JP7735966B2

JP7735966B2 - 半導体装置

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Publication number: JP7735966B2
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Description

本開示は、半導体装置に関するものである。

従来、半導体装置においては、半導体素子の保護及び耐湿性確保等を目的として、半導体装置のケース内に樹脂を充填し、半導体素子が樹脂封止されている。
このため、半導体装置を動作させると、半導体素子から発生した熱によって封止樹脂が変形し、半導体装置に反りが生じる場合がある。これに対し、特許文献１には、封止樹脂の線形膨張係数を半導体素子から封止樹脂の上面に向かって連続的に増加させることにより、半導体素子の発熱に伴う半導体装置の反りの発生を抑制する技術が開示されている。また、特許文献２には、各半導体素子単位もしくは近接している複数の半導体素子をまとめてエポキシ系樹脂で局所的に被覆し、さらにその上部にウレタン樹脂を充填して、モジュール全体を封止する技術が開示されている。

特開２０２０－１０７６６６号公報特開２００６－３５１７３７号公報

しかしながら、上記は、半導体装置の製造過程における封止樹脂の伸縮までは考慮されていないため、製造過程における封止樹脂の硬化に伴う伸縮が原因となって、基板及びケースが変形し得るという課題があった。基板及びケースが変形した場合、半導体装置とヒートシンクとの接触を十分に得られないことによる放熱性の低下、半導体装置とヒートシンクとの締付時に基板及びケースの割れ等が懸念される。
特許文献２では、半導体素子を局所的にエポキシ樹脂で封止し、その周囲をウレタン樹脂で封止することによってケース全体を樹脂封止するため、封止樹脂の硬化に伴う伸縮により基板及びケースの変形が生じ得る。仮に、ウレタン樹脂による封止をなくすと、従来よりも封止樹脂の厚みが薄くなるため、半導体素子の保護及び耐湿性の確保が困難になる。

本開示は、上記のような問題を解決するためになされたものであって、製造過程での硬化に伴う封止材の伸縮によって生じる基板及びケースの変形を抑制しつつ、耐湿性を向上した半導体装置を提供することを目的とする。

本開示の一態様に係る半導体装置は、絶縁基板と、絶縁基板の一方の面に形成された第１の回路パターンと、絶縁基板の一方の面に形成された第２の回路パターンと、第１の回路パターンと電気的に接続された第１の端子電極と、第１の回路パターン上に載置された第１の半導体素子と、第１の回路パターン上に載置され、第１の半導体素子とは別の第２の半導体素子と、第２の回路パターンを介して、第１の半導体素子及び第２の半導体素子に電気的に接続された第２の端子電極と、第１の半導体素子全体を被覆する第１の封止材と、第２の半導体素子全体を被覆する、第１の封止材と材質が異なる第２の封止材と、第１の半導体素子と第２の半導体素子とを囲い、第１の封止材及び第２の封止材と離隔して絶縁基板に接合されたケースと、を備え、ケースと第１の封止材との間に空隙が設けられることにより絶縁基板が露出し、ケースと第２の封止材との間に空隙が設けられることにより絶縁基板が露出しているものである。

本開示によれば、硬化に伴う封止材の伸縮によって生じる基板及びケースの変形を抑制しつつ、耐湿性を向上した半導体装置を得ることができる。

実施の形態１に係る半導体装置の断面模式図。実施の形態２に係る半導体装置の断面模式図。実施の形態１及び実施の形態２において、第１の封止材９及び第２の封止材１０が形成される前の半導体装置の上面模式図。実施の形態２において、第１の治具１２をセットした状態の半導体装置の上面模式図。実施の形態２において、第１の治具１２に第１の封止材９を注入した状態の半導体装置の上面模式図。実施の形態２において、第２の治具１３をセットした状態の半導体装置の上面模式図。実施の形態２において、第２の治具１３に第２の封止材１０を注入した状態の半導体装置の上面模式図。実施の形態２において、第１の封止材９と第２の封止材１０とを形成した後の半導体装置の上面模式図。実施の形態３に係る半導体装置の断面模式図。実施の形態４に係る半導体装置の断面模式図。実施の形態５に係る半導体装置の断面模式図。実施の形態６に係る半導体装置の断面模式図。実施の形態７に係る半導体装置の断面模式図。

