JP7812005B2 - 半導体モジュール - Google Patents

Description

開示の実施形態は、半導体モジュールに関する。

従来より、電気信号を光信号に変換する半導体素子（以下、光素子とも呼称する。）が基板上に実装された半導体モジュールが知られている。この半導体モジュールには、変換された光信号を光素子から外部に伝達する光ファイバーケーブルが接続される場合がある（特許文献１参照）。

特開２０２０－９８２４号公報

本開示の半導体モジュールは、基板と、前記基板上に位置する複数の半導体素子と、前記基板上に位置し、複数の前記半導体素子を制御する制御ＩＣと、を備える。また、複数の前記半導体素子は、それぞれ発光素子を有し、前記制御ＩＣには、前記発光素子ごとに異なる駆動電流値の初期値が予め設定されている。

図１は、実施形態に係る半導体モジュールを斜め上方から見た斜視図である。 図２は、実施形態に係る半導体モジュールを斜め下方から見た斜視図である。 図３は、実施形態に係る半導体モジュールの平面図である。 図４は、実施形態に係る半導体モジュールの機能ブロック図である。 図５は、参考例における半導体モジュールの発光動作を説明するための図である。 図６は、参考例における各光素子の発光量の一例を示す図である。 図７は、実施形態に係る半導体モジュールの発光動作を説明するための図である。 図８は、実施形態に係る各光素子の発光量の一例を示す図である。 図９は、実施形態に係る半導体モジュールの平面図である。 図１０は、実施形態に係る半導体モジュールの平面図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する半導体モジュールの実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。

また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。

従来より、電気信号を光信号に変換する半導体素子（以下、光素子とも呼称する。）が基板上に実装された半導体モジュールが知られている。この半導体モジュールには、変換された光信号を光素子から外部に伝達する光ファイバーケーブルが接続される場合がある。

しかしながら、上述の従来技術では、半導体モジュールに複数の光素子が搭載されていた場合、それぞれの光素子の発光量がばらつく場合があった。これにより、半導体モジュールから出力される光信号の振幅や中央値がばらつくため、光信号の信号品質が低下する恐れがあった。

そこで、上述の問題点を克服し、半導体モジュールから出力される光信号の信号品質を向上させることができる技術の実現が期待されている。

＜半導体モジュールの構成＞
まず、実施形態に係る半導体モジュール１の構成について、図１～図３を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る半導体モジュール１を斜め上方から見た斜視図であり、図２は、実施形態に係る半導体モジュール１を斜め下方から見た斜視図である。

なお、以下に示す各実施形態では、半導体モジュール１が光素子３を基板上に実装した光モジュールである場合を例に挙げて説明するが、本開示による半導体モジュールは、必ずしも光モジュールであることを要しない。

図１および図２に示すように、実施形態に係る半導体モジュール１は、基板２と、複数の光素子３（光素子３ａ～３ｄ）と、放熱部材４とを備える。光素子３は、半導体素子の一例である。

基板２は、たとえば平面視四角形の板形状を有する。基板２の第１面２１（ここでは、上面）には、複数の光素子３ａ～３ｄおよび放熱部材４の他、電源ＩＣ５、制御ＩＣ６、複数の受動部品７（いずれも図３参照）などが位置している。受動部品７は、たとえば抵抗器、コンデンサおよびコイルなどである。

基板２の第２面２２（ここでは、下面）には、コネクタ２５が位置している。基板２は、コネクタ２５を介してマザーボードと電気的に接続される。

光素子３は、電気信号を光信号に変換する半導体素子である。また、光素子３は、光信号を電気信号に変換してもよい。各光素子３の上面には、インタフェース部３１が位置する。インタフェース部３１は、複数の光ファイバーケーブル３２で構成されるケーブル群３２Ａ（図３参照）を介して光コネクタ３３に接続される。

放熱部材４は、いわゆるヒートシンクであり、複数の光素子３の上方に位置する。なお、放熱部材４は、必ずしも複数の光素子３の上方の全てを覆っていなくてもよい。すなわち、図１に示すように、複数の光素子３の上面は、放熱部材４から部分的に露出していてもよい。

放熱部材４は、複数の光素子３に近接し、光素子３から発生した熱を半導体モジュール１の外部に放出する。なお、放熱部材４は、光素子３と直接接触していてもよい。あるいは、放熱部材４は、光素子３にＴＩＭ（Thermal Interface Material）を介して接触していてもよい。すなわち、放熱部材４は、複数の光素子３と熱的に接続されてもよい。

