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JP7788242B2 - 加工装置 - Google Patents
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JP7788242B2 - 加工装置 - Google Patents

加工装置

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Description

本発明は、加工装置に関する。
被加工物を個々のデバイスに分割する加工装置では、保持テーブルに保持した状態で、撮像ユニットによって、被加工物のエッジを複数箇所撮像して、画像処理によりエッジを検出し、検出された複数のエッジの座標から、被加工物の中心を算出する方法がある。例えば、特許文献1には、ウエーハの外縁を3箇所以上撮像及び検出して中心を検出する技術が開示されている。
特開2011-249572号公報
従来の加工装置は、保持テーブルに保持された状態で、被加工物のエッジを鮮明に撮像することが困難であった。特に、切削ブレードで被加工物の外周を除去する場合、加工装置は、切削ブレードと、保持面とが接触しないように保持面を被加工物よりも小さく形成する。この場合、従来の加工装置は、被加工物のエッジの下方を支持する部材がないので、被加工物のエッジを撮像した画像がぼやけてしまい、画像における被加工物のエッジが不鮮明になる可能性があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、被加工物のエッジを鮮明に撮像することができる加工装置を提供することにある。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の加工装置は、被加工物を保持する被加工物より小さい保持面を有する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された被加工物を加工する加工ユニットと、該保持テーブルに保持された被加工物を撮像する撮像ユニットと、制御ユニットと、を備える加工装置であって、該保持テーブルは、該保持面を囲繞し、該保持面に保持された被加工物のエッジの下方に位置付け可能な反射ユニットを有し、該反射ユニットの少なくとも一部は、反射部材で形成され、該被加工物のエッジが該反射部材の上方に位置付けられた状態で撮像ユニットによって撮像され、被加工物は、環状フレームの開口にシートを介して支持され、該反射ユニットは、該環状フレームを支持するフレーム支持ユニットであることを特徴とする。
前記加工装置において、該撮像ユニットは、該反射部材の上方に位置付けられた被加工物のエッジを複数箇所撮像し、該制御ユニットは、撮像された画像から該エッジの座標を算出し、被加工物の中心位置を求めてもよい。
前記加工装置において、該加工ユニットの切削ブレードを、該中心位置を基準に被加工物のエッジから所定距離、内側に位置付けて、該保持テーブルと、該切削ブレードとを、相対的に回転させることで、被加工物の外周部を除去してもよい。
前記加工装置において、該反射ユニットは、該保持面よりも下方に位置付けられてもよい。
本発明は、被加工物のエッジを鮮明に撮像することができるという効果を奏する。
図1は、実施形態に係る加工装置の構成例を示す斜視図である。 図2は、図1に示す加工装置の加工対象の被加工物を示す斜視図である。 図3は、図1に示す保持テーブルの一例を示す斜視図である。 図4は、図3に示す保持テーブルと被加工物と加工ユニットの関係を説明するための側面模式図である。 図5は、図1に示す撮像ユニットの一例を説明する断面模式図である。 図6は、保持テーブルと被加工物との配置関係の一例を示す上面模式図である。 図7は、保持テーブルの反射ユニットと撮像ユニットと配置関係の一例を示す模式図である。 図8は、加工装置が反射ユニットの反射部を用いて被加工物のエッジを撮像した画像の一例を示す図である。 図9は、加工装置が反射ユニットの反射部を用いずに被加工物のエッジを撮像した画像の一例を示す図である。 図10は、実施形態の変形例に係る加工装置の保持面と反射ユニットの関係例を説明するための図である。 図11は、実施形態の変形例に係る加工装置の保持テーブルの他の使用例を説明するための図である。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
以下に説明する実施形態において、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の一方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向をZ軸方向とする。X軸及びY軸を含むXY平面は、水平面と平行である。XY平面と直交するZ軸方向は、鉛直方向である。
[実施形態]