以下に、本開示に係る半導体装置の一例を示すが、以下に示す実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲で、任意に変形して実施することができる。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る半導体装置の断面模式図である。図３は、実施の形態１及び実施の形態２において、第１の封止材９及び第２の封止材１０が形成される前の半導体装置の上面模式図である。
実施の形態１に係る半導体装置は、図１及び図３に示す通り、絶縁基板１の一方の面に第１の回路パターン２ａと第２の回路パターン２ｂとが形成され、絶縁基板１の他方の面にヒートスプレッダとしてベース板３が形成されている。第１の回路パターン２ａ上には、第１の半導体素子４と第１の半導体素子４とは別の第２の半導体素子５とが載置されており、第１の半導体素子４はリード線６ａを介して、第２の半導体素子５はリード線６ｂを介して、第２の回路パターン２ｂと電気的に接続されている。また、第１の回路パターン２ａは、制御配線７ａを介して、端子電極８ａと電気的に接続されている。第２の回路パターン２ｂは、制御配線７ｂを介して、端子電極８ｂと電気的に接続されている。第１の半導体素子４は、第１の封止材９で被覆され、第２の半導体素子５は、第１の封止材９とは異なる材質の第２の封止材１０で被覆されている。さらに、第１の半導体素子４及び第２の半導体素子５を囲い、第１の封止材９と第２の封止材１０とは離隔して、絶縁基板１に接合されたケース１１を備える。

尚、第１の半導体素子４と第１の半導体素子４とは別の第２の半導体素子５とが載置されているということは、半導体素子の種類、構造、駆動電圧等にかかわらず、半導体素子が２つ載置されていることを意味している。例えば、半導体素子の種類が同一か同一でないかは問わず、第１の半導体素子４及び第２の半導体素子５のどちらもダイオードである場合も、一方がダイオードで他方がトランジスタである場合も含む。また、例としてディスクリート半導体を挙げたが、集積型半導体を適用する場合も含み、第１の半導体素子４と第２の半導体素子５との組み合わせとして、半導体素子の種類、構造、駆動電圧等を限定するものではない。

また、封止材の材質は、半導体素子の保護及び耐湿性の向上を目的として、被覆する対象の半導体素子毎に適当な材質を選択することができる。つまり、ケース１１全体を樹脂封止する必要がないよう、半導体素子の保護及び耐湿性確保等が可能な材質を半導体素子毎に選択することができる。例えば、第１の半導体素子４ではより付着力が封止材に求められ、第２の半導体素子５にはより耐熱性が封止材に求められる場合、第１の封止材９としてエポキシ樹脂を適用し、第２の封止材１０としてシリコーン樹脂を適用する、といった選択が可能である。ただし、ここで示した組み合わせは例示に過ぎず、半導体素子及び半導体装置に求められる仕様等に応じて、被覆する対象の半導体素子毎に封止材の材質を選択することができる。
その他の構成要素の材料の一例としては、ベース板３に銅合金、ケース１１にエンジニアリングプラスチックを適用可能である。ただし、構成要素の材料は上記に限るものではなく、半導体装置の仕様及び求められる性能等に合わせて、任意に組み合わせ可能である。

さらに、第１の半導体素子４及び第２の半導体素子５のどちらか一方の表面に、第１の封止材９及び第２の封止材１０とは異なる材質の高分子化合物層（図示せず）が形成されていても良い。例えば、第１の封止材９がエポキシ樹脂の場合、第１の半導体素子４の表面に高分子化合物層としてポリイミドを適用することによって、高分子化合物層を適用しない場合に比べて、さらに耐湿性を向上することができる。

このように構成された半導体装置を適用することにより、ケース全体を封止材で充填せずに半導体素子毎に封止材の材質を使い分けることができるため、硬化に伴う封止材の伸縮によって生じる基板及びケースの変形を抑制しつつ、耐湿性を向上した半導体装置を提供することができる。

