JP7764779B2 - 粘着テープ - Google Patents

Description

本発明は、基板および部品を仮固定して用いられる粘着テープに関するものである。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。

これらの半導体装置の製造方法としては、例えば、まず、基板としての半導体基板（半導体ウエハ）に粘着テープを貼付し、半導体基板の周囲をウエハリングで固定しながら、ダイシングソーを用いたダイシング工程で、半導体基板を厚さ方向に切断することで、半導体基板を個々の半導体素子（半導体チップ）に切断分離（個片化）する。次いで、ウエハリングを用いて粘着テープを放射状に伸ばすことで、隣接する半導体素子同士の間に間隙を形成するエキスパンディング工程の後、個片化した半導体素子を、ニードルを用いて突き上げた状態で、ピックアップするピックアップ工程を行う。次いで、このピックアップした半導体素子を金属リードフレームあるいは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するための搭載工程へ移送する。ピックアップされた半導体素子は、搭載工程で、例えば、アンダーフィル材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、その後、リードフレームあるいは基板上で半導体素子を封止部により封止することで半導体装置が製造される。

このような半導体装置の製造に用いられる粘着テープ（ダイシングテープ）について、近年、種々の検討がなされている（例えば、特許文献１参照。）。

この粘着テープは、一般に、基材（フィルム基材）と、この基材上に形成された粘着層とを有するものであり、粘着層により半導体基板が固定される。かかる構成をなす粘着テープでは、上述した半導体装置の製造方法の通り、半導体基板をダイシングするダイシング工程後に、半導体素子をピックアップするピックアップ工程が実施される。すなわち、ダイシング工程において、円盤状をなすダイシングソーを用いて、半導体基板を個片化することで半導体素子を得た後に、ピックアップ工程において、粘着層に対するエネルギーの付与により粘着層の粘着力を低下させた後に、ニードルを用いて半導体素子を突き上げた状態とし、この状態を維持したまま、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等により、半導体素子のピックアップが実施されるようになっている。

しかしながら、この粘着テープを用いた半導体装置の製造の際に、ダイシングソーを用いて、半導体基板を個片化することで半導体素子を得るダイシング工程では、以下に示すような問題があった。すなわち、ダイシング工程において、半導体基板を個片化して半導体素子とするために、ダイシングソーを用いて半導体基板を厚さ方向にダイシング（切断）する際に、半導体基板の個片化を確実に実施することを目的に、一般的に、半導体基板の切断が、粘着テープが備える基材の厚さ方向の途中に到達するまで実施される。したがって、粘着テープにおいて、基材より半導体基板側に位置する粘着層も当然、この半導体基板の切断の際に、ダイシングソーにより切断される。そのため、この切断された粘着層の一部が、半導体基板の個片化により得られた半導体素子の側面に付着する糊付着が生じると言う問題があった。

特開２００９－２４５９８９号公報

本発明は、粘着テープに貼付された基板としての半導体用ウエハを厚さ方向に切断する個片化により部品として半導体チップを得る際に、粘着テープが備える粘着層の一部が、得られた半導体チップの側面に付着する糊付着が発生するのを的確に抑制または防止することができる粘着テープを提供することにある。

このような目的は、下記（１）～（１２）に記載の本発明により達成される。
（１） 基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層とを備え、基板としての半導体用ウエハを固定した状態で、前記半導体用ウエハを個片化することで複数の部品としての半導体チップを形成した後に、前記半導体チップを、前記粘着層から離脱させる、前記基板および前記部品の仮固定に用いられる粘着テープであって、
前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、前記粘着層にエネルギーを付与して前記粘着層が硬化することにより、その粘着力が低下するものであり、
厚さ０．５ｍｍ×幅６ｍｍ×長さ２０ｍｍの大きさの前記粘着層からなる試験片を作製し、前記エネルギーの付与前に、該試験片を２５℃でチャック間距離１０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で長さ方向に伸長したときに測定される変位－応力曲線における、破断伸度Ｗが２００％以上１０００％以下であり、かつ、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量が３００Ｊ／ｍ^３以上２０００Ｊ／ｍ^３以下であることを特徴とする粘着テープ。

（２） 前記硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートおよびビスフェノールＡ系のエポキシアクリレートのうちの少なくとも１種である上記（１）に記載の粘着テープ。

（３） 前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である上記（１）または（２）に記載の粘着テープ。

（４） 前記アクリル系樹脂は、アミド系モノマーを構造単位として有する共重合体である上記（３）に記載の粘着テープ。

（５） 前記粘着層は、さらに、架橋剤を含有し、該架橋剤は、イソシアネート系架橋剤である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の粘着テープ。

（６） 前記粘着層は、さらに、撥油剤としてシリコーン材料を含有する上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の粘着テープ。

（７） 前記基材は、帯電防止剤を含有する上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の粘着テープ。

（８） 当該粘着テープは、前記粘着層上に、半導体用ウエハを前記基板として固定した状態で、前記半導体用ウエハから前記基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、前記半導体用ウエハを個片化することで複数の半導体チップを前記部品として形成し、その後、当該粘着テープを長さ方向に伸長しつつ、前記半導体チップを、前記基材側から突き上げた状態で、前記基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から離脱させる際に用いられるものである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の粘着テープ。

（９） 前記粘着層は、その厚さが５μｍ以上１５μｍ以下である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の粘着テープ。

（１０） 前記変位－応力曲線における、伸度が１００％であるときの応力Ｘが０．０４ＭＰａ以上０．４ＭＰａ以下である上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の粘着テープ。

（１１） 当該粘着テープは、下記要件Ａを満足する上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の粘着テープ。
要件Ａ：当該粘着テープは、＃２０００研磨したシリコンウエハ上に、幅２０ｍｍの前記粘着テープを、前記粘着層を前記シリコンウエハ側として貼付した後に、前記粘着層に、前記エネルギーを付与し、次いで、前記粘着テープの一端を持ち、２５℃において３０°の方向に１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度Ａが３０ｃＮ／２０ｍｍ以上３００ｃＮ／２０ｍｍ以下となる。

（１２） 当該粘着テープは、下記要件Ｂを満足する上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の粘着テープ。
要件Ｂ：シリコン基板を当該粘着テープに固定し、その後、厚さ３０μｍのブレードを用いて、回転数：３００００ｒｐｍ、加工速度：６０ｍｍ／ｓの条件で前記シリコン基板を厚さ方向に前記基材の厚さの半分に到達するまで切断して個片化することで縦４ｍｍ×横４ｍｍの大きさのシリコンチップを得たときに、前記切断に起因する前記シリコンチップの側面に付着する粘着層の付着率が５．０％以下であること。

本発明によれば、粘着テープは、粘着層に対するエネルギーの付与前において、厚さ０．５ｍｍ×幅６ｍｍ×長さ２０ｍｍの大きさの前記粘着層からなる試験片を作製し、前記エネルギーの付与前に、該試験片を２５℃でチャック間距離１０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で長さ方向に伸長したときに測定される変位－応力曲線における、破断伸度Ｗが２００％以上１０００％以下であり、かつ、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量が３００Ｊ／ｍ^３以上２０００Ｊ／ｍ^３以下であることを満足している。そのため、粘着テープが備える粘着層に対するエネルギーの付与前に、粘着テープに貼付された基板としての半導体用ウエハを厚さ方向に切断する個片化により部品としての半導体チップを得る際に、粘着テープが備える粘着層の一部が得られた半導体チップの側面に付着する糊付着が発生するのを的確に抑制または防止することができる。

本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 図２中の点線で囲まれた領域［Ａ］に位置するニードルの周辺を拡大した拡大断面図である。 粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。 図５に示す粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。

以下、本発明の粘着テープについて詳細に説明する。
まず、本発明の粘着テープを説明するのに先立って、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置について説明する。

＜半導体装置＞
図１は、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、本明細書で参照する各図面では、それぞれ、左右方向および／または厚さ方向の寸法を誇張して図示しており、実際の寸法とは大きく異なる。

図１に示す半導体装置１０は、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（基板）３０と、複数の導電性を有するバンプ（端子）７０と、半導体チップ２０を封止するモールド部（封止部）１７とを有している。

インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。

インターポーザー３０の上面（一方の面）には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子４１が、所定形状で設けられている。

また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。

各バンプ７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が端子４１の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。

バンプ７０のインターポーザー３０から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。

このバンプ７０は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。

また、インターポーザー３０上には、端子４１が形成されている。この端子４１に、接続部８１を介して、半導体チップ２０が有する端子２１が電気的に接続されている。

なお、本実施形態では、図１に示すように、端子２１は、半導体チップ２０に形成されている面側から突出する構成をなしており、端子４１も、インターポーザー３０から突出する構成をなしている。

また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材が充填され、このアンダーフィル材の硬化物により、封止層８０が形成されている。この封止層８０は、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。

さらに、インターポーザー３０の上側には、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを覆うように形成されたモールド部１７が半導体封止材料の硬化物（封止材）で構成されており、これにより、半導体装置１０内において半導体チップ２０が封止され、半導体チップ２０に対する異物や水分等の浸入が防止される。

