JP7779777B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

基板を処理する基板処理装置が知られている。基板処理装置は、半導体基板の処理に好適に用いられる。典型的には、基板処理装置は、処理液を用いて基板を処理する。

基板の洗浄・乾燥時に基板外周部でのパーティクルの残存を抑制する基板乾燥方法が検討されている（特許文献１）。特許文献１では、基板のリンス液を乾燥させる際に、ＣＣＤカメラを用いてリンス液の薄膜から生じる干渉縞を計測し、干渉縞の変化からリンス液の液厚を計測することが記載されている。

特開２００４－３３５５４２号公報

一般に、基板処理に用いられる処理液は透明であるため、一般的なＣＣＤカメラでは、基板上の処理液を検知できない。このため、特許文献１の基板乾燥方法では、ＣＣＤカメラを用いて縞状の干渉縞を計測している。しかしながら、特許文献１の基板乾燥方法では、チャンバー内の処理液を高精度に特定できないことがある。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、チャンバー内の処理液を高精度に特定可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、チャンバーと、前記チャンバー内で基板を保持して前記基板を回転させる基板保持部と、前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、前記チャンバー内を近赤外線で照射する近赤外線光源と、前記近赤外線光源からの前記近赤外線で照射された前記チャンバー内の前記処理液を撮像した撮像画像を生成する近赤外撮像部と、前記撮像画像に基づいて前記チャンバー内の前記処理液の外縁を特定する制御部とを備える。

ある実施形態では、前記制御部は、前記撮像画像に基づいて前記処理液の種類を特定する。

ある実施形態では、前記近赤外撮像部は、前記基板の前記上面に前記処理液供給部から供給された前記処理液を撮像する。

ある実施形態では、前記制御部は、前記撮像画像に基づいて、前記処理液が前記基板の前記上面全体を被覆するか否かを判定する。

ある実施形態では、前記処理液供給部は、前記基板に第１処理液を供給する第１処理液供給部と、前記基板に第２処理液を供給する第２処理液供給部とを含み、前記第１処理液供給部から前記基板に供給していた前記第１処理液の供給を停止した後に前記第２処理液供給部から前記基板に前記第２処理液の供給を開始してから、前記制御部は、前記撮像画像に基づいて、前記第２処理液が前記基板の前記上面全体を被覆するか否かを判定する。

ある実施形態では、前記近赤外線光源および前記近赤外撮像部は、前記チャンバーの外部に配置される。

ある実施形態では、前記近赤外線光源および前記近赤外撮像部は、前記チャンバーを挟んで対向する位置に配置される。

ある実施形態では、前記近赤外線光源および前記近赤外撮像部は、前記チャンバーの内部に配置される。

ある実施形態では、前記処理液供給部は、配管と、ノズルとを含み、前記近赤外撮像部は、前記配管および前記ノズルの少なくとも一方に位置する前記処理液を撮像する。

本発明の別の局面によれば、基板処理方法は、チャンバー内において基板を保持して前記基板を回転させる工程と、前記チャンバー内において前記基板の上面に処理液を供給する工程と、前記チャンバー内を近赤外線で照射する工程と、前記近赤外線で照射された前記チャンバー内の前記処理液を撮像した撮像画像を生成する工程と、前記撮像画像に基づいて前記チャンバー内の前記処理液の外縁を特定する工程とを包含する。

ある実施形態では、前記基板処理方法は、前記撮像画像に基づいて前記処理液の種類を特定する工程をさらに包含する。

ある実施形態では、前記撮像画像を生成する工程において、前記基板の前記上面に供給された前記処理液を撮像する。

ある実施形態では、前記基板処理方法は、前記処理液が前記基板の前記上面全体を被覆するか否かを判定する工程をさらに包含する。

ある実施形態では、前記処理液を供給する工程は、前記基板に第１処理液を供給する工程と、前記基板に第２処理液を供給する工程とを含み、前記基板処理方法は、前記基板に供給していた前記第１処理液の供給を停止した後に前記基板に前記第２処理液の供給を開始してから、前記撮像画像に基づいて、前記第２処理液が前記基板の前記上面全体を被覆するか否かを判定する工程をさらに包含する。

ある実施形態では、前記撮像画像を生成する工程において、前記処理液が流通するための配管およびノズルの少なくとも一方に位置する前記処理液を撮像する。

本発明によれば、チャンバー内の処理液を高精度に特定できる。

本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置における基板処理ユニットの模式図である。 本実施形態の基板処理装置のブロック図である。 本実施形態の基板処理方法のフロー図である。 本実施形態の基板処理方法における基板処理工程のフロー図である。 （ａ）は、本実施形態の基板処理装置において、処理液が供給された基板を可視領域で撮像した撮像画像の模式図であり、（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置において、処理液が供給された基板を近赤外領域で撮像した撮像画像の模式図であり、（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置において、別の処理液が供給された基板を近赤外領域で撮像した撮像画像の模式図である。 （ａ）は、本実施形態の基板処理装置において、処理液の供給が開始された直後の基板を近赤外領域で撮像した撮像画像の模式図であり、（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置において、処理液が上面で広がる基板を近赤外領域で撮像した撮像画像の模式図であり、（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置において、処理液で上面の全体が被覆された基板を近赤外領域で撮像した撮像画像の模式図である。 本実施形態の基板処理方法における基板処理工程のフロー図である。 本実施形態の基板処理方法における基板処理工程のフロー図である。 本実施形態の基板処理装置における基板処理ユニットの模式図である。 本実施形態の基板処理装置における基板処理ユニットの模式図である。 （ａ）は、本実施形態の基板処理装置において第１処理液が供給される基板を撮像した撮像画像の模式図であり、（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置において第１処理液の供給を停止して第２処理液の供給を開始した基板を撮像した撮像画像の模式図であり、（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置において第２処理液が供給される基板を撮像した撮像画像の模式図である。 本実施形態の基板処理方法における基板処理工程のフロー図である。 本実施形態の基板処理方法における基板処理工程のフロー図である。

以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置および基板処理方法の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載することがある。典型的には、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。

まず、図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００の模式的な平面図である。

図１に示すように、基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。

基板Ｗは、半導体基板として用いられる。基板Ｗは、半導体ウエハを含む。例えば、基板Ｗは略円板状である。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつ処理する。

図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理ユニット１１０と、流体キャビネット１０Ａと、流体ボックス１０Ｂと、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲおよび基板処理ユニット１１０を制御する。

ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する設置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で設置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理ユニット１１０との間で基板Ｗを搬送する。基板処理ユニット１１０の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。流体キャビネット１０Ａは、処理液を収容する。なお、流体キャビネット１０Ａは、気体を収容してもよい。

複数の基板処理ユニット１１０は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成する。各タワーＴＷは、上下に積層された基板処理ユニット１１０（図１では３つの基板処理ユニット１１０）を含む。流体ボックス１０Ｂは、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。流体キャビネット１０Ａ内の処理液は、いずれかの流体ボックス１０Ｂを介して、流体ボックス１０Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理ユニット１１０に供給される。また、流体キャビネット１０Ａ内の気体は、いずれかの流体ボックス１０Ｂを介して、流体ボックス１０Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理ユニット１１０に供給される。

制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、プロセッサーを有する。制御部１０２は、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、制御部１０２は、汎用演算機を有してもよい。

記憶部１０４は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１０４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０２は、記憶部１０４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。

記憶部１０４は、データを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容および処理手順を規定する。

また、記憶部１０４は、基準処理液の輝度値を記憶してもよい。あるいは、記憶部１０４は、基準処理液を撮像した基準画像を記憶してもよい。

次に、図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００における基板処理ユニット１１０を説明する。図２は、基板処理装置１００における基板処理ユニット１１０の模式図である。

基板処理ユニット１１０は、チャンバー１１２と、基板保持部１２０と、処理液供給部１３０と、近赤外線光源１４０と、近赤外撮像部１５０とを備える。チャンバー１１２は、基板保持部１２０と、処理液供給部１３０、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０の少なくとも一部とを収容する。

チャンバー１１２は、内部空間を有する略箱形状である。チャンバー１１２は、基板Ｗを収容する。ここでは、基板処理ユニット１１０は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー１１２には基板Ｗが１枚ずつ収容される。基板Ｗは、チャンバー１１２内に収容され、チャンバー１１２内で処理される。

