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JP7752866B2 - Compound, light-emitting material and light-emitting device - Google Patents
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JP7752866B2 - Compound, light-emitting material and light-emitting device - Google Patents

Compound, light-emitting material and light-emitting device

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JP7752866B2 JP2022008638A JP2022008638A JP7752866B2 JP 7752866 B2 JP7752866 B2 JP 7752866B2 JP 2022008638 A JP2022008638 A JP 2022008638A JP 2022008638 A JP2022008638 A JP 2022008638A JP 7752866 B2 JP7752866 B2 JP 7752866B2
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Description

本発明は、発光材料として有用な化合物とそれを用いた発光素子に関する。 The present invention relates to a compound useful as a light-emitting material and a light-emitting device using the same.

有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)などの発光素子の発光効率を高める研究が盛んに行われている。特に、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する電子輸送材料、ホール輸送材料、発光材料などを新たに開発して組み合わせることにより、発光効率を高める工夫が種々なされてきている。その中には、遅延蛍光材料を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子に関する研究も見受けられる。 Research into improving the luminous efficiency of light-emitting elements such as organic electroluminescent elements (organic EL elements) is currently underway. In particular, various efforts have been made to improve luminous efficiency by developing and combining newly developed electron transport materials, hole transport materials, and luminescent materials that make up organic electroluminescent elements. Among these efforts, there is also research into organic electroluminescent elements that use delayed fluorescent materials.

遅延蛍光材料は、励起状態において、励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差を生じた後、その励起一重項状態から基底状態へ戻る際に蛍光を放射する材料である。こうした経路による蛍光は、基底状態から直接生じた励起一重項状態からの蛍光(通常の蛍光)よりも遅れて観測されるため、遅延蛍光と称されている。ここで、例えば、発光性化合物をキャリアの注入により励起した場合、励起一重項状態と励起三重項状態の発生確率は統計的に25%:75%であるため、直接生じた励起一重項状態からの蛍光のみでは、発光効率の向上に限界がある。一方、遅延蛍光材料では、励起一重項状態のみならず、励起三重項状態も上記の逆項間交差を介した経路により蛍光発光に利用することができるため、通常の蛍光材料に比べて高い発光効率が得られることになる。 Delayed fluorescent materials are materials that undergo reverse intersystem crossing from an excited triplet state to an excited singlet state in an excited state, and then emit fluorescence when returning from that excited singlet state to the ground state. Fluorescence via this pathway is observed later than fluorescence from the excited singlet state (normal fluorescence) that arises directly from the ground state, hence the term delayed fluorescence. For example, when a light-emitting compound is excited by carrier injection, the statistical probability of the excited singlet state and the excited triplet state occurring is 25%:75%, so there is a limit to how much improvement in luminous efficiency can be achieved using only the fluorescence from the directly arising excited singlet state. On the other hand, delayed fluorescent materials can utilize not only the excited singlet state but also the excited triplet state for fluorescence emission via the above-mentioned reverse intersystem crossing pathway, resulting in higher luminous efficiency than normal fluorescent materials.

このような原理が明らかにされて以降、様々な研究により種々の遅延蛍光材料が発見されるに至っている。その中には、例えばベンゼンに2個のシアノフェニル基と4個の置換もしくは無置換のカルバゾール-9-イル基が置換した下記の化合物が含まれている(特許文献1および非特許文献1参照)。 Since this principle was clarified, various research efforts have led to the discovery of a variety of delayed fluorescent materials. These include, for example, the following compound, in which two cyanophenyl groups and four substituted or unsubstituted carbazol-9-yl groups are substituted on a benzene ring (see Patent Document 1 and Non-Patent Document 1).

中国特許公開第112409240号公報Chinese Patent Publication No. 112409240

Adv.Mater.2020,32,1908355Adv.Mater.2020,32,1908355

遅延蛍光を放射する材料であっても、その特性が極めて良好であって、実用面における課題がないものはこれまでに提供されるに至っていない。このため、例えば上記の遅延蛍光材料よりも、一段と発光特性が良好な遅延蛍光材料を提供することができれば有用である。例えば、上記の遅延蛍光材料よりも遅延蛍光寿命が短い発光材料を提供できれば産業上の利用可能性が高まる。しかし、遅延蛍光材料の改良は試行錯誤の段階にあり、有用な発光材料の化学構造を一般化することは容易でない。 Even among materials that emit delayed fluorescence, none have been provided to date that have extremely good properties and no practical issues. For this reason, it would be useful to provide delayed fluorescent materials with even better luminescence properties than the delayed fluorescent materials described above. For example, if a light-emitting material with a shorter delayed fluorescence lifetime than the delayed fluorescent materials described above could be provided, its industrial applicability would be enhanced. However, improvements to delayed fluorescent materials are still in the trial and error stage, and it is not easy to generalize the chemical structure of a useful light-emitting material.

このような状況下において本発明者らは、発光素子用の発光材料としてより有用な化合物を提供することを目的として研究を重ねた。そして、発光材料としてより有用な化合物の一般式を導きだして一般化することを目的として鋭意検討を進めた。 Under these circumstances, the inventors conducted extensive research with the aim of providing compounds that are more useful as light-emitting materials for light-emitting devices. They then conducted extensive research with the aim of deriving and generalizing a general formula for compounds that are more useful as light-emitting materials.

上記の目的を達成するために鋭意検討を進めた結果、本発明者らは、特定の条件を満たす構造を有する化合物が発光材料として有用であることを見いだした。本発明は、こうした知見に基づいて提案されたものであり、具体的に、以下の構成を有する。 As a result of extensive research to achieve the above objective, the inventors have discovered that compounds having structures that satisfy specific conditions are useful as light-emitting materials. The present invention was proposed based on this finding, and specifically has the following configuration.

[1] 下記一般式(1)で表される化合物。
[一般式(1)において、Aは、2-シアノフェニル基、4-シアノフェニル基、またはフェニル基またはナフチル基で置換されていてもよいシアノピリジル基を表し、これらの基の水素原子は重水素原子で置換されていてもよい。RおよびRの一方は、アクセプター性基を表す。RおよびRの他方、R、R、Rのうちの少なくとも1個は、各々独立に置換もしくは無置換のベンゾフロ縮環カルバゾール-9-イル基、または置換もしくは無置換のベンゾチエノ縮環カルバゾール-9-イル基を表す。残りのR~Rは、各々独立に水素原子、重水素原子、置換もしくは無置換のアリール基、またはドナー性基を表す(ただし、前記ドナー性基には、アルキル基、置換もしくは無置換のベンゾフロ縮環カルバゾール-9-イル基、および置換もしくは無置換のベンゾチエノ縮環カルバゾール-9-イル基は含まれない)。]
[2] 極大発光波長が420nm~575nmの範囲内にある、[1]に記載の化合物。
[3] Rがアクセプター性基である、[1]または[2]に記載の化合物。
[4] Rがアクセプター性基である、[1]または[2]に記載の化合物。
[5] 前記アクセプター性基がAと同じ構造を有する基である、[1]~[4]のいずれか1つに記載の化合物。
[6] 前記アクセプター性基が、環骨格構成原子として窒素原子を含む置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基である、[1]~[5]のいずれか1つに記載の化合物。
[7] R~Rの少なくとも2個が、各々独立に置換もしくは無置換のベンゾフロ縮環カルバゾール-9-イル基、または置換もしくは無置換のベンゾチエノ縮環カルバゾール-9-イル基である、[1]~[6]のいずれか1つに記載の化合物。
[8] RおよびRが各々独立にドナー性基である、[1]~[7]のいずれか1つに記載の化合物。
[9] 前記ドナー性基が、置換もしくは無置換のジアリールアミノ基(ただし、ジアリールアミノ基を構成する2つのアリール基は互いに結合していてもよい)である、[1]~[8]のいずれか1つに記載の化合物。
[10] 対称構造を有する、[1]~[9]のいずれか1つに記載の化合物。
[11] [1]~[10]のいずれか1つに記載の化合物からなる発光材料。
[12] [1]~[10]のいずれか1つに記載の化合物からなる遅延蛍光体。
[13] [1]~[10]のいずれか1つに記載の化合物を含む膜。
[14] [1]~[10]のいずれか1つに記載の化合物を含む有機半導体素子。
[15] [1]~[10]のいずれか1つに記載の化合物を含む有機発光素子。
[16] 前記素子が前記化合物を含む層を有しており、前記層がホスト材料も含む、[15]に記載の有機発光素子。
[17] 前記化合物を含む層が、前記化合物および前記ホスト材料の他に遅延蛍光材料も含み、前記遅延蛍光材料の最低励起一重項エネルギーが前記ホスト材料より低く、前記化合物よりも高い、[16]に記載の有機発光素子。
[18] 前記素子が前記化合物を含む層を有しており、前記層が前記化合物とは異なる構造を有する発光材料も含む、[16]に記載の有機発光素子。
[19] 前記素子に含まれる材料のうち、前記化合物からの発光量が最大である、[16]~[18]のいずれか1つに記載の有機発光素子。
[20] 前記発光材料からの発光量が前記化合物からの発光量よりも多い、[18]に記載の有機発光素子。
[21] 有機エレクトロルミネッセンス素子である、[15]~[20]のいずれか1つに記載の有機発光素子。
[22] 遅延蛍光を放射する、[15]~[21]のいずれか1つに記載の有機発光素子。
[1] A compound represented by the following general formula (1):
[In general formula (1), A represents a 2-cyanophenyl group, a 4-cyanophenyl group, or a cyanopyridyl group optionally substituted with a phenyl group or a naphthyl group, and a hydrogen atom in these groups may be substituted with a deuterium atom. One of R2 and R3 represents an acceptor group. The other of R2 and R3 , and at least one of R1 , R4 , and R5 , each independently represents a substituted or unsubstituted benzofuro-fused carbazol-9-yl group or a substituted or unsubstituted benzothieno-fused carbazol-9-yl group. The remaining R1 to R5 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted aryl group, or a donor group (however, the donor group does not include an alkyl group, a substituted or unsubstituted benzofuro-fused carbazol-9-yl group, or a substituted or unsubstituted benzothieno-fused carbazol-9-yl group).]
[2] The compound according to [1], having a maximum emission wavelength in the range of 420 nm to 575 nm.
[3] The compound according to [1] or [2], wherein R 2 is an acceptor group.
[4] The compound according to [1] or [2], wherein R 3 is an acceptor group.
[5] The compound according to any one of [1] to [4], wherein the acceptor group is a group having the same structure as A.
[6] The compound according to any one of [1] to [5], wherein the acceptor group is a substituted or unsubstituted heteroaryl group containing a nitrogen atom as a ring skeleton-constituting atom, or a cyano group.
[7] The compound according to any one of [1] to [6], wherein at least two of R 1 to R 5 are each independently a substituted or unsubstituted benzofuro-fused carbazol-9-yl group, or a substituted or unsubstituted benzothieno-fused carbazol-9-yl group.
[8] The compound according to any one of [1] to [7], wherein R 2 and R 5 each independently represent a donor group.
[9] The compound according to any one of [1] to [8], wherein the donor group is a substituted or unsubstituted diarylamino group (wherein the two aryl groups constituting the diarylamino group may be bonded to each other).
[10] The compound according to any one of [1] to [9], which has a symmetric structure.
[11] A light-emitting material comprising the compound according to any one of [1] to [10].
[12] A delayed fluorescent material comprising the compound according to any one of [1] to [10].
[13] A film containing the compound according to any one of [1] to [10].
[14] An organic semiconductor device comprising the compound according to any one of [1] to [10].
[15] An organic light-emitting device comprising the compound according to any one of [1] to [10].
[16] The organic light-emitting device according to [15], wherein the device has a layer containing the compound, and the layer also contains a host material.
[17] The layer containing the compound also contains a delayed fluorescent material in addition to the compound and the host material, and the lowest excited singlet energy of the delayed fluorescent material is lower than that of the host material and higher than that of the compound. The organic light-emitting element according to [16].
[18] The organic light-emitting device according to [16], wherein the device has a layer containing the compound, and the layer also contains a light-emitting material having a structure different from that of the compound.
[19] The organic light-emitting device according to any one of [16] to [18], wherein the compound has the greatest amount of light emission among the materials contained in the device.
[20] The organic light-emitting element according to [18], wherein the amount of light emitted from the light-emitting material is greater than the amount of light emitted from the compound.
[21] The organic light-emitting device according to any one of [15] to [20], which is an organic electroluminescence device.
[22] The organic light-emitting device according to any one of [15] to [21], which emits delayed fluorescence.

一般式(1)で表される化合物は、発光特性が優れている。一般式(1)には、深青色で発光する発光材料が含まれる。また、一般式(1)には遅延蛍光の寿命が短い発光材料が含まれる。一般式(1)で表される化合物を用いれば優れた有機発光素子を提供することができる。 Compounds represented by general formula (1) have excellent light-emitting properties. General formula (1) includes light-emitting materials that emit deep blue light. General formula (1) also includes light-emitting materials that exhibit a short delayed fluorescence lifetime. By using compounds represented by general formula (1), it is possible to provide excellent organic light-emitting devices.

以下において、本発明の内容について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様や具体例に限定されるものではない。なお、本明細書において「~」を用いて表される数値範囲は、「~」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。また、本発明に用いられる化合物の分子内に存在する水素原子の一部または全部は重水素原子(H、デューテリウムD)に置換することができる。本明細書の化学構造式では、水素原子はHと表示しているか、その表示を省略している。例えばベンゼン環の環骨格構成炭素原子に結合する原子の表示が省略されているとき、表示が省略されている箇所ではHが環骨格構成炭素原子に結合しているものとする。本明細書の化学構造式では、重水素原子はDと表示している。 The present invention will be described in detail below. The following description of the constituent elements may be based on representative embodiments and specific examples of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments and specific examples. In this specification, a numerical range expressed using "to" means a range that includes the numerical values before and after "to" as the lower and upper limits. Furthermore, some or all of the hydrogen atoms present in the molecules of the compounds used in the present invention can be substituted with deuterium atoms ( 2 H, deuterium D). In the chemical structural formulas herein, hydrogen atoms are represented as H or are omitted. For example, when the representation of atoms bonded to carbon atoms constituting the ring skeleton of a benzene ring is omitted, it is assumed that H is bonded to the carbon atom constituting the ring skeleton at the omitted location. In the chemical structural formulas herein, deuterium atoms are represented as D.

[一般式(1)で表される化合物]
[Compound represented by general formula (1)]

一般式(1)において、Aは、2-シアノフェニル基、4-シアノフェニル基、またはフェニル基またはナフチル基で置換されていてもよいシアノピリジル基を表す。ここでいう2-シアノフェニル基と4-シアノフェニル基の水素原子は重水素原子で置換されていてもよいが、その他の原子や基で置換されていることはない。本発明の一態様では、Aは2-シアノフェニル基である。本発明の好ましい一態様では、Aは4-シアノフェニル基である。
Aが採りうるシアノピリジル基のシアノ基の結合位置はピリジン環の2~4位のいずれであってもよい。本発明の好ましい一態様では、ピリジン環の2位がシアノ基である。本発明の一態様では、ピリジン環の3位がシアノ基である。本発明の一態様では、ピリジン環の4位がシアノ基である。また、シアノピリジル基の結合手はピリジン環の2~6位のいずれであってもよい。Aが表すシアノピリジル基の各水素原子は、各々独立に、重水素原子、フェニル基およびナフチル基からなる群より選択される1個以上の原子または基で置換されていてもよい。ここでいうフェニル基の一部または全部は重水素原子で置換されていてもよい。ここでいうナフチル基の一部または全部も重水素原子で置換されていてもよい。本発明の一態様では、シアノピリジル基は少なくとも1個のフェニル基で置換されている。本発明の一態様では、シアノピリジル基は少なくとも1個のナフチル基で置換されている。本発明の好ましい一態様では、シアノピリジル基はフェニル基でもナフチル基でも置換されていない。
本発明の一態様では、Aは少なくとも1個の重水素原子を有する。本発明の一態様では、Aが表す2-シアノフェニル基、4-シアノフェニル基、およびフェニル基またはナフチル基で置換されていてもよいシアノピリジル基は、これらの基に存在するすべての水素原子が重水素原子で置換されている。
In general formula (1), A represents a 2-cyanophenyl group, a 4-cyanophenyl group, or a cyanopyridyl group optionally substituted with a phenyl group or a naphthyl group. The hydrogen atoms of the 2-cyanophenyl group and the 4-cyanophenyl group may be substituted with deuterium atoms, but are not substituted with any other atoms or groups. In one embodiment of the present invention, A is a 2-cyanophenyl group. In a preferred embodiment of the present invention, A is a 4-cyanophenyl group.
The bonding position of the cyano group of the cyanopyridyl group represented by A may be any of the 2- to 4-positions of the pyridine ring. In a preferred embodiment of the present invention, the cyano group is located at the 2-position of the pyridine ring. In another embodiment of the present invention, the cyano group is located at the 3-position of the pyridine ring. In another embodiment of the present invention, the cyano group is located at the 4-position of the pyridine ring. The bonding site of the cyanopyridyl group may be any of the 2- to 6-positions of the pyridine ring. Each hydrogen atom of the cyanopyridyl group represented by A may be independently substituted with one or more atoms or groups selected from the group consisting of deuterium atoms, phenyl groups, and naphthyl groups. Some or all of the phenyl groups may be substituted with deuterium atoms. Some or all of the naphthyl groups may also be substituted with deuterium atoms. In one embodiment of the present invention, the cyanopyridyl group is substituted with at least one phenyl group. In another embodiment of the present invention, the cyanopyridyl group is substituted with at least one naphthyl group. In one preferred embodiment of the invention, the cyanopyridyl group is not substituted with a phenyl or naphthyl group.
In one embodiment of the present invention, A has at least one deuterium atom. In one embodiment of the present invention, all hydrogen atoms present in the 2-cyanophenyl group, 4-cyanophenyl group, and cyanopyridyl group optionally substituted with a phenyl group or a naphthyl group represented by A are substituted with deuterium atoms.

以下において、一般式(1)のAに採用することができる基の具体例を示す。ただし、本発明で採用することができるAは、以下の具体例によって限定的に解釈されることはない。なお、以下の具体例において、*は結合位置を示し、Cは水素原子がすべて重水素化したフェニル基を表している。 Specific examples of groups that can be used for A in general formula (1) are shown below. However, A that can be used in the present invention should not be construed as being limited by the following specific examples. In the following specific examples, * indicates a bonding position, and C 6 D 5 represents a phenyl group in which all hydrogen atoms are deuterated.

上記A1~A95内に存在する水素原子をすべて重水素原子に置換したものをA1(D)~A95(D)として開示する。
本発明の好ましい一態様では、一般式(1)のAはA1~A95からなる群より選択される。本発明の一態様では、AはA78~A95、A1(D)~A95(D)からなる群より選択される。本発明の一態様では、AはA3~A95からなる群より選択される。本発明の一態様では、AはA3~A14からなる群より選択される。本発明の一態様では、AはA15~A95からなる群より選択される。本発明の一態様では、AはA3~A6、A15~A32、A78~A82からなる群より選択される。本発明の一態様では、AはA7~A10、A33~A59、A83~A91からなる群より選択される。本発明の一態様では、AはA11~A14、A60~77、A92~95からなる群より選択される。
The compounds obtained by substituting all hydrogen atoms present in the above A1 to A95 with deuterium atoms are disclosed as A1(D) to A95(D).
In a preferred embodiment of the present invention, A in general formula (1) is selected from the group consisting of A1 to A95. In one embodiment of the present invention, A is selected from the group consisting of A78 to A95 and A1(D) to A95(D). In one embodiment of the present invention, A is selected from the group consisting of A3 to A95. In one embodiment of the present invention, A is selected from the group consisting of A3 to A14. In one embodiment of the present invention, A is selected from the group consisting of A15 to A95. In one embodiment of the present invention, A is selected from the group consisting of A3 to A6, A15 to A32, and A78 to A82. In one embodiment of the present invention, A is selected from the group consisting of A7 to A10, A33 to A59, and A83 to A91. In one embodiment of the present invention, A is selected from the group consisting of A11 to A14, A60 to A77, and A92 to A95.

一般式(1)において、RおよびRの一方はアクセプター性基を表す。本発明の一態様では、Rがアクセプター性基である。本発明の一態様では、Rがアクセプター性基である。
およびRが採りうるアクセプター性基は、2-シアノフェニル基、4-シアノフェニル基、またはフェニル基またはナフチル基で置換されていてもよいシアノピリジル基(これらの基の水素原子は重水素原子で置換されていてもよい)であってもよい。これらの基の説明と好ましい範囲については、上記のAの説明を参照することができる。本発明の好ましい一態様では、アクセプター性基はAと同じ基である。このとき、AとRが同じ基であるか、AとRが同じ基である。本発明の一態様では、RおよびRの一方は、2-シアノフェニル基、4-シアノフェニル基、またはフェニル基またはナフチル基で置換されていてもよいシアノピリジル基(これらの基の水素原子は重水素原子で置換されていてもよい)であるが、Aとは異なる基である。
本発明の一態様では、RおよびRの一方はアクセプター性基であるが、2-シアノフェニル基、4-シアノフェニル基、またはフェニル基またはナフチル基で置換されていてもよいシアノピリジル基(これらの基の水素原子は重水素原子で置換されていてもよい)ではない。そのようなアクセプター性基は、ハメットのσp値が正の基の中から選択することができる。ハメットのσp値は、L.P.ハメットにより提唱されたものであり、パラ置換ベンゼン誘導体の反応速度または平衡に及ぼす置換基の影響を定量化したものである。具体的には、パラ置換ベンゼン誘導体における置換基と反応速度定数または平衡定数の間に成立する下記式:
log(k/k0) = ρσp
または
log(K/K0) = ρσp
における置換基に特有な定数(σp)である。上式において、k0は置換基を持たないベンゼン誘導体の速度定数、kは置換基で置換されたベンゼン誘導体の速度定数、K0は置換基を持たないベンゼン誘導体の平衡定数、Kは置換基で置換されたベンゼン誘導体の平衡定数、ρは反応の種類と条件によって決まる反応定数を表す。本発明における「ハメットのσp値」に関する説明と各置換基の数値については、Hansch,C.et.al.,Chem.Rev.,91,165-195(1991)のσp値に関する記載を参照することができる。
およびRの一方が採りうるアクセプター性基は、σpが0.3以上であることが好ましく、0.5以上であることがより好ましく、0.7以上であることがさらに好ましい。例えば、0.9以上の範囲から選択したり、1.1以上の範囲から選択したりしてもよい。
In general formula (1), one of R2 and R3 represents an acceptor group. In one embodiment of the present invention, R2 is an acceptor group. In another embodiment of the present invention, R3 is an acceptor group.
The acceptor group which can be R2 and R3 may be a 2-cyanophenyl group, a 4-cyanophenyl group, or a cyanopyridyl group which may be substituted with a phenyl group or a naphthyl group (a hydrogen atom of these groups may be substituted with a deuterium atom). For descriptions of these groups and preferred ranges, please refer to the description of A above. In a preferred embodiment of the present invention, the acceptor group is the same group as A. In this case, A and R2 are the same group, or A and R3 are the same group. In one embodiment of the present invention, one of R2 and R3 is a 2-cyanophenyl group, a 4-cyanophenyl group, or a cyanopyridyl group which may be substituted with a phenyl group or a naphthyl group (a hydrogen atom of these groups may be substituted with a deuterium atom), but is a group different from A.
In one embodiment of the present invention, one of R2 and R3 is an acceptor group, but is not a 2-cyanophenyl group, a 4-cyanophenyl group, or a cyanopyridyl group optionally substituted with a phenyl group or a naphthyl group (the hydrogen atoms of these groups may be substituted with deuterium atoms). Such an acceptor group can be selected from groups having a positive Hammett σp value. The Hammett σp value was proposed by L. P. Hammett and quantifies the effect of a substituent on the reaction rate or equilibrium of a para-substituted benzene derivative. Specifically, the following equation holds between the substituent in a para-substituted benzene derivative and the reaction rate constant or equilibrium constant:
log(k/k 0 ) = ρσp
or
log(K/K 0 ) = ρσp
is a constant (σp) specific to the substituent in the reaction. In the above formula, k 0 is the rate constant of the benzene derivative without a substituent, k is the rate constant of the benzene derivative substituted with a substituent, K 0 is the equilibrium constant of the benzene derivative without a substituent, K is the equilibrium constant of the benzene derivative substituted with a substituent, and ρ is a reaction constant determined by the type and conditions of the reaction. For an explanation of the "Hammett σp value" in the present invention and the numerical values of each substituent, please refer to the description of the σp value in Hansch, C. et al., Chem. Rev., 91, 165-195 (1991).
The acceptor group which can be one of R2 and R3 preferably has a σp of 0.3 or more, more preferably 0.5 or more, and even more preferably 0.7 or more. For example, it may be selected from the range of 0.9 or more, or 1.1 or more.