実施形態に係る被加工物を加工する加工装置の一例を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態に係る加工装置の構成例を示す斜視図である。図2は、図1に示す加工装置の加工対象の被加工物を示す斜視図である。図3は、図1に示す保持テーブルの一例を示す斜視図である。図4は、図3に示す保持テーブルと被加工物と加工ユニットの関係を説明するための側面模式図である。図5は、図1に示す撮像ユニットの一例を説明する断面模式図である。
実施形態に係る図1に示す加工装置1は、図2に示す加工対象物である被加工物200を切削ブレード21で切削加工して、個々のデバイス204に分割する切削装置である。実施形態では、被加工物200は、シリコン、サファイア、ガリウムなどを基板201とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハである。被加工物200は、基板201の上面202に格子状に形成された複数の分割予定ライン203によって格子状に区画された領域にデバイス204が形成されている。基板201の上面202は、保持テーブル10に保持された被加工物200の基板201の表面である。
また、実施形態に係る被加工物200は、中央部が薄化され、外周部に厚肉部が形成された所謂TAIKO(登録商標)ウエーハでもよく、ウエーハの他に、樹脂により封止されたデバイスを複数有した矩形状のパッケージ基板、デバイス204及び分割予定ライン203が設定されていないセラミックス基板、フェライト基板、ガラス板又はニッケル及び鉄の少なくとも一方を含む基板等でも良い。実施形態において、被加工物200は、裏面205に外周縁に環状フレーム210が装着されたシート211が貼着されて、環状フレーム210に支持されている。シート211は、例えば、粘着テープ、粘着シート等を含む。ワークユニット250は、被加工物200を環状フレーム210の開口にシート211を介して支持しているものである。
(加工装置)
実施形態に係る加工装置1は、図1に示すように、保持テーブル10と、加工ユニット20と、撮像ユニット30と、移動ユニット40と、制御ユニット100と、を備える。保持テーブル10は、被加工物200を保持面11で吸引保持する。加工ユニット20は、保持テーブル10で保持された被加工物200をスピンドル22に装着した切削ブレード21で切削加工する。撮像ユニット30は、保持テーブル10で保持された被加工物200を撮像する。移動ユニット40は、保持テーブル10と加工ユニット20とを相対的に移動させる。制御ユニット100は、加工装置1の各構成要素を制御する。
移動ユニット40は、保持テーブル10を水平方向と平行なX軸方向に加工送りするX軸移動ユニット42と、加工ユニット20及び撮像ユニット30を水平方向と平行でかつX軸方向に直交するY軸方向に割り出し送りするY軸移動ユニット41と、加工ユニット20及び撮像ユニット30をZ軸方向に切り込み送りするZ軸移動ユニット43とを少なくとも備える。
X軸移動ユニット42は、保持テーブル10をX軸方向に移動させることで、保持テーブル10と加工ユニット20とを相対的にX軸方向に沿って加工送りする。Y軸移動ユニット41は、加工ユニット20を割り出し送り方向であるY軸方向に移動させることで、保持テーブル10と加工ユニット20とを相対的にY軸方向に沿って割り出し送りする。Z軸移動ユニット43は、加工ユニット20を切り込み送り方向であるZ軸方向に移動させることで、保持テーブル10と加工ユニット20とを相対的にZ軸方向に沿って切り込み送りする。
保持テーブル10は、被加工物200を保持する保持面11がポーラスセラミック等から形成された円盤形状である。保持テーブル10は、X軸移動ユニット42によりX軸方向に移動自在で不図示の回転駆動源によりZ軸方向と平行な軸心回りに回転自在に設けられている。保持テーブル10は、保持面11が不図示の真空吸引源と接続されている。保持テーブル10は、保持面11に環状フレーム210に一体となった被加工物200がシート211を介して載置され、保持面11が真空吸引源により吸引されることで、環状フレーム210に一体となった被加工物200を吸引保持する。
保持テーブル10は、図3及び図4に示すように、保持面11を囲繞し、保持面11に保持された被加工物200のエッジの下方に位置付け可能な反射ユニット12を有する。本実施形態では、反射ユニット12は、保持面11に保持された被加工物200を支持する支持ユニットである。複数の反射ユニット12は、保持面11から外部へ突出する被加工物200に接触し、鉛直方向における下方から直接支持する、または、複数の反射ユニット12は、被加工物200に直接接触せず、被加工物200のエッジの下方に位置付けられるだけでもよい。図3に示す一例では、保持テーブル10は、4つの反射ユニット12を有する場合について説明するが、1つまたは2つ以上の反射ユニット12を有する構成とすることができる。例えば、反射ユニット12は、1つの場合、保持面11を囲繞する環状の部材でもよく、2つ以上の場合、保持面11の外縁に沿って配置された複数の部材でも良い。
