導電性フィルムを取り外して、摺動部の任意の5か所の表面抵抗(4端子法)を測定し、平均値を出す。表面抵抗を測定するときは、摺動部と垂直になる方向に4端子を並べ、2端子目と3端子目の間に摺動部が来るようにする。摺動部の表面抵抗値の平均値を未摺動部の表面抵抗値(4端子法で測定)で除して、表面抵抗値の増加率を算出する。
2. インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶粒径が10~100nmであり、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶化度が20~80%であり、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜が、酸化スズを0.5~10質量%含み、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の厚みが、10~30nmであり、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の三次元表面粗さSRaをXとした場合、Xが1~100nmであり、さらに透明プラスチックフィルム基材上の透明導電膜側とは反対面の三次元表面粗さSRaをYとした場合、(X+Y1/3が、140nm以下である上記第1に記載の透明導電性フィルム。
3. 透明導電膜の表面において付着性試験(JIS K5600-5-6:1999)を実施しても透明導電膜が剥離せず、 透明導電性フィルムのインジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜側において耐屈曲性試験(JIS K5600-5-1:1999)をし、10倍のルーペで屈曲部を観察した時に割れや剥れが起こるマンドレル直径が20mmより小さい上記第1又は第2に記載の透明導電性フィルム。
4. 透明導電性フィルムの厚みが100~250μmである上記第1~第3のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
5. インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜と透明プラスチックフィルム基材の間に硬化型樹脂層を有する上記第1~第4のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and the transparent conductive film of the present invention, which has been able to solve the above problems, has the following configuration.
1. A transparent conductive film comprising a transparent conductive film of indium-tin composite oxide laminated on one surface of a transparent plastic film substrate, wherein the on-resistance of the transparent conductive film in the pen sliding durability test described below is 10 kΩ or less, and further, the rate of increase in the surface resistance of the transparent conductive film in the pen heavy pressure test described below is 1.5 or less, and further, the sum of the transmitted image clarity of the transparent conductive film at comb widths of 0.125 mm, 0.25 mm, 0.5 mm, 1.0 mm, and 2.0 mm is 250% or more but less than 500%.
(Pen sliding durability test method)
The transparent conductive film according to the present invention is used as one panel plate, and the other panel plate is a transparent conductive thin film consisting of a 20 nm-thick indium-tin composite oxide thin film (tin oxide content: 10% by mass) sputtered onto a glass substrate. The two panel plates are arranged with the transparent conductive thin films facing each other via 30 μm diameter epoxy beads, and the film-side panel plate and the glass-side panel plate are attached with 170 μm thick double-sided tape to produce a touch panel. Next, a polyacetal pen (tip shape: 0.8 mmR) is applied with a load of 2.5 N, and a linear sliding test of 180,000 strokes is performed on the touch panel. In this test, the pen load is applied to the transparent conductive film surface according to the present invention.
The sliding distance at this time is 30 mm, and the sliding speed is 180 mm/sec. After this sliding durability test, the ON resistance (the resistance value when the movable electrode (film electrode) and the fixed electrode come into contact) is measured when the sliding portion is pressed with a pen load of 0.8 N.
(Pen pressure test method)
A 50 mm x 50 mm piece of transparent conductive film according to the present invention was used as one panel plate, and the other panel plate was a 20 nm-thick transparent conductive thin film consisting of an indium-tin composite oxide thin film (tin oxide content: 10% by mass) sputtered onto a glass substrate. These two panels were arranged with the transparent conductive thin films facing each other, with 30 μm diameter epoxy beads sandwiched between them. The film-side panel plate and the glass-side panel plate were attached with double-sided tape adjusted to a thickness of 120 μm to produce a touch panel. A polyacetal pen (tip shape: 0.8 mmR) was used to apply a 35 N load to a position 2.0 mm from the end of the double-sided tape, and linear sliding was performed 10 times (five round trips) parallel to the double-sided tape. In this test, the pen load was applied to the surface of the transparent conductive film according to the present invention. The sliding distance was 30 mm, and the sliding speed was 20 mm/sec. The sliding was performed in a position where there were no epoxy beads. After sliding, the transparent conductive film is removed and the surface resistance (four-terminal method) is measured at any five points on the sliding area, and the average value is calculated. When measuring the surface resistance, four terminals are arranged perpendicular to the sliding area, with the sliding area located between the second and third terminals. The average surface resistance value of the sliding area is divided by the surface resistance value of the non-sliding area (measured using the four-terminal method) to calculate the increase rate of surface resistance.
2. The transparent conductive film according to claim 1, wherein the crystal grain size of the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is 10 to 100 nm, the degree of crystallinity of the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is 20 to 80%, the transparent conductive film of indium-tin composite oxide contains 0.5 to 10 mass % of tin oxide, the thickness of the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is 10 to 30 nm, and when the three-dimensional surface roughness SRa of the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is X, X is 1 to 100 nm, and further when the three-dimensional surface roughness SRa of the surface of the transparent plastic film substrate opposite to the transparent conductive film side is Y, ( X3 + Y3 ) 1/3 is 140 nm or less.
3. The transparent conductive film according to claim 1 or 2, wherein the transparent conductive film does not peel off when an adhesion test (JIS K5600-5-6:1999) is conducted on the surface of the transparent conductive film, and wherein a bending resistance test (JIS K5600-5-1:1999) is conducted on the indium-tin composite oxide transparent conductive film side of the transparent conductive film, and the mandrel diameter at which cracks or peeling occurs when the bending portion is observed with a 10x magnifying glass is smaller than 20 mm.
4. The transparent conductive film according to any one of the above items 1 to 3, wherein the transparent conductive film has a thickness of 100 to 250 μm.
5. The transparent conductive film according to any one of the above items 1 to 4, which has a curable resin layer between the transparent conductive film of indium-tin composite oxide and the transparent plastic film substrate.

本発明によれば、優れたペン摺動耐久性および優れたペン重加圧耐久性を併せ持ち、さらに高精細な映像を提供可能とする透明導電性フィルムの提供が可能となる。得られた透明導電性フィルムは、抵抗膜式タッチパネル等の用途に極めて有用である。 The present invention makes it possible to provide a transparent conductive film that has both excellent pen sliding durability and excellent pen heavy pressure durability, and is capable of providing high-definition images. The resulting transparent conductive film is extremely useful for applications such as resistive touch panels.

本発明における結晶粒の最長部の一例(その1)を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing an example (part 1) of the longest part of a crystal grain in the present invention. 本発明における結晶粒の最長部の他の一例(その2)を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing another example (part 2) of the longest part of a crystal grain in the present invention. 本発明における結晶粒の最長部の他の一例(その3)を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram showing another example (part 3) of the longest part of a crystal grain in the present invention. 本発明における結晶粒の最長部の他の一例(その4)を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram showing another example (No. 4) of the longest part of a crystal grain in the present invention. 本発明において好適に使用されるスパッタリング装置の一例のセンターロールの位置を説明するための模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating the position of a center roll in an example of a sputtering device preferably used in the present invention.

本発明の透明導電性フィルムは、透明プラスチックフィルム基材上の一方の面にインジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、以下のペン摺動耐久性試験による透明導電フィルムの透明導電膜のON抵抗が10kΩ以下であり、さらに以下のペン重加圧試験による透明導電フィルムの透明導電膜の表面抵抗値の増加率が1.5以下であり、さらにクシ幅0.125mm、0.25mm、0.5mm、1.0mm、2.0mmでの透明導電性フィルムの透過像鮮明度の総和が250%以上500%未満であることが好ましい。
(ペン摺動耐久性試験)
本発明に係る透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にスパッタリング法で厚みが20nmのインジウム-スズ複合酸化物薄膜(酸化スズ含有量:10質量%)からなる透明導電性薄膜を用いた。この2枚のパネル板を透明導電性薄膜が対向するように、直径30μmのエポキシビーズを介して配置し、厚みが170μmの両面テープでフィルム側のパネル板とガラス側のパネル板を貼り付けて、タッチパネルを作製した。次にポリアセタール製のペン(先端の形状:0.8mmR)に2.5Nの荷重をかけ、18万往復の直線摺動試験をタッチパネルに行った。この試験において、本発明に係る透明導電性フィルム面に対してペンの荷重を印加する。この時の摺動距離は30mm、摺動速度は180mm/秒とした。この摺動耐久性試験後に、ペン荷重0.8Nで摺動部を押さえた際の、ON抵抗(可動電極(フィルム電極)と固定電極とが接触した時の抵抗値)を測定した。
(ペン重加圧試験)
本発明に係る透明導電性フィルムを50mm×50mmにカットした透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にスパッタリング法で厚みが20nmのインジウム-スズ複合酸化物薄膜(酸化スズ含有量:10質量%)からなる透明導電性薄膜を用いた。この2枚のパネル板を透明導電性薄膜が対向するように、直径30μmのエポキシビーズを介して配置し、厚みが120μmとなるように調整した両面テープでフィルム側のパネル板とガラス側のパネル板を貼り付けて、タッチパネルを作製した。両面テープの端から2.0mmの位置をポリアセタール製のペン(先端の形状0.8mmR)で35Nの荷重をかけ、両面テープと平行に10回(往復5回)の直線摺動を実施する。この試験において、本発明に係る透明導電性フィルム面に対してペンの荷重を印加する。このときの摺動距離は30mm、摺動速度は20mm/秒である。ただし、エポキシビーズがない位置で摺動を行う。摺動後に、透明導電性フィルムを取り外して、摺動部の任意の5か所の表面抵抗(4端子法)を測定し、平均値を出す。表面抵抗を測定するときは、摺動部と垂直になる方向に4端子を並べ、2端子目と3端子目の間に摺動部が来るようにする。摺動部の表面抵抗値の平均値を未摺動部の表面抵抗値(4端子法で測定)で除して、表面抵抗値の増加率を算出する。
The transparent conductive film of the present invention is a transparent conductive film in which a transparent conductive film of indium-tin composite oxide is laminated on one surface of a transparent plastic film substrate, and it is preferable that the transparent conductive film of the transparent conductive film has an ON resistance of 10 kΩ or less in the pen sliding durability test described below, and further has an increase rate of the surface resistance value of the transparent conductive film of the transparent conductive film in the pen heavy pressure test described below of 1.5 or less, and further has a total transmitted image clarity of 250% or more but less than 500% at comb widths of 0.125 mm, 0.25 mm, 0.5 mm, 1.0 mm, and 2.0 mm.
(Pen sliding durability test)
A transparent conductive film according to the present invention was used as one panel plate, and a transparent conductive thin film (tin oxide content: 10% by mass) of 20 nm thickness formed on a glass substrate by sputtering was used as the other panel plate. These two panel plates were arranged with the transparent conductive thin films facing each other via 30 μm diameter epoxy beads, and the film-side panel plate and the glass-side panel plate were attached with 170 μm thick double-sided tape to produce a touch panel. Next, a linear sliding test was performed on the touch panel using a polyacetal pen (tip shape: 0.8 mmR) with a load of 2.5 N and 180,000 reciprocations. In this test, the pen load was applied to the transparent conductive film surface according to the present invention. The sliding distance was 30 mm, and the sliding speed was 180 mm/sec. After this sliding durability test, the ON resistance (resistance value when the movable electrode (film electrode) and fixed electrode contact each other) was measured when the sliding portion was pressed with a pen load of 0.8 N.
(Pen heavy pressure test)
A transparent conductive film according to the present invention, cut to a size of 50 mm x 50 mm, was used as one panel plate. The other panel plate was a transparent conductive thin film consisting of a 20 nm-thick indium-tin composite oxide thin film (tin oxide content: 10% by mass) sputtered onto a glass substrate. These two panel plates were arranged with the transparent conductive thin films facing each other, with 30 μm diameter epoxy beads sandwiched between them. The film-side panel plate and the glass-side panel plate were attached with double-sided tape adjusted to a thickness of 120 μm to produce a touch panel. A polyacetal pen (tip shape: 0.8 mmR) was used to apply a 35 N load to a position 2.0 mm from the end of the double-sided tape, and linear sliding was performed 10 times (five round trips) parallel to the double-sided tape. In this test, the pen load was applied to the surface of the transparent conductive film according to the present invention. The sliding distance was 30 mm, and the sliding speed was 20 mm/sec. However, sliding was performed in a position where there were no epoxy beads. After sliding, the transparent conductive film is removed and the surface resistance (four-terminal method) is measured at any five points on the sliding area, and the average value is calculated. When measuring the surface resistance, four terminals are arranged perpendicular to the sliding area, with the sliding area located between the second and third terminals. The average surface resistance value of the sliding area is divided by the surface resistance value of the non-sliding area (measured using the four-terminal method) to calculate the increase rate of surface resistance.