半導体チップ２０（半導体素子）は、図１に示すように、半導体チップ本体部２３（半導体素子本体部）と、半導体チップ本体部２３の下面側から突出して設けられた端子２１とを有している。半導体チップ本体部２３は、その上面側に回路（図示せず）が作り込まれており、主としてＳｉ、ＳｉＣ、ＧａＮまたはＧａ_２Ｏ_３のような半導体材料で構成されている。

かかる構成の半導体装置１０および半導体チップ２０は、例えば、粘着テープを用いた半導体装置の製造方法により、以下のようにして製造される。

＜半導体装置の製造方法＞
図２、図３は、図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図、図４は、図２中の点線で囲まれた領域［Ａ］に位置するニードルの周辺を拡大した拡大断面図である。なお、以下の説明では、図２～図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、本明細書で参照する各図面では、それぞれ、左右方向および／または厚さ方向の寸法を誇張して図示しており、実際の寸法とは大きく異なる。

［１Ａ］まず、基材４と、基材４の上面に積層された粘着層２とを有する積層体により構成された粘着テープ１００を用意し、図２（ａ）に示すように、その中心部１２２に半導体基板７（半導体用ウエハ）を、粘着層２の上に置き、軽く押圧し、半導体基板７を積層（貼付）する（貼付工程）。

この半導体基板７には、その上面に個片化することで形成される半導体チップ２０（半導体チップ本体部２３）が備える回路が予め形成され、また、下面には端子２１が予め形成されており、半導体基板７は、回路が形成されている側の上面を粘着層２側にして粘着テープ１００に貼付されている。そのため、粘着層２には、半導体基板７の回路が形成されている側の上面、すなわち凹凸が形成されている凹凸面が接合される。また、半導体基板７としては、通常、その直径が６インチ以上１２インチ以下程度、その厚さが１００μｍ以上６００μｍ以下程度のものが用いられる。

この本工程［１Ａ］において、本発明の粘着テープ１００が用いられる。すなわち、本工程［１Ａ］における基板としての半導体基板７を、回路が形成されている凹凸面を粘着テープ１００側として、粘着テープ１００に貼付する際に、粘着テープ１００として、粘着層２に対するエネルギーの付与前において、厚さ０．５ｍｍ×幅６ｍｍ×長さ２０ｍｍの大きさの粘着層２の試験片を作製し、この試験片を２５℃でチャック間距離１０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で長さ方向に伸長したときに測定される変位－応力曲線における、破断伸度Ｗが２００％以上１０００％以下であり、かつ、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量が３００Ｊ／ｍ^３以上２０００Ｊ／ｍ^３以下であることを満足しているものが用いられる。

そのため、本工程［１Ａ］において、基板としての半導体基板７を、回路が形成されている凹凸面を粘着テープ１００側として、粘着テープ１００に貼付する際に、この凹凸面が備える凹凸に対して、粘着層２が不本意に埋入するのを的確に抑制または防止しつつ、粘着テープ１００に対して半導体基板７を確実に貼付することができるが、その詳細な説明は後に行うこととする。

［２Ａ］次に、図２（ｂ）に示すように、半導体基板７が積層された粘着テープ１００をダイサーテーブル２００の上に設置する。

［３Ａ］次に、粘着層２の外周部１２１をウエハリング９で固定し、その後、図示しない、円盤状をなすダイシングソー（ブレード）を用いて基板としての半導体基板７を厚さ方向に切断（ダイシング）して半導体基板７を個片化することで粘着テープ１００上に部品としての半導体チップ２０を得る（個片化工程；図２（ｃ）参照）。

このとき、粘着テープ１００は、緩衝作用を有しており、半導体基板７を切断する際の割れ、欠け等を防止する。

また、ブレードを用いた半導体基板７の切断は、図２（ｃ）に示すように、基材４の厚さ方向の途中まで到達するように実施する。これにより、半導体基板７の個片化を確実に実施することができる。

なお、この際、半導体基板７、粘着層２および基材４の切断時に生じる粉塵が飛散するのを防止すること、さらには、半導体基板７が不必要に加熱されるのを抑制することを目的に、半導体基板７には切削水を供給しつつ、半導体基板７が切断される。

この本工程［３Ａ］において、本発明の粘着テープ１００が用いられる。すなわち、本工程［３Ａ］における基板としての半導体基板７の厚さ方向に対する切断による個片化により部品としての半導体チップ２０を得る際に、粘着テープ１００として、粘着層２に対するエネルギーの付与前において、厚さ０．５ｍｍ×幅６ｍｍ×長さ２０ｍｍの大きさの前記粘着層からなる試験片を作製し、前記エネルギーの付与前に、該試験片を２５℃でチャック間距離１０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で長さ方向に伸長したときに測定される変位－応力曲線における、破断伸度Ｗが２００％以上１０００％以下であり、かつ、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量が３００Ｊ／ｍ^３以上２０００Ｊ／ｍ^３以下であることを満足しているものが用いられる。

そのため、本工程［３Ａ］において、半導体基板７の厚さ方向に対する切断による個片化により半導体チップ２０を得る際に、粘着テープ１００が備える粘着層２の一部が得られた部品としての半導体チップ２０の側面に付着する糊付着が発生するのを的確に抑制または防止することができるが、その詳細な説明は後に行うこととする。

［４Ａ］次に、ウエハリング９で固定した、半導体基板７を貼付した粘着テープ１００をダイシング装置（図示せず）からピックアップ装置（図示せず）に移し、粘着層２の外周部１２１においてウエハリング９により固定した状態で、テーブル３００の外周部３２０に対して、その中心部３１０を上方に突き上げることで、粘着テープ１００を放射状に伸ばし、これにより、個片化した半導体基板７すなわち部品としての半導体チップ２０同士の間に、一定の間隔を有する間隙を形成する（エキスパンディング工程；図２（ｄ）参照。）。

なお、次工程［５Ａ］に先立って、粘着層２に対してエネルギーを付与することで、半導体チップ２０に対する粘着力を低下させるが、この粘着層２に対するエネルギーの付与は、本工程［４Ａ］における、エキスパンディング工程の後であってもよいし、エキスパンディング工程に先立って実施してもよい。

［５Ａ］次に、前記工程［４Ａ］を経ることにより、間隙が形成された状態で、ステージ４００上において、半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする（ピックアップ工程；図２（ｅ）参照。）。

この半導体チップ２０のピックアップは、より具体的には、以下のようにして実施される。すなわち、まず、前記工程［４Ａ］において、粘着テープ１００を放射状に伸ばす前記エキスパンディング工程を実施する。また、前記工程［４Ａ］における、粘着テープ１００を放射状に伸ばす前記エキスパンディング工程の後、または、前記エキスパンディングに先立って、粘着層２にエネルギーを付与することで粘着層２を硬化させて、粘着層２の粘着力を低下させる。そして、ニードル４３０（図２においては図示せず）を、図４（ａ）に示すように、エジェクターヘッド４１０に収納されている状態から、図４（ｂ）に示すように、エジェクターヘッド４１０から突出された状態とする。すなわち、ニードル４３０を、厚さ方向に突出させる。その結果、粘着テープ１００に貼付された半導体チップ２０が、ニードル４３０を用いて突き上げられ、これにより、粘着テープ１００から剥離させた状態とされ、その後、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等により、図４（ｃ）に示すように、半導体チップ２０がピックアップされる。

この本工程［５Ａ］において、本発明の粘着テープ１００が用いられる。すなわち、本工程［５Ａ］における粘着テープ１００からの部品としての半導体チップ２０の真空コレットまたはエアピンセットを用いた吸着等によるピックアップの際に、粘着テープ１００として、粘着層２に対するエネルギーの付与前において、厚さ０．５ｍｍ×幅６ｍｍ×長さ２０ｍｍの大きさの粘着層２の試験片を作製し、この試験片を２５℃でチャック間距離１０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で長さ方向に伸長したときに測定される変位－応力曲線における、破断伸度Ｗが２００％以上１０００％以下であり、かつ、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量が３００Ｊ／ｍ^３以上２０００Ｊ／ｍ^３以下であることを満足しているものが用いられる。

そのため、本工程［５Ａ］において、粘着テープ１００から部品としての半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットを用いた吸着等によりピックアップする際に、このピックアップ性の向上が図られることに起因して、粘着テープ１００が備える粘着層２の一部が得られた部品としての半導体チップ２０の裏面に残存する糊残りが生じるのを的確に抑制または防止することができるが、その詳細な説明は後に行うこととする。

以上のような工程［１Ａ］～工程［５Ａ］を経ることにより、粘着テープ１００を用いて、半導体基板７から半導体チップ２０が分離（個片化）される。すなわち、粘着テープ１００が備える粘着層２上に、半導体基板７を固定した状態で、半導体基板７から基材４の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、半導体基板７を個片化することで複数の半導体チップ２０を形成する。その後、粘着層２にエネルギーを付与することで粘着層２を硬化させるとともに、半導体チップ２０同士の間に一定間隔の間隙を形成した状態で、さらに、基材４側から半導体チップ２０を突き上げた状態として、基材４の反対側から引き抜くことにより、半導体チップ２０が粘着層２から分離される。