放熱部材４は、たとえばアルミニウム、銅、鉄などの熱伝導率が比較的高い金属で形成されてもよい。ＴＩＭとは、樹脂中に熱伝導性のフィラーを含む複合材料のことである。

放熱部材４は、板状部４１と、複数の脚部４２と、複数の放熱体４５とを有する。板状部４１は、基板２の第１面２１と間隔をあけて対向配置される板状の部位である。複数の脚部４２は、板状部４１に設けられる。具体的には、複数の脚部４２は、板状部４１から基板２に向かって延びて基板２に接触する（基板２上に据えられる）。

これらの脚部４２は、板状部４１からその厚みが部分的に厚くなる形状を成している。脚部４２は板状部４１と一体化していてもよい。複数の脚部４２は、板状部４１と基板２とに接続されていてもよい。複数の脚部４２は、一定の方向（ここでは、Ｘ軸方向）に延在している。

複数の放熱体４５は、板状部４１における基板２との対向面とは反対側の面に位置する。図１および図２では、放熱体４５がピン形状を有する場合（すなわち、放熱ピンである場合）の例を示しているが、放熱体４５は、たとえば板形状（すなわち、放熱フィン）であってもよい。

図３は、実施形態に係る半導体モジュール１の平面図である。なお、図３では、理解を容易にするため、放熱部材４を破線で示している。

図３に示すように、複数の光素子３ａ～３ｄは、光ファイバーケーブル３２の延在方向（Ｘ軸方向）に沿って見た場合に、かかる延在方向と直交する方向（Ｙ軸方向）に沿って並べられる。具体的には、複数の光素子３ａ～３ｄは、Ｙ軸正方向に光素子３ｄ、光素子３ｃ、光素子３ｂおよび光素子３ａの順番で並べられる。

また、複数の光素子３ａ～３ｄは、互いに離隔して位置する。かかる構成とすることにより、基板２上に複数の光素子３ａ～３ｄが位置する場合に、光素子３ａ～３ｄ同士の熱干渉を低減することができる。

具体的には、図３に示すように、複数の光素子３ａ～３ｄのうち光素子３ａと、この光素子３ａの最も近くに位置する光素子３ｂとは、互いの位置が光ファイバーケーブル３２の延在方向（Ｘ軸方向）及びかかる延在方向と直交する方向（Ｙ軸方向）にずれている。同様に、複数の光素子３ａ～３ｄのうち、光素子３ｄと、この光素子３ｄの最も近くに位置する光素子３ｃとは、互いの位置がＸ軸方向およびＹ軸方向にずれている。

このように、複数の光素子３は、互いにずらされて配置される。これにより、実施形態では、隣接する光素子３同士の間の距離を確保しつつ、言い換えれば、隣接する光素子３同士の熱干渉を低減しつつ、基板２のサイズを小型化することができる。

ここでは、複数の光素子３ａ～３ｄのうち近接する２つの光素子（たとえば、光素子３ａと光素子３ｂ）が、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に離隔する場合の例について説明した。しかしながら、本開示はこれに限られず、複数の光素子３ａ～３ｄの全てにおいて、近接する２つの半導体素子の位置が、光ファイバーケーブル３２の延在方向（Ｘ軸方向）およびかかる延在方向と直交する方向（Ｙ軸方向）にずれていてもよい。

たとえば、複数の光素子３ａ～３ｄは、互い違いに配置されてもよい。これによっても、光素子３同士の熱干渉を低減しつつ、基板２のサイズを小型化することができる。

半導体モジュール１のＸ軸負方向側には、半導体モジュール１に対して風を送る冷却ファンなどの送風機（図示せず）が位置する場合がある。かかる送風機は、Ｘ軸正方向に向かう風Ｗを発生させる。

送風機から送られた風Ｗは、複数の放熱体４５（図１参照）に当たるとともに、基板２と放熱部材４の板状部４１との間に形成される通風路１００を抜けるように、基板２の第１面２１に沿って流れる。