したがって、実施の形態１に示した半導体装置を適用することにより、ケース内全体を封止材で充填せずに半導体素子毎に封止材の材質を使い分けることができるため、硬化に伴う封止材の伸縮によって生じる基板及びケースの変形を抑制しつつ、耐湿性を向上した半導体装置を得ることができる。

実施の形態２．
図２は、実施の形態２に係る半導体装置の断面模式図である。
実施の形態２に係る半導体装置において、実施の形態１と異なる点は、図２に示す通り、第１の封止材９と第２の封止材１０とが互いに離隔している点であり、他の構成については実施の形態１と同様のため、詳細な説明は省略する。第１の封止材９と第２の封止材１０とが互いに離隔することにより、製造過程において一方の封止材に硬化に伴う伸縮が生じた場合であっても、他方の封止材に干渉し、応力が加わることを防ぐことができる。つまり、硬化に伴う封止材の伸縮によって基板及びケースの形状が変形することを抑制することができる。

このように構成された半導体装置を適用することにより、ケース内全体を封止材で充填せずに半導体素子毎に封止材の材質を使い分けることができることに加え、半導体素子毎の封止材が互いに干渉することを防ぐことができるため、硬化に伴う封止材の伸縮によって生じる基板及びケースの変形をさらに抑制しつつ、耐湿性を向上した半導体装置を得ることができる。

ここで、実施の形態２に示した半導体装置について、第１の封止材９と第２の封止材１０とを形成する工程を、実施例として模式的に示す。
図３は、実施の形態２において、第１の封止材９及び第２の封止材１０が形成される前の半導体装置の上面模式図である。図４は、実施の形態２において、第１の治具１２をセットした状態の半導体装置の上面模式図である。図５は、実施の形態２において、第１の治具１２に第１の封止材９を注入した状態の半導体装置の上面模式図である。図６は、実施の形態２において、第２の治具１３をセットした状態の半導体装置の上面模式図である。図７は、実施の形態２において、第２の治具１３に第２の封止材１０を注入した状態の半導体装置の上面模式図である。図８は、実施の形態２において、第１の封止材９と第２の封止材１０とを形成した後の半導体装置の上面模式図である。

簡単のため、第１の封止材９と第２の封止材１０とを形成する直前の状態から、順を追って示すと、図３に示す通り、第１の半導体素子４と第２の半導体素子５とが、露出した状態で第１の回路パターン２ａ上に載置されている。まず、第１の半導体素子４を樹脂封止するため、第１の封止材９を形成する領域が区切られた第１の治具１２を図４に示す通りセットする。次に、図５に示す通り、第１の治具１２によって囲われた領域に第１の封止材９を注入する。第１の封止材９に対する硬化処理を実施後、第１の治具１２は取り外す。尚、第１の封止材９に対する硬化処理は特に限定されるものではなく、適用する封止材に合わせて、紫外線の照射、加熱処理等といった硬化処理方法が適用可能である。次に、第２の半導体素子５を樹脂封止するため、第２の封止材１０を形成する領域が区切られた第２の治具１３を図６に示す通りセットする。次に、図７に示す通り、第２の治具１３によって囲われた領域に第２の封止材１０を注入する。第２の封止材１０に対する硬化処理を実施後、第２の治具１３を取り外すと、図８に示す通り、第１の封止材９と第２の封止材１０とが互いに離間して形成された、実施の形態２の半導体装置を得られる。

したがって、実施の形態２に示した半導体装置を適用することにより、実施の形態１と同様の効果に加え、半導体素子毎の封止材が互いに干渉することを防ぐことができるため、基板及びケースの変形をさらに抑制する効果が得られる。

実施の形態３．
図９は、実施の形態３に係る半導体装置の断面模式図である。
実施の形態３に係る半導体装置において、実施の形態１と異なる点は、図９に示す通り、第１の回路パターンは第１の半導体載置回路１４と第２の半導体載置回路１５とを有し、第１の半導体素子４が第１の半導体載置回路１４上に載置され、第２の半導体素子５が第２の半導体載置回路１５上に載置されている点であり、第１の半導体素子４と第２の半導体素子５とは、リード線６ａにより電気的に接続され、第１の半導体素子４と第２の半導体素子５との間には端子電極１６を備える。また、第２の半導体素子５と第２の回路パターン２ｂとは、リード線６ｂにより電気的に接続されている。他の構成については実施の形態１と同様のため、詳細な説明は省略する。