反射ユニット12は、本発明では、保持テーブル10の保持面11から外部に突出する被加工物200の環状フレーム210を支持するフレーム支持部120を有する。フレーム支持部120は、環状フレーム210が載置される載置部121と、載置部121に対して水平方向の回転軸を中心として回動する押し付け部材122と、を有する。フレーム支持部120は、押し付け部材122が回動して環状フレーム210を載置部121に押圧して環状フレーム210を支持する構成になっている。フレーム支持部120は、保持テーブル10の保持面11に保持している被加工物200のエッジの下方に位置付けることが可能な構成になっている。フレーム支持部120は、保持テーブル10の保持面11の下部から水平方向に延びるガイドレール13に、保持テーブル10の保持面11の径方向(水平方向)に移動可能に設けられている。フレーム支持部120は、不図示の駆動手段によって自動で移動させてもよいし、オペレータが移動させてもよい。
反射ユニット12は、少なくとも一部が反射部材で形成されている。反射部材は、例えば、SUS(Steel Use Stainless)などの金属部材、反射ユニット12の表面に反射層として設けられる塗料等を含む。反射ユニット12は、被加工物200のエッジが反射部材の上方に位置付けられた状態で撮像ユニットによって撮像される。本実施形態では、反射ユニット12は、少なくとも上面が反射部材で形成された反射部123を有している。反射部123は、例えば、載置部121の載置面、載置部121に重なっている状態の押し付け部材122の表面等を含む。反射部123は、押し付け部材122が載置部121に押し付けられている(重なっている)状態で、加工装置1の鉛直方向の上方から目視可能な面、被加工物200とともに撮像される面等を含む。反射ユニット12の反射部123は、フレーム支持部120がガイドレール13を移動することで、環状フレーム210のサイズが変更されても、上方から目視した場合に、被加工物200のエッジ(外周)が重なるように位置付けられることが可能になっている。
被加工物200の外周部を面取りするフルカットトリムの場合、環状フレーム210を用いないことも多いが、加工装置1は、環状フレーム210を用いる場合と用いない場合とのどちらの使用でも対応できるように、移動可能なフレーム支持部120を備えている。
加工ユニット20は、図4に示すように、保持テーブル10に保持された被加工物200を切削する切削ブレード21を回転可能に装着したユニットである。加工ユニット20は、Y軸移動ユニット41及びZ軸移動ユニット43により、保持テーブル10の保持面11の任意の位置に切削ブレード21を位置付け可能となっている。加工ユニット20は、切削ブレード21と、スピンドル22と、を備える。切削ブレード21は、スピンドル22の先端に固定され、スピンドル22の回転動作に伴い、Y軸方向と平行な軸心周りに回転する。スピンドル22は、スピンドルハウジングから先端を外部に露出させた状態で、スピンドルハウジングにY軸方向と平行な軸心回りに回転可能に支持されて、スピンドルハウジング内に収容されている。
撮像ユニット30は、図1に示すように、加工ユニット20と一体的に移動するように、加工ユニット20に固定されている。実施形態では、撮像ユニット30は、加工ユニット20とX軸方向に並ぶ位置に配置されている。撮像ユニット30は、図5に示すように、保持テーブル10に保持された被加工物200に対向する対物レンズ31を収容し、被加工物200に対面する底部32に開口33が形成された筐体34と、開口33を覆う透明な透明体からなる平板状の保護プレート35と、撮像装置36と、を備える。
筐体34は、対物レンズ31を下端部内に収容している。実施形態では、筐体34は、四角筒状に形成され、加工ユニット20に取り付けられている。開口33は、筐体34の底部32を貫通し、実施形態では、円形に形成され、底部32の中央に設けられている。保護プレート35の平面形は、筐体34の底部32と同形状の四角形に形成されている。保護プレート35は、筐体34の底部32の下面に固定されている。実施形態では、保護プレート35は、接着剤により底部32の下面に固定されて、開口33を密封して、開口33からの筐体34内への切削屑と切削水等からなるミストの浸入を抑制する。
撮像装置36は、筐体34の上端部に取り付けられ、対物レンズ31、開口33及び保護プレート35を通して保持テーブル10に保持された切削前の被加工物200の分割すべき領域を撮影するものである。撮像装置36は、例えば、CCD(Charge-Coupled Device)撮像素子又はCMOS(Complementary MOS)撮像素子を含む。撮像装置36は、保持テーブル10に保持された被加工物200を撮影して、被加工物200と切削ブレード21との位置合わせを行なうアライメントを遂行するため等の画像を得、得た画像を制御ユニット100に出力する。
