JP7770372B2

JP7770372B2 - 基板処理装置および基板処理方法

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Publication number: JP7770372B2
Application number: JP2023181229A
Authority: JP
Inventors: 進二清水; 一大本庄; 憲幸菊本
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
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Priority date: 2023-10-20
Filing date: 2023-10-20
Publication date: 2025-11-14
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Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

基板に処理液を供給して基板を処理する基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１には、複数種類の処理液が供給される多連弁と、多連弁からの処理液を基板に供給する処理液ノズルとを備えた基板処理装置が記載されている。

特開２０２３－４６８４号公報

特許文献１に記載のような基板処理装置では、例えば、多連弁から処理液ノズルに供給する処理液の種類を切り替える場合、処理液供給源につながる多連弁のバルブの開閉状態を変更する。この場合、多連弁の流路内の処理液が切り替わったか否かを確認することは、困難である。具体的には、一般に、基板処理に用いられる処理液は透明であるため、一般的なＣＣＤカメラでは、処理液を検知できない。このため、多連弁内の処理液を高精度に特定できないことがある。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理液供給部内の処理液を高精度に特定することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板保持部と、処理液ノズルと、処理液供給部と、少なくとも１つの近赤外線光源と、近赤外撮像部と、制御部とを備える。前記基板保持部は、基板を保持する。前記処理液ノズルは、前記基板の上面に処理液を供給する。前記処理液供給部は、前記処理液ノズルに対して複数種類の前記処理液を供給する。前記少なくとも１つの近赤外線光源は、前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する。前記近赤外撮像部は、前記近赤外線光源からの前記近赤外線で照射されている前記処理液を撮像した撮像画像を生成する。前記制御部は、前記処理液供給部および前記近赤外撮像部を制御する。前記制御部は、前記撮像画像に基づいて前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域内の前記処理液の種類を特定する。

ある実施形態では、前記制御部は、前記処理液供給部を制御して、前記処理液ノズルに対して前記処理液の種類を切り替えて供給する。

ある実施形態では、前記制御部は、前記処理液の種類を特定した結果に基づいて、前記処理液供給部を制御する。

ある実施形態では、前記処理液供給部は、複数の上流配管と、共通配管と、下流配管とを有する。前記複数の上流配管は、前記複数種類の処理液がそれぞれ流通する。前記共通配管は、前記複数の上流配管の下流端が接続される。前記下流配管は、前記共通配管に上流端が接続され、前記処理液ノズルに前記処理液を供給する。

ある実施形態では、前記近赤外線光源は、前記共通配管を含む領域を近赤外線で照射する。前記制御部は、前記撮像画像に基づいて前記共通配管を含む領域内の前記処理液の種類を特定する。

ある実施形態では、前記共通配管は、多連弁によって構成されている。

ある実施形態では、前記処理液供給部は、前記共通配管に上流端が接続され、前記処理液を排出する排出配管を有する。

ある実施形態では、前記近赤外線光源は、前記排出配管を含む領域を近赤外線で照射する。前記制御部は、前記撮像画像に基づいて前記排出配管を含む領域内の前記処理液の種類を特定する。

ある実施形態では、前記制御部は、前記処理液供給部を制御して、第１の処理液を前記共通配管を介して前記処理液ノズルに供給した後、前記第１の処理液を前記共通配管を介して前記排出配管に供給し、その後、第２の処理液を前記共通配管を介して前記排出配管に供給し、前記撮像画像に基づいて前記共通配管または前記排出配管内が前記第１の処理液から前記第２の処理液に切り替わったことを検出した場合に、前記第２の処理液を前記共通配管を介して前記処理液ノズルに供給する。

ある実施形態では、前記少なくとも１つの近赤外線光源は、複数設けられている。複数の前記近赤外線光源は、互いに異なるピーク波長を有する近赤外線を出射する。前記制御部は、前記処理液の種類を示す種類情報を取得し、取得した前記種類情報に基づいて、前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域を照射する前記近赤外線光源を変更する。

本発明の別の局面によれば、基板処理方法は、基板を保持して前記基板を回転させる工程と、処理液供給部から処理液ノズルに対して複数種類の処理液を供給し、前記処理液ノズルから前記基板の上面に前記処理液を供給する工程とを含む。前記処理液を供給する工程は、前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する工程と、前記近赤外線で照射されている前記処理液を撮像した撮像画像を生成する工程と、前記撮像画像に基づいて前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域内の前記処理液の種類を特定する工程とを含む。

ある実施形態では、前記処理液を供給する工程において、前記処理液ノズルに対して前記処理液の種類を切り替えて供給する。

ある実施形態では、前記処理液を供給する工程において、前記処理液の種類を特定した結果に基づいて、前記処理液供給部を制御する。

ある実施形態では、前記近赤外線で照射する工程において、前記共通配管を含む領域を近赤外線で照射する。前記特定する工程において、前記撮像画像に基づいて前記共通配管を含む領域内の前記処理液の種類を特定する。

ある実施形態では、前記近赤外線で照射する工程において、前記排出配管を含む領域を近赤外線で照射する。前記特定する工程において、前記撮像画像に基づいて前記排出配管を含む領域内の前記処理液の種類を特定する。

ある実施形態では、前記処理液を供給する工程において、第１の処理液を前記共通配管を介して前記処理液ノズルに供給した後、前記第１の処理液を前記共通配管を介して前記排出配管に供給し、その後、第２の処理液を前記共通配管を介して前記排出配管に供給し、前記撮像画像に基づいて前記共通配管または前記排出配管内が前記第１の処理液から前記第２の処理液に切り替わったことを検出した場合に、前記第２の処理液を前記共通配管を介して前記処理液ノズルに供給する。

ある実施形態では、前記処理液を供給する工程は、前記処理液の種類を示す種類情報を取得する工程と、取得した前記種類情報に基づいて、前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域を照射する近赤外線のピーク波長を変更する工程とを含む。

本発明によれば、処理液供給部内の処理液を高精度に特定することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供できる。

本実施形態の基板処理装置の模式的な平面図である。基板処理装置における基板処理ユニットの模式図である。基板処理装置のブロック図である。本実施形態の基板処理方法のフロー図である。本実施形態の基板処理装置の処理液供給部の構成を示す模式図である。基板処理工程を示すフロー図である。本実施形態の基板処理装置の処理液供給部の構成を示す模式図である。本実施形態の基板処理装置の処理液供給部の構成を示す模式図である。本実施形態の基板処理装置の処理液供給部の構成を示す模式図である。本実施形態の基板処理装置の処理液供給部の構成を示す模式図である。複数の近赤外線光源を備える基板処理装置における基板処理ユニットの模式図である。

以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置および基板処理方法の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載することがある。典型的には、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。

まず、図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００の模式的な平面図である。

図１に示すように、基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。

基板Ｗは、半導体基板として用いられる。基板Ｗは、半導体ウエハを含む。例えば、基板Ｗは略円板状である。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつ処理する。

図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理ユニット１１０と、流体キャビネット１０Ａと、流体ボックス１０Ｂと、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲおよび基板処理ユニット１１０を制御する。

ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する設置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で設置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理ユニット１１０との間で基板Ｗを搬送する。基板処理ユニット１１０の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。流体キャビネット１０Ａは、処理液を収容する。なお、流体キャビネット１０Ａは、気体を収容してもよい。

複数の基板処理ユニット１１０は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成する。各タワーＴＷは、上下に積層された基板処理ユニット１１０（図１では３つの基板処理ユニット１１０）を含む。流体ボックス１０Ｂは、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。流体キャビネット１０Ａ内の処理液は、いずれかの流体ボックス１０Ｂを介して、流体ボックス１０Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理ユニット１１０に供給される。また、流体キャビネット１０Ａ内の気体は、いずれかの流体ボックス１０Ｂを介して、流体ボックス１０Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理ユニット１１０に供給される。

制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、プロセッサーを有する。制御部１０２は、例えば、中央処理演算機（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、制御部１０２は、汎用演算機を有してもよい。

記憶部１０４は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１０４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０２は、記憶部１０４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。

記憶部１０４は、データを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容および処理手順を規定する。

また、記憶部１０４は、基準処理液の輝度値または明度を記憶してもよい。あるいは、記憶部１０４は、基準処理液を撮像した基準画像を記憶してもよい。

次に、図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００における基板処理ユニット１１０を説明する。図２は、基板処理装置１００における基板処理ユニット１１０の模式図である。

基板処理ユニット１１０は、チャンバー１１２と、基板保持部１２０と、ノズル１３６と、処理液供給部２００と、近赤外線光源１４０と、近赤外撮像部１５０とを備える。チャンバー１１２は、基板保持部１２０と、ノズル１３６と、処理液供給部２００、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０の少なくとも一部とを収容している。なお、ノズル１３６は、本発明の「処理液ノズル」の一例である。

チャンバー１１２は、内部空間を有する略箱形状である。チャンバー１１２は、基板Ｗを収容する。ここでは、基板処理ユニット１１０は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー１１２には基板Ｗが１枚ずつ収容される。基板Ｗは、チャンバー１１２内に収容され、チャンバー１１２内で処理される。

基板保持部１２０は、基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は、基板Ｗの上面（表面）Ｗａを上方に向け、基板Ｗの下面（裏面）Ｗｂを鉛直下方に向くように基板Ｗを水平に保持する。また、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。基板Ｗの上面Ｗａは、平坦化されてもよい。または、基板Ｗの上面Ｗａには、デバイス面が設けられてもよく、リセスの設けられたピラー状の積層体が設けられてもよい。基板保持部１２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。

例えば、基板保持部１２０は、基板Ｗの端部を挟持する挟持式であってもよい。あるいは、基板保持部１２０は、基板Ｗを下面Ｗｂから保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部１２０は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部１２０は、非デバイス形成面である基板Ｗの下面Ｗｂの中央部を上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持する。あるいは、基板保持部１２０は、複数のチャックピンを基板Ｗの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。