2-シアノフェニル基、4-シアノフェニル基、またはフェニル基またはナフチル基で置換されていてもよいシアノピリジル基(これらの基の水素原子は重水素原子で置換されていてもよい)以外のアクセプター性基として、例えばシアノ基を挙げることができる。その他の典型的なアクセプター性基として、環骨格構成原子として2個以上の窒素原子を含むヘテロアリール基を挙げることができる。例えば、トリアジニル基、ピリミジニル基を例示することができる。これらのヘテロアリール基の水素原子は重水素原子や置換基によって置換されていてもよい。置換基は、例えば置換基群Eの中から選択してもよく、例えば無置換のアリール基、好ましくは無置換のフェニル基を挙げることができる。 An example of an acceptor group other than a 2-cyanophenyl group, a 4-cyanophenyl group, or a cyanopyridyl group optionally substituted with a phenyl group or a naphthyl group (the hydrogen atoms of these groups may be substituted with deuterium atoms) is a cyano group. Other typical acceptor groups include heteroaryl groups containing two or more nitrogen atoms as ring skeleton constituent atoms. Examples include triazinyl groups and pyrimidinyl groups. The hydrogen atoms of these heteroaryl groups may be substituted with deuterium atoms or substituents. The substituent may be selected from, for example, substituent group E, and examples thereof include unsubstituted aryl groups, preferably unsubstituted phenyl groups.

一般式(1)のアクセプター性基として採用することができる基の具体例として、上記のA1~A95、A1(D)~A95(D)を挙げることができる。それ以外のアクセプター基の典型的な具体例として以下に掲載するものを例示することができる。ただし、本発明で採用することができるアクセプター性基は、以下の具体例によって限定的に解釈されることはない。なお、以下の具体例において、*は結合位置を示し、Cは水素原子がすべて重水素化したフェニル基を表している。 Specific examples of groups that can be used as the acceptor group in general formula (1) include the above-mentioned A1 to A95 and A1(D) to A95(D). Other typical examples of acceptor groups include those listed below. However, the acceptor groups that can be used in the present invention should not be construed as being limited by the following specific examples. In the following specific examples, * indicates the bonding position, and C 6 D 5 represents a phenyl group in which all hydrogen atoms are deuterated.

一般式(1)において、RおよびRの他方(すなわちアクセプター性基ではない方)、R、R、Rのうちの少なくとも1個は、各々独立に置換もしくは無置換のベンゾフロ縮環カルバゾール-9-イル基、または置換もしくは無置換のベンゾチエノ縮環カルバゾール-9-イル基(以下では、これらを「縮環カルバゾール-9-イル基」と総称する)を表す。R~Rのうち、縮環カルバゾール-9-イル基であるものの個数は1~4個であり、例えば1~3個であり、例えば1または2個である。縮環カルバゾール-9-イル基であるものの個数は2~4個のいずれかであってもよく、2個または3個であってもよい。
本発明の一群では、Rがアクセプター性基であって、R、R、R、Rのうちの少なくとも1個が、各々独立に縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の一態様では、Rが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の一態様では、Rだけが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の好ましい一態様では、RおよびRが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の好ましい一態様では、RおよびRだけが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の好ましい一態様では、R、R、Rが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の一態様では、R~Rが縮環カルバゾール-9-イル基である。
本発明の別の一群では、Rがアクセプター性基であって、R、R、R、Rのうちの少なくとも1個が、各々独立に縮環カルバゾール-9-イル基を表す。本発明の一態様では、Rが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の一態様では、Rが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の一態様では、Rが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の一態様では、Rが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の一態様では、Rだけが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の一態様では、Rだけが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の一態様では、Rだけが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の好ましい一態様では、RおよびRが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の一態様では、RおよびRが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の一態様では、RおよびRが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の好ましい一態様では、RおよびRだけが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の好ましい一態様では、R~Rが縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の一態様では、R、R、R、Rが縮環カルバゾール-9-イル基である。
複数の縮環カルバゾール-9-イル基が存在するとき、本発明の好ましい一態様では、それらの縮環カルバゾール-9-イル基は同一である。本発明の一態様では、それらの縮環カルバゾール-9-イル基は互いに異なる。
本発明の好ましい一態様では、縮環カルバゾール-9-イル基はベンゾフロ縮環カルバゾール-9-イル基である。本発明の一態様では、縮環カルバゾール-9-イル基はベンチエノ縮環カルバゾール-9-イル基である。
In general formula (1), the other of R2 and R3 (i.e., the one that is not an acceptor group), and at least one of R1 , R4 , and R5 each independently represent a substituted or unsubstituted benzofuro-fused carbazol-9-yl group, or a substituted or unsubstituted benzothieno-fused carbazol-9-yl group (hereinafter, these are collectively referred to as "fused carbazol-9-yl groups"). Of R1 to R5 , the number of fused carbazol-9-yl groups is 1 to 4, for example, 1 to 3, for example, 1 or 2. The number of fused carbazol-9-yl groups may be 2 to 4, or may be 2 or 3.
In one group of the present invention, R 3 is an acceptor group, and at least one of R 1 , R 2 , R 4 , and R 5 is each independently a fused carbazol-9-yl group. In one embodiment of the present invention, R 2 is a fused carbazol-9-yl group. In one embodiment of the present invention, only R 2 is a fused carbazol-9-yl group. In a preferred embodiment of the present invention, R 2 and R 5 are fused carbazol-9-yl groups. In a preferred embodiment of the present invention, only R 2 and R 5 are fused carbazol-9-yl groups. In a preferred embodiment of the present invention, R 2 , R 4 , and R 5 are fused carbazol-9-yl groups. In one embodiment of the present invention, R 1 to R 4 are fused carbazol-9-yl groups.
In another group of the present invention, R 2 is an acceptor group, and at least one of R 1 , R 3 , R 4 , and R 5 each independently represents a fused carbazol-9-yl group. In one embodiment of the present invention, R 1 is a fused carbazol-9-yl group. In one embodiment of the present invention, R 3 is a fused carbazol-9-yl group. In one embodiment of the present invention, R 4 is a fused carbazol-9-yl group. In one embodiment of the present invention, R 5 is a fused carbazol-9-yl group. In one embodiment of the present invention, only R 3 is a fused carbazol-9-yl group. In one embodiment of the present invention, only R 4 is a fused carbazol-9-yl group. In one embodiment of the present invention, only R 5 is a fused carbazol-9-yl group. In a preferred embodiment of the present invention, R 3 and R 5 are fused carbazol-9-yl groups. In one embodiment of the present invention, R 3 and R 4 are fused carbazol-9-yl groups. In one embodiment of the present invention, R 4 and R 5 are fused carbazol-9-yl groups. In a preferred embodiment of the present invention, only R 3 and R 5 are fused carbazol-9-yl groups. In a preferred embodiment of the present invention, R 3 to R 5 are fused carbazol-9-yl groups. In one embodiment of the present invention, R 1 , R 3 , R 4 and R 5 are fused carbazol-9-yl groups.
When multiple fused carbazol-9-yl groups are present, in a preferred embodiment of the present invention, the fused carbazol-9-yl groups are the same. In one embodiment of the present invention, the fused carbazol-9-yl groups are different from each other.
In a preferred embodiment of the present invention, the fused carbazol-9-yl group is a benzofuro-fused carbazol-9-yl group. In one embodiment of the present invention, the fused carbazol-9-yl group is a benzhieno-fused carbazol-9-yl group.

本発明では、ベンゾフロ縮環カルバゾール-9-イル基として、ベンゾフロ[2,3-a]カルバゾール-9-イル基を採用することができる。また、ベンゾフロ[3,2-a]カルバゾール-9-イル基を採用することもできる。また、ベンゾフロ[2,3-b]カルバゾール-9-イル基を採用することもできる。また、ベンゾフロ[3,2-b]カルバゾール-9-イル基を採用することもできる。また、ベンゾフロ[2,3-c]カルバゾール-9-イル基を採用することもできる。また、ベンゾフロ[3,2-c]カルバゾール-9-イル基を採用することもできる。
好ましいベンゾフロ縮環カルバゾール-9-イル基は、ベンゾフラン環が2,3位で1つだけ縮合し、その他に環が縮合していないカルバゾール-9-イル基である。具体的には、下記のいずれかの構造を有する基であり、下記構造中の水素原子の少なくとも1つは置換されていてもよい。
In the present invention, as the benzofuro-fused carbazol-9-yl group, a benzofuro[2,3-a]carbazol-9-yl group can be used. A benzofuro[3,2-a]carbazol-9-yl group can also be used. A benzofuro[2,3-b]carbazol-9-yl group can also be used. A benzofuro[3,2-b]carbazol-9-yl group can also be used. A benzofuro[2,3-c]carbazol-9-yl group can also be used. A benzofuro[3,2-c]carbazol-9-yl group can also be used.
A preferred benzofuro-fused carbazol-9-yl group is a carbazol-9-yl group in which only one benzofuran ring is fused at the 2- and 3-positions and no other rings are fused. Specifically, it is a group having any of the following structures, in which at least one hydrogen atom in the following structure may be substituted:

本発明では、ベンゾチエノ縮環カルバゾール-9-イル基として、ベンゾチエノ[2,3-a]カルバゾール-9-イル基を採用することができる。また、ベンゾチエノ[3,2-a]カルバゾール-9-イル基を採用することもできる。また、ベンゾチエノ[2,3-b]カルバゾール-9-イル基を採用することもできる。また、ベンゾチエノ[3,2-b]カルバゾール-9-イル基を採用することもできる。また、ベンゾチエノ[2,3-c]カルバゾール-9-イル基を採用することもできる。また、ベンゾチエノ[3,2-c]カルバゾール-9-イル基を採用することもできる。
好ましいベンゾエノ縮環カルバゾール-9-イル基は、ベンゾチオフェン環が2,3位で1つだけ縮合し、その他に環が縮合していないカルバゾール-9-イル基である。具体的には、下記のいずれかの構造を有する基であり、下記構造中の水素原子の少なくとも1つは置換されていてもよい。
In the present invention, as the benzothieno-fused carbazol-9-yl group, a benzothieno[2,3-a]carbazol-9-yl group can be employed. A benzothieno[3,2-a]carbazol-9-yl group can also be employed. A benzothieno[2,3-b]carbazol-9-yl group can also be employed. A benzothieno[3,2-b]carbazol-9-yl group can also be employed. A benzothieno[2,3-c]carbazol-9-yl group can also be employed. A benzothieno[3,2-c]carbazol-9-yl group can also be employed.
A preferred benzoeno-fused carbazol-9-yl group is a carbazol-9-yl group having only one benzothiophene ring fused at the 2- and 3-positions and no other rings fused thereto. Specifically, it is a group having any of the following structures, in which at least one hydrogen atom in the following structure may be substituted:

縮環カルバゾール-9-イル基の置換基は、置換基群Aから選択してもよいし、置換基群Bから選択してもよいし、置換基群Cから選択してもよいし、置換基群Dから選択してもよいし、置換基群Eから選択してもよい。本発明の好ましい一態様では、縮環カルバゾール-9-イル基は無置換である。本発明の好ましい一態様では、縮環カルバゾール-9-イル基の置換基は無置換のアリール基で置換されている。本発明の一態様では、縮環カルバゾール-9-イル基の置換基は無置換のアルキル基で置換されている。
「アリール基」は、単環であってもよいし、2つ以上の環が縮合した縮合環であってもよい。縮合環である場合、縮合している環の数は2~6であることが好ましく、例えば2~4の中から選択することができる。環の具体例として、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環を挙げることができる。本発明の一態様では、アリール基は置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフタレン-1-イル基、または置換もしくは無置換のナフタレン-2-イル基であり、好ましくは置換もしくは無置換のフェニル基である。アリール基の置換基は、例えば置換基群Aから選択してもよいし、置換基群Bから選択してもよいし、置換基群Cから選択してもよいし、置換基群Dから選択してもよいし、置換基群Eから選択してもよい。本発明の一態様では、アリール基の置換基は、アルキル基、アリール基および重水素原子からなる群より選択される1つ以上である。本発明の好ましい一態様では、アリール基は無置換である。
「アルキル基」は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。また、直鎖部分と環状部分と分枝部分のうちの2種以上が混在していてもよい。アルキル基の炭素数は、例えば1以上、2以上、4以上とすることができる。また、炭素数は30以下、20以下、10以下、6以下、4以下とすることができる。アルキル基の具体例として、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-ヘプチル基、イソヘプチル基、n-オクチル基、イソオクチル基、n-ノニル基、イソノニル基、n-デカニル基、イソデカニル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基を挙げることができる。置換基たるアルキル基は、さらに例えば重水素原子、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。本発明の一態様では、アルキル基の置換基は、アリール基および重水素原子からなる群より選択される1つ以上である。本発明の好ましい一態様では、アルキル基は無置換である。
縮環カルバゾール-9-イル基に置換している置換基の数は、1~10個であることが好ましく、1~6個であることがより好ましく、1~4個であることがさらに好ましく、例えば1個であってもよく、例えば2個であってもよい。本発明の好ましい一態様では、縮環カルバゾール-9-イル基の3位または6位のいずれかが置換されている。本発明の好ましい一態様では、縮環カルバゾール-9-イル基に存在するヘテロ原子からみてベンゼン環のパラ位に置換基を少なくとも1つ有する。本発明の好ましい一態様では、環縮合カルバゾール-9-イル基に存在するヘテロ原子からみてベンゼン環のパラ位にだけ置換基を少なくとも1つ有する。本発明の好ましい一態様では、環縮合カルバゾール-9-イル基に存在するヘテロ原子からみてベンゼン環の置換可能なパラ位のすべてに置換基を有する。
The substituent of the fused carbazol-9-yl group may be selected from Substituent Group A, Substituent Group B, Substituent Group C, Substituent Group D, or Substituent Group E. In a preferred embodiment of the present invention, the fused carbazol-9-yl group is unsubstituted. In a preferred embodiment of the present invention, the substituent of the fused carbazol-9-yl group is substituted with an unsubstituted aryl group. In one embodiment of the present invention, the substituent of the fused carbazol-9-yl group is substituted with an unsubstituted alkyl group.
The "aryl group" may be a monocyclic ring or a fused ring in which two or more rings are fused. In the case of a fused ring, the number of fused rings is preferably 2 to 6, and can be selected from, for example, 2 to 4. Specific examples of the ring include a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, and a triphenylene ring. In one aspect of the present invention, the aryl group is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthalen-1-yl group, or a substituted or unsubstituted naphthalen-2-yl group, and is preferably a substituted or unsubstituted phenyl group. The substituent of the aryl group may be selected, for example, from Substituent Group A, Substituent Group B, Substituent Group C, Substituent Group D, or Substituent Group E. In one aspect of the present invention, the substituent of the aryl group is one or more selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, and a deuterium atom. In a preferred aspect of the present invention, the aryl group is unsubstituted.
The "alkyl group" may be linear, branched, or cyclic. Two or more of the linear, cyclic, and branched groups may be present. The number of carbon atoms in the alkyl group may be, for example, 1 or more, 2 or more, or 4 or more. The number of carbon atoms may be 30 or less, 20 or less, 10 or less, 6 or less, or 4 or less. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an isopentyl group, an n-hexyl group, an isohexyl group, a 2-ethylhexyl group, an n-heptyl group, an isoheptyl group, an n-octyl group, an isooctyl group, an n-nonyl group, an isononyl group, an n-decanyl group, an isodecanyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cycloheptyl group. The alkyl group may be further substituted with, for example, a deuterium atom, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, or a halogen atom. In one embodiment of the present invention, the substituents on the alkyl group are one or more selected from the group consisting of an aryl group and a deuterium atom. In a preferred embodiment of the present invention, the alkyl group is unsubstituted.
The number of substituents substituted on the ring-fused carbazol-9-yl group is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 6, and even more preferably 1 to 4, and may be, for example, 1 or 2. In a preferred embodiment of the present invention, the ring-fused carbazol-9-yl group is substituted at either the 3- or 6-position. In a preferred embodiment of the present invention, the ring-fused carbazol-9-yl group has at least one substituent at the para-position of the benzene ring relative to the heteroatom present in the ring-fused carbazol-9-yl group. In a preferred embodiment of the present invention, the ring-fused carbazol-9-yl group has at least one substituent only at the para-position of the benzene ring relative to the heteroatom present in the ring-fused carbazol-9-yl group. In a preferred embodiment of the present invention, the ring-fused carbazol-9-yl group has substituents at all of the substitutable para-positions of the benzene ring relative to the heteroatom present in the ring-fused carbazol-9-yl group.

以下において、一般式(1)に採用することができる置換もしくは無置換のベンゾフロ縮環カルバゾール-9-イル基、または置換もしくは無置換のベンゾチエノ縮環カルバゾール-9-イル基(すなわち、縮環カルバゾール-9-イル基)の具体例を示す。ただし、本発明で採用することができる縮環カルバゾール-9-イル基は、以下の具体例によって限定的に解釈されることはない。なお、以下の具体例において、*は結合位置を示し、Phはフェニル基を表し、Cは水素原子がすべて重水素化したフェニル基を表している。また、メチル基は表示を省略している。このため、例えばD7~D18はメチル基を有している。 Specific examples of substituted or unsubstituted benzofuro-fused carbazol-9-yl groups or substituted or unsubstituted benzothieno-fused carbazol-9-yl groups (i.e., fused carbazol-9-yl groups) that can be employed in general formula (1) are shown below. However, the fused carbazol-9-yl groups that can be employed in the present invention should not be construed as being limited by the following specific examples. In the following specific examples, * indicates the bonding position, Ph represents a phenyl group, and C 6 D 5 represents a phenyl group in which all hydrogen atoms are deuterated. Methyl groups are omitted. For this reason, for example, D7 to D18 have methyl groups.

上記D1~D459内に存在する水素原子をすべて重水素原子に置換したものをD1(D)~D459(D)として開示する。
本発明の一態様では、一般式(1)のR~Rが採りうる縮環カルバゾール-9-イル基はD1~D459からなる群より選択される。本発明の一態様では、一般式(1)のR~Rが採りうる縮環カルバゾール-9-イル基はD1~D30からなる群より選択される。本発明の一態様では、一般式(1)のR~Rが採りうる縮環カルバゾール-9-イル基はD31~D60からなる群より選択される。本発明の一態様では、一般式(1)のR~Rが採りうる縮環カルバゾール-9-イル基はD61~D84からなる群より選択される。本発明の一態様では、一般式(1)のR~Rが採りうる縮環カルバゾール-9-イル基はD88~D91、D95~D198、D287~D293、D306~D317、D330~D459からなる群より選択される。本発明の一態様では、一般式(1)のR~Rが採りうる縮環カルバゾール-9-イル基はD92、D93、D199~D286からなる群より選択される。本発明の一態様では、一般式(1)のR~Rが採りうる縮環カルバゾール-9-イル基はD294~D459からなる群より選択される。
The compounds D1 to D459 above in which all hydrogen atoms have been replaced with deuterium atoms are disclosed as D1(D) to D459(D).
In one embodiment of the present invention, the fused carbazol-9-yl group which can be taken by R 1 to R 5 in general formula (1) is selected from the group consisting of D1 to D459. In one embodiment of the present invention, the fused carbazol-9-yl group which can be taken by R 1 to R 5 in general formula (1) is selected from the group consisting of D1 to D30. In one embodiment of the present invention, the fused carbazol-9-yl group which can be taken by R 1 to R 5 in general formula (1) is selected from the group consisting of D31 to D60. In one embodiment of the present invention, the fused carbazol-9-yl group which can be taken by R 1 to R 5 in general formula (1) is selected from the group consisting of D61 to D84. In one embodiment of the present invention, the fused carbazol-9-yl group which can be taken by R 1 to R 5 in general formula (1) is selected from the group consisting of D88 to D91, D95 to D198, D287 to D293, D306 to D317, and D330 to D459. In one embodiment of the present invention, the fused carbazol-9-yl group which can be taken by R 1 to R 5 in general formula (1) is selected from the group consisting of D92, D93, and D199 to D286. In one embodiment of the present invention, the fused carbazol-9-yl group which can be taken by R 1 to R 5 in general formula (1) is selected from the group consisting of D294 to D459.

一般式(1)における残りのR~Rは、各々独立に水素原子、重水素原子、置換もしくは無置換のアリール基、またはドナー性基を表す(ただし、ここでいうドナー性基には、アルキル基、置換もしくは無置換のベンゾフロ縮環カルバゾール-9-イル基、および置換もしくは無置換のベンゾチエノ縮環カルバゾール-9-イル基は含まれない)。ここでいう「残りのR~R」とは、アクセプター性基でも、置換もしくは無置換のベンゾフロ縮環カルバゾール-9-イル基でも、置換もしくは無置換のベンゾチエノ縮環カルバゾール-9-イル基でもないものを意味する。
残りのR~Rの数は0~3個である。本発明の一態様では、残りのR~Rは水素原子または重水素原子である。本発明の一態様では、残りのR~Rは置換もしくは無置換のアリール基を含む。本発明の一態様では、残りのR~Rはドナー性基を含む。本発明の一態様では、残りのR~Rはすべてがドナー性基である。本発明の一態様では、残りのR~Rは水素原子、重水素原子またはドナー性基である。本発明の一態様では、残りのR~Rは水素原子、重水素原子または置換もしくは無置換のアリール基である。本発明の一態様では、残りのR~Rには重水素原子が含まれる。
The remaining R 1 to R 5 in general formula (1) each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted aryl group, or a donor group (however, the donor group referred to here does not include an alkyl group, a substituted or unsubstituted benzofuro-fused carbazol-9-yl group, or a substituted or unsubstituted benzothieno-fused carbazol-9-yl group). Here, "the remaining R 1 to R 5 " means one that is not an acceptor group, a substituted or unsubstituted benzofuro-fused carbazol-9-yl group, or a substituted or unsubstituted benzothieno-fused carbazol-9-yl group.
The remaining R 1 to R 5 have a number of 0 to 3. In one embodiment of the present invention, the remaining R 1 to R 5 are hydrogen atoms or deuterium atoms. In one embodiment of the present invention, the remaining R 1 to R 5 comprise a substituted or unsubstituted aryl group. In one embodiment of the present invention, the remaining R 1 to R 5 comprise a donor group. In one embodiment of the present invention, all of the remaining R 1 to R 5 are donor groups. In one embodiment of the present invention, the remaining R 1 to R 5 are hydrogen atoms, deuterium atoms, or donor groups. In one embodiment of the present invention, the remaining R 1 to R 5 are hydrogen atoms, deuterium atoms, or substituted or unsubstituted aryl groups. In one embodiment of the present invention, the remaining R 1 to R 5 comprise a deuterium atom.

残りのR~Rが採りうる置換もしくは無置換のアリール基の説明と好ましい範囲については、上記の縮環カルバゾール-9-イル基の置換基としてのアリール基の説明と好ましい範囲を参照することができる。本発明の一態様では、残りのR~Rが採りうる置換もしくは無置換のアリール基は、無置換のアリール基であり、好ましくは無置換のフェニル基である。ただし、残りのR~Rが採りうるアリール基は、シアノ基で置換されていない。 For the description and preferred range of the substituted or unsubstituted aryl group which may be taken by the remaining R 1 to R 5 , the description and preferred range of the aryl group as a substituent of the fused carbazol-9-yl group can be referred to. In one embodiment of the present invention, the substituted or unsubstituted aryl group which may be taken by the remaining R 1 to R 5 is an unsubstituted aryl group, preferably an unsubstituted phenyl group. However, the aryl group which may be taken by the remaining R 1 to R 5 is not substituted with a cyano group.

残りのR~Rが採りうるドナー性基は、ハメットのσp値が負の基の中から選択することができる。残りのR~Rが採りうるドナー性基は、σpが-0.3以下であることが好ましく、-0.5以下であることがより好ましく、-0.7以下であることがさらに好ましい。例えば、-0.9以下の範囲から選択したり、-1.1以下の範囲から選択したりしてもよい。
残りのR~Rが採るドナー性基の個数が2個以上である場合、それらのドナー性基はすべてが同一であることが好ましい。本発明の一態様では、2個以上のドナー性基は、それぞれ互いに異なる。
残りのR~Rが採りうるドナー性基は、置換アミノ基を含む基であることが好ましい。置換アミノ基であってもよいし、置換アミノ基が結合したアリール基、なかでも置換アミノ基が結合したフェニル基であってもよい。本発明の好ましい一態様では、ドナー性基は置換アミノ基である。
置換アミノ基の窒素原子に結合する置換基は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基であることが好ましく、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基であることがより好ましい。置換アミノ基は、特に、置換もしくは無置換のジアリールアミノ基、または置換もしくは無置換のジヘテロアリールアミノ基であることが好ましい。ここでいうジアリールアミノ基を構成する2つのアリール基は互いに結合していてもよく、またジヘテロアリールアミノ基を構成する2つのヘテロアリール基は互いに結合していてもよい。ここでいうアリール基とアルキル基の説明と好ましい範囲については、上記の縮環カルバゾール-9-イル基の置換基としてのアリール基とアルキル基の説明と好ましい範囲を参照することができる。ここでいう「ヘテロアリール基」は、単環であってもよいし、2つ以上の環が縮合した縮合環であってもよい。縮合環である場合、縮合している環の数は2~6であることが好ましく、例えば2~4の中から選択することができる。環の具体例として、ピリジン環、ピリミジン環を挙げることができ、これらの環にはさらに別の環が縮合していてもよい。ヘテロアリール基の具体例として、2-ピリジル基、3-ピリジル基、4-ピリジル基を挙げることができる。ヘテロアリール基の環骨格構成原子数は4~40であることが好ましく、5~20であることがより好ましく、5~14の範囲内で選択したり、5~10の範囲内で選択したりしてもよい。
The donor groups that can be taken by the remaining R 1 to R 5 can be selected from groups having a negative Hammett σp value. The donor groups that can be taken by the remaining R 1 to R 5 preferably have a σp of −0.3 or less, more preferably −0.5 or less, and even more preferably −0.7 or less. For example, they may be selected from the range of −0.9 or less, or −1.1 or less.
When the remaining R 1 to R 5 have two or more donor groups, it is preferable that all of the donor groups are the same. In one embodiment of the present invention, the two or more donor groups are different from each other.
The donor groups that can be the remaining R 1 to R 5 are preferably groups containing a substituted amino group. They may be substituted amino groups, or aryl groups to which a substituted amino group is bonded, particularly phenyl groups to which a substituted amino group is bonded. In a preferred embodiment of the present invention, the donor group is a substituted amino group.
The substituent bonded to the nitrogen atom of the substituted amino group is preferably a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, and more preferably a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heteroaryl group. The substituted amino group is particularly preferably a substituted or unsubstituted diarylamino group or a substituted or unsubstituted diheteroarylamino group. The two aryl groups constituting the diarylamino group may be bonded to each other, and the two heteroaryl groups constituting the diheteroarylamino group may be bonded to each other. For the description and preferred ranges of the aryl group and alkyl group referred to here, please refer to the description and preferred ranges of the aryl group and alkyl group as the substituent of the fused carbazol-9-yl group described above. The "heteroaryl group" referred to here may be a monocyclic ring or a fused ring in which two or more rings are fused. When the heteroaryl group is a fused ring, the number of fused rings is preferably 2 to 6, and can be selected from, for example, 2 to 4. Specific examples of the ring include a pyridine ring and a pyrimidine ring, and these rings may be fused with another ring. Specific examples of the heteroaryl group include a 2-pyridyl group, a 3-pyridyl group, and a 4-pyridyl group. The number of atoms constituting the ring skeleton of the heteroaryl group is preferably 4 to 40, more preferably 5 to 20, and may be selected from the range of 5 to 14, or may be selected from the range of 5 to 10.