このように構成された半導体装置を適用することにより、三極での動作を想定した半導体装置であっても、ケース内全体を封止材で充填せずに半導体素子毎に封止材の材質を使い分けることができるため、硬化に伴う封止材の伸縮によって生じる基板及びケースの変形を抑制しつつ、耐湿性を向上した半導体装置を得ることができる。
例えば、図９で示すところの第１の半導体素子４をP側とし、第２の半導体素子５をN側とした電力用半導体装置を想定した場合、P側とN側とでは半導体素子の種類、動作、特性等が異なる場合があるので、それぞれに合った適切な封止材を使い分けられることにより、耐湿性向上に大きく貢献する。

したがって、実施の形態３に示した半導体装置を適用することにより、実施の形態１と同様の効果に加え、回路構成の違いにも対応して適切に封止材を使い分けることができるため、さらに耐湿性を向上した半導体装置を得ることができる。

実施の形態４．
図１０は、実施の形態４に係る半導体装置の断面模式図である。
実施の形態４に係る半導体装置において、実施の形態１と異なる点は、図１０に示す通り、半導体素子が載置されていない第３の回路パターン１７を有しており、端子電極８ａと第１の回路パターン２ａとが、制御配線７ａ及び第３の回路パターン１７を介して電気的に接続されている点である。他の構成については実施の形態１と同様のため、詳細な説明は省略する。

このように構成された半導体装置を適用することにより、半導体素子の配置及び回路パターンの設計自由度を向上させつつ、ケース内全体を封止材で充填せずに半導体素子毎に封止材の材質を使い分けることができるため、硬化に伴う封止材の伸縮によって生じる基板及びケースの変形を抑制しつつ、耐湿性を向上した半導体装置を得ることができる。
例えば、封止材による封止を避けたい回路パターンを有する場合、図１０で示すところの第３の回路パターン１７として構成することで、封止材で封止しない回路パターンを有する半導体装置を得ることができる。

したがって、実施の形態４に示した半導体装置を適用することにより、実施の形態１と同様の効果に加え、半導体素子の配置及び回路パターンの設計自由度を向上することができるため、さらに耐湿性を向上した半導体装置を得ることができる。

実施の形態５．
図１１は、実施の形態５に係る半導体装置の断面模式図である。
実施の形態５に係る半導体装置において、実施の形態１と異なる点は、図１１に示す通り、制御配線７ａ及び制御配線７ｂを第３の封止材１８によって封止している点である。他の構成については実施の形態１と同様のため、詳細な説明は省略する。
尚、第３の封止材１８の材質は、第１の封止材９又は第２の封止材１０と同じ材質を使用しても良いが、第１の封止材９及び第２の封止材１０とは異なる材質を適用することも可能であり、制御配線７ａ及び制御配線７ｂを被覆する目的に応じた任意の材質を適用可能である。

このように構成された半導体装置を適用することにより、制御配線を封止材で封止しつつ、ケース内全体を封止材で充填せずに半導体素子毎に封止材の材質を使い分けることができるため、硬化に伴う封止材の伸縮によって生じる基板及びケースの変形を抑制しつつ、耐湿性を向上した半導体装置を得ることができる。

したがって、実施の形態５に示した半導体装置を適用することにより、実施の形態１と同様の効果に加え、制御配線も封止材で被覆することができるため、さらに耐湿性を向上した半導体装置を得ることができる。

実施の形態６．
図１２は、実施の形態６に係る半導体装置の断面模式図である。
実施の形態６に係る半導体装置において、実施の形態１と異なる点は、図１２に示す通り、端子電極８ａが第１の回路パターン２ａに、端子電極８ｂが第２の回路パターン２ｂに直接接合されている点である。他の構成については実施の形態１と同様のため、詳細な説明は省略する。
尚、直接接合の方法としては、熱圧着、超音波、パルスヒーター、レーザー加熱等の任意の方法を適用可能であり、例えば、加熱を伴う接合方法を避けつつ、接触抵抗の低減と強固な直接接合を得たい場合は、超音波接合の適用が好適である。

