JP7788809B2 - 基板処理装置およびパージガスの制御方法 - Google Patents
基板処理装置およびパージガスの制御方法Info
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Description
[基板処理装置1の構成]
図1は、本開示の第1実施形態における基板処理装置の一例を示す横断断面図である。図1に示す基板処理装置1は、枚葉でウエハ(例えば、半導体ウエハ。)にプラズマ処理等の各種処理を施すことが可能な基板処理装置である。
図2は、第1実施形態における真空搬送室への配管系統の一例を示す図である。なお、図2では、配管系統の説明のためにVTM11を2つに分けて記載しているが、実際には1つのVTM11への配管系統である。
次に、第1実施形態に係るパージガスの制御方法について説明する。図3は、第1実施形態におけるパージガスのシーケンスの一例を示す図である。なお、図3では、MFC60(第1のマスフローコントローラ)を「MFC1」と表し、MFC64(第2のマスフローコントローラ)を「MFC2」と表し、MFC68(第3のマスフローコントローラ)を「MFC3」と表している。
続いて、図4から図7を用いてシミュレーションを用いた第1実施形態における実験例と参考例について説明する。図4および図5は、第1実施形態における実験結果の一例を示す図である。図6および図7は、参考例における実験結果の一例を示す図である。なお、図4~図7において、VTM11等の外部に気流の流れがはみ出ている部分があるが、これはシミュレーションにおける表現上のものであり、実際にはVTM11等から気流がはみ出ることはない。
上記した実施形態では、パージガスを配管58,59,63の3本の配管を用いてVTM11内に供給したが、配管58と配管63とを1系統に纏めてもよく、この場合の実施の形態につき、変形例1として説明する。なお、変形例1における基板処理装置は、上記の実施形態の基板処理装置1と同様であるので、その重複する構成および動作の説明については省略する。
次に、変形例1に係るパージガスの制御方法について説明する。図9は、変形例1におけるパージガスのシーケンスの一例を示す図である。なお、図9では、MFC60(第1のマスフローコントローラ)を「MFC1」と表し、MFC91(第4のマスフローコントローラ)を「MFC4」と表している。また、図9では、真空搬送室の状態について、図3と同様に「アイドル/搬送中」、「LLM入替え」および「PM入替え」で表している。
上記した実施形態および変形例1では、配管59にMFC60を設けて、ガスポート30~32,39,40から吐出(供給)するパージガスの流量を制御したが、MFC60に代えてオリフィスを用いてもよく、この場合の実施の形態につき、変形例2として説明する。なお、変形例2における基板処理装置は、上記の実施形態および変形例1の基板処理装置1と同様であるので、その重複する構成および動作の説明については省略する。
次に、変形例2に係るパージガスの制御方法について説明する。図11は、変形例2におけるパージガスのシーケンスの一例を示す図である。なお、図11では、オリフィス95(第1のオリフィス)を「オリフィス1」と表し、MFC91(第4のマスフローコントローラ)を「MFC4」と表している。また、図11では、真空搬送室の状態について、図3と同様に「アイドル/搬送中」、「LLM入替え」および「PM入替え」で表している。
上記した変形例1では、配管90にMFC91、フィルタ92およびバルブ93を設け、バルブ93よりVTM11側で配管90a~90iに分岐したが、分岐後の配管にオリフィス、フィルタおよびバルブを設けてもよく、この場合の実施の形態につき、変形例3として説明する。なお、変形例3における基板処理装置は、上記の実施形態および変形例1の基板処理装置1と同様であるので、その重複する構成および動作の説明については省略する。
次に、変形例3に係るパージガスの制御方法について説明する。図13は、変形例3におけるパージガスのシーケンスの一例を示す図である。なお、図13では、MFC60(第1のマスフローコントローラ)を「MFC1」と表し、オリフィス97a~97i(第2のオリフィス)を「オリフィス2」と表している。また、図13では、真空搬送室の状態について、図3と同様に「アイドル/搬送中」、「LLM入替え」および「PM入替え」で表している。
上記した第1実施形態および変形例1~3では、VTM11内のパージガスの流れを均一とすることで、パーティクルが溜まることを抑制したが、パーティクルが排出されるまでの時間を短縮するようにしてもよく、この場合の実施の形態につき、第2実施形態として説明する。なお、第2実施形態における基板処理装置は、上記の変形例1の基板処理装置1と同様であるので、その重複する構成および動作の説明については省略する。