また、筐体34は、対物レンズ31、開口33及び保護プレート35を通して保持テーブル10に保持された被加工物200を照明するための光を発する光源38と、光源38が発した光を対物レンズ31に向かって反射し、撮像ユニット30が対物レンズ31等を通して保持テーブル10上の被加工物200を撮像することを許容するハーフミラー39とを収容している。実施形態では、光源38は、LED(Light Emitting Diode)等の発光素子であるが、本発明では、LED等の発光素子が発した光を伝搬する光ファイバでも良い。
図1に戻り、制御ユニット100は、加工装置1の上述した構成要素をそれぞれ制御して、被加工物200に対する加工動作を加工装置1に実施させるものである。なお、制御ユニット100は、コンピュータである。制御ユニット100は、CPU(Central Processing Unit)のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ROM(Read Only Memory)又はRAM(Random Access Memory)のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。制御ユニット100の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、加工装置1を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介して加工装置1の上述した構成要素に出力する。制御ユニット100は、プログラムを実行することで、被加工物200に対する加工、撮像等を制御する。
また、制御ユニット100は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示ユニット及びオペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない入力ユニットと接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも1つにより構成される。
制御ユニット100は、保持面11に保持された被加工物200の加工を制御する機能を提供できる。例えば、制御ユニット100は、X軸移動ユニット42、Y軸移動ユニット41及びZ軸移動ユニット43によって、保持テーブル10と加工ユニット20とを分割予定ラインに沿って相対移動させることにより、保持テーブル10に保持された被加工物200を分割予定ラインに沿って切削加工する。フレーム支持部120に図示しない駆動源が備えられている場合、制御ユニット100は、反射ユニット12の反射部123が被加工物200のエッジ206の下方に位置付けるための制御を行う。また、制御ユニット100は、X軸移動ユニット42、Y軸移動ユニット41及びZ軸移動ユニット43によって、撮像ユニット30を撮像位置に位置付け、撮像ユニット30によって撮像された画像から被加工物200のエッジの座標を算出し、被加工物200の中心を求める機能を提供できる。例えば、制御ユニット100は、特開2011-249572号公報に記載されている技術等を用いて、被加工物200の中心を検出することができる。制御ユニット100は、被加工物200のエッジ206が反射ユニット12の反射部123の上方に位置付けられた状態で、該エッジ206を撮像ユニット30に撮像させる制御を行う。
以上、本実施形態に係る加工装置1の構成例について説明した。なお、図1乃至図5を用いて説明した上記の構成はあくまで一例であり、本実施形態に係る加工装置1の構成は係る例に限定されない。本実施形態に係る加工装置1の機能構成は、仕様や運用に応じて柔軟に変形可能である。
(加工装置の撮像方法)
次に、実施形態に係る加工装置1が実行する撮像方法を説明する。図6は、保持テーブル10と被加工物200との配置関係の一例を示す上面模式図である。図7は、保持テーブル10の反射ユニット12と撮像ユニット30と配置関係の一例を示す模式図である。図8は、加工装置1が反射ユニット12の反射部123を用いて被加工物200のエッジ206を撮像した画像の一例を示す図である。図9は、加工装置1が反射ユニット12の反射部123を用いずに被加工物200のエッジ206を撮像した画像の一例を示す図である。
図6に示す一例では、加工装置1は、被加工物200の直径が保持テーブル10の保持面11の直径よりも大きな被加工物200を、保持テーブル10によってエッジ206が保持面11の外部に突出した状態で保持している。被加工物200をエッジ206は、被加工物200の縁、縁から一定距離の表面の範囲を含む外周等を含む。複数の反射ユニット12の各々は、反射部123が被加工物200のエッジ206の下方に位置するように配置されている。反射ユニット12は、ガイドレール13に沿って保持面11の径方向へ移動することで、相異なる複数のサイズの被加工物200のエッジ206の下方に位置することが可能な構成になっている。加工装置1は、不図示の駆動手段によって反射ユニット12をガイドレール13に沿って移動させることで、被加工物200のエッジ206を反射ユニット12の反射部123の上方に位置付けさせる。