残りのR~Rが採りうるドナー性基は、置換もしくは無置換のカルバゾール-9-イル基であることが好ましい(置換もしくは無置換のベンゾフロ縮環カルバゾール-9-イル基、および置換もしくは無置換のベンゾチエノ縮環カルバゾール-9-イル基は含まれない)。本発明の一態様では、カルバゾール-9-イル基を構成する2つのベンゼン環には、さらにベンゼン環が縮合していてもよい。本発明の一態様では、カルバゾール-9-イル基を構成する2つのベンゼン環には、さらにピリジン環が縮合していてもよい。本発明の一態様では、カルバゾール-9-イル基を構成する環骨格構成炭素原子の少なくとも1つは窒素原子に置換されている。置換されている場合は、1つのベンゼン環あたり1つの環骨格構成炭素原子が窒素原子に置換されていることが好ましい。また、ドナー性基全体で1つの環骨格構成炭素原子が窒素原子に置換されていることが好ましい。カルバゾール-9-イル基の置換基は、置換基群Aから選択してもよいし、置換基群Bから選択してもよいし、置換基群Cから選択してもよいし、置換基群Dから選択してもよいし、置換基群Eから選択してもよい。本発明の好ましい一態様では、残りのR~Rが採りうるカルバゾール-9-イル基は縮環していてもよいが、水素原子は置換されていない。本発明の好ましい一態様では、縮環していてもよいカルバゾール-9-イル基は、無置換のアリール基で置換されている。本発明の一態様では、縮環していてもよいカルバゾール-9-イル基は、無置換のアルキル基で置換されている。 The remaining donor groups that can be represented by R 1 to R 5 are preferably substituted or unsubstituted carbazol-9-yl groups (excluding substituted or unsubstituted benzofuro-fused carbazol-9-yl groups and substituted or unsubstituted benzothieno-fused carbazol-9-yl groups). In one embodiment of the present invention, a further benzene ring may be fused to the two benzene rings that constitute the carbazol-9-yl group. In one embodiment of the present invention, a pyridine ring may be fused to the two benzene rings that constitute the carbazol-9-yl group. In one embodiment of the present invention, at least one of the ring carbon atoms that constitute the carbazol-9-yl group is substituted with a nitrogen atom. When substituted, it is preferable that one ring carbon atom per benzene ring is substituted with a nitrogen atom. It is also preferable that one ring carbon atom is substituted with a nitrogen atom in the entire donor group. The substituent of the carbazol-9-yl group may be selected from Substituent Group A, Substituent Group B, Substituent Group C, Substituent Group D, or Substituent Group E. In a preferred embodiment of the present invention, the carbazol-9-yl groups which the remaining R 1 to R 5 may have may be fused, but the hydrogen atoms are not substituted. In a preferred embodiment of the present invention, the carbazol-9-yl group which may have a fused ring is substituted with an unsubstituted aryl group. In one embodiment of the present invention, the carbazol-9-yl group which may have a fused ring is substituted with an unsubstituted alkyl group.

以下において、残りのR~Rが採りうるドナー性基の具体例を示す。ただし、本発明で採用することができるドナー性基は、以下の具体例によって限定的に解釈されることはない。なお、以下の具体例において、*は結合位置を示す。メチル基は表示を省略しているため、例えばZ2は1つのメチル基を有している。
Specific examples of donor groups that can be used for the remaining R 1 to R 5 are shown below. However, the donor groups that can be used in the present invention should not be construed as being limited by the following specific examples. In the following specific examples, * indicates the bonding position. Methyl groups are not shown, so for example, Z2 has one methyl group.

上記Z1~Z36内に存在する水素原子をすべて重水素原子に置換したものをZ1(D)~Z36(D)として開示する。
本発明の一態様では、一般式(1)の残りのR~Rが採りうるドナー性基はZ1~Z36からなる群より選択される。本発明の一態様では、一般式(1)の残りのR~Rが採りうるドナー性基はZ1~Z6からなる群より選択される。本発明の一態様では、一般式(1)の残りのR~Rが採りうるドナー性基はZ7~Z36からなる群より選択される。
The above Z1 to Z36 are disclosed as Z1(D) to Z36(D) in which all hydrogen atoms present in the Z1 to Z36 are replaced with deuterium atoms.
In one embodiment of the present invention, the donor groups which the remaining R 1 to R 5 in general formula (1) may take are selected from the group consisting of Z1 to Z36. In one embodiment of the present invention, the donor groups which the remaining R 1 to R 5 in general formula (1) may take are selected from the group consisting of Z1 to Z6. In one embodiment of the present invention, the donor groups which the remaining R 1 to R 5 in general formula (1) may take are selected from the group consisting of Z7 to Z36.

一般式(1)のRとR、RとR、RとR、RとRは互いに結合して環状構造を形成することはない。
本発明の好ましい一態様では、一般式(1)で表される化合物は対称構造を有する。例えば、一般式(1)で表される化合物は線対称構造を有する。例えば、一般式(1)で表される化合物は回転対称構造を有する。本発明の一態様では、一般式(1)で表される化合物は非対称構造を有する。
In general formula (1), R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , and R 4 and R 5 do not bond to each other to form a cyclic structure.
In a preferred embodiment of the present invention, the compound represented by general formula (1) has a symmetric structure. For example, the compound represented by general formula (1) has an axisymmetric structure. For example, the compound represented by general formula (1) has a rotationally symmetric structure. In one embodiment of the present invention, the compound represented by general formula (1) has an asymmetric structure.

本発明の一態様では、一般式(1)で表される化合物は少なくとも1個の重水素原子を含む。本発明の一態様では、重水素化されたアルキル基(例えば重水素化されたメチル基、重水素化されたエチル基、重水素化されたシクロヘキシル基)を有する。本発明の一態様では、重水素化されたアリール基(例えば重水素化されたフェニル基)を有する。本発明の一態様では、すべての水素原子が重水素化されている。 In one embodiment of the present invention, the compound represented by general formula (1) contains at least one deuterium atom. In one embodiment of the present invention, it has a deuterated alkyl group (e.g., a deuterated methyl group, a deuterated ethyl group, or a deuterated cyclohexyl group). In one embodiment of the present invention, it has a deuterated aryl group (e.g., a deuterated phenyl group). In one embodiment of the present invention, all hydrogen atoms are deuterated.

一般式(1)で表される化合物は、金属原子を含まないことが好ましく、炭素原子、水素原子、重水素原子、窒素原子、酸素原子および硫黄原子からなる群より選択される原子だけで構成される化合物であってもよい。本発明の好ましい一態様では、一般式(1)で表される化合物は、炭素原子、水素原子、重水素原子、窒素原子および酸素原子からなる群より選択される原子だけで構成される。また、一般式(1)で表される化合物は、炭素原子、水素原子、重水素原子、窒素原子および硫黄原子からなる群より選択される原子だけで構成される化合物であってもよい。一般式(1)で表される化合物は、炭素原子、水素原子、重水素原子および窒素原子からなる群より選択される原子だけで構成される化合物であってもよい。一般式(1)で表される化合物は、炭素原子、水素原子および窒素原子からなる群より選択される原子だけで構成される化合物であってもよい。さらに、一般式(1)で表される化合物は水素原子を含まず、重水素原子を含む化合物であってもよい。 The compound represented by general formula (1) preferably does not contain metal atoms, and may be a compound composed only of atoms selected from the group consisting of carbon, hydrogen, deuterium, nitrogen, oxygen, and sulfur atoms. In a preferred embodiment of the present invention, the compound represented by general formula (1) is composed only of atoms selected from the group consisting of carbon, hydrogen, deuterium, nitrogen, and oxygen atoms. The compound represented by general formula (1) may also be a compound composed only of atoms selected from the group consisting of carbon, hydrogen, deuterium, nitrogen, and sulfur atoms. The compound represented by general formula (1) may also be a compound composed only of atoms selected from the group consisting of carbon, hydrogen, deuterium, and nitrogen atoms. The compound represented by general formula (1) may also be a compound composed only of atoms selected from the group consisting of carbon, hydrogen, and nitrogen atoms. The compound represented by general formula (1) may also be a compound containing no hydrogen atoms but containing deuterium atoms.

本明細書において「置換基群A」とは、ヒドロキシル基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アルキル基(例えば炭素数1~40)、アルコキシ基(例えば炭素数1~40)、アルキルチオ基(例えば炭素数1~40)、アリール基(例えば炭素数6~30)、アリールオキシ基(例えば炭素数6~30)、アリールチオ基(例えば炭素数6~30)、ヘテロアリール基(例えば環骨格構成原子数5~30)、ヘテロアリールオキシ基(例えば環骨格構成原子数5~30)、ヘテロアリールチオ基(例えば環骨格構成原子数5~30)、アシル基(例えば炭素数1~40)、アルケニル基(例えば炭素数1~40)、アルキニル基(例えば炭素数1~40)、アルコキシカルボニル基(例えば炭素数1~40)、アリールオキシカルボニル基(例えば炭素数1~40)、ヘテロアリールオキシカルボニル基(例えば炭素数1~40)、シリル基(例えば炭素数1~40のトリアルキルシリル基)およびニトロ基からなる群より選択される1つの基または2つ以上を組み合わせた基を意味する。
本明細書において「置換基群B」とは、アルキル基(例えば炭素数1~40)、アルコキシ基(例えば炭素数1~40)、アリール基(例えば炭素数6~30)、アリールオキシ基(例えば炭素数6~30)、ヘテロアリール基(例えば環骨格構成原子数5~30)、ヘテロアリールオキシ基(例えば環骨格構成原子数5~30)、ジアリールアミノアミノ基(例えば炭素原子数0~20)からなる群より選択される1つの基または2つ以上を組み合わせた基を意味する。
本明細書において「置換基群C」とは、アルキル基(例えば炭素数1~20)、アリール基(例えば炭素数6~22)、ヘテロアリール基(例えば環骨格構成原子数5~20)、ジアリールアミノ基(例えば炭素原子数12~20)からなる群より選択される1つの基または2つ以上を組み合わせた基を意味する。
本明細書において「置換基群D」とは、アルキル基(例えば炭素数1~20)、アリール基(例えば炭素数6~22)およびヘテロアリール基(例えば環骨格構成原子数5~20)からなる群より選択される1つの基または2つ以上を組み合わせた基を意味する。
本明細書において「置換基群E」とは、アルキル基(例えば炭素数1~20)およびアリール基(例えば炭素数6~22)からなる群より選択される1つの基または2つ以上を組み合わせた基を意味する。
本明細書において「置換基」や「置換もしくは無置換の」と記載されている場合の置換基は、例えば置換基群Aの中から選択してもよいし、置換基群Bの中から選択してもよいし、置換基群Cの中から選択してもよいし、置換基群Dの中から選択してもよいし、置換基群Eの中から選択してもよい。
In the present specification, "substituent group A" refers to a hydroxyl group, a halogen atom (for example, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom), an alkyl group (for example, having 1 to 40 carbon atoms), an alkoxy group (for example, having 1 to 40 carbon atoms), an alkylthio group (for example, having 1 to 40 carbon atoms), an aryl group (for example, having 6 to 30 carbon atoms), an aryloxy group (for example, having 6 to 30 carbon atoms), an arylthio group (for example, having 6 to 30 carbon atoms), a heteroaryl group (for example, having 5 to 30 ring skeleton atoms), a heteroaryloxy group (for example, having 5 to 30 ring skeleton atoms), a heteroaryl ... It means one group or a combination of two or more groups selected from the group consisting of a heteroarylthio group (for example, having 5 to 30 atoms constituting the ring skeleton), an acyl group (for example, having 1 to 40 carbon atoms), an alkenyl group (for example, having 1 to 40 carbon atoms), an alkynyl group (for example, having 1 to 40 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (for example, having 1 to 40 carbon atoms), an aryloxycarbonyl group (for example, having 1 to 40 carbon atoms), a heteroaryloxycarbonyl group (for example, having 1 to 40 carbon atoms), a silyl group (for example, a trialkylsilyl group having 1 to 40 carbon atoms), and a nitro group.
In this specification, "substituent group B" means one group or a combination of two or more groups selected from the group consisting of alkyl groups (e.g., having 1 to 40 carbon atoms), alkoxy groups (e.g., having 1 to 40 carbon atoms), aryl groups (e.g., having 6 to 30 carbon atoms), aryloxy groups (e.g., having 6 to 30 carbon atoms), heteroaryl groups (e.g., having 5 to 30 ring skeleton atoms), heteroaryloxy groups (e.g., having 5 to 30 ring skeleton atoms), and diarylaminoamino groups (e.g., having 0 to 20 carbon atoms).
In this specification, "substituent group C" means one group or a combination of two or more groups selected from the group consisting of alkyl groups (e.g., having 1 to 20 carbon atoms), aryl groups (e.g., having 6 to 22 carbon atoms), heteroaryl groups (e.g., having 5 to 20 ring skeleton atoms), and diarylamino groups (e.g., having 12 to 20 carbon atoms).
As used herein, "substituent group D" means one group or a combination of two or more groups selected from the group consisting of alkyl groups (e.g., having 1 to 20 carbon atoms), aryl groups (e.g., having 6 to 22 carbon atoms) and heteroaryl groups (e.g., having 5 to 20 ring skeleton atoms).
As used herein, "substituent group E" means one group or a combination of two or more groups selected from the group consisting of alkyl groups (e.g., having 1 to 20 carbon atoms) and aryl groups (e.g., having 6 to 22 carbon atoms).
In the present specification, when a "substituent" or "substituted or unsubstituted" is used, the substituent may be selected from, for example, Substituent Group A, Substituent Group B, Substituent Group C, Substituent Group D, or Substituent Group E.

以下の表1および表2において、一般式(1)で表される化合物の具体例を例示する。ただし、本発明において用いることができる一般式(1)で表される化合物はこれらの具体例によって限定的に解釈されるべきものではない。表1および表2では、下記一般式(1)のA、R~Rを化合物ごとにそれぞれ特定することにより化合物1~24786の構造を個別に示している。 Specific examples of compounds represented by general formula (1) are shown in Tables 1 and 2 below. However, the compounds represented by general formula (1) that can be used in the present invention should not be construed as being limited by these specific examples. In Tables 1 and 2, the structures of compounds 1 to 24786 are individually shown by specifying A and R 1 to R 5 in general formula (1) below for each compound.

表2において、Phはフェニル基を表す。
表2では各段に複数の化合物のA、R~Rをまとめて表示することにより、化合物1~24786の構造を示している。例えば、表2の化合物1~459の段であれば、AとRがA1、RとRがZ1に固定されていて、RおよびRが同じでD1~D459であるものを、順に化合物1~459としている。すなわち、表2の化合物1~459の段は、表1で特定される化合物1~459をまとめて表示したものである。同様にして、表2の化合物460~918の段であれば、AとRがA1、RとRがZ6に固定されていて、RおよびRが同じでD1~D459であるものを、順に化合物460~918としている。同じ要領により、表2の化合物919~8262も特定している。
表2の化合物8263~16524は、RとRが同じであってD1~D459であるものを特定している。例えば、表2の化合物8263~8721の段であれば、AとRがA1、Rが水素原子(H)、RがZ1に固定されていて、RおよびRが同じでD1~D459であるものを、順に化合物8263~8721としている。
表2の化合物16525~20655は、R~Rが同じであってD1~D459であるものを特定している。例えば、表2の化合物16525~16983の段であれば、AとRがA1、Rが水素原子(H)に固定されていて、R~Rが同じでD1~D459であるものを、順に化合物16525~16983としている。
表2の化合物20656~24786は、RとRが同じであってD1~D459であるものを特定している。例えば、表2の化合物20656~21114の段であれば、AとRがA1、Rが水素原子(H)、Rがフェニル基(Ph)に固定されていて、RおよびRが同じでD1~D459であるものを、順に化合物20656~21114としている。
In Table 2, Ph represents a phenyl group.
In Table 2, the structures of Compounds 1 to 24786 are shown by collectively displaying the A and R 1 to R 5 of multiple compounds in each row. For example, in the row of Compounds 1 to 459 in Table 2, Compounds 1 to 459 are identified in order by A and R 3 being A1, R 1 and R 4 being fixed to Z1, and R 2 and R 5 being the same and D1 to D459. That is, the row of Compounds 1 to 459 in Table 2 collectively displays Compounds 1 to 459 identified in Table 1. Similarly, in the row of Compounds 460 to 918 in Table 2, Compounds 460 to 918 are identified in order by A and R 3 being A1, R 1 and R 4 being fixed to Z6, and R 2 and R 5 being the same and D1 to D459. Compounds 919 to 8262 in Table 2 are also identified in the same manner.
Compounds 8263 to 16524 in Table 2 specify compounds in which R3 and R5 are the same and are D1 to D459. For example, in the row of compounds 8263 to 8721 in Table 2, compounds in which A and R2 are A1, R1 is a hydrogen atom (H), R4 is fixed to Z1, and R3 and R5 are the same and are D1 to D459 are designated as compounds 8263 to 8721, in that order.
Compounds 16525 to 20655 in Table 2 specify compounds in which R 3 to R 5 are the same and D1 to D459. For example, in the row of compounds 16525 to 16983 in Table 2, compounds in which A and R 2 are A1, R 1 is fixed to a hydrogen atom (H), R 3 to R 5 are the same, and D1 to D459 are designated as compounds 16525 to 16983, in that order.
Compounds 20656 to 24786 in Table 2 are specified as compounds in which R3 and R5 are the same and are D1 to D459. For example, in the row of compounds 20656 to 21114 in Table 2, compounds in which A and R2 are A1, R1 is a hydrogen atom (H), and R4 is fixed to a phenyl group (Ph), and compounds in which R3 and R5 are the same and are D1 to D459 are designated as compounds 20656 to 21114, in that order.

上記化合物1~24786の分子内に存在する水素原子をすべて重水素原子に置換したものを化合物1(D)~24786(D)として開示する。
以上の番号で特定される化合物は、すべてが個別に開示されているものとする。なお、上記の化合物具体例のうち、回転異性体が存在する場合は、回転異性体の混合物と、分離した各回転異性体も、本明細書に開示されているものとする。
Compounds 1(D) to 24786(D) are disclosed in which all hydrogen atoms present in the molecules of the above compounds 1 to 24786 have been replaced with deuterium atoms.
All compounds identified by the above numbers are considered to be individually disclosed. In addition, when rotamers exist among the specific examples of the compounds, the mixture of rotamers and each separated rotamer are also considered to be disclosed in the present specification.

本発明の一態様では、化合物1~24786の中から化合物を選択する。本発明の一態様では、化合物1(D)~24786(D)の中から化合物を選択する。
本発明の一態様では、化合物1~1324の中から化合物を選択する。本発明の一態様では、化合物1325~2648の中から化合物を選択する。本発明の一態様では、化合物2649~3972の中から化合物を選択する。本発明の一態様では、化合物3973~5296の中から化合物を選択する。
本発明の一態様では、化合物1~8262の中から化合物を選択する。本発明の一態様では、化合物8263~16524の中から化合物を選択する。本発明の一態様では、化合物16525~20655の中から化合物を選択する。本発明の一態様では、化合物20656~24786の中から化合物を選択する。
本発明の一態様では、化合物1~918、2755~3672、5509~6426、8263~9180、11017~11934、13771~14688、16525~16983、17902~18360、19279~19737、20656~21114、22033~22491、23410~23868の中から化合物を選択する。本発明の一態様では、化合物919~2754、3673~5508、6427~8262、9181~11016、11935~13770、14689~16524、16984~17901、18361~19278、19738~20655、21115~22032、22492~23409、23869~24786の中から化合物を選択する。
In one aspect of the present invention, the compound is selected from compounds 1 to 24786. In one aspect of the present invention, the compound is selected from compounds 1(D) to 24786(D).
In one aspect of the present invention, a compound is selected from compounds 1 to 1324. In one aspect of the present invention, a compound is selected from compounds 1325 to 2648. In one aspect of the present invention, a compound is selected from compounds 2649 to 3972. In one aspect of the present invention, a compound is selected from compounds 3973 to 5296.
In one aspect of the present invention, a compound is selected from compounds 1 to 8262. In one aspect of the present invention, a compound is selected from compounds 8263 to 16524. In one aspect of the present invention, a compound is selected from compounds 16525 to 20655. In one aspect of the present invention, a compound is selected from compounds 20656 to 24786.
In one embodiment of the present invention, the compound is selected from compounds 1 to 918, 2755 to 3672, 5509 to 6426, 8263 to 9180, 11017 to 11934, 13771 to 14688, 16525 to 16983, 17902 to 18360, 19279 to 19737, 20656 to 21114, 22033 to 22491, and 23410 to 23868. In one aspect of the present invention, the compound is selected from compounds 919-2754, 3673-5508, 6427-8262, 9181-11016, 11935-13770, 14689-16524, 16984-17901, 18361-19278, 19738-20655, 21115-22032, 22492-23409, and 23869-24786.

本発明の好ましい一態様では、一般式(1)で表される化合物は、下記の化合物群から選択される。
In a preferred embodiment of the present invention, the compound represented by general formula (1) is selected from the following group of compounds:

一般式(1)で表される化合物の分子量は、例えば一般式(1)で表される化合物を含む有機層を蒸着法により製膜して利用することを意図する場合には、1500以下であることが好ましく、1200以下であることがより好ましく、1000以下であることがさらに好ましく、900以下であることがさらにより好ましい。分子量の下限値は、一般式(1)で表される最小化合物の分子量である。
一般式(1)で表される化合物は、分子量にかかわらず塗布法で成膜してもよい。塗布法を用いれば、分子量が比較的大きな化合物であっても成膜することが可能である。一般式(1)で表される化合物は、有機溶媒に溶解しやすいという利点がある。このため、一般式(1)で表される化合物は塗布法を適用しやすいうえ、精製して純度を高めやすい。
When it is intended to use an organic layer containing the compound represented by general formula (1) formed by a vapor deposition method, the molecular weight of the compound represented by general formula (1) is preferably 1500 or less, more preferably 1200 or less, even more preferably 1000 or less, and even more preferably 900 or less. The lower limit of the molecular weight is the molecular weight of the smallest compound represented by general formula (1).
The compound represented by general formula (1) may be formed into a film by a coating method regardless of its molecular weight. By using the coating method, it is possible to form a film even from a compound with a relatively large molecular weight. The compound represented by general formula (1) has the advantage of being easily soluble in an organic solvent. Therefore, the compound represented by general formula (1) is easy to apply the coating method to, and is also easy to purify to increase its purity.

本発明を応用して、分子内に一般式(1)で表される構造を複数個含む化合物を、発光材料として用いることも考えられる。
例えば、一般式(1)で表される構造中にあらかじめ重合性基を存在させておいて、その重合性基を重合させることによって得られる重合体を、発光材料として用いることが考えられる。例えば、一般式(1)のいずれかの部位に重合性官能基を含むモノマーを用意して、これを単独で重合させるか、他のモノマーとともに共重合させることにより、繰り返し単位を有する重合体を得て、その重合体を発光材料として用いることが考えられる。あるいは、一般式(1)で表される構造を有する化合物どうしをカップリングさせることにより、二量体や三量体を得て、それらを発光材料として用いることも考えられる。
It is also conceivable that the present invention can be applied to use a compound containing a plurality of structures represented by general formula (1) in the molecule as a light-emitting material.
For example, a polymerizable group may be pre-existed in the structure represented by general formula (1), and the polymer obtained by polymerizing the polymerizable group may be used as a light-emitting material. For example, a monomer containing a polymerizable functional group at any site of general formula (1) may be prepared, and the monomer may be polymerized alone or copolymerized with other monomers to obtain a polymer having repeating units, and the polymer may be used as a light-emitting material. Alternatively, compounds having a structure represented by general formula (1) may be coupled to obtain dimers or trimers, and these may be used as light-emitting materials.

