JP7778079B2 - Electromagnetic wave control sheet - Google Patents
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Description
本発明は、電磁波制御シートに関する。
本願は、2020年9月30日に、日本に出願された特願2020-165243号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
The present invention relates to an electromagnetic wave control sheet.
This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2020-165243, filed on September 30, 2020, the contents of which are incorporated herein by reference.
所定の周波数の電磁波を選択的に吸収する電磁波制御シートが知られている。電磁波制御シートは、例えば、第1の周波数選択遮蔽層と第2の周波数選択遮蔽層とを備えるものである。このような電磁波制御シートにおいては、第1の周波数選択遮蔽層および第2の周波数選択遮蔽層に形成されたFSS(Frequency Selective Surface)素子の細線パターンによって、各層が所定の周波数の電磁波を吸収し、全体として2つの異なる周波数の電磁波を選択的に遮蔽する。 Electromagnetic wave control sheets that selectively absorb electromagnetic waves of a predetermined frequency are known. For example, electromagnetic wave control sheets include a first frequency selective shielding layer and a second frequency selective shielding layer. In such electromagnetic wave control sheets, the fine line patterns of FSS (Frequency Selective Surface) elements formed in the first frequency selective shielding layer and the second frequency selective shielding layer allow each layer to absorb electromagnetic waves of a predetermined frequency, and as a whole, selectively block electromagnetic waves of two different frequencies.
電磁波制御シートとしては、TOM(Three dimension Overlay Method)成型を用いて曲面に貼付可能なものが望まれていた。TOM成型は、種々の三次元形状を持つ物品の表面に、特殊なフィルムを貼り合せることで、意匠性および機能性を高める成型方法である。
特許文献1には、500μmの凹凸を被覆するために用いられる電磁波シールドフィルムであって、150℃における貯蔵弾性率が2.0×105MPa~2.0×108MPaのものが記載されている。
特許文献2には、平坦ではない面にも取り付け可能な電磁波吸収体に関して、ヤング率や比誘電率の数値が記載されている。
There has been a demand for an electromagnetic wave control sheet that can be attached to curved surfaces using TOM (Three Dimension Overlay Method) molding, a molding method that enhances the design and functionality of various three-dimensional objects by laminating a special film onto the surface.
Patent Document 1 describes an electromagnetic wave shielding film used to cover irregularities of 500 μm, which has a storage modulus at 150° C. of 2.0×10 5 MPa to 2.0×10 8 MPa.
Patent Document 2 describes the values of Young's modulus and relative dielectric constant for an electromagnetic wave absorber that can be attached to a non-flat surface.
特許文献1に記載の電磁波シールドフィルムは、貯蔵弾性率が高いため、成型性が乏しいという課題があった。
特許文献2には、電磁波吸収体の貯蔵弾性率やガラス転移温度が記載されていないことから、特許文献2に記載の電磁波吸収体の成型性が乏しいという課題があった。
The electromagnetic wave shielding film described in Patent Document 1 has a problem in that it has poor formability due to its high storage modulus.
Patent Document 2 does not disclose the storage modulus or glass transition temperature of the electromagnetic wave absorber, and therefore there is a problem in that the electromagnetic wave absorber described in Patent Document 2 has poor moldability.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、120℃付近でTOM成型により、三次元形状に成型が可能な電磁波制御シート、さらには、シートを成型すると同時に曲面を有する物品に貼付することが可能な電磁波制御シートを提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and aims to provide an electromagnetic wave control sheet that can be molded into a three-dimensional shape by TOM molding at around 120°C, and further, an electromagnetic wave control sheet that can be attached to an article with a curved surface at the same time as the sheet is molded.
本発明は、以下の電磁波制御シートを提供する。
[1]誘電体層と、前記誘電体層上に設けられた導電パターンと、を備え、前記導電パターンの長辺の長さが2mm以下、前記誘電体層のガラス転移温度は30℃~120℃、前記誘電体層の120℃における貯蔵弾性率は1.0×10-2MPa~1.0×103MPaである、電磁波制御シート。
[2]前記誘電体層の裏面側に配置される反射層を備える基材層を有し、前記基材層上に前記導電パターンが設けられる、[1]に記載の電磁波制御シート。
[3]前記基材層は、ポリウレタンまたはポリエステルから構成される、[2]に記載の電磁波制御シート。
[4]前記導電パターンは、第1の導電パターン、第2の導電パターンおよび第3の導電パターンからなり、前記第1の導電パターンによって吸収される電磁波の吸収量が20GHz~110GHzの範囲で極大値を示す周波数が、A[GHz]であり、前記第2の導電パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数が、下記式(1)を満たすB[GHz]であり、前記第3の導電パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数が、下記式(2)を満たすC[GHz]である、[1]~[3]のいずれかに記載の電磁波制御シート。
1.037×A≦B≦1.30×A・・・(1)
0.60×A≦C≦0.933×A・・・(2)
[5]前記第1の導電パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第1の単位が配列された第1の配列を複数有し、前記第2の導電パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第2の単位が配列された第2の配列を複数有し、前記第3の導電パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第3の単位が配列された第3の配列を複数有し、前記第1の配列と前記第2の配列と前記第3の配列とが互いに隣り合うように前記基材上に配置されている、[4]に記載の電磁波制御シート。
The present invention provides the following electromagnetic wave control sheet.
[1] An electromagnetic wave control sheet comprising a dielectric layer and a conductive pattern provided on the dielectric layer, wherein the length of a long side of the conductive pattern is 2 mm or less, the glass transition temperature of the dielectric layer is 30°C to 120°C, and the storage modulus of the dielectric layer at 120°C is 1.0 x 10-2 MPa to 1.0 x 103 MPa.
[2] The electromagnetic wave control sheet according to [1], which has a base layer including a reflective layer disposed on the back surface side of the dielectric layer, and the conductive pattern is provided on the base layer.
[3] The electromagnetic wave control sheet according to [2], wherein the base layer is made of polyurethane or polyester.
[4] The electromagnetic wave control sheet according to any one of [1] to [3], wherein the conductive patterns are composed of a first conductive pattern, a second conductive pattern, and a third conductive pattern, and the frequency at which the amount of electromagnetic wave absorption by the first conductive pattern shows a maximum value in a range of 20 GHz to 110 GHz is A [GHz], the frequency at which the amount of electromagnetic wave absorption by the second conductive pattern shows a maximum value is B [GHz] that satisfies the following formula (1), and the frequency at which the amount of electromagnetic wave absorption by the third conductive pattern shows a maximum value is C [GHz] that satisfies the following formula (2).
1.037 × A ≦ B ≦ 1.30 × A (1)
0.60 × A ≦ C ≦ 0.933 × A (2)
[5] The electromagnetic wave control sheet according to [4], wherein the first conductive pattern has a plurality of first arrays in which a plurality of first units having the same shape are arranged, the second conductive pattern has a plurality of second arrays in which a plurality of second units having the same shape are arranged, and the third conductive pattern has a plurality of third arrays in which a plurality of third units having the same shape are arranged, and the first arrays, the second arrays, and the third arrays are arranged on the base material so as to be adjacent to each other.
本発明によれば、120℃付近でTOM成型により、三次元形状に成型が可能な電磁波制御シート、さらには、シートを成型すると同時に曲面を有する物品に貼付することが可能な電磁波制御シートを提供することができる。 The present invention provides an electromagnetic wave control sheet that can be molded into a three-dimensional shape by TOM molding at around 120°C, and further provides an electromagnetic wave control sheet that can be attached to an article with a curved surface at the same time as the sheet is molded.
本明細書において「導電パターン」とは、幾何学的な図形である単位の集合体であり、ある周波数の電磁波を選択的に吸収する物体を意味する。「導電パターン」はいわゆるアンテナと同様の機能を有するともいえる。
本明細書において「ミリ波領域の電磁波」とは、波長が1mm~15mmの電磁波を意味する。「ミリ波領域の電磁波」とは、周波数が20GHz~300GHzである電磁波ともいえる。
本明細書において数値範囲を示す「~」は、その前後に記載された数値を下限値および上限値として含むことを意味する。
In this specification, the term "conductive pattern" refers to an aggregate of geometrically shaped units that selectively absorbs electromagnetic waves of a certain frequency. The "conductive pattern" can also be said to have the same function as an antenna.
In this specification, "electromagnetic waves in the millimeter wave region" refers to electromagnetic waves with a wavelength of 1 mm to 15 mm. "Electromagnetic waves in the millimeter wave region" can also be said to be electromagnetic waves with a frequency of 20 GHz to 300 GHz.
In this specification, the use of "to" to indicate a range of values means that the values before and after it are included as the lower and upper limits.
[電磁波制御シート]
以下、本発明を適用した一実施形態例について説明する。以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じ値であるとは限らない。
本発明の電磁波制御シートは、誘電体層と、誘電体層上に設けられた導電パターンと、を備える。本発明における誘電体層は、任意の誘電率をもつ誘電体材料からなる。誘電体層は、基材層のみから構成されていてもよく、基材層とスペーサ層から構成されていてもよく、導電パターンと反射層の間に設けられる誘電体材料のことをいう。さらに、後述の反射層を構成する支持体を誘電体層として用いてもよい。本発明の電磁波制御シートは、誘電体層を1層有していてもよいし、2層以上を有していてもよい。
[Electromagnetic wave control sheet]
An embodiment of the present invention will be described below. In the drawings used in the following description, for the sake of convenience, essential parts may be shown enlarged to make the features of the present invention easier to understand, and the dimensional ratios of the components may not necessarily be the same as those in reality.
The electromagnetic wave control sheet of the present invention comprises a dielectric layer and a conductive pattern provided on the dielectric layer. The dielectric layer in the present invention is made of a dielectric material having a given dielectric constant. The dielectric layer may be composed of only a substrate layer, or may be composed of a substrate layer and a spacer layer, and refers to a dielectric material provided between the conductive pattern and the reflective layer. Furthermore, the support constituting the reflective layer described below may be used as the dielectric layer. The electromagnetic wave control sheet of the present invention may have one dielectric layer or two or more dielectric layers.
図1および図2は、本発明の一実施形態に係る電磁波制御シートを模式的に示し、電磁波制御シートにおける厚みに沿う面の断面図である。図1は、誘電体層は単層である場合を示す図である。図2は、誘電体層は2層である場合を示す図である。
図1に示すように、本実施形態に係る電磁波制御シート10は、基材層20と、導電パターン30と、を備える。基材層20は、誘電体層(第1の誘電体層)である。
図2に示すように、本実施形態に係る電磁波制御シート10は、反射層40、スペーサ層50を備えていてもよい。スペーサ層50は誘電体層(第2の誘電体層)である。
1 and 2 are cross-sectional views of an electromagnetic wave control sheet according to an embodiment of the present invention, taken along the thickness direction of the electromagnetic wave control sheet. Fig. 1 shows a case where the dielectric layer is a single layer, and Fig. 2 shows a case where the dielectric layer is a two-layer.
1, the electromagnetic wave control sheet 10 according to this embodiment includes a base layer 20 and a conductive pattern 30. The base layer 20 is a dielectric layer (first dielectric layer).
2, the electromagnetic wave control sheet 10 according to this embodiment may include a reflective layer 40 and a spacer layer 50. The spacer layer 50 is a dielectric layer (second dielectric layer).
導電パターン30は、基材層20の一方の面(表面)20aに配置される。 The conductive pattern 30 is arranged on one side (surface) 20a of the substrate layer 20.
「基材層」
基材層20は誘電体層である。基材層20のガラス転移温度は、30℃~120℃であり、40℃~100℃であることが好ましく、50℃~80℃であることがより好ましい。基材層20のガラス転移温度が上記下限値未満では、電磁波制御シートのハンドリング性が低下する。基材層20のガラス転移温度が上記上限値を超えると、接着層へ熱負荷により接着力が低下する可能性がある。
"Base material layer"
The substrate layer 20 is a dielectric layer. The glass transition temperature of the substrate layer 20 is 30°C to 120°C, preferably 40°C to 100°C, and more preferably 50°C to 80°C. If the glass transition temperature of the substrate layer 20 is below the lower limit, the handling properties of the electromagnetic wave control sheet will be reduced. If the glass transition temperature of the substrate layer 20 exceeds the upper limit, the adhesive strength of the adhesive layer may be reduced due to a thermal load.
基材層20のガラス転移温度は、動的粘弾性測定(Dynamic Mechanical Analysis、DMA)装置で測定する。 The glass transition temperature of the substrate layer 20 is measured using a dynamic mechanical analysis (DMA) device.
基材層20の120℃における貯蔵弾性率は、1.0×10-2MPa~1.0×103MPaであり、1.0×10-1MPa~7.5×102MPaであることが好ましく、1.0MPa~5.0×102MPaであることがより好ましい。基材層20の120℃における貯蔵弾性率が上記下限値未満では、電磁波制御シートのハンドリング性が低下する。基材層20の120℃における貯蔵弾性率が上記上限値を超えると、TOM成形性が乏しくなる。 The storage modulus of the base layer 20 at 120°C is 1.0×10 -2 MPa to 1.0×10 3 MPa, preferably 1.0×10 -1 MPa to 7.5×10 2 MPa, and more preferably 1.0 MPa to 5.0×10 2 MPa. If the storage modulus of the base layer 20 at 120°C is less than the above lower limit, the handling properties of the electromagnetic wave control sheet will be reduced. If the storage modulus of the base layer 20 at 120°C exceeds the above upper limit, the TOM formability will be poor.
基材層20の貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定(Dynamic Mechanical Analysis、DMA)装置で測定する。 The storage modulus of the base layer 20 is measured using a dynamic mechanical analysis (DMA) device.
基材層20は、上記ガラス転移温度および上記貯蔵弾性率を満たすものであれば、特に限定されないが、ポリエステル、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレート樹脂(PMMA)または塩化ビニル樹脂(PVC)から構成されることが好ましい。
ポリウレタンの具体例としては、熱可塑性ウレタン等が挙げられる。
The base layer 20 is not particularly limited as long as it satisfies the above glass transition temperature and storage modulus, but is preferably made of polyester, polyurethane, polymethyl methacrylate resin (PMMA), or polyvinyl chloride resin (PVC).
Specific examples of polyurethane include thermoplastic urethane.
基材層20の厚みは、1μm~125μmであることが好ましく、10μm~100μmであることがより好ましく、25μm~75μmであることがさらに好ましい。 The thickness of the base layer 20 is preferably 1 μm to 125 μm, more preferably 10 μm to 100 μm, and even more preferably 25 μm to 75 μm.
基材層20の厚みは、TECLOCK社製デジタルインジゲータで測定する。 The thickness of the substrate layer 20 is measured using a digital indicator manufactured by TECLOCK.
電磁波制御シート10の電磁波の吸収性能のさらなる改良を考慮して、基材層20の厚み、誘電率、透磁率は適宜設定可能である。
吸収対象となる電磁波の電気的特性を考慮する場合、基材層20は高誘電率の層であってもよい。基材層20が高誘電率の層であると、電磁波制御シート10の厚みを相対的に薄くできる。
In consideration of further improving the electromagnetic wave absorption performance of the electromagnetic wave control sheet 10, the thickness, permittivity, and magnetic permeability of the base layer 20 can be set as appropriate.