基板保持部１２０は、基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は、基板Ｗの上面（表面）Ｗｔを上方に向け、基板Ｗの裏面（下面）Ｗｒを鉛直下方に向くように基板Ｗを水平に保持する。また、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。基板Ｗの上面Ｗｔは、平坦化されてもよい。または、基板Ｗの上面Ｗｔには、デバイス面が設けられてもよく、リセスの設けられたピラー状の積層体が設けられてもよい。基板保持部１２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。

例えば、基板保持部１２０は、基板Ｗの端部を挟持する挟持式であってもよい。あるいは、基板保持部１２０は、基板Ｗを裏面Ｗｒから保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部１２０は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部１２０は、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面Ｗｒの中央部を上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持する。あるいは、基板保持部１２０は、複数のチャックピンを基板Ｗの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。

例えば、基板保持部１２０は、スピンベース１２１と、チャック部材１２２と、シャフト１２３と、電動モーター１２４と、ハウジング１２５とを含む。チャック部材１２２は、スピンベース１２１に設けられる。チャック部材１２２は、基板Ｗをチャックする。典型的には、スピンベース１２１には、複数のチャック部材１２２が設けられる。

シャフト１２３は、中空軸である。シャフト１２３は、回転軸Ａｘに沿って鉛直方向に延びている。シャフト１２３の上端には、スピンベース１２１が結合されている。基板Ｗは、スピンベース１２１の上方に載置される。

スピンベース１２１は、円板状である。チャック部材１２２は、基板Ｗを水平に支持する。シャフト１２３は、スピンベース１２１の中央部から下方に延びる。電動モーター１２４は、シャフト１２３に回転力を与える。電動モーター１２４は、シャフト１２３を回転方向に回転させることにより、回転軸Ａｘを中心に基板Ｗおよびスピンベース１２１を回転させる。ハウジング１２５は、シャフト１２３および電動モーター１２４を取り囲んでいる。

処理液供給部１３０は、基板Ｗに処理液を供給する。典型的には、処理液供給部１３０は、基板保持部１２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｔに処理液を供給する。なお、処理液供給部１３０は、基板Ｗに複数種の処理液を供給してもよい。

処理液は、基板Ｗをエッチングするエッチング液であってもよい。エッチング液として、例えば、フッ硝酸（フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ₃）との混合液）、フッ酸、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）および燐酸（Ｈ₃ＰＯ₄）が挙げられる。エッチング液の種類は、特に限定されず、例えば、酸性であってもよいし、アルカリ性であってもよい。

または、処理液は、リンス液であってもよい。リンス液として、例えば、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ：ＤＩＷ）、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、および、還元水（水素水）が挙げられる。

あるいは、処理液は、有機溶剤であってもよい。典型的には、有機溶剤の揮発性は、リンス液の揮発性よりも高い。有機溶剤として、例えば、イソプロピルアルコール（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ：ＩＰＡ）、メタノール、エタノール、アセトン、ハイドロフルオロエーテル（ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｏ ｅｔｈｅｒ：ＨＦＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ：ＰＧＥＥ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ ａｃｅｔａｔｅ：ＰＧＭＥＡ）が挙げられる。

処理液供給部１３０は、配管１３２と、バルブ１３４と、ノズル１３６と、移動機構１３８とを含む。配管１３２には、供給源から処理液が流通する。バルブ１３４は、配管１３２内の流路を開閉する。ノズル１３６は、配管１３２に接続される。処理液がノズル１３６を流通することにより、ノズル１３６は、基板Ｗの上面Ｗｔに処理液を吐出する。ノズル１３６は、基板Ｗに対して移動可能に構成されていることが好ましい。

配管１３２およびノズル１３６は、樹脂から構成される。この場合、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線は、配管１３２およびノズル１３６を透過できる。

移動機構１３８は、水平方向および鉛直方向にノズル１３６を移動させる。詳しくは、移動機構１３８は、鉛直方向に延びる回転軸線を中心として周方向に沿ってノズル１３６を移動させる。また、移動機構１３８は、ノズル１３６を鉛直方向に昇降させる。

移動機構１３８は、アーム１３８ａと、軸部１３８ｂと、駆動部１３８ｃとを有する。アーム１３８ａは、水平方向に沿って延びる。ノズル１３６は、アーム１３８ａの先端部に配置される。ノズル１３６は、チャック部材１２２に保持されている基板Ｗの上面Ｗｔに向けて処理液を供給できる姿勢で、アーム１３８ａの先端部に配置される。詳しくは、ノズル１３６は、アーム１３８ａの先端部に結合されて、アーム１３８ａから下方に突出する。アーム１３８ａの基端部は、軸部１３８ｂに結合する。軸部１３８ｂは、鉛直方向に沿って延びる。

駆動部１３８ｃは、回転駆動機構と、昇降駆動機構とを有する。駆動部１３８ｃの回転駆動機構は、回転軸線を中心として軸部１３８ｂを回転させて、軸部１３８ｂを中心にアーム１３８ａを水平面に沿って旋回させる。その結果、ノズル１３６が水平面に沿って移動する。詳しくは、ノズル１３６は、軸部１３８ｂの周りを周方向に沿って移動する。駆動部１３８ｃの回転駆動機構は、例えば、正逆回転可能なモーターを含む。

駆動部１３８ｃの昇降駆動機構は、軸部１３８ｂを鉛直方向に昇降させる。駆動部１３８ｃの昇降駆動機構が軸部１３８ｂを昇降させることにより、ノズル１３６が鉛直方向に昇降する。駆動部１３８ｃの昇降駆動機構は、モーター等の駆動源および昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、軸部１３８ｂを上昇または下降させる。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構またはボールねじを含む。

近赤外線光源１４０は、少なくとも近赤外線を出射する。近赤外線光源１４０は、チャンバー１１２内を近赤外線で照射する。詳細には、近赤外線光源１４０は、チャンバー１１２内の少なくとも一部を照射する。ここでは、近赤外線光源１４０は、基板Ｗに向けて近赤外線を出射する。

例えば、近赤外線光源１４０は、少なくとも波長８００ｎｍ以上２．５μｍ以下の範囲に含まれる波長の近赤外線を出射する。典型的には、近赤外線光源１４０は、少なくとも波長８００ｎｍ以上１．５μｍ以下の範囲に含まれる波長の近赤外線を出射する。

なお、近赤外線光源１４０は、近赤外線とともに可視光を出射してもよい。あるいは、近赤外線光源１４０は、近赤外線と可視光とを切り換えて出射してもよい。例えば、近赤外線光源１４０が可視光を出射する場合、可視光として赤色波長の光を出射することが好ましい。これにより、チャンバー１１２内の基板Ｗ等を容易に特定できる。

例えば、近赤外線光源１４０から出射される近赤外線は、光軸に沿って直線状に進む。または、近赤外線光源１４０から出射される近赤外線は、光軸を中心として広がりながら進む。近赤外線光源１４０の光軸が基板Ｗの中心を通るように近赤外線光源１４０が配置されることが好ましい。

近赤外撮像部１５０は、複数の画素を有する。近赤外撮像部１５０は、少なくとも近赤外線に対して感度を有する。近赤外撮像部１５０は、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線のうちチャンバー１１２内の部材を透過および／または反射された成分を受光することによってチャンバー１１２内を撮像して撮像画像を生成する。ここでは、近赤外撮像部１５０は、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線のうち基板Ｗにおいて反射された成分を受光する。

近赤外撮像部１５０は、チャンバー１１２内を撮像する。近赤外撮像部１５０は、チャンバー１１２内の全体を撮像してもよい。あるいは、近赤外撮像部１５０は、チャンバー１１２内の一部の領域を撮像してもよい。この場合、近赤外撮像部１５０は、チャンバー１１２内を撮像する撮像領域を切り換えて撮像してもよい。あるいは、近赤外撮像部１５０は、撮像領域をチャンバー１１２内の全体とチャンバー１１２内の一部の領域との間で切り換えて撮像してもよい。