一般式(1)で表される構造を含む繰り返し単位を有する重合体の例として、下記2つの一般式のいずれかで表される構造を含む重合体を挙げることができる。
Examples of polymers having a repeating unit containing a structure represented by general formula (1) include polymers containing a structure represented by either of the following two general formulas.

上の一般式において、Qは一般式(1)で表される構造を含む基を表し、LおよびLは連結基を表す。連結基の炭素数は、好ましくは0~20であり、より好ましくは1~15であり、さらに好ましくは2~10である。連結基は-X11-L11-で表される構造を有するものであることが好ましい。ここで、X11は酸素原子または硫黄原子を表し、酸素原子であることが好ましい。L11は連結基を表し、置換もしくは無置換のアルキレン基、または置換もしくは無置換のアリーレン基であることが好ましく、炭素数1~10の置換もしくは無置換のアルキレン基、または置換もしくは無置換のフェニレン基であることがより好ましい。
上の一般式において、R101、R102、R103およびR104は、各々独立に置換基を表す。好ましくは、炭素数1~6の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数1~6の置換もしくは無置換のアルコキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは炭素数1~3の無置換のアルキル基、炭素数1~3の無置換のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子であり、さらに好ましくは炭素数1~3の無置換のアルキル基、炭素数1~3の無置換のアルコキシ基である。
およびLで表される連結基は、Qを構成する一般式(1)のいずれかの部位に結合することができる。1つのQに対して連結基が2つ以上連結して架橋構造や網目構造を形成していてもよい。
In the above general formula, Q represents a group containing a structure represented by general formula (1), and L1 and L2 represent a linking group. The number of carbon atoms in the linking group is preferably 0 to 20, more preferably 1 to 15, and even more preferably 2 to 10. The linking group preferably has a structure represented by -X11 - L11- . Here, X11 represents an oxygen atom or a sulfur atom, and is preferably an oxygen atom. L11 represents a linking group, and is preferably a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group, and more preferably a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenylene group.
In the above general formula, R 101 , R 102 , R 103 and R 104 each independently represent a substituent, preferably a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or a halogen atom, more preferably an unsubstituted alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, an unsubstituted alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, a fluorine atom, or a chlorine atom, and still more preferably an unsubstituted alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or an unsubstituted alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms.
The linking groups represented by L1 and L2 can be bonded to any site of general formula (1) constituting Q. Two or more linking groups may be bonded to one Q to form a crosslinked structure or a network structure.

繰り返し単位の具体的な構造例として、下記式で表される構造を挙げることができる。
Specific structural examples of the repeating unit include structures represented by the following formulas.

これらの式を含む繰り返し単位を有する重合体は、一般式(1)のいずれかの部位にヒドロキシ基を導入しておき、それをリンカーとして下記化合物を反応させて重合性基を導入し、その重合性基を重合させることにより合成することができる。
A polymer having a repeating unit containing these formulas can be synthesized by introducing a hydroxy group into any site of general formula (1), reacting the hydroxy group as a linker with the following compound to introduce a polymerizable group, and polymerizing the polymerizable group.

分子内に一般式(1)で表される構造を含む重合体は、一般式(1)で表される構造を有する繰り返し単位のみからなる重合体であってもよいし、それ以外の構造を有する繰り返し単位を含む重合体であってもよい。また、重合体の中に含まれる一般式(1)で表される構造を有する繰り返し単位は、単一種であってもよいし、2種以上であってもよい。一般式(1)で表される構造を有さない繰り返し単位としては、通常の共重合に用いられるモノマーから誘導されるものを挙げることができる。例えば、エチレン、スチレンなどのエチレン性不飽和結合を有するモノマーから誘導される繰り返し単位を挙げることができる。 A polymer containing a structure represented by general formula (1) within its molecule may be a polymer consisting solely of repeating units having the structure represented by general formula (1), or it may be a polymer containing repeating units having other structures. Furthermore, the repeating units having the structure represented by general formula (1) contained in the polymer may be of a single type, or may contain two or more types. Examples of repeating units that do not have the structure represented by general formula (1) include those derived from monomers used in ordinary copolymerization. Examples include repeating units derived from monomers having an ethylenically unsaturated bond, such as ethylene or styrene.

ある実施形態では、一般式(1)で表される化合物は発光材料である。
ある実施形態では、一般式(1)で表される化合物は、遅延蛍光を発することができる化合物である。
本開示のある実施形態では、一般式(1)で表される化合物は、熱的または電子的手段で励起されるとき、UV領域、可視スペクトルのうち青色領域(例えば約420nm~約500nm、特に420nm~480nm)および緑色領域(例えば約490nm~約575nm、約510nm)で光を発することができる。本発明の一態様では、極大発光波長が530nm~575nmの範囲内にある。本発明の一態様では、極大発光波長が480nm~530nmの範囲内にある。本発明の一態様では、極大発光波長が460nm~480nmの範囲内にある。本発明の一態様では、極大発光波長が440nm~460nmの範囲内にある。本発明の一態様では、極大発光波長が420nm~440nmの範囲内にある。
本開示のある実施形態では、一般式(1)で表される化合物は、熱的または電子的手段で励起されるとき、紫外スペクトル領域(例えば280~400nm)で光を発することができる。
本開示のある実施形態では、一般式(1)で表される化合物を用いた有機半導体素子を作製することができる。ここでいう有機半導体素子は、光が介在する有機光素子であってもよいし、光が介在しない有機素子であってもよい。有機光素子は、素子が光を放射する有機発光素子であってもよいし、光を受け取る有機受光素子であってもよいし、素子内で光によるエネルギー移動を生じる素子であってもよい。本開示のある実施形態では、一般式(1)で表される化合物を用いて有機エレクトロルミネッセンス素子や固体撮像素子(例えばCMOSイメージセンサー)などの有機光素子を作製することができる。本開示のある実施形態では、一般式(1)で表される化合物を用いたCMOS(相補型金属酸化膜半導体)などを作製することができる。
In some embodiments, the compound represented by formula (1) is a light-emitting material.
In an embodiment, the compound represented by general formula (1) is a compound capable of emitting delayed fluorescence.
In certain embodiments of the present disclosure, the compound represented by general formula (1) can emit light in the UV region, the blue region (e.g., about 420 nm to about 500 nm, particularly 420 nm to 480 nm), and the green region (e.g., about 490 nm to about 575 nm, about 510 nm) of the visible spectrum when excited by thermal or electronic means. In one aspect of the present invention, the maximum emission wavelength is in the range of 530 nm to 575 nm. In one aspect of the present invention, the maximum emission wavelength is in the range of 480 nm to 530 nm. In one aspect of the present invention, the maximum emission wavelength is in the range of 460 nm to 480 nm. In one aspect of the present invention, the maximum emission wavelength is in the range of 440 nm to 460 nm. In one aspect of the present invention, the maximum emission wavelength is in the range of 420 nm to 440 nm.
In certain embodiments of the present disclosure, compounds represented by general formula (1) are capable of emitting light in the ultraviolet spectral region (eg, 280-400 nm) when excited by thermal or electronic means.
In some embodiments of the present disclosure, an organic semiconductor device can be fabricated using a compound represented by general formula (1). The organic semiconductor device referred to here may be an organic optical device in which light is mediated, or an organic device in which light is not mediated. The organic optical device may be an organic light-emitting device that emits light, an organic light-receiving device that receives light, or an element in which light-mediated energy transfer occurs within the device. In some embodiments of the present disclosure, an organic optical device such as an organic electroluminescence device or a solid-state imaging device (e.g., a CMOS image sensor) can be fabricated using a compound represented by general formula (1). In some embodiments of the present disclosure, a CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) can be fabricated using a compound represented by general formula (1).

小分子の化学物質ライブラリの電子的特性は、公知のab initioによる量子化学計算を用いて算出することができる。例えば、基底として、6-31G*、およびベッケの3パラメータ、Lee-Yang-Parrハイブリッド汎関数として知られている関数群を用いた時間依存的な密度汎関数理論を使用してHartree-Fock方程式(TD-DFT/B3LYP/6-31G*)を解析し、特定の閾値以上のHOMOおよび特定の閾値以下のLUMOを有する分子断片(部分)をスクリーニングすることができる。
それにより、例えば-6.5eV以上のHOMOエネルギー(例えばイオン化ポテンシャル)があるときは、供与体部分(「D」)が選抜できる。また例えば、-0.5eV以下のLUMOエネルギー(例えば電子親和力)があるときは、受容体部分(「A」)が選抜できる。ブリッジ部分(「B」)は、例えば受容体と供与体部分を特異的な立体構成に厳しく制限できる強い共役系であることにより、供与体および受容体部分のπ共役系間の重複が生じるのを防止する。
ある実施形態では、化合物ライブラリは、以下の特性のうちの1つ以上を用いて選別される。
1.特定の波長付近における発光
2.算出された、特定のエネルギー準位より上の三重項状態
3.特定値より下のΔEST
4.特定値より上の量子収率
5.HOMO準位
6.LUMO準位
ある実施形態では、77Kにおける最低の一重項励起状態と最低の三重項励起状態との差(ΔEST)は、約0.5eV未満、約0.4eV未満、約0.3eV未満、約0.2eV未満または約0.1eV未満である。ある実施形態ではΔEST値は、約0.09eV未満、約0.08eV未満、約0.07eV未満、約0.06eV未満、約0.05eV未満、約0.04eV未満、約0.03eV未満、約0.02eV未満または約0.01eV未満である。
ある実施形態では、一般式(1)で表される化合物は、25%超の、例えば約30%、約35%、約40%、約45%、約50%、約55%、約60%、約65%、約70%、約75%、約80%、約85%、約90%、約95%またはそれ以上の量子収率を示す。
The electronic properties of small molecule chemical libraries can be calculated using known ab initio quantum chemical calculations. For example, time-dependent density functional theory using 6-31G* as a basis and a family of functionals known as the Becke three-parameter Lee-Yang-Parr hybrid functional can be used to solve the Hartree-Fock equations (TD-DFT/B3LYP/6-31G*) to screen for molecular fragments (moieties) with HOMOs above a certain threshold and LUMOs below a certain threshold.
Thus, the donor moiety ("D") can be selected for its HOMO energy (e.g., ionization potential) of, for example, -6.5 eV or greater. The acceptor moiety ("A") can be selected for its LUMO energy (e.g., electron affinity) of, for example, -0.5 eV or less. The bridging moiety ("B") prevents overlap between the π-conjugated systems of the donor and acceptor moieties, for example, by providing a strongly conjugated system that tightly restricts the acceptor and donor moieties to specific configurations.
In some embodiments, the compound library is screened using one or more of the following properties:
1. Emission near a specific wavelength 2. Calculated triplet state above a specific energy level 3. ΔE ST value below a specific value 4. Quantum yield above a specific value 5. HOMO level 6. LUMO level In some embodiments, the difference between the lowest singlet excited state and the lowest triplet excited state (ΔE ST ) at 77 K is less than about 0.5 eV, less than about 0.4 eV, less than about 0.3 eV, less than about 0.2 eV, or less than about 0.1 eV. In some embodiments, the ΔE ST value is less than about 0.09 eV, less than about 0.08 eV, less than about 0.07 eV, less than about 0.06 eV, less than about 0.05 eV, less than about 0.04 eV, less than about 0.03 eV, less than about 0.02 eV, or less than about 0.01 eV.
In certain embodiments, the compounds of general formula (1) exhibit a quantum yield of greater than 25%, e.g., about 30%, about 35%, about 40%, about 45%, about 50%, about 55%, about 60%, about 65%, about 70%, about 75%, about 80%, about 85%, about 90%, about 95% or more.

[一般式(1)で表される化合物の合成方法]
一般式(1)で表される化合物は、新規化合物を含む。
一般式(1)で表される化合物は、既知の反応を組み合わせることによって合成することができる。例えば、Aとアクセプター性基を有するベンゼンに対して、ベンゾフロ縮環カルバゾールまたはベンゾチエノ縮環カルバゾールを反応させることにより、ベンゾフロ縮環カルバゾール-9-イル基またはベンゾチエノ縮環カルバゾール-9-イル基を有する一般式(1)の化合物を合成することができる。反応条件の詳細については、後述の合成例を参考にすることができる。
[Method for synthesizing a compound represented by general formula (1)]
The compounds represented by the general formula (1) include novel compounds.
The compound represented by general formula (1) can be synthesized by combining known reactions. For example, a compound of general formula (1) having a benzofuro-fused carbazole or a benzothieno-fused carbazole can be synthesized by reacting a benzene having A1 and an acceptor group with a benzofuro-fused carbazole or a benzothieno-fused carbazole. For details of the reaction conditions, please refer to the synthesis examples described below.

[一般式(1)で表される化合物を用いた構成物]
ある実施形態では、一般式(1)で表される化合物と組み合わせ、同化合物を分散させ、同化合物と共有結合し、同化合物をコーティングし、同化合物を担持し、あるいは同化合物と会合する1つ以上の材料(例えば小分子、ポリマー、金属、金属錯体等)と共に用い、固体状のフィルムまたは層を形成させる。例えば、一般式(1)で表される化合物を電気活性材料と組み合わせてフィルムを形成することができる。いくつかの場合、一般式(1)で表される化合物を正孔輸送ポリマーと組み合わせてもよい。いくつかの場合、一般式(1)で表される化合物を電子輸送ポリマーと組み合わせてもよい。いくつかの場合、一般式(1)で表される化合物を正孔輸送ポリマーおよび電子輸送ポリマーと組み合わせてもよい。いくつかの場合、一般式(1)で表される化合物を、正孔輸送部と電子輸送部との両方を有するコポリマーと組み合わせてもよい。以上のような実施形態により、固体状のフィルムまたは層内に形成される電子および/または正孔を、一般式(1)で表される化合物と相互作用させることができる。
[Constructs using compounds represented by general formula (1)]
In some embodiments, the compound represented by Formula (1) may be combined with one or more materials (e.g., small molecules, polymers, metals, metal complexes, etc.) that disperse, covalently bond, coat, support, or associate with the compound to form a solid film or layer. For example, the compound represented by Formula (1) may be combined with an electroactive material to form a film. In some cases, the compound represented by Formula (1) may be combined with a hole transporting polymer. In some cases, the compound represented by Formula (1) may be combined with an electron transporting polymer. In some cases, the compound represented by Formula (1) may be combined with a hole transporting polymer and an electron transporting polymer. In some cases, the compound represented by Formula (1) may be combined with a copolymer having both a hole transporting moiety and an electron transporting moiety. In these embodiments, electrons and/or holes formed in the solid film or layer may interact with the compound represented by Formula (1).

[フィルムの形成]
ある実施形態では、一般式(1)で表される化合物を含むフィルムは、湿式工程で形成することができる。湿式工程では、本発明の化合物を含む組成物を溶解した溶液を面に塗布し、溶媒の除去後にフィルムを形成する。湿式工程として、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法(スプレー法)、グラビア印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。湿式工程では、本発明の化合物を含む組成物を溶解することができる適切な有機溶媒を選択して用いる。ある実施形態では、組成物に含まれる化合物に、有機溶媒に対する溶解性を上げる置換基(例えばアルキル基)を導入することができる。
ある実施形態では、本発明の化合物を含むフィルムは、乾式工程で形成することができる。ある実施形態では、乾式工程として真空蒸着法を採用することができる、これに限定されるものではない。真空蒸着法を採用する場合は、フィルムを構成する化合物を個別の蒸着源から共蒸着させてもよいし、化合物を混合した単一の蒸着源から共蒸着させてもよい。単一の蒸着源を用いる場合は、化合物の粉末を混合した混合粉を用いてもよいし、その混合粉を圧縮した圧縮成形体を用いてもよいし、各化合物を加熱溶融して冷却した混合物を用いてもよい。ある実施形態では、単一の蒸着源に含まれる複数の化合物の蒸着速度(重量減少速度)が一致ないしほぼ一致する条件で共蒸着を行うことにより、蒸着源に含まれる複数の化合物の組成比に対応する組成比のフィルムを形成することができる。形成されるフィルムの組成比と同じ組成比で複数の化合物を混合して蒸着源とすれば、所望の組成比を有するフィルムを簡便に形成することができる。ある実施形態では、共蒸着される各化合物が同じ重量減少率になる温度を特定して、その温度を共蒸着時の温度として採用することができる。
[Film formation]
In some embodiments, a film containing a compound represented by general formula (1) can be formed by a wet process. In the wet process, a solution containing a composition containing the compound of the present invention is applied to a surface, and a film is formed after removing the solvent. Examples of wet processes include, but are not limited to, spin coating, slit coating, inkjet printing (spraying), gravure printing, offset printing, and flexographic printing. In the wet process, an appropriate organic solvent capable of dissolving the composition containing the compound of the present invention is selected and used. In some embodiments, a substituent (e.g., an alkyl group) that increases the solubility in organic solvents can be introduced into the compound contained in the composition.
In some embodiments, a film containing the compound of the present invention can be formed by a dry process. In some embodiments, a vacuum deposition method can be used as the dry process, but is not limited thereto. When a vacuum deposition method is used, the compounds constituting the film can be co-deposited from separate deposition sources, or from a single deposition source containing a mixture of compounds. When a single deposition source is used, a mixed powder of compound powders can be used, a compression molded body obtained by compressing the mixed powder, or a mixture obtained by heating, melting, and cooling each compound can be used. In some embodiments, co-deposition can be performed under conditions where the deposition rates (weight loss rates) of multiple compounds contained in a single deposition source are the same or nearly the same, thereby forming a film having a composition ratio corresponding to the composition ratio of multiple compounds contained in the deposition source. By mixing multiple compounds in the same composition ratio as the composition ratio of the film to be formed and using the deposition source as a deposition source, a film having a desired composition ratio can be easily formed. In some embodiments, the temperature at which each of the co-deposited compounds has the same weight loss rate can be identified, and that temperature can be used as the temperature during co-deposition.

[一般式(1)で表される化合物の使用の例]
一般式(1)で表される化合物は、有機発光素子の材料として有用である。特に有機発光ダイオード等に好ましく用いられる。
有機発光ダイオード:
本発明の一態様は、有機発光素子の発光材料としての、本発明の一般式(1)で表される化合物の使用に関する。ある実施形態では、本発明の一般式(1)で表される化合物は、有機発光素子の発光層における発光材料として効果的に使用できる。ある実施形態では、一般式(1)で表される化合物は、遅延蛍光を発する遅延蛍光(遅延蛍光体)を含む。ある実施形態では、本発明は一般式(1)で表される構造を有する遅延蛍光体を提供する。ある実施形態では、本発明は遅延蛍光体としての一般式(1)で表される化合物の使用に関する。ある実施形態では、本発明は一般式(1)で表される化合物は、ホスト材料として使用することができ、かつ、1つ以上の発光材料と共に使用することができ、発光材料は蛍光材料、燐光材料またはTADFでよい。ある実施形態では、一般式(1)で表される化合物は、正孔輸送材料として使用することもできる。ある実施形態では、一般式(1)で表される化合物は、電子輸送材料として使用することができる。ある実施形態では、本発明は一般式(1)で表される化合物から遅延蛍光を生じさせる方法に関する。ある実施形態では、化合物を発光材料として含む有機発光素子は、遅延蛍光を発し、高い光放射効率を示す。
ある実施形態では、発光層は一般式(1)で表される化合物を含み、一般式(1)で表される化合物は、基材と平行に配向される。ある実施形態では、基材はフィルム形成表面である。ある実施形態では、フィルム形成表面に対する一般式(1)で表される化合物の配向は、整列させる化合物によって発せられる光の伝播方向に影響を与えるか、あるいは、当該方向を決定づける。ある実施形態では、一般式(1)で表される化合物によって発される光の伝播方向を整列させることで、発光層からの光抽出効率が改善される。
本発明の一態様は、有機発光素子に関する。ある実施形態では、有機発光素子は発光層を含む。ある実施形態では、発光層は発光材料として一般式(1)で表される化合物を含む。ある実施形態では、有機発光素子は有機光ルミネッセンス素子(有機PL素子)である。ある実施形態では、有機発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)である。ある実施形態では、一般式(1)で表される化合物は、発光層に含まれる他の発光材料の光放射を(いわゆるアシストドーパントとして)補助する。ある実施形態では、発光層に含まれる一般式(1)で表される化合物は、その最低の励起一重項エネルギー準位にあり、発光層に含まれるホスト材料の最低励起一重項エネルギー準位と発光層に含まれる他の発光材料の最低励起一重項エネルギー準位との間に含まれる。
ある実施形態では、有機光ルミネッセンス素子は、少なくとも1つの発光層を含む。ある実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも陽極、陰極、および前記陽極と前記陰極との間の有機層を含む。ある実施形態では、有機層は、少なくとも発光層を含む。ある実施形態では、有機層は、発光層のみを含む。ある実施形態では、有機層は、発光層に加えて1つ以上の有機層を含む。有機層の例としては、正孔輸送層、正孔注入層、電子障壁層、正孔障壁層、電子注入層、電子輸送層および励起子障壁層が挙げられる。ある実施形態では、正孔輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入輸送層であってもよく、電子輸送層は、電子注入機能を有する電子注入輸送層であってもよい。
[Examples of use of the compound represented by formula (1)]
The compound represented by the general formula (1) is useful as a material for organic light-emitting devices, and is particularly preferably used for organic light-emitting diodes.
Organic light-emitting diode:
One aspect of the present invention relates to the use of a compound represented by general formula (1) of the present invention as an emitting material in an organic light-emitting device. In some embodiments, the compound represented by general formula (1) of the present invention can be effectively used as an emitting material in the emitting layer of an organic light-emitting device. In some embodiments, the compound represented by general formula (1) includes a delayed fluorescent material (delayed fluorescent material) that emits delayed fluorescence. In some embodiments, the present invention provides a delayed fluorescent material having a structure represented by general formula (1). In some embodiments, the present invention relates to the use of a compound represented by general formula (1) as a delayed fluorescent material. In some embodiments, the present invention can be used as a host material and can be used together with one or more emitting materials, which may be fluorescent materials, phosphorescent materials, or TADF. In some embodiments, the compound represented by general formula (1) can also be used as a hole transport material. In some embodiments, the compound represented by general formula (1) can be used as an electron transport material. In some embodiments, the present invention relates to a method for producing delayed fluorescence from a compound represented by general formula (1). In some embodiments, an organic light-emitting device containing the compound as an emitting material emits delayed fluorescence and exhibits high light emission efficiency.
In some embodiments, the light-emitting layer comprises a compound represented by Formula (1), and the compound represented by Formula (1) is aligned parallel to the substrate. In some embodiments, the substrate is a film-forming surface. In some embodiments, the orientation of the compound represented by Formula (1) relative to the film-forming surface influences or determines the propagation direction of light emitted by the aligned compound. In some embodiments, aligning the propagation direction of light emitted by the compound represented by Formula (1) improves light extraction efficiency from the light-emitting layer.
One aspect of the present invention relates to an organic light-emitting device. In some embodiments, the organic light-emitting device includes an emitting layer. In some embodiments, the emitting layer includes a compound represented by general formula (1) as an emitting material. In some embodiments, the organic light-emitting device is an organic photoluminescence device (organic PL device). In some embodiments, the organic light-emitting device is an organic electroluminescence device (organic EL device). In some embodiments, the compound represented by general formula (1) assists the light emission of other emitting materials included in the emitting layer (as a so-called assist dopant). In some embodiments, the compound represented by general formula (1) included in the emitting layer has its lowest excited singlet energy level, which is between the lowest excited singlet energy level of the host material included in the emitting layer and the lowest excited singlet energy level of the other emitting materials included in the emitting layer.
In some embodiments, the organic photoluminescent device includes at least one light-emitting layer. In some embodiments, the organic electroluminescent device includes at least an anode, a cathode, and an organic layer between the anode and the cathode. In some embodiments, the organic layer includes at least an light-emitting layer. In some embodiments, the organic layer includes only an light-emitting layer. In some embodiments, the organic layer includes one or more organic layers in addition to the light-emitting layer. Examples of organic layers include a hole transport layer, a hole injection layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and an exciton blocking layer. In some embodiments, the hole transport layer may be a hole injection transport layer having a hole injection function, and the electron transport layer may be an electron injection transport layer having an electron injection function.