例えば、基板保持部１２０は、スピンベース１２１と、チャック部材１２２と、シャフト１２３と、電動モーター１２４と、ハウジング１２５とを含む。チャック部材１２２は、スピンベース１２１に設けられる。チャック部材１２２は、基板Ｗをチャックする。典型的には、スピンベース１２１には、複数のチャック部材１２２が設けられる。

シャフト１２３は、中空軸である。シャフト１２３は、回転軸Ａｘに沿って鉛直方向に延びている。シャフト１２３の上端には、スピンベース１２１が結合されている。基板Ｗは、スピンベース１２１の上方に載置される。

スピンベース１２１は、円板状である。チャック部材１２２は、基板Ｗを水平に支持する。シャフト１２３は、スピンベース１２１の中央部から下方に延びる。電動モーター１２４は、シャフト１２３に回転力を与える。電動モーター１２４は、シャフト１２３を回転方向に回転させることにより、回転軸Ａｘを中心に基板Ｗおよびスピンベース１２１を回転させる。ハウジング１２５は、シャフト１２３および電動モーター１２４を取り囲んでいる。

ノズル１３６は、基板Ｗの上面Ｗａに処理液を吐出する。具体的には、ノズル１３６は、基板保持部１２０により保持され回転されている基板Ｗの上面Ｗａに処理液を供給する。また、ノズル１３６は、基板Ｗに複数種類の処理液を供給する。本実施形態では、ノズル１３６は、処理液の種類を切り替えて供給する。ノズル１３６は、基板Ｗに対して移動可能に構成されていることが好ましい。ノズル１３６は、樹脂から構成される。ノズル１３６は、特に限定されるものではないが、例えば、ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）、または、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）によって形成されている。

処理液は、基板Ｗをエッチングするエッチング液であってもよい。エッチング液として、例えば、フッ硝酸（フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ₃）との混合液）、フッ酸、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）および燐酸（Ｈ₃ＰＯ₄）が挙げられる。エッチング液の種類は、特に限定されず、例えば、酸性であってもよいし、アルカリ性であってもよい。

また、処理液は、過酸化水素水を含んでもよい。また、処理液は、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）または王水（濃塩酸と濃硝酸との混合物）を含んでもよい。

または、処理液は、リンス液であってもよい。リンス液として、例えば、脱イオン水（ＤｅｉｏｎｉｚｅｄＷａｔｅｒ：ＤＩＷ）、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈した塩酸水、および、還元水（水素水）が挙げられる。

あるいは、処理液は、有機溶剤であってもよい。典型的には、有機溶剤の揮発性は、リンス液の揮発性よりも高い。有機溶剤として、例えば、イソプロピルアルコール（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌａｌｃｏｈｏｌ：ＩＰＡ）、メタノール、エタノール、アセトン、ハイドロフルオロエーテル（ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｏｅｔｈｅｒ：ＨＦＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ：ＰＧＥＥ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒａｃｅｔａｔｅ：ＰＧＭＥＡ）が挙げられる。

処理液供給部２００は、ノズル１３６に処理液を供給する。本実施形態では、処理液供給部２００は、ノズル１３６に複数種類の処理液を供給する。また、本実施形態では、処理液供給部２００は、ノズル１３６に対して処理液の種類を切り替えて供給する。

処理液供給部２００は、上流配管２１０ａ、上流配管２１０ｂ、共通配管２２０、下流配管２３０および排出配管２４０を有する。上流配管２１０ａの少なくとも一部、上流配管２１０ｂの少なくとも一部、共通配管２２０、下流配管２３０の一部、および、排出配管２４０の少なくとも一部は、流体ボックス１０Ｂ内に配置されている。

上流配管２１０ａ、上流配管２１０ｂ、共通配管２２０、下流配管２３０および排出配管２４０には、処理液が流通する。上流配管２１０ａおよび上流配管２１０ｂには、複数種類の処理液がそれぞれ流通する。言い換えると、上流配管２１０ａおよび上流配管２１０ｂには、異なる種類の処理液がそれぞれ流通する。本実施形態では、上流配管２１０ａには、例えば、供給源からの炭酸水（Ｈ₂ＣＯ₃）が流通する。また、本実施形態では、上流配管２１０ｂには、例えば、供給源からのＳＣ２が流通する。

上流配管２１０ａの下流端および上流配管２１０ｂの下流端は、共通配管２２０に接続されている。

共通配管２２０には、上流配管２１０ａおよび上流配管２１０ｂからの処理液が流通する。共通配管２２０には、上流配管２１０ａおよび上流配管２１０ｂからの処理液が同時に流通されてもよいし、異なるタイミングで流通されてもよい。本実施形態では、共通配管２２０には、上流配管２１０ｂからの処理液が流通された後に、上流配管２１０ａからの処理液が流通される。

下流配管２３０は、共通配管２２０に接続されている。具体的には、下流配管２３０の上流端は、共通配管２２０に接続されている。下流配管２３０には、共通配管２２０からの処理液が流通される。また、下流配管２３０の下流端は、ノズル１３６に接続されている。下流配管２３０は、共通配管２２０からの処理液をノズル１３６に供給する。処理液がノズル１３６を流通することにより、ノズル１３６は、基板Ｗの上面Ｗａ上に処理液を吐出する。

排出配管２４０は、共通配管２２０に接続されている。具体的には、排出配管２４０の上流端は、共通配管２２０に接続されている。排出配管２４０には、共通配管２２０からの処理液が流通される。また、排出配管２４０の下流端は、例えば、処理液タンク２９０に接続されている。例えば、排出配管２４０には、ノズル１３６に供給する処理液を切り替える際に、共通配管２２０から処理液が供給される。

また、処理液供給部２００は、上流バルブ２５１ａ、上流バルブ２５１ｂ、下流バルブ２５２および排出バルブ２５３を有する。上流バルブ２５１ａは、上流配管２１０ａ内の流路を開閉する。上流バルブ２５１ｂは、上流配管２１０ｂ内の流路を開閉する。下流バルブ２５２は、下流配管２３０内の流路を開閉する。排出バルブ２５３は、排出配管２４０内の流路を開閉する。上流バルブ２５１ａ、上流バルブ２５１ｂ、下流バルブ２５２および排出バルブ２５３は、特に限定されるものではないが、例えば、エアバルブである。なお、上流バルブ２５１ａ、上流バルブ２５１ｂ、下流バルブ２５２および排出バルブ２５３は、例えば、エアバルブ以外のバルブであってもよく、流量を変更可能なニードルバルブ、および／または、開閉速度を変更可能なスピードコントローラーを有していてもよい。

処理液供給部２００は、樹脂から構成される。処理液供給部２００は、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線を透過する。具体的には、上流配管２１０ａ、上流配管２１０ｂ、共通配管２２０、下流配管２３０および排出配管２４０は、樹脂から構成されており、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線を透過する。本実施形態では、上流配管２１０ａ、上流配管２１０ｂ、共通配管２２０、下流配管２３０、排出配管２４０、上流バルブ２５１ａ、上流バルブ２５１ｂ、下流バルブ２５２および排出バルブ２５３は、樹脂から構成されており、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線を透過する。上流配管２１０ａ、上流配管２１０ｂ、共通配管２２０、下流配管２３０、排出配管２４０、上流バルブ２５１ａ、上流バルブ２５１ｂ、下流バルブ２５２および排出バルブ２５３は、特に限定されるものではないが、例えば、ＰＦＡまたはＰＴＦＥによって形成されている。

処理液供給部２００は、移動機構１３８を有する。移動機構１３８は、水平方向および鉛直方向にノズル１３６を移動させる。詳しくは、移動機構１３８は、鉛直方向に延びる回転軸線を中心として周方向に沿ってノズル１３６を移動させる。また、移動機構１３８は、ノズル１３６を鉛直方向に昇降させる。

移動機構１３８は、アーム１３８ａと、軸部１３８ｂと、駆動部１３８ｃとを有する。アーム１３８ａは、水平方向に沿って延びている。ノズル１３６は、アーム１３８ａの先端部に配置されている。ノズル１３６は、チャック部材１２２に保持されている基板Ｗの上面Ｗａに向けて処理液を供給できる姿勢で、アーム１３８ａの先端部に配置されている。詳しくは、ノズル１３６は、アーム１３８ａの先端部に結合されて、アーム１３８ａから下方に突出している。アーム１３８ａの基端部は、軸部１３８ｂに結合している。軸部１３８ｂは、鉛直方向に沿って延びている。

駆動部１３８ｃは、回転駆動機構と、昇降駆動機構とを有する。駆動部１３８ｃの回転駆動機構は、回転軸線を中心として軸部１３８ｂを回転させて、軸部１３８ｂを中心にアーム１３８ａを水平面に沿って旋回させる。その結果、ノズル１３６が水平面に沿って移動する。詳しくは、ノズル１３６は、軸部１３８ｂの周りを周方向に沿って移動する。駆動部１３８ｃの回転駆動機構は、例えば、正逆回転可能なモーターを含む。

駆動部１３８ｃの昇降駆動機構は、軸部１３８ｂを鉛直方向に昇降させる。駆動部１３８ｃの昇降駆動機構が軸部１３８ｂを昇降させることにより、ノズル１３６が鉛直方向に昇降する。駆動部１３８ｃの昇降駆動機構は、モーター等の駆動源および昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、軸部１３８ｂを上昇または下降させる。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構またはボールねじを含む。

近赤外線光源１４０は、少なくとも近赤外線を出射する。近赤外線光源１４０は、処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する。本実施形態では、近赤外線光源１４０は、チャンバー１１２の外部であって、処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する。例えば、近赤外線光源１４０は、共通配管２２０の全部または一部を含む領域を近赤外線で照射してもよい。また、例えば、近赤外線光源１４０は、下流配管２３０の一部を含む領域を近赤外線で照射してもよい。また、例えば、近赤外線光源１４０は、共通配管２２０の全部と下流配管２３０の一部とを含む領域を近赤外線で照射してもよい。

例えば、近赤外線光源１４０は、例えば、波長８００ｎｍ以上２．５μｍ以下の範囲に含まれる波長の近赤外線を出射する。典型的には、近赤外線光源１４０は、少なくとも波長８００ｎｍ以上１．５μｍ以下の範囲に含まれる波長の近赤外線を出射する。なお、近赤外線光源１４０は、近赤外線とともに可視光を出射してもよい。