近赤外撮像部１５０において、フレームレートは、３０ｆｐｓであってもよく、６０ｆｐｓであってもよい。あるいは、フレームレートは、１２０ｆｐｓであってもよい。

近赤外撮像部１５０は、ＳＷＩＲ（Ｓｈｏｒｔ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｉｎｆｒａ－Ｒｅｄ）イメージセンサを含んでもよい。この場合、近赤外撮像部１５０は、少なくとも波長８００ｎｍ以上２．５μｍ以下の範囲に含まれる波長の近赤外線を検知する。

なお、近赤外撮像部１５０は、近赤外線だけでなく可視光に対して感度を有してもよい。あるいは、近赤外撮像部１５０は、近赤外線および可視光を切り換えて受光してもよい。

近赤外撮像部１５０は、撮像光軸を中心とした周囲を撮像する。典型的には、撮像光軸は、撮像画像の中心に位置する。例えば、近赤外撮像部１５０の撮像画像の中心は、基板Ｗの中心に位置する。この場合、近赤外撮像部１５０の撮像光軸は、基板Ｗの中心に位置する。あるいは、近赤外撮像部１５０の撮像画像の中心は、配管１３２および／またはノズル１３６に位置してもよい。

近赤外撮像部１５０は、チャンバー１１２内の処理液の存在する部材を撮像した撮像画像を生成する。撮像画像により、処理液供給部１３０の処理液を特定できることが好ましい。例えば、撮像画像により、処理液供給部１３０から基板Ｗに供給された処理液の外縁を特定できることが好ましい。あるいは、撮像画像により、処理液供給部１３０から基板Ｗに供給される前の配管１３２および／またはノズル１３６内の処理液の外縁を特定できることが好ましい。

基板処理ユニット１１０を平面視する場合、近赤外線光源１４０の光軸および近赤外撮像部１５０の撮像光軸は、基板Ｗの中心を通る直線上に位置する。このように、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、基板Ｗの中心を通る水平線上に投影される位置上に配置されてもよい。

または、基板処理ユニット１１０を平面視する場合、近赤外線光源１４０の光軸および近赤外撮像部１５０の撮像中心は、基板Ｗの中心において直交してもよい。このように、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、基板Ｗの中心に対して直交する位置に配置されてもよい。

ここでは、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、チャンバー１１２の内部に配置される。近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、互いに固定して配置されてもよい。

近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、基板Ｗに対して移動可能であってもよい。例えば、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、制御部１０２によって制御される移動機構にしたがって水平方向および／または鉛直方向に移動可能であることが好ましい。近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０が移動する場合、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、互いに独立に移動可能であってもよい。あるいは、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、一体として移動可能であってもよい。

処理液は、有機物を含有してもよい。例えば、有機物において、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｏ、Ｃ－Ｎ、Ｃ－Ｆなどの結合は、近赤外線に含まれる特定の波長を吸収する。近赤外線の特定の波長の吸収量は、特定の結合基を有する成分の量に比例するため、基板Ｗから反射される近赤外線に基づいて、基板Ｗの特定成分の存在量を測定できる。

基板処理装置１００は、カップ１８０をさらに備える。カップ１８０は、基板Ｗから飛散した処理液を回収する。カップ１８０は昇降する。例えば、カップ１８０は、処理液供給部１３０が基板Ｗに処理液を供給する期間にわたって基板Ｗの側方にまで鉛直上方に上昇する。この場合、カップ１８０は、基板Ｗの回転によって基板Ｗから飛散する処理液を回収する。また、カップ１８０は、処理液供給部１３０が基板Ｗに処理液を供給する期間が終了すると、基板Ｗの側方から鉛直下方に下降する。

上述したように、制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、基板保持部１２０、処理液供給部１３０、近赤外線光源１４０、近赤外撮像部１５０および／またはカップ１８０を制御する。一例では、制御部１０２は、電動モーター１２４、バルブ１３４、移動機構１３８、近赤外線光源１４０、近赤外撮像部１５０および／またはカップ１８０を制御する。

本実施形態の基板処理装置１００によれば、近赤外線光源１４０からの近赤外線で照射されたチャンバー１１２内の処理液を近赤外撮像部１５０で撮像する。典型的には、処理液は、透明であって可視光を透過する。一方で、処理液は、近赤外領域において比較的強い吸収を示すことが多い。このため、近赤外撮像部１５０でチャンバー１１２内の処理液を撮像した撮像画像において処理液の外縁を特定できる。

なお、近赤外線に対する処理液の吸光度がかなり高い場合、近赤外線光源１４０は、近赤外線とともに可視光を出射することが好ましい。これにより、撮像画像は、チャンバー１１２内の処理液を比較的高い輝度で示すことができる。

また、処理液は、種類に応じて、近赤外領域において特有の吸収を示すことが多い。このため、近赤外撮像部１５０でチャンバー１１２内の処理液を撮像した撮像画像において処理液の種類を特定できる。

あるいは、処理液に応じて強い吸収を示す波長が異なることから、近赤外線光源１４０は、出射する近赤外線の波長を変化させてもよい。これにより、処理液の外縁および液種を容易に特定できる。

本実施形態の基板処理装置１００は、半導体の設けられた半導体素子の作製に好適に用いられる。典型的には、半導体素子において、基材の上に導電層および絶縁層が積層される。基板処理装置１００は、半導体素子の製造時に、導電層および／または絶縁層の洗浄および／または加工（例えば、エッチング、特性変化等）に好適に用いられる。

次に、図１～図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３は、基板処理装置１００のブロック図である。

図３に示すように、制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。制御装置１０１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部１２０、処理液供給部１３０、近赤外線光源１４０、近赤外撮像部１５０およびカップ１８０を制御する。具体的には、制御装置１０１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部１２０、処理液供給部１３０、近赤外線光源１４０、近赤外撮像部１５０およびカップ１８０に制御信号を送信することによって、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部１２０、処理液供給部１３０、近赤外線光源１４０、近赤外撮像部１５０およびカップ１８０を制御する。

また、記憶部１０４は、コンピュータプログラムおよびデータを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容、処理手順および基板処理条件を規定する。制御部１０２は、記憶部１０４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。

制御部１０２は、インデクサーロボットＩＲを制御して、インデクサーロボットＩＲによって基板Ｗを受け渡しする。

制御部１０２は、センターロボットＣＲを制御して、センターロボットＣＲによって基板Ｗを受け渡しする。例えば、センターロボットＣＲは、未処理の基板Ｗを受け取って、複数のチャンバー１１２のうちのいずれかに基板Ｗを搬入する。また、センターロボットＣＲは、処理された基板Ｗをチャンバー１１２から受け取って、基板Ｗを搬出する。

制御部１０２は、基板保持部１２０を制御して、基板Ｗの回転の開始、回転速度の変更および基板Ｗの回転の停止を制御する。例えば、制御部１０２は、基板保持部１２０を制御して、基板保持部１２０の回転速度を変更することができる。具体的には、制御部１０２は、基板保持部１２０の電動モーター１２４の回転速度を変更することによって、基板Ｗの回転速度を変更できる。

制御部１０２は、処理液供給部１３０のバルブ１３４を制御して、バルブ１３４の状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部１０２は、処理液供給部１３０のバルブ１３４を制御して、バルブ１３４を開状態にすることによって、ノズル１３６に向かって配管１３２内を流れる処理液を通過させることができる。また、制御部１０２は、処理液供給部１３０のバルブ１３４を制御して、バルブ１３４を閉状態にすることによって、ノズル１３６に向かって配管１３２内を流れる処理液の供給を停止させることができる。

制御部１０２は、処理液供給部１３０の移動機構１３８を制御して、ノズル１３６を移動させることができる。具体的には、制御部１０２は、処理液供給部１３０の移動機構１３８を制御して、ノズル１３６を基板Ｗの上面Ｗｔの上方に移動できる。また、制御部１０２は、処理液供給部１３０の移動機構１３８を制御して、ノズル１３６を基板Ｗの上面Ｗｔの上方から離れた退避位置に移動できる。

制御部１０２は、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０を制御してチャンバー１１２内の少なくとも一部の領域を撮像して撮像画像を生成する。制御部１０２は、近赤外線光源１４０を制御してチャンバー１１２内の少なくとも一部の領域を近赤外線で照射する。また、制御部１０２は、近赤外撮像部１５０を制御してチャンバー１１２内の少なくとも一部の領域を撮像して撮像画像を生成する。近赤外撮像部１５０は、処理液供給部１３０から供給された処理液および／または処理液供給部１３０内の処理液が存在する領域を撮像する。