発光層:
ある実施形態では、発光層は、陽極および陰極からそれぞれ注入された正孔および電子が再結合して励起子を形成する層である。ある実施形態では、層は光を発する。
ある実施形態では、発光材料のみが発光層として用いられる。ある実施形態では、発光層は発光材料とホスト材料とを含む。ある実施形態では、発光材料は、一般式(1)で表される1つ以上の化合物である。ある実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス素子および有機光ルミネッセンス素子の光放射効率を向上させるため、発光材料において発生する一重項励起子および三重項励起子を、発光材料内に閉じ込める。ある実施形態では、発光層中に発光材料に加えてホスト材料を用いる。ある実施形態では、ホスト材料は有機化合物である。ある実施形態では、有機化合物は励起一重項エネルギーおよび励起三重項エネルギーを有し、その少なくとも1つは、本発明の発光材料のそれらよりも高い。ある実施形態では、本発明の発光材料中で発生する一重項励起子および三重項励起子は、本発明の発光材料の分子中に閉じ込められる。ある実施形態では、一重項および三重項の励起子は、光放射効率を向上させるために十分に閉じ込められる。ある実施形態では、高い光放射効率が未だ得られるにもかかわらず、一重項励起子および三重項励起子は十分に閉じ込められず、すなわち、高い光放射効率を達成できるホスト材料は、特に限定されることなく本発明で使用されうる。ある実施形態では、本発明の素子の発光層中の発光材料において、光放射が生じる。ある実施形態では、放射光は蛍光および遅延蛍光の両方を含む。ある実施形態では、放射光は、ホスト材料からの放射光を含む。ある実施形態では、放射光は、ホスト材料からの放射光からなる。ある実施形態では、放射光は、一般式(1)で表される化合物からの放射光と、ホスト材料からの放射光とを含む。ある実施形態では、TADF分子とホスト材料とが用いられる。ある実施形態では、TADFはアシストドーパントであり、発光層中のホスト材料よりも励起一重項エネルギーが低く、発光層中の発光材料よりも励起一重項エネルギーが高い。
Emitting layer:
In some embodiments, the light-emitting layer is a layer in which holes and electrons injected from the anode and cathode, respectively, recombine to form excitons, hi some embodiments, the layer emits light.
In some embodiments, only an emitting material is used as the emitting layer. In some embodiments, the emitting layer includes an emitting material and a host material. In some embodiments, the emitting material is one or more compounds represented by general formula (1). In some embodiments, to improve the light emission efficiency of organic electroluminescent devices and organic photoluminescent devices, singlet and triplet excitons generated in the emitting material are confined within the emitting material. In some embodiments, a host material is used in addition to the emitting material in the emitting layer. In some embodiments, the host material is an organic compound. In some embodiments, the organic compound has excited singlet and triplet energies, at least one of which is higher than those of the emitting material of the present invention. In some embodiments, singlet and triplet excitons generated in the emitting material of the present invention are confined within the molecules of the emitting material of the present invention. In some embodiments, the singlet and triplet excitons are sufficiently confined to improve the light emission efficiency. In some embodiments, the singlet and triplet excitons are not sufficiently confined while still achieving high light emission efficiency. That is, any host material that can achieve high light emission efficiency can be used in the present invention without particular limitations. In some embodiments, light emission occurs in the light-emitting material in the light-emitting layer of the device of the present invention. In some embodiments, the emitted light includes both fluorescence and delayed fluorescence. In some embodiments, the emitted light includes light emitted from the host material. In some embodiments, the emitted light consists of light emitted from the host material. In some embodiments, the emitted light includes light emitted from the compound represented by general formula (1) and light emitted from the host material. In some embodiments, a TADF molecule and a host material are used. In some embodiments, TADF is an assist dopant, and has a lower excited singlet energy than the host material in the light-emitting layer and a higher excited singlet energy than the light-emitting material in the light-emitting layer.

一般式(1)で表される化合物をアシストドーパントとして用いるとき、発光材料(好ましくは蛍光材料)として様々な化合物を採用することが可能である。そのような発光材料としては、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ナフタセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、クリセン誘導体、ルブレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、スチルベン誘導体、フルオレン誘導体、アントリル誘導体、ピロメテン誘導体、ターフェニル誘導体、ターフェニレン誘導体、フルオランテン誘導体、アミン誘導体、キナクリドン誘導体、オキサジアゾール誘導体、マロノニトリル誘導体、ピラン誘導体、カルバゾール誘導体、ジュロリジン誘導体、チアゾール誘導体、金属(Al,Zn)を有する誘導体等を用いることが可能である。これらの例示骨格には置換基を有してもよいし、置換基を有していなくてもよい。また、これらの例示骨格どうしを組み合わせてもよい。
以下において、一般式(1)で表される構造を有するアシストドーパントと組み合わせて用いることができる発光材料を例示する。
When the compound represented by general formula (1) is used as an assist dopant, various compounds can be used as the luminescent material (preferably a fluorescent material). Examples of such luminescent materials include anthracene derivatives, tetracene derivatives, naphthacene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, chrysene derivatives, rubrene derivatives, coumarin derivatives, pyran derivatives, stilbene derivatives, fluorene derivatives, anthryl derivatives, pyrromethene derivatives, terphenyl derivatives, terphenylene derivatives, fluoranthene derivatives, amine derivatives, quinacridone derivatives, oxadiazole derivatives, malononitrile derivatives, pyran derivatives, carbazole derivatives, julolidine derivatives, thiazole derivatives, and derivatives containing metals (Al, Zn). These exemplary skeletons may or may not have a substituent. Furthermore, these exemplary skeletons may be combined with each other.
Examples of light-emitting materials that can be used in combination with the assist dopant having the structure represented by general formula (1) are given below.

また、WO2015/022974号公報の段落0220~0239に記載の化合物も、一般式(1)で表される構造を有するアシストドーパントとともに用いる発光材料として、特に好ましく採用することができる。 The compounds described in paragraphs 0220 to 0239 of WO 2015/022974 are also particularly suitable as light-emitting materials used in combination with assist dopants having a structure represented by general formula (1).

さらに好ましい発光材料として、以下の一般式(E1)で表される化合物も挙げることができる。
Further preferred light-emitting materials include compounds represented by the following general formula (E1).

一般式(E1)において、R、R~R16は、各々独立に水素原子、重水素原子または置換基を表す。Rはアクセプター性基を表すか、RとRが互いに結合してアクセプター性基を形成しているか、またはRとRが互いに結合してアクセプター性基を形成している。RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR10、R10とR11、R11とR12、R12とR13、R13とR14、R14とR15、R15とR16は互いに結合して環状構造を形成していてもよい。XはOまたはNRを表し、Rは置換基を表す。X~Xのうち、XおよびXの少なくとも一方はOまたはNRであり、残りはOまたはNRであっても連結していなくてもよい。連結していないとき、両端はそれぞれ独立に水素原子、重水素原子または置換基を表す。一般式(1)中のC-R、C-R、C-R、C-R、C-R、C-R、C-R、C-R、C-R10、C-R11、C-R12、C-R13、C-R14、C-R15、C-R16は、Nに置換されていてもよい。 In general formula (E1), R1 and R3 to R16 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituent. R2 represents an acceptor group, or R1 and R2 are bonded together to form an acceptor group, or R2 and R3 are bonded together to form an acceptor group. R3 and R4 , R4 and R5 , R5 and R6 , R6 and R7, R7 and R8, R9 and R10, R10 and R11, R11 and R12 , R12 and R13 , R13 and R14 , R14 and R15 , and R15 and R16 may be bonded together to form a cyclic structure. X1 represents O or NR, and R represents a substituent. Of X2 to X4 , at least one of X3 and X4 is O or NR, and the remaining ones may be O or NR or may not be linked. When they are not linked, both ends each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituent. C-R1, C- R3 , C- R4 , C - R5 , C- R6 , C- R7 , C- R8 , C- R9 , C- R10 , C- R11 , C- R12 , C- R13 , C- R14 , C- R15 , and C- R16 in general formula (1) may be substituted with N.

さらに好ましい発光材料として、以下の一般式(E2)で表される化合物も挙げることができる。
Further preferred light-emitting materials include compounds represented by the following general formula (E2).

一般式(E2)において、RおよびRは、各々独立に置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基を表し、R~R16は、各々独立に水素原子、重水素原子または置換基を表す。RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR10、R10とR11、R11とR12、R12とR13、R13とR14、R14とR15、R15とR16、R16とRは互いに結合して環状構造を形成していてもよい。一般式(1)中のC-R、C-R、C-R、C-R、C-R、C-R、C-R、C-R10、C-R11、C-R12、C-R13、C-R14、C-R15、C-R16は、Nで置換されていてもよい。 In general formula (E2), R1 and R2 each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, and R3 to R16 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituent. R1 and R3 , R3 and R4 , R4 and R5 , R5 and R6 , R6 and R7 , R7 and R8 , R8 and R9 , R9 and R2 , R2 and R10 , R10 and R11 , R11 and R12 , R12 and R13 , R13 and R14 , R14 and R15 , R15 and R16 , and R16 and R1 may be bonded to each other to form a cyclic structure. In general formula (1), C-R 3 , C-R 4 , C-R 5 , C-R 6 , C-R 7 , C-R 8 , C-R 9 , C-R 10 , C-R 11 , C-R 12 , C-R 13 , C-R 14 , C-R 15 and C-R 16 may be substituted with N.

さらに好ましい発光材料として、以下の一般式(E3)で表される化合物も挙げることができる。
Further preferred light-emitting materials include compounds represented by the following general formula (E3).

一般式(E3)において、ZおよびZは、各々独立に置換もしくは無置換の芳香環、または置換もしくは無置換の複素芳香環を表し、R~Rは、各々独立に水素原子、重水素原子または置換基を表す。RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとRは互いに結合して環状構造を形成していてもよい。ただし、Z、Z、RとRが互いに結合して形成する環、RとRが互いに結合して形成する環、RとRが互いに結合して形成する環、およびRとRが互いに結合して形成する環の少なくとも1つは、置換もしくは無置換のベンゾフランのフラン環、置換もしくは無置換のベンゾチオフェンのチオフェン環、置換もしくは無置換のインドールのピロール環であり、かつ、R~Rの少なくとも1つが置換もしくは無置換のアリール基、またはアクセプター性基であるか、あるいは、ZとZの少なくとも1つが置換基としてアリール基またはアクセプター性基を有する環である。前記ベンゾフラン環、前記ベンゾチオフェン環、前記インドール環を構成するベンゼン環骨格構成炭素原子のうち置換可能な炭素原子は窒素原子で置換されていてもよい。一般式(1)中のC-R、C-R、C-R、C-R、C-R、C-R、C-R、C-R、C-Rは、Nに置換されていてもよい。 In general formula (E3), Z1 and Z2 each independently represent a substituted or unsubstituted aromatic ring or a substituted or unsubstituted heteroaromatic ring, and R1 to R9 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituent. R1 and R2 , R2 and R3 , R3 and R4 , R4 and R5 , R5 and R6 , R7 and R8 , and R8 and R9 may be bonded to each other to form a cyclic structure. However, at least one of Z 1 , Z 2 , the ring formed by bonding together of R 1 and R 2 , the ring formed by bonding together of R 2 and R 3 , the ring formed by bonding together of R 4 and R 5 , and the ring formed by bonding together of R 5 and R 6 is a furan ring of substituted or unsubstituted benzofuran, a thiophene ring of substituted or unsubstituted benzothiophene, or a pyrrole ring of substituted or unsubstituted indole, and at least one of R 1 to R 9 is a substituted or unsubstituted aryl group or an acceptor group, or at least one of Z 1 and Z 2 is a ring having an aryl group or an acceptor group as a substituent. Among the carbon atoms constituting the benzene ring skeleton constituting the benzofuran ring, the benzothiophene ring, and the indole ring, substitutable carbon atoms may be substituted with nitrogen atoms. In general formula (1), C-R 1 , C-R 2 , C-R 3 , C-R 4 , C-R 5 , C-R 6 , C-R 7 , C-R 8 and C-R 9 may be substituted with N.

さらに好ましい発光材料として、以下の一般式(E4)で表される化合物も挙げることができる。
Further preferred light-emitting materials include compounds represented by the following general formula (E4).

一般式(E4)において、Zは、置換もしくは無置換のベンゼン環が縮合したフラン環、置換もしくは無置換のベンゼン環が縮合したチオフェン環、または置換もしくは無置換のベンゼン環が縮合したN-置換ピロール環を表し、ZおよびZは各々独立に置換もしくは無置換の芳香環、または置換もしくは無置換の複素芳香環を表し、Rは水素原子、重水素原子または置換基を表し、RおよびRは各々独立に置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基を表す。ZとR、RとZ、ZとZ、ZとRは互いに結合して環状構造を形成していてもよい。ただし、RとZ、ZとZ、ZとRの少なくとも1組は互いに結合して環状構造を形成している。 In general formula (E4), Z1 represents a furan ring fused with a substituted or unsubstituted benzene ring, a thiophene ring fused with a substituted or unsubstituted benzene ring, or an N-substituted pyrrole ring fused with a substituted or unsubstituted benzene ring; Z2 and Z3 each independently represent a substituted or unsubstituted aromatic ring or a substituted or unsubstituted heteroaromatic ring; R1 represents a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituent; and R2 and R3 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heteroaryl group. Z1 and R1 , R2 and Z2 , Z2 and Z3 , and Z3 and R3 may be bonded to each other to form a cyclic structure ; provided that at least one pair of R2 and Z2 , Z2 and Z3 , or Z3 and R3 is bonded to each other to form a cyclic structure.

さらに好ましい発光材料として、以下の一般式(E5)で表される化合物も挙げることができる。
Further preferred light-emitting materials include compounds represented by the following general formula (E5).

一般式(E5)において、RおよびRは、各々独立に置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基を表し、ZおよびZは、各々独立に置換もしくは無置換の芳香環、または置換もしくは無置換の複素芳香環を表し、R~Rは、各々独立に水素原子、重水素原子または置換基を表す。ただし、R、R、ZおよびZの少なくとも1つは、置換もしくは無置換のベンゾフラン環、置換もしくは無置換のベンゾチオフェン環、置換もしくは無置換のインドール環を含む。RとZ、ZとR、RとR、RとR、RとZ、ZとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとRは互いに結合して環状構造を形成していてもよい。前記ベンゾフラン環、前記ベンゾチオフェン環、前記インドール環を構成するベンゼン環骨格構成炭素原子のうち置換可能な炭素原子は窒素原子で置換されていてもよい。一般式(1)中のC-R、C-R、C-R、C-R、C-R、C-R、C-Rは、Nに置換されていてもよい。 In general formula (E5), R1 and R2 each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, Z1 and Z2 each independently represent a substituted or unsubstituted aromatic ring or a substituted or unsubstituted heteroaromatic ring, and R3 to R9 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituent, provided that at least one of R1 , R2 , Z1 , and Z2 contains a substituted or unsubstituted benzofuran ring, a substituted or unsubstituted benzothiophene ring, or a substituted or unsubstituted indole ring. R1 and Z1 , Z1 and R3 , R3 and R4 , R4 and R5 , R5 and Z2 , Z2 and R2 , R2 and R6 , R6 and R7 , R7 and R8 , R8 and R9 , and R9 and R1 may be bonded to each other to form a cyclic structure. Of the carbon atoms constituting the benzene ring skeleton constituting the benzofuran ring, the benzothiophene ring, and the indole ring, substitutable carbon atoms may be substituted with nitrogen atoms. C- R3 , C- R4 , C- R5 , C- R6 , C- R7 , C- R8 , and C- R9 in general formula (1) may be substituted with N.

さらに好ましい発光材料として、以下の一般式(E6)で表される化合物も挙げることができる。
Further preferred light-emitting materials include compounds represented by the following general formula (E6).

一般式(E6)において、XおよびXは、一方が窒素原子であり、他方がホウ素原子である。R~R26、A、Aは、各々独立に水素原子、重水素原子または置換基を表す。RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR10、R10とR11、R11とR12、R13とR14、R14とR15、R15とR16、R16とR17、R17とR18、R18とR19、R19とR20、R20とR21、R21とR22、R22とR23、R23とR24、R24とR25、R25とR26は、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。ただし、Xが窒素原子であるとき、R17とR18は互いに結合して単結合となりピロール環を形成し、Xが窒素原子であるとき、R21とR22は互いに結合して単結合となりピロール環を形成する。ただし、Xが窒素原子であって、RとRおよびR21とR22が窒素原子を介して結合して6員環を形成し、R17とR18が互いに結合して単結合を形成しているとき、R~Rの少なくとも1つは置換もしくは無置換のアリール基であるか、RとR、RとR、RとR、RとR、RとRのいずれかが互いに結合して芳香環または複素芳香環を形成している。 In formula (E6), one of X 1 and X 2 is a nitrogen atom and the other is a boron atom, and R 1 to R 26 , A 1 and A 2 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom or a substituent. R1 and R2 , R2 and R3 , R3 and R4 , R4 and R5 , R5 and R6 , R6 and R7 , R7 and R8 , R8 and R9 , R9 and R10 , R10 and R11 , R11 and R12 , R13 and R14 , R14 and R15 , R15 and R16 , R16 and R17 , R17 and R18 , R18 and R19 , R19 and R20 , R20 and R21 , R21 and R22 , R22 and R23 , R23 and R24 , R24 and R25 , R25 and R and 26 may be bonded to each other to form a cyclic structure. However, when X 1 is a nitrogen atom, R 17 and R 18 are bonded to each other via a single bond to form a pyrrole ring, and when X 2 is a nitrogen atom, R 21 and R 22 are bonded to each other via a single bond to form a pyrrole ring. However, when X 1 is a nitrogen atom, R 7 and R 8 and R 21 and R 22 are bonded to each other via a nitrogen atom to form a 6-membered ring, and R 17 and R 18 are bonded to each other to form a single bond, at least one of R 1 to R 6 is a substituted or unsubstituted aryl group, or any of R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 4 and R 5 , or R 5 and R 6 is bonded to each other to form an aromatic ring or a heteroaromatic ring.

さらに好ましい発光材料として、以下の一般式(E7)で表される化合物も挙げることができる。
Further preferred light-emitting materials include compounds represented by the following general formula (E7).

一般式(E7)において、R201~R221は各々独立に水素原子、重水素原子または置換基を表し、好ましくは水素原子、重水素原子、アルキル基、アリール基、またはアルキル基とアリール基が結合した基を表す。R201とR202、R202とR203、R203とR204、R205とR206、R206とR207、R207とR208、R214とR215、R215とR216、R216とR217、R218とR219、R219とR220、R220とR221のうちの少なくとも1組は、互いに結合してベンゾフロ構造またはベンゾチエノ構造を形成している。好ましくは、R201とR202、R202とR203、R203とR204、R205とR206、R206とR207、R207とR208のうちの1組または2組と、R214とR215、R215とR216、R216とR217、R218とR219、R219とR220、R220とR221のうちの1組または2組が、互いに結合してベンゾフロ構造またはベンゾチエノ構造を形成している。さらに好ましくは、R203とR204が互いに結合してベンゾフロ構造またはベンゾチエノ構造を形成して、さらにより好ましくはR203とR204、R216とR217が互いに結合してベンゾフロ構造またはベンゾチエノ構造を形成している。特に好ましくは、R203とR204、R216とR217が互いに結合してベンゾフロ構造またはベンゾチエノ構造を形成していて、R206とR219が置換もしくは無置換のアリール基(好ましくは置換もしくは無置換のフェニル基、より好ましくは無置換のフェニル基)である。 In general formula (E7), R 201 to R 221 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituent, preferably a hydrogen atom, a deuterium atom, an alkyl group, an aryl group, or a group in which an alkyl group and an aryl group are bonded. At least one pair of R 201 and R 202 , R 202 and R 203 , R 203 and R 204 , R 205 and R 206 , R 206 and R 207 , R 207 and R 208 , R 214 and R 215 , R 215 and R 216 , R 216 and R 217 , R 218 and R 219 , R 219 and R 220 , and R 220 and R 221 are bonded to each other to form a benzofuro structure or a benzothieno structure. Preferably, one or two pairs of R201 and R202 , R202 and R203 , R203 and R204 , R205 and R206 , R206 and R207 , or R207 and R208 , and one or two pairs of R214 and R215 , R215 and R216 , R216 and R217 , R218 and R219 , R219 and R220 , or R220 and R221 are bonded to each other to form a benzofuro structure or a benzothieno structure. More preferably, R 203 and R 204 are bonded to each other to form a benzofuro structure or a benzothieno structure, and even more preferably, R 203 and R 204 , and R 216 and R 217 are bonded to each other to form a benzofuro structure or a benzothieno structure. Particularly preferably, R 203 and R 204 , and R 216 and R 217 are bonded to each other to form a benzofuro structure or a benzothieno structure, and R 206 and R 219 are substituted or unsubstituted aryl groups (preferably substituted or unsubstituted phenyl groups, more preferably unsubstituted phenyl groups).

さらに特願2021-103698号、特願2021-103699号、特願2021-103700号、特願2021-081332号、特願2021-103701号、特願2021-151805号、特願2021-188860号の各明細書に記載される一般式(1)で表される化合物を発光材料として用いることができる。これらの一般式(1)の説明および具体的な化合物を本明細書の一部としてここに引用する。 Furthermore, compounds represented by general formula (1) described in the specifications of Japanese Patent Application Nos. 2021-103698, 2021-103699, 2021-103700, 2021-081332, 2021-103701, 2021-151805, and 2021-188860 can be used as light-emitting materials. These descriptions of general formula (1) and specific compounds are incorporated herein by reference as part of this specification.

ある実施形態では、ホスト材料を用いるとき、発光層に含まれる発光材料としての本発明の化合物の量は、0.1重量%以上である。ある実施形態では、ホスト材料を用いるとき、発光層に含まれる発光材料としての本発明の化合物の量は、1重量%以上である。ある実施形態では、ホスト材料を用いるとき、発光層に含まれる発光材料としての本発明の化合物の量は、50重量%以下である。ある実施形態では、ホスト材料を用いるとき、発光層に含まれる発光材料としての本発明の化合物の量は、20重量%以下である。ある実施形態では、ホスト材料を用いるとき、発光層に含まれる発光材料としての本発明の化合物の量は、10重量%以下である。
ある実施形態では、発光層のホスト材料は、正孔輸送機能および電子輸送機能を有する有機化合物である。ある実施形態では、発光層のホスト材料は、放射光の波長が増加することを防止する有機化合物である。ある実施形態では、発光層のホスト材料は、高いガラス転移温度を有する有機化合物である。
In some embodiments, when a host material is used, the amount of the compound of the present invention as the light-emitting material in the light-emitting layer is 0.1% by weight or more. In some embodiments, when a host material is used, the amount of the compound of the present invention as the light-emitting material in the light-emitting layer is 1% by weight or more. In some embodiments, when a host material is used, the amount of the compound of the present invention as the light-emitting material in the light-emitting layer is 50% by weight or less. In some embodiments, when a host material is used, the amount of the compound of the present invention as the light-emitting material in the light-emitting layer is 20% by weight or less. In some embodiments, when a host material is used, the amount of the compound of the present invention as the light-emitting material in the light-emitting layer is 10% by weight or less.
In some embodiments, the host material of the light-emitting layer is an organic compound that has hole-transporting and electron-transporting functions. In some embodiments, the host material of the light-emitting layer is an organic compound that prevents the wavelength of emitted light from increasing. In some embodiments, the host material of the light-emitting layer is an organic compound that has a high glass transition temperature.