本発明の透明導電性フィルムは、ペン摺動耐久性とペン重加圧耐久性に優れている。ペン摺動耐久性とペン重加圧耐久性は相反する性質である。まずペン摺動耐久性について説明する。ペン摺動耐久性に優れるインジウム-スズ複合酸化物の透明導電性フィルムは透明導電膜の結晶化度が高く、結晶粒径が大きい。結晶化度と結晶粒径について説明する。透過型電子顕微鏡下で観察される、円状もしくは多角形状の領域をもつ部分を透明導電膜の結晶(=結晶粒)、それ以外の部分を非晶と定義する。結晶化度が高いとは、結晶の割合が高いことを示す。結晶粒径が大きいとは、透過型電子顕微鏡下で観察される、円状もしくは多角形状の領域が大きいことを示す。結晶化度の高い透明導電膜は、硬い結晶の割合が高いこと、結晶粒径が大きいものは結晶粒の周りのひずみが大きくなることなどから、透明導電膜が硬くなり、ペン摺動耐久性に優れる。次にペン重加圧耐久性について説明する。ペン重加圧耐久性に優れるインジウム-スズ複合酸化物の透明導電性フィルムは透明導電膜の結晶化度が低く、結晶粒径が小さく、さらに透明導電膜の三次元表面粗さが小さい必要がある。三次元表面粗さについては後で説明するが、まず結晶化度の低い透明導電膜は、軟らかい非晶の割合が高いこと、結晶粒径が小さいものは結晶粒の周りのひずみが小さくなることなどから、透明導電膜に荷重がかかってもクラックが入りにくくなるなどして、ペン重加圧耐久性に優れる。前記のように、ペン摺動耐久性とペン重加圧耐久性は相反する性質であることが分かる。検討の結果、透明導電膜の結晶化度と結晶粒径を制御することによりペン摺動耐久性とペン重加圧耐久性を両立させることができることを発明した。ペン摺動耐久性とペン重加圧耐久性を両立させる透明導電膜を有する透明導電性フィルムについて説明する。 The transparent conductive film of the present invention has excellent pen sliding durability and pen heavy pressure durability. Pen sliding durability and pen heavy pressure durability are contradictory properties. First, we will explain pen sliding durability. Transparent conductive films of indium-tin composite oxide that have excellent pen sliding durability have a high degree of crystallinity in the transparent conductive film and a large crystal grain size. We will explain crystallinity and crystal grain size. When observed under a transmission electron microscope, circular or polygonal regions of the transparent conductive film are defined as crystals (= crystal grains), and the remaining portions are defined as amorphous. A high degree of crystallinity indicates a high proportion of crystals. A large crystal grain size indicates large circular or polygonal regions when observed under a transmission electron microscope. A transparent conductive film with a high degree of crystallinity has a high proportion of hard crystals, and a film with a large crystal grain size has large strain around the crystal grains, making the transparent conductive film harder and resulting in excellent pen sliding durability. Next, we will explain pen heavy pressure durability. Transparent conductive films made of indium-tin composite oxide that have excellent pen-loaded pressure durability require low crystallinity, small crystal grain size, and low three-dimensional surface roughness. Three-dimensional surface roughness will be explained later, but first, transparent conductive films with low crystallinity have a high proportion of soft amorphous material, and those with small crystal grain size have less strain around the crystal grains. This reduces the likelihood of cracks occurring even when a load is applied to the transparent conductive film, resulting in excellent pen-loaded pressure durability. As mentioned above, pen sliding durability and pen-loaded pressure durability are mutually exclusive properties. After careful investigation, we discovered that by controlling the crystallinity and crystal grain size of the transparent conductive film, it is possible to achieve both pen sliding durability and pen-loaded pressure durability. This article describes a transparent conductive film with a transparent conductive film that achieves both pen sliding durability and pen-loaded pressure durability.

本発明においてペン摺動耐久性試験による透明導電フィルムの透明導電膜のON抵抗が10kΩ以下であれば、タッチパネルにペンで連続入力しても透明導電膜に対してクラック、剥離、摩耗などが抑えられているため好ましい。一態様においてON抵抗は、9.5kΩ以下であってよく、より好ましくは5kΩ以下である。例えば、ON抵抗は3kΩ以下であり、1.5kΩ以下であってよく、好ましくは1kΩ以下である。ON抵抗は、0kΩであれば、ペン摺動耐久性が非常に優れ、本発明であれば、ON抵抗が0kΩであることも可能である。ON抵抗は、例えば、3kΩ以上であってもよく、5kΩ以上であってもよい。
ON抵抗がこのような範囲内であることにより、タッチパネルにペンで連続入力しても透明導電膜に対してクラック、剥離、摩耗などが抑えられる。
一態様において、これら上限及び下限を適宜組み合わせてもよい。
In the present invention, if the ON resistance of the transparent conductive film of the transparent conductive film in the pen sliding durability test is 10 kΩ or less, cracking, peeling, wear, etc. of the transparent conductive film are suppressed even when continuous input is made to the touch panel with a pen. In one embodiment, the ON resistance may be 9.5 kΩ or less, more preferably 5 kΩ or less. For example, the ON resistance may be 3 kΩ or less, 1.5 kΩ or less, and preferably 1 kΩ or less. If the ON resistance is 0 kΩ, the pen sliding durability is very excellent, and in the present invention, the ON resistance can be 0 kΩ. The ON resistance may be, for example, 3 kΩ or more, or 5 kΩ or more.
By keeping the ON resistance within this range, cracks, peeling, wear, etc. on the transparent conductive film can be suppressed even when continuous input is made to the touch panel with a pen.
In one embodiment, these upper and lower limits may be combined as appropriate.

本発明においてペン重加圧試験によるによる透明導電フィルムの透明導電膜の表面抵抗値の増加率が1.5以下であることが望ましい。このような特性を有することで、例えば、通常使用想定以上の強い力がかかったとしても、透明導電膜に対してクラック、剥離などを抑制できる。より好ましくは、表面抵抗値の増加率は1.2以下、特に好ましくは1.0(増大なし)である。
ここで、本発明に係る透明導電膜の表面抵抗値の増加率は1.0以上であることが好ましい。
In the present invention, it is desirable that the rate of increase in the surface resistance of the transparent conductive film in a pen heavy pressure test is 1.5 or less. By having such a characteristic, for example, even if a force stronger than that expected in normal use is applied, cracking, peeling, etc. of the transparent conductive film can be suppressed. More preferably, the rate of increase in the surface resistance is 1.2 or less, and particularly preferably 1.0 (no increase).
Here, the rate of increase in the surface resistance of the transparent conductive film according to the present invention is preferably 1.0 or more.

一態様において、ペン摺動耐久性試験による透明導電フィルムの透明導電膜のON抵抗は、0.05kΩ以上9.5kΩ以下であり、かつ、ペン重加圧(耐久性)試験によるによる透明導電フィルムの透明導電膜の表面抵抗値の増加率は、1.0以上1.5以下である。
上述のように、通常、ペン摺動耐久性とペン重加圧耐久性は相反する性質である。本発明においては、このような範囲内で、これら2つの耐久性をバランスよく有することができる。また、タッチパネルにペンで連続入力しても透明導電膜に対してクラック、剥離、摩耗などを抑制でき、その上、ペン摺動、ペン重加圧による負荷に対しても、優れた耐久性を示すことができる。なお、数値範囲は、本明細書において記載の範囲、値を選択できる。
In one embodiment, the ON resistance of the transparent conductive layer of the transparent conductive film in a pen sliding durability test is 0.05 kΩ or more and 9.5 kΩ or less, and the increase rate of the surface resistance value of the transparent conductive layer of the transparent conductive film in a pen heavy pressure (durability) test is 1.0 or more and 1.5 or less.
As described above, pen sliding durability and pen heavy pressure durability are usually contradictory properties. In the present invention, these two durability properties can be balanced within the above ranges. Furthermore, even when continuous input is made to the touch panel with a pen, cracking, peeling, wear, etc. of the transparent conductive film can be suppressed, and excellent durability can be exhibited against loads due to pen sliding and heavy pen pressure. The numerical ranges and values can be selected from those described in this specification.

本発明においてクシ幅0.125mm、0.25mm、0.5mm、1.0mm、2.0mmでの透明導電性フィルムの透過像鮮明度の総和が250%以上500%未満であれば、高精細な映像を提供可能となるため望ましい。透過像鮮明度の総和が大きいほど、象の鮮明性が高くなる、すなわち、高精細性に優れる。より好ましくは透明導電性フィルムの透過像鮮明度の総和は300%以上である。さらに好ましくは透明導電性フィルムの透過像鮮明度の総和は400%以上である。
なお、本明細書において「クシ幅」とは、JIS-K7105に準拠する、光学クシ幅を意味する。
In the present invention, it is desirable that the sum of the transmission image clarity of the transparent conductive film at comb widths of 0.125 mm, 0.25 mm, 0.5 mm, 1.0 mm, and 2.0 mm is 250% or more but less than 500%, since this makes it possible to provide high-definition images. The larger the sum of the transmission image clarity, the higher the image clarity, i.e., the higher the high definition. More preferably, the sum of the transmission image clarity of the transparent conductive film is 300% or more. Even more preferably, the sum of the transmission image clarity of the transparent conductive film is 400% or more.
In this specification, the term "comb width" refers to the optical comb width in accordance with JIS-K7105.

本発明における透明導電性フィルムは、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶粒径が10~100nmであり、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶化度が20~80%であることが好ましい。インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶粒径が10nm以上であると、透明導電膜の結晶粒の周りのひずみにより透明導電膜が適度に硬くなるので、ペン摺動耐久性に優れるため好ましい。より好ましくはインジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶粒径が30nm以上である。
一方、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶粒径が100nm以下であれば、透明導電膜の結晶粒の周りのひずみによる透明導電膜が硬過ぎないため、ペン重加圧耐久性に優れるため好ましい。より好ましくはインジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶粒径が90nm以下である。
一態様において、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶粒径は、30nm以上95nm以下であり、例えば、40nm以上90nm以下である。
インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶化度が20%以上であると、透明導電膜に占める硬い結晶により適度に硬くなり、ペン摺動耐久性に優れるため好ましい。より好ましくはインジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶化度が25%以上である。一方、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶化度が80%以下であれば、硬い結晶が含まれる量が多いが透明導電膜が硬過ぎないため、ペン重加圧耐久性に優れるため好ましい。
一態様において、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶化度は、25%以上78%以下であり、例えば、25%以上76%以下である。
In the transparent conductive film of the present invention, the crystal grain size of the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is preferably 10 to 100 nm, and the crystallinity of the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is preferably 20 to 80%. When the crystal grain size of the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is 10 nm or more, the transparent conductive film becomes appropriately hard due to strain around the crystal grains of the transparent conductive film, which is preferable because it has excellent pen sliding durability. More preferably, the crystal grain size of the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is 30 nm or more.
On the other hand, if the crystal grain size of the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is 100 nm or less, the transparent conductive film is not too hard due to distortion around the crystal grains of the transparent conductive film, and therefore the transparent conductive film has excellent durability against heavy pen pressure, which is preferable. More preferably, the crystal grain size of the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is 90 nm or less.
In one embodiment, the crystal grain size of the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is 30 nm or more and 95 nm or less, for example, 40 nm or more and 90 nm or less.
A crystallinity of 20% or more for the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is preferred because the hard crystals contained in the transparent conductive film make the film moderately hard, resulting in excellent pen sliding durability. A more preferred crystallinity is 25% or more. On the other hand, a crystallinity of 80% or less for the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is preferred because, although the amount of hard crystals contained is large, the transparent conductive film is not too hard and therefore excellent pen heavy pressure durability is achieved.
In one embodiment, the crystallinity of the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is 25% or more and 78% or less, for example, 25% or more and 76% or less.