加工装置1は、図7に示すように、反射ユニット12の反射部123が被加工物200のエッジ206と重なって撮像可能な撮像位置に、撮像ユニット30が位置付けられるように、X軸移動ユニット42、Y軸移動ユニット41及びZ軸移動ユニット43を制御する。撮像位置は、例えば、被加工物200に対して予め設定された保持テーブル10の位置、回転角、高さ等を含む。加工装置1は、撮像位置に位置付けた撮像ユニット30によって、被加工物200のエッジ206及び反射ユニット12を含む撮像領域301(図6及び図7参照)の部分を撮像する。
この場合、撮像に伴う光は、被加工物200の表面に対して撮像ユニット30(上方)から入射して反射すると、撮像ユニット30の対物レンズ31に取り込まれるが、被加工物200の表面に対して斜めに入射して反射すると、撮像ユニット30の対物レンズ31に取り込まれず、被加工物200が黒く、被加工物200の外側が白く撮像される。撮像に伴う光は、例えば、撮像ユニット30の光源38が発した光、加工装置1の周囲からの光等を含む。また、撮像に伴う光は、反射ユニット12の反射部123で乱反射すると、該乱反射した一部の光が撮像ユニット30の対物レンズ31に取り込まれる。被加工物200の表面におけるエッジ206付近は、被加工物200の生成時に、割れを防止するため面取りされ、丸みや傾斜が形成されているため、撮像に伴う光が乱反射し、撮像ユニット30に取込まれにくくなっている。これにより、撮像ユニット30が撮像領域301を撮像した画像500は、図8に示すように、被加工物200を撮像した第1領域510が暗い領域となり、反射ユニット12の反射部123を撮像した第2領域520が第1領域510よりも明るい領域となる。その結果、画像500は、第1領域510と第2領域520との境界530のコントラストが明確になるため、境界530を被加工物200のエッジ206(外周)として認識することが可能になる。
これに対し、加工装置1は、被加工物200の下方に反射ユニット12が存在しない位置、すなわち、被加工物200の外側の下方がX軸移動ユニット42を覆う蛇腹である位置で、被加工物200のエッジ206とその外部を含む撮像領域302(図6参照)を撮像したとする。この場合、撮像に伴う光は、被加工物200の外部に向かうと、反射ユニット12の反射部123が存在しないため、保持テーブル10の下方に位置するX軸移動ユニット42の蛇腹部分へ向かい、撮像ユニット30の対物レンズ31に取り込まれない。また、X軸移動ユニット42の蛇腹の表面が黒色の部材である場合、撮像に伴う光は、X軸移動ユニット42の蛇腹の表面で反射されない。これにより、図9に示すように、撮像ユニット30が撮像した画像500-1は、被加工物200を撮像した第1領域510及び反射ユニット12の反射部123が存在しない被加工物200の外部を撮像した第3領域540の双方が暗い領域となる。このため、画像500-1は、第1領域510と第3領域540との境界530のコントラストが不明確になり、被加工物200のエッジ206の外部がぼけて不鮮明な画像となる。
実施形態に係る加工装置1は、被加工物200のエッジ206と反射ユニット12の反射部123を撮像した画像500を解析することで、被加工物200のエッジ206と反射部123との鮮明な境界530に基づいて、被加工物200のエッジ206の座標を算出する精度を向上させることができる。また、加工装置1は、保持テーブル10が備える反射ユニット12を利用しているので、新たな構成を追加することなく、被加工物200のエッジ206を撮像することができる。
加工装置1の制御ユニット100は、保持テーブル10の4つの反射ユニット12の各々を4つの撮像領域301とし、4つの撮像領域301を撮像ユニット30によって撮像する。制御ユニット100は、4つの画像から被加工物200のエッジ206上における4つの位置座標を検出する。制御ユニット100は、例えば、特開2011-249572号公報に記載されている技術等を用いて、被加工物200の中心を検出する。制御ユニット100は、画像処理により被加工物200のエッジ206の相異なる3点以上の位置座標を算出する。複数の位置座標は、例えば、保持テーブル10の反射ユニット12の位置に基づいて適宜決定すればよい。制御ユニット100は、複数の座標位置が示す三角形の外接円に基づいて被加工物200の中心を検出する。制御ユニット100は、被加工物200の中心を検出すると、該中心の座標を示す座標情報を記憶装置に記憶する。
制御ユニット100は、被加工物200の中心を検出した後に、切削ブレード21を被加工物200の中心位置を基準に被加工物200のエッジ206から所定距離に位置付けて、保持テーブル10と切削ブレード21とを相対的に回転させることで、被加工物200の外周部の部分を除去する。また、制御ユニット100は、検出された被加工物200の中心位置を基準に被加工物200の上面高さを測定し、該上面高さに応じて加工ユニット20を動作させ、分割予定ライン103に沿って被加工物200を加工することができる。よって、加工装置1は、被加工物200の中心位置を正確に求め、該中心位置を基準に被加工物200に対する加工を行うので、加工精度を向上させることができる。