When the electrical characteristics of the electromagnetic waves to be absorbed are taken into consideration, the base layer 20 may be a layer with a high dielectric constant. If the base layer 20 is a layer with a high dielectric constant, the thickness of the electromagnetic wave control sheet 10 can be made relatively thin.
電磁波制御シート10を種々の物品の表面に貼付することを目的として、基材層20の他方の面(裏面)20bを接着性としてもよい。基材層20の他方の面20bを接着性とする場合には、面20bを覆う剥離フィルムを設けてもよい。剥離フィルムは電磁波制御シート10の使用時には除去される。剥離フィルムが接着面を覆うことで、流通時の取扱性がよくなる。
例えば、基材層20の他方の面20bが接着剤を含む接着層である多層構造を採用することで、基材層20の他方の面20bを接着性とすることができる。
The other surface (rear surface) 20b of the base layer 20 may be adhesive so that the electromagnetic wave control sheet 10 can be attached to the surface of various articles. When the other surface 20b of the base layer 20 is adhesive, a release film may be provided to cover the surface 20b. The release film is removed when the electromagnetic wave control sheet 10 is used. Covering the adhesive surface with the release film improves handling during distribution.
For example, by employing a multilayer structure in which the other surface 20b of the base material layer 20 is an adhesive layer containing an adhesive, the other surface 20b of the base material layer 20 can be made adhesive.
このような接着剤としては、熱により接着するヒートシールタイプの接着剤;湿潤させて貼付性を発現させる接着剤;圧力により接着する感圧性接着剤(粘着剤)等が挙げられる。これらの中でも、簡便さの観点から、粘着剤(感圧性接着剤)が好ましい。
粘着剤の具体例としては、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤およびゴム系粘着剤からなる群から選ばれる少なくともいずれかが好ましく、アクリル系粘着剤がより好ましい。
Examples of such adhesives include heat-sealing adhesives that bond by heat, adhesives that become adhesive when moistened, pressure-sensitive adhesives (adhesives) that bond by pressure, etc. Among these, adhesives (pressure-sensitive adhesives) are preferred from the viewpoint of simplicity.
Specific examples of the pressure-sensitive adhesive include acrylic pressure-sensitive adhesives, urethane pressure-sensitive adhesives, rubber pressure-sensitive adhesives, polyester pressure-sensitive adhesives, silicone pressure-sensitive adhesives, polyvinyl ether pressure-sensitive adhesives, etc. Among these, at least one selected from the group consisting of acrylic pressure-sensitive adhesives, urethane pressure-sensitive adhesives, and rubber pressure-sensitive adhesives is preferred, and acrylic pressure-sensitive adhesives are more preferred.
アクリル系粘着剤としては、例えば、下記のアクリル系重合体が挙げられる。
直鎖のアルキル基または分岐鎖のアルキル基を有するアルキル(メタ)アクリレートに由来する構成単位を含むアクリル系重合体(1)(すなわち、少なくともアルキル(メタ)アクリレートを単量体として重合することで得られる重合体)。
環状構造を有する(メタ)アクリレートに由来する構成単位を含むアクリル系重合体(2)(すなわち、環状構造を有する(メタ)アクリレートを少なくとも重合することで得られる重合体)。
アクリル系重合体は単独重合体でも共重合体でもよい。アクリル系重合体が共重合体である場合、共重合の形態は特に限定されない。アクリル系共重合体は、ブロック共重合体でもランダム共重合体でもグラフト共重合体でもよい。
Examples of the acrylic adhesive include the following acrylic polymers.
An acrylic polymer (1) containing a structural unit derived from an alkyl(meth)acrylate having a linear alkyl group or a branched alkyl group (i.e., a polymer obtained by polymerizing at least an alkyl(meth)acrylate as a monomer).
An acrylic polymer (2) containing a structural unit derived from a (meth)acrylate having a cyclic structure (i.e., a polymer obtained by polymerizing at least a (meth)acrylate having a cyclic structure).
The acrylic polymer may be a homopolymer or a copolymer. When the acrylic polymer is a copolymer, the form of copolymerization is not particularly limited. The acrylic copolymer may be a block copolymer, a random copolymer, or a graft copolymer.
アクリル系粘着剤としては、下記のアクリル系共重合体(Q)が好ましい。
アクリル系共重合体(Q):炭素数1~20の鎖状アルキル基を有するアルキル(メタ)アクリレート(以下、「単量体成分(q1’)」と記載する。)に由来する構成単位(q1)と官能基含有モノマー(以下、「単量体成分(q2’)」と記載する。)に由来する構成単位(q2)とを含む共重合体。
アクリル系共重合体(Q)は、構成単位(q1)および構成単位(q2)以外のその他の構成単位(q3)をさらに含んでもよい。構成単位(q3)は、単量体成分(q1’)および単量体成分(q2’)以外の他の単量体成分(q3’)に由来する構成単位である。
The acrylic pressure-sensitive adhesive is preferably the following acrylic copolymer (Q).
Acrylic copolymer (Q): A copolymer containing a structural unit (q1) derived from an alkyl(meth)acrylate having a chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms (hereinafter referred to as "monomer component (q1')") and a structural unit (q2) derived from a functional group-containing monomer (hereinafter referred to as "monomer component (q2')").
The acrylic copolymer (Q) may further include a structural unit (q3) other than the structural unit (q1) and the structural unit (q2). The structural unit (q3) is a structural unit derived from a monomer component (q3') other than the monomer component (q1') and the monomer component (q2').
単量体成分(q1’)が有する鎖状アルキル基の炭素数としては、粘着特性の向上の観点から、1~12であることが好ましく、4~8であることがより好ましく、4~6であることがさらに好ましい。単量体成分(q1’)の具体例としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、n-ブチル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらの中でも、ブチル(メタ)アクリレートおよび2-エチルヘキシル(メタ)アクリレートが好ましく、ブチル(メタ)アクリレートがより好ましい。
これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
From the viewpoint of improving adhesive properties, the number of carbon atoms in the chain alkyl group contained in the monomer component (q1') is preferably 1 to 12, more preferably 4 to 8, and even more preferably 4 to 6. Specific examples of the monomer component (q1') include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, lauryl (meth)acrylate, tridecyl (meth)acrylate, and stearyl (meth)acrylate. Of these, butyl (meth)acrylate and 2-ethylhexyl (meth)acrylate are preferred, and butyl (meth)acrylate is more preferred.
These may be used alone or in combination of two or more.
単量体成分(q2’)としては、例えば、ヒドロキシ基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、シアノ基含有モノマー、ケト基含有モノマー、アルコキシシリル基含有モノマー等が挙げられる。これらの中でも、ヒドロキシ基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましい。
ヒドロキシ基含有モノマーの具体例としては、例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらの中でも、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートが好ましい。
カルボキシ基含有モノマーの具体例としては、例えば、(メタ)アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等が挙げられ、(メタ)アクリル酸が好ましい。
エポキシ基含有モノマーの具体例としては、例えば、グリシジル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
アミノ基含有モノマーの具体例としては、例えば、ジアミノエチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
シアノ基含有モノマーの具体例としては、例えば、アクリロニトリル等が挙げられる。
これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Examples of the monomer component (q2′) include hydroxy group-containing monomers, carboxy group-containing monomers, epoxy group-containing monomers, amino group-containing monomers, cyano group-containing monomers, keto group-containing monomers, alkoxysilyl group-containing monomers, etc. Among these, hydroxy group-containing monomers and carboxy group-containing monomers are preferred.
Specific examples of hydroxy group-containing monomers include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, etc. Among these, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate is preferred.
Specific examples of the carboxy group-containing monomer include (meth)acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, and itaconic acid, with (meth)acrylic acid being preferred.
Specific examples of epoxy group-containing monomers include glycidyl (meth)acrylate.
Specific examples of amino group-containing monomers include diaminoethyl (meth)acrylate.
Specific examples of cyano group-containing monomers include acrylonitrile.
These may be used alone or in combination of two or more.
単量体成分(q3’)としては、例えば、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、イミド(メタ)アクリレート、アクリロイルモルフォリン等の環状構造を有する(メタ)アクリレート;酢酸ビニル;スチレン等が挙げられる。
これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Examples of the monomer component (q3') include (meth)acrylates having a cyclic structure such as cyclohexyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth)acrylate, imide (meth)acrylate, and acryloylmorpholine; vinyl acetate; and styrene.
These may be used alone or in combination of two or more.
構成単位(q1)の含有量は、アクリル系共重合体(Q)の全構成単位100質量%に対して、50質量%~99.5質量%であることが好ましく、55質量%~99質量%であることがより好ましく、60質量%~97質量%であることがさらに好ましく、65質量%~95質量%であることが特に好ましい。
構成単位(q2)の含有量は、アクリル系共重合体(Q)の全構成単位100質量%に対して、0.1質量%~50質量%であることが好ましく、0.5質量%~40質量%であることがより好ましく、1.0質量%~30質量%であることがさらに好ましく、1.5質量%~20質量%であることが特に好ましい。
構成単位(q3)の含有量は、アクリル系共重合体(Q)の全構成単位100質量%に対して、0~40質量%であることが好ましく、0~30質量%であることがより好ましく、0~25質量%であることがさらに好ましく、0~20質量%であることが特に好ましい。
The content of the structural unit (q1), relative to 100% by mass of all structural units in the acrylic copolymer (Q), is preferably 50% by mass to 99.5% by mass, more preferably 55% by mass to 99% by mass, even more preferably 60% by mass to 97% by mass, and particularly preferably 65% by mass to 95% by mass.
The content of the structural unit (q2), relative to 100% by mass of all structural units in the acrylic copolymer (Q), is preferably 0.1% by mass to 50% by mass, more preferably 0.5% by mass to 40% by mass, even more preferably 1.0% by mass to 30% by mass, and particularly preferably 1.5% by mass to 20% by mass.
The content of the structural unit (q3) is preferably 0 to 40% by mass, more preferably 0 to 30% by mass, even more preferably 0 to 25% by mass, and particularly preferably 0 to 20% by mass, relative to 100% by mass of all structural units in the acrylic copolymer (Q).
アクリル系共重合体は架橋剤により架橋されていてもよい。架橋剤としては、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。アクリル系共重合体を架橋する場合には、単量体成分(q2’)に由来する官能基を、架橋剤と反応する架橋点として利用できる。The acrylic copolymer may be crosslinked with a crosslinking agent. Examples of crosslinking agents include epoxy crosslinking agents, isocyanate crosslinking agents, aziridine crosslinking agents, and metal chelate crosslinking agents. When crosslinking the acrylic copolymer, the functional groups derived from the monomer component (q2') can be used as crosslinking points that react with the crosslinking agent.
耐衝撃性の向上等を目的として、接着層は紫外線、可視エネルギー線、赤外線、電子線等のエネルギー線で硬化する材質で構成してもよい。この場合、接着層はエネルギー線硬化性の成分を含む。
エネルギー線硬化性の成分としては、例えば、エネルギー線が紫外線である場合には、1分子中に紫外線重合性の官能基を2つ以上有する化合物等が挙げられる。1分子中に紫外線重合性の官能基を2つ以上有する化合物の具体例としては、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4-ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、オリゴエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー、エポキシ変性(メタ)アクリレート、ポリエーテル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
For the purpose of improving impact resistance, the adhesive layer may be made of a material that is cured by energy rays such as ultraviolet rays, visible energy rays, infrared rays, electron beams, etc. In this case, the adhesive layer contains an energy ray-curable component.
When the energy ray is ultraviolet light, examples of the energy ray-curable component include compounds having two or more ultraviolet-polymerizable functional groups in one molecule. Specific examples of compounds having two or more ultraviolet-polymerizable functional groups in one molecule include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ethoxylated isocyanuric acid tri(meth)acrylate, ditrimethylolpropane tetra(meth)acrylate, tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, caprolactone-modified dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, 1,4-butylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, dicyclopentadiene dimethoxy di(meth)acrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, oligoester (meth)acrylate, urethane (meth)acrylate oligomer, epoxy-modified (meth)acrylate, and polyether (meth)acrylate.
These may be used alone or in combination of two or more.
接着層がエネルギー線硬化性である場合、光重合開始剤の併用が好ましい。光重合開始剤により、硬化速度が高くなる。
光重合開始剤の具体例としては、例えば、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、2,4-ジエチルチオキサントン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、2-クロロアンスラキノン、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、2-ベンゾチアゾール-N,N-ジエチルジチオカルバメート、オリゴ{2-ヒドロキシ-2-メチル-1-[4-(1-プロペニル)フェニル]プロパノン}等が挙げられる。
When the adhesive layer is energy ray curable, it is preferable to use a photopolymerization initiator in combination, as the photopolymerization initiator increases the curing speed.
Specific examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin methyl benzoate, benzoin dimethyl ketal, 2,4-diethylthioxanthone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzyl diphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl, 2-chloroanthraquinone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 2-benzothiazole-N,N-diethyldithiocarbamate, and oligo{2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-propenyl)phenyl]propanone}.
「導電パターン」
図3は、本実施形態の電磁波制御シートの一例を示す上面図である。図3に示すように、電磁波制御シート10は、平板状である基材層20と、基材層20の一方の面20aに形成された導電パターン30とを有する。導電パターン30は、第1の導電パターン31、第2の導電パターン32および第3の導電パターン33からなる。
Conductive pattern
Fig. 3 is a top view showing an example of an electromagnetic wave control sheet of this embodiment. As shown in Fig. 3, the electromagnetic wave control sheet 10 has a flat substrate layer 20 and a conductive pattern 30 formed on one surface 20a of the substrate layer 20. The conductive pattern 30 is made up of a first conductive pattern 31, a second conductive pattern 32, and a third conductive pattern 33.
(第1の導電パターン)
図4は、第1の導電パターン31を示す上面図である。
図4に示すように第1の導電パターン31は、複数の第1の単位u1で構成されている。第1の単位u1のそれぞれは、幾何学的な図形である。
すなわち、第1の導電パターン31は、幾何学的な図形である第1の単位u1の集合体であるともいえる。
第1の単位u1は、それぞれが1つのアンテナとして機能する。第1の導電パターン31は、例えば、FSS素子の細線パターンでもよい。
(First Conductive Pattern)
FIG. 4 is a top view showing the first conductive pattern 31. As shown in FIG.
4, the first conductive pattern 31 is made up of a plurality of first units u1, each of which is a geometrical figure.
In other words, the first conductive pattern 31 can be said to be an aggregate of first units u1, which are geometric figures.
Each of the first units u1 functions as an antenna. The first conductive pattern 31 may be, for example, a thin line pattern of an FSS element.
第1の導電パターン31においては、複数の第1の単位u1が図4中の両矢印Pで示す方向に沿って配列された第1の配列R1が複数形成されている。第1の導電パターン31は複数の第1の配列R1を有するともいえる。第1の導電パターン31は、複数の第1の配列R1を両矢印Pで示す方向に沿って、所定の間隔で基材層20上に形成することで構成できる。
複数の第1の配列R1同士の間隔は特に制限されない。第1の配列R1同士の間隔は、規則的でも不規則的でもよい。
In the first conductive pattern 31, a plurality of first arrays R1 are formed, each of which has a plurality of first units u1 arranged along the direction indicated by the double-headed arrow P in Fig. 4. It can also be said that the first conductive pattern 31 has a plurality of first arrays R1. The first conductive pattern 31 can be configured by forming a plurality of first arrays R1 on the base layer 20 at predetermined intervals along the direction indicated by the double-headed arrow P.