いくつかの実施形態では、ホスト材料は以下からなる群から選択される:
ある実施形態では、発光層は2種類以上の構造が異なるTADF分子を含む。例えば、励起一重項エネルギー準位がホスト材料、第1TADF分子、第2TADF分子の順に高い、これら3種の材料を含む発光層とすることができる。このとき、第1TADF分子と第2TADF分子は、ともに最低励起一重項エネルギー準位と77Kの最低励起三重項エネルギー準位の差ΔESTが0.3eV以下であることが好ましく、0.25eV以下であることがより好ましく、0.2eV以下であることがより好ましく、0.15eV以下であることがより好ましく、0.1eV以下であることがさらに好ましく、0.07eV以下であることがさらにより好ましく、0.05eV以下であることがさらにまた好ましく、0.03eV以下であることがさらになお好ましく、0.01eV以下であることが特に好ましい。発光層における第1TADF分子の濃度は、第2TADF分子の濃度よりも大きいことが好ましい。また、発光層におけるホスト材料の濃度は、第2TADF分子の濃度よりも大きいことが好ましい。発光層における第1TADF分子の濃度は、ホスト材料の濃度よりも大きくてもよいし、小さくてもよいし、同じであってもよい。ある実施形態では、発光層内の組成を、ホスト材料を10~70重量%、第1TADF分子を10~80重量%、第2TADF分子を0.1~30重量%としてもよい。ある実施形態では、発光層内の組成を、ホスト材料を20~45重量%、第1TADF分子を50~75重量%、第2TADF分子を5~20重量%としてもよい。ある実施形態では、第1TADF分子とホスト材料の共蒸着膜(この共蒸着膜における第1TADF分子の濃度=A重量%)の光励起による発光量子収率φPL1(A)と、第2TADF分子とホスト材料の共蒸着膜(この共蒸着膜における第2TADF分子の濃度=A重量%)の光励起による発光量子収率φPL2(A)が、φPL1(A)>φPL2(A)の関係式を満たす。ある実施形態では、第2TADF分子とホスト材料の共蒸着膜(この共蒸着膜における第2TADF分子の濃度=B重量%)の光励起による発光量子収率φPL2(B)と、第2TADF分子の単独膜の光励起による発光量子収率φPL2(100)が、φPL2(B)>φPL2(100)の関係式を満たす。ある実施形態では、発光層は3種類の構造が異なるTADF分子を含むことができる。本発明の化合物は、発光層に含まれる複数のTADF化合物のいずれであってもよい。
ある実施形態では、発光層は、ホスト材料、アシストドーパント、および発光材料からからなる群より選択される材料で構成することができる。ある実施形態では、発光層は金属元素を含まない。ある実施形態では、発光層は炭素原子、水素原子、重水素原子、窒素原子、酸素原子および硫黄原子からなる群より選択される原子のみから構成される材料で構成することができる。あるいは、発光層は、炭素原子、水素原子、重水素原子、窒素原子および酸素原子からなる群より選択される原子のみから構成される材料で構成することもできる。あるいは、発光層は、炭素原子、水素原子、窒素原子および酸素原子からなる群より選択される原子のみから構成される材料で構成することもできる。
発光層が本発明の化合物以外のTADF材料を含むとき、そのTADF材料は公知の遅延蛍光材料であってよい。好ましい遅延蛍光材料として、WO2013/154064号公報の段落0008~0048および0095~0133、WO2013/011954号公報の段落0007~0047および0073~0085、WO2013/011955号公報の段落0007~0033および0059~0066、WO2013/081088号公報の段落0008~0071および0118~0133、特開2013-256490号公報の段落0009~0046および0093~0134、特開2013-116975号公報の段落0008~0020および0038~0040、WO2013/133359号公報の段落0007~0032および0079~0084、WO2013/161437号公報の段落0008~0054および0101~0121、特開2014-9352号公報の段落0007~0041および0060~0069、特開2014-9224号公報の段落0008~0048および0067~0076、特開2017-119663号公報の段落0013~0025、特開2017-119664号公報の段落0013~0026、特開2017-222623号公報の段落0012~0025、特開2017-226838号公報の段落0010~0050、特開2018-100411号公報の段落0012~0043、WO2018/047853号公報の段落0016~0044に記載される一般式に包含される化合物、特に例示化合物であって、遅延蛍光を放射しうるものが含まれる。また、ここでは、特開2013-253121号公報、WO2013/133359号公報、WO2014/034535号公報、WO2014/115743号公報、WO2014/122895号公報、WO2014/126200号公報、WO2014/136758号公報、WO2014/133121号公報、WO2014/136860号公報、WO2014/196585号公報、WO2014/189122号公報、WO2014/168101号公報、WO2015/008580号公報、WO2014/203840号公報、WO2015/002213号公報、WO2015/016200号公報、WO2015/019725号公報、WO2015/072470号公報、WO2015/108049号公報、WO2015/080182号公報、WO2015/072537号公報、WO2015/080183号公報、特開2015-129240号公報、WO2015/129714号公報、WO2015/129715号公報、WO2015/133501号公報、WO2015/136880号公報、WO2015/137244号公報、WO2015/137202号公報、WO2015/137136号公報、WO2015/146541号公報、WO2015/159541号公報に記載される発光材料であって、遅延蛍光を放射しうるものを好ましく採用することができる。なお、この段落に記載される上記の公報は、本明細書の一部としてここに引用する。
In some embodiments, the host material is selected from the group consisting of:
In some embodiments, the emitting layer comprises two or more types of TADF molecules with different structures.For example, the emitting layer can be made to comprise three materials, with the excited singlet energy level being higher in the order of host material, first TADF molecule, and second TADF molecule.At this time, the difference ΔE ST between the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level at 77K of both the first TADF molecule and the second TADF molecule is preferably 0.3 eV or less, more preferably 0.25 eV or less, more preferably 0.2 eV or less, more preferably 0.15 eV or less, even more preferably 0.1 eV or less, even more preferably 0.07 eV or less, even more preferably 0.05 eV or less, even more preferably 0.03 eV or less, and particularly preferably 0.01 eV or less.The concentration of the first TADF molecule in the emitting layer is preferably greater than the concentration of the second TADF molecule. Furthermore, the concentration of the host material in the light-emitting layer is preferably greater than the concentration of the second TADF molecules. The concentration of the first TADF molecules in the light-emitting layer may be greater than, less than, or the same as the concentration of the host material. In some embodiments, the composition in the light-emitting layer may be 10 to 70 wt % of the host material, 10 to 80 wt % of the first TADF molecules, and 0.1 to 30 wt % of the second TADF molecules. In some embodiments, the composition in the light-emitting layer may be 20 to 45 wt % of the host material, 50 to 75 wt % of the first TADF molecules, and 5 to 20 wt % of the second TADF molecules. In one embodiment, the luminescence quantum yield φPL1(A) upon photoexcitation of a co-deposited film of the first TADF molecule and the host material (the concentration of the first TADF molecule in this co-deposited film is A wt%) and the luminescence quantum yield φPL2(A) upon photoexcitation of a co-deposited film of the second TADF molecule and the host material (the concentration of the second TADF molecule in this co-deposited film is A wt%) satisfy the relationship φPL1(A) > φPL2(A). In one embodiment, the luminescence quantum yield φPL2(B) upon photoexcitation of a co-deposited film of the second TADF molecule and the host material (the concentration of the second TADF molecule in this co-deposited film is B wt%) and the luminescence quantum yield φPL2(100) upon photoexcitation of a single film of the second TADF molecule satisfy the relationship φPL2(B) > φPL2(100). In one embodiment, the light-emitting layer can contain three types of TADF molecules with different structures. The compound of the present invention may be any of the multiple TADF compounds contained in the light-emitting layer.
In some embodiments, the light-emitting layer can be composed of a material selected from the group consisting of a host material, an assist dopant, and a light-emitting material. In some embodiments, the light-emitting layer does not contain a metal element. In some embodiments, the light-emitting layer can be composed of a material consisting only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, deuterium atoms, nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms. Alternatively, the light-emitting layer can be composed of a material consisting only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, deuterium atoms, nitrogen atoms, and oxygen atoms. Alternatively, the light-emitting layer can be composed of a material consisting only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, nitrogen atoms, and oxygen atoms.
When the light-emitting layer contains a TADF material other than the compound of the present invention, the TADF material may be a known delayed fluorescent material. Preferred delayed fluorescent materials include those described in paragraphs 0008 to 0048 and 0095 to 0133 of WO2013/154064, paragraphs 0007 to 0047 and 0073 to 0085 of WO2013/011954, paragraphs 0007 to 0033 and 0059 to 0066 of WO2013/011955, and paragraph 0008 of WO2013/081088. to 0071 and 0118 to 0133, paragraphs 0009 to 0046 and 0093 to 0134 of JP 2013-256490 A, paragraphs 0008 to 0020 and 0038 to 0040 of JP 2013-116975 A, paragraphs 0007 to 0032 and 0079 to 0084 of WO 2013/133359 A, paragraph 0 of WO 2013/161437 A JP-A-2014-9352, paragraphs 0007 to 0041 and 0060 to 0069, JP-A-2014-9224, paragraphs 0008 to 0048 and 0067 to 0076, JP-A-2017-119663, paragraphs 0013 to 0025, JP-A-2017-119664, paragraphs 0013 to 0026, JP-A-2017-119665, Compounds encompassed by the general formulas described in paragraphs 0012 to 0025 of JP-A No. 017-222623, paragraphs 0010 to 0050 of JP-A No. 2017-226838, paragraphs 0012 to 0043 of JP-A No. 2018-100411, and paragraphs 0016 to 0044 of WO2018/047853, particularly exemplified compounds, which are capable of emitting delayed fluorescence, are included. Further, here, the following patent documents are disclosed: JP 2013-253121 A, WO 2013/133359 A, WO 2014/034535 A, WO 2014/115743 A, WO 2014/122895 A, WO 2014/126200 A, WO 2014/136758 A, WO 2014/133121 A, WO 20 14/136860, WO2014/196585, WO2014/189122, WO2014/168101, WO2015/008 580 publication, WO2014/203840 publication, WO2015/002213 publication, WO2015/016200 publication, WO2015/019725 publication, WO2015/072470, WO2015/108049, WO2015/080182, WO2015/072537, WO2015/080183, JP2015-129240A, WO2015/129714, WO2015/129715, WO2015/13350 Preferably, the luminescent materials capable of emitting delayed fluorescence are those described in WO2015/136880, WO2015/137244, WO2015/137202, WO2015/137136, WO2015/146541, and WO2015/159541. The above publications described in this paragraph are incorporated herein by reference.

以下において、有機エレクトロルミネッセンス素子の各部材および発光層以外の各層について説明する。 The following describes each component of the organic electroluminescent element and each layer other than the light-emitting layer.

基材:
いくつかの実施形態では、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は基材により保持され、当該基材は特に限定されず、有機エレクトロルミネッセンス素子で一般的に用いられる、例えばガラス、透明プラスチック、クォーツおよびシリコンにより形成されたいずれかの材料を用いればよい。
Base material:
In some embodiments, the organic electroluminescent device of the present invention is supported by a substrate, and the substrate is not particularly limited and may be any material commonly used in organic electroluminescent devices, such as glass, transparent plastic, quartz, and silicon.

陽極:
いくつかの実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス装置の陽極は、金属、合金、導電性化合物またはそれらの組み合わせから製造される。いくつかの実施形態では、前記の金属、合金または導電性化合物は高い仕事関数(4eV以上)を有する。いくつかの実施形態では、前記金属はAuである。いくつかの実施形態では、導電性の透明材料は、CuI、酸化インジウム・スズ(ITO)、SnOおよびZnOから選択される。いくつかの実施形態では、IDIXO(In-ZnO)などの、透明な導電性フィルムを形成できるアモルファス材料を使用する。いくつかの実施形態では、前記陽極は薄膜である。いくつかの実施形態では、前記薄膜は蒸着またはスパッタリングにより作製される。いくつかの実施形態では、前記フィルムはフォトリソグラフィー方法によりパターン化される。いくつかの実施形態では、パターンが高精度である必要がない(例えば約100μm以上)場合、当該パターンは、電極材料への蒸着またはスパッタリングに好適な形状のマスクを用いて形成してもよい。いくつかの実施形態では、有機導電性化合物などのコーティング材料を塗布しうるとき、プリント法やコーティング法などの湿式フィルム形成方法が用いられる。いくつかの実施形態では、放射光が陽極を通過するとき、陽極は10%超の透過度を有し、当該陽極は、単位面積あたり数百オーム以下のシート抵抗を有する。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは10~1,000nmである。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは10~200nmである。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは用いる材料に応じて変動する。
anode:
In some embodiments, the anode of the organic electroluminescent device is made of a metal, an alloy, a conductive compound, or a combination thereof. In some embodiments, the metal, alloy, or conductive compound has a high work function (4 eV or greater). In some embodiments, the metal is Au. In some embodiments, the conductive transparent material is selected from CuI, indium tin oxide (ITO), SnO2 , and ZnO. In some embodiments, an amorphous material capable of forming a transparent conductive film, such as IDIXO ( In2O3 - ZnO ), is used. In some embodiments, the anode is a thin film. In some embodiments, the thin film is formed by evaporation or sputtering. In some embodiments, the film is patterned by a photolithography method. In some embodiments, if the pattern does not need to be highly accurate (e.g., greater than about 100 μm), the pattern may be formed using a mask with a shape suitable for evaporation or sputtering of the electrode material. In some embodiments, when a coating material, such as an organic conductive compound, can be applied, a wet film formation method, such as a printing method or a coating method, is used. In some embodiments, the anode has a transmittance of greater than 10% when emitted light passes through it, and the anode has a sheet resistance of several hundred ohms per unit area or less. In some embodiments, the anode has a thickness of 10 to 1,000 nm. In some embodiments, the anode has a thickness of 10 to 200 nm. In some embodiments, the thickness of the anode varies depending on the material used.

陰極:
いくつかの実施形態では、前記陰極は、低い仕事関数を有する金属(4eV以下)(電子注入金属と称される)、合金、導電性化合物またはその組み合わせなどの電極材料で作製される。いくつかの実施形態では、前記電極材料は、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム-銅混合物、マグネシウム-銀混合物、マグネシウム-アルミニウム混合物、マグネシウム-インジウム混合物、アルミニウム-酸化アルミニウム(Al)混合物、インジウム、リチウム-アルミニウム混合物および希土類元素から選択される。いくつかの実施形態では、電子注入金属と、電子注入金属より高い仕事関数を有する安定な金属である第2の金属との混合物が用いられる。いくつかの実施形態では、前記混合物は、マグネシウム-銀混合物、マグネシウム-アルミニウム混合物、マグネシウム-インジウム混合物、アルミニウム-酸化アルミニウム(Al)混合物、リチウム-アルミニウム混合物およびアルミニウムから選択される。いくつかの実施形態では、前記混合物は電子注入特性および酸化に対する耐性を向上させる。いくつかの実施形態では、陰極は、蒸着またはスパッタリングにより電極材料を薄膜として形成させることによって製造される。いくつかの実施形態では、前記陰極は単位面積当たり数百オーム以下のシート抵抗を有する。いくつかの実施形態では、前記陰極の厚は10nm~5μmである。いくつかの実施形態では、前記陰極の厚は50~200nmである。いくつかの実施形態では、放射光を透過させるため、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極および陰極のいずれか1つは透明または半透明である。いくつかの実施形態では、透明または半透明のエレクトロルミネッセンス素子は光放射輝度を向上させる。
いくつかの実施形態では、前記陰極を、前記陽極に関して前述した導電性の透明な材料で形成されることにより、透明または半透明の陰極が形成される。いくつかの実施形態では、素子は陽極と陰極とを含むが、いずれも透明または半透明である。
cathode:
In some embodiments, the cathode is made of an electrode material such as a metal with a low work function (4 eV or less) (referred to as an electron-injecting metal), an alloy, a conductive compound, or a combination thereof. In some embodiments, the electrode material is selected from sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, a magnesium-copper mixture, a magnesium-silver mixture, a magnesium-aluminum mixture, a magnesium-indium mixture, an aluminum-aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, indium, a lithium-aluminum mixture, and a rare earth element. In some embodiments, a mixture of an electron-injecting metal and a second metal, which is a stable metal having a higher work function than the electron-injecting metal, is used. In some embodiments, the mixture is selected from a magnesium-silver mixture, a magnesium-aluminum mixture, a magnesium-indium mixture, an aluminum-aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, a lithium-aluminum mixture, and aluminum. In some embodiments, the mixture improves electron-injecting properties and oxidation resistance. In some embodiments, the cathode is fabricated by forming the electrode material as a thin film by evaporation or sputtering. In some embodiments, the cathode has a sheet resistance of several hundred ohms per unit area or less. In some embodiments, the cathode has a thickness of 10 nm to 5 μm. In some embodiments, the cathode has a thickness of 50 to 200 nm. In some embodiments, either the anode or the cathode of the organic electroluminescent device is transparent or semi-transparent to allow emitted light to pass through. In some embodiments, a transparent or semi-transparent electroluminescent device improves light radiance.
In some embodiments, the cathode is formed from a conductive, transparent material as described above for the anode, thereby forming a transparent or semi-transparent cathode. In some embodiments, a device includes an anode and a cathode, both of which are transparent or semi-transparent.

注入層:
注入層は、電極と有機層との間の層である。いくつかの実施形態では、前記注入層は駆動電圧を減少させ、光放射輝度を増強する。いくつかの実施形態では、前記注入層は、正孔注入層と電子注入層とを含む。前記注入層は、陽極と発光層または正孔輸送層との間、並びに陰極と発光層または電子輸送層との間に配置することがきる。いくつかの実施形態では、注入層が存在する。いくつかの実施形態では、注入層が存在しない。
以下に、正孔注入材料として用いることができる好ましい化合物例を挙げる。
Injection layer:
An injection layer is a layer between an electrode and an organic layer. In some embodiments, the injection layer reduces driving voltage and enhances light radiance. In some embodiments, the injection layer comprises a hole injection layer and an electron injection layer. The injection layer can be disposed between the anode and the emissive layer or the hole transport layer, and between the cathode and the emissive layer or the electron transport layer. In some embodiments, an injection layer is present. In some embodiments, an injection layer is not present.
Preferred examples of compounds that can be used as hole injection materials are listed below.

次に、電子注入材料として用いることができる好ましい化合物例を挙げる。
Next, preferred examples of compounds that can be used as the electron injection material will be listed.

障壁層:
障壁層は、発光層に存在する電荷(電子または正孔)および/または励起子が、発光層の外側に拡散することを阻止できる層である。いくつかの実施形態では、電子障壁層は、発光層と正孔輸送層との間に存在し、電子が発光層を通過して正孔輸送層へ至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、正孔障壁層は、発光層と電子輸送層との間に存在し、正孔が発光層を通過して電子輸送層へ至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、障壁層は、励起子が発光層の外側に拡散することを阻止する。いくつかの実施形態では、電子障壁層および正孔障壁層は励起子障壁層を構成する。本明細書で用いる用語「電子障壁層」または「励起子障壁層」には、電子障壁層の、および励起子障壁層の機能の両方を有する層が含まれる。
Barrier layer:
A blocking layer is a layer that can prevent charges (electrons or holes) and/or excitons present in the light-emitting layer from diffusing outside the light-emitting layer. In some embodiments, an electron blocking layer is present between the light-emitting layer and the hole transport layer and prevents electrons from passing through the light-emitting layer to the hole transport layer. In some embodiments, a hole blocking layer is present between the light-emitting layer and the electron transport layer and prevents holes from passing through the light-emitting layer to the electron transport layer. In some embodiments, a blocking layer prevents excitons from diffusing outside the light-emitting layer. In some embodiments, the electron blocking layer and the hole blocking layer constitute an exciton blocking layer. As used herein, the terms "electron blocking layer" or "exciton blocking layer" include layers that have both the functionality of an electron blocking layer and an exciton blocking layer.

正孔障壁層:
正孔障壁層は、電子輸送層として機能する。いくつかの実施形態では、電子の輸送の間、正孔障壁層は正孔が電子輸送層に至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、正孔障壁層は、発光層における電子と正孔との再結合の確率を高める。正孔障壁層に用いる材料は、電子輸送層について前述したのと同じ材料であってもよい。
以下に、正孔障壁層に用いることができる好ましい化合物例を挙げる。
Hole blocking layer:
The hole blocking layer functions as an electron transport layer. In some embodiments, the hole blocking layer prevents holes from reaching the electron transport layer during electron transport. In some embodiments, the hole blocking layer increases the probability of recombination of electrons and holes in the light-emitting layer. The materials used for the hole blocking layer can be the same materials as those described above for the electron transport layer.
Preferred examples of compounds that can be used in the hole blocking layer are listed below.

電子障壁層:
電子障壁層は、正孔を輸送する。いくつかの実施形態では、正孔の輸送の間、電子障壁層は電子が正孔輸送層に至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、電子障壁層は、発光層における電子と正孔との再結合の確率を高める。電子障壁層に用いる材料は、正孔輸送層について前述したのと同じ材料であってもよい。
以下に電子障壁材料として用いることができる好ましい化合物の具体例を挙げる。
Electron barrier layer:
The electron blocking layer transports holes. In some embodiments, during hole transport, the electron blocking layer prevents electrons from reaching the hole transport layer. In some embodiments, the electron blocking layer increases the probability of recombination of electrons and holes in the light-emitting layer. The materials used for the electron blocking layer can be the same materials as those described above for the hole transport layer.
Specific examples of preferred compounds that can be used as electron blocking materials are listed below.

励起子障壁層:
励起子障壁層は、発光層における正孔と電子との再結合を通じて生じた励起子が電荷輸送層まで拡散することを阻止する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、発光層における励起子の有効な閉じ込め(confinement)を可能にする。いくつかの実施形態では、装置の光放射効率が向上する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、陽極の側と陰極の側のいずれかで、およびその両側の発光層に隣接する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層が陽極側に存在するとき、当該層は、正孔輸送層と発光層との間に存在し、当該発光層に隣接してもよい。いくつかの実施形態では、励起子障壁層が陰極側に存在するとき、当該層は、発光層と陰極との間に存在し、当該発光層に隣接してもよい。いくつかの実施形態では、正孔注入層、電子障壁層または同様の層は、陽極と、陽極側の発光層に隣接する励起子障壁層との間に存在する。いくつかの実施形態では、正孔注入層、電子障壁層、正孔障壁層または同様の層は、陰極と、陰極側の発光層に隣接する励起子障壁層との間に存在する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、励起一重項エネルギーと励起三重項エネルギーを含み、その少なくとも1つが、それぞれ、発光材料の励起一重項エネルギーと励起三重項エネルギーより高い。
Exciton blocking layer:
The exciton blocking layer prevents excitons generated through the recombination of holes and electrons in the emissive layer from diffusing to the charge transport layer. In some embodiments, the exciton blocking layer enables effective confinement of excitons in the emissive layer. In some embodiments, the light emission efficiency of the device is improved. In some embodiments, the exciton blocking layer is adjacent to the emissive layer on either the anode side or the cathode side, and on both sides. In some embodiments, when the exciton blocking layer is present on the anode side, it may be present between the hole transport layer and the emissive layer and adjacent to the emissive layer. In some embodiments, when the exciton blocking layer is present on the cathode side, it may be present between the emissive layer and the cathode and adjacent to the emissive layer. In some embodiments, a hole injection layer, an electron blocking layer, or a similar layer is present between the anode and the exciton blocking layer adjacent to the emissive layer on the anode side. In some embodiments, a hole injection layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, or a similar layer is present between the cathode and the exciton blocking layer adjacent to the emissive layer on the cathode side. In some embodiments, the exciton blocking layer comprises an excited singlet energy and an excited triplet energy, at least one of which is higher than the excited singlet energy and excited triplet energy, respectively, of the light-emitting material.

正孔輸送層:
正孔輸送層は、正孔輸送材料を含む。いくつかの実施形態では、正孔輸送層は単層である。いくつかの実施形態では、正孔輸送層は複数の層を有する。
いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は、正孔の注入または輸送特性および電子の障壁特性のうちの1つの特性を有する。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は有機材料である。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は無機材料である。本発明で使用できる公知の正孔輸送材料の例としては、限定されないが、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導剤、イミダゾール誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導剤、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導剤、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリンコポリマーおよび導電性ポリマーオリゴマー(特にチオフェンオリゴマー)、またはその組合せが挙げられる。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料はポルフィリン化合物、芳香族三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物から選択される。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は芳香族三級アミン化合物である。以下に正孔輸送材料として用いることができる好ましい化合物の具体例を挙げる。
Hole transport layer:
The hole transport layer comprises a hole transport material. In some embodiments, the hole transport layer is a single layer. In some embodiments, the hole transport layer has multiple layers.
In some embodiments, the hole transport material has one of hole injection or transport properties and electron blocking properties. In some embodiments, the hole transport material is an organic material. In some embodiments, the hole transport material is an inorganic material. Examples of known hole transport materials that can be used in the present invention include, but are not limited to, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, carbazole derivatives, indolocarbazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, allylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers (especially thiophene oligomers), or combinations thereof. In some embodiments, the hole transport material is selected from porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, and styrylamine compounds. In some embodiments, the hole transport material is an aromatic tertiary amine compound. Specific examples of preferred compounds that can be used as hole transport materials are listed below.

電子輸送層:
電子輸送層は、電子輸送材料を含む。いくつかの実施形態では、電子輸送層は単層である。いくつかの実施形態では、電子輸送層は複数の層を有する。
いくつかの実施形態では、電子輸送材料は、陰極から注入された電子を発光層に輸送する機能さえあればよい。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はまた、正孔障壁材料としても機能する。本発明で使用できる電子輸送層の例としては、限定されないが、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アゾール誘導体、アジン誘導体またはその組合せ、またはそのポリマーが挙げられる。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はチアジアゾール誘導剤またはキノキサリン誘導体である。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はポリマー材料である。以下に電子輸送材料として用いることができる好ましい化合物の具体例を挙げる。
Electron transport layer:
The electron transport layer comprises an electron transport material. In some embodiments, the electron transport layer is a single layer. In some embodiments, the electron transport layer has multiple layers.
In some embodiments, the electron transport material only needs to transport electrons injected from the cathode to the light-emitting layer. In some embodiments, the electron transport material also functions as a hole-blocking material. Examples of electron transport layers that can be used in the present invention include, but are not limited to, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethanes, anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, azole derivatives, azine derivatives, or combinations thereof, or polymers thereof. In some embodiments, the electron transport material is a thiadiazole derivative or a quinoxaline derivative. In some embodiments, the electron transport material is a polymer material. Specific examples of preferred compounds that can be used as electron transport materials are listed below.

さらに、各有機層に添加可能な材料として好ましい化合物例を挙げる。例えば、安定化材料として添加すること等が考えられる。 Furthermore, examples of preferred compounds that can be added to each organic layer are listed below. For example, they can be added as stabilizing materials.

有機エレクトロルミネッセンス素子に用いることができる好ましい材料を具体的に例示したが、本発明において用いることができる材料は、以下の例示化合物によって限定的に解釈されることはない。また、特定の機能を有する材料として例示した化合物であっても、その他の機能を有する材料として転用することも可能である。 Although specific examples of preferred materials that can be used in organic electroluminescence devices have been given, the materials that can be used in the present invention should not be construed as being limited to the exemplified compounds below. Furthermore, even compounds exemplified as materials with specific functions can be diverted to be used as materials with other functions.

デバイス:
いくつかの実施形態では、発光層はデバイス中に組み込まれる。例えば、デバイスには、OLEDバルブ、OLEDランプ、テレビ用ディスプレイ、コンピューター用モニター、携帯電話およびタブレットが含まれるが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、電子デバイスは、陽極、陰極、および当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも1つの有機層を有するOLEDを含む。
いくつかの実施形態では、本願明細書に記載の構成物は、OLEDまたは光電子デバイスなどの、様々な感光性または光活性化デバイスに組み込まれうる。いくつかの実施形態では、前記構成物はデバイス内の電荷移動またはエネルギー移動の促進に、および/または正孔輸送材料として有用でありうる。前記デバイスとしては、例えば有機発光ダイオード(OLED)、有機集積回線(OIC)、有機電界効果トランジスタ(O-FET)、有機薄膜トランジスタ(O-TFT)、有機発光トランジスタ(O-LET)、有機太陽電池(O-SC)、有機光学検出装置、有機光受容体、有機磁場クエンチ(field-quench)装置(O-FQD)、発光燃料電池(LEC)または有機レーザダイオード(O-レーザー)が挙げられる。
device:
In some embodiments, the light-emitting layer is incorporated into a device, including, but not limited to, an OLED bulb, an OLED lamp, a television display, a computer monitor, a mobile phone, and a tablet.
In some embodiments, the electronic device comprises an OLED having an anode, a cathode, and at least one organic layer comprising an emissive layer between the anode and the cathode.
In some embodiments, the compositions described herein can be incorporated into various photosensitive or photoactivated devices, such as OLEDs or optoelectronic devices. In some embodiments, the compositions can be useful for facilitating charge or energy transfer within devices and/or as hole transport materials, such as organic light-emitting diodes (OLEDs), organic integrated circuits (OICs), organic field-effect transistors (O-FETs), organic thin film transistors (O-TFTs), organic light-emitting transistors (O-LETs), organic solar cells (O-SCs), organic optical detectors, organic photoreceptors, organic field-quench devices (O-FQDs), light-emitting fuel cells (LECs), or organic laser diodes (O-lasers).