例えば、近赤外線光源１４０から出射される近赤外線は、光軸に沿って直線状に進む。または、近赤外線光源１４０から出射される近赤外線は、光軸を中心として広がりながら進む。近赤外線光源１４０の光軸が処理液供給部２００を通るように近赤外線光源１４０が配置されることが好ましい。本実施形態では、近赤外線光源１４０の光軸が共通配管２２０または下流配管２３０を通るように近赤外線光源１４０が配置されている。

近赤外撮像部１５０は、複数の画素を有する。近赤外撮像部１５０は、少なくとも近赤外線に対して感度を有する。近赤外撮像部１５０は、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線のうち処理液供給部２００等を透過および／または反射された成分を受光することによって処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像して撮像画像を生成する。このため、近赤外撮像部１５０は、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線で照射されている処理液を撮像して撮像画像を生成することが可能である。

近赤外撮像部１５０は、処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像する。本実施形態では、近赤外撮像部１５０は、チャンバー１１２の外部であって、処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像する。例えば、近赤外撮像部１５０は、共通配管２２０の全部または一部を含む領域を撮像してもよい。また、例えば、近赤外撮像部１５０は、下流配管２３０の一部を含む領域を撮像してもよい。また、例えば、近赤外撮像部１５０は、共通配管２２０の全部と下流配管２３０の一部とを含む領域を撮像してもよい。なお、近赤外撮像部１５０は、チャンバー１１２内の全体を含む領域を撮像してもよい。近赤外撮像部１５０が撮像する領域は、近赤外線光源１４０が照射する領域と一致しなくてもよい。

近赤外撮像部１５０において、フレームレートは、３０ｆｐｓであってもよく、６０ｆｐｓであってもよい。あるいは、フレームレートは、１２０ｆｐｓであってもよい。

近赤外撮像部１５０は、ＳＷＩＲ（ＳｈｏｒｔＷａｖｅｌｅｎｇｔｈＩｎｆｒａ－Ｒｅｄ）イメージセンサを含んでもよい。この場合、近赤外撮像部１５０は、例えば、波長８００ｎｍ以上２．５μｍ以下の範囲に含まれる波長の近赤外線を検知する。

なお、近赤外撮像部１５０は、近赤外線だけでなく可視光に対して感度を有してもよい。あるいは、近赤外撮像部１５０は、近赤外線および可視光を切り換えて受光してもよい。

近赤外撮像部１５０は、撮像光軸を中心とした周囲を撮像する。典型的には、撮像光軸は、撮像画像の中心に位置する。例えば、近赤外撮像部１５０の撮像画像の中心は、処理液供給部２００に位置する。また、例えば、近赤外撮像部１５０の撮像画像の中心は、共通配管２２０に位置する。この場合、近赤外撮像部１５０の撮像光軸は、共通配管２２０に位置する。あるいは、近赤外撮像部１５０の撮像画像の中心は、下流配管２３０に位置してもよい。

近赤外撮像部１５０は、処理液供給部２００の少なくとも一部を撮像した撮像画像を生成する。撮像画像により、処理液供給部２００の少なくとも一部内の処理液を特定できることが好ましい。例えば、撮像画像により、処理液供給部２００の少なくとも一部内の複数の処理液の種類を特定できることが好ましい。また、例えば、撮像画像により、処理液供給部２００の少なくとも一部内の処理液の外縁の位置を特定できることが好ましい。

流体ボックス１０Ｂを平面視する場合、近赤外線光源１４０の光軸および近赤外撮像部１５０の撮像光軸は、処理液供給部２００の少なくとも一部を通過する。また、流体ボックス１０Ｂを平面視する場合、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、処理液供給部２００を挟んで反対側に配置されてもよい。また、流体ボックス１０Ｂを平面視する場合、近赤外線光源１４０の光軸および近赤外撮像部１５０の撮像光軸は、一致してもよいし、平行であってもよい。また、流体ボックス１０Ｂを平面視する場合、近赤外線光源１４０の光軸および近赤外撮像部１５０の撮像光軸は、平行でなくてもよい。

ここでは、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、流体ボックス１０Ｂの内部に配置される。近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、互いに固定して配置されてもよい。

近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、基板Ｗに対して移動可能であってもよい。例えば、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、制御部１０２によって制御される移動機構にしたがって水平方向および／または鉛直方向に移動可能であることが好ましい。近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０が移動する場合、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、互いに独立に移動可能であってもよい。あるいは、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、一体として移動可能であってもよい。

処理液は、有機物を含有してもよい。例えば、有機物において、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｏ、Ｃ－Ｎ、Ｃ－Ｆなどの結合は、近赤外線に含まれる特定の波長を吸収する。近赤外線の特定の波長の吸収量は、特定の結合基を有する成分の量に比例するため、基板Ｗから反射される近赤外線に基づいて、基板Ｗの特定成分の存在量を測定できる。

基板処理装置１００は、カップ１８０をさらに備える。カップ１８０は、基板Ｗから飛散した処理液を回収する。カップ１８０は昇降する。例えば、カップ１８０は、ノズル１３６が基板Ｗに処理液を供給する期間にわたって基板Ｗの側方にまで鉛直上方に上昇する。この場合、カップ１８０は、基板Ｗの回転によって基板Ｗから飛散する処理液を回収する。また、カップ１８０は、ノズル１３６が基板Ｗに処理液を供給する期間が終了すると、基板Ｗの側方から鉛直下方に下降する。

上述したように、制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、基板保持部１２０、処理液供給部２００、近赤外線光源１４０、近赤外撮像部１５０および／またはカップ１８０を制御する。一例では、制御部１０２は、電動モーター１２４、上流バルブ２５１ａ、上流バルブ２５１ｂ、下流バルブ２５２、排出バルブ２５３、移動機構１３８、近赤外線光源１４０、近赤外撮像部１５０および／またはカップ１８０を制御する。

本実施形態の基板処理装置１００によれば、近赤外線光源１４０からの近赤外線で照射された処理液を近赤外撮像部１５０で撮像する。詳しくは、処理液供給部２００の少なくとも一部内の処理液を近赤外撮像部１５０で撮像する。典型的には、処理液供給部２００は、透明であって可視光および近赤外線を透過する。処理液は、透明であって可視光を透過する。一方で、処理液は、近赤外領域において比較的強い吸収を示すことが多い。このため、近赤外撮像部１５０で処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像した撮像画像において処理液の外縁を特定できる。具体的には、撮像画像のうちの上流配管２１０ａ、上流配管２１０ｂ、共通配管２２０、下流配管２３０および排出配管２４０を示す部分では、輝度または明度が高くなる。その一方、撮像画像のうちの処理液を示す部分では、輝度または明度が低くなる。このため、撮像画像において処理液の外縁を特定できる。

また、処理液は、種類に応じて、近赤外領域において特有の吸収を示すことが多い。このため、近赤外撮像部１５０で処理液供給部２００の少なくとも一部内の処理液を撮像した撮像画像において、処理液の種類に応じて処理液の輝度または明度が異なる。よって、撮像画像における処理液の輝度または明度に基づいて、処理液の種類を特定できる。

あるいは、処理液に応じて強い吸収を示す波長が異なることから、近赤外線光源１４０は、出射する近赤外線の波長を変化させてもよい。これにより、処理液の外縁および種類を容易に特定できる。

本実施形態の基板処理装置１００は、半導体の設けられた半導体素子の作製に好適に用いられる。典型的には、半導体素子において、基材の上に導電層および絶縁層が積層される。基板処理装置１００は、半導体素子の製造時に、導電層および／または絶縁層の洗浄および／または加工（例えば、エッチング、特性変化等）に好適に用いられる。

次に、図１～図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３は、基板処理装置１００のブロック図である。

図３に示すように、制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。制御装置１０１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部１２０、処理液供給部２００、近赤外線光源１４０、近赤外撮像部１５０およびカップ１８０を制御する。具体的には、制御装置１０１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部１２０、処理液供給部２００、近赤外線光源１４０、近赤外撮像部１５０およびカップ１８０に制御信号を送信することによって、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部１２０、処理液供給部２００、近赤外線光源１４０、近赤外撮像部１５０およびカップ１８０を制御する。

また、記憶部１０４は、コンピュータプログラムおよびデータを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容、処理手順および基板処理条件を規定する。制御部１０２は、記憶部１０４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。

また、レシピデータは、供給源から共通配管２２０に供給される処理液の種類を示す種類情報を含む。また、記憶部１０４は、処理液の種類と基準画像における処理液の輝度または明度とを関連付けたデータを予め記憶している。

制御部１０２は、インデクサーロボットＩＲを制御して、インデクサーロボットＩＲによって基板Ｗを受け渡しする。

制御部１０２は、センターロボットＣＲを制御して、センターロボットＣＲによって基板Ｗを受け渡しする。例えば、センターロボットＣＲは、未処理の基板Ｗを受け取って、複数のチャンバー１１２のうちのいずれかに基板Ｗを搬入する。また、センターロボットＣＲは、処理された基板Ｗをチャンバー１１２から受け取って、基板Ｗを搬出する。

制御部１０２は、基板保持部１２０を制御して、基板Ｗの回転の開始、回転速度の変更および基板Ｗの回転の停止を制御する。例えば、制御部１０２は、基板保持部１２０を制御して、基板保持部１２０の回転速度を変更することができる。具体的には、制御部１０２は、基板保持部１２０の電動モーター１２４の回転速度を変更することによって、基板Ｗの回転速度を変更できる。

制御部１０２は、処理液供給部２００の上流バルブ２５１ａ、上流バルブ２５１ｂ、下流バルブ２５２および排出バルブ２５３を制御して、上流バルブ２５１ａ、上流バルブ２５１ｂ、下流バルブ２５２および排出バルブ２５３の状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。例えば、制御部１０２は、上流バルブ２５１ａを制御して上流バルブ２５１ａを開状態にすることによって、共通配管２２０に向かって上流配管２１０ａ内を流れる処理液を通過させることができる。また、例えば、制御部１０２は、上流バルブ２５１ａを制御して上流バルブ２５１ａを閉状態にすることによって、共通配管２２０に向かって上流配管２１０ａ内を流れる処理液の供給を停止させることができる。