The intervals between the plurality of first arrays R1 are not particularly limited, and the intervals between the first arrays R1 may be regular or irregular.
図5は、第1の単位u1を示す上面図である。
図5は第1の導電パターン31を構成する第1の単位u1を示す上面図である。
図5に示すように、第1の単位u1の形状は上下左右対称の十字状である。具体的に第1の単位u1は、1つの十字部分S1と、4つの端部T1とを有する。十字部分S1は、図5中のx軸方向に平行な直線部分とy軸方向に平行な直線部分とで構成される。x軸方向に平行な直線部分の両端とy軸方向に平行な直線部分の両端のそれぞれに、各直線部分と直交するように直線状の各端部T1が接している。
FIG. 5 is a top view showing the first unit u1.
FIG. 5 is a top view showing a first unit u1 constituting the first conductive pattern 31. As shown in FIG.
As shown in Figure 5, the first unit u1 has a cross shape that is symmetrical in both the vertical and horizontal directions. Specifically, the first unit u1 has one cross portion S1 and four end portions T1. The cross portion S1 is composed of a straight line portion parallel to the x-axis direction and a straight line portion parallel to the y-axis direction in Figure 5. Linear end portions T1 contact both ends of the straight line portion parallel to the x-axis direction and both ends of the straight line portion parallel to the y-axis direction, respectively, so as to be perpendicular to each straight line portion.
第1の単位u1のx軸方向の長さL1、4つの端部T1のそれぞれのx軸方向の長さW1をそれぞれ調整することで、1つのアンテナとして機能する第1の単位u1による電磁波の吸収特性を調節できる。y軸方向も同様にして、電磁波の吸収特性を調節できる。 By adjusting the x-axis length L1 of the first unit u1 and the x-axis length W1 of each of the four ends T1, the electromagnetic wave absorption characteristics of the first unit u1, which functions as a single antenna, can be adjusted. The electromagnetic wave absorption characteristics can be adjusted in the same way in the y-axis direction.
ここでは、第1の単位u1のx軸方向の長さL1を、第1の単位u1の長辺の長さとする。第1の単位u1のx軸方向の長さL1は2mm以下であり、1.5mm以下であることが好ましい。第1の単位u1のx軸方向の長さL1が上記上限値を超えると、所望の周波数での吸収性能が低下し、TOM成型時に導電パターンが破断してしまう可能性がある。 Here, the length L1 of the first unit u1 in the x-axis direction is defined as the length of the long side of the first unit u1. The length L1 of the first unit u1 in the x-axis direction is 2 mm or less, and preferably 1.5 mm or less. If the length L1 of the first unit u1 in the x-axis direction exceeds the above upper limit, the absorption performance at the desired frequency will decrease, and there is a possibility that the conductive pattern will break during TOM molding.
ただし、第1の単位の形状は十字状に限定されない。第1の単位の形状は、第1の導電パターン31によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が、A[GHz]となる態様であれば、特に限定されない。
例えば、第1の単位である図形の形状としては、円形状、環状、直線状、方形状、多角形状、H字状、Y字状、V字状等が挙げられる。
However, the shape of the first unit is not limited to a cross shape, as long as the frequency value at which the amount of electromagnetic waves absorbed by first conductive pattern 31 reaches a maximum value is A [GHz].
For example, the shape of the graphic that is the first unit may be a circle, an annular shape, a straight line, a square, a polygon, an H-shape, a Y-shape, a V-shape, or the like.
導電パターン30においては、複数の第1の単位u1の形状は互いに同一である。ただし、複数の第1の単位u1の形状は互いに同一の図形でなくてもよい。本発明の他の例においては、複数の第1の単位の形状は、本発明の効果が得られる範囲内であれば、互いに同一でもよく、異なってもよい。In the conductive pattern 30, the shapes of the multiple first units u1 are identical to each other. However, the shapes of the multiple first units u1 do not have to be identical figures to each other. In other examples of the present invention, the shapes of the multiple first units may be identical to each other or different, as long as the effects of the present invention can be obtained.
第1の導電パターン31は、周波数がA[GHz]である電磁波を選択的に吸収する。周波数の値A[GHz]は、第1の導電パターン31によって吸収される電磁波の吸収量が20GHz~110GHzの範囲で極大値を示すときの周波数の値である。
第1の導電パターン31によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値A[GHz]は、例えば、下記の方法X、方法Yによって特定できる。
The first conductive pattern 31 selectively absorbs electromagnetic waves having a frequency of A [GHz]. The frequency value A [GHz] is the frequency value at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the first conductive pattern 31 reaches a maximum value in the range of 20 GHz to 110 GHz.
The frequency value A [GHz] at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the first conductive pattern 31 reaches a maximum value can be determined by, for example, the following method X or method Y.
方法X:周波数を20GHz~110GHzの範囲内で変化させながら電磁波を後述の標準フィルムに照射し、標準フィルムによって吸収される電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をA[GHz]とする。
方法Y:基材層と前記基材層上に形成された複数の導電パターンを有する電磁波制御シートから、単一の導電パターンのみが残るように、基材層から導電パターンを除去する。次いで、単一の導電パターンのみを有するフィルムに、周波数を20GHz~110GHzの範囲内で変化させながら電磁波を照射し、当該フィルムの電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をA[GHz]とする。
Method X: Electromagnetic waves are irradiated onto a standard film described below while varying the frequency within the range of 20 GHz to 110 GHz, and the frequency of the electromagnetic waves at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the standard film is maximum is defined as A [GHz].
Method Y: From an electromagnetic wave control sheet having a base layer and a plurality of conductive patterns formed on the base layer, the conductive pattern is removed from the base layer so that only a single conductive pattern remains. Next, a film having only the single conductive pattern is irradiated with electromagnetic waves while changing the frequency within a range of 20 GHz to 110 GHz, and the frequency of the electromagnetic waves when the amount of electromagnetic waves absorbed by the film is at a maximum is defined as A [GHz].
標準フィルムは、平板状である標準基材層と標準基材層に形成された標準パターンとを有する。
標準基材層の詳細は、基材層20と同内容とすることができる。そのため、標準基材層の詳細は、後述の基材層20の説明において詳細に説明する。
The standard film has a standard base layer that is flat and a standard pattern formed on the standard base layer.
The details of the standard substrate layer can be the same as those of the substrate layer 20. Therefore, the details of the standard substrate layer will be described in detail in the description of the substrate layer 20 below.
標準パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の標準単位のみからなる。標準フィルムにおいては、形状が同一である1種類の図形のみからなる標準パターンが標準基材層に形成されているともいえる。標準パターンは通常のFSS素子の細線パターンによって形成できる。通常、標準パターンは、第1の導電パターン31と同一の電磁波吸収パターンである。
標準パターンにおいては、複数の標準単位の形状は、互いに同一の図形であれば特に限定されない。標準単位である図形の形状としては、円形状、環状、直線状、方形状、多角形状、十字状、H字状、Y字状、V字状等が挙げられる。通常、標準単位の形状は第1の単位u1と同一である。
The standard pattern consists of only a plurality of standard units that are identical in shape. In the standard film, it can be said that a standard pattern consisting of only one type of figure that is identical in shape is formed on a standard substrate layer. The standard pattern can be formed by the fine line pattern of a normal FSS element. Usually, the standard pattern is the same electromagnetic wave absorbing pattern as the first conductive pattern 31.
In the standard pattern, the shapes of the multiple standard units are not particularly limited as long as they are identical to one another. Examples of the shapes of the standard units include a circle, an annular shape, a linear shape, a square shape, a polygonal shape, a cross shape, an H-shape, a Y-shape, a V-shape, etc. Usually, the shape of the standard unit is identical to that of the first unit u1.
標準フィルムにおいて複数の標準単位は、図形の端部同士の間隔が1mmとなるように標準基材層上に配置されている。例えば、標準単位の図形が十字形状である場合、十字の交差部分が図形の中心であり、図形の端部は十字を構成する2つの直線部分の方向のそれぞれに沿って中心から最も距離が離れている部分である。 In a standard film, multiple standard units are arranged on a standard substrate layer so that the distance between the ends of the figure is 1 mm. For example, if the figure of the standard unit is cross-shaped, the intersection of the cross is the center of the figure, and the ends of the figure are the parts farthest from the center along each of the directions of the two straight lines that make up the cross.
標準パターンを構成する標準単位の材質は、20GHz~110GHzの範囲内で変化させながら電磁波を標準フィルムに照射したときに、標準フィルムによって吸収される電磁波の吸収量が最大値をとり得る態様であれば、特に限定されない。
標準単位の材質の詳細は、第1の単位と同内容とすることができる。
The material of the standard unit that constitutes the standard pattern is not particularly limited, as long as it is such that when the standard film is irradiated with electromagnetic waves whose frequency is varied within the range of 20 GHz to 110 GHz, the amount of electromagnetic waves absorbed by the standard film can reach a maximum value.
The details of the material of the standard unit can be the same as those of the first unit.
標準フィルムによって吸収される電磁波の吸収量は、下記式(3)で算出できる。
吸収量=入力信号-反射特性(S11)-透過特性(S21)・・・(3)
入力信号は、標準フィルムに電磁波を照射した際の照射源における電磁波の強度の指標である。
反射特性(S11)は、照射源から標準フィルムに電磁波を照射した際に標準フィルムによって反射される電磁波の強度の指標である。反射特性(S11)は、例えば、ベクトルネットワークアナライザを用いてフリースペース法によって測定できる。
透過特性(S21)は、照射源から標準フィルムに電磁波を照射した際に標準フィルムを透過する電磁波の強度の指標である。透過特性(S21)は、例えば、ベクトルネットワークアナライザを用いてフリースペース法によって測定できる。
The amount of electromagnetic waves absorbed by the standard film can be calculated using the following formula (3).
Absorption amount=input signal−reflection characteristic (S11)−transmission characteristic (S21) (3)
The input signal is a measure of the intensity of the electromagnetic wave at the source when the standard film is irradiated with the electromagnetic wave.
The reflection characteristic (S11) is an index of the intensity of the electromagnetic wave reflected by the standard film when the standard film is irradiated with the electromagnetic wave from the irradiation source. The reflection characteristic (S11) can be measured by the free space method using, for example, a vector network analyzer.
The transmission characteristic (S21) is an index of the intensity of electromagnetic waves transmitted through a standard film when the standard film is irradiated with electromagnetic waves from an irradiation source. The transmission characteristic (S21) can be measured, for example, by a free space method using a vector network analyzer.
周波数A[GHz]は、例えば、下記の方法で特定できる。
まず、周波数を20GHz~110GHzの範囲内で変化させながら電磁波を標準フィルムに照射し、標準フィルムによって吸収される電磁波の吸収量を上記式(3)で算出する。
次いで、横軸に変化させた周波数をプロットし、縦軸に上記式(3)で算出される吸収量をプロットした吸収スペクトル図を作成する。通常、この吸収スペクトル図において、吸収量が最大値となる周波数の値が横軸に1つ存在する。そのためプロット図には、電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。このように、電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をA[GHz]とすることができる。
The frequency A [GHz] can be determined, for example, by the following method.
First, the standard film is irradiated with electromagnetic waves while changing the frequency within the range of 20 GHz to 110 GHz, and the amount of electromagnetic waves absorbed by the standard film is calculated using the above formula (3).
Next, an absorption spectrum is created by plotting the changed frequency on the horizontal axis and the absorption calculated by the above formula (3) on the vertical axis. Typically, in this absorption spectrum, there is one frequency value on the horizontal axis at which the absorption is maximum. Therefore, the plot shows a single peak where the absorption of the electromagnetic wave is at its maximum. In this way, the frequency of the electromagnetic wave at which the absorption of the electromagnetic wave is maximum can be determined as A [GHz].
方法Xにおいて、あらかじめ周波数Aの数値を予測できる場合には、標準フィルムに照射する電磁波の周波数を、20GHz~110GHzよりも狭い範囲内で変化させてもよい。例えば、標準フィルムに照射する電磁波の周波数を、50GHz~110GHzの範囲内で変化させてもよい。 In method X, if the value of frequency A can be predicted in advance, the frequency of the electromagnetic waves irradiated onto the standard film may be changed within a range narrower than 20 GHz to 110 GHz. For example, the frequency of the electromagnetic waves irradiated onto the standard film may be changed within a range of 50 GHz to 110 GHz.
第1の導電パターン31は、上述の方法Xによって特定される周波数がA[GHz]である電磁波を吸収する。
本実施形態における導電パターン30においては、周波数の値Aは、50GHz~110GHzであることが好ましく、60GHz~100GHzであることがより好ましく、65GHz~95GHzであることがさらに好ましく、70GHz~90GHzであることが特に好ましい。周波数の値Aが前記数値範囲内であると、導電パターン30がミリ波領域の電磁波を吸収でき、自動車用部品、道路周辺部材、建築外壁関連材、窓、通信機器、電波望遠鏡等に適用しやすく易くなる。
The first conductive pattern 31 absorbs electromagnetic waves having a frequency of A [GHz] as determined by the above-described method X.
In the conductive pattern 30 of this embodiment, the frequency value A is preferably 50 GHz to 110 GHz, more preferably 60 GHz to 100 GHz, even more preferably 65 GHz to 95 GHz, and particularly preferably 70 GHz to 90 GHz. When the frequency value A is within this range, the conductive pattern 30 can absorb electromagnetic waves in the millimeter wave region, making it easier to apply to automobile parts, road peripheral components, building exterior wall related materials, windows, communication devices, radio telescopes, etc.
方法Yにおいては、方法Xと同様に、フィルムの電磁波の吸収量を測定できる。すなわち、周波数を20~110[GHz]の範囲内で変化させながら電磁波をフィルムに照射し、フィルムによって吸収される電磁波の吸収量を上記式(3)で算出する。
次いで、横軸に周波数をプロットし、縦軸に上記式(3)で算出される吸収量をプロットした吸収スペクトル図を作成する。通常、この吸収スペクトル図において、吸収量が最大値となる周波数の値が横軸に1つ存在する。そのためプロット図には、電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。このように、電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をA[GHz]とすることができる。
In Method Y, the amount of electromagnetic waves absorbed by a film can be measured in the same way as in Method X. That is, the film is irradiated with electromagnetic waves while changing the frequency within the range of 20 to 110 GHz, and the amount of electromagnetic waves absorbed by the film is calculated using the above formula (3).
Next, an absorption spectrum is created by plotting frequency on the horizontal axis and the absorption calculated by the above formula (3) on the vertical axis. Typically, in this absorption spectrum, there is one frequency value on the horizontal axis at which the absorption is maximum. Therefore, the plot shows a single peak where the absorption of the electromagnetic wave is at a local maximum. In this way, the frequency of the electromagnetic wave at which the absorption of the electromagnetic wave is maximum can be determined as A [GHz].