バルブまたはランプ:
いくつかの実施形態では、電子デバイスは、陽極、陰極、当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも1つの有機層を含むOLEDを含む。
いくつかの実施形態では、デバイスは色彩の異なるOLEDを含む。いくつかの実施形態では、デバイスはOLEDの組合せを含むアレイを含む。いくつかの実施形態では、OLEDの前記組合せは、3色の組合せ(例えばRGB)である。いくつかの実施形態では、OLEDの前記組合せは、赤色でも緑色でも青色でもない色(例えばオレンジ色および黄緑色)の組合せである。いくつかの実施形態では、OLEDの前記組合せは、2色、4色またはそれ以上の色の組合せである。
いくつかの実施形態では、デバイスは、
取り付け面を有する第1面とそれと反対の第2面とを有し、少なくとも1つの開口部を画定する回路基板と、
前記取り付け面上の少なくとも1つのOLEDであって、当該少なくとも1つのOLEDが、陽極、陰極、および当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも1つの有機層を含む、発光する構成を有する少なくとも1つのOLEDと、
回路基板用のハウジングと、
前記ハウジングの端部に配置された少なくとも1つのコネクターであって、前記ハウジングおよび前記コネクターが照明設備への取付けに適するパッケージを画定する、少なくとも1つのコネクターと、を備えるOLEDライトである。
いくつかの実施形態では、前記OLEDライトは、複数の方向に光が放射されるように回路基板に取り付けられた複数のOLEDを有する。いくつかの実施形態では、第1方向に発せられた一部の光は偏光されて第2方向に放射される。いくつかの実施形態では、反射器を用いて第1方向に発せられた光を偏光する。
Bulb or lamp:
In some embodiments, the electronic device comprises an OLED comprising an anode, a cathode, and at least one organic layer comprising an emissive layer between the anode and the cathode.
In some embodiments, the device includes OLEDs of different colors. In some embodiments, the device includes an array including a combination of OLEDs. In some embodiments, the combination of OLEDs is a three-color combination (e.g., RGB). In some embodiments, the combination of OLEDs is a combination of colors that are not red, green, or blue (e.g., orange and yellow-green). In some embodiments, the combination of OLEDs is a two-color, four-color, or more-color combination.
In some embodiments, the device comprises:
a circuit board having a first side with a mounting surface and an opposite second side, the circuit board defining at least one opening;
at least one OLED on the mounting surface, the at least one OLED having a light-emitting configuration including an anode, a cathode, and at least one organic layer including a light-emitting layer between the anode and the cathode;
a housing for the circuit board;
and at least one connector disposed on an end of the housing, the housing and the connector defining a package suitable for attachment to a lighting fixture.
In some embodiments, the OLED light comprises multiple OLEDs mounted on a circuit board such that the OLEDs emit light in multiple directions. In some embodiments, some of the light emitted in a first direction is polarized and emitted in a second direction. In some embodiments, a reflector is used to polarize the light emitted in the first direction.

ディスプレイまたはスクリーン:
いくつかの実施形態では、本発明の発光層はスクリーンまたはディスプレイにおいて使用できる。いくつかの実施形態では、本発明に係る化合物は、限定されないが真空蒸発、堆積、蒸着または化学蒸着(CVD)などの工程を用いて基材上へ堆積させる。いくつかの実施形態では、前記基材は、独特のアスペクト比のピクセルを提供する2面エッチングにおいて有用なフォトプレート構造である。前記スクリーン(またマスクとも呼ばれる)は、OLEDディスプレイの製造工程で用いられる。対応するアートワークパターンの設計により、垂直方向ではピクセルの間の非常に急な狭いタイバーの、並びに水平方向では大きな広範囲の斜角開口部の配置を可能にする。これにより、TFTバックプレーン上への化学蒸着を最適化しつつ、高解像度ディスプレイに必要とされるピクセルの微細なパターン構成が可能となる。
ピクセルの内部パターニングにより、水平および垂直方向での様々なアスペクト比の三次元ピクセル開口部を構成することが可能となる。更に、ピクセル領域中の画像化された「ストライプ」またはハーフトーン円の使用は、これらの特定のパターンをアンダーカットし基材から除くまで、特定の領域におけるエッチングが保護される。その時、全てのピクセル領域は同様のエッチング速度で処理されるが、その深さはハーフトーンパターンにより変化する。ハーフトーンパターンのサイズおよび間隔を変更することにより、ピクセル内での保護率が様々異なるエッチングが可能となり、急な垂直斜角を形成するのに必要な局在化された深いエッチングが可能となる。
蒸着マスク用の好ましい材料はインバーである。インバーは、製鉄所で長い薄型シート状に冷延された金属合金である。インバーは、ニッケルマスクとしてスピンマンドレル上へ電着することができない。蒸着用マスク内に開口領域を形成するための適切かつ低コストの方法は、湿式化学エッチングによる方法である。
いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、基材上のピクセルマトリックスである。いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、リソグラフィー(例えばフォトリソグラフィーおよびeビームリソグラフィー)を使用して加工される。いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、湿式化学エッチングを使用して加工される。更なる実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、プラズマエッチングを使用して加工される。
Display or Screen:
In some embodiments, the light-emitting layer of the present invention can be used in a screen or display. In some embodiments, the compounds of the present invention are deposited onto a substrate using processes such as, but not limited to, vacuum evaporation, deposition, vapor deposition, or chemical vapor deposition (CVD). In some embodiments, the substrate is a photoplate structure useful for two-sided etching to provide pixels with unique aspect ratios. The screen (also called a mask) is used in the manufacturing process of an OLED display. The corresponding artwork pattern design allows for the placement of very steep, narrow tie bars between pixels in the vertical direction and large, wide, beveled openings in the horizontal direction. This allows for the fine patterning of pixels required for high-resolution displays while optimizing chemical vapor deposition onto the TFT backplane.
Internal pixel patterning allows for the construction of three-dimensional pixel openings with various aspect ratios in the horizontal and vertical directions. Furthermore, the use of imaged "stripes" or halftone circles within the pixel area protects etching in specific regions until these specific patterns are undercut and removed from the substrate. At that point, all pixel areas are subjected to similar etch rates, but the depth varies depending on the halftone pattern. Varying the size and spacing of the halftone patterns allows for etching with varying degrees of protection within the pixel, enabling the deep, localized etching required to create steep vertical bevels.
The preferred material for the deposition mask is Invar, a metal alloy that is cold-rolled into long, thin sheets at steel mills. Invar cannot be electrodeposited onto the spin mandrel as a nickel mask. A suitable, low-cost method for forming open areas in the deposition mask is by wet chemical etching.
In some embodiments, the screen or display pattern is a pixel matrix on a substrate. In some embodiments, the screen or display pattern is fabricated using lithography (e.g., photolithography and e-beam lithography). In some embodiments, the screen or display pattern is fabricated using wet chemical etching. In further embodiments, the screen or display pattern is fabricated using plasma etching.

デバイスの製造方法:
OLEDディスプレイは、一般的には、大型のマザーパネルを形成し、次に当該マザーパネルをセルパネル単位で切断することによって製造される。通常は、マザーパネル上の各セルパネルは、ベース基材上に、活性層とソース/ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、前記TFTに平坦化フィルムを塗布し、ピクセル電極、発光層、対電極およびカプセル化層、を順に経時的に形成し、前記マザーパネルから切断することにより形成される。
OLEDディスプレイは、一般的には、大型のマザーパネルを形成し、次に当該マザーパネルをセルパネル単位で切断することによって製造される。通常は、マザーパネル上の各セルパネルは、ベース基材上に、活性層とソース/ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、前記TFTに平坦化フィルムを塗布し、ピクセル電極、発光層、対電極およびカプセル化層、を順に経時的に形成し、前記マザーパネルから切断することにより形成される。
Device manufacturing method:
OLED displays are generally manufactured by forming a large mother panel and then cutting the mother panel into cell panels. Typically, each cell panel on the mother panel is formed by forming a thin film transistor (TFT) having an active layer and source/drain electrodes on a base substrate, applying a planarizing film to the TFT, sequentially forming a pixel electrode, a light-emitting layer, a counter electrode, and an encapsulation layer, and then cutting the mother panel.
OLED displays are generally manufactured by forming a large mother panel and then cutting the mother panel into cell panels. Typically, each cell panel on the mother panel is formed by forming a thin film transistor (TFT) having an active layer and source/drain electrodes on a base substrate, applying a planarizing film to the TFT, sequentially forming a pixel electrode, a light-emitting layer, a counter electrode, and an encapsulation layer, and then cutting the mother panel.

本発明の他の態様では、有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイの製造方法を提供し、当該方法は、
マザーパネルのベース基材上に障壁層を形成する工程と、
前記障壁層上に、セルパネル単位で複数のディスプレイユニットを形成する工程と、
前記セルパネルのディスプレイユニットのそれぞれの上にカプセル化層を形成する工程と、
前記セルパネル間のインタフェース部に有機フィルムを塗布する工程と、を含む。
いくつかの実施形態では、障壁層は、例えばSiNxで形成された無機フィルムであり、障壁層の端部はポリイミドまたはアクリルで形成された有機フィルムで被覆される。いくつかの実施形態では、有機フィルムは、マザーパネルがセルパネル単位で軟らかく切断されるように補助する。
いくつかの実施形態では、薄膜トランジスタ(TFT)層は、発光層と、ゲート電極と、ソース/ドレイン電極と、を有する。複数のディスプレイユニットの各々は、薄膜トランジスタ(TFT)層と、TFT層上に形成された平坦化フィルムと、平坦化フィルム上に形成された発光ユニットと、を有してもよく、前記インタフェース部に塗布された有機フィルムは、前記平坦化フィルムの材料と同じ材料で形成され、前記平坦化フィルムの形成と同時に形成される。いくつかの実施形態では、前記発光ユニットは、不動態化層と、その間の平坦化フィルムと、発光ユニットを被覆し保護するカプセル化層と、によりTFT層と連結される。前記製造方法のいくつかの実施形態では、前記有機フィルムは、ディスプレイユニットにもカプセル化層にも連結されない。
In another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an organic light emitting diode (OLED) display, the method comprising:
forming a barrier layer on a base substrate of the mother panel;
forming a plurality of display units on the barrier layer in cell panel units;
forming an encapsulation layer over each of the display units of the cell panel;
and applying an organic film to the interface between the cell panels.
In some embodiments, the barrier layer is an inorganic film, for example, made of SiNx, and the edges of the barrier layer are covered with an organic film made of polyimide or acrylic. In some embodiments, the organic film helps the mother panel to be softly cut into individual cell panels.
In some embodiments, the thin film transistor (TFT) layer includes a light-emitting layer, a gate electrode, and source/drain electrodes. Each of the plurality of display units may include a thin film transistor (TFT) layer, a planarization film formed on the TFT layer, and a light-emitting unit formed on the planarization film, and the organic film applied to the interface is formed of the same material as the planarization film and is formed simultaneously with the planarization film. In some embodiments, the light-emitting unit is connected to the TFT layer by a passivation layer, the planarization film therebetween, and an encapsulation layer that covers and protects the light-emitting unit. In some embodiments of the manufacturing method, the organic film is not connected to either the display unit or the encapsulation layer.

前記有機フィルムと平坦化フィルムの各々は、ポリイミドおよびアクリルのいずれか1つを含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記障壁層は無機フィルムであってもよい。いくつかの実施形態では、前記ベース基材はポリイミドで形成されてもよい。前記方法は更に、ポリイミドで形成されたベース基材の1つの表面に障壁層を形成する前に、当該ベース基材のもう1つの表面にガラス材料で形成されたキャリア基材を取り付ける工程と、インタフェース部に沿った切断の前に、前記キャリア基材をベース基材から分離する工程と、を含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記OLEDディスプレイはフレキシブルなディスプレイである。
いくつかの実施形態では、前記不動態化層は、TFT層の被覆のためにTFT層上に配置された有機フィルムである。いくつかの実施形態では、前記平坦化フィルムは、不動態化層上に形成された有機フィルムである。いくつかの実施形態では、前記平坦化フィルムは、障壁層の端部に形成された有機フィルムと同様、ポリイミドまたはアクリルで形成される。いくつかの実施形態では、OLEDディスプレイの製造の際、前記平坦化フィルムおよび有機フィルムは同時に形成される。いくつかの実施形態では、前記有機フィルムは、障壁層の端部に形成されてもよく、それにより、当該有機フィルムの一部が直接ベース基材と接触し、当該有機フィルムの残りの部分が、障壁層の端部を囲みつつ、障壁層と接触する。
Each of the organic film and the planarization film may comprise one of polyimide and acrylic. In some embodiments, the barrier layer may be an inorganic film. In some embodiments, the base substrate may be formed of polyimide. The method may further include attaching a carrier substrate formed of a glass material to one surface of the base substrate formed of polyimide before forming the barrier layer on the other surface of the base substrate, and separating the carrier substrate from the base substrate before cutting along the interface. In some embodiments, the OLED display is a flexible display.
In some embodiments, the passivation layer is an organic film disposed on the TFT layer to cover the TFT layer. In some embodiments, the planarization film is an organic film formed on the passivation layer. In some embodiments, the planarization film is made of polyimide or acrylic, as is the organic film formed on the edge of the barrier layer. In some embodiments, the planarization film and the organic film are formed simultaneously during the manufacture of an OLED display. In some embodiments, the organic film may be formed on the edge of the barrier layer, such that a portion of the organic film directly contacts the base substrate and a remaining portion of the organic film contacts the barrier layer while surrounding the edge of the barrier layer.

いくつかの実施形態では、前記発光層は、ピクセル電極と、対電極と、当該ピクセル電極と当該対電極との間に配置された有機発光層と、を有する。いくつかの実施形態では、前記ピクセル電極は、TFT層のソース/ドレイン電極に連結している。
いくつかの実施形態では、TFT層を通じてピクセル電極に電圧が印加されるとき、ピクセル電極と対電極との間に適切な電圧が形成され、それにより有機発光層が光を放射し、それにより画像が形成される。以下、TFT層と発光ユニットとを有する画像形成ユニットを、ディスプレイユニットと称する。
いくつかの実施形態では、ディスプレイユニットを被覆し、外部の水分の浸透を防止するカプセル化層は、有機フィルムと無機フィルムとが交互に積層する薄膜状のカプセル化構造に形成されてもよい。いくつかの実施形態では、前記カプセル化層は、複数の薄膜が積層した薄膜状カプセル化構造を有する。いくつかの実施形態では、インタフェース部に塗布される有機フィルムは、複数のディスプレイユニットの各々と間隔を置いて配置される。いくつかの実施形態では、前記有機フィルムは、一部の有機フィルムが直接ベース基材と接触し、有機フィルムの残りの部分が障壁層の端部を囲む一方で障壁層と接触する態様で形成される。
In some embodiments, the light-emitting layer comprises a pixel electrode, a counter electrode, and an organic light-emitting layer disposed between the pixel electrode and the counter electrode, hi some embodiments, the pixel electrode is coupled to source/drain electrodes of the TFT layer.
In some embodiments, when a voltage is applied to the pixel electrode through the TFT layer, a suitable voltage is formed between the pixel electrode and the counter electrode, which causes the organic light-emitting layer to emit light, thereby forming an image. Hereinafter, an image-forming unit having a TFT layer and a light-emitting unit is referred to as a display unit.
In some embodiments, the encapsulation layer that covers the display units and prevents penetration of external moisture may be formed into a thin-film encapsulation structure in which organic films and inorganic films are alternately stacked. In some embodiments, the encapsulation layer has a thin-film encapsulation structure in which multiple thin films are stacked. In some embodiments, the organic film applied to the interface portion is disposed at an interval with each of the multiple display units. In some embodiments, the organic film is formed in such a manner that a portion of the organic film directly contacts the base substrate and the remaining portion of the organic film contacts the barrier layer while surrounding the edge of the barrier layer.

一実施形態では、OLEDディスプレイはフレキシブルであり、ポリイミドで形成された柔軟なベース基材を使用する。いくつかの実施形態では、前記ベース基材はガラス材料で形成されたキャリア基材上に形成され、次に当該キャリア基材が分離される。
いくつかの実施形態では、障壁層は、キャリア基材の反対側のベース基材の表面に形成される。一実施形態では、前記障壁層は、各セルパネルのサイズに従いパターン化される。例えば、ベース基材がマザーパネルの全ての表面上に形成される一方で、障壁層が各セルパネルのサイズに従い形成され、それにより、セルパネルの障壁層の間のインタフェース部に溝が形成される。各セルパネルは、前記溝に沿って切断できる。
In one embodiment, the OLED display is flexible and uses a flexible base substrate formed of polyimide, hi some embodiments, the base substrate is formed on a carrier substrate formed of a glass material, and the carrier substrate is then separated.
In some embodiments, a barrier layer is formed on the surface of the base substrate opposite the carrier substrate. In one embodiment, the barrier layer is patterned according to the size of each cell panel. For example, while the base substrate is formed on all surfaces of the mother panel, the barrier layer is formed according to the size of each cell panel, thereby forming grooves at the interfaces between the barrier layers of the cell panels. Each cell panel can be cut along the grooves.

いくつかの実施形態では、前記の製造方法は、更にインタフェース部に沿って切断する工程を含み、そこでは溝が障壁層に形成され、少なくとも一部の有機フィルムが溝で形成され、当該溝がベース基材に浸透しない。いくつかの実施形態では、各セルパネルのTFT層が形成され、無機フィルムである不動態化層と有機フィルムである平坦化フィルムが、TFT層上に配置され、TFT層を被覆する。例えばポリイミドまたはアクリル製の平坦化フィルムが形成されるのと同時に、インタフェース部の溝は、例えばポリイミドまたはアクリル製の有機フィルムで被覆される。これは、各セルパネルがインタフェース部で溝に沿って切断されるとき、生じた衝撃を有機フィルムに吸収させることによってひびが生じるのを防止する。すなわち、全ての障壁層が有機フィルムなしで完全に露出している場合、各セルパネルがインタフェース部で溝に沿って切断されるとき、生じた衝撃が障壁層に伝達され、それによりひびが生じるリスクが増加する。しかしながら、一実施形態では、障壁層間のインタフェース部の溝が有機フィルムで被覆されて、有機フィルムがなければ障壁層に伝達されうる衝撃を吸収するため、各セルパネルをソフトに切断し、障壁層でひびが生じるのを防止してもよい。一実施形態では、インタフェース部の溝を被覆する有機フィルムおよび平坦化フィルムは、互いに間隔を置いて配置される。例えば、有機フィルムおよび平坦化フィルムが1つの層として相互に接続している場合には、平坦化フィルムと有機フィルムが残っている部分とを通じてディスプレイユニットに外部の水分が浸入するおそれがあるため、有機フィルムおよび平坦化フィルムは、有機フィルムがディスプレイユニットから間隔を置いて配置されるように、相互に間隔を置いて配置される。 In some embodiments, the manufacturing method further includes a step of cutting along the interface, in which a groove is formed in the barrier layer and at least a portion of the organic film is formed in the groove, such that the groove does not penetrate the base substrate. In some embodiments, a TFT layer for each cell panel is formed, and a passivation layer, which is an inorganic film, and a planarization film, which is an organic film, are disposed on and cover the TFT layer. At the same time that the planarization film, made of, for example, polyimide or acrylic, is formed, the groove in the interface is covered with an organic film, made of, for example, polyimide or acrylic. This prevents cracks from occurring when each cell panel is cut along the groove at the interface by allowing the organic film to absorb any impact that occurs. In other words, if all of the barrier layers were completely exposed without the organic film, the impact would be transmitted to the barrier layer when each cell panel was cut along the groove at the interface, thereby increasing the risk of cracks. However, in one embodiment, the grooves at the interface between the barrier layers are covered with an organic film to absorb impacts that would otherwise be transmitted to the barrier layers, allowing each cell panel to be cut softly and preventing cracks from occurring in the barrier layers. In one embodiment, the organic film and planarization film covering the grooves at the interface are spaced apart from each other. For example, if the organic film and planarization film were connected to each other as a single layer, external moisture could enter the display unit through the planarization film and the remaining portion of the organic film. Therefore, the organic film and planarization film are spaced apart from each other so that the organic film is spaced apart from the display unit.

いくつかの実施形態では、ディスプレイユニットは、発光ユニットの形成により形成され、カプセル化層は、ディスプレイユニットを被覆するためディスプレイユニット上に配置される。これにより、マザーパネルが完全に製造された後、ベース基材を担持するキャリア基材がベース基材から分離される。いくつかの実施形態では、レーザー光線がキャリア基材へ放射されると、キャリア基材は、キャリア基材とベース基材との間の熱膨張率の相違により、ベース基材から分離される。
いくつかの実施形態では、マザーパネルは、セルパネル単位で切断される。いくつかの実施形態では、マザーパネルは、カッターを用いてセルパネル間のインタフェース部に沿って切断される。いくつかの実施形態では、マザーパネルが沿って切断されるインタフェース部の溝が有機フィルムで被覆されているため、切断の間、当該有機フィルムが衝撃を吸収する。いくつかの実施形態では、切断の間、障壁層でひびが生じるのを防止できる。
いくつかの実施形態では、前記方法は製品の不良率を減少させ、その品質を安定させる。
他の態様は、ベース基材上に形成された障壁層と、障壁層上に形成されたディスプレイユニットと、ディスプレイユニット上に形成されたカプセル化層と、障壁層の端部に塗布された有機フィルムと、を有するOLEDディスプレイである。
In some embodiments, the display unit is formed by forming a light-emitting unit, and an encapsulation layer is disposed on the display unit to cover the display unit. Thus, after the mother panel is completely manufactured, the carrier substrate carrying the base substrate is separated from the base substrate. In some embodiments, when a laser beam is irradiated onto the carrier substrate, the carrier substrate is separated from the base substrate due to the difference in thermal expansion coefficient between the carrier substrate and the base substrate.
In some embodiments, the mother panel is cut into individual cell panels. In some embodiments, the mother panel is cut along the interface between the cell panels using a cutter. In some embodiments, the grooves at the interface along which the mother panel is cut are covered with an organic film, which absorbs shock during cutting. In some embodiments, this can prevent cracks from occurring in the barrier layer during cutting.
In some embodiments, the method reduces product rejection rates and stabilizes product quality.
Another aspect is an OLED display having a barrier layer formed on a base substrate, a display unit formed on the barrier layer, an encapsulation layer formed on the display unit, and an organic film applied to the edges of the barrier layer.

以下に合成例と実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下に示す材料、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。なお、発光特性の評価は、ソースメータ(ケースレー社製:2400シリーズ)、半導体パラメータ・アナライザ(アジレント・テクノロジー社製:E5273A)、光パワーメータ測定装置(ニューポート社製:1930C)、光学分光器(オーシャンオプティクス社製:USB2000)、分光放射計(トプコン社製:SR-3)およびストリークカメラ(浜松ホトニクス(株)製C4334型)を用いて行った。
以下の合成例において、一般式(1)に含まれる化合物を合成した。
The features of the present invention will be explained in more detail below with reference to synthesis examples and working examples. The materials, processing details, processing procedures, etc. shown below can be modified as appropriate without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be construed as being limited by the specific examples shown below. The emission characteristics were evaluated using a source meter (Keithley: 2400 series), a semiconductor parameter analyzer (Agilent Technologies: E5273A), an optical power meter measuring device (Newport: 1930C), an optical spectrometer (Ocean Optics: USB2000), a spectroradiometer (Topcon: SR-3), and a streak camera (Hamamatsu Photonics K.K.: C4334 model).
In the following synthesis examples, compounds within the general formula (1) were synthesized.