制御部１０２は、上流バルブ２５１ａ、上流バルブ２５１ｂ、下流バルブ２５２および排出バルブ２５３を制御して、ノズル１３６に供給する処理液を変更することができる。具体的には、ノズル１３６に供給する処理液をＳＣ２から炭酸水に変更する場合、制御部１０２は、上流バルブ２５１ｂを開状態にしてＳＣ２を共通配管２２０に供給するとともに、下流バルブ２５２を開状態にしてＳＣ２を共通配管２２０から下流配管２３０に供給する。そして、制御部１０２は、下流バルブ２５２を閉状態にするとともに排出バルブ２５３を開状態にすることによって、ＳＣ２を共通配管２２０から排出配管２４０に供給する。その後、制御部１０２は、上流バルブ２５１ｂを閉状態にするとともに上流バルブ２５１ａを開状態にして炭酸水を共通配管２２０に供給する。そして、制御部１０２は、共通配管２２０または排出配管２４０内の処理液がＳＣ２から炭酸水に切り替わったことを検出した場合に、排出バルブ２５３を閉状態にするとともに下流バルブ２５２を開状態にすることによって、炭酸水を共通配管２２０および下流配管２３０を介してノズル１３６に供給する。

制御部１０２は、処理液供給部２００の移動機構１３８を制御して、ノズル１３６を移動させることができる。具体的には、制御部１０２は、処理液供給部２００の移動機構１３８を制御して、ノズル１３６を基板Ｗの上面Ｗａの上方に移動できる。また、制御部１０２は、処理液供給部２００の移動機構１３８を制御して、ノズル１３６を基板Ｗの上面Ｗａの上方から離れた退避位置に移動できる。

制御部１０２は、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０を制御して、処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像して撮像画像を生成する。制御部１０２は、近赤外線光源１４０を制御して処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する。また、制御部１０２は、近赤外撮像部１５０を制御して処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像して撮像画像を生成する。

例えば、制御部１０２は、近赤外線光源１４０から処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域に向けて近赤外線を出射し、近赤外撮像部１５０において各部材を透過または反射された近赤外線を受光して輝度値または明度を測定するように近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０を制御する。なお、制御部１０２は、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０を制御して近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０を処理液供給部２００に対して移動させてもよい。

制御部１０２は、撮像画像内の輝度値または明度に基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定する。撮像画像内の輝度値または明度と、記憶部１０４に記憶された基準処理液の輝度値または明度とに基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定する。あるいは、制御部１０２は、撮像画像と基準画像とに基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定する。

また、制御部１０２は、撮像画像において処理液の外縁を特定する。例えば、制御部１０２は、撮像画像内の輝度値または明度に基づいて、撮像画像における処理液の外縁を特定する。一例では、制御部１０２は、撮像画像内の輝度値または明度と、記憶部１０４に記憶された基準処理液の輝度値または明度と基づいて、撮像画像における処理液の外縁を特定する。あるいは、制御部１０２は、撮像画像と基準画像とに基づいて、撮像画像における処理液の外縁を特定する。

制御部１０２は、カップ１８０を制御して基板Ｗに対してカップ１８０を移動させてもよい。具体的には、制御部１０２は、処理液供給部２００が基板Ｗに処理液を供給する期間にわたって基板Ｗの側方にまで鉛直上方にカップ１８０を上昇させる。また、制御部１０２は、処理液供給部２００が基板Ｗに処理液を供給する期間が終了すると、基板Ｗの側方から鉛直下方にカップ１８０を下降させる。

本実施形態の基板処理装置１００は、半導体素子を形成するために好適に用いられる。例えば、基板処理装置１００は、積層構造の半導体素子として用いられる基板Ｗを処理するために好適に利用される。半導体素子は、いわゆる３Ｄ構造のメモリ（記憶装置）である。一例として、基板Ｗは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリとして好適に用いられる。

次に、図１～図４を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図４は、本実施形態の基板処理方法のフロー図である。なお、ステップＳＢは、本発明の「基板を回転させる工程」の一例である。ステップＳＣは、本発明の「複数種類の処理液を供給する工程」の一例である。

図４に示すように、ステップＳＡにおいて、基板Ｗは、基板処理装置１００に搬入される。具体的には、基板Ｗは、インデクサーロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲを介して基板処理ユニット１１０のチャンバー１１２に搬入される。

ステップＳＢにおいて、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持する。具体的には、基板Ｗは、チャンバー１１２に搬入されると、基板保持部１２０により保持される。

ステップＳＣにおいて、制御部１０２は、基板Ｗを処理する。基板Ｗは、基板処理ユニット１１０において処理される。典型的には、基板保持部１２０が基板Ｗを保持したまま回転させ、処理液供給部２００はノズル１３６に対して処理液を供給し、ノズル１３６は基板Ｗに処理液を供給する。制御部１０２は、基板Ｗへの処理液の供給を開始してから所定時間経過すると、基板Ｗへの処理液の供給を停止する。

本実施形態では、ステップＳＣで、制御部１０２は、処理液供給部２００からノズル１３６に複数種類の処理液の種類を切り替えながら供給する。具体的には、制御部１０２は、第１の処理液（ここでは、ＳＣ２）により基板Ｗを処理する。その後、制御部１０２は、処理液を第１の処理液から第２の処理液（炭酸水）に切り替え、第２の処理液により基板Ｗを処理する。

また、本実施形態では、ステップＳＣで、近赤外線光源１４０は、近赤外線を出射する。処理液供給部２００の少なくとも一部は、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線で照射される。例えば、処理液供給部２００の共通配管２２０は、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線で照射される。近赤外撮像部１５０は、近赤外線が照射された処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像する。例えば、近赤外撮像部１５０は、近赤外線が照射された共通配管２２０を撮像する。近赤外撮像部１５０から近赤外線が照射された処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像することにより、処理液供給部２００の少なくとも一部内の処理液が実質的に透明であっても処理液を高精度に撮像できる。

また、本実施形態では、ステップＳＣで、制御部１０２は、近赤外撮像部１５０を制御して処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像した画像を生成する。本実施形態では、制御部１０２は、処理液供給部２００に供給する処理液を切り替える際に、近赤外撮像部１５０により処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像する。具体的には、制御部１０２は、近赤外線光源１４０を制御して近赤外線を出射する。処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域は、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線で照射される。また、制御部１０２は、近赤外撮像部１５０を制御して近赤外線が照射されている領域の少なくとも一部を撮像する。具体的には、制御部１０２は、処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像する。近赤外撮像部１５０から近赤外線が照射されている処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像することにより、処理液供給部２００の少なくとも一部内の処理液が実質的に透明であっても処理液を高精度に撮像できる。

また、本実施形態では、ステップＳＣで、制御部１０２は、撮像画像に基づいて、処理液供給部２００の少なくとも一部内の処理液の外縁の位置を特定する。また、制御部１０２は、撮像画像に基づいて、処理液供給部２００の少なくとも一部内の処理液の種類を特定する。これにより、処理液供給部２００内で処理液の種類が切り替わったか否かを検出することができる。

ステップＳＤにおいて、制御部１０２は、基板保持部１２０による基板Ｗの回転を停止するとともに、基板保持部１２０による基板Ｗの保持を解除する。

ステップＳＥにおいて、基板Ｗは、基板処理装置１００から搬出される。具体的には、基板Ｗは、センターロボットＣＲおよびインデクサーロボットＩＲを介して基板処理ユニット１１０のチャンバー１１２から搬出される。

本実施形態によれば、制御部１０２は、近赤外撮像部１５０を制御して処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像する。言い換えると、近赤外線光源１４０からの近赤外線で照射されている処理液を近赤外撮像部１５０で撮像する。処理液は、近赤外線を比較的強く吸収するため、処理液の外縁を高精度に特定できる。

また、制御部１０２は、近赤外撮像部１５０により、処理液供給部２００の少なくとも一部内の処理液を撮像する。従って、撮像画像により、処理液供給部２００の少なくとも一部内の処理液の種類を特定できる。このため、例えば、ノズル１３６に供給する処理液の種類を切り替える場合に、処理液供給部２００内の処理液が切り替わったか否かを確認できる。

次に、図５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の処理液供給部２００についてさらに説明する。図５は、本実施形態の基板処理装置１００の処理液供給部２００の構成を示す模式図である。

図５に示すように、処理液供給部２００は、多連弁３００を有する。多連弁３００は、ベース３１０と、上流バルブ２５１ａ、上流バルブ２５１ｂ、下流バルブ２５２および排出バルブ２５３とによって構成されている。

ベース３１０は、共通流路３１１と、上流流路３１２ａ、上流流路３１２ｂ、下流流路３１２ｃおよび排出流路３１２ｄとを有する。共通流路３１１は、略直線状に延びる。共通流路３１１の両端は、閉塞されている。上流流路３１２ａ、上流流路３１２ｂ、下流流路３１２ｃおよび排出流路３１２ｄの各々は、共通流路３１１と連通している。上流流路３１２ａ、上流流路３１２ｂ、下流流路３１２ｃおよび排出流路３１２ｄの各々は、共通流路３１１が延びる方向に対して交差する方向に延びる。上流流路３１２ａ、上流流路３１２ｂ、下流流路３１２ｃおよび排出流路３１２ｄは、共通流路３１１の一方端部から他方端部に向かって順に接続されている。上流流路３１２ａは、共通流路３１１の一方端部に接続されており、排出流路３１２ｄは、共通流路３１１の他方端部に接続されている。

ベース３１０は、樹脂から構成されており、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線を透過する。ベース３１０は、特に限定されるものではないが、例えば、ＰＦＡまたはＰＴＦＥによって形成されている。