続いて、第2実施形態における基板処理装置において、変形例1の基板処理装置1と異なる点について説明する。第2実施形態におけるVTM11において、MFC91は、例えば、ガスポート33~41に対してバルブ94a~94iの開放時に、それぞれ約500sccm以上の流量となるようにパージガスの流量を制御する。また、配管56には、図示しないMFCが設けられ、ガスポート30に対してバルブ57の開放時に、約500sccm以上の流量となるようにパージガスの流量を制御する。なお、ガスポート30は、第1のガスポートの一例である。また、ガスポート33~41は、第2のガスポートの一例である。
次に、第2実施形態に係る真空搬送室の洗浄方法について説明する。なお、第2実施形態では、VTM11への配管系統は、図8に示す変形例1における配管系統を用いる。図14は、第2実施形態におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。なお、図14では、ガスポート33~40および対応するバルブ94a~94hについて、対向する位置にあるもの同士で組としてバルブを動作させている。また、ガスポート41およびバルブ94iは、図14に示すバルブ開閉シーケンスでは用いていない。なお、図14では、バルブの開状態を「open」、閉状態を「close」として表している。
続いて、図15から図19を用いてシミュレーションを用いた第2実施形態における実験例について説明する。図15から図19は、第2実施形態における実験結果の一例を示す図である。なお、図15から図19において、VTM11の外部に気流の流れがはみ出ている部分があるが、これはシミュレーションにおける表現上のものであり、実際にはVTM11から気流がはみ出ることはない。
上記した実施形態では、ガスポート30、ガスポート33,38の組、ガスポート34,37の組、ガスポート35,36の組およびガスポート39,40の組のパージガスの供給時間は重ならないシーケンスとしたが、一部の重複や、2つの組で同時に供給してもよく、この場合の実施の形態につき、変形例4~12として説明する。なお、変形例4~12では、第2実施形態と同様に、ガスポート33~40および対応するバルブ94a~94hについて、対向する位置にあるもの同士で組としてバルブを動作させている。また、ガスポート41およびバルブ94iは、変形例4~12に示すバルブ開閉シーケンスでは用いていない。なお、変形例4~12における基板処理装置は、上記の第2実施形態の基板処理装置1と同様であるので、その重複する構成および動作の説明については省略する。
図20は、変形例4におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。図20に示す変形例4では、制御装置100は、VTM11を洗浄する場合、まず、VTM11の排気口42から最も離れた位置にある第1のガスポートであるガスポート30からパージガスを所定時間供給するように、バルブ57を制御する。
図21は、変形例5におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。図21に示す変形例5では、制御装置100は、VTM11を洗浄する場合、まず、VTM11の排気口42から最も離れた位置にある第1のガスポートであるガスポート30からパージガスを所定時間供給するように、バルブ57を制御する。
図22は、変形例6におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。図22に示す変形例6は、変形例5のバルブ開閉シーケンスを繰り返す場合である。制御装置100は、VTM11を洗浄する場合、まず、VTM11の排気口42から最も離れた位置にある第1のガスポートであるガスポート30からパージガスを所定時間供給するように、バルブ57を制御する。
図23は、変形例7におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。図23に示す変形例7は、変形例5のバルブ開閉シーケンスのうち、ガスポート35,36の組と、ガスポート39,40の組とについて、同時にパージガスを所定時間供給するように制御する場合である。つまり、変形例7は、変形例4と変形例5との組み合わせのパターンであるので、その詳細な説明は省略する。変形例7では、ガスポート39,40の組からのパージガスのガスポート30側への流れを抑制できる。また、変形例7では、よりクリーニング時間を短縮することができる。
図24は、変形例8におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。変形例8は、変形例7のバルブ開閉シーケンスを変形例6と同様に繰り返す場合である。変形例8は、変形例6と同様に、一連のバルブ開閉シーケンスの繰り返し回数は限定されない。パーティクルモニタ装置が設けられている場合には、一度のバルブ開閉シーケンスでパーティクルの量が基準値を下回らない場合であっても、一連のバルブ開閉シーケンスを繰り返すことで、パーティクルの量が基準値を下回った時点で終了する。パーティクルモニタ装置が設けられていない場合には、一連のバルブ開閉シーケンスをあらかじめ決められた回数繰り返して終了してもよい。