例えば、制御部１０２は、近赤外線光源１４０から基板Ｗに向けて近赤外線を出射し、近赤外撮像部１５０において基板Ｗにて反射された近赤外線を受光して輝度値を測定するように近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０を制御する。なお、制御部１０２は、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０を制御して近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０を基板Ｗに対して移動させてもよい。

制御部１０２は、撮像画像において処理液の外縁を特定する。例えば、制御部１０２は、撮像画像内の輝度値に基づいて、撮像画像における処理液の外縁を特定する。一例では、制御部１０２は、撮像画像内の輝度値と、記憶部１０４に記憶された基準処理液の輝度値と基づいて、撮像画像における処理液の外縁を特定する。あるいは、制御部１０２は、撮像画像と基準画像とに基づいて、撮像画像における処理液の外縁を特定する。

また、制御部１０２は、撮像画像内の輝度値に基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定する。撮像画像内の輝度値と、記憶部１０４に記憶された基準処理液の輝度値に基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定する。あるいは、制御部１０２は、撮像画像と基準画像とに基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定する。

制御部１０２は、カップ１８０を制御して基板Ｗに対してカップ１８０を移動させてもよい。具体的には、制御部１０２は、処理液供給部１３０が基板Ｗに処理液を供給する期間にわたって基板Ｗの側方にまで鉛直上方にカップ１８０を上昇させる。また、制御部１０２は、処理液供給部１３０が基板Ｗに処理液を供給する期間が終了すると、基板Ｗの側方から鉛直下方にカップ１８０を下降させる。

本実施形態の基板処理装置１００は、半導体素子を形成するために好適に用いられる。例えば、基板処理装置１００は、積層構造の半導体素子として用いられる基板Ｗを処理するために好適に利用される。半導体素子は、いわゆる３Ｄ構造のメモリ（記憶装置）である。一例として、基板Ｗは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリとして好適に用いられる。

次に、図１～図４を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図４は、基板処理方法のフロー図である。

図４に示すように、ステップＳＡにおいて、基板Ｗを基板処理装置１００に搬入する。具体的には、基板Ｗは、インデクサーロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲを介して基板処理ユニット１１０のチャンバー１１２に搬入される。

ステップＳＢにおいて、基板Ｗを保持する。具体的には、基板保持部１２０が基板Ｗを保持する。基板Ｗはチャンバー１１２に搬入されると、基板Ｗは、基板保持部１２０に保持される。

ステップＳＣにおいて、基板Ｗを処理する。基板Ｗは、基板処理ユニット１１０において処理される。典型的には、基板保持部１２０が基板Ｗを保持したまま回転させ、処理液供給部１３０は、基板Ｗに処理液を供給する。

本実施形態では、近赤外線光源１４０は、近赤外線を出射する。チャンバー１１２の少なくとも一部は、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線で照射される。例えば、チャンバー１１２内の基板Ｗは、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線で照射される。近赤外撮像部１５０は、近赤外線が照射されたチャンバー１１２を撮像する。例えば、近赤外撮像部１５０は、近赤外線が照射された基板Ｗを撮像する。近赤外撮像部１５０から近赤外線が照射されたたチャンバー１１２を撮像することにより、チャンバー１１２内の処理液が実質的に透明であっても処理液を高精度に撮像できる。

ステップＳＤにおいて、基板Ｗの保持を解除する。具体的には、基板保持部１２０が基板Ｗの保持を解除する。

ステップＳＥにおいて、基板Ｗを搬出する。基板Ｗは、基板処理装置１００から搬出される。具体的には、基板Ｗは、センターロボットＣＲおよびインデクサーロボットＩＲを介して基板処理ユニット１１０のチャンバー１１２から搬出される。

本実施形態によれば、近赤外線光源１４０からの近赤外線で照射された処理液を近赤外撮像部１５０で撮像する。処理液は、近赤外線を比較的強く吸収するため、処理液の外縁を高精度に特定できる。

次に、図１～図５を参照して、本実施形態の基板処理方法における基板処理工程を説明する。図５は、本実施形態の基板処理方法における基板処理工程のフロー図である。

図５に示すように、ステップＳ１１０において、基板Ｗは、保持された状態で回転する。具体的には、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。例えば、基板Ｗの回転速度は、１０ｒｐｍ～１５００ｒｐｍである。

ステップＳ１２０において、近赤外線光源１４０は、基板Ｗを近赤外線で照射し、近赤外撮像部１５０は、近赤外線で照射された基板Ｗを撮像する。近赤外線光源１４０が基板Ｗを近赤外線で照射するとともに、近赤外撮像部１５０は近赤外線で照射された基板Ｗを撮像して撮像画像を生成する。制御部１０２は、近赤外線光源１４０が基板Ｗに向けて近赤外線を出射し、近赤外撮像部１５０が基板Ｗを撮像するように近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０を制御する。なお、近赤外線光源１４０が近赤外線の出射を開始するタイミングは、近赤外撮像部１５０が基板Ｗの撮像を開始するタイミングと同じであっても異なってもよい。また、近赤外線光源１４０が近赤外線の出射を開始するタイミングは、近赤外撮像部１５０が基板Ｗの撮像を開始するタイミングよりも早くても遅くてもよい。

ステップＳ１３０において、基板Ｗに処理液を供給する。具体的には、制御部１０２は、処理液供給部１３０が基板Ｗに処理液を開始するように処理液供給部１３０を制御する。

なお、ステップＳ１３０における処理液の供給は、ステップＳ１２０における近赤外線の照射および／または近赤外撮像部１５０による撮像よりも前に開始してもよく、後に開始してもよい。

ステップＳ１４０において、近赤外撮像部１５０によって生成された撮像画像に基づいて、撮像画像内の処理液を特定する。制御部１０２は、撮像画像に基づいて、撮像画像内の処理液を特定する。例えば、制御部１０２は、撮像画像に基づいて、撮像画像における処理液の外縁を特定する。また、制御部１０２は、撮像画像に基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定してもよい。

例えば、制御部１０２は、撮像画像内の輝度値に基づいて、撮像画像における処理液の外縁を特定する。例えば、制御部１０２は、撮像画像内の輝度値と、記憶部１０４に記憶された基準処理液の輝度値と基づいて、撮像画像における処理液の外縁を特定する。あるいは、制御部１０２は、撮像画像と基準画像とに基づいて、撮像画像における処理液の外縁を特定する。

また、制御部１０２は、撮像画像内の輝度値に基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定する。撮像画像内の輝度値と、記憶部１０４に記憶された基準処理液の輝度値に基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定する。あるいは、制御部１０２は、撮像画像と基準画像とに基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定する。

ステップＳ１５０において、処理液の特定結果に基づいて、基板処理ユニット１１０を制御する。具体的には、制御部１０２は、処理液の外縁を特定した結果に基づいて処理液供給部１３０を制御する。

例えば、制御部１０２は、処理液の供給を変更するように処理液供給部１３０を制御する。一例では、制御部１０２は、処理液の流量を変更するように処理液供給部１３０を制御する。または、制御部１０２は、基板Ｗに供給する処理液を変更するように処理液供給部１３０を制御する。

ステップＳ１６０において、処理液の供給を停止する。具体的には、制御部１０２は、処理液供給部１３０が基板Ｗに処理液を供給することを停止するように処理液供給部１３０を制御する。

ステップＳ１７０において、基板Ｗの回転を停止する。具体的には、制御部１０２は、基板保持部１２０が基板Ｗの回転を停止するように基板保持部１２０を制御する。

本実施形態では、近赤外撮像部１５０からの近赤外線で照射された基板Ｗを撮像する。近赤外線は、処理液に対して選択的に吸収される。このため、基板Ｗの上面Ｗｔの処理液を高精度に撮像できる。したがって、制御部１０２は、基板Ｗの上面Ｗｔの処理液の状態に応じて基板Ｗの処理を制御できる。

上述したように、近赤外線光源１４０は、可視光および近赤外線を切り換えて出射してもよい。また、近赤外撮像部１５０は、可視領域および近赤外領域を切り換えて撮像してもよい。