ここで、本実施形態では、処理液供給部２００は、上流チューブ２１１ａと、上流チューブ２１１ｂと、下流チューブ２３１と、排出チューブ２４１とを有する。上流チューブ２１１ａは、上流配管２１０ａを構成する。上流チューブ２１１ｂは、上流配管２１０ｂを構成する。下流チューブ２３１は、下流配管２３０を構成する。排出チューブ２４１は、排出配管２４０を構成する。

上流チューブ２１１ａ、上流チューブ２１１ｂ、下流チューブ２３１および排出チューブ２４１は、樹脂から構成されており、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線を透過する。上流チューブ２１１ａ、上流チューブ２１１ｂ、下流チューブ２３１および排出チューブ２４１は、特に限定されるものではないが、例えば、ＰＦＡまたはＰＴＦＥによって形成されている。

上流流路３１２ａの一端（下流端）は、共通流路３１１に接続している。上流チューブ２１１ａの一端（下流端）は、上流流路３１２ａの他端（上流端）に接続し、上流チューブ２１１ａの他端（上流端）は、供給源に接続している。上流チューブ２１１ａの流路は、上流流路３１２ａと連通している。

上流流路３１２ｂの一端（下流端）は、共通流路３１１に接続している。上流チューブ２１１ｂの一端（下流端）は、上流流路３１２ｂの他端（上流端）に接続し、上流チューブ２１１ｂの他端（上流端）は、供給源に接続している。上流チューブ２１１ｂの流路は、上流流路３１２ｂと連通している。

下流流路３１２ｃの一端（上流端）は、共通流路３１１に接続している。下流チューブ２３１の一端（上流端）は、下流流路３１２ｃの他端（下流端）に接続し、下流チューブ２３１の他端（下流端）は、ノズル１３６に接続している。下流チューブ２３１の流路は、下流流路３１２ｃと連通している。

排出流路３１２ｄの一端（上流端）は、共通流路３１１に接続している。排出チューブ２４１の一端（上流端）は、排出流路３１２ｄの他端（下流端）に接続し、排出チューブ２４１の他端（下流端）は、処理液タンク２９０に接続している。排出チューブ２４１の流路は、排出流路３１２ｄと連通している。

ベース３１０は、共通配管部３２１と、上流配管部３２２ａ、上流配管部３２２ｂ、下流配管部３２２ｃおよび排出配管部３２２ｄとを有する。なお、図５では、理解を容易にするために、共通配管部３２１、上流配管部３２２ａ、上流配管部３２２ｂ、下流配管部３２２ｃおよび排出配管部３２２ｄを破線で示している。

共通配管部３２１は、共通流路３１１を構成し、共通流路３１１が延びる方向に延びる。共通配管部３２１は、ベース３１０のうち、共通流路３１１を囲う部分である。本実施形態では、共通配管部３２１によって、共通配管２２０が構成されている。

上流配管部３２２ａは、上流流路３１２ａを構成し、上流流路３１２ａが延びる方向に延びる。上流配管部３２２ａは、ベース３１０のうち、上流流路３１２ａを囲う部分である。本実施形態では、上流配管部３２２ａおよび上流チューブ２１１ａによって、上流配管２１０ａが構成されている。

上流配管部３２２ｂは、上流流路３１２ｂを構成し、上流流路３１２ｂが延びる方向に延びる。上流配管部３２２ｂは、ベース３１０のうち、上流流路３１２ｂを囲う部分である。本実施形態では、上流配管部３２２ｂおよび上流チューブ２１１ｂによって、上流配管２１０ｂが構成されている。

下流配管部３２２ｃは、下流流路３１２ｃを構成し、下流流路３１２ｃが延びる方向に延びる。下流配管部３２２ｃは、ベース３１０のうち、下流流路３１２ｃを囲う部分である。本実施形態では、下流配管部３２２ｃおよび下流チューブ２３１によって、下流配管２３０が構成されている。

排出配管部３２２ｄは、排出流路３１２ｄを構成し、排出流路３１２ｄが延びる方向に延びる。排出配管部３２２ｄは、ベース３１０のうち、排出流路３１２ｄを囲う部分である。本実施形態では、排出配管部３２２ｄおよび排出チューブ２４１によって、排出配管２４０が構成されている。

上流バルブ２５１ａは、閉塞位置と開放位置との間で移動可能である。上流バルブ２５１ａの閉塞位置は、上流バルブ２５１ａが上流流路３１２ａの一端を閉塞する位置を示す。上流バルブ２５１ａの開放位置は、上流バルブ２５１ａが上流流路３１２ａの一端を開放して、上流流路３１２ａと共通流路３１１とを連通させる位置を示す。

上流バルブ２５１ａが開放位置から閉塞位置に移動すると、上流流路３１２ａの一端が閉塞されて、上流流路３１２ａと共通流路３１１とは連通しなくなる。つまり、上流バルブ２５１ａが開放位置から閉塞位置に移動すると、上流配管２１０ａと共通配管２２０とが連通しなくなる。一方、上流バルブ２５１ａが閉塞位置から開放位置に移動すると、上流流路３１２ａの一端が開放されて、上流流路３１２ａと共通流路３１１とが連通する。つまり、上流バルブ２５１ａが閉塞位置から開放位置に移動すると、上流配管２１０ａと共通配管２２０とが連通する。

上流バルブ２５１ｂは、閉塞位置と開放位置との間で移動可能である。上流バルブ２５１ｂの閉塞位置は、上流バルブ２５１ｂが上流流路３１２ｂの一端を閉塞する位置を示す。上流バルブ２５１ｂの開放位置は、上流バルブ２５１ｂが上流流路３１２ｂの一端を開放して、上流流路３１２ｂと共通流路３１１とを連通させる位置を示す。

上流バルブ２５１ｂが開放位置から閉塞位置に移動すると、上流流路３１２ｂの一端が閉塞されて、上流流路３１２ｂと共通流路３１１とは連通しなくなる。つまり、上流バルブ２５１ｂが開放位置から閉塞位置に移動すると、上流配管２１０ｂと共通配管２２０とが連通しなくなる。一方、上流バルブ２５１ｂが閉塞位置から開放位置に移動すると、上流流路３１２ｂの一端が開放されて、上流流路３１２ｂと共通流路３１１とが連通する。つまり、上流バルブ２５１ｂが閉塞位置から開放位置に移動すると、上流配管２１０ｂと共通配管２２０とが連通する。

下流バルブ２５２は、閉塞位置と開放位置との間で移動可能である。下流バルブ２５２の閉塞位置は、下流バルブ２５２が下流流路３１２ｃの一端を閉塞する位置を示す。下流バルブ２５２の開放位置は、下流バルブ２５２が下流流路３１２ｃの一端を開放して、下流流路３１２ｃと共通流路３１１とを連通させる位置を示す。

下流バルブ２５２が開放位置から閉塞位置に移動すると、下流流路３１２ｃの一端が閉塞されて、下流流路３１２ｃと共通流路３１１とは連通しなくなる。つまり、下流バルブ２５２が開放位置から閉塞位置に移動すると、下流配管２３０と共通配管２２０とが連通しなくなる。一方、下流バルブ２５２が閉塞位置から開放位置に移動すると、下流流路３１２ｃの一端が開放されて、下流流路３１２ｃと共通流路３１１とが連通する。つまり、下流バルブ２５２が閉塞位置から開放位置に移動すると、下流配管２３０と共通配管２２０とが連通する。

排出バルブ２５３は、閉塞位置と開放位置との間で移動可能である。排出バルブ２５３の閉塞位置は、排出バルブ２５３が排出流路３１２ｄの一端を閉塞する位置を示す。排出バルブ２５３の開放位置は、排出バルブ２５３が排出流路３１２ｄの一端を開放して、排出流路３１２ｄと共通流路３１１とを連通させる位置を示す。

排出バルブ２５３が開放位置から閉塞位置に移動すると、排出流路３１２ｄの一端が閉塞されて、排出流路３１２ｄと共通流路３１１とは連通しなくなる。つまり、排出バルブ２５３が開放位置から閉塞位置に移動すると、排出配管２４０と共通配管２２０とが連通しなくなる。一方、排出バルブ２５３が閉塞位置から開放位置に移動すると、排出流路３１２ｄの一端が開放されて、排出流路３１２ｄと共通流路３１１とが連通する。つまり、排出バルブ２５３が開放位置から閉塞位置に移動すると、排出配管２４０と共通配管２２０とが連通する。

次に、図１～図１０を参照して、本実施形態の基板処理方法における基板処理工程（図４のステップＳＣ）を説明する。図６は、基板処理工程を示すフロー図である。図７～図１０は、本実施形態の基板処理装置１００の処理液供給部２００の構成を示す模式図である。なお、ステップＳ１５は、本発明の「種類情報を取得する工程」の一例である。ステップＳ１６は、本発明の「近赤外線で照射する工程」の一例である。ステップＳ１７は、本発明の「撮像画像を生成する工程」の一例である。ステップＳ１８は、本発明の「処理液の種類を特定する工程」の一例である。

図６に示すように、ステップＳＣは、ステップＳ１１～ステップＳ２１を含む。なお、本実施形態では、ステップＳ１１が開始される時点において、上流バルブ２５１ａ、上流バルブ２５１ｂ、下流バルブ２５２および排出バルブ２５３は、閉状態になっている。

ステップＳ１１において、第１の処理液（ここでは、ＳＣ２）をノズル１３６に供給する。具体的には、図５に示すように、制御部１０２は、上流バルブ２５１ｂおよび下流バルブ２５２を閉状態から開状態にし、上流バルブ２５１ａおよび排出バルブ２５３を閉状態に維持する。これにより、第１の処理液は、上流配管２１０ｂから共通配管２２０および下流配管２３０を介してノズル１３６に供給される。従って、ノズル１３６から基板Ｗへの第１の処理液の供給が開始される。上流バルブ２５１ｂおよび下流バルブ２５２を開状態にしてから所定時間（例えば、数十秒）が経過すると、処理は、ステップＳ１２に進む。