［６Ａ］次に、ピックアップした半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットから実装用プローブ等に受け渡して上下反転させた後、図３（ａ）に示すように、この半導体チップ２０が備える端子２１と、インターポーザー３０が備える端子４１とを、端子４１上に設けられた半田バンプ８５を介して対向させて、インターポーザー３０上に載置する。すなわち、半導体チップ２０の端子２１が形成された面を下側にして、半導体チップ２０（半導体素子）をインターポーザー３０（基板）上に載置する。

［７Ａ］次に、図３（ｂ）に示すように、端子２１と端子４１との間に介在した半田バンプ８５を加熱しつつ、インターポーザー３０と半導体チップ２０とを接近させる。

これにより、溶融した半田バンプ８５が端子２１および端子４１の双方に接触し、この状態で、冷却することで、接続部８１が形成され、その結果、接続部８１を介して、端子２１と端子４１とが電気的に接続される（搭載工程；図３（ｃ）参照。）。

［８Ａ］次に、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に形成された間隙に、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材（封止材）を充填し、その後、このアンダーフィル材を硬化させることにより、アンダーフィル材の硬化物で構成された封止層８０を形成する（封止層形成工程；図３（ｄ）参照。）。

［９Ａ］次に、インターポーザー３０の上側に、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを覆うように、モールド部１７（封止部）を形成することで、半導体チップ２０をインターポーザー３０とモールド部１７とで封止するとともに、インターポーザー３０が備えるビアを介して端子４１の一部に電気的に接続された、バンプ７０をインターポーザー３０の下側から突出するように形成する（図３（ｅ）参照。）。

ここで、モールド部１７による封止は、例えば、形成すべきモールド部１７の形状に対応した内部空間を備える成形型を用意し、この内部空間内に配置された半導体チップ２０とインターポーザー３０とを覆うように、粉末状をなす半導体封止材料を内部空間に充填する。そして、この状態で、半導体封止材料を加熱することにより硬化させて、半導体封止材料の硬化物とすることにより行われる。

以上のような工程を有する半導体装置の製造方法により、半導体装置１０が得られる。より詳しくは、前記工程［１Ａ］～［９Ａ］を実施した後に、前記工程［４Ａ］～［９Ａ］を繰り返して実施することで、１つの半導体基板７から複数の半導体装置１０を一括して製造することができる。

以下、このような半導体装置１０の製造方法に用いられる、本発明の粘着テープ１００について説明する。

＜粘着テープ１００＞
図５は、粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

粘着テープ１００は、本発明では、基材４と、この基材４の上面（一方の面）に積層された粘着層２とを備える積層体により構成され、半導体基板７（基板）および半導体チップ２０（部品）を仮固定して用いられるものである。また、この粘着テープ１００が備える粘着層２は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、粘着層２にエネルギーを付与して粘着層２が硬化することにより、その粘着力が低下するものである。そして、この粘着テープ１００は、粘着層２に対するエネルギーの付与前において、厚さ０．５ｍｍ×幅６ｍｍ×長さ２０ｍｍの大きさの粘着層２からなる試験片を作製し、前記エネルギーの付与前に、該試験片を２５℃でチャック間距離１０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で長さ方向に伸長したときに測定される変位－応力曲線における、破断伸度Ｗが２００％以上１０００％以下であり、かつ、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量が３００Ｊ／ｍ^３以上２０００Ｊ／ｍ^３以下であることを満足するものである。

ここで、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７を個片化して複数の半導体チップ２０を得るために、ダイシングソーを用いて半導体基板７を厚さ方向にダイシング（切断）する際に、通常、半導体基板７の個片化を確実に実施することを目的に、図２（ｃ）に示すように、半導体基板７の切断が、粘着テープ１００が備える基材４の厚さ方向の途中に到達するまで実施される。

このとき、粘着テープ１００において、粘着層２は、基材４より半導体基板７側に位置して半導体基板７に接合していることから、当然、この半導体基板７の切断の際に、ダイシングソーにより半導体基板７と共に切断される。

また、半導体基板７の切断に用いられるダイシングソー（ブレード）は、全体形状が円盤状をなし、その先端（円盤の端部）に、鋭利なダイアモンド砥粒が埋め込まれた構成をなしており、このダイシングソーを、半導体基板７に接触させた状態で回転させつつ、半導体基板７の平面視において、半導体基板７の横方向および縦方向に沿って格子状に移動させることで、半導体基板７と共に粘着層２が、ダイシングソーにより引き裂かれるようにして、その厚さ方向に対して切断される。

このように、ダイシングソーにより引き裂かれるようにして、切断された粘着層２の一部が、前述した背景技術で説明した通り、半導体チップ２０の側面に付着する糊付着が生じると言う問題があった。

かかる問題点について、本発明者は、鋭意検討を行った結果、半導体チップ２０の側面に付着する糊付着の発生が、エネルギーの付与前の粘着層２において測定される、前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗ、および、前記試験片が伸長された際の仕事量の大きさに関与していることが明らかとなってきた。

また、本発明者によるさらなる検討により、前記破断伸度Ｗおよび前記仕事量の大きさが、前記工程［３Ａ］における半導体チップ２０の側面に付着する糊付着の発生だけではなく、前記工程［１Ａ］における半導体基板７の粘着テープ１００に対する貼付性、および、前記工程［５Ａ］における半導体チップ２０の粘着テープ１００からのピックアップ性にも関与していることが判ってきた。

そして、本発明者のさらなる検討により、上記の通り、粘着層２に対するエネルギーの付与前において、厚さ０．５ｍｍ×幅６ｍｍ×長さ２０ｍｍの大きさの粘着層２の試験片を作製し、この試験片を２５℃でチャック間距離１０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で長さ方向に伸長したときに測定される変位－応力曲線における、破断伸度Ｗが２００％以上１０００％以下であり、かつ、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量が３００Ｊ／ｍ^３以上２０００Ｊ／ｍ^３以下の大きさに設定することで、以下の３つの問題点を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、１．前記工程［３Ａ］において、半導体基板７の厚さ方向に対する切断による個片化により半導体チップ２０を得る際に、粘着層２の一部が半導体チップ２０の側面に付着する糊付着の発生を的確に抑制または防止し得る。そのため、かかる半導体チップ２０がモールド部１７により封止されている構成をなす半導体装置１０の信頼性の向上が図られること、２．前記工程［１Ａ］において、半導体基板７を、回路が形成されている凹凸面を粘着テープ１００側として、粘着テープ１００に貼付する際に、この凹凸面が備える凹凸に対して、粘着層２が不本意に埋入するのを的確に抑制または防止しつつ、粘着テープ１００に対して半導体基板７を確実に貼付することができること、３．前記工程［５Ａ］において、粘着テープ１００から半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットを用いた吸着等によりピックアップする際に、粘着テープ１００が備える粘着層２の一部が半導体チップ２０の裏面に残存する糊残りが生じるのを的確に抑制または防止することができることを、見出し、本発明を完成するに至った。

以下、このような粘着テープ１００（ダイシングテープ）が有する、基材４および粘着層２について、詳述する。

＜基材４＞
基材４は、主として樹脂材料から成り、シート状をなしており、この基材４上に設けられた粘着層２を支持する機能を有している。また、前記工程［４Ａ］における、粘着テープ１００を面方向に対して伸長するエキスパンディング工程において、その伸長を実現させるためのものである。さらに、前記工程［５Ａ］における、個片化された半導体チップ２０をニードル４３０により突き上げた状態としてピックアップするピックアップ工程において、ニードル４３０による突き上げを、実現させるためのものである。

かかる樹脂材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリスチレン系熱可塑性エラストマーのようなポリスチレン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリエステル系熱可塑性エラストマーのようなポリエステル系樹脂（エステル類高分子）、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート（カーボネート系高分子）等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。

特に、樹脂材料としては、ポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂およびポリスチレン系樹脂、または、これらの混合物を用いることが好ましい。これらの樹脂材料を用いることで、前記エキスパンディング工程［４Ａ］において、その伸長性（エキスパンド性）を基材４に確実に付与し得るとともに、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をニードル４３０により突き上げた状態としてピックアップする際に、ニードル４３０による突き上げを、確実に実現させることができる。また、前記工程［３Ａ］におけるダイシングの際に、基材４の切削屑により、粘着テープ１００が汚染されるのを的確に抑制または防止することができる。

かかるポリオレフィン系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリプロピレン、直鎖状低密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン系樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン－メチルメタクリレート共重合体（ＥＭＭＡ）、エチレン－メタクリレート共重合体（ＥＭＡＡ）や、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体またはカリウムイオン架橋体としてのエチレン系アイオノマー等のアイオノマーのようなポリエチレンコポリマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、ポリ塩化ビニル系樹脂は、－ＣＨ_２－ＣＨＣｌ－で表される基を繰り返し単位として、複数有するポリマーであり、具体的には、塩化ビニルの単独重合体、塩化ビニルと共重合可能なビニル系単量体（重合性モノマー）との共重合体が挙げられ、また、後塩素化塩化ビニル重合体も含まれ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、単独重合体を用いるのが一般的である。

なお、塩化ビニルと共重合可能なビニル系単量体との共重合体としては、例えば、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－エチレン共重合体、塩化ビニル－アクリル共重合体等が挙げられる。