本発明における透明導電性フィルムは、透明導電膜の三次元表面粗さSRaをXとした場合、Xが1~100nmであることが好ましい。Xが、1~100nmであれば、透明導電膜の表面突起が小さいため、ペン重加圧試験をしたときに表面突起の変形量が小さくなり透明導電膜のクラック発生が抑制され、さらに透明導電膜に多少の表面突起があるためフィルム巻取り性も保持できるため好ましい。より好ましくはXが、1~80nmである。さらに好ましくはXが、1~65nmである。 In the transparent conductive film of the present invention, where X is the three-dimensional surface roughness SRa of the transparent conductive film, X is preferably 1 to 100 nm. If X is 1 to 100 nm, the surface protrusions of the transparent conductive film are small, which reduces the amount of deformation of the surface protrusions when subjected to a pen-loaded pressure test, thereby suppressing the occurrence of cracks in the transparent conductive film. Furthermore, since the transparent conductive film has some surface protrusions, the film's windability is also maintained, which is preferable. More preferably, X is 1 to 80 nm. Even more preferably, X is 1 to 65 nm.

本発明における透明導電膜は、インジウム-スズ複合酸化物からなり、酸化スズを0.5質量%以上10質量%以下含むことが好ましい。インジウム-スズ複合酸化物中の酸化スズは酸化インジウムにとっての不純物に相当する。酸化スズの不純物が含有されていることにより、インジウム-スズ複合酸化物の融点が増大する。すなわち、酸化スズの不純物含有は結晶化を阻害する方向に働くため、結晶粒径や結晶化度などの結晶性と相関の強い重要な因子である。酸化スズが0.5質量%以上含有されていると、透明導電性フィルムの表面抵抗が実用的な水準となり好ましい。更に好ましくは酸化スズの含有率は1質量%以上であり、2質量%以上であると特に好ましい。酸化スズの含有率が10質量%以下であると、後述の半結晶状態に調節する上での結晶化が起こり易く、ペン摺動耐久性が良好となり好ましい。酸化スズの含有率は8質量%以下であるとより好ましく、6質量%以下であると更に好ましく、4質量%以下であると特に好ましい。なお、本発明の透明導電性フィルムの表面抵抗は50~900Ω/□であることが好ましく、より好ましくは50~600Ω/□である。 The transparent conductive film of the present invention is preferably made of indium-tin composite oxide and contains 0.5% to 10% by mass of tin oxide. Tin oxide in indium-tin composite oxide is equivalent to an impurity in indium oxide. The presence of tin oxide impurities increases the melting point of the indium-tin composite oxide. In other words, the presence of tin oxide impurities inhibits crystallization, making it an important factor closely correlated with crystallinity, such as grain size and degree of crystallinity. A tin oxide content of 0.5% by mass or more is preferred, as it ensures that the surface resistance of the transparent conductive film reaches a practical level. A tin oxide content of 1% by mass or more is more preferred, with 2% by mass or more being particularly preferred. A tin oxide content of 10% by mass or less facilitates crystallization during adjustment to the semi-crystalline state described below, and is therefore preferred for improved pen sliding durability. A tin oxide content of 8% by mass or less is more preferred, with 6% by mass or less being even more preferred, and 4% by mass or less being particularly preferred. The surface resistance of the transparent conductive film of the present invention is preferably 50 to 900 Ω/□, and more preferably 50 to 600 Ω/□.

本発明において透明導電膜の厚みは、10nm以上30nm以下であることが好ましい。透明導電膜の厚みは、結晶粒径や結晶化度などの結晶性と相関の強い重要な因子である。透明導電膜の厚みが10nm以上であると、透明導電膜に非晶が多過ぎることがなく、後述の半結晶状態にする適度な結晶粒径と結晶化度を与え易く、結果としてペン摺動耐久性が保たれて好ましい。より好ましくは透明導電膜の厚みは13nm以上、より好ましくは16nm以上である。また、透明導電膜の厚みが30nm以下であると、透明導電膜の結晶粒径が大き過ぎることがなく結晶化度が高過ぎることがなく、半結晶状態を保持し易く、ペン重加圧耐久性が保たれて好ましい。より好ましくは28nm以下、更に好ましくは25nm以下である。 In the present invention, the thickness of the transparent conductive film is preferably 10 nm or more and 30 nm or less. The thickness of the transparent conductive film is an important factor that is strongly correlated with crystallinity, such as crystal grain size and degree of crystallinity. When the thickness of the transparent conductive film is 10 nm or more, the transparent conductive film does not contain too much amorphous material, and it is easy to impart an appropriate crystal grain size and degree of crystallinity to achieve the semi-crystalline state described below, which is preferable because it maintains pen sliding durability. The thickness of the transparent conductive film is more preferably 13 nm or more, and even more preferably 16 nm or more. Furthermore, when the thickness of the transparent conductive film is 30 nm or less, the crystal grain size of the transparent conductive film is not too large and the degree of crystallinity is not too high, making it easy to maintain the semi-crystalline state and maintaining pen heavy pressure durability. The thickness is more preferably 28 nm or less, and even more preferably 25 nm or less.

本発明における透明導電性フィルムは、透明プラスチックフィルム基材上の透明導電膜側とは反対面の三次元表面粗さSRaをYとした場合、(X+Y1/3が、140nm以下であれば、クシ幅0.125mm、0.25mm、0.5mm、1.0mm、2.0mmでの透明導電性フィルムの透過像鮮明度の総和が250%以上500%未満となるため、高精細な映像を提供可能となるため望ましい。((X+Y1/3の値が小さいほど、透明導電性フィルムの両面の凹凸が小さくなるため、透明導電性フィルムへの入射光の直進性が向上するための透過像鮮明度が高くなる傾向にあることを確認し利用した。より好ましくは(X+Y1/3が120nm以下である。さらに好ましくは(X+Y1/3が70nm以下である。(X+Y1/3が1nm以上あれば、透明導電性フィルムに多少の表面突起があるためフィルム巻取り性を保持できるため好ましい。 In the transparent conductive film of the present invention, when the three-dimensional surface roughness SRa of the surface opposite to the transparent conductive film side on the transparent plastic film substrate is Y, if ( X3 + Y3 ) 1/3 is 140 nm or less, the sum of the transmitted image clarity of the transparent conductive film at comb widths of 0.125 mm, 0.25 mm, 0.5 mm, 1.0 mm, and 2.0 mm is 250% or more and less than 500%, which is desirable because it enables the provision of high-definition images. It was confirmed and utilized that the smaller the value of (( X3 + Y3 ) 1/3 ), the smaller the unevenness on both surfaces of the transparent conductive film, and therefore the linearity of incident light on the transparent conductive film improves, and thus the clarity of the transmitted image tends to increase. More preferably, ( X3 + Y3 ) 1/3 is 120 nm or less. Still more preferably, ( X3 + Y3 ) 1/3 is 70 nm or less. If ( X3 + Y3 ) 1/3 is 1 nm or more, the transparent conductive film will have some surface protrusions, and this is preferable because the film can be easily wound.

本発明における透明導電性フィルムは、透明導電膜面において付着性試験(JIS K5600-5-6:1999)を実施しても透明導電膜が剥離しないことが好ましい。付着性試験で透明導電膜が剥れない透明導電性フィルムは、透明導電膜が透明プラスチック基材や硬化型樹脂層など透明導電膜に接している層と密着しているため、タッチパネルにペンで連続入力しても透明導電膜に対してクラック、剥離、摩耗などが抑えられ、さらに、通常使用想定以上の強い力がかかったとしても、透明導電膜に対してクラック、剥離などが抑えられるため好ましい。 The transparent conductive film of the present invention preferably does not peel off even when an adhesion test (JIS K5600-5-6:1999) is conducted on the transparent conductive film surface. Transparent conductive films that do not peel off in an adhesion test are preferred because the transparent conductive film is in close contact with the layer in contact with the transparent conductive film, such as the transparent plastic substrate or the cured resin layer, and therefore cracking, peeling, wear, etc. of the transparent conductive film is suppressed even when continuous input is made to the touch panel with a pen. Furthermore, cracking, peeling, etc. of the transparent conductive film is suppressed even when a force greater than that expected in normal use is applied.

本発明における透明導電性フィルムは、透明導電性フィルムの透明導電膜側において耐屈曲性試験(JIS K5600-5-1:1999)をして10倍のルーペで屈曲部を観察した時に割れや剥れが起こるマンドレル直径が20mmより小さいことが好ましい。マンドレル直径が20mmより小さいと、ペン重加圧試験をしたときに透明導電膜に接する層が割れず、透明導電膜にクラックが入らないため好ましい。より好ましくは18mm以下である。
一態様において、耐屈曲性試験の値は、1mm以上であってよく、例えば、8mm以上、10mm以上であってよい。また、一態様において、耐屈曲性試験の値は、13mm以上であり、15mm以上であってよい。
このような範囲内であることにより、ペン重加圧試験をしたときに透明導電膜に接する層が割れず、透明導電膜にクラックが入らないため好ましい。
また、優れたペン摺動耐久性および優れたペン重加圧耐久性を併せ持つ透明導電性フィルムの提供が可能となる。
The transparent conductive film of the present invention preferably has a mandrel diameter of less than 20 mm at which cracking or peeling occurs when the bent portion is observed with a 10x magnifying glass in a bending resistance test (JIS K5600-5-1:1999) on the transparent conductive film side of the transparent conductive film. A mandrel diameter of less than 20 mm is preferred because a layer in contact with the transparent conductive film does not crack when a pen pressure test is performed, and cracks do not occur in the transparent conductive film. A mandrel diameter of 18 mm or less is more preferred.
In one embodiment, the value in the flex resistance test may be 1 mm or more, for example, 8 mm or more, 10 mm or more, or 13 mm or more, for example, 15 mm or more.
When the thickness is within this range, the layer in contact with the transparent conductive film does not crack when subjected to a pen heavy pressure test, and cracks do not occur in the transparent conductive film, which is preferable.
It is also possible to provide a transparent conductive film that has both excellent pen sliding durability and excellent pen heavy pressure durability.

本発明における透明導電性フィルムは、透明プラスチックフィルム基材の厚みは、100~250μmの範囲であることが好ましく、130~220μmであることがより好ましい。プラスチックフィルムの厚みが100μm以上であると、機械的強度が保持され、特にタッチパネルに用いた際のペン入力に対する変形が小さく、ペン摺動耐久性とペン重加圧耐久性が優れるため好ましい。一方、厚みが250μm以下であると、タッチパネルに用いた際に、ペン入力で位置させるための荷重を特に大きくする必要がなく好ましい。 The transparent conductive film of the present invention preferably has a transparent plastic film substrate thickness in the range of 100 to 250 μm, and more preferably 130 to 220 μm. A plastic film thickness of 100 μm or more is preferred because it maintains mechanical strength, reduces deformation due to pen input when used in a touch panel, and provides excellent pen sliding durability and pen heavy pressure durability. On the other hand, a thickness of 250 μm or less is preferred because, when used in a touch panel, there is no need to apply a particularly large load to position the film during pen input.