第1の単位u1の材質は、電磁波の吸収性が得られる範囲内であれば、特に限定されない。
第1の単位の材質としては、例えば、金属の細線、導電性薄膜、導電性ペーストの定着物等が挙げられる。
金属の材質としては、銅、アルミニウム、タングステン、鉄、モリブデン、ニッケル、チタン、銀、金またはこれらの金属を2種以上含む合金(例えば、ステンレス鋼、炭素鋼等の鋼鉄、真鍮、りん青銅、ジルコニウム銅合金、ベリリウム銅、鉄ニッケル、ニクロム、ニッケルチタン、カンタル、ハステロイ、レニウムタングステン等)が挙げられる。
導電性薄膜の材質としては、金属粒子、カーボンナノ粒子、カーボンファイバー等が挙げられる。
The material of the first unit u1 is not particularly limited as long as it is within a range that allows absorption of electromagnetic waves.
Examples of the material of the first unit include thin metal wires, conductive thin films, and conductive paste deposits.
Examples of the metal material include copper, aluminum, tungsten, iron, molybdenum, nickel, titanium, silver, gold, and alloys containing two or more of these metals (for example, steels such as stainless steel and carbon steel, brass, phosphor bronze, zirconium-copper alloy, beryllium copper, iron-nickel, nichrome, nickel-titanium, Kanthal, Hastelloy, rhenium-tungsten, etc.).
Examples of materials for the conductive thin film include metal particles, carbon nanoparticles, and carbon fibers.
第1の単位u1である図形の端部同士の間隔は、電磁波の吸収性が得られる範囲内であれば、特に限定されない。
例えば、第1の単位u1である図形の端部同士の間隔は、全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。ただし、周囲環境の影響を受け難い電磁波制御シートを設計し易くなり、吸収される電磁波の周波数帯の精度が製造時に向上することから、第1の単位u1である図形の端部同士の間隔は、互いに同一であることが好ましい。
The distance between the ends of the graphic form of the first unit u1 is not particularly limited as long as it is within a range in which electromagnetic wave absorption is obtained.
For example, the distances between the ends of the figures that are the first units u1 may all be the same or may be different from one another. However, it is preferable that the distances between the ends of the figures that are the first units u1 be the same from the viewpoint of making it easier to design an electromagnetic wave control sheet that is less susceptible to the influence of the surrounding environment and improving the precision of the frequency band of the electromagnetic waves that are absorbed during manufacturing.
(第2の導電パターン)
図6は、第2の導電パターン32を示す上面図である。
図6に示すように、第2の導電パターン32は、複数の第2の単位u2で構成される。第2の単位u2のそれぞれは、幾何学的な図形である。すなわち、第2の導電パターン32は、幾何学的な図形である第2の単位u2の集合体であるともいえる。
第2の単位u2は、それぞれが1つのアンテナとして機能する。第2の導電パターン32は、例えば、FSS素子の細線パターンでもよい。
(Second Conductive Pattern)
FIG. 6 is a top view showing the second conductive pattern 32. As shown in FIG.
6, the second conductive pattern 32 is composed of a plurality of second units u2. Each of the second units u2 is a geometric figure. In other words, the second conductive pattern 32 can be said to be an aggregate of the second units u2, which are geometric figures.
Each of the second units u2 functions as an antenna. The second conductive pattern 32 may be, for example, a thin line pattern of an FSS element.
第2の導電パターン32においては、複数の第2の単位u2が図6中の両矢印Pで示す方向に沿って配列された第2の配列R2が形成されている。第2の導電パターン32は複数の第2の配列R2を有するともいえる。第2の導電パターン32は、第2の配列R2を両矢印Pで示す方向に沿って、所定の間隔で基材層20上に形成することで構成できる。
複数の第2の配列R2同士の間隔は特に制限されない。第2の配列R2同士の間隔は、規則的でも不規則的でもよい。
In the second conductive pattern 32, a second array R2 is formed in which a plurality of second units u2 are arranged along the direction indicated by the double-headed arrow P in Fig. 6. It can also be said that the second conductive pattern 32 has a plurality of second arrays R2. The second conductive pattern 32 can be configured by forming the second arrays R2 on the base layer 20 at predetermined intervals along the direction indicated by the double-headed arrow P.
The intervals between the plurality of second arrays R2 are not particularly limited, and the intervals between the second arrays R2 may be regular or irregular.
図7は、第2の単位u2を示す上面図である。
図7に示すように、第2の単位u2の形状は上下左右対称の十字状である。具体的に第2の単位u2は、1つの十字部分S2と、4つの端部T2とを有する。十字部分S2は、図7中のx軸方向に平行な直線部分とy軸方向に平行な直線部分とで構成される。x軸方向に平行な直線部分の両端とy軸方向に平行な直線部分の両端のそれぞれに、各直線部分と直交するように直線状の各端部T2が接している。
FIG. 7 is a top view showing the second unit u2.
As shown in Figure 7, the second unit u2 has a cross shape that is symmetrical in both the vertical and horizontal directions. Specifically, the second unit u2 has one cross portion S2 and four end portions T2. The cross portion S2 is composed of a straight line portion parallel to the x-axis direction and a straight line portion parallel to the y-axis direction in Figure 7. Linear end portions T2 contact both ends of the straight line portion parallel to the x-axis direction and both ends of the straight line portion parallel to the y-axis direction, respectively, so as to be perpendicular to each straight line portion.
導電パターン30においては、第2の単位u2のx軸方向の長さL2は、第1の単位u1のx軸方向の長さL1より短い。加えて、4つの端部T2のそれぞれのx軸方向またはy軸方向の長さW2は、第1の単位u1の4つの端部T1のそれぞれの長さW1より短い。
第2の単位u2のx軸方向の長さL2、4つの端部T2のそれぞれのx軸方向の長さW2をそれぞれ調整することで、1つのアンテナとして機能する第2の単位u2による電磁波の吸収特性を調節できる。y軸方向も同様にして、電磁波の吸収特性を調節できる。
In the conductive pattern 30, the length L2 of the second unit u2 in the x-axis direction is shorter than the length L1 of the first unit u1 in the x-axis direction. In addition, the length W2 of each of the four ends T2 in the x-axis direction or the y-axis direction is shorter than the length W1 of each of the four ends T1 of the first unit u1.
By adjusting the length L2 of the second unit u2 in the x-axis direction and the length W2 of each of the four ends T2 in the x-axis direction, the electromagnetic wave absorption characteristics of the second unit u2 functioning as a single antenna can be adjusted. Similarly, the electromagnetic wave absorption characteristics can be adjusted in the y-axis direction.
ここでは、第2の単位u2のx軸方向の長さL2を、第2の単位u2の長辺の長さとする。第2の単位u2のx軸方向の長さL2は2mm以下であり、1.2mm以下であることが好ましい。第2の単位u2のx軸方向の長さL2が上記上限値を超えると、所望の周波数での吸収性能が低下する。 Here, the length L2 of the second unit u2 in the x-axis direction is defined as the length of the long side of the second unit u2. The length L2 of the second unit u2 in the x-axis direction is 2 mm or less, and preferably 1.2 mm or less. If the length L2 of the second unit u2 in the x-axis direction exceeds the above upper limit, the absorption performance at the desired frequency will decrease.
導電パターン30においては、複数の第2の単位u2の形状は互いに同一である。ただし、複数の第2の単位u2の形状は互いに同一の図形でなくてもよい。本発明の他の例においては、複数の第2の単位の形状は、本発明の効果が得られる範囲内であれば、互いに同一でもよく、異なってもよい。In the conductive pattern 30, the shapes of the multiple second units u2 are identical to each other. However, the shapes of the multiple second units u2 do not have to be identical figures to each other. In other examples of the present invention, the shapes of the multiple second units may be identical to each other or different, as long as the effects of the present invention can be obtained.
第2の導電パターン32は、周波数が下記式(1)を満たすB[GHz]である電磁波を選択的に吸収する。周波数の値B[GHz]は、第2の導電パターン32によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示すときの周波数の値である。周波数の値B[GHz]は、下記式(1)を満たす。
1.037×A≦B≦1.30×A・・・式(1)
The second conductive pattern 32 selectively absorbs electromagnetic waves having a frequency of B [GHz] that satisfies the following formula (1). The frequency value B [GHz] is the frequency value at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the second conductive pattern 32 reaches a maximum. The frequency value B [GHz] satisfies the following formula (1).
1.037×A≦B≦1.30×A...Formula (1)
上記式(1)に示すように、第2の導電パターン32は、周波数が1.037×A[GHz]~1.30×A[GHz]である電磁波を吸収する。第2の導電パターン32は、周波数が1.17×A[GHz]~1.30×A[GHz]である電磁波を吸収することが好ましい。
第2の導電パターン32が1.037×A[GHz]以上の周波数の電磁波を吸収するため、A[GHz]より高周波数の周波数帯で第2の導電パターン32による電磁波の吸収量のピークと第1の導電パターン31による電磁波の吸収量のピークとが充分に重なり合う。その結果、第1の導電パターン31を単独で有するフィルムと比較して、電磁波制御シート全体で吸収可能な電磁波の周波数帯がA[GHz]より高周波数側の周波数帯に拡張される。
第2の導電パターン32が1.30×A[GHz]以下の周波数の電磁波を吸収するため、A[GHz]より高周波数の周波数帯で第2の導電パターン32による電磁波の吸収量のピークと第1の導電パターン31による電磁波の吸収量のピークとの周波数の差が少なくなる。その結果、電磁波制御シート全体で吸収される電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。
以上より、第2の導電パターン32は周波数が1.037×A[GHz]~1.30×A[GHz]である電磁波を吸収するため、電磁波制御シート全体で吸収される電磁波の吸収量が高周波数側の周波数帯に拡張される。
As shown in the above formula (1), the second conductive pattern 32 absorbs electromagnetic waves with a frequency of 1.037×A [GHz] to 1.30×A [GHz]. It is preferable that the second conductive pattern 32 absorbs electromagnetic waves with a frequency of 1.17×A [GHz] to 1.30×A [GHz].
Because the second conductive pattern 32 absorbs electromagnetic waves with frequencies of 1.037×A [GHz] or higher, the peak of the amount of electromagnetic waves absorbed by the second conductive pattern 32 and the peak of the amount of electromagnetic waves absorbed by the first conductive pattern 31 fully overlap in the frequency band higher than A [GHz]. As a result, the frequency band of electromagnetic waves that can be absorbed by the entire electromagnetic wave control sheet is expanded to a frequency band higher than A [GHz], compared to a film having the first conductive pattern 31 alone.
Because the second conductive pattern 32 absorbs electromagnetic waves with a frequency of 1.30×A [GHz] or less, in the frequency band higher than A [GHz], the difference in frequency between the peak of the amount of electromagnetic waves absorbed by the second conductive pattern 32 and the peak of the amount of electromagnetic waves absorbed by the first conductive pattern 31 becomes small. As a result, a single peak is formed at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the entire electromagnetic wave control sheet reaches a local maximum value.
As described above, the second conductive pattern 32 absorbs electromagnetic waves with frequencies of 1.037×A [GHz] to 1.30×A [GHz], and therefore the amount of electromagnetic waves absorbed by the entire electromagnetic wave control sheet is extended to the higher frequency band.
ただし、第2の単位の形状は十字状に限定されない。第2の単位の形状は、電磁波の吸収性が得られる範囲内であれば、特に限定されない。例えば、第2の単位である図形の形状としては、円形状、環状、直線状、方形状、多角形状、H字状、Y字状、V字状等が挙げられる。However, the shape of the second unit is not limited to a cross. There are no particular limitations on the shape of the second unit as long as it is within a range that allows for electromagnetic wave absorption. For example, the shape of the figure that is the second unit may be a circle, annular, linear, square, polygonal, H-shaped, Y-shaped, V-shaped, etc.
第2の導電パターン32を構成する第2の単位の材質は、B[GHz]の電磁波を吸収できる態様であれば、特に限定されず、電磁波の吸収性が得られる範囲内であれば、特に限定されない。
第2の単位の材質としては、第1の単位u1の材質について説明した内容と同内容である。
The material of the second unit constituting the second conductive pattern 32 is not particularly limited as long as it can absorb electromagnetic waves of B [GHz], and is not particularly limited as long as it is within a range in which electromagnetic wave absorption can be obtained.
The material of the second unit is the same as that described for the material of the first unit u1.
第2の単位u2である図形の端部同士の間隔は、電磁波の吸収性が得られる範囲内であれば、特に限定されない。
例えば、第2の単位u2である図形の端部同士の間隔は、全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。ただし、周囲環境の影響を受け難い電磁波制御シートを設計し易くなり、吸収される電磁波の周波数帯の精度が製造時に向上することから、第2の単位u2である図形の端部同士の間隔は、互いに同一であることが好ましい。
The distance between the ends of the graphic form of the second unit u2 is not particularly limited as long as it is within a range in which electromagnetic wave absorption is obtained.
For example, the distances between the ends of the figures that are the second units u2 may all be the same or may be different from one another. However, it is preferable that the distances between the ends of the figures that are the second units u2 are the same from the viewpoint of making it easier to design an electromagnetic wave control sheet that is less susceptible to the influence of the surrounding environment and improving the precision of the frequency band of the electromagnetic waves that are absorbed during manufacturing.
(第3の導電パターン)
図8は、第3の導電パターン33を示す上面図である。
図8に示すように第3の導電パターン33は、複数の第3の単位u3で構成される。第3の単位u3のそれぞれは、幾何学的な図形である。すなわち、第3の導電パターン33は、幾何学的な図形である第3の単位u3の集合体であるともいえる。
第3の単位u3は、それぞれが1つのアンテナとして機能する。第3の導電パターン33は、例えば、FSS素子の細線パターンでもよい。
(Third Conductive Pattern)
FIG. 8 is a top view showing the third conductive pattern 33. As shown in FIG.
8, the third conductive pattern 33 is composed of a plurality of third units u3. Each of the third units u3 is a geometric figure. In other words, the third conductive pattern 33 can be said to be an aggregate of the third units u3, which are geometric figures.
Each of the third units u3 functions as an antenna. The third conductive pattern 33 may be, for example, a thin line pattern of an FSS element.
第3の導電パターン33においては、複数の第3の単位u3が図8中の両矢印Pで示す方向に沿って配列された第3の配列R3が形成されている。第3の導電パターン33は複数の第3の配列R3を有するともいえる。第3の導電パターン33は、第3の配列R3を両矢印Pで示す方向に沿って、所定の間隔で基材層20上に形成することで構成できる。
複数の第3の配列R3同士の間隔は特に制限されない。第3の配列R3同士の間隔は、規則的でも不規則的でもよい。
In the third conductive pattern 33, a third array R3 is formed in which a plurality of third units u3 are arranged along the direction indicated by the double-headed arrow P in Fig. 8. It can also be said that the third conductive pattern 33 has a plurality of third arrays R3. The third conductive pattern 33 can be configured by forming the third arrays R3 on the base material layer 20 at predetermined intervals along the direction indicated by the double-headed arrow P.
The intervals between the plurality of third arrays R3 are not particularly limited, and may be regular or irregular.
図9は、第3の単位u3を示す上面図である。
図9に示すように、第3の単位u3の形状は上下左右対称の十字状である。具体的に第3の単位u3は、1つの十字部分S3と、4つの端部T3とを有する。十字部分S3は、図9中のx軸方向に平行な直線部分とy軸方向に平行な直線部分とで構成される。x軸方向に平行な直線部分の両端とy軸方向に平行な直線部分の両端のそれぞれに、各直線部分と直交するように直線状の各端部T3が接している。
FIG. 9 is a top view showing the third unit u3.