さらに、ポリスチレン系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリスチレン、ポリ（α－メチルスチレン）、ポリクロロスチレン、ポリ（ｍ－プロピルスチレン）、高耐衝撃ポリスチレン（ＨＩＰＳ）、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体（ＡＢＳ）、アクリロニトリル－スチレン共重合体（ＡＳ）、スチレン－メタアクリル酸共重合体、スチレン－メタアクリル酸・アルキルエステル共重合体、スチレン－メタアクリル酸・グリシジルエステル共重合体、スチレン－アクリル酸共重合体、スチレン－アクリル酸・アルキルエステル共重合体、スチレン－マレイン酸共重合体、スチレン－フマル酸共重合体の他、スチレン－ブタジエン共重合体、スチレン－イソプレン共重合体のようなスチレン系熱可塑性エラストマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、基材４は、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生を的確に抑制または防止することができる。

このように、基材４が導電性材料を含有する場合、基材４の粘着層２と反対側の表面における表面抵抗率は、１．０×１０^１３（Ω／□）以下に設定されていることが好ましく、１．０×１０^１１（Ω／□）以下に設定されていることがより好ましい。これにより、前記個片化工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。

この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属材料、金属酸化物材料および炭素系材料等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらのうち界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等が挙げられる。

永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）としては、例えば、ポリエーテルとポリオレフィンブロックポリマー系列、ポリエステルアミド系列、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステルアミド、ポリウレタン系列等の全てのＩＤＰを用いることができる。

また、金属材料としては、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられ、これらの金属粉が好ましく用いられる。

金属酸化物材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等が挙げられ、これらの金属酸化物粉が好ましく用いられる。

さらに、炭素系材料としては、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェン等が挙げられる。

これらの中でも、導電性材料としては、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属酸化物材料およびカーボンブラックのうちの少なくとも１種であることが好ましい。これらのものは、抵抗率の温度依存性が小さいものであることから、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、基材４が加熱されたとしても、その表面抵抗率の変化量を小さくすることができる。

なお、基材４に導電性材料を含有させることなく、前記半導体チップ２０における静電気の発生を防止する場合には、導電性材料を含有する帯電防止層を、粘着層２と反対側の表面に形成してもよい。これにより、基材４に導電性材料を含有させた場合と同様の効果を得ることができる。

さらに、基材４は、鉱油のような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。

また、基材４が主材料としての樹脂材料以外の構成材料を含む場合、基材４における前記樹脂材料の含有量は、５０重量％以上９５重量％以下であることが好ましく、６５重量％以上９０重量％以下であることがより好ましい。

また、基材４の厚さは、例えば、が７０μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましく、８０μｍ以上１２０μｍ以下であるのがより好ましい。基材４の厚さがこの範囲内であると、基材４としての機能をより確実に発揮させて、前記工程［３Ａ］における半導体基板７のダイシングを、優れた作業性により実施することができる。また、前記工程［５Ａ］における、個片化された半導体チップ２０をニードル４３０により突き上げた状態とした、半導体チップ２０のピックアップを、より優れた精度で実施することができる。

なお、基材４は、その表面に、粘着層２に含まれる構成材料と反応性を有する、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していてもよい。

また、基材４は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

＜粘着層２＞
粘着層２は、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、半導体基板７を粘着して支持するとともに、前記工程［４Ａ］において、粘着層２にエネルギーを付与して粘着層２が硬化することにより、半導体基板７を個片化して得られた半導体チップ２０を、前記工程［５Ａ］において、ピックアップし得る程度の粘着性を有するものである。

このような粘着層２は、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）粘着層２を硬化させる硬化性樹脂と、を主材料として含有する樹脂組成物で構成される。

そして、本発明では、１．前記工程［３Ａ］において、半導体基板７のダイシングを優れた精度で実施しつつ、半導体チップ２０の側面に対する糊付着の発生を防止すること、２．前記工程［１Ａ］において、半導体基板７を粘着テープ１００に貼付する際に、半導体基板７の凹凸面が備える凹凸に対して、粘着層２が不本意に埋入するのを防止すること、３．前記工程［５Ａ］において、粘着テープ１００から半導体チップ２０をピックアップする際に、半導体チップ２０の裏面に糊残りが生じるのを防止することを目的に、粘着層２に対するエネルギーの付与前において、前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗが２００％以上１０００％以下であり、かつ、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量が３００Ｊ／ｍ^３以上２０００Ｊ／ｍ^３以下であることを満足し得るように、粘着層２を構成する樹脂組成物に含まれる各成分（構成材料）の種類および含有量等が設定される。

以下、この樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
（１）ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、半導体基板７に対する粘着性を粘着層２に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。

このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）、スチレン系エラストマー樹脂（粘着剤）、ポリイソプレン系樹脂（粘着剤）、ポリイソブチレン系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。ベース樹脂としてアクリル系樹脂を用いることにより、粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。また、アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、かかる観点からも、ベース樹脂として好ましく用いられる。

アクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）をベースポリマーとするもののことを言う。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルのような（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸フェニルのような（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。また、ベース樹脂として（メタ）アクリル酸アルキルエステルを含むことにより、粘着層２で構成された前記試験片に基づく、粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。

なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。

アクリル系樹脂は、粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさを調整すること、凝集力、耐熱性等の改質等を目的として、必要に応じて、ポリマーを構成するモノマー成分として、共重合性モノマーを構造単位として含むものが用いられる。

このような共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー、（メタ）アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブトキシメチル（メタ）アクリルアミドのようなアミド系モノマー、（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、（メタ）アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンのようなオレフィン系モノマー、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエンのようなスチレン系モノマー、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル系モノマー、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルのようなビニルエーテル系モノマー、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなハロゲン原子含有モノマー、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、Ｎ－ビニル－２－ピロリドン、Ｎ－メチルビニルピロリドン、Ｎ－ビニルピリジン、Ｎ－ビニルピペリドン、Ｎ－ビニルピリミジン、Ｎ－ビニルピペラジン、Ｎ－ビニルピラジン、Ｎ－ビニルピロール、Ｎ－ビニルイミダゾール、Ｎ－ビニルオキサゾール、Ｎ－ビニルモルホリン、Ｎ－ビニルカプロラクタム、Ｎ－（メタ）アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ、中でも、アミド系モノマーであることが好ましい。これにより、粘着層２で構成された前記試験片に基づく、粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。

これら共重合性モノマーの含有量は、アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分に対して、４０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。

また、共重合性モノマーは、アクリル系樹脂を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。

さらに、共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。

多官能性モノマーとしては、例えば、１，６－ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、エチレン－酢酸ビニルコポリマーおよび酢酸ビニルポリマー等も、共重合性モノマー成分として用いることができる。

なお、このようなアクリル系樹脂（ポリマー）は、単一のモノマー成分または２種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。

アクリル系樹脂は、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、アクリル系樹脂による半導体基板７等の汚染を防止するという観点から、低分子量物の含有量が少ないものであることが好ましい。この場合、アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、好ましくは３０万以上５００万以下に設定され、より好ましくは４０万以上４００万以下に設定され、さらに好ましくは５０万以上１５０万以下に設定される。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量が、モノマー成分の種類等によっては、５０万未満であると、半導体基板７等に対する汚染防止性が低下し、その結果、半導体チップ２０を剥離させた際に糊残りが生じるおそれがある。

また、アクリル系樹脂（ベース樹脂）は、そのガラス転移点が、好ましくは－７０℃以上－５０℃以下、より好ましくは－６５℃以上－５５℃以下であるものが用いられる。ベース樹脂として、かかる範囲内のガラス転移点を有するアクリル系樹脂を用いることにより、粘着層２で構成された前記試験片に基づく、粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。

なお、アクリル系樹脂は、ヒドロキシル基やカルボキシル基（特に、ヒドロキシル基）のような、架橋剤や光重合開始剤に対して反応性を有する官能基（反応性官能基）を有していることが好ましい。これにより、架橋剤や光重合開始剤がポリマー成分であるアクリル系樹脂に連結するため、粘着層２からこれら架橋剤や光重合開始剤が漏出することを的確に抑制または防止することができる。その結果、前記工程［４Ａ］におけるエネルギー線照射時により、粘着層２の半導体基板７に対する粘着性が確実に低下される。

（２）硬化性樹脂
硬化性樹脂は、例えば、エネルギー線の照射により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下する。

このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素－炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、２－プロペニル－ジ－３－ブテニルシアヌレート等の炭素－炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２－メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２－ヒドロキシエチル ビス（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２－アクリロキシエチル）２－［（５－アクリロキシヘキシル）－オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３－ジアクリロキシ－２－プロピル－オキシカルボニルアミノ－ｎ－ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１－アクリロキシエチル－３－メタクリロキシ－２－プロピル－オキシカルボニルアミノ－ｎ－ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４－アクリロキシ－ｎ－ブチル）イソシアヌレートのような炭素－炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート、ビスフェノールＡ系のエポキシアクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ウレタンアクリレートおよびビスフェノールＡ系のエポキシアクリレートのうちの少なくとも１種が含まれることが好ましい。これにより、エネルギーの付与、すなわちエネルギー線の照射により硬化性樹脂をより確実に硬化させることができる。また、粘着層２で構成された前記試験片に基づく、粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。