図25は、変形例9におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。図25に示す変形例9では、制御装置100は、VTM11を洗浄する場合、まず、VTM11の排気口42から最も離れた位置にある第1のガスポートであるガスポート30からパージガスを所定時間供給するように、バルブ57を制御する。制御装置100は、ガスポート30におけるパージガスの所定時間の供給を所定回数、例えば3回繰り返す。
図26は、変形例10におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。図26に示す変形例10は、変形例9のバルブ開閉シーケンスのうち、ガスポート35,36の組と、ガスポート39,40の組とにおけるパージガスの所定時間の供給について、所定回数の繰り返しを同時に実行するように制御する場合である。つまり、変形例10は、変形例4と変形例9との組み合わせのパターンであるので、その詳細な説明は省略する。これにより、一度のパージガスの衝撃波で剥離しないパーティクルを剥離させることができるとともに、変形例9よりもクリーニング時間を短縮することができる。なお、変形例10の一連のバルブ開閉シーケンスを変形例6と同様に繰り返すようにしてもよい。
図27は、変形例11におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。変形例11は、第2実施形態のバルブ開閉シーケンスを変形例6と同様に繰り返す場合である。変形例11は、変形例6と同様に、一連のバルブ開閉シーケンスの繰り返し回数は限定されない。パーティクルモニタ装置が設けられている場合には、一度のバルブ開閉シーケンスでパーティクルの量が基準値を下回らない場合であっても、一連のバルブ開閉シーケンスを繰り返すことで、パーティクルの量が基準値を下回った時点で終了する。パーティクルモニタ装置が設けられていない場合には、一連のバルブ開閉シーケンスをあらかじめ決められた回数繰り返して終了してもよい。
図28は、変形例12におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。変形例12は、変形例4のバルブ開閉シーケンスを変形例11と同様に繰り返す場合である。変形例12は、変形例11と同様に、一連のバルブ開閉シーケンスの繰り返し回数は限定されない。パーティクルモニタ装置が設けられている場合には、一度のバルブ開閉シーケンスでパーティクルの量が基準値を下回らない場合であっても、一連のバルブ開閉シーケンスを繰り返すことで、パーティクルの量が基準値を下回った時点で終了する。パーティクルモニタ装置が設けられていない場合には、一連のバルブ開閉シーケンスをあらかじめ決められた回数繰り返して終了してもよい。これにより、変形例11よりもクリーニング時間を短縮することができる。
上記した第2実施形態および変形例4~12では、ガスポート30へのパージガスの供給を配管56およびバルブ57を介して行ったが、配管59およびバルブ62を介して行ってもよく、この場合の実施の形態につき、変形例13として説明する。なお、変形例13における基板処理装置は、上記の第2実施形態の基板処理装置1と同様であるので、その重複する構成および動作の説明については省略する。
続いて、図31から図35を用いてシミュレーションを用いた変形例13における実験例について説明する。図31から図35は、変形例13における実験結果の一例を示す図である。なお、図31から図35において、VTM11の外部に気流の流れがはみ出ている部分があるが、これはシミュレーションにおける表現上のものであり、実際にはVTM11から気流がはみ出ることはない。
上記した実施形態では、ガスポート30~32,39,40の組、ガスポート33,38の組、ガスポート34,37の組、ガスポート35,36の組およびガスポート39,40の組のパージガスの供給時間は重ならないシーケンスとしたが、一部の重複や、2つの組で同時に供給してもよく、この場合の実施の形態につき、変形例14~22として説明する。なお、変形例14~22では、ガスポート30~32,39,40および対応するバルブ62について、一組としてバルブを動作させている。また、変形例13と同様に、ガスポート33~40および対応するバルブ94a~94hについて、対向する位置にあるもの同士で組としてバルブを動作させている。さらに、ガスポート41およびバルブ94iは、変形例14~22に示すバルブ開閉シーケンスでは用いていない。なお、変形例14~22における基板処理装置は、上記の変形例13の基板処理装置1と同様であるので、その重複する構成および動作の説明については省略する。