As shown in Figure 9, the third unit u3 has a cross shape that is symmetrical in both the vertical and horizontal directions. Specifically, the third unit u3 has one cross portion S3 and four end portions T3. The cross portion S3 is composed of a straight line portion parallel to the x-axis direction and a straight line portion parallel to the y-axis direction in Figure 9. Linear end portions T3 contact both ends of the straight line portion parallel to the x-axis direction and both ends of the straight line portion parallel to the y-axis direction, respectively, so as to be perpendicular to each straight line portion.
導電パターン30においては、第3の単位u3のx軸方向の長さL3は、第1の単位u1のx軸方向の長さL1より長い。加えて、4つの端部T3のそれぞれのx軸方向またはy軸方向の長さW3は、第1の単位u1の4つの端部T1のそれぞれの長さW1より長い。
第3の単位u3のx軸方向の長さL3、4つの端部T3のそれぞれのx軸方向の長さW3をそれぞれ調整することで、1つのアンテナとして機能する第3の単位u3による電磁波の吸収特性を調節できる。y軸方向も同様にして、電磁波の吸収特性を調節できる。
In the conductive pattern 30, the length L3 of the third unit u3 in the x-axis direction is longer than the length L1 of the first unit u1 in the x-axis direction. In addition, the length W3 of each of the four ends T3 in the x-axis direction or the y-axis direction is longer than the length W1 of each of the four ends T1 of the first unit u1.
By adjusting the length L3 of the third unit u3 in the x-axis direction and the length W3 of each of the four ends T3 in the x-axis direction, the electromagnetic wave absorption characteristics of the third unit u3 functioning as a single antenna can be adjusted. Similarly, the electromagnetic wave absorption characteristics can be adjusted in the y-axis direction.
ここでは、第3の単位u3のx軸方向の長さL3を、第3の単位u3の長辺の長さとする。第3の単位u3のx軸方向の長さL3は2mm以下であり、1.8mm以下であることが好ましい。第3の単位u3のx軸方向の長さL3が上記上限値を超えると、所望の周波数の吸収性能が低下する。 Here, the length L3 of the third unit u3 in the x-axis direction is defined as the length of the long side of the third unit u3. The length L3 of the third unit u3 in the x-axis direction is 2 mm or less, and preferably 1.8 mm or less. If the length L3 of the third unit u3 in the x-axis direction exceeds the above upper limit, the absorption performance of the desired frequency will decrease.
導電パターン30においては、複数の第3の単位u3の形状は互いに同一である。ただし、複数の第3の単位u3の形状は互いに同一の図形でなくてもよい。本発明の他の例においては、複数の第3の単位の形状は、本発明の効果が得られる範囲内であれば、互いに同一でもよく、異なってもよい。In the conductive pattern 30, the shapes of the multiple third units u3 are identical to each other. However, the shapes of the multiple third units u3 do not have to be identical figures to each other. In other examples of the present invention, the shapes of the multiple third units may be identical to each other or different, as long as the effects of the present invention can be obtained.
第3の導電パターン33は、周波数が下記式(2)を満たすC[GHz]である電磁波を選択的に吸収する。周波数の値C[GHz]は、第3の導電パターン33によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示すときの周波数の値である。周波数の値C[GHz]は、下記式(2)を満たす。
0.60×A≦C≦0.933×A・・・式(2)
The third conductive pattern 33 selectively absorbs electromagnetic waves having a frequency of C [GHz] that satisfies the following formula (2). The frequency value C [GHz] is the frequency value at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the third conductive pattern 33 reaches a maximum. The frequency value C [GHz] satisfies the following formula (2).
0.60×A≦C≦0.933×A...Formula (2)
上記式(2)に示すように、第3の導電パターン33は、周波数が0.60×A[GHz]~0.933×A[GHz]である電磁波を吸収する。第3の導電パターン33は、周波数が0.60×A[GHz]~0.83×A[GHz]である電磁波を吸収することが好ましい。
第3の導電パターン33が0.60×A[GHz]以上の周波数の電磁波を吸収するため、A[GHz]より低周波数の周波数帯で第3の導電パターン33による電磁波の吸収量のピークと第1の導電パターン31による電磁波の吸収量のピークとの周波数の差が少なくなる。その結果、導電パターン30全体で吸収される電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。
第3の導電パターン33が0.933×A[GHz]以下の周波数の電磁波を吸収するため、A[GHz]より低周波数の周波数帯で第3の導電パターン33による電磁波の吸収量のピークと第1の導電パターン31による電磁波の吸収量のピークとが充分に重なり合う。その結果、電磁波制御シート全体で吸収可能な電磁波の周波数帯が第1の導電パターン31を単独で有するフィルムと比較して、A[GHz]より低周波数側の周波数帯に拡張される。
以上より、第3の導電パターン3は周波数が0.60×A[GHz]~0.933×A[GHz]である電磁波を吸収するため、導電パターン30全体で吸収される電磁波の吸収量が低周波数側の周波数帯に拡張される。
As shown in the above formula (2), the third conductive pattern 33 absorbs electromagnetic waves with a frequency of 0.60×A [GHz] to 0.933×A [GHz]. Preferably, the third conductive pattern 33 absorbs electromagnetic waves with a frequency of 0.60×A [GHz] to 0.83×A [GHz].
Because the third conductive pattern 33 absorbs electromagnetic waves with frequencies of 0.60×A [GHz] or higher, the difference in frequency between the peak of the amount of electromagnetic waves absorbed by the third conductive pattern 33 and the peak of the amount of electromagnetic waves absorbed by the first conductive pattern 31 becomes small in the frequency band lower than A [GHz]. As a result, a single peak is formed at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the entire conductive pattern 30 reaches a local maximum value.
Because the third conductive pattern 33 absorbs electromagnetic waves with frequencies of 0.933×A [GHz] or less, in the frequency band lower than A [GHz], the peak of the amount of electromagnetic waves absorbed by the third conductive pattern 33 and the peak of the amount of electromagnetic waves absorbed by the first conductive pattern 31 fully overlap. As a result, the frequency band of electromagnetic waves that can be absorbed by the entire electromagnetic wave control sheet is expanded to a frequency band lower than A [GHz], compared to a film having the first conductive pattern 31 alone.
As described above, the third conductive pattern 3 absorbs electromagnetic waves with frequencies between 0.60×A [GHz] and 0.933×A [GHz], and therefore the amount of electromagnetic waves absorbed by the entire conductive pattern 30 is extended to the lower frequency band.
ただし、第3の単位u3の形状は十字状に限定されない。第3の単位u3の形状は、電磁波の吸収性が得られる範囲内であれば、特に限定されない。例えば、第3の単位である図形の形状としては、円形状、環状、直線状、方形状、多角形状、H字状、Y字状、V字状等が挙げられる。However, the shape of the third unit u3 is not limited to a cross shape. There are no particular limitations on the shape of the third unit u3, as long as it is within a range that allows for electromagnetic wave absorption. For example, the shape of the figure that is the third unit may be a circle, annular, linear, rectangular, polygonal, H-shaped, Y-shaped, V-shaped, etc.
第3の導電パターン33を構成する第3の単位u3の材質は、C[GHz]の電磁波を吸収できる態様であれば、特に限定されず、電磁波の吸収性が得られる範囲内であれば、特に限定されない。
第3の単位u3の材質としては、第1の単位u1の材質について説明した内容と同内容である。
The material of the third unit u3 constituting the third conductive pattern 33 is not particularly limited as long as it is capable of absorbing electromagnetic waves of C [GHz], and is not particularly limited as long as it is within a range in which electromagnetic wave absorption can be obtained.
The material of the third unit u3 is the same as that described for the material of the first unit u1.
第3の単位u3である図形の端部同士の間隔は、電磁波の吸収性が得られる範囲内であれば、特に限定されない。
例えば、第3の単位u3である図形の端部同士の間隔は、全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。ただし、周囲環境の影響を受け難い電磁波制御シートを設計し易くなり、吸収される電磁波の周波数帯の精度が製造時に向上することから、第3の単位u3である図形の端部同士の間隔は、互いに同一であることが好ましい。
The distance between the ends of the figure that is the third unit u3 is not particularly limited as long as it is within a range that allows electromagnetic wave absorption.
For example, the distances between the ends of the figures that are the third units u3 may all be the same or may be different from one another. However, it is preferable that the distances between the ends of the figures that are the third units u3 are the same from the viewpoint of making it easier to design an electromagnetic wave control sheet that is less susceptible to the influence of the surrounding environment and improving the accuracy of the frequency band of the electromagnetic waves that are absorbed during manufacturing.
図3に示す導電パターン30においては、第1の配列R1と第2の配列R2と第3の配列R3とが互いに隣り合うように両矢印Pで示す方向に沿って配列されている。このように、第1の配列R1と第2の配列R2と第3の配列R3とが互いに隣り合うように基材層20に配置されているため、第1の導電パターン31が選択的に吸収する電磁波のピーク位置の周波数の値A[GHz]を基準として、第2の導電パターン32が選択的に吸収する電磁波の周波数帯と、第3の導電パターン33が選択的に吸収する電磁波の周波数帯の両方が重なりあう。その結果、導電パターン30全体で吸収される電磁波の吸収域が、ピーク位置の周波数の値A[GHz]を基準として、高周波数側と低周波数側との両方に拡張され易くなる。3, the first array R1, the second array R2, and the third array R3 are arranged adjacent to each other along the direction indicated by the double-headed arrow P. Because the first array R1, the second array R2, and the third array R3 are arranged adjacent to each other on the base layer 20, the frequency band of the electromagnetic waves selectively absorbed by the second conductive pattern 32 and the frequency band of the electromagnetic waves selectively absorbed by the third conductive pattern 33 overlap, based on the frequency value A [GHz] of the peak position of the electromagnetic waves selectively absorbed by the first conductive pattern 31. As a result, the absorption range of the electromagnetic waves absorbed by the entire conductive pattern 30 is likely to be expanded toward both the high-frequency side and the low-frequency side, based on the frequency value A [GHz] of the peak position.
図3にそれぞれ示す、第1の単位u1と第2の単位u2との間隔d1、第2の単位u2と第3の単位u3との間隔d2、第3の単位u3と第1の単位u1との間隔d3は、互いに同一でもよく、異なってもよい。
間隔d1は、例えば、0.2mm~4mmでもよく、0.3mm~2mmでもよく、0.5mm~1mmでもよい。
間隔d2は、例えば、0.2mm~4mmでもよく、0.3mm~2mmでもよく、0.5mm~1mmでもよい。
間隔d3は、例えば、0.2mm~4mmでもよく、0.3mm~2mmでもよく、0.5mm~1mmでもよい。
間隔d1、間隔d2、間隔d3がそれぞれ前記数値範囲内であると、導電パターン30全体で吸収される電磁波の吸収域が、ピーク位置の周波数の値A[GHz]を基準としてさらに拡張されやすくなる。
The distance d1 between the first unit u1 and the second unit u2, the distance d2 between the second unit u2 and the third unit u3, and the distance d3 between the third unit u3 and the first unit u1, which are shown in FIG. 3, may be the same as or different from each other.
The distance d1 may be, for example, 0.2 mm to 4 mm, 0.3 mm to 2 mm, or 0.5 mm to 1 mm.
The distance d2 may be, for example, 0.2 mm to 4 mm, 0.3 mm to 2 mm, or 0.5 mm to 1 mm.
The distance d3 may be, for example, 0.2 mm to 4 mm, 0.3 mm to 2 mm, or 0.5 mm to 1 mm.
When the distances d1, d2, and d3 are each within the above-mentioned numerical ranges, the absorption range of electromagnetic waves absorbed by the entire conductive pattern 30 is likely to be further expanded based on the frequency value A [GHz] at the peak position.
導電パターン30においては、第1の単位u1、第2の単位u2、第3の単位u3の形状は互いに同一である。ただし、第1の単位u1、第2の単位u2、第3の単位u3の形状は互いに同一の図形でなくてもよい。すなわち、本発明の他の例においては、第1の単位u1、第2の単位u2、第3の単位u3の形状は、互いに同一でもよく、異なってもよい。In the conductive pattern 30, the shapes of the first unit u1, the second unit u2, and the third unit u3 are identical to one another. However, the shapes of the first unit u1, the second unit u2, and the third unit u3 do not have to be identical to one another. That is, in another example of the present invention, the shapes of the first unit u1, the second unit u2, and the third unit u3 may be identical to one another or may be different.
導電パターン30は、複数の第2の導電パターン32を有してもよい。例えば、導電パターン30は、第2の導電パターン2に加えて、下記の導電パターン32a、導電パターン32bをさらに有してもよい。
電磁波吸収パターン32a:吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下記式(4)を満たすD[GHz]である導電パターン。
電磁波吸収パターン32b:吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下記式(5)を満たすE[GHz]である導電パターン。
1.037×A≦D<1.09×A・・・式(4)
1.09×A≦E<1.17×A・・・式(5)
上記式(4)、上記式(5)中、Aは上述の方法Xまたは方法Yで特定される周波数[GHz]である。
The conductive pattern 30 may have a plurality of second conductive patterns 32. For example, in addition to the second conductive pattern 2, the conductive pattern 30 may further have the following conductive pattern 32a and conductive pattern 32b.
Electromagnetic wave absorbing pattern 32a: A conductive pattern in which the frequency value at which the amount of electromagnetic wave absorption shows a maximum value is D [GHz] that satisfies the following formula (4).
Electromagnetic wave absorbing pattern 32b: A conductive pattern in which the frequency value at which the amount of electromagnetic wave absorption shows a maximum value is E [GHz] that satisfies the following formula (5).
1.037×A≦D<1.09×A...Formula (4)
1.09×A≦E<1.17×A...Formula (5)
In the above formulas (4) and (5), A is the frequency [GHz] specified by the above method X or method Y.
導電パターン30が、第2の導電パターン32に加えて、導電パターン32aと導電パターン32bとをさらに有する場合、第2の導電パターン32によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値は、1.17×A[GHz]~1.30×A[GHz]が好ましい。この場合、導電パターン30全体で吸収可能な電磁波の周波数帯の高周波数側への拡張効果がさらに顕著であり、電磁波の吸収性がさらに顕著に得られる。 When the conductive pattern 30 further includes conductive pattern 32a and conductive pattern 32b in addition to the second conductive pattern 32, the frequency at which the amount of electromagnetic wave absorption by the second conductive pattern 32 reaches a maximum is preferably 1.17 x A [GHz] to 1.30 x A [GHz]. In this case, the effect of expanding the frequency band of electromagnetic waves that can be absorbed by the entire conductive pattern 30 toward higher frequencies is even more pronounced, resulting in even more pronounced electromagnetic wave absorption.
導電パターン30は、複数の第3の導電パターンを有してもよい。例えば、導電パターン30は、第3の導電パターン33に加えて、下記の導電パターン33aと導電パターン33bとをさらに有してもよい。
導電パターン33a:吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下記式(6)を満たすF[GHz]である導電パターン。
導電パターン33b:吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下記式(7)を満たすG[GHz]である導電パターン。
0.91×A<F≦0.933×A・・・式(6)
0.83×A<G≦0.91×A・・・式(7)
下記式(6)、下記式(7)中、Aは上述の方法Xまたは方法Yで特定される周波数[GHz]である。
The conductive pattern 30 may have a plurality of third conductive patterns. For example, the conductive pattern 30 may further have the following conductive pattern 33a and conductive pattern 33b in addition to the third conductive pattern 33.