本発明における透明導電性フィルムは、透明導電膜とプラスチックフィルム基材の間に硬化型樹脂層があることが好ましい。硬化型樹脂層があることにより透明導電膜の密着力増加や透明導電膜にかかる力を分散することができるため、ペン摺動試験での透明導電膜に対してクラック、剥離、摩耗などが抑えられ、さらに、ペン重加圧試験での透明導電膜に対してクラック、剥離などが抑えられるため好ましい。 The transparent conductive film of the present invention preferably has a curable resin layer between the transparent conductive film and the plastic film substrate. The presence of the curable resin layer increases the adhesion of the transparent conductive film and distributes the force applied to the transparent conductive film, thereby preventing cracking, peeling, and abrasion of the transparent conductive film in a pen sliding test, and further prevents cracking and peeling of the transparent conductive film in a pen heavy pressure test, which is preferable.

本発明における透明導電膜の結晶性は高過ぎず、低過ぎずという状態である(このような結晶性を半結晶性又は半結晶質と呼ぶことにする)。透明導電膜を安定して半結晶性にすることは非常に難しい。それは、非晶性から結晶性へ急激に相変化していく途中で止めた状態が半結晶性だからである。そのため、結晶性に関係のあるパラメーターである成膜雰囲気中の水分量に敏感で、特に、水素原子含有ガスに大変敏感で、少しでも成膜雰囲気中の水素原子含有ガスや水分量が少ないとほぼ完全な結晶性(高い結晶性)になり、逆に、少しでも成膜雰囲気中の水素原子含有ガスや水分量が多いと非晶性(低い結晶性)になる。 The crystallinity of the transparent conductive film in this invention is neither too high nor too low (this type of crystallinity is referred to as semi-crystalline or semi-crystalline). It is extremely difficult to make a transparent conductive film stably semi-crystalline. This is because semi-crystalline is a state in which the film undergoes a sudden phase change from amorphous to crystalline and is stopped midway. For this reason, the film is sensitive to the amount of moisture in the film-forming atmosphere, a parameter related to crystallinity, and is particularly sensitive to hydrogen-atom-containing gases. Even a small amount of hydrogen-atom-containing gas or moisture in the film-forming atmosphere will result in almost complete crystallinity (high crystallinity), while even a small amount of hydrogen-atom-containing gas or moisture in the film-forming atmosphere will result in amorphousness (low crystallinity).

本発明の透明導電性フィルムを得るための製造方法に特に限定はないが、例えば、以下のような製造方法を好ましく例示できる。
透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に結晶性のインジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜を成膜する方法としてはスパッタリング法が好ましく用いられる。透明導電性フィルムを高い生産性で製造するためには、フィルムロールを供給し、成膜後、フィルムロールの形状に巻き上げる所謂ロール式スパッタリング装置を使用することが好ましい。成膜雰囲気中にマスフローコントローラーで水素原子含有ガス(水素、アンモニア、水素+アルゴン混合ガスなど、水素原子が含まれているガスであれば特に限定しない。ただし、水は除く。)を下記に記載の量を導入し、さらに、スパッタリング時のフィルム温度を0℃以下にして、酸化スズを0.5~10質量%含むインジウム-スズ複合酸化物の焼結ターゲットを用い、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の厚みが10~30nmになるように調整し、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の三次元表面粗さSRaが、1~100nmである透明プラスチックフィルム上に透明導電膜を成膜することが好ましく採用され得る。スパッタリング時の成膜雰囲気中で、水素原子含有ガスが透明導電膜の結晶化を阻害する効果がある。成膜雰囲気中に水素ガスを流す場合には、(水素ガス流量)÷(不活性ガス流量+水素ガス流量)×100の値(単に水素濃度と記載する場合がある)が0.01~3.00%であることが望ましい。水素濃度は、例えば、0.01%以上2.00%であり、0.01%以上1.00%以下であってもよい。
水素濃度がこのような範囲内であることにより、例えば、ペン摺動耐久性試験ON抵抗値、ペン重加圧耐久性試験のいずれにおいても、良好な結果が導かれることに寄与し得る。
また、不活性ガスとしては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなどが挙げられる。水素ガス以外の水素原子含有ガスを使用する場合には、水素原子含有ガスに含まれる水素原子量から、水素ガス(=水素分子)量に換算して計算すればよい。成膜雰囲気中に水素原子含有ガスをマスフローコントローラーで精密に流すときに、フィルムロールの長手方向に垂直な方向に対して、水素原子含有ガスを均一に吹き付けることができるようにガス吹き出し口を配置することにより、結晶性の高い部分や低い部分が混在するような透明導電膜になりづらく、均一な半結晶性の透明導電膜を得易いので、優れたペン摺動耐久性およびペン重加圧耐久性を併せ持つ透明導電性フィルムを好適に得ることが可能となる。成膜雰囲気中の水が多いと、透明導電膜の結晶性が低下することが知られているため、成膜雰囲気中の水分量も重要な因子である。水素原子含有ガスを使用の場合は、フィルムロールへのスパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比の中心値(最大値と最小値の中間の値)が、1.0×10-4~2.0×10-3に制御し、さらにスパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比について、成膜開始時から成膜終了時までの最大値と最小値の差が1.0×10-3以下であればフィルムの全長にわたって透明導電膜の結晶性の均一性が保たれるため、スパッタ機の排気装置としてよく使用されるロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプに加えて、下記のボンバード工程、下記のフィルムロール端面の凹凸の高低差の限定など、透明導電膜を成膜するときにフィルムから放出される水分量を少なく、フィルム全長にわたって均一な水分量を放出するようにすれば、水分量の精密制御が不要となり好ましい。ただし、不活性ガスに対する水分圧の比の中心値は、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜中の酸化スズの含有率や、透明導電膜の厚みにもいくらか依存している。インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜中の酸化スズの添加量が多い場合や透明導電膜が薄い場合は、不活性ガスに対する水分圧の比の中心値を前記の範囲の中で低めに設定することが望ましい。逆に、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜中の酸化スズの含有率が少ない場合や透明導電膜が厚い場合は、不活性ガスに対する水分圧の比の中心値を前記の範囲のなかで高めに設定することが望ましい。スパッタリング時のフィルム温度を0℃以下にして透明プラスチックフィルム上に透明導電膜を成膜することが好ましい。成膜中のフィルム温度は、走行フィルムが接触するセンターロールの温度を調節する温調機の設定温度で代用する。ここで、図5に本発明において好適に使用されるスパッタリング装置の一例の模式図を示しており、走行するフィルム1がセンターロール2の表面に部分的に接触して走行している。チムニー3を介してインジウム-スズのスパッタリングターゲット4が設置され、センターロール2上を走行するフィルム1の表面にインジウム-スズ複合酸化物の薄膜が堆積して積層される。センターロール2は図示しない温調機によって温度制御される。フィルム温度が0℃以下であれば、透明導電膜の結晶性をばらつかせるフィルムからの水、有機ガス等の不純物ガスの放出を抑制できるため、成膜開始時から成膜終了時までの透明導電膜の結晶性が均一化しやすいので好ましい。水素原子含有ガスを使用する場合は、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比の中心値(最大値と最小値の中間の値)は、1.0×10-4~2.0×10-3であることが望ましい。 スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比が前記の範囲であれば、水素原子含有ガスによる透明導電膜の結晶性の阻害が効果的に作用するため望ましい。また、透明導電性フィルムの表面抵抗および全光線透過率を実用的な水準にするために、スパッタリング時に酸素ガスを添加することが望ましい。この製造方法は、透明導電膜の結晶性をばらつかせる要因の水による結晶性の影響を極力排除して、水素含有ガスにより結晶性をコントロールすることを主眼としている。
The manufacturing method for obtaining the transparent conductive film of the present invention is not particularly limited, but the following manufacturing method can be exemplified as a preferred example.
Sputtering is a preferred method for forming a transparent conductive film of crystalline indium-tin composite oxide on at least one surface of a transparent plastic film substrate. To produce transparent conductive films with high productivity, it is preferable to use a so-called roll-type sputtering device, which supplies a film roll and then winds it up into a film roll after film formation. A hydrogen atom-containing gas (hydrogen, ammonia, a hydrogen + argon mixed gas, or the like, as long as it contains hydrogen atoms, but excluding water) is introduced into the film formation atmosphere using a mass flow controller in the amount described below. Furthermore, the film temperature during sputtering is kept at 0°C or below, and a sintered target of indium-tin composite oxide containing 0.5 to 10 mass% tin oxide is used. The thickness of the transparent conductive film of indium-tin composite oxide is adjusted to 10 to 30 nm. A transparent conductive film having a three-dimensional surface roughness SRa of 1 to 100 nm is preferably formed on a transparent plastic film. In the film-forming atmosphere during sputtering, a hydrogen atom-containing gas has the effect of inhibiting crystallization of the transparent conductive film. When hydrogen gas is flowed in the film-forming atmosphere, the value of (hydrogen gas flow rate) ÷ (inert gas flow rate + hydrogen gas flow rate) × 100 (sometimes simply referred to as hydrogen concentration) is desirably 0.01 to 3.00%. The hydrogen concentration may be, for example, 0.01% to 2.00%, or 0.01% to 1.00%.
A hydrogen concentration within this range can contribute to obtaining good results in both the ON resistance value in a pen sliding durability test and the heavy pen pressure durability test, for example.
Examples of inert gases include helium, neon, argon, krypton, and xenon. When using a hydrogen-atom-containing gas other than hydrogen gas, the amount of hydrogen gas (= hydrogen molecules) can be calculated by converting the amount of hydrogen atoms contained in the hydrogen-atom-containing gas into the amount of hydrogen gas (= hydrogen molecules). When precisely flowing the hydrogen-atom-containing gas into the film-forming atmosphere using a mass flow controller, positioning the gas outlet so that the hydrogen-atom-containing gas can be uniformly sprayed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the film roll makes it difficult to obtain a transparent conductive film with a mixture of high and low crystallinity. This makes it easy to obtain a uniform semi-crystalline transparent conductive film, thereby enabling the production of a transparent conductive film with both excellent pen sliding durability and pen heavy pressure durability. The amount of moisture in the film-forming atmosphere is also an important factor, as it is known that a high amount of water in the film-forming atmosphere reduces the crystallinity of the transparent conductive film. When a hydrogen atom-containing gas is used, the median value (the intermediate value between the maximum and minimum values) of the ratio of water pressure to inert gas in the film-forming atmosphere during sputtering onto the film roll is controlled to 1.0 × 10 -4 to 2.0 × 10 -3 , and further, if the difference between the maximum and minimum values of the ratio of water pressure to inert gas in the film-forming atmosphere during sputtering from the start to the end of film formation is 1.0 × 10 -3 or less, uniformity of the crystallinity of the transparent conductive film is maintained throughout the entire length of the film. Therefore, in addition to rotary pumps, turbomolecular pumps, and cryopumps commonly used as exhaust devices for sputtering machines, precise control of the water content is not required if the amount of water released from the film during film formation is reduced and a uniform amount of water is released throughout the entire length of the film, such as by using the bombardment process described below and limiting the height difference of the unevenness on the end surface of the film roll described below. However, the median value of the ratio of water pressure to inert gas also depends somewhat on the tin oxide content in the indium-tin composite oxide transparent conductive film and the thickness of the transparent conductive film. When the amount of tin oxide added in the indium-tin composite oxide transparent conductive film is high or the transparent conductive film is thin, it is desirable to set the median value of the ratio of water pressure to inert gas lower within the above range. Conversely, when the tin oxide content in the indium-tin composite oxide transparent conductive film is low or the transparent conductive film is thick, it is desirable to set the median value of the ratio of water pressure to inert gas higher within the above range. It is preferable to form a transparent conductive film on a transparent plastic film by maintaining the film temperature at 0°C or below during sputtering. The film temperature during film formation is substituted for the set temperature of the temperature controller that adjusts the temperature of the center roll with which the running film contacts. Here, Figure 5 shows a schematic diagram of an example of a sputtering device suitable for use in the present invention, in which the running film 1 runs in partial contact with the surface of the center roll 2. An indium-tin sputtering target 4 is installed via a chimney 3, and a thin film of indium-tin composite oxide is deposited and laminated on the surface of the film 1 running on the center roll 2. The temperature of the center roll 2 is controlled by a temperature controller (not shown). A film temperature of 0°C or lower is preferable because it can suppress the release of impurity gases such as water and organic gases from the film, which can cause variations in the crystallinity of the transparent conductive film, and therefore facilitate uniform crystallinity of the transparent conductive film from the start to the end of film formation. When using a hydrogen atom-containing gas, the median value (the intermediate value between the maximum and minimum values) of the ratio of water pressure to inert gas in the film formation atmosphere during sputtering is preferably 1.0×10 −4 to 2.0×10 −3 . A ratio of water pressure to inert gas in the film formation atmosphere during sputtering within the above range is desirable because it effectively inhibits the crystallinity of the transparent conductive film. Furthermore, it is preferable to add oxygen gas during sputtering to achieve practical levels of surface resistance and total light transmittance of the transparent conductive film. This manufacturing method focuses on controlling crystallinity using a hydrogen-containing gas, while minimizing the influence of water crystallinity, which causes variations in the crystallinity of the transparent conductive film.