図36は、変形例14におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。図36に示す変形例14では、制御装置100は、VTM11を洗浄する場合、まず、VTM11の排気口42から最も離れた位置にあるガスポート30~32と、最もLLM15側のガスポート39,40とからパージガスを所定時間供給するように、バルブ62を制御する。
図37は、変形例15におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。図37に示す変形例15では、制御装置100は、VTM11を洗浄する場合、まず、VTM11の排気口42から最も離れた位置にあるガスポート30~32と、最もLLM15側のガスポート39,40とからパージガスを所定時間供給するように、バルブ62を制御する。
図38は、変形例16におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。図38に示す変形例16は、変形例15のバルブ開閉シーケンスを繰り返す場合である。制御装置100は、VTM11を洗浄する場合、まず、VTM11の排気口42から最も離れた位置にあるガスポート30~32と、最もLLM15側のガスポート39,40とからパージガスを所定時間供給するように、バルブ62を制御する。
図39は、変形例17におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。図39に示す変形例17は、変形例15のバルブ開閉シーケンスのうち、ガスポート35,36の組と、ガスポート39,40の組とについて、同時にパージガスを所定時間供給するように制御する場合である。つまり、変形例17は、変形例14と変形例15との組み合わせのパターンであるので、その詳細な説明は省略する。変形例17では、ガスポート39,40の組からのパージガスのガスポート30側への流れを抑制できる。また、変形例17では、よりクリーニング時間を短縮することができる。
図40は、変形例18におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。変形例18は、変形例17のバルブ開閉シーケンスを変形例16と同様に繰り返す場合である。変形例18は、変形例16と同様に、一連のバルブ開閉シーケンスの繰り返し回数は限定されない。パーティクルモニタ装置が設けられている場合には、一度のバルブ開閉シーケンスでパーティクルの量が基準値を下回らない場合であっても、一連のバルブ開閉シーケンスを繰り返すことで、パーティクルの量が基準値を下回った時点で終了する。パーティクルモニタ装置が設けられていない場合には、一連のバルブ開閉シーケンスをあらかじめ決められた回数繰り返して終了してもよい。
図41は、変形例19におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。図41に示す変形例19では、制御装置100は、VTM11を洗浄する場合、まず、VTM11の排気口42から最も離れた位置にあるガスポート30~32と、最もLLM15側のガスポート39,40とからパージガスを所定時間供給するように、バルブ62を制御する。制御装置100は、ガスポート30~32,39,40の組におけるパージガスの所定時間の供給を所定回数、例えば3回繰り返す。
図42は、変形例20におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。図42に示す変形例20は、変形例19のバルブ開閉シーケンスのうち、ガスポート35,36の組と、ガスポート39,40の組とにおけるパージガスの所定時間の供給について、所定回数の繰り返しを同時に実行するように制御する場合である。つまり、変形例20は、変形例14と変形例19との組み合わせのパターンであるので、その詳細な説明は省略する。これにより、一度のパージガスの衝撃波で剥離しないパーティクルを剥離させることができるとともに、変形例19よりもクリーニング時間を短縮することができる。なお、変形例20の一連のバルブ開閉シーケンスを変形例16と同様に繰り返すようにしてもよい。
図43は、変形例21におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。変形例21は、変形例13のバルブ開閉シーケンスを変形例16と同様に繰り返す場合である。変形例21は、変形例16と同様に、一連のバルブ開閉シーケンスの繰り返し回数は限定されない。パーティクルモニタ装置が設けられている場合には、一度のバルブ開閉シーケンスでパーティクルの量が基準値を下回らない場合であっても、一連のバルブ開閉シーケンスを繰り返すことで、パーティクルの量が基準値を下回った時点で終了する。パーティクルモニタ装置が設けられていない場合には、一連のバルブ開閉シーケンスをあらかじめ決められた回数繰り返して終了してもよい。