Conductive pattern 33a: A conductive pattern in which the frequency value at which the amount of electromagnetic wave absorption is maximized is F [GHz] that satisfies the following formula (6).
Conductive pattern 33b: A conductive pattern in which the frequency value at which the amount of electromagnetic wave absorption shows a maximum value is G [GHz] that satisfies the following formula (7).
0.91×A<F≦0.933×A...Formula (6)
0.83×A<G≦0.91×A...Formula (7)
In the following formulas (6) and (7), A is the frequency [GHz] specified by the above-mentioned method X or method Y.
導電パターン30が、第3の導電パターン33に加えて、導電パターン33a、導電パターン33bをさらに有する場合、第3の導電パターン33によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値は、0.60×A[GHz]~0.83×A[GHz]が好ましい。この場合、導電パターン30全体で吸収可能な電磁波の周波数帯の低周波数側への拡張効果がさらに顕著であり、電磁波の吸収性がさらに顕著に得られる。 When the conductive pattern 30 further includes conductive patterns 33a and 33b in addition to the third conductive pattern 33, the frequency at which the amount of electromagnetic wave absorption by the third conductive pattern 33 reaches a maximum is preferably 0.60 x A [GHz] to 0.83 x A [GHz]. In this case, the effect of extending the frequency band of electromagnetic waves that can be absorbed by the entire conductive pattern 30 toward the lower frequency side is even more pronounced, resulting in even more pronounced electromagnetic wave absorption.
図10は、図3の電磁波制御シート10のVIII-VIII断面図である。
基材層20は、互いに対向する2つの面20a,20bを有する。そして、基材層20の一方の面20aに、第1の導電パターン31、第2の導電パターン32、第3の導電パターン33が形成されている。図10に示すように、基材層20の一方の面20aに、複数の第1の単位u1、複数の第2の単位u2、複数の第3の単位u3がそれぞれ設けられている。
FIG. 10 is a cross-sectional view of the electromagnetic wave control sheet 10 taken along line VIII-VIII of FIG.
The base layer 20 has two surfaces 20a and 20b facing each other. A first conductive pattern 31, a second conductive pattern 32, and a third conductive pattern 33 are formed on one surface 20a of the base layer 20. As shown in Fig. 10 , a plurality of first units u1, a plurality of second units u2, and a plurality of third units u3 are provided on one surface 20a of the base layer 20.
第1の導電パターン31の厚みH1、第2の導電パターン32の厚みH2、第3の導電パターン33の厚みH3は特に限定されない。厚みH1、厚みH2、厚みH3は所望する特性に応じて任意に変更可能である。また、厚みH1、厚みH2、厚みH3は互いに同一でもよく、異なっていてもよい。
厚みH1、厚みH2、厚みH3は、例えば、1μm~100μmでもよく、5μm~50μmでもよく、10μm~30μmでもよい。厚みH1、厚みH2、厚みH3のそれぞれが厚いほど、電磁波吸収性がよくなる一方、製造コストが高くなる。この点を考慮して、厚みH1、厚みH2、厚みH3のそれぞれを設定してもよい。
There are no particular limitations on the thickness H1 of the first conductive pattern 31, the thickness H2 of the second conductive pattern 32, and the thickness H3 of the third conductive pattern 33. The thicknesses H1, H2, and H3 can be changed as desired depending on the desired characteristics. Furthermore, the thicknesses H1, H2, and H3 may be the same as or different from one another.
The thicknesses H1, H2, and H3 may be, for example, 1 μm to 100 μm, 5 μm to 50 μm, or 10 μm to 30 μm. The thicker the thicknesses H1, H2, and H3, the better the electromagnetic wave absorption, but the higher the manufacturing costs. Taking this into consideration, the thicknesses H1, H2, and H3 may be set.
電磁波制御シート10は、例えば、下記の方法によって作製できる。
まず、基材層20を準備する。次いで、基材層20の一方の面20aに第1の導電パターン31、第2の導電パターン32および第3の導電パターン33を形成する。
ここで、第1の導電パターン31を形成する際には、第1の導電パターン31によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がA[GHz]となるように形成する。
第2の導電パターン32を形成する際には、第2の導電パターン32によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がB[GHz]となるように形成する。
第3の導電パターン33を形成する際には、第3の導電パターン33によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がC[GHz]となるように形成する。
第1の導電パターン31、第2の導電パターン32および第3の導電パターン33を形成する順序は特に限定されない。第1の導電パターン31、第2の導電パターン32および第3の導電パターン33は、同一の工程内で形成してもよく、それぞれ別々の工程で形成してもよい。
The electromagnetic wave control sheet 10 can be produced, for example, by the following method.
First, the base layer 20 is prepared. Next, the first conductive pattern 31, the second conductive pattern 32, and the third conductive pattern 33 are formed on one surface 20a of the base layer 20.
Here, when the first conductive pattern 31 is formed, it is formed so that the frequency value at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the first conductive pattern 31 shows a maximum value is A [GHz].
The second conductive pattern 32 is formed so that the frequency at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the second conductive pattern 32 reaches a maximum value is B [GHz].
The third conductive pattern 33 is formed so that the frequency at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the third conductive pattern 33 reaches a maximum value is C [GHz].
There is no particular limitation on the order in which the first conductive pattern 31, the second conductive pattern 32, and the third conductive pattern 33 are formed. The first conductive pattern 31, the second conductive pattern 32, and the third conductive pattern 33 may be formed in the same process, or may be formed in separate processes.
各導電パターンの形成方法は、所定の周波数を形成できる態様であれば特に限定されない。各導電パターンの形成方法の例としては、例えば、下記の方法がある。
導電性ペーストを用いて基材層20の一方の面20aに各導電パターンを印刷する印刷方法。
基材層20の一方の面20aに各導電パターンを現像する現像方法。
スパッタ法、真空蒸着または金属箔の積層によって基材層20の一方の面20aに金属薄膜を設け、フォトリソグラフィによって金属薄膜のパターンを基材層20の一方の面20aに形成する方法。
金属ワイヤーを基材層20の一方の面20aに配置する方法。
The method for forming each conductive pattern is not particularly limited as long as it is possible to form a predetermined frequency. Examples of the method for forming each conductive pattern include the following methods.
A printing method in which each conductive pattern is printed on one surface 20a of the base layer 20 using a conductive paste.
A developing method for developing each conductive pattern on one surface 20a of the base material layer 20.
A method in which a metal thin film is provided on one surface 20a of the base layer 20 by sputtering, vacuum deposition, or lamination of metal foil, and a pattern of the metal thin film is formed on one surface 20a of the base layer 20 by photolithography.
A method in which metal wires are arranged on one surface 20a of the base layer 20.
印刷方法では、基材層20の一方の面20aに各導電パターンを印刷して図形である各単位u1,u2,u3を形成する。印刷方法は特に限定されない。例えば、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット方式等の方法が挙げられる。
印刷に使用する導電性ペーストとしては、例えば、金属粒子、カーボンナノ粒子およびカーボンファイバーからなる群より選ばれる少なくとも1種とバインダー樹脂成分とを含むペースト状の組成物が挙げられる。金属粒子としては、銅、銀、ニッケル、アルミニウム等の金属の粒子が挙げられる。
バインダー樹脂成分としては、例えば、ポリエステル樹脂、(メタ)アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂;エポキシ樹脂、アミノ樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。ただし、金属粒子およびバインダー樹脂成分はこれらの例示に限定されない。
導電性ペーストは、さらにカーボンブラック等の黒色顔料を含んでもよい。導電性ペーストが黒色顔料をさらに含むと、印刷された導電パターンを構成する金属粉末の金属光沢を抑え、外光の反射を抑制できる。
In the printing method, each conductive pattern is printed on one surface 20a of the base layer 20 to form each of the units u1, u2, and u3, which are figures. The printing method is not particularly limited. Examples include screen printing, gravure printing, and inkjet printing.
The conductive paste used for printing may be, for example, a paste-like composition containing at least one selected from the group consisting of metal particles, carbon nanoparticles, and carbon fibers, and a binder resin component. The metal particles may be particles of metals such as copper, silver, nickel, and aluminum.
Examples of the binder resin component include thermoplastic resins such as polyester resins, (meth)acrylic resins, polystyrene resins, and polyamide resins, and thermosetting resins such as epoxy resins, amino resins, and polyimide resins, but the metal particles and binder resin component are not limited to these examples.
The conductive paste may further contain a black pigment such as carbon black, which can suppress the metallic luster of the metal powder that constitutes the printed conductive pattern and reduce reflection of external light.
現像方法では、基材層20の一方の面20aに導電パターンを現像して図形である各単位u1,u2,u3を形成する。
現像方法としては、露光マスクに覆われず、露光された部分に現像物が発現するネガ型の現像方法と露光マスクに覆われ、未露光の部分には現像物が発現するポジ型の現像方法がある。すなわち、ネガ型の現像方法では、露光マスクと反対の形に現像物として各単位u1,u2,u3が形成される。一方、ポジ型の現像方法では、露光マスクと同じ形に現像物として各単位u1,u2,u3が形成される。現像物に用いる金属としては通常、銀が使用される。
In the developing method, a conductive pattern is developed on one surface 20a of the base layer 20 to form the units u1, u2, and u3, which are figures.
There are two types of development methods: a negative development method in which a developed product appears in the exposed areas that are not covered by the exposure mask, and a positive development method in which a developed product appears in the unexposed areas that are covered by the exposure mask. That is, in the negative development method, each unit u1, u2, u3 is formed as a developed product in the opposite shape to the exposure mask. On the other hand, in the positive development method, each unit u1, u2, u3 is formed as a developed product in the same shape as the exposure mask. Silver is usually used as the metal used in the developed product.
フォトリソグラフィによる導電パターンの形成方法の一例としては、例えば、下記の方法がある。
まず、基材層20の一方の面20aにレジストを塗布し、熱処理した後、レジストから溶媒を除去する。次に、レジストに所望のパターンを露光し、レジストパターンを現像してレジストパターンからなる層を形成する。次に、基材層20とレジストパターンからなる層の上に、全面にわたって蒸着膜を形成し、レジスト剥離剤を用いてレジストパターンからなる層とその上に乗っている蒸着膜とを同時に除去する。これにより、基材層20の表面に導電パターンを形成できる。
その他の一例として、基材層20上に金属薄膜を設け、金属薄膜の表面の一部にレジストを塗布し、熱処理する。次に、エッチング処理によりレジストが塗布されていない部分の金属薄膜を除去する。その後、必要に応じレジストを除去し、電磁波吸収パターンを形成する。各電磁波吸収パターンを構成する各単位u1,u2,u3の表面には、図示略の金属メッキ層をさらに設けてもよい。
An example of a method for forming a conductive pattern by photolithography is as follows.
First, a resist is applied to one surface 20a of the base layer 20, followed by heat treatment, and then the solvent is removed from the resist. Next, a desired pattern is exposed to light on the resist, and the resist pattern is developed to form a layer consisting of the resist pattern. Next, a vapor-deposited film is formed over the entire surface of the base layer 20 and the layer consisting of the resist pattern, and the layer consisting of the resist pattern and the vapor-deposited film thereon are simultaneously removed using a resist remover. This allows a conductive pattern to be formed on the surface of the base layer 20.
As another example, a metal thin film is provided on the base layer 20, a resist is applied to a portion of the surface of the metal thin film, and the resulting film is subjected to a heat treatment. Next, the metal thin film is removed from the portion not coated with the resist by an etching process. Thereafter, the resist is removed as necessary to form the electromagnetic wave absorbing pattern. A metal plating layer (not shown) may be further provided on the surface of each of the units u1, u2, and u3 that make up each electromagnetic wave absorbing pattern.
金属ワイヤーを構成する金属の具体例としては、各単位u1,u2,u3の材質として上述した金属と同様の金属が挙げられる。加えて、金属ワイヤーは錫、亜鉛、銀、ニッケル、クロム、ニッケルクロム合金、はんだ等でめっきされてもよく、炭素材料、ポリマー等により表面が被覆されていてもよい。金属ワイヤーの表面を被覆する炭素材料としては、カーボンブラック、活性炭、ハードカーボン、ソフトカーボン、メソポーラスカーボン、カーボンファイバー等の非晶質炭素;グラファイト;フラーレン;グラフェン;カーボンナノチューブ等が挙げられる。 Specific examples of metals constituting the metal wire include the same metals as those mentioned above as the materials for each unit u1, u2, and u3. In addition, the metal wire may be plated with tin, zinc, silver, nickel, chromium, a nickel-chromium alloy, solder, etc., or its surface may be coated with a carbon material, a polymer, etc. Examples of carbon materials that may coat the surface of the metal wire include amorphous carbon such as carbon black, activated carbon, hard carbon, soft carbon, mesoporous carbon, and carbon fiber; graphite; fullerenes; graphene; and carbon nanotubes.
本実施形態の電磁波制御シート10は、上述のように、誘電体層が、基材層とスペーサ層から構成されていてもよい。
図2に示すように、本実施形態に係る電磁波制御シート10は、基材層20と、導電パターン30と、スペーサ層50と、を備えていてもよい。また、図2に示すように、本実施形態に係る電磁波制御シート10は、反射層40を備えていてもよい。
反射層40は、基材層20の他方の面20b側に配置される。スペーサ層50は、基材層20と反射層40の間に配置される。すなわち、基材層20と反射層40は、スペーサ層50を介して積層されている。
As described above, in the electromagnetic wave control sheet 10 of this embodiment, the dielectric layer may be composed of a base layer and a spacer layer.
2, the electromagnetic wave control sheet 10 according to the present embodiment may include a base layer 20, a conductive pattern 30, and a spacer layer 50. Furthermore, as shown in FIG. 2, the electromagnetic wave control sheet 10 according to the present embodiment may include a reflective layer 40.
The reflective layer 40 is disposed on the other surface 20b side of the base layer 20. The spacer layer 50 is disposed between the base layer 20 and the reflective layer 40. That is, the base layer 20 and the reflective layer 40 are stacked with the spacer layer 50 interposed therebetween.
「反射層」
反射層40は2つの面40a,40bを有する。反射層40の一方の面40aは、スペーサ層50の他方の面50bと接している。
反射層40は、電磁波制御シート10の表面に飛来し、電磁波制御シート10を透過した電磁波を反射できる形態であれば、特に限定されない。電磁波制御シート10に飛来する電磁波のうち、一部は導電パターン30で反射されるか、導電パターン30に吸収される。一方で、導電パターン30で反射も吸収もされなかった電磁波は、導電パターン30を透過する。導電パターン30を透過した電磁波は、反射層40で導電パターン30に向けて反射される。
例えば、2つの面40a,40bの面方向において反射層40が導電性を具備する形態であれば、導電パターン30を透過した電磁波を反射できる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムからなる支持体に銅箔等の金属箔を貼り合わせ、反射層40を支持体上の形成したものを使用してもよい。また、スペーサ層50に直接反射層40を積層してもよい。金属箔の代わりに、ITO等の当面導電膜、金属ワイヤー等で形成されたメッシュシートを使用してもよい。
反射層40の支持体は、誘電体層として用いることもできる。
"Reflective layer"
The reflective layer 40 has two surfaces 40 a and 40 b. The surface 40 a of the reflective layer 40 is in contact with the other surface 50 b of the spacer layer 50 .