プラスチックフィルム上にインジウム-スズ複合酸化物を成膜する時の水分量の制御には、到達真空度を観測するよりも、実際に成膜時の水分量を観測することの方が以下の2つの理由で望ましい。 To control the moisture content when depositing an indium-tin composite oxide film on a plastic film, it is preferable to actually observe the moisture content during film deposition rather than observing the ultimate vacuum level, for the following two reasons:

その理由の1点目として、スパッタリングで、プラスチックフィルムに成膜をすると、フィルムが加熱され、フィルムから水分が放出されるので、成膜雰囲気中の水分量が増加し、到達真空度を測定したときの水分量より増加するため、到達真空度で表現するよりも成膜時の水分量で表現する方が正確である。 The first reason is that when a film is formed on a plastic film by sputtering, the film is heated and moisture is released from the film, increasing the amount of moisture in the film-forming atmosphere, which is greater than the amount of moisture measured when the ultimate vacuum is reached. Therefore, it is more accurate to express this in terms of the amount of moisture at the time of film formation rather than in terms of the ultimate vacuum.

その理由の2点目は、大量に透明プラスチックフィルムを投入する装置での場合である。このような装置ではフィルムをフィルムロールの形態で投入する。フィルムをロールにして真空槽に投入するとロールの外層部分は水が抜けやすいが、ロールの内層部分は水が抜けにくい。到達真空度を測定するとき、フィルムロールは停止しているが、成膜時にはフィルムロールが走行するため、水を多く含むフィルムロールの内層部分が巻き出されてくるため、成膜雰囲気中の水分量が増加し、到達真空度を測定したときの水分量より増加するためである。本発明においては、成膜雰囲気中の水分量の制御に当たって、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比を観測することで好ましく対応することができる。 The second reason is the case with equipment that inputs large amounts of transparent plastic film. In such equipment, the film is input in the form of a film roll. When the film is rolled up and input into the vacuum chamber, water easily escapes from the outer layer of the roll, but water does not easily escape from the inner layer of the roll. When the ultimate vacuum is measured, the film roll is stationary, but during film formation, the film roll runs, and the inner layer of the film roll, which contains a lot of water, is unwound. This increases the amount of moisture in the film formation atmosphere, which is higher than the amount of moisture measured when the ultimate vacuum is measured. In the present invention, the amount of moisture in the film formation atmosphere can be controlled by observing the ratio of water pressure to inert gas pressure in the film formation atmosphere during sputtering.

透明導電膜を成膜する前に、フィルムをボンバード工程に通すことが望ましい。ボンバード工程とは、アルゴンガスなどの不活性ガスだけ、もしくは、酸素などの反応性ガスと不活性ガスの混合ガスを流した状態で、電圧を印加し放電を行い、プラズマを発生させることである。具体的には、SUSターゲットなどでRFスパッタリングにより、フィルムをボンバードすることが望ましい。ボンバード工程によりフィルムがプラズマにさらされるため、フィルムから水や有機成分が放出し、透明導電膜を成膜するときにフィルムから放出する水や有機成分が減少するため、成膜開始時から成膜終了時までの透明導電膜の結晶性が均一化しやすいので好ましい。また、ボンバード工程により透明導電膜が接する層が活性化するため、透明導電膜の密着性が向上するため、ペン摺動耐久性やペン重加圧耐久性が向上するため望ましい。 Before depositing the transparent conductive film, it is desirable to subject the film to a bombardment process. The bombardment process involves applying a voltage to generate a discharge and generate plasma while flowing an inert gas, such as argon gas, or a mixture of a reactive gas, such as oxygen, and an inert gas. Specifically, it is desirable to bombard the film using RF sputtering with a stainless steel target. The bombardment process exposes the film to plasma, releasing water and organic components from the film. This reduces the amount of water and organic components released from the film during deposition of the transparent conductive film, making it easier to achieve uniform crystallinity in the transparent conductive film from the start to the end of deposition, which is desirable. Furthermore, the bombardment process activates the layers in contact with the transparent conductive film, improving the adhesion of the transparent conductive film and improving pen sliding durability and pen heavy pressure durability, which is desirable.

透明導電膜を成膜するためのフィルムロールは、ロール端面において、最も凸の箇所と最も凹の箇所の高低差は10mm以下が好ましい。10mm以下であれば、スパッタ装置にフィルムロールを投入した時にフィルム端面からの水や有機成分の放出の仕方にムラが小さくなるため、成膜開始時から成膜終了時までの透明導電膜の結晶性が均一化しやすいので好ましい。 The height difference between the most convex and most concave points on the end face of a film roll used to deposit a transparent conductive film is preferably 10 mm or less. A height difference of 10 mm or less reduces unevenness in the release of water and organic components from the end face of the film when the film roll is placed in a sputtering device, which is preferable because it makes it easier to achieve uniform crystallinity in the transparent conductive film from the start to the end of deposition.

透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に結晶性のインジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜を成膜する方法において、スパッタリング時に酸素ガスを導入することが望ましい。スパッタリング時に酸素ガスを導入すると、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の酸素の欠乏による不具合がなく、透明導電性フィルムの表面抵抗は低く、全光線透過率は高くなり好ましい。そのため、透明導電性フィルムの表面抵抗および全光線透過率を実用的な水準にするために、スパッタリング時に酸素ガスを導入することが望ましい。 なお、本発明の透明導電性フィルムの全光線透過率は70~95%が好ましい。 In a method for forming a transparent conductive film of crystalline indium-tin composite oxide on at least one surface of a transparent plastic film substrate, it is desirable to introduce oxygen gas during sputtering. Introducing oxygen gas during sputtering prevents defects caused by oxygen deficiency in the transparent conductive film of indium-tin composite oxide, and advantageously reduces the surface resistance of the transparent conductive film and increases its total light transmittance. Therefore, it is desirable to introduce oxygen gas during sputtering in order to achieve a practical level of surface resistance and total light transmittance for the transparent conductive film. The total light transmittance of the transparent conductive film of the present invention is preferably 70 to 95%.

本発明の透明導電性フィルムは、透明プラスチックフィルム基材上にインジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜が成膜積層された後、酸素を含む雰囲気下で、80~200℃、0.1~12時間加熱処理を施されてなることが望ましい。80℃以上であると、半結晶状態にすべく結晶性をやや高める処置が容易であり、ペン摺動耐久性が向上し好ましい。200℃以下であると、透明プラスチックフィルムの平面性が確保されて好ましい。 The transparent conductive film of the present invention is preferably obtained by forming a transparent conductive film of indium-tin composite oxide on a transparent plastic film substrate and then heat-treating it in an oxygen-containing atmosphere at 80 to 200°C for 0.1 to 12 hours. A temperature of 80°C or higher facilitates the process of slightly increasing crystallinity to achieve a semi-crystalline state, which is preferable as it improves pen sliding durability. A temperature of 200°C or lower is preferable as it ensures the flatness of the transparent plastic film.

<透明プラスチックフィルム基材>
本発明で用いる透明プラスチックフィルム基材とは、有機高分子をフィルム状に溶融押出し又は溶液押出しをして、必要に応じ、長手方向及び/又は幅方向に延伸、冷却、熱固定を施したフィルムであり、有機高分子としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン-2,6-ナフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ナイロン6、ナイロン4、ナイロン66、ナイロン12、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルファン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリアリレート、セルロースプロピオネート、ポリ塩化ビニール、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンオキサイド、ポリスチレン、シンジオタクチックポリスチレン、ノルボルネン系ポリマー等が挙げられる。
<Transparent plastic film substrate>
The transparent plastic film substrate used in the present invention is a film obtained by melt-extruding or solution-extruding an organic polymer into a film shape, and then, as necessary, stretching the film in the longitudinal direction and/or the width direction, cooling, and heat setting. Examples of the organic polymer include polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene-2,6-naphthalate, polypropylene terephthalate, polybutylene terephthalate, nylon 6, nylon 4, nylon 66, nylon 12, polyimide, polyamideimide, polyethersulfane, polyetheretherketone, polycarbonate, polyarylate, cellulose propionate, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyetherimide, polyphenylene sulfide, polyphenylene oxide, polystyrene, syndiotactic polystyrene, and norbornene-based polymers.

これらの有機高分子のなかで、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン-2,6-ナフタレート、シンジオタクチックポリスチレン、ノルボルネン系ポリマー、ポリカーボネート、ポリアリレート等が好適である。また、これらの有機高分子は他の有機重合体の単量体を少量共重合したり、他の有機高分子をブレンドしてもよい。 Of these organic polymers, polyethylene terephthalate, polypropylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene-2,6-naphthalate, syndiotactic polystyrene, norbornene-based polymers, polycarbonate, polyarylate, etc. are preferred. These organic polymers may also be copolymerized with small amounts of other organic polymer monomers or blended with other organic polymers.

本発明で用いる透明プラスチックフィルム基材は、本発明の目的を損なわない範囲で、前記フィルムをコロナ放電処理、グロー放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、電子線照射処理、オゾン処理等の表面活性化処理を施してもよい。 The transparent plastic film substrate used in the present invention may be subjected to surface activation treatments such as corona discharge treatment, glow discharge treatment, flame treatment, ultraviolet irradiation treatment, electron beam irradiation treatment, and ozone treatment, as long as the objective of the present invention is not impaired.

透明プラスチックフィルム基材に硬化型樹脂層を塗布すると、透明導電膜が硬化型樹脂層と強く密着することや透明導電膜にかかる力を分散することができるため、ペン摺動試験での透明導電膜に対してクラック、剥離、摩耗などが抑えられ、さらに、ペン重加圧試験での透明導電膜に対してクラック、剥離などが抑えられるため好ましい。また、硬化型樹脂層の表面を凹凸にした上に透明導電膜を成膜すると、ペン摺動試験のときに透明導電薄膜がガラスと接触するときの真の接触面積が減少するためにガラス面と透明導電膜との滑り性が良くなってペン摺動耐久性が向上することや、フィルムロールの巻取り性の向上や、アンチニュートンリング性を期待することができるが、凹凸が大きすぎると、ペン重加圧試験をしたときの表面突起の変形量が大きくなり、透明導電膜にクラック発生するため好ましくない。そのため表面凹凸として、透明導電膜の三次元表面粗さSRaをXとした場合、Xが1~100nmにすることが好ましい。また、硬化型樹脂層は透明プラスチックフィルム基材の両面に塗布しても良い。透明導電膜が形成されている面とは反対面の硬化型樹脂層の三次元表面粗さSRaをYとした場合、Yが、1~139nmにすることが好ましい。硬化型樹脂層の詳細について以下に記載する。 Applying a curable resin layer to a transparent plastic film substrate is preferable because it strengthens the adhesion of the transparent conductive film to the curable resin layer and distributes the force applied to the transparent conductive film, thereby reducing cracking, peeling, and abrasion during pen sliding tests. Furthermore, it also reduces cracking and peeling during pen-loaded pressure tests. Furthermore, forming a transparent conductive film on a curable resin layer with a textured surface reduces the true contact area between the transparent conductive thin film and glass during pen sliding tests, improving the sliding properties between the glass surface and the transparent conductive film, thereby improving pen sliding durability, film roll winding, and anti-Newton ring properties. However, excessive texture increases the deformation of surface protrusions during pen-loaded pressure tests, potentially causing cracks in the transparent conductive film, which is undesirable. Therefore, it is preferable for the surface texture to be 1 to 100 nm, where X is the three-dimensional surface roughness (SRa) of the transparent conductive film. The curable resin layer may also be applied to both sides of the transparent plastic film substrate. If the three-dimensional surface roughness SRa of the curable resin layer on the side opposite the surface on which the transparent conductive film is formed is Y, then Y is preferably 1 to 139 nm. Details of the curable resin layer are described below.