また、硬化性樹脂には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる２つ以上の硬化性樹脂が混合されているのが好ましい。このような硬化性樹脂を利用すれば、エネルギー線照射による樹脂の架橋度を容易に制御することができる。また、このような硬化性樹脂として、例えば、第１の硬化性樹脂と、第１の硬化性樹脂よりも重量平均分子量が大きい第２の硬化性樹脂との混合物等が用いられてもよい。

硬化性樹脂を、第１の硬化性樹脂と、第２の硬化性樹脂との混合物とする場合、第１の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１００～１０００程度であることが好ましく、２００～５００程度であることがより好ましい。また、第２の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１０００～３００００程度であることが好ましく、１０００～１００００程度であることがより好ましく、２０００～５０００程度であることがさらに好ましい。さらに、第１の硬化性樹脂の官能基数は、１～５官能基であることが好ましく、第２の硬化性樹脂の官能基数は、６官能基以上であることが好ましい。かかる関係を満足することにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。

硬化性樹脂は、ベース樹脂１００重量部に対して３０重量部以上２００重量部以下で配合されることが好ましく、５０重量部以上１４０重量部以下で配合されることがより好ましい。これにより、樹脂組成物中に、硬化性樹脂およびベース樹脂を、それぞれ添加することにより発揮される機能を、硬化性樹脂とベース樹脂との双方に確実に発揮させることができる。

なお、この硬化性樹脂は、前述したアクリル系樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素－炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略するようにしてもよい。これは、アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素－炭素二重結合の機能によって、粘着層２が硬化し、これにより、粘着層２の粘着力が低下することによる。

（３）光重合開始剤
また、粘着層２は、エネルギー線の照射により半導体基板７に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、粘着層２を構成する樹脂組成物には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。

光重合開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）－フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン、２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α’－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－２－ヒドロキシプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２－ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２－ナフタレンスルホニルクロリド、１－フェノン－１，１－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジクロロベンゾフェノン、３，３’－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノン、ｏ－アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ－メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４－ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２－エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８－オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン－４－カルボン酸エステル、チオキサンソン、２－クロロチオキサンソン、２－メチルチオキサンソン、２，４－ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４－ジクロロチオキサンソン、２，４－ジエチルチオキサンソン、２，４－ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β－クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２－エチルアントラキノン、ｔ－ブチルアントラキノン、２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

光重合開始剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、０．５重量部以上１０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように光重合開始剤の配合量を調整することによって、樹脂組成物中に、光重合開始剤を添加することにより発揮される機能を、光重合開始剤に確実に発揮させることができる。

（４）架橋剤
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、粘着層２を適度な硬さを有するものに調整することができる。そのため、粘着層２で構成された前記試験片に基づく、粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。

架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。イソシアネート系架橋剤であれば、架橋剤を用いることにより得られる効果を、より顕著に発揮させることができる。

イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。

また、多価イソシアネートとして、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、４，４’－ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’－〔２，２－ビス（４－フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート、２，２，４－トリメチル－ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも２，４－トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネートおよびヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。

架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以上３０重量部以下で配合されることが好ましく、０．１重量部以上２０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することで、樹脂組成物中に、架橋剤を添加することにより発揮される機能を、架橋剤に確実に発揮させることができる。

（５）可塑剤
可塑剤は、エネルギーの付与により粘着力が低下する粘着層２において、その柔軟性を向上させることで、その結果として、粘着層２で構成された前記試験片に基づく、粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定し得ることから、粘着層２、すなわち、樹脂組成物中に含まれることが好ましい。

この可塑剤としては、特に限定されないが、例えば、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート）、ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＩＢＰ（ジイソブチルフタレート）、ＤＨＰ（ジヘプチルフタレート）のようなフタル酸エステル系可塑剤、ＤＯＡ（ジ－２－エチルヘキシルアジペート）、ＤＩＤＡ（ジイソデシルアジペート）、ＤＯＳ（ジ－２－エチルヘキシルセバセート）のような脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤、エチレングリコールのベンゾエート類のような芳香族カルボン酸エステル系可塑剤、およびＴＯＴＭ（トリオクチルトリメリテート）のようなトリメリット酸エステル系可塑剤、アジピン酸エステル系可塑剤等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

粘着層２すなわち樹脂組成物中における可塑剤の含有率は、特に限定されないが、例えば、ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上５．０重量部以下で配合されることが好ましく、０．５重量部以上３．０重量部以下で配合されることがより好ましい。これにより、粘着層２の柔軟性を確実に向上させることができる。したがって、粘着層２で構成された前記試験片に基づく、粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさを、より容易に前記範囲内に設定することができる。

（６）シリコーン材料
シリコーン材料は、エネルギーの付与により粘着力が低下する粘着層２において、前述した可塑剤とは逆に、粘着層２を硬質なものとすることで、その結果として、粘着層２で構成された前記試験片に基づく、粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定し得ることから、粘着層２、すなわち、樹脂組成物中に含まれることが好ましい。

シリコーン材料とは、シロキサン結合（－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ－）を有する構成単位が繰り返された繰り返し体で構成される化合物であり、この繰り返し体としては、具体的には、下記式（３）および式（４）の少なくとも一方のシロキサン結合を有する構成単位の繰り返しで構成されているものが挙げられる。

（式（３）中、Ｘ_１は、炭化水素基または水酸基を示す。）

（式（４）中、Ｘ_２、Ｘ_３は、それぞれ独立して、炭化水素基または水酸基を示す。）

前記シロキサン結合を有する構成単位が繰り返された繰り返し体としては、具体的には、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物や、シルセスキオキサン骨格を有する化合物が挙げられる。なお、シルセスキオキサンの構造としては、ランダム構造、籠型構造、ラダー構造（はしご型構造）等、いかなる構造であってもよい。

また、炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等のアルキル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、２－メチルフェニル基等のアリール基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、ナフチルメチル基等のアラルキル基、フェニル基、ビフェニル基等が挙げられる。

具体的には、このような構成をなすシリコーン材料としては、特に限定されないが、例えば、下記式（５）、式（６）で表される化合物等が挙げられる。

（式（５）中、Ｍｅは、メチル基を示し、ｎは、１以上の整数を示す。）

（式（６）中、Ｍｅは、メチル基を示し、ｐは、１以上の整数を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立して炭化水素基、有機基、または水素原子を示す。）

粘着層２すなわち樹脂組成物中におけるシリコーン材料（ポリジメチルシロキサン）の含有率は、特に限定されないが、例えば、ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上２．０重量部以下で配合されることが好ましく、０．２重量部以上１．０重量部以下で配合されることがより好ましい。これにより、粘着層２の硬度が高くなるように確実に調整し得ることから、粘着層２で構成された前記試験片に基づく、粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさを、より容易に前記範囲内に設定することができる。

（７）その他の成分
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）～（６）の他に他の成分として、導電性材料、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。

なお、これらのうち導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、前記基材４に含まれる導電性材料として説明したのと、同様のものを用いることができる。

このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生が的確に抑制または防止される。

基材４および粘着層２のうちの一方に導電性材料を含有させる構成とする場合には、基材４に導電性材料を含有させることが好ましい。これにより、半導体チップ２０に導電性材料を確実に付着させることなく、半導体チップ２０での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。

また、これらのうち粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

以上のような、粘着層２に含まれる、成分（１）、（２）を必須成分とする各成分（１）～（７）の種類、および含有量を適宜選択することにより、粘着層２で構成された前記試験片に基づく、粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさを、前記範囲内に設定し得ることから、粘着層２を、１．前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、半導体基板７を粘着して支持し得るとともに、粘着テープ１００が備える粘着層２の一部が得られた部品としての半導体チップ２０の側面に付着する糊付着が発生するのを的確に抑制または防止することができるものとし得る。また、粘着層２を、２．前記工程［１Ａ］において、回路が形成されている凹凸面を粘着テープ１００側として、半導体基板７を粘着テープ１００に貼付する際に、凹凸面が備える凹凸に対して、粘着層２が不本意に埋入するのを的確に抑制または防止しつつ、粘着テープ１００に対して半導体基板７を確実に貼付することができるものとし得る。さらに、３．粘着層２を、前記工程［５Ａ］において、粘着層２にエネルギーを付与して粘着層２を硬化させた後に、粘着テープ１００から半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットを用いた吸着等によりピックアップする際に、このピックアップを実現し得るとともに、粘着層２の一部が半導体チップ２０の裏面に残存する糊残りが生じるのを的確に抑制または防止して、かかる半導体チップ２０がモールド部１７により封止されている構成をなす半導体装置１０を信頼性の向上が図られたものとし得る。