以上により、加工装置1は、被加工物200のエッジ206を反射ユニット12の反射部123に近付けて撮像することで、被加工物200のエッジ206が保持テーブル10の保持面11から外部へ突出した状態で保持していても、エッジ206と反射部123との境界を鮮明に撮像することができる。これにより、加工装置1は、被加工物200のエッジ206を正確に把握できるので、保持テーブル10から突出した状態で保持した被加工物200の加工精度を向上させることができる。
加工装置1は、保持テーブル10の保持面11よりも大きな被加工物200をワークユニット250として用いても、環状フレーム210を支持した反射ユニット12によって被加工物200のエッジ206を鮮明に撮像することができる。これにより、加工装置1は、新たな構成を追加することなく、環状フレーム210を支持するフレーム支持部120を有する反射ユニット12を有効利用して、被加工物200のエッジ206を鮮明に撮像した画像を得ることができる。
[実施形態の変形例]
図10は、実施形態の変形例に係る加工装置1の保持面11と反射ユニット12の関係例を説明するための図である。加工装置1は、被加工物200をフルカットトリミングする場合、被加工物200のエッジ206の横に切削ブレード21を位置付けて加工する。この場合、加工装置1は、図10に示すように、反射ユニット12の反射部123を、保持テーブル10の保持面11よりも下方に位置付けられるように構成すればよい。加工装置1は、被加工物200をフルカットトリミングする場合に、反射部123が切削ブレード21に接触しないように構成すればよい。これにより、加工装置1は、切削ブレード21でエッジ206を除去するフルカットトリミング時においても、反射ユニット12が切削ブレード21に接触することを回避できる。
上記の実施形態では、加工装置1は、反射ユニット12の反射部123が載置部121と押し付け部材122とを有する場合について説明したが、これに限定されない。図11は、実施形態の変形例に係る加工装置1の保持テーブル10の他の使用例を説明するための図である。
図11に示す場面1001では、加工装置1は、上記の環状フレーム210を用いずに、被加工物200を保持テーブル10の保持面11で保持した状態で、切削ブレード21が被加工物200のエッジ206を切削している。この場合、加工装置1は、載置部121には環状フレーム210が載置されていないため、載置部121と押し付け部材122とが非接触状態になっている。非接触状態は、押し付け部材122が載置部121に押し付けられていない状態である。載置部121と押し付け部材122とは、反射部材で形成されている。
場面1002では、加工装置1は、反射ユニット12を被接触状態にしているので、載置部121の載置面(上面)が上記の反射部123として機能する。加工装置1は、反射ユニット12の載置部121が被加工物200のエッジ206と重なるように上方から撮像可能な撮像位置に、撮像ユニット30が位置するように、X軸移動ユニット42、Y軸移動ユニット41及びZ軸移動ユニット43を制御する。加工装置1は、撮像位置に位置付けた撮像ユニット30によって、被加工物200のエッジ206及び反射ユニット12を含む撮像領域301の部分を撮像する。
これにより、加工装置1は、被加工物200のエッジ206を反射ユニット12の載置部121の上方に位置付けて撮像することで、被加工物200が保持テーブル10から突出した状態で保持していても、エッジ206と反射ユニット12との境界を鮮明に撮像することができる。これにより、加工装置1は、被加工物200のエッジ206を正確に把握できるので、保持テーブル10から突出した状態で保持した被加工物200の加工精度を向上させることができる。
なお、本発明は、上記実施形態等に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
上記の実施形態では、加工装置1は、4つの反射ユニット12の全てに反射部123を設ける場合について説明したが、これに限定されない。加工装置1は、4つの反射ユニット12のうちの少なくとも1つの反射ユニット12に反射部123を設ける構成としてもよい。
上記の実施形態では、加工装置1は、反射ユニット12が環状フレーム210を支持するフレーム支持部120である場合について説明したが、これに限定されない。反射ユニット12は、保持テーブル10の保持面11を囲繞する環状部材、または、保持面11の外周に沿って複数配置される部材であってもよい。
加工装置1は、複数の反射ユニット12を備えずに、1つの環状部材としてもよい。環状部材は、例えば、保持テーブル10の保持面11を囲繞するリング状の反射部材とし、該保持面11よりも下方に位置付けられるように、加工装置1に設けられてもよい。