図44は、変形例22におけるバルブ開閉シーケンスの一例を示す図である。変形例22は、変形例14のバルブ開閉シーケンスを変形例21と同様に繰り返す場合である。変形例22は、変形例21と同様に、一連のバルブ開閉シーケンスの繰り返し回数は限定されない。パーティクルモニタ装置が設けられている場合には、一度のバルブ開閉シーケンスでパーティクルの量が基準値を下回らない場合であっても、一連のバルブ開閉シーケンスを繰り返すことで、パーティクルの量が基準値を下回った時点で終了する。パーティクルモニタ装置が設けられていない場合には、一連のバルブ開閉シーケンスをあらかじめ決められた回数繰り返して終了してもよい。これにより、変形例21よりもクリーニング時間を短縮することができる。
前記真空搬送室は、
上面と前記上面に対向する底面と、前記上面と前記底面との間の側面とを備え、前記側面は、第1の側面と前記第1の側面に対向する第2の側面とを備え、
a)前記真空搬送室内を前記第1の側面の近傍の前記底面に設けられた排気口から排気しつつ、前記第2の側面の近傍の前記上面であって、前記排気口から最も離れた位置にある第1のガスポートからパージガスを所定時間供給する工程と、
b)前記真空搬送室内を前記排気口から排気しつつ、前記第1のガスポートよりも前記第1の側面側に位置する第2のガスポートから前記パージガスを前記所定時間供給する工程と、
を有する真空搬送室の洗浄方法。
を有する付記1に記載の真空搬送室の洗浄方法。
を有する付記1に記載の真空搬送室の洗浄方法。
付記1または2に記載の真空搬送室の洗浄方法。
付記1~4のいずれか1つに記載の真空搬送室の洗浄方法。
付記1~5のいずれか1つに記載の真空搬送室の洗浄方法。
付記6に記載の真空搬送室の洗浄方法。
付記1~7のいずれか1つに記載の真空搬送室の洗浄方法。
付記8に記載の真空搬送室の洗浄方法。
付記1~9のいずれか1つに記載の真空搬送室の洗浄方法。
上面と前記上面に対向する底面と、前記上面と前記底面との間の側面とを備え、前記側面は、第1の側面と前記第1の側面に対向する第2の側面とを備える、真空搬送室と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、a)前記真空搬送室内を前記第1の側面の近傍の前記底面に設けられた排気口から排気しつつ、前記第2の側面の近傍の前記上面であって、前記排気口から最も離れた位置にある第1のガスポートからパージガスを所定時間供給するよう前記基板処理装置を制御するように構成され、
前記制御部は、b)前記真空搬送室内を前記排気口から排気しつつ、前記第1のガスポートよりも前記第1の側面側に位置する第2のガスポートから前記パージガスを前記所定時間供給するよう前記基板処理装置を制御するように構成される、
基板処理装置。
10 装置本体
11 真空搬送室(VTM)
12 ロボットアーム
13 プロセスモジュール(PM)
14,16 ゲートバルブ
14a 接続部
15 ロードロックモジュール(LLM)
30~41 ガスポート
42 排気口
54 パージガス供給源
56,58,59,63,90,96 配管
60,64,68,91 マスフローコントローラ(MFC)
57,62,94a~94i バルブ
95,97a~97i オリフィス
100 制御装置
Claims (20)
- 基板処理装置であって、
上面と、前記上面に対向する底面と、前記上面と前記底面との間の側面とを有し、前記側面は、第1の側面と、前記第1の側面に対向する第2の側面と、前記第1の側面と前記第2の側面との間に配置され、互いに対向する一対の側面とを有し、前記上面、前記底面、前記第1の側面、前記第2の側面および前記一対の側面は、単一の空間を画定する、真空搬送室と、
前記真空搬送室内に配置され、基板を搬送する搬送ロボットと、
前記第1の側面に沿って配置されるロードロックモジュールと、
前記真空搬送室と、前記ロードロックモジュールとを接続する第1のゲートバルブと、
前記一対の側面のそれぞれに沿って並んで配置される複数のプロセスモジュールと、前記真空搬送室とを接続する複数の第2のゲートバルブと、
前記真空搬送室内にパージガスを供給するための複数のガスポートと、
前記複数のガスポートとパージガス供給源とを接続する配管と、
前記真空搬送室の前記第1の側面の近傍の前記底面に設けられ、前記真空搬送室に供給された前記パージガスを排気する排気ポンプが接続される少なくとも1つの排気口と、
を備え、
前記複数のガスポートは、前記第2の側面の近傍の前記上面または前記上面の近傍の前記第2の側面に設けられたガスポートと、前記真空搬送室と前記複数の第2のゲートバルブとの接続部にそれぞれ設けられたガスポートとを含む、