次に、図６を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図６（ａ）は、処理液Ｌ１が供給された基板Ｗを可視領域で撮像した撮像画像の模式図であり、図６（ｂ）は、処理液Ｌ１が供給された基板Ｗを近赤外領域で撮像した撮像画像の模式図であり、図６（ｃ）は、処理液Ｌ２が供給された基板Ｗを近赤外領域で撮像した撮像画像の模式図である。

図６（ａ）に示すように、ノズル１３６は、基板Ｗの上面Ｗｔに処理液Ｌ１を吐出する。ここでは、ノズル１３６は、基板Ｗの上面Ｗｔの中心に処理液Ｌ１を吐出する。基板Ｗは回転しているため、処理液Ｌ１は、基板Ｗの上面Ｗｔの中心から径方向に広がり、処理液Ｌ１は、基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆する。なお、基板Ｗの上面Ｗｔの径方向端部に達した処理液は、基板Ｗから径方向外側に飛散する。

処理液Ｌ１は、可視光に対して透明である。このため、処理液Ｌ１が供給された基板Ｗを可視領域で撮像しても、基板Ｗの上面Ｗｔの処理液Ｌ１の外縁を特定できない。

詳細には、処理液Ｌ１の液膜が薄くなり、処理液Ｌ１に干渉縞が発生する場合、可視領域で撮像した撮像画像から、処理液Ｌ１において離散的に発生する干渉縞を特定できる。あるいは、処理液Ｌ１の上面Ｗｔにおいて液膜の厚さにムラがある場合、可視領域で撮像した撮像画像から、処理液Ｌ１において離散的に発生する処理液Ｌ１の厚さムラに基づいて処理液Ｌ１を部分的に特定できる。しかしながら、一般に、処理液Ｌ１が供給された基板Ｗを可視領域で撮像する場合、基板Ｗの上面Ｗｔの処理液Ｌ１の外縁を特定できない。

図６（ｂ）に示すように、処理液Ｌ１が供給された基板Ｗを近赤外領域で撮像する場合、処理液Ｌ１は近赤外線を効果的に吸収するため、撮像画像から、基板Ｗの上面Ｗｔの処理液Ｌ１を高精度に特定できる。この場合、撮像画像から、処理液Ｌ１の外縁を特定できる。

また、図６（ｃ）に示すように、ノズル１３６が基板Ｗの上面Ｗｔに処理液Ｌ２を吐出する場合も、基板Ｗを近赤外領域で撮像する場合、処理液Ｌ２は、処理液Ｌ１とは異なる態様で近赤外線を効果的に吸収するため、基板Ｗの上面Ｗｔの処理液Ｌ２を高精度に特定できる。

このように、本実施形態によれば、近赤外線で照射された処理液Ｌ１、Ｌ２を近赤外撮像部１５０で撮像する。処理液Ｌ１、Ｌ２は、近赤外線を比較的強く吸収するため、処理液Ｌ１、Ｌ２の外縁を高精度に特定できる。また、処理液Ｌ１、Ｌ２は、近赤外線を異なる態様で吸収するため、処理液Ｌ１、Ｌ２の種類を高精度に特定できる。

なお、本実施形態によれば、処理液の外縁を高精度に特定できるため、基板Ｗの上面Ｗｔにおける処理液の変化を特定できる。

次に、図７を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図７（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００において、上面Ｗｔに処理液Ｌ１が吐出され始めた基板Ｗを撮像した撮像画像の模式図であり、図７（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００において、処理液Ｌ１が上面Ｗｔで広がる基板Ｗを撮像した撮像画像の模式図であり、図７（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置１００において、処理液Ｌ１で基板Ｗの上面Ｗｔの全体が被覆された基板Ｗを撮像した撮像画像の模式図である。

図７（ａ）に示すように、ノズル１３６は、基板Ｗの上面Ｗｔに処理液Ｌ１を吐出し始める。具体的には、ノズル１３６は、基板Ｗの上面Ｗｔの中心に処理液Ｌ１を吐出し始める。ここでは、基板Ｗは、所定の回転速度で回転する。

ここでは、基板Ｗの上面Ｗｔは、処理液で被覆されておらず、乾燥している。典型的には、基板Ｗの上面Ｗｔが処理液に被覆されない場合、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線で基板Ｗの上面Ｗｔを照射すると、近赤外線は、強く反射される。このため、撮像画像において、処理液Ｌ１に被覆されない基板Ｗの上面Ｗｔは高い輝度値を示す。

図７（ｂ）に示すように、ノズル１３６が基板Ｗの上面Ｗｔに処理液Ｌ１を吐出し続けると、処理液Ｌ１は、基板Ｗの上面Ｗｔに広がる。詳細には、ノズル１３６から、基板Ｗの上面Ｗｔの中心に処理液Ｌ１を吐出し続けると、処理液Ｌ１は、基板Ｗの上面Ｗｔの中心から径方向に広がる。

上述したように、基板Ｗの上面Ｗｔが処理液Ｌ１に被覆されない場合、撮像画像において、基板Ｗの上面Ｗｔのうち処理液Ｌ１によって被覆されない領域は、比較的高い輝度値を示す。一方で、基板Ｗの上面Ｗｔのうち処理液Ｌ１が被覆した領域では、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線で基板Ｗの上面Ｗｔを照射すると、近赤外線は、処理液Ｌ１に強く吸収される。このため、撮像画像において、基板Ｗの上面Ｗｔのうち処理液Ｌ１によって被覆された領域は比較的低い輝度値を示す。

図７（ｃ）に示すように、ノズル１３６が基板Ｗの上面Ｗｔに処理液Ｌ１を吐出し続けると、処理液Ｌ１は、基板Ｗの上面Ｗｔの全体に広がり、処理液Ｌ１は、基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆する。詳細には、ノズル１３６から、基板Ｗの上面Ｗｔの中心に処理液Ｌ１を吐出し続けると、処理液Ｌ１は、基板Ｗの上面Ｗｔの中心から径方向に広がり、処理液Ｌ１は、基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆する。なお、基板Ｗの上面Ｗｔの径方向端部に達した処理液Ｌ１は、基板Ｗから径方向外側に飛散する。

処理液Ｌ１が基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆した場合、近赤外線光源１４０から出射された近赤外線で基板Ｗの上面Ｗｔを照射すると、近赤外線は、処理液Ｌ１に強く吸収される。このため、撮像画像において、基板Ｗの上面Ｗｔのうち処理液Ｌ１によって被覆された領域は比較的低い輝度値を示す。

本実施形態では、処理液Ｌ１が供給された基板Ｗを近赤外線光源１４０からの近赤外線で照射して近赤外撮像部１５０で撮像する。このため、処理液Ｌ１の外縁の変化を高精度に特定できる。

なお、図７を参照して、ノズル１３６から処理液Ｌ１の吐出を開始して処理液Ｌ１が基板Ｗの上面Ｗｔの中心から径方向に広がる過程を撮像した撮像画像を説明したが、本実施形態はこれに限定されない。近赤外撮像部１５０は、乾燥によって処理液Ｌ１が基板Ｗの上面Ｗｔからなくなる過程を撮像してもよい。

本実施形態の基板処理方法において、処理液の外縁を特定した結果に基づいて処理液供給部１３０から基板Ｗの上面Ｗｔに供給される処理液の流量が変更されてもよい。

次に、図１～図８を参照して、本実施形態の基板処理方法における基板処理工程を説明する。図８は、本実施形態の基板処理方法における基板処理工程のフロー図である。図８のフロー図は、処理液の外縁を特定した結果に基づいて処理液が基板Ｗの上面Ｗｔを被覆するか否かを判定し、処理液供給部１３０から基板Ｗの上面Ｗｔに供給される処理液の流量を変更する点を除いて、図５のフロー図と同様であり、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。

図８に示すように、ステップＳ１１０およびステップＳ１２０は、図５のステップＳ１１０およびステップＳ１２０と同様である。

ステップＳ１３０において、基板Ｗに処理液を供給する。制御部１０２は、処理液供給部１３０が基板Ｗに処理液の供給を開始するように処理液供給部１３０を制御する。ここでは、乾燥状態の基板Ｗに対して処理液が供給される。この場合、処理液の流量は、比較的大きい値に設定される。