次に、ステップＳ１２において、第１の処理液（ここでは、ＳＣ２）を排出配管２４０に供給する。具体的には、図７に示すように、制御部１０２は、下流バルブ２５２を開状態から閉状態にし、排出バルブ２５３を閉状態から開状態にする。これにより、第１の処理液は、上流配管２１０ｂから共通配管２２０を介して排出配管２４０に供給される。従って、ノズル１３６から基板Ｗへの第１の処理液の供給が停止される。また、第１の処理液は、排出配管２４０から処理液タンク２９０に排出される。排出バルブ２５３が開状態にされてから所定時間（例えば、１秒以下）が経過すると、処理はステップＳ１３に進む。

次に、ステップＳ１３において、第１の処理液の供給が停止される。具体的には、制御部１０２は、上流バルブ２５１ｂを開状態から閉状態にする。これにより、第１の処理液は、共通配管２２０に供給されなくなる。

次に、ステップＳ１４において、第２の処理液（ここでは、炭酸水）を排出配管２４０に供給する。具体的には、図８に示すように、制御部１０２は、上流バルブ２５１ａを閉状態から開状態にする。これにより、第２の処理液は、上流配管２１０ａから共通配管２２０を介して排出配管２４０に供給される。

なお、上流配管２１０ａから共通配管２２０への第２の処理液の供給が開始されたとしても、共通配管２２０内の処理液は、第１の処理液から第２の処理液にすぐに切り替わらない。具体的には、図９に示すように、共通配管２２０には、例えば、上流バルブ２５１ａ、上流バルブ２５１ｂ、下流バルブ２５２および排出バルブ２５３が配置されていたり、上流配管２１０ｂおよび下流配管２３０が接続されていたりするため、第１の処理液Ｌ１の一部が共通配管２２０内で滞留する。なお、図９では、理解を容易にするために、第１の処理液に符号「Ｌ１」を付し、第２の処理液に符号「Ｌ２」を付している。また、理解を容易にするために、第１の処理液Ｌ１および第２の処理液Ｌ２のみにハッチングを施している。

次に、ステップＳ１５において、処理液の種類を示す種類情報を取得する。具体的には、制御部１０２は、例えば、レシピデータから、共通配管２２０に供給されている処理液の種類を示す種類情報を取得する。

次に、ステップＳ１６において、近赤外線光源１４０は、処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する。具体的には、制御部１０２は、近赤外線光源１４０により、処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する。本実施形態では、制御部１０２は、近赤外線光源１４０により、共通配管２２０を含む領域を近赤外線で照射する。なお、制御部１０２は、近赤外線光源１４０により、排出配管２４０の一部（例えば、排出配管２４０のうちの上流側の部分）を含む領域を近赤外線で照射してもよい。

次に、ステップＳ１７において、近赤外撮像部１５０は、近赤外線で照射されている処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像する。具体的には、制御部１０２は、近赤外撮像部１５０により、近赤外線で照射されている処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像する。本実施形態では、制御部１０２は、近赤外撮像部１５０により、近赤外線で照射されている共通配管２２０を含む領域を撮像する。なお、制御部１０２は、近赤外撮像部１５０により、近赤外線で照射されている排出配管２４０の一部を含む領域を撮像してもよい。

ステップＳ１７で、近赤外撮像部１５０は、近赤外線で照射されている処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を撮像して撮像画像を生成する。なお、近赤外線光源１４０が近赤外線の出射を開始するタイミングは、近赤外撮像部１５０が撮像を開始するタイミングと同じであっても異なってもよい。また、近赤外線光源１４０が近赤外線の出射を開始するタイミングは、近赤外撮像部１５０が撮像を開始するタイミングよりも早くても遅くてもよい。また、近赤外線光源１４０が近赤外線の出射を開始するタイミングは、ステップＳ１４において第２の処理液を排出配管２４０に供給し始めるタイミングと同じであっても異なってもよい。また、近赤外線光源１４０が近赤外線の出射を開始するタイミングは、ステップＳ１４において第２の処理液を排出配管２４０に供給し始めるタイミングよりも早くても遅くてもよい。

次に、ステップＳ１８において、撮像画像に基づいて処理液の種類を特定する。具体的には、制御部１０２は、撮像画像に基づいて処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域内の処理液の種類を特定する。本実施形態では、制御部１０２は、撮像画像に基づいて共通配管２２０内の処理液の種類を特定する。なお、制御部１０２は、撮像画像に基づいて排出配管２４０内の処理液の種類を特定してもよい。

より具体的には、制御部１０２は、近赤外撮像部１５０によって生成された撮像画像内の輝度値または明度に基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定する。または、制御部１０２は、撮像画像内の輝度値または明度と、記憶部１０４に記憶された基準処理液の輝度値または明度に基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定する。あるいは、制御部１０２は、撮像画像と基準画像とに基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定する。

また、制御部１０２は、近赤外撮像部１５０によって生成された撮像画像に基づいて、撮像画像内の処理液の外縁の位置を特定する。例えば、制御部１０２は、撮像画像内の輝度値または明度に基づいて、撮像画像における処理液の外縁の位置を特定する。例えば、制御部１０２は、撮像画像内の輝度値または明度と、記憶部１０４に記憶された基準処理液の輝度値または明度と基づいて、撮像画像における処理液の外縁の位置を特定する。あるいは、制御部１０２は、撮像画像と基準画像とに基づいて、撮像画像における処理液の外縁の位置を特定する。または、例えば、制御部１０２は、撮像画像のうち、輝度値または明度が所定範囲内である領域を処理液であると判定し、輝度値または明度が所定範囲内である領域の外縁を処理液の外縁であると判定してもよい。

また、制御部１０２は、撮像画像内の輝度値または明度と、種類情報とに基づいて、撮像画像内における第２の処理液の位置を特定する。また、制御部１０２は、撮像画像内の輝度値または明度と、記憶部１０４に記憶された基準処理液の輝度値または明度と、種類情報とに基づいて、撮像画像の所定領域（例えば、共通配管２２０に対応する領域）において、第１の処理液が位置する領域と第２の処理液が位置する領域とを識別してもよい。また、例えば、制御部１０２は、撮像画像の所定領域（例えば、共通配管２２０に対応する領域）において、第２の処理液に対応する輝度値または明度を有する画素数が、所定領域の全画素数に占める割合を算出してもよい。なお、制御部１０２は、所定領域の全画素の輝度値または明度の合計を算出してもよい。

次に、ステップＳ１９において、撮像画像内の輝度値または明度が所定条件を満たすか否かを判定する。具体的には、制御部１０２は、ステップＳ１８で算出した値が所定条件を満たすか否かを判定する。例えば、制御部１０２は、第２の処理液が位置する領域が、撮像画像の所定領域（例えば、共通配管２２０に対応する領域）の所定値（例えば、９９％）以上であるか否かを判定する。また、例えば、制御部１０２は、算出した上記割合が所定値（例えば、９９％）以上であるか否かを判定してもよい。なお、制御部１０２は、算出した上記合計が所定値以上であるか否かを判定してもよい。

ステップＳ１９で、所定条件を満たさないと制御部１０２が判定した場合、処理は、ステップＳ１８に戻る。つまり、処理液供給部２００の少なくとも一部（ここでは、共通配管２２０）において、処理液が第１の処理液から第２の処理液に十分に切り替わっていない場合、処理は、ステップＳ１８に戻る。

その一方、ステップＳ１９で、所定条件を満たすと制御部１０２が判定した場合、処理は、ステップＳ２０に進む。つまり、共通配管２２０または排出配管２４０内が第１の処理液から第２の処理液に切り替わったことを制御部１０２が検出した場合、処理は、ステップＳ２０に進む。

ここで、ステップＳ１９について、より詳細に説明する。一般に、第２の処理液を排出配管に供給し始めてから第２の処理液を下流配管に供給し始めるまでの時間は、予め設定されている。具体的には、一般に、上流配管から共通配管への第２の処理液の供給が開始されたとしても、第１の処理液の一部が共通配管内で滞留するため、共通配管内の処理液は、第１の処理液から第２の処理液にすぐには切り替わらない。例えば、共通配管内の処理液が第１の処理液から第２の処理液に切り替わるまでにかかる時間がｔ１秒以上ｔ２秒以下（ただし、ｔ１＜ｔ２）である場合、共通配管に供給する処理液を第１の処理液から第２の処理液に切り替えてからｔ２秒以上経過した後に、排出バルブおよび下流バルブの開閉状態が切り替えられる。つまり、共通配管内で処理液が切り替わるまでにかかる時間は温度等によりバラつくので、処理液が切り替わった後に処理液をノズルに供給するために第２の処理液を排出配管に供給し始めてから第２の処理液を下流配管に供給するまでの時間は長めに設定される。本実施形態においても、レシピには、第２の処理液を排出配管２４０に供給し始めてから第２の処理液を下流配管２３０に供給し始めるまでの時間（例えば、ｔ２秒以上）が設定されている。

本実施形態では、ステップＳ１９で、所定条件を満たすと制御部１０２が判定した場合、設定時間（ｔ２秒以上）が経過したか否かにかかわらず、ステップＳ２０に進む。この場合、例えば、制御部１０２は、所定条件を満たすと判定したタイミングに応じて、第２の処理液を排出配管２４０に供給し始めてから第２の処理液を下流配管２３０に供給し始めるまでの時間（例えば、ｔ２秒以上）が短くなるようにレシピを書き換えてもよい。なお、例えば、制御部１０２は、所定条件を満たすと判定したタイミングに応じて、第２の処理液を排出配管２４０に供給し始めてから第２の処理液を下流配管２３０に供給し始めるまでの時間（例えば、ｔ２秒以上）が長くなるようにレシピを書き換えてもよい。

次に、ステップＳ２０において、第２の処理液（ここでは、炭酸水）をノズル１３６に供給する。具体的には、図１０に満たすように、制御部１０２は、排出バルブ２５３を閉状態から開状態にし、下流バルブ２５２を閉状態から開状態にする。これにより、第２の処理液は、上流配管２１０ａから共通配管２２０および下流配管２３０を介してノズル１３６に供給される。従って、ノズル１３６から基板Ｗへの第２の処理液の供給が開始される。下流バルブ２５２を開状態にしてから所定時間（例えば、数秒以上）が経過すると、処理は、ステップＳ２１に進む。