The reflective layer 40 is not particularly limited in form as long as it can reflect electromagnetic waves that arrive at the surface of the electromagnetic wave control sheet 10 and that have passed through the electromagnetic wave control sheet 10. A portion of the electromagnetic waves that arrive at the electromagnetic wave control sheet 10 is reflected by or absorbed by the conductive pattern 30. On the other hand, electromagnetic waves that are not reflected or absorbed by the conductive pattern 30 pass through the conductive pattern 30. The electromagnetic waves that have passed through the conductive pattern 30 are reflected by the reflective layer 40 toward the conductive pattern 30.
For example, if the reflective layer 40 has conductivity in the surface direction of the two surfaces 40a, 40b, it can reflect electromagnetic waves that have passed through the conductive pattern 30. Specifically, a metal foil such as copper foil may be attached to a support made of a resin film such as polyethylene terephthalate, and the reflective layer 40 may be formed on the support. Alternatively, the reflective layer 40 may be laminated directly on the spacer layer 50. Instead of the metal foil, a conductive film such as ITO, or a mesh sheet made of metal wires, may be used.
The support for the reflective layer 40 can also be used as a dielectric layer.
反射層40の反射特性を考慮して反射層40の他方の面40bに金属ワイヤー、導電性糸、金属ワイヤーおよび導電性糸を含む撚糸、導電性薄膜を設けてもよい。導電性薄膜は、例えば、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット方式等の印刷方法;スパッタ法または真空蒸着;フォトリソグラフィによって面40bに設けることができる。Considering the reflective properties of the reflective layer 40, metal wires, conductive threads, twisted yarns containing metal wires and conductive threads, or a conductive thin film may be provided on the other surface 40b of the reflective layer 40. The conductive thin film can be provided on surface 40b by, for example, a printing method such as screen printing, gravure printing, or inkjet printing; a sputtering method or vacuum deposition; or photolithography.
スペーサ層50を金属等の導電性を具備する物体に形成する場合には、金属等の導電性を具備する物体が反射層40の役割を果たすため、反射層40は省略できる。 If the spacer layer 50 is formed on a conductive object such as a metal, the conductive object such as a metal will serve as the reflective layer 40, and the reflective layer 40 can be omitted.
電磁波制御シート10を種々の物品の表面に適用することを目的として、反射層40の他方の面40bを接着性としてもよい。反射層40の他方の面40bを接着性とする場合には、面40bを覆う剥離フィルムを設けてもよい。
接着剤としては、基材層20の他方の面20bを接着性とする場合と同様のものが用いられる。
For the purpose of applying the electromagnetic wave control sheet 10 to the surfaces of various articles, the other surface 40b of the reflective layer 40 may be made adhesive. When the other surface 40b of the reflective layer 40 is made adhesive, a release film may be provided to cover the surface 40b.
The adhesive used may be the same as that used to make the other surface 20b of the base material layer 20 adhesive.
「スペーサ層」
スペーサ層50は誘電体層である。スペーサ層50は、基材層20の他方の面20bに設けられている。
スペーサ層50は2つの面50a,50bを有する。スペーサ層50の一方の面50aは、基材層20の他方の面20bと接している。スペーサ層50の他方の面50bには、反射層40が設けられている。
スペーサ層50は、単層構造でも多層構造でもよい。
"Spacer layer"
The spacer layer 50 is a dielectric layer and is provided on the other surface 20 b of the base layer 20 .
The spacer layer 50 has two surfaces 50a and 50b. The surface 50a of the spacer layer 50 is in contact with the other surface 20b of the base layer 20. The reflective layer 40 is provided on the other surface 50b of the spacer layer 50.
The spacer layer 50 may have a single layer structure or a multi-layer structure.
スペーサ層50の材料は、電磁波制御シート10の用途に応じて適宜選択できる。例えば、電磁波吸収フィルム電磁波制御シート10の透明性の具備を目的として、スペーサ層50を透明な材料で構成してもよい。他にも、電磁波制御シート10の曲面に対する追従性の具備を目的として、スペーサ層50を柔軟性のある材料で構成してもよい。
柔軟性のある材料としては、プラスチックフィルム、ゴム、紙、布、不織布、発泡シート、ゴムシート等が挙げられる。これらの中でも、電磁波制御シート10の曲面に対する追従性の点から、発泡シートが好ましい。
プラスチックフィルムを構成する樹脂の具体例としては、例えば、上述の基材層20について説明した熱可塑性樹脂と同様のものを用いることができる。
発泡シートとしては、例えば、前記プラスチックフィルムを構成する樹脂を発泡させ、シート状に形成した発泡シートを用いることができる。発泡シートの具体例としては、ポリエチレンフォーム、ポリプロピレンフォーム、ポリウレタンフォーム等が挙げられる。ポリエチレンフォームとしては、低密度ポリエチレンフォーム、高密度ポリエチレンフォームが挙げられる。
The material of the spacer layer 50 can be selected appropriately depending on the application of the electromagnetic wave control sheet 10. For example, the spacer layer 50 may be made of a transparent material in order to provide transparency to the electromagnetic wave absorbing film electromagnetic wave control sheet 10. Alternatively, the spacer layer 50 may be made of a flexible material in order to provide the electromagnetic wave control sheet 10 with the ability to conform to a curved surface.
Examples of flexible materials include plastic films, rubber, paper, cloth, nonwoven fabric, foam sheets, rubber sheets, etc. Among these, foam sheets are preferred in terms of their ability to conform to the curved surface of the electromagnetic wave control sheet 10.
Specific examples of resins that can be used to form the plastic film include the same thermoplastic resins as those described above for the base layer 20 .
The foamed sheet may be, for example, a foamed sheet formed by foaming the resin constituting the plastic film and forming it into a sheet. Specific examples of foamed sheets include polyethylene foam, polypropylene foam, and polyurethane foam. Examples of polyethylene foam include low-density polyethylene foam and high-density polyethylene foam.
スペーサ層50のガラス転移温度は、30℃~120℃であることが好ましく、40℃~100℃であることがより好ましく、50℃~80℃であることがさらに好ましい。スペーサ層50のガラス転移温度が上記下限値以上であると、電磁波制御シートのハンドリング性が悪くなる。スペーサ層50のガラス転移温度が上記上限値以下であると、接着層へ熱負荷により接着力が低下する可能性がある。 The glass transition temperature of the spacer layer 50 is preferably 30°C to 120°C, more preferably 40°C to 100°C, and even more preferably 50°C to 80°C. If the glass transition temperature of the spacer layer 50 is above the lower limit above, the handling properties of the electromagnetic wave control sheet will be poor. If the glass transition temperature of the spacer layer 50 is below the upper limit above, the adhesive strength of the adhesive layer may be reduced due to thermal load.
スペーサ層50のガラス転移温度は、基材層20のガラス転移温度と同様に測定する。 The glass transition temperature of the spacer layer 50 is measured in the same manner as the glass transition temperature of the substrate layer 20.
スペーサ層50の120℃における貯蔵弾性率は1.0×10-2MPa~1.0×103MPaであることが好ましく、1.0×10-1MPa~7.5×102MPaであることがより好ましく、1.0MPa~5.0×102MPaであることがさらに好ましい。スペーサ層50の120℃における貯蔵弾性率が上記下限値以上であると、電磁波制御シートハンドリング性が悪くなる。スペーサ層50の120℃における貯蔵弾性率が上記上限値以下であると、TOM成形性が乏しくなる。 The storage modulus of the spacer layer 50 at 120°C is preferably 1.0×10 -2 MPa to 1.0×10 3 MPa, more preferably 1.0×10 -1 MPa to 7.5×10 2 MPa, and even more preferably 1.0 MPa to 5.0×10 2 MPa. If the storage modulus of the spacer layer 50 at 120°C is equal to or greater than the lower limit, the handling properties of the electromagnetic wave control sheet will be poor. If the storage modulus of the spacer layer 50 at 120°C is equal to or less than the upper limit, the TOM formability will be poor.
スペーサ層50の貯蔵弾性率は、基材層20の貯蔵弾性率と同様に測定する。 The storage modulus of the spacer layer 50 is measured in the same manner as the storage modulus of the base layer 20.
スペーサ層50による波長短縮効果を考慮する場合、スペーサ層50の厚みは、吸収対象となる電磁波の波長およびスペーサ層50の比誘電率に合わせて適宜変更される。
スペーサ層50による波長短縮効果を考慮する場合、スペーサ層50のz軸方向の厚みは、下記式(8)を満たすことが好ましい。
(スペーサ層50のz軸方向の厚み)=(λ)×(1/4)/(ε)1/2・・・式(8)
上記式(8)中、λは飛来する電磁波の波長であり、εはスペーサ層50の比誘電率である。スペーサ層40のz軸方向の厚みは、吸収特性のために適宜調整してもよい。例えば、式(8)で得られるスペーサ層40のz軸方向の厚みの、0.1倍から3.0倍の範囲で変更することができる。
When the wavelength shortening effect of the spacer layer 50 is taken into consideration, the thickness of the spacer layer 50 is appropriately changed in accordance with the wavelength of the electromagnetic wave to be absorbed and the relative dielectric constant of the spacer layer 50 .
When the wavelength shortening effect of the spacer layer 50 is taken into consideration, it is preferable that the thickness of the spacer layer 50 in the z-axis direction satisfies the following formula (8).
(Thickness of the spacer layer 50 in the z-axis direction)=(λ)×(¼)/(ε)½ (Equation (8))
In the above formula (8), λ is the wavelength of the incident electromagnetic wave, and ε is the relative dielectric constant of the spacer layer 50. The thickness of the spacer layer 40 in the z-axis direction may be adjusted appropriately to improve absorption characteristics. For example, it can be changed within a range of 0.1 to 3.0 times the thickness of the spacer layer 40 in the z-axis direction obtained by formula (8).
スペーサ層50のz軸方向の厚みと波長λとの関係が上記式(8)を満たす場合、電磁波吸収体10はいわゆるλ/4構造となる。これにより、電磁波吸収体10による電磁波の吸収量の極大値がさらに高くなる。
スペーサ層50の厚みは、吸収対象となる電磁波の波長λに応じて適宜設定できる。スペーサ層50の厚みは、例えば、25μm~5000μmでもよく、50μm~4500μmでもよく、100μm~4000μmでもよい。
スペーサ層50は高誘電率の材質で構成してもよい。スペーサ層50が高誘電率の層であると、スペーサ層50の厚みを相対的に薄くできる。
スペーサ層50の誘電率を考慮する場合、スペーサ層50はチタン酸バリウム、酸化チタン、チタン酸ストロンチウムからなる群から選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。
When the relationship between the thickness of the spacer layer 50 in the z-axis direction and the wavelength λ satisfies the above formula (8), the electromagnetic wave absorber 10 has a so-called λ/4 structure, which further increases the maximum absorption amount of electromagnetic waves by the electromagnetic wave absorber 10.
The thickness of the spacer layer 50 can be set appropriately depending on the wavelength λ of the electromagnetic wave to be absorbed. The thickness of the spacer layer 50 may be, for example, 25 μm to 5000 μm, 50 μm to 4500 μm, or 100 μm to 4000 μm.
The spacer layer 50 may be made of a material with a high dielectric constant. If the spacer layer 50 is a layer with a high dielectric constant, the thickness of the spacer layer 50 can be made relatively thin.
When the dielectric constant of the spacer layer 50 is taken into consideration, the spacer layer 50 preferably contains at least one material selected from the group consisting of barium titanate, titanium oxide, and strontium titanate.
スペーサ層50は、プラスチックフィルム、発泡シート、ゴムシートからなる群から選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましく、これらの中でも発泡シートを含むことがより好ましい。スペーサ層50は、プラスチックフィルム、発泡シート、ゴムシートからなる群から選ばれる少なくとも1種であると、電磁波制御シート10の曲面に対する追従性が向上する。
スペーサ層50は、単一のシートからなる単層構造でも、複数のシートの積層物である多層構造でもよい。スペーサ層50を構成するシートの材質および構造は、電磁波吸収シートの用途に応じて適宜選択できる。
The spacer layer 50 preferably includes at least one selected from the group consisting of a plastic film, a foam sheet, and a rubber sheet, and more preferably includes a foam sheet among these. When the spacer layer 50 is at least one selected from the group consisting of a plastic film, a foam sheet, and a rubber sheet, the ability of the electromagnetic wave control sheet 10 to conform to a curved surface is improved.
The spacer layer 50 may have a single-layer structure made of a single sheet, or a multi-layer structure made of a laminate of multiple sheets. The material and structure of the sheets constituting the spacer layer 50 can be selected appropriately depending on the application of the electromagnetic wave absorbing sheet.
スペーサ層50の2つの面50a、50bは、接着性であることが好ましい。これにより、2つの面50a、50bのそれぞれに、基材層20と反射層40を貼り合わせることができる。例えば、2つの面50a、50bが接着剤を含む接着層である多層構造を採用することで、2つの面50a、50bを接着性とすることができる。
接着層の詳細および好ましい態様については、基材層20における接着層について説明した内容と同内容とすることができる。
The two surfaces 50a, 50b of the spacer layer 50 are preferably adhesive. This allows the base layer 20 and the reflective layer 40 to be bonded to each of the two surfaces 50a, 50b. For example, by employing a multilayer structure in which the two surfaces 50a, 50b are adhesive layers containing an adhesive, the two surfaces 50a, 50b can be made adhesive.
The details and preferred aspects of the adhesive layer can be the same as those described for the adhesive layer in the base material layer 20.
電磁波制御シート10が、反射層40とスペーサ層50とを備える場合、電磁波吸収体10は、例えば、下記の方法によって製造できる。
剥離フィルムの剥離処理面上に、接着剤組成物を塗布し、得られた塗膜を乾燥して、接着剤層を形成する。この接着剤層上に、もう1枚の剥離フィルムの剥離処理面を貼り合わせて接着シートを得る。
次に、接着シートの剥離フィルムの一方を剥離して、上述のようにして作製した基材層20と導電パターン30からなる積層体(電磁波制御シート10)における基材層20の他方の面20bに、露出した接着シートの一方の面を貼付する。
When the electromagnetic wave control sheet 10 includes the reflective layer 40 and the spacer layer 50, the electromagnetic wave absorber 10 can be manufactured by, for example, the following method.
The adhesive composition is applied to the release-treated surface of a release film, and the resulting coating is dried to form an adhesive layer, which is then laminated to the release-treated surface of another release film to obtain an adhesive sheet.
Next, one side of the release film of the adhesive sheet is peeled off, and one side of the exposed adhesive sheet is attached to the other side 20b of the base material layer 20 in the laminate (electromagnetic wave control sheet 10) consisting of the base material layer 20 and the conductive pattern 30 prepared as described above.