ステップＳ１４０において、近赤外撮像部１５０によって生成された撮像画像に基づいて、撮像画像内の処理液を特定する。制御部１０２は、撮像画像に基づいて、撮像画像内の処理液の外縁を特定する。また、制御部１０２は、撮像画像に基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定してもよい。

ステップＳ１５０ａにおいて、処理液が基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆するか否か判定する。具体的には、制御部１０２は、処理液の外縁を特定した結果に基づいて、処理液が基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆するか否かを判定する。

処理液が基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆しない場合（ステップＳ１５０ａにおいてＮｏ）、処理は、ステップＳ１４０に戻る。これにより、処理液が基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆するまで処理液外縁の特定および全面被覆の判定を繰り返す。一方、処理液が基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆する場合（ステップＳ１５０ａにおいてＹｅｓ）、処理は、ステップＳ１５０ｂに進む。

ステップＳ１５０ｂにおいて、基板Ｗに供給される処理液の流量を減少する。制御部１０２は、処理液供給部１３０が基板Ｗに供給する処理液の流量が減少するように処理液供給部１３０を制御する。

例えば、制御部１０２は、予め設定された流量まで処理液の流量を減少してもよい。あるいは、制御部１０２は、基板Ｗの上面Ｗｔの処理液の外縁を特定しながら処理液の流量を減少させてもよい。その場合、処理液供給部１３０は、所定期間にわたって処理液の供給を継続する。その後、処理は、ステップＳ１６０に進む。なお、ステップＳ１６０およびステップＳ１７０は、図５のステップＳ１６０およびステップＳ１７０と同様である。

本実施形態によれば、処理液の外縁を特定した結果に基づいて処理液供給部１３０から基板Ｗの上面Ｗｔに供給される処理液の流量を減少する。このため、基板Ｗの上面Ｗｔの全体を確実に被覆するために不要な流量の処理液を使用しなくてもよい。

なお、図８のフロー図では、処理液供給部１３０は、先に比較的多い流量の処理液を供給し、処理液が基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆した後で、処理液供給部１３０から供給される処理液の流量を減少させたが、本実施形態はこれに限定されない。処理液供給部１３０は、先に比較的少ない流量の処理液を供給し、所定の期間内で処理液が基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆しない場合には、処理液供給部１３０から供給される処理液の流量を増加させてもよい。

なお、図８を参照した上述の説明では、処理液の外縁を特定した結果に基づいて処理液の流量を変更したが、本実施形態はこれに限定されない。処理液の外縁を特定した結果に基づいて処理液供給部１３０から基板Ｗの上面Ｗｔへの処理液の供給を停止してもよい。

次に、図１～図９を参照して、本実施形態の基板処理方法における基板処理工程を説明する。図９は、本実施形態の基板処理方法における基板処理工程のフロー図である。図９のフロー図は、処理液の外縁を特定した結果に基づいて処理液の供給を停止する点を除いて、図５のフロー図と同様であり、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。

図９に示すように、ステップＳ１１０およびステップＳ１２０は、図５のステップＳ１１０およびステップＳ１２０と同様である。

ステップＳ１３０において、基板Ｗに処理液を供給する。制御部１０２は、処理液供給部１３０が基板Ｗに処理液の供給を開始するように処理液供給部１３０を制御する。ここでは、乾燥状態の基板Ｗに対して処理液が供給される。

ステップＳ１４０において、近赤外撮像部１５０によって生成された撮像画像に基づいて、撮像画像内の処理液を特定する。制御部１０２は、撮像画像に基づいて、撮像画像内の処理液の外縁を特定する。また、制御部１０２は、撮像画像に基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定してもよい。

ステップＳ１５０ｃにおいて、処理液が基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆するか否か判定する。具体的には、制御部１０２は、処理液の外縁の特定結果に基づいて、処理液が基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆するか否かを判定する。

基板Ｗの上面Ｗｔの全体が処理液で被覆しない場合（ステップＳ１５０ｃにおいてＮｏ）、処理は、ステップＳ１４０に戻る。これにより、処理液が基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆するまで処理液外縁の特定および全面被覆の判定を繰り返す。一方、処理液が基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆する場合（ステップＳ１５０ｃにおいてＹｅｓ）、処理は、ステップＳ１５０ｄに進む。

ステップＳ１５０ｄにおいて、時間の計測を開始する。制御部１０２は、基板Ｗに処理液の供給を継続するように処理液供給部１３０を制御したまま、処理液が基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆してから経過した時間を計測する。

ステップＳ１５０ｅにおいて、時間の計測を開始してから所定時間が経過したか否かを判定する。所定時間が経過していない場合（ステップＳ１５０ｅにおいてＮｏ）、処理は、ステップＳ１５０ｅに戻る。これにより、時間の計測を開始してから所定時間が経過するまで判定を繰り返す。一方、所定時間が経過した場合（ステップＳ１５０ｅにおいてＹｅｓ）、処理は、ステップＳ１６０に進む。なお、ステップＳ１６０およびステップＳ１７０は、図５のステップＳ１６０およびステップＳ１７０と同様である。

本実施形態によれば、処理液の外縁を特定した結果に基づいて処理液供給部１３０から基板Ｗの上面Ｗｔに処理液を供給する時間を計測する。これにより、処理液が基板Ｗの上面Ｗｔを被覆するまでの過程においてばらつきが生じる場合でも、基板Ｗごとの処理の変動を抑制できる。

なお、図１～図９を参照した上述の説明では、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０はチャンバー１１２内に配置されたが、本実施形態はこれに限定されない。近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０はチャンバー１１２の外部に配置されてもよい。

次に、図１～図１０を参照して、本実施形態の基板処理装置１００における基板処理ユニット１１０を説明する。図１０は、本実施形態の基板処理装置１００における基板処理ユニット１１０の模式図である。図１０の基板処理ユニット１１０は、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０がチャンバー１１２の窓部１１２ａ、１１２ｂの外部に配置される点を除いて、図２の基板処理ユニット１１０と同様の構成を有しており、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。

図１０に示すように、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、チャンバー１１２の外部に配置される。例えば、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、チャンバー１１２を挟んで対向する位置に配置される。近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０をチャンバー１１２の外部に配置することにより、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０に処理液が付着することを抑制できる。

なお、チャンバー１１２は、窓部１１２ａ、１１２ｂを有することが好ましい。例えば、窓部１１２ａ、１１２ｂは、少なくとも近赤外線を透過する。窓部１１２ａ、１１２ｂは、チャンバー１１２の対向する側面にそれぞれ配置されることが好ましい。例えば、近赤外線光源１４０は、窓部１１２ａを介して基板Ｗに近赤外線を出射する。また、近赤外撮像部１５０は、窓部１１２ｂを介して基板Ｗを撮像する。

基板処理ユニット１１０を平面視する場合、近赤外線光源１４０の光軸および近赤外撮像部１５０の撮像光軸は、基板Ｗの中心を通る直線上に位置する。このように、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、基板Ｗの中心を通る水平線上に投影される位置上に配置されてもよい。

または、基板処理ユニット１１０を平面視する場合、近赤外線光源１４０の光軸および近赤外撮像部１５０の撮像光軸は、基板Ｗの中心において直交してもよい。このように、近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０は、基板Ｗの中心に対して直交する位置に配置されてもよい。

なお、図２および図１０に示した基板処理装置１００では、処理液供給部１３０は、基板Ｗに１種類の処理液を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。処理液供給部１３０は、基板Ｗに複数種類の処理液を供給してもよい。

次に、図１～図１１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００における基板処理ユニット１１０を説明する。図１１は、本実施形態の基板処理装置１００における基板処理ユニット１１０の模式図である。図１１の基板処理ユニット１１０は、処理液供給部１３０が、第１処理液を供給する第１処理液供給部１３０ａおよび第２処理液を供給する第２処理液供給部１３０ｂを有する点を除いて、図２を参照して上述した基板処理ユニット１１０と同様の構成を有しており、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。

図１１に示すように、処理液供給部１３０は、第１処理液供給部１３０ａおよび第２処理液供給部１３０ｂを含む。第１処理液供給部１３０ａは、第１処理液を基板Ｗに供給する。第２処理液供給部１３０ｂは、第１処理液とは異なる第２処理液を基板Ｗに供給する。