そして、実施形態では、かかる風Ｗが通風路１００の出口側に位置する複数の光素子３に当たることにより、複数の光素子３の放熱効率をさらに高めることができる。

さらに、実施形態では、複数の光素子３が風Ｗの流れる方向と交差する方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って並べられるため、風Ｗがすべての光素子３に略均等に当たる。したがって、実施形態によれば、複数の光素子３の放熱効率をさらに高めることができる。

図３に示すように、制御ＩＣ６は、放熱部材４の下方に位置してもよい。そして、制御ＩＣ６は、放熱部材４と熱的に接続されてもよい。これにより、制御ＩＣ６から発生する熱を、放熱部材４によって効率よく放熱することができる。

電源ＩＣ５は、たとえば、基板２上に複数位置してもよい。これにより、光素子３に対して複数種類の基準電圧で電力を供給することができる。

また、電源ＩＣ５は、第１面２１を平面視した場合に、光素子３を基準として制御ＩＣ６の反対側に位置してもよい。たとえば、制御ＩＣ６は光素子３のＸ軸負方向側に位置し、電源ＩＣ５は光素子３のＸ軸正方向側に位置してもよい。

これにより、基板２の第１面２１側において制御ＩＣ６と光素子３との間に位置する各種の配線（図示せず）と、電源ＩＣ５とが互いに干渉することを低減できる。したがって、実施形態によれば、配線設計の自由度を確保することができる。

＜実施形態＞
つづいて、実施形態に係る半導体モジュール１の動作の詳細について、図４～図１０を参照しながら説明する。図４は、実施形態に係る半導体モジュール１の機能ブロック図である。

図４に示すように、実施形態に係る半導体モジュール１は、光素子３と、制御ＩＣ６と、コネクタ２５と、光ファイバーケーブル３２とを備える。また、光素子３は、ＬＤ（レーザダイオード）３４と、ドライバ３５と、変調光回路３６とを有する。ＬＤ３４は、発光素子の一例である。

制御ＩＣ６は、予め設定されている駆動電流値の初期値に基づいて、光素子３のＬＤ３４の駆動電流値を設定する。ＬＤ３４は、設定された駆動電流値の駆動電流によって発光する。ＬＤ３４で生成された連続光は、変調光回路３６に伝達される。

また、外部のＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）２００からコネクタ２５を介して、光素子３のドライバ３５にパルス状の電気信号が入力される。かかるパルス状の電気信号は、光素子３から出力される光信号の基準となる特性を有する。

ドライバ３５は、ＦＰＧＡ２００から供給される電気信号に基づいて、変調光回路３６を駆動する駆動信号を生成し、かかる駆動信号を変調光回路３６に供給する。また、ドライバ３５は、制御ＩＣ６から供給される制御信号によって、動作のＯＮ／ＯＦＦやパルスの変調具合などが制御される。

変調光回路３６は、ドライバ３５から供給される駆動信号に基づいて、ＬＤ３４から供給される連続光を変調し、パルス光を生成する。変調光回路３６で生成されたパルス光は、光ファイバーケーブル３２を介して外部に伝達される。

図５は、参考例における半導体モジュール１の発光動作を説明するための図である。図５に示すように、半導体モジュール１では、１つの制御ＩＣ６が複数の光素子３ａ～３ｄをすべて制御する。

そして、この参考例では、複数の光素子３ａ～３ｄにそれぞれ位置するＬＤ３４（図４参照）の駆動電流値の初期値がすべて等しい値（駆動電流値＝Ａ）である。すなわち、参考例では、制御ＩＣ６に予め設定されている、複数のＬＤ３４における駆動電流値の初期値が、すべて等しい値である。

一方で、駆動電流値の初期値がすべて等しい値であっても、各光素子３ａ～３ｄの発光量は必ずしも同じにはならない。なぜなら、ＬＤ３４の駆動電流値が揃っていたとしても、各光素子３ａ～３ｄにおけるその他の要因までは完全に揃っていないため、発光量まで同じになるとは限らないからである。

すなわち、図６に示すように、光素子３ａの発光量Ｂ１と、光素子３ｂの発光量Ｂ２と、光素子３ｃの発光量Ｂ３と、光素子３ｄの発光量Ｂ４とがばらつく場合がある。図６は、参考例における各光素子３ａ～３ｄの発光量の一例を示す図である。

これにより、参考例では、複数の光コネクタ３３（図１参照）からそれぞれ出力される光信号の振幅や中央値がばらつくため、半導体モジュール１から出力される光信号の信号品質が低下する恐れがあった。