次に、接着シートの剥離フィルムのもう一方を剥離して、露出した接着シートの他方の面に、スペーサ層50となる材料を貼付する。
次に、スペーサ層50の他方の面50bに、スペーサ層50の場合と同様に、上記接着シートを介して、反射層40となる材料を貼付する。
以上の方法により、電磁波制御シート10を得る。
Next, the other side of the release film of the adhesive sheet is peeled off, and a material to become the spacer layer 50 is attached to the other surface of the exposed adhesive sheet.
Next, in the same manner as in the case of the spacer layer 50, the material that will become the reflective layer 40 is attached to the other surface 50b of the spacer layer 50 via the adhesive sheet.
By the above method, the electromagnetic wave control sheet 10 is obtained.
以上説明したように、本実施形態の電磁波制御シート10にあっては、誘電体層としての基材層20、または基材層20およびスペーサ層50と、誘電体層上に設けられた導電パターンと、を備え、導電パターン30の長辺の長さが2mm以下、誘電体層のガラス転移温度は30℃~120℃、誘電体層の120℃における貯蔵弾性率は1.0×10-2MPa~1.0×103MPaである。そのため、本実施形態の電磁波制御シート10は、120℃付近でTOM成型により、三次元に電磁波制御シートを成形できるため、曲面を有する被着体に沿って貼付することができる。また、シートを成型すると同時に曲面を有する物品に貼付することもできる。 As described above, the electromagnetic wave control sheet 10 of this embodiment includes the base layer 20 as a dielectric layer, or the base layer 20 and the spacer layer 50, and a conductive pattern provided on the dielectric layer, wherein the length of the long side of the conductive pattern 30 is 2 mm or less, the glass transition temperature of the dielectric layer is 30°C to 120°C, and the storage modulus of the dielectric layer at 120°C is 1.0 x 10 -2 MPa to 1.0 x 10 3 MPa. Therefore, the electromagnetic wave control sheet 10 of this embodiment can be formed three-dimensionally by TOM molding at around 120°C, and therefore can be attached to an adherend having a curved surface. Furthermore, the sheet can be attached to an article having a curved surface at the same time as it is formed.
以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 The present invention will be explained in more detail below using examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples.
[実施例1]
基材として厚みが75μmのPMMAシート(PMMAシート、三菱ケミカル社製、品名:アクリプレン TM HBS010)の一方の面に粘着剤を厚み35μm設けた粘着付きPMMAシートに、図3に示すような長辺の長さが2mm以下の導電パターンを、粘着剤とは反対の面に形成した。導電パターンの材質として、銅を用いた。導電パターンの厚みを、いずれも18μmとした。
さらに、基材の導電パターンが形成された面とは反対側の面に、粘着付きPMMAシートの粘着面を介して、スペーサ層を積層した。スペーサ層としては、発泡シート(低密度ポリエチレンフォーム、イノアック社製、品名:VR3003B、厚み:3mm)を用いた。
次に、別の粘着付き支持体を用意し、その支持体の粘着面とは反対の面に、PVD法により、厚み100nmの銅からなる反射層を形成した。
次に、反射層の粘着面を、上記のスペーサ層の基材と反対側の面と貼り合わせて、実施例1の電磁波制御シートを得た。
実施例1では、誘電体層が基材、スペーサ層および反射層の支持体である。
[Example 1]
A 75 μm thick PMMA sheet (PMMA sheet, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name: ACRYPLEN™ HBS010) was used as a substrate, with a 35 μm thick adhesive applied to one side of the sheet. A conductive pattern with a long side length of 2 mm or less, as shown in FIG. 3, was formed on the side opposite the adhesive. Copper was used as the material for the conductive pattern. The thickness of each conductive pattern was 18 μm.
Furthermore, a spacer layer was laminated on the surface of the substrate opposite to the surface on which the conductive pattern was formed, via the adhesive side of an adhesive PMMA sheet. The spacer layer was a foamed sheet (low-density polyethylene foam, manufactured by Inoac Corporation, product name: VR3003B, thickness: 3 mm).
Next, another adhesive support was prepared, and a reflective layer made of copper and having a thickness of 100 nm was formed by PVD on the surface of the support opposite to the adhesive surface.
Next, the adhesive surface of the reflective layer was attached to the surface of the spacer layer opposite to the substrate, thereby obtaining an electromagnetic wave control sheet of Example 1.
In Example 1, the dielectric layer is the substrate, the spacer layer, and the support for the reflective layer.
[実施例2]
スペーサ層として、発泡シート(高密度ポリエチレンフォーム、イノアック社製、品名:B-150、厚み:3mm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2の電磁波制御シートを得た。
実施例2では、誘電体層が基材、スペーサ層および反射層の支持体である。
[Example 2]
An electromagnetic wave control sheet of Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1, except that a foam sheet (high-density polyethylene foam, manufactured by Inoac Corporation, product name: B-150, thickness: 3 mm) was used as the spacer layer.
In Example 2, the dielectric layer is the substrate, the spacer layer, and the support for the reflective layer.
[実施例3]
スペーサ層および反射層を設けなかったこと以外は、実施例1と同様にして、実施例3の電磁波制御シートを得た。
実施例3では、誘電体層が基材のみから構成される。
[Example 3]
An electromagnetic wave control sheet of Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the spacer layer and the reflective layer were not provided.
In Example 3, the dielectric layer is composed of only the substrate.
[比較例1]
スペーサ層として、イノアック社製の発泡シート(低密度ポリエチレンフォーム、イノアック社製、品名:LD-45、厚み:3mm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例1の電磁波制御シートを得た。
比較例1では、誘電体層が基材とスペーサ層から構成される。
[Comparative Example 1]
An electromagnetic wave control sheet of Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1, except that a foam sheet manufactured by Inoac Corporation (low-density polyethylene foam, manufactured by Inoac Corporation, product name: LD-45, thickness: 3 mm) was used as the spacer layer.
In Comparative Example 1, the dielectric layer is composed of a substrate and a spacer layer.
[比較例2]
基材として、ゴムシート(商品名:MS-760N-N、新日本電波吸収体社製)を用い、スペーサ層および反射層を設けなかったこと以外は、実施例1と同様にして、比較例2の電磁波制御シートを得た。
比較例2では、誘電体層が基材のみから構成される。
[Comparative Example 2]
An electromagnetic wave control sheet of Comparative Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1, except that a rubber sheet (product name: MS-760N-N, manufactured by Shin-Nihon Radio Wave Absorber Co., Ltd.) was used as the substrate and the spacer layer and the reflective layer were not provided.
In Comparative Example 2, the dielectric layer is composed of only the substrate.
[評価]
「貯蔵弾性率およびガラス転移温度の測定」
実施例1~実施例3および比較例1、比較例2の電磁波制御シートの基材、スペーサ層および反射層について、120℃における貯蔵弾性率およびガラス転移温度を測定した。
貯蔵弾性率およびガラス転移温度には、動的粘弾性測定(Dynamic Mechanical Analysis、DMA)装置(商品名:DMA242E、NETZSCH社製)を用いた。
測定条件を以下の通りとした。
常温(30℃)から120℃まで5℃/minの昇温速度で昇温しながら、周波数10Hzで測定した。
試料の大きさを、15mm×5mmとした。
試料に加える張力を3.5Nとした。
結果を表1に示す。
[evaluation]
"Measurement of storage modulus and glass transition temperature"
The storage modulus and glass transition temperature at 120° C. of the substrate, spacer layer and reflective layer of the electromagnetic wave control sheets of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 were measured.
The storage modulus and glass transition temperature were measured using a Dynamic Mechanical Analysis (DMA) device (trade name: DMA242E, manufactured by NETZSCH).
The measurement conditions were as follows:
Measurement was carried out at a frequency of 10 Hz while the temperature was increased from room temperature (30° C.) to 120° C. at a rate of 5° C./min.
The size of the sample was 15 mm x 5 mm.
The tension applied to the sample was 3.5N.
The results are shown in Table 1.
「TOM成型性試験」
実施例1~実施例3および比較例1、比較例2の電磁波制御シートについて、SIBE AUTOMATION社製のTOM成型機を用いて、TOM成型性試験を行った。
半径40mmの半球を金型に用い、120℃で試験した際の電磁波制御シートの成型可否を目視にて評価した。外観不良なく成型できた場合を「○」、成型できず、電磁波制御シートにシワや破れ等の外観不良が生じた場合を「×」と評価した。結果を表1に示す。
"TOM moldability test"
The electromagnetic wave control sheets of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 were subjected to a TOM moldability test using a TOM molding machine manufactured by SIBE AUTOMATION.
A hemisphere with a radius of 40 mm was used as a mold, and the electromagnetic wave control sheet was visually evaluated for moldability when tested at 120°C. If molding was possible without any defects in appearance, it was evaluated as "○", and if molding was not possible and the electromagnetic wave control sheet had defects in appearance such as wrinkles or tears, it was evaluated as "×". The results are shown in Table 1.
表1に示す結果から、実施例1の電磁波制御シートは、基材および反射層の支持体の貯蔵弾性率が115.8MPa、ガラス転移温度が114℃であり、スペーサ層の貯蔵弾性率が2.93MPa、ガラス転移温度が89℃である。実施例2の電磁波制御シートは、基材および反射層の支持体の貯蔵弾性率が115.8MPa、ガラス転移温度が114℃であり、スペーサ層の貯蔵弾性率が3.29MPa、ガラス転移温度が100℃である。実施例1および2の120℃におけるTOM成型性に優れることが確認された。このようにTOM成型性に優れることで、三次元形状を持つ物品の表面に貼付が可能になる。これに対して、基材および反射層の支持体の貯蔵弾性率が115.8MPa、ガラス転移温度が114℃であり、スペーサ層の貯蔵弾性率が3.5MPa、ガラス転移温度が127℃であるである比較例1の電磁波制御シートは、120℃におけるTOM成型性に劣ることが確認された。
表1に示す結果から、基材および反射層の支持体の貯蔵弾性率が115.8MPa、ガラス転移温度が114℃である実施例1~実施例3の電磁波制御シートは、120℃におけるTOM成型性に優れることが確認された。これに対して、基材の貯蔵弾性率が18.4MPa、ガラス転移温度が137℃である比較例2の電磁波制御シートは、120℃におけるTOM成型性に劣ることが確認された。
From the results shown in Table 1, the electromagnetic wave control sheet of Example 1 has a storage modulus of 115.8 MPa and a glass transition temperature of 114°C for the substrate and the support of the reflective layer, and a storage modulus of 2.93 MPa and a glass transition temperature of 89°C for the spacer layer. The electromagnetic wave control sheet of Example 2 has a storage modulus of 115.8 MPa and a glass transition temperature of 114°C for the substrate and the support of the reflective layer, and a storage modulus of 3.29 MPa and a glass transition temperature of 100°C for the spacer layer. It was confirmed that Examples 1 and 2 have excellent TOM formability at 120°C. Such excellent TOM formability enables attachment to the surface of an article having a three-dimensional shape. In contrast, it was confirmed that the electromagnetic wave control sheet of Comparative Example 1, in which the storage modulus of 115.8 MPa and the glass transition temperature of 114°C for the substrate and the support of the reflective layer and the storage modulus of 3.5 MPa and the glass transition temperature of 127°C for the spacer layer, has poor TOM formability at 120°C.
From the results shown in Table 1, it was confirmed that the electromagnetic wave control sheets of Examples 1 to 3, in which the storage modulus of the substrate and the support of the reflective layer was 115.8 MPa and the glass transition temperature was 114° C., had excellent TOM formability at 120° C. In contrast, it was confirmed that the electromagnetic wave control sheet of Comparative Example 2, in which the storage modulus of the substrate was 18.4 MPa and the glass transition temperature was 137° C., had poor TOM formability at 120° C.
本発明の電磁波制御シートは、自動車用部品、道路周辺部材、建築外壁関連材、窓、通信機器、電波望遠鏡等に用いることができる。 The electromagnetic wave control sheet of the present invention can be used in automobile parts, road-related components, building exterior wall-related materials, windows, communication equipment, radio telescopes, etc.
10 電磁波制御シート
20 基材層
30 導電パターン
31 第1の導電パターン
32 第2の導電パターン
33 第3の導電パターン
40 反射層
50 スペーサ層
10 electromagnetic wave control sheet 20 base layer 30 conductive pattern 31 first conductive pattern 32 second conductive pattern 33 third conductive pattern 40 reflective layer 50 spacer layer
Claims (4)
前記誘電体層が基材層を有し、
前記基材層上に前記導電パターンが設けられ、
前記基材層はポリメチルメタクリレート樹脂から構成され、
前記導電パターンの長辺の長さが2mm以下、
前記誘電体層のガラス転移温度は30℃~120℃、
前記誘電体層の120℃における貯蔵弾性率は1.0×10-2MPa~1.0×103MPaである、電磁波制御シート。 a dielectric layer; and a conductive pattern provided on the dielectric layer;
the dielectric layer has a substrate layer,
the conductive pattern is provided on the base layer;
the substrate layer is made of polymethyl methacrylate resin,
The length of the long side of the conductive pattern is 2 mm or less,
The glass transition temperature of the dielectric layer is 30°C to 120°C.
The electromagnetic wave control sheet, wherein the dielectric layer has a storage modulus at 120° C. of 1.0×10 −2 MPa to 1.0×10 3 MPa.
前記誘電体層が前記基材層と前記スペーサ層から構成されている、請求項1に記載の電磁波制御シート。 the electromagnetic wave control sheet includes a reflective layer disposed on the back surface side of the base material layer via a spacer layer ,
The electromagnetic wave control sheet according to claim 1 , wherein the dielectric layer is composed of the base layer and the spacer layer .
前記第1の導電パターンによって吸収される電磁波の吸収量が20GHz~110GHzの範囲で極大値を示す周波数が、A[GHz]であり、
前記第2の導電パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数が、下記式(1)を満たすB[GHz]であり、
前記第3の導電パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数が、下記式(2)を満たすC[GHz]である、請求項1又は2に記載の電磁波制御シート。
1.037×A≦B≦1.30×A・・・(1)
0.60×A≦C≦0.933×A・・・(2) the conductive pattern includes a first conductive pattern, a second conductive pattern, and a third conductive pattern;
the frequency at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the first conductive pattern shows a maximum value in a range of 20 GHz to 110 GHz is A [GHz];
a frequency at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the second conductive pattern exhibits a maximum value is B [GHz], which satisfies the following formula (1):
3. The electromagnetic wave control sheet according to claim 1 , wherein the frequency at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the third conductive pattern exhibits a maximum value is C [GHz], which satisfies the following formula (2):
1.037 × A ≦ B ≦ 1.30 × A (1)
0.60 × A ≦ C ≦ 0.933 × A (2)
前記第2の導電パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第2の単位が配列された第2の配列を複数有し、
前記第3の導電パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第3の単位が配列された第3の配列を複数有し、
前記第1の配列と前記第2の配列と前記第3の配列とが互いに隣り合うように前記基材層上に配置されている、請求項3に記載の電磁波制御シート。 the first conductive pattern has a plurality of first arrays in which a plurality of first units each having the same shape are arranged;
the second conductive pattern has a plurality of second arrays in which a plurality of second units having the same shape are arranged,
the third conductive pattern has a plurality of third arrays in which a plurality of third units each having the same shape are arranged,
The electromagnetic wave control sheet according to claim 3 , wherein the first array, the second array, and the third array are arranged on the base layer so as to be adjacent to each other.
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