基板処理装置。 - 前記第2の側面の前記近傍とは、前記上面を、前記第1の側面から前記第2の側面までをその方向に8等分した際に、前記第2の側面に最も近い上面の部分である、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記複数のガスポートは、前記第2の側面の中心部の近傍の前記上面に設けられたガスポートを含み、
前記少なくとも1つの排気口は、前記第1の側面の中心部の近傍の前記底面に設けられる、
請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記複数のガスポートは、前記第1の側面の近傍の前記上面にさらに設けられる、
請求項1~3のいずれか1つに記載の基板処理装置。 - 前記複数のガスポートは、前記第1のゲートバルブの接続部にさらに設けられる、
請求項1~4のいずれか1つに記載の基板処理装置。 - 前記複数のガスポートは、前記第1の側面の近傍の前記上面と、前記第1のゲートバルブの接続部とにさらに設けられ、
前記配管は、
前記第1の側面の近傍の前記上面と、前記第2の側面の近傍の前記上面または前記上面の近傍の前記第2の側面とに設けられた前記複数のガスポートのそれぞれに、前記パージガスの流量を制御する第1のマスフローコントローラを介して前記パージガスを供給する第1の配管と、
前記第1のゲートバルブの前記接続部に設けられた前記複数のガスポートのそれぞれに、前記パージガスの流量を制御する第2のマスフローコントローラを介して前記パージガスを供給する第2の配管と、
前記複数の第2のゲートバルブの前記接続部に設けられた前記複数のガスポートのそれぞれに、前記パージガスの流量を制御する第3のマスフローコントローラを介して前記パージガスを供給する第3の配管と、を有する、
請求項1~3のいずれか1つに記載の基板処理装置。 - 前記第1のマスフローコントローラは、前記真空搬送室がアイドル状態または基板の搬送中である場合、前記第1のゲートバルブが開放される場合、および、前記第2のゲートバルブが開放される場合に、前記パージガスを連続して供給するように前記流量を制御する、
請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記第2のマスフローコントローラは、
前記真空搬送室が前記アイドル状態または前記基板の搬送中である場合、および、前記第2のゲートバルブが開放される場合に、前記パージガスを停止するように前記流量を制御し、
前記第1のゲートバルブが開放される場合に、前記パージガスを停止、または、ランプ制御により供給するように前記流量を制御する、
請求項7に記載の基板処理装置。 - 前記第3のマスフローコントローラは、
前記真空搬送室が前記アイドル状態または前記基板の搬送中である場合、および、前記第1のゲートバルブが開放される場合に、前記パージガスを停止するように前記流量を制御し、
前記第2のゲートバルブが開放される場合に、前記パージガスをランプ制御により供給するように前記流量を制御する、
請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記複数のガスポートは、前記第1の側面の近傍の前記上面と、前記第1のゲートバルブの接続部とにさらに設けられ、
前記配管は、
前記第1の側面の近傍の前記上面と、前記第2の側面の近傍の前記上面または前記上面の近傍の前記第2の側面とに設けられた前記複数のガスポートのそれぞれに、前記パージガスの流量を制御する第1のマスフローコントローラを介して前記パージガスを供給する第1の配管と、
前記第1のゲートバルブの前記接続部、および、前記複数の第2のゲートバルブの前記接続部に設けられた前記ガスポートのそれぞれに、前記パージガスの流量を制御する第4のマスフローコントローラを介して前記パージガスを供給する第4の配管と、を有する、
請求項1~3のいずれか1つに記載の基板処理装置。 - 前記第1のマスフローコントローラは、
前記真空搬送室がアイドル状態または基板の搬送中である場合、前記第1のゲートバルブが開放される場合、および、前記第2のゲートバルブが開放される場合に、前記パージガスを連続して供給するように前記流量を制御する、
請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記第4のマスフローコントローラは、
前記真空搬送室が前記アイドル状態または前記基板の搬送中である場合に、前記パージガスを停止するように前記流量を制御し、
前記第1のゲートバルブが開放される場合、および、前記第2のゲートバルブが開放される場合に、前記パージガスをランプ制御により供給するように前記流量を制御する、
請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記複数のガスポートは、前記第1の側面の近傍の前記上面と、前記第1のゲートバルブの接続部とにさらに設けられ、
前記配管は、