以上のような構成をなす粘着層２は、前述の通り、粘着層２に対するエネルギーの付与前において、厚さ０．５ｍｍ×幅６ｍｍ×長さ２０ｍｍの大きさの粘着層２の試験片を作製し、この試験片を２５℃でチャック間距離１０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で長さ方向に伸長したときに測定される変位－応力曲線における、破断伸度Ｗが２００％以上１０００％以下であり、かつ、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量が３００Ｊ／ｍ^３以上２０００Ｊ／ｍ^３以下であることを満足していれば良いが、破断伸度Ｗは、２００％以上８００％以下であることが好ましく、２２０％以上７００％以下であることがより好ましく、２５０％以上６００％以下であることがさらに好ましい。また、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量は、３５０Ｊ／ｍ^３以上１９００Ｊ／ｍ^３以下であることが好ましく、４５０Ｊ／ｍ^３以上１８００Ｊ／ｍ^３以下であることがより好ましく、５５０Ｊ／ｍ^３以上７５０Ｊ／ｍ^３以下であることがさらに好ましい。粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさがそれぞれ前記範囲内に設定されることにより、前述した、１～３．の効果を、より顕著に発揮させることができる。

なお、変位－応力曲線における、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量は、変位－応力曲線を、変位（伸び）をＸ軸、応力をＹ軸として描画したとき、この描画された変位－応力曲線と、Ｘ軸とで取り囲まれた領域の面積として求めることができる。

また、粘着層２に対するエネルギーの付与前の前記変位－応力曲線における、伸度が１００％であるときの応力Ｘは、０．０８ＭＰａ以上０．３５ＭＰａ以下であることが好ましく、０．１０ＭＰａ以上０．３０ＭＰａ以下であることがより好ましい。これにより、粘着層２を、適度な硬さを有するものであると言うことができる。そのため、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、半導体基板７とともに切断される粘着層２を、微細な粉体として削り取ることができる。したがって、得られた部品としての半導体チップ２０の側面に、粘着テープ１００が備える粘着層２の一部が付着する糊付着の発生をより的確に抑制または防止することができるものとし得る。

上記の通り、粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさを前記範囲内に設定することで、半導体チップ２０の側面に粘着層２が付着する糊付着の発生を抑制することができるが、その糊付着の程度は、具体的には、以下に示すように設定される。すなわち、シリコン基板を粘着テープ１００に固定し、その後、厚さ３０μｍのブレードを用いて、回転数：３００００ｒｐｍ、加工速度：６０ｍｍ／ｓの条件でシリコン基板を厚さ方向に基材４の厚さの半分に到達するまで切断して個片化することで縦４ｍｍ×横４ｍｍの大きさのシリコンチップを得たときに、前記切断に起因するシリコンチップの側面に付着する粘着層２の付着率は、好ましくは５．０％以下、より好ましくは２．０％以下に設定されている。これにより、半導体基板７の個片化により得られた半導体チップ２０の側面における前記糊付着の発生が好適に抑制されていると言うことができる。

また、粘着層２に対するエネルギーの付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさがそれぞれ前記範囲内に設定されることにより、前記工程［１Ａ］において、回路が形成されている凹凸面を粘着テープ１００側として、半導体基板７を粘着テープ１００に貼付する際に、凹凸面が備える凹凸に対して、粘着層２が不本意に埋入するのを抑制することができるが、その凹凸に対する埋入の程度は、具体的には、以下に示すように設定される。すなわち、高さ２００μｍ、幅４００μｍ、ピッチ１．０ｍｍの四角いピラー状をなす突起物（凸条）を表面に複数備える透明ガラス基板を用意し、この透明ガラス基板の表面に、粘着テープ１００を、４５℃にステージを加熱した状態で、直径３５ｍｍ、４００ｍｍ幅のローラーを圧力０．５ＭＰａで押し付けることで貼付し、その後、この粘着テープ１００において、粘着層２が突起物に追従して形成された凹部の深さを、突起物高さで除することにより算出される粘着テープ１００の追従率が３０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。これにより、凹凸面が備える凹凸に対して、粘着層２が不本意に埋入するのが抑制されていると言うことができる。

また、粘着層２に対するエネルギーの付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさがそれぞれ前記範囲内に設定されることにより、前記工程［５Ａ］において、粘着テープ１００から半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットを用いた吸着等によりピックアップする際に、粘着テープ１００が備える粘着層２の一部が半導体チップ２０の裏面に残存する糊残りが生じるのを的確に抑制または防止することができるが、このピックアップがなされるときの粘着テープ１００の引き剥がし強度（ピール強度Ａ）は、具体的には、以下に示すように設定される。すなわち、＃２０００研磨したシリコンウエハ上に、幅２０ｍｍの前記粘着テープを、前記粘着層を前記シリコンウエハ側として貼付した後に、前記粘着層に、前記エネルギーを付与し、次いで、前記粘着テープの一端を持ち、２５℃において３０°の方向に１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度Ａが３０ｃＮ／２０ｍｍ以上３００ｃＮ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、４０ｃＮ／２０ｍｍ以上２００ｃＮ／２０ｍｍ以下であることがより好ましく、５０ｃＮ／２０ｍｍ以上１１０ｃＮ／２０ｍｍ以下であることがさらに好ましい。かかる範囲内にピール強度Ａが設定されていることにより、半導体チップ２０をピックアップするのに、適切な強度に設定されていると言え、粘着テープ１００が備える粘着層２の一部が半導体チップ２０の裏面に残存する糊残りが生じるのを的確に抑制または防止することができる。

また、粘着層２の厚さは、特に限定されないが、例えば、５μｍ以上１５μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以上１０μｍ以下であるのがより好ましい。粘着層２の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層２を、前記個片化工程［３Ａ］において、半導体基板７に対する良好な粘着力を発揮し、かつ、前記ピックアップ工程［５Ａ］において、粘着層２と半導体基板７との間において、良好な剥離性を発揮する程度の粘着性を備える粘着層としての機能を発揮させつつ、粘着層２で構成された前記試験片に基づく、粘着層２に対するエネルギー付与前の前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗの大きさ、および、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量の大きさを、前記範囲内に設定することにより得られる、前述した１～３．の効果を、より顕著に発揮されたものとし得る。

なお、粘着層２は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

また、以上のように、基材４に粘着層２が積層された構成をなしている粘着テープ１００において、この粘着テープ１００を平面視で見たとき、基材４と粘着層２との界面に形成されている気泡は、面積が１００μｍ^２以上のものの数が、１５．０個／ｍｍ^２以下であることが好ましく、０．０１個／ｍｍ^２以上７．０個／ｍｍ^２以下であることがより好ましく、０．１個／ｍｍ^２以上２．０個／ｍｍ^２以下であることがさらに好ましい。基材４と粘着層２との界面に形成されている気泡の数をコントロールして、面積が１００μｍ^２以上のものの数を上記のように設定することで、前記工程［５Ａ］において、半導体チップ２０をピックアップして、半導体チップ２０から粘着テープ１００を剥離させる際に、半導体チップ２０に糊残りが生じるのをより的確に抑制または防止することができる。

次に、かかる構成の粘着テープ１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。

＜粘着テープの製造方法＞
図６は、図５に示す粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１Ｂ］まず、基材４を用意する（図６（ａ）参照。）。
基材４の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、カレンダー法、インフレーション押出し法、Ｔダイ押出し法のような押出成形法、湿式キャスティング法等の一般的な成形方法が挙げられる。なお、基材４が積層体で構成される場合、かかる構成のその基材４の製造方法としては、例えば、共押出し法、ドライラミネート法等の成形方法が用いられる。

また、基材４は、無延伸で用いることができ、さらに、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いるようにしてもよい。

［２Ｂ］次に、基材４の上面に粘着層２を形成する（図６（ｂ）参照。）。
基材４の表面（上面）には、基材４と粘着層２との密着性を向上させることを目的に、コロナ処理、クロム酸処理、マット処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理、プライマー処理、アンカーコート処理のような表面処理が施されていてもよい。

また、粘着層２は、基材４上に、粘着層２の構成材料である樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させることにより得ることができる。

なお、溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、基材４上への液状材料の塗布または散布は、例えば、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコートおよびリップコート等の方法を用いて行うことができる。

［３Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、中心側と外周側とが分離されるように、粘着層２の厚さ方向に基材４を残存させて円環状に粘着層２の一部を除去することにより、粘着層２を中心部１２２と外周部１２１とを備えるものとする（図６（ｃ）参照。）。

粘着層２の一部を円環状に除去する方法としては、例えば、除去すべき領域を取り囲むように打ち抜いた後、この打ち抜かれた領域に位置する粘着層２を除去する方法が挙げられる。

また、除去すべき領域に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に粘着テープ１００を製造することができるロール状金型を用いる方法が好ましい。

なお、本工程では、粘着層２の一部をリング状（円形状）に打ち抜いて中心部１２２と外周部１２１とを形成したが、粘着層２の一部を打ち抜く形状は、前述した半導体装置の製造方法において、粘着層２の外周部１２１をウエハリングで固定できる形状となっていれば如何なる形状のものであってもよい。具体的には、打ち抜く形状としては、例えば、上述した円形状の他、楕円状、俵型状のような長円状や、四角形状、五角形状のような多角形状等が挙げられる。

［４Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、セパレーター１を積層することにより、粘着層２がセパレーター１で被覆された粘着テープ１００を得る（図６（ｄ）参照。）。

粘着層２にセパレーター１を積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができる。これらの中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。