上記の実施形態では、加工装置1は、被加工物200が保持テーブル10の保持面11よりも大きい場合について説明したが、これに限定されない。例えば、被加工物200が保持面11と同一の大きさである場合、加工装置1は、被加工物200と反射ユニット12の反射部123とが隣り合うように反射部123を位置付けて撮像することで、実施形態と同様に、被加工物200のエッジ206が鮮明な画像を得ることができる。
上記の実施形態では、加工装置1は、円盤状の被加工物200を加工する場合について説明したが、これに限定されない。加工装置1は、例えば、方形、多角形等の被加工物を用いてもよく、この場合、被加工物の撮像対象箇所を反射ユニット12の反射部123の上方に位置付ければよい。
上記の実施形態では、加工装置1は、切削装置である場合について説明したが、切削装置以外の研削装置やレーザー加工装置であってもよい。
1 加工装置
10 保持テーブル
11 保持面
12 反射ユニット
13 ガイドレール
20 加工ユニット
21 切削ブレード
22 スピンドル
30 撮像ユニット
36 撮像装置
40 移動ユニット
41 Y軸移動ユニット
42 X軸移動ユニット
43 Z軸移動ユニット
100 制御ユニット
120 フレーム支持部
121 載置部
122 押し付け部材
123 反射部
200 被加工物
201 基板
202 上面
203 分割予定ライン
204 デバイス
206 エッジ
250 ワークユニット
301 撮像領域
500 画像
510 第1領域
520 第2領域
530 境界

Claims (4)

  1. 被加工物を保持する被加工物より小さい保持面を有する保持テーブルと、
    該保持テーブルに保持された被加工物を加工する加工ユニットと、
    該保持テーブルに保持された被加工物を撮像する撮像ユニットと、
    制御ユニットと、
    を備える加工装置であって、
    該保持テーブルは、該保持面を囲繞し、該保持面に保持された被加工物のエッジの下方に位置付け可能な反射ユニットを有し、
    該反射ユニットの少なくとも一部は、反射部材で形成され、該被加工物のエッジが該反射部材の上方に位置付けられた状態で撮像ユニットによって撮像され
    被加工物は、環状フレームの開口にシートを介して支持され、
    該反射ユニットは、該環状フレームを支持するフレーム支持ユニットであることを特徴とする加工装置。
  2. 該撮像ユニットは、該反射部材の上方に位置付けられた被加工物のエッジを複数箇所撮像し、
    該制御ユニットは、撮像された画像から該エッジの座標を算出し、被加工物の中心位置を求めることを特徴とする請求項1に記載の加工装置。
  3. 該加工ユニットの切削ブレードを、該中心位置を基準に被加工物のエッジから所定距離、内側に位置付けて、該保持テーブルと、該切削ブレードとを、相対的に回転させることで、被加工物の外周部を除去することを特徴とする請求項2に記載の加工装置。
  4. 該反射ユニットは、該保持面よりも下方に位置付けられることを特徴とする請求項3に記載の加工装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013084755A (ja) 2011-10-07 2013-05-09 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2015147231A (ja) 2014-02-05 2015-08-20 株式会社ディスコ 保持テーブル
JP2017188599A (ja) 2016-04-07 2017-10-12 株式会社ディスコ 加工方法
JP2019192854A (ja) 2018-04-27 2019-10-31 株式会社ディスコ 保持テーブル及び加工装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5043630B2 (ja) * 2007-12-18 2012-10-10 株式会社ディスコ レーザー加工機
JP5486405B2 (ja) 2010-05-27 2014-05-07 株式会社ディスコ ウェーハの中心位置検出方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013084755A (ja) 2011-10-07 2013-05-09 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2015147231A (ja) 2014-02-05 2015-08-20 株式会社ディスコ 保持テーブル
JP2017188599A (ja) 2016-04-07 2017-10-12 株式会社ディスコ 加工方法
US20170294300A1 (en) 2016-04-07 2017-10-12 Disco Corporation Method of processing bonded wafer
JP2019192854A (ja) 2018-04-27 2019-10-31 株式会社ディスコ 保持テーブル及び加工装置

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