また、本発明で好ましく用いられる前記硬化型樹脂としては、加熱、紫外線照射、電子線照射等のエネルギー印加により硬化する樹脂であれば特に制限はなく、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。生産性の観点からは、紫外線硬化型樹脂を主成分とすることが好ましい。 The curable resin preferably used in the present invention is not particularly limited as long as it is a resin that is cured by the application of energy such as heating, ultraviolet radiation, or electron beam radiation, and examples thereof include silicone resin, acrylic resin, methacrylic resin, epoxy resin, melamine resin, polyester resin, and urethane resin. From the viewpoint of productivity, it is preferable to use an ultraviolet-curable resin as the main component.

このような紫外線硬化型樹脂としては、例えば、多価アルコールのアクリル酸又はメタクリル酸エステルのような多官能性のアクリレート樹脂、ジイソシアネート、多価アルコール及びアクリル酸又はメタクリル酸のヒドロキシアルキルエステル等から合成されるような多官能性のウレタンアクリレート樹脂等を挙げることができる。必要に応じて、これらの多官能性の樹脂に単官能性の単量体、例えば、ビニルピロリドン、メチルメタクリレート、スチレン等を加えて共重合させることができる。 Examples of such UV-curable resins include polyfunctional acrylate resins such as acrylic or methacrylic acid esters of polyhydric alcohols, and polyfunctional urethane acrylate resins synthesized from diisocyanates, polyhydric alcohols, and hydroxyalkyl esters of acrylic or methacrylic acid. If necessary, these polyfunctional resins can be copolymerized by adding monofunctional monomers such as vinylpyrrolidone, methyl methacrylate, and styrene.

また、透明導電性薄膜と硬化型樹脂層との付着力を向上するために、硬化型樹脂層の表面を以下に記載する手法で処理することが有効である。具体的な手法としては、カルボニル基、カルボキシル基、水酸基を増加するためにグロー又はコロナ放電を照射する放電処理法、アミノ基、水酸基、カルボニル基等の極性基を増加させるために酸又はアルカリで処理する化学薬品処理法等が挙げられる。 In addition, to improve the adhesion between the transparent conductive thin film and the curable resin layer, it is effective to treat the surface of the curable resin layer using the methods described below. Specific methods include discharge treatment, which involves irradiating with glow or corona discharge to increase the number of carbonyl groups, carboxyl groups, and hydroxyl groups, and chemical treatment, which involves treatment with acid or alkali to increase the number of polar groups such as amino groups, hydroxyl groups, and carbonyl groups.

紫外線硬化型樹脂は、通常、光重合開始剤を添加して使用される。光重合開始剤としては、紫外線を吸収してラジカルを発生する公知の化合物を特に制限なく使用することができ、このような光重合開始剤としては、例えば、各種ベンゾイン類、フェニルケトン類、ベンゾフェノン類等を挙げることができる。光重合開始剤の添加量は、紫外線硬化型樹脂100質量部当たり通常1~5質量部とすることが好ましい。 UV-curable resins are typically used with the addition of a photopolymerization initiator. Any known compound that absorbs UV light and generates radicals can be used as the photopolymerization initiator, with no particular restrictions. Examples of such photopolymerization initiators include various benzoins, phenyl ketones, and benzophenones. The amount of photopolymerization initiator added is typically 1 to 5 parts by weight per 100 parts by weight of UV-curable resin.

また、本発明において硬化型樹脂層には、主たる構成成分である硬化型樹脂のほかに、無機粒子や有機粒子を併用することが好ましい。硬化型樹脂に無機粒子や有機粒子を分散させることにより、硬化型樹脂表面に凹凸を形成させ、広領域における表面粗さを向上させることができる。 In addition, in the present invention, it is preferable to use inorganic or organic particles in addition to the curable resin, which is the main constituent component, in the curable resin layer. By dispersing inorganic or organic particles in the curable resin, it is possible to form irregularities on the surface of the curable resin and improve surface roughness over a wide area.

前記の無機粒子としてはシリカなどが例示される。前記の有機粒子としてポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂等が例示される。 Examples of the inorganic particles include silica. Examples of the organic particles include polyester resin, polyolefin resin, polystyrene resin, polyamide resin, etc.

無機粒子や有機粒子以外に、主たる構成成分である硬化型樹脂のほかに、硬化型樹脂に非相溶な樹脂を併用することも好ましい。マトリックスの硬化型樹脂に非相溶な樹脂を少量併用することで、硬化型樹脂中で相分離が起こり非相溶樹脂を粒子状に分散させることができる。この非相溶樹脂の分散粒子により、硬化型樹脂表面に凹凸を形成させ、広領域における表面粗さを向上させることができる。 In addition to inorganic and organic particles, it is also preferable to use a resin that is incompatible with the curable resin, which is the main constituent component, in combination with the curable resin. By using a small amount of a resin that is incompatible with the curable resin of the matrix, phase separation occurs in the curable resin, allowing the incompatible resin to be dispersed in particulate form. These dispersed particles of the incompatible resin can form irregularities on the surface of the curable resin, improving surface roughness over a wide area.

非相溶樹脂としてはポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂等が例示される。 Examples of incompatible resins include polyester resins, polyolefin resins, polystyrene resins, polyamide resins, etc.

ここでは一例として、透明導電膜の直下の硬化型樹脂層に無機粒子を用いる場合の配合割合を示す。紫外線硬化型樹脂100質量部当たり無機粒子0.1~20質量部であることが好ましく、さらに好ましくは0.1~15質量部、特に好ましくは0.1~12質量部である
前記無機粒子の配合量が紫外線硬化型樹脂100質量部当たり0.1~20質量部であると、硬化型樹脂層表面に形成される凸部が小さ過ぎず、効果的に三次元表面粗さを付与でき、ペン重加圧試験をしたときに表面突起の変形量が小さくなり透明導電膜のクラック発生が抑制され、高精細な映像を提供可能となり、さらに透明導電膜に多少の表面突起があるためフィルム巻取り性も保持できるため好ましい。
Here, as an example, the blending ratio when inorganic particles are used in the curable resin layer directly below the transparent conductive film is shown. The inorganic particles are preferably 0.1 to 20 parts by mass per 100 parts by mass of the ultraviolet-curable resin, more preferably 0.1 to 15 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 12 parts by mass. When the blending amount of the inorganic particles is 0.1 to 20 parts by mass per 100 parts by mass of the ultraviolet-curable resin, the convex portions formed on the surface of the curable resin layer are not too small, and three-dimensional surface roughness can be effectively imparted. The deformation amount of the surface protrusions is reduced when a pen pressure test is performed, and the occurrence of cracks in the transparent conductive film is suppressed, making it possible to provide high-definition images. Furthermore, since the transparent conductive film has some surface protrusions, film winding properties can be maintained, which is preferable.

ここでは一例として、透明導電膜が形成されている面とは反対面の硬化型樹脂層に無機粒子を用いる場合の配合割合を示す。紫外線硬化型樹脂100質量部当たり無機粒子0.1~25質量部であることが好ましく、さらに好ましくは0.1~15質量部、特に好ましくは0.1~12質量部である
前記無機粒子の配合量が紫外線硬化型樹脂100質量部当たり0.1~25質量部であると、硬化型樹脂層表面に形成される凸部が小さ過ぎず、効果的に三次元表面粗さを付与でき、高精細な映像を提供可能となり、さらに透明導電膜に多少の表面突起があるためフィルム巻取り性も保持できるため好ましい。
Here, as an example, the blending ratio when inorganic particles are used in the curable resin layer on the side opposite to the side on which the transparent conductive film is formed is shown. The blending amount of the inorganic particles is preferably 0.1 to 25 parts by mass, more preferably 0.1 to 15 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 12 parts by mass per 100 parts by mass of the ultraviolet-curable resin. When the blending amount of the inorganic particles is 0.1 to 25 parts by mass per 100 parts by mass of the ultraviolet-curable resin, the convex portions formed on the surface of the curable resin layer are not too small, effectively imparting three-dimensional surface roughness, making it possible to provide high-definition images, and further, since the transparent conductive film has some surface protrusions, film winding properties can be maintained, which is preferable.

前記の紫外線硬化型樹脂、光重合開始剤及び、無機粒子や有機粒子や紫外線硬化型樹脂に非相溶な樹脂は、それぞれに共通の溶剤に溶解して塗布液を調製する。使用する溶剤には特に制限はなく、例えば、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等のようなアルコール系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル等のようなエステル系溶剤、ジブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のようなエーテル系溶剤、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のようなケトン系溶剤、トルエン、キシレン、ソルベントナフサ等のような芳香族炭化水素系溶剤等を単独に、あるいは混合して使用することができる。 The UV-curable resin, photopolymerization initiator, and resin incompatible with the inorganic particles, organic particles, and UV-curable resin are dissolved in a common solvent to prepare a coating solution. There are no particular restrictions on the solvent used; for example, alcohol-based solvents such as ethyl alcohol and isopropyl alcohol, ester-based solvents such as ethyl acetate and butyl acetate, ether-based solvents such as dibutyl ether and ethylene glycol monoethyl ether, ketone-based solvents such as methyl isobutyl ketone and cyclohexanone, and aromatic hydrocarbon-based solvents such as toluene, xylene, and solvent naphtha can be used alone or in combination.

塗布液中の樹脂成分の濃度は、コーティング法に応じた粘度等を考慮して適切に選択することができる。例えば、塗布液中に紫外線硬化型樹脂、光重合開始剤及び高分子量のポリエステル樹脂の合計量が占める割合は、通常は20~80質量%である。また、この塗布液には、必要に応じて、その他の公知の添加剤、例えば、シリコーン系レベリング剤等を添加してもよい。 The concentration of the resin components in the coating liquid can be appropriately selected taking into account factors such as viscosity depending on the coating method. For example, the total amount of the UV-curable resin, photopolymerization initiator, and high-molecular-weight polyester resin in the coating liquid is typically 20 to 80% by mass. Furthermore, other known additives, such as silicone-based leveling agents, may also be added to the coating liquid as needed.

本発明において、調製された塗布液は透明プラスチックフィルム基材上にコーティングされる。コーティング法には特に制限はなく、バーコート法、グラビアコート法、リバースコート法等の従来から知られている方法を使用することができる。 In the present invention, the prepared coating solution is coated onto a transparent plastic film substrate. There are no particular restrictions on the coating method, and conventional methods such as bar coating, gravure coating, and reverse coating can be used.