(合成例1)化合物3の合成
(Synthesis Example 1) Synthesis of Compound 3

化合物A
窒素気流下、1,4-ジブロモテトラフルオロベンゼン(5.01g,16.2mmol)、4-シアノフェニルボロン酸(5.25g,35.7mmol)のテトラヒドロフラン(200mL)溶液に1M炭酸カリウム水溶液(50mL)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)(0.93g,0.81mmol)を加え、80℃で15時間撹拌した。反応溶液を室温に戻し、クロロホルムで抽出後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:トルエン=1:4)で精製し、白色固体の化合物Aを2.00g(5.68mmol,収率35%)得た。
1H-NMR (400 MHz, CDCl3): δ 7.83 (d, J= 8.0 Hz, 4H), 7.65 (d, J = 8.0 Hz, 4H).
ASAP MSスペクトル分析: C20H8F4N2: 理論値352.06, 観測値353.22 [M+H+]
Compound A
Under a nitrogen stream, a 1 M aqueous potassium carbonate solution (50 mL) and tetrakistriphenylphosphinepalladium(0) (0.93 g, 0.81 mmol) were added to a solution of 1,4-dibromotetrafluorobenzene (5.01 g, 16.2 mmol) and 4-cyanophenylboronic acid (5.25 g, 35.7 mmol) in tetrahydrofuran (200 mL), and the mixture was stirred at 80°C for 15 hours. The reaction solution was returned to room temperature, extracted with chloroform, and then dried over anhydrous magnesium sulfate. The solvent was evaporated, and the residue was purified by silica gel column chromatography (hexane:toluene=1:4) to obtain 2.00 g (5.68 mmol, yield 35%) of Compound A as a white solid.
1H -NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 7.83 (d, J= 8.0 Hz, 4H), 7.65 (d, J = 8.0 Hz, 4H).
ASAP MS spectrum analysis: C20H8F4N2 : Calculated 352.06 , Observed 353.22 [M+H + ]

化合物B
窒素気流下、化合物A(0.77g,2.18mmol)、カルバゾール(0.73g,4.37mmol)のN,N-ジメチルホルムアミド(150mL)溶液に炭酸カリウム(0.60g,4.37mmol)を加え、100℃で15時間攪拌した。反応混合物を室温に戻し、水とメタノールを加えて、ろ過した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:クロロホルム=1:9)で精製し、黄色固体の化合物Bを0.95g(1.47mmol,収率67%)得た。
1H-NMR (400 MHz, CDCl3): δ 8.06 (d, J = 7.8 Hz, 4H), 7.39 (t, J = 7.8 Hz, 4H), 7.31-7.28 (m, 8H), 7.23 (d, J = 7.2 Hz, 4H), 7.16 (d, J = 7.8 Hz, 4H).
ASAP MSスペクトル分析: C44H24F2N4: 理論値646.20, 観測値647.48 [M+H+]
Compound B
Potassium carbonate (0.60 g, 4.37 mmol) was added to a solution of compound A (0.77 g, 2.18 mmol) and carbazole (0.73 g, 4.37 mmol) in N,N-dimethylformamide (150 mL) under a nitrogen stream, and the mixture was stirred at 100°C for 15 hours. The reaction mixture was returned to room temperature, water and methanol were added, and the mixture was filtered. The residue was purified by silica gel column chromatography (hexane:chloroform=1:9) to obtain 0.95 g (1.47 mmol, 67% yield) of compound B as a yellow solid.
1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 8.06 (d, J = 7.8 Hz, 4H), 7.39 (t, J = 7.8 Hz, 4H), 7.31-7.28 (m, 8H), 7.23 (d, J = 7.2 Hz, 4H), 7.16 (d, J = 7.8Hz, 4H).
ASAP MS spectrum analysis: C 44 H 24 F 2 N 4 : Calculated 646.20, Observed 647.48 [M+H + ]

化合物3
窒素気流下、化合物B(0.70g,1.08mmol)、5H-ベンゾフロ[3,2-C]カルバゾール(0.70g,2.71mmol)のN,N-ジメチルホルムアミド(140mL)溶液に炭酸カリウム(0.37g,2.71mmol)を加え、150℃で15時間攪拌した。反応混合物を室温に戻し、水とメタノールを加えて、ろ過した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:クロロホルム:酢酸エチル=1:1:0.1)で精製し、淡黄色固体の化合物3を0.56g(0.50mmol,収率46%)得た。
1H-NMR (400 MHz, CDCl3): δ 8.06 (d, J = 7.2 Hz, 2H), 7.87 (d, J = 7.2 Hz, 2H), 7.61-7.56 (m, 8H), 7.39 (t, J = 7.8 Hz, 2H), 7.33 (t, J = 7.2 Hz, 2H), 7.22-6.89 (m, 20H), 6.80-6.77 (m, 4H) 6.67-6.62 (m, 4H).
ASAP MSスペクトル分析: C80H44N6O2: 理論値1120.35, 観測値1121.84 [M+H+]
Compound 3
Under a nitrogen stream, potassium carbonate (0.37 g, 2.71 mmol) was added to a solution of compound B (0.70 g, 1.08 mmol) and 5H-benzofuro[3,2-C]carbazole (0.70 g, 2.71 mmol) in N,N-dimethylformamide (140 mL), and the mixture was stirred at 150°C for 15 hours. The reaction mixture was returned to room temperature, and water and methanol were added, followed by filtration. The residue was purified by silica gel column chromatography (hexane:chloroform:ethyl acetate=1:1:0.1), yielding 0.56 g (0.50 mmol, 46% yield) of compound 3 as a pale yellow solid.
1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 8.06 (d, J = 7.2 Hz, 2H), 7.87 (d, J = 7.2 Hz, 2H), 7.61-7.56 (m, 8H), 7.39 (t, J = 7.8 Hz, 2H), 7.33 (t, J = 7.2 Hz, 2H), 7.22-6.89 (m, 20H), 6.80-6.77 (m, 4H) 6.67-6.62 (m, 4H).
ASAP MS spectrum analysis: C 80 H 44 N 6 O 2 : Calculated 1120.35, Observed 1121.84 [M+H + ]

(合成例2)化合物19281の合成
(Synthesis Example 2) Synthesis of Compound 19281

化合物C
1,5-ジブロモ-2,3,4-トリフルオロベンゼン(5.80g,20.0mmol)とビス(ピナコラート)ジボロン(12.7g,50.0mmol)の1,4-ジオキサン(100mL)溶液に、[1,1′-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)(0.88g,1.20mmol)、酢酸カリウム(9.82g,100mmol)を窒素気流下で加え110℃で攪拌した。15時間後、反応混合物を室温に戻し、この混合物を室温に戻し、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=4:1)で精製し、褐色固体の化合物C(7.36g,19.2mmol,収率96%)を得た。
ASAPマススペクトル分析: 理論値384.19,観測値385.21.
Compound C
To a solution of 1,5-dibromo-2,3,4-trifluorobenzene (5.80 g, 20.0 mmol) and bis(pinacolato)diboron (12.7 g, 50.0 mmol) in 1,4-dioxane (100 mL), [1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene]dichloropalladium(II) (0.88 g, 1.20 mmol) and potassium acetate (9.82 g, 100 mmol) were added under a nitrogen stream and stirred at 110°C. After 15 hours, the reaction mixture was allowed to cool to room temperature, and the solvent was distilled off. The residue was purified by silica gel column chromatography (hexane:ethyl acetate = 4:1) to obtain compound C (7.36 g, 19.2 mmol, 96% yield) as a brown solid.
ASAP mass spectrometry analysis: Theoretical value: 384.19, observed value: 385.21.

化合物D
化合物C(3.84g,10.0mmol)と3-ブロモ-2-ピリジンカルボニトリル(4.21g,23.0mmol)のトルエン/水(90mL/10mL)溶液に2-ジシクロへキシルホスフィノ-2′,6′-ジメトキシシビフェニル(82.0mg,0.20mmol)とトリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(92.0mg,0.10mmol),リン酸三カリウム(4.25g,20.0mmol)を窒素気流下で加え,室温で15時間攪拌した。この混合物を室温に戻し,反応溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液と飽和食塩水で洗浄し,無水硫酸マグネシウムで乾燥後,溶媒を留去した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=2:1)で精製し,白色固体の化合物D(0.51g,1.50mmol,収率15%)を得た。
1H-NMR (400 MHz, CDCl3): δ 8.81 (dd, J = 4.8, 1.5 Hz, 2H), 7.96 (dd, J = 8.0, 1.3 Hz, 2H), 7.68 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 7.67 (d, J= 8.0 Hz, 1H), 7.38 (td, J = 7.1, 2.4 Hz, 1H).
ASAPマススペクトル分析:理論値336.06,観測値338.18
Compound D
To a solution of compound C (3.84 g, 10.0 mmol) and 3-bromo-2-pyridinecarbonitrile (4.21 g, 23.0 mmol) in toluene/water (90 mL/10 mL), 2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxysibiphenyl (82.0 mg, 0.20 mmol), tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0) (92.0 mg, 0.10 mmol), and tripotassium phosphate (4.25 g, 20.0 mmol) were added under a nitrogen stream and stirred at room temperature for 15 hours. The mixture was returned to room temperature, and the reaction solution was washed with saturated aqueous ammonium chloride and saturated brine. After drying over anhydrous magnesium sulfate, the solvent was distilled off. The resulting mixture was purified by silica gel column chromatography (hexane:ethyl acetate = 2:1) to obtain compound D (0.51 g, 1.50 mmol, 15% yield) as a white solid.
1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 8.81 (dd, J = 4.8, 1.5 Hz, 2H), 7.96 (dd, J = 8.0, 1.3 Hz, 2H), 7.68 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 7.67 (d, J= 8.0 Hz, 1H), 7.38 (td, J = 7.1, 2.4 Hz, 1H).
ASAP mass spectrum analysis: theoretical value 336.06, observed value 338.18

化合物19281および化合物E
窒素気流下、5H-ベンゾフロ[3,2-c]カルバゾール2.26g(8.80mmol)と炭酸カリウム1.66g(12.0mmol)にN,N-ジメチルホルムアミド(25mL)を加え、室温で1時間攪拌した。その反応混合物に化合物Dを1.35g(4.00mmol)加え、室温で15時間撹拌した後、60℃まで昇温し24時間攪拌した。反応溶液を室温に戻し、水を加え、析出物を濾別した。濾上物をメタノールで洗浄し、真空乾燥した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(トルエン:酢酸エチル=85:15)で精製し、薄黄色固体として化合物19281(1.32g,1.26mmol,収率32%)と化合物E(0.89g,1.10mmol,収率27%)を得た。
化合物19281: 1H NMR (400 MHz, CDCl3,): δ 8.49 (s, 1H), 8.39-8.29 (m, 2H), 8.07-7.94 (m, 4H), 7.74-7.15 (m, 18H), 7.01-6.98 (m, 5H), 6.89-6.79 (m, 5H), 6.69-6.62 (m, 2H).
ASAP MSスペクトル分析: 理論値1047.30, 観測値1048.53
化合物E: 1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ 8.45 (d, J = 7.7 Hz, 2H), 8.41-8.04 (m, 2H), 8.05 (s, 1H), 7.98 (t, J = 8.1 Hz, 4H), 7.70 (d, J = 8.1 Hz, 2H), 7.54-7.29 (m, 17H), 7.03-6.98 (m, 2H).
ASAP MSスペクトル分析: 理論値810.22, 観測値811.39
Compound 19281 and Compound E
Under a nitrogen stream, 2.26 g (8.80 mmol) of 5H-benzofuro[3,2-c]carbazole and 1.66 g (12.0 mmol) of potassium carbonate were added to N,N-dimethylformamide (25 mL) and stirred at room temperature for 1 hour. 1.35 g (4.00 mmol) of compound D was added to the reaction mixture, and the mixture was stirred at room temperature for 15 hours. After that, the mixture was heated to 60°C and stirred for 24 hours. The reaction solution was returned to room temperature, water was added, and the precipitate was filtered off. The residue was washed with methanol and dried under vacuum. The residue was purified by silica gel column chromatography (toluene:ethyl acetate=85:15) to obtain compound 19281 (1.32 g, 1.26 mmol, yield 32%) and compound E (0.89 g, 1.10 mmol, yield 27%) as pale yellow solids.
Compound 19281: 1 H NMR (400 MHz, CDCl 3 ,): δ 8.49 (s, 1H), 8.39-8.29 (m, 2H), 8.07-7.94 (m, 4H), 7.74-7.15 (m, 18H), 7.01-6.98 (m, 5H), 6.89-6.79 (m, 5H), 6.69-6.62 (m, 2H).
ASAP MS spectrum analysis: Calculated 1047.30, Observed 1048.53
Compound E: 1 H NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 8.45 (d, J = 7.7 Hz, 2H), 8.41-8.04 (m, 2H), 8.05 (s, 1H), 7.98 (t, J = 8.1 Hz, 4H), 7.70 (d, J = 8.1 Hz, 2H), 7.54-7.29 (m, 17H), 7.03-6.98 (m, 2H).
ASAP MS spectrum analysis: Calculated 810.22, Observed 811.39

(合成例3)化合物13773の合成
(Synthesis Example 3) Synthesis of Compound 13773

化合物13773
窒素気流下、9H-カルバゾール(0.33g,1.95mmol)と炭酸カリウム(0.31g,2.25mmol)にN,N-ジメチルホルムアミド(25mL)を加え、室温で1時間攪拌した。その反応混合物に化合物E(1.22g,1.50mmol)を加え、100℃で20時間撹拌した。反応溶液を室温に戻し、水を加え、析出物を濾別した。濾上物をメタノールで洗浄し、真空乾燥した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(トルエン:酢酸エチル=98:2)で精製し、薄黄色固体として化合物13773(1.09g,1.14mmol,収率76%)を得た。
1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ 8.45 (s, 1H), 8.33 (s, 2H), 8.04-7.97 (m, 4H), 7.73-7.72 (m, 1H), 7.57-7.51 (m, 5H), 7.39 (d, J = 6.4 Hz, 4H), 7.17-7.13 (m, 3H), 6.99 (t, 5H), 6.82-6.77 (m, 2H), 6.76-6.65 (td, 4H), 6.60 (t, J = 7.2 Hz, 1H).
ASAP MSスペクトル分析: 理論値957.29, 観測値958.46
Compound 13773
Under a nitrogen stream, N,N-dimethylformamide (25 mL) was added to 9H-carbazole (0.33 g, 1.95 mmol) and potassium carbonate (0.31 g, 2.25 mmol), and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. Compound E (1.22 g, 1.50 mmol) was added to the reaction mixture, and the mixture was stirred at 100°C for 20 hours. The reaction solution was returned to room temperature, water was added, and the precipitate was filtered off. The residue was washed with methanol and dried under vacuum. The residue was purified by silica gel column chromatography (toluene:ethyl acetate=98:2) to obtain compound 13773 (1.09 g, 1.14 mmol, 76% yield) as a pale yellow solid.
1 H NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 8.45 (s, 1H), 8.33 (s, 2H), 8.04-7.97 (m, 4H), 7.73-7.72 (m, 1H), 7.57-7.51 (m, 5H), 7.39 (d, J = 6.4 Hz, 4H), 7.17-7.13 (m, 3H), 6.99 (t, 5H), 6.82-6.77 (m, 2H), 6.76-6.65 (td, 4H), 6.60 (t, J = 7.2 Hz, 1H).
ASAP MS spectrum analysis: Calculated 957.29, Observed 958.46

合成例1~3と同様の手順により、下記の化合物23430、化合物15609、化合物19740、化合物921、参考化合物1および参考化合物2も合成した。
By the same procedures as in Synthesis Examples 1 to 3, the following Compound 23430, Compound 15609, Compound 19740, Compound 921, Reference Compound 1 and Reference Compound 2 were also synthesized.

(実施例1)薄膜の作製と評価
石英基板上に真空蒸着法にて、真空度1×10-3Pa未満の条件にて化合物3を蒸着し、化合物3のニート薄膜を100nmの厚さで形成した。
これとは別に、石英基板上に真空蒸着法にて、真空度1×10-3Pa未満の条件にて化合物3とPYD2Czとを異なる蒸着源から蒸着し、化合物3の濃度が20重量%であるドープ薄膜を100nmの厚さで形成した。
化合物3の代わりに化合物13773、化合物19281を用いて、同様にしてニート薄膜とドープ薄膜を形成した。
形成した各ニート薄膜を用いて最低励起一重項エネルギーと最低励起三重項エネルギーを測定し、その差ΔESTを算出した。また、形成した各ドープ薄膜に300nmの励起光を照射したときの極大発光波長(λmax)とフォトルミネッセンス量子収率(PLQY)を測定した。結果を表3に示す。また、参考化合物1と参考化合物2についても同様に極大発光波長を測定したところ、458nmと469nmであった。化合物3、化合物13773、化合物19281、参考化合物1、参考化合物2は、いずれも深青色の良好な発光色を有することが確認された。
Example 1 Preparation and Evaluation of Thin Film Compound 3 was deposited on a quartz substrate by vacuum deposition under conditions of a vacuum degree of less than 1×10 −3 Pa to form a neat thin film of Compound 3 with a thickness of 100 nm.
Separately, Compound 3 and PYD2Cz were deposited from different deposition sources on a quartz substrate by vacuum deposition under a vacuum of less than 1×10 −3 Pa to form a doped thin film with a thickness of 100 nm and a concentration of Compound 3 of 20 wt %.
Using Compound 13773 and Compound 19281 instead of Compound 3, neat thin films and doped thin films were formed in the same manner.
The minimum excited singlet energy and the minimum excited triplet energy were measured using each neat thin film formed, and the difference ΔE ST was calculated. Furthermore, the maximum emission wavelength (λmax) and photoluminescence quantum yield (PLQY) were measured when each doped thin film formed was irradiated with 300 nm excitation light. The results are shown in Table 3. The maximum emission wavelengths of Reference Compound 1 and Reference Compound 2 were also measured in the same manner, and were found to be 458 nm and 469 nm. It was confirmed that Compound 3, Compound 13773, Compound 19281, Reference Compound 1, and Reference Compound 2 all had a good deep blue emission color.

下記の比較化合物1~4を用いて、上記方法にしたがってドープ薄膜を形成した。比較化合物1~3については、ホスト材料としてDPEPOを使用した。化合物3、化合物13773、化合物19281のドープ薄膜も含めて、作成したドープ薄膜を用いて遅延蛍光の寿命を測定した。結果を表4に示す。
Doped thin films were formed according to the above method using the following comparative compounds 1 to 4. For comparative compounds 1 to 3, DPEPO was used as the host material. The lifetime of delayed fluorescence was measured using the doped thin films prepared, including those of compound 3, compound 13773, and compound 19281. The results are shown in Table 4.

一般式(1)で表される化合物3、化合物13773、化合物19281は、比較化合物1~3よりも遅延蛍光寿命が短かった。比較化合物4は、遅延蛍光寿命が化合物13773と同等レベルであったが、フォトルミネッセンス量子収率(PLQY)が26%と低く、化合物3、化合物13773、化合物19281ほどの優れた発光特性は見られなかった。また、化合物3、化合物13773、化合物19281のフォトルミネッセンス量子収率(PLQY)は、比較化合物1や比較化合物2よりも高く、優れた発光特性を有することが確認された。 Compound 3, compound 13773, and compound 19281, represented by general formula (1), had shorter delayed fluorescence lifetimes than comparative compounds 1 to 3. Comparative compound 4 had a delayed fluorescence lifetime comparable to that of compound 13773, but had a low photoluminescence quantum yield (PLQY) of 26%, and did not exhibit the superior luminescence properties of compounds 3, 13773, and 19281. Furthermore, the photoluminescence quantum yields (PLQY) of compounds 3, 13773, and 19281 were higher than those of comparative compounds 1 and 2, confirming their superior luminescence properties.

(実施例2)有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
膜厚50nmのインジウム・スズ酸化物(ITO)からなる陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度5.0×10-5Paで積層した。まず、ITO上にHAT-CNを10nmの厚さに形成し、その上にNPDを35nmの厚さに形成し、その上にPTCzを10nmの厚さに形成した。次に、PYD2Czと化合物3を異なる蒸着源から共蒸着し、40nmの厚さの層を形成して発光層とした。発光層における化合物3の濃度は30質量%とした。次に、ET1を10nmの厚さに形成した後、LiqとSF3-TRZを異なる蒸着源から共蒸着し、20nmの厚さの層を形成した。この層におけるLiqとSF3-TRZの濃度はそれぞれ30質量%と70質量%であった。さらにLiqを2nmの厚さに形成し、次いでアルミニウム(Al)を100nmの厚さに蒸着することにより陰極を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子とした。
(Example 2) Preparation of Organic Electroluminescence Device Each thin film was laminated by vacuum deposition at a vacuum of 5.0 × 10 -5 Pa on a glass substrate with an anode made of indium tin oxide (ITO) with a thickness of 50 nm. First, HAT-CN was formed to a thickness of 10 nm on the ITO, NPD was formed to a thickness of 35 nm on top of that, and PTCz was formed to a thickness of 10 nm on top of that. Next, PYD2Cz and Compound 3 were co-deposited from different deposition sources to form a 40 nm thick layer as an emitting layer. The concentration of Compound 3 in the emitting layer was 30% by mass. Next, ET1 was formed to a thickness of 10 nm, and then Liq and SF3-TRZ were co-deposited from different deposition sources to form a 20 nm thick layer. The concentrations of Liq and SF3-TRZ in this layer were 30% by mass and 70% by mass, respectively. Further, Liq was formed to a thickness of 2 nm, and then aluminum (Al) was vapor-deposited to a thickness of 100 nm to form a cathode, thereby completing an organic electroluminescence device.

一般式(1)で表される化合物は良好な発光性能を有する。このため、一般式(1)で表される化合物を用いれば、優れた有機発光素子を提供できる。したがって、本発明は産業上の利用可能性が高い。 The compound represented by general formula (1) has good light-emitting performance. Therefore, by using the compound represented by general formula (1), it is possible to provide an excellent organic light-emitting device. Therefore, the present invention has high industrial applicability.

Claims (15)

下記一般式(1)で表される化合物。
[一般式(1)において、Aは、シアノピリジル基を表し、前記シアノピリジル基の水素原子は重水素原子で置換されていてもよい。Rは、アクセプター性基を表し、前記アクセプター性基は、環骨格構成原子として窒素原子を含む置換もしくは無置換のヘテロアリール基またはシアノ基である。R、R、R、Rのうちの少なくとも2個は、各々独立に置換もしくは無置換のベンゾフロ縮環カルバゾール-9-イル基を表す。残りのR~Rは、各々独立に水素原子、重水素原子、無置換のアリール基、またはドナー性基を表し、前記ドナー性基は、置換もしくは無置換のジアリールアミノ基である(ただし、前記ジアリールアミノ基を構成する2つのアリール基は互いに結合していてもよく、前記置換もしくは無置換のジアリールアミノ基には、置換もしくは無置換のベンゾフロ縮環カルバゾール-9-イル基、および置換もしくは無置換のベンゾチエノ縮環カルバゾール-9-イル基は含まれない)。]
A compound represented by the following general formula (1):
[In general formula (1), A represents a cyanopyridyl group, and a hydrogen atom of the cyanopyridyl group may be substituted with a deuterium atom. R2 represents an acceptor group, and the acceptor group is a substituted or unsubstituted heteroaryl group or cyano group containing a nitrogen atom as a ring skeleton-constituting atom. At least two of R1 , R3 , R4 , and R5 each independently represent a substituted or unsubstituted benzofuro-fused carbazol-9-yl group.] The remaining R 1 to R 5 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, an unsubstituted aryl group, or a donor group, and the donor group is a substituted or unsubstituted diarylamino group (however, the two aryl groups constituting the diarylamino group may be bonded to each other, and the substituted or unsubstituted diarylamino group does not include a substituted or unsubstituted benzofuro-fused carbazol-9-yl group and a substituted or unsubstituted benzothieno-fused carbazol-9-yl group).
極大発光波長が420nm~480nmの範囲内にある、請求項1に記載の化合物。 The compound according to claim 1, having a maximum emission wavelength in the range of 420 nm to 480 nm. 対称構造を有する、請求項1または2に記載の化合物。 The compound of claim 1 or 2, having a symmetrical structure. 請求項1~3のいずれか1項に記載の化合物からなる発光材料。 A light-emitting material comprising the compound described in any one of claims 1 to 3. 請求項1~のいずれか1項に記載の化合物からなる遅延蛍光体。 A delayed fluorescent material comprising the compound according to any one of claims 1 to 3 . 請求項1~のいずれか1項に記載の化合物を含む膜。 A film comprising the compound according to any one of claims 1 to 3 . 請求項1~のいずれか1項に記載の化合物を含む有機半導体素子。 An organic semiconductor device comprising the compound according to any one of claims 1 to 3 . 請求項1~のいずれか1項に記載の化合物を含む有機発光素子。 An organic light-emitting device comprising the compound according to any one of claims 1 to 3 . 前記素子が前記化合物を含む層を有しており、前記層がホスト材料も含む、請求項8に記載の有機発光素子。 The organic light-emitting device of claim 8, wherein the device has a layer containing the compound, the layer also containing a host material. 前記化合物を含む層が、前記化合物および前記ホスト材料の他に遅延蛍光材料も含み、前記遅延蛍光材料の最低励起一重項エネルギーが前記ホスト材料より低く、前記化合物よりも高い、請求項9に記載の有機発光素子。 The organic light-emitting device according to claim 9, wherein the layer containing the compound also contains a delayed fluorescent material in addition to the compound and the host material, and the lowest excited singlet energy of the delayed fluorescent material is lower than that of the host material and higher than that of the compound. 前記素子が前記化合物を含む層を有しており、前記層が前記化合物とは異なる構造を有する発光材料も含む、請求項9に記載の有機発光素子。 The organic light-emitting device according to claim 9, wherein the device has a layer containing the compound, and the layer also contains a light-emitting material having a structure different from that of the compound. 前記素子に含まれる材料のうち、前記化合物からの発光量が最大である、請求項9~11のいずれか1項に記載の有機発光素子。 The organic light-emitting device described in any one of claims 9 to 11, wherein the compound emits the greatest amount of light among the materials contained in the device. 前記発光材料からの発光量が前記化合物からの発光量よりも多い、請求項11に記載の有機発光素子。 The organic light-emitting device according to claim 11, wherein the amount of light emitted from the light-emitting material is greater than the amount of light emitted from the compound. 有機エレクトロルミネッセンス素子である、請求項8~13のいずれか1項に記載の有機発光素子。 The organic light-emitting device according to any one of claims 8 to 13, which is an organic electroluminescence device. 遅延蛍光を放射する、請求項8~14のいずれか1項に記載の有機発光素子。 The organic light-emitting device according to any one of claims 8 to 14, which emits delayed fluorescence.
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