そこで、実施形態では、図７に示すように、制御ＩＣ６が、ＬＤ３４（図４参照）ごとに異なる駆動電流値の初期値（駆動電流値＝Ａ１～Ａ４）を設定してもよい。すなわち、実施形態において、制御ＩＣ６には、ＬＤ３４ごとに異なる駆動電流値の初期値が予め設定されていてもよい。

たとえば、制御ＩＣ６には、光素子３ａのＬＤ３４に対して、参考例で示した駆動電流値Ａ（図５参照）よりも大きい駆動電流値Ａ１が初期値として予め設定されている。これにより、図８に示すように、光素子３ａは、参考例における光素子３ａの発光量Ｂ１よりも大きい発光量Ｂ１’で発光する。

また、制御ＩＣ６には、図７に示すように、光素子３ｂのＬＤ３４に対して、参考例で示した駆動電流値Ａよりも小さい駆動電流値Ａ２が初期値として予め設定されている。これにより、図８に示すように、光素子３ｂは、参考例における光素子３ｂの発光量Ｂ２よりも小さい発光量Ｂ２’で発光する。

また、制御ＩＣ６には、図７に示すように、光素子３ｃのＬＤ３４に対して、参考例で示した駆動電流値Ａよりも大きい駆動電流値Ａ３が初期値として予め設定されている。これにより、図８に示すように、光素子３ｃは、参考例における光素子３ｃの発光量Ｂ３よりも大きい発光量Ｂ３’で発光する。

また、制御ＩＣ６には、図７に示すように、光素子３ｄのＬＤ３４に対して、参考例で示した駆動電流値Ａよりも小さい駆動電流値Ａ４が初期値として予め設定されている。これにより、図８に示すように、光素子３ｄは、参考例における光素子３ｄの発光量Ｂ４よりも小さい発光量Ｂ４’で発光する。

これにより、図８に示すように、半導体モジュール１に搭載されるすべての光素子３ａ～３ｄの発光量Ｂ１’～Ｂ４’を揃えることができる。したがって、実施形態によれば、半導体モジュール１から出力される光信号の信号品質を向上させることができる。

また、実施形態では、複数のＬＤ３４における駆動電流値の初期値が、それぞれの光素子３ａ～３ｄの発光量に応じて設定されてもよい。たとえば、実施形態において、複数のＬＤ３４における駆動電流値の初期値は、複数の光素子３ａ～３ｄの発光量がそれぞれ均等になるように設定されてもよい。

これにより、半導体モジュール１から出力される光信号の信号品質を向上させることができる。

実施形態では、たとえば、半導体モジュール１を組み立てた後に、同じ駆動電流値で発光させた場合の各光素子３の発光量を測定する。そして、測定された各光素子３の発光量に応じて、すべての光素子３の発光量が均等になるように、複数のＬＤ３４の駆動電流値の初期値を設定してもよい。これにより、複数のＬＤ３４における駆動電流値の初期値を、複数の光素子３ａ～３ｄの発光量がそれぞれ均等になるように設定することができる。

また、実施形態では、上記の手段とは別の手段によって、複数のＬＤ３４における駆動電流値の初期値が設定されてもよい。図９および図１０は、実施形態に係る半導体モジュール１の平面図である。

図９に示すように、実施形態では、基板２に位置し、コネクタ２５と光素子３ａ～３ｄとの間をそれぞれ接続する配線Ｃ１～Ｃ４では、配線長がそれぞれ異なる場合がある。たとえば、図９の例では、コネクタ２５と光素子３ｂ、３ｃとをそれぞれ接続する配線Ｃ２、Ｃ３が、コネクタ２５と光素子３ａ、３ｄとをそれぞれ接続する配線Ｃ１、Ｃ４よりも配線長が長い。

これにより、ＦＰＧＡ２００（図４参照）からコネクタ２５を介して入力される電気信号が、光素子３ａ、３ｄに達するまでと比べて、光素子３ｂ、３ｃに到達するまでにより大きく減衰する場合がある。そしてこの場合、光素子３ａ、３ｄの発光量と比べて、光素子３ｂ、３ｃの発光量が小さくなる恐れがある。