このように構成された半導体装置を適用することにより、端子電極の接触抵抗の低減と接合安定性を向上しつつ、硬化に伴う封止材の伸縮によって生じる基板及びケースの変形を抑制し、耐湿性を向上した半導体装置を得ることができる。

したがって、実施の形態６に示した半導体装置を適用することにより、実施の形態１と同様の効果に加え、端子電極の接触抵抗の低減と接合安定性を向上することができるため、さらに信頼性が向上した半導体装置を得ることができる。

実施の形態７．
図１３は、実施の形態７に係る半導体装置の断面模式図である。
実施の形態７に係る半導体装置において、実施の形態１と異なる点は、図１３に示す通り、ケース１１に蓋１９を備えている点である。他の構成については実施の形態１と同様のため、詳細な説明は省略する。

このように構成された半導体装置を適用することにより、蓋を有することによるケース内の保護及び耐湿性を向上しつつ、ケース内全体を封止材で充填せずに半導体素子毎に封止材の材質を使い分けることができるため、硬化に伴う封止材の伸縮によって生じる基板及びケースの変形を抑制しつつ、耐湿性を向上した半導体装置を得ることができる。また、蓋を有することで半導体装置のデザイン性の幅を広げることもできる。

したがって、実施の形態７に示した半導体装置を適用することにより、実施の形態１と同様の効果に加え、蓋を有することによるケース内の保護及び耐湿性の向上と、デザイン性の幅を広げた半導体装置を得ることができる。

以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。

（付記１）
絶縁基板と、
前記絶縁基板の一方の面に形成された第１の回路パターンと、
前記絶縁基板の一方の面に形成された第２の回路パターンと、
前記第１の回路パターンと電気的に接続された第１の端子電極と、
前記第１の回路パターン上に載置された第１の半導体素子と、
前記第１の回路パターン上に載置され、前記第１の半導体素子とは別の第２の半導体素子と、
前記第２の回路パターンを介して、前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子に電気的に接続された第２の端子電極と、
前記第１の半導体素子を被覆する第１の封止材と、
前記第２の半導体素子を被覆する、前記第１の封止材と材質が異なる第２の封止材と、
前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とを囲い、前記第１の封止材及び前記第２の封止材と離隔して前記絶縁基板に接合されたケースと、
を備えた半導体装置。
（付記２）
前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子のどちらか一方の表面に、前記第１の封止材及び前記第２の封止材とは異なる材質の高分子化合物層が形成されていること、
を特徴とする付記１に記載の半導体装置。
（付記３）
前記第１の封止材と前記第２の封止材とが、互いに離隔していること、
を特徴とする付記１又は付記２に記載の半導体装置。
（付記４）
前記第１の回路パターンは第１の半導体載置回路と第２の半導体載置回路とを有し、前記第１の半導体載置回路に前記第１の半導体素子が載置され、前記第２の半導体載置回路に前記第２の半導体素子が載置されていること、
を特徴とする付記１から付記３のいずれか１項に記載の半導体装置。
（付記５）
前記半導体装置は、電力用半導体装置であって、
前記第１の半導体載置回路はP側であり、前記第２の半導体載置回路はN側であること、
を特徴とする付記４に記載の半導体装置。
（付記６）
前記第１の回路パターンと前記第１の端子電極とは、半導体素子が載置されていない第３の回路パターンを介して電気的に接続されていること、
を特徴とする付記１から付記５のいずれか１項に記載の半導体装置。
（付記７）
前記第３の回路パターンは、封止材に被覆されていないこと、
を特徴とする付記６に記載の半導体装置。
（付記８）
前記第１の端子電極と前記第１の回路パターンとが第１の制御配線によって電気的に接続有し、前記第２の端子電極と前記第２の回路パターンとが第２の制御配線によって電気的に接続され、
前記第１の制御配線及び前記第２の制御配線は、第３の封止材によって被覆されていること、
を特徴とする付記１から付記７のいずれか１項に記載の半導体装置。
（付記９）
前記第３の封止材の材質は、前記第１の封止材の材質及び前記第２の封止材の材質と異なること、
を特徴とする付記８に記載の半導体装置。
（付記１０）
前記第１の端子電極と前記第１の回路パターンとの電気的接続と、前記第２の端子電極と前記第２の回路パターンとの電気的接続との少なくとも一方の電気的接続は、直接接合されていること、
を特徴とする付記１から付記９のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
（付記１１）
前記第１の端子電極と前記第１の回路パターンとの電気的接続と、前記第２の端子電極と前記第２の回路パターンとの電気的接続との少なくとも一方の電気的接続は、超音波接合によって直接接合されていること、
を特徴とする付記１０に記載の半導体装置。
（付記１２）
前記ケースは、蓋を有していること、
を特徴とする付記１から付記１１のうちいずれか１項に記載の半導体装置。