なお、セパレーター１としては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。

また、セパレーター１は、粘着テープ１００の使用時に剥がされるために、表面を離型処理されたものを使用してもよい。離型処理としては離型剤をセパレーター１の表面にコーティングする処理や、セパレーター１の表面に細かい凹凸をつける処理等が挙げられる。なお、離型剤としては、シリコーン系、アルキッド系、フッ素系等のものが挙げられる。

以上のような工程を経て、セパレーター１で被覆された粘着テープ１００を形成することができる。

なお、本実施形態で製造されたセパレーター１で被覆された粘着テープ１００は、前述した粘着テープ１００を用いた半導体装置の製造方法において、粘着テープ１００をセパレーター１から剥離した後に使用される。

また、セパレーター１が被覆する粘着層２から、このセパレーター１を剥がす際には、粘着層２の面に対してセパレーター１を９０°以上１８０°以下の角度で剥離を行うことが好ましい。セパレーター１を剥離する角度を前記範囲とすることで、粘着層２とセパレーター１との界面以外での剥離を確実に防止することができる。

以上、本発明の粘着テープについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば、本発明の粘着テープが備える各層には、同様の機能を発揮し得る、任意の成分が添加されていてもよく、あるいは、基材は、前記実施形態で説明したように、１層で構成されるものの他、複数の層で構成されるものであってもよく、例えば、前述した基材の粘着層とは反対側の面に、帯電防止層を備えるものであってもよい。

また、粘着テープが備える各層の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。

さらに、粘着テープを用いて形成する半導体装置の構成によっては、半導体装置１０が備えるモールド部１７の形成を省略することもできる。

また、粘着テープが貼付された半導体基板を厚さ方向に切断（ダイシング）することで、切断片すなわち部品として半導体チップを得る場合に限らず、粘着テープ上に基板を仮固定した状態で、基板を厚さ方向に切断することで部品を得た後に、部品を粘着テープから剥離させる必要が生じる各種の基板加工用途にも、本発明の粘着テープを適用することができる。本発明の粘着テープにより貼付される基板としては、上述した半導体基板（半導体用ウエハ）の他に、例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどのガラス基板、アルミナ、窒化ケイ素、酸化チタンなどのセラミック基板、アクリル、ポリカーボネート、ゴムなどの樹脂材料基板、金属材料基板等が挙げられる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。

１．原材料の準備
まず、各実施例および各比較例の粘着テープの製造に用いた原材料を以下に示す。

（ポリオレフィン系樹脂１）
ポリオレフィン系樹脂１として、ポリプロピレン（ＰＰ、住友化学社製、「ＦＳ２０１１ＤＧ３」）を用意した。

（ポリオレフィン系樹脂２）
ポリオレフィン系樹脂２として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、住友化学社製、「スミカセンＦ２００－０」、比重：０．９２ｇ／ｃｍ^３）を用意した。

（エラストマー）
エラストマーとして、スチレン系エラストマー（旭化成社製、「タフテックＨ１２２１」）を用意した。

（帯電防止剤１）
帯電防止剤１として、ポリエーテル系帯電防止剤（三洋化成工業社製、「ペレクトロンＰＶＬ」）を用意した。

（ベース樹脂１～４）
ベース樹脂１～４として、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸２－エチルヘキシル、アクリル酸、アクリル酸２－ヒドロキシエチル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド、酢酸ビニルのうちの少なくとも２種を混合し、常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させて生成されたアクリル共重合体を用意した。

なお、ベース樹脂（アクリル共重合体）１～４におけるガラス転移点および重量平均分子量は、以下に示す通りであった。また、ベース樹脂１～４のうち、ベース樹脂１は、アミド系モノマー（Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド）を構造単位として有する共重合体である。

ベース樹脂１（ガラス転移点：－１４℃、重量平均分子量：５０万）
ベース樹脂２（ガラス転移点：－９℃、重量平均分子量：５０万）
ベース樹脂３（ガラス転移点：－４５℃、重量平均分子量：６５万）
ベース樹脂４（ガラス転移点：－３７℃、重量平均分子量：６０万）

（硬化性樹脂１）
硬化性樹脂１として、（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物であるジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ダイセル・オルネクス社製、品番：ＤＰＨＡ）を用意した。

（硬化性樹脂２）
硬化性樹脂２として、ウレタンアクリレート（Ｍｉｗｏｎ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、品番：ＳＣ２１５２）を用意した。

（硬化性樹脂３）
硬化性樹脂３として、ウレタンアクリレート（日本化薬社製、品番：ＵＸ-５０００）を用意した。

（硬化性樹脂４）
硬化性樹脂４として、ビスＡ型エポキシアクリレート（日本化薬社製、品番：Ｒ－１３０）を用意した。

（架橋剤１）
架橋剤１として、ポリイソシアネート（東ソー社製、品番：コロネートＬ）を用意した。

（光重合開始剤１）
光重合開始剤１として、ベンジルジメチルケタール（東京化成工業社製）を用意した。

（可塑剤１）
可塑剤１として、ポリエステル系可塑剤（ＤＩＣ社製、品番：Ｗ－２３０Ｈ）を用意した。

（撥油剤１）
撥油剤１として、シリコーンオイル（ダウ・東レ社製、「ＳＦ８４１９」）を用意した。

２．粘着テープの作製
［実施例１］
ポリオレフィン系樹脂１（４５重量％）、エラストマー（４０重量％）および帯電防止剤１（１５重量％）が配合された樹脂組成物を押出し機で押し出して、厚さ８０μｍの基材４を作製した。

次に、ベース樹脂１（１００重量部）、硬化性樹脂２（３０重量部）、架橋剤１（０．５重量部）、撥油剤１（０．６重量部）および光重合開始剤１（７重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが１０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、基材４の上面（一方の面）に、厚さ１０μｍの粘着層２を形成することで、実施例１の粘着テープ１００を得た。

［実施例２～６、比較例１～４］
基材４の形成に用いた樹脂組成物中に含まれる各構成材料、および、粘着層２の形成に用いた樹脂組成物中に含まれる各構成材料として、表１に示すものを用い、さらに、各構成材料の含有量を表１に示すように変更して、表１に示す厚さの基材４および粘着層２を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして、実施例２～６、比較例１～４の粘着テープを作製した。

３．評価
得られた各実施例および各比較例の粘着テープを、以下の方法で評価した。

３－１．粘着層の引張試験
各実施例および各比較例の粘着テープ１００について、それぞれ、厚さ０．８ｍｍ×幅６ｍｍ×長さ２０ｍｍの大きさの粘着層２の試験片を作製し、この試験片に対するエネルギーの付与前において、精密万能試験機（島津製作所社製、「オートグラフＡＧＳ－Ｘ」）を用いて、２５℃でチャック間距離１０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で前記試験片の引張試験を行うことで変位－応力曲線（Ｓ－Ｓ曲線）を求めた。そして、得られた変位－応力曲線に基づいて、試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量［Ｊ／ｍ^３］、破断伸度Ｗ［％］、および、伸度が１００％であるときの応力Ｘ［ＭＰａ］を算出した。

３－２．シリコンウエハからのピール強度の測定
各実施例および各比較例の幅を２０ｍｍとした粘着テープを、それぞれ、表面を＃２０００研磨したシリコンウエハの前記表面に、貼付し、次いで、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ^２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ^２の条件で粘着層２に紫外線を照射するエネルギーの付与後において、２５℃環境下で、粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度Ａ（引き剥がし強度Ａ）を、剥離解析装置（協和界面科学社製、「ＶＰＡ－Ｈ１００」）を用いて測定した。

３－３．シリコンチップの側面に対する糊残り性の評価
＜１＞シリコンで構成されるシリコンウエハ（ＳＵＭＣＯ社製厚み６２５μｍ）をシリコン基板として用意した。その後、シリコン基板の表面に、各実施例および各比較例の粘着テープ１００を、粘着層２をシリコン基板側にして固定した。その後、厚さ３０μｍのブレードを用いて、回転数：３００００ｒｐｍ、加工速度：６０ｍｍ／ｓの条件にてシリコン基板を厚さ方向に基材４の厚さの半分に到達するまで切断して個片化することで縦６ｍｍ×横６ｍｍの大きさの複数のシリコンチップを得た。

＜２＞次いで、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ^２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ^２の条件で基材４側から粘着層２に紫外線を照射後、このシリコンチップを、ニードルを用いて、ニードルの突き上げ量を６００［μｍ］とした状態で突き上げた後に、真空コレットによる吸着により、シリコンチップをピックアップした。

以上のような工程＜１＞～＜３＞を経ることで、吸着によるシリコンチップのピックアップを、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、５０個ずつ繰り返して実施した。

そして、各実施例および各比較例の粘着テープにおいて、それぞれ得られたシリコンチップについて、ピックアップしたシリコンチップの側面に粘着層が付着している領域を示す付着率を測定した。この付着率の測定を、各実施例および各比較例の粘着テープにおいて、それぞれ、５０個のシリコンチップについて実施し、その平均値を求めた後に、これらを、以下の基準にしたがって評価した。

（粘着層の付着率の評価）
５０個のシリコンチップの側面に付着する粘着層の付着率の平均値が、
◎： ０．０％（付着無し）以上２．０％以下である
〇： ２．０％超５．０％以下である
△： ５．０％超１０．０％以下である
×： １０．０％超である