そこで、実施形態では、各光素子３ａ～３ｄのＬＤ３４における駆動電流値の初期値が、コネクタ２５と光素子３ａ～３ｄとの間の配線長に応じてそれぞれ設定されてもよい。たとえば、実施形態では、各光素子３ａ～３ｄのＬＤ３４における駆動電流値の初期値が、コネクタ２５と光素子３ａ～３ｄとの間の配線長が長くなるにしたがい大きくなるように設定されてもよい。

たとえば、図９の例では、光素子３ｂ、３ｃのＬＤ３４における駆動電流値の初期値が、光素子３ａ、３ｄのＬＤ３４における駆動電流値の初期値と比べて大きくなるように設定されてもよい。

これにより、複数の光素子３ａ～３ｄの発光量が均等となることから、半導体モジュール１から出力される光信号の信号品質を向上させることができる。また、実施形態によれば、配線Ｃ１～Ｃ４の長さを同じ長さにしなくても、複数の光素子３ａ～３ｄの発光量が均等となることから、配線設計の自由度を確保することができる。

また、図１０に示すように、実施形態では、光素子３ａ～３ｄにそれぞれ接続される光ファイバーケーブル３２の長さが異なる場合がある。たとえば、図１０の例では、光素子３ａ、３ｄに接続される光ファイバーケーブル３２の長さＬ１が、光素子３ｂ、３ｃに接続される光ファイバーケーブル３２の長さＬ２よりも長い。

これにより、光素子３ａ、３ｄから光ファイバーケーブル３２を介して光コネクタ３３まで伝達する光信号が、光素子３ｂ、３ｃから光ファイバーケーブル３２を介して光コネクタ３３まで伝達する光信号に比べてより大きく減衰する場合がある。

そしてこの場合、光素子３ａ、３ｄから光コネクタ３３に伝達する光信号の振幅や中央値が、光素子３ｂ、３ｃから光コネクタ３３に伝達する光信号の振幅や中央値に比べて小さくなる恐れがある。

そこで、実施形態では、各光素子３ａ～３ｄのＬＤ３４における駆動電流値の初期値が、各光素子３ａ～３ｄにそれぞれ接続される光ファイバーケーブル３２の長さに応じてそれぞれ設定されてもよい。たとえば、実施形態では、ＬＤ３４の駆動電流値の初期値が、光素子３ａ～３ｄに接続される光ファイバーケーブル３２の長さが長くなるにしたがい大きくなるように設定されてもよい。

たとえば、図１０の例では、光素子３ａ、３ｄのＬＤ３４における駆動電流値の初期値が、光素子３ｂ、３ｃのＬＤ３４における駆動電流値の初期値と比べて大きくなるように設定されてもよい。

これにより、すべての光コネクタ３３に伝達する光信号の振幅や中央値が均等となることから、半導体モジュール１から出力される光信号の信号品質を向上させることができる。

また、実施形態では、制御ＩＣ６が、光素子３ａ～３ｄの発光量に基づいて、それぞれの光素子３ａ～３ｄにおけるＬＤ３４の駆動電流値を補正する補正機能を有していてもよい。そして、制御ＩＣ６は、かかる補正機能の初期値として、予め設定されている駆動電流値の初期値（たとえば、駆動電流値Ａ１～Ａ４（図７参照）など）を用いてもよい。

これにより、すべての光素子３ａ～３ｄで一律の駆動電流値Ａ（図５参照）を補正機能の初期値として用いる場合と比べて、補正機能による駆動電流値の補正量を小さくすることができる。

したがって、実施形態によれば、機能機能を実現するための補正回路の構成を簡素化することができるため、半導体モジュール１の製造コストを低減することができる。

また、実施形態によれば、機能機能を実現するための補正回路の構成を簡素化することができるとともに、ＬＤ３４を過剰に光らせなくても補正機能を実施することができるため、半導体モジュール１の消費電力を低減することができる。

以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、光素子３に実装される発光素子として、レーザダイオードを用いた例について示したが、本開示はかかる例に限られず、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）などが発光素子として実装されていてもよい。