コーティングされた塗布液は、次の乾燥工程で溶剤が蒸発除去される。この工程で、塗布液中で均一に溶解していた高分子量のポリエステル樹脂は粒子となって紫外線硬化型樹脂中に析出する。塗膜を乾燥した後、プラスチックフィルムに紫外線を照射することにより、紫外線硬化型樹脂が架橋・硬化して硬化型樹脂層を形成する。この硬化の工程で、高分子量のポリエステル樹脂の粒子はハードコート層中に固定されるとともに、硬化型樹脂層の表面に突起を形成し広領域における表面粗さを向上させる。 The coated coating liquid is then dried, where the solvent is evaporated and removed. During this process, the high-molecular-weight polyester resin, which was uniformly dissolved in the coating liquid, becomes particles and precipitates in the UV-curable resin. After the coating is dried, the plastic film is irradiated with UV light, causing the UV-curable resin to crosslink and harden, forming a hard-coat layer. During this hard-coat process, the high-molecular-weight polyester resin particles are fixed in the hard coat layer, and protrusions form on the surface of the hard-coat layer, improving surface roughness over a wide area.

また、硬化型樹脂層の厚みは0.1~15μmの範囲であることが好ましい。より好ましくは0.5~10μmの範囲であり、特に好ましくは1~8μmの範囲である。硬化型樹脂層の厚みが0.1μm以上の場合には、十分な突起が形成され好ましい。一方、15μm以下であれば、生産性がよく好ましい。 The thickness of the curable resin layer is preferably in the range of 0.1 to 15 μm. It is more preferably in the range of 0.5 to 10 μm, and particularly preferably in the range of 1 to 8 μm. A thickness of 0.1 μm or more is preferred because sufficient protrusions are formed. On the other hand, a thickness of 15 μm or less is preferred because productivity is good.

以下に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。なお、実施例における各種測定評価は下記の方法により行った。
(1)全光線透過率
JIS-K7136-1:1997に準拠し、日本電色工業(株)製NDH-2000を用いて、全光線透過率を測定した。
The present invention will be described in more detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. Various measurements and evaluations in the examples were carried out by the following methods.
(1) Total Light Transmittance The total light transmittance was measured in accordance with JIS-K7136-1:1997 using NDH-2000 manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.

(2)表面抵抗値
JIS-K7194:1994に準拠し、4端子法にて測定した。測定機は、(株)三菱化学アナリテック製 Lotesta AX MCP-T370を用いた。
(2) Surface Resistivity: Measured by a four-terminal method in accordance with JIS-K7194:1994. The measuring instrument used was Lotesta AX MCP-T370 manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.

(3)三次元中心面平均表面粗さSRa
三次元中心面平均表面粗さSRaは、ISO 25178に規定されるものであり、3次元表面形状測定装置バートスキャン(菱化システム社製、R5500H-M100(測定条件:waveモード、測定波長560nm、対物レンズ10倍))を用いて、三次元中心面平均表面粗さSRaを求めた。測定数を5とし、それらの平均値を求めた。ここで、nm単位の小数点第一位を四捨五入した。ここでは、透明導電膜の三次元表面粗さSRaをX、透明プラスチックフィルム基材上の透明導電膜側とは反対面の硬化型樹脂層の三次元表面粗さSRaをYとする。
(3) Three-dimensional center plane average surface roughness SRa
The three-dimensional central plane average surface roughness SRa is specified in ISO 25178, and was determined using a three-dimensional surface profiler VertScan (R5500H-M100, manufactured by Ryoka Systems Co., Ltd. (measurement conditions: wave mode, measurement wavelength 560 nm, objective lens 10x)). Five measurements were taken, and the average value was calculated. Here, the values were rounded to the nearest tenth in nm. Here, the three-dimensional surface roughness SRa of the transparent conductive film is designated X, and the three-dimensional surface roughness SRa of the curable resin layer on the side opposite the transparent conductive film on the transparent plastic film substrate is designated Y.

(4)結晶粒径
透明導電性薄膜層を積層したフィルム試料片を1mm×10mmの大きさに切り出し、導電性薄膜面を外向きにして適当な樹脂ブロックの上面に貼り付けた。これをトリミングしたのち、一般的なウルトラミクロトームの技法によってフィルム表面にほぼ平行な超薄切片を作製した。
この切片を透過型電子顕微鏡(JEOL社製、JEM-2010)で観察して著しい損傷がない導電性薄膜表面部分を選び、加速電圧200kV、直接倍率40000倍で写真撮影を行った。
透過型電子顕微鏡下で観察される結晶粒において、すべての結晶粒の最長部を測定し、それらの測定値の平均値を結晶粒径とする。ここで、図1~4に結晶粒の最長部の測定時における最長部の認定方法に関する例を示す。即ち、最も各結晶粒の粒径を最も大きく測定できる直線の長さによって最長部を認定している。
(4) Crystal grain size A film sample piece laminated with a transparent conductive thin film layer was cut into a size of 1 mm × 10 mm, and attached to the top surface of an appropriate resin block with the conductive thin film surface facing outward. After trimming, ultrathin sections roughly parallel to the film surface were prepared using a general ultramicrotome technique.
The slice was observed under a transmission electron microscope (JEOL, JEM-2010) to select a surface portion of the conductive thin film that was not significantly damaged, and photographed at an acceleration voltage of 200 kV and a direct magnification of 40,000 times.
When observing crystal grains under a transmission electron microscope, the longest part of each crystal grain is measured, and the average of these measurements is taken as the crystal grain size. Figures 1 to 4 show an example of how to determine the longest part when measuring the longest part of a crystal grain. That is, the longest part is determined by the length of the straight line that allows the largest measurement of the grain size of each crystal grain.

(5)透明導電膜の厚み(膜厚)
透明導電性薄膜層を積層したフィルム試料片を1mm×10mmの大きさに切り出し、電子顕微鏡用エポキシ樹脂に包埋した。これをウルトラミクロトームの試料ホルダに固定し、包埋した試料片の短辺に平行な断面薄切片を作製した。次いで、この切片の薄膜の著しい損傷がない部位において、透過型電子顕微鏡(JEOL社製、JEM-2010)を用い、加速電圧200kV、明視野で観察倍率1万倍にて写真撮影を行って得られた写真から膜厚を求めた。
(5) Thickness of the transparent conductive film (film thickness)
A film sample piece laminated with a transparent conductive thin film layer was cut into a size of 1 mm x 10 mm and embedded in epoxy resin for electron microscopes. This was fixed in a sample holder of an ultramicrotome, and a cross-sectional thin section parallel to the short side of the embedded sample piece was prepared. Next, a portion of this section where the thin film was not significantly damaged was photographed using a transmission electron microscope (JEOL, JEM-2010) at an accelerating voltage of 200 kV and a bright field magnification of 10,000 times, and the film thickness was determined from the photograph obtained.

(6)ペン摺動耐久性試験
本発明に係る透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にスパッタリング法で厚みが20nmのインジウム-スズ複合酸化物薄膜(酸化スズ含有量:10質量%)からなる透明導電性薄膜を用いた。この2枚のパネル板を透明導電性薄膜が対向するように、直径30μmのエポキシビーズを介して、配置しタッチパネルを作製した。次にポリアセタール製のペン(先端の形状:0.8mmR)に5.0Nの荷重をかけ、18万往復の直線摺動試験をタッチパネルに行った。この試験において、本発明に係る透明導電性フィルム面に対してペンの荷重を印加する。この時の摺動距離は30mm、摺動速度は180mm/秒とした。この摺動耐久性試験後に、ペン荷重0.8Nで摺動部を押さえた際の、ON抵抗(可動電極(フィルム電極)と固定電極とが接触した時の抵抗値)を測定した。ON抵抗は10kΩ以下であるのが望ましい。
なお、比較例においては、本発明に係る透明導電性フィルムに代わり、各比較例におけるフィルムを使用した。
(6) Pen Sliding Durability Test The transparent conductive film according to the present invention was used as one panel plate, and the other panel plate was a transparent conductive thin film consisting of a 20 nm-thick indium-tin composite oxide thin film (tin oxide content: 10% by mass) sputtered onto a glass substrate. These two panels were arranged with 30 μm diameter epoxy beads between them so that the transparent conductive thin films faced each other, to produce a touch panel. Next, a 5.0 N load was applied to a polyacetal pen (tip shape: 0.8 mmR), and a linear sliding test of 180,000 reciprocations was performed on the touch panel. In this test, the pen load was applied to the transparent conductive film surface according to the present invention. The sliding distance was 30 mm, and the sliding speed was 180 mm/sec. After this sliding durability test, the ON resistance (the resistance value when the movable electrode (film electrode) and the fixed electrode contacted each other) was measured when the sliding portion was pressed with a pen load of 0.8 N. The ON resistance is preferably 10 kΩ or less.
In the comparative examples, the films in the respective comparative examples were used instead of the transparent conductive film according to the present invention.

(7)ペン重加圧試験
本発明に係る透明導電性フィルムを50mm×50mmにカットした透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にスパッタリング法で厚みが20nmのインジウム-スズ複合酸化物薄膜(酸化スズ含有量:10質量%)からなる透明導電性薄膜を用いた。この2枚のパネル板を透明導電性薄膜が対向するように、直径30μmのエポキシビーズを介して配置し、厚みが120μmとなるように調整した両面テープでフィルム側のパネル板とガラス側のパネル板を貼り付けて、タッチパネルを作製した。両面テープの端から2.0mmの位置をポリアセタール製のペン(先端の形状0.8mmR)で35Nの荷重をかけ、両面テープと平行に10回(往復5回)の直線摺動を実施する。この試験において、本発明に係る透明導電性フィルム面に対してペンの荷重を印加する。このときの摺動距離は30mm、摺動速度は20mm/秒である。ただし、エポキシビーズがない位置で摺動を行う。摺動後に、透明導電性フィルムを取り外して、摺動部の任意の5か所の表面抵抗(4端子法)を測定し、平均値を出す。表面抵抗を測定するときは、摺動部と垂直になる方向に4端子を並べ、2端子目と3端子目の間に摺動部が来るようにする。摺動部の表面抵抗値の平均値を未摺動部の表面抵抗値(4端子法で測定)で除して、表面抵抗値の増加率を算出する。
なお、比較例においては、本発明に係る透明導電性フィルムに代わり、各比較例におけるフィルムを使用した。
(7) Pen Pressure Test: A transparent conductive film according to the present invention, cut to a size of 50 mm x 50 mm, was used as one panel plate. The other panel plate was a transparent conductive thin film consisting of a 20 nm-thick indium-tin composite oxide thin film (tin oxide content: 10% by mass) sputtered onto a glass substrate. These two panel plates were arranged with the transparent conductive thin films facing each other, with 30 μm diameter epoxy beads sandwiched between them. A touch panel was fabricated by attaching the film-side panel plate and the glass-side panel plate with double-sided tape adjusted to a thickness of 120 μm. A polyacetal pen (tip shape: 0.8 mmR) was used to apply a 35 N load to a position 2.0 mm from the end of the double-sided tape, and linear sliding was performed 10 times (five round trips) parallel to the double-sided tape. In this test, the pen load was applied to the surface of the transparent conductive film according to the present invention. The sliding distance was 30 mm, and the sliding speed was 20 mm/sec. However, sliding was performed in a position where there were no epoxy beads. After sliding, the transparent conductive film is removed and the surface resistance (four-terminal method) is measured at any five points on the sliding area, and the average value is calculated. When measuring the surface resistance, four terminals are arranged perpendicular to the sliding area, with the sliding area located between the second and third terminals. The average surface resistance value of the sliding area is divided by the surface resistance value of the non-sliding area (measured using the four-terminal method) to calculate the increase rate of surface resistance.
In the comparative examples, the films in the respective comparative examples were used instead of the transparent conductive film according to the present invention.