次に、ステップＳ２１において、第２の処理液の供給が停止される。具体的には、制御部１０２は、上流バルブ２５１ａおよび下流バルブ２５２を開状態から閉状態にする。これにより、共通配管２２０への第２の処理液の供給が停止されるとともに、ノズル１３６への第２の処理液の供給が停止される。

本実施形態では、上記のように、制御部１０２は、撮像画像に基づいて、処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域内の処理液の種類を特定する。従って、例えば、処理液供給部２００内の処理液が切り替わったか否かを確認できる。

また、例えば、処理液供給部２００内の処理液が切り替わったか否かを確認できるので、上記設定時間（例えば、ｔ２秒以上）が経過したか否かにかかわらず、処理液供給部２００内の処理液が切り替わったことを確認したタイミングで、下流バルブ２５２閉状態から開状態に切り替えることにより、基板処理時間を短縮できる。また、第２の処理液の使用量を削減できるので、環境負荷の低減につながる。

また、上記のように、制御部１０２は、処理液供給部２００を制御して、ノズル１３６に対して処理液の種類を切り替えて供給する。このように、ノズル１３６に対して処理液の種類を切り替えて供給する場合、本発明を適用することは特に有効である。

また、上記のように、制御部１０２は、処理液の種類を特定した結果に基づいて、処理液供給部２００を制御する。従って、処理液供給部２００内の処理液の状況に応じて、ノズル１３６への処理液の供給および／または供給停止などを容易に行うことができる。

また、上記のように、処理液供給部２００は、複数種類の処理液がそれぞれ流通する上流配管２１０ａおよび上流配管２１０ｂと、上流配管２１０ａおよび上流配管２１０ｂの下流端が接続される共通配管２２０と、下流配管２３０とを有する。このように、複数種類の処理液が共通配管２２０を流通する場合、本発明を適用して処理液の種類を特定することは特に有効である。

また、上記のように、制御部１０２は、撮像画像に基づいて、共通配管２２０を含む領域内の処理液の種類を特定する。従って、共通配管２２０内の処理液の状況を容易に確認できる。例えば、共通配管２２０内の処理液が切り替わったか否かを容易に確認できる。つまり、処理液供給部２００内の処理液が切り替わったか否かを容易に確認できる。

また、上記のように、共通配管２２０は、多連弁によって構成されている。従って、共通配管２２０周辺の構造が大型化することを抑制できるので、基板処理装置が大型化することを抑制できる。

また、上記のように、処理液供給部２００は、共通配管２２０に上流端が接続され、処理液を排出する排出配管２４０を有する。従って、ノズル１３６に供給する処理液を切り替える際に、第１の処理液および第２の処理液を排出配管２４０に供給することができるので、第２の処理液に第１の処理液が混ざった状態で処理液がノズル１３６に供給されることを抑制できる。

また、上記のように、制御部１０２は、撮像画像に基づいて排出配管２４０を含む領域内の処理液の種類を特定してもよい。従って、排出配管２４０内の処理液の状況を容易に確認できる。例えば、排出配管２４０内の処理液が切り替わったか否かを容易に確認できる。つまり、処理液供給部２００内の処理液が切り替わったか否かを容易に確認できる。

また、上記のように、制御部１０２は、第１の処理液を共通配管２２０を介してノズル１３６に供給した後、第１の処理液を共通配管２２０を介して排出配管２４０に供給し、その後、第２の処理液を共通配管２２０を介して排出配管２４０に供給し、撮像画像に基づいて共通配管２２０または排出配管２４０内が第１の処理液から第２の処理液に切り替わったことを検出した場合に、第２の処理液を共通配管２２０を介してノズル１３６に供給する。従って、ノズル１３６に供給する処理液を、第１の処理液から第２の処理液に容易に切り替えることができる。

次に、図１１を参照して、近赤外線光源１４０が複数設けられている例について説明する。ここでは、近赤外線光源１４０が近赤外線光源１４０ａおよび近赤外線光源１４０ｂを含む例について説明する。図１１は、複数の近赤外線光源１４０（近赤外線光源１４０ａおよび近赤外線光源１４０ｂ）を備える基板処理装置１００における基板処理ユニット１１０の模式図である。

図１１に示すように、近赤外線光源１４０は、近赤外線光源１４０ａおよび近赤外線光源１４０ｂを含む。近赤外線光源１４０ａおよび近赤外線光源１４０ｂは、互いに異なるピーク波長を有する近赤外線を出射する。

制御部１０２は、記憶部１０４からレシピデータを取得し、レシピデータから共通配管２２０に供給する処理液の種類を示す種類情報を取得する。また、例えば、レシピデータは、処理液の種類に対応する近赤外線光源１４０の種類を示す情報を含んでいてもよい。また、例えば、制御部１０２は、ユーザーが入力する入力情報から、共通配管２２０に供給する処理液の種類を示す種類情報を取得してもよい。

制御部１０２は、取得した種類情報に基づいて、処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を照射する近赤外線光源１４０を変更する。例えば、制御部１０２は、上流配管２１０ａから共通配管２２０に炭酸水を供給する場合には、近赤外線光源１４０ａによって照射する。その一方、制御部１０２は、上流配管２１０ｂから共通配管２２０にＳＣ２を供給する場合には、近赤外線光源１４０ｂによって照射する。

具体的には、例えば、共通配管２２０に供給する処理液をＳＣ２から炭酸水に切り替える場合、制御部１０２は、第２の処理液（ここでは、炭酸水）を共通配管２２０に供給した後（図６のステップＳ１４）、処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を照射する近赤外線光源１４０を、近赤外線光源１４０ｂから近赤外線光源１４０ａに変更し、近赤外線光源１４０ａによって処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を照射する（図６のステップＳ１６）。

その一方、例えば、共通配管２２０に供給する処理液を炭酸水からＳＣ２に切り替える場合、制御部１０２は、第２の処理液（ここでは、ＳＣ２）を共通配管２２０に供給した後（図６のステップＳ１４）、処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を照射する近赤外線光源１４０を、近赤外線光源１４０ａから近赤外線光源１４０ｂに変更し、近赤外線光源１４０ｂによって処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を照射する（図６のステップＳ１６）。

近赤外線光源１４０が複数設けられている例における、その他の構成および基板処理フローは、図１～図１０を用いて説明した基板処理装置の構成および基板処理フローと同様である。なお、近赤外線光源１４０が複数設けられている例におけるステップＳ１６は、本発明の「近赤外線のピーク波長を変更する工程」の一例である。

本実施形態では、上記のように、制御部１０２は、処理液の種類を示す種類情報を取得し、取得した種類情報に基づいて、処理液供給部２００の少なくとも一部を含む領域を照射する近赤外線光源１４０を変更する。従って、処理液の吸光度（吸光率ともいう）に応じて照射する近赤外線を変更できるので、処理液の種類を変更する場合であっても、処理液の種類および外縁をより正確に特定できる。

具体的には、処理液は、処理液の種類によって吸光度が異なる。このため、例えば、第２の処理液の吸光度が比較的高い波長の光を照射して処理液を撮像することによって、撮像画像における第２の処理液を示す領域と第２の処理液以外の領域との輝度値または明度のコントラストを高くできる。よって、撮像画像に基づいて、処理液の種類および位置をより正確に特定できる。

近赤外線光源１４０が複数設けられている例における、その他の効果は、図１～図１０を用いて説明した基板処理装置の効果と同様である。

以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

例えば、上記実施形態では、基板処理工程において本発明を適用して基板処理時間を短縮する例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、第２の処理液を排出配管２４０に供給し始めてから第２の処理液を下流配管２３０に供給し始めるまでの時間（例えば、ｔ２秒以上）を設定する際（レシピ作成時）において、本発明を適用してもよい。この場合、レシピ作成時間を短縮できる。また、上記実施形態と同様、第２の処理液の使用量を削減できるので、環境負荷の低減につながる。

また、上記実施形態では、ノズル１３６に対して複数種類の処理液を供給する例として、ノズル１３６に対して処理液の種類を切り替えて供給する例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、上流配管２１０ａから共通配管２２０に塩酸水溶液（処理液）を供給し、上流配管２１０ｂから共通配管２２０に過酸化水素水（処理液）を供給し、共通配管２２０内で複数種類（ここでは、２種類）の処理液を混合し、複数種類の処理液を混合した状態でノズル１３６に供給してもよい。この場合、本発明を適用することによって、例えば、共通配管２２０内における複数種類の処理液の混合状態を確認することができる。

また、上記実施形態では、２つの上流配管（上流配管２１０ａおよび上流配管２１０ｂ）が共通配管２２０に接続される例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、３つ以上の上流配管が共通配管２２０に接続されてもよい。

また、上記実施形態では、共通配管２２０からノズル１３６に処理液を供給する下流配管２３０を１つだけ設ける例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、下流配管２３０を複数設け、共通配管２２０から複数のノズル１３６に処理液を供給してもよい。

また、上記実施形態では、処理液供給部２００が多連弁を有する例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、処理液供給部２００は、多連弁を有しなくてもよい。

また、上記実施形態では、上流配管２１０ａおよび上流配管２１０ｂが別々に多連弁３００に接続される例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、上流配管２１０ａおよび上流配管２１０ｂが互いに合流した後に、多連弁３００に接続されていてもよい。

また、上記実施形態では、下流配管２３０および排出配管２４０が別々に多連弁３００に接続される例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、多連弁３００に共通の配管が接続され、その配管から下流配管２３０と排出配管２４０とが分岐していてもよい。

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に好適に用いられる。

１００：基板処理装置
１０２：制御部
１２０：基板保持部
１３６：ノズル（処理液ノズル）
１４０、１４０ａ、１４０ｂ：近赤外線光源
１５０：近赤外撮像部
２００：処理液供給部
２１０ａ、２１０ｂ：上流配管
２２０：共通配管
２３０：下流配管
２４０：排出配管
３００：多連弁
Ｌ１：第１の処理液
Ｌ２：第２の処理液
Ｓ１５：ステップ（種類情報を取得する工程）
Ｓ１６：ステップ（近赤外線で照射する工程、近赤外線のピーク波長を変更する工程）
Ｓ１７：ステップ（撮像画像を生成する工程）
Ｓ１８：ステップ（処理液の種類を特定する工程）
ＳＢ：ステップ（基板を回転させる工程）
ＳＣ：ステップ（複数種類の処理液を供給する工程）
Ｗ：基板
Ｗａ：上面