３－４．突起物に対する追従性の評価
高さ２００μｍ、幅４００μｍ、ピッチ１．０ｍｍの四角いピラー状をなす突起物（凸条）を表面に複数備える透明ガラス基板を用意し、この透明ガラス基板の表面に、各実施例および各比較例の粘着テープ１００を、４５℃にステージを加熱した状態で、直径３５ｍｍ、４００ｍｍ幅のローラーを圧力０．５ＭＰａで押し付けることで貼付した。

そして、粘着テープ１００において、粘着層２が突起物に追従して形成された凹部の深さを、突起物高さで除することにより粘着テープ１００の追従率を算出し、この得られた追従率で粘着テープ１００に対する突起物の追従性を、以下の評価基準に基づいて評価した。

（粘着層の追従率の評価）
粘着テープ１００の突起物に対する追従率が
◎：１０％以下である。
〇：１０％超３０％以下である
△：３０％超５０％以下である
×：５０％超である

３－５．シリコンチップの裏面に対する糊残り性の評価
＜１＞シリコンで構成されるシリコンウエハ（ＳＵＭＣＯ社製、厚み６２５μｍ）をシリコン基板として用意した。その後、シリコン基板に、各実施例および各比較例の粘着テープを、粘着層をシリコン基板側にして固定した。その後、厚さ１００μｍのブレードを用いて、シリコン基板に切削水を供給しつつ、回転数：３００００ｒｐｍ、加工速度：６０ｍｍ／ｓの条件にて、シリコン基板を厚さ方向に基材４の厚さの半分に到達するまで切断して個片化することで縦６ｍｍ×横６ｍｍの大きさの複数のシリコンチップを得た。

＜２＞次いで、このシリコンチップを、ニードルを用いて、ニードルの突き上げ量を６００［μｍ］とした状態で突き上げた後に、真空コレットによる吸着により、シリコンチップをピックアップした。

以上のような工程＜１＞～＜２＞を経ることで、吸着によるシリコンチップのピックアップを、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、５０個ずつ繰り返して実施した。

そして、各実施例および各比較例の粘着テープにおいて、それぞれ得られたシリコンチップについて、ピックアップしたシリコンチップの表面（裏面）における、切削水の付着に基づく汚染の有無を確認した。この汚染の有無の確認を、各実施例および各比較例の粘着テープにおいて、それぞれ、５０個のシリコンチップについて実施し、以下の基準にしたがって評価した。

（粘着層の付着率の評価）
５０個のシリコンチップのうち、その表面における汚染が認められたものの数が、
◎： ０個である
〇： ０個超５個以下である
△： ５個超１０個以下である
×： １０個超である

３－６．ピックアップ性の評価
シリコンで構成されるシリコンウエハ（ＳＵＭＣＯ社製）を用意し、常法により削りして厚さ２３０μｍのシリコンウエハを得た後、厚さ２００μｍに＃２０００番ホイールにて研削した後の研削面に、各実施例および各比較例の粘着テープ１００を、粘着層２をシリコンウエハ側にして固定した。その後、ダイシングブレード（ＤＩＳＣＯ社製、品番：Ｚ０５－ＳＤ２０００－Ｎ１－５０, 厚さ３０μｍ）を用いて、回転数：４００００ｒｐｍ、加工速度：６０ｍｍ／ｓの条件にてシリコンウエハを厚さ方向に基材４の途中に到達するまで切断して個片化することで縦６ｍｍ×横６ｍｍの大きさの複数のシリコンチップを得た。
次いで、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ^２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ^２の条件で基材４側から粘着層２に紫外線を照射後、真空吸着するコレットを用いてダイシングされたシリコンチップの表面を吸着し、４ｍｍ間隔の４本のニードルを基材４の下から２００μｍ突上げて、シリコンチップを粘着テープからピックアップした。

以上のようにしてピックアップされたシリコンチップについて、各実施例および各比較例の粘着テープにおいて、それぞれ、シリコンチップのピックアップ性を確認し、以下の基準にしたがって評価した。

（ピックアップ性評価）
◎：５０個中５０個成功した
〇：５０個中４８個以上５０個未満ピックアップできた。
△：５０個中４０個以上４８個未満ピックアップできた。
×：５０個中４０個未満ピックアップできた。

表１に示したように、各実施例の粘着テープ１００では、エネルギー付与前での前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗが２００％以上１０００％以下であり、かつ、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量が３００Ｊ／ｍ^３以上２０００Ｊ／ｍ^３以下であることを満足しており、これにより、粘着テープが備える粘着層の一部が、得られたシリコンチップの側面または裏面に付着するのを的確に抑制または防止し得る結果を示した。

これに対して、各比較例の粘着テープでは、エネルギー付与前での前記変位－応力曲線における、破断伸度Ｗが２００％以上１０００％以下であることと、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量が３００Ｊ／ｍ^３以上２０００Ｊ／ｍ^３以下であることとの少なくとも一方を満足しておらず、その結果、粘着テープが備える粘着層の一部が、得られたシリコンチップの側面または裏面に付着する結果となった。

１ セパレーター
２ 粘着層
４ 基材
７ 半導体基板
９ ウエハリング
１０ 半導体装置
１７ モールド部
２０ 半導体チップ
２１ 端子
２３ 半導体チップ本体部
３０ インターポーザー
４１ 端子
７０ バンプ
８０ 封止層
８１ 接続部
８５ 半田バンプ
１００ 粘着テープ
１２１ 外周部
１２２ 中心部
２００ ダイサーテーブル
３００ テーブル
３１０ 中心部
３２０ 外周部
４００ ステージ
４１０ エジェクターヘッド
４３０ ニードル

Claims (12)

1. 基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層とを備え、基板としての半導体用ウエハを固定した状態で、前記半導体用ウエハを個片化することで複数の部品としての半導体チップを形成した後に、前記半導体チップを、前記粘着層から離脱させる、前記基板および前記部品の仮固定に用いられる粘着テープであって、
   前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、前記粘着層にエネルギーを付与して前記粘着層が硬化することにより、その粘着力が低下するものであり、
   厚さ０．５ｍｍ×幅６ｍｍ×長さ２０ｍｍの大きさの前記粘着層からなる試験片を作製し、前記エネルギーの付与前に、該試験片を２５℃でチャック間距離１０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で長さ方向に伸長したときに測定される変位－応力曲線における、破断伸度Ｗが２００％以上１０００％以下であり、かつ、前記試験片の伸度が１００％となるまでの仕事量が３００Ｊ／ｍ^３以上２０００Ｊ／ｍ^３以下であることを特徴とする粘着テープ。
2. 前記硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートおよびビスフェノールＡ系のエポキシアクリレートのうちの少なくとも１種である請求項１に記載の粘着テープ。
3. 前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である請求項１または２に記載の粘着テープ。
4. 前記アクリル系樹脂は、アミド系モノマーを構造単位として有する共重合体である請求項３に記載の粘着テープ。
5. 前記粘着層は、さらに、架橋剤を含有し、該架橋剤は、イソシアネート系架橋剤である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の粘着テープ。
6. 前記粘着層は、さらに、撥油剤としてシリコーン材料を含有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の粘着テープ。
7. 前記基材は、帯電防止剤を含有する請求項１ないし６のいずれか１項に記載の粘着テープ。
8. 当該粘着テープは、前記粘着層上に、半導体用ウエハを前記基板として固定した状態で、前記半導体用ウエハから前記基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、前記半導体用ウエハを個片化することで複数の半導体チップを前記部品として形成し、その後、当該粘着テープを長さ方向に伸長しつつ、前記半導体チップを、前記基材側から突き上げた状態で、前記基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から離脱させる際に用いられるものである請求項１ないし７のいずれか１項に記載の粘着テープ。
9. 前記粘着層は、その厚さが５μｍ以上１５μｍ以下である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の粘着テープ。
10. 前記変位－応力曲線における、伸度が１００％であるときの応力Ｘが０．０４ＭＰａ以上０．４ＭＰａ以下である請求項１ないし９のいずれか１項に記載の粘着テープ。
11. 当該粘着テープは、下記要件Ａを満足する請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の粘着テープ。
    要件Ａ：当該粘着テープは、＃２０００研磨したシリコンウエハ上に、幅２０ｍｍの前記粘着テープを、前記粘着層を前記シリコンウエハ側として貼付した後に、前記粘着層に、前記エネルギーを付与し、次いで、前記粘着テープの一端を持ち、２５℃において３０°の方向に１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度Ａが３０ｃＮ／２０ｍｍ以上３００ｃＮ／２０ｍｍ以下となる。
12. 当該粘着テープは、下記要件Ｂを満足する請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の粘着テープ。
    要件Ｂ：シリコン基板を当該粘着テープに固定し、その後、厚さ３０μｍのブレードを用いて、回転数：３００００ｒｐｍ、加工速度：６０ｍｍ／ｓの条件で前記シリコン基板を厚さ方向に前記基材の厚さの半分に到達するまで切断して個片化することで縦４ｍｍ×横４ｍｍの大きさのシリコンチップを得たときに、前記切断に起因する前記シリコンチップの側面に付着する粘着層の付着率が５．０％以下であること。