第１処理液供給部１３０ａは、配管１３２ａと、バルブ１３４ａと、ノズル１３６ａとを含む。配管１３２ａには、供給源から第１処理液が供給される。バルブ１３４ａは、配管１３２ａ内の流路を開閉する。ノズル１３６ａは、配管１３２ａに接続される。ノズル１３６ａは、基板Ｗの上面Ｗｔに第１処理液を吐出する。

第２処理液供給部１３０ｂは、配管１３２ｂと、バルブ１３４ｂと、ノズル１３６ｂとを含む。配管１３２ｂには、供給源から第２処理液が供給される。バルブ１３４ｂは、配管１３２ｂ内の流路を開閉する。ノズル１３６ｂは、配管１３２ｂに接続される。ノズル１３６ｂは、基板Ｗの上面Ｗｔに第２処理液を吐出する。

次に、図１～図１２を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図１２（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００において第１処理液Ｌａが供給される基板Ｗを撮像した撮像画像の模式図であり、図１２（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００において第１処理液Ｌａの供給を停止して第２処理液Ｌｂの供給が開始された基板Ｗを撮像した撮像画像の模式図であり、図１２（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置１００において第２処理液Ｌｂが供給される基板Ｗを撮像した撮像画像の模式図である。

図１２（ａ）に示すように、ノズル１３６ａは、基板Ｗの上面Ｗｔに第１処理液Ｌａを吐出する。ここでは、ノズル１３６ａは、基板Ｗの上面Ｗｔの中心に第１処理液Ｌａを吐出する。基板Ｗは回転しているため、第１処理液Ｌａは、基板Ｗの上面Ｗｔの中心から径方向に広がり、第１処理液Ｌａは、基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆する。なお、基板Ｗの上面Ｗｔの径方向端部に達した第１処理液Ｌａは、基板Ｗから径方向外側に飛散する。このとき、撮像画像から、基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆する第１処理液Ｌａの外縁を特定できる。

図１２（ｂ）に示すように、ノズル１３６ａは、基板Ｗの上面Ｗｔに第１処理液Ｌａの吐出を停止し、続いて、ノズル１３６ｂは、基板Ｗの上面Ｗｔに第２処理液Ｌｂの吐出を開始する。第１処理液Ｌａの吐出に続いて第２処理液Ｌｂを吐出する場合、第１処理液Ｌａと第２処理液Ｌｂとの境界は、基板Ｗの上面Ｗｔの中心から径方向に広がる。このとき、撮像画像から、基板Ｗの上面Ｗｔの被覆する第１処理液Ｌａの外縁および第２処理液Ｌｂの外縁をそれぞれ特定できる。

また、図１２（ｃ）に示すように、ノズル１３６ｂは、基板Ｗの上面Ｗｔに第２処理液Ｌｂを吐出する。ここでは、ノズル１３６ｂは、基板Ｗの上面Ｗｔの中心に第２処理液Ｌｂを吐出する。基板Ｗは回転しているため、第２処理液Ｌｂは、基板Ｗの上面Ｗｔの中心から径方向に広がり、第２処理液Ｌｂは、基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆する。なお、基板Ｗの上面Ｗｔの径方向端部に達した第２処理液Ｌｂは、基板Ｗから径方向外側に飛散する。このとき、撮像画像から、基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆する第２処理液Ｌｂの外縁を特定できる。

本実施形態によれば、近赤外線で照射された第１処理液Ｌａおよび第２処理液Ｌｂを近赤外撮像部１５０で撮像する。第１処理液Ｌａおよび第２処理液Ｌｂは、近赤外線を比較的強く吸収するため、第１処理液Ｌａおよび第２処理液Ｌｂの外縁を高精度に特定できる。また、第１処理液Ｌａおよび第２処理液Ｌｂは、近赤外線を異なる態様で吸収するため、第１処理液Ｌａおよび第２処理液Ｌｂの種類を高精度に特定できる。

次に、図１～図１３を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図１３は、基板処理方法のフロー図である。図１３のフロー図は、第１処理液供給部１３０ａおよび第２処理液供給部１３０ｂから第１処理液および第２処理液がそれぞれ供給される点を除いて、図５を参照して上述したフロー図と同様であり、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。

図１３に示すように、ステップＳ１１０およびステップＳ１２０は、図５と同様であるため、説明を割愛する。ステップＳ１２０の後、処理は、ステップＳ１３０ａに進む。

ステップＳ１３０ａにおいて、第１処理液Ｌａを基板Ｗの上面Ｗｔに供給する。詳細には、第１処理液供給部１３０ａは、基板Ｗの上面Ｗｔに対して第１処理液Ｌａの供給を開始する。具体的には、制御部１０２は、第１処理液Ｌａを基板Ｗの上面Ｗｔに供給することを開始するように第１処理液供給部１３０ａを制御する。処理は、ステップＳ１６０ａに進む。

ステップＳ１６０ａにおいて、第１処理液の供給を停止する。詳細には、第１処理液供給部１３０ａは、基板Ｗの上面Ｗｔに対して第１処理液の供給を停止する。具体的には、制御部１０２は、第１処理液Ｌａの供給を開始してから所定期間経過した後、第１処理液Ｌａの供給を停止するように第１処理液供給部１３０ａを制御する。処理は、ステップＳ１３０ｂに進む。

ステップＳ１３０ｂにおいて、第２処理液Ｌｂを基板Ｗの上面Ｗｔに供給する。詳細には、第２処理液供給部１３０ｂは、基板Ｗの上面Ｗｔに対して第２処理液Ｌｂの供給を開始する。ここでは、第２処理液の供給は、基板Ｗに第１処理液Ｌａの供給の停止とともに開始する。処理は、ステップＳ１４０に進む。

ステップＳ１４０において、近赤外撮像部１５０によって生成された撮像画像に基づいて、撮像画像内の第２処理液Ｌｂを特定する。制御部１０２は、撮像画像に基づいて、撮像画像内の第２処理液Ｌｂの外縁を特定する。また、制御部１０２は、撮像画像に基づいて、撮像画像における第２処理液Ｌｂの種類を特定してもよい。処理は、ステップＳ１５０ｆに進む。

ステップＳ１５０ｆおいて、第２処理液Ｌｂが基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆するか否か判定する。具体的には、制御部１０２は、第２処理液Ｌｂの外縁を特定した結果に基づいて、第２処理液Ｌｂが基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆するか否かを判定する。

第２処理液Ｌｂが基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆しない場合（ステップＳ１５０ｆにおいてＮｏ）、処理は、ステップＳ１４０に戻る。これにより、第２処理液Ｌｂが基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆するまで第２処理液Ｌｂの外縁の特定および第２処理液Ｌｂの全面被覆判定を繰り返す。一方、第２処理液Ｌｂが基板Ｗの上面Ｗｔの全体を被覆する場合（ステップＳ１５０ｆにおいてＹｅｓ）、処理は、ステップＳ１５０ｇに進む。

ステップＳ１５０ｇにおいて、基板Ｗに供給される第２処理液Ｌｂの流量を減少する。制御部１０２は、第２処理液供給部１３０ｂが基板Ｗに供給する第２処理液Ｌｂの流量が減少するように第２処理液供給部１３０ｂを制御する。その後、処理は、ステップＳ１６０ｂに進む。

ステップＳ１６０ｂにおいて、第２処理液Ｌｂの供給を停止する。詳細には、第２処理液供給部１３０ｂは、基板Ｗに対して第２処理液Ｌｂの供給を停止する。具体的には、制御部１０２は、基板Ｗの上面Ｗｔの全体が第２処理液Ｌｂに置換されてから所定期間経過した後、第２処理液Ｌｂの供給を停止するように第２処理液供給部１３０ｂを制御する。処理は、ステップＳ１７０に進む。なお、ステップＳ１７０は、図５のステップＳ１７０と同様である。

本実施形態によれば、近赤外線で照射された第１処理液Ｌａおよび第２処理液Ｌｂを近赤外撮像部１５０で撮像する。第１処理液Ｌａおよび第２処理液Ｌｂは、近赤外線を比較的強く吸収するため、第１処理液Ｌａおよび第２処理液Ｌｂの外縁を高精度に特定できる。また、第１処理液Ｌａおよび第２処理液Ｌｂは、近赤外線を異なる態様で吸収するため、第１処理液Ｌａおよび第２処理液Ｌｂの種類を高精度に特定できる。