Claims

基板を保持する基板保持部と、
前記基板の上面に処理液を供給する処理液ノズルと、
前記処理液ノズルに対して複数種類の前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する少なくとも１つの近赤外線光源と、
前記近赤外線光源からの前記近赤外線のうち前記処理液供給部を透過および／または反射された成分を受光することによって前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域の前記処理液を撮像した撮像画像を生成する近赤外撮像部と、
前記処理液供給部および前記近赤外撮像部を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、前記撮像画像と基準処理液の輝度値、明度、または画像とに基づいて前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域内の前記処理液の種類を特定する、基板処理装置。
基板を保持する基板保持部と、
前記基板の上面に処理液を供給する処理液ノズルと、
前記処理液ノズルに対して複数種類の前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する少なくとも１つの近赤外線光源と、
前記近赤外線光源からの前記近赤外線で照射されている前記処理液を撮像した撮像画像を生成する近赤外撮像部と、
前記処理液供給部および前記近赤外撮像部を制御する制御部と
を備え、
前記処理液供給部は、
前記複数種類の処理液がそれぞれ流通する複数の上流配管と、
前記複数の上流配管の下流端が接続される共通配管と、
前記共通配管に上流端が接続され、前記処理液ノズルに前記処理液を供給する下流配管と
を有し、
前記近赤外線光源は、前記共通配管を含む領域を近赤外線で照射し、
前記制御部は、前記撮像画像に基づいて前記共通配管を含む領域内の前記処理液の種類を特定する、基板処理装置。
基板を保持する基板保持部と、
前記基板の上面に処理液を供給する処理液ノズルと、
前記処理液ノズルに対して複数種類の前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する少なくとも１つの近赤外線光源と、
前記近赤外線光源からの前記近赤外線で照射されている前記処理液を撮像した撮像画像を生成する近赤外撮像部と、
前記処理液供給部および前記近赤外撮像部を制御する制御部と
を備え、
前記処理液供給部は、
前記複数種類の処理液がそれぞれ流通する複数の上流配管と、
前記複数の上流配管の下流端が接続される共通配管と、
前記共通配管に上流端が接続され、前記処理液ノズルに前記処理液を供給する下流配管と、
前記共通配管に上流端が接続され、前記処理液を排出する排出配管と
を有し、
前記近赤外線光源は、前記排出配管を含む領域を近赤外線で照射し、
前記制御部は、前記撮像画像に基づいて前記排出配管を含む領域内の前記処理液の種類を特定する、基板処理装置。
基板を保持する基板保持部と、
前記基板の上面に処理液を供給する処理液ノズルと、
前記処理液ノズルに対して複数種類の前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する少なくとも１つの近赤外線光源と、
前記近赤外線光源からの前記近赤外線で照射されている前記処理液を撮像した撮像画像を生成する近赤外撮像部と、
前記処理液供給部および前記近赤外撮像部を制御する制御部と
を備え、
前記処理液供給部は、
前記複数種類の処理液がそれぞれ流通する複数の上流配管と、
前記複数の上流配管の下流端が接続される共通配管と、
前記共通配管に上流端が接続され、前記処理液ノズルに前記処理液を供給する下流配管と、
前記共通配管に上流端が接続され、前記処理液を排出する排出配管と
を有し、
前記制御部は、前記処理液供給部を制御して、
第１の処理液を前記共通配管を介して前記処理液ノズルに供給した後、
前記第１の処理液を前記共通配管を介して前記排出配管に供給し、
その後、第２の処理液を前記共通配管を介して前記排出配管に供給し、
前記撮像画像に基づいて前記共通配管または前記排出配管内が前記第１の処理液から前記第２の処理液に切り替わったことを検出した場合に、前記第２の処理液を前記共通配管を介して前記処理液ノズルに供給する、基板処理装置。
基板を保持する基板保持部と、
前記基板の上面に処理液を供給する処理液ノズルと、
前記処理液ノズルに対して複数種類の前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する少なくとも１つの近赤外線光源と、
前記近赤外線光源からの前記近赤外線で照射されている前記処理液を撮像した撮像画像を生成する近赤外撮像部と、
前記処理液供給部および前記近赤外撮像部を制御する制御部と
を備え、
前記少なくとも１つの近赤外線光源は、複数設けられており、
複数の前記近赤外線光源は、互いに異なるピーク波長を有する近赤外線を出射し、
前記制御部は、
前記撮像画像に基づいて前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域内の前記処理液の種類を特定し、
前記処理液の種類を示す種類情報を取得し、
取得した前記種類情報に基づいて、前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域を照射する前記近赤外線光源を変更する、基板処理装置。
前記制御部は、前記処理液供給部を制御して、前記処理液ノズルに対して前記処理液の種類を切り替えて供給する、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記処理液の種類を特定した結果に基づいて、前記処理液供給部を制御する、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記共通配管は、多連弁によって構成されている、請求項２、３、および４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記処理液供給部は、前記共通配管に上流端が接続され、前記処理液を排出する排出配管を有する、請求項２に記載の基板処理装置。
基板を保持して前記基板を回転させる工程と、
処理液供給部から処理液ノズルに対して複数種類の処理液を供給し、前記処理液ノズルから前記基板の上面に前記処理液を供給する工程と
を含み、
前記処理液を供給する工程は、
前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する工程と、
前記近赤外線のうち前記処理液供給部を透過および／または反射された成分を受光することによって前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域の前記処理液を撮像した撮像画像を生成する工程と、
前記撮像画像と基準処理液の輝度値、明度、または画像とに基づいて前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域内の前記処理液の種類を特定する工程と
を含む、基板処理方法。
基板を保持して前記基板を回転させる工程と、
処理液供給部から処理液ノズルに対して複数種類の処理液を供給し、前記処理液ノズルから前記基板の上面に前記処理液を供給する工程と
を含み、
前記処理液供給部は、
前記複数種類の処理液がそれぞれ流通する複数の上流配管と、
前記複数の上流配管の下流端が接続される共通配管と、
前記共通配管に上流端が接続され、前記処理液ノズルに前記処理液を供給する下流配管と
を有し、
前記処理液を供給する工程は、
前記共通配管を含む領域を近赤外線で照射する工程と、
前記近赤外線で照射されている前記処理液を撮像した撮像画像を生成する工程と、
前記撮像画像に基づいて前記共通配管を含む領域内の前記処理液の種類を特定する工程と
を含む、基板処理方法。
基板を保持して前記基板を回転させる工程と、
処理液供給部から処理液ノズルに対して複数種類の処理液を供給し、前記処理液ノズルから前記基板の上面に前記処理液を供給する工程と
を含み、
前記処理液供給部は、
前記複数種類の処理液がそれぞれ流通する複数の上流配管と、
前記複数の上流配管の下流端が接続される共通配管と、
前記共通配管に上流端が接続され、前記処理液ノズルに前記処理液を供給する下流配管と、
前記共通配管に上流端が接続され、前記処理液を排出する排出配管と
を有し、
前記処理液を供給する工程は、
前記排出配管を含む領域を近赤外線で照射する工程と、
前記近赤外線で照射されている前記処理液を撮像した撮像画像を生成する工程と、
前記撮像画像に基づいて前記排出配管を含む領域内の前記処理液の種類を特定する工程と
を含む、基板処理方法。
基板を保持して前記基板を回転させる工程と、
処理液供給部から処理液ノズルに対して複数種類の処理液を供給し、前記処理液ノズルから前記基板の上面に前記処理液を供給する工程と
を含み、
前記処理液供給部は、
前記複数種類の処理液がそれぞれ流通する複数の上流配管と、
前記複数の上流配管の下流端が接続される共通配管と、
前記共通配管に上流端が接続され、前記処理液ノズルに前記処理液を供給する下流配管と、
前記共通配管に上流端が接続され、前記処理液を排出する排出配管と
を有し、
前記処理液を供給する工程は、
前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する工程と、
前記近赤外線で照射されている前記処理液を撮像した撮像画像を生成する工程と、
前記撮像画像に基づいて前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域内の前記処理液の種類を特定する工程と
を含み、
前記処理液を供給する工程において、
第１の処理液を前記共通配管を介して前記処理液ノズルに供給した後、
前記第１の処理液を前記共通配管を介して前記排出配管に供給し、
その後、第２の処理液を前記共通配管を介して前記排出配管に供給し、
前記撮像画像に基づいて前記共通配管または前記排出配管内が前記第１の処理液から前記第２の処理液に切り替わったことを検出した場合に、前記第２の処理液を前記共通配管を介して前記処理液ノズルに供給する、基板処理方法。
基板を保持して前記基板を回転させる工程と、
処理液供給部から処理液ノズルに対して複数種類の処理液を供給し、前記処理液ノズルから前記基板の上面に前記処理液を供給する工程と
を含み、
前記処理液を供給する工程は、
前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域を近赤外線で照射する工程と、
前記近赤外線で照射されている前記処理液を撮像した撮像画像を生成する工程と、
前記撮像画像に基づいて前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域内の前記処理液の種類を特定する工程と、
前記処理液の種類を示す種類情報を取得する工程と、
取得した前記種類情報に基づいて、前記処理液供給部の少なくとも一部を含む領域を照射する近赤外線のピーク波長を変更する工程と
を含む、基板処理方法。
前記処理液を供給する工程において、前記処理液供給部から前記処理液ノズルに対して前記処理液の種類を切り替えて供給する、請求項１０～１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記処理液を供給する工程において、前記処理液の種類を特定した結果に基づいて、前記処理液供給部を制御する、請求項１０～１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記共通配管は、多連弁によって構成されている、請求項１１～１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記処理液供給部は、前記共通配管に上流端が接続され、前記処理液を排出する排出配管を有する、請求項１１に記載の基板処理方法。