(8)透明導電膜中に含まれる酸化スズの含有率の測定
試料を切りとって(約15cm)石英製三角フラスコにいれ、6mol/l塩酸20mlを加え、酸の揮発がないようにフィルムシールをした。室温で時々揺り動かしながら9日間放置し、透明導電膜を溶解させた。残フィルムを取り出し、透明導電膜が溶解した塩酸を測定液とした。溶解液中のIn、Snは、ICP発光分析装置(メーカー名;リガク、装置型式;CIROS-120 EOP)を用いて、検量線法により求めた。各元素の測定波長は、干渉のない、感度の高い波長を選択した。また、標準溶液は、市販のIn、Snの標準溶液を希釈して用いた。
(8) Measurement of the tin oxide content in the transparent conductive film. A sample (approximately 15 cm2 ) was cut and placed in a quartz Erlenmeyer flask. 20 ml of 6 mol/L hydrochloric acid was added and sealed with film to prevent the acid from volatilizing. The flask was left at room temperature for 9 days with occasional shaking to dissolve the transparent conductive film. The remaining film was removed, and the hydrochloric acid in which the transparent conductive film had dissolved was used as the measurement solution. In and Sn in the solution were determined by the calibration curve method using an ICP optical emission spectrometer (manufacturer: Rigaku, model: CIROS-120 EOP). A wavelength with high sensitivity and no interference was selected for the measurement wavelength for each element. Commercially available standard solutions of In and Sn were diluted and used as standard solutions.

(9)付着性試験
JIS K5600-5-6:1999に準拠して実施した。
(9) Adhesion Test The adhesion test was carried out in accordance with JIS K5600-5-6:1999.

(10)耐屈曲性試験
JIS K5600-5-1:1999に準拠して実施した。ただし、マンドレル直径が13mmまで割れや剥れが起こらない場合は、これ以上の耐屈曲試験は行わず、すべて13mmと記載した。
(10) Bending resistance test: This test was carried out in accordance with JIS K5600-5-1: 1999. However, if no cracking or peeling occurred up to a mandrel diameter of 13 mm, further bending resistance tests were not carried out, and all tests were recorded as 13 mm.

(11)透過像鮮明度試験
JIS-K7105に準拠し、クシ幅0.125mm、0.25mm、0.5mm、1.0mm、2.0mmでの透明導電性フィルムの透過像鮮明度を測定し、各クシ幅の透過像鮮明度の総和を求めた。測定機は、スガ試験機(株)製 写像性測定器 ICM-1Tを用いた。
(11) Transmission Image Clarity Test According to JIS-K7105, the transmission image clarity of the transparent conductive film was measured at comb widths of 0.125 mm, 0.25 mm, 0.5 mm, 1.0 mm, and 2.0 mm, and the sum of the transmission image clarity for each comb width was calculated. The measuring machine used was an image clarity measuring instrument ICM-1T manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd.

実施例、比較例において使用した透明プラスチックフィルム基材は、両面に易接着層を有する二軸配向透明PETフィルム(東洋紡社製、A4340、厚みは表1に記載)である。硬化型樹脂層として、光重合開始剤含有アクリル系樹脂(大日精化工業社製、セイカビーム(登録商標)EXF-01J)100質量部に、シリカ粒子(日産化学社製、スノーテックスZL)を表1に記載の量を配合し、溶剤としてトルエン/MEK(8/2:質量比)の混合溶媒を、固形分濃度が50質量%になるように加え、撹拌して均一に溶解し塗布液を調製した(この塗布液を以下塗布液Aと呼ぶ)。塗膜の厚みが5μmになるように、調製した塗布液を、マイヤーバーを用いて塗布した。80℃で1分間乾燥を行った後、紫外線照射装置(アイグラフィックス社製、UB042-5AM-W型)を用いて紫外線を照射(光量:300mJ/cm)し、塗膜を硬化させた。また、硬化型樹脂層は透明プラスチック基材の両面に設けた。 The transparent plastic film substrate used in the examples and comparative examples was a biaxially oriented transparent PET film (A4340, manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness listed in Table 1) having easy-adhesion layers on both sides. As the curable resin layer, 100 parts by mass of a photopolymerization initiator-containing acrylic resin (Seikabeam (registered trademark) EXF-01J, manufactured by Dainichiseika Color & Chemicals Mfg. Co., Ltd.) was blended with silica particles (Snowtex ZL, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) in the amount listed in Table 1. A mixed solvent of toluene/MEK (8/2: mass ratio) was added as a solvent to a solids concentration of 50% by mass, and the mixture was stirred to dissolve uniformly to prepare a coating solution (hereinafter referred to as Coating Solution A). The prepared coating solution was applied using a Meyer bar to a coating thickness of 5 μm. After drying at 80°C for 1 minute, the coating was cured by irradiating ultraviolet light (light intensity: 300 mJ/cm 2 ) using an ultraviolet irradiation device (UB042-5AM-W, manufactured by iGraphics Co., Ltd.). The curable resin layers were provided on both sides of the transparent plastic substrate.

(実施例1~8)
各実施例水準は表1に示した条件のもと、以下の通り実施した。
真空槽にフィルムを投入し、1.5×10-4Paまで真空引きをした。次に、酸素導入後に不活性ガスとしてアルゴン、水素含有ガスとして水素ガスを表1に記載の濃度を導入し全圧を0.6Paにした。
インジウム-スズ複合酸化物の焼結ターゲット、あるいは酸化スズを含まない酸化インジウム焼結ターゲットに3W/cmの電力密度で電力を投入し、DCマグネトロンスパッタリング法により、透明導電膜を成膜した。膜厚についてはフィルムがターゲット上を通過するときの速度を変えて制御した。また、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比については、ガス分析装置(インフィコン社製、トランスペクターXPR3)を用いて測定した。各実施例水準において、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比を調節すべく、表1に記載されるように、ボンバード工程の有無、フィルムロール端面の凹凸高低差、フィルムが接触走行しているセンターロールの温度を制御する温調機の温媒の温度を調節した。フィルムロールへの成膜開始時から成膜終了時までの温度の最大値と最小値の丁度真ん中に当たる温度を中心値として表1に記載した。
透明導電膜を成膜積層したフィルムは、表1に記載の熱処理をした後、測定を実施した。測定結果を表1に示した。
(Examples 1 to 8)
Each example was carried out under the conditions shown in Table 1 as follows.
The film was placed in a vacuum chamber, and the chamber was evacuated to 1.5×10 −4 Pa. Next, oxygen was introduced, followed by introduction of argon as an inert gas and hydrogen gas as a hydrogen-containing gas at the concentrations shown in Table 1, until the total pressure reached 0.6 Pa.
A transparent conductive film was formed by DC magnetron sputtering using a sintered target of indium-tin composite oxide or a sintered target of indium oxide containing no tin oxide, with power input at a power density of 3 W/cm². Film thickness was controlled by varying the speed at which the film passed over the target. The ratio of water vapor pressure to inert gas in the film-forming atmosphere during sputtering was measured using a gas analyzer (Transpector XPR3, manufactured by INFICON). In each example, the ratio of water vapor pressure to inert gas in the film-forming atmosphere during sputtering was adjusted by adjusting the presence or absence of a bombardment process, the unevenness of the film roll end surface, and the temperature of the heating medium in the temperature regulator that controls the temperature of the center roll in contact with the film, as shown in Table 1. The temperature exactly midway between the maximum and minimum temperatures from the start to the end of film formation on the film roll was listed as the median value in Table 1.
The film on which the transparent conductive film was formed and laminated was subjected to the heat treatment shown in Table 1, and then measurements were carried out. The measurement results are shown in Table 1.

(比較例1~9)
表1に記載の条件で実施例1と同様に透明導電性フィルムを作製して評価した。ただし、比較例7は硬化型樹脂層を設けていない。ただし、比較例8は硬化型樹脂層の塗膜の厚みが20μmになるように調整した。結果を表2に示した。
(Comparative Examples 1 to 9)
Transparent conductive films were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 under the conditions shown in Table 1. However, in Comparative Example 7, no curable resin layer was provided. However, in Comparative Example 8, the thickness of the coating of the curable resin layer was adjusted to 20 μm. The results are shown in Table 2.

表1A、1Bに記載のとおり、実施例1~8記載の透明導電性フィルムは、ペン摺動耐久性、ペン重加圧耐久性、高精細性に優れており、すべての特性を兼備している。しかしながら、表2に記載の通り、比較例1~9はペン摺動耐久性、ペン重加圧耐久性、高精細性をすべて満たすことができていない。 As shown in Tables 1A and 1B, the transparent conductive films of Examples 1 to 8 have excellent pen sliding durability, pen heavy pressure durability, and high resolution, combining all of these properties. However, as shown in Table 2, Comparative Examples 1 to 9 do not satisfy all of the pen sliding durability, pen heavy pressure durability, and high resolution requirements.

上記の通り、本発明によれば、ペン摺動耐久性、ペン重加圧耐久性、高精細性に優れた透明導電性フィルムを作製でき、これは抵抗膜式タッチパネル等の用途に極めて有用である。 As described above, the present invention makes it possible to produce a transparent conductive film that has excellent pen sliding durability, pen heavy pressure durability, and high resolution, which is extremely useful for applications such as resistive touch panels.

1.フィルム
2.センターロール
3.チムニー
4.インジウム-スズ複合酸化物のターゲット
1. Film 2. Center roll 3. Chimney 4. Indium-tin composite oxide target

Claims (4)

透明プラスチックフィルム基材上の一方の面にインジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、
インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶粒径が10~100nmであり、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶化度が20~80%であり、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜が、酸化スズを0.5~10質量%含み、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の厚みが、10~30nmであり、インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜の三次元表面粗さSRaをXとした場合、Xが1~100nmであり、さらに透明プラスチックフィルム基材上の透明導電膜側とは反対面に、紫外線硬化型樹脂100質量部当たり無機粒子0.1~25質量部の配合された硬化型樹脂層を有し、前記硬化型樹脂層の三次元表面粗さSRaをYとした場合、(X+Y1/3が、140nm以下である透明導電性フィルム。
A transparent conductive film having a transparent conductive film of indium-tin composite oxide laminated on one surface of a transparent plastic film substrate,
a transparent conductive film comprising an indium-tin composite oxide having a crystal grain size of 10 to 100 nm, a crystallinity of 20 to 80%, a content of tin oxide of 0.5 to 10 mass %, a thickness of 10 to 30 nm, a three-dimensional surface roughness SRa of the transparent conductive film of indium-tin composite oxide of 10 to 100 nm, and a curable resin layer containing 0.1 to 25 parts by mass of inorganic particles per 100 parts by mass of ultraviolet-curable resin on the surface opposite to the transparent conductive film side of the transparent plastic film substrate, wherein, when the three-dimensional surface roughness SRa of the curable resin layer is Y, ( X3 + Y3 ) 1/3 is 140 nm or less.
透明導電膜の表面において付着性試験(JIS K5600-5-6:1999)を実施しても透明導電膜が剥離せず、 透明導電性フィルムのインジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜側において耐屈曲性試験(JIS K5600-5-1:1999)をし、10倍のルーペで屈曲部を観察した時に割れや剥れが起こるマンドレル直径が20mmより小さい請求項1に記載の透明導電性フィルム。 The transparent conductive film according to claim 1, wherein the transparent conductive film does not peel off when subjected to an adhesion test (JIS K5600-5-6:1999) on the surface of the transparent conductive film, and wherein the mandrel diameter at which cracking or peeling occurs when the indium-tin composite oxide transparent conductive film side of the transparent conductive film is subjected to a bending resistance test (JIS K5600-5-1:1999) and the bent portion is observed with a 10x magnifying glass is smaller than 20 mm. 透明導電性フィルムの厚みが100~250μmである請求項1又は2に記載の透明導電性フィルム The transparent conductive film according to claim 1 or 2, wherein the thickness of the transparent conductive film is 100 to 250 μm. インジウム-スズ複合酸化物の透明導電膜と透明プラスチックフィルム基材の間に硬化型樹脂層を有する請求項1~3のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。 4. The transparent conductive film according to claim 1 , further comprising a curable resin layer between the transparent conductive film of indium-tin composite oxide and the transparent plastic film substrate.
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