前記第1の側面の近傍の前記上面と、前記第2の側面の近傍の前記上面または前記上面の近傍の前記第2の側面とに設けられた前記複数のガスポートのそれぞれに、前記パージガスの流量を制御する第1のオリフィスおよび第1のバルブを介して前記パージガスを供給する第5の配管と、
前記第1のゲートバルブの前記接続部、および、前記第2のゲートバルブの前記接続部に設けられた前記複数のガスポートのそれぞれに、前記パージガスの流量を制御する第4のマスフローコントローラを介して前記パージガスを供給する第4の配管と、を有する、
請求項1~3のいずれか1つに記載の基板処理装置。 - 前記第1のオリフィスおよび前記第1のバルブは、
前記真空搬送室がアイドル状態または基板の搬送中である場合、前記第1のゲートバルブが開放される場合、および、前記第2のゲートバルブが開放される場合に、前記パージガスを供給する、
請求項13に記載の基板処理装置。 - 前記第4のマスフローコントローラは、
前記真空搬送室が前記アイドル状態または前記基板の搬送中である場合に、前記パージガスを停止するように前記流量を制御し、
前記第1のゲートバルブが開放される場合、および、前記第2のゲートバルブが開放される場合に、前記パージガスをランプ制御により供給するように前記流量を制御する、
請求項14に記載の基板処理装置。 - 前記複数のガスポートは、前記第1の側面の近傍の前記上面と、前記第1のゲートバルブの接続部とにさらに設けられ、
前記配管は、
前記第1の側面の近傍の前記上面と、前記第2の側面の近傍の前記上面または前記上面の近傍の前記第2の側面とに設けられた前記複数のガスポートのそれぞれに、前記パージガスの流量を制御する第1のマスフローコントローラを介して前記パージガスを供給する第1の配管と、
前記第1のゲートバルブの前記接続部、および、前記第2のゲートバルブの前記接続部に設けられた前記複数のガスポートのそれぞれに設けられた前記パージガスの流量を制御する第2のオリフィスおよび第2のバルブを介して、前記第1のゲートバルブの前記接続部、および、前記第2のゲートバルブの前記接続部に設けられた前記ガスポートのそれぞれに、前記パージガスを供給する第6の配管と、を有する、
請求項1~3のいずれか1つに記載の基板処理装置。 - 前記第1のマスフローコントローラは、
前記真空搬送室がアイドル状態または基板の搬送中である場合、前記第1のゲートバルブが開放される場合、および、前記第2のゲートバルブが開放される場合に、前記パージガスを連続して供給するように前記流量を制御する、
請求項16に記載の基板処理装置。 - 複数の前記第2のオリフィスおよび前記第2のバルブは、
前記真空搬送室が前記アイドル状態または前記基板の搬送中である場合に、前記パージガスを停止するように前記流量を制御し、
前記第1のゲートバルブが開放される場合、および、前記第2のゲートバルブが開放される場合に、前記パージガスを連続して供給する、
請求項17に記載の基板処理装置。 - 前記真空搬送室が平面視で五角形となるように、前記第2の側面は2つの面で構成される、
請求項1~17のいずれか1つに記載の基板処理装置。 - 基板処理装置におけるパージガスの制御方法であって、
前記基板処理装置は、
上面と、前記上面に対向する底面と、前記上面と前記底面との間の側面とを有し、前記側面は、第1の側面と、前記第1の側面に対向する第2の側面と、前記第1の側面と前記第2の側面との間に配置され、互いに対向する一対の側面とを有し、前記上面、前記底面、前記第1の側面、前記第2の側面および前記一対の側面は、単一の空間を画定する、真空搬送室と、
前記真空搬送室内に配置され、基板を搬送する搬送ロボットと、
前記第1の側面に沿って配置されるロードロックモジュールと、
前記真空搬送室と、前記ロードロックモジュールとを接続する第1のゲートバルブと、
前記一対の側面のそれぞれに沿って並んで配置される複数のプロセスモジュールと、前記真空搬送室とを接続するための複数の第2のゲートバルブと、
前記真空搬送室内にパージガスを供給するための複数のガスポートと、
前記複数のガスポートとパージガス供給源とを接続する配管と、
前記真空搬送室の前記第1の側面の近傍の前記底面に設けられ、前記真空搬送室に供給された前記パージガスを排気する排気ポンプが接続される少なくとも1つの排気口と、
を備え、
前記複数のガスポートは、前記第2の側面の近傍の前記上面又は前記上面の近傍の前記第2の側面に設けられたガスポートと、前記真空搬送室と前記複数の第2のゲートバルブとの接続部に設けられたガスポートとを含み、
前記制御方法は、
前記複数のガスポートから、前記真空搬送室内にパージガスを供給することと、
前記真空搬送室に供給された前記パージガスを、前記少なくとも1つの排気口から排気することと、
を有する、パージガスの制御方法。
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