さらなる効果や他の態様は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本開示のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
基板と、
前記基板上に位置する複数の半導体素子と、
前記基板上に位置し、複数の前記半導体素子を制御する制御ＩＣと、
を備え、
複数の前記半導体素子は、それぞれ発光素子を有し、
前記制御ＩＣには、前記発光素子ごとに異なる駆動電流値の初期値が予め設定されている
半導体モジュール。
（２）
前記発光素子の駆動電流値の初期値は、前記半導体素子の発光量に応じて設定される
前記（１）に記載の半導体モジュール。
（３）
前記発光素子の駆動電流値の初期値は、複数の前記半導体素子の発光量がそれぞれ均等になるように設定される
前記（２）に記載の半導体モジュール。
（４）
前記発光素子から出力される光信号の基準となる電気信号を外部から受信するコネクタ、をさらに備え、
前記発光素子の駆動電流値の初期値は、前記コネクタと前記半導体素子との間の配線長に応じて設定される
前記（１）～（３）のいずれか一つに記載の半導体モジュール。
（５）
前記発光素子の駆動電流値の初期値は、前記配線長が長くなるにしたがい大きくなるように設定される
前記（４）に記載の半導体モジュール。
（６）
複数の前記半導体素子にそれぞれ接続される複数の光ファイバーケーブル、をさらに備え、
前記発光素子の駆動電流値の初期値は、前記光ファイバーケーブルの長さに応じて設定される
前記（１）～（５）のいずれか一つに記載の半導体モジュール。
（７）
前記発光素子の駆動電流値の初期値は、前記光ファイバーケーブルが長くなるにしたがい大きくなるように設定される
前記（６）に記載の半導体モジュール。
（８）
前記制御ＩＣは、前記半導体素子の発光量に基づいて前記発光素子の駆動電流値を補正する補正機能を有し、
前記制御ＩＣは、前記補正機能の初期値として、予め設定されている駆動電流値の初期値を用いる
前記（１）～（７）のいずれか一つに記載の半導体モジュール。

１ 半導体モジュール
２ 基板
２５ コネクタ
３、３ａ～３ｄ 光素子（半導体素子の一例）
３２ 光ファイバーケーブル
３３ 光コネクタ
３４ ＬＤ（発光素子の一例）
３５ ドライバ
３６ 変調光回路
６ 制御ＩＣ

Claims (7)

1. 第１方向および該第１方向に直交する第２方向に広がる第１面を有する基板と、
   前記第１面上に位置し、それぞれが発光素子を有する複数の半導体素子と、
   前記第１面上に位置し、複数の前記半導体素子を制御する制御ＩＣと、
   前記発光素子から出力される光信号の基準となる電気信号を外部から受信するコネクタと、
   を備え、
   複数の前記半導体素子は、前記第１面上において、前記第１方向における両端に位置する複数の第１半導体素子と、前記第１方向において前記第１半導体素子の間に位置し、前記第２方向において、前記第１半導体素子よりも前記第１面の端部に近い位置にある複数の第２半導体素子と、を含み、
   前記コネクタから前記第２半導体素子までの配線長は、前記コネクタから前記第１半導体素子までの配線長よりも長く、
   前記制御ＩＣには、前記発光素子ごとに異なる駆動電流値の初期値が予め設定されており、
   前記第２半導体素子の前記発光素子の駆動電流値の初期値は、前記第１半導体素子の前記発光素子の駆動電流値の初期値よりも大きい
   半導体モジュール。
2. 前記発光素子の駆動電流値の初期値は、前記半導体素子の発光量に応じて設定される
   請求項１に記載の半導体モジュール。
3. 前記発光素子の駆動電流値の初期値は、複数の前記半導体素子の発光量がそれぞれ均等になるように設定される
   請求項２に記載の半導体モジュール。
4. 複数の前記半導体素子にそれぞれ接続される複数の光ファイバーケーブル、をさらに備え、
   前記発光素子の駆動電流値の初期値は、前記光ファイバーケーブルの長さに応じて設定される
   請求項１～３のいずれか一つに記載の半導体モジュール。
5. 前記発光素子の駆動電流値の初期値は、前記光ファイバーケーブルが長くなるにしたがい大きくなるように設定される
   請求項４に記載の半導体モジュール。
6. 前記第１半導体素子に接続される前記光ファイバーケーブルは、前記第２半導体素子に接続される前記光ファイバーケーブルよりも長い
   請求項５に記載の半導体モジュール。
7. 前記制御ＩＣは、前記半導体素子の発光量に基づいて前記発光素子の駆動電流値を補正する補正機能を有し、
   前記制御ＩＣは、前記補正機能の初期値として、予め設定されている駆動電流値の初期値を用いる
   請求項１～３のいずれか一つに記載の半導体モジュール。