１絶縁基板
２ａ第１の回路パターン
２ｂ第２の回路パターン
３ベース板
４第１の半導体素子
５第２の半導体素子
６ａリード線
６ｂリード線
７ａ制御配線
７ｂ制御配線
８ａ端子電極
８ｂ端子電極
９第１の封止材
１０第２の封止材
１１ケース
１２第１の治具
１３第２の治具
１４第１の半導体載置回路
１５第２の半導体載置回路
１６端子電極
１７第３の回路パターン
１８第３の封止材
１９蓋

Claims

絶縁基板と、
前記絶縁基板の一方の面に形成された第１の回路パターンと、
前記絶縁基板の一方の面に形成された第２の回路パターンと、
前記第１の回路パターンと電気的に接続された第１の端子電極と、
前記第１の回路パターン上に載置された第１の半導体素子と、
前記第１の回路パターン上に載置され、前記第１の半導体素子とは別の第２の半導体素子と、
前記第２の回路パターンを介して、前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子に電気的に接続された第２の端子電極と、
前記第１の半導体素子全体を被覆する第１の封止材と、
前記第２の半導体素子全体を被覆する、前記第１の封止材と材質が異なる第２の封止材と、
前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とを囲い、前記第１の封止材及び前記第２の封止材と離隔して前記絶縁基板に接合されたケースと、
を備え、
前記ケースと前記第１の封止材との間に空隙が設けられることにより前記絶縁基板が露出し、
前記ケースと前記第２の封止材との間に空隙が設けられることにより前記絶縁基板が露出している半導体装置。
前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子のどちらか一方の表面に、前記第１の封止材及び前記第２の封止材とは異なる材質の高分子化合物層が形成されていること、
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記第１の封止材と前記第２の封止材とが、互いに離隔していること、
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記第１の回路パターンは第１の半導体載置回路と第２の半導体載置回路とを有し、前記第１の半導体載置回路に前記第１の半導体素子が載置され、前記第２の半導体載置回路に前記第２の半導体素子が載置されていること、
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記半導体装置は、電力用半導体装置であって、
前記第１の半導体載置回路はP側であり、前記第２の半導体載置回路はN側であること、
を特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
前記第１の回路パターンと前記第１の端子電極とは、半導体素子が載置されていない第３の回路パターンを介して電気的に接続されていること、
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記第３の回路パターンは、封止材に被覆されていないこと、
を特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
前記第１の端子電極と前記第１の回路パターンとが第１の制御配線によって電気的に接続され、前記第２の端子電極と前記第２の回路パターンとが第２の制御配線によって電気的に接続され、
前記第１の制御配線及び前記第２の制御配線は、第３の封止材によって被覆されていること、
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記第３の封止材の材質は、前記第１の封止材の材質及び前記第２の封止材の材質と異なること、
を特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
前記第１の端子電極と前記第１の回路パターンとの電気的接続と、前記第２の端子電極と前記第２の回路パターンとの電気的接続との少なくとも一方の電気的接続は、直接接合されていること、
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記第１の端子電極と前記第１の回路パターンとの電気的接続と、前記第２の端子電極と前記第２の回路パターンとの電気的接続との少なくとも一方の電気的接続は、超音波接合によって直接接合されていること、
を特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
前記ケースは、蓋を有していること、
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。