なお、図５～図１３を参照した上述の説明では、近赤外撮像部１５０は、処理液を供給された基板Ｗを撮像し、近赤外線照射および撮像は、処理液を基板Ｗに供給する期間に行われたが、本実施形態はこれに限定されない。近赤外撮像部１５０は、チャンバー１１２内の任意の領域を撮像してもよく、近赤外線照射および撮像は、処理液を基板Ｗに供給し後で行われてもよい。

次に、図１～図１４を参照して、本実施形態の基板処理方法における基板処理工程を説明する。図１４は、本実施形態の基板処理方法における基板処理工程のフロー図である。図１４のフロー図は、ステップＳ１６０において処理液の供給を停止した後にサックバックを行うとともに、ステップＳ１６０の後に、ステップＳ１２０（近赤外線照射／撮像）およびステップＳ１５０（制御）を行う点を除いて、図５を参照して上述したフロー図と同様であり、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。

ステップＳ１１０において、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転する。具体的には、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。このとき、基板Ｗの回転速度は、例えば、１０ｒｐｍ～１５００ｒｐｍである。

ステップＳ１３０において、基板Ｗに処理液を供給する。具体的には、制御部１０２は、処理液供給部１３０が基板Ｗに処理液を開始するように処理液供給部１３０を制御する。

ステップＳ１６０において、処理液の供給を停止する。具体的には、制御部１０２は、処理液供給部１３０が基板Ｗに処理液を供給することを停止する。ここでは、処理液の供給を停止した後に、処理液を吸引して処理液を配管１３２にサックバックする。処理は、ステップＳ１７０に進む。

ステップＳ１７０において、基板Ｗの回転を停止する。具体的には、制御部１０２は、基板保持部１２０が基板Ｗの回転を停止する。処理は、ステップＳ１２０に進む。

ステップＳ１２０において、近赤外線光源１４０が配管１３２およびノズル１３６を近赤外線で照射するとともに、近赤外撮像部１５０は近赤外線が照射された配管１３２およびノズル１３６を撮像して撮像画像を生成する。制御部１０２は、近赤外線光源１４０が配管１３２およびノズル１３６に近赤外線を出射するとともに、近赤外撮像部１５０が近赤外線で照射された配管１３２およびノズル１３６を撮像するように近赤外線光源１４０および近赤外撮像部１５０を制御する。なお、近赤外撮像部１５０は、配管１３２およびノズル１３６の少なくとも一方を撮像し、近赤外線光源１４０は、近赤外撮像部１５０によって撮像される配管１３２およびノズル１３６の少なくとも一方を照射してもよい。

ステップＳ１４０において、近赤外撮像部１５０によって生成された撮像画像に基づいて、撮像画像内の処理液を特定する。制御部１０２は、撮像画像に基づいて、撮像画像内の処理液を特定する。例えば、制御部１０２は、撮像画像に基づいて、撮像画像における処理液の外縁を特定する。これにより、配管１３２およびノズル１３６内においてサックバックされた処理液の位置を特定できる。また、制御部１０２は、撮像画像に基づいて、撮像画像における処理液の種類を特定してもよい。処理は、ステップＳ１５０に進む。

ステップＳ１５０において、制御部１０２は、チャンバー１１２内の処理液を制御する。ステップＳ１４０において、近赤外撮像部１５０が、近赤外線が照射された配管１３２およびノズル１３６を撮像したため、配管１３２およびノズル１３６内の処理液を高精度に撮像できる。例えば、ステップＳ１６０における処理液のサックバックが不充分な場合、制御部１０２は、処理液を再度サックバックする。

本実施形態によれば、近赤外線光源１４０からの近赤外線で照射された配管１３２およびノズル１３６を近赤外撮像部１５０で撮像するため、配管１３２およびノズル１３６内の処理液を高精度に特定できる。例えば、近赤外撮像部１５０による撮像画像から、処理液が充分にサックバックされていないことを検知することにより、処理液のサックバック処理を再度実行できる。

以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に好適に用いられる。

１００ 基板処理装置
１１０ 基板処理ユニット
１１２ チャンバー
１２０ 基板保持部
１３０ 処理液供給部
１４０ 近赤外線光源
１５０ 近赤外撮像部
Ｗ 基板

Claims (14)

1. チャンバーと、
   前記チャンバー内で基板を保持して前記基板を回転させる基板保持部と、
   前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、
   前記チャンバー内を近赤外線で照射する近赤外線光源と、
   前記近赤外線光源からの前記近赤外線で照射された前記チャンバー内の前記処理液を撮像した撮像画像を生成する近赤外撮像部と、
   前記撮像画像に基づいて前記チャンバー内の前記処理液の外縁を特定する制御部と
   を備え、
   前記制御部は、前記撮像画像に基づいて前記処理液の種類を特定する、基板処理装置。
2. 前記近赤外線光源および前記近赤外撮像部は、前記チャンバーの内部に配置される、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記近赤外線光源および前記近赤外撮像部は、前記チャンバーの外部に配置される、請求項１に記載の基板処理装置。
4. チャンバーと、
   前記チャンバー内で基板を保持して前記基板を回転させる基板保持部と、
   前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、
   前記チャンバー内を近赤外線で照射する近赤外線光源と、
   前記近赤外線光源からの前記近赤外線で照射された前記チャンバー内の前記処理液を撮像した撮像画像を生成する近赤外撮像部と、
   前記撮像画像に基づいて前記チャンバー内の前記処理液の外縁を特定する制御部と
   を備え、
   前記近赤外線光源および前記近赤外撮像部は、前記チャンバーの外部に配置される、基板処理装置。
5. 前記近赤外線光源および前記近赤外撮像部は、前記チャンバーを挟んで対向する位置に配置される、請求項３または４に記載の基板処理装置。
6. 前記近赤外撮像部は、前記基板の前記上面に前記処理液供給部から供給された前記処理液を撮像する、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記制御部は、前記撮像画像に基づいて、前記処理液が前記基板の前記上面全体を被覆するか否かを判定する、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記処理液供給部は、
   前記基板に第１処理液を供給する第１処理液供給部と、
   前記基板に第２処理液を供給する第２処理液供給部と
   を含み、
   前記第１処理液供給部から前記基板に供給していた前記第１処理液の供給を停止した後に前記第２処理液供給部から前記基板に前記第２処理液の供給を開始してから、前記制御部は、前記撮像画像に基づいて、前記第２処理液が前記基板の前記上面全体を被覆するか否かを判定する、請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置。
9. 前記処理液供給部は、配管と、ノズルとを含み、
   前記近赤外撮像部は、前記配管および前記ノズルの少なくとも一方に位置する前記処理液を撮像する、請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置。
10. チャンバー内において基板を保持して前記基板を回転させる工程と、
    前記チャンバー内において前記基板の上面に処理液を供給する工程と、
    前記チャンバー内を近赤外線で照射する工程と、
    前記近赤外線で照射された前記チャンバー内の前記処理液を撮像した撮像画像を生成する工程と、
    前記撮像画像に基づいて前記チャンバー内の前記処理液の外縁を特定する工程と、
    前記撮像画像に基づいて前記処理液の種類を特定する工程と
    を包含する、基板処理方法。
11. 前記撮像画像を生成する工程において、前記基板の前記上面に供給された前記処理液を撮像する、請求項１０に記載の基板処理方法。
12. 前記処理液が前記基板の前記上面全体を被覆するか否かを判定する工程をさらに包含する、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記処理液を供給する工程は、
    前記基板に第１処理液を供給する工程と、
    前記基板に第２処理液を供給する工程と
    を含み、
    前記基板処理方法は、前記基板に供給していた前記第１処理液の供給を停止した後に前記基板に前記第２処理液の供給を開始してから、前記撮像画像に基づいて、前記第２処理液が前記基板の前記上面全体を被覆するか否かを判定する工程をさらに包含する、請求項１０から１２のいずれかに記載の基板処理方法。
14. 前記撮像画像を生成する工程において、前記処理液が流通するための配管およびノズルの少なくとも一方に位置する前記処理液を撮像する、請求項１０から１３のいずれかに記載の基板処理方法。